3A001

Електронни изделия, както следва: a. Универсални интегрални схеми, както следва: Бележка: Интегралните схеми включват следните видове: — „Монолитни интегрални схеми“; — „Хибридни интегрални схеми“; — „Многочипови интегрални схеми“; — „Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху сапфир; — „Оптични интегрални схеми“; — „Триизмерни интегрални схеми“; — „Монолитни микровълнови интегрални схеми“ („MMICs“). 1. Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви, издържащи на някое от следните: a. Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма; b. Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или c. Поток (интегриран поток) от неутрони (еквивалентен на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или повече върху силиций, или равностойни на него материали; Бележка: 3A001.а.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS). 2. „Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, интегрални схеми, които съдържат аналогово-цифрови преобразуватели и съхраняват или обработват цифровизираните данни, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или е неизвестно доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД) или ‘енергонезависими памети’, притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125oС); b. Предназначени за работа при околна температура под 218 К (-55oС); или c. Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 К (-55oС) до 398 К (125oС); Бележка: 3A001.a.2. не контролира интегрални схеми, проектирани за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове. Техническа бележка: ‘Енергонезависимите памети’ са памети, които съхраняват данните за определен период от време след изключване на захранването. 3. „Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“ и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz; Бележка: 3A001.a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори. 4. Не се използва; 5. Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва: a. Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи която и да е от следните характеристики: N.B. ВЖ. СЪЩО 3A101. 1. Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 1,3 милиарда дискрета в секунда (GSPS); 2. Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 600 милиона дискрета в секунда (MSPS); 3. Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 400 MSPS; 4. Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 250 MSPS; или 5. Разделителна способност 16 бита или повече, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 65 MSPS; N.B. За интегрални схеми, които съдържат аналогово-цифрови преобразуватели и съхраняват или обработват цифровизираните данни, вж. 3A001.a.14. Технически бележки: 1. Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2 n нива. 2. Разделителната способност на АЦП/ADC е броят битове на цифровия изход, който представлява измерения аналогов входящ сигнал. За определяне на разделителната способност на АЦП/ADC не се използва ефективният брой битове (ENOB). 3. За „многоканални АЦП/ADC“„честотата на дискретизация“ не се сумира и „честотата на дискретизация“ е максималната честота на който и да е от отделните канали. 4. За „редуващи АЦП/ADC“ или за „многоканални АЦП/ADC“, имащи редуващ режим на работа, „честотите на дискретизация“ се сумират и „честотата на дискретизация“ е максималната сумирана обща скорост на всички редуващи се канали. b. Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с ‘коригирана скорост на обновяване’, по-голяма от 3 500 MSPS; или 2. Разделителна способност 12 бита или повече и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: a. ‘Коригирана скорост на обновяване’ над 1 250 MSPS, но не повече от 3 500 MSPS и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: 1. Време за установяване, по-малко от 9 ns за достигане до или в рамките на 0,024% от времето, необходимо за една пълна стъпка; или 2. ‘Динамичен обхват без изкривявания’ (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz; или b. ‘Коригирана скорост на обновяване’ над 3 500 MSPS; Технически бележки: 1. ‘Динамичният обхват без изкривявания’ (SFDR) се определя като съотношението между средната квадратична стойност (RMS) на носещата честота (максимален сигнален компонент) на входа на ЦАП/DAC и средната квадратична стойност (RMS) на следващия компонент на най-големи шумови или нелинейни изкривявания на изхода на ЦАП/DAC. 2. SFDR се определя пряко от спецификационната таблица или от характеристичната графика SFDR/честота. 3 Определя се, че сигналът е на максимално ниво, когато амплитудата му е по-голяма от -3 dBfs (пълна скала). 4. ‘Коригирана скорост на обновяване’ за ЦАП/DAC: a. За конвенционалните (без интерполация) ЦАП/DAC ‘коригираната скорост на обновяване’ е скоростта, с която цифровият сигнал се преобразува в аналогов и изходящите аналогови стойности се променят от ЦАП/DAC. За ЦАП/DAC, при които режимът на интерполация може да се изключва, (интерполационен фактор единица), ЦАП/DAC следва да се приема за конвенционален (без интерполация). b. За интерполиращите ЦАП/DAC (ЦАП/DAC с дискретизация на сигнала, превишаваща основната честота на дискретизация) ‘коригираната скорост на обновяване’ се определя, като скоростта на обновяване на ЦАП/DAC се раздели на най-малкия фактор на интерполация. При интерполиращите ЦАП/DAC за ‘коригирана скорост на обновяване’ могат да се срещнат и други термини като: — входяща честота на данните — входяща честота на думите — входяща честота на дискретизация — максимална входяща честота на шината — максимална ЦАП синхронизирана (тактова) честота при ЦАП тактов вход. 6. Електрооптични и „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Един или повече от един вътрешен „лазерен“ диод; b. Един или повече от един вътрешен светлочувствителен елемент; и c. Оптични вълноводи. 7. Логически устройства със зона за програмиране, притежаващи някоя от следните характеристики: a. Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи повече от 700; или b. ‘Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни’ от 500 Gb/s или повече. Бележка: 3A001.a.7. включва: Сложни програмируеми логически устройства (CPLDs/СПЛУ) Комбинационни логически елементи със зони за програмиране (FPGAs/КЛЕЗП) Логически матрици със зони за програмиране (FPLAs/ЛМЗП) Програмируеми на място взаимовръзки (FPICs/ПМВВ) N.B. За интегрални схеми с логически устройства със зона за програмиране, комбинирани с аналогово-цифров преобразувател, вж. 3A001.a.14. Технически бележки: 1. Максималният брой цифрови входове/изходи в 3A001.a.7.a. се нарича още максимални потребителски входове/изходи или максимално налични входове/изходи в зависимост от това дали интегралната схема е комплексна или базова матрична. 2. ‘Максималната сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни’ е произведението от максималната скорост на еднопосочния поток на предаване на данни и броя на предавателите на FPGA/КЛЕЗП. 8. Не се използва; 9. Интегрални схеми с невронна мрежа; 10. Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Повече от 1 500 извода; b. Нормално „време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент“, по-малко от 0,02 ns; или c. Работна честота над 3 GHz. 11. Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Еквивалентен брой ключове над 3 000 (2 входни ключа); или b. Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz; 12. Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log2 N) /20 480 ms, където N е броят точки; Техническа бележка: Когато N е равно на 1 024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ. 13. Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори (DDS), притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател (ЦАП/DAC) 3,5 GHz или по-голяма и разделителна способност на ЦАП/DAC 10 бита или повече, но под 12 бита; или b. Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател 1,25 GHz или повече и разделителна способност на цифрово-аналогов преобразувател 12 бита или повече. Техническа бележка: Синхронизираната (тактова) честота на ЦАП/DAC може да бъде посочена като главна или входна тактова честота. 14. Интегрални схеми, които отговарят или могат да бъдат програмирани да отговарят на всички изброени по-долу критерии: a. Аналогово-цифрово преобразуване с която и да е от следните характеристики: 1. Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 1,3 милиарда дискрета в секунда (GSPS); 2. Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 1,0 GSPS; 3. Разделителна способност 12 бита или повече, но по-малка от 14 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 1,0 GSPS; 4. Разделителна способност 14 бита или повече, но по-малка от 16 бита, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 400 милиона дискрета в секунда (MSPS); или 5. Разделителна способност 16 бита или повече, с „честота на дискретизация“, по-голяма от 180 MSPS; и b. Някое от следните: 1. Съхранение на цифровизирани данни; или 2. Обработка на цифровизирани данни; N.B.1. За интегрални схеми с аналогово-цифров преобразувател вж. 3A001.a.5.a. N.B.2. За логически устройства със зона за програмиране вж. 3A001.a.7. Технически бележки: 1. Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2 n нива. 2. Разделителната способност на АЦП/ADC е броят битове на цифровия изход на АЦП/ADC, който представлява измерения аналогов входящ сигнал. За определяне на разделителната способност на АЦП/ADC не се използва ефективният брой битове (ENOB). 3. За интегрални схеми без редуване „многоканални АЦП/ADC“„честотата на дискретизация“ не се сумира и „честотата на дискретизация“ е максималната честота на който и да е от отделните канали. 4. За интегрални схеми с „редуващи АЦП/ADC“ или с „многоканални АЦП/ADC“, имащи редуващ режим на работа, „честотите на дискретизация“ се сумират и „честотата на дискретизация“ е максималната сумирана обща скорост на всички редуващи се канали. b. Изделия, работещи в микровълновия или милиметровълновия диапазон, както следва: Техническа бележка: За целите на 3A001.b. параметърът пикова изходна мощност на насищане може да бъде посочван в информационните листове на продуктите като изходна мощност, изходна мощност на насищане, максимална изходна мощност, пикова изходна мощност или пакетна пикова изходна мощност. 1. „Вакуумни електронни устройства“ и катоди, както следва: Бележка 1: 3A001.b.1. не контролира „вакуумни електронни устройства“, проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Не надвишават 31,8 GHz; и b. Са „определени от МСД/ITU“ за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. Бележка 2: 3A001.b.1. не контролира „вакуумни електронни устройства“, които не са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Средна изходна мощност, равна или по-малка от 50 W; и b. Проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Надхвърлят 31,8 GHz, но не надхвърлят 43,5 GHz; и 2. Са „определени от МСД/ITU“ за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. a. „Вакуумни електронни устройства“ с бягаща вълна, импулсна или непрекъсната, както следва: 1. Устройства, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz; 2. Устройства, снабдени с катоден нагревател с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди; 3. Устройства със свързани резонатори или техни производни, с „относителна широчина на честотната лента“ над 7% или пикова мощност, надминаваща 2,5 kW; 4. Устройства на базата на вълноводи по винтова линия, прегънати вълноводи, змиевидни вълноводи или техни производни, притежаващи някоя от следните характеристики: a. „Моментна широчина на честотната лента“ над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5; b. „Моментна широчина на честотната лента“ от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1; c. Класифицирани като „предназначени за използване в Космоса“; или d. С растерен електронен прожектор; 5. Устройства с „относителна широчина на честотната лента“, по-голяма от или равна на 10% и с която и да е от следните характеристики: a. Пръстеновиден електронен лъч; b. Осовонесиметричен електронен лъч; или c. Множество електронни лъчи; b. Усилвателни „вакуумни електронни устройства“ с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB; c. Термоелектронни катоди, проектирани за „вакуумни електронни устройства“, произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm2 или пулсова (прекъсната) плътност на тока при номинални работни условия над 10 A/cm2; d. „Вакуумни електронни устройства“ с възможност за работа в „двоен режим“. Техническа бележка: „Двоен режим“ означава, че потокът на лъчението на „вакуумното електронно устройство“ може целево да се променя между режим с постоянна вълна и импулсен режим с помощта на растер и генерира изходна мощност при импулсен пик, по-голяма от изходната мощност при постоянна вълна. 2. Усилватели с „монолитни микровълнови интегрални схеми“ („MMIC“), притежаващи която и да е от следните характеристики: N.B. За „MMIC“ усилватели с интегрирано изместване на фазата вж. 3A001.b.12. a. Предназначени за работа при честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15% и която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10% и която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или 2. Върхова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително; c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10%; d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; e. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10%; f. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10%; g. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5%; или h. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 90 GHz; Бележка 1: Не се използва. Бележка 2: Доколко подлежат на контрол „MMIC“, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.2.a. до 3A001.b.2.h., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане. Бележка 3: Бележки 1 и 2 в 3А означават, че 3A001.b.2. не контролира „MMIC“, ако те са специално разработени за други приложения, т.е. телекомуникации, радари, автомобили. 3. Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 7 W (38,45 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително; c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително; e. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 43,5 GHz; или f. Различни от описаните в 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e и предназначени за работа при върхова изходна мощност на насищане над 5 W (37,0 dBm) при всички честоти над 8,5 GHz и до 31,8 GHz включително; Бележка 1: Доколко подлежат на контрол транзисторите в 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e., чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане. Бележка 2: 3A001.b.3 включва непокрити транзисторни чипове, транзисторни полупроводникови чипове, монтирани на носители или монтирани в корпуси. Някои обособени транзистори също могат да бъдат отнесени като усилватели на мощност, но техният статус е определен в 3A001.b.3. 4. Микровълнови полупроводникови усилватели и микровълнови модули/агрегати, съдържащи микровълнови полупроводникови усилватели, притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа при честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15% и която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 500 W (57 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 270 W (54,3 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 200 W (53 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 90 W (49,54 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10% и която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 70 W (48,54 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 30 W (44,77 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително; c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 2 W (33 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10%; e. Предназначени за работа при честоти над 43,5 GHz и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 0,2 W (23 dBm) при честота над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10%; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 20 mW (13 dBm) при честота над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5%; или 3. върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честота над 90 GHz. или f. Не се използва N.B.1. За „MMIC“ усилватели вж. 3A001.b.2. N.B.2. За ‘приемни/предавателни модули’ и ‘предавателни модули’ вж. 3A001.b.12. N.B.3. За преобразуватели и смесители, предназначени да разширят работния или честотния обхват на сигнални анализатори, сигнални генератори, мрежови анализатори или микровълнови изпитателни приемници вж. 3A001.b.7. Бележка 1: Не се използва. Бележка 2: Доколко подлежат на контрол изделия, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.4.a. до 3A001.b.4.e., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане. 5. Електронно или магнитно настройваеми лентови филтри, разполагащи с повече от 5 настройващи се резонатора, способни за настройка в рамките на честотна лента 1,5:1 (fmax/fmin) за по-малко от 10 μѕ, и притежаващи която и да е от следните характеристики: а. Широчина на пропусканата честотна лента от над 0,5% от централната честота; или b. Широчина на непропусканата честотна лента, по-малка от 0,5% от централната честота; 6. Не се използва; 7. Преобразуватели и смесители от някоя от следните категории: а. Проектирани за разширяване на честотния обхват на „сигнални анализатори отвъд ограничението“ от 90 GHz; b. Проектирани за разширяване на работния обхват на сигнални генератори, както следва: 1. Отвъд ограничението от 90 GHz; 2. До изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz; c. Проектирани за разширяване на работния обхват на мрежови анализатори, както следва: 1. Отвъд ограничението от 110 GHz; 2. До изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz; 3. До изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 90 GHz и до 110 GHz; или d. Проектирани за разширяване на честотния обхват на микровълнови изпитателни приемници отвъд ограничението от 110 GHz. 8. Микровълнови усилватели на мощност, съдържащи „вакуумни електронни устройства“, описани в 3A001.b.1., и имащи всички изброени по-долу характеристики: а. Работни честоти над 3 GHz; b. Съотношение между средната изходна мощност и масата над 80 W/kg; и c. Обем, по-малък от 400 cm3; Бележка: 3A001.b.8. не контролира оборудване, проектирано или класифицирано за работа в „определена от МСД/ITU“ честотна лента за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. 9. Микровълнови модули за мощност (MPM), състоящи се поне от „вакуумно електронно устройство“ с бягаща вълна, „монолитна микровълнова интегрална схема“ („MMIC“) и интегриран електронен изравнител на мощността, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: а. ‘Време за достигане на пълна експлоатационна мощност’ от изключено положение — по-малко от 10 секунди; b. Сила на звука, по-малка от максималната изходна мощност във ватове, умножена по 10 cm3/W; и c. „Моментна широчина на честотната лента“, по-голяма от една октава (fmax > 2fmin) и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. За честоти по-малки или равни на 18 GHz, РВ/RF изходна мощност, по-голяма от 100 W; или 2. Честота по-голяма от 18 GHz; Технически бележки: 1. За изчисляване на силата на звука в 3A001.b.9.b., се дава следният пример: за максимална изходна мощност от 20 W силата на звука ще е: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. ‘Времето за достигане на пълна експлоатационна мощност’, посочено в 3A001.b.9.a., се отнася за времето от напълно изключено състояние до състояние на пълна експлоатационна мощност, т.е. включва се времето за загряване на микровълновия модул. 10. Осцилатори или сглобки от осцилатори, предвидени да работят с фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко (по-добро) от -(126 + 20log10F - 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Техническа бележка: В 3A001.b.10. F е отклонението от работната честота в Hz, а f е работната честота в MHz. 11. „Електронни модули“ с ‘честотен синтезатор’, имащи „време за превключване на честотата“, както е определено от някое от следните: а. По-малко от 143 ps; b. По-малко от 100 μs за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на синтезирана честота над 4,8 GHz, и до 31,8 GHz; c. Не се използва; d. По-малко от 500 μs за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезирана честота над 31,8 GHz и до 37 GHz; e. По-малко от 100 μs за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на синтезирана честота над 37 GHz, и до 90 GHz; или f. Не се използва; g. По-малко от 1 ms в рамките на синтезирания честотен диапазон, надвишаващ 90 GHz; Техническа бележка: ‘Честотен синтезатор’ е всякакъв вид източник на честоти, независимо от реално използваната техника, който осигурява многообразие на едновременни или алтернативни честоти на излъчване, от един или повече изходи, управлявано чрез, получено от или ограничено от по-малък брой стандартни (или основни) честоти. N.B. За „сигнални анализатори“, генератори на сигнали, мрежови анализатори и микровълнови изпитателни приемници с общо предназначение вж. съответно 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f. 12. ‘Приемно/предавателни модули’, ‘приемно/предавателни MMIC’, ‘предавателни модули’ и ‘предавателни MMIC’, разчетени за работа при честоти над 2,7 GHz и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: а. Пикова изходна мощност на насищане (Psat, във ватове) над 505,62, разделена на максималната експлоатационна честота (в GHz), повдигната на квадрат [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] за всеки канал; b. „Относителна широчина на честотната лента“, равна на или по-голяма от 5% за всеки канал; c. Равнинна страна с дължина d (в сm), равна на или по-малка от 15, разделена на най-ниската работна честота в GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz], където N е броят на предавателните или предавателните/приемните канали; и d. За всеки канал електронно променливо изместване на фазата. Технически бележки: 1. ‘Приемно/предавателен модул’: мултифункционален „електронен модул“, който осигурява двупосочно управление на амплитудата и фазата с оглед предаването и приемането на сигнали. 2. ‘Предавателен модул’: „електронен модул“, който осигурява управление на амплитудата и фазата с оглед предаването на сигнали. 3. ‘Приемно/предавателна MMIC’: мултифункционална „MMIC“, която осигурява двупосочно управление на амплитудата и фазата с оглед предаването и приемането на сигнали. 4. ‘Предавателна MMIC’: „MMIC“, която осигурява управление на амплитудата и фазата с оглед предаването на сигнали. 5. 2,7 GHz трябва да се използва като най-ниската работна честота (f GHz ) във формулата в 3A001.b.12.c. за приемно/предавателни или предавателни модули, които имат работен обхват, разширяващ спад до 2,7 GHz и по-ниско [d≤15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. 3A001.b.12. се прилага за ‘приемно/предавателни модули’ или ‘предавателни модули’ със или без топлоотвеждащ радиатор. Стойността на d в 3A001.b.12.c. не включва части от ‘приемно/предавателния модул’ или ‘предавателния модул’, изпълняващи функцията на топлоотвеждащ радиатор. 7. 'Приемно/предавателните модули', 'предавателните модули' или 'приемно/предавателните MMIC' могат да бъдат със или без N на брой интегрирани елементи, представляващи излъчващи антени, където N е броят на предавателните или предавателно/приемните канали. c. Акустични вълнови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти за тях: 1. Устройства за повърхностни акустични вълни и за плъзгащи се по повърхността (в плитка дълбочина) акустични вълни, притежаващи която и да е от следните характеристики: а. Носеща честота над 6 GHz; b. Носеща честота над 1 GHz, но под 6 GHz, и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: 1. ‘Потискане на честотата от страничния лист на диаграмата на излъчване’ над 65 dB; 2. Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μs, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100; 3. Широчина на честотната лента, по-голяма от 250 MHz; или 4. Дисперсно забавяне над 10 μs; или c. Носеща честота от 1 GHz или по-малка и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: 1. Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μs, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100; 2. Дисперсно забавяне над 10 μs; или 3. ‘Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване’, надхвърляща 65 dB и ширина на честотната лента над 100 MHz; Техническа бележка: ‘Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване’ е максималната стойност на потискане, посочена в информационния лист. 2. Дълбочинни (по отношение обема) устройства за акустични вълни, които позволяват непосредствена обработка на сигнали при честоти над 6 GHz; 3. Устройства за акустично-оптична „обработка на сигнали“, използващи взаимодействието между акустичните вълни (в дълбочина или на повърхността) и светлинни вълни, които позволяват директна обработка на сигнали или изображения, включително спектрален анализ, корелация или свиване; Бележка: 3A001.c. не контролира устройства за акустични вълни, които се ограничават до единична честотна лента, високочестотно, нискочестотно или многочестотно (notch) филтриране или резонираща функция. d. Електронни устройства и схеми, съдържащи компоненти, произведени от „свръхпроводящи“ материали, специално проектирани за работа при температури под „критичната температура“ за поне една от „свръхпроводящите“ съставки и имащи някои от изброените по-долу характеристики: 1. Превключване на тока за цифрови схеми, използвайки „свръхпроводящи“ превключващи елементи, с произведение на закъснението за превключващ елемент (в секунди) и разсейването на мощност за превключващ елемент (във W), по-малко от 10-14 J; или 2. Избор на честота при всякакви честоти, използващи резонансни кръгове с Q стойности над 10 000; e. Високоенергийни устройства, както следва: 1. ‘Елементи’, както следва: а. ‘Първични елементи’, притежаващи която и да е от следните характеристики при 20°C; 1. ‘Енергийна плътност’ над 550 Wh/kg и ‘продължителна плътност на мощността’ над 50 W/kg; или 2. ‘Енергийна плътност’ над 50 Wh/kg и ‘продължителна плътност на мощността’ над 350 W/kg; или b. ‘Вторични елементи’ с ‘енергийна плътност’ над 350 Wh/kg при 20°C; Технически бележки: 1. За целите на 3A001.e.1. ‘енергийната плътност’ (Wh/kg) се изчислява чрез номиналното напрежение, умножено по номиналния капацитет в амперчаса (Ah), разделено на масата в килограми. Ако номиналният капацитет не е указан, енергийната плътност се изчислява от номиналното напрежение на квадрат, умножено по продължителността на разреждане в часове, разделено на натоварването (товара) при разреждане в омове и масата в килограми. 2. За целите на 3A001.e.1. ‘елемент’ се определя като електрохимично устройство с положителни и отрицателни електроди и електролит, което е източник на електроенергия. Това е основният градивен елемент на батерията. 3. За целите на 3A001.e.1.a. ‘първичен елемент’ е ‘елемент’, който не е проектиран да се зарежда от друг източник. 4. За целите на 3A001.e.1.b. ‘вторичен елемент’ е ‘елемент’, който е проектиран да се зарежда от външен източник на електроенергия. 5. За целите на 3A001.e.1.a. ‘продължителната плътност на мощността’ (W/kg) се изчислява от номиналното напрежение, умножено по посочения максимален продължителен ток на разреждане в ампери (A), разделено на масата в килограми. ‘Продължителната плътност на мощността’ е известна също като специфична мощност. Бележка: 3A001.e.1. не контролира батерии, в това число батерии от една клетка. 2. Високоенергийни кондензатори, както следва: N.B. ВЖ. СЪЩО 3A201.a. и Мерки за контрол на военни стоки а. Кондензатори с честота на презаряд, по-малка от 10 Hz (едноразрядни кондензатори), притежаващи всички следни характеристики: 1. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV; 2. Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 250 J/kg; и 3. Обща енергия, равна на или по-голяма от 25 kJ. b. Кондензатори с честота на презаряд 10 Hz или по-голяма (кондензатори, класифицирани като многоразрядни) и имащи всички изброени по-долу характеристики: 1. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV; 2. Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 50 J/kg; 3. Обща енергия, равна на или по-голяма от 100 J; и 4. Живот, измерен в цикли зареждане/разреждане, равен на или по-голям от 10 000; 3. "Свръхпроводими" електромагнити и соленоиди, специално проектирани да се зареждат и разреждат изцяло за по-малко от 1 секунда и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: N.B. ВЖ. СЪЩО 3A201.b. Бележка: 3A001.е.3. не контролира „свръхпроводими“ електромагнити или соленоиди, специално проектирани за медицинско оборудване за изображения с магнитен резонанс (ИМР/MRI). а. Енергия, освободена при разреждане, надминаваща 10 kJ през първата секунда; b. Вътрешен диаметър на токопроводящите намотки, по-голям от 250 mm; и c. Номинална магнитна индукция повече от 8 Т или „обща плътност на потока“ в намотката по-голяма от 300 A/mm2; 4. Соларни клетки, сглобки от CIC (cell-interconnect-coverglass), соларни панели и соларни матрици, които са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, с минимална средна ефективност над 20% при експлоатационна температура от 301 К (28°C) при симулирано осветяване ‘AM0’ с излъчване от 1 367 вата на квадратен метър (W/m2); Техническа бележка: ‘AM0’ или ‘Air Mass Zero’ (маса на въздуха нула) се отнася до спектралното излъчване на слънчевата светлина във външната част на земната атмосфера, когато разстоянието между Земята и Слънцето е една астрономическа единица (AU). f. Кодиращи устройства за абсолютна ъглова позиция с ротативно въвеждане, имащи „точност“, равна на или по-малка (по-добра) от 1,0 дъгова секунда, и специално проектирани за тях кодиращи пръстени, дискове или везни. g. Полупроводникови тиристорни устройства за превключване на импулсни мощности и ‘тиристорни модули’, използващи управление, основано на електрически, оптичен метод или метод с излъчване, и имащи някоя от следните характеристики: 1. Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние по-голяма от 30 000 A/μѕ и напрежение в изключено състояние по-голямо от 1 100 V; или 2. Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 2 000 A/μѕ и притежаващи всички изброени по-долу характеристики; а. Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо или равно на 3 000 V; и b. Върхов ток, равен на или по-голям от 3 000 А. Бележка 1: 3A001.g. включва: Силициево управлявани токоизправители (SCRs) Електрически управлявани тиристори (ETTs) Тиристори управлявани със светлина (LTTs) Тиристори IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors) Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTOs) MOS управлявани тиристори (MCTs) Солидтрони Бележка 2: 3A001.g. не контролира тиристорни устройства и ‘тиристорни модули’, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“. Техническа бележка: За целите на 3A001.g. ‘тиристорен модул’ включва едно или повече тиристорни устройства. h. Твърдoтелни полупроводникови прекъсвачи, диоди или ‘модули’, имащи всички изброени характеристики: 1. Предназначени за работа при околна температура, по-голяма от 488 К (215°C); 2. Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо от 300 V; и 3. Непрекъснат ток, по-голям от 1 А. Бележка 1: Непрекъснато върхово напрежение в изключено състояние в 3А001.h. включва напрежение дрейн към сорс, напрежение колектор към емитер, повтарящо се върхово обратно напрежение и повтарящо се върхово напрежение в изключено състояние. Бележка 2: 3A001.h. включва: Полеви транзистори с p-n преход (JFET) Вертикални полеви транзистори с p-n преход (VJFET) Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFЕT) Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFET) Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT) Транзистори с висока мобилност на електроните (HEMT) Хетеродвуполюсни транзистори (BJT) Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR) Двуоперационни тиристори — Gate Turn-off Thyristors (GTO) Двуоперационни тиристори — Emitter Turn-off Thyristors (ETO) PiN диоди Диоди на Шотки Бележка 3: 3А001.h. не контролира прекъсвачи, диоди или ‘модули’, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския автомобилен и железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“. Техническа бележка: За целите на 3А001.h. ‘модулите’ съдържат един или повече твърдотелни полупроводникови прекъсвачи или диоди. i. Електрооптични модулатори на интензитет, амплитуда или фаза, проектирани за аналогови сигнали и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Максимална работна честота над 10 GHz, но по-малка от 20 GHz, внесено затихване, равно на или по-малко от 3 dB, и притежаващи която и да е от следните характеристики: а. ‘Полувълново напрежение’ (‘Vπ’), по-малко от 2,7 V измерено при честота от 1 GHz или по-малка; или b. ‘Vπ’, по-малко от 4 V, измерено при честота, по-голяма от 1 GHz; или 2. Максимална работна честота, равна на или по-голяма от 20 GHz, внесено затихване, равно на или по-малко от 3 dB, и притежаващи която и да е от следните характеристики: а. ‘Vπ’, по-малко от 3,3 V, измерено при честота от 1 GHz или по-малка; или b. ‘Vπ’, по-малко от 5 V, измерено при честота, по-голяма от 1 GHz. Бележка: 3A001.i. включва електрооптични модулатори с входящи и изходящи оптически свръзки (напр. гъвкави проводници от оптични влакна). Техническа бележка: За целите на 3A001.i. ‘полувълновото напрежение’ (‘Vπ’) е приложеното напрежение, необходимо за получаване на изменение на фазата от 180 градуса в дължината на вълната на светлината, разпространяваща се през оптичния модулатор.