davidanugraha/M4-RAG huggingface dataset:
Wafer

Enélectronique, unwafer(littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériausemi-conducteurmonocristallinutilisée pour fabriquer des composants demicroélectronique.
En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Unwaferest un disque assez fin de matériausemi-conducteur, comme lesilicium, l'arséniure de galliumou lephosphure d'indium. Il sert de support à la fabrication de microstructures par des techniques telles que ledopage, lagravure, la déposition d'autres matériaux (épitaxie,sputtering,dépôt chimique en phase vapeur,etc.) et laphotolithographie. Ces microstructures sont une composante majeure dans la fabrication descircuits intégrés, destransistors, dessemi-conducteurs de puissanceou desMEMS.
Leswaferspeuvent être de différentes tailles depuis 25,4mmjusqu'à 300mmde diamètre pour une épaisseur de l'ordre de 0,7mm. La tendance est à l'utilisation dewafersles plus grands possible afin de pouvoir y graver davantage de puces simultanément et de limiter les pertes sur le bord de plaque, d'où une production accrue à moindre coût.
Ils contiennent généralement une marque de l'orientation duréseau cristallin: un ou deuxméplatdans le disque sur le côté, le plus souvent une simple encoche («notch» en anglais). Cette orientation a une importance car les cristaux ont des propriétés structurelles et électroniquesanisotropes.
On imprime lescircuits intégrés, les transistors et lessemi-conducteursde puissance sur ceswafersen quadrillage serré afin d'en mettre le plus possible sur un seulwafer. Les circuits sont généralement tous identiques sur un mêmewaferbien que certaines techniques permettent de placer des circuits différents, ce qui est utile lors des phases de conception.
Lionel Wafer

Lionel Wafer(1640-1705) est unboucaniergallois etcorsaireanglais actif dans les années 1670 et 1680, avec un statut dechirurgien, qui a raconté ses aventures dans deux ouvrages très populaires :Nouveau voyage autour du monde, contenant une description très exacte de l'isthme d'Amérique et toute la Nouvelle-EspagneetVoyage de Guillaume Dampier, aux Terres Australes, à la nouvelle Hollande.
Ces deux œuvres furent écrites avec son amiWilliam Dampier, qu'il avait rencontré en 1680 àCarthagèneet qu'il accompagna dans les expéditions deBartholomew Sharp. Avec les écrits d'Alexandre-Olivier Exquemelin,Raveneau de LussanetWilliam Dampier, qui partagèrent la vie des pirates, corsaires et boucaniers des Amériques, ceux de Wafer constituent un témoignage précis sur cette époque.
Quand les flibustiersJohn Coxonet Sharplancèrent un raidsurPanama Viejoet la mer du Sud (la côte Pacifique), William Dampier et Lionel Wafer furent les témoins directs de l’opération dont ils ont laissé des récits détaillés. Pour réaliser ce raid il fallait traverser l'isthme de Panama, où les flibustiers bénéficiaient de l’aide des indienskunasen conflit depuis un siècle et demi avec les espagnols. Dans les années 1680 à 1688, selon Wafer, les flibustiers se retrouvaient chaque année auRendez-vous de l'île d'Orpour traverser l'isthme et attaquer la côte pacifique.
En 1684, Wafer, blessé, fut débarqué sur les côtes du Panama, dans un lieu fréquenté par les indiensKunasoù il passa quatre mois avant d’être récupéré par ses compagnons.
En 1695, Lionel Wafer revint en Angleterre et publiaA New Voyage and Description of the Isthmus of America, qui fut traduit onze ans plus tard en français. Le manuscrit à peine rédigé, l'écossaissir William Patersonle consulta  avant de lancer son expédition à Panama, leprojet Darién.
Aoife Wafer

Aoife(ˈiːfʲə)Wafer, née le25 mars2003àBallygarrett(en)(Irlande) est une joueuseinternationale irlandaisederugby à XVqui évolue au poste detroisième ligne aile. Elle joue auBlackrock College RFCet représente la province duLeinster. Elle joue également avec la franchise fédérale desWolfhounds.
Née le25 mars 2003àBallygarrett(en)enIrlande, Aoife Wafer débute la pratique durugby à XVà six ans auGorey RFC(en). Elle pratique également lefootball gaélique. À quinze ans seulement, elle joue avec la sélection des moins de 18 ans duLeinster, dont elle est par la suite capitaine. Elle est également la première capitaine de l'histoire de la sélection nationale irlandaise des moins de 18 ans.
Elle fait ses débuts internationaux avec l'Irlandelors duTournoi des Six Nations 2022contre l'Italie, mais se blesse ensuite gravement aux ischios et passe plusieurs mois sans jouer.
Elle reprend la compétition début 2023 avec l'équipe des Combined Provinces XV, la franchise qui remporte la première édition duCeltic Challenge.
Enseptembre 2023, Aoife Wafer remporte le championnat inter-provinces avec le Leinster. En suivant, elle est sélectionnée pour la première édition duWXVorganisée àDubaï, et remportée par les Irlandaises. Elle dispute la dernière rencontre face à l'Espagne. 560 jours ont passé entre sa première et sa deuxième cape.
Elle est sélectionnée avec la nouvelle franchise desWolfhounds, qui remporte la deuxième édition duCeltic Challenge.
Sélectionnée pour leTournoi des Six Nations 2024, elle marque son premier essai international contre laFrance. Lors de la troisième journée, elle est nommée joueuse du match contre lepays de Galles. L'Irlande se classe troisième et Aoife Wafer est élue dans l'équipe type de la compétition. Après le Tournoi, elle est contactée par plusieurs clubs anglais, mais ne donne pas suite : elle souhaite jouer encore un peu en Irlande et par la même occasion faire une année d'études supplémentaire.
Sa saison 2024-2025 débute par une sélection pour jouer ladeuxième édition du WXV. Aoife Wafer dispute les trois rencontres et inscrit deux essais lors de la victoire historique face auxBlack Ferns.
Elle est étudiante enkinésithérapieauUniversity College Dublin. Sa petite sœur Orla joue également au Blackrock College RFC et est internationale moins de 20 ans.
Jeremy Wafer

Jeremy Wafer(né àDurbanen 1953) est unsculpteuretgraveursud-africain.
Jeremy Wafer naît àDurban, enAfrique du Sud, en 1953. Selon son biographie Loa Frost, il a« grandi dans une ferme deKwaZulu-Nataldans lesannées 1960, exposé à la matérialité des objets, et en conséquence, au pouvoir métaphorique des matériaux. »
Il explore ainsi les thématiques de la terre, des frontières, du territoire, de la propriété et de l'identité, matérialisant cela avec desinstallations artistiqueset de laphotographie aérienne, principalement.
Il obtient une licence en arts plastiques de l'université du KwaZulu-Natalen 1979 et un DEA en arts plastiques à l'université du Witwatersranden 1987.
Il dirige le département des beaux-arts de laTechnikon Natal(en)(université de technologie de Durban) de 1982 à 2004, où il enseigne et dirige le département des beaux-arts et d'histoire de l'art de l'université du Witwatersrand.
Il reçoit en 2004 le Brett Kebbel Art Award, et ses œuvres sont conservées dans des collections permanentes de musées tels que lemusée national d'art africain, leSmithsonian Institute(Washington DC), laIziko South African National Gallery(en)(Cape Town) et à laJohannesburg Art Gallery.
Jeremy Wafer est défini commesculpteuretgraveur.
Il a co-conçu le monumentMur de l'espoirsur le sida (avec Georgia Sarkin), dédié à la mémoire deGugu Dlamini(en), à Durban.
Représenté par la Goodman Gallery à Durban, il a notamment exposé à Paris, à laCité internationale des arts.
Fonderie (électronique)

Unefonderie(foundryen anglais) est, dans l'industrieélectronique, une entreprise spécialisée dans lafabrication des dispositifs à semi-conducteurs, dont les puces électroniques et travaillant pour le compte d'autres entreprises spécialisées dans leur conception. L'usine de production est aussi couramment désignée sous le nom defab(de l'anglaisfabrication plant).
Le cœur d'une « fab » réside dans sasalle blanche, une zone où l'environnement est contrôlé pour éviter toute micro-poussière et où la moindre micro-vibrationest proscrite. La salle blanche est remplie d'équipements très coûteux nécessaires aux nombreuses étapes de fabrication d'uncircuit intégréà partir de tranches de semi-conducteur (généralement dusilicium) appeléeswafer. Les étapes réalisées par la fonderie sont laphotolithographie, la gravure, ledopage, la diffusion et la métallisation.
Une fois toutes les étapes réalisées, lewaferest découpé (sciage) et chaque puce est mise en boîtier (les boîtiers sont généralement en plastique ou céramique). Ces étapes là ne se réalisent pas dans les « fabs » mais dans d'autres types d'usines dédiées à l'assemblage, qui sont nettement moins coûteuses (appelées couramment «back-end plant»).
Dans les années 1980-1990, les sociétés de fabrication decircuits intégrésinvestissaient dans leurs propres usines de fabrication, même pour de faibles volumes de production. Mais le coût d'une « fab » de dernière génération augmente continuellement et dépasse le milliard de dollars à partir de. Dans ces conditions, l'industrie s'est spécialisée et il est de plus en plus courant de voir émerger des sociétés ditesfablesset des sociétés dites de fonderie.
Les sociétésfablessn'ont pas d'outils de production et sous-traitent la fabrication de leurs puces aux sociétés de fonderie. Les fondeurs ne vendent pas de puces, mais deswafersdiffusés. Le sciage et la mise en boîtier sont sous-traitées à d'autres sociétés. C'est pourquoi ils n'apparaissent pas toujours dansle classement des 20 premiers fabricants de semi-conducteurs.
Il existe donc trois types de sociétés de semi-conducteurs :
De plus, il devient courant de voir des fabricants de circuits intégrés sous-traiter une partie de leur production à ces sociétés de fonderie. C'est par exemple le cas pourFreescale SemiconductorouPhilips. À l'inverse, certains fabricants de circuits intégrés (commeIBMetSamsung) proposent maintenant des services de fonderie à des sociétésfabless.
Desain prosesor

Desain prosesoradalah subbidangilmu komputerdanteknik komputer(fabrikasi) yang berhubungan dengan pembuatanprosesor, komponen kunci perangkat keraskomputer.
Proses desain melibatkan pemilihan set instruksi dan paradigma eksekusi tertentu (misalnya VLIW atau RISC) dan menghasilkan mikroarsitektur, yang dapat dijelaskan dalam misalnya. VHDL atau Verilog. Untuk desain mikroprosesor, uraian ini kemudian dibuat dengan menggunakan beberapa proses fabrikasi perangkat semikonduktor, menghasilkan cetakan yang diikat ke pembawa chip. Pembawa chip ini kemudian disolder ke, atau dimasukkan ke dalam soket, papan sirkuit cetak (PCB).
Mode operasi prosesor apa pun adalah pelaksanaan daftar instruksi. Instruksi biasanya mencakup instruksi untuk menghitung atau memanipulasi nilai data menggunakan register, mengubah atau mengambil nilai dalam memori baca/tulis, melakukan pengujian relasional antara nilai data dan untuk mengontrol aliran program.
Desain prosesor sering kali diuji dan divalidasi pada satu atau beberapa FPGA sebelum mengirimkan desain prosesor ke pabrik pengecoran untuk fabrikasi semikonduktor.
Front end of line (FEOL)

front end of line(FEOL) adalah bagian pertama darifabrikasiIC di mana masing-masing komponen (transistor, kapasitor, resistor, dll) dipola dalam substratsemikonduktor. FEOL umumnya mencakup semuanya hingga (tetapi tidak termasuk) pengendapan lapisan interkoneksi logam.
Dalam pembuatan IC, berbagai proses terlibat. Silikonnya berbentuk wafer tipis. Wafer Si mungkin berdiameter 200 mm dan tebal 0,45 mm, atau diameter 300 mm dan tebal 1 mm. Saat ini sebagian besar produsen menggunakan wafer 300 mm, sementara beberapa masih menggunakan wafer 200 mm. Jadi, wafer tipikal akan berukuran sebesar piring, tetapi ketebalannya lebih kecil. Bahannya rapuh dan karenanya harus ditangani dengan hati-hati. Meskipun ketebalan wafer setidaknya 0,45 mm, transistor dibuat dalam mikron pertama atau kurang. Jadi, hanya 0,1% dari seluruh ketebalan wafer yang digunakan. Sisanya digunakan terutama untuk kekuatan mekanik. Jika wafer dibuat dengan ketebalan yang lebih kecil, kemungkinan besar wafer akan mudah pecah saat dipegang. Atom silikon tersusun secara periodik dan ini disebut silikon kristal tunggal. Jika struktur kristal bersifat periodik untuk jarak yang pendek (misalnya mikron) tetapi jika terdapat putus pada jarak yang lebih jauh maka disebut polikristalin. Jika jarak antar atom bervariasi bahkan dalam jarak pendek, maka atom tersebut amorf. Untuk industri IC, silikon kristal tunggal digunakan sebagai bahan dasarnya.
Transistor dibuat pada wafer dengan menambahkan bahan tertentu (seperti boron atau fosfor). Kita akan mempelajari detailnya di bab-bab selanjutnya. Setelah transistor dibuat, transistor harus dihubungkan dengan benar menggunakan kabel penghantar. Kabel juga harus diisolasi. Jika tidak, akan terjadi korsleting dan chip tidak akan berfungsi. Dahulu alumunium digunakan sebagai bahan penghantar, namun kini tembaga digunakan sebagai konduktor. Ini disebut “interkoneksi”. Insulator yang digunakan sebelumnya adalah silikon di oksida, namun kini bahan baru yang disebut bahan “k rendah” digunakan dalam chip tingkat lanjut. Ini biasanya bahan organik, yang memiliki konstanta dielektrik rendah.
Pada jalur produksi, transistor dibuat terlebih dahulu baru kemudian dibuat interkoneksinya. Proses pembuatan transistor disebut Front End Of Line (FEOL) dan proses pembuatan interkoneksinya disebut Back End Of Line (BEOL). Meskipun transistor dibuat dalam satu tingkat (satu lapisan) wafer, interkoneksinya tidak dapat dibuat dalam satu tingkat, karena sambungannya sangat kompleks. Interkoneksi dibuat dalam 4 level atau lebih dan beberapa chip tingkat lanjut menggunakan hingga 9 level interkoneksi.
Untuk proses CMOS , FEOL berisi semua langkah fabrikasi yang diperlukan untuk membentuk elemen CMOS terisolasi:
Terakhir, permukaan diperlakukan untuk mempersiapkan kontak untuk metalisasi selanjutnya. Ini mengakhiri proses FEOL, yaitu semua perangkat telah dibuat.
Mengikuti langkah-langkah ini, perangkat harus dihubungkan secara elektrik sesuai jaringan untuk membangun rangkaian listrik. Hal ini dilakukan di bagian belakang baris (BEOL) . BEOL dengan demikian merupakan bagian kedua dari fabrikasi IC di mana masing-masing perangkat dihubungkan.
Very Large Scale Integration

Very-large-scale integration(VLSI) adalahprosespembuatansirkuit terintegrasi(IC) dengan menggabungkan jutaan atau milyarantransistorMOS ke dalam satu chip. VLSI dimulai pada tahun 1970an ketika chip sirkuit terintegrasi MOS (Metal Oxide Semiconductor) dikembangkan dan kemudian diadopsi secara luas, memungkinkan teknologisemikonduktordantelekomunikasiyang kompleks.Mikroprosesordanchip memoriadalah perangkat VLSI.
Sebelum teknologi VLSI diperkenalkan, sebagian besar IC memiliki fungsi terbatas yang dapat mereka lakukan. Sebuah sirkuit elektronik mungkin terdiri dari CPU, ROM, RAM dan logika lem lainnya. VLSI memungkinkan perancang IC untuk menambahkan semua ini ke dalam satu chip.
Boule (kristal silikon)

Bouleadalahingotkristaltunggal yang diproduksi dengan cara sintetis.
Satu boulesilikonadalahbahanawal untuk sebagian besarsirkuit terpaduyang digunakan saat ini. Dalam industri semikonduktor boule sintetik dapat dibuat dengan beberapa metode, seperti teknik Bridgman  danproses Czochralski, yang menghasilkan bahan berbentuk batangsilinder.
Dalam proses Czochralski, kristal benih diperlukan untuk membuat kristal yang lebih besar, atau ingot. Kristal benih ini dicelupkan ke dalam silikon cair murni dan diekstraksi secara perlahan. Silikon cair tumbuh pada kristal benih dalam bentuk kristal. Saat benih diekstraksi, silikon mengeras dan akhirnya terbentuk boule silindris yang besar.
Boule kristal semikonduktor biasanya dipotong menjadiwafermelingkar menggunakangergajiberlian lubang dalam atau gergaji kawatberlian, dan setiap wafer disusun dan dipoles untuk menghasilkan substrat yang sesuai untuk pembuatan perangkatsemikonduktorpada permukaannya.
Proses ini juga digunakan untuk membuatsafir, yang digunakan sebagai substrat dalam produksi LED biru dan putih, jendela optik dalam aplikasi khusus, dan sebagai penutup pelindung jam tangan.
Desain sirkuit terpadu

Desain sirkuit terpadu,desainsemikonduktor,desain chipataudesain IC, adalah sub-bidangteknik elektronik, yang mencakup teknik desain sirkuit dan logika tertentu yang diperlukan untuk merancangsirkuit terintegrasi, atau IC. IC terdiri darikomponen elektronikmini yang dibangun ke dalamjaringan listrikpada substrat semikonduktor monolitik denganfotolitografi.
Desain IC dapat dibagi menjadi kategori besar desain ICdigitaldananalog. Perancangan IC digital menghasilkan komponen sepertimikroprosesor, FPGA, memori (RAM, ROM, dan flash) dan ASIC digital. Desain digital berfokus pada kebenaran logis, memaksimalkan kepadatan sirkuit, dan menempatkan sirkuit sehingga sinyal jam dan waktu disalurkan secara efisien. Desain IC analog juga memiliki spesialisasi pada desain IC daya dan desain IC RF. Desain IC analog digunakan dalam desain op-amp, regulator linier, loop fase terkunci, osilator dan filter aktif. Desain analog lebih mementingkan fisika perangkat semikonduktor seperti penguatan, pencocokan, disipasi daya, dan resistansi. Ketepatan amplifikasi dan penyaringan sinyal analog biasanya sangat penting, dan akibatnya IC analog menggunakan perangkat aktif dengan area yang lebih luas dibandingkan desain digital dan biasanya kurang padat dalam sirkuit.
Wafer (elettronica)

Unwafer, inmicroelettronica, è una sottile fetta dimateriale semiconduttore, come ad esempio uncristallo di silicio, sulla quale vengono realizzati deichipodieconcircuiti integratiattraversodrogaggi(con diffusione oimpiantazione ionica), la deposizione di sottili strati di vari materiali, conduttori, semiconduttori o isolanti, e la loro incisione fotolitografica.
Sono fabbricati in diverse misure, che vanno da 25,4 a 300 mm, con uno spessore dell'ordine di 0,5 mm. Generalmente sono ricavati da unlingottodi materiale semiconduttore utilizzando una sega a filo; segue poi la lucidatura di una o entrambe le facce delwafer.
Sotto i 200 mm presentanoflat(bordi piatti) o indentature che indicano i pianicristallograficie che, neiwaferdi più antica costruzione, indicano l'orientamento e il tipo didrogaggio. Iwafermoderni utilizzano una tacca per fornire questa informazione, sprecando meno materiale.
L'orientamento è importante, dato che alcune proprietà elettroniche e strutturali di un singolo cristallo possono essereanisotropiche. Ad esempio, lasfaldaturadi unwaferavviene tipicamente in poche direzioni ben definite.
90 nm

Ilprocesso produttivo a 90 nm(90nanometri) è l'evoluzione del precedente processo a130 nmutilizzato per imicroprocessoriInteldai primi mesi del2004eAMDdai primi mesi del2005. Il termine "90 nm" indica la dimensione media delgatedi ogni singolotransistor. Per avere un'idea di cosa voglia dire "90 nm" basti considerare che ilvirusdell'HIVè grande circa 120 nm, unglobulo rossoumano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm.
Dal2002fino al2004l'obiettivo di passare ai 90 nm, ovvero scendere sotto la soglia per certi versi storica dei 100 nm (cioè passare dai decimi dimicron, ai centesimi) è diventato quasi uno slogan e certamente quasi una priorità. I primi prodotti costruiti con tale processo sono stati memorieRAMprima, eFlashpoi, più semplici di un processore; successivamente, affinato il processo, si è passati alla produzione delle CPU. Oltre alle già citate Intel e AMD anche altre aziende sono passate ai 90 nm, tra cuiIBM,Texas Instruments,Motorola,FujitsueTSMC.
I vantaggi nel passare a questo processo costruttivo e, più in generale, a cercare di migliorare sempre più la miniaturizzazione, sono molteplici: si va dal miglioramento della resa produttiva con conseguente abbattimento di costi (più un processore è "piccolo" e più processori possono essere fabbricati con un solo wafer), alla diminuzione del consumo elettrico, passando per la possibilità di integrare un numero di transistor sempre maggiore con conseguente aumento della potenza elaborativa. Inoltre più è piccolo il "gate" e più velocemente un transistor può commutare tra lo stato ON e OFF, indipendentemente dalclockeffettivo.
A 90 nm però, lo spessore dello strato isolante sopra un transistor è estremamente ridotto, e questo causa un fenomeno di elettro-migrazione, ovvero alcunielettroni"saltano" dall'altra parte dell'isolamento. In inglese questo fenomeno viene chiamato "leakage". Tale fenomeno provoca un aumento del consumo totale del processore e quindi anche un aumento di temperatura. In sostanza quindi aumentano notevolmente i problemi e diminuiscono i veri vantaggi, senza trascurare inoltre che processi costruttivi sempre più raffinati richiedono anche una sempre maggiore sofisticazione delle macchine necessarie a produrli.
Intel, più di ogni altro, si è dovuta scontrare con questi problemi con ilPentium 4Prescott, che scatenò subito diverse polemiche legate appunto al suo alto "leakage", e quindi all'enorme consumo. Tale problema dovrebbe risolversi con il futuro utilizzo, in processi costruttivi più evoluti, di una nuova versione della tecnologiaStrained silicone un nuovo strato isolante a bassa costante K (Low K dielectric). AMD invece ha adottato una diversa tecnica di produzione, diversa da quella "Strained silicon", chiamataSOI(acronimo di "Silicon On Insulator"): durante il processo di fabbricazione un sottile strato di ossido viene applicato sopra il wafer fungendo da strato isolante in modo da mantenere più facilmente gli elettroni all'interno della struttura del chip.
Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di65 nm.
Collegamento su wafer

Ilcollegamento su wafer, noto anche con l'espressioneinglesewafer bonding, è una cosiddettatecnologia di impacchettamentoa livello diwafer(wafer-level packagingtechnology) per la fabbricazione disistemi microelettromeccanici(microelectromechanical systems, MEMS), disistemi nanoelettromeccanici(nanoelectromechanical systems, NEMS), dimicroelettronicaeoptoelettronica, che garantisce un incapsulamento meccanicamente stabile ed ermeticamente sigillato. Il diametro dei wafer varia da 100 mm a 200 mm (da 4 pollici a 8 pollici) per gli MEMS/NEMS e fino a 300 mm (12 pollici) per la produzione di dispositivi microelettronici.
Nei sistemi microelettromeccanici (MEMS) e nanoelettromeccanici (NEMS), il pacchetto opackageè una parte importante del dispositivo. Esso migliora un funzionamento corretto e protegge le sensibili strutture interne dalle influenze ambientali quali temperatura, umidità, alta pressione e specie ossidanti. Perciò, la stabilità e l'affidabilità a lungo termine degli elementi funzionali, come pure una frazione significativa dei costi totali del dispositivo, dipendono direttamente dal processo di incapsulamento.In conclusione, ilpackagedeve soddisfare i seguenti requisiti:
I metodi di collegamento comunemente utilizzati e sviluppati sono i seguenti:
Il collegamento dei wafer richiede specifiche condizioni ambientali che possono essere generalmente definite come segue:
Il legame effettivo è un'interazione di tutte queste condizioni e requisiti. Quindi, la tecnologia applicata deve essere scelta rispetto al substrato presente e alle specifiche definite, come temperatura max sopportabile, pressione meccanica o atmosfera gassosa desiderata.
I wafer collegati sono caratterizzati allo scopo di valutare il rendimento di una tecnologia, la forza del collegamento e il livello di ermeticità, o per i dispositivi fabbricati o ai fini dello sviluppo di processo. Perciò, sono emersi diversi metodi per lacaratterizzazione del legame. Da un lato si usano metodi ottici non distruttivi per trovare crepe o vuoti interfacciali accanto a tecniche distruttive per la valutazione della forza del legame, come le prove di tensione o di taglio. Dall'altro lato si sfruttano le proprietà peculiari di gas accuratamente selezionati o il comportamento vibratorio dipendente dalla pressione di microrisonatori per le prove di ermeticità.
Litografia (elettronica)

Lalitografia(chiamata ancheelettrolitografiain caso di uso di unfascio ionico,litografia a fascio elettroniconel caso di impiego di un fascio di elettroni elitografia otticaofotolitografiaquando ci si avvale invece di unaluce ultravioletta, nomenclatura quest'ultima che crea però un'ambiguità con l'omonima tecnica di stampa delle immagini fotografiche) è un processo difabbricazione di dispositivi a semiconduttore, che include tutti i processi che sagomano o alterano le forme preesistenti sul materiale depositato. La regione non esposta viene rimossa dalla soluzione di sviluppo. Dopo l'etching ed altri possibili processi, il restante photoresist viene rimosso a secco mediante incenerimento inplasma(dall'ingleseplasma ashing) o più semplicemente dissolvendolo in un opportuno solvente.
In questa sezione vengono descritte le principali fasi di un processo litografico.
Ilwaferviene ricoperto tramiterivestimento per rotazionecon una sostanza chimica fotosensibile dettaphotoresist. Altre tecniche di deposizione meno usate sono lo spray-coating o ilRivestimento per immersione.
Nella scelta del resist è importante decidere se si vuole utilizzarne uno di tipo positivo o negativo. Uno dei più famosi è ilPMMA.
Ci sono principalmente due tecniche per esporre il resist: l'uso di un fascio di elettroni (litografia a fascio elettronico o EBL) o l'uso di fotoni. Il grande vantaggio della prima tecnica consiste nella quasi assenza di diffrazione, mentre il grande vantaggio della seconda è la sua velocità (quasi istantanea). Non a caso l'EBL è usata principalmente nei laboratori di ricerca, mentre la seconda è impiegata nella produzione di massa.
Nel caso della EBL il wafer coperto dal resist viene inserito all'interno di un microscopio elettronico che attraverso il fascio di elettroni come una penna disegna (distrugge i legami chimici del polimero).
Nel caso del utilizzo di fotoni il photoresist viene esposto mediante delle macchine opportune, dette mask-aligner o stepper, che allineano delle maschere (in genere di quarzo), focalizzano la radiazione ed espongono il photoresist ad unaradiazione ultraviolettadilunghezza d'ondaopportuna, in genere viene usata unalampada al mercurio.
Ci sono due principali metodi di rimozione del resist: "wet etching" e "dry etching"; il primo utilizza un bagno chimico, va quindi scelto un reagente adatto al tipo di materiale che si vuole rimuovere, mentre nel secondo il resist viene rimosso fisicamente da un bombardamento ionico, posizionando il dispositivo all'interno di unplasma. Ci sono poi metodi misti in cui gli ioni che collidono si legano chimicamente al resist, portandolo via grazie ad unaPompa a vuoto.
ASMインターナショナル

ASMインターナショナル（ASM International N.V.、通称ASM）は、ウェハー処理用の半導体プロセス装置を開発・製造する多国籍企業。オランダ・フレヴォラント州・アルメレに本拠を置き、世界14カ国に拠点を持つ。日本法人は日本エー・エス・エム株式会社。ユーロネクスト・アムステルダム上場企業（Euronext:ASM）。
1968年、起業家のArthur del Pradoにより設立され、ウェハー処理装置の販売を開始した。1975年、香港にグループ会社のASM Pacific Technologies（通称ASMPT）が設立され、ウェハー処理に加えてパッケージチップまでの半導体チップ製造の全ての段階に関与する体制が整えられた。設立初期からフィリップスの研究部門と提携を結び、1984年に同社との合弁で半導体露光装置を製造するASM Lithographyを設立した（1988年にASMLとしてスピンオフ）。1976年にアメリカ合衆国に現地法人を設立、1999年にフィンランドのトゥオモ・スントラが設立したMicrochemistryを買収し子会社化、ウェハー処理における原子層堆積技術（ALD）が強化された。最初の株式上場は1981年にNASDAQで行われたが、2015年以降はユーロネクスト・アムステルダムでの上場となっている。なおASMPTは1989年以降香港証券取引所に単独で上場しており、ASMIが株式の25％を保有している。
研究開発拠点はオランダ、ベルギー、フィンランド、アメリカ合衆国、韓国、日本にある。地域別の売上は、アジア地域が6割前後、アメリカ合衆国が4分の1前後であり、ヨーロッパ地域は1割前後となっている。
ASMIの日本法人「日本エー・エス・エム株式会社」（ASM Japan K.K.）は、1982年に設立され、現在は多摩市に本社オフィスを持つほか、川崎市麻生区にテクノロジーセンターを持つ。かつては長岡に工場を持っていたが、2021年に長岡工場は閉鎖され、日本で開発された枚葉式プラズマCVD装置の名器 Eagle10 含めレガシーツールの保守・サービス業務については株式会社アプトシステムズに委託されており、現在もアプトシステムズがEagle10の新規導入・SiC搬送対応・改造・調整・保守を継続サポートしている。
フォトリソグラフィ

フォトリソグラフィ（英語:photolithography）は、感光性の物質を塗布した物質の表面を、パターン状に露光（パターン露光、像様露光などともいう）することで、露光された部分と露光されていない部分からなるパターンを生成する技術。主に、集積回路、プリント基板、印刷版、液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルなどの製造に用いられる。
集積回路の製造においてフォトリソグラフィは次のように行われる。シリコン、ヒ化ガリウム等の半導体ウェハー上にフォトレジストと呼ばれる感光性有機物質を塗布し、ステッパーと呼ばれる露光装置を用いて、レチクルと呼ばれるフォトマスクに描かれた素子・回路のパターンを焼き付ける。以下、工程をさらに詳しく説明する。
シリコンウェハー上に、レジストと呼ばれる液体を、スピンコーターや吹きつけによって塗布する。レジストは光によって反応する化学物質を溶媒に溶かしたもので、感光した部分が溶解する「ポジ型」と、感光した部分が残る「ネガ型」がある。パターンの微細化にはポジ型が有利とされ、現在ではポジ型が主流である。また、KrFなどのエキシマレーザーを用いた露光の場合、露光強度が弱いため、化学増幅型フォトレジストが使用される。
レジストを塗布したウェハーを加熱し、レジストを固化する。
レジストに光を照射して反応させる。このとき、回路図の形状を描いたマスクを用い、光を照射する部分を制御することで必要な形状をレジスト上に描く。露光装置はかつてはマスクとウェハーを密着させ露光する等倍露光であったが、要求されるパターンが微細になるとともにマスクの作成が困難になってきたため、近年では実寸よりも大きく作成したマスクパターンをステッパーと呼ばれる装置を用いてウェハー上を移動させながら縮小投影露光する手法に変わってきた。パターンが微細化するほど短波長の光源が必要であり、現在は高圧水銀灯のg線（波長 436nm）、i線（波長 365nm）、KrFエキシマレーザー（波長 248nm）、ArFエキシマレーザー（波長 193nm）などが主流で、次世代の光源としてEUV光(波長 13.5nm:EUVリソグラフィ)が開発段階にある。またX線を光源に用いたり、電子線で直接レジスト上に描画する方法（電子線リソグラフィ）も存在する。
露光したウェハーを現像液に浸し、余分な部分のレジストを除去する。この過程ではじめて回路図のパターンがウェハー上に現れる。現像液はレジストを溶解する薬液が使用される。用いられる薬液には、レジストを溶解する有機溶剤の場合と、有機または無機アルカリの場合がある。現在の半導体用フォトリソグラフィでは、有機アルカリである水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH: tetra-methyl-ammonium-hydroxyde）の2.38wt%水溶液が主流となっている。これは、水酸化カリウム(KOH)などの無機アルカリでは金属イオンの工程への混入を避けられないためである。リンス液（主に超純水）で数回すすぎ、不要部分を完全に除去する。
付着したリンス液を加熱によって除去する。加熱により、ウェハーとの密着性が良くなる。
レジストで描かれたパターンを利用して、目的とする回路などを作成する。ウェハーに用いたものによって工程が異なり、不要な部分を除去したい場合はエッチングを、必要な回路を追加したい場合は成膜・リフトオフの工程となる。
ウェハーに単に凹凸を付けたい場合、あるいは元々ウェハー上にパターンが作成されていた場合などは、エッチングによって不要な部分を除去する。ドライエッチングとウェットエッチングが存在する。レジストの残っている部分はエッチングによって除去されないため、残したいパターンがウェハー上に形成される。最後に溶剤などによってレジストを完全に除去する。
ウェハー上に別の金属や酸化物などを付けたい場合は、真空蒸着やスパッタリング、CVDなどの手法によって成膜する。最後に溶剤などでレジストを除去する際に、レジスト上に成膜された材料も同時に除去される（リフトオフという）ため、ウェハー上に好みのパターンを追加することができる。
縮小露光系において分解能は、使用する光源の波長に依存する。縮小レンズの性能によってマスクの回折限界まで露光できるかが決まる。波長248～193nmの深紫外線を使用した場合は50nmの線幅まで露光できる。
露光系の最小線幅は以下の式で求まる:
ここで、各々の定数や変数の定義は以下のとおりである：
最小線幅は波長に依存すると同時に開口率にも依存する。開口率が大きくなるとレンズは大きくなり、ウェハーに接近する。これらの要素は互いに牽制する。現在では以下のようになる:
被写界深度はフォトレジストの断面の厚みに影響される。高分解能を得る為の前提として、化学的研磨によってウェハーの表面を平坦に磨き平面度を高める必要がある。
感光性の物質を塗布した基板をパターン露光し、現像して不要な部分を除去することで、フレキソ版、平版、水なし平版などの印刷版原版を作成することができる。版面を編集するコンピュータと露光装置を接続し、直接印刷版原版を作成することを、コンピューター・トゥ・プレート(computer to plate、CTP)という。また、平版印刷版の作成に用いられる、あらかじめ感光性物質を塗布したアルミ板を、PS版(pre-sensitised plate)という。写真や絵など原稿から、あるいは電子媒体からの製版工程が容易であるためPS版は広く普及している。
フォトリソグラフィ（photolithography）は、写真（photo）技術を用いて、基板に（絵や文字を含む）画像パターンを刻み込む技法（lithography）という意味である。「リソ（litho）」は石の意であり、石板に絵を刻み込んで平板印刷の刷版とする石版画（lithograph）と同一の概念であるが、石版画は画家が石板に直接描くペンキをマスクとして、非描画部の基板表面を酸処理し、親水化するのに対して、フォトリソグラフィでは、フォトレジストの現像で残った部分をマスクとして基板表面を酸処理する点が異なる。また印刷分野では、フォトリソグラフィにより刷版を作ることが印刷前の最終工程であるが、半導体分野では、膨大な数の工程ごとに使われる一つの（但し重要な）技術に過ぎない。
尚、日本では石版画を意味する"lithograph"は「リトグラフ」と読み、半導体分野での"lithography"は「リソグラフィ」と読むのが一般的である。かつてはフォトレジストをコダック社1社で供給していたため、KPR（Kodak photo resist）工程と呼ばれたり、PEP（photo engraving process）とも呼ばれたりした。
フォトリソグラフィやPEP技術は、日本語では「写真蝕刻」技術と訳される。印刷分野では写真などの画像を印刷するためにも用いられるため違和感が無いが、フォトマスクに写真画像を用いない半導体分野では違和感が大きいため、「光蝕刻」技術、「光リソグラフィ」と訳されることが多い。
尚、印刷分野では、写真を印刷するための技術だから「写真製版」技術だと勘違いされがちであるが、正しくは『写真技術を用いて製版する（刷版を作る）』ための技術であるから「写真製版」であり、これは「写真植字」（略称：「写植」）技術に由来する。この技術は1851年にフランス人科学者・エンジニアのAlphonse Louis Poitevinに開発され、現在に至る。
日本碍子

日本碍子株式会社（にほんがいし、英:NGK Insulators, Ltd.）は、愛知県名古屋市瑞穂区に本社を置く世界最大級のセラミックスメーカーである。電力用がいし・セラミックス製造を主力とする。本社ビルは隣接する名古屋市熱田区に所在。森村グループの一員。日経平均株価およびJPX日経インデックス400の構成銘柄の一つ。
通称表記は「日本ガイシ」。1986年（昭和61年）より使用している。
日本陶器（現・ノリタケ）からがいし製造部門を分割し、1919年（大正8年）設立。NGKの商標は自動車用スパークプラグにおいても知られているが、こちらは同じ森村グループの日本特殊陶業（Niterra）の製品に付されている。日特陶はかつて同社の一部門であったが、旧森村の一業一社主義により、1936年（昭和11年）に同社から分割され設立し現在に至る。
100万ボルト（1,000 kV）の超高圧送電線用のがいしを世界で唯一製造している企業である。
下水処理プラント等のエンジニアリング部門は以下に記す通り富士電機システムズとの合弁会社（メタウォーター株式会社）に移管、分社化した。
※ その他、石川県能美市にも事業所を構えている。
2007年（平成19年）3月15日、地域貢献と社名の普及を目的に、名古屋市総合体育館の命名権を名古屋市から取得した。2007年（平成19年）4月1日から5年間の契約で、総称の総合体育館に「日本ガイシ スポーツプラザ」、施設のレインボーホールに「日本ガイシホール」、レインボープール（夏季）・レインボーアイスアリーナ（冬季）に「日本ガイシアリーナ」、サン笠寺に「日本ガイシフォーラム」の愛称を付すこととなった。2017年1月17日に命名権を更新し、2022年3月31日までが期限となっている。
※ その他東海地方のテレビ局やテレビ朝日の深夜バラエティ番組で、ローカルスポンサーとしてつく場合が多い。
国内、海外合わせて55社の連結子会社がある。
また、2社の持分法適用会社がある。
上場している代理店としては、明治電機工業等がある。
日本ガイシは東京大学、一橋大学、京都大学の法学部学生対象に奨学金、生活費等の支援を行うとして募集をかけたことがある。しかし、それは学生の少なかった時期に行われていたため、日本ガイシの人事部の意向通りに進まなかった。
名古屋国税局の税務調査で、2005年3月期から2010年3月期までの5年間に亘り、総額で約160億円の申告漏れを指摘されていたことが、2012年5月になって発覚した。同国税局は、同社が本来申告すべき所得を海外の子会社に移転させたと判断したものだが、同社は「国税局の見解と隔たりがある」として、同国税局に異議申立てを行なっている。
2015年9月、アメリカで自動車部品の価格カルテルに関与したとして、アメリカ司法省から罰金6,530万ドル（日本円で約78億円）の罰金の支払いを命じられた。これを受け同社は、大島卓社長ら代表取締役の報酬のうち50%を3カ月間返上した。
ステッパー

ステッパー（英語:stepper）とは、半導体素子製造装置の一つで、縮小投影型露光装置のことである。シリコンなどのウェハーに回路を焼き付けるため、ウェハー上にレジストを塗布し、レチクルのパターンを投影レンズにより1/4から1/5に縮小して、ウェハー上を移動（ステップ）しながら投影露光する。1つの露光エリアを露光する際にレチクルとウェハと固定して露光する装置と、レチクルとウェハーを同時に動かして露光する装置とがある。前者を「アライナー」、後者を「スキャナー」と呼ぶことが多い。後者のタイプは特性の良いレンズ中心部分を使用して露光することができるので微細化に向いているが、レチクルとウェハーを精密に同期させて露光する必要があるため構造が複雑となり、装置の価格も高価である。また、近年の微細化に対応するために投影レンズとウェハーの間の空間を液体で満たす液浸という方式も実用化されている。なお、2019年現在、液浸には超純水が用いられている。液浸方式に於いては水のレジストへの影響を避けるためにトップコートと呼ばれる保護膜を塗布することが一般的である。トップコートの撥水性能が低いとステッパーの生産性を制約してしまうことから、薬液メーカによる撥水性能の開発競争が加速している。
なお、露光装置は要する精密制御技術、中核パーツである光学系と光源（レーザー）の技術（そして実は半導体全般）が軍事技術と深く繋がっているほど「史上最も精密な機械」、「兵器」とも言われる。一世を風靡したパーキンエルマー社の露光装置事業が米空軍の要請によって始まった経緯もあるし、今でも先端スキャナーの光源はワッセナー・アレンジメントで規制される。なので、戦前から存在する複数のメーカーが参加している現状はただの偶然ではない。
ステッパーの性能（最小線幅、単位時間毎の処理枚数）は半導体産業の競争力に直結するため、各社が鎬を削っている。
分解能は波長に比例し、開口数に反比例する。このため光源には可視光より波長が短い紫外線（エキシマレーザー）が用いられ、光学系を構成するレンズには紫外線の透過率が高い合成石英やフッ化カルシウムなどが使用される。また、近年実用化されつつあるEUV(極端紫外線）露光装置の光学系には、レンズの代わりにMo/Si製のミラーが用いられている。（EUVはレンズを透過しないため。）
近年の露光機はスキャンする形式になっている。スリットを通して露光しつつ、レチクルステージとウェハーステージを露光時に同時に互いに対向する方向に移動させることによって、（例えば9x25mmのスリットで35x25mmのエリアの露光ができる）分解能を維持した状態でより広い面積の露光を可能としている。
この方法による恩恵は、
の他多岐に渡るため、現在では（ラフ工程用の廉価版を除き）ステッパーの主流となっている。
利点は多いが、露光時にレチクルとウェハーを同時に同じ比率で移動させる必要（同期制御）があり、実現へのハードルも高かった。
ステッパーには扱う素材の高純度化・清浄維持・防振・短波長光学・微小計測など機械工学・制御工学・材料工学・光学など最先端の技術が投入されているため極めて高価で、そのため価格は試作用の小型機種でも数千万円、量産用のものでは数億円から数十億円に達する。2007年現在、最先端の液浸ステッパー装置は40億円から50億円程度であるとされ、半導体製造装置の中でも最も高価な装置である。
レンズの設計・製造技術・設備が必要とされるため、老舗の光学機器メーカーがシェアを独占している。
なおガラスに関してはカール・ツァイス、ニコン、キヤノンはオハラから供給を受けている。主な光源メーカーはアメリカのサイマー（英語版）と日本のウシオ電機、ギガフォトンなど。
2019年のステッパーの出荷額は9060億円で、出荷額ベースのシェアはASMLが81.2％、キヤノンが11.0％、ニコンが5.9％である。
Wafer

Waferya iku bahan dhasar saka komponènmicrosystem.Wafer lumrahé nduwéni wujud saka lempengan tipis kang dhapuré bunder lan anagarising salah siji pérangané.Lumrahé wafer digawé sakakristalsilikon.
Saka bahan dhasarpasirkang ngandhutsilikon oksida, banjur dibakar nganggokarbon.Iki gunané kanggo ngetokakéoksigènsaka silikon.Silikon kang ora murni iki banjur digawé murni kanthiprosès Siemensutawaprosès DuPont.Sawisé dadi murni amarga reaksikimiaiki, wafer banjur digawékristalkanthi salh sawijiné prosès kang diaraniprosès Czochralski.Carané kanthi diléléhaké lan dianyepaké kanthi cara muter alon-alon mendhuwur.Kanthi metode iki, maragaké pengotor alon-alon banjur pindah mengisor lan bakal dadi batangsilikonmurni kang dhapurésilinder.Sawisé prosès iki mandheg, panggonan kanggo nglelehaké silikon uga dadi rusoh amarga regedan kang menep mengisor.
Prosès Czochralskibisa optimal kanthi cara digawé ing ruwangan kang isinégaslan panggonan kang angél nggawé reaksi karo zat liyané kaya tagas muliaargonlanquartz.
Batang silikon kang dikethok-kethok dadi lempengan tipis kang dhapuré bunder kanthi piranti kanggo ngéthok kang teliti banget.Wafer kang wis dikethok banjur dipoles saéngga rata kaya kaca ngantiorde micrometer.Sawisé iku, wafer banjur siyap kanggo diproses dadiIntegrated Circuitutawa pirantimicrosystemliyané.
Kuwé ès kothak

Kuees krim(Amerika) utawakue ripple coklatutawalog(Australia) minangka salah sawijining jinis olahan arupa panganan cuci mulut sing biasane digawe nganggokrim, woh-wohan, kacang-kacangan, lanwaferlan dipasang ing kulkas. Tembung kasebut bisa ngrujuk menyang kategori masakan umum sing nduwe proses sing padha,lan versi sing kondhang yaiku resep paling apik ing Wafer Coklat Terkenal Nabisco sing tipis lan peteng.
Tuile

Tuileminangka salah sawijining olahanwaferpanggang, asale saka Prancis, umume di bentuk busur, wafer tipis, asri, legi, utawa gurih, sing paling asring digawe saka adonan (nanging uga bisa uga saka keju), asring disajikake kanggo masakan liyane.Tuileminangka tembung Prancis kanggo kothak, sawise bentuk jubin atap sing dipanggang arced paling asring mirip.Tuile umume ditambahake minangkahiasanpanganan cuci mulut kayatapanna cottautawa digunakake minangka cangkir sing bisa dipangan kanggosorbetutawaes krim.
Soklat batang

Soklat batangutawabar permen(sawetara dialek Inggris Amerika ) yaiku kuali sing ngemotcoklat, sing uga ngemot lapisan utawa campuran sing kalebu kacang,buah,karamel,nougat, lanwafer. Didol macem-macem merek coklat bar . Conto populer yaiku bar Snickers, sing kalebu nougat dicampur karo karamel lan kacang, ditutupi coklat susu. Pilihan macem-macem cemilan coklat utawa suplemen nutrisi sing padha diproduksi kanthi sumberproteinlanvitamintambahan, kalebubar energi, barproteinlanbar granola.
램 리서치

램 리서치 주식회사(Lam Research Corporation)는반도체제조장비를 개발, 생산, 판촉하는미국의 대기업이다.1980년중국계 미국인공학자 데이비드 람(David K. Lam)이 설립하였다.
박막도포, 에칭, 웨이퍼 세척이 램 리서치의 주요 사업이다.
램 리서치는미국외에도오스트리아,대한민국에 생산시설을 두고 있다.2019년 대한민국에 R&D 시설을 구축하였다.
OCI (기업)

OCI는재생 가능 에너지(Renewable Energy),무기화학, 석유화학 및 카본소재, 정밀화학, 단열재, Sapphire Ingots 분야에서카본 블랙, 핏치,TDI,과산화 수소, 소다회, 흄드실리카(fumed silica), 단열재, LED용 사파이어 잉곳을 비롯하여 반도체웨이퍼및태양 전지의 핵심원료인 폴리실리콘 등을 생산, 판매하고 있으며 수출 비중이 70% 이상을 차지하는 글로벌 화학 기업이다.
산하에 생활용품 기업으로 옥시를 두고 있었으나,2001년3월 13일매각 대금 1,625억 원의 조건으로영국의 생활용품업체인레킷벤키저에 매각했다.단, 엔진첨가제 브랜드인 불스원샷은 불스원이라는 별도의 법인으로2001년6월 12일에 분사했다.
폴리실리콘(Polysilicon)은 잉곳, 웨이퍼, 태양전지, 모듈, 시스템으로 이어지는 태양광산업 벨류체인의 맨 앞에 위치한 핵심기초소재로써, 초고순도(9-nine)의 첨단기술이 요구되는 제품이다. OCI는 지속적인 연구개발과 투자를 통해 2008년 9-nine급 폴리실리콘 상업생산에 성공하였으며, 현재 전 세계 주요 고객들에게 10-nine급과 11-nine급 초고순도 폴리실리콘을 공급하고 있다.
각종 산업분야의 필수적인 원재료로 사용되는 무기화학제품을 생산하여 관련산업계의 발전에 적극적으로 대처하고 원활한 원료 공급처 확보와 제품의 품질 향상을 꾀하고 있다. 반도체 및 각종 특수시약, 과산화수소, 과탄산소다, 흄드실리카를 생산하고 있다.
1976년 대한민국 최초로 콜타르공장을 준공하였고 1978년에 핏치공장과 이듬해에 나프탈렌 및 타르산 공장, 그리고 1981년에 카본블랙 공장을 준공하여 석유계 및 철강부산물을 사용한 각종 화학제품을 생산하고 있고, BTX, 카본블랙, 무수프탈산, 가소제, TDI 등 석유화학 사업의 다각화 및 수직계열화를 이루었다. 전기,전자,자동차,건설,섬유산업 등 각종 산업의 주요 원료를 생산 공급하고 있다.
ENERVAC(Fumed Silica Vacuum Insulation Panel)은 흄드실리카를 주원료로 하여, 진공 등 특수처리를 통하여 열전도율 0.0045w/mk이하의 단열 성능을 갖는 신개념 단열재이다. 특히 흄드실리카를 주원료로 제조된 심재에 특수 재질의 외피를 적용하여 고 진공의 조건을 형성함으로써, 공기 흐름 및 흡수되는 수분으로 인한 열 전달을 방지하는 고기능 친환경 FS진공 단열재를 생산하고 있다.
알루미나(AL203)의 단결정 형태로 LED산업 벨류체인의 핵심기초소재이다. LED효율에 직접적으로 영향을 미치는 첨단기술이 요구되는 분야 및 영상기기, 조명등의 표시소자로 넓게 이용되는 LED용으로 수요가 급증하고 있다.
1984년 동양화학공업 생활용품사업부
제철화학 시절인1992년10월PVC 창호재 사업을 시작했고제철화학은 그 이후 상호명(포스코켐 -> 거평제철화학 -> 제철화학)과 모체(포항제철 -> 거평그룹 -> 한아름종합금융 -> 동양화학)가 여러 차례 바뀌었으며2001년5월동양화학에 흡수합병되어 동양제철화학으로 상호변경된 데다2009년4월해당 사명으로 바뀌었음에도사업다각화 측면에서 한동안 진행했으나수익성 측면에서 도움이 되지 않는다고 판단하여2009년7월대신제철화학(현재 윈체)에 사업을 양도했다.
1970년 동양화학공업(현 OCI)이 한전농약, 신상록화학, 중앙농약 등 3개 농약회사를 인수, 농약사업에 진출, 1997년,노바티스가 서울종묘를 3,200만 달러에 인수, 1998년 동양화학공업은 농약사업부를 노바티스에 매각 서울종묘와 통합하여 노바티스 아그로 코리아 출범, 2000년 노바티스 작물보호 및 종묘 부문이 신젠타로 분리됨에 따라 노바티스 아그로 코리아가 신젠타 코리아로 출범함
ASML

ASML 홀딩 N.V.(영어:ASML Holding N.V.)은반도체제조용광학노광공정 장치를 만드는네덜란드굴지의다국적 기업이다.극자외선(EUV)노광 장치를 독점하는 기업으로 널리 알려졌다.
ASML에서 생산하는 광학 노광(영어:Photolithography포토리소그라피) 공정 장비는집적 회로의 패턴을 그릴 때 사용한다. 패턴은 광학적 이미징을 통해 감광 물질이 코팅된실리콘웨이퍼위에 만들어진다(포토레지스트영어:Photoresist공법). 이러한 절차는 싱글 웨이퍼 위에 수십번 되풀이된다.
2010년집계에 따르면 ASML의 반도체 리소그래피 공정 장치 점유율은 67%에 달하였다. 경쟁 업체로는캐논,니콘이 있으나 이들과 기술력 차이를 크게 벌렸으며, 특히 기술적 난점이 많은 EUV 노광 장치 개발 성공으로 최고의 반도체 제조 장치 업체로 꼽히던어플라이드 머티어리얼즈의 시가총액을 추월하였다.
ASML은네덜란드필립스와 필립스에서 분사된 반도체 제조장비 기업ASMI의 합작회사로1984년설립되었다. ASML이라는 사명은 'ASMLithography'의 약어에서 비롯되었다.1988년독립하였으나필립스는 일부 지분을 계속 보유하였다.
2012년미국인텔은극자외선리소그래피 공정 개발을 위해 ASML 지분 15%를 인수하며 41억달러를 투자하였다.중화민국TSMC,대한민국삼성전자도 비슷한 이유로 지분을 투자하였다. ASML은2017년한 해동안 12대의 EUV 장비를 출하하였다.
2019년ASML의 EUV 노광장비중화인민공화국수출을미국 연방 정부가 고급 기술 유출 방지를 이유로 막고 있다는 내용이 보도되었다. 이 보도에 대해 ASML은 네덜란드 정부의 수출허가를 기다리는 것일 뿐이라고 답하였다.
두산테스나

두산테스나(Doosan Tesna Inc.)는 반도체 후공정 분야 웨이퍼 테스트 대한민국의 기업이다.카메라이미지센서 (CIS)와 무선통신 (AP/RF) 등 주요 반도체 제품들의 후공정 테스트 사업을 전문으로 한다.
웨이퍼 레벨 패키징

웨이퍼 레벨 패키징(Wafer-level packaging, WLP)은IC가 제조되는웨이퍼가 절단되기 전에 패키징 구성 요소를 집적 회로(IC)에 부착하는 프로세스이다. WSP에서는 패키징의 상단 및 하단 레이어와 솔더 범프가 웨이퍼에 있는 동안 집적 회로에 부착된다. 이 공정은 패키징 부품을 부착하기 전에 웨이퍼를 개별 회로(다이스)로 절단하는 기존 공정과 다르다.
WLP는 본질적으로 진정한 칩 스케일 패키지(CSP) 기술이다. 결과 패키지가 실제로 다이와 동일한 크기이기 때문이다. 웨이퍼 레벨 패키징을 사용하면 웨이퍼 팹, 패키징, 테스트, 번인을 웨이퍼 레벨에서 통합하여 실리콘 시작부터 고객 배송까지 장치가 수행하는 제조 프로세스를 간소화할 수 있다. 현재 웨이퍼 레벨 패키징에 대한 단일 업계 표준 방법은 없다.
WLP의 주요 응용 분야는 (크기 제약으로 인해)스마트폰이다. 예를 들어, 애플의아이폰 5에는 최소 11개의 WLP가 있고,삼성 갤럭시 S III에는 6개의 WLP가 있으며,HTC 원 X에는 7개가 있다. 스마트폰에서 WLP가 제공하는 기능으로는 센서, 전원 관리, 무선 등이 있다.실제로 최근 아이폰7은 더 얇고 가벼운 모델을 구현하기 위해 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징 기술을 적용할 것이라는 소문이 돌았다.
WL-CSP(웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키징)는 현재 시장에서 가장 작은 패키지로 ASE(Advanced Semiconductor Engineering)와 같은 OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test) 회사에서 생산된다.WL-CSP 또는 WLCSP 패키지는다이의 핀이나 접점을 재배열하여 충분히 크고 공간을 확보할 수 있도록 재분배 레이어(RDL, 인터포저 또는입출력피치)가 있는 베어 다이이다. BGA(볼 그리드 배열) 패키지처럼 처리된다.
웨이퍼 레벨 패키징에는 팬인(Fan-in)과 팬아웃(Fan-out)의 두 가지 종류가 있다. 팬인 WLCSP 패키지에는 다이와 동일한 크기의 인터포저가 있는 반면, 팬아웃 WLCSP 패키지에는 기존 BGA 패키지와 유사하게 다이보다 큰 인터포저가 있다.차이점은 인터포저가 내장되어 있다는 것이다. 다이를 다이 위에 직접 부착하고 플립 칩 방식을 사용하여 리플로우하는 대신 다이 바로 위에 있다. 이는 팬인 WLSCP 패키지에서도 마찬가지이다. 두 경우 모두 인터포저가 있는 다이는에폭시와 같은 캡슐화 재료로 덮일 수 있다.
2015년 2월,라즈베리 파이2의 WL-CSP 칩에 칩 내에서광전 효과를 유발하는 크세논 플래시(또는 기타 밝은 장파광 플래시)에 문제가 있는 것으로 밝혀졌다.따라서 웨이퍼 레벨 패키징에서는 매우 밝은 빛에 대한 노출을 신중하게 고려해야 한다.
앰코 테크놀로지

앰코 테크놀로지 주식회사(영어:Amkor Technology, Inc.)는미국의 반도체 제품 포장 및 테스트 서비스 제공 업체이다.
김향수 명예회장이1968년에대한민국최초로 반도체 사업에 착수한 아남산업이 시초.앰코 테크놀로지 코리아참고.
해외 지사는중국,일본,말레이시아,필리핀,포르투갈,대만,베트남 등에 위치하고 있으며, 2023년 현재 전 세계적으로 약 30,000명의 직원이 있다.
현재 세계적인 반도체 업계의 선두주자이며, 칩 제조사용 집적회로(IC)를 패키징해 테스트를 사업을 하며, 열압축과 웨이퍼 레벨 패키징으로 칩 조립에 대한 경쟁력을 갖추기로 유명하다.
2016년2월에는 일본 최대 아웃소싱 반도체 조립 및 테스트 업체인J-Devices Corp.를 인수하였다.
2018년9월에는 대만의 롱탄 과학단지에 제조 및 시험 공장을 열었다.
Полупроводниковая пластина

Полупроводнико́вая пласти́на—полуфабрикатвтехнологическом процессе производстваполупроводниковых приборов,микросхемифотогальванических элементов.
Изготавливается измонокристалловгермания,кремния,карбида кремния,арсенидаифосфида галлияи других полупроводниковых материалов.
Представляет собой тонкую (250—1000мкм) пластину диаметром в современных технологических процессах до 450 мм, на поверхности которой с помощью операцийпланарной технологииформируется массив дискретных полупроводниковых приборов илиинтегральных схем.
После создания массива необходимых полупроводниковых структур пластину после надсечки по линиям разлома алмазным инструментомразламывают на отдельные кристаллы(чипы).
Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Кремниевые пластины изготавливаются из сверхчистого (чистота порядка 99,9999999 %)монокристалла кремния с низкой концентрацией дефектов идислокаций. Монокристаллы кремния выращиваютсяметодом Чохральскогос последующей очисткойметодом зонной плавки.
Затем монокристалл разрезается на тонкие пластины стопкой алмазных дисков с внутренней режущей кромкой или проволочной пилой с использованием суспензии алмазной пыли, распил ведут параллельно определённойкристаллографической плоскости(для кремния это обычно плоскость {111}). Контроль ориентации распила относительно кристаллографической плоскости производятрентгеноструктурным методом.
После распиливания монокристалла пластины подвергают механическойшлифовкеиполировкедо оптическойчистоты поверхностии завершают подготовку поверхности химическим стравливанием тонкого слоя для удаления микротрещин и дефектов поверхности, оставшихся после механической полировки.
Далее в большинстве технологических процессов на одну из поверхностей пластины наносятэпитаксиальным методомтонкий слой сверхчистого кремния со строго заданной концентрацией легирующей примеси. В этом слое в последующих технологических операциях формируют с помощьюдиффузиипримесей, окисления, напыления плёнок, структуры множества полупроводниковых приборов или интегральных микросхем.
Диаметры круглой пластины:
Наиболее популярные размеры по состоянию на 2011 год: 300 мм, 200 мм, 150 мм. Наиболее современные техпроцессы (начиная примерно со 130 нм) по изготовлению СБИС обычно используют 300-мм пластины.
Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы, твердотельные приборы, ПП— широкий классэлектронных приборов, изготавливаемых изполупроводников, и использующих их свойства в основе своего принципа работы.
К полупроводниковым приборам относятся:
Исследование и первые попытки создания полупроводниковых приборов проводилисьв СССРещё в 1920-х — 1930-х годах. В 1924 году в Нижегородской радиолаборатории учёныйО. В. Лосевсоздал полупроводниковыйдетектор-усилитель и детектор-генератор электромагнитных излучений на частоты до десятков МГц. На этой основе впервые в мире было создано детекторное приёмопередаточное устройство —кристадин.
Позже в СССР для развития отрасли были созданы научно-исследовательские институты и центры. В 1956 году введён в эксплуатацию Завод полупроводниковых приборов. Среди продукции завода на то время — пальчиковые лампы широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы, первые полупроводниковые диоды Д2, диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11,стабилитроныД808-813.
Холдинг «Росэлектроника» объединяет предприятия-производители электронной продукции.
При изготовлении микросхем используется методфотолитографии(проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют наподложке(обычно изкремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.
Степпер

Степпер(англ.stepper) —литографическая установка(фотолитограф), использующаяся приизготовленииполупроводниковыхинтегральных схем. На них проводится важнейший этап проекционнойфотолитографии— засветкафоторезистачерез маску (принцип работы схож сдиапроекторамиифотоувеличителями, однако степперы уменьшают изображение с маски (фотошаблона), обычно в 4—6 раз). 
В процессе работы степпера рисунок с маски многократно переводится в рисунок на различных частях полупроводниковой пластины.
Также могут называться «установки проекционногоэкспонированияимультипликации», «проекционная система фотолитографии», «проекционная литографическая установка», «установка совмещения и экспонирования».
Своё названиестеппер(отангл.step— шаг) получил из-за того, что каждое экспонирование производится небольшими прямоугольными участками (порядка нескольких см²); для экспонирования всей пластины её передвигают шагами, кратными размеру экспонируемой области (процессstep-and-repeat). После каждого передвижения проводится дополнительная проверка правильности позиционирования.
Работа степпера над каждой полупроводниковой пластиной состоит из двух этапов:
Современные литографические установки могут использовать не шаговый, а сканирующий режим работы; они называются«сканнеры»(step-and-scan). Они при экспонировании передвигаются в противоположных направлениях и пластина и маска, скорость сканирования масок до 2000 мм/с, пластины — до 500 мм/с. Луч света имеет форму линии или сильно вытянутого прямоугольника (например использовались лучи с сечением 9×26 мм для экспонирования полей размером 33×26 мм).
В конце 2010-х ширина полосы засвета составляла около 24-26 мм, длина засвечиваемой области до 33 мм (требованияITRS— 26×33 мм для 193-нм оборудования). Типичные размеры маски — около 12×18 см, масштабирование в 4 раза.
Для загрузки и выгрузки пластин и масок, современные степперы используют контейнеры стандартовSMIFиFOUP.
М. Макушин приводит следующие характеристики рынка литографического оборудования в 2010 году
В среднем, стоимость установок растет экспоненциально с 1980-х годов, удвоение цены происходит каждые 4,5 года.
Мировые лидеры:
Ранее степперы и сканеры выпускались также компаниямиASET,Cameca Instruments, Censor AG,Eaton,GCA,General Signal,Hitachi,Perkin-Elmer,Ultratech.
В СССР степперы выпускались в Минске. В 1971 году было образовано научно-производственное объединение "Планар" во главе с КБТЭМ. В 1973 году на "Планаре" был разработан первый степпер модели ЭМ-542. Белорусское ОАО "Планар" продолжает выпускать степперы для российских заказчиков