bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Untersuchung der Kühlkristallisation in einer Flüssigkeitsgeysir‐Anlage
Authors: Mészáros E. , Blickle T. 
Published: July 2007

AbstractDie Verfasser untersuchten die Verwendbarkeit des Gas‐Flüssigkeitgeysir‐Verfahrens für die Kristallisation und verglichen ihre Ergebnisse mit den an derselben Modellsubstanz, aber durch andere intensive Kristallisationsverfahren erhaltenen Versuchsdaten. Es wird festgestellt, daß beim Geysir‐Verfahren keine Temperaturdifferenz zwischen der Luft und der Flüssigkeit gemessen werden konnte. Der relative Feuchtigkeitsgehalt der den Apparat verlassenden Luft erreichte dabei jedenfalls nur etwa 70% und der größere Teil der Abnahme des Wärmegehalts der Flüssigkeit war aus der Verdampfung des Wassers gedeckt. Auf Grund der Zusammenhänge zwischen den Charakteristiken des Verfahrens und der Korngröße der erhaltenen Kristalle werden die Bedingungen angegeben, die die Gewinnung der Kristalle bestimmter Korngröße gewährleisten. Das Verfahren erlaubt durch geeignet gewählte Operationsparameter, Kristallite mit großer oder kleiner, nahezu einheitlicher Korngröße herzustellen.
Physikalische Elementarprozesse bei der mechanischen Anregung von LiF‐Kristallen
Authors: Hoffmann K. , Linke E. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Meßmethoden zur Untersuchung von Lumineszenz, Elektronenemission, Reibkraft und elektrostatischen Aufladungen bei der Anregung von LiF‐Einkristallen durch mechanische Bearbeitung vorgestellt. Die Messungen werden bei Temperaturen von −160°C bis +20°C unter Hochvakuumbedingungen durchgeführt und an Hand eines Reiboxydationsmodells diskutiert.
Heteroübergänge auf der Grundlage dünner Tellurschichten
Authors: Thieme W. , Gončarov A. D. , Ševčenko V. Ja. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Züchtung von Heterostrukturen durch gerichtete Kristallisation einer dünnen Schmelzschicht im engen Raum zwischen zwei fremdartigen Substraten untersucht. Als Modellmaterialien wurden für die Dünnschicht Te, für das Halbleitersubstrat Ge bzw. CdS ausgewählt. Untersuchungen zeigten, daß sich nach dieser Methode abrupte CdSTe‐Übergänge züchten lassen und sich die GeTe‐Strukturen mit einem komplizierten Übergangsbereich ausbilden. Messungen bei 77 K wiesen für die Strukturen CdSTe und GeTe ausgeprägte Photoempfindlichkeit und auf der IV‐Strukturen Bereiche mit negativer Leitfähigkeit aus.
Ableitung der Verteilung von Kornlängen für drei einfache eindimensionale Erstarrungsprozesse
Authors: Schulze G. E. W. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden theoretischen Arbeit wird unter bestimmten Voraussetzungen die Verteilungsfunktion für die Abstände benachbarter Kristallkeime abgeleitet. Ausgegangen wird dabei von einer unterkühlten Schmelze in einer Kapillare. Unter Anwendung der Theorie zufälliger Prozesse läßt sich die Keimabstands‐Verteilungsfunktion deduzieren, wobei der mittlere Keimabstand Parameter ist. Davon ausgehend werden für drei spezielle Erstarrungsprozesse die im näherungsweise „eindimensionalen”︁ Gefüge auftretenden Kornlängenverteilungen abgeleitet.
Zerlegung der induzierten elliptischen Doppelbrechung in eine lineare und eine zirkulare Komponente in Richtung der optischen Achse des Quarzes
Authors: Schamburov V. A. , Romanova N. F. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine kurze Übersicht über die Untersuchungen des Einflusses des elektrischen Feldes auf die optische Aktivität der Kristalle gegeben. Eine allgemeine experimentelle Methode wird vorgeschlagen, die es erlaubt, die induzierte elliptische Doppelbrechung in eine lineare und zirkulare Komponente zu zerlegen. — Die Erzeugung einer solchen Zerlegung in Quarzkristallen in Richtung der optischen Achse bei Einwirkung des elektrischen Feldes in X‐Richtung wird dargestellt.
Effect of small copper additives on the growth of gallium crystals from a melt
Authors: Stoichev N. V. , Ovsienko D. E. , Alfintsev G. A. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown in the present work that copper additives influence substantially the growth of Ga crystals from a melt which is expressed in different ways, depending on the impurity concentration. With rising copper concentrations we observed a substantial retarding in the growth rates as compared with deformed pure Ga crystals, and a change of the mechanism of growth.The results can be explained by a rejection of the impurity by the growing crystal which causes retarding of the growth and with the impurity inclusion like CuGa2 particles, which gives rise to dislocations, intersecting the growing faces.
Kinetik der Massenkristallisation (III). Diffusionskinetik bei der spontanen Kristallisation
Authors: Todes O. M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Methode zur Berechnung der Kinetik der spontanen Kristallisation für den Fall dargestellt, in dem die lineare Wachstumsgeschwindigkeit nicht nur von der Übersättigung abhängt, sondern der Größe der Kristalle umgekehrt proportional ist (Diffusionsbereich). Die Grenzfälle einer schwachen und einer stark ansteigenden Abhängigkeit der spontanen Keimbildung von der Übersättigung werden analysiert. Ohne sekundäre Keimbildung erhält man ein Kristallisationsprodukt, das in seiner Kornzusammensetzung nahezu monodispers ist.
Eine Elektronenstrahltechnologie zur Herstellung dünner Schichten hoher Reinheit
Authors: Seidowski E. , Laska V. L. , Ledovskoj V. P. , Leont'eva H. M. , Tierok M. 
Published: July 2007

AbstractIn der Arbeit wird das Elektronenstrahlverdampfen von Metallen in einem Vakuumsystem untersucht, welches eine zusätzliche innere Kammer aufweist. Diese ist mit der äußeren Kammer durch eine Öffnung geringer Leitfähigkeit verbunden, durch die ein begrenzter Gasaustausch erfolgen kann. In der inneren Kammer werden Bedingungen realisiert, die mit den Kondensationsbedingungen dünner Schichten im Ultrahochvakuum identisch sind.Die experimentelle Überprüfung der theoretischen Resultate erfolgt auf dem Wege von Strukturuntersuchungen und der Bestimmung der Supraleitfähigkeit von Niobschichten, die durch Elektronenstrahlverdampfung in einer geschlossenen Kammer auf Substraten aus Sitall und Polykor erhalten wurden, wobei der Druck in der Basiskammer in der Größenordnung von 10−4 bis 10−5 mm Hg lag. Die Strukturuntersuchungen erfolgen mit Methoden der Durchstrahlungselektronenmikroskopie und der Reflexionselektronographie mit Hilfe eines Elektronenmikroskopes hoher Auflösung. Bei der durchgeführten Analyse der erhaltenen Niobschichten konnten keine Fremdstoffe nachgewiesen werden. Bei einer Vergrößerung der Schichtdicke von 0,2 auf 3,5 μm ändert sich die Schichtstruktur von einer amorphen in eine polykristalline bzw. texturierte. Es wird gezeigt, daß die mittels Elektronenstrahlverdampfung im Vakuumsystem vom geschlossenen Typ erhaltenen Schichten sich bezüglich ihrer Supraleitfähigkeit nur geringfügig von im Ultrahochvakuum abgeschiedenen einkristallinen Schichten unterscheiden.
Über Wechselwirkungen zwischen Versetzungsdichte, Fremdstoffen und Spannungen im Siliziumeinkristall
Authors: Geil W. , Markus M. , Schmugge K. , Thomas R. 
Published: July 2007

AbstractGegenwärtig werden zahlreiche Arbeiten zum Einfluß von Fremdstoffen auf die Gitterparameter eines Kristalls durchgeführt. Aus solchen Untersuchungen ermittelte man bei Siliziumeinkristallen für bestimmte Dotier‐ und Fremdstoffe Funktionen der Art \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C.\,\frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} ist eine Größe, aus der Spannungen im Kristall ermittelt werden können. Nimmt man an, daß

ein Fremdstoff einen Einfluß gemäß Δa/a \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C\, $\end{document} hat,
bei den gebräuchlichsten Züchtungsverfahren für zylindrische Siliziumeinkristalle der Fremdstoff so verteilt ist, daß im Mittel seine Konzentration am Kristallrand kleiner ist als im Zentrum des Kristalls,
die im Kristall festgestellte Versetzungsdichte und ‐verteilung dem des stationären Zustandes \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{dN}}{{dt}} $\end{document} = 0 entspricht,

dann ist der Einfluß von \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} auf die Spannungen im Kristall und demzufolge auf die Versetzungsdichte und ‐verteilung vernachlässigbar. Dieses Ergebnis entspricht nicht dem experimentellen Befund. In der Arbeit wird dargestellt, daß bei Anwesenheit von Fremdstoffen im Kristall Spannungen auftreten, die in der Größenordnung der Temperatur‐spannungen liegen und die nicht durch die aus der Literatur bekannten Werte \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} beschrieben werden können.
Anwendungsmöglichkeiten der Röntgentopographie zur Bestimmung der Oberflächengüte und der Realstruktur von Granateinkristallen
Authors: Zsoldos E. , Becker C. 
Published: July 2007

AbstractGranateinkristalle der seltenen Erden sind für die Entwicklung von „Bubble”︁‐Speichern von Interesse. Während der verschiedenen Präparationsstufen der Substrate und epitaxialen Schichten sind Kontrollen der Oberflächengüte notwendig. Es werden röntgentopographische Methoden zur Untersuchung der Oberflächen mit Ergebnissen der Ätztechnik verglichen.Beobachtete Loop‐Konfigurationen in der Umgebung von Einschlüssen werden beschrieben und Entstehungsmechanismen diskutiert.
Röntgenografische Realstrukturanalyse von vielkristallinen Magnetiten und Ferriten
Authors: Kämpfe Bernd , Nestler Carl‐Georg 
Published: July 2007

AbstractAn polykristallinen Mischspinellen, die als Kationen Fe2+, Fe3+, Cr3+ und Ni2+ enthalten, wurden komplexe röntgenografische Realstrukturuntersuchungen, kombiniert mit chemischen Analysen, durchgeführt. Die Ergebnisse der Intensitätsanalyse, Profilanalyse und Gitterkonstantenbestimmung erlauben Rückschlüsse auf die Besetzung des Kationenteilgitters. Der Vergleich zwischen Mischkristallen des pseudobinären Systems Magnetit‐Maghämit und Fe‐, Cr‐, Ni‐Ferriten ergibt einige Parallelerscheinungen struktureller Art.
Die Anwendung der Positronenannihilation zur Untersuchung der Rekristallisation plastisch verformter Metalle
Authors: Brümmer Otto , Dlubek Günter , Sickert Peter 
Published: July 2007

AbstractNach einer einleitenden Diskussion des Verhaltens der Positronen in plastisch verformten Metallen und der sich daraus ergebenden Anwendungsmöglichkeiten der Methode (Konzentration von Leerstellen und Versetzungen, Ausheilung von Punktdefekten) wird die Positronenannihilation als eine neue Methode zur Untersuchung der Rekristallisation dargestellt. Es wird ein Modell vorgeschlagen, welches erlaubt, auf einfache und direkte Weise aus den relativen Änderungen der Positronenannihilationsmeßdaten den Volumenanteil des rekristallisierten Gefüges mit hoher Genauigkeit zu bestimmen. Messungen der Peakhöhe der 2γ‐Winkelkorrelationskurve während isothermer Rekristallisation von kaltgewalztem Ni und Cu werden mit Hilfe dieses Modelles ausgewertet und die erhaltenen Ergebnisse hinsichtlich Kinetik und Aktivierungsenergie der Rekristallisation mit der Literatur verglichen.
Preparation of InN epitaxial layers in InCl3NH3 system
Authors: Marasina L. A. , Pichugin I. G. , Tlaczala M. 
Published: July 2007

AbstractThe epitaxial growth of InN by the open tube flow method using the interaction of InCl3 and NH3 is discussed. The influence of various technological parameters on the process and structure perfection of the epitaxial layers, grown on the single crystal (0001)‐oriented sapphire substrates is considered. The main kinetic dependences of the process are plotted and discussed.InN epitaxial layers were mosaic and n‐type with electron concentration 2 · 1020–8 · 1021 cm−3 and mobilities 50‐35 cm2/V · s, respectively.
Realstrukturuntersuchungen von hydrothermal auf kleinen Rhomboederflächen gewachsenen Quarzeinkristallen
Authors: Alter Uwe , Christoph Arthur , Poppendieck Detlef , Wagner Bernhard 
Published: July 2007

AbstractEs wurden optische, ätztechnische und röntgenographische Untersuchungen an Quarzkristallen, die auf Rhomboederkeimen gewachsen waren, durchgeführt. Durch Verfärbungsversuche wurde in Übereinstimmung mit der Literatur festgestellt, daß sich Aluminiumfremdatome verstärkt in den Wachstumssektor der kleinen Rhomboederfläche einbauen Es zeigt sich, daß der verstärkte Al‐Einbau nicht mit einer großen Versetzungsdichte einhergehen muß. Die Versetzungen im Rhomboederwachstum weisen charakteristische Unterschiede zum Basiswachstum auf. Optisch beobachtete Oberflächenerscheinungen wie Hügel, Terrassen und Spiralen korrelieren nicht in einfacher Weise mit der Ätzgrubenverteilung.
Bestimmung der Mengenanteile von Fasertexturen
Authors: Tomov I. , Schläfer D. , Küttner K. 
Published: July 2007

AbstractDie Mengenanteile von scharfen Fasertexturen and elektrolytisch abgeschiedenen Schichten lassen sich sowohl aus den unvollständig gemessenen Polfiguren als auch aus den inversen Polfiguren bestimmen. Die Ergebnisse beider Methoden werden am Beispiel von Nickelschichten verglichen.
Bildung von paramagnetischen Defekten in SiO2‐Glas nach Oberflächenbehandlung im Niederdruckplasma
Authors: Tiller H.‐J. , Busack P. , Kispert M. , Breitbarth F.‐W. 
Published: July 2007

AbstractDie Behandlung von SiO2‐Glasproben im Niederdruckplasma führt zur Entstehung von paramagnetischen Defekten im Volumen, die denen, die durch Bestrahlung von Quarz (amorph oder kristallin) mit Neutronen oder γ‐Bestrahlung entstehen, vergleichbar sind. Die Defekte, die nur an SiO2‐Glasproben, nicht aber an kristallinem Quarz zu beobachten sind, können auf den Einfluß der Plasmastrahlung zurückgeführt werden. Aus der Abhängigkeit der Zentrenkonzentration von den Bildungsbedingungen (Plasmaparameter, Behandlungszeit) wird auf einen komplexen Bildungsmechanismus geschlossen. Die Tiefenverteilung der Zentren weist auf eine Diffusion derselben im SiO2‐Gerüst hin.
Anwendungsmöglichkeiten der Analyse der diffusen Streuung von Röntgenstrahlen zur Untersuchung von einkristallinen Halbleiter‐Mischkristallen
Authors: Bublik V. T. 
Published: July 2007

AbstractUm die Wechselwirkungsparameter der Atome in der festen Phase von Halbleiter‐Mischphasen der Systeme GeSi, GaAsGaP und GaAsAlAs zu bestimmen, wurde die diffuse Streuung von Röntgenstrahlen an Einkristallen mit Hilfe der Theorie von KRIVOGLAZ analysiert. Die Ergebnisse gestatten es, die Zustandsdiagramme der betrachteten Systeme zu berechnen.
Preparation of sapphire substrates for Gas phase GaN epitaxial processes
Authors: Kaliński Zb. 
Published: July 2007

AbstractAfter mechanical treatment the surface of α‐Al2O3 plates with orientation (0001) for GaN epitaxy was polished in a mixture of H3PO4 and H2SO4. The best mixture H2SO4/H3PO4 and the best temperature for polishing were chosen. — The quality of the polished substrates was determined by structural etching in KOH. The optimum structural etching time was 3 min. at 320°C. The thickness of the layer which should be removed after mechanical treatment and the dislocation density of the starting material for GaN epitaxy was determined.
Der Einfluß der Abkühlungsgeschwindigkeit auf die Keimauslese bei erschmolzenem Al2O3
Authors: Dräger K. , Studt H.‐J. 
Published: July 2007

AbstractPolykristalline, scheibenförmige Preßlinge aus Al2O3 werden oberflächlich erschmolzen und dann mit unterschiedlicher Geschwindigkeit abgekühlt. Dabei entstehen größere einkristalline Bereiche. Der Neigungswinkel ϑ, unter dem die kristallographische Hauptachse gegen die Probennormale erscheint, erweist sich als statistische Größe. Es kann gezeigt werden, daß die Häufigkeitsverteilungen dieses Neigungswinkels für langsame und schnelle Abkühlung verschieden sind. Mit einem geeigneten Faktor k(ϑ) wird die Anisotropie der Kristallisation in beiden Fällen quantitativ erfaßt und eine Relation zu stabilen Wachstumsflächen natürlicher Korunde hergestellt. Die Bedeutung des Mittelwertes ϑ und der Streubreite σ wird ausführlich diskutiert.
Untersuchungen zur röntgenografischen Verzerrungsverteilung von Versetzungen
Authors: Röll H. , Boschan J. , Manh N. D. 
Published: July 2007

AbstractFür zylindrische Kristallite mit einer Versetzung auf der Zylinderachse werden Verzerrungsmomente und damit die röntgenografischen Verzerrungsverteilungsfunktionen berechnet. Die erhaltenen Verzerrungsverteilungen weichen – von Ausnahmefällen abgesehen – stark von einer Gaußverteilung ab, insbesondere treten bei der Schraubenversetzung und der Stufenversetzung mit der eingeschobenen Netzebene in Interferenzstellung stark ausgeprägte relative Minima bei kleinen Verzerrungen sowie eine Abhängigkeit aller Verteilungen von der Fourierordnung auf. – Über die Momentenverhältnisse werden die Verzerrungsverteilungen der Versetzungsmodelle mit den entsprechenden Größen vorgegebener Modellverteilungen verglichen.
Electrical properties of p‐Type GaAs
Authors: Neumann H. , van Nam Nguyen 
Published: July 2007

AbstractRelations for the effective drift mobility, the Hall coefficient, and the Hall mobility in p‐type group IV and III–V compounds are derived accounting for the degenerate valence band structure and acting scattering mechanisms. Improved deformation potentials are determined for holes in p‐type GaAs. Zn‐doped and Ge‐doped p‐type GaAs samples with hole concentrations in the range from 4 · 1017 to about 1020 cm−3 were analysed with regard to the temperature dependence of the Hall mobility, and it was found that the Brooks‐Herring formula is inadequate to describe ionized impurity scattering in p‐type GaAs.
Comparison between swirl‐type defects in float‐zone and those in czochralski silicon single crystals
Authors: Jakowlew B. , Jeske W. , Weyher J. 
Published: July 2007

AbstractComparison is presented between the morphology of „swirls”︁ etch pits occurring in the float‐zone and those in Czochralski silicon crystals after various heat treatments. It appears that the difference in the morphology of „swirls”︁ etch pits results from the difference in the structure of defects. The influence of heat‐treatment temperature and composition of the ambient atmosphere upon the density and the morphology of the etch pits have been discussed.
Zur Festigkeit dünner Fäden
Authors: Hieke M. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Zunahme der Festigkeit dünner Stäbe bzw. Fasern, die aus elastischem Material bestehen, mit abnehmendem Durchmesser theoretisch untersucht. Es wird eine Möglichkeit angegeben, eine empirische Beziehung, die von Smekal experimentell verifiziert wurde, bei Annahme einer Oberflächenschicht, die durch eine im Vergleich zum Inneren verschiedene Dehnung charakterisiert ist, abzuleiten. Weiter wird der Einfluß der Umgebung auf die Festigkeit diskutiert.
Calculations of LPE layer thickness
Authors: Malinin A. Ju. , Nevsky O. B. 
Published: July 2007

AbstractThree basic cases of LPE growth with and without nucleation were examined. The expressions for layer thickness and growth efficiency calculations were developed. Criteria for LPE growth classification were obtained. It was shown the nucleation takes place at critical values of supersaturation of the solution. The values of critical supersaturation may be calculated from growth efficiency experimental data for LPE growth.
Effect of the defect structure character in calcite single crystals on X‐ray diffraction
Authors: Novikova I. G. 
Published: July 2007

AbstractThe paper presents experimental results for the dependence of the integral intensity of anomalous transmission Ti and Laue reflection Ri of X‐rays on the structural quality of calcite single crystals as obtained by a two‐crystal spectrometer. The relation between X‐ray dynamic and kinetic scattering as a function of the sample thickness, densities of perfect dislocations in perfect CaCO3 crystals and of atom‐vacancy complexes in calcite crystals with „background”︁ has been found. Distortions due to perfect grown‐in dislocations in calcite are shown to exceed those produced in crystals with „background”︁. The latter appear to be more X‐ray transparent. A comparison with results of twin layer thickening experiments on CaCO3 crystals of different qualities again points to the different nature of these distortions. In CaCO3 crystals with the dislocation density of up to 2 × × 103 cm−2, the X‐ray scattering, in our experiments, was consistent with the dynamic diffraction theory, while at higher dislocation densities, the X‐ray scattering markedly differs from it.
Zur Beeinflussung mikrostruktureller Verformungsprozesse an Siliziumoberflächen durch den Dotierungstyp
Authors: Richter H. , Brocke H.‐D. 
Published: July 2007

AbstractDurch Erfassen des nach einer Wärmebehandlung ätztechnisch nachweisbaren gestörten Bereiches um Ritze wird die Wirkung von Donator‐ und Akzeptor‐Dotierung auf die Reichweite der sich ausbildenden Störzone in Silizium untersucht. Die bereits bei niedrigen Dotierungskonzentrationen auftretenden Unterschiede werden in Zusammenhang mit der niedrigen Sauerstoffkonzentration von FZ‐Kristallen und der Wechselwirkung zwischen Beweglichkeit und elektrischer Ladung der Versetzungen gedeutet.
Dynamics of twin layer broadening in indium
Authors: Lubenets S. V. , Fomenko L. S. 
Published: July 2007

AbstractThe mobility of plane‐parallel twin layer boundaries in indium crystals has been studied in the 235–390 K temperature range under stresses, τ, of (0.25–20) g/mm2 (static load) and (35–335) g/mm2 (crest values under impact load). For τ/G = (0.2–0.6) × 10−5 (G is the shear modulus), the process of twin layer broadening has been shown to be thermally activated; the process parameters and their stress dependence have been found. – Possible mechanisms of twin layer broadening have been analysed, and it has been concluded that a pole mechanism is inadequate to treat the results obtained. The twin broadening is considered to be due to nucleation and motion of twinning dislocations along boundaries in each subsequent twinning plane; it has been shown that the thermal activation parameters measured while broadening a twin layer, can be inconsistent with the elementary acts of broadening process (nucleation or motion of twinning dislocations). A deep gap between data on stress dependence of the activation energy of twin layer broadening for indium and calcite crystals and the Sumino theory is explained by the determining influence of the real imperfect structure of specimens on the process studied.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur von 1.1′‐Bis‐[phenyl‐glyoxyloyl]‐ferrocen
Authors: Szulzewsky K. , Seidel I. , Kulpe S. , Höhne E. , Raubach H. , Stoffer U. 
Published: July 2007

AbstractDas 1.1′‐Bis‐[phenylglyoxyloyl]‐ferrocen (PGF) kristallisiert in der monoklinen Raumgruppe P21/c mit den Gitterkonstanten a = 7,338 Å, b = 16,872 Å, c = 8,046 Å, β = 87,0°. Das PGF gehört zur Klasse der Metall‐π‐Komplexverbindungen. Mit dem Eisen im Symmetriezentrum sind die beiden Schweratomliganden zentrosymmetrisch zu einem Symmetriezentrum sind die beiden Schweratomliganden zentrosymmetrisch zueinander. Die zwei dem Eisen koordinierten Cyclopentadienylringe sind sandwichartig in der gestaffelten Konformation angeordnet. Der senkrechte Abstand ihrer mittleren Ebenen beträgt 3,32 Å. Es gibt in einem einzelnen Phenylglyoxyloyl‐Molekül eine aufgeweitete Csp2–Csp2‐Bindung (1,528 Å). Um diese Bindung sind die beiden ebenen Bauteile des Moleküls gedreht. Diese beiden ebenen Bauteile bestehen einerseits aus dem Kohlenstoff‐5‐Ring und einer C  O‐Gruppe und andererseits aus dem Kohlenstoff‐6‐Ring und einer C  O‐Gruppe. Der Dihedralwinkel beträgt 62,5°. Die erwähnte Bindungsaufweitung wird durch Coulumbabstoßung partiell geladener Atomzentren interpretiert. Die Packung der Moleküle im Kristallverband wird im Detail diskutiert.
The investigation of the kinking process with help of cholesteric liquid crystals
Authors: Sizova N. L. , Gorina I. I. , Chistjakov I. G. 
Published: July 2007

AbstractProcess of kinking in CsI crystals has been studied with help of CLC (cholesteric liquid crystals) sensitive to deformation and temperature. It is shown that kinking formation is accompanied by local heat in the kink band. The velocity of deformation is the more the larger the quantity of heat in the kink band.