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Spezielle Strukturbaufehler in gasdotierten Silizium‐einkristallen und deren mögliche Wirkung bei der Herstellung von pn‐Übergängen
Authors: Mohr U. , Jegerlehner K. , Thiel L. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Untersuchung und Identifizierung spezieller Strukturbaufehler in gasdotierten, tiegelfrei zonengezogenen Siliziumeinkristallen berichtet. Als Untersuchungsmethoden wurden die metallographische Ätztechnik, die Röntgentopographie und die Elektronenstrahlmikroanalyse eingesetzt.Es wurde festgestellt, daß an den untersuchten Kristallbaufehlern Sauerstoffanreicherungen vorliegen. Ein möglicher Bildungsmechanismus derartiger Defekte wird diskutiert.Abschließend werden erste Untersuchungsergebnisse über die Auswirkungen derartiger Baufehler bei der Herstellung von p–n‐Übergängen dargelegt.
Raumladungsbegrenzte Ströme in halbleitenden K(Ta, Nb)O3‐Mischkristallen
Authors: Paul R. 
Published: July 2007

AbstractDie Strom‐Spannungskennlinien von goldkontaktierten, schwach halbleitenden KTa0.7Nb0.3O3‐Kristallen (KTN) wurden aufgenommen. Der Verlauf der Kennlinien zeigt, daß der Metall‐Halbleiterkontakt „ohmsch”︁ ist, d. h. es entstehen Anreicherungsschichten im Halbleiter durch Injektion von Ladungsträgern aus dem Metall in den Halbleiter. Die im Kristall fließenden Ströme werden durch diese Anreicherungsrandschichten raumladungsbegrenzt.Aus den charakteristischen Spannungen der Kennlinie ist es möglich, Konzentration und energetische Lage der Haftstellen im KTN zu bestimmen.Bedingt durch die Züchtung waren die Haftstellenkonzentrationen nicht nur in verschiedenen Proben, sondern sogar innerhalb der Proben stark inhomogen, so daß die Umkehrung der Feldrichtung zu einer Verschiebung der Kennlinie führte.
Automatische Texturanalyse mit Hilfe der elektronischen Datenverarbeitung
Authors: Bunge habil. H. J. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein in ALGOL abgefaßtes Programmsystem zur Durchführung von Texturanalyserechnungen beschrieben. Unter anderen können damit Korrekturen der Meßwerte, die Normierung, die Berechnung von inversen Polfiguren sowie dreidimensionalen Orientierungsverteilungsfunktionen, die Berechnung der Mittelwerte physikalischer Eigenschaften sowie die graphische Darstellung der Ergebnisse automatisch durchgeführt werden. Es wird ein Überblick über die verschiedenen Programmvarianten, die wählbaren Parameter und eine Abschätzung der erforderlichen Rechenzeiten gegeben.
Dynamic crystallization of II–VI compounds from vapours of the component elements
Authors: Bulakh B. M. , Pekar G. S. , Trofimov V. I. 
Published: July 2007

AbstractDynamic crystallization in II–VI compounds synthesis from the vapour phase has been discussed. The method consists in the displacement of the growth zone by the predetermined change of the evaporation temperatures of the initial elements at constant flows of the transport gas. It leads to uniform distribution of grown crystals in the crystallization region and to the increase of the size and of the yield of crystals. Dynamic crystallization makes it possible to control the photoelectrical properties of the crystals and to increase the yield of the crystals with the required photosensitivity by changing the rate and the direction of the displacement of the growth zone.
Influence of supersaturation on the kinetics of crystallisation of ZnC2O4 · 2H2O
Authors: Kirkova E. , Djarova M. 
Published: July 2007

AbstractThe kinetics of crystallisation of ZnC2O4 · 2 H2O was investigated at 25°C and at different supersaturations. Zinc oxalate was prepared from pure zinc sulphate and oxalic acid solutions. The specific surface energy at the crystal‐solution interface was calculated from the induction period and the Volmer relationship, while the critical nuclei dimension was found by means of the Thomson‐Gibbs equation. With the decrease in supersaturation the size of the nuclei does not increase to infinity, but changes by 1–2 unit cells within a given supersaturation range.
Dynamic crystallization of II—VI compounds with a gaseous control of vapour concentrations
Authors: Bulakh B. M. , Pekar G. S. , Trofimov V. I. 
Published: July 2007

AbstractThe method for dynamic crystallization of II—VI compounds with a gaseous control of vapour concentrations in the growth zone is developed. The predeterminated change of the transport gas flows which carry the vapours of the initial elements into the reaction zone together with the change of additional inert gas flows conducted directly to the crystallizer entries gives the posibility to displace the growth zone during the process of synthesis. It results in the considerable increase in crystal number and size and leads to best quality of grown crystals.
On the theory of two‐dimensional nucleation on a structureless substrate. Effect of supersaturation
Authors: Bliznakov G. , Delineshev S. 
Published: July 2007

AbstractThe work of formation of two‐dimensional nuclei of the (100), (110), and (111) faces of crystal with simple cubic lattice on a structureless substrate was calculated. The simplification of the equilibrium form with increasing supersaturation was taken into consideration. At low supersaturations the formation of nuclei of the (100) face alone is possible. With increasing supersaturation the appearance of two‐dimensional nuclei of the other two faces becomes possible. The probability of their formation increases but never exceeds the probability of the formation of two‐dimensional nuclei of the (100) face. There exists a limiting supersaturation above which the work of formation of two‐dimensional nuclei of the three kinds of faces becomes equal to zero.
Zum Wachstum von AIII‐BV‐Halbleitern aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (I) Wachstum von GaAs auf GaAs bei konstanter Temperatur
Authors: Tietze H.‐J. , Andrae R. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Verfahren zur Erzeugung von GaAs‐Schichten mit variabler Dicke auf GaAs bei konstanter Temperatur aus Ga‐Lösungen beschrieben. Dazu wird eine Innenkühlung des Substrathalters mittels eines Gasstromes benutzt. Es wird der Einfluß der Intensität der Innenkühlung, der Bewegung des Substrathalters und der Wachstumstemperatur auf die Wachstumsrate dargestellt und erläutert. Weiterhin wird die Vermeidung der konstitutionellen Unterkühlung durch Wahl eines geeigneten Temperaturprofils und durch weitgehendes Ausschalten von Temperaturschwankungen diskutiert.
Zur Ätzstruktur von Silizium‐Einkristallen, besonders in versetzungsfreien Bereichen
Authors: Schreckenbach M. 
Published: July 2007

AbstractDurch geeignete Ätzverfahren kann an Siliziumkristallen auch in den versetzungsfreien Bereichen eine echte Ätzstruktur sichtbar gemacht werden. Die Ätzgrubenformen sind wesentlich bedingt durch die Orientierung der Schliffflächen. Die Ätzstruktur kann von Wachstumsbereichen herrühren, die von {111}‐Flächen begrenzt sind, an denen Verunreinigungen abgeschieden bzw. adsorbiert sind.
On the recrystallization of metals in the emission electron microscope
Authors: Soa E.‐A. 
Published: July 2007

AbstractBy the emission electron microscope a high‐contrast picture of grain structure is obtained with thermal or photoelectric release of electrons. The „memory effect”︁ (MORLIN, TREMMEL) marks the individual steps of the grain boundary movement through volume expansion or thermal etching when releasing electrons by electrons or ions. The existence of an oxide layer on the surface of e.g. molybdenum and tungsten is starting the recrystallization and influencing the recrystallization temperature. Oxide layers are formed in selected areas corresponding to the distribution of surface seeds and the oxygen bombardment. Carbon atoms accumulate preferably at the grain boundaries as carbides, so decorating the crystallites in forming mixed crystals. – It may be assumed that the carbon solved in tungsten and molybdenum fixes the dislocations at the grain boundaries. In contradiction to all theories of secondary recrystallization „ring crystals”︁ are formed.
Einkristallzüchtung und Versetzungsätzung von Antimon und antimonreichen Antimon‐Wismut‐Legierungen
Authors: Doerschel J. 
Published: July 2007

AbstractDie Einkristallzüchtung von Antimon und antimonreichen Antimon‐Wismut‐Legierungen nach dem Zonenschmelzverfahren wird kurz beschrieben, speziell unter dem Aspekt der konstitutionellen Unterkühlung bei der Züchtung von Mischkristallen.Zum Nachweis von Versetzungen in Antimon und Antimon‐Wismut‐Mischkristallen wird ein elektrolytisches Ätzverfahren angegeben. Aus den Ergebnissen verschiedener Untersuchungen kann geschlossen werden, daß Ätzgruben den Durchstoßpunkten von Versetzungen entsprechen.Die Orientierungsabhängigkeit des Ätzverhaltens von Versetzungen bei Anwendung verschiedener Ätzmittel wurde untersucht.
Electrical Processes Occurring at the Moment of Cleaving NaCl Crystals
Authors: Distler G. I. , Gerasimov Y. M. 
Published: July 2007

AbstractThe electrical processes occurring on cleaving tempered NaCl crystals have been studied by decoration methods on the scale of electron microscopy. The decorating agent, gold, was evaporated at the moment of performing the cleavage. The obtained decoration pictures differed from those described in the literature. Features similar to the propagation of waves were observed. They begin on cleavage steps and are mostly parallel to 〈100〉. On interaction of the “waves” with the steps or with other “waves” there arise black “threads” distinguished, the same as the wave boundaries, owing to a very high contrast on account of the higher density of decorating particles. The waves and threads are interpreted as microbreakdowns, which have also a two‐stage character ‐ stages of wave and thread formation, propagate along definite crystallographic directions, and occur at the boundary of strained sites. The charge sign of the waves is determined from the degree of coalescence of decorating gold particles. The detected waves reflect the occurrence of specific polarization states in local sites of the surface. These states are induced by local electric fields of a very high intensity occurring on cleaving the crystals. These polarization states disappear in 10‐15 s after the cleavage is made due to neutralization of the charges. Analogy is drawn between polarization structures in form of waves and stable linear polarization bridges occurring in crystals between oppositely charged point defects and their assemblies.
Das Konvergenz‐Verfahren, ein hocheffektives Verfahren zur röntgenographischen Untersuchung von Kristallen (Konvergenz‐Kamera)
Authors: Kulpe S. , Schulz B. 
Published: July 2007

AbstractIn taking a convergence beam photograph a stationary crystal is lightened by the line focus of an X‐ray tube. This experimental arrangement ensures that for a number of sets of net planes the Bragg condition is fulfilled simultaneously and during the full time of exposure especially for the intense characteristic line of the X‐ray spectrum applied. Due to this effect the application of the convergence method yields extremely short exposure times compared to other usual X‐ray film methods. A convergence camera may be constructed very simple (not any electrical equipment). It is a very useful tool in X‐ray crystallography.
Kinetik des Transportprozesses und der Kristallisation von InAs aus der Gasphase
Authors: Nicolaus W. , Seidowski E. , Voronin V. A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird der Transportprozeß von InAs im geschlossenen Jodsystem untersucht. Abhängigkeiten der Transportraten von der Temperatur im Lösungs‐ und Kristallisationsraum und von der Querschnittsfläche des Reaktors werden gefunden. Dabei wird in den durchgeführten Versuchen der Transport durch die Diffusion begrenzt.Die Abscheidungsgeschwindigkeiten des InAs werden nach Gleichungen der Quasigleichgewichts‐Diffusionstheorie berechnet. Sie werden mit experimentellen Werten der Transportrate verglichen. Die Vernachlässigung des konvektiven Anteils beim Gastransport führt zu erheblichen Abweichungen der durch die Theorie vorausgesagten Werten von den experimentellen.Im Temperaturbereich von 800 bis 900°C bei Jodkonzentrationen < 3 mg/cm3 wird der Transport von InAs durch die Konzentrationsdiffusion kontrolliert, bei Jodkonzentrationen >3 mg/cm3 wird die Transportrate durch die Gleichung der konvektiven Diffusion wiedergegeben.
Untersuchung der Entzinkungsgeschwindigkeit von α‐Messing mit Hilfe des Röntgenmikroanalysators
Authors: Budurov S. , Stojčev N. , Kamenova Z. , Kovatchev P. , Nentchev N. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die chemischen Diffusionskoeffizienten bei Entzinkung von Messing mit Zinkkonzentrationen 5,6; 11,0; 17,0 und 21,1 Gewichtprozent bei 795°, 876°, 950°, 1021° und 1078°K mit Hilfe eines Hitachi‐Röntgenmikroanalysators bestimmt.Aus der Temperaturabhängigkeit der chemischen Diffusionskoeffizienten ergibt sich für die Aktivierungsenergie der Diffusion der Wert 22.3 kcal · mol−1.Es wird gezeigt, daß die Entzinkungsgeschwindigkeit im Vakuum und im indifferenten Gasstrom von der Volumendiffusion des Zinks begrenzt wird, wobei die im Vakuum und im Gasstrom bestimmten Diffusionskoeffizienten zusammenfallen.
Einsatz der Elektronenstrahl‐Mikrosonde bei der Untersuchung der leichtschmelzenden Phasen in Molybdänelektroden zum Glasschmelzen
Authors: Jaźwiński S. T. , Szummer A. , Adamski R. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Untersuchungen mit der Elektronenstrahl‐Mikrosonde bei Anschmelzerscheinungen von Molybdänstäben beim Schmelzen von Gläsern in Elektrodenöfen durchgeführt. Dabei zeigte sich, daß an den Rändern der abgeschmolzenen Molybdäntropfen sich Nickel in einer Konzentration angelagert hat, die einer MoNi‐Legierung in δ‐Phase entspricht. Abschließend werden einige Hinweise zur Vermeidung derartiger Abschmelzprozesse gegeben.
Anwendung von Mikrowellen zur Auffindung von Kristallbaufehlern
Authors: Louda J. , Barta Č. , Žemlička J. , Liška O. , Ryttnauer E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Untersuchung des dielektrischen Verhaltens von Einkristallen im Mikrowellenbereich berichtet. Unter Berücksichtigung der Realstruktur der hergestellten Einkristalle kommt man zu dem Ergebnis, daß bei der Messung an Einkristallproben bestimmte Anomalien auftreten müßten. Es werden zunächst theoretische Annahmen, die ein solches Verhalten erklären könnten, besprochen. Dabei handelt es sich in der Hauptsache um Interferenzerscheinungen. Weiterhin werden die verwendeten Meßapparaturen und die erzielten Ergebnisse besprochen. Es zeigt sich die Möglichkeit, die gewonnenen Erkenntnisse zur Untersuchung verschiedener Typen von Kristallbaufehlern zu verwerten.
The Effect of the Electron Density Anisotropy on Positron Annihilation in a KBr single Crystal
Authors: Arefiev K. P. , Vorobiev S. A. 
Published: July 2007

AbstractThe use of the positron annihilation method in the study of electron states in oriented single crystals was investigated. Electron density distributions and the values of the anion effective charges were measured in 〈100〉 and 〈110〉 directions of KBr single crystals showing marked distinction.
Effect of Light Scattering by Optical Inhomogeneities in Ruby on Lasing Processes
Authors: Soskin M. S. , Sal'kova E. N. , Pogoretskii P. P. 
Published: July 2007

AbstractIs it shown that the nonlinear light scattering in solids, arising from the local inhomogeneities of refractive index results in the self cut‐off of lasing. Furthermore this effect can be used as a sensitive method of the optical quality determination of transparent media.
Ziehapparate für die Einkristallzüchtung
Authors: Liška O. , Žemlička J. , Barta Č. , Ryttnauer E. 
Published: July 2007

AbstractIn dieser Arbeit werden die wichtigsten konstruktionstechnischen Funktionsknotenpunkte beschrieben, die es ermöglichten, durch gegenseitige Kombination und verschiedene Lösungsvarianten, in einer Zusammenarbeit zwischen Technologen und Konstrukteuren, verschiedene Ziehapparate zu entwickeln, die den gestellten technologischen Anforderungen entsprechen.Es handelt sich um labormäßige Einrichtungen, die eine Arbeit unter Schutzatmoshpäre selbst bei größerem Druck ermöglichen. Die Konzeption der Einrichtungen ermöglicht ihren Einsatz nicht nur in industriellem Maßstab, sondern auch in einem beliebigen Druck‐ oder Vakuum‐Ofenraum. Die konstruktive Lösung berücksichtigt einen einfachen und anspruchslosen Aufbau, bei Einhaltung einer maximalen Genauigkeit und Reproduzierbarkeit bei der Kristallzüchtung.
Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Züchtung von GaP‐Einkristallen aus nichtstöchiometrischen schmelzen
Authors: Clauss D. , Ehlers R. 
Published: July 2007

AbstractIn Anschluß an eine einführende Betrachtung wird eine Bestimmungsgleichung für den effektiven Verteilungskoeffizienten keff unter den Bedingungen der Einkristallzüchtung aus nichtstöchiometrischen Schmelzen vorgeschlagen. Diese Gleichung kommt bei der Ermittlung von keff des Te für Te‐Konzentrationen in der Schmelze von 3,5 bis 91 · 10−3 At% zur Anwendung. Der aus einer Vielzahl von Messungen erhaltene keff‐Wert beträgt 0,070 mit den 1 σ‐Grenzen 0,116 und 0,043. Die relativ große Streubreite wird mit dem verfahrensbedingten sowie auf die polaren Eigenschaften des GaP‐Kristallgitters zurückgehenden inhomogenen Dotanteneinbau begründet.
Ätzuntersuchungen an Verneuilspinellen
Authors: Gottschalch V. , Petzke W.‐H. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde versucht, mittels der Ätztechnik die Qualität von Spinellsubstraten (Zusammensetzung MgO × 3,3‐3,5 Al2O3) der Orientierung (100), (110) und (111) zu erfassen. Die Ätzuntersuchungen ergaben, daß KHSO4, H3PO4 und Na2B4O7 auf der (111)‐Fläche und auf der (100)‐Fläche nur KHSO4 Versetzungsätzgruben bilden.Die auf den (100)‐, (111)‐ und (110)‐Flächen beim Ätzen entstandenen stäbchenförmigen Defekte wurden als Al2O3‐Ausscheidungen analysiert.
Ein einfaches Verfahren zur Herstellung reiner und dotierter CdF2‐Kristalle
Authors: Brink E. , Becker D. , Teltow J. , Tempelhoff K. 
Published: July 2007

AbstractDie Reindarstellung von CdF2 und die Kristallherstellung aus der Schmelze nach Bridgman wird ausführlich beschrieben. Die Aggressivität der Schmelze stellt besondere Anforderungen an Tiegelmaterial und Schutzgas. Durch Zonenreinigung erreicht man die spektralanalytische Nachweisgrenze der Verunreinigungen (≈ 1 ppm). Hinweise auf mechanische, thermische und chemische Eigenschaften und die Weiterverarbeitung der Kristalle werden gegeben.
Phasenhomogenitätsverhalten im optischen Wellenfeld modulierter Elektrolumineszenzdioden vom Flächenstrahlertyp
Authors: Zehe A. 
Published: July 2007

AbstractBezüglich des modulierenden Wechselstromes von in Flußrichtung gepolten Elektrolumineszenzdioden im Kleinsignalbetrieb zeigt die emittierte Strahlung ein Phasenverhalten, das vom Ladungsspeichervermögen des Übergangsgebietes und der dort vorliegenden optischen Absorption der erzeugten Photonen abhängt. Es erweist sich, daß durch Berücksichtigung der optischen Absorption eine Berechnung des Phasenverhaltens von Flächenemittern möglich ist. Die entwickelte Theorie besitzt für die Diode vom Fabry‐Perot‐Typ gleichermaßen Gültigkeit. Die sich für den Flächenemitter in Abhängigkeit vom optischen Absorptionskoeffizienten, der Dicke der durchstrahlten Schicht und der Frequenz des modulierenden Injektionsstromes ergebenden Phasenverhältnisse werden berechnet und diskutiert.
Die Phasenbildung von β‐W‐Strukturtyp in dünnen Schichten von Chrom, Molybdan und Wolfram
Authors: Blocha W. B. , Gladkich N. T. , Protsenko I. E. 
Published: July 2007

AbstractDie Bildungsverhältnisse einer Phase vom β‐W‐Strukturtyp in dünnen Schichten von Chrom, Molybdän und Wolfram werden bei deren Herstellung durch thermische Verdampfung und Kondensation im Vakuum von 10−8 ÷ 10−5 mm Hg untersucht. Die Ergebnisse der Elektronenbeugungsuntersuchung der Schichtstruktur von Chrom, Molybdän und Wolfram werden für Schichten mit langdauernder (bis zu einem Jahr) natürlicher Alterung und deren Glühen bis 900°C in einer Elektronenbeugungsanlage angegeben. Auf der Basis der experimentellen Ergebnisse und von Literaturangaben wird gezeigt, daß die Phase vom β‐W‐Strukturtyp, die bei kleinen Kondensationsgeschwindigkeiten in den Schichten von Chrom, Molybdän und Wolfram beobachtet wird, ein M3O‐Oxid und keine Modifikation dieser Metalle ist. Es werden die Ergebnisse einer Untersuchung des Zerfalls von M3O‐Oxid für Cr‐, Mo‐ und W‐Schichten angegeben.
Zur Bestimmung der Mikrohärte von Baryt‐Einkristallen bei hohem hydrostatischen Druck
Authors: Brauer K. H. , Hartung R. , Winkler S. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Hochdruckapparatur für Drücke bis zu 12000 at mit einsetzbarer Mikrohärtevorrichtung beschrieben. Die Mikrohärte‐Eindrücke entstehen durch eine Fallbewegung des Indenters. Für den Vergleich der Mikrohärten bei Normal‐ und Hochdruck werden die Viskositäten der Druckmedien angeglichen. Die Mikrohärtevorrichtung dient dabei als Fallkörperviskosimeter. Für die (001)‐Fläche von Baryt ergab sich mit einer Extrapolation auf die Fallhöhe Null bei 10000 at und einer Last von 36 g eine nichtreduzierte Mikrohärte von ∼ 210 kp · mm−2. Die entsprechende Mikrohärte bei Normaldruck beträgt 90 kp · mm−2.
Ein‐ und Mehrkristallspektrometrie und Fragen der Abbildung
Authors: Auleytner J. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Methoden diskutiert, die gestatten, die Auflösung der röntgentopographischen Abbildung zu erhöhen und kurzfristig Aussagen über die Defektstruktur und die Charakteristik von Halbleitern zu machen. Besprochen wird eine 1970 vom Verfasser entwickelte einkristallspektrometrische Methode und anschließend die Leistungsfähgkeit der Mehrkristallspektrometer.
Lichtoptisches Präzisions‐Orientierungsverfahren für Halbleitereinkristalle
Authors: Richter H. , Mohr U. 
Published: July 2007

AbstractDie bekannten Verfahren zur Orientierung von Halbleitereinkristallen werden nach ihren Hauptkenndaten analysiert. Ein neues Präzisions‐Orientierungsverfahren, das insbesondere für Materialien mit guter Spaltbarkeit geeignet ist, wird beschrieben und am Beispiel der GaAs‐Einkristallorientierung erläutert.
Zur Struktur von organischen Mischkristallschichten
Authors: Starke M. , Wagner H. , Hamann C. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Struktur von organischen Mischkristall‐Schichten an Hand eines Modells ‐ Kupferphthalocyanin/Vanadylphthalocyanin ‐ untersucht. Diese Schichten sind polykristallin und bestehen aus Mischkristall‐Körnern, die in ihren Abmessungen unterhalb der durch Röntgenmethoden gegebenen Nachweisgrenze liegen. Mit Hilfe der Infrarotspektroskopie und der Rasterelektronenmikroskopie sowie nach erfolgter Rekristallisation durch Texturgoniometeruntersuchungen werden Aussagen zur Aufwachsstruktur gewonnen.
Ein röntgendiffraktometrisches Verfahren zur Korngrößenbestimmung
Authors: Müller B. , Escher P. 
Published: July 2007

AbstractZur diffraktometrischen Teilchengrößenbestimmung wurde das Horizontal‐Zählrohr‐Goniometer HZG 1 für eine Intensitätsakkumulation und eine digitale Datenausgabe unter Beachtung informationstheoretischer Aspekte automatisiert. Das Blendensystem sowie der Strahlengang am Goniometer wurden unter Berücksichtigung großer Intensität, besten Auflösungsvermögens und möglichst geringer Reflexverzerrung optimiert. Durch eine sphärische Präparatoberfläche, die ein Kugelsegment des Fokussierungskreises darstellt, wird annähernd eine Seemann‐Bohlin‐Fokussierung erreicht. Die Apparatefunktion wird unter Benutzung einer Eichsubstanz gewonnen. Die Bestimmung des wahren Linienprofils sowie der Teilchengröße und ‐verteilungen erfolgt unter Verwendung von Fourierverfahren in einem FORTRAN‐Rechenprogramm MFALTUNG auf dem Computer CDC 1604 A.
Gleichgewichtsform und Form des idealen Einkristalls
Authors: Scheftal N. N. 
Published: July 2007

AbstractEs wird der Zusammenhang zwischen der Gleichgewichtsform und der Form des frei wachsenden idealen Einkristalls untersucht und gezeigt, daß bei Gewährleistung einer hoher Homogenität beide Formen makroskopisch identisch sind.