Číslo Opis Súvisiaca položka z prílohy I k nariadeniu (ES) č. 428/2009

IX.A3.001 Tieto elektronické prvky: a) univerzálne integrované obvody: Poznámky: 1. Pri hodnotení statusu polovodičových plátkov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a. 2. Integrované obvody zahŕňajú tieto typy: — „monolitické integrované obvody“; — „hybridné integrované obvody“; — „mnohočipové integrované obvody“; — „vrstvové integrované obvody“ vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre; — „optické integrované obvody“; — „trojrozmerné integrované obvody“; — „monolitické mikrovlnné integrované obvody“ (MMIC). 3A001.a

IX.A3.002 Integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako odolné proti žiareniu tak, aby odolávali: a) celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (Si); b) veľkosti dávky najmenej 5 × 106 Gy (Si)/s; alebo c) pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 × 1 013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály. Poznámka: Vyššie uvedená kategória sa nevzťahuje na štruktúry zložené z kovu, izolantu a polovodivého materiálu (MIS). 3A001.a.

IX.A3.003 „Mikroprocesorové mikroobvody“ „mikropočítačové mikroobvody“, mikroobvody mikroradiča, integrované pamäťové obvody vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-digitálne prevodníky, integrované obvody obsahujúce analógovo-digitálne prevodníky a uchovávajúce alebo spracúvajúce digitalizované dáta, digitálno-analógové prevodníky, elektrooptické alebo „optické integrované obvody“ konštruované na „spracovanie signálu“, užívateľom programovateľné logické zariadenia, zákazkové integrované obvody, v prípade ktorých je neznáma buď funkcia alebo status zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky zmazateľné programovateľné pamäte len na čítanie (EEPROM), pamäte typu flash, statické pamäte s náhodným prístupom (SRAM) alebo magnetické pamäte s náhodným prístupom (MRAM), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností: a) určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398 K (+125 °C); b) určené na prevádzku pri teplote prostredia menej ako 218 K (–55 °C); alebo c) určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (–55 °C) až 398 K (+125 °C). Poznámka: Táto kategória sa nevzťahuje na integrované obvody pre použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch. 3A001.a.2

IX.A3.004 Elektrooptické a „optické integrované obvody“ určené na „spracovanie signálu“, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami: a) najmenej jedna dióda s vnútorným „laserom“; b) najmenej jeden vnútorný prvok na detekciu svetla; a c) optické vlnovody. 3A001.a.

IX.A3.005 4. Logické zariadenia programovateľné u zákazníka, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností: a) maximálny počet jednobodových digitálnych vstupov/výstupov najmenej 700; alebo b) „súhrnná špičková rýchlosť jednocestného sériového vysielania a prijímania dát“ 500 Gb/s alebo viac. Poznámka: Táto kategória zahŕňa: — jednoduché programovateľné logické zariadenia (SPLD); — komplexné programovateľné logické zariadenia (CPLD); — hradlové polia programovateľné u zákazníka (FPGA); — logické polia programovateľné u zákazníka (FPLA); — prepojenia programovateľné u zákazníka (FPIC). 3A001.a.

IX.A3.006 Integrované obvody s neurónovou sieťou. 3A001.a.

IX.A3.007 Zákazkové integrované obvody, ktorých funkcia je neznáma alebo výrobcovi nie je známy status zariadení, v ktorých sa integrované obvody budú používať, pričom sa tieto vyznačujú niektorou z týchto charakteristík: a) viac ako 1 500 vývodov; b) typická „doba oneskorenia základného hradla“ menej ako 0,02 ns; alebo c) prevádzková frekvencia nad 3 GHz. 3A001.a.

IX.A3.008 Integrované obvody priameho digitálneho syntetizátora (DDS) vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) digitálno-analógovým prevodník (DAC) s taktovacou frekvenciou procesora 3,5 GHz alebo väčšou a rozlíšením DAC 10 bitov alebo viac, ale menej ako 12 bitov; alebo b) s taktovacou frekvenciou procesora DAC 1,25 GHz alebo viac a rozlíšením DAC 12 bitov alebo viac. Technická poznámka: Taktovacia frekvencia procesora DAC môže byť určená ako hlavná taktovacia frekvencia alebo vstupná taktovacia frekvencia. 3A001.a.

IX.A3.009 Prvky s mikrovlnami alebo milimetrovými vlnami: a) „vákuové elektronické súčiastky“ s postupnou, impulzovou alebo stálou vlnou; 1. súčiastky pracujúce pri frekvenciách nad 31,8 GHz; 2. súčiastky so žeravenou katódou s dobou zotavenia v priepustnom smere na menovitý RF výkon menej ako 3 sekundy; 3. súčiastky so spojenou dutinou alebo ich deriváty s „relatívnou šírkou pásma“ viac ako 7 % alebo so špičkovým výkonom nad 2,5 kW; 4. Súčiastky založené na skrutkovnicovom, zloženom vlnovode alebo na serpentínových vlnovodových obvodoch alebo ich odvodeninách, ktoré majú jednu z týchto vlastností: a. „okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 0,5; b. „okamžitá šírka pásma“ najviac jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 1; c. „určené na vesmírne použitie“; alebo d. majú elektrónové delo s mriežkou. 5. Súčiastky s „relatívnou šírkou pásma“ najmenej 10 % s niektorou z týchto vlastností: a. prstencový elektrónový lúč; b. neaxisymetrický elektrónový lúč; alebo c. niekoľko elektrónových lúčov; b) zosilňovacie „vákuové elektronické súčiastky“ s priečnym poľom so zosilnením viac ako 17 dB; c) termionické katódy konštruované pre „vákuové elektronické súčiastky“, ktoré pri menovitých prevádzkových podmienkach vytvárajú emisnú prúdovú hustotu vyššiu ako 5 A/cm2 alebo impulzovú (nestálu) prúdovú hustotu pri menovitých prevádzkových podmienkach vyššiu ako 10 A/cm2; d) „vákuové elektronické súčiastky“ schopné prevádzky v „duálnom režime“. Technická poznámka: „Duálnym režimom“ sa rozumie, že lúčový prúd z „vákuovej elektronickej súčiastky“ je možné pomocou mriežky zámerne meniť zo stálej vlny na impulzový režim a že produkuje špičkový impulzový výstupný výkon vyšší než výstupný výkon stálej vlny. 3A001.b.

IX.A3.010 Zosilňovače s „monolitickými mikrovlnnými integrovanými obvodmi“ (MMIC) vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 15 % a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 75 W (48,75 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,7 GHz až do 2,9 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 55 W (47,4 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,9 GHz až do 3,2 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 40 W (46 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,2 GHz až do 3,7 GHz vrátane; alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 20 W (43 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane; b) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 6,8 GHz až do 16 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 % a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 10 W (40 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 6,8 GHz až do 8,5 GHz vrátane; alebo 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 5 W (37 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 8,5 GHz až do 16 GHz vrátane; c) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 3 W (34,77 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 16 GHz až do 31,8 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; d) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,1 nW (–70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 31,8 GHz až do 37 GHz vrátane; e) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 1 W (30 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 37 GHz až do 43,5 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; f) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 31,62 mW (15 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 43,5 GHz až do 75 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; g) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 10 mW (10 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 75 GHz až do 90 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 5 % alebo h) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,1 nW (–70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 90 GHz. Poznámky: 1. Status MMIC, ktorého dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené vo viac než jednom frekvenčnom rozsahu, sa určuje na základe prahu s najnižším špičkovým saturovaným výstupným výkonom. 2. Táto kategória sa nevzťahuje na MMIC, ak sú osobitne navrhnuté pre iné aplikácie, napr. telekomunikácie, radary alebo automobily. 3A001.b.

IX.A3.011 Diskrétne mikrovlnové tranzistory vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 400 W (56 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,7 GHz až do 2,9 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 205 W (53,12 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,9 GHz až do 3,2 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 115 W (50,61 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,2 GHz až do 3,7 GHz vrátane; alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 60 W (47,78 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane; b) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 6,8 GHz až do 31,8 GHz vrátane a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 50 W (47 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 6,8 GHz až do 8,5 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 15 W (41,76 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 8,5 GHz až do 12 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 40 W (46 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 12 GHz až do 16 GHz vrátane; alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 7 W (38,45 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 16 GHz až do 31,8 GHz vrátane; c) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,5 W (27 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 31,8 GHz až do 37 GHz vrátane; d) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 1 W (30 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 37 GHz až do 43,5 GHz vrátane; alebo e) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,1 nW (–70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 43,5 GHz. Poznámky: 1. Status tranzistora, ktorého dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené vo viac než jednom frekvenčnom rozsahu, sa určuje na základe prahu s najnižším špičkovým saturovaným výstupným výkonom. 2. Táto kategória zahŕňa obnažené čipy, čipy montované na nosičoch alebo čipy montované do balíkov. Niektoré diskrétne tranzistory sa nazývajú aj výkonové zosilňovače. 3A001.b.

IX.A3.012 Mikrovlnové polovodičové zosilňovače a mikrovlnové súpravy/moduly obsahujúce mikrovlnové polovodičové zosilňovače vyznačujúce sa nejakou z týchto vlastností: a) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 15 % a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 500 W (57 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,7 GHz až do 2,9 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 270 W (54,3 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,9 GHz až do 3,2 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 200 W (53 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,2 GHz až do 3,7 GHz vrátane; alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 90 W (49,54 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane; b) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 6,8 GHz až do 31,8 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 % a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 70 W (48,54 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 6,8 GHz až do 8,5 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 50 W (47 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 8,5 GHz až do 12 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 30 W (44,77 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 12 GHz až do 16 GHz vrátane; alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 20 W (43 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 16 GHz až do 31,8 GHz vrátane; c) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,5 W (27 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 31,8 GHz až do 37 GHz vrátane; d) dimenzované na prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 2 W (33 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 37 GHz až do 43,5 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; e) dimenzované na prácu pri frekvenciách nad 43,5 GHz a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 0,2 W (23 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 43,5 GHz až do 75 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 20 mW (13 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 75 GHz až do 90 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 5 %; alebo 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 0,1 nW (–70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 90 GHz. Poznámka: Status položky, ktorej dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené vo viac než jednom frekvenčnom rozsahu, sa určuje na základe prahu s najnižším špičkovým saturovaným výstupným výkonom. 3A001.b.

IX.A3.013 Elektronicky alebo magneticky laditeľné pásmové priepusty alebo pásmové zádrže s viac ako 5 laditeľnými rezonátormi naladiteľnými vo frekvenčnom pásme 1,5:1 (fmax/fmin) za menej ako 10 μs, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: a) šírka pásmového priepustu viac ako 0,5 % strednej frekvencie alebo b) šírka pásmovej zádrže menej ako 0,5 % strednej frekvencie. 3A001.b.

IX.A3.014 Prevodníky a harmonické zmiešavače vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) navrhnuté tak, aby frekvenčný rozsah „analyzátorov signálu“ rozšírili nad 90 GHz; b) navrhnuté tak, aby frekvenčný rozsah generátorov signálu rozšírili: 1. nad 90 GHz; 2. na výstupný výkon vyšší ako 100 mW (20 dBm) kdekoľvek v rámci rozsahu frekvencie vyššej ako 43,5 GHz, ale nepresahujúcej 90 GHz; c) navrhnuté tak, aby frekvenčný rozsah analyzátorov siete rozšírili: 1. nad 110 GHz; 2. na výstupný výkon vyšší ako 31,62 mW (15 dBm) kdekoľvek v rámci rozsahu frekvencie vyššej ako 43,5 GHz, ale nepresahujúcej 90 GHz; 3. na výstupný výkon vyšší ako 1 mW (0 dBm) kdekoľvek v rámci rozsahu frekvencie vyššej ako 90 GHz, ale nepresahujúcej 110 GHz; alebo d) navrhnuté tak, aby frekvenčný rozsah mikrovlnných skúšobných prijímačov rozšírili nad 110 GHz. 3A001.b.

IX.A3.015 Mikrovlnné výkonové zosilňovače obsahujúce „vákuové elektronické súčiastky“ uvedené vyššie a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: a) prevádzkové frekvencie nad 3 GHz; b) priemerný výstupný výkon v pomere k hmotnosti nad 80 W/kg; a c) objem menej než 400 cm3. Poznámka: Táto kategória sa nevzťahuje na zariadenia navrhnuté alebo dimenzované na prevádzku vo frekvenčnom pásme „pridelenom od Medzinárodnej telekomunikačnej únie (ITU)“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie. 3A001.b.

IX.A3.016 Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), ktoré obsahujú aspoň „vákuovú elektronickú súčiastku“ s postupnou vlnou, „mikrovlnný monolitický integrovaný obvod“ (MMIC) a integrovaný elektronický upravovač výkonu a ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami: a) „spínacia doba“ na prechod z vypnutého do plne funkčného stavu kratšia ako 10 sekúnd; b) objem menší, než je maximálny nominálny výkon vo wattoch vynásobený 10 cm3/W; a c) „okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva (fmax > 2fmin) a s ktoroukoľvek z týchto vlastností: 1. pre frekvencie 18 GHz alebo menej má výstupný RF výkon väčší ako 100 W; alebo 2. frekvenciu vyššiu ako 18 GHz; Technické poznámky: 1. Na výpočet objemu v položke b) vyššie slúži tento príklad: pri maximálnom nominálnom výkone 20 W by bol objem: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Spínacia doba“ v položke a) vyššie označuje dobu, ktorá uplynie od vypnutého po plne funkčný stav, t. j. zahŕňa zahrievanie MPM. 3A001.b.

IX.A3.017 Oscilátory alebo sústavy oscilátorov navrhnuté na prevádzku s fázovým šumom s jedným bočným (SSB) pásmom, vyjadreným v dBc/Hz, menším (lepším) ako –(126 + 20log10F – 20log10f) kdekoľvek v rozsahu 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Technická poznámka: Vo vyšie uvedenej kategórii je F posuv od pracovnej frekvencie v Hz a f je pracovná frekvencia v MHz. 3A001.b.

IX.A3.018 „Elektronické zostavy“ so „syntetizérom frekvencie“ s „dobou prepínania frekvencie“ vyznačujúce sa ktoroukoľvek z týchto vlastností: a) menej ako 143 ps; b) menej ako 100 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 2,2 GHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 4,8 GHz, ale nepresahujúcej 31,8 GHz; c) menej ako 500 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 550 MHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 31,8 GHz, ale nepresahujúcej 37 GHz; d) menej ako 100 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 2,2 GHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 37 GHz, ale nepresahujúcej 90 GHz; alebo e) menej ako 1 ms v rozsahu syntetizovanej frekvencie nad 90 GHz. 3A001.b.

IX.A3.019 „Prenosové/prijímacie moduly“, „prenosové/prijímacie MMIC“, „prenosové moduly“ a „prenosové MMIC“ určené na prevádzku pri frekvenciách vyšších ako 2,7 GHz a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: a) špičkový saturovaný výstupný výkon Psat (vo wattoch) viac ako 505,62, delený druhou mocninou maximálnej prevádzkovej frekvencie (v GHz) [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz 2]; pre ktorýkoľvek kanál; b) „relatívna šírka pásma“ 5 % alebo viac pre ktorýkoľvek kanál; c) akákoľvek planárna strana s dĺžkou d (v cm) najviac 15 delená najnižšou prevádzkovou frekvenciou v GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], pričom N je počet prenosových alebo prenosových/prijímacích kanálov; a d) elektronicky meniteľný fázový posun pre každý kanál. Technické poznámky: 1. „Prenosový/prijímací modul“ je multifunkčný „elektronický montážny celok“, ktorý umožňuje dvojsmerné ovládanie amplitúdy a fázy na prenos a príjem signálov. 2. „Prenosový modul“ je „elektronický montážny celok“, ktorý umožňuje ovládanie amplitúdy a fázy na prenos signálov. 3. „Prenosový/prijímací MMIC“ je multifunkčný „MMIC“, ktorý umožňuje dvojsmerné ovládanie amplitúdy a fázy na prenos a príjem signálov. 4. „Prenosový MMIC“ je „MMIC“, ktorý umožňuje ovládanie amplitúdy a fázy na prenos signálov. 5. Frekvencia 2,7 GHz by sa mala používať ako najnižšia prevádzková frekvencia (fGHz) vo vzorci uvedenom v položke c) pre prenosové/prijímacie alebo prenosové moduly s menovitým prevádzkovým rozsahom 2,7 GHz a nižším [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. Položka IX.A3.019 sa vzťahuje na „prenosové/vysielacie moduly“ alebo „prenosové moduly“ s pohlcovačom tepla alebo bez neho. Hodnota d v položke 11.c nezahŕňa žiadnu časť „prenosového/vysielacieho modulu“ alebo „prenosového modulu“, ktorá slúži ako pohlcovač tepla. 7. „Prenosové/prijímacie moduly“, „prenosové moduly“, „prenosové/prijímacie MMIC“ alebo „prenosové MMIC“ môžu, ale nemusia mať N integrovaných rozbiehajúcich sa anténnych prvkov, kde N je počet prenosových alebo prenosových/prijímacích kanálov. 3A001.b.

IX.A3.020 Zariadenia s povrchovými akustickými vlnami a zariadenia s akustickými vlnami na stieranie povrchu (plytký objem) vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) nosná frekvencia viac ako 6 GHz; b) nosná frekvencia nad 1 GHz, ale nepresahujúca 6 GHz, a niektorá z týchto vlastností: 1. „potlačenie frekvenčných postranných slučiek“ viac ako 65 dB; 2. súčin maximálnej doby oneskorenia a šírky pásma (čas v μs a šírka pásma v MHz) je viac ako 100; 3. šírka pásma viac ako 250 MHz; alebo 4. disperzné oneskorenie viac ako 10 μs; alebo c) nosná frekvencia najviac 1 GHz a niektorá z týchto vlastností: 1. súčin maximálnej doby oneskorenia a šírky pásma (čas v μs a šírka pásma v MHz) je viac ako 100; 2. disperzné oneskorenie viac ako 10 μs; alebo 3. „potlačenie frekvenčných postranných slučiek“ viac ako 65 dB a šírka pásma viac ako 100 MHz; 3A001.c.

IX.A3.021 Zariadenia na objemové (priestorové) akustické vlny, ktoré umožňujú priame spracovanie signálov s frekvenciami viac ako 6 GHz; 3A001.c.

IX.A3.022 Akusticko-optické zariadenia na „spracovanie signálu“, ktoré využívajú interakciu medzi akustickými vlnami (objemová vlna alebo prízemná vlna) a svetelnými vlnami, čo umožňuje priame spracovanie signálov alebo obrazov vrátane spektrálnej analýzy, korelácie alebo konvolúcie; 3A001.c.

IX.A3.023 Elektronické zariadenia a súčasti obsahujúce obvody vyrobené zo „supravodivých“ materiálov osobitne navrhnutých na prevádzku pri teplotách nižších, ako je „kritická teplota“, alebo najmenej jednu zo „supravodivých“ zložiek, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: a) prúdové spínanie pre digitálne obvody s použitím „supravodivých“ hradiel so súčinom doby oneskorenia na jedno hradlo (v sekundách) a rozptylu energie na jedno hradlo (vo wattoch) menej ako 10–14 J; alebo b) frekvenčná selekcia pri všetkých frekvenciách s využitím rezonančných obvodov s hodnotou Q viac ako10 000 . 3A001.d.

IX.A3.024 Vysokoenergetické zariadenia: a) „primárne články“ s „hustotou energie“ viac ako 550 Wh/kg pri 20 °C; b) „sekundárne články“ s „hustotou energie“ viac ako 350 Wh/kg pri 20 °C. Technické poznámky: 1. Na účely vysokoenergetických zariadení sa „hustota energie“ (Wh/kg) vypočíta vynásobením menovitého napätia menovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) a vydelením výsledku hmotnosťou v kilogramoch. Ak sa menovitá kapacita neuvádza, hustota energie sa vypočíta vynásobením druhej mocniny menovitého napätia dobou vybíjania v hodinách a vydelením výsledku veľkosťou výboja v ohmoch a hmotnosťou v kilogramoch. 2. Na účely vysokoenergetických zariadení je „článok“ elektrochemické zariadenie, ktoré má kladné a záporné elektródy a elektrolyt a je zdrojom elektrickej energie. Je základným stavebným prvkom batérie. 3. Na účely vysokoenergetických zariadení je „primárny článok“ taký „článok“, ktorý nie je určený na nabíjanie z iného zdroja. 4. Na účely vysokoenergetických zariadení je „sekundárny článok“ taký „článok“, ktorý je určený na nabíjanie z vonkajšieho elektrického zdroja. Poznámka: Vysokoenergetické zariadenia sa nevzťahujú na batérie vrátane jednočlánkových batérií. 3A001.e.

IX.A3.025 Akumulačné kondenzátory s vysokou energiou: a) kondenzátory s opakovacím kmitočtom menej ako 10 Hz (jednorazové kondenzátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: 1. menovité napätie najmenej 5 kV; 2. hustota energie najmenej 250 J/kg; a 3. celková energia najmenej 25 kJ; b) kondenzátory s opakovacím kmitočtom najmenej 10 Hz (opakovacie kondenzátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: 1. menovité napätie najmenej 5 kV; 2. hustota energie najmenej 50 J/kg; 3. celková energia najmenej 100 J; a 4. životnosť v cykloch nabíjanie/vybíjanie najmenej 10 000 ; 3A001.e.

IX.A3.026 „Supravodivé“ elektromagnety a solenoidy osobitne konštruované tak, aby ich bolo možné úplne nabiť alebo vybiť za dobu kratšiu ako jedna sekunda, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: Poznámka: Vyššie uvedená položka sa nevzťahuje na „supravodivé“ elektromagnety ani solenoidy osobitne navrhnuté pre zdravotnícke prístroje určené na zobrazovanie pomocou magnetickej rezonancie (MRI). a) energia dodávaná počas výboja je počas prvej sekundy viac ako 10 kJ; b) vnútorný priemer vinutí pod prúdom je viac ako 250 mm; a c) sú dimenzované na magnetickú indukciu viac ako 8 T alebo na „celkovú hustotu prúdu“ vo vinutí viac ako 300 A/mm2. 3A001.e.

IX.A3.027 Solárne články, sústavy pozostávajúce z článku, prepojenia a krycieho skla (CIC), solárne panely a solárne sústavy, ktoré sú „vhodné na vesmírne použitie“ a majú minimálnu priemernú účinnosť vyššiu ako 20 % pri prevádzkovej teplote 301 K (28 °C) za simulovaného osvetlenia „AM0“ s ožiarenosťou 1 367 wattov na štvorcový meter (W/m2). Technická poznámka: „AM0“ alebo „vzdušná hmota nula“ označuje spektrálnu žiarivosť slnečného svetla vo vonkajšej atmosfére Zeme, keď je vzdialenosť medzi Zemou a Slnkom jedna astronomická jednotka (AU). 3A001.e.

IX.A3.028 Kódovače absolútnej polohy s rotačným vstupom vyznačujúce sa „presnosťou“ menšou (lepšou) alebo rovnajúcou sa 1,0 uhlovej sekunde a ktoré sú na to vybavené osobitne navrhnutými kódovacími prstencami, diskami alebo miskami. 3A001.f.

IX.A3.029 Tuhofázové tyristorové zariadenia a „tyristorové moduly“ na prepínanie impulznej energie pomocou prepínania ovládaného elektricky, opticky alebo elektrónovým žiarením, ktoré majú ktorúkoľvek z týchto vlastností: 1. maximálny nárast prúdu pri zapnutí (di/dt) vyšší ako 30 000 A/μs a napätie vo vypnutom stave vyššie ako 1 100 V alebo 2. maximálny nárast prúdu pri zapnutí (di/dt) vyšší ako 2 000 A/μs a všetky tieto vlastnosti: a. špičkové napätie vo vypnutom stave 3 000 V alebo viac a b. špičkový (nárazový) prúd 3 000 A alebo viac. Poznámky: 1. Vyššie uvedená položka g) zahŕňa: — kremíkové usmerňovače (SCR); — elektrické spúšťacie tyristory (ETT); — svetelné spúšťacie tyristory (LTT); — prepínacie tyristory s integrovaným hradlom (IGCT); — tyristory vypínané hradlom (GTO); — tyristory ovládané MOS (MCT); — solidtrony. 2. Vyššie uvedená položka g) sa nevzťahuje na tyristorové zariadenia a „tyristorové moduly“ zabudované do zariadení určených na použitie v civilnej železničnej doprave a „civilných lietadlách“. Technická poznámka: Na účely vyššie uvedenej položky g) „tyristorový modul“ obsahuje jedno alebo viacero tyristorových zariadení. 3A001.g.

IX.A3.030 Tuhofázové polovodičové prepínače napájania, diódy alebo „moduly“, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: 1. maximálna prevádzková teplota prechodu vyššia ako 488 K (215 °C); 2. opakovateľné špičkové napätie vo vypnutom stave (blokovacie napätie) väčšie ako 300 V; a 3. jednosmerný prúd väčší ako 1 A. Poznámka: Opakovateľné špičkové napätie vo vypnutom stave uvedené v položke vyššie zahŕňa napätie medzi spotrebičom a zdrojom, napätie medzi kolektorom a emitorom, opakovateľné špičkové spätné napätie a špičkové opakovateľné blokovacie napätie vo vypnutom stave. 3A001.h.

IX.A3.031 Prístroje na záznam údajov a osciloskopy: 1. digitálne záznamníky údajov so všetkými týmito vlastnosťami: a. nepretržitá „trvalá priepustnosť“ viac ako 6,4 Gbit/s na disk alebo polovodičovú pamäťovú jednotku a b. procesor, ktorý počas záznamu analyzuje údaje o signále rádiovej frekvencie; Technické poznámky: 1. Pre záznamníky s architektúrou paralelných zberníc je „trvalá priepustnosť“ dát najvyššia rýchlosť prenosu slov vynásobená počtom bitov v slove. 2. „Trvalá priepustnosť“ je najvyššia rýchlosť, akou dokáže prístroj zaznamenávať dáta na disk alebo polovodičovú pamäťovú jednotku bez akejkoľvek straty informácií a pri zachovaní rýchlosti vstupu digitálnych údajov alebo rýchlosti digitálnej konverzie. 2. osciloskopy so vzorkovaním v reálnom čase s vertikálnym efektívnym (rms) šumovým napätím menej ako 2 % celej stupnice na vertikálnej úrovni, ktoré poskytuje najnižšiu hodnotu šumu pre každý vstup 3 dB v šírke pásma 60 GHz alebo viac na jeden kanál; 3A002.a.

IX.A3.032 „Analyzátory signálu“ rádiovej frekvencie: 1. „analyzátory signálu“ s 3 dB rozlíšením šírky pásma (RBW) viac ako 10 MHz pre akékoľvek frekvencie vyššie ako 31,8 GHz, ale nepresahujúce 37 GHz; 2. „analyzátory signálu“ s preukázanou priemernou úrovňou šumu (DANL) menej ako –150 dBm/Hz kdekoľvek v rámci frekvenčného rozsahu presahujúceho 43,5 GHz, ale nepresahujúceho 90 GHz; 3. „analyzátory signálu“ s frekvenciou vyššou ako 90 GHz; 4. „analyzátory signálu“, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: a. „šírku pásma v reálnom čase“ nad 170 MHz a a b. majúce niektorú z týchto vlastností: 1. 100 % pravdepodobnosť odhalenia pri znížení úplnej amplitúdy o menej ako 3 dB v dôsledku účinkov medzier alebo okien pri signáloch trvajúcich 15 μs alebo menej, alebo 2. funkciu „spúšťača podľa frekvenčnej masky“ so 100 % pravdepodobnosťou spustenia (zachytenia) signálov trvajúcich 15 μs alebo menej. Technické poznámky: 1. Pravdepodobnosť odhalenia vo vyššie uvedenej položke 1 sa nazýva aj pravdepodobnosť odpočúvania alebo pravdepodobnosť zachytenia. 2. Na účely bodu 1 vyššie je trvanie signálu na 100 % pravdepodobnosť odhalenia ekvivalentné minimálnemu trvaniu signálu potrebnému pre príslušnú úroveň neistoty merania. Poznámka: Vyššie uvedená kategória sa nevzťahuje na tie „analyzátory signálu“, ktoré používajú iba filtre s konštantnou percentuálnou šírkou pásma (taktiež známe ako oktávové filtre alebo relatívne oktávové filtre). 3A002.c.

IX.A3.033 Generátory signálu, ktoré majú ktorúkoľvek z týchto vlastností: 1. určené na generovanie impulzovo modulovaných signálov, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti kdekoľvek v rámci rozsahu frekvencie presahujúcej 31,8 GHz, ale nepresahujúcej 37 GHz: a. „trvanie impulzu“ je kratšie ako 25 ns a b. pomer zapnuté/vypnuté najmenej 65 dB; 2. výstupný výkon vyšší ako 100 mW (20 dBm) kdekoľvek v rámci rozsahu prevádzkovej frekvencie vyššej ako 43,5 GHz, ale nepresahujúcej 90 GHz; 3. „doba prepínania frekvencie“ podľa ktoréhokoľvek z týchto bodov: a. menej ako 100 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 2,2 GHz vo frekvenčnom rozsahu presahujúcom 4,8 GHz, ale nepresahujúcom 31,8 GHz; b. menej ako 500 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 550 MHz vo frekvenčnom rozsahu presahujúcom 31,8 GHz, ale nepresahujúcom 37 GHz; alebo c. menej ako 100 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 2,2 GHz vo frekvenčnom rozsahu presahujúcom 37 GHz, ale nepresahujúcom 90 GHz; 3A002.d.

IX.A3.034 Analyzátory siete, ktoré majú ktorúkoľvek z týchto vlastností: 1. výstupný výkon vyšší ako 31,62 mW (15 dBm) kdekoľvek v rámci rozsahu prevádzkovej frekvencie vyššej ako 43,5 GHz, ale nepresahujúcej 90 GHz; 2. výstupný výkon vyšší ako 1 mW (0 dBm) kdekoľvek v rámci rozsahu prevádzkovej frekvencie vyššej ako 90 GHz, ale nepresahujúcej 110 GHz; 3. „funkcionalita merania nelineárneho vektora“ pri frekvenciách presahujúcich 50 GHz, ale nepresahujúcich 110 GHz; alebo 4. maximálna prevádzková frekvencia vyššia ako 110 GHz. Technická poznámka: „Funkcionalita merania nelineárneho vektora“ je schopnosť nástroja analyzovať výsledky testovania prístrojov vybudených do oblasti veľkého signálu alebo do rozsahu nelineárneho skreslenia. 3A002.e.

IX.A3.035 Mikrovlnové skúšobné prijímače vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: 1. maximálna prevádzková frekvencia vyššia ako 110 GHz; a 2. schopné súčasne merať amplitúdu aj fázu; 3A002.f.

IX.A3.036 Atómové frekvenčné normály, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: 1. „určené na vesmírne použitie“; 2. nie sú rubídiové a majú dlhodobú stabilitu nižšiu (lepšiu) ako 1 × 10–11/mesiac; alebo 3. nie sú „určené na vesmírne použitie“ a majú všetky tieto vlastnosti: a. sú rubídiové normály; b. majú dlhodobú stabilitu nižšiu (lepšiu) ako 1 × 10– 11/mesiac a c. majú celkovú spotrebu energie nižšiu ako 1 W. 3A002.f.

IX.A3.037 Zariadenie na výrobu polovodičových prístrojov alebo materiálov a ich osobitne navrhnuté súčasti a príslušenstvo: a) zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: 1. navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie vodíka, deutéria alebo hélia; 2. schopnosť priameho zápisu; 3. energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu; alebo 4. navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie kremíka do „substrátu“ polovodičového materiálu zohriateho na najmenej 600 °C; b) litografické zariadenia a tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 45 nm alebo menej; 1. zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a. zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 193 nm; alebo b. je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou „minimálneho rozlíšiteľného znaku“ (MRF) 45 nm alebo menej; Technická poznámka: Veľkosť „minimálneho rozlíšiteľného znaku“ (MRF) sa vypočíta podľa tohto vzorca: kde faktor K = 0,35. c) zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek používajúce vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč. 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Zariadenia navrhnuté na spracovanie zariadení s použitím priamych zapisovacích metód; masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody. 3B001.g.

IX.A3.038 Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na testovanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových a mikrovlnných zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo: a) na testovanie S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz; b) na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených vyššie. 3B002

IX.A3.039 Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo „substrátu“, na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy majúce niektorý z týchto materiálov: a) kremík (Si); b) germánium (Ge); c) karbid kremíka (SiC); alebo d) „zlúčeniny III/V“ gália alebo india. Poznámka: Táto položka sa nevzťahuje na „substrát“ s jednou alebo viacerými epitaxiálnymi vrstvami typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP alebo InGaAlP, nezávisle od sekvencie prvkov, s výnimkou prípadu, keď je epitaxiálna vrstva typu P medzi vrstvami typu N. 3C001

IX.A3.040 Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi: a) odolné materiály dimenzované na polovodičovú litografiu: 1. pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm, ale najmenej 15 nm; 2. pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 15 nm, ale najmenej 1 nm; b) všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou 0,01 μcoulomb/mm2 alebo lepšou; c) všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania; d) všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami schopnými vytvoriť obrazec s veľkosťou 45 nm alebo menej, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy. 3C002

IX.A3.041 Organicko-anorganické zlúčeniny: a) organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %; b) organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %. 3C003

IX.A3.042 Hydridy fosforu, arzénu alebo antimónu s čistotou viac ako 99,999 %, a to aj zriedené v inertných plynoch alebo vo vodíku. Poznámka: Vyššie uvedená položka sa nevzťahuje na hydridy obsahujúce najmenej 20 mólových % inertných plynov alebo vodíka. 3C004

IX.A3.043 Polovodičové „substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) alebo ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10 000 ohm/cm. 3C005