ARCHIVESHISTORIQUES
DELACOMMISSION
COLLECTION RELIEEDES
DOCUMENTS "COM"
COM(81)559
Vol.1981/0171

Disclaimer
Conformément aurèglement(CEE,Euratom)n°354/83duConseildu1erfévrier1983
concernantl'ouvertureaupublicdesarchiveshistoriquesdelaCommunauté économique
européenneetdelaCommunautéeuropéennedel'énergieatomique(JOL43du15.2.1983,
p.1),telquemodifiéparlerèglement(CE,Euratom)n°1700/2003du22septembre2003
(JOL243du27.9.2003,p.1),cedossierestouvertaupublic.Lecaséchéant,lesdocuments
classifiésprésentsdanscedossierontétédéclassifiésconformément àl'article5dudit
règlement.
InaccordancewithCouncilRegulation(EEC,Euratom)No354/83of1February1983
concerningtheopeningtothepublicofthehistoricalarchivesoftheEuropeanEconomic
CommunityandtheEuropeanAtomicEnergyCommunity(OJL43,15.2.1983,p.1),as
amendedbyRegulation(EC,Euratom)No1700/2003of22September2003(OJL243,
27.9.2003,p.1),thisfileisopentothepublic.Wherenecessary,classifieddocumentsinthis
filehavebeendeclassified inconformitywithArticle5oftheaforementioned regulation.
InÜbereinstimmung mitderVerordnung(EWG,Euratom)Nr.354/83desRatesvom1.
Februar1983überdieFreigabederhistorischen ArchivederEuropäischen
Wirtschaftsgemeinschaft undderEuropäischen Atomgemeinschaft (ABI.L43vom15.2.1983,
S.1),geändertdurchdieVerordnung(EG,Euratom)Nr.1700/2003vom22.September2003
(ABI.L243vom27.9.2003,S.1),istdieseDateiderÖffentlichkeitzugänglich.Soweit
erforderlich,wurdendieVerschlusssachen indieserDateiinÜbereinstimmung mitArtikel5
dergenanntenVerordnungfreigegeben.

COMMISSIONE DELLECOMUNITÀ EUROPEE
COM(81)559 def.
BruxelLes ,L'8ottobre 1981
Proposta modificata di
REGOLAMENTO (CEE )DEL CONSIGLIO
concernente azioni comunitarie nel settore
della tecnologia microelettronica
(presentata dalla Commissione al"Consiglio invirtù
/s
dell' articolo 149 ,secondo comma del trattato CEE )
V
COM (81)559 def .

Cerval . '
Proposta modificata di
REGOLAMENTO (CEE )DELCONSIGLIÒ,'
CONCERNENTE AZIONI COMUNITARIE NEL SETTORE
DELLA TECNOLOGIA MICROELETTRONICA
(PROPOSATA MODIFICATA AITERMINI DELL' ARTICOLO 149 SECONDO .CAPOVERSO
'DEL TRATTATO ),
ILCONSIGLIO DELLE COMUNITÀ' EUROPEE ,
Visto iì ,-..trattato che istituisce laComunità economica europea ,in
particolare l'articolo 235 ,
Vista laproposta della Commissione ,-
Visto -ilparere delParlamento europeo (1), ..
Visto ilparere delComitato Economico eSociale (2),
Considerando che latecnologia microelettronica rappresenta unelemento
essenziale per lo sviluppo elacompetitività ditutta l'industria
comunitaria ,inunmomento incui l'economia europea deve predisporsi a
produrre beni e,servizi con unpiù elevato valore aggiunto ;che ,tuttavia
ledimensioni elanatura degli sforzi necessari araggiungere lostesso
livello dei concorrenti Ventro »il 1985 rendono necessaria un'azione
comunitaria che comprenda unsostegno finanziario pubblico per incitare
l'industria acollaborare nel settore della ricerca esviluppo ;che la
risoluzione del Consiglio dell '11 settembre 1979 invita laCommissione a
prospettare metodi -di coordinamento delle politiche nazionali ea
presentare alConsiglio progetti specifici alivello comunitario per
promuovere latecnologia microelettronica ,
Considerando che ilsostegno concesso dovrebbe prefiggersi diraggiungere
un'equilibrata situazione dimercato ediconcorren3a_nella Comunità e
tenendo conto deiprincipi espressi nel regolamento (CEE )n.1996 /81del
Consiglio ,dell' 11settembre 1979 ,suunmeccanismo disostegno nelsettore
dell' informatica (4),tra cui inparticolare iprincipi della proprietà del­
l'accesso airisultati deiprogetti oggetto diaiuto ,esottolineando in
.particolare 'l'importanza diun'opportuna diffusione deiprodotti edei risul
tati ottenuti daiprogetti finanziati ,
HAADOTTATO ILPRESENTO REGOLAMENTO : '
(1)
(2) x .
(3)G.U. N°C231del13.09.1979 ,pagina 1
(4)G.U. N°L231del13.09.2979 ,pagina 1

-2-
:ARTICOLO 1
Ilcoordinamento' alivello comunitario delle azioni svolte negli Stati
membri allo scopo dipromuovere gli obiettivi comunitari nel settore della
tecnologia microelettronica ,nonché l'attuazione di progetti comuni
destinati acompletarle edarafforzarle sono assicurati alle condizioni
dicui alpresente regolamento .
TITOLO I
Informazione econsultazione
ARTICOLO 2
Fra gli Stati membri ela Commissione èistituito un sistema
d'informazione e .di consultazione riguardante le iniziative per la
promozione della diffusione edello sviluppo della tecnologia
microelettronica edelle sue applicazioni .
ARTICOLO 3
1.Al fine diassicurare l'efficacia delle consultazioni previste nel
presente regolamento gli Stati membri ,indipendentemente dagli obblighi
loro derivanti dalle regole diconcorrenza ,forniscono anticipatamente
eintempo utile alla Commissione ,diloro iniziativa osurichiesta di
questa ,informazioni riguardanti ogni azione svolta sotto laloro
autorità ,incorso diesecuzione alla data dientrata invigore del
presente regolamento oprevista dopo tale data ,evolta a:
a)la promozione di azioni industriali di ricerca esviluppo
concernenti le attrezzature ,iprocessi ,gli strumenti ele
tecniche ,sia software che hardware ,destinati alla progettazione ,
alla produzione industriale edalla prova dicircuiti integrati
avanzati ;
b)divulgare conoscenze dibase ,formare edistruire ,dei quadri e
personale specializzato nella progettazione ,nell' impiego enel
controllo dicircuiti integrati avanzati ;
c)incoraggiare l'insediamento nella Comunità diun'indùstria atta a
progettare edaprodurre 1-eattrezzature ,imateriali eletecniche
necessarie alla fabbricazione dicircuiti integrati avanzati .
Essi forniscono inoltre alla Commissione lavalutazione dei risultati di
tutte leattività .
Ilpresente articolo non siriferisce alle informazioni relative ai
progetti diunica proprietà della società .
2.LaCommissione ,per coordinare l'azioné degli Stati membri ,veglierà
affinché essi ricevano leinformazioni relative alle attività dicui al
precedente paragrafo 1.

•»3
3.Previa consultazione del comitato dicui all' articolo 6,laCommissione
specifica ilgrado diprecisione -delle informazioni che gli Stati
membri devono fornire equello delle relative azioni didivulgazione ,
nonché leprocedure elemisure necessarie alla comunicazione ditali
informazioni agli Stati membri .
-TITOLO II *
Progetti comuni
ARTICOLO 4
1.Iseguenti progetti chiave ,di ,ricerca esviluppo ,comprèsi
direttamente nei settori dicui' ali 1articolo 3ecui èstata attribuita
laprima priorità ,beneficieranno disostegno comunitario conformemente
aquanto stipulato nell' articolo 5.
I)stampa aripetizione suwafer
II)fascio elettronico pe,rgrafia diretta suiwafer 4
III )Incisione edeposizione alplasma •'
IV)attrezzature diprova .
V)CADperVLSI 1.Architettura
2.Struttura del linguaggio edei dati
3.Prove
4.Modellistica dei dispositivi
2.Lespecifiche tecniche dei progetti dicui alpunto 2sono elaborate nel
l*allegato .
3.LaCommissione ,consultato ilComitato dicui all' articolo 6,aggiorna
senecessario lespecifiche tecniche .
"ARTICOLO 4BIS
Restando invariate tutte lealtre condizioni ,per ladistribuzione del
finanziamento nazionale pubblico aprogetti relativi aisettori dicui
all'articolo '3,gli Stati membri daranno lapriorità aquei
progetti lacui esecuzione necessiti lapartecipazione significativa di
organizzazioni didue opiù paesi comunitari .

-4-
TITOLO III
Modalità difinanziamento
ARTICOLO 5
1.Apartire dal 1981 ,laComunità predispone unsostegno finanziario ai
progetti dicui all'articolo 4par2 sotto forma disovvenzione afondo
perduto per unimporto non superiore al50% del loro costo di
esecuzione .
2.Gli stanziamenti necessari atal fine ,attualmente valutati à52
milioni diECU ,verranno iscritti abilancio della Comunità europea .
3.Iprogetti atti abeneficiare disovvenzioni debbono soddisfare le
condizioni seguenti :
-il loro obiettivo deve corrispondere alle specifiche tecniche
precisate nell' allegato dicuiall'articolo 4paragrafo 2;
-iprogetti devono essere eseguiti nella Comunità ;
%
inoltre : >
a)per iprogetti daIaIVdell' articolo 4paragrafo 1
-i richiendenti debbono essere fabbricanti o utilizzatori
industriali stabiliti nella Comunità ;
-unnumero sufficiente diimprese dialmeno due paesi comunitari , .
che non abbiano alcun legame finanziario con iloifabbricanti
partecipanti allo stesso progetto ,deve aver dato prova del
-proprio interesse apartecipare alprogetto contribuendovi con
risorse proprie .Questo numero verrà stabilito dalla Commissione ,
per ciascun progetto ,previa consultazione del comitato dicui
all' articolo 6.
b)per iprogetti dicuialpunto Vdell' articolo 4paragrafo 1
-irichiedenti devono essere università ,centri diricerca o
imprese stabilite nella Comunità ;
-unnumero sufficiente diimprese dialmeno due /paesi comunitari ,
che non abbiano alcun legame finanziario reciproco ,deve aver
fornito prove del proprio interesse apartecipare alprogetto ,
contribuendovi con risorse proprie .Questo numero verrà stabilito
dalla Commissione ,previa consultazione del comitato di cui
ali 'articolo 6.
4.Dopo aver constatato ,conformemente aquanto stipulato alparagrafo 3Lette
raa)ob)precedenti ,cheunprogetto può' beneficiare delfinanziamento ,
tutte leimprese opportunamente qualificate ,stabilite nella Comunità ,
possono ^partecipare alprogetto erichiedere ilrelativo sostegno
finanziario ,indipendentemente dailoro eventuali legami finanziari con
altri partecipanti allo stesso progetto .

5.LerichiestevengonoindirizzateallaCommissionedalleorganizzazioni
interessate ,inrispostaagliinvitiapresentarepropostepubblicatinellaGazzettaufficialedelleComunità/iissi%ovrannocontenerela
provadiconformarsi aiterminidelparagrafo 3precedente efornire
ognialtrainformazione appropriata .
LaCommissione può'richiedere idocumenti eleinformazioni
complementari necessarieallaistituzionedellapratica.
6.LaCommissionedecig|^inmeritoalledomande ,chelesonoindirizzateentrounterminedimesi,secondolaproceduradicuiall'articolo8.
7.Fattesalveleprerogative dellaCortedeiConti,conformemente
all'articolo206bis§3delTrattatoCEE,laCommissione hafacoltàdi
eseguireindaginiinlocoosudocumentirelativealleoperazioni
finanziate .
,■TITOLÒIV'
Disposizioni generali
.ARTICOLO 6
1.E1istituitouncomitato'dicoordinamento ,quidiseguitodenominato
"ilComitato",percoordinareiprogettivoltiallapromozionedella
tecnologiamicroelettronica .Essoècompostodarappresentanti degli
Statimembri,chepossonofarsiassisteredaespertiovdaconsulenti ,
secondolanaturadelprogettoinesame.Ilcomitatoèpresieduto daun
rappresentante dellaCommissione èsiriunitàalmenoduevolte
ali'anno.
2.Ilavoridelcomitatosonoriservati . --
3.IlComitatodefinisceilproprioregolamento interno.
4.LaSegreteriadelComitatoèassicuratadaiservizidellaCommissione .
ARTICOLO 7
LaCommissione può'consultareilComitatoriguardoaqualsiasiargomento
cherientrinelcampod'applicazione delpresenteregolamento ,tracui,ma
nonesclusivamente su:
-illivellodidettaglidelleinformazioni d»fornirerelativealle
attivitànazionali ,specificateall'articolo3
-illivellodidettaglidelleinformazioni damettere ,adisposizione ,
siadelpubblicosiadiorganismigovernatividegliStatimembri
-ileprocedure ele-misureperlamessaadisposizione di"tali
informazioni
-l'aggiornamento dellespecifichetecnicheperiprogettichepossono
beneficiare delsostegno
-ilnumerominimod'impresenecessarieaffinchèilprogettopossa
beneficiare dell'aiuto
-lavalutazione dellerichiesteelaconcessionedell'aiutostesso.

ARTICOLO 8
1.Nel caso incui -venga fatto ricorso alla procedura definita dal
presente articolo ,ilComitato viene investito della questione dal suo
presidente ,su iniziativa di quest' ultimo ,osu richiesta del
rappresentante diuno Stato membro . .
2.All' interno delComitato aivoti degli Stati membri viene attribuita la
ponderazione dicui all' articolo 148 paragrafo 2del Trattato CEE .
Ilpresidente non partecipa alla votazione .
3.Ilrappresentante della Commissione sottopone una proposta delle
disposizioni eventuali accompagnata da -un quadro generale degli
elementi principali della decisione .IlComitato esprime ilproprio
parere inmerito entro untermine che ilpresidente può 1fissare in
funzione dell' urgenza delle questioni sottoposte .IlComitato si
pronuncia alla maggioranza di45voti .
4.Le decisioni della Commissione sono immediatamente applicabili .
Tuttavia ,nel caso non siano conformi alparere espresso dal Comitato ,
la Commissione *da immediata comunicazione di tali decisioni al
Consiglio .Inquesto caso laCommissione differisce didue mesi al
massimo l'applicazione delle proprie decisioni .Il Consiglio ,
deliberando amaggioranza qualificata ,può 1prendere una decisione
diversa entro due mesi .
ARTICOLO 9 *'
LaCommissione invia ogni anno alParlamento edalConsiglio una relazione
sull' andamento delle azioni comunitarie dicui alpresente regolamento .
ARTICOLO 10
%
La Commissione ,previa consultazione del Comitato ,decide lemisure
supplementari eventualmente necessarie per l'esecuzione del presente
regolamento .
ARTICOLO 11
Ilpresente regolamento entra invigore il 1981
Esso èapplicabile fino al 1985 .
Ilpresente regolamento èobbligatorio intutti isuoi elementi e
direttamente applicabile inciascuno degli Stati membri .
FATTO ABRUXELLES IL,
PER ILC0NSIGLI0
ILPRESIDENTE

ALLEGATO TECNICO ALLA PROPOSTA
DIREGOLAMENTO (CEE )DEL CONSIGLIO
CONCERNENTE AZIONI COMUNITARIE NEL SETTORE
DELLA TECNOLOGIA MICROELETTRONICA
Breve descrizione delle specifiche tecniche delle attività edei progetti
per iquali sipropone unaiuto finanziario aisensi del progetto di
regolamento :
I)FOTORIPETITORI PER WAFER
Tecnologia dei fotoripetitori ottici diretti passo-passo - „
Ifotoripetitori con lecaratteristiche sotto indicate dovrebbero
entrare inproduzione entro la fine del 1982 ;una versione di
preproduzione dovrebbe essere pronta entro lafine del 1981 .
-dimensione delwafer .massimo 6pollici
-dimensioni -del campo 1cm
-dimensioni minime delle traccia 1,25/fmsulwafer (1,1sul "resist ")
-registrazione automatica 0,1/^m • v .
.-produzione di50wafer all' ora di4pollici sucampo dilem ,con
inserimento di5schemi di£rova edautoregistrazione adogni chip ;
aggiunta diunmagazzino direticoli.'
Nella descrizione dell' attrezzatura dovrebbero venir forniti itempi
individuali ,ivi ,compreso iltempo necessario per l'inserimento degli
schemi diprova .Laregistrazione dovrà essere programmabile (per
esposizione individuale -per blocco -per wafer ).Dovranno venir
fornite ledimensioni •minime ammesse per letacche diallineamento .
Siritiene che sia nel 1983 auspicabile disporre diattrezzature con una
produzione maggiorata a50wafer all' ora di6pollici euna migliore
risoluzione {1,0/imdilarghezza niinima della traccia sulwafer ).
II)FASCIO ELETTRONICO PERSCRITTURA DIRETTA SUWAFER : - '
Attrezzature discrittura diretta afascio elettronico
Dispositivi afascio elettronico con leseguenti caratteristiche :
-dimensioni delwafer » èpollici
-produzione da15a20strati /oraa1/im
-dimensioni del .campo senza limiti '
-dimensioni minime della
struttura 0,5/^m , ,
-dimensioni delpennèllo variabili
-precisione diregistrazione
L'attrezzatura dovrebbe poter servire anche per laproduzione di
reticoli edimaschere .Iprototipi dei dispositivi con tutte queste
caratteristiche ,salvo lavelocità ,devono essere disponibili entro il
■1983 .

III .INCISIONE ALPLASMA
A.Caratteristiche minime dell' attrezzature
-Materiali daincidere
*4SiO ,drogato enondrogato
*polisilicono ,drogato enon drogato
*siliciuri epolisiliciuri
*alluminio eleghe d'alluminio
*altri metalli' per contatti edintercollegamenti
/
*polimeri organici per riserve emetallizzazione adiversi
livelli ~ .
-Strutture daincidere inproduzione
*passo :Alinea einterlinea ):3y4m
*distanza minima tra lelinee :l-1.5 //r
V ■ -
*precisione :più omeno 10% della distanza tra lelinee delle
strutture critiche .
-Selettività eanisotropia
Laselettività sarà opportuna eper ogni strato dovrà essere
possibile un'incisione intotale anisotropia .
-Produzione
Laproduzione minima dovrebbe essere di50wafer /ora per il
processo più lento .Probabilmente ilprocesso più lento sarà
l'incisione di0.8^,4.m diunSiO^termico conunaselettività di
10:1 suSieconunpasso di3/<m.L'incisione dialtri strati ,
cioè dipolisilicio nondrogato di suSiO^dovrebbe essere
molto più rapida .
B.Progettazione della attrezzature
Sipensa adunreattore apiastre parallele con lecaratteristiche
seguenti : ,
-Struttura diprogettai ione
Lacosa più importante èl'impiego diuna struttura modulare di
progettazione inmodo "che l'attrezzatura possa venir adda ttàta
nelmodo migliore adogni applicazione .

«•3■»
Blocco dicarico
Elementi indesiderati (adesempio vapore acqueo )non dovrebbero
pervenire nella camera di reazione evitando effetti di
postincisione .Ciò' sarà possibile mostrando con una struttura di
blocco sottovuoto incui vengono pi-azzate lecassette .Opzionale
sarà 'la possibilità di eliminazione del rivestimento di
fotoriserva nel blocco discarico .
Elettrodi ecostruzione della camera
*Termostati regolabili individualmente per l'elletrodo superiore
einferiore eper lacamera direazione .Lagamma normale di
controllo ditemperatura è15-100°C eopzionale fino a150°C .
*Distanza regolabile degli elettrodi tra :5-70mm (sistema
abatch )
5-70mm (sistema
1 - wafer singolo )
*Gli elettrodi devono essere .montati per funzionamento a
frequenze elevate (sino a27,12 MHz )cioè evitare per esempio
dei parassiti diplasma nel reattore .
*Sia l'incisione parallela aplasma (PE)che l'incisione a'ioni
reattivi (RIE ) devono poter venir effettuate nel
sistema .(accoppiamenti anodi ecatodi ).
> > ^
Progettazione sottovuoto
*Lazona d'interesse ètra i10mTorr ei10Torr
*Velocità dipompaggio ,regolabile
*Controllo della pressione automatica Emanuale concommutazione
semplice tra idue tipi .
*Impiego dimateriali non corrosivi per idispositivi ditenuta
(raccordi ,anelli ad0)etubazioni .
Armadietto gas
Impiego flessibile di1-3 gas con 1-3 controllori diflusso di -
massa ,che dovranno dipreferenza venir portati a5gas (il
numero deigas èopzionale ).

-4-
-Controlli
/*Dovrà essere possibile ilcontrollo deiparametri seguenti :
conduttura(e )digasutilizzato
velocità di-flusso
velocità diprocesso
tempi distabilizzazione
tempi disovraincisione
alimentazione del telemetro
temperatura diambedue gli elettrodi
voltaggio sull' elettrodo
*Il segnale elettrico proveniente ,dai sensori (sensori di
pressione ,...) deve essere difacile accesso (adesempio suuna
spina standard )per ilcontrollo delprocesso .
*Almeno una •finestrina per poter controllare il plasma e
flangia(e )complementari per sollevare strumenti dianalisi per
ilcontrollo del processo .
.-Software per l'incisione automatica :
*Una tastiera elamemoria necessaria per ilcontrollo passo a
passo del processo odella sequenza dimanutenzione .
/
*PROM intercambiabile ,programmato per l'utilizzatore ,per
l'incisione automatica .
-Movimentazione dei wafer
Movimentazione automatica dei wafer ,carico escarico ,cassetta a
'cassetta ,senza danno ocontaminazione dei wafer .
Ilsistema dovrebbe trattare wafer dipollici fino a.150 mmdi
diametro .
-Manutenzione esicurezza ■
*Possibilità di smontaggio semplice per la pulizia ela
riparazione ; ,
/
*Normalizzazione diflange ,dispositivi ditenuta ,connettori ,
ecc .epezzi diricambio .
IV)APPARECCHIATURE DIPROVA
Devono essere sviluppate inEuropa apparecchiature diprova avnti le
caratteristiche seguenti : *
-tipo integrale analogico /digitale
-progetto modulare ,alfine dipoter essere adattabili sia acompiti
diprova infase disviluppo che infase diproduzionela pulizia ela
tenuta ,connettori ,

5■»
-sviluppoinduefasi,-almenoperquantoriguardalapartedigitale.
Laprimaconlacostrizione diun'apparecchiatura diprovaper
cadenzedi-temporizzazione di10–20MH?,lasecondacon
un'apparecchiatura adattaacadenzedi50-100MHz.Questomododi
procederepresentailvantaggiodipoterutilizzareilknow-how
tecnologicoacquisitonellaprimafase,perrisolvereiproblemiche
sipresenteranno nellaseconda.Inoltre,leproveadaltavelocità
possoneessereadattateallosviluppodeicircuitiintegrati
richiestodall'industriaeuropeanelcampodeicircuitibipolari
rapidi.
-provadidispositivi conunnumerodipiedinimaggiore (da64a128);
-lepartiessenzialidelsistemadiprovadevonoessereadatteinmodo
specificoall'ECL; >
-sebbenesiescludanoprovesuisolielementidimemoria,considerato
chelememorie"on-the-chip"assumonounasempremaggioreimportanza
senedeveincludereilcontrollo ;
-perlediverseconfigurazioni delleattrezzature 'diprovasideve
,elaborareununicotipodilinguaggiodiprovadialtolivello.
V)CADPERVLSI
1.Architettura "
Iproblemidaaffrontarsi inquestasedesonoicriteridi
definizione dellespecifiche ,disimulazione ediprovanellafasedi
progettazione dell'architettura elestrategiearchitettoniche ,quali
lagestionedeglierrorielalogicastrutturata .Leseguenti
attivitàsononecessarie : 1
- '' ' •' ^ •'
-Miglioramento delleconoscenzesulletecnichecomputerizzate da
partediprogettisti VLSImediante:(a)trasferimento diknow-how
daifabbricantidicalcolatori (b),unamiglioreintegrazionetra
ricercasuicalcolatori eformazioneiningegneriaelettronica
nelleuniversità .
-Ricercasu: r •
(a)nessitraprogettazione comportamentale estrutturale mediante
losviluppodiopportunilinguaggiesimulatori
(b/''sintesidellalogicaapartiredadescrizione RTL(Register
TransferLanguage)
(c)controllodeglierroricompresigliaspettidell'architettura
VLSIinrelazioneallatolleranza dierrori
(d)logicastrutturata compresalaminimizzazione periPLAs
(programable LogicArrays)elaprogrammazione automaticadei
PLAsedelleROMs(ReadOnlyMemories)
(e)generazionedifirmwareeaiutiallasimulazione
(f)macchinepertrattamentoinparalleloper1'elaborazione dei
segnali

–6
2.Struttura del linguaggio edei dati
1.Gestione dei dati diprogetto
Itradizionali sistemi diprogettazione grafica diCIsibasano su
una rappresentazione del circuito dadisegnare ottenuta partendo
dagli elementi dibase .Tale sistema èconsiderato inadatto a
risolvere iproblemi della progettazione diVLSI ;ineffetti ,si
d*eve specificare uncriterio digestione degli archivi o -un
sistema digestione dei progetti che consenta di :
1)contribuire alla gestione diunnumero elevato diarchivi
contenenti rappresentazioni alternative dei numerosi moduli di
unsistema :
2)salvaguardare l'integrità diunprogetto collettivo ;
3)controllare lemodifiche diprogetto ;
4)contribuire alla sùddivi.sione inparti del progetto ;
5)provvedere alla fornitura della documentazione diprogetto .
Sideveno avviare progetti direcerca che consentano ainormali
sistemi d'archivi oai sistemi operativi di fornire quanto
precedentemente richiesto .Poiché lepiù piccole unità didati in
una transazione costituiranno unarchivio completo ,lebasi di
dati convenzionali non sono adeguate .Nella realizzazione sideve
tener conto dell 'interscambiabilità .E'necessario far uso diun
linguaggio standard con interfacce ben definite rispetto ai
sistemi d'archivi standard .L'attività dovrebbe infine essere
svolta in collaborazione da progettisti IC,specialisti di
strumenti CAD especialisti nel settore degli elaboratori .
2.Interfaccia con l'utente
Alcune attività diprogetto hanno uncarattere interattivo molto
spiccato erichiedono una risposta rapida dell' elaboratore ,
indipendentemente dalla sua potenza .Unesempio èladefinizione
djun progetto mediante tecniche grafiche .Tali attività possono
essere svolte suunpiccolo elaborare aduso diununico utente .
Altre attività non sono invece essenzialmente interattive ,ma
richiedono elaboratori estremamente potenti ;èilcaso della
simulazione per laquale sirichiedono sistemi atempo ripartito
dinotevole potenza .
E'importante che gli elaboratori utilizzati per queste attività
siano instretta connessione .Si devono studiare tecniche che
consentano dicontrollare laripartizione dei compiti tra due o
più elaboratori edun movimento flessibile di dati da uno
all'altro ditali compiti .Vanno fissati inoltre principi generali
applicabili adun'ampia gamma dihardware .

–,7-I
Attualmente la tendenza ,.nelle specifiche di progetto
dell 1hardware ,èdiusare rappresentazioni descrittive basate su
linguaggio adatte ad esprimere la struttura gerarchica ,le
caratteristiche modulari elaripetitività ,inevitabile con iVLSI .
Iprogettisti tendono ancora tuttavia apensare intermini di
diagrammi egli ausili grafici continueranno asvolgere unruolo
importante nelprocesso diprogettazione .Sideve pertanto lanciare
unprogetto per studiare quali 'metodi dicombinazione delle
rappresentazioni descrittive ediquelle grafiche consentono di
passare automaticamente dall' una all' altra ,in modo che
IIinterfaccia "più adatta possa essere scelta senza restrizioni in
ogni fase delprocesso diprogettazione .
3.Simulazione
Gli strumenti software disimulazione ,prova everifica ,devono
comprendere tutte lefasi della progettazione ,dal livello RTL-s al
transistore .L'attività diricerca vadiretta verso losviluppo di
unlinguaggio descrittivo strutturale flessibile apiù livelli per
,VLSI NMOS eCMOS .Sono richiesti studi sulla generazione automatica
di compilatori nella sintassi degli strumenti alivello di
,simulazione unico attualmente utilizzati e,ancora più importante ,
sulla generazione diretta nella struttura deidati disimulatori a
più "livelli .Letecniche disimulazione amodo misto devono essere
considerate con notevole attenzione incampi quali lastruttura dei 1
dati ,gli algoritmi eimodelli .
Si .raccomanda inparticolare dirivolgere maggiore attenzione
all' analisi delle reti VLSI piuttosto che alla pura simulazione ,al
'fine diridurre itempi diprogetto edigarantire laprecisione
della progettazione .Si tratta di un settore di ricerca
completamente nuovo eall' apparenza attuabilissimo basato sulle
strutture didati esugli algoritmi degli attuali simulatori apiù
■livelli .'
4.Verifica •
Si deve perseguire l'obiettivo rendere superflua la verifica
manuale ,olefasi diprogetto interattive automatizzandole per
quanto possibile ,("silicon compilation "ocreazione dicelle ,
tecniche che fanno uso dicelle standard ,ecc .)Per creare una base
solida all' impiego oalla creazione distrumenti diquesto tipo si
deve avviare uno studio che confronti idiversi appprocci ei
diversi progetti manuali alfine diindividuare criteri obiettivi
atti arendere piùefficiente laprogettazione stessa .
L'aspetto gerarchico nella progettazione degli VLSI èovvio .La
verifica traunlivello el'altro della gerarchia èunproblema che
non può' essere tuttavia eluso .Nonostante lastruttura gerarchica ,
lacomplessità elaquantità didati èenorme econ gli -strumenti
oggi adisposizione itempi d'elaborazione risultano anti­
economici .Pertante laricerca esviluppo sioccuperà infuturo di
moduli hardware con funzioni specifiche (dispositivi diverifica
delle norme diprogetto ,memorie distruttura più contatori e
registri ascorrimento oprocessori inlinguaggio hardware che
producano leopportune strutture didati ).

-8-
5.Influenzadellanuovaarchitettura dell'elaboratore
Considerato che:
-ilsoftwareèadessopiùcaroelasuaproduzionedovrebbeessere
resaottimaleechel'hardwareèpiùabuonmercatoepuò1essere
utilizzato piùliberamente ,
-chenegliultimiannisonostatimessiapuntoeapplicatiungran
numerodiprocessoriinparalleloadalteprestazioni ,
-chel'architettura diunamacchinadovrebbecorrispondere alle
esigenzechequest'ultimaèchiamataasoddisfare
siproponediapprofondire lericercheneiseguentiduesettori:
1.Sviluppodinuovialgoritmiparalleli edinuovestrutturedidati
inognisettore CADpersfruttare edapplicareilmassimo
parallelismo .
2.Lostudiodinuovispecialiprocessori hardwareda"interfacciare "
conisistemidielaboratore esistentipermigliorarelaloro
prestazione dialmenounordinedigrandezza .

-è-
3.Prova:Riassuntodelleraccomandazioni
Ilgruppo"Prova"raccomanda diorganizzare 1'attivitàfuturaneitre
settoriprincipali ,einquelliadessiconnessi,piùinbassoindicati :
SETTORIPRINCIPALI D'ATTIVITÀ 1 -
RICERCA SPECIFICA E,SVILUPPO
VALUTAZIONE _
1)GENERAZIONE DEIDATIDIPROVA
-Provadellivellofunzionale
(metodiestrategie ) .*
-ATPGalivellodeglielementi '*
-ATPGpercelleLSI,logicaa
strutturaripetitiva ecc. *
-Tipiemodellidiguasti *
-Strategiedisimulazione dei
guasti *
-SistemaATPGmodulare * *
-LinguaggioperMTPG ,, *
-SistemaATDGintegrato * -*
2)PROGETTOATTOADESSEREPROVATO
Frazionamento
-Progetto RAMattoadessere
provato
-Unitàmicroprogrammate
-Tecnichegeneralidiprogetto
attoadessereprovato .
-Autodiagnosi integrata
nell'hardware -
-Autodiagnosi integratanel-
software/firmware
3)ACQUISIZIONE EGESTIONEDEIDATI
-Sistema DADM
-Strumentiperlosviluppodel
programma

-10-
4.Modeling didispositivi :Riassunto delle racommandazioni
tre sono isettori principali considerati :
-simulazione numerica didispositivi
-modelli analitici
-modelli tabulari ;
Per ciascuno diessi siformulano leseguenti raccomandazioni :
1.Simulazione numerica didispositivi '
L'obiettivo principale diquesto sottoprogetto èdipromuovere nei
centri diricerca enei laboratori europei losviluppo di"pacchetti "
avanzati disimulazione didispositivi damettere adisposizione dei
fabbricanti dicircuiti integrati europei .Sidovrebbe intal modo
raggiungere una certa indipendenza dai produttori americani e
giapponesi .Un'attività diquesto tipo ènecessaria inquanto ,,
considerata l'importanza degli effetti bi etridimensionali ,la
simulazione numerica ,dei dispositivi rappresenta ilsolo strumento
tradizionale praticamente utilizzabile nella progettazione .Si
raccomanda pertanto lo sviluppo di almeno quattro pacchetti di
simulazione cioè :
-ilsimulatore MOSFET 2-D
-ilsimulatore 2-D per dispositivi bipolari
-ilsimulatore MOSFET 3-D
-ilsimulatore 3-D per dispositivi bipolari
Perciascuno diessi sono state definite specifiche particolareggiate
riguardanti ifenomeni fisici dainserire nel programma ,lastruttura
fisica egeometrica deldispositivo elecapacità grafiche I/O.
2.Modelli analitici (esclusivamente MOSFET )
Un'attività inquesto settore èessenziale per due motivi principali :
modelli analitici accurati esemplici sono preferiti dai progettisti
dicircuiti nei programmi disimulazione dicircuiti CAD ;inaltre ,la
dipendenza funzionale dei parametri elettrici relativi dalla
struttura geometrica efisica del dispositivo siindividua più
facilmente inmodelli analitici dacui sipossono pertanto trarre
indicazioni sui fenomeni fisici che avvengono nel dispositivo stesso .
Sidovrebbero sviluppare iseguenti modelli analitici :
MOSFET acanali
superficiali
MOSFET acanali
non superficiali(canale lungo ,bassa tensione
(canale lungo ,alta tensione
(canale corto ,bassa tensione
(canale corto ,alta tensione
(canale lungo ,(livello 1)
(canale corto ,(livello 2)(livello 1)
(livello -2)
(livello 3)
(livello 4)
\

-11-
Modello fisico
Anche inquesto caso sono fornite specifiche dettagliate per
ciascuno dei precedenti modelli .Oltre allo sviluppo dei modelli ,
sideve affrontare erisolvere ilproblema dell' identificazione dei
parametri ,soprattutto per quanto riguarda le cariche (o
capacitanze )
3.Modelli tabulari
Imodelli tabulari sono stati considerati necessari per la
simulazione temporale .In detti simulatori lecapacitanze non
assumono molta importanza in quanto sono considerate costanti .
L'attività svolta inquesto campo dovrebbe pertanto essere rivolta
allo sviluppo di tabelle riguardanti sia le correnti che le
capacitanze .
IIproblema più importante darisolvere èquello difornire leggi
discala ,mantenendo tuttavia inalterata lasemplicità dicalcolo
necessaria per una riduzione sensibile del tempo CPU rispetto a
quanto richiesto con imodelli analitici .

*■12-
VALUTAZIONE DEI COSTI
Ivalori indicativi riportati nella tabella (inmilioni diUCE )sibasano
sulle seguenti ipotesi :
-durata dell' attrezzatura :4-5 anni
-8-10 unità dipreproduzione consegnate daununico fabbricante
-18-24 mesi diprove (attrezzature inaffitto erelazioni interattive tra
fabbricante eutenti
Detti valori includono icosti diretti per ilpersonalle assegnato al
progetto
manon includono lespese generali ,ilcosto diattrezzature ausiliarie a
quelle dasviluppare (camere "pulite ",attrezzature amonte eavalle ,
ecc.)elaformazione del personale .
COSTO BRUTO COMPLESSIVO
DEL PROGETTO/MUTI
PUBBLICI
Progetto I:Fotoripetitori
per wafer Λ 8Ν
4
Progetto II :Fascio
elettronico 40 20
Progetto III :Plasma
%8 4
Progetto IV :Prova 16 8
Progetto V:C.A.D. 32 16 1
1
1