Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.​ Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor más usado es el silicio,​ seguido del germanio, aunque presentan un idéntico comportamiento las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (galio-arsénico, fósforo-indio, arsénico-galio-aluminio, telurio-cadmio, selenio-cadmio y azufre-cadmio). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica sp.
Los dispositivos semiconductores pueden presentar una serie de propiedades útiles, como pasar la corriente más fácilmente en una dirección que en otra, mostrar una resistencia variable y ser sensibles a la luz o al calor. Dado que las propiedades eléctricas de un material semiconductor pueden modificarse mediante el dopaje o la aplicación de campos eléctricos o luz, los dispositivos fabricados con semiconductores pueden utilizarse para la amplificación, la conmutación y la conversión de energía.
La conductividad del silicio se aumenta añadiendo una pequeña cantidad (del orden de 1 a 10) de átomos pentavalentes (antimonio, fósforo o arsénico) o trivalentes (boro, galio, indio). Este proceso se conoce como dopaje y los semiconductores resultantes se conocen como semiconductores dopados o extrínsecos. Aparte del dopaje, la conductividad de un semiconductor puede mejorarse aumentando su temperatura. Esto es contrario al comportamiento de un metal en el que la conductividad disminuye con el aumento de la temperatura.
La comprensión moderna de las propiedades de un semiconductor se basa en la física cuántica para explicar el movimiento de los portadores de carga en una red cristalina.​ El dopaje aumenta en gran medida el número de portadores de carga dentro del cristal. Cuando un semiconductor dopado contiene huecos libres se denomina tipo p, y cuando contiene electrones libres se conoce como tipo n. Los materiales semiconductores utilizados en los dispositivos electrónicos se dopan en condiciones precisas para controlar la concentración y las regiones de los dopantes de tipo p y n. Un solo cristal de dispositivo semiconductor puede tener muchas regiones de tipo p y n; las uniones p-n entre estas regiones son las responsables del comportamiento electrónico útil. Utilizando una sonda de punto caliente, se puede determinar rápidamente si una muestra de semiconductor es de tipo p o n.​
Algunas de las propiedades de los materiales semiconductores se observaron a mediados del siglo XIX y en las primeras décadas del siglo XX. La primera aplicación práctica de los semiconductores en electrónica fue el desarrollo en 1904 del detector de bigotes de gato, un primitivo diodo semiconductor utilizado en los primeros receptores de radio. Los avances de la física cuántica condujeron a su vez a la invención del transistor en 1947,​ el circuito integrado en 1958 y el MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) en 1959.
Los semiconductores reemplazaron a los tradicionales tubos eléctricos en la industria desde mediados del siglo XX, gracias a qué estos presentaban muchas mejoras, tales como la minimización de tamaño, consumo de energía y costo, así como la maximización de la durabilidad y confiabilidad; lo que significó una revolución en el sector de la electrónica y la informática.
En 1782 el término semiconductor fue utilizado por primera vez por Alessandro Volta, y la primera observación documentada sobre el efecto producido por los semiconductores fue la de Michael Faraday en el año de 1833, quien notó que el sulfuro de plata disminuía su resistencia si la temperatura bajaba, a diferencia de lo que se había observado en los metales. Sobre esto se publicó un extenso análisis en 1851, en donde se hablaba de la dependencia de la conductividad eléctrica del sulfuro de plata y el sulfuro de cobre(I).​
En 1878 Edwin Herbert Hall descubrió que los portadores de carga eléctrica en sólidos son desviados del campo magnético, este fenómeno fue conocido con el nombre de efecto Hall, y fue utilizado posteriormente para estudiar las propiedades de los semiconductores.
Unos años después del descubrimiento de Hall, en 1905, otro físico, John Ambrose Fleming se sumergió en la búsqueda de un detector de señales eléctricas y desarrolló el diodo de vacío, lo que se conoce hoy en día como el primer dispositivo electrónico. Poco tiempo después, más específicamente en 1907 Lee de Forest inventó el triodo, un dispositivo que no solo detectaba señales eléctricas, sino que también era capaz de amplificar señales tan solo añadiendo un tercer electrodo a la válvula.
Hacia 1915 aproximadamente se comienza a usar el cristal de galena como detector de señales, y a principios de los años 20 se empiezan a utilizar los rectificadores de selenio y de óxido de cobre y a su vez, las válvulas de radio sustituyen el detector de cristal.
Entre 1920 y 1940, por un lado se desarrolla el tetrodo y el pentodo, y los físicos elaboran teorías que explican algunos de los fenómenos descubiertos hasta entonces.
En 1923 el físico alemán Walter H. Schottky publica la teoría de los rectificadores secos, esta es la primera contribución al estudio teórico de los semiconductores. En esta teoría se aprecia que el uso de la mecánica cuántica resulta indispensable.
En 1928 Vladimir Zworykin desarrolla un dispositivo capaz de transformar una imagen óptica en una corriente eléctrica: el iconoscopio. Poco después este tubo sufre modificaciones y así se obtiene el tubo disector de imagen, en el cual la imagen se consigue a base de presentarla línea a línea en lugar de punto a punto. En 1945 la televisión se empieza a comerciar en Norteamérica.
La industria electrónica se desarrolla vertiginosamente y surgen técnicas de miniaturización y empleo de materiales robustos y ligeros en los dispositivos electrónicos.​
En 1947 John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, elaboraron el primer transistor, el cual estaba constituido de germanio con algunos contactos eléctricos sobrepuestos, el cual mejoró el funcionamiento de la válvula termoiónica usada como instrumento de control, amplificación y generación de señales electrónicas, gracias a estos aportes fueron acreedores al Premio Nobel en el año 1956.​
Los semiconductores en su estado natural son malos conductores porque una corriente requiere el flujo de electrones, y los semiconductores tienen sus bandas de valencia llenas, impidiendo todo el flujo de nuevos electrones. Varias técnicas desarrolladas permiten que los materiales semiconductores se comporten como materiales conductores, como el dopaje o el gating. Estas modificaciones tienen dos resultados: tipo n y tipo p. Se refieren al exceso o a la escasez de electrones, respectivamente. Un número desequilibrado de electrones provocaría el paso de una corriente a través del material.
Las heterouniones se producen cuando se unen dos materiales semiconductores con dopaje diferente. Por ejemplo, una configuración podría consistir en germanio dopado con p y dopado con n. Esto da lugar a un intercambio de electrones y huecos entre los materiales semiconductores con diferentes dopajes. El germanio dopado con n tendría un exceso de electrones y el germanio dopado con p tendría un exceso de huecos. La transferencia se produce hasta que se alcanza un equilibrio mediante un proceso llamado recombinación, que hace que los electrones que migran del tipo n entren en contacto con los huecos que migran del tipo p. El resultado de este proceso es una estrecha franja de iones inmóviles, que provoca un campo eléctrico a través de la unión.
Una diferencia de potencial eléctrico en un material semiconductor hace que éste abandone el equilibrio térmico y cree una situación de no equilibrio. Esto introduce electrones y huecos en el sistema, que interactúan mediante un proceso llamado difusión ambipolar. Siempre que se altera el equilibrio térmico en un material semiconductor, cambia el número de huecos y electrones. Estas alteraciones pueden producirse como resultado de una diferencia de temperatura o de fotones, que pueden entrar en el sistema y crear electrones y huecos. El proceso de creación y aniquilación de electrones y huecos se denomina generación y recombinación, respectivamente.
En ciertos semiconductores, los electrones excitados pueden relajarse emitiendo luz en lugar de producir calor. Estos semiconductores se utilizan en la construcción de diodos emisores de luz y puntos cuánticos fluorescentes.
Los semiconductores con alta conductividad térmica pueden utilizarse para disipar el calor y mejorar la gestión térmica de la electrónica.
Los semiconductores tienen grandes factores de potencia termoeléctrica que los hacen útiles en los generadores termoeléctricos, así como altas figuras de mérito termoeléctricas que los hacen útiles en los refrigeradores termoeléctricos.
Los semiconductores se definen por su singular comportamiento de conducción eléctrica, a medio camino entre el de un conductor y el de un aislante.​ Las diferencias entre estos materiales pueden entenderse en términos de los estados cuánticos de los electrones, cada uno de los cuales puede contener cero o un electrón, por el principio de exclusión de Pauli. Estos estados están asociados a la estructura de banda electrónica del material. La conductividad eléctrica surge debido a la presencia de electrones en estados deslocalizados que se extienden por el material, sin embargo, para transportar electrones un estado debe estar parcialmente lleno, conteniendo un electrón solo una parte del tiempo.​ Si el estado está siempre ocupado con un electrón, entonces es inerte, bloqueando el paso de otros electrones a través de ese estado. Las energías de estos estados cuánticos son críticas, ya que un estado está parcialmente ocupado solo si su energía está cerca del nivel de Fermi.
La alta conductividad de un material se debe a que tiene muchos estados parcialmente llenos y mucha deslocalización de estados. Los metales son buenos conductores eléctricos y tienen muchos estados parcialmente llenos con energías cercanas a su nivel de Fermi. Los aislantes, por el contrario, tienen pocos estados parcialmente llenos, sus niveles de Fermi se sitúan dentro de huecos de banda con pocos estados de energía que ocupar. Es importante destacar que un aislante puede convertirse en conductor aumentando su temperatura: el calentamiento proporciona energía para promover algunos electrones a través de la banda prohibida, induciendo estados parcialmente llenos tanto en la banda de estados por debajo del banda prohibida (banda de valencia) como en la banda de estados por encima de la banda prohibida (banda de conducción). Un semiconductor (intrínseco) tiene una banda prohibida menor que el de un aislante y, a temperatura ambiente, un número significativo de electrones puede ser excitado para cruzar la banda prohibida.​
Sin embargo, un semiconductor puro no es muy útil, ya que no es ni un buen aislante ni un buen conductor. Sin embargo, una característica importante de los semiconductores (y de algunos aislantes, conocidos como semiinsuladores) es que su conductividad puede aumentarse y controlarse mediante el dopaje con impurezas y la activación de campos eléctricos. El dopaje y la activación mueven la banda de conducción o de valencia mucho más cerca del nivel de Fermi y aumentan en gran medida el número de estados parcialmente llenos.
Algunos materiales semiconductores de banda ancha se denominan a veces semiinsuladores. Cuando no están dopados, tienen una conductividad eléctrica más cercana a la de los aislantes eléctricos, pero pueden doparse, lo que los hace tan útiles como los semiconductores. Los semiinsuladores tienen aplicaciones especializadas en microelectrónica, como los sustratos para HEMT. Un ejemplo de semiinsulador común es el arseniuro de galio.​ Algunos materiales, como el dióxido de titanio, pueden incluso utilizarse como materiales aislantes para algunas aplicaciones, mientras se tratan como semiconductores de brecha ancha para otras.
El llenado parcial de los estados en la parte inferior de la banda de conducción puede entenderse como la adición de electrones a dicha banda. Los electrones no permanecen indefinidamente debido a la recombinación térmica natural, pero pueden desplazarse durante algún tiempo. La concentración real de electrones suele ser muy diluida, por lo que, a diferencia de los metales, es posible pensar en los electrones de la banda de conducción de un semiconductor como una especie de gas ideal clásico, en el que los electrones vuelan libremente sin estar sujetos al principio de exclusión de Pauli. En la mayoría de los semiconductores, las bandas de conducción tienen una relación de dispersión parabólica, por lo que estos electrones responden a las fuerzas (campo eléctrico, campo magnético, etc.) de forma muy parecida a como lo harían en el vacío, aunque con una masa efectiva diferente.​ Dado que los electrones se comportan como un gas ideal, también se puede pensar en la conducción en términos muy simplistas, como el modelo de Drude, e introducir conceptos como la movilidad de los electrones.
Para el llenado parcial en la parte superior de la banda de valencia, es útil introducir el concepto de agujero electrónico. Aunque los electrones de la banda de valencia están siempre en movimiento, una banda de valencia completamente llena es inerte, no conduce ninguna corriente. Si se saca un electrón de la banda de valencia, la trayectoria que normalmente habría seguido el electrón pierde ahora su carga. Para los fines de la corriente eléctrica, esta combinación de la banda de valencia completa, menos el electrón, puede convertirse en una imagen de una banda completamente vacía que contiene una partícula cargada positivamente que se mueve de la misma manera que el electrón. Combinado con la masa efectiva negativa de los electrones en la parte superior de la banda de valencia, llegamos a una imagen de una partícula cargada positivamente que responde a los campos eléctricos y magnéticos igual que lo haría una partícula normal cargada positivamente en el vacío, de nuevo con alguna masa efectiva positiva.​ Esta partícula se llama agujero, y la colección de agujeros en la banda de valencia puede entenderse de nuevo en términos clásicos simples (como con los electrones en la banda de conducción).
Cuando la radiación ionizante incide en un semiconductor, puede excitar un electrón fuera de su nivel de energía y, en consecuencia, dejar un hueco. Este proceso se conoce como generación de pares electrón-hueco. Los pares electrón-hueco también se generan constantemente a partir de la energía térmica, en ausencia de cualquier fuente de energía externa.
Los pares electrón-hueco también son aptos para recombinarse. La conservación de la energía exige que estos eventos de recombinación, en los que un electrón pierde una cantidad de energía mayor que la brecha de banda, vayan acompañados de la emisión de energía térmica o de radiación, en ambos casos en forma de fotones).
En algunos estados, la generación y recombinación de pares electrón-hueco están en equilibrio. El número de pares electrón-hueco en el estado estacionario a una temperatura dada está determinado por la mecánica estadística cuántica. Los mecanismos mecánicos cuánticos precisos de generación y recombinación se rigen por la conservación de la energía y la conservación del momento.
Dado que la probabilidad de que los electrones y los huecos se reúnan es proporcional al producto de sus números, el producto es en el estado estacionario casi constante a una temperatura determinada, siempre que no haya un campo eléctrico significativo, que podría "tirar" portadores de ambos tipos, o moverlos desde regiones vecinas que contengan más de ellos para que se reúnan, o una generación de pares impulsada externamente. El producto es una función de la temperatura, ya que la probabilidad de obtener suficiente energía térmica para producir un par aumenta con la temperatura, siendo aproximadamente exp(−EG/kT), donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta y EG es la banda prohibida.
La probabilidad de encuentro se ve incrementada por las trampas de portadores, impurezas o dislocaciones que pueden atrapar un electrón o un agujero y retenerlo hasta que se complete el par. Estas trampas de portadores se añaden a veces a propósito para reducir el tiempo necesario para alcanzar el estado estacionario.​
La conductividad de los semiconductores puede modificarse fácilmente introduciendo impurezas en su red cristalina. El proceso de añadir impurezas controladas a un semiconductor se conoce como dopaje. La cantidad de impureza, o dopante, añadida a un intrínseco (puro) varía su nivel de conductividad.​ Los semiconductores dopados se denominan extrínseco.​ Añadiendo impurezas a los semiconductores puros, la conductividad eléctrica puede variar en factores de miles o millones.​
Una muestra de 1 cm de un metal o semiconductor tiene el orden de 10 átomos.​ En un metal, cada átomo dona al menos un electrón libre para la conducción, por lo que 1 cm de metal contiene del orden de 10 electrones libres,​ mientras que una muestra de 1 cm de germanio puro a 20 °C contiene unos 4,2 < e < 22 átomos, pero solo para 2,5 < e < 13 electrones libres y 2,5 < e < 13 huecos. La adición de 0,001 % de arsénico (una impureza) dona un extra de 10 electrones libres en el mismo volumen y la conductividad eléctrica se incrementa en un factor de 10 000.​​
Los materiales elegidos como dopantes adecuados dependen de las propiedades atómicas tanto del dopante como del material a dopar. En general, los dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican como aceptantes o donantes. Los semiconductores dopados con impurezas donantes se denominan tipo n, mientras que los dopados con impurezas aceptantes se conocen como tipo p. Las designaciones de tipo n y p indican qué portador de carga actúa como portador mayoritario del material. El portador opuesto se denomina portador minoritario, que existe debido a la excitación térmica en una concentración mucho menor en comparación con el portador mayoritario.​
Por ejemplo, el semiconductor puro silicio tiene cuatro electrones de valencia que enlazan cada átomo de silicio con sus vecinos.​ En el silicio, los dopantes más comunes son elementos del grupo III y del grupo V. Todos los elementos del grupo III contienen tres electrones de valencia, por lo que funcionan como aceptores cuando se utilizan para dopar el silicio. Cuando un átomo aceptor sustituye a un átomo de silicio en el cristal, se crea un estado vacante (un "agujero" de electrones), que puede moverse por la red y funcionar como portador de carga. Los elementos del grupo V tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite actuar como donantes; la sustitución de estos átomos por silicio crea un electrón libre adicional. Por lo tanto, un cristal de silicio dopado con boro crea un semiconductor de tipo p, mientras que uno dopado con fósforo da lugar a un material de tipo n.​
Durante la fabricación, los dopantes pueden difundirse en el cuerpo del semiconductor por contacto con compuestos gaseosos del elemento deseado, o bien puede utilizarse la implantación de iones para posicionar con precisión las regiones dopadas.
Algunos materiales, cuando se enfrían rápidamente a un estado amorfo vítreo, tienen propiedades semiconductoras. Entre ellos se encuentran el boro, silicio, germanio, selenio y teluro, y existen múltiples teorías para explicarlos.​​
En 1727 Stephen Gray descubrió la diferencia entre conductores y aislantes. Después, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que describen la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje a un conductor y también es posible determinar la conductividad eléctrica de cualquier objeto.
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura, tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia.​ Las energías requeridas a temperatura ambiente son de 1,12 eV para el silicio y 0,67 eV para el germanio.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la banda de valencia, liberando así energía. Este fenómeno se conoce como "recombinación". A una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares electrón-hueco, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple entonces que:​
donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del elemento en cuestión. Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La densidad o concentración intrínseca de portadores es muy baja.​
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 °C):
En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.​
Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).​
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio. Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica (como el fósforo, arsénico o antimonio) se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).​
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.​ En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (como el aluminio, galio, boro o indio), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un electrón libre.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro, son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
La unión PN se forma a base de la unión de impurezas de tipo P e impurezas de tipo N a un material semiconductor. Los electrones libres de la región N que estén más próximos a la región P se difunden formando una recombinación en los huecos que estén más próximos a esta región. Al formar una red cristalina, los iones positivos y negativos se interrelacionan haciendo imposible su recombinación. Esta distribución de cargas en la unión establece una "barrera de potencial" capaz de repeler tanto los huecos de la región P y los electrones de la región N, alejándolos de la unión. Toda unión PN que no se encuentre conectada a un circuito exterior permanece bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.​
Si una unión PN es polarizada de forma directa, es decir, el polo positivo de la pila a la región P y el polo negativo a la región N, la tensión U de la pila contrarrestara la "barrera de potencial", desbloqueandola y apareciendo una circulación de electrones en la región N a la región P y una circulación de huecos en el sentido contrario. Formamos así una corriente eléctrica de vapor elevado, ya que la unión PN se hace conductora y presenta una resistencia eléctrica muy pequeña. La pila mantiene el flujo de electrones, esta lo traslada por el circuito exterior circulando por el sentido eléctrico real.​
Al polarizar una unión PN de forma inversa, la tensión U de la pila ensancha la "barrera de potencial" creada por la distribución espacial de cargas de la unión, generando un aumento de iones negativos en la región P y de iones positivos en la región N, esto impide la circulación de electrones y huecos a través de la unión.
El comportamiento de la unión PN es asimétrica respecto a la conducción eléctrica; dependiendo del sentido de la conexión se comporta como un buen conductor (polarización directa) o un aislante (polarización inversa).​
También conocida como "Armagedón de los microchips" fue el nombre que se le dio al suceso de la escasez de Microchips que se está dando desde el comienzo de la pandemia hasta la actualidad.​
Debido al confinamiento obligatorio por parte de la transmisión comunitaria del virus SARS-CoV-2 la población bajo la necesidad de mantener la rutina se vio en la necesidad de adquirir equipamiento tecnológico, suceso que abrumó el rubro de la tecnología aumentando la demanda de componentes de computadora y dando un aumento del 55 % en el mercado global.
Uno de los sectores que fue severamente afectado es el negocio de las tarjetas gráficas debido a que presentaba una demanda sumamente desbordada, ya que en la pandemia se impulsó su consumo de manera disparada al punto de que aún, hoy en día, no se recupera del todo. Este fenómeno se conoce como la minería de criptodivisas..
Y es que la electrónica de consumo no fue la única industria sobre la que ha recaído buena parte del peso de esta crisis. Las compañías de automoción, los fabricantes de electrodomésticos y cualquier otro sector industrial cuya producción dependa en mayor o menor medida de los semiconductores también se están viendo profundamente afectados por la escasez de chips. Por ejemplo, compañías como Toyota o General Motors se han visto obligadas a reducir la producción de coches en algunas fábricas debido al déficit de estos componentes.​
Expertos en el tema como Mark Papermaster (director de tecnología y vicepresidente ejecutivo de tecnología e ingeniería de AMD) y Felipe Curcio (Communications Manager para Latinoamérica de Intel) especulan un alivio de la crisis a mediados de 2023 y normalización de la producción para 2024 respectivamente.
Las computadoras personales, los teléfonos inteligentes, los automóviles, los servidores de centros de datos y las consolas de juegos de hoy en día dependen de los semiconductores tanto para las operaciones centrales como para las capacidades avanzadas. Por ejemplo, cuando usamos nuestras computadoras portátiles para reservar unas vacaciones, encontrar una recomendación de restaurante, reproducir una película o acceder al correo electrónico, la unidad de procesamiento central (CPU) y la unidad de procesamiento de gráficos (GPU) basadas en semiconductores de la computadora portátil implementan funciones informáticas que responden preguntas al instante.
Los circuitos integrados (IC) hechos de un material semiconductor (como el silicio) son partes esenciales de los dispositivos electrónicos modernos en las industrias comerciales y de consumo. Estos circuitos deben tener la capacidad de comportarse como un interruptor de encendido/apagado controlado eléctricamente (transistor) para realizar los cálculos lógicos fundamentales en una computadora. Para lograr esta capacidad de conmutación casi instantánea, los circuitos deben construirse con un material semiconductor, una sustancia con una resistencia eléctrica entre la de un conductor y la de un aislante.​
Desde el primer circuito integrado o chip, desarrollado en 1958 hasta la fecha, la evolución de estos dispositivos ha sido muy vertiginosa.
La Empresa “UnitecBlue” fue la responsable de inaugurar la primera planta dedicada a la producción de chips que tienen una producción de mil millones de semiconductores anuales. Gracias a estos avances, científicos de la Universidad Nacional del Sur lograron desarrollar un prototipo científico de una retina electrónica inteligente en una novedosa tecnología de chips denominada 3D.
Estos chips, que pueden aplicarse en micro-cámaras inteligentes, tendrán la capacidad de observar una escena e identificar situaciones para poder resolver estos escenarios de manera eficaz, esto lo explica el Dr. Pedro Julián, profesor e investigador del Departamento de Ingeniería Eléctrica y Computadoras de la Universidad Nacional del Sur e investigador responsable de Tecnópolis del Sur.
Diseñado por el grupo de Microelectrónica de la Universidad Nacional del Sur, el chip de 2,5 mm × 2,5 mm captura imágenes a la vez que las puede procesar a una tasa de miles de cuadros por segundo, mientras que una cámara normal solo captura unos cincuenta cuadros por segundo y no realiza ningún análisis sobre el vídeo capturado.
La tecnología de chips 3D permite literalmente apilar circuitos integrados convencionales, e interconectarlos entre sí. Además, tienen la ventaja adicional de que los chips que constituyen cada uno de los "pisos" del chip 3D, pueden ser de distintas tecnologías especializadas, por ejemplo, para comunicaciones, para memoria, para procesamiento, o para sensores.
Los chips tridimensionales están revolucionando la industria de los semiconductores, dado que los clientes necesitan nuevas maneras de obtener más performance y funcionalidad.​