bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа
Authors: Астрова Е.В. , Преображенский Н.Е. , Павлов С.И. , Воронков В.Б.
Published: August 2017

Интерес к спеканию макропористого кремния обусловлен возможностью целенаправленно изменять его структуру. Проведение спекания макропористых структур в атмосфере аргона вместо водорода упрощает требования к оборудованию и технике безопасности. В настоящей работе исследовано спекание макропористого кремния, происходящее в результате отжига при T=1000-1280oC в горизонтальной трубе, продуваемой газами высокой чистоты: Ar или Ar+3% H2. Эксперименты проводились на слоях с глубокими цилиндрическими макропорами, изготовленными с помощью электрохимического травления образцов с затравочными ямками на поверхности (упорядоченные поры) и без таковых (случайные поры). Морфология пористой структуры и происходящие в ней изменения после отжига изучались с помощью электронного и оптического микроскопов. Показано, что в зависимости от диаметра пор и температуры обработки происходит сглаживание поверхности пор, закрытие пор и образование поверхностной корки, сфероидизация и распад цилиндрических пор на отдельные полые сферы, появление тонкой структуры и огранки. Показано, что минимальной поверхностной энергией обладают плоскости (111). Обнаружено, что при отжиге макропористого кремния в атмосфере инертного газа происходит интенсивное термическое травление, что проявляется в увеличении пористости или даже полном исчезновении пористого слоя на краю образца. Кроме того, при отжиге, особенно в области низких температур, наблюдается появление окисного налета в виде пленки, шариков или длинных нитей, образующих стекловату. Наблюдавшиеся особенности объясняются наличием в инертном газе следов окислителя, приводящего к образованию легко летучего SiO и продуктов реакции с его участием.8543 DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44884.8543
Составление аналитического выражения физического процесса по экспериментальной кривой с изломами
Authors: Давыдов В.Н. , Харитонов С.В. , Лугина Н.Э. , Мельник К.П.
Published: August 2017

Предложена методика составления аналитического выражения экспериментальной кривой, имеющей один или несколько изломов. В зависимости от схемы участия парциальных процессов в результирующем процессе при составлении используются вычисления суммы процессов или их среднего геометрического значения. Для повышения точности аппроксимации в данные выражения введены "функции участия" процессов, ход которых определяется координатой точки пересечения процессов и "параметром точности". Их подбором точность аппроксимации устанавливается соответствующей точности измерения экспериментальной кривой. Показано применение предлагаемой методики в аналитических расчетах с комбинацией нескольких процессов, а также при составлении аналитического выражения экспериментальной кривой с изломами. Получаемое таким способом аппроксимирующее выражение характеризуется наглядностью, высокой точностью аппроксимации, физической простотой и может быть использовано для вычисления других свойств полупроводникового прибора. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44886.8402
Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных (alpha-Si/mu c-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга
Authors: Богданов Д.А. , Горбатовский Г.А. , Вербицкий В.Н. , Бобыль А.В. , Теруков Е.И.
Published: August 2017

Разработан метод оценки эффективности работы alpha-Si/mu c-Si солнечных модулей на основе анализа данных мониторинга значения тока и напряжения в точке максимальной мощности и данных измерения температуры поверхности модуля. Приведена методика оценки параметров работы alpha-Si/mu c-Si модулей в ходе эксплуатации после начальной деградации модуля, и произведено сравнение результатов оценки параметров со значениями, измеренными в лаборатории. Ошибка оценки параметров не превысила 3%, для максимальной мощности модуля в стандартных условиях ошибка оценки составила 0.36%. Данная методика может применяться для оценки эффективности модуля и краткосрочного прогнозирования (день, неделя) мощности генерируемой солнечной энергоустановкой в условиях эксплуатации с использованием стандартных средств мониторинга. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44887.8018
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
Authors: Бочкарева Н.И. , Вороненков В.В. , Горбунов Р.И. , Вирко М.В. , Коготков В.С. , Леонидов А.А. , Воронцов-Вельяминов П.Н. , Шеремет И.А. , Шретер Ю.Г.
Published: August 2017

Представлены результаты исследования зависимостей тока и емкости от прямого смещения диодов Шоттки Au/n-GaN, а также спектров подзонного оптического поглощения и дефектной фотолюминесценции объемных кристаллов и тонких слоев n-GaN. Показано, что туннелирование с участием дефектов является доминирующим механизмом транспорта при прямых смещениях контактов Шоттки на n-GaN. Зависимости тока и емкости от прямого смещения отражают энергетический спектр дефектов в запрещенной зоне n-GaN: рост с энергией плотности глубоких состояний, ответственных за желтую фотолюминесценцию в GaN, и резкий экспоненциальный хвост состояний с урбаховской энергией EU=50 мэВ вблизи края зоны проводимости. Уменьшение частоты перескоков электронов вблизи интерфейса Au/n-GaN приводит к широкому распределению локальных времен диэлектрической релаксации и изменению распределения электрического поля в области пространственного заряда при прямых смещениях. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528
Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
Authors: Юферев В.С. , Левинштейн М.Е. , Иванов П.А. , Zhang Jon Q. , Palmour John W.
Published: August 2017

В рамках одномерного численного моделирования исследованы основные физические процессы, определяющие переходной процесс выключения биполярного SiC-транзистора из режима глубокого насыщения. Исследован процесс выключения в режиме обрыва базового тока и в режиме выключения отрицательным (выключающим) током базы. Показано, что при вполне реалистических значениях выключающего базового тока время выключения может быть уменьшено в ~40 раз по сравнению с временем выключения при нулевом базовом токе. Время задержки также может быть существенно, в несколько раз, сокращено. Отмечается, что в режиме глубокого насыщения, когда реализуется интенсивная модуляция проводимости коллекторного слоя, транзистор может работать в непрерывном режиме при весьма высокой плотности тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44889.8540
Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе
Authors: Цуканов А.В. , Чекмачев В.Г.
Published: August 2017

Приведена схема оптического квантового сенсора внешнего электрического поля на основе двойной квантовой точки, помещенной в высокодобротный полупроводниковый микрорезистор. Разработана модель динамических процессов, происходящих в данной системе, исследованы ее спектральные характеристики, а также проведено изучение шумовой устойчивости сенсора. Показано, что благодаря особенностям дизайна подобное устройство обладает некоторыми преимуществами, такими, как высокая чувствительность, наличие различных каналов для возбуждения и измерения, возможность точного определения пространственного распределения поля. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44890.8485
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As (x>0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Authors: Пономарев Д.С. , Хабибуллин Р.А. , Ячменев А.Э. , Павлов А.Ю. , Слаповский Д.Н. , Глинский И.А. , Лаврухин Д.В. , Рубан О.А. , Мальцев П.П.
Published: August 2017

Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и InxGa1-xAs c повышенным содержанием индия (x>0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в InxGa1-xAs в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью InxGa1-xAs при x>0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In0.38Ga0.62As и на 64% для антенны на основе In0.53Ga0.47As. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44893.8508
Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи
Authors: Ройз М.А. , Баранов А.Н. , Именков А.Н. , Буренина Д.С. , Пивоварова А.А. , Монахов А.М. , Гребенщикова Е.А. , Яковлев Ю.П.
Published: August 2017

На основе квантово-размерной наногетероструктуры GaInAsSb/AlGaAsSb изготовлены и исследованы образцы сдвоенных полупроводниковых дисковых лазеров (длина волны излучения lambda~2.28 мкм), работающих на модах шепчущей галереи. Изучены спектры излучения и диаграммы направленности лазерных систем двух типов --- с наличием перемычки между резонаторами и без нее. Обнаружено появление коллективных мод в обоих типах сдвоенных дисковых лазеров с межмодовым расстоянием, в 2 раза меньшим, чем у одиночных лазеров. Высказано предположение, что данный эффект обусловлен перетеканием излучения из одного дискового лазера в другой. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44894.8549
Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур
Authors: Ерофеев Е.В. , Федин И.В. , Федина В.В. , Степаненко М.В. , Юрьева А.В.
Published: August 2017

Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO-=SUB=-2-=/SUB=-
Authors: Тысченко И.Е. , Черков А.Г. , Володин В.А. , Voelskow M.
Published: August 2017

Изучены закономерности формирования нанокристаллов германия в тонких пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ при высокотемпературном отжиге (1130oC), в зависимости от величины гидростатического давления. Установлено, что отжиг при атмосферном давлении сопровождается диффузией атомов германия из области имплантации в подложку Si и не приводит к формированию нанокристаллов Ge. Увеличение давления во время отжига приводит к замедлению диффузии германия в кремний и сопровождается формированием двойниковых ламелей на границе раздела Si/SiO2 (при давлениях ~103 бар) либо зарождением и ростом нанокристаллов Ge (при давлениях ~104 бар) в пленке SiO2. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения изменения активационного объема образования и миграции точечных дефектов в условиях сжатия. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44897.8516
Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
Authors: Савченко Г.М. , Дюделев В.В. , Лундин В.В. , Сахаров А.В. , Цацульников А.Ф. , Когновицкая Е.А. , Лосев С.Н. , Дерягин А.Г. , Кучинский В.И. , Аверкиев Н.С. , Соколовский Г.С.
Published: August 2017

Теоретически показана возможность эффективной генерации второй гармоники в оптическом диапазоне длин волн в плоском диэлектрическом волноводе с активной областью, представляющей собой одномерный фотонный кристалл. Истинный синхронизм фаз достигается за счет управления дисперсией волн в фотонном кристалле. Проведено самосогласованное решение дисперсионных уравнений фотонного кристалла и трехслойного волновода. Показано, что длина когерентности может превышать 10 mm. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (грант N 17-02-00865). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44836.072
Поляризационные эффекты в гетеролазерах In-=SUB=-28-=/SUB=-Ga-=SUB=-72-=/SUB=-As/GaAs на квантовой яме
Authors: Кулакова Л.А. , Лютецкий А.В. , Тарасов И.С.
Published: August 2017

Экспериментально и теоретически изучено воздействие вводимых извне переменных деформаций на поляризационные свойства излучения лазера In28Ga72As/GaAs на квантовой яме при комнатной температуре. Проведен анализ поляризационных эффектов при различных величинах превышения рабочим током порогового. Получены данные о величине энергии расщепления уровней легких и тяжелых дырок в квантовой яме исследованной структуры. Экспериментально доказано, что эффективность воздействия переменной деформацией на поворот поляризации существенно возрастает с увеличением ширины квантовой ямы. Работа поддержана РФФИ (грант N 11-02-00729) и научными программами Президиума РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44837.062x
Термостимулированная релаксация заряда в суперионном проводнике alpha-LiIO-=SUB=-3-=/SUB=-
Authors: Сорокин Н.И. , Шалдин Ю.В.
Published: August 2017

Электрофизические свойства монокристаллов суперионного проводника alpha-LiIO3 (гексагональная симметрия, пр. гр. P6322, z-срез) изучены методами импедансной спектроскопии и термостимулированной деполяризации. Механизм термостимулированной релаксации заряда в кристалле alpha-LiIO3 обусловлен "прыжковой" миграцией подвижных ионов Li+ по кристаллографическим позициям в каналах кристаллического каркаса [IO3]-, ориентированных вдоль кристаллографической оси c. Работа выполнена в рамках НИР N 01291153836 по теме ИК РАН "Новые кристаллические и функциональные материалы". DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44838.446
Роль дырочных ловушек в термолюминесценции дозиметрического пика в анион-дефектных монокристаллах alpha-Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-
Authors: Никифоров С.В. , Кортов В.С.
Published: August 2017

Исследованы термолюминесцентные свойства анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия с различной полушириной основного (дозиметрического) пика при 400-500 K. Получены новые экспериментальные подтверждения дырочной природы ловушек, ответственных за высокотемпературную часть данного пика. Введение в рассмотрение дырочных центров захвата позволило теоретически обосновать экспериментально наблюдаемые зависимости интенсивности термолюминесценции (ТЛ), температурного положения и полуширины основного пика от степени заполнения глубоких ловушек. Дырочная природа ловушек высокотемпературной части основного ТЛ-пика подтверждается при анализе особенностей ТЛ мелких центров захвата, обусловливающих ТЛ при 350 K, а также при изучении температурных изменений спектра ТЛ основного пика. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44839.051
Динамика решетки магнитных нанодиполей с кубической анизотропией
Authors: Шутый А.М. , Семенцов Д.И.
Published: August 2017

Компьютерным моделированием исследованы квадратные 5x 5 решетки магнитных диполей с кубической кристаллографической анизотропией. Выявлены условия реализации произвольных ориентационных конфигураций решеток, каждая из которых характеризуется определенным откликом на воздействие внешнего магнитного импульса, а также устанавливаемым режимом колебаний суммарного магнитного момента под действием переменного поля. Обнаружены регулярные колебательные режимы с удвоенной частотой, квазипериодические и хаотические режимы. Исследована зависимость отклика систем от параметров импульса магнитного поля. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках Государственного задания N 3.6825.2017/БЧ и проекта 14.Z50.31.0015. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44840.011
Общность процессов спонтанного и вынужденного перемагничивания кластеров MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb
Authors: Дмитриев А.И. , Филатов А.А.
Published: August 2017

Обнаружена общность процессов спонтанного и вынужденного перемагничивания кластеров MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb. Родство термоактивационных и полевых процессов перемагничивания экспериментально выражается в том, что максимум на полевых зависимостях магнитной вязкости S(H) совпадает с коэрцитивной силой HC образца. Анализ этого экспериментального факта позволил получить формулу, устанавливающую связь HC с параметрами модели, описывающей зависимости S(H). Полученная формула идентична известному закону Кнеллера, определяющему температурную зависимость HC(T) невзаимодействующих суперпарамагнитных наночастиц. Работа поддержана грантом Президента РФ МК-5754.2016.3. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44841.012
Сверхтвердая магнитная фаза в двумерном изингоподобном антиферромагнетике с большой одноионной анизотропией
Authors: Мелешко А.Г. , Клевец Ф.Н. , Гореликов Г.А. , Космачев О.А. , Фридман Ю.А.
Published: August 2017

Исследована модель Изинга с фрустрированным обменным взаимодействием для ультратонкой сильно анизотропной антиферромагнитной пленки в среднеполевом приближении при низкой температуре. Показано, что при определенном соотношении величин материальных констант в системе может реализоваться пространственно-неоднородное состояние наряду с однородными состояниями: ферромагнитной, квадрупольной или сверхтвердой магнитной фазой. На основе анализа линий устойчивости построена фазовая диаграмма системы. Ф.Н. Клевец и А.Г. Мелешко благодарят фонд Дмитрия Зимина Династия" за финансовую поддержку. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты N 16-02-00069 а, 15-42-01007 р\_юг\_а, 16-42-910441 р\_a и 16-32-00098). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44842.040
Влияние кристаллизующего отжига под нагрузкой на магнитные свойства и структуру магнитомягкого сплава FeSiNbCuB, легированного хромом
Authors: Ершов H.В. , Федоров В.И. , Черненков Ю.П. , Лукшина В.А. , Шишкин Д.А.
Published: August 2017

С целью выяснения влияния термомеханической обработки (ТМехО), состоящей в отжиге и охлаждении образцов сплава под действием растягивающего напряжения, на магнитные свойства и структуру сплавов Fe73.5Si13.5B9Nb3Cu1, легированных до 10 at.% хромом за счет железа, проведен анализ изменений квазистатических петель магнитного гистерезиса и рентгеновских дифрактограмм этих сплавов. Показано, что результатом ТМехО является наведение магнитной анизотропии типа "жесткая ось", при которой затрудняется перемагничивание вдоль оси приложения внешнего напряжения при отжиге. По мере увеличения содержания хрома энергия наведенной магнитной анизотропии понижается. В процессе ТМехО возникает деформация решетки нанокристаллов, которая сохраняется после охлаждения. Межплоскостные расстояния увеличиваются вдоль направления растяжения и уменьшаются в поперечном направлении. Наблюдается анизотропия деформаций по кристаллографическим направлениям. Анизотропная деформация ОЦК-решетки нанокристаллов, содержащих большое количество упорядоченной Fe3Si фазы, характеризующейся отрицательным магнитоупругим взаимодействием, является причиной формирования состояния с поперечной магнитной анизотропией типа "жесткая ось". Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Магнит", N 01201463328) при частичной поддержке УрО РАН (проект N 15-9-2-33). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44843.078
Магнитные свойства многослойных пленок Co/Pd на пористых темплатах Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=- с развитой субструктурой ячеек
Authors: Максименко А.А. , Касюк Ю.В. , Федотова Ю.А. , Marsza ek M. , Zabila Y. , Chojenka J.
Published: August 2017

Исследована структура и магнитные свойства пористых многослойных пленок Co/Pd, наносимых на темплаты анодированного Al2O3 со специфической морфологией поверхности, которая характеризуется ячеисто-пористой структурой с несколькими порами внутри каждой ячейки. Методами рентгеноструктрного анализа и рефлектометрии изучены особенности формирования фаз в наносимых пленках. Методами СКВИД-магнитометрии и магнитосиловой микроскопии выявлено влияние морфологических особенностей пористых пленок Co/Pd на их магнитоанизотропные свойства и процессы перемагничивания (механизмы перемагничивания, доменную структуру пленок и величину коэрцитивной силы HC). Работа выполнена в рамках гранта 2014/13/N/ST8/00731 Национального научного центра (NCN, Poland), государственной программы научных исследований "Физическое материаловедение, новые материалы и технологии" (задание 2.44), договоры Ф16В2-004 с БРФФИ (Беларусь). Финансовое обеспечение сканирующего электронного микроскопа (Tescan Vega 3) осуществлялось в рамках гранта UMO-2014/13/B/ST5/04497 (National Science Centre (NCN)). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44844.081
Промежуточные фазы в [111]- и [001]-ориентированных монокристаллах PbMg-=SUB=-1/3-=/SUB=-Nb-=SUB=-2/3-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--29PbTiO-=SUB=-3-=/SUB=-
Authors: Камзина Л.С.
Published: August 2017

С помощью диэлектрических и оптических измерений исследованы фазовые преобразования в зависимости от температуры в [111]- и [001]-ориентированных монокристаллах PbMg1/3Nb2/3O3-29PbTiO3 до и после приложения электрического поля. Показано, что с повышением температуры в неполяризованных образцах обеих ориентаций наблюдается последовательность фазовых переходов ромбоэдрическая (R)-тетрагональная (T)-кубическая фаза (C). После предварительной поляризации при комнатной температуре в [111]-ориентированном кристалле индуцируется дополнительная промежуточная моноклинная (возможно, Ma) фаза и при нагреве наблюдаются переходы R-Ma-T-C. В [001]-ориентированном кристалле после поляризации уже при комнатной температуре вместо ромбоэдрической фазы возникает моноклинная фаза и при нагреве происходят переходы Ma-T-C. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения присутствия в стеклоподобной матрице полярных нанообластей с разной локальной симметрией. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44846.070
Применение числовых характеристик рекуррентных графиков для анализа механической поврежденности материалов
Authors: Гиляров В.Л.
Published: August 2017

Исследован отклик материала со случайным равномерным распределением пор на звуковой импульс. Изучено поведение числовых характеристик рекуррентных графиков (RQA) нормальной компоненты вектора смещения в зависимости от степени поврежденности. Показано, что RQA-параметры могут быть весьма информативными для звуковой дефектоскопии. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 16-05-00237 А). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44848.044
Высокоскоростная эрозия ультрамелкозернистого титанового сплава Ti-6Al-4V, полученного интенсивной пластической деформацией кручением
Authors: Евстифеев А.Д. , Казаринов Н.А. , Петров Ю.В. , Атрошенко С.А. , Валиев Р.Р.
Published: August 2017

Представлены результаты тестирования ультрамелкозернистого титанового сплава Ti-6Al-4V, полученного интенсивной пластической деформацией кручением (ИПДК). Для того чтобы оценить влияние ИПДК-обработки на поведение материала в эрозионных условиях, разработаны специальные экспериментальные методики. Ультрамелкозернистый сплав испытан наряду с традиционным крупнозернистым сплавом титана в эрозионной аэродинамической трубе в воздушном потоке с частицами корунда в качестве абразивного материала. Эрозионная стойкость материала оценивалась по потере массы образцов. Несмотря на существенное увеличение статических прочностных характеристик, наноструктурированный материал не продемонстрировал увеличения эрозионной стойкости по сравнению с характеристикой для исходного сплава. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 16-31-60003 мол\_а\_дк, 16-31-60047 мол\_а\_дк, 16-01-00638 А, 16-51-53006), СПбГУ (проект N 6.39.319.20), Минобрнауки РФ (грант Правительства РФ 14.В25.31.0017), РНФ (грант N 15-11-10000). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44849.050
Физико-механические свойства и микромеханизмы локального деформирования материалов с различной зависимостью твердости от глубины отпечатка
Authors: Головин Ю.И. , Тюрин А.И. , Асланян Э.Г. , Пирожкова Т.С. , Васюков В.М.
Published: August 2017

Методами микро- и наноиндентирования в широком диапазоне глубин отпечатка h (от десятков нанометров до нескольких десятков микрометров) изучены размерные эффекты в твердости нескольких классов материалов: ионных и ковалентных монокристаллов (сапфира, кремния, фторида лития); металлов (монокристаллического Al, поликристаллических Cu, Ni, Nb); керамик (высокопрочной наноструктурированной TZP-керамики на основе природного минерала диоксида циркония --- бадделеита); аморфных материалов (плавленого кварца); полимеров (поликарбоната и политетрафторэтилена). Показано, что некоторые из них демонстрируют сильные размерные эффекты в твердости, другие --- слабые, а третьи --- вовсе их отсутствие. Проведен термоактивационный анализ и определены активационные и энергетические характеристики процессов локального деформирования под индентором, которые сопоставлены с доминирующими микромеханизмами пластичности исследованных материалов на разных стадиях формирования отпечатка, а также с особенностями размерных эффектов. Выявлены материалы, имеющие низкие значения коэффициента вариации твердости, согласующиеся с требованиями стандартов измерения нанотвердости ISО 14577 и ГОСТ Р 8.748-2011. В установленных диапазонах нагрузок эти материалы являются хорошими кандидатами для использования в качестве эталонов, призванных обеспечивать единство измерений твердости для нано- и микродиапазонов, а также для проведения калибровок и испытаний наноиндентометров. Экспериментальное исследование размерных эффектов при наноиндентировании выполнено при поддержке гранта Российского научного фонда (проект N 15-19-00181). Исследование физико-механических свойств TZP-керамики, а также обоснование методов калибровки и выбора материалов для эталонных образцов выполнены при поддержке гранта Российского научного фонда (проект N 16-19-10405). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44851.443
Моноклинные центры редкоземельных S-ионов в кристаллах ортоалюмината иттрия
Authors: Важенин В.А. , Потапов А.П. , Асатрян Г.Р. , Петросян А.Г. , Ованесян К.Л. , Фокин А.В.
Published: August 2017

В кристаллах YAlO3, легированных европием и цирконием, исследован спектр ЭПР моноклинных центров Gd3+ и Eu2+, замещающих ионы иттрия. Определены параметры тонкой структуры указанных центров. Для центров с изотопом 151Eu определены параметры сверхтонкого взаимодействия, обсуждается сверхтонкая структура центров с изотопом 153Eu. Работа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ для Уральского федерального университета и гранта Госкомитета по науке Армении 15RF-003. Измерения проведены на спектрометре Центра коллективного пользования "Современные нанотехнологии" Уральского федерального университета. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44852.052
О статистическом распределении в деформируемом твердом теле
Authors: Горобей Н.Н. , Лукьяненко А.С.
Published: August 2017

Предложена модификация распределения Гиббса для теплоизолированного механически деформируемого твердого тела, в которой его линейные размеры (параметры формы) исключены из статистического усреднения и включены, наряду с температурой, в состав макроскопических параметров состояния. Формально модификация сводится к соответствующим дополнительным условиям при вычислении статистической суммы. Сами параметры формы и температура находятся из условий механического и термодинамического равновесия тела, а их изменение --- с использованием первого начала термодинамики. Для простой модели твердого тела --- ансамбля ангармонических осцилляторов в рамках предложенного формализма с точностью до первого порядка по константе ангармонизма анализируются известные термо-механические явления. Модификация распределения рассмотрена отдельно для классической и квантовой областей температур. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44853.017
Протонная проводимость, структурные и термические свойства (1-x)CsH-=SUB=-2-=/SUB=-PO-=SUB=-4-=/SUB=--xBa(H-=SUB=-2-=/SUB=-PO-=SUB=-4-=/SUB=-)-=SUB=-2-=/SUB=-
Authors: Пономарева В.Г. , Багрянцева И.Н.
Published: August 2017

С целью создания высокопроводящих протонных электролитов в среднетемпературной области впервые исследованы структурные, электротранспортные и термодинамические свойства системы (1-x)CsH2PO4-xBa(H2PO4)2 в широкой области составов (x=0.1-0.4). При x=0-0.1 наблюдалось образование разупорядоченных твердых растворов замещения, изоструктурных CsH2PO4 (P21/m), с уменьшением параметров элементарной ячейки и значительным ростом протонной проводимости вследствие образования вакантных позиций в подрешетке цезия и ослабления системы водородных связей. При x=0.15-0.4 образуются гетерофазные высокопроводящие системы, демонстрирующие высокие значения протонной проводимости ~10-2 S/cm при x=0.15-0.2, стабильные при длительных изотермических выдержках и низкой влажности (T~200-210oC, RH~15%). Фазовый переход исчезает, энергия активации проводимости снижается от 0.9 до 0.55 eV при x=0.2. Проводимость высокотемпературной фазы не изменяется с ростом доли Ba(H2PO4)2 до x=0.2. Обсуждаются механизмы переноса протонов. Показано, что при x>0.10 возрастает вклад в проводимость протонов молекул воды, адсорбированной на границе раздела фаз композитных систем. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект N 15-08-08961). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44855.058
Неизотермическая нуклеация в твердом растворе CuCl в стекле: концентрационный эффект при нагреве твердого раствора
Authors: Лейман В.И. , Ашкалунин А.Л. , Деркачева О.Ю. , Максимов В.М.
Published: August 2017

Изучено влияние скорости нагрева твердого раствора CuCl в стекле на распределение по размерам образующихся наночастиц CuCl. Кривые распределений нанокристаллов CuCl определялись методом экситонно-термического анализа. Установлено, что при замедлении нагрева образца от 2 до 60 min концентрация наночастиц CuCl возрастает в десятки раз, а средний радиус частиц уменьшается почти в два раза. В процессе нагрева образца концентрация образующихся наночастиц CuCl проходит через максимум. Численное моделирование нуклеации при медленном нагреве твердого раствора показало, что образование максимума концентрации кластеров новой фазы обусловлено быстрым ростом критического радиуса из-за роста температуры и уменьшения пересыщения раствора. В результате при некоторой температуре прекращается образование зародышей новой фазы, а часть ранее образовавшихся кластеров растворяется. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44856.273
Зависимости свойств наночастиц феррита-шпинели Mn-CuFe-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-4-=/SUB=- от технологии синтеза
Authors: Камзин A.С. , Ranjith Kumar Е. , Ramadevi P. , Selvakumar C.
Published: August 2017

Исследованы структурные, морфологические, магнитные, диэлектрические и газоанализаторные свойства наночастиц Mn-замещенного феррита-шпинели CuFe2O4(Mn-CuFe2O4), синтезированных с помощью технологий испарения и автоматического сгорания. Установлено, что полученные наночастицы имеют сферическую форму. Наименьший размер частиц Mn-CuFe2O4 (~9 nm) получен при использовании метода автоматического сгорания. Рентгеновская дифракция и мессбауэровская спектроскопия показали, что постоянная кристаллической решетки и размеры наночастиц Mn-CuFe2O4 увеличиваются при повышении температуры отжига от 600 до 900oС. Изучены диэлектрические проницаемости и диэлектрические потери наночастиц Mn-CuFe2O4 в зависимости от технологии синтеза и температуры отжига. Протестированы различные аспекты газочувствительности синтезированных наночастиц Mn-CuFe2O4. Максимальный отклик на присутствие сжиженного нефтяного газа составляет 0.28 при оптимальной рабочей температуре 300oC для наночастиц Mn-CuFe2O4, синтезированных методом автоматического сгорания, и 0.23 при 250oC в случае наночастиц, полученных методом осаждения. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44857.069
Адсорбция кислорода на низкоиндексных поверхностях сплава Ti-=SUB=-3-=/SUB=-Al
Authors: Латышев А.М. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е.
Published: August 2017

Атомная и электронная структура трех поверхностей --- (0001), (1100) и (1120) --- сплава Ti3Al рассчитана методом проекционных присоединенных волн в рамках теории функционала электронной плотности. Проведена оценка поверхностных энергий в зависимости от химического потенциала алюминия, что позволило построить диаграмму стабильности рассмотренных поверхностей. Изучена адсорбция кислорода на разно ориентированных поверхностях сплава. Установлено, что наиболее предпочтительными позициями для адсорбции кислорода являются ямочные позиции на поверхностях (0001) и (1120)Ti--Al и мостиковые позиции на поверхности (1100)Ti--Al-1. Обсуждаются структурные и электронные факторы, обусловливающие их энергетическую предпочтительность. Показано, что независимо от ориентации поверхности кислород "предпочитает" обогащенные титаном позиции. Обсуждается влияние кислорода на атомную и электронную структуру низкоиндексных поверхностей. Установлено, что при низких концентрациях кислорода формирование его химической связи с атомами титана и/или алюминия поверхностных и подповерхностных слоев приводит к появлению низколежащих состояний, отщепленных от дна валентных зон металлов, что сопровождается образованием псевдощели и ослаблением металлических связей Ti-Al в поверхностных слоях. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 14-02-91150\_ГФЕН), а также частично в рамках проекта N 23.1.2 ИФПМ СО РАН и поддержана программой повышения конкурентоспособности ТГУ. Численные расчеты выполнены на суперкомпьютере SKIF-Cyberia в Томском государственном университете, а также с использованием ресурсов суперкомпьютерного комплекса МГУ им. М.В. Ломоносова. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44858.036
Возвратные фазы в компенсированных феррохолестериках
Authors: Захлевных А.Н. , Кузнецова К.В.
Published: August 2017

Теоретически изучено влияние магнитного поля на ориентационные и магнитные свойства компенсированного феррохолестерика --- суспензии игольчатых феррочастиц в холестерическом жидком кристалле. Рассмотрен фазовый переход феррохолестерик-ферронематик в магнитном поле, перпендикулярном оси спиральной структуры. Исследована зависимость поля перехода в ферронематическую фазу от материальных параметров суспензии, а также шага спиральной структуры и намагниченности от напряженности поля. Показана возможность существования возвратной феррохолестерической фазы. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 16-42-590539). DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44859.079
Теплофизические свойства монокристалла La-=SUB=-0.825-=/SUB=-Sr-=SUB=-0.175-=/SUB=-MnO-=SUB=-3-=/SUB=-
Authors: Батдалов А.Б. , Гамзатов А.Г. , Алиев А.М. , Ханов Л.Н. , Мухучев А.А. , Камалудинова Х.Э.
Published: August 2017

Измерены теплоемкость (CP), термодиффузия (eta), теплопроводность (kappa) и электросопротивление монокристалла La0.825Sr0.175MnO3 в интервале температур 80-350 K и в магнитных полях до 40 kOe. На зависимостях CP(T), kappa(T) и eta(T) вблизи TC наблюдаются аномалии, которые в магнитном поле подавляются. Минимумы на зависимостях kappa(T) и eta(T) вблизи TC объясняются рассеянием фононов на флуктуациях магнитного параметра порядка. В поведении kappa(T) и eta(T) в окрестности TS=200 K наблюдаются аномалии, связанные со структурным переходом из ромбоэдрической (R) в орторомбическую (O*) фазу. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Фазовые переходы, магнитотранспортные, магнитокалорические и магнитоэлектрические явления в сильнокоррелированных электронных системах" N 0203-2016-0009) с использованием оборудования Аналитического центра коллективного пользования Дагестанского научного центра РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44861.029
Теплоемкость наноструктурированных мультиферроиков BiFe-=SUB=-1-x-=/SUB=-Zn-=SUB=-x-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-
Authors: Амиров А.А. , Каллаев С.Н. , Омаров З.М. , Юсупов Д.М. , Chaudhary Y.A. , Bendre S.T. , Макоед И.И.
Published: August 2017

Проведены исследования теплоемкости керамических образцов мультиферроиков BiFe1-xZnxO3 в области температур 150-750 K. Обнаружено незначительное смещение температуры антиферромагнитного перехода TN в сторону низких температур с ростом концентрации замещения Zn. Обнаружена избыточная теплоемкость, которая рассмотрена как аномалия Шоттки для трехуровневых состояний. Работа выполнена в рамках проекта "Фазовые переходы, магнитотранспортные, магнитокалорические и магнитоэлектрические явления в сильнокоррелированных электронных системах" (госзадание N 0203-2016-0009) с использованием оборудования ЦКП "Теплофизические методы исследования" Института физики ДагНЦ РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44862.038
Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
Authors: Вербицкий В.Н. , Панайотти И.Е. , Никитин С.Е. , Бобыль А.В. , Шелопин Г.Г. , Андроников Д.А. , Абрамов А.С. , Саченко А.В. , Теруков Е.И.
Published: August 2017

Впервые обнаружено сильное изменение интенсивности электролюминесценции (более чем на порядок) в высококачественных гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния при изменении их эффективности от 18 до 20.5%. Причинами эффекта являются резкое изменение концентрации центров рекомбинации на поверхности пластин монокристаллического кремния в процессе их пирамидального текстурирования, а также увеличение последовательного сопротивления. Обнаруженный эффект может быть использован для количественной высокочувствительной характеризации текстурирования --- принципиально важного этапа изготовления высокоэффективных кремниевых солнечных элементов. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44940.16479
Формирование и исследование композитных прозрачных электродов поли(3, 4-этилендиокситиофен) полистиролсульфонат/одностенные углеродные нанотрубки
Authors: Воронин А.С. , Симунин М.М. , Иванченко Ф.С. , Шиверский А.В. , Фадеев Ю.В. , Тамбасов И.А. , Немцев И.В. , Мацынин А.А. , Хартов С.В.
Published: August 2017

Описано получение spray-методом композитных прозрачных электродов поли(3, 4-этилендиокситиофен) полистиролсульфонат/одностенные углеродные нанотрубки. Рассмотрено влияние последовательной обработки каждого функционального слоя в кислых средах с различной активностью на оптические и электрические характеристики пленок. В рамках исследования получен композит с поверхностным сопротивлением 89 Omega/sq при прозрачности 85.3% (550 nm) на полимерной подложке. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44941.16702
Усилитель мощности X-диапазона с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN
Authors: Туральчук П.А. , Кириллов В.В. , Осипов П.Э. , Вендик И.Б. , Вендик О.Г. , Парнес М.Д.
Published: August 2017

Обсуждаются вопросы разработки микроволновых усилителей мощности на основе транзисторов с гетеропереходом AlGaN/GaN с целью увеличения их коэффициента полезного действия. Основное внимание уделено синтезу трансформирующих цепей, обеспечивающих реактивную нагрузку на частотах второй и третьей гармоник и комплексный импеданс на фундаментальной частоте, что позволяет оптимизировать режим работы усилителя мощности с точки зрения уменьшения рассеиваемой мощности и соответственно повышения эффективности. Представлены результаты экспериментального исследования микроволнового усилителя мощности на полевом транзисторе с затвором Шоттки с 80 электродами на GaN pHEMT-транзисторе с длиной затвора 0.25 nm и шириной затвора 125 nm. Усилитель имеет импульсную выходную мощность 35 W и КПД по добавленной мощности не менее 50% на рабочей частоте 9 GHz. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44942.16621
Влияние неравновесных вакансий, генерированных лазерными импульсами высокой мощности, на высокоскоростную пластическую деформацию металлов и сплавов
Authors: Малашенко В.В.
Published: August 2017

Исследовано влияние неравновесных вакансий, генерируемых лазерными импульсами, на движение дислокаций в условиях высокоскоростной деформации. Получено аналитическое выражение для вклада этих вакансий в динамический предел текучести металлов и сплавов и показано, что динамическое торможение (drag) дислокаций неравновесными вакансиями приводит к значительному возрастанию предела текучести. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44944.16862
Особенности высокоскоростного проникания ударника из пористого сплава на основе вольфрама с упрочняющим наполнителем в стальную преграду
Authors: Ищенко А.Н. , Афанасьева С.А. , Белов Н.Н. , Буркин В.В. , Рогаев К.С. , Саммель А.Ю. , Скосырский А.Б. , Табаченко А.Н. , Югов Н.Т.
Published: August 2017

Рассматривается комплексная проблема увеличения проникающей способности ударников из высокопористых композитов на основе вольфрама путем улучшения их прочностных свойств легированием упрочняющими компонентами в условиях высокоскоростного соударения. Методом жидкофазного спекания разработаны образцы ударников на основе пористого сплава ВНЖК (вольфрам + никель + железо + кобальт), легированного карбидом вольфрама с кобальтом ВК8 и карбидом титана-вольфрама TiWC. Проведены динамические испытания ударников из разработанных сплавов при скорости соударения со стальной преградой порядка 2800 m/s. Глубина проникания ударника из пористого сплава ВНЖК, легированного карбидами вольфрама, превышает более чем на 30% глубину проникания ударника из монолитного сплава ВНЖ-90 (вольфрам + никель + железо с содержанием вольфрама 90%). DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44945.16755
Перемешивание испаряющихся капель на жидких подложках, вызванное фестонной неустойчивостью
Authors: Тарасов О.А. , Тарасова Н.А. , Иванова Н.А.
Published: August 2017

Предложена новая конфигурация микрофлюидного смесителя, в котором перемешиваемый объем в виде капли летучей жидкости лежит на слое воды. Перемешивание происходит за счет инжекции фестонов, возникающих в капле под действием испарительной термокапиллярной конвекции, из периферии капли в ее центр. Установлена линейная связь между скоростью инжекции и температурой слоя и показано, что за время жизни капли она успевает перемешаться несколько раз. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44946.16367
Вариации параметров пучка убегающих электронов в газовом разряде в условиях неоднородной предварительной ионизации
Authors: Козырев А.В. , Баранова Е.М. , Кожевников В.Ю. , Семенюк Н.С.
Published: August 2017

В рамках гибридной теоретической модели наносекундного разряда высокого давления с убегающими электронами продемонстрирована сильная зависимость амплитуды, длительности и энергетического спектра электронного пучка от условий предварительной ионизации газа в промежутке. Смоделированы ситуации с однородным и резко неоднородными распределениями инициирующих электронов в коаксиальном диоде, заполненном гексафторидом серы атмосферного давления. Показано, что амплитуда и профиль импульса тока электронного пучка существенно изменяются при вариации начального распределения электронов в промежутке. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44947.16848
Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием
Authors: Талалаев В.Г. , Штром В.И. , Самсоненко Ю.Б. , Хребтов А.И. , Буравлев А.Д. , Цырлин Г.Э.
Published: August 2017

Проведены исследования направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа ННК GaAs в оболочке AlGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разной степенью легирования бериллием. Показано, что нелегированный образец обладает выраженными волноводными свойствами вдоль направления роста. При увеличении степени легирования возрастает интенсивность излучения, направленного перпендикулярно боковым стенкам ННК. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504
Влияние рассеяния распыленных атомов на скорость роста пленок, полученных методом магнетронного распыления
Authors: Митин Д.М. , Сердобинцев А.А.
Published: August 2017

Приведены результаты теоретических расчетов доли нерассеянных распыленных атомов при магнетронном распылении. Экспериментально полученная зависимость скорости роста пленок кремния от давления обнаруживает корреляцию с теоретически рассчитанной зависимостью доли нерассеянных распыленных атомов. Увеличение давления в рассматриваемом диапазоне 1.5-8.5 mTorr приводит к снижению скорости роста пленок кремния на 25%, при этом уменьшение доли нерассеянных распыленных атомов на расстоянии катод-подложка достигает 90%. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44950.16804
Дистанционная диагностика резиноподобных материалов методами нелинейной акустики
Authors: Коробов А.И. , Изосимова М.Ю. , Ненарокомов К.А. , Одина Н.И.
Published: August 2017

Предложен прототип нового дефектоскопа для дистанционной бесконтактной диагностики резиноподобных материалов. Принцип действия дефектоскопа основан на особенностях нелинейного взаимодействия двух ультразвуковых волн в исследуемом материале с дефектами. Ультразвуковые волны в тестируемом материале возбуждаются дистанционно с помощью сфокусированных в воздухе ультразвуковых пучков. Экспериментально показана возможность с помощью предлагаемого дефектоскопа дистанционного обнаружения и локализации подповерхностных дефектов с размерами, значительно меньшими длины волны зондирующего ультразвука. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44951.16582
Сенсорная система для регистрации малых концентраций сероводорода в водных растворах на основе люминесцентного белкового комплекса в биополимерной матрице
Authors: Сергеев А.А. , Леонов А.А. , Каменев Д.Г. , Вознесенский С.С. , Кульчин Ю.Н.
Published: August 2017

Представлены результаты исследований люминесцентных белковых комплексов на основе белка миоглобина с ковалентно связанным люминофором CY3, сформированных в пленке полисахарида агарозы, как элементов, чувствительных к растворенному в воде сероводороду. В присутствии аналита происходит изменение спектра поглощения миоглобина, которое оказывает влияние на эффективность возбуждения люминофора и практически не влияет на его спектр эмиссии. Данный эффект демонстрирует возможность создания люминесцентной сенсорной системы, оптический отклик которой формируется за счет изменения эффективности возбуждения люминесценции чувствительного элемента, вызванного присутствием аналита. Предел обнаружения растворенного в воде сероводорода составил 100 pM. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45031.16772
Генерация периодической последовательности мощных ультракоротких импульсов в цепочке связанных ламп бегущей волны, работающих в режимах усиления и нелинейного компфнеровского подавления
Authors: Гинзбург Н.С. , Абубакиров Э.Б. , Вилков М.Н. , Зотова И.В. , Сергеев А.С.
Published: August 2017

Исследована динамика электронного СВЧ-генератора, в цикл обратной связи которого включены две лампы бегущей волны, одна из которых работает в режиме усиления, а другая --- в режиме нелинейного компфнеровского поглощения. Показано, что излучение, генерируемое в такой системе, может представлять собой периодическую последовательность ультракоротких импульсов. Рассматриваемый механизм импульсной генерации аналогичен широко используемому в лазерной физике методу пассивной синхронизации мод. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45033.16444b
Особенности формирования и развития ионизационных фронтов в предварительно ионизированной газовой среде
Authors: Курбанисмаилов В.С. , Омаров О.А. , Рагимханов Г.Б. , Терешонок Д.В.
Published: August 2017

Исследовано влияние начальных условий на особенности формирования и развития катодонаправленной волны ионизации между двумя плоскими электродами в гелии при атмосферном давлении с применением высокоскоростного фотоэлектронного регистратора с наносекундным временным разрешением и на основе двумерной осесимметричной диффузионно-дрейфовой модели. Результаты численных расчетов находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45036.16844
Расчетно-экспериментальное исследование снарядного режима течения смеси касторового и парафинового масел в микроканале Т-типа
Authors: Минаков А.В. , Шебелева А.А. , Ягодницына А.А. , Ковалев А.В. , Бильский А.В.
Published: August 2017

Проведено расчетно-экспериментальное исследование снарядного режима течения смеси касторового и парафинового масел в микроканале Т-типа с поперечными размерами канала 200x400 mum. Определен диапазон существования снарядного режима течения. Установлена зависимость длины снарядов парафинового масла от отношения расходов жидкостей. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных. Показано их хорошее согласие. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45037.16549