Nr Beskrivning Motsvarande punkt i bilaga I till förordning (EG) nr 428/2009

IX.A3.001 Elektroniska produkter, enligt följande: a) Integrerade kretsar för allmänna ändamål enligt följande: Anmärkningar: 1. Statusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a. 2. Integrerade kretsar omfattar följande typer: — ”Monolitiska integrerade kretsar”. — ”Integrerade hybridkretsar”. — ”Integrerade multikretsar”. — ”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir. — ”Optiska integrerade kretsar”. — ”Tredimensionella integrerade kretsar”. — ”Monolitiska integrerade mikrovågskretsar” (”MMIC”). 3A001.a

IX.A3.002 Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt något av följande: a) En total dos om minst 5 x 103 Gy (Si). b) En dosratsändring genom störning om minst 5 x 106 Gy (Si)/s. c) En fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 x 103 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material. Anmärkning: Kategorin ovan omfattar inte halvledare av metallisolatortyp (MIS – Metal Insulator Semiconductors). 3A001.a

IX.A3.003 ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar”, mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till-digital-omvandlare, integrerade kretsar som innehåller analog-till-digital-omvandlare och som lagrar eller bearbetar digitaliserade data, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling”, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller statusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Snabb Fourier-transform (FFT), elektriskt raderbara PROM (EEPROM), flash-minnen, statiska RAM (SRAM) eller magnetiska RAM (MRAM) som är något av följande: a) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (+125 °C). b) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K (–55 °C). c) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer i området från 218 K (–55 °C) till och med 398 K (+125 °C). Anmärkning: Denna kategori gäller inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil- eller tågapplikationer. 3A001.a.2

IX.A3.004 Elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling” som har alla följande egenskaper: a) En eller flera interna ”laser”-dioder. b) Ett eller flera interna ljusdetekterande element. c) Optiska vågledare. 3A001.a

IX.A3.005 4. Fältprogrammerbara logiska komponenter som har något av följande: a) Det maximala antalet enpoliga digitala inmatningar/utmatningar är mer än 700. b) En ”högsta totala datahastighet för överföring via enkelriktade serietranceivers” på 500 Gb/s eller mer. Anmärkning: Denna kategori omfattar: — Enkla programmerbara logiska komponenter (SPLD). — Komplexa programmerbara logiska komponenter (CPLD). — Fältprogrammerbara grindmatriser (FPGA). — Fältprogrammerbara logiska matriser (FPLA). — Fältprogrammerbara kopplingar (FPIC). 3A001.a

IX.A3.006 Integrerade kretsar för neurala nätverk. 3A001.a

IX.A3.007 Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om statusen hos den utrustning där kretsarna ska ingå som har något av följande: a) Fler än 1 500 anslutningar. b) Den ”typiska grindfördröjningstiden” är kortare än 0,02 ns. c) Arbetsfrekvensen överstiger 3 GHz. 3A001.a

IX.A3.008 Integrerade kretsar för Direct Digital Synthesizer (DDS) som har något av följande: a) Digital-till analog-omvandlaren (DAC) som har en klockfrekvens på minst 3,5 GHz och en upplösning på minst 10 bitar men mindre än 12 bitar. b) En DAC-klockfrekvens på minst 1,25 GHz och en DAC-upplösning på 12 bitar eller mer. Teknisk anmärkning: DAC-klockfrekvensen kan specificeras som masterklockfrekvens eller ingångsklockfrekvens. 3A001.a

IX.A3.009 Mikrovåg- eller millimetervågprodukter enligt följande: a) ”Elektroniska vakuumenheter” för vandringsvåg och pulsad eller kontinuerlig drift enligt följande: 1. Enheter som kan arbeta vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz. 2. Enheter som har en katodupphettning som möjliggör full högfrekvensdrift på kortare tid än 3 s efter tillslag. 3. Enheter som har kopplade kaviteter eller är utvecklingar av sådana enheter med en ”relativ bandbredd” som är större än 7 procent eller en toppeffekt som överskrider 2,5 kW. 4. Enheter som bygger på helixbanor eller banor med vågledare i form av veck eller serpentiner (folded waveguide respektive serpentine waveguide), eller utvecklingar av dessa, och som har något av följande: a. De har en ”effektbandbredd” som är mer än en oktav och produkten av den specificerade genomsnittliga uteffekten (uttryckt i kW) och den högsta arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 0,5. b. De har en ”effektbandbredd” som är en oktav eller mindre, och produkten av den specificerade uteffekten (uttryckt i kW) och den maximala specificerade arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 1. c. De är ”rymdkvalificerade”. d. De har en elektronkanon med galler. 5. Enheter med en ”relativ bandbredd” som är större än eller lika med 10 procent och som har något av följande: a. En ringformad elektronstråle. b. En icke-axelsymmetrisk elektronstråle. c. Multipla elektronstrålar. b) ”Elektroniska vakuumenheter” för korsfältsförstärkare med en förstärkning på mer än 17 dB. c) Glödkatoder utformade för ”elektroniska vakuumenheter” som producerar en kontinuerlig emissionsströmtäthet på mer än 5 A/cm2 vid nominella driftsförhållanden eller en pulsad (icke-kontinuerlig) strömtäthet på mer än 10 A/cm2 vid nominella driftsförhållanden. d) ”Elektroniska vakuumenheter” som kan användas med ”dubbelläge”. Teknisk anmärkning: ”Dubbelläge” innebär att strömmen till strålen i den ”elektroniska vakuumenheten” avsiktligt kan växlas mellan kontinuerlig våg och pulsat driftsläge med hjälp av ett galler så att den producerar en topputeffekt för pulsen som är större än uteffekten för den kontinuerliga vågen. 3A001.b

IX.A3.010 Förstärkare med ”monolitisk integrerad mikrovågskrets” (”MMIC”-förstärkare) som är något av följande: a) Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz till och med 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 procent och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 75 W (48,75 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz. 2. En maximal toppeffekt på mer än 55 W (47,4 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz. 3. En maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz. 4. En maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz till och med 16 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 procent och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 10 W (40 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz. 2. En maximal toppeffekt på mer än 5 W (37 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 16 GHz. c) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 3 W (34,77 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 procent. d) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. e) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 procent. f) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 31,62 mW (15 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz till och med 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 procent. g) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 10 mW (10 dBm) vid frekvenser över 75 GHz till och med 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 procent. h. Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 90 GHz. Anmärkningar: 1. Statusen för MMIC vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. 2. Denna kategori omfattar inte MMIC som speciellt är konstruerade för andra tillämpningar, t.ex. telekommunikation, radar och bilar. 3A001.b

IX.A3.011 Diskreta mikrovågstransistorer som är något av följande: a. Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz till och med 6,8 GHz och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 400 W (56 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz. 2. En maximal toppeffekt på mer än 205 W (53,12 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz. 3. En maximal toppeffekt på mer än 115 W (50,61 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz. 4. En maximal toppeffekt på mer än 60 W (47,78 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b. Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz till och med 31,8 GHz och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 50 W (47 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz. 2. En maximal toppeffekt på mer än 15 W (41,76 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 12 GHz. 3. En maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid frekvenser över 12 GHz till och med 16 GHz. 4. En maximal toppeffekt på mer än 7 W (38,45 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz. c. Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,5 W (27 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. d. Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz. e. Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz. Anmärkningar: 1. Statusen för en transistor vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. 2. Denna kategori omfattar rena chip, chip monterat på bärare eller chip monterat i kapslingar. Vissa diskreta transistorer kan även refereras till som effektförstärkare. 3A001.b

IX.A3.012 Halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och mikrovågsutrustningar/moduler som innehåller halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och som är något av följande: a) Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz till och med 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 procent och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 500 W (57 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz. 2. En maximal toppeffekt på mer än 270 W (54,3 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz. 3. En maximal toppeffekt på mer än 200 W (53 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz. 4. En maximal toppeffekt på mer än 90 W (49,54 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz till och med 31,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 procent och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 70 W (48,54 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz. 2. En maximal toppeffekt på mer än 50 W (47 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 12 GHz. 3. En maximal toppeffekt på mer än 30 W (44,77 dBm) vid frekvenser över 12 GHz till och med 16 GHz. 4. En maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz. c) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,5 W (27 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. d) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 2 W (33 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 procent. e) Specificerade för frekvenser över 43,5 GHz och har något av följande: 1. Maximal toppeffekt på mer än 0,2 W (23 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz till och med 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 procent. 2. Maximal toppeffekt på mer än 20 mW (13 dBm) vid frekvenser över 75 GHz till och med 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 procent. 3. Maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 90 GHz. Anmärkning: Statusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. 3A001.b

IX.A3.013 Elektroniskt eller magnetiskt avstämbara bandpass- eller bandstoppfilter med fler än 5 avstämbara resonatorer som kan avstämmas inom ett frekvensband (fmax/fmin) = 1,5:1 på mindre än 10 μs, och som har något av följande: a) En bandbredd på mer än 0,5 procent av mittfrekvensen för bandpassfiltret. b) En bandbredd på mindre än 0,5 procent av mittfrekvensen för bandstoppfiltret. 3A001.b

IX.A3.014 Omvandlare och harmoniska blandare som är något av följande: a) Konstruerade för att utöka frekvensområdet för ”signalanalysatorer” till utanför 90 GHz. b) Konstruerade för att utöka arbetsområdet för signalgeneratorer enligt följande: 1. Utanför 90 GHz. 2. Till en utgångseffekt över 100 mW (20 dBm) varsomhelst inom frekvensområdet över 43,5 GHz till och med 90 GHz. c) Konstruerade för att utöka arbetsområdet för nätverksanalysatorer enligt följande: 1. Utanför 110 GHz. 2. Till en utgångseffekt över 31,62 mW (15 dBm) varsomhelst inom frekvensområdet över 43,5 GHz till och med 90 GHz. 3. Till en utgångseffekt över 1 mW (0 dBm) varsomhelst inom frekvensområdet över 90 GHz till och med 110 GHz. d) Konstruerade för att utöka frekvensområdet för testmottagare för mikrovåg till utanför 110 GHz. 3A001.b

IX.A3.015 Effektförstärkare för mikrovåg som innehåller ”elektroniska vakuumenheter” som specificeras ovan och som har allt av följande: a) Arbetsfrekvensen är över 3 GHz. b) Ett genomsnittligt förhållande mellan effekt och massa som överstiger 80 W/kg. c) En volym som är mindre än 400 cm3. Anmärkning: Denna kategori omfattar inte utrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensband som är ”tilldelade av Internationella teleunionen (ITU)” för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. 3A001.b

IX.A3.016 Effektmoduler för mikrovåg (MPM) som består av åtminstone en ”elektronisk vakuumenhet” för vandringsvåg, en ”monolitisk integrerad mikrovågskrets” (”MMIC”) och en integrerad elektronisk effektkonditionerare och som har allt av följande: a) En ”tillslagstid” från avstängd till full drift som är mindre än 10 sekunder. b) En volym som understiger den maximala specificerade effekten i W multiplicerad med 10 cm3/W. c) En ”effektbandbredd” som är större än en (1) oktav (fmax > 2fmin) och som har något av följande: 1. För frekvenser som är högst 18 GHz, en uteffekt i radiofrekvensområdet som överstiger 100 W. 2. En frekvens som överstiger 18 GHz. Tekniska anmärkningar: 1. För beräkning av volymen i punkt b ovan ges följande exempel: För en maximal specificerad effekt på 20 W blir volymen 20 W x 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. ”Tillslagstiden” i punkt a ovan avser tiden från helt avstängd till full drift, dvs. inklusive uppvärmningstiden för MPM. 3A001.b

IX.A3.017 Oscillatorer eller sammansättningar av oscillatorer som specificerats för drift med ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är mindre (bättre) än –(126 + 20log10F – 20log10f) någonstans i bandet 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz. Teknisk anmärkning: I ovanstående kategori är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz. 3A001.b

IX.A3.018 ”Frekvenssyntesutrustning” med ”elektroniska sammansättningar” med en ”tid för att byta frekvens” enligt något av följande: a) Mindre än 143 ps. b) Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 4,8 GHz men inte 31,8 GHz. c) Mindre än 500 μs för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 37 GHz. d) Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 37 GHz men inte 90 GHz. e) Mindre än 1 ms inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 90 GHz. 3A001.b

IX.A3.019 ”Sändar/mottagarmoduler”, ”MMIC för sändning/mottagning”, ”sändarmoduler” och ”MMIC för sändning”, specificerade för frekvenser över 2,7 GHz och som har allt av följande: a) Maximal toppeffekt (i watt), Psat, på mer än 505,62 dividerat med en maximal arbetsfrekvens (i GHz) i kvadrat [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] oavsett kanal. b) En ”relativ bandbredd” på 5 procent eller mer, oavsett kanal. c) Eventuella plana sidor med en längd d (i cm) som är högst 15 dividerat med den lägsta arbetsfrekvensen i GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz] där N är antalet kanaler för sändning eller sändning/mottagning. d) En elektroniskt varierbar fasskiftare per kanal. Tekniska anmärkningar: 1. En ”sändar/mottagarmodul” är en ”elektronisk sammansättning” med flera funktioner som tillhandahåller amplitud- och fasreglering i båda riktningar för sändning och mottagning av signaler. 2. En ”sändarmodul” är en ”elektronisk sammansättning” som tillhandahåller amplitud- och fasreglering för sändning av signaler. 3. En ”MMIC för sändning/mottagning” är en ”MMIC” med flera funktioner som tillhandahåller amplitud- och fasreglering i båda riktningar för sändning och mottagning av signaler. 4. En ”MMIC för sändning” är en ”MMIC” som tillhandahåller amplitud- och fasreglering för sändning av signaler. 5. 2,7 GHz bör användas som den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i punkt c för sändar/mottagarmoduler eller sändarmoduler som har ett specificerad arbetsområde som sträcker sig ner till 2,7 GHz och lägre [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. Punkt 11 gäller för ”sändar/mottagarmoduler” eller ”sändarmoduler” med eller utan kylutrustning. Värdet för d i punkt 11.c inbegriper inte någon del av ”sändar/mottagarmodulen” eller ”sändarmodulen” som fungerar som kylutrustning. 7. ”Sändar/mottagarmoduler”, ”sändarmoduler”, ”MMIC för sändning/mottagning” eller ”MMIC för sändning” kan ha, men måste inte ha, N integrerade strålande antennelement, där N är antalet kanaler för sändning eller sändning/mottagning. 3A001.b

IX.A3.020 Anordningar för akustiska ytvågor samt för akustiska vågor nära ytan (shallow bulk) som har något av följande: a) Bärfrekvensen överstiger 6 GHz. b) Bärfrekvensen överstiger 1 GHz men inte 6 GHz och har något av följande: 1. ”Frekvensundertryckningen av sidloben” överstiger 65 dB. 2. Produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100. 3. Bandbredden överstiger 250 MHz. 4. Dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs. c) Bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och har något av följande: 1. Produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100. 2. Dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs. 3. ”Frekvensundertryckningen av sidloben” överstiger 65 dB och bandbredden är större än 100 MHz. 3A001.c

IX.A3.021 Anordningar för s.k. bulk-vågor som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 6 GHz. 3A001.c

IX.A3.022 Akustisk-optiska anordningar för ”signalbehandling” som medger ömsesidig påverkan mellan akustiska vågor (s.k. bulk-vågor eller ytvågor) och ljusvågor och som tillåter direkt signal- eller bildbehandling, inklusive spektralanalys, korrelation och konvolution. 3A001.c

IX.A3.023 Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av ”supraledande” material, speciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den ”kritiska temperaturen” för åtminstone en av dess ”supraledande” beståndsdelar och som har något av följande: a) Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av ”supraledande” grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind (i sekunder) och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 10–14 J. b) Frekvensval för alla frekvenser med användning av resonanskretsar med Q-värden som överstiger 10 000 . 3A001.d

IX.A3.024 Högenergiceller enligt följande: a) ”Primärceller” som har en ”energitäthet” som överstiger 550 Wh/kg vid 20 °C. b) ”Sekundärceller” som har en ”energitäthet” som överstiger 350 Wh/kg vid 20 °C. Tekniska anmärkningar: 1. För högenergienheter beräknas ”energitäthet” (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar (Ah) dividerad med massan i kg. Om den nominella kapaciteten inte är specificerad beräknas energitätheten utifrån den nominella spänningen i kvadrat multiplicerad med urladdningstiden i timmar dividerat med urladdningsbelastningen i ohm och massan i kg. 2. För högenergienheter definieras ”cell” som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektroder samt en elektrolyt och är en källa till elektrisk energi. Den är grundkomponenten i ett batteri. 3. För högenergienheter definieras ”primärcell” som en ”cell” som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa. 4. För högenergienheter definieras ”sekundärcell” som en ”cell” som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa. Anmärkning: Högenergienheter omfattar inte batterier, inbegripet batterier som består av en enda cell. 3A001.e

IX.A3.025 Högenergikondensatorer enligt följande: a) Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger 10 Hz (enkelpulskondensatorer) och som har allt av följande: 1. En specificerad spänning på minst 5 kV. 2. En energitäthet på minst 250 J/kg. 3. En total energi på minst 25 kJ. b) Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger 10 Hz (repetitionsspecificerade kondensatorer) och som har allt av följande: 1. En specificerad spänning på minst 5 kV. 2. En energitäthet på minst 50 J/kg. 3. En total energi på minst 100 J. 4. En laddnings/urladdnings-livslängd på minst 10 000 cykler. 3A001.e

IX.A3.026 ”Supraledande” elektromagneter eller solenoider, speciellt konstruerade för att kunna helt laddas eller urladdas på mindre än 1 sekund och som har samtliga följande egenskaper: Anmärkning: Ovanstående punkt omfattar inte ”supraledande” elektromagneter och solenoider som är speciellt konstruerade för att användas i medicinsk utrustning till magnetisk resonans bildbehandling (MRI). a) Energin som levereras vid urladdning överstiger 10 kJ under den första sekunden. b) Innerdiametern på den strömförande lindningen är större än 250 mm. c) Specificerad för en magnetisk induktion som är större än 8 T eller en ”total strömtäthet” i lindningen som är större än 300 A/mm2. 3A001.e

IX.A3.027 Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är ”rymdkvalificerade” och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger 20 procent vid en driftstemperatur på 301 K (28 °C) under simulerad ”AM0”-belysning med en irradians på 1 367 watt per kvadratmeter (W/m2). Teknisk anmärkning: ”AM0” eller ”luftmassenollpunkt” avser solljusets spektrala irradians i jordens yttre atmosfär när avståndet mellan jorden och solen är en astronomisk enhet (AE). 3A001.e

IX.A3.028 Roterande kodare som anger positionens absolutvärde med en ”noggrannhet” som är mindre (bättre) än 1,0 bågsekunder och speciellt utformade ringar, skivor eller skalor för dessa. 3A001.f

IX.A3.029 Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och ”tyristormoduler” som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder som har något av följande: 1. En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 30 000 A/μs och en spänning i avstängt tillstånd som överstiger 1 100 V. 2. En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2 000 A/μs och som har allt av följande: a. En toppspänning i avstängt tillstånd på minst 3 000 V. b. En toppström (strömstöt) på minst 3 000 A. Anmärkningar: 1. Punkt g ovan omfattar följande: — Kiselstyrda likriktare (SRC). — T-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors). — LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors). — IGC-tyristorer (Integrated Gate Commutated Thyristors). — GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors). — MOS-styrda tyristorer (MCT). — Solidtroner. 2. Punkt g ovan omfattar inte tyristorenheter och ”tyristormoduler” som ingår i utrustning som är konstruerad för civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar. Teknisk anmärkning: En ”tyristormodul” i punkt g ovan innehåller en eller flera tyristorenheter. 3A001.g

IX.A3.030 Effektomriktande halvledare, dioder eller ”moduler” som har allt av följande: 1. Specificerade för en maximal gränsskiktstemperatur vid drift som överstiger 488 K (215 °C). 2. En repetitiv toppspänning i frånläge (blockeringsspänning) som överstiger 300 V. 3. En kontinuerlig strömstyrka som överstiger 1 A. Anmärkning: I ovanstående punkt inbegriper repetitiv toppspänning i frånläge drain till source-spänning, collector till emitter-spänning, repetitiv toppbackspänning och repetitiv toppblockeringsspänning i frånläge. 3A001.h

IX.A3.031 Inspelningsutrustning och oscilloskop enligt följande: 1. Digital dataupptagningsutrustning som har allt av följande: a. En ”kontinuerlig kapacitet” på 6,4 Gbit/s eller mer, till disk eller fast drivenhet. b. En processor som analyserar radiofrekvenssignaldata medan upptagningen av den pågår. Tekniska anmärkningar: 1. För sådan upptagningsutrustning, som är uppbyggd med en parallell bussarkitektur, är den ”kontinuerliga kapaciteten” lika med högsta ordhastigheten multiplicerat med antalet bitar i ordet. 2. ”Kontinuerlig kapacitet” är den högsta datahastigheten som instrumentet kontinuerligt kan registrera till disk eller fast drivenhet utan att någon information går förlorad med bibehållen indatahastighet och analog-till-digital konverteringshastighet. 2. Realtidsoscilloskop med ett vertikalt effektivvärde (rms) för brusspänning på mindre än 2 procent av fullt skalutslag på den vertikalskaleinställning som ger det lägsta brusspänningsvärdet för en ingående 3 dB-bandbredd på 60 GHz eller mer per kanal. 3A002.a

IX.A3.032 ”Signalanalysatorer” enligt följande: 1. ”Signalanalysatorer” som har en upplösningsbandbredd (RBW) på 3 dB som överstiger 10 MHz varsomhelst i frekvensområdet över 31,8 GHz till och med 37 GHz. 2. ”Signalanalysatorer” som har en visad genomsnittlig brusnivå (DANL) som är lägre (bättre) än –150 dBm/Hz varsomhelst i frekvensområdet över 43,5 GHz till och med 90 GHz. 3. ”Signalanalysatorer” med en frekvens som överstiger 90 GHz. 4. ”Signalanalysatorer” som har allt av följande: a. ”Realtidsbandbredd” som överstiger 170 MHz, och b. Något av följande: 1. 100 procent sannolikhet för upptäckt med mindre än 3 dB dämpning från full amplitud på grund av luckor eller fönstereffekter hos signaler med en varaktighet på 15 μs eller mindre. 2. En ”frekvensmasktrigg”-funktion med 100 procent sannolikhet för triggning (uppfångande) då signalens varaktighet är 15 μs eller mindre. Tekniska anmärkningar: 1. Sannolikhet för upptäckt (probability of discovery) i punkt 1 ovan betecknas på engelska även ”probability of intercept” eller ”probability of capture”. 2. Varaktigheten för den 100-procentiga sannolikhet för upptäckt som avses i punkt 1 ovan ska vara lika med den minsta nödvändiga varaktighet på signalen för den specificerade mätosäkerheten. Anmärkning: Ovanstående kategori omfattar inte de ”signalanalysatorer” som endast använder filter som har en konstant procentuell bandbredd (kallas även oktavfilter eller filter för del av en oktav). 3A002.c

IX.A3.033 Signalanalysatorer som har något av följande: 1. Specificerad för att alstra pulsmodulerade signaler som har allt av följande, varsomhelst inom frekvensområdet över 31,8 GHz till och med 37 GHz: a. En ”pulslängd” på mindre än 25 ns, och b. en till/från-kvot på minst 65 dB. 2. En uteffekt som överstiger 100 mW (20 dBm) varsomhelst inom frekvensområdet över 43,5 GHz till och med 90 GHz. 3. En ”tid för att byta frekvens” enligt något av följande: a. Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom frekvensområdet över 4,8 GHz till och med 31,8 GHz. b. Mindre än 500 μs för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom frekvensområdet över 31,8 GHz till och med 37 GHz. c. Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom frekvensområdet över 37 GHz till och med 90 GHz. 3A002.d

IX.A3.034 Nätverksanalysatorer som har något av följande: 1. En uteffekt som överstiger 31,62 mW (15 dBm) varsomhelst inom arbetsfrekvensområdet över 43,5 GHz till och med 90 GHz. 2. En uteffekt som överstiger 1 mW (0 dBm) varsomhelst inom arbetsfrekvensområdet över 90 GHz till och med 110 GHz. 3. ”Funktion för mätning på icke-linjära vektorer” vid frekvenser över 50 GHz till och med 110 GHz. 4. En maximal arbetsfrekvens som överstiger 110 GHz. Teknisk anmärkning: Med ”funktion för mätning på icke-linjära vektorer” avses ett instruments förmåga att analysera testresultat från komponenter drivna till storsignal-domän eller ickelinjära störningsomfång. 3A002.e

IX.A3.035 Testmottagare för mikrovåg som har allt av följande: 1. En maximal arbetsfrekvens som överstiger 110 GHz. 2. Kan mäta amplitud och fas simultant. 3A002.f

IX.A3.036 Atomfrekvensstandarder som är något av följande: 1. ”Rymdkvalificerade”. 2. Icke-rubidium och med en långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad. 3. Icke-”rymdkvalificerade” och har allt av följande: a. En rubidiumstandard. b. En långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad. c. En total effektförbrukning som understiger 1 W. 3A002.f

IX.A3.037 Utrustning konstruerad för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör: a) Utrustning konstruerad för jonimplantation som har något av följande: 1. Konstruerade och optimerade för att arbeta vid en strålenergi på 20 keV eller mer och en strålström på 10 mA eller mer för väte-, deuterium- eller heliumimplantering. 2. Direkt skrivmöjlighet. 3. En strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-”substratet”. 4. Konstruerad och optimerad för att arbeta vid en strålenergi på 20 keV eller mer och en strålström på 10 mA eller mer för kiselimplantering i ett halvledar-”substrat” upphettat till 600 °C eller mer. b) Litografisk utrustning enligt följande och litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 45 nm eller mindre. 1. Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (step and repeat, direkt step on wafer) eller scanner (step and scan) som använder röntgen eller foto-optiska metoder och som har något av följande: a. Ljuskällans våglängd är kortare än 193 nm. b. Kan producera ett mönster med en ”minsta upplösning för systemdimensionen” (MRF) på 45 nm eller mindre. Teknisk anmärkning: Den ”minsta upplösningen för systemdimensionen” (MRF) beräknas med följande formel: där K-faktorn = 0,35 c) Utrustning som är särskilt konstruerad för masker med hjälp av fokuserade elektron-, jon- eller ”laser” strålar, 3B001.b 3B001.f 3B001.f

IX.A3.038 Utrustning som är konstruerad för bearbetning med hjälp av direkta skrivmetoder. Masker eller mastermasker som är konstruerade för integrerade kretsar. 3B001.g

IX.A3.038 Provutrustning som är speciellt konstruerad för provning av färdiga halvledarenheter eller halvfabrikat samt mikrovågsanordningar enligt följande, samt tillhörande komponenter och tillbehör: a) För provning av transistorers S-parametrar vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz. b) För provning av integrerade mikrovågskretsar som specificeras ovan. 3B002

IX.A3.039 Hetero-epitaxiella material som består av ett ”substrat” med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipellager med något av följande: a) Kisel (Si). b) Germanium (Ge). c) Kiselkarbid (SiC). d) ”III/V-föreningar” av gallium eller indium. Anmärkning: Denna punkt omfattar inte ”substrat” som har ett eller fler epitaxiella lager av P-typ av GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, oberoende av elementens sekvens, utom i det fall det epitaxiella lagret av P-typ ligger mellan lager av N-typ. 3C001

IX.A3.040 Resistmaterial enligt följande, och ”substrat” belagda med följande resistmaterial: a) Resistmaterial som är konstruerade för halvledarlitografi enligt följande: 1. Positiva resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 245 nm men lika med eller över 15 nm. 2. Resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 15 nm men över 1 nm. b) Alla resistmaterial som är konstruerade för att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre. c) Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker. d) Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 45 nm eller mindre och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process. 3C002

IX.A3.041 Organiska-oorganiska föreningar: a) Metallorganiska föreningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 procent. b) Organiska föreningar med arsenik, antimon eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 procent. 3C003

IX.A3.042 Hydrider av fosfor, arsenik eller antimon som har en renhet som är bättre än 99,999 procent, även utspädda i ädelgaser eller väte. Anmärkning: Ovanstående punkt omfattar inte hydrider som innehåller 20 molprocent eller mer av ädelgaser eller väte. 3C004

IX.A3.043 ”Substrat” av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller halvledar-”substrat”, eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10 000 ohm-cm vid 20 °C. 3C005