富士通研究所にいた1982年にjapanese journal of applied physics論文賞を2degにおける移動度に関する論文の筆頭筆者として受賞し、1990年には三村高志とともにieeeモーリス・n・リーブマン記念賞を「化合物半導体材料およびデバイスのエピタキシャル成長に対する顕著な貢献」により受賞した。