cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Amüotroofne lateraalskleroos
Loommudelid
Loomakatsete käigus on tuvastatud, et alkoholi (punase veini) manustamine hiirtele inhibeerib neuronite apoptoosi ja võib indutseeritud ALS-iga hiirtel elumust pikendada.
Mosėdis
Mosėdis (vene keeles vanasti Масяды) on alev Leedus Skuodase rajoonis, Mosėdise valla halduskeskus. Mosėdis asub Bartuva jõe ääres.
Amüotroofne lateraalskleroos
Terapeutilise faktorina
Uuritakse närvirakkude kasvufaktori rolli mitmete neurodegeneratiivsete haiguste, nagu Alzheimeri tõbi, Parkinsoni tõbi, amüotroofne lateraalskleroos, perifeerne neuropaatia ja primitiivne neuroektodermaalkasvaja, terapeutilise faktorina.
Mosėdis
Alev jääb osaliselt Salantai regionaalparki ja Erla geomorfoloogilisele kaitsealale ja Šaukliai maastikukaitsealale. Osaliselt ulatuvad alevisse ka Natura 2000 alad Erla ja Salantase jõgede ürgorud ning Mosėdise ümbruskond.
Amüotroofne lateraalskleroos
Ajaloolist
Prantsuse neuroloog Jean-Martin Charcot kirjeldas aastal 1869 lahkamistulemustes ALS-i sümptomeid. Haiguse esmakirjelduse avaldas ta aga aastal 1874 (De la sclérose latérale amyotrophique).
Mosėdis
Alevis asuvad gümnaasium ja raamatukogu.
Amüotroofne lateraalskleroos
Välislingid
Prognosis of amyotrophic lateral sclerosis with respiratory onset, J Neurol Neurosurg Psychiatry. juuni 2007; 78(6): 629–631. 6. november 2006, doi: 10.1136/jnnp.2006.103564, PMCID: PMC2077959
Mosėdis
Kultuurimälestised
Mosėdis asub kivimuuseum. Aadressil Akmenų g. 28 asub Vaclovas Intase majapidamine, mille hoovi ligi 15 000 kiviga muuseum rajatud on. Aias on kaks tiiki, sinna on istutatud ka mitmeid võõrliike. Osad kivid on seatud kompositsioonideks. Kaitse all on ka sealne elumaja, mis rajati aastal 1958.
Muinsuskaitse all on ka kalmistul asuv kabel aastast 1845. Kabel on nelinurkse põhiplaaniga keldriga hoone, mil on poolkaare kujuline apsiid. Apsiidi juures on seinal metallist rist. Edelaküljel on eenduva katusega portaal.
Alevi lõunaservas asub linnamägi, selle juures aga kääbaskalmistu.
Muinsuskaitse all on ka vesiveski aadressil Salantų g. 2. Aastal 1792 ehitatud vesiveski asub Bartuva jõel. Betoonist vundamendi, poolkeldri ja mansardkorrusega ühekorruseline hoone restaureeriti aastal 1978.
Vaatamisväärsusteks on veel 1783. aastal ehitatud katoliku kirik, samuti vana kirikla ja kirikaia väravad, hoov ning sealsed ristitee elemendid. Need asuvad aadressil Muziejaus g. 2. Barokne kirik restaureeriti aastal 1844. Kirikuaias asuvad aastal 1901 rajatud votiivkabelid. Neid on 19 ja need on pühendatud Jeesuse ristiteele. Kirikla asub aadressil Akmenų g. 1B. Ka see on võetud muinsuskaitse alla.
Ajalugu
Mosėdist on esimest korda mainitud aastal 1253. Seal asus kuralaste Ceklise muinasmaakonda kuuluv linnus. Seda mainiti aastal 1253 (Maysedis). Hiljem jäi Mosėdis Leedu võimu alla ja sealsed kuralased sulandusid žemaitide hulka. Žemaitija ristiusustamise järel hakkas asula kuuluma Žemaitija piiskoppidele. Aleviks sai asula aastal 1544. Esimene kirik rajati alevisse aastal 1551.
XVI sajandil rajati linnamäele Mosėdise mõisa hoonetekompleks.
Harilik roojakärbes
Harilik roojakärbes (Scathophaga stercoraria) on kahetiivaliste seltsi kuuluv putukaliik.
Putukat on ka Eestis.
Dominic Raab
pisi|Dominic Raab (2020) Dominic Rennie Raab (sündinud 25. veebruaril 1974 Buckinghamshire'is) on Suurbritannia poliitik, ta kuulub Konservatiivse Partei ridadesse. Ta oli 9. juulist 2018 kuni 15. novembrini 2018 Suurbritannia Euroopa Liidust väljumise asjade minister. 24. juulist 2019 kuni 15. septembrini 2021 oli ta Suurbritannia välisminister, 15. septembrist 2021 on ta Ühendkuningriigi peaministri asetäitja.
Boris Johnsoni haigestumise ja intensiivravile suunamise järel oli ta alates 2020. aasta 6. aprillist kuni peaministri tervenemiseni peaministri asetäitja.
Ta kasvas üles Gerrards Crossis Buckinghamshire'is. Tema ema on inglane, isa on Tšehhoslovakkias sündinud juut ja kuueaastaselt (aastal 1938 Tšehhoslovakkiast) natsismi eest põgenenud. Ta on lõpetanud juristina Lady Margaret Halli kolledži Oxfordi Ülikooli juures; seejärel lõpetas ta magistriõppe Jeesuse kolledžis Cambridge'i Ülikooli juures.
Isiklikku
Ta on abielus ja tal on kaks last. Ta elab perega Thames Dittonis Surreys.
Saaremaa 2. jaoskonnakohus
'''Saaremaa 2. jaoskonnakohus''' asus Kuressaares. Kohtu jaoskonda kuulusid Kaarma, Laimjala, Leisi, Muhu, Mustjala, Pihtla, Pärsamaa, Pöide ja Valjala vald.
Saaremaa 2. jaoskonnakohtunik oli 1940. aastal Augustin Verlin.
Greene'i maakond (Iowa)
Greene'i maakond (Greene County) on maakond Ameerika Ühendriikides Iowa osariigis.
Ajalugu
Maakond moodustati 15. jaanuaril 1851.
Rahvastik
Elanike arv oli 2010. aasta rahvaloenduse järgi 9336.
Guido van Rossum
thumb
Poststrukturalism
Poststrukturalism pole ühtne metoodiline suund ega koolkond ega seostu ühegi autoriga (ükski autor pole end nii määratlenud). Seega on mõiste problemaatiline ning selle "sildi" asemel kasutatakse samaväärsena ka postmodernismi ja filosoofias dekonstruktsiooni mõisteid. Ameerikas hakati erinevaid poststrukturalismi teooriaid nimetama dekonstruktsionismiks, mille peapropageerija on Paul de Man Yale'i ülikoolis.
Mõistet "poststrukturalism" hakati 1970. aastatel kasutama ka feminismi, kirjandusteaduse ja postkolonialismi valdkondades.
Guido van Rossum
Rossum on aidanud ka ABC-programmeerimiskeelt täiustada.
Poststrukturalism
Poststrukturalismi põhikujundajatena nimetatakse psühhoanalüüsist mõjutatud Pariisi semiootikakoolkonna liikmeid: semiootik Roland Barthes (1915–1980), filosoof ja võimuteoreetik Michel Foucault (1926–1984), psühhoanalüütik ja kultuuriteoreetik Julia Kristeva (snd 1941), psühhoanalüütik Jacques Lacan (1901–1981) ja Tzvetan Todorov.
Guido van Rossum
2001. aastal sai ta auhinna vaba tarkvara edendamise eest.
Alates 2005. aastast töötab ta Google'is.
Poststrukturalism
Poststrukturalismi põhisuundadena on nimetatud
Nimetatud autoritele on kriitikud ette heitnud loodusteaduste ja empiiriliste andmete eiramist või vähest väärtustamist, äärmusrelativismi, püüdu lahendada eetilisi probleeme keele või semiootika tasandil, elitaarsust ja valgustusaja filosoofia katkestamist.
Filip Berglund
2016. aastal valis Edmonton Oilers ta NHL-i draft'is 91. valikuna. Oilersiga sõlmis ta 2020. aasta mais kaheaastase lepingu. Hooajal 2020/21 mängis ta laenul Rootsi kõrgliigaklubis Linköping HC. Põhja-Ameerikas mängis Berglund hooajal 2021/22, kuid ta sai mänguaega vaid Oilersi tütarklubis Bakersfield Condors American Hockey League'is (AHL).
2022. aasta mais naasis Berglund Rootsi kõrgliigasse, sõlmides kaheaastase lepingu Örebroga..
Reidikai
pisi|Reidikai Reidikai ehk Kuuli Muna on Tallinna lahes, Miiduranna sadamast 800 m läänes asuv, 1960-ndate lõpus ehitatud allveelaevade tankimiseks mõeldud betoonehitis.
Nime on kai saanud objekti ehitanud Kirovi-nimelise kalurikolhoosi esimehe Oskar Kuuli järgi. Praegu on Reidikai maha jäetud, seda kasutavad sukeldujad ning see on sobilik merepikniku pidamiseks. Reidikai ümbruses on vee sügavus 10–13 m. Reidikailt läheb merealune tunnel Viimsi naftahoidlasse.
Pociemsi raudteepeatus
Pociemsi raudteepeatus oli raudteepeatus Tallinna–Pärnu–Riia raudteel Limbaži piirkonnas ja Katvari vallas Pociemsi külas. Peatus asus Riia raudteejaamast 96,5 km kaugusel.
Peatus avati 23. novembril 1935. Viimane rong peatus seal aastal 1998. Aastatel 2005–2006 võeti Läti poolelt metallivaraste rüüstatud raudtee kuni Skulteni üles. Peatuse likvideerimisel kuulusid sealsete ehitiste hulka ootepaviljon, käimla, ooteplatvorm ja kaks kaevu.
Lihula jaoskonnakohus
Lihula jaoskonnakohus asus Lihulas. Kohtu jaoskonda kuulusid Karuse, Kirbla, Kullamaa, Lihula, Märjamaa, Varbla, Velise ja Vigala vald.
Galliumnitriid transistor
Galliumnitriid on peale räni kõige populaarsem materjal pooljuhtide tööstuses. Galliumnitriid kui laia ribalaiusega pooljuht, mida kasutatakse kõrge efektiivsusega võimsustransistorides ja integraallülitustes. Kasvatades õhukese alumiinium-galliumnitriidi kihti kristalli peale, siis tekib liidesel tüvi, mis indutseerib kompenseeriva kahemõõtmelise elektrongaasi (inglise two-dimensional electron gas, lühend 2DEG). Seda kasutatakse elektronide efektiivseks juhtimiseks elektrivälja toimel. 2DEG on väga juhtiv, elektronide piirnemise tõttu liidese väga väikeses piirkonnas. Piirang suurendab elektronide liikumist umbes 1000 korda 2DEG piirkonnas. Kõrge liikuvus toodab transistore ja integraallülitusi. Galliumnitriidil põhinevad elektroonikaseadmed lülituvad seega kiiremini ja tarbivad vähem energiat kui klassikalised räni põhised seadmed.
Tulistamine Permi Ülikoolis
Tulistamine Permi Ülikoolis oli 2021. aasta 20. septembril Permi Riikliku Ülikooli linnaku territooriumil toimunud tulistamine, mille käigus õigusteaduskonna esimese kursuse 18-aastane pumppüssiga relvastatud üliõpilane avas valimatult tule üliõpilaste ja õppejõudude pihta ning tappis kuus inimest (1 mehe ja 5 naist) ja vigastas 47 inimest.
Lihula jaoskonnakohus
Lihula jaoskonnakohtunik oli 1940. aastal Martin Tulmin.
Tulistamine Permi Ülikoolis
Sündmuskohale jõudnud korrakaitsjad avasid ründaja pihta tule, haavasid teda ja vangistasid. 22. septembri seisuga oli ründaja haiglas kriitilises seisundis.
Galliumnitriid transistor
1990. aastatest on galliumnitriidi kasutatud valgusdioodides. Galliumnitriid eraldab sinist valgust, mida kasutatakse Blu-ray plaadi lugemiseks. Samuti kasutatakse galliumnitriidi pooljuhtide toiteseadmetes, RF-komponentides, seadmed mis on mõeldud raadiosagedusel signaalide edastamiseks või vastuvõtmiseks, laserites ja fotoonikas. Tulevikus näeme galliumnitriidi andurite tehnoloogias.
GaN HEMT
Suure elektroni liikuvusega transistorid (inglise High-electron-mobility transistors, lühend HEMT ). Need on transistorid, mis kasutavad kahemõõtmelist elektrongaasi, mis tekib kahe erineva ribalaiusega materjali vahelisest ristumisest. Galliumnitriidil põhinevatel HEMT transistoridel on suurem lülituskiirus, suurem soojusjuhtivus ja väiksem sisselülitus takistus, võrreldes ränipõhiste lahendustega. Need omadused võimaldavad kasutada GaN transistore ja integraallülitusi vooluahelates, et suurendada efektiivsust, vähendada suurust ja maksumust erinevate võimsuse muundamise süsteemide pealt. Kõik GaN transistorid ja GaN väljatransistorid on olemuselt suure elektroni liikuvusega transistorid. Kõik galliumnitriid väljatransistorid (inglise field-effect transistor, lühend FET) või HEMT-id kasutavad sama põhi tehnoloogiat, kasutades HEMT struktuuri koos selle kahemõõtmelise elektrongaasi piirkonnaga, mis tagab seadme põhilise töörežiimi. GaN HEMT-id on saadaval nii tühjendusrežiimis kui täiendusrežiimis. pisi|257x257px|Galliumnitriid suure elektronliikuvusega transistorid GaN lülitusseadmeid on kahte erinevat tüüpi: täiendusrežiim (inglise enhancement mode, lühend e-GaN) ja tühjendusrežiim (inglise depletion mode, lühend d-GaN). Tühjendusrežiimi GaN transistor on tavaliselt sisse lülitatud. Selle väljalülitamiseks tuleb paisule rakendada neelu ja lätte elektroodide suhtes negatiivne pinge. Täiendusrežiimis või e-režiimis väljatransistorid on tavaliselt välja lülitatud. Need lülitatakse sisse rakendades paisule neelu ja lätte suhtes positiivset pinget. Tegelike väljatransistoride struktuurid erinevad mõlema tüübi puhul. Lisaks on nende elektroonika komponentide tootjad võtnud kasutusele erinevaid lähenemisviise, kuid tööpõhimõtted on samad.
GaN väljatransistor
GaN väljatransistoril on olemas pais (inglise gate), läte (inglise source) ja neel (inglise drain) elektroodid. Läte ja neel elektroodid tungivad läbi ülemise AlGaN kihi, moodustades oomilise kontakti all oleva 2DEG-ga. Tekitades lühise lätte ja neelu vahel, kuni 2DEG elektronide kogum on ammendatud ja polariseeruv GaN kristall võib voolu blokeerida. 2DEG kahandamiseks asetatakse AlGaN kihi peale paisuelektrood. GaN transistorides moodustatakse paisuelektrood Schottky kontaktina ülemise pinnaga. Rakendades selle kontaktile negatiivset pinget, muutub Schottky barjäär vastupidiseks ja selle all olevad elektronid tühjenevad. Seetõttu on sellise seadme väljalülitamiseks vaja negatiivset pinget nii neelu kui ka läte elektroodide suhtes. Selliseid transistore nimetatakse tühjendusrežiimiks või d-režiimiks.
Tühjendusrežiimi GaN transistor
Tühjendurežiimi GaN HEMT transistori põhistruktuur koosneb kolmest elektroodist, milleks on läte, neel ja pai, tavalise väljatransistori puhul. Pais ja neel on valmistatud nii, et need ei asu AlGaN kihil, vaid puutuvad kokku otse GaN piirkonnaga ja seega 2DEG-ga. Tühjendusrežiimis HEMT tekitab neelu ja paisu vahel lühise. Elektronide voolu vähendamiseks läbi 2DEG-i rakendatakse paisule neelu ja lätte suhtes negatiivne potentsiaal, mis tühjendab elektronide kanali, vähendades sedasi kanali juhtivust. Selliseid tühjendusrežiimis GaN transistore saab luues Schottky paisu elektroodi, asetades metallkiht otse AlGaN peale kasutades selliseid materjale nagu nikkel-kuld või plaatina. Schottky barjäär võimaldab kanali juhtivust kontrollida ühendades metalli ja pooljuhi kontaktpinnad. Samuti saab tühjendusrežiimis GaN transistore valmistada ka isolatsioonikihi abil ja ja seejärel asetades sellele metallpaisule, mis sarnaneb räni isoleeritud paisuga väljatransistoriga (inglise metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, lühend MOSFET). Tühjendurežiimiga GaN transistore kasutatakse paljudes elektroonikaahelate disainimisel samas ei kasutata neid toitesüsteemides, sest võimsusmuunduri käivitamisel tuleb kõigepealt toiteseadmele rakendada negatiivne nihe, vastasel korral tekib lühis.
Täiendusrežiimi GaN transistor
Täiendusrežiimis GaN töötab tavalise MOSFET-tina isegi kui sellel on vähendatud paisu ja lätte vahelist pinget. Lubab madalamat takistust ilma kehakatoodita kahesuunalise kanaliga. e-GaN transistor on tavaliselt välja lülitatud ja lülitub sisse kui paisule rakendatakse positiivset pinget. Erinevalt d-GaN-ist ei vaja e-GaN seadmed negatiivset käivitus pinget, kui paisul on null algpinge, lülitatakse seade välja ja see ei juhi voolu. Täiendusrežiimi GaN transistoride loomiseks kasutatakse mitmeid meetodeid. Nende väljatransistoride jaoks kasutatakse erinevaid struktuure, näitena siirdatud pais ja süvistatav pais. Siirdatud paisu meetodil täiendusrežiimis GaN väljatransistoride valmistamiseks kasutatakse fluori aatomite siirdamist AlGaN barjääri kihi paisu piirkonda. Fluori aatomid tekitavad AlGaN kihis negatiivse laengu ja tühjendab elektronid selles piirkonnas 2DEG-i tasapinnalt. Selle piirkonna peal olev Schottky pais tagab juhtimise, sest positiivse nihke rakendamisel elektronid tõmmatakse tagasi selle piirkonna 2DEG tasandisse ja vool hakkab liikuma kanalis. Teine meetod süvistatud paisu struktuur luuakse AlGaN barjääri piirkonna hõrendamisel 2DEG tasandi kohal. See vähendab piesoelektrilise efekti tekitatud pinget selles piirkonnas. Punkt saavutatakse, kus pingest tekitatud pinge kristallstruktuuris on väiksem kui Schottky metallpaisu sisseehitatud pinge ja nullnihkega elimineeritakse 2DEG-i tasand. Kui paisule asetatakse positiivne nihe, tõmmatakse elektronid tagasi kahe pooljuhtmaterjali vahelise liidese juurde ja vool on võimeline liikuma sõltuvalt nihke tasemest. GaN pooljuht tehnoloogia areneb kiiresti tänu eelistele RF-disainis ja paljude toitelahenduste disainis.
Kõrgepinge GaN transistorseadmed
Lisaks GaN tühjendus- ja täiustusrežiimis seadmetele on turule jõudnud ka kõrgepinge veritikaalsed GaN seadmed lühend v-GaN. Arenev v-GaN tehnoloogia on suunatud rakendustele, mis vajavad 1kV ja sellest kõrgemat pinget, mis praegu kasutavad räni ja ränikarbiidi. Kõrgepinge GaN seadmed vajavad hulga GaN substraate, sest triivpiirkond ja substraat on mõlemad galliumnitriidi põhised, selle tõttu peab defektide tihedus olema palju väiksem kui räni substraatidel kasvatatud galliumnitriidil. v-GaN struktuuri defektide tihedus on ligikaudu 1000 kuni 10000 korda väiksem kui külgmistes struktuurides. v-GaN seadmete struktuuride madal defektide tihedus lubab pinget 10kV või rohkem. Need seadmed on aga kulukad, sest galliumnitriid substraadid on liiga väikesed, suuruselt umbes 100 mm. Samas nendel seadmetel on tootmiseks vajalikud stantsid palju väiksemad, mis toovad ka kulusid all. Galliumnitriid substraatide suurem kättesaadavus vähendaks v-GaN võimsus transistoride maksumust. Kõrgemad sagedused võimaldavad kasutada väiksemaid ja odavamaid passiiv komponente ning suurendada nõnda efektiivsust võimsusmuundurite v-GaN tehnoloogias.
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
Galliumnitriidi kasutatakse autotööstuses, andmekeskustes, tööstustes, lennundus ja kaitse valdkondades, tarbeelektroonikas, meditsiinitehnikas ning sides.
Pilve teenuse kasv sunnib arengut ka andmekeskustes, mis on peamised energiatarbijad. Üks võimalus energiakadude vähendamiseks on eemaldada kogu võimsuse muundamise etapp, kui toide suunatakse andmekeskuse sisendist lõpp koormuspunkti. Tänu GaN omadustele on võimalik teisendada pinge 48V otse vahemikku 1V, mida on vaja koormuspunktis, ilma vahepealse peatuspunktita 12V juures. Potentsiaalne energiasääst sellise arhitektuuri juures on suur, arvestades pilve infrastruktuuri toimimiseks vajaliku arvutusvõimsusega ja andmekeskuste kiiret laienemist.
Autonoomsete sõidukite rakendustes, kus lidari seade laseb kiiresti juhtiva valgusvihu ja salvestab aja, mis kulub kiire tagasitulekuks kui ka suuna kuhu see suunati, luues nõnda 360 kraadise kolmemõõtmelise pildi sõidukit ümbritsevast. Mida kiiremini saab laserkiirt edastada, seda suurema eraldusvõimega on kaardistatavad objektid või asukoha objektid, mida lidar suudab tuvastada. Lidari süsteemis GaN tehnoloogia kasutamine võimaldab lasersignaali väljastada suurematel kiirustel. Sarnast tehnoloogiat kasutatakse ka liitreaalsustehnoloogiate juures, droonides ja seda kasutatakse arenenumates robotites sisuliselt silmadena, millega ümbritsevast keskkonnast infot saada.
Galliumnitriid seadmed on kasutusel kosmosevaldkonnas, sest galliumnitriid on kiirgust taluv. GaN looduslikud omadused muudavad selle kahjulike kiirte suhtes immuunseks. Galliumnitriid transistore kasutatakse ioontõukurites, satelliitpäikesepaneelide võimsuse muundamiseks, vastupidavates hästi täpsetes harjavabades elektrimootorites väikeste kuupsatelliitide reaktsioonirataste juhtimiseks. Lisaks kosmosemisioonidel kasutatavas robootikas ja automatiseeritud mõõteriistades.
Kasvav nõudlus elektrilise mobiilsuse järele nõuab väga tõhusaid ja kompaktseid mootoriajameid. GaN väljatransistorid ja integraallülitused võimaldavad kujundada invertereid, mis suurendavad mootori efektiivsust, vähendades samal ajal suurust, kaalu ja maksumust. See võimaldab luua väiksemaid, suurema pöördemomendiga, ulatusega, täpsusega ja vaiksemaid mootorisüsteeme. Kasutust leiavad mootorisüsteemid elektrilistes liikurites ning isiklikes robootika seadmetes.
GaN-il on meditsiinilistes rakendustes suur roll, kuid alles on alustatud uuenduslike lahenduste avastamist. GaN transistore kasutavaid juhtmevabasid toiteallikaid saab kasutada siirdatavate meditsiiniseadmete laadimiseks, mis on vajalikud diabeediga patsientidele. Samuti kasutatakse üliväikeses röntgenaparaadis, mis on tableti suurune, et teha kolonoskoopiat. Patsiendi jaoks meeldivam läbivaatus ja arsti jaoks hea eraldusvõimega pildid. MRI seadmetes kasutatakse ära GaN-i suurepärast jõudlust, et saavutada 10 kuni 100 korda suurem eraldusvõime, selle tõttu saab avastada haigusi varem ja täpsemalt.
GaN HEMT transistoride tehnoloogiat kasutatakse erinevates elektroonika ahelates ja raadiosageduslike seadmete valdkondades. Toodetavate GaN transistoride parameetrid võimaldavad rakendada neid erinevates seadmetes, kus on vajadus suure võimsuse, kõrge sageduse või suure jõudluse järgi või nende kõigi kombinatsiooni järele. Peamised rakendused toitesüsteemides, alates lülitusrežiimi toiteallikatest, toitelülitustest ja elektrisõidukites. Rakendatakse kohtades, kus efektiivsuse tase on kõrge tänu seadmete kiirele lülitumisele ja madalale sisselülitamise takistusele. Kasutatakse võimsusvõimenditena raadiosagedustel töötavates seadmetes, et suurt võimsust ja kiirust kombineerida. GaN väljatransistorid on suure töökindlusega ja kõrge efektiivsus tasemega ning töötavad kõrgetel sagedustel. Võimsusvõimendeid kasutatakse mitmesugustes mobiiliside rakendustes, eriti 5G ja 6G tugijaamades. Lisaks ka satelliidi rakendustes, kus selle töökindlus ja vastupidavus peavad olema kõrged. GaN väljatransistore kasutatakse RF lülitites, kus on vaja raadiosageduslikku ümberlülitamist. Need saavad hakkama palju kõrgema võimsusega kui GaAs väljatransistorid, mida samuti kasutatakse raadiosageduslike ahelate lülitamiseks. Raadiosageduse lülititena on GaN transistorid võimelised tagama madala takistuse, kõrge isolatsioonitaseme, suurepärase lineaarsuse tõttu väikese lülitus kao. Tänu suurele võimsusele ja vastupidavusele, taluvad nad erinevalt GaAs väljatransistoridest kõrget sisendvõimsuse taset, mis on vastuvõtlikumad ülekoormusele ja staatilisele elektrile. Seetõttu kasutatakse GaN väljatransistore radari seadmetes.
Galliumnitriidi kasutamise eelised
GaN seadmete eeliseks on väikene energiakuluga. Energiakulu on väike, sest GaN pooljuhid on räni omadest tõhusamad. Need on madalama energakuluga, sest soojusena kulutatakse vähem energiat, mille tulemusena on süsteemid väiksema suuruse ja materjalikuluga. Teiseks suurem võimsustihedus ehk väiksem maht. Ränist kõrgemad lülitussagedused ja töötemperatuurid põhjustavad väiksemaid jahutus vajadusi ja on vaja väiksemaid jahutusradiaatoreid, vedelikjahutuselt õhkjahutuseks üleminekut, ventilaatorite eemaldamist ja väiksemat magnetilisust. Kõrgemad GaN seadmete lülitus sagedused võimaldavad väiksemaid induktoreid ja kondensaatoreid kasutada toiteahelates. Induktiivsus ja mahtuvus vähenevad proportsionaalselt sagedusega võrreldes. See toob kaasa suure kaalu, mahtude ja ka maksumuse vähenemise. Kõrgem sagedus lubab mehaanilistes rakenduste osades vähendada tekkivat müra ning võimaldab juhtmevaba suurema võimsusega jõuülekannet. Galliumnitriid pooljuhid on küll tavaliselt kallimad kui räni omad, kuid süsteemi tasemel kulusid vähendatakse galliumnitriidi kasutamisega, sest vähendatakse passiivkomponentide induktorite ja kondensaatorite elementide, filtrite ja jahutuse suurusi või kulusid. GaN seadme tootmiskulud on madalamad kui MOSFET seadmetel, sest GaN-seadmeid toodetakse standardsete räni tootmis protseduuride abil samades tehastes, mis praegu toodavad traditsioonilisi räni pooljuhte ja tänu sellele on seadmed väiksemad sama funktsionaalsuse juures. Kuna üksikud seadmed on palju väiksemad kui räniseadmed, siis saab ühe pooljuhtplaadi (inglise wafer) kohta toota palju rohkem GaN seadmeid, mille tõttu tekib olukord, kus GaN seadmete tootmine maksab vähem kui räni analoogid.
Areng
HEMT galliumnitriid transistorid hakkasid ilmuma esimest korda 2004. aastal koos RF transistoridega. Kasutades galliumnitriidi ränikarbiid substraatidel, tõi Eudyna tootmisesse raadiosageduslikule turule mõeldud transistorid. 2005. aastal tutvustas Nitronex Corporation esimest tühjendusrežiimiga raadiosagedus RF HEMT transistori, mis oli valmistatud räniplaatidel kasvatatud galliumnitriidist, kasutades SIGANTIC tehnoloogiat. GaN RF-transistorid on jätkanud RF-rakendustesse sissetulemist, sest turule on tulnud mitmed teised ettevõtted. Väljaspool turgu on aga piiranud arengut seadme hind kui ka tühjendusrežiimiga seotud ebamugavused. 2009. aastal tutvustas EPC (inglise Efficient Power Conversion) korporatsioon esimest täiendusrežiimis GaN transistori, mis oli loodud spetsiaalselt MOSFET-i asendamiseks. Tooted on mõeldud suurtes kogustes ja väikeste kuludega tootmiseks, kasutades standardset räni tootmistehnoloogiaid. Peale seda hakkasid mitmed suured ettevõtted, nagu Fujitsu, Panasonic, MicroGaN ja Texas Instrument investeerima nendesse tehnoloogiatesse ja hakkasid arendama välja oma versioone galliumnitriid HEMT seadmetest. 2018. aastal töötas GaN Power International välja müügiloleva 1200 V GaN HEMT seadme, mis ületas oluliselt turul olnud 650 V GaN seadme. See oli võimalik tänu nende seadmete pakendamise viisile.
Ääsmäe raba
Ääsmäe raba on raba Harju maakonnas Saue vallas.
1990. aastate lõpus ja 2000. aastate algul taheti raba juurde rajada Ääsmäe prügila.
Venemaa sissetung Ukrainasse
Venemaa sissetung Ukrainasse on 24. veebruaril 2022 alanud Venemaa sõjaline sissetung ja rünnak Ukraina iseseisvuse vastu. See on osa 2014. aastal alanud Vene-Ukraina sõjast, mille Venemaa valitsejad intensiivistasid 2021. aasta lõpus.
2021
Kevadel 2021 täheldas USA ja Suurbritannia luure Venemaa vägede koondumist Ukraina piiri äärde. Märtsi alguses teatas Ukraina relvajõudude ülemjuhataja Ruslan Homtšak, et Venemaa on toonud Ukraina idapiiri lähedale ja Krimmi juurde 28 taktikalist pataljonigruppi (20–25 tuhat sõdurit). Aprilli alguses 2021 oli Ukraina piirivalveülema hinnangul Krimmis ja kuni 40 km kaugusel piirist kokku 85 000 Venemaa sõdurit. Venemaa sõdurite arv Ukraina piiri lähedal oli Valge Maja pressiesindaja Jen Psaki sõnul suurim pärast 2014. aastat. Venemaa pool kinnitas, et 2021. aastal viiakse Volgogradist Krimmi Feodossijasse üle õhudessantväelaste brigaad (umbes 4000 sõdurit). Vägesid toodi juurde isegi Siberist. Ukraina ja Lääne ametiisikute sõnul oli ebaselge, kas tegu on ettevalmistusega Ukraina ründamiseks; analüütikute arvates oli tegu pigem sõnumi saatmisega. Conflict Intelligence Teami analüütiku Ruslan Levijevi arvates tahtis Venemaa näidata, et tal on endiselt mõju Ukrainale, Ameerika Ühendriikidele ja teistele riikidele ega tolereeri sanktsioone ega muid aktsioone, mille eesmärk on sundida teda Krimmi Ukrainale tagastama või muutma asjade kulgu Ukrainas.
2021. aasta novembris ilmusid ajakirjandusse teated, et USA luureandmed näitasid Vene vägede koondumist Ukraina piiridele. USA hinnangul valmistus Venemaa juba siis ulatuslikuks sissetungiks Ukrainasse Krimmist, Venemaa piirilt ja Valgevene kaudu umbes 100 000 sõduriga. Lääneriigid alustasid konsultatsioone sanktsioonide ettevalmistamiseks sõjalise konflikti korral. Venemaa president Vladimir Putin eitas sissetungiplaane.
2022
25. jaanuaril peetud lääneriikide juhtide videokõnes lepiti kokku ühises sanktsioonide rakendamises Venemaa sissetungi korral. Euroopa Komisjoni president Ursula von der Leyen lubas Ukrainale uut 1,2 miljardi euro suurust finantsabipaketti.
Aastal 2022 suurendasid mitmed riigid relvatarneid Ukrainasse ja NATO tugevdas sõjalist valmisolekut Ukraina lähisriikides. Paljude riikide esindused alustasid hiljemalt veebruari keskel oma töötajate evakueerimist Ukrainast. Ühendkuningriik, Ühendriigid ja Iisrael viisid oma saatkonnad Lvivi, Ühendriigid hiljem Varssavisse. Paljude riikide saatkonnad palusid oma kodanikel vältida reisimist Ukrainasse või piirnevatesse Venemaa oblastitesse (sealhulgas Krasnodari kraisse), või sealt viivitamatult lahkuda. Mitmed Euroopa lennuettevõtted tühistasid oma lennud nii Ukraina pealinna Kiievisse kui ka Odessasse.
2022. aasta veebruari keskpaigaks oli Venemaa koondanud Ukraina põhja-, ida-, lõuna- ja edelapiiri lähedusse vähemalt 200 000 sõjaväelase suuruse väekontingendi ja jätkas vägede koondamist.
Veebruar–märts
Sõjategevuse esimene etapp hõlmab ajavahemikku 24. veebruarist 2022, mil Venemaa alustas sõjalist sissetungi Ukrainasse kuni 7. aprillini 2022, kui Venemaa Ida sõjaväeringkonna poolt põhjarindele paigutatud väeosad tõmmati Kiievi pealetungi suunalt tagasi kavatsusega paigutada need ringi Donbassi piirkonda.
Aprill–august
Sõjategevuse teine etapp hõlmab ajavahemikku 8. aprillist 2022, mil raskete lahingute toimumise piirkond nihkus Ukraina lõuna- ja idaossasse, kuni 11. septembrini 2022, kui Ukraina väed alustasid suurte Harkivi oblasti piirkondade ja mitmete linnade nagu Kupjansk, Izjum jt vabastamist.
September–november
Sõjategevuse kolmas etapp hõlmab ajavahemikku 12. septembrist 2022, mil Ukraina väed vallutasid lõunas ja idas vastupealetungi käigus olulisel hulgal oma territooriumi tagasi, kuni 9. novembrini 2022 kui Ukraina väed surusid okupandid välja Hersonist.
Detsember
Sõjategevuse neljas etapp hõlmab ajavahemikku alates 10. novembrist 2022, mil Ukraina vasturünnakud ida- ja lõunasuunal lõppesid, kuni tänase päevani.
Euroopa Liit
27. veebruari õhtul teatas Euroopa Komisjoni president Ursula von der Leyen Euroopa Liidu õhuruumi sulgemisest eranditult kõigile Venemaa õhusõidukitele ning Venemaa teabekanalite (RT, Sputnik) saadete edastamise keelustamisest Euroopa Liidu riikides; lisaks andis ta teada täiendavatest sanktsioonidest Valgevene režiimi vastu. Esmakordselt eraldati Euroopa Liidu eelarvest raha (~450 miljonit eurot) sõjatehnika soetamiseks, et seda Ukrainale saata. Ursula von der Leyen teatab 27. veebruaril, et Ukraina peaks kuuluma Euroopa Liitu, kuid ei kinnita selle liitumisprotsessi kiirendamist.
Muu maailm
Paljud riigid kehtestasid Venemaale ning Valgevenele sanktsioone, blokeerisid osaliselt SWIFT-ist, külmutasid Venemaa keskpanga välisvaluuta reservid, samuti saatsid relvaabi näiteks Rootsi, Saksamaa, Holland, USA jt. Meeleavaldused Ukraina toetuseks toimusid üle maailma. Saksamaal peatati Vene gaasijuhtme Nord Stream 2 heakskiit.
27. veebruaril toimusid Venemaal sõjavastased meeleavaldused 48 linnas, kus politsei pidas nendel kinni üle 2000 inimese. Alates Venemaa sissetungi algusest on Venemaa sõjavastastel meelevaldustel kinni peetud üle 5500 inimese. pisi|NATO suurendas vägede koosseisu Venemaaga piirnevatel aladel. Ämari lennuväebaasis maanduvad RAK Lakenheath U.S. F-35-d NATO suurendas vägede koosseisu Venemaaga piirnevatel aladel, mitmed riigid suurendavad oma kaitsekulutuste osakaalu SKP-st.
ÜRO Julgeolekunõukogus püüti võtta vastu resolutsioon, mis mõistaks Ukrainasse tungimise hukka, kuid Venemaa blokeeris selle. Ukraina küsimus saadeti edasi ÜRO peaassamblee erakorralisele istungile, mis on esimene erakorraline istung pärast 1982. aasta Iisraeli okupatsiooni Golani kõrgendikel.
28. veebruaril teatas Šveits, et hoolimata oma neutraliteedi poliitikast liitub ta Euroopa Liidu sanktsioonidega, külmutab venelaste varad ja sulgeb Venemaa lennukitele õhuruumi, põhjendades, et see ei lähe neutraliteedipõhimõttega vastuollu, kuna kaitseb sellega rahvusvahelist õigust. Samal päeval käivitas rahvusvahelise kriminaalkohtu (ICC) peaprokurör Karim A.A. Khan protseduurid, mis võivad viia Venemaa vallandatud sõjategevuse uurimisele Ukrainas, kuna on põhjust arvata, et sõja käigus on toime pandud nii sõjakuritegusid kui ka inimsusvastaseid kuritegusid.
Reaktsioon Eestis
pisi|vasakul|26. veebruaril Ukraina toetuseks toimunud meeleavaldus Tartus pisi|Endine Vene tank [[T-72 Tallinnas Vabaduse väljakul. 25. veebruaril väljakule toodud tank lasti Ukraina vägede poolt puruks Venemaa sissetungi alguses 2022. aasta märtsil Kiievi lähistel ]] 26. veebruaril toimusid üle Eesti Ukraina toetuseks meeleavaldused, politsei hinnangul võis Vabaduse väljakul olla 30 000 inimest. Samuti saadeti relvaabi ning korraldati raha, riiete ja tekkide kogumist. Koos teiste Balti riikidega otsustati õhuruum Vene lennukitele sulgeda. Reageeriti ka kultuuri- ja spordivaldkonnas, loobuti Venemaa ja Valgevene esinejatest ja sportlastest võistlustel ning kontsertidel.
Huvi kaitseliidu ja naiskodukaitsega liitumise vastu kasvas hüppeliselt.
Abisaadetised
pisi|Ukraina värvides viljaveoauto paigutati Tallinna vanalinna 2022. aasta veebruari lõpus Eestlased olid kogunud 5. märtsi seisuga suuremate organisatsioonide kaudu Ukraina toetuseks ligi 6 miljonit eurot, lisaks muud humanitaarabi. Abiorganisatsioonide vahendusel pakuti Ukraina põgenikele elukohti ligi 1600, töökohti 800, vabatahtliku abilisena on ennast kirja pannud 1500 inimest.
Mai alguseks oli Eesti andnud Ukrainale kokku 230 miljoni euro väärtuses relvastust ja laskemoona. Novembris ligines sõjalise abi ulatus 300 miljonile eurole. 19. jaanuaril 2023 kinnitas Eesti valitsus veel 113 miljoni euro väärtuses kaudtule- ja tankitõrjerelvade ning ka laskemoona andmist Ukrainale, millega jõuab Eesti sõjaline abi Ukrainale 370 miljoni euroni.
Augusti alguseks oli Eesti Pagulasabi oma rahapõhise abiprogrammiga jõudnud enam kui 43 500 leibkonnani ja laiali jaganud üle 21,5 miljoni euro.
Poliitilised seisukohavõtud
Eesti Riigikogu tegi kaks avaldust seoses Venemaa sissetungieelse vägede koondamisega ning 2022. aastal Ukraina vastu rünnaku alustamisega, milles avaldas toetust Ukraina territoriaalsele terviklikkusele ja mõistis hukka Venemaa Föderatsiooni alustatud sõja. Mõlemad avaldused võeti vastu. Samas jätsid 9 saadikut: Natalia Malleus, Igor Kravtšenko, Oudekki Loone, Mihhail Stalnuhhin, Maria Jufereva-Skuratovski, Dmitri Dmitrijev, Andrei Korobeinik, Martin Repinski ja Siret Kotka mõlemad avaldused allkirjastamata ja poolthääleta.
21. aprillil tunnistas Eesti Riigikogu 86 poolthäälega Venemaa sõjalise ja poliitilise tegevuse Ukraina rahva vastaseks genotsiidiks.
Sõjapõgenikud Eestis
Politsei- ja piirivalveamet loobus 27. veebruaril Eestis viibivatelt Ukraina elanikelt viisapikenduse nõudmisest. Eestis oli lühiajaline töötamine registreeritud üle 16 tuhandel Ukraina kodanikul, umbes 10 000 Ukraina kodanikul oli tähtajaline elamisluba ning 4000 Ukraina kodanikul kehtiv pikaajalise elaniku elamisluba. Siseminister teatas, et riik on valmis vastu võtma 2000 põgenikku. Mai alguseks oli Eestisse jõudnud ligi 35 000 Ukraina sõjapõgenikku.
Perioodil 27. veebruarist kuni 20. juunini saabus Eestisse 72 338 sõjapõgenikku Ukrainast, kellest jäi Eestisse pidama 43 123 inimest. 11. augusti seisuga oli Eestisse jäänud sõjapõgenike arv ületanud 50 000 piiri. Samal ajal oli Leedus ligi 62 000, Rootsis ligi 44 000, Lätis ligi 36 000 ja Soomes ligi 30 000 sõjapõgenikku.
Ülikoolid
Tartu Ülikool teatas 9. märtsil, et piirab Venemaa ja Valgevene kodanike vastuvõttu alates 2022. aasta sügisest: TÜ-sse pääsevad nüüd vaid Euroopa Liidu elamisloa või pikaajalise viisaga kandideerijad. 2021. aastal oli Tartu Ülikooli 13 909 tudengist 1746 välisüliõpilast, neist 268 Venemaalt. Märtsi algul teatas TÜ Ukraina stipendiumifondi loomisest, et toetada Ukraina päritolu üliõpilasi, samuti vabastas nad 2022. aastaks õppemaksust, pakub võimalust taotleda eritoetust, pikendas nende vastuvõtuperioodi, lõi tasuta lisaõppekohad, pakub töökohti sealt saabunud akadeemilistele töötajatele ning peatas koos teiste Eesti ülikoolidega koostöö Venemaa ja Valgevene ülikoolidega. Vabariigi president, endine Tartu Ülikooli rektor Alar Karis peab vastuoluliseks ülikooli otsust piirata Venemaa ja Valgevene kodanike vastuvõttu ning leiab, et otsus tuleb millalgi üle vaadata. Tallinna Tehnikaülikool kavatseb samuti Venemaa kodanike bakalaureuse ja magistriõppesse vastuvõtust loobuda.
Meediakanalite blokeerimine
2. mai 2023 seisuga on Eestis blokeeritud 249 veebisaiti, 14 YouTube'i kanalit ning 53 telekanalit.
Suurematest veebisaitidest on blokeeritud Izvestija, Lenta.ru, NTV, Pervõi Kanal, RIA Novosti, Rutube, RT, TASS ja Valgevene Televisioon.
Mõju Venemaale
28. veebruari hommikul langes sanktsioonide mõjul rubla kurss dollari suhtes üle 30 protsendi, selle väärtus langes börsivälises kauplemises ajaloo madalaimale tasemele, Venemaa keskpank keelas Moskva börsil kauplemist alustada. Analüütikute hinnangul algas suuremahuline raha väljavool Venemaalt, suuremad lääne investorid lahkuvad Vene turult. Majandusanalüütik Heido Vitsuri sõnul mõjutavad rubla kukkumine ja börsi langus riigisisest majandustegevust vähe, suurema, samas pikema mõjuga on rahvusvahelist äri piiravad sanktsioonid, samuti USA keeld Venemaa keskpanga tehingutes kasutada dollarit.
Nord Stream 2 AG esitab 1. märtsil pankrotiavalduse, kuna sanktsioonide tõttu pole gaasitarnijal võimalik tegutseda. Gazpromi gaasitoru Nord Stream 2 ehitus Venemaalt Saksamaale jõudis 2021. aasta septembris lõpule, ehitamine läks maksma ligi 10 miljardit dollarit. Kuid veebruaris teatas Saksamaa kantsler Olaf Scholz, et peatatakse gaasijuhtme sertifitseerimisprotsess.
Venemaa suurim autotootja AvtoVAZ peatab 3. märtsil elektroonikakomponentide puuduse tõttu neljaks päevaks tootmise. Mõned päevad varem piirasid välismaised autotootjad Venemaale autode müüki ning tõstsid hindu.
Suuremad kaupluseketid Venemaal hakkavad 4. märtsil piirama esmavajalike toidukaupade müüki.
Märgatavalt on suurenenud Venemaalt väljaränne, bussireisid Eesti ja Venemaa vahel on kahekordistunud. Ränne ei alanud sõja algusega, vaid sanktsioonide kehtestamisega, teise laine tekitas rubla kursi langus. Piiriületajad on nii venelased kui ka Venemaal elanud välismaalased, kes lennuliikluse katkemise tõttu püüavad maismaad pidi Venemaalt lahkuda.
Hulk Lääne suurettevõtteid teatab Venemaal ja Valgevenes tegevuse lõpetamisest või peatamisest: kütuseettevõtted, tehnoloogiafirmad, toidu- ja joogitootjad.
Reitinguagentuurid Fitch ja Moody's langetasid 9. märtsil Venemaa riigireitingu tasemelt B vastavalt tasemele C ja Ca, ennustades, et riik on sanktsioonide ja piirangute tõttu peagi maksejõuetu.
NSV Liidu Ministrite Nõukogu juures asuv Informatsioonikomitee
Informatsioonikomitee moodustati NSV Liidu Ministrite Nõukogu 30. mai 1947. aasta määrusega №1789-470сс. Informatsioonikomiteesse liideti senised:
Alexander von Bunge (täpsustus)
Alexander von Bunge on mitme Bunge suguvõsa liikme nimi:
Bērzezers
Bērzezers on küla (vasarnīcu ciems ehk suvilapiirkond) Põhja-Lätis Valka piirkonna Valka vallas. Küla asub merepinnast 70 meetri kõrgusel valla põhjaosas, samanimelise järve kaldal. Bērzezers asub Valkast 10 ja Härgmäest 5 kilomeetri kaugusel.
Külas kasvav Bērzezersi tamm on looduskaitse all. Seal asub Brīdaga bussipeatus.
Põlva FC Lootos II
Põlva FC Lootos II on Eesti jalgpalliklubi Põlva FC Lootos duubelmeeskond, mis mängib IV liigas.
Tumeveeb
Pimeveeb, ka tumeveeb on veebi osa, mis eksisteerib ülekandevõrkudes, mis kasutavad internetti, kuid vajavad juurdepääsu saamiseks eritarkvara, -seadistust või -luba. Tumeveeb moodustab väikese osa süvaveebist – osa veebist, mis pole indekseeritud otsingumootorite poolt. 57% tumeveebist on ebaseadusliku sisuga.
Tumeveebi võidakse kasutada sõjalistel ja luure-eesmärkidel, siseriikliku ja/või hargmaise kuritegeliku tegevuse korraldamiseks, totalitaarsete riikide subjektide poolt oma tegevuse varjamiseks võimukandjate eest jne.
Tumeveebi positiivsed omadused
Tumeveebis on võimalik jääda anonüümseks. Tänu sellele on tumeveebi tekkinud kogukonnad, mis tegelevad salastatud, sageli poliitiliselt tundlikke teemasid käsitlevate dokumentide anonüümse avaldamisega (näiteks Wikileaks). Tumeveebi saab kasutada ka selleks, et blokeerida rahvusvahelist tulemüüri, mis keelab juurdepääsu teatud internetisaitidele (näiteks ligipääs sotsiaalmeediakanalitele (Facebook, Youtube) Hiinas, kus need muidu on blokeeritud).
Tumeveebi negatiivsed omadused
Kuna tumeveebis on võimalik anonüümseks jääda, toimub seal palju illegaalset, nagu narkootikumide müük, inimkaubandus, terrorism, illegaalne pornograafia, valeraha müük, palgamõrvarite tellimine, rahapesu jne. Selliste illegaalsete tegevuste ostmiseks kasutatakse krüptoraha. Kõige populaarsem krüptoraha tumeveebis on bitcoin.
Inimkaubandus
ÜRO oletab, et inimkaubanduse kasum on 150 miljardit dollarit aastas. Polarise projekti poolt 31. jaanuaril 2017 avaldatud andmetel kasvas 2016. aastal inimkaubandus 35% võrra. Enamik inimkaubanduse ohvritest oli värvatud seksikaubanduse või töökaubanduse eesmärgil. Tumeveeb on nende õõvastavate kuritegude salastamisele kaasa aidanud.
Terrorism
Terroristlikud rühmitused teevad tumeveebis samu asju, mida nad on aastakümneid teinud. Tumeveeb aga pakub neile anonüümsust ning nii on nende infovahetus salastatud. Tumeveeb võimaldab terroristidel jagada teiste terroristidega informatsiooni, värvata liikmeid, levitada propagandat, koguda raha ja koordineerida rünnakuid. Terroristlikud rühmitused on kolinud tumeveebi, kuna pinnapealses veebis pole neil nii turvaline suhelda. Pinnapealses veebis on paljud terroristlikke ideid levitavad lehed terrorrismi vastaste asutuste jälgimise all või sageli häkitud. Kuna terrorismi vastased asutused saavad jälgida nende tegevust, leida nende asukohta ja teada, mida nad teevad, kui nad kasutavad pinnapealset veebi, on terroristlikud rühmitused kolinud üle tumeveebi. Erinevalt pinnapealsest veebist on neil tumeveebis võimalik kasutada anonüümseid võrke, mis võimaldavad neil säilitada oma anonüümsust ja nende hallatavaid saite ei saa nii kergelt kinni panna. Näiteks pärast 2015. aasta novembri rünnakuid Pariisis hakkas ISIS tumeveebis levitama uudiseid ja propagandat, et kaitsta oma rühmituse toetajate identiteeti ja kaitsta selle sisu häkkeritest aktivistide eest.
Illegaalne pornograafia
Kõige rohkem külastatud lehed tumeveebis on BBC andmetel lehed, mis levitavad pilte laste seksuaalsest ärakasutamisest. Pedofiilid kasutavad tumeveebi reeglina pornograafilise sisuga materjalide levitamiseks. FBI tegeleb pidevalt nende lehtede sulgemise ning nende loojate ülesotsimise ja vahistamisega.
Radstadti Tauern
thumb|Tauern Autobahn [[Flachau lähedal]]
Radstadti Tauern (saksa: Radstädter Tauern) on Austria Kesk-Ida-Alpide alammäestik. Koos Schladmingi Tauerni, Rottenmanni ja Wölzi Tauerni ning Seckau Tauerniga moodustab Radstadti Tauern peamise mäestiku Madal-Tauerni mägedest. Mäed asuvad Austria Salzburgi liidumaa kaguosas, Ennsi ja Muri ülemjooksude vahel.
Radstadti Tauern moodustab Madal-Tauerni mäestiku läänepoolseima osa. Edelas piirab seda Kõrg-Tauern, loodes Salzburgi Pongau piirkond ja idas Schladmingi Tauern. Nimi on tuletatud ajaloolisest Radstadti linnast Ennsi orus.
Radstadti Tauern külgneb järgmiste mäestikega Alpides:
Ida-Alpide alpiklubi klassifikatsiooni (AVE) järgi piirab mägesid järgmine joon päripäeva:
Wagrainer Bach suubumisest Salzachi – Wagrainer Höhe – Litzlingbach suubumisest Ennsi – Enns kuni Radstadtini – Põhja-Taurachi org – Obertauern – Lõuna-Taurachi org – Mauterndorf – Neuseß – Mur – Murtörli kuru – Kreealpenbach – Großarlbach suubumiseni Salzachi – Salzach Wagrainer Bachi suubumiseni.
Radstadti Tauerni idaserva läbib Radstadti Tauerni kuru (1738 m) ja 1975. aastast Tauern Autobahni (A10) maanteetunnel.
Mäestikust põhjas ja lõunas kulgevad piki ülemist Ennsi ja ülemist Muri orgu Ennsi oru ja Muri oru raudteeliinid, samuti paralleelsed liidumaanteed (Bundesstraßen).
Mäestiku kõrgeimad tipud on Weißeck (2711 m), Hochfeind (2687 m) ja Mosermandl (2680 m).
Turism
thumb|Tappenkarsee hütt
Suusapiirkonnad
Suusatamine Radstadti Tauernis on koondunud Obertauerni küla ümbrusesse ning suusapiirkondadesse põhjas ja loodes Altenmarkt-Zauchensee või Flachau juurde. Radstadti Tauern on hästi tuntud ka suusamatkamaastiku poolest.
Sundi sild
pisi|400px|Sundi sild Sundi sild (kasutatud ka ebatäpset nime Öresundi sild; taani: Øresundsbroen, rootsi: Öresundsbron, hübriidnimi: Øresundsbron) on maantee- ja raudteesild üle Taani ja Rootsi vahelise Sundi väina, mis ühendab omavahel Kopenhaageni (Sjælland) ja Malmö (Skåne). Silla pikkus on 8 kilomeetrit.
Sillal on neljarealine maantee ja kaks paari raudteerööpaid. Silla raudtee ühendab Skandinaavia poolsaare raudteevõrgustiku Lääne- ja Kesk-Euroopa raudteevõrguga. Peale selle ühendab sillale paigaldatud andmesidekaabel Rootsit Mandri-Euroopa internetiga.
Ehkki sild ületab Taani ja Rootsi vahelise piiri, pole sillal piirivalvet, sest mõlemad riigid kuuluvad Põhjamaade passiliitu ja Schengeni viisaruumi ning seetõttu tavaliselt isikutunnistusi ei kontrollita. Siiski on aeg-ajalt Rootsi sisenemisel vaja läbida tollikontroll.
Nimi
Taanis ja Rootsis on silla nimi vastavalt Øresundsbroen ja Öresundsbron. Silda haldav ettevõte kasutab nime Øresundsbron, mis on taani- ja rootsikeelse nime hübriid. Kuna kahe linna vaheline ühendus koosneb tunnelist, tehissaarest ja sillast, on kasutusel ka harvemini kasutatav nimi "Öresundi ühendus" (taani keeles: Øresundsforbindelsen, rootsi keeles: Öresundsförbindelsen).
Ajalugu
Esimene teadaolev ettepanek ehitada sild Taani ja Rootsi vahele tehti 1936. aastal. Silda hakati ehitama 1995. aastal ja see valmis 1999. aastal. 14. augustil 1999 kohtusid silla keskel Rootsi kroonprintsess Victoria ja Taani kroonprints Frederik, tähistamaks silla valmimist. Sild avati ametlikult 1. juulil 2000. 12. juunil 2000, kaks nädalat enne silla avamist, läbisid 79 871 jooksjat silla kaudu poolmaratoni Taanis asuvast Amagerist Skåne maakonda Rootsis.
Pärast silla avamist kasvas Taani ja Rootsi vaheline liiklus esimesel kasutusaastal 61%. Silda ei kasutatud siiski nii palju, kui oli varem eeldatud, kuid alates 2005. aastast on silla kasutamine kiiresti kasvanud. 2012. aastal tuli silla ületamise eest maksta 310 Taani krooni, 375 Rootsi krooni või 43 eurot. 2009. aastal kasutas silda 35,6 miljonit inimest.
Hind ja kasu
Ühenduse loomine kahe linna vahele maksis 30,1 miljardit Taani krooni. Silda haldab ettevõte, millest pool kuulub Taani riigile ja pool Rootsi riigile. Kummagi riigi valitsus seda ettevõtet rahaliselt ei doteeri ja see sõltub täielikult sillaületustasudest. Maksumaksja raha silla ehituseks ei kasutatud, aga seda kasutati maismaaühenduse loomiseks, seda eriti Taanis, kus sillal oli kohalik tähtsus lennujaama ja raudteevõrgu vahelise ühendusteena.
Sundi komitee sõnul on sild toonud majanduslikku kasu mõlemale riigile 78 miljardi Rootsi krooni väärtuses ja aastane kasu on 6,5 miljardit Rootsi krooni.
Cecilia Payne-Gaposchkin
pisi|Cecilia Payne-Gaposchkin töötamas Cecilia Payne-Gaposchkin (10. mai 1900 Wendover, Buckinghamshire, Suurbritannia – 7. detsember 1979 Cambridge (Massachusetts), USA) oli Suurbritannia ja Ameerika Ühendriikide astronoom ja astrofüüsik, kes oma 1925. aasta doktoriväitekirjas pakkus esimesena välja, et tähed koosnevad suures osas vesinikust ja heeliumist.
Lapsepõlv ja noorpõlv
Cecilia Helena Payne oli üks kolmest lapsest, kes sündis Wendoveris Inglismaal Emma Leonora Helena (sündinud Pertz) ja Edward John Payne'i peres. Tema isa oli Londonis advokaat, ajaloolane ja muusik. Ema pärines preisi perest ning tal oli kaks silmapaistvat onu, ajaloolane Georg Heinrich Pertz ja svedenborgiaanist kirjanik James John Garth Wilkinson. Cecilia Payne'i isa suri, kui tüdruk oli nelja-aastane, jättes pere ema kasvatada.