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Calciumwolframat‐Einkristalle aus der Schmelzlösung. Vortrag, gehalten auf dem Symposium „Kristallisation aus Schmelzlösungen”︁, 15.–17. 3. 1965 in Berlin
Authors: Barta Čestmir , Žemlička Jan , Dolejší Jaroslava 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Züchtung von CaWO4‐Einkristallen aus einer LiCl‐Schmelze im Pt‐Tiegel beschrieben. Die Bildung von Reaktionsprodukten (Li2WO4) und deren Verdampfung kann durch Zugabe von CaCl2 zurückgedrängt werden, so daß eine Ausbeute von 89% erzielt wird. Die Veränderung der Schmelzzusammensetzung in Gegenwart von H2O und CO2 sowie durch partielle Verdampfung wird angegeben. — Em Vergleich zeigt, daß die bei tieferen Temperaturen gewonnenen Kristalle (erregende Absorption bei 255 nm) ein einfacheres Fluoreszenzspektrum (Maximum bei 442 nm) gegenüber den Hochtemperaturkristallen (Maxima bei 302, 313, 370, 408, 439 und 479 nm) haben.
Durch mechanische Deformation hervorgerufene Strukturveränderungen am Kristallgitter von Titandioxid
Authors: Waňková J. , Kochanovská A. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde der Einfluß der durch Mahlen hervorgerufenen mechanischen Deformation auf die Struktur von Titandioxid mit Hilfe von Röntgendiffraktionsmethoden untersucht. Das Auftreten neuer Diffraktionslinien, sowie Veränderungen der integralen Intensitäten und Breiten der Diffraktionslinien ergaben, daß Anatas beim Mahlen in den thermodynamisch stabileren Rutil übergeht. Diese Umwandlung verläuft in mehreren aufeinanderfolgenden Phasen: Die erste Etappe des Mahlprozesses wird durch die Ausbildung von Fehlordnungen im Anatasgitter bestimmt (wahrscheinlich vorwiegend Lagenfehlordnungen). Im weiteren Mahlverlauf wird das Anatasgitter bis zu Agglomeraten der TiO6‐Oktaeder abgebaut. Diese Agglomerate treten anschließend zum Brookit‐Gitter zusammen, das schließlich in die stabilere Rutilmodifikation übergeht. Die Brookitbildung verläuft hierbei parallel mit dem weiteren Abbau des ursprünglichen Anatas. Das Mahlen von Rutil hat keine weiteren Phasentransformationen zur Folge, sondern führt lediglich zu einer allmählichen Amorphisierung der Rutilkristalle.
Einkristalluntersuchungen am Spinell NiAl2O4
Authors: Saalfeld Horst 
Published: July 2007

AbstractDurch Reaktion einer Korundplatte mit NiO bei 1500 °C konnte epitaktisch der Spinell NiAl2O4 hergestellt werden. Die Epitaxiebeziehung wurde röntgenographisch geklärt und an Hand von Einkristalluntersuchungen die Kationenverteilung bestimmt. Strukturfaktorrechnungen, Fouriersynthesen und Verfeinerungsrechnungen ergaben für den Ni‐Al‐Spinell eine rein inverse Kationenverteilung, d. h. die Formel Al[Ni,Al]O4. Sauerstoffparameter und Atomabstände werden mitgeteilt.
Über die Herstellung orientierter Aufwachsungen von SiO2 auf Hämatit und Zinnstein durch chemische Transportreaktionen
Authors: Kleber W. , Schmitz W. 
Published: July 2007

AbstractDie Darstellung von SiO2 durch chemische Transportreaktionen mit HF als Transportgas ermöglichte orientierte Aufwachsungen von SiO2 auf den harten Trägern Hämatit und Zinnstein. Bis etwa 750 °C ergab sich auf diesen Trägern eine orientierte Kristallisation von Quarz. Für die Verwachsungsgesetze existieren Analoga aus natürlichen Verwachsungen. Oberhalb 750 °C erfolgte eine gemeinsame orientierte Abscheidung von Tridymit und Cristobalit auf Hämatit.Durch Vertauschen von Träger und Gast im System Quarz – Hämatit sollten die Deposit‐Substrat‐Relationen untersucht werden. Transportversuche von Hämatit mit HCl oder Cl2 unter Hinzufügung von CrCl4 als Ätzmittel führten zu keinem Orientierungseffekt. Die Beteiligung des Trägers am Reaktionsgeschehen unter Gleichgewichtseinstellung mit der Gasphase ist eine wesentliche Voraussetzung für die Bildung orientierter Verwachsungen mit harten Trägern bei chemischen Transportreaktionen. Bei Hämatit und Zinnstein als Träger dürfte sie gegeben sein, nicht jedoch beim Quarz.
Growth of High‐Purity Iron Single Crystals
Authors: Kadečková S. , Šesták B. 
Published: July 2007

AbstractSingle crystals of spectrographic pure iron from Johnson and Matthey have been prepared by strain‐anneal method both from as‐received rods and from those refined by floating‐zone melting in dry hydrogen. Attempts to grow single crystals by both dynamical and statical annealing of critically strained specimens were successful. Usually the crystals were 4 mm in diameter and 35–60mm long with random crystallographic orientations. In the present paper the influence of grain size and homogeneity of polycrystalline matrix and of impurity content on the growth of single crystals and on the size, number and kind of included grains are reported. It resulted that single crystals can be grown successfully from high‐purity iron without adding any impurity. Single crystals prepared from as‐received iron rods contained a number of included grains distributed statistically which occupied 0.5–1 p.c. of the total volume of the single crystal. In single crystals grown from zone‐refined iron no included grains occurred.
Morphologie des Kristallwachstums in Anwesenheit von Schraubenversetzungen
Authors: Bostanov V. , Nanev Chr. , Kaischew R. , Budevski E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über eine nach der Kapillarmethode (Kaischew, Bliznakov, Šeludko; Bostanov, Kočeva, Budevski; Budevski, Bostanov, Vitanov, Stojnov, Kočeva, Kaischew) durchgeführte Untersuchung der Wachstums‐ und Auflösungsmorphologie bei der Elektrokristallisation des Silbers berichtet und eine Impulsmethode zur Bestimmung der Form und der Ausbreitungsgeschwindigkeit von Spiralwachstumsfronten beschrieben. Durch anodische (Auflösungs‐) Impulse werden sowohl die Schrauben‐ und Stufenversetzungen als auch die fremden Teilchen entwickelt, die in den Tälern zwischen den Spiralwachstumshügeln eingeschlossen sind.Eine Methode zur Bestimmung der Fortsetzungsrichtung von Schraubenversetzungen beim elektrolytischen Kristallwachstum wurde entwickelt. Nach dieser Methode wurde in Übereinstimmung mit der Theorie [110] als häufigste Richtung der Schraubenversetzungen in Silberkristallen gefunden.
Zur Temperaturabhängigkeit der Tribolumineszenz
Authors: Polly F. , Obrikat D. , Meyer K. 
Published: July 2007

AbstractDie Temperaturabhängigkeit der Tribolumineszenz verschiedener Alkalihalogenide wurde im Intervall zwischen 20 und 300°C bei Aufheiz‐ und Abkühlungsgeschwindigkeiten von 1 – 20 grd min−1 ermittelt. Die Tribolumineszenz ist bis zu einer bestimmten Temperatur konstant und geht dann allmählich nach Null, da die elektrische Leitfähigkeit mit steigender Temperatur zunimmt. Die Versuche sind wegen der Anwesenheit undefinierbarer Oberflächenschichten nicht sehr gut reproduzierbar. Das ferroelektrische Triglyzinsulfat zeigt am Curiepunkt ( + 47°C) kein anomales Verhalten.
Über Versuche zur Züchtung von Kotoit und Periklas aus Schmelzlösungen
Authors: Kleber W. , Fehling W. , Röhl M. 
Published: July 2007

AbstractEs gelang, unter den Bedingungen des Abkühlungsverfahrens aus Schmelzlösungen von MgO in Natrium‐ bzw. in Bleimetaborat, Kristalle von Kotoit, Mg3[BO3]2, zu erhalten. Die optimalen Versuchsbedingungen werden angegeben. Aus Schmelzlösungen von MgO in Calciummetaborat kristallisiert eine nicht identifizierte Verbindung.Versuche mit Kaliumhydroxid als Lösungsmittel zur Züchtung von Periklas, MgO, verliefen positiv. Stets entstanden — vorwiegend durch heterogene Keimbildung — klare Oktaeder.
Die Züchtung epitaktischer Galliumarsenid‐Schichten durch chemische Transportreaktionen und ihre Lumineszenzeigenschaften
Authors: Alferov Ž. I. , Garbuzov D. Z. , Žiljaev Ju. V. , Trukan M. K. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wurden die Züchtung epitaktischer Galliumarsenid‐schichten durch chemische Transportreaktionen im offenen und im geschlossenen System und deren Lumineszenzeigenschaften untersucht; die Abhängigkeit der Geschwindigkeit des Galliumarsenid‐Transportes von der Trägerkonzentration und von der Temperatur im geschlossenen System wurden ermittelt.Die elektrischen und Lumineszenzeigenschaften der epitaktischen Galliumarsenid‐Schichten vom n‐Typ wurden untersucht. Es wurde festgestellt, daß die langwelligen Emissionsbanden in den Lumineszenzspektren der epitaktischen Galliumarsenid‐Schichten von der Gegenwart von Kupfer herrühren, das beim Wachstumsprozeß in das Galliumarsenid gelangt. Die wichtigste Besonderheit der Lumineszenz‐spektren epitaktischer Galliumarsenid‐Schichten vom n‐Typ ist die Verstärkung der Intensität der „Rand”︁strahlung; dieser Effekt weist darauf hin, daß andere Rekombinationsmechanismen im epitaktischen Material eine verminderte Rolle spielen im Vergleich zu Galliumarsenid, das nach anderen Methoden gezüchtet wurde.
Zu Fragen der experimentellen Bestätigung der Kristallwachstumstheorie
Authors: Meleško L. O. 
Published: July 2007

AbstractEine Gegenüberstellung der experimentell ermittelten Kurven der Temperaturabhängigkeit der linearen Wachstumsgeschwindigkeit von Salol‐ und Betolkristallen mit der Theorie der Keimbildung, des Spiral‐ und Normalwachstums wird durchgeführt. Es zeigt sich, daß der Wachstumsmechanismus von Salol und Betol im Gebiet kleiner Unterkühlungen befriedigend mit der Theorie des Spiralwachstums übereinstimmt.
Non‐steady State nucleation in the formation of isotropic and anisotropic phases
Authors: Gutzow J. , Toschev S. 
Published: July 2007

AbstractThe role of non‐steady state nucleation in the formation of crystalline phases is studied theoretically applying the basic concepts of the theory of crystal growth. It is shown that the impediments associated with the incorporation of molecules from the ambient phase in the crystaline nuclei lead to much longer time lags than in the case of isotropic nuclei. This predicts considerable differences in the kinetics of crystalline and liquid nucleus formation which modify in some degree the interpretation of Ostwald's rule of stages. The treatment is applied to the following special cases of phase transitions: crystallization from the vapour phase, from undercooled melt, from supersaturated solutions and electrolytic nucleation of metals on inert electrodes. Some experimental data are reviewed.
On the surface diffusion during growth of a crystal on a substrate
Authors: Nenow D. , Dukova E. D. 
Published: July 2007

AbstractSome of the possibilities of the method of investigating the growth kinetics of crystals from the vapour phase are discussed.The diffusion problem for the growth of non‐singular cylindrical crystal surface is investigated, considering as example a cylindrical crystal model lying on a foreign substrate and taking into account the direct impact of molecules from the vapour as well as diffusion along the surface of the substrate. An expression is derived for the growth rate at the edge of the crystal face in contact with the substrate. It is established that for small crystals the growth rate does not depend on their size. In this case it is possible to measure from the experimental data the product of the kinetic coefficient and the concentration of the molecules in the adsorption layer at the surface of the crystal. The author's experimental estimate in the case of growth of diphenyl from the vapour phase shows that such measurements can be performed with crystals smaller than about 30 microns.
Über die Möglichkeiten der Diffusionsverfahren bei der Kristallzüchtung (I). Theoretischer Teil
Authors: Kirov G. K. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Beziehungen abgeleitet, die die Stoffzufuhr über die Diffusion im Kristallisationsraum bestimmen, wenn eine lineare Diffusion vorliegt. Ebenso wird ermittelt, wie sich die für das Wachstum eines Kristalls nötige Stoffmenge in der Zeit ändert. Der Vergleich dieser zwei Größen erlaubt einige wichtige Schlußfolgerungen hinsichtlich der Möglichkeiten, die Diffusionsmethode zur Kristallzüchtung heranzuziehen. Um verhältnismäßig große Kristalle mit Hilfe dieser Methode zu erhalten, ist es notwendig, die Diffusionsbedingungen so zu wählen, daß im Kristallisationsraum nur ein einziger Kristall entstehen und weiterwachsen kann.
Experimentelle Untersuchungen über die Teilschritte von Fällungsreaktionen
Authors: Lieser K. H. 
Published: July 2007

AbstractIm ersten Teil der Arbeit werden einige neuere Untersuchungsmethoden – insbesondere radiochemische Methoden – näher besprochen und erläutert.Im zweiten Teil werden die experimentellen Ergebnisse im Hinblick auf den Ablauf der einzelnen Teilschritte (Keimbildung, Kristallwachstum, Reifung und Rekristallisation) zusammengestellt.
Crystal morphology of fayalite from copper converter slags
Authors: Kirov G. N. , Ivanov I. 
Published: July 2007

AbstractFayalite crystals occurring in experimentally obtained copper converter slags with variable SiO2 contents are described. The crystals differ in the degree of skeletal growth which is explained in terms of hindrances in heat transfer brought about by the increasing viscosity of the melt upon increase of the SiO2 content. The formation of tubular inclusions in crystals elongated along the b‐axis is related with the influence of sulphide droplets at the surface of the crystals.
Strukturveränderungen von Tonmineralen bei verschiedenen thermodynamischen Bedingungen (II). Hydrothermalsynthese gemischtschichtiger Bildungen in den Systemen Kaolinit‐K‐, Na‐, Ca‐, Mg‐Chlorid unter Druck
Authors: Frank‐Kamenetzkij V. A. , Kotov N. V. , Gojlo E. A. 
Published: July 2007

AbstractAngaben über die hydrothermale Bearbeitung von Kaolinit (pH2O = 900 kg cm−2, T = 200–500 °C) in Gegenwart der Chloride von K, Na, Ca, Mg. Die röntgenographische Analyse der erhaltenen Produkte ergab die Bildung von Phasengemischen, die mit denen in der Natur beobachteten übereinstimmen. Zusätze von K‐ und Na‐Chlorid führen zur Umbildung der kaolinitischen Struktur in die des Glimmers über dazwischenliegende ungeordnete Mischphasen von Glimmer‐Montmorillonit. Zusätze von Ca‐ und Mg‐Chlorid bewirken die Umbildung von Kaolinit über montmorillonitische Zwischenphasen in die beständigen Gemische: Montmorillonit – Glimmer(Ca) und Montmorillonit–Chlorit(Mg).Der tatsächliche Ablauf der Umbildung der Schichtsilikate erfolgt im festem Zustand und besitzt Umwandlungscharakter. Man kann annehmen, daß die Tendenz zur Umwandlungsumbildungscharakter. Man kann annehmen, daß die Tendenz zur Umwandlungsumbildung bevorzugt auftritt und sich im Verlaufe natürlicher epigenetischer und hydrothermaler Prozesse die Schichtsilikate verändern.
Ellipsometrische Bestimmung der Dicke und Brechzahl dünner Schichten auf Silizium
Authors: Frenzel M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird auf die allgemeinen Grundlagen der Ellipsometrie und Fragen der Meßtechnik eingegangen.Zur Bestimmung der Dicke und Brechzahl von dünnen Schichten auf Silizium wird ein Polarisationsspektrometer (Ellipsometer) mit Halbschattenanordnung verwendet. Untersucht werden die bei der Siliziumplanartechnik auftretenden Oxid‐, Silikat‐ und Lackschichten.Die Auswertung erfolgt mit Hilfe der ARCHERSchen Lösung der Ellipsometergleichung für dünne Schichten auf Silizium.
Preparation and Investigation of Epitaxial Layers of AlxGa1‐xAs solid Solutions and of Heterojunctions in the AlAs‐GaAs system
Authors: Alferov Zh. I. , Andreyev V. M. , Korol'Kov V. I. , Portnoi E. L. 
Published: July 2007

AbstractSingle crystal epitaxial layers of AlxGa1‐xAs solid solutions and GaAs‐AlxGa1‐xAs heterojunctions were obtained on gallium arsenide substrates by crystallization from a solution of arsenic in a gallium‐aluminium melt. Multilayer structures of the type P(n)GaAs‐p(n)AlGaAs‐p(n)AlGaAs‐n(p)AlGa As(x1 > x2< x3) were prepared by successive growth. A study of the photoluminescence spectra of the epitaxial layers, of the heterojunction electroluminescence and of the data of the electron microprobe analysis showed the parameter “x” in crystallizing solid solutions to be maximum at the interface, decreasing gradually as one moves away from it.The dependence of the band gap width on composition of the AlxGa1‐xAs solid solutions was determined and the relation between compositions of the solid and liquid phases at various temperatures was studied. In heterojunctions and multilayer structures with heterojunctions coherent radiation was obtained in the energy range 1.47‐1.70 eV with a threshold current density of about 103 A cm−2.Einkristalline epitaktische Schichten von AlxGa1‐xAs‐Mischkristallen und GaAs‐AlxGa1‐xAs Heteroübergänge auf Galliumarsenid‐Substraten wurden durch Kristallisation aus einer Lösung von Arsen in einer Gallium–Aluminium‐Schmelze erhalten.
Diffusionsprobleme beim Anfangswachstum dünner Schichten
Authors: Ullner Ch. 
Published: July 2007

AbstractDiffusion is a stochastic process. The known differential equation of diffusion theory is valid on assumptions which are not realized always at the beginning of thin film growth. Moreover the stochastic processes of aggregation produce cluster size distribution in which each cluster size has an own probability distribution. In a simple example the probability distribution of adatom concentration is calculated.
Ein neuer Ofentyp für das Kristallziehen aus der Schmelze
Authors: Žemlička J. , Liška O. 
Published: July 2007

AbstractDie Autoren beschreiben eine neue Konstruktion eines Widerstandsofens, der bei der Kristallzüchtung aus der Schmelze benutzt wurde und nutzen eine Erkenntnis aus, daß die je Volumeneinheit zugeführte Wärme dem Verhältnis der Durchmesser indirekt proportional ist. Die Temperaturbedingungen in diesem Ofen ermöglichen eine Züchtung von Kristallen guter Qualität, die durch eine annähernd flache Isotherme bezeichnet werden.
Wachstumsformen von tetragonalen Erdalkaliwolframaten in Schmelzlösungen und deren Deutung
Authors: Voigt D. O. , Neels H. 
Published: July 2007

AbstractLöslichkeitsuntersuchungen von CaWO4 in NaCl‐Schmelzen (ANIKIN) wurden auf BaWO4 und SrWO4 erweitert. – Die Kristallsynthese der Wolframate von Ca, Ba und Sr aus NaCl bzw. KCl‐Schmelzen erfolgten im Intervall von 950 bis 650°C bei Kühlgeschwindigkeiten von 2–50 grd. h−1. Nennenswerte Unterschiede in den Formen der drei Wolframate traten nicht auf. Neben viel Whiskern gibt es in der verfestigten Schmelze bipyramidale Kristalle mit dendritischen, skelettförmigen und hohlen Übergangsformen. Die theoretisch ermittelte morphologische Rangfolge (PBC‐Modell) wird durch die Flächen an Whiskern realisiert (Zonen [110] und [100]). Die Whisker sind nach [001] bzw. [110] gestreckt. Die übrigen Kristalle zeigen, bedingt durch flächenspezifische Adsorption, andere Formen. Nach Verneuil gezüchtete Kristalle entwickelten dagegen {110}‐ bzw. {001}‐Formen.
Structural Morphology of Crystals with the K2CuCl4 · 2 H2O Structure Type
Authors: Hartman P. 
Published: July 2007

AbstractThe morphology of the K2CuCl4 · 2 H2O structure is deduced from the crystal structure. F forms are {011} and {110}, determined by the PBC's 〈100〉 and 〈111〉. A slice d110 has a peculiar structure in that it consists of an electrostatic neutral layer of K and Cl ions, and another neutral layer of Cu, Cl and H2O. The KCl layer contains two PBC's while the other layer has the character of a K face.
Der Einfluß der kritischen Clustergröße auf die Clustergrößenverteilung und die Clusterdichte
Authors: Ullner Ch. 
Published: July 2007

AbstractDie Kondensationstheorie für den Fall i* = 1 von ZINSMEISTER wird um Zerfallsprozesse kleiner Cluster erweitert. Dabei verlängert sich die stationäre Phase der Adatomkonzentration. Das von τa unabhängige Maximum wird größer. In der Wachstumsphase verringert sich der Abfall der Adatomkonzentrationen unabhängig von i* (Fig. 1). Die Clusterdichte ist bei Berücksichtigung von Zerfallsprozessen kleiner und zeigt mit wachsendem i* eine Tendenz zur Sättigung (Fig. 2), Der Maximalwert in der Clustergrößenverteilung sinkt mit wachsendem i*, ist meist nach größeren i hin verschoben und sein Plateau ist breiter (Fig. 3).
Untersuchung des Arbeitsprozesses bei elektronenmikroskopischen Arbeiten durch eine Multimoment‐Häufigkeitsanalyse
Authors: Heinze J. 
Published: July 2007

AbstractDer prozentuale Anteil aller Arbeitsfolgen bei elektronenmikroskopischen Untersuchungen wird durch eine Multimoment‐Häufigkeitsanalyse ermittelt. Die Ausgangswerte wurden durch Selbstnotierung der Mitarbeiter erhalten. Die Endergebnisse werden hinsichtlich ihrer Aussagekraft sowie der möglichen Verbesserung der Arbeitsproduktivität im Labor diskutiert.
Mikroskopische Untersuchungen der Katodenlumineszenz an einkristallinen Leuchtstoffen mit der Elektronenstrahlmikrosonde
Authors: Brümmer O. , Schreiber J. 
Published: July 2007

AbstractResults of CL‐investigations on CdS‐ and ZnS‐monocrystals by means of electron microprobe scanning technique are given concerning the luminescence behaviour of as grown and freshly produced (undecorated) dislocations before and after heat‐treatment, respectively.
KOWARSKI “Protuberances” as an Example of Two‐Dimensional Growth by the VLS Mechanism
Authors: Nenow D. , Dukova E. D. 
Published: July 2007

AbstractThe growth kinetics of protuberances formed in the presence of water vapour at the surface of paratoluidine crystals growing from the melt was investigated.The experimental quadratic dependence of the flux of matter directed towards the droplet on its radius leads to the view that KOWARSKI's protuberances constitute an example of crystal growth by the VLS mechanism.
Study on the Growth of Triglycinsulphate Single Crystals
Authors: Moravec F. , Novotný J. 
Published: July 2007

AbstractCrystallization of TGS at 52.0°C ‐ above the transition point ‐ has been studied in a wide range of supersaturation of the solution (σ = 0 to 10−2). The rates of growth of {110} and {001} faces were measured as a function of supersaturation at constant hydrodynamical conditions (Re = 3.4 · 10−3). Further, the influence of hydrodynamical conditions on the growth of {110} faces at constant supersaturation (σ = 4.2 · 10−3) was established. The parameters of the experimentally found dependences are determined on the basis of the surface‐diffusion model of BURTON. CABRERA and FRANK. From these dependences follows that the growth rate of the {110} faces is already almost limited by the volume diffusion of TGS molecules towards the crystal surface, while in the case of {001} faces the surface diffusion mechanism of crystallization is clearly manifested. Dislocation densities in the crystals have been determined by means of etching technique. The number of dislocations increases with increasing supersaturation; hence, supersaturation of the solution together with the processes taking place in the regeneration zone surrounding the seed determine the number of dislocations in the crystal volume and thus the resulting structural perfection of single crystals. Investigation of the spontaneous redistribution of domains showed that the growth rate of TGS crystals influences the dielectric properties to much smaller extent than does chemical purity.
Growth of Tetragonal Hausmannites MnxFe3−xO4 from Bi2O3‐V2O5 Fluxes
Authors: Nevřiva Miloš , Holba Pavel 
Published: July 2007

AbstractThe growing of tetragonal single crystals of MnxFe3−xO4 (x = 3.0 and 2.93) with hausmannite type structure is reported. Samples with x = 2.69 were no more monocrystalline due to the cubic‐tetragonal transformation. Crystals were grown at temperatures from 1150 to 950°C from Bi2O3 + 10 wt.% V2O5 melts. The largest crystals reached nearly 10 mm in length and weights till to 0.5 g.
Realstrukturuntersuchungen an GaAs mit elektronenmikroskopischen Methoden
Authors: Tempel A. , Schulz M. 
Published: July 2007

AbstractMittels der elektronenmikroskopischen Durchstrahlungstechnik und der Abdrucktechnik werden nach dem Czochralskiverfahren in [111]‐Richtung gezogenes GaAs‐Kompaktmaterial und GaAs‐Epitaxieschichten untersucht. Die hierzu benutzten Präparationstechniken, die Strahlätzung für die Transmission und die „insitu‐Bekohlung”︁ für die Abdruckuntersuchung werden beschrieben. Sowohl bei {100}‐ als auch bei {111}‐orientierten Proben treten Bildkontraste auf, die auf Materialinhomogenitäten zurückzuführen sind. Die Ergebnisse der Abdruckuntersuchungen, unter Ausnutzung einer speziellen Zielpräparation, bringen den Beweis, daß die Bildkontraste durch unterschiedliche Probendicken erzeugt werden, die auf Volumeninhomogenitäten zurückzuführen sind.