Высокотемпературная кубическая модификация сульфида галлия (хs = 59 мол %) и Т, х-диаграмма системы Ga – S
Authors: Volkov Vyacheslav V. , Sidey Vasil I. , Naumov Alexander V. , Nekrylov Ivan N. , Brezhnev Nikolay Yu. , Malygina Ekaterina N. , Zavrazhnov Alexander Yu. 
Published: March 2019

Уточнена фазовая диаграмма системы Ga – S в области составов от 30.0 до 60.7 mol % серы и в области температур от комнатной до 1220 °С. Выделена и структурно охарактеризована фаза s-Ga2S3, имеющая сфалеритоподобную структуру (пр. гр. , параметр решетки 5.21 Å) с дефицитом атомов в подрешетке галлия, существование которой подтверждено также термическими методами анализа. Определены температурные зависимости параметров решеток моноклинной фазы a-Ga2S3 (Cc) и гексагональной слоистой фазы b-GaS (P63/mmc), причем показано, что параметр c последней существенно зависит от температуры вследствие увеличения ван-дер-ваальсовой щели.

ИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект 18-33-00900-мол-а.

ЛИТЕРАТУРА

Kogler M., Kock E. M., Klotzer B., Penner S. Phys. Chem. – Amer. Chem. Soc., 2016, vol. 120, iss. 39, pp. 22443–22454. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07234
Lokshin E. P., Sidneva T. A. prikl. chim. [Russian Journal of Applied Chemistry], 2006, vol. 79, iss. 8, pp. 1220–1224. https://doi.org/10.1134/s1070427206080027
Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. Rev., 2013, vol. 113, pp. 3766–3798. https://doi.org/10.1021/cr300263a
Zhang M. J., Jiang X. M., Zhou L. J., Guo G. C. Mater. Chem., vol. C1, 2013. pp. 4754–4760. https://doi.org/10.1039/c3tc30808a
Parthé E. Elements of Inorganic Structural Chemistry. Wien, 1990, 144 p.
Pardo M., Tomas A., Guittard M. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1677–1684. https://doi.org/10.1016/0025-5408(87)90011-0
Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M. P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054
Ormont B. F. Vvedenie v physicheskuyu chimiyu i cristallochimiyu poluprovodnikov [Introduction to Physical Chemistry and Crystal Chemistry of Semiconductors]. Moscow, Vysshaya shkola Publ., 1982, 528 p. (in Russ.)
Berezin S. S., Zavrazhnov A. Yu., Naumov A. V. , Nekrylov I. N., Brezhnev N. Yu. Condensed Matter and Interphases, 2017, vol. 19, no. 3, pp. 321–335. URL: https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/208/26 (in Russ.)
Zavrazhnov A., Berezin S., Kosyakov A., Naumov A., Berezina, Brezhnev N. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, vol. 134, iss. 1, pp. 483–492. https://doi.org/10.1007/s10973-018-7124-z
Nolze G., Kraus W. Powder Diffraction, 1998, vol. 13, no. 4, pp. 256–259.
Holland J. B., Redfern S. A. T. J. Appl. Cryst., 1997, vol. 30, p. 84. https://doi.org/10.1107/s0021889896011673
Goodyear J., Steigmann G. A. Acta Crystallogr., 1963, vol. 16, pp. 946–949. https://doi.org/10.1107/s0365110x63002565
Kuhn A., Bourdon A., Rigoult J., Rimsky A. Rev. B, 1982, v. 25, iss. 6, pp. 4081 – 4088. https://doi.org/10.1103/physrevb.25.4081
Hahn H., Klingler W. Anorg. Allgem. Chemie, 1949, vol. 259, pp. 135–142. https://doi.org/10.1002/zaac.19492590111
Webster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x
Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Pardo M.P., Guittard M., Chilouet A. Solid State Chem., 1993, vol. 102, pp. 423–433. https://doi.org/10.1006/jssc.1993.1054
Webster J. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering. John Wiley & Sons, 1999, pp. 147–158. https://doi.org/10.1002/047134608x
Berezin S. S., Berezina V., Zavrazhnov A. Yu. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no. 6, pp. 555–563.https://doi.org/10.1134/s0020168513060010
Streetman G. Solid State Electronic Devices, Pearson, 2016, 621 p.