bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
The precipitation of barium sulphate and chromate powders from aqueous solution with slow development of supersaturation. Crystal numbers and final crystal sizes
Authors: Packter A. , Sahay S. 
Published: July 2007

AbstractThe precipitations of barium sulphate and chromate were studied by slow addition of anion to metal cation solution at 20°C, to give final equivalent metal salt solutions; the final solute concentrations (Cfin) were varied from 0.002 to 0.30 mol l−1while the rates (R) of addition of anion were varied from 10−4to 10−2ion l−1. At first, mainly heterogeneous nuclei formed continuously during induction periods; then, as the metal salt concentration in solution increased, homogeneous nucleation soon predominated. This second nucleation process probably attained its maximum rate when the metal salt concentration in solution reached its maximum value (Cmax) and then probably terminated quite rapidly. Some further nuclei also formed during the growth process when crystal growth was prolonged. The final nucleus numbers (N), and thence the crystal numbers for slow precipitations from very dilute solutions were then rather higher than the numberN∞ (het) of heterogeneous nuclei in solution: nucleus numbers then increased with increasing mixing rate according to the relation,(where β = 0.7–0.9) (where β = 0.7–0.9).The final average crystal lengths of any precipitate were then 2 to 40 times the sizes noted for rapid precipitation from equivalent solutions of the same concentration: generally, final lengths varied with mixing rate according to the relation,.
Growth and analysis of barium‐sodium niobate crystals
Authors: Voronov V. V. , Zharikov E. V. , Ivleva L. I. , Kuzminov Yu. S. , Osiko V. V. , Polozkov N. M. , Khaimov‐Malkov V. J. , Myzina V. A. 
Published: July 2007

AbstractThe conditions of growth, monodomenization, and detwinning are considered in order to obtain optically perfect barium–sodium niobate crystals (BSN). Optical homogeneity and that of chemical composition are investigated. It is shown that possible variations of composition in a crystal's volume are below 1%. Thermal E and optical Eg° widths of the forbidden zone are determined in the absorption spectra.
Electron microscopic investigations of the working damage on garnet substrate surfaces
Authors: Hergt R. , Müller H. 
Published: July 2007

AbstractSurface morphology and working damage of gadolinium gallium garnet substrates prepared by various polishing methods were investigated by replica technique and RHEED. Surface roughness is found to be in the range below about a tenth of the polishing grain size. The remarkable influence of the polishing grain size on the RHEED pattern is investigated and a brittle fracture model for the abrasion process is suggested. The damaged layer thickness does not exceed the magnitude of the surface roughness. In the case of a mechano‐chemical polish surface roughness is in the order of magnitude of only few lattice cells and there could not be found any surface lattice damage.
Über die Co(C)‐Begleitphase des synthetischen Diamanten
Authors: Vavrda Josef 
Published: July 2007

AbstractDie Konzentrationsabhängigkeit des spezifischen Atomvolumens auf der Kohlenstoffseite des CoC‐Systems wird aufgestellt. Mit ihrer Hilfe wird der Kohlenstoffgehalt der Co(C)‐Begleitphase des Diamanten zu ∼ 3,7 At.% bestimmt. Die Begleitphase ist danach das Endglied Co:0,03 C der festen Lösung und scheint das Zerfallsprodukt des an Kohlenstoff übersättigten Mutterkatalysators zu sein.
Strukturuntersuchungen an Oberflächenschichten spanend bearbeiteter Molybdän‐Einkristalle
Authors: Bewilogua K. , Weissmantel Ch. 
Published: July 2007

AbstractAls Modellwerkstoff für die spanende Bearbeitung (Drehen) dienten Molybdän‐Einkristalle. Die Strukturveränderungen in der gestörten Oberflächenschicht wurden mittels Reflexionselektronenbeugung und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. An der Oberfläche ist das Material polykristallin, zwischen 2 und 5 μm erfolgt der Übergang zum Einkristall. Deutliche plastische Verformungen konnten bis etwa 150 μm unter der Oberfläche nachgewiesen werden. Zwischen 150 und 300 μm geht der Werkstoff in den unverformten Zustand über.
Computersimulation einer eindimensionalen polykristallinen Gefügebildung mit konstanter Keimbildungsrate und konstanter Kristallisationsgeschwindigkeit
Authors: Schulze G. E. Werner , Peil Jürgen 
Published: July 2007

AbstractFür den Prozeß der isothermen Erstarrung einer Schmelze mit konstanter Keimbildungsgeschwindigkeit sowie konstanter und für alle Kristallite gleicher Kristallisationsgeschwindigkeit in einer Kapillare sind mathematische Modellvorstellungen und Rechenprogramme zur Simulierung des Modells auf einem Digitalrechner erarbeitet worden. Als Ergebnis solcher Computersimulationen erhält man Häufigkeitsverteilungen für die Kornlängen. Für eine größere Anzahl simulierter Fälle ließen sich die Summenhäufigkeiten der Kornlängen durch die Rosin‐Rammler‐Sperling‐Verteilung gut approximieren.
Entfestigung von Metallen und Legierungen beim NO‐S‐Übergang
Authors: Startsev V. I. 
Published: July 2007

AbstractIn der Arbeit wird eine Übersicht des Standes der Untersuchung zur Frage der Entfestigung von Metallen beim Übergang zur Supraleitung gegeben. Experimentelle Ergebnisse zum Einfluß von Temperatur, Spannung, Verformungsgrad, Fremdelement, Zusätzen und Magnetfeld auf den Entfestigungswert werden angegeben. Es wird gezeigt, daß in Supraleitern vom Typ II das Ausmaß des Effektes durch das Volumen der supraleitenden Phase im Metall bestimmt wird.Die Analyse der vorhandenen dynamischen Theorien der Erscheinung, die auf der Änderung der Elektronenbremsung der Versetzung beim NS‐Übergang beruhen, und der Vergleich der Theorien mit dem Experiment zeigt, daß diese Theorien viele der beobachteten Abhängigkeiten qualitativ erklären; für ein vollständiges Verständnis der Erscheinung ist jedoch wahrscheinlich die Berücksichtigung statischer Effekte erforderlich, die beim supraleitenden Übergang auftreten können.
Untersuchung gestörter Oberflächenschichten an Siliziumeinkristallen
Authors: Koltai‐Jutasi Erna 
Published: July 2007

AbstractEs wurde nachgewiesen, daß mit der angewandten Auswertungsmethode, gekennzeichnet durch densitometrisches Ausmessen der Reflexionen von Kikuchi‐Aufnahmen, ein für polierte Si‐Einkristalloberflächen charakteristischer Meßwert gegeben werden kann. Dieser Meßwert ist das Verhältnis von ΔS1/ΔS0, das auf Grund eines Vergleiches zwischen dem Oberflächenzustand und den tieferen, durch die mechanische Bearbeitung weniger gestörten Schichten angegeben werden kann. Diese Methode ermöglicht — auch beim Fehlen von Eichproben die Beurteilung der Oberflächenqualität.
Supraleitung von schmelzmetallurgisch hergestellten NbGa‐Legierungen mit A15‐Struktur
Authors: Müller P. , Matthes V. , Rohr M. 
Published: July 2007

AbstractIm System Nb—Ga erstreckt sich das temperaturabhängige Homogenitätsgebiet der A 15‐Phase nur bis zu 19–22,5 At.‐% Ga und erreicht lediglich bei der eutektischen Temperatur etwa die stöchiometrische Zusammensetzung. Infolge der Ausbildung der Phasengrenzlinien im System Nb–Ga werden bei schmelzmetallurgisch hergestellten Proben die maximalen Sprungtemperaturen nicht bei einer dem einphasigen A15‐Material entsprechenden Zusammensetzung, sondern bei etwa eutektischer Zusammensetzung erreicht, da in diesem Fall die A15‐Phase mit maximalem Ga‐Gehalt ausgebildet wird. Der Einfluß einer Homogenisierungs‐ und Anlaßbehandlung wird untersucht.
Strukturelle Umklapp‐Vorgänge in metastabilen β1‐Kupfer‐Zink‐Mischkristallen bei tiefen und höheren Temperaturen (II). Isotherme Phasenumwandlungen
Authors: Kunze Günther 
Published: July 2007

AbstractAufbauend auf die gitterdynamische Skizze im ersten Teil, (I), werden im vorliegenden zweiten Teil, (II), isotherme Phasenumwandlungen von metastabilen β1−Cu1−xZnx‐Ein‐ und ‐Polykristallen, insbesondere für die Auslagerungstemperatur Ta = 360 °C, behandelt; der Bericht stützt sich ausschließlich auf mit Röntgenbeugungsexperimenten gewonnene Resultate.Die gesamte Umwandlung läßt sich in drei Hauptperioden unterteilen, in deren erster und letzter Diffusionsvorgänge und in deren mittlerer diffusionslose Übergänge (Umklapp‐Prozesse) die Reaktionsgeschwindigkeit bestimmen: Vordiffusion / Umklappung / Nachdiffusion.
Untersuchung der Volumenstruktur dünner Bi1–xSbx‐Schichten
Authors: Müller H. , Heinevetter U. , Kaiser N. , Gloede C. 
Published: July 2007

AbstractDie Volumenstruktur von aufgedampften Bi1–xSbx‐Schichten wurde mit Hilfe der Abdrucktechnik im Elektronenmikroskop untersucht. Die Schichten wurde im treibmittelhaltigen und im treibmittelreduzierten Vakuum hergestellt und bei 150°C getempert. Es deutet sich ein säulenförmiges Kristallwachstum an, was mit der gefundenen Wachstumstextur in 〈00.1〉‐Richtung übereinstimmt. Die Kornvergrößerung beim Tempern wird entscheidend durch den Kohlenwasserstoffgehalt der Schicht beeinflußt. Der größte Teil der Kohlenwasserstoffe wird in der oberen Hälfte der Schicht eingebaut. Durch die Bildung einer Oxidschicht geht der Zusammenhang zwischen Oberflächen‐ und Volumenstruktur verloren.
Untersuchung glasig‐amorpher Strukturen (I)
Authors: Nowak W. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden übermolekulare Strukturen in dem glasig‐amorphen Einkomponenten‐System SiO2mit Hilfe der Laserstreulicht‐Technik nach dem Prinzip des Ultra‐Mikroskops untersucht und die Kohärenzlängen der abgebildeten Amplituden‐ und Phasenstrukturen als eingefrorene nichtthermodynamische, d. h. kritische Dichte‐Fluktuationen interpretiert. Diese Auffassung wird durch Messung des linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten im Transformationsbereich eines silikatischen Mehrkomponentenglases gestützt, der in diesem Bereich ein ausgeprägt divergentes Verhalten zeigt. Eine strukturelle Interpretation dieser Divergenz soll im zweiten Teil dieser Mitteilung gegeben werden.
New empirical kinetic equation of size dependent crystal growth and its use
Authors: Rojkowski Z. 
Published: July 2007

AbstractSize dependent crystal growth kinetic can be measured indirectly in Mixed Suspension Mixed Product Removal Crystallizer by means of differential number balance of crystal product population. Some simple formula relating growth rate G and crystal size L is needed for statistical processing of scattered experimental crystal size distribution data. The new exponential formula

has been proposed which provides physically realizable values of G at extreme size values. The formula is simple enough to yield analytic solution of the number balance. Methods of estimation of three formula parameters and nucleation rate and examples of experimental data fitting have been presented as well.
Determination of individual rate constants of reaction and diffusion steps from over‐all crystal growth coefficient
Authors: Nývlt J. , Karpiński P. 
Published: July 2007

AbstractA universal method, being a solution of the problem formulated independently by NÝVLT and GARSIDE in 1971 is proposed. The method makes it possible — having at one's disposal the experimental growth rate constant — to determine individual rate constants of the main steps of the process of crystal growth i.e., the diffusion step and the surface integration step and thus indicate the step controlling the whole process of crystal growth. Experimental data on crystal growth of MgSO4 and ZnSO4 were evaluated.
Impurity band conduction effects in liquid phase epitaxial Te‐doped GaP grown from tin solution
Authors: Neumann H. , Butter E. , Kramer P. , Kohl W. , Ernst H.‐G. 
Published: July 2007

AbstractGaP layers were grown by liquid phase epitaxy from tin solution on semi‐insulating GaAs substrates with various amounts of Te added to the melt (xTe = 10−4 …︁ 3 · 10−2). The Sn and Te concentrations in the layers were determined by chemical analysis as function of x. An analysis of the electrical measurements shows that the carrier transport in the layers is essentially determined by impurity band conduction effects.
Über Glasbildung und Eigenschaften von Chalkogenidsystemen (XII). Das Phasendiagramm SnS‐GeS2
Authors: Feltz A. , Ludwig W. , Seiss R. 
Published: July 2007

AbstractIm System SnS‐GeS2 tritt SnGeS3 als einzige ternäre Verbindung auf. Der inkongruente Schmelzpunkt beträgt 613°C. SnGeS3 bildet mit SnS im Molverhältnis 1 zu 1 eine eutektische Mischung, deren Schmelztemperatur bei 580°C liegt. Eutektische Schmelzen neigen relative stark zur Unterkühlung. Das Glasbildungsgebiet im System SnS–GeS–GeS2 hat in Richtung auf die eutektische Zusammensetzung seine größte Ausdehnung.
Reaktivität von mechanisch aktiviertem Quarz
Authors: Steinike U. , Ebert I. , Geissler H. , Hennig H.‐P. , Kretzschmar U. 
Published: July 2007

AbstractBei der mechanischen Aktivierung von Quarz in einer Schwingmühle in Luftatmosphäre wird u. a. eine Amorphisierung des Quarzes und das Entstehen von Sauerstoffdefektelektronenzentren beobachtet. Die Amorphisierung ist auf einen Primärteilcheneffekt zurückzuführen. Die Sauerstoffdefektelektronenzentren sind vorwiegend in den röntgenamorphen Bereichen konzentriert. Die röntgenamorphen Bereiche befinden sich an bevorzugten Stellen der Oberfläche, in Rissen und Vertiefungen. Diese amorphen Bereiche weisen eine erhöhte Reaktivität auf (Lösbarkeit bzw. Anfangslösegeschwindigkeit sowie Sorption).
Plastische Verformung von Silizium‐Einkristallen
Authors: Fischer A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Untersuchungen zur plastischen Verformung von Silizium‐Einkristallen und den sie bedingenden Elementarprozessen berichtet. Dabei wird gezeigt, daß die Abgleitung des Kristalls im Anfangsstadium durch die Bewegung von 60°‐Versetzungen in den Primärgleitebenen kontrolliert wird. Mit der Zunahme des Verformungsgrades wird das Quergleiten von Schraubenversetzungen unter der Wirkung innerer, durch elastische Versetzungswechselwirkung erzeugter Spannungen zum Mechanismus, der den Verformungsprozeß bestimmt.
Effects of growth rates on the defect generation in KCl crystals grown by the czochralski method
Authors: Inoue T. , Komatsu H. 
Published: July 2007

AbstractThe effects of the growth rates on the perfection of KCl crystals grown by the Czochralski method were investigated in the range of the pulling rate from 1 to 27.3 mm/hr using the etch pit method. It was found that the density of random dislocation within subgrains was almost independent on the pulling rate but the length of subboundaries in the unit area was decreased with an increase of the pulling rate. The shape of the solid‐liquid interface changed from convex towards the melt to flat with an increase of the pulling rates. It was found that the leading factor in producing subboundaries is the shape of the solid‐liquid interface, and that the pulling rate alone does not always determine the perfection.
Herstellung homogener CdxHg1−xTe‐Barren als Ausgangsmaterial für infrarotempfindliche Fotowiderstände
Authors: Schubert F. , Dittmar G. , Forbrig B. 
Published: July 2007

AbstractAls Ausgangsmaterial für hochempfindliche Infrarot‐Fotowiderstände wird heute oft Kadmium‐Quecksilbertellurid (CdxHg1−xTe) verwendet. Um daraus CdxHg1−xTe‐Infrarotdetektoren mit annähernd gleichen elektrischen Eigenschaften herstellen zu können, ist eine gute Homogenität des Materials erforderlich. Diese kann mit den konventionellen Kristallzüchtungsmethoden (z. B. Bridgmanverfahren) nicht erreicht werden. Dagegen liefert das Verfahren der schnellen Abkühlung der Schmelze gute Ergebnisse.
Elastic interaction of point defects and volume defects near interfaces
Authors: Michel B. 
Published: July 2007

AbstractThe paper contains a generalization of previous works of the author dealing with the calculation of the interaction energy of point defects and more or less extended volume defects near a solid surface. Formulae for the interaction energy of two defects between each other and with an interface are derived. For special cases the well‐known results of BACON for dilatation centres have been generalized to extended defects with arbitrary shape and size.
Luminescence during release of pressure in X‐ray irradiated alkali halide crystals
Authors: Chandra B. P. , Elyas M. 
Published: July 2007

AbstractEmission of light is found during application as well as release of uniaxial pressure in X‐ray irradiated alkali halide crystals. As unpinning of dislocations can not take place, however, dislocations can move in backward directions during release of the pressure; the emission of light during release of pressure gives a direct support that the interaction of moving dislocations with F‐centers is responsible for the emission of light during deformation of colored alkali halide crystals.
Study of temperature distribution in high‐temperature furnaces for silicon carbide monocrystal and epitaxial layer growing
Authors: Lilov S. K. , Tairov Yu. M. , Tsvetkov V. F. 
Published: July 2007

AbstractA method to determine temperature gradient and distribution in high‐temperature furnaces for silicon carbide monocrystal and epitaxial layer growing is suggested on the basis of the results obtained from the experiments on silicon carbide epitaxial layer growing kinetics in gas using 2 „sandwiches”︁.
Influence of oxygen on electrical properties of CaF2 crystals
Authors: Švantner M. , Mariani E. 
Published: July 2007

AbstractThe O2− ions appear as an unwanted impurity that contaminates the crystals of alkaline and rare earth fluorides during their preparation. The easy incorporation into the lattice and difficulties with their detection make the measurement of electrical properties problematical. In order to elucidate the influences of oxygen on CaF2 crystals we have measured electrical conductivity. The crystals were prepared from a raw material of various moisture content, or they were doped by CaO, respectively. The measured courses exhibit equal activation energy E = 0.64 eV in the middle range. We thus conclude that synthetizing the crystal contaminated by moisture yields incorporation of O2− ions only. We proved that even a two hours delay of melted raw material in gaseous products of Teflon pyrolysis does not suffice to remove oxygen. The method is effective only when applied after drying of raw material in vacuum.
Polarization of Mo Kα ‐radiation of the bragg diffraction in real silicon crystals
Authors: Olekhnovich N. M. , Karpei A. L. , Markovich V. L. 
Published: July 2007

AbstractThe results are given for the experimental investigation of the polarization ratio (ϱ∥/ϱ⊥) and the integrated intensity (ϱ⊥) for the Bragg reflections 111, 333, 444 of silicon crystals with different dislocations density (Nd). The measured polarization ratio as a function of Nd and ϱ⊥ is found to have a maximum which is greater than that for the perfect crystal. Attention is drawn to the fact that the polarization ratio maximum for the reflection 111 exceeds unity. The obtained results are analyzed in terms of the mosaic model taking into account the primary extinction for a finite mosaic block and the secondary one between the blocks. The approximation of the mosaic model does not appear to account for the observed polarization ratio maximum.
Kinetics of etching of dislocations in magnesium orthosilicate single crystals
Authors: Desai C. C. , John V. 
Published: July 2007

AbstractCleavages of undoped, doped and natural magnesium orthosilicate crystals have been simultaneously etched in concentrated hydrochloric acid solution. The lateral and normal velocities of the growth of pits were then measured at different temperatures for the varieties of crystals. The time dependence of the growth of pit dimensions is found to be linear, while the temperature dependence of the growth of pits is found to be exponential, viz. V = A exp (− E/kT). The dissolution parameters, e. g. the activation energy (E) and the pre‐exponential factor (A) for dissolution along the surface and along the dislocation lines have been computed. It is observed that: (1) the activation energy (E1) of dissolution along [001] direction is found to be greater than the activation energy (Eb) along [100] direction, irrespective of whether the crystals are doped, undoped or natural, and (2) the doping of the crystal with manganese has lowered down the activation energy (Ed) to such an extent that it is less than E1 and Eb. The implications are discussed.
Investigations of surface of glasses by nematic and cholesteric liquid crystals
Authors: Boden G. , Küchler R. 
Published: July 2007

AbstractThe relatively strong interaction between the surface of the glass and the nematic liquid crystals is demonstrated. The same texture of liquid crystals is observed after every renewed cycle of warming and cooling. Defects, which are invisible without an electrical field, become visible by the dynamic scattering effect. The thermografic results, which are received by cholesteric liquid crystals, are able to demonstrate only strong defects.
Kinetics of nucleation for non‐spherical nuclei and the effect of high pressures
Authors: Vasudevan S. , Nagalingam S. , Ramasamy P. , Laddha G. S. 
Published: July 2007

AbstractFormulae are derived for the excess free energy of cylindrical and pill‐box nuclei under homogeneous and heterogeneous conditions. The surface free energy is taken to be different for lateral and end surfaces of the nucleus in deriving the critical dimensions. The effect of pressure on the formation of a nucleus is studied theoretically first for the appearance of a new phase from a gas and then for a condensed phase.
Textures forming in some steels machined by abrasives
Authors: Savchuk V. I. , Moroz I. A. , Ivaniji V. S. , Grishkevich A. V. 
Published: July 2007

AbstractThe texture formation, at each machining stage, in the CT45, CT50 and CT40X steels machined via two technological alternative ways has been investigated, these being as follows: (1) turning — grinding — superfinishing, (2) turning — hardening — grinding — superfinishing. Presented are the (110) pole figures obtained by the reflection method. It was shown that the grinding and superfinishing of the specimens in compliance with the alternative way 1 led to formation of the texture, the basal ideal orientations of which resemble that of rolling one for the [Russian Text Ignored].‐metals. The recrystallization (110) [001] component is therewith also contained in the grinding texture. No texture was recognized in specimens machined by the procedure according to the alternative way 2. These facts being accounted for by the pressure and temperature factors operating in the course of grinding and superfinishing, as well as by the dependence of the deformation mechanism of the steels under study on a preliminary machining of the latter.
Oriented inclusions in single crystals of potassium dihydrogen phosphate
Authors: Joshi M. S. , Antony A. V. 
Published: July 2007

AbstractDifferent forms of oriented inclusions in single crystals of potassium dihydrogen phosphate (KDP) grown by gel method and from aqueous solutions are reported. Small rod like chain and channel types of liquid inclusions are illustrated. These inclusions are oriented along 〈001〉, 〈011〉 and 〈010〉 directions and are attributed to mother liquor trapped in the body of the crystal during growth.
Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimation „sandwich method”︁ (I) growth kinetics in vacuum
Authors: Vodakov Yu. A. , Mokhov E. N. , Ramm M. G. , Roenkov A. D. 
Published: July 2007

AbstractThe growth kinetics of SiC epitaxial layers has been investigated by sublimation sandwich‐method in vacuum at temperature range from 1600 to 2100°C. The limiting stages of the crystallization process have been determined. Silicon deficit in the growth cell was shown to result in the great retarding of SiC epitaxial layers growth due to the decreasing of evaporation coefficient by a factor of 101–102 and more. The impurities introduced into the system at low supersaturations and temperatures, especially rare‐earth elements, Al, B, Cr reduce as a rule evaporation and condensation coefficients and therefore the growth rate of epitaxial layers.