Анализ фазовых равновесий в тройной системе Ge–P–Sn
Authors: Semenova Galina V. , Leont’eva Tat’yana A. , Sushkova Tat’yana P. 
Published: July 2019

На основании анализа характера фазовых равновесий в двойных системах, ограняющих диаграмму состояний тройной системы Ge – P – Sn, предложены теоретически возможные схемы ее фазового субсолидусного разграничения. Исследование методом рентгенофазового анализа образцов, принадлежащих политермическим сечениям Sn4P3-Ge, Sn4P3-GeP, показало, что разделение трехкомпонентной диаграммы состояния ниже солидуса осуществляется с помощью сечений Sn4P3-Ge, Sn4P3 -GeP и SnP3-GeP. Построенная по данным дифференциального термического анализа фазовая диаграмма сечения Sn4P3-Ge представляет диаграмму эвтектического типа с координатами эвтектической точки 800 К, 15 mol % Ge.

REFERENCES

Castellanos-Gomez A. Why all the fuss about 2D semiconductors? Nature Photonics, 2016, v. 10, pp. 202-204. https://doi.org/10.1038/nphoton.2016.53
Hasan M. Z., Kane C. L. Colloquium: Topological insulators. Mod. Phys., 2010, v. 82, pp. 3045–3067. https://doi.org/10.1103/revmodphys.82.3045
Piot P., Behrens C., Gerth C., Dohlus M., Lemery F., Mihalcea D., Stoltz P., Vogt M. Erratum: Generation and Characterization of Electron Bunches with Ramped Current Profi les in a Dual-Frequency Superconducting Linear Accelerator. Rev. Lett., 2012, v. 108, pp. 1–5. https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.229902
Dávila M. E., Xian L, Cahangirov S., Rubio A., Le Lay G. Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene . New J. Phys., 2014, v. 16, pp. 095002. https://doi.org/10.1088/1367-2630/16/9/095002
Lalmi B., Oughaddou H., Enriquez H., Kara A., Vizzini S., Ealet B., Aufray B. Epitaxial growth of a silicene sheet. Phys. Lett., 2010, v. 97, pp. 223109. https://doi.org/10.1063/1.3524215
Kara H., Enriquez H., Seitsonen Ari P., Lew Yan Voon L.C., Vizzini S., Aufray B., Oughaddou H. Corrigendum to “A review on silicene – New candidate for electronics”. Sci. Rep., 2012, v. 67, pp. 1–18. https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2012.01.001
Barreteau C, Michon B, Besnard C, Giannini E. High-pressure melt growth and transport properties of SiP, SiAs, GeP, and GeAs 2D layered semiconductors. Cryst Growth., 2016, v. 443, pp. 75–80. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.03.019
Ugai Ya. A., Sokolov L.I., Goncharov E.G. P-T-X diagramma sostoyaniya sistemy GeP i termodinamika vzaimodeystviya komponentov [P-T-X GeP system state diagram and thermodynamics of componentinteraction] // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 1978, v. 23(7), рр. 1907–1911. (in Russ.)
Lee K., Synnestvedt S., Bellard M., Kovnir K. GeP and (Ge1−Sn )(P1−Ge ) (x≈0.12, y≈0.05): Synthesis, structure, and properties of two-dimensional layered tetrel phosphides. Solid State Chem., 2015, v. 224, pp. 62–70. https://doi.org/10.1016/j. jssc.2014.04.021
Vivian A. C. Inst. Met, 1920, v. 23, pp. 325-336.
Zavrazhnov A. Yu., Semenova G. V., Proskurina E. Yu., Sushkova T.P. Phase diagram of the Sn–P system. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, v. 134(1), pp. 475–481. https://doi.org/10.1007/s10973-018-7123-0
Olesinski R. W., Abbaschian G. J. The Ge−Sn (Germanium−Tin) system. Bulletin of Alloy Phase Diagrams, 1984, v. 5(3), pp. 265–271. https://doi.org/10.1007/bf02868550
Glazov V. M., Pavlova L. M. Khimicheskaya termodinamika i fazovyye ravnovesiya [Chemical thermodynamics and phase equilibria]. Moscow, Metallurgiya Publ, 1988, 560 p. (in Russ.)
Emsley J. The elements: Second Edition. Oxford University Press, Oxford, 1991.
Arita M. Kamo K. Measurement of Vapor Pressure of Phosphorus over Sn–P Alloys by Dew Point Method. Jpn. Inst. Met, 1985, v. 26(4), pp. 242–250. https://doi.org/10.2320/matertrans1960.26.242