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The crystallisation of strontium and barium molybdates and tungstates from lithium chloride melts by continuous cooling. The kinetics of crystal growth in alumina crucibles
Authors: Packter A. , Roy B. N. 
Published: July 2007

AbstractStrontium and barium molybdate tungstate solutions in lithium chloride melts were crystallised in alumina crucibles; saturated solutions were cooled from initial temperature T0 = 800 °C at cooling rates RT = 40°, 100° and 200°C hr−1. The kinetics of the crystal growth were studied by chemical analysis of the solution and by optical microscopy measurements of the crystals. – Heterogeneous nuclei first grew to small crystallites (lenghts l from about 0.02 to 0.12 cm) during prolonged induction periods: the main crystal growth then started after the development of some excess solute concentration ΔC = 0.3 ΔCtot to ΔCtot (where ΔCtot was the total excess solute concentration that developed on cooling to the eutectic temperature) at temperature T. The main crystal growth, at grown times τ = 0 to τ*, was diffusion rate‐controlled. The average crystal lenghts generally varied with growth time according to the relation,
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where

Rc (= ÅT) is the rate of development of excess solute concentration.
kΔ is the diffusion rate constant at temperatures near T
K is ϱfN (where N is the crystal number):

for the first forty percent crystallisation, this relation simplified to
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The intial growth rates and l/τ ratios depended not on cooling rates but on the ΔC values (at the start of growth). The kinetics of crystallisation of barium molybdate (where ΔC = ΔCtot were similar to those for crystallisation from supersaturated solutions onto seeds at temperature T; for these crystallisations
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where ID(α) is the Nielsen function for diffusion‐controlled growth.The last thirty percent growth was rate‐controlled by the rate of development of excess solute concentration only; in this range, crystal lenghts varied with growth time according to the relation,
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Growth and properties of Lu3Al5O12‐RE3+ single crystals
Authors: Petrosyan A. G. , Bagdasarov Kh. S. , Butaeva T. I. , Ovanesyan N. G. , Shirinyan G. O. 
Published: July 2007

AbstractOptically transparent garnet single crystals were grown from Lu3Al5O12 melts containing different RE3+ ions. The distribution coefficient of Nd3+ ions is found to be a function of the growth rate. Lu2O3–Al2O3 system studies have been partially carried out. Measurements of the lattice data, absorption spectra and comparison with some properties of Y3Al5O12 single crystals have also been made.
Low‐angle boundaries in silicon crystals
Authors: Eidenson A. M. , Dashevsky M. Ya. 
Published: July 2007

AbstractThe main types of low‐angle boundaries (LAB) in single crystals with diamond‐type lattice are determined. The scheme of dislocation alignments formation in thermal stress field of growing crystal which allows to derive types of possible LAB and their distribution in crystal is proposed. On its basis the LAB formation in Si single crystals grown in different crystallographic directions is considered. It appears that LAB types and their distribution in the crystal depend on the character of the thermal stresses and on the crystal growth direction.
Ionenstrahlgestäubte GaAs‐Schichten auf verschiedenen einkristalline Substraten
Authors: Absch G.‐R. , Hecht G. , Weissmantel Chr. , Zwinscher J. 
Published: July 2007

AbstractDünne GaAs‐Schichten wurden mittels der Ionenstrahlzerstäubung auf Spinell, (111)‐Si und (100)‐GaAs abgeschieden. Das Strahlsystem arbeitete mit Argonionen (10 keV) bei einem Vakuum von 5…︁8 · 10−6 Torr im Rezipienten. Als Target wurde undotiertes polykristallines GaAs verwendet. Die Untersuchungen der Schichteigenschaften erfolgte durch elektronenmikroskopische Verfahren (RHEED und C/Pt‐Abdrücke). Die Substrattemperaturen lagen zwischen 180 °C und 590 °C bei Abscheidungsraten von 1&3 Å/s. In einem relativ schmalen Temperaturbereich wurden epitaktische Schichten guter Qualität erhalten; die optimalen Werte lagen für GaAs auf Si bei 540 °C und für GaAs auf GaAs im Interval von 400…︁450 °C. Höhere Substrattemperaturen führten zu Störungen der Kristallstruktur durch Ga‐Überschuß in der Schicht infolge Zersetzung des GaAs.
Bindungsladung und Kristallstruktur
Authors: Hübner K. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die funktionale Abhängigkeit der Position der Phillisschen Bindungsladung von der Ionizität der chemischen Bindung untersucht und gefunden, daß die Verschiebung der Bindungsladung aus der Mitte des Abstandes nächster Nachbarn in Richtung auf das Anion proportional der Quadratwurzel aus der Ionizität ist, wenigstens für kleine Werte des Ionizitätsparameters. Die Position der Bindungsladung relativ zum Anionenrumpf und die damit in Zusammenhang stehende Repulsion zwischen Valenz‐ und Rumpfelektronen begünstigen in Substanzen mit eine überkritischen Ionizität die oktaedrische gegenüber der tetraedrischen Koordination.
Nachweis von Stapelfehlern in GaN‐Epitaxieschichten mittels Elektronenbeugung
Authors: Tempel A. , Seifert W. 
Published: July 2007

AbstractMit der RHEED‐Technik werden auf {100}‐orientiertem Spinell epitaktisch aufgewachsene GaN‐Epitaxieschichten untersucht. Die Wachstumstemperaturen der Schichten waren 540 und 1035°C. Als Verwachsungsgesetz der Epitaxieschicht mit der Unterlage ergab sich
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Die Richtungsangaben mit vier Indizes bezeichnen stets die Richtung der Normalen auf der entsprechenden Fläche.
Bei niedrigen Züchtungstemperaturen tritt Verzwillingung und eine hohe Stapelfehlerdichte auf. Bei hohen Temperaturen geht die Stapelfehlerdichte merklich zurück Zwillingsbildung ist nicht mehr nachweisbar.
Investigations on the defect depth of electroerosive‐cut Te single crystals by reflection electron diffraction (RHEED)
Authors: Messerschmidt A. , Lehmann G. , Kanis M. 
Published: July 2007

AbstractResults of the experimentally determined defect depth due to electroerosive working of Te single crystals as a function of crystal orientation and electric cutting energy by RHEED are given. The abrasion of the disturbed surface layer was made by chemical etch polishing as well as by bombardment with Ar+ ions. The defect depths determined from the RHEED patterns depend on the crystal orientation and the applied cutting energy. In case of the lowest cutting energy, it has a value of about 3 μm for the (0001)‐orientation and 6 μm for the (1010)‐orientation, the corresponding values for the highest cutting energy are about 8 μm and 20 μm, respectively. It is discussed in how far defect depths determined from the interpretation of RHEED patterns correspond to the “real defect depths” which can be determined by other measuring techniques.
Untersuchungen zu einer Zustandsgleichung für das Abweichen vom mechanischen und energetischen Gleichgewichtsverhalten am Beispiel der plastischen Deformation von KCl‐Einkristallen
Authors: Kaufmann H.‐J. 
Published: July 2007

AbstractZur makroskopischen Beschreibung der Deformation von Festkörpern wird unter Zugrundelegung des Modells dissipativer deformierbarer Medien eine Zustandsgleichung abgeleitet und solche Parameter bestimmt, die die mechanische und energetische Abweichung vom Gleichgewichtsverhalten beschreiben. Am Beispiel der plastischen Deformation von KCl‐Einkristallen wird die Gültigkeit dieser Zustandsgleichung für 300 °K bestätigt. Durch den Vergleich der Ergebnisse des makroskopischen und mikroskopischen Verhaltens können Abhängigkeiten zwischen den rheonomen Makro‐ und Mikroparametern für die Beschreibung des Kriechens von KCl‐Einkristallen bestimmt werden.
Lorentz and polarization factor correction in the structure determination of cadmium iodied polytypes
Authors: Jain P. C. , Trigunayat G. C. 
Published: July 2007

AbstractAn error in the application of Lorentz and polarization factor correction to the structure determination of cadmium iodide polytypes, so far overlooked by earlier workers, has been pointed out. Attention has been drawn to the fact that the intensities for 10 · l spots should be calculated for the range l = 2n to 4n, instead of the range l = 0 to 2n, employed until now.
Untersuchung von AIIIB‐Halbleitereinkristallen mittels Rutherford‐Rückstreuung energiereicher Protonen
Authors: Geist V. , Flagmeyer R. , Otto G. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Untersuchungen des Schatteneffektes an binären (GaAs, GaP, InSb, GaN) und ternären ((Ga,Al)P; (Ga, Al)As; (Ga, Al)Sb; (Ga, In)As) Halbleitereinkristallen und Epitaxieschichten mit 0,5 MeV‐ und 1 MeV‐Protonen berichtet. Die Winkelverteilung der rückgestreuten Protonen wurde mit Halbleiterdetektoren und Filmmaterialien gemessen. Die erhaltenen Werte der charakteristischen Schattenparameter für die Streuung an der Kristalloberfläche stimmen gut mit denen nach Barrett berechneten überein. Einige Anwendungsmöglichkeiten des Schatten‐ u. Kanalisierungseffektes bei Protonenrückstreuung für AIIIBV‐Halbleitereinkristalle werden kurz beschrieben und Beispiele dafür angeführt.
Untersuchungen zur Wechselwirkung von Ar‐, O2‐ und H2‐Niederdruckplasmen mit Metallschichten
Authors: Tiller H.‐J. , Holzinger H.‐W. , Demme U. , Lenke D. , Meyer K. 
Published: July 2007

AbstractBie der Wechselwirkung von Bestandteilen der positiven Säule einer Glimmentladung mit Metallschichtoberflächen kommt es zur Abtragung von Oberflächenmaterial. Die Abtragungsrate liegt weit über der aus Sputterergebnissen für die niederenergetischen Ionen im Oberflächenbereich zu erwartenden.Wird die Abtragung im Impulsbetrieb durchgeführt, kommt es zu einer Erhöhung der Abtragungsgeschwindigkeit, die auf eine Störung des Gittergefüges durch Rekonstruktionserscheinungen und Gaseinbau in den Impulspausen zurückgeführt wird.Das Abtragungsverhalten der Schicht ist stark vom Plasmagas und den Wandstromdichten abhängig, wobei es bei geringen Wandstromdichten (iW ∼10−5 A. cm−2) durch die Verminderung der Abtragung möglich wird, die infolge der Plasma‐Trägergas‐Metall‐Wechselwirkung auftretenden reaktiven Oberflächenveränderungen und die Gasaufnahme der Schicht zu untersuchen.Gestützt durch Elektronenbeugungsaufnahmen an Ni‐ und Au‐Schichten sowie durch kinetische Auswertung der Abtragungsraten, wird die Vorstellung entwickelt, daß während der Plasmaeinwirkung eine kritische Oberflächenschicht von ca. 30 bis 50 Å Dicke im Gleichgewicht mit einer darüberliegenden Metalldampf‐Plasmagas‐Phase steht.
Ritzuntersuchungen an Siliziumeinkristallen
Authors: Richter H. , Kirscht F.‐G. , Brocke H.‐D. , Weidner G. 
Published: July 2007

AbstractDas Verformungsverhalten von Siliziumoberflächen wurde durch Ritzexperimente mit einem Diamantkegel und variabler Andruckkaft untersucht. Für Lasten bis 20p wird die Ritzspur durch plastische Vorgänge hervorgerufen, danach dominieren Ausbrüche in Form von Trennbrüchen. Der Übergang duktil‐spröde ist richtungsabhängig.Es wird versucht, die festgestellte Mikroplastizität auf Besonderheiten im mechanischen Verhalten oberflächennaher Kristallbereiche zurückzuführen.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methylpiperidinium‐acet‐para‐nitro‐anilid‐jodid
Authors: Kutschabsky L. , Zerbe Chr. 
Published: July 2007

AbstractDie Verbindung N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐para‐nitro‐anilid‐jodid kristallisiert in der triklinen Raumgruppe P1 mit 2 Molekülen in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten betragen a = 7,164, b = 16,818, c = 6,974 Å, α = 94,20, β = 102,95, γ = 86,15°. Die genaue Messung der Intensitäten der Röntgenreflexe mit einem automatischen Vierkreisdiffraktometer ermöglichte es, die Lage der Wasserstoffatome in dieser Schweratomstruktur, die pro Molekül ein Jodatom enthält, zu bestimmen. Der abschließende R‐Wert beträgt 0,097 für alle 3033 Reflexe.
Struktur und Energie der Phasengrenzen in gerichtet erstarrten NiAl‐Cr‐Eutektikum
Authors: Zies G. 
Published: July 2007

AbstractMorphologie, Kristallographie und Grenzflächenstruktur des stabförmigen, gerichtet erstarrten NiAl–Cr‐Eutektikums wurden elektronenmikroskopisch untersucht. Es wurden regelmäßige Anordnungen von Anpassungsversetzungen mit reinem Stufencharakter an den Grenzflächen zwischen den krz Chromstäben und der krz NiAl‐Matrix beobachtet. Räumliche Anordnung und Burgersvektoren der Versetzungsnetzwerke wurden analysiert. Messungen der Abstände der Anpassungsversetzungen ergaben einen mittleren Wert von 1480 Å und eine mittlere Fehlpassung von 0,195% in den 〈100〉‐Richtungen.Die experimentellen Ergebnisse wurden benutzt, um den fehlpassungsabhängigen Anteil der Grenzflächenergie in verschiedener Weise zu berechnen und die Anwendbarkeit der auf van der Merwe zurückgehenden Grenzflächentheorie auf den Fall gerichtet erstarrter Eutektika zu prüfen.
Investigations on electronically conducting oxide systems (XI) electrical conductivity and optical absorption of a ‐and c‐Domain crystals BaVTiO3
Authors: Feltz A. , Langbein H. 
Published: July 2007

AbstractBaVTiO3 single crystals can be grown from a basic BaCl2 flux. The electric conductivity was measured at a‐ and c‐domain crystals and optical absorption as well as photoconductivity were ascertained at a‐domain crystals using plane polarized light in dependence on direction. Properties and their anisotropy are discussed on the basis of their local relations in the ferroelectric host lattice and compared with the properties of BaNbTiTiO3 single crystals described in the preceding communication.
X‐ray topographic studies of the melting of nearly perfect gallium crystals
Authors: Mair G. , Wenzl H. 
Published: July 2007

AbstractThe temperature dependence of the concentration and shape of long dislocation lines in pure, nearly perfect gallium crystals has been measured by X‐ray topography in anomalous transmission (Borrmann‐topography). The dislocation structure did not change appreciably between temperatures of 22°C and at least 0.1 mK below the melting point Tm = 29.75°C. A few dislocations decreased their length due to tempering at the melting point. Pre‐melting effects could not be detected.
Cholesterinische Gemische für die Thermographie
Authors: Demus D. , Wartenberg G. 
Published: July 2007

AbstractNach einer kurzen Darstellung der optischen Eigenschaften des cholesterinischen Zustands werden Gemische angegeben, die für die Temperaturmessung (Thermographie) mit cholesterinischen Substanzen geeignet sind. Es wird gezeigt, wie man durch Veränderung der Zusammensetzung der Gemische die Eigenschaften systematisch verändern kann.
Betrachtungen zur Struktur aufgedampfter Metallschichten für Widerstandsbauelemente
Authors: Schippel E. 
Published: July 2007

AbstractDie Möglichkeit zur Bildung von mindestens zwei und mehr Phasen ist Voraussetzung zur Eignung einer aufgedampften Metallschicht für die Herstellung von Widerstandsbauelementen der Elektrotechnik. Die geforderten elektrischen Eigenschaften resultieren aus einer Struktur der Schicht, die von der kristallinen Ordnung abweicht. Die Struktur der artiger Schichten ist röntgenamorph, wobei die optimalen elektrischen Eigenschaften für das Widerstandsbauelement in einem ganz engen Bereich auftreten, der in der Nähe der kristallinen Ordnung liegt. Die Reproduzierbarkeit der Schichteigenschaften ist von der „Treffsicherheit”︁ dieser Schichtstruktur bei der Herstellung abhängig.
Investigations on noncubic crystals with the divergent X‐ray beam technique
Authors: Kämpfe Bernd 
Published: July 2007

AbstractThe divergent X‐ray beam technique is very useful for the study of small monocrystalline sample regions. The diffraction patterns are cone‐shaped. The size of the cone angle and the direction of the cone axis depend form the lattice parameters and the orientation of the investigated crystal. An appropriate evaluation permits the simple determination of lattice parameters, even of those of noncubic crystals and the determination of crystal orientation.The comparison of X‐ray divergent beam patterns of different regions of the sample makes it possible to discover changes in the imperfect crystal structure such as local lattice parameter variations, disorientations, and twinnings in regions up to 10 μm in diameter. Suitable methods for utilization will be shown here.
Untersuchungen zum Einfluß von Temperatur und Versetzungen auf die integralen Röntgenintensitäten von Si‐Einkristallen
Authors: Krüger A. , Stephanik H. 
Published: July 2007

AbstractAus Messungen der absoluten integralen Röntgenintensitäten von Siliziumeinkristallen ist es möglich, die Debyetemperatur zu bestimmen. Für einen versetzungsfreien Siliziumkristall wurden für den Temperaturbereich zwischen 90 und 296 K Debyetemperaturen von 543 bis 533 K ermittelt. Der Einfluß von Versetzungen in Silizium auf die Debyetemperatur wurde bei verschiedenen Temperaturen untersucht.
Probleme röntgenografischer Teilchengrößen‐ und Verzerrungsbestimmung an verformten Polykristallen
Authors: Röll H. 
Published: July 2007

AbstractFür vorgegebene Verzerrungsmodelle (Verschiebungsfelder) und Teilchengrößen wurden Intensitätsverteilungen von Debye‐Scherrer‐Linien berechnet und aus diesen nach WARREN und AVERBACH sowie nach der Varianzmethode Teilchengröße und mittlere quadratische Verzerrung bestimmt. Für die Teilchengröße wurden gut mit den Vorgaben übereinstimmende Werte erhalten. Die mittleren quadratischen Verzerrungen weichen zum Teil stark von den Vorgaben ab. Diese Abweichung kann durch eine Untersuchung der beim WARREN‐AVERBACH‐Verfahren erfolgenden Mittelung erklärt werden.
Über die Kristallstrukturdifferenzen der MeSO4 · nH2O‐Salztypen
Authors: Aslanian S. , Balarew Chr. 
Published: July 2007

AbstractAuf Grund der systematisierten Angaben über die Kristallstrukturen der MeSO4 · nH2O‐Salztypen, wo Me = Mg2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Cu2+ und n = 0–7 ist, wurde festgestellt, daß die Strukturdifferenzen eines gegebenen chemischen Typs Metallsulfat‐Hydrat durch die Eigenschaften des Metallions bestimmt werden. In dieser Hinsicht werden die Kristallstrukturen der verschiedenen Hydrate behandelt. Die Kristallstrukturdifferenzen der Heptahydrate sowie das Vorhandensein ‐ oder Nichtvorhandensein von Hydraten einiger der behandelten Ionen werden durch die Elektronenkonfigurationen der besprochenen Metallionen erklärt. Die Deformationstendenz der oktaedrischen Umgebung dieser Metallionen nimmt in folgender Reihe zu:
Untersuchungen zur Unstöchiometrie von Magnetit in Abhängigkeit von den Bildungsbedingungen
Authors: Kieselstein Eva , Kämpfe Bernd , Nestler Carl‐Georg 
Published: July 2007

AbstractIn dieser Arbeit wurden die chemische Zusammensetzung und die Struktur von Magnetit in Abhängigkeit von den Reaktionsbedingungen bei der Herstellung untersucht. Die Darstellung der Magnetite erfolgte nach einer von GIOVANOLI und BRÜTSCH angegebenen Methode, die eigentlich zur Herstellung von γ‐FeOOH erarbeitet worden war. — Nach Gitterkonstantenbestimmungen und der Ermittlung des Fe2+:Fe3+‐Verhältnisses konnte festgestellt werden, daß die chemische Zusammensetzung und die Realstruktur der dargestellten Magnetite eine Funktion des Reaktionsmilieus sind. Mit zunehmend basischen Reaktionsbedingungen nähert sich das Reaktionsprodukt in seiner Zusammensetzung dem ideal stöchiometrischen Magnetit (Fe3O4). Mit zunehmend saurem Reaktionsmilieu nähert sich die Zusammensetzung dem Maghemit (γ‐Fe2O3); die Kristallstruktur wird gestört, und es entstehen noch Eisenoxyhydrate als Reaktionsprodukte.
Oszillation der Wachstumsgeschwindigkeit an der Grenze von Wachstumskernen
Authors: Barthel J. , Jurisch M. 
Published: July 2007

AbstractEin früher entwickeltes Modell zur Berechnung des Geschwindigkeitsfeldes des Kristallwachstums aus der Schmelze mit Rotationsstreifung wird angewandt zur Berechnung des Kernrandes und der Änderung der Amplitude und Phasenlage der Geschwindigkeitsoszillationen an der Kernberandung. Alle im Zusammenhang mit Rückschmelzerscheinungen stehenden Ergebnisse hängen wesentlich von der Kinetik des Wachstums im Kern ab.
A new method of studying anisotropy of crystals
Authors: Nikolova Elka G. 
Published: July 2007

AbstractA new method is proposed of studying the anisotropy in crystal wafers cut out in respective orientations. For this purpose the TWYMAN effect, discovered in 1905 in the processing of optical glass, is used. It is shown that this effect, the physical nature of which is described in detail in another work of ours, is in force also with crystal wafers which bend to a strictly spherical surface in an isotropic state and to a characteristic ellipsoid surface in an anisotropic state. In the latter state a definite ratio exists of the large to the small axis of the ellipsoid, characterising the anisotropy of a given orientation.
Zur quantentheoretischen Berechnung von Aktivierungsenergien für den Stoffübergang an Phasengrenzflächen von Ionenkristallen bei Kristallisationsprozessen (I). Zur Bestimmung von Aktivierungsenergien für den Stoffübergang an Phasengrenzflächen leichtlöslicher Salze mittels radioaktiver Nuklide
Authors: Winzer A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über die Bestimmung von Aktivierungsenergien für die Stoffübergangsprozesse an Phasengrenzflächen von Ionenkristallen mittels der Methode der markierten Atome berichtet. Um aus der Temperaturabhängigkeit der Stoffübergangszahlen reproduzierbare Aktivierungsenergien zu erhalten, müssen die Einflußfaktoren Rührgeschwindigkeit, Übersättigung, Vorbehandlung und Oberflächenbeschaffenheit der Kristalle, Korngrößenverteilung und Suspensionsdichte konstant gehalten werden. Es wurden für verschiedene Temperaturbereiche unterschiedliche Aktivierungsenergien erhalten, die mit der Desolvatation der Ionen sowie dem Einbau der Ionen in das Kristallgitter erklärt werden.
Zur Rolle der Gefügegrenzen beim Sintern von Einstoffsystemen
Authors: Schatt W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Abriß des Sintergeschehens im Sinterzwischen‐ und ‐spätstadium unter besonderer Berücksichtigung des Einflusses der Grenzen der Gefügeelemente und der dazu von Ja. E. Geguzin entwickelten Modellvorstellungen gegeben. Auf die Möglichkeiten einer Versetzungsneubildung während des Sinterns („Selbstaktivierung”︁) sowie den Einfluß einer erhöhten Geschwindigkeit des Aufheizens auf isotherme Sintertemperatur wird hingewiesen.
Zur quantentheoretischen Berechnung von Aktivierungsenergien für den Stoffübergang an Phasengrenzflächen von Ionenkristallen bei Kristallisationsprozessen (II). Zur Berechnung von Aktivierungsenergien auf quantentheoretischer Grundlage
Authors: Winzer A. 
Published: July 2007

AbstractEs wird gezeigt, daß zwischen der Aktivierungsenergie für den Stoffübergang an Phasengrenzflächen von Ionenkristallen bei Kristallisationsprozessen und der Frequenz der longitudinal‐optischen Phononen eine quantenmechanische Beziehung besteht. Dies ist dann der Fall, wenn der Einbau der Ionen in das Kristallgitter der geschwindigkeitsbestimmende Schritt des Stoffübergangs ist, was bei hohen Rührgeschwindigkeiten, niedrigen Übersättigungen und Temperaturen > 25°C annähernd realisiert ist.
Zur Heteroepitaxie von AIBIIIC2VI‐Verbindungen – Interpretation von RHEED‐Diagrammen
Authors: Tempel A. , Schumann B. 
Published: July 2007

AbstractBei der epitaktischen Abscheidung von Halbleitern des Typs AIBIIIC2VI auf einkristallinen Unterlagen mit einer dreizähligen Flächensymmetrie wächst der in der Chalkopyritstruktur kristallisierende Deposit mit der {112}‐Fläche auf dem Substrat auf. Es wird gezeigt, daß eine eindeutige Unterscheidung über die vorliegende Art der epitaktischen Verwachsung mittels RHEED‐Untersuchungen stets möglich ist, wenn die atomaren Streufaktoren der I‐ und III‐Atome hinreichend unterschiedlich sind und/oder das Achsen‐verhältnis c/a wesentlich vom Wert 2 abweicht. – CuInSe2/GaAs und CuGaSe2/GaAs weisen eindimensionale Epitaxie auf.