English: In this transistor, the gate is separated from the channel by an insulating oxide layer; generally it is of silicon oxide.
Telugu: ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌లో, గేట్ ఛానల్ నుండి ఇన్సులేటింగ్ ఆక్సైడ్ లేయర్ ద్వారా వేరు చేయబడుతుంది; సాధారణంగా ఇది సిలికాన్ ఆక్సైడ్.