cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Каракі
Мова
Каракская мова ўваходзіць у так званую Камчацка-Чукоцкую сям’ю палеаазіяцкіх моў. Яна падзяляецца на 10 дыялектаў, прычым алютарскі дыялект часта называюць самастойнай мовай. Гутарковая мова выкарыстоўваецца каракамі ў асноўным у гаспадарчай дзейнасці. Напрыклад, у аленегадоўлі. У 1931 г. з’явілася літаратурная каракская мова на аснове чаўчувенскага дыялекту і лацінскай графікі. У 1937 г. яна была пераведзена на кірыліцу. На ёй друкуюцца падручнікі, дзіцячыя кнігі. Часам змяшчаліся артыкулы ў акруговай газеце. Большасць сучасных каракаў таксама ведае рускую мову.
Літаратура
Антропова В. В., Культура и быт коряков, Л., 1971
Эверсвінкель
Эверсвінкель (Everswinkel) — камуна ў Германіі, у зямлі Паўночны Рэйн-Вестфалія. Падпарадкоўваецца адміністрацыйнай акрузе Мюнстэр. Уваходзіць у склад раёна Варэндорф. Насельніцтва — 9447 чалавек (на 31 снежня 2010 года). Плошча — 68,72 км². Афіцыйны код — 05 5 70 024.
Ян Франс ван Дувен
Ян Франс ван Дувен (нід. Jan Frans van Douven. нар. 1656 г. Рурманд — пам. 1727 г. Дзюсельдорф) — галандскі мастак-партрэтыст лейдэнскай школы.
Жыццё і творчасць
Сын святара. Пасля ранняй смерці бацькі маці адпраўляе Яна на 2 года ў Льеж, дзе ён вучыцца маляванню ў мастака Габрыеля Ламерціна, а пазней — у яго стрыечнага брата Крыстафера Путлінка (абодва гэтыя яго настаўнікі вывучалі жывапіс у Рыме).
У 1682 годзе Ян Франс ван Дувен прыязджае ў Дзюсельдорф, дзе становіцца прыдворным мастаком пфальцкага курфюрста Іагана-Вільгельма. Тут ён стварае серыю партрэтаў, у тым ліку самага курфюрста і яго другой жонкі, Ганны Марыі Луізы дэ Медычы (Сцэны з жыцця двара ў Дзюсельдорфе). Ван Дувен сыграў таксама важную ролю ў стварэнні карціннай галерэі ў Дзюсельдорфскім палацы.
Я. Ф.ван Дувен суправаджаў таксама свайго гаспадара, Іагана-Вільгельма, у яго паездцы ў Вену, і там напісаў партрэты імператара і яго жонкі, а таксама некаторых прыдворных аўстрыйскага двара.
Гарчыца чорная
Гарчы́ца чорная (Brassica nigra) — від кветкавых раслін роду сямейства.
Батанічнае апісанне
Аднагадовая травяністая расліна вышынёй 0,5—1,5 м. Сцябло прамое, галінастае, злёгку валасістае ў ніжняй частцы. Лісце простае, чаргаванае, на чаранках. Ніжняе лісце лірападобна-лопасцевай формы, апушанае. Кветкі дробныя, з чатырма пялёсткамі, светла-жоўтага колеру. Суквецце — рэдкая гронка. Плод — чатырохгранны бугрысты стручок даўжынёй 1—2,5 см, з кароткім тонкім носікам. Насенне круглае, чырвона-бурага колеру.
Распаўсюджанне і экалогія
Еўраазіяцкі від. Расліна паходзіць з Міжземнамор’я. Распаўсюджана пераважна на тэрыторыі Еўропы, Цэнтральнай Азіі, Паўночнай Афрыкі. Заносны від у Паўночнай і Паўднёвай Амерыцы, Аўстраліі, Паўднёва-Усходняй Азіі.
У здзічэлым стане расце каля жылля, дарог, у далінах рэк, як пустазелле на палях. Цвіце ў чэрвені—ліпені. Плады паспяваюць у ліпені—жніўні.
Гаспадарчае значэнне
Вырошчваецца ў культуры пераважна ў Італіі, Францыі і таксама ў Паўночнай Амерыцы. Алейная (у насенні 0,5—1,4 % эфірнага алею, і 24,5—41 % тлустага алею ), меданосная, лекавая і харчовая расліна. Маладое лісце спажываецца ў якасці прыправы, насенне — пры вырабе гарчыцы.
Беневічы (археалагічны помнік)
Беневічы — археалагічны помнік: стаянка каменнага і бронзавага вякоў на паўночна-ўсходняй ускраіне вёскі Беневічы (Лідскі раён, Гродзенская вобласць), на выступе паміж правым берагам р. Нёман і поймай р. Дзітва, ва ўрочышчы Бор.
Плошча каля 400 м². Абследавалі ў 1957 годзе Н. М. Гурына і Ф. Д. Гурэвіч, у 1961 годзе Н. М. Гурына даследавала 50 м². Культурны пласт да 0,8 м.
Выяўлены рэшткі вогнішча, невялікая яма з вохрай, крамянёвы інвентар фінальнага палеаліту (свідэрская культура) і мезаліту (лістападобныя наканечнікі стрэл, ланцэтападобныя яніславіцкія вастрыі, трапецыі, двухпляцовачныя празматычныя нуклеусы), неаліту (трохвугольныя наканечнікі стрэл, авальнавыцягнутыя рубячыя прылады, скрабкі на адшчэпах), абломкі гліняных арнаментаваных гаршкоў прыпяцка-нёманскай культуры і нёманскай культуры. Знойдзены шліфаваныя крамянёвыя сякеры і абломкі посуду культуры шнуравой керамікі канца неаліту і ранняга бронзавага веку.
Юрыў
Юрыў (Ю́рів) — вёска ў Макарыўскім раёне Кіеўскай вобласці Украіны.
Ныжча Крапыўна
Ныжча Крапыўна (Нижча Кропи́вна) — вёска ў Нэмірыўскім раёне Вінніцкай вобласці Украіны. Уваходзіць у склад Райгарадской вясковай абшчыны.
Рокафарцата
Рокафарцата (Roccaforzata) — камуна ў Італіі, размяшчаецца ў рэгіёне Апулія, падпарадкоўваецца адміністрацыйнаму цэнтру Таранта.
Насельніцтва складае 1815 чалавек (2008 г.), шчыльнасць насельніцтва складае 350 чал./км². Займае плошчу 5 км². Паштовы індэкс — 74020. Тэлефонны код — 099.
Багаціўка (Крым)
Багаціўка (Багатівка) — вёска ў Судаку (Аўтаномная Рэспубліка Крым, Украіна). Падпарадкоўваецца Сонечнадалінскаму сельскаму савету.
Рокафарцата
Заступнікам населенага пункта лічыцца святы Madonna della Camera, S.Elia.
Дэмаграфія
Дынаміка насельніцтва:
Ілья Валянцінавіч Руцкі
Ілья Руцкі (нар., ) — беларускі футбаліст, абаронца мазырскай «Славіі».
Клубная кар’ера
Выхаванец брэсцкай СДЮШАР-3 «Дынама», з восені 2015 года далучыўся да бабруйскай «Белшыны», дзе выступаў за юнацкія каманды. У 2017 годзе пачаў гуляць за асноўную каманду клуба ў Першай лізе. У красавіку 2018 года падпісаў першы прафесійны кантракт з «Белшынай». У сезоне 2018 замацаваўся ў стартавым складзе каманды, на наступны год дапамог ёй вярнуцца ў Вышэйшую лігу. Да сезона 2020 рыхтаваўся з «Белшынай», аднак у сакавіку 2020 года далучыўся да рэчыцкага «Спадарожніка», дзе таксама неўзабаве стаў іграком асновы. Пакінуў каманду па заканчэні арэнды ў снежні 2020 года.
У студзені 2021 года адправіўся на прагляд у мазырскую «Славію» і ў сакавіку падпісаў кантракт. Дэбютаваў у Вышэйшай лізе 12 сакавіка 2021 года, адгуляўшы ўсе 90 хвілін у матчы першага тура супраць «Іслачы» (0:1).
Галакціён Васілевіч Табідзэ
Галакціён Васілевіч Табідзэ (გალაკტიონ ტაბიძე; 6 (18) лістапада 1892 - 17 сакавіка 1959) — грузінскі. Народны паэт Грузінскай ССР (1933). Акадэмік Акадэміі навук Грузінскай ССР (1944).
Біяграфія
Нарадзіўся 6 (18 лістапада) 1892 у вёсцы Чквішы недалёка ад горада Кутаісі (цяпер Ванскі муніцыпалітэт, Грузія) у сям'і сельскага настаўніка, а таксама святара. З 1908 года ён вучыўся ў Тбіліскай духоўнай семінарыі.
Пачаў друкавацца з 1908 года. У 1914 годзе апублікаваў першы зборнік вершаў. Наведваў Маскву ў 1915 годзе і канцы 1916 года, дзе пазнаёміўся з А. А. Блокам, В. Я. Брусава і К. Д. Бальмант. Быў таксама ў Петраградзе. C 1916 друкаваўся ў часопісе грузінскіх сімвалістаў «Блакітныя рогі».
У 1915 годзе ажаніўся з А. С. Акуджава, сястрой савецкага партыйнага дзеяча Ш. С. Акуджава.
У 1919 годзе апублікаваў зборнік "Артыстычныя вершы". У 1924 годзе быў адным са стваральнікаў часопіса «Мнатобі» («Светач»).
Артур Рубінштэйн
Артур Рубінштэйн (пол. Artur Rubinstein, у іншых мовах звычайна імя пішацца як Arthur; 28 студзеня 1887, Лодзь - 20 снежня 1982, Жэнева) — выбітны польскі і амерыканскі піяніст і музычна-грамадскі дзеяч яўрэйскага паходжання.
Творчасць
Творчая спадчына Рубінштэйна велізарная - у яго рэпертуар ўваходзілі сачыненні ад І. С. Баха да кампазітараў першай паловы XX стагоддзя, аднак найбольшую вядомасць яму прынесла выкананне музыкі эпохі рамантызму, у прыватнасці, Фрыдэрыка Шапена, лепшым выканаўцам твораў якога шматлікія музыкі лічаць менавіта Рубінштэйна. Яго выкананне адрозніваецца пранікнёным лірызмам і тонкай фразіроўкай, экспрэсіўнасцю і багатай гамай адценняў гучання.
IC 2986
IC 2986 — галактыка тыпу SB0 (кампактная выцягнутая галактыка) ў сузор’і Вялікая Мядзведзіца.
Гэты аб’ект знаходзіцца ў арыгінальнай рэдакцыі індэкснага каталога.
Юрыўка (Макарыўскі раён)
Юрыўка (Ю́рівка) — вёска ў Макарыўскім раёне Кіеўскай вобласці Украіны.
Праблемы рэгіянальнай экалогіі
«Праблемы рэгіянальнай экалогіі» («Проблемы региональной экологии»), расійскі грамадска-навуковы часопіс, які ажыццяўляе инфармацыйнае, навуковае і прыкладнае асвятленне прац у вобласці экалогіі, землеўладкавання і прыродакарыстання на розных узроўнях.
Выдаецца з 1995 года. Галоўны рэдактар доктар геаграфічных навук Б. І. Кочураў (Інстытут геаграфіі РАН). У часопісе публікуецца экалагічна арыентаваная рэклама, экалагічныя партрэты прадпрыемстваў, а таксама досвед укаранення экалагічнай палітыкі. Часопіс асвятляе праблемы і дасягненні рэгіёнаў Расіі ў вобласці прыродакарыстання і аховы навакольнага асяроддзя. Выходзіць 6 раз у год. Уваходзіць у спіс навуковых журналаў ВАК Расіі.
NGC 984
Гэты аб’ект уваходзіць у лік пералічаных у арыгінальнай рэдакцыі новага агульнага каталога.
Остбеверн
Остбеверн (Ostbevern) — камуна ў Германіі, у зямлі Паўночны Рэйн-Вестфалія. Падпарадкоўваецца адміністрацыйнай акрузе Мюнстэр. Уваходзіць у склад раёна Варэндорф. Насельніцтва — чалавек (на 31 снежня 2010 года). Плошча — 89,65 км².
Пэтрыкіўскі раён
Пэтрыкіўскі раён (Петриківський район) — адміністрацыйная адзінка ў складзе Днепрапятроўскай вобласці Украіны. Адміністрацыйны цэнтр — Пэтрыкіўка (Петриківка).
Утвораны ў 1923 годзе. Насельніцтва раёна на года складае 25566 чалавек, плошча — 928 км².
Адміністрацыйны падзел
Тэрыторыя раёна адміністрацыйна складаецца з 3 пасялковых і 6 сельскіх саветаў.
Населеныя пункты
На тэрыторыі раёна размешчаны 3 пасёлкі гарадскога тыпу і 17 сёлаў.
Закозельскі сельсавет
Зако́зельскі сельсавет (Закозельский сельсовет) — адміністрацыйна-тэрытарыяльная адзінка ў складзе Драгічынскага раёна Брэсцкай вобласці Беларусі. Цэнтр — аграгарадок (да 2008 года вёска) Закозель.
Утвораны 12 кастрычніка 1940 года як Літоўскі сельсавет у складзе Драгічынскага раёна Палескай вобласці БССР. Цэнтр — вёска Літоўск. З 8 студзеня 1954 года ў Брэсцкай вобласці. 16 ліпеня 1954 года да сельсавета далучана тэрыторыя скасаванага Валавельскага сельсавета, вёска Пігановічы пералічана ў склад Першамайскага сельсавета Антопальскага раёна. 21 снежня 1970 года цэнтр перанесены ў вёску Закозель, сельсавет перайменаваны ў Закозельскі. На 1 студзеня 1974 года ў складзе Закозельскага сельсавета было 8 населеных пунктаў. 1 снежня 1975 года ў склад сельсавета з Папінскага сельсавета перададзены вёскі Вулька Радавецкая, Каралін, Карлавічы, Селішча, Сулічава, у склад Драгічынскага сельсавета перададзены вёскі Нагор’е і Пярковічы. 17 верасня 2013 года да сельсавета далучана частка скасаванага Галоўчыцкага сельсавета (вёскі Галоўчыцы, Дзятлавічы, Корсунь, Пігановічы, Толкава).
Насельніцтва сельсавета паводле перапісу 2009 года (9 населеных пунктаў) — 2098 чалавек, з іх 90,9 % — беларусы, 5,8 % — украінцы.
Панявежскі павет (Расійская імперыя)
Панявежскі павет (Поневежский уезд, Panevėžio apskritis) — адміністрацыйная адзінка Ковенскай губерні, якая існавала ў 1795—1920 гадах. Павятовы горад — Панявеж.
Гісторыя
У 1795 годзе ў складзе Віленскай губерні пасля трэці падзелу Рэчы Паспалітай быў створаны Упіцкі павет. У 1836 годзе Упіцкі павет быў перайменаваны ў Панявежскі. У 1842 годзе павет увайшоў у склад навастворанай Ковенскай губерні.
Насельніцтва
Паводле перапісу 1897 года насельніцтва павета складала 222 881 чалавек, у тым ліку ў Панявежы — 12 968 жых ., у мястэчках Біржы — 5020 чал., Посваль — 3034 968.
Адміністрацыйны падзел
У 1913 годзе ў павеце было 20 валасцей:
Свята-Успенская царква (Манькавічы)
Свята-Успенская царква — праваслаўны храм у в. Манькавічы Пастаўскага раёна Віцебскай вобласці.
Гісторыя
На паўночна-ўсходняй ускраіне вёскі. Пабудавана ў XIX ст. (да 1895) з бутавага каменю на месцы храма, які згадваецца ў 1654 годзе ў сувязі з ахвяраваннем царкве Апалоніяй Зяневіч зямель і сялян. Богаслужэнні адноўлены ў 1990-я гг. Абнесена бутавай агароджай.
Архітэктура
Помнік архітэктуры сінадальнага напрамку рэтраспектыўна-рускага стылю. Асноўны кубападобны аб’ём накрыты пакатым шатровым дахам з цыбулепадобнай галоўкай на гранёным барабане. Да яго далучаны прытвор-званіца, завершаны вежай-званіцай (васьмярык на 2 чацверыках), і паўкруглая апсіда. Арачны ўваходны праём аформлены магутным перспектыўным парталам пад 2-гранным пакрыццём. На фоне паліхромнай бутавай муроўкі сцен вылучаюцца атынкаваныя элементы архітэктурнага дэкору: аркатурныя фрызы, вуглавыя лапаткі, кілепадобныя ліштвы арачных аконных праёмаў.
Інтэр’ер
У інтэр'еры ў малітоўную залу шырокімі арачнымі прасветамі адкрываюцца прытвор і апсіда, вылучаная драўляным іканастасам.
Акхісар
Акхісар (Akhisar), горад у Турцыі, у правінцыі Маніса (Эгейскі рэгіён). 99,5 тыс. жыхароў (2009).
Сёння Акхісар дае 10% тытунёвай прадукцыі краіны, а таксама аліўкі і алей з іх.
Bhutanitis lidderdalii
Bhutanitis lidderdalii ці Armandia lidderdali — дзённы матыль сямейства. Відавая лацінская назва дадзена ў гонар Dr. Lidderdale, з асабістай калекцыі якога і быў апісаны першы экзэмпляр матыля.
Апісанне
Размах крылаў 100—116 мм. Асноўны фон крылаў цёмны. Тонкія поласы размяшчаюцца на крылах пераважна вертыкальна жоўтага колеру. Крылы медыяльна выцягнутыя, верхнія закругленыя. Ніжнія — з 3 хвосцікамі — латэральны самы доўгі, медыяльны карацейшы. У аснове хвосцікаў размяшчаецца яркая пляма. Дыстальная частка плямы афарбаваная ў жоўта-аранжавыя колеры, праксімальная — у ярка-чырвоны колер. У сярэдзіне плямы знаходзяцца 2-3 светлыя вочкі на агульным чорным фоне, у рознай ступені выяўленыя ў розных падвідаў. Ніжні бок крылаў афарбаваны ў шэры колер.
Арэал і падвіды
Номынатыўны падвід Bhutanitis lidderdalii lidderdalii жыве ў індыйскім штаце Нагаленд, у Сікіме, Бутане і на поўначы М'янмы, у Непале. Падвід Bhutanitis lidderdalii spinosa — у кітайскай правінцыі Сычуань. Падвід Bhutanitis lidderdalii ocellotomaculata — у паўночным Тайландзе. Адрозніваюцца падвіды некаторымі дэталямі малюнка крылаў.
Флэш-памяць
Флэш-памяць (flash memory) — разнавіднасць паўправадніковай тэхналогіі электрычна перапраграмуемай памяці (EEPROM). Гэтае ж слова выкарыстоўваецца ў электроннай схематэхніцы для абазначэння тэхналагічна скончаных рашэнняў пастаянных запамінальных прылад у выглядзе мікрасхем на базе гэтай паўправадніковай тэхналогіі. У побыце гэта словазлучэнне замацавалася за шырокім класам цвёрдацельных прылад захоўвання інфармацыі.
Дзякуючы кампактнасці, таннасці, механічнай трываласці, вялікаму аб’ёму, хуткасці працы і нізкага энергаспажывання, флэш-памяць шырока выкарыстоўваецца ў лічбавых партатыўных прыладах і носьбітах інфармацыі. Сур’ёзным недахопам дадзенай тэхналогіі з’яўляецца абмежаваны тэрмін эксплуатацыі носьбітаў, а таксама адчувальнасць да электрастатычнага разраду.
Гісторыя
Папярэднікамі тэхналогіі флэш-памяці можна лічыць ультрафіялетава сціраныя пастаянныя запамінальныя прылады (EPROM) і электрычна сціраныя ПЗП (EEPROM). Гэтыя прыборы таксама мелі матрыцу транзістараў з плаваючым затворам, у якіх інжэкцыя электронаў у плавае затвор («запіс») ажыццяўлялася стварэннем вялікай напружанасці электрычнага поля ў тонкім дыэлектрыку. Аднак плошча разводкі кампанентаў у матрыцы рэзка павялічвалася, калі патрабавалася стварыць поле зваротнай напружанасці для зняцця электронаў з плаваючага затвора («пры спробе ачысціць»). Таму і паўстала два класа прылад: у адным выпадку ахвяравалі ланцугамі пры спробе ачысціць, атрымліваючы памяць высокай шчыльнасці з аднаразовай запісам, а ў іншым выпадку рабілі поўнафункцыянальную прыладу з значна меншай ёмістасцю.
Адпаведна намаганні інжынераў былі накіраваны на рашэнне праблемы шчыльнасці кампаноўкі ланцугоў пры спробе ачысціць. Яны ўвянчаліся поспехам вынаходствам інжынера кампаніі Toshiba Фуджы Масуокой ў 1984 годзе. Назва «флэш» была прыдумана таксама ў Toshiba калегам Фуджы, Сёдзі Арыідзумі, бо працэс пры спробе ачысціць змесціва памяці яму нагадаў фатаўспышку (flash). Масуока прадставіў сваю распрацоўку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), якая праходзіла ў Сан-Францыска, Каліфорнія.
У 1988 годзе Intel выпусціла першы камерцыйны флэш-чып NOR-тыпу.
NAND-тыпу флэш-памяці быў анансаваны Toshiba ў 1989 годзе на International Solid-State Circuits Conference.
SLC- і MLC-прылады
Адрозніваюць прыборы, у якіх элементарная вочка захоўвае адзін біт інфармацыі і некалькі біт. У аднабітавых вочках адрозніваюць толькі два ўзроўні зараду на плаваючым затворы. Такія ячэйкі называюцца аднаўзроўневымі. У мнагабітавых ячэйках адрозніваюць больш узроўняў зарада; іх называюць шматузроўневымі. MLC-прыборы танней і больш ёмістыя, чым SLC-прыборы, аднак маюць больш высокую час доступу і прыкладна на парадак меншае максімальную колькасць перазапісаў.
Звычайна пад MLC разумеюць памяць з 4 ўзроўнямі зарада (2 біта) на кожную ячэйку. Больш танную ў пераліку на аб’ём памяць з 8 ўзроўнямі (3 біта) часцей называюць TLC або  (MLC-3). Існуюць эксперыментальныя прылады з 16 ўзроўнямі на ячэйку (4 біта), 16LC або QLC, аднак з памяншэннем тэхпрацэсу іх масавае вытворчасць малаверагодна з-за надзвычай нізкай надзейнасці захоўвання.
Да 2016 годзе шматузроўневая памяць дамінуе на рынку. Тым не менш SLC вырабы, нягледзячы на шматкроць меншую ёмістасць, працягваюць распрацоўвацца і выпускацца для асабліва адказных ужыванняў.
Аўдыёпамяць
Натуральным развіццём ідэі MLC-ячэек была думка запісаць у ячэйку аналагавы сігнал. Найбольшая прымяненне такія аналагавыя флэш-мікрасхемы атрымалі ў прайграванні адносна кароткіх гукавых фрагментаў у танных тыражуецца вырабах. Такія мікрасхемы могуць прымяняцца ў самых простых цацках, гукавых паштоўках і г. д.
NOR- і NAND-прыборы
Флэш памяць адрозніваецца метадам злучэння ячэек у масіў.
Канструкцыя NOR выкарыстоўвае класічную двухмерную матрыцу праваднікоў, у якой на скрыжаванні радкоў і слупкоў ўстаноўлена па адной ячэйцы. Пры гэтым праваднік радкоў падключаўся да сцёку транзістара, а слупкоў — да другога затвору. Выток падключаўся да агульнай для ўсіх падкладцы.
Канструкцыя NAND — трохмерны масіў. У аснове тая ж самая матрыца, што і ў NOR, але замест аднаго транзістара ў кожным скрыжаванні усталёўваецца слупок з паслядоўна ўключаных ячэек. У такой канструкцыі атрымліваецца шмат затворных ланцугоў ў адным скрыжаванні. Шчыльнасць кампаноўкі можна рэзка павялічыць (бо да адной ячэйкі ў стоўбцах падыходзіць толькі адзін праваднік затвору), аднак алгарытм доступу да ячэйках для чытання і запісы прыкметна ўскладняецца. Таксама ў кожнай лініі ўстаноўлена два МОП-транзістара. Кіраўнік транзістар разраднай лініі (bit line select transistor), размешчаны паміж калонкі вочак і разраднай лініяй. І кіраўнік транзістар зазямлення, размешчаны перад зямлёй (ground select transistor).
Тэхналогія NOR дазваляе атрымаць хуткі доступ індывідуальна да кожнай ячэйкі, аднак плошчу ячэйкі вялікая. Наадварот, NAND маюць малую плошчу ячэйкі, але адносна працяглы доступ адразу да вялікай групе ячэек. Адпаведна, адрозніваецца вобласць прымянення: NOR выкарыстоўваецца як непасрэдная памяць праграм мікрапрацэсараў і для захоўвання невялікіх дапаможных дадзеных.
Назвы NOR і NAND адбыліся ад асацыяцыі схемы ўключэння ячэек у масіў са схематэхнікай мікрасхем КМОП-логікі.
NAND часцей за ўсё ўжываецца для USB флэш-назапашвальнікаў, карт памяці, SSD. NOR у сваю чаргу ва ўбудавальных сістэмах.
Існавалі і іншыя варыянты аб’яднання ячэек у масіў, але яны не прыжыліся.
Чытанне
Для чытання падаецца станоўчы зарад на кіруючы затвор. Калі ў плаваючым затворы адсутнічае зарад, то транзістар пачне праводзіць ток. У адваротным выпадку ток паміж вытокам і сцёкам не ўзнікае. Для MLC ячэекк неабходна вырабіць некалькі вымярэнняў.
NOR
Для чытання пэўнай ячэйкі памяці неабходна падаць на яе кіруючы затвор прамежкавы ток (дастатковы для праводнасці транзістара толькі пры адсутнасці зарада ў плавючым затворы). На астатнія вочкі ў лініі варта падаць мінімальны ток для выключэння праводнасці гэтых ячэекк. Калі ў цікавіць нас вочку адсутнічае зарад, то паўстане ток паміж разраднай лініяй (bit line) і зямлёй.
NAND
У дадзенай кампаноўцы таксама падаецца прамежкавы ток на кіруючы затвор пэўнай ячэйкі. На астатнія кіраўнікі замыканняў на лініі падаецца павышаная напружанне, каб яны гарантавана праводзілі ток. Такім чынам, паўстане ток паміж зямлёй і лініяй, калі ў ячэйке, якая цікавіць нас адсутнічае зарад.
Запіс
Для запісу зарады павінны патрапіць у плаваючы затвор, аднак ён ізаляваны пластом аксіду. Для перанясення зарадаў можа выкарыстоўвацца эфект тунэлявання. Для разраду неабходна падаць вялікі станоўчы зарад на кіруючы затвор: адмоўны зарад з дапамогай тунэльнага эфекту пакіне плаваючы затвор. І наадварот, для зарада плаваючага затвору неабходна падаць вялікі адмоўны зарад.
Таксама запіс можа быць рэалізаваная з дапамогай інжэкцыі гарачых носьбітаў. Пры праходжанні току паміж вытокам і сцёкам павышанага напружання электроны могуць пераадольваць пласт аксіду і заставацца ў плаваючым затворы. Пры гэтым неабходна, каб на кіруючым затворы прысутнічаў станоўчы зарад, які ствараў бы патэнцыял для інжэкцыі.
У MLC для запісу розных значэнняў выкарыстоўваюцца розныя напружання і час падачы.
Кожны запіс наносіць невялікі ўрон аксіднаму пласту, таму лік запісаў абмежаваны.
Запіс у NOR і NAND кампаноўцы складаецца з двух стадый: спачатку ўсе транзістары ў лініі ўсталёўваюцца ў 1 (адсутнасць зарада), затым патрэбныя ячэйкі ўсталёўваюцца ў 0.
На першай стадыі ачыстка ячэек адбываецца з дапамогай тунэльнага эфекту: на ўсе кіраўнікі замкі падаецца моцнае напружанне. Для ўстаноўкі канкрэтнай ячэйкі ў 0 выкарыстоўваецца інжэкцыя гарачых носьбітаў. На разрадную лінію падаецца вялікае напружанне. Другім важным умовай гэтага эфекту з’яўляецца наяўнасць станоўчых зарадаў на кіруючым затворы. Станоўчае напружанне падаецца толькі на некаторыя транзістары, на астатнія транзістары падаецца адмоўнае напружанне. Такім чынам нуль запісваецца толькі ў ячэйкі, якія цікавяць нас.
Першая стадыя ў NAND аналагічная NOR. Для ўстаноўкі нуля ў ячэйку выкарыстоўваецца тунэльны эфект, у адрозненне ад NOR. На кіруючыя затворы, якія цікавяць нас падаецца вялікае адмоўнае напружанне.
3D NAND
Такая вертыкальная структура апынулася вельмі ўдалая і забяспечыла якасны рывок шчыльнасці флэш-памяці. Некаторыя кампаніі прасоўваюць тэхналогію пад сваімі гандлёвымі маркамі, напрыклад V-NAND, BiCS. На 2016 год колькасць слаёў топавых вырабаў дасягнула 64-х.
Многакрыстальныя мікрасхемы
Для эканоміі месца ў адну мікрасхему флэш-памяці можа пакаваць некалькі паўправадніковых пласцін (крышталяў), да 16 штук.
Тэхналагічныя абмежаванні
Запіс і чытанне ячэек адрозніваюцца ў энергаспажыванні: прылады флэш-памяці спажываюць вялікі ток пры запісу для фарміравання высокіх напружанняў, тады як пры чытанні выдаткі энергіі адносна малыя.
Рэсурс запісу
Змена зарада спалучана з назапашваннем незваротных зменаў у структуры і таму колькасць запісаў для ячэйкі флэш-памяці абмежаваны. Тыповыя колькасці цыклаў сцірання-запісу складаюць ад дзясяткаў і сотняў тысяч да тысячы ці менш, у залежнасці ад тыпу памяці і тэхналагічнага працэсу. Гарантаваны рэсурс значна больш нізкі пры захоўванні некалькіх біт у ячэйку (MLC і TLC) і пры выкарыстанні тэхпрацэсаў класа «30 нм» і больш сучасных.
Адна з прычын дэградацыі — немагчымасць індывідуальна кантраляваць зарад плаваючага затвора ў кожнай ячэйке. Справа ў тым, што запіс і сціранне вырабляюцца над мноствам ячэек адначасова — гэта неад’емная ўласцівасць тэхналогіі флэш-памяці. Аўтамат запісу кантралюе дастатковасць інжэкцыі зарада па рэферэнснай ячэйке або па сярэдняй велічыні. Паступова зарад асобных ячэек рассагласуецца і ў некаторы момант выходзіць за дапушчальныя межы, якія можа скампенсаваць інжэкцыяй аўтамат запісу і ўспрыняць прылада чытання. Зразумела, што на рэсурс ўплывае ступень ідэнтычнасці ячэек. Адно з наступстваў гэтага — з памяншэннем тапалагічных нормаў паўправадніковай тэхналогіі ствараць ідэнтычныя элементы ўсё цяжэй, таму пытанне рэсурсу запісу становіцца ўсё вастрэй.
Іншая прычына — узаемная дыфузія атамаў ізалявальных і праводзяць абласцей паўправадніковай структуры, паскораная градыентам электрычнага поля ў галіне кішэні і перыядычнымі электрычнымі прабоямі ізалятара пры запісе і спробе ачысціць. Гэта прыводзіць да размывання межаў і пагаршэння якасці ізалятара, памяншэння часу захоўвання зарада.
Першапачаткова, у 2000-х гадах для 5х нм памяці такі рэсурс сціранняў складаў да 10 тыс. раз для MLC-прылад і да 100 тыс. раз для SLC-прылад, аднак з памяншэннем техпроцессов колькасць гарантаваных сціранняў зніжалася. Для 3х нм памяці (пачатак 2010-х гадоў) звычайная 2-бітная MLC гарантавала каля 3-5 тысяч, а SLC — да 50 тысяч. У 2013 асобныя мадэлі гарантавалі парадку адзінак тысяч цыклаў для MLC і менш за тысячу (некалькі сотняў) для TLC да пачатку дэградацыі.
Ідуць даследаванні эксперыментальнай тэхналогіі аднаўлення ячэйкі флэш-памяці шляхам лакальнага нагрэву ізалятара затвору да 800°С на працягу некалькіх мілісекунд.
Тэрмін захоўвання дадзеных
Спецыфічныя знешнія ўмовы, напрыклад, павышаныя тэмпературы або радыяцыйнае апрамяненне (гама-радыяцыя і часціцы высокіх энергій), могуць катастрафічна скараціць тэрмін захоўвання дадзеных.
У сучасных мікрасхем NAND пры чытанні магчыма пашкоджанне дадзеных на суседніх старонках у межах блока. Ажыццяўленне вялікай колькасці (сотні тысяч і больш) аперацый чытання без перазапісу можа паскорыць ўзнікненне памылкі.
Па дадзеных Dell, працягласць захоўвання дадзеных на SSD, адключаных ад харчавання, моцна залежыць ад колькасці мінулых цыклаў перазапісу (P/E) і ад тыпу флэш-памяці і ў горшых выпадках можа складаць 3-6 месяцаў.
Іерархічная структура
Сціранне, запіс і чытанне флэш-памяці заўсёды адбываецца адносна буйнымі блокамі рознага памеру, пры гэтым памер блока сцірання заўсёды больш, чым блок запісу, а памер блока запісу не менш, чым памер блока чытання. Уласна гэта — характэрная адметная прыкмета флэш-памяці па адносінах да класічнай памяці EEPROM.
Як следства — усё мікрасхемы флэш-памяці маюць ярка выяўленую іерархічную структуру. Памяць разбіваецца на блокі, блокі складаюцца з сектараў, сектары з старонак. У залежнасці ад прызначэння канкрэтнай мікрасхемы глыбіня іерархіі і памер элементаў можа змяняцца.
Напрыклад, NAND-мікрасхема можа мець памер сціраемага блока ў сотні кбайт, памер старонкі запісу і чытання — 4 кбайт. Для NOR-мікрасхем памер сціраемага блока вар’іруецца ад адзінак да сотняў кбайт, памер сектара запісу — да сотняў байт, старонкі чытання — адзінкі—дзясяткі байт.
Хуткасць чытання і запісу
Хуткасць пры сціранні вар’іруецца ад адзінак да сотняў мілісекунд у залежнасці ад памеру сціраемага блока. Хуткасць запісу — дзясяткі-сотні мікрасекунд.
Звычайна хуткасць чытання для NOR-мікрасхем нармуецца ў дзясяткі нанасекунд. Для NAND-мікрасхем хуткасць чытання складае дзясяткі мікрасекунд.
Тэхналагічнае маштабаванне
З-за сваёй высокарэгулярнай структуры і высокага попыту на вялікія аб'ёмы тэхпрацэс пры вырабе флэш-памяці NAND памяншаецца больш хутка, чым для менш рэгулярнай DRAM-памяці і амаль нерэгулярнай логікі (ASIC). Высокая канкурэнцыя паміж некалькімі вядучымі вытворцамі толькі паскарае гэты працэс. У варыянце закона Мура для лагічных мікрасхем падваенне колькасці транзістараў на адзінку плошчы адбываецца за тры гады, тады як NAND-флэш паказвала падваенне за два гады. У 2012 годзе 19 нм тэхпрацэс быў асвоены сумесным прадпрыемствам Toshiba і SanDisk. У лістападзе 2012 года Samsung таксама пачала вытворчасць па тэхпрацэсу 19 нм (актыўна выкарыстоўваючы ў маркетынгавых матэрыялах фразу «10нм-клас», абазначаўшую нейкі працэс з дыяпазону 10-19 нм). Памяншэнне тэхпрацэсу дазваляла хутка нарошчваць аб’ёмы чыпаў памяці NAND-флэш. У 2000 годзе флэш-памяць па тэхналогіі 180 нм мела аб’ём дадзеных у 512 Мбіт на крышталь, у 2005 — 2 Гбіт пры 90 нм. Затым адбыўся пераход на MLC, і ў 2008 чыпы мелі аб’ём 8 Гбіт (65 нм). На 2010 год каля 35 %-25 % чыпаў мелі памер 16 Гбіт, 55 % — 32 Гбіт. У 2012-2014 гадах у новых прадуктах шырока выкарыстоўваліся крышталі аб’ёмам 64 Гбіт, і пачыналася ўкараненне 128 Гбіт модуляў (10 % на пачатак 2014 года), вырабленых па техпроцессам 24-19 нм.
Па меры памяншэння тэхпрацэсу і яго набліжэнню да фізічных межаў бягучых тэхналогій вырабу, у прыватнасці, фоталітаграфіі, далейшае павелічэнне шчыльнасці дадзеных можа быць забяспечана пераходам на большую колькасць біт у ячэйку (напрыклад, пераход з 2-бітнай MLC на 3-бітную TLC), заменай FG-тэхналогіі ячэек на CTF тэхналогію або пераходам на трохмерную кампаноўку ячэек на пласціне (3D NAND, V-NAND; аднак пры гэтым павялічваецца крок тэхпрацэсу). Напрыклад, прыблізна ў 2011-2012 гадах усімі вытворцамі былі ўкаранёны паветраныя прамежкі паміж кіруючымі лініямі, якія дазволілі працягнуць маштабаванне далей 24-26 нм, а Samsung з 2013-2014 года пачала масавы выпуск 24 - і 32-слойной 3D NAND на базе тэхналогіі CTF , у тым ліку, у варыянце з 3-х бітнымі (TLC) вочкамі. Памяншэнне зносаўстойлівасці (рэсурсу сцяранняў), якое выяўляецца з памяншэннем тэхпрацэсу, а таксама павелічэнне тэмпу бітавых памылак запатрабавала прымяненне больш складаных механізмаў карэкцыі памылак і зніжэння гарантаваных аб’ёмаў запісу і гарантыйных тэрмінаў. Аднак, нягледзячы на прымаемыя меры, верагодна, што магчымасці далейшага маштабавання NAND-памяці будуць эканамічна не апраўданыя або фізічна немагчымыя. Даследуецца мноства магчымых замен тэхналогіі флэш-памяці, у прыватнасці, FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM і т. п.
Асаблівасці прымянення
Імкненне дасягнуць гранічных значэнняў ёмістасці для NAND-прылад прывяло да «стандартызацыі браку» — праве выпускаць і прадаваць мікрасхемы з некаторым адсоткам бракаваных ячэек і без гарантыі нез’яўлення новых «bad-блокаў» ў працэсе эксплуатацыі. Каб мінімізаваць страты дадзеных, кожная старонка памяці забяспечваецца невялікім дадатковым блокам, у якім запісваецца кантрольная сума, інфармацыя для аднаўлення пры адзіночных бітавых памылак, інфармацыя аб збойных элементах на гэтай старонцы і колькасці запісаў на гэтую старонку.
Складанасць алгарытмаў чытання і дапушчальнасць наяўнасці некаторай колькасці бракаваных ячэек вымусіла распрацоўшчыкаў абсталяваць NAND-мікрасхемы памяці спецыфічным камандным інтэрфейсам. Гэта азначае, што трэба спачатку падаць адмысловую каманду пераносу названай старонкі памяці ў спецыяльны буфер ўнутры мікрасхемы, дачакацца заканчэння гэтай аперацыі, лічыць буфер, праверыць цэласнасць дадзеных і, пры неабходнасці, паспрабаваць аднавіць іх.
Слабое месца флэш-памяці — колькасць цыклаў перазапісу ў адной старонцы. Сітуацыя пагаршаецца таксама ў сувязі з тым, што стандартныя файлавыя сістэмы — тое ёсць стандартныя сістэмы кіравання файламі для шырока распаўсюджаных файлавых сістэм — часта запісваюць дадзеныя ў адно і тое ж месца. Часта абнаўляецца каранёвы каталог файлавай сістэмы, так што першыя сектары памяці выдаткуюць свой запас значна раней. Размеркаванне нагрузкі дазволіць істотна падоўжыць тэрмін працы памяці. Больш падрабязную інфармацыю пра задачу раўнамернага размеркавання зносу гл.: Wear leveling.
Больш падрабязную інфармацыю аб праблемах кіравання NAND-памяццю, выкліканых розным памерам старонак і пры спробе ачысціць запісы, гл.: Write amplification.
NAND-кантралёры
Для спрашчэння прымянення мікрасхем флэш-памяці NAND-тыпу яны выкарыстоўваюцца сумесна са спецыяльнымі мікрасхемамі — NAND-кантролерамі. Гэтыя кантралёры павінны выконваць усю чарнавую працу па абслугоўванні NAND-памяці: пераўтварэнне інтэрфейсаў і пратаколаў, віртуалізацыя адрасавання (з мэтай абыходу збойных вочак), праверка і аднаўленне дадзеных пры чытанні, клопат аб розным памеры блокаў і пры спробе ачысціць запісы, клопат аб перыядычным абнаўленні запісаных блокаў (ёсць і такое патрабаванне), раўнамернае размеркаванне нагрузкі на сектары пры запісу (Wear leveling).
Прымяненне
Існуе два асноўных спосабу прымянення флэш-памяці: як мабільны носьбіт інфармацыі і як сховішча праграмнага забеспячэння («прашыўкі») лічбавых прылад. Часцяком гэтыя два прымянення сумяшчаюцца ў адным прыладзе.
Пры захоўванні ў флэш-памяці, магчыма, простае абнаўленне прашывак прылад у працэсе эксплуатацыі.
Прымяненне NOR-флэшы, прылады энерганезалежнай памяці адносна невялікага аб’ёму, якія патрабуюць хуткага доступу па выпадковым адрасах і з гарантыяй адсутнасці збойных элементаў: Максімальнае значэнне аб’ёмаў мікрасхем NOR — да 256 Мбайт. Там, дзе патрабуюцца рэкордныя аб’ёмы памяці NAND-флэш па-за канкурэнцыяй. Чыпы NAND паказвалі пастаяннае павышэнне аб’ёмаў, і на 2012 год NAND меў рэкордныя аб’ёмы на 8-крышталёвую мікрозборку ў 128 Гбайт (гэта значыць аб’ём кожнага крышталя 16 Гб або 128 Гбіт).
У першую чаргу NAND флэш-памяць ўжываецца ў разнастайных мабільных носьбітах дадзеных і прыладах, якія патрабуюць для працы вялікіх аб’ёмаў захоўвання. У асноўным, гэта USB-бірулькі і карты памяці ўсіх тыпаў, а таксама мабільныя прылады, такія як тэлефоны, фотаапараты, плэеры.
Флэш-памяць тыпу NAND дазволіла мініацюрызаваць і зрабіць таннейшым вылічальныя платформы на базе стандартных аперацыйных сістэм з развітым праграмным забеспячэннем. Іх сталі ўбудоўваць ў мноства бытавых прыбораў: мабільныя тэлефоны і тэлевізары, сеткавыя маршрутызатары і кропкі доступу, медыя-плэеры і гульнявыя прыстаўкі, фатарамкі і навігатары.
Высокая хуткасць чытання робіць NAND-памяць прывабнай для кэшавання вінчэстараў. Пры гэтым часта выкарыстоўваюцца дадзеныя аперацыйная сістэма захоўвае на адносна невялікім твердотельном прыладзе, а дадзеныя агульнага прызначэння запісвае на дыскавы назапашвальнік вялікага аб’ёму. Таксама магчыма аб’яднанне флэш-буфера на 4-8 ГБ і магнітнага дыска ў адзіным прыладзе, гібрыдным цвёрдым дыску (SSHD, Solid-state hybrid drive).
Дзякуючы вялікай хуткасці, аб’ёму і кампактным памерах, NAND-памяць актыўна выцясняе з звароту носьбіты іншых тыпаў. Спачатку зніклі дыскеты і дыскаводы гнуткіх магнітных дыскаў, знізілася папулярнасць назапашвальнікаў на магнітнай стужцы. Магнітныя носьбіты практычна цалкам выцесненыя з мабільных і медыявыкарыстанняў.
Рынак NAND-памяці
Асноўныя вытворцы NAND-флэш-памяці: Micron/Intel, SK Hynix, Toshiba/SanDisk, Samsung. На 2014 год каля 35-37% рынку займаюць Toshiba/SanDisk і Samsung. 17% паставак ажыццяўляе Micron/Intel, яшчэ 10 — Hynix. Агульны аб’ём рынку NAND ацэньваецца прыкладна ў 20-25 млрд. долараў ЗША, у год вырабляецца ад 40 да 60 млрд. гігабайт, чвэрць з якіх — убудавальная eMMC памяць. У 2013 годзе памяць у асноўным выраблялася па тэхпрацэсам у дыяпазоне 20-30нм, у 2014 годзе набірала папулярнасць 19нм памяць. Менш за 2% рынку займала памяць 3D-NAND ад Samsung, іншыя вытворцы планавалі вытворчасць 3D NAND з сярэдзіны 2015 года.
З усёй NAND-памяці, якая пастаўлялася ў 2012-2014 гадах, менш за 5% складала аднабітная памяць (SLC), 75% складала двухбітная памяць (MLC), і 15-25% — трохбітная памяць (TLC, у асноўным Samsung і Toshiba/SanDisk, з сярэдзіны 2014-2015 гадоў таксама і іншыя).
Асноўныя вытворцы кантролераў флэш-памяці NAND: Marvell, LSI-SandForce, таксама вытворцы памяці NAND. Для eMMC кантралёры (eMCP) вырабляюць: Samsung, SanDisk, SK Hynix, Toshiba, Micron, Phison, SMI, Skymedi.
Кіпр на конкурсе песні Еўрабачанне
Кіпр на конкурсе песні Еўрабачанне дэбютаваў у 1981 годзе. Першым удзельнікам Кіпра стаў гурт Island, які заняў 6-е месца. Краіна ніколі не перамагала, лепшым вынікам стала 2-е месца ў 2018 годзе. Тады краіну прадстаўляла Элені Фурэйра з песняй «Fuego».
За ўвесь час Кіпр два разы адмаўляўся ад удзелу ў конкурсе, у 1988 і 2014 гадах, а таксама быў дыскваліфікаваны ў 2001, з-за дрэнных вынікаў у папярэднім годзе. Пры гэтым краіна толькі чатыры разы патрапіла ў топ-5 (1982, 1997, 2004, 2018).
З моманту ўвядзення паўфіналаў у 2004 годзе, Кіпр 6 разоў не змог прайсці ў фінал, у тым ліку 4 разы запар (2006-2009).
За ўсю гісторыю ўдзелу Кіпр атрымаў у фінале 2000 балаў, а ў паўфінале (без уліку кваліфікацыйага этапа 1996 года) – 1350 балаў.
Гісторыя галасавання
Па стане на год гісторыя галасавання Кіпра выглядае наступным чынам:
Мікалай Міхайлавіч Альшэўскі
Мікалай Міхайлавіч Альшэ́ўскі ( — ) — удзельнік Вялікай Айчыннай вайны, камандзір танка, малодшы лейтэнант. Герой Савецкага Саюза (1945).
Біяграфія
М. М. Альшэўскі нарадзіўся ў горадзе Сквіра (зараз у Украіны). Скончыў школу. У 1940 годзе прызваны на службу ў Чырвоную Армію. З 1941 года ўдзельнік баёў на Заходнім, Ленінградскім і 2-м Беларускім франтах.
Камандзір танка 26-й гвардзейскай танкавай брыгады (2-і танкавы корпус, 2-і Беларускі фронт) гвардыі малодшы лейтэнант Мікалай Міхайлавіч Альшэўскі асабліва вызначыўся пры вызваленні Віцебскай і Мінскай абласцей. Экіпаж пад яго камандаваннем 26 чэрвеня 1944 г. у баі каля вёскі Кісялі Талачынскага раёна знішчыў танк «тыгр», 4 гарматы і 8 аўтамашын з пяхотай праціўніка. На чыгуначнай станцыі Коханава Талачынскага раёна вызваліў больш за 150 савецкіх грамадзян. У ліпені 1944 года пры ліквідацыі варожай групоўкі ў мінскім «катле» экіпаж пад камандаваннем М. Альшэўскага знішчыў 2 танкі, 20 аўтамашын, 70 гітлераўцаў, узяў у палон больш за 200 салдат і афіцэраў праціўніка. У жніўні 1944 г. М. М. Альшэўскі быў цяжка паранены ў баі на тэрыторыі Літвы і памёр ад ран 22 жніўня. Пахаваны ў горадзе Вільнюс на Антакальніскіх могілках.
Званне Героя Савецкага Саюза М. М. Альшэўскаму прысвоена Указам Прэзідыума Вярхоўнага Савета СССР ад 24 сакавіка 1945 года пасмяротна.
Пагранічны канфлікт у раёне возера Жаланашколь
Баявыя дзеянні ў раёне возера Жаланашколь 1969, адбіццё савецкімі пагранічнікамі і ваеннаслужачымі ўзброеных спроб парушэння тэрытарыяльнай цэласнасці СССР і недатыкальнасці дзяржаўнай граніцы СССР з кітайскага боку ў раёне возера Жаланашколь (Казахстан) у жніўні 1969.
Пасля веснавых падзей на востраве Даманскі ўзброеныя сутыкненні на савецка-кітайскай граніцы адбыліся на іншых участках. На пачатку лета кітайскі бок учыніў некалькі правакацый у раёне Джунгарскага выступу (казахстанскі ўчастак).
Раніцай 13 жніўня 1969 кітайскія ваенныя прайшлі на тэрыторыю СССР каля возера Жаланашколь і пачалі акопвацца. У выніку чатырохгадзіннага бою, у ходзе якога савецкімі пагранічнікамі было прадэманстравана ўмелае прымяненне бронетранспарцёраў і верталётаў, парушальнікі былі цалкам выкінуты з тэрыторыі СССР. Была знішчана добра экіпіраваная дыверсійная кітайская група. Загінула 2 савецкія пагранічнікі, паранена 10. Кітайскія страты: 19 загінула, 3 трапілі ў палон.
Яблуніўка (Макарыўскі раён)
Яблуніўка (Яблуні́вка) — вёска ў Макарыўскім раёне Кіеўскай вобласці Украіны.
Прамысловы рэгіён Кэсон
Прамысловы рэгіён Кэсон  — спецыяльны адміністрацыйны рэгіён ў КНДР. Быў аддзелены ў 2002 ад горада Кэсон. Размешчаны за 10 км на поўнач ад дэмілітарызаванай зоны. Плошча рэгіёна — 66 км².
Гісторыя стварэння
Кэсонскі прамысловы парк (тэхнапарк Кэсон) быў заснаваны сумесна з урадам Паўднёвай Карэі. Будаўніцтва пачалося ў чэрвені 2003 года, а ў жніўні 2003 года КНДР і Паўднёвая Карэя падпісалі некалькі пагадненняў, якія тычацца інвестыцый у рэгіён.
Пачатковая фаза будаўніцтва была скончаная да чэрвеня 2004 года, а адкрыўся прамысловы парк у снежні 2004 года. У пачатку існавання парка тут размясцілі вытворчасць 15 паўднёвакарэйскіх кампаній. Да сакавіка 2005 года тры з іх запусцілі вытворчасць. Комплекс уключае 120 паўднёвакарэйскіх малых і сярэдніх кампаній, якія ажыццяўляюць вытворчасць адзення, посуду, гадзіннікаў і іншай прадукцыі на агульную суму, якая склала 1,65 млрд даляраў з 2004 па 2011 гады. Прадпрыемствы выплачваюць падаходны падатак у памеры ад 10 да 14 %, за выключэннем першых пяці гадоў, і 50 % падатку на працягу трох гадоў, пачынаючы з моманту прыбытковасці. Перавозка тавараў з прамзоны ў Кэсон ўносіць асноўны ўклад у таваразварот паміж двума Карэямі.
На комплексе занята (на 2012 год) — 53 448 паўночнакарэйскіх (72 % сярод іх — жанчыны) і 786 паўднёвакарэйскіх рабочых. Нягледзячы на ўсе цяжкасці, спрычыняныя як Пхеньянам, так і Сеулам, пэўная выгада ў комплексе ёсць — на навучанне тэхнічным навыкам паўночнакарэйскага працоўнага патрабуецца 1—3 месяцы (на навучанне кітайскага працоўнага — 6 месяцаў), сярэдні працоўны тыдзень (з улікам звышурочных, афіцыйна 48 гадзін) складаў у 2006 годзе 55,2 гадзіны ў тыдзень, у 2012 годзе 61,6 гадзін у тыдзень. Прадукцыйнасць працы складала 70—80 % ад паўднёвакарэйскага ўзроўню. Тым не менш, па выніках 2011 года 119 паўднёвакарэйскіх фірмаў у Кэсоне выйшлі ў чыстую страту і толькі 4 атрымалі прыбытак. Заробак паўночнакарэйскім рабочым выдаецца (пасля ўсіх вылікаў) уладамі КНДР у выглядзе даляравых купонаў на набыццё тавараў у спецыяльных крамах.
Прыпыненне працы ў 2013 годзе
У сувязі з абвастрэннем адносін паміж Паўднёвай і Паўночнай Карэяй, у красавіку 2013 года КНДР закрыла доступ у Кэсон спачатку паўднёвакарэйскім работнікам, затым — і паўночнакарэйскім. Такім чынам, вытворчасць у прамысловым парку спынілася. Па паведамленнях прэсы, у Кэсоне засталося некалькі сотняў паўднёвакарэйскіх супрацоўнікаў, каб сачыць за абсталяваннем, пакуль не скончацца запасы ежы.
У жніўні 2013 года КНДР заявіла аб намеры аднавіць працу прамысловага рэгіёну Кэсон.
Таксама бакі абвясцілі аб рашэнні надалей не спыняць працу праекта ні пры якіх абставінах.
Закрыццё ў 2016 годзе
10 лютага 2016 года Паўднёвая Карэя заявіла аб спыненні працы прамысловай зоны Кэсон пасля выпрабаванняў КНДР ракеты далёкага радыусу дзеяння. 11 лютага ўлады Паўночнай Карэі выправадзілі 280 рабочых з поўдня з тэрыторыі тэхнапарку і перакінулі туды вайсковыя падраздзяленні.
12 лютага Паўднёвая Карэя перапыніла падачу электраэнергіі і вады на тэрыторыю комплексу. Паўднёвакарэйскае абсталяванне было вывезена.
Аднаўленне водазабеспячэння
10 кастрычніка 2018 года Паўднёвая Карэя аднавіла пастаўкі вады ў рэгіён. 11 кастрычніка 2018 года мясцовая ачышчальная станцыя была адноўлена.
Вялікі Кінель
Вялікі Кіне́ль (Большой Кинель ) — рака ў Арэнбургскай і Самарскай абласцях Расіі, правы прыток ракі Самара (прыток Волгі).
Даўжыня ракі 422 (437 ) км. Плошча вадазбору 14 900 (15 200 ) км². Сярэдні расход вады 35,7 м³/с. Аб’ём сцёку 1,127 км³/год. Выток ракі знаходзіцца ў Агульным Сырце, на тэрыторыі Арэнбургскай вобласці. Вусце за 15 км на захад ад горада Самара, у напрамку на захад ад горада Кінель. Вадазбор знаходзіцца на заходніх схілах Агульнага Сырта, Высокага і Нізкага Заволжжа. Рэчышча мае шырыню ад 12—15 м у верхнім цячэнні да 40—45 м каля вусця.
Прытокі: Малы Кінель, Кутулук, Умірка, Вялікая Кісла, Сарбай, Камышла, Яноўка, Кармалка, Салымка, Кульчумка і інш.
На рацэ гарады Бугуруслан, Атрадны, Пахвістнева, Кінель.
Нові Абыходы
Нові Абыходы (Но́ві Обихо́ди) — вёска ў Нэмірыўскім раёне Вінніцкай вобласці Украіны. Уваходзіць у склад Райгарадской вясковай абшчыны.
Канстанцкі сабор
Агульная інфармацыя
На момант пачатку сабору дзейнічалі тры Папы і асаблівы размах набылі розныя ерасі — паслядоўнікаў Яна Гуса ў Чэхіі, Дж. Уікліфа ў Англіі і г.д., барацьба з якімі з ініцыятывы германскага імператара Жыгімонта Люксембургскага і антыпапы Яна XXIII выйшла на першы план у дзейнасці Канстанцкага сабора. У 1415 годзе на саборы быў асуджаны і спалены Ян Гус, што стала штуршком да серыі гусіцкіх войнаў у Цэнтральнай Еўропе. У 1417 годзе скасаваныя паўнамоцтвы ўсіх ранейшых папаў і абраны адзіны Папа Марцін V. На шостай сэссіі сабору было абвешчана вяршынства сабораў над папамі, правы і даходы якіх мусілі быць істотна ўрэзаныя.
З пункту гледжання каталіцкага кананічнага права тое, што гісторыкі называюць Канстанцкім саборам, гэта два розныя паслядоўныя біскупскія сабранні. Першае з іх, сабранае імператарам і антыпапам, лічыцца нядзейсным, таксама і ўсе яго пастановы, уключаючы пастанову пра вяршынства сабораў над папамі. Сапраўдны сабор з гэтага пункту гледжання пачынаецца з яго афіцыйнага аб’яўлення сапраўдным Папам Рыгорам XII. Рыгор XII пагадзіўся з тым, што толькі адмова ўсіх старых прэтэндэнтаў ад папскага пасаду можа прымірыць Царкву, і пакінуў пасад, такім чынам даўшы дарогу выбарам новага Папы.
Удзел ВКЛ
Канстанцкі сабор быў і буйнейшым дыпламатычным кангрэсам, на якім вырашаліся важнейшыя міжнародныя пытанні, перш за ўсё звязаныя з прэтэнзіямі імператара Жыгімонта на палітычную гегемонію ў Еўропе. Актыўны ўдзел у працы Канстанцкага сабора прымала ВКЛ, аўтарытэт якога пасля Вялікай вайны (1409—1411) значна ўзрос. Вялікі князь Вітаўт некалькі раз накіроўваў у Констанц свае дэлегацыі. Так, у 1415 годзе падольскі стараста Гедыгольд прапаноўваў перавесці Тэўтонскі ордэн, які згубіў фармальныя падставы для сваёй дзейнасці ў Прыбалтыцы пасля хрышчэння Жамойці ў 1413 годзе, бліжэй да Асманскай імперыі — у Паўночнае Прычарнамор’е ці на востраў Кіпр і абвяргаў абвінавачванні ў патаемным супрацоўніцтве Вітаўта з асманамі.
1416—1417
У 1416 годзе значная ўвага была ўдзелена Канстанцкім саборам спрэчкам паміж ВКЛ і Ордэнам за Жамойць: 13 лютага разглядалася скарга (Proposicio Samaytarum) ахрышчаных жамойтаў на ўціск з боку немцаў, якія працягвалі свае рабаўнічыя наезды, апрацаваная польскім юрыстам Паўлам Уладковічам, прафесарам Кракаўскай акадэміі. 17 чэрвеня 1416 года сабор прыняў кампраміснае рашэнне па справе Жамойці, паводле якога ў адміністрацыйным дачыненні яна падпарадкоўвалася імператару Жыгімонту (гэта значыла фактычна Ордэну), а ў царкоўным — польскім і літоўскім біскупам (было вырашана стварыць асобную дыяцэзію). 11 жніўня 1416 года львоўскі архібіскуп Ян Жэшоўскі і віленскі біскуп Пётр Ястрэмбец былі прызначаныя дэлегатамі Канстанцкага сабора, якія мусілі здзейсніць гэтыя рашэнні на месцы, працягнуць хрышчэнне жамойтаў, арганізаваць дыяцэзію і пачаць пабудову кафедральнага касцёла. У 1417 годзе на Канстанцкім саборы прысутнічаў «герцаг Павел з сапраўднай Русі, падначалены герцагу Вітаўту» і гэтак далей.