bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Advances in theoretical crystallography. Color symmetry of defect crystals
Authors: Koptsik V. A. 
Published: July 2007

AbstractThe compound (color) groups of symmetry of defect crystals are defined for the first time as subgroups of the wreath product, G(W) = WG ⊆ PsG = (Pg1 ⊗ … ⊗ Pgn) (S) G of two groups, G and P, acting in geometrical and physical subspaces of the matter space, respectively. This definition encloses all the cases of color symmetry that have so far been considered by Heesch; Shubnikov; Belov et al.; Zamorzayev; nan der Waerden et al.; Niggli; Wittke ans other authors. It opens wide new possibilities in the field of physical applications of the group theory. The methods of constructing compound groups and their correspondence to the symmetry of real crystals are discussed in detail. Among the physical applications of the generalized theory there are considered the magnetic symmetry of crystals, the complex symmetry of reciprocal (or Fourier) space, the Mössbauer symmetry of crystals with hyperfine structure of nuclei, the color symmetry of crystal lattices with point defects and the symmetry of crystal growth forms.
Oriented growth of whiskers of AIIIBV compounds by VLS‐mechanism
Authors: Givargizov E. I. 
Published: July 2007

AbstractThe oriented growth of GaAs, GaP, InAs and GaInAs whiskers on the same (GaAs, GaP) or different (InAs/GaAs, GaInAs/GaAs) substrates was studied. A detailed morphological study of GaAs whiskers on polar A(III), B(111) and non‐polar (001), (011) substrates was performed. The growth conditions for ordered (perpendicular to substrate) growth on the A(111) and B(111) faces were determined. There were found discrete spectra of whisker systems on all substrates with the preferential growth of “arsenic” B{111} faces. The dependence of the growth rate on the whisker diameter is typical for the vapour‐liquid‐solid (VLS) mechanism and is used for the determination of kinetic coefficients for polar faces. There was observed a periodic instability in growth of InAs and GaInAs whiskers.
Phase equilibria in the Ga–P system. Calculation of activities and vapour pressures using a simple asymmetrical solution model
Authors: Knobloch G. 
Published: July 2007

AbstractKRUPKOWSKI'S expression of activity coefficients has been applied to the liquid binary mixed phase of Ga–P. An interaction parameter of α = 1909 – 4.107 T and an asymmetry coefficient of m = 1.448 were determined from liquidus data and an entropy of fusion of GaP of 16.8 e.u. per mole at 1743 K. The activity coefficient of phosphorus along the liquidus curve shows a minimum at xP = 0.032. There is an excellent agreement between calculated and experimental activities and vapour pressures over the whole controllable range of concentrations of the liquid phase. A total phosphorus pressure of 30.8 atms was calculated for the melting point of GaP.
The precipitation of alkaline‐earth metal and transition metal oxalates from aqueous solution. Induction periods and nucleation rates
Authors: Packer A. , Chauhan P. 
Published: July 2007

AbstractThe precipitation of magnesium, calcium, strontium and barium oxalates and of manganous, ferrous, cobalt, nickel and copper oxalates was studied from equivalent aqueous solutions at 22°C: the initial overall concentrations (C) generally varied from 0.001 to 0.2 M and the saturation ratios (Smox) varied from <10 to >3000. The induction periods before the main growth surge were measured and nucleation rates were determined from final crystal numbers and induction periods. Precipitation occurred through homogenous nucleation: the critical nuclei in supersaturated alkaline‐earth metal oxalate solutions were formed by aggregation of 6–8 M++Ox− ion‐pairs while the critical nuclei in supersaturated transition metal oxalate solutions were formed by aggregation of 6–8 MOx complexes (to units of 3–4 M++MOx2− ion‐pairs). Over the range studied, the nucleation rates then varied with saturation ratios according to the relation,
equation image
Nucleation rates at any saturation ratio decreased in the order Mg > Sr, Ba > Ca and Fe > Mn > Co, Cu > Ni; that is, generally in the order of increasing M++–Ox− and M++–MOx2− bond strengths and increasing surface energies of the metal oxalate crystals.Induction periods decreased with increasing‐concentration and saturation ratio; over
equation image
The factors tC1 and tS1 depended in turn on the ‘rate constants’ for nucleation and growth during the induction periods and on metal oxalate solubilities.
Prospective evaluation of the use of various materials as matrices for active elements of lasers
Authors: Arsenev P. A. , Kamensky E. I. , Potyemkin A. V. 
Published: July 2007

AbstractMethods of prospective evaluation of the use of various materials as active elements for quantum generators for certain applications are considered. The way of evaluation for all kinds of dielectric crystal lasers with respect to optical quantum generators, applicable in technical designs is given. The influence of material properties on the prospective technical use is considered. The results are summarily analyzed.
Die mittlere quadratische Auslenkung der Atome und der Nachweis eines statischen Verzerrungsanteils in Al1–xGaxAs mit Röntgenbeugungsmethoden
Authors: Brühl H.‐G. 
Published: July 2007

AbstractDie mittlere quadratische Auslenkung der Atome im Al1–xGaxAs Mischkristall (x = 0,16) wurde bestimmt durch die Messung der integralen Reflexintensitäten von polykristallinem Material bei Zimmertemperatur. Die röntgenografische Debye‐Temperatur des Mischkristalls wurde ermittelt. Die mittlere quadratische Auslenkung der Al‐Atome ist kleiner als die der Ga/As‐Atome im Mischkristall.
The precipitation of basic nickel carbonate powders from aqueous solution. Crystallite numbers, composition and final sizes
Authors: Packter A. , Uppaladinni S. C. 
Published: July 2007

AbstractThe precipitation of basic nickel carbonate hydrates was studied from nickel sulphate solutions (concentrations 0.05 M to 1 M) at 96°C, by addition of sodium carbonate, bicarbonate‐carbonate and bicarbonate solutions. Precipitate compositions were determined by chemical analysis, thermogravimetric analysis, differential calorimetry and i.r. spectrophotometry; approximate final crystallite sizes and numbers were estimated from combined sedimentation and porosity measurements on precipitate aggregates.Nucleation, and then crystal growth, started after some ‘critical pH’ pH = 7.05 to 7.67 (at CO3−−/Ni++ ratio = 0.08–0.12); the solution pH then remained constant (until the CO3−−/Ni++ ratio = 0.8) and then rose to some final value. Nucleus numbers, and thence final crystallite numbers, decreased with increasing bicarbonate content of the precipitating solution and decreasing pH.Precipitate compositions did not vary significantly with reacting ion concentrations but the Ni(OH)2/NiCO3 ratios decreased from 2 to 1.4 with decreasing pH: thermal analysis and i.r. spectrophotometry confirmed that the final precipitates were mixtures of olated nickel carbonates and not nickel carbonate‐nickel hydroxide mixtures.Final crystallite sizes of the precipitates from 1 M solutions varied approximately from 0.095 to 0.14 micron, for the above pH range.
Investigations of positron‐annihilation rate in semimetals
Authors: Wagner N. , Brümmer O. , Andreeff A. , Brauer G. 
Published: July 2007

AbstractThe annihilation rates of thermalized positrons in the semimetals bismuth and antimony were measured. We found that the different rates were not based on the various conduction‐electron densities. However, excellent agreement with experimental results was achieved by taking into consideration many‐body effects in a random phase approximation.
Thermoelastische und elastische Eigenschaften des tetragonalen Quecksilberdijodids
Authors: Haussühl S. , Scholz H. 
Published: July 2007

AbstractAlle elastische Konstanten cij und thermoelastische Konstanten Tij = d log cij/dT (T Temperatur) des tetragonalen HgJ2 wurden mit Hilfe von Ultraschallmethoden an Einkristallen gemessen, die aus der Dampfphase mit der Methode der dynamischen Gradientenumkehr gezüchtet worden waren. HgJ2 weist starke elastische Anisotropie‐Effekte auf, die sich qualitativ aus der Struktur deuten lassen. Die Temperaturabhängigkeit der elastischen Konstanten ist geringer als erwartet. Lediglich die sehr kleine Scherkonstante c66 sinkt beträchtlich mit wachsender Temperatur. Dieses Verhalten dürfte mit der bekannten Phasenumwandlung bei 126°C zusammenhängen.
Triglycine sulphate single crystals growing doped with copper and cobalt ions and study of their dielectric properties
Authors: Tsedrik M. S. , Kravchenya E. M. 
Published: July 2007

AbstractGrowing conditions for TGS single crystals doped with Cu or Co ions are given in a table. ε and tg δ values in growth pyramids depend on crystal growing temperature and the incorporated impurity: Cu2+ ions increase the temperature hysteresis of the dielectric permeabilty. Incorporation of Cu2+ and Co2+ ions considerably decreases the difference in the values ε at 25°C in crystals grown at different temperature.
Dielectric losses of alkaline earth doped KCl and NaCl crystals containing z centers
Authors: Pozniak J. , Mariani E. , Machovič L. 
Published: July 2007

AbstractResults of measurements of the temperature dependence of dielektric losses (tan δ) in KCl:SrCl2, KCl:CaCl2 and NaCl:CaCl2 samples after electrolytic coloration, after F → Z1 conversion and Z1 → Z2 conversion are reported. In agreement with Rosenberger‐Lüty model, Z1 centers display dipolar character due to the presence of the ordinary Me2+‐cation vacancy dipole with adjacent F center. The changes of tan δ after Z1 → Z2 conversion point to the release of a free cation vacancy from the former dipole.
Preparation of highly pure iron by vapour deposition
Authors: Weise G. , Owsian G. 
Published: July 2007

AbstractHydrogen reduction of ferrous chloride performed at a hot iron wire results in highly pure iron in the form of polycrystalline rods. The effects of the mixture ratio hydrogen/ferrous chloride and the deposition temperature on the yield and the supersaturation on the type of iron deposition are discussed. The highly pure iron rods produced by vapour deposition have a theoretical density of 7.875 g/cm3. The high purity is demonstrated by a coercivity Hc of 0.01 oersted and a residual resistivity ratio R293°K/R4.2°K of 3 × 103. The purity of this iron is higher than that of repeatedly zone‐melted electrolytic iron and comparable to that of zone‐melted iron prepared from chemically purified iron powder.
Strukturuntersuchung Al‐dotierter Ni/Cr‐Schichten und Untersuchungen zur Legierungsbildung des Al‐Zusatzes zur Dotierung mit der Legierung 80Ni‐20Cr
Authors: Schippel E. 
Published: July 2007

AbstractDer TK des elektrischen Widerstands von durch Sublimation aufgedampften Ni/Cr‐Schichten (>100 Ω/□ bis etwa 2 k Ω/□) wird durch eine Dotierung der Schicht mit Aluminium auf Werte um Null gesenkt. Nach den Elektronenbeugungsuntersuchungen sind in dieser Schicht drei Phasen im Ansatz enthalten, die γ–γ′‐Phase [Ni3(Cr, Al)], die α‐Phase (Cr) und NiCr2O4. — Der Al‐Zusatz zur Dotierung der Ni/Cr‐Schicht zeigt eine unterschiedliche Legierungsbildung mit dem Draht (2 mm ∅︁) der Legierung 80Ni/20Cr. Ursache der schlechten Legierungsbildung ist das Auftreten einer zusammenhängenden Cr‐Ausscheidung als Sperrschicht bei zu starker Reaktion des Aluminiums bei der Bildung einer intermetallischen Ni/Al‐Phase.
Composition, microstructure and mechanical properties of chemically vapour‐deposited tantalum
Authors: Jerreat D. J. , Rawlings Rees D. 
Published: July 2007

AbstractThe paper reports the results of a structural investigation of C.V.D. tantalum, which had been deposited on a silica substrate. Deposits at 1000°C were high impurity powders or flakes, at 1100°C (normal deposition temperature) foil‐like, these containing much lower silicon contents, being concentrated near the substrate and coming from there by diffusion. The overall silicon content is reported to be due to other kinds of mass transport (i. e. vapour phase transport) and reactions (e.g. Ta with quartz). — Details on the structure and hardness of the Ta layers are given.
Zum Reflexionsvermögen und Polarisationsverhältnis bei der Röntgenstrahlbeugung am Realkristall (II). Beugungstheorie für das Mosaikblockschichten‐Modell
Authors: Stephan D. , Löschau W. 
Published: July 2007

AbstractIm Teil I dieser Arbeit wurde gezeigt, daß die Ergebnisse einer theoretischen Behandlung der Röntgenstrahlbeugung am Realkristall beliebiger Versetzungsdichte in einem Mosaikblockschichten‐Modell die experimentellen Befunden weitgehend erklären können. In diesem Teil wird nunmehr eine Herleitung und Diskussion der im Teil I benutzten Formeln für den symmetrischen Bragg‐Fall gebracht.
On the possibility of formation of a stable hardened subsurface layer in α‐Al2O3 crystals
Authors: Govorkov V. G. , Berezhokova G. V. , Stepantsov E. A. 
Published: July 2007

AbstractReversibility of the microhardness anisotropy and formation of a stable hardened subsurface layer under the influence of gaseous atmosphere during high temperature annealing was investigated.
The precipitation of barium chromate from aqueous solution (with rapid mixing): Kinetics of the crystal growth
Authors: Packter A. 
Published: July 2007

AbstractThe kinetics of precipitation of barium chromate from well‐stirred aqueous solutions of initial solute concentrations C0 = 0.0001 to 0.0010 M (supersaturations 8 to 80) was studied at 25 °C by conductivity measurements and chemical analysis. Nucleation occurred during induction periods and regular crystal growth then took place onto the crystallites formed during the induction periods. The crystal growth was rate‐controlled, in this range, by the rate of deposition of metal salt ions onto the growing crystal surfaces. This rate, at any time, then depended on both the overall surface area (At) and on the residual excess solute concentration (ΔCt) in solution according to the relation,

the growth rate expressed in terms of degree of crystallisation was then

The rate constant (Kα) for the crystallisation of barium chromate at 25 °C was 1.5 106 sec−1 M−2.
Geschwindigkeitsoszillationen beim Wachstum aus der Schmelze mit komplizierten Erstarrungsflächen
Authors: Jurisch M. , Barthel J. , Neumann W. 
Published: July 2007

AbstractAusgehend von einem früher beschriebenen Modell wird für eine Wachstumsfront mit relativem Maximum unter den Bedingungen des rauhen Wachstums die Oszillation der Erstarrungsgeschwindigkeit berechnet, die sich bei der Züchtung unter Rotation in einem zur Rotationsachse unsymmetrischen Temperaturfeld ergibt. Es werden insbesondere die Besonderheiten im Geschwindigkeitsfeld und der Anordnung der daraus resultierenden Wachstumsstreifen besprochen.
Zum Nachweis von Sauerstoff in Mikrobereichen von versetzungsfreien Czochralski‐Silizium‐Einkristallen
Authors: Gaworzewski P. , Hähle S. , Riemann H. 
Published: July 2007

AbstractNach einer mehrstündigen Wärmebehandlung von versetzungsfreien sauerstoffreichen Czochralski‐Si‐Einkristallen bei 1000°C lassen sich mittels Sirtl‐Ätzmittel züchtungsbedingte Inhomogenitäten anätzen. Es wird gezeigt, daß die Ausbildung dieser Kristallbaufehler durch Wärmebehandlung in engem Zusammenhang mit dem Sauerstoffgehalt für Konzentrationen ≧ 3,5 · 1017 cm−3 steht. — Untersuchungen an verschiedenen Si‐Einkristall‐Chargen und an verschiedenen Orten der Si‐Proben ergaben, daß kein allgemeiner quantitativer Zusammenhang zwischen Ätzgrubendichte und Sauerstoffkonzentration besteht. Die Ausbildung von Ausscheidungen aus übersättigten Lösungen von Sauerstoff im Silizium wird nicht allein von dessen Konzentration, sondern auch von Art und Konzentration der Nukleationszentren bestimmt. Die verwendete Temper‐/Ätztechnik ist als einfaches Verfahren bei der Kristallcharakterisierung und zur Ergänzung von quantitativen Verfahren zur Sauerstoffbestimmung in Si‐Einkristallen einsetzbar.
Zur Integration der Grundgleichungen für bewegte Eigenspannungsquellen in kubischen Kristallen
Authors: Maschke H. , Frischbier R. 
Published: July 2007

AbstractAuf der Grundlage eines Ansatzes zur Entkopplung des Differentialgleichungssystems für den Gesamtverschiebungsvektor werden Integrale der Grundgleichungen der Versetzungstheorie angegeben. Mit Hilfe dieser Integrale vermag man der elastischen Anisotropie kristalliner Stoffe auch dann Rechnung zu tragen, wenn zeitabhängige Zustände betrachtet werden. — Die Entkopplung gelingt im Falle ebener Verzerrungen für Vorgänge beliebiger Zeitabhängigkeit in kubischen oder hexagonalen Kristallen unter Berücksichtigung allgemeinster plastischer Distorsionen. Auf ihrer Grundlage wird es möglich, für stationäre Fälle die Hilfsmittel der Theorie komplexer Funktionen heranzuziehen.
Structure parameters in mixed liquid crystals (I). Layer thickness of the smectic mixed phases B in the binary system of ethyl‐4‐(4‐ethoxy‐benzylidene‐amino)‐cinnamate and terephthylidene‐bis‐(4‐n‐butyl‐aniline)
Authors: Nasta L. , Diele S. , Sackmann H. 
Published: July 2007

AbstractThe thickness of the smectic layers in binary liquid crystalline mixed phases of the phase type B are measured in dependence on the concentration. Both components have different B‐phase structures. In the part of the binary system with a smectic polymorphism BA the long molecular axes are perpendicular to the layer planes. If the polymorphism is changed by the appearance of a mixed phase of the type C, i.e. the smectic polymorphism BCA exists, there occurs a transition into the B‐phase structures with tilted axes, the tilt angle of which is changed continuously with the concentration.
Plastische Verformung von Siliziumeinkristallen unterschiedlicher Ausgangsversetzungsdichte im Streckgrenzenbereich
Authors: Doerschel J. , Kirscht F.‐G. , Baehr R. 
Published: July 2007

AbstractMittelorientierte ZF‐Siliziumkristalle — versetzungsfrei und mit eingewachsenen Versetzungen (EPD0 = 6,5 · 104 cm−2) — wurden in Kompression im Temperaturbereich 1120 … 1300 K bis zur unteren Streckgrenze dynamisch verformt. Die Untersuchung der Versetzungsstruktur plastisch deformierter Kristalle (T = 1138 K; a0 = 1,45 · 10−4 s−1) erfolgte mittels Ätztechnik und Höchstspannungselektronenmikroskopie.Beide Materialien zeigen wesentliche Unterschiede sowohl im Verformungsverhalten als auch in der sich ausbildenden Versetzungsstruktur. Charakteristisch für das versetzungsfreie Ausgangsmaterial sind (1) der inhomogene Verformungsablauf im Bereich der oberen Streckgrenze sowie (2) eine höhere Gesamtversetzungsdichte und ein größerer Anteil sessiler Lomer‐Versetzungen an der unteren Streckgrenze im Vergleich zum versetzungsbehafteten Kristall.Die gemessenen Spannungen werden mit den aus Strukturdaten auf Basis der Plastizitätstheorie diamantähnlicher Halbleiter berechneten Werten verglichen.
The Search for Prospective Media for the Application as Active Laser Elements
Authors: Arsenev P. A. , Bagdasarov Kh. S. , Senff I. , Potemkin A. V. 
Published: July 2007

AbstractOn the basis of an earlier methodology for assessing the quality of laser materials wellknown chemical compounds are considered and among them emphasis is given to those, the single crystals of which can successfully be used as active media in solid‐state lasers. Possible directions of the search for new chemical compounds are shown, the single crystals of which can without doubt be expected to be of interest for quantum electronics.
Untersuchungen zur Entmischungskinetik von AlZnMg‐Legierungen mittels isothermer E‐Modul‐Messungen
Authors: Jürgens G. , Kempe M. , Löffler H. 
Published: July 2007

AbstractIsotherme Untersuchungen des Zeitverhaltens des E‐Moduls (Y) an mehreren AlZn (2,4; 3,0 und 6,0 At.‐%) Mg(x)‐Legierungen zeigten, daß bereits im frühen Entmischungsprozeß ein Maximum und ein Minimum von Y auftritt. Der Guinier‐Radius (rLG) ist in diesem Stadium kleiner als 10 Å und damit viel niedriger als der von anderen Autoren im Y‐Minimum binärer AlZn‐Legierungen gemessene (rLG ∼ 33 Å). Deshalb sollten das in den AlZn‐Legierungen gefundene Minimum und die in den hier untersuchten AlZnMg‐Legierungen beobachteten Extrema andere physikalische Ursachen haben. Der anfängliche Anstieg von Y sollte wesentlich durch die Anlagerung von Mg‐Atome an Versetzungen bedingt sein (Verminderung der Versetzungsbeweglichkeit). Das Y‐Maximum und der nachfolgende Abfall ist wahrscheinlich durch den Clusterungsprozeß verursacht (Ausbildung von Gitterverzerrungen). Die Wanderungsenergien, die aus der Analyse des Y‐Maximums fließen, lassen sich unter der Voraussetzung erklären, daß im Anfang der Alterung die Cluster wesentlich durch die Diffusion von ZnV‐Paaren gebildet werden, während die Mg‐Atome hauptsächlich als Leerstellenfallen wirken.
Zum Nachweis von Versetzungen in β‐Kupferphthalocyanin‐Einkristallen
Authors: Hamann C. , Kersten F. 
Published: July 2007

AbstractFür den Nachweis von Versetzungen in β‐Kupferphthalocyanin‐Einkristallen wurde eine Ätztechnik entwickelt und angewandt. Unter Berücksichtigung des zu erwartenden Versetzungsgehaltes und der Symmetrie der Gruben werden praktisch symmetrische Gruben auf den {201}‐ und {001}‐Flächen auf [010]‐Stufenversetzungen mit (001)‐ bzw. (201)‐Gleitebenen und unsymmetrische Gruben sowohl auf {001} als auch auf {201} auf [010]‐Stufenversetzungen mit (100)‐ und (101)‐Gleitebenen zurückgeführt. Die Versetzungsdichte auf Wachstums‐ und Spaltflächen liegt in der Regel unter 100 cm−2. Das Auftreten von [010]‐Schraubenversetzungen wurde nicht nachgewiesen, kann jedoch nicht ausgeschlossen werden.
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Verformungsmikrostruktur eines ferritischen Stahles
Authors: Niederhoff L. , Veit P. , Stroppe H. 
Published: July 2007

AbstractDie Beziehung zwischen der Versetzungsstruktur und der plastischen Deformation eines kohlenstoffarmen Stahles wurde bei Raumtemperatur untersucht. Die Analyse der Ergebnisse zeigte, daß die Versetzungszellstruktur ein sehr wichtiger Parameter der Verformungsmikrostruktur ist. Es wurde ein Zusammenhang zwischen der plastischen Deformation und der Versetzungsdichte gefunden, der mit einem Versetzungsmodell beschrieben wird.
Precipitation of magnesium hydroxide
Authors: Söhnel O. , Mareček J. 
Published: July 2007

AbstractMg(OH)2 was precipitated from MgCl2 and NaOH solutions in a continuous agitated reactor and the effects of the solutions concentration, residence time of suspension in the reactor and stoichiometric ratio of the reacting components on the properties of Mg(OH)2 were studied. The properties of the resulting suspension were evaluated on the basis of its filtration resistance α as determined by a filtration test. The value of α is inversely proportional to mean residence time of the suspension in the reactor and it depends, at the same time, on the ratio of concentration of the precipitated solutions γ = [MgCl2]/[NaOH]. A critical value of γ can be assessed for a continuous reactor and when this value is exceeded a comparatively well filtering suspension with α ≦ 1012 m · kg−1 is always obtained. The relationship between α and the parameters of the precipitation process was expressed quantitatively within the framework of the exiting theories.
Anomalien der physikalischen Eigenschaften von Sb2Se3‐Kristallen
Authors: Grigas J. , Kindurys A. , Meschkauskas J. , Orliukas A. , Urbonawitschius V. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit, der komplexen Mikrowellendielektrizitätskonstante, der Doppelbrechung und der Breite der verbotenen Zone der Sb2Se3‐Einkristalle dargestellt. Im Temperaturbereich 400–430 K besitzen diese Parameter Anomalien, die auf einen unscharfen Phasenübergang hinweisen.