davidanugraha/M4-RAG huggingface dataset:
罗马化

羅馬化（英語：Romanization，法語：Romanisation），又稱拉丁化（Latinization，latinisation），是語言學中將不是拉丁字母（又稱羅馬字母）形式的文字系统，轉換成拉丁字母的过程。主要是将被转换系统裡的非拉丁文字，按照转写系统的规则和转写表，忠实地将字符（也包括字符的附加符号及单音素双字符）对号入座地转写成转换系统裡的拉丁字符。被转换系统与转换系统的字符也可以逆向转写。
羅馬化的方案有很多，包括用以表達書面語的音譯、和用以表達口語的轉錄。後者可以再被分為兩類：音位轉錄，用以記錄音素或者一段說話裡的語義數量。和更嚴格的標音轉錄來記錄說話聲音。而每一個羅馬化方案均有一套獨立的規則，規定了每一個已羅馬化字元的發音。除了拼音文字之外，現今唯一徹底採用語素文字系統的漢字也從近代起出現羅馬化方案，但並未完全取代漢字原有的功能。
類似羅馬化的文字轉寫型式還有「西里爾化」（又稱「斯拉夫化」），即把一個語言音譯或轉錄成西里爾字母的過程。
如果使用羅馬化方案去把原來的字詞去音譯的話，最基本的原則就是把本來語言裡的字母，逐一音譯到目標語言之中。這個方法的特色，就是過程中並不著重在目標語言裡的實際發音。例如，使用日語的訓令式羅馬字的話，就容許讀者可以百分之百地，憑拼音去重組成日語的片假名音節。但這個方案需要事前對日語有一定的知識。
但是，大部份的羅馬化方案都以一般讀者為主。就是說讀者事前並不需要對本來語言有認識，反而應該提起讀者對本來語言如何發音的興趣。這樣的羅馬化方案大多根據音位轉錄原則，嘗試把在本來語言裡，每一個音位的發音，盡量準確地轉錄，使到操目標語言的人都能發到貼近的發音。日語裡的平文式羅馬字（或稱黑本式羅馬字）就是一個很好的例子，這個羅馬化方案是為英語使用者而設的。
語音轉錄方案則更進一步，這個方案嘗試把本來語言裡所有的音位描繪出來。有時可能會犧牲目標語言裡的閱讀性，使用在目標語言裡沒有的字母。國際音標字母就是一個在標音轉錄裡最常用的系統。
對於大部份的語言來說，建立一套可用性的羅馬化方案都會涉及需要在兩個極端裡進行取捨。純正的轉錄被普遍認為是不可能的，因為多會發生諸如在本來語言裡的發音和區別，不可能在目標語言裡表現出來。但如果硬要表現出來的話，就會使羅馬化後的字眼變得複雜。
一般來說，除了一部份學者之外，羅馬化方案都傾向以音位轉錄形式出現。舉個例子，日本武術“柔術”這一詞，使用訓令式羅馬字的話，就會變成“zyūzyutu”。這樣一來可以讓本身懂日語的人去重組成假名的“じゅうじゅつ”。但使用平文式羅馬字的話就會變成“jūjutsu”，人們會較易猜到這個詞語本來的日語發音。
阿拉伯字母是用來書寫阿拉伯語、波斯語和烏爾都語。其羅馬化方案如下：
婆羅米字母用以書寫印度大陸和東南亞地方語言的書寫系統。長久以來，西方都是透過其羅馬化音譯去研究梵文以及其他印度文字。自英國的東方學者威廉·瓊斯爵士之後，不同的印度文字音譯方案亦隨之推出。
漢語的羅馬化，在某些層面上被証明是一個困難的問題，因為同時涉及政治考慮。另一個困難之處，就是漢語並非表音文字，而是意音文字。所以大部份的羅馬化方案並非直接把漢字轉換，而是建基於類似漢語拼音之上。
羅馬化，在日語裡稱作羅馬字（ローマ字）。
吉阿吉阿語原本没有文字。从2008年开始，当地与韩国训民正音学会采用谚文字母作为其现代化的文字，但后来废止了。
泰語主要於泰國使用，有自己的一套文字去書寫。該套書寫系統可能是由古高棉傳過來，屬於婆羅米文字的一種。請參閱泰語字母。
在語言學中，西里爾字母和格拉哥里字母都使用了科學音譯。同樣情況亦應用於古教會斯拉夫語，以及現代的各個斯拉夫語族，因為他們同樣使用這些字母。
白俄羅斯語同時使用了西里爾字母和拉丁字母。但時至今日，縱使仍然有使用拉丁字母（正式名稱為Łacinka或Łacinica）的擁護者，但已經幾乎絕跡。但姑勿論本來的拉丁字母存在與否，白俄羅斯語的名字一般按俄語的習慣被翻譯。
現時並沒有一套國際公認把俄語翻譯成羅馬字母的方案—事實上已經有很多套方案存在：有時會稍作調整以迎合某些特定語言（例如德語和法語），而有些則設計為圖書館音譯之用，有些則為翻譯俄羅斯旅客護照之用。有時，有些名字的音譯則是以傳統為主。這樣一來，同一個名字會重複出現很多次。例如，俄國著名作曲家柴可夫斯基可以被譯成以下名字：Tchaykovsky,Tchajkovskij,Tchaikowski,Tschaikowski,Czajkowski,Čajkovskij,Čajkovski,Chajkovskij,Chaykovsky,Chaykovskiy,Chaikovski等等。
烏克蘭的人名多以音位轉錄形式翻譯。烏克蘭國家系統主要於翻譯烏克蘭地名時使用。
希臘語包括現時在希臘地區使用的語言，及古代的多音調拼字法。
ISO 9984是把现代格鲁吉亚语罗马化的系统。
以下的表格列出了把不同字母或書寫系統，作音位轉錄羅馬化後的結果。雖然對大部份使用者來說已經足夠，但是每一個字母始終還有幾個譯法和其他例外例子。詳情請參閱以下各個語言的相關條目。（由於韓語字母數量過於龐大，所以本表格只列出第一個字母）
رقاقة ألومنيوم

رقاقة ألومنيوم(ج.رقائق الألومنيوم) أوورق الألومنيومهوالألومنيوممُعدبورق رقيق، بسماكة أقل من 0.2 مل، قد تصل في بعض الأحيان إلى سماكة 6 ميكرومتر، يستخدم لتغليف الأطعمة، إن هذه الرقاقات تكون مرنةً وبسهولة يمكن ثنيها وجعلها تلتف حول الأشياء، تكون الرقاقات بعض الأحيان هشةً لذلك يقام بتدعيمها بمواد أخرى كالبلاستيك والورق العادي لجعلها أكثر فائدة.في القرن العشرين حلت رقاقات الألمنيوم محلالرقاقات القصديرية.
يستخدم الألمنيوم في التغليف لأنه شديد المرونة: يمكن تحويله بسهولة إلى صفائح رقيقة وطيه أو لفه أو تعبئته.  تعمل رقائق الألومنيوم كحاجز كلي للضوء والأكسجين (مما يتسبب في أكسدة الدهون أو زنثها) والروائح والنكهات والرطوبة والجراثيم، ولذلك فهي تستخدم على نطاق واسع في الأغذية والأدوية، ويشمل التعبئة والتغليف بما في ذلك العبوات طويلة العمر (المعالجة المعقمة) للمشروبات ومنتجات الألبان، مما يسمح بالتخزين دون تبريد. تُستخدم حاويات وصواني رقائق الألومنيوم لخبز الفطائر وتعبئة الوجبات الجاهزة والوجبات الخفيفة الجاهزةسفريوأطعمة الحيوانات الأليفة لفترات طويلة الأمد.
جواز سفر كويتي

جواز السفر الكويتيهو وثيقة رسمية يتم إصدارها لمواطنيدولة الكويتلغرض السفر الدولي، والذي أنشأ بقانون رقم 11 لسنة1962.يتميز الجواز بلونه الأزرق، ويحتوي على 64 صفحة، فضلًا عن أن كل جواز يحتوى على رقاقة إلكترونية قابلة للقراءة عن بعد، مخزن فيها البيانات الشخصية النصية والبيومترية لحامل الجواز.
منذ إنشاء دائرة الجوازات تغيرت أشكال وصيغ الجواز الكويتي، فكانت أولى الخطوات هي ورقة يتسلمها المواطن من مدير الجوازات، يُكتب فيها اسم صاحب الجواز وتوقيعه وصورته، فيأخذها المواطن إلىالمعتمد البريطانيفي الكويت الذي يقوم بإصدار الجواز الكويتي وعليه شعارالدولة العثمانيةوكانت مدته سنة، ورسوم الإصدارروبيةواحدة، وكان الملّا صالح أول مدير جوازات.
كُتب في أول صفحة من الجواز رسالة باللغتين العربية والإنجليزية كما يلي:
«باسم حضرة صاحب السمو أمير دولة الكويت أطلب من موظفي دولة الكويت وممثليها في الخارج، وأرجو من كل سلطة أخرى تعمل باسمها ومن السلطات الأجنبية المختصة أن يسمحو لحامل هذا الجواز بحرية المرور وأن يقدموا كل ما يحتاج إليه من مساعدة ورعاية.»
«In The Name Of H.H The Amir of The State Of Kuwait, I request from all officials of The State Of Kuwait and its representatives abroad and all authorities acting in his name and the competent foreign authorities to allow the bearer of this passport to pass freely and to afford every assistance and protection of which the bearer my stand in need.»
هناك أربعة أنواع من الجوازالكويتي:
وهي خدمة مقدمة من قبل وزارة الداخلية المتمثلة بالإدارة العامة للجنسية ووثائق السفر. وتتيح هذه الخدمة للكويتيين فرصة تجديد جواز السفر.
TSMC

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Limited(znaky: 臺灣積體電路製造股份有限公司;pinyin: táiwān jītǐ dìanlù zhìzào gǔfēn yǒuxìan gōngsī, zkratka 台積電 tái jī dìan čiTSMC), je největší světový specializovaný nezávislý výrobce polovodičových disků (tzv.waferů).Sídlí v Hsinchu Science Park vSin-čunaTchaj-wanu, s tím, že má další pobočky v Severní Americe, Evropě, Japonsku, Číně, Jižní Koreji a Indii.
Přestože nabízí různé výrobní řady, nejznámější je pro řadu logických čipů. S TSMC spolupracují světoznámí výrobci procesorů a integrovaných obvodů jako např.Apple,Qualcomm,Broadcom,MediaTek, Altera, Marvell,NVIDIA. V posledních letech se významným zákazníkem staloAMD. I výrobci čipů, kteří jisté polovodičové kapacity vlastní, část své produkceoutsourcujíu TSMC.V současné době je společnost technologickým leaderem v oblasti polovodičových čipů, jelikož nabízí nejpokročilejší výrobní procesy.
Roku 2005 firma žalovala čínského výrobce čipů Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) pro krádež duševního vlastnictví a soudy jí přiznaly urovnání ve výši 175 mil. dolarů. Další žalobu na stejnou čínskou firmu řešily soudy roku 2009 a uznaly oprávněnost 61 z celkových 65 nároků. TSMC přiznaly nárok na odškodnění ve výši 200 mil. dolarů a právo na 10 % podílu z vydaných akcií SMIC. Roku 2020 obvinily USA firmu SMIC ze spolupráce sČínskou lidovou armádoua uvalily na ni sankce.
Roku 2019 soudy řešily vzájemné spory s americkou firmouGlobalFoundries, která původně žalovala TSMC pro porušení patentového práva a vzápětí byla ze strany TSMC žalována pro porušení jejích 25 patentů. V říjnu 2019 obě firmy uzavřely dohodu o vzájemném sdílení svých patentů.
TSMC nabízí široké portfolio možných výrobních procesů pro své zákazníky. Od zastaralých mikrometrových procesů až po moderní vysoce pokročilé procesy jako 7nm s technologii EUV či 5nm proces. Důležitou roli při výrobě čipů s velkou hustotou až 100 milionů tranzistorů na milimetr čtvereční hrají vysoce výkonné laserové zesilovače TRUMPF, produkující extrémně ultrafialové záření (EUV) pro osvěcování waferu.Společnost TSMC od roku 2018 začala používat ve velkém litografii pro výrobu 7 nm (N7) čipů a zvýšila výrobní kapacitu na čtyřnásobek. V roce 2021 již bude polovina vyrobených čipů s technologií 6 nm (N6). Roku 2020 již byla zahájena sérová výroba 5 nm čipů (N5), které mají oproti N7 o 80 % vyšší hustotu, ale také o 15 % vyšší výkon, nebo 30 % nižší spotřebu.
Ve druhé polovině roku 2022 se má zahájit sériová výroba 3nm čipů. Generace N3 slibuje o 70 % vyšší hustotu a o 15 % vyšší výkon, nebo o 30 % nižší spotřebu než N5.
TSMC zároveň ve spolupráci s partnery a vědeckými týmy z různých univerzit (NTU, MIT) vyvinulo jednu z klíčových technologií pro 1nm výrobu, která by mohla být zahájena kolem roku 2025.
Následující tabulka zaznamenává roční příjmy společnosti v letech 1997–2020.
V tomto článku byl použitpřekladtextu z článkuTSMCna anglické Wikipedii.
世界先進

世界先進積體電路股份有限公司（英語：Vanguard International Semiconductor Corporation），簡稱世界先進，是一家台灣專業晶圓代工公司，於1994年12月5日在新竹科學園區設立。世界先進目前擁有五座八吋晶圓廠，分別位於台灣與新加坡。2023年平均月產能約27.9萬片八吋晶圓。
1998年3月，世界先進以科技類股掛牌上櫃，主要股東包括台積電、行政院國家發展基金等法人機構。
在1980年代左右，儘管台灣的電腦製造業已相當發達，但仍缺乏自製記憶體的技術，使台灣電腦製造受到記憶體供貨的限制。1986年全球DRAM大缺貨期間，記憶體價格甚至高達一台電腦的25%，甚至無法出貨。因此，台灣工業技術研究院於1990年代延攬當時任職貝爾實驗室的盧志遠回國，發起為期五年的「次微米製程技術發展計畫」，以冀發展台灣國產記憶體技術，確保供貨無虞。1993年，首批製造0.5mm製程的16MB DRAM八吋晶圓通過驗證，為台灣首批自主生產的DRAM產品。1994年，工研院以技術轉移的方式衍生成立公司，同年12月台積電率領13家公司得標，以資本額140億元台幣成立「世界先進積體電路股份有限公司」。
儘管世界先進成立初期，即表現相當亮眼的財務成績，但由於DRAM的可取代性高，且世界先進的規模及技術不如國外記憶體大廠，缺乏足夠競爭力。在1990年代後期，DRAM的價錢急速崩跌，世界先進隨即陷入嚴重虧損，董事長張忠謀不得不於2000年宣布退出DRAM產業，轉向晶圓代工產業。
تصنيع مكونات من أشباه الموصلات

تصنيع أجهزة أشباه الموصلات(بالإنجليزية:Semiconductor device fabrication)‏ أو تسمىتصنيع أشباه الموصلاتهي العملية المستخدمة لإنشاءالدارات المتكاملة(رقائق السيليكون) التي تكون موجودة في الأجهزة الكهربائية والإلكترونية المستخدمة في الحياة اليومية.
وهي سلسلة متعددة الخطوات من التصوير والمعالجة الكيميائية خلال الخطوات التي يتم إنشاؤها تدريجيا للدوائر الإلكترونية علىرقاقة(ويفر) مصنوعة من موادشبه موصلةنقية.والسيليكونهو من مواد أشباه الموصلات الأكثر شيوعا اليوم، جنبا إلى جنب مع أشباه موصلات المجمع المختلفة.
عملية التصنيع بكاملها ومن البداية إلى رقائق مغلفة جاهزة للشحن، تأخذ حوالي 6-8 أسابيع، ويتم تنفيذها في مراكز متخصصة للغاية ويشار إليها فابس اختصار ل(بالإنجليزية:fabs)‏ وهي اختصار ل(بالإنجليزية:Semiconductor fabrication plant)‏.
ترانسشن

شركة ترانسشن القابضةهي شركة تصنيعالهواتف المحمولةومقرها فيشنتشن،الصين. كانت أكبر شركة مصنعة للهواتف الذكية من حيث المبيعات في إفريقيا في عام 2017، كما تبيع الهواتف المحمولة في جنوب آسيا. تشمل علاماتها التجارية ماركات الهواتف المحمولةتكنووأي تيلوإنفينيكس، والعلامة التجارية لما بعد البيعكارلكير، والعلامة التجارية للأكسسواراتأورايمو، وتقوم بتصنيع الهواتف فيالصينوإثيوبياوبنغلاديشوالهند.
وصلة غير متجانسة

الوصلة غير المتجانسةفي مجالتصنيع أشباه الموصلاتهي منطقة التماس بين مادتين متغايرتين منأشباه الموصلات، مما يؤدي إلى الحصول علىفجوة نطاق طاقيّةمتباينة، وذلك على العكس من الوصلات المتجانسة.
تجدر الإشارة إلى أن مفهوم الوصلة غير المتجانسة مختلف عن مفهوموصلة الموجب والسالب، إذ أن الأخير يتعلق بنوعالإشابة، في حين أن الوصلة غير المتجانسة تعتمد على اختلاف نوع المواد المكونة لمكون شبه الموصل.
يتطلب تصنيغ الوصلات غير المتجانسة استخدام تقنيات مثلتنضيد الحزمة الجزيئية(MBE)،أوترسيب كيميائي للبخار(CVD)، ومؤخراً بتكوين طبقات ذرية (أو رقائق).
অর্ধপরিবাহী সাধনী নির্মাণ

অর্ধপরিবাহী সাধনী নির্মাণবা ইংরেজি পরিভাষায়সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন(Semiconductor Device Fabrication) হলো অর্ধপরিবাহী সাধনীসমূহ (অর্থাৎ বিশেষ উদ্দেশ্যসাধক যন্ত্রসমূহ) শিল্পোৎপাদনের প্রক্রিয়া। অর্ধপরিবাহী সাধনী বলতে মূলত ধাতব-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী সাধনীগুলিকে বোঝায়, যেগুলি সমন্বিত বর্তনী (যেমন আধুনিক পরিগণক যন্ত্রের (কম্পিউটার) অণুপ্রক্রিয়াজাতকারক বা মাইক্রোপ্রসেসর), অণুনিয়ন্ত্রক (মাইক্রোকন্ট্রোলার), এবং স্মৃতি চিলতে (যেমন ন্যান্ড ফ্ল্যাশ বা ডির‍্যাম), ইত্যাদি দৈনন্দিন ব্যবহার্য প্রায় সমস্ত বৈদ্যুতিক ও ইলেকট্রনীয় (বৈদ্যুতিন) সাধনীতে বিদ্যমান। এটি আলোক-প্রস্তরলিখন এবং রাসায়নিক প্রক্রিয়াজাতকরণসহ একাধিক ধাপবিশিষ্ট একটি প্রক্রিয়া (যেমন পৃষ্ঠের নিষ্ক্রিয়করণ,তাপীয় জারণ,প্ল্যানার বিচ্ছুরণএবংসংযোগ অন্তরণ), যার মাধ্যমে ধীরে ধীরে খাঁটিঅর্ধপরিবাহীউপাদানে তৈরি একটি পাতলা চাকতি বা ওয়েফারেইলেকট্রনিক বর্তনীতৈরি করা হয়। অর্ধপরিবাহী হিসেবে প্রায় সর্বদাসিলিকনব্যবহৃত হয়, তবে বিশেষায়িত প্রয়োগের জন্য বিভিন্ন যৌগিক অর্ধপরিবাহী ব্যবহৃত হয়।
শুরু থেকে বন্টনের জন্য প্রস্তুত মোড়কীকৃত চিলতে পর্যন্ত সম্পূর্ণ উৎপাদন প্রক্রিয়ার জন্য ছয় থেকে আট সপ্তাহ সময় প্রয়োজন এবং এ প্রক্রিয়াটি অত্যন্ত বিশেষায়িত অর্ধপরিবাহী নির্মাণ কারখানাতে পরিচালনা করা হয়, যাকে অর্ধপরিবাহী কারখানা (ইংরেজিতে সেমিকন্ডাক্টর ফাউন্ড্রি বা সংক্ষেপে ফ্যাব) বলা হয়।সকল নির্মাণকাজ একটিনির্মল কক্ষেরভিতরে সংঘটিত হয়, যা কারখানার কেন্দ্রীয় অংশ। আধুনিক১৪/১০/৭ ন্যানোমিটারগ্রন্থির মতো আরও উন্নত অর্ধপরিবাহী সাধনী নির্মাণের জন্য গড়ে ১৫ সপ্তাহ পর্যন্ত সময় লাগতে পারে।উন্নত নির্মাণ কারখানায় উৎপাদন প্রক্রিয়াটি সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয়ভাবে নির্বাহ করা হয় এবং উৎপাদনের ফলন হার বা ইল্ড (একটি পাতলা সিলিকন চাকতি বা ওয়েফারের মধ্যে সঠিকভাবে কাজ করে এমন মাইক্রোচিপের শতাংশ) করতে অভেদ্যভাবে বদ্ধ নাইট্রোজেন পরিবেশে পরিচালিত হয়, এবং এক যন্ত্র থেকে অন্য যন্ত্রে পাতলা চাকতি পরিবহনের জন্য স্বয়ংক্রিয় উপাদান পরিচালনা ব্যবস্থা ব্যবহৃত হয়। ওয়েফারগুলি FOUP নামের বিশেষ সিলযুক্ত প্লাস্টিকের বাক্সগুলির ভিতরে পরিবহন করা হয়। সকল যন্ত্রাংশ এবং FOUP গুলির অভ্যন্তরে নাইট্রোজেন বায়ুমণ্ডল ধারণ করে। যন্ত্রপাতি এবং FOUP এর ভিতরে বাতাস সাধারণত নির্মল কক্ষের আশেপাশের বাতাসের তুলনায় আরও বেশি পরিষ্কার রাখা হয়। এই অভ্যন্তরীণ পরিবেশটি একটি অণুপরিবেশ (মাইক্রোএনভায়রনমেন্ট) হিসাবে পরিচিত।উৎপাদনের যন্ত্রপাতি এবং FOUP এর অভ্যন্তরীণ বায়ুমণ্ডল বজায় রাখার জন্য সংকর নির্মাণ স্থাপনাগুলিতে প্রচুর পরিমাণে তরল নাইট্রোজেনের প্রয়োজন হয়, যা ক্রমাগত নাইট্রোজেন দিয়ে পরিষ্কার করা হয়।
একটি নির্দিষ্টঅর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়ায়চিলতে বা চিপের প্রতিটি স্তরের বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য ন্যূনতম আকার এবং ব্যবধানের সুনির্দিষ্ট বিধি থাকে।প্রায়শই নতুন সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াগুলির মধ্যে আরও ছোট ন্যূনতম বৈশিষ্ট্য এবং ঘনিষ্ঠ ব্যবধান থাকে যা ট্রানজিস্টর ঘনত্ব (প্রতি বর্গ মিলিমিটারে ট্রানজিস্টারের সংখ্যা) বৃদ্ধির কারণে আংশিকভাবে ব্যয় হ্রাস করতে এবং কর্মক্ষমতা উন্নত করতে ডাই সংকোচনের সুবিধা প্রদান করে।প্রাথমিক অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াগুলির HMOS III, CHMOS V এর মতো বিধিবহির্ভূত নাম ছিল; পরবর্তীগুলিকে ন্যূনতম বৈশিষ্ট্যের আকার অনুযায়ী উল্লেখ করা হয়, যেমন৯০ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া।
Planta de fabricación de semiconductores

Unaplanta de fabricación de semiconductores, también conocida por el acrónimofab, es unafábricadonde se producencircuitos integrados. A una empresa que no diseña chips pero que fabrica chips para terceros se la conoce comofundición.
Las plantas de fabricación requieren de una gran cantidad de maquinaria y dispositivos altamente costosos para poder funcionar y operar. Se estima que el coste de construir una planta nueva que produce con litografías de 10 nm puede costar sobre los 2000 M$, mientras que a 5 nm puede estar sobre los 5000 millones dedólares.​ Cada vez son más frecuentes las inversiones de 20 000 M$ a 30 000 M$ en megafábricas aprovechando subvenciones gubernamentales como la Ley de Chips de la Unión Europea.​
La parte central es lasala blanca, una zona donde el ambiente está controlado para eliminar todo el polvo, ya que una sola partícula de este puede arruinar la producción de un lote completo. La sala blanca también tiene que estar protegida contra las vibraciones y mantenerse dentro de unos márgenes estrechos de temperatura y humedad. Controlar la temperatura y la humedad es crítico para minimizar la electricidad estática.
Una sala blanca contiene losstepperspara lafotolitografíay máquinas para elgrabado, la limpieza, eldopadoy el corte. Todas estas máquinas son extremadamente precisas, y por lo tanto, extremadamente caras. El precio del equipamiento más común para procesar obleas de 300 mm va desde los 700.000 hasta los 4 millones de dólares cada uno y algunas máquinas, como los steppers, alcanzan los 50 millones de dólares cada uno. Una planta de fabricación típicamente cuenta con varios centenares de máquinas.
Al principio el coste de poner en marcha una fab no era tan costoso, y por ello cada fabricante de circuitos integrados solía contar con una propia, o si realizaba pequeñas tiradas (como los custom chips usados en muchos ordenadores de 8 bits) encargaba su fabricación a otra sociedad. Pero con el paso del tiempo y la miniaturización cada vez mayor de los circuitos, el coste de las nuevas plantas se disparó. Esto provocó dos fenómenos :
El panorama actual es de tres tipos de sociedades :
Además es corriente ver cómo los fabricantes de circuitos integrados subcontratan una parte de su producción a las sociedades de fundición. Es el caso deFreescale,PhilipsoAMD, que lo hacen a compañías como TSMC. A la inversa, ciertos fabricantes de circuitos integrados (comoIBMMicroelectronics) ofrecen servicios de fundición a compañías fabless.
Epitaxia

Laepitaxiaocrecimiento epitaxiales uno de los procesos en la fabricación decircuitos integrados. La epitaxia se refiere al depósito de una sobrecapa cristalina sobre un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato.
A partir de una cara de uncristalde materialsemiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto defusióny se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.
Hay varios métodos:
BiCMOS

BiCMOS(contracción de Bipolar-CMOS) es el nombre de una tecnología de fabricación decircuitos integradosque combina las ventajas de las tecnologíasbipolaryCMOSintegrándolas juntas en un mismo wafer.
Se usa enanalógicapara la fabricación deamplificadoresy endigitalpara algunos componentes discretos.
Hasta hace poco la integración de transistores MOS y bipolares en un mismo componente era difícil y poco viable económicamente. Por esta razón la mayor parte de los circuitos integrados elegían usar una u otra tecnología en función de los criterios de diseño. Los transistores bipolares ofrecían alta velocidad, alta ganancia y baja resistencia de salida mientras que los CMOS presentaban alta resistencia de entrada que se traducía en puertas lógicas sencillas y de bajo consumo.
A finales de los 90 las técnicas modernas de fabricación empezaron a hacer posible los circuitos BiCMOS. Esta tecnología fue rápidamente adoptada en la fabricación de amplificadores y mostró así mismo algunas ventajas en circuitos digitales. Si bien no se ha aún alcanzado el alto nivel de integración permitido por la tecnología CMOS, lo que restringe el uso de la BiCMOS en circuitos lógicos a escalas de baja y media integración.
Consideremos como ejemplo de circuito BiCMOS un amplificador de dos etapas (la primera con un transistor MOS y la segunda con un BJT). Está claro que la primera etapa aporta una elevada impedancia de entrada y la segunda una baja resistencia de salida. Pero además para determinadas configuraciones, sobre todo en cascada, presenta también la característica de una bajacapacitancia(casi tanto como en el caso de un solo BJT). Lo que se traduce en amplificadores con unaltoancho de banday circuitos lógicos conalta velocidad de conmutación.
El principal inconveniente de esta tecnología reside en ajustar por separado las características de los componentes BJT y MOS. Esto aumenta el número de etapas del proceso de fabricación y en consecuencia sucoste.
Adicionalmente, si atendemos a criterios de rendimiento la tecnología BiCMOS nunca puede ofrecer los bajos niveles deconsumode la tecnología CMOS.
Sobre todo se desconfiguran o en los peores casos explotan con la estática del cuerpo humano, se debe usar protección anti-estática.
Signetics

Signetics, era una de las mayores empresas del mundo dedicada a la creación desemiconductores. Fabricaba una importante variedad de dispositivos, incluyendocircuitos integrados,transistores, circuitosDolby, memorias y circuitos analógicos, CPUs, etc.
Fundada en 1961 por David Allison, David James, Lionel Kattner, Mark Weissenstern (procedentes deFairchild Semiconductor), y otros. Signetics es la primera compañía fundada para fabricar exclusivamente circuitos integrados. Hasta entonces todos los fabricantes de circuitos integrados habían comenzado fabricando transistores discretos.
Tuvo gran éxito con su lógicaDTL, en competencia con Fairchild.
Fue la primera compañía en comercializarPLL'sintegrados.
Rondando 1971, la Signetics Corporation introdujo el circuito 555-timer. Fue llamado "The IC Time Machine". Fue el primer y único IC temporizador disponible en ese tiempo.
En 1975 Signetics fue comprada por Philips, para introducirse en la fabricación de circuitos integrados. Philips continuó el uso de Signetics como marca hasta 1992.
En ese momento Signetics mantenía un amplio catálogo de productos, tanto digitales como analógicos, incluyendo lógica estándar TTL, CMOS y ECL. Memorias TTL, ECL y mos. Microprocesadores nmos (el2650) y TTL (8x300,8X305).
La compañía coreana "Young Poong Electronics Corporation" adquirió Signetics en el año 2000 como mayor accionista.
Comenzó sus actividades entre 1960 y 1961. El nombre deriva deSIGnal NETwork Integrated Circuits(Circuitos Integrados de Señal de Redes).
Oxidación en semiconductores

Laoxidaciónes uno de los procesos básicos en la fabricación decircuitos integrados.
Presenta la desventaja respecto a ladeposiciónde que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad.
Otra característica de laoxidación(uoxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto.
La forma más usada es laoxidación térmica. Para el caso delsilicio(Si) laoxidaciónpuede ser:
La primera es laoxidación húmeday la segundaoxidación seca. Laoxidación húmedase realiza a través de vapor agua a una temperatura de 900 °C a 1000 °C. El crecimiento es más rápido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación. Se suele utilizar para la creación de Óxido de Campo (FOX). Laoxidación secase realiza conoxígenopuro a una temperatura de 1200 °C. Es un proceso más lento pero por el contrario produce menos defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso. El óxido producido con laoxidación secaes de mayor calidad y se suele destinar para el óxido de puerta (THINOX).
Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemploóxido de puertade un MOS), para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo), como máscara en otros procesos (implantación, difusión...), para separar dos capas de materiales conductores, etc.
FinFET

Untransistor à effet de champ à ailettes(en anglaisfin field-effect transistorouFinFET) est undispositif multi-grilles(en), untransistor à effet de champMOSFET(FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur unsubstratoù lagrilleest placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille. On a donné le nom générique « FinFET » à ces dispositifs car la région source/drain forme des ailettes (en anglaisfins) sur la surface dusilicium. Les transistors FinFET ont des temps de commutation significativement plus rapides et des densités de courant plus élevées que ceux de technologieCMOS(complementary metal-oxide-semiconductor) planaire.
Le FinFET est un type detransistornon planaire, ou « transistor 3D ». Il est à la base de lafabrication des dispositifs à semi-conducteursmodernesnanoélectroniques. Les puces utilisant des transistors FinFET ont été commercialisées dans la première moitié des années 2010, et sont devenues le type de conception de grille le plus répandu pour les procédés de fabrication à14 nm,10 nmet7 nm.
Un unique transistor FinFET peut posséder plusieurs ailettes, disposées côte-à-côte et toutes couvertes par la même grille, qui agit électriquement comme une seule, pour augmenter ladensité de courantet la performance.
Semi-conducteur organique

Unsemi-conducteur organiqueest uncomposé organique, sous la forme d'uncristalou d'unpolymère, qui montre des propriétés similaires auxsemi-conducteursinorganiques. Ses propriétés sont laconductionpar lesélectronset lestrous, ainsi que la présence d'unebande interdite. Ces matériaux ont donné naissance à l'électronique organique, ou électronique des plastiques. Parorganique, on entend que les molécules utilisées sont à base decarbone, comme les molécules à la base de la vie. On ditorganiquepar opposition aux semi-conducteursinorganiques, tels lesilicium, ou aux conducteursinorganiques, comme lecuivre.
Laconductivitédans un semi-conducteur organique est assurée par lesporteurs de charge, dont on connaît bien deux sortes : les électrons (électrons π*) et les trous (électrons π non pairés). Généralement, les solides organiques sont isolants. Toutefois, dans les cristaux organiques formés par des molécules contenant desliens conjugués π, ou encore les polymères contenant des liens conjugués π, les électrons peuvent circuler librement dans les recouvrements de nuages d'électrons π, ce qui permet la conduction d'électricité. Leshydrocarbures aromatiques polycycliquessont des exemples de ce type de semi-conducteur. Malgré tout, lespolymères conducteursont une grande résistance, comparativement aux conducteurs inorganiques. On peutdoperles matériaux organiques avec des métaux pour augmenter leur conductivité.
Les semi-conducteurs organiques possèdent des caractéristiques similaires aux semi-conducteurs inorganiques. Le tableau suivant présente leurs correspondances de façon succincte :
De plus, comme les semi-conducteurs inorganiques, les semi-conducteurs organiques peuvent être dopés, c'est-à-dire qu'on peut y produire des électrons en excès (dopage N) ou des trous (dopage P). Dans les semi-conducteurs inorganiques, cela est fait habituellement parimplantation ionique, c'est-à-dire en ajoutant des ions dans le semi-conducteur. Ces ions ont des électrons de valence en supplément ou manquants, selon le cas, ce qui permet d'ajouter les porteurs de charge désirés. Cependant, cette technique est trop brutale (sur le plan énergétique) pour doper des films de semi-conducteurs organiques, ces derniers étant trop fragiles pour ce genre d'intervention. La technique préconisée est donc d'exposer le film à une vapeur d'un oxydant ou d'un réducteur, ce qui aura comme effet d'arracher ou d'ajouter des électrons au film. Les semi-conducteurs très dopés comme lapolyaniline(Ormecon) et lePEDOT:PSSsont aussi appelésmétaux organiques.
Les semi-conducteurs organiques offrent plusieurs avantages :
Cette technologie présente aussi certaines limitations :
Les semi-conducteurs organiques sont utilisés dans le domaine de l'optoélectroniquepour le développement de :
विनिर्माण

मशीनों, औजारों और श्रम का उपयोग करके सामान बनाने की क्रिया कोविनिर्माण(ManufacturingArchived2020-03-20 at theवेबैक मशीन) कहते हैं। विनिर्मित सामान स्वयं प्रयोग के लिये हो सकते हैं, या बेचने के लिये। विनिर्माण के अन्तर्गतहस्तकलासे लेकर उच्च तकनीकी तक बहुत सी मानवी गतिविधियाँ आ जाती हैं किन्तु इस शब्द का उपयोग प्रायःऔद्योगिक उत्पादनके अर्थ में किया जाता है जिसमें कच्चा माल बड़े पैमाने पर तैयार माल में बदला जाता है। विनिर्माण से तैयार माल उपभोक्ताओं द्वारा उपयोग किया जा सकता है या इसका प्रयोग अधिक जटिल वस्तुओं के विनिर्माण में किया जा सकता है।
निम्नलिखित आंकड़ेविश्व बैंकद्वारा उपलब्ध कराये गये हैं।इसमें विनिर्मित वस्तुओं का कुल मूल्य अमेरिकी डॉलर में दिया गया है।
भारत का इलेक्ट्रॉनिक्स तथा अर्धचालक निर्माण उद्योग

भारतीयइलेक्ट्रॉनिक्सउद्योगने 21 वीं सदी के शुरुआती वर्षों में वृद्धि देखी। यह सरकार की नीतियों और प्रोत्साहन से तथा अंतर्राष्ट्रीय निवेश के कारण सम्भव हुआ। घरेलू मांग में तेजी सेअर्धचालक  उद्योगको  लाभ हुआ। अर्धचालक की माँग बहुत बड़ी संख्या में  उद्योगों को थी जैसे दूरसंचार, सूचना प्रौद्योगिकी, औद्योगिक मशीनरी और स्वचालन, चिकित्सा इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑटोमोबाइल, इंजीनियरिंग, बिजली और सौर फोटोवोल्टिक, रक्षा और एयरोस्पेस, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, आदि। हालांकि, 2015 तक 65 से 70 प्रतिशत बाजार आयात पर निर्भर थे।
खपत के मामले में भारत का इलेक्ट्रॉनिक्स बाजार विश्व के  सबसे बड़े बाजारों में से एक है। यह २०१२ में 69.6 बिलियन अमेरिकी डॉलर था जो 2020 में बढ़कर 400  अमरीकी डॉलर तक हो गया।  यह सब मुख्यतः मांग में हुई वृद्धि के कारण हुआ है।
2012-13, 2013-14 और 2014-15 के दौरान इलेक्ट्रॉनिक सामानों के कुल घरेलू उत्पादन क्रमशः INR 164,172 करोड़, INR 180,454 करोड़ और INR 190,366 करोड़ थे।2020 तक भारत का इलेक्ट्रॉनिक्स हार्डवेयर विनिर्माण उद्योग 104 बिलियन अमेरिकी डॉलर के तुल्य इलेक्ट्रॉनिक सामान का उत्पादन करने का अनुमान है। 2013-14 में यह आँकड़ा 32.46   बिलियन यूएसडी था।
वित्त वर्ष 2013 में, वैश्विक इलेक्ट्रॉनिक्स हार्डवेयर उत्पादन में भारत की हिस्सेदारी 1.6% थी। इसमें संचार और प्रसारण उपकरण खंड का हिस्सा 31℅ था जबकि उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स का हिस्सा  23% था।
भारत इलेक्ट्रॉनिक्स सामानों का एक शुद्ध आयातक है। भारत का अधिकांश आयात चीन से आता है। 2015 में, इलेक्ट्रॉनिक्स आयात सोने के आयात से भी अधिक हो गया। इस प्रकार कच्चे तेल के तुरंत बाद इलेक्ट्रॉनिक्स  वस्तुओं का आयात सबसे अधिक हुआ।IIT दिल्ली में भौतिकी में प्रोफ़ेसर विक्रम कुमार ने 2019 में खुलासा किया कि भारत तेल की तुलना में अर्धचालक के आयात पर अधिक पैसा खर्च कर रहा है।
वित्त वर्ष २०१३ में भारत से इलेक्ट्रॉनिक्स निर्यात का अनुमान लगभग  7.66 बिलियन अमेरिकी डॉलर था था। 2013-14 में भारत के इलेक्ट्रॉनिक्स निर्यात में दूरसंचार क्षेत्र का हिस्सा सर्वाधिक था, इसके बाद इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों, उपकरणों, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और कंप्यूटिंग का स्थान था। विदेशों में भारतीय इलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादों की बढ़ती मांग के पीछे तकनीकी सुधार और प्रतिस्पर्धी लागत प्रभावशीलता प्रमुख ड्राइवर माने जाते हैं।
2012-13, 2013-14 और 2014-15 के दौरान इलेक्ट्रॉनिक सामानों का कुल आयात  क्रमशः INR 1,79,000 करोड़ ,  INR 1,95,900 करोड़ और INR 2,25,600 करोड़ होने का अनुमान था।वाणिज्य मंत्रालय के आंकड़ों के मुताबिक, 2003-04 में फोन का आयात 665.47 मिलियन डॉलर से बढ़कर 2013-14 में 10.9 बिलियन डॉलर हो गया है। इसी अवधि में चीन से फोन का आयात 64.61 मिलियन डॉलर से बढ़कर 7 बिलियन डॉलर हो गया है।2013-14 में, भारत के इलेक्ट्रॉनिक्स व्यापार घाटे का मान 23.5 बिलियन अमेरिकी डॉलर था।
कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड

जिनप्रकाश उत्सर्जक डायोडोंके उत्सर्जक विद्युतसंदीप्त स्तर,कार्बनिक यौगिककी एक फिल्म के बने होते हैं उन्हेंकार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड(organic light-emitting diode (OLED/ओलेड)) कहते हैं। यह स्तर कार्बनिकअर्धचालक पदार्थकी बनी होती है और एलईडी के दोनों इलेक्ट्रोडों के बीच स्थित होती है। ओलेड का प्रयोग टेलीविजन स्क्रीन, कम्प्यूटर मॉनिटर,मोबाइल फोनआदि में होता है। सम्प्रति, सफेद ओलेड के विकास की दिशा में बहुत अनुसंधान हो रहा है। इसका उपयोग प्रकाश उत्पादन (जैसे एलईडी बल्ब) में होता है।
सक्रिय लेजर माध्यम

सक्रिय लेजर माध्यमया 'लेसन माध्यम' (active laser medium या gain medium या lasing medium) उस माध्यम को कहते हैं जोलेजरउत्पादन में प्रकाशीय लब्धि (optical gain) प्रदान करता है।
सक्रिय लेजर माध्यम के कुछ उदाहरण:
सिलिकन कार्बाइड

सिलिकन कार्बाइड(Silicon Carbide, SiC) अथवाकार्बोरंडम(Carborundum),सिलिकनतथाकार्बनकायौगिकहै। इसकी खोज सन् 1891 में एडवर्ड ऑचेसन (Edward Acheson) ने की थी।
सिलिकन कार्बाइड कीकठोरता, विद्युत-चालकता तथा उच्च ताप पर स्थिरता के कारण इसका प्रयोग रेगमाल पेषण चक्की (grinding wheel) और उच्च ताप में प्रयुक्त ईंटों आदि के बनाने में हुआ है।
सिलिकन कार्बाइड की विद्युत चालकता उच्च ताप पर बढ़ती है जिससे उच्च ताप पर यह उत्तम चालक है।
सिलिकॉन कार्बाइड का उपयोग एकअर्धचालकके रूप में किया जाता है। आरम्भ में एकडिटेक्टरके रूप में इसका उपयोग हुआ था। इसका उपयोगप्रकाश उत्सर्जक डायोड(LEDs), अतितीव्र उच्च-विभव सहन करने वालेशॉट्की डायोड,मॉसफेट(MOSFETs) एवंथाइरिस्टर(thyristors) के निर्माण में होता है।
इससेतड़ित निरोधक(लाइटनिंग अरेस्टर) बनाए जाते हैं।
चीनी मिट्टीतथाकोयलेके मिश्रण को कार्बन इलैक्ट्रोड की भट्ठी में गरम करने पर कुछ चमकीले षट्कोणक्रिस्टलमिले। आचेसन ने इसे कार्बन तथाऐल्यूमिनियमका नया यौगिक समझा और इसका नाम कार्बोरंडम प्रस्तावित किया। उसी काल में फ्रांसीसी वैज्ञानिक हेनरी मोयसाँ (Henri Moisson) नेक्वार्ट्जतथाकार्बनकी अभिक्रिया द्वारा इसे तैयार किया था। कठोरता के कारण इसकी अपघर्षक (Abrasive) उपयोगिता शीघ्र ही बढ़ गई। आजकल इसका उत्पादन बड़ी मात्रा में हो रहा है।
सिलिकन कार्बाइड के क्रिस्टल षड्भुजीय प्रणाली (Hexagonal system) के अन्तर्गत आते हैं। ये 1 सेमी बड़े और आधे सेमी की मोटाई तक के बनाए गए हैं। विशुद्ध सिलिकन कार्बाइड के क्रिस्टल चमकदार तथा हल्का हरा रंग लिए रहते हैं जिनकाअपवर्तनांक(refractive index) 2.65 है। सूक्ष्म मात्रा की अशुद्धियों से इनका रंग नीला या काला हो जाता है। 100 सेमी के लगभग इन पर हल्कीसिलिका(Si O2) की परत जम जाती है।
सिलिकन कार्बाइड का उत्पादन विशुद्ध रेत (SiO2) तथा उत्तम कोयले के सम्मिश्रण द्वारा विद्युत भट्ठी में होता है।
संयुक्त राष्ट्र अमरीकातथाकनाडामेंनियाग्रा जलप्रपातके समीप इसके उत्पादन केंद्र हैं क्योंकि यहाँ पर विद्युत प्रचुर मात्रा में तथा सस्ती मिलती है। नार्वे तथा चेकोस्लोवाकिया में भी यह औद्योगिक पैमानों पर बनाया जाता है। इसकी भट्ठी लगभग 20 से 50 फुट लंबी, 10 से 20 फुट चौड़ी तथा 10 फुट गहरी होती है जिसमें 10 और 6 के अनुपात में रेत और कोयले का मिश्रण रखते हैं। साथ में लकड़ी का बुरादा मिला देने से रंध्रता आ जाती है। इस मिश्रण के बीच में कोयले के मोटे चूरे की नाली बनाते हैं जिसके दोनों सिरों पर कार्बन इलैक्ट्रोड रहते हैं। आरंभ में 500 वोल्ट का विद्युत विभव प्रयुक्त करने पर लगभग 2500 डिग्री सें. का उच्च ताप उत्पन्न होता है। क्रिया के आरंभ होने पर, धीरे-धीरे विभव को कम करते जाते हैं जिससे ताप सामान्य रहे। इस काल में नियंत्रण अति आवश्यक है। भट्ठी के मध्य में सिलिकन कार्बाइड समुचित मात्रा में बन जाने पर क्रिया रोक दी जाती है। इस क्रिया में विशाल मात्रा मेंकार्बन मोनोआक्साइड(CO) का उत्पादन होता है।
प्रकाश प्रवर्धक

प्रकाश प्रवर्धकएक यंत्र है जो सीधे प्रकाशिय सिगनल को, बिना किसी विद्युत सिगनल में परिवर्तित किये प्रवर्धित करता है। प्रकाश प्रवर्धक विवर रहितलेसरनिर्माण की सोच का परिणाम है अर्थात जिसमें विवर को समाप्त किया जा सके। प्रकाश प्रवर्धक का उपयोग प्रकाशीय संप्रेषण और लेसर विज्ञान में होता है।
उच्च बिजली उत्पादन के लिए , पतला संरचना के साथ ऑप्टिकल एम्पलीफायरों किया जाता है। तरंगदैर्घ्य रेंज 633 एनएम के लिए 1480 एनएम है.
कई अलग-अलग भौतिक तंत्र हैं जिनका उपयोग प्रकाश संकेत को बढ़ाने के लिए किया जा सकता है, जो प्रमुख प्रकार के ऑप्टिकल एम्पलीफायरों के अनुरूप होते हैं। डोपेड फाइबर एम्पलीफायर और बल्क लेजर में, एम्पलीफायर के वृद्धि माध्यम में उत्तेजित उत्सर्जन आने वाले प्रकाश के प्रवर्धन का कारण बनता है।अर्धचालक ऑप्टिकल एम्पलीफायरों (एसओएएस) में, इलेक्ट्रॉन - छेदपुनर्संयोजन होता है। में रमन एम्पलीफायर , रमन बिखरनेके साथ आने वाले प्रकाश की फॉटॉन वृद्धि माध्यम की जाली में पैदा करता है फोटॉनों भेजे फोटॉनों के साथ सुसंगत। पैरामीट्रिक एम्पलीफायरों पैरामीट्रिक प्रवर्धन का उपयोग करते हैं।
Industri semikonduktor

Industri semikonduktoradalah kumpulan perusahaan yang bergerak di bidang desain dan fabrikasisemikonduktordanperangkat semikonduktor, sepertitransistordansirkuit terintegrasi. Industri ini terbentuk sekitar tahun 1960, setelah pembuatan perangkat semikonduktor menjadi bisnis yang layak. Pendapatan penjualan semikonduktor tahunan industri ini telah mencapai lebih dariUS$481 milyar, pada tahun 2018.Industri semikonduktor menjadi kekuatan pendorong beberapa industri seperti industri elektronik,dengan penjualanelektronik dayatahunan sebesar £135milyar (US$218 milyar) pada tahun 2011,penjualanelektronik konsumentahunan diharapkan mencapaiUS$2,9 triliunpada tahun 2020,penjualan industri teknologi diperkirakan akan mencapaiUS$5 triliunpada tahun 2019,dane-commercedengan lebih dariUS$29 trillionpada tahun 2017.Pada tahun 2019, 32,4% dari segmen pasar semikonduktor adalah untukjaringandan perangkat komunikasi.
Pada tahun 2021, penjualan semikonduktor mencapai rekor $555,9 miliar, naik 26,2 persen dengan penjualan diChinamencapai $192,5 miliar, menurut Asosiasi Industri Semikonduktor. Rekor 1,15 triliun unit semikonduktor dikirim pada 2021.Semikonduktor diproyeksikan mencapai $726,73 miliar pada tahun 2027.
Manufaktur yang berkantor pusat di tempat-tempat berikut adalah pemimpin penjualan di sektor pengecoran murni, IDM (manufaktur perangkat terintegrasi), manufaktur fabless, dan OSAT (perakitan dan pengujian semikonduktor outsourcing) dari industri tersebut.
Templat:IndustriKesalahan pengutipan: Ditemukan tag<ref>untuk kelompok bernama "lower-alpha", tapi tidak ditemukan tag<references group="lower-alpha"/>yang berkaitan
Pemanufakturan

Manufakturadalah suatu cabangindustriyang mengoperasikanperalatan, mesin dantenaga kerjadalam suatumedium prosesuntuk mengolahbahan baku,suku cadang, dankomponenlain untuk diproduksi menjadibarang jadiyang memiliki nilai jual.Kegiatan industri manufaktur sering menggunakanmesin,robot,komputer, dan tenaga manusia untuk menghasilkan barang atau jasa dan perakitan, untuk menghasilkan suatu produk.
Manufakturing mengacu pada produksi skala besar barang yang mengubah bahan baku, suku
Istilah ini bisa digunakan untuk aktivitas manusia, darikerajinan tangansampai ke produksi denganteknologitinggi, tetapi demikian istilah ini lebih sering digunakan untuk duniaindustri, di manabahan bakudiubah menjadibarang jadidalamskalayang besar.
Manufaktur ada dalam segala bidang sistem ekonomi. Dalam ekonomi pasar bebas, manufakturing biasanya selalu berarti produksi secaramassaluntuk dijual kepelangganuntuk mendapatkan keuntungan.
Beberapa industri sepertisemikonduktordanbajalebih sering menggunakan istilahfabrikasidibandingkan manufaktur.
Sektor manufaktur sangat erat terkait denganrekayasaatau teknik.
Manufaktur telah ada sejak zaman kuno, dengan perkembangan signifikan terjadi selama Revolusi Industri pada abad ke-18 dan ke-19. Revolusi ini memperkenalkan mesin uap dan teknologi lainnya yang memungkinkan produksi massal dan efisiensi yang lebih tinggi. Perkembangan lebih lanjut dalam teknologikomputerdan otomatisasi pada abad ke-20 dan ke-21 telah mengubah industri manufaktur menjadi lebih canggih dan efisien.
Proses manufaktur melibatkan beberapa tahapan, mulai dari desain produk hingga produksi dan distribusi. Berikut adalah beberapa jenis proses manufaktur yang umum:
Industri manufaktur juga menghadapi beberapa tantangan, seperti:
Manufaktur diatur oleh berbagai regulasi dan standar yang bertujuan untuk memastikan kualitas, keselamatan, dan efisiensi produk dan proses. Beberapa standar ISO yang umum dalam industri manufaktur meliputi:
Ikatan kawat (fabrikasi semikonduktor)

Ikatan kawatadalah metode membuatinterkoneksiantarasirkuit terpadu(IC) atau perangkatsemikonduktorlainnya dan kemasannya selamafabrikasi perangkat semikonduktor. Meskipun kurang umum, pengikatankawatdapat digunakan untuk menghubungkan IC ke elektronik lain atau untuk menghubungkan dari satu papan sirkuit cetak (PCB) ke yang lain. Ikatan kawat umumnya dianggap sebagai teknologi interkoneksi yang paling hemat biaya dan fleksibel dan digunakan untuk merakit sebagian besar paket semikonduktor. Ikatan kawat dapat digunakan pada frekuensi di atas 100 GHz.
Bondwires biasanya terdiri dari salah satu bahan berikut:
Diameter kawat mulai dari di bawah 10 μm dan dapat mencapai beberapa ratus mikrometer untuk aplikasi berdaya tinggi.
Industri pengikatan kawat sedang bertransisi dari emas ke tembaga. Perubahan ini dipicu oleh kenaikan harga emas dan harga tembaga yang relatif stabil dan jauh lebih rendah. Meskipun memiliki konduktivitas termal dan listrik yang lebih tinggi dibandingkan emas, tembaga sebelumnya dianggap kurang dapat diandalkan karena kekerasan dan kerentanannya terhadap korosi. Pada tahun 2015, diperkirakan lebih dari sepertiga mesin pengikat kawat yang digunakan akan digunakan untuk tembaga.
Silicio monocristallino

Ilsilicio monocristallinoè ilmaterialedi base dell'industria elettronica. È costituito da uncristallo singolodisilicio, che ha unreticolo cristallinocontinuo, senza interruzioni (bordi di grano) in tutto ilsolido.
Può essereintrinseco, cioè contenente solo silicio ultrapuro, odrogatomediante l'aggiunta di piccolissime quantità di altri elementi che permettono di modificare in modo controllato le sue proprietà disemiconduttore. La maggior parte del silicio monocristallino viene prodotto con ilprocesso Czochralski, da cui si ottengono cristalli cilindrici fino a 450mmdi diametro e a 2 m di lunghezza (figura a destra) che, segati in fette sottili, danno iwafersu cui verranno costruiti i microcircuiti.
Il silicio monocristallino è forse il più importante materiale tecnologico dell'ultimo mezzo secolo ("l'era del silicio"), perché la sua disponibilità a costi industrialmente accettabili è stata ed è essenziale per lo sviluppo dei microcircuiti elettronici su cui si basa l'attuale rivoluzione elettronica e informatica.
Nellafabbricazione dei dispositivi a semiconduttoreil silicio si usa in forma monocristallina perché i bordi di grano darebbero discontinuità e favorirebbero imperfezioni nella microstruttura del semiconduttore, come impurezze edifetti cristallini, che possono alterare le proprietà elettroniche locali del materiale, e avere quindi conseguenze sulla funzionalità e affidabilità dei dispositivi. Senza la perfezione del cristallo, sarebbe impensabile costruire icircuiti integratiVLSI(figura a destra), in cui milioni (o miliardi, ormai) di dispositivi semiconduttori sono concentrati in una frazione di cm(e debbono essere tutti funzionanti), per realizzare per esempio unmicroprocessore. Per questo, l'industria elettronica ha investito massicciamente nelle tecniche di preparazione di monocristalli di silicio di grandi dimensioni.
Il silicio monocristallino viene anche impiegato nella realizzazione dicelle solaridi elevate prestazioni. Le celle solari, a differenza dei microcircuiti, possono però tollerare, entro certi limiti, piccole imperfezioni strutturali, e quindi in esse il cristallo singolo oggi è spesso sostituito dalsilicio policristallino, meno costoso.
Al 2022, il record mondiale dell'efficienza energeticaè pari al 26.1% per i pannelli di 182 mm di spessore.
Al 2023, il record mondiale dell'efficienza energeticaè pari al 26.5 % per una cella bifacciale prodotta da3SunEnel Green PowerItalia in Sicilia, Catania.
半導体デバイス製造

半導体デバイス製造とは、シリコン基板上に多くの連続した工程を繰り返すことで電気回路を完成させる製造工程のことである。
例としては、無線周波数 (RF) アンプ、LED、光学コンピューターコンポーネント、およびコンピューター用マイクロプロセッサや記憶素子製造があげられる。ウェーハ製造は、必要な回路構造を備えた電子部品を構築するために使用される。主要な製造工程は、前工程・後工程・検査管理工程と区分されている。
前工程は、ウェハー上にLSIチップを作る工程であり、前工程の前半部分は基板工程（フロントエンド）、後半部分は配線工程（バックエンド）と呼ばれる。
製造は前工程に渡すデータの作成から始まる。回路設計技術者が、要求される機能を定義し、必要な信号、入力・出力、および電圧を指定することから始まる。これらの電気回路仕様は、SPICEなどの電気回路設計ソフトウェアに入力され、出来上がったデータは出力され、コンピュータ支援設計（CAD）に使用されるものと同様の回路配線レイアウト プログラムに入力される。これは、フォトマスク製造用レイヤーを作成するために使われる。
基板工程（フロントエンド、FEOL）とは、トランジスタ電気回路を形成する工程のことである。洗浄、乾燥、イオン注入、熱処理、リソグラフィ、成膜、平坦化などのプロセスをくり返し行うことで回路を形成していく。
シリコンウエハーは、まっさらで純粋な状態からスタートし、クリーンルームで何層も回路を重ねて作る。
まず、シリコン基板の表面にフォトレジストを塗布し、一層目の回路を描いたフォトマスクに短波長の紫外線を照射してフォトレジストを感光させ、未露光部をドライエッチング、あるいはピラニア溶液でウェットエッチングしてフォトリソグラフィ処理をおこなったあとに超純水で洗浄し、スピン乾燥・IPA乾燥・マランゴニ乾燥(マランゴニ効果)などの方法で乾燥させる。
次に、目的の領域に薄膜形成用の原料ガスを注入し、高温で化学気相蒸着法（CVD）、物理気相成長法（PVD）、エピタキシャル成長法、スパッタリングなどの蒸着法で薄膜を形成する。また、高周波駆動のイオン源を用いて、O2や Oなどのイオンを正確なパターンで、特定の深さに集束イオンビーム法でイオン注入する場合もある。
これらの工程の中で拡散、酸化のための熱処理が、ファーネスアニール、ラピッドサーマルアニール（Rapid Thermal Anneal、RTA）、レーザーアニールなどの方法で行われる。
こうして一層目が形成されると化学機械研磨（CMP）法で平坦化処理が行われ完了する。
これらのステップを二層目、三層目と繰り返すことで必要な機能を実現するウェーハを製造する。この工程は、実現したい回路機能の複雑さに応じて何百回も繰り返されることがしばしばある。
配線工程（バックエンド、BEOL）とは、形成したトランジスタを配線する工程のこと。
後工程とは、LSIチップをパッケージ化する工程である。
ファブとは、これらのプロセスを達成する場所の一般的な用語である。多くの場合、ファブはインテル、テキサス・インスツルメンツ、フリースケール・セミコンダクタ（現在はNXPセミコンダクターズ）など、半導体チップを設計・製造・販売する会社が所有していた。
しかし、半導体設計会社から製造を受託して製造するファウンドリーが台頭してきて、製造分野では大きなシェアを有するようになっている。
主要なファウンドリーとしては、台湾積体電路製造(TSMC)、ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション(UMC)、グローバル・ファウンドリーズ、セミコンダクター マニュファクチャリング インターナショナル コーポレーション（SMIC）がある。
半導体素子

半導体素子（はんどうたいそし、英: semiconductor device）とは、半導体で作られた電子回路の構成要素である。半導体デバイスともいう。
種類ごとに電気的特性と機能を持っており、基本素子として整流機能を有するダイオード、増幅機能を有するトランジスタ、スイッチング機能を有するサイリスタ等がある。
またシステム的なものとして、トランジスタの論理回路を集積させて高度な演算機能を実現する集積回路（IC・LSI）、CCD・CMOSを利用した光電変換機能を集積した固体撮像素子などがある。
これらについて半導体素子・半導体デバイスは動作原理を表す概念的モデルから、具体的な製品まで、様々なレベルのものを指す。
コンピュータ、携帯電話等の電子機器でその中心的機能を担っている。さらに機械分野でも制御機能の高度化に伴い自動車や各種産業機器にも組込まれている。
世界の電子機器メーカーの半導体需要は2018年において4,766億ドルであった。
半導体素子が普及する以前は電気回路における能動素子として電子管（真空管など）が使われていた。
しかし半導体素子には次のような特徴があり、特定の用途・領域を除き電子管を代替した。
当初真空管に比べて不利とされていた弱点についても、それを補う方法が開発された。
2018年現在では単元素のシリコン、化合物半導体としてヒ化ガリウム(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、炭化珪素(SiC)等がよく用いられる。
半導体材料の伝導性は通常多数キャリア(majority carrier)（N型半導体では電子、P型半導体では正孔)の移動により発現する。多数キャリアの存在密度は結晶構造中の自由電子の過不足を生じさせる不純物に依存する。しかし、トランジスタなど多くの半導体素子では、動作するためには少数キャリア(minority carrier)N型半導体では正孔、P型半導体では電子が必要である。
半導体素子には、トランジスタ、ダイオード（整流器）、発光ダイオード(LED) 等がある。こういった単体の半導体素子は「ディスクリート半導体」（個別半導体）と呼ばれる個別部品として生産・使用されているが、多数の半導体素子を一括して作成した集積回路(IC, LSI) の方が流通量や産業規模としても大きな位置を占めている。集積回路になると、トランジスタやダイオードといった能動素子に加えて、抵抗やコンデンサといった素子も半導体素子として構築される。
パワーエレクトロニクスにおいては、電力機器用の電力用半導体素子があり、高電圧、高電流を扱うことができる。
2端子素子は通常「ダイオード」と呼ばれる。
素子のオン状態およびオフ状態を外部から与える信号によって任意に切り替えられることが出来るものを自己消弧素子という。
もっとも初期のタイプである。ゲルマニウムなどの半導体表面に針を刺して各端子にする物である。1945年にダイオードが、1948年にトランジスタが開発された。点接触形ダイオードは端子間容量が小さく、高周波特性が良いので検波用ダイオードとして広く用いられ、今日でも特定用途に生産されている。他方、点接触形トランジスタは、トランジスタ発明当時の姿であり、エミッタ端子とコレクタ端子との間隔を微小に保つことの困難さや、動作の不安定さなどからまもなく接合型トランジスタに取って代わられた。
この方式以外の半導体は、原則としてすべて接合型構造に分類される。
純粋な半導体の単結晶を溶融半導体中に入れ、ゆっくり引き上げ棒状に成長させるものである。
ゲルマニウムトランジスタ全盛期に一般的だった製法である。ゲルマニウムの薄いN型単結晶を、アクセプタとなるインジウム等の金属粒で両面から挟んで熱接合し、合金部分から拡散したアクセプタによってPNP構造を形成したもの。（NPN型もあったが、Siトランジスタでは使われなかったと思われる）
断面が台地（メサ）状で、厚み方向に電流を流すものである。PN接合ダイオードの場合PN、バイポーラトランジスタの場合PNP/NPN、サイリスタの場合PNPN構造を形成する。
2000年代では、大電力用パワーデバイスのみに使用されている。
同一平面上に端子用電極を形成したものである。電流経路を短くすることが可能で高周波特性が良いなどの特徴がある。
また、微細加工により多くの素子を並べて写真技術の応用で製造できるためばらつきが少なく大量生産に向く。この特徴を生かしてモノリシック集積回路が発明された。
ファブレスとは、自社内に製造部門を持たずに開発や設計を行い、他社に製造を委託すること、またはその会社を指す。詳細はファブレスを参照。
アナログ・デバイセズ

アナログ・デバイセズ（英:Analog Devices、NASDAQ:ADI）は、半導体デバイスを製造するアメリカの多国籍企業。特にADC、DAC、MEMS、DSPを主力としている。
アナログ・デバイセズは独立系の半導体企業として長く続く会社の1つである。1965年、レイ・ステイタ（Ray Stata） とマシュー・ローバー（Mathew Lorber）が設立した。1969年3月11日、株式公開を果たした。1979年にはニューヨーク証券取引所に上場。1990年8月、プレシジョン・モノリシック（英語版）を買収した。2017年3月、リニアテクノロジー（英語版）を買収した。2021年8月、マキシム・インテグレーテッドを買収した。
アメリカ国外の工場としては、ヨーロッパではアイルランドのリムリックにある工場が最大である。また、フィリピンに大規模な試験施設がある。
また、海外の設計開発センターが、エディンバラ（スコットランド）、メルボルン（オーストラリア）、ミュンヘン（ドイツ）、バレンシア（スペイン）、イスラエル、北京市と上海市（中国）、東京と名古屋と大阪（日本）、台北市（台湾）、バンガロールとハイデラバード（インド）などにある。
半導体工学

半導体工学（はんどうたいこうがく、英:semiconductor engineering）は、半導体素子の設計・製造、寿命などの性能評価、半導体を利用した計測などを取り扱う工学である。下記のように多様な技術が関係する。
半導体の示す様々な物性は、研究開発や製造時の特性評価などにも利用されるほか、多くは半導体の用途にも深く関係する。
半導体レーザー

半導体レーザー（はんどうたいレーザー、英語:semiconductor laser）は、半導体の再結合発光を利用したレーザーである。
同じものを指すのに、ダイオードレーザー(英語:diode laser)や、レーザーダイオードという名称も良く用いられLDと表記されることも多い。半導体の構成元素によって発振する中心周波数、つまりレーザー光の色が決まる。常温で動作するものの他に、共振器構造や出力電力によっては冷却が必要なものもある。
レーザーの発振には反転分布の形成が必要であるが、このための励起機構としては、半導体に数ボルトほどの電圧を印加することで電子を注入する方式が一般的である。基本的にはpn接合領域の両端から電子と正孔を加え、これらが再結合する時に光子の形でバンドギャップに相当するエネルギーを放出するのを利用する。量子井戸構造などを用いて電子と正孔を接合部の狭い領域に高密度に注入することで、最初の小規模に放出された光（＝電磁波）が次々と誘導放出を招くことで継続的に発光現象を生じさせ、雪崩のように光量が増す効果を利用している。誘導放出によって増幅された光は、共振器構造によって発光領域内を幾度も反射させられるため、光は同相状態で増幅されて定常的に発振し、位相の揃った光であるレーザー光がハーフミラーである端面から放射される。
一般的には、共振器を半導体基板と平行に作り込み、へき開した側面から光が出射する構造である。このような構造の半導体レーザを一般的に端面発光レーザー (Edge Emitting Laser,EEL) と呼ぶ。一方、光が半導体基板と垂直に出射する構造のレーザーを面発光レーザ(Surface Emitting Laser,SEL) と呼び、中でも共振器を半導体基板と垂直に作り込んだ面発光レーザは垂直共振器面発光レーザー（Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL、ビクセル）と呼ばれる。共振器を外部に持つ外部共振器型垂直面発光レーザー (VECSEL) も普及しつつある。
一言でいうと、半導体レーザーはレーザー発振の条件を満たしたLEDである。両者は半導体のPN結合に流れる電流のエネルギーで発光するなど、共通点が多く、発光用の電源回路などはほとんど同じものが利用できる。ただし、半導体レーザーは活性層構造とへき開面というキャビティ構造によって共振器を構成する必要があり、光の放射にはLDに特有の性質が伴う。
LEDの発光は波長や振幅にばらつきがあるが、LDでは比較的そのばらつきが少なく、ほとんど揃っていると言える。例えば赤外線発光LEDと赤外線発光LDで比較してみると、ピーク波長に対する相対光出力が50%となる波長の広がりは、LEDで900-970nmと70nm幅であるのに対して、LDでは807.5-808.5nm弱と1nm以下になっており、その比は70倍以上である。また、LDの光は波長だけでなく位相も揃っており、このような光は「コヒーレント光」と呼ばれる。コヒーレント光はレンズなどで収束させる場合でも色収差が起きないなど光学系の設計が単純なまま高精度に作れる利点があり、また、コヒーレント光同士が互いに干渉しあう性質から精密測定分野でも利用される。光の出力方向についても、LEDはある程度の広がりを持って出てくるが、ストライプ型LDでは出射端面が薄い板状なので、回折により楕円ビームが出射される。また、LDでは半導体材料の性質により発振に優位な方向の直線偏光となる。この方向は一般に活性層のストライプ方向である。LEDや他の大多数の発光装置では偏光がランダムな無偏光光が生じるが、LDの光は偏光を伴って出力される。
半導体レーザーは光による共振が生じることで発光するため、特定の値以上の電流が流れないとLEDと同じく自然放出光を出射する。これは「閾値電流特性」と呼ばれ、閾値電流以上の電流注入でレーザー光が出てくる。また、この閾値近くでの電流の増減では、極めて高い感度で光出力の切り替えが行えるため、GHz領域での変調も可能となっている。
LDは多くのLEDと同様にダブルヘテロ構造を備えた光学半導体であるが、LEDと異なりLDはへき開によって作られた活性層の片側が半反射する鏡（ハーフミラー）と高反射率の鏡面になっている。これらの反射面は屈折率の異なる層で構成されており、活性層を挟むクラッド層との境界面も同様に屈折率が異なるためにこちらは全反射して光が漏れにくい構造になっている。また、クラッド層の外部にはストライプ状の電極が備わっており、電界が加わる領域を細く限定している。ストライプ電極から5V程度の電圧が印加されることで電子がクラッド層を経由して活性層内を流れると、途中の原子は励起され自然放射によって最初の光子が放たれる。光子が周囲に放射されると今度は電界によって活性化されていた原子は誘導放射し、入射光と同じ波長、同じ位相の光が放たれる。最初の入射光はそのまま通過するので、誘導放射の過程での出射光は入射光よりも大きくなる。この反応は連鎖的に行われ光量は増すが、両端部の反射面との間を幾度も反射を繰り返しながら往復する光だけが強度を強めるので、やがて同じ波長（周波数）で同じ位相を持った光だけが主体となり、共振状態に至る。このような構造による共振器は「ファブリ・ペロー共振器」と呼ばれ、共振を起こす領域はクラッド層に挟まれた薄い活性層とストライプ電極の近傍、そしてへき開面の半反射鏡の内側に限定される。活性層はnmオーダーで作られるがストライプ電極などはμmオーダーであるため、光が誘導放射される領域は平たくなっている。
光はハーフミラーである一端から出射されるが、平たい領域から出るへき開面からの出射光も端面近傍では楕円形状となる。そして出射端面の開口が波長程度であるため光が回折し、すぐに放射光は楕円の向きが90度ねじれる。
発光ダイオードと同様に、基本的な発光色は半導体内部の電荷（励起状態の電子と正孔）が再結合する時のバンドギャップのエネルギー差によってほぼ決定される。光学半導体として良好に機能する元素の組み合わせは限られるために、発光色はまばらに存在しており、幾つかの波長領域は不得意である。赤色や青色の半導体レーザーは量産されているが、黄色や緑色、中赤外線 (2-5μm) は実用的な発光効率を得るのが困難な傾向にあり、そのような波長ではガスレーザーなど半導体以外の材質が用いられることが多い。それでも新たな技術が開発されることで、半導体レーザーの発光色は広がり発光効率も向上している。
近年では無機半導体と比較して高い分子設計自由度を特徴とする有機半導体の特徴を利用したレーザーの研究が進められ、2000年7月にベル研究所で発振に成功したと伝えられたが、これは後に捏造であると判明した。その後も他の研究機関や大学で研究は継続され、徐々に成果が出つつある
東京エレクトロン

東京エレクトロン株式会社（とうきょうエレクトロン、英:Tokyo Electron Limited）は、日本の東京都港区赤坂に本社を置く世界最大級の半導体製造装置メーカーの一つ。半導体製造装置およびフラットパネルディスプレイ製造装置を開発・製造・販売している。この分野でのシェアは国内首位、世界第3位（2021年現在）。国内半導体関連メーカーとして最大の時価総額および営業利益を誇る。日経平均株価およびTOPIX Core30、JPX日経インデックス400の構成銘柄の一つ。
以下の施設の命名権を取得している。