cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Vela Ovéquiz
Traxectoria
O 28 de febreiro de 1068, durante o reinado de García, o conde Vela testemuñou nun diploma real expedido ó mosteiro de Santo Antoniño de Toques a propósito da consagración do bispo Gudesteo de Iria Flavia. No outono de 1071, após Afonso VI facerse co reino, Vela asistiu á Corte aparecendo como conde e testemuña, canda os seus irmáns Rodrigo e Bermudo, en varios diplomas do novo rei de Galiza. En 1075, el e o seu irmán Bermudo pleitearon contra o bispo de Oviedo pola posesión do mosteiro de Tol, cun resultado desfavorábel. En 1078, el e o seu irmán Rodrigo pleitearon contra o bispo de Lugo, Vistrario, cun resultado novamente desafavorábel: tiveron que renunciar á posesión de bastantes herdades lucenses, sendo acusados de se apropiar delas durante o reinado de García. Nun documento de 1082, el e o seu irmán Rodrigo fanse denominar Duo comites magni. A súa última acción rexistrada foi testemuñar un diploma do 25 de xuño de 1085.
Despois deste ano, estoura unha rebelión a prol do deposto rei García protagonizada polo seu irmán Rodrigo xunto co bispo de Santiago de Compostela Diego Páez. As forzas da familia Ovéquiz asaltan Lugo ―con cuxo bispo Vistrario tiveran o conflito― e ocupan o seu castelo, asasinando a Ordoño, meiriño do rei. É posíbel que Vela participase nestas accións se aínda vivise; porén, non consta o seu nome na documentación coñecida da revolta.
Another Part of Me
"Another Part of Me" é unha canción do artista estadounidense Michael Jackson. Producida por Quincy Jones (e co-producida por Jackson), foi lanzada como o sexto sinxelo do álbum Bad o 11 de xullo de 1988. A canción apareceu orixinalmente no filme de Jackson Captain EO (1986).
Pasodobre
miniatura|dereita|Festeiros a desfilar a pasodobre, como marcha militar. O pasodobre é un baile de parella de orixe española e militar, que presenta un ritmo alegre e vivo. O termo refírese igualmente á forma musical festeira, curta, executada normalmente pola rúa polas bandas de música e que provén dos desfiles militares. Ten ritmo binario, para poder camiñar mestres se executa. A súa velocidade é de 120 negras por minuto. Ten melodías ledas e carácter típico da música española.
É unha forma que só se dá en España, e que forma parte do seu folclore, sendo moi común no País Valenciano. O pasodobre popularizouse tamén nas festas de Galicia no século XX proveniente doutras zonas de España. A mesma cantiga popular galega d'A Carolina ten ritmo de pasodobre, polo que se pensa que a súa orixe non sería en realidade galega, pois se afasta dos sons galegos propios tradicionais.
Tipos de pasodobres
Hai moitos tipos de pasodobres segundo a ocasión e o lugar onde se utilizan, algúns destes son: pasodobres taurinos, pasodobres de salón, pasodobres marcha, pasodobres de concerto...
Fermata
miniatura|upright=0.7
Representación gráfica
A fermata represéntase cun signo en forma de punto coroado por un semicírculo que se acostuma colocar, na parte superior do pentagrama, sobre a figura musical a que se aplica. Non obstante, tamén pode aparecer dito signo invertido por baixo da figura.
miniatura|center|400px| Exemplo de fermatas afectando a diversas figuras.
Rexión de Lisboa
180px|Região de Lisboa Localización da Rexión de Lisboa
A Rexión de Lisboa (en portugués: Região de Lisboa) é unha rexión (NUTS II) portuguesa, que comprende aproximadamente a metade sur do distrito de Lisboa e a metade norte do de Setúbal. Limita ao norte coa Rexión Centro; a nordeste, leste e a sur co Alentexo, e a sur e oeste co océano Atlántico. Área: 2.802 km². Poboación (2007): 2.808.414 (27,7% do Continente).
Esta rexión estatística foi creada en 2002, despois de que a Rexión de Lisboa e Val do Texo fose repartida entre a Rexión Centro (para onde foron as subrexións do Oeste e Medio Texo) e o Alentexo (para onde pasou a Lezíria do Texo), despois do cal foi renomeada como Rexión de Lisboa, comprendendo soamente as dúas subrexións estatísticas (NUTS III) que ficaron da antiga rexión LVT:
A Rexión de Lisboa comprende 18 concellos (5,8% do total nacional).
Erskine Caldwell
Erskine Preston Caldwell, nado en Coweta County (Xeorxia) o 17 de decembro de 1903 e finado en San Francisco o 11 de abril de 1987, foi un xornalista e novelista estadounidense. Estivo casado coa fotógrafa norteamericana Margaret Bourke-White.
Semicondutor
miniatura|O [[cristal de silicio é o material semicondutor máis usado na microelectrónica.]] Un semicondutor é un material con condutividade eléctrica de magnitude intermedia entre a dun condutor e a dun illante, isto é, aproximadamente entre 103 e 10−8 siemens por centímetro. Os materiais semicondutores son a base da electrónica moderna, sendo empregados en transistores, células solares, moitas clases de díodos (incluíndo o díodo emisor de luz (LED), o rectificador controlado de silicio e o fotodíodo) e circuítos integrados dixitais e analóxicos. Os paneis solares fotovoltaicos semicondutores converten directamente a enerxía lumínica en electricidade. Nun condutor metálico a corrente é transportada polo fluxo de electróns.
Os materiais semicondutores máis comúns son chips sólidos cristalinos, pero tamén se coñecen semicondutores líquidos ou amorfos entre os que se inclúen o silicio amorfo hidroxenado ou mesturas de arsénico, selenio e telurio en diversas proporcións. Tales compostos comparten cos semicondutores máis coñecidos a condutividade intermedia e unha rápida variación da condutividade en función da temperatura, así coma a resistencia negativa ocasional. Tales materiais desordenados carecen da estrutura cristalina dos semicondutores convencionais tales coma o silicio e adoitan empregarse en estruturas de finas películas, que son menos esixentes no concernente ás cualidades electrónicas dos materiais e, polo tanto, relativamente insensibles ás impurezas e ao dano provocado pola radiación. Tamén se coñecen semicondutores orgánicos, ou sexa, materiais orgánicos con propiedades que remedan as dos semicondutores convencionais.
Historia
miniatura|O silicio é con moita diferenza o material máis utilizado na industria dos semicondutores. Na imaxe móstrase un fragmento de silicio policristalino utilizado para producir silicio monocristalino utilizable para facer dispositivos electrónicos. miniatura|Silicio monocristalino obtido a través do [[proceso Czochralski, de aquí sairán as obleas ou rebandas que servirán para crear os circuítos integrados electrónicos.]] miniatura|Estrutura de bandas dun semicondutor de tipo N. Os círculos negros representan os [[electróns na banda de condución (laranxa), mentres que os brancos serían os buracos na banda de valencia (azul). A imaxe mostra que os electróns son os portadores de carga maioritarios.]] miniatura|Estrutura de bandas dun semicondutor de tipo P. Os círculos negros representan os electróns na banda de condución (laranxa), mentres que os brancos serían os buracos na banda de valencia (azul). A imaxe mostra que os buracos son os portadores de carga maioritarios. O 1727 Stephen Gray descubriu a diferenza entre condutores e illantes. Despois, en 1821, Georg Simon Ohm publica as leis que traen o seu nome e que relacionan a proporcionalidade entre a corrente e a voltaxe nun condutor e coas que é posible determinar a condutividade eléctrica de calquera obxecto.
En 1874, o Premio Nobel Karl Ferdinand Braun observou que a certos cristais semicondutores a resistencia variaba coa dirección, a intensidade e a duración da corrente aplicada. Describiu por primeira vez que a resistencia podía ser variable. Braun patentou o rectificador de cristal en 1899. Este descubrimento permitiría máis tarde, a finais do século XIX, a aparición do primeiro receptor de radio, e do primeiro díodo semicondutor a principios do século XX. Os primeiros materiais semicondutores estudados foron sulfuros metálicos como o de ferro e chumbo.
O 20 de novembro de 1906 Greenleaf Whittier Pickard obtivo a primeira patente por un díodo de punta (Patente dos Estados Unidos 836.531), un fotorreceptor de cristal de silicio que demodulaba o sinal portador nun receptor de cristal semicondutor. Nun primeiro momento utilizouse a galena como material semicondutor pero en 1920 apareceron díodos máis potentes e robustos en base de sulfuro de cobre.
O funcionamento dos dispositivos baseados en semicondutores pertencentes aos metais de transición non era entendido con claridade a pesar de que se utilizaron tecnicamente durante décadas. Walter Schottky foi o primeiro a propor unha teoría (1939) para describir o funcionamento do díodo que máis tarde recibiría o seu nome, o díodo Schottky.
A primeira patente sobre o principio do transistor chegou en 1925 da man de Julius Edgar Lilienfeld, un físico norteamericano de orixe austrohúngara, (patente dos Estados Unidos 1.745.175). Lilienfeld describiu no seu traballo un compoñente electrónico que grosso modo é comparable aos actuais transistores de efecto campo, aínda así naquel non existía a tecnoloxía necesaria para a súa utilización práctica.
En 1947 nos Laboratorios Bell os científicos John Bardeen, William Bradford Shockley e Walter Houser Brattain crearon o primeiro prototipo funcional de transistor. Observaron que cando os contactos eléctricos son aplicados a un cristal de xermanio, a potencia de saída era máis grande que a de entrada. Tratábase dun transistor bipolar con contactos de punta (técnica que xa se aplicaba nos díodos) que se premían sobre a placa dun cristal de xermanio moi puro e de tipo N. Os tres recibiron o premio Nobel en 1956 pola súa contribución no campo dos semicondutores e o descubrimento do efecto transistor. Con eles nacía a microelectrónica.
A produción de silicio de alta pureza chegou en 1954 grazas ao físico alemán Eberhard Spenke e o seu equipo da compañía Siemens & Halske AG (hoxe Siemens AG) coa utilización da técnica de purificación denominada método da zona fundida (Zonenschmelzverfahren). Isto comportou que a mediados dos anos 1950 houbese dispoñibilidade dun material illante como o dióxido de silicio con propiedades adecuadas (non é soluble en auga como o xermanio, é fácil de producir etc.) como semicondutor para a industria electrónica e uns 30 anos máis tarde para a industria dos microsistemas elctromecánicos. Hoxe en día (2009) para a fabricación dos circuítos integrados utilízase case en exclusiva o chamado proceso Czochralski polo seu baixo custo.
Física fundamental dos semicondutores
Dentro da física do estado sólido, os semicondutores (como os illantes) defínense como sólidos que a 0 K, e sen outra excitación, a súa banda enerxética superior dos estados de enerxía dos electróns está completamente chea. A condución eléctrica nos sólidos só se dá por medio de electróns en capas electrónicas incompletas, así pois un semicondutor só pode conducir cando os electróns foron excitados (termicamente, opticamente, ...) a capas incompletas.
Cando os electróns son excitados desde a banda de valencia á de condución nun semicondutor, ambas as bandas contribúen á condución, porque as dúas quedan incompletas. Os electróns que constitúen a corrente eléctrica denomínanse "electróns libres", pero son coñecidos simplemente como "electróns" se o contexto o permite. Os estados de enerxía libres que quedan na capa de valencia coñécense como "buracos". Pódese demostrar que os buracos se comportan case como cargas positivas opostas aos electróns, e trátanse a miúdo coma se realmente tiveran existencia física.
Dopaxe dos semicondutores
Unha das principais razóns pola cal os semicondutores son útiles en electrónica é que as súas propiedades electrónicas pódense controlar engadíndolles impurezas. Estas denomínanse dopantes, e engaden electróns ou buracos adicionais. Un semicondutor con electróns de máis chámase de tipo N, mentres que o que ten buracos adicionais é denominado de tipo P.
Os dopantes máis comúns do tipo*N para o silicio son o fósforo e o arsénico. Estes dous elementos pertencen ao grupo V da táboa periódica, mentres que o silicio é do grupo IV. Cando o silicio se dopa con átomos de arsénico ou fósforo, estes substitúen aos átomos de silicio no cristal semicondutor, pero como teñen un electrón de máis, este ten tendencia a ocupar a banda de condución. Doutra banda, o dopante de tipo P máis utilizado é o boro, do grupo III, ao que lle falta un electrón na banda de valencia, e por iso contribúe con buracos adicionais.
Dopar intensamente un semicondutor pode incrementar a súa condutividade por un factor maior de mil millóns. Actualmente nos semicondutores utilízase o silicio policristalino, unha forma moi dopada de silicio, como condutor substituto dos metais.
Semicondutores intrínsecos
Un semicondutor intrínseco é aquel bastante puro porque as impurezas non afecte apreciablemente ao seu comportamento eléctrico. Neste caso os portadores de carga créanse excitando os electróns da banda de valencia opticamente ou termicamente. Así pois, hai o mesmo número de electróns e buracos nos semicondutores intrínsecos. Os electróns e os buracos trasládanse en direccións opostas en presenza dun campo eléctrico, pero contribúen ao fluxo de carga na mesma dirección, posto que presentan cargas opostas. A corrente producida polos electróns e os buracos non ten que ser necesariamente igual nun semicondutor intrínseco, posto que teñen unha masa efectiva diferente.
A concentración de portadores depende altamente da temperatura. A baixa temperatura a banda de valencia está completamente chea, e o semicondutor compórtase como un illante. Se aumentamos a temperatura, tamén aumenta o número de portadores e por tanto a condutividade. Este principio utilízase naos termistores do tipo NTC, resistencias que a maior temperatura presentan menor resistencia. Este comportamento é contrario á maioría de materiais, que adoitan ser menos conductivos a maior temperatura.
Por exemplo, no caso do silicio ou o xermanio a banda de enerxía prohibida a temperatura ambiente (300 K que serían equivalentes a 27 °C) seria de E = 1,12 eV para o silicio e E = 0,42 eV para o xermanio. Estes dous materiais sólidos comportaríanse como illantes a temperaturas próximas a cero (a T=273 K, equivalente a 0 °C, a enerxía sería de 1,17 eV para o silicio e 0,74 eV para o xermanio). Cando a temperatura aumenta hai unha probabilidade non desprezable de que o último electrón, presente na banda de valencia, pase á banda de condución debido á excitación térmica. Os electróns que pasan á banda de condución baixo a acción dun campo eléctrico externo causarán unha densidade de corrente j_e. Cada electrón que se move da banda de valencia á banda de condución, deixa un espazo baleiro chamado buraco. Nun semicondutor teremos un fluxo de carga negativa en presenza dun campo eléctrico externo, debido aos electróns na banda de condución, xa sexa respecto da nube estacionaria de electróns de valencia ou se trate dun fluxo de carga positiva causada polos buracos da banda de valencia. Se denominamos n_e,n_h á concentración de electróns e de buracos e v_e, v_h á velocidade de deriva, unha oposta e a outra concordante co campo eléctrico externo, a densidade de corrente total virá dada por
e considerando as mobilidades (que son diferentes entre si, posto que describen dúas condicións físicas diferentes)
temos que:
Nos semicondutores descritos ata agora, as cargas son só as provenientes dos átomos do mesmo semicondutor. Nesta situación a igualdade define os semicondutores intrínsecos, para os que temos que
onde \sigma_i é o que se denomina condutividade do material.
A concentración n_i de portadores de carga depende da temperatura segundo a función
onde C é unha constante que depende do material e  é a constante de Boltzmann. Esta ecuación é válida cando. Para os materiais sólidos esta condición verifícase sempre.
Semicondutores extrínsecos
Un semicondutor extrínseco é aquel que foi modificado mediante a adición de impurezas a través dun proceso de dopaxe para modificar o número e tipo de portadores de carga libres. Pequenas porcentaxes dos diferentes átomos aumentan as propiedades de condución do semicondutor: os semicondutores teñen ligazóns tetravalentes, é dicir, cada átomo está vinculado a outros catro átomos do mesmo formando unha rede cristalina, isto é debido á existencia de catro electróns de valencia nos átomos dos semicondutores (silicio ou xermanio por exemplo). Engadindo átomos pentavalentes, con cinco electróns de valencia, dentro do condutor (fósforo, arsénico ou antimonio por exemplo) obteremos un aumento de electróns de condución: este tipo de dopaxe chámase dopaxe de tipo N. En cambio. se engadimos átomos trivalentes, é dicir, con tres electróns de valencia, (boro, galio ou indio), créanse buracos que non son estables e atraen os electróns libres para estabilizarse. Este tipo de dopaxe chámase dopaxe de tipo P.
Estatisticamente, un semicondutor dopado de tipo N ou P segue a lei de acción de masas, é dicir, nun semicondutor extrínseco:
é dicir, o produto da concentración (o número de electróns ou de buracos por metro cúbico) mantense constante.
Sendo N_D, N_A, as concentracións de impurezas de átomos pentavalentes e trivalentes respectivamente, o número de átomos dopados por metro cúbico que hai no semicondutor, D significa que os átomos son doantes, é dicir, proporcionan electróns, e A indica que son aceptadores, é dicir, proporcionan buracos. Nun semicondutor de tipo N, :
Dopaxe de tipo N
O propósito da dopaxe de tipo N é o de conseguir aumentar a densidade de electróns nun semicondutor intrínseco. Para facer isto engádese un certo número de átomos ricos en electróns no semicondutor co que se consegue producir unha abundancia de electróns portadores de carga no material.
Para axudar a comprender como se consegue a dopaxe de tipo N, consideramos o caso do silicio (Se). Os átomos de silicio teñen 4 electróns de valencia, cada un ligado covalentemente cun dos 4 átomos de silicio veciños. Se un átomo con cinco electróns de valencia, como os do grupo 15 da táboa periódica (fósforo (P), arsénico (As) ou antimonio (Sb), se incorpora á rede cristalina no lugar dun átomo de silicio, este novo elemento tamén terá catro enlaces covalentes cos átomos de silicio veciños e un electrón sen ligazón (por tanto, libre). Este electrón estará moi debilmente ligado ao átomo e poderá ser facilmente excitado cara á banda de condución. Como a excitación destes electróns non implica a formación dun buraco, o número de electróns é maior que o de buracos nun semicondutor de tipo N. Neste caso os electróns son os portadores maioritarios de carga. Estes elementos do grupo 15 denomínanse «doantes», polo feito que dan un electrón.
Dopaxe de tipo P
No exemplo do silicio, un átomo con tres electróns de valencia como o boro (B) é introducido na súa rede cristalina. O resultado é que falta un electrón nun dos catro enlaces covalentes. Para enlazarse covalentemente, o átomo pode aceptar un electrón da capa de valencia, e por tanto aparece un buraco. Estes dopantes coñécense co nome de "receptores". Cando se engaden moitos, os buracos exceden o número de electróns excitados. Así pois os buracos son os portadores maioritarios, mentres que os electróns son os minoritarios, nos semicondutores de tipo P. Os diamantes azuis, que conteñen boro, son un exemplo dun semicondutor natural de tipo P.
É dicir, o número de electróns de condución nun semicondutores de tipo N é aproximadamente igual ao número de impurezas pentavalentes presentes (ou mellor dito, a concentración de electróns libres é aproximadamente igual á densidade de átomos doantes). Da lei de acción de masas despréndese que:
Obviamente, relacións similares son válidas para os semicondutores dopados de tipo P.
Unión P-N
miniatura|Un [[díodo cunha unión PN polarizada de maneira normal, a unión deixa pasar a corrente eléctrica.]] miniatura|Un díodo cunha unión PN polarizada de maneira inversa, a unión non deixa pasar a corrente. Unha unión P-N pode ser creada dopando rexións próximas dun semicondutor con dopantes do tipo P e do tipo N. A unión comporta a nivelación da enerxía de Fermi por compensación de bandas. Se unha tensión positiva se aplica á parte de tipo P, os buracos (os portadores maioritarios de carga positiva) son empuxados cara a unión. Ao mesmo tempo os electróns da parte de tipo N (os portadores maioritarios de carga negativa) son atraídos cara á unión. Ao chegar á unión os diferentes tipos de portadores de carga recombínanse, por exemplo un electrón cae a un buraco, emitindo un fotón que pode ser visible (LED), ou ben os portadores de carga continúan o seu camiño a través do outro semicondutor ata chegar ao eléctrodo oposto, a corrente pode circular e a súa intensidade varía de maneira exponencial respecto da tensión. En cambio, se revertemos a tensión, os buracos e electróns migran lonxe da unión, e esta convértese en moi pouco condutiva, e por tanto a corrente eléctrica non pode circular. Este comportamento asimétrico utilízase especialmente para controlar a circulación da corrente alterna.
A unión P-N é a base do compoñente chamado díodo, que permite a circulación da corrente eléctrica só nunha dirección. De maneira similar, pódese crear unha terceira zona de tipo P ou tipo N, formando así tres zonas, que corresponden aos tres terminais do compoñente coñecido como transistor bipolar de unión ou BJT (do inglés Bipolar Junction Transistor), que presenta dúas estruturas básicas: N-P-N ou P-N-P. Os dous semicondutores do mesmo tipo reciben o nome de emisor e colector mentres que o semicondutor situado entre o emisor e o colector denomínase base e presenta un grosor da orde dun micrómetro. Cando se polariza a unión emisor-base de maneira normal é condutora, mentres que a unión base-colector non conduce. Aínda así a unión é suficiente débil como para permitir a numerosos portadores de carga, procedentes do emisor fortemente dopado, atravesala antes de ter tempo de recombinarse. Atopámonos que o colector produce unha corrente controlada pola tensión da base.
A corrente eléctrica nos semicondutores
A corrente eléctrica nos semicondutores pode ser debida tanto á acción dun campo eléctrico externo como á presenza dun gradiente de concentración de portadores de carga. O primeiro tipo de corrente é a corrente eléctrica clásica, denominada corrente de deriva, mentres que o segundo é causado polo fenómeno da difusión eléctrica.
A densidade da corrente de difusión para os buracos e os electróns sería:
onde q é a carga eléctrica, D_p, D_n son constantes de difusión e a fracción representa exactamente o gradiente da concentración (p, n) en función da lonxitude.
A corrente total nun semicondutor será a suma destes dous tipos de corrente e será descrita por medio dunha ecuación denominada ecuación deriva-difusión (drift-diffusion equation):
Os coeficientes D, \mu son fenómenos termodinámicos e por tanto non son independentes entre eles, pero é aplicable a ecuación de campo de Einstein:
onde V_T é o equivalente en tensión da temperatura e vale, onde k é a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta en kelvins.
Pureza e perfección dos materiais
Os semicondutores con propiedades electrónicas asegurables son difíciles de producir en masa porque a pureza química e a perfección da estrutura cristalina non son realizables. A presenza de impurezas en moi pequena cantidade pode afectar en grande medida ás propiedades do semicondutor, por tanto a pureza química que se require é moi alta. As técnicas para conseguir esta pureza inclúen o refinamento zonal, onde parte dun cristal sólido é fundido. As impurezas teñen tendencia a concentrarse nas rexións fundidas, deixando o material sólido máis puro. Un alto nivel de perfección no cristal é tamén necesario, posto que erros na estrutura do cristal como dislocacións e maclas, poden crear certos niveis de enerxía entre a banda de valencia e a de condución, interferindo coas propiedades electrónicas do material. Erros como estes son causa maioritaria de defectos de fabricación. Canto máis grande é o cristal, máis complexo é conseguir a pureza que se require. Actualmente os procesos de produción en serie utilizan cristais de seis polgadas de diámetro (152.4 mm) que se fan crecer como cilindros e córtanse en rebandas.
Tipo de semicondutores
Os semicondutores utilizados en microelectrónica poden ser clasificados en dous grupos, os elementos semicondutores e os compostos semicondutores. Os elementos semicondutores inclúen os que teñen catro electróns de valencia, por exemplo, o silicio (Se) ou o xermanio (Ge). O grupo de compostos semicondutores comprenden os compostos que teñen unha media de catro electróns de valencia. Están formados por elementos dos grupos 13 e 15 da táboa periódica, serían exemplos o arseniuro de galio (GaAs), o antimoniuro de indio (InSb), e por elementos dos grupos 2, 12 e 16, como o seleniuro de zinc (ZnSe) ou o sulfuro de cadmio (CdS).
semicondutores semimagnéticos
Os semicondutores semimagnéticos pertencen ao grupo dos compostos semicondutores. Trátase de compostos nos que un ión foi substituído, por exemplo por manganeso. Unha característica destes materiais semimagnéticos é que presentan un efecto Zeeman moi importante. Estes materiais reciben a denominación de semicondutores magnéticos diluídos (diluted magnetic semicondutors) en referencia ao seu débil magnetismo.
Semicondutores orgánicos
miniatura|Cristais de tetracé. En xeral, os compostos orgánicos son electricamente illantes, as moléculas e os polímeros presentan un sistema conxugado de ligazóns, composto por dobres ligazóns, triplas no caso dos aneis aromáticos, a pesar de que estes últimos poden ser condutores e utilízanse como semicondutores orgánicos. A primeira vez que isto foi observado foi en 1976 no poliacetileno, un polímero lineal que presenta ligazóns alternas dobres e covalentes simples (…C=C−C=C−C…). Este material plástico engádese a outro aceptador de electróns como o cloro, o bromo ou o iodo (dopaxe oxidativo), co que hai buracos adicionais dispoñibles. Coa adición dun doante de electróns como o sodio (dopaxe redutivo) o plástico recibe electróns adicionais. Grazas á dopaxe rompen as ligazóns dobres e aparece unha banda continua de condución: o polímero orixinal que non era condutor convértese en condutor. Unha lámina delgada de plástico (entre 5 nm e 1 µm de groso) permite formar unha capa electricamente continua.
Procura europea
nO mes de setembro do 2009 a Unión Europea puxo en marcha o programa IMPROVE (Implementing Manufacturing Science Solutions to Increase Equipment Productivity and Fab Performance), o primeiro proxecto de procura europea co obxectivo de conseguir mellorar a eficacia da industria dos semicondutores. O programa busca a asociación entre os produtores europeos de semicondutores e os grandes institutos de investigación, universidades e produtores de software da Unión, durante o 2009 participaban 35. A duración do programa é ata o 2011 e os seus tres eixos principais son:
Industria
A lista seguinte mostra os principais fabricantes de semicondutores do ano 2007, en termos de % de mercado:
Urolagnia
miniatura|dereita Urolagnia é un tipo de fetichismo sexual ou parafilia enfocada aos ouriños e a micción. O nome vulgar para esta práctica é choiva dourada.
Un tipo de urolagnia é a tamén chamada undinismo, unha parafilia na que a persoa que toma o rol pasivo recibe os ouriños directamente da outra persoa. Esta acción pode limitarse a derramar os ouriños sobre o rostro ou corpo da persoa pasiva ou incluír a súa bebida por parte esta última (urofaxia). Está considerada como práctica extrema e ten a súa aceptación en parte do colectivo BDSM. Para algúns, forma igualmente parte da chamada urofilia.
A xente que practica a urolagnia a miúdo gusta tamén de miccionar en público, ouriñarse a un mesmo, observar como ouriñan outros ou ser ouriñadas por outras persoas. A orixe e nome desta práctica sexual parte da mitoloxía grega cando Zeus para seducir a Dánae, que estaba encerrada nunha gaiola inaccesíbel, se transformou en choiva dourada e deixouna grávida. Froito do acto sexual naceu Perseo.
Intrón
dereita|miniatura|270px|Representación dun xene que contén exóns e un intrón. Un intrón é unha secuencia de nucleótidos dentro dun xene que se elimina durante o splicing do ARN e non está presente no ARN maduro. O termo intrón pode referirse tanto a unha secuencia no ADN dun xene coma á secuencia correspondente nos transcritos de ARN. As secuencias que se unen durante o splicing e forman parte do ARN maduro chámanse exóns. Os intróns atópanse nos xenes da maioría dos organisms e en moitos virus, e están presentes nunha ampla gama de xenes, entre os que están os que xeran proteínas, ARN ribosómico, e ARN transferente. Cando as proteínas se xeran a partir de xenes que conteñen intróns, o splicing do ARN ten lugar como unha parte do procesamento do ARN posterior á súa transcrición e anterior á súa tradución. Poden atoparse intróns nos tres tipos de ARN eucarióticos e nos ARNr e ARNt procarióticos.
O número e lonxitude dos intróns varía enormemente entre especies, así como entre os xenes dunha mesma especie. Por exemplo, o peixe globo, Takifugu rubripes, ten poucos intróns no seu xenoma; mentres que os mamíferos e as anxiospermas (plantas con flores) adoitan presentar numerosos intróns.
Historia do concepto
miniatura|dereita|350 px|Eliminación de intróns durante a maduración dun ARNm. Os intróns foron descubertos por Phillip A. Sharp e Richard J. Roberts en adenovirus, os cales foron galardoados por este traballo co Premio Nobel de Fisioloxía e Medicina en 1993. O termo intrón foi introducido polo bioquímico estadounidense Walter Gilbert en 1978.
A palabra intrón deriva do termo rexión intraxénica. Aínda que os intróns se denominen ás veces secuencias intercaladas, este termo pode referirse a calquera das varias familias de secuencias de nucleótidos internas que non están presentes no produto final do xene, entre as que están as secuencias que codifican inteínas, as secuencias non traducidas, e os nucleótidos eliminados por modificacións (editado) do ARN, ademais dos intróns.
Os intróns poden representar un sitio de splicing alternativo, o cal pode dar lugar a diferentes tipos de proteínas. O control do splicing está regulado por unha ampla variedade de sinais moleculares. Os intróns tamén poden conter “información antiga”, é dicir, fragmentos de xenes que probablemente se expresaban antigamente pero que actualmente non se expresan.
Tradicionalmente dicíase que os intróns eran fragmentos de ADN carentes de información. Non obstante, esta afirmación é hoxe cuestionada e actualmente ten poucos partidarios. Sábese que os intróns conteñen varias secuencias pequenas que son importantes para un splicing eficiente.
Algúns intróns dos grupos I e II son ribozimas con capacidade de catalizar o seu propio splicing fóra do ARN. O descubrimento destas propiedades auto-catalíticas supuxo o Premio Nobel de Química para Thomas R. Cech e Sidney Altman en 1989.
Clasificación dos intróns
[[Ficheiro:Ayuste-intrones.jpg|miniatura|400px|Clasificación dos intróns de acordo co método de splicing, baseado nunha reacción de transesterificación nos tres primeiros casos e nun corte endonucleotídico no cuarto caso. Imaxe extraída de Saladrigas V, Claros G (2002): Vocabulario inglés-español de bioquímica y biología molecular (1.ª entrega) Panace@ III (9-10): 13-28. Vocabulario completo en BioROM. Licenciada por Panace@.]] Actualmente recoñécense catro clases de intróns:
Os intróns do grupo I, II e III son intróns que experimentan autosplicing por medio de reaccións de transesterificación. A frecuencia coa que encontramos estes intróns no xenoma é relativamente rara se a comparamos coa frecuencia dos intróns espliceosomais.
Os intróns do grupo II e III son moi similares e presentan unha estrutura secundaria altamente conservada. De feito ás veces os intróns do grupo III son identificados como intróns do grupo II debido á súa semellanza funcional e estrutural.
Os intróns do grupo I están presentes nos xenes de ARNr dalgúns eucariotas inferiores e nos xenes mitocondriais de fungos. Caracterízanse por eliminarse por medio dun proceso autocatalítico que require unha guanosina ou un nucleótido de guanosina libre; así como por careceren de secuencias consenso nos puntos de empalme, aínda que poden telas no seu interior.
Os do grupo II e III elimínanse por un proceso autocatalítico que require unha adenina ou un espliceosoma, respectivamente. En ambos os grupos, durante o proceso de empalme dos exóns, fórmase unha estrutura en lazo característica denominada lariat.
Os do grupo IV están presentes nos ARNt dos eucariotas e caracterízanse por ser os únicos que se eliminan por un corte endonucleotídico seguido dun ligamento en lugar da reacción de transesterificación
Partes dun intrón espliceosomal
Os intróns espliceosomais comezan no seu extremo 3' por un sitio de empalme 3' que acaba na secuencia invariante AG. Despois desta zona en dirección 5' hai unha zona rica en pirimidinas (C, U), a continuación está o punto de ramificación que sempre ten unha A. No outro extremo do intrón está o sitio de empalme 5', que ten a secuencia conservada GU. Todos estes sitios son recoñecidos polo espliceosoma para facer o splicing. 450px|centro
Funcións biolóxicas e evolución
Nunha primeira aproximación pode parecer que os intróns son secuencias sen importancia cuxa única función é ser eliminados dun ARN precursor para xerar o ARN funcional. Porén, está hoxe ben claro que algúns intróns codifican eles mesmos proteínas específicas ou poden sufrir un procesado adicional despois do splicing para xerar moléculas de ARN non codificantes. O splicing alternativo úsase con gran frecuencia para xerar moitas proteínas a partir dun único xene. Ademais, algúns intróns representan elementos xenéticos móbiles e poden considerarse exemplos de ADN egoísta.
As orixes biolóxicas dos intróns son escuras. Despois do seu descubrimento inicial en xenes que codificaban proteínas do núcleo eucariótico, houbo un intenso debate sobre se os intróns dos organismos actuais foran herdados dun devanceiro común (o que se denomina a hipótese dos intróns temperáns), ou se apareceron en xenes bastante recentes evolutivamente (o que se denomina hipótese dos intróns tardíos). Outra teoría é que o espliceosoma e a estrutura intrón-exón dos xenes é un relicto dun primixenio mundo de ARN (o que se denomina hipótese dos intróns primeiro). Hai aínda un considerable debate sobre cal destas hipóteses é máis correcta. A opinión máis admitida polo momento é que os intróns xurdiron na liñaxe eucariota como elementos egoístas.
Os primeiros estudos de secuencias de ADN xenómico de numerosos organismos mostraron que a estrutura exón-intrón de xenes homólogos de diferentes organismos podía variar amplamente. Pero estudos máis recentes de xenomas enteiros de eucariotas indican agora que a lonxitude e a densidade (intróns/xene) dos intróns varía considerablemente entre especies relacionadas. Por exemplo, mentres o xenoma humano contén unha media de 8,4 intróns/xene (139.418 en total no xenoma), o fungo unicelular Encephalitozoon cuniculi contén só 0,0075 intróns/xene (15 intróns en total no xenoma). Como os eucariotas xurdiron dun antepasado común, debeu haber unha considerable ganancia e/ou perda de intróns durante a evolución. Este proceso pénsase que está suxeito a selección, cunha tendencia cara á ganancia nas especies de maior tamaño debido aos seus tamaños de poboación menores, e o contrario nas especies pequenas (particularmente unicelulares). Os factores biolóxicos tamén inflúen na perda ou acumulación de intróns determinados nos xenomas.
O splicing alternativo de intróns nun xene introduce unha maior variabilidade de secuencias de proteínas traducidas a partir dun só xene, o que permite que se xeren múltiples proteínas relacionadas a partir do mesmo xene e do mesmo ARNm precursor. O control do splicing alternativo do ARN lévao a cabo unha complexa rede de moléculas sinaladoras que responden a unha ampla gama de sinais intracelulares e extracelulares.
Os intróns conteñen varias secuencias curtas que son importantes para un splicing eficiente, como sitios acceptores e doantes en cada extremo do intrón e un sitio de ramificación, que se require para que o espliceosoma faga un correcto splicing. Algúns intróns sábese que amplifican a expresión do xene no que están contidos por un proceso coñecido como amplificación mediada por intrón.
Prefectura de Hiroshima
A Prefectura de Hiroshima (広島県, ひろしまけん, Hiroshima-ken) é unha prefectura do Xapón, atópase na rexión de Chuugoku, parte oeste da illa de Honshu. A súa capital é Hiroshima-shi.
A prefectura cobre 8.479,05 km² de superficie e habítana 2.869.849 persoas.
Ncuti Gatwa
Ncuti Gatwa (/ˈʃuːti ˈɡætwɑː/), nado en Kigali o 16 de outubro de 1992, é un actor ruandés-escocés. É coñecido por interpretar o papel de Eric Effiong na serie orixinal de Netflix Sex Education, polo cal recibiu a aclamación da crítica pola súa representación dun adolescente negro e homosexual.
Prefectura de Hiroshima
A prefectura fai fronteira coa prefectura de Yamaguchi, a prefectura de Shimane, a prefectura de Tottori e a prefectura de Okayama.
Ncuti Gatwa
Traxectoria
Gatwa naceu no distrito de Nyarugenge, en Kigali, Ruanda o 15 de outubro de 1992 O seu pai, Dr. Tharcisse Gatwa, que procede do distrito Karongi, é un xornalista cun PhD en teoloxía. Gatwa criouse en Escocia, principalmente en Edimburgo e Dunfermline. Asistiu ós institutos Boroughmuir e Dunfermline e graduouse no Real Conservatorio de Escocia en Glasgow cun BA en actuación no ano 2013.
Prefectura de Hiroshima
Antes da Revolución Meiji coñecíase como Gueixuu (芸州), provincias de Aki (安芸国) e Bingo (備後国).
Ncuti Gatwa
Carreira profesional
En maio de 2018, anunciouse que Gatwa protagonizaría xunto con Gillian Anderson e Asa Butterfield a serie orixinal de Netflix Sex Education, interpretando o papel de Eric. A serie estreouse o 11 de xaneiro de 2019, recibindo a aclamación da crítica.
Prefectura de Hiroshima
Xeografía
Na prefectura hai 23 concellos, 14 deles son cidades, os restos son vilas.
Solen
Características
Son bivalvos que viven nas costas, na franxa infralitoral, en praias de areas un pouco lamacentas, aínda que tamén se rexistraron individuos illados até os 60 m de profundidade.
Ncuti Gatwa
Carreira profesional
A interpretación de Gatwa como Eric Effiong en Sex Education recibiu moi boas críticas e comentarios culturais, que salientaron que a personaxe non foi relegado ó cliché do personaxe homosexual típico ou o mellor amigo negro.
Solen
Características
Os adultos teñen a cuncha alongada, recta, coas valvas siméticas e perióstraco delgado, de entre 11 e 20 cm de lonxitude segundo as especies.
Son comestíbeis. O xénero Solen pertence ao grupo de mariscos coñecidos popularmente co nome de navallas ou longueiróns.
Tilópodos
A dos tilópodos (Tylopoda) é unha suborde de mamíferos ungulados artiodáctilos que presentan a particularuidade de marchar sobre as superficiee plantares das dúas últimas falanxes, mentres que o pezuño cobre só a parte dianteira da última falanxe.
miniatura|esquerda|180px|Dedos dun [[dromedario.]]
Solen
En Galicia
De todas estas especies en Galicia só aparece citada Solen marginatus Pulteney, 1799, que se encontra en toda a costa, aínda que é pouco abundante.
Tilópodos
Os tilópodos apareceron durante o eoceno medio, hai ao redor de 46,2 millóns de anos. O grupo ten unha longa historia fósil en Norteamérica e Europa, e foi moito máis diverso no pasado, xa que contén un número de familias extintas, ademais dos antepasados dos camélidos vivos (véxase máis abaixo).
Aínda que estes animais son ruminates, adquiriron esta característica independentemente dos "ruminantes verdadeiros", polo que non forman parte do clado o sxuborde dos Ruminantia
Taxonomía
O grupo dos Tilópdos foi descrito en 1811 polo zoólogo alemán Johann Karl Wilhelm Illiger na súa famosa obra, editada nese ano en Berlín, Prodromus systematis mammalium et avium, additis terminis geographicis utriusque classis, eorunque versione germanica, un tratado sobre a sistemática ou taxonomía linneana.
Etimoloxía
O termo do latín científico Tylopoda Illiger tirouno da composición dos elementos do grego antigo τύλο´tylo-, derivado de τύλη týlē, "inchazón", "calosidade", e -ποδα -poda, plural de -ποδο ´pòdo, de πούς ποδός poús, podós, "pé", "pata". Literalmente, "os de calosidades nas patas".
Historia taxonómica
O grupo foi considerado monofilético por Matthew (1908), que o tratou como un clado non clasificado. Carroll (1988), Ursing et al. (2000) e Whistler e Webb (2005) clasificárono como unha suborde. O grupo foi asignado a Ruminantia por Matthew (1908); a Artiodactyla por Flower (1883) e Carroll (1988); a Neoselenodontia por Whistler e Webb (2005) e, finalmente, a Cetartiodactyla por Ursing et al. (2000), e por Agnarsson e May-Collado (2008).
Filoxenia
O problema principal na circunscrición dos Tylopoda é que o extenso rexistro fósil dos aniamis parecidops ao camelo non foi estudado minuciosamente aún desde un punto de vista cladístico. A dos Tylopoda é unha liñaxe moi distintiva entre os artiodáctilos, pero as súas relacións exactas son algo esquivas debido a que as seis especies viventes están moi estreitamente relacionadas e poden ser consideradas "fósiles viventes", a única liñaxe sobrevivente dunha moi antiga e exitosa radiación evolutiva. Os estudos máis recentes suxiren que os tilópodos non están estreitamente relacionados cos ruminantes como tradicionalmente se pensaba. Spaulding et al. determinaron que estaban máis emparentados coas baleas que cos porcos, no clado cetancodontamorfos (Cetancodontamorpha), como se expresa no cladograma seguinte.
Cladograma
A posición dos cetáceos (baleas e golfiños) con respecto aos Tylopoda suscita un problema central. Mentres que unha estreita relación entre estes e os ungulados xa fora proposta por Frank Evers Beddard en 1900 e é xeralmente aceptada hoxe en día, os cetáceos diverxeron radicalmente do estilo de vida dos seus antepasados yanto como para confundir as análises de fósiles e mesmo de ADN. Os Tylopoda, por outro lado, foron extremadamente conservadores no seu estilo de vida e (como ruminantes) parece que utilizaron o mesmo nicho ecolóxico desde a súa orixe hai máis de 40 millóns de anos. Así, parece que a suposición anterior dunha estreita relación entre os tilópodos e os ruminantes débese simplemente ao feito de que todos os demais parentes achegados (baleas, porcos etc.) son tan diverxentes nas súas adaptacións que escureceron máis os indicios de relación, ou polo menos esas análises visíbeis análises fenéticas. Porén, a posición máis basal que os Tylopoda parecen ter entre as familias dos artiodáctilos significa que os membros máis antigos desta liñaxe son morfoloxicamente moi primitivos e difíciles de distinguir dos antepasados das liñaxes relacionadas. A primeira análise principal moderna e completa do problema (en 2009) apoua isto; mentres que algúns taxa tradicionalmente considerados como Tylopoda podería confirmar que pertencen a esta suborde (e uns poucos refutados), a delimitación deste grupo é aínda moi disputada a pesar de (ou por mor de) un extenso rexistro fósil.
Clasificación
Os grupos taxonómicos asignados (con algunha fiabilidade) aos Tylopoda son: miniatura|230px|Reconstrución de [[Agriochoerus|Agriochoerus antiquus.]]
Grupos basais e incertae sedis Superfamilia †Anoplotherioidea Superfamilia Cameloidea
Superfamilia †Oreodontoidea/Xiphodontoidea/Merycoidodontoidea (tentativamente situada aquí) miniatura|230px|Reconstrución do artiodáctilo primitivo [[Diacodexis|Diacodexis pakistanensis.]]
Varios taxa de Cetartiodactyla ás veces se asignan aos Tylopoda, pero outros autores considéranos incertae sedis ou liñaxes basais:
Os Cebochoeridae e os Protoceratidae, polo contrario, son familias prehistóricas que ocasionalmente forpn colocadas dentro dos Tylopoda no pasado, pero parecen estar máis estreitamente relacionadas cos ruminantes que cos camelos.
Prospero Alpini
Prospero Alpini, ou Prosper Alpinus, nado en Marostica en 1553 e finado en Padua en 1617, foi un botánico e médico italiano.
Traxectoria
Naceu na república de Venecia, na súa mocidade serviu durante un tempo no exército de Milán, pero en 1574 comezou a estudar medicina en Padua, despois da súa graduación en 1578 exerceu en Campo San Pietro, unha pequena vila na comarca de Padua. Mais o seu interese pola botánica, en especial as plantas exóticas, lévao a viaxar a Exipto en 1580 como médico do embaixador veneciano no Cairo, onde pasou tres anos. Da observación do cultivo da palmeira datileira deduciu a diferenza sexual das plantas.
Á súa volta, residiu durante un tempo en Xénova como médico de Andrea Doria, e en 1593 exerce de profesor de botánica en Padua ata a súa morte. A súa obra máis coñecida é De Medicina Egyptiorum (1592). En Medicina Egyptiorum (1592) describe por primeira vez en Europa a cafeeira.
Soiuz TMA
Soiuz TMA foi un modelo de nave Soiuz deseñado para misións na órbita terrestre. Estivo en servizo entre 2002 e 2011.
Características
A Soiuz TMA é unha versión modernizada e mellorada da Soiuz TM mediante acordos entre Rusia e os Estados Unidos, cun sistema de paracaídas mellorado, un novo taboleiro de control e capacidade para levar 100 kg de carga ademais da tripulación e traer 50 kg de volta. As súas dimensión internas tamén foron lixeiramente modificadas para acoller mellor aos astronautas americanos e o sistema de amortiguamento dos asentos durante nas aterraxes foi mellorado. A partir do 2009 a Soiuz TMA comezou a usar o ordenador TsVM-101 en lugar do xa anticuado Argon 16, con tecnoloxía dos anos 1970 e máis pesado (70 kg contra os 8,3 kg do TsVM-101), e o sistema de telemetría analóxico sustituiuse por un dixital.
A función da Soiuz TMA foi a de servir de transporte cara a Estación Espacial Internacional e de bote salvavidas unha vez acoplada a ela. Despois da retirada dos transbordadores espaciais, as Soiuz TMA foron as únicas naves capaz de levar astronautas á estación.
Harold Lloyd
Harold Clayton Lloyd nado o 20 de abril de 1893 en Burchard (Nebrasca, EUA) e finado o 8 de marzo de 1971 en Beverly Hills (California) foi un actor, director de cine, produtor de cine e guionista estadounidense estrela do cinema mudo, considerado un dos máis grandes cómicos da historia da sétima arte.
Lloyd actuou en 208 películas entre 1913 e 1947. Durante a década dos vinte foi o actor máis popular e mellor pago do universo cinematográfico. É coñecido sobre todo polas secuencias de persecución que incluían proezas físicas como rubir polos muros de altos edificios. Xunto a Buster Keaton e Charlie Chaplin forma o «triunvirato» de grandes cómicos do cinema mudo e, como eles, a súa carreira continuou no período sonoro.