English: In the late 1980s, key breakthroughs in GaN epitaxial growth and p-type doping[115] ushered in the modern era of GaN-based optoelectronic devices.
Telugu: 1980 ల చివరిలో, గన్ లో కీ పరిణామాల్లో epitaxial పెరుగుదల మరియు p- రకం డోపింగ్ [85] గన్ ఆధారిత ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల ఆధునిక యుగంలో గురిచేసింది.