3A001

Elektronické súčasti a ich osobitne navrhnuté súčasti: a) Univerzálne integrované obvody: Poznámka 1: Pri hodnotení stavu kontroly polovodičových plátkov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a). Poznámka 2: Integrované obvody zahŕňajú nasledujúce typy: — „monolitické integrované obvody“; — „hybridné integrované obvody“; — „mnohočipové integrované obvody“; — „vrstvové integrované obvody“ vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre; — „optické integrované obvody“; — „trojrozmerné integrované obvody“. 1. Integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako odolné voči žiareniu tak, aby odolávali: a) celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (kremík), b) veľkosti dávky najmenej 5 × 106 Gy (kremík)/s alebo c) pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 × 1013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály. Poznámka: 3A001.a)1.c) sa nevzťahuje na štruktúry zložené z kovu, izolantu a polovodivého materiálu (MIS). 2. „Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroobvody mikroradiča, integrované pamäťové obvody vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-číslicové prevodníky, číslicovo-analógové prevodníky, elektrooptické alebo „optické integrované obvody“ konštruované na „spracovanie signálu“, užívateľom programovateľné logické obvody, zákaznícke integrované obvody, u ktorých sú neznáme buď funkcia alebo stav kontroly zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (EEPROM), flash pamäte alebo statické pamäte s priamym prístupom (SRAM), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností: a) určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398 K (125 °C); b) určené na prevádzku pri teplote prostredia menej ako 218 K (- 55 °C) alebo c) určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (- 55 °C) až 398 K (125 °C); Poznámka: 3A001.a)2 sa nevzťahuje na integrované obvody pre použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch. 3. „Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroobvody mikroradiča vyrobené zo zlúčeninového polovodiča a pracujú s taktovacím kmitočtom procesora presahujúcim 40 MHz; Poznámka: 3A001.a)3 zahŕňa procesory na spracovanie digitálneho signálu, procesory s digitálnou maticou a digitálne koprocesory. 4. nepoužíva sa; 5. Integrované obvody analógovo-digitálneho prevodníka (ADC) a digitálno-analógového prevodníka (DAC): a) ADC vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: Pozn.: POZRI TIEŽ 3A101. 1. rozlíšenie 8 bitov alebo viac, ale menej ako 10 bitov, s výkonom viac ako 1 000 miliónov slov za sekundu; 2. rozlíšenie 10 bitov alebo viac, ale menej ako 12 bitov, s výkonom viac ako 300 miliónov slov za sekundu; 3. rozlíšenie 12 bitov s výkonom viac ako 200 miliónov slov za sekundu; 4. rozlíšenie viac ako 12 bitov, ale menej ako 14 bitov s výkonom viac ako 125 miliónov slov za sekundu alebo 5. rozlíšenie viac ako 14 bitov s výkonom viac ako 20 miliónov slov za sekundu; Technické poznámky: 1. Rozlíšenie n bitov zodpovedá kvantovaniu úrovní 2n. 2. Počet bitov vo výstupnom slove sa rovná rozlíšeniu ADC. 3. Výkon je maximálny výkon prevodníka bez ohľadu na architektúru alebo prevzorkovanie. 4. Pri ‚viackanálových ADC‘ sa výstupy neagregujú a výkon sa uvádza ako maximálny výkon ktoréhokoľvek z kanálov. 5. Pri ‚integračných ADC‘ alebo pri ‚viackanálových ADC‘, ktoré fungujú s medziprevodom, sa výstupy agregujú a výkon sa uvádza ako maximálny kombinovaný celkový výkon. 6. Dodávatelia sa tiež môžu odvolávať na výkon ako rýchlosť vzorkovania, konverzie alebo priepustnosti. Často sa udáva v megahertzoch (MHz) alebo v megavzorkách za sekundu (MSPS). 7. Na účely merania výkonu sa jedno výstupné slovo za sekundu rovná jednému hertzu alebo jednej vzorke za sekundu. 8. ‚Viackanálové ADC‘ sú zariadenia, v ktorých je integrovaný viac než jeden ADC tak, že každý z týchto ADC má samostatný analógový vstup. 9. ‚Integračné ADC‘ sú zariadenia s viacerými jednotlivými ADC, ktoré vzorkujú rovnaký analógový vstup v rôznom čase tak, že po agregovaní výstupov sa analógový vstup efektívne prevzorkoval a konvertoval pri vyššej rýchlosti vzorkovania. b) Digitálno-analógové prevodníky (DAC) vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. rozlíšenie 10 bitov alebo viac s ‚upravenou rýchlosťou vzorkovania‘ na úrovni 3 500 MSPS alebo viac alebo 2. rozlíšenie 12 bitov alebo viac s ‚upravenou rýchlosťou vzorkovania‘ na úrovni 1 250 MSPS alebo viac a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) čas ustálenia menej ako 9 ns až do 0,024 % celkového pásma zo škály celkového pásma alebo b) ‚dynamická škála bez rušivých zložiek‘ (Spurious-Free Dynamic Range – SFDR) väčšia než 68 dBc (nosič) pri syntéze celopásmového analógového signálu 100 MHz alebo najvyššia celopásmová frekvencia analógového signálu pod 100 MHz. Technické poznámky: 1. ‚Dynamická škála bez rušivých zložiek‘ (SFDR) je pomer hodnoty RMS frekvencie nosiča (maximálna zložka signálu) na vstupe DAC a hodnoty RMS najbližšej najväčšej zvukovej alebo harmonickej zložky na jeho výstupe. 2. SFDR sa určuje priamo z tabuľky špecifikácií alebo z charakterizačných grafov SFDR/frekvencia. 3. Signál sa nazýva celopásmovým vtedy, ak je jeho amplitúda väčšia ako –3 dBfs (úplný rozsah). 4. ‚Upravená rýchlosť vzorkovania‘ pre DAC: a) pri konvenčných DAC (bez interpolácie) je ‚upravená rýchlosť vzorkovania‘ rýchlosť, pri ktorej sa digitálny signál konvertuje na analógový signál a výstupné analógové hodnoty sa menia prostredníctvom DAC. Ak je možné intepoláciu obísť (faktor interpolácie sa rovná jednej), DAC sa považuje za konvenčný DAC (bez interpolácie); b) pri DAC s interpoláciou (prevzorkovacie DAC) je ‚upravená rýchlosť vzorkovania‘ vymedzená ako rýchlosť vzorkovania DAC delená najmenším faktorom interpolácie. Pri uvedených DAC sa môže ‚upravená rýchlosť vzorkovania‘ nazývať aj: — rýchlosť vstupu údajov, — rýchlosť vstupu slov, — vstupná vzorkovacia frekvencia, — maximálna rýchlosť vstupu po zbernici, — maximálna rýchlosť pri vstupe z DAC do hodín. 6. Elektrooptické a „optické integrované obvody“ určené na „spracovanie signálu“, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami: a) najmenej jedna dióda s vnútorným „laserom“; b) najmenej jeden vnútorný prvok na detekciu svetla a c) optické vlnovody; 7. ‚Logické zariadenia programovateľné u zákazníka‘, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností: a) maximálny počet jednobodových digitálnych vstupov/výstupov najmenej 500 alebo b) ‚súhrnná špičková rýchlosť jednocestného sériového vysielania a príjímania dát‘ 200 Gb/s a viac; Poznámka: Bod 3A001.a)7 zahŕňa: — jednoduché programovateľné logické zariadenia (SPLD), — komplexné programovateľné logické zariadenia (CPLD), — hradlové polia programovateľné u zákazníka (FPGA), — logické polia programovateľné u zákazníka (FPLA), — prepojenia programovateľné u zákazníka (FPIC). Technické poznámky: 1. ‚Logické zariadenia programovateľné u zákazníka‘ sú známe aj ako hradlá programovateľné u zákazníka alebo logické polia programovateľné u zákazníka. 2. Maximálny počet digitálnych vstupov/výstupov v 3A001a)7.a) je označovaný aj ako maximálne užívateľské vstupy/výstupy alebo maximálne dostupné vstupy/výstupy podľa toho, či je integrovaný obvod v púzdre alebo či je čip obnažený. 3. ‚súhrnná špičková rýchlosť jednocestného sériového vysielania a príjímania dát‘ je súčin maximálneho jednosmerného dátového prenosového výkon sériového vysielača s prijímačom, vynásobená počtom vysielačov s prijímačov (transceiverov) na FPGA. 8. nepoužíva sa; 9. Integrované obvody s neurónovou sieťou. 10. Zákazkové integrované obvody, ktorých funkcia je neznáma alebo výrobcovi nie je známy stav kontroly zariadení, v ktorých sa integrované obvody budú používať, pričom sa tieto vyznačujú niektorou z týchto vlastností: a) viac ako 1 500 vývodov, b) typická „doba oneskorenia základného hradla“ menej ako 0,02 ns alebo c) prevádzková frekvencia nad 3 GHz. 11. Digitálne integrované obvody, iné ako opísané v bodoch 3A001.a)3 až 3A001.a)10 a 3A001.a)12, na báze ľubovoľného zlúčeninového polovodiča, vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) ekvivalentný počet hradiel viac ako 3 000 (2 vstupné hradlá) alebo b) preklápacia frekvencia nad 1,2 GHz; 12. Procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), ktoré majú menovitú dobu výkonu FFT súboru N bodov menej ako (N log2N)/20 480 ms, kde N je počet bodov. Technická poznámka: Ak N je rovné 1 024 bodom, vzorec uvedený v 3A001.a)12 udáva dobu výkonu operácie 500 μs. 13. Integrované obvody priameho digitálneho syntetizátora (DDS) vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) digitálno-analógovým prevodníkom (DAC) s taktovacou frekvenciou procesora 3,5 GHz alebo väčšou a rozlíšením DAC 10 bitov alebo viac, ale menej ako 12 bitov alebo b) s taktovacím kmitočnom procesora DAC 1,25 GHz alebo väčšou a rozlíšením DAC 12 bitov alebo viac Technická poznámka: Taktovacia frekvencia procesora DAC môže byť určená ako hlavná taktovacia frekvencia alebo vstupná taktovacia frekvencia. b) Súčasti s mikrovlnami alebo milimetrovými vlnami: Technická poznámka: Na účely 3A001.b), parameter špičkový saturovaný výstupný výkon môže byť uvedený na technickom liste výrobku ako výstupný výkon, saturovaný výstupný výkon, maximálny výstupný výkon, špičkový výstupný výkon alebo špičkový výstupný výkon obálky. 1. Elektrónky a katódy. Poznámka 1: 3A001.b)1 sa nevzťahuje na elektrónky konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo všetkých frekvenčných pásmach, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: a) nepresahujú 31,8 GHz a b) sú „pridelené od ITU“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie. Poznámka 2: 3A001.b)1 sa nevzťahuje na elektrónky neurčené „na vesmírne použitie“, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: a) priemerný výkon najviac 50 W a b) konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo všetkých frekvenčných pásmach a ktoré majú všetky tieto vlastnosti: 1. presahujú 31,8 GHz ale nepresahujú 43,5 GHz a 2. sú „pridelené od ITU“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie. a) Elektrónky s postupnou vlnou, s impulzovou alebo stálou vlnou: 1. elektrónky pracujúce pri frekvenciách nad 31,8 GHz; 2. elektrónky, ktoré majú prvok so žeravenou katódou s dobou zotavenia v priepustnom smere na menovitý RF výkon menej ako 3 sekundy; 3. elektrónky so spojenou dutinou alebo ich deriváty s „relatívnou šírkou pásma“ viac ako 7 % alebo so špičkovým výkonom nad 2,5 kW; 4. skrutkovnicové elektrónky alebo ich deriváty, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: a) „okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 0,5 ; b) „okamžitá šírka pásma“ najviac jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 1 alebo c) „určené na vesmírne použitie“; b) zosilňovacie elektrónky s priečnym poľom so zosilnením viac ako 17 dB; c) impregnované katódy navrhnuté pre elektrónky, ktoré pri menovitých prevádzkových podmienkach vytvárajú prúd s trvalou emisiou hustoty viac ako 5 A/cm2; 2. Mikrovlnové výkonové zosilňovače s „monolitickými integrovanými obvodmi“ (MMIC), vyznačujúce sa ktoroukoľvek z týchto vlastností: a) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 15 %, a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 75 W (48,75 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,7 GHz až do 2,9 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 55 W (47,4 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,9 GHz až do 3,2 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 40 W (46 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,2 GHz až do 3,7 GHz vrátane alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 20 W (43 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane; b) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 6,8 GHz až do 16 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %, a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 10 W (40 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 6,8 GHz až do 8,5 GHz vrátane alebo 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 5 W (37 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 8,5 GHz až do 16 GHz vrátane; c) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 3 W (34,77 dBm) pri frekvenciách nad 16 GHz až do 31,8 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; d) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,1 nW (-70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 31,8 GHz až do 37 GHz vrátane; e) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 1 W (30 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 37 GHz až do 43,5 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; f) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 31,62 MW (15 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 43,5 GHz až do 75 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; g) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 10 MW (10 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 75 GHz až do 90 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 5 % alebo h) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,1 nW (-70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 90 GHz; Poznámka 1: Nepoužíva sa. Poznámka 2: Stav kontroly MMIC, ktorého dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené v rozsahu viac ako jednej frekvencie, ako je uvedené v 3A001.b)2.a) až 3A001.b)2.h), sa určuje na základe prahu s najnižším špičkovým saturovaným výstupným výkonom. Poznámka 3: Poznámky 1 a 2 v podkategórii 3A znamenajú, že 3A001.b)2 sa nevzťahuje na MMIC, ak sú osobitne projektované pre iné aplikácie, napr. telekomunikácie, radary alebo automobily. 3. Diskrétne mikrovlnové tranzistory vyznačujúce sa ktoroukoľvek z týchto vlastností: a) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 400 W (56 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,7 GHz až do 2,9 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 205 W (53,12 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,9 GHz až do 3,2 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 115 W (50,61 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,2 GHz až do 3,7 GHz vrátane alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 60 W (47,78 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane; b) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 6,8 GHz až do 31,8 GHz vrátane a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 50 W (47 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 6,8 GHz až do 8,5 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 15 W (41,76 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 8,5 GHz až do 12 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 40 W (46 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 12 GHz až do 16 GHz vrátane alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 7 W (38,45 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 16 GHz až do 31,8 GHz vrátane; c) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,5 W (27 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 31,8 GHz až do 37 GHz vrátane; d) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 1 W (30 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 37 GHz až do 43,5 GHz vrátane; e) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,1 nW (-70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 43,5 GHz; Poznámka 1: Stav kontroly tranzistora, ktorého dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené v rozsahu viac ako jednej frekvencie, ako je uvedené v 3A001.b)3.a) až 3A001.b)3.e), sa určuje na základe prahu s najnižším špičkovým saturovaným výstupným výkonom. Poznámka 2: 3A001.b)3 zahŕňa obnažené čipy, čipy montované na nosičoch alebo čipy montované do balíkov. Niektoré diskrétne tranzistory sa nazývajú aj výkonové zosilňovače, ale status týchto diskrétnych tranzistorov je určený v 3A001.b)3. 4. Mikrovlnové polovodičové zosilňovače a mikrovlnové súpravy/moduly obsahujúce mikrovlnové polovodičové zosilňovače, vyznačujúce sa akoukoľvek z týchto vlastností: a) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 15 %, a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 500 W (57 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,7 GHz až do 2,9 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 270 W (54,3 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 2,9 GHz až do 3,2 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 200 W (53 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,2 GHz až do 3,7 GHz vrátane alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 90 W (49,54 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 3,7 GHz až do 6,8 GHz vrátane; b) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 6,8 GHz až do 31,8 GHz vrátane, s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %, a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 70 W (48,54 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 6,8 GHz až do 8,5 GHz vrátane; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 50 W (47 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 8,5 GHz až do 12 GHz vrátane; 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 30 W (44,77 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 12 GHz až do 16 GHz vrátane alebo 4. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 20 W (43 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 16 GHz až do 31,8 GHz vrátane; c) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 0,5 W (27 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 31,8 GHz až do 37 GHz vrátane; d) dimenzované pre prácu so špičkovým saturovaným výstupným výkonom vyšším ako 2 W (33 dBm) pri frekvenciách nad 37 GHz až do 43,5 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; e) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 43,5 GHz a vyznačujúce sa všetkými týmito charakteristikami: 1. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 0,2 W (23 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 43,5 GHz až do 75 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; 2. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako 20 MW (13 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 75 GHz až do 90 GHz vrátane a s „relatívnou šírkou pásma“ nad 5 % alebo 3. špičkový saturovaný výstupný výkon vyšší ako ako 0,1 nW (-70 dBm) na akejkoľvek frekvencii nad 90 GHz alebo f) dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 2,7 GHz a vyznačujúce sa všetkými týmito charakteristikami: 1. špičkový nasýtený výkon Psat (vo wattoch), viac ako 400, delený druhou mocninou maximálnej prevádzkovej frekvencie (v GHz) [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. „relatívna šírka pásma“ 5 % alebo viac a 3. akékoľvek dve strany kolmé jedna na druhú s dĺžkou d (v cm) rovnajúcou sa alebo menšou ako 15, delenou najnižšou prevádzkovou frekvenciou v GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Technická poznámka: Frekvencia 2,7 GHz by sa mala používať ako najnižšia prevádzková frekvencia (fGHz) vo vzorci uvedenom v 3A001.b)4.f)3 pre zosilňovače s dimenzovaným prevádzkovým rozsahom klesajúcim na 2,7 GHz a nižšie [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. Pozn.: MMIC výkonové zosilňovače sa posudzujú podľa kritérií v 3A001.b)2. Poznámka 1: Nepoužíva sa. Poznámka 2: Riadiaca funkcia položky, ktorej dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené v rozsahu viac ako jednej frekvencie, ako je uvedené v 3A001.b)4.a) až 3A001.b)4.e), je určená prahom s najnižším špičkovým nasýteným výstupným výkonom. Poznámka 3: 3A001.b)4 zahŕňa vysielacie/prijímacie moduly a vysielacie moduly. 5. elektronicky alebo magneticky laditeľné pásmové priepusty alebo pásmové zádrže s viac ako 5 laditeľnými rezonátormi naladiteľnými vo frekvenčnom pásme 1,5 :1 (fmax./fmin.) za menej ako 10 μs, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: a) šírka pásmového priepustu viac ako 0,5 % strednej frekvencie alebo b) šírka pásmovej zádrže menej ako 0,5 % strednej frekvencie; 6. nepoužíva sa; 7. Prevodníky a harmonické zmiešavače navrhnuté tak, aby rozšírili frekvenčný rozsah zariadení opísaných v bodoch 3A002.c), 3A002.d), 3A002.e) alebo 3A002.f) nad limitné hodnoty uvedené v týchto bodoch. 8. Mikrovlnové výkonové zosilňovače obsahujúce elektrónky uvedené v 3A001.b)1 a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: a) prevádzkové frekvencie nad 3 GHz; b) priemerný výkon v pomere k hmotnosti nad 80 W/kg a c) objem menej ako 400 cm3; Poznámka: 3A001.b)8 sa nevzťahuje na zariadenia navrhnuté alebo dimenzované na prevádzku v pásme „pridelenom od ITU“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie. 9. Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), ktoré obsahujú aspoň elektrónku s postupnou vlnou, mikrovlnný „monolitický integrovaný obvod“ a integrovaný elektronický upravovač výkonu a ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami: a) ‚spínacia doba‘ na prechod z vypnutého do plne funkčného stavu kratšia ako 10 sekúnd; b) objem menší ako maximálny nominálny výkon vo wattoch vynásobený 10 cm3/W a c) „okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva (fmax. > 2fmin.) a vyznačuje sa ktoroukoľvek z týchto vlastností: 1. pre frekvencie 18 GHz alebo menej má výstupný RF výkon väčší ako 100 W alebo 2. frekvenciu vyššiu ako 18 GHz; Technické poznámky: 1. Na výpočet objemu v 3A001.b)9.b) slúži tento príklad: pri maximálnom nominálnom výkone 20 W by bol objem: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. ‚Spínacia doba‘ v 3A001.b)9.a) označuje dobu, ktorá uplynie od vypnutého po plne funkčný stav, t. j. zahŕňa zahrievanie MPM. 10. Oscilátory alebo sústavy oscilátorov navrhnuté tak, aby sa dali prevádzkovať so všetkými týmito charakteristikami: a) fázový šum s jedným bočným pásmom (SSB), vyjadrený v dBc/Hz, lepší ako - (126 + 20log10F-20log10f) kdekoľvek v rozsahu 10 Hz < F < 10 kHz a b) fázový šum s jedným bočným pásmom (SSB), vyjadrený v dBc/Hz, lepší ako - (114 + 20log10F-20log10f) kdekoľvek v rozsahu 10 kHz ≤ F < 500 kHz; Technická poznámka: V bode 3A001.b)10 je F posuv od pracovnej frekvencie v Hz a f je pracovná frekvencia v MHz. 11. „Elektronické zostavy“ so „syntetizérom frekvencie“ s „dobou prepínania frekvencie“, vyznačujúce sa ktoroukoľvek z týchto vlastností: a) menej ako 156 ps; b) menej ako 100 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 1,6 GHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 4,8 GHz, ale nepresahujúcej 10,6 GHz; c) menej ako 250 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 550 MHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 10,6 GHz, ale nepresahujúcej 31,8 GHz; d) menej ako 500 μs pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 550 MHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 31,8 GHz, ale nepresahujúcej 43,5 GHz; e) menej ako 1 ms pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 550 MHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 43,5 GHz, ale nepresahujúcej 56 GHz; f) menej ako 1 ms pre každú zmenu frekvencie väčšiu ako 2,2 GHz v rozsahu syntetizovanej frekvencie presahujúcej 56 GHz, ale nepresahujúcej 75 GHz alebo g) menej ako 1 ms v rozsahu syntetizovanej frekvencie nad 75 GHz; Pozn.: Pre všeobecný význam „analyzátorov signálu“, generátorov signálu, analyzátorov siete a mikrovlnných skúšobných prijímačov pozri 3A002.c), 3A002.d), 3A002.e) a 3A002.f). c) Zariadenia s akustickými vlnami a osobitne pre ne navrhnuté súčasti: 1. Zariadenia s povrchovými akustickými vlnami a zariadenia s akustickými vlnami na stieranie povrchu (plytký objem), vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: a) nosná frekvencia nad 6 GHz; b) nosná frekvencia nad 1 GHz, ale nepresahujúca 6 GHz, vyznačujúca sa niektorou z týchto vlastností: 1. ‚potlačenie frekvenčných postranných slučiek‘ viac ako 65 dB; 2. súčin maximálnej doby oneskorenia a šírky pásma (čas v μs a šírka pásma v MHz) je viac ako 100; 3. šírka pásma viac ako 250 MHz alebo 4. disperzné oneskorenie viac ako 10 μs, alebo c) nosná frekvencia najviac 1 GHz a niektorá z týchto vlastností: 1. súčin maximálnej doby oneskorenia a šírky pásma (čas v μs a šírka pásma v MHz) je viac ako 100; 2. disperzné oneskorenie viac ako 10 μs, alebo 3. ‚potlačenie frekvenčných postranných slučiek‘ viac ako 65 dB a šírka pásma viac ako 100 MHz; Technická poznámka: ‚Potlačenie frekvenčných postranných slučiek‘ je maximálna hodnota potlačenia uvedená v karte s údajmi. 2. Zariadenia na objemové (priestorové) akustické vlny, ktoré umožňujú priame spracovanie signálov s frekvenciami viac ako 6 GHz. 3. Akusticko-optické zariadenia na „spracovanie signálu“, ktoré využívajú interakciu medzi akustickými vlnami (objemová vlna alebo prízemná vlna) a svetelnými vlnami, čo umožňuje priame spracovanie signálov alebo obrazov vrátane spektrálnej analýzy, korelácie alebo konvolúcie. Poznámka: 3A001.c) sa nevzťahuje na zariadenia s akustickými vlnami, ktoré sú obmedzené na filtrovanie jednopásmovým priepustom, dolným priepustom, horným priepustom alebo pásmovou zádržou, alebo na rezonačnú funkciu. d) Elektronické zariadenia a súčasti obsahujúce obvody vyrobené zo „supravodivých“ materiálov osobitne navrhnutých na prevádzku pri teplotách nižších ako je „kritická teplota“ alebo najmenej jednu zo „supravodivých“ zložiek, ktoré majú niektorú z týchto vlastností: 1. prúdové spínanie pre digitálne obvody s použitím „supravodivých“ hradiel so súčinom doby oneskorenia na jedno hradlo (v sekundách) a rozptylu energie na jedno hradlo (vo wattoch) menej ako 10–14 J alebo 2. frekvenčná selekcia pri všetkých frekvenciách s využitím rezonančných obvodov s hodnotou Q viac ako10 000 ; e) vysokoenergetické zariadenia: 1. tieto ‚články‘: a) ‚primárne články‘ s ‚hustotou energie‘ viac ako 550 Wh/kg pri 20 °C; b) ‚sekundárne články‘ s ‚hustotou energie‘ viac ako 300 Wh/kg pri 20 °C; Technické poznámky: 1. Na účely 3A001.e)1 sa ‚hustota energie‘ (Wh/kg) vypočíta vynásobením menovitého napätia menovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) a vydelením výsledku hmotnosťou v kilogramoch. Ak sa menovitá kapacita neuvádza, hustota energie sa vypočíta vynásobením druhej mocniny menovitého napätia dobou vybíjania v hodinách a vydelením výsledku veľkosťou výboja v ohmoch a hmotnosťou v kilogramoch. 2. Na účely 3A001.e)1 je ‚článok‘ elektrochemické zariadenie, ktoré má kladné a záporné elektródy a elektrolyt a je zdrojom elektrickej energie. Je základným stavebným prvkom batérie. 3. Na účely 3A001.e)1.a) je ‚primárny článok‘ taký ‚článok‘, ktorý nie je určený na nabíjanie z iného zdroja. 4. Na účely 3A001.e)1.b) je ‚sekundárny článok‘ taký ‚článok‘, ktorý je určený na nabíjanie z vonkajšieho elektrického zdroja. Poznámka: 3A001.e)1 sa nevzťahuje na batérie vrátane jednočlánkových batérií. 2. Akumulačné kondenzátory s vysokou energiou: Pozn.: POZRI TIEŽ 3A201.a) a kontroly vojenských tovarov. a) kondenzátory s opakovacím kmitočtom menej ako 10 Hz (jednorazové kondenzátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: 1. menovité napätie najmenej 5 kV; 2. hustota energie najmenej 250 J/kg a 3. celková energia najmenej 25 J; b) kondenzátory s opakovacím kmitočtom najmenej 10 Hz (opakovacie kondenzátory), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami: 1. menovité napätie najmenej 5 kV; 2. hustota energie najmenej 50 J/kg; 3. celková energia najmenej 100 J a 4. životnosť v cykloch nabíjanie/vybíjanie najmenej 10 000 ; 3. „Supravodivé“ elektromagnety a solenoidy osobitne konštruované tak, aby ich bolo možné úplne nabiť alebo vybiť za dobu kratšiu ako jedna sekunda, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: Pozn.: POZRI TIEŽ 3A201.b) Poznámka: 3A001.e)3 sa nevzťahuje na „supravodivé“ elektromagnety ani solenoidy zvlášť konštruované pre medicínske zariadenia určené na zobrazovanie pomocou magnetickej rezonancie (MRI). a) energia dodávaná počas výboja je počas prvej sekundy viac ako 10 kJ; b) vnútorný priemer vinutí pod prúdom je viac ako 250 mm a c) sú dimenzované na magnetickú indukciu viac ako 8 T alebo „celkovú hustotu prúdu“ vo vinutí viac ako 300 A/mm2; 4. Solárne články, sústavy pozostávajúce z článku, prepojenia a krycieho skla (CIC), solárne panely a solárne sústavy, ktoré sú „určené na vesmírne použitie“ a majú minimálnu priemernú účinnosť vyššiu ako 20 % pri prevádzkovej teplote 301 K (28 °C) za simulovaného osvetlenia ‚AM0‘ s ožiarenosťou 1 367 W/m2. Technická poznámka: ‚AM0‘ alebo ‚vzdušná hmota nula‘ označujú spektrálnu žiarivosť slnečného svetla vo vonkajšej atmosfére Zeme, keď je vzdialenosť medzi Zemou a slnkom jedna astronomická jednotka (AU). f) Kódovače absolútnej polohy s rotačným vstupom vyznačujúce sa presnosťou rovnajúcou sa ± 1,0 uhlovej sekunde alebo menej (lepšou); g) Tuhofázové tyristorové zariadenia a ‚tyristorové moduly‘ na prepínanie impulznej energie pomocou prepínania ovládaného elektricky, opticky alebo elektrónovým žiarením, ktoré majú ktorúkoľvek z týchto vlastností: 1. maximálny nárast prúdu pri zapnutí (di/dt) vyšší ako 30 000 A/μs a napätie vo vypnutom stave vyššie ako 1 100 V alebo 2. maximálny nárast prúdu pri zapnutí (di/dt) vyšší ako 2 000 A/μs a všetky tieto vlastnosti: a) špičkové napätie vo vypnutom stave 3 000 V alebo viac a b) špičkový (nárazový) prúd 3 000 A alebo viac. Poznámka 1: 3A001.g) zahŕňa: — kremíkové usmerňovače (SCR), — elektrické spúšťacie tyristory (ETT), — svetelné spúšťacie tyristory (LTT), — prepínacie tyristory s integrovaným hradlom (IGCT), — tyristory vypínané hradlom (GTO), — tyristory ovládané MOS (MCT), — solidtrony. Poznámka 2: 3A001.g) sa nevzťahuje na tyristorové zariadenia a ‚tyristorové moduly‘ zabudované do zariadení určených na použitie v civilnej železničnej doprave a „civilných lietadlách“. Technická poznámka: Na účely 3A001.g)‚tyristorový modul‘ obsahuje jedno alebo viacero tyristorových zariadení. h) Tuhofázové polovodičové prepínače napájania, diódy alebo ‚moduly‘, ktoré majú všetky tieto vlastnosti: 1. maximálna prevádzková teplota prechodu vyššia ako 488 K (215 °C); 2. opakovateľné špičkové napätie vo vypnutom stave (blokovacie napätie) väčšie ako 300 V a 3. jednosmerný prúd väčší ako 1 A. Poznámka 1: Opakovateľné špičkové napätie vo vypnutom stave uvedené v 3A001.h) zahŕňa napätie medzi spotrebičom a zdrojom, napätie medzi kolektorom a emitorom, opakovateľné špičkové spätné napätie a špičkové opakovateľné blokovacie napätie vo vypnutom stave. Poznámka 2: 3A001.h) zahŕňa: — tranzistory riadené poľom s priechodovým hradlom (JFET), — vertikálne plošné tranzistory riadené poľom s priechodovým hradlom (VJFET), — tranzistory riadené poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič (MOSFET), — difundované tranzistory riadené poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič (DMOSFET), — bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom (IGBT), — tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), — bipolárne plošné tranzistory (BJT), — tyristory a kremíkové usmerňovače (SCR), — tyristory vypínané hradlom (GTO), — tyristory vypínané emitorom (ETO), — PiN diódy, — Schottkyho diódy. Poznámka 3: 3A001.h) sa nevzťahuje na kontrolné spínače, diódy alebo ‚moduly‘ začlenené do vybavenia navrhnutého pre aplikácie v civilnom automobilovom priemysle, civilnej železničnej doprave a „civilných lietadlách“. Technická poznámka: Na účely 3A001.h) ‚moduly‘ obsahujú jeden alebo viac tuhofázových polovodičových prepínačov alebo diód.