English: So, due to the insertion of silicon oxide, it provides very high gate capacitance and the impedance of these transistors will be very high may be up to of the order of mega ohm.
Telugu: కాబట్టి, సిలికాన్ ఆక్సైడ్ ఇన్సర్షన్ వల్ల, ఇది చాలా ఎక్కువ గేట్ కెపాసిటెన్స్‌ను అందిస్తుంది మరియు ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌ల యొక్క ఇంపెడెన్స్ చాలా ఎక్కువగా ఉంటుంది, ఇది దాదాపు మెగా ఓం వరకు ఉండవచ్చు.