bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
Disorder Resistivity of Binary Rare Earth Alloys
Authors: Dekker A. J. 
Published: July 2007

AbstractExpressions are derived for the disorder resistivity of binary rare earth alloys at temperatures above the magnetic transition point and at absolute zero. Only ferromagnetic alloys are considered. The treatment is based on a Nordheim approximation, extended to incorporate spin‐dependent scattering. The theoretical expressions are in satisfactory agreement with experimental data for Gd—Lu, Tb—Lu, Gd—Y and Gd—Er alloys.
Untersuchungen an Silizium‐Kristallnadeln mit Lamellenstruktur
Authors: Schreckenbach M. 
Published: July 2007

AbstractAus der Gasphase gewachsene Siliziumnadeln zeigten eine deutliche Querstreifung. Im Inneren konnten metallographisch parallele Streifensysteme sichtbar gemacht werden. Die Befunde sprechen für eine Lamellenstruktur. Eine Modellvorstellung wird vorgeschlagen.
Morphologie und Wachstumsmechanismus von AIN‐Einkristallen
Authors: Pastrňák J. , Roskovcová L. 
Published: July 2007

AbstractDie vorliegende Arbeit behandelt die Züchtung von Aluminiumnitrid‐Einkristallen durch Reaktion aus der Gasphase im Temperaturgebiet von 1750 bis 2050 °C. Es wurde gefunden, daß bei höheren Übersättigungen meist prismatische, bei niedrigeren dagegen plättchenförmige Kristalle entstehen. Zwei Reaktionen

die bei dem Wachstum aus der Gasphase zur Geltung kommen können, werden diskutiert. Der Habitus der Kristalle kann dadurch beeinflußt werden, daß die eine oder die andere der beiden angeführten Reaktionen die entscheidende Rolle spielt. Gleichzeitig muß auch die Einwirkung von Verunreinigungen berücksichtigt werden.
Observations of the “Pendellösung” Fringes with the Three‐Crystal X‐Ray Spectrometer
Authors: Godwood K. , Lefeld‐Sosnowska M. , Zielińska‐Rohozińska E. 
Published: July 2007

Abstract„Pendellösung”︁ fringes are observed using wedge‐shaped Si single crystals. The observations are made for (111) and (220) reflections with the three‐crystal X‐Ray spectrometer. The results are compared with the observations from the Lang camera.
Localized Vibrational Modes at Plane Faces of Defects in Crystal Lattices
Authors: Lengeler B. , Ludwig W. 
Published: July 2007

AbstractThe localized modes of vibrations are dicussed for the planes (001), (011), and (111) of impurity atoms in an infinitely extended simple cubic lattice. The frequencies show a band structure according to the translational invariance of the lattice in the impurity plane. It is found that optical and accoustical bands exist, the former lying completely, the latter only partially in the band of the unperturbed lattice. A free surface can be regarded as a special case of these models. Choosing appropriate coupling parameters one obtains localized surface states which have to coincide with the well‐known Rayleigh waves in the limiting case of long waves.
Investigations of Photoconductivity in a Reaction Kinetic Model Involving an Indirect Generation Process
Authors: Voigt J. 
Published: July 2007

AbstractAn investigation is made of a reaction kinetic model in which the generation rate of conduction electrons is assumed to be proportional to the number of occupied traps in the appropriate energy‐range. Solutions of the steady‐state and transient concentrations of conduction electrons are obtained. The influence of various trap distributions (discrete level, homogeneous, exponential and Gaussian) is investigated in detail. The quantum efficiency increases with increasing electron concentration and results in a superlinearity and an S‐shaped growth of photocurrent. The change of the quantum efficiency with the electron concentration is virtually determined by the decay or half width, respectively, of the trap distribution.
Diamagnetismus von fast freien Elektronen mit Hilfe der Methode der Dichtematrix
Authors: Jannussis A. 
Published: July 2007

AbstractDie Methode der Dichtematrix (Cluster‐Entwicklung) wird für Gitterelektronen im äußeren homogenen Magnetfeld angewandt. Das Gitterpotential wird als Störung betrachtet, und als Greensche Funktion wird die Funktion des freien Teilchens im Magnetfeld benutzt. Die auftretenden Integrale lassen sich leicht ausrechnen. Ein Ausdruck für die Suszeptibilität bei kleinen Magnetfeldern wird angegeben.
Vacancy as a Phonon Field Perturbation V. Entropy Change in a Two‐Debye Temperature Model
Authors: Gallina V. , Omini M. 
Published: July 2007

AbstractThe entropy change due to the formation of a vacancy is calculated in the harmonic approximation on the basis of a Debye model which distinguishes between longitudinal and transverse velocities. For Al the calculated value agrees with the experimental result obtained recently.
Color Centers in Additively Colored CaF2 and BaF2
Authors: Arends J. 
Published: July 2007

AbstractThe electron spin resonance method is applied to the study of the structure of color centers in additively colored CaF2 and BaF2 crystals. Together with optical absorption measurements and bleaching experiments the results indicate that the α‐band in CaF2 and the 6600 Å band in BaF2 are due to an electron trapped in an F− vacancy. The hyperfine interactions between the unpaired electron and the surrounding nuclei are discussed and compared with the results obtained for F‐centers in alkali fluoride crystals. Furthermore, the optical bleaching experiments lead to probable models for other absorption bands in CaF2.
Die Temperaturabhängigkeit der Verfestigungskenngrößen von Magnesiumeinkristallen
Authors: Boček M. , Hötzsch G. , Simmen B. 
Published: July 2007

AbstractMagnesiumeinkristalle wurden im dynamischen Zugversuch im Temperaturbereich von 77° K bis 453 °K verformt. Ähnlich wie bei Zink und Kadmium wird auch bei Magnesium eine Drei‐Bereiche‐Verfestigungskurve beobachtet. Die kritische Schubspannung nimmt bei tiefen Temperaturen mit wachsender Temperatur linear ab. Oberhalb von etwa 300 °K scheint sich ein weniger temperaturabhängiger Ast des τ0—T‐Diagramms abzuzeichnen. Der Temperaturverlauf der Verfestigungskoeffizienten in den Bereichen A und B der Verfestigungskurve ist qualitativ gleich. Die Tieftemperaturwerte sind unterhalb von 200 °K temperaturunabhängig und fallen oberhalb davon mit wachsender Temperatur ab. Die erstmals im Tieftemperaturbereich gemessenen θB‐Werte von Magnesiumeinkristallen ergeben G/θB = 400. Die Länge des Bereiches A ist bei tieferen Temperaturen temperaturunabhängig und wächst oberhalb von 370 °K mit steigender Temperatur. Die Länge des Bereiches B verhält sich ähnlich. Die Temperaturabhängigkeiten der reduzierten kritischen Schubspannungen τA/G, τB/G und τC/G lassen sich in der Form ln {τ(T)/G(T)} = A1,2 — B1,2T wiedergeben, die jeweils aus zwei Ästen [1, 2] besteht. Aus dem Tieftemperaturast der τC/G‐T/F(T))‐Abhängigkeit wurde die Stapelfehlerenergie von Mg für T = 230 °K zu 40 erg/cm2 abgeschätzt.Die Temperaturabhängigkeiten der Hauptkenngrößen der Verfestigungskurven von Mg‐, Cd‐ und Zn‐Einkristallen in bezug auf die absolute Schmelztemperatur TS dieser Metalle werden einander gegenübergestellt.
Versetzungen und Kernresonanz in AgBr
Authors: Höhne M. 
Published: July 2007

AbstractAusgehend von einem einfachen Näherungsansatz von Bloembergen wird ein Zusammenhang zwischen der Linienbreite der Kernresonanzabsorption und der Versetzungsdichte hergestellt. Undotierte und mit NaBr dotierte AgBr‐Kristalle werden bei Zimmertemperatur plastisch verformt. Die Erholung bei Temperaturen zwischen 90 °C und 200 °C wird in Kernresonanzmessungen verfolgt. In AgBr‐Kristallen mit Zusatz treten Versetzungen auf, die durch Tempern nicht beseitigt werden können, aber sie hindern die Deformationsschäden nicht an der Rückbildung.
Paramagnetische Resonanzuntersuchungen an Fe‐dotierten Silberhalogeniden
Authors: Hennig K. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Fe‐dotierte AgBr‐ und AgCl‐Kristalle bei 20 °K mit der Methode der paramagnetischen Resonanz untersucht und Absorptionslinien beobachtet, die im AgCl einem 6A1‐Zustand, g = 2,015 ± 0,002, ‖a| = (76 ± 4) 10−4 cm−1 und im AgBr einem 2T2‐Zustand, g = 2,04 ± 0,005 zugeordnet werden können. Es liegt ein Zentrum des Eisenions in kubischer Symmetrie vor, dessen aufgelöste Hyperfeinstruktur nicht durch Wechselwirkung mit den Halogenliganden erklärt werden kann. Eine Wechselwirkung mit einem Kubus, der von acht Silberionen gebildet wird, beschreibt die Hyperfeinstrukturdaten befriedigend. Das Zentrum befindet sich nicht im Kristallvolumen im Sinne einer Besetzung eines Gitter‐ oder Zwischengitterplatzes und zusätzlicher Lückenassoziation.
Séparation des modes collectifs et individuels dans un gaz d'électrons
Authors: Brouers F. , Deltour J. 
Published: July 2007

AbstractA l'aide de l'expression de la partie réelle de la constante diélectrique, on a calculé pour un certain nombre de métaux, le vecteur d'onde de coupure séparant les modes collectifs et individuels dans un gaz d'électrons. Les valeurs trouvées sont sensiblement (≈ 10%) plus élevées que celles obtenues de manière quelque peu différente par Ferrell et rendent compte correctement des résultats expérimentaux les plus récents fournis par l'étude des pertes d'énergie des électrons rapides dans les métaux et par l'examen des bandes satellites dans les spectres des rayons X mous de l'aluminium et du magnésium.
Précision sur l'emploi du formalisme de densités d'états dans le calcul du courant d'une diode Esaki
Authors: André P. 
Published: July 2007

AbstractLa formule qui a été donnée par Esaki pour le courant de la diode dû a l'effect tunnel contient en facteur, dans l'intégrant, les densités d'états. Cette expression du courant doit être écrite d'une façon tout différente, notamment si l'on veut s'en servir pour vérifier la validité d'une loi ϱ(E) de densité d'états d'énergie dans le semiconducteur dégénéré constituant la diode. En effet, ϱ(E) est multiplié par la vitesse du porteur, et le produit de ces deux termes est indépendant de la loi de densité d'états. Par contre, cette dernière intervient, par l'intermédiaire de champ électrique, dans le coefficient de transmission. Ces points sont mis en évidence sur un modèle simple à une dimension, dans le cas de l'effet tunnel direct; une formulation appropriée est donnée pour le courant.
Der Einfluß der einachsig induzierten Anisotropie auf die ferromagnetische Resonanz an Ni—Fe‐Ferriteinkristallen
Authors: Glauche E. , Voigt F. 
Published: July 2007

AbstractDer Einfluß der induzierten Anisotropie auf die Resonanzfeldstärke und die Linienbreite wird an einem Ni—Fe‐ und einem Ni—Co—Fe‐Ferriteinkristall untersucht. Aus der Orientierungsbhängigkeit der Resonanzfeldstärke wurden die Größen K1/M, K2/M, F/M und G/M und der g‐Faktor bestimmt. Es wurden zwei Anteile einer zusätzlichen Orientierungsabhängigkeit der Linienbreite gefunden, die von der induzierten Anisotropie herrühren.
Magnetic Susceptibility, Electric Resistivity, and Lattice Parameters of Nickel‐Vanadium Solid Solutions
Authors: Arajs S. , Chessin H. , Colvin † R. V. 
Published: July 2007

AbstractMagnetic susceptibility of nickel solid solutions with 0.8, 3.0, 5.2, 7.8 and 10.0 at.% vanadium has been determined as a function of temperature up to 1500 °K. The electrical resistivities on the same alloys have been measured at 4.2, 77.2, and 297.0 °K. The susceptibility results are similar but not completely identical to those exhibited by niobium and tantalum dissolved in nickel. The residual electrical resistivity contributions due to vanadium, niobium, and tantalum are exactly the same. Lattice parameters of the above‐mentioned solid solutions have been determined at 298 °K. The predicted changes in lattice parameters, based on atomic volumes and on elasticity theories due to Pines and Friedel, show a large positive deviation from the observed data in distinction to the satisfactory agreement between theory and experiment for the other Group Va solutes.
Contribution à l'étude de l'aimantation des couches électrolytiques de l'alliage de Ni—fe, sous l'action simultanée d'un champ magnétique circulaire alternatif et d'un champ longitudinal continu
Authors: Bursuc I. , Apostol P. , Ojog A. 
Published: July 2007

AbstractLa magnétisation des couches électrolytiques de l'alliage Ni—Fe avec différentes compositions déposées sur des fils de cuivre, sous l'action simultanée d'un champ circulaire alternatif Ha et d'un champ longitudinal continu Hl (phénomène d'inductions magnétiques alternatives) varie en fonction de l'épaisseur des couches et de la composition de l'alliage elle est plus petite pour les couches plus minces et pour celles qui ont une plus petite concentration de fer.Des courbes α = f(Ha), à Hl = const on peut déduire les valeurs du champ coercitif Hc, si l'on considère que la valeur est approximativement égale à celle du champ Ha où le phénomène augmente brusquement. Les valeurs déduites sont comparables à celles qu'on obtient par d'autres méthodes [15]Sous l'action de la traction jusqu'à la limite de l'élasticité, le phénomène diminue. Ce comportement ne correspond pas dans certains cas à celui qu'on connaît pour les alliages de Ni—Fe en état massif. Les effets de la traction se modifient en présence des champs Hl relativement grands. La couche de 200 nm avec 10% Fe se comporte positivement magnétostrictive à Hl > 11 Oe. A des températures basses le phénomène diminue et commence à des valeurs plus grandes du champ Ha.
Effect of Nonuniform Coloration on the Power Law Relation between F‐ and F‐Aggregate‐Centers
Authors: Mascarenhas S. , Rabin H. , Sverzut V. B. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that the apparent power law relationships between F‐ and F‐aggregate‐centers are dependent on the volume distribution of centers, and the direction of optical measurement through the crystal volume. Optical measurements of X‐ray irradiated NaCl at room temperature indicates that a microscopic quadratic dependence between F‐ and M‐centers is obscured and appears linear when viewed along the direction through a coloration gradient produced by soft X‐rays.
Der elektrostriktive Resonator
Authors: Schmidt G. 
Published: July 2007

AbstractÄhnlich wie beim piezoelektrischen Resonator lassen sich auch die elektrostriktiv angeregten mechanischen Eigenschwingungen eines Kristalls elektrisch nachweisen. Am Beispiel des elektrostriktiven Längsschwingers wird gezeigt, daß in der Nähe einer mechanischen Resonanzstelle im Resonatorstrom eine zusätzliche Wirk‐ und Blindkomponente sowie die dritte Harmonische auftreten. Daher kann man durch elektrische Messungen die mechanische Güte, den Elastizitätsmodul und die Elektrostriktionskonstante bestimmen. Für das Strontiumtitanat werden Ergebnisse angegeben.
Die Temperaturabhängigkeit des elektrokalorischen Effektes bei SrTiO3‐Einkristallen
Authors: Hegenbarth E. 
Published: July 2007

AbstractDer elektrokalorische Effekt an SrTiO3‐Einkristallen wurde im Temperaturbereich von 4 bis 80 °K gemessen. Es zeigte sich, daß zwischen 16 °K und 18 °K ein Maximum des elektrokalorischen Effektes auftritt und der Effekt bei Heliumtemperaturen verschwindet. Es ist deshalb mit Hilfe von SrTiO3 nicht möglich, tiefe Temperaturen durch eine adiabatische Entpolarisation zu erzeugen. Dieses den bisherigen Annahmen widersprechende Verhalten des elektrokalorischen Effektes kann mit Hilfe der thermodynamischen Theorie der Ferroelektrika auch theoretisch erklärt werden.
Mikrophysikalische Theorie der ferromagnetischen und ferroelektrischen Domänenstrukturen
Authors: Zietek W. 
Published: July 2007

AbstractVon einer mikrophysikalischen Auffassung ausgehend, wird ein allgemeines Rechenverfahren für die Beschreibung der ferromagnetischen und ferroelektrischen Domänenstrukturen entwickelt. Das Hauptproblem besteht in der Ableitung eines geeigneten, allgemeinen Variationsprinzips, mit dessen Hilfe man eine beliebige (periodische) Domänenstruktur möglichst einfach und adäquat beschreiben könnte. Die vorliegende Arbeit zeigt kurz, daß dieses Problem ganz allgemein aufgestellt und gelöst werden kann, vorausgesetzt, daß die Wechselwirkung zwischen den Atomspins bzw. elektrischen Dipolen hinreichend stark mit der Entfernung abnimmt.
Volumenselbstdiffusion in Kobalt ‐ Nickel ‐ Legierungen
Authors: Hässner A. , Lange W. 
Published: July 2007

AbstractDie Volumenselbstdiffusion von Co‐60 und Ni‐63 in 11 Co–Ni‐Legierungen mit Konzentrationen von 0 bis 100 At‐% Co wird mit der Restaktivitätsmethode im Bereich von 1100 bis 1416 °C untersucht. Für alle Legierungen läßt sich die Temperaturabhängigkeit des Volumen‐SDK durch eine Arrhenius‐Gleichung darstellen. Für alle Legierungskonzentrationen liegt der auf die Schmelztemperatur extrapolierte Wert des SDK im Bereich (5 bis 7) · 10−9 cm2/s. Die Konzentrationsabhängigkeit der Diffusionsparameter kann im Bereich von 30 bis 100 At‐% Ni formal durch einfache Gleichungen dargestellt werden. Es wird versucht, diese durch ein Leerstellenmodell zu begründen. Bei der Selbstdiffusion in reinen Metallen wird die Zenersche Theorie der Aktivierungsentropie bestätigt. Die Veränderung der Aktivierungsentropie im System ist stärker als nach Zener zu erwarten ist. Ein linearer Zusammenhang zwischen Aktivierungsentropie und Q/Tm wird jedoch gut befolgt.
Proton Bombardment Damage in Silicon
Authors: Bubáková R. , Szmid Z. 
Published: July 2007

AbstractAn X‐ray study is made of a single crystal of Si after irradiation by protons of energy ⋍ 6.5 MeV, the total dose being 1 to 2 × 1018 protons/cm2. An increase of the lattice parameter: Δa ⋍ + 3 × 10−5 Å is observed after bombardment. The atomic planes in the bombarded part of the Si crystal are tilted, making an angle of 1.7″ with planes of the unbombarded part. An imperfection in the diamond‐type structure is found as confirmed by diffraction from the (222) planes.
The Influence of Indium Doping on the Optical Properties of Cadmium Selenide Crystals
Authors: Rauluszkiewicz J. 
Published: July 2007

AbstractThe absorption coefficient in In‐doped Cdse crystals is measured in the vicinity of the absorption edge in the temperature range 78 to 373 °K. The absorption coefficient rises exponentially with photon energy according to Urbach's rule. The absorption data are interpreted in terms of optical transitions which produce excitons with phonon cooperation. The free carrier concentrations in doped crystals are determined optically from measurements of the infrared reflectivity. A contraction of the forbidden energy gap of 20% is found with indium doping but the crystal field splitting of the valence band remains unchanged.
Halbleiter‐Eigenschaften von reinen Bleiglanzkristallen
Authors: Moldovanova M. , Dimitrova S. 
Published: July 2007

AbstractDie Temperaturabhängigkeiten der elektrischen Leitfähigkeit σ(T), des Hallkoeffizienten R(T), der differentiellen Thermokraft α(T) und des Nernst‐Ettingshausen‐Koeffizienten Q⟂ (T) wurden im Temperaturbereich zwischen 100 und 500 °K an natürlichen Bleisulfidkristallen (mit n ⋍ 3 · 1015 cm−3) untersucht. Die Breite der verbotenen Zone bei T = 0 beträgt 0,34 eV und das Beweglichkeitsverhältnis μn/μp = 1,4. Im Eigenleitungsgebiet ist die Hallbeweglichkeit proportional T−3/2, im Gebiet vollständiger Ionisation der Donatoren ist sie proportional T−2. Bei tiefen Temperaturen tritt ein Phononen‐Drag auf. Die aus den Meßwerten berechnete effektive Masse ist proportional T0,2. Die Lebensdauer τp der injizierten Träger variiert zwischen 20 und 60 μs und stimmt mit den von Scanlon [6] erhaltenen Werten überein.
Die Geschwindigkeits‐ und Temperaturabhängigkeit der Einsatzspannung τC am Anfang des Bereiches C der Verfestigungskurve von Zinkeinkristallen
Authors: Lukáč P. , Švábová M. 
Published: July 2007

AbstractEs wurde die Temperatur‐ und Geschwindigkeitsabhängigkeit der Einsatzspannung τC von Zinkkristallen im Temperaturbereich 293 °K bis377 °K untersucht. Dabei wird eine Abnahme von τC mit wachsender Abgleitgeschwindigkeit beobachtet. Die sich daraus ergebenden Zusammenhänge lassen sich in derselben Form wiedergeben wie die entsprechenden Abhängigkeiten der τIII‐ Werte von kubisch‐flächenzentrierten Metallen.Ferner wurden Voraussetzungen untersucht, unter denen es möglich ist, diese Ergebnisse anhand des Quergleitmodells von Schoeck und Seeger zu deuten. Es konnte gezeigt werden, daß die ermittelten Aktivierungsenergien U zusammengesetzte Werte sind und die sich ergebenden γ‐Werte wesentlich überschätzt sind. Der Vergleich mit ähnlichen Ergebnissen an Kadmium‐ und Magnesiumkristallen zeigt eine Möglichkeit, die Stapelfehlerenergie für Zink außerhalb des statischen Erholungsbereiches abzuschätzen.
Replacement Probabilities for Energetic Primary Atoms in Crystals
Authors: Dederichs P. H. , Lehmann Chr. , Wegener H. 
Published: July 2007

AbstractA calculation is made of the probability, P(E), that a primary atom of energy E will make a replacement collision with lattice atoms during the slowing down process in a crystal. Replacement is assumed to occur in a collision whenever the remaining energy of the primary is smaller, and the transferred energy is greater than a certain threshold energy Ed. Since the interaction between the primary and a lattice atom is not well known, several simple and plausible energy spectra are discussed. For quite a general class of spectra, P(E) becomes a constant if E ≥ 2 Ed. The results indicate 0.5 ≤ P (E ≥ 2 Ed) ≥ In 2 as reasonable values of P(E). A Mössbauer experiment is described which provides a means for measuring P at high energies, and, presumably also for determining the interstitial configuration of the primary.
Quantum Treatment of Lattice Distortion around a Dislocation
Authors: Gallina V. , Galotto C. P. , Omini M. 
Published: July 2007

AbstractA new method is proposed for calculating the displacements due to an edge or screw dislocation in a crystal. The dislocation is represented by a perturbation in the phonon state of a perfect crystal and the treatment is carried out by the use of second quantization. The results agree with the classical ones at large distances from the dislocation core but show a quite different structure in the neighbourhood of the core which eliminates the singularities in the former theory.
Tunnel Diode Investigation of Band Structure of Sb‐Doped Ge
Authors: Constantinescu C. , Midvichi I. 
Published: July 2007

AbstractData on the concentration dependence of the energy separation of the (000)‐ and (111)‐ conduction band minima of heavily Sb‐doped Ge are obtained from the reverse characteristics of tunnel diodes. The results are compared with those for As‐doped Ge.
Optische Absorption Fe2+‐dotierter Silberhalogenide
Authors: Koswig H. D. , Kunze I. 
Published: July 2007

AbstractEs werden die Absorptionsspektren von Fe2+ in AgCl und AgBr bei Zimmertemperatur und bei tiefen Temperaturen mitgeteilt. Der Einbau der Fe2+‐Ionen in das Silberhalogenidgitter und der durch den Einbau hervorgerufene Verzerrungszustand des Gitters werden diskutiert.