12.

Pozīciju 8541 un 8542 izpratnē: a) i) “pusvadītājierīces” ir pusvadītājierīces, kuru darbības pamatā ir to pretestības maiņa elektriskā lauka vai uz pusvadītājiem balstītu pārveidotāju ietekmē. Pusvadītājierīces var aptvert arī vairākus elementus un var būt vai nebūt aprīkotas ar aktīvām un pasīvām ierīces papildfunkcijām. Šajā definīcijā “uz pusvadītājiem balstīti pārveidotāji” ir uz pusvadītājiem balstīti sensori, aktuatori, rezonatori un oscilatori, kuri ir uz diskrētiem pusvadītājiem balstīto ierīču paveidi, kas veic iepriekšdefinētu funkciju un spēj konvertēt ikvienu fizikālu vai ķīmisku parādību vai darbību elektriskā signālā vai elektrisku signālu jebkāda veida fizikālā parādībā vai darbībā. Uz pusvadītājiem balstītā pārveidotājā visi elementi ir nedalāmi savienoti, un tam var būt nedalāmi pievienoti nepieciešamie materiāli, kas vajadzīgi tā uzbūvei vai darbībai. Turpmāk uzskaitītajiem jēdzieniem ir šāda nozīme: 1) “uz pusvadītājiem balstīts” nozīmē veidots vai ražots uz pusvadītāja substrāta vai izgatavots no pusvadītājiem materiāliem, ražots ar pusvadītāju tehnoloģiju, kurā pusvadītāja substrātam vai materiālam ir īpaši svarīga un neaizstājama loma attiecībā uz pārveidotāja funkciju un darbību, un tāds, kura darbība ir balstīta uz pusvadītāju īpašībām, ietverot fizikālās, elektriskās, ķīmiskās un optiskās īpašības, 2) “fizikāla vai ķīmiska parādība” attiecas uz tādām parādībām kā spiediens, akustiskie viļņi, paātrinājums, vibrācija, kustība, orientācija, mehāniskais spriegums, magnētiskā lauka stiprums, elektriskā lauka stiprums, gaisma, radioaktivitāte, mitrums, plūsma, ķīmisko vielu koncentrācija utt., 3) “uz pusvadītāju balstīts sensors” ir pusvadītājierīces paveids, kas sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas konstatē fizikālus vai ķīmiskus lielumus un pārveido tos elektriskos signālos, kurus izraisa attiecīgas izmaiņas elektriskajos parametros vai mehāniskās struktūras pārvietošana, 4) “uz pusvadītāju balstīts aktuators” ir pusvadītājierīces paveids, kas sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas elektriskos signālus pārvērš fizikālā kustībā, 5) “uz pusvadītāju balstīts rezonators” ir pusvadītājierīces paveids, kas sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas, reaģējot uz ārēju ievadu, ģenerē mehāniskas vai elektriskas svārstības noteiktā frekvencē, kura atkarīga no minēto struktūru fizikālās ģeometrijas, reaģējot uz ārēju ievadi, 6) uz pusvadītāju balstīts oscilators” ir pusvadītājierīces paveids, kurš sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas ģenerē mehāniskas vai elektriskas svārstības noteiktā frekvencē, kura atkarīga no minēto struktūru fizikālās ģeometrijas; ii) “gaismas diodes (LED)” ir pusvadītājierīces, kuras balstītas uz pusvadītāju materiāliem, kas elektroenerģiju pārvērš redzamajos, infrasarkanajos vai ultravioletajos staros, neatkarīgi no tā, vai tās ir elektriski savienotas savā starpā un neatkarīgi no tā, vai tās ir savienotas ar aizsargdiodēm. Pozīcijas 8541 gaismas diodēs (LED) nav iestrādāti elementi, kas nodrošina sprieguma apgādi vai sprieguma padeves kontroli. b) “elektroniskās integrālās shēmas” ir: 1) monolītiskās integrālās shēmas, kurās shēmas elementi (diodes, tranzistori, rezistori, kondensatori, kontaktsavienojumi, utt.) galvenokārt izveidoti iekšienē vai uz pusvadītāja materiāla (piemēram, leģēta silīcija, gallija arsenīda, silīcijģermānija, indijfosfīda) virsmas un ir savstarpēji neatdalāmi saistīti; 2) hibrīdās integrālās shēmas, kurās plānas vai biezas plēves tehnoloģijā pasīvie elementi (rezistori, kondensatori, kontaktsavienojumi, utt.), un pusvadītāju tehnoloģijā izpildītie aktīvie elementi (diodes, tranzistori, monolītās integrālās shēmas u. c.) nedalāmi savienoti uz viena izolējoša substrāta (stikla, keramikas u. c.); šādās shēmās var būt iekļauti arī diskrēti elementi; 3) multimikroprocesoru integrālā shēma, kurā neatdalāmi iebūvētas divas vai vairākas monolītiskās integrālās shēmas, neatdalāms vai atdalāms viens vai vairāki izolēti substrāti ar vai bez svina rāmja, taču bez neviena cita aktīva vai pasīva shēmas elementa. 4) vairāku sastāvdaļu integrālās shēmas (MCO), kurās ietvertas viena vai vairākas monolītiskās, hibrīdās vai multimikroprocesoru integrālās shēmas un vismaz viena no šādām sastāvdaļām: silīcija sensori, servomehānismi, svārstību ģeneratori, rezonatori vai to apvienojums, vai sastāvdaļas, kas veic pozīcijā 8532, 8533, 8541 klasificējamo izstrādājumu vai pozīcijā 8504 klasificējamo induktoru funkcijas, un kuras ir pilnīgi neatdalāmas un ietvertas vienotā korpusā līdzīgi kā integrālās shēmas, kā tāda sastāvdaļa, ko uzmontē uz iespiedshēmas plates vai cita nesēja, savienojot adatiņas, pievadus, lodītes, vadlentītes, izcilņus vai uzkausētos metāla slāņus. Šajā definīcijā: 1) “Sastāvdaļas” var būt nošķirtas, ražotas atsevišķi un pēc tam uzmontētas uz pārējās MCO daļas vai integrētas citās sastāvdaļās. 2) Ar jēdzienu “silīcija” saprot: uz silīcija substrāta vai izgatavoti no silīcija materiāliem, vai izgatavoti uz integrālshēmas matrices. 3) a) “Silīcija sensori” sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas konstatē fizikālas vai ķīmiskas parādības un pārveido tās elektriskos signālos, kurus izraisa attiecīgas izmaiņas elektriskajos parametros vai mehāniskās struktūras pārvietošana. Jēdziens “fizikāla vai ķīmiska parādība” attiecas uz tādām parādībām kā spiediens, akustiskie viļņi, paātrinājums, vibrācija, kustība, orientācija, mehāniskais spriegums, magnētiskā lauka stiprums, elektriskā lauka stiprums, gaisma, radioaktivitāte, mitrums, plūsma, ķīmisko vielu koncentrācija utt. b) “Silīcija servomehānismi” sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas elektriskos signālus pārvērš fizikālā kustībā. c) “Silīcija rezonatori” ir sastāvdaļas, kurās ietvertas mikroelektroniskas vai mehāniskas struktūras, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas, reaģējot uz ārēju ievadu, ģenerē mehāniskas vai elektriskas svārstības noteiktā frekvencē, kura atkarīga no minēto struktūru fizikālās ģeometrijas. d) “Silīcija svārstību ģeneratori” ir aktīvās sastāvdaļas, kas sastāv no mikroelektroniskām vai mehāniskām struktūrām, kas ir izveidotas pusvadītāja materiālā vai uz tā virsmas un kas ģenerē mehāniskas vai elektriskas svārstības noteiktā frekvencē, kura atkarīga no minēto struktūru fizikālās ģeometrijas. Klasificējot šajā piezīmē minētos izstrādājumus, pozīcija 8541 un 8542 ir prioritāra attiecībā pret citām nomenklatūras pozīcijām, izņemot pozīciju 8523, kas varētu atsaukties uz tām, ņemot vērā to funkciju.