その後、アメリカでは2001年から始まった国家ナノテクノロジーイニシアティブ(nni)により分子エレクトロニクス研究への投資が増え、クロスバータイプの分子メモリーが一つの成果とされているが、この分子メモリー効果に対しては、分子膜の中に伸びた微細なmetal filamentの寄与ではないかという批判がなされている。