bluuebunny/crossref_metadata_2025_split huggingface dataset:
On the Deformation Induced Internal Friction Peaks in Niobium
Authors: De Batist R. 
Published: July 2007

AbstractThe activation energies and attempt frequencies for the deformation induced damping peaks in niobium are determined. For the α peak these are found to be 0.28 ± 0.01 eV and (2.8 ± 1.8) 1012s−1 from the variation of peak temperature with frequency and using all experimental data presently available. For the β peak, these parameters are estimated using strain recovery experiments performed during the warm‐up after plastic deformation at liquid nitrogen temperature. A value of 0.51 eV is found for 1012 s−1 and 0.48 eV for 1011 s−1, to be compared with values of 0.47 eV and about 1011 s−1 obtained by CHAMBERS and SCHULTZ from the shift of peak temperature with frequency. The width of the α peak is shown to be consistent with a relaxation process having a single attempt frequency, and a distribution of activation energies. Assuming a square distribution of width ΔH about H, it is found that ΔH|H ≈︁ 0.10.
Verzerrungsfeld und mechanische Relaxation von Leerstellen in Germanium
Authors: Scholz A. , Seeger A. 
Published: July 2007

AbstractMit einem Modell, das die kovalente Bindung zwischen benachbarten Atomen durch ein Morse‐Potential beschreibt und die Anisotropie des elastischen Verschiebungsfeldes berücksichtigt, berechnen wir die Verzerrungen und die Bildungsenergie von Leerstellen in Germanium. Die Annahme, daß sich die bei der Leerstellenbildung unterbrochenen kovalenten Bindungen zwischen je zwei nächsten Nachbarn der Leerstellen neu bilden, führt zu einer niedrigeren Symmetrie als die Tetraedersymmetrie des ungestörten Kristalls. Die Stärke des infolge der verminderten Symmetrie möglichen Relaxationsprozesses wird berechnet. Dieser tritt vermutlich im Temperaturbereich des flüssigen Wasserstoffs auf und sollte unter günstigen Bedingungen experimentell nachweisbar sein. Das Leerstellenvolumen ergibt sich zu etwa 0,7 Atomvolumina. Die Ergebnisse werden mit denjenigen einer vorangehenden Arbeit [1] ausführlich verglichen.
Untersuchungen über das Schichtenwachstum von Kristallen
Authors: Malicskó L. 
Published: July 2007

AbstractEs wurden Mikrofilme über das Wachstum von Kristallen in Lösungs‐ und Schmelztropfen hergestellt. Die Geschwindigkeiten der Wachstumsschichten wurden gemessen, wobei sich Schwankungen ergaben. Zwischen Schichtdicken und Wachstumsgeschwindigkeiten wurde ein Zusammenhang gefunden, der mit Hilfe von Adsorptionsschichten auf der Kristalloberfläche erklärt wird.
Zum optischen Verhalten halbleitender Zinndioxydschichten im nahen Ultrarot bei Zimmertemperatur
Authors: Koch H. 
Published: July 2007

AbstractDas Dispersions‐ und Absorptionsverhalten „zusatzfreier”︁ Zinndioxydschichten mit Elektronenkonzentrationen bis zu N ≈ 2 · 1020 cm−1 wurde bei Zimmertemperatur im nahen Ultrarot bis zu etwa 3 μm eingehend untersucht.Bei der Absorption und Dispersion durch freie Elektronen sind die longitudinalen optischen Phononen maßgeblich beteiligt.Unter Einbeziehung von Ergebnissen einer früheren Arbeit, in der die elektrischen Eigenschaften halbleitender SnO2‐Schichten untersucht wurden, wurden über die Absorptionsmessungen die effektive Masse (m* = 0,35 m0) der Leitungselektronen und die die Elektron‐Phonon‐Wechselwirkung bestimmende Stoßzeit ermittelt.Die Dispersionsmessungen führen auf einen wesentlich kleineren Wert für die effektive Masse (m* = 0,17 m0), wenn nicht bei der Auswertung neben der Dispersion durch freie Elektronen ein weiterer Dispersionsanteil berücksichtigt wird, der auf Störstellenanregungsübergänge zurückzuführen ist. Entsprechende Banden wurden bei etwa 0,14 eV, 0,0725 eV und 0,0575 eV gefunden.
Characteristic Layer‐Like Field Iin Homogeneous Photoconductors in the Pre‐Breakdown Range I. Steady State Case
Authors: Böer K. W. , Wilhelm W. E. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that in dielectrics in which the carrier density decreases faster than linearly with increasing field strength, e.g. by field quenching, inhomogeneous field distributions must occur. These field inhomogeneities can be of a layer‐like type as has been observed recently in CdS single crystals.
Photovoltaische Effekte in CdS‐Einkristallen
Authors: Ludwig W. 
Published: July 2007

AbstractAn undotierten CdS‐Einkristallen wurden nach einer Kondensatormethode Photo‐EMK‐Effekte in Abhängigkeit von der Wellenlänge der optischen Anregung, von der Intensität, vom Vakuum und von einer zusätzlichen Oberflächenbehandlung der Kristalle untersucht. Es wurden nicht nur Photo‐EMK‐Effekte bei Grundgitteranregung, sondern auch bei langwelligerer Anregung gefunden. Die Photo‐EMK der meisten untersuchten Kristalle konnte durch Änderung der Oberflächeneigenschaften beeinflußt werden. Die Ergebnisse können nicht durch einen Dember‐Effekt allein gedeutet werden. Bei zusätzlicher optischer Anregung haben sich Effekte ergeben, die in Parallele zu den Tilgungseffekten der Photoleitfähigkeit stehen. Es wurden bei Dauerbelichtung charakteristische Zeiteffekte gefunden.
On the Fluorescence of Synthetic LiF Crystals
Authors: Görlich P. , Karras H. , Kötitz G. 
Published: July 2007

AbstractThe relative spectral distribution of the fluorescence of both untreated and radiationcoloured LiF crystals have been investigated at monochromatic excitation in the range from 253 to 635 nm. Fluorescence has been shown to be slightly influenced by the growing procedure of the crystals (air or vacuum‐grown) and the type of coloration (x‐rays or deuterons), but it was not until longer exciting wavelengths were used that this influence became more distinct.Fluorescences with peaks at 530 nm and 670 nm emitted at R1, R2 or M band excitation could be verified. In addition, at F band excitation an emission was observed likewise at 530 and 670 nm, which could also be stimulated, individually or commonly, by light of the R1, R2 or M bands. This may be interpreted in terms of an energy transfer process from the absorbing to the emitting centres.
Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p‐n‐Übergänge I. Der Spannungsdurchbruch
Authors: Antula J. 
Published: July 2007

AbstractDie Arbeit befaßt sich mit der Bestimmung des Anteiles von Stoßionisation und Feldemission in abrupten Silizium‐p‐n‐Übergängen am elektrischen Durchschlag. Bei bestimmten Durchbruchspannungen sind beide Mechanismen wirksam. Für jeden Durchbruchsmechanismus wird ein Anteilskoeffizient eingeführt und seine Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung festgestellt. Dadurch wird es ermöglicht, die Spannungsabhängigkeit des Durchbruchsstromes auch im Übergangsbereich, in dem beide Durchbruchsmechanismen parallel wirken, zu errechnen.
Schwenkfilm‐Methode und ihre Anwendung bei Untersuchungen dynamischer Effekte der Röntgenstrahlstreuung im Kristallgitter
Authors: Auleytner J. , Zielińska‐Rohozińska E. 
Published: July 2007

AbstractIm folgenden wird eine Röntgen‐Methode beschrieben, die zur Sichtbarmachung der einzelnen Versetzungen in dünnen Einkristallen und zur Untersuchung der sogenannten „Pendellösung‐Interferenzen”︁ dienen kann. Diese Methode ist eine Weiterentwicklung der Schwenkfilm‐Technik, die von AULEYTNER bereits früher veröffentlicht wurde [1]. Es werden einige Beispiele angegeben, die Si‐Einkristalle betreffen.
Birefringence Induced by Light in Potassium Chloride Crystals Coloured by Ionizing Radiation
Authors: Damm J. Z. , Słukaszewicz K. 
Published: July 2007

AbstractA new anisotropic effect is oberserved in some potassium chloride crystals coloured by ionizing radiation. The coloured samples exhibit birefringence after illumination with ordinary or polarized light. By using suitable illumination conditions it is possible to obtain both uni‐ and biaxial crystals with optical directions parallel to the cube edges, and possessing either negative or positive optical signs. It is found that only light of wavelength between 625 and 750 nm is effective in producing the optical anisotropy and that the light undergoing double refraction lies in the same range of wavelengths. Some properties of the defects responsible for the birefringence and a possible mechanism of the effect are discussed.
On the Pekar and Perlin Calculation of F‐Center Lifetimes
Authors: Fowler W. Beall , Dexter D. L. 
Published: July 2007

AbstractIn a recent paper PEKAR and PERLIN presented a calculation, based upon PEKAR's continuum theory of the F‐center, of the radiative lifetime of the first excited level of the F‐center. Their results are in order‐of‐magnitude agreement with the experimental results of SWANK and BROWN. In this paper we argue that such agreement is fortuitous and is the result of several invalid assumptions made by PEKAR and PERLIN: 1. as they mentioned, they have neglected to include an effective field correction in their calculation; 2. they have used the same electronic wave functions to calculate emission probabilities as one would use (in PEKAR's theory) to calculate absorption probabilities, a procedure which we have shown to be susceptible to suspicion; 3. these electronic wave functions are in fact not consistent with observed absorption oscillator strengths.
Electron‐Lattice Interaction and its Effect on the Energy Gap in Semiconductors
Authors: Figielski T. 
Published: July 2007

AbstractFormulae for the crystal deformation due to the introduction of charge carriers are obtained using the thermodynamic potential method. This phenomenon is caused by the direct electron‐lattice interaction. A change in the energy gap due to this effect is also estimated. for example the band gap in InSb is reduced by about 0.01 eV when 1019 electrons per cm3 are introduced into the crystal.
The Thermoelectric Power in InSb in the Presence of an External Magnetic Field
Authors: Byszewski P. , Kołodziejczak J. , Zukotyński S. 
Published: July 2007

AbstractThe thermoelectric power of n‐type indium antimonide is measured as a function of magnetic field up to 20 kOe. Saturation of the thermoelectric power is observed at high fields. The dependence of the electronic effective mass on the carrier concentration is derived from this experimental data. It is found that this dependence is in very good agreement with the non‐parabolic model of the conduction band. An analysis of the scattering processes indicates that optical mode and ionized impurity scattering are dominant at room temperature.
Paramagnetische Resonanz von Nickel in Silberbromid
Authors: Busse J. 
Published: July 2007

AbstractDie paramagnetische Resonanzabsorption von nickeldotiertem Silberbromid wird bei der Temperatur der flüssigen Luft und des flüssigen Wasserstoffs untersucht. Es treten vor allem zwei Arten von paramagnetischen Zentren auf. Das eine Zentrum besitzt eine im Rahmen der Meßgenauigkeit richtungsunabhängige Linie mit dem g‐Faktor 2,238 ± 0,005 und der Breite von 180 G bei 20 °K. Die Zuordnung zu einem isolierten Ni++‐Ion auf Gitterplatz wird diskutiert. Die Winkelabhängigkeit der Absorptionslinien der zweiten Zentrenart läßt sich durch einen Spin‐Hamiltonoperator mit axialer Symmetrie für das Ni++‐Ion beschreiben. Innerhalb der Fehlergrenzen ist dabei g∥ = g⟂ = 2,20 ± 0,02. Die Nullfeldaufspaltung ist D = (2,92 ± 0,05) cm−1. Ein Ni++‐Ion auf Gitterplatz mit einer Silberionlücke als zweitnächstem Nachbarn wird als Absorptionszentrum vorgeschlagen.Bestrahlung der Kristalle bei Zimmertemperatur führt zum Abbau der Linien und mehr oder weniger ausgeprägten Aufbau einer sehr breiten Linie mit etwa demselben g‐Faktor, wie ihn die richtungsunabhängige Linie besitzt. Die Abnahme der Breite der neu entstandenen Linie beim Übergang von 20 °K zu 90 °K ähnelt dem Verhalten von NiBr2‐Pulver. Deshalb wird angenommen, daß durch Bestrahlung NiBr2 ausgeschieden wird.
Mechanische Relaxation von Kupfer‐Einkristallen
Authors: Buck O. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit wird die mechanische Relaxation von Kupfer‐Einkristallen einheitlicher Orientierung im Übergangsgebiet Bereich I ‐ Bereich II und im Bereich II der Verfestigungskurve bei 77 und 293 °K untersucht. Die Messungen zeigen, daß die bei der mechanischen Relaxation gemessene zeitliche Änderung der Schubspannung im Gleitsystem \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{da}}{{dt}} $\end{document} mit der beim Kriechen gemessenen zeitlichen Änderung der Abgleitgeschwindigkeit \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{d\tau }}{{dt}} $\end{document} durch die Beziehung \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{d\tau }}{{dt}} = \vartheta G\frac{{da}}{{dt}} $\end{document} verknüpft ist, wobei vG der nicht durch thermisch aktivierte Prozesse verursachte Verfestigungskoeffizient ist. Daraus wird geschlossen, daß die mechanische Relaxation im Übergangsgebiet Bereich I ‐ Bereich II und im Bereich II (vermutlich aber auch im Bereich I) vom selben atomaren Prozeß wie das Kriechen herrührt.Es läßt sich ferner zeigen, daß die Verfestigung der untersuchten Einkristalle überwiegend von nicht thermisch aktivierten Prozessen herrührt, d. h. daß v ≈ vG ist.
Schwingungen kubischer Kristalle aus hochsymmetrischen Molekülen
Authors: Biem W. 
Published: July 2007

AbstractEs werden Beziehungen zwischen den harmonischen Kopplungsparametern in kubischen Gittern mit hochsymmetrischen Molekülen abgeleitet. Insbesondere werden die Gitterschwingungen in Hexamethylentetramin (C6H12N4, kubisch raumzentriert) und „Adamantan”︁ (C10H16, kubisch flächenzentriert) diskutiert.
Vergleichende Untersuchungen von Leitfähigkeitsglowkurven an CdS‐Einkristallen
Authors: Dittfeld H.‐J. , Voigt J. 
Published: July 2007

AbstractIn der vorliegenden Arbeit werden die von 11 Autoren bzw. Autorengruppen angegebenen Methoden zur Bestimmung der Hafttermtiefe aus Glowkurven an CdS‐Einkristallen experimentell geprüft. Als Ergebnis des Vergleichs ergibt sich, daß die von BUBE angegebene, direkt auf der Definitionsgleichung der Quasifermigrenze basierende sehr einfache Auswertungsformel allen übrigen gegenüber zu bevorzugen ist. Die Annahme eines Quasigleichgewichts zwischen Haft‐ und Leitungselektronen wird ‐ bei Aufheizgeschwindigkeiten unterhalb 1,5°/s ‐ durch Untersuchungen über den Füllungsgrad der Haftterme am Glowmaximum sowie die Abhängigkeit des Füllungsgrades von der Aufheizgeschwindigkeit experimentell bestätigt.Die kombinierten Glowkurven‐ sowie Photoleitungsmessungen zur absoluten Bestimmung des energetischen Verlaufs des Hafttermspektrums nach BROSER und BROSER‐WARMINSKY führen zu dem Ergebnis, daß die Quantenausbeute bei der Anregung der Leitungselektronen in einem Intensitäts‐ und Temperaturbereich, in dem die Quasifermigrenze in einem Gebiet etwa 0,4 eV unterhalb des Leitungsbandes variiert, von der Anregungsintensität abhängt.
Magnetic Structure of the Mn5Ge3 Alloy
Authors: Ciszewski R. 
Published: July 2007

AbstractNeutron powder diffraction patterns are measured at 50°C and liquid nitrogen temperature. The crystal structure is defined as D88 (space group P63/mcm), in agreement with CASTELLIZ's data [2]. It is found that the atoms in the 4 (d) and 6 (g) positions have magnetic moments of (3 ± 0.1) and (2 ± 0.1) Bohr magnetons, respectively. The spin direction is parallel to the [0001] axis.
On the Coloration Layer in Deuteron‐Irradiated LiF Crystals
Authors: Görlich P. , Karras H. , Kötitz G. 
Published: July 2007

AbstractSynthetic LiF crystals grown in high vacuum are irradiated with 13.5 MeV deuterons. The coloured layer is removed in 34 steps and the coloration spectrum measured after each step. No qualitative differences in the coloration spectra at different depths could be established. A new method for the determination of the thickness of the coloured layer is described and used to measure the thickness of the layer for the strongest coloration bands at 248nm (F band), 445 nm (M band), 316 nm (R1 band), and 378 nm (R2 band). The mean value of the average range was about (0.655 ± 0.001)mm. The thickness of the coloured layer is shown to be related to the depth of penetration of the deuterons.
Raumladungsbegrenzte Löcherinjektionen und Haftstelleneffekte in p‐Silizium
Authors: Lemke H. 
Published: July 2007

AbstractDie Löcherinjektion in p+‐p‐p+‐Siliziumschichten wird im Temperaturbereich von 77 bis 300 °K untersucht. Für die Messungen wurden zonengereinigte Silizium‐Einkristalle mit spezifischen Widerständen von 103 bis 104 ωcm verwendet, die mit tiefen Donatoren Fe, Au und Cu dotiert wurden. Die stationären Kennlinien zeigen neben einem ohmschen Ast bei kleinen Spannungen einen stark superlinearen Ast. Quadratische Charakteristiken werden nur bei der Wirkung flacher Haftstellen gefunden. Die Impulsstromkennlinien entsprechen bei geeignetem Tastverhältnis dem Gesetz von MOTT‐GURNEY. Die U2‐ und L−3‐Abhängigkeit konnten experimentell bestätigt werden. Die Entleerung der Haftstellen kann durch Lichteinstrahlung im Grundgitter‐ und Ausläufergebiet beschleunigt werden.
Das Kriechen von NaCl‐Einkristallen bei 500 bis 750 °C
Authors: Ilschner B. , Reppich B. 
Published: July 2007

AbstractKompression von NaCl in 〈001〉‐Richtung bei erhöhten Temperaturen ergab einen schwach S‐förmigen Anfangsteil der Kriechkurve. Die Temperatur‐ und Spannungsabhängigkeit der Abgleitgeschwindigkeit ast im stationären Bereich dieser Kurve wurde bei Schubspannungen 25 < τ < 75 p/mm2 untersucht. Die Ergebnisse werden durch ast ∼ exp [‐ (U0 ‐ Vτ)/kT] mit U0 = 2,65 eV, V = 1,6 · 10−19 cm3 beschrieben. Sie lassen sich durch die Annahme deuten, daß nichtkonservative Bewegung von Sprüngen in Schraubenversetzungen der geschwindigkeitsbestimmende Vorgang ist. Bei größeren Zeiten wird ein anderes, nichtlineares Zeitgesetz des Kriechens beobachtet.
On the Type of Jogs on Intersecting Screw Dislocations
Authors: Zsoldos L. 
Published: July 2007

AbstractIt is shown that HORNSTRA's formula agrees with COTTRELL's results, namely that most of the jogs arising during plastic deformation are of the interstitial type. It is shown, however, that the number of vacancy jogs is not negligible compared with the number of interstitial jogs.
Lattice Constants and Thermal Expansion of Palladium and Tungsten up to 878 °C by X‐Ray Method
Authors: Dutta B. N. , Dayal B. 
Published: July 2007

AbstractThe lattice parameters, and coefficients of thermal expansion, of palladium and tungsten are measured by means of a high temperature X‐ray powder camera. The lattice constants of palladium are expressed by an analytical formula at = 3.8890 × 10− + 4.5 × 10−13 t + 1.37 × 10−16 t2 and those of tungsten by at = 3.1646 × 10−8 + 1.4398 × 10−13 t + 0.3164 × 10−16 t2. It is found that the thermal expansion coefficients can not be satisfactorily explained by Grüneisen's theory.
Desakkomodation und Frequenzabhängigkeit der magnetischen Nachwirkung bei hohen Temperaturen an Eisen‐Silizium‐Legierungen
Authors: Dietze H.‐D. 
Published: July 2007

AbstractDie Theorie der magnetischen Nachwirkung durch Diffusion von Leerstellen wird erweitert auf den Fall mit kontinuierlich verteilten Quellen und Senken für die Leerstellen und daraus die Desakkomodation und Frequenzabhängigkeit der Anfangspermeabilität berechnet.
Electrical Resistivity of Polycrystalline Gadolinium from 4 to 375 °K
Authors: Colvin R. V. , Arajs S. 
Published: July 2007

AbstractElectrical resistivity of high purity polycrystalline gadolinium, having residual resistivity of about 2.4 μΩ cm, has been studied as a function of temperature between 4 and 375 °K. Between 5 and 15 °K, the intrinsic resistivity is proportional to Tn with n = 3.73 ± 0.03. This value is close to the theoretically expected temperature dependence, T4, of the magnetic resistivity as suggested by Mackintosh on the basis of a linear spin wave dispersion law. The electrical resistivity in the neighborhood of 210 °K does not exhibit any anomaly of the type which would clearly support the existence of the ferromagnetic‐antiferromagnetic transformation proposed by Belov and his co‐workers. The detailed resistivity behavior at the Curie temperature, 293 ± 1 °K, indicates a gradual transition from the ferromagnetic to the paramagnetic state.
Gesättigte Photoströme in CdS‐Einkristallen
Authors: Kiess H. 
Published: July 2007

AbstractPhotoströme in CdS‐Einkristallen zeigen bei hohen Feldstärken eine ausgeprägte Sättigung. Es wurde die Abhängigkeit von der Wellenlänge und von der Bestrahlungsstärke des anregenden Lichts gemessen. Zur Klärung der Frage, welcher Mechanismus die Sättigung bewirkt, wurden Potentialmessungen und Messungen mit Lichtsonden ausgeführt, deren Ergebnisse mit den bestehenden Theorien zur Stromsättigung jedoch nicht gedeutet werden können. Mit Hilfe eines neuen Sättigungsmechanismus, der in der nachfolgenden Arbeit [1] beschrieben wird, lassen sich jedoch die Meßergebnisse erklären.
Verfestigungsverhalten neutronenbestrahlter Metalle. I. Ferromagnetische Untersuchungen an Nickel‐Einkristallen
Authors: Rieger H. , Seeger A. , Kronmüller H. 
Published: July 2007

AbstractDie Änderung der Anfangs‐ und Einmündungssuszeptibilität sowie der Koerzitivfeldstärke infolge der plastischen Verformung (im Zugversuch) wurde an unbestrahlten und mit 0,8 · 1018 schnellen Neutronen/cm2 bestrahlten Nickel‐Einkristallen gemessen. Aus dem Vergleich der Verformungsabhängigkeiten der magnetischen Größen konnten folgende Schlüsse gezogen werden:In bestrahlten Kristallen ist die Dichte der betätigten Versetzungsquellen größer und die Länge der Versetzungslaufwege kleiner als in unbestrahlten Kristallen. Außerdem besitzen bestrahlte Nickel‐Einkristalle gegenüber unbestrahlten zu Beginn der Verformung einen höheren τS‐Anteil, der mit zunehmender Verformung kleiner wird.In Übereinstimmung mit anderen Untersuchungen wird als Ursache für die Erhöhung des τS‐Anteils das Durchschneiden der Versetzungen durch die bei der Bestrahlung erzeugten verdünnten Kristallzonen angenommen. Die Abnahme des τS‐Anteils mit zunehmender Abgleitung im Bereich schwacher Verformung wird durch den Abbau dieser Zonen infolge der Schneidprozesse erklärt. Dieser Zonenabbau ist auch die Ursache für die mit zunehmender Verformung kleiner werdenden Unterschiede im Verformungsverhalten unbestrahlter und neutronenbestrahlter Nickel‐Einkristalle.
Artificial Initiation of Layer‐Like Field Inhomogeneities in CdS Single Crystals
Authors: Böer K. W. , Wilhelm W. E. 
Published: July 2007

AbstractCharacteristic layer‐like field inhomogeneities can be initiated artificially in CdS single crystals. The genesis and kinetics of these layers are described. Electro‐optical effects were used to observe the field inhomogeneities.
An Empiricism for Establishing the Transition Temperatures of Superconducting Alloys and Compounds
Authors: Gold L. 
Published: July 2007

AbstractThe synthesis of new superconductive alloys may be guided by a form of empiricism based upon the isotope law. For a series of alloys having a common structure, the critical temperatures of its members are presumed so interrelated. The reduced mass of a compound becomes somewhat obscure for stoichiometry other than 50 to 50 atomic percent. Several possible definitions of reduced mass permit setting of upper and lower bounds on the transition point in general. Theoretical calculations are presented for Nb3In with evidence that the experimental values for this substance and Nb3Ga may require slight revision. In line with the quest for alloys with higher critical temperatures than Nb3Sn, a prediction is made that Nb3Si (were it to exist and be of the β‐tungsten structure) would be a promising prospect.