a)

Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande: Anm. 1: Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a. Anm. 2: Integrerade kretsar omfattar följande typer: — ”Monolitiska integrerade kretsar”. — ”Integrerade hybridkretsar”. — ”Integrerade multikretsar”. — ”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir. — ”Optiska integrerade kretsar”. 1. Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt någon av följande parametrar: a) En total dos om minst 5 × 103 Gy (kisel), b) en dosratsändring genom störning om minst 5 × 106 Gy (kisel)/s, eller c) en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material. Anm.: 3A001 a.1 c gäller inte för halvledare av metallisolatortyp (MIS – Metal Insulator Semiconductors). 2. ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar”, mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till-digital-omvandlare, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” för ”signalbehandling”, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Fast Fourier Transformation (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska RAM (SRAM) med någon av följande egenskaper: a) Specificerade för drift i omgivningstemperatur över 398 K (125 °C). b) Specificerade för drift i omgivningstemperatur under 218 K (– 55 °C); eller c) Specificerade för drift i omgivningstemperatur inkluderande hela intervallet från 218 K (– 55 °C) till och med 398 K (125 °C). Anm.: Avsnitt 3A001.a.2 gäller inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil eller tågapplikationer. 3. ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar” och mikrocontroller-mikrokretsar tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 MHz: Anm.: Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors). 4. Integrerade minneskretsar som tillverkats av en sammansatt halvledare. 5. Integrerade kretsar för analog-till-digital- och digital-till-analog-omvandlare enligt följande: a) Analog-till-digital-omvandlare som har någon av följande egenskaper: Obs!: SE ÄVEN AVSNITT 3A101. 1. En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en dataöverföringshastighet som är högre än 500 miljoner ord per sekund, 2. en upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 200 miljoner ord per sekund, 3. en upplösning på 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 105 miljoner ord per sekund, 4. en upplösning på mer än 12 bitar, men högst 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 10 miljoner ord per sekund, eller 5. en upplösning på mer än 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 2,5 miljoner ord per sekund. b) Digital-till-analog-omvandlare med en upplösning på 12 bitar eller mer och en ”inställningstid” som är kortare än 10 ns. Tekniska anm.: 1. En upplösning på n bitar motsvarar en kvantisering av 2n nivåer. 2. Antalet bitar i utdataord är lika med upplösningen i analog-till-digital-omvandlaren. 3. Dataöverföringshastigheten är omvandlarens maximala dataöverföringshastighet, oavsett arkitektur eller översampling. Säljare kan även med dataöverföringshastighet mena samplingshastigheten, omvandlingshastigheten eller kapaciteten. Den anges ofta i megahertz (MHz) eller miljoner sampel per sekund (Msps). 4. I syfte att mäta överföringshastigheten motsvarar ett utdataord per sekund en hertz eller ett sampel per sekund. 6. Elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” för ”signalbehandling” som har alla följande egenskaper: a) En eller flera interna ”laser”-dioder, b) en eller flera interna ljusdetekterande element; och c) optiska vågledare. 7. ”Fältprogrammerbara logiska komponenter” med något av följande: a) Antalet grindekvivalenter är mer än 30 000 (grindar med 2 ingångar), b) den ”typiska grindfördröjningstiden” är mindre än 0,1 ns, eller c) den maximala vippfrekvensen överstiger 133 MHz. Anm.: Avsnitt 3A001.a.7 omfattar följande: — Enkla programmerbara logiska komponenter (SPLD) — Komplexa programmerbara logiska komponenter (CPLD) — Fältprogrammerbara grindmatriser (FPGA) — Fältprogrammerbara logiska matriser (FPLA) — Fältprogrammerbara kopplingar (FPIC) Teknisk anm.: ”Fältprogrammerbara logiska komponenter” betecknas även fältprogrammerbara grindmatriser eller fältprogrammerbara logiska matriser. 8. Används inte. 9. Integrerade kretsar för neurala nätverk. 10. Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om kontrollstatusen hos den utrustning där kretsarna ska ingå och där något av följande villkor är uppfyllt: a) Fler än 1 000 anslutningar, b) den ”typiska grindfördröjningstiden” är kortare än 0,1 ns, eller c) arbetsfrekvensen överstiger 3 GHz. 11. Andra digitala kretsar än de som beskrivits i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 och 3A001.a.12 och som baseras på en blandning av halvledarmaterial, med något av följande: a) Ett antal grindekvivalenter som är större än 3 000 (grindar med 2 ingångar), eller b) en vippfrekvens som överstiger 1,2 GHz. 12. Processorer för Fast Fourier Transform (FFT) och som har en specificerad verkställighetstid som är mindre än (N log2 N)/20 480 ms för en N-punkters komplex FFT, där N är antalet punkter. Teknisk anm.: När N är lika med 1 024 punkter ger formeln i 3A001.a.12 en verkställighetstid på 500 μs.