DECISIÓN DEL CONSEJO

de 10 de diciembre de 1985

por la que se adopta el programa de trabajo del año 1986 para el Programa estratégico europeo de investigación y desarrollo relativo a las tecnologías de la información ( ESPRIT )

( 85/558/CEE )

EL CONSEJO DE LAS COMUNIDADES EUROPEAS ,

Visto el Tratado constitutivo de la Comunidad Económica Europea ,

Vista la Decisión 84/130/CEE del Consejo , de 28 de febrero de 1984 , relativa a un Programa europeo de investigación y desarrollo en el ámbito de las tecnologías de la información ( ESPRIT ) (1) y , en particular , el apartado 2 de su artículo 3 ,

Visto el proyecto de programa de trabajo presentado por la Comisión ,

Considerando que se ha consultado al Comité al que se alude en el artículo 4 de la Decisión 84/139/CEE ;

Considerando que los proyectos identificados se encuadran perfectamente en los sectores indicados en el Anexo a la citada Decisión ;

Considerando que las necesidades reales , en lo que se refiere a la contribución comunitaria a nuevos proyectos que caen por debajo del umbral a que se refiere el tercer guión del apartado 2 del artículo 6 de la Decisión anteriormente citada han sido objeto de un minucioso análisis que ha permitido llegar a la conclusión de que se precisa cierto margen de flexibilidad ,

DECIDE :

Artículo 1

Se adopta , para el año 1986 , el Programa de trabajo ESPRIT , tal como figura en el Anexo .

Artículo 2

El 25 % de la contribución total de la Comunidad a nuevos proyectos podrá asignarse a nuevos proyectos que estén por debajo del umbral a que se refiere el tercer guión del apartado 2 del artículo 6 de la Decisión 84/130/CEE .

Artículo 3

La presente Decisión entrará en vigor el 1 de enero de 1986 .

Hecho en Bruselas , el 10 de diciembre de 1985 .

Por el Consejo

El Presidente

F. BODEN

(1) DO n º L 67 de 9 . 3 . 1984 , p. 54 .

ANEXO

PLAN DE TRABAJO ESPRIT 1986

ÍNDICE

0 . INTRODUCCIÓN * 45 *

1 . SUBPROGRAMA 1 : MICROELECTRÓNICA DE PUNTA * 50 *

Sectores de I & D * *

1.1 . MOS submicrónicos * 51 *

1.2 . Procedimiento bipolar submicrónico * 52 *

1.3 . Concepción con ayuda de ordenador ( CAO ) * 54 *

1.4 . Circuitos integrados a compuestos semiconductores * 57 *

1.5 . Optoelectrónica * 59 *

1.6 . Tecnologías evolucionadas de visualización * 61 *

1.7 . Temas generales de apoyo * 61 *

2 . SUBPROGRAMA 2 : TECNOLOGÍA DEL EQUIPO LÓGICO * 65 *

Sectores de I & D * *

2.1 . Teorías , métodos y herramientas * 65 *

2.2 . Aspectos relacionados con la gestión y la industrialización * 70 *

2.3 . Entorno común * 71 *

2.4 . Proyectos de evaluación y de demostración * 73 *

3 . SUBPROGRAMA 3 : TRATAMIENTO AVANZADO DE LA INFORMACIÓN * 74 *

Sectores de I & D * *

3.1 . Ingeniería del conocimiento * 74 *

3.2 . Tratamiento avanzado de la señal incluidas las interfaces hombre-máquina * 77 *

3.3 . Almacenamiento de la información y del conocimiento * 80 *

3.4 . Arquitectura informática * 81 *

3.5 . Aspectos relativos al diseño y a los sistemas * 83 *

3.6 . Proyectos de focalización * 84 *

4 . SUBPROGRAMA 4 : SISTEMAS OFIMÁTICOS * 84 *

Sectores de I & D * *

4.1 . Ciencia de los sistemas ofimáticos y factores humanos * 86 *

4.2 . Puestos de trabajo avanzados e interfaces hombre-máquina * 88 *

4.3 . Sistemas de comunicación * 93 *

4.4 . Sistemas avanzados multimedios para el almacenamiento y la localización de información * 95 *

4.5 . Sistemas ofimáticos integrados * 97 *

5 . SUBPROGRAMA 5 : PRODUCCIÓN INTEGRADA POR ORDENADOR * 98 *

Sectores de I & D * *

5.1 . Arquitectura de los sistemas integrados * 98 *

5.2 . Concepción con ayuda de ordenador ( CAO ) e ingeniería con ayuda de ordenador ( IAO ) * 99 *

5.3 . Fabricación con ayuda de ordenador ( FAO ) * 101 *

5.4 . Sistemas flexibles de fabricación * 102 *

5.5 . Subsistemas y componentes * 104 *

5.6 . Aplicaciones de los sistemas de PIO * 105 *

INTRODUCCIÓN

Esta Sección forma parte integrante del Plan de Trabajo ESPRIT 1986 y es necesaria para su correcta interpretación

0.1 . RESEÑA HISTÓRICA

La Comunidad Económica Europea ha lanzado el Programa estratégico de investigación y desarrollo relativo a la tecnología de la información ( ESPRIT ) . El Programa ESPRIT se ha concebido para promover actividades de investigación y desarrollo precompetitivas y generales en el sector de las tecnologías de la información por medio de proyectos realizados en colaboración en el seno de la Comunidad Europea y financiados en parte por ésta última . Se ha establecido para ESPRIT un plan de gestión , el plan de trabajo anual , a fin de controlar mejor y seguir el desarrollo del Programa . La Comisión , cada año , previa consulta al Comité de gestión ESPRIT , actualiza este documento y lo somete al Consejo para su aprobación . Es el tercero de estos planes de trabajo y cubre el período 1986-1990 .

0.2 . OBJETIVO

El plan de trabajo ESPRIT 1986 se propone :

- servir de directriz para las posibles propuestas , indicándoles el alcance del plan de trabajo ESPRIT ;

- describir los ámbitos de los proyectos así como sus relaciones recíprocas y describir asimismo los trabajos iniciados a raíz de las propuestas emitidas en 1984 y 1985 ;

- facilitar un marco de evaluación y revisión de los proyectos en curso , a fin de poder apreciar los progresos individuales y los progresos obtenidos en relación con los demás proyectos ;

- servir de documento de referencia para las consideraciones relativas a las actividades de coordinación reguladas por ESPRIT y por otros programas comunitarios y nacionales , así como servir de base para las relaciones de ESPRIT con los programas tecnológicos que se realicen fuera de la Comunidad .

0.3 . PLAN DEL DOCUMENTO

Después de la introducción , el documento contiene cinco grandes capítulos que corresponden a los principales subprogramas técnicos de ESPRIT .

La división I & D de ESPRIT en cinco subprogramas obedece en gran parte a la necesidad sentida por la Comunidad de estar en condiciones de dirigir los trabajos . Algunos de los subprogramas técnicos están correlacionados y el plan de trabajo indica las interdependencias más significativas .

Cada subprograma se subdivide en cierto número de sectores I & D ( Investigación y Desarrollo ) , que se subdividen a su vez en temas y proyectos de I & D .

Cada tema I & D se discute pormenorizadamente , indicándose los trabajos que prosiguen los de años anteriores ( en este caso 1983 , 1984 y 1985 ) y los trabajos cuyo comienzo está previsto para 1986 .

0.4 . EL ENFOQUE DE ESPRIT

El enfoque de ESPRIT consiste en crear la base tecnológica que permitirá a la Comunidad hacer uso de las posibilidades que le ofrecen las nuevas tecnologías de la información , favorecer la cooperación y abrir camino a normas de origen europeo .

ESPRIT es un programa comunitario concebido esencialmente para trabajos de I & D en los que se justifique la colaboración a escala comunitaria y que resulten precompetitivos . Esta colaboración se impone ya sea para realizar esfuerzos que tengan un volumen crítico , o para reagrupar las competencias necesarias , que , de otro modo , permanecerían dispersas en la Comunidad , y también para crear los medios de ampliar los mercados . Además , al facilitar un marco abierto a métodos técnicos competitivos , ESPRIT establece una colaboración entre las industrias , y entre las industrias y las universidades .

El criterio de precompetición de ESPRIT se aplica en sectores en los que se podrán utilizar las posibilidades del mercado durante los 5 a 10 años venideros y , de este modo , ESPRIT se sitúa entre la investigación fundamental y la I & D industrial aplicada . La primera investigación no está , por lo general , determinada por prioridades industriales y la segunda responde , en general , a necesidades específicas a corto plazo .

Dos consideraciones han prevalecido en la elección y definición de los sectores de las técnicas de la información que ESPRIT debe estudiar . Estas dos consideraciones son :

( i ) poseer un dominio suficiente de las tecnologías fundamentales ;

( ii ) disponer de sistemas adaptables a las necesidades cambiantes de los mercados , permitiendo de este modo que las necesidades expresadas por dichos mercados influyan en el desarrollo de las tecnologías .

Hay cinco sectores o subprogramas de importancia estratégica para la Comunidad .

SUBPROGRAMA 1 - MICROELECTRÓNICA DE PUNTA

El objetivo principal de este programa , la microelectrónica de punta , se refiere a todos los aspectos de la investigación sobre el abastecimiento de los elementos físicos necesarios para los productos informáticos modernos para la adquisición , tratamiento , memorización , transmisión y visualización de los datos . La microelectrónica de punta representa la base material de la industria de las tecnologías de la información .

Este subprograma está dirigido a los ámbitos prioritarios necesarios para que Europa mantenga una posición competitiva en lo que se refiere al aprovisionamiento suficiente , con precios competitivos y con la tecnología adecuada , de esos componentes esenciales para su industria de los TI .

SUBPROGRAMA 2 - TECNOLOGÍA DEL EQUIPO LÓGICO

La finalidad del subprograma « Tecnología del equipo Lógico » es , en primer lugar , la de promover , a nivel de la Comunidad , métodos de financiación eficaces para producción industrial del equipo lógico de alta calidad y , en segundo lugar , acelerar la introducción de nuevos productos y , finalmente , reducir los costos de equipos lógicos en su ciclo de vida .

Los trabajos realizados en este subprograma se interesan ante todo por las teorías , los métodos y las herramientas para dar a la producción de equipos lógicos una base seria del tipo de las ciencias de ingeniería , por los aspectos industriales y de gestión necesarios para situar esta ciencia dentro de un contexto industrial y de negocios , por el entorno común e íntegro de la ingeniería del equipo lógico y , finalmente , por la demostración de la eficacia de los nuevos métodos de producción de equipos lógicos .

SUBPROGRAMA 3 - TRATAMIENTO AVANZADO DE LA INFORMACIÓN

Este subprograma investiga la forma de mejorar las prestaciones y la eficacia de los sistemas informáticos gracias a progresos en 4 sectores clave , que son : la ingeniería del conocimiento , que comprende el desarrollo de técnicas de adquisición , de representación , de manipulación de conocimientos ; las interfaces externas que se interesan por el reconocimiento , la comprensión y la síntesis de señales ; los medios y técnicas de almacenamiento de la información y de conocimientos cuyos progresos se realizan ya sea en los sectores de las bases de conocimientos y bases de datos , incluyéndose aquí las técnicas de acceso a dichas bases , o en las características arquitectónicas y las propiedades físicas de los dispositivos de archivo avanzados ; las arquitecturas de tratamiento y los entornos asociados de programación , donde se hará hincapié en la utilización del tratamiento en paralelo .

SUBPROGRAMA 4 - SISTEMAS OFIMÁTICOS

Entre los desafíos que debe aceptar el desarrollo de los sistemas ofimáticos , está la comprensión y el apoyo a los trabajos de los empleados de oficina ( y no simplemente la actualización tecnológica de las funciones de oficina tradicionales ) ; el perfeccionamiento de las interfaces hombre-máquina , que permiten la utilización eficaz de sistemas ofimáticos por toda una serie de empleados de oficina ; el desarrollo de enfoques orientados hacia los sistemas para tratar los problemas de ofimática .

El subprograma se ha dividido en cinco sectores :

Ciencia de los sistemas ofimáticos y factores humanos

Puestos de trabajos avanzados

Sistemas de comunicación

Sistemas avanzados de archivo y localización

Sistemas ofimáticos integrados .

SUBPROGRAMA 5 - PRODUCCIÓN INTEGRADA POR ORDENADOR

Los dos objetivos principales del subprograma PIO son : primero , la creación , en el interior de la Comunidad , de un entorno en el que la integración de sistemas de fabricación automatizados inconexos pueda realizarse de forma tal que permita tener a la vez recubrimientos funcionales mínimos y una posibilidad de conexión máxima y , en segundo lugar , el apoyo a trabajos individuales sobre subsistemas seleccionados , sobre interfaces y herramientas cuyo desarrollo o perfeccionamiento se consideren trabajos de valor estratégico para la Comunidad industrial y cuyos objetivos de concepción sean consistentes con la arquitectura general del entorno .

Los trabajos de este subprograma van ligados a las exigencias totales de las actividades de fabricación de la planificación y de la fase de concepción hasta el control en tiempo real de la producción . Estos trabajos comprenden , por tanto , las técnicas de Concepción con Ayuda de Ordenador ( CAO ) , Ingeniería con Ayuda de Ordenador ( IAO ) , Fabricación con Ayuda de Ordenador ( FAO ) y los sistemas de ensamblado y de construcción flexibles , de robótica , de pruebas y de control de la calidad .

0.5 . EJECUCIÓN DEL PROGRAMA E INFRAESTRUCTURA

La Comisión dirigirá y controlará la realización del Programa .

Será también responsable de la infraestructura necesaria para la realización del Programa . Una parte de esta infraestructura es el Sistema de Intercambio de Información ( SII ) . Otra parte es la difusión de los resultados y de los informes y la adquisición de información . La tercera parte de esta infraestructura se refiere a la interrelación entre los trabajos de I & D y las actividades de normalización .

El Sistema de Intercambio de Información ( SII ) ESPRIT sirve de herramienta de gestión . El SII es un sistema de comunicación de datos para el intercambio de información entre las diversas instancias participantes en los proyectos ESPRIT , sus centros de gestión y de decisión y las Administraciones comunitarias y nacionales que participan en la gestión del Programa o de los proyectos .

En el ámbito del SII existen , por ejemplo , proyectos de desarrollo del equipo lógico conformes con la arquitectura OSI para la interconexión de sistemas de manipulación , herramientas de desarrollo , proyectos para desempeñar servicios tales como el correo por ordenador y las posibilidades de conferencia , y finalmente , proyectos más fundamentales que estudian problemas clave tales como la seguridad .

Una parte de los proyectos I & D de ESPRIT creará las bases científicas y técnicas sobre las que se apoyarán posteriormente las actividades de normalización , inversamente , algunos trabajos de interconexión de patrones pueden requerir trabajos suplementarios ; este trabajo se considerará como parte integrante de la infraestructura . El trabajo de homologación estará guiado por la política general de homologación que se realiza en el sector de la tecnología de la información ya establecido y no pretende reproducir una organización cualquiera ya existente o rechazar acciones que ya se hayan realizado .

La difusión de los resultados de ESPRIT y de la información adquirida con ese fin es un elemento importante del programa ESPRIT . Los objetivos de esta difusión serán ante todo aplicar rápidamente a la comunidad industrial los resultados de las investigaciones procedentes de ESPRIT y luego producir las mejores bases para la planificación la gestión del Programa y para las instancias participantes en los proyectos . Para satisfacer estos objetivos , se hará uso a la vez de sistemas clásicos , tales como la publicación , la celebración de reuniones de trabajo o de conferencias y de nuevos métodos de comunicación basados en medios electrónicos como por ejemplo el SII .

0.6 . TELECOMUNICACIONES

Cuando se elaboró el primer plan del programa ESPRIT , se reconoció que las telecomunicaciones representaban una parte importante de la tecnología de la información . Sin embargo , en ese momento no se incluyó este tema dentro del Programa .

En septiembre de 1983 , la comisión preparó una Comunicación para el Consejo en la que mostraba la creciente importancia económica que tenían las telecomunicaciones para el desarrollo económico de la Comunidad y presentaba seis programas de acción .

La segunda categoría de acciones pide un I & D en cooperación y una división del trabajo en la fase precompetitiva . En 1984 , la comisión inició un ejercicio de planificación en el sector de las telecomunicaciones ( PET ) en conexión con las grandes sociedades europeas y los laboratorios de Correos y telecomunicaciones nacionales . La finalidad de este ejercicio consistía en poder evaluar las ventajas que podría ofrecer un enfoque comunitario para establecer la base técnica necesaria para la implantación en la Comunidad , de aquí a 1995 , de una Comunicación Integrada en Banda Ancha ( CIB ) .

Siguiendo los resultados de este ejercicio de planificación , la Comisión ha sometido a la consideración del Consejo una propuesta que consta de 2 partes :

- Definición de un modelo de referencia CIB que se utilizará para identificar precisamente la acción posterior de un programa de I & D en Telecomunicaciones , cuya meta es permitir la realización de la CIB .

- Un conjunto de actividades de evaluación tecnológica , cuyo objeto es apoyar el desarrollo del modelo de referencia .

El Consejo aprobó esta propuesta en julio de 1985 y se está procediendo en la actualidad al lanzamiento de la Fase de Definición de un programa de « Investigación en materia de Comunicaciones Avanzadas en Europa ( ICAE ) » que tendrá en cuenta los resultados de los proyectos de ESPRIT que la afectan , cada vez que sea necesario ; se asegurará una coordinación adecuada entre los dos programas .

0.7 . TIPOS DE PROYECTO

Dentro del plan de trabajo ESPRIT 1986 , se siguen distinguiendo proyectos de tipo A y proyectos de tipo B . Pueden definirse del siguiente modo :

Los proyectos de tipo A son proyectos que se describen dentro del plan de trabajo con objetivos muy precisos . Requieren , por lo general , una infraestructura y unos recursos humanos y financieros importantes así como unas perspectivas claras y constantes .

Los proyectos de tipo B están cubiertos por « temas de investigación » que se dan a título indicativo pero que no constituyen una lista exhaustiva . Necesitan , por lo general , menos recursos pero no obstante se prestan tanto a una gestión orientativa y a unos ciclos de control como puedan hacerlo los proyectos más importantes .

0.8 . SITUACIÓN ACTUAL DEL PROGRAMA

Este plan de trabajo describe los trabajos en vías de realización tras la convocatoria de propuestas de 1984 y los que están a punto de iniciarse antes de la convocatoria de 1985 . Las diferentes etapas que han permitido realizar estos trabajos son las siguientes :

El 30 de diciembre de 1983 se había publicado una notificación previa de participación en el programa principal ESPRIT . El 28 de febrero de 1984 , el Consejo de Ministros aprobó el Programa para un período inicial de cinco años . El plan de trabajo de 1984 se publicó en el Diario Oficial de las Comunidades Europeas .

El 21 de marzo de 1984 se publicó una primera convocatoria de propuestas para el Programa principal . Se recibieron casi 450 propuestas en respuesta a esta petición , las cuales se evaluaron a lo largo de los meses de mayo y junio de 1984 . En julio de 1984 se estableció una primera lista con vistas a una negociación detallada y a la aprobación final . Además , buena parte de los trabajos realizados dentro de la fase piloto anterior estaba combinada con el programa principal .

Una segunda convocatoria de propuestas dió lugar a la misma secuencia de acontecimientos en 1985 , recibiéndose 400 respuestas que se evaluaron y se seleccionaron para entablar negociaciones en julio de 1985 . Para reforzar el esfuerzo dedicado a la tecnología del equipo lógico , se publicó en septiembre de 1985 una convocatoria suplementaria de propuestas , destinada a mejorar la cobertura del programa de trabajo .

Para la participación en el desarrollo y en los servicios del SII , se publicó una convocatoria el 14 de julio de 1984 , y se recibieron 25 respuestas , que fueron evaluadas y han originado algunos contratos .

0.9 . ALCANCE DEL PLAN DE TRABAJO E INTERPRETACIÓN

El plan de trabajo de 1986 abarca el período 1986-1990 , período suficientemente largo para cubrir la duración de los proyectos más largos . Sin embargo , como las tecnologías de la información evolucionan rápidamente , es muy posible que se realice una modificación de los objetivos de I & D en las revisiones anuales . En el plan de trabajo para 1986 hay menos detalles referentes a los objetivos intermedios que en el plan de 1985 , pues muchos de esos objetivos están englobados en los proyectos en curso .

Tales objetivos intermedios habían sido incorporados en anteriores versiones del plan de trabajo para servir de marco de referencia para la evaluación , para una buena gestión y para perfeccionamientos posteriores . Dichos objetivos constituyen la mejor estimación actual de la manera en que pueden alcanzarse los objetivos generales del Proyecto , y unos indicadores y puntos de referencia que servirán para evaluar las propuestas concretas de proyectos . Pero estos objetivos intermedios no se consideran legalmente vinculantes : las propuestas con objetivos finales perfectamente aceptables que se presenten no se podrán rechazar sólo porque puedan basarse en objetivos intermedios diferentes de los aquí propuestos .

En cada sector de ESPRIT hay programas de trabajo que pueden depender de las aptitudes , de las técnicas o de las tecnologías que se están desarrollando en uno o varios sectores .

Para facilitar la presentación , las descripciones de los trabajos en curso se imprimen con letra cursiva . Estas descripciones se colocan debajo del encabezamiento más adecuado , pero hay que tener muy en cuenta que , en algunos casos , los proyectos presentados para cubrir planes de trabajo anteriores desbordan de los límites actuales del tema .

En el plan de trabajo de 1986 , las descripciones de los proyectos de 1983/84 se han actualizado en relación con las descripciones hechas en el plan de trabajo de 1985 . Las actualizaciones se aplican a los cambios producidos entre las propuestas de trabajo y los contratos que se han negociado al final . También se hacen constar , en su caso , los resultados de los trabajos en curso . Las mejores informaciones relativas a los proyectos de 1985 , disponibles en el momento de la redacción del presente documento ( octubre de 1985 ) , se han incorporado al plan de trabajo de 1986 . Hay que señalar , sin embargo , que , en el momento en que se concibió este plan de trabajo , la Comisión no había terminado todavía las negociaciones relativas a todos estos trabajos y que , en algunos casos , podrán producirse modificaciones de última hora .

El programa de trabajo muestra que si las áreas técnicas elegidas para la primera fase de ESPRIT se han tratado de manera significativa , quedan , sin embargo , ciertos sectores importantes que no han sido tratados . Estos se han identificado en el plan de trabajo , capítulo por capítulo , con el subtítulo « Scope for further work » .

La(s) convocatoria(s) de propuestas que se publique(n) en 1986 se referirá(n) , bien a una selección de trabajos que todavía no se han cubierto , bien a los trabajos relacionados con proyectos que se terminarán prematuramente pero cuyo tema sigue presentando un carácter prioritario para alcanzar las metas del programa ESPRIT . Se entiende que los proyectos seleccionados después de las convocatorias deberían reforzar de manera particular la coherencia del trabajo dentro de ESPRIT y hacer que este programa alcance el mayor número posible de objetivos estratégicos .

La(s) convocatoria(s) de propuestas será(n) seleccionada(s) y se dotará(n) de recursos más restringidos que las convocatorias de los años anteriores . Sólo se incluirá en el plan de trabajo las áreas que se mencionen en el mismo como áreas que pueden ser objeto de una convocatoria .

Los posibles participantes deberán , por tanto , esperar que se publiquen las convocatorias pormenorizadas . En éstas se facilitarán las informaciones necesarias .

0.10 . CRÉDITOS DISPONIBLES

La distribución entre cada subprograma de los recursos totales destinados a ESPRIT podrá modificarse también de acuerdo con la evolución tecnológica mundial . En particular , según la respuesta de las industrias a las convocatorias , tendrá que ser posible transferir recursos de un subprograma a otro - después de todo , la división de ESPRIT , en 5 sectores resulta cómoda desde el punto de vista de la gestión pero no es inherente a la índole de los trabajos .

La distribución aproximada de la contribución comunitaria ( en MECU ) , hasta el presente , para estos proyectos en el supuesto de que éstos alcancen su cumplimiento será el siguiente :

Subprograma * Año de convocatoria de propuestas * Total * Porcentaje del total *

* 1983/84 * 1985 * * *

1 . Microelectrónica * 85,5 * 76,5 * 162,0 * 24,2 *

2 . Tecnología de équipo lógico * 72,9 * 56,6 * 129,5 * 19,3 *

3 . TAI * 89,8 * 65,0 * 154,8 * 23,0 *

4 . Sistemas ofimáticos * 82,6 * 54,6 * 137,2 * 20,5 *

5 . PIO * 45,2 * 41,2 * 86,4 * 13,0 *

Total * 376,0 * 293,9 * 669,9 * 100,0 *

Estas asignaciones presentan algunos cambios en relación con períodos anteriores . Esto se debe a trabajos antiguos que han sido objeto de una nueva oferta con motivo de una convocatoria .

Las asignaciones deben considerarse como cifras utilizadas para la planificación y proceden de cifras relativas a proyectos en ejecución o que se están negociando en la actualidad . Se irán actualizando cuando se vayan notificando cambios en los proyectos o contratos en curso en las distintas áreas técnicas . Se pretende , sin embargo , mantener la distribución aproximada entre las cinco áreas .

Notas :

( 1 ) Las cifras de 1983/84 combinan las contribuciones a los proyectos piloto de 1983 y las relacionadas con los proyectos que se han puesto en marcha a raíz de la primera convocatoria de propuestas relacionadas con el programa principal de 1984 .

( 2 ) Las cifras de 1985 son cifras objetivo y deberán ajustarse , tal vez , en vista de las negociaciones contractuales finales .

( 3 ) La cifra de 1985 relativa a la tecnología del equipo lógico incluye los fondos necesarios para cubrir la convocatoria de propuestas suplementaria prevista .

( 4 ) Se excluye de las cifras todo gasto intra muros en concepto de infraestructura o de apoyo dentro de la Comisión .

SUBPROGRAMA 1

MICROELECTRÓNICA DE PUNTA

1.0 . Introducción

En el contexto de este subprograma , la microelectrónica de punta abarca todos los aspectos de la investigación y del desarrollo que se refieren a los elementos físicos necesarios para la adquisición , el tratamiento , el almacenamiento , la transmisión y la visualización de los datos requeridos por los productos de la información moderna ; constituye , pues , la base material de la industria de las tecnologías de la información .

Este subprograma está orientado hacia los sectores prioritarios necesarios para garantizar la permanencia de la situación competitiva de Europa en lo relativo al suministro , en cantidades suficientes y con precios competitivos , de los ingredientes indispensables para su industria de las TI .

Descripción de los subprogramas

La meta esencial del programa de investigación y desarrollo en el campo de la microelectrónica consiste en llevar las tecnologías de fabricación MOS y bipolar hasta los límites de su capacidad ( sectores 1.1 y 1.2 ) , mientras se continúa el examen de las posibilidades que ofrecen los materiales semiconductores compuestos , tales como el arseniuro de galio ( sector 1.4 ) , que presentan posibilidades en sectores clave superiores a las de las técnicas que utilizan el silicio . Cuatro nuevos proyectos B son objeto de negociación , dos en el sector 1.1 y dos en el sector 1.2 . Un nuevo proyecto A y dos nuevos proyectos B se negociarán en el sector 1.4 .

Además de la posibilidad de producir « chips » con funciones múltiples , hay que resolver también los problemas planteados por la complejidad de su diseño . La gestión eficaz de esta complejidad es la meta principal de la concepción con ayuda de ordenador ( CAO ) de los sistemas VLSI , tema del sector 1.3 . Se están negociando en la actualidad cinco nuevos proyectos en este sector .

El sector 1.5 se refiere a las posibilidades que ofrecen los dispositivos optoelectrónicos , en particular en el área de la transmisión de datos . El proyecto A que se está llevando a cabo en este área será actualizado y se mejorará con la ayuda de nuevos conceptos que se derivan de dos propuestas recibidas en el marco de la convocatoria de ofertas de 1985 . Se está negociando , asimismo , un nuevo proyecto B .

Las tecnologías avanzadas de visualización constituyen el tema del sector 1.6 . Ofrecen la posibilidad de sustituir el omnipresente tubo catódico como vehículo principal de la visualización a gran escala por componentes semiconductores más compactos . Se está negociando un nuevo proyecto B . Los sectores 1.8 y 1.9 del plan de trabajo anterior ( 85 ) se han fundido en un nuevo sector 1.7 que reúne temas de investigación más innovadores y enfocados a más largo plazo que los contenidos en los sectores 1 a 6 , así como las áreas críticas de las tecnologías y de las técnicas que se derivan de un tronco común . Se trata , en este caso , del empaquetado , de la modelización de los dispositivos , así como de materiales y de técnicas de tratamiento particulares .

El control por ordenador de la fabricación de los VLSI es también necesario para apoyar programas tecnológicos . En tal caso , la reducción del tamaño de los dispositivos y de su espesor exige un control más riguroso de los procedimientos , al ser los parámetros finales de los dispositivos función de un gran número de variables .

En este contexto la reducción al mínimo de las intervenciones humanas y la lucha contra las fuentes de contaminación que limitan el rendimiento revisten una importancia crítica . Para un nivel dado de contaminación , el rendimiento disminuye rápidamente según se va reduciendo el tamaño del dispositivo .

Estos problemas podrían abordarse por medio de proyectos de tipo B adaptados a este sector .

El ejemplo citado ilustra también un área en la que la cooperación entre subprogramas podría resultar extremadamente útil . Debería fomentarse la cooperación entre proyectos PIO que tratan problemas similares .

Se están negociando en la actualidad siete nuevos proyectos del sector 1.7 .

Sector I & D 1.1 : MOS submicrónicos

El objetivo es la puesta a punto de todas las etapas del proceso , tales como la litografía , el grabado , el barnizado , etc. , hasta llegar a circuitos MOS submicrónicos . El objetivo último es lograr un procedimiento capaz de producir varios millones de componentes de lógica y de memoria por microplaquetas . A un nivel inferior a 0,7 micras se ha previsto utilizar herramientas distintas de la litografía óptica . Se incluirá en el proyecto la modelización de los procesos y dispositivos . Para lograr estos fines , deberán desarrollarse todavía los sistemas de camino crítico comunes a los Sectores 1.1 y 1.2 de I.D. ( Véase el sector 1.7 ) .

1.1.1 . Objetivos

Los objetivos principales del programa quinquenal son los siguientes :

- 18 ° mes : Concepción y evaluación de una microplaqueta experimental de más de un millar de transistores basados en las reglas de implantación de una micra , con un paso ( metal más espacio ) de 3 micras ;

- Año 3 : Primeras muestras de circuito de demostración de 0,5 millones de transistores basado en las reglas de implantación de una micra , con datos relativos al factor de mérito y al tiempo de demora ;

- Año 4 : Datos estadísticos relativos a la homogeneidad de una placa y al rendimiento obtenido con las reglas de implantación de una micra , así como al circuito de ensayo de más de un millar de transistores basado en las reglas de concepción de 0,7 micras y con un paso de 2 micras ;

- Año 5 : Primeras muestras de circuitos de más de un millón de transistores , basados en las reglas de implantación de 0,7 micras , con datos sobre el factor de mérito y al tiempo de demora .

1.1.2 . Proyectos actuales y proyectos en fases de negociación

« Materiales y proceso SOI orientados a una integración tridimensional »

Referencia del proyecto 245 : A/84

La finalidad de esta investigación es la de estudiar y desarrollar las nuevas tecnologías de silicio necesarias para la integración tridimensional . Este enfoque tridimensional ofrecerá la posibilidad de una mayor densidad de integración , una mayor velocidad de funcionamiento y de tratamiento de señales multifuncionales . Se estudiarán 3 etapas tecnológicas principales :

a ) el crecimiento de capas activas SOI con las propiedades electrónicas necesarias para la realización de dispositivos y circuitos de alta calidad ;

b ) la superposición de dos niveles activos de forma que evite toda degradación de los dispositivos ya construidos ;

c ) el proceso SOI de un solo nivel para la fabricación de componentes individuales y para su conexión ; el desarrollo de un proceso completo que incorpore dos capas activas .

« Tecnología CMOS submicrónica »

Referencia del proyecto 554 : A/84

El objetivo de este proyecto es el desarrollo de los módulos necesarios para un proceso COMS de 0,5 micras , esencialmente dedicado a la producción de circuitos numéricos de gran velocidad . Para que el programa pueda progresar con las mayores posibilidades de éxito , se han establecido y organizado dos grandes fases : la primera es una etapa intermedia a nivel de micra ; la segunda se refiere a la familia CMOS de 0,5 micras . Al final del proyecto , los fabricantes de circuitos integrados del consorcio tendrán , en sus cadenas piloto , los módulos de un proceso CMOS que podrá realizar circuitos integrados con características de 0,5 micras .

Se ampliarán probablemente dos fases de trabajo del proyecto 554 citado , añadiendo los dos proyectos siguientes :

« Tecnología y fiabilidad de los contactos submicrónicos »

Referencia del proyecto 810 : B/85

El objeto de estos trabajos es la puesta a punto de tecnologías de contacto compatibles con la producción de los circuitos CMOS y bipolar , basados en las reglas de implantación micrónica y submicrónica .

Están en estudio las propiedades de contacto y se están llevando a cabo ensayos para determinar la vida útil , en distintas condiciones de tensión , por medio del análisis de fallos , con objeto de analizar cuantitativamente el rendimiento y la fiabilidad de los contactos .

« Transistores con puerta de metal refractario »

Referencia del proyecto 1125 : B/85

Estos trabajos tratan de la utilización del tungsteno como material para las puertas : se estudiarán y se compararán la metalización en vacío y el recubrimiento químico en fase vapor ; se estudiarán distintas estructuras de puertas , tales como el W puro , el W sobre polisilicio o sobre otra capa . Se hará hincapié en la caracterización y la fiabilidad de los dispositivos de óxido de W-i . No obstante , los cambios de proceso que resulten necesarios al utilizar W se estudiarán , igualmente , en un circuito de demostración submicrónico .

« Caracterización físico-química de oxinitruros de silicio en relación con sus propiedades electrónicas »

Referencia del proyecto 369 : B/84

La finalidad de este proyecto es la de establecer , ante todo , la relación entre las propiedades físico-químicas y las propiedades eléctricas de la película de oxinitruro de silicio y , en segundo lugar , la relación entre las propiedades físico-químicas y los parámetros de crecimiento . Estas investigaciones se realizarán con la perspectiva de las posibles aplicaciones de los oxinitruros de silicio en la tecnología de los circuitos integrados , por ejemplo , en memorias remanentes basadas en MNOS y en dispositivos submicrónicos MOS .

« Subtratos para tecnologías VLSI CMOS »

Referencia del proyecto 509 : B/85

Primera parte : establecer un programa intrínseco de geterización ( IG ) para microplaquetas con una concentración de oxígeno de media a alta . El procedimiento debe ser independiente del tipo , p o n , del sustrato y debe poder producir :

- un volumen central muy defectuoso ,

- una zona desnuda exenta de fallos .

Un espesor de esta zona del orden de 10-20 micras se considera como un compromiso óptimo entre varios factores ( corriente de fuga , insensibilidad al efecto de enclavamiento y al error temporal ) .

Segunda parte : caracterizar las microplaquetas epitaxiales con un diámetro de 4 a 6 pulgadas . El espesor de la capa epitalxial estará comprendido entre 5 y 10 micras para los sustratos pt y nt . Esta gama de espesores conviene para el CMOS submicrónico . Los procedimientos IG y epitaxial deben rivalizar finalmente para dar microplaquetas epitaxiales con gettesización intrínseca , con corriente de fuga débil para dispositivos CMOS submicrónicos insensibles a errores temporales .

1.1.3 . Posibilidades futuras

Este campo está bien cubierto por los proyectos seleccionados y no se incluirá probablemente en la(s) convocatoria(s) de propuestas que se publique(n) en 1986 .

Sector de I & D 1.2 : Procedimiento bipolar submicrónico ( tipo A )

Descripción

El objetivo general es el desarrollo de las etapas específicas de un procedimiento bipolar submicrónico , para llegar a la serie completa de operaciones necesarias para la realización de circuitos integrados de prestación muy elevada .

Para lograr estos objetivos , se incluirán los siguientes trabajos en el tema del proyecto :

- concepción de circuitos , que han de evolucionar paralelamente con la tecnología ;

- dispositivos de estructura vertical adaptada a la litografía submicrónica ;

- tecnología de interconexión de capas múltiples ;

- tecnología muy adaptada de contacto y de interconexión de capas múltiples ;

- cápsula que permita un grado elevado de disipación del calor , un número elevado de patillas , un acoplamiento adaptado de las conexiones ;

- modelización del procedimiento y del dispositivo .

El sector 1.7 cubre los sistemas del camino crítico necesarios para el apoyo de los sectores 1.1 y 1.2 .

1.2.1 . Objetivos

Los objetivos principales del programa quinquenal serán los siguientes :

- Año 1 : Concepción inicial del procedimiento ; evaluación y selección de los equipos críticos ;

- Año 2 : Establecimiento de reglas de implantación a escala de la micra ;

- Año 3 : Demostración de los circuitos micrónicos para microplaquetas de 10/20 K puertas con un tiempo de transferencia de 100 ps por puerta ;

- Año 4 : Establecimiento de las reglas finales de concepción para las estructuras de 0,7 micras ;

- Año 5 : Disponibilidad de las primeras muestras de microplaquetas de 20/50 K puertas a escala de 0,7 micras .

1.2.2 . Proyectos actuales y proyectos en fase de negociación

« Tecnología bipolar submicrónica - I »

Referencia del proyecto 243 : A/84

El objetivo general de este programa es la puesta a punto de las etapas específicas de un procedimiento bipolar submicrónico , con el fin de llegar a la serie completa de las operaciones necesarias para la realización de circuitos integrados de alta prestación .

Se ha definido ya y aceptado por las Partes , una máscara de prueba común y unos procedimientos comunes de ensayo , para facilitar una base de entorno y de comparación que facilite los trabajos efectuados en colaboración .

Se definen dos puntos de referencia esenciales en el programa de trabajo :

a ) a finales de 1987 , procedimiento intermedio de una micra : demostración de un tiempo de transferencia por puerta de 100 ps , aproximadamente , para una complejidad de 10 a 20 K puertas .

b ) a finales de 1989 , procedimiento submicrónico :

demostración de un tiempo de transferencia por puerta inferior a 100 ps , para una complejidad superior a 20 K puertas .

Se completarán probablemente dos conjuntos de trabajos del presente proyecto 243 con los dos proyectos siguientes :

« Estructura bipolar de prestación muy elevada »

Referencia del proyecto 1018 : B/85

El objetivo del proyecto es el desarrollo y la optimización de etapas que permitan fabricar circuitos bipolares que presenten una toma de contacto lateral en la base , complementando estructuras bipolares submicrónicas puestas a punto en el marco del proyecto « tecnología bipolar submicrónica - I » .

« Polímeros de alta prestación para el aislamiento de interconexiones multicapas »

Referencia del proyecto 1025 : B/85

Los trabajos se refieren a la investigación y al desarrollo de polímeros de alta prestación para las capas intermetálicas de aislamiento con o sin potencial de fotoconexión . Estos polímeros de alta prestación serán resinas basadas en las poliimidas y poseerán :

a ) una alta resistencia técnica y química .

b ) excelentes propiedades mecánicas y dicléctricas , así como una resistencia satisfactoria al ataque .

« Tecnología bipolar submicrónica - II »

Referencia del proyecto 281 : A/84

El objetivo del proyecto es el desarrollo de una tecnología bipolar para el tratamiento de datos y señales a gran velocidad . Esta tecnología permitirá la realización de tiempos de transferencia por puerta inferiores a 100 ps y la integración de 50 K puertas sobre una superficie de 100 mm² , aproximadamente . Se deben reducir , por tanto , las dimensiones estructurales a menos de 1 micra , para desarrollar una estructura transistorizada adecuada y una metalización multicapa que pueda llegar hasta las 5 capas . La viabilidad del CI con el nivel de integración indicado por medio de este procedimiento será objeto de demostración al final del proyecto pro medio de una prueba adecuada ( microplaqueta de demostración ) .

Previamente , se demostrará el grado de avance de la tecnología , por medio de etapas adecuadas , utilizando otras dos microplaquetas de demostración . La primera tendrá circuitos predifundidos ECL con 10 K puertas aproximadamente y se caracterizará por los elementos siguientes :

Se utilizará para el transistor una estructura emisor-base autoalineante con emisor y base de polisilicio . Las ventajas de la prestación provienen de una reducción de la superficie del transistor , gracias a un proceso de autoalineación , del emisor de polisilicio y de una menor resistencia de la base . Los valores típicos del tiempo de transferencia y del producto velocidad x potencia son de 200 ps y de 0,7 pJ , respectivamente . Se prevén tres capas de metalización para el cableado y la distribución de la potencia con un sandwich orgánico/inorgánico para la capa de aislamiento . El paso será de 6 micras en la primera capa ( sin interconexión entre capas ) . La superficie de la microplaqueta será de 150 mm² , aproximadamente , y el consumo de potencia será de 23 W . El empaquetado previsto se funda en el proceso TAB con una película capton normalizada de 35 mm .

Actualmente , la mayoría de las actividades que se llevan a cabo en el marco de este proyecto se concentran en el desarrollo de un procedimiento para realizar una primera microplaqueta de demostración . Al final del segundo año de los trabajos de desarrollo se facilitará una definición exacta de la segunda microplaqueta de demostración .

« Procedimiento CMOS bipolar de alta prestación para circuitos VLSI »

Referencia del proyecto 412 : A/84

Este proyecto persigue el desarrollo de una tecnología VLSI que combine en una sola microplaqueta los circuitos MOS de la mayor densidad posible en la actualidad con unos circuitos bipolares de densidad análoga , pero más adecuados para tareas específicas , y , en particular , para la interfaz con el equipo externo . En este proyecto , el principal esfuerzo se llevará a cabo en los aspectos tecnológicos : desarrollo de métodos que permitan fabricar transistores bipolares y MOS en etapas de procedimiento compatibles y , todo ello , hasta alcanzar dimensiones comparables con los que se obtienen en la actualidad usando únicamente la tecnología MOS . En paralelo con estos trabajos tecnológicos , conviene elaborar métodos conceptuales adaptados al tipo específico de circuito previsto , realizándose al mismo tiempo un estudio que determinará , para distintos tipos de aplicación el reparto más adecuado de subsistemas entre dos tecnologías de circuito .

1.2.3 . Posibilidades futuras

Este campo se halla bien cubierto por los proyectos seleccionados y no se incluirá probablemente en la(s) convocatoria(s) de propuesta(s) que se publique(n) en 1986 .

Sector I & D 1.3 : CAO

1.3.1 . Objetivos

Los dos objetivos principales son los siguientes :

( a ) desarrollar técnicas avanzadas de CAO para poder dominar la complejidad siempre creciente de los circuitos en microelectrónica ;

( b ) facilitar a toda la comunidad informática de la CEE el acceso a la concepción de circuitos VLSI complejos .

El objetivo general consiste en la puesta a punto , dentro de un marco común , de un conjunto integrado de herramientas portátiles para circuitos VLSI de varios millones de componentes . Este conjunto herramientas tendría que :

- ofrecer una instalación fácil y rápida para el usuario y que pudiera adaptarse sin dificultad alguna al progreso tecnológico ;

- permitir a los diseñadores realizar un ciclo rápido de concepciones válidas y « comprobables » , incluida la información sobre la prueba ;

- facilitar instalaciones para el aprovechamiento máximo de los circuitos desde el punto de vista de la fiabilidad y de las prestaciones ;

- elaborar metodologías de concepción basadas en células y bibliotecas de módulos adaptables ;

- incorporar los resultados de los proyectos de CAO con arreglo al Reglamento ( CEE ) n º 3744/81 .

Estrategia

( a ) Debería realizarse un esfuerzo positivo a fin de fomentar la aparición de una infraestructura de CAO global tal que la mayoría de las herramientas desarrolladas en el marco de los programas existentes así como las herramientas futuras puedan combinarse para dar técnicas integradas de acceso generalizado .

( b ) En la medida de lo posible , el punto focal de cada etapa del proyecto serán microplaquetas de demostración complejas .

( c ) La modelización de los dispositivos y los procedimientos no se considera como parte integrante de los proyectos CAO y está incluida en los proyectos que tratan del desarrollo de nuevos procedimientos VLSI ( véase Sectores 1.1 y 1.2 ) , pero es necesaria la compatibilidad con la CAO .

( d ) Conviene procurar promover un desarrollo en cooperación entre las universidades , los grupos industriales y los centros de investigación a fin de transferir los conocimientos técnicos y hacer accesible la CAO a una comunidad más amplia .

( e ) Se asegurará la unión con las demás actividades de ESPRIT y el apoyo y la explotación de los resultados de las mismas .

( f ) Deberá intensificarse la aplicación a la CAO de las técnicas de ingeniería cognitiva .

( g ) Deberá incorporarse , en su caso , material CAO especializado .

( h ) Será indispensable incorporar los resultados de los proyectos europeos en curso cuya cuantificación en la mayoría de los casos , resulta difícil .

1.3.2 . Proyectos actuales y proyectos en fase de negociación

Se describen a continuación proyectos que han sido lanzados o que van a lanzarse para alcanzar estos objetivos .

« CAO de alto nivel para el trazado y la concepción interactivos »

Referencia del proyecto 10 : A/83

Al final de la fase piloto , se han iniciado las tareas del proyecto de CAO de alto nivel . Los temas principales en estudio abarcan los métodos de concepción de alto nivel , basados en las redes de Petri , en los planos de disposición jerárquica con alto grado de automatización , en la concepción analógica y general de las células , en la modelización de los datos y en la gestión de las bases de datos .

Se ha publicado un manual de introducción relativo a la concepción de alto nivel , que expone la mayoría de las ideas de las partes en materia de aplicación de las redes de Petri a la concepción de sistemas que funcionen con simultaneidad . Se actualizará cada seis meses , aproximadamente .

Se ha realizado una revisión de los algoritmos de implantación y se han formulado propuestas para el desarrollo de un plano de disposición jerárquico . Se obtendrá la automatización por medio de algoritmos constructivos de implantación y de recocido simulado .

Las actividades que afectan a la construcción de células han dado , como primer resultado , un sistema de diseño para la concepción nominal con ayuda de ordenador de las células que deben utilizarse en los circuitos VLSI . Se ha establecido un nuevo método para la concepción de los circuitos integrados al nivel de transistor .

Los trabajos futuros se concentrarán preferentemente en el desarrollo de las herramientas de equipo lógico necesarias y en su integración alrededor de una base común de datos .

« Algoritmos avanzados , arquitecturas y técnicas de trazado para VLSI especializados en el tratamiento de señales »

Referencia del proyecto 97 : A/83

El objetivo principal de este proyecto es el desarrollo de sistemas CAO para el diseño de microplaquetas para el tratamiento integrado personalizado de señales sobre la base de cuatro tipos diferentes de arquitectura :

a ) Cableados en serie por bit .

b ) Cableados en parálelo por bit .

c ) Redes sistólicas y

d ) multiprocesados personalizados con bus .

Para cada tipo de arquitectura , la experiencia industrial se acumula en el diseño concreto de circuitos integrados . Se deduce de esta experiencia una metodología general que define

1 . cómo se puede desarrollar un algoritmo de tratamiento de señales numéricas con la arquitectura elegida ;

2 . cómo se puede integrar la arquitectura al silicio mediante una biblioteca de células de circuitos predeterminados . Una vez definido un método de concepción , se establecen las especificaciones para las herramientas CAO con vistas a la realización de distintas tareas de diseño . Estas herramientas se desarrollan posteriormente y se diseñan las células de los circuitos .

Se ha elaborado la herramienta AMAI para el CAO , lo que prueba la viabilidad del enfoque expuesto . Dicha herramienta se adapta a las herramientas CAO elaboradas durante la fase piloto para formar con ellas un sistema completo de concepción para arquitecturas cableadas en serie por bit . Este sistema de diseño puede automatizar totalmente la concepción de filtros numéricos para circuitos integrados complejos con un tiempo de concepción inferior a una semana . Este sistema CAO se ha aplicado con éxito en el diseño de un transmultiplexor PCM-FDM con una complejidad de 35 000 transistores .

Para establecer métodos de concepción para los otros tres tipos de arquitectura b ) -d ) mencionados anteriormente , se puede tomar como referencia el éxito de los cinco seminarios organizados por las distintas Partes . Estos seminarios han ayudado a estimular aún más la interacción de las Partes que ya se había iniciado durante la fase piloto . Se han formado grupos activos de trabajo con el personal técnico de las distintas Partes , para llevar a cabo tareas de investigación conjunta .

Se resumen aquí los trabajos que deberían estar acabados en el momento de la publicación del plan de trabajo .

Se desarrollarán métodos de concepción para las arquitecturas de tipo b ) -d ) . Se suministrará la versión beta del programa de filtros de síntesis FALCON . Se suministrarán asimismo la versión alfa de SAILPLANE ( una nueva herramienta de análisis del ciclo límite ) y la versión final de CANDI ( herramienta de optimización del coeficiente ) . Se compilarán los resultados de un ejercicio de diseño para las arquitecturas de tipo d ) . Para apoyar la integración al silicio de las arquitecturas del tipo b ) y del tipo d ) , se entregarán las versiones alfa de un compilador de camino de datos y de un compilador de unidad de control . Se realizarán nuevos avances en lo relativo a la versión 5.2 de la herramienta de implantación y de direccionamiento normalizado , CALMP .

« Sistemas VLSI de alto rendimiento y alta frabilidad por reconfigurabilidad »

Referencia del proyecto 244 : B/84

El objetivo de este proyecto 244 es la producción de VLSI de un millón de transistores con una tecnología CMOS normalizada de dos micras , que utiliza la insensibilidad a los fallos realizados al final del ciclo de producción . La redundancia impone nuevas limitaciones a la concepción ; por ello , cada uno de los bloques elementales del diseño debe poder probarse y arreglarse fácilmente , mientras el aumento de la superficie de silicio no puede rebasar un 30 % .

Hay que poner a punto herramientas CAO específicas para permitir la utilización eficaz de arquitecturas insensibles a los fallos . Estas herramientas deben ayudar a resolver problemas tales como la estimación del rendimiento , la estrategia de ensayo y la comprobabilidad , el plano de disposición , el dimensionamiento y el número de terminales , la redundancia , el lenguaje para la representación de los circuitos y la comprobación formal .

« Mejora del rendimiento y de la prestación de los circuitos integrados por centrado conceptual »

Referencia del proyecto 456 : B/84

Durante los seis primeros meses de ejecución del proyecto , los trabajos se han centrado en las tareas siguientes :

1 . elaboración de un programa de optimización del rendimiento y de la prestación ;

2 . estudio de pre y postprocesadores para la entrada esquemática de los circuitos ;

3 . mejora de los modelos de transistor ;

4 . determinación de las desviaciones y de las correlaciones paramétricas .

Durante este período , las Partes han obtenido los resultados siguientes :

1 . desarrollo de interfaces para transferir los datos de los programas de aproximación y de centrado conceptual a los programas SPICE ;

2 . enlace entre los programas de aproximación y de centrado conceptual y el programa modificado de análisis de la red ;

3 . estudio de la entrada esquemática de los circuitos ( SDS y PCAD ) ;

4 . elaboración de un nuevo modelo de transistor MOS ;

5 . estudio de las desviaciones y de las correlaciones paramétricas en la producción de CI bipolares y MOS .

En el transcurso de los próximos seis meses , se llevarán a cabo las tareas siguientes :

1 . mejora del enlace entre los programas de centrado conceptual y de análisis de la red ;

2 . elaboración de una interpretadora para el cálculo de las características de los circuitos ;

3 . definición de un preprocesador para la entrada esquemática de los circuitos en el programa de optimización ;

4 . establecimiento de sistemas de medidas paramétricas controlados por ordenador .

5 . reducción de los tiempos de utilización del procesador para el cálculo de las ecuaciones de un nuevo modelo de transistor MOS .

« CVS ( CAO ) para sistemas VLSI »

Referencia del proyecto 802 : A/85

La finalidad del proyecto CVS es la realización de un sistema CAO integrado capaz de hacer frente a las necesidades de los años 90 , cuando los avances de la tecnología de los semiconductores permitan producir circuitos de un millón de transistores , aproximadamente . Un sistema CAO de este tipo deberá disminuir a la décima parte la duración de la concepción , sobre la base de nuevas herramientas de síntesis arquitectónica asociadas a técnicas de desarrollo de células digitales/analógicas parametrizadas . El proyecto CVS está muy inspirado en los resultados de proyectos CVT exitentes ( programa de microelectrónica 3744/81 , MR-04-CVT ) y SPECTRE ( proyecto ESPRIT n º 554 ) .

« Proyecto europeo de integración CAO ( ECIP ) »

Referencia del proyecto 887 : A/85

Proyecto complementario del 1058

ECIP trata de los intercambios de datos y de las normas de infraestructura , siendo su objetivo la definición y la promoción de normas en la industria europea de los TI . La posibilidad de intercambiar fácilmente los datos y las herramientas CAO entre empresas parece una condición esencial si se quieren explotar en la práctica la mayoría de las ventajas que pueden derivarse del desarrollo común de herramientas en Europa y comunicar los resultados de ESPRIT a toda la Comunidad europea de los TI .

Se llevará a cabo un enlace efectivo entre el proyecto ECIP y todos los demás proyectos ESPRIT relativos al CAO , con miras al intercambio de experiencia . En particular , el proyecto 1058 , que trata de la puesta a punto de herramientas avanzadas con el proyecto ECIP . Se tendrá así la certeza de que las normas puestas a punto en el marco de ECIP estarán fundadas en un buen conocimiento de las necesidades existentes y que serán , por tanto , aceptadas por los diseñadores actuales y futuros de sistemas CAO .

« Ayudas para la concepción de circuitos integrados avanzados ( AIDA ) »

Referencia del proyecto 888 : A/85

AIDA tiene por objeto , el estudio de la aplicación de técnicas modernas de programación y de la tecnología de bases de datos al desarrollo de herramientas CAO . Constituye una ayuda para la concepción que propone soluciones , en vez de registrar y de validar las ideas del diseñador . Se permite así a este último utilizar su creatividad de manera más eficaz , con miras a una mejora de la calidad de la concepción .

Los trabajos de investigación y de desarrollo se efectuarán aplicando técnicas modernas de programas ( es decir las técnicas desarrolladas por los sistemas expertos ) a las herramientas VLSI-CAO . La contribución potencial de estas técnicas es doble :

1 . las técnicas de base pueden utilizarse para realizar nuevas herramientas mucho más eficaces que las antiguas ;

2 . el conocimiento de base de la concepción de circuitos integrados puede registrarse en la máquina y utilizarse por módulos « expertos » bajo el control de un diseñador de sistemas .

El proyecto AIDA debe explorar estas dos áreas para poner a punto herramientas experimentales que utilicen estas técnicas y para aplicarlas a casos industriales reales , con el fin de demostrar las ventajas que pueden aportar .

« Desarrollo conjunto de un sistema de concepción VLSI integrado , jerarquizado y de pantallas múltiples con gestión distribuida entre los terminales »

Referencia del proyecto 991 : A/85

Este proyecto persigue el desarrollo de un sistema de concepción completo , integrado , abierto y rentable para una gran variedad de extinciones de trabajos inteligentes . Este trabajo es una ampliación del proyecto MR-09-DFT realizado en el marco del programa de microelectrónica 3744/85 y trata de modelos de datos funcionales , de la gestión distribuida de datos de la comprobación de estructuras submicrónicas , de una simulación multinivel avanzada , así como de las técnicas de síntesis con comprobación automática o insensibles a los fallos . Se prevé su explotación comercial .

« Sistema cognoscitivo de ayuda a la concepción para la concepción de módulos VLSI »

Referencia del proyecto 1058 : A/85

Proyecto complementario del 887

El objeto de este proyecto es el desarrollo de un sistema cognoscitivo interactivo para comprobar la exactitud eléctrica , funcional y temporal de módulos VLSI flexibles , tales como se producen por medio de compiladores de silicio . El sistema es altamente interactivo en la fase de la concepción de los módulos .

Cuando se convoca un módulo por medio del programa del plan de distribución , el sistema es mandado por un sistema experto a base de reglas del que se pondrá a punto una versión para puestos de trabajo técnico y una versión mecanizada LISP avanzada . Se prevé una velocidad de comprobación de 20 000 transistores/h para un puesto de trabajo . El sistema pide también automáticamente a un nuevo simulador de grado de integración del circuito de conmutación de señales aplicado a un acelerador de material multicalculador . Se obtendrá una prestación 100 a 300 veces superior a la de SPICE , lo que permitirá una simulación más eficaz y más exacta de los circuitos que pueden contener 4 000 transistores . Además , un nuevo modo interactivo fundado en la técnica de análisis de señales permitirá la interacción del usuario en tiempo real con la ayuda de una interfaz avanzada usuario/pantallas múltiples . Se estudiará la adaptación de un simulador de grado de integración de la conmutación del registro de transferencia funcional al acelerador del material . Una máscara cognoscitiva facilitará un enlace con los generadores de trazado del módulo simbólico/procedimental .

En su calidad de proyecto complementario del 887 ( ECIP ) , garantizará que las normas promovidas por ECIP preserven la posibilidad de desarrollos futuros de CAO para los VLSI .

1.3.3 . Posibilidades futuras

Este campo está bien cubierto por los proyectos seleccionados y no se incluirá probablemente en la(s) convocatoria(s) de propuestas que se publique(n) en 1986 .

Sector de I & D 1.4 : Circuitos integrados de compuestos semiconductores

Descripción

Los CI numéricos de compuestos semiconductores del tipo III-V superan en velocidad y/o en producto velocidad-potencia a los circuitos de silicio debido a una mayor movilidad de los electrones . Desde el punto de vista de la complejidad , su tecnología tiene varios años de retraso respecto de la del silicio y se impone un esfuerzo considerable de investigación sobre los materiales y los procedimientos . Teniendo en cuenta el desarrollo del mercado de los circuitos de gran velocidad y potencia reducida , quedan por resolver numerosos problemas para que los conocimientos puedan progresar .

La tecnología cubre estructuras As Ga homo-unión que utilizan la técnica de los transistores de efecto de campo ( FET ) y estructuras de hetero-unión Ga As/GaAlAs que utilizan la técnica de los transistores de alta movilidad electrónica ( HEMT ) o transistores bipolares de hetero-unión ( HJBT ) . Se precisan investigaciones fundamentales para las técnicas de preparación de materiales , de implantación de iones y de fabricación de circuitos integrados .

1.4.1 . Objetivos

Los objetivos específicos del programa serán los siguientes :

- año 1 : demostrar la viabilidad de circuitos MENSFET de 1 000 puertas y tiempo de transferencia por puerta ( tpd ) inferior a 100 ps . Demostración asimismo de circuitos fundamentales HJBT y/o HEMT ( que no sean osciladores anuales ) ;

- año 2 : demostrar la viabilidad de un circuito de memoria de por lo menos 1 K ( tiempo de acceso inferior a 1 ns , disipación inferior a 500 mw ) y/o de circuitos de complejidad equivalente .

Demostrar la viabilidad de circuitos HEMT y/o HJBT de 100 puertas ;

- año 3 : evaluar el rendimiento sobre un circuito de demostración de 1 K bits o de una complejidad equivalente sobre al menos 10 placas .

Demostrar la viabilidad de un circuito HEMT con una memoria de 1 K bits y/o de un circuito HJBT comparable con diversas tecnologías ( a ser posible , con el mismo circuito para cada tecnología ) . Selección de una de ellas ;

- año 4 : demostración de una memoria de 16 K bits ( o equivalente ) en la tecnología elegida ;

- año 5 : demostrar la viabilidad de un gran circuito que tenga una complejidad de 10 a 20 K puertas con un tiempo de transferencia por puerta inferior a 50 ps y un coeficiente de mérito inferior a 100 femto-julios . Este circuito de demostración podrá ser una memoria 16 K con un tiempo de acceso del orden de algunos nanosegundos , o un circuito definido durante el tercer año para satisfacer las necesidades de los demás sectores del ESPRIT ( especialmente en el sector de los bus de datos de alta velocidad ) , o las necesidades de la industria de telecomunicaciones ( por ejemplo , circuitos de tratamiento de señales ) .

1.4.2 . Proyectos actuales y proyectos en fase de negociación

« Materiales compuestos para semiconductores y circuitos integrados - I »

Referencia del proyecto 232 : A/84

El objetivo general de este programa es establecer tecnologías de fabricación de circuitos integrados numéricos de arseniuro de galio que utilicen los MES-FET As Ga , los transistores de alta movilidad electrónica ( HEMT/TEGFET ) y los transistores bipolares de hetero-unión ( HBT ) como elementos activos de los circuitos . La configuración de estos circuitos será tal que permita demostrar convenientemente la superioridad de AS Ga respecto del silicio desde el punto de vista de la velocidad y la potencia .

« Materiales compuestos para semiconductores y circuitos integrados - II »

Referencia del proyecto 552 : A/84

El objetivo general del programa de investigación es desarrollar los aspectos avanzados de la tecnología de fabricación de los circuitos integrados numéricos As Ga y la subsiguiente capacidad necesaria para fabricar circuitos numéricos rápidos de altas prestaciones . No se considera precompetitiva la fabricación de circuitos integrados completos . Se pondrán a punto circuitos integrados numéricos de demostración a fin de poder evaluar las prestaciones de las diversas tecnologías de los circuitos lógicos .

El proyecto siguiente es un refundido de los dos contratos en fase de realización precedentes , el 232 y el 522 , que se han modificado ligeramente para responder a los objetivos del plan de trabajo .

« Circuitos integrados con componentes semiconductores »

Referencia del proyecto 843 : A/85

Este proyecto es un programa que ejecutarán en colaboración seis grandes empresas europeas de tres países que están realizando un esfuerzo para aportar al mercado circuitos VLSI de gran velocidad de As Ga . La disponibilidad de circuitos que corresponden al desarrollo actual de la técnica será ventajosa para los constructores europeos de sistemas y de equipos en la industria de las TI y ayudará a hacerlos competitivos en el mercado mundial .

El programa examinará en detalle dos dispositivos activos que son candidatos potenciales para la integración LSI/VLSI : las MESFET y el HEMT . Se hallan en la actualidad en distintos grados de madurez , pero tienen en común muchas tecnologías clave : la implantación iónica , la litografía avanzada ( haz electrónico y DSW ) , técnicas de tratamiento en seco y de autoalineación . Los participantes colaborarán estrechamente para estudiarlos en paralelo , bajo todos los aspectos , desde la modelización hasta la fabricación , para que puedan realizarse avances rápidos con recursos limitados .

En el transcurso de los cinco años de este programa , se producirán distintos equipos clave de demostración de complejidad creciente , tales como contadores multiplexores , multiplicadores , convertidores A-D SRAM y circuitos predifundidos . Suministrarán la retroacción necesaria para el diseño y la tecnología y ayudarán a acercar el programa a su meta VLSI .

« Tecnología de los circuitos integrados bipolares de As Ga - GaAlAs »

Referencia del proyecto 971 : A/85

El objetivo general del programa de investigación es la puesta a punto de los aspectos avanzados de la tecnología de los circuitos integrados bipolares ( MBT ) de As Ga/GaAlAs y de sus capacidades respectivas .

Las dos lógicas bipolares que se desarrollarán consistirán en una lógica de emisor acoplado ( ECL ) y una lógica de inyección integrada ( I²L ) . Se estudiarán y compararán unos MBT con una sola heterofunción ( emisor de amplio intervalo ) y unos DHBT con doble heterofunción ( emisor y colector de amplio intervalo ) . Al mismo tiempo , se pondrán a punto modelos eficaces de conmutación analítica para estos dispositivos . Una combinación de simulación numérica y de comprobación experimental servirá para garantizar la validez de los modelos analíticos para dispositivos discretos . Los dos primeros años se consagrarán al desarrollo de transistores de alta fiabilidad ( HBT con emisor de 3 mm de ancho con un fT superior a 17 GHz ) con un buen rendimiento y una gran uniformidad sobre sustratos de 2'' de diámetro . Se realizarán circuitos integrados sencillos , como los circuitos divisores por 2 y divisores por 4 , para funcionar con alta frecuencia de entrada ( superior a 4 GHz ) . Una de las tareas interesantes consistirá en realizar contactos óhmicos no aleados ; con el programa de aleaciones metálicas , tales como el W-Si depositado por plasma , permitirá realizar circuitos integrados avanzados . A este respecto , se considera que el estado de desarrollo de la química de las superficies de los semiconductores es un factor importante .

En el transcurso de los dos años siguientes , se realizarán circuitos sencillos de ensayo para el tratamiento de señales de entrada ( sumador de 3 bits , por ejemplo ) para determinar la aplicabilidad de los HBT a un procesador rápido de 8 bits . En una etapa posterior del proyecto , se pondrán a punto circuitos de demostración rápidos , tales como los convertidores numéricos-analógicos o los circuitos de tratamiento de señales .

« Métodos de CAO para circuitos integrados monolíticos analógicos As Ga »

Referencia del proyecto 255 : B/84

El programa de investigación hará hincapié en el desarrollo de una biblioteca CAO completa de modelos teóricos y de datos experimentales para elementos pasivos y componentes activos necesarios para la concepción de circuitos integrados analógicos As Ga . Los trabajos comenzarán con la elaboración de modelos físicos y de circuitos equivalentes para diversos tipos de MESFET y de elementos pasivos a la vez para enfoques globales y distribuidos . La etapa siguiente es la CAO de grupos de dispositivos activos y pasivos para el desarrollo integrado de funciones elementales . Además del análisis de los circuitos , se simulará asimismo la asociación entre elementos adyacentes y la distribución térmica . En la fase siguiente tendrán que estudiarse , en programas de análisis especiales , los circuitos integrados analógicos , definidos como módulos funcionales de alto nivel . Este programa final de CAO comprende una evaluación del efecto de la cápsula y un análisis de la sensibilidad al error . La optimización interactiva se organizará con un paquete de programas transferible accesible al usuario . El proyecto comenzará con un estudio de la banda C y X , que se extenderá seguidamente a 18 GHz . La instalación CAO se comprobará con la ayuda de diversos circuitos de demostración As Ga , que comprendan dispositivos submicrónicos .

« As Ga semiaislados de gran diámetro »

Referencia del proyecto 1128 : B/85

Los circuitos integrados con arseniuro de galio utilizan una capa activa de tipo n preparada para la implantación directa iónica de donadores en las placas semiaisladoras , operación a la que sigue un recocido para reparar los daños causados por la implantación . Para realizar circuitos LSI , hace falta controlar las propiedades de cada micro-FET individual necesario , cosa que sólo puede hacerse si la capa activa de cada uno de ellos está perfectamente controlada .

El objeto de este proyecto es la puesta a punto de un enfoque industrial de la preparación de substratos de As Ga semi-aislador de gran diámetro ( 2'' ) que permita preparar capas activas muy homogéneas para implantación óptica y , por lo tanto , controlar las propiedades de cada micro-FET realizado sobre ellas .

Deben alcanzarse tres metas diferentes :

1 . determinar los medios para definir la homogeneidad de varillas de un diámetro de 2'' o más . Esto se hará por correlación de los resultados de las medidas hechas sobre placas cortadas en este material ;

2 . estudiar los medios para mejorar la calidad cristalina utilizando dos enfoques paralelos y complementarios entre los cuales se efectuará una elección o que se combinarán ;

3 . realizar varillas más grandes ( 2'' ) de la calidad requerida aplicando las fórmulas puestas a punto en el marco de los objetivos 1 y 2 .

1.4.3 . Posibilidades futuras

Este campo queda bien cubierto con los proyectos seleccionados y probablemente no se incluya en la(s) convocatoria(s) de propuestas que se publiquen en 1986 .

Sector de I & D 1.5 : Opto-electrónica

Descripción

Los dispositivos optoelectrónicos serán cada vez más necesarios para las telecomunicaciones , las conexiones internas y externas de los ordenadores , el tratamiento de banda ultra-ancha y la conmutación . Las futuras generaciones de sistemas de comunicación mono-modo , podrán utilizar la detección coherente y multiplexado de las longitudes de ondas en canales múltiples así como la modulación de fase . Esto permitirá mejorar las prestaciones y será compatible con la lógica óptica integrada . El tratamiento , agrupamiento y encaminamiento podrán hacerse entonces a velocidades muy grandes . En el campo de los semiconductores , estas realizaciones serán asimismo compatibles con los circuitos integrados de tipo III-V , que aseguran un interfaz eléctrico rápido . Este programa no se centra en los ordenadores ópticos sino que más bien va encaminado a obtener los componentes y subsistemas para transmisiones de gran flujo binario .

Observaciones : La realización de los objetivos de este programa requiere recursos muy importantes de los que quizás no se disponga en ESPRIT . Por otra parte , estos objetivos , representan un mínimo si se quiere mantener la competitividad .

1.5.1 . Objetivos

a ) Componentes electrónicos y ópticos integrados en la misma microplaqueta :

Año 1 : Demostración de un fotodetector monolítico con amplificación interna .

Año 2 : Demostración de un receptor monolíticamente integrado con un ancho de banda superior o igual a 2,5 GHz .

Año 3 : Demostración de un emisor integrado con un ancho de banda superior a 2,5 GHz .

Después del año 3 , los desarrollos posteriores del receptor , del emisor y quizás también de los repetidores , deberán tener en cuenta los progresos de la industria de telecomunicaciones y los progresos realizados en otros sectores de ESPRIT .

b ) Multiplexado de longitudes de onde WDM con óptica integrada :

Año 1 : Demostración del láser DFB con corriente de umbral inferior a 50 mA ; demostración de un fotodetector alimentado por guía de onda ; guías de onda monolítica de pérdida reducida ( inferior a 1 dB/cm ) .

Año 2 : Demostración de moduladores semiconductores de ancho de banda igual a 2,5 GHz .

Año 3 : Demostración de un emisor integrado de ancho de banda superior a 2,5 GHz .

Año 4 : Demostración de módulos integrados de emisor y de receptor WDM .

En esta fase , serán necesarias ciertas aportaciones de otros sectores de ESPRIT y de la industria de telecomunicaciones para poner en práctica un enlace de demostración con una transferencia de varios gigabits .

1.5.2 . Proyectos actuales y proyectos en fase de negociación

« Circuitos optoelectrónicos a base de InP »

Referencia del proyecto 263 : A/84

El objetivo general del programa de investigación consiste en aumentar considerablemente la transferencia de datos en los sistemas de transmisión de la información gracias a dispositivos de grandes prestaciones y a una variedad de técnicas de multiplexado que recurran esencialmente al empleo de diferentes longitudes de onda . En los tres primeros años , los trabajos se centrarán en la realización y la utilización de funciones discretas en mono-modo , para la integración hibrida y monolítica posterior . Los trabajos de los años 3 y 4 se referirán a la integración híbrida completa . Los trabajos sobre estos materiales se orientarán hacia el crecimiento reproducible de hétero-estructuras de gran superficie , de alta calidad y de homogeneidad necesarios para láser de poca densidad de corriente de umbral y de longitud de ondas bien controlada , para fotodetectores con un nivel de « doping » residual pequeño y guías de onda de pérdidas reducidas .

La segunda parte de este programa se refiere al desarrollo de la tecnología necesaria para la fabricación de los dispositivos electrónicos de forma que pueda integrarse en los dispositivos ópticos . Se estudiará una serie de dispositivos y se comparará su utilización en una serie de funciones . Teniendo en cuenta la importancia del funcionamiento con una mayor longitud de ondas , todos los trabajos se referirán a compuestos semiconductores a base de InP . Una ventaja potencial muy importante del programa reside en el hecho de que se ha previsto que los materiales que se estudien tengan prestaciones muy elevadas en los circuitos electrónicos clásicos . Así , el programa podrá lograr mejorar las funciones electrónicas y perfeccionar los circuitos opto-electrónicos .

Además de este programa , se consagrará un conjunto de trabajos a la posibilidad de fabricar una fuente óptica integrada con control independiente de la potencia de salida y de la d20035longitud de onda , utilizando el efecto electro-óptico y la inyección de corriente para regular los lasers con redes y con reacción distribuida ( DFB ) .

« Interconexión óptica para VLSI y circuitos integrados de elevado flujo binario »

Referencia del proyecto 380 : B/84

Este programa de investigación teórica se realiza para estudiar la aplicación de una interconexión óptica y reducir así el número de patillas de la cápsula y la interferencia electromagnética en los circuitos integrados VLSI y de alta velocidad y en los subensamblajes que contengan a dichos componentes . Los primeros trabajos incluían estudios conceptuales sobre prestaciones , coste y desarrollo de fuentes y detectores ópticos así como sobre la selección de fibras ópticas para interconexión óptica . Se han analizado los límites de interconexión óptica en términos de balance energético , flujo binario y compatibilidad tecnológica , y se estudia actualmente la aplicación de la tecnología tomando en consideración los protocolos de comunicación , los límites de prestaciones de los CI y los impactos sobre la arquitectura de los procesadores . Se han iniciado algunos trabajos experimentales en el campo de las técnicas poco costosas de realización de interfaces fibra/micro-plaqueta y de la incorporación de fibras ópticas en las tarjetas de los circuitos impresos .

El proyecto siguiente es una continuación del proyecto 380 .

« Interconexión óptica para VLSI y CI de elevado flujo binario »

Referencia del proyecto 986 : B/85

La gran anchura de banda y la resistencia a la diafonía inherente a los medios de transmisión óptica permiten repartir señales de muy alto flujo binario sin tropezar con el problema de interferencia de las líneas de transmisión y rf que plantean los CI con muy alto flujo binario . Numerosas señales con bajo flujo binario , cada una de las cuales utilizaría normalmente un terminal de la caja , pueden multiplicarse juntas temporalmente para formar una señal óptica con alto flujo binario fácil de transmitir , que sale de la caja por un sólo terminal óptico , lo cual permite evitar el número muy elevado de patillas necesarias en las microplaquetas VLSI .

El programa propuesto incluye los trabajos siguientes :

Diseño , realización y evaluación del demostrador funcional de interconexión óptica que funciona al nivel de 1 GBs -1 y que demuestra la reducción del número de patillas para las microplaquetas VLSI . Estudio de la interconexión óptica hasta el nivel de 5 GBs -1 . Optimización de los aspectos físicos de las interconexiones ópticas . Estudios de aplicación .

« Ingeniería molecular para opto-electrónica »

Referencia del proyecto 443 : B/84

El objetivo del proyecto es el desarrollo de nuevos materiales orgánicos electro-ópticos y ópticos no lineales . La necesidad de materiales de este tipo se hace sentir cada vez más en los sectores en rápida expansión de la óptica integrada y de las comunicaciones ópticas . El proyecto se propone producir materiales nuevos para la fabricación de dispositivos que utilicen los efectos electro-ópticos lineales , los efectos de mezcla de las frecuencias de segundo orden y de tercer orden .

« Estudios tecnológicos de base para MISFET en GaInAs »

Referencia del proyecto 927 : B/85

El In 0.53 Ga0.47As que se hace crecer por epitaxia sobre substratos a base de InP semi-aislante es un material prometedor para dispositivos lógicos rápidos y para circuitos micro-opto-electrónicos integrados para aplicaciones de 1,3 micra . Pueden realizarse a partir de dicho material transistores con efecto de campo metálico-aislante-semiconductor ( MISFET ) .

El programa tiene un triple objetivo :

- 1 º un mejor conocimiento del fenómeno de base de la interfaz aislante-InGaAs ,

- 2 º una investigación sobre las posibilidades de implantación iónica ,

- 3 º una evaluación de la influencia de la calidad de los substratos a base de InP .

Una vez estudiados estos tres aspectos , se optimizarán los procesos tecnológicos para dispositivos lógicos rápidos y opto-electrónica integrada .

1.5.3 . Posibilidades futuras

Este campo queda bien cubierto con los proyectos seleccionados y probablemente no se incluya en la(s) convocatoria(s) de propuestas que se publique(n) en 1986 .

Sector de I & D 1.6 : Tecnologías de visualización avanzadas

1.6.1 . Descripción

Hay en Europa , en numerosos sectores tales como las estaciones de trabajo , los equipos de ofimática , etc. , una urgente necesidad de nuevos sistemas de visualización que sustituyan ventajosamente a los tubos catódicos convencionales . Tales sistemas de visualización , tendrán que ser de gran dimensión ( formato A4 y formato superior ) y tener una definición comprendida entre un valor medio y uno alto . La posibilidad de tener colores podrá ser deseable o necesaria .

Actualmente se están realizando numerosos estudios . Para determinar lo más rápidamente posible la mejor manera de abordar este problema se impone un proyecto de definición de la tecnología en el que los expertos de los principales países de la Comunidad combinen sus conocimientos y sus experiencias .

1.6.2 . Proyectos actuales y proyectos en fase de negociación

« Materiales y tecnologías para TFT de gran movilidad para circuitos de mando de visualización de cristales líquidos »

Referencia del proyecto 491 : B/84

En la práctica actual , los circuitos de mando periféricos para visualización activa de cristales líquidos , consisten en microplaquetas de circuitos integrados externos . El presente proyecto se propone poner a punto materiales en capas delgadas y tecnologías para circuitos de mando en columna y en línea destinados a sustituir las microplaquetas exteriores . El trabajo principal consistirá en poner a punto un procedimiento de depósito a baja temperatura para el material semiconductor en capa fina compatible con los sustratos de vidrio utilizados para la visualización por cristales líquidos . El principal material propuesto es el silicio policristalino , depositado por el procedimiento « glow discharge » de gran potencia . Además se pondrán a punto y estudiarán circuitos elementales del tipo de transistores de capa fina ( TFT ) adecuados para registros de desplazamiento para circuitos de mando y se combinarán y ensayarán ulteriormente , prototipos de circuitos de mando de poca longitud con la visualización por matriz de cristales líquidos .

« Dispositivos de visualización compleja de cristales líquidos y de amplias dimensiones , basados en transistores de silicio de capa delgada »

Referencia del proyecto 833 : B/85

Los LCD dominan el mercado de dispositivos portátiles de visualización . Su realización a base de transistores de capa delgada permitiría un aumento de la dimensión de la visualización y de su complejidad , hasta alcanzar niveles adaptados al tratamiento de textos y a las visualizaciones gráficas . El objeto de este proyecto es el estudio de una tecnología viable para la fabricación de LCD complejos ( hasta 1 000 líneas direccionables ) de gran superficie ( A5 a A4 ) , basados en matrices activas de transistores de silicio policristalino y amorfo . Los dispositivos de silicio de capa delgada deberían tener un rendimiento y una fiabilidad superiores a los de los demás enfoques . Se prevé el estudio de las áreas siguientes : optimización de las características de los transistores , rendimiento y estabilidad en grandes superficies ; capacidad particularmente elevada , equipo semiconductor para el tratamiento de grandes superficies ; técnicas especiales para la fabricación de los LCD ; sistemas en color ; visualizaciones interactivas ; factores humanos .

1.6.3 . Posibilidades futuras

El programa de trabajo complementario en este ámbito depende de los resultados del esfuerzo de definición tecnológica descrito en 1.6.2 . Este campo queda bien cubierto con los proyectos seleccionados y probablemente no se incluya en la(s) convocatoria(s) de propuestas que se publique(n) en 1986 .

Sector de I & D 1.7 : Temas generales de apoyo

1.7.1 . Temas

Este campo cubre :

- los temas de investigación de tipo B no identificados todavía en los sectores de 1.1 a 1.6 de la micro-electrónica ;

- todos los temas ( de tipo A o B ) que pueden suministrar un apoyo a uno o varios de los sectores 1.1 a 1.6 ;

- los temas de investigación que van más allá de las primeras etapas del programa de microelectrónica y que tratan de objetivos submicrónicos .

Como se trata de un sector muy amplio , no se indica ningún programa de trabajo específico . No obstante se hallará , a continuación , una descripción somera de los proyectos en elaboración ( por orden numérico ) e indicaciones relativas a otros temas presentados .

1.7.2 . Proyectos actuales y proyectos en fase de negociación

« Interconexión avanzada para VLSI »

Referencia del proyecto 14 : B/83

El objeto general de este programa es la puesta a punto de una interconexión de alta densidad compatible con las tecnologías VLSI MOS y bipolares de una micra . Esta tecnología de interconexión se aplicará a cuatro niveles de interconexión metálica de débil resistividad , con una fuerte resistencia a la electromigración y con contactos estables de débil resistencia con el circuito de silicio subyacente .

La fase piloto del proyecto ha puesto en evidencia avances satisfactorios y una buena cooperación entre las partes . Se han establecido un proceso común , una máscara de ensayo común y métodos de ensayo comunes para proporcionar un medio ambiente favorable a la investigación en cooperación .

En 1985 ha seguido utilizando este proceso común cuyo rendimiento se ha mejorado para alcanzar el primer objetivo : se ha decidido conservar los poliimidas como dieléctricos para el proceso principal .

Septiembre de 1985

- Especificaciones para una rejilla experimental igual o inferior a 5 micras

Demostración de la posibilidad de grabar el metal en seco con un paso de 5 micras

Diciembre de 1985 - Rejilla experimental disponible

Septiembre de 1986

- Selección de un proceso óptimo

Demostración del metal de tres capas con un paso de cinco micras

Diciembre de 1986 - Datos relativos al rendimiento y la fiabilidad del proceso óptimo .

Septiembre de 1987 - Demostración de un metal de cuatro capas con un paso de 3 micras .

« Validación automática de la concepción de circuitos integrados que utilizan un haz de electrones »

Referencia del proyecto 271 : B/84

El proyecto intenta desarrollar una metodología para el diagnóstico automático de los errores de concepción de los dispositivos VLSI basada en las posibilidades de observación facilitadas por un sistema de haz de electrones , en la conexión con el entorno CAO , en el reconocimiento de las formas para dirigir automáticamente el haz de electrones , una metodología global , eventualmente basada en sistemas expertos para definir la estrategia del diagnóstico , y en un nuevo sistema de circuitos de material para realzar las prestaciones EBT . Para lograr este objetivo , se estudiará el control por ordenador del sistema de haz electrónico , la interfaz con el equipo lógico CAO , la identificación de los elementos de los circuitos , la metodología para el diagnóstico de los errores de concepción , el establecimiento de la configuración de ensayo para la elaboración del haz electrónico , la concepción de la comprobabilidad del haz electrónico y el desarrollo del equipo del haz electrónico global .

« Evaluación de las capas de silicio MBE »

Referencia del proyecto 305 : B/84

Este proyecto se divide en tres partes :

1 . Crecimiento de las capas de silicio por epitaxia de haces moleculares ( MBE ) ;

2 . Continuación de la medida in situ de las características del procedimiento ;

3 . Aplicación y desarrollo de las técnicas de caracterización de las capas MBE : Esta información servirá más tarde para optimizar las condiciones de crecimiento .

Se ha previsto emprender 4 trabajos específicos de desarrollo sobre 4 técnicas particulares . El resto del programa se referirá a la aplicación de las técnicas existentes y a la interpretación de la totalidad de los resultados obtenidos .

« Tecnología del recubrimiento por plasma para los soportes de capa fina para escritura magnética »

Referencia del proyecto 334 : B/84

Se espera que , en un próximo futuro , los soportes y las cabezas de escritura preparados con la tecnología de las capas finas entren en competencia con los soportes particulares y con las cabezas clásicas . El registro longitudinal y transversal sobre una capa fina promete un aumento importante de la densidad de información . En este proyecto , se estudiarán técnicas avanzadas de recubrimiento , con miras a la obtención de velocidades de recubrimiento suficientes para la producción de estas capas a escala industrial . Se trata especialmente , de vaporización en un magnetrón , de evaporación con haz electrónico y de recubrimiento químico en fase vapor ayudado por plasma metálico y por materia orgánica .

« Sistemas " silicio sobre aislantes " combinados con temperaturas bajas »

Referencia del proyecto 370 : B/84

En este proyecto se utilizarán determinado número de técnicas que se combinarán para obtener capas monocristalinas de buena calidad , con un espesor que varíe entre 0,5 y 50 micras para toda una serie de aplicaciones . Estas técnicas se refieren a la vez al silicio sobre aislante ( SOI ) y al silicio sobre zafiro ( SOS ) para circuitos integrados de alta prestación y también para soluciones de sustitución del procedimiento actual de aislamiento dieléctrico ( DI ) que no resulta demasiado cómodo .

« Establecimiento del perfil " doping " de las estructuras submicrónicas »

Referencia del proyecto 519 : B/84

El objetivo de este proyecto es la valoración de las capacidades necesarias para la determinación precisa de perfiles « doping » poco profundos , utilizados en los dispositivos submicrónicos . Para lograrlo , se intenta desarrollar una técnica eléctrica , a saber , la resistencia distribuida , y compararla con otros dos métodos no eléctricos , a saber , la espectrometría de masa de los iones secundarios ( SIMS ) y la retrodifusión de Rutherford ( RBS ) .

El proyecto hará asimismo hincapié en el desarrollo y la utilización de la técnica de la resistencia distribuida , y las demás técnicas servirán esencialmente para fines comparativos . Este método arrojará asimismo los datos que permitan comprender mejor la cinética de difusión que hay que obtener . Además , los trabajos se centrarán en el establecimiento de los perfiles del boro , del fósforo , del arsénico y del antimonio y se interesarán asímismo por la utilización y la evaluación de nuevos métodos de recocido , tales como el recocido por cinta calefactora y el recocido flash .

« Estudio de todos los aspectos de la interconexión de circuitos integrados que comprenden un gran número de patillas »

Referencia del proyecto 544 : B/83-84

Este proyecto tiene los siguientes objetivos :

1 ) desarrollo de otros métodos de conexión del circuito integrado con su medio de interconexión ;

2 ) desarrollo de interconexiones de gran superficie y gran densidad que recurran a las técnicas de los polímeros multicapas ;

3 ) desarrollo de interconexiones de muy alta densidad y superficie bastante grande basadas en una combinación dieléctrica en capa espesa y en métodos de electroplaqueado con metales de base aditivos .

El proyecto se propone realizar todos los sistemas de interconexión con dos capas solamente , lo cual tendrá como resultado una reducción de los costes debido a un menor mantenimiento y a materiales poco onerosos .

« Ataque por medio de un plasma de alta resolución en la tecnología de los semiconductores - Principios fundamentales , procedimiento y equipo »

Referencia del proyecto 574 : B/84

En los sistemas semiconductores de silicio y del grupo III-V , se reconoce generalmente en la industria electrónica que el ataque medio de un plasma tendrá una función vital para llegar a una técnica submicrónica . Queda , sin embargo , mucho por hacer para comprender la química y la física complejas que implica la aplicación de métodos de diagnóstico adecuados . Mientras este trabajo no esté terminado , no se podrán explotar plenamente las posibilidades del ataque con plasma . El programa general es necesariamente interactivo y reagrupa centros especializados en química y física del plasma , fabricantes de equipos y un proveedor de productos químicos para la industria electrónica . Colectivamente , los participantes poseen una combinación única de conocimientos y de instalaciones que les asegurará el éxito en este amplio programa .

« Integración a escala de la plaqueta »

Referencia del proyecto 824 : B/85

La concepción y demostración de un sistema de 25 millones de transistores por microplaqueta deben realizarse mediante la conexión de las células útiles de una placa . El circuito de demostración es una RAM estática de 4 M bits realizada con tecnología CMOS de 1,4 micras , por medio de la redundancia a los niveles inter e intracelular , para afrontar de este modo los defectos de fin de fabricación . Se dedicará especial atención a los dispositivos y a una estrategia de comprobación experimental , tanto a nivel de la célula como de toda la placa . Después de las pruebas , se emplearán técnicas de reconfiguración para evitar los fallos de las células y aumentar su rendimiento . Una lógica de decodificación y conmutadores controlados exteriormente servirán para interconectar las células útiles de una placa .

Se desarrollará un equipo lógico para la selección automática de los conmutadores que deben ser programados para obtener la necesaria interconexión . Se aumentará el rendimiento de las líneas de interconexión de aluminio con la reparación de cortocircuitos y circuitos abiertos . Se hará un estudio de las características térmicas y eléctricas de la cápsula y de sus conexiones para la realización de una cápsula satisfactoria para demostración .

« Cápsulas para CI numéricos de alta velocidad en As Ga »

Referencia del proyecto 830 : A/85

Este proyecto aborda las necesidades de la industria de CI de As Ga en materia de concepción de cápsulas .

El proyecto concluirá con el establecimiento de normas para las cápsulas , de principios de concepción y métodos de fabricación claramente definidos . Se establecerán asimismo cuatro diseños de cápsulas , de 8 , 16 , 24 y 40 patillas para conexiones de Entrada/Salida ( E/S ) que presenten las características operacionales necesarias para el ensamblado y empaquetado de los CI de As Ga para aplicaciones numéricas de alta velocidad . La concepción con ayuda de ordenador ( CAO ) y la modernización simulada se emplearán para llevar a cabo este proyecto que ya ha obtenido un éxito con las cápsulas de 8 patillas de E/S . Se estudiarán tres posibles soluciones técnicas para la realización de cápsulas : el sellado directo , el sellado de vidrio de cerámicas fritadas y el cofritaje vitrocerámico . Dentro de este contexto , se estudiarán temas tales como los materiales , las metalizaciones , la disipación de calor , etc .

Se evaluarán y someterán a pruebas de cualificación muestras de cápsulas que hayan sido diseñadas de este modo .

Este proyecto completa el proyecto 958 .

« Cajas para VLSI de altas prestaciones destinadas a sistemas electrónicos complejos »

Referencia del proyecto 958 : A/85

El objeto de este proyecto es demostrar la viabilidad y evaluar una estructura de alta densidad sobre la cual estarán conectados circuitos VLSI gracias a una interconexión TAB muy densa ( aso de 100 a 125 m ) , es decir un sustrato multicircuitos de alta prestación .

Se medirá la prestación eléctrica y térmica para evaluar la capacidad de una estructura de este tipo que podría servir como elemento básico de construcción para un sistema de muy alta prestación ( ritmo de 1 GHz o ciclos de 20-50 ns ) .

Este proyecto completa el proyecto 830 .

« Algoritmos para un simulador semiconductor robusto y eficaz »

Referencia del proyecto 962 : A/85

El objeto de este proyecto es proporcionar algoritmos generales totalmente comprobados para la simulación en tres dimensiones de dispositivos semiconductores . Estos algoritmos se utilizarán para condiciones de funcionamiento estático del dispositivo o para condiciones dinámicos de régimen transitorio y pequeña y para tener en cuenta la dependencia del funcionamiento del dispositivo con la temperatura de la red cristalina . Los algoritmos se comprobarán en códigos máquina de investigación puestos a punto dentro del proyecto , códigos que serán validados sobre la base de dispositivos reales .

Dada la importancia del proyecto de cálculo que exigen estos algoritmos , existirá una fuerte interdependencia entre los algoritmos apropiados y la disponibilidad de ordenadores de arquitectura avanzada . Asimismo se llevará a cabo un estudio para delimitar el campo de aplicación del modelo físico básico utilizado , tanto en lo que se refiere a los materiales como el tamaño del dispositivo .

« Litografía por rayos X para 0,5 micras , resinas fotosensibles , máscaras y reproducción de motivos »

Referencia del proyecto 1007 : B/85

El objetivo de este proyecto es el desarrollo de la litografía por rayos X para dimensiones de 0,5 µm hasta la etapa de demostración práctica de un procedimiento de litografía . En particular , se ha previsto el desarrollo de tecnologías para resinas fotosensibles y máscaras adecuadas para resoluciones de 0,5 µm y compatibles con límites de resolución superiores . Para la tecnología de máscaras , se utilizarán por tanto membranas a base de Si que se pueden emplear con rayos « más suaves » ( es decir , de más alta resolución ) .

« Tecnología avanzada para máscaras y retículas para dispositivos electrónicos VLSI a escala submicrónica »

Referencia del proyecto 1043 : B/85

Esta propuesta se refiere a sectores específicos de la fabricación de máscaras con vistas al desarrollo de nuevos equipos , materiales y procedimientos . El objetivo es combinar estos desarrollos para mejorar la tecnología de máscaras y retículas y responder a las necesidades en materia de fabricación de placas para dispositivos complejos y avanzados .

« Análisis ultrasensibles de impurezas para estructuras y materiales »

Referencia del proyecto 1056 : B/85

En el marco de este proyecto , se pone a punto una técnica avanzada de análisis físico , necesaria para caracterizar las tecnologías de fabricación en microelectrónica . La técnica basada en la pulverización e ionización por resonancia láser será muy sensible , sin efecto de matriz cuando se estén perfilando multicapas y convendrá al perfil tridimensional con una sensibilidad superior a la que se obtiene por el método clásico de espectrometría de masa con iones secundarios .

1.7.3 Posibilidades futuras

a ) Temas de investigación sobre los procedimientos submicrónicos destinados a reforzar los proyectos en curso en los sectores 1.1 y 1.2

Para los procedimientos compatibles con dimensiones de 0,5 µm y menos , se han destacado los siguientes temas :

i ) litografía de 0,5 µm con un ritmo de producción y un desarrollo de resinas fotosensibles compatibles con los procedimientos de grabado en seco .

ii ) Modelización de procedimientos y dispositivos , incluída la comprobación experimental .

b ) Áreas de investigación de tipo B

i ) Para apoyar los sectores 1.1 y 1.2

- materiales y equipos para el tratamiento de semiconductores

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