bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Untersuchungen zur Polarisation der Exzitonen‐Annihilationsstrahlung in CdS‐Einkristallen
Authors: Goede O. , Gutsche E.
Published: July 2007

Es wurde die spektrale Verteilung der Intensität der blauen Lumineszenzbande von CdS‐Einkristallen bei Anregung mit ultraviolettem Licht für die beiden Polarisationsrichtungen 𝔈 senkrecht und 𝔈 parallel zur c‐Achse zwischen 77 °K und 295 °K untersucht. Die Temperaturabhängigkeit der energetischen Lage der beiden Hauptmaxima und das Verhältnis χ der Maximalintensitäten für die beiden Polarisationsrichtungen wurden im angegebenen Temperaturbereich bestimmt. Ferner wurde die Winkelverteilung der Polarisation bei 90 °K gemessen. Es wird dargelegt, daß beide Banden der direkten strahlenden Annihilation von Eigen‐Exzitonen zuzuschreiben sind. Auf der Basis dieser Vorstellung werden die Meßergebnisse im einzelnen diskutiert.
Compatibility Relations and Selection Rules for the Dipole Electric Transitions in Crystals with Symmetry O
Authors: Gorzkowski W.
Published: July 2007

This paper is a continuation of [1]. Here the compatibility relations and selection rules for electric dipole transitions in crystals with the symmetry O are given.
Untersuchungen zu unterschiedlichen Lumineszenzmechanismen in verschieden aktiviertem Zinksulfid
Authors: Treptow H.
Published: July 2007

An Cu‐ und Ag‐aktiviertem Zinksulfid wurden die Form, Halbwertsbreite und Lage des Maximums der Emissionsbanden im Temperaturbereich von 100 bis 400 °K gemessen. Der Vergleich mit den Eigenschaften der Elektronenübergänge zwischen diskreten Termen und den Eigenschaften für Leitungsband‐Akzeptorterm‐Übergänge ergab, daß der langwelligen Emissionsbande bei Cu‐Aktivierung ein Term‐Term‐ und der Emissionsbande bei Ag‐Aktivierung ein Band‐Term‐Übergang zuzuordnen ist. Die Erklärung der Eigenschaften der kurzwelligen Emissionsbande bei Cu‐Aktivierung kann durch einen gemischten Band‐Term‐ und Term‐Term‐Übergang möglich sein.
The Domain Structure of Zn2−xCoxZ Single Crystals
Authors: Rosenberg M. , Tânâsoiu C. , Rusu C.
Published: July 2007

The domain structure of Zn2−xCoxZ (with x = 0; 0.5; 2) single crystals is investigated. The observed patterns indicate a gradual modification from a barium ferrite type structure (for Zn2Z), passing through a cobalt type structure (for Zn1.5Co0.5Z), to a new structure, characteristic of uniaxial single crystal. This structure has a preferred plane of magnetization (for Co2Z), consisting of a set of parallel domains separated by Bloch walls parallel to the hexagonal plane. All the observed domain structures are explained in terms of the domain theory and the dependence of magnetic anisotropy on composition.
Proposal for Semiconductor Laser with Wide‐Gap Emitters
Authors: Pčený T.
Published: July 2007

An estimate is made of the concentration of injected carriers necessary for inversion in p‐type GaAs, the known band structure being used. It is shown that an N‐p‐P structure with two wide‐gap emitters (N and P) can improve the injection efficiency to such an extent that almost whole the current flowing through the laser results in recombination in the inverted region. A system is proposed which, besides employing N‐p‐P structure, uses semiinsulating GaAs to reduce the junction area.
Untersuchungen des Fließbereichs neutronenbestrahlter Kupfereinkristalle. I. Elektronenmikroskopische und mechanische Untersuchungen an Proben vor und nach dem Anlassen
Authors: Schwink Ch. , Grieshammer G.
Published: July 2007

Elektronenmikroskopische Beobachtungen machen es sehr wahrscheinlich, daß bei vorsichtigem Anlassen die Zahl der Bestrahlungsfehler über 50 Å zunächst zunimmt und sich erst bei stärkerem Tempern langsam vermindert. Die Krümmung der Temperaturabhängigkeit der kritischen Schubspannung τ0, die von 77 °K bis 510°K gemessen wird, im τ‐‐T⅔‐Diagramm nichtangelassener Kristalle verschwindet mit dem Anlassen und kehrt sich dann sogar um. Es wird nahegelegt, letztere Krümmung unmittelbar mit der Dichteabnahme der Gleithindernisse in Zusammenhang zu bringen. Die Seegersche Theorie wird für diesen Fall modifiziert. Bei Raumtemperatur wächst τ0 nichtangelassener Proben nicht proportional zu In \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot \varepsilon $\end{document}, erst mit zunehmendem Tempern nähert man sich einer Beziehung Δτ0 ∼ In \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot \varepsilon $\end{document}. Die Berechnung einer Aktivierungsenergie U0 aus den Messungen erscheint nach den mitgeteilten Ergebnissen noch fragwürdiger als ohnehin bei der Durchsicht älterer Arbeiten. Lediglich die Zunahme von U0 mit dem Anlassen darf als weitgehend gesichert gelten.
Untersuchungen des Fließbereichs neutronenbestrahlter Kupfereinkristalle. II. Kinematographische Messung der Abgleitgeschwinidigkeit nichtangelassener und angelassener Proben
Authors: Schwink Ch. , Neuhäuser H.
Published: July 2007

Es wird eine kinematographische Methode beschrieben, mit deren Hilfe es gelingt, die Abgleitgeschwindigkeit ȧ neutronenbestrahlter Cu‐Kristalle zu messen. Da die Abgleitung inhomogen erfolgt, ergeben sich für ȧ viel größere Werte als bei homogener Gleitung. Bei einer Bestrahlung von rund 2 × 1018 nvt (> 0,1 MeV) finden wir bei Zimmertemperatur ȧ = 1 bis 4 s−1, verglichen mit ȧ ≈︁ 5 × 10−4 s−1 bei Annahme homogener Gleitung. Unser Verfahren erlaubt es weiter, den Zusammenhang zwischen Abgleitgeschwindigkeit ȧ und Dehngeschwindigkeit \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \dot \varepsilon $\end{document} zu untersuchen. Wir finden eine lineare Beziehung zwischen diesen Größen, keine Proportionalität, wie bisher stets angenommen wurde. Dieses überraschende Ergebnis ermöglicht eine zwanglose Beschreibung der in Teil I mitgeteilten Messungen der Geschwindigkeitsabhängigkeit der kritischen Schubspannung. Alle mitgeteilten Messungen sind nur bei Zimmertemperatur durchgeführt worden.
The Influence of Plastic Deformation on Thermal Bleaching of Colour Centres in Potassium Chloride Crystals Irradiated by γ Rays
Authors: Damm J. Z. , Kowalczyk J.
Published: July 2007

The thermal bleaching of F centres in the temperature range between 106 and 185 °C is found to occur in plastically deformed KCl crystals as well as in non‐deformed ones. In both cases the activation energy of the process is found to be equal to 1.30 ± 0.02 eV per F centre. The bleaching mechanism is considered to arise from the diffusion of anion vacancies. The decrease of the bleaching rate in deformed material is tentatively explained by the increase of the mean “micrograin” diameter.
Investigations of the Possibility of Reducing the Thermionic Sensitivity Occurring in Composite Photocathodes
Authors: Heimann W.
Published: July 2007

The reduction of the thermionic emissivity of composite photocathodes of the Cs2O‐type is discussed in detail. Experiments are reported which achieve this result by surface treatment of a Rb2O‐substrate with Cs‐vapour. The thermionic emissivity can be reduced by at least two orders of magnitude while still maintaining good sensitivity in the infrared region. Conclusions are also drawn from the experiments with regard to the mechanism of the emission processes.
The Electron Microscopic Observation of Mechanical Twins in Indium
Authors: Remaut G. , Lagasse A. , Ameltnckx S.
Published: July 2007

Mechanical twinning in indium has been observed by using an electron microscope. The twinning elements are determined by selected — area diffraction; they are

No evidence is found for a pole mechanism for twinning; the observations suggest that on the contrary the Bell‐Cahn mechanism is operative. A brief comment is made on the origin of contrast at coherent twin‐interfaces. It is found that the contrast at lattice defects is considerably improved by cooling the specimen.
Wellenlänge und Kontrast der Magnetisierungsschwankungen einachsiger Permalloyfilme
Authors: Hoffmann H.
Published: July 2007

Der Einfluß der Schichtparameter einachsiger Permalloyfilme auf den Kontrast in der defokussierten elektronenmikroskopischen Abbildung wird theoretisch untersucht. Es zeigt sich, daß die Kristallitgröße und die lokale Anisotropiekonstante, die sich aus der Kristallenergie und Magnetostriktion des Einzelkristallits zusammensetzt, den Kontrast wesentlich beeinflussen. Die theoretische Analyse der Wellenlänge der Magnetisierungsschwankungen ergibt zwei verschiedene Wellenlängen, die sich im Ripple‐Bild äußern. Die Wellenlänge kurzer Reichweite λSR gibt die Intensitätsschwankungen in der defokussierten Abbildung wieder, die Wellenlänge langer Reichweite λLR beschreibt die Vorzeichenänderung der Magnetisierungsschwankungen. Beide Wellenlängen zeigen je zwei unterschiedliche Bereiche der Abhängigkeit von der Kristallitgröße. In dem ersten Bereich ist λ konstant, im zweiten ist λ proportional zu D. Die experimentellen Ergebnisse von Baltz und Doyle bestätigen die theoretischen Überlegungen.
Plastic Deformation and Work‐Hardening in NaCl
Authors: Davidge R. W. , Pratt P. L.
Published: July 2007

Single crystals of NaCl were compressed at room temperature. The stress‐strain curve shows three well‐defined stages similar to those found for fcc. metals. The dislocation density, bulk density, and deformation characteristics were studied as functions of stress and strain. The recovery of the dislocation density and bulk density were compared with the recovery behaviour of flow stress and microhardness. During easy glide, slip occurs on a single system and hardening is interpreted in terms of the long‐range stress between dislocations. In stage II, slip occurs on additional systems and it is suggested that the hardening is controlled by the forced intersection of dislocations on oblique systems through dislocation debris, in the form of dislocation dipoles, on the primary system.
Anti‐Phase Domains and Dislocation Ribbons in Tealite (PbSnS2)
Authors: Marinković V. , Amelinckx S.
Published: July 2007

Evidence is presented for the presence of antiphase boundaries in tealite (PbSnS2). It is shown that the observed contrast effects are consistent with only one model of an antiphase boundary. On intersecting antiphase boundaries the dislocation ribbons change in width as a result of the difference in stacking fault energy. Such a behaviour is consistent with the model deduced from the contrast effects.
Néel Walls in a Massive Uniaxial Ferromagnet in an External Field
Authors: Gemperle R. , Zelený M.
Published: July 2007

The energy of a Néel‐type wall is calculated for the case of an external field perpendicular to the easy axis and to the plane of the wall. This shows that such walls, hitherto known only in thin films, can also exist in a massive uniaxial ferromagnet. The proposed theory agrees with the results of experiments on magnetoplumbite.
Effets des hauts champs électriques sur les phénomènes de transport dans InSb à basse température
Authors: Bok J. , Guthmann C.
Published: July 2007

Nous avons étudié expérimentalement la conductivité électrique d'échantillons purs de type n d'InSb à 77 °K et à 20 °K en présence de hauts champs électriques. Nous avons mesuré l'effet Hall en régime d'impulsions. Pour interpréter les résultats nous avons utilisé l'approximation des „électrons chauds”︁ dans le domaine de champ électrique compris entre la région ohmique et celle de l'avalanche. Les résultats sont en bon agrément avec la théorie de STRATTON et montrent que la diffusion par les modes optiques polaires est le mécanisme principal d'échange d'énergie avec le réseau à 20 °K et 77 °K, et d'échange de quantité de mouvement à 77 °K. Ceci semble confirmer que la diffusion par le réseau est dominée par les collisions sur les modes optiques polaires dans InSb.

A 20 °K, quand les chocs sur les impuretés ionisées gouvernent la diffusion à champ électrique nul, nous avons observé expérimentalement un maximum de mobilité en fonction du champ électrique pour un champ de l'ordre de 5 V/cm.

Le fait que l'agrément entre théorie et expérience est moins bon à 20 °K pourrait enfin s'expliquer par l'influence de dislocations.
On the Mixed Scattering by Optical Phonons and Ionised Impurities
Authors: Ginter J.
Published: July 2007

The temperature dependence of the Hall mobility is calculated for the case of mixed scattering by optical phonons and ionised impurities. It is assumed that below the Debye temperature a relaxation‐time exists and that for pure lattice‐scattering this is given by τ0 = C ϵ° (eθ/T −1). Results of the calculation are compared with the authors measurements for CdSe and with SEGALLS experimental data for CdTe.
Hot Carriers in Microplasmas and their Radiation in Germanium and Silicon
Authors: Kamieniecki E.
Published: July 2007

On the basis of Chambers' equation, assuming the mean free path of carriers to be independent of energy, the form of the distribution function for high electric fields is obtained. Using the distribution function, the spectrum of light emitted from reverse biased junctions in Ge and Si is computed. It is assumed that this emitted light origins from bremsstrahlung of “hot” carriers in the Coulomb field of charged centres. Good conformity of the theoretical curves with the experimental results of CHYNOWETH and GUMMEL, CHYNOWETH and MCKAY, DAVIES and STORM is obtained for both germanium and silicon junctions. This agreement is best for field intensities of the order of 105 to 106 V/cm (calculated for an assumed mean free path of 200 Å) and lattice temperatures giving microplasmas in the region 350 to 700 °K.
Über die Ummagnetisierung dünner polykristalliner Elektrolytnickelschichten bei spannungsinduzierter einachsiger Anisotropie. I. Theorie der Wandverschiebungsfeldstärke auf der Grundlage des „Modells der Dehnungsanisotropie”︁
Authors: Ruske W.
Published: July 2007

Der Einfluß von Korngrenzen auf die durch Dehnungsanisotropie erzeugte Wandverschiebungsfeldstärke wird untersucht. Die Theorie geht vom einfachen Beispiel des Bikristalls aus, dessen Einzelkristalle unterschiedliche Konstanten C uniaxialer Anisotropie und unterschiedliche Dicke D besitzen. C‐ und D‐Inhomogenitäten an Korngrenzen sind eine Folge der Anisotropie der elastischen und magnetoelastischen Dehnungen bzw. eine Folge der Orientierungsabhängigkeit der Wachstumsgeschwindigkeit. Die am Bikristall erhaltenen Ergebnisse werden auf polykristalline Schichten erweitert. Es zeigt sich, daß die vorgeschlagene Theorie vor allem durch die Spannungs‐ oder Dehnungsabhängigkeit und durch die Schichtdickenabhängigkeit der Koerzitivfeldstärke definiert verformter Ni‐Schichten geprüft werden kann.
Magnetostriction of Thin Ni‐Films
Authors: Gontarz R. , Ratajczak H. , Šuda P.
Published: July 2007

Magnetostriction of thin Ni‐films is investigated by the multibeam interference method. The magnetostriction constant λs is calculated from the changes in the mica substrate's deflection as it yields to the stresses in the films. Its value does not differ appreciably from that of bulk nickel. The deflections of the mica substrate due to the stresses stemming from the evaporation process are apparent in the interference pattern as a system of hyperbolas. This can be explained as originating in a saddle‐like deflection of the substrate.
Vacancy as a Phonon Field Perturbation III. Phonon Scattering by Vacancies and Vacancy Pairs
Authors: Gallina V. , Omini M.
Published: July 2007

Using the general theory given in the first part of this work, vacancy‐phonon scattering is studied and, for an isotropic medium, the results shown to be identical with the classical values. The emphasis is put on the scattering by a vacancy pair, and the theory is used to evaluate the thermal resistivity of both vacancies and vacancy pairs.
Ein Beitrag zum Problem der anhysteretischen Suszeptibilität von Dauermagnetwerkstoffen
Authors: Henkel O.
Published: July 2007

An Cu—Ni—Fe‐Legierungen ist die anhysteretische Suszeptibilität in Abhängigkeit vom Aushärtungszustand ermittelt worden. Es zeigt sich, daß bei einem bestimmten Aushärtungszustand die auf N = 0 extrapolierte anhysteretische Suszeptibilität ein ausgeprägtes Maximum besitzt. In der Néelschen Beziehung c = N−1 [1 — exp ( — c0 N)] ist der geometrische Entmagnetisierungsfaktor N durch einen den Teilchenkollektiv‐Zustand charakterisierenden N‐Wert zu korrigieren, der sowohl positiv als auch negativ sein kann.
Doppelinjektion in ZnS‐Einkristallen
Authors: Ludwig W. , Zeise U.
Published: July 2007

Messungen von Stromspannungskennlinien an hochreinen ZnS‐Einkristallen ergaben sowohl das für raumladungsbegrenzte Ströme charakteristische Verhalten j ∼ V2 als auch j ∼ V3‐Charakteristiken, die theoretisch von LAMPERT für starke Injektion von Elektronen und Löchern (Doppelinjektion), mit einer gemeinsamen, vom Injektionsniveau unabhängigen Lebensdauer τ in Semi‐Isolatoren vorausgesagt worden sind.

Es konnte weiterhin an ZnS‐Einkristallen die von Stöckmann aufgestellte Theorie, wonach unter geeigneten Bedingungen eine Injektion im Sinne raumladungsbegrenzter Ströme an sperrenden Kontakten möglich ist, experimentell bestätigt werden.
Elektronenmikroskopische Beobachtungen von Versetzungen in CdS‐Kristallen
Authors: Möhling W. , Heydenreich J.
Published: July 2007

Elektronenmikroskopische Durchstrahlungsuntersuchungen der Versetzungsanordnung und Versetzungsbewegung in dünnen, aus der Dampfphase gezüchteten CdS‐Kristallen werden mitgeteilt. Versetzungen und Stapelfehler treten nur in gestörten Randbereichen auf, während große Bereiche des übrigen Kristallvolumens nahezu versetzungsfrei sind. Gleitprozesse werden nur an solchen Versetzungen beobachtet, die unter der Einwirkung des beleuchtenden Elektronenbündels an Verwachsstellen mehrerer Kristalle entstehen.
Warm‐Carrier Resistivity in Impure n‐InSb in a Magnetic Field
Authors: Matz D. , Garcia‐Moliner F.
Published: July 2007

The influence of a transverse magnetic field on the warm carrier behavior of the conductivity and resistivity is studied for different scattering mechanisms. An electron temperature model of the Shockley type is used throughout. For a calculation of the conductivity, the coefficient β of the quadratic deviation from Ohm's law vanishes in high magnetic fields like H−2. For a calculation of the resistivity it saturates to a constant value (not including quantization). Only for polar optical scattering at low temperatures the saturation value has opposite sign to that of β in a low magnetic field.

The theory is applied to some resistivity measurements [2] in impure n‐InSb at 77 °

K. It is concluded that these can be essentially explained by a combination of polar optical scattering and ionized impurity scattering. An explicit account of compensation between donor and acceptor impurities is essential to explain the difference between the results for different samples at magnetic fields above 2 kG, where it is easiest to obtain a good quantitative agreement with experiment. The low magnetic field data are harder to understand, because of the difficulty in describing polar scattering in sufficient detail.
Über die Ummagnetisierung dünner polykristalliner Elektrolytnickelschichten bei spannungsinduzierter einachsiger Anisotropie II. Experimentelle Untersuchungen zur Prüfung des „Modells der Dehnungsanisotropie ”︁
Authors: Ruske W.
Published: July 2007

Die Koerzitivfeldstärke Hc dünner polykristalliner Elektrolytnickelschichten, die durch äußere Spannungen deformiert sind, wird sowohl als Funktion der Gesamtdehnung als auch in Abhängigkeit von der röntgenographisch ermittelten elastischen Dehnung der Schichten gemessen. Die wichtigsten Parameter sind hierbei die Dicke der Ni‐Schichten (D = 102 bis 105 Å) und die Tempertemperatur der Proben (TT = 20 bis 450 °C) vor deren Verformung. Diese Messungen ermöglichen eine Auswahl der Meßergebnisse zur Prüfung der in [1] auf der Grundlage des „Modells der Dehnungsanisotropie ”︁ abgeleiteten Beziehungen. Das vorgeschlagene Modell erklärt die gefundenen Abhängigkeiten der Koerzitivfeldstärke von der Dehnung und der Schichtdicke widerspruchsfrei. Auch die Absolutgröße von Hc stimmt mit der ausgerechneten Wandverschiebungsfeldstärke befriedigend überein.
Reptation des cycles d'hystérésis dissymétriques dont un des champs limites est négatif
Authors: van Dang N.
Published: July 2007

L'étude du déplacement des cycles dans le cas le plus général ou HA > 0 et HB < 0 (avec HA ≠ ) montre que la loi de Néel en fonction de n est bien vérifiée pour les matériaux ordinaires. Mais il apparait également de nombreuses anomalies dues à la présence d'une pointe négative de champ.
Defektverteilung in Verlagerungskaskaden II. Berücksichtigung von Gittereffekten
Authors: v. Jan R.
Published: July 2007

In Fortsetzung einer früheren Arbeit [1] wird eine Methode angegeben, Stoßketten in der Kaskadentheorie zu berücksichtigen, und gezeigt, daß die theoretische Erzeugungsrate an Stoßketten (d. i. das Verhältnis aus der Zahl der Stoßketten und der Defektzahl) nicht von der Primärenergie einer Kaskade abhängt. Für die Defektverteilung sind besonders Ersetzungsstoßketten von Bedeutung, die die Trennung der Defektarten verstärken.

Eine Abschätzung der Erzeugungsrate von dynamischen Crowdionen in Kupfer, Silber und Gold stützt quantitativ das Seegersche Modell der „verdünnten Zonen ”︁.
Zur Frage der Beweglichkeit der heißen Elektronen in n‐Silizium bei 77 °K
Authors: Asche M. , Sarbej O. G.
Published: July 2007

Mit Hilfe eines Variationsverfahrens wurden Näherungslösungen der Boltzmanngleichung für die Abhängigkeit der Verteilungsfunktion der Elektronen vom elektrischen Feld in atomaren Halbleitern gesucht. Die Rechnungen wurden unter den Voraussetzungen durchgeführt, daß die Elektronen an akustischen und optischen Phononen gestreut werden, die Kopplungskonstanten bestimmte Bedingungen erfüllen, die Relaxationszeiten isotrop und die Energieflächen Ellipsoide sind. Die Methode wird für einige besondere Fälle zur Berechnung der Elektronenbeweglichkeit als Funktion des elektrischen Feldes in Si angewandt.

Die Abhängigkeit des Stromes vom Feld wurde an n‐leitendem Si bei 77 °K für die kristallographischen Richtungen parallel 〈111〉 und 〈100〉 experimentell untersucht. Für die letztere Richtung wurde die Stromänderung bei uniaxialem Druck gemessen. Die Ergebnisse werden mit den berechneten Werten verglichen.
The Debye‐Waller Factors of Copper and Gold by de Launay's Method
Authors: Mahesh P. S. , Dayal B.
Published: July 2007

The Debye‐Waller exponents for copper and gold are calculated from the frequency distributions derived from de Launay's electron model. Frequencies for 1000 points of the first Brillouin zone are considered. The computation has been made by Blackmann's sampling technique. The results are compared with available experimental data obtained at different temperatures. Good agreement between theory and experiment is found for gold, but not for copper.
Vacancy as a Phonon Field Perturbation IV. Free‐Energy Change in the Harmonic Approximation
Authors: Gallina V. , Omini M.
Published: July 2007

The change of phonon occupation numbers as a consequence of vacancy creation is calculated by a perturbation approach, and used to evaluate the resultant entropy change. For a Debye model, this change is found to be 7/4 k. The method is also applied to the case of a vacancy pair. The total vibrational energy of the crystal is shown to be unaffected by the formation of a vacancy.
Untersuchung über die Streuung langsamer Neutronen an bestrahltem Quarz und Beryllium
Authors: Baierlein K.
Published: July 2007

Die durch Reaktorneutronenbestrahlung in Quarzeinkristallen induzierte Wirkungsquerschnittsänderung Δσ wurde abhängig von der Neutronenwellenlänge im Bereich 5 Å < λ < < 12 Å für verschiedene Dosen aus Transmissionsversuchen mit langsamen Neutronen bestimmt. Δσ erwies sich als stark wellenlängenabhängig. Eine ähnliche Wellenlängenabhängigkeit wurde bei unbestrahltem Quarzglas gefunden.

Es wurde angenommen, daß im Kristall gestörte Zonen mit glasähnlicher Struktur entstehen; ihr Radius wurde auf R ≈ 20 Å abgeschätzt. Aus der Tatsache, daß sich der Verlauf der Wellenlängenabhängigkeit von Δσ mit zunehmender Dosis in einem weiten Bereich nicht änderte, konnte geschlossen werden, daß diese amorphen Zonen unmittelbar und nicht etwa durch die Zusammenlagerung von Defekten aus verschiedenen Rückstoßkaskaden gebildet werden.

Weitere Transmissionsversuche wurden an polykristallinem Beryllium durchgeführt.
Untersuchungen des Fließbereichs neutronenbestrahlter Kupfereinkristalle III. Die charakteristischen Größen der Gleithindernisse, insbesondere die Aktivierungsenergie
Authors: Schwink Ch.
Published: July 2007

Die experimentellen Ergebnisse zweier vorangegangener Arbeiten werden zu einem möglichst geschlossenen, quantitativen Bild des Fließbereichs n‐bestrahlter Cu‐Einkristalle ausgewertet. Eine nähere Untersuchung verschiedener Parameter, insbesondere der Fehlerdichte NZ, ermöglicht die Bestimmung der Aktivierungsenergie U0, die sich für den Potentialverlauf nach Seeger zu 2,6 eV für nichtangelassene Kristalle (2 × 1018 nvt) bei Zimmertemperatur ergibt. Mit dem Anlassen nimmt U0 langsam zu, bei unseren Experimenten auf etwa 3 eV. Für stärker angelassene Proben ist dabei von einer in Teil I angegebenen Formel auszugehen, die im einzelnen begründet wird. Folgerungen über den Potentialanstieg der Gleithindernisse werden gezogen, und der Temperaturgang der Aktivierungsenergie wird diskutiert.

Im Anhang werden verschiedene Potentialansätze aufgeführt und eine erweiterte Beziehung zwischen Versetzungsbogenlänge und wirkender Spannung abgeleitet.
Fringe Patterns at Anti‐Phase Boundaries with α = π Observed in the Electron Microscope
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

A study is made of the fringe patterns observed in transmission electron microscopy at anti‐phase boundaries or stacking faults with α = π. Use is made of the dynamic theory including anomalous absorption. The results are compared with observations of anti‐phase boundaries in titanium dioxide.

The specific properties of the fringe patterns at π‐boundaries are discussed analytically and compared with those at 2 π/3‐boundaries. From these considerations, criteria can be established which distinguish π‐boundaries by their contrast features. Some computed profiles illustrate the agreement of this theory with observations on rutile. A discussion is included of the fringe characteristics at the intersection of bend faults. Finally, the contrast effects at parallel and intersecting overlapping faults are analysed.
Kleinwinkelstreuung von langwelligen Neutronen an Versetzungen in kaltverformtem Kupfer
Authors: Christ J.
Published: July 2007

Es wurde die Kleinwinkelstreuung von subthermischen Neutronen (λ = 10 Å) an Versetzungen in Kupfer untersucht, welche durch Kaltverformung bei 78 °K erzeugt wurden. Das für eine statistische Anordnung von Stufenversetzungen berechnete ϑ−3‐Streugesetz konnte an polykristallinen Proben bestätigt werden. Aus den gemessenen Wirkungsquerschnitten wurde eine Versetzungsdichte von L = 8 · 1011 cm/cm3 ermittelt; aus den Abweichungen vom ϑ−3‐Streugesetz bei sehr kleinen Winkeln wurde der mittlere Abstand zweier benachbarter Versetzungen zu ungefähr 540 Å geschätzt. Bei Kleinwinkelstreuexperimenten an verformten mittelorientierten Einkristallen konnte die von Seeger und Kröner vorhergesagte azimutale Abhängigkeit der Streustrahlung beobachtet werden, wenn die Einstrahlrichtung parallel zur Gleitebene lag.
Einfluß von α‐Bestrahlung bei tiefer Temperatur auf den Elastizitätsmodul von hochreinem Kupfer
Authors: König D. , Völkl J. , Schilling W.
Published: July 2007

An einem Ende fest eingespannte, 5 μm dicke Kupferblättchen (99,999% Reinheit) von etwa 6 mm Länge und 2 mm Breite wurden bei ca. 30 °K mit α‐Teilchen aus einer 210Po‐Quelle bestrahlt und dann zu Querschwingungen angeregt. Aus der Schwingungsfrequenz wurde der Elastizitätsmodul bestimmt. Es zeigt sich eine starke E‐Modulerniedrigung bei der Bestrahlung, die mit zunehmender Dosis einem Sättigungswert zustrebt (ca. 18% Modulerniedrigung). Nach Aufwärmen auf Zimmertemperatur steigt der Modul wieder bis zu seinem ursprünglichen Wert an. Das Ausheilen erfolgt in charakteristischen Temperaturgebieten, die mit den bekannten Stufen bei Erholung des Widerstandes nach Tieftemperaturbestrahlung identisch sind. Die gefundenen Moduländerungen können nicht durch das Festlegen von Versetzungen, sondern müssen als Volumeffekt gedeutet werden, bei dem die Zwischengitteratome und Leerstellen mit ihren Verzerrungsfeldern als polarisierbare Einschlüsse in das Gitter aufzufassen sind.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen an CdS‐ und CdSe‐Aufdampfschichten
Authors: Berger H. , Gutsche E. , Kahle W.
Published: July 2007

Es wurden Oberflächenabdrucke von unbehandelten sowie von verschiedenen Behandlungen unterworfenen CdS‐ und CdSe‐Aufdampfschichten elektronenmikroskopisch untersucht. Als Behandlungsverfahren wurden Temperungen im Hochvakuum, in Argon, in Stickstoff und an Luft durchgeführt. Es zeigte sich eine Zunahme der mittleren Kristallitgröße mit wachsender Kondensationstemperatur. Bei den Temperungen wurde eine Rekristallisation in inerter Atmosphäre bei Temperaturen oberhalb 500 °C, an Luft auch bereits unterhalb 500 °C, beobachtet.
Elektronenmikroskopische Bestimmung der Orientierungsverteilung der Kristallite in gewalztem Kupfer
Authors: Lücke K. , Perlwitz H. , Pitsch W.
Published: July 2007

Es wird ein Meßverfahren beschrieben, nach dem durch elektronenmikroskopische Feinbereichsbeugung die Orientierungsverteilung der Kristallite in verformten Metallblechen quantitativ bestimmt werden kann. Dieses Verfahren wird auf bei Raumtemperatur gewalztes Kupfer angewendet. Die dabei erhaltenen Ergebnisse stimmen im wesentlichen mit entsprechenden röntgenographischen Texturbestimmungen überein. Darüberhinaus zeigte sich, daß die untersuchte Kupferwalztextur keine ausgeprägten Maxima in der Orientierungsverteilung besitzt. Statt dessen wurde gefunden, daß der Hauptteil dieser Textur relativ gleichmäßig verteilt ist über einer Orientierungsbereich, der durch die Lagen (011) [211] und (112) [111] begrenzt wird.
Der Einfluß von Versetzungen auf die Intensität eines magnetischen Kernresonanzsignals
Authors: Kanert O.
Published: July 2007

Es wird über magnetische Kernresonanzmessungen an Alkalihalogenidkristallen (Na23Cl, Na23F19, KBr79,81, KJ127) berichtet. Die integrale Signalintensität nimmt mit wachsender plastischer Verformung, d. h. mit zunehmender Versetzungsdichte, ab. Die Ursache dieser bei einem Kernspin I > 1/2 vorliegenden Signaländerung ist die Wechselwirkung zwischen dem Quadrupolmoment und dem durch diese Gitterstörung erzeugten elektrischen Feldgradienten. Unter der Annahme einer statistischen Verteilung der Versetzungen wird ein Ausdruck für die Abhängigkeit der Signalintensität von der Versetzungsdichte angegeben. Gleichzeitige Messungen der Versetzungsdichte mit der Ätzstippenmethode und der Intensität des NMR‐Signals an NaCl liefern Übereinstimmung zwischen Theorie und Experiment. Außerdem werden mit dieser Methode für die oben angegebenen Kristalle Versetzungsdichten als Funktion der plastischen Verformung bestimmt.
Zur Änderung der Thermokraft von Metallen im Magnetfeld
Authors: Lück R. , Ricker Th.
Published: July 2007

Nach einer Übersicht über galvano‐ und thermomagnetische Effekte werden Meßwerte des ersten und zweiten Ettingshausen‐Nernst‐Koeffizienten von Edelmetallen, einigen B‐Metallen und den T‐Metallen Platin und Palladium bei Raumtemperatur angegeben. Die gemessenen Werte des zweiten Ettingshausen—Nernst‐Koeffizienten ergeben sich nach Vorzeichen und Betrag unterschiedlich und sind größer, als nach theoretischen Überlegungen zu erwarten war.
Zur Theorie des Ferromagnetismus dünner Schichten
Authors: Hemschik H.
Published: July 2007

Benutzt man reale Randbedingungen für die Wellenfunktionen des Bändermodells, so wird die Zustandsdichte an den Grenzen der ersten Brillouin‐Zone vergrößert. Entspricht dieses Gebiet des ΐ‐Raumes dem oberen Rand des Energiebandes, so erhöht sich dort die Zustandsdichte um einen der Schichtdicke umgekehrt proportionalen Betrag. Der Aufwand an kinetischer Energie beim Übergang in den ferromagnetischen Zustand wird verringert, der Ferromagnetismus dadurch stabiler. Aus der Kollektivelektronentheorie folgt ein Anstieg der Curietemperatur mit abnehmender Schichtdicke. In der Spinwellentheorie, die dem Problem besser angepaßt ist, sollten solche „metallischen”︁ Effekte die Schichtdicken abhängigkeit der spontanen Magnetisierung nicht wesentlich herabsetzen.
Zur Absorption von Silberbromid mit zweiwertigen Fremdionenzusätzen nach Bestrahlung I. Absorptionsspektren
Authors: Stasiw M.
Published: July 2007

Es wird der Einfluß einer zusätzlichen Dotierung mit zweiwertigen Kationen auf die Absorptionsspektren bestrahlter Silberbromidkristalle mit Chalkogenionenzusatz bei tiefer Temperatur untersucht. Es zeigt sich, daß die in solchen Kristallen durch Bestrahlung in die Ausläuferabsorption entstehende photochemische Hauptbande unter bestimmten Bedingungen ins Langwellige verschoben ist. Die Erklärung der experimentellen Ergebnisse im Rahmen der bisherigen Auffassung der Hauptbande als Absorption von [Ag0˙Ch′Br□] führt zu Schwierigkeiten. Die Möglichkeit der Deutung der Spektren durch Zuordnung der Hauptbande zu einwertigen Chalkogenionen wird diskutiert.
Über einige durch Gitterfehlstellen verursachte mechanische Dämpfungserscheinungen in Kupfer
Authors: Walz E.
Published: July 2007

In einer zur Messung der inneren Reibung bei Frequenzen von ca. 0,05 Hz bis 4 Hz und bei Temperaturen zwischen 110 und 450 °K gebauten Apparatur, in der Einkristalle vor der Messung bei Temperaturen T ≦ 110 °K verformt werden können, wurde die Temperaturabhängigkeit des logarithmischen Dekrements bei mehreren Frequenzen an verschieden stark verformten Cu‐Einkristallen verschiedener Orientierungen sowie an abgeschreckten Cu‐Drähten gemessen.

In den Kurven δ(T) zeigen sich zwischen 200 und 450 °K fünf ausheilende Erhebungen, die für eine Frequenz von 0,5 Hz bei Temperaturen von etwa 225, 250, 290, 330 und 410 °K auftreten. Nach dem Aufheizen auf 450 °K bleibt eine gemäß exp (− Q/k T) von der Temperatur abhängende Restdämpfung übrig.

Zwei der fünf Erhebungen konnten als Ausheilstufen (225 und 290 °K), zwei als Relaxationsmaxima bestimmt werden (250 und 350 °K). Die Stufe bei 225 °K wird auf eine Wechselwirkung von Doppelleerstellen mit Versetzungen zurückgeführt. Das Maximum bei 250 °K wird den Platzwechseln von Zwischengitteratomen an Versetzungen zugeordnet, die Ausheilstufe bei 290 °K dem Ausheilen von Leerstellen. Das Maximum bei 330 °K wird durch mehrfache Platzwechsel von Leerstellen an Versetzungen zu erklären versucht. Die übrigen Erscheinungen können noch nicht gedeutet werden.
The Debye‐Waller Factors of Aluminium, Silver, and Sodium by de Launay's Method
Authors: Mahesh P. S.
Published: July 2007

The Debye‐Waller exponents for aluminium, silver and sodium have been calculated from de Launay's electron gas model. A sampling technique has been used, as in an earlier paper of Mahesh and Dayal. These is agreement between theoretical and experimental values up to 600 °K in the case of aluminium and silver and up to 200 °K for sodium.
Neue Erscheinungen in sehr dünnen Metallschichten
Authors: Borzjak P. G. , Sarbej O. G. , Fedorowitsch R. D.
Published: July 2007

Bei im Hochvakuum (p = 10−8Torr) aufgedampften sehr dünnen Gold‐ und Silberschichten mit Inselstruktur wird durch den Stromdurchgang eine Elektronenemission und eine Elektrolumineszenz hervorgerufen. Die Intensität dieser Erscheinungen hängt wie auch die Leitfähigkeit der Schicht von der Austrittsarbeit ab, die durch Adsorption von BaO variiert wurde.
Effect of Electron Irradiation on the Magnetoresistance of InSb
Authors: Euthymiou P. C.
Published: July 2007

Sample of n‐ and p‐type InSb are irradiated by 1 MeV average energy beta‐rays at low temperatures. For the n‐type material the radiation damage results in a small increase in the electron‐concentration. This is not in agreement with other investigations. The Hall mobility is found to decrease as expected. From the resistivities ϱ0 and ϱB (without and with a magnetic field) and the concentration n of electrons the constant A of the formula in Wilson's theory is determined. Before irradiation the n‐type sample (n = 1.047 × 1015 carriers/cm3 at T = 78 °K) is found to have A = 0.0376, which indicates mixed scattering. Upon irradiation at 78 °K, A increases to the value 0.0403, which can be explained by the increased importance of the scattering from ionized defects. For p‐type material the radiation damage results in an increase of hole concentration and a decrease in the Hall mobility. This is in agreement with other investigations. Before irradiation the p‐type sample (p = 4.47 × 1014 carriers/cm3 at T = 90 °K) is found to have A = 3.27. This is larger than the largest theoretical value 2.12, calculated for the case where scattering from ionized defects is predominant. Upon irradiation at 78 °K the p‐type sample is found to have A = 4.13. Annealing experiments done on both the crystals show that A tends to return to its initial value.
Zur Absorption von Silberbromid mit zweiwertigen Fremdionenzusätzen nach Bestrahlung. II. Näherungsweise Berechnung der Absorption einwertiger Chalkogenionen
Authors: Stasiw M.
Published: July 2007

Im Zusammenhang mit der in Teil I1) vorgeschlagenen Deutung der photochemischen Hauptbande in bestrahlten chalkogendotierten AgBr‐Kristallen als Absorption der einwertigen Chalkogenionen wird eine Berechnung der Absorptionsenergie des O−‐Ions auf der Basis eines stark vereinfachenden Modells durchgeführt. Dabei wird das O−‐Ion mit seiner Umgebung als F‐Zentrum, dessen Lücke von einem Chalkogenatom besetzt ist, betrachtet. Zur Berechnung dieses Zentrums wird die von Gourary und Adrian zur Farbzentrenberechnung benutzte Methode übertragen.
Grain Boundary Sliding in Bicrystals of Tin
Authors: Tuck Brian
Published: July 2007

Bicrystals of tin were tested in shear over a range of stresses and temperatures near the melting‐point. Boundary sliding occurred initially at a constant rate, followed by a period of steadily decreasing rate until movement almost ceased; the initial rate data fell into two clearly defined groups. In a few specimens, sudden increases in sliding rate were observed. Values were calculated for the activation energy and the stress dependence of the initial rate of sliding. During a test, the boundary trace on one of the bicrystal surfaces became very irregular. A straight trace could be regained by electropolishing the surface and an increased rate of sliding was obtained if the specimen was retested.
Isoperiodic Variation of the Compressibilities of the Elements
Authors: Kempter C. P.
Published: July 2007

It is shown that the compressibilities of the solid elements may be systematically expressed as a function of atomic volume for definite isoperiodic series. In the absence of pressure induced discontinuities, such as a phase change, the isoperiodic relationships are independent of pressure. The following isothermal coefficients of volume compressibility (β × 107cm2/kg at room temperature and one atmosphere) are predicted: α‐Sc: ∼ 20, Tc: 2.8, α‐Tb: 28, Re: 2.7, Os: 2.7, α‐Po: ∼ 35, and if trivalent, Pm: 33.
Photovoltaic Effect in Photoconductor‐Dielectric‐Metal Sandwiches
Authors: Forlani F. , Minnaja N.
Published: July 2007

A new theroretical treatment based on a proper linearization of the basic non‐linear system, is given for the photovoltaic effect in a photoconductor‐dielectric‐metal structure. Particular attention is paid to the conditions under which such a linear approach is valid, and the possible generalization of the approximation (metal‐photoconductor with anomalous photovoltage) is discussed. The complicated overall effects of the interfacial barrier structure are adequately described by proper phenomenological parameters. The formula for the Dember effect and the physical interpretation of anomalous photovoltaic effects are critically compared with the results of the preceeding theories.
Über stimulierte Rekombination in der Halbleiteranode einer Entladungsdiode
Authors: Hora Heinrich
Published: July 2007

Um stimulierte Rekombination der Ladungen in einer Entladungsdiode (Plasma‐ oder Vakuumentladung) analog zur p–n‐Laserdiode zu erhalten, kann man die konzentrierte Rekombination in einer Halbleiteranode vom entarteten p‐Typ ausnützen. I–V‐Verbindungen ergeben dann besonders geringe Erwärmungsverluste. Für Cs3Sb mit direkten Übergängen wird die minimale Stromdichte |j| auf der Basis der Laserbedingung von Schawlow und Townes berechnet, wobei die Fermiverteilung im Valenzband, die Beugung und Verluste durch free‐carrier‐Absorption in Betracht gezogen werden. In einem 1 cm langen, 10 μm dicken Plättchen mit 1019 Löchern/cm und 99% Reflexionsvermögen der Enden ist |j| größer als 6,22 A/cm2 erforderlich.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen an Wachstums‐ und Abbauflächen von Cd‐Einkristallen
Authors: Mutaftschiew B.
Published: July 2007

Die beim Wachstum von Cd‐Einkristallen aus der Dampfphase entstehenden Flächen wurden elektronenmikroskopisch untersucht. Auf der Oberfläche erscheinen beim Wachstum, wie auch beim Abdampfen in allen Fällen die Flächen {001}, {1010} und {1122}. Von den anderen aus der Theorie [1] folgenden sind die Flächen {1011} und {1120} nur als Abstumpfungen von Kanten sichtbar. Die {001}‐ und {1122}‐Flächen sind in den Grenzen des Auflösungsvermögens der Präparationsmethode (10 Å für das Pt‐Kohle‐Abdruckverfahren) glatt. Das Erscheinen der Nichtgleichgewichtsformfläche {1122} wird diskutiert.
Untersuchung der Magnetisierungsvorgänge in Nickeleinkristallen anhand von Messungen der Anfangssuszeptibilität
Authors: Rieger H.
Published: July 2007

Zur Untersuchung der für die Anfangssuszeptibilität maßgebenden Magnetisierungsvorgänge wurde an ein‐ und vielkristallinen Nickelproben die Temperaturabhängigkeit der Anfangssuszeptibilität sowie deren Veränderung infolge plastischer Verformung bestimmt. Die Analyse dieser Messungen ergab, daß bei Nickel in Ein‐ und Vielkristallen weitgehend dieselben Magnetisierungsprozesse die Anfangssuszeptibilität bestimmen: Oberhalb +200 °C bis zum Curiepunkt Drehungen der Magnetisierungsvektoren und unterhalb +200 °C Blochwandbewegungen. Die Veränderungen des Temperaturgangs der Anfangssuszeptibilität bei plastischer Verformung zeigen u. a., daß durch innere Spannungen eine Veränderung der Blochwandstruktur verursacht wird. Vergleichsweise durchgeführte Koerzitivkraftmessungen ergaben außerdem, daß für die Anfangssuszeptibilität und die Koerzitivkraft im wesentlichen dieselben Magnetisierungsvorgänge verantwortlich sind.
A Theory of Thermal Diffusion Based on the Lattice Dynamics of a Linear Chain
Authors: Schottky G.
Published: July 2007

In an atomistic description of thermal diffusion atomic jump probabilities up and down the temperature gradient are different because of the non‐equilibrium phonon distribution. Starting from Rice's dynamical theory of diffusion this picture is applied to a one‐dimensional model (linear chain). The scattering of the phonons is treated using a Green's function method. The heat of transport is determined from the vacancy flow caused by the temperature gradient. A tentative extension of the results to an f.c.c. lattice gives good agreement with experiments.
Morphologische Beobachtungen und Polarisationserscheinungen bei der elektrolytischen Kristallisation des Silbers an (111)‐Silbereinkristallflächen
Authors: Budewski E. , Vitanov T. , Bostanov W.
Published: July 2007

Die elektrolytische Wachstums‐ und Auflösungsmorphologie von einzelnen (111)‐Flächen wurde an Silbereinkristallen untersucht. Es wurde festgestellt, daß die Wachstums‐ und Auflösungsvorgänge durch die Anwesenheit von Schraubenversetzungen stark beeinflußt sind. Galvanostatische Übergangskurven und morphologische Beobachtungen zeigen einen bedeutenden Einfluß der kristallographischen Struktur der Oberfläche auf das Polarisationsverhalten der Elektrode.
Scattering of Sound Waves by Isotopes and Thermal Conductivity in the Simple Cubic Lattice
Authors: Thoma K. , Ludwig W.
Published: July 2007

The effect of point defects on the thermal conductivity of an insulating crystal is discussed. The mechanical problem of the scattering of lattice waves by point defects can be solved exactly. The resulting cross sections occur in the Boltzmann equation for the phonon distribution, which can be treated by a variational procedure. In particular, a study is made of the effect on the thermal conductivity of isotopes, together with that of other scattering processes due to anharmonicities and the surface of the crystal.
Fehlstellenerzeugung durch aufgespaltene Versetzungssprünge in kubisch‐flächenzentrierten Metallen
Authors: Pfeffer K.‐H. , Schiller P. , Seeger A.
Published: July 2007

Die vorliegende Arbeit behandelt die Kinematik der Bewegung aufgespaltener Sprünge in Versetzungslinien kubisch‐flächenzentrierter Metalle vom Standpunkt der atomistischen Theorie aus, die im Anschluß an Thompson sowie Seeger und Bross entwickelt wird. Wesentlich ist dabei die in der Hirschschen Theorie nicht berücksichtigte Existenz zweier energetisch nahezu gleichwertiger Sprunglinien, nämlich der Leerstellen‐Sprunglinie mit der Leerstellendichte z = 1/3b und der Scher‐Sprunglinie mit verschwindender Volumänderung. Unsere Theorie sagt die Erzeugung von Leerstellen durch die Bewegung von Sprüngen in Stufenversetzungen und die kohärente Erzeugung von Zwischengitteratomen durch Sprünge in 60° ‐ bzw. 120°‐Versetzungen voraus. Ferner ist unter sonst vergleichbaren Umständen zu erwarten, daß die Konzentration der während der plastischen Verformung entstehenden atomaren Fehlstellen mit abnehmender spezifischer Stapelfehlerenergie zunimmt. Die Bedeutung der Ergebnisse für die Theorie der inneren Reibung wird diskutiert.
Phonon‐Drag in hexagonalen Se‐Kristallen
Authors: Stuke J. , Wendt K.
Published: July 2007

An hexagonalen Se‐Kristallen wurde in Richtung der c‐Achse ein Phonon‐drag gefunden, der erwartungsgemäß größer ist als bei Te und der von der Temperatur entsprechend Θp ∼ T−2,5 abhängt. Diese Temperaturabhängigket zeigt, daß die Gitterbeweglichkeit μph der Löcher – im Gegensatz zur exponentiell mit der Temperatur zunehmenden, experimentell bestimmten Beweglichkeit μ – mit steigender Temperatur in normaler Weise abnimmt. Mit Hilfe einer von Herring angegebenen Formel läßt sich die Höhe von μph abschätzen. Im Dunkeln ist der Phonon‐drag von Se‐Kristallen wesentlich schwächer als nach Belichtung.
Length Changes on the Irradiation of Gold with α‐Particles in the Temperature Region of —20 to + 90 °C
Authors: Isebeck K.
Published: July 2007

The change in length of thin gold foils (99.999% purity) was studied on irradiation with α‐particles in the temperature region of –20 to +90 °C.

At temperatures below 0 °C about 20 to 50% of the recovery of the change in length was found to be a first order, diffusion limited reaction with an activation energy of (0.65 ± 0.07) eV. The defect densities were of the order of 10−6. The annealing behaviour is interpreted as the recombination of interstitial atoms with vacancies produced within the same defect cascade.

Above 0 °C, the initial dilatation on irradiation is followed by a gradual contraction of the foil. This behaviour is interpreted as being due to the migration of interstitial atoms to the surface of the foil.

At temperatures between 40 and 65 °C the recovery was found to be exponential after prolonged annealing for about 50% of the recovery. The activation energy is (0.81 ± 0.03) eV. The latter portion of the recovery is identified with the migration of vacancies to dislocations.
Magnetic After Effects in Iron after Low Temperature Irradiation with Neutrons
Authors: Balthesen E. , Isebeck K. , Wenzl H.
Published: July 2007

High purity iron was irradiated at low temperatures with neutrons to various doses. Magnetic after‐effects due to radiation induced defects were investigated in careful annealing experiments from 4.5 to 300 °K. A number of pronounced orientation after‐effects with complex annealing behaviour were found. All relaxation amplitudes were roughly proportional to the dose. The after‐effects disappeared on annealing between 130 and 270 °K. A comparison with other experiments indicates that an annealing stage of the electrical resistivity or the stored energy may correspond to the annealing of several magnetic after‐effects.