3A001

Productos electrónicos, según se indica: a. Circuitos integrados de uso general, según se indica: Nota: Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes: — "Circuitos integrados monolíticos" — "Circuitos integrados híbridos" — "Circuitos integrados multipastilla" — "Circuitos integrados peliculares", incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro — "Circuitos integrados ópticos" — "Circuitos integrados tridimensionales" — "Circuitos integrados monolíticos de microondas" ("MMIC"). 1. Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación para resistir cualquiera de las siguientes dosis: a. Una dosis total igual o superior a 5 x 103 Gy (silicio) b. Una tasa de dosis igual o superior a 5 x 106 Gy (silicio)/s, o c. Una fluencia (flujo integrado) de neutrones (equivalente 1 MeV) de 5 x 1013 n/cm2 o superior sobre silicio, o su equivalente para otros materiales Nota: El subartículo 3A001.a.1.c no somete a control los semiconductores de aislador metálico (MIS). 2. "Microcircuitos de microprocesador", "microcircuitos de microordenador", microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, circuitos integrados que contienen convertidores analógico-digital y almacenan o procesan los datos digitalizados, convertidores digital-analógico, "circuitos integrados ópticos" o electroópticos diseñados para el "proceso de señales", dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de transformada rápida de Fourier (FFT), memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM) o 'memorias no volátiles', que presenten cualquiera de las características siguientes: a. Preparados para operar a una temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C) b. Preparados para operar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (-55 °C), o c. Preparados para operar en todo el intervalo de temperatura ambiente entre 218 K (-55 °C) y 398 K (125 °C) Nota: El subartículo 3A001.a.2 no somete a control los circuitos integrados diseñados para aplicaciones civiles destinadas a automóviles o ferrocarriles. Nota técnica: Las 'memorias no volátiles' son memorias que retienen los datos durante un período de tiempo después de producirse un corte de energía. 3. "Microcircuitos de microprocesador", "microcircuitos de microordenador" y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz Nota: El subartículo 3A001.a.3 incluye los procesadores de señales digitales, los conjuntos de procesadores digitales y los coprocesadores digitales. 4. Sin uso 5. Circuitos integrados convertidores analógico-digital (ADC) y digital-analógico (DAC), según se indica: a. Convertidores analógico-digital (ADC) que posean cualquiera de las características siguientes: N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A101. 1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,3 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS) 2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 600 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS) 3. Resolución igual o superior a 12 bits, pero inferior a 14 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 400 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS) 4. Resolución igual o superior a 14 bits, pero inferior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 250 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o 5. Resolución igual o superior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 65 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS) N.B. Para los circuitos integrados que contienen convertidores analógico-digital y almacenan o procesan los datos digitalizados, véase el subartículo 3A001.a.14. Notas técnicas: 1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2 n niveles. 2. La resolución del ADC es el número de bits de la salida digital que representa la entrada analógica medida. Para determinar la resolución del ADC no se usa el número efectivo de bits (ENOB). 3. En el caso de los "ADC multicanal", las "velocidades de muestras" no se acumulan y la "velocidad de muestras" es la velocidad máxima de cualquier canal considerado individualmente. 4. En el caso de los "ADC entrelazados" o de los "ADC multicanal" de los que se especifica que tienen un modo de operación entrelazado, se acumulan las "velocidades de muestras" y la "velocidad de muestras" es la velocidad total combinada máxima de todos los canales entrelazados. b. Convertidores digital-analógico (DAC) que posean cualquiera de las características siguientes: 1. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una 'tasa de actualización ajustada' superior a 3 500 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o 2. Resolución igual o superior a 12 bits y que presenten cualquiera de las características siguientes: a. 'Tasa de actualización ajustada' superior a 1 250 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), pero no superior a 3 500 MSPS, y que presenten cualquiera de las características siguientes: 1. Tiempo de estabilización inferior a 9 ns hasta llegar a un 0,024 %, o dentro de este porcentaje, de la escala completa a partir de un intervalo de escala completa, o 2. 'Rango dinámico libre de espurios' (SFDR) superior a 68 dBc (portador) cuando se sintetiza una señal analógica de escala completa de 100 MHz, o la máxima frecuencia de señal analógica de escala completa especificada inferior a 100 MHz, o b. 'Tasa de actualización ajustada' superior a 3 500 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS) Notas técnicas: 1. Por 'rango dinámico libre de espurios' (SFDR) se entiende el coeficiente entre el valor medio cuadrático de la frecuencia portadora (máximo componente de señal) en la entrada del DAC y el valor medio cuadrático del siguiente componente de ruido o distorsión armónica más potente en su salida. 2. El SFDR se determina directamente a partir del cuadro de especificaciones o de los gráficos de caracterización de la relación entre SFDR y frecuencia. 3. Se define que una señal es de escala completa cuando su amplitud es superior a -3 dBfs (escala completa). 4. 'Tasa de actualización ajustada' de los DAC: a. Para los DAC convencionales (sin interpolación), la 'tasa de actualización ajustada' es la velocidad con que la señal digital se convierte en señal analógica y el DAC cambia los valores analógicos de salida. Para los DAC en los que es posible soslayar el modo de interpolación (factor de interpolación igual a uno), debe considerarse que el DAC es un DAC convencional (sin interpolación). b. Para los DAC con interpolación (DAC de muestreo sobredimensionado), se define la 'tasa de actualización ajustada' como la tasa de actualización del DAC dividida por el factor de interpolación menor. Para los DAC con interpolación, puede hacerse referencia a la 'tasa de actualización ajustada' con distintas expresiones, entre las que se cuentan: — velocidad de datos de entrada — velocidad de palabras de entrada — velocidad de muestras de entrada — velocidad máxima de bus de entrada total — velocidad máxima de reloj de DAC para entrada de reloj de DAC. 6. Circuitos integrados electroópticos o "circuitos integrados ópticos", diseñados para el "proceso de señales" y que posean todas las características siguientes: a. Uno o más diodos "láser" internos b. Uno o más elementos fotodetectores internos, y c. Guiaondas ópticos 7. Dispositivos lógicos programables por el usuario que posean cualquiera de las características siguientes: a. Un número máximo de entradas/salidas digitales de terminación única superior a 700, o b. Una 'velocidad pico unidireccional agregada de transcepción de datos de serie' de 500 Gb/s o superior Nota: El subartículo 3A001.a.7 incluye: Dispositivos Lógicos Programables Complejos (Complex Programmables Logic Devices, CPLD) Matrices de Puertas Programables in situ (Field Programmable Gate Arrays, FPGA) Matrices Lógicas Programables in situ (Field Programmable Logic Arrays, FPLA) Interconexiones Programables in situ (Field Programmable Interconnects, FPIC). N.B. Para los circuitos integrados que tienen dispositivos lógicos programables por el usuario que están combinados con un convertidor analógico-digital, véase el subartículo 3A001.a.14. Notas técnicas: 1. El número máximo de entradas/salidas digitales del subartículo 3A001.a.7.a se denomina también número máximo de entradas/salidas de usuario o número máximo de entradas/salidas disponible, con independencia de que el circuito integrado esté encapsulado o sin encapsular. 2. 'Velocidad pico unidireccional agregada de transcepción de datos de serie' es el producto de la máxima velocidad pico unidireccional de transcepción de datos de serie multiplicada por el número de transceptores de la FPGA. 8. Sin uso 9. Circuitos integrados para redes neuronales 10. Circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante y que posean cualquiera de las características siguientes: a. Más de 1 500 terminales b. Un "retardo por propagación en la puerta básica" típico inferior a 0,02 ns, o c. Una frecuencia de funcionamiento superior a 3 GHz 11. Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.10 o 3A001.a.12, fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera y que presenten cualquiera de las características siguientes: a. Un número de puertas equivalente superior a 3 000 (puertas de 2 entradas), o b. Una frecuencia de conmutación superior a 1,2 GHz 12. Procesadores de transformada rápida de Fourier (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una FFT compleja de N puntos de menos de (N log2 N)/20 480 ms, siendo N el número de puntos Nota técnica: Si N es igual a 1 024 puntos, la fórmula que aparece en el subartículo 3A001.a.12 arroja un tiempo de ejecución de 500 μs. 13. Circuitos integrados de sintetizador digital directo (DDS) que reúnan cualquiera de las características siguientes: a. Un convertidor digital-analógico (DAC) con una frecuencia de reloj de 3,5 GHz o superior y una resolución DAC igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, o b. Una frecuencia de reloj de 1,25 GHz o superior y una resolución DAC igual o superior a 12 bits Nota técnica: La frecuencia de reloj del DAC podrá especificarse como la frecuencia de reloj maestro o la frecuencia de entrada del reloj. 14. Circuitos integrados que realizan todas las operaciones siguientes o se pueden programar para realizarlas: a. Conversiones analógico-digital que reúnan cualquiera de las características siguientes: 1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,3 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS) 2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,0 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS) 3. Resolución igual o superior a 12 bits, pero inferior a 14 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,0 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS) 4. Resolución igual o superior a 14 bits, pero inferior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 400 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o 5. Resolución igual o superior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 180 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), y b. Cualquiera de las operaciones siguientes: 1. Almacenamiento de datos digitalizados, o 2. Proceso de datos digitalizados N.B. 1. Para los circuitos integrados con convertidores analógico-digital véase el subartículo 3A001.a.5.a. N.B. 2. Para los dispositivos lógicos programables por el usuario véase el subartículo 3A001.a.7. Notas técnicas: 1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2 n niveles. 2. La resolución del ADC es el número de bits de la salida digital del ADC que representa la entrada analógica medida. Para determinar la resolución del ADC no se usa el número efectivo de bits (ENOB). 3. En el caso de los circuitos integrados con "ADC multicanal" no entrelazados, las "velocidades de muestras" no se acumulan y la "velocidad de muestras" es la velocidad máxima de cualquier canal considerado individualmente. 4. En el caso de los circuitos integrados con "ADC entrelazados" o con "ADC multicanal" de los que se especifica que tienen un modo de operación entrelazado, se acumulan las "velocidades de muestras" y la "velocidad de muestras" es la velocidad total combinada máxima de todos los canales entrelazados. b. Productos de microondas o de ondas milimétricas, según se indica: Nota técnica: A efectos del subartículo 3A001.b, en las hojas de datos del producto podrá también hacerse referencia al parámetro de la potencia de pico de salida en estado de saturación como potencia de salida, potencia de salida en estado de saturación, potencia de salida máxima, potencia de pico de salida o potencia pico de la envolvente a la salida. 1. "Dispositivos electrónicos de vacío" y cátodos, según se indica: Nota 1: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los "dispositivos electrónicos de vacío" diseñados o tasados para funcionar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente: a. No superar los 31,8 GHz, y b. Estar "asignados por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para la radiodeterminación. Nota 2: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los "dispositivos electrónicos de vacío" no "calificados para uso espacial" que se ajusten a todo lo siguiente: a. Una potencia de salida media igual o menor a 50 W, y b. Estar diseñados o tasados para operar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente: 1. Superar los 31,8 GHz, pero sin estar por encima de los 43,5 GHz, y 2. Estar "asignados por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación. a. "Dispositivos electrónicos de vacío" de ondas progresivas, de impulsos o continuas, según se indica: 1. Dispositivos que funcionen en frecuencias superiores a 31,8 GHz 2. Dispositivos dotados de un calefactor de cátodo con un tiempo de subida hasta la potencia de radiofrecuencia nominal inferior a 3 segundos 3. Dispositivos de cavidades acopladas, o los derivados de ellos, con un "ancho de banda fraccional" superior al 7 % o una potencia de pico que exceda los 2,5 kW 4. Dispositivos basados en circuitos en hélice, de guiaondas plegados o de guiaondas de serpentina, o los derivados de ellos, que posean cualquiera de las características siguientes: a. Un "ancho de banda instantáneo" superior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 0,5 b. Un "ancho de banda instantáneo" igual o inferior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 1 c. Ser "calificados para uso espacial", o d. Tener un cañón de electrones con reja 5. Dispositivos con un "ancho de banda fraccional" igual o superior al 10 %, y que reúnan cualquiera de los elementos siguientes: a. Un haz anular de electrones b. Un haz de electrones no axisimétrico, o c. Haces múltiples de electrones b. "Dispositivos electrónicos de vacío" amplificadores de campos cruzados con ganancia superior a 17 dB c. Cátodos termiónicos diseñados para "dispositivos electrónicos de vacío" que produzcan una densidad de corriente de emisiones en las condiciones de funcionamiento nominales superior a 5 A/cm2 o una densidad de corriente (no continua) de impulsos en las condiciones de funcionamiento nominales superior a 10 A/cm2 d. "Dispositivos electrónicos de vacío" con capacidad para funcionar en un 'modo dual' Nota técnica: 'Modo dual' significa que la corriente de haz del "dispositivo electrónico de vacío" puede cambiarse de manera intencional entre la onda continua y el funcionamiento pulsado utilizando una reja y se produce una potencia de pico de salida de impulsos superior a la potencia de salida de la onda continua. 2. Amplificadores de "circuitos integrados monolíticos de microondas" ("MMIC") que reúnan cualquiera de las características siguientes: N.B. Para los amplificadores de "MMIC" que tienen un convertidor de fase integrado véase el subartículo 3A001.b.12. a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 15 %, y que posean cualquiera de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 75 W (48,75 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %, y que reúnan cualquiera de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 W (40 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz, o 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 16 GHz c. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 3 W (34,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 % d. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz e. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 % f. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 % g. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 mW (10 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 5 %, o h. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz Nota 1: Sin uso Nota 2: El régimen de control de los "MMIC" cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.2.a a 3A001.b.2.h, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación. Nota 3: Las notas 1 y 2 en la categoría 3A implican que el subartículo 3A001.b.2 no somete a control los "MMIC" que hayan sido diseñados especialmente para otras aplicaciones, por ejemplo, las telecomunicaciones, el radar o el automóvil. 3. Transistores discretos de microondas que posean cualquiera de las características siguientes: a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, y que posean cualquiera de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 400 W (56 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 205 W (53,12 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 115 W (50,61 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 60 W (47,78 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, y que posean cualquiera de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 50 W (47 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 15 W (41,76 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 12 GHz 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 12 GHz e inferior o igual a 16 GHz, o 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 7 W (38,45 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz c. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,5 W (27 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz d. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz e. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz o f. Distintos de los especificados en los subartículos 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e y tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37,0 dBm) en todas las frecuencias superiores a 8,5 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz Nota 1: El régimen de control de un transistor de los especificados en los subartículos 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.3.a a 3A001.b.3.e, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación. Nota 2: El subartículo 3A001.b.3 incluye los dados sueltos, los dados montados en portadores o los dados montados en envases. Algunos transistores discretos pueden denominarse también amplificadores de potencia, pero el estatus de los transistores discretos está determinado por el subartículo 3A001.b.3. 4. Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas de estado sólido, que sean cualquiera de los siguientes: a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 15 %, y que reúnan cualquiera de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 500 W (57 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 270 W (54,3 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 200 W (53 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 90 W (49,54 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %, y que reúnan cualquiera de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 70 W (48,54 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 50 W (47 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 12 GHz 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 30 W (44,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 12 GHz e inferior o igual a 16 GHz, o 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz c. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,5 W (27 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz d. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 2 W (33 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 % e. Tasados para operar a frecuencias superiores a 43,5 GHz y que posean alguna de las características siguientes: 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,2 W (23 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 % 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 mW (13 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 5 %, o 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz, o f. Sin uso N.B. 1. Para amplificadores de "MMIC", véase el subartículo 3A001.b.2. N.B. 2. Para 'módulos de transmisión/recepción' y 'módulos de transmisión', véase el subartículo 3A001.b.12. N.B. 3. Para los convertidores y mezcladores armónicos diseñados para ampliar el régimen de funcionamiento o la gama de frecuencias de los analizadores de señales, generadores de señales, analizadores de redes o receptores de prueba de microondas, véase el subartículo 3A001.b.7. Nota 1: Sin uso Nota 2: El régimen de control de un producto cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.4.a a 3A001.b.4.e, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación. 5. Filtros pasabanda o filtros supresores de banda sintonizables electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de 1,5:1 (fmáx./fmín.) en menos de 10 microsegundos que posean cualquiera de las características siguientes: a. Banda de paso de más de 0,5 % de la frecuencia central, o b. Banda de atenuación infinita de menos de 0,5 % de la frecuencia central 6. Sin uso 7. Convertidores y mezcladores armónicos que sean cualquiera de los siguientes: a. Diseñados para extender la gama de frecuencia de los "analizadores de señales" más allá de 90 GHz b. Diseñados para extender el régimen de funcionamiento de los generadores de señales según se indica: 1. Más allá de 90 GHz 2. Hasta una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz c. Diseñados para extender el régimen de funcionamiento de los analizadores de redes según se indica: 1. Más allá de 110 GHz 2. Hasta una potencia de salida superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz 3. Hasta una potencia de salida superior a 1 mW (0 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 90 GHz, pero sin sobrepasar los 110 GHz, o d. Diseñados para extender la gama de frecuencia de los receptores de prueba de microondas más allá de 110 GHz 8. Amplificadores de potencia de microondas que contengan los "dispositivos electrónicos de vacío" especificados en el subartículo 3A001.b.1 y que presenten todas las características siguientes: a. Frecuencias de funcionamiento superiores a 3 GHz b. Un coeficiente de potencia de salida media por masa superior a 80 W/kg, y c. Un volumen menor que 400 cm3 Nota: El subartículo 3A001.b.8 no somete a control los equipos diseñados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que estén "asignados por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación. 9. Módulos de alimentación de microondas (MPM) consistentes en, al menos, un "dispositivo electrónico de vacío" de ondas progresivas, un "circuito integrado monolítico de microondas" ("MMIC") y un acondicionador electrónico integrado de potencia, y que posean todas las características siguientes: a. Un 'tiempo de activación' que vaya de apagado a plenamente operativo en menos de 10 segundos b. Un volumen inferior a la potencia nominal máxima en vatios multiplicado por 10 cm3/W, y c. Un "ancho de banda instantáneo" mayor que 1 octava (fmáx. > 2fmín.) y cualquiera de las siguientes características: 1. Para frecuencias iguales o inferiores a 18 GHz, una potencia de salida de radiofrecuencia superior a 100 W, o 2. Una frecuencia superior a 18 GHz Notas técnicas: 1. Para calcular el volumen en el subartículo 3A001.b.9.b, se proporciona el siguiente ejemplo: para una potencia nominal máxima de 20 W, el volumen sería: 20 W x 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. El 'tiempo de activación' del subartículo 3A001.b.9.a se refiere al tiempo que tarda en pasar de totalmente apagado a plenamente operativo, es decir, incluye el tiempo de calentamiento del MPM. 10. Osciladores, o conjuntos de osciladores, especificados para funcionar con un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, inferior a (mejor que) -(126 + 20log10F – 20log10f) en cualquier punto de la gama de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz Nota técnica: En el subartículo 3A001.b.10, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz. 11. "Conjuntos electrónicos" de 'sintetizadores de frecuencias' cuyo "tiempo de conmutación de frecuencia" esté especificado por cualquiera de los parámetros siguientes: a. Inferior a 143 picosegundos b. Inferior a 100 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 4,8 GHz, pero sin sobrepasar los 31,8 GHz c. Sin uso d. Inferior a 500 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 31,8 GHz, pero sin sobrepasar los 37 GHz e. Inferior a 100 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 37 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz, o f. Sin uso g. Inferior a 1 ms dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 90 GHz Nota técnica: 'Sintetizador de frecuencia': es cualquier tipo de generador de frecuencias, con independencia de la técnica utilizada, que proporcione múltiples frecuencias de salida, simultánea o alternativamente, en una o más salidas, controladas por, derivadas de o gobernadas por un número inferior de frecuencias patrón (o maestras). N.B. Para los "analizadores de señales", los generadores de señales, los analizadores de redes y los receptores de prueba de microondas de uso general, véanse los subartículos 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e y 3A002.f, respectivamente. 12. 'Módulos de transmisión/recepción', 'MMIC de transmisión/recepción', 'módulos de transmisión' y 'MMIC de transmisión', tasados para funcionar a frecuencias superiores a 2,7 GHz y que presenten todas las características siguientes: a. Una potencia de pico de salida en estado de saturación (en watios), Psat, mayor que 505,62 dividido por el cuadrado de la frecuencia máxima de funcionamiento (en GHz) [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] para cualquier canal b. Un "ancho de banda fraccional" mayor o igual que el 5 % para cualquier canal c. Cualquier lado planar con longitud d (en cm) igual o inferior a 15 dividido por la frecuencia mínima de funcionamiento en GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], siendo N el número de canales de transmisión o de transmisión/recepción, y d. Un convertidor de fase variable electrónicamente por canal Notas técnicas: 1. Un 'módulo de transmisión/recepción': es un "conjunto electrónico" multifuncional que proporciona amplitud bidireccional y control de fase para la transmisión y la recepción de señales. 2. Un 'módulo de transmisión': es un "conjunto electrónico" que proporciona amplitud y control de fase para la transmisión de señales. 3. Un 'MMIC de transmisión/recepción': es un "MMIC" multifuncional que proporciona amplitud bidireccional y control de fase para la transmisión y la recepción de señales. 4. Un 'MMIC de transmisión': es un "MMIC" que proporciona amplitud y control de fase para la transmisión de señales. 5. El valor 2,7 GHz debe utilizarse como frecuencia mínima de funcionamiento (f GHz ) en la fórmula del subartículo 3A001.b.12.c para módulos de transmisión/recepción o de transmisión con un régimen tasado de funcionamiento que descienda hasta 2,7 GHz y por debajo [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. El subartículo 3A001.b.12 se aplica a los 'módulos de transmisión/recepción' o a los 'módulos de transmisión' con o sin disipador de calor. El valor de d en el subartículo 3A001.b.12. no incluye ninguna porción del 'módulo de transmisión/recepción' o del 'módulo de transmisión' que funcione como un disipador de calor. 7. Los 'módulos de transmisión/recepción' o los 'módulos de transmisión', o los 'MMIC de transmisión/recepción' o los 'MMIC de transmisión' pueden o no tener N elementos de antena radiantes integrados, siendo N el número de canales de transmisión o de transmisión/recepción. c. Dispositivos de ondas acústicas según se indica y componentes diseñados especialmente para ellos: 1. Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas) y que posean cualquiera de las características siguientes: a. Frecuencia portadora superior a 6 GHz b. Frecuencia portadora superior a 1 GHz, pero sin sobrepasar los 6 GHz, y que presenten cualquiera de las características siguientes: 1. 'Rechazo de lóbulos laterales' superior a 65 dB 2. Producto del retardo máximo (expresado en microsegundos) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100 3. Ancho de banda superior a 250 MHz, o 4. Retardo de dispersión superior a 10 microsegundos, o c. Frecuencia portadora igual o inferior a 1 GHz y que posea cualquiera de las características siguientes: 1. Producto del retardo máximo (expresado en microsegundos) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100 2. Retardo de dispersión superior a 10 microsegundos, o 3. 'Rechazo de lóbulos laterales' superior a 65 dB y ancho de banda superior a 100 MHz Nota técnica: El 'rechazo de lóbulos laterales' es el valor máximo de rechazo especificado en la ficha técnica. 2. Dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz 3. Dispositivos optoacústicos de "proceso de señales" en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución Nota: El subartículo 3A001.c no somete a control los dispositivos de ondas acústicas que están limitados a una sola función de filtrado paso banda, paso bajo, paso alto o supresor de banda, o a una función de resonancia. d. Dispositivos y circuitos electrónicos que contengan componentes fabricados a partir de materiales "superconductores", diseñados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la "temperatura crítica" de al menos uno de los constituyentes "superconductores", y que posean cualquiera de las características siguientes: 1. Conmutación de corriente para circuitos digitales utilizando puertas "superconductoras" con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipación de energía por puerta (expresada en vatios) inferior a 10-14 J, o 2. Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10 000 e. Dispositivos de alta energía según se indica: 1. 'Células', según se indica: a. 'Células primarias' con alguna de las siguientes características a 20 °C: 1. 'Densidad de energía' superior a 550 Wh/kg y 'densidad de potencia continua' superior a 50 W/kg, o 2. 'Densidad de energía' superior a 50 Wh/kg y 'densidad de potencia continua' superior a 350 W/kg, o b. 'Células secundarias' que tengan una 'densidad de energía' superior a 350 Wh/kg a 20 °C Notas técnicas: 1. A efectos del subartículo 3A001.e.1, la 'densidad de energía' (Wh/kg) se calcula a partir de la tensión nominal multiplicada por la capacidad nominal en amperios-horas (Ah) dividida por la masa expresada en kilogramos. Si no figura la capacidad nominal, la densidad de energía se calcula a partir de la tensión nominal al cuadrado y luego multiplicada por la duración de la descarga, expresada en horas, dividida por la intensidad de la descarga expresada en ohmios y la masa en kilogramos. 2. A efectos del subartículo 3A001.e.1, una 'célula' se define como un dispositivo electromecánico con electrodos positivos y negativos, un electrolito, y constituye una fuente de energía eléctrica. Es el elemento básico que compone una batería. 3. A efectos del subartículo 3A001.e.1.a, una 'célula primaria' es una 'célula' que no se ha diseñado para ser cargada por otra fuente. 4. A efectos del subartículo 3A001.e.1.b, una 'célula secundaria' es una 'célula' diseñada para ser cargada por una fuente eléctrica externa. 5. A efectos del subartículo 3A001.e.1.a, la 'densidad de potencia continua' (Wh/kg) se calcula a partir de la tensión nominal multiplicada por la corriente de descarga continua máxima especificada expresada en amperios (A) dividida por la masa expresada en kilogramos. La 'densidad de potencia continua' también se conoce como potencia específica. Nota: El subartículo 3A001.e.1 no somete a control las baterías, incluidas las de célula única. 2. Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía según se indica: N.B. VÉANSE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.a y la Relación de Material de Defensa. a. Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) y que reúnan todas las características siguientes: 1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV 2. Densidad de energía igual o superior a 250 J/kg, y 3. Energía total igual o superior a 25 kJ b. Condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que reúnan todas las características siguientes: 1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV 2. Densidad de energía igual o superior a 50 J/kg 3. Energía total igual o superior a 100 J, y 4. Vida útil igual o superior a 10 000 ciclos de carga/descarga 3. Electroimanes o solenoides "superconductores", diseñados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que reúnan todas las características siguientes: N.B. VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.b. Nota: El subartículo 3A001.e.3 no somete a control los electroimanes o solenoides "superconductores" diseñados especialmente para los equipos médicos de formación de imágenes por resonancia magnética (MRI). a. Energía suministrada durante la descarga superior a 10 kJ en el primer segundo b. Diámetro interior de las bobinas portadoras de corriente superior a 250 mm, y c. Estar previstos para una inducción magnética superior a 8 T o una "densidad de corriente global" en las bobinas superior a 300 A/mm2 4. Células fotovoltaicas, conjuntos de recubrimientos de vidrio para interconexiones de células (CIC), paneles solares y generadores fotoeléctricos que sean "calificados para uso espacial" y que tengan una eficiencia media mínima superior al 20 % a una temperatura de funcionamiento de 301 K (28 °C) bajo una iluminación simulada 'AM0' con una irradiación de 1 367 watios por metro cuadrado (W/m2) Nota técnica: 'AM0' o 'masa de aire cero' se refiere a la irradiación espectral de luz solar en la atmósfera más exterior de la Tierra, cuando la distancia entre esta y el sol es de una unidad astronómica (AU). f. Codificadores de posición absoluta del tipo de entrada rotativa que tengan una "exactitud" inferior o igual a (mejor que) 1,0 segundos de arco, y anillos, discos o escalas de codificador diseñados especialmente para ello g. Dispositivos tiristor y 'módulos tiristor' de conmutación de potencia pulsada de estado sólido que utilicen métodos de conmutación controlados eléctricamente, ópticamente o por radiación de electrones y que presenten alguna de las características siguientes: 1. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 30 000 A/microsegundo, y una tensión en estado bloqueado superior a 1 100 V, o 2. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 2 000 A/microsegundo y que reúnan todas las características siguientes: a. Una tensión nominal máxima en estado bloqueado igual o superior a 3 000 V, y b. Una corriente máxima (sobreintensidad) igual o superior a 3 000 A Nota 1: El subartículo 3A001.g incluye los productos siguientes: Rectificadores de silicio controlados (SCR) Tiristores de activación eléctrica (ETT) Tiristores de activación lumínica (LTT) Tiristores conmutados por puerta integrada (IGCT) Tiristores desactivables por puerta (GTO) Tiristores controlados por transistor MOS (MCT) Solidtrons. Nota 2: El subartículo 3A001.g no somete a control los mecanismos tiristor y 'módulos tiristor' que se hayan incorporado a equipos diseñados para aplicaciones en líneas férreas civiles o "aeronaves civiles". Nota técnica: A efectos del subartículo 3A001.g, un 'módulo tiristor' contiene uno o más mecanismos tiristor. h. Conmutadores, diodos o 'módulos' de semiconductores de potencia de estado sólido, que reúnan todas las características siguientes: 1. Tasados para una temperatura máxima de funcionamiento en el empalme superior a 488 K (215 °C) 2. Tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador (tensión de bloqueo) superior a 300 V, y 3. Corriente continua superior a 1 A Nota 1: En el subartículo 3A001.h, la tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador incluye la tensión del drenaje a la fuente, la tensión del colector al emisor, la tensión inversa de pico repetitiva y la tensión de pico repetitiva de bloqueo con el elemento desactivador. Nota 2: El subartículo 3A001.h incluye lo siguiente: Transistores de efecto campo de unión (JFET) Transistores verticales de efecto campo de unión (VJFET) Transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFET) Transistores de doble difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (DMOSFET) Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) Transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) Transistores de unión bipolar (BJT) Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCR) Tiristores desactivables por puerta (GTO) Tiristores desactivables por emisor (ETO) Diodos PiN Diodos Schottky. Nota 3: El subartículo 3A001.h no somete a control los conmutadores, diodos o 'módulos' incorporados a equipos que se hayan diseñado para aplicaciones de automóviles civiles, ferrocarriles civiles o "aeronaves civiles". Nota técnica: A efectos del subartículo 3A001.h, un 'módulo' contiene uno o más conmutadores o diodos de semiconductores de potencia de estado sólido. i. Moduladores electroópticos de intensidad, amplitud o fase, diseñados para señales análogas y con cualquiera de las características siguientes: 1. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 10 GHz pero inferior a 20 GHz, pérdida óptica por inserción igual o inferior a 3 dB y con cualquiera de las características siguientes: a. 'Tensión de media onda' ('Vπ') inferior a 2,7 V medida a una frecuencia igual o inferior a 1 GHz, o b. 'Vπ' inferior a 4 V medida a una frecuencia superior a 1 GHz, o 2. Frecuencia máxima de funcionamiento igual o superior a 20 GHz, pérdida óptica por inserción igual o inferior a 3 dB y con cualquiera de las características siguientes: a. 'Vπ' inferior a 3,3 V medida a una frecuencia igual o inferior a 1 GHz, o b. 'Vπ' inferior a 5 V medida a una frecuencia superior a 1 GHz. Nota: El subartículo 3A001.i incluye los moduladores electroópticos que tienen conectores ópticos de entrada y salida (por ejemplo, latiguillos de fibra óptica). Nota técnica: A los efectos del subartículo 3A001.i, la 'tensión de media onda' ('Vπ') es la tensión aplicada necesaria para hacer un cambio de fase de 180 grados en la longitud de onda de la luz que se propaga a través del modulador óptico.