znoのバンドギャップは、窒化ガリウム(gan)と同じ程度の約3.37 evで励起子の束縛エネルギーが、他の半導体(gan 28 mev,znse 19 mev)と比べて、非常に大きい(60 mev)ことが特徴で、薄膜は圧電性を示す。