bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Bestimmung von Hafttermspektren mit Hilfe von Glow‐Kurven
Authors: Unger K. 
Published: July 2007

AbstractInnerhalb eines sehr allgemeinen Modells zur Behandlung von Glow‐Kurven, in dem die energetische Verteilung der Haftterme als eine Summe von Gaußkurven verschiedener Halbwertsbreiten dargestellt wird, werden die Hafttermbesetzungen im Maximum und an den beiden Halbwerten des Glow‐Buckels numerisch berechnet. Das Symmetrieverhalten der Buckel wird diskutiert. Die von Verfasser in einer früheren Arbeit [1] angegebenen Formeln für die Auswertung von Glow‐Kurven werden verbessert und erweitert, andere Auswerteverfahren auf ihre Genauigkeit untersucht.
New interpretation of slow surface relaxations on germanium
Authors: Koc S. 
Published: July 2007

AbstractA new model is proposed for slow non‐exponential relaxations on germanium surfaces in the d. c. field‐effect. It is based on the diffusion of induced charges on localized centres uniformly distributed in the surface oxide layer. The theory is compared with both previous and new experimental work on slow states on germanium surfaces and almost complete agreement is found.
Influence des pores et des inclusions sur la croissance des cristaux de ferrite
Authors: Paulus M. 
Published: July 2007

AbstractOn détermine le diamétre limite de la médiane des diamétres de cristaux, dans les agrégats polycristallins de ferrites de MnZn et de NiZn, en fonction de leur porosité. Nous montrons qu'au fur et à mesure que la médiane tend vers le diamétre limite calculé, l'écart quadratique moyen des diamétres de cristaux diminue puis, lorsque les joints se décrochent des pores, reprend sa valeur initiale.On traite ensuite de l'arrêt de la migration des joints de cristaux en présence d'inclusions. En particulier, nous mettons en évidence que, dans les ferrites de MnZn, 0,05% de SiO2 suffit pour bloquer la croissance des cristaux et provoquer une recristallisation anormale à la mise en solution des inclusions. On présente des cas analogues dans les ferrites de baryum en présence de diverses inclusions.Enfin, nous montrons que dans tous les cas étudiés où le diamètre des cristaux de ferrites semblait être fonction de la composition, cette variation de diamètre était due à la présence de pores ou d'inclusions.
Messung der Korngrenzenselbstdiffusion in polykristallinem Zinn
Authors: Lange W. , Bergner D. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die Korngrenzenselbstdiffusion in polykristallinem Zinn von 99,99% Reinheit im Temperaturbereich von 40 bis 115 °C mit Hilfe des Isotopengemisches Sn113/Sn123 gemessen. Die Auswertung der Versuche erfolgte auf Grund der FISHERschen Modellvorstellung [1] nach der Schichtenteilungsmethode. Unter Verwendung des Volumendiffusionskoeffizienten nach der Arbeit [2]In der Arbeit [2] wurden bedauerlicherweise in der Zusammenfassung die nach der Schichtenteilungs‐ und Absorptionsmethode erhaltenen Aktivierungsenergien im Druck vertauscht. Die mit der Schichtenteilungsmethode gemessene Aktivierungsenergien im Druck vertauscht. Die mit der Schichtenteilungsmethode gemessene Aktivierungsenergie beträgt also 22,8 ± 0,5 kcal/Mol. Nach der Absorptionsmethode ergibt sich 22,3 ± 0,3 kcal/Mol.
DV = 0,78 exp (−22800/RT) cm2 s−1 und der Annahme, daß die Korngrenzenbreite δ = 5 · 10−8 cm beträgt, erhält man folgendes Ergebnis:
Zur Theorie der Sekundärelektronenemission von Metallen am Modell freier Elektronen
Authors: Puff H. 
Published: July 2007

AbstractDie in [1 bis 3] im Rahmen des Metallmodells freier Elektronen entwickelte Theorie der Sekundäremission wird erneut untersucht und auf die Berücksichtigung des Einflusses rückdiffundierter Primärelektronen erweitert. Unter Verzicht auf in [3] benutzte Approximationen wird gezeigt, daß die berechnete Ausbeute im Vergleich zur gemessenen vernachlässigt werden kann.
Paramagnetische Resonanzabsorption des Anti‐Farbzentrums im Silberbromid
Authors: Hennig K. 
Published: July 2007

AbstractParamagnetische Resonanzuntersuchungen am Silberbromid mit Bromüberschuß bei 3 cm und 20°K zeigen eine Absorptionslinie mit g = 2,04. Die Ergebnisse über den g‐Wert, die aufgelöste Hyperfeinstruktur, deren Intensität und Winkelabhängigkeit führen uns zum Modell des Anti‐Farbzentrums. Wir verstehen darunter ein Defektelektron, das symmetrisch auf die die Silberionlücke umgebenden Bromionen verteilt ist.
Über den Drag der Ladungsträger beim Hall‐Effekt
Authors: Schulz H. 
Published: July 2007

AbstractIn der Theorie des Hall‐Effekts für das einfachste Modell eines Halbleiters wird im Variationsverfahren die Streuung der Elektronen (E) und Löcher (L) aneinander einschließlich ihrer Drag‐Wirkung berücksichtigt. Insbesondere wird im Zusammenwirken der EE‐ oder LL‐Streuung mit stark energieabhängigen Relaxationsprozessen ein Mechanismus gefunden, der negative Magnetoresistenz bei schwachem Magnetfeld verursachen kann.
Messungen der Wachstumsgeschwindigkeiten von ZnS‐Einkristallen bei Züchtung aus der Dampfphase
Authors: Hauptmanová K. , Pátek K. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Wachstumsgeschwindigkeiten in verschiedenen Richtungen von aus der Dampfphase gezüchteten ZnS‐Einkristallen beobachtet. Die gemessenen Werte (von 10−6 cm s−1 senkrecht zur c‐Achse bis 10−4 cm s−1 in Richtung der c‐Achse) werden mit Hilfe des Mechanismus der zweidimensionalen Keimbildung bzw. des Versetzungsmechanismus interpretiert.
Zur Deutung der Tieftemperatur‐Elektronenbestrahlung von Metallen
Authors: Jan R. V. , Seeger A. 
Published: July 2007

AbstractBei Elektronenbestrahlung von Metallen interessiert der totale Wirkungsquerschnitt σd(E) (E Elektronenenergie) für Stöße, die zu einer bleibenden Verlagerung der von Elektronen getroffenen Atome (Primäratome) führen. σd(E) wird experimentell aus Widerstandsmessungen bestimmt und kann theoretisch berechnet werden, wenn die zur Verlagerung notwendige Mindestenergie (Schwellenenergie) und ihre kristallographische Richtungsabhängigkeit bekannt sind. Hierzu wird für kubische Kristalle ein plausibles Modell vorgeschlagen. Die darin enthaltenen Parameter werden durch optimale Anpassung an Messungen von SOSIN für Kupfer bestimmt. Die Übereinstimmung von Experiment und Theorie hinsichtlich des Absolutwertes von σd ist sehr gut. In der leichtesten Verlagerungsrichtung (vermutlich der 〈100〉‐Richtung) ergibt sich eine Schwellenenergie von 15 eV. Die auf diese Weise an vielkristallinem Material gewonnenen Ergebnisse werden benützt, um die an Einkristallen bei gegebener Einstrahlrichtung zu erwartenden Wirkungsquerschnitte zu berechnen.
Einfluß des elektrischen Feldes auf die Leitfähigkeit einer Schattenzone in einem CdS‐Einkristall
Authors: Thielemann W. 
Published: July 2007

AbstractBewegt sich zwischen den Elektroden eines belichteten CdS‐Einkristalles ein schmaler Schattenstreifen in Richtung Kathode‐Anode, so ist der Photostrom größer als bei Bewegung des Schattenstreifens mit der gleichen Geschwindigkeit in der umgekehrten Richtung [1]. Es wird versucht, diese Erscheinung auf Elektroneninjektion in das Schattengebiet zurückzuführen. Eine befriedigende Deutung ist jedoch erst unter der Annahme möglich, daß auch Löcher injiziert werden und daß deren Driftlänge in der Größenordnung der Schattenbreite liegt. Die Annahme einer derartigen Driftlänge wird dadurch gestützt, daß die bei zusätzlicher Ultrarotbestrahlung in einer ruhenden Schattenzone gebildeten Löcher durch das Feld aus der Schattenzone herausgesaugt werden, so daß die tilgende Wirkung der Ultrarotstrahlung aufgehoben wird.
A Method for Measuring the Thickness of Thin Bent Foils in Transmission Electron Microscopy
Authors: Delavignette P. , Vook R. W. 
Published: July 2007

AbstractA new method for measuring the thickness of thin monocrystalline foils in the range of 1000 Å is presented. This method is based on the observation of Kossel‐Möllenstedt fringes in transmission electron microscopy. It differs from the classical Kossel‐Möllenstedt method in electron diffraction by the fact that no divergent beam is needed. However, the foil should be bent and the method is based on the measurement of this radius of curvature.
On the Equilibrium Form of Dislocated Crystals
Authors: Nenow D. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the equilibrium form of a step line, formed by the intersection of a screw dislocation with the surface. The case examined by FRANK is generalized with the assumption that the supersaturation, or undersaturation, is non‐zero and that the specific surface energy does not depend on the crystallographic orientation. A function describing the equilibrium form of a step line is given together with the conditions under which this form occurs.
Kaskadentheorie der Defekterzeugung
Authors: Heinrich D. , Lenk R. 
Published: July 2007

AbstractDie grundsätzlichen Modellannahmen der Kaskadentheorie werden nochmals zusammengestellt und diskutiert. Danach wird eine sehr allgemeine, zunächst winkelabhängige Formulierung dieser Theorie gegeben, die neben der winkelabhängigen Schwellenergie noch einen weiteren Energieparameter enthält. Die Winkelintegration führt auf die kontinuierliche Auslagerungswahrscheinlichkeit. Das entstehende Modell enthält die wesentlichsten in der Literatur behandelten Modelle als Spezialfälle, erlaubt also, zwischen ihnen zu interpolieren. Der Fall kontinuierlicher Auslagerungswahrscheinlichkeit wird mathematisch auf den Fall scharfer Schwellenergien zurückgeführt. Dieses Verfahren ist ganz allgemein anwendbar und kann physikalisch interpretiert werden. Als Test wird die Harte‐Kugel‐Streuung behandelt.
Zur quantenmechanischen Transporttheorie
Authors: Enderlein R. 
Published: July 2007

AbstractEs wird gezeigt, daß die Funktionen der von McIRVINE und OVERHAUSER eingeführten SL‐Darstellung die am besten lokalisierten ihrer Art sind. Der Teilchenzahloperator für Elektronen in SL‐Zuständen wird im Heisenbergbild betrachtet. Die Bewegungsgleichung für den quantenstatistischen Mittelwert des Teilchenzahloperators erweist sich bei Vernachlässigung von Effekten, die aus dem „Zerfließen”︁ der SL‐Zustände resultieren, und bei Verwendung des Stoßterms in der üblichen Form als identisch mit der Boltzmanngleichung. Analoge Ergebnisse werden für den Fall der Phononen abgeleitet.
Photochemische Reaktionen und Temperaturabhängigkeit der Lumineszenz an CdS‐Einkristallen
Authors: Albers C. , Genzow D. 
Published: July 2007

AbstractCdS‐Kristalle zeigen bei Anregung im Grundgitter oder Ausläufer oberhalb Zimmertemperatur eine charakteristische Abnahme ihres Lumineszenz‐ und Leitfähigkeitsvermögens. Diese Erscheinung wird photochemischen Prozessen zugeschrieben. Es wird ein reaktionskinetisches Modell diskutiert, welches eine Deutung der experimentellen Ergebnisse zuläßt. Aus den Meßergebnissen lassen sich Bildungs‐ und Zerfallswahrscheinlichkeiten photochemischer Reaktionsprodukte bestimmen.
The Influence of Hydrostatic Pressure on Electrical Conductivity of CdS Single Crystals
Authors: Böer K. W. , Gutsche E. , Jahne E. 
Published: July 2007

AbstractThe influence of hydrostatic pressure up to 12000 atm on the semiconductivity, and the spectral distribution of photoconductivity and photoquenching is measured. The pressure coefficient of the semiconductivity of high‐conductivity CdS is found to be caused by the pressure coefficient of the mobility only, and indicates ionized impurity and optical phonon scattering at room temperature. For low‐conductivity CdS the pressure coefficient is about two orders of magnitude higher, and can be explained by the pressure shift of the ionization energy of the levels controlling the conductivity. The shifts, with pressure, of the maximum of the spectral distribution of the photocurrent and the absorption edge are about equal. The decrease of photocurrent is interpreted as due to the influence of pressure on the recombination mechanism. A comparable small additional shift of the photocurrent maximum can be explained by the differing influence of pressure on recombination in the intrinsic and extrinsic ranges.
Radiative Recombination Effects in GaSb Diodes at High Current Densities
Authors: Deutsch T. , Ellis R. C. , Warschauer D. M. 
Published: July 2007

AbstractForward biased GaSb diodes made by diffusing zinc into n‐type GaSb show emission lines at 0.72 eV or 0.78 eV at 77 °K. At current densities of approximately 60000 A cm−2 a diode showing a d.c. emission at 0.72 eV radiates mainly at 0.78 eV. Some narrowing of the 0.72 eV line has been seen. A model to explain the observed effects in terms of the band structure of GaSb is presented and some implications of the band structure for possible laser action are discussed.
Über die Energieentartung der Gitterelektronen im Magnetfeld
Authors: Fischbeck H. J. 
Published: July 2007

AbstractAus der Tatsache, daß der Hamiltonoperator des Gitterelektrons im Magnetfeld mit gewissen „Eichtranslationen”︁ Ax vertauschbar ist, werden Aussagen über Symmetrieeigenschaften, Quantenzahlen und Entartung der Wellenfunktionen der Gitterelektronen im Magnetfeld abgeleitet. Die Entartung der Wellenfunktionen ist mit einer Periodizität ihres Energiespektrums verbunden.
Thermoluminescence in Plastically Deformed KBr
Authors: Fieschi R. , Oggioni R. , Spinolo G. 
Published: July 2007

AbstractThe thermoluminescence of plastically deformed KBr crystals is measured in the temparature range 80‐350 °K for differing amounts of deformation. It is found that the glow peaks characteristic of undeformed crystals are greatly enhanced but that no new glow peaks appear.The effect of annealing at different temperatures, before X‐ray excitation shows that the enhanced emission is not due to direct trapping of carriers by dislocations. The study of changes in the absorption spectra indicates that there is no correlation between coloration and enhanced emission of different deformed samples.
Untersuchung der magnetischen Struktur an großen Kobalteinkristallen
Authors: Wyslocki B. 
Published: July 2007

AbstractDie Domänenstruktur der Oberfläche eines Kobaltkristalls wurde mit Hilfe der Pulvermethode untersucht. Der Kristall hatte die Form eines Quaders mit einer Länge von 3,54 cm in der magnetisch bevorzugten Richtung und einem Querschnitt von 1,90 × 1,00 cm an der Grundfläche. Die Domänenstruktur wurde an der Grundfläche und an den zueinander senkrechten axialen Flächen untersucht. Es wird gezeigt, daß die Domänenstruktur des Kristalls vom Bloch‐Typus ist, d. h. die inneren Hauptdomänen haben eher die Form von Säulen als die von Schichten (Landau‐Lifshits‐Modell). Dies steht im Gegensatz zu den bisherigen Annahmen.
Exchange Correlations and Compressibilities of Metallic Lithium and Sodium
Authors: Olszewski S. 
Published: July 2007

AbstractThe compressibilities of metallic lithium and sodium are calculated taking into account the correction for the finite volume of the exchange charge in the equation of state of the Wigner Seitz cell.The results obtained for the bulk modulus are: 1.47 × 1011 dyn cm−2 for lithium and 0.72 × 1011 dyn cm−2 for sodium, where the corresponding experimental data are 1.41 × 1011 dyn cm−2 and about 0.7 × 1011 dyn cm−2 respectively. No empirical, or semi‐empirical, parameters are included in the calculation.
Electron Microscopic Images of Single and Intersecting Stacking Faults in Thick Foils. Part I: Single Faults
Authors: Gevers R. , Art A. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractThe bright‐ and dark‐field images of single and intersecting stacking faults have been studied; including the effects of anomalous absorption. In this, the first part of the paper, single faults are discussed. It is shown that the expressions for the amplitudes of the transmitted and scattered waves can be simplified considerably by introduction of a simple approximation. The properties suggested by the numerical calculations of HASHIMOTO et al., can then be expressed and discussed in a more precise analytical way, and additional properties found. In particular, it is possible to show how the central part of the fringe pattern depends on the foil thickness. The practical method developed by ART et al. for the determination of the nature of a fault in f.c.c. crystals is re‐examined, and it is shown that sufficient data can be obtained from the dark‐field image alone. The above theory is in general agreement with experiment.
Studies on the Coloration of LiF Crystals
Authors: Görlich P. , Karras H. , Kötitz G. 
Published: July 2007

AbstractLiF crystals grown by two different methods (Bridgman/high vacuum and Kyropoulos/air) are coloured by x‐ray, deuteron, proton, and electron irradiation. The dependence of coloration spectra upon both the growth technique and the type of radiation used for colouring the crystals, is found to be negligible. Additive and electrolytic coloration experiments do not yield any selective absorption in the investigated range farn 200 to 3000 nm.
On the Solution of the Boltzmann Transport Equation
Authors: Fogarassy B. 
Published: July 2007

AbstractThe Boltzmann equation is solved for homogeneous electric and magnetic fields (E and H) and a temperature gradient ∂T/∂r. The solution is presented as an ascending power series in E, H, and ∂T/∂r. In contrast to common procedure this treatment is not restricted to the linearized form of the equation and the relaxation time approximation, and no restricting assumptions are made about E (k) and the transition probabilities. Applications of the general solution are investigated, for zero and non‐zero magnetic field, considering only the first order terms in E and ∂T/∂r. In the second case terms in H of arbitrary order are treated.In the first case the electrical and thermal conductivity, and the thermoelectric effects, are treated using a unified tensor formalism. In the second case only the Hall effect is investigated, while the treatment of the other galvanomagnetic and thermomagnetic effects will be published in a later paper. In both these cases the Onsager relationships are valid, and it is shown that, up to the second‐order approximation, it is possible to introduce a relaxation time, which can be expressed in terms of the E (k) dependence and the transition probabilities of the crystal. These results contain all results generally found in the literature as special cases.
Der Restwiderstand von Aluminiumlegierungen bei der Entmischung
Authors: Labusch R. 
Published: July 2007

AbstractDer elektrische Widerstand Q von kugelförmigen silber‐ und zinkreichen Zonen in AlAg‐und AlZn‐Legierungen wird mit Methoden der Transporttheorie behandelt. Die experimentell gefundene Abhängigkeit des Widerstandes vom Zonenradius R mit einem Maximum bei etwa 10 Å weist auf ein Leitungsband hin, bei dem einander gegenüberliegende Stellen der Fermioberfläche nahe beieinander liegen. Nach dem von HARRISON vorgeschlagenen Modell existiert in Aluminium eine derartige Bandstruktur für Umklapp‐Prozesse. Die Abhängigkeit des elektrischen Widerstandes Q vom Kugelradius R wird für ein vereinfachtes Modell unter Berücksichtigung von Umklapp‐Prozessen berechnet. Die Rechnungen ergeben ein Maximum für Q in der Nähe des experimentell gefundenen R‐Wertes.
Über die Röntgenstreuung an Kristallen mit Versetzungen III. Die asymptotische Darstellung von Debye‐Scherrer‐Linienprofilen
Authors: Wilkens M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Berechnungen der (kinematischen) Röntgenstreuung an elastisch isotropen Kristallen mit Versetzungen berichtet, die zu einer asymptotischen Darstellung der Intensitätsausläufer von Debye‐Scherrer‐Linienprofilen führen. Im Gültigkeitsbereich der asymptotischen Darstellung hat man zwei Glieder zu berücksichtigen. Das erste Glied ist von der Reflexionsordnung der Debye‐Scherrer‐Linie unabhängig und beschreibt die Kohärenzlängenverbreiterung (Teilchengrößenverbreiterung). Das zweite Glied ist proportional zum Quadrat der Reflexionsordnung und proportional zur Versetzungsdichte. Die elastische Wechselwirkung zwischen den Versetzungen wird durch einen Korrekturfaktor berücksichtigt, der für einige Versetzungsanordnungen mit weitreichendem bzw. kurzreichendem Spannungsfeld näherungsweise abgeleitet wird.
Über Gitterschwingungen in Molekülkristallen
Authors: Hahn H. , Biem W. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Translations‐ und Rotationsschwingungen der als starr betrachteten Moleküle eines Molekülkristalls untersucht. Die Eigenschwingungen des Kristalls sind ebene Wellen, die teilweise Translations‐ und teilweise Rotationscharakter besitzen („Phononen”︁ und „Torsonen”︁). Für den Fall, daß die Verrückungen der Atome als Translationen und Rotationen der Moleküle beschrieben werden, werden die harmonischen Kopplungsparameter und die zwischen ihnen bestehenden Symmetriebeziehungen angegeben. Zur Illustration wird ein einfaches Modell einer Molekülkette behandelt.
Investigation of the Germanium‐Electrolyte Interface
Authors: Krotova M. D. , Pleskov Yu. V. 
Published: July 2007

AbstractThe density of the charge in slow surface states (∼ 1012cm−2V−1) is estimated from the ratio of the potential drops in the space charge region and the Helmholtz layer. These potential drops are determined from measurements of the surface conductance and electrode capacity of the germanium‐methylformamide system. The dependence of the instantaneus photovoltage on the potential, and also the measurements of the surface recombination velocity and electrode capacity, indicate presence of a considerable density of fast surface states (≥ 1011 cm−2) whose energy levels are well removed from the centre of the forbidden gap. The concentration of minority carriers at the boundary of the space charge region changes when the electrode is charged by short rectangular current pulses. An increase or decrease in this concentration causes a rise or fall, respectively, in the electrode capacity compared with that of the static case.
Die Erholung des Eisens nach Kaltverformung oder Neutronenbestrahlung zwischen 20 und 450 °C
Authors: Bell F. , Krisement O. 
Published: July 2007

AbstractDie Erholung reinen Eisens nach Kaltverformung oder Neutronenbestrahlung wurde durch die Messung der gespeicherten Energie zwischen 20 und 450 °C verfolgt. In beiden Fällen wurde eine Erholungsstufe im gleichen Temperaturgebiet gefunden. Auf Grund der experimentellen Ergebnisse und eines Vergleiches mit anderen kubisch raumzentrierten Metallen wird die Natur der ausheilenden Defekte diskutiert.
Surface Damage and Copper Precipitation in Silicon
Authors: Thomas D. J. D. 
Published: July 2007

AbstractMechanical polishing of silicon introduces considerable damage into the surface. Heating in air causes this damage to be annealed both by dislocation movement and by the formation of stacking faults. The dislocations are rearranged in planes parallel to the surface and stacking faults are formed in the slip planes which lie at an angle to the surface. Prolonged heating causes the defects to be removed by the oxide layer.Copper is preferentially precipitated at these defects. The type of precipitation depends on the copper concentration which is determined by the temperature at which the copper is diffused into the silicon: below 1000 °C the precipitates lie along dislocation lines; between 1000 °C and 1150 °C the precipitates lie as discrete particles parallel to {110} planes; at higher temperatures the precipitates are platelets which lie on the surface. Once a precipitate forms it grows preferentially and removes copper from the surrounding region.
Desakkomodation und Frequenzabhängigkeit der magnetischen Nachwirkung bei hohen Temperaturen an Eisen‐Silizium‐Legierungen II. Experimentelle Untersuchungen
Authors: Balthesen E. 
Published: July 2007

AbstractDie Messungen wurden zwischen 400 °C und 700 °C an Proben mit etwa 1%, 2% und 3 Gewichts‐% Si durchgeführt. Die Nachwirkungszeiten ergaben sich umgekehrt proportional dem Quadrat des Si‐Gehalts. Eine Deutung der Versuche durch Atompaarorientierung scheint nicht möglich zu sein. Dagegen ergibt sich eine gute quantitative Übereinstimmung mit der in Teil I entwickelten Theorie der Leerstellendiffusion. Die Kristallanisotropiekonstante von Eisen‐Silizium‐Legierungen sollte nach den Ergebnissen stark vom Si‐Gehalt abhängen. Es wird über Versuche unter gleichzeitiger Bestrahlung im Reaktor berichtet.