bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Authors: Рыбальченко Д.В. , Минтаиров С.А. , Салий Р.А. , Тимошина Н.Х. , Шварц М.З. , Калюжный Н.А.
Published: January 2017

Методом МОС-гидридной эпитаксии созданы метаморфные Ga0.76In0.24As-гетероструктуры фотопреобразователей на подложках n-GaAs. Обнаружено, что из-за разрыва валентных зон на гетерогранице p-In0.24Al0.76As /p-In0.24Ga0.76As (широкозонное окно/эмиттер) возникает потенциальный барьер для дырок вследствие технологической сложности создания высокой концентрации активной примеси в широкозонном материале. Использование четверного твердого раствора InAlGaAs c содержанием Al <40% позволило повысить концентрацию акцепторов в широкозонном окне до ~9·1018 см-3 и полностью нивелировать потенциальный барьер, тем самым уменьшив последовательное сопротивление прибора. Произведен расчет параметров метаморфного буфера GaInAs со ступенчатым профилем изменения содержания In, и оптимизированы параметры его эпитаксиального роста, что позволило улучшить собирание носителей заряда из области n-GaInAs и получить квантовую эффективность фотоответа на длине волны 1064 нм 83%. Фотопреобразователи, созданные на основе метаморфных гетероструктур с оптимизированными слоями широкозонного окна и метаморфного буфера, имели кпд преобразования излучения с длиной волны 1064 нм на уровне 38.5%. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8288
Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
Authors: Лундин В.В. , Родин С.Н. , Сахаров А.В. , Лундина Е.Ю. , Усов С.О. , Задиранов Ю.М. , Трошков С.И. , Цацульников А.Ф.
Published: January 2017

Нитевидные микрокристаллические светодиодные структуры InGaN/GaN в геометрии ядро--оболочка длиной 400-600 мкм были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых и кремниевых подложках. Использовалась технология сверхбыстрого роста нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированного нанослоем титана. При протекании тока наблюдалась электролюминесценция микрокристаллов в сине-зеленом спектральном диапазоне. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8293
Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-5-=/SUB=-
Authors: Никитин С.Е. , Нащекин А.В. , Терукова Е.Е. , Трапезникова И.Н. , Бобыль А.В. , Вербицкий В.Н.
Published: January 2017

Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V2O5. Интенсивное окисление кремния на границе Si-V2O5 начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V2O5-Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO2 в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния (D≥2·10-15 см2·с-1). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V2O5 через слой SiO2 к кремнию и возникновении преципитатов SiOx в кремнии. После удаления слоев V2O5 и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8292
Наноразмерные пленки Cu-=SUB=-2-=/SUB=-O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств
Authors: Кудряшов Д.А. , Гудовских А.С. , Бабичев А.В. , Филимонов А.В. , Можаров А.М. , Агекян В.Ф. , Борисов Е.В. , Серов А.Ю. , Философов Н.Г.
Published: January 2017

Методом магнетронного распыления сформированы наноразмерные слои оксида меди (I) на стеклянных и кремниевых подложках при комнатной температуре в бескислородной среде и проведены исследования их структурных и оптических свойств. Показано, что на кремниевой подложке происходит формирование оксида меди с меньшей разупорядоченностью, нежели на стекле, это подтверждается большей интенсивностью и меньшей полушириной рефлексов дифрактометрической кривой. Наибольшая интенсивность рефлексов дифрактометрической кривой наблюдается для пленок Cu2O, выращенных на кремнии при мощности магнетрона 150 Вт. Спектральная зависимость коэффициентов поглощения и пропускания этих же пленок Cu2O согласуется с известными зависимостями для объемных кристаллов. В рамановских спектрах пленок идентифицированы фононы, соответствующие кристаллической решетке кубических кристаллов Cu2O. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8318
Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
Authors: Вороненков В.В. , Вирко М.В. , Коготков В.С. , Леонидов А.А. , Пинчук А.В. , Зубрилов А.С. , Горбунов Р.И. , Латышев Ф.Е. , Бочкарева Н.И. , Леликов Ю.С. , Тархин Д.В. , Смирнов А.Н. , Давыдов В.Ю. , Шеремет И.А. , Шретер Ю.Г.
Published: January 2017

Сильное поглощение излучения СО2-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация n-GaN, составила 1.6±0.5 Дж/см2. Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. Образец вертикального диода Шоттки с величиной плотности прямого тока 100 А/см2 при напряжении 2 B и максимальным обратным напряжением 150 В изготовлен на основе отделенной пленки n-GaN толщиной 9 мкм. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8325
Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости
Authors: Середин П.В. , Леньшин А.С. , Арсентьев И.Н. , Жаботинский А.В. , Николаев Д.Н. , Тарасов И.С. , Шамахов В.В. , Prutskij Tatiana , Leiste Harald , Rinke Monika
Published: January 2017

На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе AlxGa1-xAs : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8342
PEALD grown high-k ZrO-=SUB=-2-=/SUB=- thin films on SiC group IV compound semiconductor
Authors: Khairnar Anil G. , Patil Vilas S. , Agrawal K.S. , Pandit Prerna A. , Salunke Rahul S. , Mahajan A.M.
Published: January 2017

The study of ZrO2 thin films on SiC group IV compound semiconductor has been studied as a high mobility substrates. The ZrO2 thin films were deposited using the Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System. The thickness of the thin films were measured using ellipsometer and found to be 5.47 nm. The deposited ZrO2 thin films were post deposited annealed in rapid thermal annealing chamber at temperature of 400oC. The atomic force microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy has been carried out to study the surface topography and roughness and chemical composition of thin film respectively. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8125
Application of B-=SUB=-12-=/SUB=-N-=SUB=-12-=/SUB=- and B-=SUB=-12-=/SUB=-P-=SUB=-12-=/SUB=- as two fullerene-like semiconductors for adsorption of halomethane: density functional theory study
Authors: Shokuhi Rad Ali
Published: January 2017

We examined and discussed the interaction of two halomethanes (mono-chloromethane (MCM), and mono-fluoromethane (MFM) ) with B12N12 and B12P12 fullerene-like semiconductors based on density functional theory (DFT). We calculated adsorption energies and followed the changes in the electronic structure of semiconductors upon adsorption of MCM and MFM. We found that the adsorption on the B12N12 nano-cluster is energetically more favorable compared to B12P12 nano-cluster. Also for both systems we found higher values of adsorption energy for MFM than for MCM. We found that upon adsorption of above-mentioned species on these two fullerene-like semiconductors, the HOMO-LUMO distributions and also the gap energy for each system did not change significantly, which correspond to the physisorption process. As a result, B12N12 is a more appropriate nano-cluster to be used as a selective sensor for halomethanes, especially for MFM. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8191
Модель зернограничной самодиффузии в alpha- и beta-фазах титана и циркония
Authors: Чувильдеев В.Н. , Семенычева А.В.
Published: January 2017

Предложена модель процесса зернограничной самодиффузии в металлах, испытывающих фазовые переходы в твердом состоянии. В основе модели лежат идеи и подходы теории неравновесных границ зерен. Показано, что область применения основных соотношений этой теории может быть расширена, и они могут быть использованы для расчета параметров зернограничной самодиффузии в высокотемпературной и низкотемпературной фазах металлов с фазовым переходом. На основе построенной модели проведен расчет энергий активации зернограничной самодиффузии в титане и цирконии и дано объяснение их аномально низких значений в низкотемпературной фазе. Рассчитанные значения энергий активации зернограничной самодиффузии хорошо согласуются с экспериментом. Работа выполнена при поддержке РНФ (грант N 16-13-00066). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43942.118
Атомная структура систем Zr-He, Zr-vac, Zr-vac-He: расчет из первых принципов
Authors: Лопатина О.В. , Коротеев Ю.М. , Чернов И.П.
Published: January 2017

Проведены ab initio исследования атомной структуры систем Zr-He, Zr-vac и Zr-vac-He с концентрацией атомов гелия и вакансий (vac) ~6 at.%. Обнаружена индуцированная гелием неустойчивость решетки циркония в системе Zr-He, исчезающая с появлением вакансий. Определено наиболее предпочтительное положение примеси в решетке металла. Рассчитаны энергия растворения гелия и вносимый им избыточный объем. Установлено, что присутствие гелия в решетке Zr заметно понижает энергию образования вакансии. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43943.188
Нелинейные свойства многофазных высокотемпературных сверхпроводников системы Bi-Sr-Ca-Cu-O в области температур сверхпроводящего перехода
Authors: Голев И.М. , Сергеев А.В. , Калядин О.В.
Published: January 2017

Экспериментально исследованы нелинейные характеристики сверхпроводников системы Bi-Sr-Ca-Cu-O в области температур сверхпроводящего перехода при воздействии гармонического переменного магнитного поля. Для многофазных сверхпроводников, имеющих в своем объеме области с отличными значениями критической температуры, впервые обнаружен эффект возникновения нечетных гармоник в сигнале отклика. Представлен механизм генерации гармоник в сверхпроводнике, находящемся в резистивном состоянии, связанный со свитч-эффектом --- перераспределением плотности вихревого тока между его локальными областями. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43944.129
Влияние термообработки на структуру и термоэлектрические свойства тонких пленок Sb-=SUB=-0.9-=/SUB=-Bi-=SUB=-1.1-=/SUB=-Te-=SUB=-2.9-=/SUB=-Se-=SUB=-0.1-=/SUB=- и композитов на их основе
Authors: Калинин Ю.Е. , Каширин М.А. , Макагонов В.А. , Панков С.Ю. , Ситников А.В.
Published: January 2017

Исследовано влияние отжигов в вакууме на термоэлектрические свойства тонких пленок твердого раствора Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1 и композитов Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1-С с различным содержанием углерода, полученных методом ионно-лучевого напыления в атмосфере аргона. Установлено, что удельное электрическое сопротивление и термоэдс нанокомпозитов Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1-С зависят не только от концентрации углерода, но также от типа и концентрации собственных точечных дефектов твердого раствора Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1, определяющих тип проводимости гранул Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1. Как для пленок твердого раствора Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1, так и для пленок композитов Sb0.9Bi1.1Te2.9Se0.1-С проведены оценки фактора мощности, которые показали значения, сопоставимые с величинами для наноструктурных материалов на основе твердых растворов (Bi,Sb)2(Te,Se)3. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования РФ (базовая часть государственного задания) и РФФИ (проект N 16-08-36411). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43945.206
Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния
Authors: Китаев Ю.Э. , Кукушкин С.А. , Осипов А.В.
Published: January 2017

Выполнен симметрийный анализ кристаллической структуры и фононного спектра в процессе непрерывного превращения кремния в карбид кремния. Определена трансформация симметрии фононов в точках высокой симметрии зоны Бриллюэна при переходе от исходной кубической структуры кремния (алмаза) через промежуточную кубическую структуру SiC к тригональной структуре SiC. Установлены правила отбора для ИК и рамановских спектров во всех трех фазах. Авторы благодарят за финансовую поддержку РФФИ (гранты N 15-0306155 и 16-29-03149 -офи-м). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43946.267
Усиление и инверсия переменного электрического поля в мелкодисперсном диэлектрике
Authors: Харламов В.Ф.
Published: January 2017

Установлено, что в двух плоскопараллельных слоях разных диэлектриков, заключенных между пластинами плоского конденсатора, происходит усиление более чем в 103 раз синусоидального электрического поля. Для этого должны выполняться следующие условия: 1) один слой из двух образован мелкодисперсным диэлектриком, на поверхности частиц которого созданы ионизованные донорные центры, а в объеме частиц имеются свободные электроны; 2) диэлектрическая проницаемость порошка имеет отрицательное значение. При этом в слое порошка одновременно с усилением электрического поля происходит его инверсия. Исследование выполнено при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (грант N 479). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43948.75
Релаксация тока в Si-=SUB=-3-=/SUB=-N-=SUB=-4-=/SUB=-: эксперимент и численное моделирование
Authors: Новиков Ю.Н. , Гриценко В.А.
Published: January 2017

Экспериментально измерена релаксация тока в структуре металл-нитрид-оксид-полупроводник. Эксперимент сравнивается с расчетом, основанным на двухзонной модели проводимости и многофононном механизме ионизации ловушек. Из сравнения эксперимента с расчетом для величины сечения рекомбинации получена оценка сверху, которая составила 5· 10-13 cm2. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43949.234
Магнитооптические, оптические и магнитотранспортные свойства сверхрешеток Co/Cu с ультратонкими слоями кобальта
Authors: Лобов И.Д. , Кириллова М.М. , Махнев А.А. , Ромашев Л.Н. , Королев А.В. , Миляев М.А. , Проглядо В.В. , Банникова Н.С. , Устинов В.В.
Published: January 2017

Исследованы полевые зависимости намагниченности и магнитосопротивления сверхрешеток [Co(tx,Angstrem)/Cu(9.6 Angstrem)]30, приготовленных магнетронным распылением и отличающихся толщиной слоев Co (0.3 Angstrem≤ tCo≤15 Angstrem). Изучены оптические и магнитооптические свойства этих объектов методом эллипсометрии в области спектра homega=0.09-6.2 eV и с помощью экваториального эффекта Керра (homega=0.5-6.2 eV). На кривых недиагональной компоненты тензора оптической проводимости \hat sigma сверхрешеток с tCo=3-15 Angstrem в ультрафиолетовой области обнаружена структура осцилляционного типа ("петля") --- как результат обменного расщепления 3d-зоны в энергетическом спектре fcc Co. На основе магнитных измерений и измерений экваториального эффекта Керра установлено наличие суперпарамагнитной фазы в сверхрешетках Co/Cu при толщине слоев кобальта 3 и 2 Angstrem. Анализируется переход от сверхрешеток со сплошными ферромагнитными слоями к кластерно-слоистым суперпарамагнитным наноструктурам и далее --- к структурам на основе Co и Cu (tCo=0.3-1 Angstrem) с кондоподобным поведением электросопротивления при низких температурах. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Спин", N 01201463330) при частичной финансовой поддержке РФФИ проект N 16-02-00061-а, программы УрО РАН "Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов", проект N 15-9-2-22, Минобрнауки РФ (грант N 14.Z50.31.0025). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43950.161
Гальваномагнитные свойства сплавов Гейслера Co-=SUB=-2-=/SUB=-YAl (Y=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni)
Authors: Коуров Н.И. , Марченков В.В. , Перевозчикова Ю.А. , Weber H.W.
Published: January 2017

При T=4.2 K в магнитных полях H≤100 kOe исследованы эффект Холла и магнитосопротивление ферромагнитных сплавов Гейслера Co2YAl, где Y=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Ni. Показано, что коэффициенты нормального R0 и аномального RS эффектов Холла по абсолютной величине максимальны в середине 3d-периода таблицы элементов. При переходе от слабо- (Y=Ti, V) к сильноферромагнитным (Y=Cr, Mn, Fe, Ni) сплавам коэффициент R0 изменяет знак с отрицательного на положительный. Константа RS для всех сплавов положительна и пропорциональна rho2.9. Магнитосопротивление исследованных сплавов не превышает нескольких процентов и в зависимости от числа валентных электронов z по абсолютной величине изменяется довольно сильно, а знаки варьируются произвольным образом. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема Спин", N 01201463330) при частичной поддержке Комплексной программы УрО РАН (проект N 15-17-2-12), РФФИ (проект N 15-02-06686) и Правительства РФ (постановление N 211, контракт N 02.A03.21.0006). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43951.207
Дискретный энергетический спектр нелинейных спиновых ансамблей в ферримагнетике K-=SUB=-0.4-=/SUB=-[Cr(CN)-=SUB=-6-=/SUB=-][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH-=SUB=-0.6-=/SUB=-
Authors: Таланцев А.Д. , Кирман М.В. , Моргунов Р.Б.
Published: January 2017

Обнаружены серии спонтанных скачков намагниченности на фоне непрерывной релаксации магнитного момента молекулярного ферримагнетика в постоянном магнитном поле. Статистическая обработка массива данных демонстрирует наличие, как минимум, двух мод в распределении скачков перемагничивания по их амплитуде. Количество мод в распределении зависит от величины магнитного поля и температуры, характеризует дискретный энергетический спектр нелинейных спиновых ансамблей, возникающих при низких температурах. Непрерывная компонента магнитной релаксации в области 20-50 K отвечает движению коллективов доменных стенок, а в области 2-10 K --- релаксационным процессам в спин-солитонной решетке. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ N 15-02-05149. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43952.221
Динамика магнитного момента ограниченных дипольных решеток в переменном поле
Authors: Шутый А.М. , Семенцов Д.И.
Published: January 2017

Исследованы динамические режимы магнитного момента квадратных дипольных решеток 2x2, 3x3 и 4x4 в переменном магнитном поле с линейной и круговой поляризацией при ортогональном ему статическом магнитном поле. Показана возможность реализации регулярной и хаотической прецессионной динамики магнитного момента решеток. Выявлено смещение основного магнитного резонанса, обусловленное диполь-дипольным взаимодействием, а также дополнительные резонансы. Обнаружены квазипериодические режимы и состояния бистабильности с метастабильным хаотическим аттрактором. Работа проведена в рамках выполнения задания Министерства образования и науки РФ (проекты N 3.175.2014К, 14.Z50.31.0015). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43953.244
Диэлектрические, электромеханические и упругие свойства монокристаллов Rb-=SUB=-1-x-=/SUB=-(NH-=SUB=-4-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-H-=SUB=-2-=/SUB=-PO-=SUB=-4-=/SUB=-
Authors: Коротков Л.Н. , Лиховая Д.В. , Левицкий Р.Р. , Зачек И.Р.
Published: January 2017

В рамках модифицированной модели протонного упорядочения с учетом пьезоэлектрической связи в приближении четырехчастичного кластера рассчитаны продольные диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие характеристики кристаллов сегнетоэлектрика RbH2PO4 и антисегнетоэлектрика NH4H2PO4. Полученные результаты находятся в удовлетворительном согласии с известными экспериментальными данными. Наряду с этим в широком интервале температур экспериментально изучены электромеханические свойства монокристалла Rb0.2(NH4)0.8H2PO4, испытывающего антисегнетоэлектрический фазовый переход. Обнаружено качественное согласие предсказаний модели и результатов эксперимента. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43954.96
Магнитные и электрические свойства кристаллических материалов на основе халькогенидов индия и меди в широкой области температур и давлений
Authors: Мельникова Н.В. , Кандрина Ю.А. , Тебеньков А.В. , Степанова Е.А. , Бабушкин А.Н. , Моллаев А.Ю. , Сайпулаева Л.А. , Алибеков А.Г.
Published: January 2017

Проанализировано влияние температур (2-300 K) и высоких давлений (до 50 GPa) на электрические и магнитные свойства кристаллических материалов на основе халькогенидов меди и индия с общей формулой (InB)1-x(CuAB2)x (где A=As, Sb; B=S, Se), а также кристаллических CuInSe2 и CuInS2. Исследования выполнены при финансовой поддержке РФФИ (грант N 16-02-00857-а). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43955.245
Экспериментальный и численный анализ высокоскоростной деформации и эрозионного разрушения титанового сплава ВТ-6
Authors: Петров Ю.В. , Брагов А.М. , Казаринов Н.А. , Евстифеев А.Д.
Published: January 2017

Проведено исследование временных характеристик динамического разрушения титанового сплава ВТ-6 в условиях высокоскоростных нагрузок. Установлена взаимосвязь процесса динамического растяжения образца по методике Кольского и эрозионного повреждения поверхности. Проведен численный анализ экспериментальных данных. Предложено дальнейшее развитие метода эрозионного воздействия как способа динамического тестирования прочностных свойств материалов. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (16-31-60003 мол\_а\_дк, 16-31-60047 мол\_а\_дк, 16-51-53077), СПбГУ (проект 6.39.319.2014), Минобрнауки России (грант Правительства РФ 14.В25.31.0017). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43956.214
Влияние агрессивной среды на прерывистую деформацию алюминий-магниевого сплава АМг6
Authors: Шибков А.А. , Золотов А.Е. , Кочегаров С.С. , Денисов А.А.
Published: January 2017

Экспериментально установлено, что молекулярный (химический) процесс травления поверхности деформируемого алюминий-магниевого сплава АМг6 вызывает развитие макроскопического скачка пластической деформации амплитудой несколько процентов. С помощью численного моделирования процесса травления поликристаллического твердого тела показано, что в ходе травления морфология фронта коррозии меняется от евклидовой (плоской) к фрактальной (шероховатой). Полученные результаты свидетельствуют о ключевой роли состояния поверхности на развитие макроскопической механической неустойчивости материала, демонстрирующего эффект Портевена--Ле Шателье. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект N 15-12-00035). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43957.224
Моделирование методом Монте-Карло кинетики распада и образования выделений на границах зерен общего типа в разбавленных ОЦК-сплавах Fe-Сu
Authors: Карькин И.Н. , Карькина Л.Е. , Коржавый П.А. , Горностырев Ю.Н.
Published: January 2017

Кинетика распада в поликристаллическом сплаве Fe-Cu и формирование выделений на границах зерен (ГЗ) исследованы теоретически с использованием атомистического моделирования на различных временных масштабах: методом Монте-Карло, реализующим диффузионное перераспределение атомов Cu, и методом молекулярной динамики, обеспечивающим атомную релаксацию кристаллической решетки. Показано, что при малом размере зерна (D~10 nm) распад в объеме подавлен, а когерентно связанные с матрицей обогащенные Cu выделения преимущественно образуются на ГЗ. Размер и состав выделений существенно зависят от типа ГЗ: мелкие выделения (1.2-1.4 nm) имеют средний состав Fe-40 at.% Cu и образуются вблизи малоугловых границ зерен, более крупные выделения размером до 4 nm со средним составом Fe-60 at% Cu формируются вблизи границ зерен общего типа и тройных узлов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-00673). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43958.237
Влияние активации на пористую структуру и деформационно-прочностные свойства биоуглерода на основе древесины бука
Authors: Шпейзман В.В. , Орлова Т.С. , Спицын А.А. , Пономарев Д.А. , Богданович Н.И. , Martinez-Fernandez J.
Published: January 2017

Исследовано влияние активации на размеры, удельные объем и поверхность пор в монолитном биоморфном материале, полученном карбонизацией древесины бука. Показано, что при оптимальном режиме активации нагретым до 970oC водяным паром суммарные объем и поверхность пор, определенные по кривым адсорбции, выросли в 20 и 18 раз соответственно. С использованием прецизионной интерферометрической методики получены кривые деформации в условиях одноосного сжатия при ступенчатом нагружении и измерена скорость деформации с шагом по перемещению 325 nm для активированных и неактивированных образцов. Несмотря на увеличение пористости, прочность и максимальная деформация образцов не уменьшились. Проанализировано поведение скачков скорости деформации в микро- и нанометровом диапазонах. Показано, что максимальный размер микрометровых скачков (4 mum) хорошо коррелирует со средним размером возможной области деформации в образцах (средним расстоянием между порами малого размера), а минимальные размеры скачков деформации близки к размерам мезопор. Анализ изменения деформации и ее скорости при активации показывает, что влияние активации на деформационно-прочностные характеристики определяется нанометровыми дефектами, наиболее вероятными из которых являются микро- и мезопоры. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант N 14-03-00496) и программы Президиума РАН (П-20). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43959.242
Двухфотонное возбуждение антистоксовой фотолюминесценции кристаллов Ca-=SUB=-1-x-=/SUB=-Er-=SUB=-x-=/SUB=-F-=SUB=-2+x-=/SUB=-
Authors: Грузинцев А.Н. , Каримов Д.Н.
Published: January 2017

Из расплава методом Бриджмена получены кристаллы состава Ca1-xErxF2+x (0<x≤0.02). Проведен анализ спектров поглощения, возбуждения люминесценции и фотолюминесценции данного материала при стоксовом и антистоксовом механизме оптического возбуждения одновременно двумя источниками излучения. Обнаружено появление видимой люминесценции при последовательном поглощении двух резонансных инфракрасных фотонов различной энергии. Данный эффект связан с наличием метастабильных состояний возбужденных уровней 4I11/2 ионов Er3+, с которых происходят переходы на более высокие энергетические уровни при поглощении инфракрасных фотонов. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43960.212
Структура и динамика решетки Lu-=SUB=-2-=/SUB=-Si-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-7-=/SUB=-: ab initio расчет
Authors: Назипов Д.В. , Никифоров А.Е.
Published: January 2017

Проведены ab initio расчеты кристаллической структуры и спектра комбинационного рассеяния света (КРС) монокристалла пиросиликата лютеция Lu2Si2O7. Определены типы фундаментальных колебаний, их частоты и интенсивности в спектре КРС для двух поляризаций. Расчет проводился в рамках теории функционала плотности (DFT) с использованием гибридных функционалов. Методом изотопического замещения определены участвующие в колебаниях ионы. Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментом. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (проект N 3.571.2014/K), Правительства РФ (контракт N 02.А03.21.0006, постановление N 211), а также фонда РФФИ в рамках научного проекта N 16-33-00437 мол\_а. Для расчетов использовался вычислительный кластер ИММ УрО РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43961.133
Упругие свойства сжатых кристаллов инертных газов в модели деформируемых атомов
Authors: Горбенко Е.Е. , Троицкая Е.П. , Пилипенко Е.А.
Published: January 2017

Упругие свойства сжатых кристаллов инертных газов Ne, Ar, Kr и Xe исследуются в модели деформируемых и поляризуемых атомов. Рассчитаны модули упругости Фукса второго порядка и их производные по давлению, а также коэффициент упругой анизотропии Зенера с учетом трехчастичного взаимодействия и деформации электронных оболочек квадрупольного типа в широком интервале давлений. Проведено сравнение с экспериментом и результатами других авторов. В Хе при сжатии 0.6 наблюдается обращение в нуль сдвигового модуля B44, что соответствует ГЦК-ГПУ-переходу при 75 GPa. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43962.167
Исследование термодинамических свойств и фазовых переходов в трехвершинной сильноразбавленной антиферромагнитной модели Поттса методом Монте-Карло
Authors: Муртазаев А.К. , Бабаев А.Б. , Атаева Г.Я.
Published: January 2017

Методом Монте-Карло исследованы термодинамические свойства и фазовые переходы в двумерной сильноразбавленной антиферромагнитной модели Поттса на треугольной решетке. Рассмотрены системы с линейными размерами Lx L=N, L=18-48. С использованием метода кумулянтов Биндера четвертого порядка показано, что внесение немагнитных примесей в спиновую систему, описываемую двумерной антиферромагнитной моделью Поттса, приводит к смене фазового перехода первого на фазовый переход второго рода. Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта N 16-02-00214-а и N16-32-00105-мол-а. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43963.175
Соинтеркалация дихалькогенидов титана переходными металлами и медью
Authors: Титов А.А. , Титов А.Н. , Титова С.Г. , Пряничников С.В. , Чезганов Д.С.
Published: January 2017

Изучены соинтеркалатные материалы, получаемые при внедрении меди в решетку TiSe2, предварительно интеркалированную переходными металлами M=Mn, Fe, Co, Ni. Анализ состояния соинтеркалированных систем при 950oC показывает, что медь восстанавливает Mn и Fe, однако не способна восстановить Co и Ni. Для объяснения результатов сравниваются величины энергии связи гибридных состояний M3d/Ti3d. Эксперимент выполнен с использованием оборудования Центров коллективного пользования Урал-М" в ИМЕТ УрО РАН и Современные нанотехнологии" в УрФУ. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО РФ (тема Спин", N 01201463330), комплексной программы УрО РАН (проект N 15-9-2-30), государственного задания Министерства образования и науки РФ (UID RFMEFI59414X0011) и РФФИ (грант N 4-03-00274). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43964.35
Кинетика электронно-лучевой кристаллизации аморфных пленок ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-, полученных ионно-плазменным и лазерным напылением
Authors: Багмут А.Г. , Береснев В.М.
Published: January 2017

Проведено сопоставление структуры и кинетики электронно-лучевой кристаллизации аморфных пленок ZrO2, полученных с помощью ионно-плазменного и лазерного напыления. Исследования выполнены методами электронографии и просвечивающей электронной микроскопии со съемками видео-фильмов in situ. Воздействие на аморфную пленку электронного луча в вакууме сопровождается образованием микрокристаллов диоксида циркония с решеткой ГЦК. При лазерном испарении плотность центров кристаллизации beta~ 109sm-2, а характерная единица длины D0~0.48 mum. При ионно-плазменном испарении beta~ 1010 sm-2, а D0~ 0.06 mum. Анализ кинетических кривых кристаллизации аморфных пленок проведен на основе beta-варианта модели Колмогорова. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43965.195
Исследованиe наночастиц Co-=SUB=-0.5-=/SUB=-Zn-=SUB=-0.5-=/SUB=-Fe-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-4-=/SUB=- для магнитной гипертермии
Authors: Камзин А.С. , Nikam D.S. , Pawar S.H.
Published: January 2017

Исследованы структурные характеристики, магнитные свойства и процессы магнитного нагрева в переменном магнитном поле магнитных наноразмерных частиц (МНЧ) Co0.5Zn0.5Fe2O4 (CZF) с целью изучения возможностей применения их в медицинe, а именно для магнитной гипертермической терапии (нагревания частиц внешним переменным магнитным полем). МНЧ CZF получены методом соосаждения с использованием гидроксида натрия (NaOH) в качестве осаждающего агента. На основе данных, полученных с помощью электронной микроскопии в геометрии пропускания, установлено, что МНЧ CZF имеют практически сферическую форму со средним размером частиц 13 nm. Рентгеновские дифракционные и мессбауэровские исследования показали, что МНЧ CZF однофазны и их структура соответствует кубической структуре шпинели. Намагниченность насыщения Ms МНЧ CZF измерена при комнатной температуре с помощью магнитометра с вибрирующим образцом. Способность нагревания МНЧ CZF внешним переменным магнитным полем изучалась с использованием системы индукционного нагрева. Удельный коэффициент поглощения определен при приложении внешнего переменного магнитного поля в диапазоне от 167.5 до 335.2 Oe при фиксированной частоте 265 kHz. Установлено, что максимальное количество тепла (114.98 W/g) выделяется при концентрации 5 mg/l в поле напряженностью 335.2 Oe. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43966.185
Прыжковая проводимость с законом "1/2" в многослойном нанокомпозите [(Co-=SUB=-40-=/SUB=-Fe-=SUB=-40-=/SUB=-B-=SUB=-20-=/SUB=-)-=SUB=-34-=/SUB=- (SiO-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-66-=/SUB=-/C]-=SUB=-47-=/SUB=-
Authors: Геращенко О.В. , Уклеев В.А. , Дядькина Е.А. , Ситников А.В. , Калинин Ю.Е.
Published: January 2017

Исследована температурная зависимость продольного электрического сопротивления в многослойных нанокомпозитах [(Co40Fe40B20)34 (SiO2)66/C]47, содержащих 47 аморфных бислоев металл-диэлектрик/углерод, полученных ионно-лучевым распылением и различающихся толщиной углеродного слоя. Обнаружено, что проводимость таких многослойных структур имеет прыжковый характер с законом Эфроса-Шкловского "1/2", а характеристическая температура линейно зависит от толщины углеродного слоя. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43967.200
Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)-=SUB=-60-=/SUB=-C-=SUB=-40-=/SUB=-/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-]-=SUB=-200-=/SUB=-
Authors: Домашевская Э.П. , Буйлов Н.С. , Терехов В.А. , Ситников В.Г. , Барков К.А.
Published: January 2017

Многослойная аморфная наноструктура [(CoFeB)60C40/SiO2]200 из чередующихся композитных и диэлектрических слоев была получена ионно-лучевым распылением на вращающуюся ситалловую подложку из двух мишеней, одна из которых представляла собой металлическую пластину сплава Co40Fe40B20 со вставками графита. Диэлектрические прослойки напылялись из пластины кварца SiO2 (вторая мишень). Толщины бислоев многослойной наноструктуры (МНС) (6 nm), состоящие из металлосодержащих композитных слоев с углеродом (CoFeB)60C40 толщиной около 4 nm и диэлектрических прослоек оксидов кремния толщиной около 2 nm, определялись методом малоугловой дифракции. Результаты экспериментального послойного исследования без разрушения МНС методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (УМРЭС) показали существенное отклонение стехиометрического состава диэлектрических прослоек от стехиометрии распыляемого кварца в сторону уменьшения содержания кислорода с образованием субоксида SiO1,3. По результатам моделирования Si L2,3-спектров с помощью эталонных спектров известных фаз содержание субоксидной фазы кремния в аморфных диэлектрических прослойках достигает около половины состава прослойки, вторая половина которого приходится на диоксид SiO2. "Экранирующее" действие углерода в металлосодержащих слоях проявляется в отсутствии силицидообразования на интерфейсах исследуемой многослойной структуры и должно способствовать увеличению анизотропии их электромагнитных свойств. Работа выполнена при поддержке Минобрнауки России в рамках государственного задания ВУЗам в сфере научной деятельности на 2014-2016 годы. Проект N 757 и Задание N 3.1868.2014/K. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43968.205
Рентгеноэлектронное исследование механизма функционализации sp-элементами поверхности металл/углеродных наноструктур
Authors: Шабанова И.Н. , Теребова H.C. , Сапожников Г.В. , Кодолов В.И.
Published: January 2017

Mетодом рентгеноэлектронной спектроскопии изучались химическая связь атомов на поверхности металл/углеродных наноструктур, функционализированных атомами sp-элементов, таких как кремний, фосфор, сера, азот, фтор, иод, и влияние функционализации на изменение атомного магнитного момента d-металла (Fe, Ni, Cu). Показано образование прочной ковалентной связи атомов d-металла с атомами кремния, фосфора, серы и атомов углерода с атомами фтора, азота, иода на поверхности наноструктур. Обнаружено повышение атомного магнитного момента на d-металле при функционализации металл/углеродных наноструктур кремнием, серой, фосфором. Работа выполнена при поддержке программы фундаментальных исследований УрО РАН на 2015-2017 гг. (проект N 15-9-2-50). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43969.225
Сравнительный анализ толщины и электрической проводимости тонких халькогенидных полупроводниковых пленок
Authors: Даньшина В.В. , Калистратова Л.Ф.
Published: January 2017

Проведено рентгенографическое исследование структуры и толщины полупроводниковых пленок халькогенидов цинка и кадмия. Показано, что толщина пленок соизмерима с глубиной половинного слоя ослабления рентгеновских лучей. При нагревании в атмосфере водорода электрическая проводимость пленок увеличивается, а при нагревании в оксиде углерода уменьшается. Получена противоположная тенденция в соотношении величин электрической проводимости и ширины запрещенной зоны исходной и окисленной поверхностей пленок. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43970.174
Плотность и размер частиц нанокристаллических порошков кубического карбида ниобия NbC-=SUB=-y-=/SUB=-
Authors: Курлов А.С. , Гусев А.И.
Published: January 2017

Методом гелиевой пикнометрии измерена плотность крупнокристаллических (со средним размером частиц 3-5 мкм) и нанокристаллических порошков карбида ниобия NbCy (0.77≤ y≤0.96) с разным средним размером частиц от 60 до 30 nm. Нанопорошки получены высокоэнергетическим размолом исходных крупнокристаллических порошков карбида ниобия. Размер частиц в порошках карбида ниобия оценен методами рентгеновской дифракции и Брунауэра-Эммета-Тейлора. Показано, что плотность нанопорошков, измеренная методом гелиевой пикнометрии, занижена по сравнению с истинной плотностью вследствие адсорбции гелия высокоразвитой поверхностью карбидных нанопорошков. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43971.182
Влияние механического нагружения на электрическую прочность полимеров
Authors: Слуцкер А.И. , Велиев Т.М. , Алиева И.К. , Алекперов В.А. , Поликарпов Ю.И. , Каров Д.Д.
Published: January 2017

Зарегистрировано снижение электрической прочности (измеряемой как время ожидания пробоя диэлектрика в постоянном по знаку и величине электрическом поле) при растягивающем нагружении пленок полиэтилена и лавсана (полиэтилентерефталата) в области температур 100-300 K. Установлено, что вызываемое растягивающим нагружением полимера раздвижение осей соседствующих цепных молекул приводит к уменьшению энергетической глубины межмолекулярных ловушек электронов. Это ускоряет высвобождение электронов из ловушек посредством надбарьерного перехода при повышенных температурах (~230-350 K) и туннельного перехода при пониженных температурах (~80-200 K) в аморфных областях полимеров. В результате происходит сокращение времени формирования критического объемного заряда --- времени ожидания пробоя, что и означает снижение электрической прочности полимеров. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43972.258
Моделирование взаимодействия двудольных биметаллических кластеров с низкоэнергетическими кластерами аргона
Authors: Широкорад Д.В. , Корнич Г.В. , Буга С.Г.
Published: January 2017

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование эволюции двудольных биметаллических кластеров, состоящих из 390 атомов, при бомбардировке кластерами Arn (n=1, 2, 13) с начальной энергией от 1 eV до 1.4 keV. В качестве мишени использовались бинарные кластеры Cu-Au и Ni-Al, состоящие из равных по количеству атомов долей соответствующих элементов. В результате моделирования получены температуры, изменения потенциальной энергии, выходы распыления, а также интенсивности столкновительно- стимулированных перемещений атомов через границу раздела монометаллических частей бинарных кластеров в зависимости от энергии и размера налетающей частицы. Работа выполнена в рамках соглашения N 14.580.21.0003 (уникальный идентификатор проекта RFMEFI58015X0003) при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (С.Г.Б.). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43973.480
Энергетический спектр изомера N 3 фуллерена C-=SUB=-82-=/SUB=- симметрии C-=SUB=-2-=/SUB=-
Authors: Кареев И.Е. , Бубнов В.П. , Котов А.И. , Лобанов Б.В. , Мурзашев А.И. , Румянцев И.А.
Published: January 2017

В рамках модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций вычислен энергетический спектр фуллерена C82 (изомер N 3 симметрии C2). На основе энергетического спектра смоделированы спектры оптического поглощения данного изомера в нейтральном и анионных состояниях c одним, двумя, тремя и четырьмя дополнительными электронами. Проведено сравнение расчетных оптических спектров в нейтральном и моноанионном состояниях с известными экспериментальными спектрами. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты N 14-08-00824-a, 16-03-00810-a) и гранта МарГУ N 2014-003a. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43974.194
Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
Authors: Бохан П.А. , Журавлёв К.С. , Закревский Дм.Э. , Малин Т.В. , Осинных И.В. , Фатеев Н.В.
Published: January 2017

При оптической накачке импульсным лазерным излучением с lambda = 266 nm твердых растворов AlxGa1-xN/ AlN с x = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной ~ 260 THz для Al0.5Ga0.5N и ~ 360 THz для Al0.74Ga0.26N. Измеренные коэффициенты усиления на lambda~ 528 nm для Al0.5Ga0.5N равны g~ 70 cm-1, а для Al0.74Ga0.26N на lambda~ 468 nm g~ 20 cm-1.
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
Authors: Соболев Н.А. , Калядин А.Е. , Сахаров В.И. , Серенков И.Т. , Шек Е.И. , Карабешкин К.В. , Карасев П.А. , Титов А.И.
Published: January 2017

Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3· 1014 cm-2 в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100oC в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.
Рост микрокристаллов алмаза по механизму ориентированного присоединения при высоком давлении и температуре
Authors: Кидалов С.В. , Шахов Ф.М. , Швидченко А.В. , Смирнов А.Н. , Соколов В.В. , Яговкина М.А. , Вуль А.Я.
Published: January 2017

Впервые экспериментально показано, что при использовании в качестве реакционной смеси порошка детонационных наноалмазов (ДНА) вместе с предельным ациклическим углеводородом, одноосновным или многоосновным спиртом, последующая обработка при высоких давлениях 5-8 GPa и температурах 1300-1800oC приводит к образованию монокристаллов алмазов с размерами до 15 mum. Спектр комбинационного рассеяния света свидетельствует о совершенстве кристаллической решетки алмаза. Предполагается, что формирование монокристаллов алмаза микронных размеров из частиц ДНА размером около 5 nm при указанных технологических условиях происходит по механизму ориентированного присоединения.
Наблюдение проявлений токов спонтанного намагничения в кристаллах HgSe с низкой концентрацией примесей 3d-переходного металла
Authors: Лончаков А.Т. , Окулов В.И. , Бобин С.Б. , Дерюшкин В.В. , Говоркова Т.Е.
Published: January 2017

Предложен дифференциальный метод исследования эффекта Холла в режиме тока Холла, реализация которого является возможной благодаря неоднородному распределению в образце концентрации носителей заряда. Этот метод апробирован в кристаллах HgSe : Co и HgSe : Ga с целью наблюдения аномального вклада в холловский ток, связанного с током спонтанного намагничения, и сравнительного анализа степени неоднородности образцов.
Дефектная структура и механическая стабильность микрокристаллического титана, полученного при равноканальном угловом прессовании
Authors: Бетехтин В.И. , Кадомцев А.Г. , Нарыкова М.В. , Амосова О.В. , Sklenicka V.
Published: January 2017

Установлено, что увеличения в процессе равноканального углового прессования нанопористости и доли большеугловых границ зерен являются основными структурными факторами, ведущими к снижению механической устойчивости (долговечности) микрокристаллического титана при длительных испытаниях в условиях ползучести.
Многоразрядная актуаторная система для силового электрогидродинамического воздействия на пограничный слой аэродинамических поверхностей
Authors: Алешин Б.С. , Курячий А.П. , Ребров И.Е. , Хомич В.Ю. , Чернышев С.Л. , Ямщиков В.А.
Published: January 2017

Приводятся результаты исследования новой многоразрядной актуаторной системы, предназначенной для активного управления газовыми течениями, на основе трехэлектродной схемы с экранирующим электродом, в которой роль ускоряющего электрода выполняет сплошная эквипотенциальная поверхность обшивки крыла. Дается сравнение таких основных параметров, как индуцированная скорость воздушного потока, средняя интегральная объемная сила, средняя потребляемая мощность и коэффициент энергетической эффективности, рассчитанных на единицу длины внешнего электрода как для новой многоразрядной актуаторной системы, так и для системы с классической схемой электродов.
Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней
Authors: Борисевичус Д.А. , Забродский В.В. , Калмыков С.Г. , Сасин М.Э. , Сейсян Р.П.
Published: January 2017

Обнаружен верхний предел поглощения лазерного излучения в плазме, созданной им на Xe газоструйной мишени со средней плотностью (3-6) · 1018 cm-3 и эффективным диаметром 0.7 mm. Он составляет ~ 50% и остается неизменным при любых вариациях плотности в этом диапазоне. Этот результат расходится как с теоретическими оценками, которые предсказывали практически полное поглощение, так и с результатами более ранних экспериментов с лазерной искрой в неограниченном стационарном Xe такой же плотности, где он был близким к 100%. Анализ показывает, что нелинейность поглощения и неравновесность лазерной плазмы приводят к уменьшению коэффициента поглощения электромагнитного излучения в ней, что вместе с ограниченностью ее размера может объяснить полученные экспериментальные результаты.
Моделирование детектора зарядовых состояний релятивистских многозарядных ионов
Authors: Малышевский В.С. , Фомин Г.В. , Иванова И.А.
Published: January 2017

Анализируется способ идентификации зарядовых распределений релятивистских многозарядных ионов, заключающийся в регистрации углового распределения черенковского излучения ионов с предварительным разделением по скоростям ионов с разными зарядами во внешней мишени с большим зарядовым числом. В результате при влете пучка ионов в черенковский радиатор разные заряды будут излучать под разными углами к направлению движения ионов, а интенсивность излучения будет пропорциональна доле ионов с заданным зарядом в пучке.
Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения
Authors: Тарала В.А. , Алтахов А.С. , Амбарцумов М.Г. , Мартенс В.Я.
Published: January 2017

Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках Al2O3 при температурах менее 300oC. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03± 0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2Theta, равных 35.7o и 75.9o, характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162± 11 arcsec.
Гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния с контактной сеткой, напечатанной на принтере методом струйной печати
Authors: Аболмасов С.Н. , Абрамов А.С. , Иванов Г.А. , Теруков Е.И. , Емцев К.В. , Няпшаев И.А. , Базелей А.А. , Губин С.П. , Корнилов Д.Ю. , Ткачев С.В. , Ким В.П. , Рындин Д.А. , Левченкова В.И.
Published: January 2017

Представлены результаты по формированию токособирающей системы для кремниевых гетероструктурных солнечных элементов методом струйной печати. Проведено сравнение характеристик полученных солнечных элементов с образцами, которые были изготовлены с использованием метода стандартной трафаретной печати.