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Zum Wachstum von AIIIBV‐Halbleitern aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (II) Dotierung von GaAs und Ga1−xAlxAs mit Zink
Authors: Jacobs K. , Jacobs B. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractDie Dotierung von GaAs und Ga1−xAlxAs mit Zink bei der Flüssigphasenepitaxie wurde radioanalytisch untersucht. Dabei wurde gefunden, daß vor dem epitaktischen Wachstum Zink aus der Ga‐(Al)‐As‐Zn‐Schmelzlösung über die Gasphase in das n‐GaAs‐Substrat diffundiert. Zusammen mit der anschließenden Zink‐Diffusion aus der Epitaxieschicht ins Substrat führt diese „Vordiffusion”︁ zur Ausbildung von drei Bereichen mit unterschiedlichen Zn‐Konzentrationsgradienten in der Nähe des pn‐Überganges. GaAs/GaAs‐ und Ga1−xAlxAs/GaAs‐Anordnungen zeigen dabei keine signifikanten Unterschiede.In GaAs Epitaxieschichten nimmt der Zinkgehalt vom Substrat zur Schichtoberfläche hin exponentiell ab. Daraus wird die Temperaturabhängigkeit des effektiven Zn‐Segregationskoeffizienten berechnet. Dieser wird bei 900°C keff = 5,2 · 10−2 gefunden.Das Zn‐Konzentrationsprofil in Ga1−xAlxAs‐Schichten ist komplizierter und wird von der Züchtungstemperatur sowie dem variierenden Al‐Gehalt beeinflußt.
X‐Ray Topographic Investigation of Dendritic Silicon Crystals
Authors: Dashevsky M. Ya. , Isaakjan V. A. , Khatsernov M. A. 
Published: July 2007

AbstractUsing Lang and double‐crystal X‐ray topographic methods the dislocation structure of dendritic silicon crystals have been investigated. It is shown that the surface layers of these crystals have a more perfect structure than their bulk volume. The twin lamella is a dislocation‐free formation and there are dislocation‐free zones ∼ 1,5 mm in width in the volume of crystals.
Einfluß von Tribosorption und tribochemischen Prozessen auf das grenzflächenmechanische Verhalten von Siliciumcarbid
Authors: Heinicke G. , Hennig H.‐P. , Steinike U. 
Published: July 2007

AbstractAm Beispiel von SiC werden erhebliche Unterschiede in der Primär‐ und Sekundärteilchengröße, der Spinkonzentration, der Oberfläche und der Porosität bei der tribomechanischen Bearbeitung in H2‐ und in Ar‐Atmosphäre nachgewiesen. Ursache hierfür sind die in der Phasengrenzschicht des Festkörpers ablaufenden Tribosorptions‐ und Triboreaktionsprozesse. Auf die technische Bedeutung solcher Prozesse wird hingewiesen.
Zur experimentellen Gleichgewichtsbestimmung beim Wachstum von InxGa1–xAs durch Jodtransport
Authors: Seidowski E. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wird die Anwendung der Thermodynamik zur quantitativen Beschreibung der Herstellungsprozesse von Halbleiterwerkstoffen aus der Gasphase diskutiert.Es wird eine Methode zur experimentellen Bestimmung des heterogenen Gleichgewichts InxGa1–xAsJ2 vorgeschlagen.Auf der Grundlage des gemessenen Gesamtdruckes werden im Temperaturbereich 900–1200 K für x = 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0 die Partialdrücke der Komponenten und die Gleichgewichtskonstanten der Transportreaktion berechnet.
A study of the relation between crystal growth kinetics and particle size distribution of crystals produced from solution
Authors: Blickle T. , Halász S. 
Published: July 2007

AbstractA new relation between crystal growth kinetics and particle size distribution based on statements in the literature is derived. It can be equally used for the determination of the characteristics of crystallization caused by cooling, evaporation or precipitation. Different kinetic constants (rate constants of nuclei formation k1, k2, k3, and growth K0, K1, K2) can be determined, and therefrom the particle size density curve. – The effect of kinetics characteristics on particle size distribution is summarized.
Aufbau und Eigenschaften „ohmscher”︁ Kontakte an GaSb
Authors: Vogel K. , Engel A. 
Published: July 2007

AbstractAusgehend von einigen allgemeinen Betrachtungen zum Begriff „ohmscher”︁ Kontakt werden Messungen der Kontaktwiderstände von Ag‐, Au‐; Ni‐, Al‐; In‐, Sn‐und Ag–In‐Kontakten dargestellt, die durch Aufdampfung auf p‐ und n‐GaSb erzeugt wurden. Die Schritte zur Herstellung dieser Kontakte wurden kristallographisch untersucht. Die Messung der Kontaktwiderstände erfolgte nach der Vierspitzenmethode. Die experimentellen Bestimmungen des Kontaktwiderstandes RK bzw. ϱK zeigen einen deutlichen Einfluß der Oberflächenbehandlung und Oberflächenstruktur, des Kontaktmetalls und der Meßtemperatur. Sn/Ag/Au‐Kontakte an n‐GaSb sowie Ag‐ und Au‐Kontakte an p‐GaSb liefern nach einem Legierungsprozeß sperrfreie Kontakte.
Zur Züchtung von Einkristallen oxidischer Verbindungen für die Quantenelektronik nach der Methode des optischen Zonenschmelzens
Authors: Arsenjev P. A. , Baranov M. N. , Bienert K. , Kustov E. F. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die wichtigsten Systeme der Strahlungsfokussierung für Anlagen zur Einkristallzüchtung nach der Methode des optischen Zonenschmelzens betrachtet und Angaben über oxidische Verbindungen gemacht, von denen Kristalle nach der genannten Methode gezogen wurden. Die wichtigsten Etappen verschiedener Aufbereitungstechnologien für die Ausgangssubstanzen und die Methodiken der Züchtung und Bestimmung der strukturellen Güte der hergestellten Kristalle werden diskutiert.
Zum Wachstum von AIII‐BV‐Verbindungen aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (III) Untersuchungen zur Flächenmorphologie homoepitaktischer GaAs‐Schichten
Authors: Tietze H.‐J. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractFür die Oberflächenmorphologie bei der Bildung von GaAs‐Schichten aus Ga‐Lösung wird die primäre Bildung von charakteristischen Löchern verantwortlich gemacht. Die Entstehungsursache dieser Löcher wird gedeutet mit Hilfe geringer Verspannungen, welche aus kleinen Gitterfehlanpassungen resultieren.
Defektstrukturuntersuchungen an GaAs‐Einkristallen mit Hilfe der IR‐Mikroskopie
Authors: Schulz M. , Sarodnik R. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über IR‐Untersuchungen an Czochralski‐gezogenen GaAs‐Einkristallen berichtet, die mit verschiedenen Elementen dotiert waren. Bei der Verwendung von Silizium und Chrom als Dotanten wurde bereits eine Eigendekoration der Versetzungen beobachtet. An einigen Beispielen wird die geometrische Anordnung und die Verteilung der Versetzungen diskutiert.
Strukturchemische Charakterisierung eines durch Gasphasenabscheidung darstellbaren orthorhombischen Borcarbids der Zusammensetzung B8C
Authors: Ploog K. , Druminski M. 
Published: July 2007

AbstractDurch Pyrolyse von BJ3 und CJ4 unter vermindertem Druck bei Substrattemperaturen von 900 bis 950°C wurde ein orthorhombisches Borcarbid der Zusammensetzung B8C mit einem Kohlenstoffgehalt von 12,5 bis 13,0 Gew.% und einer Dichte von 2,42 g/ml dargestellt. Die Struktur des B8C ist aufgebaut aus stabilen (B12)4C2‐Untereinheiten, die vom tetragonalen B48B2C2 her bekannt sind und die hier über einzelne C‐Atome in der a–b‐Ebene miteinander verknüpft sind. Wegen der starken Fehlordnung der erhaltenen B8C‐Kristalle konnte bisher nicht eindeutig entschieden werden, ob die Elementarzelle dieses orthorhombischen Borcarbids von acht solchen (B12)4C2‐Untereinheiten gebildet wird und die Gitterkonstanten a = 35,909, b = 17,653 und c = 5,094 Å sind, oder ob diese große Zelle durch eine Verzwillingung vorgetäuscht wird und die Elementarzelle des B8C lediglich vier (B12)4C2‐Untereinheiten enthält, d. h. die Gitterkonstanten a = 17,955, b = 17,653 und c = 5,094 Å betragen.
Optische Eigenschaften von Wismut–Antimon‐Aufdampfschichten
Authors: Wagner N. , Brümmer O. 
Published: July 2007

AbstractIm sichtbaren Bereich des Spektrums wurden für BxSb1−x‐Aufdampfschichten im Konzentrationsbereich 0 ≦ (1 − x) ≦ 0,30 die Veränderung der Lage und der Höhe der den Interbandübergängen Ei (i = 1, 2, 3) entsprechenden Absorptionspeaks ermittelt. Dabei wurden in Abhängigkeit von der Zusammensetzung der Schichten nichtlineare Verschiebungen der Absorptionspeaks gefunden. Die Zustandsdichte des dem übergang E2 zuzuordnenden Bandpaares reagiert empfindlicher auf Konzentrationsänderungen in den Legierungen als die beiden anderen übergänge.
Quantitative Bestimmung der Zusammensetzung von Ga1−xAlxAs‐Epitaxieschichten mit der Elektronenstrahl‐Mikroanalyse (ESMA)
Authors: Streubel P. , Martius G. , Jacobs K. 
Published: July 2007

AbstractZur Ermittlung der Lokalkonzentrationen von Ga, Al und As in Ga1−xAlxAs‐Epitaxieschichten aus den Röntgenstrahlintensitäten bei der ESMA wurden mehrere Korrekturverfahren überprüft. Die genauesten Ergebnisse werden durch Kombination der Methode von BIRKS für die Al‐Korrektur mit der Methode nach DUNCUMB/REED/SPRINGER für die Ga‐Korrektur erhalten. Dabei beträgt die relative mittlere Abweichung von 50% für die Summe der Gallium‐ und Aluminium‐Atomprozente nur −0,1%. In einem Anhang werden für den praktischen Gebrauch erforderliche Gleichungen zur gegenseitigen Umrechnung von Gewichts‐ und Konzentrationsangaben in dem betrachteten System angegeben.
Die Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodids
Authors: Reck G. , Leibnitz P. , Wenzel J.‐P. 
Published: July 2007

AbstractDie Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodids ist monoklin, Raumgruppe P21/c, mit vier Formeleinheiten C14H20N2OClJ in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 6,931, b = 33,193, c = 7,280 Å und β = 104,01°. Es wurde die Kristallstruktur der Verbindung einschließlich aller H‐Atome bestimmt. Der abschließende R‐Wert war 0,049.
Anwendung der Umweganregung für die Bestimmung der Güte von Kristalloberflächen
Authors: Melle W. 
Published: July 2007

AbstractDas Intensitätsverhältnis zweier Umweganregungsreflexe (Doppelreflexe) bei Existenz einer anisotropen Verteilung der Mosaikblöckchen wird berechnet. Die Messung der Intensitätsverhältnisse zweier Doppelreflexpaare gestattet die Bestimmung der mittleren Verschwenkung der Mosaikblöckchen.
Modulationsabhängige Inklination im Fernfeld von GaAs‐Lumineszenzdioden vom Fabry‐Perot‐Typ
Authors: Zehe A. , Fuchs P. 
Published: July 2007

AbstractDie Richtungsverteilung der Strahlung hochfrequent modulierter GaAs‐Lumineszenzdioden in der Ebene senkrecht zum pn‐Übergang und ihre Abhängigkeit von der Modulationsfrequenz wird untersucht. Den Rechnungen liegt ein Vierschichtmodell einer GaAs‐pn‐Struktur mit sich stufenförming ändernder Dielektrizitätskonstante zugrunde, in dem das aktive Gebiet der Diode (Gebiet der Lichtentstehung) vom Wellenleiter (Gebiet der Lichtausbreitung) getrennt ist. Der berechnete Schielwinkel im Fernfeld der Diode nimmt mit wachsender Modulationsfrequenz ab. Der Einfluß der Modulationsfrequenz auf das Phasenhomogenitätsverhalten des abgestrahlten Lichtes wird diskutiert.
Röntgentopographische Untersuchung von KDP‐Kristallen
Authors: Melle W. , Meyer K. 
Published: July 2007

AbstractDie Versetzungsanordnung in KDP‐Kristallen, die aus der Lösung gewachsen sind, ist mit Hilfe der Röntgentopographie (Lang‐Methode) untersucht worden. Die räumliche Orientierung der Versetzungen und ihre Burgersrichtungen wurden bestimmt. Die Versetzungsdichte übersteigt nicht den Wert von 103 cm−2, es gibt auch Gebiete, die versetzungsfrei sind. Als Quellen der Versetzungen werden Einschlüsse der Mutterflüssigkeit bzw. Fremdstoffe angesehen.
Die Präparation von GaAs‐Substraten, untersucht mit Reflexionselektroneninterferenzen
Authors: Rosin H. , Schulz M. 
Published: July 2007

AbstractDie RHEED‐Methode wurde für die Untersuchung und Charakterisierung von Galliumarsenidsubstraten eingesetzt. Es wird gezeigt, daß bei Untersuchungen dieser Art der kombinierte Einsatz der Strahlfokussierung sowohl auf das Objekt als auch auf die Fotoplatte von besonderem Nutzen sit. Es wurde gefunden, daß die Galliumarsenidscheiben nach dem Trennschleifen und Läppen Beugungsdiagramme mechanisch gestörter Oberflächen mit jeweils charakteristischen Merkmalen ergeben. Wischpolierte Oberflächen führen zu den für Einkristalle charakteristischen KIKUCHI‐Diagrammen und zu strichförmigen Reflexen einer nahezu atomar ebenen Oberfläche. In diesem Zusammenhang wird das KIKUCHI‐Diagramm als Perfektionskriterium kritisch betrachtet. Ergebnisse von Untersuchungen über die Eindringtiefe von groben Defekten in die Kristallscheiben infolge des Läppens sind in guter übereinstimmung mit der Literatur.
Generalized Spherical Functions of Cubic Symmetry
Authors: Bunge H. J. , Küttner K. 
Published: July 2007

AbstractIn the three‐dimensional texture analysis generalized spherical functions of certain symmetries are being used in order to develop the texture function into a series. The lower order members of this series are closely related to the symmetry of physical properties of textured materials whereas the highest order ones allow the series truncation error and hence the angular resolving power to be estimated. These functions have been calculated and represented graphically for the most important cases of cubic‐cubic and cubic‐orthorhombic symmetries for 1 ≦ 10. Additionally some sections of these functions are given for 1 = 22.
Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf Korund im System GaCl/NH3/Ar
Authors: Seifert W. , Tempel A. 
Published: July 2007

AbstractDie Züchtung einkristalliner GaN‐Schichten auf {0001}‐orientierten Korundsubstraten wird im System GaCl/NH3/Ar über den Temperaturbereich von 500 bis 1100°C untersucht. Eine hohe Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen im Bereich 1000 bis 1050°C erreicht. Die RHEED‐Diagramme solcher Proben zeigen KIKUCHI‐Linien. Die hohe Elektronenkonzentration von etwa 1020 cm−3 fällt unterhalb 700°C Züchtungstemperatur rasch mit fallender Temperatur ab. Gleichzeitig wird die Kristallperfektion infolge zunehmender Kristallitverkippung schlechter. Beugungsringe, die auf polykristalline Beschaffenheit hindeuten, treten jedoch nicht auf. Die bei 500°C gezüchteten Proben sind mit Chlorid verunreinigt. Manchmal findet ein dendritisches überwachsen der Schicht durch GaN in der Sphaleritmodifikation statt.
Untersuchung der Korngrenzendiffusion von Zn‐65 in α‐Aluminium‐Zink‐Legierungen
Authors: Hässner A. 
Published: July 2007

AbstractDie Diffusion von Zn‐65 in Großwinkelkorngrenzen in Al und 8 AlZn‐Legierungen wurde untersucht. Bei Zn‐Gehalten bis 7 At‐% nimmt pK = δγDK exponentiell, danach schwächer mit der Konzentration zu. Oberhalb etwa 40 At‐% Zn ist pK nahezu konzentrationsunabhängig. Der auf die Solidustemperatur bezogene Wert von DK liegt in der Größenordnung 10−5 cm2/sec. Ein einfaches Leerstellenmodell für die Diffusion in Großwinkelkorngrenzen wird diskutiert. Daraus werden für die bisher nicht untersuchte Korngrenzenselbstdiffusion in Al und Cu abgeschätzt:
equation image
.Die Aktivierungsenergien für die Elektromigration in dünnen, feinkörnigen Al‐Schichten wie auch für die Superplastizität bei der eutektoiden Zusammensetzung sind mit den Ergebnissen dieser Arbeit kompatibel. Die Kinetik der diskontinuierlichen Ausscheidung und der eutektoiden Umwandlung in AlZn‐Legierungen wird durch Grenzflächendiffusion bestimmt.
On a Possibility of Determining Nonuniformities in AlxGa1−xAs Solid Solution Compositions
Authors: Dzhafarov T. D. , Demakov Yu. P. , Rumyantseva A. V. 
Published: July 2007

AbstractBoth surface and bulk nonuniformities in AlxGa1−xAs solid solution compositions were determined by surface radiography of epitaxial AlxGa1−xAsGaAs hetero‐junctions with diffused radioactive Zn65 atoms.
Oberflächenbeurteilung von bearbeiteten Siliziumscheiben
Authors: Baehr R. , Kressner F. H. 
Published: July 2007

AbstractZur Beurteilung der Oberflächen von unterschiedlich bearbeiteten Siliziumeinkristallscheiben wurde die Methode der Reflexionsbeugung schneller Elektronen (RHEED) am Elektronenmikroskop und daneben die röntgenographische Doppelkristallspektrometrie angewendet. Auf Grund der sich ergebenden Beugungsbilder und der erhaltenen Rockingkurven sowie der ergänzenden Oberflächenabbildung über Replikatechnik am Elektronenmikroskop kann eine Beurteilung der Silizium‐Scheiben hinsichtlich der Störungen in der Oberflächenzone erfolgen.
Zur Änderung der Strukturparameter von Bi und Bi85Sb15 unter äußerem Druck
Authors: Wagner N. , Brümmer O. , Kroll J. 
Published: July 2007

AbstractDie A7‐Struktur der Elemente der Gruppe Vb des Periodensystems ist mit charakteristischen halbmetallischen Eigenschaften verbunden. Unter Einwirkung von äußerem Druck werden diese Elemente dagegen halbleitend. Von den AIV‐BVI‐Halbleitern (ebenfalls mittlere Valenzelektronenkonzentration 5) ist dagegen bekannt, daß die Strukturparameter Rhomboederwinkel αr = 60° und „innere Koordinate”︁ u = 0,250 sind. Es wird nun mit Hilfe von Röntgenbeugungsexperimenten gezeigt, daß für Wismut in einem breiten Druckbereich die stabile halbleitende Phase in den Intervallen 60° < αr ≦ 63,9° und (unter bestimmten Voraussetzungen) 0,252 ≦ u ≦ 0,258 vorhanden ist.Für die Legierung Bi85Sb15 ergaben sich im gleichen Druckgebiet davon abweichende Veränderungen der druckabhängigen Strukturdaten. Lediglich unmittelbar vor dem Phasenübergang in die monoklin verzerrte SnS‐Struktur gilt αr > 60° und u > 0,250, in Analogie zum Verhalten des Wismuts.
Crystallization studies by thermometric methods (II). Calorimetric determination of chrystallization kinetics of sodium sulfate and sodium carbonate decahydrates
Authors: Skřivánek J. , Pekárek V. , Hostomský J. 
Published: July 2007

AbstractA calorimetric method was applied for the determination of crystallization kinetics of vibrationally mixed suspensions of Na2SO4 · 10 H2O and Na2CO3 · 10 H2O at 25°C with supersaturations up to 0.083 and 0.119 g hydrate/g free water, resp. The characteristic dimension of crystals was 0.125–0.63 mm.
Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NH3/He
Authors: Tempel A. , Seifert W. , Hammer J. , Butter E. 
Published: July 2007

AbstractKristallperfektion und Orientierungsbeziehungen von GaN‐Epitaxieschichten auf {111}‐und {100}‐orientierten Spinellsubstraten, hergestellt durch Reaktion von GaCl und NH3 in He als Trägergas, wurden mit der RHEED‐Technik untersucht. Die gefundenen Orientierungsbeziehungen sind:
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Die beste Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen zwischen 1000…︁1050°C erhalten sowie bei Wachstumsraten, die größer als 1 μm/min sind. Für schnelles Wachstum ist die Wachstumsrichtung 〈1011〉 besser geeignet als die Richtung 〈0001〉.
Domain structure investigations in triglycine sulphate single crystals
Authors: Meyer K. P. , Pawlaczyk Cz. , Hilczer B. , Scholz R. 
Published: July 2007

AbstractThe domain structure of pure and irradiated TGS crystals was investigated by electron microscope decoration technique. Changes in the decoration pictures due to irradiation are shown and the way in which small lenticular domains disappear in the spontaneous ageing process is presented. Moreover, the thickness of the domain wall was assessed to be for good TGS crystals, grown in the paraelectric phase, of about 120 Å.
On the nature of calomel vapour
Authors: Barta Č. , Trnka J. , Žemlička J. 
Published: July 2007

AbstractThe nature of vapours above calomel up to temperatures of about 500°C was studied by means of absorption, especially in the mercury resonance line at 253.7 nm, what was used as an indication of mercury in the vapour. It was proved that mercury(I) chloride vapour decomposes partially to mercury and mercury(II) chloride only due to impurities. On the contrary, the vapour above calomel of a sufficient purity does not decompose to the mentioned components in the whole temperature range.
Inhomogeneities of the plastic deformation of MgZn2 single crystals
Authors: Müller Th. 
Published: July 2007

AbstractSingle crystals of the Laves phase MgZn2 of different chemical composition within the range of homogeneity were deformed by dynamic compression at temperatures from 300 to 500°C. The surfaces of the specimens were observed by light microscopy. Special types of inhomogeneities of deformation (Lüders bands, macro‐slip steps) are described and first conclusions are drawn concerning the behaviour of dislocations in this substance.
Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchung der Defektstruktur der intermetallischen Verbindung MgZn2
Authors: Krämer U. , Eichler K. 
Published: July 2007

AbstractAn MgZn2‐Einkristallen (hexagonal) wurde die Defektstruktur transmissionselektronen‐mikroskopisch untersucht. In unverformten und verformten einphasigen Proben wurden Versetzungen beobachtet. In magnesiumreichen Kristallen traten teilkohärente Ausscheidungen der Nachbarphase Mg2Zn3 auf.
Probleme der Kinetik von Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen in kristallinen Festkörpern
Authors: Henkel O. , Vojta G. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine Übersicht über Probleme der kinetischen Theorie von Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen in kristallinen Festkörpern gegeben. Diese Phasenumwandlungen umfassen insbesondere diffusionsartige homogene Transformationen zwischen Kristallen mit Überstruktur (z. B. intermetallischen Verbindungen) und ungeordneten Substitutionsmischkristallen. Einleitend wird auf die Bedeutung der Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen sowohl für die theoretische und festkörperphysikalische Grundlagenforschung wie für die anwendungsgerichtete Werkstofforschung eingegangen. Nach einem Abriß der elektronentheoretischen und statistische‐thermodynamischen Grundlagen der Theorie der Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen werden Probleme, Methoden und Ergebnisse in der Kinetik der Umordnungsprozesse diskutiert. Eine ausführliche Behandlung erfährt das kinetische Ising‐Modell (Glauber‐Modell). Schließlich wird eine allgemeine quantenstatistische Theorie homogener Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen skizziert und ihr Anwendungsbereich erörtert.
The precipitation of alkaline‐earth metal and transition metal ‘oxinate’ powders from aqueous solution. Crystal numbers and final sizes
Authors: Packter A. , Chauhan P. 
Published: July 2007

AbstractThe precipitation of barium strontium, calcium, magnesium, zinc, cadmium and lead, manganese, cobalt, nickel and copper 8‐quinolinolates (‘oxinates’) was studied from equivalent solutions, at pHs from 4.5 to 10, by optical microscopy: the metal cation and overall ‘oxinate’ with ‘oxine’ concentrations were varied from 0.0002 to 0.020 M (while the mean metal oxinate concentrations varied from 10−7 to 0.001 M). Crystal growth started after induction periods; the precipitations were heterogeneously nucleated at low supersaturations and homogeneously nucleated at medium to high supersaturations. The final precipitate crystal numbers depended on the number of nuclei formed during the induction periods. Crystal numbers at medium to high supersaturations increased with increasing initial metal oxinate concentration according to the relation,
equation image
The final crystal lengths in this supersaturation range then decreased (from maximum values) with increasing initial mean metal oxinate concentration according to the relation,
equation image
For precipitation from solutions of any concentration at any pH, smaller crystals were generally obtained in the precipitates from solutions of the metal oxinate of lower solubility.
Dotierung von ZnSiP2 durch Diffusion
Authors: Ziegler E. , Siegel W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Diffusionsversuche mit Gallium, Indium, Aluminium, Zinn, Chrom, Gold, Blei und Tellur in Einkristalle des ternären Halbleiters ZnSiP2 berichtet. Mit den Elementen der dritten Hauptgruppe des Periodensystems wurde ein eindeutiger Dotierungseffekt erzielt, der durch Halleffektmessungen in Abhängigkeit von der Temperatur und durch Untersuchungen mit der Elektronenstrahlmikrosonde nachgewiesen werden konnte. Gallium‐, Aluminium‐ und Indiumdiffusion haben Dotierung des ZnSiP2 mit flachen Donatoren zur Folge, deren Aktivierungsenergien bei verschwindender Störstellenkonzentration zu 30 meV, 65 meV bzw. 70 meV abgeschätzt wurden. Mit Gallium und Indium gelang es, aus dem bei der Kristallzüchtung häufig auftretenden halbisolierenden p‐ZnSiP2 niederohmiges n‐ZnSiP2 zu erzeugen.