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Coloration of Yttrium‐Doped CaF2 and SrF2 Crystals by X‐Ray Irradiation
Authors: Görlich P. , Karras H. , Lüdke W. , Mothes H. , Reimann R. 
Published: July 2007

AbstractCaF2 and SrF2 crystals are doped with trivalent yttrium ions, and X‐irradiated, which results in similar coloration spectra for both substances. The bands seem to satisfy MOLLWO's relation v a2 = const, since the SrF2 bands are shifted to longer wavelengths compared with the corresponding CaF2 bands. The absorption spectra is interpreted in terms of the 4 d electrons of the bivalent yttrium ions, whose formation is explained by the reductive action of the X‐rays. The coloration spectra of the CaF2/Y crystals are identical with the well‐known four‐absorption‐band spectra of natural crystals or synthetic crystals grown from natural material. This supports strongly the assumption that the four‐absorption‐band spectra in natural CaF2 is produced by yttrium impurities; this however invalidates hypotheses according to which the four‐absorption‐band spectrum of CaF2, obtained after irradiation, is typical of intrinsic lattice imperfections in alkaline earth fluorides.
Über einen an ohmschen Kontakten auftretenden photovoltaischen Effekt, untersucht an CdS‐Einkristallen
Authors: Müller G. O. 
Published: July 2007

AbstractBei Belichtung von CdS‐Sandwichzellen treten positive bzw. negative Spannungen an der belichteten Elektrode auf. Durch Untersuchung der Injektionseigenschaften wird gezeigt, daß eine negative Photospannung an der belichteten Elektrode als Photoeffekt an der Anreicherungsrandschicht zu erklären ist. Der Dember‐Effekt konnte durch seine größere Anklingzeit von den Randschicht‐Photoeffekten getrennt werden.
Zur Kinetik der Photoleitung in SiC
Authors: Thiessen K. , Egorow W. D. , Jungk G. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Messungen der nichtstationären Photoleitung in Sic berichtet. Dabei wird festgestellt, daß sowohl in p‐ als auch in n‐leitendem SiC ein starker Minoritätsträgerhafteffekt auftritt und dadurch die Photoleitung im wesentlichen durch Majoritätsträger bedingt ist. Aus der kurzen Komponente des Abklingvorganges der Photoleitung werden Lebensdauern der Minoritätsträger bis zu 30 μs bestimmt.
Spin Wave Theory for Anisotropic Cubic Ferromagnetics
Authors: Szaniecki J. 
Published: July 2007

AbstractAn anisotropic cubic ferromagnetic is investigated using the theory proposed by the present author in earlier papers. The cases of pseudodipolar coupling and of spin quantum number S = 1/2 are considered. The free energy of a ferromagnetic is derived in the form of an infinite convergent series of connected ladder diagrams. The accuracy of this method is restricted to terms proportional to the power 3/2 of the quotient of the absolute and Curie temperatures and to the square of the pseudodipolar coupling constant. Kinematic interaction is shown to be negligible to the accuracy adopted.
Investigation of the Incorporation Process of the Manganese Activator in CaS and SrS Phosphors
Authors: Gutsze A. , Łożykowski H. , Męczyńska H. , Szczurek T. , Trawiński S. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of the process by which the activator Mn is incorporated in CaS and SrS, by studying its dependence on activator concentration, flux addition and firing atmosphere. The dependence of the amount of Mn incorporated during the firing on that present before firing was investigated using a paramagnetic resonance technique. This dependence is found to be linear up to some critical concentration after which saturation occurs. It is found that the flux used influences the incorporation process to an extent which is dependent on the nature of the halide. The incorporation process depends also on the firing atmosphere of the phosphor.
Stationäre Photoleitung und p‐n‐Photoeffekt in SiC
Authors: Jungk G. , Thiessen K. , Witt F. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über Messungen der Spektralabhängigkeit der Photoleitung von p‐ und n‐leitenden α‐SiC‐Einkristallen in einem Gebiet von 0,6 eV bis 5,5 eV berichtet und mit der spektralen Verteilung des p‐n‐Photoeffektes an nachträglich angebrachten p—n‐Übergängen verglichen. Dabei wird festgestellt, daß sowohl p‐ als auch n‐leitende Kristalle mit zufälligen Verunreinigungen im allgemeinen eine stark ausgeprägte Störstellenphotoleitung aufweisen, die in der Hauptsache durch Anregung von Majoritätsträgern bedingt ist. Die Temperaturabhängigkeit des Bandabstandes wird aus der Verschiebung der langwelligen Kante der Photoleitung bzw. des p‐n‐Photoeffektes bestimmt.Es wird über Messungen der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit und der Photoleitfähigkeit in einem Intervall von 80 °K bis 800 °K berichtet. Die Lebensdauer der Majoritätsträger ist intensitätsabhängig; sie steigt mit wachsender Temperatur und erreicht bei hohen Temperaturen ein Maximum.
Optical Properties of Liquid Germanium
Authors: Abrahám A. , Tauc J. , Velický B. 
Published: July 2007

AbstractThe reflectivity of liquid germanium is measured in the photon energy range 3.1 to 5.4 eV and approximate values of optical constants are determined by a Kramers‐Kronig analysis. It is shown that the dependence of the optical constants on photon energy can be well described by free carrier formulas for energies up to 2.2 eV. At higher energies, evidence for interband transitions has been found. It appears that the first absorption band starts at about 5 eV but its peak lies outside the presently available photon energy range.
Shift of Extinction Contours due to the Presence of Dislocations
Authors: Siems R. , Delavignette P. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractThe deformation of prisms and elliptical cylinders, resulting from the presence of an arbitrary dislocation line parallel to one of the main axes of the cross‐sections is discussed. It is shown that in general the specimen is both bent and twisted. The deformation appears in the electron microscope as a shift of the extinction contours where these cross the dislocations. The sign and magnitude of the shift depend on the magnitude, the sign and the orientation of the Burgers vector with respect to the dislocation line, as well as on the operating diffraction vector and local curvature of the foil.For a particular dislocation in tin disulfide it has been possible to verify the theory in detail.
Die Versetzungsanordnung in plastisch verformten Kupfereinkristallen
Authors: Essmann U. 
Published: July 2007

AbstractAus Kupfereinkristallen, die für Einfachgleitung orientiert und im Zugversuch verformt worden waren, wurden dünne Folien verschiedener Orientierung herauspräpariert und im Elektronenmikroskop durchstrahlt. Die Kristalle waren nach der Verformung im Reaktor bestrahlt worden, um Veränderungen der Versetzungsanordnung während des Präparierens zu erschweren. Im Verfestigungsbereich II wird gefunden, daß die Versetzungen des primären Gleitsystems auf wohldefinierten Gleitebenen liegen. Es bilden sich etwa in der Orientierung der Stufenversetzungen des Hauptgleitsystems eindimensionale Versetzungsstränge aus, die eine große Anzahl von Versetzungsdipolen enthalten. Die neben den Strängen liegenden Einzelversetzungen haben überwiegend dasselbe Vorzeichen. Es werden Wechselwirkungen zwischen relativ langen Versetzungslinien sekundärer Gleitsysteme und den Versetzungen des primären Gleitsystems beobachtet. Im Bereich III findet man scheibchenförmige flache Gebiete geringer Versetzungsdichte, die von Wänden hoher Versetzungsdichte sowohl des primären als auch der sekundären Gleitsysteme umgeben sind. Die Scheibchen sind parallel zur Hauptgleitebene orientiert.Der Zusammenhang mit anderen Untersuchungen und mit der Verfestigungstheorie wird kurz diskutiert. Es wird gezeigt, daß die Beobachtungen der vorliegenden Arbeit mit dem schon früher ausführlich untersuchten Gleitlinienbild gut übereinstimmen.
Untersuchungen der Eigenschaften von Indium‐Kontakten an CdS‐Kristallen mittels Licht‐ und Dunkelzonenabtastung
Authors: Schmidt W. , Unger K. 
Published: July 2007

AbstractWerden CdS‐Kristalle, die an ihren Enden mit ohmschen Indium‐Kontakten versehen sind, mit Licht‐ oder Dunkelzonen abgetastet, so zeigen sich in der Nähe der Kontakte ausgeprägte Photostromextrema. Möglichkeiten der Deutung dieser Extrema werden diskutiert.
On the Theory of Transport Phenomena in Semiconductors Possessing Non‐Spherical and Non‐Quadratic Energy Bands
Authors: Źukotyński S. , Kolodziejczak J. 
Published: July 2007

AbstractThe transport equation is solved for the case in which external magnetic and electric fields as well as temperature and concentration gradients are present. All calculations are carried out for energy surfaces of arbitrary shape. The electric current and heat flux are expressed in terms of three fundamental tensors. The case of ellipsoidal energy surfaces with a non‐quadratic dependence of the energy on the absolute value of the wave vector is analysed in detail.
On the Theory of Transport Phenomena in Semiconductors in the Presence of Non‐Equilibrium Concentrations
Authors: Zawadzki W. 
Published: July 2007

AbstractThe electric current and the heat flux in a semiconductor are computed for an arbitrary spherical energy band‐structure in the presence of electric and magnetic fields, temperature gradients and current‐carrier concentration gradients. The classical transport equation is solved by the McClure‐Kolodziejczak method. The Einstein relation between the diffusion coefficient and the mobility is generalised for the case of arbitrary spherical ϵ(k) dependence and arbitrary degeneration. The photoelectromagnetic effect and its application for measuring the life‐time of excess carriers; the Dember effect and the photothermomagnetic effect are studied for arbitrary magnetic fields. In the appendix the carrier contribution to thermal‐conductivity is computed. The general case involving many kinds of current carriers is considered. From these formulae the normal expressions can be obtained if parabolic band structure and lack of degeneration is assumed. It is shown that in all the phenomena discussed the deviations of the band structure from the parabolic form should be taken into consideration.
Electric Conductivity of Semiconductors due to Self‐Activation
Authors: Böer K. W. 
Published: July 2007

AbstractElectrical conductivity of a semiconductor may be determined by the equilibrium concentration of Schottky or Frenkel defects which act as donors or acceptors. It is shown, that at sufficiently high temperatures this self‐activated semiconductivity predominates over the electronic intrinsic conductivity in all known semiconductors. In semiconductors with a band gap larger than the disorder energy for Schottky or Frenkel defects, self‐activated semiconductivity predominates over intrinsic conductivity at all temperatures.
Dichroitische Farbzentren in KCl:LiCl Einkristallen
Authors: Badareu E. , Matei L. , Serban T. 
Published: July 2007

AbstractUm ein Modell für das A‐Zentrum aufzustellen, wurde die optische Absorption in natürlichem und polarisiertem Licht an Li‐dotierten KCl‐Kristallen gemessen. Die Ergebnisse sind in guter Übereinstimmung mit denen anderer Autoren, die Na‐dotierte KCl‐Kristalle untersucht haben, und können mit Hilfe des A‐Zentrenmodells, das aus einem Na‐ oder Li‐Ion in unmittelbarer Nachbarschaft einer Anionenleerstelle besteht, erklärt werden.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen der Oberfläche von vielkristallinem Kupfer nach plastischer Verformung
Authors: Derner P. 
Published: July 2007

AbstractDas Oberflächenbild des Vielkristalls zeigt gegenüber dem des Einkristalls einige Besonderheiten: Man beobachtet häufig Spuren von mehr als einer Gleitebene in einem Korn. Das Auftreten von Quergleitung und Gleitbändern bei kleinen Spannungen weist auf erhebliche lokale Spannungsüberhöhungen hin. Entlang der Korngrenzen beobachtet man häufig Stufen und kurze Gleitstrukturen. Der Einfluß der Temperatur auf diese Erscheinung und die kristallographische Orientierung der Strukturen lassen darauf schließen, daß sie durch Versetzungsbewegung hervorgerufen werden. Das Korngrenzengleiten dürfte sich vor allem bei kleinen Verformungen auf das Spannungsdehnungsdiagramm auswirken.
Elektrische Untersuchungen an „zusatzfreien”︁ Zinndioxydschichten hoher Elektronenkonzentration im Temperaturbereich zwischen 90 °K bis etwa 290 deg;K
Authors: Koch H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird über elektrische Untersuchungen an „zusatzfreien”︁ Zinndioxydschichten mit spezifischen Leitfähigkeiten zwischen 10−1 bis etwa 3 · 102 Ω−1 bzw. mit Elektronenkonzentrationen zwischen 1018 bis 2 · 1020 cm−3 berichtet. Die Schichten wurden nach dem Gaszersetzungsverfahren hergestellt. Bei Zimmertemperatur wurde ein nichtlinearer Zusammenhang zwischen spezifischer Leitfähigkeit σ und Elektronenkonzentration N gefunden: σ ∼ N4/3. Unter der Voraussetzung eines parabolischen Leitungsbandes kann daraus (für hohe Elektronenkonzentrationen ist das Elektronengas weitgehend entartet) auf ein Stoßzeit‐Energie‐Gesetz der Gestalt: τ = S1/2 E1/2 geschlossen werden. Im Bereich der Zimmertemperatur überwiegt die Streuung an longitudinalen optischen Gitterschwingungen mit einer effektiven charakteristischen Temperatur von Θlo ≈ 150 °K. Mit Hilfe bekannter optischer Eigenschaften des SnO2 wurde nach der Theorie von HOWARTH und SONDHEIMER die spezifische Leitfähigkeit grob abgeschätzt und mit dem Experiment verglichen, um einen Anhaltspunkt über die effektive Masse im Leitungsband und über den Absolutwert des Vorfaktors S1/2 des Stoßgesetzes zu erhalten.Die im Rahmen der Arbeit praktizierte Untersuchungs‐ und Auswertemethodik beansprucht allgemeines Interesse, wenn es darauf ankommt, Einblick in den Streumechanismus eines Halbleiters mit parabolischer Bandstruktur im Entartungsfall zu erhalten.
Study of Cold Work Damage in Silver Filings
Authors: Agnihotri O. P. 
Published: July 2007

AbstractX‐ray diffraction line profiles of the multiple order reflections (111)–(222) and (200)–(400) are recorded by a Geiger counter x‐ray spectrometer, using nickel filtered and crystal monochromated CuKα radiation. Integral line widths are analysed after corrections for instrumental broadening have been determined by Stokes method. Except at room temperature where a twin fault probability β′ equal to 0.01 is found, broadening in both cases is attributed partly to strain and partly to small particle size. The recovery of the line widths occurs in stages.
Zum elektrischen Verhalten von reinen Tellureinkristallen
Authors: Link R. 
Published: July 2007

AbstractHalleffekt‐ und Leitfähigkeitsmessungen an gereinigtem einkristallinen Tellur zwischen 14 °K und 373 °K zeigen, daß nicht die restlichen Fremdatome, sondern strukturelle Fehlordnungserscheinungen sowohl auf die Ladungsträgerkonzentration (thermische Akzeptoren), als auch auf die Beweglichkeit („S”︁‐Zentren) entscheidenden Einfluß haben. Die S‐Zentrenkonzentration ist von der angewendeten Kristallzüchtungsmethode abhängig.
Der Gitterwärmewiderstand von Stufenversetzungen
Authors: Bross H. , Seeger A. , Haberkorn R. 
Published: July 2007

AbstractNach einem an anderer Stelle entwickelten Verfahren wird die Streuung von elastischen Wellen an Stufenversetzungen mit Hilfe der nicht‐linearen Elastizitätstheorie behandelt und zur Berechnung der Verminderung der Gitterwärmeleitfähigkeit durch Stufenversetzungen angewendet. Die Theorie vermeidet eine Reihe von Schwächen der Theorien von KLEMENS und CARRUTHERS. Die Ergebnisse werden ausführlich mit den vorliegenden Experimenten verglichen. Bei Metallen (bzw. Legierungen) sind die Abweichungen zwischen Experiment und Theorie so, daß ihnen wohl durch weitere Verbesserungen der Theorie Rechnung getragen werden kann. Bei Ionenkristallen bleiben jedoch bis jetzt nicht befriedigend erklärte Diskrepanzen um mehrere Zehnerpotenzen bestehen.
Untersuchungen über die Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes bei den Alkalimetallen
Authors: Bross H. , Holz A. 
Published: July 2007

AbstractDie Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes der Alkalimetalle wird untersucht. Das für die Streuung der Elektronen maßgebende Spektrum der Gitterschwingungen wird gittertheoretisch berechnet. Die dazu benötigten atomistischen Kopplungsparameter werden aus den elastischen Konstanten und aus der Temperaturabhängigkeit der spezifischen Wärme ermittelt. Zur Lösung der Transportgleichung wird ein Variationsverfahren verwendet, das die elastische Anisotropie (insbesondere bei Na) und außerdem Umklappprozesse streng zu berücksichtigen gestattet. Für Na und K erhält man in der Näherung freier Elektronen gute Übereinstimmung mit dem experimentellen Temperaturverlauf des elektrischen Widerstandes. Bei Li wird diese Übereinstimmung erst dadurch erreicht, daß man die genauere Elektronenstruktur zugrundelegt, was mit Hilfe der Pseudopotentialmethode gemacht wird.
Moiré Pattern for a Crystal Containing a Stacking Fault
Authors: Gevers R. 
Published: July 2007

AbstractThe author has previously given expressions for the amplitudes of waves transmitted and diffracted by a foil formed by the superposition of two perfect plate‐shaped parallel crystals. These are now generalised to the case in which one crystal contains a stacking fault parallel to the foil surface.The introduction of this stacking fault results in a displacement of the moiré interference pattern, its direction and spacing being, however, unaltered. Also the intensities of the bright and dark fringes, and the contrast between them, are found to vary spatially between the region of the fault and the regions of perfect crystal.The variation of these intensities as the fault moves away from the surface on which the wave is incident, towards the other surface, is discussed.Finally, if the stacking fault is not parallel to the surface it is found that the expressions derived for parallel stacking faults are valid to within the column approximation.
Einige optische Eigenschaften von Kadmium‐Tellurid
Authors: Koňák Č 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wurde die Temperaturabhängigkeit des Absorptionskoeffizienten im Bereich der Grundgitterabsorptionskante (zwischen 0,7 und 1 μ) untersucht. Aus den Ergebnissen wurde die Breite der verbotenen Zone bei Zimmertemperatur zu 1,39 eV, deren Temperaturverschiebung im Temperaturbereich zwischen 116 °K und 453 °K zu ‐ 4,1 · 10−4 eV/Grad und die Energie der bei indirekten Übergängen beteiligten Phononen zu 0,03 eV ermittelt. Aus den Ergebnissen der Reflexionsmessungen bei Zimmer‐ temperatur wurden der Reflexionskoeffizient und der Brechungsindex errechnet.
Internal Field Emission on Germanium Surface at a. c. Field Effect
Authors: Dorda G. 
Published: July 2007

AbstractA study is made of the shift in surface potential φso, known as the storage effect, observed during studies of the a.c. field effect on etched germanium exposed to the atmosphere. The effect is thought to be due to internal electron field emission from trap‐states in the surface oxide layer into the conduction band of germanium. The kinetics of the electron transition process into the oxide suggests the equivalency of the oxide trap‐states and the so called “slow states”. A qualitative model of these states is discussed.
Growth and Bleaching of the Z1 Band in KCl Doped with Divalent Impurities
Authors: Cappelletti R. , Croce L. Dalla , Fieschi R. 
Published: July 2007

AbstractThe rate of F and Z1 center formation by X‐irradiation is studied at different temperatures in doped KCl crystals; at 0°C and at room temperature the slow but fully reproducible, growth of a Z1 band is found, but this attains only a low saturation value. The results can be interpreted by assuming that the X‐rays have an additional bleaching effect which is stronger for the Z1 than the F centers. The effects of free holes in the valence band (obtained by optical stimulation of V centres) on these centers is also studied at different temperatures, and the ratio of the capture cross sections for holes, σ/σ is determined, the values ranging from 2.1 (at liquid nitrogen temperature) to 1.5 (at room temperature).
The Charge of Dislocations in Alkali Halide Crystals
Authors: Strumane R. , De Batist R. 
Published: July 2007

AbstractA method of determining the electrical charge on dislocations in ionic crystals from vibration experiments on bent crystals is presented. For a typical case two approximately equal values (σ = 1.0 × 10−3 and 0.8 × 10−3 esu/cm) are obtained using different approximations.
On the Electrical Properties of Nearly Stoichiometric Rutile Single Crystals (TiO2)
Authors: Cardon F. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements are made of the current‐voltage‐time characteristics of etched, and unetched, TiO2 single crystals, with and without illumination through a transparent gold electrode. These results allow certain deductions to be made concerning the relation between space‐charge‐limited currents, polarization phenomena and the conductivity changes inducted by the applied field.It is shown that the polarization phenomena and observed I ∼ V2 characteristics must be ascribed to effects in sub‐surface regions. A small amount of electrolytic conductivity together with certain reactions with the electrode are considered to be the origin of the conductivity changes.
The Magnetic Susceptibility of Semiconductors with Nonparabolic Energy Bands
Authors: Zawadzki W. 
Published: July 2007

AbstractFormulae for the Pauli paramagnetic susceptibility, and the Landau‐Peierls diamagnetic susceptibility, due to free carriers in an arbitrary spherical energy band are derived. It follows from these formulae that nonparabolicity of a band can have a considerable influence on the susceptibility. A reversal of sign can even occur if the nonparabolicity is strong enough. The formulae reduce to the well‐known expressions if the band is parabolic.A qualitative agreement with experimental results is obtained for InSb and InAs assuming KANE'S band structure. However, as BOWERS and YAFET have shown, in order to obtain a satisfactory quantative agreement with experiment the spin‐orbit interaction as well as the interaction with higher bands, must be taken into account. It is suggested that the threefold reversal of sign of the susceptibility as observed experimentally by GEIST in InAs, may be due to the g‐factor vanishing at the Fermi energy corresponding to an electron concentration of 5 × 1019cm−3.
Théorie des chaînes de collisions focalisantes (II)
Authors: Frère R. 
Published: July 2007

AbstractUne étude quantitative des processus de focalisation doit tenir compte des effets suivants: décroissance de l'énergie au long de la chaîne, potentiel interatomique réel, distorsions des rangées d'atomes, influence des rangées voisines.Une première publication [10] a envisagé la décroissance de l'énergie au long des chaînes de collisions et considéré le cas des alliages.Cette deuxième partie est consacrée tout d'abord aux effets dus à l'existence d'un potentiel interatomique différent de celui de sphère dure, ensuite, aux chaînes de collisions se propageant au long de rangées atomiques non rectilignes. Le cas des rangées 〈11223〉 des métaux à structure hexagonale compacte est envisagé.
Théorie des chaînes de collisions focalisantes (III)
Authors: Frère R. 
Published: July 2007

AbstractUne première publication [10] a été consacrée à la décroissance de l'énergie au long des chaînes de collisions. Le cas des alliages a été envisagé.Une deuxième publication [19] a été consacrée d'une part aux effets dus à, la présence d'un potentiel interatomique différent de celui de sphère dure, d'autre part aux chaînes de collisions se propageant au long de rangées atomiques non rectilignes. Le cas des rangées 〈1123〉 a été discuté.Cette troisième publication est consacrée à l'étude des processus de „focalisation dirigée”︁ c.à.d. à l'examen de l'influence des rangées voisines. De plus, un ensemble de résultats quantitatifs (paramètre de focalisation, énergie de focalisation, portée) concernant le cuivre sont présentés il sont comparés aux valeurs mises en évidence par VINEYARD et ses collaborateurs [13] au moyen d'une calculatrice électronique.