bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Zur radiochemischen Bestimmung von Aktivierungsenergien und zum Einfluß grenzflächenaktiver Stoffe auf den Stoffübergang beim SrSO4 (I)
Authors: Winzer A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Kinetik des Stoffübergangs an gealtertem SrSO4 in Abhängigkeit von der Temperatur und den daraus nach der Arrhenius‐Gleichung berechneten Aktivierungsenergien für die Phasengrenzflächenprozesse berichtet. Die gemessenen Aktivierungsenergien sind stark vom jeweiligen Temperaturbereich abhängig. Die im Temperaturbereich < 25°C gemessenen Aktivierungsenergien von 47,3–61,1 kJ mol−1 werden mit der Desolvatation der Ionen in Beziehung gebracht. Bei Temperaturen > 25°C liegen die ermittelten Aktivierungsenergien bei 21,7–24,7 kJ mol−1, die möglicherweise aus dem Einbau der Ionen in das Kristallgitter resultieren. – Grenzflächenaktive Stoffe vom Typ der langkettigen Alkyl‐ bzw. Alkylarylsulfonate sowie die entsprechenden Alkylsulfate vermindern die Geschwindigkeit des Stoffübergangs an der Phasengrenzfläche des SrSO4.
Zum asymmetrischen Bragg‐Fall der Röntgenstrahlinterferenzen am Realkristall Besonderheiten als Folge der Extinktion und Möglichkeit zur röntgenografischen Charakterisierung des Versetzungsnetzwerkes
Authors: Stephan D. 
Published: July 2007

AbstractDer asymmetrische Bragg‐Fall der Röntgenstrahlinterferenzen am dicken Realkristall wird theoretisch an einem Schichtenmodell mit dynamisch beugenden Mosaikblöcken behandelt. Mit dieser Theorie läßt sich die von der kinematischen Formel abweichende experimentelle Abhängigkeit des integralen Reflexionsvermögens Ri vom Asymmetriewinkel α verstehen, und zwar als Folge der Extinktions‐ und Absorptionsvorgänge im Mosaikkristall. Damit werden die bei Mathieson und in älteren Arbeiten zur Erklärung des experimentellen Ri(α) angenommenen, beachtlich dicken Oberflächenschichten oder ‐unebenheiten überflüssig, bzw. sie sind in Wirklichkeit wesentlich dünner. – Auf der Grundlage der skizzierten Theorie ist über absolute Ri(α)‐Meßwerte eines Kristalls die Bestimmung spezieller (modellabhängiger) Kenngrößen des Versetzungsnetzwerkes möglich.
Zur Bedeutung radialer und axialer Temperaturgradienten für die Spannungen in Kristallen
Authors: Geil W. , Schmugge K. 
Published: July 2007

AbstractBei der Züchtung von Einkristallen aus der Schmelze nach der Czochralski‐ und auch tiegelfreien Floatmethode kommen im Kristall thermische Spannungen vor, die durch die Existenz axialer und radialer Temperaturgradienten bedingt sind. Für die Züchtung versetzungsfreier Einkristalle haben die thermischen Spannungen dann Bedeutung, wenn eine der vom Gleitsystem abhängigen Schubspannungen τ den kritischen Wert τkrit überschreitet. Unter der Voraussetzung, daß der Kristall isotrop ist, zylinderförmige Geometrie besitzt und bei seiner Züchtung radial parabolische Temperaturfelder und axial lineare Temperaturfelder wirksam sind, werden mit Hilfe der Elastizitätstheorie allgemeine Gleichungen der Spannungskomponenten für den zylindersymmetrischen Fall abgeleitet. Die Berechnung der Beträge der Spannungskomponenten in einigen Gleitsystemen bei <111>‐ und <001>‐Orientierung ermöglicht den Vergleich der aus dem radialen Temperaturgradienten resultierenden Spannungen mit denjenigen, die durch den axialen Temperaturgradienten bedingt sind. Zur Anwendung der erarbeiteten theoretischen Ergebnisse ist das Halbleitermaterial Silizium geeignet. Für die Züchtung versetzungsfreier Siliziumeinkristalle sind deshalb detaillierte Kriterien formulierbar. Ohne die Anwendung von Maßnahmen, die eine Verringerung der Temperaturgradienten hervorrufen, ergibt sich, daß die aus dem axialen Temperaturgradienten resultierenden Spannungen immer größer sind als diejenigen, die der radiale Temperaturgradient verursacht. Es ergibt sich außerdem, daß die günstigeren Bedingungen des versetzungsfreien Wachstums bei einer <001>‐Orientierung gegenüber der <111>‐Orientierung auftreten.
Etching studies on {100} faces of MgO crystals in H3PO4 acids
Authors: Sangwal K. , Patel T. C. 
Published: July 2007

AbstractThe effect of temperature (20–100°C) and concentration of H3PO4 etching solutions on the etching behaviour of {100} faces of MgO crystals in investigated. It is observed that the formation of etch pits and pyramids and the values of dissolution rate depend on the etching conditions. The density of the pyramids in 33.08 N H3PO4 solution was found to be maximum at 20°C. From the plots of logarithm of dissolution rate versus inverse of absolute temperature, the values of activation energy and pre‐exponential factor for the dissolution process are computed. It is found that for H3PO4 concentrations upto 22.05 N the value of the activation energy remains constant but that of pre‐exponential factor increases with acid concentration. At higher concentrations, the activation energy decreases. The results are systematically described and discussed.
Brown colour of ruby
Authors: Kvapil Jiří , Kvapil Josef , Perner B. 
Published: July 2007

AbstractThe defects characteristic of brown pure ruby crystals coloured by specific growth conditions, annealing and irradiation are described. The comparsion of UV‐ and X‐rayed crystals is given. Brown or yellow colour is attributed to the O− centre which is formed by the electron transfer from O2−.
Formation of Z1 centers in KCI crystals doped with alkaline earth ions under X‐irradiation
Authors: Berg K.‐J. , Fröhlich F. 
Published: July 2007

AbstractOn the basis of systematic investigations of the shape of the absorption resulting from a superposition of F‐ and Z1 bands it is shown that during X‐irradiation at RT in KCI crystals doped with alkaline earth ions F centers and Z1 centers are formed. After an incubation time the ratio of the corresponding concentrations is constant. This is related to a dynamic equilibrium between the F → Z1 conversion and the destruction of Z1 centers. A formation mechanism for Z1 centers is proposed analogously to the well known mechanism for the M center formation under the influence of ionizing radiation.
EPR investigations of solid solutions of TSCC and TSCB doped with Mn2+
Authors: van Treeck E. , Windsch W. 
Published: July 2007

AbstractEPR investigations of Mn2+‐doped solid solutions of TSCC and TSCB were performed between 4.2 K and 300 K. The Curie temperature vs. molar fraction of bromide x is nonlinear, for x ≧ 0,75 no ferroelectric EPR‐line splitting occurs. The relation between the line widths and the molar fraction of bromide is discussed by means of a simple statistical model.
Molecular polarizabilities and optical properties of fluorene crystal
Authors: Rohleder J. W. 
Published: July 2007

AbstractBasing on polarizabilities of fluorene molecule, derived from refractive indices of the crystal, the temperature dependence of birefringence for (010) crystal plates has been discussed. It was shown that two factors contribute in the overall effect: change of density of the crystal due to thermal expansion, and a change of orientation of molecular LMN axes.
Strukturdefekte in GaP/GaAs‐Heteroepitaxieschichten
Authors: Wagner G. , Kühn G. , Pasemann M. 
Published: July 2007

AbstractMit Hilfe von Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und chemischer Ätztechnik wurden auf (111)‐GaAs‐Substraten gewachsene GaP‐Schichten untersucht. Die epitaktische Abscheidung erfolgte durch chemische Transportreaktion mit Wasserdampf als Transportmittel. Die GaP‐Schichten besitzen eine große Zahl von Versetzungen, Stapelfehlern, Korngrenzen und Mikrozwillingslamellen. Die Dichte dieser Defekte verringert sich mit steigender Schichtdicke. Die Entstehung der Baufehler, besonders die der Mikrozwillingslamellen, wird mit mechanischen Verspannungen in der Epitaxieschicht in Zusammenhang gebracht. Diese resultieren aus der unterschiedlichen Temperaturabhängigkeit der Gitterkonstanten von Schicht und Substrat und aus der Fehlpassung.
On the profile of X‐ray diffraction lines in GUINIER powder diagrams
Authors: Fichtner‐Schmittler H. , Menz M.‐L. 
Published: July 2007

AbstractStructure research or quantitative phase analysis on the basis of X‐ray powder data often require a knowledge of the profile of diffraction peaks. From an experimental investigation of interference lines obtained with a Jagodzinski‐type Guinier camera a satisfactory description of the profiles and the angular dependence of half‐widths have been derived. The empirical functions obtained are compared with those used by other authors.
Strukturprinzipien von Molekülkristallen
Authors: Höhne E. 
Published: July 2007

AbstractEs werden verschiedene Strukturtypen von Molekülkristallen behandelt, in Abhängigkeit a) von der Anzahl gleicher oder unterschiedlicher Moleküle als Baueinheit in der asymmetrischen Einheit der Elementarzelle, b) von der Kristallisation mit oder ohne Lösungsmittel (Partnermolekül) und c) von der Art der intermolekularen Verknüpfung der Moleküle im Kristallverband.
Epitaktisches Schichtwachstum
Authors: Aleksandrov L. N. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die grundlegenden Methoden sowie thermodynamische und kinetische Parameter des epitaktischen Wachstums betrachtet. Auf der Basis einer Analyse von theoretischen und experimentellen Ergebnissen wird der Zusammenhang zwischen Wachstumsmechanismen und struktureller Perfektion der Schichten sowie der Einfluß äußerer Bedingungen auf die Realisierung der Epitaxie diskutiert. Es wird auf den Einfluß der Chemisorption von Atomen des transportierenden Stoffes oder von Restgasmolekülen im Vakuum hingewiesen. Die daraus folgenden Konsequenzen für die Erhöhung der Schichthomogenität und der Beseitigung der Übergangsgebiete Schicht‐Substrat werden aufgezeigt.
Die Kinetik der Massenkristallisation (IV). Periodische Kristallisation unter technologischen Bedingungen
Authors: Todes O. M. , Lugčenko A. K. 
Published: July 2007

AbstractEine theoretische Analyse zeigt, daß sich bei periodischer Massenkristallisation auf der Grundlage natürlicher Keime die Kinetik und die maximale Übersättigung aus dem Verhältnis zwischen der charakteristischen Zeit der Herausbildung einer Übersättigung und der charakteristischen Zeit des diffusionsbegrenzten Wachstums der Kristalle bis zur endgültigen Größe ergeben. – Im Abschnitt 1 wird der Fall der Kristallisation bei konstanter Wassermenge betrachtet. Im Abschnitt 2 wird gezeigt, daß infolge der großen Wärmekapazität des Lösungsmittels Wasser die Kinetik des Prozesses nur schwach von der frei werdenden Kristallisationswärme abhängt. Im Abschnitt 3 wird ein Schema für die Berechnung einfacher Fälle isothermer Kristallisation durch Verdampfen des Lösungsmittels unter Vakuum gegeben.
Optimierung von Kristallisationsparametern beim Zonenschmelzen aus Temperatur‐Feld‐Berechnungen
Authors: Schikora D. , Schäfer P. , Erben N. 
Published: July 2007

AbstractDie Temperaturverteilung in Kristall während des Wachstumsvorganges bestimmt weitestgehend die Kristallperfektion und hängt in erster Linie von „äußeren”︁ Bedingungen ab: Von der Art und der Geometrie der Heizanordnung sowie der Umgebung des Kristalls („Atmosphäre”︁, Tiegel, Zieh‐ bzw. Halterstangen etc.). – Es wird ein mathematisches Modell vorgestellt, mit dem es möglich ist, die Temperaturverteilung im Kristall aus diesen „äußeren”︁ Bedingungen zu berechnen. Anhand einer Züchtungsanordnung für vertikales Zonenlevelling wird die Leistungsfähigkeit des theoretischen Modells diskutiert und bewertet. Für die Züchtung von Einkristallen des Mischkristallsystems Bi1−xSbx durch vertikales Zonenlevelling werden unter Anwendung des mathematischen Modells wichtige Kristallisationsparameter optimiert.
Ein Beitrag zur modellmäßigen Beschreibung des Dotanteneinbaus bei der einkristallinen Siliziumabscheidung aus der Gasphase
Authors: Kühne H. 
Published: July 2007

AbstractDer Dotanteneinbau in die wachsende Siliziumepitaxieschicht wird unter gleichrangiger Beachtung der die Dotanteneinbaurate bestimmenden Transportvorgänge und der die Einbaukonzentration bestimmenden Gleichgewichtsbeziehungen betrachtet, wobei für extreme Schichtwachstumsbedingungen die Begrenzung des Dotantenzustroms auf die Einbaukonzentration Einfluß nimmt. Durch Diskussion der Ergebnisse von BLOEM, GILING, GRAEF für das Silan–Phosphin‐System wird gezeigt, daß diese mit den Vorstellungen von RAI‐CHOUDHURY, SALKOVITZ in Übereinstimmung gebracht werden können, wonach die Einbaukonzentration im Gleichgewicht zum effektiven Dampfmolekül des Dotantenelementes steht.
Einfluß der Abkühlungsgeschwindigkeit auf die Struktur hochschmelzender Übergangsmetalle und ihrer Legierungen
Authors: Savitsky E. M. , Jefimov Ju. V. , Müller P. , Muchin G. G. , Revjakin A. V. , Frolova T. M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Überblick über das Gebiet der Schnellabkühlung aus dem schmelzflüssigen Zustand gegeben, wobei insbesondere das Verhalten von hochschmelzenden Übergangsmetallen und ihren Legierungen untersucht wird. An Hand einer vorgeschlagenen Systematisierung des Spektrums der Abkühlgeschwindigkeiten werden die erzielbaren Effekte hinsichtlich der Strukturbeeinflussung diskutiert.
Crystallo‐optical properties of the SmxTb1−xFeO3 orthoferrites
Authors: Sirota N. N. , Lomako I. D. 
Published: July 2007

AbstractThe paper reports the results of X‐ray diffraction studies as well as the angular dependences of rotation of the plane of polarization and birefringes of the SmxTb1−xFeO3 crystals (x = 0; 0.2; 0.4; 0.55; 0.8; 1). The polar diagrams presented for the plane (001) have the symmetry mm2, while for (110), the symmetry lowers up to the axis of a second order. The gyrotropic measurements made have allowed us to refer the SmxTb1−xFeO3 to a planar class of an orthorhombic crystal system with the space group C2v9–Pn2a, class mm2. – The magnitude of birefringence for the SmxTb1−xFeO3 is found to be sensitive both to a crystallographic direction and a composition, the greatest values stand for (110). For (001), a non‐monotonous birefringence variation with the composition is observed. The angles between optic axes, calculated by the birefringence magnitudes, are in fair agreement with gyrotropic data for the compositions x = 0.55 – 1.
LPE growth rate calculations
Authors: Malinin A. Ju. , Nevsky O. B. , Khrjapov V. T. , Minadjinov M. S. 
Published: July 2007

AbstractThe expressions for LPE growth rate calculations are developed on the basis of the steadystate growth model assuming the nucleation at the second interface and in the volume of the solution. The solution layer thickness can be calculated at which the LPE growth rate reaches maximum for any solution cooling rate. The interface and volume nucleation parameters, critical supersaturation and supercooling of the solution have been determined from experimental GaP LPE data within temperature range 800 – 1030°C. Calculated growth rates fit very closely with experimental rates of GaP LPE growth.
Die Änderung der Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinum‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodid durch Einlagerung von Wasser
Authors: Reck G. , Bannier G. , Höhne E. 
Published: July 2007

AbstractN‐Methyl‐piperidinium‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodid kristallisiert aus wäßriger Lösung in der Raumgruppe Pna21 mit 4 Formeleinheiten C14H20N2OClJ und 4 H2O‐Molekülen in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 12,413 Å, b = 19,798 Å und c = 6,919 Å. Mit Hilfe der Röntgenkristallstrukturanalyse wurden insbesondere die Änderungen der Molekülkonformation untersucht, die durch die Einlagerung von Wasser in die Kristallstruktur verursacht wurden.
Dielectric anomaly in copper doped zinc sulphide
Authors: Grus M. , Horodecki A. J. , Jankowska A. 
Published: July 2007

AbstractUnusually high values of dielectric constant of copper doped zinc sulphide powders have been obtained. They are discussed in terms of polarization catastrophe (PC) phenomenon. Because of the dependence both the hydrogen‐like donor and effective mass approximation on the static dielectric constant of pure ZnS, the critical concentration of copper is lower for the hexagonal phase than for cubic one. This fact applied to the interpretation of our results, however, is heavily suppressed due to the unknown distribution of copper inside the crystallite. From the above reasons the strong dependence of the PC threshold on the real structure of the doped zinc sulphide is predicted.
Anwendung der Riemannschen Integrationsmethode auf Beugungsprobleme in Blochwellendarstellung
Authors: Scheerschmidt K. , Carl S. 
Published: July 2007

AbstractEine Transformation der Anregungsstärken der Blochwellen in der Formulierung des Elektronenbeugungskontrastes ohne Säulenapproximation ermöglicht die Anwendung der Riemannschen Integrationsmethode im Zweistrahlfall. Durch Präzisierung der Anfangsbedingungen und geeignete Wahl der Transformationskoeffizienten wird erreicht, daß die transformierten Anregungsstärken im ungestörten Kristall konstant sind.
Näherungsverfahren für die Integraldarstellung von Beugungsintensitäten gestörter Kristalle
Authors: Carl S. , Scheerschmidt K. 
Published: July 2007

AbstractFür die Berechnung des elektronenmikroskopischen Beugungskontrastes ohne Säulenapproximation wird eine Näherung in Form einer Störungsrechnung vorgeschlagen. Durch Anwendung auf den Zweistrahlfall ergeben sich für die Amplituden der gebeugten Wellen Integraldarstellungen.
Formation of crystalline phases by means of solid state reactions at the base of vitreous industrial slags
Authors: Andrehs G. , Blossfeld R. , Böhme O. , Sachsenröder W. , Schreiter P. 
Published: July 2007

AbstractIn comparison with the solid state synthesis from the oxide components melilites are formed from vitreous materials with added oxides at lower temperatures and with higher velocity of reaction resulting in larger and more idiomorphic crystals. The crystallization mechanism of the applied vitreous materials is important for the course of the formation of the texture during sintering depending on their chemical composition. In copper slag with polyphase composition the melilite forming reaction starts during the crystallization of pyroxene using the newly relased relictic glass phase in statu nascendi. Lateron, at higher temperatures the pyroxene also reacts with other components to form melilite. In phosphor furnace slag with stoichiometric composition the polymorphic transformation of calcium silicate (CS) is important for the formation of melilite. The change of the glass structure during the nucleation of wollastonite is the process initiating the reaction. Later at higher temperatures the polymorphic transformation of metastable pseudowollastonite accelerates the formation of melilite. It could be proved that the excess of free energy in glasses speeds up crystal forming reactions with admixture components in sintering processes. The mechanism of structural and phase change processes is reflected in the temperature dependence of reaction velocity.
Experimental studies and theoretical calculations of partition coefficients of isovalent impurities in lithium chloride
Authors: Kravchuk I. F. , Urusov V. S. 
Published: July 2007

AbstractUsing the method of directed crystallization, partition coefficients have been determined for sodium, potassium, rubidium, cesium and silver in lithium chloride. A theoretical calculation of impurity partition coefficients has been made for the systems investigated with due regard for excess functions of mixing in solid solutions and melts. In the LiCl–Cs system, an abrupt jump of the CsCl partition coefficient has been detected in the range of very low CsCl concentrations in the melt. This effect is explained by the interaction of the cesium umpurity with the cation vacancies.
Theoretical calculation of partition coefficients of isovalent impurities with due regard for excess entropy of mixing in the solid solution and the melt
Authors: Kravchuk I. F. , Urusov V. S. 
Published: July 2007

AbstractIn analogy with solid solutions, it was found that there is a linear dependence between the magnitude of the enthalpy and excess entropy of mixing in melts which leads to the appearance of a compensation effect in the free excess energy of mixing. Using the derived correlations and on the basis of thermochemical values of enthalpies for the mixing of binary melts, excess entropies of mixing have been evaluated, for most of which experimental values are absent. Partition coefficients for more than 60 impurities during crystallization of alkali halogenides have been determined using an improved method with due regard for heats and excess entropies of mixing in solid solutions and melts. Theoretical values of partition coefficients are compared with experimental ones for which complete summary of determining partition coefficients by various methods is given.
Applicability of multiple angle of incidence ellipsometry (MAI). Measurements to GaAs anodic oxide and GaP anodic oxide systems at the wavelength 632.8 nm
Authors: Löschke K. , Baumgarten J. 
Published: July 2007

AbstractUsefulness of MAI in practical studies of unknown optical systems is controversial in literature. In the present paper it is shown that the simple cross correlation test by IBRAHIM and BASHARA with a modified correlation criterion provides a sure information on the feasibility of MAI calculations. Its application to GaAs and GaP anodic oxide systems shows that in the thickness range 0 to 2500 Å two distinct areas exist in the cases of the two materials in which the combination of the five parameters of the one‐film system enables a successful and optimal use of MAI calculations. However, all five parameters are not unreservedly calculable. Therefore, we propose a method of a stepwise variation of the fixed thickness in the range of the true value for solving the five parameter problem.An examination of the MAI solutions with experimental data is given.
Precision lattice parameter measurements of VPE‐GaP‐epitaxial layers by the „Umweganregung”︁ method
Authors: Brühl H.‐G. 
Published: July 2007

AbstractThe „Umweganregung”︁ technique according to a method described by SPOONER and WILSON was used for the accurate measurement of lattice parameters of (100) slice of VPE‐grown layers of gallium phosphide. The method relies on the selection of an appropriate reflection which produces a pseudo‐point of triple diffraction. The result shows that lattice parameters can be determined rapidly and simply to the magnitude of 10−5 Å.
Structural and electrical properties of CuGaSe2 thin films on GaAs substrates
Authors: Schumann B. , Tempel A. , Kühn G. , Neumann H. , Yan Nam Nguyen , Hänsel T. 
Published: July 2007

AbstractCuGaSe2 thin films with thicknesses in the range of 0.1 μm were deposited onto semiinsulating (111) A‐oriented GaAs substrates by flash evaporation under controlled growth conditions. Epitaxial growth begins at a substrate temperature of Tsub = 835 K. Besides the chalcopyrite phase a hexagonal modification was observed in the range Tsub = 835 to 855 K. At Tsub ≧ 860 K the films have sphalerite structure. All epitaxial films were p‐type conducting. Two acceptor levels with ionization energies of about 150 meV and 550 meV, respectively, were obtained from an analysis of electrical and photoluminescence measurements.
Capture centres in yttrium‐aluminium borate crystals
Authors: Sergeev V. M. , Leonyuk N. I. 
Published: July 2007

AbstractThe present work is a pioneer study of the capture centres of charge carriers in yttriumaluminium borate crystals. An evaluation was made for the activation energies of the trapping centres and their frequency factors. The highest thermally stable trapping centres were shown to be characterized not so much by relatively high activation energy values, but rather high frequency factors exceeding the values of the natural frequencies of atom oscillations. On the basis of experimental results, models were suggested for some electron capture centres to reveal donor elements.