cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Մանրուքները (ֆիլմ)
Միացյալ Նահանգներում ֆիլմը թողարկվել է 2021 թվականի հունվարի 29-ին Warner Bros. Pictures ընկերության կողմից՝ դրա հետ միաժամանակ թողարկվելով նաև HBO Max սթրիմինգային ծառայության վրա։ Այն արժանացել է քննադատների խառը ակնարկների, որոնք հատկապես բարձր են գնահատել դերակատարությունները, ռեժիսուրան և մթնոլորտը՝ քննադատելով սցենարը և համեմատելով այն 1995 թվականին լույս տեսած «Յոթ» ֆիլմի սցենարի հետ։ Իր դերակատարության համար Ջարեդ Լետոն առաջադրվել է Ոսկե Գլոբուս և Կինոդերասանների միության մրցանակներին «Երկրորդ պլանի լավագույն դերասան» անվանակարգում։
Արտադրություն
Սցենարի առաջին տարբերակը Հենքոքը գրել էր 1993 թվականին Սթիվեն Սփիլբերգի համար, սակայն վերջինս հրաժարվել է նկարահանել այն՝ համարելով, որ պատմությունը չափազանց մռայլ է։ Քլինթ Իսթվուդը, Ուորեն Բիթին և Դենի Դե Վիտոն նույնպես ներգրավվել էին ֆիլմը նկարահանելու գործընթացի մեջ, սակայն, ի վերջո Հանքոքը որոշել է ինքնուրույն նկարահանել իր սեփական սցենարով ֆիլմը ։
Նկարահանման շրջանը սկսել է 2019 թվականի սեպտեմբերի 2-ին Կալիֆոռնիա նահանգի Լոս Անջելես քաղաքում ։ Նկարահանումները սառեցվել են 2019 թվականի դեկտեմբերին ։
Ֆիլմի երաժշտության հեղինակն է Թոմաս Նյումանը ։
Շահույթ
Ըստ կանխատեսումների, իր թողարկման առաջին շաբաթվա ընթացքում ֆիլմը ներքին շուկայում պետք է մոտ 2.5 միլիոն ԱՄՆ դոլար հավաքեր ։ Ըստ BoxOfficeMojo.com կայքի՝ COVID-19 համավարակից ի վեր ֆիլմը դարձել է ամենահաջող R վարկանիշով նախագիծը։ Իր թողարկման երկրորդ շաբաթվա ընթացքում ևս ֆիլմը գրանցել է դրամարկղային հավաքույթի ամենաբարձր ցուցանիշները ինչպես ներքին, այդպես էլ արտաքին շուկաներում՝ հավաքելով համապատասխանաբար 2.1 միլիոն և 1.4 միլիոն դոլար ։
Արտաքին հղումներ
Կատեգորիա:Warner Bros. ֆիլմեր Կատեգորիա:Անգլերեն ֆիլմեր Կատեգորիա:Ամերիկյան ֆիլմեր Կատեգորիա:Ֆիլմեր, որոնց գործողությունները տեղի են ունենում Լոս Անջելեսում Կատեգորիա:Իրական դեպքերի վրա հիմնված դրամա ֆիլմեր Կատեգորիա:Ամերիկյան քրեական դրամա ֆիլմեր Կատեգորիա:Լոս Անջելեսում նկարահանված ֆիլմեր Կատեգորիա:Կալիֆոռնիայում նկարահանված ֆիլմեր Կատեգորիա:Ամերիկյան թրիլեր ֆիլմեր Կատեգորիա:Ամերիկյան քրեական թրիլեր ֆիլմեր
Ինամ Քերիմով
Ինամ Իմդադ օղլի Քերիմով (İnam İmdad oğlu Kərimov, ), ադրբեջանցի քաղաքական գործիչ և իրավաբան, Ադրբեջանի գյուղատնտեսության 5-րդ նախարար ;
Կենսագրություն
Ինամ Քերիմովը ծնվել է 1977 թվականի հունիսի 6-ին, Բաքվում։ 1984-1994 թվականներին սովորել է Պիշավարիի անվան հումանիտար գիմնազիայում։ Ինամ Քերիմովը 1994 թվականից մինչև 1995 թվականը ուսումը շարունակել է ԱՄՆ-ի Ինդիանայի նահանգում ՝"Richmond High School"-ում։ 1995 թվականին ընդունվել է Բաքվի պետական համալսարանի միջազգային իրավունքի ֆակուլտետ։ 1998-2000 թվականներին սովորել է Ֆրանսիայի Ստրասբուրգի համալսարանի իրավաբանության ֆակուլտետում։ 2000-2002 թվականներին նա ստացել է մագիստրոսի կոչում իրավունքի մասնագիտության մեջ Ֆրանսիայի Սորբոնի համալսարանում։
Ինամ Քարիմովը ստացել է Իրավագիտության դոկտորի աստիճան Սորբոնայի համալսարանում։
Ծանոթագրություններ
Կատեգորիա:Ադրբեջանի պետական գործիչներ Կատեգորիա:Փարիզի համալսարանի շրջանավարտներ Կատեգորիա:Ստրասբուրգի համալսարանի շրջանավարտներ Կատեգորիա:Ադրբեջանի նախարարներ
Ուորդս կղզու կամուրջ
Ուորդս կղզու կամուրջ (Wards Island Bridge), կոչվում է նաև 103-րդ փողոցի հետիոտնային կամուրջ (103rd Street Footbridge), հետիոտնային կամուրջ Հարլեմ գետի վրա, միացնում է Մենհեթենը և Ուորդսը՝ Նյու Յորքում։ Կամուրջը ունի վերելակային կոնստրուկցիա, ընդհանուր առմամբ բաղկացած է 12 կամրջամասից, որոնք կառուցվել են հենասյուներից և հեծաններից ։ Կամուրջը նախատեսված է միան հետիոտերի և հեծանվորդների համար։ Մենհեթենի կողմից կամուրջը միանում է 103-րդ փողոցին։ Հետիոտնային էստակադը անցնում է FDR մայրուղով և հասնում մինչև Արևելյան Հարլեմի բնակելի շենքեր։ Ուորդս կղզու կողմից կամուրջը մոտենում է պուրակին և կղզու հարավ-արևմտյան ափերին։ Վերանորոգումից հետո, 2012 թվականի հուլիսի 1-ից կամուրջը վերսկսեց իր աշխատանքը։ Հիմա կամուրջը աշխատում է 24/7 ռեժիմով, մինչև վերանորոգումը հասանելի էր ապրիլից մինչև հոկտեմբեր՝ ցերեկային ժամերին ։
Պատմություն
Առաջին կամուրջը, որ տանում է Ուորդս Այլենդից Մենհեթեն, փայտե բացվող կամուրջ էր։ Նա միացնում էր Մենհեթենի 114-րդ փողոցը Ուորդս Այլենդի հյուսիս-արևմուտքի հետ։ Կամուրջը կառուցվել է 1807 թվականին, քանի որ, կղզու վրա կար բամբակաթղթային կոմբինատ։ Կառուցման համար վճարել են Ֆիլիպ Միլեդոլարը և Բարտոլոմ Ուորդը։ 1821 թվականին կամուրջը փոթորիկի պատճառով ավերվեց։ 1936 թվականին Տրաիմբորո կղզու և Ուորդս Այլենդ քաղաքի միջև կամուրջ կառուցվեց, որը աստիճնաբար միացավ կամուրջների ամբողջ համակարգին։ Պլանավորվում էր նաև Ուորդս կղզում զուգահեռ կառուցել հետիոտնային կամուրջ, անգամ 1937 թվականին Ռոբերտ Մոզեսը այն համարեց անհրաժեշտ, բայց հետիոտնային կամուրջի շինարարությունը հետաձգվեց։ Իրական կամուրջի շինարարությունը սկսվեց միայն 1949 թվականին՝ ինժեներ Օտմար Ամանի նախագծով։ Կամուրջը կառուցված և բաց էր 1951 թվականի մայիսի 18-ին։ 1967 թվականից հնարավոր դարձավ հեծանվորդների երթևեկությունը։
Արտաքին հղումներ
Կատեգորիա:Նյու Յորքի կամուրջներ Ուորդս կղզու կամուրջ Ուորդս կղզու կամուրջ
ԿՈՆԿԱԿԱՖ-ի առաջնություն 1965 (ընտրական մրցաշար)
1965 թ. ԿՈՆԿԱԿԱՖ-ի ազգերի առաջնության եզրափակիչ մրցաշարին մասնակցելու իրավունք ավտոմատ կերպով ստացան մրցաշարի կազմակերպիչ ն, մրցաշարի գործող չեմպիոն ն, ինչպես նաև ն և կարիբյան երկու հավաքականներ՝  ն ու ը։ Եվս մեկ ուղեգիր խաղակվեց կենտրոնամերիկյան ընտրական զոնայում երեք հավաքականների միջև մեկ շրջանով մրցությամբ ։
Կենտրոնամերիկյան ընտրական զոնա
Հանդիպումների արդյունքները
ը ստացավ եզրափակիչ մրցաշարի ուղեգիր։
Հղումներ
Կատեգորիա:ԿՈՆԿԱԿԱՖ-ի ոսկե գավաթ (ընտրական մրցաշար) Կատեգորիա:ԿՈՆԿԱԿԱՖ-ի ոսկե գավաթ
Գեորգ Ագրիկոլա
Ագրիկոլա (Georgius Agricola, իսկական անունը՝ Georg Pawer Գեորգ Պավեր, Պաուեր կամ Բաուեր, այսինքն՝ գյուղացի, ), գերմանացի գիտնական, միներալոգ և մետալուրգ, կրթությամբ՝ բժիշկ։
Ծնվել է մարտի 24-ին։ Հայտնի է որպես «հանքաբանության հայր»։ 1533 թվականին Յախիմովից (Չեխիա) տեղափոխվում է Խեմնից (Սաքսոնիա), թողնում բժշկությունը (1534) և զբաղվում հանքաբանությամբ։ Ագրիկոլան առաջինը տվեց օգտակար հանածոների, նրանց մշակման և մետալուրգիայի սիստեմատիկ նկարագրությունը։ Նկարագրել է 20 նոր միներալ։ Նրա «De re metallica Libri XII» (1550, հրտ.1556) աշխատությունը երկու դար ծառայել Է որպես լեռնային գործի տեխնիկայի և մետալուրգիայի հիմնական ձեռնարկ։
Ծանոթագրություններ
Կատեգորիա:Գերմանացի հանքաբաններ Կատեգորիա:Ալքիմիկոսներ Կատեգորիա:Գերմանացի գիտնականներ Կատեգորիա:Գերմանացի բժիշկներ Կատեգորիա:Գերմանացի պատմաբաններ Կատեգորիա:Գերմանացի քիմիկոսներ Կատեգորիա:Գերմանացի փիլիսոփաներ Կատեգորիա:Գերմանացի բանասերներ Կատեգորիա:Գերմանացի երկրաբաններ Կատեգորիա:Կաթվածից մահացածներ Կատեգորիա:Գերմանացի ճարտարագետներ
Վեդի Ալկո
Պատմություն
Վեդիի գինու գործարանի շինարարությունը սկսվել է 1952 թվականին և ավարտվել 1956 թվականին որպես պետական ձեռնարկություն։ Գործարանի ստեղծման արդյունքում շրջակայքի երկու գյուղերն արագ զարգացան։ Գործարանից հարավ գտնվող բնակավայրում ձևավորվեց Նոր Ուղի համայնքը, այնուհետև՝ ևս մեկ բնակավայր՝ Վեդու գինու գործարանին կից բնակավայր։ 2000-ական թվականներին գործարանի բնակավայրը դարձավ առանձին գյուղ և վերանվանվեց Գինեվետ։
Խորհրդային Միության փլուզումից հետո Վեդու գինու գործարանը 1994 թվականին սեփականաշնորհվել է և դարձել փակ բաժնետիրական ընկերություն։ Գործարանի արտադրանքը մշտապես արտահանվում է Ռուսաստան, ԱՄՆ, Ուկրաինա, Լատվիա, Էստոնիա, Ֆրանսիա, Լիտվա և այլն ։
Վայոց ձորի մարզի Գետափ գյուղում 1938 թվականից գործող Գետափի գինու գործարանը 1994 թվականի սեփականաշնորհումից հետո նույնպես պատկանում է «Վեդի Ալկո» ՓԲԸ-ին ։
Արտադրանք և ապրանքանիշեր
Գործարանն արտադրում է գինի, կոնյակ և օղի , արտադրում է մի շարք կարմիր և սպիտակ, չոր կիսաքաղցր և աղանդերի գինիներ։ Վեդի Ալկոյի հայտնի գինու ապրանքանիշերից են՝ Երևանցի , Գետափ Վերնաշեն, Արենի գոլդ, Անուշ, Հայք, Խորան, Վիվատ Արմենիա և Խարջի։ Գործարանն արտադրում է նաև արենի, կագոր, մուսկատ, սապերավի խաղողների գինիներ։ Արտադրում է նաև մոշի, ազնվամորու, բալի, դեղձի և նռան մրգային գինիներ։
Գործարանի օղու ապրանքանիշերից են՝ «Աֆիշա», «Լիդեր», «Ստոլիկ», «Սենատոր», «Նովինկա» և «Բոչկա»։ Արտադրում է նաև խաղողի, ծիրանի, ցորենի, թթի, հոնի և բալի օղիներ։
Կոնյակի ապրանքանիշերից են՝ Դուդուկ (7 և 10 տարեկան), Արաքս (10 տարեկան) և Վիվատ Արմենիա (3, 5, 7 և 10 տարեկան)։ Գործարանն արտադրում է նաև Մուսկատ և ծիրանի կոնյակ։
Արտաքին հղումներ
Կատեգորիա:1956 հիմնադրումներ Հայաստանում Կատեգորիա:Հայկական գինիներ Կատեգորիա:Հայկական ապրանքանիշեր Կատեգորիա:Հայկական օղիներ Կատեգորիա:Հայաստանի գինեգործարաններ Կատեգորիա:1994 հիմնադրումներ Հայաստանում
Հաղթանակ Շահումյան
Հաղթանակ Շմավոնի Շահումյան (Հաղթո), հայ նկարիչ, ՀՀ վաստակավոր նկարիչ (2010) ։
Կենսագրություն
1967 թվականին ավարտել է Երևանի գեղարվեստա-թատերական ինստիտուտը։ Հայաստանի նկարիչների միության անդամ է։ 1977-1989 թվականներին՝ Երևանի գլխավոր նկարիչ։
Շահումյանի գործերին հատուկ են ֆիգուրատիվ մտածողությունը, իրականության էքսպրեսիոնիստական և խորհրդապաշտական ընկալումները։
Գործերից պահվում են Հայաստանի ազգային պատկերասրահում, Վարշավայի ժամանակակից արվեստի թանգարանում, Մոսկվայի Տրետյակովյան պատկերասրահում և այլուր ։
Ցուցահանդեսներ
Անհատական ցուցահանդեսներ՝
Ստեղծագործություններ
Գեղանկարներ՝ Քանդակներ՝
Ծանոթագրություններ
Կատեգորիա:Հայ նկարիչներ Կատեգորիա:ՀՀ վաստակավոր նկարիչներ Կատեգորիա:Հայաստանի նկարիչների միության անդամներ Կատեգորիա:Երևանի պետական գեղարվեստաթատերական ինստիտուտի շրջանավարտներ Կատեգորիա:Մովսես Խորենացու մեդալակիրներ
Կահիրեի կոնֆերանս
Կահիրեի կոնֆերանս, անգլո-ամերիկա-չինական կոնֆերանս Ուինսթոն Չերչիլի, Ֆրանկլին Դելանո Ռուզվելտի և Չան Կայշիի մասնակցությամբ. տեղի Է ունեցել 1943 թվականի նոյեմբերի 22-26-ին, Կահիրեում։
Քննարկվել են Ճապոնիայի դեմ ռազմական գործողությունների ծավալման ու Հեռավոր Արևելքի ետպատերազմյան կարգավորման հարցեր։ Ընդունված դեկլարացիայում նշվում Էր, որ Չինաստանին պետք է վերադարձվեն Ճապոնիայի կողմից գրավված բոլոր տարածքները (Մանջուրիա, Ֆորմոզա և Պեսկադորյան կղզիներ), «ի հարկին» ազատություն և անկախություն տրվի Կորեային և այլն։
Կատեգորիա:Երկրորդ համաշխարհային պատերազմ Կատեգորիա:Կահիրե Կատեգորիա:1943 Կատեգորիա:Ֆրանկլին Դելանո Ռուզվելտ Կատեգորիա:կոնֆերանսներ
Միխայիլ Կալինին
Կենսագրություն
1893 թվականից աշխատել է Սանկտ Պետերբուրգում՝ «Ստարի արսենալ», 1896 թվականից՝ Պուտիլովյան գործարաններում։ Այստեղ ստեղծել է մարքսիստական խմբակ, որը մտել է Վ. Ի. Լենինի գլխավորած Սանկտ Պետերբուրգի «Բանվոր դասակարգի ազատագրության պայքարի միության» մեջ։ Ձերբակալվել և 10-ամսյա բանտարկությունից հետո աքսորվել է Թիֆլիս, ուր բանվորների գործադուլի (1900 թվականի օգոստոս) կազմակերպմանը մասնակցելու համար նորից է ձերբակալվել։ 1901 թվականի մարտին աքսորվել է Տալլին)։ Այստեղ Կալինինը ստեղծել է մարքսիստական խմբակ, ընդհատակյա տպարան, տարածել լենինյան «Իսկրան»։ 1906 թվականին ընտրվել է ՌՍԴԲԿ Պետերբուրգի կոմիտեի անդամ և ՌՍԴԲԿ IV (1906) համագումարի պատգամավոր։
1908-1910 թվականներին աշխատել է Մոսկվայում, 1911-1912 թվականներին՝ Պետերբուրգում։ ՌԱԴԲԿ VI (Պրահայի, 1912) կոնֆերանսում ընտրվել է ՌՄԴԲԿ ԿԿ-ի անդամության թեկնածու և մտել ԿԿ-ի Ռուսական բյուրոյի կազմի մեջ։ Ակտիվորեն մասնակցել է «Պրավդա» թերթի ստեղծմանը, 1917 թվականի Փետրվարյան հեղափոխությանը, ընտրվել բոլշևիկների Պետրոգրադի առաջին լեգալ կոմիտեի անդամ։
Հոկտեմբերյան հեղափոխության հաղթանակից հետո ընտրվել է Պետրոգրադի քաղաքային դումայի անդամ, որը նրան ընտրել է քաղաքագլուխ։ 1919 թվականին, ՌԿ (բ) կ VIII համագումարում, ընտրվել է ՌԿ (բ) կ ԿԿ-ի անդամ։ Սվերդլովի մահից հետո ընտրվել է Համառուսաաոանյան ԿԳԿ նախագահ, 1922 թվականի դեկտեմբերից՝ ԱՍՀՄ ԿԳԿ նախագահ։
1938 թվականի հունվարից մինչև 1946 թվականի մարտը եղել է ԽՍՀՄ Գերագույն խորհրդի Նախագահության նախագահ, ապա՝ ԽՄՀՄ Գերագույն խորհրդի Նախագահության անդամ։
Ծանոթագրություններ
Կատեգորիա:Ռուս քաղաքական գործիչներ Կատեգորիա:1875 ծնունդներ Կատեգորիա:Նոյեմբերի 19 ծնունդներ Կատեգորիա:1946 մահեր Կատեգորիա:Հունիսի 3 մահեր Կատեգորիա:Մոսկվա քաղաքում մահացածներ Կատեգորիա:Լենինի շքանշանի ասպետներ Կատեգորիա:Սոցիալիստական աշխատանքի հերոսներ Կատեգորիա:Ռուս հեղափոխականներ Կատեգորիա:ԽՄԿԿ անդամներ Կատեգորիա:Կարմիր դրոշի շքանշանի ասպետներ
Ֆլեշ հիշողություն
Ֆլեշ հիշողություն, համակարգչային հիշողության պահպանման էլեկտրոնային ոչ անկայուն միջոց է, որը կարող է էլեկտրականորեն ջնջվել և վերածրագրավորվել։ Ֆլեշ հիշողության երկու հիմնական տեսակները՝ NOR ֆլեշ և NAND ֆլեշ, կոչվում են NOR և NAND տրամաբանական դարպասների համար։ Երկուսն էլ օգտագործում են նույն բջջային դիզայնը, որը բաղկացած է Floating-gate MOSFET-ներից։ Նրանք տարբերվում են շղթայի մակարդակում՝ կախված նրանից, թե բիթային գծի կամ բառի տողերի վիճակը բարձր է կամ ցածր. NOR ֆլեշում այն նման է NOR դարպասի։
NAND տեսակը հիմնականում հանդիպում է հիշողության քարտերում, USB ֆլեշ կրիչներում, պինդ վիճակի կրիչներում (նրանք արտադրվում են 2009 թվականից), ֆունկցիոնալ հեռախոսներում, սմարթֆոններում և նմանատիպ արտադրանքներում՝ ընդհանուր տվյալների պահպանման և փոխանցման համար։ NAND կամ NOR ֆլեշ հիշողությունը հաճախ օգտագործվում է նաև բազմաթիվ թվային արտադրանքներում կոնֆիգուրացիայի տվյալները պահելու համար, մի խնդիր, որը նախկինում հնարավոր էր դարձել EEPROM-ի կամ մարտկոցով աշխատող ստատիկ RAM-ի միջոցով։ Ֆլեշ հիշողության հիմնական թերությունն այն է, որ այն կարող է դիմանալ միայն համեմատաբար փոքր թվով գրելու ցիկլեր կոնկրետ բլոկում ։ Ֆլեշ հիշողությունը օգտագործվում է համակարգիչների, PDA-ների, թվային աուդիո նվագարկիչների, թվային տեսախցիկների, բջջային հեռախոսների, սինթեզատորների, տեսախաղերի, գիտական գործիքավորման, արդյունաբերական ռոբոտաշինության և բժշկական էլեկտրոնիկայի մեջ։ Ֆլեշ հիշողությունն ունի արագ ընթերցման հասանելիության ժամանակ, բայց այն այնքան արագ չէ, որքան ստատիկ RAM-ը կամ ROM-ը։ Դյուրակիր սարքերում այն նախընտրելի է կոշտ սկավառակներից՝ մեխանիկական ցնցումների դիմադրության պատճառով։
Քանի որ ջնջման ցիկլերը դանդաղ են, ֆլեշ հիշողության ջնջման ժամանակ օգտագործվող բլոկի մեծ չափերը արագության զգալի առավելություն են տալիս մեծ քանակությամբ տվյալներ գրելիս ոչ ֆլեշ EEPROM-ի նկատմամբ։ 2019 թվականի դրությամբ ֆլեշ հիշողությունն արժե շատ ավելի քիչ, քան բայթով ծրագրավորվող EEPROM-ը և դարձել էր հիշողության գերիշխող տեսակը, որտեղ համակարգը պահանջում էր զգալի քանակությամբ ոչ անկայուն պինդ վիճակում պահեստավորում։ EEPROM-ները, այնուամենայնիվ, դեռ օգտագործվում են այն ծրագրերում, որոնք պահանջում են միայն փոքր քանակությամբ պահեստ, ինչպես սերիական ներկայության հայտնաբերման դեպքում ։
Ֆլեշ հիշողության փաթեթները կարող են օգտագործել սիլիկոնային միջանցքներով և 3D TLC NAND բջիջների մի քանի տասնյակ շերտեր միաժամանակ՝ մինչև 1 տեբիբայթ/փաթեթի հզորություն ձեռք բերելու համար՝ օգտագործելով 16 շարված դիզելներ և ինտեգրված ֆլեշ կարգավորիչ՝ որպես առանձին մատրից փաթեթի ներսում   ։
Նախապատմություն
Ֆլեշ հիշողության ակունքները կարելի է գտնել floating-gate MOSFET-ի (FGMOS) մշակումից, որը նաև հայտնի է որպես floating-gate տրանզիստոր ։ Բնօրինակ ՄՕԿԴԱՏ-ը (մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդչային դաշտային ազդեցության տրանզիստոր), որը նաև հայտնի է որպես MOS տրանզիստոր, հայտնագործվել է եգիպտացի ինժեներ Մուհամեդ Մ. Աթալլայի և կորեացի ինժեներ Դաուոն Քահնգի կողմից Bell Labs-ում 1959 թվականին ։ Kahng-ը 1967 թվականին Bell Labs-ում չինացի ինժեներ Սայմոն Մին Սզիի հետ միասին մշակեց մի տարբերակ՝ floating-gate MOSFET-ը ։ Նրանք առաջարկեցին, որ այն կարող է օգտագործվել որպես floating-gate-ի հիշողության բջիջներ՝ ծրագրավորվող միայն կարդալու հիշողության (PROM) ձևը պահելու համար, որը և՛ անկայուն է, և՛ վերածրագրավորվող։
floating-gate-ի հիշողության վաղ տեսակները ներառում էին EPROM (ջնջվող PROM) և EEPROM (էլեկտրականորեն ջնջվող PROM) 1970-ականներին։ Այնուամենայնիվ, վաղ floating-gate-ի հիշողությունը պահանջում էր, որ ինժեներները կառուցեին հիշողության բջիջ յուրաքանչյուր բիթ տվյալների համար, ինչը դժվար էր, դանդաղ և թանկ, սահմանափակելով floating-gate-ի հիշողությունը 1970-ականների խորշ ծրագրերով, ինչպիսիք են. որպես ռազմական տեխնիկա և ամենավաղ փորձարարական բջջային հեռախոսներ։
Գյուտ և առևտրայնացում
Fujio Masuoka-ն, աշխատելով Toshiba-ում, առաջարկեց floating-gate-ի հիշողության նոր տեսակ, որը թույլ էր տալիս արագ և հեշտությամբ ջնջել հիշողության ամբողջական հատվածները՝ լարման կիրառմամբ մեկ լարին միացված բջիջների խմբին։ Սա հանգեցրեց Մասուոկայի՝ 1980 թվականին Toshiba-ում ֆլեշ հիշողության գյուտին։ Ըստ Toshiba-ի՝ «ֆլեշ» անվանումն առաջարկել է Մասուոկայի գործընկերը՝ Շոջի Արիիզումին, քանի որ հիշողության բովանդակության ջնջման գործընթացը նրան հիշեցրել է տեսախցիկի բռնկումը ։ Մասուոկան և գործընկերները ներկայացրեցին NOR ֆլեշ-ի գյուտը 1984 թվականին, և այնուհետև NAND ֆլեշի գյուտը IEEE 1987 թվականին Սան Ֆրանցիսկոյում անցկացված Էլեկտրոնային սարքերի միջազգային հանդիպմանը (IEDM) :
Toshiba-ն կոմերցիոն վաճառքի է հանել NAND ֆլեշ հիշողությունը 1987 թվականին ։ Intel Corporation-ը ներկայացրել է առաջին կոմերցիոն NOR տեսակի ֆլեշ չիպը 1988 թվականին ։ NOR-ի վրա հիմնված ֆլեշ-ն ունի երկար ջնջման և գրելու ժամանակ, սակայն տրամադրում է հասցեների և տվյալների ամբողջական ավտոբուսներ՝ թույլ տալով պատահական մուտք գործել ցանկացած հիշողության վայր։ Սա այն դարձնում է հարմար փոխարինող հին միայն կարդալու հիշողության (ROM) չիպերի համար, որոնք օգտագործվում են ծրագրային կոդերը պահելու համար, որոնք հազվադեպ են թարմացման կարիք ունեն, օրինակ՝ համակարգչի BIOS-ը կամ set-top box-երի որոնվածը։ Դրա դիմացկունությունը կարող է լինել 100 ջնջման ցիկլից՝ չիպային ֆլեշ հիշողության համար, մինչև ավելի բնորոշ 10,000 կամ 100,000 ջնջման ցիկլեր, մինչև 1,000,000 ջնջման ցիկլեր ։ NOR-ի վրա հիմնված ֆլեշը հիմք է հանդիսացել վաղ ֆլեշ-ի վրա հիմնված շարժական կրիչների հիմքում։ CompactFlash-ը սկզբնապես հիմնված էր դրա վրա, թեև ավելի ուշ քարտերը տեղափոխվեցին էժան NAND ֆլեշ։
NAND ֆլեշ-ը նվազեցրել է ջնջման և գրելու ժամանակները և պահանջում է ավելի քիչ չիպի տարածք մեկ բջջի համար, այդպիսով թույլ տալով ավելի մեծ պահեստավորման խտություն և ավելի ցածր արժեք մեկ բիթից, քան NOR ֆլեշ-ը։ Այնուամենայնիվ, NAND ֆլեշ-ի I/O ինտերֆեյսը չի ապահովում պատահական մուտքի արտաքին հասցեների ավտոբուս։ Ավելի շուտ, տվյալները պետք է ընթերցվեն բլոկ-իմաստուն հիմունքներով, հարյուրավորից հազարավոր բիթերի բնորոշ բլոկի չափերով։ Սա դարձնում է NAND ֆլեշ-ը ոչ պիտանի որպես ծրագրի ROM-ի բացվող փոխարինում, քանի որ միկրոպրոցեսորների և միկրոկառավարիչների մեծ մասը պահանջում է բայթ մակարդակի պատահական մուտք։ Այս առումով, NAND ֆլեշ-ը նման է տվյալների պահպանման այլ երկրորդական սարքերին, ինչպիսիք են կոշտ սկավառակները և օպտիկական լրատվամիջոցները, և, հետևաբար, շատ հարմար է զանգվածային պահեստավորման սարքերում օգտագործելու համար, ինչպիսիք են հիշողության քարտերը և կոշտ կրիչներ (SSD): Ֆլեշ հիշողության քարտերը և SSD-ները պահում են տվյալները՝ օգտագործելով բազմաթիվ NAND ֆլեշ հիշողության չիպեր։
Հետագա զարգացումներ
Հիշողության քարտերի նոր սերնդի ձևաչափերը, ներառյալ RS-MMC, miniSD և microSD, ունեն չափազանց փոքր ձևաչափեր։ Օրինակ, microSD քարտն ունի 1.5 սմ2-ից մի փոքր ավելի տարածք, 1 մմ-ից պակաս հաստությամբ։
NAND ֆլեշ-ը հասել է հիշողության խտության զգալի մակարդակների մի քանի հիմնական տեխնոլոգիաների արդյունքում, որոնք առևտրայնացվել են 2000-ականների վերջից մինչև 2010-ականների սկիզբը ։
Multi-level cell (MLC) տեխնոլոգիան յուրաքանչյուր հիշողության բջիջում պահում է մեկից ավելի բիթ։ NEC-ը ցուցադրեց բազմամակարդակ բջիջների (MLC) տեխնոլոգիան 1998 թվականին՝ 80 Մբ ֆլեշ հիշողության չիպով, որը պահում էր 2 բիթ յուրաքանչյուր բջջում ։ STMicroelectronics-ը նաև ցուցադրեց MLC-ն 2000 թվականին՝ 64 ՄԲ NOR ֆլեշ հիշողության չիպով։ 2009թ.-ին Toshiba-ն և SanDisk-ը ներկայացրեցին NAND ֆլեշ չիպերը QLC տեխնոլոգիայով, որոնք պահում էին 4 բիթ յուրաքանչյուր բջջում և պահում 64 Գբիթ հզորություն։ Samsung Electronics-ը ներկայացրեց եռակի մակարդակի բջջային (TLC) տեխնոլոգիա, որը պահում է 3 բիթ յուրաքանչյուր բջջի համար, և 2010 թվականին սկսեց TLC տեխնոլոգիայով NAND չիպերի զանգվածային արտադրություն։
Գործողության սկզբունքներ
Ֆլեշ հիշողությունը պահպանում է տեղեկատվությունը floating-gate-ի տրանզիստորներից պատրաստված հիշողության բջիջների զանգվածում։ Մեկ մակարդակի բջջային (SLC) սարքերում յուրաքանչյուր բջիջ պահում է միայն մեկ բիթ տեղեկատվություն։ Բազմամակարդակ բջջային (MLC) սարքերը, ներառյալ եռամակարդակ բջջային (TLC) սարքերը, կարող են մեկ բջիջում պահել մեկից ավելի բիթ։
Floating-gate-ը կարող է լինել հաղորդիչ (սովորաբար պոլիսիլիկոն ֆլեշ հիշողության տեսակների մեծ մասում) կամ ոչ հաղորդիչ (ինչպես SONOS ֆլեշ հիշողության մեջ) ։
Floating-gate MOSFET
Ֆլեշ հիշողության մեջ յուրաքանչյուր հիշողության բջիջ նման է ստանդարտ մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ դաշտային ազդեցության տրանզիստորի (MOSFET) բացառությամբ, որ տրանզիստորը մեկի փոխարեն ունի երկու դարպաս։ Բջիջները կարող են դիտվել որպես էլեկտրական անջատիչ, որտեղ հոսանքը հոսում է երկու տերմինալների միջև (աղբյուր և արտահոսք) և կառավարվում է floating-gate-ով (FG) և կառավարման դարպասով (CG): CG-ն նման է այլ MOS տրանզիստորների դարպասին, բայց դրա տակ FG-ն է, որը մեկուսացված է շուրջբոլորը օքսիդ շերտով։ FG-ը տեղադրվում է CG-ի և MOSFET ալիքի միջև։ Քանի որ FG-ն էլեկտրականորեն մեկուսացված է իր մեկուսիչ շերտով, դրա վրա դրված էլեկտրոնները թակարդում են։ Երբ FG-ը լիցքավորվում է էլեկտրոններով, այս լիցքը պաշտպանում է էլեկտրական դաշտը CG-ից՝ այդպիսով բարձրացնելով բջջի շեմային լարումը (VT1): Սա նշանակում է, որ այժմ ավելի բարձր լարում (VT2) պետք է կիրառվի CG-ի վրա, որպեսզի ալիքը հաղորդունակ լինի։ Տրանզիստորից արժեքը կարդալու համար CG-ին կիրառվում է միջանկյալ լարում շեմային լարումների միջև (VT1 և VT2): Եթե ​​ալիքը վարում է այս միջանկյալ լարման վրա, ապա FG-ը պետք է լիցքավորված լինի (եթե այն լիցքավորված լիներ, մենք հաղորդունակություն չէինք ստանա, քանի որ միջանկյալ լարումը VT2-ից փոքր է), և հետևաբար, դարպասում պահվում է տրամաբանական «1»: Եթե ​​ալիքը չի անցնում միջանկյալ լարման վրա, դա ցույց է տալիս, որ FG-ը լիցքավորված է, և հետևաբար, դարպասում պահվում է տրամաբանական «0»: Տրամաբանական «0»-ի կամ «1»-ի առկայությունը նկատվում է` որոշելով, թե արդյոք հոսանքը հոսում է տրանզիստորի միջով, երբ միջանկյալ լարումը հաստատվում է CG-ի վրա։ Բազմաստիճան բջջային սարքում, որը պահում է մեկից ավելի բիթ յուրաքանչյուր բջջի մեջ, ընկալվում է ընթացիկ հոսքի քանակությունը (ոչ թե պարզապես դրա առկայությունը կամ բացակայությունը), որպեսզի ավելի ճշգրիտ որոշվի FG-ի լիցքավորման մակարդակը։
Լողացող դարպասի MOSFET-ներն այդպես են անվանվել, քանի որfloating-gate-ի և սիլիցիումի միջև կա էլեկտրական մեկուսիչ թունելի օքսիդ շերտ, ուստի դարպասը «լողում է» սիլիցիումի վերևում։ Օքսիդը էլեկտրոնները պահում է floating-gate-ի մեջ։ Քայքայումը կամ մաշվածությունը (և floating-gate-ի ֆլեշ հիշողության սահմանափակ դիմացկունությունը) տեղի է ունենում չափազանց բարձր էլեկտրական դաշտի պատճառով (10 միլիոն վոլտ մեկ սանտիմետր) օքսիդի կողմից։ Նման բարձր լարման խտությունները ժամանակի ընթացքում կարող են կոտրել ատոմային կապերը համեմատաբար բարակ օքսիդի մեջ՝ աստիճանաբար քայքայելով դրա էլեկտրական մեկուսիչ հատկությունները և թույլ տալով, որ էլեկտրոնները թակարդվեն և ազատորեն անցնենfloating-gate-ից դեպի օքսիդ՝ մեծացնելով տվյալների կորստի հավանականությունը։ քանի որ էլեկտրոնները (որոնց քանակությունն օգտագործվում է լիցքի տարբեր մակարդակներ ներկայացնելու համար, որոնցից յուրաքանչյուրը վերագրվում է MLC Flash-ի բիթերի տարբեր համակցությանը), սովորաբար գտնվում ենfloating-gate-ում։ Ահա թե ինչու տվյալների պահպանումը նվազում է, և տվյալների կորստի վտանգը մեծանում է դեգրադացիայի աճով  ։
Ավտոէլեկտրոնային հոսք
Էլեկտրոնների հսկիչ դարպասից դեպի լողացող դարպաս տեղափոխելու գործընթացը կոչվում է Ավտոէլեկտրոնային հոսք, և այն հիմնովին փոխում է բջջի բնութագրերը՝ մեծացնելով MOSFET-ի շեմային լարումը։ Սա, իր հերթին, փոխում է արտահոսքի աղբյուրի հոսանքը, որը հոսում է տրանզիստորի միջով տվյալ դարպասի լարման համար, որն ի վերջո օգտագործվում է երկուական արժեք կոդավորելու համար։ Ֆաուլեր-Նորդհայմ թունելային էֆեկտը շրջելի է, ուստի էլեկտրոնները կարող են ավելացվել կամ հեռացնել լողացող դարպասին, գործընթացներ, որոնք ավանդաբար հայտնի են որպես գրություն և ջնջում ։
Ներքին լիցքավորման պոմպեր
Չնայած համեմատաբար բարձր ծրագրավորման և ջնջման լարման անհրաժեշտությանը, գործնականում բոլոր ֆլեշ չիպերն այսօր պահանջում են միայն մեկ սնուցման լարում և արտադրում են բարձր լարումներ, որոնք պահանջվում են չիպային լիցքավորման պոմպերի միջոցով։
1,8Վ NAND ֆլեշ չիպի կողմից օգտագործվող էներգիայի կեսից ավելին կորչում է հենց լիցքավորման պոմպում։ Քանի որ խթանիչ փոխարկիչները ի սկզբանե ավելի արդյունավետ են, քան լիցքավորման պոմպերը, ցածր էներգիայի SSD-ներ մշակող հետազոտողները առաջարկել են վերադառնալ կրկնակի Vcc/Vpp մատակարարման լարումներին, որոնք օգտագործվում են բոլոր վաղ ֆլեշ չիպերի վրա՝ ապահովելով բարձր Vpp լարումը բոլոր ֆլեշ չիպերի համար մեկ SSD-ով ընդհանուր արտաքին խթանիչ փոխարկիչով       ։
Տիեզերանավերում և բարձր ճառագայթման այլ միջավայրերում չիպային լիցքավորման պոմպը ֆլեշ չիպի առաջին մասն է, որը խափանում է, չնայած ֆլեշ հիշողությունները կշարունակեն աշխատել միայն կարդալու ռեժիմում՝ շատ ավելի բարձր ճառագայթման մակարդակներում ։
NOR flash
NOR flash-ում յուրաքանչյուր բջիջ ունի մի ծայրը միացված ուղղակիորեն գետնին, իսկ մյուս ծայրը ուղղակիորեն միացված է բիթային գծին։ Այս դասավորությունը կոչվում է «NOR flash», քանի որ այն գործում է NOR Gate-ի պես. երբ բառի տողերից մեկը (կապված է բջիջի CG-ին) բարձրացվում է, համապատասխան պահեստային տրանզիստորը գործում է ելքային բիթային գիծը ցածր քաշելու համար։ NOR flash-ը շարունակում է լինել ընտրված տեխնոլոգիան ներկառուցված հավելվածների համար, որոնք պահանջում են դիսկրետ, ոչ անկայուն հիշողության սարք ։
Ծրագրավորում
Մեկ մակարդակի NOR ֆլեշ բջիջն իր լռելյայն վիճակում տրամաբանորեն համարժեք է երկուական «1» արժեքին, քանի որ հոսանքը կհոսի ալիքով՝ համապատասխան լարման կիրառմամբ դեպի հսկիչ դարպաս, այնպես որ բիթգծի լարումը իջնի։ NOR ֆլեշ բջիջը կարող է ծրագրավորվել կամ սահմանվել երկուական «0» արժեքի հետևյալ ընթացակարգով.
NAND flash
NAND ֆլեշ-ն օգտագործում է նաև floating-gate-ի տրանզիստորներ, բայց դրանք միացված են այնպես, որ նման է NAND Gate-ին. մի քանի տրանզիստորներ միացված են հաջորդաբար, իսկ բիթային գիծը իջեցվում է միայն այն դեպքում, եթե բառի բոլոր տողերը բարձր են (տրանզիստորների վերևում)։ VT): Այս խմբերն այնուհետև միացված են որոշ լրացուցիչ տրանզիստորների միջոցով NOR ոճի բիթային գծային զանգվածին այնպես, ինչպես մեկ տրանզիստորները միացված են NOR ֆլեշ-ով։
Համեմատած NOR ֆլեշի հետ, մեկ տրանզիստորների փոխարինումը սերիական կապակցված խմբերով ավելացնում է հասցեավորման լրացուցիչ մակարդակ։ Մինչդեռ NOR ֆլեշ-ը կարող է հասցեագրել հիշողությունը էջ առ էջ, ապա բառ, NAND ֆլեշ-ը կարող է հասցեագրել այն ըստ էջերի, բառի և բիթերի։ Բիթային մակարդակի հասցեավորումը համապատասխանում է բիթային սերիական հավելվածներին (օրինակ՝ կոշտ սկավառակի էմուլյացիան), որոնց հասանելի է միայն մեկ բիթ միաժամանակ։ Մյուս կողմից, տեղում կատարվող հավելվածները պահանջում են, որ մի բառի յուրաքանչյուր բիթ հասանելի լինի միաժամանակ։ Սա պահանջում է բառի մակարդակի հասցեավորում։ Ամեն դեպքում, և՛ բիթային, և՛ բառի հասցեավորման ռեժիմները հնարավոր են NOR կամ NAND ֆլեշի միջոցով։
Տվյալները կարդալու համար նախ ընտրվում է ցանկալի խումբը (նույն ձևով, ինչպես մեկ տրանզիստորն ընտրվում է NOR զանգվածից)։ Այնուհետև, բառի տողերի մեծ մասը վեր են քաշվում ծրագրավորված բիթի VT-ի վերևում, մինչդեռ դրանցից մեկը վեր է քաշվում մինչև ջնջված բիտի VT-ի մի փոքր ավելին։ Սերիայի խումբը կանցկացնի (և կիջեցնի բիթերի գիծը), եթե ընտրված բիթը ծրագրավորված չէ։
Չնայած լրացուցիչ տրանզիստորներին, հողային լարերի և բիտ գծերի կրճատումը թույլ է տալիս ավելի խիտ դասավորություն և ավելի մեծ պահեստավորման հզորություն յուրաքանչյուր չիպի համար։ (Հողային լարերը և բիտ գծերը իրականում շատ ավելի լայն են, քան գծապատկերների գծերը:) Բացի այդ, NAND ֆլեշ-ին սովորաբար թույլատրվում է պարունակել որոշակի քանակությամբ անսարքություններ (ՆՈՐ ֆլեշը, ինչպես օգտագործվում է BIOS ROM-ի համար, ակնկալվում է, որ այն կլինի։ անթերի)։ Արտադրողները փորձում են առավելագույնի հասցնել օգտագործելի պահեստի քանակը՝ փոքրացնելով տրանզիստորների չափերը։
Գրում և ջնջում
NAND Flash-ի հիերարխիկ կառուցվածքը սկսվում է բջջային մակարդակից, որը սահմանում է տողեր, այնուհետև էջեր, բլոկներ, հարթություններ և, ի վերջո, մեռնում։ Տողը միացված NAND բջիջների մի շարք է, որոնցում մի բջիջի աղբյուրը միացված է հաջորդի արտահոսքին։ Կախված NAND տեխնոլոգիայից, տողը սովորաբար բաղկացած է 32-ից 128 NAND բջիջներից։ Տողերը կազմակերպվում են էջերի մեջ, որոնք այնուհետև կազմակերպվում են բլոկների մեջ, որոնցում յուրաքանչյուր տող կապված է առանձին տողի հետ, որը կոչվում է բիթ գիծ (BL): Բոլոր բջիջները, որոնք ունեն նույն դիրքը տողի մեջ, միացված են կառավարման դարպասների միջով բառային տողով (WL) A հարթությամբ։ պարունակում է որոշակի քանակությամբ բլոկներ, որոնք միացված են նույն BL-ի միջոցով։ Flash die-ը բաղկացած է մեկ կամ մի քանի հարթություններից և ծայրամասային միացումից, որն անհրաժեշտ է կարդալ/գրել/ջնջել բոլոր գործողությունները։
NAND Flash-ի ճարտարապետությունը նշանակում է, որ տվյալները կարող են կարդալ և ծրագրավորվել էջերում, սովորաբար 4 ԿԲ-ից մինչև 16 ԿԲ չափսերի միջև, բայց դրանք կարող են ջնջվել միայն մի քանի էջերից և ՄԲ չափերով բաղկացած ամբողջ բլոկների մակարդակով։ Երբ բլոկը ջնջվում է, բոլոր բջիջները տրամաբանորեն դրվում են 1-ի։ Տվյալները կարող են ծրագրավորվել միայն մեկ անցումով դեպի ջնջված բլոկի էջը։ Ծրագրավորման միջոցով 0-ի սահմանած ցանկացած բջիջ կարող է վերականգնվել 1-ի՝ ամբողջ բլոկը ջնջելով։ Սա նշանակում է, որ մինչ նոր տվյալները կարող են ծրագրավորվել արդեն տվյալներ պարունակող էջի մեջ, էջի ընթացիկ բովանդակությունը գումարած նոր տվյալները պետք է պատճենվեն նոր, ջնջված էջ։ Եթե ​​առկա է համապատասխան էջ, ապա տվյալները կարող են անմիջապես գրվել դրան։ Եթե ​​ջնջված էջ չկա, ապա բլոկը պետք է ջնջվի՝ նախքան տվյալ բլոկի էջը պատճենելը։ Այնուհետև հին էջը նշվում է որպես անվավեր և հասանելի է ջնջման և կրկնակի օգտագործման համար ։
Vertical NAND
Ուղղահայաց NAND (V-NAND) կամ 3D NAND հիշողությունը կուտակում է հիշողության բջիջները ուղղահայաց և օգտագործում է լիցքավորման թակարդի ֆլեշ ճարտարապետություն։ Ուղղահայաց շերտերը թույլ են տալիս ավելի մեծ տարածքային բիթային խտություններ՝ չպահանջելով ավելի փոքր անհատական բջիջներ ։ Այն վաճառվում է նաև BiCS Flash ապրանքանիշով, որը Kioxia Corporation-ի (նախկին Toshiba Memory Corporation) ապրանքանիշն է։ 3D NAND-ն առաջին անգամ հայտարարվել է Toshiba-ի կողմից 2007 թվականին ։ V-NAND-ն առաջին անգամ կոմերցիոն կերպով արտադրվել է Samsung Electronics-ի կողմից 2013 թվականին  ։
Կառուցվածք
V-NAND-ն օգտագործում է լիցքավորման թակարդի ֆլեշ երկրաչափություն (որը կոմերցիոնորեն ներկայացվել է 2002 թվականին AMD-ի և Fujitsu-ի կողմից), որը լիցքը պահում է ներկառուցված սիլիցիումի նիտրիդային թաղանթի վրա։ Նման թաղանթն ավելի ամուր է կետային թերությունների դեմ և կարող է ավելի հաստ լինել՝ ավելի մեծ թվով էլեկտրոններ պահելու համար։ V-NAND-ը փաթաթում է հարթ լիցքաթափող բջիջը գլանաձև ձևի մեջ:2020 թվականի դրությամբ Micron-ի և Intel-ի 3D NAND Flash հիշողությունները փոխարենը օգտագործում են լողացող դարպասներ, սակայն Micron 128 շերտը և ավելի բարձր 3D NAND հիշողությունները օգտագործում են սովորական լիցքավորման թակարդի կառուցվածք՝ Micron-ի և Intel-ի միջև համագործակցության լուծարման պատճառով։ Լիցքավորման թակարդ 3D NAND Flash-ը ավելի բարակ է, քան լողացող դարպասը 3D NAND-ը։ Լողացող դարպասի 3D NAND-ում հիշողության բջիջները լիովին անջատված են միմյանցից, մինչդեռ լիցքավորման ծուղակում 3D NAND-ում հիշողության բջիջների ուղղահայաց խմբերը կիսում են նույն սիլիցիումի նիտրիդային նյութը ։
Անհատական ​​հիշողության բջիջը կազմված է մեկ հարթ պոլիսիլիկոնային շերտից, որը պարունակում է անցք, որը լցված է բազմաթիվ համակենտրոն ուղղահայաց բալոններով։ Անցքի պոլիսիլիկոնային մակերեսը գործում է որպես դարպասի էլեկտրոդ։ Սիլիցիումի երկօքսիդի ամենաարտաքին մխոցը գործում է որպես դարպասի դիէլեկտրիկ՝ պարփակելով սիլիցիումի նիտրիդային գլան, որը կուտակում է լիցքը, իր հերթին պարփակելով սիլիցիումի երկօքսիդի մխոցը՝ որպես թունելի դիէլեկտրիկ, որը շրջապատում է հաղորդիչ պոլիսիլիկոնի կենտրոնական ձողը, որը հանդես է գալիս որպես հաղորդիչ ալիք։
Տարբեր ուղղահայաց շերտերի հիշողության բջիջները չեն խանգարում միմյանց, քանի որ լիցքերը չեն կարող ուղղահայաց շարժվել սիլիցիումի նիտրիդային պահեստի միջով, և դարպասների հետ կապված էլեկտրական դաշտերը սերտորեն սահմանափակված են յուրաքանչյուր շերտում։ Ուղղահայաց հավաքածուն էլեկտրականորեն նույնական է սերիական կապակցված խմբերին, որոնցում կազմաձևված է սովորական NAND ֆլեշ հիշողությունը։
Կոնստրուկցիա
V-NAND բջիջների խմբի աճը սկսվում է հաղորդիչ (դոպված) պոլիսիլիկոնային շերտերի և սիլիցիումի երկօքսիդի մեկուսիչ շերտերի փոփոխական կուտակումով։
Հաջորդ քայլը այս շերտերի միջով գլանաձեւ փոս պատրաստելն է։ Գործնականում 128 Gibit V-NAND չիպը հիշողության բջիջների 24 շերտով պահանջում է մոտ 2,9 միլիարդ նման անցք։ Այնուհետև անցքի ներքին մակերեսը ստանում է բազմաթիվ ծածկույթներ՝ սկզբում սիլիցիումի երկօքսիդ, ապա սիլիցիումի նիտրիդ, ապա սիլիցիումի երկօքսիդի երկրորդ շերտ։ Ի վերջո, անցքը լցված է հաղորդիչ (դոպված) պոլիսիլիկոնով։
Արտադրողականություն
2013 թվականի դրությամբ V-NAND ֆլեշ ճարտարապետությունը թույլ է տալիս կարդալ և գրել գործողություններ երկու անգամ ավելի արագ, քան սովորական NAND-ը և կարող է տևել մինչև 10 անգամ ավելի երկար, մինչդեռ սպառում է 50 տոկոսով քիչ էներգիա։ Նրանք առաջարկում են համեմատելի ֆիզիկական բիթային խտություն՝ օգտագործելով 10 նմ լիտոգրաֆիա, բայց կարող են ի վիճակի լինել մեծացնել բիթային խտությունը մինչև երկու կարգով՝ հաշվի առնելով V-NAND-ի օգտագործումը մինչև մի քանի հարյուր շերտերի ։ 2020 թվականի դրությամբ 160 շերտով V-NAND չիպերը մշակման փուլում են Samsung-ի կողմից ։
Արգելափակման ջնջում
Ֆլեշ հիշողության սահմանափակումներից մեկն այն է, որ թեև այն կարելի է կարդալ կամ ծրագրավորել մեկ բայթ կամ բառ պատահական մուտքի եղանակով, այն կարող է ջնջվել միայն մեկ բլոկով։ Սա սովորաբար բլոկի բոլոր բիթերը դնում է 1-ի։ Սկսած թարմ ջնջված բլոկի հետ՝ այդ բլոկի ներսում ցանկացած տեղ կարող է ծրագրավորվել։ Այնուամենայնիվ, երբ բիթը դրվել է 0-ի վրա, միայն ամբողջ բլոկը ջնջելով այն կարող է վերադառնալ 1-ի։ Այլ կերպ ասած, ֆլեշ հիշողությունը (մասնավորապես NOR flash) առաջարկում է պատահական մուտքի ընթերցում և ծրագրավորում, բայց չի առաջարկում կամայական պատահականություն։ - մուտք գործել վերագրանցման կամ ջնջման գործողությունները։ Տեղորոշումը, այնուամենայնիվ, կարող է վերաշարադրվել, քանի դեռ նոր արժեքի 0 բիթերը վերագրված արժեքների գերբազմություն են։ Օրինակ, նիբլի արժեքը կարող է ջնջվել մինչև 1111, այնուհետև գրվել որպես 1110։ Այդ խայթոցին հաջորդող գրառումները կարող են փոխել այն 1010-ի, այնուհետև 0010-ի և վերջապես 0000-ի։ Ըստ էության, ջնջումը բոլոր բիթերը դնում է 1-ի, իսկ ծրագրավորումը կարող է մաքրել միայն բիթերը, մինչև 0 ։ Ֆլեշ սարքերի համար նախատեսված որոշ ֆայլային համակարգեր օգտագործում են այս վերագրանցման հնարավորությունը, օրինակ՝ Yaffs1-ը՝ ոլորտի մետատվյալները ներկայացնելու համար։ Մյուս ֆլեշ ֆայլային համակարգերը, ինչպիսին է YAFFS2-ը, երբեք չեն օգտագործում այս «վերագրելու» հնարավորությունը. նրանք շատ լրացուցիչ աշխատանք են կատարում «մեկ անգամ գրել» կանոնին համապատասխանելու համար։
Թեև ֆլեշ հիշողության տվյալների կառուցվածքները չեն կարող թարմացվել բոլորովին ընդհանուր ձևերով, դա թույլ է տալիս անդամներին «հեռացնել»՝ նշելով դրանք որպես անվավեր։ Այս տեխնիկան կարող է փոփոխության կարիք ունենալ բազմաստիճան բջջային սարքերի համար, որտեղ մեկ հիշողության բջիջը պահում է մեկից ավելի բիթ։
Սովորական ֆլեշ սարքերը, ինչպիսիք են USB ֆլեշ կրիչները և հիշողության քարտերը, ապահովում են միայն բլոկի մակարդակի ինտերֆեյս կամ ֆլեշ թարգմանության շերտ (FTL), որը ամեն անգամ գրում է մեկ այլ բջիջ՝ սարքը մաշվածության մակարդակի համար։ Սա կանխում է բլոկի ներսում ավելացող գրությունը. Այնուամենայնիվ, դա օգնում է սարքին վաղաժամ մաշվել ինտենսիվ գրելու օրինաչափությունների պատճառով։
Հիշողության կրում
Մեկ այլ սահմանափակում այն ​​է, որ ֆլեշ հիշողությունն ունի սահմանափակ թվով ծրագրեր՝ ջնջելու ցիկլեր (սովորաբար գրվում են որպես P/E ցիկլեր)։ Առևտրային հասանելի ֆլեշ արտադրանքներից շատերը երաշխավորված են դիմակայելու շուրջ 100,000 P/E ցիկլերի, նախքան մաշվածությունը կսկսի վատթարացնել պահեստի ամբողջականությունը ։ Micron Technology-ը և Sun Microsystems-ը 2008 թվականի դեկտեմբերի 17-ին հայտարարեցին SLC NAND ֆլեշ հիշողության չիպի մասին, որը գնահատվել է 1,000,000 P/E ցիկլերի համար ։ Արդյունաբերական SSD-ների ավելի երկար P/E ցիկլերը խոսում են դրանց դիմացկունության մակարդակի մասին և դրանք դարձնում են ավելի հուսալի արդյունաբերական օգտագործման համար։
Երաշխավորված ցիկլի հաշվարկը կարող է կիրառվել միայն զրոյի բլոկի համար (ինչպես TSOP NAND սարքերի դեպքում) կամ բոլոր բլոկների վրա (ինչպես NOR-ում)։ Այս էֆեկտը մեղմվում է որոշ չիպերի որոնվածի կամ ֆայլային համակարգի դրայվերներում՝ հաշվելով գրությունները և դինամիկ կերպով վերարտադրելով բլոկները՝ սեկտորների միջև գրելու գործողությունները տարածելու համար։ այս տեխնիկան կոչվում է մաշվածության հարթեցում։ Մեկ այլ մոտեցում է կատարել գրավոր ստուգում և վերարտադրել պահեստային հատվածներին գրելու ձախողման դեպքում, մի տեխնիկա, որը կոչվում է վատ բլոկների կառավարում (BBM): Դյուրակիր սպառողական սարքերի համար այս մաշվածության կառավարման տեխնիկան սովորաբար երկարացնում է ֆլեշ հիշողության ժամկետը բուն սարքի ժամկետից դուրս, և տվյալների որոշակի կորուստ կարող է ընդունելի լինել այս հավելվածներում։ Բարձր հուսալիության տվյալների պահպանման համար, սակայն, նպատակահարմար չէ օգտագործել ֆլեշ հիշողություն, որը պետք է անցնի մեծ թվով ծրագրավորման ցիկլեր։ Այս սահմանափակումն անիմաստ է «միայն կարդալու» հավելվածների համար, ինչպիսիք են thin client-ները և երթուղիչները, որոնք ծրագրավորվում են միայն մեկ կամ առավելագույնը մի քանի անգամ իրենց կյանքի ընթացքում։
2012 թվականի դեկտեմբերին Macronix-ի թայվանցի ինժեներները բացահայտեցին իրենց մտադրությունը 2012 թվականի IEEE Էլեկտրոնային սարքերի միջազգային հանդիպման ժամանակ հայտարարելու, որ իրենք պարզել են, թե ինչպես բարելավել NAND ֆլեշ պահեստավորման ընթերցման/գրելու ցիկլերը 10000-ից մինչև 100 միլիոն ցիկլեր՝ օգտագործելով «ինքնավերականգնման» գործընթացը։ որը օգտագործում էր ֆլեշ չիպ «ներքին ջեռուցիչներով, որոնք կարող էին կռել հիշողության բջիջների փոքր խմբերը» :Ներկառուցված ջերմային կռումը պետք է փոխարիներ ջնջման սովորական ցիկլը տեղական բարձր ջերմաստիճանի գործընթացով, որը ոչ միայն ջնջում էր կուտակված լիցքը, այլև Նաև վերականգնեց չիպի մեջ էլեկտրոնի առաջացրած լարվածությունը՝ տալով առնվազն 100 միլիոն գրելու ցիկլեր ։ Արդյունքը պետք է լիներ մի չիպ, որը կարող էր ջնջվել և վերագրվել նորից ու նորից, նույնիսկ երբ այն տեսականորեն պետք է փչանա։ Որքան էլ որ Macronix-ի առաջընթացը խոստումնալից լիներ շարժական արդյունաբերության համար, այնուամենայնիվ, մոտ ապագայում որևէ առևտրային արտադրանքի այս հնարավորությունը պարունակող որևէ առևտրային արտադրանք թողարկվելու պլաններ չկային ։
Ռենտգենյան էֆեկտներ
Ֆլեշ IC-ների մեծամասնությունը գալիս է գնդիկավոր ցանցային զանգվածով (BGA) փաթեթներով, և նույնիսկ նրանք, որոնք չունեն, հաճախ տեղադրվում են PCB-ի վրա այլ BGA փաթեթների կողքին։ PCB-ի հավաքումից հետո BGA փաթեթներով տախտակները հաճախ ենթարկվում են ռենտգենյան ճառագայթահարման՝ տեսնելու, թե արդյոք գնդիկները պատշաճ միացումներ են կատարում համապատասխան բարձիկի հետ, կամ արդյոք BGA-ին անհրաժեշտ է վերամշակում։ Այս ռենտգենյան ճառագայթները կարող են ջնջել ծրագրավորված բիթերը ֆլեշ չիպի մեջ (ծրագրավորված «0» բիթերը վերածել ջնջված «1» բիթերի)։ Ջնջված բիթերը («1» բիթ) չեն ազդում ռենտգենյան ճառագայթների վրա ։
Ցածր մակարդակի մուտք
Ֆլեշ հիշողության չիպերի ցածր մակարդակի ինտերֆեյսը տարբերվում է հիշողության այլ տեսակներից, ինչպիսիք են DRAM-ը, ROM-ը և EEPROM-ը, որոնք աջակցում են բիթային փոփոխականությանը (և՛ զրոյից մեկ, և՛ մեկից մինչև զրոյին) և պատահական մուտքը արտաքին հասանելի հասցեների ավտոբուսների միջոցով։
NOR հիշողությունը ունի արտաքին հասցեների ավտոբուս՝ կարդալու և ծրագրավորելու համար։ NOR հիշողության համար ընթերցումը և ծրագրավորումը պատահական հասանելիություն են, իսկ ապակողպումն ու ջնջումը բլոկի իմաստով։ NAND հիշողության համար ընթերցումը և ծրագրավորումը կատարվում են ըստ էջերի, իսկ ապակողպումն ու ջնջումը բլոկի իմաստով։
NOR հիշողություններ
NOR ֆլեշ-ից կարդալը նման է պատահական մուտքի հիշողությունից կարդալուն, պայմանով, որ հասցեն և տվյալների ավտոբուսը ճիշտ են քարտեզագրված։ Դրա պատճառով միկրոպրոցեսորների մեծ մասը կարող է օգտագործել NOR ֆլեշ հիշողությունը որպես կատարողական տեղում (XIP), ինչը նշանակում է, որ NOR ֆլեշ-ում պահվող ծրագրերը կարող են իրականացվել անմիջապես NOR ֆլեշ-ից՝ առանց նախապես RAM-ում պատճենելու անհրաժեշտության։ NOR ֆլեշ-ը կարող է ծրագրավորվել պատահական մուտքի եղանակով, որը նման է ընթերցմանը։ Ծրագրավորումը բիթերը փոխում է տրամաբանական մեկից զրոյի։ Բիթերը, որոնք արդեն զրոյական են, մնում են անփոփոխ։ Ջնջումը պետք է կատարվի մեկ բլոկ, և ջնջված բլոկի բոլոր բիթերը վերականգնվի մեկին։ Բլոկի բնորոշ չափերն են 64, 128 կամ 256 ԿԲ։
Բլոկների վատ կառավարումը համեմատաբար նոր հատկություն է NOR չիպերում։ Հին NOR սարքերում, որոնք չեն աջակցում բլոկների վատ կառավարում, ծրագրաշարը կամ սարքի դրայվերը, որը վերահսկում է հիշողության չիպը, պետք է ուղղի մաշված բլոկները, հակառակ դեպքում սարքը կդադարի հուսալիորեն աշխատել։
NOR հիշողությունները կողպելու, ապակողպելու, ծրագրավորելու կամ ջնջելու համար օգտագործվող հատուկ հրամանները տարբերվում են յուրաքանչյուր արտադրողի համար։ Յուրաքանչյուր պատրաստված սարքի համար վարորդի եզակի ծրագրաշարի կարիք չունենալու համար հատուկ Common Flash Memory Interface (CFI) հրամանները թույլ են տալիս սարքին նույնականացնել իրեն և իր կարևոր գործառնական պարամետրերը։
Բացի իր օգտագործումից որպես պատահական մուտքի ROM, NOR ֆլեշ-ը կարող է օգտագործվել նաև որպես պահեստավորման սարք՝ օգտվելով պատահական մուտքի ծրագրավորումից։ Որոշ սարքեր առաջարկում են կարդալ-գրել-գրելու գործառույթ, որպեսզի կոդը շարունակի գործել նույնիսկ այն ժամանակ, երբ հետին պլանում կատարվում է ծրագիր կամ ջնջման գործողություն։ Տվյալների հաջորդական գրման համար NOR ֆլեշ չիպերը սովորաբար ունեն դանդաղ գրելու արագություն՝ համեմատած NAND ֆլեշի հետ։
Տիպիկ NOR ֆլեշ-ի համար անհրաժեշտ չէ սխալ շտկող կոդ ։
NAND հիշողություններ
NAND ֆլեշ ճարտարապետությունը ներկայացվել է Toshiba-ի կողմից 1989 թվականին ։ Այս հիշողությունները հասանելի են շատ նման բլոկ սարքերի, ինչպիսիք են կոշտ սկավառակները։ Յուրաքանչյուր բլոկ բաղկացած է մի շարք էջերից։ Էջերը սովորաբար ունեն 512, 2048 կամ 4096 բայթ չափսեր։ Յուրաքանչյուր էջի հետ կապված են մի քանի բայթ (սովորաբար տվյալների չափի 1/32-ը), որոնք կարող են օգտագործվել սխալների ուղղման կոդը (ECC) ստուգիչ գումարի պահպանման համար։
Բլոկի բնորոշ չափերը ներառում են.
Մինչ ընթերցումը և ծրագրավորումը կատարվում են էջի հիման վրա, ջնջումը կարող է իրականացվել միայն բլոկային հիմունքներով ։
NAND սարքերը նաև պահանջում են բլոկների վատ կառավարում սարքի վարորդի ծրագրաշարի կամ առանձին կարգավորիչի չիպի միջոցով։ SD քարտերը, օրինակ, ներառում են վերահսկիչի սխեմաներ՝ վատ բլոկների կառավարում և մաշվածության հարթեցում կատարելու համար։ Երբ տրամաբանական բլոկը հասանելի է բարձր մակարդակի ծրագրային ապահովման միջոցով, սարքի վարորդի կամ վերահսկիչի կողմից այն քարտեզագրվում է ֆիզիկական բլոկի վրա։ Ֆլեշ չիպի վրա մի շարք բլոկներ կարող են առանձնացվել քարտեզագրման աղյուսակները պահելու համար՝ վատ բլոկների դեմ պայքարելու համար, կամ համակարգը կարող է պարզապես ստուգել յուրաքանչյուր բլոկ միացման ժամանակ՝ RAM-ում վատ բլոկային քարտեզ ստեղծելու համար։ Հիշողության ընդհանուր հզորությունը աստիճանաբար նվազում է, քանի որ ավելի շատ բլոկներ նշվում են որպես վատ։
NAND-ը հենվում է ECC-ի վրա՝ փոխհատուցելու բիթերը, որոնք կարող են ինքնաբերաբար ձախողվել սարքի նորմալ աշխատանքի ժամանակ։ Տիպիկ ECC-ը կուղղի մեկ բիթ սխալը յուրաքանչյուր 2048 բիթում (256 բայթ)՝ օգտագործելով 22 բիթ ECC, կամ մեկ բիթ սխալ յուրաքանչյուր 4096 բիթում (512 բայթ)՝ օգտագործելով 24 բիթ ECC : Եթե ​​ECC-ն չկարողանա շտկել սխալը ընթերցման ընթացքում, այն դեռ կարող է հայտնաբերել սխալը։ Ջնջման կամ ծրագրավորման գործողություններ կատարելիս սարքը կարող է հայտնաբերել բլոկներ, որոնք չեն կարողանում ծրագրավորել կամ ջնջել և նշել դրանք վատ։ Այնուհետև տվյալները գրվում են այլ, լավ բլոկում, և վատ բլոկի քարտեզը թարմացվում է։
NAND սարքերի մեծ մասը առաքվում է գործարանից որոշ վատ բլոկներով։ Դրանք սովորաբար նշվում են ըստ նշված վատ բլոկի մակնշման ռազմավարության։ Թույլ տալով որոշ վատ բլոկներ, արտադրողները հասնում են շատ ավելի բարձր եկամտաբերության, քան հնարավոր կլիներ, եթե բոլոր բլոկների լավությունը հաստատվեր։ Սա զգալիորեն նվազեցնում է NAND ֆլեշ-ի ծախսերը և միայն մի փոքր նվազեցնում է մասերի պահեստավորման հզորությունը։
NAND հիշողություններից ծրագրակազմ գործարկելիս հաճախ օգտագործվում են վիրտուալ հիշողության ռազմավարություններ. հիշողության բովանդակությունը նախ պետք է էջադրվի կամ պատճենվի հիշողության քարտեզագրված RAM-ում և այնտեղ գործարկվի (հանգեցնելով NAND + RAM-ի ընդհանուր համակցությանը)։ Համակարգում հիշողության կառավարման միավորը (MMU) օգտակար է, բայց դա կարող է իրականացվել նաև ծածկույթների միջոցով։ Այդ իսկ պատճառով որոշ համակարգեր կօգտագործեն NOR և NAND հիշողությունների համակցություն, որտեղ ավելի փոքր NOR հիշողությունն օգտագործվում է որպես ծրագրային ROM, իսկ ավելի մեծ NAND հիշողությունը բաժանվում է ֆայլային համակարգով՝ որպես անկայուն տվյալների պահպանման տարածք օգտագործելու համար։
NAND-ը զոհաբերում է NOR-ի պատահական մուտքի և տեղում կատարվող առավելությունները։ NAND-ը լավագույնս համապատասխանում է տվյալների պահպանման բարձր հզորության պահանջող համակարգերին։ Այն առաջարկում է ավելի մեծ խտություն, ավելի մեծ հզորություններ և ավելի ցածր արժեք։ Այն ունի ավելի արագ ջնջումներ, հաջորդական գրառումներ և հաջորդական ընթերցումներ։
Ստանդարտացում
Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI) կոչվող խումբը մշակել է ստանդարտացված ցածր մակարդակի ինտերֆեյս NAND ֆլեշ չիպերի համար։ Սա թույլ է տալիս փոխգործունակություն տարբեր վաճառողների համապատասխան NAND սարքերի միջև։ ONFI ճշգրտման տարբերակը 1.0 թողարկվել է 2006 թվականի դեկտեմբերի 28-ին։ Այն սահմանում է.
ONFI խմբին աջակցում են NAND ֆլեշ-ի խոշոր արտադրողները, այդ թվում՝ Hynix-ը, Intel-ը, Micron Technology-ը և Numonyx-ը, ինչպես նաև NAND ֆլեշ չիպեր պարունակող սարքերի խոշոր արտադրողները ։
Ֆլեշ սարքերի երկու խոշոր արտադրողներ՝ Toshiba-ն և Samsung-ը, ընտրել են օգտագործել իրենց դիզայնի ինտերֆեյսը, որը հայտնի է որպես Toggle Mode (և այժմ Toggle V2.0): Այս ինտերֆեյսը «Pin-to-Pin» համատեղելի չէ ONFI բնութագրի հետ։ Արդյունքն այն է, որ ապրանքը, որը նախատեսված է մեկ վաճառողի սարքերի համար, կարող է չկարողանալ օգտագործել մեկ այլ վաճառողի սարքերը ։
Վաճառողների մի խումբ, այդ թվում՝ Intel-ը, Dell-ը և Microsoft-ը, ձևավորեցին Non-Volatile Memory Host Controller Interface (NVMHCI) աշխատանքային խումբ ։ Խմբի նպատակն է ապահովել ստանդարտ ծրագրային և ապարատային ծրագրավորման միջերեսներ ոչ անկայուն հիշողության ենթահամակարգերի համար, ներառյալ PCI Express ավտոբուսին միացված «flash cache» սարքը։
Ֆլեշ ֆայլային համակարգեր
Ֆլեշ հիշողության առանձնահատուկ բնութագրերի պատճառով այն լավագույնս օգտագործվում է կա՛մ կարգավորիչի հետ՝ մաշվածության հարթեցման և սխալի ուղղման համար, կա՛մ հատուկ նախագծված ֆլեշ ֆայլային համակարգերի հետ, որոնք տարածում են գրությունները լրատվամիջոցների վրա և լուծում NOR ֆլեշ բլոկների երկար ջնջման ժամանակները։ Ֆլեշ ֆայլային համակարգերի հիմքում ընկած հիմնական հայեցակարգը հետևյալն է. երբ ֆլեշ խանութը պետք է թարմացվի, ֆայլային համակարգը կգրի փոփոխված տվյալների նոր պատճենը թարմ բլոկի վրա, կվերափոխի ֆայլի ցուցիչները, այնուհետև կջնջի հին բլոկը, երբ այն ավելի ուշ։ ժամանակ ունի.
Արտադրողականություն
Բազմաթիվ չիպերը հաճախ դասավորված են կամ կուտակվում են՝ ավելի բարձր հզորություններ ձեռք բերելու համար ՝ սպառողական էլեկտրոնային սարքերում օգտագործելու համար, ինչպիսիք են մուլտիմեդիա նվագարկիչները կամ GPS-ները։ Մորի օրենքին հետևելու համար օգտագործվող ֆլեշ չիպերի հզորության ընդլայնումը (աճը), քանի որ դրանք արտադրված են ինտեգրված սխեմաների միևնույն տեխնիկայով և սարքավորումներով։ 3D NAND-ի ներդրումից ի վեր, մասշտաբավորումն այլևս պարտադիր չէ, որ կապված լինի Մուրի օրենքի հետ, քանի որ ավելի փոքր տրանզիստորներ (բջիջներ) այլևս չեն օգտագործվում։
Սպառողական ֆլեշ պահեստավորման սարքերը սովորաբար գովազդվում են օգտագործելի չափերով՝ արտահայտված որպես երկու (2, 4, 8 և այլն) փոքր ամբողջ հզորություն և մեգաբայթ (MB) կամ գիգաբայթ (ԳԲ) նշում; օրինակ՝ 512 ՄԲ, 8 ԳԲ։ Սա ներառում է SSD-ներ, որոնք շուկայավարվում են որպես կոշտ սկավառակի փոխարինում, համաձայն ավանդական կոշտ սկավառակների, որոնք օգտագործում են տասնորդական նախածանցներ ։ Այսպիսով, «64 ԳԲ» նշված SSD-ն առնվազն 64 × 10003 բայթ է (64 ԳԲ)։ Օգտատերերի մեծամասնությունը կունենա մի փոքր ավելի քիչ հզորություն, քան դա հասանելի է իրենց ֆայլերի համար՝ ֆայլային համակարգի մետատվյալների կողմից գրավված տարածության պատճառով։