English: Now, we are going to take complete design of an amplifier S parameters of a gallium Arsenide MOSFET at 8 GHz are given as follows and these are for biasing condition of V _(ds) equal to 3 volt and I_(ds) equal to 30 mA and our objective is to design an amplifier for gain equal to 10 dB.
Telugu: (చూడండి స్లయిడ్ సమయం: 07:31) ఇప్పుడు, మేము 8 GHz వద్ద ఒక గాలియం ఆర్సెనైడ్ MOSFET యొక్క యాంప్లిఫైయర్ S పారామితులు యొక్క పూర్తి డిజైన్ ను తీసుకోవాలి అవి ఇలా ఉన్నాయి మరియు ఈ V_(ds) విలువ 3వోల్ట్ కు సమానం చేయడం కోసం బయాసింగ్ కండీషన్ మరియు I_(ds) విలువ 30 mA కి సమానం మరియు 10 dB కి సమానమైన గెయిన్ కోసం యాంప్లిఫైయర్ డిజైన్ చేయడం మా లక్ష్యం.