bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
The Interpretation of Recovery Stages in Irradiated Metals
Authors: Von Jan R. 
Published: July 2007

AbstractRecent experiments suggest that in stages I and II bound Frenkel pairs only anneal. Such an interpretation leads to the following model: a vacancy and an interstitial form a bound Frenkel pair when their separation is less than about 10 lattice constants. The pairs which anneal above stage I are produced by multiple displacements or focused replacement sequences, and all pairs arising from defocused single displacements anneal in stage I. Secondary pairs (with partners from different damage events) produce effects similar to those expected from a freely migrating interstitial. A consistent interpretation of the recovery in Au, Cu, and Al can be given in this way.
Electrical Properties of GaSbGa2Te3 and GaSbGaTe Solid Solutions
Authors: Abdurakhmanova A. A. , Aliev M. I. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements are made of the Hall coefficient, electrical conductivity and thermoelectric power of GaSbGa2Te3 and GaSbGaTe solid solutions as functions of composition and temperature in the range 100 to 550 °K. It is shown that the maximum electron concentration and electrical conductivity are less in the first case due to considerable distortion of the lattice periodicity by the GaTe. A decrease of Hall mobility is observed as the composition is varied and this is attributed to electron scattering by the disordered alloy structure. The mobility varies with temperature approximately as T−1 at high temperatures. This law fails for T < 290 °K due to the electron gas becoming degenerate. The electrons appear to be dominantly scattered by the acoustic lattice vibrations over the temperature range considered.
Magnetische Mehrfachschichten
Authors: Kirenskii L. V. , Isotova T. P. , Salanskii N. M. , Chistyakov N. S. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Wechselwirkung zweier magnetischer FeNi und FeNiCo Schichten, die durch eine SiO2‐Schicht getrennt sind und einige Besonderheiten bei der Transmission elektromagnetischer Mikrowellen durch geschichtete dünne Magnetschichten, die durch SiO2 getrennt sind, untersucht. Dabei wird gefunden, daß die Koerzitivkraft der Schichten in einem Vielschichtsystem abnimmt. Dieser Effekt wird durch lokale magnetische Wechselwirkung zwischen den magnetischen Schichten erklärt. Die Abnahme der Koerzitivkraft hängt von der Schichtdicke ab und wird durch den wechselnden Charakter der lokalen Wechselwirkung erklärt. Die Transmissions‐ und Reflexionskoeffizienten wurden gemessen; sie hängen von der Dicke der einzelnen Schichten und von der Gesamtdicke der ferromagnetischen Metallschichten in dem Vielschichtsystem ab. Die Transmissionskoeffizienten für Vielschichtsysteme sind wesentlich größer als bei der einzelnen Schicht. Die Transmission der Mikrowellenergie durch die Vielschichtsysteme wird im Rahmen der gewöhnlichen Elektrodynamik erklärt.
Über die phänomenologische Theorie der Gleichgewichtsformen von Kristallen
Authors: Nenow D. 
Published: July 2007

AbstractDie Arbeit gibt eine allgemeine thermodynamische Behandlung des Problems der Gleichgewichtsform von Kristallen im Rahmen der Geometrie der Polyeder. Der Fall wird behandelt, bei dem die gesamte Oberflächenenergie, wie auch die spezifischen Oberflächenenergien für beliebige endliche Polyeder, exakt definiert sind. Es wird eine Beziehung hergeleitet, die ein formales Analogon der Wulffschen Regel ist.
Impulsmethode zur Untersuchung der Haftstellen in Kristallen vom CdS‐Typ
Authors: Kirov K. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Methode zur Bestimmung der Haftstellenparameter in Kristallen vom CdS‐Typ beschrieben. Zur Messung werden Kristalle mit Elektroden vom “sandwich”‐typ mit mindestens einem Sperrschichtkontakt verwendet. Die Kristalle werden kontinuierlich beleuchtet. Mittels impulsförmig angelegter Spannung bestimmt man die Konzentration der freien Elektronen n0, die Konzentration der von den Haftstellen eingefangenen Elektronen m0 und die charakteristische Zeit für thermische Entleerung der Haftstellen magnified image. Die Termtiefe ΔE kann nach drei Verfahren gefunden werden: 1. aus der Temperaturabhängigkeit von τ, 2. aus der Abhängigkeit des Verhältnisses m0/n0 von der Belichtungsintensität und 3. aus der Temperaturabhängigkeit von m0/n0. Bei Verwendung der so gefundenen Werte ΔE werden dann die Haftstellenkonzentration M und der Einfangquerschnitt S bestimmt. Die Methode ist zur Untersuchung der Feldstärkenabhängigkeit von S sehr geeignet, weil bei starken Feldern die Wahrscheinlichkeiten für Kristallerhitzung, Stoßionisation und Ladungsträgerinjektion aus den Kontakten stark herabgesetzt sind. Die experimentelle Erprobung der Methode ist mit CdS‐Kristallen durchgeführt worden. Die erhaltenen Ergebnisse für ΔE werden mit entsprechenden Ergebnissen aus Leitfähigkeitsglowkurven [2, 9, 11, 13] verglichen. Es ergibt sich gute Übereinstimmung mit den Ergebnissen nach [2], jedoch Abweichung von den Werten nach [9, 11, 13].
Electrical Conductivity of n‐InSe Single Crystals in Strong Electric Fields
Authors: Abdullaev G. B. , Guseinova E. S. , Tagiev B. G. 
Published: July 2007

AbstractThe electrical conductivity of n‐InSe single crystals is studied under pulsed operation conditions in electric fields up to 4 × 104 V/cm within the temperature range 140 to 300 °K. For fields exceeding 900 V/cm Ohm's law is violated and the electrical conductivity increases with field strength according to Frenkel's law σ = magnified image, where β is proportional to 1/T in the range 140 to 300 °K. From the temperature dependence of β = magnified image the electronic component of the dielectric constant is found to be 3 to 4. A breakdown field of ≈︁ 106 V/cm is determined by extrapolating the lg σ = magnified image straight line. The carrier activation energy of 0.18 eV obtained from the temperature dependence of the conductivity in weak fields, decreases with incrasing field strengths. By extrapolating the lg σ = magnified image straight lines a metallization temperature of 16660 °K is found which gives an energy gap of 1.38 eV at absolute zero.
Band Structure of Cubic and Hexagonal ZnS (APW Method)
Authors: Rössler U. , Lietz M. 
Published: July 2007

AbstractThe band structures of cubic and hexagonal ZnS are calculated using the APW method. For cubic ZnS good agreement is found between transitions resulting from the theoretical band structure and optical measurements. The interpretation of the reflectivity measurements using the theoretical band structure differs somewhat from the interpretation given by Cardona and Harbeke [2]. The effective mass of the conduction band edge in the theoretical band structure is in excellent agreement with the value found experimentally. The wurtzite structure has lower symmetry and therefore the convergence of the APW approach is not as good for the hexagonal structure as for cubic ZnS. Nevertheless the relationship between the band structures along the (001) axis of hexagonal ZnS and along the (111) axis of cubic ZnS can be seen.
Hall Effect and Extrinsic Photoconductivity in n‐Type InSb
Authors: Mitchell W. H. , Putley E. H. , Shaw N. 
Published: July 2007

AbstractA differential method of measuring the Hall effect in the presence of a large constant magnetic field is described. This is used to measure the dependence of the Hall coefficient upon electric field in n‐type InSb at and below 4 °K under conditions where the magnetic freeze‐out is significant. These results show that in the samples studied changes in mobility made the major contribution to the sub‐mm extrinsic photoconductivity.
Theory of the Influence of Surface States on the Impedance of a Semiconductor‐Insulator Interface
Authors: Forlani F. , Minnaja N. , Pagiola E. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements of the impedance of MOS diodes, carried out by several workers, show that the frequency response of these devices is affected by the presence of semiconductor surface states. Quantitative considerations are generally difficult due to the complexities of the explicit mathematical description of the underlying physical mechanism. In the present paper it is emphasized that a numerical solution of the set of differential equations, which describes the problem, can allow a rigorous interpretation of possible measurements of ac impedances performed at several frequencies with a bridge in a series arrangement. The determination of the ac series resistance in addition to the ac capacitance, for many types of band bending on the semiconductor surface gives a more complete picture of the situation: while the energy levels and the population of the surface states can be adequately determined by ac capacitance measurements only, the ac resistance evaluation gives more information for establishing the relaxation times, which directly affect the frequency cut‐off of the device. After an outline of the mathematical procedure, some particular cases are discussed and it is shown how the measured quantities can be related to the surface state parameters.
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Versetzungsanordnung verformter Kupferein kristalle III. Bestimmung der Versetzungsdichte
Authors: Essmann U. 
Published: July 2007

AbstractKupfereinkristalle, die für Einfachgleitung orientiert waren, wurden im Zugversuch verformt und anschließend zur Fixierung der Versetzungsanordnung mit schnellen Neutronen bestrahlt. Die Dichte der Versetzungen mit primärem Burgersvektor läßt sich durch eine nahezu lineare Funktion der Fließspannung darstellen (ϱpr˜τ). Die Dichte der übrigen sekundären Versetzungen hängt quadratisch von der Fließspannung ab (ϱsek˜τ2). Diese Ergebnisse lassen sich dadurch verstehen, daß bei der Verformung primäre und sekundäre Versetzungen intensiv miteinander reagieren.
Abou Phonon Scattering in Doped GaSb Crystals
Authors: Abdullaev G. B. , Aliev M. I. , Safaraliev G. I. 
Published: July 2007

AbstractThe thermal conductivity of GaSb crystals, doped with Zn and Te, is measured in the temperature range 80 to 600 °K. It is shown that the lattice thermal conductivity of GaSb crystals depends on the type and concentration of the impurity present. In the doped samples a discontinuity in the thermal resistivity occurs in the Debye temperature range. Above and below this range the thermal resistivity depends linearly on temperature with different angle factors. It is considered that this change is a consequence of the role of the optical phonons in the thermal conductivity and the scattering which occurs between the optical and acoustic phonons.
Die Rekombinationsverteilung in der instationären Phase der Elektrolumineszenz von ZnS‐Phosphoren mit Eisengruppenelementen
Authors: Gumlich H.‐E. , Moser R. , Neumann E. 
Published: July 2007

AbstractDie Elemente Fe, Co und Ni der Eisengruppe wirken im allgemeinen als “Killer” für die sichtbare Lumineszenz, wohingegen ihr Einfluß auf die Aufbauperiode der Elektrolumineszenz von ZnS(Cu) von der Wahrscheinlichkeit des Ladungsüberganges zwischen den Lumineszenzzentren und diesen Elementen abhängt. Die modulierte Elektrolumineszenz eines mit Kobalt dotierten Phosphors steigt zunächst bis zu einem Maximum an und fällt dann wieder ab, bis der niedrigere stationäre Wert erreicht ist. Dieses Maximum ist eine Funktion der Temperatur, der Kobaltkonzentration und der Größe und Frequenz des elektrischen Feldes. Die Temperatur‐ und Frequenzabhängigkeit des absoluten Maximums während der Aufbauperiode ist dem Temperatur‐ und Frequenzverhalten der Killerwirkung des Kobalts auf die Lumineszenz sehr ähnlich. Die Elektrolumineszenz von ZnS(Cu), das mit Fe oder Ni dotiert ist, steigt jedoch monoton nach dem Beginn der Anregung durch das elektrische Feld an, wobei kein Maximum erreicht wird, während die Lumineszenz wie beim Co getilgt wird. Diese Ergebnisse werden durch verschiedene Ladungsänderungsmechanismen erklärt. Für Co muß der Ladungsaustausch mit Elektroneneinfang, Co++ → Co+, eher stattfinden, als die Killerwirkung der Lumineszenz wirksam wird. Dagegen erscheint die volle Killerwirkung von Fe und Ni unmittelbar nach Einsetzen der Anregung, weil die Ladungsänderung Ni++ → Ni+++ und Fe++ → Fe+++ in ZnS sehr schnell verläuft.
Effet des impuretés sur les stades de revenu de la résistivité électrique du nickel bombardé à basse température par des électrons
Authors: Oddou J. L. , Minier‐Cassayre C. , Moser P. 
Published: July 2007

AbstractNous avons tracé les courbes de revenu isochrone de l'accroissement de résistivité Δϱ du nickel pur et du nickel contenant certaines impuretés, bombardés par des électrons. La comparaison de ces courbes met en évidence l'interaction entre défauts ponctuels créés par irradiation et impuretés.
Microhardness of Alkali Halide Crystals
Authors: Upit G. P. , Varchenya S. A. 
Published: July 2007

AbstractThe microhardness‐load characteristics for five alkali halide crystals are studied. The equation H = 1854 adn−2 appears to be valid for all samples, all crystals having the same value of n but different values of a. The results are generalized to all alkali halide crystals with the NaCl‐type lattice. The physical interpretation of the observed characteristics is discussed and a correlation between the microhardness and surface energy considered.
Zusammenhang zwischen Raumladung, Oberflächenleitfähigkeit und Bandverbiegung für Photoleiter bei homogener optischer Anregung
Authors: Weber E.‐H. 
Published: July 2007

AbstractEs werden allgemeine Formeln zur Berechnung des gegenseitigen Zusammenhangs von Oberflächenleitfähigkeit, Raumladung und Bandverbiegung für homogene Photoleiter bei homogener optischer Anregung angegeben. Genauer diskutiert werden folgende Grenzfälle: Photoleiter mit bimolekularer Rekombination und Photoleiter mit monomolekularer Rekombination und tiefen Haftstellen bzw. annähernd exponentiell mit der Energie ansteigender Haftstellenkonzentration. Es wird der Einfluß der Variation verschiedener Parameter, wie Anregungsintensität. (d. h. Volumenelektronenkonzentration) und Oberflächenladung, und der Einfluß eines äußeren elektrischen Feldes (Feldeffekt) diskutiert. Über die Oberflächenzustände wurde dabei vorausgesetzt, daß sie nicht als Oberflächenrekombinationszentren wirken.
Temperaturabhängigkeit der optischen Absorption von Übergangselementionen in Silberchlorid
Authors: Böttger H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Temperaturabhängigkeit der optischen Absorption von Übergangselementionen in oktaedrischer Umgebung mit der Momentenmethode untersucht. Die sich ergebenden Resultate dienen anschließend zur Diskussion der Temperaturabhängigkeit der Fläche, Lage und Halbwertsbreite der Absorptionsbande des 3A2(3F) → 3T1(3P)‐Überganges des Ni++ in AgCl.
The Influence of the Primary X‐Ray Beam Divergence on the X‐Ray Wave Field Absorption Coefficients Measured by Means of the Three‐Crystal X‐Ray Spectrometer
Authors: Godwod K. , Kowalczyk R. , Lefeld‐Sosnowska M. 
Published: July 2007

AbstractAn analysis is made of the effect of the primary X‐ray beam divergence on the dependence of the reflected power on crystal thickness d (for Laue diffraction). It is shown that this effect is important, and should be taken into account in the interpretation of experimental data. Calculations are performed for the (220) reflection of a Si single crystal for CuKα1 radiation under the assumption that the monochromator broadening function V(y) can be approximated by a Gaussian function with width ωv. The curves calculated for several ωv are presented.
Effet laser dans le CdS par bombardement électronique
Authors: La Guillaume C. Benoit à , Debever J.‐M. 
Published: July 2007

AbstractLe laser à CdS émet vers 4910 Å (2,525 eV) à la température de l'Hélium liquide et la transition mise en jeu semble être l'annihilation d'un exiton piégé sur un accepteur neutre avec émission simultanée d'un ou plusieurs phonons.
Étude de la diffusion de la lumière par des cristaux de chlorure de potassium dopés au calcium
Authors: Hauret G. , Girard‐Nottin M. 
Published: July 2007

AbstractL'étude ultramicroscopique de cristaux de KCl dopés au Ca++ permet de préciser les conditions pour lesquelles apparaissent des précipités d'impuretés. l'étude de la lumière globalement diffusée montre que ces précipités sont cylindriques et qu'ils coexistent avec des associations à symétrie sphérique.
Edge Emission in CdS as Internal Radiative Transition in Donor‐Acceptor Associates
Authors: Goede O. , Gutsche E. 
Published: July 2007

AbstractThe short‐wavelength series of the edge emission of CdS single crystals is studied in the temperature range 18 to 150 °K with respect to (i) band shape, (ii) dependence of the half‐width of the components on temperature and excitation intensity, (iii) temperature dependence of the peak position of the zero‐phonon component, (iv) of the polarization ratio, and (v) of the luminescent intensity. It is concluded that this emission is due to an internal electronic transition occurring in nearest‐neighbour donor‐acceptor associates. The half‐width of the components is ascribed to 5 meV‐phonon and centre‐centre interaction. The polarization ratio IE⊥c/IE∥︁c is interpreted as due to a temperature dependent distribution of the associates over the possible directions of orientation in the crystal.
Volumen‐ und Korngrenzendiffusion von Sn und Zn in heterogenen Sn–Zn‐Legierungen
Authors: Bergner D. , Lange W. 
Published: July 2007

AbstractIn heterogenen Sn–Zn‐Legierungen kann für die Aktivierungsenergie der Volumendiffusion von Zn die Gültigkeit der Mischungsregel bestätigt werden. Die Aktivierungsenergien der Korngrenzendiffusion sowohl von Zinn als auch von Zink zeigen beim Eutektikum ein Minimum. Die auf Liquidustemperatur extrapolierten Diffusionskoeffizienten der Korngrenzendiffusion stimmen für Zinn und Zink weitgehend mit den Diffusionskoeffizienten in der Schmelze überein bzw. zeigen bei Sn Abweichungen, die bereits beim Diffusionsverhalten des reines Metalls auftreten.
Die Wärmeleitfähigkeit des gelben PbO zwischen 0 und 500 °C
Authors: Neumann W. 
Published: July 2007

AbstractDie Wärmeleitfähigkeit λ des gelben PbO wurde von 0 bis 500 °C an Sinterkörpern und bis 200 °C an Kristallen gemessen. Es tritt eine starke Anisotropie der Wärmeleitung auf. Im gesamten betrachteten Temperaturbereich wird die Wärmeleitung durch Umklappprozesse begrenzt. Oberhalb von 300 bis 350 °C weicht λ von der Linearität zu 1/T ab. Abschließend werden die Aussagen der Meßergebnisse über die charakteristischen Temperaturen des Gitterschwingungsspektrums und über den Bindungscharakter diskutiert.
A study of the (222) “forbidden” reflection in germanium and silicon
Authors: Colella R. , Merlini A. 
Published: July 2007

AbstractThe absolute X‐ray intensity of the (222) forbidden reflection is measured in single crystals of Ge and Si by using monochromatic CoKα radiation. The inclusion of multiple reflections in the measured intensity is avoided by a suitable choice of the azimuthal angle. The values of the structure factors F222, deduced from the experimental intensities, are 1.54 and 1.08 respectively for Si and Ge. The F222 value for Si is not significantly affected by mechanical damage or by fast neutron irradiation up to a dose of 3 × 1020 nvt at about 100 °C. Furthermore, a search for the (222) reflection of Si with neutron diffraction and for the (420) X‐ray reflection in Si crystals doped with boron yields negative results. These results do not agree with those of other authors on the increase in the intensity of the (222) reflection and on the appearance of (200) and (420) reflections in doped Ge and in neutron‐irradiated diamond and Ge crystals. Therefore, the “true” intensity of the (222) reflection does not appear to be appreciably affected by lattice defects, but it is due to scattering by electrons of the covalent bonds.
Stapelfehlerdipole in kubisch‐flächenzentrierten Metallen
Authors: Seeger A. , Wobser G. 
Published: July 2007

AbstractBei elektronenmikroskopischen Durchstrahlungsaufnahmen an plastisch verformten Ni‐Co‐, Cu‐, Ag‐ und Au‐Einkristallen wurden in der Hauptgleitebene dünne, kontrastarme Linien beobachtet, die genau in <110>‐Richtung verliefen und häufig zwischen den zwei <110>‐Richtungen, die nicht in Gleitrichtung liegen, wechselten. Diese Linien werden als Stapelfehlerdipole gedeutet, bei denen ein Stapelfehler von einer {111}‐Ebene über eine geneigte in eine zur ersten parallele {111}‐Ebene überwechselt. An den äußeren Berandungen der Stapelfehlerbänder und in den Knicklinien liegen jeweils Versetzungen entgegengesetzten Vorzeichens. Als Ausgangspunkt für die Entstehung der Stapelfehlerdipole wird ein Versetzungsdipol aus zwei aufgespaltenen 60°‐Versetzungen zugrunde gelegt. Unter gewissen Bedingungen kann der 60°‐Versetzungsdipol unter Verringerung seiner Linienenergie und Schaffung eines Stapelfehlers auf der geneigten {111}‐Ebene in einen Stapelfehlerdipol übergehen, was durch kleine spezifische Stapelfehlerenergie und kleinen Abstand der Versetzungen begünstigt wird. Mit Hilfe der anisotropen Elastizitäts‐theorie wird die elastische Energie verschiedener Stapelfehlerdipole berechnet und untersucht, bis zu welchen maximalen Abständen der beiden {111}‐Ebenen bei gegebener spezifischer Stapelfehlerenergie die Bildung der Stapelfehlerdipole energetisch günstig ist.
Wandbeweglichkeitsmessungen an Ferriten mit rechteckförmiger Hystereseschleife
Authors: Steinbeiss E. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden mehrere Verfahren zur Bestimmung der Wandbeweglichkeit erprobt und eine Reihe von Ferriten mit verschiedener chemischer Zusammensetzung untersucht. Dabei ergab sich, daß die Wandbeweglichkeit in Rechteckferriten bei einigen tausend cm/s Oe liegt und durch Variation der chemischen Zusammensetzung nicht merklich vergrößert werden kann.
The fine structure of spots in electron diffraction resulting from the presence of planar interfaces and dislocations
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractObservations show that diffraction patterns contain satellite spots due to the effect of stacking faults on the transmitted and scattered beams in transmission electron diffraction. The characteristics of this fine structure of the diffraction pattern are compared with the theoretical predictions derived in part I. An analysis is made of the fine structure in the diffraction patterns from rutile (TiO2) crystals containing antiphase‐boundaries and from stainless steel foils containing stacking faults, and excellent agreement is found between theory and experiment.
The microstructure of tensile kinks in cadmium crystals
Authors: Blasdale K. C. A. , King R. , Puttick K. E. 
Published: July 2007

AbstractA method of etching dislocations in single crystals of cadmium is described. It has been used to examine the microstructure of kinks formed during the extension of cadmium crystals. A kink consists of two fans of rather irregular low angle boundaries; in the central part, there is frequently a narrow, sharply misoriented region. In the later stages of development, kinks become very complex. The formation, growth, and stability of kinks are discussed.
Energy of polygonal and elliptical dislocation loops
Authors: Liu G. C. T. , Li J. C. M. 
Published: July 2007

AbstractA general expression for the elastic strain energy of an arbitrary N‐sided planar polygonal dislocation loop is obtained from the stress field of dislocation segments using isotropic elasticity. This expression can be used to approximate the energy of any curved dislocation loop to any degree of accuracy. For example, the energies of regular polygonal dislocation loops and irregular polygonal dislocation loops inscribed in several ellipses are calculated and, by extrapolating to N = ∞, are shown to agree with the energies of circular and elliptical dislocation loops for which simple analytical expressions are available. The equilibrium shape of elliptical loops and the possibility of reorientation of these loops along a glide cylinder are consistent with experimental results in h.c.p., b.c.c., and f.c.c. crystals and in α‐uranium. The effect of anisotropy in h.c.p. metals is calculated for large elliptical loops in the basal plane.