X.B.I.001

Utrustning för tillverkning av elektroniska komponenter eller material, enligt följande, och särskilt konstruerade komponenter och tillbehör för dessa: a. Utrustning särskilt konstruerad för tillverkning av elektronrör, optiska element och särskilt konstruerade komponenter för detta som omfattas av avsnitt 3A001 (2) eller X.A.I.001. b. Utrustning som är särskilt konstruerad för tillverkning av halvledarenheter, integrerade kretsar och ’elektroniska sammansättningar’ enligt följande, samt system som innehåller eller har samma egenskaper som sådan utrustning: Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b omfattar även utrustning som används eller modifieras för användning vid tillverkning av andra produkter, t.ex. avbildningsanordningar, elektrooptiska anordningar och anordningar för akustiska vågor. 1. Utrustning för bearbetning av material för tillverkning av anordningar och komponenter under rubriken X.B.I.001.b, enligt följande: Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001 omfattar inte ugnsrör av kvarts (quartz furnace tubes), ugnsfoder, utrustning för att placera (paddles) och stödja (boats, utom särskilt konstruerade caged boats), rör med dysa för luftinblåsning (bubbler), kassetter eller smältdeglar som är ’särskilt konstruerade’ för den bearbetningsutrustning som omfattas av avsnitt X.B.I.001.b.1. a. Utrustning för produktion av polykristallint kisel och material som omfattas av avsnitt 3C001 (3). b. Utrustning som är särskilt konstruerad för rening eller bearbetning av III/V- och II/VI-halvledarmaterial som omfattas av avsnitt 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 eller 3C005 (4), utom kristalldragningsutrustning (crystal puller, se avsnitt X.B.I.001.b.1.c nedan). c. Kristalldragningsutrustning och kristallugnar enligt följande: Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.1.c omfattar inte diffusions- och oxidationsugnar. 1. Utrustning för upplösning eller återkristallisering, annan än konstanttemperaturugnar, som använder omfattande energiöverföring och kan behandla wafers med en hastighet som överstiger 0,005 m2 per minut. 2. ’Datorstyrd’ kristalldragningsutrustning som har någon av följande egenskaper: a. Omladdningsbar utan att behållaren med smältdegeln byts ut. b. Kan arbeta vid tryck som överstiger 2,5 x 105 Pa. c. Förmåga att dra kristaller med en diameter som överstiger 100 mm. d. ’Datorstyrd’ utrustning för epitaxiell tillväxt med någon av följande egenskaper: 1. Förmåga att producera ett kisellager med en jämnhetsavvikelse mindre än ± 2,5 % över en sträcka av minst 200 mm. 2. Förmåga att producera ett skikt av något annat material än kisel med en jämnhetsavvikelse över en hel wafer som är lika med eller bättre än ± 3,5 %. 3. Rotation av enskilda wafers under bearbetningen. e. Utrustning för epitaxiell tillväxt med hjälp av molekylärstrålar. f. Magnetiskt förstärkt ’sputtering’utrustning med särskilt konstruerade integrerade slussöppningar (load lock) som kan överföra wafers i en isolerad vakuummiljö. g. Utrustning särskilt konstruerad för jonimplantation eller jonförstärkt eller fotoförstärkt diffusion, som har någon av följande egenskaper: 1. Förmåga att producera mönster (patterning capability). 2. Strålenergi (accelerationsspänning) som överstiger 200 keV. 3. Optimalt arbetsområde med en strålenergi (accelerationsspänning) som är mindre än 10 keV. 4. Förmåga att högenergiimplantera syre i ett upphettat ’substrat’. h. ’Datorstyrd’ utrustning för selektivt avlägsnande (etsning) med hjälp av anisotropa torra metoder (t.ex. plasma) enligt följande: 1. ’Satsvis’, med något av följande: a. Ändpunktsdetektering, annan än optisk emissionsspektroskopi. b. Arbetstryck (etsningstryck) i reaktorn på högst 26,66 Pa. 2. ’Styckvis’ (enskilda wafers), med något av följande: a. Ändpunktsdetektering, annan än optisk emissionsspektroskopi. b. Arbetstryck (etsningstryck) i reaktorn på högst 26,66 Pa. c. Hantering av wafers med kassett-till-kassettmatning och slussöppning. Anmärkningar: 1. Med ’satsvis’ avses maskiner som inte är särskilt konstruerade för produktionsmässig bearbetning av enkla wafers. Sådana maskiner kan bearbeta två eller flera wafers samtidigt med gemensamma processparametrar, t.ex. RF-effekt, temperatur, typ av etsningsgas och flödeshastighet. 2. Med ’styckvis’ avses maskiner som är särskilt konstruerade för produktionsmässig bearbetning av enkla wafers. Dessa maskiner kan använda teknik för automatisk waferhantering för att ladda en enda wafer i processutrustningen. Definitionen omfattar utrustning som kan ladda och bearbeta flera wafers, men där etsningsparametrarna, t.ex. RF-effekt eller ändpunkt, kan bestämmas oberoende för varje enskilt wafer. i. Utrustning för ’kemisk förångningsdeposition’ (CVD), t.ex. plasmaförstärkt CVD (PECVD) eller fotoförstärkt CVD, för tillverkning av halvledarenheter, med någon av följande egenskaper, för deposition av oxider, nitrider, metaller eller polykisel: 1. Utrustning för ’kemisk förångningsdeposition’ med arbetstryck under 105 Pa. 2. PECVD-utrustning som arbetar antingen under 60 Pa eller som har automatisk waferhantering med kassett-till-kassettmatning och slussöppning. Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.1.i omfattar inte lågtryckssystem för ’kemisk förångningsdeposition’ (LPCVD) eller reaktiv ’sputtering’utrustning. j. Elektronstrålesystem särskilt konstruerade eller modifierade för masktillverkning eller bearbetning av halvledarenheter med någon av följande egenskaper: 1. Elektrostatisk avböjning av strålen. 2. En formad, icke-gaussisk strålprofil. 3. Digital-till-analog-omvandling med en hastighet som överstiger 3 MHz. 4. Digital-till-analog-omvandling med en noggrannhet som överstiger 12 bitar. 5. Återkopplingsnoggrannhet på 1 μm eller finare för positionsbestämning från mål till stråle (target-to-beam). Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.1.j omfattar inte system för elektronstrålebeläggning (electron beam deposition system) eller svepelektronmikroskop för allmänna ändamål. k. Ytbehandlingsutrustning för behandling av halvledarwafers enligt något av följande: 1. Särskilt konstruerad utrustning för behandling av baksidan på wafers som är tunnare än 100 μm och därefter separering av dessa. 2. Särskilt konstruerad utrustning för att uppnå en ytjämnhet hos den aktiva ytan av en behandlad wafer med ett tvåsigmavärde på högst 2 μm, totalt indikatorutslag (TIR). Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.1.k omfattar inte utrustning för läppning och polering i samband med ytbehandling av wafers. l. Sammankopplingsutrustning som omfattar en eller flera gemensamma vakuumkammare särskilt konstruerade för att möjliggöra integrering av all utrustning som omfattas av avsnitt X.B.I.001 i ett komplett system. m. ’Datorstyrd’ utrustning som använder ’lasrar’ för reparation eller putsning av ’monolitiska integrerade kretsar’ med någon av följande egenskaper: 1. Positioneringsnoggrannhet som är mindre än ± 1 μm. 2. Punktstorlek (spotsize) (skårbredd (kerf width)) som är mindre än 3 μm. Teknisk anmärkning: I avsnitt X.B.I.001.b.1 avses med ’sputtering’ en överlagringsbeläggningsprocess där positivt laddade joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet). Den kinetiska energin hos de laddade jonerna är tillräcklig för att atomer från ytan ska frigöras och beläggas på substratet. ( Anmärkning: Triod-, magnetron- och radiofrekvenssputtering för att öka vidhäftningen av beläggningen samt beläggningstakten är vanliga modifieringar av denna process.) 2. Masker, mask’substrat’, utrustning för maskframställning och bildöverföring för tillverkning av anordningar och komponenter under rubriken X.B.I.001, enligt följande: Anmärkning: Med ’masker’ avses sådana som används inom elektronstrålelitografi, röntgenlitografi och ultraviolett litografi samt vanlig ultraviolett och synlig fotolitografi. a. Färdiga masker, mastermasker och konstruktionsunderlag för dessa, med undantag av följande: 1. Färdiga masker eller mastermasker för produktion av integrerade kretsar som inte omfattas av avsnitt 3A001 (5). 2. Masker eller mastermasker som har följande två egenskaper: a. Konstruktionen är baserad på geometrier som är minst 2,5 μm. b. Konstruktionen innehåller inte några särskilda funktioner som ändrar den avsedda användningen med hjälp av produktionsutrustning eller ’programvara’. b. Masksubstrat enligt följande: 1. ’Substrat’ (t.ex. glas, kvarts, safir) belagda med en hård yta (t.ex. krom, kisel, molybden), för beredning av masker med dimensioner som är större än 125 mm x 125 mm. 2. Substrat som är särskilt konstruerade för röntgenmasker. c. Utrustning, annan än datorer för allmänna ändamål, särskilt konstruerad för datorstödd konstruktion (CAD) av halvledarenheter eller integrerade kretsar. d. Utrustning eller maskiner, enligt något av följande, för framställning av masker eller mastermasker: 1. Fotooptiska stegningskameror (step and repeat) som kan producera moduler som är större än 100 mm x 100 mm eller som kan producera en enda exponering som är större än 6 mm x 6 mm i bildplanet (dvs. fokalplanet) eller som kan producera en linjebredd på mindre än 2,5 μm i fotoresisten på ’substratet’. 2. Utrustning för framställning av masker eller mastermasker med jon- eller ’laser’strålelitografi som kan producera linjebredder på mindre än 2,5 μm. 3. Utrustning eller hållare för att ändra masker eller mastermasker eller för att tillsätta emulsionsfilm (pellicle) och därmed avlägsna defekter. Anmärkning: X.B.I.001.b.2.d.1 och b.2.d.2 omfattar inte utrustning för framställning av masker med hjälp av fotooptiska metoder som antingen var kommersiellt tillgängliga före den 1 januari 1980 eller har en prestanda som inte är bättre än sådan utrustning. e. ’Datorstyrd’ utrustning för inspektion av masker, mastermasker eller emulsionsfilm (pellicle) med allt följande: 1. En upplösning på 0,25 μm eller finare. 2. En noggrannhet på 0,75 μm eller finare över en sträcka i en eller två koordinatriktningar på 63,5 mm eller mer. Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.2.e omfattar inte svepelektronmikroskop för allmänna ändamål, utom när de är särskilt konstruerade och instrumenterade för automatisk mönsterinspektion. f. Utrustning för uppriktning och exponering vid produktion av wafers, med hjälp av fotooptiska metoder eller röntgenmetoder, t.ex. litografisk utrustning, inklusive både utrustning för projektionsbildöverföring och repetermöjlighet (step and repeat, direkt steg på wafer) eller scanner (step and scan), som kan åstadkomma något av följande: Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.2.f omfattar inte utrustning för uppriktning och exponering med hjälp av fotooptiska masker, med kontakt eller på kort avstånd, eller utrustning för kontaktöverföring av bilder. 1. Produktion av en mönsterstorlek på mindre än 2,5 μm. 2. Uppriktning med en noggrannhet som är finare än ± 0,25 μm (3 sigma). 3. Överlagring maskin till maskin (machine-to-machine overlay) som inte är bättre än ± 0,3 μm. 4. En våglängd från ljuskällan som är kortare än 400 nm. g. Elektronstråle-, jonstråle- eller röntgenutrustning för överföring av projektionsbilder som kan producera mönster som är mindre än 2,5 μm. Anmärkning: För fokuserade system med avlänkad stråle (direktritningssystem, direkt write system), se avsnitt XB.I.001.b.1.j. h. Utrustning som använder ’lasrar’ för direktritning (direct write) på wafers och som kan producera mönster som är mindre än 2,5 μm. 3. Utrustning för montering av integrerade kretsar enligt följande: a. ’Datorstyrd’ bindning av nakna kretsar (die bonder) med samtliga följande egenskaper: 1. Särskilt konstruerad för ’integrerade hybridkretsar’. 2. Positioneringsrörelse i X-Y-led som överstiger 37,5 × 37,5 mm. 3. Placeringsnoggrannhet i X-Y-planet som är finare än ± 10 μm. b. ’Datorstyrd’ utrustning för att producera flera bindningar i ett enda moment (t.ex. beam lead bonder, chip carrier bonder, tape bonder). c. Halvautomatisk eller automatisk utrustning för varmförsegling av socklar, där sockeln värms upp lokalt till en högre temperatur än kapslingens innehåll, särskilt konstruerad för keramiska mikrokretskapslingar som omfattas av avsnitt 3A001 (6) och som har en kapacitet på minst en kapsling per minut. Anmärkning: Avsnitt X.B.I.001.b.3 omfattar inte punktsvetsmaskiner av motståndstyp för allmänna ändamål. 4. Filter för renrum som kan åstadkomma en luftmiljö med högst 10 partiklar på högst 0,3 μm per 0,02832 m3 luft, samt tillhörande filtermaterial. Teknisk anmärkning: I avsnitt X.B.I.001 avses med ’datorstyrd’ en styrning med hjälp av instruktioner som lagras i ett elektroniskt minne och som en processor kan utföra för att styra utförandet av förutbestämda funktioner. Utrustning kan vara ’datorstyrd’ oavsett om den elektroniska lagringen är intern eller extern i förhållande till utrustningen.