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Zur Theorie des Ferromagnetismus dünner Schichten
Authors: Hemschik H. 
Published: July 2007

AbstractBenutzt man reale Randbedingungen für die Wellenfunktionen des Bändermodells, so wird die Zustandsdichte an den Grenzen der ersten Brillouin‐Zone vergrößert. Entspricht dieses Gebiet des ΐ‐Raumes dem oberen Rand des Energiebandes, so erhöht sich dort die Zustandsdichte um einen der Schichtdicke umgekehrt proportionalen Betrag. Der Aufwand an kinetischer Energie beim Übergang in den ferromagnetischen Zustand wird verringert, der Ferromagnetismus dadurch stabiler. Aus der Kollektivelektronentheorie folgt ein Anstieg der Curietemperatur mit abnehmender Schichtdicke. In der Spinwellentheorie, die dem Problem besser angepaßt ist, sollten solche „metallischen”︁ Effekte die Schichtdicken abhängigkeit der spontanen Magnetisierung nicht wesentlich herabsetzen.
Zur Absorption von Silberbromid mit zweiwertigen Fremdionenzusätzen nach Bestrahlung I. Absorptionsspektren
Authors: Stasiw M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird der Einfluß einer zusätzlichen Dotierung mit zweiwertigen Kationen auf die Absorptionsspektren bestrahlter Silberbromidkristalle mit Chalkogenionenzusatz bei tiefer Temperatur untersucht. Es zeigt sich, daß die in solchen Kristallen durch Bestrahlung in die Ausläuferabsorption entstehende photochemische Hauptbande unter bestimmten Bedingungen ins Langwellige verschoben ist. Die Erklärung der experimentellen Ergebnisse im Rahmen der bisherigen Auffassung der Hauptbande als Absorption von [Ag0˙Ch′Br□] führt zu Schwierigkeiten. Die Möglichkeit der Deutung der Spektren durch Zuordnung der Hauptbande zu einwertigen Chalkogenionen wird diskutiert.
Über einige durch Gitterfehlstellen verursachte mechanische Dämpfungserscheinungen in Kupfer
Authors: Walz E. 
Published: July 2007

AbstractIn einer zur Messung der inneren Reibung bei Frequenzen von ca. 0,05 Hz bis 4 Hz und bei Temperaturen zwischen 110 und 450 °K gebauten Apparatur, in der Einkristalle vor der Messung bei Temperaturen T ≦ 110 °K verformt werden können, wurde die Temperaturabhängigkeit des logarithmischen Dekrements bei mehreren Frequenzen an verschieden stark verformten Cu‐Einkristallen verschiedener Orientierungen sowie an abgeschreckten Cu‐Drähten gemessen.In den Kurven δ(T) zeigen sich zwischen 200 und 450 °K fünf ausheilende Erhebungen, die für eine Frequenz von 0,5 Hz bei Temperaturen von etwa 225, 250, 290, 330 und 410 °K auftreten. Nach dem Aufheizen auf 450 °K bleibt eine gemäß exp (− Q/k T) von der Temperatur abhängende Restdämpfung übrig.Zwei der fünf Erhebungen konnten als Ausheilstufen (225 und 290 °K), zwei als Relaxationsmaxima bestimmt werden (250 und 350 °K). Die Stufe bei 225 °K wird auf eine Wechselwirkung von Doppelleerstellen mit Versetzungen zurückgeführt. Das Maximum bei 250 °K wird den Platzwechseln von Zwischengitteratomen an Versetzungen zugeordnet, die Ausheilstufe bei 290 °K dem Ausheilen von Leerstellen. Das Maximum bei 330 °K wird durch mehrfache Platzwechsel von Leerstellen an Versetzungen zu erklären versucht. Die übrigen Erscheinungen können noch nicht gedeutet werden.
The Debye‐Waller Factors of Aluminium, Silver, and Sodium by de Launay's Method
Authors: Mahesh P. S. 
Published: July 2007

AbstractThe Debye‐Waller exponents for aluminium, silver and sodium have been calculated from de Launay's electron gas model. A sampling technique has been used, as in an earlier paper of Mahesh and Dayal. These is agreement between theoretical and experimental values up to 600 °K in the case of aluminium and silver and up to 200 °K for sodium.
Neue Erscheinungen in sehr dünnen Metallschichten
Authors: Borzjak P. G. , Sarbej O. G. , Fedorowitsch R. D. 
Published: July 2007

AbstractBei im Hochvakuum (p = 10−8Torr) aufgedampften sehr dünnen Gold‐ und Silberschichten mit Inselstruktur wird durch den Stromdurchgang eine Elektronenemission und eine Elektrolumineszenz hervorgerufen. Die Intensität dieser Erscheinungen hängt wie auch die Leitfähigkeit der Schicht von der Austrittsarbeit ab, die durch Adsorption von BaO variiert wurde.
Effect of Electron Irradiation on the Magnetoresistance of InSb
Authors: Euthymiou P. C. 
Published: July 2007

AbstractSample of n‐ and p‐type InSb are irradiated by 1 MeV average energy beta‐rays at low temperatures. For the n‐type material the radiation damage results in a small increase in the electron‐concentration. This is not in agreement with other investigations. The Hall mobility is found to decrease as expected. From the resistivities ϱ0 and ϱB (without and with a magnetic field) and the concentration n of electrons the constant A of the formula in Wilson's theory is determined. Before irradiation the n‐type sample (n = 1.047 × 1015 carriers/cm3 at T = 78 °K) is found to have A = 0.0376, which indicates mixed scattering. Upon irradiation at 78 °K, A increases to the value 0.0403, which can be explained by the increased importance of the scattering from ionized defects. For p‐type material the radiation damage results in an increase of hole concentration and a decrease in the Hall mobility. This is in agreement with other investigations. Before irradiation the p‐type sample (p = 4.47 × 1014 carriers/cm3 at T = 90 °K) is found to have A = 3.27. This is larger than the largest theoretical value 2.12, calculated for the case where scattering from ionized defects is predominant. Upon irradiation at 78 °K the p‐type sample is found to have A = 4.13. Annealing experiments done on both the crystals show that A tends to return to its initial value.
Zur Absorption von Silberbromid mit zweiwertigen Fremdionenzusätzen nach Bestrahlung. II. Näherungsweise Berechnung der Absorption einwertiger Chalkogenionen
Authors: Stasiw M. 
Published: July 2007

AbstractIm Zusammenhang mit der in Teil I1) vorgeschlagenen Deutung der photochemischen Hauptbande in bestrahlten chalkogendotierten AgBr‐Kristallen als Absorption der einwertigen Chalkogenionen wird eine Berechnung der Absorptionsenergie des O−‐Ions auf der Basis eines stark vereinfachenden Modells durchgeführt. Dabei wird das O−‐Ion mit seiner Umgebung als F‐Zentrum, dessen Lücke von einem Chalkogenatom besetzt ist, betrachtet. Zur Berechnung dieses Zentrums wird die von Gourary und Adrian zur Farbzentrenberechnung benutzte Methode übertragen.
Grain Boundary Sliding in Bicrystals of Tin
Authors: Tuck Brian 
Published: July 2007

AbstractBicrystals of tin were tested in shear over a range of stresses and temperatures near the melting‐point. Boundary sliding occurred initially at a constant rate, followed by a period of steadily decreasing rate until movement almost ceased; the initial rate data fell into two clearly defined groups. In a few specimens, sudden increases in sliding rate were observed. Values were calculated for the activation energy and the stress dependence of the initial rate of sliding. During a test, the boundary trace on one of the bicrystal surfaces became very irregular. A straight trace could be regained by electropolishing the surface and an increased rate of sliding was obtained if the specimen was retested.
Isoperiodic Variation of the Compressibilities of the Elements
Authors: Kempter C. P. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that the compressibilities of the solid elements may be systematically expressed as a function of atomic volume for definite isoperiodic series. In the absence of pressure induced discontinuities, such as a phase change, the isoperiodic relationships are independent of pressure. The following isothermal coefficients of volume compressibility (β × 107cm2/kg at room temperature and one atmosphere) are predicted: α‐Sc: ∼ 20, Tc: 2.8, α‐Tb: 28, Re: 2.7, Os: 2.7, α‐Po: ∼ 35, and if trivalent, Pm: 33.
Photovoltaic Effect in Photoconductor‐Dielectric‐Metal Sandwiches
Authors: Forlani F. , Minnaja N. 
Published: July 2007

AbstractA new theroretical treatment based on a proper linearization of the basic non‐linear system, is given for the photovoltaic effect in a photoconductor‐dielectric‐metal structure. Particular attention is paid to the conditions under which such a linear approach is valid, and the possible generalization of the approximation (metal‐photoconductor with anomalous photovoltage) is discussed. The complicated overall effects of the interfacial barrier structure are adequately described by proper phenomenological parameters. The formula for the Dember effect and the physical interpretation of anomalous photovoltaic effects are critically compared with the results of the preceeding theories.
Über stimulierte Rekombination in der Halbleiteranode einer Entladungsdiode
Authors: Hora Heinrich 
Published: July 2007

AbstractUm stimulierte Rekombination der Ladungen in einer Entladungsdiode (Plasma‐ oder Vakuumentladung) analog zur p–n‐Laserdiode zu erhalten, kann man die konzentrierte Rekombination in einer Halbleiteranode vom entarteten p‐Typ ausnützen. I–V‐Verbindungen ergeben dann besonders geringe Erwärmungsverluste. Für Cs3Sb mit direkten Übergängen wird die minimale Stromdichte |j| auf der Basis der Laserbedingung von Schawlow und Townes berechnet, wobei die Fermiverteilung im Valenzband, die Beugung und Verluste durch free‐carrier‐Absorption in Betracht gezogen werden. In einem 1 cm langen, 10 μm dicken Plättchen mit 1019 Löchern/cm und 99% Reflexionsvermögen der Enden ist |j| größer als 6,22 A/cm2 erforderlich.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen an Wachstums‐ und Abbauflächen von Cd‐Einkristallen
Authors: Mutaftschiew B. 
Published: July 2007

AbstractDie beim Wachstum von Cd‐Einkristallen aus der Dampfphase entstehenden Flächen wurden elektronenmikroskopisch untersucht. Auf der Oberfläche erscheinen beim Wachstum, wie auch beim Abdampfen in allen Fällen die Flächen {001}, {1010} und {1122}. Von den anderen aus der Theorie [1] folgenden sind die Flächen {1011} und {1120} nur als Abstumpfungen von Kanten sichtbar. Die {001}‐ und {1122}‐Flächen sind in den Grenzen des Auflösungsvermögens der Präparationsmethode (10 Å für das Pt‐Kohle‐Abdruckverfahren) glatt. Das Erscheinen der Nichtgleichgewichtsformfläche {1122} wird diskutiert.
Untersuchung der Magnetisierungsvorgänge in Nickeleinkristallen anhand von Messungen der Anfangssuszeptibilität
Authors: Rieger H. 
Published: July 2007

AbstractZur Untersuchung der für die Anfangssuszeptibilität maßgebenden Magnetisierungsvorgänge wurde an ein‐ und vielkristallinen Nickelproben die Temperaturabhängigkeit der Anfangssuszeptibilität sowie deren Veränderung infolge plastischer Verformung bestimmt. Die Analyse dieser Messungen ergab, daß bei Nickel in Ein‐ und Vielkristallen weitgehend dieselben Magnetisierungsprozesse die Anfangssuszeptibilität bestimmen: Oberhalb +200 °C bis zum Curiepunkt Drehungen der Magnetisierungsvektoren und unterhalb +200 °C Blochwandbewegungen. Die Veränderungen des Temperaturgangs der Anfangssuszeptibilität bei plastischer Verformung zeigen u. a., daß durch innere Spannungen eine Veränderung der Blochwandstruktur verursacht wird. Vergleichsweise durchgeführte Koerzitivkraftmessungen ergaben außerdem, daß für die Anfangssuszeptibilität und die Koerzitivkraft im wesentlichen dieselben Magnetisierungsvorgänge verantwortlich sind.
A Theory of Thermal Diffusion Based on the Lattice Dynamics of a Linear Chain
Authors: Schottky G. 
Published: July 2007

AbstractIn an atomistic description of thermal diffusion atomic jump probabilities up and down the temperature gradient are different because of the non‐equilibrium phonon distribution. Starting from Rice's dynamical theory of diffusion this picture is applied to a one‐dimensional model (linear chain). The scattering of the phonons is treated using a Green's function method. The heat of transport is determined from the vacancy flow caused by the temperature gradient. A tentative extension of the results to an f.c.c. lattice gives good agreement with experiments.
Morphologische Beobachtungen und Polarisationserscheinungen bei der elektrolytischen Kristallisation des Silbers an (111)‐Silbereinkristallflächen
Authors: Budewski E. , Vitanov T. , Bostanov W. 
Published: July 2007

AbstractDie elektrolytische Wachstums‐ und Auflösungsmorphologie von einzelnen (111)‐Flächen wurde an Silbereinkristallen untersucht. Es wurde festgestellt, daß die Wachstums‐ und Auflösungsvorgänge durch die Anwesenheit von Schraubenversetzungen stark beeinflußt sind. Galvanostatische Übergangskurven und morphologische Beobachtungen zeigen einen bedeutenden Einfluß der kristallographischen Struktur der Oberfläche auf das Polarisationsverhalten der Elektrode.
Scattering of Sound Waves by Isotopes and Thermal Conductivity in the Simple Cubic Lattice
Authors: Thoma K. , Ludwig W. 
Published: July 2007

AbstractThe effect of point defects on the thermal conductivity of an insulating crystal is discussed. The mechanical problem of the scattering of lattice waves by point defects can be solved exactly. The resulting cross sections occur in the Boltzmann equation for the phonon distribution, which can be treated by a variational procedure. In particular, a study is made of the effect on the thermal conductivity of isotopes, together with that of other scattering processes due to anharmonicities and the surface of the crystal.
Fehlstellenerzeugung durch aufgespaltene Versetzungssprünge in kubisch‐flächenzentrierten Metallen
Authors: Pfeffer K.‐H. , Schiller P. , Seeger A. 
Published: July 2007

AbstractDie vorliegende Arbeit behandelt die Kinematik der Bewegung aufgespaltener Sprünge in Versetzungslinien kubisch‐flächenzentrierter Metalle vom Standpunkt der atomistischen Theorie aus, die im Anschluß an Thompson sowie Seeger und Bross entwickelt wird. Wesentlich ist dabei die in der Hirschschen Theorie nicht berücksichtigte Existenz zweier energetisch nahezu gleichwertiger Sprunglinien, nämlich der Leerstellen‐Sprunglinie mit der Leerstellendichte z = 1/3b und der Scher‐Sprunglinie mit verschwindender Volumänderung. Unsere Theorie sagt die Erzeugung von Leerstellen durch die Bewegung von Sprüngen in Stufenversetzungen und die kohärente Erzeugung von Zwischengitteratomen durch Sprünge in 60° ‐ bzw. 120°‐Versetzungen voraus. Ferner ist unter sonst vergleichbaren Umständen zu erwarten, daß die Konzentration der während der plastischen Verformung entstehenden atomaren Fehlstellen mit abnehmender spezifischer Stapelfehlerenergie zunimmt. Die Bedeutung der Ergebnisse für die Theorie der inneren Reibung wird diskutiert.
Phonon‐Drag in hexagonalen Se‐Kristallen
Authors: Stuke J. , Wendt K. 
Published: July 2007

AbstractAn hexagonalen Se‐Kristallen wurde in Richtung der c‐Achse ein Phonon‐drag gefunden, der erwartungsgemäß größer ist als bei Te und der von der Temperatur entsprechend Θp ∼ T−2,5 abhängt. Diese Temperaturabhängigket zeigt, daß die Gitterbeweglichkeit μph der Löcher – im Gegensatz zur exponentiell mit der Temperatur zunehmenden, experimentell bestimmten Beweglichkeit μ – mit steigender Temperatur in normaler Weise abnimmt. Mit Hilfe einer von Herring angegebenen Formel läßt sich die Höhe von μph abschätzen. Im Dunkeln ist der Phonon‐drag von Se‐Kristallen wesentlich schwächer als nach Belichtung.
Length Changes on the Irradiation of Gold with α‐Particles in the Temperature Region of —20 to + 90 °C
Authors: Isebeck K. 
Published: July 2007

AbstractThe change in length of thin gold foils (99.999% purity) was studied on irradiation with α‐particles in the temperature region of –20 to +90 °C.At temperatures below 0 °C about 20 to 50% of the recovery of the change in length was found to be a first order, diffusion limited reaction with an activation energy of (0.65 ± 0.07) eV. The defect densities were of the order of 10−6. The annealing behaviour is interpreted as the recombination of interstitial atoms with vacancies produced within the same defect cascade.Above 0 °C, the initial dilatation on irradiation is followed by a gradual contraction of the foil. This behaviour is interpreted as being due to the migration of interstitial atoms to the surface of the foil.At temperatures between 40 and 65 °C the recovery was found to be exponential after prolonged annealing for about 50% of the recovery. The activation energy is (0.81 ± 0.03) eV. The latter portion of the recovery is identified with the migration of vacancies to dislocations.
Magnetic After Effects in Iron after Low Temperature Irradiation with Neutrons
Authors: Balthesen E. , Isebeck K. , Wenzl H. 
Published: July 2007

AbstractHigh purity iron was irradiated at low temperatures with neutrons to various doses. Magnetic after‐effects due to radiation induced defects were investigated in careful annealing experiments from 4.5 to 300 °K. A number of pronounced orientation after‐effects with complex annealing behaviour were found. All relaxation amplitudes were roughly proportional to the dose. The after‐effects disappeared on annealing between 130 and 270 °K. A comparison with other experiments indicates that an annealing stage of the electrical resistivity or the stored energy may correspond to the annealing of several magnetic after‐effects.
Absorption Spectra of Solid (Polycrystalline) and Liquid (Melt) Compounds of Bivalent Cobalt
Authors: Truţia A. , Musa M. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements are made of the visible spectra of pure CoCl2, CoBr2 polycrystalline layers, and CoCl26H2O and CoBr26H2O monocrystals between 77 and 1050 °K. A good degree of correspondence is established between the spectral components of polycrystalline CoCl2 and CoBr2. The spectra of the two hydrates also show similarities which lead to the conclusion that the first coordination sphere around Co++ at 77 °K has an octahedral‐type symmetry with two halide ions and four water molecules.Modification of the CoCl2 and CoBr2 spectra when passing from the solid to liquid phase (melt) is also investigated. This indicates a transformation from octahedral to tetrahedral symmetry.
Untersuchung der Verteilung von Versetzungen in plastisch deformierten Cu‐Einkristallen mit Gitterquellen‐Interferenzen (Kossel‐Interferenzen)
Authors: Brümmer O. , Schülke W. , Böhnel H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird mit Hilfe von Gitterquelleninterferenzen (Kossel‐Interferenzen) gezeigt, daß bei plastischer Deformation von Cu‐Einkristallen im Bereich I und II der Verfestigungskurve für vorliegende Orientierungen eine anisotrope Verbreiterung der Kossel‐Linien auftritt. Diese richtungsabhängige Verbreiterung kann mit der Wirkung einer [112]‐ und [111]‐ Vorzugsdrehachse der Gitterrotation (senkrecht zur Gleitrichtung bzw. senkrecht zur Gleitebene des Hauptgleitsystems) erklärt werden. Es wird berechnet, daß diese beiden Drehachsen dann bevorzugt auftreten, wenn die Versetzungsdichte in den Nebengleitsystemen zwar kleiner, aber von gleicher Größenordnung ist wie die Versetzungsdichte in dem Hauptgleitsystem. Die Möglichkeit eines Aufstaus von primären Versetzungen gleichen Vorzeichens wird ebenfalls diskutiert.
Experimentelle Untersuchungen zum plastischen Verhalten von vielkristallinem Nickel
Authors: Schwink Ch. , Knoppik D. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Verfestigung von vielkristallinem Nickel bis zu rund 10% Dehnung mit mechanischen und magnetischen Messungen verfolgt, mechanisch durch Bestimmung von Dehnung und Dehnungszunahme und durch Temperaturwechselversuche, magnetisch durch Messung von Koerzitivkraft und Anfangspermeabilität. Für letztere wird eine Meßanordnung näher erläutert. Eine früher für Zimmertemperatur angegebene Einteilung der Verfestigungskurve [3] läßt sich bis zur Temperatur der flüssigen Luft nachweisen, der Temperaturgang der charakteristischen Übergangsspannungen wird angegeben und besprochen. Temperaturwechselvorgänge zeigen die Bedeutung von Schneidvorgängen vor allem im Anfangsstadium der Verformung, wo auch die Abweichungen vom Cottrellschen Gesetz am größten sind.
Thermomagnetic Phenomena in Cubic Semiconductors Possessing Nonparabolic Energy Bands
Authors: Zawadzki W. 
Published: July 2007

AbstractThermomagnetic phenomena are considered in a semiconductor crystal having cubic symmetry and an arbitrary relation between energy and wave‐number. The theory is formulated in terms of three basic transport tensors. Expressions are obtained for thermomagnetic effects in the limiting cases of weak and strong magnetic fields. The influence of anisotropy and non‐parabolicity of the energy bands is considered. The results apply both to the manyellipsoid cubic energy bands of Si and Ge and to the non‐parabolic band structure of III‐V compounds.
Stage III Recovery in Cold‐Worked Niobium
Authors: Stals L. , Nihoul J. 
Published: July 2007

AbstractStage III recovery in niobium, cold‐worked at room temperature, is investigated by means of electrical resistivity measurements. The associated activation energy is found to be constant in the temperature range 80 to 180 °C and equal to 1.20 ± 0.04 eV. Furthermore, the results indicate that the recovery process can be described as a diffusion‐controlled bimolecular reaction which follows Waite kinetics. It is concluded that this recovery is caused by recombination of intrinsic point defects.On the basis of the presently available data the possibility of this recovery being caused by migration of vacancies to trapped interstitials cannot be excluded. In view, however, of the relatively small activation energy found for this stage, and of the direct analogy with stage III recovery in the f.c.c. metals, it is tentatively proposed that stage III recovery in b.c.c. metals is due to interstitial migration to vacancies.
Über die irreduziblen Darstellungen der Raumgruppen und die Strahldarstellungen der kristallographischen Punktgruppen
Authors: Kitz A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Verfahren beschrieben, wie man aus den Strahldarstellungen der kristallographischen Punktgruppen die irreduziblen Darstellungen der Raumgruppen findet. Diese Methode läßt sich ebenso auf die doppelten Raumgruppen anwenden. Da man hierbei die Strahldarstellungen der doppelten kristallographischen Punktgruppen braucht, werden sämtliche voneinander verschiedene Strahldarstellungen dieser Gruppen aufgestellt.
Die Erholung des elektrischen Widerstandes in abgeschrecktem Kupfer
Authors: Ramsteiner F. , Lampert G. , Seeger A. , Schüle W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird das Ausheilen des elektrischen Widerstandes in abgeschrecktem Kupfer untersucht, wobei je eine Erholungsstufe im Bereich 0 bis 100 °C und 100 bis 200 °C gefunden wird. Die obere Stufe wird durch die Wanderung der Einfachleerstellen erklärt, wobei sich (in Einklang mit Selbstdiffusions‐ und Hochtemperaturdaten) als Aktivierungsenergie der Wanderung W1 = 1,06 eV ergibt. Die untere Stufe kann als Ausheilen von Doppelleerstellen, die mit Einfachleerstellen im lokalen Gleichgewicht stehen, gedeutet werden. Als Wanderungs‐ und Bindungsenergie der Doppelleerstellen werden W2 = 0,67 eV bzw. B2 = 0,12 eV gefunden. Der Einfluß der Vorbehandlung und des Reinheitsgrades der Proben auf das Erholungsverhalten wird untersucht und diskutiert.
Long‐Range Elastic Field of Semi‐Infinite Dislocation Dipole and of Dislocation Jog
Authors: Kroupa F. 
Published: July 2007

AbstractExpressions are given for the displacement field and the dilatation stress of a semi‐infinite dipole of infinitesimal width. This corresponds to a long‐range approximation for a dipole of finite width terminated within the crystal. The expressions also apply to a jog in a dislocation. Apart from these angular dependence, the displacement field decreases with distance as r−1 and the stress field as r−2.