3A001

Elektronske naprave, kot sledijo: a. integrirana vezja za splošno rabo: Opomba: integrirana vezja vključujejo naslednje tipe: — „monolitna integrirana vezja“; — „hibridna integrirana vezja“; — „veččipna integrirana vezja“; — „integrirana vezja na filmu“, vključno z integriranimi vezji tipa silicij na safirju; — „optična integrirana vezja“; — „tridimenzionalna tiskana vezja“; — „monolitna mikrovalovna integrirana vezja“ („MMIC“). 1. integrirana vezja, izdelana ali označena kot odporna proti sevanju, ki lahko prenesejo: a. skupno dozo 5x103 Gy (silicij) ali več; b. določeno stalno dozo 5x106 Gy (silicij)/s ali več ali c. fluenco (integrirani tok) nevtronov (ekvivalent 1 MeV) 5x1013 n/cm2 ali več za siliciju ali njegove ekvivalentne vrednosti za druge materiale; Opomba: predmet nadzora v točki 3A001(a)(1)(c) niso strukture kovina-izolator-polprevodnik (MIS). 2. „mikroprocesorska mikrovezja“, „mikroračunalniška mikrovezja“, mikrokrmilniška mikrovezja, pomnilniška integrirana vezja, izdelana iz sestavljenih polprevodnikov, analogno-digitalni pretvorniki, integrirana vezja, ki vsebujejo analogno-digitalne pretvornike in shranjujejo ali obdelujejo digitalizirane podatke, digitalno-analogni pretvorniki, elektro-optična ali „optična integrirana vezja“, izdelana za „obdelavo signalov“, logična vezja s programirljivim poljem, naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali je neznan nadzorni status opreme, v kateri bodo ta vezja uporabljena, procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT), statični vpisovalno/bralni pomnilniki (SRAM) ali „trajni pomnilniki“, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja nad 398 K (125 °C); b. so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja pod 218 K (–55 °C) ali c. so naznačeni za delovanje na celotnem temperaturnem območju okolja od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C); Opomba: predmet nadzora v točki 3A001(a)(2) niso integrirana vezja, zasnovana za civilne avtomobile ali železniške aplikacije. Tehnična opomba: „Trajni pomnilniki“ so pomnilniki, ki hranijo podatke še nekaj časa po izključitvi. 3A001 a.3. „mikroprocesorska mikrovezja“, „mikroračunalniška mikrovezja“ in mikrokrmilniška mikrovezja, izdelana iz sestavljenega polprevodnika in delujejo na urni frekvenci, večji od 40 MHz; Opomba: točka 3A001(a)(3) vključuje procesorje digitalnih signalov, procesorje digitalnih nizov in digitalne koprocesorje; 4. se ne uporablja; 5. integrirana vezja analogno-digitalnih pretvornikov (AD-pretvorniki) in digitalno-analognih pretvornikov (DA-pretvorniki): a. AD-pretvorniki, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: Opomba: GLEJ TUDI TOČKO 3A101. 1. razločljivost 8 bitov ali več, vendar manj kot 10 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 1,3 giga vzorcev na sekundo (GSPS); 2. razločljivost 10 bitov ali več, vendar manj kot 12 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 600 mega vzorcev na sekundo (MSPS); 3. razločljivost 12 bitov ali več, vendar manj kot 14 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 400 MSPS; 4. razločljivost 14 bitov ali več, vendar manj kot 16 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 250 MSPS ali 5. razločljivost 16 bitov ali več s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 65 MSPS. Opomba: za integrirana vezja, ki vsebujejo analogno-digitalne pretvornike in shranjujejo ali obdelujejo digitalizirane podatke, glej točko 3A001(a)(14). Tehnične opombe: 1. Razločljivost n bitov ustreza kvantizaciji 2n stopenj. 2. Resolucija AD-pretvornika je število bitov digitalnih izstopnih podatkov, ki predstavlja izmerjene analogne vstopne podatke. Efektivno število bitov (ENOB) se ne uporablja za določanje resolucije AD-pretvornika. 3. Pri „večkanalnih AD-pretvornikih“ se „stopnja prenosa vzorcev“ ne sešteva, ampak je enaka najvišji hitrosti katerega koli posameznega kanala. 4. Pri „AD-pretvornikih s prepletanjem“ ali pri „večkanalnih AD-pretvornikih“, pri katerih je mogoče prepletanje, se „stopnje prenosa vzorcev“ seštevajo in „stopnja prenosa vzorcev“ je enaka največji kombinirani skupni izhodni hitrosti vseh prepletenih kanalov. b. DA-pretvorniki, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. razločljivost 10 bitov ali več, vendar manj kot 12 bitov, s „prilagojeno stopnjo posodabljanja“ več kot 3 500 MSPS ali 2. razločljivost 12 bitov ali več in katero koli od naslednjih značilnosti: a. „prilagojeno stopnjo posodabljanja“ več kot 1 250 MSPS, vendar manj kot 3 500 MSPS, in katero koli od naslednjih značilnosti: 1. čas umirjanja s stopnje polnega obsega na ali znotraj 0,024 % polnega obsega je manj kot 9 ns ali 2. „dinamično območje brez motenj“„Spurious Free Dynamic Range“ – SFDR) je večje od 68 dBc (nosilec), kadar se sintetizira analogni signal v polnem obsegu s frekvenco 100 MHz ali analogni signal v polnem obsegu z najvišjo frekvenco, ki je opredeljena pod 100 MHz, ali b. „prilagojeno stopnjo posodabljanja“ več kot 3 500 MSPS; 3A001 a. 5. b. Tehnične opombe: 1. „Dinamično območje brez motenj“ (SFDR) je razmerje med RMS-vrednostjo nosilne frekvence (najmočnejša signalna komponenta) na vhodu DA-pretvornika in RMS-vrednostjo naslednje najmočnejše šumne komponente ali komponente harmoničnega popačenja na izhodu. 2. SFDR se določi neposredno iz tabele specifikacij ali iz shem značilnosti SFDR glede na frekvenco. 3. Signal ima polni obseg, kadar je njegova amplituda večja kot –3 dBfs (polni obseg). 4. „Prilagojena stopnja posodabljanja“ pri DA-pretvornikih: a. pri konvencionalnih DA-pretvornikih (brez interpoliranja) je „prilagojena stopnja posodabljanja“ enaka stopnji pretvarjanja digitalnega signala v analogni signal in stopnji, po kateri DA-pretvornik spreminja izhodne analogne vrednosti. Pri DA-pretvornikih, pri katerih je mogoče zaobiti interpolacijo (faktor interpolacije je enak ena), je treba DA-pretvornike obravnavati kot konvencionalne DA-pretvornike (brez interpoliranja); b. pri DA-pretvornikih z interpoliranjem (DA-pretvornikih z nadvzorčenjem) je „prilagojena stopnja posodabljanja“ enaka količniku stopnje posodabljanja DA-pretvornika in najmanjšega faktorja interpolacije. Pri DA-pretvornikih z interpoliranjem se lahko „prilagojena stopnja posodabljanja“ nanaša na različne pojme, vključno z naslednjimi: — stopnja prenosa vhodnih podatkov, — stopnja prenosa vhodnih besed — stopnja prenosa vhodnih vzorcev — največja skupna stopnja prenosa vhodnih vodil — največja urna stopnja DA-pretvornika pri vhodni uri DA-pretvornika. 6. elektrooptična in „optična integrirana vezja“, zasnovana za „obdelavo signalov“, ki imajo vse naslednje značilnosti: a. eno ali več notranjih „laserskih“ diod; b. enega ali več notranjih elementov za zaznavanje svetlobe in c. optični valovod; 7. logična vezja s programirljivim poljem, ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti: a. največje število digitalnih vhodnih/izhodnih podatkov je večje od 700 ali b. „skupna temenska podatkovna hitrost enosmernega serijskega oddajnika-sprejemnika“ 500 Gb/s ali več. Opomba: točka 3A001(a)(7) vključuje: — kompleksni programirljivi logični element (CPLD – Complex Programmable Logic Devices), — programirljivo mrežo vrat (FPGA – Field Programmable Gate Arrays), — programirljivo mrežo logičnih nizov (FPLA – Field Programmable Logic Arrays), — programirljivo mrežo medpovezav (FPIC – Field Programmable Interconnects). Opomba: za integrirana vezja, ki imajo logična vezja s programirljivim poljem, kombinirana z analogno-digitalnim pretvornikom, glej točko 3A001(a)(14). 3A001 a. 7. Tehnične opombe: 1. Najvišje število digitalnih vhodnih/izhodnih podatkov iz točke 3A001(a)(7)(a) je znano tudi kot najvišje število podatkov, ki jih uporabnik vnese ali sprejme ali najvišje število razpoložljivih vstopnih/izstopnih podatkov, ne glede na to, ali je integrirano vezje v ohišju ali brez njega. 2. „Skupna temenska podatkovna hitrost enosmernega serijskega oddajnika-sprejemnika“ je zmnožek temenske podatkovne hitrosti enosmernega serijskega oddajnika-sprejemnika in števila oddajnikov-sprejemnikov na programirljivi mreži vrat (FPGA). 8. se ne uporablja; 9. nevronskomrežna integrirana vezja; 10. naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali pa je proizvajalcu neznan nadzorni status opreme, v kateri se bodo uporabila ta integrirana vezja, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. več kot 1 500 priključkov; b. tipično „propagacijsko zakasnitev osnovnih vrat“ manj kot 0,02 ns ali c. delovno frekvenco več kot 3 GHz; 11. digitalna integrirana vezja, razen opisanih v točkah od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(10) in v točki 3A001(a)(12), na podlagi katerega koli sestavljenega polprevodnika, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. ekvivalentno število vrat nad 3 000 (dvoje vhodnih vrat) ali b. delovno frekvenco več kot 1,2 GHz; 12. procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT – Fast Fourier Transform) in naznačenim izvajalnim časom kompleksne FFT z N točkami manjšim od (N log2 N) /20 480 ms, pri čemer je N število točk. Tehnična opomba: Če je N enako 1 024 točk, dobimo s formulo v točki 3A001(a)(12) izvajalni čas 500 μs. 13. integrirana vezja neposrednih digitalnih sintetizatorjev (Direct Digital Synthesizer – DDS), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. urna frekvenca digitalno-analognih pretvornikov (DAC) 3,5 GHz ali večja in 10-bitna razločljivost DAC ali večja, vendar manjša od 12 bitov, ali b. urna frekvenca DAC 1,25 GHz ali večja in 12-bitna razločljivost DAC ali večja. Tehnična opomba: Urno frekvenco DAC je mogoče opredeliti kot osnovno ali vhodno urno frekvenco. 14. integrirana vezja, ki izvajajo ali so programirana, da izvajajo vse naslednje funkcije: a. analogno-digitalne pretvorbe, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. razločljivost 8 bitov ali več, vendar manj kot 10 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 1,3 giga vzorcev na sekundo (GSPS); 2. razločljivost 10 bitov ali več, vendar manj kot 12 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 1,0 GSPS; 3. razločljivost 12 bitov ali več, vendar manj kot 14 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 1,0 GSPS; 3A001 a. 14. a.4. razločljivost 14 bitov ali več, vendar manj kot 16 bitov, s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 400 mega vzorcev na sekundo (MSPS) ali 5. razločljivost 16 bitov ali več s „stopnjo prenosa vzorcev“ več kot 180 MSPS ter b. katero koli od naslednjih značilnosti: 1. hramba digitaliziranih podatkov ali 2. obdelava digitaliziranih podatkov; Opomba 1: za integrirana vezja z analogno-digitalnim pretvornikom glej točko 3A001(a)(5)(a). Opomba 2 za logična vezja s programirljivim poljem glej točko 3A001(a)(7). Tehnične opombe: 1. Razločljivost n bitov ustreza kvantizaciji 2n stopenj. 2. Resolucija AD-pretvornika je število bitov digitalnih izstopnih podatkov AD-pretvornika, ki predstavlja izmerjene analogne vstopne podatke. Efektivno število bitov (ENOB) se ne uporablja za določanje resolucije AD-pretvornika. 3. Pri integriranih vezjih z „večkanalnimi AD-pretvorniki“ brez prepletanja se „stopnja prenosa vzorcev“ ne sešteva, ampak je enaka največji hitrosti katerega koli posameznega kanala. 4. Pri integriranih vezjih z „AD-pretvorniki s prepletanjem“ ali pri „večkanalnih AD-pretvornikih“, pri katerih je mogoče prepletanje, se „stopnje prenosa vzorcev“ seštevajo in „stopnja prenosa vzorcev“ je enaka največji kombinirani skupni izhodni hitrosti vseh prepletenih kanalov. b. mikrovalovne naprave ali naprave z milimetrskimi valovi, kot sledijo: Tehnična opomba: Za namene točke 3A001(b) se lahko temenska nasičena izhodna moč parametra v varnostnih listih navaja tudi kot izhodna moč, nasičena izhodna moč, maksimalna izhodna moč, temenska izhodna moč ali vrhnja izhodna moč ovojnice. 1. „vakuumske elektronske naprave“ in katode: Opomba 1: predmet nadzora v točki 3A001(b)(1) niso „vakuumske elektronske naprave“, izdelane ali naznačene za delovanje v katerem koli frekvenčnem pasu, ki ima obe naslednji značilnosti: a. ne presega 31,8 GHz in b. je „dodeljen po ITU“ za radiokomunikacijske storitve, ne pa za radiolokacijo. Opomba 2: predmet nadzora v točki 3A001(b)(1) niso „vakuumske elektronske naprave“, ki niso „primerne za vesolje“ in imajo obe naslednji značilnosti: a. povprečna izhodna moč je enaka ali manjša od 50 W in b. so izdelane ali naznačene za kateri koli frekvenčni pas, ki ima obe naslednji značilnosti: 1. presega 31,8 GHz, vendar ne 43,5 GHz, in 2. je „dodeljen po ITU“ za radiokomunikacijske storitve, ne pa za radiolokacijo. 3A001 b. 1.a. „vakuumske elektronske naprave“ na potujoče, impulzne ali zvezne valove: 1. naprave, ki delujejo na frekvencah, višjih od 31,8 GHz; 2. naprave, ki imajo katodni grelnik z vklopnim časom do naznačene moči RF manj kot 3 sekunde; 3. naprave s sklopljeno votlino ali njihove izvedenke z „delno pasovno širino“, večjo od 7 %, ali s temensko močjo, večjo od 2,5 kW; 4. naprave, ki temeljijo na vezjih s spiralnimi, zavitimi ali vijugastimi valovodi, ali njihove izvedenke, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. njihova „trenutna pasovna širina“ je večja od oktave, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v GHz), pa več kot 0,5 ; b. njihova „trenutna pasovna širina“ je ena oktava ali manj, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v GHz), pa več kot 1; c. so „primerne za vesolje“ali d. elektronski top z mrežastimi elektrodami; 5. naprave z „delno pasovno širino“ 10 % ali več, s čimer koli od naslednjega: a. krožast elektronski snop; b. neosnosmeren elektronski snop ali c. več elektronskih snopov; b. ojačevalne „vakuumske elektronske naprave“ z navzkrižnim poljem z ojačanjem, večjim od 17 dB; c. termionske katode, izdelane za „vakuumske elektronske naprave“, ki v naznačenih pogojih delovanja oddajajo gostoto toka več kot 5 A/cm2 oziroma gostoto impulznega (netrajnega) električnega toka več kot 10 A/cm2; d. „vakuumske elektronske naprave“ z zmožnostjo delovanja v „dvojnem načinu“. Tehnična opomba: „Dvojni način“ pomeni, da je mogoče tok snopa „vakuumske elektronske naprave“ namenoma spreminjati med načinom zveznega vala in impulznim načinom z uporabo mreže, proizvedena maksimalna izhodna moč impulza pa presega izhodno moč zveznega vala. 2. močnostni ojačevalniki z „monolitnimi mikrovalovnimi integriranimi vezji“ („MMIC“), ki so kar koli od naslednjega: Opomba: za ojačevalnike „MMIC“, ki imajo integriran prečni transformator, glej točko 3A001(b)(12). a. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih od 2,7 GHz do vključno s 6,8 GHz z „delno pasovno širino“, večjo od 15 %, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. temenska nasičena izhodna moč je večja od 75 W (48,75 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 2,7 GHz do vključno s 2,9 GHz; 2. temenska nasičena izhodna moč je večja od 55 W (47,4 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 2,9 GHz do vključno s 3,2 GHz; 3. temenska nasičena izhodna moč je večja od 40 W (46 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 3,2 GHz do vključno s 3,7 GHz; ali 4. temenska nasičena izhodna moč je večja od 20 W (43 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 3,7 GHz do vključno s 6,8 GHz; 3A001 b. 2.b. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih od 6,8 GHz do vključno s 16 GHz z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. temenska nasičena izhodna moč je večja od 10 W (40 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 6,8 GHz do vključno s 8,5 GHz ali 2. temenska nasičena izhodna moč je večja od 5 W (37 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 8,5 GHz do vključno s 16 GHz; c. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 3 W (34,77 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 16 GHz do vključno s 31,8 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %; d. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 0,1 nW (–70 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 31,8 GHz do vključno s 37 GHz; e. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 1 W (30 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 37 GHz do vključno s 43,5 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %; f. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 31,62 mW (15 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 43,5 GHz do vključno s 75 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %; g. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 10 mW (10 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 75 GHz do vključno s 90 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 5 %, ali h. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 0,1 nW (–70 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 90 GHz; Opomba 1: se ne uporablja. Opomba 2: nadzorni status „mikrovalovnih monolitnih integriranih vezij“, katerih nominalna delovna frekvenca obsega več kot eno frekvenčno območje, kot določa točka 3A001(b)(2)(a) do 3A001(b)(2)(h), se določa glede na prag najnižje temenske nasičene izhodne moči. Opomba 3: opombi 1 in 2 v 3A pomenita, da predmet nadzora v točki 3A001(b)(2) niso „mikrovalovna monolitna integrirana vezja“, če so izdelana posebej za druge namene, npr. telekomunikacije, radarje, avtomobile. 3. diskretni mikrovalovni tranzistorji, ki so kar koli od naslednjega: a. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 2,7 GHz do vključno s 6,8 GHz, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. temenska nasičena izhodna moč je večja od 400 W (56 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 2,7 GHz do vključno s 2,9 GHz; 2. temenska nasičena izhodna moč je večja od 205 W (53,12 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 2,9 GHz do vključno s 3,2 GHz; 3. temenska nasičena izhodna moč je večja od 115 W (50,61 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 3,2 GHz do vključno s 3,7 GHz; ali 4. temenska nasičena izhodna moč je večja od 60 W (47,78 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 3,7 GHz do vključno s 6,8 GHz; b. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 6,8 GHz do vključno z 31,8 GHz, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. temenska nasičena izhodna moč je večja od 50 W (47 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 6,8 GHz do vključno s 8,5 GHz; 3A001 b. 3. b.2. temenska nasičena izhodna moč je večja od 15 W (41,76 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 8,5 GHz do vključno s 12 GHz; 3. temenska nasičena izhodna moč je večja od 40 W (46 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 12 GHz do vključno s 16 GHz; ali 4. temenska nasičena izhodna moč je večja od 7 W (38,45 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 16 GHz do vključno s 31,8 GHz; c. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 0,5 W (27 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 31,8 GHz do vključno s 37 GHz; d. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 1 W (30 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 37 GHz do vključno s 43,5 GHz; e. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 0,1 nW (–70 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 43,5 GHz, ali f. drugi kot tisti iz točk 3A001(b)(3)(a) do 3A001(b)(3)(e), naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 5 W (37,0 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 8,5 GHz do vključno s 31,8 GHz; Opomba 1: nadzorni status tranzistorja v točkah 3A001(b)(3)(a) do 3A001(b)(3)(e), katerega nominalna delovna frekvenca vključuje več kot eno frekvenčno območje, kot določajo točke 3A001(b)(3)(a) do 3A001(b)(3)(e), se določa glede na prag najnižje temenske nasičene izhodne moči. Opomba 2: točka 3A001(b)(3) zajema neobdelane kocke, kocke, nameščene na nosilce, ali kocke, nameščene v paketih. Nekateri diskretni tranzistorji se lahko imenujejo tudi ojačevalniki, vendar je status teh diskretnih tranzistorjev določen v točki 3A001(b)(3). 4. mikrovalovni polprevodniški ojačevalniki in mikrovalovni sestavi/moduli, ki vsebujejo mikrovalovne polprevodniške ojačevalnike, ki so kar koli od naslednjega: a. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih od 2,7 GHz do vključno s 6,8 GHz z „delno pasovno širino“, večjo od 15 %, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. temenska nasičena izhodna moč je večja od 500 W (57 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 2,7 GHz do vključno s 2,9 GHz; 2. temenska nasičena izhodna moč je večja od 270 W (54,3 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 2,9 GHz do vključno s 3,2 GHz; 3. temenska nasičena izhodna moč je večja od 200 W (53 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 3,2 GHz do vključno s 3,7 GHz; ali 4. temenska nasičena izhodna moč je večja od 90 W (49,54 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 3,7 GHz do vključno s 6,8 GHz; b. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih od 6,8 GHz do vključno s 31,8 GHz z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. temenska nasičena izhodna moč je večja od 70 W (48,54 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 6,8 GHz do vključno s 8,5 GHz; 2. temenska nasičena izhodna moč je večja od 50 W (47 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 8,5 GHz do vključno s 12 GHz; 3. temenska nasičena izhodna moč je večja od 30 W (44,77 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 12 GHz do vključno s 16 GHz; ali 4. temenska nasičena izhodna moč je večja od 20 W (43 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 16 GHz do vključno s 31,8 GHz; c. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 0,5 W (27 dBm), pri kateri koli frekvenci, večji od 31,8 GHz do vključno s 37 GHz; 3A001 b. 4.d. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 2 W (33 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 37 GHz do vključno s 43,5 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %; e. naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 43,5 GHz, in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 0,2 W (23 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 43,5 GHz do vključno s 75 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 10 %; 2. naznačeni za obratovanje s temensko nasičeno izhodno močjo, večjo od 20 mW (13 dBm), pri kateri koli frekvenci, ki presega 75 GHz do vključno s 90 GHz, ter z „delno pasovno širino“, večjo od 5 %; ali 3. temenska nasičena izhodna moč je večja od 0,1 nW (–70 dBm) pri kateri koli frekvenci, večji od 90 GHz, ali f. se ne uporablja; Opomba 1: za ojačevalnike „MMIC“ glej točko 3A001(b)(2). Opomba 2: za „oddajne/sprejemne module“ in „oddajne module“ glej točko 3A001(b)(12). Opomba 3: Za pretvornike in harmonične mešalnike, izdelane za povečanje dosega ali frekvečnega območja analizatorjev signala, generatorjev signala, omrežnih analizatorjev ali mikrovalovnih preizkušalnih sprejemnikov glej točko 3A001(b)(7). Opomba 1: se ne uporablja; Opomba 2: nadzorni status tranzistorja, katerega nominalna delovna frekvenca vključuje več kot eno frekvenčno območje, kot določajo točke 3A001(b)(4)(a) do 3A001(b)(4)(e), se določa glede na prag najnižje temenske nasičene izhodne moči. 5. elektronsko ali magnetno nastavljivi pasovno prepustni ali pasovno zaporni filtri, ki imajo več kot 5 nastavljivih resonatorjev z zmožnostjo nastavitve v frekvenčnem pasu 1,5 : 1 (fmax/fmin) v manj kot 10 μs in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. pasovno širino za prepuščanje frekvenčnega pasu več kakor 0,5 % centralne frekvence ali b. pasovno širino zapornega frekvenčnega pasu manjšo kot 0,5 % od centralne frekvence; 6. se ne uporablja; 7. pretvorniki in harmonični mešalniki z vsaj eno od naslednjih značilnosti: a. namenjeni za širjenje frekvenčnega območja „analizatorjev signala“ nad 90 GHz; b. namenjeni za širjenje območja delovanja generatorjev signala: 1. nad 90 GHz; 2. izhodna moč presega 100 mW (20 dBm) kjer koli v frekvenčnem območju med 43,5 GHz in 90 GHz; c. namenjeni za širjenje območja delovanja omrežnih analizatorjev: 1. nad 110 GHz; 2. izhodna moč presega 31,62 mW (15 dBm) kjer koli v frekvenčnem območju med 43,5 GHz in 90 GHz; 3. izhodna moč presega 1 mW (0 dBm) kjer koli v frekvenčnem območju med 90 GHz in 110 GHz; ali d. namenjeni za širjenje frekvenčnega območja mikrovalovnih preizkušalnih sprejemnikov nad 110 GHz; 3A001 b.8. ojačevalniki mikrovalovne moči z „vakuumskimi elektronskimi napravami“ iz točke 3A001(b)(1), ki imajo vse naslednje značilnosti: a. delovna frekvenca je višja od 3 Ghz; b. povprečna izhodna moč na razmerje mase presega 80 W/kg in c. njihova prostornina je manjša od 400 cm3; Opomba: predmet nadzora v točki 3A001(b)(8) ni oprema, ki je izdelana ali naznačena za delovanje v kateremkoli frekvenčnem pasu, „dodeljen po ITU“ za radiokomunikacijske storitve radijske komunikacije, ne pa za radiolokacijo. 9. mikrovalovni napajalni moduli (MPM), sestavljeni vsaj iz „vakuumske elektronske naprave“ za potujoče valove, „monolitnega mikrovalovnega integriranega vezja“ („MMIC“) in integrirane elektronske napajalne naprave, ki imajo vse naslednje značilnosti: a. „čas vključitve“ od izključenega stanja do stanja popolnega delovanja je manj kot 10 sekund; b. Prostornina je manjša od največje možne napetosti v vatih, pomnožene z 10 cm3/W in c. „trenutna pasovna širina“ je večja od 1 oktave (fmax > 2fmin) in ima katero koli od naslednjih značilnosti: 1. RF izhodna moč večja od 100 W za frekvence 18 GHz ali manj, ali 2. frekvenca je večja od 18 GHz. Tehnični opombi: 1. Za izračun prostornine iz točke 3A001(b)(9)(b) je podan naslednji primer: za največjo možno napetost 20 W je prostornina: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Čas vključitve“ v točki 3A001(b)(9)(a) se nanaša na čas od popolnoma izključenega stanja do popolnega delovanja, tj. vključuje čas ogrevanja MPM. 10. oscilatorji in oscilacijski mehanizmi, določeni za delovanje s šumom posamezne faze stranskega pasu (SSB), izraženim v dBc/Hz, manjšim (boljšim) od (126 + 20log10F - 20log10f) kjer koli v območju 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Tehnična opomba: V točki 3A001(b)(10) je F regulacijsko odstopanje od delovne frekvence v Hz in f delovna frekvenca v MHz. 11. „elektronski sestavi“„frekvenčnega sintezatorja“, ki imajo „frekvence preklopnega časa“, kot je določeno v kateri koli od naslednjih točk: a. manj kot 143 ps; b. manj kot 100 μs za katero koli spremembo frekvence, ki je večja od 2,2 GHz v sintetiziranem frekvenčnem območju, ki je večje od 4,8 GHz, vendar manjše od 31,8 GHz; c. se ne uporablja; d. manj kot 500 μs za katero koli spremembo frekvence, ki je večja od 550 MHz v sintetiziranem frekvenčnem območju, ki je večje od 31,8 GHz, vendar manjše od 37 GHz; e. manj kot 100 μs za katero koli spremembo frekvence, ki je večja od 2,2 GHz v sintetiziranem frekvenčnem območju, ki je večje od 37 GHz, vendar manjše od 90 GHz, ali f. se ne uporablja g. manj kot 1 ms v sintetiziranem frekvenčnem obsegu, ki presega 90 GHz. 3A001 b. 11. Tehnična opomba: „Frekvenčni sintezator“ je kakršen koli frekvenčni vir, ne glede na uporabljeno tehniko, ki proizvaja več simultanih ali alternativnih izhodnih frekvenc na enem ali več izhodih, krmiljenih, izvedenih ali urejenih iz manjšega števila standardnih (ali osnovnih) frekvenc. Opomba: Za „analizatorje signala“, generatorje signala, omrežne analizatorje in mikrovalovne preizkušalne sprejemnike za splošno rabo glej točko 3A002(c), 3A002(d), 3A002(e) oziroma 3A002(f). 12. „oddajni/sprejemni moduli“, „oddajni/sprejemni MMIC“, „oddajni moduli“ in „oddajni MMIC“, naznačeni za delovanje pri frekvencah, višjih od 2,7 GHz, ki imajo vse naslednje značilnosti: a. povprečno izhodno moč (v vatih), Psat, večjo od 505,62 , deljeno z maksimalno delovno frekvenco (v GHz) na kvadrat [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] za kateri koli kanal; b. „delno pasovno širino“ 5 % ali več za kateri koli kanal; c. katero koli planarno stran z dolžino d (v cm) enako ali manjšo od 15, deljeno z maksimalno delovno frekvenco v GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz], pri čemer je N število oddajnih ali oddajnih/sprejemnih kanalov in d. elektronsko spremenljiv prečni transformator na kanal. Tehnične opombe: 1. „Oddajni/sprejemni modul“ je večfunkcijski „elektronski sestav“, ki omogoča dvosmerno regulacijo amplitude in faze za oddajanje in sprejemanje signalov. 2. „Oddajni modul“ je „elektronski sestav“, ki omogoča regulacijo amplitude in faze za oddajanje signalov. 3. „Oddajni/sprejemni MMIC“ je večfunkcijski „MMIC“, ki omogoča dvosmerno regulacijo amplitude in faze za oddajanje in sprejemanje signalov. 4. „Oddajni MMIC“ je „MMIC“, ki omogoča regulacijo amplitude in faze za oddajanje signalov. 5. V formuli v točki 3A001(b)(12)(c) se za najnižjo delovno frekvenco (fGHz) uporabi vrednost 2,7 GHz za oddajno/sprejemne ali oddajne module, ki imajo nominalno delovno območje navzdol do 2,7 GHz in nižje [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. 6. Točka 3A001(b)(12) se uporablja za „oddajne/sprejemne module“ ali „oddajne module“ z ali brez toplotnega ponora. Vrednost d v točki 3A001(b)(12)(c) ne vključuje nobenega dela „oddajnega/sprejemnega modula“ ali „oddajnega modula“, ki deluje kot toplotni ponor. 7. „Oddajno/sprejemni moduli“, „oddajni moduli“, „oddajno/sprejemni MMIC“ ali „oddajni MMIC“ imajo lahko N integriranih oddajnih anten, pri čemer je N število oddajnih ali oddajno/sprejemnih kanalov. c. zvočnovalovne naprave in posebej zanje izdelane komponente: 1. površinske zvočnovalovne naprave in zvočnovalovne naprave za površinsko posnemanje (plitvo posnemanje), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: a. nosilno frekvenco, večjo od 6 GHz; 3A001 c. 1.b. nosilno frekvenco, večjo od 1 GHz, vendar manjšo od 6 GHz, in katero koli izmed naslednjih značilnosti: 1. „dušenje bočne frekvence“, večje od 65 dB; 2. zmnožek največje časovne zakasnitve in pasovne širine (čas v μs, pomnožen s pasovno širino v MHz) več kot 100; 3. pasovno širino, večjo od 250 MHz, ali 4. razpršenost zakasnitve večja kakor 10 mikrosekund, ali c. nosilno frekvenco 1 GHz ali manj, ki ima katero koli izmed naslednjih značilnosti: 1. zmnožek največje časovne zakasnitve in pasovne širine (čas v μs, pomnožen s pasovno širino v MHz) več kot 100; 2. razpršenost zakasnitve večja kakor 10 mikrosekund, ali 3. „dušenje bočne frekvence“, večje od 65 dB, in pasovna širino, večjo od 100 MHz; Tehnična opomba: „Dušenje bočne frekvence“ je najvišja vrednost dušenja, določena v varnostnem listu. 2. prostorske zvočnovalovne naprave, ki omogočajo neposredno obdelavo signalov frekvenc, večjih od 6 Ghz; 3. zvočno-optične naprave za „obdelavo signalov“, ki izkoriščajo interakcijo med zvočnimi (velikimi ali površinskimi) in svetlobnimi valovi, kar omogoča neposredno obdelavo signalov ali podob, vključno s spektralno analizo, korelacijo in konvolucijo; Opomba: predmet nadzora v točki 3A001(c) niso zvočnovalovne naprave, ki so omejene na enopasovno, nizkoprepustno, visokoprepustno filtriranje ali filtriranje frekvenc ali resonančno funkcijo. d. elektronske naprave ali vezja, ki vsebujejo komponente iz „superprevodnih“ materialov, od katerih je najmanj en sestavni del posebej izdelan za delovanje pri temperaturah pod „kritično temperaturo“, in ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. tokovno preklapljanje za digitalna vezja s „superprevodniškimi“ vrati, pri katerih je zmnožek zakasnitve na ena vrata (v sekundah) in izgube moči na vrata (v vatih) manjši od 10–14 J, ali 2. frekvenčna selektivnost pri vseh frekvencah z uporabo resonančnih vezij s kvaliteto Q, večjo od 10 000 ; e. visokoenergijske naprave: 1. „členi“: a. „primarni členi“, ki imajo pri 20 °C katero koli od naslednjih lastnosti: 1. „energijsko gostoto“ več kot 550 Wh/kg in „stalno gostoto moči“ več kot 50 W/kg ali 2. „energijsko gostoto“ več kot 50 Wh/kg in „stalno gostoto moči“ več kot 350 W/kg ali b. „sekundarni členi“ z „energijsko gostoto“ več kot 350 Wh/kg pri 20 °C. Tehnične opombe: 1. V smislu točke 3A001(e)(1) se „energijska gostota“ (Wh/kg) izračuna iz nazivne napetosti, pomnožene z nazivno zmogljivostjo v amper urah (Ah), ta produkt pa se deli z maso v kilogramih; če nazivna zmogljivost ni navedena, se energijska gostota izračuna iz nazivne napetosti na kvadrat, pomnožene s trajanjem praznjenja v urah, ta produkt pa se deli z obremenitvijo praznjenja v omih in maso v kilogramih. 3A001 e. 1.2. V smislu točke 3A001(e)(1) je „člen“ elektrokemična naprava, ki ima pozitivne in negativne elektrode, elektrolit in je vir električne energije. Je osnoven sestavni del baterije. 3. V smislu točke 3A001(e)(1)(a) je „primarni člen“„člen“, ki se ne polni iz nobenega drugega vira. 4. V smislu točke 3A001(e)(1)(b) je „sekundarni člen“„člen“, ki se polni iz zunanjega električnega vira. 5. V smislu točke 3A001(e)(1)(a) se „stalna gostota moči“ (W/kg) izračuna iz nazivne napetosti, pomnožene z določenim največjim stalnim tokom praznjenja v amperih (A), ta produkt pa se deli z maso v kilogramih. „Stalna gostota moči“ se imenuje tudi specifična moč. Opomba: predmet nadzora v točki 3A001(e)(1) niso baterije, vključno z enočlenskimi baterijami. 2. visokoenergijski pomnilni kondenzatorji: Opomba: GLEJ TUDI točko 3A201(a) in Nadzor vojaškega blaga. a. kondenzatorji s ponavljalno frekvenco, manjšo od 10 Hz (kondenzatorji za enkratno izpraznitev), in imajo vse naslednje značilnosti: 1. naznačeno napetost, ki je enaka ali večja od 5 kV; 2. gostoto energije, ki je enaka ali večja od 250 J/kg in 3. skupno energijo, ki je enaka ali večja od 25 kJ; b. kondenzatorji s ponavljalno frekvenco, enako ali večjo od 10 Hz (kondenzatorji za večkratno izpraznitev), in imajo vse naslednje značilnosti: 1. naznačeno napetost, ki je enaka ali večja od 5 kV; 2. gostoto energije, ki je enaka ali večja od 50 J/kg; 3. skupno energijo, ki je enaka ali večja od 100 J, in 4. življenjsko dobo za polnjenje in praznjenje 10 000 ciklov ali več; 3. „superprevodni“ elektromagneti in solenoidi, ki so posebej izdelani tako, da omogočajo popolno polnjenje in izpraznjenje v manj kot eni sekundi in imajo vse naslednje značilnosti: Opomba: GLEJ TUDI TOČKO 3A201(b). Opomba: predmet nadzora v točki 3A001(e)(3) niso „superprevodni“ elektromagneti ali solenoidi, ki so posebej izdelani za medicinsko opremo za slikanje z uporabo magnetne resonance (MRI). a. energija, oddana med praznjenjem, večja od 10 kJ v prvi sekundi, b. notranji premer tokovnih navitij, večji od 250 mm, in c. naznačeni za gostote magnetnega polja večjo od 8 T ali za „celotno tokovno gostoto“ v navitju, ki je večja od 300 A/mm2; 4. sončne celice, stekleni pokrovi za povezovanje celic (CIC), sončni kolektorji in sončni nizi, ki so „primerni za vesolje“, katerih najmanjša povprečna učinkovitost je večja od 20 % pri delovni temperaturi 301 K (28 °C) v okviru simulirane osvetlitve „AM0“ z obsevanostjo 1 367 vatov na kvadratni meter (W/m2); 3A001 e. Tehnična opomba: „AM0“, ali „zračna masa nič“, se nanaša na spektrsko obsevanje sončne svetlobe v zemljini zunanji atmosferi, kjer je razdalja med zemljo in soncem ena astronomska enota (AU). f. rotacijski dajalniki impulzov za absolutno določanje položaja, katerih „natančnost“ je enaka ali nižja (boljša) od 1,0 kotne sekunde, in posebej zanje izdelani obroči, plošče in skale; g. tiristorske polprevodniške naprave za impulzni preklop napetosti in „tiristorski moduli“, ki uporabljajo električne, optične ali elektronske preklopne metode z nadzorovanjem sevanja in imajo katero koli od naslednjih značilnosti: 1. najvišja stopnja dviga dohodnega toka (di/dt) je višja od 30 000 A/μs in napetost v izključenem stanju je večja od 1 100 V ali 2. najvišja stopnja dviga dohodnega toka (di/dt) je višja od 2 000 A/μs in ima obe naslednji značilnosti: a. maksimalna napetost v ugasnjenem stanju je enaka ali večja od 3 000 V in b. maksimalni tok je enak ali večji od 3 000 A; Opomba 1: točka 3A001(g) vključuje: — silicijeve usmernike (SCR), — tiristorje z električnim sprožilcem (ETT), — lahke tiristorje s sprožilcem (LTT), — integrirani tiristorji z menjajočo smerjo toka (IGCT) — tiristorje z izklopnim mehanizmom (GTO), — tiristorje MOS (MCT), — solidtrone. Opomba 2: predmet nadzora v točki 3A001(g) niso tiristorske naprave in „tiristorski moduli“, vgrajeni v opremo za uporabo v civilnem železniškem prometu in „civilnih zrakoplovih“. Tehnična opomba: Za namen točke 3A001(g) „tiristorski modul“ vsebuje eno ali več tiristorskih naprav. h. Močnostni polprevodniški stikalni elementi, diode ali „moduli“, ki imajo vse od naslednjih značilnosti: 1. kot najvišja temperatura spoja je zanje označena temperatura nad 488 K (215 °C); 2. maksimalna periodična napetost v izključenem stanju (zaporna napetost) je nad 300 V in 3. stalni tok je nad 1 A. Opomba 1: maksimalna periodična blokirna napetost v izključenem stanju iz točke 3A001(h) vključuje napetost med ponorom in izvorom, napetost med kolektorjem in emitorjem, maksimalno periodično reverzno napetost in maksimalno periodično blokirno napetost v izključenem stanju. Opomba 2: točka 3A001(h) vključuje: — spojne tranzistorje na poljski pojav (JFET), — vertikalne spojne tranzistorje na poljski pojav (JFET), — 3A001 h. Opomba 2: kovinsko oksidne tranzistorje na poljski pojav (MOSFET), — difuzne kovinsko oksidne tranzistorje na poljski pojav (DMOSFET), — bipolarne tranzistorje z izoliranimi vrati (IGBT), — tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), — bipolarne spojne tranzistorje (BJT), — tiristorje in silicijeve usmernike (SCR), — tiristorje z izklopnim mehanizmom (GTO), — emitorje z izklopnim mehanizmom (ETO), — diode PIN, — diode Schottky. Opomba 3: predmet nadzora v točki 3A001(h) niso kontrolna stikala, diode ali „moduli“, vgrajeni v opremo za uporabo v civilnem avtomobilskem, „železniškem prometu“ ali zračnem prometu. Tehnična opomba: za namene točke 3A001(h) „moduli“ vsebujejo en ali več močnostnih polprevodniških stikalnih elementov ali diod. i. elektrooptični modulatorji intenzivnosti, amplitude ali faze, izdelani za analogne signale ter s katero koli od naslednjih lastnosti: 1. maksimalno delovno frekvenco več kot 10 GHz, vendar manj kot 20 GHz, optično izgubo zaradi vstavka, enako ali manjšo kot 3 dB, ter katero koli od naslednjih lastnosti: a. „polvalovna napetost“(„Vπ“) manj kot 2,7 V, izmerjeno pri frekvenci 1 GHz ali manj, ali b. „Vπ“ manj kot 4 V, izmerjeno pri frekvenci več kot 1 GHz ali 2. maksimalno delovno frekvenco 20 GHz ali več, optično izgubo zaradi vstavka, enako ali manjšo kot 3 dB, ter katero koli od naslednjih lastnosti: a. „Vπ“ manj kot 3,3 V, izmerjeno pri frekvenci 1 GHz ali manj, ali b. „Vπ“ manj kot 5 V, izmerjeno pri frekvenci več kot 1 GHz. Opomba: točka 3A001(i) vključuje elektrooptične modulatorje z optičnimi vhodnimi in izhodnimi konektorji (npr. jezički iz optičnih vlaken). Tehnična opomba: V točki 3A001(i) je „polvalovna napetost“ („Vπ“) uporabljena napetost, ki je potrebna za fazno spremembo valovne dolžine svetlobe, ki potuje skozi optični modulator, za 180 stopinj.