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RÈGLEMENT (CEE) No 397/83 DE LA COMMISSION

du 17 février 1983

modifiant le règlement (CEE) no 3744/81 du Conseil en ce qui concerne la liste des projets qui bénéficieront de l'aide communautaire et l'annexe

LA COMMISSION DES COMMUNAUTÉS

EUROPÉENNES,

vu le traité instituant la Communauté économique européenne,

vu le règlement (CEE) no 3744/81 du Conseil, du 7 décembre 1981, concernant des actions communautaires dans le domaine de la technologie micro-électronique (1), et notamment son article 4 paragraphe 4,

considérant que, depuis l'adoption du règlement (CEE) no 3744/81, le progrès technologique a fait apparaître la nécessité d'élargir les objectifs des activités de recherche et de développement pour que l'industrie micro-électronique communautaire parvienne à un bon équilibre entre conception et capacité de production;

considérant que les ressources financières disponibles, après attribution des crédits aux projets susceptibles de bénéficier d'une aide en 1982, semblent suffisantes pour entamer quelques activités nouvelles;

considérant que le comité consultatif pour les actions communautaires dans le domaine de la technologie micro-électronique a émis un avis favorable,

A ARRÊTÉ LE PRÉSENT RÈGLEMENT:

Article premier

Le règlement (CEE) no 3744/81 du Conseil est modifié comme suit:

1. À l'article 4 paragraphe 1, la liste des projets qui bénéficieront de l'aide communautaire est remplacée par le texte suivant:

« I. Équipement pour lithographie avancée

II. Équipement pour traitement chimique par voie sèche et traitement physique du silicum et des matériaux III-V (trois-cinq)

III. Équipement d'essai, de manipulation, de montage et de conditionnnement des circuits intégrés

IV. Conception assistée par ordinateur (CAO) pour circuits à très haut niveau d'intégration (VLSI)

1. architecture

2. langage et structure des données

3. essais

4. modélisation des dispositifs. »

2. L'addendum suivant est ajouté à l'annexe.

« ADDENDUM

Les indications suivantes constituent des lignes directrices pour les proposants et ne restreignent nullement la liberté de choix de leurs projets.

Lorsque des caractéristiques techniques ou des spécifications de performance sont données, elles représentent des conditions minimales.

Les équipements dont la mise au point bénéficie déjà d'un soutien n'entreront en ligne de compte qu'à titre exceptionnel.

I. Équipement pour lithographie avancée

Ces projets pour ce domaine comprennent ceux énumérés aux points I et II de l'annexe.

II. Équipement pour traitement chimique par voie sèche et traitement physique du silicium et des matériaux III-V (trois-cinq)

Ces projets pour le domaine comprennent ceux énumérés au point III de l'annexe ainsi que les projets indiqués sous a) et b) ci-dessous.

a) Dépôt par jet

Dépôt d'alliages d'aluminium, de métaux réfractaires et de siliciures

Possibilités monocouche et/ou multicouches

Possibilité de jets multiples

Attaque au jet, polarisation du substrat

Dimension de la tranche jusqu'à 6 pouces

Cassette à cassette, tranche unique

Débit: 100 tranches par heure (rapporté à un dépôt d'aluminium d'un micron)

b) Dépôt par vapeur chimique de matériaux isolants, conducteurs ou réfractaires y compris dépôt par plasma, photodépôt et dépôt par faisceau moléculaire. En particulier DVC à basse pression, amélioré par plasma.

Matières:

- verre quartzeux dopé au phosphore et au bore

- nitrure de silicium

- métaux réfractaires (sur polysilicone)

- aluminium ou alliages d'aluminium

III. Équipement d'essai, de manipulation, de montage et de conditionnement des circuits intégrés

Les projets pour ce domaine comprennent ceux énumérés au point IV de l'annexe ainsi que ceux indiqués sous a) et b) ci-dessous.

a) Essais au faisceau électronique (MEB plus accessoires et interface avec le système d'essai des circuits)

b) Systèmes de fatigue thermique permettant la réalisation d'essais statiques et dynamiques avec possibilité d'interfaces avec les équipements d'essai des circuits à très haut niveau d'intégration.

IV. Conception assistée par ordinateur (CAO) pour circuits à très haut niveau d'intégration (VLSI)

Ce domaine de projet comprend le point V de l'annexe. »

Article 2

Le présent règlement entre en vigueur le jour de sa publication au Journal officiel des Communautés européennes.

Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre.

Fait à Bruxelles, le 17 février 1983.

Par la Commission

Étienne DAVIGNON

Vice-président

(1) JO no L 376 du 30. 12. 1981, p. 38.