例えば、(1)1990年、埋め込み酸化膜に電圧を持たせることで高耐圧を実現できる高耐圧soi技術の検証、(2)1993年、igbtにトレンチゲートを採用することで電子の注入が促進され、電圧降下が下がるため4500vのトレンチigbt(iegt)が実現できることを理論的に予測した。