Numero Descrizione Prodotto collegato di cui all'allegato I del regolamento (CE) n. 428/2009

IX.A3.001 Prodotti elettronici, come segue: a) circuiti integrati di uso generale, come segue: Note: 1. le condizioni delle fette (finite o non finite) nelle quali sia stata determinata la funzione devono essere valutate in funzione dei parametri definiti in 3A001.a. 2. i circuiti integrati comprendono i tipi seguenti: — «circuiti integrati monolitici»; — «circuiti integrati ibridi», — «circuiti integrati multichip»; — «circuiti integrati a film» compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro; — «circuiti integrati ottici»; — «circuiti integrati tridimensionali»; — «circuiti integrati monolitici a microonde» («MMIC»). 3A001.a

IX.A3.002 Circuiti integrati progettati o previsti come circuiti resistenti alle radiazioni per sopportare: a) una dose totale di 5 × 103 Gy (Si) o più; b) un tasso della dose di 5 × 106 Gy (Si)/s o più o c) una fluenza (flusso integrato) di neutroni (1 MeV equivalente) di 5 × 1 013 n/cm2 o superiore sul silicio, o il valore equivalente per altri materiali; Nota: la categoria di cui sopra non si applica ai metalli isolanti semiconduttori (MIS). 3A001.a.

IX.A3.003 «Microcircuiti microprocessori», «microcircuiti microcalcolatori», microcircuiti microcontrollori, memorie a circuiti integrati fabbricate a partire da un semiconduttore composto, convertitori analogico-numerici, circuiti integrati che contengono convertitori analogico-numerici e memorizzano o trattano i dati digitalizzati, convertitori numerico-analogici, circuiti elettro-ottici o «circuiti integrati ottici» progettati per il «trattamento del segnale», dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore, circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente per i quali non è conosciuta la funzione o le condizioni dell'apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, processori di trasformata rapida di Fourier (FFT), memorie di sola lettura cancellabili e programmabili elettricamente (EEPROM), memorie flash, memorie statiche ad accesso casuale (SRAM) o memorie ad accesso casuale magnetoresistive (MRAM), aventi una delle caratteristiche seguenti: a) previsti per funzionare ad una temperatura ambiente superiore a 398 K (+ 125 °C); b) previsti per funzionare ad una temperatura ambiente inferiore a 218 K (– 55 °C) o c) previsti per funzionare nell'intera gamma di temperatura ambiente da 218 K (– 55 °C) a 398 K (+ 125 °C); Nota: questa categoria non si applica ai circuiti integrati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili. 3A001.a.2

IX.A3.004 «Circuiti integrati ottici» ed elettro-ottici per il «trattamento del segnale» aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) uno o più diodi «laser» interni; b) uno o più elementi interni di rivelazione della luce e c) guide d'onda ottiche; 3A001.a.

IX.A3.005 4. dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) numero massimo di entrate/uscite numeriche superiore a 700 o b) «velocità di trasmissione di dati aggregati di picco di un ricetrasmettitore in serie unidirezionale» pari o superiore a 500 Gb/s; Nota: questa categoria comprende: — dispositivi logici programmabili semplici (SPLD), — dispositivi logici programmabili complessi (CPLD), — reti di porte programmabili dall'utilizzatore (FPGA), — reti logiche programmabili dall'utilizzatore (FPLA), — interconnessioni programmabili dall'utilizzatore (FPIC). 3A001.a.

IX.A3.006 Circuiti integrati per reti neurali. 3A001.a.

IX.A3.007 Circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente, per i quali il fabbricante non conosce né la funzione né le condizioni dell'apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) oltre 1 500 terminali di uscita; b) «ritardo di propagazione della porta di base» tipico inferiore a 0,02 ns o c) frequenza di funzionamento superiore a 3 GHz. 3A001.a.

IX.A3.008 Circuiti integrati per sintetizzatore digitale diretto (DDS) aventi una delle caratteristiche seguenti: a) frequenza di clock del convertitore numerico-analogico (DAC) pari o superiore a 3,5 GHz e risoluzione del DAC uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit o b) frequenza di clock del convertitore numerico-analogico (DAC) pari o superiore a 1,25 GHz e una risoluzione del DAC pari o superiore a 12 bit. Nota tecnica: la frequenza di clock del DAC può essere descritta come frequenza di clock pilota o frequenza di clock di entrata. 3A001.a.

IX.A3.009 Prodotti a microonde o ad onde millimetriche, come segue: a) «dispositivi elettronici sotto vuoto» a onde progressive, a impulsi o a onda continua; 1. dispositivi funzionanti a frequenze superiori a 31,8 GHz; 2. dispositivi aventi l'elemento riscaldante del catodo con un tempo inferiore a 3 secondi tra l'accensione e l'emissione di potenza a RF (radiofrequenza) nominale; 3. dispositivi a cavità accoppiate o loro derivati con «banda passante frazionaria» superiore al 7 % o con potenza di picco superiore a 2,5 kW; 4. dispositivi basati su circuiti a elica, a guida d'onda piegata o a serpentina o loro derivati, aventi una delle caratteristiche seguenti: a. «banda passante istantanea» superiore a un'ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 0,5; b. «banda passante istantanea» uguale o inferiore a un'ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 1; c. «qualificati per impiego spaziale» o d. aventi una pistola elettronica a griglia; 5. dispositivi con «banda passante frazionaria» superiore o uguale al 10 %, aventi una delle caratteristiche seguenti: a. un fascio elettronico anulare; b. un fascio elettronico non assialsimmetrico o c. fasci elettronici multipli; b) «dispositivi elettronici sotto vuoto» amplificatori a campi incrociati con guadagno superiore a 17 dB; c) catodi termoionici progettati per «dispositivi elettronici sotto vuoto» in grado di produrre una densità di corrente nelle condizioni di funzionamento nominali superiore a 5 A/cm2 o una densità di corrente a impulsi (non continua) nelle condizioni di funzionamento nominali superiore a 10 A/cm2; d) «dispositivi elettronici sotto vuoto» in grado di operare in «modalità doppia»; Nota tecnica: «modalità doppia» significa che la corrente del fascio del «dispositivo elettronico sotto vuoto» può essere intenzionalmente modificata tra il funzionamento a onda continua e pulsata per mezzo di una griglia e produce una potenza di picco in uscita a impulsi superiore alla potenza di uscita in onda continua. 3A001.b.

IX.A3.010 Amplificatori a «circuito integrato monolitico a microonde» (MMIC) aventi una delle caratteristiche seguenti: a) previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi) con una «banda passante frazionaria» superiore al 15 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 75 W (48,75 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 55 W (47,4 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 40 W (46 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 W (43 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi); b) previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 16 GHz (inclusi) con una «banda passante frazionaria» superiore al 10 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 10 W (40 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); o 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 5 W (37 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 16 GHz (inclusi); c) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 3 W (34,77 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 10 %; d) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1n W (- 70 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi); e) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 1 W (30 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 10 %; f) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 31,62 mW (15 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 43,5 GHz fino a 75 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 10 %; g) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 10 mW (10 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 75 GHz fino a 90 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 5 %, o h) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (- 70 dBm) a frequenze superiori a 90 GHz. Note: 1. le condizioni degli MMIC la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza sono determinate dalla soglia della più bassa potenza di uscita di picco satura. 2. questa categoria non si applica agli MMIC specificamente progettati per altre applicazioni, ad esempio telecomunicazioni, radar, automobili. 3A001.b.

IX.A3.011 Transistor a microonde discreti aventi una delle caratteristiche seguenti: a. previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi) e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 400 W (56 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 205 W (53,12 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 115 W (50,61 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 60 W (47,78 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi); b. previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi) e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 50 W (47 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 15 W (41,76 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 12 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 40 W (46 dBm) a frequenze superiori a 12 GHz fino a 16 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 7 W (38,45 dBm) a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi); c. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,5 W (27 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi); d. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 1 W (30 dBm) a frequenze superiori a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi) o e. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (- 70 dBm) a frequenze superiori a 43,5 GHz. Note: 1. le condizioni di un transistor la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza sono determinate dalla soglia della più bassa potenza di uscita di picco satura. 2. questa categoria comprende die nudi, die montati su supporto o die montati in package. Alcuni transistor discreti possono essere anche indicati come amplificatori di potenza. 3A001.b.

IX.A3.012 Amplificatori a microonde a stato solido e assiemi/moduli a microonde contenenti amplificatori a microonde a stato solido aventi una delle caratteristiche seguenti: a) previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi) con una «banda passante frazionaria» superiore al 15 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 500 W (57 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 270 W (54,3 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 200 W (53 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 90 W (49,54 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi); b) previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi) con una «banda passante frazionaria» superiore al 10 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 70 W (48,54 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 50 W (47 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 12 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 30 W (44,77 dBm) a frequenze superiori a 12 GHz fino a 16 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 W (43 dBm) a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi); c) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,5 W (27 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi); d) previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 2 W (33 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 10 %; e) previsti per funzionare a frequenze superiori a 43,5 GHz e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 0,2 W (23 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 43,5 GHz fino a 75 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 10 %; 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 mW (13 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 75 GHz fino a 90 GHz (inclusi), con «banda passante frazionaria» superiore al 5 %; o 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (– 70 dBm) a frequenze superiori a 90 GHz. Nota: le condizioni di un prodotto la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza sono determinate dalla soglia della più bassa potenza di uscita di picco satura. 3A001.b.

IX.A3.013 Filtri passa-banda o eliminatori di banda accordabili elettronicamente o magneticamente, aventi più di 5 risonatori accordabili in grado di accordarsi su una banda di frequenza di 1,5:1 (fmax/fmin) in meno di 10 μs e aventi una delle caratteristiche seguenti: a) banda passante superiore allo 0,5 % della frequenza centrale o b) banda passante inferiore allo 0,5 % della frequenza centrale. 3A001.b.

IX.A3.014 Convertitori e miscelatori armonici aventi una delle caratteristiche seguenti: a) progettati per ampliare la gamma di frequenze degli «analizzatori di segnale» oltre 90 GHz; b) progettati per ampliare la gamma di funzionamento dei generatori di segnale come segue: 1. oltre 90 GHz; 2. a una potenza di uscita superiore a 100 mW (20 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 43,5 GHz ma non superiori a 90 GHz; c) progettati per ampliare la gamma di funzionamento degli analizzatori di rete come segue: 1. oltre 110 GHz; 2. a una potenza di uscita superiore a 31,62 mW (15 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 43,5 GHz ma non superiori a 90 GHz; 3. a una potenza di uscita superiore a 1 mW (0 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 90 GHz ma non superiori a 110 GHz; o d) progettati per ampliare la gamma di frequenze di ricevitori di collaudo a microonde oltre 110 GHz. 3A001.b.

IX.A3.015 Amplificatori di potenza a microonde contenenti «dispositivi elettronici sotto vuoto» sopra specificati e aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) frequenze di funzionamento superiori a 3 GHz; b) rapporto fra potenza media di uscita e massa superiore a 80 W/kg e c) volume inferiore a 400 cm3. Nota: questa categoria non si applica alle apparecchiature progettate o previste per funzionare in qualsiasi banda di frequenza «assegnata dall'Unione internazionale delle telecomunicazioni (UIT)» per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione. 3A001.b.

IX.A3.016 Moduli di potenza a microonde (MPM), costituiti come minimo da un «dispositivo elettronico sotto vuoto» ad onde progressive, un «circuito integrato monolitico a microonde» («MMIC») e un convertitore di potenza elettronico integrato, aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) «tempo di accensione» da spento a completamente operativo inferiore a 10 secondi; b) volume inferiore alla potenza nominale massima espressa in Watt moltiplicata per 10 cm3/W e c) «banda passante istantanea» superiore a un'ottava (fmax > 2fmin) e una delle caratteristiche seguenti: 1. per frequenze uguali o inferiori a 18 GHz, una potenza di uscita a RF (radio frequenza) superiore a 100 W o 2. frequenza superiore a 18 GHz. Note tecniche: 1. per calcolare il volume di cui alla voce b. è fornito il seguente esempio: per una potenza nominale massima di 20 W, il volume corrisponderebbe a: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Il «tempo di accensione» di cui alla voce a. si riferisce al tempo che intercorre tra lo stato di inattività completa e lo stato di piena operatività, ossia include il tempo di riscaldamento degli MPM. 3A001.b.

IX.A3.017 Oscillatori o assiemi di oscillatori, specificati per funzionare con un rumore di fase in banda laterale unica (SSB), espresso in dBc/Hz, inferiore a (migliore di) – (126 + 20log10F – 20log10f) in qualsiasi punto entro la gamma di 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Nota tecnica: nella categoria precedente F rappresenta lo spostamento espresso in Hz rispetto alla frequenza di funzionamento e f la frequenza di funzionamento espressa in MHz. 3A001.b.

IX.A3.018 «Assiemi elettronici»«sintetizzatori di frequenza» aventi «tempo di commutazione della frequenza» come specificato da una delle seguenti caratteristiche: a) inferiore a 143 ps; b) inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 4,8 GHz ma non superiori a 31,8 GHz; c) inferiore a 500 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 31,8 GHz ma non superiori a 37 GHz; d) inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 37 GHz ma non superiori a 90 GHz o e) inferiore a 1 ms entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 90 GHz. 3A001.b.

IX.A3.019 «Moduli trasmittenti/riceventi», «MMIC trasmittenti/riceventi», «moduli trasmittenti» e «MMIC trasmittenti» previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz e aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) potenza di uscita di picco satura (in watt) Psat superiore a 505,62 divisa per la frequenza operativa massima (in GHz) al quadrato [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] per qualsiasi canale; b) una «banda passante frazionaria» del 5 % o superiore per qualsiasi canale; c) lunghezza d del lato planare (in cm) uguale o inferiore a 15 divisa per la più bassa frequenza operativa espressa in GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], dove N è il numero di canali trasmittenti o trasmittenti/riceventi e d) uno sfasatore elettronicamente variabile per canale. Note tecniche: 1. per «modulo trasmittente/ricevente» si intende un «assieme elettronico» multifunzione che fornisce un'ampiezza bidirezionale e un controllo di fase per la trasmissione e la ricezione di segnali. 2. Per «modulo trasmittente» si intende un «assieme elettronico» che fornisce un'ampiezza e un controllo di fase per la trasmissione di segnali. 3. Per «MMIC trasmittente/ricevente» si intende un «MMIC» multifunzione che fornisce un'ampiezza bidirezionale e un controllo di fase per la trasmissione e la ricezione di segnali. 4. Per «MMIC trasmittente» si intende un «MMIC» che fornisce un'ampiezza e un controllo di fase per la trasmissione di segnali. 5. Nella formula indicata alla voce c), 2,7 GHz dovrebbe essere utilizzata come la più bassa frequenza operativa (fGHz) per i moduli trasmittenti/riceventi o trasmittenti la cui gamma di funzionamento prevista si estende verso il basso a 2,7 GHz e oltre [d≤15 cm*GHz*N/2.7 GHz]. 6. La voce IX.A3.019 si applica ai «moduli trasmittenti/riceventi» o ai «moduli trasmittenti» provvisti o meno di un dissipatore di calore. Il valore di d in 11.c. non comprende porzioni del «modulo trasmittente/ricevente» o del «modulo trasmittente» che funge da dissipatore di calore. 7. I «moduli trasmittenti/riceventi», «moduli trasmittenti», «MMIC trasmittenti/riceventi» e «MMIC trasmittenti» possono essere dotati o meno di N elementi integrati ad antenna irradiante, dove N è il numero di canali trasmittenti o trasmittenti/riceventi. 3A001.b.

IX.A3.020 Dispositivi che utilizzano le onde acustiche di superficie e le onde acustiche rasenti (poco profonde) con una delle caratteristiche seguenti: a) frequenza portante superiore a 6 GHz; b) frequenza portante superiore a 1 GHz ma uguale o inferiore a 6 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. «reiezione del lobo laterale di frequenza» superiore a 65 dB; 2. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100; 3. banda passante superiore a 250 MHz o 4. ritardo di dispersione superiore a 10 μs o c) frequenza portante inferiore o uguale a 1 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100; 2. ritardo di dispersione superiore a 10 μs o 3. «reiezione del lobo laterale di frequenza» superiore a 65 dB e banda passante superiore a 100 MHz. 3A001.c.

IX.A3.021 Dispositivi che utilizzano le onde acustiche di volume che permettono il trattamento diretto di segnali a frequenze superiori a 6 GHz. 3A001.c.

IX.A3.022 Dispositivi di «trattamento del segnale» acustico-ottici basati sull'interazione tra onde acustiche (di volume o di superficie) e onde luminose che permettono il trattamento diretto di segnali o immagini, compresa l'analisi spettrale, la correlazione o la convoluzione. 3A001.c.

IX.A3.023 Dispositivi e circuiti elettronici contenenti componenti, fabbricati a partire da materiali «superconduttori», appositamente progettati per funzionare a temperature inferiori alla «temperatura critica» di almeno uno dei costituenti «superconduttori», aventi una delle funzioni seguenti: a) commutazione di corrente per circuiti numerici che impiegano porte «superconduttrici» con prodotto del ritardo per porta (espresso in secondi) per la potenza dissipata per porta (espressa in Watt) inferiore a 10– 14 J o b) selezione di frequenza a tutte le frequenze con circuiti risonanti aventi fattori Q superiori a 10 000 . 3A001.d.

IX.A3.024 Celle ad alta energia come segue: a) «celle primarie» aventi una «densità di energia» superiore a 550 Wh/kg a 20 °C; b) «celle secondarie» aventi una «densità di energia» superiore a 350 Wh/kg a 20 °C. Note tecniche: 1. ai fini dei dispositivi ad alta energia, la «densità di energia» (Wh/kg) è calcolata moltiplicando la tensione nominale per la capacità nominale espressa in ampere/ore (Ah) e dividendo il prodotto ottenuto per la massa espressa in chilogrammi. Se la capacità nominale non è definita, la densità di energia è calcolata moltiplicando il quadrato della tensione nominale per la durata della scarica, espressa in ore, e dividendo il prodotto ottenuto per il carico di scarica espresso in ohm e la massa espressa in chilogrammi. 2. Ai fini dei dispositivi ad alta energia, per «cella» si intende un dispositivo elettrochimico dotato di elettrodi positivi e negativi e di un elettrolito, che è una sorgente di energia elettrica. È l'elemento costitutivo principale di una batteria. 3. Ai fini dei dispositivi ad alta energia, per «cella primaria» si intende una «cella» che non è progettata per essere caricata da un'altra sorgente. 4. Ai fini dei dispositivi ad alta energia, per «cella secondaria» si intende una «cella» progettata per essere caricata da una sorgente elettrica esterna. Nota: i dispositivi ad alta energia non comprendono le batterie, incluse le batterie a cella singola. 3A001.e.

IX.A3.025 Condensatori con elevata capacità di immagazzinare energia come segue: a) condensatori con cadenza di ripetizione inferiore a 10 Hz (condensatori a scarica in un solo colpo) aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV; 2. densità di energia uguale o superiore a 250 J/kg; e 3. energia totale uguale o superiore a 25 kJ; b) condensatori con cadenza di ripetizione uguale o superiore a 10 Hz (a scariche successive) aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV; 2. densità di energia uguale o superiore a 50 J/kg; 3. energia totale uguale o superiore a 100 J e 4. durata di vita uguale o superiore a 10 000 cicli carica/scarica. 3A001.e.

IX.A3.026 Elettromagneti e solenoidi «superconduttori», appositamente progettati per un tempo di carica o di scarica completo inferiore ad un secondo, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: la voce precedente non si applica agli elettromagneti e ai solenoidi «superconduttori» appositamente progettati per le apparecchiature medicali ad immagine a risonanza magnetica (MRI). a) energia fornita durante la scarica superiore a 10 kJ nel primo secondo; b) diametro interno degli avvolgimenti percorsi da corrente superiore a 250 mm e c) previsti per una induzione magnetica superiore a 8 T o per una «densità di corrente globale» nell'avvolgimento superiore a 300 A/mm2. 3A001.e.

IX.A3.027 Celle solari, assiemi di coperture vetrose interconnesse (CIC), pannelli e array solari «qualificati per impiego spaziale» e aventi efficienza media minima superiore al 20 % a una temperatura di funzionamento di 301 K (28 °C) a illuminazione simulata «AM0» con un irradiamento di 1 367 watt per metro quadrato (W/m2). Nota tecnica: «AM0» o «massa d'aria zero» si riferisce all'irradiamento spettrale della luce solare nell'atmosfera esterna della terra quando la distanza tra la terra e il sole è pari a un'unità astronomica (UA). 3A001.e.

IX.A3.028 Codificatori di posizione assoluta di tipo rotante, aventi una «precisione» uguale o inferiore a (migliore di) 1,0 secondo d'arco e anelli, dischi o scale codificatori appositamente progettati. 3A001.f.

IX.A3.029 Dispositivi di commutazione a tiristori a energia pulsata a stato solido e «moduli di tiristori» che utilizzano metodi di commutazione controllati elettricamente, otticamente o a radiazione di elettroni, aventi una delle seguenti caratteristiche: 1. velocità massima di salita della corrente di accensione (di/dt) superiore a 30 000 A/μs e tensione a vuoto superiore a 1 100 V o 2. velocità massima di salita della corrente di accensione (di/dt) superiore a 2 000 A/μs e tutte le caratteristiche seguenti: a. tensione di picco a vuoto uguale o superiore a 3 000 V e b. corrente di picco (transitorio) uguale o superiore a 3 000 A. Note: 1. la lettera g) comprende: — raddrizzatori controllati al silicio (SCR), — tiristori a innesco elettrico (ETT), — tiristori a innesco leggero (LTT), — tiristori a commutazione a circuito integrato (IGCT), — tiristori a spegnimento forzato (GTO), — tiristori controllati da transistor MOS (MCT), — Solidtron. 2. la lettera g) non si applica ai dispositivi a tiristori e ai «moduli di tiristori» incorporati in apparecchiature progettate per applicazioni ferroviarie civili o per aeromobili civili. Nota tecnica: Ai fini della lettera g) un «modulo di tiristori» contiene uno o più tiristori. 3A001.g.

IX.A3.030 Commutatori, diodi o «moduli» a semiconduttore a energia allo stato solido aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. previsti per una temperatura massima di esercizio della giunzione superiore a 488 K (215 °C); 2. tensione di picco ripetitiva a vuoto (tensione di blocco) superiore a 300 V e 3. corrente continua superiore a 1 A. Nota: la tensione di picco ripetitiva a vuoto della voce precedente comprende la tensione pozzo-sorgente, la tensione collettore-emettitore, la tensione inversa di picco ripetitiva e la tensione di picco ripetitiva a vuoto (tensione di blocco). 3A001.h.

IX.A3.031 Apparecchiature di registrazione e oscilloscopi, come segue: 1. registratori numerici di dati aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. un «flusso continuo» sul lungo periodo superiore a 6,4 Gbit/s verso il disco o il drive di memoria allo stato solido e b. un processore che svolge analisi dei dati relativi ai segnali di radiofrequenza durante la loro registrazione; Note tecniche: 1. per i registratori aventi una architettura a bus parallelo, il «flusso continuo» è la frequenza di parola più elevata moltiplicata per il numero di bit in una parola. 2. Il «flusso continuo» è la frequenza di dati più veloce che lo strumento è in grado di registrare sul disco o sul drive di memoria allo stato solido senza alcuna perdita di informazioni, mantenendo la frequenza dei dati numerici in entrata o la frequenza di conversione del digitalizzatore. 2. Oscilloscopi in tempo reale aventi una tensione di rumore con scarto quadratico medio verticale inferiore del 2 % del fondo scala con impostazione della scala verticale che fornisce il più basso valore del rumore con qualsiasi banda passante di input di 3 dB pari o superiore a 60 GHz per canale. 3A002.a.

IX.A3.032 «Analizzatori di segnali», come segue: 1. «analizzatori di segnali» con banda passante di risoluzione a 3 dB superiore a 10 MHz in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiore a 31,8 GHz ma non superiore a 37 GHz; 2. «analizzatori di segnali» con livello medio di rumore visualizzato (DANL) inferiore a (migliore di) – 150 dBm/Hz in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiore a 43,5 GHz ma non superiore a 90 GHz; 3. «analizzatori di segnali» con frequenza superiore a 90 GHz; 4. «analizzatori di segnali» aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. «banda passante in tempo reale» superiore a 170 MHz e b. aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. probabilità di scoperta del 100 % con una riduzione inferiore a 3 dB rispetto all'ampiezza massima a causa di salti o effetti di windowing dei segnali aventi una durata pari o inferiore a 15 μs o 2. una funzione di «trigger delle maschere di frequenza» con una probabilità di trigger (cattura) del 100 % per segnali aventi una durata pari o inferiore a 15 μs. Note tecniche: 1. la probabilità di scoperta di cui al punto 1. è anche indicata come probabilità di intercettamento o probabilità di cattura. 2. Ai fini del punto 1. la durata della probabilità di scoperta del 100 % è equivalente alla durata del segnale minima necessaria per l'incertezza di misura del livello specificato. Nota: la categoria di cui sopra non si applica agli «analizzatori di segnali» che utilizzano solo filtri di banda passante a percentuale costante (noti anche come filtri di ottava o filtri di frazioni di ottava). 3A002.c.

IX.A3.033 Generatori di segnale aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. specificati per generare segnali modulati a impulsi aventi tutte le caratteristiche seguenti, in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 31,8 GHz ma non superiori a 37 GHz; a. «durata dell'impulso» inferiore a 25 ns e b. rapporto ON/OFF pari o superiore a 65 dB; 2. potenza di uscita superiore a 100 mW (20 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 43,5 GHz ma non superiori a 90 GHz; 3. «tempo di commutazione delle frequenza» come specificato da una delle seguenti caratteristiche: a. inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze superiori a 4,8 GHz ma non superiori a 31,8 GHz; b. inferiore a 500 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze superiori a 31,8 GHz ma non superiori a 37 GHz o c. inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze superiori a 37 GHz ma non superiori a 90 GHz 3A002.d.

IX.A3.034 Analizzatori di rete aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita superiore a 31,62 mW (15 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze di funzionamento superiori a 43,5 GHz ma non superiori a 90 GHz; 2. potenza di uscita superiore a 1 mW (0 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze di funzionamento superiori a 90 GHz ma non superiori a 110 GHz; 3. «funzionalità di misura vettoriale non lineare» a frequenze superiori a 50 GHz ma non superiori a 110 GHz o 4. frequenza di funzionamento massima superiore a 110 GHz. Nota tecnica: la «funzionalità di misura vettoriale non lineare» è la capacità di uno strumento di misurare i risultati delle prove di dispositivi utilizzati nel dominio dei grandi segnali o nella gamma della distorsione non lineare. 3A002.e.

IX.A3.035 Ricevitori di collaudo a microonde aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. frequenza di funzionamento massima superiore a 110 GHz; e 2. in grado di misurare simultaneamente l'ampiezza e la fase. 3A002.f.

IX.A3.036 Campioni di frequenza atomici con una delle caratteristiche seguenti: 1. «qualificati per impiego spaziale»; 2. non al rubidio e con stabilità a lungo termine inferiore a (migliore di) 1 × 10– 11/mese o 3. non «qualificati per impiego spaziale» e aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. campione di frequenza al rubidio; b. stabilità a lungo termine inferiore a (migliore di) 1 × 10– 11/mese e c. consumo energetico totale inferiore a 1 Watt. 3A002.f.

IX.A3.037 Apparecchiature per la fabbricazione di dispositivi o di materiali semiconduttori, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: a) apparecchiature progettate per l'impiantazione ionica, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. essere progettate ed ottimizzate per funzionare con un'energia del fascio uguale o superiore a 20 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 10 mA in grado di impiantare idrogeno, deuterio o elio; 2. capacità di scrittura diretta; 3. energia del fascio uguale o superiore a 65 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 45 mA in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un «substrato» di materiale semiconduttore riscaldato o 4. essere progettate ed ottimizzate per funzionare con una energia del fascio uguale o superiore a 20 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 10 mA in grado di impiantare silicone in un substrato di materiale semiconduttore riscaldato a 600 °C o più; b) apparecchiature di litografia, come segue, e apparecchiature di impressione litografica in grado di produrre elementi uguali o inferiori a 45 nm: 1. apparecchiature di allineamento e di esposizione a ripetizione in sequenza (sequenza continua sulla fetta) o di scansione in sequenza (scanner) per il trattamento delle fette che utilizzano metodi foto-ottici o a raggi X, aventi una delle caratteristiche seguenti: a. lunghezza d'onda della sorgente luminosa inferiore a 193 nm o b. in grado di produrre un tracciato in cui la «dimensione dell'elemento di risoluzione minimo» (ERM) è uguale o inferiore a 45 nm; Nota tecnica: la «dimensione dell'elemento di risoluzione minimo» (ERM) è calcolata con la formula seguente: dove il fattore K = 0,35 c) apparecchiature appositamente progettate per maschere utilizzanti un fascio elettronico focalizzato deflesso, un fascio ionico o un fascio «laser». 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Apparecchiature progettate per il trattamento di dispositivi con metodi di scrittura diretta; maschere e reticoli, progettati per i circuiti integrati. 3B001.g.

IX.A3.038 Apparecchiature di collaudo appositamente progettate per collaudare dispositivi semiconduttori finiti o non finiti e dispositivi a microonde, come segue, e loro componenti e accessori appositamente progettati: a) per il collaudo dei parametri S dei dispositivi a transistor a frequenze superiori a 31,8 GHz; b) per il collaudo di circuiti integrati a microonde sopra specificati. 3B002

IX.A3.039 Materiali etero-epitassiali consistenti di un «substrato» con strati multipli sovrapposti ottenuti per crescita epitassiale con uno degli elementi seguenti; a) silicio (Si); b) germanio (Ge); c) carburo di silicio (SiC) o d) «composti III/V» di gallio o di indio. Nota: questa voce non si applica ai «substrati» aventi uno o più strati epitassiali di tipo P di GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP o InGaAlP, indipendentemente dalla sequenza degli elementi, tranne qualora lo strato epitassiale di tipo P sia tra strati di tipo N. 3C001

IX.A3.040 Resine fotosensibili (resist) e «substrati» rivestiti di resine fotosensibili come segue: a) resine fotosensibili (resist) progettate per la litografia di semiconduttori, come segue: 1. resine fotosensibili (resist) positive adattate (ottimizzate) per l'impiego con lunghezze d'onda inferiori a 245 nm ma uguali o superiori a 15 nm; 2. resine fotosensibili (resist) positive adattate (ottimizzate) per l'impiego con lunghezze d'onda inferiori a 15 nm ma superiori a 1 nm; b) tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di fasci elettronici o ionici, aventi sensibilità di 0,01 μcoulomb/mm2 o migliore; c) tutte le resine fotosensibili (resist) ottimizzate per tecnologie di formazione di immagini di superficie; d) tutte le resine fotosensibili progettate o ottimizzate per essere utilizzate con apparecchiature di impressione litografica in grado di produrre elementi uguali o inferiori a 45 nm che utilizzano un processo di termo-solidificazione o di foto-solidificazione. 3C002

IX.A3.041 Composti organici-inorganici: a) composti metallo-organici di alluminio, gallio o indio, aventi una purezza (purezza del metallo) superiore al 99,999 %; b) composti organici di arsenico, antimonio e fosforo, aventi una purezza (purezza dell'elemento inorganico) superiore al 99,999 %. 3C003

IX.A3.042 Idruri di fosforo, di arsenico o di antimonio, aventi una purezza superiore al 99,999 %, anche se diluiti in gas inerti o idrogeno. Nota: la voce precedente non si applica agli idruri contenenti il 20 % molare o più di gas inerti o di idrogeno. 3C004

IX.A3.043 «Substrati» di semiconduttori, lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10 000 ohm-cm a 20 °C. 3C005