English: In 2006, enhancement-mode GaN transistors, sometimes referred to as GaN FETs, started being manufactured by growing a thin layer of GaN on the AIN layer of a standard silicon wafer using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
Telugu: 2006 లో, మెరుగుదల-మోడ్ GaN ట్రాన్సిస్టర్లు, కొన్నిసార్లు GaN FET లు అని పిలుస్తారు, లోహ సేంద్రీయ రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (MOCVD) ను ఉపయోగించి ప్రామాణిక సిలికాన్ పొర యొక్క AIN పొరపై GaN యొక్క పలుచని పొరను పెంచడం ద్వారా తయారు చేయడం ప్రారంభించారు.