RFHIC — 주주총회소집공고 (20171016)
제출인: RFHIC

주주총회소집공고
2.6
알에프에이치아이씨(주)

주주총회소집공고

2017년 10월 16일

회 사 명 :
알에프에이치아이씨 주식회사

대 표 이 사 :
조덕수

본 점 소 재 지 :
경기도 안양시 동안구 부림로 170번길 41-14

(전 화) 031-8069-3000

(홈페이지)http://www.rfhic.com

작 성 책 임 자 :
(직 책) 이사
(성 명) 김주현

(전 화) 031-8069-3000

주주총회 소집공고

(임시)

주주님의 건승과 댁내의 평안을 기원합니다.

상법 제363조 및 당사 정관 제24조에 의거하여 임시주주총회를 아래와 같이 개최하오니 참석하여 주시기 바랍니다. (※ 상법 제542조의4 및 정관 제24조에 의거하여 발행주식 총수의 1% 이하 소유주주에 대하여는 이 공고로 소집통지에 갈음하오니양지하여 주시기 바랍니다)

 - 아 래 - 

1. 일시 : 2017년 10월 31일(화) 오전 9시

2. 장소 : 경기도 안양시 동안구 부림로 170번길 41-14 RFHIC 본점 대회의실

3. 회의 목적 사항
□ 부의안건
 가. 제1호 의안 : 정관 일부 개정의 건
 나. 제2호 의안 : 감사 진대호 선임의 건
 다. 제3호 의안 : 주식병합 승인의 건

※ 의안의 세부내용은 "Ⅲ.경영참고사항 2.주주총회 목적사항별 기재사항" 을 참조하여 주시기 바랍니다.

4. 경영참고사항 비치
상법 제542조의4 제3항에 의거 주주총회소집통지 및 공고사항을 당사의 본점, 금융위원회, 한국거래소, 명의개서 대행회사(한국예탁결제원)에 비치하오니 참고하시기 바랍니다.

5. 실질주주의 의결권 행사에 관한 사항
당사의 이번 주주총회에서는 한국예탁결제원이 주주님들의 의결권을 행사할 수 없습니다. 따라서 주주님께서는 한국예탁결제원에 의결권행사에 관한 의사표시를 하실 필요가 없으며, 주주총회에 참석하시어 의결권을 직접행사 하시거나 대리인에게 위임하여 의결권을 간접행사 하실 수 있습니다. 

6. 주주총회 참석 시 준비물

- 직접행사 : 신분증

- 대리행사 : 위임장(주주와 대리인의 인적사항 기재, 인감날인), 대리인 신분증
- 상기 준비물 미지참시 주주총회장에 입장이 불가하오니 유의하시기 바랍니다. 

7. 기타 안내사항

- 주주총회 기념품은 회사경비 절감을 위하여 지급하지 않습니다.

 2017년 10월 16일

 알에프에이치아이씨 주식회사

대표이사 조 덕 수 (직인생략)

I. 사외이사 등의 활동내역과 보수에 관한 사항

1. 사외이사 등의 활동내역

가. 이사회 출석률 및 이사회 의안에 대한 찬반여부

회차
개최일자
의안내용
사외이사 등의 성명

배선한
(출석률: 77%)

찬 반 여 부

01
2017.01.19
우리은행 B2B 주계약업체 약정의 건
찬성

02
2017.02.13
우리은행 안양시지원 운전자금 대출 실행의 건
찬성

03
2017.03.02
명의개서대리인 설치의 건
-

04
2017.03.03
정기주주총회 소집의 건
찬성

05
2017.03.24
1. 제18기 재무제표 승인의 건
2. 감사 선임의 건
3. 이사보수 한도의 건
4. 감사보수 한도의 건
찬성

06
2017.03.27
합병계약 체결의 건
찬성

07
2017.05.26
임시주주총회 소집의 건
찬성

08
2017.05.31
우리은행 기업시설 일반자금대출 실행의 건
찬성

09
2017.06.07
합병일정(신주교부예정일 및 상장일) 변경의 건
찬성

10
2017.07.14
합병승인 결의 건
-

11
2017.08.04
산업은행 운전(시설)자금 대출 연장의 건
-

12
2017.09.13
임시주주총회 소집의 건
찬성

13
2017.09.29
타법인 주식 취득 결정의 건
찬성

나. 이사회내 위원회에서의 사외이사 등의 활동내역

위원회명
구성원
활 동 내 역

개최일자
의안내용
가결여부

-
-
-
-
-

2. 사외이사 등의 보수현황

(단위 : 백만원)

구 분
인원수
주총승인금액
지급총액
1인당 
평균 지급액
비 고

사외이사
1
2,000
-
-
사외이사 배선한

II. 최대주주등과의 거래내역에 관한 사항

1. 단일 거래규모가 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래종류
거래상대방
(회사와의 관계)
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-
-

2. 해당 사업연도중에 특정인과 해당 거래를 포함한 거래총액이 일정규모이상인 거래

(단위 : 억원)

거래상대방
(회사와의 관계)
거래종류
거래기간
거래금액
비율(%)

-
-
-
-
-

III. 경영참고사항

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

1) 산업의 특성

(가) 무선통신 사업 부문
이동통신기술은 10년 주기로 변화하면서 1980년대 1세대 아날로그 이동통신을 시작으로 1990년대 2세대, 2000년대 3세대, 그리고 2010년대 4세대를 거쳐 나아가 2020년5세대로 향하고 있습니다. 
이러한 이동통신 기술의 발달은 자연스럽게 관련 장비산업의 발달로 이어집니다. 3세대 이동통신(3G), 4세대 이동통신(4G)으로 기술이 발전됨에 따라 데이터의 사용량은 비약적으로 증가하였으며 이에 발맞추어 통신 서비스 사업자들은 안정적인 서비스 제공을 위해 무선 네트워크 장비에 대한 투자를 이어가고 있습니다. 무선 네트워크의 구조상 데이터 트래픽의 영향을 가장 많이 받는 부분은 기지국으로, 대부분의 통신 서비스 사업자들은 안정적인 서비스 제공을 위해 네트워크 설비에 대한 투자가 지속적으로 이루어지고 있습니다.

(나) 방위산업 사업부문(레이더)
최근 레이더 시장은 중장거리 정밀타격 무기체계의 확산에 따라 중장거리 레이더 개발의 필요성 또한 증가하고 있으며 스텔스 표적에 대응하기 위한 레이더 탐지 정밀성의 향상에 초점을 맞추어 미래위협에 대처하고 수많은 무기체계들을 조정하고 통제하기 위한 반도체(GaN등) 기반 다기능 레이더로 발전하고 있습니다.

기존의 고전적인 레이더 신호처리 기능에 레이더 환경, 탐지되는 표적 등 변화하는 주위환경에 대한 지식 정보를 이용하여 더욱 효과적인 탐지 인식 기능을 더한 디지털구조 지능형 레이더로 발전될 것으로 예상됩니다. 디지털 구조 지능형 레이더는 단지표적을 탐지하는 장치에서 벗어나 표적을 식별하고 운용환경 및 표적에 따라 자동으로 최적 파형을 제어하며 탐지된 표적을 식별하여 위협표적에 경보하고 대응수단을 제시하는 인공지능을 갖추게 될 것입니다. 이 모든 기능들은 반도체 기반 다기능 레이더로 구현될 것입니다.

2) 산업의 성장성

프랑스의 전문 조사 업체 Yole Developpement에서 발간한 GaN RF Devices Market(2016.03) 보고서에 따르면 전체 GaN 트랜지스터(RF 디바이스)의 91.1%가 무선통신 장비(네크워크 장비)시장과 방위산업 시장에 적용되고 있음을 확인할 수 있습니다보고서는 2015년도 말까지 전체 GaN 트랜지스터 시장 규모가 3억 달러에 육박했으며, 통신, 방위 사업 등 다양한 시장 분야에 걸쳐 GaN 트랜지스터가 채택됨에 따라 향후 5 년간 2배로 성장할 것으로 전망하였습니다. 특히 중국시장에서 4세대 이동통신(4G, LTE) 기지국 투자가 무선통신장비 시장 확대에 중요한 기여한 것으로 보고 있습니다.

이러한 성장 전망에는 2019 ~2020년에 상용화를 목표로 개발 중인 5세대 이동통신(5G) 무선통신장비 시장 및 방위 시장에서 GaN 기술의 채택이 시장의 성장에 주된 원동력으로 판단되고 있습니다. 전반적인 GaN 트랜지스터 시장의 성장으로 향후 당사의 사업분야인 무선통신 사업부문과 방위산업 사업부문의 괄목할 만한 성장을 기 대할 수 있습니다.

3) 경쟁현황

(가) 무선통신 사업부문

1) RF 트랜지스터(GaN, LDMOS 등)

RF트랜지스터 시장은 실리콘 기반 LDMOS 트랜지스터를 생산하는 NXP와 Ampleon, Infineon 3개 업체와 GaN 트랜지스터를 생산하는 Sumitomo Electric과 당사가 시장의 약 80% 이상을 장악하고 있습니다. 

2) 통신용 전력증폭기
당사는 새로운 통신용 전력증폭기 시장을 개척하기 COB(Chip on board) 공정을 통해 GaN 웨이퍼를 질화알루미늄(AlN) 기판 상에 올리는 방식으로 제작한 하이브리드 타입의 통신용 GaN 전력증폭기를 세계 최초로 개발하였습니다. 당사의 통신용 GaN 전력증폭기는 노키아의 초소형(Small cell) 무선기지국에 적용되어, 저전력 무선 기지국 시장에 진입하게 되었습니다. 제출일 기준으로, 당사의 제품과 같은 하이브리드 타입의 고출력 통신용 GaN 전력증폭기를 제작하는 업체와 유사 제품은 없는 것으로 확인됩니다.

(나) 방위산업 사업부문

1) 레이더용 전력증폭기

방위산업 레이더시장의 경우 다양한 업체가 경쟁하고 있으며, 글로벌 방산기업의 경우 자체적으로 레이더용 전력증폭기를 생산하는 곳도 많습니다. 당사와 유사한 방식으로 레이더용 전 력증폭기를 외주생산하는 업체로는 미국 나스닥에 상장한 MACOM과 QORVO등이 있습니다.

4. 경기변동의 특성

(1) 무선통신 사업부문

무선통신 사업분야에 적용되는 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN 전력증폭기는 국가의 통신 서비스 산업의 발전과 서비스 가입자의 규모에 따라 수요가 달라집니다. 일반적으로 4세대 이동통신기술(4G, LTE)과 같은 신규 서비스가 도입되면 통신 서비스 사업자들은 보다 많은 가입자의 유치 및 안정적인 서비스를 제공하기 위해 네트워크 망 구축을 위한 기지국 및 중계기 수요가 늘어나게 됩니다. 서비스 도입 초기에는 이러한 수요가 폭발적으로 증가하지만 서비스 안정기에 접어들면서 수요의 증가폭은감소할 수 있습니다. 유지 및 보수 측면의 새로운 수요가 발생하면서, 일정 수준의 수요를 유지할 수 있습니다.

또한 무선통신 산업은 전 세계가 일괄적으로 특정 서비스를 도입이 되는 것이 아니여서, 각 국가별 산업 성숙도에 따라 영향을 받을 수 있습니다.

(2) 방위산업 사업부문

방위산업 사업분야에 적용되는 레이더용 GaN 전력증폭기는 국가의 경기변동에 영향을 받지 않습니다. 오늘날 급변하는 국가간의 정세 속에서, 국가 방위에 핵심 설비인 레이더는 유지 보수, 성능 개선에 대한 수요가 지속적으로 발생하고 있습니다. 또한, 기술의 발달로 기존 레이더 체계에서는 탐지되지 않는 미사일, 전투기 등이 개발되면서, 미국, 영국 등 선진국을 중심으로 최신 기술인 반도체 송수신기를 도입한 레이더의 도입을 적극적으로 추진하고 있습니다.

5. 자금조달의 특성

국내,외 영업활동의 호조로 안정적인 현금 흐름을 바탕으로 유동성을 확보하고 있습니다.

6. 관련법령 또는 정부의 규제

(가) 무선통신 사업부문

최근 미국에서는 사이버 보안을 이유로 세계 1위 통신장비 업체인 화웨이의 5세대 무선통신장비에 대하여 자국은 물론 동맹국의 설치에 대해 경계의 목소리를 높이고 있습니다. 미국의 이러한 움직임에는 무선통신장비의 특성상 보안이 필요한 국가 내지 기업의 기밀이 타국에 유출될 수 있다는 근거를 기초로 두고 있습니다. 또한, 자국의 핵심 기술을 보유한 기업에 대하여 기술 유출을 근거로 기업의 인수&합병 등을 국가차원에서 금지하고 있습니다.

이렇듯, 국가간의 정세는 무선통신장비 시장에 영향을 미치는 중대한 요소입니다. 당사는 국가간 정세에 따른 영향을 최소화하기 위해 무선통신장비 시스템의 납품이 아닌 자체 반도체 기술력으로 개발 및 생산한 GaN 트랜지스터를 공급하는 부품단위의 공급 전략을 구축하여 미국, 중국 등 다양한 국가에 수출하고 있습니다.

(나) 방위산업 사업부문(레이더)
레이더 시스템은 국가 안보뿐만 아니라, 기상, 위성, 항공 등 다양한 분야에서 활용되는 최첨단 기술이며, 부가가치가 큰 기술입니다. 레이더 분야 최고 선진국인 미국은 주요 기술이 중국, 러시아 등 경쟁국에 넘어가는 것을 방지하기 위하여 핵심부품들에대해서는 자국 회사가 자국내에서 생산하는 것은 물론이고, 수출 허가(EL) 없이는 반출도 불허하는 등 철저하게 통제하고 있습니다. 당사는 한국 법인과 미국 법인을 활용하여 국내 및 미국과 유럽의 방산업체를 공략하고 있으며 중국과 러시아 등의 국가에는 레이더 전력증폭기를 납품하고 있지 않습니다. 

나. 회사의 현황

(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황

당사는 경쟁사보다 먼저 미래 산업의 변화를 예측하여 신소재인 질화갈륨(Gallium Nitride, 이하 GaN)을 이용한 제품 개발 및 상용화를 시도하였습니다.

당사가 중소기업이지만 비교적 짧은 기간 안에 시장을 공략할 수 있었던 이유는 GaN이라는 신소재를 이용한 무선주파수(RF, Radio Frequency) 전력 증폭기(이하, GaN 전력증폭기)를 개발했기 때문입니다. 해외 글로벌 경쟁사들이 기존 30여 년 동안 시장을 장악한 실리콘 기반 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)라는 소재에 집중할 때 높은 가격 때문에 군사용, 인공위성 등 제한된 용도로 사용하고 있는 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용하여 실리콘 기반 LDMOS와 경쟁할 수 있는 가격구조를 갖추게 되었습니다. GaN 전력증폭기는 LDMOS 전력증폭기에 비해 효율은 10% 정도 높으며, 제품 크기는 최대 절반으로, 전력 사용량은 20% 정도 절감할 수 있는 강점이 있어 전 세계 기지국 시장에 확대 적용되고 있습니다.

당사의 주력 제품에는 GaN 트랜지스터와 GaN 전력증폭기가 있으며 당사 전체 매출액의 90% 이상 차지하고 있습니다. 당사의 가장 큰 경쟁력은 국내에서 유일하게 GaN 트랜지스터를 생산하고 있다는 것입니다. GaN 트랜지스터를 생산하여 직접 판매하기도 하며, 당사의 전력증폭기에 사용하기도 합니다.

(2) 시장점유율

RF트랜지스터 시장은 실리콘 기반 LDMOS 트랜지스터를 생산하는 NXP와 Ampleon, Infineon 3개 업체와 GaN 트랜지스터를 생산하는 Sumitomo Electric과 당사가 시장의 약 80% 이상을 장악하고 있습니다. 

(3) 시장의 특성

(가) 무선통신 사업부문
1) 수요 변동요인
무선 네트워크 시장은 통신 서비스 산업의 발전과 가입자의 규모에 따라 수요가 달라집니다. 예를 들어, LTE와 같은 신규 서비스가 도입되면 통신 서비스 사업자들의 가입자 유치 경쟁에 의하여 네트워크 망 구축을 위한 기지국 및 중계기 수요가 늘어나게 됩니다. 서비스 도입 초기에 급증한 수요는 서비스 안정기에 접어들면서 일부 감소될 수 있으나, 유지 및 보수 측면의 새로운 수요가 발생하면서, 일정 수준의 수요가유지될 수 있습니다.
무선 네트워크 시장의 가장 큰 수요 변동요인으로는 5세대 이동통신기술(5G)의 상용화 시점입니다. 당초 5세대 이동통신기술(5G)은 2020년에 상용화될 것으로 예상되었으나, 중국의 대규모 투자 계획 및 5G 규격 개발 기술안의 확정으로 인하여, 글로벌 통신 서비스 사업자들은 상용화 시점이 1년 앞당겨진 2019년에 이루어 질 것으로예상하고 있습니다. 
5세대 이동통신기술(5G)의 주파수 규격 및 성능을 만족하기 위해서는 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN전력증폭기의 사용이 유일한 대안으로, 무선통신시장에서 5세대 이동통신기술(5G)의 상용화를 위해 GaN 트랜지스터 및 통신용 GaN 전력증폭기를 적용한 장비의 연구 및 생산에 대한 투자가 증가할 것으로 예측하고 있습니다. 

2) 주요 목표시장
기존 3세대, 4세대 이동통신기술은 주로 3Ghz 이하의 주파수가 활용되었으며, 관련된 무선통신장비시장은 3Ghz 이하의 주파수에서 가격대비 안정적인 성능을 보유한 실리콘(Si) 기반의 LDMOS 트랜지스터가 선호되었습니다. 하지만, 2019년 내지 2020년에 상용화될 것으로 예상되는 5세대 이동통신기술의 주파수 규격이 6Ghz 이하 주파수 및 28Ghz 이상 주파수가 사용될 것으로 발표됨에 따라, 다수의 경쟁사 및 조사업체들은 3Ghz 이상의 주파수에서 높은 효율 및 안정성을 보유한 GaN 트랜지스터가 LDMOS 트랜지스터를 대체할 것으로 예상하고 있습니다. 

(나) 방위산업 사업부문(레이더)

1) 수요 변동 요인
2015년도에 발행된 세계방산연감에 따르면 기술변화가 극심한 오늘날, 국방장비가 노후화되지 않으려면 연구개발 투자를 확대해야 하기 때문에 각국의 군 조달기관은 군용 레이더를 투자 우선순위로 인식하고 있으며, 미국의 레이더 부문 지출은 매년 1.6%씩 성장할 것으로 예측하고 있습니다.

새로운 레이더의 개발, 생산, 도입 단계에 이르기까지 최소 5년에서 10년의 기간이 필요합니다. 특히 레이더와 같은 주요 탐지 장비들의 발전 대비, 항공기, 미사일등의 은폐(Stealth)성능은 더욱 향상되고 있어 테러등에 무방비로 노출되기 쉬워 졌습니다때문에 많은 국가들은 레이더의 성능 개선을 위해 연구 개발을 진행하고 있으며, 최신 기술인 반도체 송수신기를 도입한 레이더의 도입을 적극적으로 추진하고 있습니다.

2) 주요 목표시장
일반적으로 레이더는 내부의 부품이 매우 민감하기 때문에 통상 5년이 지나면 한 세대가 지난 것으로 보고 있습니다. 이러한 레이더는 제 기능을 발휘하기 위해서 주기적으로, 정비, 성능개량 및 부품교체가 이루어져야 합니다.

기존 레이더의 성능을 결정하는 핵심 부품인 진공관(TWT, Klystron등)은 고전압 사용으로 인해 잦은 고장이 발생하고, 짧은 수명으로 인하여 운용에 많은 문제점을 노출 시켰습니다. 또한, 운용 시 10 ~ 20분의 예열이 필요하고, 연간 1,000 ~ 1,500시간으로 제한된 운용시간으로 인하여 레이더 분야의 기술 선진국인 미국, 영국 및 프랑스는 자국의 방위 산업 업체를 통해 기존 진공관 기반의 레이더를 반도체 기반의 레이더로 대체하는 사업을 추진하고 있습니다. 이러한 추세에 맞추어 당사는 글로벌 방위산업 업체와 연계하여 신규개발 사업외에도 레이더용 GaN 전력증폭기를 적용한반도체 기반의 레이더 체계 개선 사업에도 적극적으로 참여하고 있습니다.

(4) 신규사업 등의 내용 및 전망

(가) GaN on Diamond
당사는 기존 실리콘(Si) 기반의 글로벌 경쟁사에서 GaN 트랜지스터에 대한 개발 및 제품 출시를 준비하는 동안 당사는 보다 향상된 기술을 확보하기 위하여 새로운 소재인 Diamond에 대한 연구를 진행하고 있습니다. 
일반적으로 Diamond는 특유의 광택 및 화려함으로 보석의 대명사로 널리 알려져 있지만, Diamond 자체의 다양하고 우수한 물리적 특성에 의해 산업적으로도 널리 쓰이고 있는 소재입니다. 구체적으로 Diamond의 물리적 특성을 살펴보면, 구리보다 4배 정도 큰 열전도도를 가지며, 고압, 고출력 반도체에 요구되는 큰 에너지 밴드갭과 항복 전압(Breakdown voltage), 및 높은 전자 이동도를 갖는 등 반도체로 우수한 특성을 보유하고 있습니다.
당사는 Diamond의 우수한 특성을 활용한 Diamond 웨이퍼 제조 공정 및 개발에 대한 원천기술확보 및 세계 최초의 GaN on Diamond 웨이퍼 공정의 상용화를 목표로 영국의 Element Six로부터 Diamond 웨이퍼 공정 및 설계 기술에 대한 지식재산권을취득하였습니다.
GaN on Diamond 웨이퍼 공정의 상용화 기술개발 및 원천기술확보는 기존 원재료인웨이퍼를 수입하여 제품을 생산하던 팹리스(Fabless) 업체에서 자체 Fab을 보유한 반도체 전문 기업으로의 발전을 의미하며, 이를 통하여 급변하는 세계 시장에서 보다능동적이고 빠르게 제품의 생산 및 경쟁력을 확보할 수 있습니다.
5세대 이동통신 및 방위산업에서는 우수한 방열특성 및 높은 주파수가 필요합니다. GaN on Diamond 소자를 개발 및 적용하면 최대 400GHz까지 동작 가능한 소자를 확보할 수 있습니다. 개발된 GaN on Diamond 소자는 5세대 이동통신뿐만 아니라 고출력 AESA(Active Electronically Scanned Array, 능동 전자주사식 위상배열) 레이더용 전력증폭기와 같은 방위산업 분야의 선점효과를 기대할 수 있습니다. CVD Diamond 증착기술을 이용한 GaN on Diamond 웨이퍼의 국산화 및 원천 기술을 확보하면전력반도체와 같은 시스템 반도체, 기타 응용 제품 등 신규 시장으로 사업의 영역을 확대할 수 있습니다.

(나) GaN on SiC 

1) 5G 이동통신
가) 5G Front-End Module 
무선데이터의 수요가 기하급수적으로 증가하면서, 선진 기업들은 무선데이터와 네트워크의 용량을 비약적으로 확대할 수 있는 새로운 혁신기술인 5세대 이동통신 기술 개발에 박차를 가하고있습니다. 5세대 이동통신 구현에 핵심 기술 중 하나인 대용량 MIMO(Massive MIMO, Massive Multi Input Multi Output)는 대용량의 데이터를 고속으로 전송하기 위해 다량의 안테나를 사용하여 무선데이터 전송 속도와 링크안정성을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기술입니다. 또한, 에너지 소비를 최소화 하면서, 더욱 많은 사용자를 수용할 수 있습니다.

대용량 MIMO 기술의 구현에는 64개 또는 128개 이상의 송/수신단과 연결되는 다수의 안테나가 배열 됩니다. 다량의 안테나가 사용됨에 따라 각 안테나의 간섭을 최소화할 수 있도록 전력증폭기 설계 기술이 필요합니다. 또한 각 송신단에서 사용되는 다수의 전력증폭기로 인한 발열 및 에너지 효율을 개선하기 위한 고효율 전력증폭기에 대한 개발이 요구되고 있습니다.

이러한 5세대 이동통신에 적합하도록 송수신 소자를 집적화한 제품이 Front-End Module 입니다. 송수신을 전환하는 RF스위치와 송신용 증폭기, 수신용 저잡음 증폭기를 모두 내장하고 소형화하였기 때문에 네트워크장비의 제조비용을 절감할 수 있으며 GaN 소자 특유의 고효율 성능으로 인해 유지비용이 낮아 소형기지국과 5G massive MIMO용으로 많은 수요가 기대되는 제품입니다.

나) 5G GaN MMIC 
5G 차세대 통신용 Massive MIMO 기술에 적용되는 전력증폭기는 32개, 64개, 128개 이상의 다량의 안테나와 전력증폭기가 배열되므로 간섭을 최소화하며 효율을 최대화하는 고도의 설계 기술과 신뢰성있는 집적화 기술이 적용되어야 합니다. 특히 2019년에 확정되는 6Ghz 이하 및 28Ghz 이상 주파수 대역의 제품은 소재의 한계로 인하여 GaN MMIC로만 구현이 가능할것으로 예상됩니다.
당사는 현재 6GHz 이하의 제품으로 평균출력 XW급의 고효율 GaN MMIC를 개발하고 있습니다. 또한, 상업용 및 방산용 레이더 산업에 적합한 C, X, Ku, K-band 와 같은 고주파 대역의 GaN MMIC 제품 개발을 통해 설계기술 확보 및 5G 통신용 제품에적용해 나갈 예정입니다.

2) 인공위성에 적용 
우주 궤도에서 전력 사용은 극히 제한되어 있으므로 주어진 전력으로 기능을 극대화 할 수 있는 고출력 증폭기의 효율 개선, 경량화 및 신뢰성있는 기술의 확보가 매우 중요합니다.

GaN 트랜지스터를 이용한 전력증폭기는 한층 더 보강된 높은 신뢰성과 긴 수명, 고효율, 낮은 전압에서 동작 등의 장점을 적극 활용하여 새롭게 변화하고 있는 위성 통신 분야의 많은 데이터량을 처리 하는데 적합한 제품입니다. 당사는 위성 탑재체 개발 초기 단계부터 탑재체용 전력 증폭기의 개발에 참여하여 요구되는 성능 및 규격에적합한 제품을 제공하고 있습니다.

당사에서는 위성 탑재체용 X, Ku-Band GaN 고출력 증폭 MMIC 및 이를 이용한 전력증폭기 우주인증모델을 개발하고 있으며, 개발된 제품은 향후 저궤도 소형, 중형 탑제체에 적용될 예정이며, 정지궤도 통신용 탑제체에도 활용될 수 있습니다.

(5) 조직도

조직도

2. 주주총회 목적사항별 기재사항

□ 정관의 변경

가. 집중투표 배제를 위한 정관의 변경 또는 그 배제된 정관의 변경

변경전 내용
변경후 내용
변경의 목적

-
-
-

나. 그 외의 정관변경에 관한 건

변경전 내용
변경후 내용
변경의 목적

제7조 (1주의 금액)
주식 1주의 금액은 100원으로 한다.
제7조 (1주의 금액)
주식 1주의 금액은 500원으로 한다.
주식병합

※ 기타 참고사항

□ 감사의 선임

<권유시 감사후보자가 예정되어 있는 경우>

가. 후보자의 성명ㆍ생년월일ㆍ추천인ㆍ최대주주와의 관계

후보자성명
생년월일
최대주주와의 관계
추천인

진대호
1960.11.05
-
이사회

총 ( 1 ) 명

나. 후보자의 주된직업ㆍ약력ㆍ해당법인과의 최근3년간 거래내역

후보자성명
주된직업
(현재)
약력
해당법인과의
최근3년간 
거래내역

진대호
-
1.충남대학교 계산통계학과
2.(전)GS 칼텍스 정보시스템 부문장 상무
3.(전)GS ITM 대표이사
-

<감사후보자가 예정되지 아니한 경우>

선임 예정 감사의 수
(명)

※ 기타 참고사항

□ 기타 주주총회의 목적사항

가. 의안 제목

주식병합 승인의 건

나. 의안의 요지

1) 주식병합의 목적 : 적정 주식수 유지를 통한 기업가치 제고 및 주가 안정화
2) 주식병합의 방법 
 - 액면가 100원 보통주식 5주를 액면가 500원 보통주식 1주로 병합함.
3) 주식병합 전후의 발행 주식수
 - 주식병합전 : 110,184,640주
 - 주식병합후 : 22,036,928주
4) 주식병합 일정

① 임시주주총회 개최일 : 2017년 10월 31일

② 구주권제출기간 : 2017년 11월 01일 ~ 2017년 12월 01일
 ③ 매매거래정지기간 : 2017년 11월 30일 ~ 2017년 12월 19일

④ 명의개서정지기간 : 2017년 12월 02일 ~ 2017년 12월 18일

⑤ 신주권교부예정일 : 2017년 12월 19일

⑥ 신주권상장예정일 : 2017년 12월 20일
5) 주권교체장소 : 한국예탁결제원 증권대행부 
6) 단수주의 처리 
 - 주식의 병합으로 발생하는1주 미만의 단주수는 신주 상장초일의 종가를 
 기준으로 현금지급함.
7) 기타사항 
 - 상기 결의사항은 임시주주총회 결의 및 관계 기관과의 협의과정에서
 변경될 수 있음.