English: Physicist Julius Edgar Lilienfeld filed a patent for a field-effect transistor (FET) in Canada in 1925, which was intended to be a solid-state
Telugu: జర్మన్ భౌతికశాస్త్రవేత్త జూలియస్ ఎడ్గార్ లిలీన్ఫెల్డ్ 1925 లో కెనడాలో ఒక క్షేత్ర-ప్రభావ ట్రాన్సిస్టర్ (FET) కొరకు ఒక పేటెంట్ ను దాఖలు చేశారు, fragile కి ఘన-స్థితి ప్రత్యామ్నాయంగా ఇది ఉద్దేశించబడింది.