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Zur Theorie des Photoeffekts in pn‐Übergängen und Metall‐Halbleiter‐Kontakten
Authors: Diehl H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Verfahren angegeben zur Berechnung der Strom‐Spannungs‐Kennlinien von belichteten pn‐Übergängen und Metall‐Halbleiter‐Kontakten bei linearer Rekombination. Die Gültigkeitsgrenze unserer Überlegungen wird im wesentlichen bestimmt durch die Forderung, daß der elektrostatische Potentialabfall in den raumladungsfreien Gebieten klein bleiben soll gegen k T/q. Rekombination und Generation in den Raumladungs‐Gebieten werden vernachlässigt, es werden also hinreichend große Diffusionslängen vorausgesetzt. Unsere Rechnungen umfassen die Ergebnisse früherer Autoren als Spezialfälle, insbesondere wird der unbelichtete Grenzfall sowohl für den pn‐Übergang als auch für den Metall‐Halbleiter‐Kontakt richtig wiedergegeben.
New Anisotropy Effect in Plastically Deformed Potassium Chloride Coloured by Ionizing Radiation
Authors: Damm J. Z. 
Published: July 2007

AbstractKCl crystals containing R‐centres are illuminated with polarized white or monochromatic light in the wavelength range 475 to 550 nm or 625 to 825 nm, and studied with a polarization microscope. Blue and red coloured zones are observed which overlap the stress birefringence pattern. It is shown that this phenomenon results from the superposition of two effects: the stress birefringence resulting from the plastic deformation and a bulk birefringence induced by the action of the polarized light. The experiments indicate that R‐centres which are preferentially oriented along one of the 〈110〉 directions are responsible for the observed effect.
Optical and Dielectric Properties of KCl Grown from Aqueous Solution
Authors: Giudici M. 
Published: July 2007

AbstractThe existence of different types of imperfections in melt‐grown and solution‐grown KCl crystals is shown experimentally by three techniques: optical absorption in the sample after X‐irradiation, depolarization thermocurrent, and thermoluminescence. The results show that the latter type of crystals contains a larger concentration of dipolar complexes and shallow traps, but a smaller concentration of vacancies and divalent impurities.
Influence of Substrate Steps on the Orientation of Nuclei in Thin Deposits of Gold on Rocksalt
Authors: Grünbaum E. , Matthews J. W. 
Published: July 2007

AbstractGold was condensed in ultra‐high vacuum (pressure < 2 × 10−9 Torr) onto vacuum cleaved sodium chloride. The deposits were backed with carbon, and after the substrate had been dissolved in water, they were examined in a transmission electron microsope to determine the influence that the cleavage steps on the salt surface had on the epitaxial alignment of gold nuclei. The observations showed that the presence of steps did not significantly influence the orientation of gold nuclei.
Luminescence of M‐Centres in NaF Crystals
Authors: Podini P. 
Published: July 2007

AbstractThe excitation spectra of M‐luminescence is investigated in the spectral range of F‐band absorption, as a function of the concentration of both the centres. Since no interaction between the F‐ and M‐centres is found, it is concluded that in NaF, as in other alkali halides, a second M‐absorption band is hidden by the F‐band. Moreover, an ageing effect, observed under X‐irradiation, is studied by measurements on M‐emission and ‐absorption. The results show that the growth of M‐centres under irradiation is aided by a stable centre which takes part in the dynamic equilibrium between the F‐ and M‐centres.
The Green Luminescence of ZnO
Authors: Maenhout‐Van Der Vorst W. , van Craeynest F. 
Published: July 2007

AbstractThe green luminescence of different preheated ZnO powders is measured. From the variation of the intensity and the shift of the maximum to longer wavelengths with temperature, a new model for the activator centre is proposed. It is accepted that the activator level is due to an absorbed O−ion and lies 0.8 eV below the conduction band. The trapped electron may recombine with a positive hole in the valence band or in a b centre.
The Relation between Magnetic Properties and the Shape of Mössbauer Spectra
Authors: van der Woude F. , Dekker A. J. 
Published: July 2007

AbstractThis paper is concerned with the relation between the magnetic properties of a solid and the line shape of its Mössbauer spectrum in the presence of a magnetic hyperfine interaction. In order to observe Zeeman splitting, the natural line width must be smaller than the splitting itself, and the magnetic field at the nucleus must remain constant for a period sufficiently long to allow the nucleus to carry out a Lamor precession of about 1 rad. For paramagnetic materials the latter condition is analysed in terms of a stationary Markoff spin‐flip process; for sufficiently high spin‐flip frequencies this leads to “motional narrowing” of the Mössbauer spectrum, in agreement with experimental data. Magnetically ordered systems are treated both by the Weiss molecular field model and the spin wave model. The characteristic features exhibited by the Mössbauer spectra calculated in this way are compared with published data. One important conclusion is that the presence of a pronounced central peak in combination with hyperfine splitting does not necessarily require the coexistence of “paramagnetic” and “magnetically ordered” regions in the material.
The Instability of the Work Hardened State. I. Slip in Extraneously Deformed Crystals
Authors: Basinski Z. S. , Jackson P. J. 
Published: July 2007

AbstractCopper single crystals were strained in tension after being extraneously deformed either by twisting or spark damaging. In both cases a transient region of low hardening was observed after extraneous deformation. Slip line studies showed that this low hardening region was associated with slip band formation and inhomogeneous deformation along the gauge length. The dislocation distributions in strained crystals were studied by an etch pit technique. It was found that slip band formation is accompanied by dislocation multiplication on the main glide plane but not on other planes. It is proposed that dislocation distributions are in general unstable to slip on a single system unless they have been formed by slip on that system.
Über die Berechnung der Elastizitätsmoduln vielkristalliner Aggregate mit Textur
Authors: Kneer G. 
Published: July 2007

AbstractDie Krönersche Theorie zur Berechnung der Elastizitätsmoduln quasi‐isotroper Vielkristalle aus den Moduln der Einkristalle, deren Anwendbarkeit auf Aggregate trikliner Kristallite bereits früher nachgewiesen wurde [9], wird für Vielkristalle mit Textur erweitert. Das hierbei auftretende Randwertproblem der dreidimensionalen Elastizitätstheorie, die Spannung in einem kugelförmigen, in anisotroper Umgebung eingezwängten Kristallkorn zu berechnen, wird exakt gelöst. Am Beispiel der Fasertextur hexagonaler Kristallite werden der Rechnungsgang und die Abhängigkeit der Vielkristallmoduln von den Texturparametern diskutiert sowie die numerischen Ergebnisse für Zink mit den Näherungswerten nach Voigt und Reuss verglichen.
The Instability of the Work Hardened State. II. Slip in “Alien” Dislocation Distributions
Authors: Basinski Z. S. , Jackson P. J. 
Published: July 2007

AbstractThe mechanism of slip in copper crystals with extraneously deformed surfaces was investigated using an etch pit technique. Some suggestions are made as to the deformation of crystals with hard surface layers. Slip in crystals oriented for multiple glide and in polycrystals is also discussed.Experiments of the latent hardening type were carried out on copper crystals by altering the slip system during the course of deformation. Phenomena characteristic of slip in alien dislocation distributions were observed when the slip plane was changed but not when only the slip direction was altered. The stability of Stage II dislocation distributions is discussed in the light of these experiments. It is concluded that the character of slip in Stage II is determined by the geometry of the dislocation distribution.
Mechanism of Electron Capture by a Dislocation
Authors: Figielski T. 
Published: July 2007

AbstractA possible mechanism for electron recombination with a hole trapped at an edge dislocation in Ge is considered. It is assumed that the electron transfers a part of its energy to the oscillations of the charge system along the dislocation, being itself captured in one of the vibrational states. The probability of such process is estimated by the harmonic oscillator approximation. The calculated values of the lifetime are in order‐of‐magnitude agreement with those observed experimentally in plastically deformed germanium.
Relaxation Oscillations in a Four‐Level Solid‐State Laser
Authors: Chomát M. 
Published: July 2007

AbstractThis paper deals with a system of differential equations for the non‐linear four‐level laser problem. The shape and envelope of the relaxation oscillations are derived. The influence of the time‐dependent intensity of the excitation on the character of the transient processes is investigated. These results are compared with the results obtained by using an analogue computer.
Die räumliche Struktur einer Defektkaskade im Gasmodell
Authors: Dederichs P. H. 
Published: July 2007

AbstractDie räumliche Struktur einer Defektkaskade in Kristallen wird unter der Annahme einer statistischen Verteilung der Gitteratome untersucht. In Verallgemeinerung einer von Leibfried [11] aufgestellten Integralgleichung werden Wahrscheinlichkeitsgleichungen für die Verteilung der Leerstellen und Zwischengitteratome aufgestellt. Die Gleichungen für die Einer‐ und Zweierdichte der Defekte werden ausführlich diskutiert. Für hohe Anfangsenergien sind die Verteilungen der Leerstellen und Zwischengitteratome gleich, aber nicht identisch mit der Verteilung des Primäratoms. Weiterhin gibt die Harte Kugel Näherung zuverlässige Resultate. Für die niederen Momente der Einer‐ und Zweierdichte werden analytische Ausdrücke angegeben.
Beeinflussung der Rekristallisation polykristallinen Kupfers durch Neutronenbestrahlung und Verformen
Authors: Christ W. , Gschwendtner K. , Haessnker F. 
Published: July 2007

AbstractPolykristallines Kupfer wurde oberhalb Raumtemperatur bis zu einer Dosis von 6,3 · 1020 Neutronen/cm2 (≧ 0,1 MeV) bestrahlt, dann bis zu 97% Querschnittsreduktion kalt gewalzt und anschließend bei 200 °C geglüht. Die Entwicklung der Walztextur sowie der Rekristallisationsablauf wurden röntgenographisch an Hand von 111‐Polfiguren verfolgt. Durch die Neutronenbestrahlung wird die Walztextur ab etwa 95% Walzgrad nicht geändert, die Rekristallisation läuft dagegen in wesentlich kürzerer Zeit ab. Diese Rekristallisationsbeschleunigung ist bei 95% Walzgrad größer als bei 97% Walzgrad. Beide Effekte, sowohl die Rekristallisationsbeschleunigung als auch die Abhängigkeit vom Verformungsgrad, können erklärt werden durch eine Erhöhung der mittleren Beweglichkeit der Atome hervorgerufen durch das Zerschneiden von ausgedehnten und relativ stabilen, verdünnten Zonen im bestrahlten Material.
Ferromagnetic Curie Temperatures of Iron Solid Solutions with Germanium, Silicon, Molybdenum, and Manganese
Authors: Arajs S. 
Published: July 2007

AbstractFerromagnetic Curie temperatures of iron‐rich solid solutions with germanium, silicon, molybdenum, and manganese have been determined as a function of solute concentrations. Addition of germanium to iron causes a gradual increase in the Curie temperature, reaching a maximum value of 1046.8 °K at about 1.5 at.% germanium, followed by a gradual decrease. This observation is consistent with the expectations from our previous paramagnetic susceptibility studies. Silicon, molybdenum, and manganese decrease the ferromagnetic Curie point of iron nonlinearly, as a function of solute concentration. The experimental results are briefly compared with the existing theories based on localized moment models. None of them are capable of explaining the observations.
Röntgenographische Studien der thermischen Gitterschwingungen bei Legierungen im α‐Mischkristallbereich des Systems Silber‐Quecksilber
Authors: Šedivý J. , Herrmann C. , Bohuslav E. 
Published: July 2007

AbstractMittels einer Methode, die hier kurz als Eintemperaturmethode bezeichnet wird, sind die charakteristischen Debye‐Temperaturen Θ bei vier Legierungen im System Ag‐Hg röntgenographisch bei Zimmertemperatur gemessen worden.magnified imageDie Bestimmung der charakteristischen Temperatur wurde mit einem durchschnittlichen Fehler von ca. ±5% ausgeführt. Die untersuchten vielkristallinen Proben wurden auf chemischem Wege nach der Methode von Hund und Müller hergestellt. Auf Grund der Diskussion ist zu erwarten, daß die ermittelten charakteristischen Temperaturen von den tatsächlichen Werten nur wenig verschieden sind.
Infrared Absorption and Anharmonicity of the U‐Centre Local Mode. I. Experiments
Authors: Fritz B. , Gross U. , Bäuerle D. 
Published: July 2007

AbstractThe infrared absorption due to U‐centres (substitutional H− or D− ions) is measured in NaCl, NaBr, KCl, KBr, KI, RbCl, and RbBr between 7 and 300 °K. The oscillator strength in the infrared is independent of temperature. Below 300 °K the bandwidth decreases as approximately T2. Near helium temperatures D− bandwidths tend to saturate at a value of about 1 cm−1, whereas H− bands in general tend to continue to decrease with T. With increasing temperatures the peaks are shifted to higher or lower frequencies depending on the substance. In the wings of the absorption band side bands appear, which are displaced by band mode frequencies [4]. In all crystals one side band peak lies in the range of the TA frequencies (near q = (100)), in KBr, KI, and NaBr additional peaks corresponding to LA and TO phonons are observed. A discussion will be given in a subsequent paper by Bilz, Fritz, and Strauch.
The Time‐of‐Flight Method for Investigations of Single‐Crystal Structures
Authors: Buras B. , Mikke K. , Lebech B. , Leciejewicz J. 
Published: July 2007

AbstractA new method is described for neutron diffraction structure investigations of single crystals using the time‐of‐flight technique. A pulsed incident neutron beam is used, and the neutrons scattered from a single‐crystal sample within an angular range of Δθ are counted by means of a multi‐time‐channel analysing system. In this way the integrated intensities are measured for several reciprocal lattice points simultaneously. Two cases are discussed, one involving a large and the other a small range of scattering angles. The feasibility of the method has been demonstrated for single crystals of aluminium and chromium at the DR 3 reactor at Risö and at the EWA reactor at świerk.
The Strain‐Induced Splitting of the U‐Band and the Jahn‐Teller Effect in Excited 4T2‐State of Cr3+ Ions in Ruby
Authors: Kaplyanskii A. A. , Przhevuskii A. K. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the effect of uniaxial elastic strain on the pure electronic line 597 nm in the U‐band (4A2 → 4T2) of Cr3+ in ruby. The general features of the observed triplet splitting of the line by stress are in good agreement with the phenomenological calculation for lines of low‐symmetry (C1) centres in a D3d lattice. This suggests that the C3 site symmetry of Cr3+ ions in the Al2O3 lattice is destroyed and supports the hypothesis of the existence of the Jahn‐Teller effect in excited 4T2‐state of Cr3+ in ruby.
Intensity Profiles for Fringe Patterns Due to Planar Interfaces as Observed by Electron Microscopy
Authors: Gevers R. , van Landuyt J. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractFringe profiles occurring at planar interfaces are discussed on the basis of a new simple theory. The theory can be used to derive the contrast at stacking faults or antiphase boundaries (α‐boundaries), coherent domain walls (δ‐boundaries), and at coherent interfaces of a mixed nature ((α — δ)‐boundaries). Explicit expressions for the transmitted intensity IT and the scattered intensity IS are derived from the dynamic two‐beam theory for electron diffraction, taking anomalous absorption into account. The effect of the various physical parameters involved is analysed on the basis of these expressions. Very fine image details can be explained or predicted, which lead to identification of the physical origin of the observed contrast features, and enable the sign of α to be determined. The analysis is supported by computed profiles, and a particular case is discussed for which the present method is applicable.
Nonequilibrium Field Effect on Si in the Region of High Depletion
Authors: Primachenko V. E. , Snitko O. V. , Milenin V. V. 
Published: July 2007

AbstractThe features of the non‐equilibrium field effect are investigated for silicon in the region of high majority carrier depletion and non‐equilibrium between the energy bands. The observed effects are a strong asymmetry of the amplitude dependence of conductivity with respect to the sign of the external field, a current‐pinch effect, and a strong dependence of the kinetics of field effect on field strength, temperature, and light intensity. A mechanism is proposed for the non‐equilibrium field effect in the depletion region which involves a strong retardation of screening by surface states at low temperatures and thus allows penetration of the field into the volume of the crystal. The experimental data agree quantitatively with the calculation.
Recovery of Al—Si Alloys Neutron Irradiated at 78 °K
Authors: Ceresara S. , Federighi T. , Pieragostini F. 
Published: July 2007

AbstractA set of Al‐Si alloys (0.1 to 0.78 at.% Si) are neutron irradiated at 78 °K at a fast dose (E > 1 MeV) of 1.2 × 1018 n/cm2. The recovery of electrical resistivity is then investigated by isochronal and isothermal annealing. The results are compatible with the view that both interstitials and vacancies interact with Si atoms. The former are trapped during irradiation at 78 °K and are released in stage II‐b; the latter are trapped during their annealing in stage III, forming mobile Si‐vacancy couples which, in turn, either migrate to small interstitial clusters where vacancies annihilate, or combine one another, giving rise to complex aggregates which are eliminated in stage IV.
Zur Abhängigkeit der Lebensdauer von der Versetzungsdichte bei tiegelfreien Silizium‐Einkristallen
Authors: Lemke H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Messungen der Lebensdauer bei unter Vakuum zonengereinigten Silizium‐Einkristallen mit Versetzungsliniendichten von 104 bis 105 cm−2 berichtet. Die durch Ätzen auf (111)‐Ebenen nachgewiesenen Versetzungslinienrichtungen entsprechen den von Hornstra angegebenen elementaren Versetzungslinientypen. An etwa 80 p‐leitenden Kristallen wurde eine Abhängigkeit der Lebensdauer τ von der Versetzungsdichte ND nach τ × ND = 15 s cm−2 gemessen. Diese Beziehung ist in einem weiten Bereich unabhängig von der Majoritätsträgerkonzentration. Die Temperaturabhängigkeit der Lebensdauer oberhalb 300 °K kann mit einer Dissoziationsenergie von etwa 0,1 eV oder mit einem temperaturabhängigen Wirkungsquerschnitt ∼ T−3 erklärt werden.
Zum Kontaktierungsprozeß an CdS‐Kristallen
Authors: Schubert G. 
Published: July 2007

AbstractDie Frage, ob in einer Gasentladung, in die CdS‐Kristalle zwecks Herstellung sperrschichtfreier Kontakte eingeführt werden, die Elektronen des Gasplasmas einen großen Wirkungsgrad beim Beglimmungseffekt besitzen, ist bis heute noch nicht eindeutig beantwortet worden. Es wurde deshalb eine Anzahl von Kristallen im Hochvakuum entweder nur mit Elektronen oder nur mit Ionen einer Energie bestrahlt, die der in der Gasentladung entspricht. Der Elektronenbeschuß führte im Sinne der heute gültigen Vorstellungen über sogenannte ohmsche Kontakte in keinem Fall zu einer registrierbaren Veränderung der Kristalloberfläche, während ein Ionenbeschuß zum größeren Teil nichtsperrende Kontakte ergab.
Verstärkung und Tilgung von Photoeffekten in CdS
Authors: Friedrich H. 
Published: July 2007

AbstractAn CdS‐Kristallen mit einem Au‐ und einem In‐Kontakt wird der Einfluß eines Nebenlichtes auf die im Grundgitter angeregten Photospannungen und ‐ströme im Spektralbereich 3,0 eV bis 0,7 eV untersucht. Eine Verstärkung der Photospannung durch Nebenlicht tritt außer im Grundgitterabsorptionsgebiet auch im infraroten Spektralbereich auf, die mit der Anregung von Minoritätsträgern aus den Tilgungszentren des CdS zusammenhängt. Es existiert ein Intensitätsbereich, in dem die Minoritätsträgeranregungsrate proportional der eingestrahlten Nebenlichtintensität ist. Die relative Änderung der Minoritätsträgerkonzentration ist in diesem Intensitätsbereich größer als die relative Änderung der Majortätsträgerkonzentration. An der Absorptionskante wird die im Grundgitter angeregte Photospannung verringert durch die Shuntwirkung des Kristallvolumens, in dem die Elektronenlebensdauer größer ist als in der Verarmungsrandschicht am Au‐CdS‐Kontakt.
Einfluß von Temper‐ und Diffusionsprozessen auf die Trägerlebensdauer in Silizium
Authors: Jungk G. , Menniger H. , Thiessen K. , Williges A. 
Published: July 2007

AbstractIn p‐Silizium wurde die Änderung der Lebensdauer der Minoritätsträger durch einige für die Gleichrichterherstellung typische Temper‐ und Diffusionsprozessen untersucht. Eine Temperung in Stickstoff oder Sauerstoff ergab in Abhängigkeit von der Lebensdauer der ungetemperten Proben eine Vergrößerung bzw. Verkleinerung der Lebensdauer. Bei der Phosphordiffusion aus einer P4O10‐Quelle wurde die Lebensdauer erhöht bei fehlender Getterung wird sie verkleinert oder bleibt ungeändert. Die Ergebnisse deuten darauf him, daß durch die Getterung die Einfangwahrscheinlichkeit der Versetzungen für Minoritätsträger verkleinert wird und Minoritätsträgerlebensdauern > 102 μs durch die Versetzungsdichte begrenzt sind.
Kristallzähleruntersuchungen an CdS‐Spaltzellen bei Gamma‐Anregung
Authors: Schnürer E. 
Published: July 2007

AbstractBei Gamma‐Anregung hängen der Photorauschstrom und die Photostromimpulshöhen in CdS‐Kristallzählern mit ohmschen Kontakten superlinear von der angelegten Spannung ab. Wir nehmen an, daß negative Raumladungen, bedingt durch eine Majoritätsträgerinjektion, diese experimentelle Beobachtung erklären können. Unter dieser Annahme werden mögliche Photostromimpulshöhen rechnerisch abgeschätzt.
On the Temperature Behaviour of the Absorption of Additively Coloured Strontium Fluoride Crystals
Authors: Görlich P. , Karras H. , Koch A. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the density of the coloration centres as a function of the vapour pressure of the strontium metal used for coloration. In the temperature region between − 180 °C and + 300 °C the intensity of the two strongest coloration bands at 2.76 eV (449 nm) and 1.955 eV (634.5 nm) is shown to be temperature‐dependent. A model is proposed for the 2.76 eV band which is similar to that of colour centres. In the special case of the alkaline earth fluorides it is necessary to assume the existence of an anion vacancy, which has trapped an electron and is tetrahedrally surrounded by four nearest cations.
Point Defect Production During Jump Deformation of Zinc
Authors: Anderson J. M. , Brown A. F. 
Published: July 2007

AbstractWhen zinc single crystals yield discontinuously the strain jumps are accompanied by proportionately large transient rises in electrical resistivity. A study of the larger jumps which correspond to slip displacements of ≃ 20μm and resistance increases of ≃ 0.1 μΩ shows that the defect responsible for the resistive transients decays with activation energy 0.32 ± 0.03 eV to traps about 0.1 μm apart. These figures are consistent with the defects being divacancies moving to dislocations within a slip band. The point defect concentration in the slipped regions exceeds 0.1%.