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Empire State Building
Construcción y diseñu
La escavación del solar entamó'l 22 de xineru de 1930, y púnxose la primer piedra del edificiu el 17 de marzu d'esi añu, día de San Patriciu. Na so construcción trabayaron 3.400 obreros, la mayoría emigrantes europeos; sicasí, había tamién cientos de trabayadores de la etnia mohawk, llegaos munchos d'ellos de la reserva Kahnawake, cerca Montreal (Canadá). Cinco d'ellos, acordies coles cifres oficiales, morrieron demientres la obra, qu'acabó'l 1 de mayu de 1931, cuando'l nietu del ex-gobernador del estáu y presidente de la compañia Empire State, Inc., Alfred E. Smith, cortó la cinta. Les semeyes del fotógrafu Lewis Wickes Hine permiten documentar la construcción del edificiu, pero tamién son un testimoniu pervaloratible de la vida cotidiana de los trabayadores d'aquella dómina.
right|thumb|200px|Un trabayador atornillando una viga demientres la construcción del edificiu. A la mandrecha, el Chrysler Building.
La construcción desarrollose nún momentu nel que había una competición xabaz na ciudá por ver quién construyía l'edificiu más altu del mundu. Los otros dos candidatos (los edificios 40 Wall Street y Chrysler Building) yá taben construyéndose cuando entamaron los trabayos nel Empire State. Los dos tuvieron l'honor de ser l'edificiu más altu del mundu menos d'un añu, una y bones l'Empire State sobrepasolos cuando les obres acabaron, 410 díes dempués de qu'entamaran. La construcción, proyectada pa 18 meses, acabose en quince, y con un coste menor del esperáu pola influencia de la Gran Depresión nos sueldos del personal y el preciu de los materiales. Al final, la obra costó 24,7 millones de dólares de la época (equivalentes a 372,8 millones de dólares de 2012) en cuenta de los 43 estimaos. L'edificiu inauguróse'l 1 de mayu de 1931, nuna ceremonia na que'l presidente de los Estaos Xuníos Herbert Hoover prendió les lluces del edificiu calcando un botón dende Washington DC. Por coincidencies del destín la primer vegada que se prendieron les lluces del cumal del edificiu, al añu siguiente, foi pa señalar la victoria de Franklin D. Roosevelt sobre Hoover nes eleiciones presidenciales de payares de 1932.
L'apertura del edificiu coincidió cola Gran Depresión, lo que fizo que munches de les sos oficines quedaran valeres nos primeros tiempos. Esa baxa ocupación viose agravada pola llocalización del edificiu. La Cai 34 nun quedaba mui a mano p'aportar a ella en tresporte públicu, porque les estaciones de ferrocarril Grand Central Terminal y Penn Station taben daqué alloñaes. La so situación más averada a elles fizo qu'otros edificios, como'l Chrysler Building, nun tuvieran esti problema. La falta d'ocupación del edificiu fizo que fora conocíu, nesos primeros años, como l'Empty State Building (edificiu vacíu del estáu, nun xuegu de pallabres difícil de tornar al asturianu); dafechamente, nel so primer añu d'apertura sacose tantu beneficiu (dos millones de dólares) de les entraes de la xente que xubía a los miradores como del alquiler de les oficines. L'edificiu nun foi rentable hasta 1950, y fízose perfamosu al añu siguiente, cuando foi vendíu por 51 millones de dólares, el mayor preciu pagáu hasta entonces por un únicu edificiu.
center|thumb|750px|Panorama urbanu (skyline)|Skyline del Midtown Manhattan dende'l mirador del Empire State Building
Arquiteutura
L'Empire State Building tien un altor de 381 m (1.250 m) nel so pisu 102, que ta coronáu por una aguya o pináculu de 62 m (203 pies), lo que-y da un altor total de 443,09 m. L'edificiu tien 85 plantes d'espaciu comercial y d'oficines, con una estensión de 200.500 m². P'arriba d'ellos, nel pisu 86, hai un mirador interior y esterior. Los 16 pisos restantes son los de la so torre d'estilu Art Decó, que ta coronada por otru mirador na planta 102. Perriba d'ella ta la aguya, na que hai colocaes delles antenes de comunicaciones y un pararrayos nel cumal.
L'Empire State foi'l primer edificiu en tener más de cien pisos. Tien 6.500 ventanes y 73 ascensores, y hai 1.860 escalones dende'l nivel de la cai hasta'l pisu 102. Tien una estensión total de 257.211 m², y l'área de la so base ye de 8.094 m². Más de mil empreses tienen la sé nel edificiu, que tien un códigu postal propiu (10118). En 2007 trabayaben nelli 21.000 persones, lo que facía d'esti edificiu el segundu nel que más xente trabayaba nel país, dempués del Pentágonu. Nel edificiu hai 113 km de tuberíes, 760 km de cable llétricu y unos 9.000 grifos.
right|thumb|200px|Los edificios más altos de Nueva York (l'Empire State ye'l segundu pela manzorga
El vestíbulu ye una obra maestra del estilu Art Decó, con paredes cubiertes de planches de granitu y mármol y adornos n'aceru inosidable. La so decoración inclúi xigantescos medallones de bronce n'honor de los artesanos que ficeron l'edificiu, y tamién un mosaicu de metal nel qu'apaez l'edificiu representáu como'l centru del universu. La fachada ye de piedra caliar d'Indiana y granitu, y tien dellos retranqueos pa compensar la distorsión óptica de los sos 102 pisos d'altor.
Foi completáu en un añu y 45 díes y tenía, orixinalmente, 64 ascensores, que tán allugaos nel centru de la estructura. A ellos se-y añedieron otros nueve posteriormente. Los orixinales, que dan serviciu a trabayadores y visitantes, xuben en menos d'un minutu a la planta 80, na que hai una tienda de regalos y una esposición que cuenta como foi la construcción del edificiu. Dende ellí los visitantes, per escalera o notru ascensor, xuben al mirador, esterior y interior, de la planta 86. Pesa unes 340.000 tonelaes, y ta recubiertu esteriormente por planches de piedra caliar trayíes d'Indiana.
Iluminación
En 1964 añediéronse-y al edificiu una serie de focos p'allumar el cumal del edificiu pela noche, con colores variables en función de la época del añu y de determinaes festividaes y acontecimientos: día de San Patriciu, Navidá, 4 de xunetu (día de la independencia estauxunidense), 14 de xunetu (fiesta nacional francesa)... Asina, dempués de la muerte de l'actriz Fay Wray, que protagonizara la película King Kong, que fizo famosu al edificiu nel mundu enteru, l'edificiu quedó en completa escuridá quince minutos en señal de llutu. Dempués del atentáu del 11 de setiembre de 2001 tuvo encesu dellos meses namái nos colores de la bandera estauxunidense (blancu, colloráu y azul), y allumó la ciudá de púrpura y oru (los colores reales d'Sabela II d'Inglaterra) el 4 de xunu de 2002, p'agradecé-y a la reina inglesa el so apoyu a los Estaos Xuníos dempués de los atentaos del 11-S. L'edificiu ye ilumináu tamién, los díes que hai partíu, colos colores de los equipos deportivos de la ciudá: naranxa, azul y blanco pa los New York Knicks; colloráu, azul y blanco pa los New York Rangers..., y con un color mariellu (como'l de les pelotes de tenis) mentantu se celebra'l US Open d'esi deporte, a finales d'agostu y primeros de setiembre.
En 2012 los focos del edificiu foron sustituyíos por dispositivos LED, lo que permite iluminar l'edificiu con 16 millones de colores en cuenta de los nueve que había primero. Asina, la CNN usó'l cumal del edificiu como marcador de la eleición presidencial del 6 de payares de 2012. Cuando Barack Obama algamó los 270 votos eleutorales que necesitaba pa ser reelixíu les lluces punxéronse azules (color tradicional del Partíu Demócrata), y hubieren sío colloraes de tener ganao Mitt Romney.
Pesu dominicanu
El pesu ye la moneda oficial de la República Dominicana. El so símbolu ye "$", con "RD $" usáu pa estremalo d'otros pesos (o dólares), y el so códigu ISO 4217 ye "DOP". Cada pesu ta dividíu en 100 centavos, pa los qu'utilízase'l símbolu ¢. Ye la única moneda de cursu llegal pa toles transaiciones monetaries nel país, yá sían públiques o privaes.
Zak Orth
Anguaño interpreta a Aaron na serie Revolution. Aaron ye un ex-empresariu que trabayaba en Google y yera millonariu enantes del apagón.
Orth nació como Adam Zachary Orth en Libertyville, Illinois, fíu de Jane, una profesora de pianu, y Robert Orth, un cantante d'opera.
Idioma sogdianu
El sogdiano foi una llingua irania media, falada en Sogdiana, nel valle del ríu Zarafshan, no qu'anguaño ye Taxiquistán y Uzbequistán.
El sogdiano ye una de les más importantes llingües iranies, xunto col persa mediu y el partu, y tien un ampliu corpus lliterariu. Pertenez a la caña nororiental de les llingües iranies, y anque nun esiste evidencia direuta d'un antiguu sogdiano, creyer por alusiones epigráficas n'antiguu persa que pudo esistir dende la dómina aqueménida. La so gramática y morfoloxía ye más conservadora que la del persa mediu.
Mientres la dinastía Tang, el sogdiano foi la llingua franca a lo llargo de la Ruta de la Seda, y la so importancia político y económico garantizó la so sobrevivencia hasta'l sieglu IX EC, de la que munches pallabres d'esti idioma entraron nel persa modernu, al escribise munches obres perses mientres la dómina samánida en Sogdiana.
Diversos documentos cristianos y maniqueos, topaos en Turfán, atópase en sogdiano. Un dialeutu del sogdiano, el idioma yagnobi llegó hasta l'actualidá, nos montes de Taxiquistán.
CitySpire Center
El CitySpire Center ye un rascacielos de la ciudá d'Estaos Xuníos de Nueva York. Asitiáu na cai 56 oeste (West 56th Street), ente la sesta (Sixth Avenue) y la sétima (Seventh Avenue) aveníes, ye'l rascacielos d'usu mixtu más altu de la ciudá. Construyíu en 1987, tien un altor de 248 m (814 pies) y 75 pisos, con un área total de 33.400 m². L'edificiu ye propiedá, dende 2004, de Tishman Speyer Properties.
Diseñáu por Helmut Jahn, tien los 23 pisos inferiores dedicaos a zona comercial. Los superiores son apartamentos de luxu, mayores cuanto más altu ye'l pisu nel que s'atopen. De la que lu acabaron yera'l segundu edificiu más altu del mundu que tenía una estructura d'hormigón. Tien trés cuerpos que se llevanten sobre un podiu, con un cuerpu central octogonal coronáu por una cúpula d'estilu árabe y dos a los llaos, ocho pisos más pequeños. La cúpula ilumínase de nueche con una lluz blanca.
En 1997 inauguróse un pasaxe pa peatones per dientro del bloque, que completó una rede de pasaxes peatonales públicos ente les cais 51 y 57 oeste. L'edificiu ta mui próximu a dos rascacielos de la cai 57 oeste colos que forma un grupu: la Carnegie Hall Tower y la Metropolitan Tower.
Idioma hurrita
Hurrita ye'l nome que s'usa polo xeneral pal idioma de los hurritas, un pueblu que llegó al norte de Mesopotamia alredor del 2300 e. C. y que práuticamente sumiera escontra'l 1000 e. C. El hurrita foi l'idioma del reinu Mitanni en Mesopotamia Septentrional y probablemente falóse siquier al empiezu de los asentamientos hurritas en Siria. Créese que los falantes d'esti idioma llegaron de los montes d'Armenia y espandiéronse pol sureste d'Anatolia y el Norte de Mesopotamia a empiezos del segundu mileniu antes de Cristu.
Los centros más importantes onde se falaba yera la capital Wassukanni y les ciudaes Taite, Nuzi, Qatna y Alalach, según la capital del reinu hitita, Hattuša.
Dialeutos
El hurrita de la carta de Mitani estrémase claramente de los testos de Hattuša. Ente qu'en Mitani estrémense i y y según o y o, nel hurrita de Hattuša dambos fúndense en i y o. Tamién hai diferencies na morfoloxía. Aun así, asumir que los distintos dialeutos pertenecíen a la mesma llingua. Saber d'una llingua entemecida ente'l hurrita y el acadiu en Nuzi, una ciudá na provincia de Mitani d'Arrapha y en Qatna en Siria.
Historia del idioma
Los testos más antiguos que se tien del hurrita son nomes de persones y topónimos del final del tercer mileniu antes de Cristu. Los primeros testos son del tiempu del rei Tishatal d'Urkesh (empiezos del segundu mileniu e. C.). Los arqueólogos toparon numberoses épiques, xuramentos, testos de predicciones y cartes en Hattuša, Mari, Tuttul, Babilonia, Ugarit y otros sitios. Sicasí, el testu más importante pa entender l'idioma foi una llarga carta (la carta de Mitani) que se topó en Amarna, Exiptu. El rei hurrita Tushratta escribir al faraón Amenhotep III.
A partir del sieglu XIV e. C. empiecen a enfusar al territoriu hurrita dende'l Norte y Oeste los hitites y daqué dempués dende l'este y el Sur los asirios hasta que dambes potencies terminaron per estremar se por completu'l territoriu hurrita. Les invasiones de los pueblos del mar nel sieglu XII e. C. llevaron a más cambeos políticos. Otros idiomes escritos como'l hitita y el ugarítico escastáronse. A partir d'esi tiempu solo hai inidicios del hurrita en nomes de persones y topónimos que se topen en testos n'acadiu o en urartaico. Ye por eso que nun se sabe si'l hurrita entá esistió daqué más como idioma faláu.
Rellaciones con otros idiomes
L'únicu idioma del que se conoz una conexón clara col hurrita ye l'antiguu artaico, un idioma que se faló a empiezos y metá del primer mileniu antes de Cristu nun territoriu que diba del llagu de Sewan, al llagu de Van y al llagu de Urmia. Suxuriéronse rellaciones con otros idiomes como'l eteochipriota, sobre'l chipriominoico según sobre'l casina. Tamién se considera posible una rellación colos idiomes del nordés del Cáucasu, anque esto nun se pudo probar. La razón finca na gran variedá d'esta familia, lo qu'enzanca la reconstrucción del idioma madre. Amás, ye difícil comparar una familia llingüística estinguida hai unos 2500 años con una de la que nun hai rexistros tan antiguos.
Numberales
Aparte del numberal indetermináu šūi (cada unu) conócense los cardinales del 1 al 10 según dellos otros númberos mayores. Los númberos ordinales construyir col sufixu -(š)šy o -ši que se convierte tres /n/ en -ze y -zi. La siguiente tabla da una impresión de los númberos básicos:
Aquellos caxellos con ? referir a pallabres que se desconocen. Los númberos distributivos tienen el sufixu -ate o kikate (cada trés), tumnate (cada cuatro). El sufixu -āmḫa produz númberos múltiplos como šināmḫa (dos veces), ēmanāmḫa (diez veces). Toles pallabres de númberos cardinales terminen nuna vocal que sume cuando apaecen determinaes terminaciones.
Vocabulariu
El vocabulariu conocíu del hurrita ye bien homoxéneu, esto ye, contién pocos préstamos (p.e. tuppi (tablilla de magre), Mizri (Exiptu) dambos del acadiu). El pronome relativu iya o iye podría ser un préstamu del idioma indoeuropéu del pueblu Mittani que vivía nel reinu Mittani antes de los hurritas (compárese col sánscritu yá). Los dialeutos acadios vecinos tomaron numberoses pallabres del hurrita como ḫāpiru (nómada) del hurrita ḫāpiri, d'onde procedería'l términu: 'hebreos'; el vocablu del hurrita: 'Ugri', col significáu de: 'pie', taría venceyáu al sánskrit: 'Ugra', y al francés: 'Ogre', d'onde provién l'español: 'Ogru', una variante de: 'Bigfoot'. Ye posible qu'haya préstamos n'idiomes caucásicos, pero nun puede probase una y bones nun hai escritos n'idiomes caucásicos que se remonten a los tiempos hurritas. Por eso nun puede determinase cuál ye l'idioma qu'anició estes pallabres asemeyaes.
Morfoloxía verbal
La morfoloxía de los verbos hurritas ye bien complexa, anque solo úsense sufixos (estremaos equí con "-") y clíticos (estremaos por un "="). Les formes transitives ya intransitives amosar con claridá. Solo los verbos transitivos riquen la congruencia col suxetu en persona y númberu. L'oxetu direutu y el suxetu intransitivu esprésense, si nun apaecen en forma de substantivo, como pronomes personales clíticos. Dellos sufixos son: -an(n) (causativu), -ant (probablemente aplicativo) y -ukar (reciprocidá).
La Bâthie
Tien una población de y una superficie de  km².
Saulmory-Villefranche
Saulmory-Villefranche ye una comuña francesa del departamentu de Meuse, na rexón de Gran Este. Llenda con.
Tien una población de y una superficie de  km².
Plantae Delavayanae
Plantae Delavayanae, (embrivíu Pl. Delavay.), ye un llibru con descripciones botániques escritu pol botánicu francés Adrien René Franchet y espublizáu en trés partes nos años 1889-1890.
Adrien René Franchet trabayó nel Muséu Nacional d'Historia Natural de Francia y especializóse nes flores de China y Xapón.
Tomohisa Ishiguro
Tomohisa Ishiguro (石黒 智久, ), ye un futbolista xaponés.
Bassens (Saboya)
Bassens ye una comuña francesa del departamentu de Saboya, na rexón d'Auvernia-Ródanu-Alpes. Llenda con.
Saulvaux
Saulvaux ye una comuña francesa del departamentu de Meuse, na rexón de Gran Este. Llenda con.
Ed Davis (militar)
Sir Edward Grant Martin "Ed" Davis; CB, CBE, OBE, MBE; más conocíu como Ed Davis ye un políticu y militar británicu, qu'algamó'l rangu de Teniente xeneral de la fuercia Royal Marines. Dende 2011 hai 2014, foi Comandante Xeneral y depués foi Comandante axuntu de la OTAN nel "Allied Land Command" de Esmirna (Turquía). Anguaño dende'l día 19 de xineru de 2016, en socesión de Jim Dutton, ye'l nuevu Gobernador de Xibraltar.
Slobodan Milošević
Slobodan Milošević (n'alfabetu cirílicu serbiu Слободан Милошевић; foi un líder políticu serbiu y ex presidente de la Yugoslavia ente 1997 y 2000. Ente 1989 y 1997 ocupó'l cargu de presidente de Serbia y tamién foi'l cabezaleru del Partíu Socialista de Serbia. Milošević foi un elementu clave nes guerres de la desaniciada Yugoslavia, y el primeru de los responsables políticos en tar acusaos de crímenes de guerra. Al enfotu atribuyíu a Milošević por algamar una "Gran Serbia" eslava asociase bona parte del desendolcu de la primer guerra énte Bosnia y na que llueu enguedeyóse Croacia.
Atribúinse-y sesentiséis cargos de crímenes escontra la humanidá pente les guerres de Yugoslavia con Bosnia, Croacia y Kosovu, incluyendo xenocidiu, llimpieza étnica y secuestros masivos. Estes acusaciones fixeron que dellos medios de comunicación punxeren-y el mote "El carniceru de los Balcanes".
Tres de vese forzáu a dexar el poder por un llevantamientu popular, Milosevic foi presu y extraditáu pa responder énte'l Tribunal Penal Internacional polos sos supuestos crímenes de guerra, pero morrió enantes de que'l tribunal asoleyara la sentencia, dempués de cinco años na cárcele. La so muerte atribúise a un fallu coronariu, dempués de que'l tribunal refugara la so solicitú de treslláu a Moscú pa ser tratáu nesa ciudá de los sos problemes de salú.
Rahmon Nabiyev
Rahmon Nabiyev  (Tayiko: Раҳмон Набиев). (* Schaiburchan, 5 d'ochobre de 1930 - Chudschand, 11 d'abril de 1993), foi un políticu tayiko, Primer Secretariu del Partíu Comunista de Taxiquistán y Presidente de Taxiquistán en dos oportunidad.
Biografía
Nabiyev socatró parcialmente la guerra civil, promoviendo'l nacionalismu rexonal. Nabiyev xubió al poder en 1982 como Primer Secretariu del Partíu Comunista de Taxiquistán. En 1985 foi derrocáu por un escándalu de corrupción. Dempués que los líderes de Taxiquistán declararen la independencia de la República de Taxiquistán en setiembre de 1991, Nabiyev orquestó el so camín de regresu al poder el 23 de setiembre, namái pa depués arrenunciar el 6 d'ochobre como resultáu de la presión exercida por él pa vacar el cargu mientres la campaña pa les eleiciones presidenciales.
Nabiyev ganó les eleiciones y el 2 d'avientu 1991 convertir nel primer presidente electu de Taxiquistán. Los discutinios relativos a les eleiciones dieron llugar a manifestaciones caleyeres de la oposición, que se conducieron a una guerra civil en mayu de 1992. Como la llucha intensificóse, les mesmes milicies progubernamentales de Nabiyev dieron un golpe d'Estáu en setiembre de 1992 Arrenunció al cargu dende la seguridá de la so provincia natal de Leninabad. N'avientu de 1992, l'ex apparatchik de la provincia Kulyab asitiaron al líder paramilitar Emomali Rahmon nel poder.
La causa de la muerte de Rahmon Nabiev nun ta claru. Oficialmente, morrió d'un ataque al corazón, pero n'otres versiones de la hestoria, pegóse un tiru, o foi asesináu.
Óblast de Samara
Samara (Самарская область, tr.: Samárskaya óblast ) ye unu de los cuarenta y siete óblast que, xunto coles ventiún repúbliques, nueve krais, cuatro distritos autónomos y dos ciudaes federales, conformen los ochenta y tres suxetos federales de Rusia. La so capital ye la homónima Samara. Ta allugáu nel distritu Volga llindando al norte con Uliánovsk y Tatarstan, al sureste con Oremburgu y al suroeste con Sarátov. Mientres la Revolución Rusa de 1905 conocíase como la República de Stary Buyán.
Xeografía
thumb|left|El [[Volga (Во́лга) flúi pel oeste d'esti óblast, formando una gran curva y pasando peles ciudaes de Toliatti (Тольятти), Samara (Сама́ра) y Syzran (Сызрань), como puede vese nesti mapa en rusu]]
Estaya horaria
El óblast de Samara ta alcontráu na estaya horaria de Moscú. La diferencia con UTC ye +0300/+0400 DST.
Saulx-lès-Champlon
Saulx-lès-Champlon ye una comuña francesa del departamentu de Meuse, na rexón de Gran Este. Llenda con.
Plantae y Familiae Asperifoliarum Nuciferae
Plantae y Familiae Asperifoliarum Nuciferae (embrivíu Pl. Asperif. Nucif.) ye un llibru con ilustraciones y descripciones botániques escritu pol naturalista y botánicu alemán Johann Georg Christian Lehmann y espublizáu en Berlín dos partes nel añu 1818.
Transistor
El transistor ye un dispositivu electrónicu semiconductor utilizáu p'apurrir una señal de salida en respuesta a una señal d'entrada. Cumple funciones d'amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El términu «transistor» ye la contraición n'inglés de transfer resistor («resistor de tresferencia»). Anguaño atópense práuticamente en tolos aparatos electrónicos d'usu diariu: radios, televisiónes, reproductores d'audiu y video, reloj de cuarzu, ordenadores, llámpares fluorescentes, tomógrafo, teléfonos móviles, ente otros.
Historia
El transistor bipolar foi inventáu nos Llaboratorios Bell d'Estaos Xuníos n'avientu de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quien fueron gallardoniaos col Premiu Nobel de Física en 1956. Foi'l sustitutu de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodu.
El transistor d'efeutu campu foi patentáu primero que'l transistor BJT (en 1930), pero nun se disponía de la teunoloxía necesaria pa fabricalos masivamente.
Ye por ello que de primeres s'usaron transistores bipolares y depués los denominaos transistores d'efeutu de campu (FET). Nos postreros, la corriente ente'l surtidor o fonte (source) y el drenaxe (drain) controlar por aciu el campu llétrico establecíu na canal. A lo último, apaeció'l MOSFET (transistor FET de tipu Metal-Óxidu-Semiconductor). Los MOSFET dexaron un diseñu desaxeradamente compactu, necesariu pa los circuitos altamente integraos (CI).
Güei la mayoría de los circuitos construyir con teunoloxía CMOS. La teunoloxía CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementariu) ye un diseñu con dos distintos MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementen mutuamente y peracaben bien poca corriente nun funcionamientu ensin carga.
El transistor consta d'un sustratu (usualmente siliciu) y trés partes dopadas artificialmente (contaminaes con materiales específicos en cantidaes específiques) que formen dos uniones bipolares, l'emisor qu'emite Portador de carga portadores, el colector que los recibe o gueta y la tercera, que ta entrepolada ente les dos primeres, modula el pasu de dichos portadores (base). A diferencia de les válvules, el transistor ye un dispositivu controláu por corriente y del que se llogra corriente amplificada. Nel diseñu de circuitos a los transistores considérase-yos un elementu activu, a diferencia de los resistores, condensadores y inductores que son elementos pasivos. El so funcionamientu namái puede esplicase por aciu mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula pol colector ye función amplificada de la que s'inyecta nel emisor, pero'l transistor namái gradúa la corriente que circula al traviés de sigo mesmu, si dende una fonte de corriente continua aliméntase la base por que circule la carga pol colector, según el tipu de circuitu que s'utilice. El factor d'amplificación o ganancia llográu ente corriente de colector y corriente de base, denominar Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipu de transistor son: Tensiones de rotura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabayu, y delles tables onde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente d'Emisor, etc. Los trés tipos d'esquemes(configuraciones) básicos pa usu analóxicu de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descritu, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) nun utilicen la corriente que s'inyecta nel terminal de base pa modular la corriente d'emisor o colector, sinón la tensión presente nel terminal de puerta o rexa de control (graduador) y gradúa la conductancia de la canal ente los terminales de Fonte y Drenaxe. Cuando la conductancia ye nula y la canal alcuéntrase esgañáu, por efeutu de la tensión aplicao ente Compuerta y Fonte, ye'l campu llétrico presente na canal el responsable d'impulsar los electrones dende la fonte al drenaxe. D'esta miente, la corriente de salida na carga coneutada al Drenaxe (D) va ser función amplificada de la Tensión presente ente la Compuerta (Gate) y Fonte (Source). El so funcionamientu ye análogu al del triodu, cola salvedá que nel triodu los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fonte son Rexa (o Alluna Control), Placa y Cátodu.
Los transistores d'efeutu de campu son los que dexaron la integración a gran escala disponible anguaño; pa tener una idea averada pueden fabricase dellos cientos de miles de transistores interconectaos, por centímetru cuadráu y en delles capes superpuestes.
Tipos de transistor
thumb|250px|Distintos encapsulados de transistores.
Transistor de contautu puntual
Llamáu tamién «transistor de punta de contautu», foi'l primer transistor capaz de llograr ganancia, inventáu en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta d'una base de xermaniu, semiconductor aquel día meyor conocíu que la combinación cobre-óxidu de cobre, sobre la que se sofiten, bien xuntes, dos puntes metáliques que constitúin l'emisor y el colector. La corriente de base ye capaz de modular la resistencia que se ve» nel colector, d'ende'l nome de transfer resistor. Basar n'efeutos de superficie, pocu conocíos nel so día. Ye malo de fabricar (les puntes afaíense a mano), fráxil (un golpe podía mover les puntes) y ruidosu. Sicasí convivió col transistor d'unión (W. Shockley, 1948) por cuenta del so mayor anchu de banda. Na actualidá sumió.
Transistor d'unión bipolar
thumb|Diagrama de Transistor NPN El transistor d'unión bipolar (o BJT, poles sos sigles del inglés bipolar junction transistor) fabrícase sobre un monocristal de material semiconductor como'l xermaniu, el siliciu o'l arseniuro de galio, que les sos cualidaes son entemedies ente les d'un conductor llétricu y les d'un aislante. Sobre'l sustratu de cristal contaminar en forma bien controlada tres zones socesives, N-P-N o P-N-P, dando llugar a dos uniones PN.
Les zones N (nes qu'abonden portadores de carga Negativa) llógrense contaminando'l sustratu con átomos d'elementos donantes d'electrones, como'l arsénicu o'l fósforu; ente que les zones P (onde se xeneren portadores de carga Positiva o «buecos») llógrense contaminando con átomos aceptadores d'electrones, como'l indiu, el aluminiu o'l galio.
El mecanismu que representa'l comportamientu semiconductor va depender de diches contaminaciones, de la xeometría acomuñada y del tipu de teunoloxía de contaminación (espardimientu gaseosu, epitaxial, etc.) y del comportamientu cuánticu de la unión.
Transistor d'efeutu de campu
El transistor d'efeutu de campu d'unión (JFET), foi'l primer transistor d'efeutu de campu na práutica. Formar una barra de material semiconductor de siliciu de tipu N o P. Nos terminales de la barra establez un contautu óhmico, tenemos asina un transistor d'efeutu de campu tipu N de la forma más básica. Si espublícense dos rexones P nuna barra de material N y conéctense externamente ente sigo, va producise una puerta. A unu d'estos contactos llamarémos-y surtidor y al otru drenador. Aplicando tensión positiva ente'l drenador y el surtidor y coneutando la puerta al surtidor, vamos establecer una corriente, a la que vamos llamar corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativu de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción na canal.
El transistor d'efeutu de campu, o FET poles sos sigles n'inglés, que controla la corriente en función d'una tensión; tienen alta impedancia d'entrada.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnético en frecuencies cercanes a la de la lluz visible; por cuenta de esto'l so fluxu de corriente puede ser reguláu per mediu de la lluz incidente. Un fototransistor ye, n'esencia, lo mesmo qu'un transistor normal, namái que puede trabayar de 2 maneres distintes:
Transistores y electrónica de potencia
Col desenvolvimientu teunolóxicu y evolución de la electrónica, la capacidá de los dispositivos semiconductores pa soportar cada vegada mayores niveles de tensión y corriente dexó'l so usu n'aplicaciones de potencia. Ye según anguaño los transistores son emplegaos en conversores estáticos de potencia, controles pa motores y llaves d'alta potencia (principalmente inversores), anque'l so principal usu ta basáu na amplificación de corriente dientro d'un circuitu zarráu.
Material semiconductor
Los primeres BJT facer a partir de xermaniu (Gue). Siliciu (Si) los tipos anguaño predominen pero ciertes versiones de microondes avanzáu y d'altu rendimientu agora empleguen el semiconductor compuestu de arseniuro de galio de material (GaAs) y el siliciu-germanio aleación de semiconductores (SiGe). Individual material del elementu semiconductor (Gue y Si) descríbese como elemental.
<!--The first BJTs were made from germanium (Gue). Silicon (Si) types currently predominate but certain advanced microwave and high-performance versions now employ the compound semiconductor material gallium arsenide (GaAs) and the semiconductor alloy silicon germanium (SiGe). Single element semiconductor material (Gue and Si) is described as elemental.
Rough parameters for the most common semiconductor materials used to make transistors are given in the table to the right; these parameters will vary with increase in temperature, electric field, impurity level, strain, and sundry other factors.
The junction forward voltage is the voltage applied to the emitter–base junction of a BJT in order to make the base conduct a specified current. The current increases exponentially as the junction forward voltage is increased. The values given in the table are typical for a current of 1 mA (the same values apply to semiconductor diodes). The lower the junction forward voltage the better, as this means that less power is required to "drive" the transistor. The junction forward voltage for a given current decreases with increase in temperature. For a typical silicon junction the change is −2.1 mV/°C. In some circuits special compensating elements (sensistors) must be used to compensate for such changes.
The density of mobile carriers in the channel of a MOSFET is a function of the electric field forming the channel and of various other phenomena such as the impurity level in the channel. Some impurities, called dopants, are introduced deliberately in making a MOSFET, to control the MOSFET electrical behavior.
The electron mobility and hole mobility columns show the average speed that electrons and holes diffuse through the semiconductor material with an electric field of 1 volt per meter applied across the material. In xeneral, the higher the electron mobility the faster the transistor can operate. The table indicates that Gue is a better material than Si in this respect. However, Gue has four major shortcomings compared to silicon and gallium arsenide: Because the electron mobility is higher than the hole mobility for all semiconductor materials, a given bipolar n–p–n transistor tends to be swifter than an equivalent p–n–p transistor. GaAs has the highest electron mobility of the three semiconductors. It is for this reason that GaAs is used in high-frequency applications. A relatively recent FET development, the high-electron-mobility transistor (HEMT), has a heterostructure (junction between different semiconductor materials) of aluminium gallium arsenide (AlGaAs)-gallium arsenide (GaAs) which has twice the electron mobility of a GaAs-metal barrier junction. Because of their high speed and low noise, HEMTs are used in satellite receivers working at frequencies around 12 GHz. HEMTs based on gallium nitride and aluminium gallium nitride (AlGaN/GaN HEMTs) provide a still higher electron mobility and are being developed for various applications.
'''Max. junction temperature''' values represent a cross section taken from various manufacturers' data sheets. This temperature should not be exceeded or the transistor may be damaged.
Al Si junction refers to the high-speed (aluminum–silicon) metal–semiconductor barrier diode, commonly known as a Schottky diode. This is included in the table because some silicon power IGFETs have a parasitic reverse Schottky diode formed between the source and drain as part of the fabrication process. This diode can be a nuisance, but sometimes it is used in the circuit.
Packaging
thumb|Assorted discrete transistors
Discrete transistors are individually packaged transistors. Transistors come in many different semiconductor packages (see image). The two main categories are through-hole (or leaded), and surface-mount, also known as surface-mount device (SMD). The ball grid array (BGA) is the latest surface-mount package (currently only for large integrated circuits). It has solder "balls" on the underside in place of leads. Because they are smaller and have shorter interconnections, SMDs have better high-frequency characteristics but lower power rating.
Often a given transistor type is available in several packages. Transistor packages are mainly standardized, but the assignment of a transistor's functions to the terminals is not: other transistor types can assign other functions to the package's terminals. Even for the same transistor type the terminal assignment can vary (normally indicated by a suffix letter to the part number, q.y. BC212L and BC212K).
Nowadays most transistors come in a wide range of SMT packages, in comparison the list of available through-hole packages is relatively small, here is a short list of the most common through-hole transistors packages in alphabetical order: ATV, Y-line, MRT, HRT, SC-43, SC-72, TO-3, TO-18, TO-39, TO-92, TO-126, TO220, TO247, TO251, TO262, ZTX851
Flexible transistors
Researchers have made several kinds of flexible transistors, including organic field-effect transistors. Flexible transistors are useful in some kinds of flexible displays and other flexible electronics.-->
El transistor bipolar como amplificador
El comportamientu del transistor puede vese como dos diodos (Modelu de Ebers-Moll), unu ente base y emisor, polarizáu en direutu y otru diodu ente base y colector, polarizáu n'inversu. Esto quier dicir qu'ente base y emisor vamos tener una tensión igual a la tensión direuto d'un diodu, ye dicir 0,6 a 0,8 V pa un transistor de siliciu y unos 0,4 pal xermaniu.
Lo interesante del dispositivu ye que nel colector vamos tener una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, esto ye, ganancia de corriente cuando β>1. Pa transistores normales de señal, β varia ente 100 y 300.
Entós, esisten tres configuraciones pal amplificador:
Emisor común
thumb|100px|Emisor común. La señal aplicar a la base del transistor y estrayer pol colector. L'emisor coneutar a les mases tantu de la señal d'entrada como a la de salida. Nesta configuración tiense ganancia tantu de tensión como de corriente. En casu de tener resistencia d'emisor, RY > 50 Ω, y pa frecuencies baxes, la ganancia en tensión avérase abondo bien pola siguiente espresión: ; y la impedancia de salida, por RC
Como la base ta coneutada al emisor por un diodu en direutu, ente ellos podemos suponer una tensión constante, Vg. Tamién vamos suponer que β ye constante. Entós tenemos que la tensión d'emisor ye:
Y la corriente d'emisor:.
La corriente d'emisor ye igual a la de colector más la de base:. Estenando
La tensión de salida, que ye la de colector calcúlase como:
Como β >> 1, puede averase: y, entós,
Que podemos escribir como
Vemos que la parte ye constante (nun depende de la señal d'entrada), y la parte  danos la señal de salida. El signu negativu indica que la señal de salida ta desfasada 180° al respective de la d'entrada.
Artie Ortego
Biografía
El so debú foi col papel de Moon Face nel curtiu western de Bison Motion Pictures The Tattoo (1912), trabayando xunto a Mona Darkfeather y William Bertram. Ortego actuó en 41 películes xunto a Darkfeather, 33 d'elles empobinaes pol home de la actrz, Frank Montgomery. La so última collaboración llegó en The Gambler's Reformation (1914), interpretando Ortego a un indiu llamáu Brown Bear.
Transistor
Emisor común
Finalmente, la ganancia queda:
Artie Ortego
Biografía
Ortego foi Delgado nel filme d'aventures American Aristocracy (1916), protagonizáu por Douglas Fairbanks y Jewel Carmen. En 1917 actuó en The Great Secret, con Francis X. Bushman y Beverly Bayne, y en The Avenging Trail, con Harold Lockwood y Sally Crute. thumb thumb Participó nun filme en 1920, Skyfire, protagonizada y dirixida por Neal Hart. Dempués fixo dos curtios interpretaos por Hoot Gibson, The Driftin' Kid con Gertrude Olmstead, y The Man Who Woke Up (dambos de 1921).
Darmera peltatum
Darmera peltatum ye una especie de planta perteneciente a la familia Saxifragaceae. (syn. Peltiphyllum peltatum; ye la única especie del xéneru Darmera. thumb|240px|Detalle de les flores
Transistor
Emisor común
La corriente d'entrada,, qu'averamos por.
Artie Ortego
Biografía
El primer filme sonoru de Ortego foi Beyond the Rio Grande (1930), con Jack Perrin. En 1931 actuó en Galloping Thru, con Tom Tyler y Betty Mack. Ortego actuó nun total de 14 películes protagonizaes por John Wayne, ente elles Randy Rides Alone (1934), The Desert Trail (1935), el filme empobináu por John Ford Stagecoach (1939, con Claire Trevor), y A Lady Takes a Chance (1943, with Jean Arthur). La so última película foi la cinta d'aventures dirixida por Allan Dwan Escape to Burma (1955), protagonizada por Barbara Stanwyck y Robert Ryan para RKO Pictures.
Darmera peltatum
Descripción
Crez amodo d'un rizoma perenne nos montes de monte d'oeste d'EE. XX., suroeste d'Oregón al noroeste de California).
Na primavera tardida, remanez primero que les fueyes en redondos visos de numberoses flores con cinco pétalos de color blancu a rosa brillosu, tienen 1.5 cm d'anchu caúna y prodúcense en tarmos d'unos 2 m de llargor. Les fueyes son arredondiaes, fondamente lobulaes y dentaes, son de color verde escuru y tamién se reproducen en cañes de 2 m d'altor. Les fueyes vuélvense coloraes en seronda.
Nos xardinos, Darmera peltata floria nos marxes de los estanques y xardinos de banzáu, onde forma un pimpanu macizu en forma de paragües. Ye afechu pa xardinos pequeños onde nun haya llugar pa Gunnera manicata o Gunnera tinctoria, plantes ensin rellacionar que son daqué similares n'apariencia, pero muncho más grandes.
Transistor
Emisor común
Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:
Artie Ortego
Biografía
Ortego tamién trabayó como artista convidáu en distintos programes televisivos, faciendo papeles en shows como The Cisco Kid (1950, 1951 y 1952), The Range Rider (1951), Cowboy G-Men (1953), Hopalong Cassidy (1953) y Maverick (1959).
Darmera peltatum
Descripción
D. peltata ganó la medaya Award of Garden Merit de la Royal Horticultural Society.
Artie Ortego
Biografía
Artie Ortego finó en 1960 nel Centru Médicu Providence Saint Joseph de Burbank, California, por causa de un ictus. Tenía 70 años d'edá, Foi soterráu nel Campusantu San Fernando Mission de Mission Hills (Los Angeles).
Transistor
Emisor común
y la impedancia d'entrada:
Darmera peltatum
Taxonomía
Darmera peltatum describióse por (Torr. ex Benth.) Voss y espublizóse en Gart. Zentral-Bl. 1: 646. 1899.
Transistor
Emisor común
Pa tener en cuenta la influencia de frecuencia tienen d'utilizase modelos de transistor más ellaboraos. Ye bien frecuente usar el modelu en pi.
Base común
thumb|100px|Base común. La señal aplicar al emisor del transistor y estrayer pol colector. La base coneutar a les mases tantu de la señal d'entrada como a la de salida. Nesta configuración tiense ganancia namái de tensión. La impedancia d'entrada ye baxa y la ganancia de corriente daqué menor qu'unu, por cuenta de que parte de la corriente d'emisor sale pola base. Si añedimos una resistencia d'emisor, que puede ser la mesma impedancia de salida de la fonte de señal, un analís similar al realizáu nel casu d'emisor común, danos la ganancia averada siguiente:.
La base común suelse utilizar p'afaer fontes de señal de baxa impedancia de salida como, por casu, micrófonos dinámicos.
Colector común
thumb|200px|Colector común. La señal aplicar a la base del transistor y estrayer pol emisor. El colector coneutar a les mases tantu de la señal d'entrada como a la de salida. Nesta configuración tiense ganancia de corriente, pero non de tensión que ye llixeramente inferior a la unidá. La impedancia d'entrada ye alta, aproximao β+1 vegaes la impedancia de carga. Amás, la impedancia de salida ye baxa, aproximao β vegaes menor que la de la fonte de señal.
Cultura popular
Cuestionóse l'orixe del transistor, por ser una parte esencial pa la creación de cualquier artefautu teunolóxicu. Ello ye que na cultura popular, créese que s'utilizó Inxeniería inversa en teunoloxía alienígena pa llograr desenvolvelo. El Incidente ovni de Roswell causó conmoción nos años 40, y popularmente, créese que los llaboratorios AT&T utilizaron restos de naves estraterrestres pa desenvolver un aparatu como'l transistor.
Sauvigny
Sauvigny ye una comuña francesa del departamentu de Meuse, na rexón de Gran Este. Llenda con.
Tien una población de y una superficie de  km².
La Bauche
La Bauche ye una comuña francesa del departamentu de Saboya, na rexón d'Auvernia-Ródanu-Alpes. Llenda con.
Tien una población de y una superficie de  km².
Ryo Nojima
Ryo Nojima (野嶋 良, ) ye un futbolista xaponés.
Adán
Adán (del hebréu: אָדָם; árabe: آدم) ye, según les relixones Abrahámiques, el primer home creáu por Dios sobre la Tierra; fechu de folla, sobre'l cual se Le insufló l'aliendu de la vida, según narra'l rellatu bíblicu. El Corán nomar cronológicamente primeru de los Profetes. La Fe Bahá'í considera a Adán como'l primera "Mensaxeru de Dios".
La historia bíblica
350px|thumb|La Creación d'Adán, frescu de [[Michelangelo nel techu de la Capiya Sixtina.]]
Refier el primer llibru de la Torá (conocida nel mundu occidental y especialmente n'ambientes cristianos como Pentateucu), qu'Adán foi creáu por Dios proveniente del polvu, a la so mesma semeyanza, pa gobernar la Tierra. La Biblia declara que d'una costiella tomada del home (Adán) Dios creó a una muyer (Eva). Siempres según la narración bíblica, Adán y Eva recibieron de Dios mandamientu de fructificar y multiplicase, enllenar la Tierra y gobernala. Dios punxo a Adán y la so esposa Eva nel güertu del Edén, dándo-y mandamientu de nun comer del "árbol de la ciencia del bien y del mal" pa nun morrer. Pero Moisés, autor del llibru de Xénesis, rellata qu'una astuta culiebra [Satán] engañó a Eva, que comió del frutu prohibíu, viendo que yera "bonu pa comer, y que yera prestosu a los güeyos, y árbol codiciable p'algamar la sabiduría", dándo-y tamién al so home. Reparando Dios aquel panorama, nun lu prestó, y decidió echar a Adán y Eva del güertu d'Edén, Dios entós dixo a Adán "Col sudu de la to cara vas comer el pan hasta que vuelvas a la tierra, porque d'ella fuisti tomáu; pos polvu yes, y al polvu vas volver". La narración bíblica sigui narrando la vida d'Adán y Eva fuera del xardín d'Edén. Cunta qu'ellos tuvieron fíos Caín, Abel y Set y otros tantos y qu'Adán morrió a la edá de 930 años.
Adán na teoloxía de la Ilesia Mormona
La Ilesia de Xesucristu de los Santos de los Últimos Díes (mormones) sostién qu'Adán y l'Arcánxel Miguel son el mesmu individuu.
Miguel, l'Arcánxel, lluchó contra los ánxeles d'aquella culiebra antigua” o “dragón” (Satanás, diañu) y espulsar a la tierra al rematar la batalla nel cielu mientres la esistencia premortal.
Según delles de les sos escritures modernes, Miguel nació nesta tierra como home: “Adán, el padre de toos, el príncipe de toos, el vieyu de díes”.
Adán xenéticu
En xenética humana, l'Adán cromosomal-Y defínese como l'individuu más antiguu que tenía un cromosoma Y del cual baxaron tolos cromosomes Y de la población humana actual.
Un estudiu evolutivu de la Universidá de Stanford sobre 93 polimorfismos xenéticos humanos topaos nesti cromosoma, en mil individuos de 21 rexones del mundu, calculó qu'un antepasáu masculín común a tolos homes actuales vivió n'África hai unos cincuenta mil años. Ye abondo posterior a l'antepasada común llamada Eva mitocondrial, por razones conocíes, una y bones la mitocondria ye heredada solo de la madre y el cromosoma Y ye heredáu solo del padre.
200px|thumb|Representación d'Adán por [[Alberto Durero, añu 1507, Muséu del Prado.]]
Iconografía
La imaxe d'Adán y Eva foi profusamente utilizada, siendo unu de les poques temes bíbliques que dan la oportunidá del desnudu al artista. Adán ye imberbe na dómina paleocristiana, ye na Edá Media cuando se-y representa, tantu con barba, como ensin ella.
Atributos d'Adán
De cutiu represéntase-y con un pedestal o un monte (home del monte). Tamién como'l microcosmos que reina nos siete planetes (homo caelestis). Tamién arrodiáu d'animales (por ser el so señor).
La creación d'Adán
Tarreza recurrente, nos sarcófagos paleocristianos apaez Dios poniendo la mano sobre él nel actu de la creación, insuflándole la vida. Más tarde, saliendo de les sos manes. El culmen, ensin dulda, Dios insuflándole l'alma con un deu (Capiya Sixtina).
Orixe sumeriu d'Adán
La Historia de la lliteratura refier que, nel so orixe, el personaxe lliterariu d'Adán foi tomáu polos xudíos de la lliteratura sumeria, en concretu de la Epopeya de Gilgamesh: tratar d'Enkidu y representa a la Naturaleza y los valores rurales del campu frente a Gilgamesh, que representa la Civilización y los valores urbanos de la ciudá. Los xudíos conocíen la tradición lliteraria sumeria por ser desterraos como esclavos a Babilonia, como tamién conocíen la tradición lliteraria exipcia, de la que tomaron la historia de Job y otros elementos, por emigrar tamién ellí.
Sauvoy
Sauvoy ye una comuña francesa del departamentu de Meuse, na rexón de Gran Este. Llenda con.
Tien una población de y una superficie de  km².