cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Mikroelektronik
Miniaturisyrig vo integryrtè Schaltchreis
Gordon Moore hèt dè Sachvohalt vo dè permanentè Fertigungskoschtèreduktion schu 1965 formulyrt – i dè Aafangsphasè vo dè Mikroelegtronik – i dè nõch ym benamstè „Gsetz“, idèmm er gsait hèt, dass sich d Aazaal vo dè Transischtòrè uff eim Chip alli zwölf Mönet (spôter achtzee Mönet) vodoppled. Sit dèmm het d Mikroelegtronik tatsächlich sowoll in Hybligg uff Integrationsdichti als au bi dè Vochlynerig vo dè Strukturè kontinuyrlichi Fortschritt gmacht.
Burg Friedberg (Oppenau)
Aalag
D Burgaalag isch e Rächteckböu gsi mit eme runde, langlächte Bärgfrid as Wohndurm, wu no Räscht vun em erhalte sin. Drum ume het szwe großi Halsgräbe gha, wu hite iberböue sin mit Hyyser.
Mikroelektronik
Miniaturisyrig vo integryrtè Schaltchreis
Diè hochi konschtanti Fèrtigungskoschtèreduktion i dè Mikroelegtronik isch è wesèntlichè Innovationsmotor vo dè letschtè dryßig Johre in èrè Vylzaal vo Branchè gsi – nit allei i dè Elegtronik un dè Computertechnig (luèg Abschnitt Aawendigè).
Ob sellè Trend witer uffrächterhaaltè wörrè cha, gildet aagsichts dè Zuènaam vo dè Prozèsskoschtè bi Aanäherig a phûsikalischi Gränzè un dennè iri Kompensation durch Yschparig a Chipflächi als nit sicher. Drübber usè lôn sich einigi Sonderschaltigstechnikè nimmi mee abbèskalyrè, öppè söttigi zu dè Erzylig vo höcherè Spannigè als d Vosorgigsschpannig(è) vo dè Chips.
Folgè vo dè Miniaturisyrig
D Miniaturisyrig vo integryrtè Schaltchreis hèt nebbè dè Koschtèsenkig für glychwertigi Brodukt no witeri Uuswûrkigè.
Kabinett Kiesinger II
S Kabinett Kiesinger I het s in dr 3. Wahlperiod vum Landdag vu Bade-Wirttebärg gee.
Mikroelektronik
Folgè vo dè Miniaturisyrig
È bositivè Effèkt hèt d Schichtvochlynerig vo dè Gate-Isolationsschicht. D Transischtòrè könned bi nèrè voringertè Spannig betribbè wörrè un wysed somit è voringerti Voluschtleischtig uff (d Voluschtleischtig pro Flächi stygt abber → schlechteri Wärmiabfuur). Zuèsätzlich bedütet è höcheri Sischteemintegration (mee Fungtionè uff eim Chip) wènniger Bauelemènt uff einèrè Leiterblattè un dõmit erhöhti Zuèvolässigkeit durch wènniger Lötvobindigè. Ooni Vochlynerig un Integration wär è battrybetribbenè, mobili Elegtronik nit denkbar, wiè si hüt allgegèwärtig isch: Smartphone, Tabletcomputer, Mobildelefon, Notebook etc.
Vorgschichtè
D Mikroelegtronik wörd hüüfig mit dè Computer- bzw. Rechnertechnig in Vobindig brocht odder sogar glychgsetzt, vo allem diè hochi Vobreitig vo integryrtè Schaltigè in Form von Prozessorè un Mikrocontroller in fascht allè Berych vom hütigè Läbbè hèn dõdezuè bydrait. Elegtronischi Rechènmaschinnè hèt s abber scho einigi Johrzehnt vor dè èrschtè Transischtòrè odder Integryrtè Schaltigè.
Diè èrschtè elegtromechanisch schaffendè Computer – byschpillswys Colossus odder Mark I – sin im Zweitè Wältchrièg Aafang vo dè 1940er Johr entschtandè (vgl. Gschichte vom Computer). Dè 1946 in Betrièb gnòene Großrèchner ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Calculator) isch dè èrschti universell ysetzbari rein elegtronische Rechner gsi. Selli èrschtè Rechenmaschinnè sin abber wedder hysichtlich dè Rechenleischtig no dè Größi mit hütigè Personalcomputer voglychbar gsi.
Wa für hütigi mikroelegtronischi Schaltigè dè Transischtòr gsi isch, isch für dè rund 27 Tonnè schwèri ENIAC d Elegtronèröörè (17.468 Stugg) gsi. Si bildet s Grundelemènt für diè sognannti Röörèelegtronik un dõmit für dè Röörècomputer. D Grundlagè zu dè Elegtronèröörè gòt uff d Entdeckig vo dè Glühemission (1883) vom Thomas A. Edison zrugg (vgl. Gschichtè vo dè Elegtronèröörè). Diè èrscht Elegtronèröörè, è Röörèdiodè, isch 1904 vom John Ambrose Fleming entwicklèt un 1906 vom Lee de Forest modifizyrt worrè. Forescht hèt d Röörèdiodè um è dritti Elegtrode ergänzt un dõmit d Triodèröörè gschaffè, s Pendant zu dè Röörèelegtronik vom Transischtòr.
Als Alternatyvè zu dè Digitalrechner hèt s bis i d 1970er Johr Analog- un Hùbridrechner gää, welli bevorzugt für d Berechnig vo Differentialglychigè ygsetzt worrè sin. Byschpillswys hèt dè Rockefeller Differential Analyzer mit Dausendè vo Elegtronèröörè un elegtrischi Relais gschaffèt un isch bis zum Endi vom Zweitè Wältchrièg diè leischtungsfähigschti Rechenmaschinnè gsi.
D Vowendig von èrè großè Zaal vo Elegtronèröörè in komplexè Gräät sin einigi Nõchdeil vo sellènè Baudeil entgegè gschtandè. Elegtronèröörè sin relativ fääleraafällig gsi, hèn è Uffwärmzit bruucht un rächt hochi Voluschtleischtigè uffgwisè. Zu dè wichtigschtè Vobesserigszyl vo dè Entwickler nõch dè Inbetrybnaam vo dè èrschtè elegtronischè Rechenmaschinnè hèn dõhèr è erhöhti Zuèvolässigkeit un d Vorringerig vo dè Hèrschtellungskoschtè ghört.
Au d Miniaturisyrung isch scho è wichtigs Thema gsi, diè èrschtè Rechenmaschinnè hèn immerhy ganzi Rüüm uusgfüllt. Elegtronèröörè hèn abber als kaum miniaturisyrbar goltè. Trotzdèm hèt s scho intensyvi Miniaturisyrigsbeschtrebungè gää, sowoll bim Uffbau vo dè Gsamtschaltig als au bi dè Röörè sèlber. Schaltigè mit voluminösè Elegtronèröörè sin durch d Entwicklig vo Battryröörè so wit vochlynerèt worrè, dass byschpillswys dragbari Funkgräät möglich worrè sin. D Yfüürig vo dè Transischtòrè hèt èn witerè Miniaturisyrigsschritt mit sich brocht, mit Dickschichtschaltigè für diè chlynscht Uusfüürig vo dè integryrtè Schaltigè.
È früèneri Form vom Arbètsschpycher vo Computer isch dè Chèrnschpycher gsi, bi dèm vill uff Drôht uffgfädelti hartmagnetischi Ring vowendet worrè sin, welli per Stromschtooß ummagnetisyrt un uusgläsè wörrè hèn könnè.
Erfindig vom Transischtòr
Dass d Rechèleischtig vo dè dõmõligè Großrechner sèlbscht mit sellèrè vo hütigè Daschèrechner nimmi mithaltè cha, isch vo allem dè Entwicklig vom Transischtòr uff Grundlaag vo dè sogenanntè Halbleiter un dè Integryrtè Schaltigè zu vodankè.
D Entdeckig vom Transischtòr bzw. èm Transischtòreffèkt wörd allgmein dè amrikanischè Wûssenschaftler John Bardeen, Walter Brattain un William B. Shockley zuègschribbè. Si hèn 1956 „für iri Untersuchigè übber Halbleiter un iri Entdeckig vom Transischtòreffèkt“ dè Phûsiknobelpriis. Bardeen, Brattain un Shockley hèn zuè nèrè Arbètsgruppè vo dè Bell Telephone Laboratories z Murray Hill (New Jersey) ghört, wo sich mit dè Untersuchig vo Feldeffèkt in Feschtkörper beschäftigèt hèt. Bi eim vo dè durchgfüürtè Vosuèch im 16. Dezember 1947 hèt dè Brattain è Stròmvoschtärkig beobachtet, dè Transischtòreffèkt. Dè Uffbau uss eim mit drei Elegtrodè kontagtyrtè n-dotyrtè Germaniumkrischtall isch dè èrschte fungtionierende Bipolartransischtòr gsi. Diè wesentlichi Änderig gegèübber früènèrè Uffbautè isch gsi, dass zwei Elegtrodè zimli nõch (ca. 50 μm) binènand glegè sin, wodurrè dè Transischtòreffèkt èrscht ermöglicht worrè isch. Sellè spôter als Spitzètransischtôr bekannt worrèni Transischtôr hèt nit reproduzyrbar hèrgschtellt wörrè hèt könnè un sini Fungtionswys isch lang nit hyreichend guèt bekannt gsi. Trotzdèmm isch s Potential vo sellèrè Entdeckig vo dè Voantwortlichè seer schnèll erkannt worrè. Diè wesentlichè Vordeil gegèübber dè Elegtronèröörè sin gsi, dass kei Vakuum un kei Uffwärmzit notwendig gsi isch sowiè kei Wärmeentwicklig hèt könnè beobachtet wörrè. Diè Möglichkeitè vp dè Miniaturisyrig vo elegtronischè Schaltigè isch dè Uusgangspunkt für è Revolution i dè Elegtronik gsi, welli vill Entwickligè vo dè Mikroelegtronik un Computertechnology èrscht ermöglicht hèt.
Uss hütiger Sicht sin Bardeen, Brattain un Shockley nit diè èrschtè odder einzigè Forscher gsi, diè sich mit dè Entwicklig vo Alternatyvè zu dè Elegtronèröörè uff Basis vo Halbleiter beschäftigèt hèn. Scho 1925 (Lilienfeld ), 1934 (Heil ) un 1945 (Heinrich Welker ) sin Ideè zuè nèm anderè Transischtòr, èm Fäldeffèkttransischtòr, voöffentlicht worrè. Well zu sellèrè Zit d Hèrschtelligsvofaarè (z. B. für d Reinigung vo dè Halbleitersubschtraat vo Frèmdschtoff) nit uusreichend gsi sin, hèt mò selli Ideè abber nit realisyrè könnè. Uss sellèm un anderè Gründ sin si vo dè Öffentlichkeit nit beachtet worrè un sin au nur wènnigè Fachlütt bekannt gsi.
Unabhängig vo dè BTL-Arbètsgruppè hèt dè Herbert F. Mataré un dè Heinrich Welker – dõmòls Aagschtellti bi Westinghouse z Paris – èn Transischtòr entwicklèt, wo nõch èm äänlichè Brinzyp gschaffèt hèt. Sellè au als „Transitròn“ bezeichnete Bipolartransischtò hèn si einigi Mönet (13. August 1948) spôter als d Amerikaner vorgschtellt. Mataré hèt 1952 z Dütschland d Firma Intermetall gründet un hèt schu dè èrschte Brototûp von èm Transischtòrradio mit Kopfhörer bräsentyrè könnè; è Johr vor èm èrschtè kommerzièllè, US-amrikanischè Modèll.
William Shockley hèt 1956 è Labor (Shockley Semiconductor Laboratory) z Mountain View nòch bi dè Stanford Universidät z Palo Alto eröffnèt. S Labor gildet als è Keimzellè vom Silicon Valley, deby isch z bemèrkè, dass zu sellèrè Zit sowoll Forschig als au Induschtry seer stark a dè Oschtküschtè vo dè USA konzentryrt gsi sin.
Schu im September 1957 hèn sich wegè Meinigsvoschiddèheitè acht Mitarbeiter (Eugene Kleiner, Jay Last, Victor Grinich, Jean Hoerni, Sheldon Roberts, Julius Blank, Gordon E. Moore un dè Robert N. Noyce) vo Shockley drènnt. Si hèn mit èm Wagniskapital d Fairchild Semiconductor Corporation gründet. Fairchild Semiconductor isch eini vo dè Firmè, wo zu sellèrè Zit d Entwicklig vo dè Mikroelegtronik voraadribbè hèt, asè hèt Fairchild scho 1958 dè èrschti Silizium-basyrte Transischtòr in Serièstüggzaalè hèrgschtellt un isch maßgeblich a dè Entwicklig vom Blanaartransischtòr un vom integryrtè Schaltchreis beteiligèt gsi. Gordon Moore un Robert Noyce hèn denn 1968 d Firma Intel gründet, diè hüt (2010) s umsatzschtärkschti Unternèmmè im Berych vo dè Mikroelegtronik isch.
Silizium vodrängt Germanium
Silizium isch ab Mitti vo dè 1960er Johr s dominyrende Halbleitermatriaal worrè, obwool Germanium i dè Aafangsjohr vo dè Halbleiterelegtronik füürend gsi isch. Im Johr 2009 sin circa 95 % vo allnè mikroelegtronischè Schaltigè uff Basis von Silizium broduzyrt worrè.
Diè aafänglichè Vordeil von Germanium sin sini besserè Eigèschaftè, wiè èn nidrigè Schmelzpunkt un è höcheri Ladigsdrägerbeweglichkeit gsi (ermöglicht höcheri Schaltfrequènzè) un es isch bis dõmòls eifacher un besser z reinigè gsi wiè Silizium.
Diè wichtigschtè Gründ für dè Erfolg vo Silizium sin diè guètè Eigèschaftè vo dè Matriaalkombination Silizium un Siliziumdioxid. Siliziumdioxid wörd als Isolationsmatriaal ygsetzt un zeigt nebbè dè guètè elegtrischè Eigèschaftè (Durchbruchfäldschtärki, Bandabschtand usw.) seer guèti Schichthaftig uff Silizium. Mit dè thermischè Oxidation vo Silizium stòt zuèdèmm è eifachs Hèrschtelligsvofaarè vo Siliziumdioxidschichtè uff kristallinem Silizium zur Vofüègig, wa Siliziumdioxidschichtè mit seer guètè Gränzflächèeigèschaftè ermöglicht, wiè au è gringi Konzentration a Gränzflächèladigè. Anders als Germaniumdioxid isch Siliziumdioxid chemisch stabyl gegèübber Wasser, sell heißt, es löst sich nit in Wasser. Demit ermöglicht s diè eifach Reinigung vo dè Obberflächi mit Wasser un dè Ysatz vo diversè nasschemischè Bschichtungs- bzw. Strukturyrigsvofaarè. Dè höchere Schmelzpunkt gegèübber Germanium macht s Matriaal allgemein robuschter un erlaubt höcheri Temperaturè bi dè Hèrschtellig, byschpillswys bi einigè Diffusions- un Bschichtigsbrozèss.
Diè guètè Eigèschaftè von thermisch hèrgschtelltem Siliziumdioxid ermögliched d Entwicklig vom Blanarvofaarè un dõmit d Entwicklig vo integryrtè Schaltchreis, wiè si hützdaag ygsetzt wörred (luèg unnè). Selli wichtigè Erfindungè vo dè Mikroelegtronik sin witeri signifikantè Vobesserigè bi dè Hèrschtellig un Stabilidät vo Transischtòrè durch dè Ysatz vo thermisch hèrgschtelltem Siliziumdioxid voruusgangè. Dezuè gehörd nebbè dè Eignig als selektivi Dotyrigsmaskyrig vo allem diè passivyrendi Wûrkig sowiè diè seer guètè elegtrischè Eigèschaftè vo dè Grenzflächi vo thermischem Siliziumdioxid un Silizium. Durch d Passivyrung vo dè Obberflächi un dè dõmit vobundnè Verringerung vo Gränzflächèladungè un Yflüss vo dè Umgebig vobesserèt sich diè elegtrischi Charakterischtik vo Transischtòrè (iri Kennlinniè) sowoll hysichtlich dè Rebroduzyrbarkeit als au irer Stabilidät im Ysatz. Zuèdèmm ermöglicht diè vobesserti Isolator-Halbleiter-Gränzflächi d Hèrschtellig vo èrschtè fungtionyrendè MIS-Feldeffèkttransischtòrè (MIS-FET). Nõchdèm erkannt worrè isch, dass au durch Alkalimetallvounreinigungè verursachti Ladigè im Siliziumdioxid diè elegtrischè Eigèschaftè vo Halbleiterbauelemènt massyv voschlechterèd un sell i dè Broduktion berüggsichtigt worrè isch, sin diè grundlegendè Brobleem bi dè Hèrschtellig vo stabylè Bauelemènt uff Basis vo Halbleiter glöst.
Integryrti Schaltchreis
Dè letschte Schritt zu dè Mikroelegtronik stellt dè Übbergang vo Schaltigè uss diskretè Halbleiterbauelemènt uff ènèrè Leiterblattè hy zu integryrtè Schaltchreis (ICs) dar. Unter integryrtè Schaltchreis voschtòt mò allgemein Schaltigè uss Halbleiterbauelemènt (hauptsächlich Transischtòrè) inklusiv dè Vodròòtig uff eim Subschtrat, au als monolithischè Schaltchreis bezeichnèt. Konzèpt sin Èndi vo dè 1950er Johr unabhängig vonènand vom Jack Kilby, Aagschtelltè vo Texas Instruments, un èm Robert Noyce , Gründigsmitglyd vo Fairchild Semiconductor, erfundè un zum Batent aagmeldèt. Kilbys Batent uss èm Johr 1959 hèn isch èrschtmòls è Schaltig uss voschidenè Komponentè (Transischtôrè un Widderschtänd) uff eim einzigè Subschtrat (uss Germanium). Uss sellèrè Arbèt usè isch s berüümte Kilby-Patent (vom japanischè Patentamt un durch s Obbergericht (OG) Tokio wegè fäälender erfinderischer Tätigkeit zrigggwisè. ). Um sell Patent isch rund zee Johr vor Gricht gschtrittè worrè, well Robert N. Noyce èn seer äänlichè Schritt uusdänkt hèt, sellèn allerdings spôter zum Patent aagmeldet hèt.
Anders als bim Kilby, dè è Vodròòtig uff èm Subschtrat nu aadenkt hèt, hèt s Patent vom Noyce uff dè Ideè un Erkenntnis vom Planarvofaarè, welles zu dè glychè Zit durch dè Jean Hoerni (ebbèfalls Fairchild Semiconductor) entwicklèt worrè isch. Für d Hèrschtellig sin scho fotolithografischi Vofaarè un Diffusionsbrozèss gnutzt worrè, welli d Fairchild Semiconductor kurz devor für d Hèrschtellig vom èrschtè modernè Diffusions-Bipolartransischtòr entwickelèt gha hèt. Unter anderem diè technischi Machbarkeit vo nèrèe söttigè Vodròòtig hèt d Hèrschtellig vo elegtronischè Schaltigè revolutionyrt. In Folg devò hèn vill Firmè iri Forschig un Entwicklig i sellem Berych voschtärkt, dõrum hèt è enormi Miniaturisyrig ygsetzt.
1961 isch dè èrschte kommerzièll erhältliche integryrte Schaltchreis vorgschtellt worrè. Es isch è Flip-Flop vo dè Firma Fairchild Semiconductors gsi, un in Planartechnology hèrgschtellt worrè, es hèt uss vir Bipolartransischtòrè un füüf Widderschtänd beschtandè. Diè bipolareè Transischtòrè sin schnèll durch Feldeffèkttransischtòrè (FETs) ersetzt worrè, meischtens i dè Form vo lychter hèrschtellbarè MOSFETs (Metall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèktransischtòrè). S Fungtionsbrinzyp vom MOSFET isch zwar scho einigi Johrzeent devor bekannt gsi, d Hèrschtellung vo èrschtè fungtionstüchtigè Exemblaar isch abber èrscht 1960 durch Martin M. Atalla un Dawon Kahng (vgl. Obberflächèpassivyrig im Artikel Thermischi Oxidation vo Silizium). Witeri wichtigi Entwickligè i dè 1960er Johr sin d CMOS-Technig (Frank Wanlass, 1963 ) un èrschti DRAM-Spycherzellè durch dè Robert H. Dennard (Thomas J. Watson Research Center/IBM, 1967, siehe DRAM).
D Komplexidät vo dè Schaltigè hèt rassig zuègnõ un 1970/71 sin fascht glychzitig diè èrschtè Mikrobrozessorè vo drei Firmè vorgschtellt worrè: dè Intel 4004, dè Texas Instruments (TI) TMS 1000 un dè Garrett AiResearch „Central Air Data Computer“ (CADC). Zu sellèrè Zit sin Schaltigè mit Transischtòrdichtè mit einigè dausend Bauelemènt uff eim Chip realisyrt worrè. Selli Entwickligsschtufè wörd als Großintegration (ängl.: Large Scale Integration, LSI) benamst. Uffgrund vo dè rasantè Entwicklig i dè Mikroelegtronik sin 1979 Transischtòrdichtè erreicht worrè, diè è Villfachs größer (öppè zwei Größèordnigè) gsi sin als bi LSI-Schaltigè. Selli Stufè vo ICs wörd als Größtintegration (ängl.: Very Large Scale Integration, VLSI) benamst. Sellè Trend hèt sich bis hüt (2009) im Wesentlichè erhaaltè (vgl. Mooresches Gesetz), so dass hüt übber ei Milliardè Transischtòrè mit Taktfrequènzè vo meererè Gigahertz möglich sin. Diè Größi vom Einzelbaudeils lyt dõby wit unter eim Quadratmikrometer. Zuènemmend wörred au ganzi Sischteem (Kombination vo meererè Baugruppè, wiè Brozessorè, Schnittschtellèschaltigè un Spycher) uff eim einzelnè Chip realisyrt (ängl.: System on a Chip, SoC).
Zuèkümpftigi Entwickligè
Unterschritet d Strukturgrößi d 100-Nanometer-Gränz (2008 lyt si scho bi 45 nm bzw. 2009 bi 40 nm), so sait mò sellèm formal schu Nanoelegtronik bzw. nanotechnology (Definition vo dè US-Regyrig. Im engerè Sinn isch abber ehnder gmeint, dass bsunderi Matriaaleigèschaftè gnutzt wörred, diè èrscht uffdrètted, wenn sich d Strukturabmessigè i dè Nôchi vom Molekül- bzw. dè Atomgrößi bewegè duèt. Zuè söttigè Strukturè zelled zum Byschpill Leitigsbaanè odder Transischtòrè uss Kollèschtoffnanoröörè odder Isolationè uss Self Assembling Monolayer.
Neui Bauelemènt wörred mit Resonanzdunnèldiodè ufsbaut.
Integrierte Optoelektronik: Angesichts zunehmender Signallaufzeiten insbesondere in langen Verbindungsleitungen (globale Interconnects) großer „System on a Chips“ wird darüber nachgedacht, diese elektrischen Leitungen durch optische Verbindungen zu ersetzen.
Organischi Elegtronik: Um koschtègünschtigi „Wègwerfelegtronik“ (zum Byschpill elegtronischi Priisetikettè) z realisyrè, wörred Schaltigè uff dè Basis vo organischè un metallischè Matrialiè uff organischi Subschtraat in Dünnschichttèchnik uffbrocht (luèg Organischè Feldeffèkttransischtòr).
Intressanti Perschpektyvè ergänn sich au dõdruus, dass uffgrund vo dè fortschritendè Skalyrig diè chlynschtè i dè Mikroelegtronik realisyrbarè Strukturè i dè Größèordnig vo biologischè Molekül vordringed. Zurzit isch è Konvergenz vo Biotechnology un Mikroelegtronik un d Uusbildig von èrè neuè Fachwissèschaft z beobachtè, diè villfach als Bioelegtronik bezeichnèt wörd un a èrschter Stell vo dè Entwicklig vo neuartigè Biosensorè bedrôffè wörd.
Ydeilig un Bauelemènt
Standardschaltchreis lônn sich in èrè Vylzaal vo Aawendigè ysetzè, wörred in großer Zaal broduzyrt un sin deilwys durch Standardisyrigskonsortiè in irer Uusbrägig feschtglait. Dõgegè sin aawendigsspezifischi ICs Schaltchreis, wo für è beschtimmti Aawendig (zum Byschpill Motoorschtüèrig im Auto) entworfè un baut sin un vo irem Fungtionsumfang kei anderi Aawendig erlaubed. D Abgränzig vo sellè beidè Gruppè isch i dè Braxis flûèßend: So könned mengi als ASIC benamsti Schaltchreis trotzdèmm umprogrammyrt wörrè, abber nit für jeddè belièbigi Fungtion odder Aawendig.
Bi analogè ICs handlet s sich um integryrti Schaltigè, wo analogi Signaal – Signaal, wo sich innerhalb von èm bschtimmtè Wärteberych kontinuyrlich änderè könned, wiè Spannigè odder Strôm – dirèkt voschaffè könned. Èn großès Aawendigsfäld sin dõ sognannti Standard-ICs mit nidriger Fungtionsintegration, byschpillswys Operationsvoschtarker un Spannigsregler.
Arno Bogenrieder
Dr Arno Bogenrieder (* 5. Jänner 1944 z Schramberg) isch e dytsche Botaniker. Är isch Brofässer an dr Fakultet fir Biology vu dr Universitet Fryburg gsii.
Lääben un Wärch
Vu 1963 bis 1972 het dr Bogenrieder Biology un Chemy an dr Universitet Fryburg studiert. Anne 1969 het er s erscht Staatsexamen abglait. Sy Staatsexamensarbet het dr Titel „Zur Floristik und Ökologie einiger Glazialrelikte im Naturschutzgebiet Feldberg (Schwarzwald)“ drait. Anne 1972 het er bi dr Otti Wilmanns iber „Vergleichende physiologisch-ökologische Untersuchungen an Populationen subalpiner Pflanzen aus Schwarzwald und Alpen“ promoviert.
Mikroelektronik
Ydeilig un Bauelemènt
Digitali ICs degegè voschaffet uusschlièßlich digitali Signaal – Signaal, dennè iren Wärteberych è endlichi Aazaal von Signalwärt hèn. Si ûstelled derzit (2014) diè gröscht Gruppè vo Schaltchreis dar. Tûpischi Vodrètter vo digitalè ICs sin Programmyrbari Logikbauschtein (ängl.: programmable logic devices, PLD), Spycherbauschtein (wiè ROM, PROM, DRAM odder Flash-Spycher) un komplexi übber Mikrocode programmyrbari Schaltigè wiè digitali Signalbrozessorè, Mikrocontroller odder Mikrobrozessorè.
Arno Bogenrieder
Lääben un Wärch
Im Johr 1972 isch er in d Schwyz gange as Laiter vu dr Arbetsgruppe Ökophysiologie im Hochgebirgsprogramm an dr Aidgnessische Aastalt fir s Forschtli Versuechswäse, isch aber scho 1973 wider retuur chuu an d Universitet Fryburg as Akademische Rot am Lehrstuel fir Botanik. 1980 het er si an dr Universitet Fryburg habilitiert un d Venia Legendi im Fach Geobotanik iberchuu.
Mikroelektronik
Ydeilig un Bauelemènt
Ußerhalb vo sellerè grobè Ydeilig in analogi un digitali ICs git s no witeri Schaltchreis, wiè diè a dè Schnittschtell zwischè dè analogè un digitalè Berych ligendè Digital-Analog- bzw. Analog-Digital-Umsetzer sowi Frequènz-Spannigs-Wandler un spannigsgschtüerti Oszillatorè (Spannigs-Frequènz-Wandler). Sensorè wörred au oft dirèkt i d Mikroelegtronik mit integryrt, oft zämmè mit irer Aabassigselegtronik sowiè ggf. eim digitalè Interface zum Aaschluss an èn Mikrobrozessor. Relativ eifach sin Temperatursensorè. Großi Mengè wörred hüt a optischè Sensorè hèrgschtellt, als Bildsensorè odder als Deil vo optoelegtronischè Aaordnigè.
Arno Bogenrieder
Lääben un Wärch
Ab 1982 het er e zwooti Brofässur am 1975 grindete Lehrstuel fir Geobotanik vu dr Universitet Freiburg ibernuu.
Mikroelektronik
Ydeilig un Bauelemènt
Diè voschidenè Formè vo dè Bauelemèntintegration erforderèt unterschidlichi Montagekonfigurationè, um diè einzelnè Bauelemènt zuè elegtronischè Baugruppè z voeinè. Dõdurrè entschtôn è Villzaal vo komplexè un differenzyrtè Uffbau- un Vobindigstechnologiè. So unterschydet sich Bauelemènt nõch dè Montagekonfiguration in söttigi, wo uff d Leiterblattè uffsetzbari SMDs odder steggbari vodròòteti Bauelemènt (THT) un in ghüüslosi Bluttchips, wo dirèkt odder mit èm Zwischèvodròòtigsdräger uff dè Vodròòtigsdräger uffgsetzt wörred. Hüt wörred diè meischtè Bauelemènt als SMDs montyrt. Es git abber Bauelemènt, für welli no keini uffsetzbari SMD-Bauformè vofüègbar sin, odder bi dennè durch d SMD-Bauform diè elegtrischi Belaschtbarkeit vo Bauelemènt z stark ygschränkt wörd. I sellè Fäll wörred diè älterè THT-Bauformè witerhy vowendet wörrè.
Arno Bogenrieder
Lääben un Wärch
Em Bogenrieder sy Forschigsschwärpinkt sin iber d Johr unter anderem experimentälli Ekology, Vegetationskund un -wandel, bsundersch d Vegetation vum Schwarzwald, dr Alpe un dr Oberrhyebeni, un Untersuechige zue Pinus rotundata im Schwarzwald un Alnus viridis in dr Alpe gsii.
Mikroelektronik
Aawendigè
Bauelemènt vo dè Mikroelegtronik sin urschprünglich für d Aaforderigè vo dè Raumfaart nõch chlynè un lychtè Baudeil entwicklèt worrè. Si sin hüt in èrè Vylzaal vp technischè Gräät un Yrichtungè z findè:
Arno Bogenrieder
Lääben un Wärch
DrBogenrieder isch näb em Hans Kössel (Biochemy, Molekularbiology) un Günther Osche un Klaus Günter Collatz (beidi Zoology) ain vu dr Fachberoter (fir Botanik) bi dr erschte Uflage vum Herder-Lexikon der Biologie un au Fachberoter bim Herder-Lexikon der Biochemie und Molekularbiologie.
Derzue isch er Naturschutzbeufdraite vum Landkrais Brysgau-Hochschwarzwald gsii.
Mikroelektronik
Entwicklig vo mikroelegtronischè Bauelemänt
Für analogi Schaltigè wörred diè entworfenè Schaltigè in zimli vill Simulationsläuf (byschpillswys mit SPICE odder äänlich) charakterisyrt, woby vill voschideni Kombinationè für Betrièbstemperadurè un -schpannigè, Prozessvariationè un Àänliches simulyrt wörred. Hüüfig wörred au statistischi Variationè mit Hûlf vo dè Monte-Carlo-Analûsè simulyrt. Für Digital- wiè für Analogschaltigè cha s Layout extrahyrt wörrè, um parasitäri Elemènt i dè Simulation z berüggsichtigè un somit realischtischere Ergebnis z erreichè.
Diè fortschritendi Miniaturisyrig drybt sowoll diè Strukturyrigsbrozèss als au diè realisyrtè Fungtionsbauschtein, wiè Transischtòrè un Leiterbaanè, an iri phûsikalischè Gränzè. Um Erschterem z begegnè, wörd im Entwurfsbrozèss in stygendem Umfang Software ygsetzt, wo diè phûsikalischè Gränzeffèkt, wiè zum Byschpill diè optischo Beugung bi dè Fotolithografy simulyrt und dè Schaltogsentwurf so modifizyrt wörd, dass selli Effèkt uusglichè wörred (ängl. optical proximity correction, OPC). Um dè Miniaturisyrigseffèkt bi dè Bauelemènt entgegèzwûrkè, chömmed fortlaufend neui Simulations- un Modellyrigsvofaarè zum Chipentwurfsbrozèss dezuè: zum Byschpill Simulationè vom Spannigsabfall in langè Vosorgigsnetz (ängl. IR drop), Simulation vo dè parasitärè kapazitativè Kopplog vo benõchbòrtè Leiterbaanè, Wärchkzüüg für diè statischi Analûsè vo dè Zitvohältnis in èrè Digitalschaltig (ängl. static timing analysis, STA) usf.
Um Prototûpè von èm neuè Chip einigermaßè koschtègünschtig z fèrtigè, cha mò d Layouts vo meererè Chips uff eim Wafer zämmèfüègè (ängl.: multi project wafer, MPW), well sich so d Maskè- un Fèrtigungskoschtè für diè voglychswys chlynè Prototûpèschtüggzaalè uff meereri Brojèkt vodeilè z lòò.
Hèrschtellig vo mikroelegtronischè Schaltchreis
Diè Fèrtigung erfolgt in extrem suberer Umgebig, sognanntè Reinrüüm, mit èrè seer gringè Dichti vo Staubpartikel. Sell isch nötig, well diè hèrzschtellendè Struktur! im Mikro- un Nanometerberych liged un sèlbscht chlynschti Partikel (< 0,1 µm) schu Hèrschtelligsfääler verursachè könnè, wo dè Uusfall von èm komplettè Schaltchreis zur Folg hèn. Dè Fèrtigungsbrozèss sèlbscht ka (nebbè Fungtionsteschts) in drei Berych uffdeilt wörrè: d Subschtrathèrschtellig sowiè d Fèrtigung vo dè Bauelemänt (Transischtòrè, Diodè, usw.), s sog. Front-End, un derrè iri „Vopackig“ in Gehüüs, èm sog. Back-End.
Subschtràthèrschtellig
D Fèrtigung vo integryrtè Schaltigè erfolgt ufg sognanntè Wafer (einkrischtallini Halbleiterschybè), sodass meeereri integryrti Schaltigè barallel gfertigèt un Koschtè gsenkt wörrè könned. Uff eim Wafer wörred Hunderti un bi eifachè Strukturè (zum Byschpill Einzeltransischtòrè) Dausendi identischi integryrti Schaltchreis kööned barallel hèrgschtellt wörrè.
Im Fall vom Siliziums wörd znägscht uss èrè hochreinè Siliziumschmelzi (vgl. Gewinnung vo Reinsilizium) èn einkrischtallinè Zilinder (Ingot) zogè. Dezuè wörd vorneemlich s sogenannti Czochralski-Vofahrè (CZ-Vofaarè) bruucht. È alternativs Vofaarè isch s Zonèschmelzè, wa au zu dè witerè Reinigung vo dè CZ-Ingots ygsetzt wörrè cha; für einigi Spezialaawendigè sin höcheri Reinheitsgraad notwèndig als ei Fremdatom uff 109 Atom vo dè CZ-Ingots. D Ingots wörred in Abhängigkeit vom Durchmessèr in 0,5–1,5 mm dünno Schiibè, diè sog. Wafer, vosägèt. Diè hüt i dè Massèbroduktion vowendetè Siliziumwafer hèn Durchmesser vo 150, 200 odder 300 mm (hüüfig au als 6, 8 odder 12 Zoll bezeichnèt). Si erhaalted durch voschideni Ätz-, Schlyf- un Bolyrbrozèss è fascht perfèkti ebeni Obberflächi mit Unebbèheitè i dè Größèorning vo wennigè als eim Nanometer, sell heißt mit Obberflächèrauheitè vo nu wènnigè Atomlagè.
Front-End
S sogenannti Front-End bi dè Fèrtigung vo integryrtè Schaltchreis beschäftigt sich mit dè Hèrschtellig vo dè elegtrisch aktivè Bauelemänt (Transischtòrè, Kondenser, usw.), dè sognanntè Front-End-of-Line (FEOL), un dennè iri Vodròòtig (Metallisyrig), èm sogenanntè Back-End-of-Line (BEOL). Zum Ysatz chömmed voschidenschti Vofaarè vo dè Halbleitertechnig zum Schichtuffbau (Epitaxie, Sputterdeposition, Bedampfè, CVD usw.), Schichtabdraag, un Strukturyrig (Fotolithografy). Witerhy wörred Vofaarè zu dè Änderig vo Matriaaleigèschaftè (zum Byschpilll Dotyrig) ygsetzt.
Nõch dè Metallisyrig erfolgt hützdaag (2009) au oft è stichprobèartigs odder kompletts Brüèfè vo dè Schaltchreis mit Nòdelteschter im Schybèvobund, vo allem für d Beschtimmig vo dè Uusbeuti un als Rüggmeldig vo technologischè Parameter. Dõmit spart mò sich s Vokappè vom deilwys erheblichè Uusschuss. Für d Beschtimmig vo dè technologischè Parameter erfolgt d Brüèfig (byschpillswys Schichtdickèbrüèfig) meischtens dirèkt nõch èm jewyligè Brozèss, dõ isch es mitunter wichtig, au diè jewyligè Aalagè! mitzerfassè, well au bauglychi Aalagè mit dè glychè Parameter Abwychigè erzüüged, welli ußerhalb vom Toleranzberych ligè könnè.
Back-End
Im nõchfolgendè Fèrtigungsabschnitt, èm Back-End, wörred d ICs aaschlièßend voeinzelt. Sell bassyrt im allgemeinè durch Sägè (seltè auch durch Ritzè un Brechè) vom Wafer zu Dies (dè sognanntè Chips). Bim nõchfolgendè Vopackè (ängl. packaging) wörred diè einzelnè ICs denn in èm Ghüüs ybrocht un kontaktyrt, s sogenannte Bpndè. Dõby chömmed je nõch Tùp unterschidlichi Vofaarè zum Ysatz, byschpillswys Chipbondè odder Dròòtbondè.
S Vokappè (Yhuusè) diènt dè hermetischè Versigelig gegèübber Umweltyflüss – für rein elegtrischi Schaltchreis muè s Ghüüs gas- un lichtdicht sy – sowiè zu dè besserè Vpwendbarkeit: entwedder wörd dè Chip samt Bonddrôôht in eim Hoolraum (Blèch, Keramik, ggf. mit Fenschter) ygschlossè odder mit Kunschtharz umhüllt (ygossè). D Aaschlüss nõch ußè wörred byschpillswys als Dual in-line package (DIL) odder Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC) uusgfüürt. Hochkomplexi Schaltchreis (meischtens für mobili Aawendigè) wörred neuerdings (2009) au ooni Sockelghüüs ygsetzt un dirèkt uff diè jewyligè Platinè glötet (vgl. Ball Grid Array).
Zum Abschluss gits nòmolls è Fungtionstescht, dõby wörred zuègsicherti Eigèschaftè an allnè Schaltchreis brüèft. D Tûpbrüèfig erfolgt denn stichprobèartig odder nu i dè Entwickligsphasè. S Stüggbrüèfig diènt èm Sortyrè in Schaltchreis vo unterschydlichè Güèteklassè (zum Byschpill nõch Offset-Spannig bi Operationsvoschtärker). Brüèfergebnis un d Art vo dè Vokappig bschtimmèd s Ysatzgebièt. So wörred hochi Qualidätè für erwiterti Ysatztemperaturè un Umwèltaaforderigè gfertigèt (sog. MIL-Standard für milidärischi un Raumfaart-Aawendigè). Höcheri Toleranzè un Plaschtik-Vokappigè chömmed für Massèaawendigè (Konsuèmgüèter) infrõg.
Nebbè dè monolithischè Schaltchreis git s au sognannti Dickschicht-Hûbridschaltchreis. Dõby wörred einzelni Fungtionè vo dè Schaltig in unterschidlichè Halbleiterchips realisyrt un uff eim zuèsätzlichè Drägermatriaal uffbrocht un druggtechnisch im Sybdruggvofaarè vodròòtet, uff selli Wys chönned nebbè Vobindigsleitigè au passivi Bauelemänt realisyrt wörrè.
Wenn bsunders kompakti Bauschtein erforderlich sin, byschpillswys in Mobildelefòn, wörred au meereri Einzelschaltchreis uff kürzeschtem Wäg elegtrisch vobundè un in eim gmeinsamè Ghüüs unterbrocht, luèg bi Multi-Chip-Modul.
Fungtionstescht
Um scho früèzitig uff Brozèssschwankigè z reagyrè, fäälerhafti Brozèss gegèbènèfalls zu korrigyrè odder gar Wafer odder Lose uss dè Broduktion z nää, wörred diè nõ unfèrtigè ICs nõch vylnè Brozèssschritt teschtet. Im Front-End handlèt s sich dõby meischtens um Stichprobè. Nõch èm Front-End wörred i dè Regel alli ICs vor dè Witervoarbeitig uff iri Fungtion teschtet. Deilwys sin bschtimmti Fungtionè (Hochfrequènzschaltigè odder spôter nit uff Pins usègfüürti Aaschlüss vom Chip) nu uff dè Die teschtbar. Vo allem muè uss Koschtègründ vohinderèt wörrè, dass nit fungtionsfähigo ICs im nõchfolgendè Hèrschtelligsbrozèss witervoschafft wörred.
Schlièßlich wörd au dè ghüüste Chip vor dè Abliferig eim endgültigè Tescht unterzogè, um Fääler i dè Back-End-Fèrtigung feschtzschtellè. Au wörred einigi Eigèschaftè teschtet, wo sich durch s Packaging voänderèd bzw. dennè iri Messig ooni Ghüüs nit möglich isch, wiè zum Byschpill s Bonding odder bschtimmti Hochfrequènzeigèschaftè. Dè Chip im Ghüüs cha denn zu dè Leiterblattèbeschtückig gòò.
Obwoll selli Messigè uff spezièlli Teschtsischteem (Automatic Test Equipment) vollautomatisch ablaufed, hèn diè dõmit vobundenè Koschtè bi hochintegryrtè Prozessorchips schu fascht d Hèrschtelligskoschtè erreicht. Sell lyt vo allem dõ draa, dass nu bedingt Skalèeffèkt bim Teschtè gryfè (è Barallelisyrig isch byschpillswys nu bi reinè Digitalschaltigè möglich) un neueri ICs immer mee Fungtionè hèn, wo nõchènand muè teschtet wörrè könnè.
Ökonomy
Dè Induschtryzweig, wo sich mit dè Hèrschtellig von mikroelegtronischè Baudeil beschäftiget – d Halbleiterinduschtry – zeigt zwei Eigèschaftè, wo nèn von anderè unterscheidè duèt.
Großi Skalèeffèkt:  Halbleiterfabrikè für d Massèfèrtigung vo Bauschtei vo dè jewyls kleinschtmöglichè StrukturgröÐi sin èrscht ab èrè gwissè Größi rentabel. Witerhy sin selli Fabrikè um Größèordnigè düürer als voglychbari Fèrtigungsschtättè vo anderè Branchè: hüt (2004) liged d Koschtè für dè Bau un d Uusrüschtig von èrè Hochvolumèfabrik uff èm Stand vo dè Technig bi öppè 2 Milliardè USD. Beides zämmè füürt zum sognanntè Schweinezûklus: Es git nu eini voglychswys gringi Aazaal a aktuellè Halbleiterfabrikè wältwit. Wenn s dè Branchè guèt gòt, heißt desi i dè Regel, wenn s Aagebot a Halbleiterbauschtein chlyner isch wiè d Nõchfròg, bauèt si iri Fèrtigungskapazitätè uus, well diè meischtè Unternèmmèn nu denn diè Summè für dè Uusbau uffbringè könnè. Jedi neui Fabrik, wo in Broduktion gòt, erhöht s Wältmarktvolumè vo vofüègbarè Bauschtein gly um Brozèntpünkt, well si jò uss Rentabilitätsgründ zimli groß sy müèn. Dè schlagartigi Aaschtyg vom vofüègbarè Volumè füürt zuè nèm entsprèchend starkè Briisvofall vo dè Bauelemänt, wellè sich widder yschwingt, sobald d Nõchfròg vom Aagebot widder ygholt hèt. Durch dè Briisvofall sin villi Unternemmè è Zit lang nit i dè Laag gsi, iri Fèrtigungskapazidätè uuszbauè – es läuft uff diè nägschst Voknappung vom Aagebot zuè. Denn widderholt sich dè Zûklus.
Zuèschrybig vo dè strategischè Bedütig:  Villi Staatè schrybed dè Halbleiterinduschtry è strategischi Bedütig zuè. Meischtens begründet sich sell i èm „Keimzellèeffèkt“ für anderi Hochtechnologiè. Im Umfäld vo dè Halbleiterinduschtriè entwickled sich nit nu hochqualifizyrti Zuèliferer uss dè Chemy un èm Aalagèbau, sondern au uss dè Abnèmmerinduschtriè vo dè Bauelemänt, zum Byschpill d Computer- un Elektronikinduschtry. In mengè Fäll wörd diè strategischi Bedütig au milidärisch begründet. So schätzed d USA d Bedütig vo dè Mikroelegtronik für Rüschtigsprogramme so wichtig y, dass sowoll Gräät für d Hèrschtellig vo aktuellè ICs als au Schaltigsentwürf un sogar d Schaltigsentwicklungssoftware Gegèschtand vo dè Exportkontrolllischtè sin. Selli hoch ygschätzti Bedütung hèt zu dè Folg, dass è Viölzaal vo Staatè d Aasidelig vo dè Halbleiterinduschtry in villerlei Wys förderèd: vo Aschubfinanyrungè, besunders Stüèergschtaltigè, staatlichè Kreditgarantiè bis zu dè staatlich gfördertè Forschung an Universitären un induschtrièllè Forschigszentrè etc. Selli FörderungP sin au glegèntlich Gegèschtand vn ökonomischè Ussènandersetzogè zwûschè Staatè un Unternèmmè – so bassyrt zletscht im Johr 2003. Dõmòlls isch dè DRAM-Hèrschteller Hynix vprgworfè worrè, übber d Maßè vom südkoreanischè Staat in sinèrè Finanzkrisè gstützt worrè z sy. D Wettbewerber vo Hynix hèn druffhy Strõfzöll uff dè Import vo Brodukt vo sellèm Unternèmmè i dè USA, dè Europäischè Union un zletscht au z Japan gforderèt, wogegè Südkorea broteschtyrt hèt.
Neohethitische Staaten
Di neohethitische Staate sind e Raie vo Stadtstaate gsii, wo z Syrie und im südöstliche Chliiasie nochem Zämebruch vom hethitische Groossriich um 1180 v. Chr. bis is 7. Jh. v. Chr. bistande hend. Si sind ais nochem andere vo de Assyrer underworffe wore und as Provinze is Assyrische Riich iiglideret wore.
Mikroelektronik
Ökonomy
Geschäftsmodèll:  Wiè in è Huufè anderè Branchè au git es dè Vollhèrschteller – Integrated Device Manufacturer (IDM) benamst. È IDM erschtellt s Broduktdesign, entwickelèt d Fèrtigungstechnology, fèrtigt s Baudeil un vokauft s sèlbscht. Denebbè git s abber au no diè „Fabless Design Houses“ un „Foundries“. Fabless Design Houses erschtellèd s Broduktdesign entsprèchend dè Vorgaabè bzw. in Kooperation mit dè Foundry, wo s spôter gfertiged wörd, un vokaufed s fèrtige Brodukt. D Foundry entwicklèt d Fèrtigungstechnologiè, stellt irè Kundè technologyspezifischo Hilfsmittel zum Chipentwurf (EDA) parat un fèrtigt diè ICs. Kombinationè vo sellnè Gschäftsmodèll un Nischèmodèll sin i dè Braxis au z findè.
Neohethitische Staaten
Name
Nochem Untergang vom bronzezittliche Hethiterriich isch de Name vo de Hethiter erhalte blibe. So nenet d Assyrer i de Isezitt s Land Ḫattu, wo offebar Syrie, oder e Tail dodevoo bizaichnet. Vermuetli isches en allgimaini Bizaichnig för di neohethitische Länder gsii. Im Alte Testament werds Land Ḥet gnennt und Biwonner Ḥittîm, wa i de tütsche Bible mit „Hethiter“ öbersetzt werd. De Name isch denn vo de Forschig uf di bronzezittliche Hethiter öbertrait wore, nochdem sich zaigt hett, dass die eres Land Hatti gnennt hend. Villmee sind aber i de Bible d Neohethiter gmaint. Im Buech Josua 1,4 versprecht Gott im Volch Israel s ganzi Land Ḥet vom Libanon bis zom Euphrat, wa guet zo de Laag vo neohethitische Staate passt.
Gschicht
Di neohethitische Staate hend s Erb vom Hethitische Riich aatrette, wo nöd, wie i de früenrige Forschig vertrette woren isch, zunderainisch verschwunden isch. Di iihaimisch Kultur und politischi Organisation isch i dene Piet uufrecht erhalte blibe und hett ooni Bruch di regionaale Entwicklige mitmacht. Vili neohethitischi König hend sogär di alte hethitische Königsnäme, wie Suppiluliuma, Tudhaliya oder Muwattalli, trait. Z Karkamis hett offesichtlich bis spöötistens geg 900 v. Chr. e Sittezwiig vo de bronzezittliche hethitische Königsfamili gherrscht. Uuffälig allai isch de Wechsel vo de Schrift und vo de offizielle Sprooch. Im bronzezittliche Hethitische Riich isch da s Hethitische gsii, wo i de Kailschrift gschribe wooren isch, i de neohethitische Staate isch da s verwandti Luwische gsii, wo i de luwische Hieroglypheschrift gschribe woren isch.
Um 1180 v. Chr. wo s Hethitische Riich zämebrochen isch, het z Karkamis de Kuzzi-Tessub as Vizekönig gherrscht. Er hett denn de Titel Groosskönig öbernoo, wo bis denn d König vo de Stammlinie gfüert hend. De Groosskönig het vermuetli öber e grössers Piet gherrscht, öber Karkamis und Malida, aber o anderi Länder. D Förste vo de anzelne Stadtstaate hend sich König oder Landherr gnennt. Under dem isch denn no de Flussherr gstande.
D Assyrer, wo nodisno eres Riich vergrösseret hend, hend sit em 11. Jh.v. Chr. immer wider neohethitischi Städt aagriife, bis im 7. Jh. v. Chr. ali Staate underworffe gsi sind. E Paar Länder sind aber scho vorene vo de Aramäer bsetzt wore. Die Staate wo i Zentralanatolie glege sind, sind im End vom 8. Jh. v. Chr. vom König Mita vo Muški aagriffe wore, da isch de König, wo i de griechische Saage als de phrygisch König Midas bikannt isch. Im 7. Jh. v. Chr. sind d Kimmerier i Chliiasie iigfalle und hend di nördliche neohethitische Staate bidrängt.
Sprooch und Schrift
Di offiziell Inschrift vo de neohethitische Staate isch s Hieroglypheluwische gsii, en indogermanischi Sprooch, wo mit em Hethitische verwandt isch. E Bsunderhait vom Luwische isch, as die urindogermanische Palatal no as /z/ erhalte sind, z. B. zart- „Herz“, aber hethitisch kard-. Im Gegesatz zo de Satem-Sprooche kennt s Luwische kai Palatalisierig vom alte /k/. Typisch isch de Rhotazismus vo intervokaischem /d/, wo hüüffig zomene /r/, seltniger au zomene /l/ were cha. E noiji Entwicklig i de Grammatik isch s genitivische Adjektiv, e bsundrigi Form, wo bildet werd, indem an Stamm vom Substantiv d Endig -assa/i- aghängt werd, sini Funktion isch die vom Genitiv, s flektiert aber wienes Adjektiv, z. B. tibassa Tarhunza „Himmels-Tarhunza“.
Di neohethitische König sind recht schriibfroidig gsii, wobi d Schriiber mit de luwische Hieroglyphe gspillt hend. Do die Schrift recht bildlich isch, hend si mengisch spontan e nois Zaiche gschaffe, wo denn wie imene Bilderrätsel erroote were mue. Nöd selte isch d Person, wo en Inschrift lo afertige loo hett, am Aafang vo de Inschrift abbildet wore, mit de Hand vorem Gsicht, die Geste zaigt aa, as da Bild as amu „ich“ z lesen isch. D Inschrifte sind maist recht sorgfältig i Stai inegmaisslet wore, si wörked wege de Form lebiger as di relativ stare ägyptische Hieroglypheinschrifte.
Kunst
De Öbergang vo de bronzezittliche Kunst vo de Hethiter zo de spoothetitische Kunst isch flüüssend. Mit de Zitt sind aramäischi und mesopotamischi Stilmittel uufgnoo wore.
Typisch för di neohethitischi Kunst sind Relief, wo i Muure und i Felse inegmaisslet wore sind. Si chömed im ganze Piet vor, vor alem i de Hoptstädt, wo si Tempel, Paläst und Stadttoor verziert hend. Die gend e lebhafti Vorstelig vom Lebe und Dengge vo de Mentsche, wo dozmol glebt hett. Dargstellt wered nöd nume Herrscher, sondern o dene sini Fraue oder Chinder wo spilid. E bsunders fromme König vo Malida hett sich meermoll abbilde loo, wiener e Trankopfer uusgüüsst, jedesmoll vorere andere Gotthait. Müettere sind abbildet, wi si amene Chind eri Brust gend. Ufem Schooss vonere andere Muetter stoot e Bueb miteme Vogel und emene Griffel i de Hand, vor em isch e Schriibtafle abbildet. Au Schiff ufem Wasser mit Schwimmer und Fisch oder Jagdszene ghöret zom Repetoire vo de neohethitische Künstler. Vo de Gotthaite isch de Tarhunza am maist abbildet, denebet chömed no Mischwese vor.
Vo de Chliikunst sind bsundrigs Sigel znene, Elfebaischnitzeraie und Keramik. Si isch villfältig gsii und hett dör Handel de Weeg bis zo de Etrusker gfunde. Si hett abem spoote 8. Jh. v. Chr. e starche Iifluss uf di griechischi Kunst ghaa. Die „orientalisierendi Phase“ i de griechische Archaik isch typisch för s 7. Jh. v. Chr. gsii und vor alem im ionische Oste verbraitet gsii.
Religioo
De wichtigst Gott isch de Wettergott Tarhunza, wo zimmli vill abbildet woren isch. Witteri wichtigi Gotthaite sind de Sunegott Tiwad, de Moogott Arma oder de Hirschgott Rundiya und d Kubaba, d Stadtgöttin vo Karkamis.
Hoden
D Hode (v. mittelhochdt.: hode, us althochdt.: hodo, zu ) chömme baarwiis vor und si die männlige Gschlächtsorgan vo vile Gwäbdier, wo sich gschlächtlig furtpflanze. Si ghöre, wie d Eierstöck vo de wiiblige Wäse, zu de sogenannte Keimdrüese (Gonade) und produziere d Soomefäde (Spermie). Drzue chunnt, ass in de Hode männligi Gschlächtshormon (Androgen), vor allem s Testosteron, bildet wärde. D Hode entstöhn bi de Wirbeldierembryo in deren ihrer Buuchhöhli. Bi de meiste Süüger wandere si in dr Hodesack.
1551
gstorbe
Datum nit bekannt:
Courcelles-Chaussy
Courcelles-Chaussy (ditsch Kurzel, 1940-44 Kurzel an der Straße) ìsch e frànzeesche Gmein ìm Département Moselle ìn dr Region Grand Est (bìs 2015 Region Lothrìnge).
D Gmein ghert zem un zem Arrondissement.
Gschìcht
Courcelles-Chaussy ìsch zem erschte Mol gnannt worre ànne 811 àls Calciacum.
Wie d Gmein 1552 züe Frànkrich kumme ìsch, ìsch sa züe me Zentrum vun dr frànzesche Hugenotte worre. 1560 hàt sìch dr hugenottisch Baron de Clervant àls Grundherr z Chaussy nìderglosse, wie ìn dr Hugenottekriej gfàlle ìsch. Vun 1871 bìs 1918 hàt d Gmein zem ditsche Richslànd Elsàss-Lothringe ghert.
Ànne 1973 ìsch s Nochberdorf Landonvillers (Landenweiler) eingemeindet.
Verwàltung
vun Courcelles-Chaussy ìsch. Courcelles-Chaussy ghert zem Kommünàlverbànd.
Dialekt
Dr tràditionell Dialekt (Patois) vun Courcelles-Chaussy ghert zem Lorrain.
Rebsorte
Dia Pflanz, wo üs de Frücht Wii im urschprüngliche Sinn gmacht wird, isch d Edli Wiiräb (Vitis vinifera). Wia bi de meischde Nutzpflanze gits unterschiedlichi Sorte, wo mr im Wiibau als Räbsorte kennt. Gschmack un Charakter vume Wii were häuptsächlich durch d Räbsorte bschdimmt, in geringerm Mass durch d Lage un d Eigeschafte vum Bode odr vum Üsbau durch de Wiibür.
D Ampelographi (griech.) isch d Wisseschaft vu de Räbsorte. Fryer het si sich uf detaillierti Beschriibige vu dr ainzelni Sorte bschränkt. Sit mr abr ä DNA-Analyse mache ka, bschäftige sich d Ampelographe vermehrt mit dr Klärig vu dr Vuwandtschaftsbeziehige vu Räbsorte.
Iidailig
Sit rund 5000 v. Chr. sin durch Züchtig üs wildi Wiisorte 8.000 bis 10.000 Räbsorte entschdande. Vu denne sin rund 2.500 in de unterschiadliche Ländr fir d Wiiproduktion zueglasse. Viili were hit eher selde abaut un nur ainigi hundert Räbsorte sin wichtig - noch weniger ybrregional.
Bii de Trybel wird zwische Kelter- un Dafeltrybel ainersits und Trybel fir Rosine unterschiede. Danäbe gits noch Ziertrybel, wu mr nit ka esse odr Wii vu mache.
Fir de Wii unterscheidet mr zwische Rotwii- un Wisswiisorte. Jede Räbsorte het typischi Arome. Drum hen zwei Wii üs dr glichi Sorte - sogar wenn si düsig Kilometer entfernt gwachse sin - immer rächt viil gmeisam. Nit alli Wii sin üs nur ainer Räbsorte gmacht. Dr rodi Bordeaux isch meischdens ä so gnannts Cuvé, ä Vuschnitt üs mindeschdens drii Sorte. Zuedem wird üs rodi Trybel nit notwendigerwiis nur Rotwii gmacht, sondern äui Wisswii, (dr Blanc de Noirs) odr dr Wissherbscht mit siinere typischi helle lachsrodi Färbig. Bii d meischde rodi Räbsorte isch nämlich nit s Fruchtflaisch rod, sondern d rodi Farb steckt nur in dr Schale. Ä typische Rosé isch ä Vuschnit von rodem Wii un wisse Sorte.
Räbsortespiagel
D weltwiti Wiibauflächi (Stand: 2000) isch rund 7,9 Millione ha, was 79.000 km² gliichkummt. Europa het dodevu faschd 5 Millione ha (50.000 km²).
A Ranglischd vu dr meischdkultivierti Räbsorte z mache isch gar nit so aifach. D Zahle kumme vu Statistike üs vuschiadeni Johr un sin üsserdem mit unterschiadlichi Methode erhobe worre. In ainige Länder were bispiilswiis manche Sorte zsämmegfasst, in andere abr nit. Ainzelni Sorte were manchmol wegge Vorliabe odr Gsetzesvorgabe gförderet odr äui zruckgnumme. Üs dem Grund muess mr bii so enneme Vugliich vorsichtig sii. S Erschdelle vun ere uniigschränkt gültige Lischd isch ebbe nit rächt möglich.
D Flächi in dr Tabelle wu noch kunnt isch in Hektar agä, d Spalte Farb hängt mit de farbigen Unterlegig vu dr entsprächende Ziile zsämme. In dr Spalte Synonym stohn jewiils bis zua zwai Synonym fir de gebrüchlichschde Namme. D Spalte Hauptabaugebiat zaigt d Staate mit de gröschdi Räbfläche un Johr stoht fir s Johr, wu Date erfasst wore sin.
Edelräbe
Ainigi Sorte hän in beschdimmti Regione ä bsunders wichtigi Beditig bekumme. D Wii vu dert sin so begehrt, dass sälli Sorte als edli Räbsorte, Edelräbe, Cépages nobles (fr.) odr Wiiadel bezeichnet were. Dia Räbsorte sin zwar kai Garantii fir hochi Qualität, kumme abr doch hüfg in Spitzewii vor. Wel s kaini feschdi Kriterje fir derartigi Uflischdige git, kummt mr oft zua unterschiadlichi Ergebniss. Ains vu dr wichtigschdi Kriterje iisch d Vubraitig. Bii ainer weltwiti Vubraitig bii hocher Qualität ka mr ä guete Anpassigsfähigkeit gegenybr Klima- un Umweltbedingige anämme.
Hüfig in denne Lischde aztreffe sin:
Manchmol findet mr in denne Uflischdunge äui d rodi Sorte Pinotage in Süedafrika odr Zinfandel in Kalifornje un d wissi Sort Grianer Veltliner in Östrriich.