English: So, the intrinsic carrier concentration depends exponentially on the band gap; the temperature term enters in this exponential factor, but N_(c) and N_(v) which are the effective density of states at the valence band edge and the conduction band edge are also a function of temperature.
Telugu: కాబట్టి, ఇంట్రెన్స్సిక్ క్యారియర్ కాన్సెంట్రేషన్ బ్యాండ్ గ్యాప్ పై విపరీతంగా ఆధారపడి ఉంటుంది; ఈ ఎక్స్పోనేన్షియల్ ఫ్యాక్టర్ లో ఉష్ణోగ్రత పదం ప్రవేశిస్తుంది, అయితే N_(c) మరియు N_(v) అనేది వాలెన్స్ బ్యాండ్ ఎడ్జ్ మరియు కండక్షన్ బ్యాండ్ ఎడ్జ్ వద్ద ఉన్న స్టేట్ ల ఎఫెక్టివ్ డెన్సిటీ కూడా ఉష్ణోగ్రత యొక్క ఫంక్షన్.