b.

mikro- ja millimeeterlaineseadmete komponendid: Tehniline märkus . Punkti 3A001.b tähenduses võidakse näitajat väljundvõimsus küllastusrežiimis nimetada toote andmelehtedel ka suurimaks väljundvõimsuseks, tippväljundvõimsuseks küllastusrežiimi väljundvõimsuseks ja ka väljundvõimsuseks. 1. järgmised „elektroonilised vaakumseadmed“ ja katoodid: Märkus 1. Punkt 3A001.b.1 ei hõlma „elektroonilisi vaakumseadmeid“, mis on projekteeritud või määratud töötamiseks mis tahes sagedusribades ja millel on kõik järgmised omadused: a. ei ole üle 31,8 GHz ning b. on „ITU poolt eraldatud“ raadioside jaoks, asukoha määramiseks raadio teel. Märkus 2. Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte-„kosmosekindlaid“„elektroonilisi vaakumseadmeid“, millel on kõik järgmised omadused: a. keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem ning b. mis on projekteeritud või määratud töötamiseks mis tahes sagedusribades ja millel on kõik järgmised omadused: 1. on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz ning 2. on „ITU poolt eraldatud“ raadioside jaoks, asukoha määramiseks raadio teel. a. järgmised kulglaine „elektroonilised vaakumseadmed“, impulss- või pidevlainele: 1. seadme töösagedus on üle 31,8 GHz; 2. seade on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit; 3. sidestatud õõnesseadmed või nende modifikatsioonid „suhtelise ribalaiusega“ üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW; 4. seadmed, mis põhinevad heeliks-, murtud või serpentiin-lainejuhiga lülitustel ja nende modifikatsioonid, millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. „hetkribalaius“ on üle ühe oktavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5; b. „hetkribalaius“ on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1; c. on „kosmosekindel“või d. millel on võreline elektronkahur; 5. seadmed, mille „suhteline ribalaius“ on vähemalt 10 % ja millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. ümar elektronkimp; b. mittetelgsümmeetriline elektronkimp või c. mitu elektronkimpu; b. ristvälivõimendus-„elektroonilised vaakumseadmed“ võimendusega üle 17 dB; c. „elektroonilistele vaakumseadmetele“ ette nähtud termokatoodid, mis tagavad emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2, või impulss- (mittepideva) voolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 10 A/cm2; d. „elektroonilised vaakumseadmed“, mis on võimelised töötama ‘kahes režiimis’; Tehniline märkus . ‘Kaks režiimi’ tähendab, et „elektroonilise vaakumseadme“ kiiret voolurežiimi on võimalik tahtlikult vahetada pidevaks või impulssrežiimiks, kasutades võret, ning et impulsi tippväljundvõimsus on suurem kui pidevväljundvõimsus. 2. „mikrolaine monoliitsete integraallülituste“ („MMIC“) võimendid, mis on mis tahes järgmistest: NB! Integreeritud faasinihutiga „MMIC“ võimendite kohta vt punkt 3A001.b.12. a. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 15 % ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 75 W (48,75 dBm) kõikidel sagedustel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 55 W (47,4 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz ja kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 40 W (46 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz ja kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 20 W (43 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); b. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 % ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 10 W (40 dBm) sagedusel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud) või 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 5 W (37 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz ja kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud); c. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 3 W (34,77 dBm) sagedusel üle 16 GHz ja kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; d. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 0,1 nW (– 70 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz ja kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); e. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) sagedusel üle 37 GHz ja kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; f. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 31,62 mW (15 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz ja kuni sageduseni 75 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; g. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 10 mW (10 dBm) sagedusel üle 75 GHz ja kuni sageduseni 90 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 5 % või h. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 0,1 nW (– 70 dBm) sagedusel üle 90 GHz; Märkus 1. Ei kasutata. Märkus 2. „MMIC“, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.h määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse madalaima tipp-küllastusvõimsuse väljundi läve järgi. Märkus 3. Punkti 3A märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma „MMIC“-isid, kui need on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks rakendusteks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes. 3. diskreetsed mikrolainetransistorid, mis on mis tahes järgmistest: a. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud) ning neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 400 W (56 dBm) kõikidel sagedustel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 205 W (53,12 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz ja kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 115 W (50,61 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz ja kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 60 W (47,78 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); b. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ning neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 50 W (47 dBm) sagedusel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 15 W (41,76 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz ja kuni sageduseni 12 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 40 W (46 dBm) sagedusel üle 12 GHz ja kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 7 W (38,45 dBm) sagedusel üle 16 GHz ja kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud); c. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz ja kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); d. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) sagedusel üle 37 GHz ja kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud); e. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 0,1 nW (– 70 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz; või f. muud kui punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e nimetatud ja ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 5 W (37,0 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz ja kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud); Märkus 1. Punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e nimetatud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava ehitusliku töösagedusega transistoride (mis on nimetatud punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e) kontrolli alla kuulumine määratakse madalaima tippküllastusvõimsuse väljundi läve järgi. Märkus 2. Punkt 3A001.b.3 hõlmab paljaskiipe, kiipe kanduritel või kiipe ümbrises. Mõnda diskreetset transistorit võib nimetada ka võimsusvõimenditeks, kuid nende diskreetsete transistorite staatus on kindlaks määratud punktis 3A001.b.3. 4. mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolaine pooljuhtvõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, mis on mis tahes järgmistest: a. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 15 % ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 500 W (57 dBm) sagedusel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 270 W (54,3 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz ja kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 200 W (53 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz ja kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 90 W (49,54 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); b. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 % ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 70 W (48,45 dBm) kõikidel sagedustel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud) 2. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 50 W (47 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz ja kuni sageduseni 12 GHz (kaasa arvatud); 3. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 30 W (44,77 dBm) sagedusel üle 12 GHz ja kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) või 4. tippväljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 20 W (43 dBm) sagedusel üle 16 GHz ja kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud); c. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz ja kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); d. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi tippväljundvõimsusega üle 2 W (33 dBm) sagedusel üle 37 GHz ja kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; e. need on ette nähtud töötamiseks sagedustel üle 43,5 GHz ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. küllastusrežiimi tippväljundvõimsus suurem kui 0,2 W (23 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz ja kuni sageduseni 75 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; 2. küllastusrežiimi tippväljundvõimsus on suurem kui 20 mW (13 dBm) sagedusel üle 75 GHz ja kuni sageduseni 90 GHz (kaasa arvatud) ja „suhteline ribalaius“ üle 5 % või 3. küllastusrežiimi tippväljundvõimsus on suurem kui 0,1 nW (– 70 dBm) sagedusel üle 90 GHz või f. ei kasutata; NB1! „MMIC“ võimendite kohta vt punkt 3A001.b.2. NB2! ‘Edastus-/vastuvõtmismoodulite’ ja ‘edastusmoodulite’ kohta vt punkt 3A001.b.12. NB3! Muundurite ja harmooniliste mikserite kohta, mis on konstrueeritud signaalianalüsaatorite, signaaligeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate töö- või sagedusvahemiku laiendamiseks, vt 3A001.b.7. Märkus 1. Ei kasutata. Märkus 2. Punktides 3A001.b.4.a kuni 3A001.b.4.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega kauba kontrolli alla kuulumine määratakse madalaima tippküllastusvõimsuse väljundi läve järgi 5. elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 häälestatavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 μs jooksul häälestada sagedusribale, mille (fmax/fmin) on 1,5:1, ja millel on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest, või b. ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest; 6. ei kasutata; 7. muundurid ja harmoonilised mikserid, mis on mis tahes järgmistest: a. konstrueeritud „signaalianalüsaatorite“ sagedusvahemiku laiendamiseks üle 90 GHz; b. konstrueeritud signaaligeneraatorite tööulatuse laiendamiseks järgmiselt: 1. üle 90 GHz; 2. väljundvõimsus üle 100 mW (20 dBm), kui sagedusvahemik on üle 43,5 GHz, kuid mitte üle 90 GHz; c. konstrueeritud võrguanalüsaatorite tööulatuse laiendamiseks järgmiselt: 1. üle 110 GHz; 2. väljundvõimsus üle 31,62 mW (15 dBm), kui sagedusvahemik on üle 43,5 GHz, kuid mitte üle 90 GHz; 3. väljundvõimsus üle 1 mW (0 dBm), kui sagedusvahemik on üle 90 GHz, kuid mitte üle 110 GHz, või d. konstrueeritud mikrolaine testvastuvõtjate sagedusvahemiku laiendamiseks üle 110 GHz; 8. mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b.1 nimetatud „elektroonilisi vaakumseadmeid“ ja millel on kõik järgmised omadused: a. töösagedus üle 3 GHz, b. keskmine väljundvõimsus massi suhtes on üle 80 W/kg ning c. maht on väiksem kui 400 cm3; Märkus. Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on projekteeritud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on „ITU poolt eraldatud“ raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks. 9. mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine „elektroonilisest vaakumseadmest“, „mikrolaine monoliitsest integraallülitusest“ („MMIC“) ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist ja millel on kõik järgmised omadused: a. ‘sisselülitusaeg’ väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi; b. maht on väiksem kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W ning c. „hetkribalaius“ on üle ühe oktavi (fmax > 2fmin) ja vähemalt üks järgmistest omadustest: 1. sagedus 18 GHz või vähem üle 100 W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures või 2. sagedus üle 18 GHz; Tehnilised märkused . 1. Punktis 3A001.b.9.b osutatud mahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. Punktis 3A001.b.9.a nimetatud ‘sisselülitusaeg’ tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega. 10. ostsillaatorid või ostsillaatorikoostud, mis on määratud töötama, kui ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on vähem (parem) kui -(126 + 20log10F – 20log10f) vahemikus 10 Hz < F < 10 kHz; Tehniline märkus . Punktis 3A001.b.10 on F külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides. 11. ‘sagedussüntesaatori’„elektroonikasõlmed“, mille „sageduse ümberlülitusajal“ on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. vähem kui 143 ps; b. vähem kui 100 μs, kui sagedusemuutus on üle 2,2 GHz sünteesitava sageduse vahemikus üle 4,8 GHz, kuid mitte üle 31,8 GHz, c. ei kasutata; d. vähem kui 500 μs, kui sagedusemuutus on üle 550 MHz sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37 GHz; e. vähem kui 100 μs, suurema kui 2,2 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 37 GHz, kuid mitte üle 75 GHz, f. vähem kui 100 μs, suurema kui 5,0 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 75 GHz, kuid mitte üle 90 GHz, või g. vähem kui 1 ms, kui sünteesitav sagedusvahemik on üle 90 GHz; Tehniline märkus . ‘Sagedussüntesaator’ (frequency synthesiser) – mis tahes sagedusallikas, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitu üheaegset või vahelduvat väljundsagedust ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud, tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt. NB! Üldotstarbeliste „signaalianalüsaatorite“, signaaligeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate kohta vaata vastavalt punkte 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f. 12. ‘edastus-/vastuvõtmismoodulid’, ‘edastus-/vastuvõtmis-MMICd’, ‘edastusmoodulid’ ja ‘edastus-MMICd’, mis on määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused: a. iga kanali tippväljundvõimsus küllastusrežiimis (vattides), Psat, suurem kui 505,62 jagatud maksimaalse töösagedusega (gigahertsides (GHz)) ruudus [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2]; b. iga kanali „osaribalaius“ 5 % või rohkem; c. mis tahes tasapinnaline külg, mille pikkus (d, sentimeetrites) on kas võrdne 15 või sellest väiksem, jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz], milles N on edastus- või edastus-/vastuvõtukanalite arv, ning d. elektrooniliselt reguleeritav faasinihuti kanali kohta; Tehnilised märkused . 1. ‘Edastus-/vastuvõtmismoodul’ – multifunktsionaalne „elektrooniline koost“, mis võimaldab signaalide edastusel ja vastuvõtul kahesuunalist amplituudi ja faasikontrolli. 2. ‘Edastusmoodul’ – „elektrooniline koost“, mis võimaldab signaalide edastusel amplituudi ja faasikontrolli. 3. ‘Edastus-/vastuvõtmis-MMIC’ – multifunktsionaalne „MMIC“, mis võimaldab signaalide edastusel ja vastuvõtul kahesuunalist amplituudi ja faasikontrolli. 4. ‘Edastus–MMIC’ – „MMIC“, mis võimaldab signaalide edastusel amplituudi ja faasikontrolli. 5. 2,7 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust (f GHz ) punktis 3A001.b.12.c toodud valemis selliste edastus-/vastuvõtumoodulite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka 2,7 GHz madalamate sageduste piirkonda [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. Punkti 3A001.b.12 kohaldatakse jahutusradiaatoriga või ilma selleta ‘edastus-/vastuvõtmismoodulite’ või ‘edastusmoodulite’ suhtes. Alapunkti d väärtus punktis 3A001.b.12.c ei hõlma ‘edastus-/vastuvõtmismooduli’ või ‘edastusmooduli’ osa, mis toimib jahutusradiaatorina. 7. ‘Edastus-/vastuvõtmismoodulitel’ või ‘edastusmoodulitel’ või ‘edastus-/vastuvõtmis-MMICdel’ või ‘edastus-MMICdel’ võib olla või ei pruugi olla N integreeritud kiirgavat antennielementi, milles N on edastus- või edastus-/vastuvõtmiskanalite arv.