cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Freeza
Tekniikat
Voimakas säde, jonka Freeza ampuu kahdesta sormestaan. Läpäisee lähes minkä vain. Budokai-pelisarjassa kutsuttu nimellä Death Wave (Kuolon Aalto).
Freezan lempitekniikka. Hän kohottaa oikean kätensä ja ampuu pieniä, luodin kaltaisia ki-säteitä etusormestaan. Säde liikkuu hyvin nopeasti, ja sitä on vaikea havaita silmillään. Tällä tekniikalla Freeza murhaa Denden ja Vegetan, sekä vahingoittaa vakavasti Piccoloa. Dragon Ball Z -videopeleissä kutsuttu nimellä Death Beam (Kuolonsäde).
Erikoishyökkäys, joka tekee vastustajan ympärille energiapallon, josta ei voi paeta. Freeza pystyy manipuloimaan palloa niin paljon kuin haluaa, mutta se räjähtää jos joku muu kuin Freeza tai pallon sisällä oleva vastustaja koskettaa sitä. Tätä tekniikkaa Freeza käytti Gokuun.
Freeza pystyy liikuttamaan esineitä ilman, että koskee niihin. Tällä tekniikalla hän heitti Gokua kohti isoja kiviä harhautukseksi, jotta pääsisi iskemään häntä Hokaku Kon Danilla.
Freeza pystyy ampumaan silmistään laserin kaltaisia säteitä. Tämä tekniikka ei ole kovin tehokas verrattuna Freezan muihin tekniikoihin ja on samanlainen kuin Freeza beam, mutta se on nopea tapa tuhota heikommat vastustajat ja esteet. Freeza tuhosi sillä Namekin vanhimman, Saichoron majan seinän etsiessään Lohikäärmekuulia, ja käytti sitä myös Gokuun.
Voimakas hyökkäys, jolla on tarkoitus iskeä yksi vastustaja taaksepäin. Voidaan käyttää joko kädellä tai silmillä. Budokai Tenkaichisissa kutsuttu nimellä "Kiai Cannon".
Muistuttaa tavallista Kienzan-hyökkäystä (jota käyttää eniten Kuririn), mutta Freezan kiekko on nopeampi, erivärinen (purppura) ja sitä pystyy jotenkuten hallitsemaan. Freeza kehittää kaksi kiekkoa voittaakseen supersaiyalaiseksi muuttuneen Gokun, mutta lopulta ne iskevätkin hänet itse kahtia. Englannin versiossa kutsuttu nimillä "Energy Disc" tai "Destruction Disc" (Energiakiekko ja Tuhon kiekko). Pelissä Dragon Ball Z: Budokai Tenkaichi 2ja 3 kutsutaan nimellä "Death Saucer" (Kuolonkiekko).
Freezalla on kyky muuttaa itsensä heikosta muodosta voimakkaampaan. Muuttuessa Freezan nopeus, kestävyys ja ennen kaikkea voima kasvavat. Myös hänen haavansa parantuvat. Freezalla on neljä muotoa, pois lukien 100 % voima ja kyborgimuoto, joka ei ole luonnollinen muodonmuutos. Ensimmäisessä muodossaan hän on noin 150 senttiä pitkä, vaaleaihoinen humanoidi, jolla on kaksi punaista, sivuille osoittavaa sarvea. Toisessa muodossaan hänen lihaksensa ja pituutensa kasvavat ja voimataso nousee. Kolmannessa muodossaan Freezan häntä paksuuntuu, hänen ihonsa muuttuu valkoiseksi, hänen päänsä venyy taaksepäin ja hänelle kasvaa kaksi paria sarvia. Lisäksi hänen päälakensa muuttuu violetiksi. Neljännessä ja viimeisessä luonnollisessa muodossaan hänen kokonsa palautuu ensimmäiseen muotoon, mutta ihonväri pysyy valkoisena, ja lisäksi hänen olkapäänsä ja kyynärpäänsä muuttuvat violeteiksi. Kun Freeza nostaa voimatasonsa maksimiin, hän siirtyy 100 %-voima-muotoon, johon hänen lihaksensa kasvavat huomattavasti, ja hänen voimatasonsa nousee 12 000 000. (Tavallisen ihmisen voimataso on n. 5)
Jokseenkin heikko, mutta erittäin nopea tekniikka, jolla Freeza pystyy luomaan pieniä räjähdyksiä siihen, mihin hänen sormensa osoittaa. Tätä tekniikkaa hän käytti tuhotakseen Piccolon nopeasti muututtuaan kolmanteen muotoonsa. Kutsutaan nimellä "Crazy Finger Beam" (Hullu sormisäde) Budokai Tenkaichi-sarjassa, mutta tässä ne ovat samanlaisia kuin Ki-ammukset.
Katso myös
Lista postaci występujących w Dragon Ball
Reggie Jackson
thumb|Reggie Jackson Reginald Martinez ”Reggie” Jackson (s. 18. toukokuuta 1946) on yhdysvaltalainen baseballpelaaja. Hän pelasi Major League -tasolla kahdenkymmenen vuoden ajan (1967–1987).
Jackson sai 17. syyskuuta 1984 500. kunnarinsa; kaikkiaan niitä kertyi 563. Hän on kuulunut Baseball Hall of Fameen vuodesta 1993.
Kyläneidonkieli
Kyläneidonkieli eli piennarneidonkieli, myös pelkkä neidonkieli (Echium vulgare) on näyttäväkukkainen lemmikkikasvi. Se on kaksivuotinen ja se kasvattaa ensimmäisenä vuotena vain lehtiruusukkeen, jonka keskeltä kasvaa haaroittuva kukkavarsi seuraavana vuonna.
Kukinnot
pienoiskuva|170px|[[Ketokimalainen|Ketokimalaisen kuningatar (Bombus sylvarum) kyläneidonkielen kukassa.]] Kukinto on yksihaarainen, toispuolinen viuhko eli kiemura, ja muistuttaa hieman lupiinia. Kukkien nuput ovat punertavan violetteja. Kukan verhiö on lähes tyveen asti liuskainen. Teriö on 10–18 millimetriä pitkä, suppilomainen ja vastakohtainen. Nuppuvaiheen jälkeen teriö muuttuu siniseksi. Heteitä on 4 tai 5 ja ne ovat teriötä pidempiä. Palhot ovat eripituisia. Luotteja on kaksi kappaletta. Kyläneidonkieli kukkii Suomessa kesä–elokuussa runsain kukin. Sen kukat houkuttelevat runsaasti hyönteisiä, esimerkiksi mesipistiäisiä, kaaliperhosia ja kiitäjiä.
Hedelmät ja siemenet
Hedelmykset ovat neliosaisia lohkohedelmiä, pähkylämäisiä ja kurttupintaisia. Kyläneidonkieli tekee runsaasti siemeniä ja kylväytyy itsestään.
Levinneisyys
Kyläneidonkieltä tavataan villinä koko Euroopassa lukuun ottamatta Espanjan ja Portugalin eteläisimpiä osia sekä pohjoisinta havumetsä- ja tundravyöhykettä. Yhtenäinen levinneisyysalue ulottuu Etelä-Euroopasta Isoon-Britanniaan, Etelä-Skadinaviaan, Etelä-Suomeen, Baltiaan, Länsi-Venäjälle ja Kaukasukselle. Levinneisyysalue jatkuu hajanaisena itään päin Keski-Aasiaan saakka. Laji on levinnyt tulokkaana laajalle Pohjois-Amerikan itäosiin ja muun muassa Uuteen-Seelantiin.
Suomessa tavataan harvinaisena puutarhakarkulaisena kyläneidonkielen lähisukulaista ratamoneidonkieltä eli piiankieltä (Echium plantagineum).
Elinympäristö
Kyläneidonkieli viihtyy kuivahkoilla, aurinkoisilla kasvupaikoilla, kuten kivikkoisilla ja soraisilla tienvarsilla, kyläkedoilla ja lastauspaikoilla. Sitä kasvatetaan myös koristekasvina ja esiintyy toisinaan viljelykarkulaisena.
Kemiallinen koostumus
Neidonkieli ei ole mehiläistarhaajien suosikki, sillä jos mehiläiset innostuvat vierailemaan sen kukista runsaasti, voi hunajasta tulla myrkyllistä. Kasvi sisältää PA-yhdisteitä eli pyrrolitsidiineja. Neidonkielen mesi ja erityisesti sen siitepöly sisältää suuria määriä PA-yhdisteitä. Muutamassa muussakin kasvissa on näitä samoja alkaloideja, esimerkiksi jaakonvillakossa (Jacobaea vulgaris) ja rantapunalatvassa (Eupatorium cannabinum). Määritellyt raja-arvot eivät silti välttämättä ylity, jos mehiläisille on tarjolla muita niitä houkuttelevia kukkivia kasveja. Mehiläistarhojen läheisyydestä kyläneidonkielet kannattaa kuitenkin niittää ennen kukintaa tai poistaa kokonaan. Jos hunajaan päätyy PA-yhdisteitä, voi tällaisen hunajan nauttiminen aiheuttaa myrkytysoireita. Näitä voivat olla pahoinvointi, sydämen rytmihäiröt ja verenpaineen lasku. Jos PA-yhdisteitä joutuisi elimistöön liian suuri annos, voisi siitä aiheutua akuutti maksavaurio.
Uinnin lyhyen radan Euroopan-mestaruuskilpailut 2013
Uinnin lyhyen radan Euroopan-mestaruuskilpailut järjestettiin vuonna 2013 17. kertaa. Kilpailut pidettiin Tanskan Herningissä 12.–15. joulukuuta. Kilpailujen järjestäjänä toimi Euroopan uimaliitto LEN.
Kilpailuissa kilpailtiin yksittäisellä matkalla alkuerissä, välierissä ja loppukilpailussa poikkeuksena naisten 800 metrin ja miesten 1 500 metrin vapaauinnit, joissa uitiin pelkät erät.
Kisojen menestynein maa oli Venäjä, joka saavutti kaikkiaan 17 mitalia; yhdeksän kultaa, viisi hopeaa ja kolme pronssia.
Mitalitaulukko
Isäntämaa
Niobium
thumb|Niobiumia|alt=
Niobium on alkuaine, jonka kemiallinen merkki on Nb ja järjestysluku 41. Niobium on harvinainen, pehmeä, harmaa ja sitkeä siirtymämetalli. Nimi niobium on annettu kreikkalaisen tarukuningatar Nioben mukaan. Niobium tunnetaan myös nimillä niobi ja kolumbium.
Niobium löydettiin jo 1800-luvun alussa, mutta kaupalliseen käyttöön se tuli vasta 1900-luvun alussa. Brasilia on johtava niobiumin tuottaja. Niobiumia käytetään lähinnä seosmetallina erikoisteräksissä, joita käytetään esimerkiksi kaasuputkissa. Vaikka seokset sisältävät niobiumia enintään 0,1 prosenttia, sillä on jo merkittävä vaikutus teräksen lujuuteen.
Hyvän lämmönkestävyytensä ansiosta niobiumia sisältäviä seoksia käytetään esimerkiksi suihkumoottoreissa ja rakettimoottoreissa. Niobiumia käytetään myös usein suprajohtavissa materiaaleissa. Muita sovelluksia niobiumille ovat muun muassa ydinvoimateollisuus, elektroniikka, optiikka ja koruteollisuus.
Historia
Englantilainen kemisti Charles Hatchett löysi niobiumin vuonna 1801. Hän löysi uuden alkuaineen mineraalinäytteestä, joka oli lähetetty Englantiin Connecticutista jo 1600-luvulla. Hatchett nimesi uuden alkuaineen kolumbiumiksi. Hatchettin löytämä aine oli luultavasti sekoitus jo aiemmin löydettyä tantaalia ja uutta ainetta.
Tästä syntyi sekaannus, sillä kolumbiumia (niobiumia) oli vaikea erottaa sitä suuresti muistuttavasta tantaalista. Vuonna 1809 englantilainen kemisti William Hyde Wollaston tutki aineita ja päätyi siihen, että kyseessä on sama aine, joten hän säilytti nimen tantaali. Vuonna 1846 saksalainen kemisti Heinrich Rose väitti, että tantaalinäytteessä oli kahta eri alkuainetta, joille hän antoi kreikkalaisen mytologian Tantaloksen tyttärien mukaan nimet niobium ja pelopium. Nämä hänen väittämänsä alkuaineet osoittautuivat myöhemmin kuitenkin niobiumin ja tantaalin seoksiksi. Sekaannukset johtuivat siitä, että erot tantaalin ja niobiumin välillä olivat niin pienet. Vuosina 1864–1866 kemistit Christian Wilhelm Blomstrand, Henri Étienne Sainte-Claire Deville, Louis J. Troost sekä Jean Charles Galissard de Marignac osoittivat yksiselitteisesti erot tantaalin ja niobiumin välillä.
Vuonna 1920 tehtiin havainto, että niobium parantaa teräksen vahvuutta. Siitä lähtien se on ollut niobiumin pääkäyttökohde. Vuonna 1961 yhdysvaltalainen fyysikko Eugene Kunzler ja hänen työtoverinsa Bell Labsissa havaitsivat, että niobium-titaani-seokset ovat hyviä suprajohteita. Siksi niobiumia alettiin käyttää erilaisissa sähkömagneettisissa sovelluksissa.
Amerikassa niobiumista käytettiin nimeä kolumbium aina 1940-luvun loppuun asti, kun taas Euroopassa käytettiin nimeä niobium. Vuonna 1949 kiista saatiin päätökseen Amsterdamissa kemianliiton konferenssissa.
Ominaisuudet
Niobium on kiiltävä, harmaa, sitkeä, paramagneettinen metalli, joka kuuluu jaksollisen järjestelmän ryhmään 5. Metalli saa itselleen sinertävän sävyn joutuessaan kosketuksiin ilman kanssa huoneenlämmössä. Korkeasta sulamispisteestä huolimatta (2 468 °C) niobiumin tiheys on melko pieni verrattuna muihin tulenkestäviin metalleihin.
Niobium on korroosionkestävä, ja sillä on hyvät suprajohtavuusominaisuudet. Nämä ominaisuudet, erityisesti suprajohtavuus, ovat voimakkaasti riippuvaisia aineen puhtaudesta. Yleisimmin käytetyt niobiumin suprajohtavat lejeeringit, kuten niobium-titaani, ovat erityisen tunnettuja siitä kuinka korkeaa magneettikenttää ne kestävät ennen kuin niiden suprajohtava tila lakoaa.
Kun niobium on hyvin puhdasta, se on melko pehmeää ja sitkeää, kun taas epäpuhtaudet tekevät siitä kovempaa. Koveneminen vaikeuttaa metallin käyttöä sovelluksissa, joissa esiintyy mekaanista stressiä ja värinää, kuten juuri suprajohtavissa magneeteissa. Niinpä niobiumin puhtaus asettaa tällaisissa sovelluksissa tiukempia kustannusrajoitteita kuin metallin saatavuus sinänsä.
Niobiumin kemialliset ominaisuudet ovat hyvin samanlaisia kuin tantaalilla, joka on suoraan alapuolella jaksollisessa järjestelmässä. Vaikka sen korroosionkestävyys ei ole niin erinomainen kuin tantaalilla, sitä käytetään kuitenkin yleisesti vastaaviin tarkoituksiin alhaisemman hintansa ja paremman saatavuutensa vuoksi.
Isotoopit
Luonnossa esiintyvä niobium muodostuu yhdestä vakaasta isotoopista: 93Nb. Muita isotooppeja on valmistettu keinotekoisesti ja alkuaineelle tunnetaan yli 30 radioisotooppia, joiden massaluvut ovat välillä 81–115. Vakain näistä on 92Nb, jonka puoliintumisaika on 34,7 miljoonaa vuotta. Tämä vuonna 1938 löydetty isotooppi hajoaa β+-hajoamisella, kuten useimmat niobiumin isotoopit, jotka ovat vakaata 93Nb isotooppia keveämpiä. Vähiten vakaa on 114Nb, jonka arvioitu puoliintumisaika on vain noin 17 millisekuntia.
Kemia
Niobium on monella tapaa samanlainen kuin muutkin ryhmän 5 alkuaineet. Korkeissa lämpötiloissa se reagoi kaikkien epämetallien kanssa. Fluorin kanssa se reagoi jo huoneenlämpötilassa, kloorin ja vedyn kanssa 200 °C:ssa ja typen kanssa 400 °C: ssa.
Esiintyminen
Arvioiden mukaan niobium on 33:nneksi yleisin aine maankuoressa. Yleisyyden maassa pitäisi olla paljon suurempi, mutta "puuttuva" niobium voi sijaita maapallon ytimessä metallin suuren tiheyden vuoksi.
Niobiumia ei esiinny luonnossa puhtaana, mutta sitä voi löytää eri mineraaleista. Mineraalit, jotka sisältävät niobiumia, sisältävät usein myös tantaalia, esimerkiksi kolumbiitti ((Fe,Mn)(Nb,Ta)2O6), kolumbiitti-tantaliitti ((Fe,Mn)(Ta,Nb)2O6) ja pyrokloori ((Na,Ca)2Nb2O6(OH,F)).
Tuotanto
Brasilia tuottaa n. 90 % niobiumin maailman tuotannosta ja Kanada n. 5 %. United States Geological Survey arvioi, että niobiumin tuotanto kasvoi 38 700 tonnista 44 500 tonniin vuodesta 2005 vuoteen 2006. Maailmanlaajuisesti resursseja arvioidaan olevan noin 4 400 000 tonnia. Kymmenen vuoden aikana vuosina 1995–2005 vuosittainen tuotanto on yli kaksinkertaistunut.
Sovellukset
On arvioitu, että vuonna 2006 tuotetusta 44 500 tonnista niobiumia 90 % päätyi korkealaatuisten rakenneterästen tuotantoon. Seuraavaksi suurin sovellus on suprajohteet ja elektroniset komponentit.
Teräksen tuotanto
Kun teräkseen lisätään niobiumia, muodostuu niobiumkarbideja ja niobiumnitridejä teräksen rakenteeseen. Nämä yhdisteet parantavat teräksen sitkeyttä, lujuutta, muokattavuutta ja hitsattavuutta. Ruostumattomien terästen niobiumpitoisuus on alle 0,1 %. Niobiumpitoisia teräksiä käytetään mm. autoteollisuudessa ja kaasuputkien rakentamisessa.
Superseokset
Superseoksia (superalloys) käytetään mm. suihkumoottorin osissa, kaasuturbiineissa ja rakettien alikokoonpanoissa. Seokset sisältävät enintään 6,5 % niobiumia. Yksi esimerkki nikkelipohjaisesta niobiumia sisältävistä superseoksista on Inconel 718, joka sisältää 50 % nikkeliä, 18,6 % kromia, 18,5 % rautaa, 5 % niobiumia 3,1 % molybdeeniä, 0,9 % titaania ja 0,4 % alumiinia. Tällaista superseosta on käytetty erilaisissa avaruuslaitteistoissa, kuten Gemini-projektissa. Myös Apollo-lennoilla on käytetty erilaisia niobiumpitoisia superseoksia.
Suprajohtavat magneetit
Niobiumista tulee suprajohde, kun lämpötilaa madalletaan alle sen kriittisen lämpötilan (9,2 K). Niobiumilla on kaikista puhtaista alkuaineista korkein kriittinen lämpötila ja magneettikentän tunkeutumissyvyys, sekä se on vanadiinin ja teknetiumin ohella yksi kolmesta alkuaineesta, jotka ovat tyypin II suprajohteita. Niobium-tina- ja niobium-titaani-seoksia käytetään suprajohtaviin magneetteihin, ja ne voivat tuottaa voimakkaita magneettikenttiä. Näitä suprajohtavia magneetteja käytetään magneettikuvausvälineissä sekä hiukkaskiihdyttimissä.
Numismatiikka
Niobiumia voidaan käyttää juhlarahojen valmistamiseen usein yhdessä hopean tai kullan kanssa. Esimerkiksi Itävallassa on valmistettu sarja eurokolikoita hopea-niobiumseoksesta. Niobiumin ansiosta kolikon pintaan voidaan saada erilaisia värejä.
Muita käyttötarkoituksia
Niobiumia ja niobiumseoksia käytetään myös joissain lääketieteellisissä laitteissa, kuten sydämentahdistimissa, sillä niobium on reagoimaton. Niobiumia käytetään myös koruissa.
Niobium on arvioitu olevan halvempi vaihtoehto tantaalikondensaattoreille, mutta tantaalikondensaattorit ovat edelleen hallitsevia. Niobiumia voidaan lisätä myös lasiin, jotta saavutetaan korkeampi taitekerroin. Sitä voidaan siten siis käyttää silmälasien tekemiseen.
Diofantoksen yhtälö
Diofantoksen yhtälö on kokonaislukukertoiminen vähintään kahden muuttujan polynomiyhtälö, jolle etsitään kokonaislukuratkaisuja. On todistettu, ettei ole olemassa algoritmia, joka selvittäisi yleisessä tapauksessa, onko annetulla Diofantoksen yhtälöllä ratkaisuja. Monia erikoistapauksista sen sijaan on tutkittu ja löydetty ehtoja, joilla ratkaisu on olemassa. Yhtälöä kutsutaan tällä nimellä Diofantos Aleksandrialaisen mukaan.
Esimerkkejä
Yhtälöllä 50x+70y=3 ei selvästi ole ratkaisuja: vasemman puolen arvo on aina kymmenellä jaollinen, oikea puoli ei.
Yleistä
Yleisen ratkaisumenetelmän mahdottomuuden todisti Juri Matiasevic.
Monet kuuluisat matemaattiset ongelmat pyytävät määrittämään tietyn Diofantoksen yhtälön kaikki ratkaisut tai onko ratkaisuja ylipäätänsä olemassa. Näihin ongelmiin tarvitaan lähes poikkeuksetta kehittyneitä nykymatematiikan menetelmiä, kuten algebrallista geometriaa.
Viherlaakso
Viherlaaksosta on hyvät julkiset yhteydet bussilla muun muassa Leppävaaran suuntaan ja Jorviin.
Viherlaaksossa on muun muassa pieni ostoskeskus, kirjasto, kappeli, uimaranta sekä Viherlaakson yhtenäiskoulu, sosiaali- ja terveysasema, pelastusarmeijan palvelukoti, Espoon kaupungin vanhainkoti Viherkoti ja taksiasema. Viherlaaksossa toimii myös vuonna 1986 perustettu partiolippukunta Viherlaakson Peurat. Viherlaaksossa on ennen ollut posti. Nykyään postipaketit Viherlaaksossa postitetaan R-kioskissa. Viherlaakson vuonna 2013 uusitussa Alepassa on Postin SmartPOST-pakettien vastaanottamis- ja lähettämispalvelu.
Suurin osa Viherlaakson rakennuskannasta on rakennettu 1960- ja 1980-lukujen välillä. Yleisin rakennustyyppi oli vuonna 2013 asuinkerrostalot.
Viherlaakson uimaranta sijaitsee kirkasvetisen Lippajärven rannalla. Alueella on myös pururata, asukaspuisto ja koirapuisto, jossa on omat puolet isoille ja pienille koirille. Lippajärven rannalla Viherlaakson länsiosassa sijaitsee Lars Sonckin suunnittelema Villa Dalkulla.
Kemiallinen kaasufaasipinnoitus
thumb|right|200px|[[Tasavirta|Tasavirralla tuotettu plasma (violetti) tehostaa hiilinanoputken kasvatusta laboratorioluokan PECVD-laitteessa.]] Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (Chemical Vapour Deposition, CVD) on monipuolinen prosessi materiaalien pinnoittamiseen tasapaksuilla kalvoilla ja yleensäkin luomaan mikrorakenteellisesti erinomaisia materiaalikerrostumia esimerkiksi synteettisten timanttien valmistuksessa. Erilaisia kemiallisia kaasufaasipinnoitusmenetelmiä on hyödynnetty useilla teollisuuden aloilla jo vuosia, koska sen avulla voidaan saada aikaan tuotteita, joita on todella vaikea valmistaa muilla menetelmillä. Tasapaksuja ohuita kiteisiä kalvoja tai päällysteitä voidaan pinnoittaa hyvinkin erilaisten materiaalien pinnoille.
CVD-pinnoitusta käytetään erityisen paljon puolijohdeteollisuudessa eri materiaaleista koostuvien ohutkalvorakenteiden kasvattamiseen. Tyypillisessä CVD-prosessissa pinnoitettava kappale, jota sanotaan substraatiksi, altistetaan yhdelle tai useammalle kaasumaiselle lähtöaineelle, jotka reagoivat tai hajoavat substraatin pinnalla muodostaen halutun kalvon. Tällä tavoin menetelmä eroaa fysikaalisesta kaasufaasipinnoituksesta (Physical Vapour Deposition, PVD), jossa pinnoite ei reagoi substraatin kanssa. Prosessissa syntyneet reaktiotuotteet ja kantokaasut huuhdellaan kaasuvirralla pois. Useat kemikaalit ja myös metallit saadaan tyhjiön ja lämmön avulla höyrystymään eli siirtymään kaasufaasiin. Kaasuuntumista voidaan tehostaa eri tekniikoilla, kuten ultraäänellä tai plasmalla, mitä hyödynnetään CVD-tekniikan eri muodoissa.
CVD-pinnoitustekniikan käyttö on yleistä puolijohteiden ja monenlaisten instrumenttien valmistuksessa käytettyjen erilaisten kalvojen kasvattamisessa, kuten amorfinen piikalvo, ohutkalvo-optiikka, hiilikuitu, filamentti, TFT-näytöt, hiilinanoputki, piidioksidi, pii-germanium-doping, volframi, piinitridi, piioksinitridi, titaaninitridi, ja monien high-k-dielektristen eristekalvojen kasvatuksessa. CVD-menetelmää käytetään myös synteettisten timanttien valmistuksessa ja työstökoneen terien pinnoituksessa.
Johdanto
Kemiallisella kaasufaasipinnoituksella tarkoitetaan pinnoitusmenetelmien joukkoa, jossa pinnoitus muodostetaan kaasu- tai höyryolomuodossa olevista lähtöaineista eli prekursoreista. Pinnoitus muodostuu kaasun tiivistyessä pinnoitettavalle pinnalle ja reagoidessa sen kanssa. Yleensä kaasufaasipinnoituksella muodostetaan ohutkalvoja, mutta jopa 25 mm paksuja pinnoitekerroksia voidaan onnistuneesti muodostaa tällä menetelmällä. Muodostetut pinnoitteet ovat yleensä huokosettomia, tasapaksuja ja niiden adheesio pinnan kanssa on hyvä. Lisäksi pinnoitteiden mikrorakenteet ovat hallitusti muodostuneita. Muodostunut pinnoite voi olla kiteinen, amorfinen, yksittäiskide tai jauhe.
Kemiallisessa kaasufaasipinnoituksessa kaikki reagoivat aineet voivat olla kaasufaasissa tai osa myös itse pinnoitettavasta alueesta peräisin. Menetelmän reaktiot voidaan aktivoida niin lämmön vaikutuksella kuin fotoneilla, elektroneilla, ioneilla tai plasmalla. Lämmön avulla aktivoiduille kaasufaasipinnoitusreaktioille lämpötilat ovat tyypillisesti välillä 800–1100 °C. Kemiallisessa kaasufaasipinnoituksessa käytettyjä yhdisteitä ovat fluoridit, kloridit, bromidit, jodidit, organometalliset aineet, hiilivedyt, fosforitrifluoridit ja ammoniumkompleksit. Pinnoitettavia aineita puolestaan ovat eri metallit ja metalliseokset, metalliyhdisteet, boori, pii, hiili, boridit, silisidit, karbidit, oksidit ja sulfidit. Useat kaasufaasipinnoituksessa käytettävät prekursori- ja päästökaasut ovat myrkyllisiä tai hyvin korrodoivia, joten menetelmää käytettäessä on huomioitava aineiden ja päästöjen turvallinen käsittely ja hävittäminen.
Erilaisia CVD-menetelmiä
CVD-tekniikasta on monia muunnelmia, jotka eroavat toisistaan kemiallisten reaktioiden aktivoinnin ja prosessiolosuhteiden mukaan:
Seuraavaksi esitellään joitakin CVD-menetelmiä tarkemmin:
Terminen CVD
Termisessä CVD:ssä reaktion aktivointiin tarvittava energia tuodaan systeemiin lämpönä; vaadittavat lämpötilat ovat yleensä noin 800–2 000 °C. Termistä kemiallista kaasufaasipinnoitusta voidaan suorittaa kahdessa erilaisessa järjestelmässä: kuumaseinämä- ja kylmäseinämäreaktoreissa.
Kuumaseinämäreaktorit
Kuumaseinämäreaktori on pohjimmiltaan vastuselementtien lämmittämä polttouuni. Menetelmässä pinnoitettavat osat asetetaan reaktoriin, lämpötila nostetaan vaaditulle tasolle ja reaktiokaasut tuodaan reaktoriin. Tällaiset reaktorit ovat usein tarpeeksi suuria, jotta jopa satojen osien pinnoitus yhdellä kertaa on mahdollista. Kuumaseinämäreaktorin etu on tarkka lämpötilan hallinta – haittana sillä on säännöllisen puhdistuksen tarve; depositio tapahtuu joka puolella reaktoria eli osien pintojen lisäksi myös itse reaktorin seinämillä. Esimerkiksi TiC-päällystettyjä leikkaustyökaluja ja seostettua piitä puolijohdetarkoitukseen valmistetaan kuumaseinämäreaktoreissa. Tyypillinen paine on noin 130 Pa (1 Torr).
Plasmapohjainen kemiallinen kaasufaasipinnoitus (PECVD / PACVD)
Plasmapohjaisessa kemiallisessa kaasufaasipinnoituksessa CVD-reaktio aktivoidaan plasman avulla. Menetelmä tunnetaan myös nimillä plasmatehostettu kemiallinen kaasufaasipinnoitus (plasma-enhanced CVD, PECVD) ja plasma-avustettu kemiallinen kaasufaasipinnoitus (plasma-assisted CVD, PACVD). Kerrostusnopeus on tällä menetelmällä pienempi kuin perinteisen termisen kemiallisen kaasufaasipinnoituksen tapauksessa. Menetelmän voidaan sanoa olevan jossain fysikaalisen ja kemiallisen kaasufaasipinnoituksen välimaastossa, sillä se muistuttaa fysikaalista kaasufaasipinnoitusta kemiallisessa ympäristössä.
Plasmapohjainen CVD kehitettiin 1960-luvulla puolijohdesovelluksia varten, eritoten piinitridin kerrostusmenetelmäksi. Nykyään menetelmä on käytössä yhtä laajasti termisen kemiallisen kaasufaasipinnoituksen kanssa. Menetelmän perustana on kaasun ionisoiminen: kun kaksiatominen kaasu, esimerkiksi vety, lämmitetään tiettyä lämpötilaa korkeammaksi, se ionisoituu. Tällöin suurin osa kaasun atomeista menettää elektroninsa ja muodostuu plasmaa, joka koostuu elektroneista, positiivisista ioneista ja vähissä määrin ionisoimattomeista atomeista. Kaasun ionisoiminen vaatii tosin erittäin paljon lämpöenergiaa; yli 5 000 K:n lämpötiloja. Tavalliset polttoliekit eivät yllä kuin noin 3 700 K:n lämpötiloihin, eivätkä näin ollen onnistu ionisoimaan kuin noin 10 % esimerkiksi vedystä. Käytännöllisempi tapa ionisoida kaasuja on käyttää sähköenergiaa pientaajuuksisten sähköpurkausten muodossa – tällä tavalla voidaan saavuttaa täydellinen ionisoituminen.
Plasmatyypit: hohtopurkausplasma ja valokaariplasma
Kemiallisessa kaasufaasipinnoituksessa käytetään kahta eri plasmatyyppiä: hohtopurkaus- ja valokaariplasmaa. Hohtopurkausplasmaa muodostuu suurtaajuuksisessa sähkökentässä suhteellisen matalassa paineessa olevassa kaasussa. Tätä plasmaa voi tuottaa myös käyttämällä sähkösyklotroniresonanssia. Resonanssi muodostuu, kun vaihtosähkökentän taajuus sovitetaan elektronien ominaistaajuuteen, esimerkiksi 2,45 GHz mikroaallot yhdessä 875 Gaussin magneettikentän kanssa. Sähkösyklotroniresonanssiplasman etuina ovat mahdollisen kasvualustan vahingoittumisen minimointi ja sen käytön sopivuus lämmölle suhteellisen herkille kasvualustoille. Esimerkiksi piidioksidia kerrostettaessa lämpötila voi olla vain 300 °C. Toisaalta sähkösyklotroniresonanssiplasman tuottaminen on vaikeampaa, sillä hallittavana on yhtä aikaa sekä sähkö- että magneettikenttä. Lisäksi vaaditaan pienempi paine, noin 0,01–1 Pa. Käytössä on myös radioaaltoplasmaa, jota tuotetaan taajuudella 13,56 MHz ja sitä käytetään paljon piinitridin ja piidioksidin kerrostamiseen puolijohdesovelluksissa.
Valokaariplasmaa syntyy noin 1 MHz taajuuksilla ja sen lämpötila on kauttaaltaan lähes sama. Paineolosuhteet ovat noin 13 000–101 325 Pa (100 Torr – 1 atm). Valokaariplasman tuottaminen vaatii suuren määrän tehoa ja se on äärimmäisen kuumaa, minkä vuoksi sitä käytetään melko vähän kemiallisena kaasufaasipinnoitusmenetelmänä. Poikkeus tähän on timanttikerrostus.
Plasmapohjaisen kaasufaasipinnoituksen edut ja haitat
Käyttämällä plasmapohjaista kaasufaasipinnoitusta voidaan pinnoittaa materiaaleja, jotka eivät kestäisi termisen kaasufaasipinnoituksen lämpötiloja (alumiini, orgaaniset polymeerit), tai ne aiheuttaisivat rakenteellisia muutoksia (austeniittinen teräs) tai haitallista diffuusiota (puolijohdelisäaineet, esimerkiksi boori ja fosfori). Esimerkiksi volframikarbidin kerrostus vaatisi termisesti 1 000 °C:n lämpötilan, kun plasmapohjaisesti vaadittava lämpötila on 325–525 °C. Lisäksi lämpölaajenemiskertoimien eroista johtuvat jännitykset vähenevät, kun lämpötila on alhaisempi. Kerrostusnopeudet ovat myös korkeampia, kerrostukset tasasuhtaisempia ja parempilaatuisia amorfisia tai hyvin hienorakeisia monikiteisiä.
Plasmapohjaisen kaasufaasipinnoituksen haittana on se, ettei sillä saada helposti puhdasta kerrostumaa. Kerrostuman sisään jää usein kaasuja, ja yhdisteet ovat harvoin oikeissa suhteissa reagoineita. Tämä vaikuttaa kerrostuman ominaisuuksiin ja tekee siitä haavoittuvaisemman syöpymiselle ja säteilylle. Lisäksi menetelmä saa aikaan puristusjännityksiä alemmilla taajuuksilla, mistä on haittaa metallurgisten sovellusten paksummilla kerroksilla. Hauraat kasvualustat voivat myös vahingoittua plasman käytöstä. Plasmapohjaisessa kaasufaasipinnoituksessa käytettävät laitteistot ovat myös monimutkaisia ja kalliita.
Ilmanpaine-, matalan paineen ja ultrakorkean tyhjiön reaktorit (APCVD, atmospheric pressure CVD, LPCVD, low-pressure CVD ja UHCVD, ultrahigh vacuum CVD)
Matala paine tuottaa yleensä paremman laatuisia ja tasapaksuisempia kerrostumia. Tämä johtuu siitä, että korkeammilla paineilla, kuten ilmakehän paineessa, kerrostuminen on diffuusiorajoitteista, kun taas alemmilla paineilla määrittävä tekijä onkin pintareaktio. Matalammilla paineilla ei myöskään yleensä tarvita reagoivien kaasujen liuotusta inertteihin kaasuihin kaasufaasisaostumisen estämiseksi, toisin kuin ilmakehän paineen vallitessa. Toisaalta ilmanpainereaktorit ovat yksinkertaisempia, halvempia ja toimivat nopeammin sekä jatkuvatoimisesti. Lisäksi niiden tuottamien kerrostumien laatu on parantunut huomattavasti, ja esimerkiksi tyydyttäviä oksidikerrostumia on saatu muodostettua.
Puolijohde- ja optoelektronisten materiaalien (esimerkiksi SiGe) kerrostamiseen kehitetään ultrakorkean tyhjiön CVD-reaktioita, jotka tapahtuvat erittäin matalissa paineissa (esimerkiksi noin 0,01 Pa). Näiden reaktoreiden valmistamien materiaalien etuna ovat parempi kerrostumarakenteen hallinta ja epäpuhtauksien väheneminen.
Valoon perustuva kemiallinen kaasufaasipinnoitus (PICVD, photo-initiated CVD)
Valoon perustuvassa kemiallisessa kaasufaasipinnoituksessa CVD-reaktion aktivoi ultraviolettisäteily. UV-säteilylähteinä käytetään UV-lamppuja tai korkeaenergiaisempia UV-lasereita. Näiden laserien fotonien energia vaihtelee välillä 3,4–6,4 eV (ensimmäinen XeF- ja jälkimmäinen ArF-laser). Kerrostus voi tapahtua lähes huoneenlämpötilassa, sillä lämpöä ei tarvita CVD-reaktion aikaansaamiseksi. Kasvualusta voi myös tätä menetelmää käytettäessä olla niin valoa läpäisemätön, valoa läpäisevä kuin absorboivakin. Menetelmän rajoitus on sen hidas kerrostamisnopeus. Kokeellisesti on menetelmällä kerrostettu muun muassa volframia, alumiinia, eri metallioksideja, piidioksidia ja piinitridiä. Tälläkin menetelmällä on pyritty valmistamaan korkean suorituskyvyn nanokokoluokan jauheita ja se on myös vielä koevaiheessa.
Kemiallinen höyryn imeytyminen (CVI, chemical vapour infiltration)
Kemiallinen höyryn imeytyminen on erityinen kemiallisen kaasufaasipinnoituksen laji, jossa kasvualustana on huokoinen rakenne, jonne reagoivat kaasut tunkeutuvat. Rakenne voi olla epäorgaaninen avoin vaahto tai kuituinen matto tai kudos. CVI muistuttaa muuten CVD:ta, mutta sen kinetiikka on erilainen, koska reagoivien aineiden tulee diffundoitua rakenteeseen sisään ja sivutuotteiden sieltä pois. Reaktioiden ja termodynamiikan kannalta kyseessä on pohjimmiltaan sama menetelmä.
CVI:tä käytetään vahvistettujen metalli- tai keraamikomposiittien valmistuksessa ja menetelmä kilpailee tässä suhteessa tavallisten kuumapuristuksen ja isostaattisen kuumapuristuksen kanssa. Näihin menetelmiin nähden CVI:n etu on, että siinä paine ja lämpötila ovat alemmat kuin keraamien sintrauksessa tai metallien sulamisessa, jolloin mahdollinen mekaaninen ja kemiallinen vahinko kasvualustalle on huomattavasti pienempi.
Kemiallisen höyrysuodannan haittana on se, että reagoivat aineet ja reaktiotuotteet kulkevat suhteellisen pitkissä ja kapeissa onkaloissa. Mikäli lämpötila ja näin ollen reaktionopeus on liian suuri, onkalo voi tukkeutua. Tämän estämiseksi lämpötila pidetään sopivan alhaisena, minkä seurauksena reaktio on melko hidas; voi kestää useita viikkoja, ennen kuin rakenne on tiivistynyt. Suljetun huokoisuuden muodostumisen vuoksi rakenteen täydellinen tiivistyminen on lähes mahdotonta.
Kemiallinen leijupetikaasufaasipinnoitus (fluidized bed CVD)
Kemiallisessa leijupetikaasufaasipinnoituksessa virtaava kaasu pinnoittaa partikkeleita ja antaa niille nesteelle luonteenomaisia ominaisuuksia. Kaasu virtaa tarpeeksi nopeasti, jotta partikkelit pysyvät leijupedillä, mutta tarpeeksi hitaasti, jotta ne eivät lennä pois. Tärkeitä tekijöitä huomioitaviksi ovat tässä menetelmässä pinnoitettavien partikkeleiden tiheys ja koko sekä käytettävien kaasujen nopeus, tiheys ja viskositeetti. Käytetty kaasu on yleensä metaania, heliumia tai muuta ei-reaktiivista kaasua.
MOCVD – metallo-orgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus
MOCVD eli metallo-orgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus on 1960-luvulla kehitetty erityinen kaasufaasipinnoituksen alalaji, jota käytetään paljon etenkin puolijohde- ja optoelektronisissa sovelluksissa. Metallo-orgaanisissa yhdisteissä metalliatomi on sitoutunut yhteen tai useampaan hiileen orgaanisessa hiilivetyryhmässä. Nämä metallit eivät yleensä ole siirtymämetalleja, vaan kuuluvat jaksollisen järjestelmän ryhmiin 2 ja 13–16. Myös piin, fosforin, arseenin, seleenin ja telluurin yhdisteet luetaan perinnesyistä metallo-orgaanisiin yhdisteisiin, vaikka ne eivät metallisia olekaan.
Metallo-orgaanisessa kemiallisessa kaasufaasipinnoituksessa reaktiot tapahtuvat noin 300–800 °C:n lämpötilassa ja painevälillä 130–101 325 Pa (1 Torr – 1 atm). Koska menetelmää käytetään hyvin vaativissa puolijohdesovelluksissa, se vaatii hyvin tarkkoja hallintaosia ja –laitteistoja sekä erittäin korkean puhtauden kemiallisia ainesosia. MOCVD on tämän takia kallis niin laitteiston, ainesosien kuin tuotantokustannustenkin osalta ja käytössä lähinnä hyvin korkeaa laatua vaativissa sovelluksissa. Joitain MOCVD-sovelluksia ovat esimerkiksi GaAs/AlGaAs-aurinkokennot, laserit, suurteholedit, GaAs:n depositio piikiekoille sekä HgCdTe-ilmaisimet.
Atomikerroskasvatus (ALD, atomic layer deposition)
Atomikerroskasvatus on erityinen kemiallisen kaasufaasipinnoituksen alalaji, jolla voidaan valmistaa hyvin ohuita kalvoja. Vanhempaa nimitystä ALE, Atomic Layer Epitaxy, käytetään nykyään toisessa merkityksessä Atomic Layer Etching, eli atomikerrosetsaus. MLD, Molecular Layer Deposition on muunnelma atomikerroskasvatuksesta, jossa käytetään polymeerisia lähtöaineita. Tyypillisessä ALD-reaktorissa tapahtuvassa prosessissa substraatin pinta aktivoidaan ensimmäisellä kemiallisella reaktiolla, minkä jälkeen toinen lähtöaine päästetään pinnoituskammioon. Aktivoitu pinta reagoi lähtöaineen kanssa muodostaen näin yhden atomi- tai molekyylikerroksen paksuisen kalvon. Näitä kahta vaihetta toistetaan ja näin voidaan muodostaa halutun paksuinen kalvo. Kalvojen paksuus voi siis olla jopa alle nanometrin paksuinen, yhden atomikerroksen ollessa noin 0,1 nm. Pinnoituskerroksen paksuuden tarkan hallinnan lisäksi menetelmän etuna on myös erittäin hyvä pinnanlaatu. Klassinen esimerkki ALCVD:n käytöstä on sinkkisulfidi ZnS-kalvon kasvattaminen. Prekursoreina käytetään sinkkikloridia ZnCl2 ja divetysulfidia H2S. Sinkkikloridi kemisorboidaan substraatin pinnalle, minkä jälkeen divetysulfidi tuodaan kammioon. Lähtöaineet reagoivat keskenään muodostaen yksittäisen kerroksen sinkkisulfidimolekyylejä. Lähtöaineiden valinta on tärkeä osa onnistunutta ALD-prosessia. Yleisessä käytössä ovat muun muassa metallikloridit, metallo-orgaaniset yhdisteet sekä epämetalleista erilaiset yksinkertaiset hydridit, kuten vesi, divetysulfidi, ammoniakki ja vetyfluoridi.
Polypii
Kolmas, vähemmän käytetty valmistusmenetelmä on FBR (fluidized bed reactor), jossa käytetään silaania (SiH4) ja sillä saadaan hieman vähemmän puhdasta piitä, jota ei voi käyttää elektroniikassa, mutta se kelpaa myös aurinkokennojen valmistukseen ja on hieman halvempaa kuin Siemens-prosessilla valmistettu materiaali.
Reaktiot edellä mainituissa valmistusmenetelmissä ovat seuraavat :
SiHCl3 → Si + H2 + HCl
SiH4 → Si + 2 H2
Perinteisessä Siemens-prosessissa 1 150 °C -asteista trikloorisilaani(SiHCl3)kaasua puhalletaan jäähdytettyyn reaktioastiaan, jossa on puhtaasta piistä valmistettuja tankoja, joiden pinnalle uudet piikiteet kasvavat.
Muunnellussa Siemens-prosessissa reaktio suoritetaan LPCVD- eli matalan paineen CVD-systeemissä. Siinä käytetään joko pelkkää silaania (SiH4) tai silaania ja 70–80 % typpikaasua sekaisin, lämpötilan ollessa 600 ja 650 °C välillä ja paineen ollessa välillä 25–150 Pa. Tällä saadaan kiteille noin 10–20 nm/min kasvunopeus. Prosessissa voidaan käyttää myös vetysekoitusta, jolla saadaan parempi kasvunopeus, mutta tällöin joudutaan käyttämään paljon korkeampia lämpötiloja (850 – 1 050 °C). Kasvua voidaan säädellä myös “douppaamalla”, käyttämällä kaasuja kuten fosfiini, arsiini tai diboraani. Diboraani lisää kasvunopeutta ja arsiini ja fosfiini laskevat sitä.
Piidioksidi
SiH4 + O2 → SiO2 + 2 H2
SiCl2H2 + 2 N2O → SiO2 + 2 N2 + 2 HCl
Si(OC2H5)4 → SiO2 + sivutuotteita
Näissä reaktioissa voidaan käyttää LPCVD:tä, mutta silaanin kanssa voidaan käyttää myös APCVD:tä eli standardi-ilmanpaineessa tapahtuvaa CVD:tä. Substraatin terminen stabiilisuus vaikuttaa siihen, mitä prekursoria käytetään; silaania muodostuu lämpötilassa 300–500 °C, dikloorisilaania 900 °C ja TEOSia 650–750 °C. Silaanilla saadaan heikompilaatuista piidioksidia kuin muilla kaasuilla.
Piinitridi
Piinitridiä käytetään puolijohdeteollisuudessa, mikropiirien valmistuksessa, ohutkalvotransistoreissa (thin-film transistor eli TFT) ja aurinkokennoissa eristeinä, passivointikerroksena ja hapetus- tai diffuusioesteenä. Piinitridikalvon ominaisuudet, kuten rakenne tai stoikiometria, riippuvat vahvasti lämpötilasta, paineesta ja kaasufaasin rakenteesta.
Piinitridiä valmistetaan yleisesti LPCVD- tai PECVD-metodien avulla. Myös APCVD-menetelmää voidaan käyttää. Lähtöaineina toimivat joko silaani (SiH4) ja ammoniakki tai dikloorisilaani (SiCl2H2) ja ammoniakki, riippuen valmistustavasta.
3 SiH4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 H2
3 SiCl2H2 + 4 NH3 → Si3N4 + 6 HCl + 6 H
Plasmaa käyttävä PECVD-reaktio tapahtuu substraatin lämpötilan ollessa alle 450 °C ja se onkin toinen paljon käytetty valmistusmenetelmä piinitridille, kun vaaditaan alhaisia lämpötiloja. Ongelmana PECVD:llä tehdyllä piinitridikalvolla on kalvon epästoikiometrisyys ja sen sisältämä huomattava vetyatomien määrä, joka voi olla jopa 10–30 %. Paljon vetyä sisältävät piinitridikalvot voivat aiheuttaa elektronisissa laitteissa epävakaisuutta ja ne lakkaavat toimimasta nopeammin.
Volframi
CVD-prosessilla valmistettua volframikalvoa käytetään elektroniikkateollisuudessa. Volframia valmistetaan pääasiassa teollisesti LPCVD-valmistusmenetelmällä volframiheksafluoridista (WF6) piin tai vetykaasun pelkistämisellä. Fluorin sijasta voidaan reaktiossa käyttää myös klooria eli WCl6- tai WCl5-yhdisteitä.
Reaktiot volframiheksafluoridille alla:
WF6 → W + 3 F2
LPCVD-prosessilla on haittapuolena WF6:n reaktiivisuus ja reaktiossa syntyvän vetyfluoridin (HF) reaktiivisuus piisubstraattia kohtaan. Tästä voi syntyä halkeamia ja reikiä tuotteeseen. Jos reaktiossa käytetään volframiyhdisteitä, joissa ei ole fluoria, näitä ongelmia ei esiinny.
Alumiini
Ohuita alumiinikalvoja käytetään elektroniikkateollisuudessa mikropiireissä. Alumiini on parempi vaihtoehto volframille, jolla on paljon suurempi resistiivisyys kuin alumiinilla. Nykyään alumiinin ohutkalvon valmistuksessa käytetään organometalliyhdistettä MOCVD-prosessissa. Tässä prosessissa käytetään lähtöaineena alkyylialumiinia kuten tri-isobutyylialumiinia, trimetyylialumiinia tai dimetyylialumiinihydridiä.
Kupari
CVD:llä voi valmistaa ohuita kuparikalvoja joko epäorgaanisesta tai organometalliyhdisteestä. Epäorgaanisessa prosessissa käytetään joko kupari(I)kloridia (CuCl), kupari(II)kloridia (CuCl2), kupari(I)fluoridia (CuF), tai kupari(II)fluoridia (CuF2). Epäorgaanisten kupariyhdisteiden kanssa ongelmana on niiden huono syttyvyys ja ne tarvitsevat korkeita reaktiolämpötiloja. Korkean lämpötilan takia syntyy korrodoivia sivutuotteita kuten vetykloridia (HCl) ja vetyfluoridia (HF) sekä suuria määriä epäpuhtauksia.
Nykyään käytetään enemmän kuparin organometalliyhdisteitä, sillä niillä on huomattavia etuja verrattuna epäorgaanisiin yhdisteisiin. Organometalliyhdisteen avulla suoritettavassa CVD-prosessissa ei tarvita läheskään niin korkeita lämpötiloja ja sillä saadaan puhtaampaa tuotetta.
Muita metalleja joista voi tehdä ohutkalvoja CVD-prosessilla ovat molybdeeni, tantaali, titaani ja nikkeli.
Timantti
Timantti on materiaalina hyvin monikäyttöinen ominaisuuksiensa vuoksi, ja nykyään sitä onkin helppo valmistaa LPCVD-prosessin avulla useisiin eri käyttötarkoituksiin. Timantin CVD-prosessissa kaasuna käytetään vetykaasun (H2) ja metaanin (CH4) sekoitusta. Prosessin kannalta vety on tärkeämpi ja metaanin tarkoitus on vain antaa hiiliatomeja prosessiin. Vedyn päätehtävä on terminoida timantin pinnalla tai ytimessä olevia hiiliatomeja, jotka eivät ole reagoineet. Vety myös katkoo sidoksia hiilivedyistä luoden radikaaleja hiilivetyjä, kuten CH2, jotka muodostavat trigonaalisia tai tetraedrisiä hiilimolekyylejä. Vety myös estää grafeenin sekä polymeerien ja suurien rengassysteemien synnyn halkaisemalla hiilivetyjä nopeaan tahtiin, jolloin timanttiin vaadittavia hiili–hiili-sidoksia ehtii syntyä. Substraattina timantin CVD-prosessissa käytetään yleensä molybdeeniä, piinitridiä ja volframikarbidia. Substraatin pintaan laitetaan pieniä timanttikiteitä, joista prosessin aikana uudet timanttikiteet lähtevät kasvamaan.
Prosessi tapahtuu 1–200 Torr paineessa ja 700–1 200 °C:n lämpötilassa.
Timantin CVD-prosessilla voidaan valmistaa yksittäisiä timanttikiteitä tai monikiteisiä timantteja, riippuen käyttötarkoituksesta. Yksikiteisen timantin valmistamiseen tarvitaan substraatti, jolla on yksikiteisen timantin rakenne. Monikiteisen timantin valmistukseen tarvitaan substraatti, jolla ei ole timantin kiderakennetta.
Frank Robinson
thumb|right|Frank Robinson Frank Robinson (31. elokuuta 1935 – 7. helmikuuta 2019 ) oli yhdysvaltalainen baseballpelaaja. Hän pelasi MLB-tasolla kahdenkymmenen vuoden ajan (1956–1976) ja pääsi vuonna 1982 Baseball Hall of Fameen.
Robinson ylsi 586 kunnariin. Lopetettuaan pelaamisen hän toimi vielä pitkään valmennus- ja joukkueenjohtotöissä, ja hänelle myönnettiin 9. marraskuuta 2005 Presidential Medal of Freedom.
Helsingin pitäjä (vuosikirja)
Helsingin pitäjä on Vantaan kaupungin ja sitä edeltäneiden Helsingin maalaiskunnan ja Helsingin pitäjän paikallishistoriaa käsitteleviä artikkeleita sisältävä vuosikirja. Pääosa tietokirjasarjan artikkeleista on suomeksi, mutta jotkin yksittäiset artikkelit on kirjoitettu ruotsiksi. Vuosikirja on julkaistu vuosittain vuodesta 1963 lähtien. Julkaisijana oli aluksi Helsingin pitäjän kotiseutu- ja museoyhdistys, myöhemmin Vantaa-Seura.
Rakkaudesta pitäjään -juhlakirja
Rakkaudesta pitäjään on Vantaa-Seuran 50-vuotisen toiminnan kunniaksi toimitettu kirja. Teos ei ole Vantaa-Seuran historiikki, vaikka teos esittelee yhdistyksen toiminnan tärkeimmät vaiheet ja saavutukset.
Kirja on artikkelikokoelma, joka kertoo yhdistyksen perustamisen taustoista, Helsingin pitäjä -julkaisun historiasta, Kirkonkylän myllystä ja myllyllä järjestettävien yhteislauluiltojen alkuvaiheista sekä kiertää oppaan johdolla kulttuurikävelyn Kirkonkylässä. Kirjassa on myös useita Vantaa-Seurassa vaikuttaneiden henkilöiden haastatteluja.
Dasabuviiri
Ominaisuudet ja käyttö
Dasabuviiri sitoutuu hepatiittiviruksen RNA-polymeraaseihin kuuluvaan entsyymiin NS5B. Sitoutuessaan yhdiste inhiboi entsyymin, jolloin virukset eivät kykene enää jakautumaan. Dasabuviiri on tehokas viruksen genotyyppiä HCV-1 vastaan. Dasabuviiri annostellaan suun kautta tablettina. Lääkeainetta käytetään yhdistelmänä ombitasviirin ja paritapreviirin kanssa ja hoitoon voidaan yhdistää myös ritonaviiri. Yhdistelmän teho on erittäin hyvä useimmilla potilailla. Dasabuviiri hyväksyttiin Yhdysvalloissa markkinoille vuonna 2014.
Haittavaikutukset
Dasabuviirin, ombitasviirin, paritapreviirin ja ritonaviirin yhdistelmä on useimmiten hyvin siedetty. Mahdollisia haittavaikutuksia ovat unettomuus, väsymys, pääkipu, huonovointisuus, ripuli ja ihottuma.
Kangaslammin kirkko
Kangaslammin kirkko sijaitsee entisen Kangaslammin kunnan alueella Varkaudessa. Edellisen vuonna 1972 palaneen kirkon tilalle kirkko rakennettiin tiilinen pitkäkirkko 1972–1973. Kirkon tasakatto taittuu alttaripäädyssä viistoksi pulpettikatoksi. Kirkon pinta-ala on 450 neliötä ja istumapaikkoja siellä on 250 hengelle. Kirkon on suunnittellut arkkitehti Kaj Michael. Kirkon ohessa oleva betoninen kellotapuli rakennettiin 1973, kellot ovat vuosilta 1972–1973. Alttarin veistoksen Elämän puut on suunnitellut taiteilija Eva Ryynänen, samoin kuin kirkkosaliin liitettävissä olevan seurakuntasalin seinällä olevan teoksen Enkelin siipi. Kirkon alttarin vasemmalla puolella on ikkunaseinä ja oikealla urku- ja kuorotila. Kangasalan urkutehtaan vuodelta 1973 olevat urut ovat 9-äänikertaiset. Entisen kirkon kivijalasta otettu graniittinen paasi on uudessa kirkossa kastemaljana. Alttarilla on Teuvo Tikkasen entisen kirkon isoista nauloista tekemät kolme naularistiä, alttarin tekstiilit on suunnitellut ja valmistanut Leena Mäki-Patola. Kirkon tilat uusittiin vuonna 1990.
Cenote
thumb|350px|[[Pyhä cenote Chichén Itzán mayakaupungin lähellä.]]
Cenote (lausutaan espanjaksi ) on osaksi veden täyttämä doliini eli karstialueelle syöpymällä syntynyt sylinteri- tai maljamainen kuoppa.
Cenotet ovat yleisiä muinaisella mayaintiaanien asuinalueella, nykyisellä Jukatanin niemimaalla. Nimi cenote tulee jukatekinkielisestä sanasta dzonot, joka tarkoittaa pyhää kaivoa. Alueella on noin 3000 cenotea, joista osa on sadeveden, osa meriveden täyttämiä. Makeavetiset cenotet olivat mayoille tärkeitä, sillä karstialueella ei ole muita järviä tai jokia.
Muinaiset mayaintiaanit heittivät uhriesineitä ja ihmisiä cenoteihin lepyttääkseen jumaliaan. Tunnetuin cenote lienee Chichen Itzán lähellä oleva Pyhä cenote eli Uhrikaivo, jossa uhrattiin ihmisiä kuivuuden vallitessa.
Jukatanin niemimaalla on monia cenoteja ympyrän kehän osaa muistuttavalla alueella, joka on muinaisen maahan hautautuneen asteroiditörmäyksen aiheuttaman kraatterin reuna. Kyse on liitukauden lopulla syntyneestä Chicxulub-kraatterista, jonka syntyessä dinosaurukset kuolivat sukupuuttoon koko maailmasta. Kraatterin päälle on kasautunut valtavat kerrostumat kalkkikiveä, ja se näkyy vain painovoimamittauksissa hyvin. Täällä kraatterin reunalla cenotet ovat keskimäärin suurempia kuin muualla Jukatanilla. Tämä johtuu siitä, että ne kehittyvät meren pinnan laskettua jääkaudella, jolloin veden pinta cenoteissa laski ja kalkkikivi pääsi rapautumaan. Kun merenpinta taas jääkauden loputtua nousi, cenotet täyttyivät vedellä. Tämä toistui jääkausien toistuessa.
Veden täyttämissä cenoteissa harrastetaan luolasukellusta kirkkaan veden ja tippukivimuodostelmien vuoksi. Luolastoissa elää myös pieniä sokeita kaloja ja onkaloiden vedenpinnan yläpuolisissa osissa asuu lepakoita.