English: So, m_(e)^(*) for gallium arsenide is 0.067 m_(e), Now, you can calculate N_(c) using the same equation that we used for silicon, N_(c) is around 4.3 x 10²³ m⁻³, N_(v) is 8.85 x 10²³ m⁻³, from N_(c) N_(v) and the band gap which is 1.42, we can calculate the intrinsic carrier concentration is 2.4 x 10⁶ cm³, correspondingly the conductivity is lower, which is 3.4 x 10⁻⁹.
Telugu: ఇప్పుడు, సిలికాన్ కోసం మనము ఉపయోగించిన అదే ఈక్వేషన్ ఉపయోగించి మీరు N_(c) ని లెక్కించవచ్చు, N_(c) సుమారు 4.3 x 10²³ m⁻³, N_(v) సుమారు 8.85 x 10²³ m⁻³ , N_(c) N_(v) నుండి మరియు బ్యాండ్ గ్యాప్ 1.42, మనము ఇంట్రెన్స్సిక్ క్యారియర్ కాన్సెంట్రేషన్ 2.4 x 10⁶ cm³ అని లెక్కించవచ్చు, తదనుగుణంగా (correspondingly) కండక్టివిటీ తక్కువగా ఉంటుంది, ఇది 3.4 x 10⁻⁹. కాబట్టి, గాలియం ఆర్సెనైడ్‌ విషయంలో, ఇంట్రెన్స్సిక్ క్యారియర్ కాన్సెంట్రేషన్ తక్కువగా ఉంటుంది, తదనుగుణంగా కండక్టివిటీ తక్కువగా ఉంటుంది.