cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Alise šeit vairs nedzīvo
Filmas "Alise šeit vairs nedzīvo" pirmizrāde notika 1974. gada Kannu kinofestivālā, kur tā sacentās par Zelta palmas zaru. Pirmizrāde ASV notika un to izplatīja Warner Bros.. Filma guva finansiālus panākumus, nopelnot 21 miljonu ASV dolāru pie 1,8 miljonu budžeta. Bērnstina par savu sniegumu saņēma Amerikas Kinoakadēmijas balvu kategorijā "Labākā aktrise galvenajā lomā". Filma nominēta arī kategorijā "Labākā aktrise otrā plāna lomā" (Lada) un "Labākais oriģinālscenārijs".
1998. gada Latvijas čempionāts šahā
1998. gada Latvijas šaha čempionāts bija Latvijas šaha čempionāti vīriešiem un sievietēm.
Turnīra gaita
Latvijas 1998. gada šaha čempionāts vīriešiem notika no 11. līdz 19. martam Rīgā. Turnīrs noritēja pēc Šveices sistēmas 9 kārtās. Visu laiku līderis bija Juzefs Petkēvičs, taču pēdējā kārtā pēc uzvaras pār Viesturu Meijeru viņu panāca Māris Krakops. Bija jāspēlē papildu mačs no 4 partijām par čempiona nosaukumu. Tajā veiksmīgāks bija Krakops, kas uzvarot ar 2,5:1,5, kļuva par Latvijas čempionu.
Latvijas vīriešu šaha čempionāta turnīra tabula
! !! Dalībnieks !! 1 !! 2 !! 3 !! 4 !! 5 !! 6 !! 7 !! 8 !! 9 !! Punkti !! Vieta
Papildu mačs par Latvijas čempiona nosaukumu
! !! Dalībnieks !! 1 !! 2 !! 3 !! 4 !! Punkti !! Vieta
Latvijas sieviešu šaha čempionāta turnīra tabula
! !! Dalībniece !! 1 !! 2 !! 3 !! 4 !! 5 !! 6 !! 7 !! 8 !! 9 !! 10 !! 11 !! Punkti !! Vieta
Papildu mačs par Latvijas čempiones nosaukumu
! !! Dalībniece !! 1 !! 2 !! 3 !! 4 !! Punkti !! Vieta
Coliseum Alfonso Pérez
Coliseum Alfonso Pérez ir stadions Getafē, Spānijā. Stadionā ir 17 393 sēdvietas un tajā savas mājas spēles aizvada Getafe Club de Fútbol.
Marjola Vozņaka
Marjola Vozņaka (pl; dzimusi ) ir Polijas starptautiskā meistare šahā (2015).
Biogrāfija
Polijas junioru šaha čempionātu daudzkārtējā laureāte, kuros izcīnījusi 2 zelta (2010. gadā U12 vecuma grupā, 2012. gadā U14 vecuma grupā) un 2 sudraba (2013. gadā - U16 vecuma grupā, 2015. gadā - U18 vecuma grupā) medaļas. 2013. gadā Eiropas jauniešu šaha čempionātā U16 vecuma grupā izcīnījusi sudraba medaļu. 2015. gadā debitējusi Polijas sieviešu šaha čempionāta finālā un ierindojusies 4. vietā. 2015. gadā Polijas komandas sastāvā izcīnījusi sudraba medaļu Eiropas junioru komandu čempionātā šahā.
Pasaules šaha olimpiādē 2016. gadā Polijas izlases sastāvā izcīnījusi sudraba medaļu komandu vērtējumā.
Par panākumiem turnīros FIDE 2015. gadā Vozņakai piešķīra starptautiskās meistares (WIM) nosaukumu.
VANTAs
Vertikāli izlīdzināti oglekļa nanocauruļu masīvi (VANTA) ir unikāla mikrostruktūra, kas sastāv no oglekļa nanocaurulītēm, kuru gareniskā ass ir perpendikulāra pamatnes virsmai. Šīs VANTA efektīvi saglabā un bieži vien izceļ atsevišķu oglekļa nanocauruļu unikālās anizotropās īpašības, un to morfoloģiju var precīzi kontrolēt. Tāpēc VANTA ir plaši izmantojamas vairākās pašreizējās un potenciālajās ierīcēs.
Sintēze
Ir pieejamas dažas eksperimentālas tehnoloģijas, lai sakārtotu vienu vai virkni CNT atbilstoši iepriekš noteiktai orientācijai. Šīs metodes balstās uz dažādiem mehānismiem un tāpēc ir piemērojamas dažādās situācijās. Šīs metodes iedala divās grupās atkarībā no tā, kad tiek panākta izlīdzināšana: a) in-situ metodes, kad izlīdzināšana tiek panākta CNT augšanas procesa laikā, un b) ex-situ metodes, kad CNT sākotnēji tiek audzēti ar nejaušu orientāciju un izlīdzināšana tiek panākta pēc tam, piemēram, ierīces integrācijas procesa laikā.
Katalizators
Katalizators nodrošina oglekļa pirolīzi un turpmāku VANTA augšanu. Parasti katalizatori ir metāli, kuriem ir augsta oglekļa šķīdība augstā temperatūrā un kuriem piemīt liels oglekļa difūzijas ātrums, piemēram, dzelzs (Fe), kobalts (Co) un niķelis (Ni). Ir ziņots, ka arī citi pārejas metāli, piemēram, varš (Cu), zelts (Au), sudrabs (Ag), platīns (Pt) un pallādijs (Pd), katalizē CNT augšanu no dažādiem ogļūdeņražiem, bet tiem ir zemāka oglekļa šķīdība un līdz ar to zemāks augšanas ātrums. Izplatīti katalizatori ir arī cietie organometalocēni, piemēram, ferrocēns, kobaltocēns, niķeļocēns. Konstatēts, ka termiskās un reducēšanas katalizatora priekšapstrādes posmu temperatūra un laiks ir izšķiroši mainīgie lielumi, lai optimizētu nanodaļiņu sadalījumu ar dažādiem vidējiem diametriem atkarībā no sākotnējā plēves biezuma. CNT audzēšanai ar CVD metodi izmanto uzsmidzinātu plānu katalizatora plēvi (piemēram, 1 nm Fe). Karsēšanas laikā plēve atūdeņojas, veidojot dzelzs saliņas, no kurām pēc tam veidojas nanocaurulītes. Tā kā dzelzs ir kustīga, saliņas var saplūst, ja tās pārāk ilgi atstāj augšanas temperatūrā, pirms sākt nanorulīšu augšanu. Atkarsēšana augšanas temperatūrā samazina vietu blīvumu #/mm2 un palielina nanocauruļu diametru. Nanorulītēm augot no katalizatora saliņām, pārblīvēšanās efekts un van der Valsa spēki starp citām CNT neatstāj tām izvēles iespēju augt jebkurā virzienā, izņemot vertikāli pret substrātu.
Vertikāli izlīdzināto CNT augstums mainās arī atkarībā no attāluma starp katalizatora daļiņām. Ziņojumos norādīts, ka vertikāli izlīdzinātiem CNT saišķu masīviem CNT aug garāki, ja to tuvumā aug citi CNT, par ko liecina garāki CNT, kas izauguši uz lielākām katalizatora daļiņām vai ja katalizatora daļiņas ir izvietotas tuvu viena otrai. Choi et al. ziņoja par labu morfoloģiju un blīvu izvietojumu VANTAs, kas izaudzēti no Ni nanopulveriem un magnētiskajiem šķidrumiem, kas sajaukti polivinilspirtā, kas uzskrūvēti uz Si un alumīnija oksīda. Xiong et al. pierādīja, ka monokristāliskais magnija oksīds (MgO) ir piemērots substrāts VANTA audzēšanai līdz pat 2,2 mm garumā, ja to katalizē ar Fe katalizatoru. Pierādīts arī, ka Mo monoslāņa uzklāšana ar Co katalizatoru nomāc SWNT diametra sadalījuma paplašināšanos izaudzētajā VANTA, bet gan Co, gan Mo sastāvs un daudzums ietekmē katalītisko aktivitāti.
Atbalsts
Substrāta materiāls, tā virsmas morfoloģija un tekstūras īpašības būtiski ietekmē iegūto VANTA iznākumu. Daži CVD parasti izmantoto substrātu piemēri ir kvarcs, silīcijs, silīcija karbīds, silīcija dioksīds, alumīnija oksīds, ceolīts, CaCO3 un magnija oksīds. Lielākā daļa substrātu pirms katalizatora nogulsnēšanas tiek pārklāti ar 10-20 nm alumīnija oksīda apakšslāni. Tas regulē katalizatora atūdeņošanu paredzama lieluma saliņās un ir difūzijas barjera starp substrātu un metāla katalizatoru. Li et al. ir izgatavojuši VANTA, kas sastāv no Y formas oglekļa nanocaurulītēm, pirolīzējot metānu virs kobalta pārklāta magnija oksīda katalizatora uz sazarotiem nanokanālu alumīnija oksīda šabloniem. Qu et al. izmantoja oglekļa šķiedru uz piķa bāzes kā atbalstu VANTA audzēšanai, izmantojot FePc oglekļa avotu. Iegūtais masīvs izplatās radiāli uz oglekļa šķiedras virsmas.
Zhong et al. demonstrēja VANTA tiešu augšanu uz metāliskiem titāna (Ti) pārklājumiem, izmantojot Fe/Ti/Fe katalizatoru, kas uzsmidzināts uz SiO2/Si plāksnēm. Alvarez et al. ziņo par iespēju ar CVD palīdzību uzklāt alumoksāna šķīdumu kā katalizatora atbalstu VANTA augšanai. Pēc parastā Fe katalizatora iztvaicēšanas uz ar vērpšanu pārklātā nesēja iegūtais VANTA augšanas iznākums bija līdzīgs parastajiem Al2O3 pulverveida nesējiem. 2
Oglekļa avots
VANTA CVD oglekļa avots visbiežāk ir oglekļa gāze, piemēram, metāns, etilēns, acetilēns, benzols, ksilols vai oglekļa monoksīds. Citi oglekļa prekursoru piemēri ir cikloheksāns, fullerēns, metanols un etanols. Šo gāzu pirolīze oglekļa atomos atšķiras atkarībā no sadalīšanās ātruma augšanas temperatūrā, oglekļa satura gāzes molekulās un augšanas katalizatora. Lineārie ogļūdeņraži, piemēram, metāns, etilēns, acetilēns, termiski sadalās atomu oglekļos vai lineāros oglekļa dimeros/trimeros un parasti veido taisnus un dobus CNT. No otras puses, cikliskie ogļūdeņraži, piemēram, benzols, ksilols, cikloheksāns, fullerēns, rada relatīvi izliektas/izliektas CNT ar caurulītes sieniņām, kas bieži vien ir savienotas iekšpusē. Izlīdzināti MWNT masīvi ir sintezēti, katalītiski sadalot ferrocēna un ksilēna prekursoru maisījumu uz kvarca substrātiem atmosfēras spiedienā un salīdzinoši zemā temperatūrā (~675 °C).
Eres un citi atklāja, ka ferrocēna pievienošana gāzes plūsmai, veicot termisko iztvaicēšanu vienlaicīgi ar acetilēnu, uzlabo oglekļa nanocauruļu augšanas ātrumu un palielina VANTA biezumu līdz 3,25 mm. Ferrocēnu ievadīja gāzes plūsmā, termiski iztvaicējot vienlaicīgi ar acetilēna plūsmu. Qu et al. ziņoja par zemspiediena CVD procesu uz SiO2/Si plāksnītes, kurā iegūst VANTA, kas sastāv no CNT ar savītiem galiem. VANTA pirolītiskās augšanas laikā sākotnēji izveidojušies nanocauruļu segmenti no bāzes augšanas procesa auga nejaušos virzienos un veidoja nejauši savijušos nanocauruļu virsējo slāni, uz kura pēc tam izveidojās pamatā esošie taisnie nanocauruļu masīvi. Zhong et al. pētīja tīri termisko CVD procesu SWNT mežiem bez kodinātājgāzes un pierādīja, ka akteilēns ir galvenais augšanas prekursors, un SWNT VANTA augšanā būtiska nozīme ir jebkuras izejvielas pārvēršanai par C2H2. Reaktīvs kodinātājs, piemēram, ūdens, atomu ūdeņradis vai hidroksilradikāli, var paplašināt SWNT meža nogulsnēšanās logu, bet tas nav nepieciešams aukstās sienas reaktoros pie zema spiediena.
Dasgupta et al. sintezēja brīvi stāvošu makrocauruļveida VANTA, izmantojot ferrocēna-benzola šķīduma izsmidzināšanas pirolīzi slāpekļa atmosfērā, un tika konstatēts, ka optimālais nosacījums makrocauruļveida ģeometrijas veidošanai ir 950 °C, 50 mg/ml ferrocēna benzolā, 1,5 ml/min šķidrā prekursora sūknēšanas ātrums un 5 lpm slāpekļa gāzes plūsmas ātrums.
Temperatūra
Pārāk zemā temperatūrā katalizatora atomi nav pietiekami kustīgi, lai apvienotos daļiņās, kas ļautu veidoties un augt nanocaurulītēm, un oglekļa prekursora katalītiskā noārdīšanās var būt pārāk lēna, lai varētu veidoties nanocaurulītes. Ja temperatūra ir pārāk augsta, katalizators kļūst pārāk kustīgs, lai veidotu pietiekami mazas daļiņas CNT veidošanai un augšanai. Tipisks audzēšanas temperatūras diapazons, kas piemērots VANTA CVD audzēšanai, ir 600-1200 °C. Augšanas temperatūra ietekmē atsevišķu CNT struktūru; zemas temperatūras CVD (600-900 °C) rezultātā veidojas MWCNT, savukārt augstas temperatūras (900-1200 °C) reakcija veicina SWCNT, jo tiem ir augstāka veidošanās enerģija. Katrai CVD sistēmai ir noteikta kritiskā temperatūra, kurā augšanas ātrums sasniedz maksimālo vērtību.
Oglekļa nanocauruļu augšanas temperatūras atkarība no ferrocēna uzrāda strauju kritumu pie augstām substrāta temperatūrām un vertikālās izlīdzināšanas zudumu pie 900 °C. Zhang et al. veica VANTA augšanu uz virknes Fe/Mo/vermikulīta katalizatoru un ziņoja, ka, pieaugot augšanas temperatūrai, CNT, kas interkalēti starp vermikulītiem, izlīdzināšanās pasliktinās.
Plūsmas asistēta augšana
Galvenais priekšnoteikums augstiem augšanas rādītājiem ir pareiza oksidētāju ievadīšana gāzes vidē, lai katalizatora daļiņu virsmas paliktu aktīvas pēc iespējas ilgāku laiku, ko, domājams, panāk, līdzsvarojot konkurenci starp amorfā oglekļa augšanu un sp2 grafīta kristālu veidošanos uz katalizatora daļiņām. Oksidanti var ne tikai likvidēt vai novērst amorfā oglekļa augšanu, bet var arī kodināt grafīta slāņus, ja tos izmanto koncentrācijās, kas ir augstākas par labvēlīgajām. Hata et al. ziņoja par milimetru mēroga vertikāli izlīdzinātiem 2,5 mm gariem SWCNT, izmantojot etilēna CVD procesu ar ūdens palīdzību ar Fe/Al vai alumīnija oksīda daudzslāņu pārklājumu uz Si plāksnēm. Tika ierosināts, ka kontrolēta tvaika padeve CVD reaktorā darbojas kā vājš oksidētājs un selektīvi noņem amorfo oglekli, nebojājot augošās CNT.
Ar lauka palīdzību veicināta augšana
Tā kā visi CNT ir elektrovadītspējīgi, tiem ir tendence izlīdzināties ar elektriskā lauka līnijām. Ir izstrādātas dažādas metodes, lai CNT augšanas procesā piemērotu pietiekami spēcīgu elektrisko lauku, lai, pamatojoties uz šo principu, panāktu vienmērīgu CNT izlīdzināšanu. Izlīdzināto CNT orientācija galvenokārt ir atkarīga no CNT garuma un elektriskā lauka, kā arī no termiskās randomizācijas un van der Valsa spēkiem. Šī metode ir izmantota VANTAs audzēšanai, pozitīvi novirzot substrātu CVD augšanas laikā.
Cita modificēta pieeja VANTA audzēšanai ir feromagnētisko katalizatoru, kuriem ir viena kristalogrāfiski vienkārša magnētiskā ass, orientācijas kontrole. Magnētiskajai vieglajai asij ir tendence būt paralēlai magnētiskajam laukam. Rezultātā pielietots magnētiskais spēks var orientēt šīs magnētiskās katalītiskās nanodaļiņas, piemēram, katalītiskās dzelzs nanodaļiņas un Fe3O4 nanodaļiņas. Tā kā tikai noteikta katalītisko nanodaļiņu nanokristāliskā šķautne ir katalītiski aktīva un oglekļa atomu difūzijas ātrums uz šīs šķautnes ir vislielākais, CNT priekšroku dod tam, lai tie augtu no noteiktas katalītisko nanodaļiņu šķautnes, un izaugušie CNT ir orientēti noteiktā leņķī.
Individuāli adresējamas nanostruktūras
Oglekļa nanocaurulītes var izaudzēt uz modificēta substrāta, lai nodrošinātu atsevišķus elektriskos kontaktus katrai nanostruktūrai. Šāda nanotubu audzēšana tiek veikta, litogrāfiski izvietojot metāla pēdas, kas atdalītas ar izolatora materiālu, un savienojot šīs pēdas ar atsevišķām katalizatora vietām uz pamatnes virsmas. Pēc tam nanorulītes tiek audzētas kā parasti, izmantojot CVD, un virkne reakciju pie katalizatora veido vienu savienojumu starp nanorulīti un metāla kontaktu. Pēc tam nanostruktūras var individuāli funkcionalizēt un mērīt to elektriskās atbildes reakcijas atsevišķi, novēršot savstarpējus traucējumus un citus šķēršļus, kas rodas masīva neviendabīguma dēļ. Šis paņēmiens, kas ļauj precīzi izvietot un konfigurēt atsevišķas nanorulītes, paver un uzlabo VANTA plašu lietojumu klāstu: diagnostikas testi daudziem analītiem vienlaicīgi, augsta enerģijas blīvuma superkondensatori, lauka efekta tranzistori utt.
Augšanas mehānisms
Plazmas pastiprinātas CVD (PECVD) procesos līdzstrāvas elektriskie lauki, radiofrekvences elektriskie lauki vai mikroviļņi rada plazmu, lai galvenokārt pazeminātu CNT sintēzes temperatūru. Vienlaikus virs substrāta virsmas tiek radīts arī elektriskais lauks (līdzstrāvas vai maiņstrāvas), lai virzītu CNT augšanu. DC-PECVD process vertikāli izlīdzinātu CNT masīvu veidošanai ietver četrus pamatposmus: evakuāciju, sildīšanu, plazmas ģenerēšanu un dzesēšanu. Tipisku procedūru veic pie NH3 spiediena 8 Torr un augšanas temperatūras 450-600 ◦ diapazonā. Tiklīdz temperatūra un spiediens ir nostabilizējušies, spraugā starp diviem elektrodiem pievada līdzstrāvas spriegumu 450-650 V, lai paraugā aizdedzinātu elektrisko izlādi (plazmu). Augšanas laiks var būt no dažām minūtēm līdz stundām atkarībā no augšanas ātruma un vēlamā CNT garuma. Kad ir sasniegts augšanas laika beigas, nekavējoties atvieno slīpējošo spriegumu, lai pārtrauktu plazmas veidošanos.
Zhong et al. ziņoja par jaunu punktu loka mikroviļņu plazmas CVD aparātu, ko izmanto SWNT uz Si substrātiem, kas pārklāti ar 0,7 nm Al2O3/0,5 nm Fe/0,5 nm Fe/ 5-70 nm Al2O3 nano-slāņa struktūru, izmantojot parasto augstfrekvences smidzināšanu. Pirmo reizi tika demonstrēta ārkārtīgi blīvu un vertikāli izlīdzinātu SWNT izaugšana ar gandrīz nemainīgu augšanas ātrumu 270 mm/h 40 min laikā temperatūrā līdz pat 600 °C, un izaugušo SWNT plēvju tilpuma blīvums sasniedz 66 kg/m3.
Katalizators
Arī vertikāli izlīdzinātu SWCNT augšanai, izmantojot PECVD metodi, būtiska ir blīva un relatīvi vienmērīga katalizatora nanodaļiņu slāņa veidošanās. Amaratunga et al. ziņoja par vertikāli izlīdzinātu CNT izaudzēšanu, izmantojot līdzstrāvas PECVD metodi ar Ni un Co katalizatoru sistēmu. Viņu rezultāti liecina, ka vertikāli izlīdzinātu CNT izlīdzināšana ir atkarīga no elektriskā lauka un ka augšanas ātrumu var mainīt atkarībā no CNT diametra, kas sasniedz maksimumu kā augšanas temperatūras funkcija. VANTA, kas sastāv no SWNT, ir izaudzētas līdz pat 0,5 cm garas. Zhong et al. ziņoja par jaunu punktu loka mikroviļņu plazmas CVD aparātu, ko izmanto SWNT uz Si substrātiem, kas pārklāti ar 0,7 nm Al2O3/0,5 nm Fe/0,5 nm Fe/ 5-70 nm Al2O3 nano-slāņa struktūru, izmantojot parasto augstas frekvences izsmidzināšanu. Pirmo reizi tika demonstrēta ārkārtīgi blīvu un vertikāli izlīdzinātu SWNT izaugšana ar gandrīz nemainīgu augšanas ātrumu 270 mm/h 40 min laikā temperatūrā līdz pat 600 °C, un izaugušo SWNT plēvju tilpuma blīvums sasniedz 66 kg/m3.
Atbalsts
PECVD procesos substrātam jābūt ķīmiski stabilam plazmas ietekmē, kurā ir daudz H-daļiņu. Daži vāji saistītie oksīdi, piemēram, indija oksīds, šajā plazmā var ātri reducēties, tāpēc parasti nav izmantojami kā substrāts vai apakšslānis. Substrātam jābūt arī elektrovadošam, lai uzturētu nepārtrauktu līdzstrāvas plūsmu caur tā virsmu, no kuras aug CNT. Lielākā daļa metālu un pusvadītāju ir ļoti labi substrātu materiāli, un izolējošos substrātus var vispirms pārklāt ar vadošu slāni, lai tie varētu pienācīgi darboties PECVD VANTA augšanas atbalstam.
Oglekļa avots
C2H2 parasti ievada, lai iedarbinātu CNT augšanu VANTA PECVD laikā. NH3:C2H2 plūsmas ātruma attiecība parasti ir aptuveni 4:1, lai samazinātu amorfā oglekļa veidošanos. Bērs un citi pētīja ūdeņraža ietekmi uz katalizatora nanodaļiņām VANTA PECVD laikā un pierādīja, ka pie H2 un CH4 attiecības aptuveni 1 dzelzs katalizatora nanodaļiņas pārvēršas par Fe3C un no iegareniem Fe3C kristāliem izaug labi grafētas nanorulītes. Ja H2 un CH4 attiecība padeves gāzē ir lielāka par 5, plazmā rodas augsta ūdeņraža koncentrācija un spēcīgi reducējoši apstākļi, kas kavē Fe pārvēršanos par Fe3C un izraisa slikti grafizētu nanošķiedru augšanu ar biezām sieniņām.
Elektroforētiskā uzklāšana
CNT šķīdumi var veidot VANTA, izlīdzinot tos gar līdzstrāvas vai maiņstrāvas elektriskā lauka līnijām. Elektriskā lauka dēļ CNT suspensijā tiek polarizēti, jo pastāv dielektriskā nesakritība starp CNT un šķidrumu. Polarizācijas moments pagriež CNT pret elektriskā lauka līniju virzienu, tādējādi izlīdzinot tās kopējā virzienā. Pēc izlīdzināšanas CNT tiek izņemti kopā ar substrātiem un izžāvēti, lai veidotu funkcionālus VANTA.
Mehāniskā spriedze
Nejauši orientētus CNT uz pamatnes var izstiept, lai iztaisnotu un atšķetinātu plēvi, salaužot pamatni un izvelkot tās galus. Izlīdzinātie CNT ir paralēli viens otram un perpendikulāri plaisai. Izstiepšanas metode var makroskopiski izlīdzināt CNT, vienlaikus nenodrošinot deterministisku kontroli pār atsevišķu CNT izlīdzināšanu vai pozīciju montāžas laikā.
Lauka emisijas ierīces
CNT ir augsts aspektu koeficients (garums dalīts ar diametru), un tie rada ļoti augstu lokālo elektriskā lauka intensitāti ap galiem. Lauka emisija cietās vielās notiek intensīvos elektriskajos laukos un ir ļoti atkarīga no izstarojošā materiāla darba funkcijas. Paralēli plāksnēm novietotai plāksnei, makroskopiskais lauks Emacro starp plāksnēm ir dots ar Emacro = V/d, kur d ir plāksnes attālums un V ir pieliktais spriegums. Ja uz plāksnes ir izveidots ass objekts, tad vietējais lauks Elocal tā virsotnē ir lielāks par Emacro, un to var saistīt ar: Elocal = γ × Emacro Parametru γ sauc par lauka pastiprinājuma koeficientu, un to pamatā nosaka objekta forma. Tipiskus lauka pastiprinājuma koeficientus, kas svārstās no 30 000 līdz 50 000, var iegūt no atsevišķiem CNT, tādējādi VANTA ir viens no labākajiem elektronu izstarojošajiem materiāliem.
Melnā ķermeņa absorbētājs
VANTAs piedāvā unikālu gaismas absorbējošu virsmu, pateicoties to ārkārtīgi zemajam refrakcijas indeksam un izlīdzināto CNTs nanomēroga virsmas nelīdzenumam. Jangs (Yang et al.) pierādīja, ka zema blīvuma VANTA uzrāda īpaši zemu difūzo atstarojamību - 1 × 10-7 ar atbilstošu integrēto kopējo atstarojamību 0,045 %. Lai gan VANTA melnie pārklājumi ir tieši jāpārnes vai jāaudzē uz substrātiem, atšķirībā no melnajiem pārklājumiem, kas sastāv no nejaušiem CNT tīkliem, kurus var pārstrādāt CNT krāsās, tie tiek uzskatīti par melnākajiem mākslīgajiem materiāliem uz zemes.
Oglekļa šķiedras virves
VANTA var apstrādāt, izmantojot gaistošus šķīdumus, vai savīt, lai kondensētos CNT dzijās vai virvēs. Jiang et al. demonstrēja vērpšanas un savērpšanas metodi, kas no VANTA veido CNT dziju, kura iegūst gan apaļu šķērsgriezumu, gan stiepes izturību aptuveni 1 GPa. CNT dzijas stiepes izturība, kas vērpta no īpaši gariem 1 mm augstiem CNT masīviem, var būt no 1,35 līdz 3,3 GPa.
Vienvirziena loksnes
Lui et al. apraksta veidus, kā kontrolēt no CNT masīviem savērptas loksnes fizikālās īpašības, tostarp katalizatora plēves biezumu, lai kontrolētu caurulītes diametra sadalījumu un augšanas laiku, lai kontrolētu caurulītes garumu. Šīs īpašības var izmantot, lai kontrolētu no masīva savērptas loksnes elektriskās un optiskās īpašības. Loksnes var būt noderīgas zinātniskiem lietojumiem, piemēram, gaismas polarizācijai caur loksni (polarizācijas pakāpi var kontrolēt arī ar loksnes temperatūru).
Līmplēves
Biomimikrijas pētījumos, kas vērsti uz gekonu kāju adhēzijas atkārtošanu uz gludām virsmām, ir ziņots par veiksmīgu VANTA kā sausas līmplēves izmantošanu. Qu et al. izdevās pierādīt, ka VANTA plēves uzrāda makroskopisku adhēzijas spēku ~ 100 ņūtonu uz kvadrātcentimetru, kas ir gandrīz 10 reizes lielāks par gekona pēdas adhēzijas spēku. Tas tika panākts, pielāgojot VANTA augšanas apstākļus, lai CNT galos veidotos cirtas, kas nodrošina spēcīgāku starpfāžu mijiedarbību pat ar gludu virsmu. Qu et al. arī pierādīja, ka adhezīvās īpašības ir mazāk jutīgas pret temperatūru nekā superlīme un līmlente.
Gāzes sensors
VANTA ļauj izstrādāt jaunus sensorus un/vai sensoru mikroshēmas bez nepieciešamības tieši manipulēt ar atsevišķām nanorulītēm. Turklāt izlīdzinātā nanorulīšu struktūra nodrošina lielu, labi definētu virsmas laukumu un iespēju modificēt oglekļa nanorulīšu virsmu ar dažādiem pārejas materiāliem, lai efektīvi palielinātu jutību un paplašinātu detektējamo analītu klāstu. Wei et al. ziņoja par gāzes sensoru, kas izgatavots, daļēji pārklājot VANTA ar polimēra pārklājumu no augšas uz leju gar to caurulītes garumu, uz nanorulīšu plēves uzklājot polimēra šķīduma pilienu (piemēram, poli(vinilacetāta), PVAc, poliizoprēna, PI), apvēršot kompozītu plēvi kā brīvi stāvošu plēvi un pēc tam uzsmidzinot divas zelta sloksnes elektrodus pāri nanorulīšu masīviem, kas bija izvirzīti no polimēra matrices. Tika pierādīts, ka ar elastīgo VANTA ierīci var veiksmīgi uztvert ķīmiskos tvaikus, uzraugot vadītspējas izmaiņas, ko izraisa lādiņa pārneses mijiedarbība ar gāzes molekulām un/vai attāluma izmaiņas starp caurulītēm, ko izraisa polimēra uzbriešana gāzes absorbcijas rezultātā. Līdz šim CNT ir parādījušas jutību pret tādām gāzēm kā NH3, NO2, H2, C2H4, CO, SO2, H2S un O2.
Bioloģiskais sensors
VANTA darbojas kā molekulāro vadu meži, kas nodrošina elektrisko komunikāciju starp pamatā esošo elektrodu un bioloģisko vienību. Galvenās VANTA priekšrocības ir CNT-sensora elementa nanomērķis un attiecīgi neliels materiāla daudzums, kas nepieciešams konstatējamai reakcijai. Labi izlīdzināti CNT masīvi ir izmantoti, lai darbotos kā ribonukleīnskābes (RNS) sensori, enzīmu sensori, DNS sensori un pat proteīnu sensori. Līdzīgi MWNT VANTA, kas izaudzēti uz platīna substrātiem, ir noderīgi amperometriskajiem elektrodiem, kur bioloģisko sugu imobilizācijai izmanto ar skābekli piesātinātus vai funkcionalizētus nanocauruļu atvērtos galus, bet platīna substrāts nodrošina signāla pārvadi. Lai palielinātu amperometrisko biosensoru selektivitāti un jutību, biosensoru izgatavošanā bieži izmanto mākslīgos mediatorus un permselektīvos pārklājumus. Mākslīgos mediatorus izmanto elektronu pārvietošanai starp fermentu un elektrodu, lai nodrošinātu darbību pie zemiem potenciāliem. Gooding et al. pierādīja, ka saīsinātus SWNT var pašsaliktā veidā izlīdzināt normāli elektrodam un darboties kā molekulārie vadi, lai nodrošinātu elektrisko komunikāciju starp zem tiem esošo elektrodu un redoks proteīniem, kas kovalenti pievienoti SWNT galiem. Augsto elektronu pārneses ātrumu caur nanocaurulītēm uz redoks proteīniem skaidri pierāda elektronu pārneses uz MP-11 ātruma konstantes līdzība neatkarīgi no tā, vai SWNT ir vai nav klāt.
Termiskās saskarnes materiāli
VANTA saskarnes ir termiski vadāmākas nekā parastie termisko saskarņu materiāli pie tādām pašām temperatūrām, jo fononi viegli izplatās gar ļoti termiski vadošajām CNTs un tādējādi siltums tiek transportēts vienā virzienā gar CNTs izkārtojumu. Siltumpārvades CNT pildvielu izvietojums un izlīdzinājums ir svarīgi faktori, kas ietekmē fononu pārnesi. Huang et al. pierādīja, ka ar 0,3 masas % VANTA slodzi siltumvadītspējas pieaugums ir 0,65 W/m/K, savukārt kompozītam ar 0,3 masas % nejauši disperģētu CNT slodzi siltumvadītspējas pieaugums ir mazāks par 0,05 W/m/K. Tongs un citi ziņoja, ka CNT masīvus var efektīvi izmantot kā termiskās saskarnes materiālus (TIM), pateicoties to augstajai vadītspējai, kas, pēc viņu datiem, ir ~10^5 W/m^2/K. Termiskās saskarnes materiāli ir materiāli, kas var uzlabot siltuma vadītspēju uz virsmām, pateicoties augstai siltuma vadītspējai; ir lietderīgi, ja ir materiāli, kurus var projektēt, lai tie atbilstu jebkurai ģeometrijai. Turklāt VANTA sistēmu ģeometrija ļauj nodrošināt anizotropu siltuma pārnesi. Ivanovs un citi atklāja, ka ar VANTA var panākt anizotropu siltuma pārvadi: viņi panāca siltuma difūzijas koeficientu līdz 2,10,2 cm^2/s, anizotropijas koeficientu līdz 72 un konstatēja, ka siltuma vadītspēja ir lielāka nekā mikroelektronikā pašlaik izmantotajiem materiāliem. Siltumvadītspējas īpašības lielā mērā ir atkarīgas no masīva struktūras, tāpēc, lai ražojumu varētu plaši izmantot, tā izgatavošanā izmantotajām metodēm jābūt viendabīgām un reproducējamām. Struktūras defekti var arī krasi izjaukt materiāla siltuma pārneses īpašības.
Saules baterijas
Vertikāli izlīdzināti periodiski oglekļa nanocauruļu (CNT) bloki tiek izmantoti, lai izveidotu topogrāfiski uzlabotus gaismu aizturošus fotoelementus. CNT veido ierīces aizmugurējo kontaktu un kalpo kā skelets fotoaktīvā heterosavienojuma atbalstam. Lai nogulsnētu CdTe un CdS kā p/n tipa materiālus, tiek izmantota molekulārā staru kūļa epitaksija, un, lai nogulsnētu konformālu indija-alvas oksīda pārklājumu kā caurspīdīgu augšējo kontaktu, tiek izmantota jonu atbalstīta uzklāšana. Uz CNT balstītas ierīces radītā fotoslodze "uz vienu cm2 laukuma" ir 63 reizes lielāka nekā komerciāli pieejamai plakanajai monokristāla silīcija ierīcei.
Tranzistori
VANTA no SWNT ar pilnīgi lineāru ģeometriju ir izmantojami kā augstas veiktspējas p- un n-kanālu tranzistori un unipolārie un komplementārie loģiskie vārti. Ierīču lieliskās īpašības tieši izriet no tā, ka eksperimentālās nenoteiktības robežās masīvos nav nekādu defektu, ko definē caurulītes vai caurulīšu segmenti, kas ir nepareizi izlīdzināti vai kam ir nelineāra forma. Lielais SWNT skaits nodrošina izcilas ierīces līmeņa veiktspējas īpašības un labu viendabīgumu starp ierīcēm, pat ja SWNT ir elektroniski neviendabīgas. Mērījumi ar p- un n-kanālu tranzistoriem, kuros iesaistīti aptuveni 2100 SWNT, atklāj ierīces līmeņa mobilitāti un mērogotu transvadītspēju, kas attiecīgi tuvojas aptuveni 1000 cm2 V-1 s-1 un 3000 S m-1, un ar strāvas jaudu līdz aptuveni 1 A ierīcēs, kurās izmanto savstarpēji izvietotus elektrodus.
Materiāls ar zemu dielektrisko blīvumu
Integrālās shēmās kā izolācijas slāņus izmanto materiālus ar zemu relatīvo dielektrisko konstanti, lai samazinātu savienojuma kapacitāti. Elektriski izolējošo slāņu relatīvo dielektrisko konstanti var vēl vairāk samazināt, ieviešot dobumus zema κ materiālos. Ja izmanto iegarenas un orientētas poras, ir iespējams ievērojami samazināt efektīvo κ vērtību, nepalielinot dobuma tilpuma daļu dielektrikā. CNT VANTAs ir augsta aspektu attiecība, un tos var izmantot, lai dielektriķos ar zemu κ vērtību ieviestu iegarenas, orientētas poras, tādējādi vēl vairāk samazinot dielektriķa efektīvo κ vērtību.
Katalizatora atbalsts
Palādijs, kas balstīts uz vertikāli izlīdzinātām daudzsienu oglekļa nanocaurulītēm (Pd/VA-CNTs), tiek izmantots kā katalizators p-jodonitrobenzola C-C savienošanas reakcijās ar stirēnu un etilakrilātu mikroviļņu starojuma ietekmē. Pd/VA-CNTs katalizatoram ir augstāka aktivitāte salīdzinājumā ar Pd, kas balstīts uz aktivētās kokogles, tajos pašos reakcijas apstākļos. Pateicoties mikroviļņu apstarošanai, reakcijas kinētika ir ievērojami paātrināta salīdzinājumā ar reakciju, kas iegūta, izmantojot tradicionālo sildīšanas režīmu. Saskaņotā CNTs balsta makroskopiskā forma ļauj viegli atgūt katalizatoru, izvairoties no dārgiem pēcreakcijas atdalīšanas procesiem. Turklāt mijiedarbība starp aktīvo fāzi un nesēju rada nenozīmīgu palādija izskalošanos pārstrādes testu laikā. Novērotie rezultāti liecina, ka Pd/CNTs ir pārstrādājama un stabila heterogēna katalītiska sistēma.
Kurināmā elements
Kurināmā elementi sastāv no trīs savstarpēji savienotiem segmentiem: anoda, elektrolīta un katoda reakcijas elementā, kur elektrība tiek ražota kurināmā elementa iekšienē, reaģējot ārējam kurināmajam un oksidantam elektrolīta klātbūtnē. Anodā atrodas katalizators, kas oksidē degvielu, pārvēršot to par pozitīvi lādētiem joniem un negatīvi lādētiem elektroniem. Šī degviela parasti ir ūdeņradis, ogļūdeņraži un spirti. Elektrolīts bloķē elektronu pārnesi, vienlaikus vadot jonus. Joni, kas pārvietojas caur elektrolītu, katodā atkal apvienojas ar elektroniem, kas reakcijas laikā ar oksidētāju pāriet caur slodzi, lai iegūtu ūdeni vai oglekļa dioksīdu. Ideāli anoda nesēji katalītisko nanodaļiņu nogulsnēšanai ir poraini vadoši materiāli, lai maksimāli palielinātu elektrokatalītisko aktivitāti. Tāpēc VANTA ir ideāli materiāli, jo tiem piemīt augsta vadītspēja, liels virsmas laukums un stabilitāte lielākajā daļā kurināmā elementu elektrolītu. Tipisks katalizators, ko nogulsnē uz VANTA anodiem, ir platīns, ko var elektrodespozītēt uz atsevišķiem VANTA CNTs. Elektrokatalītiskā aktivitāte pie anoda ir optimāla, ja Pt daļiņas ir vienmērīgi izkliedētas VANTA.
Izaicinājumi, kas kavē komercializāciju
Ir trīs galvenās problēmas, kas kavē plašāku uz oglekļa nanocaurulītēm balstītu tehnoloģiju komercializāciju: Metālisko un pusvadītāju nanorulīšu atdalīšana, augsta savienojuma pretestība ļoti mazā kontakta laukuma dēļ un nanorulīšu izvietošana precīzi (nanometru izšķirtspēja) tur, kur tām ir jāiekļaujas shēmā. Ir paveikts liels darbs, lai samazinātu kontakta pretestību oglekļa nanocauruļu ierīcēs. Berklijas Universitātes Kalifornijas universitātes pētnieki atklāja, ka sintēzes laikā pievienojot starpfāžu grafīta slāni, samazinājās savienojuma pretestība. IBM Watson pētnieki ir pievienojuši arī ķīmiskus skeletus nanotubices pamatkontakta punktā, panākot līdzīgu efektu.
Gongs un citi ziņoja, ka VANTA, kas leģēti ar slāpekli, var darboties kā bezmetāla elektrods ar daudz labāku elektrokatalītisko aktivitāti, ilgtermiņa darbības stabilitāti un toleranci pret krustojuma efektu nekā platīns skābekļa reducēšanai sārmainos degvielas elementos. Ar gaisu piesātinātā 0,1 molārā kālija hidroksīdā tika novērots stabila stāvokļa izejas potenciāls -80 milivoltu un strāvas blīvums 4,1 miliampera kvadrātcentimetrā pie -0,22 voltu, salīdzinot ar -85 milivoltu un 1,1 miliampera kvadrātcentimetrā pie -0,20 voltu platīna-oglekļa elektroda gadījumā. Šķiet, ka elektronus uzņemošu slāpekļa atomu iekļaušana konjugētajā oglekļa nanotubīšu plaknē piešķir relatīvi augstu pozitīvā lādiņa blīvumu blakus esošajiem oglekļa atomiem. Šis efekts kopā ar slāpekli bagātināto CNT izlīdzināšanu nodrošina četru elektronu ceļu skābekļa reducēšanas reakcijām uz VANTA ar izcilu veiktspēju.
Superkondensatori
Tāpat kā parastie kondensatori, VANTA superkondensatori un elektromehāniskie izpildmehānismi parasti sastāv no diviem elektrodiem, kurus atdala elektroniski izolējošs materiāls, kas elektroķīmiskajās ierīcēs ir jonu vadītspējīgs. Parastā plānā lokšņu kondensatora kapacitāte ir apgriezti atkarīga no attāluma starp elektrodiem. Turpretī elektroķīmisko ierīču kapacitāte ir atkarīga no attāluma starp lādiņu uz elektroda un pretlādiņu elektrolītā. Tā kā VANTA elektrodos CNT atdalīšana ir aptuveni nanometrs, salīdzinot ar mikrometru vai lielāku atdalīšanu parastos dielektriskos kondensatoros, ļoti liela elektrolītam pieejamā CNT virsmas laukuma dēļ rodas ļoti lielas kapacitātes. Šīs kapacitātes (parasti 15 - 200 F/g, atkarībā no nanorulīšu masīva virsmas laukuma) rada lielu lādiņa injekciju, ja pievadīts tikai daži volti.
Futaba et al. ziņoja par metodi, ar kuras palīdzību no VANTA, kas izlīdzināta, nogulsnējot uzceltās CNT, samitrinot tās ar šķidrumu, var izveidot superkondensatorus. VNAT cietā EDLC kapacitāte tika novērtēta kā 20 F g-1 no izlādes līknēm, kas iegūtas no 2,5 V uzlādētiem elementiem divu elektrodu elementam, un atbilst 80 F g-1 trīs elektrodu elementam. Enerģijas blīvums (W = CV2/2) tika aprēķināts 69,4 W h kg-1 (no 80 F g-1), normējot uz viena elektroda svaru.
Baterijas
Nanostrukturētiem materiāliem tiek pievērsta arvien lielāka uzmanība, jo tie var mazināt pašreizējos elektrodu ierobežojumus. Tomēr ir iespējams izmantot vertikāli izlīdzinātas daudzsienu oglekļa nanocaurulītes (VA-MWNT) kā aktīvā elektroda materiālu litija jonu baterijās. Pie zemas īpatnējās strāvas šīs VA-MWNT ir uzrādījušas augstu atgriezenisko īpatnējo ietilpību (līdz 782 mAh g-1 pie 57 mA g-1). Šī vērtība ir divreiz lielāka nekā grafīta teorētiskais maksimums un desmit reizes lielāka nekā to nesaskaņotais ekvivalents. Interesanti, ka pie ļoti lieliem izlādes ātrumiem VA-MWNT elektrodi saglabā mērenu īpatnējo ietilpību, jo tie ir izlīdzināti (166 mAh g-1 pie 26 A g-1). Šie rezultāti liecina, ka VA-MWNT ir labi kandidāti litija jonu akumulatoru elektrodiem, kuriem nepieciešama augsta ātruma spēja un ietilpība.
Kosmosa lifts
Pateicoties oglekļa nanocauruļu augstajai stiepes izturībai un lielajai malu attiecībai, VANTA ir potenciāls piesaistes materiāls kosmosa lifta koncepcijai.
Silīcija aizvietošana nākamās paaudzes tranzistoru ražošanā
Oglekļa nanocaurulītēm ir daudz augstāka nesēju kustība nekā silīcijam, tāpēc tās var būt daudz ātrākas un energoefektīvākas, izmantojot elektronikā kā silīcija aizstājēju.
Ušvaja
Ušvaja ir Argentīnas pilsēta valsts dienvidos. Pilsēta atrodas Ugunszemes arhipelāga dienvidu daļā, pilsētas ziemeļos atrodas Martiala kalni, bet dienvidos Bīgla šaurums. Pilsēta atrodas 3260 kilometru attālumā no Argentīnas galvaspilsētas Buenosairesas. Tjerra del Fuego provinces administratīvais centrs.
Ušvaja tiek uzskatīta par vistālāk uz dienvidiem esošo pasaules pilsētu. Pilsēta ir dibināta 1884. gada 12. oktobrī.
1. tramvaju maršruts (Daugavpils)
Saistībā ar rekonstrukcijas darbiem no 2019. gada 17. septembra tramvaju kustība posmā "Tirgus" — "Stacija" tika pārtraukta un 1. maršruta tramvajus novirzīja uz 3. tramvaju maršruta galapunktu "Cietoksni". Rekonstrukcijas darbus plānoja pabeigt 2019. gada 31. decembrī. Darbus pabeidza 2020. gada 2. janvārī.
Maršruts
Butļerova iela — Stacija kursē pa šādām ielām: Jātnieku iela, Smilšu iela, Valkas iela, 18. novembra iela, Vienības iela, Parādes iela, Maizes iela un Stacijas iela.
Stacija — Butļerova iela kursē pa šādām ielām: Stacijas iela, Maizes iela, Skaņu iela, Parādes iela, Vienības iela, 18. novembra iela, Valkas iela, Smilšu iela un Jātnieku iela.
Pieturvietas
1. tramvaju maršrutā kopumā ir 36 pieturas virzienā Butļerova iela — Stacija ir 19 pieturas, bet virzienā Stacija — Butļerova iela ir 17 pieturas.
Sebastians Andešons
Martins Sebastians Andešons (sv; dzimis Engelholmā) ir zviedru futbolists. Spēlē uzbrucēja pozīcijā, Zviedrijas futbola izlases dalībnieks. Pašlaik (2021) pārstāv Vācijas Bundeslīgas klubu 1. FC Köln.
Karjera
Karjeru sāka dzimtās pilsētas klubā Ängelholms FF Zviedrijas otrajā spēcīgākajā līgā Superettan. 2012. gada pārgāja uz Allsvenskan klubu Kalmar FF. Vēlāk pārstāvēja arī Djurgårdens IF, bet no 2016. līdz 2017. gadam spēlēja IFK Norrköping sastāvā, 2017. gadā iekļūstot Zviedrijas kausa finālā.
2017. gada augustā pievienojās Vācijas klubam 1. FC Kaiserslautern, kas tolaik spēlēja 2. Bundeslīgā. Pēc gada pārgāja uz citu 2. Bundeslīgas klubu 1. FC Union Berlin. 2018.—2019. gada sezonā guva 12 vārtus, palīdzot klubam iekļūt Bundeslīgā. 2019.—2020. gada Bundeslīgas sezonā guva 12 vārtus. 2020. gada septembrī pārgāja uz citu Bundeslīgas klubu 1. FC Köln.
Zviedrijas izlasē debitēja draudzības spēlē pret Kotdivuāru. Pirmos vārtus izlases labā guva četras dienas vēlāk pret Slovākiju.
Argentīnas hokeja izlase
Argentīnas hokeja izlase ir komanda, kas pārstāv Argentīnu starptautiskajās hokeja spēlēs. Argentīnas hokeja izlase nekad nav piedalījusies Pasaules čempionātā, bet ir piedalījusies Panamerikas hokeja turnīrā, kur labākais sniegums  ir izcīnītā trešā vieta 2017. gadā.
Musa Konatē
Musa Konatē (fr; dzimis ) ir Senegālas futbolists, uzbrucējs, Senegālas futbola izlases dalībnieks. Kopš 2019. gada spēlē Francijas kluba Dijon FCO sastāvā.
Sasniegumi
Sion
Argentīna olimpiskajās spēlēs
Argentīna olimpiskajās spēlēs piedalās kopš 1900. gada. Kopš tā laika ir piedalījusies 25 vasaras olimpiskajās spēlēs. Izņemot 1904. gada vasaras un 1912. gada vasaras olimpiskajās spēlēs, kā arī 1980. gada vasaras spēlēs Maskavā, kad tā izlēma spēles boikotēt. Kopš 1928. gada Argentīna ir piedalījusies arī ziemas olimpiskajās spēlēs, izņemot 1932. gada ziemas, 1936. gada ziemas un 1956. gada ziemas olimpiskajās spēlēs.
Argentīna ir viena no 12 valstīm — vienīgā Iberoamerikas valsts – kas 1894. gadā nodibināja Starptautisko olimpisko komiteju (SOK). Argentīnas olimpiskā komiteja tika izveidota un atzīta 1923. gadā.
Edvards Mečlings
Edvards Entonijs Mečlings (en; dzimis, miris ), bija amerikāņu vieglatlēts, 1900. gada vasaras olimpisko spēļu dalībnieks.
Argentīna olimpiskajās spēlēs
Argentīna kopumā olimpiskajās spēlēs līdz šim ir izcīnījusi 77 olimpiskās medaļas (visas vasaras olimpiskajās spēlēs). Viens no veiksmīgākajiem periodiem bija no 1924. līdz 1952. gadam, kad Argentīna katrās vasaras olimpiskajās spēlēs ieguva vismaz vienu zelta medaļu. Pēc 1952. gada iegūto medaļu skaits pakāpeniski samazinājās, līdz sasniedza kritisko līmeni, kad divās olimpiskajās spēlēs pēc kārtas — 1976. gada Vasaras un 1984. gada Vasaras spēlēs tā piedalījās, bet neieguva nevienu olimpisko medaļu. 2004. gada vasaras olimpiskajās spēlēs Atēnās, pēc 52 gadu pārtraukuma Argentīna atkal ieguva kādu no zelta medaļām. Kopš tā laika arī katrās vasaras olimpiskajās spēlēs ir iegūta vismaz viena zelta medaļa. Lielākā daļa no visām 77 medaļām ir iegūtas boksā — 24 medaļas. Ar medaļām bagātākais sportistis ir burātājs Karloss Espinola, kurš trijās olimpiskajās spēlēs izcīnīja 4 olimpiskās medaļas (2 — sudraba un 2 — bronzas medaļas).
Argentīnas pilsēta Buenosairesa četras reizes (1936, 1956, 1968, 2004) ir vēlējusies organizēt vasaras olimpiskās spēles, taču visas reizes izkritusi kādā no balsojuma kārtām.
Edvards Mečlings
Mečlings 1900. gada vasaras olimpiskajās spēlēs Parīzē startēja 800 metru skriešanas disciplīnā. Šajā disciplīnā viņš startēja tikai kvalifikācijas kārtas priekšskrējienā, turpmāko cīņu neturpinot.
Argentīna olimpiskajās spēlēs
Sadalījums pa olimpiskajiem sporta veidiem
• — startēja viens un tas pats sportists vairākos sporta veidos.
• — startēja viens un tas pats sportists vairākos sporta veidos
Medaļu tabulas
Skatīt arī: olimpisko medaļu skaits pēc valsts
Medaļām bagātākie sportisti
Šajā tabulā apkopoti tikai tie sportisti, kas pēc Starptautiskās olimpiskās komitejas datiem pārstāvot Argentīnu, ieguvuši trīs vai vairāk olimpiskās medaļas.
Parastā smilga
Parastā smilga (la) ir augu suga graudzāļu dzimtā. Tā ir ļoti plaši sastopama Eiropā, tostarp bieži visā Latvijas teritorijā, un daudzviet Āzijā.
Anna Ušeņina
Anna Ušeņina (uk; dzimusi, Harkivā) ir Ukrainas starptautiskā lielmeistare (GM, 2012), starptautiskā sieviešu lielmeistare šahā (WGM, 2003). 14. Pasaules čempione šahā (01.12.2012—20.09.2013). Pasaules komandu čempionāta sievietēm uzvarētāja Ukrainas izlases sastāvā (Astana, 2013). Pasaules sieviešu šaha olimpiādes uzvarētāja Ukrainas izlases sastāvā (Turīna, 2006).
Biogrāfija
Māte iemācījusi Annai spēlēt šahu septiņu gadu vecumā. 1997. gadā Kijivā uzvarējusi Ukrainas meiteņu čempionātā U-12 vecuma grupā. 1998. un 1999. gadā uzvarējusi Ukrainas meiteņu čempionātā U-14 vecuma grupā. 2000. un 2002. gadā uzvarējusi Ukrainas meiteņu čempionātā U-20 vecuma grupā. 2002. gadā Ukrainas izlases sastāvā ieguva zelta medaļu Eiropas komandu čempionātā meitenēm U-18 vecuma grupā. Tāpat šajā turnīrā saņēma zelta medaļu par 1. vietu pie 1. galdiņa (4½ no 6). 2003. gadā kļuvusi par FIDE starptautisko sieviešu lielmeistari.
2005. gadā uzvarējusi Ukrainas sieviešu čempionātā. Tajā pašā gadā Eiropas sieviešu čempionātā Plovdivā ieguvusi bronzas medaļu. Ukrainas izlases sastāvā piedalījusies Eiropas komandu čempionātos šahā 2005. un 2007. gadā, beidzamajā uzrādot labāko rezultātu pie 3. galdiņa (5 no 7). Kopā ar Ukrainas izlasi uzvarējusi Pasaules šaha olimpiādē 2006. gadā, spēlējusi pie rezerves galdiņa.
2007. gadā Jekaterinburgā Pasaules komandu čempionātā sievietēm ieguvusi bronzas medaļu gan komandu, gan inviduālajā vērtējumā (6½ из 9). Ušeņinai tiek piešķirts starptautiskā meistara nosaukums (IM). 2008. gada Pasaules šaha olimpiādē sievietēm Drēzdenē spēlējusi pie 3. galdiņa un kopā ar Ukrainas izlasi ieņēmusi 2. vietu.
2012. gadā Pasaules šaha olimpiādē sievietēm Stambulā kopā ar Ukrainas izlasi ieņēmusi 3. vietu. Pie sava galdiņa Ušeņina ieguvusi 7 punktus no 10 iespējamajiem, kas bija nozīmīgs ieguldījums komandas rezultātā. 2012. gadā Hantimansijskā Pasaules šaha čempionātā sievietēm pēc izslēgšanas sistēmas kļuvusi par uzvarētāju, finālā uzvarot Antoanetu Stefanovu (Bulgārija) ar 3½:2½. Par šo panākumu Ušeņinai piešķirts lielmeistares nosaukums (GM).
2014. gadā Pasaules šaha olimpiādē sievietēm Trumsē kopā ar Ukrainas izlasi ieņēmusi 3. vietu.
2015. gadā Sočos Pasaules šaha čempionātā sievietēm pēc izslēgšanas sistēmas zaudējusi 2. kārtā, bet Pasaules komandu šaha čempionātā Čendu pie 3. galdiņa izcīnījusi 3 punktus no 8 iespējamajiem (+2, =2, -4). 2015. gada Eiropas komandu šaha čempionātā Reikjavikā ar lielisku rezultātu pie 4. galdiņa (+6, =0, -1) palīdzēja savas valsts izlasei izcīnīt sudraba medaļu komandu kopvērtējumā, kā arī pati ieguva individuālo sudraba medaļu.
2016. gada jūnijā Rumānijā uzvarējusi Eiropas sieviešu šaha čempionātā. 2016. gada septembrī 42. šaha olimpiādē Baku izcīnījusi bronzas medaļu komandu vērtējumā Ukrainas izlases sastāvā.
2017. gadā Teherānā Pasaules šaha čempionātā sievietēm pēc izslēgšanas sistēmas 1. kārtā uzvarējusi Nastasju Zjazjuļkinu, bet 2. kārtā zaudējusi Taņai Džunji. Tajā pašā gadā Ukrainas izlases sastāvā izcīnījusi bronzas medaļu Eiropas komandu čempionātā šahā.
2018. gadā Visoke Tatri izcīnījusi trešo vietu Eiropas individuālajā sieviešu šaha čempionāta.
2018. gadā Pasaules šaha olimpiādē sievietēm Batumi kopā ar Ukrainas izlasi ieņēmusi 2. vietu.
2018. gadā Hantimansijskā Pasaules šaha čempionātā sievietēm pēc izslēgšanas sistēmas 1. kārtā uzvarējusi Lilitai Mkrtčjanai, bet 2. kārtā zaudējusi Valentīnai Guņinai.
2019. gadā pārstāvējusi Ukrainu Pasaules komandu šaha čempionātā.
2022. gadā Pasaules šaha olimpiādē sievietēm Čennai uzvarējusi komandu vērtējumā kopā ar Ukrainas izlasi.
Kārlis Liepiņš
Kārlis Liepiņš var būt:
Mežagols
Mežagols ir ciems Līksnas pagastā, Augšdaugavas novadā. Atrodas 209 km attālumā no Rīgas.
Ciema apkārtnē atrodas viesu nams.
Plakanā pēda
Plakanā pēda ir patoloģisks pēdas saplacinājums, kad pazūd tās dabiskais izliekums, radot pēdas amortizācijas traucējumus, sāpīgas izmaiņas mugurkaulā un skeletā kopumā. Pēdas deformācija tiek iedalīta gareniskajā un šķērsvelves plakanajā pēdā, bet sastopamai arī gadījumi, kad abi veidi konstatēti vienlaikus.
Viena pati plakanā pēda ir sastopama reti, parasti tā ir kopā ar citām pēdu deformācijām. Pie tam gareniskā plakanā pēda ar citām deformācijām sastāda 55,23%, bet šķērsvelves plakanā pēda kopā ar citām pēdu problēmām — 29,3%.
Simptomi
Plakanās pēdas simptomi:
Konstatēšana
Plakano pēdu parasti konstatē pārbaudot pēdas izliekumu. To dara, pēdu noziešot ar krāsu vai taukainu krēmu un ar abām kājām nostājoties uz papīra, turklāt kājām jābūt 10—15 cm attālumā vienai no otras. Tad jānovelk taisna līnija starp pēdas iekšējās puses izvirzītajām daļām, pēc tam jāatrod šai līnijai vidusdaļa un jānovelk līnija perpendikulāri pēdas pretējai malai, sadalot iegūto līniju trīs vienādās daļās. Veselas pēdas nospiedumam vajadzētu aizņemt vienu trešdaļu no līnijas, bet ne vairāk kā pusi. Ja pirkstu nospiedums pārsniedz šīs vērtības, jāsazinās ar ārstu, kurš veiks precīzāku diagnozi.
Montilivi
Montilivi ir stadions Žironā, Spānijā. Stadionā ir 13 450 sēdvietas un tajā savas mājas spēles aizvada Girona FC.
Džons Deivids Vašingtons
Džons Deivids Vašingtons (en, dzimis ) ir ASV aktieris un bijušais amerikāņu futbolists. Spēlējis amerikāņu futbolu jauniešu līmenī, bet vēlāk, kā viņa tēvs Denzels Vašingtons, sācis aktiera karjeru.
Savu aktiera karjeru sācis jau 1992. gadā, kad septiņu gadu vecumā parādījies filmā Malcolm X, kurā galvenā loma bija viņa tēvam. No 2015. gada līdz 2019. gadam piedalījies HBO seriālā Ballers. Spēlējis galveno lomu Spaika Lī kriminālfilmā "Melnais KKKlanmens" (2018). Par to nominēts gan Zelta globusa balvai, gan Ekrāna aktieru ģildes balvai. 2020. gadā viņš piedalījās Kristofera Nolana filmā "Tenet", bet 2022. gadā Deivida Rasela filmā "Amsterdama".
Jurijs Lotmans
Jurijs Lotmans (et, ru; dzimis, miris ) bija Sanktpēterburgas ebreju izcelsmes igauņu literatūrzinātnieks, kulturologs un semiotiķis.
Dzīvesgājums
Dzimis 1922. gadā Petrogradā. No 1939. gada mācījās Sanktpēterburgas universitātē pie Vladimira Propa. No 1940. līdz 1946. gadam dienēja Sarkanajā armijā, karoja Otrajā pasaules karā. No 1954. gada līdz mūža beigām strādāja Tartu universitātē, darbus rakstīja krieviski. Tartu semiotikas skolas līderis. 1988. gadā iesaistījās Igaunijas Tautas frontes darbībā.
Tartu atrodas Lotmanam veltīts piemineklis.
Lego Harry Potter: Years 5–7
Lego Harry Poteer: Year 5-7 ir 2011. gada datorspēle no Lego spēļu sērijas, kuru izstrādājis Traveller's Tales un izdevis Warner Bros. Izdota 2011. gada 11. novembrī ASV un 18. novembrī Eiropā, spēle ir balstīta uz Lego Harry Potter sēriju un bāzēta uz pēdējām četrām Harija Potera filmām: Harijs Poters un Fēniksa ordenis, Harijs Poters un Jauktasiņu Princis, Harijs Poters un Nāves dāvesti: Pirmā daļa un Harijs Poters un Nāves dāvesti: Otrā daļa. Spēle izdota PlayStation 3, Xbox 360, PlayStation Portable, PlayStation Vita, Wii, Nintendo DS, Nintendo 3DS PC un IOS. Pirmais no trim treileriem tika izdots 2011. gada 6. oktobrī, un demo versija tika izdota 1. novembrī. Izdota Steam 2012. gada 6. janvārī.
Virķēni
Virķēni ir ciems Valmieras novada Vilpulkas pagastā netālu no Igaunijas robežas (tuvākā lielā Igaunijas pilsēta — Pērnava — atrodas 75 km attālumā, savukārt galvaspilsēta — Tallina — atrodas 200 km attālumā). Ciems izvietojies Virķītes krastos pie autoceļa P21, 5 km no pagasta centra Vilpulkas, 5 km no novada centra Rūjienas, 45 km no Valmieras un 150 km no Rīgas.
Vēsture
Apdzīvotā vieta izveidojusies ap bijušās Virķenu muižas (Würken) centru. Muiža izveidota 1520. gadā, kad Ordeņa mestrs izlēņoja Kudlinam dažus zemes gabalus. 1921. gada 19. martā muižas centrs piešķirts Rūjienas Zemkopības biedrībai lauksaimniecības skolas ierīkošanai un visu šo laiku līdz pat 2006. gadam te atradās profesionālā vidējās izglītības iestāde. Virķēnu muižas apbūve un parks ir vietējas nozīmes kultūrvēstures piemineklis.