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Über die Bildung von Großwinkelkorngrenzen während der Verformung von Metall‐Einkristallen
Authors: Buck O. , Essmann U. 
Published: July 2007

AbstractEin Kupfer‐Einkristall, dessen Ausgangsorientierung in der Nähe der [001]–[011]‐Symmetralen des Orientierungsdreieckes lag, wurde im Zugversuch bei 4,2 °K verformt. Neben dem üblichen Gleitlinienbild zeigten sich auf der Kristalloberbläche Verformungsinhomogenitäten (Striemen), die mit Hilfe des Elektronenmikroskops durchstrahlt wurden. Dabei zeigte sich überraschend, daß während der plastischen Verformung des Einkristalls Großwinkelkorngrenzen entstehen, die ein zum Kristallgitter um etwa 25 bis 32° gedrehtes Gebiet umschließen. Die Bildung dieser Großwinkelkorngrenzen, die im folgenden ausführlich diskutiert wird, stellt einen Modellfall der Rekristallisation dar.
Durch bewegte Versetzungen induzierte elektrische Effekte in NaCl‐ und KCl‐Kristallen
Authors: Fröhlich F. , Suisky D. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über eine Anordnung zur Untersuchung der bei plastischer Deformation von Alkalihalogenidkristallen auftretenden Ladungstrennung berichtet, die eine eindeutige Aussage über das Vorzeichen der elektrischen Ladung von Versetzungslinien gestattet, die unter der Einwirkung einer Schubspannung über endliche Strecken im Gitter bewegt worden sind. Weitere Experimente mit NaCl‐ und KCl‐Einkristallen liefern eine charakteristische Abhängigkeit der erzeugten Ladung von der Dotierung mit Ca‐ und OH‐Ionen und von der thermischen Vorgeschichte der Proben. Es ergibt sich, daß bewegte Versetzungslinien sowohl eine positive als auch eine negative elektrische Ladung tragen können. Das Vorzeichen der Ladung richtet sich bei einem vorgegebenen Kristall nach der Konzentration der Leerstellen, mit denen die Versetzungen bei ihrer Bewegung durch das Gitter in Wechselwirkung treten.
On the Theory of the d‐Electron Covalency in Ionic Crystals
Authors: Šimánek E. , Šroubek Z. 
Published: July 2007

AbstractThe method of calculating the covalency parameter λ is examined, with reference to the unrestricted Hartree‐Fock method. The results of the calculations carried out for the (NiF6)4− complex indicate that the unrestricted Hartree‐Fock method leads to considerably smaller values of λ than the method of maximizing the antibonding orbital energy used by Sugano and Shulman [3]. An approximate treatment of the self‐consistency is proposed, introducing delocalization of the σ‐orbitals into the one‐electron Hamiltonian. The modifications introduced by this treatment are especially significant in the method used in [3].
Zur Deutung der Orientierungsabhängigkeit des Verfestigungsanstiegs in Zinkkristallen
Authors: Boček M. , Lukáč P. , Švábová M. 
Published: July 2007

AbstractIm Zusammenhang mit der Betätigung von Nebengleitsystemen wird die Orientierungsabhängigkeit der Kenngrößen im Bereich A der Verfestigungskurve von Zinkkristallen gedeutet. Es werden mögliche Versetzungsreaktionen zwischen Versetzungen im Basisgleitsystem und Versetzungen in pyramidalen Systemen analysiert. Als wesentlichstes Ergebnis folgt aus diesen Untersuchungen, daß in der Hauptsache Franksche Halbversetzungen als Hindernisse für die Gleitbewegung in Frage kommen.
Kontrasterscheinungen an Versetzungspaaren in Nickel–Aluminium‐Legierungen mit kohärenter Ausscheidung von geordneten Bereichen
Authors: Wilkens M. , Hornbogen E. 
Published: July 2007

AbstractIn Nickel–Chrom 80/20 Legierungen mit Aluminiumgehalten von 7,5 bis 12,9 At‐% Al wird gefunden, daß sich nach dem Abschrecken von 1100 °C Zonen der Phase Ni3Al (Gittertyp Cu3Au) ausscheiden, die mit der umgebenden ungeordneten Matrix bis zu Zonengrößen von etwa 300 Å kohärent bleiben. Bei schwacher Verformung nach Einstellen der Ordnung beobachtet man im Elektronenmikroskop paarweise auftretende Versetzungen, die durch die zwischen den Versetzungen aufgespannte Antiphasenwand der Überstruktur zusammengehalten werden. Der Abstand der Versetzungen liegt zwischen 50 und 500 Å.Obgleich die paarweise auftretenden Versetzungen jeweils den gleichen Burgersvektor haben, ist der elektronenmikroskopische Kontrast der einen Versetzung schwächer als der Kontrast der anderen Versetzung. Diese Erscheinung ist um so ausgeprägter, je kleiner die Abstände sind. Sie kann bis zum Verschwinden des Kontrastes der einen Versetzung führen.Zur Deutung dieser Erscheinung wird der elektronenmikroskopische Kontrast für nahe benachbarte Versetzungen mit Hilfe der kinematischen Kontrasttheorie berechnet. Für einen Spezialfall (zwei Schraubenversetzungen, (g, b) = ± 2 für die Einzelversetzung) kann die Kontrastamplitude in einfacher Weise geschlossen dargestellt werden. Die Ergebnisse der Rechnung stehen in guter Übereinstimmung mit den Beobachtungen.
Zur Theorie der Sekundärelektronenemission Der Transportprozeß. III. Die Ortsabhängigkeit der Anregung
Authors: Puff H. 
Published: July 2007

AbstractUnter der Annahme isotroper Anregung wird der Zusammenhang zwischen der Ortsabhängigkeit der Anregung und den Verteilungen emittierter Elektronen untersucht. Für die bisher betrachteten Ansätze lassen sich Folgerungen in zweierlei Hinsicht ziehen. Einerseits führen sie zu charakteristischen Korrelationen zwischen Transmissions‐ und Reflexionsverteilungen, andererseits zu charakteristischen Abweichungen der relativen Energie‐Winkel‐Verteilungen von der cos‐Verteilung. Unter Benutzung dieser Resultate können aus geeigneten Experimenten Rückschlüsse auf die Ortsabhängigkeit der Anregung gezogen werden.
Positive Temperaturkoeffizienten der Lumineszenz und der Leitfähigkeit von ZnS‐Einkristallen bei Anregung mit 60 keV‐Elektronen
Authors: Klein W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Temperaturabhängigkeit verschiedener Emissionsbanden sowie der Leitfähigkeit von ZnS‐Einkristallen unter Anregung mit 60 keV‐Elektronenstrahlen untersucht. Das besondere Interesse dieser Arbeit gilt den positiven Temperaturkoeffizienten, die sowohl bei der Lumineszenz als auch bei der Leitfähigkeit auftreten.Eine quantitative theoretische Untersuchung zeigt, daß sich diese positiven Temperaturkoeffizienten und die Verschiebung des Maximums der Lumineszenz bei einer Erhöhung der Anregungsdichte zu höheren Temperaturen zwanglos im Rahmen des Riehl‐Schönschen Modells erklären lassen. Von den positiven Temperaturkoeffizienten kann man auf die Haftstellentiefe schließen. Das hierbei erhaltene Ergebnis stimmt gut mit der aus Glowmessungen ermittelten Haftstellentiefe überein.
H3O+ Ion Energy Bands in Ice Crystals
Authors: Gosar P. , Pintar M. 
Published: July 2007

AbstractA theory of the energy bands and mobility of H3O+ ions in ice crystals is presented. The mobility is determined by the second order processes which involve the emission of one phonon and the absorption of another phonon. The proton‐phonon interactions are rather complicated because of the narrowness of the ion bands. The variation principle is applied to the Boltzmann equation to derive the mobility.
The Energy of a Screw Dislocation in a Cubic Crystal
Authors: Head A. K. 
Published: July 2007

AbstractNumerical calculations of the elastic energy of a screw dislocation in a cubic crystal are summarized in an approximate formula. This enables the energy to be estimated with an error of not more than 4% for a screw dislocation running in an arbitrary direction. The dependence of the energy on direction and on the elastic anisotropy of the crystal is discussed.
Zur Theorie des Kontrastes von elektronenmikroskopisch abgebildeten Gitterfehlern
Authors: Wilkens M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die dynamische Theorie der Elektronenbeugung in gestörten Kristallen neu formuliert. Abweichend von den Differentialgleichungen von Howie und Whelan [2], die die Ortsabhängigkeit der Amplituden der primären und der reflektierten Welle beschreiben, werden in der vorliegenden Arbeit die Gitterstörungen dadurch berücksichtigt, daß die Anregungsstärken der Wellenfelder innerhalb des Kristalls als ortsabhängige Größen eingeführt werden. Man gelangt zu einfachen Differentialgleichungen, die auch im Falle dynamischer Beugung analytische Näherungslösungen erlauben. An einem Beispiel wird gezeigt, daß bereits eine erste Näherung qualitativ gute Übereinstimmung mit vergleichbaren Kontrastkurven zeigt, die Howie und Whelan mit elektronischen Rechenmaschinen gewonnen haben.
Raumladungsbegrenzte Photoströme in dünnen Schichten aus hexagonalem Selen
Authors: Polke M. 
Published: July 2007

AbstractThe dependence of current‐voltage characteristics, and potential distributions, on light intensity is measured at room temperature in thin photoconducting layers of polycrystalline Se. Theoretical calculations of the steady‐state potential distribution of an illuminated metalsemiconductor contact, and mono‐ and bimolecular recombination, agree well with the experimental results. They show that the potential distribution, and therefore the current‐voltage characteristic, are determined solely by the relation between the bulk and boundary concentrations of the one mobile carrier type. By fitting the experimental to the theoretical results, numerical values of carrier concentration p and mobility μ are obtained: μ ∼ 10−1 cm2/Vs, p ranges from 1011 cm−3 (in the dark) to 1013 cm−3 (for high intensity illumination). The boundary concentration pA ∼ 1012 cm−3 at the Se—Au contact was found to be independent of light intensity.
Slip Propagation Over the Grain Boundaries at Plastic Deformation of Fe‐3% Si Alloy
Authors: Kratochvílová N. , Šesták B. 
Published: July 2007

AbstractThe behaviour of slip bands on the boundaries between grains 5–10 mm in size is studied for an Fe‐3% Si alloy. The samples are deformed at room temperature by bending with a velocity of ∼ 10−5 cm · s−1. The dislocations in the slip bands are made visible by etching. It is found that the propagation of slip bands over the grain boundaries takes place by the nucleation of slip bands in the neighbouring grains. Nucleation occurs near a boundary, opposite the place where the dislocations accumulate on the opposite side of the boundary. Nucleation is caused by the additional stress from the accumulated dislocations.
Der spezifische elektrische Widerstand von elektronenstrahlzonengeschmolzenem Wolfram zwischen 1,4 und 27 °K
Authors: Berthel K.‐H. 
Published: July 2007

AbstractThe ideal resistance‐ratios of tungsten single crystals are studied over the temperature range of liquid‐helium, hydrogen, and neon. The crystals have residual‐resistance ratios R0/R(273) between 3 and 67 × 10−6. Between 1.4 and 4.2 °K the temperature dependence of the ideal resistance ratio is influenced considerably by the sample diameter. Within this range, for the purest sample, the mean free path of the current carriers is found to be larger than the sample diameter. Above 14 °K, all samples have the same ideal resistance ratio, and between 19 and 27 °K, this ratio is represented very well by the Bloch‐Grüneisen formula ri ∼ T5.
Theorie des stationären photomagnetoelektrischen Effektes in InSb
Authors: Richter G. 
Published: July 2007

AbstractDie Theorie des stationären photomagnetoelektrischen Effektes (PME‐Effekt) wird für Halbleiter mit nichtparabolischer Energiebandstruktur formuliert. Entartung des Ladungsträgerensembles wird mitberücksichtigt. Rekombinationsprozesse werden nach einem definierten Modell behandelt. Ein wichtiges Ergebnis der Theorie ist die Unabhängigkeit des PME‐Feldes von sogenannten „Trapping„‐Effekten.
Sur quelques phénomènes transitoires présentés par l'émission exo‐électronique photostimulée des couches minces de Al2O3
Authors: Petrescu P. 
Published: July 2007

AbstractOn a étudié le temps de retard de l'émission électronique photostimulée des couches de Al2O3 en fonction de l'intensité de et l'épaisseur de la couche. La discussion des résultats conduit à la conclusion que le nombre des pièges électroniques de l'oxyde est probablement le facteur déterminant de ces phénomènes transitoires. On met en évidence l'analogie remarquable entre les courbes observées et celles „build‐up„ présentées par certaines substances phosphorescentes contenant également un grand nombre de pièges.
Photospannungen in Photoleitern II. Spezielle Fälle
Authors: Ruppel W. 
Published: July 2007

AbstractDer in der vorangehenden Arbeit abgeleitete Ausdruck für die Photospannung wird auf den p—n‐Übergang, den Metall—Photoleiter‐Kontakt und die freie Oberfläche eines Photoleiters angewandt. Für kleine Beleuchtungsstärken, bei denen sich die Majoritätsträger‐Konzentration nicht ändert, ergeben sich dabei schon bekannte Ausdrücke. Berücksichtigt man bei starker Beleuchtung, daß die zusätzlichen Majoritätsträger‐ und Minoritätsträger‐Konzentrationen nicht gleich zu sein brauchen, lassen sich auch experimentell gefundene Effekte wie die Änderung des Vorzeichens der Photospannung als Funktion der Beleuchtungsstärke oder der Wellenlänge des eingestrahlten Lichts verstehen.
The Radiation Annealing of Frenkel Defects an Approach Based on a Simple Statistical Model
Authors: Lück G. , Sizmann R. 
Published: July 2007

AbstractRadiation annealing is considered for the particular case of spontaneous recombination of a vacancy and an interstitial which lie closer together than a certain critical distance. By employing a simplified statistical method, a generalized theoretical dose curve is obtained. The theoretical results are applied to experimental data on deuteron‐ and alpha‐irradiated noble metals and nickel. These experimental data suggest that the number of unstable lattice positions of a vacancy around an interstitial, which give rise to the spontaneous recombination, is of the order of 150.
Veränderungen der Kristallstruktur einiger Oxyde, Karbonate und Titanate durch Neutronenbestrahlung
Authors: Hauser O. , Schenk M. 
Published: July 2007

AbstractDie Einwirkung von Neutronenstrahlung auf die Kristallstruktur wird an Materialien untersucht, die bezüglich ihrer thermischen Phasenumwandlungen im kristallinen Zustand nach Buerger [6] als deplazive bzw. rekonstruktive Umwandlungen in 1. oder 2. Koordination bezeichnet werden. Die Bestrahlung erfolgte im Rossendorfer Forschungsreaktor. Die maximale Neutronendosis betrug 2 · 1020nvt, das entspricht ca. 2,8 · 1019 schnellen Neutronen/cm2 (E ≧ 1 MeV).Bei BaTiO3 erfolgte eine strahleninduzierte Phasenumwandlung tetragonal → kubisch. Brookit und Quarz wurden nahezu metamiktisiert. Bei den übrigen Substanzen wurden keine Umwandlungen nach Bestrahlung beobachtet. Diese Ergebnisse wurden mit anderen aus der Literatur bekannten verglichen. Es scheint, daß Verbindungen mit thermisch deplaziver Transformation eher zu strahleninduzierten Phasenumwandlungen neigen als solche mit rekonstruktiver Umwandlung.
Electrical Properties and Cation Migration in MgMn2O4
Authors: Rosenberg M. , Nicolau P. 
Published: July 2007

AbstractThe influence of the cation migration process on the electrical properties of MgMn2O4 is investigated. By measuring the temperature dependence of the electrical resistance and thermoelectric power, it is possible to study the migration process of the cations in the spinel lattice, and to establish the temperature range in which the tetragonal‐cubic phasechange occurs. By using the thermoelectric power data it is possible to specify the valence formulae of samples which have been quenched or slow‐cooled from high temperature. The electrical conduction occurs by a hopping mechanism between the octahedral‐site Mn3+ and Mn4+ ions, and involves very low mobilities.
Direct Observation of Dislocations in Silicon Single Crystals Using a White X‐Ray Radiation Technique
Authors: Fiermans L. 
Published: July 2007

AbstractIn this paper a new method is described for the direct observation of dislocations in silicon single crystals. It is based on the use of white X‐ray radiation, and gives, on a single photograph, information about the Burgers vectors of the dislocations.
Ein neuer Beitrag zur Theorie der Gitterelektronen im äußeren homogenen Magnetfeld
Authors: Jannussis A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Lösung der Schrödinger‐Gleichung angegeben, welche das Verhalten der Gitterelektronen im äußeren homogenen Magnetfeld beschreibt. Das Energiespektrum behält im allgemeinen seinen diskreten Charakter, obwohl eine geringe Verbreiterung der Energie‐Niveaus der freien Elektronen stattfindet. Für ein verschwindendes Magnetfeld geht die angegebene Energieformel in die bekannte Energieformel des Gitterelektrons über.
Semiconducting Properties of Cd3−xZnxAs2‐Type Solid Solutions
Authors: Żdanowicz L. , Żdanowicz W. 
Published: July 2007

AbstractThe Hall coefficient and resistivity of the solid solutions Cd3−xZnxAs2, formed by the pseudobinary system Cd3As2‐Zn3As2, are measured between 100 and 700 °K. The samples are found to be semiconducting, being n‐type for 0 ≦ x ≦ 1.35, and p‐type for 1.5 ≦ x ≦ 3. The transition from n‐to p‐type takes place at about 47 mole % Zn3As2 with a transition region of 2–3 mole% Zn3As2, an abrupt change in ΔE0 being observed in this transition region. These results show a close correlation with the X‐ray analysis of the system.
Eisenverteilung und Substruktur in zellular gewachsenen Aluminium‐Einkristallen
Authors: Barthel J. , Kunze J. , Scharfenberg R. 
Published: July 2007

AbstractDie Verteilung von Eisen und die Substruktur wird in durch konstitutionelle Unterkühlung hexagonal‐zellular gewachsenen Aluminium‐Einkristallen untersucht. In Verbindung mit einer Abschätzung der Zellgrabentiefe und der Eisenanreicherung in ihnen [8] wird nachgewiesen, daß die beobachteten eisenreichen Phasen eutektischen Ursprungs sind. Ihr alleiniges Auftreten an Zusammenstoßstellen dreier Zellen weist darauf hin, daß die Zellgrabensohlen an diesen Stellen durch fortgesetzte konstitutionelle Unterkühlung in das Kristallinnere abbiegen, so daß sich Schmelzröhren bilden. In der Nähe der Dekantierungsfläche entlang der gesamten Zellgrenze gefundene Ausscheidungen sind kein Hinweis dafür, daß das Eisen während des Wachstums zunächst an den Zellgrenzen stark angereichert wird. Sie werden auf das Erstarren der Restschmelze in den Zellgräben nach dem Dekantieren zurückgeführt. Die vorgeschlagene Zellenform erklärt ohne Widerspruch zu der Vorstellung von Tiller [4], warum die Zellen keine Substruktur darstellen. Die Substruktur ist weitmaschiger als die Zellstruktur. Die Subgrenzen folgen Zellgrenzen und beeinflussen die Eisenverteilung.
Strukturänderungen von vielkristallinem Kupfer nach extrem hoher plastischer Verformung
Authors: Grewe H. G. , Kappler E. 
Published: July 2007

AbstractBei sehr großen plastischen Verformungen von Kupfer, wie sie durch Torsion zylindrischer Vollstäbe oder durch Walzen erreicht werden können, tritt eine Aufteilung der Kristallite in zahlreiche Bereiche verschiedener Orientierung auf. Die mittlere Größe der Bereiche wird bei hohen Verformungsgraden konstant. Sie ist umso kleiner, je tiefer die Verformungstemperatur ist. Hat man durch Tieftemperaturverformung ein feines Gefüge erzeugt, so erhält man nach anschließender Verformung bei Raumtemperatur ein gröberes Gefüge. Es wird angenommen, daß das bei hohen Verformungsgraden sich einstellende Gefüge das Ergebnis eines dynamischen Gleichgewichtes ist zwischen einem infolge zunehmender Verzerrung auftretenden Kornzerkleinerungsprozeß und einem dynamisch entweder durch Rekristallisation oder durch Subkornwachstum verursachten Kornwachstumsprozeß. Bei Raumtemperatur wurde statische Rekristallisation nachgewiesen. Die Gefügeuntersuchungen wurden elektronenmikroskopisch mit dem Nickelabdruckverfahren durchgeführt.
Electrical Resistivity of High Purity Iron from 300 to 1300 °K
Authors: Arajs S. , Colvin R. V. 
Published: July 2007

AbstractElectrical resistivity of high purity (99.99 + %) iron has been studied as a function of temperature from 300 to 1300 °K. It has been found that the resistivity decreases by about 2% going from α to γ iron. Such a large change has not been previously observed. The temperature dependence of the electrical resistivity of α and γ iron near the α → γ transition is not the same as has been reported in older investigations. The resistivity at the Curie temperature does not exhibit a sharp anomaly but changes gradually with temperature.
Deformations‐ und Rißstrukturen in NaCl‐Kristallen bei der Stoßbearbeitung
Authors: Meyer K. , Gragert E. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die bei der Stoßbearbeitung von (100)‐NaCl‐Oberflächen bei Temperaturen von −130 °C beobachteten Verformungsstrukturen in Abhängigkeit von der kinetischen Energie beschrieben. Bei geringen Stoßenergien bilden sich ausschließlich Schraubengleitbänder, denen sich bei höheren Energien Stufengleitbänder überlagern. Bei weiterer Steigerung der kinetischen Energie der Kugeln werden Risse sichtbar, die in (110)‐ und (100)‐Ebenen verlaufen und sich nur selten in kristallografisch undefinierten Ebenen ausbreiten. Durch sukzessives Abtragen und Ätzen wird die räumliche Anordnung der durch den Stoß erzeugten Risse im Kristall bestimmt.Schematische Modellstrukturen verdeutlichen den komplizierten Rißverlauf. Die beobachteten Risse lassen sich z. T. durch Versetzungsreaktionen deuten. Es wird angenommen, daß die sich aus der Hertzschen Stoßtheorie ergebenden maximalen Schubspannungen im Innern des bearbeiteten Kristalles Einfluß auf die Geometrie der beobachteten Rißstrukturen haben.
Photoleitfähigkeitsuntersuchungen an CdS‐ und CdSe‐Einkristallen mit einer kontaktfreien Mikrowellenmethode
Authors: Dziesiaty J. 
Published: July 2007

AbstractUnter Voraussetzungen, die für hochohmige Sulfidphosphore in einem weiten Leitfähigkeitsbereich gut erfüllt sind, hängen Absorptionskonstante und Reflexionsvermögen im Mikrowellenbereich linear von der Gleichstromleitfähigkeit ab, so daß Leitfähigkeitsänderungen kontaktfrei durch Mikrowellenmessungen ermittelt werden können. Es wurden Messungen der Photoleitfähigkeits‐Beleuchtungscharakteristik, des Anregungsspektrums der Photoleitfähigkeit und der Relaxationszeiten an CdS‐ und CdSe‐Einkristallen bei 9000 MHz im Temperaturbereich von −196 °C bis +150 °C durchgeführt. Dabei zeigte sich eine sehr gute Übereinstimmung mit Ergebnissen, die an denselben Proben nach Aufbringen „Ohmscher”︁ Kontakte mit Gleichspannung gewonnen wurden.
Slip Line Pattern and Work‐Hardening of Neutron Irradiated Copper Single Crystals
Authors: Diehl J. , Hinzner F. 
Published: July 2007

AbstractThe development of the slip line pattern during deformation of neutron irradiated copper single crystals is investigated by electron microscopy at an intermediate neutron dose (5 × 1017 n/cm2). At such a neutron dose, according to the stress‐strain curves, the work‐hardening behaviour is rather different from that at low or at high neutron doses. Using a selected area replica technique, specific areas of the crystal surface are observed up to seven times after successive deformation steps. The numerous stages and substages of the stress‐strain curve are accompained by differences in the arrangement of the slip traces as well as by changes of the characteristic properties of individual slip traces. A tentative interpretation of work‐hardening in the investigated dose range can be based on these results.
Paramagnetic Resonance of NO2‐3 in Two Isostructural Cubic Crystals of Lead Nitrate and Strontium Nitrate
Authors: Žďénský K. , Šroubek Z. 
Published: July 2007

AbstractSingle crystals of Pb (NO3)2 and Sr (NO3)2 X‐irradiated at 90 °K are studied using electron spin resonance. The spectra of paramagnetic species having hyperfine structure due to a single nitrogen nucleus are measured at 90 °K. The principal values of g‐tensors and hyperfine tensors are determined; also the directions of their principal axes. The species in both crystals are tentatively assigned to NO2‐3. In the crystals of Pb(NO3)2, the superhyperfine structure assigned to the interaction with three Pb nuclei is also studied, and the principal tensor values of this superhyperfine interaction and the directions of their principal axes determined.