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Conduction Phenomena in Si‐SiO2‐Al Structures
Authors: Forlani F. , Minnaja N. 
Published: July 2007

AbstractA method is described for studying electrons which are field‐emitted from a semiconductor into a dielectric film. The external electrodes are Si and Al, and the dielectric film is thermally grown silicon dioxide. The thickness of the SiO2 is about 180 Å. For these Si—SiO2—Al structures, capacitance characteristics are measured at room temperature, and conduction measurements are made at temperatures ranging from that of liquid nitrogen to about 100 °C. From these measurements the conduction laws are deduced, by distinguishing four regions of forward conduction and two regions of reverse conduction.
Eine neue Methode zur Herstellung verformungsfreier Einkristall‐Zugproben hochschmelzender Metalle und einige Ergebnisse über de plastische Deformation von Niob‐Einkristallen
Authors: Votava E. 
Published: July 2007

AbstractA new method is described for the direct production of strain‐free (tensile) specimens of high melting‐point metals by electronbeam zone‐melting. Measurements of the purity of such crystals show that purification occurs mainly by the evaporation of impurities, accompanied by a relatively small zone‐melting effect.Tensile tests on niobium single crystals, prepared in this way, show that the plastic properties depend strongly on orientation. Thus, for the three corner‐orientations, the <100>‐orientation has the highest U.T.S. and the highest uniform and total elongation, and also shows a two‐step work hardening rate. The <110>‐orientation has only a one‐step, but steep, work hardening rate. For the 〈111〉‐orientation no uniform type of curve could be found: this orientation shows the effect of “repeated work softening”.For orientations inside the stereographic triangle the development of an “easy glide” range is observed. This range is, however, somewhat different according to whether the crystal axes are shifted from the <100>‐ or <110>‐orientation. The “easy glide” range is followed by appreciable work‐hardening, and in a later stage by a recovery range. The centre of the “easy glide” range seems to lie near the 〈123〉‐orientation.All, the niobium single crystals investigated show pronounced yield points, the yield‐point drop depending on the orientation and perfection of the crystal. The 〈111〉‐orientation has the smallest, and the 〈110〉‐orientation the largest yield‐point drop. In addition a tendency is observed for large yield‐point drops to occur along the line 〈110〉–〈112〉.These results are discussed with regard to the possible active slip planes; the observed yield‐point effects are explained by the behaviour of dislocations between the upper and lower yield points.
Die Anregung von Scherschwingungen im NaClO3‐Einkristall mit Hilfe eines magnetischen Hochfrequenzfeldes
Authors: Götz H. 
Published: July 2007

AbstractIm magnetischen Hochfrequenzfeld der Schwingkreisspule einer Autodynanordnung wurden zwischen 23 und 30 MHz and NaClO3‐Einkristallen höhere Harmonische von Scherschwingungen gemessen. In Übereinstimmung mit den Meßergebnissen konnten die Frequenzen dieser Kristallschwingungen aud den Abmessungen der Einkristallquader berechnet werden. Die Anregung solcher Scherschwingungen im magnetischen Hochfrequenzfeld erfolgt über den piezoelektrischen Effekt und kann unter Zugrundelegung der zweiten Maxwell‐Gleichung verstanden werden.
Definition and Use of Ferromagnon Annihilation Operators in the Bloch‐Dyson Theory of Ferromagnons
Authors: Praveczki E. 
Published: July 2007

AbstractBy generalizing the Pauli‐operators, within the framework of Dyson's theory, ferromagnon annihilation operators are introduced. Using these operators the magnetization is determined for general S. The theory includes the kinematic interactions exactly, and the dynamic interactions are treated to various degrees of approximation. It is established that at low temperatures the dynamic interactions appear in the form of a term of order 𝔤4, while the kinematic interactions contribute a term of order 𝔤3 for S = 1/2, and of higher order than 𝔤4 for S > 1/2.
Photoconductivity in Ag2O
Authors: Fortin E. , Weichman F. L. 
Published: July 2007

AbstractThe spectral distribution of photoconductivity in Ag2O was measured on samples prepared in three different ways. The photoresponse was found to depend on the mode of preparation of samples and on previous light exposure. Samples prepared by pressing Ag2O powder against a cellulose backing showed a photoconductive peak around 0.9 μm, while thin Ag2O layers prepared by cathodic sputtering of silver in an oxygen atmosphere behaved like the ideal photoconductors: flat response in the visible and exponential decrease from 0.8 μm to longer wavelengths. Some infra‐red optical absorption and electrical conductivity measurements were also made. The results are compared to the behaviour of Cu2O, silver oxide's only structural analogue.
Electron Microscope Transmission Images of Coherent Domain Boundaries II. Observations
Authors: Gevers R. , Delavignette P. , Blank H. , van Landuyt J. , Amelinckx S. 
Published: July 2007

AbstractIn part I of this paper the dynamic two‐beam theory of domain fringes was developed. In the present paper the properties of the fringe patterns, derived in part I, are observed and illustrated by means of examples. In particular, fringes resulting from ferroelectric domain‐walls in barium titanate, and anti‐ferromagnetic domain‐walls in nickel oxide, are discussed in detail. It is shown how from the nature of the first and last fringes, and a knowledge of the diffraction vector, the geometry of the domains on both sides of the domain wall can be deduced. In the case of barium titanate this procedure gives the direction of the tetragonal axes in both domains. In nickel oxide the directions of the contractions due to ferromagnetic ordering can be deduced. In niobium, domains can be produced by the insertion of gaseous interstitial impurities, which leads to a small deformation of the niobium matrix. The walls between such domains show the same type of fringes. Also the fringe patterns observed by Fourie et al. at twins in tin are discussed. Finally some numerical calculations based on the exact analytical expressions are compared with the observations and also with the approximate analytical treatment given in part I.
Interaction du champ de rayonnement avec les vibrations de réseau aux points critiques de la zone de Brillouin du silicium
Authors: Balkanski M. , Nusimovici M. 
Published: July 2007

AbstractLes règles de sélection pour les transitions dont le résultat est la création ou l'annihilation de phonons ont été déduites par des considérations de théorie des groupes dans le cas du silicium en tenant compte des points critiques prévus par le théorème de Morse.Les spectres d'absorption infra‐rouge ont été expérimentalement déterminés et des bandes d'absorption ont été trouvées pour des fréquences en bon accord avec celles prévues par la topologie et la théorie des groupes.
Photospannungen in Photoleitern I. Allgemeiner Ausdruck
Authors: Ruppel W. 
Published: July 2007

AbstractEs wird ein Ausdruck für die über der Raumladungs‐Randschicht eines Photoleiters bei Belichtung eingeprägte Photospannung abgeleitet, in den nur die Majoritätsträger‐ und Minoritätsträger‐Konzentrationen an den Rändern des belichteten Gebiets und im thermischen Gleichgewicht sowie die Beweglichkeiten beider Trägersorten eingehen. Über die Größe der Trägerkonzentrationen im Dunkeln oder bei Belichtung wie auch über die Größe der Lebensdauern beider Trägersorten werden keine einschränkenden Annahmen gemacht. Es wird jedoch vorausgesetzt, daß sich die Konzentrationsverteilungen als Summe einer Boltzmann‐Verteilung und eines ortsunabhängigen Terms schreiben lassen. Die physikalische Bedeutung dieser Annahme wird diskutiert.
Die Beziehung zwischen den Konstanten der thermischen Elektronenemission der metallischen Schichtkathoden
Authors: Christov S. G. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Bedingungen für eine theoretische Begründung der empirischen Beziehung log A′ = a + b χ′ zwischen den Richardson‐Konstanten A′ und χ′ untersucht. Diese Beziehung läßt sich 1. aus der Abhängigkeit der wahren Austrittsarbeit von der Temperatur und der Oberflächenbedeckung mit Fremdatomen und 2. aus der Abhängigkeit der mittleren Durchlässigkeit des Potentialbergs in der Doppelschicht von der Konzentration der (elektropositiven) Adatome ableiten. Zum Schluß wird eine verallgemeinerte Herleitung gegeben.
Zur latenten Verfestigung in Kupfer‐Einkristallen
Authors: Krisement O. , de Vries G. F. , Bell F. 
Published: July 2007

AbstractAn Kupfer‐Einkristallen wurde die latente Verfestigung des Quergleitsystems QP in Abhängigkeit von der Verfestigung im primären System PQ bei konstanter Ausgangsorientierung untersucht. Es ergaben sich im wesentlichen zwei Ergebnisse: 1. Die latente Verfestigung des Quergleitsystems ist stets größer als die des primären Systems. 2. Die Schubspannungs‐Abgleitungs‐Kurve des Quergleitsystems zeigt einen Anfangsteil mit einem linearen Verfestigungsanstieg, der wesentlich geringer ist als der des primären Systems PQ. Die Ergebnisse werden mit Hilfe der Versetzungstheorie diskutiert.
Versetzungsstrukturen an aufgedampftem Kupfer auf unberührten Kupferkristallen
Authors: Krause G. , Menzel‐Kopp Chr. , Menzel E. 
Published: July 2007

AbstractKupfer wurde aufgedampft auf unberührte Kupferkristalle. Die Epitaxie dieser wenige Atomlagen dicken Schicht wurde mit Elektronenbeugung untersucht. Auf den Oktaederpolen der kugelförmigen Kristalle entsteht durch Temperung eine Überstruktur. Diese wird gedeutet als ein regelmäßiges Netzwerk von Schraubenversetzungen in der Kontaktfläche zwischen dem Grundkristall und einer gegen diesen um 4,7° verdrehten einkristallinen Deckschicht.
High‐Temperature Dielectric Constant of NaCl and KBr
Authors: Economou N. A. , Sastry P. V. 
Published: July 2007

AbstractA dispersion of the dielectric constant and associated dielectric loss has been observed in sodium chloride and potassium bromide at high temperatures and radio frequencies. Interpretation of the data in terms of the Debye theory of dipolar relaxation suggests that vacancy pairs are responsible for the phenomenon. The concentration of dipoles is, however, one or two orders of magnitude larger than the expected concentration of vacancy pairs.
Modifications of the Domain Structure of Barium Ferrite Single Crystals Under the Influence of a Magnetic Field
Authors: Rosenberg M. , Tanasoiu C. , Rusu C. 
Published: July 2007

AbstractThe modifications of the domain structure of barium ferrite single crystals, under the influence of an external magnetic field, are investigated. The modifications observed for all the four types of patterns characteristic of barium ferrite single crystals, are in favour of a domain structure model consisting of 18° domains magnetized in the two easy‐directions, without closure domains in the hexagonal planes. Planemetry of the areas of domains of opposite polarity gives an estimate of the magnetization of the samples for various values of applied field.
Effect of X‐Ray Irradiation on the Shape of the Dielectric Hysteresis Loop in Triglycine Sulfate
Authors: Rewaj T. 
Published: July 2007

AbstractModifications are observed in the shape of the hysteresis loop of triglycine sulfate [(NH2CH2COOH)3 · H2SO4] single crystals due to X‐ray irradiation. For radiation doses up to 13 Mr, and a. c. fields amplitude up to 35.2 kVcm−1, the characteristic double loop is always observed. Non‐uniform irradiation of the specimen is found to produce a distortion of the hysteresis loop which depends on the degree of non‐uniformity.
Paramagnetic Resonance of a Fluorine Centre in X‐Irradiated F19 Doped Beryllium Oxide Powder
Authors: Šroubek Z. , Novák L. , Žďánský K. 
Published: July 2007

AbstractElectron spin resonance of X‐irradiated, fluorine‐doped, BeO powder is studied. Two single resonances with g‐factors of 2.002 and 2.012, and a characteristic doublet resonance, are observed. The resonance doublet, which has a splitting of (760 ± 5) Oe, is presumed to be due to F2−and is absent in chemically pure BeO powder. These results can be explained on the basis of a model in which the magnetic electron is localized in the 3s orbital of F− and interacts with the adjacent Be nuclei. The possible environment of the fluorine atoms is discussed.
The Permittivity of Ferroelectric Ceramics Under d. c. Bias Fields
Authors: Güerci J. , Levialdi A. , Schoijet M. 
Published: July 2007

AbstractTransient variations of permittivity are observed when a d.c. field is applied or removed. The final steady‐state value of the permittivity under the applied d.c. field may be higher or lower than the initial, zero‐field, value, according to the magnitude of the applied field. An explanation is given in terms of a reversal of domains by the field.
Zur Bestimmung der Domänenstruktur von Ni‐Einkristallen aus Messungen der elektrischen Widerstandsänderung bei kleinen Magnetfeldstärken
Authors: Kronmüller H. , Buck O. 
Published: July 2007

AbstractDer elektrische Widerstand eines Ni‐Einkristalls, mit einer Stabachse parallel zur 〈111〉‐Richtung, wurde in Abhängigkeit von der Magnetisierung und der Meßtemperatur untersucht. Aus der Widerstandsänderung im longitudionalen Magnetfeld werden Rückschlüsse auf die Domänenstruktur und die Art des Magnetisierungsprozesses gezogen. Die Temperaturabhängigkeit der Widerstandsänderung legte es nahe, diese auf thermisch angeregte Spinwellen zurückzuführen.
Internal Friction Peaks in Cold‐Worked Nickel and Platinum in the Temperature Range of Stage III Recovery
Authors: Turner T. J. , de Batist R. 
Published: July 2007

AbstractEmploying a torsion pendulum, internal friction peaks are found in platinum (99.99% purity) and nickel (99.999% and 99.88% purity) following cold work at room temperature. These peaks are identified with stage III recovery. The value of τ0 associated with the dominant nickel peak is examined critically. Calculations of entropy changes and attempt frequencies lead to three possibilities for the relaxation process.
Spontane Remanenzmagnetisierung von CuNiFe‐Legierungen
Authors: Henkel O. 
Published: July 2007

AbstractNach einer feldfreien Abkühlung unterhalb 160 °K tritt an CuNiFe‐Legierungen im homogenisierten und abgeschreckten Zustand eine spontane Remanenzmagnetisierung auf, deren Grüße und Richtung von dem vor der Erwärmung angelegten Feld abhängt. Diese auch als Gedächtniseffekt bezeichnete Erscheinung kann durch Aushärtung und plastische Verformung beseitigt werden. Die spontane Remanenz wird nur in dem Vorstadium der wahren Ausscheidung, wo die Gitterkohärenz noch gewahrt ist, beobachtet.
The Effect of Dislocation Configuration on the Superconducting Properties of Niobium and Vanadium
Authors: Narlikar A. V. , Dew‐Hughes D. 
Published: July 2007

AbstractMagnetization measurements have been made on various annealed and cold worked niobium and vanadium specimens in the superconducting state. The microstructure of these specimens was studied by transmission electron microscopy. The observed variation in magnetization has been correlated with the dislocation configuration present in the material. The results are explained on the assumption that flux lines are trapped by an interaction with dislocation tangles, the interaction arising through a local reduction in the range of coherence.
Über den elektrischen Leitungsmechanismus von hexagonalen Selen‐Einkristallen
Authors: Stuke J. 
Published: July 2007

AbstractAn hexagonalen Selen‐Einkristallen wird die Änderung der Temperatur‐ und Spannungsabhängigkeit der Leitfähigkeit durch plastische Verformung untersucht. Im ohmschen Gebiet bei hohen Temperaturen nimmt dadurch die Leitfähigkeit zu, im spannungsabhängigen Gebiet bei tiefen Temperaturen dagegen ab. Aus Thermokraftmessungen ergibt sich, daß die Löcherkonzentration in erster Näherung bis −180 °C nicht von der Temperatur und auch nicht von der Beleuchtung abhängt. Bei einer Verformung nimmt die Konzentration dagegen proportional zur Leitfähigkeit bei 20 °C zu.Die verschiedenen Meßergebnisse lassen sich einheitlich deuten, wenn man in den Selen‐Kristallen Potentialschwellen annimmt, die für die Temperatur‐ und Spannungsabhängigkeit der Leitfähigkeit verantwortlich sind, und deren Höhen durch Lichteinstrahlung stetig verringert werden können.
Untersuchungen zur Polarisation der Exzitonen‐Annihilationsstrahlung in CdS‐Einkristallen
Authors: Goede O. , Gutsche E. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die spektrale Verteilung der Intensität der blauen Lumineszenzbande von CdS‐Einkristallen bei Anregung mit ultraviolettem Licht für die beiden Polarisationsrichtungen 𝔈 senkrecht und 𝔈 parallel zur c‐Achse zwischen 77 °K und 295 °K untersucht. Die Temperaturabhängigkeit der energetischen Lage der beiden Hauptmaxima und das Verhältnis χ der Maximalintensitäten für die beiden Polarisationsrichtungen wurden im angegebenen Temperaturbereich bestimmt. Ferner wurde die Winkelverteilung der Polarisation bei 90 °K gemessen. Es wird dargelegt, daß beide Banden der direkten strahlenden Annihilation von Eigen‐Exzitonen zuzuschreiben sind. Auf der Basis dieser Vorstellung werden die Meßergebnisse im einzelnen diskutiert.
Untersuchungen zu unterschiedlichen Lumineszenzmechanismen in verschieden aktiviertem Zinksulfid
Authors: Treptow H. 
Published: July 2007

AbstractAn Cu‐ und Ag‐aktiviertem Zinksulfid wurden die Form, Halbwertsbreite und Lage des Maximums der Emissionsbanden im Temperaturbereich von 100 bis 400 °K gemessen. Der Vergleich mit den Eigenschaften der Elektronenübergänge zwischen diskreten Termen und den Eigenschaften für Leitungsband‐Akzeptorterm‐Übergänge ergab, daß der langwelligen Emissionsbande bei Cu‐Aktivierung ein Term‐Term‐ und der Emissionsbande bei Ag‐Aktivierung ein Band‐Term‐Übergang zuzuordnen ist. Die Erklärung der Eigenschaften der kurzwelligen Emissionsbande bei Cu‐Aktivierung kann durch einen gemischten Band‐Term‐ und Term‐Term‐Übergang möglich sein.
The Domain Structure of Zn2−xCoxZ Single Crystals
Authors: Rosenberg M. , Tânâsoiu C. , Rusu C. 
Published: July 2007

AbstractThe domain structure of Zn2−xCoxZ (with x = 0; 0.5; 2) single crystals is investigated. The observed patterns indicate a gradual modification from a barium ferrite type structure (for Zn2Z), passing through a cobalt type structure (for Zn1.5Co0.5Z), to a new structure, characteristic of uniaxial single crystal. This structure has a preferred plane of magnetization (for Co2Z), consisting of a set of parallel domains separated by Bloch walls parallel to the hexagonal plane. All the observed domain structures are explained in terms of the domain theory and the dependence of magnetic anisotropy on composition.
Proposal for Semiconductor Laser with Wide‐Gap Emitters
Authors: Pčený T. 
Published: July 2007

AbstractAn estimate is made of the concentration of injected carriers necessary for inversion in p‐type GaAs, the known band structure being used. It is shown that an N‐p‐P structure with two wide‐gap emitters (N and P) can improve the injection efficiency to such an extent that almost whole the current flowing through the laser results in recombination in the inverted region. A system is proposed which, besides employing N‐p‐P structure, uses semiinsulating GaAs to reduce the junction area.
Untersuchungen des Fließbereichs neutronenbestrahlter Kupfereinkristalle. I. Elektronenmikroskopische und mechanische Untersuchungen an Proben vor und nach dem Anlassen
Authors: Schwink Ch. , Grieshammer G. 
Published: July 2007

AbstractElektronenmikroskopische Beobachtungen machen es sehr wahrscheinlich, daß bei vorsichtigem Anlassen die Zahl der Bestrahlungsfehler über 50 Å zunächst zunimmt und sich erst bei stärkerem Tempern langsam vermindert. Die Krümmung der Temperaturabhängigkeit der kritischen Schubspannung τ0, die von 77 °K bis 510°K gemessen wird, im τ‐‐T⅔‐Diagramm nichtangelassener Kristalle verschwindet mit dem Anlassen und kehrt sich dann sogar um. Es wird nahegelegt, letztere Krümmung unmittelbar mit der Dichteabnahme der Gleithindernisse in Zusammenhang zu bringen. Die Seegersche Theorie wird für diesen Fall modifiziert. Bei Raumtemperatur wächst τ0 nichtangelassener Proben nicht proportional zu In \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot \varepsilon $\end{document}, erst mit zunehmendem Tempern nähert man sich einer Beziehung Δτ0 ∼ In \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot \varepsilon $\end{document}. Die Berechnung einer Aktivierungsenergie U0 aus den Messungen erscheint nach den mitgeteilten Ergebnissen noch fragwürdiger als ohnehin bei der Durchsicht älterer Arbeiten. Lediglich die Zunahme von U0 mit dem Anlassen darf als weitgehend gesichert gelten.
Untersuchungen des Fließbereichs neutronenbestrahlter Kupfereinkristalle. II. Kinematographische Messung der Abgleitgeschwinidigkeit nichtangelassener und angelassener Proben
Authors: Schwink Ch. , Neuhäuser H. 
Published: July 2007

AbstractEs wird eine kinematographische Methode beschrieben, mit deren Hilfe es gelingt, die Abgleitgeschwindigkeit ȧ neutronenbestrahlter Cu‐Kristalle zu messen. Da die Abgleitung inhomogen erfolgt, ergeben sich für ȧ viel größere Werte als bei homogener Gleitung. Bei einer Bestrahlung von rund 2 × 1018 nvt (> 0,1 MeV) finden wir bei Zimmertemperatur ȧ = 1 bis 4 s−1, verglichen mit ȧ ≈︁ 5 × 10−4 s−1 bei Annahme homogener Gleitung. Unser Verfahren erlaubt es weiter, den Zusammenhang zwischen Abgleitgeschwindigkeit ȧ und Dehngeschwindigkeit \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot \varepsilon $\end{document} zu untersuchen. Wir finden eine lineare Beziehung zwischen diesen Größen, keine Proportionalität, wie bisher stets angenommen wurde. Dieses überraschende Ergebnis ermöglicht eine zwanglose Beschreibung der in Teil I mitgeteilten Messungen der Geschwindigkeitsabhängigkeit der kritischen Schubspannung. Alle mitgeteilten Messungen sind nur bei Zimmertemperatur durchgeführt worden.
The Influence of Plastic Deformation on Thermal Bleaching of Colour Centres in Potassium Chloride Crystals Irradiated by γ Rays
Authors: Damm J. Z. , Kowalczyk J. 
Published: July 2007

AbstractThe thermal bleaching of F centres in the temperature range between 106 and 185 °C is found to occur in plastically deformed KCl crystals as well as in non‐deformed ones. In both cases the activation energy of the process is found to be equal to 1.30 ± 0.02 eV per F centre. The bleaching mechanism is considered to arise from the diffusion of anion vacancies. The decrease of the bleaching rate in deformed material is tentatively explained by the increase of the mean “micrograin” diameter.
Investigations of the Possibility of Reducing the Thermionic Sensitivity Occurring in Composite Photocathodes
Authors: Heimann W. 
Published: July 2007

AbstractThe reduction of the thermionic emissivity of composite photocathodes of the Cs2O‐type is discussed in detail. Experiments are reported which achieve this result by surface treatment of a Rb2O‐substrate with Cs‐vapour. The thermionic emissivity can be reduced by at least two orders of magnitude while still maintaining good sensitivity in the infrared region. Conclusions are also drawn from the experiments with regard to the mechanism of the emission processes.
The Electron Microscopic Observation of Mechanical Twins in Indium
Authors: Remaut G. , Lagasse A. , Ameltnckx S. 
Published: July 2007

AbstractMechanical twinning in indium has been observed by using an electron microscope. The twinning elements are determined by selected — area diffraction; they are

No evidence is found for a pole mechanism for twinning; the observations suggest that on the contrary the Bell‐Cahn mechanism is operative. A brief comment is made on the origin of contrast at coherent twin‐interfaces. It is found that the contrast at lattice defects is considerably improved by cooling the specimen.