English: In the case of intrinsic semiconductor, we cannot change the carrier concentration at any given temperature right because the carrier concentration depends upon the band gap.
Telugu: ఇంట్రెన్స్సిక్ సెమీకండక్టర్ విషయంలో, క్యారియర్ కాన్సెంట్రేషన్ బ్యాండ్ గ్యాప్ పై ఆధారపడి ఉంటుంది కాబట్టి మనం ఏదైనా ఉష్ణోగ్రత వద్ద క్యారియర్ కాన్సెంట్రేషన్ ను మార్చలేము.