Caratterizzazione e modellistica di transistori ad alta frequenza per applicazioni a basso rumore ed ad alta potenza
Creators: name: NANNI, ANTONIO
Publisher: name: Università degli Studi di Roma "Tor Vergata"
Year: 2009
Subjects: subject: caratterizzazione; Volterra; FET; dispersione; modello
subject: caratterizzazione
subject: Volterra
subject: FET
subject: dispersione
subject: modello

description: 21. ciclo
description: Introduzione alla Tesi - Capitolo 1, Caratterizzazione Lineare di Transistori HBV per Applicazioni ad Alta Potenza e Basso Rumore - 1.1 Introduzione - 1.2 Dispositivi HEMT in GaN - 1.3 Tecnica realizzativa di Gate a Field Plate - 1.4 Prestazioni di Guadagno di HBV FETs - 1.4.1 HBV FETs in tecnologia GaAs - 1.4.2 HBV FETs in tecnologia GaN - 1.4.2.1 CPW FET con Lunghezza di Gate 0.5 μm 33 - 1.4.2.2 MS FET con Lunghezza di Gate 0.5 μm - 1.4.2.3 CPW FET con Lunghezza di Gate 0.25 μm - 4.2.4 MS FET con Lunghezza di Gate 0.25 μm - 1.4.2.5 Confronto delle Prestazioni di Guadagno di GaN FET - 1.5 Caratterizzazione di Rumore di HBV FETs - 1.5.1 Cold-Source Pull: Calibrazione del Ricevitore - 1.5.2 Principio della Misura di Rumore Cold - 1.5.3 Banco di Misura Cold-Source Pull - 1.5.4 Caratterizzazione del Banco di Misura - 1.5.5 Cold-Source Pull di HBV GaN FET - 1.5.6 Cold-Source Pull di HBV GaAs FET - 1.5.7 Studio della Sensibilità di Misure di Cold-Source Pull - Capitolo 2 Modellistica di Transistori HBV per Applicazioni a Basso Rumore - 2.1 Introduzione - 2.2 Modellistica di FET ad Alta Frequenza - 2.3 Approccio di Modellistica a Circuito Equivalente - 2.3.1 Valutazione degli Elementi Parassiti - 2.3.2 Estrazione delle Capacità Parassite - 2.3.3 Estrazione delle Resistenze Parassite - 2.3.4 Estrazione delle Induttanze Parassite - 2.3.5 Valutazione dell’Intrinseco ed Estrazione del Modello - 2.4 Modello di Rumore a Temperatura Equivalente - 2.4.1 Misure F50 - 2.4.2 Estrazione del Modello a Temperatura Equivalente di Rumore - 2.5 Modello di Rumore tramite Algoritmo di Lane - 2.5.1 Applicazione di Lane alle Misure di Cold-Source Pull - 2.5.2 Sensibilità di Misure di Cold-Source Pull Tramite Lane - Capitolo 3 Caratterizzazione Non Lineare di HBV FET per Applicazioni di Potenza - 3.1 Introduzione - 3.2 Problematiche Termiche per la Caratterizzazione I/V di HBV FET 128 - 3.3 Fenomeni di Dispersione nella Caratterizzazione I/V di HBV FET - 3.3.1 Misure I/V Impulsate di HBV FET - 3.3.2 Misure I/V Impulsate di HBV GaAs FET - 3.3.3 Misure I/V Impulsate di HBV GaN FET - 3.4 Problematiche dei Sistemi Commerciali Impulsati - 3.5 Approccio alternativo al problema della caratterizzazione dinamica I/V - 3.6 Banco di misura per la caratterizzazione dinamica I/V - 3.6.1 Calibrazione del Banco di Misura - 3.6.2 Misura Calibrata di Curve I/V dinamiche - 3.6.3 Implementazione della Rete di Tuning - 3.6.4 Validazione del Banco di Misura - 3.7 Misure di Load Pull - 3.7.1 Caratterizzazione di Potenza di HBV GaAs FET - 3.7.2 Caratterizzazione di Potenza di HBV GaN FET - Capitolo 4 Modellistica non lineare di Transistori HBV per Applicazioni di Potenza - 4.1 Introduzione - 4.2 Circuito Equivalente Non Lineare di Angelov-Zirath - 4.3 Estrazione del Modello Non Lineare - 4.3.1 Validazione del Modello Non Lineare di HBV GaN FET - 4.4 Possibili Applicazioni del Modello Non Lineare - 4.4.1 Approccio di Volterra - 4.4.2 Validazione dell’Approccio di Volterra - Conclusioni - Riferimenti Bibliografici - Indice delle Figure