bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
The Theoretical Elastic Constants and Specific Heats of Rutile
Authors: Pandey H. N. 
Published: July 2007

AbstractThe Raman and infrared spectra of rutile are analysed. The force constants are calculated using the Narayanan and Krishnamurti assignment of the Raman frequencies and one of the infrared frequencies. Elastic constants and specific heats are also calculated and agreement found with experimental results.
Energieänderung der Leitungselektronen durch Punktfehler in Metallen. I. Allgemeine Theorie
Authors: Mann E. 
Published: July 2007

AbstractIn der Schrödingergleichung für einen durch atomare Gitterfehler gestörten Kristall wird in einer Einelektronennäherung die Wellenfunktion nach Wannier‐Funktionen entwickelt. Die Differenzengleichungen für die Entwicklungskoeffizienten enthalten das im Falle der Metalle lokalisierte Störpotential nur in Form weniger Matrixelemente. Sowohl die Elektronenstruktur des ungestörten Kristalls als auch die Struktur der Störung sind im Prinzip voll erfaßbar. Durch die Formulierung mittels Greenscher Funktionen ergibt sich ein Gleichungssystem, dessen Determinante effektiv nur von geringer Ordnung ist. Ausgehend von der Konzeption diskreter Eigenwerte wird gezeigt, wie hieraus die Energieänderung der Elektronen zu berechnen ist; dafür werden zwei Methoden angegeben. Mit einer der Methoden können auch die Eigenfunktionen zu geänderten Energieeigenwerten berechnet werden (als stehende Wellen). Durch Symmetriebetrachtungen ist es in der Regel möglich, das Gesamtproblem auf einfachere Probleme zurückzuführen.
Paramagnetische Resonanz des Mn++ in S‐ oder Se‐haltigen Silberhalogeniden
Authors: Hennig K. 
Published: July 2007

AbstractEs werden bei 20, 90 und 300 °K gemessene Elektronenresonanzspektren des Mn++ in zusätzlich mit Chalkogenionen dotierten Silberhalogeniden diskutiert. Falls die Chalkogenionenkonzentration größer als die Mn‐Konzentration ist, treten zwei Spektren auf, die isoliertem Mn++ auf Silberionenplatz und dem Assoziat des Mn++ auf Silberionenplatz mit S−‐ auf dem unmittelbar benachbarten Bromionenplatz zugeordnet werden können. Dabei war das in nur mit Mn++ dotierten Silberhalogeniden bei 90 °K allein auftretende Assoziat zwischen Mn++ und der Silberionenlücke nicht nachweisbar.
Das Reflexionsvermögen von Germanium‐ und Silizium‐Einkristallen bei elastischer Deformation
Authors: Gerhardt U. 
Published: July 2007

AbstractDas Reflexionsvermögen von uniaxial in [001]‐ und [111]‐Richtung verformtem Ge und Si (Verformung ≈ 0,4%) wird mit linear polarisiertem Licht gemessen. Untersucht werden die Reflexionsmaxima des Ge bei 2 und 4,5 eV und die des Si bei 3,4 und 4,5 eV. Die durch die Verformung hervorgerufenen Änderungen des Reflexionsvermögens (ΔR ≈ 1%) rühren überwiegend von Änderungen der Übergangsmatrixelemente her, die wegen der Symmetrieerniedrigung auftreten. Die beobachteten Energieverschiebungen der Maxima (ΔE ≈ ≈ 10 meV) kommen durch Verschiebungen der Energiebänder zustande. Aus diesen Energieverschiebungen werden einige Deformationspotentiale bestimmt.
Work Hardening and Thermally Activated Flow in Magnesium Single Crystals
Authors: Sharp J. V. , Christian J. W. 
Published: July 2007

AbstractShear stress vs. shear strain curves have been obtained from magnesium single crystals orientated for basal glide and tested in tension over the temperature range 77 to 413 °K. Incremental changes of strain rate and temperature were also made and the results used to deduce the usual parameters of thermally activated flow. A two‐stage hardening curve was found, the work‐hardening rate being 150 to 400 g/mm2 in stage I at room temperature, and 3 to 5 kg/mm2 in stage II. The Cottrell‐Stokes law was found to be obeyed for strain rate changes at low temperatures, but at higher temperatures the behaviour was more complex. The activation energy for stage I deformation increased to a roughly constant value of 0.3 to 0.4 eV at high temperatures.
Dislocation Structure in Deformed Single Crystals of Magnesium
Authors: Sharp J. V. , Makin M. J. , Christian J. W. 
Published: July 2007

AbstractThe dislocation structure produced by tensile deformation of magnesium single crystals at 77 K and at room temperature has been investigated by transmission electron microscopy techniques. Sections both parallel and perpendicular to the basal plane have been cut by spark machining from single crystals deformed into both stages of the hardening curve. In stage I, edge dipoles and braids consisting of edge dislocations and dipoles are the prominent features, and the low density of screw dislocations suggests that annihilation has occurred. Very few dislocations with non‐basal Burgers vectors have been observed and the density of forest dislocations is less than 107 cm−2 unless dislocations have been lost from the foils. There is no evidence for slip on non‐basal slip systems even at the highest deformation examined (0.8 shear). In the early stages of deformation large clear areas are seen between braids. As deformation proceeds the local spacing between braids decreases and in stage II the areas between braids become filled with dislocations. After deformation at 77 K the dislocation density is more uniform. Twinning was the only new feature found in crystals deformed into stage II. The formation of the braids and dipoles is discussed and strain hardening is considered in terms of the observed dislocation structure. The flow stress in stage I is believed to be determined by the number of excess dislocations of one sign present in the braids, and the stability of the braids is probably due to short edge dipoles which have been swept into them.
Untersuchung einiger thermischer Eigenschaften der Verbindungen HgSe, HgTe und ZnTe
Authors: Kelemen F. , Cruceanu E. , Niculescu D. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden die thermischen Eigenschaften (Temperaturleitzahl, spezifische Wärme und Wärmeleitung) des ZnTe, HgTe und HgSe, bei Temperaturen von 20 bis 540 °C für ZnTe und von 20 bis 240 °C für HgTe und HgSe untersucht. Die Messungen wurden an Einkristallen ausgeführt, die nach dem Bridgman‐Verfahren aus hochgereinigten Elementen hergestellt worden waren.Die Analyse der Temperaturänderung der Gitterwärmeleitfähigkeit zeigte, daß sie im Falle des ZnTe durch Umklapp‐Prozesse zu erklären sind dagegen muß bei HgTe und HgSe auch die Streuung der akustischen Phononen an den optischen Phononen und den Stromträgern in Betracht gezogen werden.
Temperature Dependence of the Spectrum of the Photoluminescence in CdSe Crystals
Authors: Wojtowicz‐Natanson B. , Zakrzewski T. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the temperature dependence of the intensity and spectral distribution of the luminescence due to the recombination of excitons in CdSe crystals. The measurements are made at temperatures between 300 and 4.2 °K. It is suggested that complexes, formed from excitons bound to ionized acceptors, play an essential part in emission.
Structure of Exciton Bands in Crystalline Anthracene
Authors: Davydov A. S. , Sheka E. F. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the dependence of the exciton energy, in an anthracene crystal, on the magnitude and direction of the quasi‐momentum in the two energy bands which correspond to the first electron excitation of the molecule. It is shown that the exciton band width, the exciton effective mass, and the magnitude of the “resonance splitting”, depend only on the direction of the quasi‐momentum but also on the dimension of the region where the interaction between the molecules occurs. The theory predicts a polarization of the exciton doublets and gives their position for the various directions of the exciton wave‐vector. From a comparison of theoretical and experimental values for the resonance splitting the radius of the effective molecular resonance interaction in the anthracene crystal is established to be of the order of 0.05 μm.
Effect of Oxygen on Some Electrical Properties of Selenium
Authors: Abdullaev G. B. , Mekhtieva S. I. , Sh. Abdinov D. , Aliev G. M. 
Published: July 2007

AbstractIt is established several, previously obscure, properties of selenium are due to the presence of oxygen and to oxygen complex formation. The properties include the appearance of an extremum in the curves of the concentration dependence of electroconductivity (σ), thermoelectromotive force (θ), thermal conductivity (λ), density (Q), mechanical strength, activation energy during self diffusion (λE), and microhardness (H). Other properties are the shift of the second maximum in the photoconductivity curve during the introduction of different admixtures, the decrease of σ and θ during melting, and the instability of the parameters of selenium instruments.
Incorporation of Cd‐Interstitial Double Donors into CdS Single Crystals
Authors: Boyn R. , Goede O. , Kuschnerus S. 
Published: July 2007

AbstractThe incorporation of excess Cd into CdS crystals in a Cd atmosphere is studied experimentally. During the heat treatment in Cd vapour the conductivity (ν) of the crystals is measured as a function of Cd pressure (pCd) and temperature, between 400 and 730 °C. The relaxation of σ after a step‐like increase in pCd is also investigated. It is shown that excess Cd is incorporated in the form of doubly ionised Cd interstitials (Cd○2+), and this leads to a transition from “pure” Frenkel disorder to interstitial disorder. The energy required for the incorporation of a neutral Cd atom on an interstitial site (Cdgas → Cd), the migration energy of Cd, and the first ionisation energy of Cd○ are found to be 1.0 eV, 0.62 eV, and 0.05 eV, respectively. The formation energy of a Frenkel defect (Cd + Cd) is estimated to be about 2.5 eV. The temperature dependence of the conductivity of crystals quenched after heat treatment in Cd vapour is also measured and is found to be determined by the first ionisation of Cd○ at low temperatures. It is shown that large concentrations of Cd interstitials and Cd vacancies can be frozen in by quenching.
Zum Problem der Lebensdauermessung mit der Doppelimpulsmethode bei Silizium‐Einkristallen
Authors: Lemke H. 
Published: July 2007

AbstractFür Lebensdauermessungen an reinen Silizium‐Einkristallen wird ein Impulsverfahren unter Verwendung injizierender Metall‐Halbleiterkontakte beschrieben. Mit der Methode können insbesondere bei p‐Silizium Lebensdauerwerte im Bereich von 10−6 bis 10−3 s bei spezifischen Widerständen ≳ 1 Ωcm gemessen werden. Der Abklingverlauf der injizierten Minoritätsträgerkonzentration kann durch Modulation der Impulsverzögerung oszillographisch geschrieben werden. Die aus den Abklingfunktionen ermittelten Lebensdauern stimmen innerhalb von 20% mit den aus Messungen der nichtstationären Photoleitung bestimmten Werten überein. Die Orts‐ und Zeitabhängigkeit der Minoritätsträgerkonzentration wird für schwache Injektion berechnet.
PME‐Messungen zur Untersuchung der Rekombinationseigenschaften von InSb
Authors: Richter G. 
Published: July 2007

AbstractDie Rekombination von Nichtgleichgewichtsladungsträgern in p‐Typ‐Indiumantimonid wird mit dem stationären photomagnetoelektrischen Effekt untersucht. Zur Beschreibung der Experimente bewährt sich im untersuchten Temperaturintervall das Modell von Shockley und Read mit einem einfachen Rekombinationszentrum.
Kinetics of the Monopolar Conductivity in the Space Charge Region, in a Non‐Equilibrium State of the Semiconductor Volume
Authors: Litovchenko V. G. , Gorban A. P. , Kovbasyuk V. P. 
Published: July 2007

AbstractInvestigations of kinetic space charge monopolar photoconductivity during illumination are performed as for n‐ and p‐type silicon. In particular, some complex cases are studied (existence of photocarrier surface traps, diffusion redistribution of photocarriers etc.) The experimental data are in a good agreement with theoretical relation obtained with some simplifying assumptions. A series of nomograms are presented which are convenient for determining both the initial bending of the bands and the trap energies.
The Precipitation Behaviour of Copper in Silicon Single Crystals
Authors: Fiermans L. , Vennik J. 
Published: July 2007

AbstractThe precipitation behaviour of copper in silicon is examined from a macroscopic point of view by means of I.R. microscopy, X‐ray micrography, and etching. It is shown that the arms of the starts and the “needles” commonly observed in silicon which is heavily decorated with copper, have the form of “swords” parallel to the (111) and pointing in the 〈110〉 directions. These sword‐like regions are built up of a large number of small copper containing specks and dislocations. A mechanism is proposed which explains the nucleation and growth of the decoration‐patterns. This is based on indentation by oxygen containing precipitates and climb of the resulting fresh dislocation. The X‐ray experiments show that, although decorated dislocations produce a broadened image and complete extinction cannot be obtained, the determination of the Burgers vector is still possible.
Etude radiocristallographique des fautes d'empilement dans les alliages cubiques à faces centrées du nickel
Authors: Clement A. , Coulomb P. 
Published: July 2007

AbstractNous avons étudié par la méthode de Paterson la probabilité de faute d'empilement dans une série d'alliages de nickel limés dans l'azote liquide et maintenus à −150 °C pendant la diffraction des rayons X. Le titane, le silicium et le molybdène élèvent considérablement la probabilité de faute, même lorsque leur teneur est faible; l'effet du chrome n'est considérable que grâce à son importante solubilité dans le nickel. Ces résultats corroborent les textures de laminage trouvées dans la bibliographie.
Optical Modulation of Current in GeSi n—n Heterojunctions
Authors: Yawata S. , Anderson R. L. 
Published: July 2007

AbstractThe I–V, characteristics, the C—V characteristics and the photocurrent spectra of GeSi n—n heterojunctions are consistent with a model in which a depletion region exists in each material. The depleted electrons reside in interface states which result from the mis‐match in lattice constants of the two materials. In this model, a notch exists in the valence band edge profile. Optically generated holes are trapped in the notch and the trapped holes modulate the device. The quantum efficiency of such a device compares favorably with that of a Si p—n homojunction.
Phonon Dispersion in α‐Iron
Authors: Gupta R. P. , Sharma P. K. 
Published: July 2007

AbstractThe phonon dispersion curves are calculated for lattice waves along the three symmetry directions [100], [110], and [111] in α‐iron. The calculation use the three‐force‐constant model for cubic metals propounded by Sharma. The calculated dispersion curves are compared with the experimental curves of Low obtained by neutron spectrometry and reasonably good agreement found.
Phonon Drag Effect in p‐Type InSb
Authors: Byszewski P. , Gronkowska M. , Kołodziejczak J. 
Published: July 2007

AbstractThe thermoelectric power is measured as a function of temperature for three samples of p‐type InSb. At low temperatures the phonon drag effect is observed. The phonon drag contribution to the thermoelectric power is found be proportional to T−2.9.
Stress Dichroism and Paraelasticity of OH‐Molecules in KCl
Authors: Härtel H. , Lüty F. 
Published: July 2007

AbstractParaelastic alignment following a Curie law is observed for OH− molecules in KCl and measured quantitatively by stress‐induced dichroism. The dependence on stress direction confirms a model of [100] oriented dipoles. Using results from lattice parameter measurements the components of the tetragonal elastic dipole can be evaluated.
Über den Einfluß der Bestrahlung mit geringen Röntgendosen auf die Verfärbbarkeit von CKl‐Kristallen durch F‐Zentren
Authors: Fröhlich F. , Grau P. 
Published: July 2007

AbstractDurch wiederholte kurzzeitige Röntgenbestrahlung geringer Intensität und Bleichung mit weißem Licht läßt sich in KCl‐Kristallen eine beträchtliche Erhöhung der Verfärbbarkeit durch F‐Zentren im Anfangsverlauf der Bildungskurve erreichen. Die dafür verantwortlichen Defekte können thermisch über zwei Stufen mit Aktivierungsenergien von 0,68 eV bzw. 0,9 eV bis 1,0 eV ausgeheilt werden. Der Anteil der beiden Stufen hängt von der Vorgeschichte der Proben ab. Die wirksamen Defekte sind mit OH‐Ionenverunreinigungen verbunden, die wahrscheinlich über U‐Zentren zu einer Vergrößerung der Bildungsgeschwindigkeit von F‐Zentren und über die von ihnen verstärkte Kolloidbildung zu einer Erhöhung der nachweisbaren Anionenleerstellenkonzentration führen.
Die spezifische Wärme von Eisen, Kobalt und Nickel im Bereich hoher Temperaturen
Authors: Braun M. , Kohlhaas R. 
Published: July 2007

AbstractDie spezifische Wärme von Eisen, Kobalt und Nickel wurde mit einem neuen, unter Schutzgas betriebenen, quasiadiabatisch arbeitenden Kalorimeter im Bereich von Raumtemperatur bis jeweils dicht unterhalb des Schmelzpunktes gemessen. Mit den Meßergebnissen für Eisen werden zunächst die thermodynamischen Funktionen der beiden Eisenmodifikationen im Bereich der γ‐Phase neu bestimmt. Dann wird der Gesamtbetrag der spezifischen Wärme der drei Metalle näherungsweise in seine Anteile zerlegt. Es gelingt, den magnetischen Anteil zur spezifischen Wärme infolge der starken Anomalie am Curiepunkt quantitativ vom gemessenen Temperaturverlauf abzuspalten, so daß ein Vergleich mit dem theoretisch erwarteten Verlauf möglich ist.
Optische Untersuchungen zur Wasserdampfsorption in Aufdampfschichten (insbesondere in MgF2‐Schichten)
Authors: Koch H. 
Published: July 2007

AbstractAn MgF2‐, Kryolith‐, SiO‐ und ZnS‐Schichten der optischen Dicke ns ds ≈ 500 nm, die als Abstandsschichten eines Fabry‐Perot‐Interferenzfiltersystems zwischen Silberschichten eingebettet waren, wurde die Sorption von Wasserdampf mit der Methode der „fringes of equal chromatic order”︁ näher untersucht. In besonders starkem Maße wird Wasserdampf durch MgF2‐Schichten sorbiert. Die Wasserdampfsorption durch MgF2‐Schichten ist nur zum Teil reversibel. Ein Teil des Wasserdampfes wird durch Chemisorption irreversible gebunden. Für die besonders eingehend untersuchten MgF2‐Schichten wird ein einfaches Modell für die Schichtstruktur benutzt, um die experimentellen Ergebnisse zu deuten. Mit Hilfe dieser Modellvorstellung (in der angenommen wird, daß die MgF2‐Schichten aus kugelförmigen Aggregaten in dichter Packung aufgebaut sind) ist es möglich, über den irreversibel chemisorbierten Wasserdampfanteil Kristallitgrößen von ca. 100 bis 200 Å Durchmesser abzuschätzen. Die im Vergleich zu den anderen untersuchten Substanzen besonders ausgeprägte Fähigkeit der MgF2‐Schichten, Wasserdampf sorbieren zu können, ist vermutlich auf die hohe Polarität der MgF2‐Valenzbindungen und nicht auf eine wesentlich stärkere Lockerstruktur der MgF2‐Schichten zurückzuführen.
Untersuchung der chlorinduzierten optischen Absorption des Silberchlorids
Authors: Ulrici W. , Koswig H. D. , Stasiw O. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die durch eine äußere Chloratmosphäre in AgCl‐Kristallen bei einer Temperatur oberhalb 200 °C auftretende optische Absorption untersucht und als Absorption freier Defektelektronen gedeutet. Aus dem zeitlichen Verhalten beim Auf‐ und Abbau dieser Absorption können scheinbare Defektelektronenbeweglichkeiten ermittelt werden.
Die Diffusion und der Isotopeneffekt von Na22 und Na24 in Silberchlorid
Authors: Süptitz P. 
Published: July 2007

AbstractDer Wanderungsmechanismus von Na+‐Ionen im AgCl wird durch Messung des Diffusionskoeffizienten in Abhängigkeit von der Temperatur (180 bis 450 °C) und der Dotierung (Na, Cd) sowie durch Messung des Isotopeneffektes (Na22 und Na24) aufgeklärt. Für die Temperaturabhängigkeit wurde gefunden

wobei oberhalb 300 °C D stärker anwächst. Durch Na+‐Dotierung wird D kaum beeinflußt, durch Cd++‐Dotierung dagegen stark. Dies ist nur mit der Annahme eines Lückenmechanismus erklärbar. Die Größe der Na‐Diffusion wird als Maß für die Konzentration der Kationenlücken verwendet. Bei den Cd‐dotierten Kristallen wird die Assoziation der Lücken mit den Cd++‐Ionen berechnet, bei den undotierten Kristallen wird das starke Anwachsen von D bei hohen Temperaturen auf ein anomal starkes Wachsen der Frenkelfehlordnung zurückgeführt. — Die Isotopeneffekt‐Methode erweist sich zur Aufklärung des Wanderungsmechanismus in diesem Fall weniger aussagekräftig, da der ermittelte Wert für

nicht allein im Fall des Lückenmechanismus erwartet wird.
Photoimpedanzmessungen und Raumladungsprozesse in Photoleitern vom CdS‐Typ
Authors: Krispin P. , Ludwig W. 
Published: July 2007

AbstractKapazität und dielektrischer Verlustfaktor von Einkristallen vom CdS‐Typ, die entweder mit Polystyrolfolien bedeckt oder mit SiO‐Schichten im Vakuum bedampft wurden, werden in Abhängigkeit von der Frequenz des angelegten Wechselfeldes und der Anregungsintensität gemessen. Die Frequenzabhängigkeit der Meßgrößen kann formal mit den Debye‐Gleichungen beschrieben werden. Das Impedanzverhalten obiger Anordnung wird befriedigend mit der Vorstellung einer Raumladungsschicht an den blockierenden Elektroden erklärt. Zur Berechnung der komplexen Kapazität wird ein reaktionskinetisches Modell nach Böer und Voigt und die lineare Theorie der Raumladungspolarisation von Macdonald benutzt. Allgemein treten zwei Dispersionsgebiete auf, die von der endlichen Beweglichkeit und Lebensdauer der Ladungsträger im Leitungsband herrühren.
Magnetic and Electrical Properties of NdNbO4 and GdNbO4
Authors: Wang F. F. Y. , Gravel R. L. 
Published: July 2007

AbstractPolycrystalline NdNbO4 and GdNbO4, isostructural with the monoclinic form of YTaO4 (Fergusonite), were prepared by the usual ceramic method. GdNbO4 is paramagnetic with an asymptotic Curie point extrapolated to be 0 °K. NdNbO4 becomes antiferromagetic at 25 °K. Their room temperature electrical resistivities are very high, in the neighborhood of 1011 to 1012 Ωcm. The activation energy for the conduction process is 0.92 eV and 1.08 eV with respect to NdNbO4 and GdNbO4, respectively. The electrical conduction is n‐type in both cases. Both compounds show a dielectric constant maximum, measured at 1 kHz. The transition temperature is 1080 °K and 1030 °K for NdNbO4 and GdNbO4, respectively.
Correlation Corrections for Nuclear Magnetic Resonance Studies of Diffusion
Authors: Stoebe T. G. , Ogurtani T. O. , Huggins R. A. 
Published: July 2007

AbstractCorrelation corrections for diffusion coefficients which are measured using the technique of motional narrowing of nuclear magnetic resonance lines are considered. The results are applied to vacancy diffusion in alkali halide crystals, and previous work is clarified and extended to the consideration of associated vacancies. Relative values of diffusivity and activation energy are determined in the associated vacancy extrinsic region for NMR, radioactive tracer, and ionic conductivity methods of determination, and the relevant correlation corrections are derived.
Spin‐Magnetophonon Resonance in Semiconductors
Authors: Tsidilkovskii I. M. , Akselrod M. M. , Uritsky S. I. 
Published: July 2007

AbstractA theory is presented for spin‐magnetophonon resonance. The spin interaction of electrons with optical phonons is described by the introduction of vector and scalar potentials of the optical vibrational field. It is shown that the spin‐magnetophonon resonance should cause a minimum in the longitudinal magnetoresistance. The experimental data for n‐InSb and n‐InAs are discussed on the basis of this theory. Certain new magnetoresistance measurements are presented for the case of n‐InSb: 1) A maximum of the transverse magnetoresistance is observed at 82 kG corresponding to the spin‐magnetophonon resonance. The g‐factor for the conduction electrons, calculated from this maximum, is in good agreement with the theoretical value. 2) A minimum in the longitudinal magnetoresistance is observed at 24 kG, dur to the combined magnetophonon and spin‐magnetophonon resonance scattering.