bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
On the Perfection of Laser Rubies
Authors: Berger H. , Bohm J. 
Published: July 2007

AbstractRuby single crystals grown by the VERNEUIL method for application as laser crystals have a rather coarse substructure which is marked by the appearance of subgrains with mutual disorientations up to 1°. The subgrain boundaries were examined by means of X‐ray topographs obtained by the BERG‐BARRETT method. Finely polished surfaces of the crystals were suitable for this purpose, especially the terminal surfaces of the laser rods.The substructure originates with the growth process, even if crystal seeds without substructure are used and a first part of the crystal has grown without defects. The subgrain boundaries are not influenced by annealing at 1800°C. A direct influence of the substructure on the laser properties of the rubies could not be detected.
Zur Kinetik der Phasenumwandlung in unterkühlten Schmelzen
Authors: Meleško L. O. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine theoretische Analyse der Kinetik der isothermen Erstarrung unter Berücksichtigung der Periode der nichtstationären Kristallwachstumsgeschwindigkeit und des Zusammenwirkens von spontaner und erzwungener Kristallisation durchgeführt.Eine analytische Ableitung der Kinetik des Prozesses für den Fall der Umwandlung des Gesamtvolumens wird gegeben.
Untersuchungen an Systemen aus Salzen und gemischten Lösungsmitteln V. Nachweis und Eigenschaften der im System MgSO4‐CH3OH‐H2O auftretenden festen Phasen
Authors: Winkler F. , Emons H.‐H. 
Published: July 2007

AbstractAus der Mitteilung (WINKLER, EMONS) über das System MgSO4‐CH3OH‐H2O geht hervor, daß im Temperaturbereich von 10 bis 55°C folgende Salze als feste Phasen auftreten:magnified imageIm folgenden wird über den Nachweis dieser Substanzen und über einige kristalloptische und röntgenographische Eigenschaften der beiden methanolhaltigen Bodenkörper berichtet. Weiter werden die Ergebnisse des thermischen Abbaus sowie kinetische Größen der Desolvatisierungsprozesse mitgeteilt.
Einfluß plastischer Verformungen auf die γ/ε‐Umwandlung metastabiler austenitischer Stähle
Authors: Schumann Hermann 
Published: July 2007

AbstractDie verformungsbedingte Umwandlung metastabiler austenitischer Stähle hängt hauptsächlich von der Art und Konzentration der Legierungselemente, der Verformungstemperatur und dem Verformungsgrad ab. Für die in zahlreichen, technisch wichtigen Stählen mit niedriger Stapelfehlerenergie zuerst ablaufende γ/ε‐Umwandlung werden die Einflußfaktoren diskutiert. Durch die während der Verformung eingebrachten SHOCKLEYschen Halbversetzungen wird die Umwandlungsfolge

nach rechts hin verschoben. Diese Verschiebung wirkt sich in einer Erhöhung der Ms‐Temperatur und der Cs‐Konzentration aus. Es wird ein Diagramm angegeben, aus dem der Einfluß einer plastischen Verformung auf den Beginn der γ/ε‐Umwandlung entnommen werden kann. Die Lage der Grenzlinie zwischen kubisch‐flächenzentriertem Austenit und hexagonaler ε‐Phase hängt von der Versetzungsdichte bzw. von der Stapelfehlerdichte ab, die beide eine Funktion des Verformungsgrades sind.
Growth and Structure of Monokristalline Fstruilms of AIIBVI compounds
Authors: Kalinkin I. P. , Muravyeva K. K. , Sergeyewa L. A. , Aleskowsky V. B. , Bogomolov N. S. 
Published: July 2007

AbstractIn vacuum 10−4–10−5 torr monocrystalline thin layers of CdS, CdS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe were prepared on mica, (111) surfaces of germanium and gallium arsenide single crystals and (0001) and (1120) cadmium sulphide surfaces. The film structures and some of their properties (conductivity, n‐or p‐mobilities) were shown to depend on temperature conditions of film preparation. It was shown experimentally that in the case of monocrystalline thin films of zinc and cadmium chalcogenides there is a correlation between evaporation and epitaxy temperatures of film preparation. Structure and phase composition of monocrystalline layers are connected with the nature of substrate substances used (including polarity of 〈111〉 direction in gallium arsenide and 〈0001〉 direction in cadmium sulphide).
Epitaxial Growth of Oxycompounds on the Surface of Single crystalline films and single crystals of AIIBVI
Authors: Sergeyewa L. A. , Kalinkin I. P. , Aleskovsky V. B. , Nechiporenko A. P. 
Published: July 2007

AbstractThe results of electron diffraction investigation of the composition and structure of air annealed single crystalline films and single crystals AIIBVI (CdS, CdSe, CdTe) are reported.AIIBVI single crystalline films were grown by deposition from vapour on orienting substrates – either on the mica plane (001) or the NaCl (111)plane – with wurtzite structure (CdSw, CdSew), sphalerite (CdS8, CdSe8, CdTe8) or that of rock salt (CdSNaCl). The lattice dimensions a of CdSNaCl single crystalline films grown on mica by epitaxial growth method were found to be 5.6 Å.It was shown that single crystalline layers of oxycompounds part of which possess formerly unknown modifications of the hexagonal structure with the parameters

equation image

were formed on the surface of layers of CdS when the latter were annealed.Chemical analysis of annealed CdS films enabled single crystalline substances with lattice dimensions a = 3.3 Å, c = 5.25 Å to be identified as polymorphous hexagonal cadmium oxide modification.Epitaxial layers of CdOhex and CdONaCl were also obseved on single crystals of CdS after annealing in air.In order to find out the mechanism of oxycompounds growth the effect of certain factors on the structure, composition and electrophysical properties (specific resistance ϱ, mobility of charge carriers μ) of initial and annealed films was investigated.
Effect of adsorption on the dissolution of crystals (I). Effect of phenol on the rate of KBr dissolution
Authors: Bliznakov G. , Yaneva S. 
Published: July 2007

AbstractKinetic investigations of the effect of phenol on the rate of dissolution of KBr cubic faces have been made. The heat of adsorption (λa) on the active sites of dissolution has been determined. This adsorption heat is found to be larger than the heat of adsorption on the active sites of growth previously determined for the same system, and three times larger than the adsorption heat of phenol on the whole surface of KBr cubic faces.
Zur Kristallzüchtung von Cadmiumsulfid und anderen II‐IV‐Verbindungen durch Sublimation in verschiedenen Gasgemischen (II) Chemische Technik zur Gewinnung plättchenförmiger Kristalle des Cadmiumselenids
Authors: Flögel P. 
Published: July 2007

AbstractEs wird der Einfluß verschieden zusammengesetzter N2–H2‐Transportgase in einer Rohrofenapparatur beschrieben und damit ein ergiebiges Verfahren aufgezeigt.
Der Einfluß der Temperatursymmetrie des Verneuilofens auf die Qualität der Korundeinkristalle
Authors: Kvapil Jiri 
Published: July 2007

AbstractIn Verneuilöfen mit eliptischem Querschnitt der Isothermen senkrecht zur Wachstumsachse wurden Korundbirnen gezüchtet. Die gezüchteten Einkristalle wurden mit einer Geschwindigkeit von 250°C/h auf eine Temperatur von 1850°C gebracht. Die Anzahl der beim Erhitzen gesprungenen Einkristalle wurde zum Winkel ϱ der kristallographische c‐Achse mit der Wachstumsachse als auch zum Winkel α in Beziehung gesetzt. Der Winkel α wird durch zwei Ebenen gebildet. Die erste Ebene ist durch die Wachstumsachse und durch die längere Achse des eliptischen Querschnitts der Isotherme bestimmt, die zweite durch die Wachstumsachse und die kristallographische c‐Achse. Die höchste Stabilität zeigen stets die Einkristalle mit dem Winkel α α 45°, die niedrigsten die mit α α 90° oder α α 0°.
Die Fluoreszenz verschiedenartig präparierter Wolframate
Authors: Barta Č. , Dolejší J. , Bohun A. 
Published: July 2007

AbstractUntersuchungen der Sauerstoff‐, Calcium‐ und WO3‐Nichtstöchiometrien, wie die Fluoreszenzspektren von CaWO4 variiert werden können. Die Hauptanregung‐ sund Emissionsbanden für die einzelnen Arten der Nichtstöchiometrie und die dadurch bestimmten Koordinationszahlen 4, 6 und 8 werden mitgeteilt. Die Möglichkeiten der Ausnutzung dieser Erkenntnisse für praktische Zwecke werden kurz erwähnt.
Untersuchung der Zerfallserscheinungen von SM‐Schlacken
Authors: Schwiete H. E. , Kordon F. , Deckert K. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Bedeutung der Zerfallserscheinungen für den Einsatz von SM‐SchlaCken im Straßenbau diskutiert und die Aussagen experimentell belegt.Die Untersuchungen an C2S‐Kristallen aus SM‐Schlacke stimmen mit früheren Überlegungen und Versuchen an reinem C2S (SCHWIETE, KORDON, DECKERT) überein und ermöglichen eine Deutung des Stabilisierungsmechanismus von C2S in SM‐Schlacke.Kalkzerfall tritt mit Sicherheit nicht auf. Wegen des geringen Schwefelgehaltes ist Eisenzerfall nicht möglich. Unter geeigneten Bedingungen und Einsatz von Weichbranntkalk kann ein Zertreiben der SM‐Schlacke durch CaO ausgeschlossen werden.
Zur Herstellung von Kupfer‐Einkristallschichten durch Hochvakuumaufdampfung
Authors: Kleber W. , Ickert L. , Stüdemann K. 
Published: July 2007

AbstractKupfer wurde bei einem Vakuum von 5 bis 8 · 10−6 Torr auf (001) von NaCl aufgedampft. Die Trägerkristalle wurden in Luft gespalten sowie abgedampft und mit Wasser benetzt. Die in Luft gespaltenen Proben wurden einer anschließenden Temperung ausgesetzt. Die Untersuchung der erzeugten Cu‐Schichten erfolgte mit einem Transmissionselektronenmikroskop durch Beugung und Abbildung.Es wurden die Bedingungen (Trägertemperatur, Schichtdicke, Aufdampfrate) festgestellt, bei denen Cu auf NaCl in einer Einkristall‐Orientierung aufwächst.
Ein Beitrag zur Herstellung von Galliumarsenid‐Epitaxie‐Schichten im Hochvakuum
Authors: Kleber W. , Tappe W. , Melle G. 
Published: July 2007

AbstractGaAs‐Schichten wurden nach dem Verfahren von Howson (Verdampfung aus einer Quelle) hergestellt und untersucht. Als Substrate dienten in Luft gespaltene NaF‐, NaCl‐ und NaBr‐Kristalle. Die Methode zeigte bei dem verwendeten apparativen Aufbau keine gute Reproduzierbarkeit. Optimale Orientierungseffekte wurden für NaBr als Substrat bei einer Aufdampfgeschwindigkeit von 15 Å s−1 und bei einer Trägertemperatur von etwa 300 °C erzielt. U. a. wurde festgestellt, daß die Übergangstemperatur der amorphen in die kristallisierte Phase des GaAs für NaCl und NaF nahezu übereinstimmend bei etwa 250 °C liegt. Vor allem in den Systemen GaAs/NaCl und GaAs/NaBr konnten gute Dekorationseffekte beobachtet werden.
Plättchenförmiges Wachstum von GaAs im Ga/H2/AsCl3‐System
Authors: Kramer P. , Schmidt W. , Knobloch G. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über das plättchenförmige Wachstum von GaAs‐Kristallen durch chemische Transportreaktion berichtet. Wachstumsbedingungen, Kristallmorphologie und einige kristallographische und elektrische Eigenschaften der GaAs‐Plättchen werden mitgeteilt. An den Kristallen konnte keine Zwillingsbildung festgestellt werden.
On the growth of hexagonal ZnSe single crystals
Authors: Hartmann H. 
Published: July 2007

AbstractStrukturreine und fehlgeordnete kubische oder hexagonale Zinkselenid‐Einkristalle wurden aus der Dampfphase durch Sublimation von ZnSe‐Pulver hergestellt. Die für das Auftreten der metastabilen hexagonalen Modifikation spezifischen Entstehungsbedingungen wurden ermittelt, wobei sich für Einkristalle als günstige Wachstumstemperaturen 800–1050 °C ergaben. Die Ausbildung von Wurtzitstruktur und Fehlordnungs‐ bzw. Polytypieerscheinungen blieb auf Kristalle mit nadligem Habitus beschränkt, welche sich im Anfangsstadium des Wachstums befanden. Mit der Züchtungsdauer nahm der kubische Anteil der Proben zu. Tafeln oder Prismen waren immer strukturrein kubisch. Die bei Nachtemperungen in Abhängigkeit von Temperatur und Gasatmosphäre auftretenden Strukturumwandlungen werden beschrieben.Unter Berücksichtigung besonderer kristallchemischer Eigenschaften wird das gestzmäßige Strukturverhalten der II‐VI‐Verbindungen ZnS. ZnSe, ZnTe diskutiert.
Contribution to the preparation of non‐wedge shaped RbDP and DRbDP crystals
Authors: Remossenet M. , Devignes M. , Mareček V. 
Published: July 2007

AbstractDas Wachstum von nicht keilförmigen RbDP‐und DRbDP‐Kristallen zeigt ähnliche Gesetzmäßigkeiten wie des Wachstum der KDP‐Kristalle. Es wurde versucht, das Wachstum der RbDP‐Kristalle auf Grund der Hartman‐Perdok'schen Theorie und durch Einhaltung von stöchiometrischen Lösungen zu untersuchen. Weiter werden die optimalen Bedingungen für das Wachstum nicht keilförmiger RbDP‐ und DRbDP‐Kristalle angegeben, wobei der Einfluß der Temperatur, der Wachstumsgeschwindigkeit, des pH‐Wertes der Lösung, der Rührgeschwindigkeit, des Reinheitsgrades der Ausgangsstoffe und die Kristallisationsart verfolgt wurden.
Preparation of mercurous chloride monocrystals
Authors: Barta Čestmir 
Published: July 2007

AbstractEinkristalle von einwertigem Quecksilber besitzen außerordentliche optische Eigenschaften. Calomel (Hg2Cl2) besitzt z. B. eine viermal höhere Doppelbrechung als Calcit. Die beschriebene Methode nutzt eine allgemeine Feststellung aus, daß die Einkristallzüchtung aus der Dampfphase in der Nähe des Tripelpunktes optimal verläuft. Dem Tripelpunkt vom Hg2Cl2 entspricht eine Temperatur von 543°C und ein Dampfdruck von 45 kg cm2. Um die thermische Zersetzung zu verhindern, muß man Calomel bei etwas niedrigerer Temperatur züchten. Die Kristallisation verläft im geschlossenen System. Eine Quarz‐Ampulle mit dem Ausgangsmaterial (resublimiertes Hg2Cl2 p. a.) wird auf 10−5–10−6 Torr evakuiert und aus dem Gebiet mit höherer Temperatur (500°C) langsam in das Gebiet mit niedrigerer Temperatur (470°C) bewegt (2 mm/h). Der maximale Dampfdruck bei diesen Bedingungen entspricht 22 kg cm−2. Hauptbedingung für diese Synthese ist: vollkommene Beseitigung des Wassers und anderen flüchtigen Komponenten aus der Ampulle und dem Ausgangsmatierial.Bis jetzt wurden nach dieser Methode Kristalle bis zum Durchmesser von 35 mm gezüchtet. Sie ist auch für andere Verbindungen verwendbar.
Der Einfluß des Keimkristalls auf die Güte von Korundeinkristallen
Authors: Kvapil Jiří 
Published: July 2007

AbstractAn Keimkristallen mit einem Chromgehalt von 0 und 0,75 Gew.% wurden Korundeinkristalle mit verschiedenen Chromgehalten gezüchtet. Die erhaltenen Kristalle wurden mit einer Geschwindigkeit 250 grd h−1 auf eine Temperatur von 1850°C erhitzt. Danach wurde der Anteil der zersprungenen Korundbirnen in Abhängigkeit vom Chromgehalt im Kristall und in seinem Keimkristall bestimmt. Die Stabilität der Korundbirnen war um so größer, je größer ihr Chromgehalt und je kleiner der Chromgehalt des Keimkristalls war. Die Stabilität der Kristalle wird auf die unterschiedlichen Abmessungen der Kristallgitter von Saphir und Rubin zurückgeführt.
Magnetocrystallographic anisotropy in nickel‐zinc and nickel‐manganese ferrite single crystals
Authors: Sirota N. N. , Ges A. P. 
Published: July 2007

AbstractTemperature dependence of the first‐order magnetocrystallographic anisotropy constant in nickel‐zinc and nickel‐manganese ferrite single crystals grown using the Verneuil method has been investigated. The anisotropy constant K1 was measured by the torque in the temperature range 77° to 500°K. The results obtained are discussed on the basis of the one‐ion (single‐ionic) model taking into account the ionic distribution of two‐valence metals on the sublattices.
Beitrag zur metallographischen Untersuchung von einkristallinem Galliumphosphid
Authors: Muschner W. 
Published: July 2007

AbstractAus dem Vorhandensein polarer <111>‐Richtungen im Gittertyp von GaP ergeben sich kristallchemische Besonderheiten, die bei den metallographischen Untersuchungen berücksichtigt werden müssen. Es wird über Untersuchungen zur Probenpräparation und zum chemischen Ätzen berichtet. An einkristallinen, in [111]‐Richtung orientierten GaP‐Proben wurden verschiedene Ätzlösungen auf ihre Verwendbarkeit zum Ätzpolieren, zur Identifizierung der A (111)‐ und B (111)‐Flächen und zur Sichtbarmachung von Versetzungsätzgruben auf der A‐Fläche getestet. Für die Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte auf A‐Flächen erwies sich ein Ätzpolieren mit Königswasser und nachfolgendes Strukturätzen mit alkalischer Kaliumhexacyanoferrat (III)‐Lösung am geeignetsten.Ergebnisse der Mikrohärtebestimmung nach Hanemann an A (111)‐ und B (111)‐ Flächen ergeben keinen Unterschied.
The crystallisation of alkaline‐earth metal tungstates (molybdates, chromates, and sulphates) from metal chloride melts
Authors: Packter A. , Roy B. N. 
Published: July 2007

AbstractThis paper presents studies on the crystallisation of alkaline‐earth metal tungstates, molybdates, chromates and sulphates by slow cooling of solutions in lithium chloride and alkaline‐earth metal chloride melts at 600° to 1100°C. Solubility — temperature diagrams were prepared for this temperature range. The effects of solute — solvent interaction, crystallisation temperature range and rate of cooling on crystal form and size were investigated. Final crystal size increases with reduced rate of cooling and with increasing crystallisation temperature; barium sulphate crystallisation from lithium chloride melt is anomalous.
Wachstumsschichten und Andere Makrodefekte in aus Wässerigen Lösungen Gezüchteten KDP‐kristallen
Authors: Friedmann S. S. , Stepanova N. S. , Beljustin A. W. 
Published: July 2007

AbstractAn KDP‐Kristallen werden Wachstumsschichten, „Verwerfungen”︁ (Makroversetzungen) und die Blockstruktur mit Hilfe der Schlierenmethode, des Ultra‐ und Polarisationsmikroskops näher untersucht. Im Anwachsgebiet parallel {100} sind die grünlich erscheinenden Schichten mit einem erhöhten Fremdstoffeinbau gekoppelt. Die Schichten parallel {101} gehen in dem Fall auf Störungen im thermischen Ablauf zurück, wenn sie an der Spitze des Kristalls zusammenlaufen. Oft enthalten die Wachstumsschichten Einschlüsse von gestreckten kolloiden Partikeln. — Die beobachteten „Verwerfungen”︁ (Makroversetzungen) enthalten Lösungs‐ und punktförmige Einschlüsse. Diese „Verwerfungen”︁ sind Grenzen unabhängig voneinander wachsender Kristallteile, die mit der Bildung von Blöcken zusammenhängen.
Dislocation densities in copper single crystals after thermal treatment
Authors: Hildebrand Helga 
Published: July 2007

AbstractCopper crystals of high purity and doped with nickel were subjected to a long time thermal treatment at 1050°C, in order to reduce the as‐grown dislocation density of about 107 cm−2. A dissolution of the dislocations during their motion to the crystal surface was observed. Regions of different dislocation densities arose. Finally the crystals exhibited constant dislocation densities of 102 cm−2. Such a perfection or a better one of the crystals is reached only by a long time treatment, since the dislocation velocity without external stresses cannot exceed 1 · 10−7 cm · s−1 in copper single crystals of high purity.
Untersuchung der Kinetik der Kristallisation unterkühlter Schmelzen
Authors: Meleško L. O. 
Published: July 2007

AbstractExperimentelle Anordnung und eine Methode zur Untersuchung der Kinetik der Erstarrung unterkühlter Flüssigkeiten in dünnen Schichten werden dargelegt. Die Kinetik der isothermen Umwandlung von unterkühlten Betolschmelzen wird im Intervall 0°C ≦ T ≦ 85°C untersucht. Die ermittelten kinetischen Kurven zeigen den Ablauf der Phasenumwandlung in diesem Intervall.Es wird gezeigt, daß der Prozeß der isothermen Erstarrung durch die empirische Formel Sπ = S0 [1—exp (−a πb)] ausreichend beschrieben werden kann. Dabei liegt b im Intervall 2 < b < 3. Der im Vergleich zum theoretischen erniedrigte Wert von b wird durch die Anwesenheit aktiver Fremdstoffe und deren Erschöpfung im Verlaufe des Erstarrungsprozesses erklärt.
Über die Vorausbestimmung der thermoelastischen Eigenschaften von Halbleiter‐Verbindungen
Authors: Beckmann G. 
Published: July 2007

AbstractBei Übertragung der Ergebnisse thermoelastischer Untersuchungen an bekannten, kristallchemisch einheitlich gebundenen Kristallgruppen (wobei die Grüneisenzahl γ ⋍ konst) in das Gebiet streng homologer intermetallischer Verbindungen (z. B. der Halbleiter, AIIIBV) scheint eine Voraussage des thermoelastischen Verhaltens solcher Verbindungen möglich, welche entweder instabil oder anderweitig nicht für Untersuchungszwecke darstellbar sind.
Preparation of (NH4)2SO4 monocrystals
Authors: Desvignes J.‐M. , Remoissenet M. , Mareček V. 
Published: July 2007

AbstractThe preparation of (NH4)2SO4 crystals has been studied, and the difficulties, especially the formation of numerous parasitical crystals and the irregular growth are discussed from a theoretical point of view and with regard to the performed investigations. Further on the habit of crystals and an acceptable procedure for the growing of homogeneous regular crystals are given. Likewise the effect of temperature, of P(H) of the crystallizing solution, the choice of seed crystals and the admixture of glycerine are reported.
Study of dielectric permeability and dielectric loss angle tangent of triglycine selenate depending on the conditions of growing
Authors: Sirota N. N. , Tsedrik M. S. , Margolin L. N. 
Published: July 2007

AbstractTriglycine selenate (TGSe) monocrystals were grown at constant temperature and constant supersaturation. Dielectric permeability and the dielectric loss (angle tangent) of TGSe were studied both in weak and in strong electric fields with growing conditions. It was stated that the Curie temperature is 22,5° ± 0,1°C. The Curie‐Weiss temperature differs by 2–3,5° from the temperature corresponding to the maximum value of dielectric permeability. Nonlinearity of TGSe is determined.
Struktur von AIIBVI‐Epitaxieschichten in Abhängigkeit von den Aufdampfbedingungen
Authors: Däweritz L. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Struktur von AIIBVI‐Epitaxieschichten diskutiert, wobei speziell auf eigene Untersuchungen an im Hochvakuum auf Spaltflächen von NaCl und CaF2 aufgedampften CdSe‐Schichten eingegangen wird.Epitaxieschichten von AIIBVI‐Verbindungen besitzen gewöhnlich eine Defektstruktur infolge des Nebeneinandervorkommens der Zinkblende‐ und Wurtzitstruktur, orientierter Verwachsungen dieser beiden Phasen, Zwillingsbildung und Stapelfehler. Die sich ergebenden komplexen Beugungsbilder (für Elektronenbeugung im Durchstrahlungsfall) werden diskutiert.Orientierung, Struktur und Phasenzusammensetzung der Schichten werden neben anderen Faktoren entscheidend von der Art des Substrates, der Substrattemperatur und der Depositionsrate beeinflußt. Ein Einfluß durch Abweichungen von der stöchiometrischen Zusammensetzung ist in Betracht zu ziehen.
A contribution to the study of the influence of impurities on the growth and some physical properties of TGS single crystals
Authors: Moravec F. , Novotný J. 
Published: July 2007

AbstractSingle crystals of TGS doped with Ni2+, Cu2+ and Fe3+ have been prepared under identical conditions by the method of temperature decrease (below the phase transition point). Presentation of the influence of impurities on the development of individual crystal faces is based on goniometric measurements. The influence of impurities on the domain structure of TGS is documented by microphotographs of domain structures and by investigation of the variation with time of the average domain width. It is shown that the distribution of impurities (between the liquid and solid phases) is approximately proportional to the concentrations of metal glycino chelates in the solution. From the results concerning the influence of impurities on various physical properties follows that the degree to which the properties are affected depends not only on the impurity concentration but also on the specific intensity of their action which is due to variations in the binding forces in the structure of TGS.
Kristallchemische und spektroskopische Untersuchungen an den Verbindungen PCl4(Sb, Nb, Ta)Cl6 · AsCl3
Authors: Preiss H. , Reich P. 
Published: July 2007

AbstractDie Verbindungen PCl4MCl6 · AsCl3 (M = Sb, Nb, Ta) sind untereinander als auch mit dem AsCl4SbCl6 · AsCl3 isomorph. Die Röntgenstrukturanalyse ergab ionischen Aufbau. Die Raman‐ und Infrarotspektren werden angegeben und mit den ermittelten Strukturdaten interpretiert.