bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Induction time in batch crystallisation
Authors: Söhnel O. , Nýavlt J. 
Published: July 2007

AbstractThree theoretical models of nucleation in batch crystallisation experiments are presented and compared. The first model, based on the assumption that the new particles are detected immediately after their birth, can be used for assessing the width of metastable zones for practical purposes of industrial crystallisation and crystalliser design. The second one is based on the conception that a certain period of time is needed for crystals, newly born in a solution, before they grow up to become visible; they cannot be detected during this period, though nucleation has already taken place. The third model assumes that all the subcrystals, present in the solution, must attain the visible size before the process of nucleation can be observed. The authors given preference to the second model for evaluating the effective parameters of nucleation.
Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften von Vanadiumdioxid‐Pulver durch Reduktionsbehandlung
Authors: Brückner W. , Gerlach U. , Moldenhauer W. , Oppermann H. , Wolf E. , Storbeck I. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Reduktionsverfahren beschrieben, das es gestattet, den elektrischen Widerstand von Vanadiumdioxid‐Pulver und damit die Schaltspannung in weiten Grenzen definiert einzustellen. Der Einfluß der Reduktionstemperatur, der Korngröße und der Phasenreinheit auf das elektrische Verhalten der Pulver wird betrachtet. Durch metallographische, röntgenographische, elektrische und magnetische Untersuchungen wurde geklärt, daß die Änderung des elektrischen Widerstandes durch eine inhomogene, zum Korninneren hin abnehmende Reduktion des VO2‐Kornes bis zur sauerstoffarmen Phasengrenze und darunter entsteht.
Untersuchung von GaN‐Epitaxieschichten mit ionometrischen Methoden
Authors: Flagmeyer R. , Geist V. , Seifert W. 
Published: July 2007

AbstractDie Qualität von 2 bis 11 μm dicken {0001} GaN‐Epitaxieschichten auf Spinell‐ und Korundsubstrat wurde mit Kanalisierungs‐ und Schatteneffektmessungen untersucht. Aus den Protonen‐Rückstreuspektren (Energie Ep = 1 MeV) ergibt sich, daß die Perfektion der auf Korund gewachsenen GaN‐Schichten wesentlich höher als der auf Spinell gezüchteten ist. Wie für die Kombination GaN/Spinell gezeigt werden konnte, nimmt die Defektkonzentration mit wachsender Schichtdicke ab. Die aufgenommenen Protonogramme liefern zusätzliche Aussagen zur Perfektion und Kristallstruktur der Schichten.
Determination of the diffusion coefficient of arsenic in Ga solution from growth rate measurements of LPG GaAs
Authors: Bryśkiewicz T. 
Published: July 2007

AbstractOn the basis of the LPE GaAs growth rate measurements in which we used current marks of time, the diffusion coefficient and the critical supercooling of arsenic in Ga solution by a semiempirical method was determined. Some knowledge of these parameters is indispensable for investigating the growth mechanism and kinetics of epitaxial layers from high temperature solutions. Taking into account the fact that the diffusion coefficient as a function of temperature is of the form D(T) = D0 · exp (–B/T), the results were extrapolated in a range of temperatures 750–950°C typical for liquid epitaxy of GaAs.
Growth, structure and some properties of oriented Sb (S, O) I films
Authors: Sheftal R. N. , Nikitin K. V. , Savitskaya Y. S. , Ormont A. B. , Kuchta N. P. 
Published: July 2007

AbstractX‐ray and electron microprobe analyses of Sb(S, O)I films structure and composition have been performed. The films under investigation were prepared by crystallization from the melt in close spacing. It was revealed that the SbS0.8O0.2I structure was isomorphic t the SbSI one. The ferroelectric phase transition was observed at 75°C. The electromechanical coupling factor was 0.3 at 50°C.
Holographische Abbildung von Kristallwachstumsprozessen in bewegten Lösungen
Authors: Seyfarth H.‐H. , Wenke L. , Schreiber W. 
Published: July 2007

AbstractDie Aggregatbildung in technischen Kristallisatoren ist ein wichtiges Element der technischen Kristallisation. Die Untersuchung dieses Vorgangs ist experimentell sehr schwierig. Es wird eine Einrichtung zur direkten Beobachtung der Aggregatbildung in gerührten Lösungen beschrieben.
New method for the visualization of domain and defect structure of ferroelectrics
Authors: Distler G. I. , Shenyavskaya L. A. 
Published: July 2007

AbstractA new method for the visualization of domain and real structure of ferroelectric triglycine sulphate (TGS) crystals on the scale of optical microscopy by means of decoration with auramine is developed. Auramine deposits on crystal surfaces as discrete particles about 2 microns in size and as a continuous layer, thus allowing both the domains as a whole and the various electrically active elements of the domain and real TGS structure to be visualized with high resolution. Due to decoration with auramine, the domain structure of TGS detected with a very high contrast; elements of the geometrical relief‐cleavage steps exhibiting different electrical properties are also revealed. Furthermore, it has been observed for the first time that the positive domains have sharp electrical boundaries, while the negative domains have erased boundaries. It has also been established that between the domains of opposite signs regions exist characterized by a very low electrical activity. Decoration of annealed TGS crystals which were rapidly cooled from the temperature of 150°C, i.e. above the Curie point (49°C) down to room temperature resulted in detection of new electrically active directions on the surface of the negative domains; these directions are likely to occur in the paraelectric state. The new method cannot only be applied to the study of the TGS crystals but can also be useful in investigation of other ferroelectrics.
Röntgenographische Untersuchung von Verformungsstrukturen in Metall‐Einkristallen
Authors: Reitzenstein W. 
Published: July 2007

AbstractSpezielle Aufgabenstellungen für röntgenographische Verfahren bei der Untersuchung von Verformungsstrukturen werden erörtert und hierfür geeignete Varianten des Berg‐Barrett‐Verfahrens im Informationsgehalt und Anwendungsbereich verglichen. Ausgehend von allgemeinen Grundlagen der Bildauswertung und Kontrastinterpretation wird besonders auf die für Verformungsstrukturen typischen Orientierungskontraste eingegangen. Bei geeigneter Versuchsführung können neben der quantitativen Bestimmung von Gitterdesorientierungen auch die Lage der Drehachse sowie Vorzeichen und Art der Gitterdrehung (Torsion oder Krümmung) ermittelt werden.
On the kinetics of the decomposition of ternary Al‐Zn(6at.%)Mg(X) and AlMg(X)Si(Y) alloys
Authors: Bossac H. , Fabian H.‐G. , Jürgens G. , Kempe M. , Korngiebel E. , Löffler H. , Oettel W. 
Published: July 2007

AbstractInvestigations on Al‐Zn(3)‐Mg(X) alloys gave the rather surprising result that the migration energies depend on the physical quantities (resistivity, Young's modulus) and the ageing time used. Therefore it is the aim of this paper to test, if similar effects occur using other ternary alloys and additional measuring methods. The ageing kinetics of 7 Al‐Zn(6)‐Mg(X) alloys are examined by isothermal measurements of resistivity, Young's modulus, change of length, and microhardness over a relatively long time interval of about 3 h within the temperature range from 20°C to 90°C.
The activation energies got for the Al‐ZN(6)‐Mg(X) alloys depend on the physical quantity as well as on the ageing time used within the temperature range from 20°C to 40°C as known from the Al‐Zn(3)‐Mg(X) alloys.
The activation energies obtained for the Al‐Zn(6)‐Mg(1.3) alloy in the temperature interval from 50°C to 90°C decrease monotonously with increasing time for the measuring methods considered.
These results different with respect to those two temperatur ranges are probably caused by a change of the decomposition mechanism. Below 40°C presumably several kinds of clusters are formed in the beginning of the decomposition, but above 50°C probably only one sort of clusters should grow. The late stage of ageing should be caused mainly by the diffusion of VZn2 complexes (EM = 0.21 eV) in the temperature range investigated, since 0.2 eV holds for that stage. – Finally the results of the investigations of the kinetics of some Al‐Mg(X)‐Si(Y) alloys are discussed by means of the jump model.
Die Energieniveau‐Aufspaltung von Ionen der Gruppe der Seltenen Erden in Kristallfeldern unterschiedlicher Symmetrie
Authors: Bienert K. , Kustov E. F. , Petrov V. P. 
Published: July 2007

AbstractBei der Berechung der Matrixelemente für die Zustände eines Seltenen‐Erd‐Ions wird in der vorliegenden Arbeit die Methode der Untergruppenkoeffizienten angewendet. Sie wird zur Berechnung der Energieniveau‐Diagramme von Ionen der Gruppe der Seltenen Erden in Kristallfeldern mit oktaedrischer, tetragonaler, trigonaler und rhombischer Symmetrie eingesetzt.
The effect of pH on the growth of the {100} faces of ammonium dihydrogen phosphate crystals
Authors: Davey R. J. , Mullin J. W. 
Published: July 2007

AbstractThe velocity and shape of growth layers on the {100} faces of ammonium dihydrogen phosphate (ADP) crystals growing in aqueous solution at pH = 5.0 are compared with those previously reported for growth at pH = 3.8. The results are interpreted in terms of the adsorption of hydrated hydroxonium ions on the crystal surface.
Quantitative Elektronenstrahlmikroanalyse und Zyklotronresonanzmessungen an Wismut‐Antimon (Bi1−xSbx)
Authors: Schneider G. , Ullrich H.‐J. , Oelgart G. , Suwalski G. 
Published: July 2007

AbstractFür die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von Wismut‐Antimon‐Einkristallen ist die Analyse ihrer chemischen Zusammensetzung wichtig. Die Elektronenstrahlmikroanalyse ist eine dafür geeignete Methode. Die quantitative Elektronenstrahlmikronanalyse erfordert im allgemeinen die Berücksichtigung verschiedener Einflüsse. Das ist durch Korrekturrechnungen auf der Grundlage theoretischer Modelle möglich. Für die Reproduzierbarkeit und Vergleichbarkeit von Analysenergebnissen ist die Angabe der Meßbedingungen und der theoretischen Korrekturen notwendig. Die vorliegende Arbeit untersucht, unter welchen Bedingungen bei der Analyse wismutreicher Wismut‐Antimon‐Legierungen die Korrektur vernachlässigbar ist. Die erfolgreiche Nutzung der Elektronenstrahlmikroanalyse für die Untersuchung der Abhängigkeit der Bandstruktur des Bi1−xSbx von der Antimonkonzentration x wird am Beispiel von Zyklotronresonanzmessungen gezeigt.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des Morpholyl‐pentamethin‐merocyanins C9O2NH13
Authors: Kulpe S. , Schulz B. 
Published: July 2007

AbstractDas Morpholyl‐pentamethin‐merocyanin kristallisiert in der Raumgruppe \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ P\frac{{{\rm 2}_{\rm 1} }}{{\rm a}} $\end{document} mit der Gitterkonstanten a = 13,269 Å, b = 15,232 Å, c = 4,513 Å, β = 94,05°. Die Bindungs längen zwischen den Methin‐Kohlenstoff‐Atomen innerhalb der Pentamethinkette alternieren signifikant und zeigen damit einen deutlich polyenischen Verlauf. Gleichzeitig ergeben sich kurze C–N‐ (1,339 Å) und kurze C–O‐Bindungslängen (1,224 Å) der Substituenten N und O zur Pentamethinkette hin. Wie bereits bei offenkettigen Cyaninen so finden wir auch bei diesem Merocyanin eine deutliche Alternierung der Valenzwinkel an den Methin‐Kohlenstoffatomen. Substituenten‐Abstände und Valenzwinkel‐Alternierung deuten auf ein polymethinisches Verhalten der Moleküle hin. Das vorliegende Merocyanin nimmt demnach eine Mittelstellung zwischen polyenischem und polymethinischem Verhalten ein, das sich durch die RKSA‐Ergebnisse relativ scharf umreißen läßt. Die experimentell ermittelte Molekülgeometrie wird mit quantenchemischen Rechnungen und unterschiedlichen strukturchemischen Vorstellungen verglichen. Auf der Basis der Resonanztheorie werden neue Grenzstrukturen eingeführt, deren Berücksichtigung eine Deutung der Molekülgeometrie auch im Mesomerie‐Formalismus ermöglicht. Die Geometrie des sesselförmigen Morpholylrings sowie die Packung der Moleküle im Kristallverband (intermolekulare Wechselwirkungen) werden im Detail diskutiert.
Low‐angle boundary investigation in silicon single crystals
Authors: Dashevsky M. Ya. , Eidenson A. M. , Kazimirov N. I. , Khatsernov M. A. 
Published: July 2007

AbstractLow‐angle boundaries in Si single crystals grown from the melt in [111], [100], [112], [110], [118] and [115] directions were investigated by chemical etching, copper decoration technique and X‐ray topography. — LAB of four types were found in planes parallel to the crystal growth axes. Rearrangement of dislocations from slip bands into LAB was observed in heavily‐doped Si crystals. The origin of LAB in melt grown Si crystals is discussed. It is shown that these boundaries are well interpreted in terms of dislocation alignment formation in the thermal stress field of the growing crystal.
Role of microcrystals in the growth and development of prism faces of cultured quartz (I). Attached microcrystals
Authors: Joshi M. S. , Kotru P. N. 
Published: July 2007

AbstractMicrocrystals attached in random orientations to growing host prism faces of cultured quartz grown by the hydrothermal crystallization technique are described. The microcrystals are established to be quartz. Growth layers and pyramids initiated by the attached guest microcrystals of quartz on the growing host prism faces of bulk quartz crystals are illustrated. Also described are striations, parallel, perpendicular and inclined to the c‐axis, and polygonal growth pyramids on the prism surfaces of attached guest microcrystals. Formation of the microcrystals of quartz is linked to the possibilities of creation of quartz micronuclei in the autoclaves which further establishes and solidly supports the explanation put forward by KOTRU. Effect of unoriented attached tiny crystals of quartz and impurities on the progress of growth layers on the host prism faces is dealt with. Role of attached guest microcrystals in the growth and development of the host prism faces in particular and the cultured quartz in general is discussed. Possibilities of the incorporation of quartz micronuclei inclusions and impurity inclusions in the quartz structure and its effect on the crystalline quality of cultured quartz is briefly dealth with.
Zur Züchtung von β‐Kupferphthalocyanin‐Einkristallen aus der Gasphase
Authors: Kersten F. , Hamann C. 
Published: July 2007

AbstractIn einer universell einsetzbaren Züchtungsapparatur wurden die Ursachen für die schlechte Reproduzierbarkeit und Konstanz der Wachstumsbedingungen bei einem seit 1936 bekannten Züchtungsverfahren sowie störendes Hohlwachstum untersucht. Die Charakteristika des Wachstums in Abhängigkeit von verschiedenen Züchtungsmethoden und Verfahrensweisen für Keimbildung und Wachstum werden beschrieben. Die Einführung neuer Zuchtmethoden ermöglicht die Herstellung größerer Kristalle. Das Wachstum der nadelförmigen Kristalle ist diffusionskontrolliert, die Wachstumsform weicht qualitativ nicht von der Gleichgewichtsform ab. Die Kristalle sind von mikroskopisch glatten Flächen begrenzt, nur auf den Stirnflächen treten oberhalb bestimmter kritischer Abmessungen morphologische Störungen auf.
Verteilungskoeffizienten und Konzentrationsanreicherungen an der Phasengrenzfläche bei ebenem und zellularem Erstarren von Zinn‐Zink‐Legierungen
Authors: Barthel J. , Krumnacker M. 
Published: July 2007

AbstractDie experimentellen Ergebnisse von KRUMNACKER zu den effektiven Verteilungskoeffizienten und Konzentrationsverteilungen an der Phasengrenze im System Zinn–Zink wurden einer kritischen Überprüfung unterzogen. Darauf aufbauend wurde eine erweiterte Auswertung der Meßergebnisse vorgenommen. Sie bestätigte für ebenes Wachstum die Modellvorstellungen der Burton‐Prim‐Slichter‐Funktion für keff und zeigte, daß der Grenzflächenverteilungskoeffizient weder von der Erstarrungsgeschwindigkeit R noch von der Zinkkonzentration C0 abhängt. Dieses Ergebnis steht im Widerspruch zu einer Deutung der Meßergebnisse durch BRICE. Die Ursachen werden diskutiert. — Für zellulares Wachstum wird gezeigt, daß die Abhängigkeit des Segregationsverhaltens von Konzentration und Geschwindigkeit auf zwei Wirkungsmechanismen zurückzuführen ist. Sie bestehen einerseits im Einfluß einer weiterhin existierenden Konzentrationsanreicherung in der Diffusionsgrenzschicht vor der Erstarrungsfläche und andererseits im verstärkten Einbau der angereicherten Verunreinigungen in den Zellgräben. Im vorliegenden Fall großer Diffusionsgrenzschichtdicke ist der Einfluß der Diffusion für die Geschwindigkeitsabhängigkeit des keff bestimmend.
The frequency distribution of the threshold voltage of bistable Cu2O switching devices
Authors: Bäther K.‐H. , Brückner W. 
Published: July 2007

AbstractThe frequency distribution of the threshold voltage of AgCu2OAg switching devices was experimentally established. With a few switching cycles (n ≲ 150) distribution can be interpreted by a numerical Gauss distribution. Only a single, from electrode to electrode uninterrupted, channel is optically provable. A numerical Gauss distribution is usually no longer observed with a large number of switching cycles. The entire frequency distribution, however, is composed of several partial collectives which can be individually considered as normal distributions. These contribute in differing degrees to the total frequency distribution. Several switching channels can be optically proved. The channels and the normally distributed partial collectives were allocated to one another.
Erholung und Rekristallisation des stabilen Austenits bei der Verformung durch Walzen
Authors: Güth A. , Wadewitz H. , Zouhar G. 
Published: July 2007

AbstractZur Aufklärung der bei der Hochtemperatur‐Thermomechanischen Behandlung (HTMB) im stabilen Austenit ablaufenden Prozesse werden Härte, Gefüge und Versetzungsstruktur einer Fe24Ni0,5C‐Legierung in Abhängigkeit vom Verformungsgrad (ϵ = 13 bis 52%) und der Verformungstemperatur (Tv = 830 bis 1150°C) bei Raumtemperatur untersucht. Die beobachteten Strukturen können in ein Erholungs‐Rekristallisations‐Diagramm eingeordnet werden, das den Einfluß technologischer Parameter auf die Erholung und Rekristallisation des stabilen Austenits qualitativ beschreibt.
Preparation of HgJ2 single crystals and the effect of doping upon their physical properties
Authors: Růžička M. , Řežábková H. , Besedičová Š , Doupovec J. , Strácelský J. 
Published: July 2007

AbstractHgJ2 single crystals both pure and doped were grown from an acetone solution using the method of the slow solvent evaporation. The iodides NaJ, KJ, SrJ2, CdJ2, NH4J were used as doping materials in concentrations from 0.01 to 2.0 wt%. The grown crystals were studied with respect to the influence of impurity doping on the electric conductivity and the phase transitions at atmospheric pressure (the DTA method) and high pressure as well (with the help of the high pressure optical cell).
Züchtung von (Pb1–xSnx) Te durch Sublimationstechnik
Authors: Wäsch Elke , Ickert L. , Friedrich J. 
Published: July 2007

AbstractIm horizontalen Zweizonenwiderstandsofen wuchsen zwischen 750 und 720°C, einem ΔT von 15–10 grd zwischen Lösungs‐ und Wachstumsraum am Ende von evakuierten Quarzampullen nahezu ideal ausgebildete Kristalle. Bei Verwendung einer Heizzone wurden unter günstigen Bedingungen durch einen Quarzstab bzw. eine Quarzplatte als Keimzentrum gute Kristalle erhalten. — Es folgen Angaben zur Analytik der Züchtungsprodukte.
Kristalle der Halogenide des einwertigen Quecksilbers und ihre optischen Grundeigenschaften
Authors: Barta Č. , Gregora J. , Tranka J. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Einkristalle von Bromid und Jodid des einwertigen Quecksilbers mittels einer früher für Quecksilber(I)Chlorid entwickelten Methode gezüchtet. Bei allen drei Halogeniden wurden die Brechungsindizes für den ordentlichen und außerordentlichen Strahl gemessen. Auf Grund dieser Werte wurden die Aufspaltungswinkel von beiden Strahlen für einen senkrechten Lichteinfall und für verschiedene kristallographische Orientierungen des Kristalls und verschiedene Wellenlängen des Lichtes berechnet.
Spektrochemische Bestimmung von Silizium in AlxGa1–xAs und physikalische Eigenschaften der Kristalle
Authors: Kühn G. , Fischer L. , Neumann H. , Bindemann R. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine direkte spektralanalytische Methode zur Bestimmung von Si in AlxGa1–xAs (x ≈ 0,8) angegeben. Die Analysen von hochdotierten (1019 … 1020 cm−3) Testproben werden mit Ergebnissen von Photolumineszenz‐ und elektrischen Messungen in Verbindung gebracht.
Strukturuntersuchungen von Halbleiterkristallen mittels Doppelkristallspektrometrie
Authors: Bubáková R. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine kurze Übersicht gegeben über die Verwendung des Doppelkristallspektrometers zur Untersuchung der Realstruktur von Kristallen. Einige Ergebnisse werden mitgeteilt.
Beitrag zur Kristallisation von ZnSiP2 aus der Gasphase
Authors: Hein Klaus , Winkler Konrad 
Published: July 2007

AbstractZur Präzisierung früher veröffentlichter Züchtungsergebnisse wurde der Einfluß der thermischen Bedingungen auf die Synthese und Kristallinität von ZnSiP2 weiter untersucht. Umfangreiche Temperaturmessungen beim experimentell ermittelten Optimum ermöglichten Aussagen über die axiale und radiale Temperaturverteilung in der Versuchsapparatur und im Reaktionsgefäß. Der axiale Temperaturgradient im Kristallisationsraum liegt bei 3 grd/cm, während in der Ampulle ein radialer Temperaturgradient von 4–5 grd/cm ermittelt wurde. — Die thermischen Abscheidungsbedingungen für ZnSiP2 wurden bei unterschiedlichen Temperaturdifferenzen analysiert. Es wurde gefunden, daß als minimaler ΔT‐Wert 15 grd nicht unterschritten werden darf, um in endlicher Zeit mittels Gasphasentransport ZnSiP2 abzuscheiden. — Im Ergebnis einer ausführlichen Diskussion des Einflusses der thermischen Bedingungen auf die Synthese und Kristallisation von ZnSiP2 wurden die charakteristischen Transporteffekte erklärt. Kondensation von ZnP2 am Ampullenende und durch lokale Temperatur‐ und Konzentrationsgradienten im Kristallisationsraum hervorgerufener Sekundärtransport konnten als Ursachen für unterschiedliche Konzentrationsprofile, Phasenaufbau und Kristallinität in Abhängigkeit vom Ort der Kristallisation herausgearbeitet werden. Abschließende Hinweise zu günstigen Züchtungsvarianten vervollständigen die Ausführungen.
Zur Problematik der röntgenografischen Versetzungsdichtebestimmung in Polykristallen aus einer Interferenzlinie
Authors: Schierhorn Eike , Strassburger G. 
Published: July 2007

AbstractRöntgenografische Untersuchungen plastisch verformten Stahls wurden benutzt, um die Winkelabhängigkeit linienverbreiternder Effekte zu ermitteln. Die Analyse der Ergebnisse zeigt, daß die Linienverbreiterung auf zwei gleichzeitig wirkende Effekte zurückzuführen ist. Die Ermittlung der Versetzungsdichte aus nur einer Interferenzlinie erscheint problematisch, da keine Trennung der beiden Verbreiterungseffekte möglich ist.
On absorption spectra temperature dependence in lithium niobate doped with transition metal oxides
Authors: Sirota N. N. , Yarunichev W. P. 
Published: July 2007

AbstractAbsorption spectra temperature dependence of LiNbO3 doped with the Cr‐, Mn‐, Fe, Co‐, Ni‐ and Cu‐irons is studied. Band gap variation of the doped lithium niobate against impurity, temperature and light polarization direction is determined.