bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Kontrastsimulationen für die Transmissionselektronenmikroskopie und ‐beugung mit elektronischen Rechenmaschinen
Authors: Schulze D. 
Published: July 2007

AbstractIn zusammenfassender Form wird über Computersimulationen von Beugungserscheinungen schneller Elektronen an mehrdimensionalen Gitterfehlern sowie die Ausgabe der Resultate als Halbtonbilder oder Kontrastprofile berichtet. Diesem Verfahren zugängliche, wesentliche Erscheinungen der Transmissionselektronenbeugung werden ebenfalls behandelt. Die solcherart aus der Theorie der Elektronenbeugung abgeleiteten Bildstrukturen sind denen vergleichbar, die experimentell an dünnen Kristallen im Transmissionselektronenmikroskop bzw. bei der Transmissionselektronenbeugung zu beobachten sind. Auf die mathematische bzw physikalische Ausgangssituation wird einführend kurz eingegangen.
The influence of heat‐dissipation and temperature fluctuations on SbSI crystallization in thin layers
Authors: Sheftal R. N. , Nikitin K. V. , Savitskaya Y. S. 
Published: July 2007

AbstractSingle crystal films of SbSI 5 to 100 μ in thickness have been obtained by crystallization from melts in a close spacing. The films crystallized under conditions under conditions of direct heat ‐dissipation and periodical fluctuations of temperature near the melting point. The phase transition in the films was revealed by means of capacity measurements at temperatures of ∼ 20 °C.
Die Verfeinerung der Kristallstruktur eines metamorphen Orthopyroxens
Authors: Schubert G. 
Published: July 2007

AbstractAuf der Grundlage von 1373 unabhängigen Reflexen, die aus integrierten Weißenbergaufnahmen gewonnen wurden, sind die Atomkoordinaten, die isotropen Temperaturfaktoren und die Platzbesetzungszahlen eines metamorphen Orthopyroxens der Zusammensetzung Mg1,56Fe0,39Ca0,05Si2O6 mit Hilfe des „least‐squares”︁‐Verfahren dreidimensional verfeinert worden. Der abschließende R‐Wert beträgt 0,11. Die Platzbesetzungsfaktoren spiegeln mit M 1 = Mg0,968 + Fe0,032 und M 2 = Mg0,589 + Fe0,361 + Ca0,050 eine hochgeordnete intrakristalline Magnesium‐Eisen‐Verteilung wider. Die M 1 – M 2‐Oktaeder, die Si‐Tetraeder und die Abhängigkeit der mittleren M – O‐Distanzen von der Mg – Fe‐Platzbesetzung werden diskutiert.
Herstellung dünner Schichten von Titandioxid
Authors: Wäsch E. 
Published: July 2007

AbstractIn Abhängigkeit von der Substrattemperatur und der Schichtdicke wird die Hochvakuumaufdampfung von TiO2 auf luft‐ und vakuumgespaltenen NaF‐, NaCl‐ und NaBr‐ Substraten untersucht. Bei geringen Substrattemperaturen scheidet sich amorphes TiO2 ab, bei höheren Temperaturen treten zwei Ti  O‐Phasen, Rutil und Ti4O7, nebeneinander auf.
Fe2S3 of the spinel type structure with lattice defect
Authors: Yamaguchi S. , Wada H. 
Published: July 2007

AbstractFe2S3 of the spinel type is formed in an acidic medium. This sulfide is to be expressed by a vacancy formula Fe (□1/3Fe5/3)S4 analogous to that of gamma‐Al2O3. Greigite, prepared artificially or found in nature, corresponds to a solid solution Fe3S4–Fe2S3.
Electron‐beam microprobe analysis of epitaxial GaxIn1−xP solid solutions
Authors: Alferov Ž. I. , Konnikov S. G. , Mišurnyj V. A. , Tret'jakov D. M. , Godlinnik T. B. 
Published: July 2007

AbstractGaxIn1–xP epitaxial layers were investigated by means of a scanning electron microscope X‐ray microanalyser. The conditions for quantitative X‐ray microprobe analysis are discussed. The growth of GaxIn1–xP layers is possible on GaP substrates with x > 0,8 and on GaAs with 0,3 < x < 0,6. For the deposition of layers with 0,5 < x < 0,8 two substrate materials are possible: GaAs1–xPx or GaxIn1–xP with suitable compositions. These materials must be epitaxially deposited by step by step layer growth or by vapour phase epitaxy, respectively.
Oberflächenmorphologie und Gleitverhalten trikliner Einkristalle von TCNQ‐Komplexsalzen
Authors: Preuss H. H. W. 
Published: July 2007

AbstractElektronenmikroskopische Untersuchungen der wichtigsten Kristallflächen der TCNQ‐Komplexsalze mit Triphenylmethylphosphonium und mit Triphenylmethylarsonium zeigten neben Wachstumsakzessorien und Ätzgruben auch Gleitstufen, die absichtlich durch lokale Deformation mit einer Nadelspitze und durch axialen Druck hervorgerufen werden können.Die Orientierung der Gleitstufen in verschiedenen Kristallflächen führt auf (010) als Gleitebene. Bei axialem Druck senkrecht zu (010) kam es zu unerwartet starken Schubdeformationen, aus welchen lichtmikroskopisch die Gleitrichtung parallel zu [101] oder [101] bestimmt werden konnte.Gleitung und Spaltung parallel zu (010) werden durch die Struktur begünstigt, denn (010) liegt parallel zu einer „glatten”︁ Netzebenschar, welche nicht von überlappenden Molekülen gekreuzt wird.
Probleme und Ergebnisse von elektronenstrahlmikroanalytischen Untersuchungen an Spießglanzmineralen
Authors: Wolf Manfred , Küchler Ludwig 
Published: July 2007

AbstractFeine Verwachsungen von Mineralen der Bleispießglanzreihen sind mit den klassischen Methoden der Mineraldiagnose nicht eindeutig zu bestimmen. Mikrosondenuntersuchungen lassen erkennen, daß die bisher als einheitlich angesehenen Phasen bis in den submikroskopischen Bereich hinein außergewöhnliche Inhomogenitäten in der Elementverteilung aufweisen. Die sich daraus für eine quantitative Interpretation ergebenden Probleme und Lösungswege werden dargestellt.
Emissionsmikroskopische Untersuchungen zur plastischen Verformung und Versetzungsmarkierung an NbFe2
Authors: Bewilogua K. , Reichelt R. , Wetzig K. 
Published: July 2007

AbstractMit Hilfe eines Kompressionszusatzes für das Emissionselektronenmikroskop erfolgte die homogene plastische Verformung der Lavesphase NbFe2. Im Zusammenhang damit wurden Untersuchungen über die Möglichkeit einer Markierung von Versetzungsdurchstoßpunkten mittels thermischer Behandlung unter den Bedingungen im Emissionsmikroskop durchgeführt.Gleitspuren auf den Oberflächen sind erst oberhalb einer kritischen Temperatur, bei welcher der Übergang spröde‐duktil erfolgt, zu beobachten. Beim Glühen der Proben im Hochvakuum entstehen Oxidkeime auf der Oberfläche. Diese scheinen an Durchstoßpunkten von Versetzungen zu entstehen. Bei plastisch verformten Proben markieren diese Oxidkeime die Gleitspuren.
Mikrosondeuntersuchungen am Schnellarbeitsstahl X82WMo6.5
Authors: Rathjen D. , Müller F. , Laux W. , Küchler L. 
Published: July 2007

AbstractAn Proben des Schnellarbeitsstahles X82WMo6.5, der im Anlieferungszustand eine ausgeprägte Carbidzeiligkeit aufwies, konnten mit Hilfe des Elektronenstrahl‐Mikroanalysators und durch ein Farbätzmittel beträchtliche Chromseigerungen nachgewiesen werden. Ihr Ausgleich durch Wärmebehandlung im technisch üblichen Härtetemperatur‐Tauchzeitbereich war nicht zu erreichen. Mit Hilfe von Verfahren zur Carbididentifizierung wurden ein besonderer innerer Aufbau der primären M6C‐Carbide und verschiedene Karbidreaktionen gefunden, die sich während der Austenitisierung vollziehen.
Evaporation Model of NaCl Cleavage Faces around Edge Dislocations in Vacuum
Authors: Vlasák G. , Hartmanová M. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown in the present paper that the evaporation of edge dislocations in the form of circular steps takes place in NaCl crystals by the evaporation of these steps in a high vacuum and in a temperature region of 350–500°C. The distances of steps are regular. This regularity is explained by means of a suggested model. This model explains also the change in the evaporation rate depending upon the density of dislocations. This explanation is based on the existence of an effective charge at the emergence point of the edge dislocations a/2 〈110〉. {110} with the surface planes {100}. This charge interacts with another one formed on the faults of steps. As a result of this interaction a modulation is observed of the formation of a new step in the emergence point. This means that the same is observed in the case of step distances too.
Preparation of Carbon Replicas from Transmitted GaAs Foils for Electron Microscopical Investigations
Authors: Tempel A. 
Published: July 2007

AbstractGaAs will be described as an example of being qualified for obtaining carbon replicas from electron microscopical transmittable samples corresponding unequivocally to the TEM image. Thereby it is possible to give a more exact interpretation of the contrast of the TEM picture.
Phase Diagrams of Semiconducting Compounds (III) Thermodynamic Calculation of the Ternary Melting Diagram of GaAlAs
Authors: Leonhardt A. , Buchheiser K. , Kühn G. 
Published: July 2007

AbstractThe ternary phase diagram of GaAlAs has been calculated by VIELAND'S method. The activity coefficients are determined using DARKEN'S quadratic formalism for a ternary liquid in equilibrium with a regular solid solution. The agreement of calculation and experimental results is examinated using data from literature and solution measurements and liquid phase epitaxy experiments of this paper.
Physikalisch‐chemische Untersuchungen am System Natriumbenzoat/Benzoesäure (I) Infrarotspektropische und röntgenografische Untersuchungen bei Raumtemperatur
Authors: Flammersheim H. J. 
Published: July 2007

AbstractIm System Natriumbenzoat (NaBz)/Benzoesäure (HBz) existieren drei Komplexe mit den Zusammensetzungen 1 NaBz ·2 HBz (2 Modifikationen) und 2 NaBz ·1 HBz. Aus Lösung bzw. durch Vermörsern bei Raumtemperatur ist nur die Tieftemperaturform des 1:2‐Komplexes erhältlich, die Hochtemperaturform entsteht aus dieser durch Aufheizen auf etwa 120°C. Die IR‐Spektren sprechen dafür, daß die Tieftemperaturform zum asymmetrischen Typ B, die Hochtemperaturform dagegen zum symmetrischen Typ A der wasserstoffbrückengebundenen sauren Salze (BLINC, HADžI, NOVAK) gehört. Das Vorliegen endlicher Bereiche von Mischkristallbildung zwischen den Komponenten und den Komplexen bzw. den Komplexen untereinander kann nach den vorliegenden Untersuchungsergebnissen ausgeschlossen werden.
Physikalisch‐chemische Untersuchungen am System Natriumbenzoat/Benzoesäure (III) Untersuchungen an der Tieftemperaturmodifikation des Komplexes 1 Natriumbenzoat · 2 Benzoesäure
Authors: Flammersheim H. J. 
Published: July 2007

AbstractDie Reaktionsenthalpie der Bildung der Hochtemperaturmodifikation von Natriumbenzoat (NaBz) · 2 Benzoesäure (HBz) aus den Komponenten wurde ermittelt. über die bekannte Umwandlungswärme der Tief‐ in die Hochtemperaturform des Komplexes wurde ΔRH für erstere Form berechnet. — Aus Einkristalluntersuchungen ergaben sich Gitterkonstanten und Raumgruppe des Komplexes. — Die Kinetik der Reaktion kann durch drei Teilschritte beschrieben werden: eine Induktionsperiode, eine quasi‐lineare Periode, die sich mit einem Geschwindigkeitsgesetz (pseudo‐) erster Ordnung beschreiben läßt und eine Abklingperiode, die einer empirisch gefundenen Gleichung gehorcht. Die Reaktionsrichtung verläuft von der HBz zum NaBz. Die HBz diffundiert als Ganzes. geschwindigkeitskonstanten und Aktivierungsenergien der beiden wesentlichen Reaktionsteilschritte werden angegeben.
Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga(CH3)3AsH3H2 system (II). Investigations on the Hetero‐Epitaxy of GaAs on Ge
Authors: Gottschalch V. , Petzke W.‐H. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractDurch Pyrolyse von Ga (CH3)3AsH3H2 wurden GaAs‐Epitaxieschichten auf (111)‐, (110)‐ und (100)‐Ge‐Substraten abgeschieden. In dieser Arbeit wird der Einfluß der Wachstumsbedingungen und des Gitterunterschiedes von GaAs und Ge auf die Qualität der GaAs‐Epitaxieschichten beschrieben und diskutiert. Die Epitaxieschichten wurden durch chemisches ätzen, Röntgenuntersuchungen und durch Betrachten der Oberflächenmorphologie charakterisiert.
The Effective Elastic Constants of Textured Polycrystals in Second Order Approximation
Authors: Bunge H. J. 
Published: July 2007

AbstractThe effective elastic constants of textured polycrystalline materials are calculated in two approximations on the basis of a minimum energy assumption which is more realistic than the VOIGT and REUSS assumptions. The formulae are specified for the case of cubic crystal symmetry and orthorhombic specimen symmetry (sheet symmetry). Numerical values calculated for a copper and a steel sheet are compared with the corresponding experimental values.
Interpretation of Ribbon‐Like Contrasts on X‐Ray Topograms of Muscovite Monocrystals
Authors: Sitarek U. , Becherer G. 
Published: July 2007

AbstractIn order to interpret characteristic ribbon‐shaped parallel contrast lines on X‐ray‐topographs of special muscovite single crystals a model of band‐like stacking faults of layer units is proposed. The stacking faults are caused by staggers in the aluminium plane which deviate from the arrangement in the regular 2M1‐structure. The unit layer used for it is not identical with the common one (e.g. SMITH, YODER); it corresponds to a proposal by SADANAGA and TAKEDA. The description of the character of these stacking faults is discussed in connection with the experimental statements reported by different authors.
Elektronenstrukturelle Deutung einfacher Kristallstrukturen
Authors: Lehmann G. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Überblick gegeben über die Aussagen bezüglich der Kristallstruktur, die durch die in den letzten Jahren erzielten Fortschritte in der Theorie der elektronischen Struktur fester Körper möglich waren. In gut entwickelter qualitativer Form liegt die Theorie für die sogenannten einfachen Metalle vor. Die Aussagen über die Kristallstruktur bilden dabei nur einen Bruchteil der auf einheitlicher Grundlage erzielten Erkenntnisse. Für Übergangs‐ und Edelmetalle sowie kovalent gebundene Systeme lassen sich zumindest qualitative Schlußfolgerungen ziehen.
Reflection Splitting in RHEED Investigations of Vacuum Evaporated GaAs Layers
Authors: Hottmann H. , Schulz M. 
Published: July 2007

AbstractRHEED‐diagrams of vacuum deposited GaAs‐films with high density of structural defects often show splitting of matrix reflections into satellites. It can be shown by simple models, for example of {111}‐oriented films, that this phenomenon is originated by formation of stacking faults perpendicular to 〈ĪĪĪ〉‐B growth directions of the films. The conditions for 〈110〉 and 〈211〉 azimuths are discussed.
Symmetry in the Space of Euler Angles
Authors: Pospiech J. , Gnatek A. , Fichtner K. 
Published: July 2007

AbstractFor the analysis and description of textures the orientation distribution function f(g) is used. Orientations g as points in “orientation space” are usually characterized by the Euler angles φ1, Θ, φ2. The symmetries of the function f(g) result from the symmetries of the crystal and those of the specimen.The symmetries in orientation space induced by both the point group symmetry of the crystal and of the specimen are analysed. Any combination of crystal and specimen symmetries yield a group of linear transformations in orientation space; this group corresponds to one of the 230 space groups.If the point group of the crystal or the point group of the specimen belong to the cubic system the resulting group of linear transformations does not contain all induced symmetries.Tables with the induced space groups are given for all combinations of crystal and specimen symmetries.
Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga (CH3)3AsH3H2‐System (IV) Thermodynamic and Kinetic Considerations
Authors: Petzke W.‐H. , Gottschalch V. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractFor reactions taking place between the species Ga, As2, As4, AsH3, and H2, the equilibrium constants were calculated. The discussion indicates that factors other than thermodynamic considerations significantly influence the deposition process. Kinetic investigations demonstrate the importance of the As:Ga proportion that has to apply for perfect layer growth. The mechanism of deposition is in correspondence with a Langmuir‐Rideal Model. For high substrate temperatures a homogeneous reaction in the vapour phase can‐not be excluded.
A contribution to the indexing of transmission electron diffraction patterns
Authors: Messerschmidt A. 
Published: July 2007

AbstractA method for the indexing of TED spot patterns is presented. The reduced cell of the TED pattern defined by the two shortest vectors, which enclose an acute angle, serves as reference cell for the indexing. The d‐values of both the cell defining vectors and of their sum and difference vectors are determined being the four largest d‐values, which can be determined from the pattern. These four d‐values are compared with suitable d‐value sets of the possible crystalline phases and probable phase identifications are made. Generally, there exist several indexing variants for the individual d‐values of the separate phase identification possibilities. It is possible to find the correct indexing by the determination of the indices of the sum and difference vectors, occasionally, for one pair of the indexing variant from the vectors defining the reference cell and by comparison of these indices with the indexing variants for the d‐values of the sum and difference vectors of the corresponding phase identification variant. The measuring and calculation of the intervectorial angles formerly necessarily hasn't to be made in this method. However, the determination of the sum and difference vectors involves it. The reliability of the indexing can be increased in a strong manner if two or three different reciprocal lattice planes of the specimen under investigation are recorded in the corresponding TED patterns and if, in the following, these patterns can be indexed by the mentioned method without any doubt.
O− centre formation in YAG crystals doped with iron group ions
Authors: Kvapil Jiří , Kvapil Josef , Perner Bohumil , Mánek Břetislav 
Published: July 2007

AbstractThe colour changes of YAG crystals doped with Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni as well as those doped with Mg or Be are described. The comparison of samples annealed in hydrogen oxygen and argon and exposed to an UV irradiation is given. Yellow or brown colour of YAG crystals is attributed to the O− centre formation which causes an increase of absorption, particularly near 400 nm. Most intensive coloration showed the crystals containing iron group ions in a higher valency state after UV irradiation and some crystals (e. g. YAG:Cr) annealed in argon.
Zur Realstruktur von Ga1–xInxAs LPE‐Schichten
Authors: Butter E. , Jacobs B. , Krämer H. , Schmidt W. , Stary J. , Wolff W. 
Published: July 2007

AbstractGa1–xInxAs‐Epitaxieschichten (0,02 < × < 0,12) auf (111)‐orientierten GaAs‐Substraten wurden aus nichtstöchiometrischen Schmelzen erhalten. – Die aus Strukturätzungen ermittelten Versetzungsdichten lagen zwischen 2 · 105 cm−2 und 3 · 107 cm−2, in Abhängigkeit von der Zusammensetzung, der Schichtdicke und der Abkühlungsgeschwindigkeit. – Röntgentopographische Untersuchungen an {110}‐Spaltflächen lieferten Informationen über die Schichtperfektion und deuten am Heteroübergang Schicht/Substrat auf Verspannungen des Substratgitters hin. Die röntgenographische Gitterkonstantenbestimmung bestätigt die Gültigkeit der Vegardschen Regel im untersuchten Konzentrationsbereich. Die Halbwertsbreite von Doppelkristall‐Reflexionskurven, die Ätzgrubendichte und die relative Photolumineszenzintensität zeigen analoge Abhängigkeiten von der Zusammensetzung der Schichten.
Anwendung der Protonen‐Rückstreuanalyse zur Bestimmung der Zusammensetzung von AIIIBV‐Mischkristallen
Authors: Flagmeyer R. , Geist V. 
Published: July 2007

AbstractDie bei der elastischen Streuung von 1,5 MeV‐Protonen an AIIIBV‐Mischkristallen erhaltenen Spektren wurden analysiert und auf diese Weise die Probenzusammensetzung bestimmt. Die Methode der Mikroanalyse mittels Rückstreuspektrometrie wird kurz erläutert und ihre Anwendung anhand zweier Beispiele ausführlich beschrieben. Die Resultate der Rückstreumessungen und die mittels anderer Analyseverfahren erhaltenen Ergebnisse zeigen eine gute Übereinstimmung. Im Anhang werden die Massen‐ und die Tiefenauflösung der beschriebenen Rückstreutechnik näher betrachtet.
The influence of the d‐core states on the calculation of the crystal structure of Zn with the optimized model potential
Authors: Radwan A. , Rennert P. 
Published: July 2007

AbstractShaw model potential has been used to calculate the structural energies of Zn using different model potential parameters. The effects of changing the model potentials, of using energy‐wavenumber characteristics calculated with intervals of q/2kF = 0.05 and 0.025, and of using different interpolation methods on the structural energies are investigated.
Schlieren textures in smectic liquid crystals
Authors: Demus D. 
Published: July 2007

AbstractThe details of well developed schlieren textures have been observed at smectic C and B modifications. In these textures whole numbered point singularities occur and inversion walls with strong similarities to nematic schlieren textures. It is shown that the occurrence of smectic schlieren textures is due to suppositions derived theoretically by Nehring and Saupe. These suppositions are: tilted structure and plane layers with the layers parallel to the supporting glass slides.In smectic B inversion walls occur which allow to conclude on variable tilt angles of the structure.
Untersuchungen zu einer neuen Methode der Gasphasenzüchtung von α‐Al2O3‐Whiskern und deren Realstruktur
Authors: Szajko K. , Wasiak J. , Weyher J. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wird der Einfluß von grundsätzlichen technologischen Parametern auf die Gewichtszunahme von α‐Al2O3‐Saphirwhiskern, die in einem Hochtemperaturwiderstandsofen durch Reduktion mit Wasserstoff gezüchtet werden, untersucht. Ergebnisse der röntgentopographischen Untersuchungen zur Realstruktur von Nadel‐ und Plättchenwhiskern sind wiedergegeben. Die Wachstumsrichtungen und die Zugfestigkeit der erhaltenen Whisker werden bestimmt.
Etch figures and crystal structures
Authors: Wooster W. A. 
Published: July 2007

AbstractThe etch figures on some of the naturally occurring faces of crystals of sodium chloride, cuprite, alpha‐quartz, tourmaline and topaz are compared with the atomic arrangements on the etched surfaces. The etch figures are influenced in their shape and orientation relative to the natural faces by a number of factors. One of these factors is the crystal structure. In every example of an etched pit bounded by straight edges, it was found that there exists in the crystal structure a continuous chain of relatively strong inter‐atomic bonds, running parallel to the straight edge. The study of tourmaline indicates the direction in which all the SiO4 tetrahedra are pointing relative to the external form.
Der Einfluß der Rauhigkeit der Probenoberfläche auf die Ergebnisse ellipsometrischer Messungen bei GaAs
Authors: Löschke K. , Kühn G. 
Published: July 2007

AbstractDie Ergebnisse ellipsometrischer Messungen an GaAs zeigen einige Diskrepanzen. Diese Tatsache wird auf Oberflächenrauhigkeiten zurückgeführt und an Hand eines einfachen Modells diskutiert. Es wird gezeigt, in welcher Art und Weise eine rauhe Oberfläche die ellipsometrisch gemessene Filmdicke und den Brechungsindex beeinflußt.
Refinement of wave‐functions of valence electrons of diamond using experimental compton profiles
Authors: Sirota N. N. , Revinsky A. F. 
Published: July 2007

AbstractRefinement of wave‐functions of valence electrons of diamond is performed using the available experimental Compton profiles obtained by the data on X‐ray and γ‐ray scattering. The wave‐function of valence electrons is taken in the approximation of sp3‐hybridization. Atomic scattering factors predicted by the refined wave‐functions are in a satisfactory agreement with the experimental data (Göttlicher et al.).