bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Emissionsmikroskopische Untersuchungen zur Änderung der Sekundärelektronenemission bei der plastischen Verformung
Authors: Wetzig K. , Reichelt R. 
Published: July 2007

AbstractBei der plastischen Verformung polykristalliner Proben im Sekundärelektronen‐Emissionsmikroskop nehmen im normalen Hochvakuum sowohl der elektronenoptische Bildkontrast als auch die Elektronenstromdichten aller Kristallite ab. Dabei sollen die Temperatur so hoch und der Restgasdruck so niedrig sein, daß die Sekundärelektronenausbeute bei Veränderung dieser Größen konstant bleibt. Im rekristallisierten Zustand nehmen die Kristallite, deren Orientierung erhalten geblieben ist, wieder ihre ursprünglichen Stromdichtewerte an. Aus den Ergebnissen kann auf einen Zusammenhang zwischen Sekundärelektronenausbeute und Kristallperfektion geschlossen werden. Für diesen Zusammenhang wird eine qualitative Erklärung versucht.
Anwendung des Nahabstandsverfahrens des chemischen Transports zur Herstellung von GaAs‐, GaP‐ und GaAsP‐Schichten
Authors: Deml E. , Talpová J. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Möglichkeiten der Gewinnung von n‐ und p‐leitenden GaAs‐, GaAsP‐ und GaP‐Schichten und von p‐n‐Übergängen mit Hilfe des chemischen Transports nach dem Nahabstandsverfahren geprüft. Als entscheidend für das einkristallinie Wachstum der Schichten (bei Temperaturen von 800‐1070°C) wurde der Temperaturgradient zwichen Quelle und Substrat festgestellt. Er muß < 60 grd · cm−1 sein. Die Abweichungen der Orientierung der GaP‐ und GaAsP‐Schichten von der Unterlage betrugen weniger als 1°. Gleichzeitig mit der Abscheidung der Schichten wird das Substrat auf der Unterseite angeätzt, wodurch zusätzlich As in die Schichten gelangen kann. Das führt zu einer Veränderung des Lumineszenzspektrums des p‐n‐Übergangs. Es wurden verschiedene Spektren aufgenommen. Te‐dotierte Schichten wurden aus Te‐dotierten Quellen erhalten und deren elektrische Eigenschaften ermittelt. P‐n‐Übergänge wurden mit Hilfe einer Zn‐Dotierung gewonnen.
Die Anwendung des Quantimet zur Ätzgrubendichtebestimmung an Silizium‐Einkristallen
Authors: Hildebrand H. , Schubert R. 
Published: July 2007

AbstractEine quantitative Strukturbewertung von geätzten Silizium‐Kristallen ist mit dem Mikroskop Quantimet mit einer schnellen Partikelzählung, z.B. Ätzgruben auf {111}‐Ebenen, möglich. Meßtechnische Randbedingungen sind die erforderliche Ätzgrubengröße von < 3 … 5 μm, eine ebene Probenoberfläche, die richtige optische Vergrößerung, der Schwellwert und die Annahmebreite. Strukturbedingte Fehlerquellen ergeben sich aus der Überlappung der Ätzgruben bei Versetzungsdichten > 104 cm−2, die infolge der reduzierten Signalanzeige zu einer Unterbestimmung der Ätzgrubenzahl führt. Eine Überbestimmung wird meist durch einen unerwünschten Kontrast in der Oberfläche verursacht, der zusätzliche Signalanzeigen liefert. Die Fehler können durch Verwendung einer Eichkurve eliminiert werden. Infolge des geringen Zeitbedarfes, den das Zählen erfordert, ist das Quantimet für Routinemessungen und für die quantitative Abschätzung von Strukturdefekten (Ätzgrubendichte) in Silizium, einschließlich der Berücksichtigung möglicher Fehler, gut einsetzbar.
Oberflächeneffekte an Silizium‐Einkristallen
Authors: Köhler L. , Rausch B. 
Published: July 2007

AbstractNach der Diffusion oder Temperung von Si‐Planarscheiben im Vakuum oder in nicht oxydierender Atmosphäre, wurden Abtragungen unterschiedlicher Geometrie an der Oberfläche beobachtet. Charakteristische Ätzstrukturen wurden nach der Arsen‐Diffusion unter bestimmten experimentellen Bedingungen gefunden. Als Ursache der Abtragungen wird die Anwesenheit von Wasserspuren angenommen.
Messungen der Energie‐Winkel‐Verteilung von ionenausgelösten Elektronen an ebenen Kupfereinkristallen
Authors: Hliscs R. , Binder H.‐J. 
Published: July 2007

AbstractIn einer Ganzmetall‐Hochvakummeßanlage werden mit Hilfe eines magnetischen Energie‐Winkel‐Analysators differentielle Verteilungskurven von ionenausgelösten Elektronen bei senkrechtem Beschuß ebener Kupfereinkristalle mit Edelgasionen gemessen. Die Apparatur sowie die Meßbedingungen werden beschrieben. Für die Energie‐Winkel‐Verteilungen ergeben sich bei festem Polarwinkel der Austrittsrichtungen der Elektronen periodisch mit dem Azimut veränderliche Strukturen, die von der Symmetrie der beschossenen Kristalloberfläche und von der Energie der emittierten Elektronen abhängen.
Über die Temperaturabhängigkeit der linearen Kristallisationsgeschwindigkeit von Benzophenon in der Schmelze
Authors: Stojčev N. , Budurov S. , Kovatchev P. , Kovatchev M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die lineare Kristallisationsgeschwindigkeit (lKG) von Benzophenon mit Hilfe der Kapillarmethode in einem großen Unterkühlungsbereich gemessen. Bei einem Kapillardurchmesser 0,10 mm ergibt sich eine Tammannsche Kurve ohne Plateau mit einem maximalen lKG‐Wert von 55,5 mm · min−1. Bei kleinen Unterkühlungswerten stellen sich die stationären kleinen Wachstumsgeschwindigkeiten erst nach längerem Tempern ein.Die erhaltenen Experimentaldaten werden nach den Theorien für die lKG für den Fall der Schmelze bearbeitet, wobei die Schlußfolgerung gezogen wird, daß das Wachstum allem Anschein nach über eine Zweidimensionale Keimbildung erfolgt.
Electrical structure of matching cleavage surfaces of CaF2, LiF, NaCL, MgO and mica single crystals
Authors: Distler G. I. , Kortukova E. I. , Kobzareva S. A. 
Published: July 2007

AbstractThe method of decoration with anthraquinone has been used to study the electrical structure of matching cleavage surfaces of CaF2, LiF, NaCl, MgO and mica single crystals on the scale of optical microscopy. It has been found that the crystallization images of anthraquinone on matching areas of cleavage surfaces are regularly interconnected. From these crystallization pictures the electrical structure of the matching areas has been determined. The matching areas of CaF2 cleavages along (111) have identical charge signs; the LiF matching cleavage areas along (100) have either opposite charge sings or identical but differing in magnitude; the NaCl matching cleavage surfaces along (100) are mainly charged negatively, however, regions are also observed which differ either in charge sign or magnitude; the matching areas of MgO cleavage surfaces along (100) are either charged positively of display low electrical activity; the matching cleavages of mica along (001) contain mostly positively charged areas with electrical axes displaced by 120° with respect to one another, small areas which are charged negatively, and also regions of low electrical activity. Suggestion is made that on brittle fracture of crystals the precise cleavage planes are in many cases attributed to the defect structure of crystals, to the presence of two‐dimensional boundaries between areas of different electrical structure. Fracture of single crystals, however, can also occur statistically as a consequence of their ideal or highly generalized defect structure. The regular correspondence of crystallization pictures on the surface of local areas of matching cleavages lends further support to the view that crystallization is a matrix replication process, programmed in the electrical structure of crystal substrates.
Oszillation der Erstarrungsgeschwindigkeit beim Kristallwachstum aus der Schmelze mit rotierendem Keimkristall
Authors: Barthel J. , Jurisch M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein einfaches geometrisches Modell untersucht, das die Berechnung der momentanen Erstarrungsgeschwindigkeit eines unter Rotation aus der Schmelze gezogenen Kristalles erlaubt. Die Erstarrung erfolgt voraussetzungsgemäß mit rauher Phasengrenzfläche. Das Modell ist geeignet, den Einfluß experimentell zugänglicher Züchtungsparameter, wie Ziehgeschwindigkeit, Drehgeschwindigkeit und Phasengrenzflächenform auf die momentane Erstarrungsgeschwindigkeit zu studieren. Die Berechnung der Grenzflächenform in Abhängigkeit von äußeren Einflußgrößen wird ebenso wenig versucht wie die Beschreibung des Zusammenhanges zwischen Erstarrungsgeschwindigkeit und inkorporiertem Verunreinigungsgehalt.
Infrarotspannungsoptische Untersuchungen an Halbleitereinkristallen
Authors: Brauer K. H. , Feuerstake J. , Fröhlich F. , Mohr U. 
Published: July 2007

AbstractDer piezooptische Effekt in Kristallen, speziell in Kristallen der Klassen m3m und 43 m des regulären Systems wird erläutert. Unter Beachtung der Symmetrieeigenschaften wird eine Methode zur Messung der Spannungsdoppelbrechungskonstanten (q11 – q12) und q44 an einer einzigen Materialprobe vorgeschlagen und an Si‐ und GaAs‐Einkristallen praktisch angewendet. Zur Messung der Spannungsdoppelbrechungskonstanten wurde eine Apparatur entwickelt, die mit großer Genauigkeit quantitative Bestimmungen erlaubt. Zur Probenpräparation wurden mehrere Verfahren untersucht.Die Messungen an verschiedenen Si‐ bzw. GaAs‐Einkristallen ergaben unterschiedliche spannungsoptische Werte, die mit den bisher in der Literatur angegebenen Werten verglichen werden. Es wird gezeigt, daß der Begriff „spannungsoptische Konstante”︁ nicht als Materialkonstante, sondern als kristallindividueller Wert aufgefaßt werden muß. Unter Verwendung der gemessenen spannungsoptischen Werte werden die Restspannungen in kompakten Einkristallen aus Doppelbrechungsmessungen an dicken Scheiben rekonstruiert.
The role of AlIV and AlVI in transformation and synthesis of layer silicates
Authors: Frank‐Kamenetzkij V. A. , Kotov N. V. , Tomashenko A. N. 
Published: July 2007

AbstractThe regularities of transformations of layer silicates under hydrothermal conditions have been examined. For solid phases reactions (transformation of AlSi layer silicates, reactions in AlSi gels) the main factors that control the formation of alumosilicates besides PT‐pH are the presence of admixtures of alkali and alkaliearth cations, likewise the presence of AlIV in the starting materials. The increasing of T and decreasing of P also promotes the preferred formation of layer alumosilicates than silicates of Al. For the reactions that pass through the dissolution of components the leading factor (under PTX = const) is the pH of the surrounding. In acid surrounding silicates with AlVI are formed and in alkaline conditions such phases, in which Al is an analog of silicon and supplies the tetrahedral positions. The results have significance for comprehend geological processes which take place in zones of hydrothermal alterations, of epigenesis and low‐grade metamorphism likewise for comparison of experimental studies.
Size effect of dislocation density in Sb crystals grown by the bridgman method in a hard crucible
Authors: Maslova L. A. , Tsivinsky S. V. , Aleksandrov B. N. 
Published: July 2007

AbstractA dislocation density dependence on crystal transverse dimensions has been investigated for crystals of Sb grown in split graphite moulds at rates of 1.5; 8.5 and 15 cm/h. The dependence is shown to be the same for all growth rates which agrees with an earlier suggested theoretical equation.
Confrontation of the BCF theory and computer simulation experiments with measured (R, σ) curves
Authors: Bennema P. , Boon J. , van Leeuwen C. , Gilmer G. H. 
Published: July 2007

AbstractA brief summary of crystal growth models – the surface diffusion model of Burton, Cabrera and Frank and computer simulation models – is given and these models are confronted with measured (R, σ) curves. It was found that the most (R, σ) curves measured so far can be fitted by BCF curves with 10−2 ≲ σ1 ≲ 10−1 and C having an order of magnitude of 10−4 cm ≲ s−1. ΔG turns out to be 12 ± 5 kcal ≲ mol−1. – Some of the (R, σ) curves can be described better by a nucleus above nucleus formalism. The order of magnitude of A is 10−4 cm · s−1 and 10−2 ≲ B ≲ 10−1. – It is concluded what kind of work should be done in future to check theoretical models.
Bandstruktur und thermoelektrische Eigenschaften von Wismut‐Antimon‐Legierungen
Authors: Wagner N. , Brümmer O. 
Published: July 2007

AbstractEs wird der Einfluß der elektronischen Bandstruktur auf die thermoelektrischen Eigenschaften von BixSb1–x‐Legierungen (0 ≦ (1 – x) ≦ 1) untersucht. In dem Legierungsbereich mit hoher thermoelektrischer Effektivität sind die differentielle Thermokraft und der Quotient aus elektrischer und thermischer Leitfähigkeit gleichermaßen an dem Anwachsen des Gütefaktors (relativ zu reinem Wismut) beteiligt. Es zeigte sich, daß die Abnahme von Beweglichkeitsverhältnissen von Ladungsträgern unterschiedlichen Vorzeichens überkompensiert wird durch Veränderungen der partiellen Seebeck‐Koeffizienten. Das resultiert aus Modifikationen in der elektronischen Bandstruktur und aus einer Verschiebung der Fermigrenze in einem m‐Bandmodell mit m > 2. Hierdurch wird auch die elektrische Leitfähigkeit und die Wärmeleitfähigkeit unterschiedlich beeinflußt.
Mikronalytische Untersuchungen an metallkarbidbeschichteten Werkstoffen
Authors: Küchler L. , Mey E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Ergebnisse metallographischer und mikroanalytischer Untersuchungen an Querschliffen metallkarbidbeschichteter Eisenwerkstoffe berichtet. Die Klärung des Schichtaufbaues, die Verteilung der schichtbildenden Komponenten und der Einfluß des Grundwerkstoffes auf den Beschichtungsvorgang werden dargelegt.
Einfluß der Konzentrationsverteilung im Mikrobereich auf die Bestimmung des Seigerungskoeffizienten von Stählen mit dem Elektronenstrahlmikroanalysator
Authors: Spies H.‐J. , Siegel U. 
Published: July 2007

AbstractZur Beschreibung der Konzentrationsunterschiede im Mischkristall wird üblicherweise der Seigerungskoeffizient verwendet. Eingehende Untersuchungen an Proben der Stahlmarken × 5 CrNi 18.10, 20 MoCr 5 und 100 Cr 6 haben ergeben, daß in den Bereichen maximaler Konzentration unterschiedlich starke Konzentrationsgradienten und Ausscheidungen zweiter Phasen auftreten können. In Verbindung mit dem begrenzten analytischen Auflösungsvermögen der Mikrosonde entstehen dadurch bei der üblichen Bestimmung des Seigerungkoeffizienten systematische, vom Dispersionsgrad des Erstarrungsgefüges und den Prüfbedingungen, abhängige Fehler. Zur Kennzeichnung der Kristallseigerung eignet sich die Konzentrationsverteilungskurve besser; sie ermöglicht eine vollständigere Beschreibung und gute Reproduzierbarkeit.
Über die Volumenzerfallskinetik übersättigter ferritischer Eisen‐Zink‐Legierungen
Authors: Budurov S. , Russev K. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Avramikinetik der diskontinuierlichen Ausscheidung (Auslagerung) in durch Schmelzen hergestellten FeZn‐Legierungen untersucht.Die Auslagerung verläuft bei einer bevorzugten Entstehung der Zweiphasenkolonien an den Kornkanten. Die Zerfallskinetik wird von der von Cahn modifizierten Kolmogorov‐Avramischen Formel bei einer Keimbildung an den Kornkanten und einer Erschöpfung der aktiven Zentren noch während den frühesten Auslagerungsstadien beschrieben.Die Verteilung des gelösten Zinks bei der Auslagerung erfolgt durch Diffusion in den Zellengrenzen; die Aktivierungsenergie beträgt etwa 33000 cal/mol.
Der Zusammenhang zwischen Oberflächenbehandlung und Barrierenhöhe bei metallkontaktiertem GaSb
Authors: Vogel K. , Engel A. 
Published: July 2007

AbstractDie Barrierenhöhen von Ag‐, Au‐; Ni‐, Al‐; In‐ und Sn‐Kontakten an p‐ und n‐GaSb wurden aus der Messung von I–U‐Kennlinien bestimmt. Sie sind stark von der Oberflächenbehandlung des Halbleiters und dem eingesetzten Metall abhängig. Die Ergebnisse, die an Kontakten auf chemisch und mechanisch polierten (111)‐A‐Oberflächen erhalten wurden, sind von der Oberflächenstruktur, von Traps und Zwischenschichten abhängig. Sie führen zu spezifischen Veränderungen am Metall–Halbleiter‐Kontakt und bestimmen das „ohmsche”︁ oder sperrende Verhalten der Kontakte. Nur auf chemisch polierten Oberflächen zeigen Sn‐, Al‐ und Ag‐Kontakte an n‐GaSb und Au‐ sowie In‐Kontakte an p‐GaSb „ohmsche”︁ Charakteristiken.
Untersuchungen zur Neubildung von Versetzungen bei der tiegelfreien Züchtung von Silizium‐Einkristallen
Authors: Schröder W. , Wolf E. 
Published: July 2007

AbstractBei der tiegelfreien Züchtung versetzungsfreier Silizium‐Einkristalle werden häufig spontane Versetzungs‐Neubildungen beobachtet, die nicht auf erkennbare Ursachen zurückzuführen sind. Mit Hilfe röntgentopographischer und metallographischer Analysenmethoden wird versucht, den Ursprung dieser Versetzungsbildungen im Kristall zu lokalisieren. Ihre Entstehung in Bereichen der Kristalloberfläche läßt auf das Vorhandensein eines Temperatur‐Spannungs‐Mechanismus schließen, welcher infolge hoher Temperaturschocks die Bildung neuer Versetzungen in noch plastischen Gebieten des bereits gebildeten Kristalls auslöst.
Ein Gerätesystem zur röntgenographischen Orientierung von Einkristallen
Authors: Filscher G. , Adolph F. , Adler L. 
Published: July 2007

AbstractDas zweistufige Gerätesystem zur Kristallorientierung besteht aus einer Laue‐Kamera mit Röntgenbildwandler und einem Röntgendiffraktometer. Über eine Bezugsfläche am Kristall werden die röntgenographisch ermittelten kristallographischen Richtungen optisch an den Kristall angeschlossen.
The Chemical Vapour Deposition of Tantalum
Authors: Jerreat D. J. , Rawlings Rees D. 
Published: July 2007

AbstractThe effect of the total pressure, feed temperature, deposition temperature, and reaction tube inclination and geometry on the chemical vapour deposition of tantalum from the pentaiodide has been investigated. Transport rates as high as 350 mg hr−1 were achieved in inclined tubes of specific geometry with a feed temperature of 650°C and a deposition temperature of 1200°C. The dependence of the transport rate on the total pressure, and the feed and deposition temperatures has been analysed and suggestions made as to the rate controlling processes.
Röntgentopografische Untersuchungen an hochdotierten Galliumarsenid‐Einkristallen
Authors: Schumann B. , Schulz M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über röntgentopografische Untersuchungen an hoch Sn‐dotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die röntgentopografische Abbildung von spezifischen Defekten, verbunden mit einem inhomogenen Dotierungseinbau durch konstitutionelle Unterkühlung und Zellenwachstum, wird beschrieben. Spezielle Kontrasterscheinungen werden diskutiert.
The Molecular and Crystal Structure of Bis‐Dimethyl Trimethine Cyanine Perchlorate, C7H15N2Cl04
Authors: Sieber K. , Kutschabsky L. , Kulpe S. 
Published: July 2007

AbstractThe structure of the bis‐dimethyl trimethine cyanine perchlorate crystallizes in the space group Cc with the lattice constants a = 7,873 Å, b = 19.01 Å, c = 7.735 Å, β = 103.36°. It was spatially and anisotropically refined to a discrepancy factor of 0.09. The CC distances in the trimethine chains show the bond length compensation typical of polymethines. The NC distances are roughly similar and correspond to partial double bonds. The valence angles of the three methine carbon atoms alternate and are in turn above and below 120°. For the oxygen atoms of the perchlorate anions, a disorder‐like, statistical distribution on closely adjacent atomic layers is assumed. The trimethine chains are packed aggregation‐like in unidimensional stacks. Their centre planes and chain axes are not, however, parallel to each other.
Einfluß der Stapelfehlerenergie auf den kristallographischen Umgitterungsmechanismus der γ/α‐Umwandlung in hochlegierten Stählen
Authors: Schumann H. 
Published: July 2007

AbstractDer Umgitterungsmechanismus der Phasenumwandlung kub.‐flz. γ → kub.‐rz. α hängt von der Stapelfehlerenergie (SFE) ab. Bei großer SFE ist eine Verschiebung von (111)γ‐Ebenen durch Shockleysche Halbversetzungen vom Typ b = 1/6 [211]γ nicht möglich, und die direkte Umgitterung γ → α erfolgt durch zwei homogene Scherungen um 19°28′ bzw. 10°32′. Bei einer SFE unterhalb von etwa 15 bis 20 erg/cm2 findet diese Abgleitung jedoch statt, wobei sich die ϵ‐Phase bildet. Abhängig von der thermodynamischen Stabilität kann durch eine weitere Scherung die ϵ → α‐Umwandlung erfolgen. Die Umwandlung γ → α erfolgt vorzugsweise durch äußere elastische Spannungen, der γ → ϵ → α‐Übergang ebenso, aber auch durch plastische Deformation auf Grund von gleitfähigen Teilversetzungen.
Refinement of sp3‐Hybridized Wave Functions of Boron Phosphide by Experimental Values of Structure Factors
Authors: Olekhnovich A. I. 
Published: July 2007

AbstractFrom the comparison of the experimental values of structure factors with the calculated ones in sp3‐bond approach the wave functions of boron phosphide compound were refined.It is shown that forming of the compound causes localization (compression) of the wave functions of valence electrons around cores, the degree of wave functions' compression of boron being higher than that of phosphorus.
Kinetic Nature of the Process of Microindentation into Alkali Halide Crystals
Authors: Kats M. S. , Regel V. R. , Boyarskaya Yu. S. , Boyarskaya S. 
Published: July 2007

AbstractThe investigation of the dependence of indentor intrusion depth on the time of load application and temperature for the alkali‐halide crystals KCl, LiF, NaCl has been carried out. The dependence of indentor intrusion velocity logarithm lg ḣ in microhardness H appears to be linear in the investigated interval of loading times and temperatures. The data obtained may prove the thermofluctuational character of the microindentation process. — The activation energy of microindentation process almost coincides with the activation energies of the sublimation process.
Formation of dislocation structure in silicon layers on non‐orienting substrates
Authors: Meyer S. , Aseev A. L. , Klimenko A. G. , Klimenko E. A. , Stenin S. I. 
Published: July 2007

AbstractA dislocation structure of Si layers crystallized from a floating grain on quartz glass and mullite ceramics substrates has been investigated by transmission electron microscopy (TEM) including the high‐voltage one. The effect of the layer orientation on the crystallographic features of dislocation distribution and brittle fracture in Si‐SiO2 system has been considered. The dislocation structure is proved to form mainly at temperatures lower than 0.8 of absolute melting temperature (Tm) of Si. Dislocation sources are located inside the crystallizable layer, and they are dislocations appearing from grain as well as the dislocation bundles near the interface. The cross slip of screws plays an essential role in dislocation multiplication. The difference of thermal expansion coefficients of the layer and substrate determines the finite dislocation density near the interface and in the bulk of the layer.
Über das Wachstum von Silberamalgamwhiskern
Authors: Nanev Chr. , Ditschewa K. , Dontschewa T. 
Published: July 2007

AbstractDas Wachstum von nadelförmigen Einkristallen aus Silberamalgam (s. g. Whisker) wurde untersucht. Sie wurden gezüchtet aus wäßrigen Lösungen auf einer Quecksilberoberfläche durch eine Art von Innenelektrolyse. Die Whisker sind mit Quecksilber gefüllte hexagonale Kapillarröhrchen. Es wurde eine potentiostatische Methode entwickelt, mit deren Hilfe die Übersättigung bzw. die Überspannung, unter welcher die Whisker wuchsen, bestimmt wurde. Dieselbe Methode bietet weiterhin auch eine Möglichkeit zur Steuerung des Whiskerwachstumsprozesses.
Morphology and orientation relations of BaCl2 precipitates in NaCl single crystals
Authors: Vlasák G. , Hartmanová M. 
Published: July 2007

AbstractIn the present paper morphology and orientation relations of BaCl2 precipitates in NaCl single crystals are described. It is shown that BaCl2 precipitates of large dimensions are formed at the dislocations of a/2〈110〉{100}, the dislocation lines of which are oriented in the directions 〈210〉.