chaannwooff/Dartdoc huggingface dataset:
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시장의 감소세로 인해 전년 대비 다소 감소하였습니다. 다만, 차량용 램프의 경우는 유럽시장의 판매량 증가세가 이어지며 실적을 견인하는데 기여 하엿습니다. * 영업부문의 당기 및 전기의 부문별 정보는 다음표와 같습니다. (당 기) (단위: 천원) 구 분 합 계 매출액 영업이익 총자산 총부채 (전 기) (단위: 천원) 구 분 합 계 매출액 영업이익 총자산 총부채 (2) 재무상태 가. 연결요약재무상태 (단위 : 원) 구 분 제36기 제35기 증감액 [유동자산] [비유동자산] 자산총계 [유동부채] [비유동부채] 부채총계 자본총계 당사의 재무상태를 살펴보면 유동자산은 현금성자산 등의 증가로 전기대비 2.1% 증가한 1,480억원이며, 비유동자산은 유형자산 감소 등으로 전기대비 4.1% 감소한 1,347억원으로 자산총계는 전기대비 1% 감소한 2,827억원이 되었습니다. 한편 유동부채는 단기차입금 및 유동성장기차입금 감소 등으로 전기 대비 32.7% 감소한 959억원이며, 비유동부채는 장기차입금 증가로 인해 전기대비 150.6% 증가하여 495억원이 되었습니다. 총 부채는 전년 대비 10.4% 감소하여 1,453억원으로 집계되었습니다. 자본 총계는 이익잉여금 및 해외사업 환산이익 증가로 전기대비 11.4% 증가한 1,373억원이 되었습니다. 나. 주요재무비율 구 분 제36(당)기 제35(전)기 비 고 비율(%) 비율(%) 총자산증가율 4.6%P 증가 유 동 비 율 52.6%P 증가 부 채 비 율 25.8%P 감소 당사의 자산 중 유형자산 및 재고자산 감소로 총자산이 감소하였으며, 유동부채가 비유동부채로 일부 대체되었으나 전체적인 총 부채가 10.4% 감소하였으며, 당기순이익에 따른 이익잉여금 증가 등으로 인한 영향으로 자본총계가 증가한 부분이 영향을 미쳐 부채비율이 큰 폭으로 감소하였습니다. 실 부채총계는 전기대비 168억 감소하였으며, 자본총계는 141억 증가하였습니다. 2024년은 재무구조 안정화를 위해 차입금 및 부채 상환에 상당한 노력을 기울였으며 그 결과로 유동비율 및 부채비율이 개선되었습니다. 4. 유동성 및 자금조달 당사는 다양한 사업부문을 영위하고 있으며 모바일 부문의 생산구조를 개선하기 위하여 해외종속법인으로 설비 이전이 진행되었으며, 원가 구조가 좋은 해외종속법인을 주요 생산공장으로 운영하여 실적개선을 도모하고 있습니다. 그리고 재무구조 개선을 위하여 본사 및 해외법인의 차입금 중 상당한 금액을 상환 진행하였으며 이는타인에 대한채무보증 결정 공시를 통해 확인할 수 있습니다. 2024년 당사의 유동비율은 154.4%로 전년대비 52.6%P 증가하였으며, 부채비율은25.8%P 감소한 105.8%로 지속적인 개선이 진행되고 있어 힘든 경기 환경에서도 자금운용에 있어 큰 어려움은 없습니다. 2025년은 신규제품 생산을 위한 설비증설 및 새로운 모델 생산을 위한 설비투자가계획되어 있으나 유동성 문제는 없을 것으로 판단하고 있습니다. 다만, 자국 우선주의에 따른 글로벌 시장 변화에 따른 관세 증가, 물류비 변동, 원자재 가격 변동, 급격한 환율 변동 등에 따라 당사의 유동성에 영향을 줄 수 있는 요소는 있으나 지속적인 모니터링을 통해 사전에 대응할 계획입니다. 그리고, 전기차, 자율주행차 등 자동차 시장의 성장에 대한 기대감이 지속되고 있으며 당사의 전장 부품 또한 이런 환경과 부합하게 진행되고 있습니다. 당사의 전방산업의 변화 및 주요 고객사의 요구에 따른 Capa 증설 등 시장상황에 따라 추가적인 투자가 발생할 경우 외부자금 조달이 필요할 수 있습니다. 당사는 지속적으로 재무건정성 확보를 위해 최선을 다하고 있습니다. 가. 유동성 위험 연결회사는 적정 유동성의 유지를 위하여 주기적인 자금수지 예측, 조정을 통해 유동성 위험을 관리하고 있습니다. 연결회사의 차입금 및 매입채무 등을 당기말로부터 계약 만기일까지의 잔여기간에따라 만기별로 구분한 내역은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구 분 장부금액 1년 이내 1년~2년 2년~3년 3년 이후 합 계 단기차입금 장기차입금 매입채무 장단기미지급금 미지급비용 미지급배당금
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리스부채 합 계 당사는 건전한 자금구성을 유지하기 위해 지속적인 차입금 관리를 하고 있으며, 연도별 상환계획에 따른 차입금 감소를 실현할 계획입니다. 다만, 러시아-우크라이나 전쟁, 중동사태 및 자국우선주의 등과 같은 예측불가능한 문제를 비롯한 전방산업의 산업변화에 따라 차입금 상환계획은 유동적일 수 있습니다. 나. 자금조달 및 차입금 당사는 은행 차입을 통해 자금을 활용하고 있으며 단기차입금 및 장기차입금 현황은 아래와 같습니다. (1) 당기말 및 전기말 현재 단기차입금의 내역은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 종 류 차입처 이자율 당기말 전기말 운영자금대출 주식회사 국민은행(*1) 주식회사 우리은행 수협은행 현대커머셜 주식회사 (주)신한은행 한국산업은행(*1) 한국산업은행 청도 한국수출입은행 합 계 (*1) 해당 차입금에 대해서는 담보가 설정되어 있습니다. (2) 당기말 및 전기말 현재 장기차입금의 내역은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 종 류 차입처 이자율 당기말 전기말 상환방법 운영자금대출 주식회사 국민은행(*1) 분할 및 만기상환 한국산업은행(*1) 만기상환 한국증권금융 분할상환 분할상환 한국산업은행(*1) 분할상환 시설자금대출 분할상환 (주)무진오토 분할상환 한국산업은행(*1) 분할상환 주식회사 국민은행 분할상환 합 계 차감: 유동성대체 차감 후 잔액 (*1) 해당 차입금에 대해서는 담보가 설정되어 있습니다. (3) 당기말 현재 장기차입금의 상환계획은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 상환연도 금액 1년 이내 2년 이내 2년 이후 합 계 다. 환율변동위험 연결회사는 글로벌 영업 및 장부통화와 다른 수입과 지출로 인해 외화 환포지션이 발생하며, 환포지션이 발생하는 주요 외화로는 USD, EUR, JPY 등이 있습니다. 연결회사는 대상 회사별로 사업의 성격 및 환율 변동위험 대처수단의 유무 등을 고려하여회사별 헷지정책을 선택하고 있습니다. 또한, 연결회사는 외화로 표시된 채권 및 채무관리 시스템을 통하여 환노출 위험을 주기적으로 평가, 관리 및 보고하고 있습니다 당기말 및 전기말 현재 외화금융자산 및 외화금융부채는 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구 분 당기말 전기말 외화금융자산 외화금융부채 외화금융자산 외화금융부채 USD EUR PLN JPY CNH 합 계 연결회사는 내부적으로 원화 환율 10% 변동을 기준으로 환위험을 측정하고 있으며, 상기의 변동비율은 합리적으로 발생가능한 환율변동위험에 대한 경영진의 평가를 반영하고 있습니다. 당기말 및 전기말 현재 각 외화에 대한 원화환율 10% 변동시 환율변동이 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다. (단위 : 천원) 구 분 당기말 전기말 10% 상승시 10% 하락시 10% 상승시 10% 하락시 외화금융자산 외화금융부채 상기 민감도 분석은 보고기간말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성 자산 및 부채를 대상으로 한 것입니다. 5. 부외거래 당기말 현재 연결회사는 국민은행 등과 총 한도액 65,350백만원 의 대출약정을 체결하고 있습니다. 또한, 연결회사는 하나은행 등과 총 한도액 의 무역금융 약정을 체결하고 있습니다.(2) 당기말 현재 연결회사는 서울보증보험으로부터 2,452백만원 의 이행보증 등을 제공받고 있으며, 차입금 담보 목적으로 지배기업의 대표이사로부터 27,105백만원 과 의 지급보증을 제공받고 있습니다. 6. 그 밖에 투자의사결정에 필요한 사항 가. 중요한 회계정책 및 추정에 관한 사항 회사의 재무제표는 K-IFRS에 따라 작성되었으며, 회계처리기준에 대해서는 [ 연결재무제표 주석 및 재무제표 주석 ]에 상세하게 기재되어 있습니다. 나. 환경 및 종업원 등에 관한 사항 " 특이사항 없음 " 다. 법규상의 규제에 관한 사항 " 특이사항 없음 " 라. 파생상품 및 위험관리정책에 관한 사항 (1) 연결회사는 전기 이전에 변동금리조건부 외화장기차입금 USD 2,500,000에 대하여 환율변동위험과 이자율변동위험을 회피하기 위해 수협은행과 스왑계약을 체결하였으며, 계약에 따라 고정금리조건부 원화장기차입금의 원리금을 지급하고, 변동금리조건부
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외화장기차입금의 원리금을 수취하기로 하였습니다. 해당 스왑계약은 당기중 외화장기차입금을 상환하여 종료 되었습니다. 가. 당기말 및 전기말 현재 스왑계약에 따라 인식한 자산(부채) 및 손익은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구 분 당기말 전기말 파생상품부채 파생상품평가이익 파생상품거래손익 (2) 보고기간종료일 현재 연결회사가 피고로 계류중인 소송사건은 2건으로서 1심판결에 의거 20백만원의 소송충당부채를 설정하였습니다.
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II. 사업의 내용 1. 사업의 개요 당사는 MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems)기술을 기반으로 반도체용 프로브카드 및 파운드리 서비스를 제공하는 MEMS기술 전문 회사 입니다. 당사의 주된 사업 아이템은 반도체용 프로브카드로 반도체의 제조 공정 중 테스트 공정에 사용되는 기술집약적 장치이자 소모품입니다. 프로브카드는 탑재된 프로브 핀(Probe Pin)을 통해 웨이퍼에 접촉하여 전기 신호를 이용해 반도체 칩의 결함 여부를 판단하는 검사를 수행합니다. 당사의 제품은 고객사의 제조 공정에서 불량칩이 후속 공정에 투입 되는 것을 방지하여 수율을 높이는 데 활용되고 있습니다. 당사가 영위하고 있는 프로브카드 사업은 전방산업인 반도체 산업과 밀접한 관계를 맺고 있습니다. 반도체 기술의 발전에 의해 반도체의 집적도가 고도화됨에 따라 프로브카드에 요구되어지는 기술 수준 또한 지속적으로 높아지고 있어, 지속적인 연구개발이 사업에 있어 필수적인 요소입니다. 당사는 우수한 MEMS 기반 기술력과 숙련된 R 인력을 바탕으로 차세대 제품에 요구되는 기술력을 확보하고 있어 시장의 환경변화에 빠르게 대응할 수 있는 체제를 갖추고 있습니다. 당사는 코스닥 상장을 위해 실시한 기술성 평가에서 평가 기관 2곳 모두로부터 A등급을 획득하며, 해당 기술들의 완성도와 확장성, 상용화 수준 등에 대한 검증을 받은 바 있습니다.당사의 사업에 있어 또 다른 중요한 요소로는 품질력과 납기 경쟁력을 들 수 있습니다. 당사는 이에 대응하기 위해 경쟁사와 차별화된 독자적인 생산방식(2D 프로브 제조방식)을 채택하고 있으며, 특허와 노하우 관리를 통해 관련된 핵심기술을 보호하고 있습니다. 또한 당사 제조 시스템은 MES(Manufacturing Execution Systems)를 근간으로 운영하며, 품질 시스템은 ISO 9001을 근간으로 내부 품질을 통제하고 있습니다. 우수한 품질 시스템은 모든 신제품 개발 시 짧은 시간 안에 설계 및 공정 변경 부분에 대한 빠른 평가 및 검증을 가능하게 하여 제품 출시 소요기간을 줄여 당사의 경쟁력에 기여하고 있습니다. 당사의 우수한 품질경쟁력은 정기적으로 실시되는 고객사의 품질평가에서의 높은 평가로 확인되고 있습니다. 당사는 품질평가가 반영된 물량 배분을 통해 고객사 내 높은 시장점유율(NAND부문)을 유지함으로써, 시장에서의 입지를 높여가고 있습니다. 가. 연도별 세부매출 (단위 : 천원) 매출유형 제품명 2024년도(제25기) 2023년도(제24기) 2022년도(제23기) 매출액 비율 매출액 비율 매출액 비율 자사 제품 프로브카드 파운드리 소계 상품 등 기타매출 매출총계 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 나. 주요 기술 용어 용어 정의 비고 프로브카드 반도체 웨이퍼 테스트를 위한 장치로써 테스터와 Prober사이의 전기적, 물리적 연결 Interface 역할을 함 프로브(Probe) Wafer Pad를 Contact하여 전기적 신호를 주고받는 캔틸레버 형태의 금속 MEMS 구조물 Tip 프로브카드에서 일반적으로 프로브를 지칭하는 용어로 혼용하기도 하고, 특별한 경우 웨이퍼와 contact하는 프로브 선단 부분을 칭하기도 함. 버티컬 프로브 (Vertical 프로브) 프로브카드의 구성에 이용되는 수직형 프로브로 외팔보형태의 캔틸레버 프로브와는 다르게 일정한 곡면을 가지고 있지만 수직 형태로 세워서 사용하는 프로브이며 주로 비메모리 테스트용 프로브카드에서 사용함. 메모리(Memory) 데이터를 저장할 때 쓰는 반도체로 주로 DRAM, 낸드 플래시 메모리가 있음. 비메모리(Non-memory) 정보를 저장할 때 쓰이는 메모리 반도체와 다르게 정보를 처리하거나 연산을 하는데 쓰이는 반도체임 CMOS 이미지 센서 휴대전화 카메라 및 디지털 카메라 등에 사용되는 영상 소자 부품인 이미지 센서의 일종으로, 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS)를
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이용한 센서임. 이미지센서는 광학영상의 강약과 색채를 감지하여 디지털 영상 데이터로 변환해주는 장치로, 영상 이미지의 저장 및 전송, 재생을 위한 전자부품임. 휴대전화 카메라 및 디지털 카메라등의 핵심 부품 웨이퍼 레벨 검사 반도체 웨이퍼의 검사 공정 중 칩을 개별로 분리하기 전웨이퍼 상태에서 진행하는 검사 테스트 반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 고온, 고전류의 가혹 조건에서 반도체 칩의 양/불량을 선별하는 테스트 EDS 테스트 반도체 웨이퍼 테스트 공정으로 테스터에서 전기적 신호로 반도체 칩을 구동 시켜 반도체의 양/불량을 선별하는 테스트 테스트 스피드 번인, EDS 테스트 시 사용하는 교류 주파수의 속도 단위:Hz 2D 프로브 프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 웨이퍼의 평면 방향으로 프로브 형상 몰드를 만들고 도금을 한 후 웨이퍼에서 프로브를 분리하는 방법으로 제조하는 프로브 3D 프로브 프로브카드용 프로브를 제조하는 데 있어서 프로브가 세워진 방향으로 적층 도금을 하면서 프로브 구조물을 제조하는 프로브 Para 반도체 칩 테스트 시 동시에 테스트 할 수 있는 칩(또는 Die)의 개수를 의미하며, One Touch Down 프로브카드는 하나의 웨이퍼에 Layout된 전체 칩을 한 번 contact로 테스트 할 수 있는 프로브카드 TRE 테스터에서 신호를 줄 수 있는 채널 수가 정해져 있으므로 테스터 채널보다 많은 수의 칩(또는 Die)을 동시에 테스트하기 위해 하나의 신호를 병렬로 확장하여 테스트하는데, 이때 확장된 병렬 신호의 개수를 의미 shared 개수로 표현하기도 함 프로브의 형상이나 물리적 변화 없이 흐를 수 있는 한계 전류 값 단위:A MEMS 반도체 유사 공정을 이용하여 미세 3차원 구조물과 각종센서를 만드는 기술. 프로브카드 부품 중 프로브는 MEMS 기술을 이용하여 제작하는 부품임 MLC 세라믹 재질로 되어 있는 다층 회로 기판, 프로브가 본딩되어 MPH(MEMS Probe Head)를 구성함 LTCC 상대적으로 저온에서 소결되는 세라믹을 이용한 다층 세라믹을 지칭함. 일반적으로 소결온도는 1,000°C 근처임. HTCC 상대적으로 고온에서 소결되는 세라믹을 이용한 다층 세라믹을 지칭함. 일반적으로 소결온도는 1,600°C 근처임 MPH MLC에 MEMS 프로브가 본딩 되어있는 기판을 말함 회로에서 Power 전압이 가해졌을 때 전류의 흐름을 방해하는 값 단위:Ohm 프로브카드가 양산 시 fail로 인해 다운되는 시점 사이의 생산 기여도 평가 프로브카드의 물리적, 회로적 특성을 해석 프로그램을 통해 예측하는 수학 기법 Pitch 프로브가 contact하는 반도체 칩 패드의 간격 단위:um DUT 시험 또는 측정의 대상이 되는 장치, 반도체 웨이퍼의 개별 Die ASIC 주문형 반도체 칩으로 사용자의 요구에 맞추어 제작되는 집적 회로 FPGA 설계 가능 논리 소자와 프로그래밍이 가능한 내부 회로가 포함된 반도체 소자로, 프로브카드에서 ASIC 칩들을 제어하기 위해 사용되는 Processor 프로브가 칩의 패드를 물리적으로 Contact하면서 패드 표면을 파고드는 현상을 Scrub이라고 하고 이때 생기는 패드 표면의 긁힌 흔적 프로브 Burnt 프로브에 한계 이상의 전류가 흐르면서 Tip 또는 Body 부분이 타거나 물리적 성질이 변성되는 현상 프로버(Prober) 웨이퍼 테스트 시스템의 Handler 역할을 수행하는 장치로 프로브카드 및 테스트 할 웨이퍼를 장착 (Loading)하여 프로브카드는 Tester에 전기적 연결을 시키고, 프로브 카드와 웨이퍼를 물리적으로 저온/고온에서 Contact 시키는 역할을 함. 프로버 척 Prober에서 Wafer pad에 프로브를 Contact하기 위해 웨이퍼가 위치하는 곳 O/D 프로브가 Wafer pad를 Contact하기 위해 최초 Contact 위치부터 스프링 운동을 하면서 Z축 방향으로 움직인 거리 항복강도 일반적으로 재료의 소성 변형이 일어나기 시작하는 시점에 가해지는 응력 한계값을 의미하며, 일반적으로 항복 강도가 클수록 변형이 잘 되지
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않음을 의미함 2원계 합금 금속의 합금 구성 시 2개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함 3원계 합금 금속의 합금 구성 시 3개의 서로 다른 금속을 조합하여 새로운 특성을 가지는 금속을 제조함 레이저 솔더링 프로브카드 제작 시 프로브를 MLC 패드에 본딩 하기 위해 프로브에 솔더를 올리고 레이저를 이용하여 열을 가하여 프로브를 접합하는 공정 Align 프로브카드에서 프로브의 위치 정밀도를 지칭하는 용어로 일반적으로 프로브 선단의 x,y의 설계값 대비 벗어난정도를 수치로 표현한 값 다층박막 프로브카드의 MPH(MEMS Probe Head)를 구성하는 데 있어서 액상 폴리이미디와 금속 도금 공정을 이용하여 다층 배선을 하는 공법을 의미. Via 적층 배선이 있는 기판에서 상하부 배선을 연결하는 수직 금속 구조물 열팽창 계수 온도가 올라가면서 생기는 물체의 공간적 크기 변화의 정도를 특정하는 값으로 물질의 고유 특성임. 회로 Logic 도면 프로브카드를 구성하는 회로 부품의 동작 원리나 설계 원리를 간단한 그림이나 연결 구조도로 표현한 도면 신호 무결성 임피던스의 불연속에 의해 생기는 신호의 특성 저하에 대해 분석하고 신호 전송에 문제가 생기지 않도록 하는 기술 전원 무결성 전원 전달에 방해되는 요소를 분석하여 이를 최소화하거나 보완해 주는 기술 임피던스(Impedance) 교류회로에서 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타내는 용어로, 교류 신호의 경우 전로 선로 상에서 임피던스 값이 유지되어야 신호의 왜곡이나 지연이 발생하지 않음 Ω 프로브 본딩에 사용되는 솔더는 일반적으로 액상 플럭스에 미세한 솔더볼이 혼합되는 솔더를 사용하지만, Pre-deposited Solder는 고체 상태의 솔더 합금을 프로브의 특정 위치에 미러 증착하는 것을 의미함 박막저항 특정 저항 값을 가지는 금속 합금을 사용하여 수 um 두께를 가지는 박판 형태로 제작되는 저항을 의미하며 일반적으로 MEMS 공정을 사용하여 제작함 대용량 낸드플래시 저장 매체인 SSD를 제어하는 칩셋을 의미하며, 데이터 읽기/쓰기를 효율적으로 조절해 주는 역할을 함 2. 주요 제품 및 서비스 2024년 기준 당사가 생산하는 주요 제품별 매출실적은 다음과 같습니다. [2024년 매출분석] (단위: 천원) 구분 사업부문 주요 품목 2024년매출액 비율(%) 제품 프로브카드 낸드플래시용, DRAM용 프로브카드, Rework, 4PIN 등 파운드리 상품 등 기타매출 합계 가. 주요 제품 프로브카드는 웨이퍼 상의 반도체 칩과 테스트 장비를 연결하여 반도체의 동작을 검사하는 장치입니다. 프로브카드는 전기적 신호를 통해 불량 칩을 선별하여 반도체 제조 공정에서 불량률을 낮추는 데 중요한 역할을 합니다. 일반적으로 반도체 제조를 위한 생산 공정 중에 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자가 패키징 공정이라는 후공정 제조 프로세스로 진행되기 전에 불량 소자를 선별하는데 이 때 사용되는 것이 프로브카드 입니다. 프로브카드는 사용 용도에 따라 메모리 반도체용과 비메모리 반도체용으로 분류되고메모리 반도체용은 다시 DRAM용 제품과 낸드플래시용 제품으로 분류됩니다. 비메모리 반도체는 다양한 Application에 따라 제품별로 분류되는데 현재 당사는 이미지 센서용(CIS) 프로브카드를 타깃으로 양산개발 중에 있습니다. 프로브카드 제조 시 적용되는 기술에 따라 크게 MEMS Type, Vertical type 및 Tungsten needle type 등으로 분류되는데 최근 및 향후 시장에서 가장 선호하는 type은 MEMS 기술을 이용하는 프로브카드입니다. MEMS 기술은 초소형정밀기계기술로 수 ㎛ 크기의 미세한 구조물을 가공, 초고밀도집적회로, 초미세 기계구조물을 생산할 수 있는 기술입니다. 당사는 MEMS 기술을 기반으로 성장한 회사로써 MEMS 기술을 활용하여 프로브카드 및 각종 파운드리 제품을 생산하고 있습니다. 마이크로투나노의 제품에 대한 상세설명은 다음과 같습니다. (1) 낸드플래시용 프로브카드 당사의 낸드플래시용 프로브카드는 고기능의 정렬 정밀도와 신호품질을
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제공합니다.낸드플래시 칩의 면적은 좁아져 가는데, 면적 당 Chip 개수는 증가하는 추세에 대응하기 위한 MEMS 기술 기반의 독보적인 프로브 Tip의 형상과 소재개발기술, 박막기술 및 High Speed 회로 기반의 기술을 갖추었습니다. 1. 낸드플래시용 프로브카드.jpg (1) 낸드플래시용 프로브카드 (2) DRAM용 프로브카드 DRAM용 프로브카드에는 High-Performance 및 Fine Pitch와 고밀도를 필요로 합니다. 낸드플래시용 프로브카드 대비 고강도, 고전류, 미세한 Pitch대응 기술이 필요하며, 당사는 요구되는 프로브 제조기술과 초정밀 Align 기술을 갖추고 있습니다. 나아가 최근 DRAM용 WFBI 프로브카드 양산납품을 통해 프로브카드 생산, 납품 영역을 확대하고 있습니다.현재 DRAM EDS 시장은 해외 선두 1, 2위 업체들이 선점하고 있습니다. 이에 적극적인 영업활동을 토대로 당사는 DRAM용 EDS 프로브카드 시장 진출을 추진하고 있습니다. 당사가 목표하는 DRAM용 EDS 프로브카드 시장에 성공적으로 진입할 경우제품 다변화 및 급격한 매출 성장 이외에도 고객 다변화와 비메모리 반도체 테스트용프로브카드 사업 진출에도 유리한 위치를 차지할 것이며, 향후 Global 프로브카드 전문 업체로 성장하기 위한 초석을 다질 수 있을 것으로 예상됩니다. 2. dram용 프로브카드.jpg (2) DRAM용 프로브카드 (3) CIS용 프로브카드 당사의 CIS (CMOS Image Sensor) 웨이퍼 TEST용 프로브카드는 고성능의 TEST 속도를 자랑하며, 렌즈 모듈이 삽입되어 있고, 안정적인 전원을 공급할 수 있습니다. 당사는 전기적 신호 Loss의 최소화, 렌즈 Alignment의 정밀화 등 정확한 고주파 TEST를 위한 PCB 및 MLC 설계기술을 보유하고 있습니다. 3. cis용 프로브카드.jpg (3) CIS용 프로브카드 (4) 파운드리 제품 당사는 프로브카드 외에도 MEMS기술을 활용하여 다양한 제품을 생산하고 있습니다. 1) 압력센서 : 자동차 브레이크에 삽입되어 압력을 감지하는 센서 칩입니다. 높은 신뢰도와 정확도를 통하여 자동차의 ABS, ESC, TCS 시스템의 작동을 위해 압력을 감지합니다. 2) Microneedle : 한-이스라엘 공동기술개발 사업자로 선정된 후 NANOPASS Technologies Ltd.와 함께 개발 및 생산하고 있는 초미세 주사기탐침 입니다. 약물이 주입되는 Hole 사이즈가 60㎛로 통증 없이 효과적인 약물 투여가 가능합니다. 3) V-Groove : 각종 섬유의 정밀한 정렬을 위한 광섬유 Array기판 입니다. 축적된 MEMS기술을 통해 습득한 실리콘 Etching으로 경쟁력 있는 양산기술을 확보하고 있습니다. 나. 주요 제품 가격 변동 현황 주요 제품 등의 가격은 거래처별, 제품 사양별로 다양합니다. 거래처와의 비밀유지계약 및 중대한 영업 기밀사항임에 따라 세부적인 내역은 기재하지 않습니다. 반도체 기술 발전에 따라 프로브카드에 요구되는 사양이 올라가면서 신규 개발 제품의 단가가 상승하고 있으며, 재주문 제품의 경우 고객사와의 단가 인하 협의에 따라 단가가 소폭 하락하는 경향이 있습니다. 3. 원재료 및 생산설비 가. 매입현황 [원재료 매입현황] (단위: 천원) 유형 주요자재 구분 2024년 (제25기) 2023년 (제24기) 2022년 (제23기) 원재료 PCB류, MLC류, 소자류 등 국내 수입 소계 부재료 케미칼류, Chip류 등 국내 수입 소계 총합계 국내 수입 소계 나. 원재료 가격변동 추이 (단위: 원) 품 목 2024년 (제25기) 2023년 (제24기) 2022년 (제23기) 국내 수입 Bare MLC 국내 수입 기구물 국내 수입 주1) 가격 산출 기준 : 품목별 구매 총액을 구매 수량으로 나누어 평균 품목별 단가를 산정하였습니다.주2) 가격 변동 원인 : 특정 사업 기간 동안 주로 생산되는 제품의 구성에 따라 원재료의 가격이 변동될 수 있습니다. 다. 주요 매입처 주요 원재료 품목별 매입 비중 및 매입 업체는 영업기밀에
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해당되므로 기재하는 것이 부적합하다고 판단되어 생략하였으며 당사와 특수한 관계에 있는 주요 매입처는 없습니다. 라. 생산능력 및 생산실적 [생산능력 및 생산실적] (단위 : ea) 제품품목명 구분 2024년 (제25기) 2023년 (제24기) 2022년 (제23기) 수량 수량 수량 생산능력 생산실적 가동율 기말재고 주1) 당사의 제품은 고객의 요구에 따라 맞춤 제작되며, 각 품목의 특성에 따라 그 사양이 다를 수 있습니다. 결과적으로, 생산 능력은 특정 사업 기간 동안 주로 생산되는 제품의 구성 및 설계 방법과 같은 요소에 따라 변동될 수 있습니다. 따라서 이러한 변수로 인해 생산 능력을 정량화하는 것에 어려움이 있습니다.주2) 본 보고서에 기재된 생산능력은 핵심장비인 본딩 설비의 생산량을 기준으로 연도별 제품당 평균핀수 35,000핀으로 생산 수량 산출하였습니다.※ 생산능력 : 본딩장비당 1일 생산량 x 본딩장비수 x 25일/월 x 12개월/년 마. 생산 및 설비 (단위: 천원) 공장별 자산별 소재지 당기말 취득가액 상각누계액 장부가액 용인 토지 용인시 건물 용인시 구축물 용인시 기계장치 용인시 시설장치 용인시 공기구비품 용인시 건설중인자산 용인시 합계 차입금과 관련하여 담보로 제공한 당사 소유의 유형자산은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 담보제공자산 장부가액 채권최고액 근저당권자 토지 및 건물 산업은행 기계장치 4. 매출 및 수주상황 가. 매출 실적 (단위: 천원) 매출유형 품목 2024년도 (제25기) 2023년도 (제24기) 2022년도 (제23기) 금액 금액 금액 제품 프로브카드 수출 내수 소계 파운드리 수출 내수 소계 상품 등의기타매출 수출 내수 소계 합계 수출 내수 소계 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 나. 판매조직 당사의 판매조직은 국내 및 해외로 구분되며, 영업팀에서 통합적으로 마케팅 및 영업 관리를 수행하고 있습니다. 또한, 국내 및 해외 프로브카드의 고객 서비스를 담당하는 FA팀과 CS팀이 판매 및 마케팅 활동에 필요한 업무를 지원하고 있습니다. 당사 제품은 MEMS 기술, 회로 기술, 물리적 거동 제어 기술 등이 결합된 고난이도의 기술을 요구하는 제품으로, 대부분의 영업 활동이 B2B 마케팅을 통한 기술 미팅으로 이루어집니다. 이에 따라, 기술 영업을 효과적으로 전개하기 위해 해당 제품의 FA팀 담당자들이 기술 지원을 수행하고 있습니다. 구분 인원 담당업무 영업팀 - 국내/해외 고객 영업관리 및 마케팅/전시회 참가주관 - 고객서비스 업무 FA팀 - 제품 Solution 및 기술 Meeting 지원 CS팀 - 제품 A/S 관련 업무 지원 (본사, 고객사 현장 대응) (1) 영업팀 당사 영업팀은 국내외 메모리 및 비메모리 프로브카드 시장을 대상으로 영업, 마케팅, 판매, 수주, 발주, 고객 대응, 납품 등의 업무를 수행하고 있습니다. 신속한 의사결정과 효과적인 고객 대응을 위해 국내 시장에서는 영업본부 조직으로 운영되며, 해외 시장에서는 협력 파트너와의 긴밀한 협업을 통해 시장을 확대해 나가고 있습니다. 또한, 신규 고객 및 시장을 개척하기 위해 기술 동향을 면밀히 분석하고, 다양한 기술 미팅 및 관련 전시회에 참가하여 업계 변화를 적극적으로 파악하고 있습니다. 특히, 고객사의 Needs와 경쟁사의 기술 추이를 종합적으로 분석하여 핵심 기술을 효과적으로 개발할 수 있도록 지원하고 있습니다. 해외 시장의 경우, 현지 협력 파트너와의 협업을 통해 시장 점유율을 확대하고 있으며, 주기적인 컨퍼런스 콜 및 기술 지원을 통해 실시간 정보 공유 및 A/S 대응 체계를 구축하고 있습니다. 이를 통해 글로벌 시장에서도 신속하고 효과적인 영업 활동을 전개하고 있습니다. (2) FA팀 당사 Field Application Team은 국내, 해외 Site에서 발생하는 긴급대응 상황을 신속하게 기술적인 지원이나 고객과의 미팅을 통하여 Total
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Solution을 제공하는 고객서비스 팀입니다. 뿐만 아니라 당사 제품의 사용 조건이나 사용 환경 등을 파악하고 고객에게 해당 Solution을 제공하여 가장 효율적으로 제품을 사용할 수 있도록 기술 지원을 함으로써 고객만족을 극대화하는 업무를 하고 있습니다. 또한, 정기적인 품질 교류회를 통해 실시간 품질 상황을 확인하여 고객사가 당사 제품을 사용하는데 전혀 문제가 없도록 품질 향상을 위해 노력하고 있습니다. (3) CS팀 당사 Customer Satisfaction Team은 고객사 Line 내에 Repair Shop을 구축하여 운영하고 있으며, 실시간으로 수리가 필요한 제품을 현장에서 365일 24시간 언제나 신속 대응할 수 있도록 고객 서비스를 제공하고 있습니다. 뿐만 아니라 고객의 소리를 현장에서 바로 청취가 가능하여 고객의 Needs를 빠르게 파악할 수 있고 출하된 제품들의 기록 관리도 공유하여 고객사에서 수리 요청 시 빠르게 대응할 수 있는 관리 시스템을 갖추고 있습니다. 다. 판매경로 (기준일 : 2024년 12월 31일 ) (단위: 천원) 매출유형 품목 구분 판매경로 판매경로별매출액 판매경로별매출비중(%) 제품 프로브카드 수출 내수 직판 파운드리 수출 내수 직판 상품 등의기타매출 수출 내수 직판 합계 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 라. 주요 매출처 (단위: 천원) 매출유형 품목 매출처 2024년도(제25기) 2023년도(제24기) 2022년도(제23기) 제품 프로브카드 수출 내수 SK하이닉스 등 소계 파운드리 수출 내수 SK하이닉스 외 대양전기공업㈜ 외 소계 상품 등의 기타매출 수출 내수 기타 소계 합계 수출 내수 주1) 프로브카드의 경우, 낸드플래시, DRAM, 4Pin, Rework 등을 포함하고 있습니다. 주2) 파운드리의 경우, V-Groove, MicroNeedle 등을 포함하고 있습니다. 마. 판매전략 (1) 국내 당사의 주 제품인 프로브카드는 고유 MEMS Application 응용 기술이 적용된 제품으로 Fab을 보유하고 있는 업체가 상당히 유리합니다. MEMS 기술은 빠르게 변화하는반도체 산업에서 고객사 Needs에 부합하는 제품을 제공하기 위해서는 반드시 필요한 기술입니다. 따라서 Fab을 보유하고 프로브카드 제조 기술을 가지고 있는 것만으로도 고객사에게MEMS 기술력을 보유한 회사로서 신뢰를 줄 수 있습니다. 이런 장점들을 국내외 각종 반도체 전시회 발표 등을 통해 당사의 제품과 기술력을 선보이고, 신규 거래처를 추가 확보하는 좋은 계기가 되고 있습니다. 당사의 주요 마케팅 전략은 다음과 같습니다. 1) 국내외 반도체 전시회 참가 및 참관 반도체 관련 장비 및 기술 등 전체적인 동향을 파악할 수 있으며, 제품 개발에 도입할신기술 현황 등을 빠르게 접할 수 있습니다. 뿐만 아니라 자사 주요 제품의 홍보와 새로운 고객사를 확보하고 기존 고객과의 관계를 강화해나가고 있습니다. 2) 반도체 관련 학술회 참관 선행 연구 및 산업 동향을 파악하고, 기술 발전을 위한 정보를 수집하기 위해 반도체 관련 학술회 참관 활동을 하고 있습니다. 관련 커뮤니티에 참여하여 다른 연구자 및 기술 전문가들과의 네트워킹을 적극적으로 추구하며, 자사의 기술 및 제품 소개를 통한 홍보 기회를 만들고 있습니다. 3) 주요 제품 상세 Spec 및 소개 홈페이지를 통해 제품의 상세 스펙 및 소개를 제공합니다. 고객과의 상호작용을 위해게시판 등을 운영하여 고객 만족도 향상을 추구하고 있습니다. 고객들에게 자사의 기술 및 제품에 대한 인식과 이해도를 높이고, 새로운 고객 확보와 기존 고객 관계를 강화해 나가고 있습니다. (2) 해외 해외 시장은 아직 초기 단계로 매출을 늘리고 Market Share를 확보하고 있는 단계에있습니다. 현재 고객사의 요구에 적기 대응하고자 해외 판매 부문에 대해서는 협력 파트너사인 중국의 Mingzhen사와 협업하고 있으며,
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Mingzhen사는 현지 주요 고객사 영업 및 신규 고객사를 발굴 중에 있습니다. 해외 주요 마케팅 전략은 다음과 같습니다. 1) 협력 파트너인 중국의 Mingzhen사와 비즈니스 파트너쉽 형성 현재 해외 시장은 중국시장을 중점으로 진입 및 확장하고 있는 상황입니다. 중국 현지 업체인 Mingzhen사의 기존 거래처 네트워크를 활용하여 자사 제품을 홍보하고 고객사를 점차 확장하고 있습니다. 2) 제품 현지화 이미지를 통한 고객사와의 친밀감 형성 현지 업체를 활용한 만큼 고객사의 요구에 맞는 제품의 현지화 부분도 고려하여 효율적으로 대응하고 있습니다. 3) 적극적인 초기 개발 제품 진입 새로운 시장을 확대하기 위해서는 신규 제품들이 많이 개발되어 있어야 기회가 주어집니다. 따라서 신규 제품들을 적극 검토 및 개발하여 시장 공략을 진행 중에 있습니다. 바. 수주현황 당사의 주 고객사인 SK하이닉스에서는 매 분기별 필요한 프로브카드를 2~3개월 전에 구매요청서를 작성하여 공급 업체를 선정 후 발주를 진행합니다. 또한 해외 고객사에서도 일반적으로 프로브카드 필요 시점 2개월 전에 발주를 진행합니다. 당사 프로브카드 평균 납기는 6주 가량 소요되고, 발주수량을 일괄 또는 분할하여 공급하고 있습니다. 당사의 상세한 수주현황은 고객사 영업과 관련된 기밀 등의 비공개 정보를 가지고 있다고 판단되어 고객사 영업에 손실 초래를 방지하기 위해 내용상 기재를 생략합니다.단, 추후 공시 및 언론 등을 통하여 해당 내용이 공개될 경우에는 그 내용을 상세하게기재하겠습니다. 5. 위험관리 및 파생거래 당사의 위험관리는 당사의 재무적 성과에 영향을 미치는 잠재적 위험을 식별하여 당사가 허용가능한 수준으로 감소, 제거 및 회피하는 것을 그 목적으로 하고 있습니다. 당사는 전사적인 수준의 위험관리 정책 및 절차를 마련하여 운영하고 있으며, 당사의재무부문에서 위험관리에 대한 총괄책임을 담당하고 있습니다. 당사의 전반적인 금융위험 관리 전략은 전기와 동일합니다. 가. 신용위험관리 당사는 금융상품의 당사자 중 일방이 의무를 이행하지 않아 상대방에게 재무손실을 입힐 신용위험에 노출되어 있습니다. 당사의 경영진은 신용위험을 관리하기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고 있으며, 금융자산의 신용보강을 위한 정책과 절차를 마련하여 운영하고 있습니다. 당사는 신규 거래처와 계약시 공개된 재무정보 등을 이용하여 거래처의 신용도를 평가하고 이를 근거로 신용거래한도를 결정하고 있으며, 담보 또는 지급보증을 제공받고 있습니다. 또한, 당사는 주기적으로 거래처의 신용도를 재평가하여 신용거래한도를 재검토하고 담보수준을 재조정하고 있으며, 회수가 지연되는 금융자산에 대하여는 분기 단위로 회수지연 현황 및 회수대책을 보고하고 있으며 지연사유에 따라 적절한 조치를 취하고 있습니다. 당기말 현재당사가 보유 중인 금융자산은 대손충당금이 설정된 채권을 제외하고는 특별한 연체 및 손상의 징후가 발견되지 않았습니다. 금융자산의 장부금액은 신용위험에 대한 최대 노출정도를 표시하고 있습니다. 보고기간말 현재 당사의 신용위험에 대한 최대 노출정도의 내역은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 당기말 전기말 현금및현금성자산 단기금융상품 매출채권 기타채권 합계 한편, 당사는 우리은행 등의 금융기관에 현금및현금성자산 및 단기금융상품 등을 예치하고 있으며, 신용등급이 우수한 금융기관과 거래하고 있으므로 금융기관으로부터의 신용위험은 제한적입니다. 나. 유동성위험관리 당사는 현금 등 금융자산을 인도하여 결제하는 금융부채에 관련된 의무를 충족하는 데 어려움을 겪게 될 유동성위험에 노출되어 있습니다. 당사의 경영진은 유동성위험을 관리하기 위하여 단기 및 중장기 자금관리계획을 수립하고 현금유출예산과 실제현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 당사의 경영진은 영업활동현금흐름과 금융자산의 현금유입으로 금융부채를 상환가능하다고 판단하고 있습니다. 한편, 당사는 필요할 경우 일시적으로 발생할 수 있는 유동성위험을 관리하기 위하여 ㈜산업은행 등과
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회전대출약정을 체결하고 있습니다. 보고기간말 현재 당사의 금융부채의 잔존계약만기에 따른 만기분석은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 장부금액 계약상 잔존계약만기 1년 미만 1년~3년 3년 초과 당기말 장기차입금 매입채무및기타채무 리스부채 전환사채 합계 전기말 단기차입금 장기차입금 매입채무및기타채무 리스부채 합계 다. 환위험관리 당사는 제품 수출 및 원재료 수입 거래와 관련하여 USD의 환율변동위험에 노출되어있습니다. 당사의 경영진은 내부적으로 원화 환율 변동에 대한 환위험을 수시로 측정하고, 대내적 환위험 관리를 하고 있습니다. 보고기간말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성자산의 장부금액은 다음과 같습니다. (단위: 원화 천원, USD) 구분 통화 당기말 전기말 외화금액 원화환산액 외화금액 원화환산액 현금및현금성자산 USD 매출채권 USD 매입채무 USD 보고기간중 외화에 대한 원화환율 10% 변동시 환율변동이 당기손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 당기 전기 10% 상승시 10% 하락시 10% 상승시 10% 하락시 USD 상기 민감도 분석은 보고기간말 현재 기능통화 이외의 외화로 표시된 화폐성 자산을 대상으로 하였습니다. 라.이자율위험관리 보고기간말 현재 당사가 보유하고 있는 이자부 금융상품의 장부금액은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 당기말 전기말 고정이자율 상각후원가측정금융자산(유동) 상각후원가측정금융자산(비유동) 합계 변동이자율 단기차입금 유동성장기부채 장기차입금 합계 당기말 현재 이자율이 100베이시스포인트 변동한다면, 자본과 손익은 증가 또는 감소하였을 것입니다. 이 분석은 환율과 같은 다른 변수는 변동하지 않는다고 가정하며전기말에도 동일한 방법으로 분석하였습니다. 구체적인 손익의 변동금액은 다음과 같습니다. (단위: 천원) 구분 100bp 상승 100bp 하락 당기말 전기말 마. 자본관리 당사의 자본관리목적은 건전한 자본구조를 유지하는 데 있습니다. 당사는 자본관리지표로 부채비율을 이용하고 있으며 이 비율은 총부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있으며 총부채 및 총자본은 재무제표의 공시된 금액을 기준으로 계산합니다. (단위: 천원) 구분 당기말 전기말 부채 (A) 자본 (B) 부채비율 (C=A/B) 바. 파생상품 등 거래현황 당사는 보고서 작성 기준일 현재 해당사항 없습니다. 6. 주요계약 및 연구개발활동 가. 경영상의 주요계약 계약상대 계약체결일 계약의 목적 및 주요내용 에스케이하이닉스(주) ((주)하이닉스반도체) 자재거래기본계약 - Probe Card 및 관련 제품 거래 자재거래기본계약 - Microneedle 및 관련 제품 거래 거래기본계약서 - Probe Card 및 관련 제품 중국 전역에 대한 판매업 대행 대양전기공업(주) 자재거래기본계약 - 압력센서 및 관련 제품 거래 주) 상기 계약 건들은 특별한 계약종료 의사표시가 없을 시 1년씩 자동연장되는 구조입니다. 나. 연구개발 조직 나. 연구개발 조직도.jpg 나. 연구개발 조직도 당사는 기업 부설연구소가 회사의 모든 R 담당하고 있으며, 개발한 제품의 조기 양산을 위해 제조 및 제조 기술 본부의 기술 인력과 유기적인 협력 관계를 통해 양산 제품의 품질 안정화를 조직의 제 1 목표로 설정하고 있습니다. 신규 Probe Card 개발과 기술경쟁력 강화를 위해 연구인력 충원 중에 있으며, 향후 연구소의 이전 등을 통해 경쟁력 있는 개발 인력 확보를 최우선 과제로 설정하고 있습니다. 다. 연구개발 비용 (단위: 천원) 구분 2024년(제25기) 2023년(제24기) 2022년(제23기) 연구개발비용 총계 (정부보조금) 연구개발비용 계 회계처리 개발비 자산화 연구개발비(비용) 연구개발비 / 매출액 비율 [연구개발비용계÷당기매출액×100] 주) 당사는 K-IFRS Conversion에 따라 2020년 1월 1일을 전환일로 하여 자산 처리 된 비용을 전액 비용 처리로 하였으며, 개발비를 자산으로 인식하지 않습니다. 라. 연구활동 (1) 연구개발 실적 번호 연구과제명 적용제품 성과 연구개발 기간 MLC 다층 박막
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기술을 이용한 낸드 프로브 카드 개발 낸드플래시용 프로브 카드 다 Para NAND 제품화, 회사 주요 매출 제품 64Para CMPS 이미지 센서용 프로브 카드 개발 CIS용 프로브 카드 개발 개발 완료 및 시장 진입 단계 높이 800um 마이크로니들 개발 피부 주사기용 마이크로니들 2023년 양산 시작 예정 고신뢰성 DRAM WFBI 프로브 카드 2021년부터 제품 판매 (2) 정부과제 실적 (단위: 원) 연구과제명 주관부서 연구기간 정부출연금 관련제품 메모리 MEMS 프로브 카드를 위한 고전압 지원 PMIC 개발 산업통상자원부 MEMS 프로브 카드 전자직물 기반 스마트 스킨 소재 적용 기술 개발 산업통산자원부 전자직물 기반스마트 스킨 소재 5G RF Module용 Multi DUT 프로브카드 중소벤처기업부 SSD controller 프로브 카드 High Speed용 CIS 프로브카드 개발 중소벤처기업부 CIS용 프로브 카드 초속효형 인슐린 주사를 위한 750um 니들 개발 한이스라엘연구개발재단 마이크로니들 (3) 연구개발 계획 번호 연구과제 연구기관 기대효과 다층 프로브 개발 ㈜마이크로투나노 고전류 프로브로 신뢰성 및 수명 향상 신규 고강도 도금액 개발 ㈜마이크로투나노 최소 길이 프로브 개발, 다 Para DRAM 박막저항 양산 기술 ㈜마이크로투나노 High Para DRAM EDS 프로브 카드 개발 ㈜마이크로투나노 DRAM EDS 프로브 카드제품 승인 및 확산 개발 SSD controller 테스트 프로브 카드 개발 ㈜마이크로투나노 비메모리 용 신규 제품 개발 7. 기타 참고사항 가. 상표 관리정책 및 고객관리 정책 등이 사업에 미치는 중요한 영향 당사는 MEMS 프로브 카드 전문 제조 기업으로 "마이크로투나노"와 "MICRO2NANO" 상표를 상표권으로 등록하고 있습니다. 당사의 MEMS 프로브 카드는 특정된 고객사를 위한 제품으로 별도의 브랜드 이미지 광고는 필요하지 않습니다. 경쟁사 보다우수한 기술력과 품질을 바탕으로 고객사에 제품을 공급하고 있으며, 고객사의 사소한 니즈까지 파악하고 이를 제품에 접목시켜 고객사의 품질향상을 위해 적극 노력하고 있습니다. 당사 브랜드 가치 향상을 위해 기술, 품질, 가격 경쟁력 확보를 최우선 과제로 하고 있으며 정부 주관 국책사업 및 국내외 세미나에 적극적으로 참여하고 있습니다. 향후당사는 고객만족 경영활동을 확고히 하고 글로벌 경쟁력을 더욱 향상시켜 치열해지는 해외(중국)시장에서 우위를 확보하기 위해 전력을 다 할 계획 입니다. 나. 지식재산권 현황 보고서 제출일 현재 당사는 국내외 총 41건(등록 36건, 출원 1건, 해외 4건) 의 지적재산권을 보유하고 있으며, 아래는 주요 특허에 대한 요약과 세부 목록입니다. 당사가 보유한 지적재산권은 다음과 같습니다. 번호 구분 내용 권리자 등록번호 출원일 등록일 적용제품 출원국 특허권 프로브, 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 ㈜세크론 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조물 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 팁의 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드에 사용되는 프로브 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 평탄 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조물과 형성 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드의 니들 팁 형성 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 인터페이스 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 인터페이스 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 인터페이스 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권
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프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 및 제조방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 발광 소자 패키징 방법 ㈜마이크로투나노 LED 패키징 한국 특허권 프로브 핀 및 그의 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 테스트 소켓 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 ㈜마이크로투나노 LED 패키징 한국 특허권 마이크로니들 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 마이크로니들 한국 특허권 프로브 카드 및 그 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 인터포저 유닛 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 카드 구조 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 구조 및 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 한국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 미국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 중국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 미국 특허권 프로브 제조 방법 ㈜마이크로투나노 프로브카드 미국 다. 사업영위에 중요한 영향을 미치는 법규 및 규제사항 당사의 사업과 관련하여 영향을 미치는 인허가사항과 관련 법령은 아래와 같습니다. 인허가 관련법령 전기(수전용량 1000kw이상) 전기안전관리법 대기배출시설 설치허가(5종) 대기환경보전법 폐수배출시설 설치신고(5종) 물환경보전법 지정폐기물 처리 허가 폐기물 관리법 저수조 취급 관리 수도법 소방시설 및 관리 허가 소방시설법 가스(N2, 가스캐비넷) 인허가 고압가스안전관리법 유해화학물질 설치검사 허가 화학물질관리법 사업장 작업환경측정 산업안전보건법 사업장 안전관리/보건관리 산업안전보건법 사업장 위험물 취급 허가 위험물관리법 기업부설연구소 운영 허가 연구실 안전환경 조성법 산업단지 공장설립 허가 산업집적활성화 및 공장설립법 사업장 방역 관리 감염병 예방 및 관리법 라. 사업영위와 관련하여 환경물질의 매출 또는 환경보호와 관련 규제 준수 여부 및 환경개선설비에 대한 자본지출 계획 보고서 제출일 현재 확정된 투자계획은 없으나, 강화되는 환경 기준 충족 및 환경경영시스템의 강화를 위해 지속적인 개선을 추진할 예정입니다. 마. 시장여건 및 영업의 개황 (1) 시장의 특성 (가) 프로브카드 시장의 특성 프로브카드는 반도체 제조과정에서 양품과 불량품을 구분하기 위해 사용되는 wafer 테스트 시스템의 부품입니다. 이 장비는 반도체 장비에 속하지만, 반도체 제품의 종류가 변경될 때마다 새로운 제품으로 교체해야 하므로 소모품적인 성격을 갖고 있습니다. 프로브카드 제조사는 고객사의 신규 제품 정보를 기반으로 제품을 제작하며, 매번 고객사의 평가를 거친 후 발주가 진행됩니다. 따라서 프로브카드는 철저한 주문형 제품이라 할 수 있습니다. 또한 사용 기간은 보통 1-3년 정도로 짧으며, 이로 인해 지속적인 수요가 존재합니다.반도체 테스트 사업은 단순히 양품 및 불량품 선별에 국한되는 것이 아니라 테스트 과정을 통해 확보된 데이터를 기반으로 수율 분석이나 불량 원인 분석에 대해 Feedback을 실시하고, 이를 기반으로 수율 개선이나 양산 리스크를 최소화하여 제품의 안정성을 도모할 수 있게 됩니다. 반도체 소자는 점점 더 복잡해지고 작아지면서 기능 또한 다양해지고 있습니다. 이에따라 반도체 생산 공정에서의 불량 여부를
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판정하기 위한 검사시스템도 제조 기술에 비례하여 빠른 발전이 요구되고 있습니다. 이러한 검사시스템의 핵심 소모품인 프로브카드의 개발의 중요도는 상당히 높습니다. 프로브카드는 반도체 종류와 무관하게 웨이퍼 테스트 공정에서 필수적으로 소요되는부품입니다. 2007년 이전에는 프로브카드에 사용되는 프로브 핀의 수가 적어, 수작업으로 제작되는 Cantilever 타입이 일반적이었습니다. 그러나 웨이퍼 크기가 확대되고 칩이 더 작아지면서 수작업 형태의 제품은 생산성의 한계에 직면했습니다. 고객사의 생산성 향상을 위해 웨이퍼 칩의 패드가 여러 열로 구성된 웨이퍼가 등장하면서, MEMS 기술을 이용한 Si로 가이드해주는 Vertical 타입의 프로브카드가 개발되었습니다. 최근에는 반도체 기술력이 더욱 발전하면서 패드 간격이 더욱 좁은 Wafer가 등장하면서, MEMS 타입의 프로브카드가 개발되어 Si 대신 MLC상에 직접 본딩하여 가이드의 공간을 줄이는 형태로 제작되고 있습니다. MEMS 타입의 프로브카드는 신제품에 대한 경쟁력을 강화하였고 동시에 프로브카드 시장의 성장에 큰 영향을 미쳤습니다. 프로브카드 시장은 전체 반도체 시장 성장률에 비해 높은 성장률을 보이고 있습니다.이는 반도체 제조사들이 원가 절감과 초격차 유지를 위해 새로운 제품을 출시하면서 새로운 수요가 발생하기 때문입니다. 또한 반도체 시장 활황기에는 Device change를통한 신제품 출시와 생산량 증가로 인해 프로브카드 시장도 크게 성장하는 경향이 있습니다. 프로브카드 사업은 기존 고객사와의 관계, 기술력, 투자력, 높은 품질 등으로 인해 매우 높은 진입장벽을 갖고 있기 때문에 신생 업체들이 진입하기 어렵습니다. 현재는 기존 업체들이 다양한 반도체 제품의 고객 수요를 충족하면서 과점 형태의 시장 점유율을 형성하고 있으며, 기존 업체들 간의 치열한 경쟁이 이루어지고 있습니다. 또한 고객사의 반도체 기술도 빠르게 진보하고 있기 때문에 프로브카드 제조업체들도 고객사의 요구에 부합하는 기술력과 기술 개발 능력을 갖추어야 합니다. 이에 따라 프로브카드 제조업체들은 지속적인 기술력 향상과 투자가 필요하지만, 높은 진입장벽이 존재하여 안정적으로 사업을 영위할 수 있다는 장점도 있습니다. 현재 프로브카드 시장은 성장기와 안정기를 반복하며 지속적으로 성장하고 있습니 다. 또한 New Tech 기술이 접목될수록 판매 가격도 상승하고 있어 기술 경쟁력을 갖출수록 많은 잠재 시장에서 기존 시장 점유율이 높은 업체들과 경쟁이 가능한 상황입니다. 또한, 삼성전자와 SK하이닉스 모두 해외 공급사들에 대한 공급 안정성 확보의 지속적 문제로 국내 Player들의 시장 확대를 유도하고 있어, 공격적 기술 개발 투자로 선행 기술을 확보하고 있는 당사나 타 경쟁 업체들에게는 좋은 기회가 되고 있습니다. 이러한 경향으로 인해 국내 제조업체들은 선도적인 기술 개발을 통해 경쟁력을 확보하고, 시장 확대에 앞장서는 등 적극적으로 시장에 진출하고 있습니다. [Supply Chain에서 주요 고객사 및 기술제품에 대한 요구사항] 구분 내용 주요 고객사 (MEMS 프로브 카드) 1. 국내 : 삼성전자(주), SK하이닉스(주) 2. 국외 : 마이크론(미국), 인텔(미국), 키옥시아(일본), YMTC(중국) 등 제품의 주요 요구 사항 (국내) 1. 기술적 측면의 요구사항 1) 프로브카드의 대면적화(High parallelism), 고집적화(High pin count, fine pitch)에 따른 기계적 특성 향상 요구 2) 반도체 테스트 환경 변화에 따른 전기적 특성 향상 요구 - IR drop, FPGA를 통한 제어, ASIC 실장 - 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 기술적 요구 - 정밀 Alignment, 프로브 선단 cleaning solution 품질 및 신뢰성 향상 2. 고객 대응 측면 1) 반도체 개발 cycle 축소에 따른 프로브카드 개발 시간 축소 및 제품 납기 축소 2) 반도체 제조 특성 상 Down time을 줄일 수 있는 빠른 수리 대응 (Repair TAT) 3) 고객사 관련
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부서와의 실시간 communication 고객사의 수입 대체 효과를 위해 DRAM 및 High tech 제품 시장 진입 요구 동반성장을 위한 기업 경쟁력 강화 MEMS 프로브카드의 주요 고객사로는 국내의 경우 삼성전자와 SK 하이닉스가 있으며, 국외 기업은 마이크론(미국), 인텔(미국), 키옥시아(일본), YMTC(중국) 등을 들 수 있습니다. 중국의 경우, 신생 반도체 업체들의 메모리, 비메모리 관련 제품 개발과생산 투자가 활발하게 이루어지고 있어 향후 급격한 시장 성장이 예상되는 국가입니다. 반도체의 고 집적화와 맞물려 MEMS 프로브카드의 주요 기술 요구 사항은 1 Touch Down으로 웨이퍼 내에 있는 모든 칩을 검사할 수 있는 대면적, 다 Para 대응 기술(High parallelism), 웨이퍼 패드 간격이 줄어드는 Trend에 대응하기 위한 미세 pitch 대응 기술, 테스트 기술의 고도화에 따른 전체적인 프로브 핀 수 증가에 따른 대응 기술등입니다. 대면적, 다 Para 대응 기술 관련하여 필수적으로 테스터의 Resource를 확장하여 신호를 주고 받을 수 있는 병렬 테스트 기술이 필요하게 되는데, 이를 위해서는 프로브카드에 ASIC 형태의 다수의 스위치 배치와 이를 제어하기 위한 구동 제어 기술과 회로 설계 기술 확보가 필수적입니다. 미세 pitch 대응 기술에서는 공간상의 제약을 극복하기 위해 프로브 설계 및 제작 기술이 중요합니다. 이를 위해 핵심적인 기술 중 하나는 프로브 소재 기술로, 프로브 길이를 짧게 유지하면서도 변형과 같은 신뢰성 문제를 방지할 수 있는 소재가 필요합니다. 프로브 소재 기술은 프로브카드 제조사들 간에 차별화되는 핵심 기술입니다. 최근에는 고 항복강도를 가지는 신 물질 합금 도금 소재가 개발되고 있습니다. 또한 미세 pitch 관련하여 물리적으로는 align 정밀도가 중요한 기술 항목입니다. 프로브 pitch와 웨이퍼 패드의 크기 감소로 프로브의 Align 스펙은 지속적으로 강화되고 있습니다. 이 Align의 최종 상태는 프로브카드의 제조 시 본딩 위치 정밀도 뿐만 아니라, 실제 테스트 온도에서의 프로브카드의 수축 팽창에 영향을 받게 됩니다. 따라서 고도로 정밀한 Align 기술을 확보하기 위해서는 정밀한 프로브 본딩 기술, 프로브카드의 수축 팽창에 영향을 주는 소재의 CTE(Co-efficient of Thermal Expansion) 제어 기술 등이 필요하게 됩니다. 이러한 기술들을 통해, 미세한 pitch에서도 고품질의 align 성능을 달성할 수 있습니다. 최근에는 테스트 속도 증가에 따라 신호 전달 무결점 기술(Signal Integrity), Power 무결성 기술(Power Integrity) 등이 중요 기술로 부각되고 있습니다. 특히 DRAM 같이 테스트 스피드가 상대적으로 높고, 병렬 테스트를 위한 신호 확장이 많은 분야에서 요구되고 있는 기술입니다. 현재 비메모리 분야에서는 병렬 테스트를 진행하고 있지 않지만, 테스트 스피드가 1GHz 이상으로 메모리 테스트에 비해 훨씬 빠른 신호를 이용해 테스트를 진행하므로 이러한 신호 무결점 기술은 핵심 기술로 요구되고 있습니다. 이 밖에도 고객사 테스트 환경 자동화에 따른 정밀 Auto Alignment, In-line 프로브 선단 cleaning solution 등의 기술이 필요하며, 프로브카드의 신뢰성 평가 지표인 MWBF(Mean Wafer between Failure)에서 높은 값을 가지는 프로브카드의 신뢰성 기술 등을 요구하고 있습니다. 기술 측면 뿐 아니라 프로브카드 제조사는 반도체 개발 cycle 축소에 따른 프로브카드 개발 시간 축소 및 제품 납기 축소를 지속적으로 요청받고 있으며, 반도체 제조 특성 상 Down time을 줄일 수 있는 빠른 수리 대응 (Repair TAT.) 고객사 관련 부서와의 실시간 communication을 할 수 있는 기술 대응 체계가 필수적인 분야입니다. 이러한 시장 상황과 수요자의 요구 사항에서 프로브카드 시장의 성장, 저해, 기회 요인을 분석한 결과는 다음과
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같습니다. [프로브카드 시장의 성장, 저해, 기회 요인 분석] 구 분 내 용 성장 요인 반도체 Tech전환 사이클에 의한 프로브카드 수요 증가 이외에도 전방위 산업의 필수 부품으로 자리 잡으며 전체 생산량이 증가하고 있음 반도체가 고집적화 될수록 테스트 시 발열 등의 기술적 문제 이외에도 테스트 시간이 증가하여 테스트 시스템 (프로브카드)의 지속적 투자가 증가하고 있음. 저해 요인 시장 성장에 따른 기존 Player들의 시장 확대를 위한 경쟁이 치열하여 프로브카드 판매 가격의 하락 요인으로 작용 Global 고객사들의 SCM 정책의 단순화로 메모리, 비메모리를 모두 공급하는 Player들로 전체 supply chain이 변경될 수 있음. 제품 특성 상, 고객사 Tech 전환 속도 보다 앞서 기술개발이 이루어 져야 하나 보안상의 문제로 후행 하는 성격이 있어 매번 개발 시 프로브카드 제조사의 개발 Risk가 존재 기회 요인 외교적 무역 마찰로 인해 국내 반도체 제조사들이 프로브카드의 국산화를 추진하고 있어 기존 해외사들이 독점하고 있는 High-end 제품 (DRAM, AP, HBM) 테스트에 필요한 고부가가치 프로브카드에 대한 시장 진입 장벽이 낮아짐 해외 반도체 업체들의 국내 프로브카드 업체들에 대한 관심도가 증가 (높은 성능 대비 낮은 판매 가격) (나) Supply Chain에서 주요 공급자 및 공급자의 주요 경쟁능력 국내 반도체 시장의 MEMS 프로브카드의 주요 공급자는 크게 국내 업체와 해외 업체로 분류할 수 있습니다. 국내의 경우는 삼성전자에 MEMS 프로브카드를 공급하는코리아인스트루먼트, 피엠티와 SK하이닉스에 동 제품을 공급하는 당사 이 외에 티에스이, AMST, 솔브레인에스엘디가 있습니다. 주요 해외 업체로는 FormFactor(미국), MJC(일본)가 있습니다. 이 시장에서 경쟁 우위 요소는 기술력, 품질, 납기, 고객 대응 능력, 단가 등이며, 제품의 기술력과 품질 안정성, 즉 신뢰성이 가장 중요한 요소입니다. DRAM 제품의 경우 상대적으로 제품 난이도가 높아 해외 선진 업체들이 대부분의 시장 점유율을 가지고 있으며, 낸드플래시 제품의 경우 상대적으로 난이도가 낮아 국내 업체들이 100% 시장을 점유하고 있습니다. (2) 시장 규모 및 전망 (가) 반도체 산업 시장 규모 및 전망 수요 위축으로 부진하였던 전 세계 반도체 시장은 2025년에도 회복세로 유지할 것으로 전망하고 있습니다. 가트너, 옴디아를 비롯한 복수의 글로벌 시장조사기관들이 AI반도체 시장 확대로 전년 대비 두자릿수 이상의 시장회복이 이뤄질 것으로 예측하고 있습니다. (나) 프로브카드 시장 규모 및 전망 프로브카드는 주요 반도체 재료인 웨이퍼의 검사 기능을 수행하므로, 반도체 산업 및전자기기 및 시스템 산업의 동향에 영향을 받습니다. 특히, 웨이퍼 생산에 사용되며 메모리 반도체 산업의 경기 변동에 직접적인 영향을 받습니다. 반도체의 최종 수요처인 전자제품의 성능 및 기능의 다양화 및 태블릿PC, 스마트폰 등 신규 어플리케이션 시장의 확대 등으로 장기적으로 전방산업이 꾸준히 성장할 것으로 예측됨에 따라 프로브카드의 수요도 지속적으로 증가할 것으로 예상됩니다. 프로브카드 시장은 제조 방식별로 시장이 형성되어 있으며 수요처인 반도체 제조사의 생산 품목에 따라 구분되기도 합니다. 주요 시장 조사기관에 따르면 프로브카드 시장은 2028년까지 연평균 7.2% 성장이 예상되고 있습니다. [프로브카드 TYPE별 특성 및 차이] 구 분 특성 및 차이 비 고 MEMS - Wafer Chip Pad가 1열인 메모리제품에 多Para급 제품 제작이 가능함 - MEMS 공정으로 여러 Design이 가능하여 요구 Spec에 빠르게 Pin 제작 가능함 - 자동화 방식으로 대면적 제품도 정밀하게 제작 가능하며 Repair도 용이함 Vertical - Wafer Chip단위의 Pad가 1열이 아닌 多열로 구성된 제품에 사용함 - 스프링 기능의 Probe Pin을 사용하여 Pin을 고정해주는 Guide 구조물에 Probe Pin을 삽입하여 제작하는 방식임 -
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Pad에 Scrub발생이 아닌 수직 Contact Concept Type을 적용함 비메모리 - 바늘모양의 Probe Pin Type으로 접착제로 고정하여 제작함 - 多 Para급 제작이 어렵고 수작업으로 인해 정밀도나 기술적 한계가 있음 Wafer의 Chip수가 점차 증가하고 있으며, 이에 따라 비용을 최소화하기 위해 Wafer를 한번에 TEST 하기 위한 대면적 프로브카드를 필요로 하고 있어, 메모리 제품에서는 MEMS 프로브카드를 선호하고 있습니다. 한편, SSD Controller용과 같은 특정 비메모리 제품에서는 Wafer Pad가 多열로 구성되어 있어 이를 구현하기 위해 多열로 Tip을 수직으로 배치 가능한 Vertical Type 제품으로 대응이 필요합니다. (다) 기술제품의 시장규제 최근 반도체 시장 규제의 화두는 크게 전 세계 공급망의 변화에 따른 무역 환경의 변화와 기업의 ESG(Environmental, Social and corporate Governance) 경영 요구 증가에 따른 변화입니다. 무역 환경 변화는 미중 무역마찰, 일본 수출 규제, 우크라이나사태 등과 같이 강대국들이 패권 장악을 위해 무역을 통제하면서 전 세계 공급망의 차질이 발생하였습니다. 반도체와 같이 국제적 역할 분담이 오랜 기간 유지되어 온 산업 분야에 타격이 불가피합니다. 프로브카드는 아직 포토리소그래피용 EUV (Extreme Ultraviolet) 공정 장비, 식각용 Etcher 등과 같은 반도체 전공정 장비처럼 무역 규제 품목에 포함되지 않지만, 상대적으로 기술적 난이도가 전공정 장비보다 낮아 자국 기업들로부터 공급받으려는 성향이 뚜렷하게 나타납니다. 국내 시장도 일본 무역 규제 이후 정부 및 삼성전자, SK하이닉스 등과 같은 반도체 업체에서 관련 소재, 부품 및 장비 산업 육성에 지속적 투자가 증가하고 있고, 국내 관련 업체들의 기술 개발을 통해 해외 선진 회사들과 경쟁할 수 있는 시장 환경을 조성하고 있습니다. 이러한 시장 환경은 B2B 사업 특성상 고객과의 관계가 필수적인 국내 프로브카드 업체들에게는 해외 선진 회사들과 경쟁할 수 있는 좋은 기회 요인입니다. 당사는 1차적으로 낸드플래시용 프로브카드에서 시장의 위치를 공고히 하고 해외 선진 회사들이 독식하고 있는 DRAM용 프로브카드 시장에 진출하고자 활발한 기술 개발을 실시하였으며, 2021년부터 가시적인 성과가 나타나고 있습니다. 중국 수출의 경우 초기에 중국 정부나 반도체 업체들이 필요한 소재, 부품 및 장비에 대해 해외에 의존하겠지만 기술적 난이도가 낮은 순서로 중국 자국 업체들이 supply chain을 형성할 것으로 예측합니다. 이에 시장 진입 초기부터 직접 자사 브랜드로 시장 공략을 하지 않고 중국 local 업체와 합작하여 시장을 공략하는 전략을 사용하고 있습니다. ESG 경영은 대기업뿐만 아니라 당사와 같은 중소, 중견 기업들도 향후 반드시 실행해야 하는 사회적 요구로 당사는 2021년부터 ESG경영 선두 기업으로 발전해 가고 있는 SK하이닉스의 BP(Business Partner)사 프로그램인 'Growing Up Together' 프로그램에 선정되어 경영 환경을 개선하고 있습니다. 당사는 2021년부터 SK하이닉스의 SHE(Safety, Health, Environmental) 컨설팅을 받아 평가 및 개선 활동을 추진해왔습니다. 이 결과, '역량 향상' 부문에서 우수한 성과를 이루어 대상 및 개선 우수사례로 선정되었습니다. 또한, ISO 14001 인증을 획득하여 환경경영시스템을 구축하는 등 환경 보호에 적극적으로 노력해왔습니다. 당사는 이를 시작으로 더욱 적극적인 경영 개선 활동을 추진할 계획입니다. 이를 통해 기업의 사회적 책임을 강화하고, Global 프로브카드 공급사로서 더욱 발전하고 성장할 것입니다. 바. 경쟁 현황 (1) 경쟁 형태 프로브카드 제품의 특성상 기술적인 진입장벽으로 인하여 신규 업체의 시장 진입이 매우 까다롭고 어려운 시장입니다. 기존 시장을 선도하고 있는 주 거래업체들이 과점을 하고 있는 형태로 경쟁구도가 형성되어
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있습니다. 기 업체들의 신규 제품 품질과 New Tech 수준에 따라 매출 차이가 많이 발생하고 있으며, 기술 선도 업체의 기술력에 뒤처지지 않도록 치열한 기술 개발이 요구되고 있습니다. 앞으로도 시장의 주요 프로브카드 제조사가 전방 고객사에 제품을 공급하게 될 것으로 예상되며, 향후 당사는 꾸준한 기술력 향상과 제품 개발로 안정적인 매출을 지속적으로 유지할 계획입니다. (2) 진입장벽 낸드플래시용 프로브카드는 고객사에서 오랫동안 공급업체와 거래하면서 반도체 Tech의 발전 속도에 맞춰 기술력 확보와 지속적인 투자 능력이 뒷받침 되어야만 합니 다. SK하이닉스의 경우, 장기적인 면에서 낸드플래시용 프로브카드 발주금액을 고려하여 공급업체 3개사를 협력사로 상생하는 것을 기본방침으로 정하여 현재까지 당사를 포함한 3개사가 대응하고 있는 상황입니다. 기존 업체가 중대한 문제로 퇴출되지 않는 한 추가로 신규 업체가 진입하기는 어려운 상황이며, 향후 현 3개사로 대응이 부족하여 추가로 신규 업체 진입 시, 기존 기술력을 갖추고 있는 회사면 가능하나 초기 투자비용이 매우 높습니다. 또한 제품의 기술적 난이도가 높아 Qualification 받기가 쉽지 않고 검증 시간이 오래 걸려 투자에 대한 Risk가 존재합니다. (3) 경쟁업체 현황 (가) 기술(제품)별 주요 경쟁업체 기술(제품) 국내 시장 해외 시장 낸드플래시용 프로브 카드 티에스이(TSE), 에이엠에스티(AMST) 폼팩터(FFI), 일본전자재료(JEM), 티에스이(TSE) DRAM용 프로브 카드 폼팩터(FFI), 마이크로닉재팬 국내 자회사(MEK), 솔브레인에스엘디(SLD) 폼팩터(FFI), 마이크로닉재팬(MJC) 비메모리용 프로브 카드(CIS) 윌테크놀로지(Willtech) 폼팩터(FFI), 일본전자재료(JEM) (나) 주요 경쟁업체 현황 경쟁 업체 설립연도 매 출 처 기 술 현 황 티에스이 1995년 8월 31일 SK하이닉스 삼성전자 Micron YMTC - MEMS 공정 - 프로브 카드 제조 기술 - Test socket 제조 기술 에이엠에스티 1998년 11월 5일 SK하이닉스 - MEMS 공정 - 프로브 카드 제조 기술 폼팩터 1993년 4월 15일 SK하이닉스 삼성전자 Micron Intel외 기타 - MEMS 공정 - 프로브카드 제조 기술 MEK 2008년 10월 17일 삼성전자 SK하이닉스 - MEMS 공정 - 프로브 카드 제조 기술 (다) 기술(제품)별 경쟁업체 시장점유율 [2024년 SK하이닉스 프로브카드 시장 점유율] 기술(제품) 회사명 시장점유율(%) 낸드플래시용 프로브카드 에이엠에스티 당사 티에스이 DRAM용 프로브카드 폼팩터(미국) 솔브레인SLD MEK(일본) 당사 에이엠에스티 비메모리용 프로브 카드(CIS) 윌테크놀로지 주: SK 하이닉스에서 Probe Card 발주 시 확인된 매출 부분을 환산하여 점유율 작성 SK하이닉스의 낸드플래시용 프로브카드는 당사를 포함한 3개사 (TSE, AMST)가 공급하고 있으며, 각 사의 시장 점유율은 품질 평가를 통해 매 분기 변동하는데 당사는 높은 시장 점유율을 기록하고 있습니다. DRAM용 프로브카드의 경우는 기술적 난이도가 높은 EDS용 제품의 경우 해외 선진사인 Formfactor와 MEK(일본 마이크로닉스 재팬, MJC의 한국 자회사)가 대부분 공급하고 있습니다. 비메모리 제품 중 CIS용 프로브카드는 고객사 CIS 사업의 초기 단계로서 아직 시장이 크게 형성되지 않은 상태입니다. 향후 시장이 형성될 경우 Multi-vendor 전략에 따라 당사가 진입할 가능성이 높다고 판단하고 있습니다. (4) 비교우위 사항 프로브카드의 성능은 일차적으로 고객의 기술적 요구 수준을 충족하고 실제 고객사 생산 라인에서 얼마나 안정적으로 사용이 되는지가 중요한 지표입니다. 따라서 제품 자체의 각 기술 항목별 성능 보다는 전체적인 품질 성능이 전체 제품 성능을 대표합니다. SK하이닉스의 경우 경쟁사간 공정한 경쟁 유도를 위하여 프로브카드의 성능과 신뢰성을 대표하는 지수를 설정하고 정량화하여 매달 Scoring을 통해
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향후 구매 발주 시 반영하는 시스템을 채용하고 있습니다. 대표적인 성능지수는 프로브카드의 가동률, MWBF(Mean Wafer Between Failure), 프로브카드에 의한 Yield Loss, Signal Integrity/Power Integrity, Align 정밀도, Contact Balance 등이 있습니다. 당사는 수년간 SK하이닉스 낸드플래시용 프로브카드 제품에서 경쟁 3사 중 가장 우수한 품질 평가 점수를 부여받았으며, 이를 시장 점유율을 통해 검증 받고 있습니다. 이는 당사의 제품과 서비스가 고객의 요구를 충족시키고 있음을 증명하는 것입니다. 사. 공시대상 기간중 새로이 추진하였거나, 이사회 결의 등을 통하여 새로이 추진하기로 한 중요한 신규사업에 관한 사항 당사는 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다. 아. 기업인수목적회사의 합병추진 당사는 보고서 제출일 현재 해당사항이 없습니다.
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IV. 이사의 경영진단 및 분석의견 1. 예측정보에 대한 주의 사항 본 사업보고서에서 미래에 발생할 것으로 예상되어 기재되는 내용은 동 보고서의 작성시점 당시의 사건 및 재무성과에 대한 회사의 의견을 반영하는 것입니다.동 예측정보는 미래의 경영환경과 관련된 다양한 가정, 추측에 의거 가정이나 추측들이 본 의견서 작성시점에서의 합리적인 근거에 기초하였으나 향후 외부 환경, 회사 내부경영과 관련된 요인 및 기타 변수로 인하여 결과적으로 부정확한 것으로 판명될 수도 있습니다.당사는 동 보고서의 예측정보 작성시점 이후에 발생하는 위험 또는 불확실성을 반영하기 위해 예측정보에 기재한 사항을 수정하는 정정보고서를 공시할 의무는 없습니다.본 주의사항은 여기에 기재되는 모든 예측정보에 대하여 적용되며 보고서상에서 회사가 예상한 결과 또는 사항이 실현되거나 회사가 당초에 예상한 영향이 발생한다는 확신은 제공할 수 없습니다.동 보고서에 기재된 예측정보는 동 보고서 작성시점을 기준으로 작성한 것이며, 회사가 이러한 위험요인이나 예측정보를 정정하거나 갱신할 책임이 없음을 다시 한번 유의하시기 바랍니다. 2. 개요 ㈜마이크로투나노는 당사 MEMS기술을 활용, 낸드플래시용 프로브 카드 및 DRAM용 프로브 카드를 제작하고 있으며, 의료, 센서, 광통신 등 다양한 산업분야에 Microneedle, 압력센서, V-Groove 등 제품을 제작하여 공급하는 파운드리 사업을 영위하고 있습니다.특히 국내 종합반도체 기업인 SK하이닉스의 주요 비즈니스 파트너사(BP)로서 최근 HBM과 같은 AI용 고집적화된 반도체 생산에 두각을 보이는 고객사의 반도체 검사장치 수요에 대응하기 위해 연구개발 및 신규설비 투자를 진행하고 있으며 본격적인 DRAM프로브카드 시장 진출을 위해 연구개발 및 시설투자를 진행하고 있습니다.또한 당사 핵심경쟁력인 MEMS기술 활용, 프로브카드 외 다양한 파운드리 사업을 진행, 국내 및 해외 수요처에 제품 공급을 진행하고 있습니다.다음은 현재 당사의 주요 사업부문 및 주요 판매 제품 현황 입니다. 사업부문 주요 품목 프로브카드 낸드플래시용, DRAM용 프로브카드, Rework, 4PIN 등 파운드리 최근 AI용 반도체 출현, 자율주행 자동차 시대 도래, 5G본격화 등 반도체 수요 분야가 급증하고 있으며, 이에 따라 반도체 산업은 더욱 치열하고 복잡해지고 있습니다. 당사는 이러한 변화에 발맞춰 빠른 연구개발을 통해 신제품 개발과 기술 트렌드에 맞는 제품 공급을 하기 위해 지속적으로 투자하고 있습니다. 또한, 프로브카드 분야에서 영향력을 확대하고 지속적인 성장 발판을 마련하기 위한 노력을 지속하고 있습니다. 3. 재무상태 및 영업실적 1) 경영성과 ㈜ 마이크로투나노의 제25기 실적을 요약하면 다음과 같습니다.당기 매출액은 101.5억으로 전기대비 8.3% 증가 하였으며, 영업이익 및 당기순이익은 적자를 지속하였습니다. 매출 감소의 주요원인은 반도체 업황 부진으로 인한 주 고객사인 SK하이닉스의프로브카드 발주물량 감소이며, 반도체 유관업종의 특성상 반도체 경기에 영향을 받는 사업구조로 반도체 업황 회복에 따라 점진적으로 프로브카드 시장의 업황도 회복될 것으로 기대하고 있습니다. 또한 당사는 높은 특정 아이템 의존도 및 특정 고객 의존도를 낮추기 위해 아이템 다변화 및 고객 다변화를 시도하고 있습니다. 당사는 2023년 4월 26일 코스닥 상장 이후 기존 자금을 효율적으로 운용하고 공모 자금을 활용하여 시설 및 운영투자, 채무상환에 사용하고 있으며 재무건전성을 유지하고 있습니다. 유동비율 또한 지속적으로 개선되고 있습니다. 당사는 안정적인 프로브카드 공급 및 글로벌 반도체 시장의 화두로 떠오른 HBM 및 초고사양 DRAM용 프로브카드 제작을 위해 시설투자 및 연구개발을 확대하고 있습니다. 다음은 당기 당사 주요 경영실적입니다. (단위 : 백만원) 구 분 제25기(2024년) 제24기(2023년) 증감액 증감율 매 출 액 영업이익 세전이익 당기순이익 2) 재무상태 자산은 527억으로 전기 대비 7.7억원(-1.4%) 감소하였으며, 유동자산
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30.1억 감소하였으며, 비유동자산 22.4억이 증가 하였습니다. 자산 중 토지, 건물 등 유형자산 부문이 가장 큰 비중을 차지하고 있으며 당기손익-공정가치측정금융자산은 전기 대비 약 2.4억 증가하였습니다.부채는 224.7억으로 전기 대비 24억원(12.0%) 증가하였으며, 주요 증가 원인은 비유동부채의 장기차입금 감소입니다. 당사는 재무구조 개선을 위해 상환 스케쥴에 따라 지속적으로 차입금을 상환하고 있으며 '24년 총 34.8억원의 차입금을 상환하였고, 특별한 변동이 없는 한 '25년에도 잔여 차입금 중 일부를 상환할 계획을 갖고 있습니다. (단위 : 백만원) 구분 제25기(2024년) 제24기(2023년) 증감 증감률 [유동자산] [비유동자산] 자산총계 [유동부채] [비유동부채] 부채총계 자본총계 3) 영업실적 당기 매출액은 101.5억으로 전기대비 8.3% 증가하였으며, 영업이익 및 당기순이익은 적자를 지속하였습니다. 당사 매출 및 매출원가 감소의 주요 원인은 반도체 업황 악화에 따른 고객사 메모리 반도체용 프로브카드 수요 감소 입니다. 당사 자체 집계에 따르면 주 고객사의 NAND용 프로브카드 발주량이 전년대비 32.6% 감소하였으며, 이는 당사 매출 부진의 가장 큰 원인입니다. 원재료는 제품매출액 대비 당기원재료매입액이 일정비율로 유지됨에 따라 동시 감소하였습니다. 판매비와관리비는 75.5억으로 전기대비 13.8% 증가하였으며, 항목별 구성은 경상연구개발비 33.8억, 급여성 항목 20억, 지급수수료 1.8억으로 총 판매비와 관리비 중 경상연구개발비 44.8%, 인건비 27.9%, 지급수수료 2.5% 비중을 보이고 있습니다. '24년 대내외 여건을 비롯한 전반적인 영업환경 악화로 부진한 실적을 시현하였으나, 고객 다변화 및 아이템 다변화를 위한 당사의 노력은 지속되고 있습니다. 해외 고객사와의 접점을 늘려 다양한 디바이스의 개발 및 납품에 대한 논의를 지속하고 있으며, NAND용 프로브카드에 치중된 당사의 매출 의존을 경감시키기 위해 고사양 DRAM용 프로브카드 시장 진출을 위한 노력을 지속하고 있습니다. (단위 : 백만원) 구분 제25기(2024년) 제24기(2023년) 증감 증감률 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 영업이익 기타수익 기타비용 금융수익 금융비용 관계기업투자손익 법인세비용차감전순이익 법인세비용 당기순이익 4) 주요지표 (단위 : %, 회전) 구분 비율 제25기(2024년) 제24기(2023년) 회계기준 성장성 매출액 증가율 영업이익 증가율 당기순이익 증가율 총자산 증가율 활동성 총자산 회전율 재고자산 회전율 매출채권 회전율 수익성 매출액 영업이익률 매출액 순이익률 총자산 순이익률 자기자본 순이익률 안정성 부채비율 차입금의존도 유동비율 4. 유동성 및 자금의 조달 등 가. 유동성에 관한 사항 - '24년 말 현재 유동성 현황은 다음과 같습니다. (단위 : 백만원) 구 분 제 25 기 제 24 기 성장율 현금및현금성자산 단기금융자산 당기손익-공정가치측정금융자산 합계 당기말 현재 203억의 유동자금을 보유하고 있습니다. 유동자금은 ① 현금및현금성자산 ② 단기금융상품 ③당기손익-공정가치측정금융자산을 모두 포함한 금액이며, 전기말 유동자금 대비 약 44억원 감소하였습니다. 나. 자금의 조달 - '24년 말 현재 단기차입금 현황은 다음과 같습니다. (단위 : 백만원) 구분 차입처 연이자율(%) 제 25기 제 24기 운전자금 우리은행 소 계 유동성장기차입금 합계 - '24년 말 현재 장기차입금 현황은 다음과 같습니다. (단위 : 백만원) 구분 차입처 연이자율(%) 제 25기 제 24기 시설자금대출 산업은행 4.02~4.67 시설자금대출 신한은행 소 계 유동성장기차입금 합 계 - '24년 말 현재 차입금 상환일정은 다음과 같습니다. 해당 내용은 경영환경에 따라 변동될 수 있습니다. (단위 : 백만원) 구분 차입금 2025년이내 2026년~2027년내 합계 - 그 외 증권의 발행을 통한 자금조달에 관한 사항은『
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II. 사업의 내용 1. 사업의 개요 당사는 2015년 04월 20일 설립되어 현재 이차전지 제조공정 검사장비 및 소프트웨어(이하 "검사시스템")와 관련하여 전극공정 검사시스템(코터, 프레스, 슬리터, 노칭), 이차전지 조립공정 검사시스템(라미네이션, 스태킹) 및 이차전지 팩 공정 검사시스템(셀연결, 모듈, 팩조립)의 개발과 제조를 주된 사업으로 영위하고 있습니다. 설립초기에는 이차전지 원통형 외관 검사시스템의 개발 및 납품을 통해 검사시스템 시장에 진입하였으며, 2017년 이후 이차전지 수요가 본격적으로 증가하며 국내의 이차전지 제조사들이 신규 설비들을 개발하는 등 대규모 설비투자를 확대하기 시작한 점을 주요한 기회요인으로 인지하고 이차전지 제조 공정에서 가장 핵심이 되는 전극공정과 조립공정의 검사시스템 개발에 당사의 역량을 집중하였습니다. 당사는 2018년부터 이차전지 생산 검사공정의 자동화에 대한 시장의 수요를 반영한 전극공정 및 조립공정 검사시스템을 본격적으로 납품하기 시작하며 성공적으로 시장에 안착할 수 있었습니다. 그리고 이차전지 제조공정의 변화트렌드에 기민하게 부응하여 시장의 수요에 부합하는 검사시스템을 지속적으로 개발하여 당사 제품에 대한 기술력과 신뢰성을 인정받으며, 국내 최대의 이차전지 제조사인 A사 및 B사를 주요 고객사로 확보하고 있습니다. 또한, 2022년부터 국내의 장비제조사들과 협력하여 I사, H사, G사 등 해외 이차전지 제조사들의 Pilot Line에 당사의 검사시스템을 납품하며 해외시장으로의 진출과 시장점유율을 점진적으로 확대해 나가고 있습니다. 이차전지는 친환경 에너지 시대로의 전환 가속화에 기인하여 전기자동차(Electronic Vehicle, 이하 "EV") 배터리 및 에너지저장장치(Energy Storage System, 이하 "ESS")를 필두로 시장이 급격하게 성장하고 있습니다. 이에 따라 이차전지배터리의 성능, 안정성 및 생산수율 등이 핵심 이슈로 대두되고 있어 당사가 영위하는 이차전지 검사시스템 사업의 전망은 중장기적으로 낙관적일 것으로 판단됩니다. 당사는 전극공정, 조립공정 및 팩공정 검사시스템의 개발과 납품을 통해 쌓아온 고객사들과의 우호적인 협력관계와 상호신뢰를 바탕으로 Digital Ray, CT, OCT 등 외관검사만으로는 해결할 수 없는 제품내부영역을 검사할 수 있는 산업용 비파괴 검사시스템의 개발을 진행하는 등 이차전지와 관련된 신규 검사분야에 대한 R 꾸준하게 확대해 나아감으로써 스마트팩토리 솔루션 전문기업으로 발돋움하고자 합니다. ※ 용어의 정리 용어 설명 렌즈 앞에서부터 검사 대상 물체까지의 거리 라미네이션(Lamination) 각각의 제품을 합치하는 공정. 이차전지에서는 전극과 분리막 보호필름등을 롤투롤 설비를 사용하여 합치하는 공정 엔지마크(NG Mark) 노칭 공정에서 불량 전극에 대하여 TAP에 레이져 마킹기로 불량을 표시하는 마크 이차전지 생산에 필요한 Mono Cell(양극 Cell) 뒷면을 감싸고 있는 분리막 스택(Stack) 노칭 공정에서 절단된 각각의Cell을 여러장 적층하는 공정 Half SPEA 이차전지 생산에 필요한 음극 Cell 셀(CELL) 노칭공정에서 제작된 낱장의 전극 탭(TAP) 노칭공정에서 제작된 양극/음극의 돌출부. 패키징공정에서 리드와 연결되는 부분 분리막(Membrane) 이차전지 내 두 전극(양극/음극)을 격리시켜 물리적인 접촉에 의한 전기적 단락을 차단하며, 미세기공 내에 담지된 전해액을 통해 이온이 두 전극 사이로 이동할 수 있는 통로를 제공함으로써 이온 전도성을 가지도록 하는 기능을 가진 필름소재 캘리브레이션(Callibration) 값을 알고 있는 표준을 사용하여 측정 장치의 정밀도를 확인하고 조절하는 행위.표준(standard)이라 불리는 알고있는 기준값과 시험기에서 측정한 미지의 값을 비교하는 것. 레졸루션/분해능(Resolution) 서로 떨어져 있는 두 물체를 서로 구별할 수 있는 능력을 의미.주로 광학기기의 성능을 나타낼 때에 사용. 일반적으로 해상도, 정밀도 라고 표현 렌즈(Lens) 보통
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유리재질로 만드는 빛을 모으거나 분산시키는 도구.전자기파를 위해서 만든 비슷한 도구도 렌즈로 불리는데 카메라를 위해 특별히 제작된 렌즈는 사진 렌즈 라고 함 사람의 눈으로 이미지를 취득하는 모듈 Overkil은 양품을 불량으로 판정하는 현상으로 과검으로 표현Underkill은 불량을 양품으로 판단하는 현상으로 미검으로 표현. 부스바/버스바(Busbar) 전류를 전달하는데 사용되는 단단한 금속 막대.일반적으로 구리 또는 알루미늄으로 만들어지며 시스템의 여러 회로 사이에 상호 연결점을 만드는데 사용.이러한 속성으로 인하여 전기차의 일부 고전압 연결이나 미래 차량 내 전기 아키텍처의 핵심 구성요소로 사용. 유프레임(U-Frame) 이차전지 팩조립공정에서 연결된 장치들 사이의 세션 관리나 이나 통제 정보를 교환하기 위해 사용. FFC Flexible Flat Cable약자로 팩 공정에 속하는 모듈 공정에 사용되는 케이블 데이터베이스(Data Base) 구조화된 정보 또는 데이터의 조직화된 모음으로서 일반적으로 컴퓨터 시스템에 전자적으로 저장하는 것으로 데이터베이스는 일반적으로 데이터베이스 관리 시스템(DBMS)에 의해 제어.. 롤투롤 공정(Roll-to-roll processing, R2R, web processing)은 여러 개의 휘어질 수 있는 제품을 생산하는 공정 컴퓨터가 데이터를 분석하고 스스로 학습하여 예측이나 결정을 할 수 있게 하는 인공지능의 한 분야로, 컴퓨터는 데이터에서 패턴을 학습하고, 이를 바탕으로 새로운 데이터에 대해 예측이나 분류를 수행할 수 있는 것 머신러닝의 한 방법으로, 인간의 뇌와 비슷한 구조를 가진 신경망을 사용하여 더 복잡하고 추상적인 문제를 해결하는 것으로 대량의 데이터에서 복잡한 패턴을 학습하며, 이미지나 음성 인식 같은 고도의 작업에 매우 효과적 예측분석 과거 데이터를 분석하여 미래의 사건이나 결과를 예측하는 기술로 통계, 머신러닝, 데이터 마이닝 기술을 사용하여 과거의 트렌드, 패턴, 관계를 찾아내고, 이를 기반으로 미래의 변화나 결과를 추정. 알고리즘(Algorithm) 영상 처리 알고리즘은 컴퓨터가 이미지를 분석하고 이해하는 방법을 제공하는 일련의 지침. 이 알고리즘들은 이미지의 색상, 밝기, 패턴 등을 분석하여 객체를 식별하거나, 특정 특징을 감지하고 분류하는 데 사용되는 것으로 얼굴 인식, 결함 탐지, 물체 추적 등 다양한 목적으로 활용되며, 이는 디지털 카메라, 스마트폰, 보안 시스템, 산업 자동화 등 일상생활과 산업 분야에서 광범위하게 사용. 이차 전지(재충전 가능한 배터리)에서 전극은 배터리의 핵심 구성 요소로, 전기 화학적 반응을 통해 에너지를 저장하거나 방출하는 역할을 함.일반적으로 양극(positive electrode)과 음극(negative electrode)의 두 종류로 나뉘며, 이들은 배터리를 충전하거나 방전할 때 전자를 이동시키는 데 필수적.양극은 배터리를 충전할 때 전자를 받아들이고, 방전할 때는 전자를 방출하는 반면, 음극은 반대의 역할을 수행하며, 이 전극들의 재질과 구조는 배터리의 용량, 출력, 수명 등에 직접적인 영향을 미침. 코터(Coater) 전극 생산 공정에서 전극 재료를 얇고 균일한 층으로 기판(예: 구리 또는 알루미늄 호일) 위에 도포하는 장비로 배터리의 성능을 결정하는 중요한 역할을 하며, 정확한 두께와 균일한 코팅을 통해 전극의 품질을 보장 프레스(Press) 코팅된 전극을 압착하여 필요한 두께와 밀도를 갖도록 하는 장비.이 과정은 전극의 에너지 밀도를 최적화하고, 배터리의 성능과 수명을 향상시키는 데 중요 슬리터(Slitter) 코팅되고 압착된 전극을 배터리 셀에 맞는 특정한 크기로 자르는 장비.생산 공정의 마지막 단계 중 하나로, 정확한 크기와 형태의 전극을 만들어 배터리 조립에 필요한 부품을 제공 이차 전지 생산 과정에서 양극과 음극 전극 층을 직접 적층하는 장비.배터리 셀의 다양한 층을 순서대로 정밀하게 쌓아 올려, 최종적으로 배터리 셀을 구성Direct Stacking 방식은 배터리 셀의 조립을 더 효율적이고 정확하게
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만들어, 전체 배터리의 성능과 품질을 향상시키는 데 중요한 역할을 함 이차전지 생산과정에서 전극 층을 지그재그(Zigzag) 형태로 적층하는 장비.양극과 음극 층을 번갈아가며 겹치지 않고 나란히 접히도록 배열함으로써, 더 많은 전극 층을 배터리 셀 내에 효과적으로 배치할 수 있음.AZS 방식은 배터리의 에너지 밀도를 높이고, 제조 공정의 효율성을 개선하는 데 유용. 일반적으로 "Gray Value" 또는 "Grey Value"를 의미.이는 영상 내의 각 픽셀이 가지고 있는 회색조(그레이스케일)의 값으로, 픽셀의 밝기를 나타낸다. 0에서 255까지의 범위를 가질 수 있으며, 0은 검은색을 나타내고 255는 흰색을 나타낸다.중간 값들은 다양한 회색 음영을 표현한다. GV는 영상을 분석하거나 처리할 때 중요한 요소로, 특히 의료 영상 분석, 품질 검사, 패턴 인식 등에서 널리 사용된다.예를 들어, 영상에서 특정 객체를 분리하거나, 객체의 경계를 찾거나, 특정 특징을 감지하는 등의 작업을 수행할 때 그레이스케일 값은 중요한 정보를 제공한다. 이미지 내의 개체나 특징을 인식하고 그것들을 사전에 정의된 범주나 클래스로 할당하는 과정.예를 들어, 공장의 검사 시스템에서는 카메라로 촬영한 제품의 이미지를 분석하여 양품, 불량품, 또는 다양한 유형의 불량품 등으로 분류할 수 있다.이러한 분류 과정은 컴퓨터 알고리즘이 학습을 통해 특정 패턴을 인식하고, 이를 바탕으로 각 이미지가 어떤 범주에 속하는지 결정한다.. 레퍼런스(Reference) 기준이 되는 이미지나 데이터를 의미.이는 올바른 결과를 판단하기 위한 비교 대상으로 사용된다.예를 들어, 제품의 품질 검사 과정에서 레퍼런스 이미지는 '이상적인' 또는 '표준' 제품의 모습을 보여주며, 검사 중인 제품이 이 표준과 얼마나 일치하는지를 평가하는 데 사용된다.이를 통해 결함이 있는지, 있으면 어떤 종류의 결함인지를 식별할 수 있다. 가시광선 바로 위의 스펙트럼에 위치하는 근적외선을 의미.근적외선은 파장이 대략 700nm에서 2500nm (0.7μm에서 2.5μm) 사이에 있는 전자기파 영역이다.NIR 영역의 빛은 인간의 눈으로는 보이지 않지만, 특정 센서와 카메라를 사용하여 감지할 수 있다. 영상 처리에서 분석이나 처리를 위해 선택된 이미지 내의 특정 부분을 가리키며, 이는 종종 전체 이미지 중에서 중요하거나 관심이 가는 특성을 갖는 지역으로, 알고리즘이나 처리 기법이 집중적으로 적용되는 대상이다. 사이언 필터(Cyan Filter) 광학계에서 사용되는 용어로, 주로 청록색 빛을 투과시키고 다른 색상의 빛을 흡수하거나 차단하는 필터.이러한 필터는 사진술, 현미경 관찰, 또는 빛의 특정 파장을 차단해야 하는 다양한 광학 기기에서 활용되며 사이언 필터는 광학적 필터링을 통해 특정 색상의 대비를 강조하거나, 색수차를 보정하고, 광학 시스템의 색상 감지 능력을 향상시키는 데 도움을 준다. 라인 스캔 카메라(Line Scan Camera) 한 번에 한 줄씩 이미지를 촬영하는 특수한 카메라로, 이를 통해 빠른 속도로 움직이는 객체나 끊임없이 연속되는 생산 라인을 고해상도로 촬영할 수 있다. 이 카메라는 주로 산업 현장에서 품질 검사를 위해 사용되며, 제품이 컨베이어 벨트를 따라 이동할 때 세밀한 결함이나 패턴을 식별하기 위해 사용된다. 이차전지 생산 라인 내의 노칭 설비는 배터리 셀의 가장자리를 정밀하게 절삭하는 기계로 배터리 셀의 형태를 최적화하고 양극과 음극의 정확한 배치를 위해 사용된다. 검사 레시피 산업 공정에서 사용되는 용어로, 특정 제품이나 부품을 검사할 때 필요한 절차와 설정의 모음을 말한다. 마치 요리 레서피가 재료와 조리 순서를 정리해놓은 것처럼, 검사 레서피는 검사 장비가 특정 기준에 따라 제품의 품질을 판단하기 위한 기준값, 검사 방법, 순서 등을 정해놓은 지침서이다. 이를 통해 일관되고 정확한 품질 관리가 가능해진다. 결함(Defect) 영상 처리에서 제품이나 물체의 표면에 있는 원치 않는 표시, 손상, 불완전성을 가리키며, 이는 제품의 기준이나 품질 기대치에 미치지
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못하는 부분이다. 정렬(Align) 여러 이미지나 이미지의 특정 부분들을 일치시키는 과정. 이는 제품의 이미지를 표준 위치나 방향으로 조정하여 모든 이미지가 동일한 기준점을 가지게 함으로써 정확한 비교나 분석을 가능하게 한다. 정렬은 제품의 검사나 측정에서 중요한 단계로, 모든 제품이 동일한 방식으로 평가되도록 보장하여 일관성 있는 품질 관리를 지원한다. 빛을 조작하여 이미지를 생성, 변경 또는 개선하는 데 사용되는 일련의 렌즈, 거울, 필터 등의 구성 요소. 예를 들어, 카메라, 망원경, 현미경 등이 이에 해당하며, 이들은 물체로부터 반사되거나 방출된 빛을 수집하고 초점을 맞추어 명확한 이미지를 만들어 내는 역할을 한다. 광학계는 시각적 정보를 분석하거나 확대하여 인간의 눈이나 기계적 장치가 더 잘 볼 수 있게 도와준다.. 이미지의 색상이나 명암이 부드럽게 변해야 하는 부분에 나타나는 불규칙한 변화. 이런 결함은 보통 인쇄 과정이나 화면 표시에서 발생할 수 있으며, 색상이 예상치 못하게 갑자기 변하거나 줄무늬가 생기는 현상으로 나타난다. 이러한 결함은 제품의 외관 품질에 영향을 미쳐, 품질 검사 과정에서 제거하거나 수정해야 할 대상이 된다. 택/택타임(Takt-Time) 일반적으로 생산 및 제조 분야에서 사용되며, 'Takt Time'을 줄인 말이다. 'Takt Time'은 독일어에서 유래된 용어로, 음악의 박자(takt)를 의미하는데, 생산에서는 고객의 수요에 맞춰 제품을 생산하는 데 필요한 시간을 가리킨다. 쉽게 말해, 고객이 얼마나 자주 제품을 필요로 하는지에 따라 설정하는 생산 속도이다. 메인레서피(Main Recipe) 검사 장비의 표준 설정과 기본 운영 절차를 정의. 이는 제조 공정에서 품질 검사를 위한 일반적인 지침을 제공하며, 검사 방법, 필요한 장비 설정, 검사 대상의 특성 등을 포함한다. 이 레시피는 공정의 일관성과 정확성을 유지하는 데 중요한 역할을 한다. 큐레서피(Quality Recipe) 특정 제품이나 특정 조건에 대한 품질 검사(Quality Inspection)의 세부 설정을 제공. Main Recipe에 기반하여 만들어지며, 특정 배치나 특수한 제조 조건에 적합한 세부 검사 요구사항을 다룬다. 이는 품질 관리의 정밀도를 높이기 위해 특정 상황에 맞춰 조정된 검사 절차를 포함한다. 시인성 이미지 내의 객체나 특징이 얼마나 명확하게 인식될 수 있는지를 나타내는 정도. 좋은 시인성을 갖는 이미지는 대상이 선명하고 구별하기 쉬우며, 따라서 객체 인식, 결함 탐지, 또는 다른 영상 분석 작업이 더 효과적으로 수행될 수 있다. 시인성은 이미지의 명암 대비, 색상 대비, 해상도 등 여러 요소에 의해 영향을 받으며, 이러한 요소들이 최적화되어야 이미지 분석의 정확도가 높아진다. 시스템이 이미지를 분석하여 결함, 특성, 또는 다른 관심 대상을 얼마나 정확하고 효과적으로 식별하고 분류할 수 있는지를 나타낸다. 이는 결함 탐지의 정확도, 분류의 정밀도, 그리고 검출 가능한 결함의 최소 크기 같은 요소들을 포함한다. 높은 검출력을 갖는 시스템은 미세한 결함이나 복잡한 특징도 놓치지 않고 식별할 수 있으며, 이는 제품의 품질 관리에 매우 중요하다. 이미 한 작업에 대해 학습된 인공지능(AI) 모델을 새로운, 비슷한 작업에 재사용하는 방법. 예를 들어, 강아지 이미지를 분류하는 데 학습된 AI 모델을 고양이 이미지 분류에 적용하는 것과 같다. 이 방법은 새로운 작업에 대해 처음부터 모델을 학습시키는 것보다 시간과 자원을 절약할 수 있게 해준다. AI 모델이 시행착오를 통해 최적의 행동 방법을 스스로 학습하는 과정. 모델은 주어진 환경에서 행동을 선택하고, 그 결과로 얻은 보상이나 벌칙을 바탕으로 행동을 조정한다. 이 방법은 비디오 게임 플레이, 로봇 제어, 자율 주행 자동차 등 다양한 분야에서 활용되며, 스스로 학습하고 결정하는 AI의 개발에 중요한 역할을 한다. 소프트웨어 API(Application Programming Interface)는 다양한 소프트웨어 프로그램이나 서비스들이 서로 정보를