English: Rubin Braunstein of the Radio Corporation of America reported on infrared emission from gallium arsenide (GaAs) and other semiconductor alloys in 1955.[6] Braunstein observed infrared emission generated by simple diode structures using gallium antimonide (GaSb), GaAs, indium phosphide (InP), and silicon-germanium (SiGe) alloys at room temperature and at 77 kelvin.
Telugu: రూబిన్ Braunstein [14] యొక్క రేడియో కార్పొరేషన్ ఆఫ్ అమెరికా నుండి పరారుణ ఉద్గారంపై నివేదించారు గాలియం ఆర్సెనైడ్ 1955 (GaAs) మరియు ఇతర సెమీకండక్టర్ మిశ్రమాలు [15] Braunstein గమనించిన ఉపయోగించి సాధారణ డయోడ్ నిర్మాణాలు ద్వారా ఉత్పత్తి పరారుణ ఎమిషన్ గాలియం antimonide (GaSb), GaAs, ఇండియంల పాస్ఫేడ్ (InP), మరియు సిలికాన్-జెర్మేనియం (SiGe) గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద మరియు కెల్విన్ 77 మిశ్రమాలకు.