3A001

Електронни компоненти и специално проектирани компоненти за тях, както следва: а. Универсални интегрални схеми, както следва: Бележка 1: Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a. Бележка 2: Интегралните схеми включват следните видове: — „Монолитни интегрални схеми“; — „Хибридни интегрални схеми“; — „Многочипови интегрални схеми“; — „Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху сапфир; — „Оптични интегрални схеми“; — „Триизмерни интегрални схеми“. 1. Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу: a. Обща доза от 5 × 103 Gy (силиций) или по-голяма; b. Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или c. Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 × 1013 n/cm2 или по-високо върху силиций, или равностойни на него материали; Бележка: 3A001.а.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS). 2. „Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (EEPROM/ЕИПП), свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД), отговарящи на някои от изброените по-долу: a. Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C); b. Предназначени за работа при околна температура под 218 К (- 55 °C); или c. Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 K (- 55 °C) до 398 K (125 °C); Бележка: 3A001.a.2. не контролира интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове. 3. „Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“ и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz; Бележка: 3A001.a.3. включва цифрови сигнални процесори, цифрови матрични процесори и цифрови копроцесори. 4. Не се използва; 5. Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва: a. Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики: N.B.: ВЖ. СЪЩО 3A101 1. Разделителна способност 8 bit или повече, но по-малка от 10 bit с изходяща скорост, по-голяма от 1 000 милиона цикъла за секунда; 2. Разделителна способност 10 bit или повече, но по-малка от 12 bit с изходяща скорост, по-голяма от 300 милиона цикъла за секунда; 3. Разделителна способност 12 bit с изходяща скорост, по-голяма от 200 милиона цикъла за секунда; 4. Разделителна способност повече от 12 bit, но по-малка или равна на 14 bit, с изходяща скорост, по-голяма от 125 милиона цикъла за секунда; или 5. Разделителна способност повече от 14 bit с изходяща скорост, по-голяма от 20 милиона цикъла за секунда; Технически бележки: 1. Разделителна способност n бита съответства на квантуване на 2n нива. 2. Броят на битовете в изходящия цикъл е равен на разделителната способност на аналогово-цифровия преобразувател (АЦП/ADC). 3. Изходящата скорост е максималната изходяща скорост на преобразувателя, независимо от архитектурата или дискретизацията. 4. За „многоканални АЦП/ADC“ изходните честоти не се сумират и (общата) изходна честота е максималната изходна честота, която има някой от отделните канали. 5. За „редуващи АЦП/ADC“ или за „многоканални АЦП/ADC“, имащи редуващ режим на работа, скоростите се сумират и общата скорост на преобразуване е максималната сумирана обща скорост на преобразуване на всички изходи. 6. Производителите могат също да отнесат изходящата скорост като честота (скорост) на дискретизация, скорост на преобразуване или производителна скорост. Тя често се определя в мегахерци (MHz) или мегасигнали за секунда (MSPS). 7. За целите на измерване на изходящата скорост един изходящ цикъл за секунда е еквивалентен на един херц или един сигнал за секунда. 8. „Многоканалните АЦП/ADC“ са устройства, които вклчюват повече от един АЦП/ADC и са проектирани така, че всеки АЦП/ADC да има отделен аналогов вход. 9. „Редуващите АЦП/ADC“ са устройства, които имат няколко АЦП/ADC, следящи един аналогов вход по различно време, така че при сумиране на изходните скорости аналоговият вход да е ефективно прихванат и преобразуван на по-висока скорост на прихващане. b. Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), имащи следните характеристики: 1. Разделителна способност 10 bit или повече, с „коригирана скорост на обновяване“3 500 MSPS или повече; или 2. Разделителна способност 12 bit или повече, с „коригирана скорост на обновяване“1 250 MSPS и имащи всяка от следните характеристики: а. Време за установяване, по-малко от 9 ns до 0,024 % от времето, необходимо за една пълна стъпка; или b. „Динамичен обхват без изкривявания“ (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz. Технически бележки: 1. „Динамичният обхват без изкривявания“ (SFDR) се определя като съотношението между средната квадратична стойност (RMS) на носещата честота (максимален сигнален компонент) на входа на ЦАП/DAC и средната квадратична стойност (RMS) на следващия компонент на най-големи шумови или нелинейни изкривявания на изхода на ЦАП/DAC. 2. „Динамичният обхват без изкривявания“ (SFDR) се определя пряко от спецификационната таблица или от характеристичната графика SFDR/честота. 3. Сигналът е на максимално ниво, когато амплитудата му е по-голяма от - 3 dBfs (пълна скала). 4. „Коригирана скорост на обновяване“ за ЦАП/DAC: a. За конвенционалните (без интерполация) ЦАП/DAC „коригираната скорост на обновяване“ е скоростта, с която цифровият сигнал се преобразува в аналогов и изходящите аналогови стойностти се променят от ЦАП/DAC. За ЦАП/DAC, при които режимът на интерполация може да се изключва, (интерполационен фактор единица), ЦАП/DAC следва да се приема за конвенционален (без интерполация). b. За интерполиращите ЦАП/DAC (ЦАП/DAC с дискретизация на сигнала, превишаваща основната честота на дискретизация) „коригираната скорост на обновяване“ се определя, като скоростта на обновяване на ЦАП/DAC се раздели на най-малкия фактор на интерполация. При интерполиращите ЦАП/DAC за „коригирана скорост на обновяване“ могат да се срещнат и други термини като: — входяща честота на данните — входящата честота на цикъла — входящата честота на сигнала — максимална входяща честота на шината — максимална ЦАП синхронизирана (тактова) честота при ЦАП тактов вход. 6. Електрооптични и „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Един или повече от един вътрешен „лазерен“ диод; b. Един или повече от един вътрешен светлочувствителен елемент; и c. Оптични вълноводи; 7. „Логически устройства със зона за програмиране“, имащи някоя от изброените по-долу характеристики: a. Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи 500 или повече; или b. „Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни“ от 200 Gb/s или повече; Бележка: 3A001.a.7. включва: — Обикновени програмируеми логически устройства (SPLDs/ОПЛУ) — Сложни програмируеми логически устройства (CPLDs/СПЛУ) — Комбинационни логически елементи със зони за програмиране (FPGAs/КЛЕЗП) — Логичеки матрици със зони за програмиране (FPLAs/ЛМЗП) — Програмируеми на място взаимовръзки (FPICs/ПМВВ) Технически бележки: 1. „Логическите устройства със зони за програмиране“ са известни като комбинационни логически елементи със зони за програмиране или като логически матрици със зони за програмиране. 2. Максималният брой цифрови входове/изходи в 3A001.a.7.a се нарича още максимални потребителски входове/изходи или максимално налични входове/изходи в зависимост от това дали интегралната схема е комплексна или базова матрична. 3. „Максималната сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни“ е произведението от максималната скорост на еднопосочния поток на предаване на данни и броя на предавателите на FPGAs/КЛЕЗП. 8. Не се използва; 9. Интегрални схеми с невронна мрежа; 10. Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, имащи някои от изброените по-долу характеристики: a. Повече от 1 500 извода; b. Нормално „време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент“, по-малко от 0,02 ns; или c. Работна честота над 3 GHz; 11. Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики: a. Еквивалентен брой ключове над 3 000 (2 входни ключа); или b. Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz; 12. Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log2 N)/20 480 ms, където N е броят точки; Техническа бележка: Когато N е равно на 1 024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ. 13. Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори–(DDS), притежаващи някоя от следните характеристики: a. Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател (–ЦАП/DAC) 3,5 GHz или по-голяма и разделителна способност на ЦАП/DAC 10 bit или повече, но под 12 bit; или b. Синхронизирана (тактова) честота на ЦАП/DAC 1,25 GHz или повече и разделителна способност на ЦАП/DAC 12 bit или повече; Техническа бележка: Синхронизираната (тактова) честота на ЦАП/DAC може да бъде посочена като главна или входна тактова честота. b. Компоненти, работещи в микровълновия или милиметровия диапазон, както следва: Техническа бележка: По смисъла на 3A001.b. параметърът върхова изходна мощност на насищане може да бъде посочван в информационните листове на продуктите като изходна мощност, изходна мощност на насищане, максимална изходна мощност, върхова изходна мощност или върхова мощност на изход. 1. Вакуумни електронни лампи и катоди, както следва: Бележка 1: 3A001.b.1. не контролира лампи, проектирани или класифицирани за работа във всички честотни ленти и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Не надвишават 31,8 GHz; и b. Са „определени от МСД/ITU“ за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. Бележка 2: 3A001.b.1. не контролира лампи, които не са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. Средна изходна мощност, равна или по-малка от 50 W; и b. Конструирани или определени да функционират във всички честотни ленти, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Надхвърлят 31,8 GHz, но не надхвърлят 43,5 GHz; и 2. Са „определени от МСД/ITU“ за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. a. Лампи с бягаща, импулсна или непрекъсната вълна, както следва: 1. Лампи, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz; 2. Лампи, снабдени с катоден нагревателен елемент с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди; 3. Лампи със свързани резонатори или техни производни, с „относителна широчина на честотната лента“ над 7 % или върхова мощност, надминаваща 2,5 kW; 4. Спираловидни лампи или техни производни, имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: a. „Моментна широчина на честотната лента“ над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5 ; b. „Моментна широчина на честотната лента“ от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1; или c. Класифицирани като „предназначени за използване в Космоса“; b. Усилвателни лампи с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB; c. Импрегнирани катоди, проектирани за електронни лампи, произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm2; 2. Усилватели на мощност с микровълнови „монолитни интегрални схеми“ (MMIC), притежаващи която и да е от следните характеристики: a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15 % и някоя от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 % и някоя от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или 2. Върхова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително; c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %; d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; e. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %; f. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %; g. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5 %; или h. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 90 GHz; Бележка 1: Не се използва. Бележка 2: Контролният статут на MMIC, чиятo операционна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.2.a. до 3A001.b.2.h., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане. Бележка 3: Бележки 1 и 2 в 3А означават, че 3A001.b.2. не контролира MMIC, ако те специално са разработени за други приложения, т.е. телекомуникации, радари, автомобили. 3. Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи някоя от следните характеристики: a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи някоя от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи някоя от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 7 W (38,45 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително; c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително; e. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 43,5 GHz; Бележка 1: Контролният статут на транзистор, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане. Бележка 2: 3A001.b.3. включва непокрити транзисторни чипове, транзисторни полупроводникови чипове, монтирани на носители или монтирани в корпуси. Някои обособени транзистори също могат да бъдат отнесени като усилватели на мощност, но техният статус е определен в 3A001.b.3. 4. Микровълнови полупроводникови усилватели и микровълнови комплекти/модули, съдържащи микровълнови полупроводникови усилватели, притежаващи някоя от следните характеристики: a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15 % и някоя от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 500 W (57 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 270 W (54,3 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 200 W (53 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 90 W (49,54 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително; b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 % и някоя от следните характеристики: 1. Върхова изходна мощност на насищане над 70 W (48,54 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; 2. Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително; 3. Върхова изходна мощност на насищане над 30 W (44,77 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или 4. Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително; c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително; d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 2 W (33 dBm) при честота над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %; e. Предназначени за работа на честоти над 43,5 GHz и притежаващи някоя от следните характеристики: 1. Μаксимална изходна мощност на насищане над 0,2 W (23 dBm) при честота над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %; 2. Μаксимална изходна мощност на насищане над 20 mW (13 dBm) при честота над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5 %; или 3. Върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честота над 90 GHz; или f. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Върхова мощност на насищане (във ватове), Psat, по-голяма от 400, разделена на максималната експлоатационна честота (в GHz), повдигната на квадрат [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. „Относителна широчина на честотната лента“ от 5 % или повече; и 3. Всеки две линии, перпендикулярни една на друга с дължина d (в сm), равна на или по-малка от 15, разделена на най-ниската работна честота в GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz]; Техническа бележка: 2,7 GHz трябва да се използва като най-ниската работна честота (fGHz) във формулата в 3А001.b.4.f.3, за усилватели, които имат операционен обхват, разширяващ спад до 2,7 GHz и по-ниско [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. N.B.: MMIC усилвателите на мощност трябва да бъдат оценени на фона на критериите в 3A001.b.2. Бележка 1: Не се използва. Бележка 2: Контролният статут на изделие, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено в 3A001.b.4.a. —3A001.b.4.e., се определя въз основа на най-ниското ниво на върхова изходяща мощност на насищане. Бележка 3: 3A001.b.4. включва приемни/предавателни модули и предавателни модули. 5. Електронно или магнитно настройваеми лентови филтри, разполагащи с повече от 5 настройващи се резонатора, способни за настройка в рамките на честотна лента 1,5 :1 (fmax./fmin.) за по-малко от 10 μѕ, и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики: a. Широчина на пропусканата честотна лента от над 0,5 % от централната честота; или b. Широчина на непропусканата честотна лента от по-малко от 0,5 % от централната честота; 6. Не се използва; 7. Преобразуватели и смесители, проектирани за разширяване на честотния обхват на оборудването, описано в 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. или 3А002.f., извън ограниченията, изложени в тях. 8. Микровълнови усилватели на мощност, съдържащи електронни лампи, определени в 3A001.b.1. и имащи всички изброени по-долу характеристики: a. Работни честоти над 3 GHz; b. Съотношение между средната изходна мощност и масата над 80 W/kg; и c. Обем, по-малък от 400 cm3; Бележка: 3A001.b.8. не контролира оборудване, проектирано или класифицирано за работа в „определена от МСД/ITU“ честотна лента за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи. 9. Микровълнови модули (MPM), състоящи се поне от лампа с бягаща вълна, микровълнова „монолитна интегрална схема“ и интегриран електронен изравнител на мощността, притежаващи всички изброени по-долу характеристики: a. „Време за достигане на пълна експлоатационна мощност“ от изключено положение до пълно работно състояние за по-малко от 10 секунди; b. Сила на звука, по-малка от максималната изходна мощност във ватове, умножена по 10 cm3/W; и c. „Моментна широчина на честотната лента“, по-голяма от една октава (fmax. > 2fmin.) и имащи някоя от изброените по-долу характеристики: 1. За честоти по-малки или равни на 18 GHz, изходна RF мощност, по-голяма от 100 W; или 2. Честота по-голяма от 18 GHz; Технически бележки: 1. За изчисляване на силата на звука в 3A001.b.9.b., се дава следният пример: за максимална изходна мощност от 20 W силата на звука ще е: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Времето за достигане на пълна експлоатационна мощност“, посочено в 3A001.b.9.a., се отнася за времето от напълно изключено състояние до състояние на пълна експлоатационна мощност, т.е. включва се времето за загряване на микровълновия модул. 10. Осцилатори или осцилаторни модули, предвидени да работят с всяко от следните: a. Фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко от - (126 + 20log10F-20log10f) в която и да е точка от интервала 10 Hz < F < 10 kHz; и b. Фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко от - (114 + 20log10F-20log10f) в която и да е точка от интервала 10 kHz ≤ F < 500 kHz; Техническа бележка: В 3A001.b.10 F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz. 11. „Електронни комплекти“ с „честотен синтезатор“, имащи „време за превключване на честотата“, както е определено от някое от следните: a. По-малко от 156 ps; b. По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 1,6 GHz в обхвата на синтезираната честота над 4,8 GHz и до 10,6 GHz; c. По-малко от 250 mѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 10,6 GHz и до 31,8 GHz; d. По-малко от 500 mѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 31,8 GHz и до 43,5 GHz; e. По-малко от 1 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 43,5 GHz и до 56 GHz; f. По-малко от 1 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на синтезираната честота над 56 GHz и до 75 GHz; или g. По-малко от 1 ms в рамките на синтезирания честотен обсег, надвишаващ 75 GHz. N.B.: За „сигнални анализатори“, генератори на сигнали, мрежови анализатори и микровълнови изпитателни приемници с общо предназначение вж. съответно 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f. c. Акустични вълнови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти за тях: 1. Устройства за повърхностни акустични вълни и за плъзгащи се по повърхността (в плитка дълбочина) акустични вълни, имащи някоя от изброените по-долу характеристики: a. Носеща честота над 6 GHz; b. Носеща честота над 1 GHz, но под 6 GHz, и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: 1. „Потискане на честотата от страничния лист на диаграмата на излъчване“ над 65 dB; 2. Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μѕ, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100; 3. Широчина на честотната лента, по-голяма от 250 MHz; или 4. Дисперсно забавяне над 10 μѕ; или c. Носеща честота от 1 GHz или по-малка и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики: 1. Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μѕ, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100; 2. Дисперсно забавяне над 10 μѕ; или 3. „Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване“, надхвърляща 65 dB и ширина на честотната лента над 100 MHz; Техническа бележка: „Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване“ е максималната стойност на потискане, посочена в информационния лист. 2. Дълбочинни (по отношение обема) устройства за акустични вълни, които позволяват непосредствена обработка на сигнали при честоти над 6 GHz; 3. Устройства за акустично-оптична „обработка на сигнали“, използващи взаимодействието между акустичните вълни (в дълбочина или на повърхността) и светлинни вълни, които позволяват директна обработка на сигнали или изображения, включително спектрален анализ, корелация или свиване; Бележка: 3A001.c. не контролира устройства за акустични вълни, които се ограничават до единична честотна лента, високочестотно, нискочестотно или многочестотно (notch) филтриране или резонираща функция. d. Електронни устройства и схеми, съдържащи компоненти, произведени от „свръхпроводящи“ материали, специално проектирани за работа при температури под „критичната температура“ за поне една от „свръхпроводящите“ съставки и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики: 1. Превключване на тока за цифрови схеми, използвайки „свръхпроводящи“ превключващи елементи, с произведение на закъснението за превключващ елемент (в s) и разсейването на мощност за превключващ елемент (във W), по-малко от 10–14 J; или 2. Избор на честота при всякакви честоти, използващи резонансни кръгове с Q стойности над 10 000 ; e. Високоенергийни устройства, както следва: 1. „Елементи“, както следва: a. „Първични елементи“ с „енергийна плътност“ над 550 Wh/kg при 20 °C; b. „Вторични елементи“ с „енергийна плътност“ над 300 Wh/kg при 20 °C; Технически бележки: 1. За целите на 3A001.e.1., „енергийна плътност“ (Wh/kg) се изчислява чрез номиналното напрежение, умножено по номиналния капацитет в амперчаса (Ah), разделено на масата в килограми. Ако номиналният капацитет не е указан, енергийната плътност се изчислява чрез номиналното напрежение на квадрат, умножено по продължителността на разреждане в часове, разделено на натоварването (товара) при разреждане в омове и масата в килограми. 2. За целите на 3A001.e.1., „елемент“ се определя като електрохимично устройство с положителни и отрицателни електроди и електролит, което е източник на електроенергия. Това е основният градивен елемент на акумулатора. 3. За целите на 3A001.e.1.a., „първичен елемент“ е „елемент“, който не е разработен да се зарежда от друг източник. 4. За целите на 3A001.e.1.b., „вторичен елемент“ е „елемент“, който е разработенда се зарежда от външен източник на електроенергия. Бележка: 3A001.e.1. не контролира батерии, в това число батерии от една клетка. 2. Високоенергийни кондензатори, както следва: N.B.: ВЖ. СЪЩО 3A201.a. и Мерките за контрол на военни стоки а. Кондензатори с честота на презаряд, по-малка от 10 Hz (едноразрядни кондензатори), притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV; 2. Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 250 J/kg; и 3. Обща енергия, равна на или по-голяма от 25 kJ; b. Кондензатори с честота на презаряд 10 Hz или по-голяма (кондензатори, класифицирани като многоразрядни) и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: 1. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV; 2. Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 50 J/kg; 3. Обща енергия, равна на или по-голяма от 100 J; и 4. Живот, измерен в цикли зареждане/разреждане, равен на или по-голям от 10 000 ; 3. „Свръхпроводящи“ електромагнити и соленоиди, специално проектирани да се зареждат и разреждат изцяло за по-малко от 1 секунда и притежаващи всички изброени по-долу характеристики: N.B.: ВЖ. СЪЩО 3A201.b. Бележка: 3A001.е.3. не контролира „свръхпроводящи“ електромагнити или и соленоиди, специално проектирани за медицинско оборудване за изображения с магнитен резонанс (ИМР/MRI). а. Енергия, освободена при разреждане, надминаваща 10 kJ през първата секунда; b. Вътрешен диаметър на токопроводящите намотки, по-голям от 250 mm; и c. Номинална магнитна индукция повече от 8 Т или „общата плътност на потока“ в намотката е по-голяма от 300 A/mm2; 4. Соларни клетки, модули от CIC (cell-interconnect-coverglass), соларни панели и соларни матрици, които са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, с минимална средна ефективност над 20 % при експлоатационна температура от 301 К (28 °C) при симулирано осветяване „AM0“ с излъчване от 1 367 вата на квадратен метър (W/m2); Техническа бележка: „AM0“ или „Air Mass Zero“ (маса на въздуха нула) се отнася до спектралното излъчване на слънчевата светлина във външната част на земната атмосфера, когато разстоянието между Земята и Слънцето е една астрономическа единица (AU). f. Кодиращи устройства за абсолютна ъглова позиция с ротативно въвеждане, имащи точност равна на или по-малка (по-добра) от ± 1,0 дъгови секунди; g. Полупроводникови тиристорни устройства за превключване на импулсни мощности и „тиристорни модули“, използващи управление, основано на електрически, оптичен метод или метод с електронно излъчване, и имащи някоя от следните характеристики: 1. Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 30 000 A/μѕ, и напрежение в изключено състояние, по-голямо от 1 100 V; или 2. Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 2 000 A/μѕ и притежаващи всички изброени по-долу характеристики; а. Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо или равно на 3 000 V; и b. Върхов ток, равен на или по-голям от 3 000 А. Бележка 1: 3A001.g. включва: — Силициево управлявани токоизправители (SCRs) — Електрически управлявани тиристори (ETTs) — Тиристори управлявани със светлина (LTTs) — Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs) — Двуоперационни тиристори - Gate Turn-off Thyristors (GTOs) — MOS Controlled Thyristors (MCTs) — Солидтрони Бележка 2: 3A001.g. не контролира тиристорни устройства и „тиристорни модули“, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“. Техническа бележка: За целите на 3A001.g. „тиристорен модул“ включва едно или повече тиристорни устройства. h. Полупроводникови прекъсвачи, диоди или „модули“, имащи всички изброени характеристики: 1. Предназначени за работа при околна температура по-голяма от 488 К (215 °С); 2. Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо от 300 V; и 3. Непрекъснат ток, по-голям от 1А. Бележка 1: Непрекъснато върхово напрежение в изключено състояние в 3А001.h включва напрежение дрейн към сорс, напрежение колектор към емитер, повтарящо се върхово обратно напрежение и повтарящо се върхово напрежение в изключено състояние. Бележка 2: 3A001.h. включва: — Полеви транзистори с p-n преход (JFET) — Вертикални полеви транзистори с p-n преход (VJFET) — Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFET) — Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFET) — Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT) — Транзистори с висока мобилност на електроните (HEMT) — Хетеродвуполюсни транзистори (BJT) — Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR) — Двуоперационни тиристори - Gate Turn-off Thyristors (GTO) — Двуоперационни тиристори - Emitter Turn-off Thyristors (ETO) — PiN диоди — Диоди на Шотки Бележка 3: 3А001.h. не контролира прекъсвачи, диоди или „модули“, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския автомобилен и железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“. Техническа бележка: За целите на 3А001.h. „модули“ съдържат един или повече твърдотелни полупроводникови прекъсвачи или диоди.