3A001

Elektronické součásti a speciálně pro ně konstruované součásti: a. integrované obvody pro všeobecné použití: Poznámka 1: Kontrolní status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a. Poznámka 2: Do integrovaných obvodů patří tyto typy: — „monolitické integrované obvody“, — „hybridní integrované obvody“, — „vícečipové integrované obvody“, — „integrované obvody vrstvového typu“, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce, — „optické integrované obvody“, — „trojrozměrné integrované obvody“. 1. integrované obvody konstruované nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží: a. celkovou dávku radiace 5 × 103 Gy (křemík) nebo vyšší; b. rychlost dávky 5 × 106 Gy (křemík)/s nebo vyšší; nebo c. kontinuální (integrovaný) tok neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály; Pozn.: Položka 3A001.a.1.c. nezahrnuje kov-izolant-polovodiče (MIS). 2. „mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky a číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, uživatelem programovatelná logická pole, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROM), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAM), které mají některou z těchto vlastností: a. jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (125 °C); b. jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (- 55 °C); nebo c. jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (- 55 °C) do 398 K (125 °C); Poznámka: Položka 3A001.a.2. nezahrnuje integrované obvody pro civilní automobily nebo pro železniční vlaky. 3. „mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroregulátorové mikroobvody vyrobené ze složených polovodičů a pracující při hodinových frekvencích vyšších než 40 MHz; Poznámka: Položka 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory. 4. neužívá se; 5. integrované obvody analogově-číslicových (ADC) a číslicově-analogových převodníků (DAC): a. analogově-číslicové převodníky (ADC), které mají některou z těchto vlastností: Pozn.: VIZ TÉŽ 3A101. 1. rozlišení nejméně 8 bitů, avšak menší než 10 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 1 000 milionů slov za sekundu; 2. rozlišení nejméně 10 bitů, avšak menší než 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 300 milionů slov za sekundu; 3. rozlišení 12 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 200 milionů slov za sekundu; 4. rozlišení větší než 12 bitů, avšak rovnající se nebo menší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 125 milionů slov za sekundu; nebo 5. rozlišení větší než 14 bitů, s výstupní rychlostí vyšší než 20 milion slov za sekundu; Technické poznámky: 1. Rozlišení n bitu odpovídá kvantizaci 2 n stavu. 2. Počet bitů ve výstupním slově je roven rozlišení analogově-číslicového převodníku (ADC). 3. Výstupní rychlost je maximální výstupní rychlost převodníku, bez ohledu na architekturu nebo nadměrné vzorkování. 4. U ‚vícekanálových ADC‘ nejsou výstupy sčítány a výstupní rychlostí je maximální výstupní rychlost každého kanálu. 5. U ‚prokládaných ADC‘ nebo u ‚vícekanálových ADC‘, u nichž je stanoven prokládaný operační mód, se výstupy sčítají a rychlost výstupu je celková společná rychlost výstupu všech výstupů. 6. Prodejci mohou označovat výstupní rychlost i výrazy vzorkovací rychlost, rychlost konverze nebo rychlost propustnosti. Často se uvádí v megahertzích (MHz) nebo v milionech vzorků za sekundu (MSPS). 7. Pro účely měření výstupní rychlosti odpovídá jedno výstupní slovo za sekundu jednomu hertzi nebo jednomu vzorku za sekundu. 8. ‚Vícekanálová ADC‘: zařízení, která obsahují více než jeden ADC, navržená tak, aby měl každý ADC svůj vlastní analogový vstup. 9. ‚Prokládaná ADC‘: zařízení, která mají více jednotek ADC, které odebírají vzorky z totožného analogového vstupu v rozdílný časový okamžik tak, aby při sečtení výstupů byl analogový vstup účinně navzorkován a převeden vyšší vzorkovací rychlostí. b. číslicově-analogové převodníky (DAC), které mají některou z těchto vlastností: 1. rozlišení 10 bitů nebo vyšší s ‚nastavenou rychlostí aktualizace‘3 500 MSPS nebo vyšší; nebo 2. rozlišení 12 bitů nebo vyšší s ‚nastavenou rychlostí aktualizace‘1 250 MSPS nebo vyšší, které mají některou z těchto vlastností: a. doba ustálení na 0,024 % z plného rozkmitu při úplném kroku je kratší než 9 ns; nebo b. ‚dynamický rozsah bez parazitních složek (SFDR)‘: více než 68 dBc (přenos) při syntetizaci plného rozkmitu analogového signálu 100 MHz nebo nejvyšší plné frekvence specifikovaného analogového signálu nižšího než 100 MHz. 3A001 a. 5.

Technické poznámky: 1. ‚Dynamický rozsah bez parazitních složek‘ (SFDR): poměr hodnoty RMS přenosové frekvence (nejsilnější složka signálu) u vstupu DAC k hodnotě RMS druhého nejsilnějšího zvuku nebo složky harmonického zkreslení u výstupu. 2. SFDR se určuje přímo podle specifikační tabulky nebo z charakterizačních přehledů SFDR ve srovnání s frekvencemi. 3. Signálem s plným rozkmitem se rozumí signál, jehož amplituda je větší než - 3 dBfs. 4. ‚Nastavená rychlost aktualizace‘ u DAC: a. u běžných DAC (bez převzorkování) je ‚nastavená rychlost aktualizace‘ rychlostí, kterou je digitální signál převeden do analogového signálu a analogové hodnoty výstupu jsou změněny pomocí DAC. DAC, u kterého lze obejít převzorkování (hodnota převzorkování 1), by měl být považován za běžný DAC (bez převzorkování); b. u DAC s převzorkováním se ‚nastavenou rychlostí aktualizace‘ rozumí rychlost aktualizace DAC dělená nejmenším interpolačním faktorem. U DAC s převzorkováním se ‚nastavená rychlost aktualizace‘ může vyjádřit různě, včetně těchto hodnot: — rychlostí vstupních dat — rychlostí vstupních slov — vstupní vzorkovací frekvencí — maximální celkovou rychlostí vstupní sběrnice — maximální rychlostí hodin DAC pro hodinový vstup DAC. 6. elektrooptické a „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, které mají všechny tyto vlastnosti: a. jedna nebo více vnitřních „laserových“ diod; b. jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla; a c. optické vlnovody; 7. ‚uživatelem programovatelná logická zařízení‘, která mají některou z těchto vlastností: a. maximální počet jednokoncových číselných vstupů/výstupů 500 nebo větší; nebo b. ‚agregovanou špičkovou jednosměrnou rychlost sériového přenosu dat‘ 200 Gb/s nebo vyšší; Poznámka: Položka 3A001.a.7. zahrnuje: — jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLD), — složitá programovatelná logická zařízení (CPLD), — uživatelem programovatelná hradlová pole (FPGA), — uživatelem programovatelná logická pole (FPLA), — uživatelem programovatelné vnitřní spoje (FPIC). 3A001 a. 7.

Technické poznámky: 1. ‚Uživatelem programovatelná logická zařízení‘ jsou též známa jako uživatelem programovatelná hradla nebo uživatelem programovatelná logická pole. 2. Maximální počet číslicových vstupů/výstupů uvedený v položce 3A001.a.7.a. se rovněž uvádí jako maximální vstupy/výstupy uživatele či maximální dostupné vstupy/výstupy bez ohledu na to, je-li integrovaný obvod v pouzdru, či nezapouzdřený. 3. ‚Agregovaná špičková jednosměrná rychlost sériového přenosu dat‘ je součinem špičkové jednosměrné rychlosti sériového přenosu dat násobené počtem přijímačů-vysílačů na FPGA. 8. neužívá se; 9. integrované obvody pro neuronové sítě; 10. zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce nebo není znám kontrolní status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit a které mají některou z těchto vlastností: a. více než 1 500 vývodů; b. typická „doba zpoždění základního hradla“ menší než 0,02 ns; nebo c. pracovní frekvence větší než 3 GHz; 11. číslicové integrované obvody, jiné než popsané v položkách 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči a které mají některou z těchto vlastností: a. ekvivalentní počet hradel větší než 3 000 (dvouvstupová hradla); nebo b. překlápěcí frekvence vyšší než 1,2 GHz; 12. procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), jejichž jmenovitá doba provádění pro N-bodovou komplexní FFT činí méně než (N log2 N)/20 480 ms, kde N je počet bodů; Technická poznámka: Rovná-li se N 1 024 bodům, činí doba provádění podle vzorce uvedeného v položce 3A001.a.12. 500 μs. 13. integrované obvody přímých digitálních syntetizátorů (DDS), které mají některou z těchto vlastností: a. hodinovou frekvenci číslicově–analogového převodníku (DAC) 3,5 GHz nebo vyšší a rozlišení DAC 10 bitů nebo větší, avšak menší než 12 bitů; nebo b. hodinovou frekvenci DAC 1,25 GHz nebo vyšší a rozlišení DAC 12 bitů nebo větší; Technická poznámka: Hodinovou frekvenci číslicově-analogového převodníku (DAC) je možno specifikovat jako hlavní hodinovou frekvenci nebo vstupní hodinovou frekvenci. b. součásti mikrovlnných zařízení nebo zařízení pracujících s milimetrovými vlnami: Technická poznámka: Pro účely položky 3A001.b. platí, že parametr nasycený špičkový výstupní výkon může být na výrobních listech uveden rovněž jako výkon, nasycený výstupní výkon, maximální výstupní výkon, špičkový výstupní výkon nebo špičkový obálkový výkon. 1. vakuové elektronky a katody: Poznámka 1: Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky konstruované nebo určené pro provoz v jakémkoliv frekvenčním pásmu se všemi těmito vlastnostmi: a. nepřesahuje 31,8 GHz; a b. je „přiděleno podle ITU“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby. Poznámka 2: Položka 3A001.b.1. nezahrnuje elektronky, které nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a které mají všechny tyto vlastnosti: a. průměrný výstupní výkon 50 W nebo menší; a b. jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi těmito vlastnostmi: 1. více než 31,8 GHz, avšak nejvýše 43,5 GHz; a 2. jsou „přiděleny podle ITU“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby. a. elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou, které mají tyto vlastnosti: 1. elektronky pracují při frekvencích vyšších než 31,8 GHz; 2. elektronky mají topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s; 3. elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s „frakční šířkou pásma“ větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW; 4. elektronky s elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z těchto vlastností: a. „okamžitá šířka pásma“ větší než 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 0,5; b. „okamžitá šířka pásma“ nejvýše 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 1; nebo c. jsou „vhodné pro kosmické aplikace“; b. zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB; c. impregnované katody konstruované pro elektronky produkující trvalou emisní proudovou hustotu při jmenovitých pracovních podmínkách vyšších než 5 A/cm2; 2. mikrovlnné zesilovače výkonu s „monolitickými integrovanými obvody“ (MMIC), které mají některou z těchto vlastností: a. jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 6,8 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 75 W (48,75 dBm) při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 2,9 GHz včetně; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 55 W (47,4 dBm) při frekvencích přesahujících 2,9 GHz až do 3,2 GHz včetně; 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 40 W (46 dBm) při frekvencích přesahujících 3,2 GHz až do 3,7 GHz včetně; nebo 4. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 20 W (43 dBm) při frekvencích přesahujících 3,7 GHz až do 6,8 GHz včetně; b. jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 16 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 10 W (40 dBm) při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 8,5 GHz včetně; nebo 2. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 5 W (37 dBm) při frekvencích přesahujících 8,5 GHz až do 16 GHz včetně; c. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 3 W (34,77 dBm) při frekvencích přesahujících 16 GHz až do 31,8 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; d. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,1 nW (-70 dBm) při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37 GHz včetně; e. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 1 W (30 dBm) při frekvencích přesahujících 37 GHz až do 43,5 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; f. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 31,62 mW (15 dBm) při frekvencích přesahujících 43,5 GHz až do 75 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; g. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 10 mW (10 dBm) při frekvencích přesahujících 75 GHz až do 90 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 5 %; nebo h. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,1 nW (-70 dBm) při frekvencích přesahujících 90 GHz; Poznámka 1: nevyužito. Poznámka 2: Kontrolní status MMIC, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.2.a až 3A001.b.2.h. je určen nejnižším prahem špičkového saturovaného výstupního výkonu. Poznámka 3: Poznámky 1 a 2 ke kategorii 3 A znamenají, že 3A001.b.2 nezahrnuje MMIC, jsou-li speciálně vyrobené pro jiné použití, např. telekomunikace, radary, automobily. 3. Diskrétní mikrovlnné transistory, které jsou charakterizovány některou z těchto vlastností: a. jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 6,8 GHz včetně a mají některou z těchto vlastností: 1. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 400 W (56 dBm) při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 2,9 GHz včetně; 2. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 205 W (53,12 dBm) při frekvencích přesahujících 2,9 GHz až do 3,2 GHz včetně; 3. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 115 W (50,61 dBm) při frekvencích přesahujících 3,2 GHz až do 3,7 GHz včetně; nebo 4. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 60 W (47,78 dBm) při frekvencích přesahujících 3,7 GHz až do 6,8 GHz včetně; b. jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 31,8 GHz včetně a mají některou z těchto vlastností: 1. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 50 W (47 dBm) při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 8,5 GHz včetně; 2. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 15 W (41,76 dBm) při frekvencích přesahujících 8,5 GHz až do 12 GHz včetně; 3. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 40 W (46 dBm) při frekvencích přesahujících 12 GHz až do 16 GHz včetně; nebo 4. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 7 W (38,45 dBm) při frekvencích přesahujících 16 GHz až do 31,8 GHz včetně; c. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,5 W (27 dBm) při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37 GHz včetně; d. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 1 W (30 dBm) při frekvencích přesahujících 37 GHz až do 43,5 GHz včetně; e. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,1 nW (-70 dBm) při frekvencích přesahujících 43,5 GHz; Poznámka 1: Kontrolní status tranzistoru, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.3.a až 3A001.b.3.e. je určen nejnižším prahem saturovaného výstupního výkonu. Poznámka 2: Položka 3A001.b.3. zahrnuje nezapouzdřené destičky, destičky upevněné na nosičích, nebo v pouzdrech. Některé samostatné tranzistory mohou být také označovány jako zesilovače výkonu, ale status těchto samostatných tranzistorů se určuje podle 3A001.b.3. 4. mikrovlnné zesilovače v pevné fázi a mikrovlnné montážní celky/moduly obsahující mikrovlnné zesilovače v pevné fázi, které mají některou z těchto vlastností: a. jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 6,8 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 500 W (57 dBm) při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 2,9 GHz včetně; 2. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 270 W (54,3 dBm) při frekvencích přesahujících 2,9 GHz až do 3,2 GHz včetně; 3. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 200 W (53 dBm) při frekvencích přesahujících 3,2 GHz až do 3,7 GHz včetně; nebo 4. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 90 W (49,54 dBm) při frekvencích přesahujících 3,7 GHz až do 6,8 GHz včetně; b. jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 31,8 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 70 W (48,54 dBm) při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 8,5 GHz včetně; 2. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 50 W (47 dBm) při frekvencích přesahujících 8,5 GHz až do 12 GHz včetně; 3. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 30 W (44,77 dBm) při frekvencích přesahujících 12 GHz až do 16 GHz včetně; nebo 4. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 20 W (43 dBm) při frekvencích přesahujících 16 GHz až do 31,8 GHz včetně; c. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,5 W (27 dBm) při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37 GHz včetně; d. jsou určeny pro provoz při maximálním nasyceném výstupním výkonu vyšším než 2 W (33 dBm) při frekvencích přesahujících 37 GHz až do 43,5 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; e. jsou určeny pro činnost při frekvencích vyšších než 43,5 GHz a mají některou z těchto vlastností: 1. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 0,2 W (23 dBm) při frekvencích přesahujících 43,5 GHz až do 75 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; 2. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 20 mW (13 dBm) při frekvencích přesahujících 75 GHz až do 90 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 5 %; nebo 3. maximální nasycený výstupní výkon vyšší než 0,1 nW (-70 dBm) při frekvencích přesahujících 90 GHz; nebo f. jsou určeny pro činnost při frekvencích vyšších než 2,7 GHz a mají všechny tyto vlastnosti: 1. hodnota špičkového nasyceného výkonu (ve wattech) Psat je větší než 400 děleno druhou mocninou maximální provozní frekvence (v GHz) [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. „frakční šířka pásma“ 5 % nebo více; a 3. dvě na sebe kolmé strany s délkou d každé z nich (v cm) nejvýše 15 děleno nejmenší provozní frekvencí v GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Technická poznámka: 2,7 GHz by mělo být použito jako nejnižší provozní frekvence (fGHz) ve vzorci uvedeném v položce 3A001.b.4.f.3 u zesilovačů, jež mají jmenovitý provozní rozsah směrem dolů až 2,7 GHz a nižší [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]; Pozn.: Zesilovače výkonu MMIC by měly být hodnoceny podle kritérií v položce 3A001.b.2. Poznámka 1: nevyužívá se. Poznámka 2: Kontrolní status položky, jejíž jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu podle 3A001.b.4.a až 3A001.b.4.e, je určen nejnižším prahem saturovaného výstupního výkonu. Poznámka 3: Položka 3A001.b.4. zahrnuje vysílače/přijímače a vysílače. 5. elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propusti nebo pásmové zdrže, které mají více než 5 laditelných rezonátorů s možností ladění 1,5:1 přes frekvenční pásmo (fmax./fmin.) za méně než 10 μs a které mají některou z těchto vlastností: a. šířka pásma propusti větší než 0,5 % středové frekvence; nebo b. šířka pásma zdrže menší než 0,5 % středové frekvence; 6. neužívá se; 7. konvertory a harmonické směšovače konstruované pro rozšíření frekvenčního rozsahu zařízení popsaných v položkách 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad stanovené mezní hodnoty; 8. mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky uvedené v položce 3A001.b.1., které mají všechny tyto vlastnosti: a. pracovní frekvence vyšší než 3 GHz; b. poměr průměrného výstupního výkonu k hmotnosti vyšší než 80 W/kg; a c. objem menší než 400 cm3; Poznámka: Položka 3A001.b.8. nezahrnuje zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které je „přiděleno podle ITU“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby. 9. Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), sestávající nejméně z elektronek s postupnou vlnou, mikrovlnného „monolitického integrovaného obvodu“ a integrovaného elektronického regulátoru napětí, které mají všechny tyto vlastnosti: a. ‚čas zapnutí‘ z vypnutého stavu do plně provozního stavu kratší než 10 sekund; b. objem menší než je maximální jmenovitý výkon ve wattech násobený 10 cm3/W; a c. „okamžitá šířka pásma“ větší než 1 oktáva (fmax. > 2fmin.) a s některou z těchto vlastností: 1. pro frekvence rovné nebo nižší než 18 GHz, vysokofrekvenční (RF) výstupní výkon vyšší než 100 W; nebo 2. frekvenci vyšší než 18 GHz. Technické poznámky: 1. Pro výpočet objemu v položce 3A001.b.9.b. je poskytnut tento příklad: pro maximální jmenovitý výkon 20 W by objem činil: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. ‚Čas zapnutí‘ v položce 3A001.b.9.a. znamená dobu od plně vypnutého stavu do plně provozního stavu; tzn. tento čas zahrnuje dobu zahřátí MPM. 10. Oscilátory nebo montážní celky oscilátorů, které mají podle své specifikace fungovat se všemi těmito vlastnostmi: a. fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz lepší než - (126 + 20log10F-20log10f) kdekoli v rozpětí 10 Hz < F < 10 kHz; a b. fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz lepší než - (114 + 20log10F-20log10f) kdekoli v rozpětí 10 kHz ≤ F < 500 kHz; Technická poznámka: V položce 3A001.b.10. je F odchylka pracovní frekvence v Hz a f je pracovní frekvence v MHz. 11. „Elektronické sestavy“„frekvenčních syntetizátorů“, které mají „dobu přepínání frekvence“ podle kteréhokoli z těchto pravidel: a. kratší než 156 ps; b. kratší než 100 μs pro každou změnu frekvence přesahující 1,6 GHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 4,8 GHz, avšak nepřesahujícího 10,6 GHz; c. kratší než 250 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 10,6 GHz, avšak nepřesahujícího 31,8 GHz; d. kratší než 500 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 31,8 GHz, avšak nepřesahujícího 43,5 GHz; e. kratší než 1 ms pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 43,5 GHz, avšak nepřesahujícího 56 GHz; f. kratší než 1 ms pro každou změnu frekvence přesahující 2,2 GHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 56 GHz, avšak nepřesahujícího 75 GHz; nebo g. kratší než 1 ms v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 75 GHz. Pozn.: Pokud jde o „analyzátory signálů“ pro obecné účely, viz položka 3A002.c., generátory signálů viz položka 3A002.d., síťové analyzátory viz položka 3A002.e. a mikrovlnné zkušební přijímače viz položka 3A002.f. c. zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně konstruované součásti: 1. zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou, která mají některou z těchto vlastností: a. nosná frekvence vyšší než 6 GHz; b. nosná frekvence vyšší než 1 GHz, avšak nejvýše 6 GHz, a některá z těchto vlastností: 1. ‚potlačení postranních laloků frekvence‘ větší než 65 dB; 2. součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100; 3. šířka pásma větší než 250 MHz; nebo 4. disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo c. nosná frekvence nejvýše 1 GHz a některá z těchto vlastností: 1. součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100; 2. disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo 3. ‚potlačení postranních laloků frekvence‘ větší než 65 dB a šířka pásma větší než 100 MHz; Technická poznámka: ‚Potlačení postranních laloků frekvence‘ je maximální hodnota potlačení uvedená na bezpečnostním listu. 2. zařízení s prostorovou akustickou vlnou, jež umožňují přímé zpracování signálů při frekvencích větších než 6 GHz; 3. akusticko-optická zařízení na „zpracování signálů“, která využívají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami a umožňují přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce; Poznámka: Položka 3A001.c. se nevztahuje na zařízení s akustickou vlnou, která se omezují na použití jako jednopásmová propust, dolní propust, horní propust nebo pásmová zádrž, nebo na funkci rezonátoru. d. elektronická zařízení a obvody, které obsahují součástky vyrobené ze „supravodivých“ materiálů speciálně konstruovaných pro činnost při teplotách pod „kritickou teplotou“ alespoň jedné ze „supravodivých“ složek a které mají některou z těchto vlastností: 1. spínání proudu pro číslicové obvody využívající „supravodivá“ hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než 10–14 J; nebo 2. frekvenční selekce při všech frekvencích využívajících rezonanční obvody s hodnotami jakosti Q vyššími než 10 000; e. vysokoenergetická zařízení: 1. ‚články‘: a. ‚primární články‘, které mají ‚hustotu energie‘ vyšší než 550 Wh/kg při 20 °C; b. ‚sekundární články‘, které mají ‚hustotu energie‘ vyšší než 300 Wh/kg při 20 °C; Technické poznámky: 1. Pro účely položky 3A001.e.1., se ‚hustota energie‘ (Wh/kg) vypočte z jmenovitého napětí vynásobeného jmenovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) děleno hmotností v kilogramech. Pokud jmenovitá kapacita není uvedena, vypočítá se hustota energie z čtverce jmenovitého napětí vynásobeného poté dobou vybíjení v hodinách děleno vybíjecí zátěží v ohmech a hmotností v kilogramech. 2. Pro účely položky 3A001.e.1. se ‚článkem‘ rozumí elektrochemické zařízení, které má kladné i záporné elektrody, a elektrolyt, a je zdrojem elektrické energie. Jedná se o základní stavební prvek baterie. 3. Pro účely položky 3A001.e.1.a. se ‚primárním článkem‘ rozumí ‚článek‘, který není určen k tomu, aby byl nabíjen jiným zdrojem. 4. Pro účely položky 3A001.e.1.b. se ‚sekundárním článkem‘ rozumí ‚článek‘, který je určen k tomu, aby byl nabíjen vnějším elektrickým zdrojem. Poznámka: Položka 3A001.e.1. nezahrnuje baterie, a to ani jednočlánkové. 2. vysokoenergetické akumulační kondenzátory: Pozn.: VIZ TÉŽ 3A201.a. a Seznam vojenského materiálu. a. kondenzátory s opakovací frekvencí méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny tyto vlastnosti: 1. jmenovité napětí rovnající se nebo větší než 5 kV; 2. hustota energie rovnající se nebo větší než 250 J/kg; a 3. celková energie rovnající se nebo větší než 25 kJ; b. kondenzátory s opakovací frekvencí nejméně 10 Hz, které mají všechny tyto vlastnosti: 1. jmenovité napětí rovnající se nebo větší než 5 kV; 2. hustota energie rovnající se nebo větší než 50 J/kg; 3. celková energie rovnající se nebo větší než 100 J; a 4. životnost rovnající se nebo větší než 10 000 cyklů nabití/vybití; 3. „supravodivé“ elektromagnety a solenoidy, speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny tyto vlastnosti: Pozn.: VIZ TÉŽ 3A201.b. Poznámka: Položka 3A001.e.3 nezahrnuje „supravodivé“ elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování na principu magnetické rezonance (MRI). a. energie dodaná při vybití vyšší než 10 kJ během první sekundy; b. vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm, a c. jsou určeny pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo „celkovou proudovou hustotu“ ve vinutí větší než 300 A/mm2; 4. solární články, sestavy propojených článků s krycím sklem (CIC), solární panely a solární pole, které jsou „vhodné pro kosmické aplikace“, a jejichž minimální průměrná účinnost při provozní teplotě 301 K (28 °C) za simulovaného osvětlení ‚AM0‘ s intenzitou ozáření 1 367 wattů na metr čtvereční (W/m2) je vyšší než 20 %; Technická poznámka: Pojmem ‚AM0‘ nebo ‚Air Mass Zero‘ se rozumí spektrální intenzita záření slunečního světla ve vnější atmosféře Země, je-li vzdálenost Země od Slunce jedna astronomická jednotka (AU). f. snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají přesnost rovnou nebo menší (lepší) než ± 1,0 úhlové vteřiny; g. polovodičová pulsní výkonová spínací tyristorová zařízení a „tyristorové moduly“ využívající buď elektricky, opticky řízených metod spínání nebo metod spínání řízených elektronovým zářením, a které mají kteroukoliv z těchto vlastností: 1. Maximální rychlost růstu proudu při zapnutí (di/dt) vyšší než 30 000 A/μs a napětí ve vypnutém stavu vyšší než 1 100 V; nebo 2. maximální rychlost růstu proudu (di/dt) vyšší než 2 000 A/μs a všechny tyto vlastnosti: a. špičkové napětí při vypnutém stavu rovno nebo vyšší než 3 000 V; a b. špičkový (rázový) proud rovný nebo vyšší než 3 000 A. Poznámka 1: Položka 3A001.g. zahrnuje: — křemíkově řízené usměrňovače (SCR) — elektricky spínané tyristory (ETT) — světlem spínané tyristory (LTT) — integrované hradlem komutované tyristory (IGCT) — hradlem vypínané tyristory (GTO) — tyristory řízené MOS (MCT) — solidtrony Poznámka 2: Položka 3A001.g. nezahrnuje řídicí tyristorová zařízení a ‚tyristorové moduly‘ zahrnuté do vybavení určeného pro aplikace na civilních železnicích nebo v „civilních letadlech“. Technická poznámka: Pro účely položky 3A001.g. obsahuje ‚tyristorový modul‘ jedno nebo více tyristorových zařízení. h. polovodičové výkonové spínače a diody na regulaci výkonu či ‚moduly‘, které mají tyto vlastnosti: 1. jsou určeny pro maximální pracovní spojovací teplotu vyšší než 488 K (215 °C); 2. opakovatelné vrcholové napětí v nevodivém stavu (blokovací napětí) větší než 300 V; a 3. stejnosměrný proud větší než 1 A. Poznámka 1: Opakovatelné vrcholové napětí v nevodivém stavu uvedené v položce 3A001.h. zahrnuje napětí mezi vývodem a zdrojem, kolektorem a emitorem, opakovatelné špičkové závěrné napětí a opakovatelné špičkové blokovací napětí v nevodivém stavu. 3A001 h.

Poznámka 2: Položka 3A001.h. zahrnuje: — tranzistory s přechodovým hradlem (JFET) — vertikální tranzistory s přechodovým hradlem (VJFET) — výkonové tranzistory typu MOSFET — tranzistory řízené pólem s dvojitou difúzní strukturou kov-oxid-polovodič (DMOSFET) — bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) — tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT) — bipolární plošné tranzistory (BJT) — tyristory a řízené křemíkové usměrňovače (SCR) — vypínací tyristory GTO — tyristory vypínané emitorem (ETO) — diody PIN — Schottkyho diody Poznámka 3: Položka 3A001.h. nezahrnuje spínače, diody či ‚moduly‘ zakomponované do vybavení určeného pro použití v civilních automobilech, civilních železničních vlacích a „civilních letadlech“. Technická poznámka: Pro účely položky 3A001.h. obsahují ‚moduly‘ jeden nebo více polovodičových výkonových spínačů či diod k regulaci výkonu.