Č. Popis Související položka z přílohy I nařízení (ES) č. 428/2009

IX.A3.001 Elektronické zboží: a) integrované obvody pro všeobecné použití: Poznámky: 1. Status polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se hodnotí podle parametrů uvedených v položce 3A001.a. 2. Do integrovaných obvodů patří tyto typy: — „monolitické integrované obvody“, — „hybridní integrované obvody“, — „vícečipové integrované obvody“, — „integrované obvody vrstvového typu“, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce, — „optické integrované obvody“, — „trojrozměrné integrované obvody“, — „monolitické mikrovlnné integrované obvody“ („MMIC“). 3A001.a

IX.A3.002 Integrované obvody konstruované nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží: a) celkovou dávku radiace 5 × 103 Gy (Si) nebo vyšší; b) rychlost dávky 5 × 106 Gy (Si)/s nebo vyšší nebo c) hustotu (integrovaný tok) neutronů (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1 013 n/cm2 nebo vyšší na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály. Pozn.: Výše uvedená kategorie se nevztahuje na kov-izolant-polovodiče (MIS). 3A001.a.

IX.A3.003 „Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově-číslicové převodníky, integrované obvody obsahující analogově-číslicové převodníky a uchovávající nebo zpracovávající digitalizovaná data, číslicově-analogové převodníky, elektro-optické nebo „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, uživatelem programovatelná logická pole, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROM), vyrovnávací paměti flash, statické paměti s náhodným přístupem (SRAM) nebo magnetické paměti s náhodným přístupem (MRAM), které mají některou z těchto vlastností: a) jsou určeny pro provoz při okolní teplotě vyšší než 398 K (+125 °C); b) jsou určeny pro provoz při okolní teplotě nižší 218 K (–55 °C) nebo c) jsou určeny pro provoz v celém intervalu okolních teplot od 218 K (–55 °C) do 398 K (+125 °C). Pozn.: Tato kategorie se nevztahuje na integrované obvody pro použití v civilních automobilech nebo v železničních vlacích. 3A001.a.2

IX.A3.004 Elektrooptické a „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálů“, které mají všechny tyto vlastnosti: a) jedna nebo více vnitřních „laserových“ diod; b) jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla a c) optické vlnovody. 3A001.a.

IX.A3.005 4. Uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z těchto vlastností: a) maximální počet jednokoncových číselných vstupů/výstupů větší než 700 nebo b) „agregovanou špičkovou jednosměrnou rychlost sériového přenosu dat“ 500 Gb/s nebo vyšší. Pozn.: Tato kategorie zahrnuje: — jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLD), — složitá programovatelná logická zařízení (CPLD), — uživatelem programovatelná hradlová pole (FPGA), — uživatelem programovatelná logická pole (FPLA), — uživatelem programovatelné vnitřní spoje (FPIC). 3A001.a.

IX.A3.006 Integrované obvody pro neuronové sítě 3A001.a.

IX.A3.007 Zákaznické integrované obvody, u nichž výrobci buď není známa funkce, nebo není znám status zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit a které mají některou z těchto vlastností: a) více než 1 500 vývodů; b) typická „doba zpoždění základního hradla“ menší než 0,02 ns nebo c) pracovní frekvence větší než 3 GHz. 3A001.a.

IX.A3.008 Integrované obvody přímých digitálních syntetizátorů (DDS), které mají některou z těchto vlastností: a) hodinovou frekvenci číslicově–analogového převodníku (DAC) 3,5 GHz nebo vyšší a rozlišení DAC 10 bitů nebo větší, avšak menší než 12 bitů nebo b) hodinovou frekvenci DAC 1,25 GHz nebo vyšší a rozlišení DAC 12 bitů nebo větší. Technická poznámka: Hodinovou frekvenci číslicově-analogového převodníku (DAC) je možno specifikovat jako hlavní hodinovou frekvenci nebo vstupní hodinovou frekvenci. 3A001.a.

IX.A3.009 Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami: a) „vakuové elektronické součástky“ s postupnou vlnou pulzní nebo průběžnou; 1. součástky pracující při frekvencích vyšších než 31,8 GHz; 2. součástky s ohřívačem katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s; 3. součástky se spojenou dutinou nebo jejich odvozeniny, s „frakční šířkou pásma“ větší než 7 % nebo špičkovým výkonem vyšším než 2,5 kW; 4. součástky založené na šroubovicovém, složeném vlnovodu nebo na serpentinových vlnovodových obvodech nebo jejich odvozeniny, které mají některou z těchto vlastností: a. „okamžitá šířka pásma“ větší než 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 0,5; b. „okamžitá šířka pásma“ nejvýše 1 oktáva a průměrný výkon (vyjádřený v kW) násobený frekvencí (vyjádřenou v GHz) větší než 1; c. jsou „vhodné pro kosmické aplikace“ nebo d. mají elektronové dělo se síťkou; 5. součástky s „frakční šířkou pásma“ větší nebo rovnou 10 % s některou z těchto vlastností: a. prstencový elektronový paprsek; b. neaxisymetrický elektronový paprsek nebo c. několik elektronových paprsků; b) zesilovací „vakuové elektronické součástky“ se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB; c) termionické katody konstruované pro „vakuové elektronické součástky“ produkující emisní proudovou hustotu při jmenovitých pracovních podmínkách vyšší než 5 A/cm2 nebo pulzní (neprůběžnou) proudovou hustotu při jmenovitých pracovních podmínkách vyšší než 10 A/cm2; d) „vakuové elektronické součástky“ schopné provozu v „duálním režimu“. Technická poznámka:„Duálním režimem“ se rozumí, že paprskový proud z „vakuové elektronické součástky“ lze pomocí síťky úmyslně měnit z průběžné vlny na pulzní režim a že produkuje špičkový pulzní výstupní výkon vyšší než výstupní výkon průběžné vlny. 3A001.b.

IX.A3.010 Zesilovače s „monolitickými integrovanými obvody“ („MMIC“), které mají některou z těchto vlastností: a) jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 6,8 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 75 W (48,75 dBm) při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 2,9 GHz včetně; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 55 W (47,4 dBm) při frekvencích přesahujících 2,9 GHz až do 3,2 GHz včetně; 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 40 W (46 dBm) při frekvencích přesahujících 3,2 GHz až do 3,7 GHz včetně nebo 4. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 20 W (43 dBm) při frekvencích přesahujících 3,7 GHz až do 6,8 GHz včetně; b) jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 16 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 10 W (40 dBm) při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 8,5 GHz včetně nebo 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 5 W (37 dBm) při frekvencích přesahujících 8,5 GHz až do 16 GHz včetně; c) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 3 W (34,77 dBm) při frekvencích přesahujících 16 GHz až do 31,8 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; d) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,1 nW (–70 dBm) při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37 GHz včetně; e) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 1 W (30 dBm) při frekvencích přesahujících 37 GHz až do 43,5 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; f) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 31,62 mW (15 dBm) při frekvencích přesahujících 43,5 GHz až do 75 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; g) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 10 mW (10 dBm) při frekvencích přesahujících 75 GHz až do 90 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 5 % nebo h) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,1 nW (–70 dBm) při frekvencích přesahujících 90 GHz. Poznámky: 1. Status MMIC, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu, je určen nejnižším prahem špičkového saturovaného výstupního výkonu. 2. Tato kategorie se nevztahuje na MMIC, pokud jsou speciálně určené pro jiné aplikace, např. telekomunikace, radary, automobily. 3A001.b.

IX.A3.011 Diskrétní mikrovlnné tranzistory, které jsou charakterizovány některou z těchto vlastností: a) jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 6,8 GHz včetně a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 400 W (56 dBm) při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 2,9 GHz včetně; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 205 W (53,12 dBm) při frekvencích přesahujících 2,9 GHz až do 3,2 GHz včetně; 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 115 W (50,61 dBm) při frekvencích přesahujících 3,2 GHz až do 3,7 GHz včetně nebo 4. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 60 W (47,78 dBm) při frekvencích přesahujících 3,7 GHz až do 6,8 GHz včetně; b) jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 31,8 GHz včetně a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 50 W (47 dBm) při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 8,5 GHz včetně; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 15 W (41,76 dBm) při frekvencích přesahujících 8,5 GHz až do 12 GHz včetně; 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 40 W (46 dBm) při frekvencích přesahujících 12 GHz až do 16 GHz včetně nebo 4. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 7 W (38,45 dBm) při frekvencích přesahujících 16 GHz až do 31,8 GHz včetně; c) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,5 W (27 dBm) při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37 GHz včetně; d) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 1 W (30 dBm) při frekvencích přesahujících 37 GHz až do 43,5 GHz včetně nebo e) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,1 nW (–70 dBm) při frekvencích přesahujících 43,5 GHz; Poznámky: 1. Status tranzistoru, jehož jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu, je určen nejnižším prahem špičkového saturovaného výstupního výkonu. 2. Tato kategorie zahrnuje nezapouzdřené destičky, destičky upevněné na nosičích, nebo v pouzdrech. Některé samostatné tranzistory mohou být také označovány jako zesilovače výkonu. 3A001.b.

IX.A3.012 Mikrovlnné zesilovače v pevné fázi a mikrovlnné montážní celky/moduly obsahující mikrovlnné zesilovače v pevné fázi, které mají některou z těchto vlastností: a) jsou určeny pro provoz při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 6,8 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 15 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 500 W (57 dBm) při frekvencích přesahujících 2,7 GHz až do 2,9 GHz včetně; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 270 W (54,3 dBm) při frekvencích přesahujících 2,9 GHz až do 3,2 GHz včetně; 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 200 W (53 dBm) při frekvencích přesahujících 3,2 GHz až do 3,7 GHz včetně nebo 4. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 90 W (49,54 dBm) při frekvencích přesahujících 3,7 GHz až do 6,8 GHz včetně; b) jsou určeny pro provoz při frekvencích vyšších než 6,8 GHz až do 31,8 GHz včetně s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %, a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 70 W (48,54 dBm) při frekvencích přesahujících 6,8 GHz až do 8,5 GHz včetně; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 50 W (47 dBm) při frekvencích přesahujících 8,5 GHz až do 12 GHz včetně; 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 30 W (44,77 dBm) při frekvencích přesahujících 12 GHz až do 16 GHz včetně nebo 4. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 20 W (43 dBm) při frekvencích přesahujících 16 GHz až do 31,8 GHz včetně; c) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 0,5 W (27 dBm) při frekvencích přesahujících 31,8 GHz až do 37 GHz včetně; d) jsou určeny pro provoz při špičkovém nasyceném výstupním výkonu vyšším než 2 W (33 dBm) při frekvencích přesahujících 37 GHz až do 43,5 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; e) jsou určeny pro činnost při frekvencích vyšších než 43,5 GHz a mají některou z těchto vlastností: 1. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 0,2 W (23 dBm) při frekvencích přesahujících 43,5 GHz až do 75 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 10 %; 2. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 20 mW (13 dBm) při frekvencích přesahujících 75 GHz až do 90 GHz včetně, s „frakční šířkou pásma“ větší než 5 % nebo 3. špičkový nasycený výstupní výkon vyšší než 0,1 nW (–70 dBm) při frekvencích přesahujících 90 GHz. Pozn.: Status položky, jejíž jmenovitá provozní frekvence zahrnuje frekvence uvedené ve více než jednom frekvenčním pásmu, je určen nejnižším prahem špičkového saturovaného výstupního výkonu. 3A001.b.

IX.A3.013 Elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propusti nebo pásmové zdrže, které mají více než 5 laditelných rezonátorů s možností ladění 1,5:1 přes frekvenční pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 μs a které mají některou z těchto vlastností: a) šířka pásma propusti větší než 0,5 % středové frekvence nebo b) šířka pásma zdrže menší než 0,5 % středové frekvence. 3A001.b.

IX.A3.014 Konvertory a harmonické směšovače, které mají některou z těchto vlastností: a) konstruované pro rozšíření frekvenčního rozsahu „analyzátorů signálů“ nad 90 GHz; b) konstruované pro rozšíření provozního rozsahu generátorů signálů: 1. nad 90 GHz; 2. na výstupní výkon vyšší než 100 mW (20 dBm) kdekoli v rámci frekvenčního rozsahu vyššího než 43,5 GHz, avšak nepřesahujícího 90 GHz; c) konstruované pro rozšíření provozního rozsahu síťových analyzátorů: 1. nad 110 GHz; 2. na výstupní výkon vyšší než 31,62 mW (15 dBm) kdekoli v rámci frekvenčního rozsahu vyššího než 43,5 GHz, avšak nepřesahujícího 90 GHz; 3. na výstupní výkon vyšší než 1 mW (0 dBm) kdekoli v rámci frekvenčního rozsahu vyššího než 90 GHz, avšak nepřesahujícího 110 GHz nebo d) konstruované pro rozšíření frekvenčního rozsahu mikrovlnných zkušebních přijímačů nad 110 GHz. 3A001.b.

IX.A3.015 Mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující „vakuové elektronické součástky“ uvedené výše, které mají všechny tyto vlastnosti: a) pracovní frekvence vyšší než 3 GHz; b) poměr průměrného výstupního výkonu k hmotnosti vyšší než 80 W/kg a c) objem menší než 400 cm3. Pozn.: Tato kategorie se nevztahuje na zařízení konstruovaná nebo určená pro provoz v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které je „přiděleno podle Mezinárodní telekomunikační unie (ITU)“ pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby. 3A001.b.

IX.A3.016 Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), sestávající nejméně z „vakuové elektronické součástky“ s postupnou vlnou, „monolitického mikrovlnného integrovaného obvodu“ („MMIC“) a integrovaného elektronického regulátoru napětí, které mají všechny tyto vlastnosti: a) „čas zapnutí“ z vypnutého stavu do plně provozního stavu kratší než 10 sekund; b) objem menší než je maximální jmenovitý výkon ve wattech násobený 10 cm3/W a c) „okamžitá šířka pásma“ větší než 1 oktáva (fmax > 2fmin) a s některou z těchto vlastností: 1. pro frekvence rovné nebo nižší než 18 GHz, vysokofrekvenční (RF) výstupní výkon vyšší než 100 W nebo 2. frekvenci vyšší než 18 GHz. Technické poznámky: 1. Pro výpočet objemu v položce b) výše je poskytnut tento příklad: pro maximální jmenovitý výkon 20 W by objem činil: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Čas zapnutí“ v položce a) výše znamená dobu od plně vypnutého stavu do plně provozního stavu; tzn. tento čas zahrnuje dobu zahřátí MPM. 3A001.b.

IX.A3.017 Oscilátory nebo sestavy oscilátorů, které mají fungovat s fázovým šumem s jedním postranním pásmem (SSB) v dBc/Hz nižším (lepším) než -(126 + 20log10F – 20log10f) kdekoli v rozpětí 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz. Technická poznámka: Ve výše uvedené kategorii je F odchylka pracovní frekvence v Hz a f je pracovní frekvence v MHz. 3A001.b.

IX.A3.018 „Elektronické sestavy“„frekvenčních syntetizátorů“, které mají „dobu přepínání frekvence“ podle kteréhokoli z těchto pravidel: a) kratší než 143 ps; b) kratší než 100 μs pro každou změnu frekvence přesahující 2,2 GHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 4,8 GHz, avšak nepřesahujícího 31,8 GHz; c) kratší než 500 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 31,8 GHz, avšak nepřesahujícího 37 GHz; d) kratší než 100 μs pro každou změnu frekvence přesahující 2,2 GHz v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 37 GHz, avšak nepřesahujícího 90 GHz nebo e) kratší než 1 ms v rámci syntetizovaného frekvenčního rozsahu přesahujícího 90 GHz. 3A001.b.

IX.A3.019 „Přenosové/přijímací moduly“, „přenosové/příjímací MMIC“, „přenosové moduly“ a „přenosové MMIC“ určené pro provoz při frekvencích vyšších než 2,7 GHz a mající všechny tyto vlastnosti: a) špičkový nasycený výstupní výkon (ve wattech) Psat je větší než 505,62 děleno druhou mocninou maximální provozní frekvence (v GHz) [Psat > 505,62 W * GHz2/fGHz 2] pro kterýkoli kanál; b) „frakční šířka pásma“ 5 % nebo více pro kterýkoli kanál; c) kterákoli planární strana o délce d (v cm) rovna či menší 15 děleno nejnižší provozní frekvencí v GHz [d ≤ 15 cm * GHz * N/fGHz], kde N je počet přenosových nebo přenosových/přijímacích kanálů a d) elektronicky měnitelný fázový posun u každého kanálu. Technické poznámky: 1. „Přenosový/přijímací modul“: je multifunkční „elektronická sestava“, která umožňuje dvousměrné ovládání amplitudy a fáze pro přenos a příjem signálů. 2. „Přenosový modul“: je „elektronická sestava“, která umožňuje ovládání amplitudy a fáze pro přenos signálů. 3. „Přenosový/přijímací MMIC“: je multifunkční „MMIC“, který umožňuje dvousměrné ovládání amplitudy a fáze pro přenos a příjem signálů. 4. „Přenosový MMIC“: je „MMIC“, který umožňuje ovládání amplitudy a fáze pro přenos signálů. 5. 2,7 GHz by mělo být použito jako nejnižší provozní frekvence (fGHz) ve vzorci uvedeném v položce c) pro přenosové/přijímací nebo přenosové moduly se jmenovitým provozním rozsahem 2,7 GHz a nižším [d ≤ 15 cm * GHz * N/2,7 GHz]. 6. Položka IX.A3.019 se vztahuje na „přenosové/vysílací moduly“ nebo „přenosové moduly“ s jímačem tepla nebo bez něj. Hodnota d v položce 11.c. žádnou část „přenosového/vysílacího modulu“ nebo „přenosového modulu“, která slouží jako jímač tepla. 7. „Přenosové/přijímací moduly“ nebo „přenosové moduly“ nebo „přenosové/přijímací MMIC“ nebo „přenosové MMIC“ mohou, ale nemusí mít N integrovaných rozbíhajících se anténních prvků, kde N je počet přenosových nebo přenosových/přijímacích kanálů. 3A001.b.

IX.A3.020 Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou, která mají některou z těchto vlastností: a) nosná frekvence vyšší než 6 GHz; b) nosná frekvence vyšší než 1 GHz, avšak nejvýše 6 GHz, a některá z těchto vlastností: 1. „potlačení postranních laloků frekvence“ větší než 65 dB; 2. součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100; 3. šířka pásma větší než 250 MHz nebo 4. disperzní zpoždění větší než 10 μs nebo c) nosná frekvence nejvýše 1 GHz a některá z těchto vlastností: 1. součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100; 2. disperzní zpoždění větší než 10 μs nebo 3. „potlačení postranních laloků frekvence“ větší než 65 dB a šířka pásma větší než 100 MHz. 3A001.c.

IX.A3.021 Zařízení s prostorovou akustickou vlnou, jež umožňují přímé zpracování signálů při frekvencích větších než 6 GHz. 3A001.c.

IX.A3.022 Akusticko-optická zařízení na „zpracování signálů“, která využívají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami a umožňují přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce. 3A001.c.

IX.A3.023 Elektronická zařízení a obvody, které obsahují součástky vyrobené ze „supravodivých“ materiálů speciálně konstruovaných pro činnost při teplotách pod „kritickou teplotou“ alespoň jedné ze „supravodivých“ složek a které mají některou z těchto vlastností: a) spínání proudu pro číslicové obvody využívající „supravodivá“ hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než 10– 14 J nebo b) frekvenční selekce při všech frekvencích využívajících rezonanční obvody s hodnotami jakosti Q vyššími než 10 000 . 3A001.d.

IX.A3.024 Vvysokoenergetické články: a) „primární články“, které mají „hustotu energie“ vyšší než 550 Wh/kg při 20 °C; b) „sekundární články“, které mají „hustotu energie“ vyšší než 350 Wh/kg při 20 °C. Technické poznámky: 1. Pro účely vysokoenergetických zařízení se „hustota energie“ (Wh/kg) vypočte z jmenovitého napětí vynásobeného jmenovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) děleno hmotností v kilogramech. Pokud jmenovitá kapacita není uvedena, vypočítá se hustota energie z čtverce jmenovitého napětí vynásobeného poté dobou vybíjení v hodinách děleno vybíjecí zátěží v ohmech a hmotností v kilogramech. 2. Pro účely vysokoenergetických zařízení se „článkem“ rozumí elektrochemické zařízení, které má kladné i záporné elektrody a elektrolyt a je zdrojem elektrické energie. Jedná se o základní stavební prvek baterie. 3. Pro účely vysokoenergetických zařízení se „primárním článkem“ rozumí „článek“, který není určen k tomu, aby byl nabíjen jiným zdrojem. 4. Pro účely vysokoenergetických zařízení se „sekundárním článkem“ rozumí „článek“, který je určen k tomu, aby byl nabíjen vnějším elektrickým zdrojem. Pozn.: Vysokoenergetická zařízení se nevztahují na baterie, včetně jednočlánkových baterií. 3A001.e.

IX.A3.025 Vysokoenergetické akumulační kondenzátory: a) kondenzátory s opakovací frekvencí méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny tyto vlastnosti: 1. jmenovité napětí rovnající se nebo větší než 5 kV; 2. hustota energie rovnající se nebo větší než 250 J/kg a 3. celková energie rovnající se nebo větší než 25 kJ; b) kondenzátory s opakovací frekvencí nejméně 10 Hz, které mají všechny tyto vlastnosti: 1. jmenovité napětí rovnající se nebo větší než 5 kV; 2. hustota energie rovnající se nebo větší než 50 J/kg 3. celková energie rovnající se nebo větší než 100 J a 4. životnost rovnající se nebo větší než 10 000 cyklů nabití/vybití. 3A001.e.

IX.A3.026 „Supravodivé“ elektromagnety a solenoidy, speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny tyto vlastnosti: Pozn.: Výše uvedená položka se nevztahuje na „supravodivé“ elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování na principu magnetické rezonance (MRI). a) energie dodaná při vybití vyšší než 10 kJ během první sekundy; b) vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm a c) jsou určeny pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo „celkovou proudovou hustotu“ ve vinutí větší než 300 A/mm2. 3A001.e.

IX.A3.027 Solární články, sestavy propojených článků s krycím sklem (CIC), solární panely a solární pole, které jsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a jejichž minimální průměrná účinnost při provozní teplotě 301 K (28 °C) za simulovaného osvětlení „AM0“ s intenzitou ozáření 1 367 wattů na metr čtvereční (W/m2) je vyšší než 20 %. Technická poznámka: Pojmem „AM0“ nebo „Air Mass Zero“ se rozumí spektrální intenzita záření slunečního světla ve vnější atmosféře Země, je-li vzdálenost Země od Slunce jedna astronomická jednotka (AU). 3A001.e.

IX.A3.028 Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají „přesnost“ rovnou nebo menší (lepší) než 1,0 úhlové vteřiny a které jsou k tomu vybaveny speciálně konstruovanými kódovacími prstenci, kotouči nebo miskami. 3A001.f.

IX.A3.029 Polovodičová pulsní výkonová spínací tyristorová zařízení a „tyristorové moduly“ využívající buď elektricky, opticky řízených metod spínání nebo metod spínání řízených elektronovým zářením, a které mají kteroukoliv z těchto vlastností: 1. maximální rychlost růstu proudu při zapnutí (di/dt) vyšší než 30 000 A/μs a napětí ve vypnutém stavu vyšší než 1 100 V nebo 2. maximální rychlost růstu proudu (di/dt) vyšší než 2 000 A/μs a všechny tyto vlastnosti: a. špičkové napětí při vypnutém stavu rovno nebo vyšší než 3 000 V a b. špičkový (rázový) proud rovný nebo vyšší než 3 000 A. Poznámky: 1. Výše uvedená položka g) zahrnuje: — křemíkově řízené usměrňovače (SCR), — elektricky spínané tyristory (ETT), — světlem spínané tyristory (LTT), — integrované hradlem komutované tyristory (IGCT), — hradlem vypínané tyristory (GTO), — tyristory řízené MOS (MCT), — solidtrony. 2. Výše uvedená položka g) se nevztahuje na řídicí tyristorová zařízení a „tyristorové moduly“ zahrnuté do vybavení určeného pro aplikace na civilních železnicích nebo v „civilních letadlech“. Technická poznámka: Pro účely výše uvedené položky g) obsahuje „tyristorový modul“ jedno nebo více tyristorových zařízení. 3A001.g.

IX.A3.030 Polovodičové výkonové spínače a diody na regulaci výkonu či „moduly“, které mají tyto vlastnosti: 1. jsou určeny pro maximální pracovní spojovací teplotu vyšší než 488 K (215 °C); 2. opakovatelné vrcholové napětí v nevodivém stavu (blokovací napětí) větší než 300 V a 3. stejnosměrný proud větší než 1 A. Pozn.: Opakovatelné vrcholové napětí v nevodivém stavu ve výše uvedené položce zahrnuje napětí mezi vývodem a zdrojem, kolektorem a emitorem, opakovatelné špičkové závěrné napětí a opakovatelné špičkové blokovací napětí v nevodivém stavu. 3A001.h.

IX.A3.031 Záznamová zařízení a osciloskopy: 1. záznamníky digitálních dat, které mají všechny tyto vlastnosti: a. trvalý „spojitý přenos dat“ více než 6,4 Gbit/s na disk nebo do paměti SSD jednotky a b. procesor, který analyzuje data radiofrekvenčního signálu při jejich nahrávání; Technické poznámky: 1. Pro záznamová zařízení s architekturou paralelních sběrnic je rychlost „spojitého přenosu dat“ definována jako součin nejvyšší rychlosti přenosu slov násobená počtem bitů ve slově. 2. „Spojitý přenos dat“ je nejvyšší rychlost přenosu dat, při níž je přístroj schopen zaznamenávat data na disk nebo do paměti SSD jednotky bez ztráty jakékoli informace a při zachování vstupní rychlosti číslicových dat nebo převodní rychlosti digitalizátoru. 2. Osciloskopy pracující v reálném čase s šumovým napětím o střední kvadratické hodnotě nižším než 2 % plné stupnice při vertikálním nastavení stupnice, které poskytuje nejnižší hodnotu šumu pro veškeré vstupy s poklesem o 3 dB v pásmu 60 GHz nebo větším na každý kanál. 3A002.a.

IX.A3.032 „Analyzátory signálů“: 1. „analyzátory signálů“, které mají šířku pásma rozlišení 3 dB (RBW) přesahující 10 MHz kdekoliv ve frekvenčním rozsahu vyšším než 31,8 GHz, avšak nepřesahujícím 37 GHz; 2. „analyzátory signálů“, které mají průměrnou prahovou úroveň šumu (DANL) menší (lepší než) –150 dBm/Hz kdekoli ve frekvenčním pásmu od 43,5 GHz do 90 GHz; 3. „analyzátory signálů“ s frekvencí vyšší než 90 GHz; 4. „analyzátory signálů“, které mají všechny tyto vlastnosti: a. „šířka pásma v reálném čase“ vyšší než 170 MHz a b. mají některou z těchto vlastností: 1. 100 % pravděpodobnost odhalení s méně než 3 dB snížením z plné amplitudy v důsledku prodlev nebo proluk signálů trvajících 15 μs nebo méně nebo 2. funkci „spouštěče podle frekvenční masky“ se 100 % pravděpodobností spuštění (zachycení) signálů trvajících 15 μs nebo méně. Technické poznámky: 1. Pravděpodobnost odhalení ve výše uvedené položce 1 se rovněž označuje jako pravděpodobnost zachycení. 2. Pro účely výše uvedené položky 1 se doba 100 % pravděpodobnosti odhalení rovná minimální době trvání signálu, která je nutná pro specifikovanou úroveň nejistoty měření. Pozn.: Výše uvedená kategorie se nevztahuje na takové „analyzátory signálů“, které používají pouze pásmové filtry s konstantním procentem (známé též jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv). 3A002.c.

IX.A3.033 Generátory signálů, které mají některou z těchto vlastností: 1. určené ke generování impulsem modulovaných signálů, které mají všechny níže uvedené vlastnosti, kdekoliv v rámci frekvenčního rozsahu vyššího než 31,8 GHz, avšak nepřesahujícího 37 GHz: a. „doba trvání pulsu“ menší než 25 ns a b. poměr vypnuto/zapnuto rovnající se nebo větší než 65 dB; 2. výstupní výkon vyšší než 100 mW (20 dBm) kdekoli v rámci frekvenčního rozsahu vyššího než 43,5 GHz, avšak nepřesahujícího 90 GHz; 3. „doba přepínání frekvence“ určená podle kteréhokoli z těchto pravidel: a. kratší než 100 μs pro každou změnu frekvence přesahující 2,2 GHz v rámci frekvenčního rozsahu přesahujícího 4,8 GHz, avšak nepřesahujícího 31,8 GHz; b. kratší než 500 μs pro každou změnu frekvence přesahující 550 MHz v rámci frekvenčního rozsahu přesahujícího 31,8 GHz, avšak nepřesahujícího 37 GHz nebo c. kratší než 100 μs pro každou změnu frekvence přesahující 2,2 GHz v rámci frekvenčního rozsahu přesahujícího 37 GHz, avšak nepřesahujícího 90 GHz. 3A002.d.

IX.A3.034 Síťové (obvodové) analyzátory s některou z těchto vlastností: 1. výstupní výkon vyšší než 31,62 mW (15 dBm) kdekoli v rozsahu syntetizované frekvence vyšší než 43,5 GHz, avšak nepřesahující 90 GHz; 2. výstupní výkon vyšší než 1 mW (0 dBm) kdekoli v rozsahu syntetizované frekvence vyšší než 90 GHz, avšak nepřesahující 110 GHz; 3. „funkci nelineárního měření vektoru“ při frekvencích vyšších než 50 GHz, avšak nepřesahujících 110 GHz nebo 4. maximální provozní frekvence vyšší než 110 GHz. Technická poznámka:„Funkce nelineárního měření vektoru“ je schopnost přístroje analyzovat výsledky zkoušek zařízení vybuzených do oblasti velkého signálu nebo do rozsahu nelineárního zkreslení. 3A002.e.

IX.A3.035 Mikrovlnné zkušební přijímače, které mají všechny tyto vlastnosti: 1. maximální provozní frekvence vyšší než 110 GHz a 2. schopnost měřit současně amplitudu i fázi. 3A002.f.

IX.A3.036 Atomové frekvenční normály, které mají některou z těchto vlastností: 1. jsou „vhodné pro kosmické aplikace“; 2. bez rubidia a s dlouhodobou stabilitou menší (lepší) než 1 × 10– 11/měsíc nebo 3. nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“ a mají všechny tyto vlastnosti: a. rubidiové normály; b. dlouhodobá stabilita menší (lepší) než 1 × 10– 11/měsíc a c. celková spotřeba energie menší než 1 W. 3A002.f.

IX.A3.037 Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství: a) zařízení konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z těchto vlastností: 1. jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování vodíku, deuteria nebo helia; 2. jsou schopná přímého zápisu; 3. urychlovací napětí 65 keV nebo více a proud ve svazku 45 mA nebo více pro implantování kyslíku s vysokou energií do zahřáté „podložky“ z polovodičového materiálu nebo 4. jsou konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlovacím napětí 20 keV nebo více a proud ve svazku 10 mA nebo více pro implantování křemíku do „podložky“ z polovodičového materiálu zahřáté na 600 °C nebo více; b) vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší: 1. nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností: a. vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm nebo b. schopnost exponovat obrazce s „velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku“ (MRF) 45 nm nebo menší; Technická poznámka:„Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku“ (MRF) se vypočítá podle vzorce: kde K faktor = 0,35 c) zařízení speciálně konstruovaná pro masku, která využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku. 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Zařízení konstruovaná pro zpracování součástek za použití metod přímého zápisu; masky a optické mřížky, konstruované pro integrované obvody. 3B001.g.

IX.A3.038 Zkušební zařízení speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových a mikrovlnných součástek a speciálně pro ně konstruované součásti a příslušenství: a) pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při frekvencích větších než 31,8 GHz; b) pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů uvedených výše. 3B002

IX.A3.039 Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ složené z více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z: a) křemíku (Si); b) germania (Ge); c) karbidu křemíku (SiC) nebo d) „sloučenin typu III/V“ galia nebo india. Pozn.: Tato položka se nevztahuje na „podložky“ mající jednu nebo více epitaxiálních vrstev typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nebo InGaAlP, nezávisle na sekvenci prvků, vyjma případu, kdy se epitaxiální vrstva typu P nachází mezi vrstvami typu N. 3C001

IX.A3.040 Rezistní materiály (rezisty) a „podložky“ potažené těmito rezisty: a) rezisty pro polovodičovou litografii: 1. pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 245 nm, avšak rovnajících se nebo delších než 15 nm; 2. pozitivní rezisty upravené (optimalizované) pro použití při vlnových délkách kratších než 15 nm, avšak delších než 1 nm; b) veškeré rezisty konstruované pro použití s elektronovými nebo iontovými paprsky o citlivosti 0,01 μcoulomb/mm2 nebo lepší; c) veškeré rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu; d) veškeré rezisty konstruované nebo optimalizované pro využití spolu se zařízením pro tiskovou litografii schopným vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší, u kterých jsou používány tepelné procesy nebo procesy photo-curable. 3C002

IX.A3.041 Organoanorganické sloučeniny: a) organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (čistotu kovu) lepší než 99 999 %; b) organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu, které mají čistotu (čistotu anorganické složky) lepší než 99 999 %. 3C003

IX.A3.042 Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99 999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku. Pozn.: Výše uvedená položka se nevztahuje na hydridy, které obsahují nejméně 20 % molárních inertních plynů nebo vodíku. 3C004

IX.A3.043 Polovodičové „substráty“ z karbidu křemíku (SiC), nitridu gallitého (GaN), nitridu hlinitého (AlN) nebo směsného nitridu hliníku a gallia (AlGaN) nebo ingoty, hrušky nebo jiné polotovary z těchto materiálů, jejichž odpor je při 20 °C vyšší než 10 000 ohm/cm. 3C005