bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Optische Eigenschaften und Bandstruktur im System Se–Te
Authors: Stuke J. , Keller H. 
Published: July 2007

AbstractAn Se‐ und Te‐Einkristallen wurde das Reflexionsvermögen R bei Polarisation des Lichtes parallel und senkrecht zur Kettenrichtung gemessen. Der Charakter des Reflexionsspektrums ist bei den Elementen ähnlich; R ist in beiden Fällen bei paralleler Polarisation größer als bei senkrechter. Die verschiedenen Maxima des Reflexionsvermögens lassen sich als Maxima des Brechungsindex n bzw. des Absorptionsindex k identifizieren und können in ein empirisches Bändermodell eingeordnet werden.Reflexionsmessungen an polykristallinen Se—Te‐Legierungen zeigen bei einem n‐Maximum und dem zugehörigen k‐Maximum ein eigenartiges Verhalten. Die energetische Lage des n‐Maximums verschiebt sich beim Übergang von Te nach Se zunächst nicht und geht bei etwa 75% Selengehalt mit einem Sprung in das entsprechende Maximum von Se über. Das zugehörige k‐Maximum zeigt einen schwächeren Sprung, und sein Betrag hat ein Minimum bei der gleichen Zusammensetzung. Auch diese Ergebnisse lassen sich an Hand des Bändermodells einheitlich deuten.
Optical Absorption of Interstitial Ions in KBr Crystals at Helium Temperatures
Authors: Kurz G. , Gebhardt W. 
Published: July 2007

AbstractX‐irradiation for KBr crystals at helium temperature produces the well known α‐absorption at 6.14 eV (anion vacancies) and an absorption band at 5.4 eV. The generation and annealing properties of this band are the same as those of the anomalous thermal resistivity found after X‐irradiation. It is concluded that Br− interstitial ions, which are known to cause the excess thermal resistivity, are also responsible for the 5.4 eV band.
Magnetische Feinstruktur und magnetische Eigenschaften einachsiger ferromagnetischer Schichten II. Differentielle, reversible und irreversible Suszeptibilität
Authors: Hoffmann H. 
Published: July 2007

AbstractAus der Ripple‐Gleichung wird die differentielle Suszeptibilität abgeleitet. Durch Integration erhält man die Suszeptibilität, die sich wegen der lokalen Anisotropien in einen reversiblen und einen irreversiblen Anteil aufspalten läßt. Die lokale Anisotropie bewirkt die Abweichungen der Suszeptibilität vom Eindomänenverhalten. Die Abweichungen sind gering bei Anwesenheit starker Felder. Sie wachsen mit Verkleinerung der Feldstärke und Vergrößerung der lokalen Anisotropie. Bei bestimmten Gleichfeldstärken erreichen die verschiedenen Suszeptibilitäten ein Maximum und nehmen dann mit abnehmender Feldstärke entgegen der Eindomänentheorie wieder ab. Die Aussagen der Theorie stimmen in allen Einzelheiten qualitativ mit den Experimenten von Feldtkeller überein. (Für einen quantitativen Vergleich fehlen vom Experiment her genaue Angaben über die Schichtparameter.) Die Winkelabhängigkeit der Hystereseeffekte entspricht den Messungen von Smith und Weiss. Die Theorie erklärt alle Hystereseeffekte ohne die Einführung einer negativen Anisotropie. Ihr weiterer Ausbau eröffnet neue Möglichkeiten der Strukturuntersuchung ferromagnetischer Schichten.
Measurement of the Mean and Anomalous Absorption Coefficients with the Three‐Crystal X‐Ray Spectrometer
Authors: Lefeld‐Sosnowska M. 
Published: July 2007

AbstractThe anomalous absorption coefficient 1/2 (σ1 — σ2) and the mean absorption coefficient σm are measured for the (220) and (111) reflections of Si single crystals for CuK radiation. The measured variation of the intensity of the diffracted beam with crystal‐thickness is composed of two exponential terms, one of which corresponds to strong absorption and the other to weak absorption of the wave field. The measurements are made with a three‐crystal X‐ray spectrometer which allows the relative angular position of the crystal under investigation to be controlled to within ±1″. The anomalous absorption coefficient is measured for the angle βr corresponding to equal to zero, values of 122 cm−1, and 75 cm−1 being obtained for the (220), and (111), reflections respectively. These values are smaller than those predicted theoretically due to the presence of imperfections in the crystals. The values of σm are 164 cm−1 and 154 cm−1 for the (220), and (111), reflections respectively, which agree with the theoretical values within the limits of experimental error.
Einfluß von α‐Bestrahlung bei tiefer Temperatur auf die innere Reibung von hochreinem Kupfer
Authors: König D. , Völkl J. , Schilling W. 
Published: July 2007

AbstractAn einem Ende fest eingespannte, 5 μm dicke Kupferblättchen (99,999% Reinheit) wurden bei ca. 30 °K mit α‐Teilchen aus einer 210Po‐Quelle bestrahlt, zu Querschwingungen angeregt, und aus dem Abklingen der Schwingung wurde die innere Reibung bestimmt. Es zeigt sich, daß durch die α‐Bestrahlung das Bordonimaximum zunächst fast völlig unterdrückt wird. Es tritt erst nach Aufwärmen auf Temperaturen über 125 °K wieder langsam hervor, erreicht jedoch selbst nach Aufheizen auf ca. 400 °K nicht mehr seine ursprüngliche Größe. Es wird vielmehr nach jedem Bestrahlungs‐ und Erholungszyklus kleiner. Das bekannte Nebenmaximum tritt nach einmaliger Bestrahlung nicht mehr auf. Eine Reihe von Maxima (bei ca. 39°K, 104°K, 170°K und 240°K) werden durch die Bestrahlung hervorgerufen, die wahrscheinlich Wechselwirkungsprozessen von Versetzungen mit Punktdefekten zuzuordnen sind.
Electron Microscopic Images of Single and Intersecting Stacking Faults in Thick Foils II. Intersecting Faults
Authors: Gevers R. , Art A. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractThe dynamic theory of electron transmission microscopic images of intersecting stacking faults is developed and discussed. Intersecting faults of the same type in f.c.c. alloys are considered, the fault planes having opposite tilt. The expected images are compared with observations on thick Cu‐15% Ga foils.The aspects of the bright‐field images are different under different diffraction conditions: (i) “streaked” fringes parallel to the projection of the intersection line for large values of the excitation error s; (ii) for small values of s the images consist of two distinct parts: the central one and the outer one. The central part consists of a few nearly unmodulated straight fringes parallel to the intersection. The outer part is a more or less deformed superposition of two fringe patterns. A pure superposition of the fringe patterns due to each fault separately is found for a particular value of s and for the outer part of the image.The qualitative features of the image for small s in thick foils are due to anomalous absorption effects.
Die transversale magnetische Widerstandsänderung elektronenstrahlzonengeschmolzener Wolfram‐ und Molybdän‐Einkristalle zwischen 14 und 27 °K
Authors: Berthel K.‐H. 
Published: July 2007

AbstractAn reinen Molybdän‐ und Wolfram‐Einkristallen wurde die Änderung des elektrischen Widerstandes im transversalen Magnetfeld zwischen 14 und 27°K untersucht. Es zeigte sich, daß die Anisotropie der Widerstandsänderung beider Metalle sehr ähnlich ist und nicht von dem Streuprozeß, der für die jeweilige Temperatur den größten Beitrag zum feldfreien elektrischen Widerstand liefert, abhängt.Für bestimmte Winkel zwischen dem Magnetfeld und den kristallographischen Achsen der Proben wurde die Abhängigkeit der relativen Widerstandsänderung von Induktionsflußdichte B und Temperatur T gemessen. Die in Kohlerdiagrammen dargestellten Ergebnisse zeigen, daß sich die Kurven für maximale und minimale Widerstandsänderung im Bereich B/r > 107 Gauß (r ist das Widerstandsverhältnis R(T)/R(273) der Proben) nur um konstante Faktoren unterscheiden. Bei kleinerem B/r konvergieren beide Kurven, wobei die Konvergenz von der kristallographischen Orientierung der Probenachse abhängt. Im Konvergenzbereich hat der Quotient aus mittlerer freier Weglänge der Ladungsträger und Bahndurchmesser der Ladungsträger im Magnetfeld die Größenordnung 1.
Die Diffusion von Cu+‐Ionen in AgCl‐ und AgBr‐Kristallen I. Die Diffusion in undotierten Kristallen
Authors: Süptitz P. 
Published: July 2007

AbstractUnter Verwendung von radioaktivem Kupfer wurden die Diffusionskoeffizienten von Cu+ in undotierten AgCl‐ und AgBr‐Kristallen in Abhängigkeit von der Temperatur im Bereich von über 400 °C bis 50 °C ermittelt. AgCl und AgBr verhalten sich gleichartig, in Schmelzpunktnähe ergeben sich hohe Diffusionskoeffizienten (> 10−5 cm2/s). Die Temperaturabhängigkeit läßt sich über einen großen Bereich durch je eine Arrheniusgleichung darstellen mit der Aktivierungsenthalpie Q = 0,399 eV für AgCl und Q = 0,455 eV für AgBr. Unterhalb von 70 °C (AgBr) bzw. 170 °C (AgCl) nimmt der Diffusionskoeffizient D verstärkt ab, gleichzeitig werden Einflüsse zufälliger Verunreinigungen und der Kristallvorgeschichte merkbar. Die im unteren Temperaturbereich beobachtbare Konzentrationsabhängigkeit von D steht in Verbindung mit der kleineren Frenkelfehlordnung. Aus der Temperaturabhängigkeit von D werden Rückschlüsse auf den Diffusionsmechanismus gezogen.
Die Diffusion von Cu+‐Ionen in AgCl‐ und AgBr‐Kristallen II. Die Diffusion in Cu+‐dotierten Kristallen
Authors: Süptitz P. 
Published: July 2007

AbstractDie Diffusionskoeffizienten D von Cu+ wurden in Cu+‐dotierten AgCl‐ und AgBr‐Kristallen in Abhängigkeit von der Zusatzkonzentration bestimmt. Die Isothermen für D weisen ein Minimum auf. Einige Wanderungsmechanismen, die für die Cu+‐Diffusion möglich erscheinen, werden theoretisch daraufhin untersucht, zu welcher Konzentrationsabhängigkeit von D sie führen. Nur der Zwischengitterplatzwechsel führt zu der bei kleinen Konzentrationen festgestellten Abnahme von D bei steigender Zusatzkonzentration. Möglichkeiten zur Erklärung der Zunahme von D bei großen Konzentrationen werden diskutiert.
Untersuchungen zum Ausscheidungsmechanismus von Kupfer in Silizium
Authors: Rieger H. 
Published: July 2007

AbstractAnhand licht‐ und elektronenmikroskopischer Beobachtungen wurde die Ausscheidung von Kupfer in Siliziumeinkristallen untersucht. Es ergab sich, daß die im Lichtmikroskop kompakt erscheinenden Ausscheidungen in Wirklichkeit räumlich scharf abgegrenzte Gebiete regellos angeordneter kugelförmiger Ausscheidungen sind. Die Ausscheidungsgebiete werden von spiral‐ bzw. wendelförmigen Versetzungen durchzogen. Auf Grund der durchgeführten Untersuchungen zum Ausscheidungswachstum wurde ein Modell für den Ausscheidungsmechanismus angegeben, dem eine autokatalytische Reaktion zugrunde liegt.Es ergaben sich außerdem einige grundsätzliche Grenzen bei der Anwendung der Dekorierungsmethode zur Versetzungsbeobachtung.
Anwendung elektronenmikroskopischer Feinbereichsbeugung zur Ermittlung der Walztextur von Kupfer
Authors: Haessner F. , Jakubowski U. , Wilkens M. 
Published: July 2007

AbstractMittels elektronenmikroskopischer Feinbereichsbeugung wird an 95% gewalztem Kupfer an 600 Stellen, die über große Materialbereiche verteilt liegen, die Orientierung in bezug auf Walzrichtung und Blechebene festgestellt. Die daraus gewonnenen Polverteilungen stimmen mit den am gleichen Material röntgenographisch gemessenen (111)‐, (200)‐ und (220)‐Polfiguren überein. Die zusätzlichen Informationen, die das elektronenmikroskopische Verfahren im Vergleich zur röntgenographischen Methode zu liefern in der Lage ist, werden diskutiert.
Reptation der Magnetisierungsschleife an der Legierung Eisen—Kupfer
Authors: Leinhos H. 
Published: July 2007

AbstractEs werden ausführliche Meßergebnisse zur Reptation an der Legierung Eisen—Kupfer (1,65% Cu, Rest Fe) mitgeteilt, wobei der Vergleich der Meßergebnisse mit der Rechnung von Néel angegeben wird. Die Durchführung der Messung erfolgte mit einem unsymmetrischen Wechselfeld der Frequenz 2 Hz bis zu einer Aussteuerung H/Hc ≈ 6 (Hc Koerzitivfeld) und einer Umlaufzahl n = 31. Bei dem Probenmaterial wurden entsprechend den Untersuchungen von Qureshi verschiedene Ausscheidungszustände des Kupfers eingestellt und der Einfluß dieser Ausscheidungen auf die Reptation untersucht.
Untersuchung atomarer Fehlstellen in verformtem Kupfer mit Hilfe des elektrischen Widerstandes
Authors: Ramsteiner F. , Schüle W. , Seeger A. 
Published: July 2007

AbstractDas Erholungsverhalten des elektrischen Widerstandes von plastisch verformtem Kupfer (Reinheitsgrade: 99,99%, 99,999%) wird im Temperaturgebiet zwischen ‐40 und 250 °C untersucht.In diesem Temperaturgebiet werden drei Erholungsprozesse beobachtet. Die erste Erholungsstufe (Stufe III, Aktivierungsenergie (0,64 ± 0,04) eV) wird auf die Rekombination von Zwischengitteratomen mit den (beim Verformen in etwa gleicher Konzentration entstandenen) Leerstellen zurückgeführt. Die daran anschließende Stufe IV (Aktivierungsenergie (1,05 ± 0,05) eV) wird, auf Grund der Übereinstimmung ihrer Aktivierungsenergie mit der nach Abschrecken in diesem Temperaturgebiet gefundenen, dem Ausheilen einzelner Leerstellen zugeschrieben. Bei der dritten der beobachteten Erholungsstufen handelt es sich um die wohlbekannte Stufe V.
Ein Verfahren zur Berechnung der Energien von Leerstellen in Alkalihalogeniden
Authors: Scholz A. 
Published: July 2007

AbstractAn Hand der Beispiele NaCl und KCl wird ein Verfahren entwickelt, um die Gitterverzerrungen und Bildungsenergien von Leerstellen in Alkalihalogeniden zu berechnen. Dabei wurden 256 Ionen explizite in der Energiefunktion U (σ1, σ2, …, σ23) berücksichtigt, wobei σλ eine Verschiebungskomponente bedeutet. Das verzerrte Gitter hat volle kubische Symmetrie. Die Energie U (σ1, σ2, …, σ23) setzt sich aus den Beiträgen der Coulomb‐, Abstoßungs‐, und Polarisationsenergie zusammen. Mit Hilfe eines Rechenautomaten wurden die Werte der Funktion U (σ1, σ2, …, σ23) berechnet und U (σ1, σ2, …, σ23) minimalisiert. Die berechneten Energiewerte für die Erzeugung eines Schottkyschen Leerstellenpaares ergeben sich zu 2,10 eV in NaCl und 2,60 eV in KCl.
Die Inhomogenität der Verformung von Germanium im Streckgrenzenbereich
Authors: Schröter W. , Alexander H. , Haasen P. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Germaniumeinkristalle verschiedener Versetzungsdichte in dynamischer Kompression verformt. Die Verformung wurde an verschiedenen Punkten der Verfestigungskurve bis zur unteren Streckgrenze beendet und die jeweilige Versetzungsverteilung längs der Probe mittels Ätzgrübchen bestimmt. Es treten charakteristische Inhomogenitäten der Versetzungsverteilung auf, die um so stärker sind, je versetzungsärmer der Kristall ursprünglich war. Für inhomogen verformte Kristalle kann ein quantitativer Zusammenhang zwischen der am Kristall liegenden Spannung und der Verformungsgeschwindigkeit angegeben werden.
The Electrical and Thermoelectrical Properties of HgTe in the Temperature Range of Intrinsic Conductivity
Authors: Dziuba Z. , Zakrzewski T. 
Published: July 2007

AbstractThe Hall coefficient, mobility and thermoelectric power of HgTe have been measured in the intrinsic conductivity range. The experimental results are interpreted in terms of the simple parabolic model of the conduction band. The values of the forbidden gap and effective mass of electrons have been estimated. They are Eg < 0.0003 eV and mn = 0.02 m0, respectively. The electron—hole and optical scattering mechanisms are the most probable in HgTe in the intrinsic range.
The Permittivity Tensor of Hexagonal Selenium in the 3.3 cm Wave Region
Authors: Šícha M. , Studnička J. , Prosser V. , Gruber B. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements of the permittivity of hexagonal selenium crystals, prepared from the vapour phase, in the 3.3 cm region, give ϵ!l = 9.3 and ϵ¬ = 8.1 in good agreement with optical data and theoretical expectations.
Zur Bestimmung der Sättigungskonstanten ferroelektrischer Kristalle
Authors: Schmidt G. 
Published: July 2007

AbstractAus der Abhängigkeit des Maximums der Dielektrizitätskonstanten von der Stärke des überlagerten Gleichfeldes läßt sich bei ferroelektrischen Kristallen oberhalb des Curie‐Punktes die Sättigungskonstante B bestimmen. Für Seignettesalz resp. Triglyzinsulfat ergaben sich auf diese Weise die Werte B = 58 · 1012 resp. 0,66 · 1012 Vm5 C−3. Die Ergebnisse am Seignettesalz lassen darauf schließen, daß nach dieser Methode auch ein im Kristall eingeprägtes elektrisches Feld gemessen werden kann.
Orientierungsuntersuchungen an zugverformten Magnesiumeinkristallen
Authors: Rühlicke D. 
Published: July 2007

AbstractIm Rahmen des Untersuchungskomplexes zur Plastizität von Magnesiumeinkristallen wurden Versuche zur Ermittlung der bei der plastischen Verformung makroskopisch wirksamen Gleitsysteme durchgeführt. Als Nachweismethode diente die Orientierungsänderung während der Verformung in Verbindung mit Dehnungsmessungen am Kristall. In Übereinstimmung mit den theoretischen Erwartungen und den in der Literatur zitierten experimentellen Ergebnissen wurde durch die vorliegende Arbeit das Basisgleitsystem (0001) 1/3 〈1120〉 als einzig aktives Gleitsystem im Orientierungsbereich 25° < χ0 < 60° bei Raumtemperatur bestätigt. Eine makroskopische Betätigung von Sekundärgleitung konnte nicht festgestellt werden.
Electron Scattering in InSb
Authors: Tsidilkovski I. M. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements and theoretical analyses of a number of transport effects in n‐type InSb for a variety of impurity concentrations and T > 77 °K are examined. The problem of electron scattering is the main one dealt with in the present paper. The contribution of different scattering processes is found to be dependent on temperature and impurity concentration. It is emphasized that acoustic phonons cannot be neglected in this respect.
Phonon Spectrum and Specific Heat of Caesium Chloride
Authors: Tiwari L. M. , Sharan B. 
Published: July 2007

AbstractThe phonon spectrum and specific heats of caesium chloride are determined by Kellermann's method. For the purpose of this calculation the first Brillouin‐zone is divided into 10 × 10 × 10 parts which on correct enumeration yields a total of 6000 frequencies. The agreement between the theoretical and the experimental values of the specific heats is satisfactory.
Neutronographische Untersuchungen an stöchiometrischem Manganferrit und Magnesium‐Mangan‐Ferriten zur Deutung ihrer Struktur
Authors: Kleinstück K. , Wieser E. , Kleinert P. , Perthel R. 
Published: July 2007

AbstractVon drei polykristallinen Mn‐haltigen Ferriten der Zusammensetzung Mn1,01Fe1,99O3,999;Mg0,52Mn0,51Fe1,97O4,001 und g0,73Mn0,57Fe1,70O3,986 wurde mit Hilfe der Neutronen‐ und Röntgenbeugung die Verteilung der Kationen auf die Oktaeder‐ und Tetraederplätze des Spinellgitters bestimmt. Die angegebenen Zusammensetzungen sind das Ergebnis chemischer Analysen. Es wird versucht, aus der Kationenverteilung unter Berücksichtigung der experimentell ermittelten magnetischen Momente Rückschlüsse auf die Wertigkeiten der Kationen zu ziehen. Die experimentellen Daten sprechen dafür, daß das Mangan teilweise als Mn3+ vorliegt, das zusammen mit dem vorhandenen Fe2+ die Oktaederplätze besetzt, während Mn2+ auf den Tetraederplätzen sein muß.
Defektverteilung in Verlagerungskaskaden. III. Edelmetalle
Authors: Jan R. V. 
Published: July 2007

AbstractDie Anwendung der in Teil I [1] und Teil II [2] entwickelten Kaskadentheorie auf die Edelmetalle Kupfer, Silber und Gold liefert folgende Ergebnisse: In allen drei Metallen entstehen ausgeprägte Leerstellenzonen; bei höheren Primärenergien (Cu ⪆ 2 keV, Ag ⪆ 5 keV, Au ⪆ 10 keV) erfolgt eine Aufspaltung in mehrere kleine Leerstellenzonen, die in eine Wolke aus Zwischengitteratomen eingebettet sind. Für das Einzugsgebiet einer bei Reaktorbestrahlung typischen Kaskade ergibt sich ein Durchmesser von etwa 80 Å (Au), 100 Å (Ag) bzw. 200 Å (Cu). Es enthält bei Gold wahrscheinlich eine einzige, bei Silber und Kupfer dagegen mehrere Leerstellenzonen.Unsere Vorstellungen über die Schädigung durch Reaktorbestrahlung werden durch einen Vergleich mit Messungen der kritischen Schubspannung bestätigt und gestatten eine zwanglose Deutung des unterschiedlichen Verhaltens dieser Metalle bei der Erholung des elektrischen Widerstands.
Proprietés thermiques des composés ternaires CdSnAs2 et ZnSnAs2
Authors: Hugon P. Leroux , Veyssie J. J. 
Published: July 2007

AbstractAfin de rendre compte des valeurs relativement faibles de la conductivité thermique de réseau de CdSnAs2 et ZnSnAs2, on a mesuré la chaleur spécifique de ces matériaux en dessous de 4,2 °K; de ces mesures on déduit des valeurs de la température de Debye θD de 234 °K et 271 °K respectivement.On calcule d'autre part la résistance thermique due à la diffusion des phonons acoustiques par les phonons optiques présents dans le spectre de vibration du réseau, dispersion qui s'ajoute à celle des phonons acoustiques entre eux. On montre que, pour des valeurs de ω0/ωD voisines de 1,2 (ω0 fréquence de vibration des phonons optiques, ωD fréquence de vibration maximum des phonons acoustiques), l'addition des deux mécanismes de dispersion rend bien compte des valeurs obtenues de la conductivité thermique de réseau.
The Edge Emission in CdS Crystals
Authors: Spear W. E. , Bradberry G. W. 
Published: July 2007

AbstractIn this paper the mechanism of the green edge emission in pure, undoped CdS crystals is investigated. First, a systematic study of photoconductive, transport and luminescent properties and their dependence on heat treatment (350 °C) has been carried out. The photoconductive measurements between 77 and 130 °K indicate that a class II centre (Sp ≫ Sn) lies 0.13 to 0.15 eV above the valence band. The experimental results are then compared with calculations based on a three centre model and carried out by electronic computer over a range of temperatures and centre densities. The observed luminescent properties can be predicted in agreement with experiment, but only if the radiative recombination takes place between a free electron and a hole trapped in the above centre (Schön‐Klasens model). The effect of heat treatment and the nature of these centres are briefly discussed.
Thermische Akzeptoren in einkristallinem Tellur
Authors: Herrmann K. H. , Link R. , Rentsch W.‐D. 
Published: July 2007

AbstractDie Eigenschaften abgeschreckter Tellurproben werden untersucht. Durch schnelle Abkühlung von 150 bis 360 °C auf −196 °C werden thermische Akzeptoren in Konzentrationen zwischen 4·1014 und 2·1016 cm−3 eingefroren. Parallel dazu erfolgt eine Erhöhung der Gitterbeweglichkeit. Die experimentellen Aussagen deuten auf eine Analogie im Verhalten abgeschreckter Proben zu Proben unter hydrostatischem Druck.
Elektrische und optische Eigenschaften von amorphem Tellur
Authors: Keller H. , Stuke J. 
Published: July 2007

AbstractAn aufgedampften amorphen Te‐Schichten wurde die Temperaturabhängigkeit der spezifischen Leitfähigkeit gemessen. Bei hohen Temperaturen (> 200 °K) ist die Eigenleitung mit ΔE ≈ 0,87 eV vorherrschend. Bei tiefen Temperaturen ergibt sich eine Störleitung, die sich durch Erwärmung auf relativ niedrige Temperaturen (∼ 150 °K) irreversibel vermindern läßt. Mit dem Übergang kristallin‐amorph ist eine Verschiebung der Absorptionskante um 0,40 eV zu höherer Energie verbunden, die um 0,15 eV kleiner ist als die Zunahme des elektrisch gemessenen Bandabstandes. Amorphes Te zeigt Photoleitung, deren Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke und von der Temperatur sowie deren spektrale Verteilung untersucht wurde. Die Eigenschaften von amorphem Te stimmen qualitativ mit denen von amorphem Se und von amorphem Ge überein.
Interpretation of the Yellow Colour of Heat Treated ZnO Powder
Authors: van Craeynest F. , Maenhout‐Van Der Vorst W. , Dekeyser W. 
Published: July 2007

AbstractTwo batches of analytical grade ZnO powder (ZnON) are heated to 920 °C and one, (ZnOA), quenched to room temperature, and the other, (ZnOB), cooled slowly. Samples of both ZnOA and ZnOB are afterwards heated for one hour at temperatures between 100 and 800 °C and quenched. From all these samples the amount of free zinc is determined and the reflection and luminescence spectra measured. The reflection spectra with ZnON as blank indicate the presence of a supplementary absorption band having an intensity which depends upon the previous treatment. From this variation and correlation with the amount of free zinc the yellow colour of the samples can be explained and new models for the centres deduced.