English: The next type of distortion is the crossover distortion in the analysis we assumed that these transistors are ideal in nature, but practically they are made of silicon then here the voltage required for the biasing of emitter base junction is 0.7 V in case of NPN transistor and it should be -0.7 V for PNP transistor.
Telugu: (Refer Slide Time: 28:13) ఈ ట్రాన్సిస్టర్లు ప్రకృతిలో అనువైనవి అని మేము భావించిన విశ్లేషణలో క్రాస్ఓవర్ డిస్టార్షన్ తదుపరి టైప్ డిస్టార్షన్, అయితే ఆచరణాత్మకంగా(practically) అవి సిలికాన్‌తో తయారు చేయబడ్డాయి, ఇక్కడ ఎమిటర్ బేస్ జంక్షన్ యొక్క బయాసింగ్ కి అవసరమైన వోల్టేజ్ NPN ట్రాన్సిస్టర్ విషయంలో 0.7 V మరియు ఇది PNP ట్రాన్సిస్టర్‌కు -0.7 V గా ఉండాలి.