bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Kaskadentheorie der Defekterzeugung
Authors: Heinrich D. , Lenk R.
Published: July 2007

Die grundsätzlichen Modellannahmen der Kaskadentheorie werden nochmals zusammengestellt und diskutiert. Danach wird eine sehr allgemeine, zunächst winkelabhängige Formulierung dieser Theorie gegeben, die neben der winkelabhängigen Schwellenergie noch einen weiteren Energieparameter enthält. Die Winkelintegration führt auf die kontinuierliche Auslagerungswahrscheinlichkeit. Das entstehende Modell enthält die wesentlichsten in der Literatur behandelten Modelle als Spezialfälle, erlaubt also, zwischen ihnen zu interpolieren. Der Fall kontinuierlicher Auslagerungswahrscheinlichkeit wird mathematisch auf den Fall scharfer Schwellenergien zurückgeführt. Dieses Verfahren ist ganz allgemein anwendbar und kann physikalisch interpretiert werden. Als Test wird die Harte‐Kugel‐Streuung behandelt.
Zur quantenmechanischen Transporttheorie
Authors: Enderlein R.
Published: July 2007

Es wird gezeigt, daß die Funktionen der von McIRVINE und OVERHAUSER eingeführten SL‐Darstellung die am besten lokalisierten ihrer Art sind. Der Teilchenzahloperator für Elektronen in SL‐Zuständen wird im Heisenbergbild betrachtet. Die Bewegungsgleichung für den quantenstatistischen Mittelwert des Teilchenzahloperators erweist sich bei Vernachlässigung von Effekten, die aus dem „Zerfließen”︁ der SL‐Zustände resultieren, und bei Verwendung des Stoßterms in der üblichen Form als identisch mit der Boltzmanngleichung. Analoge Ergebnisse werden für den Fall der Phononen abgeleitet.
[Russian Text Ignored]
Authors: Ignored Russian Text
Published: July 2007

[Russian Text Ignored].
Photochemische Reaktionen und Temperaturabhängigkeit der Lumineszenz an CdS‐Einkristallen
Authors: Albers C. , Genzow D.
Published: July 2007

CdS‐Kristalle zeigen bei Anregung im Grundgitter oder Ausläufer oberhalb Zimmertemperatur eine charakteristische Abnahme ihres Lumineszenz‐ und Leitfähigkeitsvermögens. Diese Erscheinung wird photochemischen Prozessen zugeschrieben. Es wird ein reaktionskinetisches Modell diskutiert, welches eine Deutung der experimentellen Ergebnisse zuläßt. Aus den Meßergebnissen lassen sich Bildungs‐ und Zerfallswahrscheinlichkeiten photochemischer Reaktionsprodukte bestimmen.
The Influence of Hydrostatic Pressure on Electrical Conductivity of CdS Single Crystals
Authors: Böer K. W. , Gutsche E. , Jahne E.
Published: July 2007

The influence of hydrostatic pressure up to 12000 atm on the semiconductivity, and the spectral distribution of photoconductivity and photoquenching is measured. The pressure coefficient of the semiconductivity of high‐conductivity CdS is found to be caused by the pressure coefficient of the mobility only, and indicates ionized impurity and optical phonon scattering at room temperature. For low‐conductivity CdS the pressure coefficient is about two orders of magnitude higher, and can be explained by the pressure shift of the ionization energy of the levels controlling the conductivity. The shifts, with pressure, of the maximum of the spectral distribution of the photocurrent and the absorption edge are about equal. The decrease of photocurrent is interpreted as due to the influence of pressure on the recombination mechanism. A comparable small additional shift of the photocurrent maximum can be explained by the differing influence of pressure on recombination in the intrinsic and extrinsic ranges.
Radiative Recombination Effects in GaSb Diodes at High Current Densities
Authors: Deutsch T. , Ellis R. C. , Warschauer D. M.
Published: July 2007

Forward biased GaSb diodes made by diffusing zinc into n‐type GaSb show emission lines at 0.72 eV or 0.78 eV at 77 °K. At current densities of approximately 60000 A cm−2 a diode showing a d.c. emission at 0.72 eV radiates mainly at 0.78 eV. Some narrowing of the 0.72 eV line has been seen. A model to explain the observed effects in terms of the band structure of GaSb is presented and some implications of the band structure for possible laser action are discussed.
Über die Energieentartung der Gitterelektronen im Magnetfeld
Authors: Fischbeck H. J.
Published: July 2007

Aus der Tatsache, daß der Hamiltonoperator des Gitterelektrons im Magnetfeld mit gewissen „Eichtranslationen”︁ Ax vertauschbar ist, werden Aussagen über Symmetrieeigenschaften, Quantenzahlen und Entartung der Wellenfunktionen der Gitterelektronen im Magnetfeld abgeleitet. Die Entartung der Wellenfunktionen ist mit einer Periodizität ihres Energiespektrums verbunden.
Thermoluminescence in Plastically Deformed KBr
Authors: Fieschi R. , Oggioni R. , Spinolo G.
Published: July 2007

The thermoluminescence of plastically deformed KBr crystals is measured in the temparature range 80‐350 °K for differing amounts of deformation. It is found that the glow peaks characteristic of undeformed crystals are greatly enhanced but that no new glow peaks appear.

The effect of annealing at different temperatures, before X‐ray excitation shows that the enhanced emission is not due to direct trapping of carriers by dislocations. The study of changes in the absorption spectra indicates that there is no correlation between coloration and enhanced emission of different deformed samples.
Untersuchung der magnetischen Struktur an großen Kobalteinkristallen
Authors: Wyslocki B.
Published: July 2007

Die Domänenstruktur der Oberfläche eines Kobaltkristalls wurde mit Hilfe der Pulvermethode untersucht. Der Kristall hatte die Form eines Quaders mit einer Länge von 3,54 cm in der magnetisch bevorzugten Richtung und einem Querschnitt von 1,90 × 1,00 cm an der Grundfläche. Die Domänenstruktur wurde an der Grundfläche und an den zueinander senkrechten axialen Flächen untersucht. Es wird gezeigt, daß die Domänenstruktur des Kristalls vom Bloch‐Typus ist, d. h. die inneren Hauptdomänen haben eher die Form von Säulen als die von Schichten (Landau‐Lifshits‐Modell). Dies steht im Gegensatz zu den bisherigen Annahmen.
Exchange Correlations and Compressibilities of Metallic Lithium and Sodium
Authors: Olszewski S.
Published: July 2007

The compressibilities of metallic lithium and sodium are calculated taking into account the correction for the finite volume of the exchange charge in the equation of state of the Wigner Seitz cell.

The results obtained for the bulk modulus are: 1.47 × 1011 dyn cm−2 for lithium and 0.72 × 1011 dyn cm−2 for sodium, where the corresponding experimental data are 1.41 × 1011 dyn cm−2 and about 0.7 × 1011 dyn cm−2 respectively. No empirical, or semi‐empirical, parameters are included in the calculation.
Electron Microscopic Images of Single and Intersecting Stacking Faults in Thick Foils. Part I: Single Faults
Authors: Gevers R. , Art A. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The bright‐ and dark‐field images of single and intersecting stacking faults have been studied; including the effects of anomalous absorption. In this, the first part of the paper, single faults are discussed. It is shown that the expressions for the amplitudes of the transmitted and scattered waves can be simplified considerably by introduction of a simple approximation. The properties suggested by the numerical calculations of HASHIMOTO et al., can then be expressed and discussed in a more precise analytical way, and additional properties found. In particular, it is possible to show how the central part of the fringe pattern depends on the foil thickness. The practical method developed by ART et al. for the determination of the nature of a fault in f.c.c. crystals is re‐examined, and it is shown that sufficient data can be obtained from the dark‐field image alone. The above theory is in general agreement with experiment.
Studies on the Coloration of LiF Crystals
Authors: Görlich P. , Karras H. , Kötitz G.
Published: July 2007

LiF crystals grown by two different methods (Bridgman/high vacuum and Kyropoulos/air) are coloured by x‐ray, deuteron, proton, and electron irradiation. The dependence of coloration spectra upon both the growth technique and the type of radiation used for colouring the crystals, is found to be negligible. Additive and electrolytic coloration experiments do not yield any selective absorption in the investigated range farn 200 to 3000 nm.
On the Solution of the Boltzmann Transport Equation
Authors: Fogarassy B.
Published: July 2007

The Boltzmann equation is solved for homogeneous electric and magnetic fields (E and H) and a temperature gradient ∂T/∂r. The solution is presented as an ascending power series in E, H, and ∂T/∂r. In contrast to common procedure this treatment is not restricted to the linearized form of the equation and the relaxation time approximation, and no restricting assumptions are made about E (k) and the transition probabilities. Applications of the general solution are investigated, for zero and non‐zero magnetic field, considering only the first order terms in E and ∂T/∂r. In the second case terms in H of arbitrary order are treated.

In the first case the electrical and thermal conductivity, and the thermoelectric effects, are treated using a unified tensor formalism. In the second case only the Hall effect is investigated, while the treatment of the other galvanomagnetic and thermomagnetic effects will be published in a later paper. In both these cases the Onsager relationships are valid, and it is shown that, up to the second‐order approximation, it is possible to introduce a relaxation time, which can be expressed in terms of the E (k) dependence and the transition probabilities of the crystal. These results contain all results generally found in the literature as special cases.
Der Restwiderstand von Aluminiumlegierungen bei der Entmischung
Authors: Labusch R.
Published: July 2007

Der elektrische Widerstand Q von kugelförmigen silber‐ und zinkreichen Zonen in AlAg‐und AlZn‐Legierungen wird mit Methoden der Transporttheorie behandelt. Die experimentell gefundene Abhängigkeit des Widerstandes vom Zonenradius R mit einem Maximum bei etwa 10 Å weist auf ein Leitungsband hin, bei dem einander gegenüberliegende Stellen der Fermioberfläche nahe beieinander liegen. Nach dem von HARRISON vorgeschlagenen Modell existiert in Aluminium eine derartige Bandstruktur für Umklapp‐Prozesse. Die Abhängigkeit des elektrischen Widerstandes Q vom Kugelradius R wird für ein vereinfachtes Modell unter Berücksichtigung von Umklapp‐Prozessen berechnet. Die Rechnungen ergeben ein Maximum für Q in der Nähe des experimentell gefundenen R‐Wertes.
Über die Röntgenstreuung an Kristallen mit Versetzungen III. Die asymptotische Darstellung von Debye‐Scherrer‐Linienprofilen
Authors: Wilkens M.
Published: July 2007

Es wird über Berechnungen der (kinematischen) Röntgenstreuung an elastisch isotropen Kristallen mit Versetzungen berichtet, die zu einer asymptotischen Darstellung der Intensitätsausläufer von Debye‐Scherrer‐Linienprofilen führen. Im Gültigkeitsbereich der asymptotischen Darstellung hat man zwei Glieder zu berücksichtigen. Das erste Glied ist von der Reflexionsordnung der Debye‐Scherrer‐Linie unabhängig und beschreibt die Kohärenzlängenverbreiterung (Teilchengrößenverbreiterung). Das zweite Glied ist proportional zum Quadrat der Reflexionsordnung und proportional zur Versetzungsdichte. Die elastische Wechselwirkung zwischen den Versetzungen wird durch einen Korrekturfaktor berücksichtigt, der für einige Versetzungsanordnungen mit weitreichendem bzw. kurzreichendem Spannungsfeld näherungsweise abgeleitet wird.
Über Gitterschwingungen in Molekülkristallen
Authors: Hahn H. , Biem W.
Published: July 2007

Es werden die Translations‐ und Rotationsschwingungen der als starr betrachteten Moleküle eines Molekülkristalls untersucht. Die Eigenschwingungen des Kristalls sind ebene Wellen, die teilweise Translations‐ und teilweise Rotationscharakter besitzen („Phononen”︁ und „Torsonen”︁). Für den Fall, daß die Verrückungen der Atome als Translationen und Rotationen der Moleküle beschrieben werden, werden die harmonischen Kopplungsparameter und die zwischen ihnen bestehenden Symmetriebeziehungen angegeben. Zur Illustration wird ein einfaches Modell einer Molekülkette behandelt.
Investigation of the Germanium‐Electrolyte Interface
Authors: Krotova M. D. , Pleskov Yu. V.
Published: July 2007

The density of the charge in slow surface states (∼ 1012cm−2V−1) is estimated from the ratio of the potential drops in the space charge region and the Helmholtz layer. These potential drops are determined from measurements of the surface conductance and electrode capacity of the germanium‐methylformamide system. The dependence of the instantaneus photovoltage on the potential, and also the measurements of the surface recombination velocity and electrode capacity, indicate presence of a considerable density of fast surface states (≥ 1011 cm−2) whose energy levels are well removed from the centre of the forbidden gap. The concentration of minority carriers at the boundary of the space charge region changes when the electrode is charged by short rectangular current pulses. An increase or decrease in this concentration causes a rise or fall, respectively, in the electrode capacity compared with that of the static case.
Space Groups From the Class D4h Based on Body‐Centered Tetragonal lattice
Authors: Sęk Z.
Published: July 2007

The single and spinor representations of the space groups D ‐ D are found by using the abstract definition of the group.
Die Erholung des Eisens nach Kaltverformung oder Neutronenbestrahlung zwischen 20 und 450 °C
Authors: Bell F. , Krisement O.
Published: July 2007

Die Erholung reinen Eisens nach Kaltverformung oder Neutronenbestrahlung wurde durch die Messung der gespeicherten Energie zwischen 20 und 450 °C verfolgt. In beiden Fällen wurde eine Erholungsstufe im gleichen Temperaturgebiet gefunden. Auf Grund der experimentellen Ergebnisse und eines Vergleiches mit anderen kubisch raumzentrierten Metallen wird die Natur der ausheilenden Defekte diskutiert.
Surface Damage and Copper Precipitation in Silicon
Authors: Thomas D. J. D.
Published: July 2007

Mechanical polishing of silicon introduces considerable damage into the surface. Heating in air causes this damage to be annealed both by dislocation movement and by the formation of stacking faults. The dislocations are rearranged in planes parallel to the surface and stacking faults are formed in the slip planes which lie at an angle to the surface. Prolonged heating causes the defects to be removed by the oxide layer.

Copper is preferentially precipitated at these defects. The type of precipitation depends on the copper concentration which is determined by the temperature at which the copper is diffused into the silicon: below 1000 °C the precipitates lie along dislocation lines; between 1000 °C and 1150 °C the precipitates lie as discrete particles parallel to {110} planes; at higher temperatures the precipitates are platelets which lie on the surface. Once a precipitate forms it grows preferentially and removes copper from the surrounding region.
Desakkomodation und Frequenzabhängigkeit der magnetischen Nachwirkung bei hohen Temperaturen an Eisen‐Silizium‐Legierungen II. Experimentelle Untersuchungen
Authors: Balthesen E.
Published: July 2007

Die Messungen wurden zwischen 400 °C und 700 °C an Proben mit etwa 1%, 2% und 3 Gewichts‐% Si durchgeführt. Die Nachwirkungszeiten ergaben sich umgekehrt proportional dem Quadrat des Si‐Gehalts. Eine Deutung der Versuche durch Atompaarorientierung scheint nicht möglich zu sein. Dagegen ergibt sich eine gute quantitative Übereinstimmung mit der in Teil I entwickelten Theorie der Leerstellendiffusion. Die Kristallanisotropiekonstante von Eisen‐Silizium‐Legierungen sollte nach den Ergebnissen stark vom Si‐Gehalt abhängen. Es wird über Versuche unter gleichzeitiger Bestrahlung im Reaktor berichtet.
Determination of the Work‐Hardening Characteristics of Metals at Large Strains by Means of Torsion
Authors: Kovács I. , Feltham P.
Published: July 2007

On the basis of experiments with silver and nickel wires at room temperature it is shown that torsional deformation provides an easy means for the determination of work‐hardening characteristics of metals up to shear strains of several hundred percent. Some irregularities of the stress‐strains curves of both metals at deformations corresponding to tensile strains of about 0.3 to 0.5 may be indicative of features of work‐hardening which have hitherto escaped attention.
Zur Vorzeichenumkehr des photovoltaischen Effektes in Halbleitern
Authors: Thiessen K. , Jungk G.
Published: July 2007

Die Vorzeichenumkehr photovoltaischer Effekte bei Änderung der Photonenenergie, der Lichtintensität und der Temperatur wird durch eine p‐n‐p‐Struktur erklärt und anhand von Messungen an speziell hergestellten p‐n‐p‐Strukturen aus Ge, Si und SiC verifiziert.
Symmetrieeigenschaften des Blochelektrons im Magnetfeld
Authors: Fischbeck H. J.
Published: July 2007

Die in [2] definierten Symmetrietransformationen des Hamiltonoperators des Blochelektrons im Magnetfeld werden in einer neuen, eichunabhängigen Formulierung untersucht. Unter der Voraussetzung, daß das Magnetfeld nach Stärke und Orientierung „rational”︁ ist, werden simultane Eigenfunktionen aller untereinander entarteten Symmetrieoperatoren und des Hamiltonoperators konstruiert. Die Energieentartung dieser Wellenfunktionen hat ähnlich wie in [2] eine Periodizität ihres Energiespektrums zur Folge.
Modellberechnungen von Röntgen‐Bragg‐Reflexionen an Versetzungen
Authors: Drittler K.
Published: July 2007

Von der kinematischen Theorie der Röntgenstreuung ausgehend, wird im Anschluß an Wilson eine Näherungsformel angegeben, die den Intensitätsverlauf der Röntgeninterferenzreflexe (Bragg‐Reflexe, Debye‐Scherrer‐Linien) als Fourierreihe wiedergibt. Die Fourierkoeffizienten werden für eine Reihe einfacher Modelle von Kristallbereichen mit Versetzungen berechnet. Am Beispiel paralleler Schraubenversetzungen zeigt sich, daß parallele Versetzungen im Kristallbereich näherungsweise durch eine Mehrfachversetzung ersetzt werden können, deren Burgersvektor gleich der Summe aller Burgersvektoren der einzelnen Versetzungen ist. Mittelwerte über die Lage der Versetzungen wurden berechnet. In der Literatur vorliegende Messungen werden mittels eines neuen Auswerteverfahrens mit den Modellrechnungen verglichen. Es ergibt sich eine gute Übereinstimmung, die unter anderem zu Werten der Versetzungsdichte führt, die in der richtigen Größenordnung liegen.
Der Debye‐Waller‐Faktor für die Diffraktion langsamer Elektronen
Authors: Celý J.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wird die Abhängigkeit des Debye‐Waller‐Faktors von der Entfernung der diffraktierenden Kristalloberfläche berechnet. Die Berechnung wird für ein einfaches kubisches Gitter und für die Diffraktion auf den (001)‐Ebenen durchgeführt. Die Intensitäts‐Temperatur‐Abhängigkeit für gewisse Ebenen und Diffraktionsmaxima ist in Fig. 1 dargestellt.
On the Existence of the Känzig Exhaustion Surface Layer in BaTiO3
Authors: Schoijet M.
Published: July 2007

Small grained BaTiO3 particles were obtained and conductivity of small grained pressed powder and small grained sintered samples measured. Conductivity measurements support arguments against the existence of the exhaustion layer suggested by Känzig.
Galvano‐ and Thermomagnetic Effects in Semiconductors with Non‐Spherical and Non‐Parabolic Energy Bands
Authors: Kolodziejczak J. , Zukotyński S.
Published: July 2007

Some galvanomagnetic and thermomagnetic effects are calculated on the basis of a solution of the Boltzmann equation. The energy bands for which the calculations are carried out are assumed to be non‐parabolic and non‐spherical. It is assumed that a relaxation time does exist, that it is isotropic, and that it depends on the energy only. The effect of strong degeneracy of the electron gas on the transport phenomena is analysed. It is shown that deviations from a parabolic band‐structure may even give rise to a change of sign for some effects.
Zur Theorie bewegter Versetzungen
Authors: Bross H.
Published: July 2007

For a continuous distribution of moving dislocations, differential equations are derived which describe the total displacement field and the elastic distortion. These equations are based on the linear theory of elasticity and can be solved by the use of Green's dyades. The Lagrange function for a moving dislocation is given, so that by application of the principle of least action the equation of motion can be obtained for the propagation of plastic distortion. By a four‐dimensional formulation of the problem, all relations for the dislocation dynamics obtain a formal similarity to the known relations of the dislocation statics.
Frequency Spectrum in Solid Methane at 6.5 °K
Authors: Dorner B. , Stiller H.
Published: July 2007

The energy distribution of neutrons scattered from solid methane at 6.5 °K is measured by the beryllium filtered detector method. The frequency distribution g(ω), calculated from the experimental results, is compared with the frequency distribution at 18 °K obtained in earlier experiments.
Phénomènes de transport dans les matériaux à bande non parabolique mais à symétrie sphérique
Authors: TAVERNIER J. , SEXER et N.
Published: July 2007

Nous présentons ici une méthode rapide pour étudier n'importe quel phénomène de transport dans un matériau pour lequel l'énergie des porteurs est de la forme ε. Les résultats sont formellement identiques aux résultats obtenus pour une bande d'énergie en ε(k2); il suffit de changer la définition de la valeur moyenne du temps de relaxation.
X‐Ray Examination of the Binary System CdTe‐CdSe
Authors: Litwin J.
Published: July 2007

Solid solutions of CdTe‐CdSe are investigated by the Debye‐Scherrer powder method. The lattice constants are found to vary with composition. It was concluded that in the investigated material, both cubic and hexagonal structures form substitutional crystals. In a certain composition range both structures exist separately. No new phase appears in the solution.
Local Changes of the Work Function of Germanium and Silicon Due to Dislocations
Authors: Łagowski J.
Published: July 2007

Measurements of contact potential difference (c. p. d.) distributions are used to study the influence of dislocations on the work function of germanium and silicon. The results show that dislocations do change the local work function. Changes in work function calculated from Read's [1] theory of edge‐dislocations (assuming that there are no surface states) do not agree with the experimental results. This discrepancy is considered to be due to the influence of the dislocations on the occupation of the surface states.
A Contribution to the Study of the Surface Domain Structure of Uniaxial Ferromagnets
Authors: Gemperle R.
Published: July 2007

The dependence of a honeycomb domain structure on the crystal thickness (T) is measured for magnetoplumbite, for values of T for which the influence of the surface structure is significant. The same relation is found as for a plate structure, i.e., that the domain width is proportional to T⅔. This relation is in agreement with Kaczér's theory. The formation of the surface domain structure of uniaxial ferromagnets with high anisotropy is due to two mechanisms: the undulation of the walls, and the formation of spike domains of reverse magnetization. It is shown, by the use of examples, that these mechanisms participate in different ways according to the conditions under which the domain structure is formed.
Über die magnetische Anisotropieenergie kubischer Kristalle
Authors: Krause D.
Published: July 2007

Das Auftreten von Extremwerten der Kristallanisotropieenergie wird unter Berücksichtigung des K1‐ und K2‐Termes allgemein diskutiert. Es zeigt sich, daß es sowohl für positive wie negative K1‐Werte gewisse \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{K_1 }}{{K_2 }} $\end{document} Verhältnisse gibt, bei denen zwei kristallographisch verschiedene leichte Richtungen für die Magnetisierung gleichzeitig auftreten. Unter Verwendung der bekannten K‐Werte ist das z. B. bei Nickel zwischen +56 °C und +75 °C der Fall. Als Folgeerscheinung resultiert eine Hysterese im Gebiet reiner Drehprozesse gegen die Kristallenergie.
On the Formation of Point Defects in Metals by Plastic Deformation
Authors: Feltham P.
Published: July 2007

The observation that the geometrical characteristics of the dislocation network remain constant during plastic straining, the distribution diminishing only in scale, is shown to follow from a simple model of dislocation kinetics in cold‐work. This strain invariance of form is then used in deriving the equation dN/d∂ ≃ 20/b, b representing the lattice spacing, which accounts for the proportionality between the number N of vacancies generated by plastic deformation per unit volume, and the dislocation density ∂, as observed at low temperatures. The rate of vacancy production given by this relation agrees with experimental data available for aluminium, silver, and copper. The model also suggests explanations for the heterogeneity and other features of the dislocation distribution in deformed metals.
The Determination of the Orientation of Rhombohedral and Cubic Crystals from Traces on a Single Surface
Authors: Bevis M. , Heckscher F. , Crocker A. G.
Published: July 2007

The determination of the orientation of rhombohedral and cubic crystals from the angles between traces produced on a single surface of a specimen by three crystallographically equivalent planes is considered. It is shown that the direction normal to the crystal surface may be determined directly by taking readings from simple physical models which may be readily constructed. A new algebraic formulation of the problem which leads directly to the possible orientations, is also presented. Degenerate cases which arise in this analysis are discussed and a table of results is given for the case of traces produced by {111} planes in mercury crystals. A convenient method of plotting these results is described, and it is shown that the results obtained using the models are accurate to within 1½° when compared with those obtained numerically.
Exchange Correlations and Compressibilities of Mg, Al, Si and Zn
Authors: Olszewski S. , Wierzbicki A.
Published: July 2007

The compressibilities of Mg, Al, Si, and Zn are calculated on the basis of the energy data of the quantum defect method. The calculations are made with and without the inclusion of the exchange volume correction in the equation of state of the Wigner‐Seitz cell. The relative importance of this correction for compressibilities at zero pressure decreases with an increase in the number of electrons in the cell.
Thermodynamic Properties of Free Carriers in Semiconductors with Arbitrary Energy Bands
Authors: Zawadzki W. , Kołodziejczak J.
Published: July 2007

Statistical properties, entropy, free energy, internal energy, and specific heat of free carriers in an energy band of arbitrary form are considered. All the properties are expressed in terms of generalized Fermi‐Dirac functions. The general formulae are specified for spheroidal and spherical energy bands. It is shown that the nonparabolic conduction bands of III–V compounds may be regarded as a first approximation to general nonparabolic structures. The dependence of Fermi level on temperature, and the internal energy and specific heat are calculated numerically in the nondegenerate region. It is shown that non‐parabolicity of the energy band strongly affects the properties discussed, for any degree of degeneracy.
Transport Properties of Cubic Semiconductors with Nonparabolic Energy Bands
Authors: Zawadzki W. , Kołodziejczak J.
Published: July 2007

Transport phenomena are considered in a semiconductor crystal having cubic symmetry and an arbitrary relation between energy and wave number. The theory is formulated in terms of three basic transport tensors. Expressions for galvanomagnetic and thermomagnetic effects in the limiting cases of weak and strong magnetic fields are obtained. The results apply both to the many‐ellipsoid cubic energy bands of Si and Ge and to the nonparabolic band structure of III–V compounds.
The [111] Dislocation in a Cubic Crystal
Authors: Head A. K.
Published: July 2007

Exact expressions are obtained for the energy of a dislocation lying in a [111] direction in a cubic crystal and for three components of the stress field. Sufficient information is given to enable the remaining stress components, displacements, etc., to be obtained.
Determination of the Effective Mass in n‐Type InSb by Means of Magneto‐Plasma Reflection
Authors: Śniadower L. , Raułuszkiewicz J. , Gałązka R. R.
Published: July 2007

The refractive index for intraband transitions in degenerate semiconductors in the presence of a magnetic field is calculated for spherical and nonparabolical energy bands. The results are used for the description of plasma and magneto‐plasma reflection, and for the determination of the effective mass of carriers in heavily doped InSb. Plasma and magneto‐plasma reflections are observed in n‐type InSb with carrier concentrations from 1018 to 1019 cm−3. The values of the effective mass of electrons confirm Kane's band‐structure up to concentrations exceeding 1019 cm−3.
Die Diffusionskoeffizienten von Antimon und Arsen in Germanium bei verschiedenen Konzentrationen und die Diffusion bestimmter Störstellenprofile durch Programmdiffusion
Authors: Niedermeyer A. R. H.
Published: July 2007

Es wird beschrieben, wie die durch Diffusion unmittelbar an einer Germaniumoberfläche erreichten Dotierungskonzentrationen von Antimon und Arsen (Oberflächenkonzentrationen) ermittelt werden können. Bei dieser Bestimmung ergeben sich gleichzeitig die Diffusionskoeffizienten in Abhängigkeit von den Oberflächenkonzentrationen. Eine neue graphische Methode, die von einem mathematischen Verfahren abgeleitet ist, berücksichtigt die genannte Abhängigkeit und ermöglicht die Herstellung von verschiedenen Störstellenprofilen, auch von exponentiellen, durch Programmdiffusion (d. h. die Oberflächenkonzentration ist eine Funktion der Zeit). Die Übereinstimmung der theoretischen mit den experimentellen Werten ist recht gut.
Die plastische Verformung von kadmiumlegierten Zinkeinkristallen (I)
Authors: Boček M. , Hötzsch G.
Published: July 2007

Es wird über das Verfestigungsverhalten kadmiumlegierter Zinkeinkristalle berichtet, die im dynamischen Zugversuch bei Temperaturen von 90 bis 573 °K verformt wurden. Gegenüber älteren Messungen an verunreinigten Zinkeinkristallen ergeben sich wesentliche Abweichungen im Einfluß des Fremdstoffgehaltes auf einige Kenngrößen der Verfestigungskurve. Es wird ferner gefunden, daß die Temperaturabhängigkeit der kritischen Schubspannung sowohl bei hohen als auch tiefen Temperaturen nicht mit den theoretischen Erwartungen für hexagonale Metalle übereinstimmt. Abschließend werden einige Ergebnisse über den Einfluß des Kadmiums auf die sprunghafte Verformung von Zinkeinkristallen mitgeteilt.
Defektverteilung in Verlagerungskaskaden I. Kaskadentheorie
Authors: Jan R. V.
Published: July 2007

Die vorliegende Arbeit untersucht die räumliche Verteilung der in einer Verlagerungskaskade erzeugten Leerstellen und Zwischengitteratome. Ein von HOLMES und LEIBFRIED angegebenes Verfahren zur Berechnung der Reichweite von Atomen läßt sich in einfacher Weise zu einer Kaskadentheorie erweitern. Durch zusätzliche Einführung eines Verlagerungsmodells gelingt es dann, Mittelwerte getrennt über die Verteilungen von Leerstellen und Zwischengitteratomen zu berechnen. Es zeigt sich, daß die Leerstellen auf ein kleineres Volumen verteilt sind als die Zwischengitteratome; diese Trennung der Defektarten wird um so stärker, je härter das Wechselwirkungspotential der Atome ist, und kann (auch ohne Mitwirkung von fokussierenden Stoßketten) zur Ausbildung einer Leerstellenzone führen.
An Electron Microscopic Investigation of Phenomena Associated with Solid Solution of Oxygen in Niobium
Authors: van Landuyt J.
Published: July 2007

A transformation process in the solid solution period of the niobium oxygen reaction was investigated by electron microscopy and diffraction. In thin foils submitted to a heat treatment under reduced air pressure ordering of the introduced oxygen interstitials took place. This process could be followed in transmission.

The transformation starts with a nucleation mechanism where by small nuclei composed of small parallel domains in crystallographic directions are formed. These nuclei grow together to form a cross hatch pattern. Selected area diffraction reveals superlattice reflections of an ordered phase. The formation of irregular shaped superlattice nuclei and an epitaxial grown suboxide phase is also described. It is supposed that all these phenomena represent a transient stage in the transformation to more stable suboxyde and oxyde phases of niobium.
Photoströme in Halbleitern mit Barriere
Authors: Puff H.
Published: July 2007

Ausgehend von der sogenannten Ein‐Gruppen‐Näherung wird eine Theorie der von JUNGK und MENNIGER [1] angegebenen Methode für die Bestimmung der Diffusionslänge von Minoritätsträgern aus der Ortsabhängigkeit des p–n‐Photoeffekts keilförmiger Proben entwickelt. Durch Berücksichtigung der Volumenanregung werden sowohl die Grenzen dieser Methode in Abhängigkeit von Schichtdicke und Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit bestimmt als auch das Gebiet, in dem sie zur Messung des Absorptionskoeffizienten führt.
Cyclotron Resonance and the Free‐Carrier Magneto‐Optical Properties of a Semiconductor
Authors: Hindley N. K.
Published: July 2007

The high frequency conductivity tensor σij is calculated for a semiconductor with a quadratic band structure in a magnetic field. The existence of an energy‐dependent relaxation time τ(E) is assumed. For both an isotropic band and a band with a many‐valley structure, σij can be expressed in terms of three similar functions, σ± and σ. For an isotropic band, σ ± is the conductivity for a circularly polarized electric field and σ is the conductivity for zero magnetic field. It is shown that these coefficients satisfy certain sum rules. When τ ∼ Ep, they are given by tabulated integrals. The results are applied to cyclotron resonance and compared with experimental measurements on n‐CdTe. The assumption that p = 3/2 (ionized impurity scattering) gives the best agreement with experiment. The free carrier magneto‐optical properties can be calculated if σij is known, and under low loss conditions the Faraday rotation and ellipticity, and the Voigt effect, may be expressed fairly simply in terms of σ± and σ. The Faraday rotation in n‐Ge is calculated as a function of magnetic field, and the results are compared with experiment.
Die Temperaturabhängigkeit der Verfestigungskenngrößen von Kadmiumeinkristallen
Authors: Boček M. , Lukáč P. , Smola B. , Švábová M.
Published: July 2007

Es wird die Temperaturabhängigkeit der Verfestigungskenngrößen von Cd‐Einkristallen zwischen 90 und 370 °K untersucht und eine Verfestigungskurve beobachtet, die aus drei Bereichen besteht. Im Gegensatz zu Zn‐Kristallen kann an Cd‐Kristallen (infolge niedrigerer Sprödbruchtemperatur) auch außerhalb des Erholungsbereichs der Bereich C erreicht werden. Unterhalb von 150 °K sind die Verfestigungskoeffizienten temperaturunabhängig, oberhalb davon fallen sie mit wachsender Temperatur rasch ab. Der Temperaturverlauf von ϑA und ϑB ist qualitativ gleich. Mit den Tieftemperaturwerten des Verfestigungskoeffizienten ϑB ergibt sich G/ϑB = 500. Ähnlich wie an Zn‐ und Al‐Kristallen wurde ein Abfall der reduzierten kritischen Schubspannungen gefunden, nachdem diese Werte in einem gewissen Temperaturbereich temperaturunabhängig sind. Die Temperaturabhängigkeit der reduzierten Schubspannungen ist gegeben durch: ln τ(T)/G(T) = A1,2 — — B1,2T mit einem Tieftemperatur‐ (1) und einem Hochtemperaturast (2). Die Stapelfehlerenergie γ wurde aus dem Tieftemperaturast der ln τ(T)/G(T)‐Abhängigkeit für T = 150 °K zu 100 erg/cm2 abgeschätzt.

Die Längen der Bereiche A und B sind bei tiefen Temperaturen temperaturunabhängig und verlängern sich im Erholungsbereich mit zunehmender Temperatur. Diese Ergebnisse bestätigen bereits bestehende Vorstellungen über die Ähnlichkeit im Verfestigungsverhalten von dichtest gepackten Metallen.
Zum Einfluß freier Elektronen auf die Eigenabsorptionskante halbleitender Zinndioxydschichten
Authors: Koch H.
Published: July 2007

Das Absorptionsverhalten „zusatzfreier”︁ Zinndioxydschichten mit Elektronenkonzentrationen bis zu N ≈ 2 · 1020 cm−3 wurde im Bereich der Eigenabsorptionskante untersucht. Mit steigender Elektronenkonzentration verschob sich die Absorptionskante nach kürzeren Wellenlängen. Mit Hilfe einer halbklassischen Absorptionstheorie, die die Elektronengitterwechselwirkung mit den longitudinalen optischen Phononen und die mit steigender Elektronenkonzentration zunehmende Auffüllung des Leitungsbandes berücksichtigte, wurden die experimentellen Ergebnisse ausgewertet. Für die effektive Masse im Leitungsband (m* = 0,3 m0) und für die die Elektronengitterwechselwirkung bestimmende Stoßzeit ergaben sich Werte, die mit den bereits früher vom Autor aus Gleichstrom‐ bzw. Ultrarotuntersuchungen erhaltenen Ergebnissen im Rahmen der Fehlergrenzen übereinstimmten. Ferner wurden die Breite der verbotenen Zone (ΔE = 3,45 eV) und die effektive Masse im Valenzband (mv = 0,16 m0) ermittelt.
Electron Microscopic Study of Twins, Anti‐Phase Boundaries, and Dislocations in Thin Films of Rutile
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

Anti‐phase boundaries and dislocation ribbons are studied by means of transmission electron microscopy. From the fringe patterns observed at anti‐phase boundaries, and from the diffraction pattern, a model for anti‐phase boundaries may be proposed.

It is found that the width of the ribbons changes on crossing certain anti‐phase boundaries. The model for the anti‐phase boundary deduced from the contrast effects allows this behaviour to be explained in a consistent way, because the model implies that the stacking fault energy is different in both domains for a ribbon extending both sides of a domain boundary. The difference in stacking fault energy causes a difference in ribbon width, and as a result also causes a difference in total energy per unit length of the ribbon. This difference in energy causes in turn a „refraction ”︁ of ribbons at anti‐phase boundaries.
Die plastische Verformung von kadmiumlegierten Zinkeinkristallen (II)
Authors: Boček M. , Hötzsch G.
Published: July 2007

Es wird über den Einfluß der Temperatur und des Kadmiumgehaltes auf die Verfestigungskenngrößen von Zinkeinkristallen berichtet, die im dynamischen Zugversuch zwischen 90 und 573°K verformt wurden. Die reduzierten Verfestigungskoeffizienten ϑA/G3 und ϑB/G3 werden durch Kadmiumzusätze nicht verändert, die Einsatzspannung ϑC des Bereiches C dagegen erhöht und die Länge des Bereiches A vergrößert. Bei reinen und schwach legierten Kristallen ergibt sich unterhalb 200 °K ein Abfall der ϑA/G3‐Werte, für den statische Erholungsprozesse als Ursache ausgeschlossen werden können.
Electron Microscopic Study of the Domain Structure in Anti‐Ferromagnetic Cobalteous Oxide
Authors: Remaut G. , Lagasse A. , Amelinckx S.
Published: July 2007

Electron microscopic evidence is obtained for the presence of a domain structure in anti‐ferromagnetic cobalteous oxide. The domain boundaries tend to adopt [101] orientations; they are visible as fringe patterns when lying in planes inclined to the foil plane. When the domain boundary is observed edge‐on, adjacent domains differ in brightness.

Combining earlier neutron diffraction data with the present observations it is concluded that the spin direction, which is roughly parallel to the tetragonal c‐axis, has to turn through 90° across a domain wall. The proposed models for the domain walls are verified by means of contrast theory and their geometry checked by the use of Kikuchi lines.

The contrast effects observed for some particular configurations of domain walls are compared with numerical calculations based on the dynamic theory of electron diffraction, taking into account anomalous absorption.
Die Bildung von Kristallkeimen in übersättigen Alkalihalogenidlösungen als Folge von mechanischen Stößen
Authors: Gyulai Z.
Published: July 2007

Die Kristallbildung wird in übersättigten Alkalihalogenidlösungen durch mechanische Behandlung ausgelöst, z. B. durch einen kräftigen Schlag gegen das Reagenzglas, das die Lösung enthält. Das lawinenartige Auftreten kleiner Kristallite ist die Folge der durch den Stoß ausgelösten Keimbildung.

Es wird versucht, das experimentelle Phänomen mit Hilfe der mikrokristallinen Struktur von Flüssigkeiten zu deuten.
Anisotropy of the NMR in Copper Sheets (II)
Authors: Tompa K. , Tóth F.
Published: July 2007

In NMR measurements on vacuum annealed copper sheets, for various orientations with respect to the magnetic field, it has been shown previously [1] that the anisotropy of the second moment can be interpreted by Van Vleck's theory assuming a (100) [001]‐type cubic recrystallization texture. The present paper extends the investigation to several other orientations. The effect of non‐uniformly oriented crystallites on the spectrum parameters is also studied. It is found that the scatter in crystallite orientation can be determined if the additional broadening is assumed to be isotropic.
Fault Structures in Wurtzite
Authors: Blank H. , Delavignette P. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

A more precise interpretation of the defect structure of wurtzite crystals as observed in the electron microscope is presented. It was found previously that the crystals contain faults in the basal planes (b‐faults) and in prism planes (p‐faults). Direct evidence is presented indicating that the transition wurtzite sphalerite is a martensitic transformation due to the movement of partial dislocations. The transformation leads to a faulted structure.

Evidence is further presented for the occurrence of a domain structure. Possible models for this domain structure are proposed. According to the first, the domain boundaries result from the contact between two crystal regions for which the polar c‐axes have opposite sense. The origin of the contrast at such boundaries is discussed, and it is concluded that this type of boundary has presumably not yet been observed in wurtzite. According to the second model the boundaries result from the contact between two crystal regions which are displaced with respect to each other over a displacement vector which is identical to the Burgers vectors of a partial in the basal plane, or to the sum of such a vector with a vector (000 c/2)

Evidence is presented to show that the domain structure results from the introduction during growth of single stacking faults. A generation mechanism for basal and prismatic faults is discussed.

The contrast effects at single and double faults in the hexagonal closed packed structure are discussed in detail and a method is proposed to distinguish these two types of faults.
Die Wirkung von Licht auf raumladungsbeschränkte Defektelektronenströme in Anthrazen
Authors: Jansen P. , Helfrich W. , Riehl N.
Published: July 2007

Lichteinwirkung vergrößert den raumladungsbeschränkten Löcherstrom in Anthrazen infolge Löcherbefreiung aus Haftstellen im Volumen des Kristalls. Durch Untersuchung einer großen Zahl von Kristallen verschiedener Herkunft wurde gefunden, daß die Abhangigkeit des Stromes (i) von der Spannung (V) und Lichtentensität (I) durch die Beziehung i ˜ I1‐1/l beschrieben werden kann. Der Parameter l wird durch die Strom‐Spannungs‐Charakteristik des Dunkelstromes iDunkel ˜ Vl+1 geliefert. Die Wellenlängenabhängigkeit des Stromes zeigt das Spektrum einer Triplettanregung des Anthrazens. Sowohl im Gebiet der Triplett‐als auch im Gebiet der Singulettabsorption werden die Löcher durch das Licht über entsprechende Exzitonenzustände aus den Haftstellen befreit. Bei hohen Triplettkonzentrationen (≦4 × 1011 cm−3) scheint die Löcherbefreiung ein bimolekularer Triplettprozeß zu sein.
Lichtempfindliche raumladungsbeschränkte Ströme
Authors: Helfrich W.
Published: July 2007

Raumladungsbeschränkte Ströme können durch Lichteinwirkung vergrößert werden, wenn ein Teil der Raumladung getrapt ist und die getrapten Ladungsträger optisch befreit werden können. Es wird eine Theorie der Spannungs‐ und Intensitätsabhängigkeit dieser Ströme für exponentielle und homogene Haftstellenverteilungen entwickelt.
Remanenzverhalten und Wechselwirkungen in hartmagnetischen Teilchenkollektiven
Authors: Henkel O.
Published: July 2007

An hartmagnetischen Cu—Ni—Fe‐Legierungen wurde das Remanenzverhalten nach dem ersten Anlassen, einer Kaltverformung und dem Schlußanlassen untersucht. Durch Vergleich der Wechsel‐, Gegen‐ und Gleichfeldremanenz ist der Zustand erkennbar, wo das pauschale Wechselwirkungsfeld Null ist. Die anhysteretische Suszeptibilität gibt Hinweise über die Art der Wechselwirkung. Mit zunehmender Aushärtung gehen die positiven Wechselwirkungsfelder in negative über. Eine Kaltverformung verursacht einen gegenläufigen Übergang.
Neutron Diffraction by Paramagnetic Mn5Ge3
Authors: Ciszewski R.
Published: July 2007

The differential cross‐section of metallic manganese for paramagnetic scattering is obtained from the background scattering observed for the compound Mn5Ge3. The variation of the magnetic amplitude form factor of metallic managanese with scattering angle is found to be quasi‐identical with that of Mn2+. The radial distribution of the electrons in the 3d shell of metallic manganese is calculated from the amplitude form factor.
An Electron Gas Model for the Lattice Dynamics of Beryllium
Authors: Gupta R. P. , Dayal B.
Published: July 2007

The model originally proposed by Slutsky and Garland for the lattice dynamics of the hexagonal close‐packed structure is modified by introducing the contributions of the electron gas. The latter are computed from the Cauchy discrepancy by following Sharma and Joshi's work on cubic metals. The force constants for beryllium are calculated, using this new model, from the experimental data and one observed vibration frequency. The dispersion curves for the [0001] and [0110] directions are the computed and found to be in satisfactory agreement with the results of neutron scattering in beryllium.
The Effect of Pressure on a Solid‐Solid Reaction
Authors: Bradley R. S.
Published: July 2007

The effect of pressure on a solid‐solid reaction is formulated on a vapour‐gap theory and is compared with the predictions of the transition state theory and of the theory of Teller. The vapour‐gap theory is shown to be inapplicable to the conversion of diamond to graphite.
Die freie Weglänge des Exzitons im polaren Kristall
Authors: Porsch M.
Published: July 2007

Unter Verwendung des Exzitonenmodells von Haken, das auf dem von Feynman entwickelten Variationsverfahren beruht, wurde die mittlere freie Weglänge unter der Annahme berechnet, daß die Boltzmanngleichung für dieses Modell gültig ist. Das Ergebnis sollte im Grenzfall tiefer Temperaturen für mittlere und starke Kopplungen anwendbar sein, wobei die effektiven Massen von Elektronen und Löchern unterschiedlich sind.
The Shift and Splitting of the F‐Absorption Band in Alkali Halide Crystals by Application of Uniaxial Pressure
Authors: Gebhardt W. , Maier K.
Published: July 2007

Application of uniaxial pressure results in splitting and dichroism of the F‐band and a shift to higher energies. The effect is examined, with the compression parallel to the [100] direction, in the following substances: NaF, NaCl, KCl, RbCl, KI. For NaCl, measurements are also made with the compression parallel to the [110] and [111] directions. By symmetry considerations a theory is derived which gives the shift and splitting for arbitrary directions of pressure and polarization, including the hydrostatic case. The relation of three parameters employed in this theory to the elastic constants and the energy levels of the F‐centre is discussed.
On the Drift Velocity Method in the Theory of Transport Phenomena in Semiconductors
Authors: Licea I.
Published: July 2007

This work outlines the possibility of using the drift velocity method for the calculation of the densities of electric current and heat flux in semiconductors, in the presence of external electric and magnetic fields, temperature gradients and of carriers concentration gradients for an arbitrary degree of degeneracy.