bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Einfluß einer Cluster‐Beweglichkeit auf den Kondensations‐Mechanismus
Authors: Ickert L. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Auswirkungen einer Cluster‐Beweglichkeit auf die Kondensationsmechanismen im Keimbildungsstadium behandelt. Ausgehend von dem Normal‐Fall mit Einzelatomen als einziger beweglicher Spezies werden erwartbare Abweichungen auf qualitativem Wege entwickelt. Dabei ist zu unterscheiden von Vorgängen nach der Kondensation. Diese allgemeinen Formulierungen werden mit experimentellen Beobachtungen bei der Kondensation von Gold auf Muskowit verglichen. Abschließend werden einige weitere Konsequenzen angedeutet.
Gaseous control of vapour concentration in crystal synthesis from the vapour phase
Authors: Bulakh B. M. , Pekar G. S. 
Published: July 2007

AbstractThe gaseous control in the crystal synthesis from the initial components is discussed. The dependences of the vapour concentrations in the growth region on inert gas flows have been calculated. It is shown that the use of additional inert gas flows conducted directly to the entries into the reaction zone makes it possible to change the vapour concentrations in the growth region rapidly and independently one from another, and these concentrations are linear with the main transport gas flows.
Preparation of Ni boracite crystals by hydrothermal synthesis
Authors: Joubert J. C. , Muller J. , Fouassier C. , Levasseur A. 
Published: July 2007

AbstractNi boracite crystals with the general formula Ni3B7I1—x(OH)xO13 have been prepared by hydrothermal synthesis. The experimental conditions are given along with some characteristics of the crystals obtained.
Einige Konsequenzen aus der Grüneisenregel bei der Untersuchung kristalliner Nichtmetallverbindungen in homologen Bindungsgruppen
Authors: Beckmann G. 
Published: July 2007

AbstractDie Untersuchung der 3. Grüneisenregel im Gebiet homologer Bindungsgruppen führt bei nichtmetallischen, kristallinen Substanzen (da γ dann praktisch konstant ist) auf eine modifizierte Hannemann‐Gatos‐Beziehung. Bei Auftragung des thermoelastischen Koeffizienten α · V = ∂V/∂T sowie der Kompressibilität χ über Cp ≃ CV ergibt sich eine lineare Abhängigkeit von der Molwärme. Die Herleitung dieser Beziehung aus der Grüneisenregel ist mit dem 1. Hauptsatz nicht streng kompatibel, weshalb die experimentell erhaltenen Werte über Debyetemperaturen mit Bestimmungen anderer Autoren verglichen werden. Die Zuverlässigkeit von interpolierten α‐ und χ‐Werten (z. B. für unbekannte Substanzen oder zur Ergänzung noch fehlender Daten) ist befriedigend.
Züchtung und Morphologie von Einkristallen aus Gadoliniummolybdat, einer ferroelektrischen und ferroelastischen Substanz
Authors: Bohm J. , Kürsten H. D. 
Published: July 2007

AbstractEinkristalle aus Gd2(MoO4)3, gezüchtet nach der Czochralski‐Methode, zeigen auf ihrer Oberfläche Kämme und in manchen Fällen kleine Kristallflächen. Durch die Untersuchungen der Wachstumsmorphologie kann eine Entscheidung für die Raumgruppe P4421m unter jenen Raumgruppen getroffen werden, die von anderer Seite auf Grund röntgenographischer Untersuchungen vorgeschlagen wurden. Durch Ätzen kann eine streifenförmige Domänenstruktur sichtbar gemacht werden, außerdem entstehen Versetzungsätzgrübchen.
Influence of phenol on the habit of sodium chloride crystals
Authors: Kirkova E. , Nikolaeva R. 
Published: July 2007

AbstractThe influence of phenol on the habit of sodium chloride crystals was studied quantitatively. At small concentrations the presence of phenol has no influence whatsoever on the growth rate of the (100) face. At greater concentrations this growth rate increases. Spiral growth was observed on the (100) face by surface dissolution. Phenol slows down the growth rate of the (111) face, the energy barrier being about 600 cal/mole. Roughening of this face is observed when crystallization takes place from pure solutions and in the presence of small amounts of phenol. At a phenol concentration of 0.065 mole/l the growth rates of the (100) and (111) faces become equal.
Haidingerite (I). From Crystal Morphology to Bond Assemblage
Authors: Donnay J. D. H. , Kleber Late W. 
Published: July 2007

AbstractThe known structural space group of haidingerite is Pcnb. The general forms, 121 and 221, indicate that the period of the bond chains along the y axis is b/2, half the structural period b. In planar projections: onto yz, the energetic periods are b/2 and c/2; onto zx, they are c/2 and a/2, with a primitive mesh, as compared with a centered mesh (ca).
Reflexionselektronenbeugungsuntersuchungen an HV‐aufgedampften CdSe‐Schichten auf CaF2
Authors: Messerschmidt A. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Reflexionselektronenbeugungsuntersuchungen an HV‐aufgedampften CdSe‐Schichten auf an Luft gespaltenen (111)‐Flächen von CaF2 durchgeführt. Es treten nebeneinander die kubische (111)‐Orientierung und die hexagonale (0001)‐Orientierung auf. Bei niedrigen Substrattemperaturen (440°C) dominiert die kubische Phase; bei höheren Substrattemperaturen (600°C) herrscht die hexagonale Phase vor.In allen Schichten werden Zwillinge und Mehrfachzwillinge beobachtet. Entlang den 〈111〉‐Richtungen der Zwillinge bzw. Mehrfachzwillinge treten ebenfalls hexagonale Schichtenfolgen auf. Bei Zunahme der Schichtdicke geht die Anzahl der Mehrfachzwillinge zurück. Starke Erhöhung der Aufdampfrate (80 Å · s−1) erhöht den Defektgehalt der Schichten (polykristalline Anteile). Es wird das Auftreten von Satellitenreflexen bei der Durchstrahlungselektronenbeugung und der Reflexionselektronenbeugung diskutiert.
Zur Entstehung des Kornkontrastes bei chemisch geglänztem Zinn im Elektronenrastermikroskop
Authors: Brümmer O. , Beier W. 
Published: July 2007

AbstractBei Untersuchungen von chemisch geglänzten massiven Zinnproben mit der Elektronensonde zeigen der Probenstrom, die Rückstreuelektronenausbeute sowie die Röntgenemission einen Kornkontrast. Durch Beobachtung von Katodolumineszenz und durch die Bestimmung des Sauerstoffgehaltes konnte festgestellt werden, daß der Kornkontrast nicht durch anomale Absorptionseffekte, sondern durch eine sauerstoffhaltige Oberflächenbedeckung verursacht wird. Der allgemeine Einfluß von Fremdbedeckungen auf die Kontrastentstehung wird diskutiert.
An Electron Probe Microanalyzer Investigation on Phase Reactions during Firing of Iron Ore Pellets
Authors: Bojarski Z. , Barszcz E. 
Published: July 2007

AbstractProcesses during the firing of pellets consisting of siderite concentrate and Ca(OH)2 have been studied by means of X‐ray diffractometer and microanalyzer. When temperature is higher than 400°C thermal siderite decomposition starts, producing haematite and calcite being observed up to 600°C with the technique of oscillating X‐ray detector. With increasing temperature CaO which arises from calcite doesn't react with SiO2 up to 750°C; Fe2O3 grains grow. Above 1000°C CaO is dissolved in Fe oxides, and ferrite of CF type is formed. At temperatures higher than 1130°C a new phase is forming, presumedly a ferrite CF2. Results of the study of this phase being stable up to 1250°C are reported.
Zur Abbildung des Feldverlaufs an hochohmigen GaAs‐Proben mit der Elektronenmikrosonde
Authors: Brümmer O. , Beier W. , Kugler F. 
Published: July 2007

AbstractEs wird gezeigt, daß elektronenrastermikroskopische Untersuchungen von hochohmigen GaAs‐Proben auch im unterschwelligen Betrieb brauchbare Ergebnisse der Abbildung des Potentialverlaufs liefern, die eine Charakterisierung der Kontakte und der Probenhomogenität gestatten.
Zur quantitativen Elektronenstrahlmikroanalyse dünner SiO‐Schichten
Authors: Leistner H. , Herberger J. , Kosak W. 
Published: July 2007

AbstractDie Elektronenstrahlmikroanalyse dünner Isolationsschichten erfordert deren Überdampfung mit einer leitfähigen Deckschicht. Es wird eine Möglichkeit der Korrektur des Einflusses der Deckschicht auf das Analysenergebnis aufgezeigt.Die Ermittlung des Oxydationsgrades n in SiOn erfolgte unter Berücksichtigung von Absorptions‐ und Ordnungszahlkorrektur und liefert befriedigende Ergebnisse im Vergleich mit chemischen Parallelanalysen.
The Investigation of Silicate Systems and Minerals by the Electron Microprobe Analyser
Authors: Hulínský V. , Jurek K. , Stanêk J. 
Published: July 2007

AbstractEinige Beispiele für die Anwendung der Elektronenstrahlmikroanalyse zur Untersuchung von Silikaten, die den Vorteil dieser Analysentechnik gegenüber anderen Methoden unterstreichen, werden mitgeteilt.
Über die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si‐Einkristallen großer Durchmesser
Authors: Lebek A. , Geil W. , Schmugge K. 
Published: July 2007

AbstractDie vorliegende Arbeit legt Ergebnisse dar, die bei der Züchtung von Si‐Einkristallen mit einem Durchmesser bis 43 mm nach der Methode des tiegelfreien Zonenziehens unter Anwendung eines axialen Gleichstromes erzielt werden konnten. Der Einfluß der Jouleschen Wärme und des Peltiereffektes auf die strukturellen Eigenschaften des Kristalls sowie deren Bedeutung bei seiner Züchtung wird analysiert. Aus dieser Analyse resultieren Untersuchungen zum Einfluß der Jouleschen Wärme auf die Versetzungsbildung. Auf der Basis einer vorausgesetzten Wechselwirkung von Kristallgeometrie, ‐temperatur und dem radialen Temperaturgradienten werden Betrachtungen zur Bestimmung einer Funktion n = f(grad. T, T, r) durchgeführt. Für ausgewählte Fälle ist eine Lösung bestimmbar, die auf die Bedeutung des Temperaturgradienten hinweist. Die Beachtung dieses Resultates bei der Kristallzüchtung wird mit einem Beispiel belegt.Results are reported on zone floated silicon single crystals with diameters up to 43 mm by using an axial direct current. The influence of the Joule ‐ heat and the Peltier ‐ effect on the structural proporties of the crystals and their importance for the growing process is analysed. From this analysis researches on the influence of the Joule – heat on the origin of dislocations resulted. On the basis of a supposed interaction between crystal, ‐geometry, temperature and radial temperature gradient the function n = f(grad. T, T, r) ist discussed. For special cases a solution is definable which shows the importance of the temperatur gradient. For illustrating the results an example is given.
The Process of Formation of Epitaxial Cadmium and Zinc Oxide Films by Interaction of Single‐Crystal AIIBVI Layers with Oxygen
Authors: Sergeyeva L. A. , Charlamov I. A. , Kazannikova T. P. , Aleskovsky V. B. 
Published: July 2007

AbstractThe results of electron microscopic and electron diffraction investigation of the surface during annealing of single‐crystal AIIBVI (CdS, CdSe, ZnSe, ZnS) films in the presence of oxygen are reported.It is shown that the behaviour of islands of cadmium oxide formed by chemical interaction between O2 and the CdS, CdSe substrate in the process of growth resembles that of the nuclei in film condensation. CdO films become “continuous” more quickly, if the size of blocks of substrate‐epitaxial AIIBVI film is larger. Epitaxial ZnO films formed on the surface of epitaxial ZnS and ZnSe layers are of a wurtzite structure or a cubic structure with the parameter a = 4.5 Å.
Physikalische Eigenschaften von nach einer modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten NaCl‐ und KCl‐Kristallen
Authors: Suszyǹska M. , Lébl M. , Žemlička J. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die physikalischen Eigenschaften von NaCl‐ und KCl‐Einkristallen, welche aus vorher mit Phosgen behandelten Ausgangsmaterialien gezüchtet wurden, beschrieben. Die Absorptionsmessungen im UV‐ und IR‐Gebiet sowie auch die Mikrohärte und CRSS, Versetzungsdichte, Ionenleitfähigkeit und das Studium der Farbzentrenkinetik zeigen, daß die mit der beschriebenen modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten Kristalle nicht nur keine OH− Ionen, sondern auch keine anderen sauerstoffhaltigen Fremdanionen enthalten.
Die Domänenstruktur von Gadoliniummolybdat (GMO)
Authors: Kürsten H. D. , Bohm J. 
Published: July 2007

AbstractDie Untersuchung plättchenförmiger Proben von GMO im polarisierten Licht zeigt ferroelektrische Domänen. Die Domänen sind in zwei Systemen von Streifenmustern, mit den Domänenwänden parallel zu {110}‐Flächen, angeordnet. Senkrecht zueinander stehende Domänen durchdringen sich nicht, sondern laufen keilförmig zusammen, bevor sie sich treffen. Die Neubildung der Domänen wurde bei der Curietemperatur im Heiztisch untersucht. Einige besondere Reaktionen von Domänengrenzen wurden bei 100°C beobachtet.
Themodynamic Approach to Diffusion‐Controlled Epitaxial Silicon Deposition in Flow System from SiCl4 + H2 Mixtures
Authors: Riedl W. J. 
Published: July 2007

AbstractTreatment of diffusion‐controlled chemical vapour deposition (CDV) usually neglects supersaturation at the gas‐solid interface, which is the basic condition for crystal growth. A new approach based on metastable equilibria and on the concept of activity, taking into account departure from equilibrium has been given and applied to the system resulting from SiCl4 + H2 mixtures. The control of activity at the gas‐solid interface should provide a method of controlling the morphology and perfection of CVD films.
The P‐T‐x Phase Diagram of the Mn‐As System
Authors: Paitz J. 
Published: July 2007

AbstractThe solid‐liquid‐vapour phase diagram of the Mn–As system has been determined in the range of 40–100 at% As. The melting point of equiatomic MnAs was found to be 936 ± 1°C at an arsenic pressure of 4 · 10−2 atm.
Zur Abschätzung physikalischer und physikalisch‐chemischer Daten von AlBV‐Verbindungen mit Zinkblendestruktur
Authors: Kühn G. , Leonhardt A. , Hübner K. 
Published: July 2007

AbstractDie AlBV‐Verbindungen nehmen unter den AIIIBV‐Verbindungen bezüglich der mit der Gitterkonstante verknüpften Eigenschaften eine gewisse Sonderstellung ein. Dieses Verhalten wird mit der Abwesenheit vom Rumpf‐d‐Elektronen beim Aluminium in Zusammenhang gebracht. Die Kompressibilitäten von AlP, AlAs und AlSb lassen sich in guter Übereinstimmung mit berechneten Werten aus der Abhängigkeit von Gitterkonstante und der Mikrohärte abschätzen. Weiterhin werden Zusammenhänge zwischen Gitterkonstanten, Molmasse, Bandstrukturparametern, Bildungswärmen und Oberflächenenergien diskutiert. Die von Phillips für AlSb angegebene Ionizität der chemischen Bindung wird korrigiert und der Nichtlinearitätsparameter des Energiegaps für Al‐haltige Mischkristalle aus der Differenz der Atomradien der Substituenten ermittelt.
The Investigation of Recrystallization Processes of Ni Films
Authors: Sirota N. N. , Trofimova Zh. P. 
Published: July 2007

AbstractElectron diffraction and resistance methods are used to study the recrystallization process in nickel films. Recovery process, initial, and secondary recrystallization are observed in films in annealing. Unlike bulk deformed materials the distortions in films are produced in the process of their evaporation. The duration and sequence of stages of recrystallization are determined by the temperature of substrate in obtaining films and by the temperature of subsequent annealing. At temperatures of substrate above 150°C the reflexes due to recrystallized grains are observed just after evaporation of films. Temperature intervals of initial and secondary recrystallization of nickel films are calculated at temperatures of substrate equal to 130°C and 200°C.Correlation between the width of diffraction line, depending on the degree of lattice distortions, electrical resistance, measured at temperature of annealing and the number of recrystallized grains is noted. For reasons given it can be concluded that electron scattering in films takes place in lattice distortions in the crystallite and in their boundaries.The results obtained are of great interest in choosing optimum conditions for preparing films with given characteristics.
Polaritätsabhängige Struktureffekte in tetraedrisch koordinierten Halbleitern
Authors: Hübner K. , Kühn G. 
Published: July 2007

AbstractAuf der Grundlage der semiempirischen dielektrischen Strukturtheorie wurde ein empfindlicher Parameter gefunden, der es gestattet, die relative Stabilität der Zinkblende und Wurtzitstruktur in Epitaxieschichten von AIIBVI‐Verbindungen auf (111)‐orientierten AIIIBV‐, Si‐ und Ge‐Substraten vorherzusagen. Die Ergebnisse des vorgeschlagenen theoretischen Modells befinden sich in guter Übereinstimmung mit den Experimenten.
Untersuchungen an Si‐Epitaxieschichten auf Mg‐Al‐Spinell‐Einkristallen
Authors: Krause H. , Fienhold M. 
Published: July 2007

AbstractIn MgAl‐Spinell, der nach dem Verneuill‐Verfahren hergestellt worden war, wurden Versetzungsdichten ungleichmäßiger Verteilung zwischen 104 und 107 cm−2 gefunden. Röntgenografische Orientierungsmessungen ergaben Abweichungen der Wachstumsrichtung von der Stabachse bis zu 8°. Aus Berg‐Barrett‐Aufnahmen wurde auf stark ausgeprägte Substrukturen geschlossen. Silizium‐Epitaxieschichten auf MgAl‐Spinell wurden nach der pyrolytischen Reduktionsreaktion von SiCl4 in H2 hergestellt. Keimbildung. Ätzreaktionen auf dem Substrat und Qualität der Si‐Schichten werden diskutiert. Messungen der Trägerbeweglichkeit im Dotierungsbereich von 1016 bis 1017 cm−3 ergaben 60 bis 80% der Volumenbeweglichkeit des Siliziums. Auf Probleme der Entmischung bei Temperung wird eingegangen. Der Einsatz von Si‐Schichten auf Isolatorsubstraten wird diskutiert.
Untersuchung der linearen Kristallisationsgeschwindigkeit
Authors: Meleško L. O. 
Published: July 2007

AbstractZusammenfassend wird berichtet, daß es durch intensive Ableitung der Kristallisationswärme gelingt, nahezu isotherme Bedingungen für die Messung der 1. KG in Schmelzen zu realisieren. Dazu wird die Substanz zwischen zwei Küvetten mit planparallelen Glasplatten (Molybdänglas) gebracht, durch die die Thermostatenflüssigkeit zirkuliert. Die Wandstärke beträgt 0.2 mm. Über die Temperaturverteilung eines Heizdrahtes werden eine Temperaturverteilung der Thermostatenflüssigkeit in den Küvetten und Berechnungen des Wärmeüberganges möglich. Entsprechende Ableitungen werden gegeben. An den Substanzen Salol, Salipyrin, Betol, Antipyrin und Codein wird gezeigt, daß in jedem Fall eine Abhängigkeit der 1. KG von der Unterkühlung ohne „Plateau”︁, d. h. mit einfachem Maximum existiert.
X‐Ray Topographic Investigation of Silicon Single Crystals Heavily Doped with Sb
Authors: Gorelik S. S. , Bublik V. T. , Khatsernov M. A. , Voronov I. N. , Makeev H. I. , Malvinova I. S. 
Published: July 2007

AbstractHeavily Sb doped silicon crystals grown by Czochralski method were investigated using X‐rays methods. It is shown that growth striation contrast is caused by inhomogeneous Sb distribution. While approaching the lower part of crystals their volume is being contaminated by dispersive particles of noncontrolled impurities that results in decrease of anomalously transmitted X‐rays and weakening of the contrast in topographical growth striation image. In the canal connected with the facet effect crystal structure is less damaged by foreign inclusions.
Ein eindimensionales Modell zur Beschreibung von Transporteigenschaften in offenen Systemen
Authors: Knobloch G. , Kramer P. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein einfaches eindimensionales Modell behandelt, das den Materialtransport durch erzwungene Konvektion und Diffusion beschreibt. Am Beispiel des Systems GaAsAsCl3H2 wird die Partialdruckverteilung bezüglich der Ortskoordinate berechnet und die Rolle des Temperaturgradienten in der Substratumgebung unter dem Aspekt der konstitutionellen Überschreitung der Gasphase diskutiert.
Einfluß der Vibration auf die Geschwindigkeit der Saccharosekristallisation
Authors: Zagrodzki S. , Marczyński J. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde der Einfluß der Vibrationsamplitude auf die Kristallisationsgeschwindigkeit der Saccharose bei konstanter Schwingungsfrequenz von 100 Hz untersucht. Die Kristallisation wurde in Lösungen mit der Reinheit 75, 90 und 100 bei niedriger Übersättigung der Lösung (1,05) bei Temperaturen von 40, 60 und 80 °C durchgeführt. Bestimmung der Zunahme der Masse der Kristalle, welche, in entsprechenden Drahtkäfigen untergebracht, in die übersättigte Lösung eingetaucht waren und mittels eines elektromagnetischen Vibrators in Schwingungen versetzt wurden. Saccharoselösungen mit niedrigem Reinheitsquotienten erhielt man durch Mischung von Melasse, Kristallraffinade und destilliertem Wasser in entsprechendem Verhältnis.Es stellte sich ein positiver Einfluß der Amplitudenvergrößerung auf die Kristallisationsgeschwindigkeit in Lösungen mit hoher Reinheit und bei niedriger Temperatur heraus. In reiner Saccharoselösung und bei 40 °C verursachte die Vergrößerung der Vibrationsamplitude von 1 auf 4 mm eine Erhöhung der Kristallisationsgeschwindigkeit durchschnittlich um etwa 45%, dagegen bei 80 °C durchschnittlich um etwa 20%. Wenn man dagegen die Vibrationsamplitude bei niedrigerer Reinheit der Lösung vergrößerte, stellte man keine Beschleunigung der Kristallisation fest.Die Arbeit enthält die Beschreibung der Apparatur und der Meßmethodik; die wichtigsten Ergebnisse sind in Tabellen zusammen‐ und auf Diagrammen dargestellt.
Rasterelektronenmikroskopische Kontrastuntersuchungen an Germanium‐Einkristallfolien
Authors: Johansen H. , Paschoff N. 
Published: July 2007

AbstractAussagen über die geometrische und physikalische Beschaffenheit dünner, folienartiger Kristallbereiche nach rasterelektronenmikroskopischen Kontrastuntersuchungen hängen stark von der ausgenutzten Wechselwirkung zwischen Elektronensonde und Objekt ab. Am Beispiel von Germanium‐Einkristallfolien, die in abgedünnten Gebieten nur wenige hundert ÅE dick sind, werden die im Strahlspannungsbereich zwischen 15 und 45 kV mit Sekundärelektronen, reflektierten und absorbierten Elektronen erzielten Bildkontraste diskutiert. Dies geschieht auf der Grundlage der gegenwärtigen Auffassungen über die Auslösemechanismen der drei Wechselwirkungen. Offen bleibt die Frage, ob hieraus bei Einführung geeigneter Eichverfahren eine Methode zur Dickenbestimmung derartiger Objekte entwickelt werden kann.
Distribution of Pb2+ ions in KCl single crystals grown by bridgman method
Authors: Damm J. Z. , Iwanicka M. , Trnka J. , Velická I. 
Published: July 2007

AbstractBasing on the Pb2+ concentrations in the ”︁pure”︁ ends of single KCl crystals, at various dopant concentrations in the original melts, as well as on the Pb2+ concentrations along the crystals, the distribution coefficient of the dopant ions is estimated. The origin of possible deviations of experimental data from those calculated according to eq. (1) is discussed and the neccessity of introducing an appropriate correction factor is pointed out (eq. (2)).
Struktur auf Muskovit aufgedampfter Kadmiumschichten
Authors: Dobbert P. , Neumann H.‐G. 
Published: July 2007

AbstractKadmium läßt sich auf Muskovit nur mit einer ausreichend hohen Rate niederschlagen, wenn die Substrate zuvor mit Silber bekeimt werden. Unter diesen Bedingungen ist eine Heteroepitaxie des Cd auf Muskovit möglich. Die Ag‐Keime haben jedoch einen entscheidenden Einfluß auf die Vollkommenheit der epitaktischen Schichten. Mit zunehmender Ag‐Bedeckung wird der orientierende Einfluß des Muskovits auf die Cd‐Schichten zurückgedrängt. Bei starker Bekeimung entstehen schließlich nur noch polykristalline Cd‐Schichten.
Kristallographische Polarität von AIIIBV ‐ Mischkristallen
Authors: Schmidt W. , Pilgermann B. , Kühn G. , Fischer P. 
Published: July 2007

AbstractAus Messungen von Intensitätsunterschieden der Röntgenreflexe an gegenüberliegenden {111}‐Oberflächen von aluminiumreichen Ga1 – xAlxAs‐ und Ga1 – xAlxSb‐Mischkristallen wurde entschieden, welche der beiden Oberflächen mit einer Atomlage des fünfwertigen Elements abschließt. Die Ergebnisse werden mit Ätzuntersuchungen korreliert.
Ein Beitrag zur Bestimmung der Eindringtiefe von Dotanden in Siliziumdioxidschichten auf Silizium
Authors: Frenzel M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Überblick gegeben über die möglichen Untersuchungsverfahren zur Bestimmung der Eindringtiefe von Dotanden in Siliziumdioxidschichten auf Silizium. An Hand der Bestimmung der Eindringtiefe von Bor und Phosphor werden einige Verfahren ausführlicher erläutert. Die bei allen Verfahren anfallenden Schichtdickenmessungen erfolgten ellipsometrisch.