Dinamiese ewetoeganklike geheue (Engels:Dynamic Random Access Memory of DRAM) is 'n soort ewetoeganklike geheue wat elke bis data in 'n afsonderlike kapasitor stoor. Aangesien kapasitors mettertyd hul elektriese lading verloor gaan die inligting uiteindelik verlore as die kapasitore nie periodies herlaai word nie. Hierdie herlaaivereiste maak dat hierdie soort geheue dinamies genoem word teenoor ander geheuesoorte wat staties (SRAM) is. Die voordeel bo SRAM is die eenvoudiger samestelling: slegs een transistor en een kapasitor word vereis per bis vergeleke met die ses transistors per bis van SRAM, wat sodoende DRAM se veel hoër digtheid verwesentlik. Aangesien DRAM sy data verloor wanneer die kragtoevoer verwyder word, ressorteer dit onder die klas van vlugtige geheuetoestelle. Die eerste DRAM-sel is deur Robert Dennard, 'n navorser by IBM se Thomas J. Watson navorsingssentrum, uitgevind. Hierdie sel het soos die meeste DRAM-selle gewerk deurdat data verfris moet word om die lading te herstel; die data is vernietig na 'n leesbewerking en moes herskryf word. Alhoewel DRAM-selle vandag oraloor te vinde is, was Dennard een van min mense wat geglo het dat 'n doeltreffende DRAM-sel ontwikkel kon word.