3A001

Elektroniskie komponenti un to īpaši izstrādātas sastāvdaļas: a. universālās integrālās shēmas: 1. piezīme: Kontroles režīmu pusvadītāju sagatavēm (pabeigtām un nepabeigtām), kuru funkcijas jau ir noteiktas, nosaka pēc 3A001.a. pozīcijā dotajiem parametriem. 2. piezīme: Integrālajām shēmām ir šādi tipi: — “monolītas integrālās shēmas”; — “hibrīdas integrālās shēmas”; — “daudzelementu integrālās shēmas”; — “plēves tipa integrālās shēmas”, arī silīcija-uz-safīra integrālās shēmas; — “optiskās integrālās shēmas”; — “trīsdimensiju integrālās shēmas”. 1. integrālās shēmas, kas ir paredzētas vai klasificētas kā tādas, kurām ir paaugstināta izturība pret radiācijas iedarbību un kuras iztur: a. kopējo apstarojuma dozu 5×103 Gy (silīcijs) vai lielāku; b. apstarojuma dozas intensitāti 5×106 Gy (silīcijs)/s vai lielāku; vai c. kopējo neitronu plūsmu (1 MeV ekvivalents) 5 × 1013 n/cm2 vai lielāku uz silīcija, vai tās ekvivalentu uz citiem materiāliem; Piezīme: Kontroli 3A001.a.1.c. pozīcijā neattiecina uz metāla izolācijas pusvadītājiem (MIS). 2. “mikroprocesoru mikroshēmas”, “mikrodatoru mikroshēmas”, mikrovadības mikroshēmas, datu uzkrājējas integrālas shēmas, kas izgatavotas no saliktiem pusvadītājiem, analogu-ciparu konvertori ciparu-analogu konvertori, elektrooptiskas vai “optiskas integrālas shēmas”, kas konstruētas “signālu apstrādei”, uz vietas programmējamas loģiskas iekārtas, uz pasūtījumu izgatavotas integrālas shēmas, kuru funkcijas nav zināmas, vai arī nav zināms to iekārtu kontroles režīms, kuras izmantos šīs shēmas, ātrā Furjē pārveidojuma (FFT) procesori, elektriski izdzēšami, programmējami, tikai nolasāmi atmiņas elementi (EEPROM) vai statiskas brīvpiekļuves atmiņas (SRAM) elementi, kurām ir kāda no šīm īpašībām: a. paredzētas ekspluatācijai vidē ar temperatūru virs 398 K (125 °C); b. paredzētas ekspluatācijai vidē ar temperatūru zem 218 K (- 55 °C); vai c. paredzētas ekspluatācijai apkārtējās vides temperatūru diapazonā no 218 K (- 55 °C) līdz 398 K (125 °C); Piezīme: Kontroli 3A001.a.2. pozīcijā neattiecina uz integrālām mikroshēmām, ko lieto civilas nozīmes automobiļos vai vilcienos. 3. “mikroprocesoru mikroshēmas”, “mikrodatoru mikroshēmas” un mikrokontrolleru mikroshēmas, kas izgatavotas no saliktiem pusvadītājiem un darbojas ar takts frekvenci lielāku par 40 MHz; Piezīme: 3A001.a.3. pozīcijā ietilpst ciparu signālu procesori, ciparu procesoru bloki un ciparu līdzprocesori. 4. nepiemēro; 5. analogciparu pārveidotāju (ADC) un ciparanalogu pārveidotāju (DAC) integrālas shēmas: a. ADC, kuriem ir kāda no šīm īpašībām: NB! SK. ARĪ 3A101. POZĪCIJU. 1. izšķiršanas spēja – 8 bitu vai vairāk, bet mazāk par 10 bitiem, ar izvades ātrumu lielāku par 1 000 miljoniem vārdu sekundē; 2. izšķiršanas spēja –10 bitu vai vairāk, bet mazāk par 12 bitiem, ar izvades ātrumu lielāku par 300 miljoniem vārdu sekundē; 3. izšķiršanas spēja –12 biti ar izvades ātrumu lielāku par 200 miljoniem vārdu sekundē; 4. izšķiršanas spēja – vairāk nekā 12 bitu, bet nepārsniedz 14 bitu (ieskaitot), ar izvades ātrumu lielāku par 125 miljoniem vārdu sekundē; vai 5. izšķiršanas spēja – vairāk par 14 bitiem ar izvades ātrumu lielāku par 20 miljoniem vārdu sekundē; Tehniskas piezīmes: 1. n bitu izšķirtspēja atbilst 2n līmeņu kvantizācijai. 2. Bitu skaits izvades vārdā līdzinās ADC izšķirtspējai. 3. Izvades ātrums ir maksimālais konvertera izvades līmenis, neatkarīgi no arhitektūras vai liekās diskreditizācijas. 4. ‘Daudzkanālu ADC’ izvades ātrums netiek summēts un to izvades ātrums ir jebkura atsevišķa kanāla maksimālais izvades ātrums. 5. ‘reizinošā algoritma ADC’ vai ‘daudzkanālu ADC’, kuros ir paredzēts reizinošā algoritma darbības režīms, izvadi summē un izvades ātrums ir maksimālais kopējais izvades ātrums, ko kopā nodrošina visi izvades kanāli. 6. Pārdevēji var izvades ātrumu dēvēt arī par diskretizācijas frekvenci, konversijas līmeni vai caurplūdumu. To dažkārt norāda megahercos (MHz) vai mega paraugos (samples) sekundē (MSPS). 7. Lai mērītu izvades ātrumu, viens izvades vārds sekundē ir ekvivalents vienam hercam vai vienam paraugam sekundē. 8. ‘Daudzkanālu ADC’ definē kā ierīces, kurās integrēts vairāk nekā viens ADC un kuras ir izstrādātas tā, lai katram ADC būtu atsevišķs analogs ieejas kanāls. 9. ‘Reizinošā algoritma ADC’ definē kā ierīces, kurās ir vairākas ADC vienības, kas dažādos laikos veic nolasījumus no vienas un tās pašas analogās ieejas, tā, lai, apkopojot izvades rezultātus, paraugi no analogās ieejas būtu ņemti efektīvāk un būtu konvertēti augstākā diskretizācijas frekvencē. b. ciparanalogu pārveidotāji (DAC), kuriem ir kāda no šīm īpašībām: 1. izšķiršanas spēja ir 10 biti vai vairāk un ‘regulējams atjaunošanas ātrums’ ir 3 500 MSPS vai lielāks; vai 2. izšķiršanas spēja ir 12 biti vai vairāk un ‘regulējams atjaunošanas ātrums’ ir 1 250 MSPS vai lielāks, un ir kāda no šīm īpašībām: a. stabilizācijas laiks ir mazāks nekā 9 ns no pilnas skalas pakāpes uz 0,024 % no pilnas skalas; vai b. ‘dinamiskais diapazons bez blakuskomponentiem’ (SFDR) ir lielāks nekā 68 dBc (nesējs), sintezējot pilnas skalas analogu signālu 100 MHz vai augstāko pilnas skalas analogā signāla frekvenci, kas noteikta zem 100 MHz. Tehniskas piezīmes: 1. ‘Dinamisko diapazonu bez blakuskomponentiem’ (SFDR) definē kā attiecību starp nesējfrekvences (maksimālā signāla komponenta) RMS vērtību pie DAC ieejas un nākamā lielākā trokšņa vai harmoniskā kropļojuma RMS vērtību pie tā izvades. 2. SFDR nosaka tieši, izmantojot specifikāciju tabulu vai raksturojošu diagrammu, kas ataino SFDR un frekvences attiecību. 3. Signālu definē kā pilnas skalas signālu, ja tā amplitūda ir lielāka nekā - 3 dBfs (pilna skala). 4. DAC ‘regulējams atjaunošanas ātrums’: a. Parastos (bez interpolācijas) DAC ‘regulējams atjaunošanas ātrums’ ir ātrums, kādā DAC ciparu signālu konvertē analogā signālā un maina izvades analogās vērtības. Tādus DAC, kuru interpolācijas režīmu ir iespējams apiet (interpolācijas faktors 1), būtu jāuzskata par parastiem (bez interpolācijas) DAC. b. DAC ar interpolāciju (liekās diskreditizācijas DAC), ‘regulējamu atjaunošanas ātrumu’ definē kā DAC atjaunošanas ātrumu, dalītu ar vismazāko interpolācijas faktoru. DAC ar interpolāciju ‘regulējamu atjaunošanas ātrumu’ var saukt dažādi, tostarp: — ieejas datu ātrums; — ieejas vārdu caurlaides ātrums; — ieejas apstrādes ātrums; — maksimālais summārais ieejas kopnes ātrums; — maksimālais DAC frekvences lielums priekš DAC ieejas. 6. frekvences. elektrooptiskās un “optiskās integrālās shēmas”, kas konstruētas “signālu apstrādei” un kam ir visas šīs pazīmes: a. viena vai vairākas iekšējas “lāzera” diodes; b. viens vai vairāki iekšēji gaismas detektorelementi; un c. optiski viļņvadi; 7. ‘uz vietas programmējamas loģiskās iekārtas’ ar kādu no šīm īpašībām: a. maksimālais vienvirziena ciparu ievades/izvades skaits ir 500 vai lielāks; vai b. ‘kopējais vienvirziena seriālā raiduztvērēja maksimālais datu ātrums’ ir 200 Gb/s vai lielāks; Piezīme: 3A001.a.7. pozīcijā ietilpst: — vienkāršas programmējamās loģiskās iekārtas (SPLD); — kompleksas programmējamās loģiskās iekārtas (CPLD); — uz vietas programmējamu elementu bloki (FPGA); — uz vietas programmējamie loģiskie bloki (FPLA); — uz vietas programmējamie savstarpējie slēgumi (FPIC). Tehniskas piezīmes: 1. ‘Uz vietas programmējamas loģiskās iekārtas’ dēvē arī par uz vietas programmējamiem elementiem vai uz vietas programmējamiem loģiskiem blokiem. 2. Pozīcijā 3A001.a.7.a minētais maksimālais ciparu ievades/izvades skaits attiecas arī uz maksimālo lietotāja ievades/izvades skaitu vai maksimāli iespējamo ievades/izvades skaitu, ja integrālās shēmas ir iepakotas vai tikai plāksnes veidā. 3. ‘kopējais vienvirziena seriālā raiduztvērēja maksimālais datu ātrums’ ir vienvirziena seriālā raiduztvērēja maksimālā datu ātruma reizinājums ar raiduztvērēju skaitu FPGA. 8. nepiemēro; 9. neirotīklu integrālās shēmas; 10. uz pasūtījumu izgatavotas integrālās shēmas, kuru izpildāmās funkcijas nav zināmas vai arī ražotājam nav zināms, kādās iekārtās šīs shēmas izmantos, ja tām ir kāda no šīm īpašībām: a. vairāk nekā 1 500 termināļu; b. raksturīgais “pamatelementa signāla nodošanas kavējuma laiks” mazāks par 0,02 ns; vai c. darbības takts frekvence ir lielāka par 3 GHz; 11. ciparu integrālās shēmas, izņemot tās, kas aprakstītas no 3A001.a.3. līdz 3A001.a.10. un 3A001.a.12. pozīcijā, kas bāzētas uz jebkuru saliktu pusvadītāju un kam ir kāda no šīm īpašībām: a. ekvivalento elementu skaits ir lielāks par 3 000 (2 ieejas elementi); vai b. komutācijas frekvence ir lielāka par 1,2 GHz; 12. ātrā Furjē pārveidojuma (FFT) procesori, kuru nominālais operācijas izpildes laiks N-punktu kompleksam ir mazāks par (N log2 N)/20 480 ms, kur N ir punktu skaits; Tehniska piezīme: Ja N ir 1 024 . punkti, pēc 3A001.a.12. pozīcijā dotās formulas aprēķinātais izpildes laiks ir 500 μs. 13. tiešās ciparu sintēzes (DDS) integrētās shēmas, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: a. ciparanalogu pārveidotāja (DAC) takts frekvence ir 3,5 GHz vai augstāka un DAC izšķiršanas spēja ir 10 biti vai augstāka, bet ne augstāka kā 12 biti; vai b. DAC takts frekvence ir 1,25 GHz vai augstāka un DAC izšķiršanas spēja ir 12 biti vai augstāka; Tehniska piezīme: DAC takts frekvenci var norādīt kā pamata takts frekvenci vai ievades takts frekvenci. b. mikroviļņu vai milimetru viļņu ierīču komponenti: Tehniska piezīme: 3A001.b. pozīcijā tehnisko datu sarakstā var būt minēts jebkurš no šādiem parametriem: maksimālā izejas jauda piesātinājumā, izejas jauda, izejas jauda piesātinājumā, maksimālā izejas jauda, izejas jaudas maksimums vai pakešu izejas jaudas maksimums. 1. elektroniskas vakuumlampas un katodi: 1. piezīme: Kontroli 3A001.b.1. pozīcijā neattiecina uz elektronu lampām, kas paredzētas vai klasificētas ekspluatācijai jebkurā frekvenču diapazonā un kam ir visas šīs īpašības: a. nepārsniedz 31,8 GHz; un b. paredzētas radiosakaru pakalpojumiem “ITU atvēlētajos diapazonos”, izņemot radiopeilēšanu. 2. piezīme: Kontroli 3A001.b.1. pozīcijā neattiecina uz lampām, kas nav “lietojamas kosmosā” un kam piemīt visas šīs īpašības: a. vidējā izejas jauda vienāda ar vai mazāka par 50 W; un b. kas paredzētas vai klasificētas ekspluatācijai visos frekvenču diapazonos un kam ir visas turpmākās īpašības: 1. pārsniedz 31,8 GHz, bet nepārsniedz 43,5 GHz; un 2. paredzētas radiosakaru pakalpojumiem “ITU atvēlētajos diapazonos”, izņemot radiopeilēšanu. a. skrejošo viļņu lampas ar pulsējošu vai nepārtrauktu vilni: 1. lampas, kas darbojas frekvencē, kura lielāka par 31,8 GHz; 2. lampas ar katodu karsētāju elementu, kura ierosinājuma laiks līdz nominālai radiofrekvences (RF) jaudai ir īsāks par 3 sekundēm; 3. savietotas rezonatorlampas vai to modifikācijas, kuru “frakcionālais joslas platums” lielāks par 7 % vai maksimālā jauda ir lielāka par 2,5 kW; 4. spirālveida lampas vai to modifikācijas ar kādu no šīm īpašībām: a. “momentānā frekvenču diapazona” joslas platums ir lielāks par vienu oktāvu, bet vidējās jaudas (kW) reizinājums ar frekvenci (GHz) ir lielāks par 0,5 ; b. “momentānā frekvenču diapazona” joslas platums ir vienāds vai mazāks par vienu oktāvu, bet vidējās jaudas (kW) reizinājums ar frekvenci (GHz), ir lielāks par 1; vai c. “lietojamas kosmosā”; b. krustotu lauku pastiprinātāju lampas ar pastiprinājumu, kas lielāks par 17 dB; c. impregnētie katodi elektroniskām lampām, kurās nepārtrauktās emisijas strāvas blīvums nominālos darba apstākļos ir lielāks par 5 A/cm2; 2. mikroviļņu “monolītās integrālās shēmas” (MMIC) jaudas pastiprinātāji ar kādu no šiem raksturlielumiem: a. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 15 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 75 W (48,75 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 2,9 GHz (ieskaitot); 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 55 W (47,4 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,9 GHz un līdz 3,2 GHz (ieskaitot); 3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 40 W (46 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,2 GHz un līdz 3,7 GHz (ieskaitot); vai 4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 20 W (43 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot); b. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 10 W (40 dBm) jebkurā frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 8,5 GHz (ieskaitot); vai 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 5 W (37 dBm) jebkurā frekvencē virs 8,5 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot); c. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 3 W (34,77 dBm) jebkurā frekvencē virs 16 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %; d. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 31,8 GHz un līdz 37 GHz (ieskaitot); e. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 1 W (30 dBm) jebkurā frekvencē virs 37 GHz un līdz 43,5 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %; f. paredzēti ekspluatācijaim ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 31,62 mW (15 dBm) jebkurā frekvencē virs 43,5 GHz un līdz 75 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %; g. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 10 mW (10 dBm) jebkurā frekvencē virs 75 GHz un līdz 90 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 5 %; vai h. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 90 GHz; 1. piezīme: Nepiemēro. 2. piezīme: Kontroles režīmu MMIC, kuru nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts 3A001.b.2.a. līdz 3A001.b.2.h. pozīcijā, nosaka maksimālās izejas jaudas piesātinājumā zemākā robeža. 3. piezīme: 1. un 2. piezīme 3A sadaļā nozīmē, ka kontroli 3A001.b.2. pozīcijā neattiecina uz MMIC, ja tās ir speciāli konstruētas citām vajadzībām, piem., telesakariem, radariem vai automobiļiem. 3. diskrēti mikroviļņu tranzistori, kam ir kāda no šīm īpašībām: a. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot) un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 400 W (56 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 2,9 GHz (ieskaitot); 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 205 W (53,12 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,9 GHz un līdz 3,2 GHz (ieskaitot); 3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 115 W (50,61 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,2 GHz un līdz 3,7 GHz (ieskaitot); vai 4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 60 W (47,78 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot); b. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot) un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 50 W (47 dBm) jebkurā frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 8,5 GHz (ieskaitot); 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 15 W (41,76 dBm) jebkurā frekvencē virs 8,5 GHz un līdz 12 GHz (ieskaitot); 3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 40 W (46 dBm) jebkurā frekvencē virs 12 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot); vai 4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 7 W (38,45 dBm) jebkurā frekvencē virs 16 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot); c. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,5 W (27 dBm) jebkurā frekvencē virs 31,8 GHz un līdz 37 GHz (ieskaitot); d. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 1 W (30 dBm) jebkurā frekvencē virs 37 GHz un līdz 43,5 GHz (ieskaitot); e. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 43,5 GHz; 1. piezīme: Kontroles režīmu tranzistoram, kura nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts 3A001.b.3.a. līdz 3A001.b.3.e. pozīcijā, nosaka maksimālās izejas jaudas piesātinājumā zemākā robeža. 2. piezīme: 3A001.b.3. pozīcijā ietilpst neapstrādātas pusvadītāju matricas, pusvadītāju matricas apvalkos vai pakās. Daži diskrētie tranzistori var tikt dēvēti arī par jaudas pastiprinātājiem, bet šo diskrēto tranzistoru statusu nosaka 3A001.b.3. pozīcija. 4. mikroviļņu cietvielas pastiprinātāji un mikroviļņu iekārtas/moduļi ar mikroviļņu cietvielas pastiprinātājiem, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: a. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 15 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumāpārsniedz 500 W (57 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 2,9 GHz (ieskaitot); 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 270 W (54,3 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,9 GHz un līdz 3,2 GHz (ieskaitot); 3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 200 W (53 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,2 GHz un līdz 3,7 GHz (ieskaitot); vai 4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 90 W (49,54 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot); b. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 70 W (48,54 dBm) jebkurā frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 8,5 GHz (ieskaitot); 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 50 W (47 dBm) jebkurā frekvencē virs 8,5 GHz un līdz 12 GHz (ieskaitot); 3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 30 W (44,77 dBm) jebkurā frekvencē virs 12 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot); vai 4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 20 W (43 dBm) jebkurā frekvencē virs 16 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot); c. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,5 W (27 dBm) jebkurā frekvencē virs 31,8 GHz un līdz 37 GHz (ieskaitot); d. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 2 W (33 dBm) jebkurā frekvencē virs 37 GHz un līdz 43,5 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %; e. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 43,5 GHz un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem: 1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā virs 0,2 W (23 dBm) jebkurā frekvencē virs 43,5 GHz un līdz 75 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 10 %; 2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā virs 20 mW (13 dBm) jebkurā frekvencē virs 75 GHz un līdz 90 GHz (ieskaitot) un ar “frakcionālo joslas platumu” virs 5 %; vai 3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 90 GHz; vai f. ekspluatācijai frekvencē, kura lielāka par 2,7 GHz, un kam ir visi šie raksturlielumi: 1. maksimālā jauda piesātinājumā (vatos) Psat, kas ir lielāka par 400, dalot ar maksimālo darba frekvenci (GHz) kvadrātā [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. “frakcionālais joslas platums” ir 5 % vai lielāks; un 3. jebkuras divas savstarpēji perpendikulāras malas ar garumu d (centimetros) ir 15, dalot ar vismazāko darba frekvenci GHz, vai mazāku garumu [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Tehniska piezīme: Pastiprinātājiem, kuru nominālie darba parametri tuvinās uz leju 2,7 GHz un zemāk, 2,7 GHz būtu jāizmanto kā mazākā darba frekvence (fGHz) 3A001b.4.f.3. pozīcijā minētajā formulā [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. NB! MMIC jaudas pastiprinātājus jānovērtē pēc 3A001.b.2. pozīcijā dotajiem parametriem. 1. piezīme: Nepiemēro. 2. piezīme: Kontroles režīmu precei, kuras nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts 3A001.b.4.a. līdz 3A001.b.4.e. pozīcijā, nosaka maksimālās izejas jauda piesātinājumā zemākā robeža. 3. piezīme: 3A001.b.4. pozīcijā ietilpst raidītāju/uztvērēju moduļi un raidītāju moduļi. 5. elektroniski vai magnētiski noskaņojami frekvenču joslu caurlaides vai aiztures filtri, kam ir vairāk par 5 noskaņojamiem rezonatoriem, kuri spēj noskaņoties 1,5 :1 frekvenču diapazonā (fmax./fmin.) ātrāk par 10 μs, un kam piemīt kāda no turpmāk minētajām īpašībām: a. frekvenču caurlaides joslas platums lielāks par 0,5 % no centrālās frekvences; vai b. frekvenču aiztures joslas platums mazāks par 0,5 % no centrālās frekvences; 6. nepiemēro; 7. konverteri un harmoniski mikseri, kas paredzēti 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. vai 3A002.f. pozīcijā minēto iekārtu frekvenču diapazonu paplašināšanai ārpus tur minētajām robežām; 8. mikroviļņu jaudas pastiprinātāji, kuros izmanto 3A001.b.1. pozīcijā minētās lampas un kuriem ir visi šie raksturlielumi: a. darbības frekvence pret masas attiecību ir lielāka par 3 GHz; b. vidējā izejas jauda ir lielāka par 80 W/kg; un c. tilpums līdz 400 cm3; Piezīme: Kontroli 3A001.b.8. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kas ir paredzētas vai klasificētas ekspluatācijai radiosakaru pakalpojumiem “ITU atvēlētās frekvencēs”, kas nav radiopeilēšana. 9. mikroviļņu jaudas moduļi (MPM), kuros ir vismaz skrejošo viļņu lampa, mikroviļņu “monolīta integrāla shēma” un integrēts elektroniskais jaudas stabilizators un kuriem piemīt visas šīs iezīmes: a. ‘ierosinājuma laiks’ no izslēgta stāvokļa līdz pilnīgam darba stāvoklim ir īsāks par 10 sekundēm. b. tilpums ir mazāks par nominālo maksimālo jaudu vatos, reizinātu ar 10 cm3/W; un c. “momentāns joslas platums” ir lielāks par vienu oktāvu (fmax. > 2fmin.), un ir ievērots kāds no šiem nosacījumiem: 1. frekvencēm līdz 18 GHz (ieskaitot) radiofrekvences izejas jauda lielāka par 100 W; vai 2. frekvence lielāka par 18 GHz. Tehniskas piezīmes: 1. Piemērs tilpuma aprēķināšanai 3A001.b.9.b. pozīcijā: 20 W nominālajai maksimālajai jaudai šis tilpums būtu: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3. 2. ‘Ierosinājuma laiks’ 3A001.b.9.a. pozīcijā ir laiks no pilnībā izslēgta līdz pilnīgam darba stāvoklim; proti, tajā ietverts MPM iesilšanas laiks. 10. oscilatori vai oscilatora bloki, par kuriem norādīts, ka tie darbojas ar visiem šādiem elementiem: a. individuālas blakusfrekvenču joslas (SSB) fāzes trokšņu raksturojums, izteikts dBc/Hz, ir labāks nekā - (126 + 20log10F-20log10f) jebkur 10 Hz < F < 10 kHz frekvencē; un b. individuālas blakusfrekvenču joslas (SSB) fāzes trokšņu raksturojums, izteikts dBc/Hz, ir labāks nekā - (114 + 20log10F-20log10f) jebkur 10 kHz ≤ F < 500 kHz frekvencē; Tehniska piezīme: 3A001.b.10. pozīcijā F ir nobīde no darbības frekvences Hz un f ir darbības frekvence MHz. 11. “frekvences sintezatoru”“elektroniski mezgli”, kuru “frekvenču pārslēgšanās laiku” raksturo kaut kas no turpmāk minētā: a. tas ir īsāks par 156 ps; b. ir īsāks par 100 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 4,8 GHz, bet nepārsniedz 10,6 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 1,6 GHz; c. ir īsāks par 250 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 10,6 GHz, bet nepārsniedz 31,8 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz; d. ir īsāks par 500 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 31,8 GHz, bet nepārsniedz 43,5 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz; e. ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 43,5 GHz, bet nepārsniedz 56 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz; f. ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 56 GHz, bet nepārsniedz 75 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 2,2 GHz; vai g. ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 75 GHz; NB! Attiecībā uz universāla pielietojuma “signālu analizatoriem”, signālu ģeneratoriem, tīklu analizatoriem un mikroviļņu testa uztvērējiem sk. attiecīgi 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. un 3A002.f. pozīciju. c. šādas akustisku viļņu ierīces un tām speciāli konstruētas sastāvdaļas: 1. virsmas akustisku viļņu un virsmas virskārtas akustisku viļņu ierīces ar kādu no šiem raksturlielumiem: a. nesošā frekvence ir lielāka par 6 MHz; b. nesošā frekvence ir lielāka par 1 GHz, bet nepārsniedz 6 GHz, un tai ir kāda no šīm īpašībām: 1. ‘frekvences blakuspīķu atdalīšana’ (pavājinājums) lielāks par 65 dB; 2. maksimālā aiztures laika un f joslas platuma reizinājums (laiks μs × joslas platums MHz) ir lielāks par 100; 3. joslas platums ir lielāks par 250 MHz; vai 4. dispersā aizture ilgāka par 10 μs; vai c. nesošā frekvence ir 1 GHz vai mazāka, un ir kāds no šiem raksturlielumiem: 1. maksimālā aiztures laika un f joslas platuma reizinājums (laiks μs × joslas platums MHz) ir lielāks par 100; 2. dispersā aizture ilgāka par 10 μs; vai 3. ‘frekvences blakuspīķu atdalīšana’ (pavājinājums) lielāks par 65 dB un joslas platumu virs 100 MHz; Tehniska piezīme: ‘Frekvences blakuspīķu atdalīšana’ (pavājinājums) ir maksimālais atdalīšanas rādītājs, kas norādīts tehnisko datu sarakstā. 2. masas (tilpuma) akustisku viļņu ierīces, ar ko var tieši apstrādāt signālus par 6 GHz lielākās frekvencēs; 3. akustiskas un optiskas “signālu apstrādes ierīces”, kurās izmanto akustisku viļņu (tilpuma viļņu vai virsmas viļņu) mijiedarbību ar gaismas viļņiem, ļaujot tieši apstrādāt signālus vai attēlus, ieskaitot spektrālanalīzi, korelāciju vai konvolūciju; Piezīme: Kontroli 3A001.c. pozīcijā neattiecina uz akustiskām viļņu ierīcēm, kurām ir tikai frekvenču joslas filtrs, zemo frekvenču filtrs, augsto frekvenču filtrs vai frekvenču aiztures filtrēšanas vai resonanses funkcija. d. elektroniskas ierīces vai shēmas ar elementiem, kas ražoti no “supravadošiem” materiāliem, kuras ir speciāli konstruētas ekspluatācijai temperatūrā, kas zemāka par vismaz vienas “supravadošas” sastāvdaļas “kritisko temperatūru”, un kurām ir kāds no šiem raksturlielumiem: 1. strāvas komutācija ciparu shēmu “supravadošo” elementu katra elementa kavējuma laika (s) un elementa jaudas izkliedes (W) reizinājums ir mazāks par 10-14 J; vai 2. frekvenču selekcijai visās frekvencēs ir izmantotas rezonanses ķēdes ar Q vērtībām virs 10 000 ; e. augstas enerģijas ierīces: 1. ‘galvaniski elementi’: a. ‘primāri galvaniski elementi’ ar ‘enerģijas blīvumu’ lielāku par 550 Wh/kg pie 20 °C; b. ‘sekundāri galvaniski elementi’ ar ‘enerģijas blīvumu’ lielāku par 300 Wh/kg pie 20 °C; Tehniskas piezīmes: 1. 3A001.e.1. pozīcijā ‘enerģijas blīvumu’ (Wj/kg) aprēķina, reizinot nominālo spriegumu ar nominālo kapacitāti ampērstundās (Ah), dalot ar masu kilogramos. Ja nominālā kapacitāte nav norādīta, enerģijas blīvumu aprēķina, nominālo spriegumu kāpinot kvadrātā un reizinot ar izlādes ilgumu stundās, dalot ar izlādes slodzi omos un ar masu kilogramos. 2. Pozīcijā 3A001.e.1 ‘galvaniskais elements’ ir elektroķīmiska ierīce, kam ir pozitīvs un negatīvs elektrods, elektrolīts un kas ir elektroenerģijas avots. Tas ir baterijas pamatsastāvdaļa. 3. Pozīcijā 3A001.e.1 ‘primārais galvaniskais elements’ ir ‘galvaniskais elements’, ko nav paredzēts uzlādēt no cita avota. 4. 3A001.e.1. pozīcijā ‘sekundārais galvaniskais elements’ ir ‘galvaniskais elements’, ko paredzēts uzlādēt no ārēja elektrības avota. Piezīme: Kontroli 3A001.e. pozīcijā neattiecina uz baterijām, ieskaitot baterijas ar vienu elementu. 2. augstas enerģijas ietilpības kondensatori: NB! Sk. arī 3A201.a. pozīciju un militāro preču kontroles sarakstus. a. kondensatori ar atkārtojuma frekvenci mazāku par 10 Hz (vienas izlādes kondensatori), kuriem ir visi šie raksturlielumi: 1. nominālais spriegums vienāds ar 5 kV vai lielāks; 2. enerģijas blīvums vienāds ar 250 J/kg vai lielāks; un 3. pilna uzlādes enerģija vienāda ar 25 kJ vai lielāka; b. kondensatori ar atkārtojuma frekvenci 10 Hz un lielāku (kondensatori atkārtotas izlādes nominālajam režīmam), kuriem ir visi šie raksturlielumi: 1. nominālais spriegums vienāds ar 5 kV vai lielāks; 2. enerģijas blīvums vienāds ar 50 J/kg vai lielāks; 3. pilna uzlādes enerģija vienāda ar 100 J vai lielāka; un 4. kalpošanas laiks – uzlādes un izlādes ciklu skaits – vienāds ar 10 000 vai lielāks; 3. “supravadoši” elektromagnēti un solenoīdi, kas ir speciāli izstrādāti, lai pilnībā uzlādētos vai izlādētos laikā mazākā par vienu sekundi, un kam ir visi šie raksturlielumi: NB! SK. ARĪ 3A201.b. POZĪCIJU. Piezīme: Kontroli 3A001.e.3. pozīcijā neattiecina uz “supravadošiem” elektromagnētiem un solenoīdiem, ko paredzēts izmantot medicīnā magnētiskas rezonanses caurskates (MRI) iekārtās. a. enerģijas atdeve izlādes pirmajā sekundē ir lielāka par 10 kJ; b. strāvas vadītāju vijumu iekšējais diametrs ir lielāks par 250 mm; un c. nominālā magnētiskā indukcija ir lielāka par 8 T vai “kopējais strāvas blīvums” vijumos ir lielāks par 300 A/mm2; 4. saules enerģijas elementi, elementu, to savienojumu un stikla apvalku (CIC) bloki, saules enerģijas paneļi, kā arī fotoelementu virknes, kas ir “lietojami kosmosā” un kā minimālais vidējais lietderības koeficients 301 K (28 °C) darba temperatūrā simulētā ‘AM0’ apgaismojumā ar starojumu 1 367 vati uz kvadrātmetru (W/m2) ir lielāks par 20 %; Tehniska piezīme: ‘AM0’ jeb ‘gaisa nulles masa’ ir īpašs Saules gaismas starojums Zemes atmosfēras augšējos slāņos, ja Zemes attālums no Saules ir viena astronomiskā vienība (AV). f. rotācijas ieejas absolūtā stāvokļa kodēšanas ierīces, kam precizitāte ir ± 1,0 loka sekunde vai mazāka (labāka); g. cietvielu pulsējošas jaudas tiristoru slēdži un ‘tiristoru moduļi’, kuros izmanto elektriski, optiski vai ar elektronu starojumu vadāmas ieslēgšanas metodes un kuriem ir kādi no šiem raksturlielumiem: 1. maksimālais ieslēgšanas strāvas pieauguma koeficients (di/dt) ir lielāks par 30 000 A/μs un izslēgtā stāvoklī spriegums ir lielāks par 1 100 V; vai 2. maksimālais ieslēgšanas strāvas pieauguma koeficients (di/dt) ir lielāks par 2 000 A/μs un ir visi no šiem raksturlielumiem: a. izslēgtā stāvoklī maksimālais spriegums ir 3 000 V vai lielāks; un b. maksimālais (pārsprieguma) strāvas stiprums ir 3 000 A vai lielāks. 1. piezīme: 3A001.g. pozīcijā ietilpst: — silīcija vadāmie taisngrieži (SCR) — elektriski pārslēdzami tiristori (ETT) — ar gaismu pārslēdzami tiristori (LTT) — komutējoši tiristori ar integrētu aizvaru (IGCT) — ar vadības elektrodu aizverami tiristori (GTO) — tiristori ar MOS vadību (MCT) — solidtroni 2. piezīme: Kontroli 3A001.g. pozīcijā neattiecina uz ierīcēm un ‘tiristoru moduļiem’, kas iebūvēti iekārtās, kuras konstruētas izmantojumam civilā dzelzceļu transportā vai “civilos lidaparātos”. Tehniska piezīme: 3A001.g. pozīcijā minētajā ‘tiristoru modulī’ ir viena vai vairākas tiristoru ierīces. h. cietvielu jaudas pusvadītāju slēdži, diodes vai ‘moduļi’, kam piemīt visas šīs īpašības: 1. paredzētā maksimālā darba pievades temperatūra ir augstāka par 488 K (215 °C); 2. izslēgtā stāvoklī atkārtotais stāvokļa maksimālais spriegums (bloķējošais spriegums) pārsniedz 300 V; un 3. pastāvīgā strāva ir lielāka par 1 A. 1. piezīme: 3A001.h. pozīcijā minētais atkārtoti maksimālais spriegums izslēgtā stāvoklī aptver avota pieplūdes spriegumu, spriegumu no kolektora uz izstarotāju, atkārti maksimālo pretspriegumu un atkārtoti maksimālo apturošo spriegumu izslēgtā stāvoklī. 2. piezīme: 3A001.h. pozīcijā ietilpst: — savienojuma kanāltranzistori (JFET) — vertikālā tipa lauktranzistori (VJFET) — metālu oksīdu pusvadītāju kanāltranzistori (MOSFET) — dubultais kliedētais metālu oksīdu pusvadītāju kanāltranzistors (DMOSFET) — izolēta slēdža bipolārais tranzistors (IGBT) — augsta elektronu kustīguma tranzistori (HEMT) — bipolāri savienojuma tranzistori (BJT) — tiristori un silīcija regulētie taisngrieži (SCR) — ar vadības elektrodu aizverami tiristori (GTO) — emitera aizveramie tiristori (ETO) — PiN diodes — Šotkija diodes piezīme: Kontroli 3A001.h. pozīcijā neattiecina uz slēdžiem, diodēm un ‘moduļiem’, kas iemontēti iekārtās, ko paredzēts izmantot civilas jomas automobiļos, dzelzceļā un lidaparātos. Tehniska piezīme: 3A001.h. pozīcijā ‘moduļos’ ir viens vai vairāki cietvielu jaudas pusvadītāju slēdži vai diodes.