ARCHIVESHISTORIQUES
DELACOMMISSION
COLLECTION RELIEEDES
DOCUMENTS "COM"
COM(81)559
Vol.1981/0171

Disclaimer
Conformément aurèglement(CEE,Euratom)n°354/83duConseildu1erfévrier1983
concernantl'ouvertureaupublicdesarchiveshistoriquesdelaCommunauté économique
européenneetdelaCommunautéeuropéennedel'énergieatomique(JOL43du15.2.1983,
p.1),telquemodifiéparlerèglement(CE,Euratom)n°1700/2003du22septembre2003
(JOL243du27.9.2003,p.1),cedossierestouvertaupublic.Lecaséchéant,lesdocuments
classifiésprésentsdanscedossierontétédéclassifiésconformément àl'article5dudit
règlement.
InaccordancewithCouncilRegulation(EEC,Euratom)No354/83of1February1983
concerningtheopeningtothepublicofthehistoricalarchivesoftheEuropeanEconomic
CommunityandtheEuropeanAtomicEnergyCommunity(OJL43,15.2.1983,p.1),as
amendedbyRegulation(EC,Euratom)No1700/2003of22September2003(OJL243,
27.9.2003,p.1),thisfileisopentothepublic.Wherenecessary,classifieddocumentsinthis
filehavebeendeclassified inconformitywithArticle5oftheaforementioned regulation.
InÜbereinstimmung mitderVerordnung(EWG,Euratom)Nr.354/83desRatesvom1.
Februar1983überdieFreigabederhistorischen ArchivederEuropäischen
Wirtschaftsgemeinschaft undderEuropäischen Atomgemeinschaft (ABI.L43vom15.2.1983,
S.1),geändertdurchdieVerordnung(EG,Euratom)Nr.1700/2003vom22.September2003
(ABI.L243vom27.9.2003,S.1),istdieseDateiderÖffentlichkeitzugänglich.Soweit
erforderlich,wurdendieVerschlusssachen indieserDateiinÜbereinstimmung mitArtikel5
dergenanntenVerordnungfreigegeben.

COMMISSION DESCOMMUNAUTES EUROPEENNES
Proposition modifiée
DEREGLEMENT (CEE)DUCONSEIL
concernant Lesactionscommunautaires dansledomainedeLa
technologiemicroélectronique
(présentéeparlaCommissionauConseilenvertuCOM(81)559 final
Bruxelles/le8octobre1981
l'article149-alinéa2dutraitéCEE)
.
/f;■,...".*"
C0M(81)559final

COMMISSION
DES -
COMMUNAUTES EUROPEENNES
PROPOSITION MODIFIEE DEREGLEMENT (CEE)DUCONSEIL
CONCERNANT -DES ACTIONS COMMUNAUTAIRES DANS LEDOMAINE
" DELATECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE
(PROPOSITION MODIFIEE CONFORMEMENT AL'ARTICLE 149ALINEA 2DUTRAITE )
LECONSEIL DES COMMUNAUTES EUROPEENNES ,
VuleTraité instituant laCommunauté Economique Européenne ,etnotamment
son article 235 ,s
Vulaproposition delaCommission , ''
Vul'avis duParlement Européen (1), /
Vul'avis duComité Economique etSocial (2)^
Considérant que latechnologie microélectronique est essentielle au
développement etàlacompétitivité de1'industrie delaCommunauté dans
son ensemble àunmoment oùl'économie européenne doit deplus enplus
■produire des biens .etdes services àhaute valeur ajoutée ;considérant
toutefois que l'importance et lanature de l'effort nécessaire pour
répondre ^àl'effort deses compétiteurs d'ici à1985 requièrent ;des
mesures àl'échelon communautaire ,ycompris une aide financière publique
pour soutenir lesefforts decoopération desindustries dans ledomaine ,de
larecherche et .dudéveloppement ;considérant que larésolution duConseil
du11septembre 1979 (3.)invite laCommission àexplorer des méthodes de
coordination des politiques nationales et àsoumettre auConseil des
projets spécifiques auniveau communautaire envue depromouvoir les
technologies microélectroniques , . - ^
Considérant que l'aide accordée doit contribuer àassurer 1'équilibre du
marché etàfavoriser laconcurrence dans laCommunauté etcompte tenu des
principes formulés dans lerèglement (CEE)1996 /79duConseil du ,1'K.septembre
1979 relatif àunmécanisme desoutien communautaire dans ledomaine del'in­
formatique (4)etenparticulier desprincipes relatifs àlapropriété età
l'accès auxrésultats desprojets bénéficiant d'uneaide /i'accent étant mis
sur l'importance d'unediffusion appropriée desproduits etdesrésultats des
projets bénéficiant d'uneaide /. ^ '
AARRETE LEREGLEMENT SUIVANT S ~-
(1)' x
(2)
(3)J;0.N°C231 ,13.09.1979 ,p.l
(4)J.O. N°L231 ,13.09.1979 ,p.l
Adressepressoir*:Ru©OelaLoi200.8*1049Bruxelles-Téléphone7350040/7358040-Adressetélégraphique :'COMEUflBruxelles'-
.Tala*:"21877COMEUB"

4
-2~
ARTICLE PRcMÏER
Afin d'atteindre les objectifs delaCommunauté dans ledomaine dela
technologie microélectronique ,lacoordination auniveau communautaire des
activités entreprises dans les Etats membres dans cedomaine etlamise en
oeuvre deprojets communs destinés àlescompléter etàlesrenforcer sont
assurées dans lesconditions prévues par leprésent règlement .
TITRE I; ■
Information etconsultation
- . ARTICLE 2
Un système d'information etde consultation relatif aux initiatives
destinées àpromouvoir ladiffusion etledéveloppement delamicro­
électronique etdeses applications est établi entre les Etats-membres et
laCommission . :
ARTICLE 3
1.Afin d'assurer l'efficacité des consultations prévues par leprésent
règlement ,les Etats membres ,indépendamment deleurs obligations au
titre des règles de laconcurrence ,fournissent d'avance àla
Commission etentemps utile deleur propre initiative ,ouàlademande
de ;celle-ci ,les informations àjour decaractère scientifique ,
économique etfinancier concernant toute action relevant deleur
autorité encours àladate d'entrée envigueur duprésent règlement ou
envisagée après cette date ,visant :
a)àpromouvoir des activités derecherche industrielle et de
développement concernant les équipements ,procédés ,instruments et
techniques tant en logiciel qu'en matériel ,destinées àla
conception ,àlaproduction industrielle etaux tests decircuits
intégrés avancés ,
b)àladiffusion des connaissances debase etàlaformation et
l'éducation des cadres etpersonnel spécialisés dans laconception ,
l'usage etletest decircuits intégrés avancés ;
c)àencourager l'établissement dans laCommunauté d'uneindustrie apte
àconcevoir etproduire les équipements ,matériaux ettechniques
employés pour lafabrication decircuits intégrés avancés .
\ 1
Ils fournissent également àlaCommission une évaluation des résultats
detoutes ces activités .
Les informations concernant des projets appartenant àdes firmes ne
sont pas visées par cet aj-ticle .
2.Afin decoordonner l'action desEtats membres ,laCommission veillera à
ceque les informations relatives aux actions visées auparagraphe 1
leur soient communiquées .

3.Après consultation oc vise al'article ô,la Corr.'nifc -,:^ion fixe le
\ 'r.ivcau dedétail cies in.'ormations que les Etats membres fournissent à
JaCommission etcelui des informations destinées àladiffusion ainsi
que les modalités selon lesquelles les informations "recueillies sont
rr.ises àladisposition des Etats membres .
' TITRE -II
.Projets communs
ARTICLE 4
1.Lesprojets-clés derecherche etdedéveloppement ci-après ,qui port c;;;
directement sur les secteurs définis àl'article 3etsont considères
.comme ha'utement prioritaires ,bénéficieront d'une aide communautaire
dans les conditions prévues àl'article 5.
(I)•répétiteurs surtranche ,
(II)faisceau électronique pour écriture directe sur tranche ' . .
(III )gravure etdépôt parplasma
(IV)équipement d'essai
(V)CAD pour VLSI 1.Architecture
2.Langage etstructure des données
3.Essais
4.Modélisation des .dispositifs
2.Les spécifications techniques applicables aux projets visés aupoint 1
-ci-dessus figurent enannexe . ' ~
3.Après consultation ducomité visé àl'article 6,laCommission mettra a
jour les spécifications techniques ,pour autant que cela s'avère
.nécessaire . :
> •'y
ARTICLE 4bis ■
Pour l'octroi' 4dusoutien financier national aux projets portant sur les
secteurs définis àl'article 3,les Etats Membres .accordent la
priorité aux projets dont lamise enoeuvre implique une participation
importante d'organismes dedeux ouplusieurs pays delaCommunauté ,toutes
autres conditions restant inchangées . . '.

mAta
TITRE III
s"
/ .
Modalités definancement
' - /
ARTICLE 5 •
1.LaCommunauté européenne apportera dès 1981 unsoutien financier aux
projets visés àl'article 4paragraphe 1sous laforme d'aides àconcurr&nce
de50% ducoût deleur exécution .*
2.Les fonds nécessaires ,évalués actuellement à52millions d'Elus ,
seront imputés aubudget delaCommunauté européenne .
3.Les ,projets susceptibles debénéficier d'une aide doivent répondre aux
conditions suivantes : -
-leur objet doit correspondre auxspécifications ,techniques précisées
dans l'annexe visée àl'article 4paragraphe 2;>
-lesprojets doivent être exécutés dans laCommunauté ,
Deplus :
a)pour lesprojets relevant desrubriques IàIVdel'article 4paragraphe
-les demandeurs doivent être des fabricants o"u des utilisateurs
industriels établis dans laCommunauté ;
%
-un nombre suffisant de firmes -d'au moins deux pays de la
Communauté n'ayant pas de liens financiers avec leou les
fabricants participant aumême projet doivent avoir prouvé leur
intérêt àparticiper auprojet encontribuant avec leurs propres
ressources .Cenombre est fixé par laCommission ,pour chaque
projet ,après consultation ducomité visé àl'article 6.
b)pour lesprojets relevant delarubrique Vdel'article 4paragraphe 1
-les demandeurs doivent être des universités ,centre derecherches
oudes firmes établis dans laCommunauté ;.
-unnombre suffisant d'entreprises d'aumoins deux pays dela
Communauté n'ayant pas deliens financiers entre elles doivent
avoir prouvé leur intérêt àparticiper auprojet encontribuant
avec leurs propres ressources .Ce nombre est fixé par la
Commission ,pour chaque projet ,après consultation ducomité visé
à1'article 6. . ,
-■ . '
Lorsqu' unprojet aété retenu conformément aux termes duparagraphe 3
a)oub) toute firme suffisamment qualifiée établie dans la
Co:.v..unauté peut participer auprojet etdemander lesoutien financier
correspondant ,indépendamment des liens financiers qu'elle pourrait
"v,ur avec d'autres firmes participant aumême "projet .

-b-
5.Les demandes seront adressées alaCommission par les organismes
'intéressés enréponse aux avis d'appels d'offre publiés dans leJournal .
Officiel desCommunautés européennes .Elles soivent apporter lapreuve
qu'elles sont justifiées ausens desdispositions duparagraphe 3et -
fournir toutes autres informations utiles .LaCommission peut exiger
tous autres documents ouinformations complémentaires nécessaires pour
constituer ledossier .
6.LaCommission prendra une décision sur les demandes qui lui sont
adressées dans undélai desixmois conformément àlaprocédure prévue à
1'article 8.
7.Sans préjudice .,des pouvoirs confiés àlaCour des Comptes envertu de
l'article 206 paragraphe 3duTraité CEE,laCommission peut effectuer
descontrôles surplace oudesenquêtes *surLesopérations financées .
TITRE IV '
Dispositions générales "
ARTICLE 6 "
1.Ilest .institué unComité deCoordination des actions depromotion de
latechnologie microélectronique ,ci-après dénommé "Comité "composé de
représentants des Etats membres qui peuvent sefaire assister d'experts -
oudeconseillers ,selon lanature des actions envisagées ,etprésidé
parunreprésentant delaCommission .Ilsetient aumoins deux fois par an.
2.Les^travaux duComité sont confidentiels . •
3.LeComité établit sonrèglement intérieur .
4.LeSecrétariat duComité estassuré par lesservices delaCommission .
. .. 'ARTICLE 7
LaCommission peut consulter leComité sur toute question relevant du
domaine d'appliciition duprésent règlement ,notamment etdemanière non
limitative sur : ,
J. -- leniveau dedétail des informations àfournir concernant les activités
'nationales ,conformément àl'article 3 _ ■
leniveau -dedétail des informations àpublier ouàcommuniquer aux
organismes gouvernementaux des Etats Membres
-les modalités selon lesquelles les informations recueillies sont mises
à »disposition -
lamise àjour des spécifications techniques concernant les projets
pouvant bénéficier d'une aide •
le nombre minimal de sociétés requis pour qu'un projet puisse
,,bénéficier d'une aide "
1'appréciation des demandes etl'octroi des soutiens financiers

WQw
ARTICLE 8 ,
1.Dans lecas oùilest fait appel àlaprocédure définie auprésent
article ,leComité est saisi par son président ,soit àl'initiative de
celui-ci ,soit àlademande dureprésentant d'unEtat membre .
2.Ausein duComité ,les voix des Etats membres sont affectées dela „
pondération prévue àl'article 148paragraphes duTraité .Leprésident
neprend pas part auvote .
i , ft
3.Lereprésentant delaCommission soumet unprojet des mesures aprendre
accompagné d'unrésumé des principaux éléments dedécision .LeComité
émet son avis sur ces mesures dans undélai que leprésident peut fixer
enfonction de l'urgence des questions soumises àexamen .Ilse .
prononce àlamajorité dequarante cinq voix . -
4.LaCommission prend des décisions qui sont immédiatement applicables .
Toutefois ,sielles nesont pas conformes àl'avis émis par leComité ,
ces décisions sont aussitôt communiquées par laCommission auConseil .
Dans cecas ,laCommission diffère dedeux mois auplus ,àcompter de
cette communication ,l'application des décisions prises par elle .Le «
Conseil ,statuant àlamajorité qualifiée ,peut prendre une décision ,
différente dans ledélai dedeux mois .
ARTICLE 9 •
LaCommission transmet chaque année auParlement européen etauConseil unrapport
sur l'évolution des actions dans la Communauté relevant du domaine
d'application duprésent règlement . '
ARTICLE 10 ,
< 'V ■
La Commission ,après consultation du Comité ,arrête toutes mesures
supplémentaires éventuellement nécessaires en vue de l'exécution du
présent règlement ..
ARTICLE 11 .
Leprésent règlement entre envigueur le 1981 .^
ILestapplicable jusqu' au - 1985 .
Leprésent règlement estobligatoire dans tous seséléments etdirectement
applicable dans tout Etat membre .
FAIT ABRUXELLES ,LEtoutes mesures
1'exécution du
PAR LECONSEIL
LEPRESIDENT

ANNEXE TECHNIQUE ALAPROPOSITION ,
- DEREGLEMENT (CEE )DUCONSEIL
CONCERNANT DES ACTIONS COMMUNAUTAIRES DANS LEDOMAINE
DELATECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE
Aperçu des spécifications techniques propres aux projets etaux activités
pour lesquels ^une aide financière est proposée conformément auprojet de
règlement : . . -
I)PHOTOREPETITION SUR TRANCHE ■
Technologie des photorépéteurs sur tranche -
'Des appareils possédant les caractéristiques ci-après devraient être
disponibles en production d'ici la fin de 1982 ,une version
"préproduction "devrait être livrée d'ici lafin de1981 .
^-Dimension delatranche jusqu' à6" '
--Dimension delaplaquette 1cm / .,
.-Largeur minimale des .lignes '1,25/fmsur latranche (1,1 sur la
résine photosensible )
-Enregistrement automatique 0,lXm v •,- ' 2
-Débit 50tranches de4"àl'heure avec plaquettes -de 1cm ,
insertion de5schémas témoins etcadrage automatique auniveau de
chaque microplaquette ;adjonction d'unchargeur deréticles .
Les différents temps doivent être indiqués dans ladescription de
l'équipement ,ycompris letemps d'insertion des schémas témoins .Le
cadrage doit être programmable (par -exposition -par bloc -par
tranche ).Ladimension minimale admissible des repères d'alignement
doit être indiquée . s,
Ilserait souhaitable -qu'en1983 l'onpuisse disposer d'appareils
ayant un débit amélioré de 50tranches de 6"àl'heure etune
résolution améliorée delalargeur déligne minimale de1,0^4 msur
tranche . _-' \ .
II)FAISCEAU ELECTRONIQUE POUR L'ECRITURE DIRECTE SURTRANCHE
:Machine àfaisceau électronique ■,
Caractéristiques :
--Dimension delatranche 6"
-Débit i 15à20couches parheure àlf<m
: '-^Dimension delaplaquette pasdelimite . .
„-Dimension minimale du . . ■
caractère oudel'image 0,5/m
-Dimension des spots variable , '
-Précision ducadrage Oily^m 1
Cetéquipement devrait seprêter aussi àlaréalisation deréticles et
demasques .Des prototypes remplissant toutes ces conditions ,à
l'exception delavitesse ,doivent être disponibles en1983 .

III)ATTAQUEAUPLASMA
A.Performances minimalesdeséquipements
-Matièresàattaquer
♦SiO^,dopéetnondopé
♦polysilicone ,dopeetnondope
*silicidesetpolycides
*aluminiumetalliages
*autresmétauxpourcontactsetinterconnexions
*polymèresorganiques pourrésinesoulaquesdemasquageet
métallisation multicouches
-Structures àattaqueraucoursdelaproduction
*pas(ligneplusespacement ):3/(m
*largeurminimaledelaligne:1-1,5^m
*précision :+ou-10%delalargeurdelignepourles
structurescritiques
-Sélectivitéetanisotropie
Lasélectivitédoitêtreadéquateet'ildoitêtrepossible,pour
chaquecouche,d'attaquerdemanièreintégralement anisotrope .
* * •
-Débit .
Lédébitminimaldoitêtrede50tranches/hdanslecasdu
procédélepluslent.Ceprocédéserasansdoutel'attaquesur
0,8yUmdeSiO^thermiqueavecunesélectivitéde10.:1pourleSietavecunpasde3/[m.L'attaqued'autrescouches,par
exemple0,4/^mdepolysilicone nondopésurSiO^,devraitêtrebeaucoupplusrapide.
B.Conception deséquipements
Nousenvisageons unréacteuràplaquesparallèles ayantles
caractéristiques suivantes :
-Conception
Ilestextrêmement importantd'utiliseruneconception modulaire
afindepouvoiradapterl'équipement àtouteslesapplications
defaçonoptimale. .-

Sas dechargement
Les espèqes indésirables (par ex.vapeur d'eau )nedoivent pas
pénétrer ;dans lachambre deréaction etleseffets post-attaque
doivent $tre évités .Ceci peut être réalisé aumoyen d'unsas à
vide contenant les cassettes .Le décapage de la résine
photosensible dans le -sas dedéchargement doit être considéré
comme un^option .
Electrodes etconception delachambre
*Thermostats àcommande individuelle pour les électrodes
supérieure etinférieure etlachambre deréaction .Lagamme de
contrôle 'delatempérature vade15à100°C standard et,à
titre d'option ,jusqu' à ,150°C .
*Distance deséleçtrodes réglable entre :5-70 mm (système pour
.Vy',-' .<Y-' . lots )
■'i V f 5-70 mm (système pour
•!/' ï 1 tranche unique
*Lesystpfne d'électrodes doit pouvoir fonctionner aux hautes
fréquences (jusqu' à27,12 MHz )évitant par exemple leplasma
parasite enn'importe quel point duréacteur .
*L'attaque auplasma enparallèle (GP)etl'attaque aux ions
réactifs (GIR )doivent être possibles toutes deux (couplage
anode etcathode ). -
Conception duvide
\
*Larégion d'intérêt sesitue entre 10mTorr et10Torr
*Vitesse déporçpage réglable
\
*Contrôle de pression automatique ET manuel avec simple
commutation entre les deux modes
*Utilisation de matières non corrosives pour les joints
d'étanchéité (raccords ,0-rings )etlatuyauterie .
Enceinte des gaz
" *
Maniement souple delà3gaz ,avec 1à3débitmètres ,pouvant
être adapté depréférence à5gaz (lenombre degaz est une
option ).\
manuel avec simple *

-Contrôles
*Les paramètres suivants doivent pouvoir etre contrôlés :
conduite (s)degaz enservice
débit , '
temps detraitement'
temps destàbilisation
temps d'attaque excessive
puissance enhaute fréquence
température des deux électrodes
tension aux électrodes
*Lesignal électrique dessenseurs (senseur depression ,... )doit
être facilement accessible (par ex .,sur une fiche standard )pour
lemonitorage duprocédé .
*Ilfaut aumoins unregard pour pouvoir observer leplasma et
une ouplusieurs brides pour lafixation dequelques instruments
analytiques envue dumonitorage duprocédé .
-Software pour attaque automatique
*unclavier etlamémoire requise pour lacommande pas àpas du
procédé oudes opérations demaintenance .-
*une PROM enfichable ,programmée pour les besoins des
utilisateurs ,pour l'attaque automatique .
-Manipulation des tranches
Manipulation automatique ,chargement etdéchargement cassette par
cassette ,sans endommagement nicontamination deces dernières .
Lesystème doit pouvoir manipuler des tranches de3"jusqu' àun
diamètre de150 mm.
-Maintenance etsûreté
»
*démontage facile pour nettoyage etréparation
*normalisation des brides ,joints ,fiches ,etc. ainsi que des
pièces derechange .
IV)EQUIPEMENT ^D'ESSAI
Ilconviendrait demettre aupoint des dispositifs européens d'essai
descircuits intégrés ,ayant lescaractéristiques suivantes :
-type analogique-numérique intégré ;
•-système deconception •modulaire ,pouvant convenir aussi bien àdes
essais :auniveau dudéveloppement qu'àdes essais auniveau dela
production :

-développement endeux étapes ,dans lamesure oùils'agit dela
partie numérique .Lapremière étape devrait aboutir àlamise au
point d'undispositif d'essai aux fréquences debase 10-20 RHz ,la
deuxième étape devrait s'efforcer deparvenir à50-100 MHz .Ce
développement par étapes présente unavantage :lesavoir-faire
technologique ,acquis aucours delapremière phase ,pourra être
utilisé pour aborder les problèmes qui seposeront aucours dela
deuxième phase dedéveloppement .Enoutre ,ledéveloppement des
techniques d'essai rapide pourra ainsi être adapté aux besoins de
l'industrie européenne des circuits intégrés dans ledomaine dela
mise aupoint des circuits bipolaires rapides ;
-^ssai d'appareils aumoyen d'unnombre croissant d'aiguilles (de64
' -à128 ).; -
-desparties importantes dusystème d'essai doivent être "spécifiques
ECL"; '
-l'essai des seuls circuits demémoire aété exclu ;mais lesmémoires
sur plaquette acquièrent une importance toujours plus grande ,de
sorte queleur essai doit être assuré ; .
-unseul modèle delangage évolué d'essai devrait être fourni pour
les différentes configurations dedispositifs d'essai .
V)CONCEPTION ASSISTEE PARORDINATEUR (CAO )POUR LESCIRCUITS ATRES HAUTE
INTEGRATION (VLSI ) ''
1.Architecture
Les problèmes àaffronter concernent lesméthodes despécification ,
de simulation et d'essai au cours de laphase ,deconception
.architecturale ,ainsi que lesstratégies architecturales ,telles que
lagestion des erreurs etlastructure logique .Les activités
suivantes apparaissent nécessaires :
-Amélioration des connaissances delatechnique del'ordinateur par
les concepteurs deVLSI grâce (a)autransfert duknow-how des
constructeurs d'ordinateurs (b)àune meilleure intégration de,
l'enseignement del'ordinatique etdel'électronique auniveau des
universités .
-recherche sur _
(a)l'établissement deliens entre laconception comportementale
etlaconception structurale ,grâce àlamise aupoint de
langages etdesimulateurs appropriés
(b)lasynthèse delalogique àpartir d'unedescription RTL
" (c)lecontrôle deserreurs y,compris lesaspects d'insensibilité
•aux défaillances del'architecture VLSI
(d)làlogique structurée ycompris minimisatiort .pour les PLA
(ensembles logiques programmables ) et programmation
automatique desPLAetdesROM (mémoires mortes )
(e)microprogrammation etauxiliaires desimulation ~
' (f)machines pour letraitement ;ensimultanéité <^es^^n.iux

-S-
Langage etstructure dedonnées
1.Gestion des données conceptuelles
Les systèmes deconception graphique traditionnels des CIsont
fondés sur une représentation inversée ducircuit àconcevoir .
C'est làune méthode jugée inadéquate pour faire face aux
problèmes posés par laconception VLSI .Ilconviendrait plutôt de
définir les spécifications propres àunsystème degestion de
fichiers ou degestion de laconception ,compte tenu des
objectifs suivants :*
1)Aide àlagestion d'ungrand nombre defichiers indiquant les
différentes représentations modulaires possibles d'unsystème .
2)Protection de l'intégrité d'une conception impliquant un
travail ènéquipe .
3)Gestion desmodifications auniveau de -laconception .
4)Aide àlanouvelle répartition destâches deconception . L
5)Aide àla fourniture d'une documentation en matière de
conception .
On mettra en route les actions de recherche permettant
d'améliorer lesystème normal derangement oud'exploitation ,de
manière àassurer les services ci-dessus .Laplus petite donnée
unitaire dans unmouvement sera unfichier complet ,desorte que
les bases dedonnées traditionnelles sont inadéquates .Lamise en
oeuvre sera assurée entenant compte de laportabilité .Un
langage standard sera utilisé ,comportant des interfaces bien
définies avec les systèmes standard degestion defichier .Il
devrait s'agir dans cecas d'une action réalisée encommun par
les concepteurs deCI,les spécialistes des outils CAO etles
informaticiens .
2.Interface avec l'utilisateur
■■ '– ■■■■■■■ I ·Ι ■ I- \ν
Certains travaux deconception sont éminemment interactifs et,
s'ils n'exigent pas unordinateur très puissant ,ils demandent
une réponse rapide assurée delapart del'ordinateur .Oncitera
comme exemple la spécification théorique ,qui utilise des
techniques graphiques .Cegenre d'activités peut être assisté par
unpetit ordinateur affecté àunseul utilisateur .D'autres
activités nesont pas essentiellement interactives ,mais exigent
des installations informatiques très puissantes .Ces activités
nécessitent dessystèmes puissants travaillant entemps partagé .
Ilimporte que les ordinateurs qui assistent ces activités
connexes soient étroitement interconnectés .Il conviendrait
d'étudier lestechniques decontrôle delarépartition des tâches
entré deux ou ,plusieurs ordinateurs ,ainsi que les techniques
permettant untransfert souple dedonnées entre ces tâches .Les
principes généraux applicables àune gamme étendue dematériel
informatique devraient être définis .

Dans ledomaine deladescription fonctionnelle dumatériel ,la
tendance actuelle est d'utiliser des descriptions delangage
basées' sur le texte ,qui permettent d'exprimer lastructure
hiérarchique ,lamodularité etlarépétitivité ,inévitable avec
lesVLSI *Cependant ,les concepteurs continuent àpenser entermes
dediagrammes etles aides graphiques seront toujours précieuses
dans leprocessus deconception .Ilconviendrait demettre en
route une action visant àétudier les méthodes permôt+ant de
combiner les représentations fondées sur des textes eles
représentations fondées sur .lesgraphiques ,demanière quecL^cune
puisse être convertie automatiquement dans l'autre ,etqu'cinsi
l'interface laplus appropriée puisse être librement chois ?.?à
chaque phase duprocessus deconception .
Simulation
Lesoutils dulogiciel servant àlasimulation ,aux essais etàla
vérification ■doivent couvrir toute lagamme des conceptions
possibles ,depuis leRTL-S jusqu' auniveau dutransistor ,Les
recherches devraient -être orientées vers lamise aupoint d'un
langage descriptif structurel hiérarchisé souple pour les VLSI ,
aussi bien auNMOS qu'auCMOS .Ilest nécessaire d'étudier la
possibilité d'adapter .lagénération automatique des compilateurs à
lasyntaxe des outils àunseul niveau hiérarchique utilisés à
l'heure actuelle et,cequi est plus important ,directement àla
structure desdonnées dessimulateurs utilisés enmode mixte .IjL
convient d'apporter une attention particulière aux techniques de
-simulation en mode mixte dans le secteur des structures de
données ,desalgorithmes etdesmodèles . v
Pour réduire letemps .deconception etréaliser une conception
correcte ,ilest vivement recommandé d'attacher une attention
particulière àV1'analyse des réseaux deVLSI plutôt qu'à*la
simulation pure .Il's'agit d'undomaine derecherche complètement
nouveau qui semble tout àfait réalisable àpartir desstructures
dedonnées etalgorithmes des simulateurs enmode mixte existant
actuellement . , •"
Vérif ication " • "
Plutôt que deprévoir une vérification -poussée des processus de
conception accomplis manuellement oueninteractif ,ilfaudrait
s'efforcer d'automatiser le plus possible les opérations
(compilations sur silicium ,méthode àcellules standard etc. ..)
afin derendreur que lacréation
ou l'utilisation d'instruments decetype repose sur des bases
solides ,il conviendrait de procéder àune comparaison des
différentes approches et des .différents schémas réalisés
manuellement afin detrouver des critères objectifs permettant de
définir des principes fondamentaux concernant l'efficacité du
schéma .^ ,
Laconception hiérarchique des VLSI estévidente .Lavérification
entre les différents niveaux hiérarchiques pose unproblème mais
estimpossible àéviter .Malgré lahiérarchie ,lacomplexité etle
volume des données sont tels qu'avec les instruments actuels ,le
temps machine nécessaire est d'uncoût prohibitif .Parconséquent ,
àl'avenir ,lestravaux derecherche etdedéveloppement présentés
devront porter surdesmodules machine spécialisés (contrôleurs de .
règles dedessin ,mémoire de -formes ♦compteurs et-'registres à.
décalage oucompilateurs machine produisant les structures de
données appropriées ). , '

Influence des nouvelles architectures d'odinateur
Sur labase del'hypothese selon laquelle :
-lelogiciel est àprésent fort onéreux etdevrait être optimalisé
alors que lematériel est meilleur marché etpeut être utilisé
plus librement ,
-aucours des dernières années ,toute une série deprocesseurs
parallèles àhaute performance ont été développés etmis en
oeuvre ,
-l'architecture d'une machine devrait être adaptée auproblème
qu'elle est censée résoudre ,
desrecherches ont été proposées dans les deux domaines suivants :
1.Développement denouveaux algorithmes parallèles etdenouvelles
structures dedonnées dans toute .branche informatisée jenvue
d'exploiter etdemettre enoeuvre leparallélisme maximal
2.Etude d'unnouveau processeur dehardware àbut spécial àmettre
enregard avec les systèmes actuels d'ordinateur ,demanière à
'améliorer une partie deleurs performances d'aumoins unordre de
grandeur .

-9-
3.Essais :Résumé des recommandations
- ' . ' '' . ' *
Legroupe chargé des .essais recommande d'organiser les travaux futurs
suivant les trois principaux domaines etles thèmes énoncés ci-dessous :
PRINCIPAL DOMAINE D'ACTIVITE ,\ "
RECHERCHE SPECIFICATION . .DEVELOPPEMENT
: &EVALUATION
1)PRODUCTION "DEDONNEES D'ESSAI "
-essais auniveau fonctionnel
méthodes etstratégies ) *
-ATPG auniveau des éléments . *.
-ATPG pour cellules LSI
logique régulière etc. .. ..*
-types etmodèles de < ,."
défaillances * -
-stratégie desimulation des
,•défaillances - *■•
-système modulaire ATPG ; * *
-langage pour MTPG i . , , *. .»
-système ATDG intégré * '*
2)CONCEPTION ENVUEDESESSAIS ' - '... .
-partition ■* '.
-conception d'une RAM envue . ,
des essais * y
–unités microprogrammées *
-Conception envue desessais
techniques générales . * ''
-matériel mis enoeuvre :
essais automatiques N
-logiciel /microprogrammation :
essais automatiques *
3).ACQUISITION ETGESTION DES .DONNEES
.-système d'acquisition et
degestion des données
■«-instruments dedéveloppement du
programme -

-10-
Modélisation des dispositifs :Résumé lesrecommandations
Leprésent rapport sur lamodélisation des dispositifs couvre trois
principaux domaines ;
-simulation dedispositifs numériques
-modèles analytiques * '
-modèles detable
Les principales recommandations formulées pour chacun deces domaines
sont résumées ci-dessous :
liSimulation dedispositifs numériques
Leprincipal objectif decesous-projet est d'inciter les centres et
les laboratoires derecherche européens àmettre aupoint des
progiciels desimulation dedispositifs avancés etdeles mettre à
ladisposition desconstructeurs européens decircuits intégrés .Les
européens pourraient ainsi devenir indépendants deleurs homologues
.américains etjaponais .Cette action est rendue nécessaire par le
fait que par suite del'importance des effets bidimensionnels et
même tridimensionnels ,lasimulation dedispositifs numériques
constitue leseul instrument prédictif pouvant être utilisé dans la
pratique pour laconception dedispositifs .Ilest donc recommandé
qu'aumoins 4progiciels desimulation soient mis aupoint et
notamment :
-unsimulateur MOSFET 2-D
-unsimulateur 2-D pour les dispositifs bipolaires
-unsimulateur MOSFET 3-D ' -
-unsimulateur 3-D pour des dispositifs bipolaires -
Les spécifications détaillées concernant lesphénomènes physiques à
incorporer dans leprogramme ,lastructure physique etgéométrique
dudispositif etlesfonctions graphiques I/Oontétéétablies pour
chacun deces progiciels .
2.Modèles analytiques (uniquement MOSFET ) ,
Une action dans ce domaine est nécessaire pour deux raisons
essentielles :d'une part ,des modèles analytiques alliant la
précision àlasimplicité conviennent parfaitement aux concepteurs
decircuits pour les programmes desimulation decircuits CAO ;
d'autre part ,ladépendance fonctionnelle deparamètres électriques
importants vis-à-vis delastructure géométrique etphysique du
dispositif est plus facilement identifiée dans des modèles
analytiques ,qui peuvent donc fournir certaines ,informations sur les
phénomènes physiques intervenant dans undispositif .
Lesmodèles analytiques suivants devraient être misaupoint :
(canal long ,bas voltage (niveau l)
MOSFET àcanal (canal long ,haut voltage (niveau 2)
ensurface (canal court ,bas voltage (niveau 3)
(canal court ,haut voltage (niveau 4)
MOSFET acanal
enterré(canal long ,
(canal court ,(niveau 1)
(niveau 2)

Modèle physique
Des spécifications détaillées sont également prévues pour chacun
des modèles ci-dessus .Outre ledéveloppement des modèles ,il
conviendrait derésoudre léproblème de l'identification des
paramètres ,notamment dans lamesure oùils'agit decharges (ou
capacitances ). . -
Modèles detable '
La nécessité .des modèles de table pour la simulation du
synchronisme a été v'reconnue .Dans ces simulateurs ,les
capacitances sont assez mal traitées ,étant considérées comme des
constantes ;les travaux dans cedomaine devraient donc porter sur-
lamise aupoint detables àlafois pour les courants etles
capacitances . • .■/ . ./
Leprincipal problème àrésoudre est celui de 1'élaboration de
règles decadrage .,tout enmaintenant lasimplicité decalcul
nécessaire àune réduction sensible dutemps CPU par rapport au
temps nécessaire avec desmodèles analytiques .

-12-
ESTIMATION DESCOUTS
Hypothèses :-duréedeviedel'équipement :4à5ans
-8à10unitésde"préproduction "àlivrerparunseul
constructeur
-duréedesessais(équipement loué)etdesrapports
interactifs entreleconstructeur etlesutilisateurs :18à
24mois
ycomprislesfraisdirectsdupersonnelaffectéauprojet,
maisàl'exclusiondesfraisgénérauxdel'entreprise ^duCoûtdes
installations annexesàl'équipementendéveloppement (salledépoussiérée ,
équipements enavaletenamont)etdelaformationdupersonnel.
Coûtsapproximatifs (enmillionsd'ECU):
*/COUTTOTALBRUTDU
PROJET
'AIDEPUBLIQUE
V-
Projet 1Photorépéteurs
surtranche;
8 *4
ProjetIIFaisceau
électronique 40 .20
ProjetIIIPlasma 8 4
ProjetIVEssais 16 8
Projet VC.A.O. 32 16
\
«