3A001

Elektroniniai komponentai ir specialiai suprojektuoti jų komponentai, išvardyti toliau: a. bendrosios paskirties integriniai grandynai, išvardyti toliau: 1 pastaba: (Baigtų arba pusiau baigtų) puslaidininkinių plokštelių, kurių funkcijos yra apibrėžtos, kontrolės statusas yra įvertinamas pagal 3A001.a parametrus. 2 pastaba: Integriniams grandynams priskiriami: — „monolitiniai integriniai grandynai“; — „hibridiniai integriniai grandynai“; — „daugialusčiai integriniai grandynai“; — „sluoksniniai integriniai grandynai“, įskaitant silicio ant safyro integrinius grandynus; — „optiniai integriniai grandynai“; — „trimačiai integriniai grandynai“. 1. integriniai grandynai, suprojektuoti ar įvardyti kaip atsparūs jonizuojančiajai spinduliuotei ir atlaikantys bet kurią iš šių verčių: a. suminę spinduliuotės dozę 5 × 103 Gy (Si) ar didesnę; b. pažaidos dozės galią 5 × 106 Gy (Si)/s ar didesnę arba c. neutronų įtėkis (suminis srautas) (1MeV ekvivalentas) į silicį, lygus 5 × 1013 n/cm2 arba didesnis, ar jo ekvivalentas kitoms medžiagoms; Pastaba: 3A001.a.1.c netaikomas metaliniams izoliaciniams puslaidininkiams (MIS). 2. „integriniai mikroprocesorių grandynai“, „integriniai mikrokompiuterių grandynai“, integriniai mikrovaldiklių grandynai, integriniai atmintinės grandynai, pagaminti iš sudėtinių puslaidininkių, skaitmeniniai analogo keitikliai, analoginiai skaitmenų keitikliai, elektrooptiniai arba „optiniai integriniai grandynai“, suprojektuoti signalams apdoroti, vartotojo programuojami loginiai įtaisai, užsakomieji integriniai grandynai, kurių arba funkcijos nėra žinomos, arba įrangos, kurioje bus naudojami integriniai grandynai, kontrolės statusas yra nežinomas, sparčiosios Furjė transformacijos (FFT) procesoriai, elektra trinamos programuojamosios pastoviosios atmintinės (EEPROMs), kibirkštimi formuojamos atmintinės arba statinės laisvosios kreipties atmintinės (SRAMs), turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. skirti veikti aplinkos temperatūroje, didesnėje kaip 398 K (125 °C); b. skirti veikti aplinkos temperatūroje, mažesnėje kaip 218 K (- 55 °C) arba c. skirti veikti aplinkos temperatūros srityje nuo 218 K (- 55 °C) iki 398 K (125 °C); Pastaba: 3A001.a.2 netaikomas integriniams grandynams, naudojamiems civiliniuose automobiliuose ar traukiniuose. 3. „integriniai mikroprocesorių grandynai“, „integriniai mikrokompiuterių grandynai“ ir integriniai mikrovaldiklių grandynai, pagaminti iš sudėtinių puslaidininkių ir veikiantys esant didesniam kaip 40 MHz taktų dažniui; Pastaba: 3A001.a.3 priskiriami skaitmeniniai signalų procesoriai, skaitmeniniai matricų procesoriai ir skaitmeniniai koprocesoriai. 4. nenaudojama; 5. skaitmeninių analogo keitiklių ir analoginių skaitmenų keitiklių integriniai grandynai, išvardyti toliau: a. turintys bet kurią iš šių charakteristikų: N.B.: TAIP PAT ŽR. 3A101 1. 8 bitų ar didesnę, bet mažesnę kaip 10 bitų skiriamąją gebą su didesne kaip 1 000 milijonų žodžių per sekundę išvesties sparta; 2. 10 bitų ar didesnę, bet mažesnę kaip 12 bitų skiriamąją gebą su didesne kaip 300 milijonų žodžių per sekundę išvesties sparta; 3. 12 bitų skiriamąją gebą su didesne kaip 200 milijono žodžių per sekundę išvesties sparta; 4. 12 bitų ar didesnę, bet mažesnę kaip 14 bitų, skiriamąją gebą su didesne kaip 125 milijonų žodžių per sekundę išvesties sparta arba 5. didesnę kaip 14 bitų skiriamąją gebą su didesne kaip 20 milijono žodžių per sekundę išvesties sparta; Techninės pastabos: 1. n bitų skiriamoji geba atitinka 2n lygių diskretizavimą. 2. Bitų skaičius išvedamame žodyje prilygsta skaitmeninio analogo keitiklio skiriamajai gebai. 3. Išvesties sparta yra keitiklio maksimali išvesties sparta, neatsižvelgiant į architektūrą ar perdiskretizavimą. 4. ‚Daugelio kanalų skaitmeninių analogų keitiklių‘ gaunamas signalas nėra sumuojamas ir signalo stiprumą sudaro vieno kanalo didžiausias signalo stiprumas. 5. ‚Darbo pasidalijimo skaitmeninių analogo keitiklių‘ arba ‚daugelio kanalų skaitmeninių analogo keitiklių‘, kurie pagal specifikacijas dirba darbo pasidalijimo režimu, atveju gauti rezultatai yra sumuojami ir išvesties sparta yra didžiausia sudėta visų išvesčių bendra išvesties sparta. 6. Pardavėjai išvesties spartą taip pat gali nurodyti kaip diskretizavimo spartą, keitimo spartą ar pralaidos spartą. Ji dažnai nurodoma megahercais (MHz) arba megaatskaitomis per sekundę (MSPS). 7. Matuojant išvesties spartą vienas išvedamas žodis per sekundę prilygsta vienam hercui arba vienai atskaitai per sekundę. 8. ‚Daugelio kanalų skaitmeniniai analogo keitikliai‘ – prietaisai, kuriuose yra daugiau nei vienas skaitmeninis analogo keitiklis, suprojektuoti taip, kad kiekvienas skaitmeninis analogo keitiklis turėtų atskirą analoginę įvestį. 9. ‚Darbo pasidalijimo skaitmeniniai analogo keitikliai‘ – prietaisai, kuriuose yra keli skaitmeniniai analogo keitikliai, kurie tą patį analoginės įvesties signalą diskretizuoja skirtingu metu ir kai galutinis rezultatas susumuojamas, analoginė įvestis yra veiksmingai diskretizuojama ir konvertuojama didesne diskretizavimo sparta. b. analoginiai skaitmenų keitikliai, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: 1. 10 bitų ar didesnę skiriamąją gebą, kai ‚koreguota atnaujinimo sparta‘ yra bent 3 500 megaatskaitų per sekundę (MSPS), arba 2. 12 bitų ar didesnę skiriamąją gebą, kai ‚koreguota atnaujinimo sparta‘ yra bent 1 250 megaatskaitų per sekundę (MSPS) ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: a. visos matavimo skalės etapo atžvilgiu nusistovėjimo trukmė iki 0,024 % visos matavimo skalės trumpesnė nei 9 ns arba b. ‚dinaminis diapazonas be parazitinių priemaišų‘ (SFDR) didesnis nei 68 dBc (nešlys), kai sintezuojamas 100 MHz visos skalės analoginis signalas arba didžiausias visos skalės analoginis signalas, kurio dažnis pagal specifikaciją mažesnis nei 100 MHz. Techninės pastabos: 1. ‚Dinaminis diapazonas be parazitinių priemaišų‘ (SFDR) – įvesties analoginiame skaitmenų keitiklyje nešlio dažnio (maksimalus signalo komponentas) vidutinės kvadratinės vertės (RMS) santykis su didžiausio triukšmo ar netiesinio iškreipio išvestyje vidutine kvadratine verte (RMS). 2. SFDR nustatomas tiesiogiai pagal specifikacijos lentelę arba SFDR ir dažnio palyginamuosius charakterizavimo grafikus. 3. Nustatoma, kad signalas yra visos skalės, kai jo amplitudė didesnė nei - 3 dBfs (visa skalė). 4. Analoginių skaitmenų keitiklių ‚koreguota atnaujinimo sparta‘: a. įprastinių (neinterpoliacinių) analoginių skaitmenų keitiklių ‚koreguota atnaujinimo sparta‘ – skaitmeninio signalo keitimo į analoginį signalą sparta ir išvesties analoginių verčių keitimo analoginiu skaitmenų keitikliu sparta. Analoginis skaitmenų keitiklis, kuriame interpoliacijos režimas gali būti netaikomas (interpoliacijos koeficientas lygus vienetui), turėtų būti laikomas įprastiniu (neinterpoliaciniu) analoginiu skaitmenų keitikliu; b. interpoliaciniuose analoginiuose skaitmenų keitikliuose (perdiskretizavimo analoginiai skaitmenų keitikliai) ‚koreguota atnaujinimo sparta‘ yra analoginių skaitmenų keitiklių atnaujinimo sparta, padalinta iš mažiausio interpoliacijos koeficiento. Interpoliaciniuose analoginiuose skaitmenų keitikliuose ‚koreguota atnaujinimo sparta‘ gali būti vadinama kitaip, pavyzdžiui: — duomenų įvesties sparta — žodžių įvesties sparta — įvesties diskretizavimo sparta — didžiausia bendra įvesties magistralės sparta — didžiausias analoginio skaitmenų keitiklio takto dažnis analoginio skaitmenų keitiklio takto įvesties atžvilgiu. 6. elektrooptiniai ir „optiniai integriniai signalų apdorojimo grandynai“, turintys visus šiuos elementus: a. vieną ar daugiau vidinių „lazerinių“ diodų; b. vieną ar daugiau vidinių šviesos jutiklių ir c. optinius bangolaidžius; 7. ‚vartotojo programuojami loginiai įtaisai‘, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. maksimalus skaitmeninių įvadų/išvadų skaičius yra didesnis nei 500 arba b. ‚bendra didžiausia vienkrypčio nuolatinio duomenų perdavimo siųstuvu sparta‘ yra 200 Gb/s arba didesnė; Pastaba: 3A001.a.7 priskiriami: — paprastieji programuojamieji loginiai įtaisai (SPLD); — sudėtingieji programuojamieji loginiai įtaisai (CPLD); — vartotojo programuojamos loginių elementų matricos (FPGA); — vartotojo programuojamos loginės matricos (FPLA); — vartotojo programuojami vidiniai sujungimai (FPIC). Techninės pastabos: 1. ‚Vartotojo programuojami loginiai įtaisai‘ yra taip pat žinomi kaip vartotojo programuojami loginiai elementai arba vartotojo programuojamos loginės matricos. 2. 3A001.a.7.a maksimalus skaitmeninių įvadų/išvadų skaičius taip pat vadinamas maksimaliu naudotojo įvadų/išvadų skaičiumi arba maksimaliu galimu įvadu/išvadų skaičiumi, neatsižvelgiant į tai, ar integruotas grandynas yra izoliuotas ar neizoliuotas lustas. 3. ‚Bendra didžiausia vienkrypčio nuolatinio duomenų perdavimo siųstuvu sparta‘ gaunama didžiausią vienkrypčio nuolatinio duomenų perdavimo siųstuvu spartą padauginus iš stočių FPGA skaičiaus. 8. nenaudojama; 9. neuroniškieji integriniai grandynai; 10. užsakomieji integriniai grandynai, kurių funkcija yra nežinoma arba įrangos, kurioje integriniai grandynai bus naudojami, kontrolės statusas gamintojui nėra žinomas, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. daugiau kaip 1 500 galinių įtaisų; b. tipinę „pagrindinę loginio elemento vėlinimo trukmę“, mažesnę kaip 0,02 ns, arba c. didžiausią veikimo dažnį, viršijantį 3 GHz; 11. skaitmeniniai integriniai grandynai, kitokie nei aprašytieji 3A001.a.3–a.10 ir 3A001.a.12, kurių pagrindą sudaro bet kurie sudėtiniai puslaidininkiai ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. ekvivalentinių loginių elementų skaičių, didesnį kaip 3 000 (2-jų įėjimų loginiai elementai), arba b. perjungimo taktų dažnį, viršijantį 1,2 GHz; 12. sparčiosios Furjė transformacijos (FFT) procesoriai, turintys N taškų kompleksinės sparčiosios Furjė transformacijos vardinę vykdymo trukmę, mažesnę kaip N log2 N/20 480 ms, kur N yra taškų skaičius; Techninė pastaba: Kur N lygus 1 024 taškams, pagal 3A001.a.12 formulę vykdymo trukmė lygi 500 μs. 13. tiesioginio skaitmeninio sintezatoriaus (DDS) integriniai grandynai, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. analoginių skaitmenų keitiklių (DAC) taktų dažnis didesnis kaip 3,5 GHz, o DAC rezoliucija didesnė kaip 10 bitų, bet mažesnė kaip 12 bitų; arba b. DAC taktų dažnis didesnis kaip 1,25 GHz, o DAC rezoliucija didesnė kaip 12 bitų; Techninė pastaba: DAC taktų dažnis gali būti nurodomas kaip pagrindinis taktų dažnis arba kaip įvesties taktų dažnis. b. mikrobangų arba milimetrinių bangų komponentai išvardyti toliau: Techninė pastaba: Taikant 3A001.b, didžiausia išvesties soties galia gaminio duomenų lapuose taip pat gali būti nurodyta kaip išvesties galia, išvesties soties galia, maksimali išvesties galia, didžiausia išvesties galia arba didžiausia gaubtinė galia. 1. elektroninės lempos ir katodai, išvardyti toliau: 1 pastaba: 3A001.b.1 netaikomas elektroninėms lempoms, suprojektuotoms ar skirtoms veikti bet kurioje dažnių juostoje, kuri turi visas šias charakteristikas: a. neviršija 31,8 GHz ir b. yra „paskirta Tarptautinės telekomunikacijų sąjungos (ITU)“ radijo ryšių paslaugoms teikti, bet ne radijo ryšiui nustatyti. 2 pastaba: 3A001.b.1 netaikomas „netinkamoms naudoti kosmose“ eklektroninėms lempoms, turinčioms visas išvardytas charakteristikas: a. kurių vidutinė išėjimo galia yra 50 W ar mažesnė ir b. kurios suprojektuotos ar skirtos veikti bet kurioje dažnių juostoje, kuri turi visas išvardytas charakteristikas: 1. viršija 31,8 GHz, bet neviršija 43,5 GHz ir 2. yra „paskirta Tarptautinės telekomunikacijų sąjungos (ITU)“ radijo ryšių paslaugoms teikti, bet ne radijo ryšiui nustatyti. a. impulsinės arba nuolatinio veikimo bėgančiosios bangos lempos, išvardytos toliau: 1. veikiančios 31,8 GHz viršijančiais dažniais; 2. turinčios katodo kaitinimo elementą, kurio įšilimo trukmė vardinei aukštųjų dažnių galiai pasiekti yra mažesnė kaip 3 sekundės; 3. bėgančiosios bangos lempos su susietaisiais rezonatoriais arba jų atmainos, kurių „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 7 % arba didžiausioji galia viršija 2,5 kW; 4. spiralinės bėgančiosios bangos lempos arba jų atmainos, turinčios bet kurią iš šių charakteristikų: a. „akimirkinį dažnių juostos plotį“, didesnį kaip viena oktava, ir vidutinės galios (išreikštos kW) ir dažnio (išreikšto GHz) sandaugą, didesnę kaip 0,5 ; b. „akimirkinį dažnių juostos plotį“, lygų arba mažesnį už vieną oktavą, ir vidutinės galios (išreikštos kW) ir dažnio (išreikšto GHz) sandaugą, didesnę kaip 1, arba c. „tinkami naudoti kosmose“; b. magnetroninės stiprintuvinės lempos, kurių stiprinimo koeficientas didesnis kaip 17 dB; c. impregnuotieji elektroninių vamzdžių katodai, turintys norminėmis veikimo sąlygomis nuolatinės emisijos srovės tankį, viršijantį 5 A/cm2; 2. mikrobanginių „monolitinių integrinių grandynų“ (MMIC) galios stiprintuvai, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. skirti veikti dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, bet ne didesniais kaip 6,8 GHz, kurių „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 15 % ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 75 W (48,75 dBm) dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, bet ne didesniais kaip 2,9 GHz; 2. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 55 W (47,4 dBm) dažniais, viršijančiais 2,9 GHz, bet ne didesniais kaip 3,2 GHz; 3. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 40 W (46 dBm) dažniais, viršijančiais 3,2 GHz, bet ne didesniais kaip 3,7 GHz, arba 4. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 20 W (43 dBm) dažniais, viršijančiais 3,7 GHz, bet ne didesniais kaip 6,8 GHz; b. skirti veikti dažniais, viršijančiais 6,8 GHz, bet ne didesniais kaip 16 GHz, kurių „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 % ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 10 W (40 dBm) dažniais, viršijančiais 6,8 GHz, bet ne didesniais kaip 8,5 GHz, arba 2. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 5 W (37 dBm) dažniais, viršijančiais 8,5 GHz, bet ne didesniais kaip 16 GHz; c. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 3 W (34,77 dBm) dažniais, viršijančiais 16 GHz, bet ne didesniais kaip 31,8 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 %; d. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 0,1 nW (-70 dBm) dažniais, viršijančiais 31,8 GHz, bet ne didesniais kaip 37 GHz; e. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 1 W (30 dBm) dažniais, viršijančiais 37 GHz, bet ne didesniais kaip 43,5 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 %; f. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 31,62 mW (15 dBm) dažniais, viršijančiais 43,5 GHz, bet ne didesniais kaip 75 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 %; g. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 10 mW (10 dBm) dažniais, viršijančiais 75 GHz, bet ne didesniais kaip 90 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 5 %, arba h. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 0,1 nW (-70 dBm) dažniais, viršijančiais 90 GHz; 1 pastaba: Nenaudojama. 2 pastaba: MMIC, kurio norminis darbinis dažnis apima dažnius, išvardytus daugiau negu viename dažnių intervale, kaip apibrėžta 3A001.b.2.a–3A001.b.2.h, kontrolės statusas nustatomas pagal mažiausią didžiausios soties išėjimo galios ribinę vertę. 3 pastaba: Prie 3A kategorijos esančios 1 ir 2 pastabos reiškia, kad 3A001.b.2 netaikomas MMIC, jeigu jie yra specialiai suprojektuoti kitiems tikslams, pvz., telekomunikacijoms, radarams, automobiliams. 3. diskretiniai mikrobanginiai tranzistoriai, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. skirti veikti dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, bet ne didesniais kaip 6,8 GHz, ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 400 W (56 dBm) dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, bet ne didesniais kaip 2,9 GHz; 2. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 205 W (53,12 dBm) dažniais, viršijančiais 2,9 GHz, bet ne didesniais kaip 3,2 GHz; 3. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 115 W (50,61 dBm) dažniais, viršijančiais 3,2 GHz, bet ne didesniais kaip 3,7 GHz, arba 4. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 60 W (47,78 dBm) dažniais, viršijančiais 3,7 GHz, bet ne didesniais kaip 6,8 GHz; b. skirti veikti dažniais, viršijančiais 6,8 GHz, bet ne didesniais kaip 31,8 GHz, ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 50 W (47 dBm) dažniais, viršijančiais 6,8 GHz, bet ne didesniais kaip 8,5 GHz; 2. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 15 W (41,76 dBm) dažniais, viršijančiais 8,5 GHz, bet ne didesniais kaip 12 GHz; 3. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 40 W (46 dBm) dažniais, viršijančiais 12 GHz, bet ne didesniais kaip 16 GHz, arba 4. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 7 W (38,45 dBm) dažniais, viršijančiais 16 GHz, bet ne didesniais kaip 31,8 GHz; c. skirti veikti, kai didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 0,5 W (27 dBm) dažniais, viršijančiais 31,8 GHz, bet ne didesniais kaip 37 GHz; d. skirti veikti, kai didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 1 W (30 dBm) dažniais, viršijančiais 37 GHz, bet ne didesniais kaip 43,5 GHz; e. skirti veikti, kai didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 0,1 nW (-70 dBm) dažniais, viršijančiais 43,5 GHz; 1 pastaba: Tranzistoriaus, kurio norminis darbinis dažnis apima dažnius, išvardytus daugiau negu viename dažnių intervale, kaip apibrėžta 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e, kontrolės statusas nustatomas pagal mažiausią didžiausios soties išėjimo galios ribinę vertę. 2 pastaba: 3A001.b.3 apima izoliuotus lustus, lustus, montuojamus ant nešlių, arba lustus, sumontuotus į rinkinius. Kai kurie diskretiniai tranzistoriai taip pat gali būti vadinami galios stiprintuvais, tačiau šių diskretinių tranzistorių statusas nustatomas pagal 3A001.b.3. 4. mikrobanginiai kietojo kūno stiprintuvai ir mikrobanginiai mazgai/moduliai su mikrobanginiais kietojo kūno stiprintuvais, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. skirti veikti dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, bet ne didesniais kaip 6,8 GHz, kurių „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 15 % ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 500 W (57 dBm) dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, bet ne didesniais kaip 2,9 GHz; 2. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 270 W (54,3 dBm) dažniais, viršijančiais 2,9 GHz, bet ne didesniais kaip 3,2 GHz; 3. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 200 W (53 dBm) dažniais, viršijančiais 3,2 GHz, bet ne didesniais kaip 3,7 GHz, arba 4. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 90 W (49,54 dBm) dažniais, viršijančiais 3,7 GHz, bet ne didesniais kaip 6,8 GHz; b. skirti veikti dažniais, viršijančiais 6,8 GHz, bet ne didesniais kaip 31,8 GHz, kurių „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 % ir turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 70 W (48,54 dBm) dažniais, viršijančiais 6,8 GHz, bet ne didesniais kaip 8,5 GHz; 2. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 50 W (47 dBm) dažniais, viršijančiais 8,5 GHz, bet ne didesniais kaip 12 GHz; 3. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 30 W (44,77 dBm) dažniais, viršijančiais 12 GHz, bet ne didesniais kaip 16 GHz, arba 4. didžiausia išvesties soties galia didesnė nei 20 W (43 dBm) dažniais, viršijančiais 16 GHz, bet ne didesniais kaip 31,8 GHz; c. skirti veikti, kai didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 0,5 W (27 dBm) dažniais, viršijančiais 31,8 GHz, bet ne didesniais kaip 37 GHz; d. skirti veikti, kai didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 2 W (33 dBm) dažniais, viršijančiais 37 GHz, bet ne didesniais kaip 43,5 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 %; e. skirti veikti dažniais, viršijančiais 43,5 GHz, ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 0,2 W (23 dBm) dažniais, viršijančiais 43,5 GHz, bet ne didesniais kaip 75 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 10 %; 2. didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 20 mW (13 dBm) dažniais, viršijančiais 75 GHz, bet ne didesniais kaip 90 GHz, o „akimirkinis dažnių juostos plotis“ yra didesnis kaip 5 %, arba 3. didžiausia soties išėjimo galia didesnė nei 0,1 nW (-70 dBm) dažniais, viršijančiais 90 GHz, arba f. skirti veikti dažniais, viršijančiais 2,7 GHz, ir turintys visas šias charakteristikas: 1. didžiausia soties galia (vatais) Psat didesnė nei 400, padalinta iš didžiausio veikimo dažnio (GHz) kvadratu [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. „akimirkinį dažnių juostos plotį“, ne mažesnį kaip 5 %, ir 3. bet kurias vienai kitai statmenas sieneles, kurių kiekvienos ilgis d (cm) yra lygus 15 arba mažesnis, padalinus iš mažiausio darbinio dažnio, matuojamo GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Techninė pastaba: 2,7 GHz turėtų būti naudojamas kaip mažiausias veikimo dažnis (fGHz) 3A001.b.4.f.3 nurodytoje formulėje, stiprintuvams, kurių norminė veikimo sritis žemėja iki 2,7 GHz ir mažiau [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. N.B.: MMIC galios stiprintuvai turėtų būti įvertinami pagal 3A001.b.2. kriterijus. 1 pastaba: Nenaudojama. 2 pastaba: Objekto, kurio norminis darbinis dažnis apima dažnius, išvardytus daugiau negu viename dažnių intervale, kaip apibrėžta 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e, kontrolės statusas nustatomas pagal mažiausią didžiausios soties išėjimo galios ribinę vertę. 3 pastaba: 3A001.b.4 apima perdavimo/priėmimo modulius ir perdavimo modulius. 5. elektroninio arba magnetinio derinimo juostiniai arba užtvariniai filtrai, turintys daugiau kaip 5 derinamuosius rezonatorius, leidžiančius perderinti dažnių juostą (fmax./fmin.) santykiu 1,5 :1 per mažiau kaip 10 μs, ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. praleidimo dažnių juostos plotį, didesnį kaip 0,5 % centrinio dažnio, arba b. užtvarinių dažnių juostos plotį, mažesnį kaip 0,5 % centrinio dažnio; 6. nenaudojama; 7. keitikliai ir harmoniniai maišikliai, suprojektuoti išplėsti 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e arba 3A002.f nurodytus įrangos dažnių diapazonus, viršijančius jų nustatytas ribines vertes; 8. mikrobanginiai galios stiprintuvai su elektroninėmis lempomis, nurodytomis 3A001.b.1, turintys visas šias charakteristikas: a. veikimo dažnius, viršijančius 3 GHz; b. vidutinio išėjimo galios ir masės santykį, viršijantį 80 W/kg, ir c. mažesnį nei 400 cm3 tūrį; Pastaba: 3A001.b.8 netaikomas įrangai, suprojektuotai ar skirtai veikti bet kurioje dažnių juostoje, „Tarptautinės telekomunikacijų sąjungos (ITU) paskirtoje“ radijo ryšių paslaugoms teikti, bet ne radijo ryšiui nustatyti. 9. mikrobanginiai galios moduliai (MPM), sudaryti bent iš bėgančiosios bangos lempos, mikrobanginio „monolitinio integrinio grandyno“ ir integruoto elektroninio galios kondicionieriaus, turintys visas šias charakteristikas: a. trumpesnę nei 10 sekundžių ‚įjungimo trukmę‘ nuo neveikiančio iki pilno pajėgumo; b. tūrį, mažesnį nei maksimali vardinė galia vatais, padauginta iš 10 cm3/W, ir c. „akimirkinį dažnių juostos plotį“, didesnį nei viena oktava (fmax. > 2fmin.), ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: 1. 18 GHz arba mažesnių dažnių atveju, RF išėjimo galią, didesnę nei 100 W, arba 2. dažnius, viršijančius 18 GHz; Techninės pastabos: 1. Norint apskaičiuoti 3A001.b.9.b nurodytą tūrį, pateikiamas šis pavyzdys: kai maksimali vardinė galia yra 20 W, tai tūris būtų: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. 3A001.b.9.a nurodyta ‚įjungimo trukmė‘ reiškia įjungimo laiką nuo neveikiančio iki pilno pajėgumo, t. y. tai apima MPM kaitimo laiką. 10. generatoriai ar generatorių sąrankos, skirti veikti esant visoms šioms charakteristikoms: a. vienpusės šalinės juostos (SSB) fazinis triukšmas, išreikštas dBc/Hz, mažesnis kaip - (126 + 20log10F-20log10f) bet kuriame 10 Hz < F < 10 kHz diapazone ir b. vienpusės šalinės juostos (SSB) fazinis triukšmas, išreikštas dBc/Hz, mažesnis kaip - (114 + 20log10F-20log10f) bet kuriame 10 kHz ≤ F < 500 kHz diapazone; Techninė pastaba: Taikant 3A001.b.10, F – nuokrypis nuo veikimo dažnio, Hz, o f – veikimo dažnis, MHz. 11. „dažnių sintezatoriaus“„elektroniniai mazgai“, turintys „dažnių perjungimo trukmę“, bet kurią iš nurodytų: a. mažesnę nei 156 ps; b. mažesnę nei 100 μs bet kurio dažnio pakeitimo atveju, kai jis viršija 1,6 GHz, ir kai sintezuojamų dažnių juosta viršija 4,8 GHz, bet neviršija 10,6 GHz; c. mažesnę nei 250 μs bet kurio dažnio pakeitimo atveju, kai jis viršija 550 MHz, ir kai sintezuojamų dažnių juosta viršija 10,6 GHz, bet neviršija 31,8 GHz; d. mažesnę nei 500 μs bet kurio dažnio pakeitimo atveju, kai jis viršija 550 MHz, ir kai sintezuojamų dažnių juosta viršija 31,8 GHz, bet neviršija 43,5 GHz; e. mažesnę nei 1 ms bet kurio dažnio pakeitimo atveju, kai jis viršija 550 MHz, ir kai sintezuojamų dažnių juosta viršija 43,5 GHz, bet neviršija 56 GHz; f. mažesnę nei 1 ms bet kurio dažnio pakeitimo atveju, kai jis viršija 2,2 GHz, ir kai sintezuojamų dažnių juosta viršija 56 GHz, bet neviršija 75 GHz, arba g. mažesnę nei 1 ms, kai sintezuojamų dažnių juosta viršija 75 GHz; N.B.: Bendrosios paskirties „signalų analizatorių“, signalų generatorių, elektrinių grandinių analizatorių ir mikrobanginių matavimo imtuvų atveju atitinkamai žr. 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ir 3A002.f. c. akustinių bangų įtaisai, išvardyti toliau, ir specialiai jiems suprojektuoti komponentai: 1. paviršinių akustinių bangų ir priepaviršinių tūrinių akustinių bangų įtaisai, turintys bet kurią iš šių charakteristikų: a. nešlio dažnį, viršijantį 6 GHz; b. nešlio dažnį, viršijantį 1 GHz, bet neviršijantį 6 GHz; ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: 1. ‚šalinio dažnių lapelio malšinimo koeficientą‘, viršijantį 65 dB; 2. didžiausiosios vėlinimo trukmės ir juostos pločio sandaugą (laikas [μs], juostos plotis [MHz]), didesnę kaip 100; 3. dažnius, viršijančius 250 MHz, arba 4. dispersinio vėlinimo trukmę, didesnę kaip 10 μs, arba c. nešlio dažnį, neviršijantį 1 GHz, ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: 1. didžiausiosios vėlinimo trukmės ir juostos pločio sandaugą (laikas [μs], juostos plotis [MHz]), didesnę kaip 100; 2. dispersinio vėlinimo trukmę, didesnę kaip 10 μs, arba 3. ‚šalinio dažnių lapelio malšinimo koeficientą‘, viršijantį 65 dB, ir juostos plotį, didesnį kaip 100 MHz; Techninė pastaba: ‚Šalinio dažnių lapelio malšinimo koeficientas‘ yra didžiausia malšinimo koeficiento vertė, nurodyta duomenų lape. 2. tūrinių akustinių bangų įtaisai, kurie leidžia tiesiogiai apdoroti didesnio kaip 6 GHz dažnio signalus; 3. akustiniai – optiniai „signalų apdorojimo“ įtaisai, naudojantys akustinių (tūrinių ar paviršinių bangų) ir šviesos bangų sąveiką, kurie leidžia tiesiogiai apdoroti signalus ar vaizdus, įskaitant spektrinę analizę, koreliacijos ar sąsūkos (konvoliucijos) funkcijas; Pastaba: 3A001.c netaikomas tiems akustinių bangų įtaisams, kuriuose naudojamas tik specifinis juostinis, žemo dažnio, aukšto dažnio ar užtvarinis filtravimas, arba specifinė rezonavimo funkcija. d. elektroniniai įtaisai ar grandynai, turintys komponentų, pagamintų iš „superlaidžiųjų“ medžiagų ir specialiai suprojektuotų veikti temperatūrose, žemesnėse kaip (nors vieno „superlaidininko“ sando) „krizinė temperatūra“, ir turintys bet kurią iš šių charakteristikų: 1. skaitmeninių grandynų srovės perjungiklių, turinčių „superlaidininkinių“ loginių elementų, kurių kiekvieno elemento vėlinimo trukmės [s] ir sklaidos galios [W] sandauga mažesnė kaip 10–14 J, arba 2. visuose dažniuose atliekama dažnių atranka, naudojant rezonansinius kontūrus, kurių kokybė (Q) viršija 10 000 ; e. didelės energijos įtaisai, išvardyti toliau: 1. šie ‚elementai‘: a. ‚pirminiai elementai‘, kurių ‚energijos tankis‘ viršija 550 Wh/kg 20 °C temperatūroje; b. ‚pirminiai elementai‘, kurių ‚energijos tankis‘ viršija 300 Wh/kg 20 °C temperatūroje; Techninės pastabos: 1. Taikant 3A001.e.1 ‚energijos tankis‘ (Wh/kg) apskaičiuojamas vardinė įtampą padauginus iš vardinės talpos [Ah], padalintos iš masės [kg]. Jei vardinė talpa nenurodyta, tai energijos tankis apskaičiuojamas vardinę įtampą, pakeltą kvadratu, padauginus iš išsikrovimo trukmės [h], padalintos iš išsikrovimo krūvio omais ir masės [kg]. 2. Taikant 3A001.e.1 ‚elementas‘ reiškia elektrocheminį prietaisą, kuris turi teigiamą ir neigiamą elektrodus, elektrolitą ir yra elektros energijos šaltinis. Tai yra pagrindinė baterijos dalis. 3. Taikant 3A001.e.1.a ‚pirminis elementas‘ reiškia ‚elementą‘, kuris nėra suprojektuotas būti kraunamas iš jokio kito šaltinio. 4. Taikant 3A001.e.1.b ‚antrinis elementas‘ reiškia ‚elementą‘, kuris yra suprojektuotas būti kraunamas iš išorinio elektros šaltinio. Pastaba: 3A001.e.1 netaikomas baterijoms, įskaitant vieno elemento baterijas. 2. didelės energijos kaupikliai (kondensatoriai), išvardyti toliau: N.B.: TAIP PAT ŽR. 3A201.a ir dalį KARINIŲ PREKIŲ KONTROLĖ. a. kaupikliai, kurių įkrovimo ir iškrovimo pasikartojimo dažnis mažesnis kaip 10 Hz (pavienio iškrovimo kaupikliai), turintys visas šias charakteristikas: 1. vardinę įtampą, lygią 5 kV arba didesnę; 2. energijos tankį, lygų 250 J/kg arba didesnį ir 3. visą energiją, lygią 25 kJ arba didesnę; b. kaupikliai, kurių įkrovimo ir iškrovimo pasikartojimo dažnis 10 Hz arba didesnis (kartotinio iškrovimo kaupikliai), turintys visas šias charakteristikas: 1. vardinę įtampą, lygią 5 kV arba didesnę; 2. energijos tankį, lygų 50 J/kg arba didesnį; 3. visą energiją, lygią 100 J arba didesnę, ir 4. įkrovimo/iškrovimo ciklų skaičių, lygų 10 000 arba didesnį; 3. „superlaidieji“ elektromagnetai ir solenoidai, specialiai suprojektuoti jų visiškam įkrovimui ar visiškam iškrovimui per trumpesnį kaip 1 sekundė laiko tarpą, turintys visas šias charakteristikas: N.B.: TAIP PAT ŽR. 3A201.b. Pastaba: 3A001.e.3 netaikomas „superlaidiesiems“ elektromagnetams ar solenoidams, specialiai suprojektuotiems magnetinio rezonanso vizualizavimo (MRI) medicinos įrangai. a. iškrovimo metu per pirmąją sekundę tiekiamą energiją, viršijančią 10 kJ; b. vidinį srovės apvijos skersmenį, didesnį kaip 250 mm, ir c. vardinę magnetinę indukciją (magnetinio srauto tankį), didesnę kaip 8 T, ar „visuminės srovės tankį“ apvijoje, didesnį kaip 300 A/mm2; 4. saulės elementai, elementų tarpusavio jungties stiklo dangtis (cell-interconnect-coverglass, CIC) saulės skydai, saulės gardelės, kurie yra „tinkami naudoti kosmose“, kurių mažiausias vidutinis efektyvumas viršija 20 % 301 K (28 °C) veikimo temperatūroje, esant dirbtiniam ‚AM0‘ apšvietimui, kurio apšvita yra 1 367 vatų į kvadratinį metrą (W/m2); Techninė pastaba: ‚AM0‘ arba ‚nulinė oro masė‘ reiškia saulės šviesos spektrinę apšvitą žemės išorės atmosferoje, kai atstumas tarp žemės ir saulės yra vienas astronominis vienetas (AU). f. sukamojo įvedimo tipo absoliučiosios padėties koduotuvai, kurių tikslumas lygus ar mažesnis (geresnis) kaip ± 1,0 kampo sekundės; g. kietieji pulsuojančios energijos perjungiantieji tiristorių įtaisai ir ‚tiristorių moduliai‘, kuriuose naudojami elektra, optiškai ar elektronų spinduliavimu kontroliuojami perjungimo metodai, ir kurie turi bet kurią iš šių charakteristikų: 1. kurių didžiausias įjungimo srovės augimo tempas (di/dt) yra didesnis nei 30 000 A/μs ir įtampa, kai jie išjungti, yra didesnė nei 1 100 V arba 2. kurių didžiausia įjungimo srovės augimo tempas (di/dt) yra didesnis nei 2 000 A/μs ir kurie turi visas šias charakteristikas: a. kurių didžiausia įtampa, kai jie išjungti, lygi 3 000 V arba didesnė ir b. kurių didžiausia (viršįtampio) srovė lygi 3 000 A arba didesnė. 1 pastaba 3A001.g priskiriami: — valdomieji silicio lygintuvai (SCR) — elektra įjungiami tiristoriai (ETT) — fototiristoriai (LTT) — integruoti užtūros komutuojami tiristoriai (IGCT) — uždaromieji tiristoriai (GTO) — MOS kontroliuojami tiristoriai (MCT) — solidtronai 2 pastaba 3A001.g netaikomas tiristorių įtaisams ar ‚tiristorių moduliams‘, kurie įdiegti į įrangą, suprojektuotą veikti civilinio geležinkelio ar „civilinės aviacijos“ tikslais. Techninė pastaba: Taikant 3A001.g, ‚tiristoriaus modulis‘ turi vieną ar daugiau tiristoriaus įtaisų. h. kietųjų puslaidininkinių galios įtaisų jungikliai, diodai ar ‚moduliai‘, turintys visas šias charakteristikas: 1. kurie skirti veikti esant maksimaliai darbinei sandūros temperatūrai, didesnei kaip 488 K (215 °C); 2. kurių periodinė didžiausia įtampa, kai jie išjungti (užtvarinė įtampa), viršija 300 V ir 3. kurių nuolatinė srovė yra didesnė kaip 1 A. 1 pastaba 3A001.h nurodyta periodinė didžiausia įtampa išjungimo padėtyje apima santakos-ištakos įtampą, kolektoriaus-emiterio įtampą, periodinę didžiausią atvirkštinę įtampą ir didžiausią periodinę užtvarinę įtampą išjungimo padėtyje. 2 pastaba 3A001.h priskiriami: — sandūriniai lauko tranzistoriai (JFET) — statieji sandūriniai lauko tranzistoriai (VJFET) — metalo-oksido-puslaidininkio lauko tranzistoriai (MOSFET) — dvikartės difuzijos metalo-oksido-puslaidininkio tranzistoriai (DMOSFET) — dvipoliai tranzistoriai su izoliuota užtūra (IGBT) — didelio elektronų judrio tranzistoriai (HEMT) — dvipoliai sandūriniai tranzistoriai (BJT) — tiristoriai ir valdomieji silicio lygintuvai (SCR) — uždaromieji tiristoriai (GTO) — emiteriniai uždaromieji tiristoriai (ETO) — pn diodai — Šotkio diodai 3 pastaba 3A001.h netaikomas jungikliams, diodams ar ‚moduliams‘, kurie įdiegti į įrangą, suprojektuotą veikti civilinių automobilių, civilinio geležinkelio ar „civilinės aviacijos“ tikslais. Techninė pastaba: Taikant 3A001.h, ‚moduliuose‘ įdiegti vienas ar keli kietųjų puslaidininkinių galios įtaisų jungikliai ar diodai.