bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Crystal Perfection Affected by Seed Orientation with Different Supercooling. A Qualitative Model
Authors: Graifer M. Z. , Mironov K. E. 
Published: July 2007

AbstractAn attempt is made to prove that the growing of semiconductor crystals of diamond of or ZnS structure in 〈111〉 direction on a seed in a melt is not always advisable under actual conditions of growth, meaning the crystal perfection. Two factors are shown to be responsible for crystal perfection, the face perfection in an equilibrium state and the perfection occurring in the growing process, due to a meltcrystal system deviation from the equilibrium state. The first one is a function of free surface energy of the face, Es, while the second one is a \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \left({\frac{{d\Delta F}}{{dt}}} \right)_v $\end{document} function, i. e. depending on a difference in phases free energies variation rate.Relationship of crystal perfection, S, and growing conditions may be conceived generally as \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ S_{(hkl)} = \psi \,\{ E_{s(hkl)} \} \, + \,\varphi \,\left({\frac{{d\Delta F}}{{dt}}} \right)_\upsilon $\end{document}. The first term of the equation practically is not changing at different supercoolings, the second is subjected to considerable variations. In 〈111〉 direction grown crystals will be the most perfect at lower supercooling. With higher supercooling the best perfection will be obtained in another than 〈111〉 direction.
Lifetime Characteristic of Monocrystalline Silicon Layers in Dependence on Growth Parameters
Authors: Wienhold H. 
Published: July 2007

AbstractThe effective lifetime of monocrystalline oxidized silicon layers deposited on silicon substrates doped with Sb has been measured in dependence on growth rate, cooling rate, doping and growth temperature. The silicon tetrachloride reduction was used as deposition method. The transition zone layer‐substrate has been included in the experiment. Only the cooling rate and growth temperature noticeably enter into the resulting value for the lifetime characteristic, the growth rate has considerably less influence on the result. There are no differences between thin and thicker layers. The imperfection centres acting on recombination have an activation energy of 2.34 eV.
Anisotropy of Hardness of Calcium Fluoride Single Crystals
Authors: Boyarskaya Ju. S. , Valkovskaya M. I. , Grabko D. Z. 
Published: July 2007

AbstractThe scratch method is used for studying the anisotropy of the hardness on the (111) plane of CaF2 single crystals. Some regularities of the plastic deformation in scratching along the directions of the minimum and maximum hardness are studied. The possible model of plastic flow in scratching along these directions is suggested. The anisotropy of hardness observed experimentally is explained qualitatively.
On the orientation of small nuclei on a substrate
Authors: Cinti R. C. , Chakraverty B. K. , Bassi G. 
Published: July 2007

AbstractWith a simple atomistic model, we have investigated the structure and the orientation energetically the most probable of a four–atom nucleus on a cristalline substrate assumed perfect.If Φ(a a) is the interaction energy between two atoms of the nucleus at the distance ra a and Φ(a b) the interaction energy between a substrate atom and a deposit atom separated by ra b, the formation energy of the nucleus is:

equation image

Where m is the number of the nearest neighbours considered.With the energies Φi in the form of Morse functions, one can obtain the configuration of the nucleus and its relative position on the surface which minimises the formation energy. These values, versus the ratio of the substrate atomic diameter to the deposit atomic diameter, can be calculated systematically by means of machine programming.Results are given for (100) and (111) f.c.c. cristalline substrates and are compared with experimental data.
Molekularkinetische Einzelschritte bei der Bewegung von Oberflächenstufen auf einem NaCl‐Kristall
Authors: Keller K. W. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden die Geschwindigkeiten der beim Abdampfen eines NaCl‐Kristalls stattfindenden Bewegung der Oberflächenstufen und die zugehörigen Aktivierungsenergien bestimmt.Letztere lassen sich mit Hilfe der Kossel‐Stranskischen Betrachtungsweise als Energien eines bestimmten molekularkinetischen Einzelschritts deuten.
Über die Möglichkeiten der Diffusionsverfahren bei der Kristallzüchtung (II). Einige Besonderheiten der Kristallisation des CaCO3 aus wässerigen Lösungen
Authors: Kirov G. K. , Filizova L. 
Published: July 2007

AbstractMit Hilfe einer speziellen Methodik wurden einige Besonderheiten der Kristallisation von CaCO3 aus wässerigen Lösungen in einem breiten Übersättigungsintervall untersucht. Es wird gezeigt, daß die Phasenzusammensetzung der Niederschläge von der Übersättigung (S) bestimmt wird; bei relativ niedrigem Wert von S bildet sich Calcit, bei höherer Aragonit.Die morphologischen Besonderheiten der erhaltenen Phasen werden auch von der Übersättigung bestimmt. Die Hauptform der Calcitkristalle bei niedrigem S ist p. {1011}, bei hohem S aber – m. {4041}. Die Morphologie der rhombischen Phase des CaCO3 ist gegen Übersättigungsänderungen besonders empfindlich. Bei relativ niedrigem S bildet der Aragonit nach [001] gestreckte und nach {100} tafelige Einkristalle. Mit Zunahme von S ändert sich der Habitus und zeigt nach [100] gestreckte und nach {010} tafelige Kristalle. Bei sehr hohem Wert von S kristallisiert der Aragonit als Sphärolith. Die relative Zunahme von S führt zu einer völligen Veränderung des Baues der Sphärolithe; bei niedrigem S ist die Wachstumsrichtung der Aragonitkristalle [001] und bei höherem S [100].
Über die hydrothermale Kristallisation im System CaO–SiO2–H2O–Na2O
Authors: Ganiev R. M. , Kusnezov V. A. , Iljuchin V. V. , Lobačev A. N. , Belov N. V. 
Published: July 2007

AbstractDie Untersuchungen ergaben, wie man Einkristalle aus der Reihe der Ca‐Hydrosilicate von hinreichender Größe für die Untersuchung ihrer physikalischen Charakteristika und der Röntgenstruktur gewinnt. Die Synthese der neuen Verbindungen unterstreicht die Auffassungen (BELOV, MOLTSCHANOV, PRICHIDKO) über die Möglichkeiten der Gewinnung neuer Ca‐Hydrosilicate auf künstlichem Wege. Die Ähnlichkeit der Parameter derxCaO ·ySiO2·zH2O‐Phase mit Klinohumit ist beachtenswert, ebenso wie die Ähnlichkeit von zwei Parametern mit einem Vielfachen des dritten in den Elementarzellen der Silicatphasen (Ca‐Chondrodit, Z‐Phase undxCaO ·ySiO2·zH2O) sowie in der Elementarzelle von γ‐Ca2SiO4. Letzteres erlaubt, — in Analogie zu der bekannten Reihe Olivin–Chondrodit–Norbergit – die Existenz einer kristallchemischen Reihe unter den Ca‐Orthosilicaten mit abnehmendem Gehalt an Hydroxyd anzunehmen.
Nichtstationäre Keimbildung: Theorie und Experiment
Authors: Toschev S. , Gutzow I. 
Published: July 2007

AbstractVorliegende Arbeit gibt einen zusammenfassenden Bericht zur Kinetik der Keimbildung, wobei besonders der nichtstationäre Verlauf dieses Prozesses untersucht wird. Auf Grund einer eingehenden Diskussion des Keimbildungsmechanismus wird. der Einfluß aktiver Unterlagen, wie auch die Art der Ausgangs‐ und der sich bildenden neuen Phase auf die nichtstationäre Zeitverzögerung berechnet. In diesem Zusammenhang werden auch einige Wahrscheinlichkeitsaspekte der homogenen und heterogenen Keimbildung erörtert und die Einwirkung nichtstationärer Effekte auf das Kristallwachstum und den summarischen Kristallisationsverlauf studiert. Die theoretischen Schlußfolgerungen werden mit dem Experiment verglichen, wobei hauptsächlich Nachdruck auf methodische Probleme gelegt wird. Zwei experimentelle Beispiele ‐ die elektrolytische Keimbildung von Metallen und die angeregte Kristallisation von Gläsern werden eingehender betrachtet.
Clusterbildung ‐ ein stochastischer Prozeß
Authors: Ullner Ch. 
Published: July 2007

AbstractDie relative Schwankung der Clusterdichte wird näherungsweise berechnet. Das verwendete Modell beschreibt einen einfachen Hochvakuum‐Aufdampfvorgang und enthält lediglich die Adatomkonzentrationn1und die ClusterdichtenC. Im stationären Fall ist das Ergebnis Gleichung (14), in die repräsentative numerische Werte eingesetzt werden. Das numerische Ergebnis zeigt, daß in speziellen Fällen die Clusterdichteschwankungen zu berücksichtigen sind, falls Theorie und Experiment verglichen werden.
Wahrscheinlichkeit der Zwillingsbildung in dünnen Schichten von Halbleitersubstanzen mit Diamant‐ und Zinkblendestruktur
Authors: Däweritz L. 
Published: July 2007

AbstractZur Abschätzung der Wahrscheinlichkeit der Zwillingsbildung in Epitaxieschichten halbleitender Materialien mit Diamant‐ und Zinkblendestruktur werden die Differenzen zwischen den Keimbildungsarbeiten von Keimen in Normalorientierung und Keimen in Zwillingsorientierung berechnet. Im Falle gleicher Versuchsbedingungen (Substrattemperatur, Übersättigung) erhöht sich die Wahrscheinlichkeit der Zwillingsbildung in der Reihenfolge SiCSiGeZnSZnSe, CdSCdSeZnTeCdTe. Die Ergebnisse werden im Zusammenhang mit Experimenten diskutiert.
Einkristallzüchtung von Titandioxid durch chemische Transportreaktion
Authors: Wäsch E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Überblick über wichtige physikalische Eigenschaften von Titandioxid gegeben und die Abhängigkeit dieser Eigenschaften von der Stöchiometrie betrachtet. Mit Hilfe der chemischen Transportreaktion TiO2 + 4 HCl = TiCl4 + 2 H2O wurden in geschlossenen Quarzglasampullen zwei TiO2‐Modifikationen synthetisiert: Rutil und Anatas. Die Thermodynamik des Systems wird betrachtet und die Transportrate rechnerisch (RT = 0,18 mg · h−1) und experimentell (RT = 0,12 mg · h−1) bestimmt. ‐ Der Rutil wurde an Hand seiner Farbe, Dichte und Röntgenwerte auf seine Stöchiometrie untersucht, und es wird geschlußfolgert, daß die Zusammensetzung zwischen TiO1,95 und TiO1,97 liegt.
Kernphysikalische Methoden in der Kristallographie und Festkörperphysik
Authors: Andreeff A. , Schenk M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Übersicht über einige „synthetische”︁ und „analytische”︁ kernphysikalische Methoden und ihre Anwendung zur Lösung festkörperphysikalischer und kristallographischer Aufgabenstellungen gegeben. Es wird auf teilweise neuartige Applikationsmöglichkeiten hingewiesen.
On the Symmetry of OD‐Structures Consisting of Equivalent Layers
Authors: Dornberger‐Schiff K. , Fichtner K. 
Published: July 2007

AbstractAfter some introductory remarks a survey is given (in part 2) of the basic notions of OD‐theory, including the concept of the OD‐groupoid family. In part 3 a new procedure is presented for the determination of the OD‐groupoid family of an OD‐crystal from general features of its X‐ray diagrams and applied to two examples. This procedure makes use of a complete list of OD‐groupoid families of which Table 3 contains an important part. For the rest of this list, the changes from a similar list which had been published earlier ist given in this table. The mathematical method used to obtain this list is outlined in part 4.
Herstellung und physikalische Grundcharakterisierung von Al1–xGaxAs‐Kristallen
Authors: Fischer P. , Kühn G. , Bindemann R. , Rheinländer B. , Hörig W. 
Published: July 2007

AbstractDurch Kristallisation aus einer Galliumschmelze wurden Al1–xGaxAs‐Kristalle (x ≈︁ 0,2) hergestellt und der Wachstumsmechanismus diskutiert. Es wurde festgestellt, daß Se und Te einen Einfluß auf die Morphologie ausüben. Photolumineszenzuntersuchungen zeigen, daß im undotierten Al1–xGaxAs eine Reihe von Störstellen (Si, Mg und noch nicht identifizierte Reststörstellen) enthalten sind, über die verschiedenartige strahlende Rekombinationsmechanismen ablaufen. Es besteht ein Zusammenhang zwischen der Si‐Konzentration und Photolumineszenzspektren. Aus Messungen des Infrarot‐Faraday‐Effekts und des Hall‐Effekts wurden die Konzentration und Beweglichkeit der freien Ladungsträger ermittelt.
Ätzuntersuchungen an natürlichen Spaltflächen von (Ga, Al) As/GaAs‐Heterostrukturen
Authors: Butter E. , Günther R. , Jacobs B. , Jacobs K. , Streubel P. , Zehe A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Ätzuntersuchungen mittels verdünnter HNO3 und NH3/H2O2‐Mischungen an {110}‐Spaltflächen von (Ga,Al)As/GaAs‐Heterostrukturen mit und ohne pn‐Übergang berichtet. Die im Ätzbild erscheinenden Linien werden den entsprechenden abrupten Änderungen physikalisch‐chemischer Eigenschaften der Kristalle zugeordnet. Die Ätzbilder lassen sich mit den aus Elektronenstrahl‐Mikroanalysen erhaltenen Aluminiumkonzentrationsprofilen in den Epitaxieschichten korrelieren.Es werden optimale Ätztemperaturen, ‐zeiten und Ätzmittelzusammensetzungen angegeben. Die selektive Ätzwirkung von NH3/H2O2‐Mischungen auf GaAs wird diskutiert.
Über die Bestimmung von Dotierungsprofilen in pnp‐Siliziumhalbleitern mit der Elektronenstrahlmikrosonde
Authors: Stave J. , Becherer G. , Stigge H. J. 
Published: July 2007

AbstractVon Everhart u. a. wurde eine empfindliche Methode zur Untersuchung von Halbleiterkonstruktionen mit wechselndem Leitungstyp in der Nähe der Grenzschicht beschrieben. Wird ein Halbleiter mit energiereichen Elektronen beschossen, entstehen in ihm Elektronen‐Löcherpaare. Können diese Ladungsträger ohne vorherige Rekombination den pn‐Übergang überqueren, entsteht in einem äußeren Stromkreis ein analytisch auswertbares Stromsignal. Beim Einsatz einer Elektronenstrahlmikrosonde entsteht dabei im Übergangsgebiet ein Strommaximum, während die Rekombination in größerer Entfernung vom pn‐Übergang die Entstehung eines größeren Signals verhindert.Zuerst wird ein entwickelter theoretischer Zusammenhang zwischen dem Störstellenprofil des untersuchten Halbleiters und der sich bei Vorhandensein einer äußeren Sperrspannung einstellenden Raumladungsverteilung gegeben. Weiterhin wird eine mathematische Methode zur exakten Auswertung der Stromsignale dargestellt, deren Ergebnisse den theoretischen Überlegungen gegenübergestellt werden. Es kann gezeigt werden, daß in einem bestimmten Bereich Aussagen über die Minoritätsträgerdiffusuion, die Raumladungs‐ und Feldverteilung sowie die Störstellendichte möglich sind.Durch die Herstellung von Rasteraufnahmen unter Ausnutzung der beschriebenen Stromsignale zur Helligkeitsmodulation gelingt u. a. die Darstellung von eventuellen Inhomogenitäten in der Diffusionsfront.
Ein EDV‐Programm zur Simulierung der Geometrie von Quasi‐Laue‐Rheed‐Diagrammen
Authors: Messerschmidt A. 
Published: July 2007

AbstractEin EDV‐Programm zur Simulierung der Geometrie von Quasi‐Laue‐RHEED‐Diagrammen wird vorgestellt. Das Programm ist in BESM‐Algol geschrieben. Es berücksichtigt reziproke Gitter‐„spikes”︁, beliebige Kristallsysteme und eine beliebige Orientierung der Probe zum Elektronenstrahl. Zusätzlich können Diagramme von zur Matrix kristallographisch orientierten Phasen, Zwillingen und Mehrfachzwillingen simuliert werden. Das Programm ist gleichzeitig zur Simulierung von TED‐Diagrammen geeignet.
Some features of plastic deformation of LiF and NaCl single crystals at high temperatures
Authors: Boyarskaya Yu. S. , Grabko D. Z. 
Published: July 2007

AbstractThe deformation of the (001) plane of LiF and NaCl by indentation and scratching at high temperatures was performed. The dislocation patterns arising from deformation were sharply different from those observed at room temperature. It was proposed the explanation of these results.The model of plastic flow in (001) indentation and scratching were considered. Anisotropy of hardness by the scratch method was revealed clearly at high temperatures. It was proposed the explanation of the anisotropy of hardness. The correlation was established between the dislocation structures observed near the indentations and scratches.
Innere Felder in Ammoniumfluoberyllat
Authors: Sorge G. , Freidank W. 
Published: July 2007

AbstractDielektrische Messungen nach von FATUZZO vorgeschlagenen Methoden bestätigen die Existenz von inneren Feldern in Ammoniumfluoberyllat (AFB). Die experimentell ermittelte Abhängigkeit (Ea) läßt sich nicht mit Hilfe der Ginzburg‐Devonshire'schen Theorie für eigentliche Ferroelektrika beschreiben.
Untersuchungen zur Stabilität verschiedener Methoden der tiegelfreien Zonenziehtechnik bei Silizium
Authors: Schröder W. , Dörrfel H.‐G. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Betrachtungen zur Stabilität der Züchtungstechnik aus dem stehenden und hängenden Podest bei Silizium durchgeführt. Es zeigt sich, daß stabile Verhältnisse nur beim Ziehen aus dem hängenden Podest bestehen.
Über die Züchtung von ZnS‐, ZnSe‐ und ZnTe‐Einkristallen unter Anwendung der chemischen Transportreaktion
Authors: Hartmann Horst 
Published: July 2007

AbstractFür die Züchtung von ZnS‐, ZnSe‐ und ZnTe‐Einkristallen über chemischen Transport in abgeschlossenen Systemen wurden die günstigsten Versuchsbedingungen durch Analyse des stattfindenden Materialtransportes unter Berücksichtigung seiner Wirkung auf das Kristallwachstum ermittelt. Die auftretenden Transportraten wurden z. B. in Abhängigkeit von der Unterkühlung ΔT, dem Ampullendurchmesser und dem im System vorliegenden Gesamtdruck bestimmt. Es gelang, die Keimbildungs‐ und Wachstumsbedingungen durch die Einstellung definierter Transportraten so zu beeinflussen, daß relativ große Kristalle guter Qualität entstanden. In allen Fällen wuchsen strukturreine kubische Kristalle, deren Habitus hauptsächlich durch {110}, {111} bzw. {211} bestimmt, wurde. Die Perfektion der Kristalle wurde durch Ätzversuche und mit Hilfe von Röntgentopographien untersucht.
Calculation of the Fourier Coefficients of the Generalized Spherical Functions
Authors: Bunge H.‐J. 
Published: July 2007

AbstractVerallgemeinerte Kugelfunktionen, die in der Texturanalyse benötigt werden, lassen sich durch eine Fourierentwicklung darstellen. Die Koeffizienten a dieser Entwicklung können auf eine wesentlich geringere Anzahl von Koeffizienten Q zurückgeführt werden, durch die sie sich als einfache Produkte ausdrücken lassen. Dadurch kann die numerische Berechnung der verallgemeinerten Kugelfunktionen und damit auch der Texturfunktion wesentlich vereinfacht werden.
Information about the Growth Process from Aluminium Concentration Profiles in Ga1−xAlxAs Liquid Phase Epitaxial Layers
Authors: Jacobs K. , Jacobs B. , Streubel P. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractThe variation in the composition of Ga1−xAlxAs LPE layers with x < 0.37 as a function of layer thickness is examined by electron beam microprobe analysis. From the combination of these results with the experimentally established relation between layer thickness and cooling interval information is obtained about the onset of homogeneous nucleation in the LPE growth.
Structure Factors of Sphalerite Crystals with Account of Covalent‐Ionic Bond
Authors: Sirota N. N. , Olekhnovich A. I. 
Published: July 2007

AbstractThe derivation and the analysis of structure factor expressions for covalent‐ionic sphalerite type AIIIBV compounds are given by the parameters of wave‐function approximations.Using given expressions the |Fhkl|2 values for boron phosphide have been calculated and compared with experimental values.The possibilities of obtaining refined wave functions are indicated.
The Effects of Magnetic Fields on the Nucleation and Growth of Gypsum Crystals
Authors: Konak A. R. 
Published: July 2007

AbstractAqueous supersaturated solutions of Calcium Sulphate Dihydrate (Gypsum) have been magnetically treated by passing the former at high velocities through fields of permanent magnets and also using the “Polar Water Conditioner”. No effects have been observed on either the nucleation or the growth process, at least up to magnetic field intensities of 16 KOe and solution velocities of about 170 cm/sec. Possible reasons have been given for this behaviour and for observations of other authors who have claimed positive results.
Dislocation density in pure crystals grown from melts
Authors: Tsivinsky S. V. 
Published: July 2007

AbstractPhysical reasons are considered which are responsible for dislocation formation in crystals grown by different ways, i. e. by Czochralski's, Stepanov's, Kyropoulos's, Verneuil's, Bridgman's, Stockbarger's methods and floating zone technique. Equations are presented allowing to evaluate the dislocation density in pure crystals prior to testing. The conditions for obtaining dislocation free crystals have been considered. The equations for dislocation density evalution have been compared with the experimental results of different authors. Thermal stresses have been proved to be the main source of dislocation formation, and the equations corresponding to this mechanism in most cases enable to predict the dislocation density with the error being a factor of 1–3.
Zur plastischen Verformung von Antimoneinkristallen im Druckversuch bei Raumtemperatur
Authors: Doerschel J. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die plastische Verformung von Antimoneinkristallen im dynamischen Druckversuch bei Raumtemperatur untersucht. Als makroskopische Verformungsmechanismen wurden mechanische Zwillingsbildung, Versetzungsgleitung und Knickbandausbildung beobachtet. Die kritische Schubspannung für Basisgleitung und Zwillingsbildung wurde gemessen und die Orientierungsabhängigkeit der Verformungskurven erklärt. Es konnte gezeigt werden, daß die Basisgleitung gegenüber der Rhomboedergleitung eine bevorzugte Stellung einnimmt.
Preparation of AlGaPAs heterostructures
Authors: Alferov Zh. , Andrejev V. M. , Godlinnik T. B. , Konnikov S. G. , Larionov V. R. 
Published: July 2007

AbstractThe present paper reports on the results of an investigation of crystallization of multilayer structures with a narrow‐gap semiconductor surrounded by two wide‐gap ones in the Al‐Ga‐P‐As system on GaAs and GaP substrates. Influence of the lattice parameters' difference on the value of thermal stress in structures with a composition gradient was determined by the bend of structures separated from the substrate. It has been proved that with the P concentration in solid solutions being less than 1% heterojunctions with less tensions than in the Al–Ga–As system are available. A new method of obtaining AlxGa1–xPyAs1–y solid solutions with the concentration of P proportional to that of Al has been worked out on the basis of which multilayer heterolight‐emitting structures have been prepared.
Orientierung der α‐Martensitkristalle beim K.‐S.‐Zusammenhang
Authors: Schumann H. 
Published: July 2007

AbstractBei schneller Abkühlung härtbarer Stähle wandelt die kubisch‐flächenzentrierte γ‐Phase diffusionslos in kubisch‐raumzentrierten α‐Martensit um, wobei zwischen beiden Kristallgittern definierte Orientierungsbeziehungen vorhanden sind. Wegen der kubischen Symmetrie können beim KURDJUMOW‐SACHS‐Zusammenhang aus einem γ‐Kristall 24 α‐Kristalle unterschiedlicher Lage entstehen. Mit Hilfe der Matrizenrechnung werden diese 24 K.‐S.‐Varianten sowie die Transformation von Gitterrichtungen während der Umwandlung berechnet.