bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Effets de stimulation multiple dans l'interaction de plusieurs ondes de bosons
Authors: Mayer G. 
Published: July 2007

AbstractOn considére des interactions élémentaires entre lumiére et matiére, oú le nombre de bosons produits peut être supérieur de plusieurs unités au nombre de bosons incidents. De telles interactions, souvent trop faibles pour être décelées expérimentalement dans des conditions normales peuvent produire des phénomènes considérables dès que l'excitation est assez intense pour mettre en jeu les effets de stimulation. Le cas d'un photon donnant naissance par interaction avec des molécules à plusieurs phonons identiques et a un photon est particulièrement discuté à cause de ses incidences possibles sur les effets Raman stimulés et sur la réalisation de systémes lasers à gain croissant.
PEM and Nernst Effects in Modulated Light
Authors: Baranowski J. , Mycielski J. 
Published: July 2007

AbstractCalculations of the PEM effect always involve the sum of the light‐induced Nernst an PEM effects. The relative value of these effects depends on the properties of the material and the frequency of modulation of the light. The theory of the Nernst effect induced by the modulated light is developed taking into account that the temperature gradient is not constant over the sample. The expression for the sum of the two effects is given. The results of measurements on the mixed crystals Cd0,1Hg0,9Te are reported. The agreement with the theory is satisfactory.
A Model of “Lattice” Hardening in Irradiated Copper Crystals with the External Characteristics of “Source” Hardening
Authors: Makin M. J. , Sharp J. V. 
Published: July 2007

AbstractA model is proposed to explain the formation of slip lines in irradiated copper crystals during the propagation of the Lüders front. In this model it is shown that, due to the sweeping up of the irradiation produced defect clusters by deformation, the critical stress to produce a slip line is that required to operate the source in producing the first dislocation loop in the environment of the defect clusters. As the slipped area expands a pile‐up forms and the stress required to expand this pile‐up falls. Since on this scale a normal tensile machine is soft, i.e. the load is constant, the pile‐up rapidly increases in size and velocity and hence slip lines should form very quickly. This has been verified by high‐speed photography. The sweeping up of the damage by deformation has also been verified experimentally.The model has important consequences for “source” and “lattice” hardening. It is shown that the lattice hardening of the dispersed defects produces all the characteristics of the deformation which have formerly been used as evidence of “source” hardening.
Dynamical Theory of the Images of Microtwins as Observed in the Electron Microscope. I. Overlapping Twins
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractThe diffraction contrast at micro‐twins, observed by transmission electron microscopy, is discussed on the basis of the dynamic theory and including anomalous absorption. The diffraction conditions and geometrical properties are analyzed, and their effect on the image deduced. The contrast at overlapping twins is discussed in the case where matrix crystal parts are in reflection position. It is shown that a fringe pattern having similar properties to staking fault patterns may be observed. The analysis does, however, establish criteria which distinguish this image from one due to a stacking fault The properties are illustrated by observations on (101) microtwins in rutile, and analytical conclusions are compared with computed profiles for thick foils and those of intermediate thickness. The conditions existing at twinning dislocations and at the intersection of anti‐phase boundaries with twin boundaries in rutile are discussed.
Krebs's Model for the Alkali Metals and the Screening Parameter
Authors: Mahesh P. S. , Dayal B. 
Published: July 2007

AbstractThe specific heats of sodium, potassium, rubidium, and caesium are calculated on the basis of Krebs's model (1). It is found that the theoretical θ−T curves agree with experiment if the screening parameter is taken as an adjustable constant. The deduced values of this parameter show a gradual change from the Bohm‐Pines to the Thomas‐Fermi form during the transition from sodium to caesium. The model, however, fails to give agreement in the case of lithium. Since the measured elastic constants of this metal do not give the correct value of θ0, the discrepancy for this case may be due to the errors in measurement.
Optical Absorption and Photoluminescence of Cu‐Doped Alkali Halide Crystals
Authors: Oggioni R. , Scaramelli P. 
Published: July 2007

AbstractAbsorption, excitation, and and emission spectra of KCl, KBr, and KI single crystals doped with Cu, are investigated in the spectral range from 200 to 1200 nm at temperatures from 77 to 700 °K. The absorption and excitation spectra of KBr:Cu at 77 °K show three bands centred at 210, 235, and 265 nm. Since the ratio of the intensities of the 210 and 235 nm bands to that of 265 nm band is remarkably constant for different Cu concentrations, the three hands be attributed to transitions occurring within a single centre.Optical excitation in each of these three absorption bands yields an emission spectrum showing only one band, centred at 392 nm (for KBr:Cu at 77 °K). The oscillator strength f for the 265 nm band is computed for 77 and 290 °K and found to be of the order of 6 × 10−2. Configurational curves for the emitter centre in KCl, KBr, and KI are obtained from the experimental data.
Electron Microscopy of Dislocations and Other Defects in Sapphire and in Silicon Carbide, Thinned by Sputtering
Authors: Drum C. M. 
Published: July 2007

AbstractIon bombardment has been employed as a means of thinning crystals of silicon carbide and sapphire for subsequent investigation with transmission electron microscopy. The procedures employed are described. In sapphire, small specks were found, and these were attributed to clustering at room temperature of defects introduced by the bombardment with ∼ 2 keV argon ions used during thinning. Upon heating to 800 °C, extensive networks of dislocations were formed, and the motion of these dislocations could be followed. Gas bubbles were present after annealing for an hour at 900 °C or above. No dissociation of the dislocations in sapphire was observed, but the Burgers vectors were along the a directions as anticipated. In silicon carbide, wide ribbons of stacking fault were found on the basal planes, and the stacking fault energy was estimated to be 4 erg cm−2 within an order of magnitude.
Phonon Spectrum of Caesium Bromide
Authors: Dheer J. D. , Sharan B. 
Published: July 2007

AbstractSharan and Tiwari's work has been extended to the evaluation of the phonon spectrum of caesium bromide. Heat capacity and θD vs. T curves show the usual behaviour at low temperature. The present extrapolated value of θ0 is 149 °K and is in agreement with the theoretical calculations of Marshall.
Étude photoélastique des dislocations dans LiF coloré
Authors: Schaeffer B. , Dupuy C. , Saucier H. 
Published: July 2007

AbstractDes plans de glissement isolés ont été obtenus dans les cristaux de LiF irradiés aux rayons γ, puis recuits partiellement. Les contraintes résiduelles ont été déterminées par photoélasticité, en mesurant à l'aide d'un photomultiplicateur, pour deux orientations différentes, l'intensité transmise par l'échantillon placé entre nicols croisés. Les résultats sont interprétés quantitativement à l'aide de la théorie des dislocations. Ils sont compatibles avec la théorie de Read.
Die magnetische Relaxation von Hantel‐Zwischengitteratomen in elektronenbestrahltem Nickel
Authors: Kronmüller H. , Schaefer H.‐E. , Rieger H. 
Published: July 2007

AbstractAn elektronenbestrahlten, polykristallinen Nickelproben wurde die magnetische Desakkommodation im Temperaturbereich zwischen −30 und +40 °C untersucht. Bei ≈ 10 °C wird ein Relaxationsmaximum gefunden, das der Reorientierung von Zwischengitteratomen in der Hantellage zugeschrieben wird. Das Relaxationsmaximum heilt im Temperaturbereich der Stufe III aus. Aus der Temperaturabhängigkeit des Hantelmaximums wird die Aktivierungsenergie der Rotation der Zwischengitteratome zu (0,87 ± 0,03) eV bestimmt.
F‐Center Formation in Mixed Crystals of Alkali Halides
Authors: Arends J. , den Hartog H. W. , Dekker A. J. 
Published: July 2007

AbstractOptical studies are made of the composition dependence of the colorability of mixed alkali halide crystals after X‐ray irradiation at room temperature. A pronounced minimum coloration is found at about the equimolar concentration in solid solutions of KCl–RbCl, KCl–KBr, and KBr–RbBr. The final slopes of the F‐center growth curves are smaller for the mixed crystals than for the pure components. An analysis of the results indicates that at room temperature the F‐centers are essentially formed during the initial stage of coloration.
Asymmetry of Slip in Fe‐Si Alloy Single Crystals
Authors: Šesták B. , Zárubová N. 
Published: July 2007

AbstractThe slip planes in Fe–3% Si and Fe–6.5% Si single crystals after slow deformation ( ≈ 10−6 s−1) are studied by four‐point bending at room temperature. It is observed that the slip planes on the tensile and compression sides of the same specimen are different. The course of the critical resolved shear stress SΨ/S110 on the planes of the 〈111〉 zone is derived from the positions of the slip planes. The relative critical resolved shear stress depends on the sense of the resolved shear stress and increases as the silicon content rises. Three microscopic models of slip are discussed: composite slip along the {110} planes, composite slip along the {110} and {112} planes, and non‐crystallographic (banal) slip. The experimental results can be explained most easily by the second model. The possible influence of ordering is also discussed.
Diffraction Contrast from Small Voids as Observed by Electron Microscopy
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the contrast in transmission electron microscopy at cavities or gas filled voids which are in equilibrium in a solid matrix. The dynamic theory of electron diffraction is used in the two beam approximation and normal as well as anomalous absorption is taken into account. It is shown that the presence of a cavity can be adequately represented by a phase angle α = 2 π δ z2, which depends on the thickness z2 of the void and on the diffraction conditions (through the excitation error δ). The main result is, that in contrast with other treatments, the image depends on the vertical position of the void. The theory accounts for the large variety of images which are observed under different diffraction conditions, for different void sizes and depths. Observations of cavities in rutile (TiO2) are discussed and good agreement with the theoretical predictions is found. An analytical discussion is given for the thick foil case, whereas computed profiles are used to deduce and to illustrate contrast features in the more general case.
Effect of the Phonon Field on the Plasma Frequency of an Electron Gas for Non‐Zero Temperatures
Authors: Corciovei A. , Grecu D. , Babcenco A. 
Published: July 2007

AbstractThe equation of motion for the one‐electron density matrix of an electron gas which interacts with a phonon field is considered for non‐zero temperatures. It is shown that the shifting of the plasma frequency is due, besides the known induced random‐phase‐approximation term, to a second term produced by the thermal equilibrium of the phonons. This second term is discussed and the corresponding dispersion relation for the plasma frequency is obtained for low and high temperatures.
Zur Richtungsabhängigkeit der Sekundärelektronenausbeute von Kupfereinkristallen bei Ionenbeschuß
Authors: Zscheile H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Messungen der Sekundärelektronenausbeute an einem Cu‐Einkristall bei Beschuß mit H und Edelgasionen von 17,5 bis 35 keV berichtet. Die Ausbeute hängt vom Einfallswinkel des Ionenstrahles gegen die Probenoberfläche und von seiner Orientierung gegen das Kristallgitter ab. Der Einfluß des Einfallswinkels ist uru so größer, je größer die Reichweite der Ionen ist. Der Einfluß der Gitterstruktur wächst mit der Ionen‐masse.
Indirect Optical Transitions Induced by Carrier Interaction in Semiconductors
Authors: Ryvkin S. M. 
Published: July 2007

AbstractA new type of indirect optical transitions in semiconductors is described. In these transition the conservation laws for energy and quasi‐momentum are satisfied due to interaction with free carriers. These transitions can occur, in “pure” form, in semiconductors in which the extrema of the conduction and valence bands are located at the same point of k‐space. It is found that the cross sections for the absorption and emission of photons having an “energy deficit” depend strongly upon the concentration of free carriers and (in the case of absorption) upon temperature. These dependences lead to the following effects which are, in principle, observable: i) amplification of the absorption of photons having an “energy deficit” due to a heating of carriers and ii) avalanche‐like rise of the absorption coefficient at these photon energies. It is shown that negative temperatures can be established on the basis of this type of indirect transitions, in non‐degenerate semiconductors with extrema lying at the same point of k‐space. Experimental emission‐spectra of Ge are given which are related to the interaction between free carriers.
Halbleitereigenschaften des BaTiO3 im Polaronenbild
Authors: Gerthsen P. , Groth R. , Härdtl K. H. 
Published: July 2007

AbstractDurch starke Reduktion bzw. Dotierung mit La lassen sich in polykristalliner BaTiO3‐Keramik Elektronenleitfähigkeiten bis zu 102 (Ωcm)−1 erreichen. An diesen Proben wurden elektrische Leitfähigkeit, Thermokraft, Halleffekt und Ultrarotreflexion gemessen. Die Beweglichkeit ist sehr klein (0,5 cm2/Vs) und unabhängig von der Trägerdichte. Die effektive Zustandsdichte hat erwartungsgemäß hohe Werte von etwa 1022 cm−3 (Zahl der Ti‐Ionen/cm3), Diese kleinen Beweglichkeiten und hohen Zustandsdichten lassen Polaronenleitung vermuten, obwohl die hierfür typische Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit nicht gefunden wird. Andererseits entsprechen die Ergebnisse der Ultrarotreflexionsmessungen nicht dem Verhalten von freien Ladungsträgern, sondern lassen sich eher im Polaronenbild deuten.
Die Orientierungsabhängigkeit der Anfangssuszeptibilität von Nickeleinkristallen
Authors: Mehrer H. , Kronmüller H. , Seeger A. 
Published: July 2007

AbstractAn Nickeleinkristallen wurde bei Raumtemperatur die Orientierungsabhängigkeit der Anfangssuszeptibilität gemessen. Mit Hilfe einer mikromagnetischen Theorie gelingt es, die Orientierungsabhängigkeit der eckorientierten Kristalle auf eine Anisotropie der Bereichs‐struktur zurückzuführen. Für die hochsymmetrischen Richtungen werden einfache Bereichsstrukturmodelle vorgeschlagen, welche im unmagnetischen Zustand leicht bewegliche 180°‐Wände enthalten.
Thermisch aktivierte Vorgänge bei der Verformung neutronenbestrahlter Kupfer‐Einkristalle. I. Bestimmung der Aktivierungsenergie
Authors: Diehl J. , Seidel G. P. , Niemann L. 
Published: July 2007

AbstractAus Zugversuchen mit Wechseln der Temperatur und Verformungsgeschwindigkeit wurde nach einem von Conrad und Wiedersich ausgearbeiteten und von Schöck verbesserten Verfahren die Aktivierungsenergie des Gleitvorgangs zu Beginn der Verformung zwischen 78 und 400 °K bestimmt. Dabei wurden der von Schwink und Neuhäuser gefundene Einfluß der Dehnungsinhomogenität auf die Geschwindigkeitsabhängigkeit und eine mögliche Variation des Vorfaktors der Arrheniusgleichung konsequent berücksichtigt. Wie bei früheren, weniger detaillierten Untersuchungen ergibt sich eine Variation der für den Elementarprozeß charakteristischen Größe ΔG0 mit der Temperatur, die auf das Vorliegen einer Größenverteilung der Versetzungshindernisse schließen läßt.
Crystal Field Calculations of Transition Probabilities in Nd3+ in Glass
Authors: Mockovčiak S. , Pantoflíček J. , Pátek K. 
Published: July 2007

AbstractCrystal field calculations of oscillator strengths are performed for some models of point‐charge coordination around Nd3+ in glass. The results are compared with the experimental values on silicate and borate glass (crystal field symmetry C3c, D3h respectively). A model in which Nd3+ has seven oxygen neighbours (resembling the A structure of crystalline Nd2O3) and a model in which it has nine oxygen neighbours (as in neodymium ethylsulphate), give best agreement with experiments on silicates, and borates, respectively.
Possible Materials for Second Harmonic Generation and for Laser Action
Authors: van Den Berg C. B. 
Published: July 2007

AbstractThe possibility is discussed of obtaining laseraction in the group of crystals of composition [Me(III)en3] X3 with some Me(III) = Rh and/or Ir replaced by Cr(III); en = 1,2 diaminoethane. The optical properties are nearly independent of the nature of X. Large crystals of fine optical quality can be grown and the group contains centro‐symmetric as well as piezoelectric crystals. Apart from the above possibility a second harmonic generating device is proposed consisting of a single‐crystal plate comprising alternate layers of non‐centro‐symmetric [Rh1−xIrxen3]X3 and [Rh1−x‐αIrxCoαen3]X3. The Co(III)‐ions act as SHG‐active centers and the periodic array maintains coherence between the 2 ω‐waves. The device is not limited to a specific crystallographic direction. There is no restriction by the aperture effect for the case in which the fundamental frequency enters the device perpendicular and along a principal axis. Construction of this periodic array appears to be possible.
Optische Eigenschaften von FA‐Zentren in Alkalihalogeniden
Authors: Fritz B. , Lüty F. , Rausch G. 
Published: July 2007

AbstractDie Absorptionsspektren, Umorientierungseigenschaften und Emissionsspektren (ein‐schließlich der Polarisationseffekte) wurden an sieben verschiedenen FA‐Zentren‐Systemen untersucht. In Absorption zeigen sie alle eine ähnliche Doppelbandenstruktur. Es treten jedoch zwei verschiedene Verhaltensweisen bei der optischen Anregung auf. In KCl:Na, KBr:Li, RbCl:Na und RbBr:K (FA‐Zentren vom Typ I) hängt die Umorientierungsrate von der Temperatur gemäß einer Arrheniusgleichung mit einer Aktivierungsenergie nahe 0,1 eV ab. Die Emission ist in bezug auf die Breite und die Lage der Bande, die Kopplung mit Gitterschwingungen ziemlich hoher Frequenzen und die Fluoreszenzlebensdauer sehr ähnlich zu der der F‐Zentren. Die Emission ist in Richtung der Zentrenachse schwach polarisiert. In KCl:Li, RbCl:Li und RbBr:Li (FA‐Zentren vom Typ II) ist die Umorientierungsausbeute hoch und bis herab zu 2,8 °K unabhängig von der Temperatur. Die Emissionsbande ist zur Wellenlänge 2,7 μm verschoben und ist viel schmaler als die F‐Emissionsbande, ihre Verbreiterung wird durch ziemlich niedrige Frequenzen bestimmt, und die Fluoreszenzlebensdauer ist kurz. Die beobachteten Unterschiede im Verhalten der FA‐Zentren des Typs I und II scheinen durch unterschiedliche Gitterrelaxation nach der Anregung bedingt zu sein; ein Modell, das eine Erklärung dafür gibt, wird in einer zweiten Arbeit angegeben werden.
Electrical Resistivity and Thermoelectric Power of Stacking Faults in Gold
Authors: Polák J. 
Published: July 2007

AbstractPure gold wires are quenched from high temperatures into iced brine and the changes of electrical resistivity and thermoelectric power are measured simultaneously during isochronal annealing. Two recovery stages are found: the first one (at 50 °C) corresponds to vacancy clustering with the formation of stacking‐fault tetrahedra, the second one (at 650 °C) corresponds to the dissolution of the tetrahedra. It is found that the electrical resistivity due to stacking faults is QS = (1.0 ± 0.2) × 10−13 Ωcm2 and the change of thermoelectric power per unit density of stacking faults ΔSS/β = (−2.9 ± 0.3) × 10−14 Vcm/°K. Stacking faults, like vacancies, reduce the absolute thermoelectric power of gold. This behaviour is contrary to the effect of dislocations, which increase the thermoelectric power.
Zur Kantenlumineszenz von CdS bei starker Kathodenstrahlanregung
Authors: Egorov W. D. , Müller G. O. , Weber H. 
Published: July 2007

AbstractBei einem Versuch, die Basovschen Experimente zur stimulierten Emission bei Kathodenstrahlanregung von CdS‐Kristallen an Frerichs‐Kristallen bei 90 °K und geringen Elektronenenergien zu wiederholen, ergab sich keine Emissions‐Stimulation die Intensität wächst fast linear mit der Anregungsdichte. Mit der Elektronenenergie — 2,1 bis 8,5 keV — wächst die Intensität der blauen Emission stark superlinear, während eine Sättigung der grünen Emission bei von Kristall zu Kristall variierenden Elektronenergien innerhalb dieses Bereiches auftritt. Bei hohen Anregungsdichten überwiegt bei allen Elektronenenergien die blaue Emission bei weitem die grüne Bande, die in ihrer Strukture im wesentlichen konstant bleibt. Ein Zusammenhang der grünen Emission mit den Oberflächeneigenschaften der Kristalle ist auf Grund der experimentellen Befunde wahrscheinlich.
Zur anomalen Vorzeichenumkehr des Hallkoeffizienten in Tellur
Authors: Link R. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die elektrische Leitfähigkeit, der Hallkoeffizient und die Thermokraft von Tellur bei Anwendung verschiedener Modelle für die Erklärung der anomalen Vorzeichenumkehr des Hallkoeffizienten bei 500 °K berechnet. Die Untersuchung ergibt, daß der betrachtete Effekt auf die Wirkung zusätzlicher Defektelektronen im Valenzband, die die elektrischen Eigenschaften des Tellurs bei T > 360 °K beeinflussen, zurückgeführt werden muß. Diese Defektelektronen können aus thermischen Akzeptoren oder aus einem zweiten Leitfähigkeitsband mit verschwindender Elektronenbeweglichkeit stammen. Die Ladungsträgerkonzentrationen in den einzelnen Bändern werden angegeben.
Segregationsvorgänge bei der Erstarrung von dotiertem Tellur
Authors: Kujawa R. V. 
Published: July 2007

AbstractAnwendung des Normal Freezing Verfahrens auf dotierte Tellurschmelzen sowie die Züchtung dotierter Tellureinkristalle ermöglichen die Ermittlung der effektiven Verteilungskoeffizienten keff = f sowie der jeweiligen Gleichgewichtsverteilungskoeffizienten k0 = f für 21 Telluride in Tellur, welche keine Abhängigkeit von der Orientierung und den Kristallisationsbedingungen (mono‐ oder polykristallin) zeigen. Es wird eine empirische Beziehung angegeben, die es erlaubt, weitere noch unbekannte Werte k0 zu berechnen. Darüber hinaus werden die Diffusionskoeffizienten der behandelten Verunreinigungen in der Tellurschmelze und ihre maximale Löslichkeit in festem Tellur bestimmt und eine Darstellung der Entmischungs‐ und Diffusionsvorgänge bei der gerichteten Erstarrung einer dotierten Schmelze, deren Lösungspartner eine geringe gegenseitige feste Löslichkeit besitzen, gegeben.
Zur Relaxation der Photoleitfähigkeit von CdS‐Einkristallen mit superlinearen Photostrom‐Beleuchtungscharakteristiken
Authors: Voigt J. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Kurzzeitmessungen des An‐ und Abklingens der Photoleitfähigkeit (μs‐Bereich) von CdS‐Einkristallen mit bei Zimmertemperatur superlinearen Photostrom‐Beleuchtungscharakteristiken bei verschiedenen Intensitäten einer zusätzlichen konstanten Belichtung berichtet. Aus den Anklingmessungen wird die Intensitätsabhängigkeit der Quantenausbeute bestimmt, die Abklingmessungen geben Aussagen über die Beeinflussung des Anklingvorganges des Photostromes durch Anhaftprozesse der Leitungselektronen. Aus den Meßergebnissen wird der Schluß gezogen, daß bei Variation der Quasifermigrenze zwischen etwa 0,5 und 0,33 eV unter der Leitungsbandkante indirekte Anregungsprozesse der Leitungselektronen eine mit der Anregungsintensität wachsende Quantenausbeute und somit die Superlinearität der Photostrom‐Beleuchtungscharakteristik bedingen.