3A001

Biens électroniques, comme suit: a. Circuits intégrés d’usage général, comme suit: Note: Les circuits intégrés comprennent les types suivants: — «circuits intégrés monolithiques»; — «circuits intégrés hybrides»; — «circuits intégrés à multipuces»; — «circuits intégrés à film», y compris les circuits intégrés silicium sur saphir; — «circuits intégrés optiques»; — «circuits intégrés tridimensionnels»; — «circuits intégrés monolithiques hyperfréquences» («MMIC»). 1. Circuits intégrés conçus ou prévus comme circuits résistants aux radiations pour supporter un des éléments suivants: a. une dose totale de 5 × 103 Gy (silicium) ou plus; b. un débit de dose de 5 × 106 Gy (silicium)/s ou plus; ou c. une fluence (flux intégré) de neutrons (1 MeV équivalent) de 5 × 1013 n/cm2 ou plus sur le silicium, ou son équivalent pour d’autres matériaux; Note: L’alinéa 3A001.a.1.c. ne vise par les métal-isolant-semi-conducteurs (MIS). 2. «Microcircuits microprocesseurs», «microcircuits micro-ordinateurs», microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d’un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, circuits intégrés qui contiennent des convertisseurs analogique-numérique et stockent ou traitent les données numérisées, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et «circuits intégrés optiques» pour le «traitement du signal», dispositifs logiques programmables par l’utilisateur, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction soit le statut de l’équipement dans lesquels ils seront utilisés n’est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires vives statiques (SRAM) ou «mémoires non volatiles», comme suit: a. prévus pour fonctionner à une température ambiante supérieure à 398 K (125 °C); b. prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 218 K (-55 °C); ou c. prévus pour fonctionner dans toute la gamme de températures ambiantes comprise entre 218 K (-55 °C) et 398 K (125 °C); Note: L’alinéa 3A001.a.2. ne vise pas les circuits intégrés conçus pour les automobiles ou les trains civils. Note technique: Les «mémoires non volatiles» sont des mémoires qui conservent les données pendant une certaine période de temps après l’arrêt de l’alimentation électrique. 3. «Microcircuits microprocesseurs», «microcircuits microcalculateurs» et microcircuits de microcommande, fabriqués à partir d’un semi-conducteur composé et fonctionnant à une fréquence d’horloge supérieure à 40 MHz; Note: L’alinéa 3A001.a.3. comprend les processeurs de signaux numériques, les processeurs matriciels numériques et les coprocesseurs numériques. 4. non utilisé; 5. Circuits intégrés convertisseurs analogique-numérique (CAN) et numérique-analogique (CNA), comme suit: a. CAN présentant l’une des caractéristiques suivantes: N.B. VOIR ÉGALEMENT 3A101 1. résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 1,3 giga échantillons par seconde (GSPS); 2. résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 600 méga échantillons par seconde (MSPS); 3. résolution de 12 bits ou plus mais inférieure à 14 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 400 MSPS; 4. résolution de 14 bits ou plus mais inférieure à 16 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 250 MSPS; ou 5. résolution de 16 bits ou plus avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 65 MSPS; N.B. Pour les circuits intégrés qui contiennent des convertisseurs analogique-numérique et stockent ou traitent les données numérisées, voir 3A001.a.14. Notes techniques: 1. Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux. 2. La résolution du CAN est le nombre de bits de la sortie numérique qui représente l’entrée analogique mesurée. Le nombre de bits effectifs (ENOB) n’est pas utilisé pour déterminer la résolution du CAN. 3. Pour les «CAN multicanaux», la «fréquence d’échantillonnage» n’est pas agrégée et la «fréquence d’échantillonnage» est la fréquence maximale d’un quelconque canal pris séparément. 4. Pour les «CAN entrelacés» ou pour les «CAN multicanaux» dont il est spécifié qu’ils fonctionnent en mode entrelacé, les «fréquences d’échantillonnage» sont agrégées et la «fréquence d’échantillonnage» est la fréquence totale maximale combinée de tous les canaux entrelacés. b. Convertisseurs numériques-analogiques (CNA) présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec une «vitesse de conversion» excédant 3 500 MSPS; ou 2. résolution de 12 bits ou plus et présentant une des caractéristiques suivantes: a. une «vitesse de conversion» supérieure à 1 250 MSPS mais n’excédant pas 3 500 MSPS, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. un temps d’établissement inférieur à 9 ns pour parvenir à la pleine échelle ou à 0,024 % de celle-ci, lors d’une transition de pleine échelle; ou 2. une «dynamique de modulation sans parasites» (SFDR) supérieure à 68 dBc (porteuse) lors de la synthétisation d’un signal analogique à pleine échelle de 100 MHz ou la fréquence de signal analogique à pleine échelle la plus élevée qui ait été spécifiée sous les 100 MHz. ou b. une «vitesse de conversion» supérieure à 3 500 MSPS; Notes techniques: 1. La «dynamique de modulation sans parasites» (SFDR) se définit comme le rapport entre la valeur RMS de la fréquence porteuse (composante maximale du signal) à l’entrée dans le CNA et la valeur RMS du bruit le plus fort suivant ou de la composante de distorsion harmonique à sa sortie. 2. La SFDR est déterminée directement à partir du tableau des spécifications ou des graphiques de caractérisation de la SFDR par rapport à la fréquence. 3. Un signal est dit à pleine échelle lorsque son amplitude est supérieure à -3 dBfs (pleine échelle). 4. «vitesse de conversion» pour les CNA: a. pour les CNA conventionnels (non entrelacés), la «vitesse de conversion» est la vitesse à laquelle le signal numérique est converti en un signal analogique et les valeurs analogiques de sortie sont modifiées par le CNA. Pour les CNA dans lesquels le mode entrelacé peut être contourné (facteur d’entrelacement égal à un), le CNA devrait être considéré comme un CNA conventionnel (non entrelacé); b. pour les CNA entrelacés (CNA suréchantillonneurs), la «vitesse de conversion» se définit comme la vitesse de conversion du CNA divisée par le plus petit facteur d’entrelacement. Pour les CNA entrelacés, la «vitesse de conversion» peut être nommée des différentes manières suivantes: — débit de données en entrée — débit de mots en entrée — fréquence d’échantillonnage en entrée — débit total maximal du bus d’entrée — fréquence d’horloge maximale pour l’entrée de l’horloge du CNA. 6. circuits intégrés électro-optiques et «circuits intégrés optiques» conçus pour le «traitement de signal», et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. une ou plusieurs diodes «laser» internes; b. un ou plusieurs photodétecteurs internes; et c. des guides d’onde optiques; 7. réseaux logiques programmables présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. un nombre maximum d’entrées/sorties numériques monofilaires supérieur à 700; ou b. une «vitesse cumulée de transfert de données du transmetteur en série une voie» égale ou supérieure à 500 Gb/s; Note: L’alinéa 3A001.a.7 inclut: — les dispositifs logiques programmables complexes (CPLD); — les prédiffusés programmables (FPGA); — les réseaux logiques programmables par l’utilisateur (FPLA); — les interconnexions programmables par l’utilisateur (FPIC). N.B. Pour les circuits intégrés qui comportent des dispositifs logiques programmables par l’utilisateur combinés à un convertisseur analogique-numérique, voir 3A001.a.14. Notes techniques: 1. Le nombre maximum d’entrées/sorties numériques mentionné à l’alinéa 3A001.a.7.a. représente également le nombre maximum d’entrées/sorties utilisateur ou le nombre maximum d’entrées/sorties disponibles, que le circuit intégré soit encapsulé ou nu. 2. La «vitesse cumulée de transfert de données du transmetteur en série une voie» correspond au produit de la vitesse de données de ce transmetteur par le nombre de transmetteurs sur le FPGA. 8. non utilisé; 9. circuits intégrés pour réseaux neuronaux; 10. circuits intégrés à la demande dont soit la fonction soit le statut de l’équipement dans lesquels ils seront utilisés n’est pas connu du fabricant, présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. plus de 1 500 sorties; b. «temps de propagation de la porte de base» typique de moins de 0,02 ns; ou c. fréquence de fonctionnement supérieure à 3 GHz; 11. circuits intégrés numériques, autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10. et 3A001.a.12., fabriqués à partir de tout semi-conducteur composé et présentant l’une des deux caractéristiques suivantes: a. nombre de portes équivalent de plus de 3 000 (portes à deux entrées); ou b. fréquence d’inversion supérieure à 1,2 GHz; 12. processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), présentant une durée d’exécution nominale pour une transformée de Fourier rapide de N points complexe inférieure à (N log2 N) /20 480 ms, N étant le nombre de points; Note technique: Lorsque N est égal à 1 024 points, la formule de l’alinéa 3A001.a.12. donne une durée d’exécution de 500 μs. 13. circuits intégrés pour synthétiseur numérique direct présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. une fréquence d’horloge du convertisseur numérique-analogique (CNA) égale ou supérieure à 3,5 GHz, et une résolution CNA égale ou supérieure à 10 bits, mais inférieure à 12 bits; ou b. une fréquence d’horloge égale ou supérieure à 1,25 GHz et une résolution CNA égale ou supérieure à 12 bits; Note technique: La fréquence d’horloge CNA peut être qualifiée de fréquence d’horloge de référence ou fréquence d’horloge d’entrée. 14. Circuits intégrés qui effectuent ou sont programmables pour effectuer toutes les fonctions suivantes: a. conversions analogique-numérique répondant à l’une des conditions suivantes: 1. résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 1,3 giga échantillons par seconde (GSPS); 2. résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 1,0 GSPS; 3. résolution de 12 bits ou plus mais inférieure à 14 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 1,0 GSPS; 4. résolution de 14 bits ou plus mais inférieure à 16 bits, avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 400 méga échantillons par seconde (MSPS); ou 5. résolution de 16 bits ou plus avec une «fréquence d’échantillonnage» supérieure à 180 MSPS; et b. l’une des caractéristiques suivantes: 1. stockage de données numérisées; ou 2. traitement de données numérisées; N.B.1. Pour les circuits intégrés convertisseurs analogique-numérique, voir 3A001.a.5.a. N.B.2. Pour les dispositifs logiques programmables par l’utilisateur, voir 3A001.a.7. Notes techniques: 1. Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux. 2. La résolution du CAN est le nombre de bits de la sortie numérique du CAN qui représente l’entrée analogique mesurée. Le nombre de bits effectifs (ENOB) n’est pas utilisé pour déterminer la résolution du CAN. 3. Pour les circuits intégrés avec des «CAN multicanaux» non entrelacés, la «fréquence d’échantillonnage» n’est pas agrégée et la «fréquence d’échantillonnage» est la fréquence maximale d’un quelconque canal pris séparément. 4. Pour les circuits intégrés avec des «CAN entrelacés» ou des «CAN multicanaux» dont il est spécifié qu’ils fonctionnent en mode entrelacé, les «fréquences d’échantillonnage» sont agrégées et la «fréquence d’échantillonnage» est la fréquence totale maximale combinée de tous les canaux entrelacés. b. biens hyperfréquences ou à ondes millimétriques, comme suit: Note technique: Aux fins de l’alinéa 3A001.b., le paramètre de sortie de puissance de crête saturée peut également être appelé, dans les fiches techniques des produits, puissance de sortie, sortie de puissance saturée, sortie de puissance maximale, sortie de puissance de crête, ou sortie de puissance de crête de modulation. 1. «dispositifs électroniques à vide» et cathodes, comme suit: Note 1: L’alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les «dispositifs électroniques à vide» conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. ne dépasse pas 31,8 GHz; et b. est «allouée par l’UIT» pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage. Note 2: L’alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les «dispositifs électroniques à vide» non «qualifiés pour l’usage spatial» et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. une puissance de sortie moyenne égale ou inférieure à 50 W; et b. conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. dépasse 31,8 GHz mais ne dépasse pas 43,5 GHz; et 2. est «allouée par l’UIT» pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage. a. «dispositifs électroniques à vide» à ondes progressives, à impulsions ou à ondes entretenues, comme suit: 1. dispositifs opérant sur des fréquences supérieures à 31,8 GHz; 2. dispositifs comportant un élément chauffant la cathode ayant un temps de montée inférieur à 3 secondes jusqu’à la puissance HF nominale; 3. dispositifs à cavités couplées, ou leurs dérivés, ayant une «bande passante fractionnelle» de plus de 7 % ou une puissance de crête supérieure à 2,5 kW; 4. dispositifs fonctionnant avec des hélices, des guides d’ondes repliés, des guides d’ondes en serpentin ou leurs dérivés, présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. «bande passante instantanée» de plus d’une octave, et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 0,5 ; b. «bande passante instantanée» d’une octave ou moins et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 1; c. «qualifiés pour l’usage spatial»; ou d. ayant un canon à électrons à grille; 5. dispositifs ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure ou égale à 10 %, présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. un faisceau d’électrons annulaire; b. un faisceau d’électrons non axisymétrique; ou c. de multiples faisceaux d’électrons; b. «dispositifs électroniques à vide» amplificateurs à champs croisés ayant un gain supérieur à 17 dB; c. cathodes thermoélectroniques pour «dispositifs électroniques à vide» produisant une densité de courant en émission dans les conditions de fonctionnement nominales dépassant 5 A/cm2 ou une densité de courant pulsée (non continue) dans les conditions de fonctionnement nominales dépassant 10 A/cm2; d. «dispositifs électroniques à vide» pouvant fonctionner en «bi-mode». Note technique: Le terme «bi-mode» signifie que le faisceau de courant du «dispositif électronique à vide» peut être modifié intentionnellement pour passer d’un fonctionnement en onde entretenue à un fonctionnement en mode pulsé à l’aide d’une grille, la puissance de sortie en crête de modulation obtenue étant supérieure à la puissance de sortie en onde entretenue. 2. amplificateurs à «circuits intégrés monolithiques hyperfréquences» («MMIC») présentant l’une des caractéristiques suivantes: N.B. Pour les amplificateurs «MMIC» ayant un déphaseur intégré, voir 3A001.b.12. a. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 15 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 75 W (48,75 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz; 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 55 W (47,4 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz; 3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 40 W (46 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou 4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 W (43 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz; b. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 16 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 10 W (40 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; ou 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 5 W (37 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; c. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 3 W (34,77 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; d. avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz; e. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 1 W (30 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; f. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 31,62 mW (15 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 43,5 GHz et pouvant atteindre 75 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; g. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 10 mW (10 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 75 GHz et pouvant atteindre 90 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 5 %; ou h. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 90 GHz; Note 1: non utilisé. Note 2: Le statut des «circuits intégrés monolithiques hyperfréquences» dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.h, est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. Note 3: Les notes 1 et 2 figurant au chapitre 3A signifient que l’alinéa 3A001.b.2. ne vise pas les «circuits intégrés monolithiques hyperfréquences» lorsque ceux-ci sont spécialement conçus pour d’autres applications, par exemple: télécommunications, radars, automobiles. 3. transistors hyperfréquences discrets présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, et présentant l’une des caractéristiques suivantes; 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 400 W (56 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz; 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 205 W (53,12 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz; 3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 115 W (50,61 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou 4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 60 W (47,78 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz; b. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, et présentant l’une des caractéristiques suivantes; 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 50 W (47 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 15 W (41,76 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 12 GHz; 3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 40 W (46 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 12 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; ou 4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 7 W (38,45 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz; c. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,5 W (27 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz; d. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 1 W (30 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz; e. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 43,5 GHz; ou f. autres que ceux visés aux alinéas 3A001.b.3.a. à 3A001.b.3.e. et prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 5 W (37,0 dBm) à toutes les fréquences supérieures à 8,5 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz; Note 1: Le statut des transistors visés aux alinéas 3A001.b.3.a. à 3A001.b.3.e. dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.3.a. à 3A001.b.3.e., est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. Note 2: L’alinéa 3A001.b.3. inclut les dés simples, les dés montés sur supports, ou les dés montés sur des ensembles. Certains transistors discrets sont également connus sous le nom d’amplificateurs de puissance; toutefois, le statut de ces transistors discrets est défini à l’alinéa 3A001.b.3. 4. amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences et ensembles/modules comportant des amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences, présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 15 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 500 W (57 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz; 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 270 W (54,3 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz; 3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 200 W (53 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou 4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 90 W (49,54 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz; b. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 70 W (48,54 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 50 W (47 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 12 GHz; 3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 30 W (44,77 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 12 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; ou 4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 W (43 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz; c. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,5 W (27 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz; d. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 2 W (33 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; e. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 43,5 GHz et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,2 W (23 dBm) à une quelconque fréquence supérieure 43,5 GHz et pouvant atteindre 75 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 10 %; 2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 mW (13 dBm) à une quelconque fréquence supérieure 75 GHz et pouvant atteindre 90 GHz, et ayant une «bande passante fractionnelle» supérieure à 5 %; ou 3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 90 GHz; ou f. non utilisé; N.B.1. Pour les amplificateurs «MMIC», voir 3A001.b.2. N.B.2. Pour les «modules de transmission/réception» et les «modules de transmission», voir 3A001.b.12. N.B.3. Pour les convertisseurs et mélangeurs harmoniques conçus pour étendre la gamme de fonctionnement ou la gamme de fréquences des analyseurs de signaux, des générateurs de signaux, des analyseurs de réseaux ou des récepteurs d’essai hyperfréquences, voir l’alinéa 3A001.b.7. Note 1: non utilisé. Note 2: Le statut des produits dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.4.a. à 3A001.b.4.e., est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. 5. filtres passe-bande ou coupe-bande accordables électroniquement ou magnétiquement, comportant plus de 5 résonateurs accordables capables de s’accorder sur une bande de fréquences de 1,5 :1 (fmax/fmin) en moins de 10 μs et présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. bande passante de plus de 0,5 % de la fréquence centrale; ou b. bande de réjection de moins de 0,5 % de la fréquence centrale; 6. non utilisé; 7. convertisseurs et mélangeurs harmoniques présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. conçus pour étendre la gamme de fréquences des «analyseurs de signaux» au-delà de 90 GHz; b. conçus pour étendre la gamme de fonctionnement des générateurs de signaux comme suit: 1. au-delà de 90 GHz; 2. à une puissance de sortie supérieure à 100 mW (20 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; c. conçus pour étendre la gamme de fonctionnement des analyseurs de réseaux comme suit: 1. au-delà de 110 GHz; 2. à une puissance de sortie supérieure à 31,62 mW (15 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 43,5 GHz et 90 GHz; 3. à une puissance de sortie supérieure à 1 mW (0 dBm) partout dans la gamme de fréquences comprise entre 90 GHz et 110 GHz; ou d. conçus pour étendre la gamme de fréquences des récepteurs d’essai hyperfréquences au-delà de 110 GHz; 8. amplificateurs de puissance hyperfréquences contenant des «dispositifs électroniques à vide» visés à l’alinéa 3A001.b.1. et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. fonctionnement à des fréquences supérieures à 3 GHz; b. rapport de la puissance de sortie moyenne sur la masse supérieur à 80 W/kg; et c. volume inférieur à 400 cm3; Note: L’alinéa 3A001.b.8. ne vise pas les équipements conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque «allouée par l’UIT» pour les services de radiocommunications, mais pas pour la radiolocalisation. 9. modules de puissance hyperfréquences comprenant au moins un «dispositif électronique à vide» à ondes progressives, un «circuit intégré monolithique hyperfréquences» («MMIC») et un conditionneur électronique de puissance intégré et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. «temps de montée» inférieur à 10 secondes; b. volume inférieur à la puissance nominale maximum en watts multipliée par 10 cm3/W; et c. «bande passante instantanée» de plus d’une octave (fmax > 2fmin) et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. pour les fréquences égales ou inférieures à 18 GHz, une puissance de sortie RF supérieure à 100 W; ou 2. une fréquence supérieure à 18 GHz; Notes techniques: 1. Aux fins du calcul du volume visé à l’alinéa 3A001.b.9.b., il est fourni l’exemple suivant: pour une puissance nominale maximum de 20 W, le volume serait de: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Le «temps de montée» visé à l’alinéa 3A001.b.9.b. désigne le temps compris entre l’arrêt complet et la disponibilité totale, c’est-à-dire qu’il comprend le temps de préchauffage du module. 10. Oscillateurs ou ensembles d’oscillateurs prévus pour fonctionner avec un bruit de phase en bande latérale unique (BLU), exprimé en dBc/Hz, inférieur à (meilleur que) -(126 + 20log10F - 20log10f) à tout point de la plage de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Note technique: À l’alinéa 3A001.b.10., F représente le décalage par rapport à la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz et f la fréquence de fonctionnement exprimée en MHz. 11. «Ensembles électroniques»«synthétiseurs de fréquences» ayant un «temps de commutation de fréquence» présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. inférieur à 143 ps; b. inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 4,8 GHz et 31,8 GHz; c. non utilisé; d. inférieur à 500 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 31,8 GHz et 37 GHz; e. inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 37 GHz et 90 GHz; ou f. non utilisé; g. inférieur à 1 ms dans la gamme de fréquences synthétisées supérieure à 90 GHz; Note technique: Un «synthétiseur de fréquence» est tout type de source de fréquence, indépendamment de la technique effectivement utilisée, fournissant, à partir d’une ou de plusieurs sorties, de multiples fréquences de sortie simultanées ou sélectionnables, commandées par, dérivées de ou assujetties à un nombre moindre de fréquences étalons (ou pilotes). N.B. À des fins générales, «analyseurs de signaux», générateurs de signaux, analyseurs de réseaux et récepteurs d’essai hyperfréquences, voir 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. et 3A002.f. respectivement. 12. «modules de transmission/réception», «MMIC de transmission/réception», «modules de transmission» et «MMIC de transmission» prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. une sortie de puissance de crête saturée (en watts), Psat, supérieure à 505,62 divisé par la fréquence de fonctionnement maximale (en GHz) au carré [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] pour n’importe quel canal; b. une «bande passante fractionnelle» de 5 % ou plus pour n’importe quel canal; c. un côté planaire d’une longueur d (en cm) égale ou inférieure à 15 divisé par la fréquence de fonctionnement la plus basse en GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], où N est le nombre de canaux de transmission ou de transmission/réception; et d. un déphaseur variable électroniquement par canal. Notes techniques: 1. Un «module de transmission/réception» est un «ensemble électronique» multifonctions qui assure un réglage bidirectionnel de l’amplitude et de la phase pour la transmission et la réception de signaux. 2. Un «module de transmission» est un «ensemble électronique» qui assure un réglage de l’amplitude et de la phase pour la transmission de signaux. 3. Un «MMIC de transmission/réception» est un «MMIC» multifonctions qui assure un réglage bidirectionnel de l’amplitude et de la phase pour la transmission et la réception de signaux. 4. Un «MMIC de transmission» est un «MMIC» qui assure un réglage de l’amplitude et de la phase pour la transmission de signaux. 5. Il conviendrait d’utiliser 2,7 GHz comme fréquence de fonctionnement la plus basse (fGHz) dans la formule de l’alinéa 3A001.b.12.c. pour les modules de transmission/réception ou de transmission dont la gamme de fonctionnement descend jusqu’à 2,7 GHz et en deçà [d≤15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. L’alinéa 3A001.b.12. s'applique aux «modules de transmission/réception» et aux «modules de transmission» équipés ou non d’un dissipateur thermique. La valeur de d à l’alinéa 3A001.b.12.c. n'inclut aucune portion du «module de transmission/réception» ou du «module de transmission» qui fait office de dissipateur thermique. 7. Les «modules de transmission/réception», «modules de transmission», «MMIC de transmission/réception» et «MMIC de transmission» peuvent ou non être équipés de N éléments d’antenne rayonnants intégrés, N étant le nombre de canaux de transmission ou de transmission/réception. c. dispositifs utilisant les ondes acoustiques, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: 1. dispositifs utilisant les ondes acoustiques de surface et les ondes acoustiques rasantes (peu profondes), présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. fréquence porteuse supérieure à 6 GHz; b. fréquence porteuse supérieure à 1 GHz mais n’excédant pas 6 GHz et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. «réjection de fréquence des lobes latéraux» supérieure à 65 dB; 2. produit du temps de propagation maximal (exprimé en μs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100; 3. largeur de bande supérieure à 250 MHz; ou 4. temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou c. fréquence porteuse de 1 GHz ou moins et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. produit du temps de propagation maximal (exprimé en μs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100; 2. temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou 3. «réjection de fréquence des lobes latéraux» supérieure à 65 dB et largeur de bande supérieure à 100 MHz; Note technique: La «réjection de fréquence des lobes latéraux» est la valeur de réjection maximale spécifiée dans la fiche technique. 2. dispositifs utilisant les ondes acoustiques (de volume) qui permettent un traitement direct du signal à des fréquences supérieures à 6 GHz; 3. dispositifs de «traitement de signal» acousto-optiques, faisant appel à une interaction entre ondes acoustiques (de volume ou de surface) et ondes lumineuses permettant le traitement direct du signal ou d’images, y compris l’analyse spectrale, la corrélation ou la convolution; Note: L’alinéa 3A001.c. ne vise pas les dispositifs utilisant les ondes acoustiques qui n’ont qu’une capacité unique de filtrage passe-bande, filtrage passe-bas, filtrage passe-haut ou filtrage coupe-bande, ou une fonction de résonance. d. dispositifs ou circuits électroniques contenant des composants fabriqués à partir de matériaux «supraconducteurs», spécialement conçus pour fonctionner à des températures inférieures à la «température critique» d’au moins un des constituants «supraconducteurs» et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. commutation de courant pour circuits numériques utilisant des portes «supraconductrices» avec un produit du temps de propagation par porte (exprimé en secondes) par la puissance dissipée par porte (exprimée en watts) inférieur à 10-14 J; ou 2. sélection de fréquence à toutes les fréquences utilisant des circuits résonants ayant des facteurs de qualité (Q) dépassant 10 000 ; e. dispositifs à haute énergie, comme suit: 1. «éléments» comme suit: a. «éléments primaires» présentant l’une des caractéristiques suivantes à 20 °C: 1. une «densité d’énergie» supérieure à 550 Wh/kg et une «densité de puissance continue» supérieure à 50 W/kg; ou 2. une «densité d’énergie» supérieure à 50 Wh/kg et une «densité de puissance continue» supérieure à 350 W/kg; ou b. «éléments secondaires» ayant une «densité d’énergie» supérieure à 350 Wh/kg à 20 °C; Notes techniques: 1. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1., la «densité d’énergie» (Wh/kg) est calculée à partir du voltage nominal, multiplié par la capacité nominale en ampères heures (Ah), divisé par la masse en kilogrammes. Si la capacité nominale n’est pas indiquée, la densité d’énergie est calculée à partir du voltage nominal au carré puis multiplié par la durée de décharge exprimée en heures et divisé par la résistance de décharge en ohms et la masse en kilogrammes. 2. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1, on entend par «élément» un dispositif électrochimique, doté d’électrodes positives et négatives et d’un électrolyte, qui constitue une source d’énergie électrique. Il s’agit du composant de base d’une pile ou batterie. 3. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1.a., on entend par «élément primaire» un «élément» qui n’est pas conçu pour être chargé par une autre source. 4. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1.b., on entend par «élément secondaire» un «élément» conçu pour être chargé par une source électrique externe. 5. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1.a., la «densité de puissance continue» (W/kg) est calculée à partir du voltage nominal, multiplié par le courant de décharge continu maximum spécifié en ampères (A), divisé par la masse en kilogrammes. La «densité de puissance continue» est également appelée puissance spécifique. Note: L’alinéa 3A001.e.1. ne vise pas les batteries, y compris les piles et batteries à élément unique. 2. condensateurs à capacité de stockage d’énergie élevée, comme suit: N.B. VOIR ÉGALEMENT 3A201.a. et la liste des matériels de guerre. a. condensateurs à décharge unique ayant une fréquence de répétition inférieure à 10 Hz et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. tension nominale égale ou supérieure à 5 kV; 2. densité d’énergie égale ou supérieure à 250 J/kg; et 3. énergie totale égale ou supérieure à 25 kJ; b. condensateurs ayant une fréquence de répétition de 10 Hz ou plus (à décharges successives) et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. tension nominale égale ou supérieure à 5 kV; 2. densité d’énergie égale ou supérieure à 50 J/kg; 3. énergie totale égale ou supérieure à 100 J; et 4. durée de vie égale ou supérieure à 10 000 cycles charge/décharge; 3. électro-aimants et solénoïdes «supraconducteurs», spécialement conçus pour un temps de charge/décharge complète inférieur à une seconde et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B. VOIR ÉGALEMENT 3A201.b. Note: L’alinéa 3A001.e.3. ne vise pas les électro-aimants ou solénoïdes «supraconducteurs» spécialement conçus pour les équipements médicaux d’imagerie par résonance magnétique (IRM). a. énergie délivrée pendant la décharge supérieure à 10 kJ au cours de la première seconde; b. diamètre intérieur des bobinages porteurs de courant supérieur à 250 mm; et c. prévus pour une induction magnétique supérieure à 8 T ou une «densité de courant globale» à l’intérieur des bobinages de plus de 300 A/mm2; 4. cellules solaires, ensembles de fenêtres d’interconnexion de cellules, panneaux solaires et générateurs photovoltaïques «qualifiés pour l’usage spatial» et dont l’efficacité moyenne minimum est supérieure à 20 % à une température de fonctionnement de 301 K (28 °C) sous flux lumineux «AM0» simulé, avec un éclairement énergétique de 1 367 watts par mètre carré (W/m2); Note technique: Par «AM0» ou «masse d’air nulle», on entend le spectre du flux de lumière solaire dans l’atmosphère terrestre extérieure lorsque la distance entre la Terre et le soleil est égale à une unité astronomique. f. codeurs de position absolue de type à entrée rotative ayant une «précision» égale ou inférieure à (meilleure que) 1,0 seconde d’arc et leurs anneaux, disques ou règles spécialement conçus; g. modules et dispositifs dotés de thyristors de commutation à alimentation pulsée et à commutation électrique, optique ou contrôlée par rayonnement électronique et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. un temps de montée maximum du courant de mise sous tension (di/dt) supérieur à 30 000 A/μs et une tension à l’état bloqué supérieure à 1 100 V; ou 2. un temps de montée maximum du courant de mise sous tension (di/dt) supérieur à 2 000 A/μs et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. une tension de crête à l’état bloqué égale ou supérieure à 3 000 V; et b. un courant (de surcharge) de crête égal ou supérieur à 3 000 A. Note 1: L’alinéa 3A001.g inclut: — les redresseurs commandés au silicium (SCR); — les thyristors à amorçage électrique (ETT); — les thyristors à amorçage par impulsion de lumière (LTT); — les thyristors commutés à gâchette intégrée (IGCT); — les thyristors blocables (GTO); — les thyristors commandés par MOS (MCT); — les solidtrons. Note 2: L’alinéa 3A001.g. ne vise pas les dispositifs de thyristors et les «modules de thyristors» intégrés dans des équipements destinés aux chemins de fer civils ou aux «aéronefs civils». Note technique: Aux fins de l’alinéa 3A001.g., un «module de thyristors» contient un ou plusieurs dispositifs de thyristors. h. commutateurs, diodes ou «modules» de puissance à semi-conducteur présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. prévus pour une température maximale de jonction en fonctionnement supérieure à 488 K (215 °C); 2. tension de pointe répétitive à l’état bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et 3. courant continu supérieur à 1 A. Note 1: La tension de pointe répétitive à l’état bloqué visée à l’alinéa 3A001.h. inclut la tension drain-source, la tension collecteur-émetteur, la tension inverse de pointe répétitive et la tension de pointe répétitive à l’état bloqué. Note 2: L’alinéa 3A001.h inclut: — les transistors à effet de champ à jonction (JFET); — les transistors à effet de champ à jonction verticale (VJFET); — les transistors à effet de champ à oxydes métalliques (MOSFET); — les transistors à double diffusion à effet de champ à oxydes métalliques (DMOSFET); — les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT); — les transistors à haute mobilité électronique (HEMT); — les transistors bipolaires à jonctions (BJT); — les thyristors ou redresseurs commandés au silicium (SCR); — les thyristors blocables (GTO); — les thyristors de puissance (ETO); — les diodes PiN; — les diodes Schottky. Note 3: L’alinéa 3A001 h. ne vise pas les commutateurs, diodes ou «modules» intégrés dans des équipements destinés aux automobiles civiles, aux trains civils ou aux «aéronefs civils». Note technique: Aux fins de l’alinéa 3A001.h., les «modules» contiennent un ou plusieurs commutateurs ou diodes d’alimentation à semi-conducteurs. i. modulateurs électro-optiques d’intensité, d’amplitude ou de phase, conçus pour les signaux analogiques et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 10 GHz mais inférieures à 20 GHz, une perte optique par insertion égale ou inférieure à 3 dB et l’une des caractéristiques suivantes: a. une «tension demi-onde» («Vπ») inférieure à 2,7 V lorsqu’elle est mesurée à une fréquence de 1 GHz ou inférieure; ou b. une «Vπ» inférieure à 4 V lorsqu’elle est mesurée à une fréquence supérieure à 1 GHz; ou 2. une fréquence maximale de fonctionnement égale ou supérieure à 20 GHz, une perte optique par insertion égale ou inférieure à 3 dB et l’une des caractéristiques suivantes: a. une «Vπ» inférieure à 3,3 V lorsqu’elle est mesurée à une fréquence de 1 GHz ou inférieure; ou b. une «Vπ» inférieure à 5 V lorsqu’elle est mesurée à une fréquence supérieure à 1 GHz; Note: L’alinéa 3A001.i. comprend les modulateurs électro-optiques ayant des connecteurs d’entrée et de sortie optiques (par exemple des fibres amorces). Note technique: Aux fins de l’alinéa 3A001.i., la «tension demi-onde» («Vπ») est la tension qu’il faut appliquer pour obtenir un changement de phase de 180 degrés dans la longueur d’onde de la lumière propagée par le modulateur optique.