English: It provides lower capacitance due to the insertion of the intrinsic layer between the highly doped P and N layer, it provides high breakdown region due to the intrinsic region.
Telugu: అధిక డోప్డ్ P మరియు N లేయర్ ల మధ్య ఇంట్రిన్సిక్ లేయర్ ఇంసెర్షన్ వల్ల ఇది తక్కువ కెపాసిటెన్స్‌ను అందిస్తుంది, ఇది ఇంట్రిన్సిక్ రీజియన్ కారణం గా అధిక బ్రేక్డౌన్ రీజియన్ ని అందిస్తుంది.