b.

Изделия, работещи в микровълновия или милиметровия диапазон, както следва: Техническа бележка: По смисъла на 3A001.b. параметърът пикова изходна мощност на насищане може да бъде посочван в информационните листове на продуктите като изходна мощност, изходна мощност на насищане, максимална изходна мощност, пикова изходна мощност или пикова мощност на изход. 1. Вакуумни електронни лампи и катоди, както следва: Бележка 1: 3A001.b.1. не контролира лампи, проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Не надвишават 31,8 GHz; и b. Са "определени от МСД/ITU" за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. Бележка 2: 3A001.b.1. не контролира лампи, които не са "класифицирани като предназначени за използване в Космоса", притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Средна изходна мощност, равна или по-малка от 50 W; и b. Проектирани или предназначени за работа във всички честотни ленти, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Надхвърлят 31,8 GHz, но не надхвърлят 43,5 GHz; и 2. Са "определени от МСД/ITU" за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. a. Лампи с бягаща, импулсна или непрекъсната вълна, както следва: 1. Лампи, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz; 2. Лампи, снабдени с катоден нагревателен елемент с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди; 3. Лампи със свързани резонатори или техни производни, с "относителна широчина на честотната лента" над 7 % или пикова мощност, надминаваща 2,5 kW; 4. Спираловидни лампи или техни производни, притежаващи която и да е от следните характеристики: а. "Моментна широчина на честотната лента" над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5; b. "Моментна широчина на честотната лента" от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1; или c. Класифицирани като "предназначени за използване в Космоса"; b. Усилвателни лампи с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB; c. Импрегнирани катоди, проектирани за електронни лампи, произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm2; 2. Усилватели на мощност с микровълнови "монолитни интегрални схеми" (MMIC), притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа при честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 15 % и която и да е от следните характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Пикова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Пикова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Пикова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 10 % и която и да е от следните характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или 2. Пикова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително; c. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %; d. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; e. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %; f. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %; g. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 5 %; или h. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 90 GHz; Бележка 1: Не се използва. Бележка 2: Доколко подлежат на контрол MMIC, чиятo работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.2.a. до 3A001.b.2.h., се определя от най-ниското ниво на пикова изходна мощност на насищане. Бележка 3: Бележки 1 и 2 в 3А означават, че 3A001.b.2. не контролира MMIC, ако те специално са разработени за други приложения, т.е. телекомуникации, радари, автомобили. 3. Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Пикова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Пикова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Пикова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; 2. Пикова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително; 3. Пикова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или 4. Пикова изходна мощност на насищане над 7 W (38,45 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително; c. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; d. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честота над 37 GHz и до 43,5 GHz включително; e. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честоти над 43,5 GHz; Бележка 1: Доколко подлежат на контрол транзисторите, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e., се определя от най-ниското ниво на пикова изходна мощност на насищане. Бележка 2: 3A001.b.3. включва непокрити транзисторни чипове, транзисторни полупроводникови чипове, монтирани на носители или монтирани в корпуси. Някои обособени транзистори също могат да бъдат отнесени като усилватели на мощност, но техният статус е определен в 3A001.b.3. 4. Микровълнови полупроводникови усилватели и микровълнови модули/агрегати, съдържащи микровълнови полупроводникови усилватели, притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа при честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 15 % и която и да е от следните характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане над 500 W (57 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Пикова изходна мощност на насищане над 270 W (54,3 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Пикова изходна мощност на насищане над 200 W (53 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Пикова изходна мощност на насищане над 90 W (49,54 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа при честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително, с "относителна широчина на честотната лента" над 10 % и която и да е от следните характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане над 70 W (48,54 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; 2. Пикова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително; 3. Пикова изходна мощност на насищане над 30 W (44,77 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или 4. Пикова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително; c. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; d. Предназначени за работа при пикова изходна мощност на насищане над 2 W (33 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %; e. Предназначени за работа на честоти над 43,5 GHz и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. Mаксимална изходна мощност на насищане над 0,2 W (23 dBm) при честота над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 10 %; 2. Mаксимална изходна мощност на насищане над 20 mW (13 dBm) при честота над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с "относителна широчина на честотната лента" над 5 %; или 3. Пикова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (– 70 dBm) при честота над 90 GHz; или f. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Пикова изходна мощност на насищане (Psat, във ватове) над 400, разделена на максималната експлоатационна честота (в GHz), повдигната на квадрат [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. "Относителна широчина на честотната лента" от 5 % или повече; и 3. Всеки две линии, перпендикулярни една на друга с дължина d (в сm), равна на или по-малка от 15, разделена на най-ниската работна честота в GHz [d ≤ 15cm*GHz/ fGHz]; Техническа бележка: 2,7 GHz трябва да се използва като най-ниската работна честота (fGHz) във формулата в 3А001.b.4.f.3., за усилватели, които имат работен обхват, разширяващ спад до 2,7 GHz и по-ниско [d ≤ 15cm*GHz/2,7 GHz]. N.B.: MMIC усилвателите на мощност трябва да бъдат оценени на фона на критериите в 3A001.b.2. Бележка 1: Не се използва. Бележка 2: Доколко подлежат на контрол изделия, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.4.a. до 3A001.b.4.e., се определя от най-ниското ниво на пикова изходна мощност на насищане. Бележка 3: 3A001.b.4. включва приемни/предавателни модули и предавателни модули. 5. Електронно или магнитно настройваеми лентови филтри, разполагащи с повече от 5 настройващи се резонатора, способни за настройка в рамките на честотна лента 1,5:1 (fmax/fmin) за по-малко от 10 μѕ, и притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Широчина на пропусканата честотна лента от над 0,5 % от централната честота; или b. Широчина на непропусканата честотна лента от по-малко от 0,5 % от централната честота; 6. Не се използва; 7. Преобразуватели и смесители от която и да е от следните категории: a. Проектирани за разширяване на честотния обхват на "сигнални анализатори" отвъд ограничението от 90 GHz; b. Проектирани за разширяване на работния обхват на сигнални генератори, както следва: 1. Отвъд ограничението от 90 GHz; 2. До изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz; c. Проектирани за разширяване на работния обхват на мрежови анализатори, както следва: 1. Отвъд ограничението от 110 GHz; 2. До изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz; 3. До изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 90 GHz и до 110 GHz; или d. Проектирани за разширяване на честотния обхват на микровълнови изпитателни приемници отвъд ограничението от 110 GHz; 8. Микровълнови усилватели на мощност, съдържащи електронни лампи, определени в 3A001.b.1. и имащи всички изброени по-долу характеристики: a. Работни честоти над 3 GHz; b. Съотношение между средната изходна мощност и масата над 80 W/kg; и c. Обем, по-малък от 400 cm3; Бележка: 3A001.b.8. не контролира оборудване, проектирано или предназначено за работа в "определена от МСД/ITU" честотна лента за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. 9. Микровълнови модули (MPM), състоящи се поне от лампа с бягаща вълна, микровълнова "монолитна интегрална схема" и интегриран електронен изравнител на мощността, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. "Време за достигане на пълна експлоатационна мощност" от изключено положение до пълно работно състояние за по-малко от 10 секунди; b. Сила на звука, по-малка от максималната изходна мощност във ватове, умножена по 10 cm3/W; и c. "Моментна широчина на честотната лента", по-голяма от една октава (fmax > 2fmin) и притежаващи която и да е от следните характеристики: 1. За честоти по-малки или равни на 18 GHz, изходна RF мощност, по-голяма от 100 W; или 2. Честота по-голяма от 18 GHz; Технически бележки: 1. За изчисляване на силата на звука в 3A001.b.9.b., се дава следният пример: за максимална изходна мощност от 20 W силата на звука ще е: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. "Времето за достигане на пълна експлоатационна мощност", посочено в 3A001.b.9.a., се отнася за времето от напълно изключено състояние до състояние на пълна експлоатационна мощност, т.е. включва се времето за загряване на микровълновия модул. 10. Осцилатори или сглобки от осцилатори, предвидени да работят с фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко (по-добро) от – (126 + 20log10F – 20log10f) във всяка точка от диапазона 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Техническа бележка: В 3A001.b.10. F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz. 11. "Електронни модули" с "честотен синтезатор", имащи "време за превключване на честотата", както е определено от някое от следните: a. По-малко от 156 ps; b. По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 1,6 GHz в обхвата на синтезираната честота над 4,8 GHz и до 10,6 GHz; c. По-малко от 250 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 10,6 GHz и до 31,8 GHz; d. По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 31,8 GHz и до 43,5 GHz; e. По-малко от 1 mѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 43,5 GHz и до 56 GHz; f. По-малко от 1 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на синтезираната честота над 56 GHz и до 90 GHz; или g. По-малко от 1 ms в рамките на синтезирания честотен обсег, надвишаващ 90 GHz. N.B.: За "сигнални анализатори", генератори на сигнали, мрежови анализатори и микровълнови изпитателни приемници с общо предназначение вж. съответно 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f.