English: In this transistor, the emitter and base region are doped by different semiconductor materials and by using heavily doped base region, the base resistance of these transistors can be reduced.
Telugu: ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌లో, ఎమిటర్ మరియు బేస్ రీజియన్ వేర్వేరు సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ ద్వారా డోప్ చేయబడతాయి మరియు హెవీలీ డోప్డ్ బేస్ రీజియన్ ని ఉపయోగించడం ద్వారా, ఈ ట్రాన్సిస్టర్‌ల యొక్క బేస్ రెసిస్టెన్స్ ను తగ్గించవచ్చు.