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Die magnetokristalline Anisotropie hexagonaler ferromagnetischer Stoffe in der Nähe des Curie‐Punktes
Authors: Belov K. P. , Jergin Yu. V. , Koroleva L. I. , Levitin R. Z. , Pedko A. V. 
Published: July 2007

AbstractEine Auswertung der Meßergebnisse der Magnetisierungs‐Isothermen der Einkristalle des Gadoliniums und des Hexagonal‐Ferrits BaFe12O19 nach der Methode der thermodynamischen Koeffizienten [1] hat gezeigt, daß längs der Achse der leichten Magnetisierung (c‐Achse) die spontane Magnetisierung σ größer ist als in der Richtung senkrecht zur Achse. Aus der Anisotropie‐Größe σs und, als Folge daraus, aus der „Anisotropie des Curie‐Punktes”︁ wurde der Temperaturverlauf der Energie der magnetischen Anisotropie (die Konstanten K = K1 + K2) in der Nähe des Curie‐Punktes für beide Kristalle errechnet. Es wurde gezeigt, daß das im Gadolinium bei Annäherung an den Curie‐Punkt [2] beobachtete anomale Anwachsen der Konstante K1 durch den Einfluß des Paraprozesses bedingt ist.
Zum Mechanismus der Versetzungsätzung I. Die Bildung zweidimensionaler Lochkeime an den Enden von Versetzungslinien
Authors: Schaarwächter W. 
Published: July 2007

AbstractNach einem Modell von Cabrera entstehen sichtbare Ätzgruben an verunreinigungsfreien Stufenversetzungen durch spontan einsetzende zweidimensionale Lochkeimbildung, weil dabei die in der Versetzungsumgebung gespeicherte elastische Versetzungsenergie freigesetzt wird. Es wird gezeigt, daß dieses Konzept versagt, wenn die Keime nur wenige Gitterplätze umfassen, was z. B. bei Metallen wie Silber und Kupfer zutrifft. Für diese Fälle wird ein vereinfachendes Modell entwickelt, bei dem die Energie des Versetzungskerns die Keimbildung bestimmt, diese ist dann stets ein thermisch aktivierter Vorgang. Die Bildungsarbeit für Keime an einer Versetzung ist jedoch gegenüber der für Keime an versetzungsfreien Oberflächenstellen um einen Faktor < 1 vermindert, der durch das Verhältnis des Produktes (Schubmodul X Burgersvektor) zu spezifischer Keimrandenergie bestimmt ist.
Thermisch aktivierte Vorgänge bei der Verformung neutronenbestrahlter Kupfer‐Einkristalle. II. Versetzungsbewegung bei Vorliegen eines Hindernisspektrums und Auswertung von Messungen
Authors: Diehl J. , Seidel G. P. , Niemann L. 
Published: July 2007

AbstractEine theoretische Behandlung der thermisch aktivierten Versetzungsbewegung bei Vorhandensein einer Größenverteilung der Hindernisse führt auf eine Arrheniusgleichung, in der die Aktivierungsenergie bei jeder Temperatur bzw. Spannung durch einen anderen Ausschnitt des Spektrums bestimmt wird und der Vorfaktor explizit von Temperatur und Spannung abhängt. Eine hierauf aufbauende, weitere Analyse der experimentellen Ergebnisse von Teil I führt zu Angaben über Anzahl, Größe und Größenverteilung der Versetzungshindernisse. Diese bestehen höchstwahrscheinlich aus von einer Versetzung begrenzten Stapelfehlerscheibchen, die aus etwa 20 bis 30 Leerstellen aufgebaut sind.
Geometriefaktoren für elektrische Leitfähigkeit und Feldstärke in symmetrisch kontaktierten Quadern
Authors: Oberländer S. , Wilhelm W. E. 
Published: July 2007

AbstractIn dieser Arbeit wird ein dimensionsloser Geometriefaktor γ0 untersucht, mit dessen Hilfe eine hinsichtlich der geometriebedingten Inhomogenitäten exakte Bestimmung der Leitfähigkeit eines Quaders aus Strom‐Spannungs‐Messungen möglich ist. Ferner werden zwei weitere Geometriefaktoren γ1, γ2 untersucht, die den geometriebedingten Feldanstieg an Kontakträndern abzuschätzen gestatten. Für alle drei Geometriefaktoren werden trotz komplizierter Ausgangsformeln einfache Näherungsausdrücke angegeben. Das Auftreten von Polen der Feldstärke an den Kontakträndern wird diskutiert.
Elektonenmikroskopische Untersuchung der Versetzungsanordnung verformter Kupfereinkristalle 1. Die Versetzungsanordnung im Bereich I
Authors: Essmann U. 
Published: July 2007

AbstractKupfereinkristalle, die für Einfachgleitung orientiert waren, wurden bei 4,2, 78 und 293 °K im Zugversuch verformt und anschließend im Reaktor mit schnellen Neutronen bestrahlt, um die Versetzungsanordnung zu fixieren. Aus den Kristallen wurden dann Folien bestimmter Orientierungen herauspräpariert und im Elektronenmikroskop durchstrahlt.Im Bereich I werden fast nur Stufenversetzungen des Hauptgleitsystems beobachtet, die in Strängen angeordnet sind. Man findet Hinweise, daß sich Schraubenversetzungen entgegengesetzten Vorzeichens durch Quergleitung annihilieren. Der Zusammenhang mit Ätzgrübchen‐ und Gleitlinienbeobachtungen wird diskutiert.
Effect of Anharmonicity on the Optical Activity of Impurity Centres in Solids
Authors: Lubchenko A. F. 
Published: July 2007

AbstractThe Green's function method has been used to investigate the optical activity in the impurity absorption region of solids, taking account of anharmonicity. The host crystal containing the impurity centres is assumed to be optically non‐active. It is shown that the dependence of the optical rotation on the frequency of the exciting light is the same as that of the refractive index of the impurity centres, and the frequency dependence of the circular dichroism is the same as that of the absorption coefficient.
Der Einfluß der Luftfeuchtigkeit auf die dielektrischen Eigenschaften des Seignettesalzes in der Nähe des Curie‐Punktes
Authors: Weissbach G. , Müser H. E. 
Published: July 2007

AbstractDie Dielektrizitätskonstante von Seignettesalz wurde in der Nähe des oberen Curie‐Punktes bei verschiedenen Luftfeuchtigkeiten gemessen. Im Gleichgewicht sinkt der Curie‐Punkt linear mit steigender Feuchtigkeit. Nach einer Feuchtigkeitsumstellung befolgt die Verschiebung des Curie‐Punktes in grober Näherung ein Exponentialgesetz. Es wird angenommen, daß eine Diffusion von Wassermolekülen der Grund für die verzögerte Änderung des Curie‐Punktes ist.
Diffusion in Inert‐Gas Bombarded Pt and Al
Authors: Kelly R. , Ruedl E. 
Published: July 2007

AbstractDiffusion in inert‐gas bombarded Pt and Al is studied by gas‐release measurements, transmission electron microscopy, and depth‐distribution measurements. It is found that gas release in Pt exhibits three components with temperature ranges of ambient < 500, 500 to 850, and > 850°C of which the range 500 to 850°C coincides with the temperatures of Pt self‐diffusion and in turn leads to the value 57 to 64 kcal/mol for ΔH for Kr‐Pt. By contrast, Al is shown to retain inert gas up to the melting temperatur of 660°C. Transmission electron microscopy of Pt shows that the gas release at 500 to 850°C is accompanied by dislocation loop annealing, while that at > 850°C coincides with the occurrence of bubbles. The tendency of Al to retain gas is found to correlate with the appearance first of bubbles and then, at about 625°C, of large surficial blisters. Depth‐distribution experiments with Pt show that the gas remaining at temperatures where bubbles are present has a deeply penetrating, exponential form, whereas in Al heated above 465°C the gas is mostly concentrated near the surface. The theory of bubble diffusion is finally considered, and is shown to predict bubble motion over the temperature ranges inferred by the other observations, namely 7> 850°C for Pt and > 500°C for Al.
Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Kristallen mit Diamantgitter auf strukturloser Unterlage
Authors: Bliznakov G. , Delineschew S. 
Published: July 2007

AbstractUnter Verwendung der thermodynamisch‐statistischen Methode von Stranski und Kaischew wurden Ausdrücke für die Bildungsarbeit von zweidimensionalen Keimen der Flächen (111), (110), (310), (100) und (310) des Diamantgitters bei Ausbildung auf einer fremden, strukturlosen Unterlage erhalten. Die Bildung dieser Keime wird nur dann ermöglicht, wenn zwischen den Bauteilchen Kräfte bis zu viertnächsten Nachbarn wirken. Die Moleküle der Dämpfe über dem Kristall werden nicht assoziiert. Die obenerwähnten Ausdrücke geben den Zusammenhang zwischen den Bildungsarbeiten und der Übersättigung an. Es wurde festgestellt, daß die Keimbildung der Fläche (111) bei kleinen Übersättigungen am wahrscheinlichsten ist, während die Fläche (310) am schwierigsten gebildet wird. Bei hohen Übersättigungen ist die Reihenfolge umgekehrt. Bei mittleren Übersättigungen sind verschiedene Fälle möglich.
Electron Mirror Observations of Impurity Segregations on a Silicon Surface
Authors: Igras E. , Warmińaski T. 
Published: July 2007

AbstractElectron microscope mirror observations are made of surface microfields arising from lithium impurity segregations on silicon crystals. Rapid surface drift of the lithium ions is observed on dislocation areas. When the lithium impurity is partially evaporated from the crystal the surface becomes inhomogeneous. This is considered to be due to a difference between the rate of evaporation from areas with, and without, defects. Local microfields with [B−Li+] ionic binding and their dissociation are also observed.
Moments of Impurity Absorption Bands in Solids
Authors: Gold A. , Keil T. H. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that the contributions to the first three moments of an optical absorption (or emission) band of a point defect in a solid due to uncoupled lattice modes or perturbations are additive. Deviations from simple additivity may be caused by quadratic or higher cross terms in the interaction Hamiltonian or by deviations from adiabaticity. Difficulties and ambiguities in giving a consistent second‐order treatment for extracting coupling parameters from observed moments are pointed out.
Etude topographique des figures de choc dans le fluorure de lithium
Authors: Pétroff J. F. , Authier A. 
Published: July 2007

AbstractDes cristaux de fluorure de lithium ont été étudiés par la méthode des topographies aux rayons X par transmission. On décrit les différents types d'organisation des dislocations qui ont été observés. Une étude particulière est consacrée aux défauts de surface dont les images sont dédoublées. On montre que ces défauts correspondent à des amas de demiboucles de dislocations autour de figures de choc. On analyse l'orientation, la distribution et le vecteur de Burgers de ces dislocations. Un modèle est proposé pour le calcul des désorientations autour des amas de boucles. Il permet d'interpréter de manière satisfaisante la variation du contraste en fonction du plan réflecteur et la dimension des images.
Kernresonanzuntersuchungen an diffundierenden Punktdefekten in AgBr
Authors: Kluge J. 
Published: July 2007

AbstractDie in bestimmten Temperaturbereichen durch diffundierende Silberlücken bzw. Kupferionen bewirkte Verminderung der Spin‐Gitter‐Relaxationszeit wird mit Hilfe ihres Einflusses auf die Breite der Kernresonanzabsorptionslinien zum Nachweis obengenannter Fehlstellen benutzt. Unassoziierter atomarer Schwefel konnte in bromierten schwefeldotierten AgBr‐Polykristallen nicht nachgewiesen werden. Der Einbau von Cu++‐Ionen in das Gitter ist in meßbarer Konzentration nicht möglich. Cu+‐Ionen nehmen unterhalb 150°C vorwiegend Gitterplätze ein oder besetzen unter Assoziation einer Silberlücke Zwischengitterplätze. In beiden Fällen wird durch Bildung bzw. Änderung von Dipolfeldern eine Spin‐Gitter‐Relaxation erzeugt. Damit verbunden ist eine Diffusion dieser Zentren.
On the Interpretation of Electron Diffraction Patterns from “Amorphous” Boron
Authors: Otte H. M. , Lipsitt H. A. 
Published: July 2007

AbstractSamples of boron prepared by a vapour thermal decomposition process were examined in the electron microscope. Selected area diffraction patterns showed diffuse rings which could be indexed as f.c.c.; in several instances a hexagonal array of spots was obtained. The latter appeared unchanged on tilting the specimen in the electron beam, but more accurate measurements revealed that the spots were displaced relative to each other. Samples that had been gently heated in the electron microscope until all the diffuse rings had disappeared gave rise only to spot patterns which showed, when the specimen was suitably oriented with respect to the beam, pronounced streaks that were continuous from spot to spot. All these observations can be interpreted, at least semi‐quantitatively, in terms of a layer structure with extensive faults in the stacking sequence of the layers. The material as deposited has a very high density of stacking faults which are removed on heating, thereby converting the f.c.c. cell of B12 groups into the rhombohedral structure of boron.
Representation of a Lattice Electron in a Uniform Electric Field
Authors: Fritsche L. 
Published: July 2007

AbstractPrevious authors have applied the crystal‐momentum representation of lattice electrons to various problems involving interband transitions in the presence of a uniform electric field. This representation displays a new set of energy levels (“Wannier‐Stark” levels) which appear to be analogous to the “Landau” levels occuring in a magnetic field. Each level is considered to refer to an individual electron state, as in the case of “Landau” levels. The purpose of the present discussion is to show that “Wannier‐Stark” levels, however, cannot be interpreted as referring to electron states (“Kane” states). The discussion is based on Houston's solution which may be expressed in terms of “Kane” states. It is pointed out that previous calculations of the Franz‐Keldysh effect and Zener tunneling, based on Kane's ideas, contain a contradiction which directly reflects the inconsistency of the “Kane” state picture. However, owing to a tacitly made limiting process, the mentioned theories arrive at the correct results.
Untersuchung der Wechselwirkung magnetischer Flußfäden mit Versetzungen und Oberflächen in Niob (I)
Authors: Nembach E. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde der Einfluß ebener Versetzungsanordnungen auf das Eindringen dazu senkrechten Magnetflusses in supraleitende Niobeinkristalle bei 4,2°K experimentell untersucht. Die Dichte der Versetzungen ϱ wurde mittels Ätzgrübchen und Elektronentransmission bestimmt. In einem einfachen Modell kann aus der Remanenz der gemessenen Hysteresekurve auf die Kraft geschlossen werden, die einen Abrikosovschen Flußfaden Versetzungen schneiden läßt. Diese Kraft liegt für Versetzungsdichten von 2 · 106 bis 5 · 1010 cm−2 zwischen 4 · 10−7 und 1,4 · 10−4 dyn/cm und ist proportional √ϱ. Ferner wurden die Auswirkungen verschiedener Oberflächenbehandlungen auf die Magnetisierungskurve verfolgt und modellmäßig interpretiert. Die Wechselwirkung zwischen Flußfäden und Oberflächen führt zu einer Hysterese, nicht aber zu einer Remanenz.
Zweidimensionale Keimbildung und Ausbreitung von monoatomaren Schichten an versetzungsfreien (100)‐Flächen von Silbereinkristallen
Authors: Budewski E. , Bostanoff W. , Vitanoff T. , Stoinoff Z. , Kotzewa A. , Kaischew R. 
Published: July 2007

AbstractElektrochemische Erscheinungen, die das Wachstum von isolierten versetzungsfreien Flächen von Silbereinkristallen begleiten, deuten auf ein Wachstum durch zweidimensionale Keimbildung hin. Die Bildungsgeschwindigkeit von Keimen neuer Netzebenen sowie die Ausbreitungskinetik monoatomarer Schichten über versetzungsfreie Flächen werden näher untersucht.
Ein Monte Carlo‐Verfahren zur Untersuchung der Zufallsbewegung und der Reaktionen von Punktfehlern in Kristallen
Authors: Scholz A. 
Published: July 2007

AbstractEin Monte Carlo‐Verfahren zur Behandlung von Reaktionen zwischen diffundierenden Leerstellen und Leerstellengruppen in kubisch‐flächenzentrierten Metallen wird formuliert. Dabei wird ein Grundgebiet von etwa 30000 Gitterplätzen betrachtet, welches mit Hilfe periodischer Randbedingungen in einem Makrokristall eingebettet ist. Das Diffusions‐ und Reaktionsgeschehen wird auf einem elektronischen Rechenautomaten simuliert. Man erhält „Meßkurven”︁ für die Anzahl der verschiedenen Lückenarten als Funktion der Zeit.
Dislocation Multiplication as a Controlling Factor of Work‐Hardening
Authors: Bengus V. Z. , Komnik S. N. , Shtitelman O. B. 
Published: July 2007

AbstractThe dislocations responsible for defective structure in a KCl crystal are not only obstacles but also “sources” of multiplication for moving dislocations. It is shown that the process of multiplication of moving dislocations controls the work‐hardening of a crystal in the easy glide stage. The plastic deformation of a crystal is accompanied by repeated yield points arising from the discrete nature of dislocation multiplication. It is found that work‐softening (similar to stage III work‐hardening in f.c.c. metals) can occur in the plastic deformation of KCl crystals. In the discussion the concept about the controlling role of multiplication of moving dislocations is given as an alternative to the other point of view, which considers the work‐hardening process to be controlled by the resistance to dislocation motion.
Untersuchungen über die Alterungserscheinungen des Ge‐dotierten Bi2Te3
Authors: Bergmann G. 
Published: July 2007

AbstractAn p‐leitendem Bi2Te3 mit Ge‐Dotierung beobachtet man, daß sich die Löcherkonzentration nach der Kristallisation aus der Schmelze zeitlich verringert und einem Gleichgewichtswert zustrebt. Diese Alterungserscheinung wurde an Proben mit unterschiedlichen Ge‐Konzentrationen bei mehreren Lagerungstemperaturen verfolgt. Die Kinetik und das asymptotische Verhalten der Alterung lassen sich als Folge von Assoziations‐ und Dissoziationsprozessen zwischen Ge‐Atomen und Gitterdefekten darstellen. Die Anwendung dieses Modells auf eine früher entwickelte Vorstellung über den Dotierungsmechanismus führt zu einer größenordnungsmäßigen Abschätzung des Diffusionskoeffizienten von Ge in Bi2Te3.
Trapping Processes at Dislocations in Plastically Bent Germanium
Authors: Jastrzębska M. , Figielski T. 
Published: July 2007

AbstractTransient and steady state photoconductivity in plastically bent germanium are investigated. Strong trapping effects are observed at low temperatures. Two main properties of monopolar photoconductivity at moderate illuminations are found; the logarithmic decay of the photocurrent, and the logarithmic lux‐ampere characteristics. Experimental results are interpreted on the basis of the barrier model of recombination at dislocations. Good aggreement between experiment and theory is obtained assuming that a dislocation forms a one dimensional energy band, the centre of which lies about 0.44 eV below the conduction band.
Some Peculiarities of Luminescence of Deformed Anthracene Crystals
Authors: Lisovenko V. A. , Shpak M. T. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that to each electronic‐vibrational band (the band width is 8 to 10 cm−1, T = 4.2°K) in the exciton luminescence (eigenluminescence) spectrum of a free anthracene single crystal there are corresponding doublets in the luminescence spectrum of thermally deformed monocrystalline films of anthracene (T = 4.2°K). One doublet component is polarized along the crystallographic axis b, and the other in the ac‐plane. Splitting of all electronic‐vibrational bands is ≈ 30 cm−1. It is assumed that it is possible to “induce” Davydov splitting of electronic‐vibrational bands in the luminescence spectrum of deformed anthracene crystals by thermal deformation.
Effective Masses in III‐V Compounds
Authors: Kołodziejczak J. , Żukotyński S. , Stramska H. 
Published: July 2007

AbstractThe problem of the valence band structure and effective masses in III‐V compounds is analysed. It is shown that the linear terms in the energy of heavy holes are of importance and cannot be neglected. The density‐of‐states effective mass of heavy holes is calculated as a function of the temperature and position of the Fermi level. The cyclotron‐resonance effective masses are also calculated for the limiting cases of heavy holes with low and high energies. The influence of the higher bands on the nonparabolicity of the conduction and light‐hole valence band is discussed. The effective mass of electrons and light holes as a function of concentration is calculated. The band parameters are determined by using the method proposed by Cardona [1].
Der Aufbau von Defektanhäufungen durch spontane Frenkelpaar‐Rekombination
Authors: Lück G. , Sizmann R. 
Published: July 2007

AbstractDie mit der Dosis zunehmende Anhäufung gleichartiger Defekte wurde für regellose Frenkelpaar‐Erzeugung in Modellrechnungen durch Bestimmung der Korrelationsfunktionen von Leerstellen‐Leerstellen (Zwischengitteratomen‐Zwischengitteratomen) und Leerstellen‐Zwischengitteratomen erfaßt.
On Dislocation‐Boundary Interaction in an Anisotropic Aggregate
Authors: Chou Y. T. 
Published: July 2007

AbstractThe elastic field of a screw dislocation near a boundary (grain, interphase or free boundary) is analyzed by using anisotropic elasticity theory. Exact analytical solutions are obtained for cases where the adjacent grains possess certain symmetry elements. The results are used to derive the image force on the dislocation.
Stresses in Thin Ni‐Films with Uniaxial Anisotropy
Authors: Gontarz B. , Ratajczak H. , Šuda P. 
Published: July 2007

AbstractMeasurements are made of linear stresses in Ni‐films deposited at angles of incidence of the vapour ranging from 0 to 80°, perpendicular (σx) and parallel (σy) to the plane of incidence. The stresses are found to increase for small angles and to decrease for angles above 20°. The stresses σy decrease more rapidly, and become negative above 60°. This dependence of the stresses on the angle of incidence of the vapour can be explained in terms of the anisotropy of the porosity.
Die Plastizität von Aluminium–Zink‐Legierungen I. Die Verfestigung bei verschiedenen Auslagerungsstadien
Authors: Haberkorn H. 
Published: July 2007

AbstractDie plastischen Eigenschaften von abgeschreckten Aluminium‐Zink‐Einkristallen im Konzentrationsbereich von 3 bis 9 At% Zn wurden in Abhängigkeit von der Vorauslagerung bei Raumtemperatur untersucht. Während die bei 77 °K gemessenen Verfestigungskurven ähnlich wie bei Aluminium drei Bereiche (1 bis 3) unterschiedlicher Verfestigung aufweisen, bestehen bei Raumtemperaturverformung größere Unterschiede gegenüber dem reinen Metall. Die Verfestigungsparameter τ0, ε2 und τ3, hängen von der Legierungskonzentration und von der Größe der während der Vorauslagerung gebildeten kohärenten Partikel (Guinier‐Preston‐Zonen) ab.
Surface and Volume Decay of the Concentration of Photoexcited Holes in Silver Bromide
Authors: Georgiev M. 
Published: July 2007

AbstractThe technique of detecting mobile holes developed by Malinowski and Süptitz, and the relations derived for a spatially nonuniform pulse field are used to study the concentration decay of holes generated by a light flash in plate samples of silver bromide crystals. The method makes it possible to distinguish between decay processes in the bulk and near the surface of the sample.
On the Antiferromagnetism of α‐FeOOH
Authors: Dézsi I. , Fodor M. 
Published: July 2007

AbstractThe Mössbauer effect is measured in natural and synthetic α‐FeOOH samples in an attempt to resolve discrepancies between results reported in the literature. The present results indicate that the deviations can be explained by the presence of water in some of the samples. The Néel temperature is found to be (367 ± 2) °K. The measured temperature dependence of the Mössbauer effect suggests that the spin‐relaxation time in α‐FeOOH is of the same order as the lifetime of the 14.4 keV excited level in Fe57 in synthetic samples.
Modes de vibrations d'une chaîne atomique comportant un atome d'impureté
Authors: Champier G. , Janot C. , Deviot Et B. 
Published: July 2007

AbstractLe défaut de masse, le défaut de constante de force et l'amplitude du déplacement de chaque atome sont analysés en fonctions harmoniques sur le réseau. Les composantes des deux premiers développements sont fixées par le modèle; celles du dernier sont les solutions d'un système d'équations linéaires et homogènes qui ne sont compatibles que pour certaines valeurs de la fréquence. On a ainsi calculé les fréquences et les déplacements de chaque atome d'une chaîne atomique avec un atome d'impureté. On a retrouvé en particulier les modes localisés déjà obtenus par d'autres auteurs utilisant les fonctions de Green.