bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Die Bedeutung mechano‐elektrischer Erscheinungen für die Bestimmung der Oberflächenenergie von Kristallen
Authors: Metzik M. S. , Afanas'eva R. V. 
Published: July 2007

AbstractMit Hilfe der Methode der Kristallspaltung wird eine Berechnung der Oberflächenenergie von Glimmer vorgenommen. Dazu wird ein effektiver Elastizitätsmodul eingesetzt, der die elektrostatische Aufladung der Kristalloberfläche berücksichtigt. Zur Messung der bei der Spaltung mit Hilfe eines Keils entstehenden Ladungen wird eine spezielle Anordnung benutzt. Mikrogeometrie und Mechanoelektronen‐Emissionsstrom werden bestimmt. Letzterer wird bei genügend hohem Vakuum zum Hauptprozeß der Stabilisierung labiler elektrischer Kristalloberflächen. Die elektrostatische Aufladung beeinflußt die Werte der gemessenen Oberflächenenergien nur wenig, um so mehr die Deformation oberflächennaher Schichten. Die so ermittelte freie Energie wird für Glimmer mit 380 erg · cm−2 angegeben.
Der Kanteneffekt als Fokussierungshilfe in Elektronensondengeräten
Authors: Bauer H. D. 
Published: July 2007

AbstractIm Rastermikroskop mit Rückstreuelektronen werden Oberflächenstufen durch helle Konstrastsäume markiert, wenn ihre senkrechte Flanke zum Elektronenauffänger hinzeigt. An Hand der Everhartschen Theorie der Rückstreuung wird die Größe des Effektes untersucht und seine Abhängigkeit von der Materialart des Objekts, der Lage des Auffängers und der Breite der Sonde diskutiert. Mit seiner Hilfe läßt sich das Scharfstellen der Sonde auf eine Intensitätsmessung zurückführen.
Application of the thermal history of copper sulfate solution to industrial crystallization (I). Crystallization with pilot plant
Authors: Nakai T. , Aoyama Y. , Miyake K. 
Published: July 2007

AbstractThe relationship between the thermal history and the waiting time in nucleation decided for the aqueous solution of sodium chlorate was verified for the aqueous solution of copper sulfate using pilot crystallizers. The following items were clarified as the result of the experiments.
The cooling method is more stable to nucleation in comparison with the vacuum cooling method even at the same operational conditions.
The desirable effect of the thermal history is recognized only in the case in which the solution is heated up to a high degree of undersaturation.
The residence time at an undersaturated state has an important role to dissociate embryos in solution.
Application of the thermal history of copper sulfate solution to industrial crystallization (II). Crystallization with commercial scale plant
Authors: Nakai T. , Aoyama Y. , Miyake K. 
Published: July 2007

AbstractAs the result of the crystallization of copper sulfate from waste liquor using commercial scale plant, it became clear that the application of the thermal history of solution was very effective to depress nucleation as expected previously.The optimum setup of crystallizer to recover copper sulfate as perfect as possible was decided by using a new double‐stage vacuum cooling method.
Zur Herstellung und Untersuchung einkristalliner isolierender Substrate für mikroelektronische Zwecke
Authors: Herberger J. , Richter F. , Leistner H. , Prescher W. 
Published: July 2007

AbstractDie an Substrate für die Halbleiterepitaxie zu stellenden Forderungen werden diskutiert und unter diesem Gesichtspunkt die wichtigsten der bisher verwendeten einkristallinen isolierenden Substratmaterialien erörtert. Ausführlicher wird auf die Materialbesonderheiten des Mg‐Al‐Spinells eingegangen und über eigene Untersuchungen sowohl an „as grown”︁ als auch an getemperten Verneuil‐Spinellen berichtet. Die Ergebnisse verschiedener Polierverfahren bei der Substratherstellung wurden rasterelektronenmikroskopisch sowie mit Hilfe der Reflexionselektronenbeugung untersucht und miteinander verglichen. Eine Ätzung der mechanisch polierten Substrate mit heißer Phosphorsäure brachte, nach dem Kriterium der Reflexionselektronenbeugung, eine vollständige Abtragung der gestörten Oberflächenschicht. Abschließend wird über erste Ergebnisse bei der Herstellung und Untersuchung elektronenmikroskopisch durchstrahlbarer Mg‐Al‐Spinellsubstrate berichtet.
Einsatz des Spiegel‐Elektronenmikroskops zur Untersuchung dielektrischer dünner Schichten
Authors: Heydenreich J. , Vester J. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Untersuchungsmethodik für die Abbildung von Ladungsinhomogenitäten in Isolatorschichten mit dem Elektronenspiegel‐Mikroskop beschrieben. Die mitgeteilten experimentellen Ergebnisse, welche sich in halbquantitativer Form auswerten lassen, betreffen vor allem Siliziumoxid‐Aufdampfschichten.
Epitaktische Abscheidung von GaAs im System Ga(CH3)3AsH3H2 (I) Autoepitaktische Abscheidung
Authors: Gottschalch V. , Petzke W.‐H. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractDiese Arbeit beschreibt einige Merkmale der Ga(CH3)3/AsH3/H2 Pyrolyse. Die Qualität der autoepitaktischen GaAs‐Schichten wurde ätztechnisch, röntgenographisch und durch Betrachtung der Oberflächenmorphologie untersucht. Es ergab sich ein charakteristischer Einfluß der Züchtungsbedingungen (As/Ga‐Verhältnis, Substrattemperatur) auf die Schichtqualität.
The Precipitation of Strontium and Lead Sulphates from Aqueous Solution. Kinetics of the Crystal Growth
Authors: Packter A. 
Published: July 2007

AbstractThe precipitation of strontium and lead sulphates from well‐stirred supersaturated aqueous solutions, of initial solute concentrations C0 = 0.001 to 0.020 M and C0 = 0.0002 to 0.003 M respectively, was studied at 20° and 40°C by chemical analysis and optical microscopy. Nucleation occurred during induction periods and continuous regular growth then took place onto the nuclei formed during these periods. Crystallisation was complete after 4 to 48 hr.The crystal growth was rate‐controlled by the rate of deposition of metal salt ions onto the growing crystal surfaces. This rate (dC/dt), at any growth time, then depended on both the overall surface area (At) and on the residual excess solute concentration (ΔCt) in solution according to the relation

while the growth rate (dα/dt), expressed in terms of degree of crystallisation, was

.The rate constants (kα) for the crystal growth of strontium and lead sulphates at 20°C were 22 and 4200 sec−1 M−2 respectively — that is, greatest for the salt with least cation hydration –; these constants increased 4 to 6 times for 20°C temperature rise. The rate‐determining process for the metal salt deposition was probably the ion dehydration.
Optimierung der Kühlungskristallisation mittels Vermischung einer kalten und einer warmen Lösung
Authors: Vasanits Enikö , Blickle Tibor 
Published: July 2007

AbstractDie Kühlungskristallisation wurde in einem Fluidisations‐Kristallisator im Laboratoriumsmaßstab auf die Weise verwirklicht, daß die warme, gesättigte Lösung direkt mit der Kaltlösung vermischt wurde. Die ausgeschiedenen Kristalle wurden aus der Fluidschicht fortlaufend weggeleitet, während die auf dem oberen Teil der Fluidschicht abfließende Mutterlauge mittels des Kühlers im Kreisprozeß auf die Temperatur der kalten Lösung rückgekühlt und wieder in den Kristallisator eingeführt wurde.Mit Hilfe des aufgestellten theoretischen Modells konnte jene optimale gemeinsame Temperatur bestimmt werden, die zu der gegebenen Ausgangstemperatur der warmen und der kalten Lösung gehört, und bei welcher gemeinsamen Temperatur die Mutterlauge aus dem Kristallisator austritt, wenn sich der größte Teil der Kristalle im Kristallisierapparat ausscheidet.Der zu der theoretisch bestimmten optimalen gemeinsamen Lösungstemperatur im Kristallisator gehörende, und der im gesamten Kreisprozeß ausgeschiedene Kristallanteil wurden bestimmt. Wir prüften die Richtigkeit der theoretisch festgestellten Werte mittels Experiment und untersuchten den Einfluß der Kühlungsparameter auf die Korngrößenverteilung des Kristallproduktes, sowie auf die Produktivität des Kristallisators.
Preparation and Properties of YIG Single Crystals
Authors: Bornmann S. , Glauche E. , Görnert P. , Hergt R. , Becker C. 
Published: July 2007

AbstractIn this paper a summary is given on the reproducible preparation of large, nearly defectless yttrium iron garnet single crystals (YIG) grown in fluxes by slowly cooling with accelerated crucible rotation (ACRT) and local bottom cooling. The surface morphology of the growth faces is discussed with regard to the growth mechanism. By different methods the crystals are characterized regarding their lattice defects (impurities, growth striations, dislocations, inclusions). Ferromagnetic resonance measurements in the X‐band at polished, inclusionsfree discs show that the linewidth ΔHof any crystals from different runs are less than 0.45 Oe.
Über eine optische Methode zum qualitativen und quantitativen Nachweis von Oberflächenfehlern
Authors: Baehr R. , Seyfarth H. 
Published: July 2007

AbstractDas Prinzip des optischen Schneidenverfahrens wird zur qualitativen und quantitativen Beurteilung polierter Einkristallscheiben angewendet. Es lassen sich mit Hilfe einfacher überlegungen Hinweise auf die Art der Fehler bzw. eine Abschätzung der Höhenunterschiede ermitteln. Für den Einsatz dieses Verfahrens in der Produktionskontrolle werden Bedingungen für eine konstruktive Lösung genannt, die eine routinemäßige Prüfung polierter Oberflächen gestatten.
Untersuchungen zur Wärmeleitfähigkeit von BiSb‐Einkristallen
Authors: Wagner N. , Brümmer O. , Pietzsch H. R. 
Published: July 2007

AbstractFür BixSb1−x‐Legierungen werden theoretisch ermittelten Werten der Wärmeleitfähigkeit experimentelle Resultate gegenübergestellt. Es erfolgt eine Analyse der elektronischen Anteile und der Gitterwärmeleitfähigkeit in Abhängigkeit von der Sb‐Konzentration im Bereich 0 ⩽ (1−x) ⩽ 0,30 auf der Basis theoretischer Modelle. Dabei finden die Anisotropieeigenschaften Berücksichtigung. Sie stützen die Aussagen, die über die Phononenstreuprozesse gemacht werden.
Einfluß der Blockstruktur auf die Emissionseigenschaften von Laserrubinen
Authors: Feldner E. , Hultzsch R. , Wünder R. Orlam 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Laserenergie von 2 Rubinen unterschiedlicher optischer Qualität im Relaxationsbetrieb gemessen. Variiert werden Justierung und Länge des Resonators sowie die Polarisation der Strahlung. Die Ergebnisse lassen sich mit den in den Rubinen vorhandenen Mosaikblöcken und ihrer Substruktur erklären.
Wärmedurchschlag an Cu2O
Authors: Bäther K.‐H. 
Published: July 2007

AbstractBeim Schalten an Cu2O wird das Auftreten hoher Temperaturen nachgewiesen. Die Struktur des formierten Kanals wird untersucht. Auf der Grundlage des Phasendiagramms wird ein einfaches und qualitatives Modell für den Durchschlag an Cu2O beschrieben und auf Metalloxide verallgemeinert.
Martensitmorphologie im System Eisen‐Chrom‐Kohlenstoff
Authors: Zenker R. 
Published: July 2007

AbstractDie vorliegende Arbeit befaßt sich mit Problemen der Martensitmorphologie im System FeCrC. An Hand von licht‐ und elektronenmikroskopischen Untersuchungen werden typische Erscheinungen in Verbindung mit dem Auftreten von Latten‐ und Plattenmartensit erörtert und die Existenzbereiche der morphologischen Varianten des Martensits im System FeCrC angegeben. Die Ursachen für den Übergang von Latten‐ in Plattenmartensit werden dargestellt.
Etude Par Effet Kerr et Methode Rayons X de Guinier‐Tennevin d'un Depot Al sur Fe–Si(110)
Authors: Marmeggi J.‐Cl. , Couderchon G. 
Published: July 2007

AbstractL'effet magnéto‐optique de Kerr et la méthode de focalisation aux rayons X, due à Guinier‐Tennevin, sont utilisés pour étudier l'effet de l'addition d'Aluminium (par diffusion en phase solide) à un alliage Fe–Si. Les photographies de la configuration des domaines de Weiss superficiels montrent après recuit sous champ des parois à 180°, parallèles à [001], non influencées par la polygonisation cristalline du dépǒt, les sous‐grains étant faiblement désorientés.
Preparation of bulk oriented samples of AgBr and AgCl single crystals
Authors: Sladký Petr , Pelant Ivan 
Published: July 2007

AbstractThe paper describes in details a technology of bulk oriented samples of AgBr and AgCl single crystals. Some new methods have been used, i.e. cutting of boules with bakelitebonded carborundum disc saw and a preorientation of samples, made on cut‐off ends of boules cleft at liquid nitrogen temperature. Pre‐orientation has been realized with the aid of natural crystallographic edges occurring on cleft faces. Results are illustrated by photographs of some prepared samples with different shape.
Electron diffraction study on the electrostriction of ruby
Authors: Yamaguchi S. 
Published: July 2007

AbstractThe pseudo‐cubic lattice of ruby was so deformed, when immersed in a strong electric field, that it showed an induced superlattice structure along the [110] axis. The field strength was about 2 × 104 kV/cm at the specimen. Electron diffraction pattern from the superlattice informed on the orientation of the Al2O3 dipoles in ruby. The ruby deformed by electron bombardment was accompanied by an emission of red light (wavelength: 6000 Å).
Application of X‐ray diffraction topography for the study of Al single crystals plastically deformed at low temperatures
Authors: Novikova I. G. , Startsev V. I. , Didenko D. A. 
Published: July 2007

AbstractThe Lang method has been used to investigate regularities and peculiarities of formation of Al single crystal dislocation structure in various stages of the stress‐strain curve at 77.3 and 4.2°K up to high strains. The low temperature deformation of crystals has been found to cause a sharp localization of the deformation into slip bands that correspond to different glide systems. A comparison with metallography is added.
Zur Abbildung von Isolierschichtdefekten im Elektronenspiegelmikroskop
Authors: Weidner G. , Weissmantel Chr. , Herberger J. , Heydenreich J. 
Published: July 2007

AbstractAnknüpfend an Untersuchungen zum Abbildungsverhalten von homogenen Isolatorschichten werden Überlegungen zur Abbildung von Schichtinhomogenitäten angestellt, die eine Kontrastverstärkung durch Aufladungserscheinungen erwarten lassen. Durch definierte Wahl des Unterlagenpotentials ist eine Unterscheidung geometrischer Schichtdefekte (Erhebungen, Vertiefungen, Löcher) und elektrischer Inhomogenitäten der Isolierschicht (Bereiche erhöhter bzw. verminderter Leitfähigkeit) möglich, wie die experimentellen Untersuchungen zeigen. Unterscheidungsmerkmale für die einzelnen Fälle lassen sich angeben. Es zeigt sich, daß die Nachweisempfindlichkeit für die Erfassung von Inhomogenitäten in unbedeckten Isolatorschichten größer ist, als bei der Untersuchung leitfähig bedeckter Schichten.
Zum chemischen Transport der Übergangsmetalldioxide mit Tellurhalogeniden
Authors: Oppermann H. , Ritschel M. 
Published: July 2007

AbstractDie thermodynamische Verwandtschaft zwischen den Übergangsmetalldioxiden und deren Tetrahalogeniden wird gezeigt und eine zusammenfassende Betrachtung der thermodynamischen Daten der Verbindungen gegeben. – Alle Dioxide der Übergangsmetalle, die bei 1000°C im festen Zustand existieren, sind mit TeCl4 transportierbar. Mit TeBr4 werden nur jene Dioxide transportiert, die entsprechende in der Gasphase existente Oxidbromide besitzen. Die kristallographischen Wachstumsformen sind sehr ähnlich. Die bevorzugte Wachstumsrichtung ist [001], die Kristallflächen sind {110}‐ und {100}‐Prismen und {101}‐ bzw. {111}‐Pyramiden.
Whiskerwachstum aus Kadmiumaufdampfschichten mit Vorzugsorientierung
Authors: Dobbert P. , Neumann H.‐G. 
Published: July 2007

AbstractKadmiumschichten unterschiedlicher Struktur können auf Muskovitsubstraten durch Variation der Vorbekeimung hergestellt werden. Bei geringer Vorbekeimung entstehen einkristalline, bei starker Vorbekeimung polykristalline Kadmiumschichten. – Bei verschiedenen vorbekeimten Kadmiumschichten zeigen sich nach dem Auslagern unter gleichen Bedingungen Unterschiede in der Whiskerbildung. Während einkristalline Schichten unverändert bleiben, sind an polykristallinen Schichten deutlich Rekristallisationserscheinungen nachzuweisen. Als Ursache für das Whiskerwachstum werden thermisch bedingte innere Spannungen der Schichten angenommen.
Zur Erholung des elektrischen Widerstandes einer Ni3Fe‐Legierung nach plastischer Deformation
Authors: Oettel H. , Klimanek P. 
Published: July 2007

AbstractAusgehend von einfachen kinetischen Betrachtungen zur Ordnungseinstellung während der Ausheilung von verformungsbedingten Gitterdefekten wird eine Interpretation der isochronen Widerstandserholung verschieden deformierter Ni3Fe‐Legierungen gegeben. Das vorgeschlagene Verfahren zur Separation der ordnungs‐ und defektbedingten Widerstandsänderungen erlaubt die Kalkulation spezifischer Defektwiderstände.
Change in the crystal structure of zink(II) sulphate heptahydrate and magnesium(II) sulphate heptahydrate due to isodimorphous substitution by copper(II), iron(II), and cobalt(II) ions
Authors: Balarew Chr. , Karaivanova V. 
Published: July 2007

AbstractThe physico‐chemical analytical data on the systems ZnSO4(MgSO4)–CuSO4(FeSO4, CoSO4 resp.)–H2O at 25.0°C have shown that due to isodimorphous substitution of Zn2+, Mg2+ resp., in the orthorhombic crystals of ZnSO4 · 7 H2O MgSO4 · 7 H2O, resp. for Cu2+, Fe2+ or Co2+ above a specific degree of ionic substitution, the orthorhombic crystals are converted into monoclinic mixed crystals. The crystal phases are characterized by X‐ray diffraction, microscopic and optical studies. The dominant effect of the admixed Cu2+, Fe2+, Co2+ ions is explained in terms of their electronic configurations, for which, owing to the operation of the Jahn‐Teller effect, a deformation of the regular octahedral arrangement of the water ligands about the metal ion is found to occur. The strongest deforming effect is that of Cu2+ ions followed by the Fe2+ ions, the weakest deforming effect being that of Co2+ ions.
On the photogoniometric method of examining crystals with complex surfaces (I) A photogoniometric attachment to a two‐circle reflecting goniometer
Authors: Vesselinov I. 
Published: July 2007

AbstractThe construction of a photographic unit adjustable to a twocircle reflecting goniometer is described. It is designed for taking photographs of portions of the reflection pattern obtained from the object mounted on the goniometer head so that the whole pattern subject to visual examination can be recorded. The attachment is simple to make and easy to operate. The combination of a two‐circle reflecting goniometer with the photogoniometric unit has the advantages both of visual goniometry and of photogoniometry, eliminating their shortcomings.
On the photogoniometric method of examining crystals with complex surfaces (II). Determining the spherical coordinates of poles of points on the photographs
Authors: Vesselinov I. 
Published: July 2007

AbstractThe paper discusses methods of determining the spherical coordinates of the poles of reflections recorded on photographs obtained with the photogoniometric attachment, which is described in the first part of this paper, and examines the accuracy of the determined values as compared with the accuracy of the visual measurements with a two‐circle goniometer. One of the methods permits determination of (φ, ϱ) without making use of any measurements on the photographs obtained, viz. the reflection pattern of a portion of the surface recorded on the photograph is observed in the telescope‐microscope system of the goniometer, then some typical, easily recognizable points in it are selected and the (φ, ϱ) of their poles are determined through visual goniometric measurements, and after that these points are identified on the photographs and are marked there. It could be claimed that the accuracy of this method is equal to that of the visual measurements. The other method requires measurements of certain values on the photographs. The values measured are introduced in formulae for the particular type of camera used, from which the (φ, ϱ) are calculated. The accuracy of the method, the possible sources of systematic errors and some ways to eliminate them are considered.
IR‐spannungsoptische Ermittlung züchtungsbedingter Eigenspannungen in Silizium
Authors: Hähle S. , Pötzchke D. , Beyrich H. , Markus H. 
Published: July 2007

AbstractUrsache der Eigenspannungen in Si‐Einkristallen sind die Wachstumsbedingungen und die daraus resultierende Realstruktur. Das Eigenspannungsfeld ist annähernd axialsymmetrisch; im Zentrum treten Zug‐ und am Mantel Druckspannungen auf. Durch plastische Deformation während der Züchtung oder bei thermischer Nachbehandlung paßt sich das Eigenspannungsfeld der Kristallsymmetrie an. Die tangentialen Druckspannungen betragen am Mantel für Czochralski‐Kristalle (D = 36 mm, EPD ≈︁ 5 K· 103 cm−2) 25 kp/cm2 und für Zonenfloating‐Kristalle (D = 28 mm, EPD ≈︁ 3 · 104cm−2) etwa 70 kp/cm2. Versetzungsfreie Si‐Einkristalle sind nahezu frei von Eigenspannungen.
Dye centres in magnesium doped corundum monocrystal
Authors: Andreev D. V. , Antonov V. A. , Arsenev P. A. , Farshtendiker V. L. 
Published: July 2007

AbstractResults of absorption spectra studies in Mg doped Al2O3 monocrystals are described. It is shown that due to Mg doping dye centres appear together with the associated additional absorption bands with maxima at 585, 475 and 260 nm. Kinetics of the formation (destruction) of these centres) of these centres in the process of thermal treatment is considered. An assumption on the nature of dye centres and the related absorption bands is proposed together with an evaluation of oscillator strength. Dependences of diffusion coefficients of the subject centres on thermal treatment temperatures are derived.
New semiconductor materials in microelectronics
Authors: Aleksandrov L. N. 
Published: July 2007

AbstractProperties of non‐silicon systems are discussed. In addition to Si, the use of materials possessing a higher mobility and a shorter lifetime (Ge, GaAs and other), permits to increase working frequencies and switching speed, to expand the temperature range of the microelectronic devices operation. The problem can be solved by obtaining thin and homogenous epitaxial semiconductor films and insulating layers.
Das quaternäre Schmelzdiagramm GaAs‐P Sn
Authors: Rentsch H. , Kühn G. , Leonhardt A. , Gottschalch V. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractDer pseudoternäre Schnitt SnGaAsGaP des quaternären Systems GaAsPSn wurde experimentell untersucht und auf der Basis der Vieland'schen Methode und des Darken'schen Quadratformalismus in einem Temperaturintervall von 8601200°C berechnet. Ein Vergleich mit dem System GaGaAsGaP ergibt eine bedeutend höhere Löslichkeit des Mischkristalls GaPxAs1−x in Zinn und eine stärkere Variation der Zusammensetzung in Wachstumsrichtung.
Growth investigations of single crystal sulphates containing molecular glycine groups
Authors: Szczepańaska L. 
Published: July 2007

AbstractInvestigations on the optimalisation of the growth conditions of single crystals containing molecular glycine groups were performed and depending on the pH‐value of the solution, crystals of triglycine sulphate, diglycine sulphate or diglycine sulphate monohydrate can be grown. The optimal pH‐value for triglycine sulphate growing was found to be 1.5.
Physico‐chemical processes in single crystal growing of calcium aluminates by zone melting
Authors: Oudalov Ju. P. , Ibragimov N. I. 
Published: July 2007

AbstractThe growing of single crystals of calcium aluminates of compositions 12 CaO · 7 Al2O2, CaO · Al2O3, and CaO · 2 Al2O3 by zone melting under vacuum of 10−5 mm Hg permitted to establish that some of the Al3+ ions in octahedral coordination have been driven back by the moving crystallization front. Energetically, this process can be represented on the basis of the viscous flow model with the activation energy of −45 kcal/mole. The possible mathematical models have been considered for the processes of preparation of single phase crystals of the aluminates mentioned above which take account of incongruent vaporization of the component oxides and refining of the melt from structural impurities by the moving crystallization front.