English: Recently, hetrojunction transistor is made using the silicon germanium technology and they provide the similar DC RF efficiency as the transistors provide with the help of these group 3 and group 5 materials, but they are made at relatively low cost and with relatively low complexity in the manufacturing process.
Telugu: ఇటీవల, సిలికాన్ జెర్మేనియం సాంకేతిక పరిజ్ఞానాన్ని ఉపయోగించి హెట్రోజంక్షన్ ట్రాన్సిస్టర్ తయారు చేయబడింది మరియు ట్రాన్సిస్టర్‌లు ఈ గ్రూప్ 3 మరియు గ్రూప్ 5 మెటీరియల్స్ సహాయంతో అందించే విధంగా అవి ఇలాంటి DC RF సామర్థ్యాన్ని అందిస్తాయి, అయితే అవి తక్కువ ఖర్చుతో తయారు చేయబడతాయి మరియు తయారీ విధానం తక్కువ సంక్లిష్టం గా ఉంటుంది.