English: So, here is the structure of gallium arsenide based MESFET and it provides better performance over other transistor due to the higher mobility of these materials.
Telugu: కాబట్టి, ఇక్కడ గాలియం ఆర్సెనైడ్ ఆధారిత MESFET యొక్క నిర్మాణం ఉంది మరియు ఈ మెటీరియల్స్ యొక్క అధిక చైతన్యం కారణంగా ఇది ఇతర ట్రాన్సిస్టర్‌లపై మెరుగైన పనితీరును అందిస్తుంది.