Br. Opis Povezana stavka iz Priloga I. Uredbi (EZ) br. 428/2009

IX.A3.001 Elektronički uređaji kako slijedi: (a) integrirani sklopovi opće namjene, kako slijedi: Napomene: 1. Status poluvodičkih pločica (dovršenih ili nedovršenih), čija je funkcija utvrđena, treba procijeniti prema parametrima iz 3A001.a. 2. Integrirani sklopovi uključuju sljedeće vrste: — „monolitne integrirane sklopove”; — „hibridne integrirane sklopove”; — „integrirane sklopove s više čipova”, — „integrirane sklopove prevučene filmom”, uključujući integrirane sklopove silicij-na-safiru; — „optičke integrirane sklopove”; — „trodimenzionalne integrirane sklopove”; — „monolitne mikrovalne integrirane sklopove” („MMIC”). 3A001.a

IX.A3.002 Integrirani sklopovi, projektirani ili ocijenjeni kao otporni na zračenje da mogu podnijeti bilo što od sljedećeg: (a) ukupnu dozu od 5 × 103 Gy (silicij) ili veću; (b) određenu stalnu dozu ionizirajućeg zračenja od 5 × 106 Gy (silicij)/s ili veću; ili (c) gustoću protoka (integrirani fluks) neutrona (ekvivalent 1 MeV) od 5 × 1 013 n/cm2 ili više na siliciju ili njegovu ekvivalentu za druge materijale; Napomena: Prethodna se kategorija ne odnosi na metalne izolatorske poluvodiče (Metal Insulator Semiconductors – MIS). 3A001.a.

IX.A3.003 „Mikroprocesorski mikrosklopovi”, „mikroprocesorski mikrosklopovi”, mikroupravljački mikrosklopovi, integrirani sklopovi za pohranu izrađeni od složenih poluvodiča, analogno-digitalni pretvarači, integrirani sklopovi koji sadržavaju analogno-digitalne pretvarače te pohranjuju ili obrađuju digitalizirane podatke, digitalno-analogni pretvarači, elektrooptički ili „optički integrirani sklopovi” namijenjeni za „obradu signala”, logički uređaji s programabilnim poljima, integrirani sklopovi po narudžbi za koje su nepoznati funkcija i status opreme u kojoj će se integrirani sklop upotrebljavati, procesori s brzim Fourierovim transformom (FFT), električno izbrisive programirljive stalne memorije (EEPROM), impulsne memorije, statičke radne memorije (SRAM) ili magnetske statičke radne memorije (MRAM), koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) predviđeni su za rad pri temperaturi okoline iznad 398 K (+ 125 °C); (b) predviđeni su za rad pri temperaturi okoline ispod 218 K (– 55 °C); ili (c) predviđeni su za rad u cijelom rasponu temperature okoline od 218 K (– 55 °C) do 398 K (+ 125 °C); Napomena: Prethodna se kategorija ne odnosi na integrirane sklopove za primjenu u području civilnih automobila ili željeznice. 3A001.a.2

IX.A3.004 Elektrooptički i „optički integrirani sklopovi” namijenjeni za „obradu signala” koji imaju sve sljedeće značajke: (a) jednu ili više unutarnjih „laserskih” dioda; (b) jedan ili više unutarnjih elemenata za otkrivanje svjetla; i (c) optičke valovode; 3A001.a.

IX.A3.005 4. Logički uređaji s programabilnim poljem koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) najveći broj istosmjernih digitalnih ulazno/izlaznih podataka veći od 700; ili (b) „ukupnu jednosmjernu najveću brzinu serijskog prijenosa podataka primopredajnika” od 500 Gb/s ili veću; Napomena: Ova kategorija uključuje: — jednostavne programabilne logičke uređaje (SPLD); — složene programabilne logičke uređaje (CPLD); — programabilna polja blokova vrata (FPGA); — programabilna logička polja (FPLA); — programabilne sklopove međuveza (FPIC). 3A001.a.

IX.A3.006 Integrirani sklopovi neuralne mreže; 3A001.a.

IX.A3.007 Integrirani sklopovi po narudžbi čija je funkcija nepoznata ili čiji je status opreme u kojoj će se upotrebljavati integrirani sklopovi proizvođaču nepoznat, koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) više od 1 500 terminala; (b) tipično „vrijeme zadrške širenja osnovnog logičkog sklopa” manje od 0,02 ns; ili (c) radnu frekvenciju veću od 3 GHz; 3A001.a.

IX.A3.008 Integrirani sklopovi za direktnu digitalnu sintezu (Direct Digital Synthesizer – DDS) koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) taktnu frekvenciju digitalno-analognog pretvarača (D/A pretvarač) od 3,5 GHz ili veću i razlučivost D/A pretvarača od 10 bita ili veću, no manju od 12 bita; ili (b) taktnu frekvenciju D/A pretvarača od 1,25 GHz ili veću i razlučivost D/A pretvarača od 12 bita ili veću; Tehnička napomena: Taktna frekvencija digitalno-analognog pretvarača može biti navedena kao glavna taktna frekvencija ili ulazna taktna frekvencija. 3A001.a.

IX.A3.009 Komponente mikrovalova ili milimetarskih valova kako slijedi: (a) „vakuumski elektronički uređaji” s putujućim valom, impulsnim ili kontinuiranim valom, kako slijedi: 1. uređaji koji rade na frekvencijama višima od 31,8 GHz; 2. uređaji koji imaju katodni grijač s vremenom uključivanja na nazivnu RF snagu kraćim od 3 sekunde; 3. uređaji sa spregnutim rezonantnim šupljinama ili njihovi derivati, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 7 % ili je najveća snaga veća od 2,5 kW; 4. uređaji na temelju spiralnih sklopova, sklopova savijenog valovoda ili vijugavog valovoda ili njihovi derivati, koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: a. „trenutačnu širinu pojasa” veću od jedne oktave i prosječnu snagu (izraženu u kW) puta frekvencija (izraženu u GHz) od više od 0,5; b. „trenutačnu širinu pojasa” od jedne oktave ili manje i prosječnu snagu (izraženu u kW) puta frekvencija (izražena u GHz) od više od 1 ili c. „prikladni su za upotrebu u svemiru”; ili d. imaju elektronski top s rešetkom; 5. uređaji čija je „relativna širina pojasa” jednaka ili veća od 10 % i koji imaju bilo što od sljedećeg: a. prstenasti elektronski snop; b. neosnosimetrični elektronski snop; ili c. više elektronskih snopova; (b) „vakuumski elektronički uređaji” pojačala s unakrsnim poljima s pojačanjem većim od 17 dB; (c) termionske katode namijenjene za „vakuumske elektroničke uređaje” koji proizvode gustoću emisijske struje u nazivnim radnim uvjetima veću od 5 A/cm2 ili gustoću impulsne (nekontinuirane) struje u nazivnim radnim uvjetima veću od 10 A/cm2; (d) „vakuumski elektronički uređaji” koji mogu raditi u „dvojnom načinu rada”. Tehnička napomena:„Dvojni način rada” znači da je struju snopa „vakuumskog elektroničkog uređaja” moguće namjerno prebacivati iz načina rada s kontinuiranim valom u impulsni način rada upotrebom rešetke i da se dobiva najveća impulsna izlazna snaga veća od izlazne snage kontinuiranog vala. 3A001.b.

IX.A3.010 Pojačala s „monolitnim mikrovalnim integriranim sklopovima” (MMIC) koja imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) predviđena su za rad pri frekvencijama višima od 2,7 GHz sve do i uključujući 6,8 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 15 % i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 75 W (48,75 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 2,7 GHz sve do i uključujući 2,9 GHz; 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 55 W (47,4 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 2,9 GHz sve do i uključujući 3,2 GHz; 3. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 40 W (46 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 3,2 GHz sve do i uključujući 3,7 GHz; ili 4. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 20 W (43 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 3,7 GHz sve do i uključujući 6,8 GHz; (b) predviđena su za rad pri frekvencijama višima od 6,8 GHz sve do i uključujući 16 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %, i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 10 W (40 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 6,8 GHz sve do i uključujući 8,5 GHz; ili 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 5 W (37 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 8,5 GHz sve do i uključujući 16 GHz; (c) predviđena su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 3 W (34,77 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 16 GHz sve do i uključujući 31,8 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %; (d) predviđena su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,1 nW (– 70 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 31,8 GHz sve do i uključujući 37 GHz; (e) predviđena su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 1 W (30 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 37 GHz sve do i uključujući 43,5 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %; (f) predviđena su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 31,62 mW (15 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 43,5 GHz sve do i uključujući 75 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %; (g) predviđena su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 10 mW (10 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 75 GHz sve do i uključujući 90 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 5 %; ili (h) predviđena su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,1 nW (– 70 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 90 GHz; Napomene: 1. Status MMIC-a čija nazivna radna frekvencija obuhvaća frekvencije sadržane u više od jednog frekvencijskog raspona određuje se najnižim pragom zasićene najveće izlazne snage. 2. Ova se kategorija ne odnosi na MMIC-e ako su posebno oblikovani za upotrebu u druge svrhe, npr. u području telekomunikacija, radara, automobila. 3A001.b.

IX.A3.011 Diskretni mikrovalni tranzistori koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: a. predviđeni su za rad pri frekvencijama višima od 2,7 GHz sve do i uključujući 6,8 GHz i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 400 W (56 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 2,7 GHz sve do i uključujući 2,9 GHz; 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 205 W (53,12 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 2,9 GHz sve do i uključujući 3,2 GHz; 3. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 115 W (50,61 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 3,2 GHz sve do i uključujući 3,7 GHz; ili 4. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 60 W (47,78 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 3,7 GHz sve do i uključujući 6,8 GHz; b. predviđeni su za rad pri frekvencijama višima od 6,8 GHz sve do i uključujući 31,8 GHz i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 50 W (47 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 6,8 GHz sve do i uključujući 8,5 GHz; 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 15 W (41,76 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 8,5 GHz sve do i uključujući 12 GHz; 3. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 40 W (46 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 12 GHz sve do i uključujući 16 GHz; ili 4. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 7 W (38,45 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 16 GHz sve do i uključujući 31,8 GHz; c. predviđeni su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,5 W (27 dBm) te na bilo kojoj frekvenciji višoj od 31,8 GHz sve do i uključujući 37 GHz; d. predviđeni su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 1 W (30 dBm) te na bilo kojoj frekvenciji višoj od 37 GHz sve do i uključujući 43,5 GHz; ili e. predviđeni su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,1 nW (–70 dBm), pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 43,5 GHz; Napomene: 1. Status tranzistora čija nazivna radna frekvencija obuhvaća frekvencije sadržane u više od jednog frekvencijskog raspona određuje se najnižim pragom zasićene najveće izlazne snage. 2. Ova kategorija uključuje neizolirane pločice, pločice postavljene na nositelje ili pločice postavljene u kućišta. Neke se izdvojene tranzistore može nazivati i pojačalima snage. 3A001.b.

IX.A3.012 Mikrovalna pojačala s elementima u čvrstom stanju i mikrovalni sklopovi/moduli koji sadržavaju mikrovalna pojačala s elementima u čvrstom stanju i imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) predviđeni su za rad pri frekvencijama višima od 2,7 GHz sve do i uključujući 6,8 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 15 %, i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 500 W (57 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 2,7 GHz sve do i uključujući 2,9 GHz; 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 270 W (54,3 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 2,9 GHz sve do i uključujući 3,2 GHz; 3. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 200 W (53 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 3,2 GHz sve do i uključujući 3,7 GHz; ili 4. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 90 W (49,54 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 3,7 GHz sve do i uključujući 6,8 GHz; (b) predviđeni su za rad pri frekvencijama višima od 6,8 GHz sve do i uključujući 31,8 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %, i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 70 W (48,54 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 6,8 GHz sve do i uključujući 8,5 GHz; 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 50 W (47 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 8,5 GHz sve do i uključujući 12 GHz; 3. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 30 W (44,77 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 12 GHz sve do i uključujući 16 GHz; ili 4. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 20 W (43 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 16 GHz sve do i uključujući 31,8 GHz; (c) predviđeni su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,5 W (27 dBm) te na bilo kojoj frekvenciji višoj od 31,8 GHz sve do i uključujući 37 GHz; (d) predviđeni su za rad uz zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 2 W (33 dBm) pri bilo kojoj frekvenciji višoj od 37 GHz sve do i uključujući 43,5 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %; (e) predviđeni su za rad na frekvencijama višima od 43,5 GHz i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,2 W (23 dBm) te na bilo kojoj frekvenciji višoj od 43,5 GHz sve do i uključujući 75 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 10 %; 2. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 20 mW (13 dBm) te na bilo kojoj frekvenciji višoj od 75 GHz sve do i uključujući 90 GHz, pri čemu je „relativna širina pojasa” veća od 5 %; ili 3. zasićenu najveću izlaznu snagu veću od 0,1 nW (– 70 dBm) na bilo kojoj frekvenciji višoj od 90 GHz Napomena: Status predmeta čija nazivna radna frekvencija obuhvaća frekvencije sadržane u više od jednog frekvencijskog raspona određuje se najnižim pragom zasićene najveće izlazne snage. 3A001.b.

IX.A3.013 Elektronički ili magnetski podesivi pojasni propust ili pojasna brana koji imaju više od 5 podesivih rezonatora s mogućnošću podešavanja kroz frekvencijski pojas od 1,5:1 (fmax/fmin) u manje od 10 μs i bilo koju od sljedećih značajki: (a) širinu pojasnog propusta veću od 0,5 % središnje frekvencije; ili (b) širinu pojasne brane manju od 0,5 % središnje frekvencije; 3A001.b.

IX.A3.014 Pretvarači i harmonijski mikseri za koje vrijedi bilo što od sljedećega: (a) namijenjeni su za širenje frekvencijskog područja „analizatora signala” iznad 90 GHz; (b) namijenjeni su za širenje frekvencijskog područja generatora signala kako slijedi: 1. iznad 90 GHz; 2. do izlazne snage koja prelazi 100 mW (20 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 43,5 GHz i 90 GHz; (c) namijenjeni su za širenje frekvencijskog područja mrežnih analizatora kako slijedi: 1. iznad 110 GHz; 2. do izlazne snage koja prelazi 31,62 mW (15 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 43,5 GHz i 90 GHz; 3. do izlazne snage koja prelazi 1 mW (0 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 90 GHz i 110 GHz; ili (d) namijenjeni su za širenje frekvencijskog područja mikrovalnih ispitnih prijamnika iznad 110 GHz; 3A001.b.

IX.A3.015 Mikrovalna pojačala snage koja sadržavaju prethodno navedene „vakuumske elektroničke uređaje” i koja imaju sve sljedeće značajke: (a) radnu frekvenciju iznad 3 GHz; (b) prosječnu izlaznu snagu u odnosu na masu veću od 80 W/kg; i (c) zapremninu manju od 400 cm3; Napomena: Ova se kategorija ne odnosi na opremu oblikovanu ili predviđenu za rad u bilo kojem frekvencijskom pojasu koji je „dodijelila Međunarodna unija za telekomunikacije” za radiokomunikacijske usluge, ali ne za radiolokaciju. 3A001.b.

IX.A3.016 Mikrovalni moduli snage (MPM) koji se sastoje minimalno od „vakuumskog elektroničkog uređaja” s putujućim valom, „monolitnog mikrovalnog integriranog sklopa” („MMIC”) i integriranog elektronskog poboljšivača snage i imaju sve sljedeće značajke: (a) „vrijeme uključivanja” iz isključenog položaja do dostizanja pune funkcionalnosti kraće od 10 sekundi; (b) zapremninu manju od maksimalne snage u W pomnožene s 10 cm3/W; i (c) „trenutačnu širinu pojasa” veću od 1 oktave (fmax > 2fmin) i bilo koju od sljedećih značajki: 1. za frekvencije manje od ili jednake 18 GHz, RF izlaznu snagu veću od 100 W; ili 2. frekvenciju veću od 18 GHz; Tehničke napomene: 1. Za izračun zapremnine u prethodnoj stavci b. daje se sljedeći primjer: za maksimalnu nazivnu snagu od 20 W zapremnina bi bila: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Vrijeme uključivanja” iz prethodne stavke a. odnosi se na vrijeme od potpuno isključenog do potpuno u funkciji; tj. uključuje i vrijeme zagrijavanja MPM-a. 3A001.b.

IX.A3.017 Oscilatori ili oscilatorski sklopovi, predviđeni za rad uz šum pojedine faze bočnog pojasa (SSB), izražen u dBc/Hz, manji (bolji) od –(126 + 20log10 F –20log10f) bilo gdje unutar područja od 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Tehnička napomena: U prethodnoj kategoriji F je regulacijsko odstupanje od radne frekvencije u Hz, a f je radna frekvencija u MHz; 3A001.b.

IX.A3.018 „Elektronički sklopovi”„frekvencijskog sintetizatora” koji imaju „vrijeme prebacivanja frekvencije” kako je određeno bilo kojom od sljedećih značajki: (a) manje od 143 ps; (b) manje od 100 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 2,2 GHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 4,8 GHz, ali ne prelazi 31,8 GHz; (c) manje od 500 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 550 MHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 31,8 GHz, ali ne prelazi 37 GHz; (d) manje od 100 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 2,2 GHz unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 37 GHz, ali ne prelazi 90 GHz; ili (e) manje od 1 ms unutar sintetiziranog frekvencijskog područja koje prelazi 90 GHz; 3A001.b.

IX.A3.019 „Odašiljački/prijamni moduli”, „odašiljački/prijamni MMIC-ovi”, „odašiljački moduli” i „odašiljački MMIC-ovi”, predviđeni za rad na frekvencijama iznad 2,7 GHz koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) zasićenu najveću izlaznu snagu (u vatima) Psat, veću od 505,62 podijeljeno s maksimalnom radnom frekvencijom (u GHz) na kvadrat [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz 2] za bilo koji kanal; (b) „relativnu širinu pojasa” od 5 % ili veću za bilo koji kanal; (c) bilo koju ravninsku stranu dužine d jednake 15 cm ili manje, podijeljene najnižom radnom frekvencijom u GHz [d ≤ 15 cm * GHz * N/fGHz], pri čemu je N broj odašiljačkih ili odašiljačko/prijamnih kanala; i (d) elektronički varijabilan zakretač faze. Tehničke napomene: 1. „Odašiljački/prijamni modul” je multifunkcijski „elektronički sklop” koji osigurava dvosmjerni nadzor amplitude i faze za odašiljanje i prijam signala. 2. „Odašiljački modul” je „elektronički sklop” koji osigurava nadzor amplitude i faze za odašiljanje signala. 3. „Odašiljački/prijamni MMIC” je multifunkcijski „MMIC” koji osigurava dvosmjerni nadzor amplitude i faze za odašiljanje i prijam signala. 4. „Odašiljački MMIC” je „MMIC” koji osigurava nadzor amplitude i faze za odašiljanje signala. 5. Kao najnižu radnu frekvenciju (fGHz) u formuli iz stavke (c) trebalo bi primjenjivati 2,7 GHz za odašiljačke/prijamne ili odašiljačke module čije se nazivno radno područje spušta do 2,7 GHz i niže [d ≤ 15 cm * GHz * N/2,7 GHz]. 6. Stavka IX.A3.019 odnosi se na „odašiljačke/prijamne module” ili „odašiljačke module” s odvodnikom topline ili bez njega. Vrijednost d u stavki 11.c. ne uključuje nijedan dio „odašiljačko/prijamnog modula” ili „odašiljačkog modula” koji funkcionira kao odvodnik topline. 7. „Odašiljačko/prijamno moduli” ili „odašiljački moduli” ili „odašiljačko/prijamni MMIC-ovi” ili „odašiljački MMIC-ovi” mogu imati N integriranih antenskih elemenata koji emitiraju, pri čemu je N broj odašiljačkih ili odašiljačko/prijamnih kanala. 3A001.b.

IX.A3.020 Površinski akustički uređaji i akustički uređaji za površinsko snimanje (shallow bulk) (tj. uređaji za „obradu signala” koji upotrebljavaju elastične valove u materijalima), koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) frekvenciju nositelja veću od 6 GHz; (b) frekvenciju nositelja veću od 1 GHz, ali ne veću od 6 GHz i koja ima bilo koju od sljedećih značajki: 1. „prigušenje bočne frekvencije” veće od 65 dB; 2. umnožak najvećeg vremenskog kašnjenja i širine pojasa (vrijeme u μs i širina pojasa u MHz) veći od 100; 3. širinu pojasa veću od 250 MHz; ili 4. disperzijsko kašnjenje veće od 10 μs; ili (c) frekvenciju nositelja od 1 GHz ili manju koja ima bilo koju od sljedećih značajki: 1. umnožak najvećeg vremenskog kašnjenja i širine pojasa (vrijeme u μs i širina pojasa u MHz) veći od 100; 2. disperzijsko kašnjenje veće od 10 μs; ili 3. „prigušenje bočne frekvencije” veće od 65 dB i širinu pojasa veću od 100 MHz; 3A001.c.

IX.A3.021 Veliki (volumenski) akustički uređaji koji omogućuju izravnu obradu signala pri frekvencijama iznad 6 GHz; 3A001.c.

IX.A3.022 Uređaji za akustično-optičku „obradu signala” koji primjenjuju interakciju između zvučnih valova (velikih valova ili površinskih valova) i svjetlosnih valova kojima se dopušta izravna obrada signala ili slika, uključujući analizu spektra, korelaciju ili konvoluciju; 3A001.c.

IX.A3.023 Elektronički uređaji i sklopovi koji sadržavaju komponente izrađene od „supravodljivih” materijala posebno oblikovanih za rad pri temperaturama ispod „kritične temperature” od najmanje jednog od „supravodljivih” sastavnih dijelova, koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: (a) preklapanje toka za digitalne sklopove sa „supravodljivim” vratima s kojima je umnožak kašnjenja na vratima (u sekundama) i gubitak snage na vratima (u W) manji od 10– 14 J; ili (b) izbor frekvencije pri svim frekvencijama s pomoću titrajnih krugova s Q-vrijednostima većima od 10 000 ; 3A001.d.

IX.A3.024 Energetske ćelije velikog kapaciteta kako slijedi: (a) „primarne ćelije” koje imaju „gustoću energije” veću od 550 Wh/kg na 20 °C; (b) „sekundarne ćelije” koje imaju „gustoću energije” veću od 350 Wh/kg na 20 °C; Tehničke napomene: 1. Za potrebe visokoenergetskih uređaja „gustoća energije” (Wh/kg) računa se množenjem nazivnog napona u vatima s nazivnim kapacitetom u ampersatima (Ah) i dijeljenjem s masom u kg. Ako nazivni kapacitet nije naveden, gustoća energije računa se iz nazivnog napona na kvadrat pomnoženog s trajanjem pražnjenja u satima i zatim podijeljenog s otporom pražnjenja u omima i masom u kilogramima. 2. Za potrebe visokoenergetskih uređaja „ćelija” znači elektrokemijski uređaj koji ima pozitivnu i negativnu elektrodu, elektrolit i izvor je električne energije. Ona je temeljni sastavni element baterije. 3. Za potrebe visokoenergetskih uređaja „primarna ćelija” znači „ćelija” koja nije projektirana za punjenje iz bilo kakvog drugog izvora. 4. Za potrebe visokoenergetskih uređaja „sekundarna ćelija” znači „ćelija” koja je projektirana za punjenje iz vanjskog izvora energije. Napomena: Naziv visokoenergetski uređaji ne odnosi se na baterije, uključujući jednoćelijske baterije. 3A001.e.

IX.A3.025 Kondenzatori velikog kapaciteta za pohranu energije kako slijedi: (a) kondenzatori s frekvencijom ponavljanja manjom od 10 Hz (monostabilni kondenzatori) koji imaju sve sljedeće značajke: 1. nazivni napon od 5 kV ili veći; 2. gustoću energije od 250 J/kg ili veću i 3. ukupnu energiju od 25 kJ ili veću; (b) kondenzatori s frekvencijom ponavljanja od 10 Hz ili više (kondenzatori s frekvencijom ponavljanja) koji imaju sve sljedeće značajke: 1. nazivni napon od 5 kV ili veći; 2. gustoću energije od 50 J/kg ili veću 3. ukupnu energiju od 100 J ili veću; i 4. trajanje ciklusa punjenje/pražnjenje jednako ili veće od 10 000 ; 3A001.e.

IX.A3.026 „Supravodljivi” elektromagneti i solenoidi posebno oblikovani da se mogu u potpunosti napuniti ili isprazniti u manje od sekunde i koji imaju sve sljedeće značajke: Napomena: Prethodna se stavka ne odnosi na „supravodljive” elektromagnete ili solenoide posebno oblikovane za stvaranje slika s pomoću medicinskih uređaja za magnetsku rezonancu (MRI). (a) energiju isporučenu tijekom pražnjenja veću od 10 kJ u prvoj sekundi; (b) unutarnji promjer namota koji prenose struju veći od 250 mm i (c) nazivnu magnetsku indukciju veća od 8 T ili „ukupnu gustoću struje” u namotima veću od 300 A/mm2; 3A001.e.

IX.A3.027 Solarne ćelije, CIC (cell-interconnect-coerglass) sklopovi, solarni paneli i solarni nizovi, koji su „prikladni za upotrebu u svemiru”, čija je minimalna prosječna učinkovitost veća od 20 % na radnoj temperaturi od 301 K (28 °C) pod simuliranim „AM0” osvjetljenjem s radijacijom od 1 367 vata po kvadratnom metru (W/mm2); Tehnička napomena:„AM0” ili „Air Mass Zero” odnosi se na spektralno ozračenje sunčeve svjetlosti u Zemljinoj vanjskoj atmosferi pri čemu udaljenost između Zemlje i Sunca iznosi jednu astronomsku jedinicu (AJ). 3A001.e.

IX.A3.028 Rotacijski davači apsolutnog položaja koji imaju „točnost” od 1,0 lučne sekunde ili manju (bolju) i za njih posebno oblikovani prsteni, diskovi ili skale; 3A001.f.

IX.A3.029 Elektronički poluvodički impulsno napajani prekidački tiristorski uređaji i „tiristorski moduli” koji primjenjuju električne ili optičke ili elektronskim zračenjem kontrolirane metode prekidanja i imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. maksimalnu brzinu uključivanja (di/dt) veću od 30 000 A/μs i blokirni napon veći od 1 100 V ili 2. maksimalnu brzinu uključivanja (di/dt) veću od 2 000 A/μs i sve sljedeće značajke: a. najveći blokirni napon od 3 000 V ili veći i b. najveću struju od 3 000 A ili veću. Napomene: 1. Prethodna stavka (g) uključuje: — silikonski kontrolirane rektifikatore, — tiristore s električnim okidanjem, — tiristore sa svjetlosnim okidanjem, — tiristore s integriranim vratima, — tiristore sa zakretnim vratima, — MOS kontrolirane tiristore, — solidtrone. 2. Prethodna stavka (g) ne odnosi se na tiristorske uređaje i „tiristorske module” ugrađene u opremu namijenjenu upotrebi u civilnim željeznicama ili „civilnim zrakoplovima”. Tehnička napomena: Za potrebe prethodne stavke (g) „tiristorski modul” sadržava jedan tiristorski uređaj ili više njih. 3A001.g.

IX.A3.030 Čvrsti poluvodički prekidači, diode ili „moduli” koji imaju sve sljedeće značajke: 1. predviđeni su za maksimalnu radnu temperaturu spajanja iznad 488 K (215 °C); 2. periodični najveći blokirni napon u isključenom stanju iznad 300 V; i 3. kontinuiranu struju veću od 1 A. Napomena: Periodični najveći blokirni napon iz prethodne stavke uključuje napon između odvoda i uvoda, napon između kolektora i emitera, periodični najveći reverzibilni napon i periodični najveći blokirni napon. 3A001.h.

IX.A3.031 Oprema za snimanje i osciloskopi kako slijedi: 1. digitalni uređaji za snimanje podataka koji imaju sve sljedeće značajke: a. neprekidnu „kontinuiranu propusnost” veću od 6,4 Gbit/s na disk ili na čvrsti memorijski pogon i b. procesor koji izvršava analizu podataka koji se odnose na radiofrekvencijski signal dok se oni bilježe; Tehničke napomene: 1. Za uređaje za snimanje s arhitekturom paralelnih sabirnica, brzina „kontinuirane propusnosti” je najveća brzina riječi pomnožena s brojem bitova u riječi. 2. „Kontinuirana propusnost” je najveća brzina snimanja podataka na disk ili čvrsti memorijski pogon bez gubitka informacija te uz održavanje brzine prijenosa digitalnih podataka na ulazu ili brzine pretvorbe digitalizatora. 2. osciloskopi koji rade u stvarnom vremenu i imaju vertikalnu srednju kvadratnu vrijednost (rms) napona šuma manju od 2 % pune vrijednosti pri postavljenoj skali vertikalne osi koja daje najniži šum za bilo koju ulaznu širinu pojasa od 3 dB i 60 GHz ili veću po kanalu; 3A002.a.

IX.A3.032 „Analizatori signala” kako slijedi: 1. „analizatori signala” čiji rezolucijski pojas na širini od 3 dB (resolution bandwith – RBW) prelazi 10 MHz bilo gdje u frekvencijskom području iznad 31,8 GHz, ali ne iznad 37 GHz; 2. „analizatori signala” s prikazanom prosječnom razinom šuma (Displayed Average Noise Level – DANL) manjom (boljom) od – 150 dBm/Hz bilo gdje u frekvencijskom području iznad 43,5 GHz, ali ne iznad 90 GHz; 3. „analizatori signala” s frekvencijom iznad 90 GHz; 4. „analizatori signala” koji imaju sve sljedeće značajke: a. „širinu pojasa u stvarnom vremenu” veću od 170 MHz i b. koji imaju bilo što od sljedećeg: 1. 100-postotnu vjerojatnost otkrivanja s manje od 3 dB smanjenja u odnosu na punu amplitudu zbog raspora ili utjecaja funkcije prozora signala u trajanju od 15 μs ili manje; ili 2. funkciju „okidanja frekvencija preko maske” uz 100-postotnu vjerojatnost okidanja (zahvata) za signale u trajanju od 15 μs ili manje; Tehničke napomene: 1. Vjerojatnost otkrivanja iz prethodne stavke 1. naziva se i vjerojatnost presretanja ili vjerojatnost zahvata. 2. Za potrebe prethodne stavke 1. trajanje 100-postotne vjerojatnosti otkrivanja jednako je minimalnom trajanju signala potrebnom za određenu razinu mjerne nesigurnosti. Napomena: Prethodna se kategorija ne odnosi na „analizatore signala” koji upotrebljavaju samo filtre sa stalnim postotkom širine pojasa (poznate i kao oktavni ili razlomljeni oktavni filtri). 3A002.c.

IX.A3.033 Generatori signala koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. projektirani su za generiranje impulsno moduliranih signala bilo gdje unutar frekvencijskog područja iznad 31,8 GHz, ali ne iznad 37 GHz, i imaju sve sljedeće značajke: a. „trajanje impulsa” kraće od 25 ns i b. omjer uključeno/isključeno 65 dB ili više; 2. izlaznu snagu veću od 100 mW (20 dBm) bilo gdje unutar frekvencijskog područja između 43,5 GHz i 90 GHz; 3. „vrijeme promjene frekvencije” kako je određeno bilo čime od sljedećeg: a. manje od 100 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 2,2 GHz unutar frekvencijskog područja koje prelazi 4,8 GHz, ali ne prelazi 31,8 GHz; b. manje od 500 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 550 MHz unutar frekvencijskog područja koje prelazi 31,8 GHz, ali ne prelazi 37 GHz; ili c. manje od 100 μs za bilo koju promjenu frekvencije iznad 2,2 GHz unutar frekvencijskog područja koje prelazi 37 GHz, ali ne prelazi 90 GHz; 3A002.d.

IX.A3.034 Analizatori mreže koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. izlaznu snagu veću od 31,62 mW (15 dBm) bilo gdje unutar radnog frekvencijskog područja iznad 43,5 GHz, ali ne iznad 90 GHz; 2. izlaznu snagu veću od 1 mW (0 dBm) bilo gdje unutar radnog frekvencijskog područja iznad 90 GHz, ali ne iznad 110 GHz; 3. „funkcionalnost mjerenja nelinearnih vektora” pri frekvencijama iznad 50 GHz, ali ne iznad 110 GHz ili 4. maksimalnu radnu frekvenciju višu od 110 GHz; Tehnička napomena:„Funkcionalnost mjerenja nelinearnih vektora” znači sposobnost instrumenta za analizu ispitnih rezultata uređaja pokrenutih u području velikih signala ili nelinearnom području izobličenja. 3A002.e.

IX.A3.035 Mikrovalni ispitni prijamnici koji imaju sve sljedeće značajke: 1. maksimalnu radnu frekvenciju višu od 110 GHz; i 2. sposobnost istovremenog mjerenja amplitude i faze; 3A002.f.

IX.A3.036 Standardi atomske frekvencije koji imaju bilo koju od sljedećih značajki: 1. „prikladni za upotrebu u svemiru”: 2. nisu rubidijevi frekvencijski standardi i imaju dugotrajnu stabilnost manju (bolju) od 1 × 10– 11/mjesec; ili 3. nisu „prikladni za upotrebu u svemiru” i imaju sve sljedeće značajke: a. rubidijev su frekvencijski standard; b. dugotrajnu stabilnost manju (bolju) od 1 × 10– 11/mjesec; i c. ukupnu potrošnju snage manju od 1 W. 3A002.f.

IX.A3.037 Oprema za proizvodnju poluvodičkih uređaja ili materijala, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor: (a) oprema namijenjena implantaciji iona, koja ima bilo koju od sljedećih značajki: 1. projektirana je i optimizirana za rad pri energiji snopa od 20 keV ili većoj i struji snopa od 10 mA ili većoj za usađivanje vodika, deuterija ili helija; 2. ima mogućnost izravnog upisivanja; 3. energija snopa od 65 keV ili veća i struja snopa od 45 mA ili veća za usađivanje visokoenergetskog kisika u grijani poluvodički materijal „podloge”; ili 4. oblikovana je i optimizirana za rad pri energiji snopa od 20 keV ili većoj i struji snopa od 10 mA ili većoj za usađivanje silikona u poluvodički materijal „podloge” koji je grijan na 600 °C ili višu temperaturu: (b) litografska oprema za tiskanje s mogućnošću izrade detalja od 45 nm ili manjih; 1. oprema za poravnavanje, izlaganje i ponavljanje (izravan korak na poluvodičkoj pločici) ili oprema za skakanje i pretraživanje (pretraživač) za obradu poluvodičke pločice s pomoću fotooptičke ili metode X-zraka, koja ima bilo koju od sljedećih značajki: a. valna duljina svjetlosnog izvora kraća od 193 nm ili b. sposobnost proizvodnje oblika s „minimalnom veličinom razlučive značajke” (MRF) od 45 nm ili manje; Tehnička napomena:„Minimalna veličina razlučive značajke” (Minimum Resolvable Feature – MRF) izračunava se s pomoću sljedeće formule: pri čemu je faktor K = 0,35 (c) oprema posebno oblikovana za maske s pomoću fokusiranog elektronskog snopa, ionskog snopa ili „laserskog” snopa; 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Oprema namijenjena izradi uređaja s pomoću metoda izravnog zapisa; Maske i mreže namijenjene integriranim krugovima. 3B001.g.

IX.A3.038 Oprema za ispitivanje posebno namijenjena ispitivanju dovršenih ili nedovršenih poluvodičkih uređaja, kako slijedi, te za njih posebno namijenjene komponente i pribor: (a) za ispitivanje S-parametara tranzistorskih uređaja pri frekvencijama višima od 31,8 GHz; (b) za ispitivanje prethodno navedenih mikrovalnih integriranih sklopova. 3B002

IX.A3.039 Heteroepitaksijalni materijali sastavljeni iz „podloge” koja ima složene epitaksijalno uzgojene višestruke slojeve iz bilo kojeg od sljedećih materijala: (a) silicija (Si); (b) germanija (Ge); (c) silicijeva karbida (SiC); ili (d) „III/V spojeva” galija ili indija. Napomena: Ova se stavka ne odnosi na „podloge” koje imaju jedan ili više epitaksijalnih slojeva P-tipa iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ili InGaAlP, neovisno o slijednosti elemenata, osim ako se epitaksijalni sloj P-tipa nalazi između slojeva N-tipa. 3C001

IX.A3.040 Materijali za zaštitni premaz, kako slijedi, i „podloge” premazane sljedećim zaštitnim premazom: (a) zaštitni premazi namijenjeni poluvodičkoj litografiji, kako slijedi: 1. pozitivni zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 245 nm, no većima ili jednakima 15 nm; 2. zaštitni premazi posebno podešeni (optimizirani) za upotrebu pri valnim duljinama manjima od 15 nm, no većima od 1 nm; (b) svi zaštitni premazi namijenjeni za upotrebu s elektronskim snopovima ili ionskim snopovima, osjetljivosti od 0,01 μkulon/mm2 ili veće; (c) svi zaštitni premazi optimizirani za tehnologije snimanja površine; (d) svi zaštitni premazi namijenjeni ili optimizirani za upotrebu s tiskarskom litografskom opremom koja može proizvoditi elemente veličine 45 nm ili manje ili koji primjenjuju termički postupak ili postupak otvrdnjavanja s pomoću svjetlosti. 3C002

IX.A3.041 Organsko-anorganski spojevi: (a) organskometalni spojevi aluminija, galija ili indija čistoće (metalne baze) veće od 99,999 %; (b) organskoarsenski, organskoantimonski i organskofosforni spojevi čistoće (baze anorganskog elementa) veće od 99,999 %. 3C003

IX.A3.042 Hidridi fosfora, arsena ili antimona, čistoće veće od 99,999 %, čak i kad su otopljeni u inertnim plinovima ili vodiku. Napomena: Prethodna se stavka ne odnosi na hidride koji sadržavaju 20 % molarnih ili više inertnih plinova ili vodika. 3C004

IX.A3.043 Poluvodičke „podloge” silicijeva karbida (SiC), galijeva nitrida (GaN), aluminijeva nitrida (AlN) ili aluminij galijeva nitrida (AlGaN) ili ingoti, dijelovi ili drugi poluproizvodi od tih materijala s otpornošću većom od 10 000 oma-cm pri 20 °C. 3C005