cyanic-selkie/wikianc huggingface dataset:
Heinz G. Huber
Literarischi Wäärch
Derzue het dr Huber in verschidene Zytschrifte Täxt publiziert: „Allmende“, „D Deyflsgiger“ (Offeburg), „die horen“ (Hannover), „Das Nachtcafé“ (Fryburg), „Univers“ (Konschtanz), „Vorgänge“ (Frankfurt), „Das Boot“ (Bottrop), derzue au in reginale Zytige (Badische Zeitung, Mittelbadische Pesse, Schwarzwälder Bote). Mit Gedicht, Churzprosa un Gschichtsbydreg isch de Huber au in verschidene Radiosändige verdrätte gsii (SWF 2, ORF, Schweizer Radio, Süddeutscher Rundfunk)
Transistor
Èn Transischtor isch è elegtronischs Bauelemènt zum Schaaltè un Voschtärkè vo elegtrischè Signaal, ohni deby mechanischi Bewegigè uuszfüürè. Transischtorè sin wituus wichtigschtè „aktivè“ Beschtanddeil vo elegtronischè Schaltigè, welli byschpillswys i dè Nõchrichtètechnig, dè Leischtigselegtronik un in Computersischteem ygsetzt wörred. Bsunderi Bedütig hèn Transischtorè in integryrtè Schaltchreis, wa diè zur Zit wit vobreiteti Mikroelegtronik ermöglichè duèt. Dè Begriff „Transischtor“ isch è Kurzform vum änglischè transfer resistor, wa i dè Fungtion èm durch è aaglaiti elegtrischi Schpannig odder èm elegtrischè Stròm stüerbarè elegtrischè Widderschtand entschprechè duèt. Well d Wûrkigswys von èrè entsprèchendè Elegtronèröörè, nämlich dè Triodè, ähnlich isch, wörd dè Transischtor au als „Halbleitertriodè“ bezeichnet.
Gschichtè
Diè èrschtè Padent zum Brinzyp vom Transischtòr sin vom Julius Edgar Lilienfeld im Johr 1925 aagmeldèt worrè. Lilièfäld beschrybt in sinerè Arbèt è elegtronischs Bauelemänt, wo Eigèschaftè von èrè Elegtronèröörè uffwyst un im witeschtè Sinn mit dè hüt als Fäldeffèkttransischtòr benamstè Bauelemänt voglychbar isch. Zu sellerè Zit isch es technisch nõ nit möglich gsi, Feldeffèkttransischtòrè pragtisch z realisyrè.
Im Johr 1934 hèt dè dütsch Phûsiker Oskar Heil dè èrschte Feldeffèkttransischtòr konschtruyrt un patentyrt, bi dèmm s sich um èn Halbleiter-FET mit isolyrtem Gate ghandlet hèt. Diè èrschtè pragtisch realisyrtè JFET mit eim p-n-Übbergang (bosityv-negatyv) un èm sognanntè Gate als Stüèrelegtrodè gônn uff Herbert F. Mataré, Heinrich Welker un barallel dezuè William B. Shockley un Walter H. Brattain uss èm Johr 1945 zrugg. Dè Feldeffèkttransischtòr isch vor èm Bipolaartransischtòr realisyrt worrè. Dõmolls sin selli Bauelemänt no nit als Transischtòr bezeichnet worrè; dè Begriff „Transischtòr“ isch 1948 vom John R. Pierce bräägt worrè.
Ab 1942 hèt dè Herbert Mataré bi Telefunkè mit dè vo ym so gnanntè Duodiodè (Doppelspitzdiodè) im Raamè vo dè Entwicklig von èm Detektor für è Doppler-Funkmess-Sischteem (RADAR) experimentyrt. Diè vo ym dezuè uffbautè Duodiodè sin Punktkontagt-Diodè uff Halbleiterbasis mit zwei zimli nòch binenand stehendè Medallkontägt uff èm Halbleitersubschtraat. Mataré hèt dõby mit polikrischtallinem Silizium (kurz: Polysilizium) experimentyrt, wo nèr vom Karl Seiler uss èm Telefunkè-Labor z Breslau bezogè hèt, un mit Germanium, wo nèr von èm Forschungsteam vo dè Luftwaffè bi München (i demm au dè Heinrich Welker mitgwûrkt hèt) erhaaltè hèt. Dòby hèt er bi dè Experimènt mit Germanium Effèkt entdeckt, wo sich nit durch d Vorschtellig vo zwei unabhängig von ènand schaffendè Diodè erklärè hèn lõ: D Spannig a dè eintè Diodè hèt dè Strom durch diè ander Diodè beyflusst. Selli Beobachtig hèt d Grundidee für diè spôter folgendè Spitzètransischtòrè bildet.
Dè èrscht funktionyrende Bipolartransischtòr isch in Form von èm Spitzètransischtòr bi dè Bell Laboratories entwicklet worrè un am 23. Dezembèr 1947 bi nèrè internè Demonschtration èrschtmolls bräsentyrt worrè. Zu dè glychè Zit hèn diè dütschè Forscher Mataré un Welker dè èrschte funktionsfähige „französische Transischtòr“ i dè chlynè, nit mit Westinghouse Electric vobundenè Firma Compagnie des Freins & Signaux Westinghouse z Aulnay-sous-Bois bi Paris entwicklet un hèn dõfür am 13. Auguscht 1948 è Batentaameldig iigreicht. Am 18. Mai 1949 isch selli europäischi Erfindig als „Transischtron“ dè Öffentlichkeit bräsentyrt worrè.
Uss Unterlagè gòt hervor, dass Shockley un Pearson funktionyrendi Transischtorè baut hèn, wo uff dè Patent vo Lilienfeld un Heil basyrt hèn. Sie unterlôn s, selli grundlegendè Lilièfäld-Patent in irè Veröffentlichungè, spôterè Forschungsbericht odder historischè Bericht z erwäänè. Die W. Shockley, wo a dè Erfindig vom Bipolartransischtòr beteiligt gsi isch, J. Bardeen un W. Brattain hèn dõfür 1956 dè Nobelprys für Phûsik. Èn wichtigè Fortschritt isch bi dè Bell Labs durch d Hèrschtellig vo Bipolartransischtôrè uss eim Krischtall (Flächètransischtòrè durch Gordon Teal, Morgan Sparks un Shockley) glungè, wo diè bis dõhy vowendetè Spitzètransischtòrè, wo 1951 vorgschtellt worrè sin.
I dè 1950er-Johr hèt s èn Wettlauf zwischè dè Elegtronèröörè un dè dõmolls üblichè Bipolartransischtòrè gää, in dem sim Volauf d Chancè vom Bipolartransischtòr wegè dè voglychswys nydrigè Transitfrequènzè hüüfig eher skeptisch beurteilt worrè sin. Transischtòrè hèn Elegtronèröörè als Signalvoschtärker mittlerwyl uff fascht allè technischè Gebièt abglöst. Deilwys sin Röörè nõ i dè Sendetechnig im Rundfunk un bi mengè speziellè Gitarrè- un Audiovoschträrker vowendet worrè.
Feldeffèkttransischtòrè hèn im Gegèsatz zu dè èrschtè Bipolartransischtòrè i dè 1950er bis i diè spòtè 1960er Johr no kaum è Rollè gschpillt. Sy lôn sich mit dè dõmõligè Kenntniss nit wûrtschaftlich fertigè un sin wegè dè Durchschlagsgfõõr vum Gate durch unbeabsichtigti elegtrostatischi Entladig umschtändlich z handhabè. Für d Lösig vo dè Brobleem, wo bi bipolarè Transischtòrè ufftrettè könnè, z. B. Leischtungsbedarf un Aaforderigè für integryrti Schaltigè hèt mo sich ab öppè 1955 ygehender mit dè Halbleiterobberflächè beschäftigt un Fertigungsvofaarè wiè d Planartechnig entwicklet, diè d Feldeffèkttransischtòrè im Folgejohrzehnt zu dè Serièryfe brocht hèn.
Diè èrschtè handelsüblichè Bipolartransischtorè sin uss èm Halbleitermatriaal Germanium hèrgschtellt worrè un ähnlich wiè Elegtronèröörè in winzigi Glasröörli ygschmolzè worrè. Diè voschidè dotyrtè Zonè hèt mo durch è zentrals Germaniumblättlè erreicht, i welles vo beidè Sitè „Indiumpillè“ aalegyrt worrè sin,  so dass diè letschtè düèf i s Grundmatriaal ydrungè sin, i dè Mitti abber è Basisschtreggi i dè gwünschtè Dicki freiblibbè isch. 1954 sin Bipolartransischtòrè uss Silizium gmacht worrè (Gordon Teal bi Texas Instruments un Max Dannèbaum a dè Bell Labs). Sit dè spòtè 1960er Johr kömmed meischtens Medall- odder Kunschtoffghüüs zur Aawendig. Ysatzberych sin znägscht i dè analogè Schaltigstechnig glägè wiè byschpillswys dè dõmols uffkommende Transischtorradio. S Basismatriaal Germanium isch i dè Folg voschtärkt durch s technisch vorteilhaftere Silizium ersetzt worrè, wo èn größerè Arbeitstemperadurberych bi wesèntlich gringerè Reschtschtrööm abdeckt hèt un durch d Siliziumdioxid-Bassivyrig langzitschtabiler i dè elegtrischè Kennwärt gegèübber Germanium isch.
Dè èrscht uff Galliumarsenid basyrende Feldeffèkttransischtòr (MESFET) isch 1966 vom Carver Mead entwicklet worrè. Dünnschichtransischtòrè (ängl. thin film transistor, abkürzt TFT) sin schu 1962 vom P. Weimer entwicklet worrè, selli hèt mo abber èrscht rund 30 Johr spôter im Berych vo hüt üblichè farbigè TFT-Displays ygsetzt.
Wem mo alli Transischtòrè in sämtlichè bis jetzt hèrgschtelltè Schaltchreis wiè Arbètsspycher, Prozessorè usw., zämmèzellt, isch dè Transischtòr inzwischè sebbi technischi Fungtionseinheit, wo vo dè Menschheit i dè högschstè Gsamtstuggzaal broduzyrt worrè isch un wörd. Moderni Integryrti Schaltigè, wiè diè i dè Personal Computer ygsetztè Mikroprozessorè, bschtôn uss Millionè bis Milliardè Transischtòrè.
Tûpè
Es git zwei wichtigi Gruppè vo Transischtòrè, nämlich Bipolartransischtòrè un Feldeffèkttransischtòrè (FET), welli sich durch d Art vo dè Aaschtûèrig vonènand unterscheidè düèn. È Lischtè mit èrè grobè Yornig bzw. Gruppyrig vo dè Transischtòrè sowiè witerè Transischtòrvariantè findet mò unter Lischtè vo elegtrischè Bauelemènt.
Bipolartransischtòr
Bi bipolarè Transischtòrè dräget sowoll diè bewegliche negativè Ladigsdräger, d Elegtronè, als au bositivi Ladigsdräger, sognannti Defèktelegtronè, zu dè Fungtion bzw. zum Ladigstransport by. Defektelegtronè, au als Löcher bezeichnet, sin unbesetzti Zuèschtänd im Valenzband, welli sich durch Generation un Rekombination vo Elegtronè im Krischtall bewegèd. Zu dè bipolarè Transischtòrè ghöred unter anderem dè IGBT un dè HJBT. Dè wichtigschte Votrètter isch abber dè Bipolartransischtòr (ängl.: bipolar junction transistor, BJT)
Dè Bipolartransischtòr wörd durch èn elegtrischè Stròm aagschtüèret. D Aaschlüss wörred mit Basis, Emitter, Kollektor bezeichnet (im Schaltbild abkürzt durch d Buèchschtabè B, E, C). Èn chlynè Stüèrschtròm uff dè Basis-Emitter-Streggi füürt zu Voänderigè vo dè Raumladigszonè im Innerè vom Bipolartransischtòr un ka dõdurch èn großè Stròm uff d Kollektor-Emitter-Streggi stüèrè. Je nõch Dotyrigssequènz im Uffbau unterscheidet mò zwischè npn- (negativ-bositiv-negativ) un pnp-Transischtòrè (bositiv-negativ-bositiv). Dotyrig bedütet in sellem Zämmèhang s Ybringè vo Fremdatòm bim Hèrschtelligsbrozèss in èrè Schicht vo hochreinem Halbleitermatriaal, um d Krischtallstruktur z voänderè. Bipolartransischtòrè sin grundsätzlich immer selbstschpèrrend: Ohni Aaschtüèrig mittels èm chlynè Stròm durch d Basis-Emitter-Streggi spèrrt dè Transischtòr uff dè Kollektor-Emitter-Streggi.
Im Schaltsûmbòl isch dè Aaschluss Emitter (E) in beidè Fäll mit èm chlynè Pfyl vosää: Bi nèm npn-Transischtòr zeigt sellè vom Bauelemènt wäg, bim pnp-Transischtòr wyst er zum Bauelemènt hy. Dè Pfyl beschrybt d elegtrischi Stròmrichitg (Bewegig vo imaginärè bositivè Ladigsdräger) am Emitter. In früènèrè Johr isch in Schaltblään bi de dõmolls oft ygsetztè diskreetè Transischtòrè zu dè Kennzeichnig vom Transischtòrghüüs èn Chreis um s jewylige Sûmbòl zeichnèt worrè. D Chreissûmbòl sin durch dè hütig vorhèrrschende Ysatz vo integryrtè Schaltigè unüblich worrè.
D Voknüpfig vo zwei Bipolartransischtòrè mit Vor- un Hauptvoschtärkig zuè-n-èrè Einheit wörd als Darlington-Transischtòr odder als Darlington-Schaltig bezeichnèt. Durch selli Voschaltig ka è dütlich höcheri Stròmvoschtärkig erreicht wörrè als mit èm einzelnè Transischtòr. Witeri Details zu dè Bsunderheitè un Aaschtüèrigè findet sich im eignè Artikel übber Bipolartransischtòrè un i dè mathematischè Beschrybig vom Bipolartransischtòr. Eifachi Schaltigbyschpill findet sich im Artikèl übber Transischtòrgrundschaltigè un bi dè Ersatzschaltigè vom Bipolartransischtòr.
Feldeffèkttransischtòr
Feldeffèkttransischtòr!, abkürzt FET, odder au als unipolari Transischtòrè benamst, wörred durch è Spannig gschtüèret. Bsunders für FETs isch èn zimli hochè Ygangswidderschtand im statischè Betrièb un diè dõrum fascht leischtungslosi Aaschtüèrig tûpisch.
Diè 3 Aaschlüss wörred als Gate (als. Dor, Dürrè), wo dè Stüèraaschluss isch, Drain (dt. Sènki, Abfluss) un Source (als. Quällè, Zuèfluss) benamst. Bi MOSFETs (Medalloxydschicht) chunnt nò èn witerè Aaschluss, s sognannti Bulk odder Body (als. Subschtrat) dezuè, wa meischtens mit èm Source-Aaschluss vobundè wörd. Dè Widderschtand un somit dè Stròm vo dè Drain-Source-Streggi wörd durch d Spannig zwischè Gate un Source un s dõdurch entschtehendi elektrische Fäld gschtüèret. D Stüèrig isch im statischè Fall fascht stromlos. Dè gschtüèrte Strom im Drain-Source-Kanaal ka, im Gegèsatz zum Kollektorschtròm vo Bipolartransischtòrè, in beidi Richtigè flüèßè.
D Klassè vo dè Feldeffekttransischtòrè unterdeilt sich in Sperrschicht-FETs (JFETs) un in diè FETs, wo mit èm durch èn Isolator drènntè Gate (MISFET, MOSFET) vosää sin. Unterschiddè wörd bi Feldeffèkttransischtòrè drübber usè je nÕch Dotyrig vom Halbleiter zwischè n- und p-FETs, wo sich bi dè MOSFETs witer in selbschtleitendi un selbschtsperrendi Tûpè uffdeiled.
Bi dè Unipolartransischtòrè ist immer nur ein Ladigsdrägerart, negatyv geladeni Elegtronè odder bositiv gladeni Defektelegtronè, am Ladungsdrägertransport durch dè Transischtòr bedeiliget.
Spèrrschicht-Feldeffèkttransischtòrè
Bi Spèrrschicht-FETs (ängl. junction FET, JFET) wörd diè elegtrisch isolyrendi Schicht zum Gate durch è Diodè, wo in Spèrrrichtig betribbè wörd, un sellèrè iri unterschydlich großè Raumladigsnzonè bildet. Spèrrschicht-FETs sin immer sälbschtleitendi Transischtòrè: ohni Spannig am Gate sin si zwischè Source un Drain leitend. Durch s Aalegè von èrè 'Gate-Spannig mit geigneter Polarität wörd d Leitfähigkeit zwischè Source un Drain'' reduzyrt.
Metall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr
Dè Übberbegriff MISFET leitet sich vo dè änglischè Bezeichnig metal insulator semiconductor field-effect transistor (Medall-Isolator-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr) ab. Si stelled diè ander großi Gruppè, mit dè Feldeffèkttransischtòrè mit eim durch èn Isolator drenntè Gate (engl.: isolated gate field-effect transistor, IGFET). Uss historischè Gründ wörd statt MISFET odder IGFET meischtens d Bezeichnig MOSFET sûnonûm vowendet. MOSFET stônn für änglisch metal oxide semiconductor field-effect transistor (Medall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr) un gòòt uff d Urschprüng vo dè Halbleitertechnig zrugg; dõmolls isch als Gate-Matriaal Alu un als Isolator Siliziumdioxyd vowendet worrè.
Wi dè Nammè schu aadütet, isch èn MOSFET im wesèntlichè durch dè Uffbau vo dè Gate-Schichtbyyg definyrt. Dõby isch è „metallischs“ Gate durch èn Oxyd (Isolator) vom stròmfüürendè Kanaal (Halbleiter) zwischè Source un Drain elegtrisch isolyrt. Mit Technologieschtand im Johr 2008 wörd vorneemlich hochdotyrts Polysilizium als Gate-Matriaal ygesetzt, womit d Bezeichnig MISFET bzw. MOSFET nimmi korrèkt isch. In Vobindig mit èm Subschtraatmatriaal Silizium biètet sich Siliziumdioxid als Isolationsmatriaal aa, well s sich technologisch eifach i dè Hèrschtelligsbrozèss integryrè lòt un guèti elegtrischi Eigèschaftè uffwyst. Uusnaam stellt diè sognannti High-k+Metal-Gate-Technig dar, bi derrè è metallischs Gate in Vobindig mit High-k-Matriaaliè uss Metalloxyd ygsetzt wörd.
Èin Vorteil vo dè MOSFET-Technig isch, dass durch dè Ysatz von èm Isolator im Betrièb kei Raumladigszonè als Drènnschicht, wiè bim Spèrrschicht-FET mit entsprèchender Aaschtüèrigspolarität, bildet wörrè muè. Dè Gate-Aaschluss ka somit in bschtimmtè Berych mit sowoll positivè als au negativè Spannigè gegè dè Source-Aaschluss beuffschlagt wörrè.
Je nõch Dotyrig vom Grundmatriaal lôn sich sowoll n- un p-Kanaal-MOSFETs hèrschtellè. Selli lôn sich au in Form vo sèlbschtleitendè odder sèlbschtschpèrrèndè Tûpè im Raamè vo dè Hèrschtelligsbrozèss konfiguryrè. D Schaltsûmbòl umfassed dõmit vir möglichi Variationè wiè i dè nebbèschtehendè Abbildig dargschtellt. Dõby isch z erkennè, dass diè sèlbschtleitendè MOSFETs, au als Voarmigstûp benamst, è durchzogèni Linniè zwischè dè Aaschlüss Drain un Source uffwysè. Selli Linniè isch bi dè sèlbschtspèrrèndè Tûpè, au als Aareicherigstûp benamst, unterbrochè. Dè Pfyl wörd bi sellè Transischtòrè am Bulk-Aaschluss yzeichnèt un bi eim n-Kanaal-Tûp zum Transischtòrsûmbòl orientyrt, bi eim p-Kanaal vom Transischtòr èwäg zeichnèt. Dè Bulk-Aaschluss isch oft fescht mit èm Source-Aaschluss diräkt am Halbleiter vobundè.
Wegè dè größerè Vylfalt un dè lychterè elegtrischè Stüèrbarkeit sin MOSFETs diè hüt mit großem Abschtand am meischtè broduzyrtè Transischtòrè. Möglich isch sell vor allem durch diè sognanntè CMOS-Technology, bi derrè n- un p-MOSFETs kombinyrt wörrè. Dè Ysatz vo sellerè Technology erlaubt èrscht d Realisyrig vo hochkomplèxè, integryrtè Schaltigè mit èrè dütlich reduzyrtè Leischtungsuffnaam, wo mit anderè Transischtòrtûpè nit möglich gsi wär.
Spezièlli Transischtòrtûpè
Nebbè dè Transischtòrgrundtûpè git s einigi witeri Variantè für spezièlli Aawendigsberych wiè dè Bipolàrtransischtòr mit èrè isolyrtè Gateelegtrodè, abkürzt IGBT. Selli Transischtòrè findet sit Èndi vo dè 1990er Johr vor allem i dè Leischtungselegtronik Aawendig un bildet è Kombination uss MOS- un Bipolartechnology in eim gmeinsamè Ghüüs. Well selli Leischtungstransischtòrè Sperrschpannigè bis zu 6 kV uffwysèd un Strôm bis zu 3 kA schaaltè könned, ersetzed si i dè Leischtungselegtronik zuènèmmend Thûrischtòrè.
Fototransischtòrè sin optisch empfindlichi bipolari Transischtorè, wiè si unter anderem i dè Optokoppler Vowendig findè. D Stüèrig vo sellè Transischtòrè erfolgt nit durch èn chlynè Basis-Emitter-Stròm – mitunter wörd dè Basisaaschluss au wègglõ –, sondern uusschlièßlich durch dè Yfall vo Licht (byschpillswys aagewendet in Lichtschrankè). Licht hèt i dè Raumladigszonè vom p-n-Übbergang bim Bipolartransischtòr è äänlichi Wûrkig wiè dè Basisstròm, wo normalerwys a dè Basis(B), uff ängl. Gate(G), gschaaltet wörd. Deswegè sötted hèrkömmlichi Transischtòrè, bi wellè sellè Effèkt unerwünscht isch, in èm lichtundurchlässigè Ghüüs unterbrocht wörrè.
Èn hüt kaum no vowendetè Transischtòr isch dè Unijunctiontransischtòr, abkürzt UJT. Er äänlet in sinèrè Fungtion ehnder Thùrischtòrè bzw. dè Diacs, wörd historisch abber zu dè Transischtòrè zellt. Sini Fungtion, byschpillswys bi Sägezaageneratorè, wörd hüt großdeils durch integryrti Schaltigè realisyrt.
In mengè Flüssigkrischtallbildschirm, bi dè meischtens farbfähigè TFT-Displays, kömmed pro Pixèl im aktivè Bildberych bis zu drei Dünnschichttransischtòrè (ängl. thin film transistor, TFT) zur Aawendig. Selli Feldeffèkttransischtòrè sin praktisch durchsichtig. Si wörred für d Aaschtüèrig vo einzelnè Pixèl vowendet un ermöglichè im Voglych zu dè transischtòrlosè, farbfähigè LC-Displays èn höcherè Kontrascht. Je nõch Größi vom TFT-Display könned pro Bildschirm bis zu einigè Millionè Dünnfilmtransischtòrè ygsetzt wörrè.
In elegtrisch programmyrbarè Feschtwèrtschpycher wiè EPROMs un EEPROMs finded spezièlli MOSFET mit èm sognanntè Floating Gate als primärs Spycherelemänt Aawendig. Durch diè im Floating Gate gschpycherti elegtrischi Ladig isch dè Transischtòr permanent y- bzw. uusgschaltè un ka dè Informationsghalt vo eim Bit spycherè. S Beschrybè, un bi einigè Tûpè au s Löschè, wörd mittels quantèmechanischem Dunneleffèkt ermöglicht.
Bauformè
Im Lauf vo dè Gschicht vo dè Mikroelegtronik sin èn Huufè vo Transischtòrbauformè entwicklet worrè, diè sich vo allem i dè Hèrschtellig vo pn-Übbergäng un dè Aaorning vo dè dotyrtè Berych unterscheidè duèn. Dè èrschti praktisch realisyrte Transischtòr isch 1947 dè Spitzètransischtòr gsi. Dõdruff hy sin zaalrychi Vosuèch gfolgt, d Hèrschtellig eifacher un somit au günschtiger z machè. Wichtigi Bauformè vo bipolarè Transischtòrè sin: dè Transischtòrè mit gwachsenèm pn-Übbergang (ängl. grown junction transistor), dè Legyrigstransischtòr, dè Drifttransischtòr, dè Diffusionstransischtòr, dè diffundyrt-legyrti Mesatransischtòr, dè Epitaxialtransischtòr un dè Overlay-Transischtòr. Diè wool wichtigschte Bauform isch abber dè 1960 vom Jean Hoerni entwicklete Planartransischtòr, dè sowoll è baralleli Massèfèrtigung uff eim Subschtràt als au wûrksamè Schutz vor sensiblè pn-Übbergang wôrend un nõch dè Fèrtigung erlaubt hèt.
Diè èrscht spôter praktisch realisyrtè Feldeffèktransischtôrè könned in ähnlich villè Bauformè realisyrt wörrè. Diè wichtigschtè Formè sin dè blanaare MOS-FET, dè Epitaxy-Blanaar-Transischtòr, dè Nanodròòttransischtòr sowiè dè FinFET, luèg au Metall-Oxyd-Halbleiter-Feldeffèkttransischtòr.
Isch es i dè Aafangsphasè vo dè Mikroelegtronik no dõrum, übberhaupt funktionsfähigi Transischtòrè mit guètè elegtrischè Eigèschaftè hèrzschtellè, so wörred spôteschtens sit dè 1990er Johr zuènèmmend Bauformè für spezielli Aawendigè un Aaforderigè entwicklèt, byschpillswys Hochfrequènz-, Leischtigs- un Hochschpannigstransischtòrè. Selli Unterdeilig gildet sowoll für Bipolar- als au für Feldeffèkttransischtòrè. Für einigi Aawendigè wörred au spezièlli Transischtòrtûpè entwicklet, diè tûpischi Eigèschaftè vo beidè Haupttûpè voeint, z. B. dè Bipolartransischtòrè mit isolyrter Gate-Elegtrodè (IGBT).
Wärchschtoff
Bipolari Transischtòrè sin i dè Aafangszit uss èm Halbleiter Germanium gfertigèt worrè, wôrend hüt übberwigend dè Halbleiter Silizium sowoll bi Feldeffèkttransischtòrè als au Bipolartransischtòrè vowendet wörrè. Dè schrittwys Ersatz vo Germanium durch Silizium im Lauf vo dè 1960er un 1970er Johr isch unter anderem uss folgendè Gründ bassyrt (vgl. Thermischi Oxidation vo Silizium):
Für Spezialaawendigè wörred witeri Matrialiè ygsetzt. So hèn è baar Vobindigshalbleiter wiè s giftige Galliumarsenid besseri Eigèschaftè für hochfrequènti Aawendigè, sin abber düèrer z fèrtigè un bruuched anderi Fertigungsyrichtungè. Um selli praktischè Nõchdeil vo Galliumarsenid z umgõõ, exischtyred voschideni Halbleiterkombinationè wiè Siliziumgermanium, wo für höcheri Frequènzè bruuchbõr sin. Für Hochtemperaduraawendigè chömmed spezielli Halbleitermatrialiè wiè Siliziumkarbid (SiC) für d Hèrschtellig vo Transischtòrè zur Aawendig. Selli Transischtòrè chönned byschpillswys diräkt an èm Vobrennigsmotòr bi Temperadùrè bis zu 600 °C ygesetzt wörrè. Bi siliziumbasyrendè Halbleiter lyt diè maximaal Betrièbstemperadur im Berych vo 150 °C.
Aawendigsberych
Transischtòrè wörred hützudaag in fascht allenè elegtronischè Schaltigè vowendet. Dè Ysatz als einzelnes (diskreets) Bauelemènt spillt dõby è nebbèsächlichi Rollè. Sogar i dè Leischtigselegtronik wörred zuènemend meereri Transischtòrè uff eim Subschtraat gfertigèt, sell bassyrt hauptsächlich uss Koschtègründ.
È älteri Tûpisyrig vo Transischtorè erfolgt nõch dè Ysatzgebièt:
Hüt differenzyrt mò no mee nõch èm Aawendigsgebièt. D Maßschtääb hèn sich ebbèfalls voschobè, d Gränz vo 100 kHz für HF-Transischtorè würd hüt ca. um dè Faktor 1000 höcher aagsetzt wörrè.
Digitali Schaltigstechnig
Uusgehend vo dè Zaal vo dè gfertigtè Bauelemènt isch s Hauptaawendigsgebièt vo Transischtorè i dè Digitaltechnig dè Ysatz in integryrtè Schaltigè, wiè byschpillswys RAM-Spycher, Flash-Spycher, Mikrocontroller, Mikroprozessorè un Logikgatter. Dõby befindet sich bi hochintegryrtè Schaltigè übber 1 Milliardè Transischtòrè uff èm Subschtraat, welles meischtens uss Silizium bschtòt un è Flächi von einigè Quadratmillimetèr uffwyst. Diè im Johr 2009 nõ exponentièll wachsendi Steigerigsrõtè bi dè Bauelemènteaazaal pro integryrtem Schaltchreis wörd au als Moorsches Gsetz benamst. Jedi vo sellènè Transischtòrè wörd dõby als è Art elegtronischer Schalter ygsetzt, um èn Deilschtròm i dè Schaltig y- odder uuszschaaltè. Mit sellèrè immer höcherè Transischtòrzaal pro Chip wörd sellèm sini Spycherkapazidät odder sin Funktionsumfang größer, idèm bi modernè Mikroprozessorè byschpillswys immer mee Aktividätè in mengènè Prozessorkärn barallel abgarbeitet wörrè könnè. Sell alles steigerèt in èrschter Linniè d Arbètsgschwindigkeit; well diè einzelnè Transischtòrè innerhalb vom Chips deby abber au immer chlyner worrè sin, sinkt au dè jewylige Energyvobruuch, so dass d Chips insgsamt au immer energyschparender (bezogè uff d Arbètsleischtig) wörred.
D Größi vo dè Transischtòrè (Gate-Längi) bi hochintegryrtè Chips bedrait im Johr 2009 oft nu no wenigi Nanometèr. So bedrait byschpillswys d Gate-Längi vo Prozessorè, wo i dè sognanntè 45-nm-Technig gfertigèt worrè sin, nu öppè 21 nm; D 45 nm bi dè 45-nm-Technig bezièned sich uff d Größi vo dè chlynschtè lithographisch fèrtigbarè Struktùr, diè sognannti feature size, wa i dè Regèl dè unterschte Metallkontagt mit èm Drain-Source-Gebièt isch. Diè führendè Halbleiterunternämmè trybed selli Vochlynerig au no i dè nägschstè Johr voraa, so hèt Intel im Dezembèr 2009 diè neu 32-nm-Testchips vorgschtellt, diè Aafang 2010 in Seriè gangè sin. Au AMD/Globalfoundries hèt im Johr 2010 d Serièbroduktion in 28-nm- un 32-nm-Technik aagfangè, d 20-nm-Technology wörd vo AMD im Johr 2015 aapeilt. Intel isch no ambitionyrter un erhofft sich durch neui Technologiè è Reduzyrig vo dè Größi bis uff 11 nm bis zum Johr 2015. I dè nõchfolgendè Tabellè isch byschpillhaft d Aazaal vo dè uff einigè Mikroprozessorè ygsetztè Transischtòrè aagää:
Analogi Schaltigstechnig
I dè analogè Schaltigstechnig findet sowoll Bipolartransischtorè als au Feldeffèkttransischtorè in Schaltigè wiè m Operationsvoschtärker, Signalgeneratorè odder als hochgnaui Referenzschpannigsquèlleè Aawendig. Als Schnittschtellè zu dè digitalè Aawendigè fungyred AD-Wandler un DA-Wandler. D Schaltigè sin deby im Umfang wesèntlich chlyner. D Aazaal vo dè Transischtorè pro Chip bewegèd sich im Berych vo einigè 100 bis zu einigè 10 000 Transischtorè.
In Transischtorschaltigè für d Signalvoarbeitig wiè Vorvoschtärker isch s Ruuschè è wesèntlichi Störgrößi. S spillt deby vo allem s thermischi Ruuschè, s Schrotruuschè sowiè s 1/f-Ruuschè è Rollè. By m MOS-Feldeffèkttransischtor isch s 1/f-Ruuschè schu unter ca. 1 MHz bsunders groß. S unterschydliche Ruuschvohaaltè bschtimmt ebbèfalls diè möglichè Ysatzberych vo dè Transischtortûpè, byschpillswys im Nidderfrequènzvoschtärker odder in speziellè ruuscharmi Hochfrequènzumsetzer.
I dè analogè Schaltigstechnig wörred au hüt no diskreti Transischtorè vo unterschydlichè Tûpè ygsetzt un mit anderè elegtronischè Bauelemènt uff Leiterblattè vobundè, wenn s für selli Aaforderig no kei fèrtigi integryrti Schaltigè bzw. Schaltigsdeil git. Èn witerè Ysatzberych für dè Ysatz vo diskretè Transischtorschaltigè lyt im qualidativ höcherè Segmènt vo dè Audiotechnig.
Leischtigselegtronik
Transischtorè wörred in unterschidlichè Berych vo dè Leischtigselegtronik ygsetzt. Im Berych vo Leischtigsvoschtärker findet si sich in Èmdschtufè. Im Berych vo dè greglètè Stròmvosorgigè wiè bi Schaltnetzdeil findet Leischtigs-MOSFET odder IGBT Aawendig – si wörred dört als Wechsèlrichter un sûnchroni Glychrichter vowendèt. IGBT un Leischtigs-MOSFET dringèd zuènemmend in Berych vor, wo bishèr größerè Thûrischtorè vorbhaaltè gsi sin, bspw. in Wechsèlrichter odder Motòrschtüèrigè. Dè Vordeil vo Leischtigstransischtorè gegèübber Thûrischtorè isch diè Möglichkeit, Transischtorè jedderzit y- odder uusschaltè z könnè. Herkömmlichi Thûrischtorè könned zwar jedderzit ygschaltet (zündet) wörrè, abber nit bzw. nu mit zuèsätzlichem Schaltigsuffwand widder uusgschaltet wörrè. Èn Umschtand, wo vor allem bi Glychschpannigsaawendigè vo Nõchdeil isch.
Uffgrund vo dè Voluschtleischtigè i d Leischtigselegtronik kömmed meischtens größeri Transischtorghüüs wiè TO-220 odder TO-3 zur Aawendig, wo zuèsätzlich è guèti thermischi Vobindig zum Küülkörper ermögliched.
Hesiod
Dr Hesiod (* vor 700 v. d. Z. vermuetlig z Askra in Böozie) isch e griechische Dichder gsi, wo as Ackerbuur und Veehalter gläbt het. Näben em Homer sinere Ilias und Odyssee si im Hesiod sini Wärk d Hauptkwellen für was mir hüte über die griechischi Müthologii und Müthografii und über s Lääbe im Alldaag vo sinere Zit wüsse. Er gältet as dr Begründer vom didaktische Epos, em Leergedicht, wo noch sinere Häimet Askra spööter vo de Römer, bsundrigs vom Vergil, as Ascraeum carmen (Verg. georg. 2, 176) bezäichnet worde isch.
Si Wärk
Im Hesiod sini Hauptwärk si s Leergedicht Wärk und Dääg und d Theogonii, won er din in über duusig Hexameter beschribt, wie d Wält und d Götter entstande si, die sogenannte Eoie, e Gedicht, wo au as Katalog vo de Fraue ( gynaikōn katalogos) bekannt isch und nume Fragmänt von em erhalte si. Usserdäm wird im s Schild vom Herakles, en Epyllion in 460 Värs, zuegschriibe.
Ostsee
D Oschtsee (au Baltisches Meer, vo lat. Mare Balticum, odder au Baltischi See gnennt) isch è 413.000 km² großes un bis zuè 459 m düèfes Binnèmeer z Europa un giltet als es gröschte Brackwassermeer vo dè Èrdè, au wenn i dè weschtlichè Oschtsee (Beltsee) uffgrund vom Wasseruustuusch mit dè Nordsee zmeischt èn höcherè Salz- un Suèrschtoffghalt beobachtet wörrè ka. Dè Rauminhalt vom Meer betrait rund 20.000 km³. Im Oschtseeraum lebet, je nõchdem, wiè wit mo selli Region ygränzt, zwischè 50 un 85 Millionè Mènschè.
Laag un Abgränzig
D Oschtsee drènnt d Skandinavischi Halbinsel vo dè zämmèhängendè Feschtländer vo Nord-, Nordoscht- un Mitteleuropa.
S Kattegat als dè Deil vo dè Wèltmeer, mit demm s Binnèmeer Oschtsee durch diè dänischè Meerängènè in Vobindig stôt, wörd in organisatorischè Zämmèhäng, zum Byschpill bi dè Internationalè Helsinkikommission zum Schutz vo dè Meeresumwält vo dè Oschtsee (HELCOM) gärn dè Oschtsee zuègschlagè, obwoll s historisch (Byschpill Sundzoll) wiè au biologisch (suèrschtoff- un artèreich im Gegèsatz zu dè suèrschtoff- un artèarmè Oschtsee) kein Deil vo dè Oschtsee isch.
Diè weschtlichschti Stell vo dè Oschtsee lyt am Weschtènd vo dè Flensburger Förde bi dè Stadt Flensburg, dè nördlichschte Punkt isch a dè schwedisch-finnischè Landesgränz am Bottnischè Meerbusè, iri östlichschti Stell bim russischè Sankt Petersburg. Iren südlichschtè Punkt stellt s Südènd vom Stettiner Haff bi Stettin dar.
D Anrainerschtaatè vo dè Oschtsee sin Dütschland, Dänemark, Schwedè, Finnland, Russland, Eschtland, Lettland, Litauè un Polè.
Diè gröschtè Flüss, wo i d Oschtsee mündè, sin Oder (Polè, Dütschland), Weichsel (Polè), Memel (Litauè, Russland), Düna (Lettland), Newa (Russland) un Torneälven (Schwedè).
Wassèrschtand
Dè mittlèri Wasserschtand vo dè Oschtsee (Mittelwassèr) lyt öppè bi Normalhöhennull. Bi Kyl lyt er byschpillswys 1 cm unter NHN, s mittleri Hochwassèr (MHW) un mittleri Niedrigwassèr lieget öppè 1,22 m drübber bzw. drunter. Mit èrè Wõrschinlichkeit vo 80 % blybt dè Pegèl im Lauf von èm Johr unter 1,45 m übber Mittèlwassèr, er wärd im Mittèl alli füüf Johr übberschrittè. Mit èrè Wõrschinlichkeit vo 99 % blybt dè Pegèl unter 2,26 m übber Mittèlwassèr, er wärd im Mittèl alli 100 Johr übberschrittè.
Vo allem diè weschtlich Oschtsee unterlyt èm Yfluss von èrè regèlmäßigè Tidè mit èrè Periodè vo 12,4 Stundè un Amplitudè vo ca. 15 cm bi Wismar un 10 cm z Warnemünde. I dè mittlerè Oschtsee lyt d Amplitudè unter 5 cm.
Sturmhochwassèr
Als Sturmhochwassèr wörd normal èn Wassèrschtand vo mee als eim Metèr übber Normalmittèlwassèr bezeichnet. In Warnemünde hèn sich vo 1950 bis 2000 öppè 110 Sturmfluètè ereignet, durchschnittlich öppis mee als zwei pro Johr.
Historischi Hochwassèrereignis sin d Allerheiligèfluèt un witeri i dè Johr 1320, 1449, 1625, 1694, 1784 un 1825. Übber iri Uusmaß isch wènnig bekannt. Sit 1872 wörred a dè Oschtsee regèlmäßig volässlich Pegèl gnõõ. Dè högschte isch s kataschtrophale Oschtseeschturmhochwassèr 1872 mit 2,43 m mittlèrer Wasserhöchi übber NN in Warnemünde un èm Maximum vo 2,83 m übber NN in Warnemünde un 3,12 m bi Holnis gsi. Diè letschtè sauschwèrè Hochwassèrereignis sin 1904 mit 1,88 m, 1913 mit 1,89 m, im Januar 1954 mit 1,73 m, am 2.–4. Novembèr 1995 mit 1,68 m un am 21. Februar 2002 mit 1,65 m mittlèrer Wassèrhöchi über NN gsi.
Salinidät
Dè Saalzgehalt (d Salinidät) vo dè Oschtsee keit in Richtig Oschtè. Er lyt i dè Beltsee im Weschtè zwischè 19 PSU (1,9 %) un im nordöschtlichè Deil (Bottenwiek un Finnischè Meerbusè) zwischè 5 bis 3 PSU (0,5 % bis 0,3 %). (Im Voglych dezuè erreicht dè Saalzgehalt vom Atlantik un dè nördlichè Nordsee 3,5 %.) Dè Rückgang vom Saalzgehalt voläuft dõby nit kontinuyrlich, sondern stuèfèwys. Sell lõõt sich druff zrückfüürè, dass es Bodèbrofyl vo dè Oschtsee yszitbedingt uss Beggè un Schwellè beschtõt. S gröschti Gfäll vo dè Saalzkonzentration isch im Beraich vo dè Darßer Schwellè nördlich vo Roschtock z findè, diè d Gränz zwischè Beltsee un Arkona-Beggè bildet. Weschtlich dèvô betrait d Salinität öppè 1,7 %, öschtlich nu 0,8 %.
Wegè m hoch Süßwasserydraag un dè gringè Verdunschtig vo dè Oschtsee isch iren Saalzghalt gröschtdeils uff dè Wassèruusduusch mit èm Wältmeer zruckzfüürè. Well Saalzwassèr schwèrer isch als Süßwassèr, findet zudemm è Schichtig vom Seewassèr statt. Bsunders vill Saalz findet sich im düèfè Wassr unterhalb vo 60 bis 70 Meter. I dè Beltè un Sundè git s è Oberflächèschtrömig mit gringem Saalzghalt vo dè Oschtsee zum Kattegat un eine Düèfèschtrömig vo salzreichem Wassèr us èm Kattegat i d Oschtsee. Übber drei Virtel vom Wassèruusduusch findet durch dè Große Belt statt un öppè 9 % durch dè Chlyne Belt. Durch d Schwellè- un Beggèschtruktur vom Oschtseeboddè blybt abber èn beachtlichè Deil vom Salzwassèr im Beggè vo dè Beltsee zrugg un dringt nit witer nõch Oschtè vor.
Zitlichi Schwankigè vo dè Salinität kömmet durch stürmischi Periodè zschtand, diè dè Wasseruusduusch durch d Meerengè beschlüüniget, und durch großi Nyderschlaagsmengè, diè dè Süßwassèrytrag (im Mittel 500 km³/Johr) vomeeret. So chunnt s bi starkem Südwescht-Wind dezuè, dass vill Wassèr i d nordöschtlichi Ostsee druggt wörd un dè Wassèrschtand i dè weschtlichè Oschtsee sinkt; glychzitig entschtôt im Skagerrak è Sturmhochwassèr, un Nordseewassèr lauft übber d Beltsee i d Oschtsee. Dõmit glangt sowoll Saalz als au Suèrschtoff i s Düèfèwassèr vo dè Oschtsee. Git s übber längeri Zit kein neuè Zuèschtrôm, wörd dè Suèrschtoff vo dè Organismè uffbruucht. Es bildet sich giftigè Schwefèlwassèrschtoff, wo zum Byschpill Fischeier odder Larvè abdöötet.
Dè Suèrschtoffvorrõt vo eim zuèsätzlichè Nordseewassèryfluss wórend dè stürmischè Periodè haaltet öppè ein bis zwei Johr vor. Dè letschti söttige Ybruch isch 2003 gsi, dõ devô 1993. No i dè 1970er Johr hèn solchi Ereignis vill hüüfiger stattgfundè als hütt.
Glyderig
D Oschtsee, zu wellerè voschidni Meeresbuchtè, Fördè un Meeresengènè ghöred un i wellerè zaalrychi Inslè vo unterschydlichschter Größi liget, lõt sich grob in folgendi größeri Beraich unterdeilè:
Kattegat
Dè 22.000 km² großi Kattegat wörd in mengè Zämmèhäng dè Oschtsee zuègrechnet, obwoll s biologisch, verkeerstechnisch un historisch im Gegèsatz zu dè eigentlichè Oschtsee kei Binnèmeer isch.
Beltsee
Diè öppè 8000 Quadratkilometèr großi Beltsee, au als Weschtlichi Oschtsee bezeichnet, umfasst d Meeresgwässer weschtlich vo Seeland, Falschter un dè sich zwischè sellerè Inslè un dè dütschè Küschtè bi Roschtock erstreckendè Darßer Schwellè. Dört isch s Meer durch Inslè in è Netz vo Meerengènè un Buchtè deilt, wo mit dè übrigè Oschtsee kaum änger vobundè sin wiè mit èm Kattegat. Diè mittleri Saalzkonzentration im Wassèr vo dè Beltsee isch mee als doppelt so hoch wiè i dè öschtlich angränzendè "eigentlichè" Oschtsee. In villerlei Hysicht ka d Beltsee bis uff dè Große un Chlynè Belt allerdings scho dè eigentlichè Oschtsee zuègrechnet wörrè.
Eigentlichi Oschtsee
Diè eigentlich Oschtsee gôt im witerè Sinn vo dè dütschÈ Oschtseeküschte, im ängerè Sinn vo dè Linniè Falschter–Darß im Weschtè („Darßer Schwellè“) bis öppè zu dè Linniè Stockholm–Åland–nordweschtliches Eschtland im Nordoschtè. Gelegentlich wörred i dè eigentlichè Oschtsee no s Arkonabeggi (vor Rügè), s Bornholmer Beggi (öschtlich vo Bornholm) un s weschtlichi un öschtlichi Gôtlandbeggi unterschiddè, welli unterènand durch mee odder wenniger stark uusbildeti Schwellè wiè d Stolper Schwellè zwischè m Bornholmer Beggi un Gotlandbeggi abgränzt sin un lokali Düèfpünkt (im Fall vom weschtlichè Gôtlandbeggi s Landsortdüèf, im Fall vom öschtlichè Gôtlandbeggi vom Gôtlanddüèf) hèn.
Nordöschtlichi Oschtsee
D Nordöschtlichi Oschtsee umfasst dè Finnischè Meerbusè zwischè Eschtland, Finnland un Russland.
Namensgebig un -dütig
D Oschtsee heißt au Baltischs Meer bzw. Baltischi See, lat. Mare Balticum.
Oschtsee bezièt sich uff d geografischi Laag uss Sicht vo dè Germanè. È anderi Form isch Aeschtèmeer – analog isch s Volk vo dè Äschtièr, vomuètlich baltischi Prußè, vo Tacitus i dè Germania als diè am witescht öschtlich am Mare Suebicum läbendi Menschè beschribbè worrè. Suscht isch d Oschtsee in römischè Quällè nõch dè Suebè Mare Suebicum benamst worrè.
Dôgegè beschtôt bi dè Dütig vo Balt- kei Einigkeit. Voschideni Möglichkeitè wörred erwogè.
(Uusfüürlicher luèg Literatur (P. U. Dini))
Entschtehig
D Oschtsee isch am Ènd vo dè letschtè Eiszit, dè Weichsel-Kaaltzit, vor öppè 12.000 Johr nöch èm Abschmelzè vo rysigè Gletschermassè entschtandè. Iri hütigi Gschtaalt un Eigèart hèt sich sich übber meereri Etappè durch è Zämmèschpyl vo Landhebig un Meeresschpygelaaschtyg:
Öppè 10.000 bis 8.200 v. Chr. sin uffgrund vom dõmõligè Klimaumschwung d Gletscher in Richtig Skandinaviè zrugggangè. Dè Baltischi Eisschtausee hèt sich im Vorland vom Eisrand bildet, wellè sich bim Abschmelzè vo dè Inlandeismassè uff dè Höchi vo dè hütigè Åland-Inslè, nordöschtlich vo Stockholm, befundè hèt.
Ca. 8.200 bis 6900 v. Chr. isch dè Meeresspygel so stark gschtigè, dass sich wennigschtens im Beraich vo dè hütigè mittelschwedischè Seèblattè, nõch anderè Quällè au zum Wyßè Meer, è Verbindig zum Wältmeer bildet hèt. Durch dè dôdurch bedingtè Süßwassèruusschtrôm un Salzwassèryschtrôm hèt sich s sognannti (salzigi) Yoldiameer bildet.
Öppè 6900 bis 5000 v. Chr. sin diè skandinavischè Gletscher witer zrugg taut, dè Druck uff diè skandinavischi Landmassè hèt abgnõ, asè hèt si sich aagfangè z lupf`und Meeresvobindigè blockyrt. Dõrum isch diè (Süèßwassèr-) Ancylussee entschtandè.
Uugfäär 5000 v. Chr. bis öppè zum Johr 0 isch dè Meeresschpygel durch diè sognannti Littorina-Transgression asè gschtigè, dass d Feschtlandbrugg zwischè Südschwedè un Dänemark übberfluètet worrè isch un dè Oschtè vo Dänemark sich i diè hütigè Inslè uffdeilt hèt. Witer hèt sich dè Zuègang i dè Nòchi vo dè Darßer Schwellè vor dè dütschè Küschtè, un au im südlichè Beraich vo dè Oschtsee, d Grobform vo dè hütigè Küschtè uusbildet.
D Gletschr sin nu fascht vollschtändig voschwundè. S Feschtland vo Skandinaviè hèt sich witer aaglupft, so dass sich d Küschtèlinniè witer voänderet hèt. Dè südliche Beraich vo dè Oschtsee sènkt sich, s vorückènde Meer überfluètet d jungglaziale Landschaft un formt si dõby um. Als Ergebnis findet mo drei Küschtèformè im südlichè Beraich widder: Fördèküschtè (Byschpill: Kyler Fördè), Buchtèküschtè (Byschpill: Lübegger Bucht) un d Boddè- bzw. Boddèuusglychsküschtè (Byschpill: Halbinslè Fischland-Darß-Zingscht) z. T. mit dè Bildig vo Haffè (Byschpill: Stettiner Haff).
Klimazonè
Dè Süddeil vo dè Oschtsee befindet sich i dè gmäßigtè Klimazonè, wo bi Dänemark no uusgschprochè maritimi Züüg trait, nõch OschtÈ hy abber im Beraich vom Kontinentalklima lyt. Dè nördlichi Deil, bsunders dè Bottnische Meerbusè, isch bräägt durch s kaalte Klima vo dÈ borealÈ Nõdelwälder. Diè reichet z Finnland bis öppè 200 km nördlich vom Bolarchreis. Well d Oschtsee vom klimabeyflussendè Golfschtrôm abkopplet un iri Flächi rächt chly isch, uufgrund vo dè gringè Vodunschtig un rychè Süèßwassèrzuèfüürig dè Saalzghalt ußerdèmm gring isch, ka si nu zimli gringfüègig zum klimatischè Uusglych beiträgè; sy entwicklet kei eigenes maritimes Klima. Dõher voyset si jedè Wintèr deilwys, hin un widder sogar vollschtändig. Dõdurch würkt si nõch hartÈ Wintèr als Kälteschpycher. Hafèschtädt wiè Oulu z Finnland zellet bis zu sèchs veryste Mönät bro Johr. Ysschichtè könnet in kaaltè Wintèr au a dè dütschè Küschtè sötigi Mächtigkeit erreichè, dass Personè drauf laufè könnè. Nu einigi Inslè wiè Bornholm brofityred vo èm uugwöhnlich mildè Mikroklima.
Klimawandèl
D Oschtseeregion erwärmt sich übberdurchschnittlich: Im letschtè Johrhundert isch es a dèe Oschtsee um 0,85 Grad wärmer worrè, wältwit degegè nu um 0,75 Graad. Sit 1990 isch d Luft durchschnittlich knapp è Graad wärmer wiè i dè Johrzeent devôr. Bis Èndi vom Johrhundert könnt sich d Luft i dè Oschtsee-Region um witeri drei bis sèchs Graad erwärmè.
Ökology
Circa 20 Prozènt vo dè Bödè vo dè Kèrn-Oschtsee – zwischè Dänemark un dè Åland-Inslè – ghöred inzwischè zu dè sognanntè „Todeszonè“, i dennè uffgrund vom Suèrschtoffmangel kei Läbbè mee exischtyrt – vo anaerobè Organismè abgsää. Sell gõt uss Messungè vom schwedischè Meteorologischè Inschtitût vom Johr 2008 hèrvor. Aktuèllè Bericht zfolg schint d Laag no dramatischer z sy, denn 70.000 km² vo dè rund 200.000 km² großè Oschtsee sin bereits läbensfeindlichi Gebièt. Sin s im Johr 2008 no 42.000 km² gsi, so hèn sich diè totè Gebièt i dè letschtè zwei Johr fascht vodoppelt. Selli Todeszonè hèn sich i dè letschtè Johr uffgrund vo steigendè Yträg vo Phosphor- un Stickschtoff-Vobindigè us dè Landwùrtschaft uusbreitet. Selli Vobindigè füürèd zu vomeertem Algèwachstum, iri Zersetzug lôt dè Suèrschtoffghaalt witer keiè. Wassèr mit höcherem Saalzghaalt un mit höcherer Dichti blybt uff èm Meeresgrund, isolyrt vom Obberflächèwassèr un dè Atmosphäre. Sell füürt zu abnèmmendem Suèrschtoffghaalt i sellerè Zonè. Diè einzigè Organismè, diè dört übberduèrè könnè, sin anärobi Bakteriè, wo organischi Subschtanz zersetzèt un dõby Schwefèlwasserschtoff freisetzed. Uffgrund vo sellèrè großè anärobè Zonè unterscheidet sich d Ökology vom Oschtsee-Boddè stark vo sebberè vom Atlantik. È Aarycherig mit Suèrschtoff findet übberwygend durch Hèrbscht- un Winter-Stürm uss weschtlichè Richtigè statt, welli saalzigs un suèrschtoffreicheres Wassèr uss dè Nordsee i d Oschtsee spedyred.
luèg au witer unnè: Munitionsentsorgig i dè Oschtsee
Dyrwält
D Fischbeschtänd lydet ußer èm Suèrschtoffmangel un dè Schadschtoffyträäg au unter Übberfischig. D Situation vom Hèring isch i dè Oschtsee dütlich schlèchter als i dè Nordsee. Dõrum hèt sich d EU uff è Herabsetzig vo dè Fangquotè geinigt. Dè Dorsch laicht byschpillswys in ca. 60 Metèr Düèfi, wo d Saalzkonzentration optimal für d Fischeier isch. Dört wörd allerdings mee un mee è signifikant wachsendi Suèrschtoffarmuut regischtryrt, wo zur Folg hèt, dass die Fischeier abschtèrbet. Dè Beschtand a Dorsch (Kabeljau) hèt allerdings i dè letschtè Johr widder lycht zuègenõõ, bedingt durch èn Kaltwassèrschuub un è besserès Yhaaltè vo dè Fangquotè bsunders durch polnischi Fischèr.
Inselwält
D Oschtsee isch rych a Inslè, Inselgruppè un -kettè sowiè bewohntè un unbewohntè Eiland. È exakti Zaal wörd nit aagää, well d Definitionè usènandgän, wodurrè è Inslè un è Eiland unterschiddè wörred.
Größeri Inslè i dè Oschtsee sin Gotland un Öland (schwedisch), Åland (finnisch), Dagö un Ösel (estnisch), Wollin (polnisch), Usedom (dütsch/polnisch), Rügè, Hiddèsee un Fehmarn (dütsch) sowiè unzääligi dänischi Inslè, byschpillswys Seeland, Bornholm, Fünè, Lolland, Falschtèr un Langeland.
Dänemark
Diè großè dänischè Inslè Seeland un Füünè trennèt d Oschtsee vom Kattegat. Seeland trait diè dänisch Hauptschtadt Kopèhaagè (København), isch diè gröscht Inslè vom Könnigreich un inzwischè durch è Brugg un èn Dunnel mit Schwedè un durch è anderi Brugg un èn Ysèbaadunnel mit dè drittgröschtè dänischè Inslè Fünè vobundè.
Diè dänischè Inslè sin wesèntlich dichter besidlet als d Halbinslè Jütland, welli d Beltsee un Kattegat nõch Weschtè begränzt. Di meischtè Inslè liget im Segelrevyr vo dè dänischè Südsee. Dört sin größeri Inslè wiè Lolland, Falschter, Møn, Langeland, Ærø un Alsè z findè. Witer öschtlich lyt Bornholm, dè östlichschte Ußèposchtè.
Zu dè kleinschtè bewoontè dänischè Oschtseeinslè ghört d Ochsèinsel i dè Flènsburger Fördè. Si lyt umittelbar a dè dütsch-dänischè Gränz.
Dütschland
Zu Dütschland ghöret diè großè Oschtseeinslè Fehmarn, Rügè un Usedom, welli au zum chlynè Deil zu Polè ghört.
Fehmarn lyt vor dè Halbinslè Wagrien a dè Lübegger Bucht un isch mit èm Feschtland übber d Fehrmarnsundbrugg als Deil vo dè Vogelflûglinniè vobundè. Zurzit (2010) isch è witeri feschti Fehrmarnbeltquerung als Alternativè zu dè Jütlandlinniè in Blaanig, womit s Bruggè- un Dunnelnetz uff èm Wäg vo Mitteleuropa nõch Skandinaviè komplettyrt wär.
Rügè, diè gröschti dütschi Inslè, isch übber dè Rügèdamm un d Rügèbrugg (zweiti Strelasundquerig) bi Stralsund mit èm Feschtland vobundè. Rügè hèt einigi vorglagerti Inslè, von dennè Hiddèsee diè bekannteschti isch.
Dè öschtliche Deil vo Usedom ghört zu Polè, un hèt wiè Rügè è reichi Glyderig in Halbinslè, ußerdem exischtyret dört vill Seè.
Eschtland
Diè gröscht Inslè vo Eschtland un glychzitig diè gröscht Oschtseeinslè vom Baltikum isch Saaremaa (Ösel). Zweitgröschti estnischi Inslè isch Hiiumaa (Dagö). Denebbè git s no d Inslè Vormsi, Muhu, Naissaar, Vilsandi, Kihnu, Ruhnu un ca. 1500 witeri, chlyneri Inslè.
Finnland
D Feschtung Suomenlinna lyt uff dè Inslè vor Helsinki. Mit èm Kvarken un sellerè Feschtung hèt Finnland zwei insulari Wältkulturerbè i dè Oschtsee.
Åland
Zwischè Schwedè un Finnland lyt diè schwedischsprõchigi Inselgruppè Åland, wo zu Finnland ghört, mit Autonomyrächt vosää isch un us übber 6500 Inslè beschtôt. 65 vo sellèn Inslè us dèrè Grupp` sin bewoont un beherbärget 26.530 Ywooner (Endi 2004).
Lettland
D Leuchtturm-inslè z Kolka isch diè einzig i dè lettischè Oschtsee. Selli künschtlichi Inslè befindet sich im offenè Meer füüf Kilometèr vor Kolkas Rags.
Polè
Polè deilt sich Usedom mit Dütschland. Ganz zu Polè ghört d Nachbõrinslè Wollin. Denebbè git es è Reiè chlynerei Inslè im Stettiner Haff.
Russland
Russland hèt mit Kotlin vor Sankt Petèrsburg è historisch wichtigi Inslè. Selli isch bessèr bekannt unter m Namè Krônschtadt wiè d glychnamigi Stadt un d Feschtig.
Schwedè
Diè zweitgröscht Ostseeinslè isch s schwedischi Gotland. Dört wörd no hütt è eigeni Sprõch, s Gutnischi, bruucht. Wichtig isch au diè zweitgröscht schwedischi Inslè Öland. A dè Küschtè vo Schwedè liget dausende chlyni Schärè, diè deilwys bewoont sin.
D Hauptschtadt vo Gotland, Visby, isch ebbèso Wältkulturerbi wiè diè südlich Landschaft vo Öland.
Küschtèformè
Diè Küschteformè vo dè Oschtsee sin è Resuldat vo eiszitlichè Gletscherbewegigè un nõcheiszitlichi Gländelupfungè im nördlichè un -senkigè im südlichè Beraich vo dè Oschtsee, welli bis hüt aaduèrèt. Beyflusst wörred d Küschtè ußerdèmm durch d Laag i dè Weschtwindzonè, wodurrè vo Weschtè hèr ständig Sedimänt aagschwemmt wörred. Unterschiddè wörred folgendi Erscheinungsformè:
Schärèküschtè
D schwedisch-finnischi KüschtÈ i dè Zentralè, Nördlichè un Östlichè Oschtsee isch fascht uusschlièßlich è Schärèküschtè; ab un zuè findet mo nõ voeinzelti Fjord (Fjord-Schärè-Küschtè). Schärè sin dè Küschtè vorglagerti, chlyni un chlynschti felsigi Inslè, wo durch dè Abschlyfeffèkt vo dè Gletscher è charakteristischi Kuppèform uffwysè. Well d Oschtsee nu gringi Gezeitè uffwyst, sin si übber diè letschtè Johrdausend praktisch unvoändert blibbè. S flach abschüssige Gländ isch bim Abschmelzè vom Eispanzer übberfluètet un d Kuppè luèget sitdemm als Inslè usè; durch d Aalupfè vom Gländ sin mit dè Zit witeri, vorglagerti Schärè entschtandè.
Fördèküschtè
D Oschtküschtè vo Schleswig-Holschtei un vo Jütland isch durch Fördè kennzeichnet, wo allerdings z Dänemark Fjord benamst wörred. Selli schmali, langi Buchtè sin bi dè Entschtehig vo dè Oschtsee durch dè Aaschtyg vom Meeresschpygel vollglaufeni ehemôligi Gletschèrdäler. Dè Unterschyd zu dè Fjord bschtôt dõrin, dass d Gletschèr sich nit vum Land zu dè See bewegt hèn, sondern umkeert vum Eispanzer übber diè hütig Oschtsee sich voraadribbè hèn, sèllèwäg isch nõch èm Abschmelzè è Rinnè übbrig blibbè, wo sich mit Seewassèr gfüllt hèt. Diè schleswig-holschteinischi Fördè wörred vo dè Landschaftè Angeln, Schwansen un Dänischè Wohld drènnt. Zwischè dè Kyler Fördè un vorglagerètè Kyler Bucht einersits un dè Lübegger Bucht als Deil vo dè Mecklèburger Bucht anderèrsits lyt d Probschtei un d Halbinslè Wagryn mit dè Inslè Fehmarn. Dè Hemmelsdorfer See bim Timmèdorfer Strand isch ebbèfalls è aalti Fördè. Er isch wesèntlich düèfer als diè durch è eiszitlichi Landbarrièrè abgschnitteni, devorligendi Lübegger Bucht.