X.B.I.001

Оборудване за производство на електронни компоненти или материали, както следва, и специално проектирани компоненти и принадлежности за тях. a. Оборудване, специално проектирано за производство на електроннолъчеви тръби, оптични елементи и специално проектирани компоненти за тях, контролирани от 3A001 (3) или X.A.I.001; b. Оборудване, специално проектирано за производство на полупроводникови устройства, интегрални схеми и „електронни модули“, както следва, и системи, включващи или имащи характеристиките на такова оборудване: Забележка: X.B.I.001.b контролира и оборудване, използвано или модифицирано за използване в производството на други устройства, като например устройства за формиране на изображение, електрооптични устройства, устройства с акустични вълни. 1. Оборудване за обработка на материали за производството на устройства и компоненти, посочено в позиция X.B.I.001.b, както следва: Забележка: X.B.I.001 не контролира кварцови тръби за пещи, обшивки за пещи, гребла, лодки (с изключение на специално проектирани лодки, поставени в клетки), барботьори, касети или тигли, специално проектирани за оборудването за обработка, контролирано от X.B.I.001.b.1. a. Оборудване за производство на поликристален силиций и материали, контролирани от 3C001 (4); b. Оборудване, специално проектирано за пречистване или преработка на полупроводникови материали от III/V и II/VI, контролирани от 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 или 3C005 (5), с изключение на устройства за получаване на кристали по метода на изтеглянето, за които вж. X.B.I.001.b.1.c по-долу; c. Устройства за получаване на кристали по метода на изтеглянето и пещи, както следва: Забележка: X.B.I.001.b.1.c не контролира дифузионните и окислителните пещи. 1. Оборудване за отгряване или рекристализиране, различно от пещи с постоянна температура, използващи високи скорости на пренос на енергия, способни да преработват полупроводникови пластини със скорост над 0,005 m2 в минута; 2. „Контролирани от записана програма“ устройства за получаване на кристали по метода на изтеглянето, имащи някоя от следните характеристики: a. Възможност за презареждане без замяна на контейнера на тигела; b. Възможност за работа при налягания над 2,5 x 105 Pa; или c. Възможност за изтегляне на кристали с диаметър над 100 mm; d. „Контролирано от записана програма“ оборудване за епитаксиално нарастване, имащо някоя от следните характеристики: 1. Възможност за производство на слой от силиций с дебелина при равномерност с допуск, равен на или по-малък от ± 2,5 % на разстояния от 200 mm или по-големи; 2. Възможност за производство на слой от материал, различен от силиций, с дебелина за цялата полупроводникова пластина при равномерност с допуск, равен на или по-малък от ± 3,5 %; или 3. Въртене на отделните полупроводникови пластини по време на преработката; е. Оборудване за молекулярно-лъчево епитаксиално нарастване; f. Магнитно стимулирано оборудване за „разпрашване“ със специално проектирани интегрални шлюзове за зареждане, които могат да прехвърлят полупроводникови пластини в изолирана вакуумна среда; g. Оборудване, специално проектирано за йонна имплантация, йонно стимулирана или фотостимулирана дифузия, имащо някоя от следните характеристики: 1. Възможност за формиране на релеф; 2. Енергия на снопа (ускоряващо напрежение) над 200 keV; 3. Оптимизирани да работят при максимална енергия на снопа (ускоряващо напрежение), по-малка от 10 keV; или 4. Възможност за имплантиране на кислород с висока енергия в нагрята „подложка“; h. „Контролирано от записана програма“ оборудване за избирателно отнемане (ецване) посредством анизотропни сухи методи (напр. плазма), както следва: 1. „Партидни типове“, имащи някоя от следните характеристики: a. Откриване на крайна точка, различно от видовете за оптична емисионна спектроскопия; или b. Работно (при ецване) налягане на реактора от 26,66 Pa или по-малко; 2. „Типове с единична полупроводникова пластина“, имащи някоя от следните характеристики: a. Откриване на крайна точка, различно от видовете за оптична емисионна спектроскопия; b. Работно (при ецване) налягане на реактора от 26,66 Pa или по-малко; или c. Обработка на полупроводникови пластини между касети и шлюзове за зареждане; Бележки: 1. „Партидни типове“ се отнася за машини, които не са специално проектирани за обработка при производството на единични полупроводникови пластини. Тези машини могат да обработват две или повече полупроводникови пластини едновременно с общи параметри на процеса, напр. ВЧ мощност, температура, видове ецващ газ, дебити. 2. „Типове с единична полупроводникова пластина“ се отнася за машини, специално проектирани за обработка при производството на единични полупроводникови пластини. Тези машини могат да използват техники за автоматично зареждане на една полупроводникова пластина в оборудването за обработка. Дефиницията включва оборудване, което може да зарежда и обработва няколко полупроводникови пластини, но параметрите на ецване, напр. ВЧ мощността или откриването на крайна точка, могат да бъдат определяни самостоятелно за всяка отделна полупроводникова пластина. i. Оборудване за „нанасяне на покритие чрез химическо отлагане от пари“ (CVD), напр. стимулирано чрез плазма CVD (PECVD) или фотостимулирано CVD, за производство на полупроводникови устройства, имащи някоя от следните възможности, за отлагане на оксиди, нитриди, метали или полисилиций: 1. Оборудване за „нанасяне на покритие чрез химическо отлагане от пари“, работещо при налягане под 105 Pa; или 2. Оборудване за PECVD с възможност или за работа при налягане под 60 Pa, или за обработка на полупроводникови пластини между касети и шлюзове за зареждане; Забележка: X.B.I.001.b.1.i не контролира системи за „нанасяне на покритие чрез химическо отлагане от пари“ с ниско налягане (LPCVD) или оборудване за реактивно „разпрашване“. j. Електроннолъчеви системи, специално проектирани или модифицирани за изработване на маски или обработка на полупроводникови устройства, имащи някоя от следните характеристики: 1. Електростатично отклонение на снопа; 2. Профил на снопа, различен от гаусов профил; 3. Скорост на цифрово-аналогово преобразуване над 3 MHz; 4. Точност на цифрово-аналоговото преобразуване, превишаваща 12 бита; или 5. Точност на контрола на обратната връзка за положението цел—сноп 1 микрометър или по-добра; Забележка: X.B.I.001.b.1.j не контролира системи за отлагане по електроннолъчев метод или сканиращи електронни микроскопи с общо предназначение. k. Оборудване за повърхностна обработка на полупроводникови пластини, както следва: 1. Специално проектирано оборудване за обработка на обратната страна на полупроводникови пластини, по-тънки от 100 микрометра, и последващото отделяне; или 2. Специално проектирано оборудване за постигане на грапавост на активната повърхност на обработена полупроводникова пластина с 2-пъти средноквадратично отклонение от 2 микрометра или по-малко, максимално показание на индикатора (TIR); Забележка: X.B.I.001.b.1.k не контролира оборудване за едностранно притриване и полиране на повърхността на полупроводникови пластини. l. Свързващо оборудване, което включва обикновени единични или множество вакуумни камери, специално проектирани да позволяват интегрирането на контролирано от X.B.I.001 оборудване в цялостна система; m. „Контролирано от записана програма“ оборудване, използващо „лазери“ за поправка или зачистване на „монолитни интегрални схеми“, имащо някоя от следните характеристики: 1. Точност на позициониране под ± 1 микрометър; или 2. Размер на светлинното петно (широчина на прореза) под 3 микрометра. Техническа бележка: За целите на X.B.I.001.b.1 ‘разпрашване’ е процес на нанасяне на покрития чрез наслояване от парова фаза, при който положително заредените йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за нанасяне на покритие). Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до освобождаване на атоми и отлагането им върху подложката. (Бележка: Триодното, магнетронното или радиочестотното разпрашване за подобряване на адхезията на покритието и скоростта на отлагане са обикновени видоизменения на процеса.). 2. Маски, подложки за маски, оборудване за изработване на маски и оборудване за прехвърляне на изображение за производството на устройства и компоненти, посочени в позиция X.B.I.001, както следва: Забележка: Терминът маски се отнася за използваните в електроннолъчевата, рентгеновата и ултравиолетовата литография, както и в обичайната фотолитография с ултравиолетова и с видима светлина. a. Готови маски, междинни фотошаблони и структури за тях, с изключение на: 1. Готови маски или междинни фотошаблони за производство на интегрални схеми, неконтролирани от 3A001 (6); или 2. Маски или междинни фотошаблони, имащи и двете изброени по-долу характеристики: a. Тяхната структура се основава на геометрични форми с размер от 2,5 микрометра или повече; и b. Структурата не включва специални характеристики за промяна на предназначението чрез производствено оборудване или „софтуер“; b. Подложки за маски, както следва: 1. „Подложки“ (напр. от стъкло, кварц, сапфир) с твърдо покритие (напр. от хром, силиций, молибден) за приготвяне на маски с размери над 125 mm x 125 mm; или 2. Подложки, специално проектирани за рентгенови маски; c. Оборудване, различно от компютри с общо предназначение, специално проектирано за автоматизирано проектиране (CAD) на полупроводникови устройства или интегрални схеми; d. Оборудване или машини за производство на маски или междинни фотошаблони, както следва: 1. Фотооптични камери за последователно стъпково експониране, способни да произвеждат матрици, по-големи от 100 mm x 100 mm, или способни да извършват еднократно експониране с размери, по-големи от 6 mm x 6 mm, в равнината на изображението (т.е. фокалната равнина), или способни да произвеждат широчина на линията, по-малка от 2,5 микрометра, във фоторезиста върху „подложката“; 2. Оборудване за производство на маски или междинни фотошаблони, използващо йоннолъчева или „лазерна“ литография, способно да произведе широчина на линията, по-малка от 2,5 микрометра; или 3. Оборудване или държачи за промяна на маски или междинни фотошаблони или за добавяне на мембрани за отстраняване на дефекти; Забележка: X.B.I.001.b.2.d.1 и b.2.d.2 не контролират оборудване за производство на маски с използване на фотооптични методи, което или е било достъпно в търговската мрежа преди 1 януари 1980 г., или е с експлоатационни показатели, не по-добри от тези на такова оборудване. е. „Контролирано от записана програма“ оборудване за проверка на маски, междинни фотошаблони или мембрани с: 1. Разделителна способност от 0,25 микрометра или по-добра; и 2. Точност от 0,75 микрометра или по-добра за разстояние по една или две координатни оси от 63,5 mm или повече; Забележка: X.B.I.001.b.2.e не контролира сканиращи електронни микроскопи с общо предназначение, освен когато са специално проектирани и оборудвани с инструменти за автоматична проверка на релефа. f. Оборудване за подравняване и експониране за производство на полупроводникови пластини с използване на фотооптични или рентгенови методи, напр. литографско оборудване, включително оборудване за прехвърляне на изображение чрез прожектиране и за последователно стъпково експониране (директно върху полупроводниковата пластина) или сканиращо оборудване (скенери), способно да изпълнява някоя от следните функции: Забележка: X.B.I.001.b.2.f не контролира оборудване за фотооптично подравняване и експониране на контактни и безконтактни маски или оборудването за контактно прехвърляне на изображения. 1. Производство с размер на релефа, по-малък от 2,5 микрометра; 2. Подравняване с точност, по-добра от ± 0,25 микрометра (3 пъти средноквадратичната стойност); 3. Полагане на слой машина—машина, не по-добро от ± 0,3 микрометра; или 4. Дължина на вълната на светлинния източник, по-малка от 400 nm; g. Електроннолъчево, йоннолъчево и рентгеново оборудване за прехвърляне на изображение чрез прожектиране, способно да произвежда релефи с размер, по-малък от 2,5 микрометра; Забележка: За системи с фокусиран отклоняван сноп (системи за директен запис) вж. X.B.I.001.b.1.j. h. Оборудване, използващо „лазери“ за директен запис върху полупроводникови пластини, способно да произвежда релефи с размер, по-малък от 2,5 микрометра. 3. Оборудване за сглобяване на интегрални схеми, както следва: a. „Контролирани от записана програма“ устройства за бондиране на кристали, имащи всички изброени по-долу характеристики: 1. Специално проектирани за „хибридни интегрални схеми“; 2. Ход на позициониране в равнината Х-Y над 37,5 x 37,5 mm; и 3. Точност на позициониране в равнината Х-Y, по-добра от ± 10 микрометра; b. „Контролирано от записана програма“ оборудване за производство на множество проводящи връзки в една операция (напр. устройства за бондиране на конструктивно носещи изводи, устройства за бондиране на кристалодържатели на интегрални схеми, устройства за бондиране на кристали върху лентови носители); c. Полуавтоматични или автоматични устройства за горещо херметизиране с капачка, при които капачката се загрява локално до по-висока температура от тази на тялото на корпуса, специално проектирани за корпуси на керамични микросхеми, контролирани от 3A001 (7), и имащи производителност, равна на или по-голяма от един корпус в минута. Забележка: X.B.I.001.b.3 не контролира машини за електросъпротивително точково заваряване с общо предназначение. 4. Филтри за чисти стаи, способни да осигуряват чистота на въздушната среда от 10 или по-малко частици с размер от 0,3 микрометра или по-малък на 0,02832 m3, и филтриращи материали за тях. Техническа бележка: За целите на X.B.I.001 ‘контролиран от записана програма’ е контрол, при който се използват инструкции, записани на електронен носител за съхранение, които процесор може да изпълни с цел направляване на изпълнението на предварително определени функции. Дадено оборудване може да бъде ‘контролирано от записана програма’ без оглед на това дали електронният носител за съхранение е вътрешен или външен за оборудването.