ウェハーを加熱する理由として、ドーパントを活性化するため、薄膜-薄膜界面または薄膜-シリコン基板界面を変化させるため、堆積した薄膜の密度を上げるため、成長させた薄膜の状態を変化させるため、イオン注入によるダメージを回復させるため、ある薄膜から別の薄膜へ、またはある薄膜からシリコン基板へドーパントを移動させるため、などがある。