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Zur Deutung der Tieftemperatur‐Elektronenbestrahlung in Metallen. II. Kinetik der Crowdion‐Leerstellen‐Annihilation und der Erholungsstufe IE in Kupfer
Authors: Frank W. , Seeger A. , Schottky G. 
Published: July 2007

AbstractAls Modell für die Strahlenschädigung im Kupfer durch Elektronenbeschuß ist vorgeschlagen worden, daß metastabile Zwischengitteratome entstehen, die nur längs einer bestimmten Laufgeraden diffundieren können (Crowdionen). Diese Laufgerade enthält die Leerstelle, die die Crowdionen bei ihrer Erzeugung hinterlassen haben. In der vorliegenden Arbeit wird die Kinetik der Diffusion der Crowdionen zu diesen sowie den von anderen Crowdionen herrührenden, statistisch verteilten Leerstellen theoretisch behandelt. Außerdem wird berücksichtigt, daß die metastabilen Crowdionen zu Hanteln konvertiert werden können. Es wird gezeigt, daß die von Corbett und Mitarbeitern in Stufe IE beobachtete Erholungskinetik des bei der Elektronenbestrahlung von Kupfer erzeugten elektrischen Zusatzwiderstandes quantitativ durch die Überlagerung einer Annihilation frei beweglicher Crowdionen an Leerstellen mit einer Umwandlung von Crowdionen in Hanteln erklärbar ist. Die übrigen Unterstufen der Stufe I in elektronenbestrahltem Kupfer werden hauptsächlich durch die Rekombination eng benachbarter Hantel‐Leerstellen‐Paare verursacht. In Stufe ID dürfte außerdem das Ausheilen auf Grund ihrer Entstehung zusammengehöriger Crowdion‐Leerstellen‐Paare eine Rolle spielen.
Study of the Effect of an Electric Field on Trap Filling in CdS Single Crystals by the Use of Thermally Stimulated Currents
Authors: Kirov K. , Zhelev V. 
Published: July 2007

AbstractThermally stimulated currents (T.S.C.) in CdS are measured for electric fields of 10 to 104 V/cm and are found, in general, to change linearly. When trap filling is accomplished not by illumination, but with electrons injected from the cathode, the T. S. C.‐maximum depends on the voltage, according to the law Imax ∼ Un, where n varies from 3 to 6 for the various crystals. It is concluded that the fields at which measurements are made have no significant effect on trap emptying. T.S.C. are also measured at various voltages after the initial application of a higher voltage, and these measurements show a strong increase in the dark current and a negative resistance. It is, therefore, concluded that the steep rise of the dark current is not due to trap emptying or to the complete filling of traps. The most probable cause for it is the injection of holes from the anode.
Über die Verfestigung homogener kubisch flächenzentrierter Vielkristalle bis zum Beginn dynamischer Erholungsvorgänge
Authors: Schwink Ch. 
Published: July 2007

AbstractDie Verformung von kfz Vielkristallen geschieht von Anfang an durch eine Zunahme der Zahl aktiver Versetzungsquellen. Inhomogenität der Gleitung sowie Streckgrenzenanisotropie machen eine quantitative Formulierung des Gleitbeginns sehr schwierig, bestehende Ansätze [13] sind fehlerhaft. – Eine elektronenmikroskopische Definition des Gleitbeginns, die sich quantitativ ausdrücken läßt, wird gegeben und mit dem Experiment verglichen. – Für die plastischen Vorgänge oberhalb etwa 0,1% Dehnung bis zum Einsatz der Quergleitung wird eine Beschreibung gegeben und eine Versetzungstheorie entwickelt, die sich an die von Seeger [6] für Einkristalle aufgestellte anlehnt. Damit gelingt es, die makroskopischen Verfestigungsgrößen quantitativ auf Parameter zurückzuführen, die sich aus licht‐ und elektronenmikroskopischen Daten gewinnen lassen.
Directional Effects in Electron Irradiated Cu Single Crystals
Authors: Sosin A. , Garr K. 
Published: July 2007

AbstractThin copper single crystal samples have been irradiated by energetic electrons which were incident along major crystallographic directions. Appreciable defect production was observed in samples oriented for 〈100〉 and 〈110〉 incidence in the near‐threshold range, indicating that threshold displacement energies for both directions are comparable. Postirradiation studies have shown that recovery takes place throughout the entire Stage I temperature range, even at the lowest electron energies.
Resistivity Increase in Polycrystalline Al Heavily Cold‐ Worked at 78 °K
Authors: Ceresara S. , Elkholy H. , Federighi T. 
Published: July 2007

AbstractThe increase in resistivity Δϱ of polycrystalline Al at 78 °K is investigated as a function of shear strain γ up to very large strains, by torsional measurements. A linear dependence of Δϱ on γ is observed only above γ = 180%. For γ between 0 and 70%, the results fit Saada's relation for the production of point defects.
Linienform der Elektronenspinresonanz‐Spektren in polykristallinen Substanzen mit gx≠ gy≠ gz
Authors: Schoffa G. , Bürk G. 
Published: July 2007

AbstractDie Linienformen der Elektronenspinresonanz‐Spektren von polykristallinen Substanzen mitgx≠gy≠gzwurden mit der elektronischen Rechenmaschine berechnet unter Annahme der Lorentzschen Linienform, der Linienbreiten von 100 und 300 Gauß undgx= 6,gy= 4,gz= 2 in Mikrokriställchen. Die erhaltenen theoretischen Kurven zeigen eine gute Übereinstimmung mit dem am Hämatin experimentelle erhaltenen Spektrum.
Preparation and Semiconducting Properties of Cadmium Phosphide (Cd3P2)
Authors: Żdanowicz W. , Wojakowski A. 
Published: July 2007

AbstractThe preparation technology of the comparatively unknown compound Cd3P2 is described, and the Hall effect, electric conductivity, and thermoelectric power in the temperature range 200 to 650 °K determined for both poly‐ and monocrystalline samples. It is found that the width of the forbidden band in n‐type Cd3P2, evaluated from the measurements of RH and ϱ, is 0.52 eV. The electron concentration n at T = 300 °K is 2 to 5 × 1017 cm−3, and the mobility μH = 1500 cm2/Vs. The value of the resistivity ϱ300 = 9 to 25 × 10−3 Ω cm. The thermoelectric power a α at T = 300 °K is 180 to 200 μ V/°C. The value for the effective mass of the electrons, obtained from measurements of α and RH, is m* = 0.1 m0.
Magnetic After Effects in Nickel after Low Temperature Irradiation with Neutrons
Authors: Balthesen E. , Isebeck K. , Wenzl H. 
Published: July 2007

AbstractThe magnetic after‐effects of structural lattice defects produced by neutron irradiation of nickel at 25 °K were investigated in the temperature region of 8 to 400 °K. Several very pronounced after‐effects were found at low temperatures within the stages I region of the recovery of the residual resistivity. The properties of several after effects (activation energy and preexponential factor) are determined. The main features of the recovery stages of the magnetic after‐effects agree with those of the residual resistivity.
Zur Beweglichkeit der Stromträger in Indiumantimonidkristallen
Authors: Galavanov V. V. , Nasledov D. N. , Filipchenko A. S. 
Published: July 2007

AbstractZur Untersuchung des Streumechanismus für die Elektronen wurde die Beweglichkeit an n‐leitenden InSb‐Kristallen im Temperaturbereich von 77 bis 773 °K und bei Störstellenkonzentration von 1015 bis 7 · 1018 cm−3 gemessen. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit theoretischen Überlegungen, die die nichtparabolische Form des Leitungsbandes berücksichtigen, verglichen.Die Ergebnisse zeigen, daß die Elektronen im n‐leitenden InSb an ionisierten Störstellen, optischen Gitterschwingungen und Löchern gestreut werden. Der Einfluß einer Streuung an akustischen Gitterschwingungen wird für verschiedene Werte der Deformationspotential konstanten diskutiert.Für die Elektronenbeweglichkeit bei gemischter Streuung (an ionisierten Störstellen, optischen Gitterschwingungen und Löchern) wird eine exakte Beziehung hergeleitet. Der Gültigkeitsbereich der verwendeten Näherungsformeln wird überprüft. Für das anomale Anwachsen des Hallkoeffizienten bei hohen Temperaturen in stark dotierten Proben werden mehrere Gründe angeführt.
Electrical Properties of Non‐Stoichiometric Nickel Oxide
Authors: Nachman M. , Cojocaru L. N. , Rîbco L. V. 
Published: July 2007

AbstractThe temperature dependence of the electrical conductivity and of the Seebeck coefficient of NiO samples with various Ni3+ concentrations is determined. These samples are obtained from a nickel salt, using various decomposition temperatures.The temperature dependence of the hole concentration, pα, is calculated from the Seebeck coefficient. Since pα is constant up to about 500 °K, the exponential temperature variation of the conductivity must be attributed to the temperature dependence of the mobility. It seems, therefore, that at least up to the Néel temperature non‐stoichiometric NiO exhibits a similar conduction mechanism to Li‐doped NiO, with holes hopping between Ni2+‐ions. The discrepancies between the values of the hole concentration determined from the Seebeck coefficient and those given by the chemical analysis are discussed in terms of a simplified model, taking into account the non‐uniform distribution of the excess‐oxygen atoms throughout the volume of the NiO grains. The results confirm that for NiO samples of high excess oxygen content the electrical conduction is mainly due to grain boundaries.
Plastic Properties of Polycrystalline f.c.c. Metals
Authors: Kovács I. , Nagy E. 
Published: July 2007

AbstractFor polycrystalline f.c.c. metals deformed by torsion and extension simultaneously it is shown that the change in specific resistivity depends only upon the total strain, (as given by [4]), but is independent of the ratio of the individual strains. Furthermore it is shown that the relation of the form Δϱ = f(γ) cannot be characteristic to a metal, since its form is very sensitive to sample history. A history‐independent relation can however be established between the resistivity change and the instantaneous flow stress. Assuming the resistivity due to the point defects to be half of the total resistivity, this relationship gives the resistivity due to unit length of a dislocation directly, the value being in good agreement with previous experimental and theoretical estimates.
On the Theory of Radiative Recombination in High Magnetic Field in Semiconductors
Authors: Beleznay F. , Pataki G. 
Published: July 2007

AbstractThe effect of a high magnetic field on the recombination between the conduction band and an acceptor is examined. It is found that at magnetic field which corresponds to the “quantum limit” for the conduction band but gives no “deformation” of the acceptor states, the transition matrix element does not depend on the magnetic field. The assumptions for the magnetic field are fulfilled for the case of laser radiation in a magnetic field. It may be said that on the basis of the hydrogen‐like model, the field dependence of the threshold current must be determined by the change in the density of states.
Theory of Electron‐Phonon Interaction in Metals in the Presence of an External Magnetic Field
Authors: Mertsching J. , Stolz H. 
Published: July 2007

AbstractSemiclassical treatments of the interaction of conduction electrons in metals with ultrasonic waves in the presence of a magnetic field use two coordinate systems: the laboratory system (LS) and a moving system (MS) which shares the motion of the ionic lattice. In the present work the relationship between these two formulations is studied by a quantummechanical treatment of the problem. It is shown that in the MS the semiclassical representation of the charge and current densities by means of an electron distribution function is essentially correct. In the LS, however, the off‐diagonal elements of the electron density matrix are important, and give rise to the Holstein‐effect, i.e. a component of electron current exactly in phase with the lattice current and originating from the motion of the periodic potential. Generally the formulation of the theory for Bloch electrons is more complex in the LS than in the MS. Only for the free electron model the basic equations obtain their simplest form in the LS.
Thermisch bedingte nichtmonotone Strom–Spannungs‐Charakteristiken
Authors: Nebauer E. , Jahne E. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Strom–Spannungs‐Charakteristik eines durch Joulesche Erwärmung aufgeheizten Halbleiters untersucht. Für den Fall, daß bei jeder angelegten Spannung die erwärmte Probe eine einheitliche Temperatur hat, die jedoch vom Wert der angelegten Spannung abhängt, wird eine Parameterdarstellung für die Strom–Spannungs‐Charakteristik angegeben. Bei nichtmotononer Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit können sowohl strom‐ als auch spannungskontrollierte negative differentielle Widerstände auftreten. Für die bei Halb‐ und Photoleitern zu erwartenden Charakteristiken werden Beispiele angeführt. Bei inhomogener Verteilung von Temperatur und Leitfähigkeit werden die Strom–Spannungs‐Charakteristiken mit Hilfe eines Differenzenverfahrens ermittelt.
Photovoltaic Effect in CdS‐CdSe Heterojunctions
Authors: Kandilarov B. , Andreytchin R. 
Published: July 2007

AbstractCdS–CdSe (n+–n and n–n+) heterojunctions are made and the photovoltaic effect investigated. Both the sign and the magnitude of the photovoltage measured depends on the doping. The spectral dependence of the short‐circuit photocurrent is measured. The photovoltage is found to depend on the growth conditions.
Zur Intensitäts‐ und Temperaturabhängigkeit des Photostromes von CdS‐Einkristallen
Authors: Elstner L. , Voigt J. 
Published: July 2007

AbstractDie Photoleitfähigkeit von Kadmiumsulfideinkristallen wird als Funktion der Anregungsintensität und Temperatur experimentell untersucht. Die Meßergebnisse werden mit reaktionskinetischen Modellrechnungen verglichen. Es zeigt sich, daß selbst sehr allgemeine Modelle mit direktem Anregungsprozeß[1]keine vollständige Beschreibung der Meßergebnisse liefern. Gute Übereinstimmung zwischen Experiment und Theorie erhält man mit einem Modell mit sowohl direktem als auch indirektem[2]Anregungsprozeß der Leitungselektronen.
Bildung und Ausheilung von Punktdefekten in KCl‐Kristallen, gemessen mit Hilfe der Verfärbbarkeit durch F‐Zentren
Authors: Fröhlich F. , Grau P. 
Published: July 2007

AbstractEs wird die Bildung von punktförmigen Gitterdefekten in KCl‐Einkristallen nach Abschrecken von 530 °C, nach plastischer Deformation und nach intensiver Röntgenvorbestrahlung mit Hilfe der Röntgenverfärbbarkeit durch F‐Zentren untersucht. Die Vorbehandlungen führen zu einer Erhöhung der Verfärbbarkeit, die durch die charakteristischen Parameter der F‐Zentren‐Bildungskurve erfaßt werden kann. Dabei wird eine bevorzugte Zunahme der Konzentration von Anionenleerstellen gefunden, die in der Umgebung von Gitterstörungen lokalisiert sind.Die thermische Ausheilung der für die Verfärbbarkeitserhöhung verantwortlichen Defekte wird im Anfangsteil der F‐Zentren‐Bildungskurve verfolgt. Die Defekte nach Abschrecken heilen mit einer diskreten Aktivierungsenergie von 1,6 eV aus und sind offenbar verbunden mit der Art des Einbaues der als Verunreinigungen vorliegenden 2‐wertigen Kationen. Bei deformierten und röntgenvorbestrahlten Proben ergeben sich diskrete Werte zwischen 1,6 eV und 2,0 eV. Daraus wird geschlossen, daß die für die Verfärbbarkeitserhöhung verantwortlichen zusätzlichen Anionenleerstellen sicher nicht isoliert, sondern wahrscheinlich in Form von relativ kleinen Leerstellen‐Clustern ziemlich einheitlicher Größe nach diesen Vorbehandlungen im Kristall zurückbleiben. Ihr Abbau erfolgt über die Diffusion von isolierten Anionenleerstellen zu geeigneten Senken im Kristall.
Thermisch aktivierte Quergleitung in Zink und Cadmium
Authors: Schottky G. , Seeger A. , Speidel V. 
Published: July 2007

AbstractDie Deutung der Experimente von Gilman zur Prismengleitung von Zn und Cd durch thermisch aktivierte Quergleitung von aufgespaltenen Schraubenversetzungen aus der Basisebene heraus wird quantitativ behandelt. Die Rechnung geht von flächenhaften Versetzungsverteilungen aus, die kontinuumstheoretisch behandelt werden. Die theoretische Spannungsabhängigkeit der Aktivierungsenergie stimmt gut mit den Experimenten überein; als Stapelfehlerenergien ergeben sich 300 erg/cm2 (Zn) und 170 erg/cm2 (Cd).
Some Remarks on Electret Theory
Authors: Piech T. , Hańderek J. 
Published: July 2007

AbstractContinuing earlier papers on the effect of the conditions of polarization and storage on the properties of beeswax electrets, made of resin, resin‐wax mixtures, and polymethacrylate are investigated. The experimental results lead to a new theory of charge production and change‐in‐sign in electrets of organic materials. The formulas thus derived for the transitions time from heterocharge to homocharge are in better agreement with experiments than those of Swann and Gubkin.
Sur le mode de fonctionnement des transistors à interface métal‐semiconducteur
Authors: Pistoulet B. , Rouzeyre M. 
Published: July 2007

AbstractDeux modes de fonctionnement ont été proposés pour le transistor à interface métal‐semiconducteur: injection d'électrons chauds ou fonctionnement par courbure des équipotentielles. Les mesures effectuées sur les transistors que nous avons fabriqués nous font conclure à la prédominance du dernier mécanisme. Les propriétés des diodes et la réversibilité du rǒle des deux métaux dans le fonctionnement en triode ne peuvent en effet absolument pas être expliquées par le premier modèle. Des études complémentaires susceptibles de conduire à un fonctionnement par transport d'électrons chauds sont en cours.
Structural Changes in MgMn2O4 at High Temperatures
Authors: Mănăilă R. , Păuşescu P. 
Published: July 2007

AbstractThe distribution of cations in MgMn2O4 is studied between 25 and 1000 °C by X‐ray diffraction. The values of the c/a ratio agree with the observed repartition of the cations. From the inversion of the distribution at high temperature the activation energy of the ionic migration is inferred: θ = 8100‐−18400 λ (°K).Around the tetragonal‐to‐cubic transition temperature there is a coexistence domain of both structures and an hysteresis of the proportion of the cubic phase. The appearance of the cubic phase seems to be facilitated by the inversion of the ionic distribution in the cubic nuclei.
Diffraction Effects from Faults in Ultra Pure Carbon
Authors: Otte H. M. , Blucher I. D. 
Published: July 2007

AbstractSamples of ultra purity spectroscopic carbon have been examined by electron trans mission microscopy and selected area diffraction. The transmission images and diffractio‐patterns have been interpreted in terms of stacking faults and dislocations in the carbon samples. Quantitative estimates yielded a value of between 1011 and 1012 dislocations pe cm2, associated principally with “rotational” stacking faults every 200 Å on average. These values are comparable with those found in other types of carbons and graphites.
On the Strong Coupling Techniques of Polaron Theory
Authors: Devreese J. T. , Evrard R. P. 
Published: July 2007

AbstractThe validity of Pekar's polaron theory is investigated by using it to solve Gross's simplified model in which the electron interacts with only one lattice oscillator. The results are compared with the exact solutions. This shows as expected, that Pekar's approximation provides an accurate strong coupling limit. The accuracy decreases with the mean number of virtual phonons, which is used to define the coupling strength. For a certain value of this parameter, Pekar's method becomes less accurate than the Lee‐Low‐Pines method. At this point the relative error is about 15%. The present study makes it possible to introduce an “intermediate coupling region” in Gross's model. In this region the relative error of the Lee‐Low‐Pines approximation is about 10%.
Mechanism of X‐Ray Emission in KBr:Cu Single Crystals
Authors: Oggioni R. , Scaramelli P. 
Published: July 2007

AbstractA study is made of the mechanism for Cu‐luminescence in KBr:Cu single crystals excited by ionizing radiation. The following results are obtained:

In the spectral range 200 to 1200 nm the same emission band (centred about 392 nm at 77 °K) occurs as is obtained by means of u.v. excitation at 265, 235, and 210 nm.
Under optical stimulation in the F band the same emission band at 392 nm is again observed. The build‐up of the 392 nm band under X‐ray and F light stimulation in the temperature‐range 77 to 700 °K is also studied, and the results are found to be complex.
KBr:Cu samples which are X‐irradiated at 77 °K, or F‐stimulated at 77 °K after X‐ray irradiation at 290 °K, show four glow peaks of thermoluminescence due to Cuimpurities in addition to the glow peaks of pure KBr crystals. Emission spectra under all glow peaks are also observed; in these spectra the emission band due to Cu is alway present.
Measurements of the thermal bleaching of crystals which have been X‐irradiated at 77 °K are correlated with the intensity‐changes of the photoluminescence band of the Cu emitter.
The assumption that emission under X‐irradiation can be explained as an alternate trapping of free holes and electrons by the emitter centre Cu+, is consistent with most of the results.Thermoluminescence and thermal bleaching experiments are also discussed. It is suggested that some of the glow peaks due to Cu impurities may be explained in terms of electron traps bound to Cu+ ions substituted in the lattice.The presence of these traps seems to explain the observed build‐up of the 392 nm emission band under X‐irradiation, and the observed effects after an ageing at different temperatures.
Über die Wachstumsformen von Rubidiumeinkristallen aus der Gasphase
Authors: Peneva S. , Budurov S. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Rubidium‐Einkristallkugeln aus der Gasphase untersucht. Bei kleinen Übersättigungen treten auf der Anfangswachstumsform die Flächen {110} und {100} auf; bei großen Übersättigungen erscheinen nur die Flächen {110}. Bei fortgeschrittenen Wachstumsformen erscheinen auch die Flächen {211} als schmale Streifen zwischen den Rhombendodekaederflächen; Temperaturschwankungen vergrößern die Ausmaße der {211}‐Flächen. Die Versuchsergebnisse werden vom Standpunkt der Theorie von Stranski und Kaischew diskutiert und gedeutet.
Optische Absorption Cr‐dotierter Silberhalogenide. I. Cr2+
Authors: Koswig H. D. , Kunze I. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Absorptionsspektren von Cr2+ in AgCl und AgBr bei Zimmertemperatur und bei tiefen Temperaturen mitgeteilt. Der Einbau der Cr2+‐Ionen in das Silberhalogenidgitter und die Möglichkeiten für eine Störung der oktaedrischen Umgebung der Cr‐Ionen werden diskutiert.
Fokussierende Stoßfolgen in flächenzentrierten Kristallen und ihre Bedeutung für verschiedene Bestrahlungseffekte
Authors: Duesing G. , Leibfried G. 
Published: July 2007

AbstractWir behandeln 〈110〉‐Stoßfolgen in flächenzentrierten Kristallen mit einem Born‐Mayer‐Wechselwirkungspotential. In einer wesentlich besseren Näherung als der harter Kugeln berechnen wir Energie und Stoßwinkel im Verlauf einer Folge sowie die Reichweite von Fokussonen, weiterhin die Grenzenergie für den Transport von Zwischengitteratomen und daraus die Reichweite von Ersetzungsketten. Wir schätzen die Zahl von fokussierenden Folgen ab, die ein Primäratom erzeugt, und untersuchen damit folgende auf Stoßfolgen beruhende Effekte: Abtransport von Energie aus Primärzonen, Erzeugung von Zwischengitteratomen außerhalb von Primärzonen, Erzeugung von Defekten an Versetzungen, Zerstäubung von Oberflächen. Zahlenbeispiele geben wir für Cu.