RÈGLEMENT (CEE) No 3544/91 DU CONSEIL du 25 novembre 1991 portant suspension temporaire des droits autonomes du tarif douanier commun sur un certain nombre de produits industriels (microélectronique et secteurs connexes) -



Journal officiel n° L 346 du 16/12/1991 p. 0001 - 0097



RÈGLEMENT (CEE) No 3544/91 DU CONSEIL du 25 novembre 1991 portant suspension temporaire des droits autonomes du tarif douanier commun sur un certain nombre de produits industriels (microélectronique et secteurs connexes) LE CONSEIL DES COMMUNAUTÉS EUROPÉENNES, vu le traité instituant la Communauté économique européenne, et notamment son article 28, vu la proposition de la Commission, considérant que, pour les produits visés au présent règlement, la production est actuellement insuffisante ou nulle dans la Communauté et que les producteurs ne peuvent ainsi répondre aux besoins des industries utilisatrices de la Communauté; considérant qu'il est de l'intérêt de la Communauté de ne suspendre les droits autonomes du tarif douanier commun que partiellement dans certains cas, en raison notamment de l'existence d'une production communautaire, et de procéder à la suspension totale dans les autres cas; considérant que, compte tenu des difficultés d'apprécier de manière rigoureuse, dans un proche avenir, l'évolution de la situation économique dans les secteurs intéressés, il convient de ne prendre ces mesures de suspension qu'à titre temporaire, en fixant leur durée de validité en fonction de l'intérêt de la production communautaire, A ARRÊTÉ LE PRÉSENT RÈGLEMENT: Article premier Les droits autonomes du tarif douanier commun relatifs aux produits énumérés dans le tableau figurant à l'annexe sont suspendus au niveau indiqué en regard de chacun d'eux. Ces suspensions sont valables du 1er janvier au 30 juin 1992. Article 2 Le présent règlement entre en vigueur le 1er janvier 1992. Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre. Fait à Bruxelles, le 25 novembre 1991. Par le ConseilLe présidentJ. M. M. RITZEN ANNEXE ex 8471 93 50Unité de mémoire à disques souples0 ex 8471 93 60Unité de mémoire à bande magnétique pour cassettes à bobine unique0 ex 8471 99 90Lecteur optique pour la lecture de caractères alphanumériques imprimés par points et leur conversion en signaux électriques, constitué d'une tête de lecture comportant un détecteur optique, un amplificateur, une lentille et deux lampes, reliée par un ou deux câbles plats à un module de contrôle dont les dimensions ne dépassent pas 200×220 mm, consistant en un circuit imprimé, sur lequel sont montés-au minimum-un microprocesseur, un circuit d'identification de l'image et un convertisseur analogique/numérique0 ex 8473 10 10Élément de mémoire intégrée pour machines à écrire électroniques, constitué d'un circuit imprimé doté de 2 ou 4 mémoires statiques à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAMs) d'une capacité de mémorisation de 8 kbit×8 bit chacune, de composants électroniques avec fonctions de pilotage, de piles pour le maintien de la mémoire, le tout enserré dans une cartouche, munie de connexions dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 11×40×90 mm, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphabétique suivante: MEMOCART ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des éléments qui satisfont à la présente description0 ex 8473 30 10Processeur, réalisé en technologie ECL, constitué de 336 circuits intégrés monolithiques ou moins, comportant 4 200 réseaux logiques non programmés (Uncommitted Logic Arrays) et des mémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (RAMs) d'une capacité totale de mémorisation de 16 kbit, enserré dans un boîtier et monté sur un circuit imprimé multiple placé entre 2 plaques de refroidissement dont les dimensions extérieures totales n'excèdent pas 148×560×594 mm et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: 001B-3035-H002 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8473 30 10Unité arithmétique et logique d'une unité centrale d'ordinateur se composant d'un maximum de neuf circuits imprimés dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 290×310 mm sur chacun desquels sont montés au maximum soit 121 réseaux de portes programmés (Gate Arrays), soit 121 mémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM), soit une combinaison de ces deux types de circuits, réalisés en technologie ECL, le tout étant enserré dans un cadre dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 501×596×611 mm faisant fonction de boîtier et assurant les connexions entre les circuits imprimés, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CO1B 2675 E 500CO1B 2675 H 501CO1B 2675 H 503 CO1B 2675 H 500CO1B 2675 H 502CO1B 2675 H 504 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des assemblages qui satisfont à la présente description0 ex 8473 30 90Tête magnétique en ferrite, réalisée en technologie Winchester, pour équipements périphériques de mémoires à disques rigides, permettant un enregistrement d'une densité de 10 pistes ou plus par millimètre, même montée sur son bras porteur0 ex 8473 30 90Assemblage de lecture-écriture, pour des unités de mémoire à disques rigides, comprenant des têtes magnétiques en ferrite, réalisées en technologie Winchester, montées sur un bras porteur, connecté par un circuit imprimé souple à une console métallique sur laquelle sont montés: -un circuit imprimé souple sur lequel est monté un amplificateur pour des signaux lecture-écriture, sous forme de circuit intégré, -une douille pour un circuit imprimé0 ex 8473 30 90Tête d'impression avec une valve à filet d'encre0 ex 8473 30 90Mémoire à bulles magnétiques d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 4 Mbit, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 43×44 mm, comportant au maximum 42 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques ou alphanumériques suivantes: 7110FBM 54 DBBDL 0133BDN 0151MBM 2556 7114-1FBM 64 DABDL 0134MBM 2011 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des mémoires qui satisfont à la présente description0 ex 8473 30 90Unité d'entraînement pour des disques magnéto-optiques d'un diamètre externe de 13,34 cm (5,25 inch)0 ex 8473 30 90Unité d'entraînement pour des unités de mémoire à bandes audionumériques0 ex 8473 40 90Tête d'impression thermique, réalisée en technologie à couche mince ou épaisse, constituée d'un circuit imprimé sur lequel sont montés au moins un condensateur au tantale et un condensateur électrolitique, enserrés dans un support métallique comportant un connecteur, des peignes d'impression et un dissipateur de chaleur, présentée avec rouleau et support appropriés0 ex 8483 10 90Arbres de génératrices et de turbines fondus d'un seul tenant, forgés et dégrossis, d'un poids unitaires supérieur à 215 t0 ex 8501 10 99Moteur à courant continu sans balais, dont le couple n'excède pas 0,20 Nm, avec bride de fixation d'un diamètre de 77 mm, mandrin de précision d'un diamètre de 44 mm, rotor externe d'un diamètre n'excédant pas 55 mm, enroulement à quatre phases, vitesse nominale de 3 600 tours/minute, tension d'alimentation de 12 V±10 %, muni de câbles électriques avec connecteurs0 ex 8501 10 99Moteur pas à pas hybride, à angle de pas de 0,9 degré, 400 pas par révolution, séquence de rotation à 2 ou 4 phases avec enroulement de type bipolaire, comprenant un rotor, un stator laminé enserré entre deux plaques de section carrée de 40 mm de côté au maximum, comportant un arbre le traversant de part en part, des fils électriques avec connecteurs0 ex 8501 10 99Moteur pas à pas hybride, à angle de pas de 0,9 degré, 400 pas par révolution, séquence de rotation à 2 phases avec enroulement de type bipolaire, comprenant un rotor, un stator, enserré dans un boîtier cylindrique d'un diamètre n'excédant pas 47 mm, d'une épaisseur n'excédant pas 14 mm, comportant un arbre le traversant de part en part, des câbles avec connecteurs0 ex 8501 10 99Moteur pas à pas hybride, à angle de pas de 0,9 degré, 400 pas par révolution, séquence de rotation à 2 phases avec enroulement de type bipolaire, comprenant un rotor, un stator laminé enserré entre 2 plaques de section carrée de 40 mm de côté au maximum, un tachymètre incorporé à 2 ou 3 phases, enserré dans une capsule d'un diamètre n'excédant pas 35 mm, et des câbles et des connecteurs indépendants, pour sortie moteur et sortie tachymètre ayant des dimensions d'encombrement n'excédant pas 40×40×62 mm, y compris l'arbre0 ex 8501 10 99Moteur pas à pas bipolaire, à courant continu, à un seul stator, d'une puissance de 37,5 W ou moins, à angle de pas de 180 degrés, deux pas par révolution, un cycle de rotation à deux phases avec bobinage unipolaire, un couple de 0,1×10-6 Nm ou plus mais n'excédant pas 0,1×10-4 Nm et une tension d'alimentation n'excédant pas 3 V0 ex 8501 10 99Moteur pas à pas hybride, à angle de pas de 0,9 degré, 400 pas par révolution, séquence de rotation à deux phases avec enroulement de type bipolaire, comprenant un rotor, un stator laminé enserré entre deux brides dont l'une de section carrée de 40 mm de côté au maximum et l'autre, antérieure, profilée, comportant deux saillies avec boutonnières de fixation, un tachymètre incorporé à 2 ou 3 phases, enserré dans une calotte d'un diamètre n'excédant pas 35 mm, câbles et connecteurs indépendants, pour sortie moteur et sortie tachymètre, de dimensions n'excédant pas 40×40×62 mm, y compris l'arbre, mais non comprises les saillies de la bride antérieure0 ex 8501 10 99Moteur à courant continu sans balais, dont le couple n'excède pas 0,20 Nm, avec bride de fixation d'un diamètre de 74 mm, mandrin d'un diamètre de 40 mm, vitesse nominale de 3 600 tours/minute, tension d'alimentation de 12 V±10 %, muni de câbles et connecteurs0 ex 8501 10 99Moteur à courant continu sans balais, dont le couple n'excède pas 0,018 Nm, avec bride de fixation d'un diamètre de 35 mm, mandrin de précision d'un diamètre de 25 mm, rotor interne, enroulement à trois phases, vitesse nominale de 3 600 tours/minute, tension d'alimentation de 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Moteur pas à pas hybride, à angle de pas de 1,8 degré, 200 pas par révolution, séquences de rotation à 4 phases avec enroulement de type unipolaire, constituté d'un rotor, d'un stator laminé, enserré entre deux plaques de section carrée de 42 mm de côté au maximum, comportant un arbre le traversant de part en part, des fils électriques avec connecteurs0 ex 8501 10 99Moteur à courant continu sans balais, dont le couple n'excède pas 0,030 Nm, avec bride de fixation d'un diamètre de 34 mm, mandrin de précision d'un diamètre de 25 mm, rotor interne, enroulement à trois phases, vitesse nominale de 3 600 tours/minute, tension d'alimentation de 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Moteur à courant continu sans balais, dont le couple n'excède pas 0,018 Nm, avec bride de fixation d'un diamètre de 26 mm, mandrin de précision d'un diamètre de 20 mm, rotor interne, enroulement à trois phases, vitesse nominale de 3 600 tours/minute, tension d'alimentation de 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Moteur à courant continu sans balais, dont le couple n'excède pas 0,018 Nm, avec bride de fixation d'un diamètre de 58 mm, mandrin de précision d'un diamètre de 25 mm, rotor interne, enroulement à trois phases, vitesse nominale de 3 600 tours/minute, tension d'alimentation de 12 V±10 %0 ex 8504 40 94Redresseur statique consistant en une combinaison de 7 diodes en cascade permettant d'obtenir un courant continu de 40 kV ou plus à une charge de 3 mA ou plus0 ex 8504 40 98Convertisseur de courant continu en courant continu, comprenant des diodes non montées en cascade, ayant une tension d'entrée n'excédant pas 72 V, enserré dans un boîtier comportant au maximum 16 connexions0 ex 8506 19 19Pile au lithium-iode dont les dimensions n'excèdent pas 9×23×45 mm, d'une tension n'excédant pas 2,8 V0 ex 8506 19 19Unité composée d'un maximum de 2 piles au lithium, enserrée dans une embase de circuits intégrés, comportant au maximum 32 connexions et incorporant un circuit de contrôle0 ex 8506 19 99Pile sèche au carbone/zinc d'une tension de 5,5 V ou plus mais n'excédant pas 6,5 V, dont les dimensions n'excèdent pas 5×90×110 mm, destinée à être incorporée dans des cassettes de films pour photographies à développement instantané (a)0 ex 8517 90 81Assemblage pour appareil de télécommunication constitué d'un microphone, d'un circuit de protection et d'un connecteur à 4 voies, monté sur un circuit imprimé dont les dimensions n'excèdent pas 22×40 mm0 ex 8517 90 98Tête d'impression thermique de 1 728 points, réalisée en technologie à couche épaisse ou mince, constituée d'un substrat céramique comprenant des éléments chauffants, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 20×37×240 mm0 ex 8517 90 98Assemblage constitué: -d'un tube cathodique monochrome à écran plat, ayant une diagonale de l'écran de 100 mm ou plus mais n'excédant pas 110 mm et pourvu d'une bobine de déviation, et -d'un circuit imprimé sur lequel sont montés, une unité de déviation, un amplificateur vidéo et un transformateur, le tout monté sur un chassis, destiné à la fabrication de postes téléphoniques vidéo (a)0 ex 8518 90 00Plaque noyau d'un seul tenant, en acier refoulé à froid, sous forme d'un disque muni sur un coté d'un cylindre, destiné à la fabrication de haut-parleurs (a)0 ex 8522 90 91Unité optique constituée d'une diode laser avec une photodiode, émettant une lumière d'une longueur d'ondes nominale de 780 nm, enserrée dans un boîtier dont le diamètre extérieur n'excède pas 10 mm et la hauteur n'excède pas 9 mm, comportant au maximum 10 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: LDGU LT 022 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des unités qui satisfont à la présente description0 ex 8522 90 99Dérouleur simple pour appareils à cassettes, d'une hauteur totale n'excédant pas 53 mm, destiné à la fabrication d'appareils d'enregistrement et de reproduction du son (a)0 ex 8522 90 99Dérouleur pour un dispositif d'enregistrement et de reproduction du son sur bande magnétique à cassette, destiné à la fabrication des répondeurs téléphoniques (a)0 ex 8523 20 10Disques magnétiques rigides prélubrifiés, traités à l'oxyde, d'un champ coercitif de 300 oersteds ou plus0 ex 8523 20 10Disque magnétique rigide à couche métallique mince, d'un champ coercitif excédant 600 oersteds, d'un diamètre extérieur n'excédant pas 231 mm0 ex 8529 10 70Ensemble de filtres céramiques se composant de 2 filtres céramiques et d'un résonateur céramique pour une fréquence de 10,7 MHz±30 kHz, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 10×10 mm0 ex 8529 10 70Filtre céramique pour une fréquence de 4,5 MHz ou plus mais n'excédant pas 6,6 MHz, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 9×24 mm0 ex 8529 90 70Bloc de contrôle d'accès, comprenant: -deux circuits intégrés, ayant les fonctions d'autorisation d'accès, de dérivation des mots de contrôle, assurant la protection des données et d'interface, -un circuit intégré, contenant une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation de 64 Kbits, -un circuit intégré, contenant une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 8 Kbits, ex 8529 90 70 (suite)-des composants discrets actifs et passifs, -une pile au lithium monté sur un circuit imprimé, dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 103×103 mm, destiné à la fabrication de récepteurs de diffusion par satellite (a)0 ex 8529 90 70Module pour le traitement des signaux, constitué d'un circuit imprimé, sur lequel sont montés au moins: -un microprocesseur de signaux vidéo, -un microprocesseur de signaux de déflexion, -un microprocesseur de télétexte, -une unité de codage/décodage vidéo, destiné à la fabrication d'appareils récepteurs de télévision couleur numérique (a)0 ex 8529 90 98Dispositif constitué d'un capteur d'image à transfert de charge à interligne et d'un filtre, dont les dimensions n'excèdent pas 43×59 mm0 ex 8531 20 90Assemblage, comportant 15 diodes émettrices de lumière (LEDs) constituées de semi-conducteurs à base d'arséniure de gallium et d'aluminium et à base de phosphure de gallium, enserré dans un boîtier cylindrique métallique d'un diamètre n'excédant pas 26 mm, comportant au maximum 4 connexions0 ex 8531 20 90Assemblage, comportant 50 diodes émettrices de lumière (LEDs) constituées de semi-conducteurs à base d'arséniure de gallium et d'aluminium et à base de phosphure de gallium, enserré dans un boîtier cylindrique métallique d'un diamètre n'excédant pas 53 mm, muni de 3 fils de connexion au maximum0 ex 8531 20 90Indicateurs digitaux consistant en un tableau à circuit imprimé, dont les dimensions sont inférieures à 35×90 mm, et en une rangée de caractères non inférieurs à trois, composés de diodes à corps solides lumineuses fabriquées à base de gallium semi-conducteur et montées sur le tableau. Chaque caractère est composé au maximum de 8 segments avec ou sans point décimal. La rangée de caractères est recouverte d'une pellicule de protection en plastique0 ex 8531 20 90Dispositif d'affichage monochrome à cristaux liquides (LCD), constitué d'une couche de cristaux liquides enserrée entre 2 plaques ou feuilles de verre avec 256 000 points ou plus, monté sur un circuit imprimé doté de composants électroniques à fonctions de pilotage et/ou de contrôle0 ex 8531 20 90Dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) à 7 segments, constitué d'une couche de cristaux liquides enserrée entre 2 plaques ou feuilles de verre avec 16 chiffres et 9 symboles, monté sur un circuit imprimé doté de composants électroniques à fonctions de pilotage et/ou de contrôle0 ex 8531 20 90Dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) à matrice par points, constitué d'une couche de cristaux liquides enserrée entre 2 plaques ou feuilles de verre avec 423 points (disposés en 7 lignes, 60 colonnes et 3 symboles), monté sur un circuit imprimé doté de composants électroniques à fonctions de pilotage et/ou de contrôle0 ex 8531 80 90Dispositif d'affichage à plasma à courant continu0 ex 8532 29 00Condensateur en or d'une capacité nominale de 100 mF, d'une tension de sortie de 5,5 V et d'un courant de perte n'excédant pas 100 mA, enserré dans un boîtier cylindrique d'une hauteur inférieure à 8 mm et d'un diamètre n'excédant pas 14 mm0 ex 8532 30 10Condensateur variable avec isolation diélectrique en matière plastique, d'une capacité n'excédant pas 2×335 picofarads pour la partie AM, et n'excédant pas 2×20 picofarads pour la partie FM, enserré dans un boîtier dont les dimensions n'excèdent pas 21×24 mm0 ex 8532 30 90Condensateur ajustable, sous forme d'une pastille circulaire d'un diamètre n'excédant pas 2,5 mm et d'une épaisseur n'excédant pas 3 mm, munie d'une tête de vis en son centre et de deux pattes de connexion et d'une capacité non inférieure à 5 picofarads et non supérieure à 30 picofarads, destiné à la fabrication de produits du chapitre 91 (a)0 ex 8533 29 00Dispositif constitué de résistances fixes à coefficient de température positif avec une résistance nominale en courant continu de 19,6 ohms à 20 °C, une résistance d'isolement supérieure à 1 MO, pour la protection de centraux téléphoniques contre des élévations de tension de longue durée n'excédant pas 1 000 V, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 19×48 mm, comportant au maximum 16 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 20793 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des dispositifs qui satisfont à la présente description0 ex 8534 00 11 ex 8534 00 19 Circuit imprimé simple face dont les dimensions n'excèdent pas 30×30 mm, destiné à la fabrication de produits du chapitre 91 (a)0 ex 8534 00 11Circuit imprimé multiple, constitué de 24 couches, y compris 5 couches ayant des interconnections incorporées de triazine de bismaléimide, dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 64×65 cm0 ex 8534 00 19Circuits imprimés simple face, chacun avec 268 fils conducteurs ou moins, sur une bande plastique ayant des perforations d'entraînement sur les 2 bords, d'une largeur n'excédant pas 35 mm et d'une épaisseur n'excédant pas 0,26 mm0 ex 8534 00 19Circuit imprimé sur une ou deux faces d'un support céramique, constitué d'éléments conducteurs et de contacts, dont les dimensions n'excédent pas 36×36 mm, comportant au maximum 304 connexions0 ex 8534 00 90Circuit imprimé sur une ou deux faces d'un support céramique, constitué d'éléments conducteurs, de contacts et de résistances, incorporant des connexions isolés par des couches vitrifiées, dont les dimensions n'excèdent pas 37×37 mm, comportant au maximum 320 connexions0 ex 8535 90 00Culot pour tubes cathodiques0 ex 8536 41 10 ex 8536 41 90 ex 8536 49 00 Relais thermique enserré dans une ampoule de verre hermétiquement scellée dont la hauteur n'excède pas 35 mm, fils non compris, et dont le taux de déperdition n'excède pas 10-6 cm3 d'hélium par seconde sous 1 bar à une température comprise entre 0 et 160 °C, destiné à être monté sur des compresseurs pour groupes frigorifiques (a)0 ex 8536 50 19 ex 8536 50 90Interrupteur à lames, sous forme d'une capsule de verre contenant au maximum 3 contacts électriques fixés sur des tiges métalliques et une petite quantité de mercure0 ex 8538 90 90Partie d'un coupe-circuit électrothermique, constituée d'un fil en cuivre recouvert d'étain attaché à un boîtier cylindrique dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 5×48 mm0 ex 8540 11 10Tube cathodique couleur pourvu d'un masque à fente (slot-mask) avec des canons à électrons placés les uns à côté des autres (technique in-line) et ayant une diagonale de l'écran de 12 cm ou plus mais n'excédant pas 26 cm0 ex 8540 12 10Tube cathodique monochrome à écran plat, ayant une diagonale de l'écran de 150 mm ou plus mais n'excédant pas 155 mm, une tension anodique de 25 kV ou plus mais n'excédant pas 32 kV0 ex 8540 20 90Photomultiplicateur constitué d'un tube à photocathode avec 9 dynodes, sensible à la lumière d'une longueur d'onde de 160 nanomètres ou plus mais n'excédant pas 930 nanomètres, d'un diamètre n'excédant pas 14 mm et d'une hauteur n'excédant pas 94 mm0 ex 8540 30 10 ex 8540 30 90 Tube cathodique à mémoire (direct view storage tube) pour la reproduction de données alphanumériques et analogiques, équipé d'un dispositif de balayage permettant la lecture des images formées0 ex 8540 30 10Tube cathodique couleur pourvu d'un masque perforé à trous circulaires (dot-mask) avec des canons à électrons placés en triangle (technique delta) et ayant une diagonale de l'écran de 66 cm ou plus0 ex 8540 30 10Tube cathodique couleur pourvu d'un masque perforé à trous circulaires (dot-mask) avec des canons à électrons placés les uns à côté des autres (techniquein-line), une distance entre les points de couleur inférieure a 0,45 mm, ayant une diagonale de l'écran excédant 54 cm, un angle de déviation en diagonale n'excédant pas 90 degrés et avec des défauts de convergence dans les angles n'excédant pas 0,8 mm0 ex 8540 30 10Tube cathodique couleur pourvu d'un masque perforé à trous circulaires (dot-mask) avec des canons à électrons placés les uns à côté des autres (techniquein-line), une distance entre les points de couleur inférieure a 0,45 mm et pourvu d'un système d'absorption des vibrations indissolublement lié au tube (potting-system)0 ex 8540 30 10Tube cathodique couleur pourvu d'un masque perforé à trous circulaires (dot-mask) avec des canons à électrons placés les uns à côté des autres (techniquein-line), une distance entre les points de couleur inférieur à 0,45 mm et n'ayant pas d'écran magnétique interne0 ex 8540 30 10Tube cathodique couleur pourvu d'un masque perforé à trous circulaires (dot-mask) avec des canons à électrons placés les uns à côté des autres (techniquein-line), une distance entre les points de couleur inférieure à 0,45 mm et ayant une diagonale de l'écran n'excédant pas 54 cm0 ex 8540 30 90Tube cathodique monochrome à écran plat, ayant une diagonale de l'écran de 142 mm ou plus mais n'excédant pas 230 mm, une luminescence de 300 lumens ou plus mais n'excédant pas 2 000 lumens, un pouvoir de résolution de 0,06 mm ou plus mais n'excédant pas 0,1 mm, des phosphores du type soit P1 soit P22 soit P53 soit P55 soit P56, une tension anodique excédant 34 kV, une tension de focalisation excédant 7 kV et un courant cathodique de 3 mA ou plus0 ex 8540 89 11Indicateurs, sous forme d'un tube consistant en un boîtier de verre monté sur un tableau de dimensions n'excédant pas 300×350 mm, câble non compris. Le tube contient une ou plusieurs rangées de caractères ou de lignes disposées en rangées. Chacun des caractères ou des lignes est composé d'éléments fluorescents ou phosphorescents. Ces éléments sont montés sur un support métallisé qui est recouvert de substances fluorescentes ou de sels phosphorescents qui deviennent lumineux lorsqu'ils sont soumis à un bombardement d'électrons0 ex 8540 91 00Bobine de déviation pour tubes cathodiques ayant une fréquence d'opération de 31 250 Hz ou plus mais n'excédant pas 64 000 Hz, comportant un aimant quadripôle0 ex 8540 91 00Canon à électrons, destiné à la production de tubes cathodiques monochromes d'une diagonale de l'écran de 7,6 cm ou plus mais n'excèdant pas 30,5 cm (a)0 ex 8540 99 00Anode, cathode ou dispositif à sortie, destiné à la fabrication de magnétrons de la sous-position 8540 41 00 (a)0 ex 8541 10 91Diode redresseuse de puissance au silicium, réalisée en technologie planar, avec un temps de retour inférieure à 100 nanosecondes, une tension de coupure n'excédant pas 200 V, un courant direct moyen de 2,5 A ou plus, et enserrée dans un boîtier plat dont les dimensions excèdent 3×9×9 mm mais n'excédent pas 5×11×17 mm0 ex 8541 10 99Diodes au germanium à fil d'or, d'une tension à l'état passant n'excédant pas 1 V pour 5 mA0 ex 8541 10 99Diode au silicium à capacité variable, pouvant varier d'au moins 10 fois par rapport à sa valeur de départ lorsque la tension de service appliquée aux bornes varie de 2 V ou plus mais n'excède pas 10 V, et d'une capacité de 96 pF ou plus mais n'excédant pas 144 pF à 2 V, enserrée dans un boîtier cylindrique dont le diamètre extérieur n'excède pas 3 mm et la hauteur n'excède pas 8 mm, comportant au maximum 2 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: MV 1404 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des diodes qui satisfont à la présente description0 ex 8541 21 90Transistor à électrons à haute mobilité (HEMT), pour des fréquences de 2 GHz ou plus mais n'excédant pas 20 GHz, ayant une puissance de dissipation n'excédant pas 180 mW, enserré dans un boîtier d'un diamètre n'excédant pas 3 mm, comportant au maximum 4 connexions0 ex 8541 21 90Transistor à effet de champ (FET), pour des fréquences de 2 GHz ou plus mais n'excédant pas 16 GHz, ayant une puissance de dissipation n'excédant pas 225 mW, enserré dans un boîtier d'un diamètre n'excédant pas 3 mm, comportant au maximum 4 connexions0 ex 8541 29 90Transistor d'une puissance de 150 W ou plus à une tension de 160 V ou plus et ayant une fréquence «cut-off» de 20 MHz ou plus, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 22×37 mm, comportant au maximum 3 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 2 SA 11702 SA 14942 SC 2921 2 SA 12152 SC 27742 SC 3858 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des transistors qui satisfont à la présente description0 ex 8541 29 90Transistor au silicium, d'une puissance de 1 000 W ou plus et un facteur d'amplification de 5,25 db ou plus à une fréquence de 1 025 MHz ou plus mais n'excédant pas 1 150 MHz, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 11×36 mm, comportant au maximum 4 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: SD 1543 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8541 40 10Diode émettrice de lumière, à base de gallium-arsenic-phosphore (GaAsP), opérant à une longueur d'ondes nominale de 710 nanomètres, sous forme de circuit intégré monolithique présenté en microplaquette, destiné à la fabrication d'optocouples (a)0 ex 8541 40 91Module, constitué de 5 cellules solaires ou moins, réalisées en technologie à couche mince, sur un substrat dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 18×70 mm0 ex 8541 60 00Cristal piézo-électrique oscillant à la fréquence de 32 768 Hz, enserré dans un boîtier cylindrique dont la longueur n'excède pas 8,2 mm et le diamètre n'excède pas 3,2 mm, destiné à la fabrication de produits du chapitre 91 (a)0 ex 8541 60 00Cristal céramique piézo-électrique polarisé oscillant à des fréquences de 500 kHz ou plus mais n'excédant pas 12 500 kHz, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×15 mm, comportant au maximum 3 connexions0 ex 8542 11 05Circuit de contrôle et de pilotage de dispositifs de visualisation à cristaux liquides (LCD) à matrice par points, réalisé en technologie C-MOS, doté d'un générateur de caractères, avec un courant d'attaque excédant 10 V, sous forme de circuit intégré monolithique présenté en microplaquette, destiné à la fabrication de dispositifs de visualisation à cristaux liquides (LCD) (a)0 ex 8542 11 05Circuit de pilotage pour dispositifs de visualisation à cristaux liquides (LCD), réalisé en technologie C-MOS, doté au minimum de 40 canaux de sortie, avec un courant d'attaque excédant 10 V, sous forme de circuit intégré monolithique présenté en microplaquette, destiné à la fabrication de dispositifs de visualisation à cristaux liquides (LCD) (a)0 ex 8542 11 12Mémoire dynamique à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAM), réalisée en technologie N-MOS (y compris H-MOS), d'une capacité de mémorisation de 64 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 9×24 mm, comportant au maximum 18 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: KM 4164 MN 4264 TMS 4164 TMS 4416 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 12Mémoire dynamique à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAM), réalisée en technologie N-MOS (y compris H-MOS), d'une capacité de mémorisation de 256 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 150 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×34 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HB 50562KM 41257MB 81464PD 41256TMS 4256 HM 50256M5M 4256MSM 4256PD 41464TMS 4464 HM 50464M5M4464MSM 4464TMM 41256 KM 41256MB 81256PD 41254TMM 41464 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description8 ex 8542 11 12Mémoire dynamique à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 256 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 53 C 25653 C 466P 51 C 256 53 C 258MB 81 C 258P 51 C 259 53 C 464MB 81 C 466TC 51832 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 12Mémoire dynamique à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAM) à double port, d'une capacité de mémorisation de 256 kbit et ayant des registres de données et un contrôle de lecture en sortie sériel, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 13×39 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: M5M 4 C 264MB 81461PD 41264TMS 4461 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 14Mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM), d'une capacité de mémorisation de 1 Mbit, avec entrées/sorties séparées et registres à décalage sériels (field memories), réalisée en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boitier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×54 mm, comportant au maximum 40 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: TC 521000 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 14Mémoire dynamique à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAM) à double ou triple port, ayant des registres de données et un contrôle de lecture en sortie sériel et une capacité de mémorisation de 1 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×51 mm, comportant au maximum 40 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: TC 524256TC 528128MT 42 C 4256TMS 44 C 251 TC 524257M5M 442256MT 43 C 4257 TC 528126MB 81 C 4251MT 43 C 4258 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 16Mémoire pseudo-statique à lecture-écriture à accès aléatoire (PS-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 4 Mbit et ayant un temps d'accès de 100 ns, comprenant un générateur impulsion d'horloge et un circuit de contrôle de rafraîchissement, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 12×22 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: HM 658512 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description Cette mémoire est destinée à la fabrication d'ordinateurs portables, pouvant fonctionner sans source d'énergie extérieure (a)0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 16×4 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 35 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 9×21 mm, comportant au maximum 16 connexions, et portant: ex 8542 11 21 (suite)-un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY27S03CY54S189CY7C189 CY27S07CY74S189CY7C190 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Circuit intégré monolithique constitué d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 256 bit, superposée bit à bit à une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 8×24 mm, comportant au maximum 18 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: X 2210 X 2443 X 2444 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie N-MOS (y compris H-MOS), d'une capacité de mémorisation de 256×4 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 25 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques ou alphanumériques suivantes: 9122-25 91 L 22-25 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 256×4 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 60 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 12×33 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C122 CY7C123 CY93422 CY93L422 P4C 422 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Circuit intégré monolithique, constitué d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 1 kbit superposée bit à bit à une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), enserrées dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×33 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: X 2001 X 2201 A X 2212 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Circuit intégré monolithique, constitué d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 2 kbit superposée bit à bit à une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), enserrées dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: X 2002 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Circuit intégré monolithique, constitué d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 4 kbit superposée bit à bit à une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: X 2004 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), d'une capacité de mémorisation de 1 kbit×4 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 25 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 8×32 mm, comportant au minimum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: AM 9150-20CY 7 C 150-15 AM 9150-25CY 7 C 150-25 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie N-MOS (y compris H-MOS), d'une capacité de mémorisation de 8 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 24 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques ou alphanumériques suivantes: 4008480181088114PD 421 4118810481128185 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) à double port, réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 1 kbit×8 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 55 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×62 mm, comportant au maximum 52 connexions, et portant: ex 8542 11 21 (suite)-un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C130 CY7C131 CY7C140 CY7C141 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), non volatile, réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 16 kbit et munie d'une source d'énergie interne, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 19×40 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: DS 1220 Y MK 48 Z 02 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description7 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) à double port, réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 2 kbit×8 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 55 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×62 mm, comportant au maximum 52 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C132 CY7C136 CY7C142 CY7C146 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 32 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 18×63 mm, comportant au maximum 48 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: IDT 7134 TC 5532 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) à double port, réalisée en technologie BiMOS, d'une capacité de mémorisation de 32 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 35 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 29×62 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7B134 CY7B1342 CY7B135 CY7B138 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), non volatile, réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 64 kbit et munie d'une source d'énergie interne, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 20×42 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: BQ 4010 DS 1225 Y ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Antémemoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-cache-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 4 kbit×16 bit, ayant un temps d'accès n'excédant pas 55 ns, comprenant un registre-tampon d'adresse à 12 bit et des circuits de contrôle, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 10×53 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: IDT71586S ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 21Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) à double port, réalisée en technologie BiMOS, d'une capacité de mémorisation de 64 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 35 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 29×29 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: CY7B144 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 23Antémémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-cache-RAM), réalisée en technologie BiMOS, d'une capacité de mémorisation de 72 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 29×29 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7B180 CY7B181 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 23Antémémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-Cache-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 144 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 30 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×21 mm, comportant au maximum 52 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: TC 55187 TC 55188 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 23Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), non volatile, réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 256 kbit et ayant une source d'énergie interne, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 19×40 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: BQ 4011 DS 1230 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 23Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) asynchrone, réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 16 kbit×16 bit, à l'exclusion d'une antémémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-cache-RAM), sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×21 mm, comportant au maximum 52 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: MCM 62995-17 MCM 62995-20 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 23Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 32 kbit×8 bit et ayant un temps d'accès excédant 55 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HM 62256 HY 62C256 MB 84256 PD 43256 TC 55257 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 23Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie BiMOS, d'une capacité de mémorisation de 256 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 20 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×38 mm, comportant au maximum 52 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7B153CY7B155HM 6709 AMCM 6709 CY7B154CY7B156MCN 6708 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 25Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 288 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 40 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 8×41 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: TC 55329 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 25Antémémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-cache-RAM), réalisée en technologie BiMOS, d'une capacité de mémorisation de 288 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 21 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×17 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7B173 CY7B174 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 25Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), d'une capacité de mémorisation de 1 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×44 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CXK581020CY7C108M5M 51004TC 55B4256 CY7C101CY7C109M5M 51008TC 55B4257 CY7C102HM 621100AMCM 6228TC 55B8128 CY7C106HM 624256MT 5C1008 CY7C107HM 624257TC 551001 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 31Mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 256 kbit et ayant une alimentation d'attente d'une intensité n'excédant pas 0,03 mA, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×50 mm, comportant au maximum 54 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HN 61256 HN 613256 MB 83256 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description7 ex 8542 11 31Mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 1 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×43 mm, comportant au maximum 32 connexions et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HN 62301 PMB 83 1000TC 53 1000 P IMP 23101MB 83 1124TC 53 1001 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description7 ex 8542 11 31Mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 8 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×54 mm, comportant au maximum 44 connexions et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: TC 538200 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 31Mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 16 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×54 mm, comportant au maximum 44 connexions et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumériquesuivante: TC 5316200 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 42Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM), d'une capacité de mémorisation de 16 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 65 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY 7C 245 W CY 7C 291 W ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 42Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM), d'une capacité de mémorisation de 32 Kbits et ayant un temps d'accès n'excédant pas 45 nanosecondes, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 27 CX 321 27 CX 322 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 42Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM), d'une capacité de mémorisation de 64 Kbits et ayant un temps d'accès n'excédant pas 65 nanosecondes, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY 7C 261 W CY 7C 263 W CY 7C 268 W CY 7C 269 W ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) ou non effaçable (PROM), d'une capacité de mémorisation de 128 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 100 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 connexions, même pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz, et portant: ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 (suite)-un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY 7C 251 CY 7C 254 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) ou non effaçable (PROM), d'une capacité de mémorisation de 256 kbit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 99 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 connexions, même pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: CY 7C 271 CY 7C 274 CY 7C 277 CY 7C 279 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 44 ex 8542 11 59 Mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) ou non effaçable (PROM), d'une capacité de mémorisation de 1 Mbit, ayant un temps d'accès n'excédant pas 35 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 18×53 mm, comportant au maximum 40 connexions, même pourvu sur la face supérieure d'une fenêtre en quartz, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7B201 CY7B210 CY7B211 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 44Mémoire-flash à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (Flash E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 1 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×42 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: 48 F 010 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 46Mémoire-flash à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (Flash E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 2 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×42 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: 28F020 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 50Mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 16 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×42 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 24 C 1628 C 1752 B 13X 2816 28 C 1638 C 16AM 2817 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 50Mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 64 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 28 C 64HN 58C65X 2864 A AM 2864 BEMBM 28 C 65 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 50Mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 128 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: X 28128 A ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 50Mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 256 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 19×42 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numérique ou alphanumériques suivantes: 28256 28 C 256 48 C 256 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 50Mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM), d'une capacité de mémorisation de 1 Mbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'exèdent pas 17×52 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comportant la combinaison alphanumérique suivante: AT 28C1024 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire tampon des données/adresses, pour la stockage des données d'une unité centrale de traitement (CPU), d'un bus système et d'un bus mémoire ou pour la stockage des adresses d'un bus système, d'un bus local et des mémoires dynamiques à lecture-écriture à accès aléatoire (D-RAMs), comprenant 2 circuits de détection des erreurs de parité, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm, comportant au maximum 84 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: GC 102 HT 102 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire tampon à double ligne (Double Row Buffer-DRB), à registres à décalage intégré et mémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (RAMs), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: CRT 9212 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire tampon pour l'écriture (Write Buffer), réalisée en technologie C-MOS, ayant une organisation de 4×16 bit consistant en 8 bit pour les adresses et 8 bit pour les données et 4 bit de parité, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 31×31 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 79 R 2020 A 79 R 3020 R 2020/16 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 64×8 bit ou de 64×9 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 12×38 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C408A CY7C409A ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), d'une capacité de mémorisation de 7 280 ou 9 080 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 12×36 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: PD 41101 PD 41102 PD 42101 PD 42102 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 512×9 bit et ayant un temps d'accès n'excédant pas 40 ns, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 12×43 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C420-20CY7C420-40CY7C421-30CY7C451 CY7C420-25CY7C421-20CY7C421-40 CY7C420-30CY7C421-25CY7C441 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 18 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 13×43 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C428 CY7C429 CY7C439 CY7C443 CY7C453 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 72 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×38 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C460 CY7C470 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 144 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×38 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C462 CY7C472 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture-écriture FIFO (First in/First out), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 288 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×38 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C464 CY7C474 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture exclusivement, programmable (PROM), d'une capacité de mémorisation de 16 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×39 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 7 C 245 7 C 291 7 C 292 HM 6616 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 36 288 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 16×16 mm, comportant au maximum 20 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: XC 1736 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 59Mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM), d'une capacité de mémorisation de 64 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×44 mm, comportant au maximum 32 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CY7C261CY7C264CY7C269MB7144XC 1764 CY7C263CY7C268MB7143MB71C44XC 1765 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Coprocesseur, réalisé en technologie C-MOS, permettant l'interface multiple entre un bus système parallèle et des unités centrales de traitement (CPUs) à 8, 16 ou 32 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 41×41 mm, comportant au maximum 149 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques ou alphanumèriques suivantes: 82389 82C389 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Unité centrale de traitement (CPU), réalisée en technologie N-MOS (y compris H-MOS), constituée par 4 mémoires de service de capacités de mémorisation de 8×8 bit, 16×16 bit, 16×20 bit et 32×32 bit, un registre de 8 bit, un registre de 12 bit, un registre de 16 bit et deux registres de 20 bit, un compteur à 5 bit et une horloge, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 25×25 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: LSI-604041855 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Coprocesseur mathématique travaillant en virgule flottante, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 46×53 mm, comportant au maximum 208 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques ou alphanumériques suivantes: 317180387MC 68882TX 32081 W 74 ACT 88478087NCR 32020WTL 3167 79 R 201080C287NS 32081 79 R 3010C 7C 602NS 32381 80287MC 68881R 2010/16 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Coprocesseur de textes, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'exèdent pas 25×25 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: C 82730 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62Microprocesseur à 8 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), pour le codage/décodage de données, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 15×53 mm, comportant au maximum 40 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numérique ou alphanumériques suivantes: 8294 Z 8068 Z 9518 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62Microprocesseur à 8 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité centrale de traitement (CPU), d'un contrôleur de gestion de la mémoire (MMU), d'une unité de commande DMA à deux canaux, d'un temporisateur à 16 bit à deux canaux programmable, d'un générateur d'état d'attente, d'une unité d'interface à deux canaux asynchrone pour communication sérielle (ASCI) et d'une unité de contrôle des bus, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 26×62 mm, comportant au maximum 80 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HD 64 A 180 HD 64 B 180 Z 64180 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62Microprocesseur à 8 bit, réalisée en technologie C-MOS, constitué d'un circuit de modulation des signaux d'enregistrement, d'un circuit de démodulation des signaux de reproduction, d'un circuit de code correcteur d'erreurs (ECC), d'un convertisseur analogique/numérique-numérique/analogique, d'un circuit d'interface de mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), d'un circuit d'entrée/sortie pour l'interface d'un microcontrôleur ou micro-ordinateur, d'un circuit d'entrée/sortie pour l'interface d'un système audio et d'un circuit boucle à verrouillage de phase (Phase Locked Loop/PLL), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 15×21 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant: ex 8542 11 62 (suite)-un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: CXD2601 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 Microprocesseur multiprotocole à 8 ou 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité centrale de traitement (CPU), d'un circuit de contrôle d'accès direct mémoire, d'un circuit de contrôle d'interruptions, d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire à double porte (Dual Port RAM) d'une capacité de mémorisation de 9 216 bit, de trois temporisateurs, d'un processeur de communication et de trois circuits de contrôle de communication sériel et simultané dans deux directions (full duplex), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 36×36 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumèrique suivante: MC 68302 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 8 bit doté d'une architecture interne à 16 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), consistant en une unité centrale de traitement (CPU), un générateur de rythme, deux canaux DMA autonomes, un contrôleur d'interruption programmable, trois temporisateurs à 16 bit programmables, une mémoire programmable et une logique de sélection de circuit externe, un générateur d'état d'attente programmable et une unité de contrôle bus, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 80188 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description7 ex 8542 11 64Microprocesseur à 8 bit et d'une structure interne à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 36×60 mm, comportant au maximum 120 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: MB 89T713 MB 89T715 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 10 bit pour la décodage des données texte, réalisé en technologie C-MOS, comprenant un processeur préfixe pour la conversion de données sérielles en données parallèles, un processeur d'affichage vidéo, un circuit de contrôle d'accès mémoire, une mémoire d'affichage et un circuit d'interface, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 16×37 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CF 70064 CF 70095 CF 72301 CF 72305A ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), constitué d'une unité centrale de traitement (CPU), d'un contrôleur de gestion de la mémoire (MMU) et d'un système interne d'exploitation en adresses réelles ou en adresses virtuelles (QSOS), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 80186 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), constitué d'une unité centrale de traitement (CPU), d'un contrôleur de gestion de la mémoire (MMU) et d'un système interne d'exploitation en adresses réelles ou en adresses virtuelles (OSOS), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 80286 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description10 ex 8542 11 64Processeur de communication à 16 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), consistant en une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de 22 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 15×60 mm, comportant au maximum 48 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: TMS 38010 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité arithmétique et logique (ALU), d'un multiplicateur/accumulateur (MAC), d'une unité de décalage arithmétique et logique (Shifter), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 35×35 mm, comportant au maximum 101 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumèrique suivante: ADSP 2100 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité arithmétique et logique (ALU) de données, d'une unité de génération d'adresses, de 3 bus de données à 16 bit, de 3 bus d'adresses à 16 bit et d'un circuit de contrôle programme, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 36×36 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant: ex 8542 11 64 (suite)-un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: DSP 56116 DSP 56156 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité de multiplication et d'accumulation, d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 256×24 bit, d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation de 256×16 bit, d'un générateur d'adresses, d'un circuit d'interface sériel en cascade et d'un circuit d'interface parallèle asynchrone, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 16×37 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: DSP 56200 XSP 56200 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité centrale de traitement (CPU) et d'une unité bus externe à 8 ou à 16 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×54 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 80 C 18680 C 196Z 70108 80 C 18880 C 296Z 70116 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Microprocesseur à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité centrale de traitement (CPU), d'un contrôleur de gestion de la mémoire (MMU), d'une antémémoire de 2 kbit, de 3 temporisateurs programmables à 16 bit, d'un émetteur/récepteur asynchrone universel complet fonctionnant dans deux directions (full duplex UART) et de 4 canaux DMA, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 26×26 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: Z 280 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 64Processeur de communication à 16 bit, réalisé en technologie C-MOS, comprenant un encodeur/décodeur pour la conversion de données en signaux en série, ou en parallèle, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 28×28 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: TMS 380 C 16 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Coprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, pour un réseau local, comprenant une unité d'interface de données, une unité d'interface bus, un circuit de contrôle d'accès direct mémoire (DMA) et des mémoires à lecture-écriture FIFO (First in/First out) d'une capacité totale de mémorisation de 1 536 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 63×63 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 82596 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 38×38 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CPU 04041871 NCR 32000 NS 32032 NS 32332 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, comprenant une unité arithmétique à virgule flottante avec 4 registres à 80 bit, trente-six registres à 32 bit, une antémémoire d'une capacité de mémorisation de 4 kbit et un contrôleur d'interruptions, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 37×37 mm, comportant au maximum 132 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: 80960KB ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Micro-processeur à 32 bit, constitué d'une ou plusieurs mémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation totale n'excédant pas 48 kbit et d'une unité arithmétique à 32 bit travaillant en virgule flottante, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 35×35 mm, comportant au maximum 164 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: DSP 32 C ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une unité arithmétique et logique binaire, d'une unité arithmétique et logique à virgule flottante, d'une unité arithmétique et logique décimale, d'une unité de contrôle de stockage, d'une unité de gestion de la mémoire virtuelle et des registres, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 48×48 mm, comportant au maximum 223 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 78201441 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, ayant un bus externe des données de 32 bit et un bus externe d'adresses de 32 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 48×48 mm, comportant au maximum 208 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques ou alphanumériques suivantes: 48679 R 3000MC 68020NS 32C 032 80386AM 29000MC 68030R 2000/16 80486CY7C601MC 68040 79 R 2000 AL 64801NS 32532 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, avec bus externe des données de 16 bit et bus externe d'adresse des données à 24 bit, d'une capacité d'adressage de mémoire virtuelle de 64 terabytes, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 31×31 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: 80386 SX ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 32 bit, réalisé en technologie C-MOS, combiné avec un circuit de contrôle bus, un circuit de contrôle de mémoire, un circuit de contrôle antémémoire et une antémémoire d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 512 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excédent pas 38×38 mm, comportant au maximum 227 broches de de connexion ou connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: 80386 SL ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 67Microprocesseur à 16 bit, avec unité arithmétique et logique (ALU) à 32 bit, ayant une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 8,5 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 29×29 mm, comportant au maximum 68 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: TMS 32020 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 68Microprocesseur à 64 bit, réalisé en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 45×45 mm, comportant au maximum 168 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison numérique suivante: 80860 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 4 bit, réalisé en technologie C-MOS, ayant la fonction de pilotage pour dispositifs de visualisation à cristaux liquides (LCD), constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation de 12 kbit et d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 160 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 14×18 mm, comportant au maximum 60 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: MSM 58421 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 4 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation de 2 kbit×8 bit, d'un générateur multifréquence à double tonalité (DTMF), d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 1 kbit et/ou d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 512 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 16×54 mm, comportant au maximum 42 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: T 6978 TCM 8301 TCM 8302 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 4 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation de 10 kbit ou plus mais n'excédant pas 16 kbit et d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 1 536 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 16×54 mm, comportant au maximum 67 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HD 44750 TMP 47 C 200 TMP 47 C 220 TMP 47 C 221 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 4 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) ou programmable, non effaçable (PROM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 8 kbit×8 bit, d'un générateur multifréquences à double tonalité (DTMF) et de mémoires à lecture-écriture à accès aléatoire (RAMs) d'une capacité de mémorisation totale n'excédant pas 4 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×60 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: TMP 47 C 452TMP 47 C 855TMP 47 P 855 TMP 47 C 456TMP 47 C 858 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71 ex 8542 11 91 Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 4 bit, constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM), d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 128 kbit et d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 5 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 21×60 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: CD 3200 à 3299HD 614042TMC 1500 à 1599 HD 38800HD 614080TMC 1980 à 1999 HD 38820MN 1584531TMP 47 C 1670 HD 404189SMC 6214TMP 47 C 670 HD 404608SMC 6215TMP 47 P 1670 HD 4074608SMC 6234TMP 47 P 860 E HD 44796SMC 6266TP 0310 à 03299 HD 44800SMC 62 L 34TP 0450 à 04599 HD 44801T 7767 BSTP 0480 à 04899 HD 44820TMC 0270 à 0279TP 0500 à 05999 HD 44840TMC 0500 à 0599TSS 200 HD 44860TMC 0980 à 0989TSS 400 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 4 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmables (ROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM) d'une capacité de mémorisation de 160 kbit ou plus et d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 4 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 20×60 mm, comportant au maximum 64 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: HD 404019 HD 404919 HD 4074019 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 8 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) d'une capacité de mémorisation soit de 14 432 bit, de 30 016 bit ou de 30 208 bit, d'une mémoire à lecture-écriture à accés aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation soit de 832 bit ou de 896 bit, d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation soit de 920 bit, de 1 528 bit ou de 1 728 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserrée dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 18×54 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: MC 68705P3 MC 68705R3 MC 68705S3 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 8 bit, constitué d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) d'une capacité de mémorisation de 32 kbit et d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 1 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×53 mm, comportant au maximum 44 connexions, même pourvu d'une fenêtre en quartz sur la face supérieure, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques suivantes: 7742 8751 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 8 bit, réalisé en technologie N-MOS (y compris H-MOS), ayant les fonctions d'un interface périphérique, constitué d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 2 kbit, d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) et d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) d'une capacité de mémorisation de 16 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 17×53 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons numériques suivantes: 8042 8742 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 8 bit, réalisée en technologie C-MOS, possèdant une architecture de registre à registre et constitué: -d'une mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 4 kbit, -d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 128 kbit comprenant ou non: -une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 4 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 30×30 mm, comportant au maximum 100 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes: 370C010370C052370C156370C310370C352370C756 370C032370C056370C250370C332370C356370C810 370C050370C150370C256370C350370C732370C850 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 8 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 256 bit, d'une mémoire à lecture exclusivement, non-programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation de 16 kbit, d'une mémoire à lecture exclusivement, effaçable électriquement, programmable (E2PROM) d'une capacité de mémorisation de 2 kbit, d'un générateur horloge, d'un temporisateur à 4 bit, d'un circuit d'interface de communication en série et d'un convertisseur numérique/analogique à 14 bit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 10×29 mm, comportant au maximum 28 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante: HD 401220 ou -d'autres sigles d'identification se rapportant à des circuits qui satisfont à la présente description0 ex 8542 11 71Microcontrôleur ou micro-ordinateur à 8 bit, réalisé en technologie C-MOS, constitué soit d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, non effaçable (PROM) ou d'une mémoire à lecture exclusivement, programmable, effaçable aux rayons ultraviolets (EPROM), d'une capacité de mémorisation de 60 kbit ou plus mais n'excédant pas 128 kbit, et d'une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation n'excédant pas 3 kbit, sous forme de circuit intégré monolithique, enserré dans un boîtier dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 19×54 mm, comportant au maximum 44 connexions, et portant: -un sigle d'identification consistant en/ou com