cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Galliumnitriidtransistor
Kristalle saab kasvada erinevatel substraatidel, näiteks safiiril, ränikarbiidil ja ränil. Galliumnitriid on binaarne III ja V perioodilisustabeli elementide rühma materjale kasutav otsese ribalaiusega pooljuht. Sobides hästi suure võimsusega transistoridele, mis on võimelised töötama kõrgetel temperatuuridel. Pooljuhtmaterjalidel on olemas ribalaius. See on tahkises olev energiavahemik, kus elektron ei saa eksisteerida. Ribalaius on seotud sellega, kuidas suudab tahke materjal elektrit juhtida. Galliumnitriid on ribalaiusega 3,4 eV, kuid ränil on see 1,12 eV. Laiem ribalaius tingib selle, et galliumnitriid suudab taluda kõrgemat pinget ja temperatuuri kui räni transistorid. Laiem riba lubab galliumnitriidi rakendada optoelektroonilistes, suurt võimsust vajavates ja kõrgsagedustel töötavates seadmetes. Võimalus töötada kõrgematel temperatuuridel ja pingetel kui Galliumarseniid (lühend GaAs) transistorid, muutes galliumnitriidi ideaalseks võimsusvõimendiks mikrolaine- ja terahertsseadmete jaoks, tuleviku turgudeks pildistamise ja tuvastamise jaoks. Füüsiliselt on galliumnitriid väga kõva materjal Knoopi kõvatusena mõõdetuna koefitsiendiga 14,21 GPa. Puhtal kujul purunemiskindel ja seda saab sadestada õhukese kihina substraatidele.
Galliumnitriid on peale räni kõige populaarsem materjal pooljuhtide tööstuses. Galliumnitriid kui laia ribalaiusega pooljuht, mida kasutatakse kõrge efektiivsusega võimsustransistorides ja integraallülitustes. Kasvatades õhukese alumiinium-galliumnitriidi kihti kristalli peale, siis tekib liidesel tüvi, mis indutseerib kompenseeriva kahemõõtmelise elektrongaasi (inglise two-dimensional electron gas, lühend 2DEG). Seda kasutatakse elektronide efektiivseks juhtimiseks elektrivälja toimel. 2DEG on väga juhtiv, elektronide piirnemise tõttu liidese väga väikeses piirkonnas. Piirang suurendab elektronide liikumist umbes 1000 korda 2DEG piirkonnas. Kõrge liikuvus toodab transistore ja integraallülitusi. Galliumnitriidil põhinevad elektroonikaseadmed lülituvad seega kiiremini ja tarbivad vähem energiat kui klassikalised räni põhised seadmed.
1990. aastatest on galliumnitriidi kasutatud valgusdioodides. Galliumnitriid eraldab sinist valgust, mida kasutatakse Blu-ray plaadi lugemiseks. Samuti kasutatakse galliumnitriidi pooljuhtide toiteseadmetes, RF-komponentides, seadmed mis on mõeldud raadiosagedusel signaalide edastamiseks või vastuvõtmiseks, laserites ja fotoonikas. Tulevikus näeme galliumnitriidi andurite tehnoloogias.
GaN HEMT
Suure elektroni liikuvusega transistorid (inglise High-electron-mobility transistors, lühend HEMT ). Need on transistorid, mis kasutavad kahemõõtmelist elektrongaasi, mis tekib kahe erineva ribalaiusega materjali vahelisest ristumisest. Galliumnitriidil põhinevatel HEMT transistoridel on suurem lülituskiirus, suurem soojusjuhtivus ja väiksem sisselülitus takistus, võrreldes ränipõhiste lahendustega. Need omadused võimaldavad kasutada GaN transistore ja integraallülitusi vooluahelates, et suurendada efektiivsust, vähendada suurust ja maksumust erinevate võimsuse muundamise süsteemide pealt. Kõik GaN transistorid ja GaN väljatransistorid on olemuselt suure elektroni liikuvusega transistorid. Kõik galliumnitriid väljatransistorid (inglise field-effect transistor, lühend FET) või HEMT-id kasutavad sama põhi tehnoloogiat, kasutades HEMT struktuuri koos selle kahemõõtmelise elektrongaasi piirkonnaga, mis tagab seadme põhilise töörežiimi. GaN HEMT-id on saadaval nii tühjendusrežiimis kui täiendusrežiimis.
GaN lülitusseadmeid on kahte erinevat tüüpi: täiendusrežiim (inglise enhancement mode, lühend e-GaN) ja tühjendusrežiim (inglise depletion mode, lühend d-GaN). Tühjendusrežiimi GaN transistor on tavaliselt sisse lülitatud. Selle väljalülitamiseks tuleb paisule rakendada neelu ja lätte elektroodide suhtes negatiivne pinge. Täiendusrežiimis või e-režiimis väljatransistorid on tavaliselt välja lülitatud. Need lülitatakse sisse rakendades paisule neelu ja lätte suhtes positiivset pinget. Tegelike väljatransistoride struktuurid erinevad mõlema tüübi puhul. Lisaks on nende elektroonikakomponentide tootjad võtnud kasutusele erinevaid lähenemisviise, kuid tööpõhimõtted on samad.
GaN väljatransistor
GaN väljatransistoril on olemas pais (inglise gate), läte (inglise source) ja neel (inglise drain) elektroodid. Läte ja neel elektroodid tungivad läbi ülemise AlGaN kihi, moodustades oomilise kontakti all oleva 2DEG-ga. Tekitades lühise lätte ja neelu vahel, kuni 2DEG elektronide kogum on ammendatud ja polariseeruv GaN kristall võib voolu blokeerida. 2DEG kahandamiseks asetatakse AlGaN kihi peale paisuelektrood. GaN transistorides moodustatakse paisuelektrood Schottky kontaktina ülemise pinnaga. Rakendades selle kontaktile negatiivset pinget, muutub Schottky barjäär vastupidiseks ja selle all olevad elektronid tühjenevad. Seetõttu on sellise seadme väljalülitamiseks vaja negatiivset pinget nii neelu kui ka läte elektroodide suhtes. Selliseid transistore nimetatakse tühjendusrežiimiks või d-režiimiks.
Täiendusrežiimi GaN transistor
Täiendusrežiimis GaN töötab tavalise MOSFET-tina isegi kui sellel on vähendatud paisu ja lätte vahelist pinget. Lubab madalamat takistust ilma kehakatoodita kahesuunalise kanaliga. e-GaN transistor on tavaliselt välja lülitatud ja lülitub sisse kui paisule rakendatakse positiivset pinget. Erinevalt d-GaN-ist ei vaja e-GaN seadmed negatiivset käivitus pinget, kui paisul on null algpinge, lülitatakse seade välja ja see ei juhi voolu. Täiendusrežiimi GaN transistoride loomiseks kasutatakse mitmeid meetodeid. Nende väljatransistoride jaoks kasutatakse erinevaid struktuure, näitena siirdatud pais ja süvistatav pais. Siirdatud paisu meetodil täiendusrežiimis GaN väljatransistoride valmistamiseks kasutatakse fluori aatomite siirdamist AlGaN barjääri kihi paisu piirkonda. Fluori aatomid tekitavad AlGaN kihis negatiivse laengu ja tühjendab elektronid selles piirkonnas 2DEG-i tasapinnalt. Selle piirkonna peal olev Schottky pais tagab juhtimise, sest positiivse nihke rakendamisel elektronid tõmmatakse tagasi selle piirkonna 2DEG tasandisse ja vool hakkab liikuma kanalis. Teine meetod süvistatud paisu struktuur luuakse AlGaN barjääri piirkonna hõrendamisel 2DEG tasandi kohal. See vähendab piesoelektrilise efekti tekitatud pinget selles piirkonnas. Punkt saavutatakse, kus pingest tekitatud pinge kristallstruktuuris on väiksem kui Schottky metallpaisu sisseehitatud pinge ja nullnihkega elimineeritakse 2DEG-i tasand. Kui paisule asetatakse positiivne nihe, tõmmatakse elektronid tagasi kahe pooljuhtmaterjali vahelise liidese juurde ja vool on võimeline liikuma sõltuvalt nihke tasemest. GaN pooljuht tehnoloogia areneb kiiresti tänu eelistele RF-disainis ja paljude toitelahenduste disainis.
Kõrgepinge GaN transistor seadmed
Lisaks GaN tühjendus- ja täiustusrežiimis seadmetele on turule jõudnud ka kõrgepinge veritikaalsed GaN seadmed lühend v-GaN. Arenev v-GaN tehnoloogia on suunatud rakendustele, mis vajavad 1kV ja sellest kõrgemat pinget, mis praegu kasutavad räni ja ränikarbiidi. Kõrgepinge GaN seadmed vajavad hulga GaN substraate, sest triivpiirkond ja substraat on mõlemad galliumnitriidi põhised, selle tõttu peab defektide tihedus olema palju väiksem kui räni substraatidel kasvatatud galliumnitriidil. v-GaN struktuuri defektide tihedus on ligikaudu 1000 kuni 10000 korda väiksem kui külgmistes struktuurides. v-GaN seadmete struktuuride madal defektide tihedus lubab pinget 10kV või rohkem. Need seadmed on aga kulukad, sest galliumnitriid substraadid on liiga väikesed, suuruselt umbes 100 mm. Samas nendel seadmetel on tootmiseks vajalikud stantsid palju väiksemad, mis toovad ka kulusid all. Galliumnitriid substraatide suurem kättesaadavus vähendaks v-GaN võimsus transistoride maksumust. Kõrgemad sagedused võimaldavad kasutada väiksemaid ja odavamaid passiiv komponente ning suurendada nõnda efektiivsust võimsusmuundurite v-GaN tehnoloogias.
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
Galliumnitriidi kasutatakse autotööstuses, andmekeskustes, tööstustes, lennundus ja kaitse valdkondades, tarbeelektroonikas, meditsiinitehnikas ning sides.
Pilve teenuse kasv sunnib arengut ka andmekeskustes, mis on peamised energiatarbijad. Üks võimalus energiakadude vähendamiseks on eemaldada kogu võimsuse muundamise etapp, kui toide suunatakse andmekeskuse sisendist lõpp koormuspunkti. Tänu GaN omadustele on võimalik teisendada pinge 48V otse vahemikku 1V, mida on vaja koormuspunktis, ilma vahepealse peatuspunktita 12V juures. Potentsiaalne energiasääst sellise arhitektuuri juures on suur, arvestades pilve infrastruktuuri toimimiseks vajaliku arvutusvõimsusega ja andmekeskuste kiiret laienemist.
Autonoomsete sõidukite rakendustes, kus lidar laseb kiiresti juhtiva valgusvihu ja salvestab aja, mis kulub kiire tagasitulekuks kui ka suuna kuhu see suunati, luues nõnda 360 kraadise kolmemõõtmelise pildi sõidukit ümbritsevast. Mida kiiremini saab laserkiirt edastada, seda suurema eraldusvõimega on kaardistatavad objektid või asukoha objektid, mida lidar suudab tuvastada. Lidari süsteemis GaN tehnoloogia kasutamine võimaldab lasersignaali väljastada suurematel kiirustel. Sarnast tehnoloogiat kasutatakse ka liitreaalsus tehnoloogiate juures, droonides ja seda kasutatakse arenenumates robotites sisuliselt silmadena, millega ümbritsevast keskkonnast infot saada.
ISO 9362
ISO 9362 on ettevõtete tunnuskoodide (inglise keeles Business Identifier Codes, lühend BIC) standardvormingu (tuntud ka kui SWIFT BIC, BIC-kood, SWIFT-ID või SWIFT-kood) definitsioon, mille on tunnustanud Rahvusvaheline Standardiorganisatsioon (International Organization for Standardization ehk ISO). See on unikaalne tunnuskood finants- ja mitte-finantsasutustele.
Galliumnitriidtransistor
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
Galliumnitriid seadmed on kasutusel kosmosevaldkonnas, sest galliumnitriid on kiirgust taluv. GaN looduslikud omadused muudavad selle kahjulike kiirte suhtes immuunseks. Galliumnitriid transistore kasutatakse ioontõukurites, satelliitpäikesepaneelide võimsuse muundamiseks, vastupidavates hästi täpsetes harjavabades elektrimootorites väikeste kuupsatelliitide reaktsioonirataste juhtimiseks. Lisaks kosmosemisioonidel kasutatavas robootikas ja automatiseeritud mõõteriistades.
ISO 9362
SWIFT on akronüüm nimest Society for Worldwide Interbank Financial Telecommunication. ISO on määranud SWIFT-i kui BIC-koodi registreerimise asutuse. Mittefinantsasutusele määratud kood võib olla ka tuntud kui ettevõtte olemuse identifikaator ( Business Entity Identifier ehk BEI). Neid koode kasutatakse pankadevahelistes rahaülekannetes, eriti rahvusvaheliste ülekannete puhul, aga ka muude pankadevaheliste sõnumite vahetamisel. Koode võib mõnikord leida ka kontoväljavõtetelt.
Galliumnitriidtransistor
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
Kasvav nõudlus elektrilise mobiilsuse järele nõuab väga tõhusaid ja kompaktseid mootoriajameid. GaN väljatransistorid ja integraallülitused võimaldavad kujundada invertereid, mis suurendavad mootori efektiivsust, vähendades samal ajal suurust, kaalu ja maksumust. See võimaldab luua väiksemaid, suurema pöördemomendiga, ulatusega, täpsusega ja vaiksemaid mootorisüsteeme. Kasutust leiavad mootorisüsteemid elektrilistes liikurites ning isiklikes robootika seadmetes.
ISO 9362
Struktuur
Eelmine väljaanne oli ISO 9362:2009 (dateeritud 01.10.2009).
Galliumnitriidtransistor
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
Taastuvate energiaallikate kasutuselevõtu kiirendamiseks tuleb saavutada tõhusam muundamine, energia salvestamise võimsust suurendada ja madalamaks saada kulud, samas tagades pikaajalise töökindluse. GaN põhised toitelahendused võimaldavad päikeseenergia mikroinverteritel, optimeerijatel suurendada energia salvestus süsteemide efektiivsust.
ISO 9362
Struktuur
SWIFT-kood on 8 või 11 märki, mis koosneb
Galliumnitriidtransistor
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
GaN-il on meditsiinilistes rakendustes suur roll, kuid alles on alustatud uuenduslike lahenduste avastamist. GaN transistore kasutavaid juhtmevabasid toiteallikaid saab kasutada siirdatavate meditsiiniseadmete laadimiseks, mis on vajalikud diabeediga patsientidele. Samuti kasutatakse üliväikeses röntgenaparaadis, mis on tableti suurune, et teha kolonoskoopiat. Patsiendi jaoks meeldivam läbivaatus ja arsti jaoks hea eraldusvõimega pildid. MRI seadmetes kasutatakse ära GaN-i suurepärast jõudlust, et saavutada 10 kuni 100 korda suurem eraldusvõime, selle tõttu saab avastada haigusi varem ja täpsemalt.
ISO 9362
Struktuur
Kui on antud kaheksakohaline kood, võib eeldada, et see viitab algkontorile.
Nafta- ja gaasimaardla
Nafta- ja gaasimaardla on maa-alune litoloogiline moodustis, millel on vedeliku hoidmiseks ja edasiandmiseks piisav poorsus ja läbilaskvus. Settekivimid on kõige tavalisemad maardla kivimid, kuna neil on suurem poorsus ja läbilaskvus kui enamikul tard- ja moondekivimitel ning need moodustuvad temperatuuritingimustes, milles süsivesinikud alles jäävad. Reservuaar on naftasüsteemi kriitiline komponent.
ISO 9362
Struktuur
SWIFT Standards, mis on SWIFTi allharu, vastutab SWIFT-koodide registreerimise eest. Ka nüüdset ettevõtte tunnuskoodi (BIC) kutsutakse sageli jätkuvalt SWIFT-aadressideks või -koodideks.
Nafta- ja gaasimaardla
Nafta- ja gaasiväljad
ISO 9362
Struktuur
2009. aasta uuendusega laienes ISO 9362 käsitlusala, et hõlmata ka mittefinantsasutusi. Enne seda kasutati lühendit "BIC" tavaliselt lühendina sõnadest Bank Identifier Code.
Nafta- ja gaasimaardla
Nafta- ja gaasiväljad on maapinna alune süsivesinike kogunemine, kogum või rühm basseine. Nafta-, gaasiväli koosneb maardlast, mis püüab kinni süsivesinikke ja on kaetud mitteläbilaskva, tihendava kivimiga.
ISO 9362
Struktuur
Olemas on üle 7500 live-koodi (partneritele, kes on aktiivselt ühendatud BIC-võrku) ja hinnanguliselt 10 000 täiendavat BIC-koodi, mida saab kasutada manuaalseteks tehinguteks.
2009. aasta versioon on nüüd asendatud viimase väljaandega (ISO 9362:2014, dateeritud 01.12.2014).
Näited
Deutsche Bank on rahvusvaheline pank, mille peakontor asub Frankfurdis Saksamaal. Selle harukontori SWIFT-kood on DEUTDEFF, kus
Galliumnitriidtransistor
Galliumnitriidi ja GaN transistoride kasutus
GaN HEMT transistoride tehnoloogiat kasutatakse erinevates elektroonika ahelates ja raadiosageduslike seadmete valdkondades. Toodetavate GaN transistoride parameetrid võimaldavad rakendada neid erinevates seadmetes, kus on vajadus suure võimsuse, kõrge sageduse või suure jõudluse järgi või nende kõigi kombinatsiooni järele. Peamised rakendused toitesüsteemides, alates lülitusrežiimi toiteallikatest, toitelülitustest ja elektrisõidukites. Rakendatakse kohtades, kus efektiivsuse tase on kõrge tänu seadmete kiirele lülitumisele ja madalale sisselülitamise takistusele. Kasutatakse võimsusvõimenditena raadiosagedustel töötavates seadmetes, et suurt võimsust ja kiirust kombineerida. GaN väljatransistorid on suure töökindlusega ja kõrge efektiivsus tasemega ning töötavad kõrgetel sagedustel. Võimsusvõimendeid kasutatakse mitmesugustes mobiiliside rakendustes, eriti 5G ja 6G tugijaamades. Lisaks ka satelliidi rakendustes, kus selle töökindlus ja vastupidavus peavad olema kõrged. GaN väljatransistore kasutatakse RF lülitites, kus on vaja raadiosageduslikku ümberlülitamist. Need saavad hakkama palju kõrgema võimsusega kui GaAs väljatransistorid, mida samuti kasutatakse raadiosageduslike ahelate lülitamiseks. Raadiosageduse lülititena on GaN transistorid võimelised tagama madala takistuse, kõrge isolatsioonitaseme, suurepärase lineaarsuse tõttu väikese lülitus kao. Tänu suurele võimsusele ja vastupidavusele, taluvad nad erinevalt GaAs väljatransistoridest kõrget sisendvõimsuse taset, mis on vastuvõtlikumad ülekoormusele ja staatilisele elektrile. Seetõttu kasutatakse GaN väljatransistore radari seadmetes.
Simuna kihelkond
Kihelkonda ümbritsesid põhjas Viru-Jaagupi ja Väike-Maarja kihelkond, idas Iisaku, lõunas Torma ja Laiuse kihelkond, läänes Koeru kihelkond. KIhelkonnas asus Pandivere kõrgustik, Kellavere mägi ja Emumägi.
Piirkonna ajalugu
Simuna kihelkond asutati 1220. aastatel Lemmu muinaskihelkonna lõunapoolsete maade põhjal.
Asulad muinasajal
13. sajandil koostatud Taani hindamisraamatus olid nimetatud hilisema Katkuküla (algne nimekuju Katko) kihelkonna ehk Simuna kihelkonna külad. Nimi Katko tähistab "katkist" allikaterohket maad (vt Katkuallikas). Pudiviru 14 küla olid järgmised:
Asulad 18. sajandil
Loetletud muinasaegsetest küladest Villakvere koos selle põhjaosas olnud väikese Kemba asulaga (mitte segi ajada endise Kemba külaga Kärde lähedal) kuulus juba 18. sajandil Tartumaa Laiuse kihelkonna koosseisu (vt Vaimastvere vald).
Peale loetletud asulate kuulusid Simuna kihelkonda veel Simuna, Härma (tänapäeval Käru), Käru (Käru mõisale kuulus hiljem ka Tuulivere), Laekvere, Liinemõisa (tänapäeval Pudivere), Moora, Muuga, Määri, Mõisamaa (sh endised Mandavere, Järvemäe, Haukamäe ja Vända asula), Paasvere, Pudivere, Rahkla, Rohu, Venevere, Vägeva ja Võivere mõisa asulad.
Täpsema ülevaate Simuna kihelkonna küladest annab 18. sajandil Ludwig August Mellini koostatud kaart. Kaardil on lisaks loetletutele märgitud järgmised külad:
Simuna kihelkonda kuulusid ka Suure-Rakke, Väike-Rakke, Edru ja Koluvere külad, kuid 20. sajandi alguses tekkinud Rakke aleviku territoorium oli osa Järvamaa Koeru kihelkonnast.
pisi|400px|Venemaa keisririigi [[Eestimaa kubermangu Viru kreis]]
Haridus
Simuna kihelkonnakool (tol ajal Katkuküla kool) loodi juba Rootsi ajal 1690. aastal.
Esimese külakoolina asutati 1756. aastal Lasinurme, siis 1786. aastal Padu, Salutaguse, Muuga, Paasvere, Salla, Selli, Tammiku, Käru, Kissa, Rahkla, Rakke, 1787. aastal Koila, Sootiigi, Hirla, Kurtna koolid.
Galliumnitriidtransistor
Galliumnitriidi kasutamise eelised
GaN seadmete eeliseks on väikene energiakuluga. Energiakulu on väike, sest GaN pooljuhid on räni omadest tõhusamad. Need on madalama energakuluga, sest soojusena kulutatakse vähem energiat, mille tulemusena on süsteemid väiksema suuruse ja materjalikuluga. Teiseks suurem võimsustihedus ehk väiksem maht. Ränist kõrgemad lülitussagedused ja töötemperatuurid põhjustavad väiksemaid jahutus vajadusi ja on vaja väiksemaid jahutusradiaatoreid, vedelikjahutuselt õhkjahutuseks üleminekut, ventilaatorite eemaldamist ja väiksemat magnetilisust. Kõrgemad GaN seadmete lülitus sagedused võimaldavad väiksemaid induktoreid ja kondensaatoreid kasutada toiteahelates. Induktiivsus ja mahtuvus vähenevad proportsionaalselt sagedusega võrreldes. See toob kaasa suure kaalu, mahtude ja ka maksumuse vähenemise. Kõrgem sagedus lubab mehaanilistes rakenduste osades vähendada tekkivat müra ning võimaldab juhtmevaba suurema võimsusega jõuülekannet. Galliumnitriid pooljuhid on küll tavaliselt kallimad kui räni omad, kuid süsteemi tasemel kulusid vähendatakse galliumnitriidi kasutamisega, sest vähendatakse passiivkomponentide induktorite ja kondensaatorite elementide, filtrite ja jahutuse suurusi või kulusid. GaN seadme tootmiskulud on madalamad kui MOSFET seadmetel, sest GaN-seadmeid toodetakse standardsete räni tootmis protseduuride abil samades tehastes, mis praegu toodavad traditsioonilisi räni pooljuhte ja tänu sellele on seadmed väiksemad sama funktsionaalsuse juures. Kuna üksikud seadmed on palju väiksemad kui räniseadmed, siis saab ühe pooljuhtplaadi (inglise wafer) kohta toota palju rohkem GaN seadmeid, mille tõttu tekib olukord, kus GaN seadmete tootmine maksab vähem kui räni analoogid.
Simuna kihelkond
Haridus
19. sajandil rajati kihelkonnas ka rahvakoolid: Lõusa (1822), Rahkla (1830), Muuga (1832), Paasvere (1836), Määri (1838), Avanduse (1838), Salla (1839), Venevere (1840), Rohu (1840), Tammiku (1840), Käru (1842), Koila (1842), Piibe (1845), Lasinurme (1849), Selli (1850), Mõisamaa (1852), Rakke (1855), Võivere (1855), Kurtna (1864), Sootiigi (1871), Moora (1874), Nadalamaa (1884), 1863. aastal oli kihelkonnas 18 rahvakooli.
Teenistuslaev
pisi|Sõjalaevad 2014 pisi|Soome piirivalvelaev ja politseikaater 2011
Simuna kihelkond
Haridus
1832. aastal tuli Simunasse köstriks Wilhelm Normann (1812–1906), kes asutas oma majas väikese kooli, mille 1835. aastal muutis kihelkonnakooliks, mis töötas pidevalt 52 aastat.
Teenistuslaev
Teenistuslaev on veekogul riigi- või muu asutuse olulise mittetulundusliku funktsiooni täitmiseks või tagamiseks mõeldud laev; samuti vastav kaater või paat.
Galliumnitriidtransistor
Areng
HEMT galliumnitriid transistorid hakkasid ilmuma esimest korda 2004. aastal koos RF transistoridega. Kasutades galliumnitriidi ränikarbiid substraatidel, tõi Eudyna tootmisesse raadiosageduslikule turule mõeldud transistorid. 2005. aastal tutvustas Nitronex Corporation esimest tühjendusrežiimiga raadiosagedus RF HEMT transistori, mis oli valmistatud räniplaatidel kasvatatud galliumnitriidist, kasutades SIGANTIC tehnoloogiat. GaN RF-transistorid on jätkanud RF-rakendustesse sissetulemist, sest turule on tulnud mitmed teised ettevõtted. Väljaspool turgu on aga piiranud arengut seadme hind kui ka tühjendusrežiimiga seotud ebamugavused. 2009. aastal tutvustas EPC (inglise Efficient Power Conversion) korporatsioon esimest täiendusrežiimis GaN transistori, mis oli loodud spetsiaalselt MOSFET-i asendamiseks. Tooted on mõeldud suurtes kogustes ja väikeste kuludega tootmiseks, kasutades standardset räni tootmistehnoloogiaid. Peale seda hakkasid mitmed suured ettevõtted, nagu Fujitsu, Panasonic, MicroGaN ja Texas Instrument investeerima nendesse tehnoloogiatesse ja hakkasid arendama välja oma versioone galliumnitriid HEMT seadmetest. 2018. aastal töötas GaN Power International välja müügiloleva 1200 V GaN HEMT seadme, mis ületas oluliselt turul olnud 650 V GaN seadme. See oli võimalik tänu nende seadmete pakendamise viisile.
Simuna kihelkond
Haridus
1866. aasta jaanipäeval organiseeris V. Normann Simuna laulupüha, mis oli järgnevate suurte laulupäevade üks varasemaid eelkäijaid. Enne olid laulupühad toimuud ainult Saaremaal Ansekülas ja Virumaal Jõhvis.
Teenistuslaev
Jagunemine
Teenistuslaevad on üldjuhul:
Simuna kihelkond
Kirikukihelkond 20. sajandil
Aastatel 1918–1940 kuulusid Simuna kirikukihelkonda:
Teenistuslaev
Kirjeldus
Teenistuslaevade ehitamisel, kasutamisel ega eelarvestamisel ei lähtuta reeglina majanduslikust (ärilisest) tasuvusest, vaid riigi või ühiskonna vajadustest konkreetse olulise riikliku funktsiooni (riigikaitse, keskkonnakaitse, korrakaitse, haridus vms) efektiivsel ja jätkusuutlikul täitmisel. Seda võimaldab asjaolu, et teenistuslaevade kasutamist rahastatakse tavaliselt riigieelarvest kindla suurusjärgu ulatuses, sõltumata laevade tegevuse tulemusel kogutavatest võimalikest trahvidest, lõivudest või muudest tasudest. See ei välista säästlikkuse nõudeid teenistuslaeva projekteerimisel.
Simuna kihelkond
Simuna kihelkonna maad tänapäeval
Endise Simuna kihelkonna maad jäävad enamjaolt tänapäeva Lääne-Virumaa aladele, vaid ta väike lõunapoolseim ots Selli mõisa ümbruses kuulub Jõgeva valda tänapäeva Jõgevamaal. 18. sajandi kaardi järgi jooksis kihelkonna lõunapiir Praeguse Endla looduskaitseala Männikjärve rabas läbi Männikjärve.
Teenistuslaev
Kirjeldus
Teenistuslaevadel on tavaliselt laevanduses üldlevinust rangem teenistuskorraldus, mis toetab vastutus- või riskirikka funktsiooni efektiivsemat täitmist, aga ka võimaliku sunni või jõu korrektsemat rakendamist. Samuti on üldjuhul kasutusel määratud vormiriietuskomplektid ja tunnused.
Sama asutuse teenistuslaevad on tavaliselt määratud värvilahenduse, märgistuse või tähistusega. Riigiasutuse teenistuslaevadel võib olla ka spetsiaalne (näiteks riigilipust stiliseeritud) laevalipp.
ISO 9362
Näited
Deutsche Bank kasutab 11-kohalist laiendatud koodi ja on määranud harukontoritele või töötlemispiirkondadele individuaalsed laiendatud koodid. See võimaldab makse suunata konkreetsesse kontorisse. Näiteks DEUTDEFF500 suunaks makse otse Deutche Banki kontorisse, mis asub Bad Homburgis.
Õitsekivi
Õitsekivi on rabakivist hiidrahn Harju maakonnas Anija vallas Aavere külas.
ISO 9362
Näited
Danske Bank on Taani peamine pank, mille peakontor asub Kopenhaagenis. Selle peakontori SWIFT-kood on DABADKKK:
Õitsekivi
Kivi pikkus on 9,7 m, laius 5,2 m, kõrgus 3,4 m ja ümbermõõt 26,0 m.
ISO 9362
BIC-il põhinev 12-kohaline SWIFTNet FIN-aadress
Et tuvastada oma võrgu lõpppunkte, kasutab SWIFT ka 12-kohalist koodi, mis on tuletatud asutuse BIC-koodi põhjal. Selline kood koosneb BIC8-st, millele järgneb ühekohaline kood, mis identifitseerib loogilist terminali (LTC), või lokaalne sihtpunkt, ja kolmest märgist koosnev allharu kood. Need BIC12-koodid ei ole osa ISO standarditest ja on asjakohased ainult sõnumite platvormi kontekstis.
Õitsekivi
Rahnu küljed on maapinnast 1–2 m kõrguseni peaaegu vertikaalsed, sealt kõrgemal kumerad. Lagi on lai, tasane ja kaldu lõunasse. Lae idapoolne äärmine osa on ca 0,5 m madalam kuni pika vertikaalse praoni. Rahnu küljed ja lagi on kattunud samblike ja samblaga. Rahnu peal, lae madalamas osas olevat tehtud jaanituld.
ISO 9362
Kasutus
Ettevõtte tunnuskoodid on kasutusel peamiselt finants- ja mittefinantsasutuste kindlakstegemisel igapäevase äritegevuse osana, kui tehingu elukaar koosneb ühest või mitmest institutsioonist.
Hobuse-raudkärbes
Hobuse-raudkärbes (Hippobosca equina) on kahetiivaliste seltsi kuuluv putukaliik.
Putukat on ka Eestis.
Tšernigivi kubermang
Tšernigivi kubermang (ka Tšernigovi kubermang) oli Venemaa Keisririigi haldusüksus (kubermang). Kubermangu administratiivne keskus oli Tšernigiv. Kubermang eksisteeris aastatel 1802–1918. Kubermangu territoorium on praegu Ukraina ja Venemaa koosseisus.
Arnold Voldemar Elken
Arnold Voldemar Elken (25. veebruar 1909 Kodavere kihelkond – 24. märts 1994 Eksjö, Rootsi) oli Eesti vaimulik.
Ta lõpetas aastal 1928 Tartu Linna Poeglaste Reaalgümnaasiumi, seejärel õppis ta aastail 1928–1934 Tartu Ülikooli usuteaduskonnas, pidas prooviaasta Tartu Pauluse koguduse juures, ordineeriti 15. detsembril 1935.
Arnold Voldemar Elken oli aastail 1935–1943 Valjala koguduse õpetaja ning 1941–1944 Kuressaare koguduse õpetaja. Aastail 1941–1944 oli ta Saaremaa praostkonna usulise elu korraldaja.
Septembris 1944 põgenes ta Rootsi, oli paguluse algaastail eestlaste õpetaja Kalmari piirkonnas, hiljem oli ta Rootsi kiriku teenistuses.
Arnold Voldemar Elken suri 24. märtsil 1994. Ta maeti 8. aprillil 1994 Eksjö (asub Eksjö vallas Jönköpingi läänis) kalmistule.
Skeptik.ee
pisi|Skeptiku poolt välja antav umbluu preemia Viltune Pendel. 2008. aasta. Skeptik.ee on internetiportaal, mis uurib ja kritiseerib pseudoteadusi ja edendab nende suhtes skeptilist teaduslikku mõtlemist. 2007. aastal rajatud veebilehte haldab MTÜ Eesti Skeptik.
Skeptik.ee koordineerib skeptikute liikumist Eestis ja populariseerib teadust koolinoorte seas.
Uuringud
Septembris 2007 teatas skeptik.ee lihtsast katsest, millega analüüsis soola vesilahuse visuaalseid omadusi elektrolüüsil, püüdes selgitada jalapesuvee visuaalset reostumist inimkeha väidetavalt detoksifitseeriva, ilusalongides ja ajalehes Postimees propageeritud toote Ionic-Detox mõjul. Katse näitas, et väidetava detoksifitseerimise asemel toimus normaalne elektrokeemiline reaktsioon. Sellest on saanud detoksifitseerimise uuringuis tüüpiline katse, millele selle alternatiivmeditsiiniharu analüüsides sageli viidatakse.
Vahnivka
Vahnivka (ukraina keeles Вахнівка) on küla Ukrainas Vinnõtsja oblastis Lõpovetsi rajoonis. Elanike arv on 1828. Pindala on 5,561 km².
Skeptik.ee
Umbluu
Aastatel 2008–2015 andis skeptik.ee välja ka umbluu preemia Viltune Pendel. See on auhind, millega tuuakse esile ettevõtteid või isikuid, kes on möödunud aastal eriti usinalt teadus- ja tõenduspõhisest mõtlemisest hälbimist propageerinud.
Abort.ee
Elukultuuri Instituut vastas ähvardusega MTÜ Eesti Skeptik ja selle eestvedaja Martin Vällik laimu eest kohtusse kaevata.
Arend Dietrich von der Pahlen (1675–1710)
Arend Dietrich von der Pahlen (1675 – 5. mai 1710) oli baltisaksa aadlik ja sõjaväelane.
Arend Dietrich astus 1695. aastal Hollandis kuningas Williami III teenistusse, kus osales parasjagu käinud Üheksa-aastase sõja ehk Pfalzi pärilussõja (1688–1697) lahingutes ning teenis välja kapteni aukraadi. 1699. aastal pöördus ta tagasi Rootsi ning astus seal armeeteenistusse ning sai rittmeistri aukraadi. Narva lahingust alates osales ta kõigis Põhjasõja lahingutes ning suri kindraladjutandi aukraadis 5. mail 1710 Dünamünde kindluses Riia all katku.
Perekond
Arend Dietrich von der Pahlen oli abielus Margareta Charlotta Wachtmeister af Björköga (abielluti 18. märtsil 1700 Stockholmis), kellega neil oli kolm poega: Gustav, Fritz ja Arend Dietrich II von der Pahlen. Esimesed kaks surid väikelastena. Tallinna jäänud abikaasa Margaretha Charlotta jõudis 1710. aastal enne seda, kui linn loovutati venelastele, põgeneda Rootsi, kaasas väike poeg, kel nagu isalgi nimeks Arend Dietrich.
Anu Hint
thumb|Anu Hint (paremal) tema loodud kleidis modelliga Tallinna Merepäevade reisisadama laval Foto: Ave Maria Mõistlik, 16. juuli 2011 Anu Hint (sündinud 8. novembril 1961) on eesti moekunstnik ja õppejõud.
Ta õppis aastatel 1968–1973 Tallinna 34. 8-klassilises Koolis ja aastatel 1973–1979 Tallinna 46. Keskkoolis. Aastatel 1980–1985 õppis ta ERKI-s moeeriala.
Ta disainis rõivad filmi "Need vanad armastuskirjad" jaoks.
Rahvusvaheline konverents, teaduslik konverents
"Rahvusvaheline konverents, teaduslik konverents" on 2009. aastast Tartus igal aastal toimuv üritus, mis ühendab teadust ja kunsti.
Konverentsi ettekanded peavad kas: 1) olema kunsti ja teaduse piiripealsed, 2) esitlema kunsti teadusliku konverentsi formaadis, 3) töötlema teadust või teaduslikku esitust nii, et see väljuks tead(v)use piirest või 4) esitlema teadlaste erakordseid ideid, millega nad tavapärases formaadis ja kanalites välja tulla ei taha, ei julge või ei saa.
Neljas "Rahvusvaheline konverents, teaduslik konverents" toimus 30. novembril 2012 Tartu Ülikooli raamatukogus. Ettekannete seas olid Taavi Noveki "Experimental study of sleep", Vahur Murase "Minu laulu lipp", Meelis Kaldalu "Manywelt in semiolysis: living pass the edge and behind", Rasmus Rebase "Näopoolte väljenduslik asümmeetria: inaktiivse kulmu juhtum", T. Tee, L. Luu ja R. Kreatiivi "Kuidas särada põhja-hääbu valguses?" ning Erkki Luugi "Uued meetodid teaduse efektiivsuse tõestamise meetodid". Konverentsi kanti üle Tartu Ülikooli kodulehel UTTV-s.
Konverentside põhiorganisaatorid on olnud Kaisa Eiche ja Erkki Luuk.
Rumejki
Rumejki on küla Poolas Podlaasia vojevoodkonnas Białystoki maakonnas Juchnowiec Kościelny vallas. Rumejki asub Białystoki kesklinnast ligi 12 km lõunas.
Erich Apel
pisi|Erich Apel (1963) Erich Hans Apel (3. oktoober 1917 Judenbach, Tüüringi – 3. detsember 1965 Ida-Berliin) oli Saksa DV riigitegelane.
Erich Apel oli pärit töölisperekonnast. Rahvakooli lõpetamise järel õppis ta aastatel 1932–1935 tööriistavalmistajaks. 1939. aastal lõpetas ta Ilmenau insenerikooli masinaehitusinsenerina.
1939. aastal mobiliseeriti Erich Apel Wehrmachti. Ta teenis aega Peenemünde raketibaasis. Ajateenistusest vabanemise järel töötas ta samas insenerina ja alates 1943. aastast arendusosakonna juhatajana. Teise maailmasõja lõppemise järel töötas Erich Apel Bleicherodes Nõukogude Tehnilises Komisjonis õpetajana ja insenerina. 1946. aastal astus ta Saksamaa Sotsiaaldemokraatlikku Parteisse. 1946. aastal viidi Apel saksa raketitehnika hea tundjana Nõukogude Liitu, kus ta töötas kuni 1952. aastani raketitehnika väljaarendamise alal. Samaaegselt jätkas ta tehnikahariduse omandamist. 1953–1955 oli ta Saksa DV masinaehitusministri asetäitja. 1955–1958 oli Erich Apel Saksa DV raskemasinaehituse minister. 1957. aastal astus ta Saksamaa Sotsialistlikku Ühtsusparteisse. 1958. aastal sai Apel Saksamaa Sotsialistliku Ühtsuspartei Keskkomitee Poliitbüroo majanduskomisjoni juhatajaks ja Rahvakoja (parlamendi) majanduskomisjoni esimeheks. 1960. aasta juunis kaitses ta doktorikraadi majandusteaduste alal, sama aasta juulis sai ta Saksamaa Sotsialistliku Ühtsuspartei Keskkomitee liikmeks. Alates 1962. aastast oli ta Saksamaa Sotsialistliku Ühtsuspartei Keskkomitee Poliitbüroo liikmekandidaat. 1963. aastal sai Erich Apel Saksa DV Ministrite Nõukogu aseesimeheks ja Riikliku Plaanikomisjoni esimeheks. 1965. aasta septembris toimunud Saksa DV ja Nõukogude Liidu vahelise kaubanduskokkuleppe eelläbirääkimistel nõudis Apel Saksa DV majandusele suuremat sõltumatust Nõukogude Liidust. Sama aasta novembris toimunud läbirääkimistel ei nõustunud ta Nõukogude Liidu poolt nõutud kaubanduslepinguga, kuna tema meelest tähendanuks see Saksa DV diskrimineerimist. 3. detsembril 1965 laskis Erich Apel ennast teenistusrelvast maha. Veel samal päeval kirjutas Alfred Neumann alla Saksa DV ja Nõukogude Liidu kaubanduslepingule.
Ain Soidla
Ain Soidla (26. september 1940 – 15. oktoober 2018) oli Eesti NSV partei- ja riigitegelane ja eesti pangandustegelane.
Ta lõpetas 1960. aastal Kingissepa Keskkooli. Aastatel 1973–1976 õppis NLKP Keskkomitee juures asuvas Ühiskonnateaduste Akadeemias ja sai filosoofiakandidaadi kraadi.
1960. aastast töötas ta Kingissepa Kalakombinaadis kehakultuurimetoodikuna, seejärel teenis Nõukogude armees.
Tegevus NLKP-s ja Nõukogude võimuasutustes
Pärast Eesti iseseisvuse taastamist suundus ta pangandusse ning alates 2004. aastast oli ta Eesti Krediidipanga nõukogu esimees.
ABB AS
ABB AS on energeetika ja automaatikaga tegelev Eesti aktsiaselts. ABB AS kuulub ettevõttele ABB. Ettevõtte peakontor asub Harju maakonnas Jüril.
Aasta 2021 seisuga asus Jüris kolm tehast: ühes toodetakse mootoreid ja generaatoreid, teises sagedusmuundureid ning kolmandas elektrijaotusseadmeid. Aga augustis sai teada, et aasta lõpuks otsustati elektrijaotusseadmete tootmisüksuse sulgeda ja umbes sada töötajat koondada.
Ettevõte asutati 31. detsembril 1991.
Seisuga 2016 töötas ettevõttes umbes 1500 inimest, 2019. aastal 1296 inimest, 2020. aastal 1184 inimest.
2008 pälvis ettevõte aasta ettevõtte aunimetuse. Mitmel aastal on saadud aasta investori aunimetus.
2019. aastal oli käive 158,2 mln. eurot
Nafta- ja gaasikaev
Nafta- ja gaasikaev on mõiste kaevu kohta, mida puuritakse või mis on maapinnalt või merepõhjast puuritud, et toota naftat ja gaasi. Tavaliselt toodetakse paralleelselt naftaga ka naftagaasi. Kaevu, mis on ette nähtud peamiselt või ainult gaasi tootmiseks, nimetatakse gaasikaevuks.
Kaevu puurimine ja valmimine
Kaevu liigid
Nafta- ja gaasikaevusid saab liigitada eesmärgi järgi:
Stratosfäär
Stratosfäär on atmosfäärikiht tropopausist kõrgemal. Ta paikneb kõrgusel 13–45 (10–50 ) km.
Stratosfääri alaosas (kuni 20 km) on õhutemperatuur konstantne, ülaosas (kuni 40 km) tõuseb kuni stratopausi alapiirini vahemikus −56,5 kuni 0,8 °С. Sellega seoses puudub stratosfääris konvektsioon, aga esineb inversioon. Stratosfääri kohal paikneb stratopaus – üleminekukiht, mis ulatub kõrguseni 55 km. Stratopausis õhutemperatuur kõrgusest ei olene ning ta on stratosfääri ja mesosfääri piiriks. Stratosfäär sisaldab umbes 90% atmosfääri osoonist (kõrgusvahemikus 15–20 kuni 55–60 km), mis on peamine stratosfääri soojusrežiimi kujundaja ja mis määrab elu ülemise piiri biosfääris. Kõrgusega kasvab osooni kontsentratsioon ja sellega kaasneb õhutemperatuuri kasv. Stratosfääri õhu soojenemise põhjuseks on ultraviolettkiirguse (kiirguse lainepikkuste vahemikus 180–200 nm) neeldumine osooni molekulides.
Kõrgusel 20–30 km on osooni kontsentratsioon maksimaalne (umbes 10 ppmv võrreldes 0,04 ppmv troposfääris ) ja seal paikneb nn osoonikiht. Osooni jaotust mõjutavad oluliselt meteoroloogilised tingimused ja geograafiline laius. Enamik osoonist tekib ja laguneb troopikas stratosfääri ülemises osas, aga dissotsieerub stratosfääri alumises osas ja suurematel laiuskraadidel, kui ta tekib. Osooni lagundajad on vabad radikaalid, lämmastikmonooksiid (NO) ja halogeeniühendid (sealhulgas freoonid)
Veeaur stratosfääris peaaegu puudub, selle kontsentratsioon on väga väike.
Itaalia katepanikion
Itaalia katepanikion (kreeka keeles κατεπανίκιον Ἰταλίας) oli Bütsantsi provints (965–1071) Lõuna-Itaalias, kuhu kuulus Itaalia mandriosa lõuna pool joont, mis tõmmatud Monte Garganost Salerno laheni. Amalfi ja Napoli, kuigi asusid põhja pool seda joont, olid Konstantinoopolile katepano kaudu truud. Itaalia piirkonna Capitanata nimi tuleneb sellest.
Ajalugu
Ravenna eksarhaadi vallutamise järel ja viimase Ravenna eksarhi Eutychius tapmise järel langobardide poolt aastal 751., korraldati Ravenna eksarhaat ümber Itaalia katepanikioniks peakorteriga Baris, mis kaotati aastal 847 saratseenidele ja taastati aastal 871.
Aastal 873 võtsid bütsantslased Bari saratseenidelt tagasi. Juba eksisteeriva Calabria teema kõrvale moodustati Apuulia piirkonnas Bari ümbruses uus Bütsantsi teema Lagoubardia. Kui Sitsiilia 9. sajandil araablaste poolt vallutati, ülendati riismed Calabria ja Langubardia teemadeks. Istria ühendati Dalmaatsiaga. Umbes aastal 965 ülendati Bari strategos (tänapäeva mõistes "kindral") Itaalia katepanoks, tavaliselt patrikiose auastmes. Tiitel katepano tähendab kreeka keeles "kõrgeim". pisi|300px|Itaalia katepanikioni ligikaudne territoriaalne ulatus 11. sajandi algul. Keskaegsete kreeka nimede kõrval on antud tänapäevased (inglispärased) linnanimed. pisi|300px|[[Bütsantsi keisririik aastal 1025]] Mõned normanni seiklejad laenasid aastal 1017 palverännakul Monte Sant'Angelo sul Garganosse oma mõõku Apuulia langobardi linnadele bütsantslaste vastu. Aastatel 1016–1030 olid normannid puhtalt palgasõdurid, kes teenisid kas bütsantslasi või langobarde, ja siis paigutas Napoli Sergio IV aastal 1030 nende juhi Rainulf Drengot' Aversa kindlusse, andis neile esimese pied-à-terre ja nad alustasid maa organiseeritud vallutamist. Aastal 1030 saabusid Normandiast Cotentini väikeaadliku Tancrède de Hauteville'i kaks vanemat poega Hauteville Guillaume'i ja Drogoni. Need kaks ühinesid organiseeritud püüdlusega võtta Apuulia bütsantslastelt ära, kes aastaks 1040 kaotasid enamuse sellest provintsist. Bari vallutati normannide poolt aprillis 1071 ja bütsantslased aeti lõpuks Lõuna-Itaaliast välja. Nad tulid lühidalt tagasi, piirates Barit aastal 1156.
Tiitel Apuulia ja Campania katepano taastati lühidalt aastal 1166 regent-kuninganna Margarita de Navarra nõo Gilberti jaoks. Aastal 1167 surus Gilbert katepano võimutäiusega Saksa väed Campaniast välja ja sundis Friedrich I Barbarossa alustama Ancona piiramist.
, Apuulia ja Calabria hertsogkond, Sitsiilia krahvkond, Sitsiilia kuningriik
Viktor Johanson
Viktor Johanson (11. mai 1880 ukj Tallinn – märts 1945 Berliin) oli eesti õigusteadlane ja vandeadvokaat. pisi|Viktor Johanson, u 1898 Lõpetas 1898 kuldaurahaga Tallinna Nikolai Gümnaasiumi. Astus samal aastal Tartu Ülikooli meditsiiniteaduskonda. Palus üleviimist õigusteaduskonda, mille lõpetas 1903 esimese järgu diplomiga. 1902 võitis kuldmedali auhinnatöö "Võim ja õigus" eest.
Karjäär
1909–1940 vandeadvokaat Tallinnas. 1919 Eesti Advokatuuri asutajaliige. 1925–1937 Vannutatud Advokaatide Nõukogu abiesimees. 1938 valiti Advokatuuri nõukogu liikmeks ja alates 1939 oli Advokatuuri nõukogu laekahoidja.
Isiklikku
Ema Adelheid Natalie Christine Johanson (sündinud Jakobson), isa sepp-meister Karl August Johanson.
Susi (raamatukogukoer)
pisi|Lugemiskoer Susi 3. aprillil 2014 [[Eesti Rahvusraamatukogus kirjandusfoorumil "Kas laps loeb?"]] Susi on Alaska malamuudi tõugu koer, kes käib Maarja Taliga Tallinna Keskraamatukogu eestikeelse kirjanduse osakonna laste- ja noorteteeninduses laste ettelugemisharjutusi kuulamas.
Leonid Lavrov
Leonid Nikolajevitš Lavrov (4/16. aprill 1882 Oudova maakond – 10. mai 1954 Karaganda vangilaager) oli Eesti õigeusu vaimulik.
Tema isa oli ülempreester Nikolai Lavrov (surnud 1924).
Ta tuli Eestisse 1919. aastal, pühitsetud preestriks ja diakoniks 1939 metropoliit Aleksandri poolt. Abipreester Narva Issandamuutmise koguduses 1939, preester Varnja Issanda templisseviimise koguduses 1939–1941, preester Tallinna Kopli Nikolai koguduses 1941–1944.
Nõukogude Liidu okupatsioonivõimud arreteerisid ta 31. oktoobril 1944 Tallinnas. 15. märtsil 1945 määrati talle § 58-3 alusel 10+3 aastane karistus, süüdistatuna koostöös sakslaste poolt seatud metropoliit Aleksandriga, nõukogudevastases agitatsioonis ja valetamises kommunistide ja Vene õigeusu kiriku kohta.
Pääsukärbes
Pääsukärbes (Stenepteryx hirundinis) on kahetiivaliste seltsi kuuluv putukaliik.
Putukat on ka Eestis.
DEM-kõrgusmudel
pisi|Digitaalne kõrgusmudel [[Marss|Marsi kohta]] Digitaalne kõrgusmudel ehk DEM-kõrgusmudel (inglise keeles digital elevation model) on kõrgusandmetest koosnev Maa kujutis. Kõrgusmudelitega iseloomustatakse tavaliselt maa, kuid harvem ka teiste taevakehade pinda.
DEM on TIN-ga sarnane kõrgusmudel, omades samu lähteandmeid, kuid ülesehituse loogikalt ning kasutusviisidelt on nad erinevad.
DEM, DSM või DTM
pisi|DEM / DTM ja DSM Teaduslikus keeles on digitaalse kõrgusmudeli kohta kasutusel kolm sarnast väljendit: Digitaalne kõrgusmudel – DEM (ingl k digital elevation model), Digitaalne maastikumudel – DTM (ingl k digital terrain model) ja Digitaalne pinnamudel – DSM (ingl k digital surface model).
DEM-i ülesehitus
DEM esitatakse tavaliselt rasterkujutisena ning seda nimetatakse sageli kõrguskaardiks. DEM on rasterkujutisena võrkmudel ehk korrapärane võrgustik. Looduse keerukuse tõttu pole võimalik teha korrapäraseid mõõdistusi ning seetõttu on kõrgusmudel interpoleeritud kujutis. Interpolatsioon käesolevas teemas tähendab kõrgupunktide vahepealsete väärtuste leidmist mõõdistatud punktide järgi. Mõõdistatud maastiku kõrguspunktide väärtused asuvad tavaliselt võrgustiku silmades. Interpoleerimismeetodite kasutamise tõttu peab kõrgusmudelites arvestama võimaliku müraga.
Andmete kogumine
Kõrgusmudeli koostamiseks on vaja mõõdistada x, y (geograafilised koordinaadid) ja z (kõrgus) väärtustega maapinna punkte. Andmed kogutakse tavaliselt kaugseires laialt kasutusel oleva LIDAR (Laser Identification Detection and Ranging) laser-seadmega lennukitelt või interferomeetriliste radaritega satelliitidelt. Õhust mõõdistatakse suur hulk maapinna punkte ehk punktipilv.
Kõrgusmudelite koostamiseks kasutatakse oluliselt vähem maapinnalt mõõdistamist. Sellist meetodit on teadaolevalt kasutatud kaevanduskarjääride mudelite koostamisel. Samuti on kasutatud detailsete kõrgusmudelite koostamisel algandmete digitaliseerimist topograafilistelt kaartidelt alade kohta, kus kõrgusandmete mõõdistamine on raskendatud või seda pole veel läbi viidud.
Kaugseire
Kõrguspunktide mõõdistamiseks kasutatakse järgnevaid kaugseire meetodeid:
Satelliitidelt mõõdistamine
Satelliitidelt saadud kõrgusandmed ning nende alusel koostatud kõrgusmudelid on väiksema lahutusega ehk resolutsiooniga ning seetõttu ei sobi detailseteks reljeefianalüüsideks. Kõrgusandmete mõõdistamiseks kasutatakse interferomeetrilist radarit. Satelliitidelt radarmõõdistamise eelis on saada ülevaatlikke kõrgusandmeid suurte alade kohta väga kiiresti. Satelliitidega mõõdistatud kõrgusmudelite võrgu ehk rastri suurus ulatub tavaliselt kuni 50 meetrini. Suurema võrguga ehk rastri suurusega reljeefimudelit saab täpsemast mudelist alati interpoleerida. Alates 2014. aastast on planeeritud avaldada kuni 12 m võrgu suurusega globaalne kõrgusmudel, mille on koostanud TerraSAR-X ja TanDEM-X satelliidid.
Esimeseks satelliidiks, mis suutis koguda praktilise väärtusega kõrgusandmeid, oli SPOT 1 1986. aastal. Hiljem on kõrgusandmeid kogunud järgmised tehiskaaslased: European Remote-Sensing Satellite (ERS), Shuttle Radar Topography Mission ja Terra.
Lennukitelt mõõdistamine
Lennukitelt aerofotografeerimise käigus kogutud kõrgusandmed on detailsemad, sest madalam lennukõrgus võimaldab mõõdistada suurema tihedusega punkte.
Tänapäeva tehnoloogia võimaldab kõrgusandmeid mõõdistada ka mehitama lennukitega. Täpsete kõrgusandmete kogumiseks peab mõõdistamisi teostaval õhusõidukil olema kindlasti GPS seade (ingl k Global Positioning System), IMU seade (ingl k Internal Measurement Unit) ja kõrgtäpne kell. Kõrgusandmete salvestamiseks on vaja arvutit ja andmekandjat.
Eestis on kõrgusandmete mõõdistamisi lennukitelt teostatud kaardistusotstarbel 2400 m ja 1500 m kõrgusel (tiheasustusega aladel). Alates 2008. aastast on Maa-amet süstemaatiliselt mõõdistanud kõrgusandmeid Eesti kohta ning koostanud kõrgusmudeleid. Ühildamise tulemus põhikaardiga on kättesaadav reljeefimudelina Maa-ameti kodulehel X-Gis rakendusena.
Eesti Maa-ameti kasutuses oleva LIDAR seadmega ALS50-II tehtud mõõdistused 2400 m kõrgusel on tihedusega 0,45 punkti ühe ruutmeetri kohta. Sellise täpsusega mõõdistamise tulemusena saab olla kahe kõrvuti asetseva punkti vahe maksimaalselt 2,6 meetrit. Olenevalt mõõdistatava ala reljeefist ja seal esinevatest objektidest võib, kasutades nimetatud LIDAR seadet, ühel ruutkilomeetril olla maksimaalselt 1,4 miljonit kõrguspunkti.
Andmete interpoleerimine kõrgusmudeliks
Klassifitseeritud toorandmed tuleb töödelda edasiseks töötluseks vastavasse formaati. Levinud on LAS andmete esmane töötlemine vabavaralise tarkvaraga LAStools. Töödeldud andmed on vastuvõetavad ja edasi kasutatavad erinevates kartograafia ja geoinfosüsteemide tarkvarades nagu näiteks: ArcMap ja QuantumGIS. Kõrguspunktidest rasterkaardi ehk DEM-i koostamiseks tuleb kasutada, vastavalt tehtava töö eripärale, interpolatsiooni.''' Interpoleerimismeetodi valikul on määrav tähtsus DEM kujutise tulemuse koostamisel ja selle alusel järgneva analüüsi tegemisel. Levinuimad interpoleerimise meetodid on järgmised:'''
Belorussija (laevaklass)
Belorussija-klassi laevad on neljatekilised parvlaevad, mis ehitati aastail 1975–1976 Oy Wärtsilä Ab laevatehases Turus Soomes NSV Liidu tellimusel Musta Mere Merelaevanduse (vene keeles Черноморское морское пароходство) jaoks. Belorussija-klassi alused on tuntud ka projekt R-1765 nime all. Viit laeva kasutati parvlaevadena sõiduks Musta mere sadamate vahet. 1980. aastail ehitati parvlaevad ümber ristluslaevadeks.
Projekti R-1765 laevad
Laevade loetelus on esialgne nimi originaal- ja eesti keeles. Hilisemad ümbernimetamised on sulgudes kronoloogilises järjekorras:
Projekti R-1765 reisilaevad:
Ülevaade
Belorussija-klassi laevad
Proserpine (maal)
„Proserpine“ on inglise kunstniku ja luuletaja Dante Gabriel Rossetti õlimaal lõuendil.
1874. aastal valminud teosel kujutas Rossetti kreeka allilma- ja viljakusjumalannat Proserpinet. Kunstniku modelliks oli Jane Burden.
Kunstnikul valmis teosest vähemalt kaheksa versiooni.
Matt Lillipuu
Matt Lillipuu (26. veebruar (vkj)/ 9. märts 1884 Hummuli vald, Helme kihelkond, Viljandimaa – 11. november 1966 Emmaste) oli Eesti vaimulik.
Ta lõpetas 1930. aastal Tartu Ülikooli usuteaduskonna.
Ta pidas prooviaasta Laiuse koguduse juures, ordineeriti 25. märtsil 1931. Ta oli Pärnu praostkonna vikaarõpetaja aastail 1931–1934, Piirsalu koguduse õpetaja 1935–1938, Emmaste koguduse vikaarõpetaja 1938–1939, Käina koguduse asetäitja õpetaja 1941–1959, Saarte-Lääne praostkonna kirikuelu korraldaja alates 1941. aastast.