English: In 1962, Robert N. Hall demonstrated the first laser diode device, made of gallium arsenide and emitted at 850 nm the near-infraredband of the spectrum.
Telugu: 1962 లో, R. N. హాల్ మొదటి చేస్తుంది డయోడ్ లేజర్ 850 nm తరంగ దైర్ఘ్యం వద్ద ఉద్గార, గాలియం ఆర్సెనైడ్ (GaAs) తయారు.