chaannwooff/Dartdoc huggingface dataset:
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이상인 거래처와 거래하고 있으며, 금융자산의 신용보강을 위한 정책과 절차를 마련하여 운영하고 있습니다. 연결실체는 이러한 신용위험을 관리하기 위하여 주기적으로 고객과 거래상대방의 재무상태와 과거 경험 및 기타 요소들을 고려하여 재무신용도를 평가하고 있으며 고객과 거래상대방 각각에 대한 신용한도를 설정하고 있습니다. 금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대노출정도를 표시하고 있습니다. 당기말과 전기말 현재 연결실체의 신용위험에 대한 최대노출정도는 다음과 같습니다. (단위: 원) 구 분 당기말 전기말 현금및현금성자산(*) 매출채권 및 기타유동채권 기타유동금융자산 기타비유동금융자산 장기대여금 및 수취채권 합 계 (*)현금시재액 제외당기말 현재 중요한 신용위험의 집중은 없으며, 매출채권 및 기타유동채권은 다수의거래처에 분산되어 있습니다.한편, 연결실체는 기업은행 등의 금융기관에 현금 및 현금성자산 등을 예치하고 있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. ② 유동성위험연결실체는 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석·검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 연결실체의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다.당기말과 전기말 현재 연결실체가 보유한 금융부채의 계약상 만기는 다음과 같습니다. i) 당기말 (단위: 원) 구분 장부금액 계약상 현금흐름 1년미만 1년~2년 2년~3년 3년초과 매입채무 및 기타유동채무 단기차입금 유동성장기부채 장기차입금 사채 기타비유동금융부채 합 계 ii) 전기말 (단위: 원) 구분 장부금액 계약상 현금흐름 1년미만 1년~2년 2년~3년 3년초과 매입채무 및 기타유동채무 단기차입금 유동성장기부채 장기차입금 사채 기타비유동금융부채 합 계 연결실체는 금융부채의 계약상 현금흐름이 유의적으로 더 이른 기간에 발생하거나, 유의적으로 다른 금액일 것으로 기대하지 않습니다. ③ 환위험연결실체는 매출채권, 매입채무 및 차입금 등과 관련하여 주로 USD 및 EUR 등의 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 연결실체는 외화로 표시된 채권과 채무 관리시스템을 통하여 환노출위험을 주기적으로 평가, 관리 및 보고하고 있습니다.연결실체는 영업활동에서 발생하는 환위험의 최소화를 위하여 수출입등의 경상거래 및 예금, 차입 등의 자금거래시 현지통화로 거래하거나 입금 및 지출 통화를 일치시키는 것을 원칙으로 함으로써 환포지션 발생을 최대한 억제하고 있습니다.연결실체는 국내 금융기관과 환리스크 관리에 대한 의견교류와 투기적 외환거래를 금지하는 외환관리제도를 구축하여 재무구조의 건전성 및 안전성 실현을 목표로 리스크 관리에 만전을 기하여 있습니다. 당기말과 전기말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산과 부채의 장부금액은 다음과 같습니다. (단위: 원) 구 분 당기말 전기말 자산 부채 자산 부채 USD CNY EUR 기타 합계 연결실체는 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 정기적으로 측정하고 있습니다. 당기말과 전기말 현재 각 외화에 대한 환율 10% 변동시 환율변동이 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다. (단위: 원) 구 분 당 기 전 기 10% 상승시 10% 하락시 10% 상승시 10% 하락시 USD CNY EUR 기타 합 계 상기 민감도 분석은 보고기간말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산 및 부채를 대상으로 하였습니다.당기말과 전기말 현재 적용환율은 다음과 같습니다. (단위: 원) 구 분 당기말 전기말 USD CNY EUR ④ 이자율위험연결실체는 변동이자율로 발행된 차입금으로 인하여 이자율변동위험에 노출되어 있습니다. 연결실체는 이자율위험을 최소화하기 위하여 재융자, 기존차입금의 갱신, 대체적인 융자 및 위험회피 등 다양한 방법을 검토하여 연결실체 입장에서 가장 유리한자금조달방안에 대한 의사결정을 수행하고 있습니다. 당기말과 전기말 현재 연결실체의 변동이자부 금융상품은 다음과 같습니다. (단위:
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원) 구 분 당기말 전기말 단기차입금(*) 유동성장기부채 장기차입금 소 계 (-)단기금융상품 순차입금 (*) 당기말 현재 단기차입금 중 무이자 차입금은 제외하였습니다. 당기말과 전기말 현재 변동이자부 금융상품과 관련하여 이자율 1% 변동시 당기손익에 대한 민감도는 다음과 같습니다. (단위: 원) 구 분 당기 전기 1% 상승시 1% 하락시 1% 상승시 1% 하락시 순이익 증가(감소) ⑤ 가격위험연결실체는 재무상태표상 가격위험에 노출되어 있는 당기손익인식금융자산으로 분류되는 지분증권이 없습니다. (4) 자본위험관리연결실체의 자본관리는 계속기업으로서의 존속능력을 유지하는 한편, 자본조달비용을 최소화하여 주주이익을 극대화하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 연결실체의 경영진은 자본구조를 주기적으로 검토하고 있으며, 장·단기 자금차입, 자산매각 그리고 유상증자 등을 통하여 순부채비율을 개선하기 위한 정책을 지속적으로 유지하고 있습니다. 연결실체는 자본관리지표로 순부채비율을 이용하고 있으며, 이 비율은 순차입금을 총자본으로 나누어 산출됩니다. 당기말과 전기말 현재 연결실체의 순부채비율은 다음과 같습니다. (단위: 원) 구 분 당기말 전기말 단기차입금 유동성장기부채 장기차입금 사채 현금및현금성자산 기타유동금융자산 기타비유동금융자산 순차입금(A) 총자본(B) 부채비율(%)(A/B) (5) 금융상품의 공정가치1) 연결실체의 경영진은 당기말과 전기말 현재 금융자산과 금융부채의 장부금액과 공정가치가 유사하다고 판단하고 있습니다.당기말과 전기말 현재 금융상품의 장부금액과 공정가치는 다음과 같습니다. (단위: 원) 구분 당기말 전기말 장부금액 공정가치 장부금액 공정가치 공정가치로 인식된 금융자산 - 당기손익-공정가치금융자산 소 계 상각후원가로 인식된 금융자산 - 현금 및 현금성자산 - 매출채권 및 기타유동채권 - 기타유동금융자산 - 장기대여금 및 기타수취채권 - 기타비유동금융자산 소 계 금융자산 합계 상각후원가로 인식된 금융부채 - 매입채무 및 기타유동채무 - 단기차입금 - 유동성장기부채 - 장기차입금 - 사채 - 기타비유동금융부채 금융부채 합계 2) 공정가치 서열체계연결실체는 공정가치 측정에 사용된 투입변수의 유의성을 반영하는 공정가치 서열체계에 따라 공정가치 측정치를 변경하고 있으며, 공정가치 서열체계의 수준은 다음과 같습니다. 구 분 투입변수의 유의성 수준1 동일한 자산이나 부채에 대한 활성시장의 공시가격 수준2 직접적으로 또는 간접적으로 관측가능한 자산이나 부채에 대한 투입변수 수준3 관측가능한 시장자료에 기초하지 않은 자산이나 부채에 대한 투입변수 당기말과 전기말 현재 공정가치로 측정되는 금융상품의 수준별 공정가치 측정치는 다음과 같습니다. i) 당기말 (단위: 원) 구 분 수준1 수준2 수준3 합계 지분증권 ii) 전기말 (단위: 원) 구 분 수준1 수준2 수준3 합계 지분증권 41. 담보제공자산 등 (1) 당기말 현재 연결실체의 채무를 위하여 담보로 제공되어 있는 자산의 내역은 다음과 같습니다. (단위: 원) 담보제공자산 담보설정금액 담보권자 토지, 건물 및 기계장치 산업은행 국민은행 기업은행 신한은행 KEB하나은행 재고자산 한국수출입은행 합 계 한편, 연결실체는 건물 등에 대하여 화재보험 등에 가입하고 있으며, 장단기차입금과관련하여 보험금액에 질권이 설정되어 있습니다. (2) 당기말 현재 연결실체가 제공받은 지급보증 및 기타약정사항 내용은 다음과 같습니다. (단위: 원화단위: 원, USD단위: 1$, CNY단위: 1￥) 제공처 지급보증 내용 제공받은회사명 제공금액 기업은행 기타지급보증 (주)모베이스 일람불수입신용장 가흥화창전장유한공사 일람불수입신용장 모베이스썬스타(주) 기한부수입신용장 신용보증기금 신용보증서 (주)모베이스오토 사모사채보증 (주)모베이스전자 서울보증보험 이행지급보증 모베이스썬스타(주) 모베이스오토테크(주) (주)모베이스전자 42. 약정사항 및 우발사항 (1) 당기말 현재 연결실체가 체결하고 있는 주요 기술제공계약 등의 내용은 다음과 같습니다. 1) 주식회사 동해이화전기제작소로부터의 기술도입계약의 현황은
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다음과 같습니다. ① ESCL 기술지원 계약 - ESCL에 대해 동해이화전기제작소에서 당사로 허가한 권리를 소주모베이스전 자과기유한공사로 확대하는 부속계약을 체결(소주모베이스전자과기유한공사 서브라이센스) - 일시금 및 로열티 : JPY 9,000,000 + 개당 JPY 50 - 계약기간 : 2014년 8월 29일 부터 중국 내 TR 유효특허 만료일까지 (2025년 7 월 29일) - 계약기간은 2012년 10월 1일부터 2024년 4월 14일까지이며 특허 사용시 개당 33엔의 로열티를 지불 2) 일본의 FURUKAWA사와 TB/LC차종의 ETACS(Electric Time and Alarm Control System) 관련 기술도입계약을 체결하였는 바, 계약기간은 상용판매기간까지 입니다. 동 계약에 의하면 도입기술료로서 순매출액의 3%에 상당하는 로열티를 지불하여야 합니다.3) 독일의 ROBERT BOSCH사와 자동차용 B.C.M(Body Control Module) 관련 기술도입계약을 체결하였는 바, 계약기간은 최초계약일로부터 5년간이며, 계약기간 종료 후 6개월내 종료 또는 연장 통지를 하지 않을 경우 2년씩 자동연장됩니다. 동 계약에 의하면 도입기술료로서 순매출의 4%에 상당하는 로열티를 지불하여야 합니다. 단, 로열티가 년 EUR 500미만일 경우 지급하지 아니 합니다.4) Immersion Software Ireland Ltd와 현대/기아자동차 집중형 조작계(CCP/RRC) 중 햅틱 사양에 적용되는 햅틱 피드백 기술지원 계약을 체결하였는 바, 계약기간은 최초 계약일로부터 6년간이며, 계약기간 종류 후 재계약 체결 예정입니다. 동 계약에의하면 $2.25/EA 이며 분기별 최소 보장액 $107,143(47,619EA), 분기별 보장 수량 초과시 $2.25/EA 적용의 로열티를 지불하여야 합니다.5) Koninklijke Philips N.V.와 무선전력장치(WPC)에 해당하는 무선전력 송신기술에 대한 기술지원계약을 체결하였습니다. 계약기간은 최초 계약일로부터 7년간이며, 계약기간종료 후 재계약 체결 예정입니다. 동 계약에 의하면 무선전력 송신기의 로열티를 지불하여야 합니다. (2) 금융자산의 양도연결실체가 당기말과 전기말 현재 체결한 은행과의 매출채권 할인약정 내용은 다음과 같습니다. (단위 : 원) 구 분 당기말 전기말 상각후원가측정 금융자산(할인된 매출채권) 상각후원가측정 금융자산(할인된 매출채권) 자산의 장부금액 관련 부채의 장부금액 양도자산에 한하여 소구권이 있는 부채: 자산의 공정가치 관련 부채의 공정가치 순포지션 또한, 상기와는 별도로 당기 중 금융기관에 위험과 보상의 대부분을 이전하는 매출채권 매각거래를 수행하고 있으며, 해당 매출채권을 매각일에 재무제표에서 제거하고 매출채권처분손실 1,951백만원(전기: 1,252백만원)을 인식하였습니다. 또한, 당기말현재 매출채권 매각거래 중 만기가 도래하지 아니한 금액은 35,230백만원(전기말: 33,414백만원)입니다. (3) 금융기관 여신한도약정 (단위: 원화단위: 원, USD단위: 1$, CNY단위: 1￥, EUR단위: 1Euro, INR단위: 1Rs) 구 분 금융기관 한도약정액 실행잔액 장단기차입금 KEB하나은행 KB국민은행 기업은행 산업은행 신한은행 한국수출입은행 농협은행 현대커머셜 공상은행 상하이은행 닝포은행 HDFC BANK 매입외환(D/A) 신한은행 무역어음 기업은행 전자외상채권담보대출(*1) KEB하나은행 신한은행 외상매출채권담보대출 및 외상매출채권매각약정(*2) KB국민은행 KEB하나은행 기업은행 우리은행 신한은행 합계 KRW CNY INR EUR (*1) 연결실체의 매입거래처가 당사에 대한 매출채권에 대하여 약정한도내에서 할인을 받을 수 있는 약정입니다.(*2) 위험과 보상의 대부분을 이전하는 매출채권매각거래와 관련한 한도약정입니다. (4) 우발채무 1) 당기말 현재 종속기업인 MOBASE INDIA PRIVATE LIMITED는 인도 과세당국으로부터 수출지향기업(EXPORT ORIENTED UNIT)으로서 2017년 7월까지
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면제받은 관세 및 소비세 에 대하여 납부해야 한다는 통보를 받았으며, 인도 종속기업은 이에 대하여 이의를 제기하고 있는 상태입니다. 상기 우발채무금액은 당기말 연결재무제표에 반영되어 있지 않으며, 당기말 현재 동 분쟁의 결과는 예측할수 없으나, 상기 분쟁 사건이 연결재무제표에 미치는 영향은 중요할 수도 있습니다. 당기말 현재 종속기업인 Mobase Electronics India Pvt Ltd의 세금 오신고와 관련하여 당기 중 인도 세무당국으로부터 과세 통지(Notice)를 받은 바 이에 대한 소명을 진행하고 있으며, 당기말 현재 해당 세무 분쟁의 결과를 신뢰성 있게 추정할 수 없어 관련 부채를 계상하지 않았습니다. 43. 특수관계자 (1) 당기와 전기에 연결실체와 매출 등 거래 또는 채권·채무 잔액이 있는 관계기업 및 기타 특수관계자는 다음과 같습니다. 구분 당기말 전기말 비고 관계기업 귀주화창기차전기유한공사 귀주화창기차전기유한공사 지분법투자주식 지분법투자주식 기타 특수관계자 테크노에스(주) 테크노에스(주) 동일인 대주주 (주)투아이소프트 (주)투아이소프트 " 에스앤지홀딩스서울(주) 에스앤지홀딩스서울(주) " (주)티브이포어스 (주)티브이포어스 " " " 조해숙, 손병준 조해숙, 손병준 지배기업 대주주 (2) 당기와 전기 중 특수관계자와의 매출 ·매입 등 거래 내역은 다음과 같습니다. (단위: 원) 특수관계구분 회사명 당 기 전 기 매출거래 매입거래 매출거래 매입거래 관계기업 기타특수관계자 투아이소프트(주)(*) 테크노에스(주) 손병준외 합 계 (*) 투아이소프트(주)는 (주)모베이스전자로부터 제품을 매입하여 소주모베이스전자과기유한공사, Mobase Electronics India Private Limited 및 Mobase Electronics Mexico S. de R.L. de C.V에 대하여 매출을 발생시키고 있으며, 투아이소프트(주)는 순액으로 관련 매출을 인식하고 있습니다. 따라서, (주)모베이스전자의 투아이소프트에 대한 매출은 (주)모베이스전자가 소주모베이스전자과기유한공사, Mobase Electronics India Private Limited 및 Mobase Electronics Mexico S. de R.L. de C.V 대한 매출로 보아 매출거래는 연결과정에서 상계제거되며, 순액만 투아이소프트에 대한 매입거래로 기재하였습니다. (3) 당기와 전기 중 특수관계자와의 자금거래 내역은 다음과 같습니다. (단위: 원) 특수관계구분 회사명 당 기 전 기 차입 상환 차입 상환 기타특수관계자 투아이소프트(주) ㈜티브이포어스 합 계 (4) 당기말과 전기말 현재 특수관계자에 대한 채권ㆍ채무 내역은 다음과 같습니다. (단위: 원) 특수관계구분 회사명 매출채권 등 매입채무 등 당 기 전 기 당 기 전 기 기타특수관계자 투아이소프트(주) 테크노에스(주) ㈜티브이포어스 손병준외 합 계 (5) 지급보증 내역당기말 현재 연결실체간에 금융기관차입금 등과 관련하여 지급보증한 내역은 다음과같습니다. (단위: 원화단위: 원, USD단위: 1$, CNY단위: 1￥, EUR단위: 1Euro) 제공한자 구분 지급보증금액 제공받은자 금융기관명 (주)모베이스 USD 기업은행 KRW (주)모베이스전자 신용보증기금 (주)우창코넥타 CNY 가흥모베이스화창전자유한공사 기업은행 (주)모베이스전자 EUR 수출입은행 EUR 신한은행 CNY 소주모베이스압주유한공사 신한은행 합계 KRW USD EUR CNY 한편, 종속기업인 MOBASE SUNSTAR PRECISION VINA, MOBASE INDIA PRIVATE LIMITED 및 모베이스썬스타(주)의 MOBASE VIETNAM COMPANY에 대한 매입채무와 관련하여 지배기업이 지급보증을 제공하고 있습니다.(6) 주요 경영진에 대한 보상지배기업의 주요 경영진에 대한 보상내역은 다음과 같으며, 주요 경영진에는 회사 활동의 계획, 운영, 통제에 대한 중요한 권한 및 책임을 가진 이사(사외이사 포함) 및 집행임원 등이 포함되어 있습니다. (단위: 원) 구 분 당 기 전 기 단기종업원급여 외 44.
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중단사업 연결실체는 전기말 현재 종속기업인 태국 MOBASE THAI COMPANY LIMITED를 중단사업으로 표시하였습니다. 중단사업에 대한 손익효과는 아래와 같습니다. (단위: 원) 기타포괄손익 당기 전기 해외사업환산손익 (단위: 원) 구 분 당기 전기 중단사업 매출액 중단사업 매출원가 중단사업 판매비와관리비 중단사업영업손실 중단사업 기타수익 중단사업 기타비용 중단사업 금융수익 중단사업 금융비용 중단사업당기순손실 중단사업에 대한 당기 및 전기의 현금흐름표 효과는 아래와 같습니다 (단위: 원) 구분 당기 전기 영업활동으로 인한 현금흐름 투자활동으로 인한 현금흐름 재무활동으로 인한 현금흐름 환율변동효과 중단사업으로 인한 현금흐름 외부감사 실시내용 「주식회사 등의 외부감사에 관한 법률」제18조제3항의 규정에 의하여 외부감사 실시내용을 첨부합니다. 1. 감사대상업무 회 사 명 주식회사 모베이스 감사대상 사업연도 2023년 01월 01일 부터 2023년 12월 31일 까지 2. 감사참여자 구분별 인원수 및 감사시간 (단위 : 명, 시간) 감사참여자 ＼ 인원수 및 시간 품질관리검토자(심리실 등) 감사업무 담당 회계사 전산감사ㆍ세무ㆍ가치평가 등 전문가 건설계약 등수주산업전문가 합계 담당이사(업무수행이사) 등록공인회계사 수습공인회계사 당기 전기 당기 전기 당기 전기 당기 전기 당기 전기 당기 전기 당기 전기 투입 인원수 투입시간 분ㆍ반기검토 감사 합계 3. 주요 감사실시내용 구 분 내 역 전반감사계획(감사착수단계) 수행시기 2023년 5월~ 일 주요내용 감사일정 및 감사계획 수립, 전기 재무자료 분석 현장감사주요내용 수행시기 투입인원 주요 감사업무 수행내용 상주 비상주 일 명 명 해외법인(베트남) 출장 일 명 명 반기검토업무 일 명 명 내부회계관리제도 감사 일 명 명 해외법인(인도)출장 일 명 명 중간감사업무 일 명 명 기말입증감사업무 재고자산실사(입회) 실사(입회)시기 일 실사(입회)장소 실사(입회)대상 금융자산실사(입회) 실사(입회)시기 일 실사(입회)장소 실사(입회)대상 외부조회 금융거래조회 O 채권채무조회 O 변호사조회 기타조회 지배기구와의커뮤니케이션 커뮤니케이션 횟수 회 수행시기 외부전문가 활용 감사 활용 내용 수행시기 일 4. 감사(감사위원회)와의 커뮤니케이션 구분 일자 참석자 방식 주요 논의 내용 2023년 12월 07일 회사: 감사감사인: 업무수행이사외 소속회계사 서면회의 주요 감사이슈사항 논의 2024년 02월 16일 회사: 감사감사인: 업무수행이사외 소속회계사 대면회의 주요 감사이슈사항 논의
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II. 사업의 내용 1. 사업의 개요 당사는 MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems)기술을 기반으로 반도체용 프로브카드 및 파운드리 서비스를 제공하는 MEMS기술 전문 회사 입니다. 당사의 주된 사업 아이템은 반도체용 프로브카드로 반도체의 제조 공정 중 테스트 공정에 사용되는 기술집약적 장치이자 소모품입니다. 프로브카드는 탑재된 프로브 핀(Probe Pin)을 통해 웨이퍼에 접촉하여 전기 신호를 이용해 반도체 칩의 결함 여부를 판단하는 검사를 수행합니다. 당사의 제품은 고객사의 제조 공정에서 불량칩이 후속 공정에 투입 되는 것을 방지하여 수율을 높이는 데 활용되고 있습니다. 당사가 영위하고 있는 프로브카드 사업은 전방산업인 반도체 산업과 밀접한 관계를 맺고 있습니다. 반도체 기술의 발전에 의해 반도체의 집적도가 고도화됨에 따라 프로브카드에 요구되어지는 기술수준 또한 지속적으로 높아지고 있어, 지속적인 연구개발이 사업에 있어 필수적인 요소입니다. 당사는 우수한 MEMS 기반 기술력과 숙련된 R 바탕으로 차세대 제품에 요구되는 기술력을 확보하고 있어 시장의 환경변화에 빠르게 대응할 수 있는 체제를 갖추고 있습니다. 당사는 코스닥 상장을 위해 실시한 기술성 평가에서 평가 기관 2곳 모두로부터 A등급을 획득하며, 해당 기술들의 완성도와 확장성, 상용화 수준 등에 대한 검증을 받은 바 있습니다.당사의 사업에 있어 또 다른 중요한 요소로는 품질력과 납기 경쟁력을 들 수 있습니다. 당사는 이에 대응하기 위해 경쟁사와 차별화된 독자적인 생산방식(2D 프로브 제조방식)을 채택하고 있으며, 특허와 노하우 관리를 통해 관련된 핵심기술을 보호하고 있습니다. 또한 당사 제조 시스템은 MES(Manufacturing Execution Systems)를 근간으로 운영하며, 품질 시스템은 ISO 9001을 근간으로 내부 품질을 통제하고 있습니다. 우수한 품질 시스템은 모든 신제품 개발 시 짧은 시간 안에 설계 및 공정 변경 부분에 대한 빠른 평가 및 검증을 가능하게 하여 제품 출시 소요기간을 줄여 당사의 경쟁력에 기여하고 있습니다. 당사의 우수한 품질경쟁력은 정기적으로 실시되는 고객사의 품질평가에서의 높은 평가로 확인되고 있습니다. 당사는 품질평가가 반영된 물량 배분을 통해 고객사 내 가장 높은 시장점유율(NAND부문)을 유지함으로써, 시장에서의 입지를 높여가고 있습니다. 가. 연도별 세부매출 (단위 : 천원) 매출유형 제품명 2023년도(제24기) 2022년도(제23기) 2021년도(제22기) 매출액 비율 매출액 비율 매출액 비율 자사 제품 프로브카드 파운드리 소계 상품 및 기타 매출총계 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 나. 주요 기술 용어 용어 정의 비고 프로브카드 반도체 웨이퍼 테스트를 위한 장치로써 테스터와 Prober사이의 전기적, 물리적 연결 Interface 역할을 함 프로브(Probe) Wafer Pad를 Contact하여 전기적 신호를 주고받는 캔틸레버 형태의 금속 MEMS 구조물 Tip 프로브카드에서 일반적으로 프로브를 지칭하는 용어로 혼용하기도 하고, 특별한 경우 웨이퍼와 contact하는 프로브 선단 부분을 칭하기도 함. 버티컬 프로브 (Vertical 프로브) 프로브카드의 구성에 이용되는 수직형 프로브로 외팔보형태의 캔틸레버 프로브와는 다르게 일정한 곡면을 가지고 있지만 수직 형태로 세워서 사용하는 프로브이며 주로 비메모리 테스트용 프로브카드에서 사용함. 메모리(Memory) 데이터를 저장할 때 쓰는 반도체로 주로 DRAM, 낸드 플래시 메모리가 있음. 비메모리(Non-memory) 정보를 저장할 때 쓰이는 메모리 반도체와 다르게 정보를 처리하거나 연산을 하는데 쓰이는 반도체임 CMOS 이미지 센서 휴대전화 카메라 및 디지털 카메라 등에 사용되는 영상 소자 부품인 이미지 센서의 일종으로, 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS)를 이용한
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센서임. 이미지센서는 광학영상의 강약과 색채를 감지하여 디지털 영상 데이터로 변환해주는 장치로, 영상 이미지의 저장 및 전송, 재생을 위한 전자부품임. 휴대전화 카메라 및 디지털 카메라등의 핵심 부품 웨이퍼 레벨 검사 반도체 웨이퍼의 검사 공정 중 칩을 개별로 분리하기 전웨이퍼 상태에서 진행하는 검사 테스트 반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 고온, 고전류의 가혹 조건에서 반도체 칩의 양/불량을 선별하는 테스트 EDS 테스트 반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 테스터에서 전기적 신호로 반도체 칩을 구동 시켜 반도체의 양/불량을 선별하는 테스트 테스트 스피드 번인, EDS 테스트 시 사용하는 교류 주파수의 속도 단위:Hz 2D 프로브 프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 웨이퍼의 평면 방향으로 프로브 형상 몰드를 만들고 도금을 한 후 웨이퍼에서 프로브를 분리하는 방법으로 제조하는 프로브 3D 프로브 프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 프로브가 세워진 방향으로 적층 도금을 하면서 프로브 구조물을 제조하는 프로브 Para 반도체 칩 테스트 시 동시에 테스트 할 수 있는 칩(또는 Die)의 개수를 의미하며, One Touch Down 프로브카드는 하나의 웨이퍼에 Layout된 전체 칩을 한 번 contact로 테스트 할 수 있는 프로브카드 TRE 테스터에서 신호를 줄 수 있는 채널 수가 정해져 있으므로 테스터 채널보다 많은 수의 칩(또는 Die)을 동시에 테스트하기 위해 하나의 신호를 병렬로 확장하여 테스트하는데, 이때 확장된 병렬 신호의 개수를 의미 shared 개수로 표현하기도 함 프로브의 형상이나 물리적 변화 없이 흐를 수 있는 한계 전류 값 단위:A MEMS 반도체 유사 공정을 이용하여 미세 3차원 구조물과 각종센서를 만드는 기술. 프로브카드 부품 중 프로브는 MEMS 기술을 이용하여 제작하는 부품임 MLC 세라믹 재질로 되어 있는 다층 회로 기판, 프로브가 본딩되어 MPH(MEMS Probe Head)를 구성함 LTCC 상대적으로 저온에서 소결되는 세라믹을 이용한 다층 세라믹을 지칭함. 일반적으로 소결온도는 1,000°C 근처임. HTCC 상대적으로 고온에서 소결되는 세라믹을 이용한 다층 세라믹을 지칭함. 일반적으로 소결온도는 1,600°C 근처임 MPH MLC에 MEMS 프로브가 본딩 되어있는 기판을 말함 회로에서 Power 전압이 가해졌을 때 전류의 흐름을 방해하는 값 단위:Ohm 프로브카드가 양산 시 fail로 인해 다운되는 시점 사이의 생산 기여도 평가 프로브카드의 물리적, 회로적 특성을 해석 프로그램을 통해 예측하는 수학 기법 Pitch 프로브가 contact하는 반도체 칩 패드의 간격 단위:um DUT 시험 또는 측정의 대상이 되는 장치, 반도체 웨이퍼의 개별 Die ASIC 주문형 반도체 칩으로 사용자의 요구에 맞추어 제작되는 집적 회로 FPGA 설계 가능 논리 소자와 프로그래밍이 가능한 내부 회로가 포함된 반도체 소자로, 프로브카드에서 ASIC 칩들을 제어하기 위해 사용되는 Processor 프로브가 칩의 패드를 물리적으로 Contact하면서 패드 표면을 파고드는 현상을 Scrub이라고 하고 이때 생기는 패드 표면의 긁힌 흔적 프로브 Burnt 프로브에 한계 이상의 전류가 흐르면서 Tip 또는 Body 부분이 타거나 물리적 성질이 변성되는 현상 프로버(Prober) 웨이퍼 테스트 시스템의 Handler 역할을 수행하는 장치로 프로브카드 및 테스트 할 웨이퍼를 장착 (Loading)하여 프로브카드는 Tester에 전기적 연결을 시키고, 프로브 카드와 웨이퍼를 물리적으로 저온/고온에서 Contact 시키는 역할을 함. 프로버 척 Prober에서 Wafer pad에 프로브를 Contact하기 위해 웨이퍼가 위치하는 곳 O/D 프로브가 Wafer pad를 Contact하기 위해 최초 Contact 위치부터 스프링 운동을 하면서 Z축 방향으로 움직인 거리 항복강도 일반적으로 재료의 소성 변형이 일어나기 시작하는 시점에 가해지는 응력 한계값을 의미하며, 일반적으로 항복 강도가 클수록 변형이 잘 되지 않음을
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의미함 2원계 합금 금속의 합금 구성 시 2개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함 3원계 합금 금속의 합금 구성 시 3개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함 레이저 솔더링 프로브카드 제작 시 프로브를 MLC 패드에 본딩 하기 위해 프로브에 솔더를 올리고 레이저를 이용하여 열을 가하여 프로브를 접합하는 공정 Align 프로브카드에서 프로브의 위치 정밀도를 지칭하는 용어로 일반적으로 프로브 선단의 x,y의 설계값 대비 벗어난정도를 수치로 표현한 값 다층박막 프로브카드의 MPH(MEMS Probe Head)를 구성하는 데 있어서 액상 폴리이미디와 금속 도금 공정을 이용하여 다층 배선을 하는 공법을 의미. Via 적층 배선이 있는 기판에서 상하부 배선을 연결하는 수직 금속 구조물 열팽창 계수 온도가 올라가면서 생기는 물체의 공간적 크기 변화의 정도를 특정하는 값으로 물질의 고유 특성임. 회로 Logic 도면 프로브카드를 구성하는 회로 부품의 동작 원리나 설계 원리를 간단한 그림이나 연결 구조도로 표현한 도면 신호 무결성 임피던스의 불연속에 의해 생기는 신호의 특성 저하에 대해 분석하고 신호 전송에 문제가 생기지 않도록 하는 기술 전원 무결성 전원 전달에 방해되는 요소를 분석하여 이를 최소화하거나 보완해 주는 기술 임피던스(Impedance) 교류회로에서 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타내는 용어로, 교류 신호의 경우 전로 선로 상에서 임피던스 값이 유지되어야 신호의 왜곡이나 지연이 발생하지 않음 Ω 프로브 본딩에 사용되는 솔더는 일반적으로 액상 플럭스에 미세한 솔더볼이 혼합되는 솔더를 사용하지만, Pre-deposited Solder는 고체 상태의 솔더 합금을 프로브의 특정 위치에 미러 증착하는 것을 의미함 박막저항 특정 저항 값을 가지는 금속 합금을 사용하여 수 um 두께를 가지는 박판 형태로 제작되는 저항을 의미하며 일반적으로 MEMS 공정을 사용하여 제작함 대용량 낸드플래시 저장 매체인 SSD를 제어하는 칩셋을 의미하며, 데이터 읽기/쓰기를 효율적으로 조절해 주는 역할을 함 2. 주요 제품 및 서비스 2023년 기준 당사가 생산하는 주요 제품별 매출실적은 다음과 같습니다. [2023년 매출분석] (단위: 천원) 구분 사업부문 주요 품목 2023년매출액 비율 제품 프로브카드 낸드플래시용, DRAM용 프로브카드, Rework, 4PIN 등 파운드리 상품 합계 가. 주요 제품 프로브카드는 웨이퍼 상의 반도체 칩과 테스트 장비를 연결하여 반도체의 동작을 검사하는 장치입니다. 프로브카드는 전기적 신호를 통해 불량 칩을 선별하여 반도체 제조 공정에서 불량률을 낮추는 데 중요한 역할을 합니다. 일반적으로 반도체 제조를 위한 생산 공정 중에 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자가 패키징 공정이라는 후공정 제조 프로세스로 진행되기 전에 불량 소자를 선별하는데 이 때 사용되는 것이 프로브카드 입니다. 프로브카드는 사용 용도에 따라 메모리 반도체용과 비메모리 반도체용으로 분류되고메모리 반도체용은 다시 DRAM용 제품과 낸드플래시용 제품으로 분류됩니다. 비메모리 반도체는 다양한 Application에 따라 제품별로 분류되는데 현재 당사는 이미지 센서용(CIS) 프로브카드를 타깃으로 양산개발 중에 있습니다. 프로브카드 제조 시 적용되는 기술에 따라 크게 MEMS Type, Vertical type 및 Tungsten needle type 등으로 분류되는데 최근 및 향후 시장에서 가장 선호하는 type은 MEMS 기술을 이용하는 프로브카드입니다. MEMS 기술은 초소형정밀기계기술로 수 ㎛ 크기의 미세한 구조물을 가공, 초고밀도집적회로, 초미세 기계구조물을 생산할 수 있는 기술입니다. 당사는 MEMS 기술을 기반으로 성장한 회사로써 MEMS 기술을 활용하여 프로브카드 및 각종 파운드리 제품을 생산하고 있습니다. 마이크로투나노의 제품에 대한 상세설명은 다음과 같습니다. (1) 낸드플래시용 프로브카드 당사의 낸드플래시용 프로브카드는 고기능의 정렬 정밀도와 신호품질을 제공합니다.낸드플래시 칩의
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면적은 좁아져 가는데, 면적 당 Chip 개수는 증가하는 추세에 대응하기 위한 MEMS 기술 기반의 독보적인 프로브 Tip의 형상과 소재개발기술, 박막기술 및 High Speed 회로 기반의 기술을 갖추었습니다. 1. 낸드플래시용 프로브카드.jpg (1) 낸드플래시용 프로브카드 (2) DRAM용 프로브카드 DRAM용 프로브카드에는 High-Performance 및 Fine Pitch와 고밀도를 필요로 합니다. 낸드플래시용 프로브카드 대비 고강도, 고전류, 미세한 Pitch대응 기술이 필요하며, 당사는 요구되는 프로브 제조기술과 초정밀 Align 기술을 갖추고 있습니다. 나아가 최근 DRAM용 WFBI 프로브카드 양산납품을 통해 프로브카드 생산, 납품 영역을 확대하고 있습니다.현재 DRAM EDS 시장은 해외 선두 1, 2위 업체들이 선점하고 있습니다. 이에 적극적인 영업활동을 토대로 당사는 DRAM용 EDS 프로브카드 시장 진출을 추진하고 있습니다. 당사가 목표하는 DRAM용 EDS 프로브카드 시장에 성공적으로 진입할 경우제품 다변화 및 급격한 매출 성장 이외에도 고객 다변화와 비메모리 반도체 테스트용프로브카드 사업 진출에도 유리한 위치를 차지할 것이며, 향후 Global 프로브카드 전문 업체로 성장하기 위한 초석을 다질 수 있을 것으로 예상됩니다. 2. dram용 프로브카드.jpg (2) DRAM용 프로브카드 (3) CIS용 프로브카드 당사의 CIS (CMOS Image Sensor) 웨이퍼 TEST용 프로브카드는 고성능의 TEST 속도를 자랑하며, 렌즈 모듈이 삽입되어 있고, 안정적인 전원을 공급할 수 있습니다. 당사는 전기적 신호 Loss의 최소화, 렌즈 Alignment의 정밀화 등 정확한 고주파 TEST를 위한 PCB 및 MLC 설계기술을 보유하고 있습니다. 당사는 고객사의 제작사양서 기반 CIS용 프로브카드 전용 프로브를 개발 완료한 상태입니다. SK하이닉스는 지속적으로 CIS에 관한 투자 계획을 발표하고 있으며, 현재는 13MP 이하의 저화소 영역에서 주요 공급사의 역할을 하고 있지만, 향후 지속적인 연구 개발과 투자를 통해 32MP 이상의 고화소 시장에 진입할 예정입니다. SK하이닉스의 전략은 CIS를 DRAM과 낸드플래시와 같이 회사의 주요 성장 제품으로 발전시킬 것으로 예상됩니다.이러한 과정에서 SK하이닉스 프로브카드의 주요 공급사인 당사는 SK 하이닉스의 CIS 전략에 맞추어 프로브카드 개발에 성공하였고, 향후 지속적인 협력 관계를 통해 다양한 CIS용 프로브카드를 개발하여 고객사의 수요에 대응할 예정입니다. 3. cis용 프로브카드.jpg (3) CIS용 프로브카드 (4) 파운드리 제품 당사는 프로브카드 외에도 MEMS기술을 활용하여 다양한 제품을 생산하고 있습니다. 1) 압력센서 : 자동차 브레이크에 삽입되어 압력을 감지하는 센서 칩입니다. 높은 신뢰도와 정확도를 통하여 자동차의 ABS, ESC, TCS 시스템의 작동을 위해 압력을 감지합니다. 2) Microneedle : 한-이스라엘 공동기술개발 사업자로 선정된 후 NANOPASS Technologies Ltd.와 함께 개발 및 생산하고 있는 초미세 주사기탐침 입니다. 약물이 주입되는 Hole 사이즈가 60㎛로 통증 없이 효과적인 약물 투여가 가능합니다. 3) V-Groove : 각종 섬유의 정밀한 정렬을 위한 광섬유 Array기판 입니다. 축적된 MEMS기술을 통해 습득한 실리콘 Etching으로 경쟁력 있는 양산기술을 확보하고 있습니다. 나. 주요 제품 가격 변동 현황 주요 제품 등의 가격은 거래처별, 제품 사양별로 다양합니다. 거래처와의 비밀유지계약 및 중대한 영업 기밀사항임에 따라 세부적인 내역은 기재하지 않습니다. 재주문 제품의 경우에는 고객의 단가 인하 요구에 따라 일부 단가 인하가 진행되고 있습니다. 신규 개발 제품의 경우 고객사와의 협의를 통해 단가가 책정됩니다. 반도체 기술 발전에 따라 프로브카드에 요구되는 사양이 올라가면서 신규 개발 제품의 단가가 상승하고 있으며, 재주문 제품의 경우 고객사와의 단가 인하 협의에 따라
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단가가 소폭 하락하는 경향이 있습니다. 3. 원재료 및 생산설비 가. 매입현황 [원재료 매입현황] (단위: 천원) 유형 주요자재 구분 2023년 (제24기) 2022년 (제23기) 2021년 (제22기) 원재료 PCB류, MLC류, 소자류 등 국내 수입 소계 부재료 케미칼류, Chip류 등 국내 수입 소계 총합계 국내 수입 소계 나. 원재료 가격변동 추이 (단위: 원) 품 목 2023년 (제24기) 2022년 (제23기) 2021년 (제22기) 국내 수입 Bare MLC 국내 수입 LIF 국내 수입 주1) 가격 산출 기준 : 품목별 구매 총액을 구매 수량으로 나누어 평균 품목별 단가를 산정하였습니다.주2) '23년 기준 원재료 총 매입액 중 10% 이상 차지하는 원재료만 표기하였습니다. 주3) 가격 변동 원인 : 매년 신규 제품 Qual(개발) 제품의 사양이 고 사양화됨에 따라 Main PCB 및 MLC도 제작 난이도가 상승되어 원자재 단가 상승 추세가 되었습니다. 다. 주요 매입처 주요 원재료 등의 가격은 원재료 품목별로 가격이 상이하여 일률적인 가격 산출이 불가합니다. 또한, 주요 원재료 품목별 매입 비중 및 매입 업체는 영업기밀에 해당되므로 기재하는 것이 부적합하다고 판단되어 생략하였으며 당사와 특수한 관계는 없습니다. 라. 생산능력 및 생산실적 [생산능력 및 생산실적] (단위 : ea, 천원) 제품품목명 구분 2023년 (제24기) 2022년 (제23기) 2021년 (제22기) 수량 금액 수량 금액 수량 금액 생산능력 생산실적 가동율 기말재고 주) 생산능력은 핵심장비인 본딩 설비의 생산량을 기준으로 연도별 제품당 평균핀수 (2021년 32,000핀, 2022년 35,000핀, 2023년 35,000핀)로 생산 수량 산출하였습니다. ※ 생산능력 : 본딩장비당 1일 생산량 x 본딩장비수 x 25일/월 x 12개월/년 마. 생산 및 설비 (단위: 천원) 공장별 자산별 소재지 당기말 취득가액 상각누계액 장부가액 용인 토지 용인시 건물 용인시 기계장치 용인시 시설장치 용인시 공기구비품 용인시 건설중인자산 용인시 합계 차입금과 관련하여 담보로 제공한 당사 소유의 유형자산은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 담보제공자산 장부가액 채권최고액 근저당권자 토지 및 건물 산업은행 기계장치 4. 매출 및 수주상황 가. 매출 실적 (단위: 천원) 매출유형 품목 2023년도 (제24기) 2022년도 (제23기) 2021년도 (제22기) 금액 금액 금액 제품 프로브카드 수출 내수 소계 파운드리 수출 내수 소계 상품 등의 기타매출 수출 내수 소계 합계 수출 내수 소계 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 나. 판매조직 당사의 판매조직은 크게 국내와 해외로 구분되며, 국내영업팀과 해외영업팀으로 나누어 마케팅 및 영업 관리를 하고 있습니다. 이와 더불어 국내, 해외 프로브카드의 고객 서비스를 담당하는 FA팀, CS팀 담당자들이 판매 및 마케팅 활동에 필요한 업무를지원하고 있습니다. 한편, 당사 제품은 MEMS 기술과 회로 기술, 물리적 거동 제어 기술 등이 결합한 고난이도의 기술로 B2B 마케팅을 통한 기술 미팅이 대부분이므로 기술 support를 위하여 해당 제품의 FA팀 담당자들의 기술 지원을 받아 기술영업을 전개하고 있습니다. 구분 인원 담당업무 국내영업팀 - 국내고객 영업관리 및 마케팅/전시회 참가주관 - 고객서비스 업무 해외영업팀 - 해외고객 영업관리 및 마케팅/전시회 참가주관 - 고객서비스 업무 FA팀 - 제품 Solution 및 기술 Meeting 지원 CS팀 - 제품 A/S 관련 업무 지원 (본사, 고객사 현장 대응) (1) 국내영업팀 당사 국내 영업팀은 국내 메모리 프로브카드 영업에 관련된(마케팅, 판매, 수주, 발주, 고객 대응, 납품 등) 일련의 업무를 담당하고 있으며, 국내 시장 전반의 신속한 의사결정과 고객 대응을 위해 영업본부 조직으로 운영되고 있습니다. 뿐만
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아니라, 신규업체 및 비메모리 시장에 진출하기 위해 기술 추이 및 동향을 다양한 기술 미팅 및 관련 전시회 참가를 통해 확인하고 있습니다. 신시장의 주도적인 핵심 기술을 정확히 파악하고 개발할 수 있도록 고객사의 Needs와 경쟁사의 기술 추이를 파악하고 분석하는 활동을 활발히 진행 중입니다. (2) 해외영업팀 당사 해외 영업팀은 협력 파트너인 Mingzhen과 협업하여 프로브카드 판매 및 신규 아이템 및 추가 신규 업체를 발굴하는 업무를 진행하고 있습니다. 현지 고객사 및 시장 상황을 잘 확보하고 있는 파트너사를 통하여 중국 시장을 선점할 수 있도록 활용하고 있으며, 적극적인 기술 지원을 통하여 현지에서 A/S가 가능하도록 시스템을 구축하였습니다. 또한 주기적인 Conference Call Meeting을 통하여실시간 정보나 동향을 공유하여 빠른 의사결정을 할 수 있도록 지원하고 있습니다. (3) FA팀 당사 Field Application Team은 국내, 해외 Site에서 발생하는 긴급대응 상황을 신속하게 기술적인 지원이나 고객과의 미팅을 통하여 Total Solution을 제공하는 고객서비스 팀입니다. 뿐만 아니라 당사 제품의 사용 조건이나 사용 환경 등을 파악하고 고객에게 해당 Solution을 제공하여 가장 효율적으로 제품을 사용할 수 있도록 기술 지원을 함으로써 고객만족을 극대화하는 업무를 하고 있습니다. 또한, 정기적인 품질 교류회를 통해 실시간 품질 상황을 확인하여 고객사가 당사 제품을 사용하는데 전혀 문제가 없도록 품질 향상을 위해 노력하고 있습니다. (4) CS팀 당사 Customer Satisfaction Team은 고객사 Line 내에 Repair Shop을 구축하여 운영하고 있으며, 실시간으로 수리가 필요한 제품을 현장에서 365일 24시간 언제나 신속 대응할 수 있도록 고객 서비스를 제공하고 있습니다. 뿐만 아니라 고객의 소리를 현장에서 바로 청취가 가능하여 고객의 Needs를 빠르게 파악할 수 있고 출하된 제품들의 기록 관리도 공유하여 고객사에서 수리 요청 시 빠르게 대응할 수 있는 관리 시스템을 갖추고 있습니다. 다. 판매경로 (기준일 : 2023년도) (단위: 천원) 매출유형 품목 구분 판매경로 판매경로별 매출액 판매경로별 매출비중 제품 프로브카드 국내 직판 수출 파운드리 국내 직판 수출 합계 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 라. 주요 매출처 (단위: 천원) 매출유형 품목 매출처 2023년도(제24기) 2022년도(제23기) 2021년도(제22기) 제품 프로브카드 국내 SK하이닉스 외 수출 소계 파운드리 국내 대양전기공업㈜ 외 SK하이닉스 수출 소계 상품 등의 기타매출 국내 기타 수출 소계 합계 국내 수출 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 마. 판매전략 (1) 국내 당사의 주 제품인 프로브카드는 고유 MEMS Application 응용 기술이 적용된 제품으로 Fab을 보유하고 있는 업체가 상당히 유리합니다. MEMS 기술은 빠르게 변화하는반도체 산업에서 고객사 Needs에 부합하는 제품을 제공하기 위해서는 반드시 필요한 기술입니다. 따라서 Fab을 보유하고 프로브카드 제조 기술을 가지고 있는 것만으로도 고객사에게MEMS 기술력을 보유한 회사로서 신뢰를 줄 수 있습니다. 이런 장점들을 국내외 각종 반도체 전시회 발표 등을 통해 당사의 제품과 기술력을 선보이고, 신규 거래처를 추가 확보하는 좋은 계기가 되고 있습니다. 당사의 주요 마케팅 전략은 다음과 같습니다. 1) 국내외 반도체 전시회 참가 및 참관 반도체 관련 장비 및 기술 등 전체적인 동향을 파악할 수 있으며, 제품 개발에 도입할신기술 현황 등을 빠르게 접할 수 있습니다. 뿐만 아니라 자사 주요 제품의 홍보와 새로운
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고객사를 확보하고 기존 고객과의 관계를 강화해나가고 있습니다. 2) 반도체 관련 학술회 참관 선행 연구 및 산업 동향을 파악하고, 기술 발전을 위한 정보를 수집하기 위해 반도체 관련 학술회 참관 활동을 하고 있습니다. 관련 커뮤니티에 참여하여 다른 연구자 및 기술 전문가들과의 네트워킹을 적극적으로 추구하며, 자사의 기술 및 제품 소개를 통한 홍보 기회를 만들고 있습니다. 3) 주요 제품 상세 Spec 및 소개 홈페이지를 통해 제품의 상세 스펙 및 소개를 제공합니다. 고객과의 상호작용을 위해게시판 등을 운영하여 고객 만족도 향상을 추구하고 있습니다. 고객들에게 자사의 기술 및 제품에 대한 인식과 이해도를 높이고, 새로운 고객 확보와 기존 고객 관계를 강화해 나가고 있습니다. (2) 해외 해외 시장은 아직 초기 단계로 매출을 늘리고 Market Share를 확보하고 있는 단계에있습니다. 현재 고객사의 요구에 적기 대응하고자 해외 판매 부문에 대해서는 협력 파트너사인 중국의 Mingzhen사와 협업하고 있으며, Mingzhen사는 현지 주요 고객사 영업 및 신규 고객사를 발굴 중에 있습니다. 해외 주요 마케팅 전략은 다음과 같습니다. 1) 협력 파트너인 중국의 Mingzhen사와 비즈니스 파트너쉽 형성 현재 해외 시장은 중국시장을 중점으로 진입 및 확장하고 있는 상황입니다. 중국 현지 업체인 Mingzhen사의 기존 거래처 네트워크를 활용하여 자사 제품을 홍보하고 고객사를 점차 확장하고 있습니다. 2) 제품 현지화 이미지를 통한 고객사와의 친밀감 형성 현지 업체를 활용한 만큼 고객사의 요구에 맞는 제품의 현지화 부분도 고려하여 효율적으로 대응하고 있습니다. 3) 적극적인 초기 개발 제품 진입 새로운 시장을 확대하기 위해서는 신규 제품들이 많이 개발되어 있어야 기회가 주어집니다. 따라서 신규 제품들을 적극 검토 및 개발하여 시장 공략을 진행 중에 있습니다. 바. 수주현황 당사의 주 고객사인 SK하이닉스에서는 매 분기별 필요한 프로브카드를 2~3개월 전에 구매요청서를 작성하여 공급 업체를 선정 후 발주를 진행합니다. 또한 해외 고객사에서도 일반적으로 프로브카드 필요 시점 2개월 전에 발주를 진행합니다. 당사 프로브카드 평균 납기는 6주 가량 소요되고, 발주수량을 일괄 또는 분할하여 공급하고 있습니다. 당사의 상세한 수주현황은 고객사 영업과 관련된 기밀 등의 비공개 정보를 가지고 있다고 판단되어 고객사 영업에 손실 초래를 방지하기 위해 내용상 기재를 생략합니다.단, 추후 공시 및 언론 등을 통하여 해당 내용이 공개될 경우에는 그 내용을 상세하게기재하겠습니다. 5. 위험관리 및 파생거래 당사의 위험관리는 당사의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 당사가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 당사는 전사적인 수준의 위험관리 정책 및 절차를 마련하여 운영하고 있으며, 당사의재무부문에서 위험관리에 대한 총괄책임을 담당하고 있습니다. 금융상품과 관련하여 당사는 신용위험, 유동성위험, 환위험, 이자율위험 및 기타 가격위험 등에 노출되어 있습니다. 가. 신용위험관리 당사는 금융상품의 당사자 중 일방이 의무를 이행하지 않아 상대방에게 재무손실을 입힐 신용위험에 노출되어 있습니다. 당사의 경영진은 신용위험을 관리하기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있으며, 금융자산의 신용보강을 위한 정책과 절차를 마련하여 운영하고 있습니다. 당사는 신규 거래처와 계약시 공개된 재무정보 등을 이용하여 거래처의 신용도를 평가하고 이를 근거로 신용거래한도를 결정하고 있으며, 담보 또는 지급보증을 제공받고 있습니다. 또한, 당사는 주기적으로 거래처의 신용도를 재평가하여 신용거래한도를 재검토하고 담보수준을 재조정하고 있으며, 회수가 지연되는 금융자산에 대하여는 분기 단위로 회수지연 현황 및 회수대책을 보고하고 있으며 지연사유에 따라 적절한 조치를 취하고 있습니다. 당기말 현재 당사가 보유 중인 금융자산은 대손충당금이 설정된 채권을 제외하고는 특별한 연체 및 손상의 징후가 발견되지
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않았습니다.금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대 노출정도를 표시하고 있습니다. 보고기간말 현재 당사의 신용위험에 대한 최대 노출정도의 내역은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 당기말 전기말 현금및현금성자산 단기금융상품 매출채권 기타채권 합계 한편, 당사는 ㈜우리은행 등의 금융기관에 현금및현금성자산 및 당기손익-공정가치측정금융자산 등을 예치하고 있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 나. 유동성위험관리 당사는 현금 등 금융자산을 인도하여 결제하는 금융부채에 관련된 의무를 충족하는 데 어려움을 겪게 될 유동성위험에 노출되어 있습니다. 당사의 경영진은 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고 현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 당사의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다. 한편, 당사는 필요할 경우 일시적으로 발생할 수 있는 유동성위험을 관리하기 위하여 ㈜산업은행 등과 회전대출약정을체결하고 있습니다. 보고기간 종료일 현재 당사의 금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 장부금액 계약상 잔존계약만기 1년 미만 1년~3년 3년 초과 당기말 단기차입금 장기차입금 매입채무및기타채무 리스부채 합 계 전기말 단기차입금 장기차입금 매입채무및기타채무 리스부채 합 계 다. 환위험관리 당사는 제품 수출 및 원재료 수입 거래와 관련하여 USD의 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당사의 경영진은 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 수시로 측정하고, 대내적 환위험 관리를 하고 있습니다. 보고기간말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산의 장부금액은 다음과 같습니다. (단위: 원화 천원, USD) 구분 통화 당기말 전기말 외화금액 원화환산액 외화금액 원화환산액 현금및현금성자산 USD 매출채권 USD 보고기간중 외화에 대한 원화환율 10% 변동시 환율변동이 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 당기 전기 10% 상승시 10% 하락시 10% 상승시 10% 하락시 USD 상기 민감도 분석은 보고기간말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성 자산을 대상으로 하였습니다. 라.이자율위험관리 보고기간말 현재 당사가 보유하고 있는 이자부 금융상품의 장부금액은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 당기말 전기말 고정이자율 상각후원가측정금융자산(유동) 상각후원가측정금융자산(비유동) 합계 변동이자율 단기차입금 유동성장기부채 장기차입금 합계 당기말 현재 이자율이 100베이시스포인트 변동한다면, 자본과 손익은 증가 또는 감소하였을 것입니다. 이 분석은 환율과 같은 다른 변수는 변동하지 않는다고 가정하며 전기말에도 동일한 방법으로 분석하였습니다. 구체적인 손익의 변동금액은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 100bp 상승 100bp 하락 당기말 전기말 마. 자본관리 당사의 자본관리목적은 건전한 자본구조를 유지하는 데 있습니다. 당사는 자본관리지표로 부채비율을 이용하고 있으며 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 재무제표의 공시된 금액을 기준으로 계산합니다. (단위: 천원) 구분 당기말 전기말 부채 (A) 자본 (B) 부채비율 (C=A/B) 바. 파생상품 등 거래현황 당사는 보고서 작성 기준일 현재 해당사항 없습니다. 6. 주요계약 및 연구개발활동 가. 경영상의 주요계약 계약상대 계약체결일 계약의 목적 및 주요내용 에스케이하이닉스(주) ((주)하이닉스반도체) 자재거래기본계약 - Probe Card 및 관련 제품 거래 자재거래기본계약 - Microneedle 및 관련 제품 거래 거래기본계약서 - Probe Card 및 관련 제품 중국 전역에 대한 판매업 대행 대양전기공업(주) 자재거래기본계약 - 압력센서 및 관련 제품 거래 주) 상기 계약 건들은 특별한 계약종료 의사표시가 없을 시 1년씩 자동연장되는 구조입니다. 나.
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연구개발 조직 나. 연구개발 조직도.jpg 나. 연구개발 조직도 당사는 기업 부설연구소가 회사의 모든 R 담당하고 있으며, 개발한 제품의 조기 양산을 위해 제조 및 제조 기술 본부의 기술 인력과 유기적인 협력 관계를 통해 양산 제품의 품질 안정화를 조직의 제 1 목표로 설정하고 있습니다. DRAM EDS 개발과 비메모리 개발을 위해 연구인력 충원 중에 있으며, 향후 연구소의 이전 등을 통해 경쟁력 있는 개발 인력 확보를 최우선 과제로 설정하고 있습니다. 다. 연구개발 비용 (단위: 천원) 구분 2023년(제24기) 2022년(제23기) 2021년(제22기) 연구개발비용 총계 (정부보조금) 연구개발비용 계 회계처리 개발비 자산화 연구개발비(비용) 연구개발비 / 매출액 비율 [연구개발비용계÷당기매출액×100] 주) 당사는 K-IFRS Conversion에 따라 2020년 1월 1일을 전환일로 하여 자산 처리 된 비용을 전액 비용 처리로 하였으며, 개발비를 자산으로 인식하지 않습니다. 라. 연구활동 (1) 연구개발 실적 번호 연구과제명 적용제품 성과 연구개발 기간 MLC 다층 박막 기술을 이용한 낸드 프로브 카드 개발 낸드플래시용 프로브 카드 다 Para NAND 제품화, 회사 주요 매출 제품 64Para CMPS 이미지 센서용 프로브 카드 개발 CIS용 프로브 카드 개발 개발 완료 및 시장 진입 단계 높이 800um 마이크로니들 개발 피부 주사기용 마이크로니들 2023년 양산 시작 예정 고신뢰성 DRAM WFBI 프로브 카드 2021년부터 제품 판매 (2) 정부과제 실적 (단위: 원) 연구과제명 주관부서 연구기간 정부출연금 관련제품 전자직물 기반 스마트 스킨 소재 적용 기술 개발 산업통산자원부 개발중 5G RF Module용 Multi DUT 프로브카드 중소벤처기업부 SSD controller 프로브 카드 High Speed용 CIS 프로브카드 개발 중소벤처기업부 CIS용 프로브 카드 초속효형 인슐린 주사를 위한 750um 니들 개발 한이스라엘연구개발재단 마이크로니들 메모리 MEMS 프로브 카드를 위한 고전압 지원 PMIC 개발 산업통상자원부 MEMS 프로브 카드 (3) 연구개발 계획 번호 연구과제 연구기관 기대효과 다층 프로브 개발 ㈜마이크로투나노 고전류 프로브로 신뢰성 및 수명 향상 신규 고강도 도금액 개발 ㈜마이크로투나노 최소 길이 프로브 개발, 다 Para DRAM 박막저항 양산 기술 ㈜마이크로투나노 High Para DRAM EDS 프로브 카드 개발 ㈜마이크로투나노 DRAM EDS 프로브 카드제품 승인 및 확산 개발 SSD controller 테스트 프로브 카드 개발 ㈜마이크로투나노 비메모리 용 신규 제품 개발 7. 기타 참고사항 가. 상표 관리정책 및 고객관리 정책 등이 사업에 미치는 중요한 영향 당사는 MEMS 프로브 카드 전문 제조 기업으로 "마이크로투나노"와 "MICRO2NANO" 상표를 상표권으로 등록하고 있습니다. 당사의 MEMS 프로브 카드는 특정된 고객사를 위한 제품으로 별도의 브랜드 이미지 광고는 필요하지 않습니다. 경쟁사 보다우수한 기술력과 품질을 바탕으로 고객사에 제품을 공급하고 있으며, 고객사의 사소한 니즈까지 파악하고 이를 제품에 접목시켜 고객사의 품질향상을 위해 적극 노력하고 있습니다. 당사 브랜드 가치 향상을 위해 기술, 품질, 가격 경쟁력 확보를 최우선 과제로 하고 있으며 정부 주관 국책사업 및 국내외 세미나에 적극적으로 참여하고 있습니다. 향후당사는 고객만족 경영활동을 확고히 하고 글로벌 경쟁력을 더욱 향상시켜 치열해지는 해외(중국)시장에서 우위를 확보하기 위해 전력을 다 할 계획 입니다. 나. 지식재산권 현황 보고서 제출일 현재 당사는 국내외 총 41건(등록 35건, 출원 2건, 해외 4건) 의 지적재산권을 보유하고 있으며, 아래는 주요 특허에 대한 요약과 세부 목록입니다. 당사가 보유한 지적재산권은 다음과 같습니다. 번호 구분 내용 권리자 등록번호 출원일 등록일 적용제품 출원국 특허권 프로브, 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 ㈜세크론 프로브카드 한국 특허권 프로브
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구조물 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 팁의 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드에 사용되는 프로브 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 평탄 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조물과 형성 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드의 니들 팁 형성 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 인터페이스 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 인터페이스 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 인터페이스 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 및 제조방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 발광 소자 패키징 방법 ㈜마이크로투나노 LED 패키징 한국 특허권 프로브 핀 및 그의 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 테스트 소켓 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 ㈜마이크로투나노 LED 패키징 한국 특허권 마이크로니들 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 마이크로니들 한국 특허권 프로브 카드 및 그 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 인터포저 유닛 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 미국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 중국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 미국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 미국 다. 사업영위에 중요한 영향을 미치는 법규 및 규제사항 당사의 사업과 관련하여 영향을 미치는 인허가사항과 관련 법령은 아래와 같습니다. 인허가 관련법령 전기(수전용량 1000kw이상) 전기안전관리법 대기배출시설 설치허가(5종) 대기환경보전법 폐수배출시설 설치신고(5종) 물환경보전법 지정폐기물 처리 허가 폐기물 관리법 저수조 취급 관리 수도법 소방시설 및 관리 허가 소방시설법 가스(N2, 가스캐비넷) 인허가 고압가스안전관리법 유해화학물질 설치검사 허가 화학물질관리법 사업장 작업환경측정 산업안전보건법 사업장 안전관리/보건관리 산업안전보건법 사업장 위험물 취급 허가 위험물관리법 기업부설연구소 운영 허가 연구실 안전환경 조성법 산업단지 공장설립 허가 산업집적활성화 및 공장설립법 사업장 방역 관리 감염병 예방 및 관리법 라. 사업영위와 관련하여 환경물질의 매출 또는 환경보호와 관련 규제 준수 여부 및 환경개선설비에 대한 자본지출 계획 보고서 제출일 현재 확정된 투자계획은 없으나, 강화되는 환경 기준 충족 및 환경경영시스템의 강화를 위해 지속적인 개선을 추진할 예정입니다. 마. 시장여건 및 영업의 개황
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(1) 시장의 특성 (가) 프로브카드 시장의 특성 프로브카드는 반도체 제조과정에서 양품과 불량품을 구분하기 위해 사용되는 wafer 테스트 시스템의 부품입니다. 이 장비는 반도체 장비에 속하지만, 반도체 제품의 종류가 변경될 때마다 새로운 제품으로 교체해야 하므로 소모품적인 성격을 갖고 있습니다. 프로브카드 제조사는 고객사의 신규 제품 정보를 기반으로 제품을 제작하며, 매번 고객사의 평가를 거친 후 발주가 진행됩니다. 따라서 프로브카드는 철저한 주문형 제품이라 할 수 있습니다. 또한 사용 기간은 보통 1-3년 정도로 짧으며, 이로 인해 지속적인 수요가 존재합니다. 반도체, 프로브카드 시장 성장 예측.jpg 반도체, 프로브카드 시장 성장 예측 Segment 2023(E) 2024(E) 2025(E) 2026(E) 2027(E) [메모리 반도체 시장 규모 및 전망] [단위 : 백만달러] 구분 2023(E) 2024(E) 2025(E) DRAM NAND 기타 합계 [프로브카드 시장 규모 및 전망] [단위 : 백만달러] 구분 2023(E) 2024(E) 2025(E) 2026(E) 2027(E) MEMS Vertical 기타 합계 반도체 테스트 사업은 단순히 양품 및 불량품 선별에 국한되는 것이 아니라 테스트 과정을 통해 확보된 데이터를 기반으로 수율 분석이나 불량 원인 분석에 대해 Feedback을 실시하고, 이를 기반으로 수율 개선이나 양산 리스크를 최소화하여 제품의 안정성을 도모할 수 있게 됩니다. 반도체 소자는 점점 더 복잡해지고 작아지면서 기능 또한 다양해지고 있습니다. 이에따라 반도체 생산 공정에서의 불량 여부를 판정하기 위한 검사시스템도 제조 기술에 비례하여 빠른 발전이 요구되고 있습니다. 이러한 검사시스템의 핵심 소모품인 프로브카드의 개발의 중요도는 상당히 높습니다. 프로브카드는 반도체 종류와 무관하게 웨이퍼 테스트 공정에서 필수적으로 소요되는부품입니다. 2007년 이전에는 프로브카드에 사용되는 프로브 핀의 수가 적어, 수작업으로 제작되는 Cantilever 타입이 일반적이었습니다. 그러나 웨이퍼 크기가 확대되고 칩이 더 작아지면서 수작업 형태의 제품은 생산성의 한계에 직면했습니다. 고객사의 생산성 향상을 위해 웨이퍼 칩의 패드가 여러 열로 구성된 웨이퍼가 등장하면서, MEMS 기술을 이용한 Si로 가이드해주는 Vertical 타입의 프로브카드가 개발되었습니다. 최근에는 반도체 기술력이 더욱 발전하면서 패드 간격이 더욱 좁은 Wafer가 등장하면서, MEMS 타입의 프로브카드가 개발되어 Si 대신 MLC상에 직접 본딩하여 가이드의 공간을 줄이는 형태로 제작되고 있습니다. MEMS 타입의 프로브카드는 신제품에 대한 경쟁력을 강화하였고 동시에 프로브카드 시장의 성장에 큰 영향을 미쳤습니다. 프로브카드 시장은 전체 반도체 시장 성장률에 비해 높은 성장률을 보이고 있습니다.이는 반도체 제조사들이 원가 절감과 초격차 유지를 위해 새로운 제품을 출시하면서 새로운 수요가 발생하기 때문입니다. 또한 반도체 시장 활황기에는 Device change를통한 신제품 출시와 생산량 증가로 인해 프로브카드 시장도 크게 성장하는 경향이 있습니다. 프로브카드 사업은 기존 고객사와의 관계, 기술력, 투자력, 높은 품질 등으로 인해 매우 높은 진입장벽을 갖고 있기 때문에 신생 업체들이 진입하기 어렵습니다. 현재는 기존 업체들이 다양한 반도체 제품의 고객 수요를 충족하면서 과점 형태의 시장 점유율을 형성하고 있으며, 기존 업체들 간의 치열한 경쟁이 이루어지고 있습니다. 또한 고객사의 반도체 기술도 빠르게 진보하고 있기 때문에 프로브카드 제조업체들도 고객사의 요구에 부합하는 기술력과 기술 개발 능력을 갖추어야 합니다. 이에 따라 프로브카드 제조업체들은 지속적인 기술력 향상과 투자가 필요하지만, 높은 진입장벽이 존재하여 안정적으로 사업을 영위할 수 있다는 장점도 있습니다. 현재 프로브카드 시장은 성장기와 안정기를 반복하며 지속적으로 성장하고 있습니 다. 또한 New Tech 기술이 접목될수록 판매 가격도 상승하고 있어 기술 경쟁력을 갖출수록
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많은 잠재 시장에서 기존 시장 점유율이 높은 업체들과 경쟁이 가능한 상황입니다. 또한, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 해외 공급사들에 대한 공급 안정성 확보의 지속적 문제로 국내 Player들의 시장 확대를 유도하고 있어, 공격적 기술 개발 투자로 선행 기술을 확보하고 있는 당사나 타 경쟁 업체들에게는 좋은 기회가 되고 있습니다. 이러한 경향으로 인해 국내 제조업체들은 선도적인 기술 개발을 통해 경쟁력을 확보하고, 시장 확대에 앞장서는 등 적극적으로 시장에 진출하고 있습니다. [Supply Chain에서 주요 고객사 및 기술제품에 대한 요구사항] 구분 내용 주요 고객사 (MEMS 프로브 카드) 1. 국내 : 삼성전자(주), SK하이닉스(주) 2. 국외 : 마이크론(미국), 인텔(미국), 키옥시아(일본), YMTC(중국) 등 제품의 주요 요구 사항 (국내) 1. 기술적 측면의 요구사항 1) 프로브카드의 대면적화(High parallelism), 고집적화(High pin count, fine pitch)에 따른 기계적 특성 향상 요구 2) 반도체 테스트 환경 변화에 따른 전기적 특성 향상 요구 - IR drop, FPGA를 통한 제어, ASIC 실장 - 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 기술적 요구 - 정밀 Alignment, 프로브 선단 cleaning solution 품질 및 신뢰성 향상 2. 고객 대응 측면 1) 반도체 개발 cycle 축소에 따른 프로브카드 개발 시간 축소 및 제품 납기 축소 2) 반도체 제조 특성 상 Down time을 줄일 수 있는 빠른 수리 대응 (Repair TAT) 3) 고객사 관련 부서와의 실시간 communication 고객사의 수입 대체 효과를 위해 DRAM 및 High tech 제품 시장 진입 요구 동반성장을 위한 기업 경쟁력 강화 MEMS 프로브카드의 주요 고객사로는 국내의 경우 삼성전자와 SK 하이닉스가 있으며, 국외 기업은 마이크론(미국), 인텔(미국), 키옥시아(일본), YMTC(중국) 등을 들 수 있습니다. 중국의 경우, 신생 반도체 업체들의 메모리, 비메모리 관련 제품 개발과생산 투자가 활발하게 이루어지고 있어 향후 급격한 시장 성장이 예상되는 국가입니다. 반도체의 고 집적화와 맞물려 MEMS 프로브카드의 주요 기술 요구 사항은 1 Touch Down으로 웨이퍼 내에 있는 모든 칩을 검사할 수 있는 대면적, 다 Para 대응 기술(High parallelism), 웨이퍼 패드 간격이 줄어드는 Trend에 대응하기 위한 미세 pitch 대응 기술, 테스트 기술의 고도화에 따른 전체적인 프로브 핀 수 증가에 따른 대응 기술등입니다. 대면적, 다 Para 대응 기술 관련하여 필수적으로 테스터의 Resource를 확장하여 신호를 주고 받을 수 있는 병렬 테스트 기술이 필요하게 되는데, 이를 위해서는 프로브카드에 ASIC 형태의 다수의 스위치 배치와 이를 제어하기 위한 구동 제어 기술과 회로 설계 기술 확보가 필수적입니다. 미세 pitch 대응 기술에서는 공간상의 제약을 극복하기 위해 프로브 설계 및 제작 기술이 중요합니다. 이를 위해 핵심적인 기술 중 하나는 프로브 소재 기술로, 프로브 길이를 짧게 유지하면서도 변형과 같은 신뢰성 문제를 방지할 수 있는 소재가 필요합니다. 프로브 소재 기술은 프로브카드 제조사들 간에 차별화되는 핵심 기술입니다. 최근에는 고 항복강도를 가지는 신 물질 합금 도금 소재가 개발되고 있습니다. 또한 미세 pitch 관련하여 물리적으로는 align 정밀도가 중요한 기술 항목입니다. 프로브 pitch와 웨이퍼 패드의 크기 감소로 프로브의 Align 스펙은 지속적으로 강화되고 있습니다. 이 Align의 최종 상태는 프로브카드의 제조 시 본딩 위치 정밀도 뿐만 아니라, 실제 테스트 온도에서의 프로브카드의 수축 팽창에 영향을 받게 됩니다. 따라서 고도로 정밀한 Align 기술을 확보하기 위해서는 정밀한 프로브 본딩 기술, 프로브카드의 수축 팽창에 영향을 주는 소재의 CTE(Co-efficient of Thermal Expansion) 제어 기술 등이
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필요하게 됩니다. 이러한 기술들을 통해, 미세한 pitch에서도 고품질의 align 성능을 달성할 수 있습니다. 최근에는 테스트 속도 증가에 따라 신호 전달 무결점 기술(Signal Integrity), Power 무결성 기술(Power Integrity) 등이 중요 기술로 부각되고 있습니다. 특히 DRAM 같이 테스트 스피드가 상대적으로 높고, 병렬 테스트를 위한 신호 확장이 많은 분야에서 요구되고 있는 기술입니다. 현재 비메모리 분야에서는 병렬 테스트를 진행하고 있지 않지만, 테스트 스피드가 1GHz 이상으로 메모리 테스트에 비해 훨씬 빠른 신호를 이용해 테스트를 진행하므로 이러한 신호 무결점 기술은 핵심 기술로 요구되고 있습니다. 이 밖에도 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 정밀 Auto Alignment, In-line 프로브 선단 cleaning solution 등의 기술이 필요하며, 프로브카드의 신뢰성 평가 지표인 MWBF(Mean Wafer between Failure)에서 높은 값을 가지는 프로브카드의 신뢰성 기술 등을 요구하고 있습니다. 기술 측면 뿐 아니라 프로브카드 제조사는 반도체 개발 cycle 축소에 따른 프로브카드 개발 시간 축소 및 제품 납기 축소를 지속적으로 요청받고 있으며, 반도체 제조 특성 상 Down time을 줄일 수 있는 빠른 수리 대응 (Repair TAT.) 고객사 관련 부서와의 실시간 communication을 할 수 있는 기술 대응 체계가 필수적인 분야입니다. 이러한 시장 상황과 수요자의 요구 사항에서 프로브카드 시장의 성장, 저해, 기회 요인을 분석한 결과는 다음과 같습니다. [프로브카드 시장의 성장, 저해, 기회 요인 분석] 구 분 내 용 성장 요인 반도체 Tech전환 사이클에 의한 프로브카드 수요 증가 이외에도 전방위 산업의 필수 부품으로 자리 잡으며 전체 생산량이 증가하고 있음 반도체가 고집적화 될수록 테스트 시 발열 등의 기술적 문제 이외에도 테스트 시간이 증가하여 테스트 시스템 (프로브카드)의 지속적 투자가 증가하고 있음. 저해 요인 시장 성장에 따른 기존 Player들의 시장 확대를 위한 경쟁이 치열하여 프로브카드 판매 가격의 하락 요인으로 작용 Global 고객사들의 SCM 정책의 단순화로 메모리, 비메모리를 모두 공급하는 Player들로 전체 supply chain이 변경될 수 있음. 제품 특성 상, 고객사 Tech 전환 속도 보다 앞서 기술개발이 이루어 져야 하나 보안상의 문제로 후행 하는 성격이 있어 매번 개발 시 프로브카드 제조사의 개발 Risk가 존재 기회 요인 외교적 무역 마찰로 인해 국내 반도체 제조사들이 프로브카드의 100% 국산화를 추진하고 있어 기존 해외사들이 독점하고 있는 High-end 제품 (DRAM, AP, HBM) 테스트에 필요한 고부가가치 프로브카드에 대한 시장 진입 장벽이 낮아짐 해외 반도체 업체들의 국내 프로브카드 업체들에 대한 관심도가 증가 (높은 성능 대비 낮은 판매 가격) (나) Supply Chain에서 주요 공급자 및 공급자의 주요 경쟁능력 국내 반도체 시장의 MEMS 프로브카드의 주요 공급자는 크게 국내 업체와 해외 업체로 분류할 수 있습니다. 국내의 경우는 삼성전자에 MEMS 프로브카드를 공급하는코리아인스트루먼트, 피엠티와 SK하이닉스에 동 제품을 공급하는 당사 이 외에 티에스이, AMST, 솔브레인에스엘디가 있습니다. 주요 해외 업체로는 FormFactor(미국), MJC(일본)가 있습니다. 이 시장에서 경쟁 우위 요소는 기술력, 품질, 납기, 고객 대응 능력, 단가 등이며, 제품의 기술력과 품질 안정성, 즉 신뢰성이 가장 중요한 요소입니다. DRAM 제품의 경우 상대적으로 제품 난이도가 높아 해외 선진 업체들이 대부분의 시장 점유율을 가지고 있으며, 낸드플래시 제품의 경우 상대적으로 난이도가 낮아 국내 업체들이 100% 시장을 점유하고 있습니다. (2) 시장 규모 및 전망 (가) 반도체 산업 시장 규모 및 전망 수요 위축으로 부진하였던 전 세계 반도체 시장은 2024년 성장세로 돌아설 전망입니다. 가트너,
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옴디아를 비롯한 복수의 글로벌 시장조사기관들은 모바일, 서버 등 IT 전반에 걸친 수요 회복이 성장의 동력이 될 것으로 보고 있으며, AI반도체 시장 확대로 전년 대비 두자릿수 이상의 시장회복이 이뤄질 것으로 예측하고 있습니다. [세계 반도체 시장 규모 및 전망] [단위 : 백만달러] 구분 2023(E) 2024(E) 2025(E) 메모리 반도체 비메모리 반도체 합계 (나) 프로브카드 시장 규모 및 전망 프로브카드는 주요 반도체 재료인 웨이퍼의 검사 기능을 수행하므로, 반도체 산업 및전자기기 및 시스템 산업의 동향에 영향을 받습니다. 특히, 웨이퍼 생산에 사용되며 메모리 반도체 산업의 경기 변동에 직접적인 영향을 받습니다. 반도체의 최종 수요처인 전자제품의 성능 및 기능의 다양화 및 태블릿PC, 스마트폰 등 신규 어플리케이션 시장의 확대 등으로 장기적으로 전방산업이 꾸준히 성장할 것으로 예측됨에 따라 프로브카드의 수요도 지속적으로 증가할 것으로 예상됩니다. 프로브카드 시장은 제조 방식별로 시장이 형성되어 있으며 수요처인 반도체 제조사의 생산 품목에 따라 구분되기도 합니다. 프로브카드 시장은 2027년까지 연평균 8.1% 성장이 예상되고 있습니다. [반도체 종류별 프로브카드 시장 규모 및 전망] (단위: 백만달러) 구분 2023(E) 2024(E) 2025(E) 2026(E) 2027(E) 메모리 비메모리 합계 [프로브카드 시장 규모 및 전망] [단위 : 백만달러] 구분 2023(E) 2024(E) 2025(E) 2026(E) 2027(E) MEMS Vertical 기타 합계 최근 반도체 미세화 공정기술의 변화에 따라 MEMS 기술을 응용한 Advanced형 프로브카드가 지속적으로 부각되고 있는 상황입니다. 고객사에서는 프로브카드의 대면적화, 고집적화에 따른 기계적 특성 및 반도체 테스트 환경 변화에 따른 전기적 특성 향상도 함께 요구하고 있습니다. 또한 최근 들어 Test resource 공유에 따른 다수의 신호 제어용 ASIC의 채용과 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 정밀 Alignment, 프로브 선단 cleaning solution의 품질 및 신뢰성 향상도 요구하고 있습니다. 메모리 반도체의 웨이퍼 테스트 공정에 사용되는 프로브카드의 90% 이상이 MEMS 프로브카드가 사용되고 있으며, 비메모리 반도체 테스트 공정에서도 점차 MEMS 프로브카드로 전환되는 추세입니다. 이에 기존의 프로브카드 시장에서 MEMS 프로브카드의 점유율이 확대될 것으로 예상되며 2027년까지 연 평균 7.7%의 성장률을 기대하고 있습니다. [프로브카드 TYPE별 특성 및 차이] 구 분 특성 및 차이 비 고 MEMS - Wafer Chip Pad가 1열인 메모리제품에 多Para급 제품 제작이 가능함 - MEMS 공정으로 여러 Design이 가능하여 요구 Spec에 빠르게 Pin 제작 가능함 - 자동화 방식으로 대면적 제품도 정밀하게 제작 가능하며 Repair도 용이함 Vertical - Wafer Chip단위의 Pad가 1열이 아닌 多열로 구성된 제품에 사용함 - 스프링 기능의 Probe Pin을 사용하여 Pin을 고정해주는 Guide 구조물에 Probe Pin을 삽입하여 제작하는 방식임 - Pad에 Scrub발생이 아닌 수직 Contact Concept Type을 적용함 비메모리 - 바늘모양의 Probe Pin Type으로 접착제로 고정하여 제작함 - 多 Para급 제작이 어렵고 수작업으로 인해 정밀도나 기술적 한계가 있음 Wafer의 Chip수가 점차 증가하고 있으며, 이에 따라 비용을 최소화하기 위해 Wafer를 한번에 TEST 하기 위한 대면적 프로브카드를 필요로 하고 있어, 메모리 제품에서는 MEMS 프로브카드를 선호하고 있습니다. 한편, SSD Controller용과 같은 특정 비메모리 제품에서는 Wafer Pad가 多열로 구성되어 있어 이를 구현하기 위해 多열로 Tip을 수직으로 배치 가능한 Vertical Type 제품으로 대응이 필요합니다. (다) 기술제품의 시장규제 최근 반도체 시장 규제의 화두는 크게 전 세계
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공급망의 변화에 따른 무역 환경의 변화와 기업의 ESG(Environmental, Social and corporate Governance) 경영 요구 증가에 따른 변화입니다. 무역 환경 변화는 미중 무역마찰, 일본 수출 규제, 우크라이나사태 등과 같이 강대국들이 패권 장악을 위해 무역을 통제하면서 전 세계 공급망의 차질이 발생하였습니다. 반도체와 같이 국제적 역할 분담이 오랜 기간 유지되어 온 산업 분야에 타격이 불가피합니다. 프로브카드는 아직 포토리소그래피용 EUV (Extreme Ultraviolet) 공정 장비, 식각용 Etcher 등과 같은 반도체 전공정 장비처럼 무역 규제 품목에 포함되지 않지만, 상대적으로 기술적 난이도가 전공정 장비보다 낮아 자국 기업들로부터 공급받으려는 성향이 뚜렷하게 나타납니다. 국내 시장도 일본 무역 규제 이후 정부 및 삼성전자, SK하이닉스 등과 같은 반도체 업체에서 관련 소재, 부품 및 장비 산업 육성에 지속적 투자가 증가하고 있고, 국내 관련 업체들의 기술 개발을 통해 해외 선진 회사들과 경쟁할 수 있는 시장 환경을 조성하고 있습니다. 이러한 시장 환경은 B2B 사업 특성상 고객과의 관계가 필수적인 국내 프로브카드 업체들에게는 해외 선진 회사들과 경쟁할 수 있는 좋은 기회 요인입니다. 당사는 1차적으로 낸드플래시용 프로브카드에서 시장의 위치를 공고히 하고 해외 선진 회사들이 독식하고 있는 DRAM용 프로브카드 시장에 진출하고자 활발한 기술 개발을 실시하였으며, 2021년부터 가시적인 성과가 나타나고 있습니다. 중국 수출의 경우 초기에 중국 정부나 반도체 업체들이 필요한 소재, 부품 및 장비에 대해 해외에 의존하겠지만 기술적 난이도가 낮은 순서로 중국 자국 업체들이 supply chain을 형성할 것으로 예측합니다. 이에 시장 진입 초기부터 직접 자사 브랜드로 시장 공략을 하지 않고 중국 local 업체와 합작하여 시장을 공략하는 전략을 사용하고 있습니다.. ESG 경영은 대기업뿐만 아니라 당사와 같은 중소, 중견 기업들도 향후 반드시 실행해야 하는 사회적 요구로 당사는 2021년부터 ESG경영 선두 기업으로 발전해 가고 있는 SK하이닉스의 BP(Business Partner)사 프로그램인 'Growing Up Together' 프로그램에 선정되어 경영 환경을 개선하고 있습니다. 당사는 2021년부터 SK하이닉스의 SHE(Safety, Health, Environmental) 컨설팅을 받아 평가 및 개선 활동을 추진해왔습니다. 이 결과, '역량 향상' 부문에서 우수한 성과를 이루어 대상 및 개선 우수사례로 선정되었습니다. 또한, ISO 14001 인증을 획득하여 환경경영시스템을 구축하는 등 환경 보호에 적극적으로 노력해왔습니다. 당사는 이를 시작으로 더욱 적극적인 경영 개선 활동을 추진할 계획입니다. 이를 통해 기업의 사회적 책임을 강화하고, Global 프로브카드 공급사로서 더욱 발전하고 성장할 것입니다. 바. 경쟁 현황 (1) 경쟁 형태 프로브카드 제품의 특성상 기술적인 진입장벽으로 인하여 신규 업체의 시장 진입이 매우 까다롭고 어려운 시장입니다. 기존 시장을 선도하고 있는 주 거래업체들이 과점을 하고 있는 형태로 경쟁구도가 형성되어 있습니다. 기 업체들의 신규 제품 품질과 New Tech 수준에 따라 매출 차이가 많이 발생하고 있으며, 기술 선도 업체의 기술력에 뒤처지지 않도록 치열한 기술 개발이 요구되고 있습니다. 앞으로도 시장의 주요 프로브카드 제조사가 전방 고객사에 제품을 공급하게 될 것으로 예상되며, 향후 당사는 꾸준한 기술력 향상과 제품 개발로 안정적인 매출을 지속적으로 유지할 계획입니다. (2) 진입장벽 낸드플래시용 프로브카드는 고객사에서 오랫동안 공급업체와 거래하면서 반도체 Tech의 발전 속도에 맞춰 기술력 확보와 지속적인 투자 능력이 뒷받침 되어야만 합니 다. SK하이닉스의 경우, 장기적인 면에서 낸드플래시용 프로브카드 발주금액을 고려하여 공급업체 3개사를 협력사로 상생하는 것을 기본방침으로 정하여 현재까지 당사를 포함한 3개사가 대응하고 있는
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상황입니다. 기존 업체가 중대한 문제로 퇴출되지 않는 한 추가로 신규 업체가 진입하기는 어려운 상황이며, 향후 현 3개사로 대응이 부족하여 추가로 신규 업체 진입 시, 기존 기술력을 갖추고 있는 회사면 가능하나 초기 투자비용이 매우 높습니다. 또한 제품의 기술적 난이도가 높아 Qualification 받기가 쉽지 않고 검증 시간이 오래 걸려 투자에 대한 Risk가 존재합니다. (3) 경쟁업체 현황 (가) 기술(제품)별 주요 경쟁업체 기술(제품) 국내 시장 해외 시장 낸드플래시용 프로브 카드 티에스이(TSE), 에이엠에스티(AMST) 폼팩터(FFI), 일본전자재료(JEM), 티에스이(TSE) DRAM용 프로브 카드 폼팩터(FFI), 마이크로닉재팬 국내 자회사(MEK), 솔브레인에스엘디(SLD) 폼팩터(FFI), 마이크로닉재팬(MJC) 비메모리용 프로브 카드(CIS) 윌테크놀로지(Willtech) 폼팩터(FFI), 일본전자재료(JEM) (나) 주요 경쟁업체 현황 경쟁 업체 설립연도 직원수 2022년 국내매출(프로브 카드) 매 출 처 기 술 현 황 티에스이 1995년 8월 31일 426억 SK하이닉스 삼성전자 Micron YMTC - MEMS 공정 - 프로브 카드 제조 기술 - Test socket 제조 기술 에이엠에스티 1998년 11월 5일 341억 SK하이닉스 - MEMS 공정 - 프로브 카드 제조 기술 폼팩터 1993년 4월 15일 1,200억 SK하이닉스 삼성전자 Micron Intel외 기타 - MEMS 공정 - 프로브카드 제조 기술 MEK 2008년 10월 17일 1,421억 삼성전자 SK하이닉스 - MEMS 공정 - 프로브 카드 제조 기술 자료 : 각 업체별 영업담당자를 통해 매출 자료를 수집하여 업체별 매출 자료 작성 (다) 기술(제품)별 경쟁업체 시장점유율 [2022년 SK하이닉스 프로브카드 시장 점유율] 기술(제품) 회사명 시장점유율 낸드플래시용 프로브카드 티에스이 에이엠에스티 당사 DRAM용 프로브카드 폼팩터(미국) MEK(일본) 솔브레인SLD 에이엠에스티 당사 비메모리용 프로브 카드(CIS) 윌테크놀로지 주: SK 하이닉스에서 Probe Card 발주 시 확인된 매출 부분을 환산하여 점유율 작성 SK하이닉스의 낸드플래시용 프로브카드는 당사를 포함한 3개사 (TSE, AMST)가 공급하고 있으며, 각 사의 시장 점유율은 품질 평가를 통해 매 분기 변동하는데 당사는 2022년 기준 고객사 품질 평가 1위로 가장 높은 시장 점유율을 기록하고 있습니다. DRAM용 프로브카드의 경우는 기술적 난이도가 높은 EDS용 제품의 경우 해외 선진사인 Formfactor와 MEK(일본 마이크로닉스 재팬, MJC의 한국 자회사)가 대부분 공급하고 있습니다. 비메모리 제품 중 CIS용 프로브카드는 고객사 CIS 사업의 초기 단계로서 아직 시장이 크게 형성되지 않은 상태입니다. 향후 시장이 형성될 경우 Multi-vendor 전략에 따라 당사가 진입할 가능성이 높다고 판단하고 있습니다. (4) 비교우위 사항 프로브카드의 성능은 일차적으로 고객의 기술적 요구 수준을 충족하고 실제 고객사 생산 라인에서 얼마나 안정적으로 사용이 되는지가 중요한 지표입니다. 따라서 제품 자체의 각 기술 항목별 성능 보다는 전체적인 품질 성능이 전체 제품 성능을 대표합니다. SK하이닉스의 경우 경쟁사간 공정한 경쟁 유도를 위하여 프로브카드의 성능과 신뢰성을 대표하는 지수를 설정하고 정량화하여 매달 Scoring을 통해 향후 구매 발주 시 반영하는 시스템을 채용하고 있습니다. 대표적인 성능지수는 프로브카드의 가동률, MWBF(Mean Wafer Between Failure), 프로브카드에 의한 Yield Loss, Signal Integrity/Power Integrity, Align 정밀도, Contact Balance 등이 있습니다. 당사는 수년간 SK하이닉스 낸드플래시용 프로브카드 제품에서 경쟁 3사 중 가장 우수한 품질 평가 점수를 부여받았으며, 이를 시장 점유율을 통해 검증 받고 있습니다. 이는 당사의 제품과 서비스가 고객의 요구를
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IV. 이사의 경영진단 및 분석의견 1. 예측정보에 대한 주의 사항 본 사업보고서에서 미래에 발생할 것으로 예상되어 기재되는 내용은 동 보고서의 작성시점 당시의 사건 및 재무성과에 대한 회사의 의견을 반영하는 것입니다. 동 예측정보는 미래의 경영환경과 관련된 다양한 가정, 추측에 의거 가정이나 추측들이 본 의견서 작성시점에서의 합리적인 근거에 기초하였으나 향후 외부 환경, 회사 내부경영과 관련된 요인 및 기타 변수로 인하여 결과적으로 부정확한 것으로 판명될 수도 있습니다.당사는 동 보고서의 예측정보 작성시점 이후에 발생하는 위험 또는 불확실성을 반영하기 위해 예측정보에 기재한 사항을 수정하는 정정보고서를 공시할 의무는 없습니다.본 주의사항은 여기에 기재되는 모든 예측정보에 대하여 적용되며 보고서상에서 회사가 예상한 결과 또는 사항이 실현되거나 회사가 당초에 예상한 영향이 발생한다는 확신은 제공할 수 없습니다. 동 보고서에 기재된 예측정보는 동 보고서 작성시점을 기준으로 작성한 것이며, 회사가 이러한 위험요인이나 예측정보를 정정하거나 갱신할 책임이 없음을 다시 한번 유의하시기 바랍니다. 2. 개요 ㈜마이크로투나노는 당사 MEMS기술을 활용, 낸드플래시용 프로브 카드 및 DRAM용 프로브 카드를 제작하고 있으며, 의료, 센서, 광통신 등 다양한 산업분야에 Microneedle, 압력센서, V-Groove 등 제품을 제작하여 공급하는 파운드리 사업을 영위하고 있습니다. 특히 국내 종합반도체 기업인 SK하이닉스의 주요 비즈니스 파트너사(BP)로서 최근 HBM과 같은 AI용 고집적화된 반도체 생산에 두각을 보이는 고객사의 반도체 검사장치 수요에 대응하기 위해 연구개발 및 신규설비 투자를 진행하고 있으며 본격적인 DRAM프로브카드 시장 진출을 위해 연구개발 및 시설투자를 진행하고 있습니다. 또한 당사 핵심경쟁력인 MEMS기술 활용, 프로브카드 외 다양한 파운드리 사업을 진행, 국내 및 해외 수요처에 제품 공급을 진행하고 있습니다. 다음은 현재 당사의 주요 사업부문 및 주요 판매 제품 현황 입니다. 사업부문 주요 품목 프로브카드 낸드플래시용 , DRAM용 프로브카드 파운드리 압력센서 최근 AI용 반도체 출현, 자율주행 자동차 시대 도래, 5G본격화 등 반도체 수요 분야가 급증하고 있으며, 이에 따라 반도체 산업은 더욱 치열하고 복잡해지고 있습니다. 당사는 이러한 변화에 발맞춰 빠른 연구개발을 통해 신제품 개발과 기술 트렌드에 맞는 제품 공급을 하기 위해 지속적으로 투자하고 있습니다. 또한, 프로브카드 분야에서 영향력을 확대하고 지속적인 성장 발판을 마련하기 위한 노력을 지속하고 있습니다. 3. 재무상태 및 영업실적 1) 경영성과 ㈜ 마이크로투나노의 제24기 실적을 요약하면 다음과 같습니다.당기 매출액은 93.7억으로 전기대비 77% 감소 하였으며, 영업이익 및 당기순이익은 적자전환 하였습니다. 매출 감소의 주요원인은 반도체 업황 부진으로 인한 주 고객사인 SK하이닉스의프로브카드 발주물량 감소이며, 반도체 유관업종의 특성상 반도체 경기에 영향을 받는 사업구조로 반도체 업황 회복에 따라 점진적으로 프로브카드 시장의 업황도 회복될 것으로 기대하고 있습니다. 또한 당사는 높은 특정 아이템 의존도 및 특정 고객 의존도를 낮추기 위해 아이템 다변화 및 고객 다변화를 시도하고 있습니다. 당사는 2023년 4월 26일 코스닥 상장 이후 기존 자금을 효율적으로 운용하고 공모 자금을 활용하여 시설 및 운영투자, 채무상환에 사용하고 있으며 재무건전성을 유지하고 있습니다. 또한 유동비율과 부채비율 역시 지속적으로 개선되고 있습니다. 당사는 안정적인 프로브카드 공급 및 글로벌 반도체 시장의 화두로 떠오른 HBM 및 초고사양 DRAM용 프로브카드 제작을 위해 시설투자 및 연구개발을 확대하고 있습니다. 다음은 당기 당사 주요 경영실적입니다. (단위 : 백만원) 구 분 제 24기(2023년) 제 23기 (2022년) 증감액 증감율 매 출 액 영업이익 세전이익 당기순이익 2) 재무상태 자산은 535억으로 전기 대비 40.6억원(+8.2%) 증가하였으며,
마이크로투나노 — 사업보고서 (2023.12)

유동자산 14.3억, 비유동자산 26.3억이 증가 하였습니다. 자산 중 토지, 건물 등 유형자산 부문이 가장 큰 비중을 차지하고 있으며 당기손익-공정가치측정금융자산은 전기 대비 약 31.1억 증가하였으며, 이는 기업공개로 유입된 자금의 운용에 기인합니다. 부채는 200.6억으로 전기 대비 33억원(-14.1%) 감소하였으며, 주요 감소 원인은 비유동부채의 장기차입금 감소입니다. 당사는 재무구조 개선을 위해 상환 스케쥴에 따라 지속적으로 차입금을 상환하고 있으며 '23년 총 24.8억원의 차입금을 상환하였고, 특별한 변동이 없는 한 '24년에도 잔여 차입금 중 일부를 상환할 계획을 갖고 있습니다. (단위 : 백만원) 구분 제 24기 (2023년 제 23기 (2022년 증감 증감률 [ 유동자산 ] [ 비유동자산 ] 자산총계 [ 유동부채 ] [ 비유동부채 ] 부채총계 자본총계 영업실적 당기 매출액은 93.7억으로 전기대비 77% 감소 하였으며 , 영업이익 및 당기순이익은 적자전환 하였습니다 당사 매출 및 매출원가 감소의 주요 원인은 반도체 업황 악화에 따른 고객사 메모리 반도체용 프로브카드 수요 감소 입니다 . 당사 자체 집계에 따르면 주 고객사의 NAND용 프로브카드 발주량이 전년대비 86% 감소하였으며 , 이는 당사 매출 부진의 가장큰 원인입니다 원재료는 제품매출액 대비 당기원재료매입액이 일정비율로 유지됨에따라 동시 감소하였습니다 판매비와관리비는 66.3억으로 전기대비 4% 감소하였으며 , 항목별 구성은 경상연구개발비 26.8억 , 급여성 항목 21.5억 , 지급수수료 4.5억으로 총 판매비와 관리비 중 경상연구개발비 40%, 인건비 32%, 지급수수료 7% 비중을 보이고 있습니다 '23 년 대내외 여건을 비롯한 전반적인 영업환경 악화로 부진한 실적을 시현하였으나 , 고객 다변화 및 아이템 다변화를 위한 당사의 노력은 지속되고 있습니다 . 해외 고객사와의 접점을 늘려 다양한 디바이스의 개발 및 납품에 대한 논의를 지속하고 있으며 , NAND용 프로브카드에 치중된 당사의 매출 의존을 경감시키기 위해 고사양 DRAM용 프로브카드 시장 진출을 위한 노력을 지속하고 있습니다 (단위 : 백만원) 구분 제 24기 (2023년 제 23기 (2022년 증감 증감률 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 영업이익 기타수익 기타비용 금융수익 금융비용 관계기업투자손익 법인세비용차감전순이익 법인세비용 당기순이익 주요지표 (단위 : %, 회전) 구분 비율 제 24기 (2023년 제 23기 (2022년 회계기준 성장성 매출액 증가율 영업이익 증가율 당기순이익 증가율 총자산 증가율 활동성 총자산 회전율 재고자산 회전율 매출채권 회전율 수익성 매출액 영업이익률 매출액 순이익률 총자산 순이익률 자기자본 순이익률 안정성 부채비율 차입금의존도 유동비율 유동성 및 자금의 조달 등 가 . 유동성에 관한 사항 - '23년 말 현재 유동성 현황은 다음과 같습니다 (단위 : 백만원) 구 분 제 24 기 제 23 기 성장율 현금및현금성자산 단기금융자산 당기손익 -공정가치측정금융자산 합계 당기말 현재 247억의 유동자금을 보유하고 있습니다 . 유동자금은 ① 현금및현금성자산 ② 단기금융상품 ③당기손익 -공정가치측정금융자산을 모두 포함한 금액이며 , 전기말 유동자금 대비 약 10.4억원 증가하였습니다 나 . 자금의 조달 - '23년 말 현재 단기차입금 현황은 다음과 같습니다 (단위 : 백만원) 구분 차입처 연이자율 제 24기 제 23기 운전자금 우리은행 소 계 유동성장기차입금 합계 - '23 년 말 현재 장기차입금 현황은 다음과 같습니다 (단위 : 백만원) 구분 차입처 연이자율 제 24기 제 23기 시설자금대출 산업은행 4.02~4.67 시설자금대출 신한은행 소 계 유동성장기차입금 합 계 - '23년 말 현재 차입금 상환일정은 다음과 같습니다 해당 내용은 경영환경에 따라 변동될 수 있습니다 (단위 : 백만원) 구분 차입금 합계 년이내 년 ~2027년내 합계 다 . 자금지출 (단위 : 백만원) 구분 기 기 기초 현금및현금성자산 영업활동으로 인한 현금흐름
한화솔루션 — 증권신고서(채무증권)

II. 증권의 주요 권리내용 1. 사채의 명칭, 주요 권리 내용, 발행과 관련한 약정 및 조건 가. 일반적인 사항 (단위 : 억원) 회차 금액 연리이자율 만기일 옵션관련사항 제290-1회 무보증사채 (주4) 2026년 01월 16일 제290-2회 무보증사채 (주5) 2027년 01월 15일 제290-3회 무보증사채 (주6) 2029년 01월 16일 주1) 본 사채는 2024년 01월 05일 09시부터 16시 30분까지 한국금융투자협회 K-Bond 프로그램 및 FAX 접수방법을 통해 실시하는 수요예측 결과에 따라 전자등록총액, 모집(매출)총액, 발행가액, 이자율, 발행수익률이 결정될 예정입니다. 주2) 상기 기재된 총액(전자등록총액, 모집 또는 매출총액)은 예정금액이며, 수요예측의 결과에 따라 제290-1회, 제290-2회 및 290-3회 무보증사채 전자등록총액은 합계 금 사천억원(\400,000,000,000) 한도 범위 내에서 발행회사와 인수단이 협의하여 변경될 수 있고, 이에 따라 인수인의 인수수량, 인수금액 및 전자등록총액은 변동될 수 있습니다. 주3) 확정 총액(전자등록총액, 모집총액, 발행가액) 및 확정 가산(차감)금리, 확정된 인수인의 인수수량 및 인수금액은 2024년 01월 10일 정정신고서를 통해 공시할 예정입니다. 주4) 수요예측시 공모희망금리는 청약일 1영업일 전 민간채권평가회사 4사(한국자산평가(주), 키스자산평가(주), 나이스피앤아이(주), (주)에프엔자산평가)에서 최종으로 제공하는 한화솔루션(주) 2년 만기 회사채 개별민평 수익률의 산술평균(소수점 넷째 자리 이하절사)에 -0.30%p. ~ +0.30%p.를 가산한 이자율로 합니다. 주5) 수요예측시 공모희망금리는 청약일 1영업일 전 민간채권평가회사 4사(한국자산평가(주), 키스자산평가(주), 나이스피앤아이(주), (주)에프엔자산평가)에서 최종으로 제공하는 한화솔루션(주) 3년 만기 회사채 개별민평 수익률의 산술평균(소수점 넷째 자리 이하절사)에 -0.30%p. ~ +0.30%p.를 가산한 이자율로 합니다. 주6) 수요예측시 공모희망금리는 청약일 1영업일 전 민간채권평가회사 4사(한국자산평가(주), 키스자산평가(주), 나이스피앤아이(주), (주)에프엔자산평가)에서 최종으로 제공하는 한화솔루션(주) 5년 만기 회사채 개별민평 수익률의 산술평균(소수점 넷째 자리 이하절사)에 -0.30%p. ~ +0.30%p.를 가산한 이자율로 합니다. (1) 당사가 발행하는 제290-1회, 제290-2회 및 제290-3회 채권은 무기명식 이권부 무보증 원화표시 공모사채로서, 본 사채에는 Call-Option이나 Put-Option 등의 조기상환권이 부여되어 있지 않습니다.(2) 또한, 주식으로 전환될수 있는 전환청구권이 부여되어 있지 않으며, 본 사채의 등록기관은 한국예탁결제원으로, 전자증권법에 따라 전자등록으로 발행하므로 실물채권을 발행하지 아니합니다.(3) 본 사채는 선순위로서 기발행된 당사의 무담보, 무보증 사채 및 기타 채무와 동순위에 있습니다. 나. 기한의 이익 상실에 관한 사항(사채 보유자가 조기상환을 청구할 수 있는 권리(Put-option)을 보유하는 경우 그 권리의 조건 및 행사방법 등) 본 사채의 조기상환을 청구할 수 있는 권리는 기한의 이익을 상실한 경우에만 발생합니다. 사채관리계약서 상 기한의 이익 상실에 관한 사항은 아래와 같습니다. "갑"은 발행회사인 한화솔루션(주)를 지칭하며, "을"은 사채관리회사인 한국증권금융(주)를 지칭합니다. 14. 기한의 이익 상실에 관한 사항 가. 기한의 이익 상실 (1) 기한의 이익의 즉시 상실 다음 중 어느 하나의 사유가 발생한 경우에 “갑”은 즉시 본 사채에 대한 기한의 이익을 상실하며, 이 사실을 공고하고 자신이 알고 있는 사채권자 및 “을”에게 이를 통지하여야 한다. (가) “갑”(“갑”의 청산인이나 “갑”의 이사를 포함)이 파산 또는 회생절차개시의 신청을 한 경우 (나) “갑”(“갑”의 청산인이나 “갑”의 이사를 포함) 이외의 제3자가 “갑”에 대한 파산 또는 회생절차개시의 신청을 하고 “갑”이