English: The chemical element interacts with oxygen at 400-500 0 C, as a result, the dioxide film increases, the oxidation process proceeds.
Telugu: రసాయన మూలకం ఫలితంగా డయాక్సైడ్ చిత్రం పెరుగుతుంది, ఆక్సీకరణ ప్రక్రియ వద్ద 400-500 0 C ఆక్సిజన్ చర్య జరుపుతుంది.