bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
[Russian Text Ignored]
Authors: [Russian Text Ignored]  , [Russian Text Ignored]  , [Russian Text Ignored]  , [Russian Text Ignored]
Published: July 2007

[Russian Text Ignored].
Absorption Spectra of Solid (Polycrystalline) and Liquid (Melt) Compounds of Bivalent Cobalt
Authors: Truţia A. , Musa M.
Published: July 2007

Measurements are made of the visible spectra of pure CoCl2, CoBr2 polycrystalline layers, and CoCl26H2O and CoBr26H2O monocrystals between 77 and 1050 °K. A good degree of correspondence is established between the spectral components of polycrystalline CoCl2 and CoBr2. The spectra of the two hydrates also show similarities which lead to the conclusion that the first coordination sphere around Co++ at 77 °K has an octahedral‐type symmetry with two halide ions and four water molecules.

Modification of the CoCl2 and CoBr2 spectra when passing from the solid to liquid phase (melt) is also investigated. This indicates a transformation from octahedral to tetrahedral symmetry.
Untersuchung der Verteilung von Versetzungen in plastisch deformierten Cu‐Einkristallen mit Gitterquellen‐Interferenzen (Kossel‐Interferenzen)
Authors: Brümmer O. , Schülke W. , Böhnel H.
Published: July 2007

Es wird mit Hilfe von Gitterquelleninterferenzen (Kossel‐Interferenzen) gezeigt, daß bei plastischer Deformation von Cu‐Einkristallen im Bereich I und II der Verfestigungskurve für vorliegende Orientierungen eine anisotrope Verbreiterung der Kossel‐Linien auftritt. Diese richtungsabhängige Verbreiterung kann mit der Wirkung einer [112]‐ und [111]‐ Vorzugsdrehachse der Gitterrotation (senkrecht zur Gleitrichtung bzw. senkrecht zur Gleitebene des Hauptgleitsystems) erklärt werden. Es wird berechnet, daß diese beiden Drehachsen dann bevorzugt auftreten, wenn die Versetzungsdichte in den Nebengleitsystemen zwar kleiner, aber von gleicher Größenordnung ist wie die Versetzungsdichte in dem Hauptgleitsystem. Die Möglichkeit eines Aufstaus von primären Versetzungen gleichen Vorzeichens wird ebenfalls diskutiert.
Experimentelle Untersuchungen zum plastischen Verhalten von vielkristallinem Nickel
Authors: Schwink Ch. , Knoppik D.
Published: July 2007

Es wird die Verfestigung von vielkristallinem Nickel bis zu rund 10% Dehnung mit mechanischen und magnetischen Messungen verfolgt, mechanisch durch Bestimmung von Dehnung und Dehnungszunahme und durch Temperaturwechselversuche, magnetisch durch Messung von Koerzitivkraft und Anfangspermeabilität. Für letztere wird eine Meßanordnung näher erläutert. Eine früher für Zimmertemperatur angegebene Einteilung der Verfestigungskurve [3] läßt sich bis zur Temperatur der flüssigen Luft nachweisen, der Temperaturgang der charakteristischen Übergangsspannungen wird angegeben und besprochen. Temperaturwechselvorgänge zeigen die Bedeutung von Schneidvorgängen vor allem im Anfangsstadium der Verformung, wo auch die Abweichungen vom Cottrellschen Gesetz am größten sind.
Thermomagnetic Phenomena in Cubic Semiconductors Possessing Nonparabolic Energy Bands
Authors: Zawadzki W.
Published: July 2007

Thermomagnetic phenomena are considered in a semiconductor crystal having cubic symmetry and an arbitrary relation between energy and wave‐number. The theory is formulated in terms of three basic transport tensors. Expressions are obtained for thermomagnetic effects in the limiting cases of weak and strong magnetic fields. The influence of anisotropy and non‐parabolicity of the energy bands is considered. The results apply both to the manyellipsoid cubic energy bands of Si and Ge and to the non‐parabolic band structure of III‐V compounds.
Stage III Recovery in Cold‐Worked Niobium
Authors: Stals L. , Nihoul J.
Published: July 2007

Stage III recovery in niobium, cold‐worked at room temperature, is investigated by means of electrical resistivity measurements. The associated activation energy is found to be constant in the temperature range 80 to 180 °C and equal to 1.20 ± 0.04 eV. Furthermore, the results indicate that the recovery process can be described as a diffusion‐controlled bimolecular reaction which follows Waite kinetics. It is concluded that this recovery is caused by recombination of intrinsic point defects.

On the basis of the presently available data the possibility of this recovery being caused by migration of vacancies to trapped interstitials cannot be excluded. In view, however, of the relatively small activation energy found for this stage, and of the direct analogy with stage III recovery in the f.c.c. metals, it is tentatively proposed that stage III recovery in b.c.c. metals is due to interstitial migration to vacancies.
Über die irreduziblen Darstellungen der Raumgruppen und die Strahldarstellungen der kristallographischen Punktgruppen
Authors: Kitz A.
Published: July 2007

Es wird ein Verfahren beschrieben, wie man aus den Strahldarstellungen der kristallographischen Punktgruppen die irreduziblen Darstellungen der Raumgruppen findet. Diese Methode läßt sich ebenso auf die doppelten Raumgruppen anwenden. Da man hierbei die Strahldarstellungen der doppelten kristallographischen Punktgruppen braucht, werden sämtliche voneinander verschiedene Strahldarstellungen dieser Gruppen aufgestellt.
Die Erholung des elektrischen Widerstandes in abgeschrecktem Kupfer
Authors: Ramsteiner F. , Lampert G. , Seeger A. , Schüle W.
Published: July 2007

Es wird das Ausheilen des elektrischen Widerstandes in abgeschrecktem Kupfer untersucht, wobei je eine Erholungsstufe im Bereich 0 bis 100 °C und 100 bis 200 °C gefunden wird. Die obere Stufe wird durch die Wanderung der Einfachleerstellen erklärt, wobei sich (in Einklang mit Selbstdiffusions‐ und Hochtemperaturdaten) als Aktivierungsenergie der Wanderung W1 = 1,06 eV ergibt. Die untere Stufe kann als Ausheilen von Doppelleerstellen, die mit Einfachleerstellen im lokalen Gleichgewicht stehen, gedeutet werden. Als Wanderungs‐ und Bindungsenergie der Doppelleerstellen werden W2 = 0,67 eV bzw. B2 = 0,12 eV gefunden. Der Einfluß der Vorbehandlung und des Reinheitsgrades der Proben auf das Erholungsverhalten wird untersucht und diskutiert.
Long‐Range Elastic Field of Semi‐Infinite Dislocation Dipole and of Dislocation Jog
Authors: Kroupa F.
Published: July 2007

Expressions are given for the displacement field and the dilatation stress of a semi‐infinite dipole of infinitesimal width. This corresponds to a long‐range approximation for a dipole of finite width terminated within the crystal. The expressions also apply to a jog in a dislocation. Apart from these angular dependence, the displacement field decreases with distance as r−1 and the stress field as r−2.
Magnetische Untersuchungen über die Bildung von Nahordnungsbereichen von FeAl‐Legierungen in der Nähe der stöchiometrischen Zusammensetzung Fe3Al bei höheren Temperaturen
Authors: Wagner H. , Gengnagel H.
Published: July 2007

Messungen der während einer Magnetfeldglühung induzierten Anisotropie an FeAl‐Legierungen ergeben, daß bei höheren Temperaturen in der Nähe der stöchiometrischen Zusammensetzung Fe3Al nach langem isothermen Tempern relativ große einachsige Anisotropien auftreten. Die Größe dieser Anisotropie (etwa 4 · 104 erg cm−3) und die Größe der Relaxationszeit (etwa 80 h bei 500 °C) zeigen, daß ein anderer Prozeß als der der Pärchenbildung und ‐ausrichtung dominieren muß. Messungen der Koerzitivfeldstärke im gleichen Temperaturbereich ergeben einen ähnlichen zeitlichen Verlauf; die Koerzitivfeldstärke einer polykristallinen Probe mit 23,5 At‐% Al erreicht nach etwa 40stündiger Temperung bei 550 °C (ohne Magnetfeld) einen Sättigungswert von ca. 170 Oe. Die Meßergebnisse können unter der Annahme von Nahordnungsinseln mit einem gewissen Magnetisierungsunterschied gegenüber der Matrix gedeutet werden. Das Auftreten dieser Nahordnungsinseln läßt wahrscheinlich einerseits eine Formanisotropie entstehen und andererseits die Koerzitivkraft auf den hundertfachen Wert ansteigen.
Unstable Domain Structure in the Intermediate State of Superconductors
Authors: Lalevic B.
Published: July 2007

Measurements of resistance fluctuations, metastable resistance levels, and related parameters have been extended to the case of the intermediate state of a specimen carrying a variable current in a constant external magnetic field. The origin of peculiar peaks in the plots of relative changes of resistance Δ R/R is now clarified and related to metastable resistance levels. The influence of specimen current on the shape of the resistance vs. external magnetic field plot is explained on the basis of the present measurements. From a comparison of these and previously obtained data with the theory of domain boundary propagation, the conditions for the occurence of domain boundary instabilities are derived and a mechanism responsible for the appearance of resistance fluctuations is discussed.
Electron Mirror Observations of Semiconductor Surfaces at Low Temperatures
Authors: Igras E. , Warmiński T.
Published: July 2007

A new type of electron mirror microscope is described schematically. The microscope allows the observation of electrical micro‐fields on semiconductor surfaces in the temperature range 77 to 1300 °K. Preliminary results of observations on silicon surfaces at low temperatures are presented. It is suggested that the observed pictures can be interpreted in terms of surface fields resulting from the trapping of minority carriers. Results concerning impurity precipitation in silicon and germanium are also given.
The Spin Dependent Effective Mass of the Conduction Electrons in Ferromagnetic Metals
Authors: Mathon J. , Fraitová D.
Published: July 2007

The energy correction for conduction electrons in ferromagnetic metals due to the s ‐ d exchange is calculated by perturbation theory. It is found that the ordered d‐system effects the energy of an s‐electron in such a way that a spin‐dependent effective mass can be defined. The energy of a conduction electron is not changed if the spin of the electron and that of the d‐electrons are parallel but an energy correction appears if the spins are antiparallel. Using this result the resonance frequency and the line width of the spin resonance of conduction electrons are evaluated following Izjumov and Skrockij [1].
Exchange Interactions in Dilute AgMn Alloys at Helium Temperatures
Authors: Chari M. S. R.
Published: July 2007

The expression for the decrease in electrical resistivity below the temperature of magnetic ordering, derived on the basis of the Kasuya‐Yosida model for dilute alloys containing a transitional metal solute has been modified recently by Collings, Hedgcock, and Muto, in order to take the resistivity minimum into account. This is used here to estimate the exchange interaction parameter in polycrystalline rods of silver containing respectively 0.14, 0.32 and 0.55 at.‐% of manganese in random solid solution.

The prediction of the model as to the variation of the electronic Lorenz parameter, in these alloys at liquid helium temperatures, with applied magnetic field and temperature are found to agree qualitatively with the behaviour inferred from experimental results.
Elektronische Zustände an reinen Siliziumoberflächen
Authors: Lamatsch H.
Published: July 2007

Nach theoretischen Vorstellungen treten an reinen Kristalloberflächen mit Elektronen besetzbare Quantenzustände auf (Tamm, Shockley). Die folgenden Experimente wurden zur Prüfung der Existenz solcher Zustände unternommen. Die Oberflächenleitfähigkeit und ihre Änderung durch ein transversales elektrisches Feld (Feldeffekt) wurden an Siliziumkristallen beobachtet (1000 Ohm cm, p‐Typ). Die Proben hatten die Form zylindrischer Stäbchen, die auf einen Durchmesser von 0,3 mm geschliffen waren. Die Zylindersymmetrie der Meßröhre ermöglichte einen gleichmäßigen Beschuß mit Argonionen zur Reinigung und eine empfindliche Feldeffektmessung. Dem Ionenbeschuß folgte stets eine Glühbehandlung. ‐ Es gelang, das Minimum der Oberflächenleitfähigkeit zu beobachten und damit Absolutwerte dieser Größe zu erhalten. Die gereinigte Oberfläche ist schwach p‐leitend. Das Ferminiveau liegt 0,25 eV unterhalb der Mitte der Bandlücke. Die Zustandsdichte in der Umgebung des Ferminiveaus beträgt 1,5 · 1015 cm−2 eV−1. Für die integrierte Dichte der Oberflächenzustände in der ganzen verbotenen Zone kann nur eine untere Grenze mit 2 · 1014 cm−2 angegeben werden. Durch vorübergehende Einwirkung von Sauerstoff sinkt die Zustandsdichte um etwa eine Größenordnung.
Sublimation of Cadmium Telluride and Cadmium Selenide under a Vapour Pressure of one of their Components and the Equilibrium Form of Crystal Growth
Authors: Höschl P. , Koňák Č.
Published: July 2007

The dependence of the sublimation velocity V (g · s−1 · cm−2) of binary compounds AIIBIV on the vapour pressure of one of their components p is investigated. For this purpose extensions are made to the theory of the kinetics of element sublimation including the mechanism of diffusion transport. The relationship V ∼ (p)−3 is derived. A method for growing single crystals by heating a mixture of small and large crystals of binary compounds AB under a vapour pressure of the component A is described and justified. The relationship α = exp (4 v0 σi/k Ts r1) is derived for the supersaturation (α) of the vapour phase at the crystal growth site by a generalization of the Thompson‐Gibbs relation. Equilibrium growth of single crystals has made it possible to determine the GI planes of cadmium telluride and selenide.
Electron Correlations in Statistical Model and Cohesion of Solids
Authors: Olszewski S. , Dubejko M.
Published: July 2007

The cohesive energy of solids of calculated by using a statistical model in which both the exchange and the Coulomb correlations are included. The model takes into account the local lowering of the electron density due to the finite volume of the exchange and coulomb correlation holes produced in the electron gas of the statistical atomic system.

The cohesive energy and atomic volume are estimated numerically for elements with atomic numbers Z varying from 1 to about 30, and those are compared with the corresponding average experimental dependences on Z. Rather good agreement between theory and experiment is obtained for the cohesive energy if only the exchange correlations are considered. The introduction of the Coulomb correlations increases the cohesive energy about one third of the value obtained by the use of exchange correlations alone.
Dielektrische Untersuchung an festen (BaxSr1−x) TiO3‐Lösungen im Konzentrationsbereich von x = 0 bis 0,1 bei tiefen Temperaturen
Authors: Hegenbarth E.
Published: July 2007

An polykristallinen festen Lösungen von (BaxSr1−x) TiO3 im Konzentrationsbereich von x = 0,01 bis 0,1 wurden die Temperatur‐ und Feldstärkeabhängigkeit der Dielektrizitätskonstanten im Temperaturbereich von 10 °K bis 80 °K gemessen. Es zeigte sich, daß die Abhängigkeit der Übergangstemperaturen von der Konzentration im Bereich x = 0,01 bis 0,1 viel größer ist als im Bereich x > 0,1. Die Ergebnisse werden diskutiert.
Die plastische Verformung von Natriumchlorid Von
Authors: Hesse J.
Published: July 2007

Die plastische Verformung von NaCl wird im dynamischen Druckversuch für verschiedene Kristallorientierungen, Verformungstemperaturen T und ‐geschwindigkeiten \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot a $\end{document} untersucht. Die Verfestigungskurven (VK) zeigen eine Dreiteilung, wie sie von den kfz. Metallen her bekannt ist. Die Änderung der VK von NaCl mit T und \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot a $\end{document} entspricht der der Metalle, dagegen ist die Orientierungsabhängigkeit in beiden Kristallsystemen völlig verschieden. Es wird versucht, die Verfestigung von NaCl versetzungstheoretisch zu interpretieren. Dabei werden Versetzungszählungen mittels Ätzgruben benutzt, die für den Bereich I der VK einen Zusammenhang zwischen der Ätzgrübchendichte NP und Fließspannung τ von der Form \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \tau = A\sqrt {N_P} $\end{document} ergeben. A ist unerwartet groß und stark von T \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot a $\end{document} und der Orientierung abhängig. Für [001]‐orientierte Kristalle wird für den Bereich I geschlossen, daß die Fließspannung durch schwer bewegliche Sprünge bestimmt ist (und nicht allein durch elastische Versetzungswechselwirkung oder Schneidprozesse), und daß die Orientierungsabhängigkeit auf dem Mitwirken sekundärer Gleitsysteme vom Typ {100} 〈110〉 beruht. Der Verfestigungsmechanismus im Bereich II von NaCl, in dem τ stärker als \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \sim \sqrt {N_P } $\end{document} anwächst, ist ungeklärt. Der Bereich III von [001]‐Kristallen läßt sich formal auf thermisch aktivierte Quergleitung von Schraubenversetzungen zurückführen. Sowohl Sekundär‐ wie Quergleitung müßten sich elektronenmikroskopisch nachweisen lassen auf Kristallen, die unter Luftabschluß verformt wurden, wie Vorversuche zeigen.
Streuung von Blochwellen schneller Elektronen in ferromagnetischen Kristallen
Authors: Wilkens M.
Published: July 2007

Die Beugung schneller Elektronen in Kristallen mit magnetischem Feld wird theoretisch untersucht, wobei das Vektorpotential des magnetischen Feldes als schwache Störung betrachtet wird. Man erhält Differentialgleichungen für die Ortsabhängigkeit der Anregungsstärken der Blochwellen, wie sie in ähnlicher Form für die Streuung von Blochwellen in Kristallen mit Gitterbaufehlern gefunden wurden [1]. In der Säulennäherung ist die Wirkung des magnetischen Feldes einer Krümmung des Gitters gleichwertig. Die Differentialgleichungen werden für den Zweistrahlfall und ein homogenes Magnetfeld näherungsweise gelöst und der elektronenmikroskopische Hellfeld‐ bzw. Dunkelfeld‐Flächenkontrast von ferromagnetischen Domänen diskutiert. Es wird gezeigt, daß dieser Flächenkontrast als Folge der Wanderung der Anregungspunkte sogenannter „modifizierter Blochwellen”︁ im Sinne von Penning und Polder bzw. Kato verstanden werden kann. Die bisher vorliegenden experimentellen Untersuchungen, über die teilweise schon berichtet wurde [2], sind mit der Theorie im Einklang.
Abhängigkeit der Anisotropie der elektrischen Leitfähigkeit des Siliziums vom elektrischen Feld
Authors: Asche M. , Boitschenko B. L. , Sarbej O. G.
Published: July 2007

Die longitudinale und transversale Anisotropie der Leitfähigkeit werden an n‐Si bei 77 °K an jeweils ein und denselben Proben als Funktionen der Beträge und der Richtungen der Feldstärke in der (100)‐ und (110)‐Ebene gemessen.

Für die theoretische Analyse werden die Abhängigkeit der Verteilungsfunktionen zum Maxwelltyp von den „Temperaturen”︁ und Konzentrationen der Elektronen in den verschiedenen Tälern aus der Energie‐ und Teilchenzahlbilanz bestimmt. Dabei werden für die Zwischentalstreuungen verschiedene mögliche Kombinationen von f‐ und g‐Übergängen betrachtet.

Der qualitative Verlauf der berechneten Abhängigkeit der Leitfähigkeit vom Feld sowie des Winkels zwischen Strom und Feld von der Orientierung der Kristalle stimmt mit den experimentellen Daten überein. Dabei entsprechen die Maxima sowohl der longitudinalen als auch der transversalen Anisotropie den maximalen Unterschieden der Elektronenkonzentrationen in den verschiedenen Tälern. Für eine quantitative Übereinstimmung müßten diese Unterschiede der Besetzungszahlen jedoch noch stärker sein.
Charged Dislocations in Sodium Chloride Crystals Containing Sodium Hydroxide
Authors: Caffyn J. E. , de Freitas J. C. , Goodfellow T. L.
Published: July 2007

Bars of single crystal NaCl have been deformed by four‐point bending and the sign of the charge on dislocations has been determined. This sign was found to be negative in nominally pure (i.e. analytical reagent grade) material at room temperature in agreement with theory. Crystals have also been prepared by doping with NaOH in the melt. Dislocations in NaCl crystals having an OH concentration of less than 3 × 10−4 mole fraction were found to be negatively charged and in crystals with an OH concentration greater than 3 × 10−4 mole fraction positively charged. The effect of annealing in an atmosphere of chlorine has been studied and a reversal of sign has been observed in crystals heavily doped with NaOH. Doped crystals were quenched and sign reversals also observed. Possible chemical reactions which serve to interpret these phenomena have been discussed.

Bars of crystal already bent in the apparatus were turned over and bent in the opposite direction. The Bauschinger effect was observed in ‘pure’ and doped crystals and also a reversal in the polarity of the potential measured on opposite faces. This has been interpreted in terms of the expected movements of charged dislocations.
Optische und elektrische Erscheinungen in bleiaktivierten Alkalihalogeniden
Authors: Bohun A. , Sak J. , Dolejší J.
Published: July 2007

Die Absorptions‐ und Emissionsspektren von bleiaktivierten Alkalihalogenidkristallen (und orientierend auch von KClTl) wurden bei 20 und −150 °C bei verschiedener Anregung gemessen und mit den Absorptionsspektren von entsprechenden gesättigten Lösungen verglichen. Es wurde festgestellt. daß die Absorptionsbanden A bei den Alkalichloriden und ‐bromiden sowie bei KClTl aus einer ganzen Reihe von Subbanden bestehen. Bei den Lösungen ist diese Feinstruktur weniger ausgeprägt. Die Absorptionskurven von Alkalijodiden sind glatt (ohne Feinstruktur). Die Erklärung der Feinstruktur basiert auf der Existenz von Bleikomplexen und deren Schwingung, wird also als Elektronen‐Schwingungsspektrum der Bleikomplexe gedeutet. Bei der thermisch stimulierten Elektronenemission und Lumineszenz werden die Herkunft der Elektronen und der Elementarmechanismus diskutiert.
Crystallographic Formulae for Hexagonal Lattices
Authors: Otte H. M. , Crocker A. G.
Published: July 2007

For structures with hexagonal symmetry, three different axial systems (rhombohedral, orthorhombic, and hexagonal) are in general use to define the indices of directions and planes. The hexagonal axial system is the one in which confusion is most likely to occur if the axes and the notation are not clearly defined since, for this one crystal system, three distinct sets of crystallographic formulae arise. The difference between these formulae is demonstrated. The advantages of using the ortho‐hexagonal variant of the orthorhombic system are indicated. The relevant direct and reciprocal lattice bases are defined and the required crystallographic formulae given using both vector and tensor notations. Recommendations are made on nomenclature and notation.
Untersuchungen zur Verfestigungskurve vielkristallinen Kupfers
Authors: Krause D. , Göttler E.
Published: July 2007

Vielkristallines Kupfer wird bei verschiedenen Temperaturen zwischen 85 und 295 °K verformt und die Verfestigungskurve mit Hilfe der Ableitung dϵ/dσ in Abhängigkeit von der Spannung σ analysiert. Es zeigt sich, daß deren Verhalten bei allen Temperaturen dieselbe Bereichseinteilung der Verfestigungskurve erlaubt, die früher schon für vielkristallines Nickel nachgewiesen wurde [2, 3]. Die Abhängigkeit der charakteristischen Spannungen σ1, σ2 und σ3 von der Temperatur und Korngröße wird bestimmt und diskutiert. Temperaturwechselversuche sowie die Größe und Temperaturabhängigkeit von σ3 deuten darauf hin, daß Quergleitung als Ursache anzunehmen ist. Ein Vergleich der Meßwerte mit kürzlich veröffentlichten theoretischen Ansätzen [1] für die Spannungen σ1 und σ2 ergibt befriedigende Übereinstimmung.
Dislocations as Traps for Holes in Germanium
Authors: Figielski T.
Published: July 2007

A further development of the barrier model of recombination at dislocations is presented. It is shown that in spite of the tunnel effect, the barrier height is the main factor limiting the capture rate of electrons down to about 180 °K. Some features of photoconductivity in crystals with dislocations and their temperature‐dependences, are discussed (such as the lux‐ampere characteristics, and the relaxation of the photocurrent). It is shown how the density of dislocations and the position of the dislocation acceptor level can be estimated from experimental data.
Investigation of the Magnetic Domain Fine Structure of Thin Permalloy Films Evaporated under Different Angles
Authors: Puchalska I. B. , Sukiennicki A. , Tymosz T.
Published: July 2007

The temperature‐dependence of the domain fine structere (ripples) in thin permalloy films evaporated under different angles is studied. The fine structure as a function of the evaporation angle is investigated with an electron microscope and found to agree with the results of Cohen. The temperature‐dependence of the ripples is compared with the theory of Hoffmann.
Über die infrarote Lumineszenz von CdS‐Kristallen
Authors: Albers C. , Arndt S. , Klose H.
Published: July 2007

CdS‐Kristalle zeigen nach Belichtung oberhalb Zimmertemperatur charakteristische Veränderungen ihres Lumineszenzspektrums, welche photochemischen Prozessen zugeschrieben werden. In Fortsetzung früherer Arbeiten wurden die Untersuchungen auf die infraroten Banden ausgedehnt. Hier wurden wesentliche Unterschiede zwischen Grundgitter‐ und Ausläuferanregung festgestellt, was auf Oberflächeneinflüsse hindeutet, die von uns noch nicht näher untersucht worden sind. In dem bisher angenommenen reaktionskinetischen Modell lassen sich nicht alle Meßergebnisse deuten.
Masse effective des électrons dans le tellurure de mercure
Authors: Verié C. , Decamps E.
Published: July 2007

Des mesures de réflectivité sont utilisées pour déduire les paramètres fondamentaux de HgTe. Une bonne conformité est trouvée par application du modèle de Kane avec P = 7,2 × 10−8 eV · cm et Eg = − 0,15 eV.
Magnetische Kristallanisotropie von kobalthaltigem MgMn‐Ferrit
Authors: Elbinger G.
Published: July 2007

An Co‐dotiertem MgMn‐Ferrit (CoxMg0,75Mn0,53 Fe1,71O3,96+x; 0 ≦ x < 0,076) wurden die Anisotropiekonstanten K1 und K2 mittels der Drehmomentenmethode von −185 bis +200 °C bestimmt. Bei kleinen Co‐Konzentrationen ist deren Einfluß auf die Anisotropie eine lineare Funktion des Co‐Gehaltes. Der Einfluß ist geringer als bei Mn‐ und MgFe‐Ferriten und viel geringer als bei Magnetit.
Green's Function Method in the Theory of Light Scattering by Impurity Centres in Solids
Authors: Lubchenko A. F.
Published: July 2007

The spectra of resonant, Raleigh, and Raman scattering of light by impurity centres are calculated by the method of Green's functions and operator arrangement along the integration contour, taking account of anharmonicity. A general expression is obtained for the scattering spectrum. The dependence of the phonon and non‐phonon parts of the spectrum on temperature and the nature of the host crystal are discussed in detail. As the frequency of the exciting light approaches the impurity absorption region, the integral scattering intensity increases with the absorption coefficient of the impurity centres.
Untersuchungen der Bereichstruktur von Nickeleinkristallen. I. Beobachtungen an Kristallen mit 〈110〉 und 〈100〉 als Achse
Authors: Schwink Ch. , Spreen H.
Published: July 2007

Es werden lange, stabförmige, prismatische Nickeleinkristalle der axialen Orientierungen 〈110〉 und 〈100〉 hergestellt und untersucht, die die Néelschen Voraussetzungen für einfache Bereichstrukturen erfüllen. – Der vierzählige Kristall mit 〈100〉 als Achse weist im Unterschied zur Beobachtung von Bates und Wilson [9] keine einfache durchgehende Plattenstruktur der Grundbereiche auf. Dagegen finden wir eine solche für den erstmals studierten zweizähligen Kristall mit 〈110〉 als Achse. Es gelingt, die Bittermuster auf allen achsenparallelen Flächen zu beobachten. Die Abhängigkeit der Periodizität der Bereichstruktur vom wahren Feld wird für die zwei‐ und vierzähligen Kristalle gemessen. – Bekannte hypothetische Bereichstrukturmodelle werden theoretisch behandelt, und dabei wird die magnetoelastische Energie vollständiger als bisher berücksichtigt. Beim Vergleich mit dem Experiment treten qualitative und quantitative Unterschiede auf; sie rühren nicht von der Wirkung des entmagnetisierenden Feldes her, wie Kociński [14] vermutet. Wir schließen aus unseren Beobachtungen, daß die Bereichstruktur der untersuchten Kristalle nicht den verbreiteten Vorstellungen darüber entspricht.
Thermodynamic Green's Function Approach to Impurity Conduction. I. dc Conduction
Authors: Gosar P.
Published: July 2007

The thermodynamic Green's function method is applied to the problem of de impurity conduction in semiconductors. Both the electron hopping motion at low impurity concentrations and the band conduction at high concentrations are studied. A localised representation is used for the electronic states and the electron‐phonon interactions are evaluated by the deformation potential approximation. The current density auto‐correlation function is calculated by means of the reduced diagram expansion.
Dynamical Theory of the Images of Microtwins as Observed in the Electron Microscope. II. Overlapping Domain Wall Boundaries
Authors: Remaut G. , Gevers R. , Lagasse A. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The two‐beam dynamic theory of the electron transmission microscopic fringe images of microtwins is discussed. In contrast to Part I, it is now assumed that the parent crystal and microtwin are both close to an orientation for reflection. The excitation errors are then slightly different. This situation occurs in BaTiO3, CoO, NiO, where the twins are ferro‐electric or anti‐ferromagnetic domains characterized by small twin‐vectors and limited by parallel coherent boundaries inclined with respect to the foil surfaces.

If the thickness of the microtwin is small, the anomalous absorption for the microtwin can be neglected. It can then be shown that the images are similar to stacking fault images defined by a phase angle depending on the diffraction conditions and on the microtwin thickness.

For a thick microtwin, it can be shown that the part of the images where the boundaries overlap can be differentiated very well from the non‐overlapping parts. An analytical discussion leads to several significant conclusions regarding the nature of the extreme fringes, the contrast of the fringes, and the mean intensities.

In Part III these predictions will be compared with the results of numerical calculations. It will be also shown that they are in good agreement with experiment.
Dislocation Geometry of Crystalline Mercury
Authors: Heckscher F. , Crocker A. G.
Published: July 2007

The predominant slip direction of crystalline mercury is not the closest‐packed direction. In order to explain this and related observations, a geometrical analysis has been made of the types of dislocation which may be present in the mercury structure. Two approaches have been adopted. The first of these is based on the well‐established dislocation geometry of face‐centred cubic crystals; it does not lead to an adequate understanding of the experimental results. A satisfactory explanation of the observations is obtained, however, in the second approach, which considers the stacking sequence of the mercury slip planes. Some general implications of the results are discussed.
Étude de l'effet „laser”︁ dans des jonctions d'antimoniure de gallium
Authors: Chipaux C. , Eymard R.
Published: July 2007

L'étude du rayonnement émis par des jonctions d'antimoniure de gallium tirées, polarisées dans le sens direct, nous a permis d'observer l'effet „laser”︁ pour nombre d'entre elles. Pour une de ces diodes, il a été possible de mettre en évidence a 78 °K une structure de modes normaux, dont l'écart correspond a n − ≈ 4. Cette jonction a montré l'effet „laser”︁ en régime continu, à 5 °K, pour une densité de courant injecté de 300 A/cm2. L'emploi d'un tube convertisseur d'images a permis d'observer l'émission filamentaire en régime „laser”︁. L'énergie des photons émis est, suivant les diodes, 775, 790 ou 800 meV a 78 °K. L'une des jonctions présente l'effet “laser” simultanément sur 790 et 800 meV.
Effet d'une induction magnétique sur l'échauffement des porteurs dans InSb
Authors: Buchy F.
Published: July 2007

Nous avons effectué des mesures de résistivité en présence d'électrons chauds dans l'antimoniure d'indium à 78 °K. L'échantillon était placé dans une induction magnétique transversale. Les résultats obtenus peuvent être expliqués par la présence simultanée de plusieurs mécanismes de diffusion, à savoir: phonons optiques polaires, impuretés ionisées, et phonons acoustiques, à condition d'utiliser la récente valeur de 30 eV pour le potentiel de déformation suggérée par Haga et Kimura. Nous avons également mis en évidence deux effets quantiques que les théories actuelles n'expliquent pas.
Colour Centres in Alkaline Earth Fluorides
Authors: Feltham P. , Andrews I.
Published: July 2007

The effect of trace elements on the optical and UV absorption of X‐irradiated calcium fluoride crystals was investigated. Crystals displaying the oxygen cut‐off at about 220 nm in the unirradiated state yielded the α and β absorption bands at about 375 and 550 nm, respectively. In the absence of the cut‐off the well known four‐band spectrum (225, 335, 400, and 580 nm) appeared. This was not significantly influenced by the level of cation impurities, including yttrium in amounts of 0.5 to 1000 ppm. A possible relation between the two spectra is suggested. An attempt was made to locate the F‐band by evaluating the 1‐2p transition energy of electrons trapped at vacant fluorine sites, and the calculations were extended to the fluorides of strontium and barium. The calculated absorption wavelengths for CaF2 (400 nm) and BaF2 (610 nm) are reasonably close to those of 375 and 660 nm ascribed by Arends to F‐centers on the basis of his ESR data. The value derived for SrF2 (495 nm) suggests that the strongest peak, occurring close to 450 nm in additively coloured crystals, corresponds to the F‐centre. The origin of a ‘Mollwo’ relation satisfied by the bands of these crystals, is discussed.
Zum Kristallisationsverhalten von Selenaufdampfschichten
Authors: Peibst H. , Ammon G.
Published: July 2007

Es wurden Aufdampfversuche mit unterschiedlich thermisch vorbehandelten Selenproben durchgeführt. Röntgenographische Texturuntersuchungen und elektronenmikroskopische Aufnahmen der Aufdampfschichten erbrachten den Beweis, daß das Kristallisationsverhalten von Selen durch eine thermische Vorbehandlung des Materials beeinflußt werden kann.
Untersuchung des Rauschspektrums von CdS‐Einkristallen
Authors: Rohde H. J. , Marz M.
Published: July 2007

Das elektronische Rauschen von CdS‐Einkristallen wurde in einem einfachen Hafttermmodell diskutiert und im Frequenzbereich 20 Hz bis 500 kHz gemessen. Es wird eine Methode angegeben, mit der aus dem Generations‐Rekombinationsrauschen energetische Lage, Frequenzfaktor und Einfangquerschnitt flacher Haftstellen bestimmt werden können. Für diskrete Terme, die 0,3 bis 0,6 eV unter dem Leitungsband liegen, werden Frequenzfaktoren von etwa 1010 bis 1011 s−1 und Einfangquerschnitte von 10−15 bis 10−16 cm2 ermittelt. Die Ergebnisse werden mit aus Leitfähigkeitsglowkurven gewonnen Werten verglichen. Ferner wurden der Einfluß einer Hafttermverteilung und einer Majoritätsträgerinjektion auf das Rauschspektrum untersucht. Aus dem Schrotrauschen wurde die Driftbeweglichkeit freier Leitungselektronen bestimmt. Es ergeben sich Werte zwischen 30 und 50 cm2V−1s−1 bei Zimmertemperatur.
Zur Theorie des Photoeffekts an p‐n‐Übergängen bei ungleichen Lebensdauern der Minoritäts‐ und Majoritätsträger
Authors: Diehl H.
Published: July 2007

Wir untersuchen den Einfluß ungleicher Lebensdauern der Minoritäts‐ und Majoritätsträger auf die Photospannung an p–n‐Übergängen. Die Rechnung liefert einen geschlossenen Ausdruck, der unmittelbar diskutiert werden kann. Im Gültigkeitsbereich der Ausgangsgleichungen gibt es keine Sättigung der Photospannung.
Plastic Deformation of CsI Single Crystals
Authors: Urusovskaya A. A. , Thyagarajan R.
Published: July 2007

The plastic deformation of CsI single crystals by compression is studied. Different regions of the stress‐strain curve are compared with the distribution of birefrigence bands along slip lines and with the arrangement of dislocation etch pits. The various stages of uniform deformation and of kink‐band formation are considered in detail. It is found that both diffusion and slipping processes occur, even during linear work hardening, and this leads to polygonisation. After the kink‐band formation stage not only polygonisation, but also recrystallisation is observed, which indicates an increase in the diffusion process.
X‐Ray Diffraction from Deformed Cerium: Effects due to Extrinsic Stacking Faults
Authors: Otte H. M. , Chessin H.
Published: July 2007

Preliminary measurements of the peak shifts in the X‐ray powder pattern of cerium cold‐worked by filing at room temperature are reported. Because cerium oxidizes rapidly in the atmosphere, the experimental procedure is more complicated than that usually followed in the preparation of cold‐worked metal filings for the measurement of intrinsic faults. The preliminary data on cold‐worked cerium, although of lower accuracy than that normally attainable in this type of work, nevertheless showed peak displacements in the Debye‐Scherrer pattern that were in most cases in the direction theoretically predicted for relatively low probabilities of extrinsic stacking faults. A more detailed investigation is required to verify the line broadening and asymmetry effects produced in the line profiles. The observations were complicated by an apparent annealing out of the peak shifts at room temperature although the increased (extrapolated) lattice parameter remained.
Spontaneous Decay of Phonons
Authors: Uritsky S. I. , Novikov V. S.
Published: July 2007

The phonon‐scattering caused by the polarisation of the electron‐hole vacuum in a crystal is observed. The relaxation times of this process are estimated and compared with anharmonic scattering.
On the Theory of Interband Magneto‐Dispersion Effects in Semiconductors
Authors: Uritsky S. I. , Shuster G. V.
Published: July 2007

Magneto‐dispersion effects in crossed fields are considered, expressions being obtained for the Faraday and Voigt effects. It is shown that the electric field displaces the peaks in the long wave region and gives rise to additional resonance peaks.
Anomalous Transmission of X‐Rays in Fe‐3 pct Si Crystals and the Observation of Ferromagnetic Domains
Authors: Roessler B. , Kramer J. J. , Kuriyama M.
Published: July 2007

Crystals of an iron ‐ 3 pct silicon alloy were grown by the surface energy induced secondary recrystallization technique. These crystals, which were 0.006 to 0.012 in. thick and had a {100} surface, were found to anomalously transmit X‐rays, revealing both dislocations and ferromagnetic domains along 〈100〉 directions. The domain structure disappeared in the presence of a magnetic field, and reappeared when the field was removed.
Propriétés électriques des solutions solides bismuth‐antimoine
Authors: Dugué M.
Published: July 2007

Des monocristaux homogènes d'alliages bismuth‐antimoine contenant jusqu'à 15% d'antimoine ont été préparés. Des mesures de résistivité, des coefficients galvanomagnétiques ont été faites sur ces alliages en fonction de la température entre 14 et 300 °K. La variation du paramètre cristallin c et celle de la largeur de bande interdite en fonction de la concentration en antimoine ont été précisées. Le comportement “anormal” des coefficients galvanomagnétiques rend difficile l'interprétation des résultats.
Electron Motion in Metals with Helicoidal Spin Arrangements
Authors: Vertogen G. , Caspers W. J. , Dekker A. J.
Published: July 2007

By assuming that the magnetic structure of metals with helicoidal spin arrangements fits the crystallographic structure, solutions of the Schrödinger equation are obtained which are plane waves modulated by a function with the periodicity of the magnetic structure. The solutions show that in general depolarization of the conduction electrons will occur, i.e. the spin will not be a good quantum number. The depolarization is also shown to occur for a simple conduction band by treating the interaction between the spin of the electron and the spin of the magnetic ions as a perturbation.
Der Einfluß von Übergangselementen auf die Thermospannung von Reinstkupfer
Authors: Richter F.
Published: July 2007

Es wird über die Änderung der differentiellen und integralen Thermospannung von reinem Kupfer (99,9997%) durch das Zulegieren der Elemente, Titan Vanadin, Chrom Mangan, Eisen, Kobalt, Nickel, Palladium, Platin, Zink und Gallium im Temperaturbereich von —180 bis 200 °C berichtet. Von jedem Zweistoffsystem standen je drei Proben mit verschiedenen Legierungsgehalten zwischen 0,05 und 3 At.% zur Verfügung. Trägt man die Änderung der Thermospannung gegenüber den zulegierten Elementen auf, so erhält man beim Chrom und beim Eisen je ein Minimum, wobei das letztere sich bei zunehmender Temperatur zum Kobalt verschiebt.

Das Auftreten der beiden Extrema wird nach Friedel durch die Streuung der Leitungselektronen an virtuellen d‐Zuständen der Legierungsatome erklärt, wobei die beiden Minima auf die Aufspaltung der 5 d‐Zustände in zwei mit entgegengesetzter Spineinstellung schließen lassen.
Die “kritische Wachstumsgeschwindigkeit” realer Kristallflächen in Lösung und ihre Abhängigkeit von Störungen des Keimes
Authors: Gülzow G. , Gülzow Hj. , Lüdke W.
Published: July 2007

Es wird über Auswirkungen von Störungen des Keimes auf den Realbau der in Lösung gezüchteten Kristalle berichtet und nachgewiesen, daß im Keim vorhandene Baufehler sich in den wachsenden Kristall als primäre Störungen fortpflanzen. Die Versuche zeigen, daß jede Fläche eines Realkristalls eine für sie spezifische “kritische Wachstumsgeschwindigkeit” besitzt, die vom Störungsgrad der Oberfläche der betreffenden Kristallart abhängt. Bei Überschreitung dieses Wertes entwickeln sich in der Umgebung der primären Störungen zahlreiche Einschlußhohlräume zu sekundären Störungen. Die aus diesem Verhalten not‐wendigen Schlußfolgerungen bei der Züchtung von Kristallen werden diskutiert.
Epitaxiales Wachstum von Silbersulfid auf dünnen Silberschichten
Authors: Schlötterer H.
Published: July 2007

Auf Steinsalzspaltflächen aufgedampfte Silberschichten wurden mit Schwefelwasserstoffgas behandelt, Hierdurch bildet sich Silbersulfid mit der monoklinen Elementarzelle des Akanthits. Silber und Silbersulfidschichten zusammen wurden mit dem Elektronenmikroskop und mit Elektronenbeugung untersucht. Die Silbersulfidkristalle sind epitaxial zu den Silberschichten aufgewachsen. Es treten zwei verschiedene Kristallgruppen auf, die sich äußerlich durch die Richtungen ihrer Seiten unterscheiden, nämlich 〈110〉‐ und 〈100〉‐ Kristalle, Gemeinsam ist den acht verschiedenen Sulfid‐Orientierungen, daß die (012)‐Ebene der Ag2S‐Kristalle nahezu parallel zur (001)‐Ebene des Silbers verläuft. Die acht Orientierungen lassen sich durch Drehungen um 45° bzw. 90° oder durch Spiegelung an einer {220}Ag‐Ebene (Zwillingsebene) ineinander überführen. Bei einigen 〈100〉‐Kristallen werden Versetzungsanordnungen beobachtet, die auf die von van der Merwe für epitaxiale Schichten vorhergesagten Grenzflächenversetzungen schließen lassen.
Dimensional and X‐Ray Diffraction Changes in Irradiated Single Crystal BeO
Authors: Austerman S. B. , Miller K. T.
Published: July 2007

Single crystals of BeO were irradiated by high energy (≧ 1 MeV) neutrons to doses of 1020 to 6 × 1020 nvt at low temperature (< 100 °C). The crystal structure effects of irradiation were examined by X‐ray diffraction and measurement of interfacial angles between crystallographic faces. The diffraction patterns are characterized by duplex reflections each composed of a sharp and a broad component. The sharp component is attributed to the matrix crystal volume, which is expanded by a random distribution of point defects. The broad component is attributed to the presence of interplanar clusters lying parallel to the basal plane. This structure showed little change below 800 °C with short‐term anneal. Between 800 and 1600 °C there was nearly complete recovering of line breadth and lattice constants. The annealing data indicate (1) removal of the point defects, and (2) some growth of cluster size, during thermal annealing.
Recombinaison radiative dans le germanium fortement dopé et compensé
Authors: La Guillaume C. Benoità , Cernogora J.
Published: July 2007

L'étude da la photoluminescence de Ge dégénéré et compensé montre que la raie d'émission á basse température se déplace vers les hautes énergies avec le niveau d'excitation, ce qui permet de mettre en évidence les queues de densité d'état.
Die Orientierungs‐ und Verformungsabhängigkeit der reversiblen Suszeptibilität von Nickeleinkristallen
Authors: Mehrer H. , Kronmüller H. , Seeger A.
Published: July 2007

An Nickeleinkristallen wurde bei Raumtemperatur die reversible Suszeptibilität verschieden orientierter Proben in Abhängigkeit vom äußeren Magnetfeld Ha gemessen. Bei unverformten Proben (mit Ausnahme der 〈111〉Kristalle) sind drei Feldstärkebereiche zu unterscheiden, denen jeweils ein bestimmter Magnetisierungsprozeß zugeordnet werden kann. Irreversible Blochwandverschiebungen haben in Feldern bis ca. 15 Oe eine starke Abnahme der reversiblen Suszeptibilität zur Folge. Drehungen gegen die Kristallenergie sind in einem mittleren Feldstärkebereich die Ursache für die Magnetisierungszunahme. Dieser Bereich wird abgelöst durch den Bereich der Einmündung in die Sättigung.

Messungen der reversiblen Suszeptibilität an verformten Proben gestatten es, den Einfluß der plastischen Verformung auf die verschiedenen Magnetisierungsprozesse zu untersuchen.
The Interaction Between Anti‐Ferromagnetic Domain Walls and Dislocations in Nickel Oxide as Observed in the Electron Microscope
Authors: Remaut G. , Delavignette P. , Lagasse A. , Amelinckx S.
Published: July 2007

Some further electron‐microscope observations are reported of anti‐ferromagnetic domain walls in NiO. The thin foils used here are less perfect, and have a larger density of dislocations, than those used in the earlier work. This allows the observation of the interaction between dislocations and domain walls. The peculiarities and the origin of this interaction are discussed.
Investigation of the External Photoelectric Effect in HgTe
Authors: Wojas J.
Published: July 2007

Results are presented of investigations on the external photoelectric effect in HgTe samples containing a few monocrystalline grains. The investigations use the retarding field method in a spherical vacuum condenser. Monochromatic light of wavelengths 2537 and 2480 Å is used for excitation and the current‐voltage characteristics are measured. Both newly split surfaces and surfaces which have been subjected to mechanical treatment are examined. Mean values of the thermoelectric and photoelectric work function are measured and found to be respectively: (4.120 ± 0.005) eV and (4.130 ± 0.005) eV. Values of the absolute quantum yield for samples at λ = 2537 Å are within the range 1.58 × 10−7 to 6.9 × 10−6 electrons/quantum. Changes are observed in the photoelectric characteristics of surfaces exposed to air for a period of time. The concentration of electrons and holes in the samples and the effective mass ratio mh/me are computed for energy gaps of +0.01, 0, and −0.01 eV.
Nonlinear Electrical Effects and Recombination of the Hot Electrons in Compensated Germanium
Authors: Kagan M. S. , Kalashnikov S. G. , Zhdanova N. G.
Published: July 2007

Steady state and transient current‐voltage characteristics are studied for Cu‐doped n‐type Ge samples with the upper Cu level (Ec — 0.26) eV partly compensated. The field strength is varied from ∼ 1 V/cm to 104 V/cm. The I‐U curves obtained are sublinear at field strengths above ∼ 100 V/cm. A study is made of the effect of temperature and of the spectrum of the incident light upon both the steady state and the kinetics of the photocurrent. Negative differential conductivity and coherent low frequency oscillations are observed at nitrogen temperatures with high illumination. The nonlinear effects are shown to be due mainly to the reduction of electron concentration in the conduction band. This could be ascribed to the field dependence of α the probability of electron capture by the doubly charged Cu ions. In the strong electric fields the crystals are becoming inhomogeneous due to the formation of strong‐ and weak‐field regions. The possible influence of these inhomogenities on the nonlinear effects is discussed and the change of α in the strong field is estimated.