bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Versetzungsinduzierte Brechzahlinhomogenitäten
Authors: Alter U. , Melle W. , Meyer K. , Töpfer R. 
Published: July 2007

AbstractBrechzahlinhomogenitäten beeinflussen entscheidend die Leistungsfähigkeit von Bauteilen für die Hochleistungsoptik. Die vorliegende Arbeit untersucht die Variation des Brechungsindex, die durch Kristallbaufehler, insbesondere durch Versetzungen induziert werden. Es wurden auf der Basis der Resultate für kubische Kristalle von Nikitenko und Dedukh Gleichungen abgeleitet, die die Berechnung der Inhomogenitäten, die durch eine Versetzung im allgemeinen anisotropen Kristall hervorgerufen werden. gestattet. Eine numerische Auswertung der Theorie wurde für real auftretende Versetzungen in ADP, KDP und α‐Quarz vorgenommen.
Bestimmung der Pinhole‐Dichte von Isolatorschichten durch chemisches Ätzen (I). Das System Silizium‐Siliziumdioxid
Authors: Thiemt K. , Kaltofen R. 
Published: July 2007

AbstractMit Hilfe einer Mischung aus Äthylendiamin, Brenzkatechin und Wasser, eines Strukturätzmittels für Silizium, wurde die Zahl der Pinholes in Siliziumdioxidfilmen, die durch thermische Oxydation und HF‐Sputtering erzeugt wurden, bestimmt. Es werden Ätzgeschwindigkeiten für (111) orientiertes Silizium und SiO2‐Schichten angegeben.
Automatische Intensitätsoptimierung bei der Röntgentopographie
Authors: Keppler U. , Meier M. , Neifeind A. 
Published: July 2007

AbstractZur routinemäßigen Untersuchung von Kristallbaufehlern in Halbleiterscheiben erwies sich die bisher verwendete Scanning‐Oscillating‐Technik als unzureichend. Im folgenden Beitrag wird eine elektronische Justiervorrichtung beschrieben, die während der gesamten Translation der Halbleiterscheibe eine optimale Intensität gewährleistet. Dadurch läßt sich die Belichtungszeit wesentlich verkürzen.
Herstellung und Zurichtung von MgAl‐Spinell‐Substraten für die Halbleiterepitaxie
Authors: Richter F. , Herberger J. , Fiedler O. , Scheit U. 
Published: July 2007

AbstractEs werden einige Verfahren zur Herstellung von einkristallinen MgAl‐Spinell‐Substraten für die Halbleiterepitaxie verglichen. Diese Verfahren unterscheiden sich hinsichtlich des Einsatzes verschiedener Orientierungs‐, Trenn‐, Schleif‐, Läpp‐ und Poliermethoden. Die gestörte Oberflächenschicht, die infolge der mechanischen Bearbeitung entsteht, wird mit Reflexionselektronenbeugung und chemischer Ätzung charakterisiert. Die Abtragung der gestörten Oberflächenschicht durch Ionenätzung führt jedoch im Gegensatz zur chemischen Ätzung wiederum auf eine zwar dünnere, aber durch den Ionenbeschuß beeinträchtigte Oberflächenschicht.
Zur Morphologie von InAs‐Kristallnadeln aus der Gasphase
Authors: Seidowski E. , Klimkiv A. V. , Bleeck P. 
Published: July 2007

AbstractDie vorliegende Arbeit befaßt sich mit der Morphologie von InAs‐Kristallnadeln, die aus der Gasphase gezüchtet wurden. Es wird festgestellt, daß die [111]‐Richtung Hauptwachstumsrichtung der erhaltenen InAs‐Kristallnadeln ist. Hauptwachstumsformen sind trigonale und hexagonale Nadeln mit gut ausgebildeten Begrenzungsflächen. Im Unterschied zu den Kristallnadeln wachsen die bandförmigen Kristalle vorwiegend in [211]‐Richtung und besitzen eine {111}‐Zwillingsebene.
The crystallisation of alkaline‐earth metal molybdates and tungstates from lithium chloride melts by continuous cooling. Nucleation mechanism and kinetics and induction periods
Authors: Packter A. , Roy B. N. 
Published: July 2007

AbstractCalcium, strontium and barium molybdate (and tungstate) solutions in lithium chloride melts were crystallised in alumina and in platinum crucibles; saturated solutions were cooled from initial temperatures 700° to 800°C down to room temperature at cooling rates 40° to 200°C hr−1. The nucleation and early crystal growth were investigated by chemical and differential thermal analysis and by optical microscopy studies. Crystallisation occurred through heterogeneous nucleation at low supersaturations. Heterogeneous nuclei formed slowly onto metal aluminate (and platinate) particles within the solution during induction periods from < 0.2 to 14 hr. The main growth surge then started and few new nuclei were formed.The nucleation probably terminated at times just after the times for maximum rate of formation of nuclei. Then, at any temperature, the induction periods (t) varied inversely with cooling rate and with the rate (Rc) of development of excess solute concentration according to the relation,

The parameters k1 were related to the rate constants (kn) for the heterogeneous nucleation. These constants in turn probably dependend on the free energy for formation of critical heterogeneous nuclei and thence on some nucleator vs solute surface energy ‘wetting’ function. The k1 and kn values at any temperature decreased in the order

: they increased from 2 to 4 times for 100°C rise in temperature.
Eutectic crystallization of aluminium copper alloys (II). Influence of impurity elements
Authors: Yaneva S. , Budurov S. , Stoichev N. , Christova S. , Ionchev S. 
Published: July 2007

AbstractThe directional crystallization of eutectic Al–Cu alloys with Fe additions under molten salts has been studied. According to Tiller's theory the specific interphase boundary energy σαβ was estimated for eutectic Al–Cu alloys with three concentrations of additive. Values of σαβ depend on Fe‐concentration. Small additions of Fe modify the eutectic structure in two directions: a) enlargement of interlamellar spacings. b) formation of rod‐like structure.
Eine spektroskopische Methode zur Untersuchung des Anfangsstadiums der Metallschichtbildung auf Glas
Authors: Demme U. , Meyer K. , Tiller H.‐J. 
Published: July 2007

AbstractDie spektroskopische Messung der Wasserstoff‐Atomkonzentration in der positiven Säule einer Glimmentladung ermöglicht einen sehr einfachen Nachweis geringer Metallbelegungen (z. B. Nickel) auf oxidischen Oberflächen. – Die kinetische Auswertung der experimentellen Ergebnisse zeigt, daß sowohl die Geschwindigkeit der Bildung als auch der heterogenen Rekombination der Wasserstoffatome von der Nickelbelegung der Oberfläche abhängig sind. Aus den kinetischen Daten kann man Rückschlüsse auf den Verlauf und die Geschwindigkeit der Belegung der Glasoberfläche ziehen. Es läßt sich das experimentell schwer zugängliche Anfangsstadium der Schichtbildung erfassen. – Messungen des elektrischen Widerstandes zeigen die Inselstruktur der dünnen Nickelfilme. Aufgrund der Oberflächendiffusion der Wasserstoffatome besitzt ein solcher diskontinuierlicher Film die gleiche katalytische Aktivität für die Wasserstoff‐Atomrekombination wie eine geschlossene Schicht.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐ortho‐methyl‐anilid‐jodids
Authors: Reck G. 
Published: July 2007

AbstractDie Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐ortho‐methyl‐anilid‐jodids ist monoklin, Raumgruppe P21/c, mit vier Formeleinheiten C15H23N2OJ in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 7,119, b = 18,932, c = 12,592 Å und β = 105,77°. Da die Intensitäten der Röntgenreflexe mit einem automatischen Vierkreisdiffraktometer sehr genau gemessen werden konnten, war es möglich, auch die Positionen der Wasserstoffatome in dieser Schweratomstruktur, die ein Jodatom enthält, zu bestimmen. Der abschließende R‐Wert für aller 3157 Reflexe beträgt 0,042.
Über den Einfluß von Wachstumsfluktuationen auf den effektiven Verteilungskoeffizienten beim Zonenschmelzen
Authors: Duží P. , Barthel J. 
Published: July 2007

AbstractEs wird der Einfluß von thermisch bedingten Oszillationen und Fluktuationen der Erstarrungsgeschwindigkeit auf die Mikro‐ und Makroverteilung von Iridium in Molybdän beim Zonenschmelzen untersucht. Die Mikroverteilung stimmt für dieses System mit einem Gleichgewichtsverteilungskoeffizienten k0 < 1 mit der in früheren Untersuchungen gefundenen prinzipiell überein. Der mittlere effektive Verteilungskoeffizient als Maß der Makroverteilung verändert sich mit zunehmender Fluktuation stetig in Richtung auf den Wert eins, bleibt jedoch weiterhin von der Zonenschmelzgeschwindigkeit abhängig. Damit zeigt dieses System mit einem Gleichgewichtskoeffizienten k0 < 1 wesentliche Unterschiede zu dem früher untersuchten System W in Mo mit k0 > 1.
Investigations of the defect structure of CdS single crystals and explanation of the exciton lines shift
Authors: Auleytner J. , Bak J. , Razbirin B. S. , Makarenko I. W. 
Published: July 2007

AbstractIn this paper an influence of the defect structure of CdS crystal on the exciton line shift has been investigated. It was proved that the exciton line shift towards higher energies is connected with variations of the lattice constant caused by zinc impurities. CdS crystals after Zn ions implantation do not reveal the exciton line shift and only broadening of these lines occurs due to the strain field existing in crystal lattice.
LCAO HMO study of the binding energy of small clusters of lithium atoms
Authors: Bliznakov G. M. , Delineshev Sv. P. , Lazarov D. L. 
Published: July 2007

AbstractThe atom by atom growing of the energetically most favourable lithium clusters of 2 to 10 atoms was studied. The clusters had the structure of a body centered cubic lattice of lithium. The LCAO–HMO method was used for the energetic description of the clusters. It was assumed that there is an interaction of a given atom with its neighbours in the first six coordination spheres in the lithium lattice. All possible (two‐dimensional and three‐dimensional) positions of the n + 1st atom with respect to a cluster of n atoms were taken into account. It was shown that from 2 to 10 atoms the cluster grows twodimensionally and has the geometry of the lattice plane with the highest net density in the body centered cubic lattice of lithium, the 110 lattice plane. This was discussed in detail. It was shown that the bond energy per atom increases, whereas the energy of a bond between nearest neighbours decreases with increasing number of atoms in the cluster.
Effects of inertia of dislocations on the probability of unpinning by ultrasound
Authors: Azhazha Zh. S. , Landau A. I. 
Published: July 2007

AbstractThe paper is concerned with theoretical models of dislocation segments fixed at their ends to local obstacles of either the same or two different types. The dislocation inertial properties are shown to influence substantially the probability of unpinning from the local obstacles as the crystal is subjected to ultrasonic oscillations. The unpinning probability in the presence of oscillations can be much higher than that with a constant load of the same magnitude. In the case of two types of obstacles, the weaker can play a “provocative” role facilitating unpinning of dislocations from the stronger obstacles. The considered effects constitute admittedly one of microscopic mechanisms of the plasticizing and “softening” action of ultrasound.
Ein Dielektrizitätskonstanten‐Meßplatz zur Untersuchung optischer Kristalle im Mikrowellenbereich
Authors: Wehrsdorfer E. , Thiel W. , Karthe W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Meßplatz zur Dielektrizitätskonstantenmessung nach dem Resonanzverfahren bei f = 10 GHz beschrieben. Auswerteformeln sowie Grenzen der Meßmethode werden angegeben. Anschließend werden die Meßwerte von ϵ′ und ϵ″ verschieden behandelter optischer Kristalle angegeben.
Untersuchungen an Kupfer‐Einkristall‐Sintermodellen
Authors: Schatt W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Herstellung und Auswertung von Platte‐Kugel‐Einkristallmodellen aus Reinstkupfer behandelt und eine Übersicht von bisherigen Untersuchungsergebnissen zum Einfluß der Kristallanisotropie sowie einer erhöhten Versetzungsdichte auf den Materialtransport im Sinteranfangsstadium gegeben. Es wird gezeigt, wie durch eine zweckentsprechende Verfeinerung der Modelle neue Informationen zum Sintergeschehen gewonnen werden können.
Zur Bestimmung der Konzentration von Leerstellen und Versetzungen plastisch deformierter Metalle mittels Positronenannihilation
Authors: Dlubek G. , Brümmer O. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Anwendung der Positronenannihilation zur Bestimmung der Konzentration von Kristalldefekten beschrieben und ein Modell zur Bestimmung von Defektkonzentrationen bei Anwesenheit mehrerer Defektarten angegeben, das auf einer stufenweisen Ausheilung jeweils einer Defektart beruht. Aus Winkelkorrelationsmessungen an kaltgewalzten und getempertem Pd wurde geschlußfolgert, daß sich Versetzungen und Leerstellen im Experiment unterscheiden lassen. Unter Benutzung einer Größe von μ = 2 · 1015 s−1 für die spezifische Positroneneinfangrate führen die Ergebnisse für 7,5% Dickenreduktion zu einer Versetzungsdichte und Leerstellenkonzentration in der erwarteten Größenordnung. Eine Untersuchung der Änderung der Gestalt der Winkelkorrelationskurve nach plastischer Deformation zeigt, daß die Verschmalerung der Winkelkorrelationskurve verursacht wird sowohl durch die Abnahme der Intensität als auch der Breite des gaußförmigen Teiles, welcher von der Annihilation mit an den Ionenrümpfen gebundenen Elektronen herrührt.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐para‐brom‐anilid‐jodid
Authors: Reck G. , Bannier G. 
Published: July 2007

AbstractN‐Methyl‐piperidinium‐acet‐para‐brom‐anilid‐jodid kristallisiert in der triklinen Raumgruppe P 1 mit zwei Formeleinheiten C14H20N2OBrJ und zwei H2O‐Molekülen in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 8,950 Å, b = 14,721 Å, c = 7,440 Å, α = 80,19°, β = 112,57° und γ = 106,82°. Mit Hilfe der Röntgenkristallstrukturanalyse wurden die Molekülstruktur der Verbindung bestimmt und die Wechselwirkungen zwischen den Molekülen im Kristall erforscht. Insbesondere wurde der Einfluß des im Kristall eingelagerten Wassers auf die Molekülgestalt untersucht.
Erhöhung der technischen Festigkeit durch Eigenspannungen
Authors: Hieke M. 
Published: July 2007

AbstractAuf der Suche nach Möglichkeiten, die technische Festigkeit fester Stoffe zu steigern, wird eine in der Erzeugung kugelförmiger Einschlüsse innerhalb eines Kontinuums gesehen. Die Kugelförmigen Bezirke werden durch Ausscheidung einer Komponente aus der Lösung hervorgebracht. Das Gitter in den Kugeln, die im umgebenden Medium eingebettet sind, ist als Ausnahmegitter ausgebildet.
Zur Lumineszenz von Zinksiliziumphosphid
Authors: Becherer H. , Liebscher H.‐H. , Schneider H. A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Kathodolumineszenzuntersuchungen an nach unterschiedlichen Verfahren hergestellten ZnSiP2‐Einkristallen berichtet. Die in den einzelnen Proben erregte Lumineszenz zeigte beträchtliche Unterschiede in Intensität und spektraler Verteilung. Die Ursache für diese Unterschiede liegt offensichtlich im unkontrollierten Einbau möglicher Rekombinationszentren während des Kristallwachstums. Bei den Kristallen aus den Herstellungsverfahren „Gasphasetransport mit ZnCl2”︁ und „Kristallisation aus Zinn‐ bzw. Zinkschmelzen”︁ wurde jeweils ein für das Herstellungsverfahren typisches Linienspektrum gefunden. Diese Kopplung zwischen speziellen Linienspektren und Kristallzüchtungsverfahren wird auf die Beteiligung von Eigendefekten an den Rekombinationsprozessen zurückgeführt. Der Nachweis von durch Zugabe zur Schmelze erfolgten Dotierungen mittels Lumineszenzmessungen wird am Beispiel der Elemente Se, Te, In und Ga diskutiert.
The association energy of aggregates of divalent impurities and vacancies in NaCl‐type crystals (point charge approximation)
Authors: Berg G. , Fröhlich F. , Siebenhüner S. 
Published: July 2007

AbstractThe formation and association energies for the different aggregates of divalent metal impurities and cation vacancies are derived by considerations of the sums over all lattice vectors. This gives a simple formula in the point charge approximation if an infinite lattice is assumed. Because of the neglection of the polarization of the ions this method yields a higher value for these energies, as a comparison with the literature for the case of dipoles shows. But nevertheless it is a first possibility for a correct estimation of these energies also for higher aggregates.
Änderung der Polarisation und der Intensität des Lichtes beim Durchgang durch eine Elliptisch Doppelbrechende Platte
Authors: Schamburov V. A. , Romanova N. F. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein allgemeines Gesetz der Veränderung der Polarisation des Lichtes durch eine elliptisch doppelbrechende Platte bei deren Drehung um die Normale analytisch ermittelt und zeichnerisch durch eine Kurvenschar auf der Poincaré‐Kugel dargestellt. Analog dazu wird die Veränderung der Polarisation des Lichtes durch eine feststehende Platte bei Drehung der Polaristionsebene des einfallenden Lichtes untersucht.Es werden allgemeine Abhängigkeiten der Lichtdurchlässigkeit einer elliptisch doppelbrechenden Platte mit Analysator von ihrem Drehwinkel und vom Drehwinkel der Polarisationsellipse des einfallenden Lichtes festgestellt und durch Kurvenscharen dargestellt. Eine Erklärung des Aufbaus eines gewöhnlichen konoskopischen Bildes wird gegeben, das durch eine senkrecht zu ihrer optischen Achse geschnittenen Quarzplatte entsteht, sowie die Entstehung der Bilder mit Airy'schen Doppelspiralen erklärt. Gleichzeitig werden Methoden zur Untersuchung und Beobachtung der Effekte vorgeschlagen, die mit einer Veränderung oder Entstehung der linearen oder zirkularen Komponente der elliptischen Doppelbrechung bei einer physikalischen Einwirkung auf die kristalline Platte zusammenhängen.
Regularities of plastic deformation in indentation on the (111) plane of NaCl single crystals
Authors: Boyarskaya Yu. S. , Shutova S. S. , Zhitaru R. P. 
Published: July 2007

AbstractDislocation structures arising in indentation on the (111) face of NaCl single crystals are studied by etch‐pit technique. The deformation temperature varied in the interval from 77 to 520 °K. The effect of radiation defects introduced by γ‐irradiation on the shape of dislocation rosette was investigated. Three types of dislocation rosettes depending on the experimental conditions were observed. A possible explanation of this phenomenon is proposed. It is shown that the polarity of plastic deformation observed under indentation is an universal phenomenon which is revealed in the temperature range from 77 to 470 °K. The phenomenon of dislocation rosette inversion was first observed.
Mechanische Eigenschaften von InAs‐Whiskern
Authors: Seidowski E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird gezeigt, daß die mechanische Festigkeit von InAs‐Whiskern stark vom Fremdstoffgehalt abhängig ist. Experimentell wird eine Abhängigkeit der Zugfestigkeit der InAs‐Whisker von der Größe ihres effektiven Durchmessers gefunden. Aus Spannungs‐Dehnungsdiagrammen werden die Elastizitätsmoduln der untersuchten Kristalle bestimmt.
Zur Realstruktur von hochdotierten Galliumarsenid‐Einkristallen
Authors: Schumann B. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über weitere Realstrukturuntersuchungen (Ätzen, Kathodolumineszenz u. a.) an hochdotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die Korrelation des Auftretens der Zellenstruktur und von Züchtungsparametern wird diskutiert.
Herstellung und kristallographische Eigenschaften von GaxIn1−xP‐Epitaxieschichten
Authors: Noack J. , Kies J. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Methode zur Herstellung von GaxIn1−xP‐Schichten durch Anwendung chemischer Transportreaktion unter Verwendung einer In, Ga‐Schmelze and InP als Quellen sowie HCl als Transportmittel beschrieben. Die x‐Abhängigkeit der Variationsbreite des Beugungwinkels wird als durch thermodynamische Eigenschaften des Systems InP‐GaP sowie des Abscheidungsvorganges begründet und als Inhomogenität im Sinne einer Abweichung vom Verhalten eines idealen Mischkristalls gedeutet.
Zur Abscheidung einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe aus der Gasphase (I)
Authors: Seidowski E. , Newiak S.‐O. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit werden die Möglichkeiten der Anwendung der chemischen Thermodynamik zur quantitativen Beschreibung chemischer Gasphasenabscheidungsprozesse von Halbleitern diskutiert. Einen wesentlichen Teil nimmt die Darlegung der Stellung der Thermodynamik in der Gasphasenhalbleitermetallurgie ein. Es wird ein Modell beschrieben, welches die Optimierung der Abscheidungsprozesse einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe ermöglicht. Dieses Modell wird unter praktischen Gesichtspunkten ausführlich am Beispiel der Abscheidung von Aluminiumphosphid im System AlPJAr erläutert. Durch Vergleich der errechneten optimalen Abscheidebedingungen mit den experimentellen wird die Möglichkeit und Notwendigkeit von Prozeßoptimierungen hervorgehoben.
Metastable regions of aqueous solutions of inorganic soluble salts
Authors: Söhnel O. 
Published: July 2007

AbstractBased on the nucleation conception of metastable zones in aqueous solutions of soluble salts and employing the thermodynamics, a relation was derived correlating the metastable zone width with physico‐chemical characteristics of the substance. The derived relation holds well for values, obtained when using an identical experimental method. The mean size of a “critical” salt nucleus corresponding to the method used was calculated from the correlation line. It is demonstrated that the relation can be used for those sets of data, which were obtained at approximately the same degree of mechanical stressing and solution purity.
Zur Existenz von mikroskopisch kleinen Hohlräumen in durch Massenkristallisation gewonnenen KCl‐ und NaCl‐ Kristallen
Authors: Vetter J. , Winzer A. , Emons H.‐H. 
Published: July 2007

AbstractDurch rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen wurden an KCl‐ und NaCl‐Kristallen vom Zentrum der Würfelflächen ausgehende Hohlräume gefunden und danach auch bei lichtmikroskopischen Betrachtungen als solche erkannt. Die KCl‐Kristalle wurden aus einer gesättigten Lösung sowohl durch Kühlungs‐ als auch durch Fällungskristallisation bei stetigem Rühren erhalten, während die NaCl‐Kristalle durch Fällungskristallisation mit organischen Lösungsmitteln gewonnen wurden.
The complex electron microscopic study of anodic aluminium oxide layers
Authors: Csanády Agnes , Szontagh E. , Romhányi K. 
Published: July 2007

AbstractThe authors have studied the structures of D.C. and A.C. layers prepared by the direct colouring anodic oxidation process, using horizontal decomposition perpendicular to the plane of the layer and vertical analysis of the layer cross‐section. This combined approach has enabled them to define the areas of application of each method of study and to interpret the results of the various oxidizing procedures more correctly.
Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si‐Einkristallen und ihre Deutung
Authors: Geil W. , Lebek A. , Schmugge K. 
Published: July 2007

AbstractDie Züchtung von 〈111〉 orientierten Si‐Einkristallen hoher struktureller Perfektion wird mit steigendem Kristalldurchmesser schwieriger. Deshalb ist für die Entwicklung geeigneter Züchtungsverfahren zur Herstellung versetzungsfreier Kristalle die Kenntnis über die Bildung von Versetzungen in der versetzungsfreien Matrix von Bedeutung. Unter der Voraussetzung, daß das Überschreiten des Wertes der kritischen Schubspannung die Ursache der Versetzungsbildung ist und, daß die Spannung im Kristall sowohl durch die Existenz radialer und axialer Temperatur‐ und Fremdstoffgradienten bedingt sind, werden die Unterschiede für die Mindestpannungen bei bestimmten bevorzugten Züchtungsrichtungen aus einem Modell der dichtesten Kugelpackung bestimmt. Als bevorzugte Züchtungsrichtungen werden dabei die 〈111〉‐ und 〈100〉‐Orientierung angesehen. Im Ergebnis der Arbeit resultieren Hinweise über die Verfahrensweise beim Züchten von Si‐Einkristallen mit bestimmten Eigenschaften.