3.

Tekst punkti 5E001 alapunktist d kuni punkti 5E001 alapunkti e alapunktini 2 lehekülgedel 160–161 asendatakse järgmisega: „d. tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia“, mis on ette nähtud spetsiaalselt telekommunikatsiooni jaoks loodud „monoliitsetel mikrolaine-integraalskeemidel“ (MMIC) võimsusvõimendite „arendamiseks“ või „tootmiseks“ ning millel on vähemalt üks järgmine omadus: Tehniline märkus. Punkti 5E001.d tähenduses võidakse näitajat väljundvõimsus küllastusrežiimis nimetada toote andmelehtedel ka suurimaks väljundvõimsuseks, tippväljundvõimsuseks, küllastusrežiimi väljundvõimsuseks ja ka väljundvõimsuseks. 1. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 2,7 GHz kuni 6,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 15 %, ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 75 W (48,75 dBm) kõikidel sagedustel üle 2,7 GHz ja kuni sageduseni 2,9 GHz (kaasa arvatud); b. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 55 W (47,4 dBm) sagedusel üle 2,9 GHz ja kuni sageduseni 3,2 GHz (kaasa arvatud); c. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 40 W (46 dBm) sagedusel üle 3,2 GHz ja kuni sageduseni 3,7 GHz (kaasa arvatud) või d. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 20 W (43 dBm) sagedusel üle 3,7 GHz ja kuni sageduseni 6,8 GHz (kaasa arvatud); 2. need on ette nähtud töötamiseks sagedusel üle 6,8 GHz kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %, ja neil on vähemalt üks järgmistest omadustest: a. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 10 W (40 dBm) kõikidel sagedustel üle 6,8 GHz ja kuni sageduseni 8,5 GHz (kaasa arvatud) või b. väljundvõimsus küllastusrežiimis on suurem kui 5 W (37 dBm) sagedusel üle 8,5 GHz ja kuni sageduseni 16 GHz (kaasa arvatud); 3. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 3 EW (34,77 dBm) sagedusel üle 16 GHz kuni sageduseni 31,8 GHz (kaasa arvatud) „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; 4. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 0,1 nW (– 70 dBm) sagedusel üle 31,8 GHz kuni sageduseni 37 GHz (kaasa arvatud); 5. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) sagedusel üle 37 GHz kuni sageduseni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; 6. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 31,62 mW (15 dBm) sagedusel üle 43,5 GHz kuni sageduseni 75 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 10 %; 7. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 10 mW (10 dBm) sagedusel üle 75 GHz kuni sageduseni 90 GHz (kaasa arvatud) ja „suhtelise ribalaiusega“ üle 5 % või 8. need on ette nähtud töötamiseks küllastusrežiimi väljundvõimsusega üle 0,1 nW (– 70 dBm) sagedusel üle 90 GHz; e. tehnoloogia üldmärkusele vastav „tehnoloogia“, mis on ette nähtud spetsiaalselt telekommunikatsiooni jaoks loodud selliste elektrooniliste seadmete ja elektronskeemide „arendamiseks“ või „tootmiseks“, mis sisaldavad „ülijuhtivatest“ materjalidest valmistatud komponente, mis on spetsiaalselt loodud töötama temperatuuridel, mis jäävad allapoole vähemalt ühe „ülijuhtiva“ koostisosa „kriitilist temperatuuri“, ning millel on vähemalt üks järgmine omadus: 1. digitaalskeemide voolu lülitamine toimub „ülijuhtivate“ lüüsidega, mille puhul viivitus (sekundites) lüüsi kohta korrutatud kaovõimsusega (vattides) lüüsi kohta on väiksem kui 10–14 J, või 2. sagedusselektiivsus kõigil sagedustel võnkeringidega, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10 000.“