English: If you remember the band gap of germanium is also smaller, so at room temperature E_(g) for silicon is around 1.10 electron volts, E_(g) for germanium is around 0.67 electron volts.
Telugu: కాబట్టి, ఇది దాదాపు 12, 12.7, 9.6. మీరు గుర్తుంచుకుంటే జెర్మేనియం యొక్క బ్యాండ్ గ్యాప్ కూడా తక్కువగా ఉంటుంది, కాబట్టి గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద E_(g) సిలికాన్ కోసం సుమారు 1.10 ఎలక్ట్రాన్ వోల్ట్లు, E_(g) జెర్మేనియం కోసం దాదాపు 0.67 ఎలక్ట్రాన్ వోల్ట్లు.