b.

mikro- ja millimeeterlaineseadmete komponendid: Tehnilised märkused 1. Punkti 3A001.b. tähenduses võib parameetrit tipp-küllastusvõimsus väljundis toote andmelehtedel nimetada: väljundvõimsus, küllastus-väljundvõimsus, maksimaalne võimsusväljund, tipp-küllastusvõimsus väljundis või tipp-mähisvõimsus väljundis. 2. Punkti 3A001.b.1. tähenduses on 'elektroonilised vaakumseadmed' elektroonilised seadmed, mis põhinevad elektronkimbu ja vaakumlülituses leviva elektromagnetlaine koostoimel või mis toimivad koos raadiosageduslike vaakum-õõnesresonaatoritega. 'Elektroonilised vaakumseadmed' hõlmavad klüstroneid, kulglainelampe ja nende modifikatsioone. 1. Järgmised 'elektroonilised vaakumseadmed' ja katoodid: Märkus 1 Punkt 3A001.b.1 ei hõlma 'elektroonilisi vaakumseadmeid', mis on projekteeritud või määratud töötamiseks mis tahes sagedusribades ja millel on kõik järgmised omadused: a. ei ole üle 31,8 GHz ja b. on "ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks, aga mitte ette nähtud asukoha määramiseks. Märkus 2 Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte-"kosmosekindlaid" 'elektroonilisi vaakumseadmeid', millel on kõik järgmised omadused: a. keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem ja b. mis on projekteeritud või määratud töötamiseks mis tahes sagedusribades ja millel on kõik järgmised omadused: 1. on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz ja 2. on "ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks, aga mitte ette nähtud asukoha määramiseks. a. järgmised kulglaine 'elektroonilised vaakumseadmed', impulss- või pidevlainele: 1. seadme töösagedus on üle 31,8 GHz; 2. seade on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit; 3. sidestatud õõnesseadmed või nende modifikatsioonid "osaribalaiusega" üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW; 4. seadmed, mis põhinevad heeliks-, murtud või serpentiin-lainejuhiga lülitustel ja nende modifikatsioonid, millel on järgmised omadused: a. "hetkribalaius" on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5; b. "hetkribalaius" on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1; c. on "kosmosekindel"; või d. millel on võreline elektronkahur; 5. seadmed "osaribalaiusega", mis on vähemalt 10 % ja millel on mis tahes järgmised omadused: a. ümar elektronkimp; b. mittetelgsümmeetriline elektronkimp; või c. mitu elektronkimpu; b. ristvälivõimendus-'elektroonilised vaakumseadmed' võimendusega üle 17 dB; c. "elektroonilistele vaakumseadmetele" määratud termokatoodid, mis tagavad emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2, või impulss- (mittepideva) voolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 10 A/cm2; d. 'elektroonilised vaakumseadmed', mis on võimelised toimima 'kahes režiimis'. Tehniline märkus 'Kaks režiimi' tähendab, et 'elektroonilise vaakumseadme' kiire voolurežiimi on võimalik tahtlikult vahetada pideva ja impulssrežiimi vahel, kasutades võret, ning et impulsi tippväljundvõimsus on suurem kui pidevväljundvõimsus. 2. mikrolaine "monoliitsete integraallülituste" (MMIC) võimendid, mis on mis tahes järgmistest: NB! Integreeritud faasinihutiga "MMIC" võimendite kohta vt punkt 3A001.b.12. a. määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz "osaribalaiusega", mis on suurem kui 15 %, ja millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 75 W (48,75 dBm) igal sagedusel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 2,9 GHz; 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 55 W (47,4 dBm) igal sagedusel üle 2,9 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,2 GHz; 3. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 40 W (46 dBm) igal sagedusel üle 3,2 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,7 GHz; või 4. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 20 W (43 dBm) igal sagedusel üle 3,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz; b. määratud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 16 GHz "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %, ja millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 10 W (40 dBm) igal sagedusel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 8,5 GHz; või 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 5 W (37 dBm) igal sagedusel üle 8,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 16 GHz; c. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 3 W (34,77 dBm) igal sagedusel üle 16 GHz kuni ja kaasa arvatud 31,8 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %; d. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,1 nW (– 70 dBm) igal sagedusel üle 31,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 37 GHz; e. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 1 W (30 dBm) igal sagedusel üle 37 GHz kuni ja kaasa arvatud 43,5 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %; f. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 31,62 mW (15 dBm) igal sagedusel üle 43,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 75 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %; g. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 10 mW (10 dBm) igal sagedusel üle 75 GHz kuni ja kaasa arvatud 90 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 5 %; või h. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,1 nW (– 70 dBm) igal sagedusel üle 90 GHz; Märkus 1 Ei kasutata. Märkus 2 MMIC, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.h. määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse madalaima tipp-küllastusvõimsuse väljundi läve järgi. Märkus 3 Punkti 3A märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMICsid, kui need on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks rakendusteks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes. 3. diskreetsed mikrolainetransistorid, mis on mis tahes järgmistest: a. määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz ning millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 400 W (56 dBm) igal sagedusel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 2,9 GHz; 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 205 W (53,12 dBm) igal sagedusel üle 2,9 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,2 GHz; 3. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 115 W (50,61 dBm) igal sagedusel üle 3,2 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,7 GHz; või 4. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 60 W (47,78 dBm) igal sagedusel üle 3,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz; b. määratud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 31,8 GHz ning millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 50 W (47 dBm) igal sagedusel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 8,5 GHz; 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 15 W (41,76 dBm) igal sagedusel üle 8,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 12 GHz; 3. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 40 W (46 dBm) igal sagedusel üle 12 GHz kuni ja kaasa arvatud 16 GHz; või 4. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 7 W (38,45 dBm) igal sagedusel üle 16 GHz kuni ja kaasa arvatud 31,8 GHz; c. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,5 W (27 dBm) igal sagedusel üle 31,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 37 GHz; d. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 1 W (30 dBm) igal sagedusel üle 37 GHz kuni ja kaasa arvatud 43,5 GHz; e. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,1 nW (– 70 dBm) igal sagedusel üle 43,5 GHz; Märkus 1 Punktides 3A001.b.3.a kuni 3A001.b.3.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse madalaima tippküllastusvõimsuse väljundi läve järgi Märkus 2 Punkt 3A001.b.3 hõlmab paljaskiipe, kiipe kanduritel või kiipe ümbrises. Mõnda diskreetset transistorit võib nimetada ka võimsusvõimenditeks, kuid nende diskreetsete transistorite staatus on kindlaks määratud punktis 3A001.b.3. 4. mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolaine pooljuhtvõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, mis on mis tahes järgmistest: a. määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz "osaribalaiusega", mis on suurem kui 15 %, ja millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 500 W (57 dBm) igal sagedusel üle 2,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 2,9 GHz; 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 270 W (54,3 dBm) igal sagedusel üle 2,9 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,2 GHz; 3. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 200 W (53 dBm) igal sagedusel üle 3,2 GHz kuni ja kaasa arvatud 3,7 GHz; või 4. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 90 W (49,54 dBm) igal sagedusel üle 3,7 GHz kuni ja kaasa arvatud 6,8 GHz; b. määratud töötamiseks sagedustel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 31,8 GHz "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %, ja millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 70 W (48,54 dBm) igal sagedusel üle 6,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 8,5 GHz; 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 50 W (47 dBm) igal sagedusel üle 8,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 12 GHz; 3. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 30 W (44,77 dBm) igal sagedusel üle 12 GHz kuni ja kaasa arvatud 16 GHz; või 4. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 20 W (43 dBm) igal sagedusel üle 16 GHz kuni ja kaasa arvatud 31,8 GHz; c. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 0,5 W (27 dBm) igal sagedusel üle 31,8 GHz kuni ja kaasa arvatud 37 GHz; d. määratud töötamiseks tipp-küllastusvõimsusega väljundis üle 2 W (33 dBm) igal sagedusel üle 37 GHz kuni ja kaasa arvatud 43,5 GHz ja "osaribalaiusega", mis on suurem kui 10 %; e. määratud töötamiseks sagedustel üle 43,5 GHz ja millel on mis tahes järgmised omadused: 1. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 0,2 W (23 dBm) igal sagedusel üle 43,5 GHz kuni ja kaasa arvatud 75 GHz ja osaribalaiusega, mis on suurem kui 10 %; 2. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 20 mW (13 dBm) igal sagedusel üle 75 GHz kuni ja kaasa arvatud 90 GHz ja osaribalaiusega, mis on suurem kui 5 %; või 3. tipp-küllastusvõimsus väljundis suurem kui 0,1 nW (- 70 dBm) igal sagedusel üle 90 GHz või f. Ei kasutata. NB 1! MMIC võimendite kohta vt punkt 3A001.b.2. NB 2! 'Edastus-/vastuvõtmismoodulite' ja 'edastusmoodulite' kohta vt punkt 3A001.b.12. Märkus 1 Ei kasutata. Märkus 2 Punktides 3A001.b.4.a kuni 3A001.b.4.e määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega kauba kontrolli alla kuulumine määratakse madalaima tippküllastusvõimsuse väljundi läve järgi 5. elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 μs jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5: 1 ja millel on järgmised omadused: a. ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest, või b. ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest; 6. ei kasutata; 7. muundurid ja harmoonilised mikserid, mis on mis tahes järgmistest: a. konstrueeritud "signaalianalüsaatorite" sagedusvahemiku laiendamiseks üle 90 GHz; b. konstrueeritud signaaligeneraatorite tööulatuse laiendamiseks järgmiselt: 1. üle 90 GHz; 2. väljundvõimsus üle 100 mW (20 dBm), kui sagedusvahemik on üle 43,5 GHz ja mitte üle 90 GHz; c. konstrueeritud võrguanalüsaatorite tööulatuse laiendamiseks järgmiselt: 1. üle 110 GHz; 2. väljundvõimsus üle 31,62 mW (15 dBm), kui sagedusvahemik on üle 43,5 GHz ja mitte üle 90 GHz; 3. väljundvõimsus üle 1 mW (0 dBm), kui sagedusvahemik on üle 90 GHz ja mitte üle 110 GHz; või d. konstrueeritud mikrolaine testvastuvõtjate sagedusvahemiku laiendamiseks üle 110 GHz; 8. mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b.1 nimetatud 'elektroonilisi vaakumseadmeid' ja millel on kõik järgmised omadused: a. töösagedus üle 3 GHz, b. keskmine väljundvõimsus massi suhtes on üle 80 W/kg ja c. maht on väiksem kui 400 cm3; Märkus Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on projekteeritud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on "ITU poolt eraldatud" raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks. 9. mikrolainevõimsusmoodulid (MPM), mis koosnevad vähemalt jooksva laine 'elektroonilisest vaakumseadmest', "mikrolaine monoliitsest integraallülitusest" ("MMIC") ja integreeritud elektroonilisest võimsusmuundurist ja millel on kõik järgmised omadused: a. 'sisselülitusaeg' väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni on alla 10 sekundi; b. maht on väiksem kui maksimaalne nimivõimsus vattides korrutatud 10 cm3/W ja c. "hetkribalaius" on üle ühe oktaavi (fmax > 2fmin) ja millel on mis tahes järgmine omadus: 1. sagedus 18 GHz või vähem üle 100 W raadiosagedusliku (RF) väljundvõimsuse juures või 2. sagedus üle 18 GHz; Tehnilised märkused 1. Punktis 3A001.b.9.b. osutatud mahu arvutamiseks on antud järgmine näide: 20 W suuruse maksimaalse nimivõimsuse korral oleks maht 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. Punktis 3A001.b.9.a nimetatud sisselülitusaeg tähendab aega täielikult väljalülitatud seisundist kuni täieliku toimimiseni; st see sisaldab mikrolainemooduli (MPM) soojenemisaega. 10. ostsillaatorid või ostsillaatorikoostud, mis on määratud töötama, kui ühe külgriba (SSB) faasimüra (dBc/Hz) on vähem (parem) kui – (126 + 20log10F – 20log10f) vahemikus 10 Hz < F < 10 kHz; Tehniline märkus Punktis 3A001.b.10 on F külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides. 11. "sagedussüntesaatori" "elektroonikasõlmed", mille "sageduse ümberlülitusajal" on mis tahes järgmine omadus: a. vähem kui 143 ps; b. vähem kui 100 μs, suurema kui 2,2 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 4,8 GHz, kuid mitte üle 31,8 GHz; c. ei kasutata; d. vähem kui 500 μs, suurema kui 550 MHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37 GHz; e. vähem kui 100 μs, suurema kui 2,2 GHz sagedusemuutuse korral sünteesitava sageduse vahemikus üle 37 GHz, kuid mitte üle 90 GHz; f. ei kasutata; või g. vähem kui 1 ms, kui sünteesitav sagedusvahemik on üle 90 GHz; NB! Üldotstarbeliste "signaalianalüsaatorite", signaaligeneraatorite, võrguanalüsaatorite ja mikrolaine testvastuvõtjate kohta vaata vastavalt punkte 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f. 12. 'edastus-/vastuvõtmismoodulid', 'edastus-/vastuvõtmis-MMICd', 'edastusmoodulid' ja 'edastus-MMICd', mis on määratud töötamiseks sagedustel üle 2,7 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused: a. iga kanali tipp-küllastusvõimsus (vattides), Psat, suurem kui 505,62 jagatud maksimaalse töösagedusega (gigahertsides (GHz)) ruudus [Psat > 505,62 W × GHz2/fGHz 2]; b. iga kanali "osaribalaius" 5 % või rohkem; c. mis tahes tasapinnaline külg, mille pikkus (d, sentimeetrites) on kas võrdne või väiksem kui 15, jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides GHz [d ≤ 15 cm × GHz × N/fGHz], milles N on edastus- või edastus-/vastuvõtmiskanalite arv; ja d. elektrooniliselt reguleeritav faasinihuti kanali kohta. Tehnilised märkused 1. 'Edastus-/vastuvõtmismoodul': multifunktsionaalne "elektrooniline koost", mis võimaldab signaalide edastusel ja vastuvõtul kahesuunalist amplituudi ja faasikontrolli. 2. ''Edastusmoodul': "elektrooniline koost", mis võimaldab signaalide edastusel amplituudi ja faasikontrolli. 3. ''Edastus-/vastuvõtmis-MMIC': multifunktsionaalne "MMIC", mis võimaldab signaalide edastusel ja vastuvõtul kahesuunalist amplituudi ja faasikontrolli. 4. ''Edastus-MMIC': "MMIC", mis võimaldab signaalide edastusel amplituudi ja faasikontrolli. 5. 2,7 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust (f GHz ) punktis 3A001.b.12.c toodud valemis selliste edastus-/vastuvõtmismoodulite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka madalamate sageduste piirkonda kui 2,7 GHz [d ≤ 15 cm × GHz × N/2,7 GHz]. 6. Punkti 3A001.b.12. kohaldatakse jahutusradiaatoriga või ilma selleta 'edastus-/vastuvõtmismoodulite' või 'edastusmoodulite' suhtes. Alapunkti d väärtus punktis 3A001.b.12.c. ei hõlma edastus-/vastuvõtmismooduli' või 'edastusmooduli' osa, mis toimib jahutusradiaatorina. 7. 'Edastus-/vastuvõtmismoodulitel' või 'edastusmoodulitel' või 'edastus-/vastuvõtmis-MMICdel' või 'edastus-MMICdel' võib olla või ei pruugi olla N integreeritud kiirgavat antennielementi, milles N on edastus- või edastus-/vastuvõtmiskanalite arv.