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Magnetische Untersuchungen über die Bildung von Nahordnungsbereichen von FeAl‐Legierungen in der Nähe der stöchiometrischen Zusammensetzung Fe3Al bei höheren Temperaturen
Authors: Wagner H. , Gengnagel H. 
Published: July 2007

AbstractMessungen der während einer Magnetfeldglühung induzierten Anisotropie an FeAl‐Legierungen ergeben, daß bei höheren Temperaturen in der Nähe der stöchiometrischen Zusammensetzung Fe3Al nach langem isothermen Tempern relativ große einachsige Anisotropien auftreten. Die Größe dieser Anisotropie (etwa 4 · 104 erg cm−3) und die Größe der Relaxationszeit (etwa 80 h bei 500 °C) zeigen, daß ein anderer Prozeß als der der Pärchenbildung und ‐ausrichtung dominieren muß. Messungen der Koerzitivfeldstärke im gleichen Temperaturbereich ergeben einen ähnlichen zeitlichen Verlauf; die Koerzitivfeldstärke einer polykristallinen Probe mit 23,5 At‐% Al erreicht nach etwa 40stündiger Temperung bei 550 °C (ohne Magnetfeld) einen Sättigungswert von ca. 170 Oe. Die Meßergebnisse können unter der Annahme von Nahordnungsinseln mit einem gewissen Magnetisierungsunterschied gegenüber der Matrix gedeutet werden. Das Auftreten dieser Nahordnungsinseln läßt wahrscheinlich einerseits eine Formanisotropie entstehen und andererseits die Koerzitivkraft auf den hundertfachen Wert ansteigen.
Unstable Domain Structure in the Intermediate State of Superconductors
Authors: Lalevic B. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements of resistance fluctuations, metastable resistance levels, and related parameters have been extended to the case of the intermediate state of a specimen carrying a variable current in a constant external magnetic field. The origin of peculiar peaks in the plots of relative changes of resistance Δ R/R is now clarified and related to metastable resistance levels. The influence of specimen current on the shape of the resistance vs. external magnetic field plot is explained on the basis of the present measurements. From a comparison of these and previously obtained data with the theory of domain boundary propagation, the conditions for the occurence of domain boundary instabilities are derived and a mechanism responsible for the appearance of resistance fluctuations is discussed.
Electron Mirror Observations of Semiconductor Surfaces at Low Temperatures
Authors: Igras E. , Warmiński T. 
Published: July 2007

AbstractA new type of electron mirror microscope is described schematically. The microscope allows the observation of electrical micro‐fields on semiconductor surfaces in the temperature range 77 to 1300 °K. Preliminary results of observations on silicon surfaces at low temperatures are presented. It is suggested that the observed pictures can be interpreted in terms of surface fields resulting from the trapping of minority carriers. Results concerning impurity precipitation in silicon and germanium are also given.
The Spin Dependent Effective Mass of the Conduction Electrons in Ferromagnetic Metals
Authors: Mathon J. , Fraitová D. 
Published: July 2007

AbstractThe energy correction for conduction electrons in ferromagnetic metals due to the s ‐ d exchange is calculated by perturbation theory. It is found that the ordered d‐system effects the energy of an s‐electron in such a way that a spin‐dependent effective mass can be defined. The energy of a conduction electron is not changed if the spin of the electron and that of the d‐electrons are parallel but an energy correction appears if the spins are antiparallel. Using this result the resonance frequency and the line width of the spin resonance of conduction electrons are evaluated following Izjumov and Skrockij [1].
Exchange Interactions in Dilute AgMn Alloys at Helium Temperatures
Authors: Chari M. S. R. 
Published: July 2007

AbstractThe expression for the decrease in electrical resistivity below the temperature of magnetic ordering, derived on the basis of the Kasuya‐Yosida model for dilute alloys containing a transitional metal solute has been modified recently by Collings, Hedgcock, and Muto, in order to take the resistivity minimum into account. This is used here to estimate the exchange interaction parameter in polycrystalline rods of silver containing respectively 0.14, 0.32 and 0.55 at.‐% of manganese in random solid solution.The prediction of the model as to the variation of the electronic Lorenz parameter, in these alloys at liquid helium temperatures, with applied magnetic field and temperature are found to agree qualitatively with the behaviour inferred from experimental results.
Elektronische Zustände an reinen Siliziumoberflächen
Authors: Lamatsch H. 
Published: July 2007

AbstractNach theoretischen Vorstellungen treten an reinen Kristalloberflächen mit Elektronen besetzbare Quantenzustände auf (Tamm, Shockley). Die folgenden Experimente wurden zur Prüfung der Existenz solcher Zustände unternommen. Die Oberflächenleitfähigkeit und ihre Änderung durch ein transversales elektrisches Feld (Feldeffekt) wurden an Siliziumkristallen beobachtet (1000 Ohm cm, p‐Typ). Die Proben hatten die Form zylindrischer Stäbchen, die auf einen Durchmesser von 0,3 mm geschliffen waren. Die Zylindersymmetrie der Meßröhre ermöglichte einen gleichmäßigen Beschuß mit Argonionen zur Reinigung und eine empfindliche Feldeffektmessung. Dem Ionenbeschuß folgte stets eine Glühbehandlung. ‐ Es gelang, das Minimum der Oberflächenleitfähigkeit zu beobachten und damit Absolutwerte dieser Größe zu erhalten. Die gereinigte Oberfläche ist schwach p‐leitend. Das Ferminiveau liegt 0,25 eV unterhalb der Mitte der Bandlücke. Die Zustandsdichte in der Umgebung des Ferminiveaus beträgt 1,5 · 1015 cm−2 eV−1. Für die integrierte Dichte der Oberflächenzustände in der ganzen verbotenen Zone kann nur eine untere Grenze mit 2 · 1014 cm−2 angegeben werden. Durch vorübergehende Einwirkung von Sauerstoff sinkt die Zustandsdichte um etwa eine Größenordnung.
Sublimation of Cadmium Telluride and Cadmium Selenide under a Vapour Pressure of one of their Components and the Equilibrium Form of Crystal Growth
Authors: Höschl P. , Koňák Č. 
Published: July 2007

AbstractThe dependence of the sublimation velocity V (g · s−1 · cm−2) of binary compounds AIIBIV on the vapour pressure of one of their components p is investigated. For this purpose extensions are made to the theory of the kinetics of element sublimation including the mechanism of diffusion transport. The relationship V ∼ (p)−3 is derived. A method for growing single crystals by heating a mixture of small and large crystals of binary compounds AB under a vapour pressure of the component A is described and justified. The relationship α = exp (4 v0 σi/k Ts r1) is derived for the supersaturation (α) of the vapour phase at the crystal growth site by a generalization of the Thompson‐Gibbs relation. Equilibrium growth of single crystals has made it possible to determine the GI planes of cadmium telluride and selenide.
Electron Correlations in Statistical Model and Cohesion of Solids
Authors: Olszewski S. , Dubejko M. 
Published: July 2007

AbstractThe cohesive energy of solids of calculated by using a statistical model in which both the exchange and the Coulomb correlations are included. The model takes into account the local lowering of the electron density due to the finite volume of the exchange and coulomb correlation holes produced in the electron gas of the statistical atomic system.The cohesive energy and atomic volume are estimated numerically for elements with atomic numbers Z varying from 1 to about 30, and those are compared with the corresponding average experimental dependences on Z. Rather good agreement between theory and experiment is obtained for the cohesive energy if only the exchange correlations are considered. The introduction of the Coulomb correlations increases the cohesive energy about one third of the value obtained by the use of exchange correlations alone.
Dielektrische Untersuchung an festen (BaxSr1−x) TiO3‐Lösungen im Konzentrationsbereich von x = 0 bis 0,1 bei tiefen Temperaturen
Authors: Hegenbarth E. 
Published: July 2007

AbstractAn polykristallinen festen Lösungen von (BaxSr1−x) TiO3 im Konzentrationsbereich von x = 0,01 bis 0,1 wurden die Temperatur‐ und Feldstärkeabhängigkeit der Dielektrizitätskonstanten im Temperaturbereich von 10 °K bis 80 °K gemessen. Es zeigte sich, daß die Abhängigkeit der Übergangstemperaturen von der Konzentration im Bereich x = 0,01 bis 0,1 viel größer ist als im Bereich x > 0,1. Die Ergebnisse werden diskutiert.
Die plastische Verformung von Natriumchlorid Von
Authors: Hesse J. 
Published: July 2007

AbstractDie plastische Verformung von NaCl wird im dynamischen Druckversuch für verschiedene Kristallorientierungen, Verformungstemperaturen T und ‐geschwindigkeiten \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot a $\end{document} untersucht. Die Verfestigungskurven (VK) zeigen eine Dreiteilung, wie sie von den kfz. Metallen her bekannt ist. Die Änderung der VK von NaCl mit T und \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot a $\end{document} entspricht der der Metalle, dagegen ist die Orientierungsabhängigkeit in beiden Kristallsystemen völlig verschieden. Es wird versucht, die Verfestigung von NaCl versetzungstheoretisch zu interpretieren. Dabei werden Versetzungszählungen mittels Ätzgruben benutzt, die für den Bereich I der VK einen Zusammenhang zwischen der Ätzgrübchendichte NP und Fließspannung τ von der Form \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \tau = A\sqrt {N_P} $\end{document} ergeben. A ist unerwartet groß und stark von T \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot a $\end{document} und der Orientierung abhängig. Für [001]‐orientierte Kristalle wird für den Bereich I geschlossen, daß die Fließspannung durch schwer bewegliche Sprünge bestimmt ist (und nicht allein durch elastische Versetzungswechselwirkung oder Schneidprozesse), und daß die Orientierungsabhängigkeit auf dem Mitwirken sekundärer Gleitsysteme vom Typ {100} 〈110〉 beruht. Der Verfestigungsmechanismus im Bereich II von NaCl, in dem τ stärker als \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \sim \sqrt {N_P } $\end{document} anwächst, ist ungeklärt. Der Bereich III von [001]‐Kristallen läßt sich formal auf thermisch aktivierte Quergleitung von Schraubenversetzungen zurückführen. Sowohl Sekundär‐ wie Quergleitung müßten sich elektronenmikroskopisch nachweisen lassen auf Kristallen, die unter Luftabschluß verformt wurden, wie Vorversuche zeigen.
Streuung von Blochwellen schneller Elektronen in ferromagnetischen Kristallen
Authors: Wilkens M. 
Published: July 2007

AbstractDie Beugung schneller Elektronen in Kristallen mit magnetischem Feld wird theoretisch untersucht, wobei das Vektorpotential des magnetischen Feldes als schwache Störung betrachtet wird. Man erhält Differentialgleichungen für die Ortsabhängigkeit der Anregungsstärken der Blochwellen, wie sie in ähnlicher Form für die Streuung von Blochwellen in Kristallen mit Gitterbaufehlern gefunden wurden [1]. In der Säulennäherung ist die Wirkung des magnetischen Feldes einer Krümmung des Gitters gleichwertig. Die Differentialgleichungen werden für den Zweistrahlfall und ein homogenes Magnetfeld näherungsweise gelöst und der elektronenmikroskopische Hellfeld‐ bzw. Dunkelfeld‐Flächenkontrast von ferromagnetischen Domänen diskutiert. Es wird gezeigt, daß dieser Flächenkontrast als Folge der Wanderung der Anregungspunkte sogenannter „modifizierter Blochwellen”︁ im Sinne von Penning und Polder bzw. Kato verstanden werden kann. Die bisher vorliegenden experimentellen Untersuchungen, über die teilweise schon berichtet wurde [2], sind mit der Theorie im Einklang.
Abhängigkeit der Anisotropie der elektrischen Leitfähigkeit des Siliziums vom elektrischen Feld
Authors: Asche M. , Boitschenko B. L. , Sarbej O. G. 
Published: July 2007

AbstractDie longitudinale und transversale Anisotropie der Leitfähigkeit werden an n‐Si bei 77 °K an jeweils ein und denselben Proben als Funktionen der Beträge und der Richtungen der Feldstärke in der (100)‐ und (110)‐Ebene gemessen.Für die theoretische Analyse werden die Abhängigkeit der Verteilungsfunktionen zum Maxwelltyp von den „Temperaturen”︁ und Konzentrationen der Elektronen in den verschiedenen Tälern aus der Energie‐ und Teilchenzahlbilanz bestimmt. Dabei werden für die Zwischentalstreuungen verschiedene mögliche Kombinationen von f‐ und g‐Übergängen betrachtet.Der qualitative Verlauf der berechneten Abhängigkeit der Leitfähigkeit vom Feld sowie des Winkels zwischen Strom und Feld von der Orientierung der Kristalle stimmt mit den experimentellen Daten überein. Dabei entsprechen die Maxima sowohl der longitudinalen als auch der transversalen Anisotropie den maximalen Unterschieden der Elektronenkonzentrationen in den verschiedenen Tälern. Für eine quantitative Übereinstimmung müßten diese Unterschiede der Besetzungszahlen jedoch noch stärker sein.
Charged Dislocations in Sodium Chloride Crystals Containing Sodium Hydroxide
Authors: Caffyn J. E. , de Freitas J. C. , Goodfellow T. L. 
Published: July 2007

AbstractBars of single crystal NaCl have been deformed by four‐point bending and the sign of the charge on dislocations has been determined. This sign was found to be negative in nominally pure (i.e. analytical reagent grade) material at room temperature in agreement with theory. Crystals have also been prepared by doping with NaOH in the melt. Dislocations in NaCl crystals having an OH concentration of less than 3 × 10−4 mole fraction were found to be negatively charged and in crystals with an OH concentration greater than 3 × 10−4 mole fraction positively charged. The effect of annealing in an atmosphere of chlorine has been studied and a reversal of sign has been observed in crystals heavily doped with NaOH. Doped crystals were quenched and sign reversals also observed. Possible chemical reactions which serve to interpret these phenomena have been discussed.Bars of crystal already bent in the apparatus were turned over and bent in the opposite direction. The Bauschinger effect was observed in ‘pure’ and doped crystals and also a reversal in the polarity of the potential measured on opposite faces. This has been interpreted in terms of the expected movements of charged dislocations.
Optische und elektrische Erscheinungen in bleiaktivierten Alkalihalogeniden
Authors: Bohun A. , Sak J. , Dolejší J. 
Published: July 2007

AbstractDie Absorptions‐ und Emissionsspektren von bleiaktivierten Alkalihalogenidkristallen (und orientierend auch von KClTl) wurden bei 20 und −150 °C bei verschiedener Anregung gemessen und mit den Absorptionsspektren von entsprechenden gesättigten Lösungen verglichen. Es wurde festgestellt. daß die Absorptionsbanden A bei den Alkalichloriden und ‐bromiden sowie bei KClTl aus einer ganzen Reihe von Subbanden bestehen. Bei den Lösungen ist diese Feinstruktur weniger ausgeprägt. Die Absorptionskurven von Alkalijodiden sind glatt (ohne Feinstruktur). Die Erklärung der Feinstruktur basiert auf der Existenz von Bleikomplexen und deren Schwingung, wird also als Elektronen‐Schwingungsspektrum der Bleikomplexe gedeutet. Bei der thermisch stimulierten Elektronenemission und Lumineszenz werden die Herkunft der Elektronen und der Elementarmechanismus diskutiert.
Crystallographic Formulae for Hexagonal Lattices
Authors: Otte H. M. , Crocker A. G. 
Published: July 2007

AbstractFor structures with hexagonal symmetry, three different axial systems (rhombohedral, orthorhombic, and hexagonal) are in general use to define the indices of directions and planes. The hexagonal axial system is the one in which confusion is most likely to occur if the axes and the notation are not clearly defined since, for this one crystal system, three distinct sets of crystallographic formulae arise. The difference between these formulae is demonstrated. The advantages of using the ortho‐hexagonal variant of the orthorhombic system are indicated. The relevant direct and reciprocal lattice bases are defined and the required crystallographic formulae given using both vector and tensor notations. Recommendations are made on nomenclature and notation.
Untersuchungen zur Verfestigungskurve vielkristallinen Kupfers
Authors: Krause D. , Göttler E. 
Published: July 2007

AbstractVielkristallines Kupfer wird bei verschiedenen Temperaturen zwischen 85 und 295 °K verformt und die Verfestigungskurve mit Hilfe der Ableitung dϵ/dσ in Abhängigkeit von der Spannung σ analysiert. Es zeigt sich, daß deren Verhalten bei allen Temperaturen dieselbe Bereichseinteilung der Verfestigungskurve erlaubt, die früher schon für vielkristallines Nickel nachgewiesen wurde [2, 3]. Die Abhängigkeit der charakteristischen Spannungen σ1, σ2 und σ3 von der Temperatur und Korngröße wird bestimmt und diskutiert. Temperaturwechselversuche sowie die Größe und Temperaturabhängigkeit von σ3 deuten darauf hin, daß Quergleitung als Ursache anzunehmen ist. Ein Vergleich der Meßwerte mit kürzlich veröffentlichten theoretischen Ansätzen [1] für die Spannungen σ1 und σ2 ergibt befriedigende Übereinstimmung.
Dislocations as Traps for Holes in Germanium
Authors: Figielski T. 
Published: July 2007

AbstractA further development of the barrier model of recombination at dislocations is presented. It is shown that in spite of the tunnel effect, the barrier height is the main factor limiting the capture rate of electrons down to about 180 °K. Some features of photoconductivity in crystals with dislocations and their temperature‐dependences, are discussed (such as the lux‐ampere characteristics, and the relaxation of the photocurrent). It is shown how the density of dislocations and the position of the dislocation acceptor level can be estimated from experimental data.
Investigation of the Magnetic Domain Fine Structure of Thin Permalloy Films Evaporated under Different Angles
Authors: Puchalska I. B. , Sukiennicki A. , Tymosz T. 
Published: July 2007

AbstractThe temperature‐dependence of the domain fine structere (ripples) in thin permalloy films evaporated under different angles is studied. The fine structure as a function of the evaporation angle is investigated with an electron microscope and found to agree with the results of Cohen. The temperature‐dependence of the ripples is compared with the theory of Hoffmann.
Über die infrarote Lumineszenz von CdS‐Kristallen
Authors: Albers C. , Arndt S. , Klose H. 
Published: July 2007

AbstractCdS‐Kristalle zeigen nach Belichtung oberhalb Zimmertemperatur charakteristische Veränderungen ihres Lumineszenzspektrums, welche photochemischen Prozessen zugeschrieben werden. In Fortsetzung früherer Arbeiten wurden die Untersuchungen auf die infraroten Banden ausgedehnt. Hier wurden wesentliche Unterschiede zwischen Grundgitter‐ und Ausläuferanregung festgestellt, was auf Oberflächeneinflüsse hindeutet, die von uns noch nicht näher untersucht worden sind. In dem bisher angenommenen reaktionskinetischen Modell lassen sich nicht alle Meßergebnisse deuten.
Masse effective des électrons dans le tellurure de mercure
Authors: Verié C. , Decamps E. 
Published: July 2007

AbstractDes mesures de réflectivité sont utilisées pour déduire les paramètres fondamentaux de HgTe. Une bonne conformité est trouvée par application du modèle de Kane avec P = 7,2 × 10−8 eV · cm et Eg = − 0,15 eV.
Magnetische Kristallanisotropie von kobalthaltigem MgMn‐Ferrit
Authors: Elbinger G. 
Published: July 2007

AbstractAn Co‐dotiertem MgMn‐Ferrit (CoxMg0,75Mn0,53 Fe1,71O3,96+x; 0 ≦ x < 0,076) wurden die Anisotropiekonstanten K1 und K2 mittels der Drehmomentenmethode von −185 bis +200 °C bestimmt. Bei kleinen Co‐Konzentrationen ist deren Einfluß auf die Anisotropie eine lineare Funktion des Co‐Gehaltes. Der Einfluß ist geringer als bei Mn‐ und MgFe‐Ferriten und viel geringer als bei Magnetit.
Green's Function Method in the Theory of Light Scattering by Impurity Centres in Solids
Authors: Lubchenko A. F. 
Published: July 2007

AbstractThe spectra of resonant, Raleigh, and Raman scattering of light by impurity centres are calculated by the method of Green's functions and operator arrangement along the integration contour, taking account of anharmonicity. A general expression is obtained for the scattering spectrum. The dependence of the phonon and non‐phonon parts of the spectrum on temperature and the nature of the host crystal are discussed in detail. As the frequency of the exciting light approaches the impurity absorption region, the integral scattering intensity increases with the absorption coefficient of the impurity centres.
Untersuchungen der Bereichstruktur von Nickeleinkristallen. I. Beobachtungen an Kristallen mit 〈110〉 und 〈100〉 als Achse
Authors: Schwink Ch. , Spreen H. 
Published: July 2007

AbstractEs werden lange, stabförmige, prismatische Nickeleinkristalle der axialen Orientierungen 〈110〉 und 〈100〉 hergestellt und untersucht, die die Néelschen Voraussetzungen für einfache Bereichstrukturen erfüllen. – Der vierzählige Kristall mit 〈100〉 als Achse weist im Unterschied zur Beobachtung von Bates und Wilson [9] keine einfache durchgehende Plattenstruktur der Grundbereiche auf. Dagegen finden wir eine solche für den erstmals studierten zweizähligen Kristall mit 〈110〉 als Achse. Es gelingt, die Bittermuster auf allen achsenparallelen Flächen zu beobachten. Die Abhängigkeit der Periodizität der Bereichstruktur vom wahren Feld wird für die zwei‐ und vierzähligen Kristalle gemessen. – Bekannte hypothetische Bereichstrukturmodelle werden theoretisch behandelt, und dabei wird die magnetoelastische Energie vollständiger als bisher berücksichtigt. Beim Vergleich mit dem Experiment treten qualitative und quantitative Unterschiede auf; sie rühren nicht von der Wirkung des entmagnetisierenden Feldes her, wie Kociński [14] vermutet. Wir schließen aus unseren Beobachtungen, daß die Bereichstruktur der untersuchten Kristalle nicht den verbreiteten Vorstellungen darüber entspricht.
Thermodynamic Green's Function Approach to Impurity Conduction. I. dc Conduction
Authors: Gosar P. 
Published: July 2007

AbstractThe thermodynamic Green's function method is applied to the problem of de impurity conduction in semiconductors. Both the electron hopping motion at low impurity concentrations and the band conduction at high concentrations are studied. A localised representation is used for the electronic states and the electron‐phonon interactions are evaluated by the deformation potential approximation. The current density auto‐correlation function is calculated by means of the reduced diagram expansion.
Dynamical Theory of the Images of Microtwins as Observed in the Electron Microscope. II. Overlapping Domain Wall Boundaries
Authors: Remaut G. , Gevers R. , Lagasse A. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractThe two‐beam dynamic theory of the electron transmission microscopic fringe images of microtwins is discussed. In contrast to Part I, it is now assumed that the parent crystal and microtwin are both close to an orientation for reflection. The excitation errors are then slightly different. This situation occurs in BaTiO3, CoO, NiO, where the twins are ferro‐electric or anti‐ferromagnetic domains characterized by small twin‐vectors and limited by parallel coherent boundaries inclined with respect to the foil surfaces.If the thickness of the microtwin is small, the anomalous absorption for the microtwin can be neglected. It can then be shown that the images are similar to stacking fault images defined by a phase angle depending on the diffraction conditions and on the microtwin thickness.For a thick microtwin, it can be shown that the part of the images where the boundaries overlap can be differentiated very well from the non‐overlapping parts. An analytical discussion leads to several significant conclusions regarding the nature of the extreme fringes, the contrast of the fringes, and the mean intensities.In Part III these predictions will be compared with the results of numerical calculations. It will be also shown that they are in good agreement with experiment.