'''에사키 레오나'''(, 1925년 3월 12일 )는 일본의 물리학자이다. 해외에서는 '''레오 에사키'''(Leo Esaki, )라는 이름으로도 알려져 있다. 1958년 소니의 전신인 도쿄통신공업주식회사에 근무하던 시절에 연구한 반도체 PN 접합에서 터널링 효과를 발견한 공로로 1973년에 이바르 예베르, 브라이언 데이비드 조지프슨과 함께 노벨 물리학상을 수상했다. 터널링 효과를 이용한 소자가 터널 다이오드(일명 ‘에사키 다이오드’)이다. == 인물 == 오사카부 나카카와치군 다카이다촌(현: 히가시오사카시)에서 태어나 교토부 교토시에서 자랐다. 1947년에 도쿄 제국대학을 졸업한 가와니시 기계제작소(후의 고베 공업 주식회사, 현재의 후지쯔텐)에 입사, 진공관 음극에서의 열전자 방출에 대한 연구를 하다가 1956년에 도쿄통신공업주식회사(현재의 소니)로 직장을 옮겼다. 반도체 연구실의 주임 연구원으로서 PN 접합 다이오드의 연구에 착수하고 1년 간의 시행착오를 거쳐 게르마늄의 PN 접합폭을 줄이면 전류 전압 특성에 터널 효과에 의한 영향이 지배적으로 나타나고 전압을 크게 할수록 반대로 전류가 감소하는 부성 저항이 나타난다는 것을 발견했다. 발견의 전말에 대해서는 당시 도쿄통신공업이 제조한 게르마늄 트랜지스터의 불량품을 분석하다가 우연히 터널 효과를 지닌 트랜지스터(제품으로는 쓸모가 없음)를 찾은 것이 발견의 계기가 됐다는 사실이 훗날 《NHK 스페셜》 ‘전자입국 일본의 자서전’에서 당시 관계자에 의해 기록돼 있다. 발견은 물리학에 있어서 고체의 터널 효과를 최초로 실증한 사례이자 전자공학에서는 터널 다이오드(일명 ‘에사키 다이오드’)라는 새로운 전자 부품의 탄생이었다. 이러한 성과에 힘입어 1959년에 도쿄 대학에서 박사학위를 받았다. 1973년에는 초전도체 내에서의 똑같은 터널 효과로 공적을 세운 이바르 예베르와 함께 노벨 물리학상을 수상했다. 해의 물리학상은 조지프슨 효과를 발견한 브라이언 데이비드 조지프슨에게도 돌아갔다. 1960년, 미국 IBM 왓슨 연구소로 자리를 옮겨 자기장과 전기장 아래에 있는 새로운 타입의 전자, 포논 상호작용과 터널 분광에 대한 연구를 했다. 더욱이 분자선 에피택시법을 개발하여 이를 이용해서 반도체 초격자 구조를 만드는데 성공했다. 1992년에 쓰쿠바 대학의 총장으로 취임했는데 총장으로 6년간 재임하면서 산·관·학 연계 거점으로서 첨단학제영역연구센터(TARA 센터)의 설립 대학 개혁을 추진했다. 2000년에는 당시 내각총리대신이던 오부치 게이조의 요청에 따라 교육개혁국민회의의 좌장으로 취임했다. 13차례에 걸친 전체 회의 등을 통해서 ‘교육을 바꾸는 17가지 제언’을 골자로 하는 최종 보고서를 올렸다. 2003년에 나노 기술 분야의 업적을 선정하는 과학상으로서 ‘에사키 레오나상’이 제정돼 상의 선정위원장으로 부임했다. 외에도 일본 학술진흥회상, 오키나와 평화상 등의 선정위원도 맡고 있다. 현재 생존하고 있는 일본인 노벨상 수상자로서는 유일하게 1970년대 이전의 수상자였다. 또한 1981년 9월에 유카와 히데키가 사망한 같은 후쿠이 겐이치의 수상이 결정되기까지는 에사키가 유일하게 생존한 일본인 노벨상 수상자였다. 2015년에 난부 요이치로가 사망한 이후로는 최고령 일본인 노벨상 수상자이기도 하다. == 발언 == 1994년 여름에 개최된 에서 에사키는 ‘노벨상을 타기 위하여 해서는 안되는 5가지’의 목록을 제시했다. 구체적인 내용은 다음과 같다. 원문 한국어 번역 Esaki's “five don’ts” rules Don’t allow yourself to be trapped by your past experiences. Don’t allow yourself to become overly attached to any one authority in your field the great professor, perhaps. Don’t hold on to what you don’t need. Don’t avoid confrontation. Don’t forget your spirit of childhood curiosity. 지금까지 실패한 행동들에 대해 얽매이지 말라. 실패의 기억과 생각에 구속될 통찰력과 창조력은 발휘되지 못한다. 저명한 학자를 존경하는 것은 좋지만 깊이 빠져서는 된다. 정보의 파도 속에서 자신에게 불필요한 것까지 섭렵해선 된다. 자신의 생각과 철학을 타인에게 관철시키기 위해 싸우지 마라. 언제까지나 순수한 마음을 잃지 말고 호기심을 가져라. 2000년, 교육개혁국민회의 위원으로서 다음과 같은 발언을 했다. 인간의 능력은 가지 요인에 의해 정해진다. 하나는 타고난 ‘천성’, 유전 정보이고 다른 하나는 환경에 의한 ‘육성’, 유전 외의 정보 취득이다. 일반적으로 생물학자나 우생학자는 ‘천성’을 중시하고 사회학자나 사회주의자는 ‘육성’을 중시하는 경향이 있지만 ‘천성을 발견하고 육성에 노력한다’는 것이 교육의 기본 이념이다. 우리의 외모나 용모, 재능과 소질, 어느 질병에 걸리는 경향이 강하다는 개개인의 특징은 모두 게놈, 유전 정보로서 DNA 속에 새겨져 있으며 타고난 게놈은 숙명이라고나 할까, 결코 바꿀 없다는 것, 물론 평등하지 않은 것을 학생, 부모, 교사 모두 인정해야 한다. ‘천성’을 발견한다는 것은 말하자면 자신의 게놈을 해독한 것이지만 선생님의 강의를 듣고 급우들과 교류하는 교육 환경 속에서 지성과 감성이 받는 다양한 자극이 자기 발견으로 연결된다. 이와 같이 먼저 자신의 ‘천성’을 발견하도록 노력하고, 다음으로 그것이 개성적인 광채를 발하도록 ‘천성’을 최대한 살리는 ‘육성’을 도모하는 것이 교육의 목표이다. 이러한 교육이 실행되면 국민 각자가 타고난 능력은 최대한으로 발휘될 것이며 우리나라 사회의 활력은 한없이 증대하는 것은 분명하다. 1974년 3월, 방한 당시 기자회견에서 이렇게 말했다. 과학자에게는 자기 만족이 있을 없으며 상을 받는 것은 단지 업적을 외부에서 인정해주는 것에 지나지 않는다. 상을 받은 북새통에 다른데 시간을 뺏겨 나의 일을 못하고 있다. == 주요 경력 == 도쿄통신공업주식회사에서 근무하던 시절(1959년) 1925년 건축기사인 에사키 소이치로의 장남으로서 오사카부 나카카와치군 다카이다촌(현: 히가시오사카시)에서 태어나 교토부 교토시에서 자람. :교토 제1 중학교 입학 시험에 낙방하여 고베에서 1년 재수한 도시샤 중학교에 진학, 월반으로 제3 고등학교(모두 구제학교)를 거쳐 도쿄 제국대학에 입학 1947년 도쿄 제국대학 이학부 물리학과 졸업 1947년 주식회사 가와니시 기계제작소(후의 고베 공업 주식회사, 후지쯔텐 주식회사, 현재의 덴소텐)에서 근무 1956년 도쿄통신공업주식회사(현재의 소니)에서 근무 1959년 도쿄 대학에서 이학박사 학위를 취득, 논문 제목은 《얇은 p-n접합에 있어서의 신현상》 1960년 미국 IBM 왓슨 연구소에서 근무 1960년 IBM 주임 연구원 1975년 일본 학사원 회원 1976년 미국 과학 아카데미 외국인 회원 1992년 쓰쿠바 대학 학장 2000년 교육개혁국민회의 좌장 2000년 시바우라 공업대학 학장 2006년 요코하마 약과대학 학장 === 명예 박사 학위 === 1996년 고려대학교 명예 이학박사 == 수상 == 1959년 니시나 기념상 1959년 아사히상 1960년 도레이 과학기술상 1961년 모리스 N. 리브먼 기념상(미국 IRE, 후의 IEEE), Stuart Ballantine Medal(미 프랭클린 협회) 1965년 일본 학사원상 1973년 노벨 물리학상 1985년 James C. McGroddy Prize for New Materials 1991년 IEEE 명예의 메달 1998년 일본국제상 === 상훈 === 1974년 문화훈장 1998년 훈1등 욱일대수장 == 사회 공헌 활동 == 일본 학술진흥회 ‘21세기 COE 프로그램’ 프로그램 위원회 위원장(2006년도) 재단법인 이바라키현 과학기술진흥재단 이사장 재단법인 국제개발고등교육기구 평의원 일본 신사업지원기관협의회 명예회장 재단법인 일본오페라진흥회 고문 재단법인 야마다 과학진흥재단 이사 재단법인 국제과학진흥재단 평의원 사단법인 과학기술국제교류센터 평의원 재단법인 시모나카 기념재단 이사 재단법인 사회경제생산성본부 평의원 재단법인 니시나 기념재단 이사 특정비영리활동법인 일본자동차전당 고문 == 저서 == === 단독 저서 === === 공저 === === 감수 === == 주요 논문 == Leo Esaki, "New Phenomenon in Narrow Germanium p−n Junctions". Phys. Rev. 109, 603 (1958), L. Esaki R. Tsu, "Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors" IBM Journal of Research and Development (Volume:14, Issue:1, Jan. 1970), R. Tsu and L. Esaki, Tunneling in finite superlattice Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973), Leo Esaki, Long Journey into Tunneling". Science 22 Mar 1974, Vol. 183, Issue 4130, pp. 1149-1155, G. A. Sai-Halasz, L. Esaki, and W. A. Harrison, InAs-GaSb superlattice energy structure and its transition". Phys. Rev. 18, 2812 (1978), 에사키 레오나, 반도체 디바이스의 탄생과 발전() 《일본 학사원 기요》() 1979년 36권 suppl호 p.39-54, 에사키 레오나, ‘창조적 실패’() 일본 물리학회지() 69(3), 127, 2014-03-05, == 참고 문헌 == Large scale integrated circuits technology state of the art and prospects ''proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15–27, 1981 ''/ edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982) ''Highlights in condensed matter physics and future prospects'' edited by Leo Esaki (1991) == 각주 == === 주해 === === 출전 === == 외부 링크 == The Nobel Prize in Physics 1973 Leo Esaki 노벨 재단 홈페이지 에사키 레오나 일본 학사원 홈페이지 과학계 노벨상 일본인 수상자 9인의 위업 에사키 레오나 노벨상 100주년 기념전(국립과학박물관) 에사키 레오나 박사의 약력, 수상 경력, 실적 쓰쿠바 대학 홈페이지 에사키 레오나상 재단법인 이바라키현 과학기술진흥재단 NHK ANNnewsCH 분류:1925년 출생 분류:살아있는 사람 분류:반도체 물리학자 분류:일본의 물리학자 분류:일본의 발명가 분류:일본의 노벨상 수상자 분류:노벨 물리학상 수상자 분류:일본 학사원상 수상자 분류:문화훈장 수훈자 분류:훈1등 욱일대수장 수훈자 분류:미국 과학 아카데미의 회원 분류:미국 물리학회 석학회원 분류:도쿄 대학 동문 분류:쓰쿠바 대학 교수 분류:쓰쿠바 대학 총장 분류:소니 사람 분류:오사카시 출신