X.B.I.001

Elektroninių komponentų ir medžiagų gamybos įranga ir specialiai suprojektuoti jos komponentai ir pagalbiniai reikmenys. a. Įranga, specialiai suprojektuota gaminti elektroninėms lempoms, optiniams elementams ir specialiai suprojektuotiems jų komponentams, kuriems taikomas 3A001 (2) arba X.A.I.001. b. Įranga, specialiai suprojektuota gaminti puslaidininkiniams įtaisams, integriniams grandynams ir „elektroniniams mazgams“, kaip nurodyta toliau, ir sistemos, į kurias integruota tokia įranga arba kurios turi tokios įrangos charakteristikas: Pastaba: X.B.I.001 b punktas taip pat taikomas įrangai, naudojamai arba modifikuotai naudoti kitiems įtaisams, tokiems kaip vizualizavimo įtaisai, elektrooptiniai įtaisai, akustinių bangų įtaisai, gaminti. 1. toliau nurodyta medžiagų, naudojamų X.B.I.001 b punkto antraštinėje dalyje nurodytiems įtaisams ir komponentams gaminti, apdorojimo įranga: Pastaba: X.B.I.001 netaikomas kvarcinių krosnių vamzdžiams, krosnių išklojoms, mentėms, loveliams (išskyrus specialiai suprojektuotus skirtuvinius lovelius), barboteriams, kasetėms ar tigliams, specialiai suprojektuotiems apdorojimo įrangai, kuriai taikomas X.B.I.001 b punkto 1 papunktis. a. įranga polikristaliniam siliciui ir medžiagoms, kurioms taikomas 3C001 (3), gaminti; b. įranga, specialiai suprojektuota gryninti arba apdoroti III/V ir II/VI puslaidininkinėms medžiagoms, kurioms taikomas 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 arba 3C005 (4), išskyrus kristalų traukiamojo auginimo įrenginius, nurodytus X.B.I.001 b punkto 1 papunkčio c papunktyje; c. toliau nurodyti kristalų traukiamojo auginimo įrenginiai ir krosnys: Pastaba: X.B.I.001 b punkto 1 papunkčio c papunktis netaikomas difuzijos ir oksidavimo krosnims. 1. kita nei pastovios temperatūros krosnys atkaitinimo arba rekristalizacijos įranga, kuri pasižymi didele energijos perdavimo sparta ir kuria galima apdoroti plokšteles didesne nei 0,005 m2 per minutę sparta; 2. ‚pagal nustatytą programą valdomi‘ kristalų traukiamojo auginimo įrenginiai, kuriems būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: a. įkraunami nepakeičiant tiglio talpyklos; b. galintys veikti esant didesniam kaip 2,5 x 105 Pa slėgiui arba c. galintys išauginti didesnio kaip 100 mm skersmens kristalus; d. ‚pagal nustatytą programą valdoma‘ epitaksinio auginimo įranga, kuriai būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: 1. ja galima pagaminti vienodo storio silicio sluoksnį, kurio storio nuokrypis per ne mažesnį kaip 200 mm ilgį yra mažesnis kaip ± 2,5 %; 2. ja galima pagaminti vienodo storio bet kurios kitos medžiagos, išskyrus silicį, sluoksnį, kurio storio nuokrypis per plokštelę yra ne didesnis kaip ± 3,5 %, arba 3. apdorojimo metu vykdoma atskirų plokštelių rotacija; e. molekulpluoščio epitaksinio auginimo įranga; f. magnetiniu lauku spartinamo ‚dulkinimo‘ įranga su specialiai suprojektuotais integruotais įkrovos fiksatoriais, leidžiančiais plokšteles perkelti į izoliuotą vakuuminę terpę; g. specialiai suprojektuota jonų implantavimo, jonais arba šviesa skatinamos difuzijos įranga, kuriai būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: 1. paveikslo sukūrimo galimybė; 2. 200 keV viršijanti pluošto energija (spartinamoji įtampa); 3. optimizuota veikti esant mažesnei kaip 10 keV pluošto energijai (spartinamajai įtampai) arba 4. didelės energijos deguonies implantavimo į pakaitintą „padėklą“ galimybė; h. toliau nurodyta ‚pagal nustatytą programą valdoma‘ anizotropinio sausojo (pvz., plazminio) selektyvaus šalinimo (ėsdinimo) įranga: 1. ‚apdorojimo partijomis aparatai‘, kuriems būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: a. baigmės taško nustatymas kitu nei optinės emisijos spektroskopijos būdu arba b. mažesnis kaip 26,66 Pa reaktoriaus veikimo (ėsdinimo) slėgis; 2. ‚pavienių plokštelių apdorojimo aparatai‘, kuriems būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: a. baigmės taško nustatymas kitu nei optinės emisijos spektroskopijos būdu b. mažesnis kaip 26,66 Pa reaktoriaus veikimo (ėsdinimo) slėgis arba c. plokštelių manipuliavimo naudojant kasečių perkrovimo įtaisus ir įkrovos fiksatorius funkcija; Pastabos: 1. ‚Apdorojimo partijomis aparatai‘ yra aparatai, kurie nėra specialiai suprojektuoti pavienėms gaminamoms plokštelėms apdoroti. Tokiais aparatais galima vienu metu apdoroti dvi ar daugiau plokštelių pagal bendrus proceso parametrus, pvz., aukštadažnio signalo galią, temperatūrą, ėdžiųjų dujų rūšį, srauto spartą. 2. ‚Pavienių plokštelių apdorojimo aparatai‘ yra aparatai, specialiai suprojektuoti pavienėms gaminamoms plokštelėms apdoroti. Šiuose aparatuose gali būti taikomi automatinio plokštelių manipuliavimo metodai atskirai plokštelei įdėti į apdorojimo įrangą. Apibrėžtis apima įrangą, į kurią galima įdėti ir ja apdoroti kelias plokšteles, bet kiekvienai iš jų atskirai nustatomi ėsdinimo parametrai, pvz., aukštadažnio signalo galia ar baigmės taškas. i. „cheminio garinio nusodinimo“, pvz., plazma arba šviesa aktyvuoto cheminio garinio nusodinimo, įranga puslaidininkiniams įtaisams gaminti, turinti bet kurią iš toliau išvardytų savybių nusodinant oksidus, nitridus, metalus ar polikristalinį silicį: 1. „cheminio garinio nusodinimo“ įranga, veikianti esant mažesniam kaip 105 Pa slėgiui, arba 2. plazma aktyvuoto cheminio garinio nusodinimo įranga, veikianti esant mažesniam kaip 60 Pa slėgiui arba turinti automatinio plokštelių manipuliavimo naudojant kasečių perkrovimo įtaisus ir įkrovos fiksatorius funkciją; Pastaba: X.B.I.001 b punkto 1 papunkčio i papunktis netaikomas mažaslėgėms „cheminio garinio nusodinimo“ sistemoms arba reaktyviojo „dulkinimo“ įrangai. j. elektronpluoštės sistemos, kurios specialiai suprojektuotos ar modifikuotos kaukėms gaminti ar puslaidininkiniams įtaisams apdoroti ir kurioms būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: 1. elektrostatinis pluošto kreipimas; 2. kitokios formos nei Gauso pluošto profilis; 3. 3 MHz viršijanti skaitmeninių signalų keitimo analoginiais sparta; 4. 12 bitų viršijantis skaitmeninių signalų keitimo analoginiais tikslumas arba 5. pluošto padėties pagal taikinio grįžtamąjį ryšį valdymas ne mažesniu kaip 1 mikrometro tikslumu; Pastaba: X.B.I.001 b punkto 1 papunkčio j papunktis netaikomas elektronpluoštėms nusodinimo sistemoms arba bendrosios paskirties rastriniams elektroniniams mikroskopams. k. ši paviršiaus glotniojo apdirbimo įranga puslaidininkinėms plokštelėms apdoroti: 1. specialiai suprojektuota įranga plonesnių nei 100 mikrometrų plokštelių kitai pusei apdoroti ir joms vėliau atskirti arba 2. specialiai suprojektuota įranga, kuria pasiekiama, kad apdorotos plokštelės aktyviojo paviršiaus šiurkštis dviejų sigmų intervale būtų ne didesnis kaip 2 mikrometrai, nuskaičius visus rodmenis (TIR); Pastaba: X.B.I.001 b punkto 1 papunkčio k papunktis netaikomas vienpusio pritrynimo ir poliravimo įrangai plokštelių paviršiui glotninti. l. sujungimo įranga, kurioje yra viena ar kelios įprastos vakuumo kameros, specialiai suprojektuotos bet kokiai įrangai, kuriai taikomas X.B.I.001, integruoti į sukomplektuotą sistemą; m. ‚pagal nustatytą programą valdoma‘ įranga, kurioje naudojami „lazeriai“„monolitiniams integriniams grandynams“ pataisyti ar paderinti ir kuriai būdinga bet kuri iš šių charakteristikų: 1. padėties nustatymo tikslumas mažesnis nei ± 1 mikrometras arba 2. taško matmuo (prapjovos plotis) mažesnis kaip 3 mikrometrai; Techninė pastaba. Taikant X.B.I.001 b punkto 1 papunktį, ‚dulkinimas‘ – viršutinio sluoksnio formavimo procesas, kai teigiamųjų jonų judėjimą link taikinio (dengiamosios medžiagos) paviršiaus pagreitina elektrinis laukas. Smūgiuojančių jonų kinetinės energijos užtenka taikinio paviršiaus atomams išmušti ir jiems nusodinti ant padėklo. (Pastaba. Įprastos šio proceso atmainos yra triodinis, magnetroninis arba aukštadažnis dulkinimas dangos adhezijai sustiprinti ir nusėdimo spartai padidinti.) 2. toliau nurodytos kaukės, kaukių padėklai, kaukių gamybos įranga ir vaizdo perkėlimo įranga X.B.I.001 antraštinėje dalyje nurodytiems įtaisams ir komponentams gaminti: Pastaba: Terminu „kaukės“ įvardijamos kaukės, naudojamos elektronpluoštėje litografijoje, rentgeninėje litografijoje ir ultravioletinėje litografijoje, taip pat įprastoje ultravioletinėje ir regimojoje fotolitografijoje. a. gatavos kaukės, jų tarpiniai fotošablonai ir modeliai, išskyrus: 1. gatavas kaukes arba tarpinius fotošablonus integriniams grandynams, kuriems netaikomas 3A001 (5), gaminti arba 2. kaukes ir tarpinius fotošablonus, kuriems būdingos šios abi charakteristikos: a. jų modelis grindžiamas 2,5 ar daugiau mikrometrų geometrija ir b. modelis neturi specialių savybių, leidžiančių pakeisti numatomą paskirtį naudojant gamybos įrangą arba „programinę įrangą“; b. šie kaukių padėklai: 1. kietąja paviršiaus danga (pvz., chromu, siliciu, molibdenu) dengti „padėklai“ (pvz., stiklo, kvarco, safyro) kaukėms, kurių matmenys didesni kaip 125 mm x 125 mm, ruošti arba 2. padėklai, specialiai suprojektuoti rentgeninės litografijos kaukėms; c. kitokia nei bendrosios paskirties kompiuteriai įranga, specialiai suprojektuota puslaidininkinių įtaisų arba integrinių grandynų automatizuotajam projektavimui (CAD); d. ši įranga ar aparatai kaukėms arba tarpiniams fotošablonams gaminti: 1. fotooptinės žingsninės kameros, kuriose galima pagaminti didesnes kaip 100 mm x 100 mm matricas arba vienu kartu eksponuoti daugiau kaip 6 mm x 6 mm vaizdo (t. y. židinio) plokštumoje, arba išvesti mažesnio kaip 2,5 mikrometrų pločio linijas „padėklo“ fotoreziste; 2. kaukių arba tarpinių šablonų gamybos įranga, kurioje naudojama jonpluoštė arba „lazerinė“ litografija ir kuria galima išvesti mažesnio kaip 2,5 mikrometrų pločio linijas, arba 3. įranga arba laikikliai kaukėms ar tarpiniams šablonams keisti arba plėvelėms uždėti siekiant pašalinti defektus; Pastaba: X.B.I.001 b punkto 2 papunkčio d papunkčio 1 ir 2 papunkčiai netaikomi kaukių gamybos įrangai, kurioje naudojami fotooptiniai metodai ir kurią buvo galima įsigyti rinkoje iki 1980 m. sausio 1 d. arba kurios veikimo charakteristikos nėra geresnės nei tokios įrangos. e. ‚pagal nustatytą programą valdoma‘ įranga kaukėms, tarpiniams šablonams arba plėvelėms tikrinti, kurios: 1. skiriamoji geba yra 0,25 mikrometro ar geresnė ir 2. tikslumas ne mažesniu kaip 63,5 mm vienos ar dviejų koordinačių atstumu yra ne mažesnis kaip 0,75 mikrometro; Pastaba: X.B.I.001 b punkto 2 papunkčio e papunktis netaikomas bendrosios paskirties rastriniams elektroniniams mikroskopams, išskyrus tuos, kurie specialiai suprojektuoti ir pritaikyti automatiniam paveikslų tikrinimui. f. tapdinimo ir eksponavimo įranga plokštelėms gaminti naudojant fotooptinius ar rentgeno spinduliuotės metodus, pvz., litografijos įranga, įskaitant tiek projekcijos vaizdo perkėlimo įrangą, tiek žigsninio eksponavimo (tiesioginio žingsninio plokštelės eksponavimo) arba žingsninio multiplikavimo įrangą, kuria galima atlikti bet kurią iš toliau nurodytų funkcijų: Pastaba: X.B.I.001 b punkto 2 papunkčio f papunktis netaikomas fotooptinio sąlytinio ir nesąlytinio kaukių tapdinimo ir eksponavimo įrangai arba sąlytinio vaizdo perkėlimo įrangai. 1. mažesnio kaip 2,5 mikrometrų dydžio paveikslo sukūrimas; 2. tapdinimas didesniu kaip ± 0,25 mikrometro (3 sigmų intervale) tikslumu; 3. ne geresnis kaip ± 0,3 mikrometro tapdinimas perkeliant iš vieno aparato į kitą arba 4. šviesos šaltinio, kurio bangos ilgis mažesnis kaip 400 nm, naudojimas; g. elektronpluoštė, jonpluoštė arba rentgeninė projekcijos vaizdo perkėlimo įranga, kuria galima sukurti mažesnius kaip 2,5 mikrometro paveikslus; Pastaba: Dėl sufokusuoto kreipiamojo pluošto sistemų (tiesioginio vaizdo sukūrimo sistemų) žr. X.B.I.001 b punkto 1 papunkčio j papunktį. h. įranga, kurioje naudojami „lazeriai“ vaizdui tiesiai plokštelėje sukurti ir kuria galima sukurti mažesnius kaip 2,5 mikrometro paveikslus; 3. ši įranga integriniams grandynams surinkti: a. ‚pagal nustatytą programą valdomi‘ lustų prijungtuvai, kuriems būdingos visos šios charakteristikos: 1. specialiai suprojektuoti „hibridiniams integriniams grandynams“; 2. XY pozicionavimo slinktis, viršijanti 37,5 x 37,5 mm, ir 3. išdėliojimo XY plokštumoje tikslumas, didesnis nei ± 10 mikrometrų; b. ‚pagal nustatytą programą valdoma‘ įranga keliems lustams per vieną operaciją pagaminti (pvz., sijinių išvadų prijungtuvai, lusto laikiklio prijungtuvai, juostinio tiekiklio išvadų prijungtuvai); c. pusiau automatiniai arba automatiniai karštojo gaubtelių sandarinimo aparatai, kuriais gaubtelis lokaliai įkaitinamas iki aukštesnės nei korpuse esančio objekto temperatūros, kurie specialiai suprojektuoti keraminiams grandynų, kuriems taikomas 3A001 (6), korpusams ir kuriais per minutę užsandarinamas ne mažiau kaip vienas korpusas; Pastaba: X.B.I.001 b punkto 3 papunktis netaikomas bendrosios paskirties varžinio taškinio suvirinimo aparatams. 4. švariųjų patalpų filtrai, kuriais galima užtikrinti, kad ne didesnių kaip 0,3 mikrometro dalelių skaičius ore neviršytų 10 dalelių 0,02832 m3, ir tokių filtrų medžiagos. Techninė pastaba. Taikant X.B.I.001, ‚valdomas pagal nustatytą programą‘ yra valdomas pagal elektroninėje atmintinėje saugomas komandas, kurias procesorius gali įvykdyti, kai norima atlikti iš anksto numatytas funkcijas. Įranga gali būti ‚valdoma pagal nustatytą programą‘, nepaisant to, ar elektroninė atmintinė yra įrangos viduje ar išorėje.