Ανάλυση λειτουργίας τρανζίστορ διέλευσης για οδήγηση φορτίων RC:
Creators: name: Βαρναβίδου, Χριστίνα Βαρνάβα
Publisher: name: Aristotle University of Thessaloniki
Year: 2009
Subjects: Τρανζίστορ διέλευσης
Ανάλυση λειτουργίας
Μοντελοποίηση
Pass transistor
Rc load
Operation analysis
Modeling

description: Ο βασικός στόχος της διπλωματικής αυτής εργασίας, είναι η ανάπτυξη απλών μαθηματικών μοντέλων τα οποία θα περιγράφουν όσο το δυνατόν πιο αποτελεσματικά τη λειτουργία ενός Νmos τρανζίστορ το οποίο οδηγεί το π-model ενός RC φορτίου. Η ύπαρξη τέτοιων τεχνικών κρίνεται αναγκαία μιας και τέτοιου είδους κυκλώματα αποτελούν κύρια ηλεκτρονικά στοιχεία ψηφιακών κυκλωμάτων, οπότε όσο πιο απλή και γρήγορη είναι η μελέτη της συμπεριφοράς του τόσο πιο εύκολη και γρήγορη θα είναι στη συνέχεια η προσομοίωση μεγάλων ψηφιακών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Έτσι στο 1ο κεφάλαιο γίνεται μια αναφορά στο RC π-model και μια γενική περιγραφή της μελέτης που θα ακολουθήσει παρακάτω. Στο 2ο κεφάλαιο γίνεται μια πιο αναλυτική περιγραφή του μοντέλου, η οποία συμπεριλαμβάνει αναφορά στην τεχνολογία στην οποία ανήκει το Νmos τρανζίστορ που θα χρησιμοποιήσουμε, στη μορφή της τάσης που θα εφαρμοστεί στην πύλη του τρανζίστορ και στις μαθηματικές εξισώσεις οι οποίες διέπουν τη λειτουργία του. Επιπρόσθετα, διακρίνουμε τις δυνατές περιπτώσεις τις οποίες περιλαμβάνει, μελετούμε την καθεμία από αυτές και δίνουμε τις εξισώσεις που τις μοντελοποιούν.Στο 3ο κεφάλαιο παραθέτουμε παραδείγματα που προκύπτουν με αλλαγή του χρόνου ανόδου τ της βηματικής εισόδου που εφαρμόζεται στην πύλη του τρανζίστορ ή με αλλαγή του πλάτους W του πλάτους του Nmos τρανζίστορ ή με αλλαγή της χωρητικότητας του πυκνωτή εξόδου ή με μεταβολή της αντίστασης R. Τα παραδείγματα αυτά μας δίνουν τη δυνατότητα να διαπιστώσουμε κατά πόσο η μέθοδος που εφαρμόζουμε είναι αξιόπιστη και καταγράφουμε τα συμπεράσματα στα οποία καταλήγουμε.Τέλος στο 4ο κεφάλαιο γίνεται σύνοψη της μελέτης και καταγράφονται τα συμπεράσματα στα οποία έχουμε καταλήξει.
description: The purpose of this thesis is the development of simple mathematical models which will demonstrate as successfully as possible, the function of Νmos transistor which drives the p model of a circuit. Such techniques are considered to be necessary since such circuits consist of the main electronic elements. Therefore, the simplest and the fastest the study of its operation the easiest and fastest will be the simulation of a digital integrated circuit. In chapter 1 the RC model is mentioned and the description of the following analysis is pursued. In Chapter 2 there is a more detailed analysis of the model, which includes a reference to the technology of Nmos transistor that will be used, the nature of the voltage that will be applied on transistor’s entrance and the mathematical equations that describe its operation. Moreover, the possible cases it covers are pointed out, each one of them is examined and the equations that model them are given.In the third chapter, examples that result from the change of the rise time of rising input ramp that is applied to the gate of the transistor width or with the change of width w of width Nmos transistor or with the change of capacitance of the output charge and the resistance change R are given. These specific results enable us to judge whether the applied method is valid and then the conclusions reached are stated.Finally, in chapter 4, an overview of the study is made and the results of the work are pointed out.