English: I have my n type, this band gap is 2 electron volts, we then have intrinsic gallium arsenide and either have an intrinsic material or a very lightly doped material, either way the band gap is smaller and the Fermi level is close to the center of the gap and then finally I have p-type gallium arsenide or p-type aluminum gallium arsenide.
Telugu: నా వద్ద n-రకం ఉంది, ఈ బ్యాండ్ గ్యాప్ 2 electron volt లు, అప్పుడు మనకు అంతర్గత gallium arsenide ఉంటుంది మరియు అంతర్గత పదార్థం లేదా చాలా తేలికగా dope చేయబడిన పదార్థం ఉంటుంది, ఎలాగైనా band gap చిన్నది మరియు ఫెర్మి (Fermi) స్థాయి సెంటర్ అఫ్ గ్యాప్ కి దగ్గరగా ఉంటుంది మరియు చివరకు నాకు p- రకం gallium arsenide లేదా p- రకం aluminum gallium arsenide ఉన్నాయి.