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( 1 ) JO N} L 67 DU 9 . 3 . 1984 , P . 54 .

DECISION DU CONSEIL DU 11 FEVRIER 1985 ADOPTANT LE PROGRAMME DE TRAVAIL DE L'ANNEE 1985 POUR LE PROGRAMME STRATEGIQUE EUROPEEN DE RECHERCHE ET DE DEVELOPPEMENT RELATIF AUX TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION ( ESPRIT ) ( 85/141/CEE )

LE CONSEIL DES COMMUNAUTES EUROPEENNES ,

VU LE TRAITE INSTITUANT LA COMMUNAUTE ECONOMIQUE EUROPEENNE ,

VU LA DECISION 84/130/CEE DU CONSEIL , DU 28 FEVRIER 1984 , RELATIVE A UN PROGRAMME EUROPEEN DE RECHERCHE ET DE DEVELOPPEMENT DANS LE DOMAINE DES TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION ( ESPRIT ) ( 1 ) , ET NOTAMMENT SON ARTICLE 3 PARAGRAPHE 2 ,

VU LE PROJET DE PROGRAMME DE TRAVAIL SOUMIS PAR LA COMMISSION ,

CONSIDERANT QUE LES MILIEUX INDUSTRIELS ET UNIVERSITAIRES CONCERNES ONT , DANS LE CADRE DES CONSULTATIONS ORGANISEES PAR LES SERVICES DE LA COMMISSION , EXPRIME LEUR AVIS QUANT AU CONTENU DES PROJETS A LANCER ET A LEUR PRIORITE ;

CONSIDERANT QUE LE COMITE PREVU A L'ARTICLE 4 DE LA DECISION 84/130/CEE A ETE CONSULTE ;

CONSIDERANT QUE LES PROJETS IDENTIFIES RELEVENT BIEN DES DOMAINES INDIQUES DANS L'ANNEXE TECHNIQUE DE LA DECISION ARRETANT LE PROGRAMME ESPRIT ;

CONSIDERANT QUE LES BESOINS REELS EN CE QUI CONCERNE LA CONTRIBUTION COMMUNAUTAIRE A DE NOUVEAUX PROJETS TOMBANT AU-DESSOUS DU SEUIL VISE A L'ARTICLE 6 PARAGRAPHE 2 TROISIEME TIRET DE LA DECISION 84/130/CEE ONT FAIT L'OBJET D'UNE ANALYSE MINUTIEUSE QUI A PERMIS D'ABOUTIR A LA CONCLUSION QU'UNE CERTAINE MARGE DE FLEXIBILITE EST NECESSAIRE ,

DECIDE :

ARTICLE PREMIER

LE PROGRAMME DE TRAVAIL ESPRIT , TEL QU'IL FIGURE EN ANNEXE , EST ADOPTE POUR L'ANNEE 1985 .

ARTICLE 2

IL EST PREVU QUE 25 % DE LA CONTRIBUTION TOTALE DE LA COMMUNAUTE A DE NOUVEAUX PROJETS PEUVENT ETRE AFFECTES A DE NOUVEAUX PROJETS QUI TOMBENT AU-DESSOUS DU SEUIL VISE A L'ARTICLE 6 PARAGRAPHE 2 TROISIEME TIRET DE LA DECISION 84/130/CEE .

ARTICLE 3

LA PRESENTE DECISION ENTRE EN VIGUEUR LE 1ER JANVIER 1985 .

FAIT A BRUXELLES , LE 11 FEVRIER 1985 .

PAR LE CONSEIL

LE PRESIDENT

G . GORIA

ANNEXE

PLAN DE TRAVAIL ESPRIT 1985

TABLE DES MATIERES

PAGE

0 . INTRODUCTION ET REPARTITION GENERALE DES RESSOURCES 3

1 . SOUS-PROGRAMME 1 : MICRO-ELECTRONIQUE DE POINTE 8

SECTEURS DE R ET D 1.1 . MOS SUBMICRONIQUES 9

1.2 . PROCEDE BIPOLAIRE SUBMICRONIQUE 11

1.3 . CONCEPTION AIDEE PAR ORDINATEUR ( CAO ) 12

1.4 . COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUITS INTEGRES 16

1.5 . OPTOELECTRONIQUE 18

1.6 . TECHNOLOGIES EVOLUEES DES AFFICHAGES 19

1.7 . ( NUMEROTATION NON UTILISEE ) 20

1.8 . THEMES DE RECHERCHE GENERAUX DE TYPE B 20

1.9 . PROJETS A L'APPUI DE PLUSIEURS SECTEURS DE LA MICROELECTRONIQUE 21

2 . SOUS-PROGRAMME 2 : TECHNOLOGIE DU LOGICIEL 23

SECTEURS DE R ET D 2.1 . THEORIES , METHODES ET OUTILS 26

2.2 . ASPECTS INDUSTRIELS ET DE GESTION 33

2.3 . ENVIRONNEMENT COMMUN 37

2.4 . PROJETS D'EVALUATION ET DE DEMONSTRATION 41

3 . SOUS-PROGRAMME 3 : TRAITEMENT AVANCE DE L'INFORMATION 42

SECTEURS DE R ET D 3.1 . GENIE DE LA CONNAISSANCE 42

3.2 . INTERFACES EXTERNES 50

3.3 . STOCKAGE DE L'INFORMATION ET DE LA CONNAISSANCE 53

3.4 . ARCHITECTURES D'ORDINATEURS 57

3.5 . ASPECTS DE LA CONCEPTION ET DES SYSTEMES 61

3.6 . PROJETS DE FOCALISATION 63

4 . SOUS-PROGRAMME 4 : SYSTEMES BUREAUTIQUES 64

SECTEURS DE R ET D 4.1 . SCIENCE DES SYSTEMES BUREAUTIQUES ET FACTEURS HUMAINS 66

4.2 . POSTES DE TRAVAIL AVANCES 69

4.3 . SYSTEMES DE COMMUNICATION 78

4.4 . SYSTEMES D'ARCHIVAGE ET DE RECHERCHE AVANCES 83

4.5 . SYSTEME BUREAUTIQUE INTEGRE 86

5 . SOUS-PROGRAMME 5 : PRODUCTION INTEGREE PAR ORDINATEUR 88

SECTEURS DE R ET D 5.0 . STRATEGIE ET ORGANISATION DE L'INDUSTRIE MANUFACTURIERE 88

5.1 . ARCHITECTURE DES SYSTEMES INTEGRES 89

5.2 . CONCEPTION AIDEE PAR ORDINATEUR ( CAO ) ET INGENIERIE AIDEE PAR ORDINATEUR ( IAO ) 90

5.3 . PRODUCTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR ( PAO ) 92

5.4 . SYSTEMES DE COMMANDE DES MACHINES 94

5.5 . SOUS-SYSTEMES ET COMPOSANTS 97

5.6 . APPLICATIONS DES SYSTEMES DE PIO 99

INTRODUCTION ET REPARTITION GENERALE DES RESSOURCES

CETTE SECTION FAIT PARTIE INTEGRANTE DU PLAN DE TRAVAIL ESPRIT 1985 . ELLE EST NECESSAIRE POUR UNE LECTURE ET UNE INTERPRETATION CORRECTES DU PLAN

0.1 . HISTORIQUE

LA COMMUNAUTE ECONOMIQUE EUROPEENNE A LANCE LE PROGRAMME STRATEGIQUE DE RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT RELATIF AUX TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION ( ESPRIT ) . LE PROGRAMME ESPRIT EST CONCU POUR PROMOUVOIR DES ACTIVITES DE RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT PRECOMPETITIVES ET GENERALES DANS LE DOMAINE DES TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION AU MOYEN DE PROJETS MENES EN COLLABORATION AU SEIN DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ET FINANCES EN PARTIE PAR CETTE DERNIERE . UN PLAN DE GESTION , LE PLAN DE TRAVAIL ANNUEL , A ETE ETABLI POUR ESPRIT AFIN DE MIEUX CONTROLER ET SUIVRE LE DEROULEMENT DU PROGRAMME . MIS A JOUR PAR LA COMMISSION CHAQUE ANNEE APRES CONSULTATION DU COMITE DE GESTION ESPRIT , CE DOCUMENT EST SOUMIS POUR APPROBATION AU CONSEIL . C'EST LE SECOND DE CES PLANS DE TRAVAIL , ET IL COUVRE LA PERIODE 1985-1989 .

0.2 . OBJECTIF

LE PLAN DE TRAVAIL ESPRIT 1985 SE PROPOSE :

- DE DECRIRE LES DOMAINES DES PROJETS AINSI QUE LEURS RELATIONS RECIPROQUES ET DE DECRIRE EGALEMENT LES TRAVAUX COMMENCES EN 1984 ;

- DE SERVIR DE DIRECTIVE AUX PROPOSANTS EVENTUELS EN LEUR INDIQUANT L'OBJECTIF ET LES CARACTERISTIQUES DES NOUVEAUX TRAVAUX A ENTREPRENDRE EN 1985 ;

- DE FOURNIR UN CADRE D'EVALUATION ET DE REVISION DES PROJETS EN COURS , AFIN QUE L'ON PUISSE EN APPRECIER LES PROGRES INDIVIDUELS ET PAR RAPPORT AUX AUTRES PROJETS ;

- DE SERVIR DE DOCUMENT DE REFERENCE SOIT POUR LES TRAVAUX DE COORDINATION DANS LE CADRE D'ESPRIT ET DANS LE CADRE D'AUTRES PROGRAMMES COMMUNAUTAIRES ET NATIONAUX , SOIT POUR LES PROGRAMMES TECHNOLOGIQUES LIES A ESPRIT MAIS QUI SONT REALISES EN DEHORS DE LA COMMUNAUTE .

0.3 . PLAN DU DOCUMENT

APRES L'INTRODUCTION , LE DOCUMENT COMPORTE CINQ GRANDS CHAPITRES CORRESPONDANT AUX PRINCIPAUX SOUS-PROGRAMMES TECHNIQUES D'ESPRIT .

LA DIVISION DE R ET D A L'INTERIEUR D'ESPRIT EN CINQ SOUS-PROGRAMMES EST EN GRANDE PARTIE DICTEE PAR LA NECESSITE , POUR LA COMMUNAUTE , D'ETRE EN MESURE DE GERER LES TRAVAUX . CERTAINS DES SOUS-PROGRAMMES TECHNIQUES SONT CORRELES LES UNS AVEC LES AUTRES ET LE PLAN DE TRAVAIL INDIQUE LES INTERDEPENDANCES LES PLUS SIGNIFICATIVES .

CHAQUE SOUS-PROGRAMME EST SUBDIVISE EN UN CERTAIN NOMBRE DE SECTEURS DE R ET D QUI SONT EUX-MEMES SUBDIVISES EN THEMES ET PROJETS DE R ET D .

CHAQUE THEME DE R ET D EST DISCUTE EN DETAIL AVEC INDICATION DES TRAVAUX QUI SONT LA POURSUITE DE CEUX DES ANNEES PRECEDENTES ( EN L'ESPECE 1983/1984 ) , DES TRAVAUX DONT LE DEMARRAGE EST PREVU EN 1984 ET DES NOUVEAUX TRAVAUX NECESSAIRES QUI DEBUTERONT SOIT EN 1985 , SOIT DURANT LES ANNEES ULTERIEURES .

0.4 . L'APPROCHE D'ESPRIT

L'APPROCHE D'ESPRIT EST DE CREER LA BASE TECHNOLOGIQUE QUI PERMETTRA A LA COMMUNAUTE DE SAISIR LES CHANCES QUE LUI OFFRENT LES NOUVELLES TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION , DE FAVORISER LA COOPERATION ET D'OUVRIR LA VOIE A DES NORMES D'ORIGINE EUROPEENNE .

ESPRIT EST LE PROGRAMME COMMUNAUTAIRE QUI EST CONCU ESSENTIELLEMENT POUR DES TRAVAUX DE R ET D DANS LESQUELS LA COLLABORATION AU NIVEAU COMMUNAUTAIRE SE JUSTIFIE ET QUI SONT PRECOMPETITIFS . CETTE COLLABORATION S'IMPOSE SOIT POUR REALISER DES EFFORTS AYANT UNE MASSE CRITIQUE , SOIT POUR REGROUPER LES COMPETENCES NECESSAIRES QUI AUTREMENT RESTERAIENT DISPERSEES DANS LA COMMUNAUTE , SOIT ENCORE POUR CREER LES MOYENS D'ELARGIR LES MARCHES . DE PLUS , EN FOURNISSANT UN CADRE OUVERT A DES METHODES TECHNIQUES CONCURRENTES , ESPRIT INSTAURE UNE COLLABORATION ENTRE LES INDUSTRIES ET ENTRE LES INDUSTRIES ET LES UNIVERSITES .

LE CRITERE DE PRECOMPETITION D'ESPRIT JOUE DANS DES SECTEURS OU ON POURRA SAISIR LES POSSIBILITES DU MARCHE DANS LES 5 A 10 ANNEES A VENIR , ET DE CETTE MANIERE , ESPRIT SE SITUE ENTRE LA RECHERCHE FONDAMENTALE ET LA R ET D INDUSTRIELLE APPLIQUEE . LA PREMIERE RECHERCHE N'EST EN GENERAL PAS DETERMINEE PAR DES PRIORITES INDUSTRIELLES ET LA SECONDE REPOND EN GENERAL A DES BESOINS SPECIFIQUES A COURT TERME .

DEUX CONSIDERATIONS ONT PREVALU DANS LE CHOIX ET LA DEFINITION DES SECTEURS DES TECHNIQUES DE L'INFORMATION QU'ESPRIT DOIT ETUDIER . CES DEUX CONSIDERATIONS CONSISTENT A :

1 ) AVOIR UNE MAITRISE SUFFISANTE DES TECHNOLOGIES FONDAMENTALES ;

2 ) DISPOSER DE SYSTEMES ADAPTABLES AUX BESOINS CHANGEANTS DES MARCHES , PERMETTANT AINSI , AUX BESOINS EXPRIMES PAR CES MARCHES , D'AVOIR UNE INFLUENCE SUR LE DEVELOPPEMENT DES TECHNOLOGIES .

CINQ SECTEURS OU SOUS-PROGRAMMES SONT D'UNE IMPORTANCE STRATEGIQUE POUR LA COMMUNAUTE .

SOUS-PROGRAMME 1 - MICRO-ELECTRONIQUE DE POINTE

L'OBJECTIF PRINCIPAL EST LE DEVELOPPEMENT DES TECHNOLOGIES DES DISPOSITIFS MOS ET BIPOLAIRE ET DES CIRCUITS ASGA . CHACUN DE CES DISPOSITIFS PRESENTE DES AVANTAGES DIFFERENTS POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES . LA CAO , LA PAO ET CERTAINES METHODES DE FABRICATION FONT AUSSI L'OBJET DE TRAVAUX . UNE INTER-RELATION FORTE AVEC LES AUTRES SOUS-PROGRAMMES PERMETTRA UNE RAPIDE DEFINITION DES CIRCUITS VLSI EXPERIMENTAUX QUI APPARAITRONT COMME NECESSAIRES .

LA COMMUNICATION AVEC D'AUTRES SOUS-PROGRAMMES ASSURERA UNE DEFINITION RAPIDE DES CIRCUITS VLSI DE DEMONSTRATION NECESSAIRES .

SOUS-PROGRAMME 2 - TECHNOLOGIE DU LOGICIEL

LE SOUS-PROGRAMME " TECHNOLOGIE DU LOGICIEL " A POUR BUT PREMIEREMENT DE RENDRE DISPONIBLE , AU NIVEAU DE LA COMMUNAUTE , DES METHODES DE FINANCEMENT EFFICACES QUI SERONT UTILISEES POUR LA PRODUCTION INDUSTRIELLE DE LOGICIELS DE HAUTE QUALITE , DEUXIEMEMENT D'ACCELERER L'INTRODUCTION DE NOUVEAUX PRODUITS ET , ENFIN , DE REDUIRE LES COUTS DES LOGICIELS DEVANT LEUR CYCLE DE VIE .

LES TRAVAUX EFFECTUES DANS CE SOUS-PROGRAMME S'INTERESSENT TOUT D'ABORD AUX THEORIES , AUX METHODES ET AUX OUTILS POUR DONNER A LA PRODUCTION DE LOGICIELS UNE SERIEUSE BASE DU TYPE SCIENCE DE L'INGENIERIE , ENSUITE AUX ASPECTS INDUSTRIELS ET DE GESTION POUR PLACER CETTE SCIENCE DANS UN CONTEXTE INDUSTRIEL ET D'AFFAIRES , PUIS A L'ENVIRONNEMENT COMMUN ET INTEGRE DU GENIE LOGICIEL , ENFIN A LA DEMONSTRATION DE L'EFFICACITE DES NOUVELLES METHODES DE PRODUCTION DES LOGICIELS .

SOUS-PROGRAMME 3 - TRAITEMENT AVANCE DE L'INFORMATION

CE SOUS-PROGRAMME RECHERCHE LE MOYEN D'AMELIORER LA PERFORMANCE ET L'EFFICACITE DES SYSTEMES INFORMATIQUES GRACE A DES PROGRES DANS QUATRE DOMAINES CLES QUI SONT LE GENIE DE LA CONNAISSANCE QUI COMPREND LE DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES D'ACQUISITION , DE REPRESENTATION , DE MANIPULATION DES CONNAISSANCES ; LES INTERFACES EXTERNES QUI S'INTERESSENT A LA RECONNAISSANCE , LA COMPREHENSION ET LA SYNTHESE DE SIGNAUX ; LES MOYENS ET TECHNIQUES DE STOCKAGE DE L'INFORMATION ET DES CONNAISSANCES DONT LES PROGRES S'EFFECTUENT SOIT DANS LES DOMAINES DES BASES DE CONNAISSANCES ET DE DONNEES , Y COMPRIS LES TECHNIQUES D'ACCES A CES BASES SOIT DANS LES CARACTERISTIQUES ARCHITECTURALES ET LES PROPRIETES PHYSIQUES DES DISPOSITIFS EVOLUES D'ARCHIVAGE ; LES ARCHITECTURES DE TRAITEMENT AINSI QUE LES ENVIRONNEMENTS ASSOCIES DE PROGRAMMATION OU L'ACCENT SERA PLACE SUR L'UTILISATION DU TRAITEMENT EN PARALLELE .

SOUS-PROGRAMME 4 - SYSTEMES BUREAUTIQUES

PARMI LES DEFIS QUE DOIT RELEVER LE DEVELOPPEMENT DES SYSTEMES BUREAUTIQUES , ON IDENTIFIE LA COMPREHENSION ET LE SOUTIEN DES TRAVAUX DES EMPLOYES DE BUREAU ( ET PAS SIMPLEMENT LA MISE A JOUR TECHNOLOGIQUE DES FONCTIONS DE BUREAU TRADITIONNELLES ) ; LA REALISATION DES PERFECTIONNEMENTS DES INTERFACES HOMME-SYSTEME QUI PERMETTENT L'UTILISATION EFFICACE DE SYSTEMES BUREAUTIQUES PAR TOUTE UNE SERIE D'EMPLOYES DE BUREAU ; LE DEVELOPPEMENT D'APPROCHES ORIENTEES VERS LES SYSTEMES POUR TRAITER LES PROBLEMES DE BUREAUTIQUE .

LE SOUS-PROGRAMME A ETE DIVISE EN CINQ SECTEURS :

SCIENCE DES SYSTEMES BUREAUTIQUES ET FACTEURS HUMAINS

POSTES DE TRAVAIL AVANCES

SYSTEMES DE COMMUNICATION

SYSTEMES D'ARCHIVAGE ET DE RECHERCHE AVANCES

SYSTEMES BUREAUTIQUES INTEGRES .

SOUS-PROGRAMME 5 - PRODUCTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR

LES DEUX OBJECTIFS PRINCIPAUX DU SOUS-PROGRAMME PAO SONT : PREMIEREMENT LA CREATION , A L'INTERIEUR DE LA COMMUNAUTE , D'UN ENVIRONNEMENT DANS LEQUEL L'INTEGRATION DES SYSTEMES DE FABRICATION AUTOMATISES DISPARATES PEUT ETRE REALISEE SOUS UNE FORME QUI PERMETTE D'AVOIR A LA FOIS DES RECOUVREMENTS FONCTIONNELS MINIMAUX ET UNE CONNECTIVITE MAXIMALE ET DEUXIEMEMENT LE SOUTIEN DE TRAVAUX INDIVIDUELS SUR DES SOUS-SYSTEMES SELECTIONNES , SUR DES INTERFACES ET DES OUTILS DONT LE DEVELOPPEMENT OU L'AFFINAGE SONT CONSIDERES , POUR LA COMMUNAUTE INDUSTRIELLE , COMME DES TRAVAUX DE VALEUR STRATEGIQUE ET DONT LES OBJECTIFS DE CONCEPTION SONT CONSISTANTS AVEC L'ARCHITECTURE GENERALE DE L'ENVIRONNEMENT .

LES TRAVAUX DE CE SOUS-PROGRAMME SONT LIES AUX EXIGENCES TOTALES DES ACTIVITES DE FABRICATION DE LA PLANIFICATION ET DU STADE DE CONCEPTION JUSQU'AU CONTROLE EN TEMPS REEL DE LA PRODUCTION . CES TRAVAUX COMPRENNENT DONC LES TECHNIQUES DE CONCEPTION AIDEE PAR ORDINATEUR ( CAO ) , L'INGENIERIE AIDEE PAR ORDINATEUR ( IAO ) , LA FABRICATION AIDEE PAR ORDINATEUR ( FAO ) ET LES SYSTEMES D'ASSEMBLAGE ET DE CONSTRUCTION FLEXIBLES , DE ROBOTIQUE , D'ESSAIS ET DE CONTROLE DE LA QUALITE .

0.5 . EXECUTION DU PROGRAMME ET INFRASTRUCTURE

LA COMMISSION GERERA ET CONTROLERA L'EXECUTION DU PROGRAMME . ELLE S'ASSURERA QUE L'INFRASTRUCTURE NECESSAIRE POUR L'EXECUTION DU PROGRAMME EST MISE EN PLACE . UNE PARTIE DE CETTE INFRASTRUCTURE EST LE SYSTEME D'ECHANGE D'INFORMATIONS ( SEI ) . UNE AUTRE PARTIE EST LA DISSEMINATION DES RESULTATS ET DES RAPPORTS AINSI QUE L'ACQUISITION D'INFORMATIONS . LA TROISIEME PARTIE DE CETTE INFRASTRUCTURE EST CONCERNEE PAR L'INTERRELATION ENTRE LES TRAVAUX DE R ET D ET LES ACTIVITES DE NORMALISATION .

LE SYSTEME D'ECHANGE D'INFORMATIONS ( SEI ) ESPRIT SERT D'OUTIL DE GESTION . LE SEI EST UN SYSTEME DE COMMUNICATION DE DONNEES POUR L'ECHANGE D'INFORMATIONS ENTRE LES DIVERS PARTICIPANTS AUX PROJETS ESPRIT , LEURS INSTANCES DE GESTION ET DE DECISION ET LES ADMINISTRATIONS COMMUNAUTAIRES ET NATIONALES PARTICIPANT A LA GESTION DU PROGRAMME OU DES PROJETS .

UN NOMBRE DE PROJETS DE R ET D A L'INTERIEUR DE ESPRIT CREERONT LES FONDEMENTS SCIENTIFIQUES ET TECHNIQUES SUR LESQUELS DES ACTIVITES DE NORMALISATION SERONT ULTERIEUREMENT BASEES . RECIPROQUEMENT , CERTAINS TRAVAUX D'INTERCONNECTION DES STANDARDS PEUVENT EXIGER DES TRAVAUX SUPPLEMENTAIRES ; CE TRAVAIL SERA CONSIDERE COMME FAISANT PARTIE DE L'INFRASTRUCTURE . LE TRAVAIL DIRIGE VERS UNE STANDARDISATION SERA GUIDE PAR LA POLITIQUE GENERALE DE STANDARDISATION A L'INTERIEUR DU DOMAINE DE LA TECHNOLOGIE DE L'INFORMATION QUI EST DEJA ETABLI ET NON DANS LE BUT DE REPRODUIRE UNE QUELCONQUE ORGANISATION DEJA EXISTANTE OU DE REJETER DES ACTIONS QUI ONT ETE DEJA EFFECTUEES .

LA DISSEMINATION DES RESULTATS OBTENUS A L'INTERIEUR D'ESPRIT OU L'ACQUISITION D'INFORMATIONS PAR LES MEMBRES D'ESPRIT EST UN ELEMENT IMPORTANT DU PROGRAMME ESPRIT . LES OBJECTIFS DE CETTE DISSEMINATION SERONT TOUT D'ABORD D'APPLIQUER RAPIDEMENT LES RESULTATS DES RECHERCHES EN PROVENANCE D'ESPRIT A LA COMMUNAUTE INDUSTRIELLE ET ENSUITE DE PRODUIRE LES MEILLEURES BASES POUR LA PLANIFICATION ET LA GESTION DU PROGRAMME ET POUR LES PARTICIPANTS AUX PROJETS . POUR SATISFAIRE A CES OBJECTIFS , IL SERA EMPLOYE A LA FOIS DES MECANISMES CLASSIQUES TELS QUE LA PUBLICATION , LA TENUE DE REUNIONS DE TRAVAIL OU DE CONFERENCES ET DES NOUVELLES METHODES DE COMMUNICATION EMPLOYANT DES MOYENS ELECTRONIQUES , PAR EXEMPLE LE SEI POURRA ETRE UTILISE .

0.6 . TELECOMMUNICATIONS

LORSQUE LE PROGRAMME ESPRIT AVAIT ETE ELABORE A L'ORIGINE , ON AVAIT RECONNU QUE LES TELECOMMUNICATIONS REPRESENTAIENT UNE PART IMPORTANTE DE LA TECHNOLOGIE DE L'INFORMATION . LE SUJET EN SOI N'AVAIT CEPENDANT PAS ETE INCLUS DANS LE PROGRAMME A CETTE EPOQUE .

EN SEPTEMBRE 1983 , LA COMMISSION A PREPARE UNE COMMUNICATION AU CONSEIL DEMONTRANT L'IMPORTANCE ECONOMIQUE CROISSANTE DES TELECOMMUNICATIONS POUR LE DEVELOPPEMENT ECONOMIQUE DE LA COMMUNAUTE ET PRESENTANT UN PROGRAMME D'ACTION DANS CE DOMAINE . LA COMMISSION A ALORS ETE PRIEE DE SOUMETTRE DES PROPOSITIONS DETAILLEES POUR LES SIX CATEGORIES D'ACTIONS IDENTIFIEES DANS LE PROGRAMME D'ACTION .

LA SECONDE CATEGORIE D'ACTIONS PROPOSEES RECONNAIT LE ROLE CLE D'UNE R ET D EN COOPERATION ET DEMANDE " UNE R ET D EN COOPERATION ET UNE DIVISION DU TRAVAIL AU STADE PRECOMPETITIF DU TYPE ESPRIT " . EN CONSEQUENCE , LA COMMISSION A PRIS L'INITIATIVE D'UN EXERCICE DE PLANIFICATION DANS LES DOMAINES DES TELECOMMUNICATIONS ( PET ) EN LIAISON AVEC LES GRANDES SOCIETES EUROPEENNES ET LES LABORATOIRES DES P ET T NATIONALES . LE BUT DE CET EXERCICE EST DE PERMETTRE D'EVALUER CORRECTEMENT LES AVANTAGES QUE POURRAIT OFFRIR UNE APPROCHE COMMUNAUTAIRE POUR L'ETABLISSEMENT DE LA BASE TECHNIQUE D'UNE MISE EN OEUVRE SIGNIFICATIVE D'UNE COMMUNICATION INTEGREE SUR LARGE BANDE ( CIB ) DANS LA COMMUNAUTE D'ICI 1995 .

EN CONSEQUENCE , UNE PROPOSITION DE LA COMMISSION EST ACTUELLEMENT SOUMISE POUR UN INVENTAIRE DES EXIGENCES EN R ET D DANS LE DOMAINE DES TELECOMMUNICATIONS . CETTE PROPOSITION A ETE APPELEE " R ET D DANS LES TECHNOLOGIES AVANCEES DES COMMUNICATIONS EN EUROPE ( RACE ) " . LE PROJET DE PLAN DE TRAVAIL RACE PRECISE QU'IL DOIT ETRE TENU COMPTE DES TRAVAUX ENTREPRIS DANS LE CADRE D'ESPRIT .

0.7 . TYPES DE PROJET

DANS LE PLAN DE TRAVAIL ESPRIT 1985 , ON DISTINGUE TOUJOURS ENTRE LES PROJETS DE TYPE A ET LES PROJETS DE TYPE B . ON PEUT LES DEFINIR DE LA MANIERE SUIVANTE :

LES PROJETS DE TYPE A SONT DES PROJETS QUI SONT DECRITS INDIVIDUELLEMENT DANS LE PLAN DE TRAVAIL AVEC DES OBJECTIFS INTERMEDIAIRES BIEN PRECIS . ILS NECESSITENT GENERALEMENT UNE INFRASTRUCTURE ET DES RESSOURCES , TANT HUMAINES QUE FINANCIERES IMPORTANTES , AINSI QUE DES PERSPECTIVES CLAIRES ET CONSTANTES .

LES PROJETS DE TYPE B SONT COUVERTS PAR DES " THEMES DE RECHERCHE " QUI SONT DONNES A TITRE INDICATIF , MAIS NE CONSTITUENT PAS UNE LISTE EXHAUSTIVE . ILS MOBILISENT GENERALEMENT DES RESSOURCES MOINS IMPORTANTES ET IL EST PLUS DIFFICILE DE LES GERER ET DE LES CONTROLER A CERTAINS INTERVALLES REGULIERS QUE LES PROJETS DE PLUS GRANDE ENVERGURE .

0.8 . SITUATION ACTUELLE DU PROGRAMME

CE PLAN DE TRAVAIL SPECIFIE LES SUJETS QUI SERONT OUVERTS A DES APPELS D'OFFRES EN 1985 . IL DECRIT AUSSI LES TRAVAUX QUI SONT EN TRAIN D'ETRE REALISES EN 1984 OU QUI SONT SUR LE POINT DE DEMARRER AVANT L'APPEL D'OFFRE DE 1985 . LES DIFFERENTES ETAPES QUI ONT PERMIS CES TRAVAUX SONT LES SUIVANTES :

- UN AVIS PRELIMINAIRE DE PARTICIPATION AU PRINCIPAL PROGRAMME ESPRIT AVAIT ETE PUBLIE LE 30 DECEMBRE 1983 . LE CONSEIL DE MINISTRES A APPROUVE , LE 28 FEVRIER 1984 , LE PROGRAMME POUR UNE PERIODE INITIALE DE CINQ ANS . LE PLAN DE TRAVAIL 1984 A ETE PUBLIE AU JOURNAL OFFICIEL DES COMMUNAUTES EUROPEENNES .

- UN PREMIER APPEL D'OFFRES POUR LE PROGRAMME PRINCIPAL A ETE PUBLIE LE 21 MARS 1984 . PRES DE 450 PROPOSITIONS ONT ETE RECUES EN REPONSE A CET APPEL ET ONT ETE EVALUEES AU COURS DES MOIS DE MAI ET JUIN 1984 . UNE LISTE DES PREMIERES SELECTIONS A ETE ETABLIE EN JUILLET 1984 EN VUE DE NEGOCIATIONS DETAILLEES ET D'APPROBATION FINALE . EN OUTRE , ON PREVOIT QU'UNE BONNE PARTIE DES TRAVAUX EFFECTUES DANS LE CADRE DE LA PHASE PILOTE PRECEDENTE SE COMBINERA AVEC LE PROGRAMME PRINCIPAL . LA CONSEQUENCE DIRECTE DE CES FAITS EST L'INCLUSION DANS LE PLAN DE TRAVAIL 1985 , DE DESCRIPTIONS DE PROJETS DEJA EN COURS .

- UN NOUVEL APPEL DE PROPOSITIONS DEVRAIT ETRE PUBLIE AU DEBUT DE 1985 ET A CE MOMENT-LA , 120 PROJETS ENVIRON SERONT DEJA EN COURS D'EXECUTION .

- POUR LA PARTICIPATION AU DEVELOPPEMENT ET AUX SERVICES DU SEI , UN APPEL D'OFFRES A ETE PUBLIE LE 14 JUILLET 1984 ET A RECU 25 REPONSES QUI ONT ETE EVALUEES .

0.9 . PORTEE DU PLAN DE TRAVAIL ET REPONSE ESPEREE

LE PLAN DE TRAVAIL 1985 CONCERNE LA PERIODE 1985-1989 , PERIODE QUI EST SUFFISAMMENT LONGUE POUR COUVRIR LA DUREE DES PLUS LONGS PROJETS . CEPENDANT , LES TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION EVOLUANT RAPIDEMENT , IL EST TRES POSSIBLE QU'UNE MODIFICATION DES OBJECTIFS DE R ET D SOIT EFFECTUEE LORS DES REVISIONS ANNUELLES . EN CONSEQUENCE , LES OBJECTIFS INTERMEDIAIRES QUI SONT FIXES DANS CE PLAN DE TRAVAIL SONT MOINS SPECIFIQUES AU FUR ET A MESURE QU'ON APPROCHE DE LA FIN DE LA PERIODE DE PREVISION .

DE TELS OBJECTIFS INTERMEDIAIRES SONT CEPENDANT NECESSAIRES POUR SERVIR DE CADRE ET DE REFERENCE A L'EVALUATION , A UNE BONNE GESTION ET A DES PERFECTIONNEMENTS ULTERIEURS . ILS ONT ETE INTRODUITS DANS LE PLAN DE TRAVAIL PARCE QU'ILS CONSTITUENT LA MEILLEURE ESTIMATION ACTUELLE DE LA MANIERE DONT LES OBJECTIFS GENERAUX DU PROJET PEUVENT ETRE ATTEINTS . CE SONT DES INDICATEURS ET DES POINTS DE REPERE QUI SERVIRONT A EVALUER LES PROPOSITIONS CONCRETES DE PROJETS . MAIS CES OBJECTIFS INTERMEDIAIRES NE SONT PAS CONSIDERES COMME LEGALEMENT CONTRAIGNANTS EN CE SENS QUE DES PROPOSITIONS AYANT DES OBJECTIFS FINAUX PARFAITEMENT ACCEPTABLES NE DEVRONT PAS ETRE REJETEES POUR LA SEULE RAISON QU'ELLES ONT PEUT-ETRE ETE CONCUES POUR S'APPUYER SUR DES OBJECTIFS INTERMEDIAIRES DIFFERENTS QUE CEUX QUI SONT PROPOSES ICI .

A L'INTERIEUR DE CHAQUE DOMAINE D'ESPRIT , IL EXISTE DES PROGRAMMES DE TRAVAIL QUI PEUVENT DEPENDRE DES APTITUDES , DES TECHNIQUES OU DES TECHNOLOGIES QUI SONT EN TRAIN D'ETRE DEVELOPPEES A L'INTERIEUR D'UN OU DE PLUSIEURS DOMAINES .

DANS DES CAS PARTICULIERS , CECI PEUT AMENER A SPECIFIER DES REPERES CHRONOLOGIQUES DANS UN DOMAINE EN REMPLACEMENT DE DEMONSTRATEURS IDENTIFIES DANS D'AUTRES DOMAINES . INVERSEMENT DES DEMONSTRATIONS PEUVENT ETRE EXIGEES OU DEBUTEES EN TANT QU'IDENTITES SEPAREES DANS DE TELS CAS .

DANS CHAQUE THEME DE R ET D , LE PLAN DE TRAVAIL INDIQUE LES POINTS SUR LESQUELS ON ESPERE DES PROPOSITIONS DE PROJETS DE TYPE A ET DE PROJETS DE TYPE B . POUR FACILITER LA PRESENTATION , LES DESCRIPTIONS DES TRAVAUX EN COURS SONT MARQUEES D'UNE MANIERE TYPOGRAPHIQUE DIFFERENTE . CES DESCRIPTIONS SONT PLACEES SOUS L'INTITULE LE PLUS APPROPRIE , MAIS IL FAUT BIEN SE RENDRE COMPTE QUE DANS CERTAINS CAS , DES PROJETS PRESENTES EN REPONSE A DES PLANS DE TRAVAIL ANTERIEURS DEBORDENT DES LIMITES ACTUELLES DU SUJET . IL EXISTE AUSSI CERTAINS DOMAINES POUR LESQUELS , EN 1985 , AUCUNE NOUVELLE PROPOSITION N'EST DEMANDEE .

LES MEILLEURES INFORMATIONS DONT ON DISPOSAIT SUR CES PROJETS AU MOMENT DE LA REDACTION ONT ETE INCORPOREES AU PLAN DE TRAVAIL 1985 . IL FAUT NOTER CEPENDANT , QU'AU MOMENT OU CE PLAN DE TRAVAIL A ETE CONCU , LA COMMISSION N'A PAS ENCORE ACHEVE LES NEGOCIATIONS CONCERNANT TOUS CES TRAVAUX ET QUE , DANS CERTAINS CAS , D'ULTIMES MODIFICATIONS POURRONT INTERVENIR .

LES PROJETS DU TYPE A FONT PARTIE INTEGRANTE DU PLAN EXPLICITE QUI EST JUGE NECESSAIRE POUR LE SUCCES DU PROGRAMME ESPRIT . CECI VEUT DIRE QUE , DANS LE PLAN DE TRAVAIL , POUR UN DOMAINE DONNE , TOUS LES PROJETS PRIS DANS LEUR ENSEMBLE DOIVENT REMPLIR LA TOTALITE DES OBJECTIFS DETERMINES POUR CE DOMAINE . LES PROCESSUS D'EVALUATION ET DE SELECTION DES NOUVELLES PROPOSITIONS DE TYPE A SONT DIRIGES DE MANIERE A OBTENIR UNE TELLE COUVERTURE .

LES PROJETS DE TYPE B ETANT COUVERTS PAR DES THEMES DE RECHERCHE , LES REPONSES NE SONT PAS NECESSAIREMENT LIMITEES AUX POINTS EXPLICITEMENT MENTIONNES . IL SERA EGALEMENT TENU COMPTE DE PROPOSITIONS PORTANT SUR D'AUTRES THEMES ASSOCIES ET ( EN REGLE GENERALE ) LES PROPOSITIONS DE TYPE B SOUTENANT DES TRAVAUX DECRITS DANS LES PROJETS DE TYPE A SERONT ELLES AUSSI PRISES EN CONSIDERATION . IL EST A NOTER CEPENDANT QU'EN DEPIT DE CONTRAINTES MOINDRES ( SUJET OU BUTS PLUS FLOUS ) LES PROPOSITIONS DE TYPE B DOIVENT AVOIR UNE ORIENTATION FORTEMENT INDUSTRIELLE ET AMENER A DES RESULTATS EXPLOITABLES INDUSTRIELLEMENT .

EN CE QUI CONCERNE LES THEMES OU LEURS SUBDIVISIONS QUI FONT DEJA L'OBJET DE TRAVAUX DE TYPE A , ET POUR LESQUELS AUCUN TRAVAIL DE TYPE A N'EST DEMANDE CETTE ANNEE , IL FAUT NOTER QUE SI , POUR UNE RAISON QUELCONQUE , CES TRAVAUX ACTUELS NE POUVAIENT PAS SE POURSUIVRE COMME PREVU , D'AUTRES PROPOSITIONS IMPORTANTES PORTANT SUR LE MEME SECTEUR POURRAIENT ETRE ALORS REEXAMINEES .

LES PROJETS DE TYPE A OU LES THEMES DE TYPE B POUR LESQUELS AUCUNE PROPOSITION ( OU AUCUNE PROPOSITION SATISFAISANTE ) N'A ETE RECUE , OU LES DOMAINES DANS LESQUELS DES TRAVAUX ACTUELLEMENT POURSUIVIS SONT INTERROMPUS POUR UNE RAISON OU UNE AUTRE , SERONT A NOUVEAU CONSIDERES POUR ETRE INCLUS DANS LE PLAN DE TRAVAIL DES ANNEES SUIVANTES .

0.10 . CREDITS DISPONIBLES

LA REPARTITION DES CREDITS ENTRE LES CINQ SOUS-PROGRAMMES SERA FONCTION A LA FOIS DES TRAVAUX PREVUS DANS LE PLAN DE TRAVAIL 1985 ET DES ALLOCATIONS FINALES DES RESSOURCES ATTRIBUEES AUX PROJETS QUI ONT DEBUTES EN 1984 . CEPENDANT , EN GUISE D'INDICATION DE LA REPARTITION GENERALE , ON PEUT SE SERVIR DE L'EQUILIBRE GLOBAL SOUHAITE ENTRE LES SOUS-PROGRAMMES . PUISQUE LES PROPOSITIONS DE 1984 EN MATIERE DE TECHNOLOGIE DU LOGICIEL ( SOUS-PROGRAMME 2 ) ONT ETE BEAUCOUP MOINS IMPORTANTES QUE PREVU , IL EST ACTUELLEMENT TENU COMPTE DE CE FAIT EN ATTRIBUANT DAVANTAGE DE RESSOURCES A CE SECTEUR EN 1985 .

LA VENTILATION DES RESSOURCES ENTRE CHAQUE SOUS-PROGRAMME POURRA EGALEMENT ETRE MODIFIEE A LA LUMIERE DE L'EVOLUTION TECHNOLOGIQUE MONDIALE . EN PARTICULIER , SELON LA REPONSE DES INDUSTRIES AUX APPELS D'OFFRES , IL DEVRA ETRE POSSIBLE DE TRANSFERER DES RESSOURCES D'UN SOUS-PROGRAMME A UN AUTRE - APRES TOUT , LA DIVISION D'ESPRIT EN CINQ SECTEURS EST COMMODE DU POINT DE VUE DE LA GESTION , MAIS N'EST PAS INHERENTE A LA NATURE DES TRAVAUX . IL FAUT SOULIGNER QUE TOUS LES SOUS-PROGRAMMES SONT EN ETROITE CORRELATION .

D'AUTRE PART , LA REPARTITION APPROXIMATIVE DES EFFORTS A SOUTENIR , EXPRIMEE EN HOMMES/ANNEE POUR CHACUNE DES CINQ PROCHAINES ANNEES , EST LA SUIVANTE :

SOUS-PROGRAMME * ANNEE DU PROGRAMME

* 2 * 3 * 4 * 5 * 6

1 . MICRO-ELECTRONIQUE * 400 * 440 * 430 * 430 * 440

2 . TECHNOLOGIE DU LOGICIEL * 340 * 390 * 400 * 400 * 440

3 . TAI * 370 * 420 * 420 * 420 * 440

4 . SYSTEMES BUREAUTIQUES * 320 * 360 * 340 * 320 * 360

5 . PAO * 200 * 230 * 200 * 200 * 240

TOTAL * 1 630 * 1 840 * 1 820 * 1 770 * 1 920

SOUS-PROGRAMME 1

MICRO-ELECTRONIQUE DE POINTE

1 . LE BUT ESSENTIEL DE CE SOUS-PROGRAMME EST LE DEVELOPPEMENT DES TECHNOLOGIES CLES DANS LE DOMAINE DES PROCESSUS DE FABRICATION MOS , BIPOLAIRE ET ASGA AVEC CAO ASSOCIEE . CHACUNE DE CES TECHNOLOGIES PRESENTE DES AVANTAGES DIFFERENTS POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES DANS LE DOMAINE DE L'INFORMATIQUE , AVANTAGES QUI SONT INDIQUEES DANS LE TABLEAU CI-DESSOUS .

* VITESSE * PUISSANCE * CAPACITE D'ENTRAINEMENT * COUT PAR FONCTION * NIVEAU D'INTEGRATION * DIMENSION DU MARCHE

MOS * + + + * + + + + + * + * + + + + + * + + + + + * + + + + +

BIPOLAIRE * + + + + * + + * + + + + + * + + + * + + + * + + +

ASGA * + + + + + * + + + + * + + * + * + * +

ASSOCIEES A LA CAO , A LA PAO ET A CERTAINES METHODES DE FABRICATION , CES TECHNOLOGIES DOIVENT PERMETTRE D'ABOUTIR D'ICI A 1988 A DES UNITES DE PRODUCTION CAPABLES DE REALISER DES STRUCTURES MICRONIQUES DANS UN CERTAIN NOMBRE DE PAYS EUROPEENS ET DE S'ACHEMINER VERS LES STRUCTURES SUBMICRONIQUES . LA CAO NECESSAIRE A LA CONCEPTION DES CIRCUITS VLSI UTILISANT CES TECHNOLOGIES DOIT ALLER DE PAIR .

2 . LA COMMUNICATION AVEC LES AUTRES SOUS-PROGRAMMES DOIT ETRE RENFORCEE POUR GARANTIR LA DEFINITION RAPIDE , AINSI QUE LA CONCEPTION ET LA REALISATION DES CIRCUITS VLSI DE DEMONSTRATION REQUIS , PAR CES SOUS-GROUPES .

3 . LE RECRUTEMENT D'UN PERSONNEL SCIENTIFIQUE ET TECHNIQUE FORME A LA TECHNOLOGIE ET A LA CONCEPTION MICRO-ELECTRONIQUES DOIT S'INTENSIFIER .

4 . LE SOUTIEN AUX TRAVAUX DE PLUS LONGUE HALEINE , Y COMPRIS L'OPTO-ELECTRONIQUE , EST PREVU A UN NIVEAU RAISONNABLE .

5 . OUTRE LES TRAVAUX QUI ONT DEMARRE DANS LE CADRE DU PLAN DE TRAVAIL 1984 , IL EST NECESSAIRE D'ACCORDER UNE ATTENTION PARTICULIERE A CERTAINS DOMAINES CRITIQUES DE LA TECHNOLOGIE ET DE LA TECHNIQUE . CES DOMAINES SONT REGROUPES DANS LE NOUVEAU SECTEUR 1.9 ET COMPRENNENT LA MISE SOUS BOITIER , LA GRAVURE SECHE , LA TECHNOLOGIE DES RESINES PHOTOSENSIBLES , LES CONDUCTEURS , LES ISOLANTS ET L'EPITAXIE .

DANS LES SECTEURS DE R ET D 1.1 ET 1.2 , LES PROGRAMMES CONCERNANT LES PROCESSUS MOS ET BIPOLAIRE ONT ETE CONSERVES POUR MEMOIRE , BIEN QUE LES PROJETS ENUMERES NE LES CONCERNENT PAS . CES PROGRAMMES ONT ETE STRUCTURES EN TANT QUE GRANDS PROJETS D'ENSEMBLE , PLUTOT QUE SOUS FORME DE DEUX PROJETS PONCTUELS , L'UN A L'ECHELLE MICRONIQUE , L'AUTRE SUBMICRONIQUE . CETTE FORMULE A ETE CHOISIE DANS UN BUT D'EFFICACITE ETANT DONNE QUE CHAQUE NIVEAU TECHNOLOGIQUE REPOSE SUR LES CONNAISSANCES ACQUISES AU NIVEAU PRECEDENT . EN EFFET , DE NOMBREUX ASPECTS D'UN PROCEDE DONNE NECESSITENT UN PERFECTIONNEMENT CONTINU , PAR EXEMPLE LA QUALITE DE L'OXYDE DANS MOS , DOIT REPONDRE AUX EXIGENCES DES PHASES ULTERIEURES DE MISE AU POINT D'UN CIRCUIT D'UNE COMPLEXITE ET D'UNE PERFORMANCE PLUS GRANDES . CETTE CONTINUITE DANS LES TRAVAUX NE SERAIT PAS ASSUREE PAR DES PROJETS PONCTUELS A L'ECHELLE MICRONIQUE OU SUBMICRONIQUE .

UN NOUVEL ASPECT DE LA STRATEGIE EST L'INDENTIFICATION DE LA NECESSITE D'AVOIR DE VASTES PROJETS COHERENTS AXES SUR DES ASPECTS SPECIFIQUES DE LA TECHNOLOGIE , SERVANT D'APPUI , LE CAS ECHEANT , AUX PRINCIPAUX PROGRAMMES . EN OUTRE , IL EST EMINEMMENT SOUHAITABLE QUE LES FOURNISSEURS D'EQUIPEMENT PARTICIPENT A CES PROJETS QUI SONT REPRIS DANS LE SECTEUR 1.9 .

ON NE SAURAIT TROP INSISTER SUR L'IMPORTANCE QUE PRESENTE LA CAO-VLSI POUR LA REUSSITE GENERALE D'ESPRIT . AVEC UNE BONNE TECHNOLOGIE ET UNE CAO DE PREMIERE QUALITE , L'INDUSTRIE EUROPEENNE HAUTEMENT NOVATRICE SERA EN MESURE DE SOUTENIR AVEC SUCCES LA CONCURRENCE SUR LES MARCHES MONDIAUX .

SONT ACTUELLEMENT EN COURS UN TOTAL D'ENVIRON 13 PROJETS DE CAO , QUI OCCUPERONT 650 HOMMES/ANNEE ENTRE 1983 ET 1987 ET QUI S'INSCRIVENT DANS LE CADRE DU REGLEMENT ( CEE ) N} 3744/81 ET DANS LE CADRE DE LA PHASE PILOTE D'ESPRIT . DE PLUS , UN NOUVEAU PROJET EST SUR LE POINT D'ETRE LANCE EN 1984 . L'INTEGRATION DES RESULTATS DE CES TRAVAUX ET LEUR EXTENSION A LA CONCEPTION DE CIRCUITS DE PLUSIEURS MILLIONS DE COMPOSANTS DESTINES A UNE VASTE GAMME D'APPLICATIONS SONT UNE TACHE D'IMPORTANCE MAJEURE .

APRES UNE ETUDE APPROFONDIE DES TRAVAUX EN COURS , ON A CONSTATE QU'IL ETAIT NECESSAIRE DE FAIRE PROGRESSER RAPIDEMENT LA CAO ET CET EFFORT FIGURE DANS LE SECTEUR DE R ET D 1.3 DU PLAN DE TRAVAIL .

IL EXISTE BEAUCOUP PLUS D'ORGANISATIONS S'INTERESSANT DIRECTEMENT AU DOMAINE DE LA CAO PLUTOT QU'A LA TECHNOLOGIE VLSI ET POSSEDANT LES COMPETENCES NECESSAIRES . LES PROJETS PROPOSES ICI DOIVENT DONC ETRE PLANIFIES AVEC UNE SOUPLESSE SUFFISANTE POUR POUVOIR FAIRE FACE AUX PROBLEMES TECHNIQUES ET ORGANISATIONNELS COMPLEXES QUI SE POSENT . LE SYSTEME D'ECHANGE D'INFORMATIONS D'ESPRIT SERA EXTREMEMENT UTILE DANS CE CONTEXTE .

LA PRODUCTION DE VLSI ASSISTEE PAR ORDINATEUR EST CONSIDEREE COMME UNE PARTIE ESSENTIELLE DU PROGRAMME , ET NON PAS SEULEMENT COMME UN MOYEN D'ACCROITRE L'EFFICACITE DE LA PRODUCTION . LA REDUCTION DE LA TAILLE DES COMPOSANTS ET DE L'EPAISSEUR DES COUCHES EXIGE UN CONTROLE DE PLUS EN PLUS SERRE DES PROCESSUS ALORS QUE LES PARAMETRES FINAUX DEPENDENT D'UN GRAND NOMBRE DE VARIABLES . LA REDUCTION DE L'INTERVENTION HUMAINE A UN NIVEAU MINIMAL ET LA LUTTE CONTRE LES SOURCES DE POLLUTION QUI LIMITENT LE RENDEMENT SONT DES ELEMENTS CRITIQUES . POUR UN NIVEAU DE POLLUTION DONNE , LE RENDEMENT BAISSE RAPIDEMENT EN FONCTION DE LA DIMINUTION DE LA TAILLE DU COMPOSANT . LES PROJETS MOS ET BIPOLAIRE SUBMICRONIQUES RECOURRONT A LA PRODUCTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR CHAQUE FOIS QUE LA NECESSITE S'EN FERA SENTIR . ILS POURRAIENT EGALEMENT ETRE TRAITES DANS LE CADRE DE PROJETS DE TYPE B APPROPRIES .

SECTEUR DE R ET D 1.1 : MOS SUBMICRONIQUE ( TYPE A )

DESCRIPTION

LE BUT EST LA MISE AU POINT DE TOUTES LES ETAPES DU PROCESSUS TELLES QUE LA LITHOGRAPHIE , LA GRAVURE , LE DOPAGE , ETC . , POUR PARVENIR A DES CIRCUITS MOS SUBMICRONIQUES . L'OBJECTIF ULTIME EST UN PROCEDE CAPABLE DE PRODUIRE PLUSIEURS MILLIONS DE COMPOSANTS PAR MICROPLAQUETTE DE LOGIQUE ET DE MEMOIRE . IL EST ENVISAGE D'UTILISER AU NIVEAU INFERIEUR A 0,7 MICRON DES OUTILS AUTRES QUE LA LITHOGRAPHIE OPTIQUE . LA MODELISATION DES PROCESSUS ET DISPOSITIFS SERA INCLUSE DANS LE PROJET . POUR PARVENIR A CES BUTS , LES TECHNIQUES CRITIQUES DOIVENT ENCORE ETRE MISES AU POINT ; ELLES APPARTIENNENT AUX SECTEURS 1.1 ET 1.2 ET SONT REGROUPEES AU SECTEUR 1.9 .

PREALABLES

- EXPERIENCE EN MATIERE DE PROCESSUS DE FABRICATION LES PLUS AVANCES

- EXPERIENCE DANS LE DOMAINE DES TECHNOLOGIES LES PLUS RECENTES

- DISPONIBILITE D'OUTILS FONCTIONNELS DE CONCEPTION ET DE TESTS AIDES PAR ORDINATEUR ( CAO/TAO )

PROGRAMME ( - ) ET OBJECTIFS INTERMEDIAIRES ( * )

ANNEE 1 :

- CHOIX DU PROCEDE ( CMOS OU MIXTE C - ET NMOS ) ET DES METHODES CONCEPTUELLES

- CHOIX DE L'EQUIPEMENT POUR LA LITHOGRAPHIE OPTIQUE

- ETABLISSEMENT DES ETAPES DU PROCEDE

ANNEE 2 :

- OPTIMISATION DES DIFFERENTES ETAPES DU PROCEDE

- ETABLISSEMENT DES REGLES D'IMPLANTATION PRELIMINAIRES

- CARACTERISATION DES ETAPES DU PROCEDE

- DEBUT DES RECHERCHES SUR DE NOUVEAUX PROCEDES ET STRUCTURES POUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE

* 18E MOIS : CONCEPTION ET EVALUATION D'UNE MICROPLAQUETTE EXPERIMENTALE DE PLUS D'UN MILLIER DE TRANSISTORS SUR LA BASE DES REGLES D'IMPLANTATION DE 1 MICRON , AVEC UN PAS ( METAL PLUS ESPACE ) DE 3 MICRONS

ANNEE 3 :

- DEMONSTRATION DE FAISABILITE AU MOYEN D'UN CIRCUIT A UN MICRON , AVEC 500 000 COMPOSANTS . L'OBJECTIF EST D'ATTEINDRE LES PERFORMANCES SUIVANTES : FACTEUR DE MERITE EGAL A 50 FEMTO-JOULES ET UN TEMPS DE RETARD PAR PORTE DE 1 NS

- EVALUATION DES NOUVELLES ETAPES TECHNOLOGIQUES ( MATERIAU DES PORTES , ISOLATION , INTERCONNEXION , ETC . )

- EVALUATION DE L'EQUIPEMENT DESTINE AU PROCESSUS SUBMICRONIQUE

* 36E MOIS : PREMIERS ECHANTILLONS DE CIRCUIT A 500 000 TRANSISTORS , BASES SUR LES REGLES D'IMPLANTATION DE 1 MICRON , AVEC DONNEES CONCERNANT LE FACTEUR DE MERITE ET LE TEMPS DE RETARD

ANNEE 4 :

- CHOIX DE L'EQUIPEMENT DE LITHOGRAPHIE SUBMICRONIQUE

- ORGANIGRAMME D'ANALYSE D'UN PROCESSUS A 0,7 MICRON , Y COMPRIS LES REGLES D'IMPLANTATION

* 48E MOIS : DONNEES STATISTIQUES CONCERNANT L'HOMOGENEITE SUR UNE TRANCHE ET LE RENDEMENT OBTENU AVEC LES REGLES D'IMPLANTATION DE 1 MICRON , AINSI QUE LES CIRCUITS TESTABLES DE PLUS D'UN MILLIER DE TRANSISTORS BASES SUR LES REGLES DE CONCEPTION DE 0,7 MICRON ET SUR UN PAS DE 2 MICRONS

ANNEE 5 :

- EVALUATION DU PROCESSUS A 0,5 MICRON

- DEMONSTRATION DE FAISABILITE

- REALISATION D'UNE MICROPLAQUETTE DE PLUS D'UN MILLION DE COMPOSANTS , A 50 FEMTO-JOULES ET 1 NS PAR PORTE

* 60E MOIS : PREMIERS ECHANTILLONS DE CIRCUIT DE PLUS D'UN MILLION DE TRANSISTORS , BASES SUR LES REGLES D'IMPLANTATION DE 0,7 MICRON , AVEC DONNEES CONCERNANT LE FACTEUR DE MERITE ET LE RETARD PAR PORTE

ACTIVITES LIEES A 1.1 .

MICRO-ELECTRONIQUE VLSI POUR LA TECHNOLOGIE DE L'INFORMATION .

1.1.1 . " MATERIAUX ET PROCESSUS SOI EN VUE D'UNE INTEGRATION TRIDIMENSIONNELLE " ( REF . 245 : A/84 )

CETTE RECHERCHE A POUR BUT D'ETUDIER ET DE DEVELOPPER LES NOUVELLES TECHNOLOGIES DU SILICIUM NECESSAIRES A L'INTEGRATION TRIDIMENSIONNELLE . CETTE APPROCHE TRIDIMENSIONNELLE OFFRIRA LA POSSIBILITE D'UNE PLUS FORTE DENSITE D'INTEGRATION , D'UNE PLUS GRANDE VITESSE DE FONCTIONNEMENT ET D'UN TRAITEMENT DE SIGNAUX MULTIFONCTIONNELS . TROIS PRINCIPALES ETAPES TECHNOLOGIQUES SERONT ETUDIEES :

A ) LA CROISSANCE DE COUCHES ACTIVES SOI AYANT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE HAUTE QUALITE .

B ) L'EMPILEMENT DE 2 NIVEAUX ACTIFS D'UNE MANIERE QUI EVITE TOUTE DEGRADATION DES DISPOSITIFS DEJA CONSTRUITS .

C ) LE PROCESSUS SOI A UN SEUL NIVEAU POUR LA FABRICATION DE COMPOSANTS INDIVIDUELS ET POUR LEUR CONNEXION ; LE DEVELOPPEMENT D'UN PROCESSUS COMPLET INCORPORANT DEUX COUCHES ACTIVES .

1.1.2 . " TECHNOLOGIE CMOS SUBMICRONIQUE " ( REF . 554 : A/84 )

CE PROJET A POUR OBJECTIF LE DEVELOPPEMENT DES MODULES NECESSAIRES A UN PROCESSUS COMS DE 0,5 MICRON , ESSENTIELLEMENT CONSACRE A LA PRODUCTION DE CIRCUITS NUMERIQUES A GRANDE VITESSE . POUR QUE LE PROGRAMME PUISSE PROGRESSER AVEC LES MEILLEURES CHANCES DE SUCCES , ON A IDENTIFIE ET ORGANISE DEUX GRANDES PHASES : LA PREMIERE EST UNE ETAPE INTERMEDIAIRE AU NIVEAU DU MICRON ; LA SECONDE CONCERNE LA FAMILLE CMOS DE 0,5 MICRON . A LA FIN DU PROJET , LES FABRICANTS DE CIRCUITS INTEGRES DU CONSORTIUM AURONT , DANS LEURS CHAINES PILOTES , LES MODULES D'UN PROCESSUS CMOS CAPABLE DE REALISER DES CIRCUITS INTEGRES AVEC DES CARACTERISTIQUES DE 0,5 MICRON .

1.1.3 . " CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE D'OXYNITRURES DE SILICIUM PAR RAPPORT A LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES " ( REF . 369 : B/84 )

CE PROJET A POUR BUT D'ETABLIR TOUT D'ABORD LE RAPPORT ENTRE LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE LA PELLICULE D'OXYNITRURE DE SILICIUM ET , EN SECOND LIEU , LE RAPPORT ENTRE LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET LES PARAMETRES DE CROISSANCE . CES RECHERCHES SERONT MENEES DANS LA PERSPECTIVE DES APPLICATIONS EVENTUELLES DES OXYNITRURES DE SILICIUM DANS LA TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES , PAR EXEMPLE DANS DES MEMOIRES REMANENTES BASEES SUR MNOS ET DANS DES DISPOSITIFS MOS SUBMICRONIQUES .

ON N'ATTEND PAS D'AUTRES PROPOSITIONS DE TYE A POUR LE SECTEUR 1.1 .

ON RECHERCHE DES PROPOSITIONS SPECIFIQUES DE TYPE B A L'APPUI DES PROJETS MENTIONNES CI-DESSUS DANS LES DOMAINES IDENTIFIES DANS LA SECTION 1.9 .

SECTEUR DE R ET D 1.2 : PROCEDE BIPOLAIRE SUBMICRONIQUE ( TYPE A )

DESCRIPTION

L'OBJECTIF GENERAL EST LA MISE AU POINT DES ETAPES SPECIFIQUES D'UN PROCEDE BIPOLAIRE SUBMICRONIQUE , EN VUE D'ABOUTIR A LA SERIE COMPLETE DES OPERATIONS NECESSAIRES A LA REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES DE TRES HAUTE PERFORMANCE .

POUR ATTEINDRE CET OBJECTIF , LES TRAVAUX SUIVANTS SONT INCLUS DANS LE THEME DU PROJET :

- CONCEPTION DE CIRCUITS APPELES A EVOLUER PARALLELEMENT A LA TECHNOLOGIE ;

- DISPOSITIFS A STRUCTURE VERTICALE ADAPTEE A LA LITHOGRAPHIE SUBMICRONIQUE ;

- TECHNOLOGIE D'INTERCONNECTION A MULTICOUCHES ;

- TECHNOLOGIE DE CONTACT ET D'INTERCONNEXION MULTICOUCHES BIEN ADAPTEE ;

- BOITIER PERMETTANT UN DEGRE ELEVE DE DISSIPATION DE LA CHALEUR , UN NOMBRE ELEVE DE BROCHES , UN COUPLAGE ADAPTE DES CONNEXIONS ;

- MODELISATION DU PROCEDE ET DU DISPOSITIF .

EN OUTRE , LE THEME DU PROJET DEPEND BEAUCOUP DE LA DISPONIBILITE DES TECHNIQUES CRITIQUES COUVERTES PAR LE SECTEUR 1.9 .

PREALABLES

- EXPERIENCE EN MATIERE DE VLSI ET DE PROCESSUS DE FABRICATION DU SILICIUM ; DISPONIBILITE D'OUTILS DE CAO/FAO .

ACTIVITES LIEES A 1.2 .

MICRO-ELECTRONIQUE VLSI RAPIDE POUR LA TECHNOLOGIE DE L'INFORMATION .

PROGRAMME ( - ) ET OBJECTIFS INTERMEDIAIRES ( * )

ANNEE 1 :

- TECHNOLOGIE A L'ECHELLE DU MICRON : DEFINITION DES ETAPES DU PROCEDE , STRUCTURES DES CIRCUITS , MODELISATION . EVALUATION ET CHOIX DES EQUIPEMENTS LES PLUS CRITIQUES ;

- PREMIER CHOIX DU PROCEDE ET DES STRUCTURES DES CIRCUITS .

* 12E MOIS : CONCEPTION INITIALE DU PROCEDE ; EVALUATION ET CHOIX DES EQUIPEMENTS CRITIQUES

ANNEE 2 :

- OPTIMISATION PRELIMINAIRE DES ETAPES DU PROCEDE

- ETABLISSEMENT DES REGLES DE CONCEPTION POUR 1 MICRON

- DEBUT DE LA CONCEPTION DE MICROPLAQUETTES DE DEMONSTRATION

- DEBUT DE LA RECHERCHE SUR LES PROCEDES NOUVEAUX ET LES STRUCTURES POUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE

* 24E MOIS : ETABLISSEMENT DES REGLES D'IMPLANTATION A L'ECHELLE DU MICRON

ANNEE 3 :

- DEMONSTRATION DE LA FAISABILITE DU PROCEDE A L'ECHELLE DU MICRON POUR MICROPLAQUETTES A 10/20 K PORTES AVEC UN TEMPS DE TRANSFERT DE 100 PS PAR PORTE

- DEBUT DES TRAVAUX SUR METALLISATION MULTICOUCHES AVEC UN PAS DE 2 MICRONS ET CONTINUATION DU PROJET PILOTE

- POURSUITE DE LA RECHERCHE CONCERNANT LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE

- REGLES DE CONCEPTION PRELIMINAIRES POUR STRUCTURES A 0,7 MICRON

* 36E MOIS : DEMONSTRATION DE LA FAISABILITE DU PROCEDE DE CIRCUITS DU MICRON POUR MICROPLAQUETTES A 10/20 K PORTES , AVEC UN TEMPS DE TRANSFERT DE 100 PS PAR PORTE

ANNEE 4 :

- DEBUT DE LA CONCEPTION D'UNE MICROPLAQUETTE EXPERIMENTALE A 0,7 MICRON

- OPTIMISATION DES ETAPES DU PROCEDE SUBMICRONIQUE

- CHOIX DES EQUIPEMENTS CRITIQUES

- AMELIORATION DU RENDEMENT DE FABRICATION DE LA MICROPLAQUETTE DE DEMONSTRATION A UN MICRON

* 48E MOIS : ETABLISSEMENT DES REGLES FINALES DE CONCEPTION POUR LES STRUCTURES A 0,7 MICRON

ANNEE 5 :

- DEMONSTRATION DE LA FAISABILITE DU PROCEDE A L'ECHELLE 0,7 MICRON POUR MICROPLAQUETTES A 20/50 K PORTES A TEMPS DE TRANSFERT DE 50 PS PAR PORTE

* 60E MOIS : LES PREMIERS ECHANTILLONS DE MICROPLAQUETTES A 20/50 K PORTES A L'ECHELLE 0,7 MICRON SERONT DISPONIBLES

1.2.1 . " TECHNOLOGIE BIPOLAIRE SUBMICRONIQUE - I " ( REF . 243 : A/84 )

L'OBJECTIF GENERAL DE CE PROGRAMME EST LA MISE AU POINT DES ETAPES SPECIFIQUES D'UN PROCEDE BIPOLAIRE SUBMICRONIQUE , EN VUE D'ABOUTIR A LA SERIE COMPLETE DES OPERATIONS NECESSAIRES A LA REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES DE TRES HAUTES PERFORMANCES . A LA FIN D'UNE PERIODE DE CINQ ANS , LA FAISABILITE DU PROCEDE POUR DES STRUCTURES SUBMICRONIQUES SERA DEMONTREE SUR UNE GRANDE MICROPLAQUETTE EXPERIMENTALE .

1.2.2 . " TECHNOLOGIE BIPOLAIRE SUBMICRONIQUE - II " ( REF . 281 : A/84 )

L'OBJECTIF DU PROJET EST LE DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE BIPOLAIRE POUR LE TRAITEMENT DE DONNEES A GRANDE VITESSE ( TEMPS DE TRANSFERT PAR PORTE INFERIEUR A 100 PS , PRODUIT PUISSANCE X TEMPS DE TRANSFERT INFERIEUR A 0,1 P JOULE , REGLES D'IMPLANTATION A L'ECHELLE SUBMICRONIQUE ) . POUR Y PARVENIR , IL FAUDRA DEVELOPPER DES PROCEDES SPECIFIQUES POUR L'ISOLATION DES COMPOSANTS , LA PRODUCTION DE COUCHES EPITAXIALES FINES , DE STRUCTURES E-B , DES DIODES SCHOTTKY , DE POLY RESISTANCES AU SILICIUM , LA METALLISATION MULTICOUCHES EXCEDANT QUATRE COUCHES , DES TECHNIQUES ADEQUATES DE MISE SOUS BOITIER ET D'ESSAI . LA FAISABILITE , LA PERFORMANCE , LE RENDEMENT ET LA FIABILITE SERONT DEMONTRES A L'AIDE D'EQUIPEMENTS EXPERIMENTAUX SPECIFIQUES , NOTAMMENT DES CIRCUITS PREDIFFUSES COMPORTANT 10 K PORTES/MICROPLAQUETTE . LE TEMPS DE TRANSFERT PAR PORTE INFERIEUR A 100 PS SERA ATTEINT PROGRESSIVEMENT EN TROIS ETAPES : 200 , 100 , MOINS DE 100 PS .

ON N'ATTEND PAS D'AUTRES PROPOSITIONS DE TYPE A DANS LE SECTEUR 1.2 .

ON RECHERCHE DES PROPOSITIONS SPECIFIQUES DE TYPE B A L'APPUI DES PROJETS CI-DESSUS DANS LES DOMAINES SPECIFIES DANS LA SECTION 1.9 .

SECTEUR DE R ET D 1.3 : CAO

OBJECTIFS GENERAUX

( A ) DEVELOPPER DES TECHNIQUES AVANCEES DE CAO POUR POUVOIR MAITRISER LA COMPLEXITE SANS CESSE CROISSANTE DES CIRCUITS

( B ) FOURNIR A TOUTE LA COMMUNAUTE INFORMATIQUE DE LA CEE LES CAPANTES DE CONCEPTION DE CIRCUITS VLSI COMPLEXES

LE BUT GENERAL EST LA MISE AU POINT DANS UN CADRE COMMUN D'UN ENSEMBLE INTEGRE D'OUTILS PORTABLES POUR CIRCUITS VLSI COMPTANT PLUSIEURS MILLIONS DE COMPOSANTS .

CET ENSEMBLE DEVRAIT :

- FOURNIR UNE INSTALLATION D'ACCES FACILE ET RAPIDE POUR L'UTILISATEUR ET POUVANT S'ADAPTER SANS DIFFICULTE AU PROGRES TECHNOLOGIQUE ;

- PERMETTRE AUX CONCEPTEURS DE REALISER UN CYCLE RAPIDE DE CONCEPTIONS VALABLES ET " TESTABLES " , Y COMPRIS LES INFORMATIONS SE RAPPORTANT AU TEST ;

- ETRE FACILEMENT ADAPTABLE AUX MODIFICATIONS DE LA TECHNOLOGIE ;

- FOURNIR DES INSTALLATIONS POUR L'OPTIMISATION DES CIRCUITS DU POINT DE VUE DE LA FIABILITE ET DE LA PERFORMANCE ;

- ELABORER DES METHODOLOGIES DE CONCEPTION BASEE SUR CELLULES ET DES BIBLIOTHEQUES DE MODULES ADAPTABLES ;

- INCORPORER LES RESULTATS DES PROJETS DE CAO CONFORMEMENT AU REGLEMENT ( CEE ) N} 3744/81 .

STRATEGIE

( A ) UN EFFORT POSITIF DEVRAIT ETRE ACCOMPLI AFIN D'ENCOURAGER L'APPARITION D'UNE INFRASTRUCTURE DE CAO GLOBALE TELLE QUE LA MAJORITE DES OUTILS DEVELOPPES DANS LE CADRE DES PROGRAMMES EXISTANTS AINSI QUE LES OUTILS FUTURS PUISSENT ETRE COMBINES POUR DONNER DES OUTILS INTEGRES LARGEMENT ACCESSIBLES .

( B ) DANS LA MESURE DU POSSIBLE , DES MICROPLAQUETTES DE DEMONSTRATION COMPLEXES SERVIRONT DE POINT FOCAL A CHAQUE ETAPE DU PROJET .

( C ) LA MODELISATION DES DISPOSITIFS ET PROCEDES N'EST PAS CONSIDEREE COMME FAISANT PARTIE DES PROJETS CAO ET EST COMPRISE DANS LES PROJETS TRAITANT DU DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX PROCEDES VLSI ( VOIR SECTEURS 1.1 ET 1.2 ) , MAIS LA COMPATIBILITE AVEC LA CAO EST NECESSAIRE .

( D ) IL CONVIENT DE VEILLER A PROMOUVOIR UN DEVELOPPEMENT EN COOPERATION ENTRE LES UNIVERSITES , LES GROUPES INDUSTRIELS ET LES INSTITUTS DE RECHERCHE AFIN DE TRANSFERER LE KNOW-HOW ET DE RENDRE LA CAO ACCESSIBLE A UNE COMMUNAUTE PLUS LARGE .

( E ) LA JONCTION AVEC LES AUTRES ACTIVITES D'ESPRIT , LEUR SOUTIEN ET L'EXPLOITATION DE LEURS RESULTATS SERONT ASSURES .

( F ) L'APPLICATION A LA CAO DES TECHNIQUES DU GENIE COGNITIF DOIT ETRE INTENSIFIEE .

( G ) DU MATERIEL CAO SPECIALISE DOIT ETRE INCORPORE LE CAS ECHEANT .

GRANDS PROJETS A ENTREPRENDRE

IL FAUT ENTAMER LES TRAVAUX IMMEDIATEMENT DANS QUATRE DOMAINES CLES . LE BUT EST DE DEVELOPPER SIMULTANEMENT DES OUTILS ET DES TECHNIQUES TOUT EN FAVORISANT LA PROGRESSION DANS LA VOIE DE L'ADOPTION D'UN CADRE COMMUN .

UNE DIFFICULTE MAJEURE RESULTE DE LA NECESSITE D'INCORPORER LES RESULTATS DES PROJETS EUROPEENS ACTUELS QUI SONT SOUVENT DIFFICILES A QUANTIFIER . LE PROJET INTEGRATION TRAITERA CE PROBLEME ET DONNERA DES DIRECTIVES POUR LES PROJETS FUTURS . LES NOUVEAUX PROJETS DOIVENT DEFINIR AU PREALABLE LEURS BUTS QUANTIFIES AINSI QUE LEURS LIMITATIONS , ET CECI DOIT ETRE FAIT D'UNE MANIERE SUFFISAMMENT DETAILLEE POUR PERMETTRE L'EVALUATION COMPLETE DE CES PROJETS .

UN CINQUIEME DOMAINE COUVRE DES PROJETS DE TYPE B D'UNE NATURE SPECULATIVE ET INNOVATRICE MOINS AMBITIEUX .

UN EFFORT IMPORTANT DOIT ETRE FAIT DANS LE SECTEUR DE LA CAO ET DE NOMBREUX PROJETS JUSTIFIERAIENT UNE AIDE EUROPEENNE . ETANT DONNE LES RESSOURCES LIMITEES DONT ON DISPOSE , LES PROJETS SUIVANTS ONT ETE SOIGNEUSEMENT SELECTIONNES COMME ETANT CEUX QUI SONT LE PLUS SUSCEPTIBLES D'AVOIR UN IMPACT DURABLE A LONG TERME SUR L'EFFICACITE DE L'INDUSTRIE EUROPEENNE .

PREALABLES

- CONNAISSANCE DU PROCESSUS THEORIQUE

- ACCES AUX RESULTATS ET OUTILS DEVELOPPES EN CAO ET EN PARTICULIERS CEUX DEVELOPPES DANS LE CADRE DU REGLEMENT ( CEE ) N} 3744/81 ET DES PROJETS PILOTES ESPRIT

- EXPERIENCE DANS LE DOMAINE DES ALGORITHMES UTILISES DANS LA CONCEPTION VLSI

- TECHNOLOGIES ET MICRO-PLAQUETTES DE DEMONSTRATION DE L'ORDRE DE 10 MILLIONS DE TRANSISTORS

1.3.1 . PROJET INTEGRATION CAO ( TYPE A )

ON DEMANDE QU'UN GROUPE IMPORTANT ET REPRESENTATIF DE REALISATEURS D'OUTILS DE CONCEPTION AUTOMATISEE S'ETABLISSE ET RECOMMANDE CONJOINTEMENT LES MECANISMES ET LE CADRE D'UNE MEILLEURE INTEGRATION ET D'UNE PLUS GRANDE ACCESSIBILITE DES OUTILS EUROPEENS DE CAO .

LE PROJET SE CONCRETISERA PAR LA FOURNITURE DE RAPPORTS REGULIERS ET ETABLIRA UNE CORRELATION ENTRE SES RESULTATS ET CERTAINS TRAVAUX SPECIFIQUES DE PROGRAMMATION FINANCES POUR SOUTENIR L'INTEGRATION ET LA LIAISON DES OUTILS EXISTANTS ET FINANCES PAR DES CREDITS EUROPEENS , ET POUR DEFINIR UN CADRE DE NORMES POUR LES TRAVAUX FUTURS .

LES ETUDES DEVRONT TENIR COMPTE DU DEVELOPPEMENT MONDIAL DES TECHNOLOGIES DE L'INFORMATION ( C'EST-A-DIRE L'ELECTRONIC DESIGN INTERCHANGE FORMAT - EDIF ) ET DES ARCHITECTURES DES SYSTEMES D'AUTOMATISATION DE LA CONCEPTION ( AC ) .

PHASE 1

ANNEE 1 :

ETABLISSEMENT DE PASSERELLES ENTRE LES OUTILS EUROPEENS EXISTANTS POUR FACILITER L'INTEGRATION DES RESEAUX ET DES BASES DE DONNEES REPARTIES .

ANNEE 2 :

RECOMMANDER DES DONNEES ET DES NORMES DE PORTABILITE ; IMPACT DE DIRECTIVES SPECIALES SUR LES MATERIELS AC POUR CEUX QUI METTENT AU POINT DES OUTILS D'AUTOMATISATION DE LA CONCEPTION .

ETAPES :

A ) INTEGRATION DES OUTILS ET SYSTEMES ACTUELLEMENT EN COURS DE DEVELOPPEMENT DANS UN SYSTEME DE LA PREMIERE GENERATION

B ) DEFINITION D'UN CADRE DE NORMES POUR LES TRAVAUX FUTURS

* UNE REVUE GENERALE DES EFFORTS ACCOMPLIS ET UNE REEVALUATION DE LA REPARTITION DES TRAVAUX SERONT FAITS A CE MOMENT .

PHASE 2

ANNEE 3 ET 4 :

EXTENSIONS AFIN D'INCORPORER L'IMPACT DES NOUVEAUX DEVELOPPEMENTS DANS LE MATERIEL D'AUTOMATISATION DE LA CONCEPTION , L'INTELLIGENCE ARTIFICIELLE ET LA TECHNOLOGIE DES BASES DE DONNEES .

ANNEE 5 :

COMPLETER L'INTEGRATION DU SYSTEME DE LA SECONDE GENERATION ET REVOIR LES NORMES EXISTANTES

ETAPES :

A ) INTEGRATION DES OUTILS AVANCES DANS UN SYSTEME DE LA SECONDE GENERATION

B ) REVUE DES NORMES EXISTANTES ET MISE A JOUR LE CAS ECHEANT

1.3.2 . PROJET D'INTERFACE UTILISATEUR ( TYPE A )

LE BUT EST DE PROMOUVOIR UNE UTILISATION PLUS EFFICACE ET PLUS REGULIERE D'OUTILS DE CAO DU POINT DE VUE DE L'UTILISATEUR . LES TRAVAUX CONSISTERONT EN UNE COMBINAISON D'UNE ETUDE DE GRANDE ENVERGURE ET DE L'ADAPTATION PRATIQUE DE CERTAINS PROGRAMMES EXISTANTS .

ANNEE 1 :

RENFORCER LES ASPECTS QUI ONT TRAIT A L'INTERFACE UTILISATEUR DANS LES PROJETS EN COURS DE SYSTEMES DE CAO DURANT TOUT LE PROCESSUS DE CONCEPTION .

CARACTERISTIQUES IMPORTANTES :

- FACILITER L'UTILISATION

- REPONSE RAPIDE

- PORTABILITE

- COHERENCE

ANNEE 2 :

ETUDIER LES LIAISONS DE COMMUNICATION ENTRE POSTES DE TRAVAIL INTELLIGENTS ET UNITES INFORMATIQUES CENTRALES

- RAPIDITE DE TRANSMISSION

- PROTOCOLE DE TRANSMISSION

- REPARTITION DES DONNEES ET DU TRAITEMENT ENTRE POSTES DE TRAVAIL ET ORDINATEURS

ANNEES 3 ET 4 :

ETUDE DE L'INTERFACE HOMME/MACHINE EN CE QUI CONCERNE LA CAO

- NOUVELLES TECHNIQUES D'ENTREE/SORTIE , PAR EXEMPLE ENTREE VOCALE ( VOIR AUSSI D'AUTRES DOMAINES D'ESPRIT )

1.3.3 . PROBLEMES D'INTEGRATION A TRES GRANDE ECHELLE ( TYPE A )

LE BUT EST DE DEVELOPPER DE NOUVEAUX ALGORITHMES ET DE NOUVELLES ARCHITECTURES POUR CIRCUITS VLSI CONTENANT DES MILLIONS DE TRANSISTORS . LA PREMIERE PHASE CONSISTE A COMPRENDRE FORMELLEMENT LES LIMITES DES ALGORITHMES EXISTANTS UTILISES A DIVERS NIVEAUX DU PROCESSUS DE CONCEPTION .

ON SAIT QUE POUR 90 % DES PROBLEMES DE CAO UNE AUGMENTATION DE LA COMPLEXITE AU-DELA D'UNE CERTAINE LIMITE EXIGE DE NOUVELLES SOLUTIONS , ET IL EST CERTAIN QU'A L'AVENIR IL FAUDRA APPLIQUER AUX ALGORITHMES TOUTE UNE SERIE DE NOUVELLES APPROCHES .

LES PARTICIPANTS DOIVENT EFFECTUER CONJOINTEMENT DES ETUDES EN COMMUN ET UNE EVALUATION QUANTIFIEE AVEC DES TRAVAUX PRATIQUES SUR DES OUTILS SPECIFIQUES FAISANT APPEL A DES SYSTEMES EXPERTS ET A UN MATERIEL SPECIAL QUI PEUT SUPPORTER TOUTE UNE SERIE DE PROBLEMES D'AUTOMATISATION DE LA CONCEPTION .

ANNEE 1 :

ETABLISSEMENT DE CRITERES D'EVALUATION DES PERFORMANCES , NOTAMMENT EN CE QUI CONCERNE :

- LES OUTILS DE PRODUCTION DE TRACES

- LES OUTILS DE PLANIFICATION DES EMPLACEMENTS

- LES OUTILS DE CONCEPTION DES FONCTIONS

ANNEE 2 :

EXPERIMENTATION AVEC LES OUTILS EXISTANTS , LES SYSTEMES D'INTELLIGENCE ARTIFICIELLE ET LE MATERIEL SPECIAL QUI FOURNIRA :

- DES LIMITES DANS LA COMPLEXITE TEMPS-ESPACE ,

- DES CAS PATHOLOGIQUES

DEFINITION D'UN SYSTEME DE DEMONSTRATION PERMETTANT D'ACCOMPLIR DES TRAVAUX ALGORITHMIQUES EN COOPERATION AVEC DES TECHNIQUES D'INTELLIGENCE ARTIFICIELLE ET AVEC LE MATERIEL SPECIALISE EVENTUELLEMENT NECESSAIRE .

ANNEES 3 ET 4 :

MISE EN OEUVRE DU SYSTEME ET DEMONSTRATION SUR UN PROBLEME " DIFFICILE " ET IMPORTANT .

1.3.3.1 . " LANGAGE DESCRIPTIF POUR VLSI " ( REF . 42 : A/83 )

CE PROJET PRODUIRA DEUX NOUVEAUX LANGAGES HIERARCHIQUES DE DESCRIPTION DE LA CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES POUR DECRIRE LES RESEAUX ET TRACES DES CIRCUITS . L'OBJECTIF GENERAL EST LA CREATION D'UNE INFRASTRUCTURE VLSI - CAO POUVANT AIDER A AMELIORER CONSIDERABLEMENT LA PRODUCTIVITE DES CONCEPTEURS ET PERMETTRE DE NOUVEAUX DEVELOPPEMENTS .

1.3.3.2 . " ARCHITECTURES ALGORITHMES AVANCES ET TECHNIQUES DE TRACE POUR VLSI SPECIALISES DANS LE TRAITEMENT DES SIGNAUX " ( REF . 97 : A/83 )

CE PROJET CONCERNE LE DEVELOPPEMENT D'OUTILS CAO ET DE TECHNIQUES DE CONCEPTION EVOLUEES DE CIRCUITS CMOS POUR MICROPLAQUETTES DE TRAITEMENT DE SIGNAUX NUMERIQUES POUR DES ARCHITECTURES EN BITS SERIE ET BITS MIXTES SERIE PARALLELES OU EN BITS PARALLELES .

1.3.3.3 . " SYSTEME VLSI A HAUT RENDEMENT ET HAUTE FIABILITE PAR RECONFIGURABILITE " ( REF . 244 : B/84 )

ON PEUT REALISER DES CIRCUITS VLSI HAUTEMENT FIABLES EN INTRODUISANT UNE REDONDANCE DANS UNE PUCE DE MANIERE A CE QUE LES CELLULES OU LES ELEMENTS DEFAILLANTS PUISSENT ETRE TOLERES . CEPENDANT LA CONTREPARTIE D'UNE TELLE INTRODUCTION PEUT ETRE UNE BAISSE DE RENDEMENT . DANS CE PROJET , IL EST PROPOSE D'INTRODUIRE UNE REDONDANCE TOUT EN AUGMENTANT LE RENDEMENT A L'AIDE D'UNE RECONFIGURATION ON-LINE DE FABRICATION ET D'UNE INSENSIBILITE AUX DEFAILLANCES PAR RECONFIGURATION . POUR REPONDRE AUX BESOINS PARTICULIERS DE L'EXPERIMENTATION ET DE LA MISE SOUS BOITIER ET POUR QUE LE PROJET SOIT REUSSI , SONT NECESSAIRES : LA CONNAISSANCE DE L'ANALYSE DU RENDEMENT DU SILICIUM IMPLIQUANT UNE COMPREHENSION DES MECANISMES DE DEFAILLANCE ET DE LEUR DISTRIBUTION , LA CONNAISSANCE DE STRATEGIES ARCHITECTURALES POUR LE DECOUPAGE ; LA CONNAISSANCE AU SUJET DE LA MISE EN OEUVRE DE LA REDONDANCE ET DU MAINTIEN DE LA TESTABILITE , UNE EXPERTISE DES METHODES CONCEPTUELLES DU SILICIUM RENFORCEES POUR REPONDRE AUX BESOINS ENONCES CI-DESSUS ET LA CONNAISSANCE DES TECHNIQUES SPECIFIQUES DE FABRICATION A L'APPUI DE LA RESTRUCTURATION PHYSIQUE EXIGEE . LE PROJET DEBOUCHERA SUR UNE MICROPLAQUETTE DE DEMONSTRATION ET LA TECHNOLOGIE SOUTENUE SERA DU TYPE CMOS AVANCE AVEC INTERCONNEXIONS MULTICOUCHES APPROPRIEES .

D'AUTRES PROPOSITIONS DE TYPE A SONT DEMANDEES .

1.3.4 . OUTILS DE CONCEPTION DE HAUT NIVEAU ( TYPE A )

IL CONVIENT DE METTRE AU POINT UN ENSEMBLE D'OUTILS INTEGRES POUR CONCEPTION DE HAUT NIVEAU ( SPECIFICATION , SYNTHESE ET VERIFICATION ) COMPORTANT UN GRAND DEGRE D'INDEPENDANCE TECHNOLOGIQUE . L'OBJECTIF EST A L'ECHELLE DE DIX MILLIONS DE COMPOSANTS PAR MICROPLAQUETTE POUVANT CONTENIR A LA FOIS LA MEMOIRE ET LA LOGIQUE . LES OUTILS DOIVENT AIDER LE CONCEPTEUR A DECOUPER UN SYSTEME EN SOUS-SYSTEMES ET A REPARTIR LES FONCTIONS ENTRE LE MATERIEL ET LE LOGICIEL . LES DETAILS D'IMPLEMENTATION TELS QUE LA TESTABILITE ET LE TRACE DOIVENT ETRE ETUDIES . LES PROBLEMES DE CONCEPTIONS MIXTES ANALOGIQUES/NUMERIQUES DOIVENT EGALEMENT ETRE TRAITES .

ANNEE 1 :

CONCEPTION D'UN ENSEMBLE GENERAL D'OUTILS

ANNEE 2 :

DEBUT DE LA MISE EN OEUVRE DE L'ENSEMBLE D'OUTILS

ANNEE 3 :

ACHEVEMENT DE LA MISE EN OEUVRE DE L'ENSEMBLE D'OUTILS

ANNEE 4 :

ESSAI ET DEMONSTRATION DE LA BOITE A OUTILS SUR DES SOUS-SYSTEMES MULTIPLES AVEC LOGIQUE , MEMOIRE ET FONCTIONS ANALOGIQUES .

1.3.4.1 . " SYSTEMES DE CONCEPTION CAO DE HAUT NIVEAU POUR TRACE ET CONCEPTION INTERACTIFS " ( REF . 10 : A/83 )

L'OBJECTIF DE CE PROJET EST LA DEFINITION ET LA DEMONSTRATION DU SYSTEME CAO POUR LA CONCEPTION ET LE TRACE DE CIRCUITS INTEGRES VLSI , DEPUIS LA SPECIFICATION INITIALE JUSQU'AUX MASQUES . UNE COMPLEXITE DU CIRCUIT ALLANT JUSQU'A UN MILLION DE TRANSISTORS SERA ENVISAGEE . LE BUT GLOBAL EST LA REDUCTION DES TEMPS DE CONCEPTION .

D'AUTRES PROPOSITIONS DE TYPE A SONT DEMANDEES .

1.3.5 . NOUVEAUX OUTILS DE CONCEPTION SPECIFIQUES ( TYPE B )

UN CERTAIN NOMBRE DE PETITS PROJETS FORTEMENT NOVATEURS SERONT FINANCES . IL EXISTE UNE VASTE GAMME DE SUJETS POSSIBLES CONCERNANT LA CONCEPTION DE CIRCUITS VLSI DE GRANDE ENVERGURE .

UNE PRIORITE SERA DONNEE A DES PROJETS QUI PORTENT SUR DES PROBLEMES DE CONCEPTION DANS LES DOMAINES SUIVANTS :

- CIRCUITS VLSI A TRES GRANDE VITESSE ( PAR EXEMPLE 50 PICO SECONDE )

- INTEGRATION A L'ECHELLE DE LA MICROPLAQUETTE

- INSENSIBILITE AUX DEFAILLANCES POUR HAUT RENDEMENT

- ARCHITECTURES PARALLELES ( RESEAUX SYSTOLIQUES )

- TECHNOLOGIES SPECIFIQUES ( PAR EXEMPLE AS GA )

- MATERIEL SPECIALISE POUR CAO

1.3.6 . CONCEPTION ET CARACTERISATION DES CELLULES ( TYPE A )

L'OBJECTIF EST DE FOURNIR DES CELLULES QUI POURRONT SERVIR A EVALUER LES TECHNOLOGIES DU SILICIUM ET LES OUTILS DE CAO MIS AU POINT PAR LE PROGRAMME ESPRIT DANS LE CADRE DES CIRCUITS EN FONCTIONNEMENT . IL NE S'AGIT PAS DE FOURNIR UNE BIBLIOTHEQUE COMPLETE DE CELLULES , MAIS DE DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE EPROUVEE POUR LA CONCEPTION ET LA CARACTERISATION RAPIDES DE CELLULES . UNE ENTREE ESSENTIELLE EST L'INFORMATION DE MODELISATION DES DISPOSITIFS A PARTIR DES PROJETS DE RECHERCHE .

TROIS CATEGORIES DE CELLULES SONT INCLUSES :

1 . CELLULES PRIMITIVES

2 . CELLULES PARAMETREES

3 . CELLULES FIXES

QUI COMPORTERONT DES FONCTIONS A LA FOIS ANALOGIQUES ET NUMERIQUES .

POUR CHAQUE CELLULE , IL CONVIENDRA DE DONNER DES DESCRIPTIONS AU NIVEAU DU TRACE , DU FONCTIONNEL ET AU NIVEAU ELECTRIQUE , AVEC DES INFORMATIONS COMPLETES POUR LA SIMULATION ET L'EXTRACTION DES PARAMETRES . IL EST SOUHAITABLE DE FOURNIR UNE SERIE MINIMALE DE CELLULES POUR CHACUNE DES TECHNOLOGIES . CHAQUE CELLULE SERA ENTIEREMENT SIMULEE ET CARACTERISEE .

ANNEE 1

CHOISIR DES NORMES PROVISOIRES ET DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE FONDAMENTALE DE CONCEPTION DES CELLULES

ANNEE 2 :

DEVELOPPER UNE BIBLIOTHEQUE DE CELLULES PRIMITIVES ET DES TECHNIQUES PERMETTANT LA DEFINITION DES PARAMETRES

ANNEE 3 :

CONCEVOIR DES CELLULES PARAMETREES ET FIXES

ANNEE 4 :

CARACTERISATION ET DEMONSTRATION DANS DES CIRCUITS REPRESENTATIFS

NOTE : AU COURS DE L'EXECUTION DU PROJET , DES NORMES APPROPRIEES SERONT MISES EN OEUVRE AUSSITOT QU'ELLES DEVIENNENT DISPONIBLES .

SECTEUR DE R ET D 1.4 : CIRCUITS INTEGRES A COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS

DESCRIPTION

LES CIRCUITS INTEGRES A COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS DU TYPE III-V L'EMPORTENT EN VITESSE ET/OU EN PRODUIT VITESSE-PUISSANCE SUR LES CIRCUITS AU SILICIUM EN RAISON D'UNE PLUS GRANDE MOBILITE DES ELECTRONS . AU POINT DE VUE COMPLEXITE , LEUR TECHNOLOGIE EST EN RETARD DE PLUSIEURS ANNEES SUR CELLE DU SILICIUM ET UN EFFORT CONSIDERABLE DE RECHERCHE SUR LES MATERIAUX ET LES PROCEDES S'IMPOSE . COMPTE TENU DU DEVELOPPEMENT DU MARCHE DES CIRCUITS A GRANDE VITESSE ET A FAIBLE PUISSANCE , DE NOMBREUX PROBLEMES RESTENT A RESOUDRE .

LA TECHNOLOGIE COUVRE DES STRUCTURES AS GA A HOMOJONCTION UTILISANT LA TECHNIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ( FET ) ET DES STRUCTURES A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS UTILISANT LA TECHNIQUE DES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE ( HEMT ) OU DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ( HJBT ) . DES RECHERCHES FONDAMENTALES SONT NECESSAIRES POUR LES TECHNIQUES DE PREPARATION DES MATERIAUX , D'IMPLANTATION DES IONS ET DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES .

OBSERVATION : LA REALISATION DES OBJECTIFS DE CE PROGRAMME EXIGE DES RESSOURCES CONSIDERABLES QUI NE SERONT PEUT-ETRE PAS DISPONIBLES DANS LE CADRE D'ESPRIT . PAR AILLEURS , CES OBJECTIFS REPRESENTENT LE MINIMUM POUR QUE L'INDUSTRIE EUROPEENNE RESTE COMPETITIVE . EN CONSEQUENCE , DES MECANISMES COMPLEMENTAIRES DE FINANCEMENT ET/OU DES PROGRAMMES MOINS AMBITIEUX DEVRONT ETRE ACCEPTES .

PREALABLES

- SOURCE DE MATERIAUX ADEQUATS POUR SUBSTRATS

- INSTALLATIONS DE CAO

- LABORATOIRE APPROPRIE ET EQUIPE EXPERIMENTEE

- CAPANTE POUR LES TECHNIQUES ET IMPLANTATION IONIQUE

- CAPANTE ET/OU POUR LES TECHNIQUES EPITAXIQUES POUR FAISCEAU MOLECULAIRE

- CAPANTE ET/OU POUR LES TECHNIQUES DE CROISSANCE EPITAXIALE PAR DEPOSITION DE VAPEUR CHIMIQUE METALLO-ORGANIQUE ( MOCVD )

PROGRAMMES ( - ) ET OBJECTIFS INTERMEDIAIRES ( * )

ANNEE 1 :

- METTRE L'ACCENT SUR LE DEVELOPPEMENT DE PROCEDES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES AS GA SUR DES MICROPLAQUETTES DE DEUX POUCES AVEC DES COMPOSANTS SUBMICRONIQUES EN SE PREOCCUPANT PARTICULIEREMENT DE LA REPRODUCTIBILITE ET DU RENDEMENT

- OPTIMISER LA CROISSANCE DES MATERIAUX ET LA FABRICATION EXPERIMENTALE DES HEMT ET DES HJBT EXPERIMENTAUX DANS LE SYSTEME AS GA/AS GA AL

* 12E MOIS : DEMONTRER LA FAISABILITE DE CIRCUITS MESFET DE 1 000 PORTES ET TEMPS DE TRANSFERT PAR PORTE ( TPD ) INFERIEUR A 100 PS

- DEMONSTRATION DE CIRCUITS FONDAMENTAUX HJBT ET/OU HEMT ( AUTRES QUE DES OSCILLATEURS ANNULAIRES )

ANNEE 2 :

- POURSUITE DES TRAVAUX EN METTANT L'ACCENT SUR LE PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES AS GA AVEC DES COMPOSANTS SUBMICRONIQUES , EN TENANT COMPTE SPECIALEMENT DU POINT DE VUE DE LA REPRODUCTIBILITE ET DU RENDEMENT . ETABLIR UNE UNITE DE FABRICATION DE TROIS POUCES

- POURSUITE DES RECHERCHES SUR L'OPTIMISATION DES CIRCUITS INTEGRES HEMT ET/OU HJBT

* 24E MOIS : DEMONSTRATION D'UN CIRCUIT A MEMOIRE D'AU MOINS 1 K ( TEMPS D'ACCES INFERIEUR A 1 NS , DISSIPATION INFERIEURE A 500 MW ) ET/OU DE CIRCUITS DE COMPLEXITE EQUIVALENTE

- DEMONSTRATION DE LA FAISABILITE DE CIRCUITS HEMT ET/OU HJBT DE 100 PORTES

ANNEE 3 :

- EFFECTUER UN EXERCICE D'AMELIORATION DU RENDEMENT ET DE LA FIABILITE SUR LE PROCEDE FONDAMENTAL DE CIRCUIT INTEGRE AS GA

- AMELIORER LES ETAPES DU PROCEDE FONDAMENTAL POUR UN PROCEDE AS GA/AS GA AL BASE SUR LE TRANSISTOR HEMT OU BIPOLAIRE

- DETERMINER L'APPLICABILITE DE HBT/HEMT POUR CIRCUIT INTEGRE NUMERIQUE PAR EXEMPLE POUR UN PROCESSEUR 8 BITS RAPIDE

* 36E MOIS : EVALUER LE RENDEMENT SUR UN CIRCUIT DE DEMONSTRATION DE 1 K BITS OU D'UNE COMPLEXITE EQUIVALENTE , SUR AU MOINS DIX GALETTES

DEMONTRER LA FAISABILITE D'UN CIRCUIT HEMT A MEMOIRE DE 1 K BITS ET/OU D'UN CIRCUIT HJBT COMPARABLE

COMPARAISON DE DIVERSES TECHNOLOGIES ( SI POSSIBLE AVEC LE MEME CIRCUIT POUR CHAQUE TECHNOLOGIE ) . DECISION DE CHOISIR L'UNE D'ENTRE ELLES

ANNEE 4 :

- PERFECTIONNER ET CONSOLIDER LE PROCEDE CHOISI

- FABRIQUER DES CIRCUITS EXPERIMENTAUX ET AMELIORER LEUR RENDEMENT

- DEVELOPPER DES CIRCUITS POUR PROCESSEUR RAPIDE DE 8 BITS

* 48E MOIS : DEMONSTRATION D'UNE MEMOIRE DE 16 K BITS ( OU EQUIVALENTE ) DANS LA TECHNOLOGIE CHOISIE

ANNEE 5 :

- ACCROITRE LA COMPLEXITE

- CONCEVOIR ET FABRIQUER D'AUTRES CIRCUITS INTEGRES COMPLEXES AVANCES

* 60E MOIS : DEMONSTRATION D'UN GRAND CIRCUIT AYANT UNE COMPLEXITE DE 10 A 20 K PORTES AVEC UN RETARD PAR PORTE INFERIEUR A 50 PS ET UN COEFFICIENT DE MERITE INFERIEUR A 100 FEMTO JOULES . CE CIRCUIT DE DEMONSTRATION PEUT ETRE UNE MEMOIRE 16 K AVEC UN TEMPS D'ACCES DE L'ORDRE DE QUELQUES NANOSECONDES OU PEUT ETRE UN CIRCUIT DEFINI DURANT LA TROISIEME ANNEE POUR SATISFAIRE AUX BESOINS DES AUTRES DOMAINES D'ESPRIT ( SPECIALEMENT DANS LE DOMAINE DES BUS HAUTE VITESSE ) OU AUX BESOINS EXPRIMES PAR L'INDUSTRIE DES TELECOMMUNICATIONS ( PAR EXEMPLE CIRCUITS DE TRAITEMENTS DE SIGNAUX ) .

1.4.1 . " MATERIAUX COMPOSES POUR SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUITS INTEGRES - I " ( REF . 232 : A/84 )

L'OBJECTIF GENERAL DE CE PROGRAMME EST D'ETABLIR DES TECHNOLOGIES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES NUMERIQUES EN ARSENIURE DE GALLIUM QUI UTILISENT LES MESFET AS GA , LES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE ( HEMT/TEGFET ) ET LES TRANSISTORS BIPOLAIRES HETEROJONCTION ( HBT ) COMME ELEMENTS ACTIFS DES CIRCUITS . LA CONFIGURATION DE CES CIRCUITS SERA DE NATURE A PERMETTRE DE DEMONTRER CONVENABLEMENT LA SUPERIORITE DE AS GA SUR LE SILICIUM DU POINT DE VUE DE LA VITESSE ET DE LA PUISSANCE .

1.4.2 . " MATERIAUX COMPOSES POUR SEMI-CONDUCTEURS ET CIRCUITS INTEGRES - II " ( REF . 522 : A/84 )

L'OBJECTIF GENERAL DU PROGRAMME DE RECHERCHE EST DE DEVELOPPER LES ASPECTS AVANCES DE LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES NUMERIQUES AS GA ET L'EXPERTISE ASSOCIEE POUR PERMETTRE LA FABRICATION DE CIRCUITS NUMERIQUES RAPIDES A HAUTE PERFORMANCE . LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES COMPLETS N'EST PAS CONSIDEREE COMME PRE-COMPETITIVE . DES CIRCUITS INTEGRES NUMERIQUES DE DEMONSTRATION SERONT MIS AU POINT AFIN QUE L'ON PUISSE EVALUER LA PERFORMANCE DES DIVERSES TECHNOLOGIES DES CIRCUITS LOGIQUES .

1.4.3 . " METHODES DE CAO POUR CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES ANALOGIQUES AS GA " ( REF . 257 : B/84 )

L'ACCENT DU PROGRAMME DE RECHERCHE SERA MIS SUR LE DEVELOPPEMENT D'UNE BIBLIOTHEQUE CAO COMPLETE DE MODELES THEORIQUES ET DE DONNEES EXPERIMENTALES POUR ELEMENTS PASSIFS ET COMPOSANTS ACTIFS NECESSAIRES A LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES AS GA . LES TRAVAUX COMMENCERONT PAR L'ELABORATION DE MODELES PHYSIQUES ET DE CIRCUITS EQUIVALENTS POUR DIVERS TYPES DE MESFET ET D'ELEMENTS PASSIFS A LA FOIS POUR DES APPROCHES GLOBALES ET DISTRIBUEES . L'ETAPE SUIVANTE EST LA CAO DE GROUPES DE DISPOSITIFS ACTIFS ET PASSIFS POUR LA MISE EN OEUVRE INTEGREES DE FONCTIONS ELEMENTAIRES . OUTRE L'ANALYSE DES CIRCUITS , L'ASSOCIATION ENTRE ELEMENTS ADJACENTS ET LA DISTRIBUTION THERMIQUE SERA EGALEMENT SIMULEE . DANS LA PHASE SUIVANTE , LES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES DEFINIS COMME DES MODULES FONCTIONNELS DE HAUT NIVEAU DEVRONT ETRE ETUDIES PAR DES PROGRAMMES D'ANALYSE SPECIAUX . CE PROGRAMME FINAL DE CAO COMPORTE UNE EVALUATION DE L'EFFET DU BOITIER ET UNE ANALYSE DE LA SENSIBILITE A L'ERREUR . L'OPTIMISATION INTERACTIVE SERA ORGANISEE DANS UN PROGICIEL TRANSFERABLE ACCESSIBLE A L'UTILISATEUR . LE PROJET DEBUTERA PAR UNE ETUDE DE LA BANDE C ET X QUI S'ETENDRA ENSUITE A 18 GHZ . L'INSTALLATION CAO SERA VERIFIEE A L'AIDE DE DIFFERENTS CIRCUITS DE DEMONSTRATION AS GA , COMPRENANT DES DISPOSITIFS SUBMICRONIQUES .

D'AUTRES PROPOSITIONS DE TYPES A ET B SONT DEMANDEES .

SECTEUR DE R ET D 1.5 : OPTO-ELECTRONIQUE

DESCRIPTION

LES DISPOSITIFS OPTO-ELECTRONIQUES SERONT DE PLUS EN PLUS NECESSAIRES POUR LES TELECOMMUNICATIONS , LES CONNEXIONS INTERNES ET EXTERNES DES ORDINATEURS , LE TRAITEMENT DES IMAGES A ULTRA-LARGE BANDE ET LA COMMUNTATION . LES FUTURES GENERATIONS DE SYSTEMES DE COMMUNICATION MONO-MODE POURRONT UTILISER LA DETECTION COHERENTE ET LE MULTIPLEXAGE DES LONGUEURS D'ONDES EN CANAUX MULTIPLES , AINSI QUE LA MODULATION DE PHASE . CELA PERMETTRA D'AMELIORER LES PERFORMANCES ET SERA COMPATIBLE AVEC LA LOGIQUE OPTIQUE INTEGREE . LE TRAITEMENT , LE GROUPAGE ET LE ROUTAGE POURRONT ALORS SE FAIRE A DE TRES GRANDES VITESSES . DANS LE DOMAINE DES SEMI-CONDUCTEURS , CES REALISATIONS SERONT EGALEMENT COMPATIBLES AVEC LES CIRCUITS INTEGRES DE TYPE III-V , ASSURANT UNE INTERFACE ELECTRIQUE RAPIDE .

OBSERVATION : LA REALISATION DES OBJECTIFS DE CE PROGRAMME EXIGE DES RESSOURCES TRES IMPORTANTES QUI NE SERONT PEUT-ETRE PAS DISPONIBLES DANS LE CADRE D'ESPRIT . PAR AILLEURS , CES OBJECTIFS REPRESENTENT UN MINIMUM SI L'ON VEUT RESTER COMPETITIF . EN CONSEQUENCE , DES MECANISMES COMPLEMENTAIRES DE FINANCEMENT ET/OU DES PROGRAMMES MOINS AMBITIEUX DEVRONT ETRE ACCEPTES .

PREALABLE

- SOURCE DE MATERIAUX POUR SUBSTRAT APPROPRIES

- LABORATOIRE APPROPRIE ET EQUIPE EXPERIMENTEE

- CAPACITE DE CROISSANCE EPITAXIQUE

CE PROGRAMME NE VISE PAS A L'ELABORATION D'ORDINATEURS OPTIQUES , MAIS PLUTOT A LA FOURNITURE DE COMPOSANTS ET DE SOUS-SYSTEMES POUR TRANSMISSIONS A GRAND DEBIT BINAIRE . LES DEUX APPROCHES SONT LES SUIVANTES :

A ) COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET OPTIQUES INTEGRES SUR LA MEME MICROPLAQUETTE :

PROGRAMME ( - ) ET OBJECTIFS INTERMEDIAIRES ( * )

ANNEE 1 :

- OPTIMISER LA CROISSANCE DES MATERIAUX ET LES STRUCTURES DU TRACE

- INTEGRER UN PHOTODETECTEUR AVEC COMPOSANT AMPLIFICATEUR FRONTAL

- TRAVAUX SUR LES CIRCUITS DE COMMANDE D'UN LASER CONSTRUIT DANS DES MATERIAUX A BASE INP

- TRAVAUX SUR LE DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES A BASE D'INP , COMPATIBLE AVEC SON OPTO-ELECTRONIQUE

* 12E MOIS : DEMONSTRATION D'UN PHOTODETECTEUR MONOLITHIQUE AVEC AMPLIFICATION INTERNE

ANNEE 2 :

- COMPARER ( A LA FOIS EXPERIMENTALEMENT ET PAR MODELISATION ) L'INTEGRATION HYBRIDE ET L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DE MODULES RECEPTEURS

- CONTINUER A DEVELOPPER LA TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES A BASE D'INP

- DEVELOPPER LES TECHNIQUES D'ISOLATION ET D'INTERCONNEXION SUR DES MATERIAUX A BASE D'INP

* 24E MOIS : DEMONSTRATION D'UN RECEPTEUR MONOLITHIQUEMENT INTEGRE AVEC UNE LARGEUR DE BANDE SUPERIEURE OU EGALE A 2,5 GHZ

ANNEE 3 :

- COMPARER L'INTEGRATION HYBRIDE ET L'INTEGRATION MONOLITHIQUE D'UN MODULE EMETTEUR

- FABRIQUER UN EMETTEUR INTEGRE

* 36E MOIS : DEMONSTRATION D'UN EMETTEUR INTEGRE AVEC UNE LARGEUR DE BANDE SUPERIEURE A 2,5 GHZ

APRES L'ANNEE 3 , LES OPTIMISATIONS ULTERIEURES DU RECEPTEUR , DE L'EMETTEUR ET PEUT-ETRE EGALEMENT DES RECEPTEURS DEVRONT TENIR COMPTE DES PROGRES DE L'INDUSTRIE DES TELECOMMUNICATIONS ET DES PROGRES EFFECTUES DANS D'AUTRES DOMAINES D'ESPRIT .

B ) MULTIPLEXAGE DE LONGUEURS D'ONDES AVEC OPTIQUE INTEGREE :

PROGRAMME ( - ) ET OBJECTIFS INTERMEDIAIRES ( * )

ANNEE 1 :

- OPTIMISATION DE LA CROISSANCE EPITAXIQUE POUR LES LASERS , LES DETECTEURS ET LES GUIDES D'ONDES

- EVALUATION DES RESEAUX PRODUITS PAR FAISCEAU D'ELECTRONS ET PAR PROCEDE HOLOGRAPHIQUE

- DEMONSTRATION DU LASER DU TYPE DISTRIBUTED FEEDBACK ( DFB )

* 12E MOIS : DEMONSTRATION DU LASER DFB AVEC COURANT DE SEUIL INFERIEUR A 50 MA ; DEMONSTRATION D'UN PHOTODETECTEUR ALIMENTE PAR GUIDE D'ONDES ; GUIDE D'ONDES MONOLITHIQUE A FAIBLE PERTE ( INFERIEURE A 1 DB/CM )

ANNEE 2 :

- OPTIMISER LE LASER DFB POUR MODULATION DIRECTE A HAUTE FREQUENCE

- FABRIQUER 2 LASERS A HETEROSTRUCTURE NOYEE ( BH ) AYANT DES LONGUEURS D'ONDES DIFFERENTES ET SITUES SUR LA MEME MICROPLAQUETTE

* 24E MOIS : DEMONSTRATION DE MODULATEURS SEMI-CONDUCTEURS A LARGEUR DE BANDE EGALE A 2,5 GHZ

ANNEE 3 :

- INTEGRATION MONOLITHIQUE DE 2 LASERS DFB EMETTANT A DEUX LONGUEURS D'ONDES DIFFERENTES

- OPTIMISATION DE MODULATEURS EXTERNES SUR MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

- FABRICATION DE DETECTEURS DE DEMULTIPLEXAGE

* 36E MOIS : DEMONSTRATION D'UN EMETTEUR INTEGRE A LARGEUR DE BANDE SUPERIEURE A 2,5 GHZ

ANNEE 4 :

- INTEGRATION DE 2 LASERS DFB AVEC UN MULTIPLEXEUR OPTIQUE

- PERFECTIONNEMENT D'UNE PHOTODIODE DE DEMULTIPLEXAGE

* 48E MOIS : DEMONSTRATION DE MODULES INTEGRES D'EMETTEUR ET DE RECEPTEUR WDM

A CE STADE , CERTAINS APPORTS D'AUTRES SECTEURS D'ESPRIT ET DE L'INDUSTRIE DES TELECOMMUNICATIONS SONT NECESSAIRES POUR METTRE EN OEUVRE UNE LIAISON DE DEMONSTRATION AYANT UN DEBIT DE PLUSIEURS GIGABITS .

1.5.1 . " DISPOSITIFS OPTO-ELECTRONIQUES INTEGRES POUR SYSTEMES DE TRANSMISSION PAR FIBRES OPTIQUES A TRES HAUT DEBIT BINAIRE " ( REF . 263 : A/84 )

L'OBJECTIF GENERAL DU PROGRAMME DE RECHERCHE EST D'AUGMENTER CONSIDERABLEMENT LE DEBIT DE DONNEES DANS LES SYSTEMES DE TRANSMISSION DE L'INFORMATION GRACE A DES DISPOSITIFS HAUTEMENT PERFORMANTS ET A UNE VARIETE DE TECHNIQUES DE MULTIPLEXAGE FAISANT APPEL ESSENTIELLEMENT A L'EMPLOI DE DIFFERENTES LONGUEURS D'ONDES . DANS LES TROIS PREMIERES ANNEES , LES TRAVAUX SERONT AXES SUR LA REALISATION ET L'UTILISATION DE FONCTIONS DISCRETES EN MONO-MODE POUR INTEGRATION HYBRIDE ET MONOLITHIQUE ULTERIEURE . LES TRAVAUX DES ANNEES 3 ET 4 PORTERONT SUR L'INTEGRATION HYBRIDE COMPLETE . LES TRAVAUX SUR CES MATERIAUX S'ORIENTERONT VERS LA CROISSANCE REPRODUCTIBLE D'HETEROSTRUCTURES DE GRANDE SURFACE , DE HAUTE QUALITE ET DE FORTE HOMOGENEITE CONVENANT A DES LASERS A FAIBLE DENSITE DE COURANT DE SEUIL ET A LONGUEUR D'ONDES BIEN CONTROLEE , A DES PHOTODETECTEURS AYANT UN NIVEAU DE DOPAGE RESIDUEL FAIBLE ET A DES GUIDES D'ONDE A PERTES FAIBLES .

1.5.2 . " TECHNOLOGIE POUR CIRCUITS OPTO-ELECTRONIQUES INTEGRES A BASE D'INP " ( REF . 546 : A/84 )

CE PROGRAMME CONCERNE LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE NECESSAIRE A LA FABRICATION DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES SOUS UNE FORME SUSCEPTIBLE D'ETRE INTEGREE AUX DISPOSITIFS OPTIQUES . ON ETUDIERA UNE SERIE DE DISPOSITIFS ET ON COMPARERA LEUR UTILISATION DANS UNE SERIE DE FONCTIONS . ETANT DONNE L'IMPORTANCE DU FONCTIONNEMENT AVEC UNE PLUS GRANDE LONGUEUR D'ONDE , TOUS LES TRAVAUX PORTERONT SUR DES COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS A BASE DE INP . UN AVANTAGE POTENTIEL TRES IMPORTANT DU PROGRAMME RESIDE DANS LE FAIT QU'IL EST PREVU QUE LES MATERIAUX A ETUDIER AURONT DE TRES HAUTES PERFORMANCES DANS LES CIRCUITS ELECTRONIQUES CLASSIQUES . LE PROGRAMME POURRA AINSI DEBOUCHER SUR UNE AMELIORATION DES FONCTIONS ELECTRONIQUES AINSI QUE SUR DES CIRCUITS OPTO-ELECTRONIQUES PERFECTIONNES .

1.5.3 . " INTERCONNEXION OPTIQUE POUR VLSI ET CIRCUITS INTEGRES A HAUT DEBIT BINAIRE " ( REF . 380 : B/84 )

CE PROGRAMME DE RECHERCHE THEORIQUE EST ENTREPRIS DANS LE BUT D'ETUDIER L'APPLICATION D'UNE INTERCONNEXION OPTIQUE POUR REDUIRE LE NOMBRE DE BROCHES DU BOITIER ET L'INTERFERENCE ELECTRO-MAGNETIQUE DANS LES CIRCUITS INTEGRES VLSI ET A HAUTE VITESSE ET DANS LES SOUS-ASSEMBLAGES CONTENANT CES COMPOSANTS . LE PROGRAMME COMPLET AURA UNE DUREE DE QUATRE ANS . AU COURS DE LA PREMIERE ANNEE , ON ENTAMERA LES TRAVAUX DE CONCEPTION ET D'ETUDE . L'EFFORT SERA PLUS IMPORTANT AU COURS DES SECONDE ET TROISIEME ANNEES , PENDANT LESQUELLES DEBUTERONT LES PRINCIPAUX TRAVAUX EXPERIMENTAUX . DURANT LA DERNIERE ANNEE , ON ACHEVERA DES DISPOSITIFS DE DEMONSTRATION , ON METTRA AU POINT DES PREDICTIONS CONCEPTUELLES ET DE PERFORMANCE ET ON EXPLORERA DES APPLICATIONS SPECIFIQUES .

1.5.4 . " INGENIERIE MOLECULAIRE POUR OPTO-ELECTRONIQUE ( REF . 443 : B/84 )

LE BUT DU PROJET EST LE DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX MATERIAUX ELECTRO-OPTIQUES ET OPTIQUES NON LINEAIRES ORGANIQUES . LE BESOIN DE MATERIAUX DE CE GENRE SE FAIT DE PLUS EN PLUS SENTIR DANS LES SECTEURS EN EXPANSION RAPIDE DE L'OPTIQUE INTEGREE ET DES COMMUNICATIONS OPTIQUES . LE PROJET SE PROPOSE DE PRODUIRE DES MATERIAUX NOUVEAUX POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS UTILISANT LES EFFETS ELECTRO-OPTIQUES LINEAIRES , LES EFFETS DE MELANGE DES FREQUENCES DE SECOND ORDRE ET DE TROISIEME ORDRE .

ON ESPERE D'AUTRES PROPOSITIONS DE TYPE A ( ET DE TYPE B ) .

SECTEUR DE R ET D 1.6 : DISPOSITIFS D'AFFICHAGE SUR ECRAN PLAT

DESCRIPTION

IL EXISTE ACTUELLEMENT , DANS DE NOMBREUX DOMAINES TELS QUE LES STATIONS DE TRAVAIL , LES EQUIPEMENTS BUREAUTIQUES , ETC . , UN BESOIN POUR DE NOUVEAUX SYSTEMES D'AFFICHAGES QUI REMPLACERONT AVANTAGEUSEMENT LES TUBES CATHODIQUES CONVENTIONNELS . DE TELS SYSTEMES D'AFFICHAGES DEVRONT ETRE DE GRANDE DIMENSION ( FORMAT A 4 ET FORMAT SUPERIEUR ) ET AVOIR UNE DEFINITION COMPAREE ENTRE UNE VALEUR MOYENNE ET HAUTE . LA POSSIBILITE D'AVOIR DES COULEURS PEUT ETRE AUSSI SOIT DESIRABLE SOIT NECESSAIRE .

DE NOMBREUSES APPROCHES SONT ACTUELLEMENT POURSUIVIES . LES PROBLEMES RELATIFS AU MULTIPLEXAGE , A LA REDUCTION AU MINIMUM DES DEFAUTS , AUX MATERIAUX , ETC . , CROISSENT LORSQUE LA DEFINITION ET LES DIMENSIONS GEOMETRIQUES AUGMENTENT . POUR QUE L'EUROPE PUISSE AVOIR UN IMPACT DANS CE DOMAINE , IL EST ACTUELLEMENT NECESSAIRE D'IDENTIFIER D'UNE MANIERE CLAIRE LES SOLUTIONS DES PROBLEMES SPECIFIQUES ET DE DEFINIR UNE STRATEGIE TECHNOLOGIQUE OPTIMALE . DE TELLES INITIATIVES DOIVENT ETRE PRISES EN COLLABORATION ETROITE AVEC LES ACTIVITES NATIONALES RELATIVES A CE DOMAINE .

IL EST PROPOSE UN PROJET DE DEFINITION DE LA TECHNOLOGIE DANS LEQUEL LES EXPERTS DES PRINCIPAUX PAYS DE LA COMMUNAUTE COMBINERONT LEURS CONNAISSANCES ET LEURS EXPERIENCES . CE PROJET DURERA ENTRE 12 ET 18 MOIS ET PREPARERA LE CHEMIN POUR UNE APPROCHE SIGNIFICATIVE COORDONNEE AU NIVEAU EUROPEEN . LES RESULTATS ATTENDUS DANS CE PROJET FERONT L'OBJET D'UN RAPPORT D'ETUDE QUI SERA TERMINE ENTRE LE 12E ET LE 14E MOIS ET DONT LES RECOMMANDATIONS POURRONT ETRE SOUTENUES PAR UN OU PLUSIEURS SYSTEMES DE DEMONSTRATION QUI DEVRONT ETRE TERMINES LORS DU 18E MOIS .

1.6.1 . " MATERIAUX ET TECHNOLOGIES POUR TFT A GRANDE MOBILITE POUR CIRCUITS DE COMMANDE D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES " ( REF . 491 : B/84 )

DANS LA PRATIQUE ACTUELLE , LES CIRCUITS DE COMMANDE PERIPHERIQUES POUR AFFICHAGE ACTIF A CRISTAUX LIQUIDES CONSISTENT EN MICROPLAQUETTES A CIRCUITS INTEGRES EXTERNES . LE PRESENT PROJET SE PROPOSE DE METTRE AU POINT DES MATERIAUX EN COUCHES MINCES ET DES TECHNOLOGIES POUR CIRCUITS DE COMMANDE EN COLONNE ET EN LIGNE DESTINES A REMPLACER LES MICROPLAQUETTES EXTERIEURES . LE PRINCIPAL TRAVAIL CONSISTERA A METTRE AU POINT UN PROCEDE DE DEPOT A BASSE TEMPERATURE POUR LE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE COMPATIBLE AVEC LES SUBSTRATS EN VERRE UTILISES POUR L'AFFICHAGE PAR CRISTAUX LIQUIDES . LE PRINCIPAL MATERIAU PROPOSE EST LE SILICIUM POLYCRISTALLIN , DEPOSE PAR PROCEDE " GLOW DISCHARGE " A FORTE PUISSANCE . EN OUTRE , DES CIRCUITS ELEMENTAIRES DU TYPE A TRANSISTORS A COUCHE MINCE ( TFT ) CONVENANT A DES REGISTRES A DECALAGE POUR CIRCUITS DE COMMANDE SERONT MIS AU POINT ET ETUDIES , ET DES PROTOTYPES DE CIRCUITS DE COMMANDE DE FAIBLE LONGUEUR SERONT COMBINES , PUIS SERONT ESSAYES , AVEC L'AFFICHAGE PAR MATRICE A CRISTAUX LIQUIDES .

ON RECHERCHE DES PROPOSITIONS DE TYPE B DANS LE SECTEUR 1.6 .

SECTEUR DE R ET D 1.7 : NON UTILISE

SECTEUR DE R ET D 1.8 : THEMES GENERAUX DE RECHERCHE DE TYPE B

CE SECTEUR COUVRE DES THEMES DE RECHERCHE DE TYPE B NON REPRIS JUSQU'ICI DANS LES SECTEURS DE LA MICRO-ELECTRONIQUE 1.1 A 1.6 . CES THEMES DOIVENT BIEN EVIDEMMENT CORRESPONDRE AUX OBJECTIFS DU SOUS-PROGRAMME MICRO-ELECTRONIQUE ET PRESENTER UNE GRANDE VALEUR INTRINSEQUE .

NOTE : PUISQUE CE DOMAINE DE RECHERCHE EST TRES VASTE , AUCUN PROGRAMME DETAILLE NE SERA FOURNI DANS CE DOCUMENT . CEPENDANT , DANS CHAQUE CAS , DES PROPOSITIONS DU TYPE B DEVRAIENT FOURNIR DES OBJECTIFS ANNUELS MESURABLES QUI SERVIRONT A QUANTIFIER LE PROGRES DES TRAVAUX .

1.8.1 . " ETUDE DE TOUS LES ASPECTS DE L'INTERCONNEXION DE CIRCUITS INTEGRES COMPORTANT UN GRAND NOMBRE DE BROCHES " ( REF . 199 - 544 : B/83-84 )

CE PROJET A LES OBJECTIFS SUIVANTS :

1 ) DEVELOPPEMENT D'AUTRES METHODES DE CONNEXION DU CIRCUIT INTEGRE A SON MILIEU D'INTERCONNEXION .

2 ) DEVELOPPEMENT D'INTERCONNEXIONS DE GRANDE SURFACE ET A FORTE DENSITE FAISANT APPEL AUX TECHNIQUES DES POLYMERES MULTICOUCHES .

3 ) DEVELOPPEMENT D'INTERCONNEXIONS DE TRES HAUTE DENSITE ET ASSEZ GRANDE SURFACE BASEE SUR UNE COMBINAISON DIELECTRIQUE EN COUCHE EPAISSE ET SUR DES METHODES D'ELECTROPLACAGE AVEC METAUX DE BASE ADDITIFS .

LE PROJET SE PROPOSE DE REALISER TOUS LES SYSTEMES D'INTERCONNEXION AVEC DEUX COUCHES SEULEMENT , CE QUI AURA POUR RESULTAT UNE BAISSE DES COUTS EN RAISON D'UNE MOINDRE MANUTENTION ET DE MATERIAUX PEU ONEREUX . TOUTES LES PARTIES DU PROJET SONT CONCUES POUR EXPLOITER DE MANIERE OPTIMALE LES BOITIERS MIS AU POINT DANS LE CADRE DU PROGRAMME COMPLEMENTAIRE 1.9.1 .

1.8.2 . " TECHNOLOGIE DU DEPOT PAR PLASMA POUR LES SUPPORTS A COUCHE MINCE POUR ENREGISTREMENT MAGNETIQUE " ( REF . 334 : B/84 )

LE BUT DE CE PROJET EST DE METTRE AU POINT DES TECHNOLOGIES DE DEPOT QUI COMBINENT LES QUALITES TECHNIQUES SUPERIEURES DES COUCHES MINCES AUX VITESSES ELEVEES DE DEPOT NECESSAIRES POUR LA PRODUCTION INDUSTRIELLE . LE PROJET VISE A AUGMENTER LA VITESSE DE DEPOT EN COUCHE MINCE D'UN FACTEUR SIGNIFICATIF .

ON DEMANDE DE PROPOSER D'AUTRES THEMES DE RECHERCHE DE TYPE B . UNE LISTE , NON EXHAUSTIVE , DES SUJETS SUSCEPTIBLES D'ETRE RETENUS COMPREND :

- LES TECHNIQUES AVANCEES D'ANALYSE PHYSIQUE ,

- LES CAPTEURS ET TRANSDUCTEURS ,

- LES NOUVELLES TECHNOLOGIES POUR STOCKAGE AVANCE DE L'INFORMATION ,

- DE NOUVEAUX MATERIAUX ORGANIQUES ET INORGANIQUES .

SECTEUR DE R ET D 1.9 : PROJETS A L'APPUI DE PLUSIEURS SECTEURS DE LA MICRO-ELECTRONIQUE

DESCRIPTION

CE DOMAINE COUVRE TOUS LES PROJETS ( DE TYPE A OU B ) QUI CONCERNENT PLUS D'UN DES GRANDS SECTEURS 1.1 A 1.6 . CES PROJETS NE PEUVENT PAS ETRE AFFECTES A UN SECTEUR PARTICULIER MAIS , CONTRAIREMENT AU SECTEUR 1.8 , ILS SONT LIES DIRECTEMENT AUX PRINCIPAUX EFFORTS DU SOUS-PROGRAMME .

CE SECTEUR REPRESENTE EGALEMENT UN EFFORT SIGNIFICATIF POUR DEVELOPPER LES TECHNOLOGIES ET TECHNIQUES NECESSAIRES POUR PARVENIR A ATTEINDRE LES GRANDS OBJECTIFS DES SECTEURS 1.1 A 1.6 ET POUR ENVISAGER , AU-DELA DES PREMIERS STADES DE CES PROJETS , LES OBJECTIFS FINAUX SUBMICRONIQUES .

1.9.1 . " INTERCONNEXION AVANCEE POUR VLSI ( REF . 14 : B/83 )

CE PROJET A TRAIT AU PROBLEME D'INTERCONNEXION SUR SILICIUM . IL TRAITERA DE MULTICOUCHES ET DE GEOMETRIES SUBMICRONIQUES ET CONCERNERA LA TECHNOLOGIE DES MATERIAUX CORRESPONDANTS ET D'AUTRES PROBLEMES ASSOCIES . DES PROGRAMMES DE FIABILITE , DE DUREE DE VIE ET DE RENDEMENT FERONT PARTIE INTEGRANTE DU PROJET . ( L'INTERCONNEXION HORS PLAQUETTES FAIT L'OBJET DU PROJET 1.8.1 ) .

1.9.2 . " VALIDATION AUTOMATIQUE DE LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES UTILISANT UN FAISCEAU D'ELECTRONS ( REF . 271 : B/84 )

LE PROJET CHERCHE A DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE , POUR LE DIAGNOSTIC AUTOMATIQUE DES ERREURS DE CONCEPTION DES DISPOSITIFS VLSI , BASEE SUR LES POSSIBILITES D'OBSERVATION FOURNIES PAR UN SYSTEME A FAISCEAU D'ELECTRONS , SUR LA CONNECTION AVEC L'ENVIRONNEMENT CAO , SUR LA RECONNAISSANCE DES FORMES POUR POSITIONNER AUTOMATIQUEMENT LE FAISCEAU D'ELECTRONS , UNE METHODOLOGIE GLOBALE , EVENTUELLEMENT BASEE SUR DES SYSTEMES EXPERTS POUR DEFINIR LA STRATEGIE DU DIAGNOSTIC , SUR UNE NOUVELLE CIRCUITERIE DE MATERIEL POUR REHAUSSER LES PERFORMANCES EBT . AFIN DE PARVENIR A CET OBJECTIF , SERONT ETUDIES LES DOMAINES DE CONTROLE PAR ORDINATEUR DU SYSTEME A FAISCEAU ELECTRONIQUE , L'INTERFACE AVEC LE LOGICIEL CAO , L'IDENTIFICATION DES ELEMENTS DES CIRCUITS , LA METHODOLOGIE POUR LE DIAGNOSTIC DES ERREURS DE CONCEPTION , L'ETABLISSEMENT DE LA CONFIGURATION D'ESSAI POUR LA MISE AU POINT DU FAISCEAU ELECTRONIQUE , LA CONCEPTION DE LA TESTABILITE DU FAISCEAU ELECTRONIQUE ET LE DEVELOPPEMENT DE L'EQUIPEMENT DU FAISCEAU ELECTRONIQUE GLOBAL .

1.9.3 . " EVALUATION DES COUCHES DE SILICIUM MBE " ( REF . 305 : B/84 )

CE PROJET EST DIVISE EN TROIS PARTIES :

1 . CROISSANCE DES COUCHES DE SILICIUM PAR EPITAXIE A FAISCEAUX MOLECULAIRES ( MBE ) .

2 . POURSUITE DE LA MESURE IN SITU DES CARACTERISTIQUES DU PROCEDE .

3 . MISE EN OEUVRE ET DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE CARACTERISATION DES COUCHES MBE . CETTE INFORMATION SERVIRA ENSUITE A OPTIMISER LES CONDITIONS DE CROISSANCE .

IL EST PREVU D'ENTREPRENDRE QUATRE TRAVAUX SPECIFIQUES DE DEVELOPPEMENT SUR QUATRE TECHNIQUES PARTICULIERES . LE RESTE DU PROGRAMME CONCERNERA L'APPLICATION DES TECHNIQUES EXISTANTES ET L'INTERPRETATION DE LA TOTALITE DES RESULTATS OBTENUS .

1.9.4 . " SYSTEMES SILICIUM SUR ISOLANT COMBINES AVEC BASSE TEMPERATURE " ( REF . 370 : B/84 )

DANS CE PROJET , ON SE SERVIRA D'UN CERTAIN NOMBRE DE TECHNIQUES QUE L'ON COMBINERA AFIN D'OBTENIR DES COUCHES MONOCRISTALINES DE BONNE QUALITE D'UNE EPAISSEUR VARIANT ENTRE 0,5 MICRON ET 50 MICRON POUR TOUTE UNE SERIE D'APPLICATIONS . CES TECHNIQUES CONCERNENT A LA FOIS LE SILICIUM SUR ISOLANT ( SOI ) ET LE SILICIUM SUR SAPHIR ( SOS ) POUR CIRCUITS INTEGRES A HAUTE PERFORMANCE , ET EGALEMENT POUR DES SOLUTIONS DE REMPLACEMENT AU PROCEDE ACTUEL D'ISOLATION DIELECTRIQUE ( DI ) QUI EST PEU COMMODE .

1.9.5 . " PROCEDE BIPOLAIRE CMOS A HAUTE PERFORMANCE POUR CIRCUITS VLSI " ( REF . 412 : A/84 )

CE PROJET VISE LE DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE VLSI QUI COMBINE SUR UNE SEULE MICROPLAQUETTE LA CIRCUITERIE MOS DE LA PLUS FORTE DENSITE ACTUELLEMENT POSSIBLE AVEC CIRCUITERIE BIPOLAIRE DE DENSITE ANALOGUE , MAIS MIEUX APPROPRIEE A DES TACHES SPECIFIQUES , NOTAMMENT L'INTERFACE AVEC L'EQUIPEMENT EXTERNE . DANS CE PROJET , L'EFFORT PRINCIPAL PORTERA SUR LE COTE TECHNOLOGIQUE : DEVELOPPEMENT DE METHODES QUI PERMETTENT DE FABRIQUER DES TRANSISTORS BIPOLAIRES ET MOS DANS DES ETAPES DE PROCEDE COMPATIBLES ET CELA JUSQU'A DES DIMENSIONS COMPARABLES A CELLES QUE L'ON OBTIENT ACTUELLEMENT AVEC LA TECHNOLOGIE MOS . PARALLELEMENT A CES TRAVAUX TECHNOLOGIQUES , IL CONVIENDRA D'ELABORER DES METHODES CONCEPTUELLES ADAPTEES AU TYPE SPECIFIQUE DE CIRCUITERIE ENVISAGEE , EN MEME TEMPS QU'UNE ETUDE QUI DETERMINERA , POUR DIVERS TYPES D'APPLICATION , LA DIVISION LA PLUS APPROPRIEE DES SOUS-SYSTEMES ENTRE LES DEUX TECHNOLOGIES DE CIRCUIT .

1.9.6 . " AMELIORATION DU RENDEMENT ET DE LA PERFORMANCE DES CIRCUITS INTEGRES PAR CENTRAGE CONCEPTUEL " ( REF . 456 : B/84 )

CE PROJET APPLIQUERA LA NOUVELLE METHODE DE CENTRAGE CONCEPTUEL EN VUE D'OPTIMISER LA PERFORMANCE DES CIRCUITS INTEGRES . UN PROGRAMME EXISTANT DE CENTRAGE CONCEPTUEL ET UN PROGRAMME D'AMELIORATION DE LA PERFORMANCE DES CIRCUITS SERONT OPTIMISES ET ADAPTES AUX PROBLEMES SPECIAUX QUE POSE LA CONCEPTION DES CIRCUITS VLSI . LES PARTIES DE PROGRAMME A DEVELOPPER DOIVENT COMPORTER L'ENTRE SCHEMATIQUE , LA SORTIE DES RESULTATS PERTINENTS ET UNE AMELIORATION DE LA STRATEGIE DE RECHERCHE AFIN DE REDUIRE FINALEMENT LE TEMPS D'UTILISATION DU PROCESSEUR EN AUGMENTANT SI CELA EST NECESSAIRE LES BESOINS EN MEMOIRE . LE PROGRAMME DEVRA ETRE D'UN MANIEMENT FACILE ET SERA FINALEMENT ESSAYE SUR DIVERS CIRCUITS INTEGRES FOURNIS PAR LES SOCIETES .

1.9.7 . " SUBSTRATS POUR TECHNOLOGIE VLSI CMOS " ( REF . 509 : B/84 )

PREMIERE PARTIE

ETABLIR UN PROCEDE INTRINSEQUE DE GETTERISATION ( IG ) POUR MICROPLAQUETTES AVEC CONCENTRATION MOYENNE D'OXYGENE . LE PROCEDE DOIT ETRE INDEPENDANT DU TYPE , P OU N , DU SUBSTRAT ET DOIT POUVOIR PRODUIRE :

- UNE REGION GLOBALE TRES DEFECTUEUSE ,

- UNE ZONE DENUDEE EXEMPTE DE DEFAUT .

UNE EPAISSEUR DE CETTE ZONE DE L'ORDRE DE 10-20 MICRONS EST CONSIDEREE COMME UN COMPROMIS OPTIMAL DE PLUSIEURS FACTEURS ( COURANT DE FUITE , INSENSIBILITE A L'EFFET DE VERROUILLAGE ET A L'ERREUR TEMPORAIRE ) .

DEUXIEME PARTIE

CARACTERISER DES MICROPLAQUETTES EPITAXIALES D'UN DIAMETRE DE 4 ET 6 POUCES . L'EPAISSEUR DE LA COUCHE EPITAXIALE SERA COMPRISE ENTRE 5 ET 10 MICRONS , POUR DES SUBSTRATS P+ ET N+ . CETTE GAMME D'EPAISSEURS CONVIENT AU CMOS SUBMICRONIQUE . LES PROCEDES IG ET EPITAXIAUX DOIVENT FINALEMENT RIVALISER POUR DONNER DES MICROPLAQUETTES EPITAXIALES A GETTERISATION INTRINSEQUE , A FAIBLE COURANT DE FUITE POUR DISPOSITIFS CMOS SUBMICRONIQUE INSENSIBLES AUX ERREURS TEMPORAIRES .

1.9.8 . " DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS QUANTIQUES " ( REF . 514 : B/84 )

IL EST PREVU :

1 . D'EXPLORER DES STRUCTURES DE DISPOSITIFS OU LES PORTEURS SONT CONTROLES DANS ET ENTRE LES COUCHES PAR DES CHAMPS ELECTRIQUES IMPOSES PAR DES REGIONS IMPLANTEES/DIFFUSEES , OU PAR DES STRUCTURES DE PORTE A CONFIGURATION SPECIALE ( PAR EXEMPLE DOIGTS INTERPOSES AVEC ESPACEMENT SUBMICRONIQUE ) ET ,

2 . D'APPUYER CE PROGRAMME PAR DES ETUDES THEORIQUES DE LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS ET DES EFFETS ELECTRONIQUES ET OPTO-ELECTRONIQUES DANS DE NOUVELLES STRUCTURES .

1.9.9 . " ETABLISSEMENT DU PROFIL DE DOPAGE DES STRUCTURES SUBMICRONIQUES " ( REF . 519 : B/84 )

LE BUT DE CE PROJET EST LA REALISATION DES CAPACITES POUR LA DETERMINATION PRECISE DE PROFILS DE DOPAGE PEU PROFONDES UTILISES DANS LES DISPOSITIFS SUBMICRONIQUES . POUR Y PARVENIR , ON PROPOSE DE DEVELOPPER UNE TECHNIQUE ELECTRIQUE , A SAVOIR LA RESISTANCE DISTRIBUEE , ET DE LA COMPARER A DEUX AUTRES METHODES NON ELECTRIQUES , A SAVOIR LA SPECTROMETRIE DE MASSE DES IONS SECONDAIRES ( SIMS ) ET LA RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ( RBS ) .

LE PROJET METTRA ESSENTIELLEMENT L'ACCENT SUR LE DEVELOPPEMENT ET L'UTILISATION DE LA TECHNIQUE DE LA RESISTANCE DISTRIBUEE , LES AUTRES TECHNIQUES SERVANT ESSENTIELLEMENT A DES FINS COMPARATIVES . CETTE METHODE DONNERA EGALEMENT LES DONNEES PERMETTANT DE MIEUX COMPRENDRE LA CINETIQUE DE DIFFUSION A OBTENIR . EN OUTRE , LES TRAVAUX SERONT AXES SUR L'ETABLISSEMENT DES PROFILS DU BORE , DU PHOSPHORE , DE L'ARSENIC ET DE L'ANTIMOINE ET S'INTERESSERONT EGALEMENT A L'UTILISATION ET A L'EVALUATION DE NOUVELLES METHODES DE RECUIT , TELLES QUE LE RECUIT PAR RUBAN CHAUFFANT ET LE RECUIT FLASH .

1.9.10 . " ATTAQUE AU MOYEN D'UN PLASMA A HAUTE RESOLUTION DANS LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS - PRINCIPES FONDAMENTAUX , PROCEDE ET EQUIPEMENT " ( REF . 574 : B/84 )

DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS AU SILICIUM ET DU GROUPE III/V , ON RECONNAIT GENERALEMENT DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE QUE L'ATTAQUE AU MOYEN D'UN PLASMA JOUERA UN ROLE VITAL POUR PARVENIR A UNE TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE . IL RESTE CEPENDANT BEAUCOUP A FAIRE POUR COMPRENDRE LA CHIMIE ET LA PHYSIQUE COMPLEXES QU'IMPLIQUE L'APPLICATION DE METHODES DE DIAGNOSTIC APPROPRIEES . TANT QUE CE TRAVAIL NE SERA PAS TERMINE , ON NE POURRA PAS EXPLOITER PLEINEMENT LES POSSIBILITES DE L'ATTAQUE AU PLASMA . LE PROGRAMME GENERAL EST NECESSAIREMENT INTERACTIF ET REGROUPE DES CENTRES SPECIALISES EN CHIMIE ET PHYSIQUE DU PLASMA , DES FABRICANTS D'EQUIPEMENTS ET UN FOURNISSEUR DE PRODUITS CHIMIQUES A L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE . COLLECTIVEMENT , LES PARTICIPANTS POSSEDENT UNE COMBINAISON UNIQUE DE CONNAISSANCES ET D'INSTALLATIONS QUI LEUR ASSURERA LE SUCCES DANS CE VASTE PROGRAMME .

POUR ATTEINDRE LES OBJECTIFS DU PROGRAMME , UNE SERIE DE PROJETS EST NECESSAIRE . EN PARTICULIER , POUR REALISER LE PROCEDE A DES DIMENSIONS DE 0,5 MICRONS ET MOINS , LES DOMAINES SUIVANTS DOIVENT ETRE TRAITES ET CES PROPOSITIONS DEVRONT DEBOUCHER SUR LA FOURNITURE DE RESULTATS SELON LE MEME SCHEMA QUE DANS LES PROGRAMMES 1.1 ET 1.2 .

A ) LITHOGRAPHIE A 0,5 MICRON AVEC UNE CAPACITE DE PRODUCTION ET UN DEVELOPPEMENT DES RESINES PHOTOSENSIBLES ASSOCIE COMPATIBLES AVEC LES PROCEDES DE LA GRAVURE SECHE

B ) GRAVURE ANISOTROPE DE PLAQUETTES AYANT UN DIAMETRE QUI PEUT ATTEINDRE 150 MM AVEC UNE EPAISSEUR DE TRAIT DE 0,5 MICRON ( REACTIVE ION ETCHUG-RIE , REACTIVE ION-BEAM ETCHUG-RIBE , ETC . )

C ) TECHNIQUES PERMETTANT LA REDONDANCE POUR DE TRES GRANDS CIRCUITS INTEGRES

D ) MODELISATION DES PROCEDES ET DISPOSITIFS , Y COMPRIS LA VERIFICATION EXPERIMENTALE .

D'AUTRES PROPOSITIONS DE THEMES DE RECHERCHE DE TYPE B SERONT LES BIENVENUES . LES LISTES SUIVANTES SONT DONNEES A TITRE INDICATIF , MAIS NE SONT PAS EXHAUSTIVES . LES THEMES POSSIBLES AYANT TRAIT A LA VLSI SONT LES SUIVANTS :

- MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

- TECHNOLOGIE DES RESINES PHOTOSENSIBLES

- ATTAQUE AU PLASMA ET ATTAQUE IONIQUE REACTIVE

- IMPLANTATION IONIQUE

- TECHNOLOGIE DE LA DEPOSITION PHOTO-ASSISTEE

- TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE DES COUCHES ( FAISCEAU ELECTRONIQUE , LASER , IMPULSION THERMIQUE , ETC . )

- METALLISATION : CONDUCTEURS SILICIDE , NOUVEAUX MATERIAUX , NOUVELLES METHODES DE TRAITEMENT

- ISOLATEURS ORGANIQUES

- TESTS A HAUTE VITESSE SUR LA PLAQUETTE

- TECHNIQUES DE MISE SOUS BOITIER - EN GRANDE RAPIDITE , MATERIAUX , ETC .

- MODELISATION DES DISPOSITIFS ET DES PROCESSUS DE FABRICATION

- FABRICATION ET CONTROLE AUTOMATISES .

POUR SUPPORTER LES DOMAINES 1.4 ET 1.5 DES SUJETS DU TYPE B PEUVENT ETRE PROPOSES DANS LES SOUS-DOMAINES :

- DE LA CROISSANCE DES GRANDS CRISTAUX D'INP ET DE GAAS ;

- DES ELEMENTS OPTIQUES DE MODELISATION ;

- DES CAD SPECIFIQUES POUR LES CIRCUITS INTEGRES DU TYPE IV-V ;

- DES PROCESSUS TECHNOLOGIQUES DE BASE POUR

- L'EVALUATION DES MATERIAUX ,

- L'IMPLANTATION IONIQUE ET LE RECUIT ,

- LES TECHNIQUES DE GRAVURES SECHES ,

- LES DIELECTRIQUES ET ISOLATEURS ;

- DE LA FIABILITE ;

- DES EQUIPEMENTS SPECIFIQUES .

EN SUPPLEANT UN LARGE DOMAINE DE PROGRAMMES B ET A ENCOURAGER DE MANIERE A SOUTENIR DE NOUVELLES ET PROMETTEUSES TECHNIQUES DANS LE DOMAINE COMPLET DE LA MICROELECTRONIQUE TEL QU'IL EST DEFINI DANS LES PRINCIPAUX PROJETS :

- DE LITHOGRAPHIE ( PHOTO , ELECTRON , RAYONS X , LASER , IONS , ETC . ) ;

- DES ELEMENTS ACTIFS VARIES SUR LA FORTE MOBILITE DES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS ;

- DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES ET DES MECANISMES DE DEFAILLANCES ;

- DE NOUVEAUX MATERIAUX COMPOSES DE SEMICONDUCTEURS , DE NOUVEAUX SEMICONDUCTEURS ET DE NOUVEAUX ( C'EST-A-DIRE EMPILES ) DISPOSITIFS ;

- DE NOUVELLES METHODES D'AFFICHAGE ( POUR LES PANNEAUX PLATS D'AFFICHAGE VOIR SECTION 1.6 ) .

SOUS-PROGRAMME 2

TECHNOLOGIE DU LOGICIEL

1 . INTRODUCTION

LA VERSION 1985 DU PLAN DE TRAVAIL RELATIF AU SOUS-PROGRAMME ESPRIT " TECHNOLOGIE DU LOGICIEL " NE REPRESENTE PAS SEULEMENT UNE ADAPTATION DE LA VERSION 1984 AUX CONCEPTIONS ET AUX TENDANCES TECHNOLOGIQUES ACTUELLES , MAIS ELLE CONSTITUE EGALEMENT UNE TENTATIVE D'AMELIORER LE PLAN DE TRAVAIL EN TANT QU'INSTRUMENT D'EVALUATION ET DE SELECTION DE PROJETS ET EN TANT QUE PRINCIPAL GUIDE TECHNIQUE A LA DISPOSITION DES PROPOSANTS EVENTUELS .

2 . OBJECTIFS ET FINALITE

LA TECHNOLOGIE DU LOGICIEL EST CONSIDEREE COMME L'UNE DES TECHNOLOGIES LES PLUS PROMETTEUSES DE L'INDUSTRIE DE LA TECHNOLOGIE DE L'INFORMATION ( TI ) . LE DEVELOPPEMENT DU LOGICIEL FAIT PARTIE INTEGRANTE DU PROCESSUS DE CONCEPTION DES SYSTEMES ET ON S'ATTEND A CE QU'IL REPRESENTE UN POURCENTAGE PROGRESSIVEMENT PLUS IMPORTANT DE L'EFFORT GLOBAL NECESSAIRE A LA CONCEPTION DE SYSTEMES . DES LORS , ET A CONDITION DE DISPOSER DE METHODES TRES EFFICACES ET RENTABLES AXEES SUR LA PRODUCTION D'UN LOGICIEL FIABLE DE HAUTE QUALITE , ON PARVIENDRA A INTRODUIRE RAPIDEMENT DE NOUVEAUX PRODUITS SUR LE MARCHE ET A REDUIRE LE COUT TOTAL DE LEUR CYCLE DE VIE . DE MANIERE A DEVELOPPER SES LOGICIELS L'EUROPE DOIT POUVOIR ACCEDER LIBREMENT AUX METHODES ET AUX OUTILS LES PLUS PERFORMANTS ET ETRE AU MOINS EN MESURE DE RIVALISER AVEC LE RESTE DU MONDE EN CE QUI CONCERNE LEUR EXPLOITATION .

A L'HEURE ACTUELLE , LES TECHNIQUES EUROPEENNES VALENT PROBABLEMENT LES TECHNIQUES AMERICAINES ET JAPONAISES MAIS LA GRANDE MAJORITE DES CONNAISSANCES TECHNIQUES DEMEURENT CONFINEES DANS D'EMINENTS CENTRES DE RECHERCHE ISOLES ET NECESSITENT , POUR ETRES EMPLOYEES , DES EFFORTS ACCRUS DE COORDINATION ET DE DIFFUSION .

L'OBJECTIF GENERAL DU SOUS-PROGRAMME " TECHNOLOGIE DU LOGICIEL " CONSISTE A ATTEINDRE UN STADE OU LE DEVELOPPEMENT DE SYSTEMES D'INFORMATION ( C'EST-A-DIRE DE PRODUITS INCORPORANT DES SOLUTIONS EN MATERIEL ET EN LOGICIEL ) PRESENTERAIT LES CARACTERISTIQUES D'UN PROCESSUS DE CONCEPTION INDUSTRIELLE ET , DANS UNE PLUS LARGE MESURE , BENEFICIERAIT D'UNE ASSISTANCE PAR ORDINATEUR .

ON CONSIDERE QU'UN OBSTACLE IMPORTANT A L'INTRODUCTION DE METHODES EXISTANTES ET FUTURES RESIDE A LA FOIS DANS LA MECONNAISSANCE - PAR LES CADRES INDUSTRIELS MOYENS - DES AVANTAGES POTENTIELS , INHERENTS A CES METHODES ET DANS LES INVESTISSEMENTS NECESSAIRES A LEUR INTRODUCTION ( FORMATION DU PERSONNEL , ADAPTATION ORGANISATIONNELLE , ETC . ) . CET OBSTACLE EST ENCORE ACCENTUE PAR LA NECESSITE D'OPTER EN FAVEUR D'UNE POLITIQUE DU " RISQUE MINIMAL " EN MATIERE DE LANCEMENT DE NOUVEAUX PROJETS INDUSTRIELS .

TOUTES CES RAISONS FONT QUE LA TECHNOLOGIE DU LOGICIEL S'INTERESSE A UNE NOUVELLE CATEGORIE DE PROJETS . CEUX-CI ENGLOBERONT LES USAGES INDUSTRIELS ( NON PAS LE DEVELOPPEMENT ) DE LA TECHNOLOGIE DU LOGICIEL DANS L'ETAT ACTUEL OU ELLE SE TROUVE . CES PROJETS PEUVENT DEBUTER IMMEDIATEMENT . DANS CETTE CATEGORIE , UN ELEMENT ESSENTIEL DES PROPOSITIONS DE PROJETS DOIT ETRE CONSTITUE PAR LES DEMARCHES D'ANALYSE ET DE DIFFUSION DE L'EFFICACITE DE CES TECHNOLOGIES . L'ACTIVITE PRINCIPALE CONSISTERA A EVALUER LA TECHNOLOGIE DU LOGICIEL PLUTOT QU'A LA DEVELOPPER ( C'EST-A-DIRE ETUDES DE CAS EN COURS D'EXPLOITATION ) . CERTAINS PROJETS DE CE TYPE SONT DECRITS DANS LES SECTEURS R ET D 2.1 , 2.2 ET 2.3 ; D'AUTRES PROPOSITIONS SONT SUGGEREES DANS LA SECTION 2.4 .

3 . DESCRIPTION DU SOUS-PROGRAMME

CONFORMEMENT A LA DIVISION ADMISE DES TACHES DE DEVELOPPEMENT DU LOGICIEL EN TROIS SECTEURS CLES ( CF . EGALEMENT LE PLAN DE TRAVAIL 1984 ) , LE SOUS-PROGRAMME LOGICIEL COMPREND TROIS SECTEURS PRINCIPAUX DE R ET D :

THEORIES , METHODES ET OUTILS ( 2.1 )

LES ACTIVITES DANS CE SECTEUR VISENT A FAVORISER LA TRANSITION VERS UNE APPROCHE DES SYSTEMES ET DU LOGICIEL , DANS UNE PERSPECTIVE D'INGENIEUR . ON ENVISAGE UN SCENARIO DANS LE CADRE DUQUEL DES METHODES SCIENTIFIQUEMENT EPROUVEES SERONT PROGRESSIVEMENT MISES EN OEUVRE EN LIEU ET PLACE DES TECHNIQUES ACTUELLEMENT EN USAGE . EN OUTRE , ON ABORDERA DES APPROCHES PLUS POUSSEES EN MATIERE D'INGENIERIE DES SYSTEMES D'INFORMATION .

GESTION ET ASPECTS INDUSTRIELS ( 2.2 )

LES PROJETS RELEVANT DE CE SECTEUR DOIVENT PERMETTRE A LA FOIS DE RENFORCER LA COMPREHENSION ET CONSTITUER DES MOYENS DE SOUTIEN EFFICACES A LA GESTION ET AUX ASPECTS INDUSTRIELS DES PROJETS LOGICIELS . CES ASPECTS COMPRENNENT LES PROBLEMES PLUS VASTES INHERENTS AU CYCLE DE VIE DU PRODUIT LOGICIEL TEL QU'IL EXISTE DANS L'INDUSTRIE DES SYSTEMES DE LOGICIELS ET D'INFORMATION ET EGALEMENT LES PROBLEMES LIES A LA GESTION DES PROJETS .

ENVIRONNEMENT COMMUN ( 2.3 )

LES PROJETS PREVUS DANS CE SECTEUR VISENT A DEVELOPPER UN ENVIRONNEMENT COMMUN A UTILISER :

- EN TANT QU'ENVIRONNEMENT INITIAL DE DEVELOPPEMENT DE LOGICIEL ,

- EN TANT QUE BASE DE DEVELOPPEMENT D'UN ENVIRONNEMENT DE GENIE LOGICIEL ENTIEREMENT INTEGRE .

D'AUTRES PROJETS DEVRONT SERVIR DE BASE A LA CONSTITUTION DES ENVIRONNEMENTS PLUS AVANCES DU FUTUR .

UNE QUATRIEME SECTION ( 2.4 ) DU SOUS-PROGRAMME CONCERNE LA NECESSITE DE METTRE EN OEUVRE DES PROJETS DE DEMONSTRATION ET D'EVALUATION .

LES PROJETS QUI DOIVENT ETRE EXECUTES DANS LE SOUS-PROGRAMME " TECHNOLOGIE DU LOGICIEL " SE PROPOSENT , EN ETABLISSANT UNE COLLABORATION ENTRE LES CENTRES DE RECHERCHES , LES FABRICANTS D'OUTILS-LOGICIELS ET LES UTILISATEURS INDUSTRIELS , DE DONNER A L'INDUSTRIE EUROPEENNE DE LA TECHNOLOGIE DU LOGICIEL LA MEILLEURE POSITION POSSIBLE VIS-A-VIS DE SES COMPETITEURS .

DANS LE CYCLE GENERAL D'ACTIVITES , DONT LE BUT EST D'AMELIORER LES BASES TECHNOLOGIQUES DU LOGICIEL , TROIS PHASES PEUVENT ETRE DISCERNEES , COMME IL EST INDIQUE CI-DESSOUS ( CHAQUE TYPE DE COLLABORATEUR APPORTANT UNE CONTRIBUTION DIFFERENTE SELON LA PHASE CONSIDEREE ) .

- RECHERCHES THEORIQUES ET EMPIRIQUES

DANS CETTE PHASE L'OBJECTIF DES PROJETS EST DE PROMOUVOIR UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE LA NATURE DES PROCESSUS DE CONSTRUCTION DU LOGICIEL TOUT EN TENANT COMPTE DU CONTEXTE ECONOMIQUE ET DES THEORIES MATHEMATIQUES ET INFORMATIQUES SOUS-ADJACENTES . L'APPLICATION INDUSTRIELLE DES RECHERCHES SERA CONFIRMEE PAR L'ELABORATION DE PROTOTYPES ET D'APPLICATION PILOTES .

- DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE DE BASE

LES PROJETS DE CETTE PHASE SONT RELATIFS AU DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE ( METHODES ET OUTILS ) ACCEPTABLE INDUSTRIELLEMENT QUI EXPLOITERA LES PROGRES DANS LE DOMAINE DE LA COMPREHENSION THEORIQUE . CETTE PHASE EXIGE LA PLUS ETROITE COLLABORATION ET LA PLUS IMPORTANTE MOBILISATION DES RESSOURCES . POUR COMPENSER CES EXIGENCES CETTE PHASE IMPOSE L'ADOPTION D'UNE ARCHITECTURE D'OUTILS MISE EN COMMUN DE MANIERE A ASSURER UNE APPLICATION ELARGIE ET , SELON LES EXIGENCES LOCALES , LA PORTABILITE DES OUTILS .

- APPLICATIONS INDUSTRIELLES

CETTE PHASE EST CONCERNEE PAR L'APPLICATION INDUSTRIELLE DE LA TECHNOLOGIE DEVELOPPEE DANS LA SECONDE PHASE . UNE COLLABORATION DANS CETTE PHASE EST EXIGEE DE MANIERE A CONTROLER A LA FOIS L'INTRODUCTION DE LA TECHNOLOGIE , L'IMPACT QUE CETTE TECHNOLOGIE A SUR LA NATURE DES PROCESSUS DE CREATION DES LOGICIELS , LES IMPLICATIONS AU NIVEAU DES TRAVAUX THEORIQUES ET EMPIRIQUES FUTURS . C'EST AINSI QUE LE CYCLE RECOMMENCERA .

LES PROJETS A L'INTERIEUR DU SOUS-PROGRAMME 2 AURONT LES CARACTERISTIQUES D'UNE OU DE PLUSIEURS DES PHASES SUSMENTIONNEES ET DOIVENT DE PLUS ETRE ESTIMES EN TENANT COMPTE DES CRITERES APPROPRIES DEFINIS DANS CES PHASES . CERTAINS DE CES CRITERES SONT DONNES A TITRE D'EXEMPLE CI-DESSOUS .

- RECHERCHES THEORIQUES ET EMPIRIQUES

NOUVEAUTE , PROGRESSION DE L'ETAT DE L'ART , ACCROISSEMENT DE LA COMPREHENSION DU PROCESSUS DE CONSTRUCTION DU LOGICIEL , ETC .

- DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE DE BASE

ACCEPTATION DE LA PART DES INDUSTRIELS , IMPACTS ACTUELS SUR L'ECONOMIE DU LOGICIEL , COMPATIBILITE DE FONCTIONNEMENT AVEC LES PRATIQUES INDUSTRIELLES ACTUELLES , POSSIBILITES D'APPLICATIONS ELARGIES , D'ADAPTATION , DE CONFORMITE AUX NORMES , D'INTEGRATION AVEC D'AUTRES DEVELOPPEMENTS D'OUTILS , ETC .

- APPLICATIONS INDUSTRIELLES

IMPACT SUR LES RECHERCHES FUTURES , SUR LES NORMES D'OUTILS , SUR LA FORMATION ET SUR L'APPROCHE GENERALE DONT LE BUT EST DE CHANGER LA TECHNOLOGIE DE BASE DU SECTEUR INDUSTRIEL CONSIDERE , SUR LA GENERALISATION ET LA DISSEMINATION DES RESULTATS , ETC .

AFIN D'OPTIMISER LES AVANTAGES INDUSTRIELS INHERENTS AU DEVELOPPEMENT ET A L'INTRODUCTION DE NOUVELLES TECHNOLOGIES , LE SOUS-PROGRAMME ESPRIT " TECHNOLOGIE DU LOGICIEL " NE SE BORNE PAS A ASSURER LE PARRAINAGE D'APPROCHES RADICALEMENT NEUVES SOUS LA FORME D'ACTIVITES DE RECHERCHE DONT LA MATURATION NECESSITERAIT EVENTUELLEMENT PLUSIEURS ANNEES , MAIS STIMULE EGALEMENT LE DEVELOPPEMENT CONCERTE D'UNE TECHNOLOGIE ACCEPTABLE AU NIVEAU INDUSTRIEL ET QUI EXPLOITE LES CONNAISSANCES EXISTANTES AU FUR ET A MESURE QU'ELLES MURISSENT . BIEN QUE CONTRAINT A DEMEURER PRECOMPETITIF , CE SOUS-PROGRAMME ENCOURAGE L'INTRODUCTION DE CETTE TECHNOLOGIE DANS L'INDUSTRIE ET EVALUE SON IMPACT SUR LES UTILISATEURS INDUSTRIELS .

4 . TRAVAUX ACTUELS ET NOUVEAUX PROJETS POUR 1985

ON CONSIDERE GENERALEMENT QUE L'INDUSTRIALISATION DU DEVELOPPEMENT DU LOGICIEL S'EFFECTUERA PAR LE BIAIS DE LA MISE EN PLACE D'ENVIRONNEMENTS INTEGRES SOUTENANT LES PROJETS . IL S'AGIT DONC DE REGROUPEMENTS D'OUTILS ET DE METHODES BASES SUR L'INFORMATIQUE , QUI SONT CONCUS POUR INTERAGIR ET POUR PROMOUVOIR TOUS LES ASPECTS TECHNIQUES ET GESTIONNELS DU PROCESSUS LOGICIEL . DANS LEURS ETATS ACTUELS , LES TRAVAUX ESPRIT CONSITUENT UNE BONNE COUVERTURE DE BASE DES INSTRUMENTS ET DES ENVIRONNEMENTS MAIS IL IMPORTE DE POURSUIVRE LE SOUTIEN DE PROJETS PERMETTANT LA MISE AU POINT DETAILLEE DES OPERATIONS ET COUVRANT DAVANTAGE LES SECTEUR