3A001

Järgmised elektroonilised kaubad: a. järgmised üldise kasutusega integraallülitused: Märkus. Integraallülituste tüübid: — „monoliit-integraallülitused“; — „hübriidintegraallülitused“; — „mitmekiibilised integraallülitused“; — „kile-tüüpi integraallülitused“, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused; — „optilised integraallülitused“; — „kolmemõõtmelised integraallülitused“; — „mikrolaine monoliitsed integraallülitused“ („MMIC“-d). 1. integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt: a. kogudoos 5 × 103 Gy (räni) või rohkem; b. doosikiirus 5 × 106 Gy (räni)/s või rohkem või c. neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral; Märkus. Punkt 3A001.a.1.c ei hõlma metall-isolaator-pooljuhtstruktuure (MIS-struktuure). 2. „mikroprotsessori mikroskeemid“, „mikroarvuti mikroskeemid“, mikrokontrolleri mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal-muundurid, analoog-digitaal-muundureid sisaldavad ning digiteeritud andmeid salvestavad või töötlevad integraallülitused, digitaal-analoogmuundurid, „signaalitöötluseks“ ettenähtud elektro-optilised või „optilised integraallülitused“, kasutaja poolt programmeeritavad loogikaseadmed, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier' kiirteisenduse (FFT) protsessorid, staatilised muutmälud (SRAM) või ‘säilmälud’, millel on mis tahes järgmine omadus: a. määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (125 °C); b. määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C) või c. määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (125 °C); Märkus. Punkt 3A001.a.2 ei hõlma integraallülitusi, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes autodes või rongides. Tehniline märkus. ‘Säilmälud’ on mälud, milles andmed säilivad teatava aja jooksul pärast toite väljalülitamist. 3. „mikroprotsessori mikroskeemid“, „mikroarvuti mikroskeemid“ ja mikrokontrolleri mikroskeemid, mis on valmistatud liitpooljuhist ja toimivad taktsagedusel üle 40 MHz; Märkus. Punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid. 4. ei kasutata; 5. analoog-digitaalmuunduri (ADC) ja digitaal-analoogmuunduri (DAC) integraallülitused: a. analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus: NB! VT KA PUNKT 3A101. 1. lahutusvõime vähemalt 8 bitti, kuid vähem kui 10 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 1,3 gigavõendit sekundis (GSPS); 2. lahutusvõime vähemalt 10 bitti, kuid vähem kui 12 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 600 megavõendit sekundis (MSPS); 3. lahutusvõime vähemalt 12 bitti, kuid vähem kui 14 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 400 MSPS; 4. lahutusvõime vähemalt 14 bitti, kuid vähem kui 16 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 250 MSPS või 5. lahutusvõime vähemalt 16 bitti koos „võendisagedusega“ üle 65 MSPS; NB! Analoog-digitaal-muundureid sisaldavate ning digiteeritud andmeid salvestavate või töötlevate integraallülituste kohta vt punkt 3A001.a.14. Tehnilised märkused. 1. Lahutusvõime n bitti vastab signaali amplituudi kvantimisele 2n tasemeks. 2. ADC lahutusvõime on digitaalväljundi bittide arv, mis kujutab endast mõõdetud analoogsisendit. ADC lahutusvõime määramiseks ei kasutata efektiivsete bittide arvu (effective number of bits – ENOB). 3. „Mitmekanaliliste ADCde“ puhul „võendisagedusi“ ei liideta ja „võendisagedus“ on iga kanali maksimaalne sagedus. 4. „Kombineeritud ADCde“ või selliste „mitmekanaliliste ADCde“ puhul, millel on kirjelduse kohaselt kombineeritud töörežiim, „võendisagedused“ liidetakse ja „võendisagedus“ on kõikide kombineeritud kanalite maksimaalne summaarne sagedus. b. digitaal-analoogmuundurid (DAC), millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. lahutusvõime vähemalt 10 bitti, kuid vähem kui 12 bitti, ‘parandatud uuenduskiirusega’ rohkem kui 3 500 MSPS või 2. nende lahutusvõime on vähemalt 12 bitti ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. ‘parandatud uuenduskiirus’ suurem kui 1 250 MSPS, kui mitte suurem kui 3 500 MSPS; neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. siirdeaeg alla 9 ns teatud täisskaala astmest täisskaalani või 0,024 %-ni täisskaalast või 2. ‘häiringuvaba dünaamiline diapasoon’ (SFDR) on suurem, kui 68 dBc (carrier), kui sünteesitakse 100 MHz maksimaalse amplituudiga analoogsignaali või maksimaalse amplituudiga analoogsignaali, mille määratud sagedus alla 100 MHz, või b. ‘parandatud uuenduskiirus’ suurem kui 3 500 MSPS; Tehnilised märkused. 1. ‘Häiringuvaba dünaamiline diapasoon’ (SFDR) on määratletud kui DAC sisendi kandesageduse (maksimaalse signaali) RMSi (ruutkeskmise väärtuse) ning DAC väljundi järgmise suurima müraga või harmooniliste moonutustega komponendi RMSi (ruutkeskmise väärtuse) suhe. 2. SFDR määratakse otse spetsifikatsioonitabeli abil või SFDRi ja sageduse vastavusdiagrammide abil. 3. Signaal on täisskaalaline, kui selle amplituud on suurem kui –3 dBfs. 4. DACde ‘parandatud uuenduskiirus’ on: a. tavapäraste (mitte-interpoleerivate) DACde ‘parandatud uuenduskiirus’ on kiirus, millega DAC muundab digitaalsignaali analoogsignaaliks ning muudab väljundi analoogväärtused. DACsid, mille interpoleerimisrežiimist saab mööda minna (interpoleerimistegur on üks) tuleks pidada tavapäraseks (mitteinterpoleerivaks) DACks; b. interpoleerimise (DAC ülevõendamise) puhul on ‘parandatud uuenduskiirus’ DAC uuenduskiiruse ja väikseima interpoleerimisteguri suhe. DACde interpoleerimise puhul võib ‘parandatud uuenduskiirusel’ olla erinevaid nimetusi, sealhulgas: — sisendi andmeuuendussagedus, — sisendi andmeuuendussagedus, — sisendi võendisagedus, — sisendi maksimaalne siini- (bus) sagedus, — DAC maksimaalne sünkroniseerimis- (clock) sagedus sünkrosisendilt. 6. „signaalitöötluseks“ arendatud elektro-optilised ja „optilised integraallülitused“, milles on kõik järgmine: a. üks või enam kui üks sisemine „laser“-diood, b. üks või enam kui üks sisemine valgust tuvastav element ning c. optilised lainejuhid; 7. kasutaja poolt programmeeritav loogikaseade, millel on mis tahes järgmised omadused: a. ühepoolsete digitaalsete sisendite/väljundite maksimaalne arv 700 või suurem või b. ‘koondatud ühesuunaline tipp-sidekiirus jadasaatmisel/-vastuvõtul’ 500 Gb/s või enam; Märkus. Punkt 3A001.a.7 hõlmab järgmist: keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD), kasutaja poolt programmeeritavad lüüsimaatriksid (FPGA), kasutaja poolt programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA), kasutaja poolt programmeeritavad ühendused (FPIC). NB! Analoog-digitaal-muunduriga kombineeritud kasutaja poolt programmeeritavate loogikaseadmetega integraallülituste kohta vt PUNKT 3A001.a.14. Tehnilised märkused. 1. Punktis 3A001.a.7.a nimetatud digitaalsete sisendite/väljundite maksimaalset arvu nimetatakse ka maksimaalseteks kasutajasisenditeks/-väljunditeks või maksimaalseteks kasutada olevateks sisenditeks/väljunditeks, olenevalt sellest, kas integraallülitus on korpusega või korpuseta. 2. ‘Koondatud ühesuunaline tipp-sidekiirus jadasaatmisel/-vastuvõtul’ on jadasaatja/-vastuvõtja ühesuunaline tippandmekiirus korda transiiverite arv FPGA-l. 8. ei kasutata; 9. neurovõrkude integraallülitused 10. tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. rohkem kui 1 500 klemmi; b. tüüpiline „hilistus põhilüüsis levimisel“ alla 0,02 ns või c. töösagedus üle 3 GHz; 11. digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3 kuni 3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. ekvivalentsete lüüside arv üle 3 000 (kahe sisendiga lüüsid) või b. ümberlülitussagedus üle 1,2 GHz; 12. kiire Fourier’ teisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse kiire Fourier' teisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N) /20 480 ms, kus N on punktide arv; Tehniline märkus. Kui N võrdub 1 024 punktiga, on punktis 3A001.a.12 valemi järgi teisenduse tegemise aeg 500 μs. 13. otsese numbrilise sünteesi (ONS) integraallülitused, millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. digitaal-analoogmuunduri (DAC) taktsagedus 3,5 GHz või rohkem ja DAC lahutusvõime vähemalt 10 bitti, kuid vähem kui 12 bitti, või b. DAC taktsagedus 1,25 GHz või rohkem ja DAC lahutusvõime vähemalt 12 bitti; Tehniline märkus. DAC taktsageduse võib määratleda põhitaktsageduseks või sisendtaktsageduseks. 14. integraallülitused, mis on määratud tegema või mida on võimalik programmeerida tegema kõike järgmist: a. analoog-digitaalmuundamine, mis vastab ühele järgmistest tingimustest: 1. lahutusvõime vähemalt 8 bitti, kuid vähem kui 10 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 1,3 gigavõendit sekundis (GSPS); 2. lahutusvõime vähemalt 10 bitti, kuid vähem kui 12 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 1,0 GSPS; 3. lahutusvõime vähemalt 12 bitti, kuid vähem kui 14 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 1,0 GSPS; 4. lahutusvõime vähemalt 14 bitti, kuid vähem kui 16 bitti, „võendisagedusega“ rohkem kui 400 megavõendit sekundis (MSPS), või 5. lahutusvõime vähemalt 16 bitti koos „võendisagedusega“ üle 180 MSPS ning b. vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. digiteeritud andmete talletamine või 2. digiteeritud andmete töötlemine; NB1! Analoog-digitaal-muunduriga integraallülituste kohta vt punkt 3A001.a.5.a. NB2! Kasutaja poolt programmeeritavate loogikaseadmete kohta vt punkt 3A001.a.7. Tehnilised märkused. 1. Lahutusvõime n bitti vastab signaali amplituudi kvantimisele 2n tasemeks. 2. ADC lahutusvõime on ADC digitaalväljundi bittide arv, mis kujutab endast mõõdetud analoogsisendit. ADC lahutusvõime määramiseks ei kasutata efektiivsete bittide arvu (effective number of bits – ENOB). 3. Mitteinterpoleerivate „mitmekanaliliste ADCdega“ integraallülituste puhul „võendisagedusi“ ei liideta ja „võendisagedus“ on iga kanali maksimaalne sagedus. 4. „Kombineeritud ADCdega“ integraallülituste puhul või selliste „mitmekanaliliste ADCde“ puhul, millel on kirjelduse kohaselt kombineeritud töörežiim, „võendisagedused“ liidetakse ja „võendisagedus“ on kõikide väljundite maksimaalne summaarne väljundsagedus. b. mikro- ja millimeeterlaineseadmete komponendid: Tehniline märkus. Punkti 3A001.b. tähenduses võib näitajat tipp-küllastusvõimsus väljundis toote andmelehtedel nimetada: tippväljundvõimsus küllastusrežiimis, väljundvõimsus, küllastus-väljundvõimsus, maksimaalne väljundvõimsus või suurim väljundvõimsus. 1. järgmised „elektroonilised vaakumseadmed“ ja katoodid: Märkus 1. Punkt 3A001.b.1 ei hõlma „elektroonilisi vaakumseadmeid“, mis on projekteeritud või määratud töötamiseks mis tahes sagedusribades ja millel on kõik järgmised omadused: a. ei ole üle 31,8 GHz ning b. on „ITU poolt eraldatud“ raadioside jaoks, aga mitte asukoha määramiseks raadio teel. Märkus 2. Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte-„kosmosekindlaid“„elektroonilisi vaakumseadmeid“, millel on kõik järgmised omadused: a. keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem ning b. mis on projekteeritud või määratud töötamiseks mis tahes sagedusribades ja millel on kõik järgmised omadused: 1. on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz ning 2. on „ITU poolt eraldatud“ raadioside jaoks, aga mitte asukoha määramiseks raadio teel. a. järgmised kulglaine „elektroonilised vaakumseadmed“, impulss- või pidevlainele: 1. seadme töösagedus on üle 31,8 GHz; 2. seade on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit; 3. sidestatud õõnesseadmed või nende modifikatsioonid „suhtelise ribalaiusega“ üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW; 4. seadmed, mis põhinevad heeliks-, murtud või serpentiin-lainejuhiga lülitustel ja nende modifikatsioonid, millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. „hetkribalaius“ on üle ühe oktavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5; b. „hetkribalaius“ on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1; c. on „kosmosekindlad“ või d. millel on võreline elektronkahur; 5. seadmed, mille „suhteline ribalaius“ on vähemalt 10 % ja millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. ümar elektronkimp; b. mittetelgsümmeetriline elektronkimp või c. mitu elektronkimpu; b. ristvälivõimendus-„elektroonilised vaakumseadmed“ võimendusega üle 17 dB; c. „elektroonilistele vaakumseadmetele“ ette nähtud termokatoodid, mis tagavad emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2, või impulss- (mittepideva) voolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 10 A/cm2; d. „elektroonilised vaakumseadmed“, mis on võimelised töötama ‘kahes režiimis’; Tehniline märkus. ‘Kaks režiimi’ tähendab, et „elektroonilise vaakumseadme“ kiiret voolurežiimi on võimalik tahtlikult vahetada pidevaks või impulssrežiimiks, kasutades võret, ning et impulsi tippväljundvõimsus on suurem kui pidevväljundvõimsus. 2. „mikrolaine monoliitsete integraallülituste“ („MMIC“) võimendid, mis on mis tahes järgmistest: NB! Integreeritud faasinihutiga „MMIC“ võimendite kohta vt punkt 3A001.b.12. a. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 2,7 GHz kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 15 %, ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 75 W (48,75 dBm) sagedusel üle 2,7 GHz kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 55 W (47,4 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 40 W (46 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 20 W (43 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); b. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 6,8 GHz kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %, ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 10 W (40 dBm) sagedusel üle 6,8 GHz kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud) või 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 5 W (37 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud); c. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 3 W (34,77 dBm) sagedusel üle 16 GHz kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; d. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,1 nW (–70 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); e. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) ja sagedusel üle 37 GHz kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; f. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 31,62 mW (15 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz kuni sageduseni 75 GHz (kaasa arvatud) ja suhtelise ribalaiusega üle 10 %; g. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 10 mW (10 dBm) sagedusel üle 75 GHz kuni sageduseni 90 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 5 % või h. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,1 nW (–70 dBm) sagedusel üle 90 GHz; Märkus 1. Ei kasutata. Märkus 2. „MMIC“, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2. määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse küllastusrežiimi tippväljundvõimsuse madalaima läve järgi. Märkus 3. Punkti 3A märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma „MMIC“-sid, kui need on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks rakendusteks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes. 3. diskreetsed mikrolainetransistorid, mis on mis tahes järgmistest: a. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz kuni 6,8 GHz (kaasa arvatud) ning neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 400 W (56 dBm) sagedusel üle 2,7 GHz kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 205 W (53,12 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 115 W (50,61 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 60 W (47,78 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); b. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ning neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 50 W (47 dBm) sagedusel üle 6,8 GHz kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 15 W (41,76 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz kuni sageduseni 12 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 40 W (46 dBm) sagedusel üle 12 GHz kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 7 W (38,45 dBm) sagedusel üle 16 GHz kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud); c. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); d. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) sagedusel üle 37 GHz kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud); e. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,1 nW (–70 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz või f. muud kui punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e nimetatud ning ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 5 W (37,0 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud); Märkus 1. Punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e nimetatud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava ehitusliku töösagedusega transistoride (mis on nimetatud punktides 3A001.b.3.a. kuni 3A001.b.3.e) kontrolli alla kuulumine määratakse küllastusrežiimi tippväljundvõimsuse madalaima läve järgi. Märkus 2. Punkt 3A001.b.3 hõlmab paljaskiipe, kiipe kanduritel või kiipe ümbrises. Teatavaid diskreetseid transistoreid võib nimetada ka võimsusvõimenditeks, kuid nende diskreetsete transistorite staatus on kindlaks määratud punktis 3A001.b.3. 4. mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolaine pooljuhtvõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, mis on mis tahes järgmistest: a. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz kuni 6,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 15 %, ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 500 W (57 dBm) sagedusel üle 2,7 GHz kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 270 W (54,3 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 200 W (53 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 90 W (49,54 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); b. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %, ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 70 W (48,54 dBm) sagedusel üle 6,8 GHz kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 50 W (47 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz kuni sageduseni 12 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 30 W (44,77 dBm) sagedusel üle 12 GHz kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 20 W (43 dBm) sagedusel üle 16 GHz kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud); c. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); d. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 2 W (33 dBm) ja sagedusel üle 37 GHz kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; e. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 43,5 GHz ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 0,2 W (23 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz kuni sageduseni 75 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 20 mW (13 dBm) sagedusel üle 75 GHz kuni sageduseni 90 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 5 % või 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 0,1 nW (–70 dBm) sagedusel üle 90 GHz või f. ei kasutata; NB1! „MMIC“ võimendite kohta vt punkt 3A001.b.2. NB2! ‘Edastus-/vastuvõtmismoodulite’ ja ‘edastusmoodulite’ kohta vt punkt 3A001.b.12. NB3! Muundurite ja harmooniliste mikserite kohta, mis on konstrueeritud signaalianalüsaatorite, signaaligeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate töö- või sagedusvahemiku laiendamiseks, vt punkt 3A001.b.7. NB1! Ei kasutata. Märkus 2. Punktides 3A001.b.4.a kuni 3A001.b.4.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega kauba kontrolli alla kuulumine määratakse küllastusrežiimi tippväljundvõimsuse madalaima läve järgi. 5. elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 häälestatavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 μs jooksul häälestada sagedusribale, mille (fmax/fmin) on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused: a. ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest, või b. ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest; 6. ei kasutata; 7. muundurid ja harmoonilised mikserid, mis on mis tahes järgmistest: a. konstrueeritud „signaalianalüsaatorite“ sagedusvahemiku laiendamiseks üle 90 GHz; b. konstrueeritud signaaligeneraatorite tööulatuse laiendamiseks järgmiselt: 1. üle 90 GHz; 2. väljundvõimsus üle 100 mW (20 dBm), kui sagedusvahemik on üle 43,5 GHz, kuid mitte üle 90 GHz; c. konstrueeritud võrguanalüsaatorite tööulatuse laiendamiseks järgmiselt: 1. üle 110 GHz; 2. väljundvõimsus üle 31,62 mW (15 dBm), kui sagedusvahemik on üle 43,5 GHz, kuid mitte üle 90 GHz; 3. väljundvõimsus üle 1 mW (0 dBm), kui sagedusvahemik on üle 90 GHz, kuid mitte üle 110 GHz või d. konstrueeritud mikrolaine testvastuvõtjate sagedusvahemiku laiendamiseks üle 110 GHz; 8. mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b.1 nimetatud „elektroonilisi vaakumseadmeid“ ja millel on kõik järgmised omadused: a. töösagedus üle 3 GHz, b. keskmine väljundvõimsus massi suhtes on üle 80 W/kg ning c. maht on väiksem kui 400 cm3; Märkus. Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on konstrueeritud või ette nähtud töötamiseks sagedusribas, mis on „ITU poolt eraldatud“ raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks. 9. mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine „elektroonilisest vaakumseadmest“, „mikrolaine monoliitsest integraallülitusest“ („MMIC“) ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist ja millel on kõik järgmised omadused: a. ‘sisselülitusaeg’ väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi; b. maht on väiksem kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W ning c. „hetkribalaius“ on üle ühe oktavi (fmax > 2fmin) ja millel on mis tahes järgmine omadus: 1. sagedus 18 GHz või vähem üle 100 W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures või 2. sagedus üle 18 GHz; Tehnilised märkused. 1. Punktis 3A001.b.9.b. osutatud mahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Punktis 3A001.b.9.a nimetatud ‘sisselülitusaeg’ tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega. 10. ostsillaatorid või ostsillaatorikoostud, mis on määratud töötama, kui ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on vähem (parem) kui –(126 + 20log10F - 20log10f) vahemikus 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Tehniline märkus. Punktis 3A001.b.10 on F külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ning f on põhisagedus megahertsides. 11. ‘sagedussüntesaatori’„elektroonikasõlmed“, mille „sageduse ümberlülitusajal“ on mis tahes järgmine omadus: a. vähem kui 143 ps; b. vähem kui 100 μs, suurema kui 2,2 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 4,8 GHz, kuid mitte üle 31,8 GHz; c. ei kasutata; d. vähem kui 500 μs suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37 GHz; e. vähem kui 100 μs, suurema kui 2,2 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 37 GHz, kuid mitte üle 90 GHz, või f. ei kasutata; g. vähem kui 1 ms, kui sünteesitav sagedusvahemik on üle 90 GHz; Tehniline märkus. ‘Sagedussüntesaator’ (frequency synthesiser) – mis tahes sagedusallikas, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitu üheaegset või vahelduvat väljundsagedust ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud, tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt. NB! Üldotstarbeliste „signaalianalüsaatorite“, signaaligeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate kohta vaata vastavalt punkte 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f. 12. ‘edastus-/vastuvõtmismoodulid’, ‘edastus-/vastuvõtmis-MMIC-d’, ‘edastusmoodulid’ ja ‘edastus-MMIC-d’, mis on määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused: a. iga kanali tippväljundvõimsus küllastusrežiimis (vattides), Psat, suurem kui 505,62 jagatud maksimaalse töösagedusega (gigahertsides (GHz)) ruudus [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz2]; b. iga kanali „osaribalaius“ 5 % või rohkem; c. mis tahes tasapinnaline külg, mille pikkus (d, sentimeetrites) on kas võrdne 15 cm või sellest väiksem, jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz], milles N on edastus- või edastus-/vastuvõtukanalite arv, ning d. elektrooniliselt reguleeritav faasinihuti kanali kohta; Tehnilised märkused. 1. ’Edastus-/vastuvõtmismoodul’ – multifunktsionaalne „elektrooniline koost“, mis võimaldab signaalide edastusel ja vastuvõtul kahesuunalist amplituudi ja faasikontrolli. 2. ’Edastusmoodul’ – „elektrooniline koost“, mis võimaldab signaalide edastusel amplituudi ja faasikontrolli. 3. ’Edastus-/vastuvõtmis-MMIC’ – multifunktsionaalne „MMIC“, mis võimaldab signaalide edastusel ja vastuvõtul kahesuunalist amplituudi ja faasikontrolli. 4. ’Edastus–MMIC’ – „MMIC“, mis võimaldab signaalide edastusel amplituudi ja faasikontrolli. 5. 2,7 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust (fGHz) punktis 3A001.b.12.c toodud valemis selliste edastus-/vastuvõtumoodulite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka 2,7 GHz madalamate sageduste piirkonda [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. Punkti 3A001.b.12. kohaldatakse jahutusradiaatoriga või ilma selleta ‘edastus-/vastuvõtmismoodulite’ või ‘edastusmoodulite’ suhtes. Alapunkti d väärtus punktis 3A001.b.12.c. ei hõlma ‘edastus-/vastuvõtmismooduli’ või ‘edastusmooduli’ osa, mis toimib jahutusradiaatorina. 7. ‘Edastus-/vastuvõtmismoodulitel’ või ‘edastusmoodulitel’ või ‘edastus-/vastuvõtmis-MMIC-del’ või ‘edastus-MMIC-del’ võib olla või ei pruugi olla N integreeritud kiirgavat antennielementi, milles N on edastus- või edastus-/vastuvõtmiskanalite arv. c. järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid: 1. akustilise pinnalaine ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed, millel on mis tahes järgmine omadus: a. kandesagedus üle 6 GHz; b. kandesagedus üle 1 GHz, kuid mitte üle 6 GHz, ja millel on vähemalt üks järgmine omadus: 1. ‘külghõlma summutus’ üle 65 dB; 2. maksimaalse viivituse ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ning ribalaius MHz-des) üle 100; 3. ribalaius üle 250 MHz või 4. dispersiivne viivitus suurem kui 10 μs või c. kandesagedus 1 GHz või vähem ja millel on mis tahes järgmine omadus: 1. maksimaalse viivituse ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ning ribalaius MHz-des) üle 100; 2. dispersiivne viivitus suurem kui 10 μs või 3. ‘külghõlma summutus’ üle 65 dB ja ribalaius suurem kui 100 MHz; Tehniline märkus. ‘Külghõlma summutus’ on andmelehel täpsustatud summutuse maksimumväärtus. 2. akustilise ruumlaine seadmed, mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 6 GHz; 3. akustilis-optilised „signaalitöötlus“ seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon; Märkus. Punkt 3A001.c ei hõlma akustilise laine seadmeid, mis on piiratud ühe ribapääsu-, madalpääsu-, kõrgpääsu- või tõkkefiltriga või ühe resonantsiga. d. elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad „ülijuhtivatest“ materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe „ülijuhtivast“ materjalist komponendi „kriitiline temperatuur“, ja millel on mis tahes järgmised omadused: 1. digitaalskeemide voolu lülitamine toimub „ülijuhtivate“ lüüsidega, mille puhul viivitus (sekundites) lüüsi kohta korrutatud kaovõimsusega (vattides) lüüsi kohta on väiksem kui 10–14 J, või 2. sagedusselektiivsus kõigil sagedustel võnkeringidega, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10 000. e. suurenergiaseadmed: 1. järgmised ‘elemendid’: a. ‘primaarelemendid’, millel on 20 °C juures mõni järgmistest omadustest; 1. ‘energiatihedus’ üle 550 Wh/kg ja ‘pidev võimsustihedus’ üle 50 W/kg või 2. ‘energiatihedus’ üle 50 Wh/kg ja ‘pidev võimsustihedus’ üle 350 W/kg või b. ‘sekundaarelemendid’, mille ‘energiatihedus’ on 20 °C juures üle 350 Wh/kg; Tehnilised märkused. 1. Punktis 3A001.e.1. nimetatud ‘energiatihedus’ (Wh/kg) arvutatakse nimipinge korrutamisel nimimahtuvusega ampertundides (Ah) ja jagamisel massiga kilogrammides. Kui nimimahtuvust ei ole antud, arvutatakse energiatihedus nimipinge ruudu korrutamisel tühjenemise kestusega tundides ja jagamisel tühjenemiskoormusega oomides ja massiga kilogrammides. 2. Punktis 3A001.e.1.a nimetatud ‘element’ on elektrokeemiline seade, millel on positiivne ja negatiivne elektrood, elektrolüüt ja mis on elektrienergia allikas. See on patarei peamine osa. 3. Punktis 3A001.e.1.a nimetatud ‘primaarelement’ on ‘element’, mis ei ole projekteeritud laadimiseks ühestki muust allikast. 4. Punktis 3A001.e.1.b nimetatud ‘sekundaarelement’ on ‘element’, mis on projekteeritud laadimiseks välisest elektrienergia allikast. 5. Punktis 3A001.e.1.a. nimetatud ‘pidev võimsustihedus’ (W/kg) arvutatakse nimipinge korrutamisel spetsifitseeritud maksimaalse pideva tühjenemisvooluga amprites (A) ja jagamisel massiga kilogrammides. ‘Pidevat võimsustihedust’ nimetatakse ka erivõimsuseks. Märkus. Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid, sealhulgas ühe elemendiga patareid. 2. järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid: NB! VT KA PUNKT 3A201.a ning sõjaliste kaupade nimekiri. a. kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused: 1. nimipinge 5 kV või rohkem, 2. energiatihedus 250 J/kg või rohkem ning 3. koguenergia 25 kJ või rohkem, b. kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused: 1. nimipinge 5 kV või rohkem, 2. energiatihedus 50 J/kg või rohkem, 3. koguenergia 100 J või rohkem ning 4. laadimis-/tühjenemistsükleid 10 000 või rohkem; 3. „ülijuhtivad“ elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKT 3A201.b. Märkus. Punkt 3A001.e.3 ei hõlma „ülijuhtivaid“ elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantstomograafilistele (MRI) meditsiiniseadmetele. a. tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ, b. voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm ning c. magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või „üldine voolutihedus“ mähises üle 300 A/mm2; 4. päikeseelemendid, element-kaitseklaas ühendusega (CIC) koostud, päikesepaneelid, päikesepaneelide maatriksid, mis on „kosmosekindlad“ ja mille minimaalne energiatõhusus töötemperatuuril 301 K (28 °C) ja simuleeritud ‘AM0’ valgustusel kiirgusega 1 367 vatti ruutmeetri kohta (W/m2) on üle 20 %; Tehniline märkus. ‘AM0’ ehk ‘õhumass null’ (Air Mass Zero) tähendab päikesevalguse spektraalset kiirgusintensiivsust väljaspool Maa atmosfääri, kui Maa ja Päikese vaheline kaugus on üks astronoomiline ühik. f. absoluutse pöördenurga andurid, mille „täpsus“ on 1,0 kaaresekundit või sellest vähem (parem) ning spetsiaalselt neile ette nähtud andurirõngad, -kettad või -skaalad; g. tahkisimpulssjõulülitustüristorseadmed ja ‘türistormoodulid’, mis kasutavad kas elektriliselt, optiliselt või elektronkiirgusega juhitavaid lülitusviise, ja millel on mis tahes järgmine omadus: 1. maksimaalne voolutugevuse tõusu kiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem kui 30 000 A/μs ja väljalülitatud asendis on pinge üle 1 100 V või 2. maksimaalne voolutugevuse tõusukiirus (di/dt) sisselülitusel on suurem kui 2 000 A/μs ja kõik järgmised omadused: a. väljalülitatud asendis on tipp-pinge 3 000 V või rohkem ning b. tippvoolutugevus on 3 000 A või rohkem; Märkus 1. Punkt 3A001.g hõlmab järgmist: ränialaldid (SCR), elektrilise lülitusega türistorid (ETT), valguslülitusega türistorid (LTT), integreeritud võrejuhtimisega türistorid (IGCT), suletavad türistorid (GTO), MOS (metall-oksiid-pooljuht)-juhtimisega türistorid (MCT), solidtronid. Märkus 2. Punkt 3A001.g ei hõlma türistorseadmeid ega ‘türistormooduleid’, mis on paigaldatud tsiviilraudtee- või „tsiviilõhusõiduki“ rakenduste jaoks projekteeritud seadmetesse. Tehniline märkus. Punkti 3A001.g tähenduses sisaldab ‘türistormoodul’ ühte või mitut türistorseadet. h. tahkis-voolupooljuhtlülitid, -dioodid või -‘moodulid’, millel on kõik järgmised omadused: 1. ühenduse maksimaalne lubatud töötemperatuur on suurem kui 488 K (215 °C); 2. väljalülitatud olekus korduv tipp-pinge (repetitive peak off-state voltage) e tõkestav (blokeeriv) pinge (blocking voltage) on üle 300 V ning 3. alalisvool üle 1 A; Märkus 1. Punktis 3A001.h nimetatud väljalülitatud olekus korduv tipp-pinge hõlmab pinget lättest ja neeldu, pinget kollektorist ja emitterisse, korduvat maksimaalset vastupinget (repetitive peak reverse voltage) ja väljalülitatud olekus korduvat blokeerivat tipp-pinget (peak repetitive off-state blocking voltage). Märkus 2. Punkt 3A001.h hõlmab järgmist: p-n-siirdega väljatransistorid (JFET), vertikaalsed p-n-siirdega väljatransistorid (VJFET), metall-oksiid-pooljuht-väljatransistorid (MOSFET), topelt hajutusega metall-oksiid-pooljuht-väljatransistorid (DMOSFET), isoleeritud paisuga bipolaartransistorid (IGBT), elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), bipolaartransistorid (BJT), türistorid ja reguleeritavad ränialaldid (SCR), suletavad türistorid (GTO), emitteriga suletavad türistorid (ETO), PiN-dioodid, Schottky dioodid. Märkus 3. Punkt 3A001.h ei hõlma lüliteid, dioode või ‘mooduleid’, mis on osaks tsiviilotstarbelistes mootorsõidukites, tsiviilotstarbelistes raudteesõidukites või „tsiviilõhusõidukites“ kasutatavate rakenduste jaoks loodud seadmetest. Tehniline märkus. Punkti 3A001.h tähenduses hõlmavad ‘moodulid’ ühte või mitut tahkis-voolupooljuhtlülitit või -dioodi. i. analoogsignaalide jaoks konstrueeritud intensiivsuse, amplituudi ja faasi elektro-optilised modulaatorid, millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. maksimaalne töösagedus üle 10 GHz, kuid alla 20 GHz, optiline sisestuskadu 3 dB või vähem ja millel on mõni järgmistest omadustest: a. ‘pool-laine pinge’ (‘Vπ’) alla 2,7 V (mõõdetuna sagedusel 1 GHz või alla selle) või b. ‘Vπ’ alla 4 V (mõõdetuna sagedusel üle 1 GHz) või 2. maksimaalne töösagedus 20 GHz või üle selle, optiline sisestuskadu 3 dB või vähem ja millel on mõni järgmistest omadustest: a. ‘Vπ’ alla 3,3 V (mõõdetuna sagedusel 1 GHz või alla selle) või b. ‘Vπ’ alla 5 V (mõõdetuna sagedusel üle 1 GHz). Märkus. 3A001.i. hõlmab optiliste sisend- ja väljundpistikutega (nt kiudoptiliste keerutuspistikutega) elektro-optilisi modulaatoreid. Tehniline märkus. Punkti 3A001.i. tähenduses on ‘pool-laine pinge’ (‘Vπ’) pinge, mida on vaja rakendada optilist modulaatorit läbiva valguse lainepikkuse 180-kraadiseks faasimuutuseks.