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Einkristallzüchtung von Hämatit aus Boraxschmelze
Authors: Vichr Miroslav 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Züchtung von Hämatit‐Einkristallen zum Zwecke der Bestimmung der magnetischen Eigenschaften berichtet. Hierfür wurde die Schmelzlösungsmethode mit Borax als Schmelzmittel im Temperaturbereich von 1300 °C bis zum Erstarren der Schmelze benutzt. (Abkühlungsgeschwindigkeit 10 grd · h−1). Einige der physikalischen Eigenschaften, die mit der Vollkommenheit der Einkristalle zusammenhängen, haben wir zusammengestellt.
Ein Beitrag zur Ätzung von Fluorit‐Spaltflächen
Authors: Kleber Will , Hähnert Manfred , Lüdtke Ingeborg 
Published: July 2007

AbstractDie Ätzmethode als Mittel zur Analyse von Versetzungsnetzwerken im Fluorit wird kritisch erprobt. Die Untersuchungen wurden an Spaltflächen von natürlichem und synthetischem Fluorit durchgeführt, wobei als Ätzmittel Phosphorsäure, Schwefelsäure, Salzsäure, Salpetersäure, Amidoschwefelsäure, Borsäurelösung und Eisen(III)‐chloridlösung mit unterschiedlichen Konzentrationen und bei verschiedenen Temperaturen verwendet wurden.Die Ergebnisse über die Dichte der Ätzgruben, die Korrelation der Angriffsstellen bei verschiedenen Säuren, die Exzentrizität der Gruben, die Anordnung der Ätzfiguren auf korrespondierenden Spaltflächen, die Erzeugung von Ätzgruben an Mikrohärte‐Eindrücken und an Kleinwinkelkorngrenzen bestätigen, daß die Ätzgruben auf den Spaltflächen von Fluorit an den Austrittspunkten von Versetzungslinien entstehen.
Der Einfluß von Übersättigung, Temperatur und Impfkristallen auf die Kristallisation aus wässerigen Lösungen
Authors: Matusevič Dozent L. N. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wird die Massenkristallisation in durchmischten Lösungen in Abhängigkeit von Temperatur und Abkühlungsgeschwindigkeit in Gegenwart von Impfkristallen untersucht.
Bestimmung von kristallographischen Elementen stabförmiger kubischer Einkristalle (II)
Authors: Bohm Joachim , Wadewitz Heinz 
Published: July 2007

AbstractEs werden einige Verfahren und Methoden zur Bestimmung von kristallographischen Elementen stabförmiger kubischer Einkristalle im Zusammenhang dargestellt. Speziell berücksichtigt werden Fragen der kristallographischen Orientierung und Gleitvorgänge. Die Beschreibungen sind so ausführlich, daß sie als Anleitung für entsprechende praktische Aufgaben dienen können. Im zweiten Teil werden rechnerische Verfahren unter Bezug auf Winkelkoordinaten der Polkugel angegeben.
Fluorine‐free Flux for Growth of Rare Earth Garnets
Authors: Schieber M. 
Published: July 2007

AbstractA composition diagram which compares various mixtures used for growing rare earth garnets is described. The flux components of PbOB2O3 or PbOPbF2 recommended for growth of either rare earth iron, gallium or aluminium garnets are expressed in terms of a pseudoternary diagram. The crystals discussed in this paper are Eu3Fe5O12, Eu3Ga5O12, Tm3Al5O12, Tm3Ga5O12, Yb3Ga5O12, and Yb3Fe2Ga3O12. The crystals are characterized by lattice constant, morphology, and in some cases, by magnetic susceptibility data.
Ein graphisches Verfahren zur Indizierung von Pulverdiagrammen hexagonaler und tetragonaler Substanzen
Authors: Nedoma J. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wird eine graphische Methode zur Indizierung von Röntgen‐Pulverdiagrammen hexagonaler und tetragonaler Substanzen diskutiert. Das vorgeschlagene Verfahren ist geeignet, die bereits vorhandenen, praktisch angewendeten Methoden zu vervollständigen.
Ein Beitrag zur Epitaxie von Bleisulfid auf Alkalihalogeniden
Authors: Kleber W. , Schoenborn W. , Wäsch R. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden verschiedene Alkalihalogenide (NaF, NaCl, KCl, KBr, KJ) im Hoch‐vakuum (10−5 Torr) gespalten und simultan mit PbS bedampft. Die Trägertemperaturen lagen zwischen 25 und 375°C. Im allgemeinen ergab sich eine (001)‐Orientierung, nur bei der Epitaxie auf NaF vermindert sich der Orientierungsgrad unter‐halb 170°C zunehmend. Der Einfluß verschiedener Faktoren, wird diskutiert.
Ladungsübergänge aus Kontaktpotentialen zwischen Metallen
Authors: Thiessen P. A. , Kuhk E. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Ladungsübergänge aus Kontaktpotentialen untersucht, die an der Ausbildung eines Triboplasmas beteiligt sind. Durch Aneinandergleiten zweier verschiedener oder gleicher Metalle unter verschiedenen Gleitwinkeln in chemisch definierter Umgebung konnten die Kontaktpotentiale der Partnerpaare elektrometrisch gemessen werden. Während die Untersuchungen verschiedener Metalle gegen‐einander Ladungsübergänge ergaben, die der Differenz der Elektronenaustritts‐arbeiten der verwendeten Kontaktpartner entsprachen, ergaben Versuche mit verschieden behandelten Oberflächen gleicher Kontaktpartner zum Teil ebenfalls Ladungsübergänge – ein Effekt, welcher der zugrundegelegten Modellvorstellung entspricht.
Komplexe Darstellung der geometrisch‐kristallographischen Verhältnisse bei der Druckverformung kubisch‐raumzentrierter Metalleinkristalle durch 〈111〉 {110}‐Gleiten
Authors: Schubert M. 
Published: July 2007

AbstractNach dem Verfahren von Chin, Thurston und Nesbitt werden die Deformationsmatrizen für Druckverformung kubisch‐raumzentrierter Metalleinkristalle bei 〈111〉 {110}‐Gleitung für sämtliche möglichen Orientierungen angegeben. Es wird gezeigt, daß die linear unabhängigen Eigenvektoren dieser Matrizen die bei der Deformation stabil bleibenden Orientierungen bestimmen. Wird die Walzverformung als reiner Kompressionsvorgang betrachtet, so läßt sich eine Anzahl von Orientierungen der Walzproben angeben, die im Rahmen des behandelten Modells völlig orientierungsstabil sind. Für diese Fälle werden Verlauf und mögliche Ausbildung von Gleit‐spuren diskutiert.
Die Wachstumsformen von Einkristallhalbkugeln bei der thermischen Zersetzung von Molybdän‐ und Wolframhalogeniden
Authors: Weise G. 
Published: July 2007

AbstractAn Einkristall‐Halbkugeln von Molybdän und Wolfram wurde durch thermische Zersetzung von Chloriden und Bromiden die Anfangswachstumsform bestimmt. Unter Versuchsbedingungen, bei denen nur {110} zur Gleichgewichtsform gehört, wachsen die {110}‐Flächen makroskopisch glatt, während {100}, {211} und {111} durch mit {110}‐Flächen begrenzte Subindividuen vergröbern. Bei höheren Übersättigungen gehört auch {100} zur Gleichgewichtsform, so daß {100} makroskopisch glatt wird und {100} ebenfalls an Subindividuen erscheint. Die Ausbildung der glatten und der vergröberten Flächen variiert mit dem Zersetzungssystem sowie der Abscheidungstemperatur. Die Erscheinungen hängen von der Lage des Reaktionsgleichgewichts ab und werden auf einen Einfluß der Adsorption der Halogenidkomponente zurückgeführt.
Beitrag zur Verteilung von Kupfer und Gold in tiegelfrei gezogenen Siliziumkristallen
Authors: Hadamovsky H.‐F. 
Published: July 2007

AbstractFür die schnelldiffundierenden Elemente Kupfer und Gold wurden die effektiven Segregationskonstanten im Silizium beim tiegelfreien Zonenschmelzen ermittelt. Für eine Ziehgeschwindigkeit von 10 cm h−1 und eine Rotation von 30 Umin−1 wurde keffCu = 4 · 10−2 und keffAu = 4 · 10−3 gefunden. Es wird angenommen, daß die gefundenen Werte von den Wechselwirkungen dieser Elemente mit den Gitterstörstellen abhängen.
Löslichkeit und stabile Kristallhydrate im System Ammoniumparawolframat—Wasser
Authors: Hempel K. , Saradshow M. 
Published: July 2007

AbstractDas Temperatur‐Löslichkeitsdiagramm des Zweikomponentensystems Ammoniumparawolframat – Wasser wird für den Temperaturbereich von 15,2 bis 65 °C angegeben. Unterhalb 50 °C tritt Ammoniumparawolframat‐11‐Hydrat als stabiler Bodenkörper auf, oberhalb 50 °C Ammoniumparawolframat‐5‐Hydrat. Die Löslich;keitsdaten der Literatur werden teilweise bestätigt, teilweise berichtigt, Widersprüche werden geklärt. Bei 83 °C ist das System Ammoniumparawolframat – Wasser nicht mehr stabil. Als feste Phase liegt ein WO3‐reicheres Wolframat vor, das unter Ammoniakabspaltung aus dem Parawolframat gebildet wurde.
Formation des Macles des Cristaux de Structures Diamant et Blende
Authors: Simon B. , Kern R. 
Published: July 2007

AbstractDans la croissance de cristaux de structures diamant et blende, on n'obtient une macle macroscopique que si la couche de croissance anormale formée sur {111} a pu surmonter la concurrence des couches de croissance voisines normales. On montre que ceci n'est possible que pour une germination de macle sur une facette (111) de petites dimensions sur laquelle émerge une dislocation vis. On peut ainsi expliquer un certain nombre de faits d'observation.
Die Darstellung plättchenförmiger Einkristalle von α‐Eisen durch chemische Transportreaktionen
Authors: Kotrbová M. , Hauptman Z. 
Published: July 2007

AbstractBeim chemischen Transport von Reinsteisen in abgeschmolzenen Quarzampullen erscheinen unter bestimmten Bedingungen neben isometrischen Kriställchen Einkristallplättchen und Whisker von α‐Eisen.Unsere Versuche haben gezeigt, welche Transportbedingungen für die Bildung dieser Plättchen entscheidend sind. Bei der gegebenen geometrischen Anordnung dürfen die Transportrate den Wert 4 mg h−1 und der Partialdruck des Transportmittels bei Raumtemperatur 2 mm Hg nicht überschreiten. Eine weitere notwendige Bedingung ist die Anwesenheit einer kleinen Wassermenge.Es wurde der Versuch gemacht, den Einfluß der einzelnen Transportbedingungen zu erklären. Es gelang bisher nicht, den Wachstumsmechanismus der Plättchen aufzuklären und die Faktoren zu bestimmen, die für ihre Größe entscheidend sind.Die Kantenlänge der plättchenförmigen Kristalle liegt zwischen 100 und 500 μm, ihre Dicke beträgt einige Zehntel bis einige Mikron. Die Plättchen sind von spiegelglatten {100}‐Flächen begrenzt. Durchlichtelektronenmikroskopische Aufnahmen der dünnsten Plättchen haben gezeigt, daß die Plättchen versetzungsfrei sind. Ihr physikalisches Verhalten (Resonanzmessungen und Untersuchung der Domänenstruktur) beweist, daß es sich um hochreine und fast fehlerfreie Kristalle handelt.
Die Übersättigung bei der Kristallisation durch chemische Transportreaktionen
Authors: Magomedov Ch. A. , Šeftal N. N. , Naumov A. S. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit werden die Parameter analysiert, die es gestatten, die Kristallisationsbedingungen festzulegen und die partielle Übersättigung des gasförmigen Mediums in bezug auf den wachsenden Kristall zu regulieren.
Die Anwendung einer geregelten Keimbildung bei der Züchtung von Granatkristallen
Authors: John V. , Kvapil J. 
Published: July 2007

AbstractIn dieser Arbeit wird über eine neue Variante des Kristallwachstums aus einer Schmelzlösung berichtet, die weitgehend Zufälligkeiten bei der Keimbildung ausschließt und außerdem zu einer Qualitätsverbesserung der Kristalle führt. Die Kristalle wachsen an Keimen, die sich in den Löchern einer den Tiegel horizontal trennenden Scheidewand bilden.
Hydrothermalsynthese von Zinkit
Authors: Rykl D. , Bauer J. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Hydrothermalsynthese von Zinkit (ZnO) aus NH4Cl‐Lösungen berichtet. Die spontane Kristallisation des Zinkits erfolgte auf einem eingelegten Drähtchen sowie auf den Autoklavenwänden bei einer Temperatur von 450°C und einem Druck von etwa 600 bar. An diesen Kristallen wurden nur das Prisma m(1010), die Pyramiden p(1011), s(1013) und die Basis c(0001) beobachtet. Morphologisch ist die Bildung der langnadeligen Kriställchen interessant, die Whiskern ähneln. Unter den herrschenden Druck‐ und Temperaturbedingungen hat nur die Änderung der Lösungsmittel‐Konzentration auf den resultierenden Habitus der Kristalle einen Einfluß. Für die Züchtung von dickeren Kristallen war die 3%‐ige NH4Cl‐Lösung die günstigste.Neben den prismatischen hexagonalen Zinkit‐Kristallen wurden auch tafelige, farblose Kristalle offenbar einer anderen ZnO‐Modifikation gewonnen.
Les phénomènes de germination transitoire dans les solutions
Authors: Gindt R. 
Published: July 2007

AbstractOn rappelle les conclusions de la théorie de la germination en régime transitoire et on souligne l'importance du temps de relaxation τ. On donne l'expression de τ pour les systèmes condensés et on l'applique au cas de la germination des halogénures alcalins on solutions aqueuses, pures, sursaturées.
The Macroscopic Slip Mechanism during Tensile Deformation of Binary CdMg Single Crystals
Authors: Günther F. , Rühlicke D. 
Published: July 2007

AbstractThe macroscopic slip mechanism during the tensile deformation of Cd‐ and binary CdMg‐single crystals from 3,5 to 46 atomic p.c. Mg was investigated by X‐ray examination of lattice orientation. The investigations have pointed out that basal slip (0001); 1/3 (2110) was only active in the studied ranges of concentration, crystal orientation and temperature. The distribution of the macroscopic shear stresses between (0001) and nonbasal plans seems to be responsible for this result.
Innere Spannungen in Korundeinkristallen (II) Der Einfluß der Temperung
Authors: Kvapil Jiří 
Published: July 2007

AbstractDer Einfluß der Temperung von Korundeinkristallen auf die Erniedrigung der inneren Spannung wurde untersucht. Die innere Spannung verringert sich in Abhängigkeit von der Zeit nach der Zeit nach der Gleichung:

Die Geschwindigkeitskonstante x wächst mit der steigenden Temperatur der Temperung und sinkt mit wachsendem Durchmesser des Kristalls und steigendem Chromgehalt.
Optical Spectrum of Co(II) in CsCoCl3 Single Crystals
Authors: Trutia AtH. , Lébl M. 
Published: July 2007

AbstractThe method of preparing CsCoCl3 single crystals is described. The absorption spectrum in the visible and infrared region and the pycnometric density of the sample have been measured. The obtained absorption bands have been attributed to the possible transitions by means of the theory of crystal field. D q values have been determinated.
Neutron Diffraction Properties of Machined Large Metallic Single Crystals
Authors: Modrzejewski A. , Kobla J. 
Published: July 2007

AbstractData are presented on the influence of various mechanical treatments of large metallic single crystals on their neutron diffraction properties. Crystals in the form of cylinders were cut and then machined, ground and chemically etched. As results neutron rocking curves were obtained. The effect of bending, “hammerig” or quenching the crystals in liquid nitrogen was also studied. Treatments useful in the preparation of a suitable crystal monochromator are described.
Die Wachstumsorientierung von Korundeinkristallen
Authors: Kvapil Jiří 
Published: July 2007

AbstractDie Stabilität der nach der Verneuilmethode gezüchteten Korundbirnen wurde beim Aufheizen in bezug auf ihre Wachstumsorientierung ausgewertet. Die Erwärmung erfolgte von 20°C auf 1850°C mit einer Geschwindigkeit 250 grd h−1. In den stabilsten Birnen des weißen Saphirs betrug der Winkel der kristallographischen c‐Achse mit der Wachstumsachse 63–68° und die Wachstumsfläche lag ungefähr parallel der Fläche des Skalenoeders {8196}.Stabile Rubinbirnen wurden so orientiert, daß der Winkel der Wachstumsachse mit der kristallographischen c‐Achse 58–63° betrug und die Wachstumsfläche die Fläche der hexagonalen Dipyramide {hh2h 1} war. Die Kristalle zersprangen bei Temperaturen zwischen 500–700°C.
Über Eigenschaften von zonengeschmolzenem Borcarbid
Authors: Borchert W. , Born E. 
Published: July 2007

AbstractZur Herstellung von Borcarbid‐Einkristallen hoher Reinheit für rüntgenorgraphische und elektrische Untersuchungen kam das Zonenschmelzverfahren unter Argon als Schutzgas zur Anwendung. Die sich aus der Schmelze bildenden Kristalle zeigen polysynthetische Zwillingsbildung nach (100) des Strukturrhomboeders. An Einkristallen durchgeführte elektrische Untersuchungen zeigten p‐Leitung und eine sehr große Ladungsträgerkonzentration. Als Leitungsmechanismus wurde ein Hopping‐Prozeß zur Diskussion gestellt.
Growth and Structure of Crystals Obtained from Solutions in Systems Based on HgSe and HgTe
Authors: Nistor N. , Cruceanu E. 
Published: July 2007

AbstractExperimental conditions are described for growing crystals from Hg solutions using as solute HgTe, HgSe or various solid solutions of the CdxHg1–xTe, ZnxHg1–xTe, CdxHg1–xSe and ZnxHg1–xSe systems.It is shown that the morphology and the dimensions of crystals obtained from HgSe and HgTe differ, being a function of maximum initial temperature of cooling.The X‐ray, chemical and electron microprobe analyses indicated that crystals obtained from solid solutions of CdxHg1–xTe and CdxHg1–xSe systems were formed from more than 99 mole% HgTe or HgSe respectively, with Cd inclusions on the crystal edges. Crystals obtained from solid solutions of ZnxHg1–xTe and ZnxHg1–xSe systems were formed from more than 99 mole% HgTe and HgSe respectively, with ZnTe or ZnSe inclusions random distributed in these.The main mechanism of formation of dislocation in the grown crystals is discussed. The greater influence of ZnTe or ZnSe inclusions than that of Cd inclusions on the dislocation density is shown. This influence is connected with the difference of covalent tetrahedral radii of elements which are to be substituted, and other external factors.
Doping of Silicon Epitaxial Layers With Arsenic at Very High Concentrations
Authors: Krause H. 
Published: July 2007

AbstractSilicon epitaxial layers grown from reduction of SiCl4 in H2 have been highly doped with arsenic. As an upper limit of doping for layers without structural defects typical to high doping a value of about 2 · 1019 cm3, corresponding with 3.4 · 103 ohm · cm has been found. In higher doped layers we observed growth of pyramids and a stripestructure. An energy of 0.36 ev has been calculated for introducing one arsenic atom into the silicon lattice from temperature dependence of the built‐in concentration of arsenic at 1019 cm−3.
Preparation and Properties of Chemically Transported Monocrystalline Films of Manganese Ferrites of Different Compositions
Authors: Schröder H. , Görnert P. 
Published: July 2007

AbstractMonocrystalline films of manganese ferrites, ranging from 10 to 50 μm in thickness, were prepared by chemical transport in a closed sandwich‐arrangement. The film compositions and structure qualities were investigated by magnetic, thermomagnetic, X‐ray, and chemical methods. It was possible to get films with different surface habits by special conditions of preparation. Furthermore the existence of considerable differences in the cation ratios of the films could be shown in spite of unchanged source material (MnFe2O4). Apparently mixed crystalline films were formed characterized by the general composition MnxFe3‐xO4. The portion of oxygen, added to the HCl‐transport gas, was, of predominant importance: high oxygen partial pressures (40 torr) resulted in films with x > 1, and at low pressures (10−3 torr) films were prepared with x < 1. It was found that the films were contaminated by magnesium atoms up to 5 weight %.
Kristallographische Untersuchungen am 2:1‐charge transfer‐Komplex des 7,7,8,8‐Tetracyanochinodimethans mit Triäthylamin
Authors: Kleber W. , Raidt H. , Trox K. 
Published: July 2007

AbstractAnn dem 2:1‐Molekülkomplex zwischen Tetracyanochinodimethan und Triäthylamin wurden Untersuchungen mit kristallographischen Methoden durchgeführt. Es wurden u. a. die Gitterkonstanten und die kristallographischen Winkel aus Weißenbergaufnahmen sowie die Raumgruppe des TTC‐Komplexes ermittelt. Eine d‐Werttabelle wurde aufgestellt. Umkristallisationsversuche aus Lösungen führten zu Erfolgen, während die Möglichkeit der Umkristallisation durch Sublimation ausgeschlossen werden kann. Als geeignetste Ätzlösungen konnten Mischungen von Acetonitril, Äther, Chloroform und Äthanol festgestellt werden. Schließlich wurden Messungen des Absorptionsspektrums am untersuchten Molekülkomplex durchgeführt und ausgewertet.
Gewinnung von Eiskristallen beim Eindickungsprozeß von Saccharoselösungen
Authors: Zagrodzki S. , Niedzielski Z. 
Published: July 2007

AbstractBeim Eindickungs‐Prozeß von Lebensmittellösungen durch Kryokonzentration spielt die Qualität der erhaltenen Eiskristalle eine wichtige Rolle. Große Kristalle von regelmäßiger Form behalten an ihren Oberflächen verhältnismäßig geringe Mengen der eingedickten Lösung, die man durch Spülen mit Wasser leicht entfernen kann. Ein niedriger Gehalt an adhärierender eingedickter Lösung hat Einfluß auf eine Erhöhung der Ausbeute des Prozesses.In den zwei bearbeiteten Eindickungsmethoden wurde eine Saccharosemodell‐Lösung benutzt. Sie unterschieden sich dadurch, daß in der ersten die Kristallisation des Wassers spontan aus ungerührter Lösung, in der zweiten Methode dagegen die Kristallisation im Drehkristallisator mit gleichzeitiger Impfung der Lösung mit Eiskristallen von 0,75 mm Größe erfolgte. Zweck der Impfung und des Rührens war die Gewinnung gut geformter Eiskristalle, die sich leicht spülen und von der eingedickten Lösung abzentrifugieren lassen.Die Saccharoseverluste verkleinerten sich auf ein Drittel im gespülten Eis im Vergleich mit dem Saccharosegehalt bei Anwendung der Methode ohne Impfung und ohne Rühren.
Refraktometrische Untersuchung des Einflusses einiger organischer und anorganischer Verbindungen auf die Kristallisationsgeschwindigkeit von Saccharose
Authors: Zagrodzki S. , Niedzielski Z. 
Published: July 2007

AbstractFür die Bestimmung der Kristallisationsgeschwindigkeit wurde die von SMOLEṅSKI und ŻELAZNY modifizierte Methode von Marc angewandt. Sie beruht auf der Impfung der übersättigten Lösung mit Zuckerpulver und auf der refraktometrischen Bestimmung der Trockensubstanz im Muttersirup. Die Messungen wurden bei 25°C ausgeführt. Sie bestimmten die Menge der in zwei Stunden auskristallisierten Saccharose (nach 15, 25, 40, 60, 80 und 120 Minuten). Es wurde die Geschwindigkeit der Kristallisation aus übersättigten Lösungen reiner Saccharose und solcher mit Zusatz kolloidaler Substanzen (Stärke, Dextran) und anorganischen Substanzen (Calciumchlorid und Natriumcarbonat) untersucht. Die Kristallisation aus reinen Saccharoselösungen wurde bei dem Übersättigungskoeffizienten 1,15, 1,20 und 1,25 durchgeführt, aus unreinen Lösungen dagegen bei dem Übersättigungskoeffizienten 1,25.Ein hemmender Einfluß der zugestzten Substanzen auf die Saccharosekristallisation wurde festgestellt. Die Kristallisationsgeschwindigkeit hängt von der Art der hinzugegebenen Substanz ab. Der hemmende Einfluß des Dextrans ist etwa dreimal größer als der Einfluß der Stärke. Von den zugesetzten anorganischen Salzen übt das Natriumcarbonat den größten hemmenden Einfluß auf die Saccharosekristallisation aus.
Methods of Preparation of GeSi‐Alloys
Authors: Dietz W. H. , Herrmann H. A. 
Published: July 2007

AbstractThe production of homogeneous alloys of Ge and Si is very difficult because of an unfavourable phase diagram which is briefly described.One has to distinguish between processes for the preparation of single crystals and polycrystals sufficiently applicable for technical purposes.In order to produce polycrystals suitable for thermoelectric generators the following methods were investigated: Thermal Decomposition, Zone Levelling, Hot‐Pressing, and the new Wacker‐Process. The latter has its basic principle in the rapid crystallization of small portions of a doped homogeneous GeSi‐melt in a crucible.The solidification of mixed crystals is not only subject to the laws of phase equilibrium but also to kinetic conditions. In the new process GeSi can be produced economically in different shapes.Two problems arise in the preparation of single crystals: availability of a seed crystal and constant homogeneity of the melt. In order to solve these problems we tried Zone Levelling which seemed to be the simplest method, but we also pulled single crystals from crucibles, keeping the composition of the melt constant by continuously adding silicon.
Zur Koordination des Magnesiums im Pyrop und Untersuchungen über dessen thermische Zersetzung
Authors: Kleber W. , Ziemer B. , Jost K. H. 
Published: July 2007

AbstractMit strukturanalytischen Methoden wurde gezeigt, daß die Kationenlage der Symmetrie 222 in Granaten im Fall des Pyrops in 44 statistisch besetzte allgemeine Lagen aufspaltet, welche die spezielle Lage im Abstand von 0,07 Å umgeben. ‐ Ferner wurde nachgewiesen, daß FeII‐haltiger Pyrop sich beim Erhitzen auf 1150°C in Bronzit umwandelt.