bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
On the evaluation of phonon widths and shifts
Authors: Maradudin A. A. , Fein A. E. , Vineyard G. H. 
Published: July 2007

AbstractIn this paper a method is described for the numerical evaluation of phonon widths and shifts due to three‐phonon processes in an anharmonic crystal. With this method the δ‐function and principal value restrictions on the frequencies of the phonons participating in the three‐phonon processes do not have to be taken into account explicitly. The method is based on a dispersion relation satisfied by the width and shift, and on their expansion in Legendre functions of the first and second kinds, respectively. It is illustrated by a numerical example.
Lineare Elastizitätstheorie und Thomas‐Fermi‐Modell bei Eigenspannungen in Metallen
Authors: Pfleiderer H. 
Published: July 2007

AbstractDie Kontinuumstheorie der Versetzungen gibt ein Modell für den Versetzungskern. Die zugehörigen Spannungen der Schrauben‐ und der geraden Stufenversetzung werden berechnet. Nach der Thomas‐Fermi‐Näherung für Metalle ruft die elastische Inkompatibilität im Stufenversetzungskern dort eine unabgeschirmte dipolförmige elektrische Raumladung hervor. Die Auswirkung der Potentialverhältnisse im Kernbereich auf den elektrischen Widerstand der Stufenversetzung in Kupfer wird untersucht.
Der Absorptionsausläufer von AgBr‐ und AgCl‐Mischkristallen bei höheren Temperaturen
Authors: Meinig K. , Metz J. , Teltow J. 
Published: July 2007

AbstractDer langwellige Ausläufer der optischen Absorption von AgBr‐ und AgCl‐Polykristallen wird im Bereich von 0,1 bis 10 mm−1 bei Temperaturen oberhalb 20 °C, vorzugsweise bei 400 °C, gemessen und seine Veränderung durch Einbau von Cl−‐bzw. Br−‐, sowie Na+‐, Li+‐, Cd++‐, Pb++‐, Cu+‐ und S−‐Ionen untersucht. Nur die beiden letztgenannten Ionen ergeben neue spezifische langwellige Absorptionen, während sich die Effekte der übrigen als Energieänderungen in der URBACH‐Beziehung beschreiben lassen. Der Fehlordnungseinfluß auf den Ausläufer ist im Vergleich zum Gitterschwingungseffekt gering.
Über photochemische Reaktionen an Kadmiumsulfid
Authors: Borchardt W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über experimentelle Untersuchungen zum Problem der photochemischen Reaktionen an reinen, dotierten und im Schwefeldampf getemperten CdS‐Einkristallen mittels Methoden der elektrischen Leitfähigkeit berichtet. Zur Deutung werden photochemisch gebildete Zentren vorgeschlagen, deren Wirkungsweise dem Mechanismus der IR‐Tilgung der Photoleitfähigkeit entspricht. Als Modell für diese Zentren wird ein (Cd□S□)‐Assoziat angenommen. Die photochemische Bildung dieser Assoziate wird im einzelnen diskutiert. Der Einfluß photochemischer Reaktionen auf termspektroskopische Untersuchungen am CdS wird beschrieben.
Mössbauer effect in biotite
Authors: Pollak H. , De Coster M. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractStudies are made of Mössbauer absorption of Fe57 in biotite. The asymmetric double peak spectrum is explained by quadrupole splitting; the energy levels are influenced by the presence of OH‐groups in the octahedral surrounding of the Fe‐ions.
Bestimmung der Aktivierungsenergie für die Beweglichkeit von Gitterdefekten durch zeitlineares Aufheizen
Authors: Balarin M. , Zetzsche A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine neue Methodik zur Auswertung experimenteller Ausheilkurven bei zeitlinearem Aufheizen und speziell zur Bestimmung der Aktivierungsenergie für die Beweglichkeit von Gitterstörungen vorgeschlagen. Dabei wird von den bekannten kinetischen Gleichungen für monomolekulare Reaktionen ausgegangen. Diese Methodik gestattet eine genauere und objektivere Auswertung als die bisher bei zeitlinearem Aufheizen angewandten Verfahren. Die Anwendbarkeit auf die verschiedenartigsten physikalischen Probleme wird demonstriert.
Versetzungsnachweis auf Spaltflächen von Halbleitereinkristallen
Authors: Schulz M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über experimentelle Ergebnisse beim Nachweis von Versetzungen in Halbleitereinkristallen berichtet Durch chemisches Ätzen von Spaltflächenpaaren steigt der Informationsgehalt der dabei erzeugten Strukturen wesentlich gegenüber Ätzstrukturen auf Einkristall‐Oberflächen, die durch Schneid‐ und Polierprozesse erzeugt worden sind. Bei der Verwendung von Spiegelflächen kann nicht nur eine Anzahl von Störungen ausgeschaltet werden, sondern durch Ausnutzung der Symmetriebedingungen ist auch eine eindeutige Zuordnung der Ätzstrukturen zu den Kristallbaufehlern möglich.Die Entwicklung von Ätzstrukturen auf Spaltflächen ergibt ein einfaches, aber sehr zuverlässiges Verfahren zur Beurteilung von Halbleitereinkristallmaterial.
Die Diffusionsnachwirkung polykristalliner NiZn‐Ferrite im Temperaturgebiet unterhalb 90 °K
Authors: Wurlitzer M. 
Published: July 2007

AbstractAn NiZn‐Ferriten mit verschiedenem Fe++‐Gehalt wurde im Temperaturbereich von 90 °K bis 50 °K die komplexe Anfangssuszeptibilität bestimmt. Die Nachwirkung infolge Elektronendiffusion äußert sich durch Maxima des Verlustfaktors im Frequenzbereich von 20000 Hz bis 4 Hz.Sowohl die Ortskurven der komplexen Anfangssuszeptibilität als auch die ihres Kehrwertes sind unsymmetrisch. Mögliche Ursachen dieser Unsymmetrie werden diskutiert.Die Aktivierungsenergie hängt im untersuchten Temperaturgebiet nicht vom Gehalt an Fe++‐Ionen ab. Sie nimmt mit sinkender Temperatur schwach ab. Bei starker Nach wirkung variiert die Streuung der Zeitkonstanten nur schwach mit der Temperatur, wenn man annimmt, daß die Abflachung der Verlustfaktorkurve durch die Zeitkonstantenstreuung hervorgerufen wird.
Die Überführungszahl von Defektelektronen in Silberbromid bei Zimmertemperatur
Authors: Jaenicke W. 
Published: July 2007

AbstractDie Überführungszahl von Defektelektronen in Silberbromid wird als Funktion des Brompartialdrucks einer wäßrigen Bromlösung bei 25°C gemessen. Hierzu dient eine galvanische Kette folgender Form:

.Der Brompartialdruck ergibt sich aus dem Potential der Kette

.Zur Messung diente a) die Größe ∂ Δμ/∂ μBr2 (Δϵ Potential der Kette, μBr2 chemisches Potential des Broms), b) das Verhältnis der Steilheiten der Strom‐Spannungskurven bei Polarisation der Kette in beiden Richtungen. Hierbei verhält sich das Silberbromid wie ein Gleichrichter, da ein Defektelektronendurchtritt nur in einer Richtung möglich ist. Die gemessenen Überführungszahlen werden mit berechneten Werten verglichen. Die Übereinstimmung nach Methode b) ist ziemlich gut, bei Methode a) treten systematische Abweichungen auf. Das Wandern von Versetzungen bei Verformung des Kristalls ist an Hand der Teilleitfähigkeiten und des Potential‐Zeitverlaufs zu verfolgen.
Bildungsenergie für eine Leerstelle im Germanium und dazugehörige Gitterverzerrung
Authors: Scholz A. , Stasiw Ostap 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die Bildungsenergie U für eine Leerstelle im Germanium unter Benutzung der sogenannten Kopplungsparameter sowie der Bornschen Gitterenergie Φ2 berechnet. Für die kovalenten Bindungen zwischen direkten Nachbaratomen wurde ein geeignetes Morse‐Potential angenommen. Für die Berechnungen wurde die Funktion U(σ1,…, σ96) der atomaren Verschiebungen σλ als Bildungsenergie benutzt. Von U(σ1,.…, σ96) mußte das tiefste mögliche Minimum gesucht werden, welches die Bildungsenergie repräsentiert. Die atomaren Verschiebungen σ1,.…,σ98 wurden mit Hilfe einer elektronischen Rechenanlage unabhängig voneinander variiert. Man erhielt für U Werts zwischen 2,54 eV und 1,62 eV. Der experimentell gemessene Wert beträgt U = 2,0 eV.
Untersuchungen an Nickel‐dotierten Silberhalogeniden I. Absorptionsspektren
Authors: Koswig H. D. , Kunze I. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Absorptionsspektren von Ni2+ in AgCl und AgBr bei Zimmertemperatur und zum Teil bei tiefen Temperaturen mitgeteilt. Die spektroskopischen Parameter werden im Rahmen der Kristallfeldtheorie bestimmt. Die Spektren ergeben, daß der Einbau des Ni2+‐Ions in das Silberhalogenidgitter auf Gitterplatz in oktaedrischer Umgebung erfolgt.
Untersuchung der Temperaturabhängigkeit der schnellen Terme auf Germanium in trockener Sauerstoffatmosphäre
Authors: Flietner H. , Hundt G. 
Published: July 2007

AbstractMit Hilfe von Wechselspannungs‐Feldeffektsmessungen an einer Ge‐Oberfläche wurden Veränderungen der schnellen Terme bei Variation der Temperatur festgestellt. Die Messungen wurden in trockenem Sauerstoff im Temperaturbereich von 294 bis 233°K durchgeführt. Es wurde gefunden, daß sich sowohl die energetische Lage der Terme als auch die Termkonzentrationen ändern. Die Terme werden im allgemeinen mit abnehmender Temperatur zum Leitfähigkeits‐ bzw. Valenzband verschoben. Ihre Konzentration nimmt dabei gleichzeitig zu. Eine Ausnahme bilden die inneren Terme. Es wird vermutet, daß diese Veränderungen auf das Aufreißen der Bindungen in der Zwischenschicht zwischen dem Germanium und dem Oxyd zurückzuführen sind.
Effets d' une tension sur la reptation des cycles d' hystérésis dissymétriques
Authors: van Dang N. 
Published: July 2007

AbstractOn a étudié la reptation aprés différents modes d'aimantation où le champ et la tension agissent dans un ordre bien édterminé. Les anomalies observées sont probablement causées par la superposition d'un autre phénomène à la reptation.
Über die Richtungsabhängigkeit der kritischen Amplitude der Mikrowellenfeldstärke bei Nebenresonanz und Senkrechtfeld
Authors: Haubenreisser W. , Linzen D. 
Published: July 2007

AbstractDie Richtungsabhängigkeit der kritischen Amplitude der Mikrowellenfeldstärke bei Nebenresonanz und Senkrechtfeld wird mit der SUHLschen Theorie berechnet, wobei die Anisotropiefelder der Kittel‐Mode und der 𝔱̌ ≠ O‐Spinwellen berücksichtigt werden. Es wird gezeigt, daß die Richtungsabhängigkeit der äußeren statischen Magnetfeldstärke für die absoluten Minimumlagen der kritischen Amplitude der Mikrowellenfeldstärke auf dem Anisotropiefeld der 𝔱̌ ≠ O‐Spinwellen beruht.
Beugungskontrast elektronenmikroskopischer Bilder von Versetzungsringen in Zink
Authors: Pfeiffer W. 
Published: July 2007

AbstractRingförmige Versetzungen in plastisch verformten Zink‐Kristallen werden im Elektronenmikroskop oft als zwei‐, drei‐ oder vierfache Linien abgebildet. Zur Deutung dieses Mehrfachkontrastes wurden Kontrastkurven mit Hilfe der kinematischen Theorie der Elektronenbeugung numerisch berechnet. Es zeigt sich, daß die meisten in den elektronenmikroskopischen Bildern vorkommenden Varianten des Mehrfachkontrastes auf diese Weise erklärt werden können. Es besteht eine gewisse Übereinstimmung mit den nach der dynamischen Beugungstheorie berechneten Kontrastkurven von HOWIE und WHELAN. Außerdem wurde berechnet, wie der Kontrast eines parallel zur Folienebene liegenden Stapelfehlers von der Tiefe des Stapelfehlers abhängt.
Über Photoleitfähigkeit in Sulfat‐Einkristallen
Authors: Sulzer J. , Waidelich W. 
Published: July 2007

AbstractIn einer Schutzringanordnung wurden Einkristalle aus der Sulfatgruppe im sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich auf Photoleitfähigkeit untersucht. Am Kupfersulfat und Natriumthiosulfat konnte keine Photoleitfähigkeit beobachtet werden. Bei Eisen (II)‐ Sulfat und Ammonium‐Eisen (II)‐Sulfat wurde Photoleitfähigkeit gefunden. Die Photoleitfähigkeit bei diesen Substanzen hängt mit photochemischen Vorgängen zusammen, die vermutlich zu einer Oxydation des Fe++‐Ions zum Fe+++‐Ion führen. Die gefundene Zunahme der magnetischen Suszeptibilität mit der Belichtung stützt diese Annahme. Intensitätsabhängigkeit und spektrale Empfindlichkeit der Photoleitfähigkeit verhalten sich wie bei den bekannten Eigen‐Photoleitern. Die Aktivierungsenergie beträgt beim Eisen (II)‐Sulfat 4,70 ± 0,10 eV, beim Ammonium‐Eisen (II)‐Sulfat 4,75 ± 0,10 eV.
Raumladungsbegrenzte Ströme in Halbleitern mit sperrenden Kontakten
Authors: Stöckmann F. 
Published: July 2007

AbstractFür einen Halbleiter ohne Haftstellen und mit nur einer Art von beweglichen Ladungsträgern wird untersucht, was fär Strom‐Spannungs‐Abhängigkeiten bei sperrenden, neutralen und sogenannten „Ohmschen”︁ Kontakten erwartet werden können. U. a. ergibt sich, daß raumladungsbegrenzte Ströme auch bei sperrenden Kontakten auftreten können, vorausgesetzt, daß oberhalb einer bestimmten Feldstärke am sperrenden Kontakt der Strom bei nur geringer Zunahme der Feldstärke rapide anwächst, wie z. B. bei der Schottky‐Emission und (im Prinzip) beim Tunneleffekt.
Elektronenmikroskopische Oberflächenuntersuchungen an CdS‐Einkristallen
Authors: Berger H. , Gutsche E. , Kahle W. , Lehmann G. , Stasiw Ostap 
Published: July 2007

AbstractOberflächenabdrucke von unbehandelten sowie von verschiedenen Behandlungen unterworfenen CdS‐Einkristallen wurden elektronenmikroskopisch bei 12000‐facher Vergrößerung untersucht. An Behandlungsverfahren wurden Temperungen im Hochvakuum, Bestrahlungen mit hohen Lichtintensitäten und Beschuß mit Ionen einer H2‐Gas‐entladung angewendet. Die Oberflächen der unbehandelten Kristalle zeigten in der Regel eine Belegung mit Teilchen, die eine Größe von maximal 1 μm besaßen. Eine Temperung der Kristalle im Hochvakuum führte im allgemeinen zu einer Abnahme der Teilchendichte, während bei intensiver Belichtung stets eine Zunahme der Teilchendichte beobachtet wurde. Bei Ionenbeschuß bildete sich eine polykristalline Kadmiumschicht aus. Die beobachteten Teilchen werden als Kadmiumabscheidungen gedeutet.
Elektronische Leitfähigkeit und Fehlordnungserscheinungen des gelben Blei(II)‐oxyds mit Zusätzen gitterfremder Kationen
Authors: Ritschel H. , Schmidt G. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von Sinterproben des gelben (rhombischen) Blei(II)‐oxyds mit Zusätzen von Li2O, SeO2, TeO2, BeO und BaO von der Höhe der Beimischung und von der Temperatur untersucht. Der Einbau von Lithium in das PbO‐Gitter bewirkt einen Leitfähigkeitsanstieg, der Einbau von Selen eine Leitfähigkeitsverminderung, was in Übereinstimmung mit dem defektleitenden Charakter des reinen PbO steht. Die Bildung von Bariumsubstitutionsstörstellen Ba•(Pb) ist verbunden mit einer starken Dunkelfärbung der Proben und ergibt einen Leitfähigkeitsanstieg. Zusätze von BeO verursachen nur geringe Veränderungen der Leitfähigkeit. Beim Einbau anderswertiger Kationen ergeben sich aus der Fehlordnungstheorie nach Wagner, Schottky und Hauffe Beziehungen zwischen elektrischer Leitfähigkeit und Zusatzkonzentration, die anhand der Meßergebnisse überprüft werden.
On Rejuvenation of a Ba0.72Sr0.28TiO3 Ceramic
Authors: Levialdi A. , Schoijet M. 
Published: July 2007

AbstractThe effect of rejuvenation, i. e. treatments that reverse the ageing effect, was investigated in a Ba0.72Sr0.28TiO3 ceramic. Several features of the phenomena are shown, and a qualitative explanation is suggested.
Impact Ionization of Centers in Solids by Electrons Accelerated by an Electric Field
Authors: Cardon F. 
Published: July 2007

AbstractThe probability of impact ionization of centers by electrons which have been accelerated in an electric field is calculated using time dependent perturbation theory. The wave function for a bound electron is taken to be of the form Ψ = (λ3/π)1/2 exp (‐ λr) and the effective mass approximation is used for the band. A modified Boltzmann function is used for the electrons in the band, and it is shown that impact ionization can only be important, in high resistivity materials, if the electric field is high even to raise the electron temperature well above lattice temperature. The effect on the current‐voltage characteristic is examinated for two simple cases and it is found that a steep rise due to impact ionization can occur. Electrons trapped in neutral centres are somewhat more important than electrons in negative centres, whilst electrons in positive centres are very much less important. It is also shown that the effect of impact ionization will, in general, only be important if most of the electrons which are released are trapped in other shallow traps.
Zur Deutung der elektrischen Leitfähigkeit von Korngrenzen in Germanium‐Bikristallen
Authors: Landwehr G. 
Published: July 2007

AbstractDie Defektelektronenverteilung bei tiefen Temperaturen an der Korngrenze von Germanium‐Bikristallen mit einem Verdrehungswinkel von 20° wurde mit Hilfe der Thomas‐Fermi‐Methode berechnet. Für die mittlere Dicke der leitenden p‐Schicht wurde ein Wert der Größenordnung 50 Å gefunden, die mittlere Defektelektronendichte ergab sich zu 4 · 1018 cm−3.
Field Effect‐Capacitance Analysis of Surface States on Silicon
Authors: Lehovec K. , Slobodskoy A. , Sprague J. L. 
Published: July 2007

AbstractThe capacitance of a space charge layer, induced on a semiconductor surface, is analyzed to obtain information on the charge of surface states. Capacitance measurements on silicon‐silicon oxide‐metal combinations are presented, and these indicate a quasi‐continuous spectrum of surface states with a density of approximately 1 × 1012 states/cm2 · eV in the range 0.2 to 0.8 eV above the valence band for both, p‐ and n‐type samples, and a total density of 1.7 × 1012 states/cm2. Advantages and limitations of the capacitance‐method are discussed.
Formation of Colour Centres in Undeformed and Deformed NaCl
Authors: Davidge R. W. , Pratt P. L. 
Published: July 2007

AbstractRates of F‐centre formation and absorption spectra after soft and hard X‐irradiation and after subsequent bleaching were studied. Two stages of colouration are found. During the first stage, F‐centres are formed from vacancies present in the crystal prior to irradiation. The second stage during soft irradiation is attributed to the formation of F‐centres by a bulk mechanism; the second stage during hard irradiation, which is significant only in deformed crystals, is attribiuted to the formation of F‐centres from vacancy clusters generated by deformation.
Diffusion Coefficient of Electrons in InSb
Authors: Zawadzki W. 
Published: July 2007

AbstractOn the basis of KANE'S theory of the shape of the conduction band in InSb the relation between the diffusion coefficient and mobility of electrons is found. It is shown that for partial or strong degeneration of the electron gas the non‐parabolic shape of a band has a strong influence on this relation. For a completely non‐degenerate electron gas the classical Einstein relation is found to hold regardless of the band structure.
The Determination of the Type of Stacking Faults in Face Centered Cubic Alloys by Means of Contrast Effects in the Electron Microscope
Authors: Art A. , Gevers R. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractA practical method is described for the determination of the nature of stacking faults in facecentred cubic structures. The method involves a comparison of the bright and dark field image of the fringe pattern associated with a stacking fault lying in an inclined plane. A complete analytical derivation of the principles of the method is given, and it is used to show that the stacking faults in a copper ‐15% gallium alloy are of the intrinsic type.
Der Einfluß von Stapelfehlertetraedern auf das Volumen und den elektrischen Widerstand von Edelmetallen
Authors: Schottky G. 
Published: July 2007

AbstractStapelfehlertetraeder stellen einen Eigenspannungszustand dar. Mit Hilfe eines Gedankens von ZENER kann man ihre nichtlineare Volumdilatation auf Grund der linearen Elastizitätstheorie berechnen. In der vorliegenden Arbeit wird das nicht geschlossen lösbare kubisch‐anisotrope Problem behandelt; ein von KRÖNER stammender Näherungsansatz führt nach umfangreichen Zwischenrechnungen zu handlichen Ausdrücken. Für das Spannungsfeld in großem Abstand r vom Tetraeder wird eine Entwicklung nach fallenden Potenzen von r angegeben. Die Erhöhung des elektrischen Widerstandes durch die Stapelfehler wird abgeschätzt.Bei geringen Abmessungen der Tetraeder sind die elastische Energie und in gewissen Fällen auch die Volumdilatation nicht zu vernachlässigen gegenüber den Effekten der Leerstellen selbst. Der Einfluß auf den Widerstand ist vergleichbar mit dem der isolierten Leerstellen.Wenn Leerstellen durch Bildung von Tetraedern ausheilen, sollte man ein größeres Verhältnis von Volum‐ zu Widerstandsabnahme beobachten, als wenn das Ausheilen an festen Senken (Sprüngen in Versetzungslinien) erfolgt.
Die durch Plastizitätsuntersuchungen bestimmte Stapelfehlerenergie von Silber im Temperaturbereich 172°K bis 873°K
Authors: Bühler S. E. , Lücke K. , Rosenbaum F. W. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Verfestigungskurven von Silbereinkristallen mittlerer Orientierung im Temperaturbereich von 170 °K bis 870 °K im Dehngeschwindigkeitsbereich von 2 × 10−6 bis 2 × 10−2 aufgenommen und daraus jeweils die Spannungen τIII (Einsetzen der dynamischen Erholung) ermittelt. Die Abhängigkeit von τIII von der Temperatur und Dehngeschwindigkeit läßt sich im gesamten Temperaturbereich, in dem noch ein Bereich II beobachtbar ist, quantitativ auf der Grundlage der Theorie der thermisch aktivierten Quergleitung deuten, sofern man eine temperaturabhängige Stapelfehlerenergie annimmt. Es liegt daher nahe, in diesem Temperaturbereich die thermisch aktivierte Quergleitung für das Abknicken der Spannungs‐Dehnungskurve (dynamische Erholung) verantwortlich zu machen. Die unter dieser Annahme ermittelte Stapelfehlerenergie nimmt bei Raumtemperatur in größenordnungsmäßiger Übereinstimmung mit den Daten anderer Autoren einen Wert von 33 erg/cm2 an. Die hier erstmals ermittelte Temperaturabhängigkeit der Stapelfehlerenergie ergibt sich etwa 2,5mal stärker als die des Schubmoduls. Es konnte gezeigt werden, daß verschiedenartige Definitionen von τIII oder auch das Auftreten eines weiteren Knickes im Bereich II keinen Einfluß auf diese Ergebnisse haben.
The Equation of State of NaCl
Authors: Verma M. P. , Dayal B. 
Published: July 2007

AbstractThe equation of state of sodium chloride is studied, using an exponential force law for the non‐Coulombic interaction between neighbouring ions. A modified form of KELLERMANN'S model is used which takes into account the zero point energy of the lattice. The evaluation of certain parameters (A and B) defined by KELLERMANN requires a knowledge of the frequency spectrum of the crystal which is itself a function of A and B. An iterative process was therefore used for the estimation of these parameters. Values of thermal expansion, and isothermal compressibility are determined at different temperatures and fairly good agreement between theory and experiment is obtained up to about 700 °K. The isotherm for 1025 °K has a minimum on the zero pressure axis.
Exoelektronen‐Emissionsspektren an Alkalichloriden
Authors: Petrescu P. 
Published: July 2007

AbstractDie Exoelektronen‐Emissionsspektren (Emission als Funktion der Wellenlänge der stimulierenden Strahlung) von polykristallinen NaCl‐, KCl‐, RbCl‐ und CsCl‐Proben wurden analysiert. Die Niveaus der Hauptzentren (F‐Zentren), der Sekundärzentren (M‐Zentren usw.) und deren Bildung und Entwicklung unter der Bestrahlungseinwirkung wurden untersucht. Desgleichen wurden auch die F‐ und M‐Zentren an RbCl‐KCl‐Mischkristallen beobachtet.
Photomagneto‐Electric effect in Graded‐Gap Semiconductors
Authors: Fortini A. , Saint‐Martin J. P. 
Published: July 2007

AbstractThe PME effect in an inhomogeneous semiconductor is calculated assuming uniform local mobilities. An experiment is described in which a gap‐gradient is induced in a germanium crystal by means of a pressure gradient. The result is consistent with previously measured values of the pressure dependence of the energy gap.
Darstellung von Tellur hoher Reinheit
Authors: Kujawa R. V. 
Published: July 2007

AbstractEs werden vereinfachte Verfahren zur Feinreinigung von Tellur sowie die angewendeten analytischen Methoden (Spektralanalyse, z. T. Halleffekt und elektrische Leitfähigkeit) beschrieben. Durch Anwendung von Destillation oder Sublimation unter vermindertem Druck sowie Zonenschmelzen läßt sich der Gehalt an elektrisch wirksamen Fremdatomen auf mindestens 1014 cm−3 senken.Der bisher übliche Nachweis von Fremdatomen in Tellur unterhalb der spektralanalytischen Nachweisgrenze mit Hilfe der genannten physikalischen Verfahren darf als außerordentlich problematisch gelten. Die Ergebnisse spektralanalytischer und oben genannter physikalischer Untersuchungsmethoden zeigten erhebliche Abweichungen, deren Verhalten diskutiert wird.