cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Transistor
Endring fra P- til N-type halvleder eller omvendt
I løpet av fremstillingsprosessen er det ikke noe problem å forvandle P-typer halvledere til N-typer eller omvendt, og det gjøres da også i stor utstrekning. Eksemplet over med å dope en tynn plate med akseptorer fra den ene siden og donorer fra den andre siden tilhører fortiden. I dag gros krystallet som for eksempel N-dotert før det blir kuttet opp i skiver. Ved å utsette umaskerte soner på den ene siden av skiven for et P-doterende stoff en tid i en ovn eller slik (det fins mange muligheter), vil halvlederen etterhvert inneholde like mange donorer (de gamle) som akseptorer (de nye). Dette nøytraliserer dopingen og krystallet har globalt ingen frie ladningsbærere lengre. Etter mere tid vil akseptorene være i flertall og krystallet er blitt til en P-type halvleder.
Denne prosessen blir også kontrollert i dybden, slik at N-typen fortsatt ligger i bunnen, og geografisk ved hjelp av en midlertidig maske slik at N-materialet ligger på kanten og omgir den nye P-typen halvleder som er i midten.
Dioder, fremstilling
En P-N-overgang er oppstått og skiven (waferen) kan etter metallisering av terminalene kuttes opp, og bitene kan monteres som dioder med tilkopling av ringen (N, katode) og øya i midten (P, anode) til ytre terminaler.
Transistorer, fremstilling
Prosessen kan gjentas ved tilførsel av et N-dopende grunnstoff, ikke så dypt som P-området stikker og ikke så stort som det, men inne på P sitt område. Resultatet er to ringer (N ytterst og P innenfor) og et midtparti N, og alle ligger tilgjengelig på overflaten. Disse tre områdene kan metalliseres og etter oppdeling av skiven få påsatt tilkoplinger. Området er blitt en NPN type transistor og inneholder to dioder, eller PN-overganger. Den ytterste ringen er størst og lages som kollektor, fordi kollektoren er den delen av en transistor som til vanlig får tilført den største effekten. Kollektoren kan koples termisk til en kjøleflate. Den koples da gjerne også elektrisk til denne for ikke å redusere varmeledningen. Basen er felles for begge diodene, og den lages tynn for å oppnå transistorfunksjonen, se nedenfor. Se ellers prinsippskissen av en transistor under Oversikt/Transistortyper, NPN planar transistor, for illustrasjon.
Den bipolare Transistoren, funksjon
En NPN transistor består som sagt av tre lag av halvledertypene N, P og N. Tilkoplingene til de tre lagene får i transistorer navnene emitter, base og kollektor. Baseområdet er gjort forholdsvis kort og emitteren er mye kraftigere dopet enn base og kollektor er. Siden en enkelt P-N-overgang representerer en diode, består transistoren av to dioder med basen tilkoplet begge. Basen er enten en felles anode (NPN-typer) eller felles katode (PNP-typer) for de to diodene.
Strømmen i kollektor ledes i C-B-diodens sperreretning. I denne dioden er hull normalt ladningsbærere, så strømmen til kollektor ledes nå av minoritetsbærere, elektroner her. BJT-er kalles også minoritetsbærer-typer transistorer.
Transistorene kalles bipolare fordi både minoritets- og majoritetsbærere deltar i funksjon og strømledning. Felteffekttransistorer er unipolare, siden kanalen enten er fremstilt av P- eller av N-type halvleder.
Graf
Diagrammet viser grafisk forholdene i en typisk NPN-transistor. Kollektorstrømmens verdi leses på den loddrette aksen (y-aksen) Ic. Kollektorspenningens verdi (mot emitter) vises på den horisontale aksen (x-aksen) Uce. De fire sorte kurvene gjelder for forskjellige faste basestrømmer IB1 (svak) til IB4 (sterkere). Fra disse kurvene kan en avlese at mere base-emitterstrøm fører til høyere kollektorstrøm. At kurvene har lik avstand til hverandre viser at Ic og Ib har en noenlunde linjær sammenheng, og det har blitt vist over at sammenhengen er gitt av strømforsterkningsfaktoren β. Diagrammet viser også at strømmen i kollektor er nesten helt uavhengig av kollektorspenningen der den er flat. Dette kan omskrives til å si at transistoren er en ganske god konstant-strømkilde.
Diagrammet viser også to områder som har med bruk av transistoren som bryter å gjøre. Disse områdene er her grafisk noe overdrevne for klarhetens skyld; kurvene ligger noe nærmere aksene enn vist. Cut-off kalles området der basestrømmen er null, og det flyter derfor heller ikke kollektorstrøm. Området ligger under den horisontale røde linjen nede i diagrammet. Dette tilsvarer en åpen bryter; det går ikke strøm, selv med store spenninger.
Saturation viser metningsområdet, som tilsvarer at bryteren er på. Det ligger bare en liten spenning over bryteren uansett hvor kraftig strøm det går gjennom den. I en virkelig bryter av metallkontakter er denne spenningen svært nær null. Transistoren oppviser en liten spenning som ikke kan gjøres særlig mindre enn ca. 0.2 V. Denne spenningen kalles metningsspenningen for transistoren.
I resten av området, altså på omtrent hele flaten, kan spenninger og strømmer kontrolleres analogt; området kalles det aktive området. I en forsterkerkopling beveger spenninger og strømmer seg i dette området. En gitt DC-spenning og en gitt DC-strøm utgjør et punkt et sted i diagrammet.
Produktet av strømmen gjennom transistoren og spenningen over den utgjør effekten som tapes i, eller varmer opp, eller (slang) koker bort i transistoren. Langs den røde punkterte kurven vises spenning og strøm for et fast effekttap; alle punkter på linjen fører til den samme verdien for effekttapet. Her er det effekttapet som transistoren er spesifisert for maksimalt å tåle over tid, altså med DC strømmer og spenninger, som er vist. Transistoren får ikke drives over denne kurven, da skades krystallet av høye temperaturer. At spenning-strøm-grafene kan tegnes godt utenfor dette området kommer av at verdiene kan måles med korte pulser i stedet for med DC. For en kort puls rekker ikke tiden til å varme opp krystallet til destruktive temperaturer. Dette er også tillatt å gjøre i praksis. Strømmen må likevel alltid ligge lavere enn Ic (max) og spenningen alltid ligge lavere enn Uce (max). Kurven for maksimalt tap er en hyperbel, og den kalles for transistorer effekthyperbelen.
Second breakdown
Begrepet second breakdown (eng: omtrent «annet sammenbrudd») er et destruktivt fenomen som er viktig for design med bipolare effekttransistorer. Fenomenet skyldes at krystallets ledningsevne stiger med temperaturen. På en større krystallflate fordeler temperaturen seg selvfølgelig ikke helt likt. Når mye effekt tilføres, vil det gå større lokale strømmer der temperaturene er høyest. Dette igjen fører til at det eller de varme punktene får mer tilført effekt enn de andre stedene. Dette er en positiv tilbakekobling som fører til et termisk runaway-fenomen; til slutt oppstår en eller flere varmetunneler som ødelegger krystallet ved lokal overoppheting.
Av den grunn har grensediagrammet for spenning og strøm for en effekttransistor fire begrensende linjer. Fra venstre: 1) Maksimal strøm, vertikal akse, gitt av bondetråden, den interne forbindelsen mellom krystallet og terminalen. 2) Effekthyperbelen, hvor U • I = konstant = maksimal tillatt effekt. 3) Second breakdown-linjen, som reduserer effekthyperbelen. 4) Spenning, horisontal akse. Større spenninger fører til egenledning. Dette kalles "first breakdown" (første sammenbrudd) og er uskadelig hvis egenlednings-strømmen ikke blir så stor at maksimal-effekten overskrides. Egenledningen skyldes skred-effekten, hvor feltet over krystallet blir så sterkt at ladningsbærere trekkes løs i krystallet.
MOSFET-effekttransistorer har negativ temperaturkoeffisient for krystallets ledningsevne og er dermed automatisk beskyttet mot dette fenomenet. Dette gjør at MOSFET-krafttransistorer er ganske robuste.
Begge aksene i diagrammet er her logaritmiske, da blir en hyperbel til en rett linje.
Felteffekttransistorer, funksjon
Her beskrives retninger for N-typer i det videre. De har positiv spenning på Drain i forhold til Source. For P-typer er retningene av spenning og strøm motsatt.
JFET
Her er vist strøm-spennings karakteristikker for en N-kanal JFET transistor. Grafen til høyre viser drain-strømmen som funksjon av styrespenningen Vgs. Her har drain maksimalt tillatt spenning, som ses ved den horisontale stiplede linjen øverst, som projiserer drainstrømmen mellom grafene. Styrespenningen er negativ og drainstrømmen blir null ved Vp, pinch-off og lavere spenninger. Stort høyere styrespenninger enn null er umulig på grunn av inngangsdioden, som da ville begynne å lede.
Til høyre vises drainstrømmen som funksjon av drain-source-spenningen for noen utvalgte styrespenninger Vgs. Den øverste kurven gjelder for styrespenningen null, og helt nederst, merket 'channel off' vises at ingen strøm flyter ved Vp eller lavere styrespenninger.
I den linjære regionen til venstre oppfører transistoren seg som en ohmsk motstand, særlig ved små spenninger nær origo. En ideell motstand vises som en rett linje gjennom origo, og linjens stigning gis av resistansverdien.
I metningsområdet er sourcestrømmen mettet, mere strøm kan ikke flyte med den gitte inngangsspenningen. I dette området flyter en tilnærmet konstant strøm (nesten horisontale grafer) for en gitt inngangsspenning, nesten uavhengig av sourcespenningens størrelse. Dette området brukes i forsterkerkoplinger og kalles også det aktive området. (For bipolare transistorer har 'metningsområde' en helt annen betydning, nemlig der transistoren er styrt til å lede så godt som den kan.) JFET som bryter: I 'av'- stillingen er bryteren styrt med en spenning som er lavere enn pinch-off-spenningen. Det flyter ikke strøm; bryteren er åpen. I 'på' stillingen: I diagrammet kan ses hvorfor JFETen ikke brukes for store strømmer: Når bryteren er på, Vgs = 0, oppviser transistoren en betydelig motstand som sørger for et spenningsfall når det går substansiell strøm. Spenningsfallet sammen med strømmen ville sørge for et betydelig effekttap i transistoren. JFET brukes derfor bare ved småsignaler; en effekthyperbel er ikke interessant å vise.
Det ble nevnt over at en JFET har lav egenstøy. Det er særlig 1/f-støyen som er lav, noe som gjør transistoren støymessig velegnet for å forsterke lave frekvenser. For termisk støy egner transistoren seg best ved høye impedansnivåer, som ved elektret- og kondensatormikrofoner.
Pinch-off-spenningen for en enkelt transistor har en klart definert, målbar, verdi. Pinch-off-spenningen er ellers en svært varierende parameter, altså innenfor samme transistortype. Et godt design tar hensyn til at Vp-spenningen kan være forskjellig fra eksemplar til eksemplar. Pinch-off spenningen er noe temperaturavhengig.
MOSFET eller IGFET
Source og drain er utført som to nærliggende ledende (hardt dopede) områder inne i krystallet. Gate er en elektrode plassert like over området mellom drain og source, men isolert fra det med et isolerende sjikt. Kanalen kan styres på to forskjellige vis, som gir oppav til to forskjellige typer MOS-transistorer, enhancement-typer og depletion-typer, se nedenfor. Området i krystallet like under gate er (depletion typer) eller blir til kanalen (enhancement typer).
Det linjære området kan lages svært smalt for MOSFET-typer (det ledes høy strøm med svært lavt spenningsfall over transistoren; diagrammet overdriver størrelsen på spenningen i det linjære området). Dette gjør MOSFET-typer svært velegnete både for kraftforsterkere og som brytere. Motstandsverdien ved 'på' kan ligge helt nede til 1 mOhm for kraftige transistorer (2014). Motstandsverdien er mye høyere for mikroskopiske typer som brukes i mikroprosessorer, men det går knapt strøm ved slik bruk. Fordi det knapt oppstår effekttap hverken når bryteren er av (strøm ~ null) eller på (spenning ~ null), kan slike transistorer pakkes utrolig tett sammen.
Nedenfor vises en liten oversikt over utviklingen for mikroprosessorer i de siste årene. 'Technology node' er en klassifisering av de minste størrelsene som fotolitografiske metoder kan frembringe. I 2012 kunne altså en chip med 7 milliarder transistorer lages.
Gate overslag
MOSFET-enes nesten ideelle isolasjon i GS-strekningen fører til en spesiell fare for ødeleggelse som kun gjelder denne type transistor. For at følsomheten, transkonduktansen eller forsterkningen skal bli så stor som mulig er transistoren bygd for å danne et sterkest mulig felt for en gitt inngangsspenning. Metalloksidsjiktet fremstilles derfor så tynt som praktisk mulig. Av den grunn tåler sjiktet ganske lite spenning før den fører til et destruktivt overslag. ±20–30 volt er blitt vanlige industrielle grenser for maksimal GS-spenning. Fremfor alt statisk elektrisitet kan lett lade opp GS-kondensatoren som sjiktet utgjør. I en ferdig kopling finnes det alltid en strømvei som lader ut gatespenninger når koplingen er strømløs; transistorene er mest utsatt når de håndteres som enkeltkomponenter.
Bryter- og forsterkerkoplinger
Her vises noen enkle og fundamentale koplinger som belyser transistorens oppførsel. Noen koplinger er praksisfjerne, men skal være illustrative ved å fokusere på transistoren selv, med et minimum av andre komponenter.
Bryter
Her vises en NPN transistor som brukes som en bryter for en glødelampe. Basestrømmen IBE blir (6-0.6)V/1kOhm = 5.4 mA. Motstanden er nødvendig for å begrense basestrømmen siden basespenningen knapt kan gå over 0.8V på grunn av B-E-dioden. Lampestrømmen = kollektorstrømmen = ICE er langt høyere enn basestrømmen. For β lik 200 x kan transistoren lede opptil 1.08 A i kollektor.Transistoren kan da slå 6 W på og av. Med en metningsspenning på 0.2 V får transistoren selv tilført bare 0.2 W. Når bryteren er åpen, flyter ingen strømmer.
Spenningsforsterker, prinsipp
Bildet 'NPN-transistor i en enkel forsterkerkopling' viser forholdene ved bruk av NPN-transistoren BC547B til spenningsforsterkning. Transistoren er en populær allround småsignaltype. Her er basestyringen gitt ved en fast spenning V1 med tillegg av inngangs-vekselspenningen V2. Koplingen kalles et felles-emittertrinn, siden emitter er felles for både inn- og utgangssignaler, her jord.
Transistorens kollektorkrets drives av en 12 V spenningsforsyning, kalt V+. I kollektoren kan det flyte en maksimal strøm på 12V/5kOhm = 2.4 mA. Strømaksen er til høyre for grafene.
Forsterkeren som helhet er spenningsstyrt med et spenningssignal inn på basemotstanden R2 = 50 kOhm. Transistoren selv blir her strømstyrt; basespenningen ligger noenlunde fast nær 0.6 V, og basestrømmen blir gitt av inngangsspenningen minus diodespenningen, delt på R2.
I kretssimulatoren kan y-aksen til grafene fritt skaleres, individuelt for hvert signal. Slik kan signalene gjøres tydelig synlige. Skaleringene kan avleses øverst, der skriftfargen er tilpasset graf-fargen. Grafene kan også gis fortegn etter ønske. Her er det satt inn minus foran noen grafer, for å få strømmene til å gå inn i transistoren. n004 er basetilkoplingen og n003 er på andre siden av R2, inngangen. Navnene ble gitt av simulatoren da den ikke fikk opplyst andre navn fra skjemaet.
Inngangssignalet består av en likespenning på 0.82 V og et 200 Hz sinussignal med 0.3 V amplitude. Simulasjonen varer 10 ms og grafene viser derfor to signalperioder.
Inngangssignalet, som er skalert opp 10x, kan ses som den mørkegule grafen mellom 11.2 og 5.2 V på skalaen. Signalet er 0.82 +/- 0.3 V = 1.12 til 0.52 V. Den resulterende inngangsstrømmen ses som den røde grafen, som er skalert opp 200 ganger. Den leses av som 0 til 1.8 mA, som tilsvarer 0 til 9 uA.
Basisdioden sørger for å holde basespenningen på rundt 0.65 V, spenningen kan ikke bli vesentlig større uten at store strømmer flyter. Base-emitterspenningen kan ses på den magenta grafen, som også er skalert opp 10 x. Den viser at signalet blir komprimert i de positive halvbølgene, men synker lett der inngangsstrømmen blir lav, her ved ca. 4 ms på tidsaksen. Siden transistoren i koplingen er strømstyrt, vil denne forvrengningen ikke merkes i utgangssignalet; grafen er kun tatt med for illustrasjon.
Den blå og den grønne grafen viser henholdsvis spenningen på og strømmen gjennom kollektor. Inngangs-vekselspenningen er for illustrasjonens skyld gitt et så kraftig signal at grenseområdene for transistoren kommer med i grafene; signalet klippes litt flatt helt øverst og nederst. Det er ikke brukt skaleringer. Det ses at utgangssignalet er i motfase med inngangssignalet. Ved mindre signalspenning ville forvrengningen bli nær usynlig; utgangssignalet ville vært nær sinusformet.
Ved tiden rundt 1.8 ms er inngangssignalet høyest. Da går det maksimal strøm i transistoren, begrenset av V+ og R1 til 2.4 mA, som vist over. Ved maksimal strøm er spenningsfallet over R1 maksimal og utgangsspenningen minimal. Spenningen over transistoren er 0.1-0.2 V et sted, bedre (med mindre spenningsfall) kan ikke transistoren lede. Transistoren er her mettet.
Rundt 4 ms i tid er inngangsspenningen lavest. Som kan ses av den røde kurven, basestrømmen, blir styrestrømmen til transistoren slått helt av. R1 har da ikke noe spenningsfall og kollektor (VUT) får full forsyningsspenning, 12 V (blå graf). Kollektorstrømmen (grønn) er null her.
Forsterkningsberegning: Uforvrengt (uklippet) ville utgangsspenningen vært rundt 15 Vpp (14 V topp, -1 V bunn). Inngangs-signalspenningen er 0.6 Vpp; dette forsterkertrinnet har altså en moderat signal-spenningsforsterkning på ca. 25 ganger. Den moderate forsterkningen skyldes den høye verdien som er valgt for eksemplets R2. Transistorens strømforsterkning β kan også avleses. I arbeidspunktet (som er de verdier vi ville fått uten inngangssignal V2) er inngangsspenningen 0.82 V, her ved ca. 2.4 ms. Basestrømmen (rød) avleses til 0.7 mA/200 = 3.5 uA. Kollektorstrømmen (grønn) avleses til 1.3 mA og strømforsterkningen blir rundt 1.3/0.0035 = 370 x. Databladet oppgir β til typisk 330x for BC547B.
Den grå kurven viser transistorens tilførte effekt til enhver tid, skalaen er helt til venstre. Effekten er hovedsakelig gitt av kollektorstrømmen ganger kollektorspenningen, men også basestrømmen ganger basespenningen gir noe effekt og er tatt med i beregningen. Ved utgangsspenningens minimal- og maksimalverdier er tapt effekt nær null; da er henholdsvis kollektorstrømmen null eller kollektorspenningen null. Dette skjer to ganger i perioden, derfor har effekttapet dobbel frekvens. Imellom, i transistorens aktive område, er effekttapet størst. Omtrent 3 mW kan avleses som en middelverdi, spissverdien er noe over 7 mW.
JFET forsterker
Bildet 'N JFET transistor i en enkel forsterkerkopling' viser forholdene ved bruk av N-FET transistoren 2N3819 (en høyfrekvenstype, 700 MHz) som en enkel spenningsforsterker. Inngangssignalet (mørkegult) er lagt til å svinge om -2.2 VDC og amplituden til signalspenningen er 0.6 V. Frekvensen er 20 kHz og tidsvinduet viser to perioder.
Utgangsspenningen er vist blå og drainstrømmen grønn. Som det kan ses på strøm-spennings-karakteristikken for en J-FET, trengs en viss spenning på drain for at det skal gå en drainstrøm, synlig på grensen til 'linear region'. Utgangsspenningen ved maksimal utstyring ved tiden 10 us klippes nede ved 1 V (da har R1 11 V over seg) og strømmen klippes følgelig ved 2.2 mA. Minimal utstyring ved ca. 40 us viser at inngangen drives til nær pinch-off-spenningen ved -2.8 V, men ikke helt. Databladet spesifiserer denne spenningen til 'høyere enn -8 V'. Den flattrykte formen på spenningskurven kommer av at VGS/IDS-kurven flater ut mot venstre. Spenningsforsterkningen kan ikke leses klart ut på grunn av forvrengningene, men med nedsatt utstyring ble den i simulatoren funnet til å være 10.7x.
Transkonduktansen er oppgitt i databladet til å være 'typisk 5.6 mS'. Hvis forvrengningene overses, leses en signalstrøm på drain til å være ca. 3 mApp med inngangsspenningen 0.6 Vpp, noe som gir 5 mS transkonduktans. I arbeidspunktet er UUT lik 7.8 V og drainstrømmen ID 840 uA.
Inngangsstrømmen (ut av gate her) er vist rød. Den svinger om null og viser strømmen for lading og utlading av transistorens interne (parasittiske) kapasiteter i løpet av perioden. Amplituden er proporsjonal med frekvensen. Denne strømmen blir relativt rufsete der transistoren drives inn i og ut av metning. Amplituden er skalert opp 1000 ganger og er 0.9 uA for 20 kHz.
De instantane effekttapene er vist i grått med skala til venstre.
NMOS bryter
Bildene viser bruk av NMOS krafttransistoren BSB014N04LX3 G mot sine grenser. Koplingen simulerer på- og avslag av 400 A strøm til en 0.1 Ohms lastmotstand ved 20 kHz. De to siste bildene viser på- og avslag forstørret i tid. Tapene i transistoren er ca. 82 W ved 50 % på.
Databladet setter grenser ved 40 V på drain, ved 400 A pulset strøm og effekttap på 89 W. Pakken (huset) er bare 5x6.5 mm stor, med en tykkelse på 0.7 mm. Transistoren trenger en ekstern kjøleflate i tillegg. De interne kapasitetene er oppgitt til 140 pF g-s (millerkapasiteten), 12.7 nF (gate til source og drain (kortsluttet ved måling)) Ciss, og 2.4 nF (drain til source og gate) Coss.
Akkurat i overgangene får transistoren tilført opptil 4 kW i korte øyeblikk; da er det både spenning over og strøm gjennom transistoren samtidig. I simulasjonen er gatespenningen satt til 0 og 10 V, samt å bruke 0.1 us på transienten. Gatestrømmen (rød) er skalert opp 100 ganger, og blir maksimalt +/- 1.6 A. Denne strømmen må driverkretsen være i stand til å levere, ved over 10-20 MHz bandbredde.
Spenningsfallet i R2, gatemotstanden på 1 Ohm, kan ses på den lyseblå og den mørkegule grafen. Hoveddelen av tapene i transistoren kommer fra spenningsfallet i 'på' som kan leses av til 0.4 V. En overslagsberegning gir da et tap på 0.4*400/2 = 80 W. Transienteffekten på 4 kW bidrar altså ikke mye til transistortapene her.
Matematiske beskrivelser
For transistorer, som ved de fleste mekanismer, kan det lages matematiske modeller som mer eller mindre nøyaktig beskriver dem, eller i det minste viktige deler av deres oppførsel.
Den bipolare transistoren
En enkel, men ganske nøyaktig modell av strømforsterkningen får vi med Ebers – Molls modell. Den ser på hFE (en alternativ betegnelse for β) som konstant gitt av αF, der F står for 'Forward'. Strømmene uttrykkes ved to ligninger:
som for ikke-mikroskopisk strøm er identisk med, og
hvor
Den termiske spenningen er gitt ved
Uttrykt med ord og sett bort fra natukonstanter og temperatur: Emitterstrømmen stiger eksponensielt med base-emitterspenningen, og Kollektorstrømmen er nesten lik emitterstrømmen. Forskjellen mellom emitterstrømmen og kollektorstrømmen er basestrømmen. Forholdet mellom kollektorstrømmen og basestrømmen er strømforsterkningen.
Ebers -Molls modell fører til ligninger som sier at transistoren i prinsippet er en transkonduktans-forsterker, idet den får spenning inn, VBE som styrer en strøm ut, IC. Transistorens forsterkning måles altså i A(ut)/V(inn), som har dimensjonen for konduktans, S.
Videreførende, mer nøyaktige modeller er fremfor alt viktig i elektroniske kretssimulatorer som med datakraft prøver å etterligne oppførselen til elektriske og elektroniske koblinger så nær virkeligheten som mulig. To utvidete modeller er Standard og Modifisert Gummel-Poon, kalt SGP og MGP.
Felteffekt-transistorene
Felteffekt-transistorer av alle typer kan beskrives ved noenlunde de samme ligningene. Som grafene og teksten over viser, har transistorene to distinkte arbeidsområder, det ohmske eller linjære området for små d-s spenninger, og det aktive eller metnings-området for høyere drainspenninger. Disse to områdene beskrives hver for seg med forskjellige matematiske tilnærmelser. Det skilles likevel mellom JFET-er og MOS depletion og enhancement typer fordi betegnelser ikke er like mellom typene.
JFET
I det aktive området (eng: Saturation region) er drainstrømmen noenlunde uavhengig av drainspenningen, som følgelig da ikke inngår i ligningen.
hvor
Formelen kan for greiere lesbarhet forenkles til Formelen sier med ord at draistrømmen øker kvadratisk med hvor mye høyere gatespenningen er enn pinch-off-spenningen. Dette medfører at avstanden mellom de horisontale linjene (konstant drainstrøm) ligger tettere nede i diagrammet når gatespenningen har samme verdisprang fra graf til graf. Dette fører til noe forvrengning i en forsterkerkopling.
I det linjære, eller ohmske, området beskrives sammenhengene som Der VDS er drainspenningen mot source.
Området kalles linjært eller ohmsk fordi kurvene er rettlinjet der de går gjennom origo, slik det er for motstander. Da har VDS en lav verdi. For små VDS får kvadratleddet VDS2 liten betydning og kan strykes for tilnærmet beregning. (VGS-VP) kan kalles drivspenningen her, og formelen sier da at RDS blir omvendt proporsjonal til drivspenningen. hvor RDS er motstandsverdien mellom drain og source.
Tas kvadratleddet med blir kurven krum, som den gjør for noe større VDS.
Felteffekttransistorer oppviser slik en styrbar motstand i det linjære området. Dette området strekker seg opp til der VDS er lik VGS-VP, drivspenningen.
MOSFET
Den inngangsspenningen VGS som skal til for å slå av sourcestrømmen kalles for MOSFET-er Vth for terskelspenning (eng: threshold voltage). Den kjennes igjen for JFET-er som pinch-off spenningen. For N-kanal transistorer er Vth negativ for depletion-typer og noe over null for enhancement-typer.
I det linjære området blir drainstrømmen som tilsvarer formelen for JFET-transistoren. Motstandsverdien kan beregnes på tilsvarende vis.
Metningsområdet for MOSFET-er beskrives ved: der verdien for konstanten, en forsterkningsfaktor, er den samme.
Enhancement MOSFET transistorer er blitt populære fordi det ikke trenges negative spenninger for å drive dem. Enhancement-typer er i tillegg populære fordi de ikke leder før de får tilført et eksternt styresignal. De kan ikke lede av seg selv.
Transistorkoblinger
For å få den høyst ulineære komponenten transistor til å arbeide til å gi nesten helt lineære forsterkere, benyttes forskjellige erkjennelser som er samlet opp med tiden. Faget som hovedsakelig beskjeftiger seg med dette kalles elektronikk.
En ikke fullstendig liste slike byggeklosser er (tall i parentes viser til at flere transistorer enn angitt kan brukes for ytterligere forbedring):
Spesifisering av bipolare transistorer
Transistorer spesifiseres i et datablad (eng: datasheet). Databladene spesifiserer alt mulig som konstruktørene kunne tenke seg å være interessert i. Både begrensende og beskrivende tall eller grafer angis. Det gjelder elektrisk relevante spesifikasjoner for strøm, spenning, effekt, temperatur og hurtighet, men også mekaniske mål og anbefalt loddemetode for serieproduksjon. Noen av de viktigste størrelser er
Night Visit
Night Visit er et musikkalbum utgitt av Ancient den 1. juni 2004.
Sigvalde jarl
Sigvalde jarl var en delvis legendarisk jomsviking som kanskje levde en gang i slutten av 900-tallet. I henhold til Snorre Sturlason var han sønn av Skåne-jarlen Strut-Harald og bror til Torkjell Høge og den yngre Hemming.
Det er mange mytiske overtoner rundt skikkelsene utgår fra borgen Jomsborg ved dagens polske kyst, de såkalte jomsvikingene, og det er meget mulig at de fleste av disse er rent litterære og fiktive figurer som ble benyttet av en kreativ forfatter som Snorre Sturlasson og andre sagaskribenter til å dramatisere historien. Her er Sigvaldes rolle blant annet en Judas-rolle, han som ved svik lurte den norske misjonskongen Olav Tryggvason i en felle i slaget ved Svolder. Det forhindrer likevel ikke at det kan være en historisk kjerne i både en figur som Sigvalde jarl og andre jomsvikinger. Det er uansett få detaljer om disse, unntatt den rolle de spiller i forhold til historiske skikkelser og kjensgjerninger. Kildene er i første rekke Olav Tryggvasons saga og Jomsvikingenes saga.
Franz von Papen
Franz von Papen (født 29. oktober 1879 i Werl i provinsen Westfalen i kongeriket Preussen, død 2. mai 1969 i Obersasbach, Baden, fullt navn Franz Joseph Hermann Michael Maria von Papen) var en tysk offiser, diplomat og politiker for Det katolske sentrumspartiet, og senere partiløs konservativ. Han dannet regjering i 1932, og var et sentralt medlem av president Paul von Hindenburgs konservative kamarilja. Han spilte senere en sentral rolle i dannelsen av Adolf Hitlers regjering, men ble deretter raskt marginalisert av nasjonalsosialistene etter å stilt seg kritisk til deres politikk. Han forsvant ut i politisk betydningsløshet etter «de lange knivers natt» i 1934.
Militær og tidlig politisk karriere
Han ble født i en rik katolsk adelsfamilie i Westfalen som sønn av en godseier. Etter militær utdannelse som kavalerioffiser begynte han en diplomatisk løpebane som tysk militærattaché ved ambassadene i Washington og Mexico. Han ble utvist fra USA i 1915 fordi han var involvert i sabotasje.
Sigvalde jarl
Da Strut-Harald ble begravd valgte kong Svein å holde et stort gravølgilde etter ham. Til tross for de tidligere motsetninger ble det gjort enigheter om utenrikspolitikken: å angripe både Norge og England. I henhold til sagaen klarte kong Svein det ved list og ved å lure Jomsvikingene til å skryte av seg selv, og således klarte han å få deres ord til å gå til krig mot Norge hvor Håkon jarl rådde for Norges uavhengighet. I et drikkelag skryter Sigvalde jarl at innen tre år var gått skulle han ha erobret Norge og drept Håkon jarl. Broren hans Torkjell Høge lover å følge Sigvalde og ikke flykte så lenge Sigvalde ennå kjempet. De andre gjorde tilsvarende vågale løfter som de angret på dagen derpå, men et ord var et ord, og dette ledet til slaget ved Hjørungavåg i 986.
Franz von Papen
Militær og tidlig politisk karriere
Under første verdenskrig var han først bataljonssjef ved vestfronten, senere generalstabsoffiser i Midtøsten og deretter major i den tyrkiske armeen i Palestina. Han tok avskjed fra militæret som oberstløytnant i 1918/19, og begynte å engasjere seg i politikk og konservative herreklubber. I periodene 1920 til 1928, og 1930 til 1932, var Papen medlem av det prøyssiske parlamentet for Det katolske sentrumspartiet, hvor han tilhørte den monarkistiske høyrefløyen. Mens han var stasjonert i Tyrkia ble han venn med Joachim von Ribbentrop som også var utplassert der. Ribbentrop ble senere utenriksminister i Hitlers regjering.
Sigvalde jarl
Løftene som ble gitt under gravølet fikk sine konsekvenser: alle løfter ble brutt. Håkon jarl beseiret den danske invasjonshæren til tross for at de var støttet av de fryktede jomsvikingene. Sigvalde jarl flyktet ynkelig fra slaget. Det samme gjorde broren hans.
Hypseleotris barrawayi
Hypseleotris barrawayi er en art i gruppen piggfinnefisker som ble oppdaget i 1988 og beskrevet i 2007. Den har vertikale felter på kroppen og en ryggfinne med blå, røde og svarte felter. Den lever i sakteflytende vann. Den blir opptil 2,5 cm lang.
Gregor av Nazianz
Nazianzos var en oldtidsby og et bispesete i Kappadokia. Han er blitt betraktet som den dyktigske retoriker i den patrisiske era. Som klassisk skolert taler og filosof innforlivde han hellenismen i den unge kirke, hvorved han grunnla den bysantinske teologis og ekklesiastikks paradigme.
Han er kåret til helgen av Den ortodokse kirke og Den romersk-katolske kirke, og er også kirkelærer. Han omtales sammen med brødrene St. Gregor av Nyssa og St. Basilios den store, hans nære venn og studiekamerat i Athen, som de tre kappadokiere. Disse tre fikk en helt fundamental betydning for utviklingen av kristen lære i det fjerde århundre og fremover, særlig i østkirken.
Han var eldste sønn av Gregor av Nazianz den eldre og Nonna.
Sigvalde jarl
I år 1000 viste Sigvalde seg som en forræder da han lurte Olav Tryggvason i en felle ved Svolder og stakk av i kampens hete. Sigvalde var en del av den dansk-svenske-norske sammenslutningen mot norskekongen, men av taktiske hensyn lot Sigvalde som om han var på norskekongens side.
Franz von Papen
Kansler
Den 1. juni 1932 ble han av rikspresident Paul von Hindenburg utnevnt til Heinrich Brünings etterfølger som rikskansler og leder av regjeringen. Papen tilbød da Adolf Hitler vervet som vise-rikskansler uten resultat. Han trådte 3. juni 1932 ut av Sentrumspartiet, for å komme en eksklusjon i forkjøpet på grunn av hans illojale holdning mot Brüning og dannelsen av en koalisjon med DNVP (det konservative partiet) uten parlamentarisk flertall. Den 20. juli avsatte Hindenburg den valgte prøyssiske regjeringen til Otto Braun (SPD) og utnevnte Papen til rikskommissær i Preussen (Preußenschlag). To ganger i løpet av Papens regjeringstid, den 4. juni og den 12. september, oppløste Hindenburg parlamentet. Papen regjerte deretter gjennom nødforordninger fra rikspresidenten. Oppløsningen av Riksdagen den 12. september skjedde etter et mistillitsvotum mot Papen. Etter riksdagsvalget 5. november 1932 trådte han den 17. november tilbake som rikskansler, da Hindenburg ikke ville gi ham de diktatoriske fullmakter han forlangte. General Kurt von Schleicher overtok og gikk etter det ivrig inn for Hitler som kansler i håpet om at det kunne komme den gamle høyrefløyen til fordel. Paragraf 48 ga presidenten diktatorisk makt i nødssituasjoner. Denne paragrafen brukte Brüning, Papen og Schleicher til å regjere uten å stå til ansvar for riksdagen og begynte da å undergrave det parlamentariske demokratiet i Tyskland.
Sigvalde jarl
Senere synes det som om kanskje Eirik Håkonsson deltok på vikingenes hærtokt i England i 1009–1012 som ble ledet av Torkjell Høge. Eirik var iallfall en viktig deltager da Svein Tjugeskjegg i 1013 erorbret England og ble gjort til jarl over Northumberland.
I henhold til Snorre fulgte skalden Tord Sigvaldaskald Sigvalde jarl og senere Torkjell Høge. Sigvalde jarl forsvinner ut av historien mens broren fortsatt figurerer. Snorre nevnes at «etter at jarlen er falt» blir Tord Sigvaldaskald farmann og senere blir med Olav Digre (Olav den hellige), men det nevnes ikke hvor eller hvordan Sigvalde jarl døde. Vi hører ingenting om ham etter slaget ved Svolder. Det er mulig han ble med Svein Tjugeskjeggs flåte til England i 1003–1004 og senere drept i et slag eller slått i hjel på en annen måte. Broren Hemming dør sannsynligvis også på denne tiden.
Torkjell Høge slår seg senere også sammen med Olav Digre, og er med på å herje Danmark. Det tyder på at både Sigvalde jarl som broren er å betrakte som en form for profesjonelle leiesoldater som slåss der det er noe å hente.
Franz von Papen
Visekansler og marginalisering
Papen skjønte hvor det bar og innledet hemmelige samtaler med andre konservative krefter for å få presidenten til å avsette Hitler.
Marburg-talen
I en tale i Marburg, kjent som Marburg-talen, tydeliggjorde Papen den konservative kritikken mot nasjonalsosialistene, særlig når det gjaldt forholdet til religion og rasepolitikken, og kritiserte voldshandlingene og innskrenkningene i borgerlige friheter. Talen gjorde Hitler rasende, og nasjonalsosialistene undertrykket omtale av den. Papen hevdet å snakke på vegne av president Hindenburg og søkte avskjed fra regjeringen i protest. Nasjonalsosialistene slo kort etter til med «de lange knivers natt» hvor en rekke motstandere av regimet, samt intern opposisjon, ble drept. Papen ble arrestert og hans kontor ransaket, men han ble løslatt fordi nasjonalsosialistene mente han kunne være nyttig som diplomatisk trumfkort. Derimot ble hans sekretær Herbert von Bose og hans taleskriver Edgar Julius Jung, som hadde vært viktige i utformingen av Marburg-talen, myrdet av nasjonalsosialistene. Papen ble gitt avskjed som visekansler 1. juli 1934 og spilte siden ikke noen politisk rolle.
Diplomatiske stasjoneringer
Papen ble i 1934 utnevnt til sendemann, fra 1936 ambassadør, i Østerrike. Der drev han undergraving av den østerrikske republikken med sikte på sammenslutning med Tyskland. Fra 1939 var han tysk utsending i Tyrkia stasjonert Ankara, hvor han blant annet forhandlet frem den tysk-tyrkiske vennskapsavtalen av juni 1941. Der motarbeidet han de alliertes politikk på Balkan og i Midtøsten. Han ble i Tyrkia frem til 1944 da Tyrkia brøt de diplomatiske forbindelsene med Tyskland. Nasjonalsosialistene arbeidet med planer om å drepe Papen og bruke det som påskudd for å ta kontroll over Østerrike. Papen var ikke på bølgelengde med Ribbentrop som han mente var uansvarlig ved å bidra til å drive landet mot krig.
Virke etter annen verdenskrig
Ved de alliertes rettssak mot de ledende nazistene i Nürnbergprosessen etter krigen ble Papen tiltalt på punkt 1 og 2: Konspirasjon (sammensvergelse) for å utføre forbrytelser i punkt 2–4 og forbrytelser mot freden. Tribunalet la til grunn at von Papen kunne kjennes skyldig bare dersom han hadde medvirket til angrepskrig. Tribunalet fant det ikke bevist at han hadde medvirket til planlegging av aggresjon der annektering av Østerrike var et første trinn. Tribunalet fant det heller ikke bevist at han hadde deltatt i planlegging av eventuelt militært angrep på Østerrike i denne forbindelse. Det var ifølge dommen bevist at von Papens oppdrag som utsending i Østerrike var å undergrave Schusniggs regjering og styrke de østerrikske nazistene. Tribunalet konkluderte med at slik politisk påvirkning var moralsk problematisk, men ikke kriminelt i henhold til de bestemmelsene tribunalet skulle dømme etter. Etter Anschluss trakk von Papen seg tilbake inntil han ble ambassadør til Tyrkia og tribunalet fant ikke at han hadde medvirket i noe kriminelt i den rollen. Tribunalet konkluderte med at han ikke var skyldig i noen av punktene i tiltalen. I 1947 ble han dømt til 8 års tvangsarbeid og sluppet fri i 1949.
Han forsøkte å gjenoppta en politisk karrière i 1950-årene, uten å få noen sentrale posisjoner.
Papen utgav i senere år flere bøker og memoarer, hvor han forsvarte sin egen politikk og behandlet perioden fra 1930 til 1933, samt den tidlige fasen i den kalde krigen. Papen roste Schumanplanen og støttet økonomisk og militært samarbeid i Vest-Europa. Han bodde på Benzenhofen-slottet i Schwaben.
Familie
Papen ble i 1905 gift med Martha von Boch-Galhau (1880–1961), en av arvingene til det kjente keramikkdynastiet Villeroy & Boch. Hun førte store pengeverdier samt et herskapelig gods i Saar inn i ekteskapet. Godset befinner seg fortsatt i Papen-familiens eie.
Franz og Martha von Papen hadde en sønn, Friedrich Franz von Papen (født 1911) og fire døtre, bl.a. Antoinette von Papen (født 1906), som i 1926 ble gift med juristen og statstjenestemannen Max von Stockhausen. En annen datter var gift med Wilhelm Freiherr von Ketteler, som var en nær medarbeider av Papen og ble drept av Gestapo i 1938.
Jesu gjenkomst
Jesu gjenkomst, også omtalt som Jesu komme, Parousia og annet, er en trosforestilling i kristendommen, islam og bahai som innebærer at Jesus Kristus, angivelig profet og Guds sønn, i sin gudommelige form kommer til å vende tilbake til jorden etter at han for til himmelen etter sin oppstandelse. Den kommende hendelsen knyttes vanligvis til ideen om Guds endelige dom over levende og døde i verden. Begrepet er sentralt innen den kristne eskatologien (endetidslæren), og har også ofte blitt avbildet i kirkekunsten.
Sinkadus (TV-serie)
Den er en slags oppfølger til serien Ärliga Blå Ögon fra 1977.
Gregor av Nazianz
Bakgrunn
Gregor var eldste sønn av Gregor av Nazianz den eldre og Nonna. Han studerte i det palestinske Cæsarea, i Alexandria og i Athen. I Athen ble han kjent med Julianus, den senere keiser Julian Apostata, og sluttet vennskap med Basileios. I Athen studerte Gregor for de berømte retorikerne Himerios og Proaeresios. Mens han sluttførte sin utdannelse underviste han i retorikk en kort periode.
Sinkadus (TV-serie)
Den ble sendt på NRK i januar 1982. De første to episodene ble sendt 1. og 2. januar mens de to siste ble sendt på fredag og lørdag den 15. og 16. januar. Serien ble godt mottatt av VGs TV-anmelder.
Gregor av Nazianz
Bakgrunn
Etter å ha vendt hjem ble han døpt (360) og levde nå en stund ute i ensomheten ved den pontiske elven Iris, der han studerte Origenes sammen med Basileios/Basil. Da han hørte at hans far – der var blitt tilbake i Nazianz hvor han var biskop – hadde underskrevet en semiariansk formel, reiste han straks til ham for å få ham rettvendt, noe som han også lyktes med.
Sinkadus (TV-serie)
Handling
En liga bestående av Conny Klack (Leif Magnusson), Josef Brandt (Nils Eklund) og Robert Bintje (Tommy Nilson) raner en verditransport med gullbarrer. De gjemmer senere gullet i en stjålet bil med falske skilter som hentes av ligaens fjerde medlem, Ros-Marie Larsson (Mona Seilitz). Ved en tilfeldighet legger de i gullet i feil bil, en bil med samme bilnummer som den falskskiltede.
Gregor av Nazianz
Prest
Samtidig meddelte faren ham prestevielsen (361),som ville ha ham til å hjelpe til med å virke blant de unådde i området, men Gregor besvarte farens beslutning om å tvinge ham til å velge mellom prestedømme og ensomheten ved å kalle det «en tyrannisk handling». Etter bare noen dager trakk seg atter ut i ensomheten. Alltid kjempet lysten til ensomhet og lysten til at vinne laurbær ute på den store skueplass i ham. Han møtte Basil i Annesoi der de begge skulle leve som asketer. Basileios forsøkte imidlertid å overtale ham til å assistere sin far, og året etter gjorde han så det. Da han ankom til Nazianzos fant Gregors den kristne menighet der splittet av teologisk splid, og faren ble anklaget for kjetteri av lokale munker. Gregor hjalp til med å bygge bro over kløftene med en kombinasjon av personlig diplomati og retorikk.
Sinkadus (TV-serie)
Handling
Bilen viser seg å tilhøre den deprimerte og livstrøtte John Hissing (Hans Ernback). Når han oppdager gullet i bagasjen tar hans liv en drastisk endring til det bedre. Ligaen oppsporer og truer ham, men han klarer ikke bare å få sin del av gullet, men også å bli medlem av ligaen. I tillegg til dette blir han og Ros-Marie forelsket i hverandre. Ryktet om gullbyttet begynner imidlertid å sirkulere i underverdenen der den beryktede mafiabossen "Trøffelsvinet" truer dem for å få del av byttet.
Gregor av Nazianz
Prest
På denne tiden hadde keiser Julian offentlig utropt seg som motstander av kristendommen. Som svar på keiserens avvisning av den kristne tro, fremstilte Gregor sine «Invektiver mot Julian» mellom årene 362 og 363. Med sin ringaktelse av keiserens moral og forstand hevder Invektivene at kristendommen ved kjærlighet og tålmod kom til å overvinne utilstrekkelige ledere som Julian. Denne utvikling beskrives av Gregorios som den offentlige ytring av deifikasjonen (theosis), som fører til en åndelig opphøyelse og mystisk forening med Gud. Julian skulle senere, i 362, svare med voldsomme anklager mot Gregor og andre kristne kritikere; keiseren viet seg imidlertid de nærmeste årene til sine felttog mot perserne. Med keiserens død svant faren for forfølgelse for Gregor og østkirken, ettersom den nye keiser Jovianus var en svoren kristen som støttet kirken.
Sinkadus (TV-serie)
Handling
Etter at både Josef Brandt og Conny Klack blir drept av Trøffelsvinet bestemmer de tre andre seg for å flykte til hver sin kant. Trøffelsvinet klarer imidlertid å oppspore Hissing, men i stedet for å flykte tar han opp kampen med gangsterkongen.
Jesu gjenkomst
Ifølge det synet som kalles preterisme, fikk gjenkomsten sin oppfyllelse allerede da Jesus var på jorden. Noen vil oversette det greske ordet parousía med «nærvær» snarere enn «gjenkomst», og vil snarere snakke om Jesu nærvær enn Jesu gjenkomst. Andre igjen vil snakke om «nærvær» og «gjenkomst» som en del av samme helhet, slik at ingen utelukker hverandre, men at nærværet av Jesus i et menneske også kan skje før gjenkomsten.
Gregor av Nazianz
Biskop
I 372 gjorde Basileios ham til biskop i den lille byen Sasima, Dette bispesete var nylig blitt opprettet av Basil for å styrke sin stilling mot Anthimus, biskop av Tyana. De ambisjoner som Gregors far hadde hatt for sin sønn og Basils sterke argumentasjon, overbeviste Gregor om at han burde anta utfordringen til tross for sine personlige forbehold. Gregor skulle senere hevde at konsekrasjonen ble pålagt ham mot hans vilje av hans viljesterke far og Basil. Da Gregor skulle beskrive sitt biskopssete sa han at det ikke var meget mer enn en «ytterst skrekkelig avkrok til hule; knapt mer enn et sted for å hvile hester … mangel av vann, planteliv, og selskap med beleste… slik var min kirke i Sasima!» Han gjorde ytterst få anstrengelser for å forvalte sitt nye bispedømme, og klaget til Basilios at han hadde foretrukket å få leve et kontemplativt liv.
Jesu gjenkomst
Utallige dommedagsprofeter har påpekt «sikre» endetidstegn i sin samtid og feilaktig spådd tidspunktet for den lovede tilbakekomsten.
Parusia Parusie Parusie Parusía Parousie Parousia Paruzja Parusia
Gregor av Nazianz
Biskop
Mot slutten av året 372 returnerte Gregor til Nazianzos for å bistå sin døende far med forvaltningen av hsns bispesete. Dette satte vennskapet med Basileios på prøve, da han oppfordret ham til å vende tilbake til Sasima. Gregor hevdet at ikke tenkte på å fortsette å være en strategisk brikke i Basileios' spill. I stedet festet Gregor all sin oppmerksomhet ved sine plikter som koadjutor av Nazianzos. Det var her Gregorios holdt sine første store episkopale prekener.
Etter farens og morens død i 374 fortsatte Gregorios å forvalte bispedømmet Nazianzos men nektet å la seg tiltale som biskop. Han donerte det meste av sine eiendeler til de fattige for å leve i forsakelse og streng avholdendhet. Mot slutten av 375 trakk han seg tilbake til et kloster i Seleukia der han ble i tre år. Mot slutten av den tiden døde hans venn Basileios. Da Gregorios' helse forhindret ham fra å nærvære ved begravelsen skrev han et gripende brev til Gregor av Nyssa der han beklager sorgen, samt tolv dikt tilegnet sin bortgangne venn.
I 379 ble han kalt til Konstantinopel av den derværende lille nikensktroende menighet, og her utfoldet han all sin lærdom og veltalenhet for å bevise Kristi guddom, så nikenernes tall øket kraftig.
Gregorios i Konstantinopel
Keiser Valens døde i 378. Det var godt nytt for dem som ville stanse innflytelsen fra arianismen og apollinarismen i Konstantinopel at hans etterfølger ble Theodosios I, en tro støtter av nicaeansk ortodoksi. Det landsforviste nicaeanske parti kunne nå vende tilbake til byen. Fra sin dødsleie hadde Basileios minnet dem om Gregors talenter, og foreslo sannsynligvis at hans venn skulle føre den trinitarianske saks tale i Konstantinopel.