English: The ability to operate at much higher temperatures and voltages than gallium arsenide (GaAs) transistors also makes gallium nitride ideal power amplifiers for microwave and terahertz (ThZ) devices, such as imaging and sensing, the future market mentioned above
Telugu: గాలియం ఆర్సెనైడ్ (GaAs) ట్రాన్సిస్టర్ల కంటే ఎక్కువ ఉష్ణోగ్రత మరియు వోల్టేజ్ల వద్ద పనిచేసే సామర్థ్యం మైక్రోవేవ్ మరియు టెరాహెర్ట్జ్ (ThZ) పరికరాల కోసం గాలియం నైట్రైడ్ ఆదర్శ శక్తి యాంప్లిఫైయర్లను చేస్తుంది, ఇమేజింగ్ మరియు సెన్సింగ్, పైన పేర్కొన్న భవిష్యత్ మార్కెట్.