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Determination of linear growth rates of crystals (I). Calculation of linear growth rates of individual crystal faces from overall rates
Authors: Matuchová Marie , Nýavlt J. 
Published: July 2007

AbstractThe presented paper (Part I and II) is devoted to the fundamental principles of the kinetics of crystal growth. The number of studies in this field has been increasing and some authors have introduced different terms and definitions. To avoid possible mistakes and confusions, the individual definitions of the rate of crystal growth are specified and their interrelations are discussed in detail.Basic methods for measuring the kinetics of crystal growth are described. The rate of growth of individual crystal faces or the average rate of crystal growth can be determined using the selected experimental method. The presented study demonstrates that the results obtained by either of the two measuring methods (linear rate of growth of crystal faces and average rate of crystal growth) can be interrelated.The established method of calculating linear growth rates of individual crystal faces is based on an analysis of the time dependence of the volume of a growing crystal. The relationship between the linear growth rates of individual crystal faces and the over‐all crystal growth rate is presented and a method for assessing the linear growth rates of individual crystal faces from over‐all growth rate data, which can be measured readily, is suggested.
Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung von Krümmungen einkristalliner, scheibenförmiger Körper
Authors: Sommerfeldt H. , Mohr U. , Jegerlehner K. 
Published: July 2007

AbstractBei der Herstellung von Halbleiterbauelementen tritt das Problem der Verkrümmung einkristalliner Scheiben auf, ein Ausdruck der im technologischen Prozeß mit jedem Bearbeitungsschritt zunehmenden Zerstörung der Kristallperfektion. Die Bestimmung der Verkrümmung kann folglich Aufschluß über den Einfluß eines jeden Bearbeitungsschrittes auf die inneren Spannungen des Kristallkörpers geben. In dem Beitrag wird ein solches Verfahren beschrieben, das auf der Ausnutzung der Braggschen Reflexion eines Röntgenstrahles an den Netzebenen des Kristallkörpers zur Bestimmung der Netzebenenneigung beruht. Es wird eine auf diesem Verfahren beruhende Vorrichtung vorgeschlagen, die einen hohen Automatisierungsgrad zuläßt.
Die Struktur der Oberfläche fester Körper
Authors: Hieke M. 
Published: July 2007

AbstractAm Beispiel einer von n = – ∞ bis n = 0 erstreckten linearen Kette von Massenteilchen, auf der alle Teilchen n = 1, 2, 3, …︁ fehlen, werden die Beträge sowie die Verteilung der Angriffspunkte des Kräftesystems diskutiert, die am Ende der Kette angebracht die periodische Struktur aufrecht erhalten. Das am Ende der Kette anzubringende Kräftesystem soll die Kräfte gleichwertig ersetzen, die sonst von den fehlenden Teilchen herrühren. Verschieden vorgenommenen Verteilungen der Angriffspunkte der Einzelkräfte entsprechen unterschiedliche Störungen, die entweder auf die nahe dem Ende gelegenen Teilchen beschränkt sind oder das gesamte Gitter erfassen können. Das eindimensionale Beispiel entspricht dem Problem der Oberflächenstruktur und Oberflächenspannung fester Körper. Die Störung innerhalb der Oberflächenschicht ergibt eine Resultante der Kräfte, die als Oberflächenspannung bezeichnet wird.
Critical behaviour and internal bias of TGS and isomorphous crystals depending on growth conditions
Authors: Tsedrik M. S. , Zaborovski G. A. 
Published: July 2007

AbstractThe critical behaviour of TGS and isomorphous DTGS, TGSe and DTGSe single crystals grown at various conditions was investigated. The growth dependences for ΔT in heating and cooling regimes and shift ΔT of the temperature of maximal permittivity were found. These dependencies were explained in terms of existence of internal biasing fields these being measured vs temperature.
Über das Wachstum und den Abbau von Gallium‐ und CBr4‐Einkristallen aus eigener Schmelze
Authors: Gutzow I. , Pancheva E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eingehend die Morphologie und der Temperaturverlauf von Kristallwachstum und Kristallabbau zweier Modellsubstanzen — Gallium und Tetrabromkohlenstoff — in der Kapillare untersucht. Diese beiden Substanzen sind durch eine verhältnismäßig niedrige Schmelzentropie ΔSm ausgezeichnet, wobei im Falle von CBr4 der ΔSm‐Wert niedriger ist als jener kritische Wert von ΔSm (4 cal/grad. Mol), unter welchem nach manchen theoretischen Folgerungen die Bildung atomar diffuser Kristallfronten zu erwarten sind. Besonders eingehend wird der Temperaturverlauf der Abbaugeschwindigkeit beider Modelle untersucht. — Die erhaltenen Resultate zeigen, daß sich Gallium, dessen schmelzentropie hart über dem kritischen ΔSm‐Wert liegt, wie alle anderen, hohe Schmelzentropien aufweisende Substanzen verhält. Die Morphologie und das Kristallisations verhalten von CBr4 hingegen können gut durch die Annahme einer diffusen Kristallfront erklärt werden.
Stacking faults in deformed zinc and magnesium single crystals
Authors: Lavrentev F. F. , Pokhil Yu. A. 
Published: July 2007

AbstractUsing the transmission electron microscopy dissociated dislocations containing stacking faults were observed in Mg single crystals, deformed in (0001) <1120> slip system, and in Zn single crystals deformed in {1122} <1123> slip system.The overlapping flat stacking faults lying in {1102} planes and dissociated triple nodes in (0001) planes are observed in Mg. In Zn flat stacking faults are found in {1122} planes. The value of stacking fault energy γ has been determined in Mg crystals (γ ⋍ 10 erg/cm2). Such a low value of γ is attributed to the segregation of impurities on dislocations.
Versetzungsätzungen und Mikrohärtemessungen an druckverformten Reinsteiseneinkristallen
Authors: Schott G. , Graetz M. 
Published: July 2007

AbstractDie bei einmaliger und wiederholter Belastung in Metallen auftretende Verfestigung erklärt man vorrangig durch das Versetzungsgeschehen. Die vorliegenden Untersuchungsergebnisse stellen eine Beitrag zum Nachweis des Zusammenhanges zwischen Versetzungsdichte und Verfestigung dar.
Über die Versetzungsverteilung bei der Züchtung von Siliziumeinkristallen
Authors: Geil W. , Schmugge K. 
Published: July 2007

AbstractAusgehend von dem aus der Literatur bekannten Vorstellungen wird eine Beziehung zwischen Temperaturfeld, Spannungen im Kristall und Versetzungsdichte hergeleitet. Bei diesen Überlegungen ist der von ALEXANDER und HAASEN beschriebene Mechanismus, nach dem die effektive Schubspannung πeff = π — A √N für die Versetzungsbildung entscheidend ist, vorausgesetzt. Am Beispiel eines zylindrischen Siliziumeinkristalls, der einem parabolischen Temperaturfeld ausgesetzt war, wurde der theoretische Befund mit experimentellen Ergebnissen verglichen. Durch die Kenntnis der Beziehung zwischen Spannungsfeld und Temperaturfeld ist auch die Beziehung zwischen Versetzungsverteilung und Temperaturfeld gegeben.
Bildung von α‐Martensit im Schnittbereich von ϵ‐Martensitplatten
Authors: Schumann H. 
Published: July 2007

AbstractIn Stählen wird die Keimbildung von α‐Martensitkristallen aus dem Austenit erleichtert, wenn ϵ‐Martensit vorhanden ist. Besonders in den Schnittbereichen von ϵ‐Martensitplatten, die eine 〈110〉γ‐Richtung haben, entsteht bevorzugt α‐Martensit, wie bei geeignet zusammengesetzten und vorbehandelten Legierungen metallographisch gezeigt werden konnte. Auch in den Schnittbereichen anderer Scherprodukte, wie Stapelfehler und Zwillinge, liegen günstige Atomanordnungen für α‐Martensitkeime vor. Mit Hilfe von Schermatrizen wurden die Verzerrungen in den Schnittbereichen von 2 ϵ‐Martensitplatten, von 1ϵ‐Martensitplatte und 1 Zwilling sowie von 2 Zwillingen berechnet und mit der Verzerrung bei der martensitischen γ → α‐Umwandlung verglichen.
Röntgenografische Untersuchungen an hochgeschwindigkeitsverformten Kupfer und Stahl
Authors: Schierhorn Eike , Strassburger G. 
Published: July 2007

AbstractDas Materialverhalten krz‐ und kfz‐Metalle hängt von der Verformungsgeschwindigkeit ab. Streckgrenzen und Verformungsmechanismen unterscheiden sich bei Hochgeschwindigkeitsverformung von denen bei quasistatischer Verformung. Röntgenografische Untersuchungen und Mikrohärtemessungen an Kupfer und einigen Stählen (Mk3Al, 16MnCr5, X8CrNiMoTi1811) zeigen die Abhängigkeit von Teilchengrößen, inhomogenen Gitterverzerrungen, Stapelfehlerdichte, Mikrohärte und Tiefe von Verformungsschichten von der Verformungsgeschwindigkeit bzw. dem Verformungsgrad.
The application of scanning microscopy in the study of brittleness in copper and its alloys
Authors: Joszt Kazimierz , Ciura Ludwik 
Published: July 2007

AbstractAmong others the following results were attained: the transcrystalline ductile fracture of copper and some of its alloys resulting from a considerable plastic deformation, with numerous dimples, in the middle of which there usually appear second phase inclusions. — Intercrystalline fracture due to cracks along the grain boundaries may be different, sometimes scarecely to be disguished from the transcrystalline cleavable fracture. It should rank among brittle fracture as its appearance is always characterized by considerable brittleness of the material. Brittleness of copper and its alloys result from precipitations of these phases on the grain boundaries.
Zur Kristallisation von Melilith aus der Glasphase
Authors: Schreiter P. , Werner M. 
Published: July 2007

AbstractKristallisationsversuche von Melilithglas werden quantitativ ausgewertet und Beziehungen zwischen Kristallisationstemperatur und Habitus hergestellt. Eine temperaturabhängige nichtstationäre Induktionsperiode wird festgestellt und auf der Grundlage der Glasstrukturtheorie nach ROY gedeutet. Die Abhängigkeit der linearen Wachstumsgeschwindigkeit von der Temperatur wird mitgeteilt. Der sich daraus ergebende Einfluß von Anlagerungsgeschwindigkeit und Diffusion auf den temperaturabhängigen Habitus der Kristalle wird diskutiert.
On the morphology of cadmium sulphide epitaxial layers on germanium, observation of six‐pointed star optic figures and their explanation
Authors: Kamadjiev P. R. , Gospodinov M. M. 
Published: July 2007

AbstractThe morphology was investigated of the cadmium sulphide epitaxial layers, grown on germanium substrate with orientation (111), in a quasi‐closed “sandwich” system in hydrogen atmosphere. Regular hexagonal compound pyramids were observed, tipped and truncated, with a plane slope abruptly changed. With the orientation of the layer (000)CdS ∥ (111)Ge, the orientations of the pyramid planes were determined to be of the type (0113), (0114) and (0115).Regular six‐pointed optic stars were observed in those pyramids. Explanation of the stars observed is presented. A method is proposed for the determination of the cadmium sulphide layer thickness, using the data from the pyramids and the optic stars. The same stars were obtained with the elaborated models as well.
Messung von Rockingkurven eines polierten CaF2‐Kristalls
Authors: Dietrich B. , Förster E. , Böttger R. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Messung von Rockingkurven an einem polierten CaF2‐Kristall nach schrittweiser Abtragung dünner Oberflächenschichten berichtet. Die Auswertung führt zu einer Erweiterung des Raetherschen Modells polierter Oberflächen durch Annahme eines elastisch deformierten Gebietes unterhalb der durch die Politur erzeugten mosaikkristallinen Schicht.
Zu dem Transportsystem VOTeCl und dem Transportverhalten der Vanadinoxide mit TeCl4 (I). Der Transport von Vanadindioxid
Authors: Oppermann H. , Reichelt W. , Krabbes G. , Wolf E. 
Published: July 2007

AbstractDas thermodynamische Verhalten des Systems VOTeCl wird beschrieben. Von besonderer Bedeutung für das Transportverhalten ist der O2‐Koexistenzgleichgewichtsdruck. Für die Beschreibung des Transportes unterhalb 700 °C ist die Existenz von TeOCl2 in der Gasphase Voraussetzung. Aus dem Zusammenwirken des O2‐Koexistenzgleichgewichtsdruckes mit den diminierenden Gasphasenspezies können die Transportrichtung, die Transportrate und die Sauerstoffan‐ und ‐abreicherung der kristallisierenden Phase berechnet und vorausgesagt werden. VO2‐Einkristalle unterschiedlicher Phasenzusammensetzung werden hergestellt.
Effects of γ‐ray irradiation on the properties of Pb2+ doped potassium chloride crystals
Authors: Damm J. Z. , Kachmiarz M. , Mugeński E. , Opyrchał H. , Poźniak J. 
Published: July 2007

AbstractCorrelations between various properties (e.g. ionic conductivity, dislocation density, colourability, thermoluminescence, thermal recovery) of as‐received and irradiated KCl crystals containing up to about 20 mole · ppm Pb2+ are revealed. On the basis of the above data and the model proposed by MATSUNAMI et al. some speculations regarding the final irradiation product are presented.
The critical flow stress influenced by formation and transformation of precipitations in NaCl:Ca crystals after annealing
Authors: Suszyńska M. , Grau P. 
Published: July 2007

AbstractThe influence of thermal pretreatment of NaCl + 0.7 mole% Ca2+ single crystals on the critical flow stress and its strain rate sensitive part was investigated. On the basis of X‐ray diffraction experiments it could be shown that the characteristic values of mechanical parameters are related to different kinds of precipitates formed at particular annealing temperatures.
Determination of the distribution coefficient of Pb in NaCl crystals by estimation of the lead concentration from the optical absorption in aqueous solutions
Authors: Berg K.‐J. , Fröhlich F. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that the intensity of a UV absorption band of lead ions in aqueous solution of NaCl is linear dependent on the concentration of lead. This can be developed to a simple determination method of lead in NaCl crystals even in the ppm region. Its application on melt grown NaCl:PbCl2 crystals was used for a calculation of the distribution coefficient, for which was found k = 0.24. Furthermore it could be shown that an essential part of lead is evaporated from the melt before the growth process starts so that the real initial concentrations are drastically lower than the nominal concentrations of the melts.
Zur Defokussierungsabhängigkeit der elektronenmikroskopischen Netzebenenabbildung
Authors: Heydenreich J. , Pasemann M. , Werner P. 
Published: July 2007

AbstractDie Defokussierungsabhängigkeit des Bildkontrastes der elektronenmikroskopischen Netzebenenabbildung wird im Bereiche der Netzebenenabstände von 8 Å bis zu 1,4 Å experimentell untersucht und theoretisch — unter Zuhilfenahme berechneter Phasenkontrast‐Charakteristiken — interpretiert. Während bekannt ist, daß sich im Fall der koaxialen Bestrahlung optimale Bildkontraste bei geeigneter Überfokussierung ergeben, existieren hinsichtlich der schiefen Bestrahlung widersprüchliche Aussagen zum Kontrastgeschehen. In der vorliegenden Arbeit wird gezeigt, daß sich in diesem Fall maximale Bildkontraste bei Überfokussierung erzielen lassen. Eine mögliche Deutung, die den Einfluß der Abweichung von der exakten, symmetrisch‐schrägen Bestrahlung berücksichtigt, wird gegeben.
X‐ray diffraction studies of bismuth tungstate catalysts
Authors: Sinhamahapatra Pratap Kumar , Sinhamahapatra Samarendra , Bhattacharyya Sudhir Kumar 
Published: July 2007

AbstractBismuth tungstate catalysts with Bi/W ratios 2/3, 1/1, 2/1, and 6/1 have been investigated after various heat treatments by room temperature X‐ray analysis. The activity and selectivity of Bi2WO6 catalyst are suggested to be connected with the presence of corner sharing W—O octhedra in the bulk of the solid that give rise to tetragonal pyramidal W—O sites at the surface. The very low activity of Bi2(WO4)3 is attributed to edge‐shared octahedral coordination of W while the same of Bi6WO12 is due to tetrahedral coordination of W. The inactivity of Bi2W2O9 may be associated with its typically low oxidation power. The promoting influence of Bi2O3 is to enforce a structural situation on W—O so that W may be present in a tetragonal pyramidal 5‐configuration.
Influence of the surface layer of the solution on the nucleation of fibrillar trimolybdate crystals and their growth on air bubbles
Authors: Hodorowicz S. 
Published: July 2007

AbstractThe effect of the free surface area of solutions on the nucleation of fibrillar trimolydate crystals is described. The nucleation period is inversely proportional to the free surface area of solutions at a fixed volume. The observations of the growth of fibrillar monocrystals on air bubbles are reported.
Etching behaviour of calcium fluoride crystals in hydrochloric acid vapour
Authors: Desai C. C. , Sangwal K. , John V. 
Published: July 2007

AbstractEtching of octahedral cleavage faces of calcium fluoride crystals in hydrochloric acid vapour has been investigated. It is observed that dislocation etch pits and non‐dislocation elevations are formed. The morphology of etch pits obtained by vapour etching is observed to be different from that obtained by weak acid solutions. The results are discussed in terms of the prevailing etching conditions.
Facet Formation in Garnet Crystals
Authors: Petersyan A. G. , Shirinyan G. O. , Ovanesyan K. L. , Avetisyan A. A. 
Published: July 2007

AbstractFormation of {110} and {211} type facets in rare‐earth aluminium garnet crystals grown along different crystallographic directions is analyzed and it is shown that D/2R parameter (where D is the crystal diameter and R is the curvature radius of spherical growth interface) may be used to characterize the number of originating facets and their configuration in crystals.
Röntgentopographie mit Extremwertnachführung (I) Prinzip der Nachführung und Bildverzeichnung
Authors: Alex V. , Hansch C. , Naumann E. 
Published: July 2007

AbstractEin System zur automatischen Nachführung der Reflexionsstellung (ANRES‐System) während des Scanning einer gekrümmten Silizium‐Scheibe wird beschrieben. Es. ist als Zusatz für übliche Lang‐Anordnungen zu verwenden, hat eine automatisch geregelte Eingangsverstärkung, ist relativ unempfindlich gegen stochastische Störungen und gestattet die vollständige Abbildung einer Silizium‐Scheibe. Die Bildverzeichnungen bei der Röntgentopographie mit ANRES einerseits und mit ABAC (automated Bragg angle control) nach van Mellaert, Schwuttke andererseits werden verglichen.
Dielektrische und akustische Eigenschaften von Ag5SbS4
Authors: Brilingas A. , Bucko N. J. , Grigas J. , Samulionis W. , Sheshnitsch J. D. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit sind die Ergebnisse der Untersuchung der Mikrowellen dielektrizitätskonstante, der Absorption und der Geschwindigkeit der longitudinalen Ultraschallwellen in Kristallen von Ag5SbS4 dargestellt. Es werden Probleme der Kristallzüchtung und das Wesen des Phasenüberganges in diesen Kristallen diskutiert.
TSM‐gewachsene Halbleiter‐Einkristalle aus (Pb0,8Sn0,2)Te
Authors: Bansaragtschin B. , Link R. , Lehmann G. 
Published: July 2007

AbstractUnter Anwendung der TSM konnten in einem einfach zu handhabenden Züchtungsverfahren PbSnTe‐Mischkristalle hergestellt werden, die hinsichtlich ihrer Perfektion und Zusammensetzung sowie ihrer elektrischen Eigenschaften untersucht wurden. Die Ergebnisse führen zu dem Schluß, daß bei Vorteil einer kurzen Züchtungsdauer Kristalle in guter Homogenität mit niedrigen LTK und hohen Beweglichkeiten darstellbar sind. Typische erzielte Werte sind p77 ≦ 1017 cm−3, n77 ≦ 1017 cm−3; pμ77 ⋍ 1,6 · 104 cm2/Vs; Abmessungen: 1 × 4 × 4 mm3.
Elektrooptische Hysteresekurven von Strontiumbariumniobat‐ und Bleimagnesiumniobat‐Einkristallen
Authors: Arndt H. , Schmidt G. , Hennig P. , Döhn G. , Zscheyge W. 
Published: July 2007

AbstractAn Strontiumbariumniobat‐ und Bleimagnesiumniobat‐Einkristallen wurde interferometrisch die Änderung des Brechungsindex in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke gemessen. Die Ergebnisse sind mit den Vorstellungen über die feldinduzierten Phasenumwandlungen in diesen Ferroelektrika mit diffuser Phasenumwandlung vereinbar. Insbesondere weisen die elektrooptischen Schmetterlingskurven darauf hin, daß während der Umorientierung der spontanen Polarisation die unpolare Phase auftritt.
Untersuchungen zur heteroepitaktischen Abscheidung von GaP auf GaAs aus der Sn‐Lösung
Authors: Gottschalch V. , Kramer P. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die verwendeten Züchtungsapparaturen beschrieben und die experimentellen Daten zur Abscheidung von GaP und Ga(AsP) auf GaAs mitgeteilt. Daran schließt sich eine Diskussion des Einflusses der Züchtungsparameter (Temperatur, Abkühlungsgeschwindigkeit, Schmelzenzusammensetzung) auf die Ausbildung des Heteroüberganges und den damit im Zusammenhang stehenden Lösungsmitteleinschlüssen an. Die Auswirkung der Substratfehlorientierung auf die Oberflächenmorphologie wird untersucht.
Halbleiter‐Metall‐Übergang in V3O5
Authors: Brückner W. , Terukov E. I. , Reichelt W. , Moldenhauer W. , Čudnovskij F. A. , Oppermann H. 
Published: July 2007

AbstractDas V3O5 gehört zu den Magnéli‐Phasen VnO2n−1 und besitzt einen Leitfähigkeitsübergang bei 154 °C. Der Charakter des Überganges, die Änderungen der elektrischen, thermoelektrischen, magnetischen, strukturellen u. a. Eigenschaften und der Einfluß hydrostatischen Druckes und ternärer Komponenten (Dotierungen) auf den Übergang werden beschrieben. Das Verhalten des V3O5 ordnet sich gut in das Eigenschaftsbild der anderen Magnéli‐Phasen ein. Der Übergang ist als Ladungsordnungs‐Ladungsunordnungs‐Übergang zu charakterisieren bei wesentlicher Wirkung der Elektronenkorrelation.
The influence of the mode of hardness increase on the dislocation mobility of the crystal with NaCl lattice
Authors: Boyarskaya Yu. S. , Grabko D. Z. , Pishkova D. S. , Shutova S. S. 
Published: July 2007

AbstractThe influence of the three types of hardening (1 – radiation hardening; 2 – the hardening in lowering of temperature; 3 – the hardening in the series of KCl‐NaCl‐NaF‐LiF‐MgO crystals) on the length of dislocation rosettes arms is investigated. This length characterizes the dislocation ensemble mobility in the nonuniform stress field. It is shown that the change of microhardness and that of mobility of dislocations correlate well while introducing the radiation damage. In contrast to it the microhardness rise does not cause marked decrease of the length of rosettes arms in the other two cases. The conclusion is made that the length of rosettes arms depends not only upon the value of crystal hardness but also upon the mode of origin of this value. On the (001) plane of the crystals under investigation it is found that the length of dislocation rosettes arms depends on the indentor orientation. A possible explanation of this phenomenon is proposed.
On the chemical transport of some niobium oxides with TeCl4 (I). Calculation of the system Nb/O/Te/Cl and the transport of NbO2/NbO2.417
Authors: Ritschel M. , Oppermann H. 
Published: July 2007

AbstractThis series of two papers deals with the chemical transport of niobium oxides with TeCl4. – With chemical transport of NbO2, using TeCl4 as transport agent, NbO2.417 is deposited at first followed by NbO2. The peculiarities of this transport are attributed to the oxidizing action of the transport agent and to considerable reaction inhibitions in the starting solid. Monocrystals of NbO2 and NbO2.417 are obtained without deposition of any other phases. The morphology of the crystals is described. The transport behaviour in the system Nb/O/Te/Ci is calculated. The calculated and experimental results agree well.