a.

Detectores ópticos según se indica: 1. Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial", según se indica: : A efectos del subartículo 6A002.a.1, los detectores de estado sólido incluyen los "conjuntos de plano focal". a. Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial" que tengan todas las características siguientes: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 10 nm pero no superiores a 300 nm, y 2. Respuesta inferior a 0,1 % con respecto a la respuesta de pico a longitudes de onda superiores a 400 nm; b. Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial" que cumplan todo lo siguiente: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 900 nm pero no superiores a 1 200 nm, y 2. "Constante de tiempo" de respuesta igual o inferior a 95 ns; c. Detectores de estado sólido "calificados para uso espacial" que tengan una respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1 200 nm pero no superiores a 30 000 nm; d. "Conjuntos de plano focal""calificados para uso espacial" que tengan más de 2 048 elementos por conjunto y con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 300 nm pero no superiores a 900 nm. 2. Tubos intensificadores de imagen y los componentes diseñados especialmente para ellos, según se indica: : El subartículo 6A002.a.2. no somete a control los tubos fotomultiplicadores no generadores de imagen con sensor de electrones en vacío que consistan únicamente en alguno de los siguientes componentes: a. Un único ánodo metálico, o b. Ánodos metálicos cuya distancia entre centros sea superior a 500 micras. : La ‘multiplicación de carga’ es una forma de amplificación electrónica de imagen, y se define como la generación de portadores de carga como consecuencia de un proceso de ganancia de ionización por impacto. Los sensores de ‘multiplicación de carga’ pueden asumir la forma de tubos intensificadores de imagen, de detectores de estado sólido o de "conjuntos de plano focal". a. Tubos intensificadores de imagen que tengan todas las características siguientes: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 400 nm pero no superiores a 1 050 nm; 2. Amplificación electrónica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos: a. Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras, o b. Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, diseñado especialmente o modificado para obtener una ‘multiplicación de carga’ por medios distintos de las placas de microcanal, y 3. Cualquiera de los siguientes fotocátodos: a. Fotocátodos multialcalinos (por ejemplo, S-20 y S-25), que tengan una fotosensibilidad superior a 350 μA/lm; b. Fotocátodos de GaAs o de GaInAs, o c. Otros fotocátodos semiconductores "compuestos III/-V" que tengan una "sensibilidad radiante" máxima superior a 10 mA/W; b. Tubos intensificadores de imagen que tengan todas las características siguientes: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1 050 nm pero no superiores a 1 800 nm; 2. Amplificación electrónica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos: a. Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras, o b. Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, diseñado especialmente o modificado para obtener una ‘multiplicación de carga’ por medios distintos de las placas de microcanal, y 3. Fotocátodos semiconductores (por ejemplo, GaAs o GaInAs) "compuestos III/-V" y fotocátodos de transferencia de electrones que tengan una "sensibilidad radiante" máxima superior a 15 mA/W; c. Componentes diseñados especialmente, según se indica: 1. Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras; 2. Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, diseñado especialmente o modificado para obtener una ‘multiplicación de carga’ por medios distintos de las placas de microcanal; 3. Fotocátodos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) "compuestos III/-V" y fotocátodos de transferencia de electrones; : El subartículo 6A002.a.2.c.3. no somete a control los fotocátodos semiconductores compuestos diseñados para obtener una "sensibilidad radiante" máxima: a. igual o superior a 10 mA/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 400 nm pero no superior a 1 050 nm, o b. igual o superior a 15 mA/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1 050 nm pero no superior a 1 800 nm. 3. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial", según se indica: : Los "conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" de ‘microbolómetros’ solo se incluyen en el subartículo 6A002.a.3.f. : Los conjuntos multielemento de detectores, lineales o bidimensionales, son denominados "conjuntos de plano focal". : El subartículo 6A002.a.3. incluye los conjuntos de fotoconductores y los conjuntos fotovoltaicos. : El subartículo 6A002.a.3. no somete a control: a. Multielementos (no más de 16 elementos) encapsulados, constituidos por células fotoconductoras que utilicen cualquiera de las siguientes sustancias: sulfuro de plomo o seleniuro de plomo. b. Detectores piroeléctricos que utilicen cualquiera de las siguientes sustancias: 1. Sulfato de triglicina y variantes; 2. Titanato de zirconio-lantano-plomo y variantes; 3. Tantalato de litio; 4. Fluoruro de polivinilideno y variantes, o 5. Niobato de estroncio bario y variantes; c. "Conjuntos de plano focal" diseñados especialmente o modificados para obtener una ‘multiplicación de carga’ y que por su diseño están limitados a poseer una sensibilidad máxima de radiación igual o inferior a 10 mA/W con longitudes de onda superiores a 760 nm, que tengan todas las características siguientes: 1. Inclusión de un mecanismo limitador de respuesta concebido para no ser retirado ni modificado, y 2. Alguna de las características siguientes: a. El mecanismo limitador de respuesta está integrado o combinado con el elemento detector, o b. El "conjunto de plano focal" solo funciona cuando el mecanismo limitador de respuesta está instalado. : Un mecanismo limitador de respuesta integrado en el elemento detector está diseñado para que no sea posible retirarlo ni modificarlo sin inutilizar el detector. : La ‘multiplicación de carga’ es una forma de amplificación electrónica de imagen, y se define como la generación de portadores de carga como consecuencia de un proceso de ganancia de ionización por impacto. Los sensores de ‘multiplicación de carga’ pueden asumir la forma de tubos intensificadores de imagen, de detectores de estado sólido o de "conjuntos de plano focal". a. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial", que tengan todo lo siguiente: 1. Elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 900 nm pero no superiores a 1 050 nm, y 2. Alguna de las características siguientes: a. "Constante de tiempo" de respuesta inferior a 0,5 ns, o b. Diseñados especialmente o modificados para obtener una ‘multiplicación de carga’ y con una sensibilidad máxima de radiación superior a 10 mA/W; b. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial", que tengan todo lo siguiente: 1. Elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1 050 nm pero no superior a 1 200 nm, y 2. Alguna de las características siguientes: a. "Constante de tiempo" de respuesta igual o inferior a 95 ns, o b. Diseñados especialmente o modificados para obtener una ‘multiplicación de carga’ y con una sensibilidad máxima de radiación superior a 10 mA/W; c. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" no lineales (bidimensionales), que tengan elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1 200 nm pero no superior a 30 000 nm; : Los "conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" de ‘microbolómetros’ a base de silicio u otro material solo se incluyen en el subartículo 6A002.a.3.f. d. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" lineales (unidimensionales), que tengan todas las siguientes características: 1. Elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1 200 nm pero no superior a 3 000 nm, y 2. Alguna de las características siguientes: a. Un coeficiente entre la dimensión de la ‘dirección de barrido’ del elemento detector y la dimensión de la ‘dirección transversal al barrido’ del elemento detector inferior a 3,8, o b. Procesado de señales en el elemento (SPRITE); : El subartículo 6A002.a.3.d. no somete a control los "conjuntos de plano focal" (de no más de 32 elementos) cuyos elementos detectores sean exclusivamente de germanio. : A efectos del subartículo 6A002.a.3.d. se entenderá por ‘dirección transversal al barrido’ el eje paralelo al conjunto lineal de elementos detectores, y por ‘dirección de barrido’, el eje perpendicular al conjunto lineal de elementos detectores. e. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" lineales (unidimensionales), que tengan elementos individuales con respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 3 000 nm pero no superior a 30 000 nm; f. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial" infrarrojos, no lineales (bidimensionales), a base de material para ‘microbolómetro’, que tengan elementos individuales con respuesta no filtrada en una gama de longitud de onda igual o superior a 8 000 nm pero no superior a 14 000 nm; : A efectos de 6A002.a.3.f., se entiende por ‘microbolómetro’ un detector térmico de formación de imágenes que, como consecuencia del cambio de temperatura del detector causado por la absorción de radiación infrarroja, se utiliza para generar cualquier señal utilizable. g. "Conjuntos de plano focal" no "calificados para uso espacial", que tengan todo lo siguiente: 1. Elementos detectores individuales con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 400 nm pero no superiores a 900 nm; 2. Diseñados especialmente o modificados para obtener una ‘multiplicación de carga’ y con una "sensibilidad radiante" máxima superior a 10 mA/W para longitudes de onda superiores a 760 nm, y 3. Más de 32 elementos.