bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Crystal Growth of Deuterated KDP and Determination of the Deuterium Content
Authors: Havránková M. , Březina B.
Published: July 2007

The relation between the deuterium concentration in the solution and in the solid phase during the growth of K(H, D)2PO4 crystals at 30, 45, and 60°C has been examined. The solubility of K(H, D)2PO4 in deuterated water was measured. The concentration of D2O in the solvent has been determined by means of the interferometric method with an accuracy of ± 0.4 mol%. The deuterium concentration in the crystals was measured with an accuracy better than ± 1.2 mol% by the same method after decomposing them thermally. The deuterium content in crystals is determined by the deuterium content in the solvent. It is practically not influenced by temperature.
Zur Morphologie und strukturellen Perfektion von InSb‐ und InAs‐Kristallen aus der Gasphase
Authors: Seidowski E. , Voronin V. A. , Prochorov V. A.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit sind die Ergebnisse der Untersuchung der Wachstumsformen aus der Gasphase erhaltener InSb‐ und InAs‐Kristalle zusammengefaßt. Es wird festgestellt, daß bei geringer Übersättigung in der Regel isometrische Kristalle wachsen. Eine Erhöhung der Übersättigung führt zum Wachstum von Haarkristallen. — Durch röntgenographische und goniometrische Verfahren wurde festgestellt, daß isometrische InAs‐ und InSb‐Kristalle einen tetraedrischen Habitus besitzen. Während für InAs Zwillingsbildungen typisch sind, ist für InSb das Wachstum von Haarkristallen charakteristisch. Die Versetzungsdichte betrug bei InAs 2–5 · 103 cm–2, bei InSb war sie um eine Größenordnung geringer.
Kristallzüchtung von Arsentrisulfid
Authors: Bohac P. , Casa A. Della , Gäumann A.
Published: July 2007

Die Löslichkeit von As2S3 in organischen Aminen wurde gemessen. As2S3‐Kristalle wurden unter Druck aus CS2 und hydrothermal hergestellt. Eine (α − β) Strukturumwandlung des As2S3 konnte nicht bestätigt werden; die Farbänderungen von gelb bis rot scheinen durch Fehlstellen im Kristallgitter bedingt zu sein.
Strukturdefekte in versetzungsfreien Silizium‐ Einkristallen aus der tiegelfreien Zonenziehtechnik
Authors: Schröder W. , Jegerlehner K.
Published: July 2007

Versetzungsfreie Siliziumkristalle, die tiegelfrei gezüchtet werden, zeigen eine Defektstruktur, die auf eine in Abwesenheit von Versetzungen sich einstellende Leerstellenübersättigung zurückgeführt wird. Die Defektstruktur wird schliffbildlich und röntgentopografisch nachgewiesen. Eine wesentliche Rolle scheint der noch in den Kristallen vorhandene Sauerstoffgehalt zu spielen.

Die versetzungsfreien Kristalle wurden autoradiografisch und mittels Ausbreitungswiderstandsmessungen hinsichtlich ihrer chemischen Homogenität untersucht. Die Einsetzbarkeit von versetzungsfreiem Material in der Bauelementeentwicklung wurde geprüft.
Einfluß der Realstruktur auf einige Eigenschaften von Supraleitern
Authors: Paufler P.
Published: July 2007

Der Einfluß von Punktdefekten, Versetzungen und Grenzflächen auf die Sprungtemperatur der Supraleitung wird vorwiegend an Beispielen des A15‐Strukturtyps besprochen. Punktfehler vom Substitutionstyp scheinen in diesen Verbindungen maßgeblich für niedrige Sprungtemperatur verantwortlich zu sein.
Continuous Recrystallization in a Double Crystallizer
Authors: Žäček S. , Skřivánek J. , Vacek V.
Published: July 2007

This paper deals with a simple model of steady state recrystallization in a double crystallizer. Equations describing the particle size distribution are formulated and solved. The relations between resulting particle size distribution and working conditions of the double crystallizer are discussed.
Piezoelektrische und elastische Eigenschaften von Triglycinselenatkristallen im Bereich des Phasenüberganges
Authors: Varikash V. M. , Sarembovskaja T. A.
Published: July 2007

Die piezoelektrischen Moduln d21, d23, d25 und die elastischen Koeffizienten S11, S15, S33 und S35 von Triglycinselenatkristallen wurden im Bereich des Phasenüberganges nach der Resonanzmethode gemessen. Es wird gezeigt, daß sowohl die elastischen Koeffizienten wie auch die Piezomoduln im Curie‐Punkt ein scharfes Maximum haben. Der Einfluß des elektrischen Gleichfeldes auf die Temperaturabhängigkeit des piezoelektrischen Moduls d23 und der elastischen Konstanten S33 wurde untersucht, ebenso die Abhängigkeit der genannten Größen von der Stärke des elektrischen Gleichfeldes bei Temperaturen ober‐ und unterhalb der Curie‐Temperatur. Es wurde ein bedeutender Anstieg der elastischen Konstanten S33 der ferroelektrischen Phase in schwachen elektrischen Feldern gefunden. Aus den piezoelektrischen Moduln, der spontanen Polarisation und der dielektrischen Suszeptibilität wurden die Elektrostriktionskoeffizienten Q21, Q23 und Q25 berechnet. Die aufgefundenen Gesetzmäßigkeiten werden auf Grund der Domänenstruktur der Kristalle erklärt.
Eutectic Crystallization of Aluminium Copper Alloys
Authors: Budurov S. , Yaneva S. , Stoichev N.
Published: July 2007

The directional freezing of Al‐Cu eutectic alloys under molten salts has been studied. The value of the specific interphase boundary energy σαβ is found to be smaller than CHADWICK'S and of the same order as for other eutectics. An attempt has been made to appreciate the influence of the growth rate on the interlamellar spacing and tensile strength of alloys investigated.
Herstellung und elektrische Eigenschaften von dotiertem ZnSiP2
Authors: Siegel W. , Ziegler E. , Buhrig E. , Schneider H. A.
Published: July 2007

Die durch Zugabe von Ga und In zur Schmelze hergestellten ZnSiP2‐Kristalle unterscheiden sich in ihren elektrischen Eigenschaften wesentlich von undotierten Proben. Insbesondere die aus der Temperaturabhängigkeit des Hallkoeffizienten ermittelten Aktivierungsenergien belegen, daß in beiden Fällen eine echte Dotierung mit flachen Störstellen vorliegt. Ga und In treten dabei als Donatoren auf, was darauf schließen läßt, daß sie Zn‐Atome substituieren. Das Auftreten starker elektrischer Inhomogenitäten in einem Teil der Proben wird diskutiert.
Bildungsbedingungen und Struktur dünner Bi1−xSbx‐Schichten
Authors: Rechenberg I.
Published: July 2007

Dünne polykristalline Bi1−xSbx‐Filme mit azimutaler Orientierung der Kristalle wurden durch die Flashtechnik und die Katodenzerstäubung abgeschieden. In Abhängigkeit von den Bildungsbedingungen wurde die Struktur dieser Filme analysiert. Die Strukturuntersuchungen wurden mit Hilfe der Transmissionselektronenmikroskopie, der Elektronenbeugung und der Elektronenstrahlmikroanalyse durchgeführt. Wenn man die Schichten nach ihrer Orientierung, der Qualität ihrer Oberfläche und der durchschnittlichen Kristallitgröße beurteilt, so ist die Flashaufdampftechnik der Katodenzerstäubung unter den hier gewählten experimentellen Bedingungen überlegen. Das Bi/Sb‐Verhältnis ändert sich nicht gegenüber dem Target bzw. Quellenmaterial während der Filmbildung.
Einfluß der Transportkinetik auf die Kristallisation von AIIBIVC‐Verbindungen beim Gasphasentransport
Authors: Winkler Konrad , Hein Klaus , Leipner Klaus
Published: July 2007

The reported investigation intended to find tendencies in the influence of thermal and chemical conditions of chemical transport reactions on the growth of ZnSiP2 and ZnSiAs2 crystals. A more favourable crystallisation with less intergrowth is proved, if transport gases of the same system — as e.g. ZnCl2 or SiCl4 — is used instead of PbCl2 and TeCl4. — Depending on the concentration of the transporting medium the largest amount of crystals with lengths of more than 5 mm coincides with the point of lowest transport rate. The number of crystal defects increases with the dimensions of the crystals. — From the experimental results a hypothesis for explaining the locally different growth of crystals of ternary compounds is presented.
Advances in theoretical crystallography. Color symmetry of defect crystals
Authors: Koptsik V. A.
Published: July 2007

The compound (color) groups of symmetry of defect crystals are defined for the first time as subgroups of the wreath product, G(W) = WG ⊆ PsG = (Pg1 ⊗ … ⊗ Pgn) (S) G of two groups, G and P, acting in geometrical and physical subspaces of the matter space, respectively. This definition encloses all the cases of color symmetry that have so far been considered by Heesch; Shubnikov; Belov et al.; Zamorzayev; nan der Waerden et al.; Niggli; Wittke ans other authors. It opens wide new possibilities in the field of physical applications of the group theory. The methods of constructing compound groups and their correspondence to the symmetry of real crystals are discussed in detail. Among the physical applications of the generalized theory there are considered the magnetic symmetry of crystals, the complex symmetry of reciprocal (or Fourier) space, the Mössbauer symmetry of crystals with hyperfine structure of nuclei, the color symmetry of crystal lattices with point defects and the symmetry of crystal growth forms.
Oriented growth of whiskers of AIIIBV compounds by VLS‐mechanism
Authors: Givargizov E. I.
Published: July 2007

The oriented growth of GaAs, GaP, InAs and GaInAs whiskers on the same (GaAs, GaP) or different (InAs/GaAs, GaInAs/GaAs) substrates was studied. A detailed morphological study of GaAs whiskers on polar A(III), B(111) and non‐polar (001), (011) substrates was performed. The growth conditions for ordered (perpendicular to substrate) growth on the A(111) and B(111) faces were determined. There were found discrete spectra of whisker systems on all substrates with the preferential growth of “arsenic” B{111} faces. The dependence of the growth rate on the whisker diameter is typical for the vapour‐liquid‐solid (VLS) mechanism and is used for the determination of kinetic coefficients for polar faces. There was observed a periodic instability in growth of InAs and GaInAs whiskers.
Phase equilibria in the Ga–P system. Calculation of activities and vapour pressures using a simple asymmetrical solution model
Authors: Knobloch G.
Published: July 2007

KRUPKOWSKI'S expression of activity coefficients has been applied to the liquid binary mixed phase of Ga–P. An interaction parameter of α = 1909 – 4.107 T and an asymmetry coefficient of m = 1.448 were determined from liquidus data and an entropy of fusion of GaP of 16.8 e.u. per mole at 1743 K. The activity coefficient of phosphorus along the liquidus curve shows a minimum at xP = 0.032. There is an excellent agreement between calculated and experimental activities and vapour pressures over the whole controllable range of concentrations of the liquid phase. A total phosphorus pressure of 30.8 atms was calculated for the melting point of GaP.
The precipitation of alkaline‐earth metal and transition metal oxalates from aqueous solution. Induction periods and nucleation rates
Authors: Packer A. , Chauhan P.
Published: July 2007

The precipitation of magnesium, calcium, strontium and barium oxalates and of manganous, ferrous, cobalt, nickel and copper oxalates was studied from equivalent aqueous solutions at 22°C: the initial overall concentrations (C) generally varied from 0.001 to 0.2 M and the saturation ratios (Smox) varied from <10 to >3000. The induction periods before the main growth surge were measured and nucleation rates were determined from final crystal numbers and induction periods. Precipitation occurred through homogenous nucleation: the critical nuclei in supersaturated alkaline‐earth metal oxalate solutions were formed by aggregation of 6–8 M++Ox− ion‐pairs while the critical nuclei in supersaturated transition metal oxalate solutions were formed by aggregation of 6–8 MOx complexes (to units of 3–4 M++MOx2− ion‐pairs). Over the range studied, the nucleation rates then varied with saturation ratios according to the relation,
equation image
Nucleation rates at any saturation ratio decreased in the order Mg > Sr, Ba > Ca and Fe > Mn > Co, Cu > Ni; that is, generally in the order of increasing M++–Ox− and M++–MOx2− bond strengths and increasing surface energies of the metal oxalate crystals.

Induction periods decreased with increasing‐concentration and saturation ratio; over
equation image
The factors tC1 and tS1 depended in turn on the ‘rate constants’ for nucleation and growth during the induction periods and on metal oxalate solubilities.
Prospective evaluation of the use of various materials as matrices for active elements of lasers
Authors: Arsenev P. A. , Kamensky E. I. , Potyemkin A. V.
Published: July 2007

Methods of prospective evaluation of the use of various materials as active elements for quantum generators for certain applications are considered. The way of evaluation for all kinds of dielectric crystal lasers with respect to optical quantum generators, applicable in technical designs is given. The influence of material properties on the prospective technical use is considered. The results are summarily analyzed.
Die mittlere quadratische Auslenkung der Atome und der Nachweis eines statischen Verzerrungsanteils in Al1–xGaxAs mit Röntgenbeugungsmethoden
Authors: Brühl H.‐G.
Published: July 2007

Die mittlere quadratische Auslenkung der Atome im Al1–xGaxAs Mischkristall (x = 0,16) wurde bestimmt durch die Messung der integralen Reflexintensitäten von polykristallinem Material bei Zimmertemperatur. Die röntgenografische Debye‐Temperatur des Mischkristalls wurde ermittelt. Die mittlere quadratische Auslenkung der Al‐Atome ist kleiner als die der Ga/As‐Atome im Mischkristall.
The precipitation of basic nickel carbonate powders from aqueous solution. Crystallite numbers, composition and final sizes
Authors: Packter A. , Uppaladinni S. C.
Published: July 2007

The precipitation of basic nickel carbonate hydrates was studied from nickel sulphate solutions (concentrations 0.05 M to 1 M) at 96°C, by addition of sodium carbonate, bicarbonate‐carbonate and bicarbonate solutions. Precipitate compositions were determined by chemical analysis, thermogravimetric analysis, differential calorimetry and i.r. spectrophotometry; approximate final crystallite sizes and numbers were estimated from combined sedimentation and porosity measurements on precipitate aggregates.

Nucleation, and then crystal growth, started after some ‘critical pH’ pH = 7.05 to 7.67 (at CO3−−/Ni++ ratio = 0.08–0.12); the solution pH then remained constant (until the CO3−−/Ni++ ratio = 0.8) and then rose to some final value. Nucleus numbers, and thence final crystallite numbers, decreased with increasing bicarbonate content of the precipitating solution and decreasing pH.

Precipitate compositions did not vary significantly with reacting ion concentrations but the Ni(OH)2/NiCO3 ratios decreased from 2 to 1.4 with decreasing pH: thermal analysis and i.r. spectrophotometry confirmed that the final precipitates were mixtures of olated nickel carbonates and not nickel carbonate‐nickel hydroxide mixtures.

Final crystallite sizes of the precipitates from 1 M solutions varied approximately from 0.095 to 0.14 micron, for the above pH range.
Investigations of positron‐annihilation rate in semimetals
Authors: Wagner N. , Brümmer O. , Andreeff A. , Brauer G.
Published: July 2007

The annihilation rates of thermalized positrons in the semimetals bismuth and antimony were measured. We found that the different rates were not based on the various conduction‐electron densities. However, excellent agreement with experimental results was achieved by taking into consideration many‐body effects in a random phase approximation.
Thermoelastische und elastische Eigenschaften des tetragonalen Quecksilberdijodids
Authors: Haussühl S. , Scholz H.
Published: July 2007

Alle elastische Konstanten cij und thermoelastische Konstanten Tij = d log cij/dT (T Temperatur) des tetragonalen HgJ2 wurden mit Hilfe von Ultraschallmethoden an Einkristallen gemessen, die aus der Dampfphase mit der Methode der dynamischen Gradientenumkehr gezüchtet worden waren. HgJ2 weist starke elastische Anisotropie‐Effekte auf, die sich qualitativ aus der Struktur deuten lassen. Die Temperaturabhängigkeit der elastischen Konstanten ist geringer als erwartet. Lediglich die sehr kleine Scherkonstante c66 sinkt beträchtlich mit wachsender Temperatur. Dieses Verhalten dürfte mit der bekannten Phasenumwandlung bei 126°C zusammenhängen.
Triglycine sulphate single crystals growing doped with copper and cobalt ions and study of their dielectric properties
Authors: Tsedrik M. S. , Kravchenya E. M.
Published: July 2007

Growing conditions for TGS single crystals doped with Cu or Co ions are given in a table. ε and tg δ values in growth pyramids depend on crystal growing temperature and the incorporated impurity: Cu2+ ions increase the temperature hysteresis of the dielectric permeabilty. Incorporation of Cu2+ and Co2+ ions considerably decreases the difference in the values ε at 25°C in crystals grown at different temperature.
Determination of linear growth rates of crystals (II). The shape factors method
Authors: Nýavlt J. , Matuchová Marie
Published: July 2007

A method using dimensionless shape factors for the determination of linear growth rates of crystals is described. The relevant shape coefficients are assessed on the basis of properly selected linear parameters of the crystal.
Dielectric losses of alkaline earth doped KCl and NaCl crystals containing z centers
Authors: Pozniak J. , Mariani E. , Machovič L.
Published: July 2007

Results of measurements of the temperature dependence of dielektric losses (tan δ) in KCl:SrCl2, KCl:CaCl2 and NaCl:CaCl2 samples after electrolytic coloration, after F → Z1 conversion and Z1 → Z2 conversion are reported. In agreement with Rosenberger‐Lüty model, Z1 centers display dipolar character due to the presence of the ordinary Me2+‐cation vacancy dipole with adjacent F center. The changes of tan δ after Z1 → Z2 conversion point to the release of a free cation vacancy from the former dipole.
Preparation of highly pure iron by vapour deposition
Authors: Weise G. , Owsian G.
Published: July 2007

Hydrogen reduction of ferrous chloride performed at a hot iron wire results in highly pure iron in the form of polycrystalline rods. The effects of the mixture ratio hydrogen/ferrous chloride and the deposition temperature on the yield and the supersaturation on the type of iron deposition are discussed. The highly pure iron rods produced by vapour deposition have a theoretical density of 7.875 g/cm3. The high purity is demonstrated by a coercivity Hc of 0.01 oersted and a residual resistivity ratio R293°K/R4.2°K of 3 × 103. The purity of this iron is higher than that of repeatedly zone‐melted electrolytic iron and comparable to that of zone‐melted iron prepared from chemically purified iron powder.
Strukturuntersuchung Al‐dotierter Ni/Cr‐Schichten und Untersuchungen zur Legierungsbildung des Al‐Zusatzes zur Dotierung mit der Legierung 80Ni‐20Cr
Authors: Schippel E.
Published: July 2007

Der TK des elektrischen Widerstands von durch Sublimation aufgedampften Ni/Cr‐Schichten (>100 Ω/□ bis etwa 2 k Ω/□) wird durch eine Dotierung der Schicht mit Aluminium auf Werte um Null gesenkt. Nach den Elektronenbeugungsuntersuchungen sind in dieser Schicht drei Phasen im Ansatz enthalten, die γ–γ′‐Phase [Ni3(Cr, Al)], die α‐Phase (Cr) und NiCr2O4. — Der Al‐Zusatz zur Dotierung der Ni/Cr‐Schicht zeigt eine unterschiedliche Legierungsbildung mit dem Draht (2 mm ∅︁) der Legierung 80Ni/20Cr. Ursache der schlechten Legierungsbildung ist das Auftreten einer zusammenhängenden Cr‐Ausscheidung als Sperrschicht bei zu starker Reaktion des Aluminiums bei der Bildung einer intermetallischen Ni/Al‐Phase.
Composition, microstructure and mechanical properties of chemically vapour‐deposited tantalum
Authors: Jerreat D. J. , Rawlings Rees D.
Published: July 2007

The paper reports the results of a structural investigation of C.V.D. tantalum, which had been deposited on a silica substrate. Deposits at 1000°C were high impurity powders or flakes, at 1100°C (normal deposition temperature) foil‐like, these containing much lower silicon contents, being concentrated near the substrate and coming from there by diffusion. The overall silicon content is reported to be due to other kinds of mass transport (i. e. vapour phase transport) and reactions (e.g. Ta with quartz). — Details on the structure and hardness of the Ta layers are given.
Zum Reflexionsvermögen und Polarisationsverhältnis bei der Röntgenstrahlbeugung am Realkristall (II). Beugungstheorie für das Mosaikblockschichten‐Modell
Authors: Stephan D. , Löschau W.
Published: July 2007

Im Teil I dieser Arbeit wurde gezeigt, daß die Ergebnisse einer theoretischen Behandlung der Röntgenstrahlbeugung am Realkristall beliebiger Versetzungsdichte in einem Mosaikblockschichten‐Modell die experimentellen Befunden weitgehend erklären können. In diesem Teil wird nunmehr eine Herleitung und Diskussion der im Teil I benutzten Formeln für den symmetrischen Bragg‐Fall gebracht.
On the possibility of formation of a stable hardened subsurface layer in α‐Al2O3 crystals
Authors: Govorkov V. G. , Berezhokova G. V. , Stepantsov E. A.
Published: July 2007

Reversibility of the microhardness anisotropy and formation of a stable hardened subsurface layer under the influence of gaseous atmosphere during high temperature annealing was investigated.
The precipitation of barium chromate from aqueous solution (with rapid mixing): Kinetics of the crystal growth
Authors: Packter A.
Published: July 2007

The kinetics of precipitation of barium chromate from well‐stirred aqueous solutions of initial solute concentrations C0 = 0.0001 to 0.0010 M (supersaturations 8 to 80) was studied at 25 °C by conductivity measurements and chemical analysis. Nucleation occurred during induction periods and regular crystal growth then took place onto the crystallites formed during the induction periods. The crystal growth was rate‐controlled, in this range, by the rate of deposition of metal salt ions onto the growing crystal surfaces. This rate, at any time, then depended on both the overall surface area (At) and on the residual excess solute concentration (ΔCt) in solution according to the relation,

the growth rate expressed in terms of degree of crystallisation was then

The rate constant (Kα) for the crystallisation of barium chromate at 25 °C was 1.5 106 sec−1 M−2.
Geschwindigkeitsoszillationen beim Wachstum aus der Schmelze mit komplizierten Erstarrungsflächen
Authors: Jurisch M. , Barthel J. , Neumann W.
Published: July 2007

Ausgehend von einem früher beschriebenen Modell wird für eine Wachstumsfront mit relativem Maximum unter den Bedingungen des rauhen Wachstums die Oszillation der Erstarrungsgeschwindigkeit berechnet, die sich bei der Züchtung unter Rotation in einem zur Rotationsachse unsymmetrischen Temperaturfeld ergibt. Es werden insbesondere die Besonderheiten im Geschwindigkeitsfeld und der Anordnung der daraus resultierenden Wachstumsstreifen besprochen.
Zum Nachweis von Sauerstoff in Mikrobereichen von versetzungsfreien Czochralski‐Silizium‐Einkristallen
Authors: Gaworzewski P. , Hähle S. , Riemann H.
Published: July 2007

Nach einer mehrstündigen Wärmebehandlung von versetzungsfreien sauerstoffreichen Czochralski‐Si‐Einkristallen bei 1000°C lassen sich mittels Sirtl‐Ätzmittel züchtungsbedingte Inhomogenitäten anätzen. Es wird gezeigt, daß die Ausbildung dieser Kristallbaufehler durch Wärmebehandlung in engem Zusammenhang mit dem Sauerstoffgehalt für Konzentrationen ≧ 3,5 · 1017 cm−3 steht. — Untersuchungen an verschiedenen Si‐Einkristall‐Chargen und an verschiedenen Orten der Si‐Proben ergaben, daß kein allgemeiner quantitativer Zusammenhang zwischen Ätzgrubendichte und Sauerstoffkonzentration besteht. Die Ausbildung von Ausscheidungen aus übersättigten Lösungen von Sauerstoff im Silizium wird nicht allein von dessen Konzentration, sondern auch von Art und Konzentration der Nukleationszentren bestimmt. Die verwendete Temper‐/Ätztechnik ist als einfaches Verfahren bei der Kristallcharakterisierung und zur Ergänzung von quantitativen Verfahren zur Sauerstoffbestimmung in Si‐Einkristallen einsetzbar.
Zur Integration der Grundgleichungen für bewegte Eigenspannungsquellen in kubischen Kristallen
Authors: Maschke H. , Frischbier R.
Published: July 2007

Auf der Grundlage eines Ansatzes zur Entkopplung des Differentialgleichungssystems für den Gesamtverschiebungsvektor werden Integrale der Grundgleichungen der Versetzungstheorie angegeben. Mit Hilfe dieser Integrale vermag man der elastischen Anisotropie kristalliner Stoffe auch dann Rechnung zu tragen, wenn zeitabhängige Zustände betrachtet werden. — Die Entkopplung gelingt im Falle ebener Verzerrungen für Vorgänge beliebiger Zeitabhängigkeit in kubischen oder hexagonalen Kristallen unter Berücksichtigung allgemeinster plastischer Distorsionen. Auf ihrer Grundlage wird es möglich, für stationäre Fälle die Hilfsmittel der Theorie komplexer Funktionen heranzuziehen.
Structure parameters in mixed liquid crystals (I). Layer thickness of the smectic mixed phases B in the binary system of ethyl‐4‐(4‐ethoxy‐benzylidene‐amino)‐cinnamate and terephthylidene‐bis‐(4‐n‐butyl‐aniline)
Authors: Nasta L. , Diele S. , Sackmann H.
Published: July 2007

The thickness of the smectic layers in binary liquid crystalline mixed phases of the phase type B are measured in dependence on the concentration. Both components have different B‐phase structures. In the part of the binary system with a smectic polymorphism BA the long molecular axes are perpendicular to the layer planes. If the polymorphism is changed by the appearance of a mixed phase of the type C, i.e. the smectic polymorphism BCA exists, there occurs a transition into the B‐phase structures with tilted axes, the tilt angle of which is changed continuously with the concentration.
Plastische Verformung von Siliziumeinkristallen unterschiedlicher Ausgangsversetzungsdichte im Streckgrenzenbereich
Authors: Doerschel J. , Kirscht F.‐G. , Baehr R.
Published: July 2007

Mittelorientierte ZF‐Siliziumkristalle — versetzungsfrei und mit eingewachsenen Versetzungen (EPD0 = 6,5 · 104 cm−2) — wurden in Kompression im Temperaturbereich 1120 … 1300 K bis zur unteren Streckgrenze dynamisch verformt. Die Untersuchung der Versetzungsstruktur plastisch deformierter Kristalle (T = 1138 K; a0 = 1,45 · 10−4 s−1) erfolgte mittels Ätztechnik und Höchstspannungselektronenmikroskopie.

Beide Materialien zeigen wesentliche Unterschiede sowohl im Verformungsverhalten als auch in der sich ausbildenden Versetzungsstruktur. Charakteristisch für das versetzungsfreie Ausgangsmaterial sind (1) der inhomogene Verformungsablauf im Bereich der oberen Streckgrenze sowie (2) eine höhere Gesamtversetzungsdichte und ein größerer Anteil sessiler Lomer‐Versetzungen an der unteren Streckgrenze im Vergleich zum versetzungsbehafteten Kristall.

Die gemessenen Spannungen werden mit den aus Strukturdaten auf Basis der Plastizitätstheorie diamantähnlicher Halbleiter berechneten Werten verglichen.
The Search for Prospective Media for the Application as Active Laser Elements
Authors: Arsenev P. A. , Bagdasarov Kh. S. , Senff I. , Potemkin A. V.
Published: July 2007

On the basis of an earlier methodology for assessing the quality of laser materials wellknown chemical compounds are considered and among them emphasis is given to those, the single crystals of which can successfully be used as active media in solid‐state lasers. Possible directions of the search for new chemical compounds are shown, the single crystals of which can without doubt be expected to be of interest for quantum electronics.
Untersuchungen zur Entmischungskinetik von AlZnMg‐Legierungen mittels isothermer E‐Modul‐Messungen
Authors: Jürgens G. , Kempe M. , Löffler H.
Published: July 2007

Isotherme Untersuchungen des Zeitverhaltens des E‐Moduls (Y) an mehreren AlZn (2,4; 3,0 und 6,0 At.‐%) Mg(x)‐Legierungen zeigten, daß bereits im frühen Entmischungsprozeß ein Maximum und ein Minimum von Y auftritt. Der Guinier‐Radius (rLG) ist in diesem Stadium kleiner als 10 Å und damit viel niedriger als der von anderen Autoren im Y‐Minimum binärer AlZn‐Legierungen gemessene (rLG ∼ 33 Å). Deshalb sollten das in den AlZn‐Legierungen gefundene Minimum und die in den hier untersuchten AlZnMg‐Legierungen beobachteten Extrema andere physikalische Ursachen haben. Der anfängliche Anstieg von Y sollte wesentlich durch die Anlagerung von Mg‐Atome an Versetzungen bedingt sein (Verminderung der Versetzungsbeweglichkeit). Das Y‐Maximum und der nachfolgende Abfall ist wahrscheinlich durch den Clusterungsprozeß verursacht (Ausbildung von Gitterverzerrungen). Die Wanderungsenergien, die aus der Analyse des Y‐Maximums fließen, lassen sich unter der Voraussetzung erklären, daß im Anfang der Alterung die Cluster wesentlich durch die Diffusion von ZnV‐Paaren gebildet werden, während die Mg‐Atome hauptsächlich als Leerstellenfallen wirken.
Zum Nachweis von Versetzungen in β‐Kupferphthalocyanin‐Einkristallen
Authors: Hamann C. , Kersten F.
Published: July 2007

Für den Nachweis von Versetzungen in β‐Kupferphthalocyanin‐Einkristallen wurde eine Ätztechnik entwickelt und angewandt. Unter Berücksichtigung des zu erwartenden Versetzungsgehaltes und der Symmetrie der Gruben werden praktisch symmetrische Gruben auf den {201}‐ und {001}‐Flächen auf [010]‐Stufenversetzungen mit (001)‐ bzw. (201)‐Gleitebenen und unsymmetrische Gruben sowohl auf {001} als auch auf {201} auf [010]‐Stufenversetzungen mit (100)‐ und (101)‐Gleitebenen zurückgeführt. Die Versetzungsdichte auf Wachstums‐ und Spaltflächen liegt in der Regel unter 100 cm−2. Das Auftreten von [010]‐Schraubenversetzungen wurde nicht nachgewiesen, kann jedoch nicht ausgeschlossen werden.
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Verformungsmikrostruktur eines ferritischen Stahles
Authors: Niederhoff L. , Veit P. , Stroppe H.
Published: July 2007

Die Beziehung zwischen der Versetzungsstruktur und der plastischen Deformation eines kohlenstoffarmen Stahles wurde bei Raumtemperatur untersucht. Die Analyse der Ergebnisse zeigte, daß die Versetzungszellstruktur ein sehr wichtiger Parameter der Verformungsmikrostruktur ist. Es wurde ein Zusammenhang zwischen der plastischen Deformation und der Versetzungsdichte gefunden, der mit einem Versetzungsmodell beschrieben wird.
Precipitation of magnesium hydroxide
Authors: Söhnel O. , Mareček J.
Published: July 2007

Mg(OH)2 was precipitated from MgCl2 and NaOH solutions in a continuous agitated reactor and the effects of the solutions concentration, residence time of suspension in the reactor and stoichiometric ratio of the reacting components on the properties of Mg(OH)2 were studied. The properties of the resulting suspension were evaluated on the basis of its filtration resistance α as determined by a filtration test. The value of α is inversely proportional to mean residence time of the suspension in the reactor and it depends, at the same time, on the ratio of concentration of the precipitated solutions γ = [MgCl2]/[NaOH]. A critical value of γ can be assessed for a continuous reactor and when this value is exceeded a comparatively well filtering suspension with α ≦ 1012 m · kg−1 is always obtained. The relationship between α and the parameters of the precipitation process was expressed quantitatively within the framework of the exiting theories.
Deformation‐mechanism maps of the intermetallic compound MgZn2
Authors: Paufler P.
Published: July 2007

Stress‐temperature curves at constant strain‐rate have been summarized for steady‐state flow conditions of single crystals and polycrystals, and fields of dominating microscopic mechanisms were proposed.
Anomalien der physikalischen Eigenschaften von Sb2Se3‐Kristallen
Authors: Grigas J. , Kindurys A. , Meschkauskas J. , Orliukas A. , Urbonawitschius V.
Published: July 2007

Es werden die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit, der komplexen Mikrowellendielektrizitätskonstante, der Doppelbrechung und der Breite der verbotenen Zone der Sb2Se3‐Einkristalle dargestellt. Im Temperaturbereich 400–430 K besitzen diese Parameter Anomalien, die auf einen unscharfen Phasenübergang hinweisen.
Entstehung von Eigen‐Zwischengitteratomen beim chemisch‐mechanischen Polieren von Silizium
Authors: Reichel J.
Published: July 2007

Es wird die Entstehung von Eigen‐Zwischengitteratomen beim chemisch‐mechanischen Polieren in p‐leitenden Siliziumscheiben beschrieben. Die Identifizierung erfolgt durch Vergleich des Verhaltens mit Scheiben, in denen Eigen‐Zwischengitteratome durch Abschrecken erzeugt worden sind. In diesem Zusammenhang wurde der Einfluß der Oberflächenbeschaffenheit auf das Ausheilen des Defekts untersucht.
Three‐dimensional momentum density reconstructed from positron annihilation measurements of Si single crystals in comparison with compton effect results
Authors: Dlubek G. , Brümmer O. , Gerber W.
Published: July 2007

The three‐dimensional electron‐positron pair momentum density ϱep(p) is reconstructed with the help of the MIJNARENDS'‐analysis using angular correlation curves of 2γ‐positron annihilation‐radiation measured with pz parallel to the [100], [110], and [111] direction of a Si single crystal. ϱep(p) is compared with the electron momentum density ϱe(p) and ϱe(p) which are calculated on the basis of the independent particle model. These momentum densities are taken from the literature. It is shown that the most important differences between the experimental momentum densities ϱep(p) and ϱe(p) can be reproduced by the calculation on the basis of the independent particle model. Some experiences concerning the handling of experimental data and accuracy of reconstructed momentum densities are reported.
Die Temperaturabhängigkeit des Dotanteneinbaus bei der Abscheidung von Siliziumepitaxieschichten aus der Gasphase (II). Der Phosphoreinbau und die Größe der differentiellen molaren Lösungsenthalpie
Authors: Kühne H.
Published: July 2007

Die differentielle molare Lösungsenthalpie für elementaren Phosphor in Epitaxiesilizium wird unter Berücksichtigung der Leitungselektronenkonzentration, die unter den Schichtabscheidungsbedingungen im Silizium vorhanden ist, aus dem Einbaugleichgewicht in an und für sich bekannter Weise ermittelt. Der Wert der für reale Lösungsverhältnisse aus den experimentellen Daten anderer Autoren erhaltenen Lösungsenthalpie beträgt +9,3 kcal/mol. Der für ideale Lösungsverhältnisse erhaltene Wert beträgt +7,1 kcal/mol und stimmt damit gut mit dem theoretischen Wert anderer Autoren von 6,9 kcal/mol überein.
Chemistry of organic eutectics (IV). α‐Naphthol‐β‐naphthol eutectic system
Authors: Singh N. B. , Singh Narsingh Bahadur
Published: July 2007

The detailed methods of investigating the phase diagram, supercooling, crystallization velocity, microstructure, and diffusion coefficient for the α‐naphthol‐β‐naphthol eutectic system have been discussed. The results are discussed in the light of existing theories describing morphology, nucleation, crystallization kinetics, and diffusion phenomena.
Kinetics of dissolution and calcium sulphate growth on {111} faces of calcium fluoride crystals etched in sulphuric acid
Authors: Desai C. C. , John V.
Published: July 2007

The effect of temperature (20–100°C) and concentration of H2SO4 etching solutions on the etching behaviour of {111} faces of calcium fluoride crystals is investigated. Whisker growth of calcium sulphate is observed. Temperature of the etchant also has an effect on their formation. The kinetics of dissolution at the sites of dislocations and general dissolution have been studied. Studies on induction period and its dependence on the concentration of the acid and temperature are also described. It is observed that: (i) at low and high acid concentrations, the dissolution is diffusion controlled while it is predominantly reaction‐rate controlled in the intermediate concentration range and (ii) the growth rate of calcium sulphate whiskers decreases with time and their induction period decreases with increase in the temperature of the solution. The implications are discussed.
Incorporation concentration dependence of phosphorus in the deposition of silicon epitaxial layers from silane‐phosphine‐hydrogen mixtures
Authors: Kühne H.
Published: July 2007

The empirical incorporation characteristic N with the phosphine input pressure (P) as the controlling variable and the phosphorus incorporation concentration ((14 < lg N<18)) as the controlled variable is theoretically explained by comparing the thermodynamic equilibrium pressures of the various phosphorous hydrides and the various molecular species of the phosphorus vapour in the SiPH system in their respective incorporation equilibria with regard to the phosphorus incorporation concentration. In the lower incorporation concentration range (lgN > 18) there is an almost total agreement of the values of the phosphine equilibrium pressure (PPHj; j = 2; 3) and the phosphine input pressure. In the upper concentration range (lg N > 18) there is a close approximation of the equilibrium partial pressure of the dimeric phosphorous vapour (PP2) to the phosphine input pressure. There is no marked effect of the conduction electron density in silicon at the deposition temperatures considered on the incorporation characteristic.
V‐ΔT and V‐λ relation for the naphthalene—adipic acid system
Authors: Singh N. P. , Singh R. N. , Singh O. P. , Singh Narsingh Bahadur
Published: July 2007

The mechanism of crystal growth from the undercooled melt is studied experimentally for the naphthalene‐adipic ac d system by means of a simple capillary technique. The microscopic observations for the 0.11 molefraction of naphthalene‐adipic acid mixture indicated lamellar structure. The relationship between lamellar spacing, λ, and crystallization velocity V was found to be λ2V = constant.
The influence of preageing and the cooling rate on the decomposition processes taking place during artificial ageing in AlZn/4.5at.%/Mg/X/alloys
Authors: Löffler H. , Kabisch O. , Gueffroy G. , Radomsky M. , Honyek Gy. , Ungár T.
Published: July 2007

The influence of pre‐ageing procedures and cooling rates on the processes taking place in AlZn/4.5 at%/Mg/1; 2; 3 at.% alloys during artificial ageing are studied by means of X‐ray small angle scattering and transmission electronmicroscopic investigations. The main results are: The stability of the precipitates grown during the pre‐ageing is increased by the increase of their size. The cooling rate is strongly influencing the decomposition processes at different ageing temperatures, Ta. Preageing procedures seem to affect the ageing behaviour at Ta remarkably only in the case when the pre‐ageing temperature is far enough from Ta.
Über die Richtigkeit und Genauigkeit bei der Messung von Netzebenenabständen
Authors: Vavrda J.
Published: July 2007

In der Arbeit wird der grundsätzliche Unterschied zwischen den Begriffen der Abweichung und des Fehlers betont. Die relative Abweichung als Maß der Richtigkeit kann durch das totale Differential ausgedrückt werden, während der relative Fehler als Maß für die Genauigkeit dient und durch das Fehlerfortpflanzungsgesetz berechnet werden kann. Von diesem Standpunkt werden die bisherigen Behandlungen der differenzierten Braggschen Gleichung im direkten und reziproken Raum erörtert und neu abgefaßt.
Investigations into TiC Refractory Layers on Steel Surfaces by Means of ESCA Spectra
Authors: Than E. , Leonhardt G. , Hopfe V. , Marx G.
Published: July 2007

The investigation of the element composition of TiCx layers depending on depth profiles shows that the samples stored on air are coated by a contamination layer of hydrocarbons. The subjacent layer consists of about 19 mole‐% Ti, 26 mole‐% C, 45 mole‐% 0 and less than 5 mole‐% of Cr and Fe. The change of the position of the C1s, 01s and Ti2p‐lines depending on depth profiles allows us to draw conclusions from changes in the chemical bonding states of these elements. — A detailed profile analysis of the C1s‐line shows five different bonding states of carbon (CyHx, TiCx, Fe3C, elemental C and 〉CO‐compounds). The change of the O‐ and Ti‐bonding states within the layer consists particularly in decreasing OH‐bond as compared with oxide‐bond and also of TiOx in comparison with TiCx.
Etching and Polishing Studies on MgO Crystals in Acids
Authors: Sangwal K. , Patel T. C. , Kotak M. D.
Published: July 2007

The effect of temperature and concentration of a variety of inorganic and organic acids, on etch rates is investigated. It is observed that in HCl, CH3COOH and C2H5COOH the value of activation energy of dissolution and that of the corresponding pre‐exponential factor are sensitive to acid concentration. In H3PO4 and HCOOH, while the value of activation energy remains unchanged, only the pre‐exponential factor changes. The concentration dependence of etch rates in HCl, CH3COOH and C2H5COOH is different from that of H3PO4 and HCOOH. In the former acids maximum and minimum values are obtained on the etch rate versus concentration curves, but in the letter ones etch rate slowly increases with concentration. The influence of temperature on the maximum value of etch rate on the etch rate‐concentration plots of HCl, and that of the degree of dissociation of the acids on etch rate are also studied. The observations are discussed, and important conclusions are enumerated.
Vergleichende Untersuchungen zur Genauigkeit der radialen Verteilungskurven am Beispiel des Kieselglases
Authors: Zickert K. , Steil H. , Geick C. , Herms G. , Becherer G.
Published: July 2007

Es werden bereits seit vielen Jahren röntgenographische Strukturuntersuchungen an glasigem SiO2 durchgeführt. Ein Vergleich der im Rahmen dieser Arbeiten ermittelten RDF ist nur schwer möglich, da bei den Autoren unterschiedliche Fehler in den Meßanordnungen auftreten bzw. Unzulänglichkeiten in der Auswertung bestehen.

Außerdem ist zu berücksichtigen, daß die verwendeten Proben teilweise strukturelle Unterschiede aufweisen können.

Deshalb wurden unterschiedlich hergestellte bzw. behandelte Proben unter gleichen Bedingungen vermessen, um Informationen über strukturelle Unterschiede zu erhalten.

Es erwies sich als notwendig, vergleichende Untersuchungen an einer „Standardprobe”︁, d. h. eines beliebigen, aber für alle Untersuchungen gleichen Präparates, durchzuführen, wobei auf unterschiedlichen Röntgengroßwinkel‐Diffraktometern nach verschiedenen Aufnahmetechniken gemessen wurde, um sowohl den Einfluß von Meß‐ als auch von Auswertefehlern zu erkennen.
In‐situ HVEM Investigations under the Influence of Ion Beams
Authors: Jesser W. A.
Published: July 2007

A 200 kV ion accelerator was coupled to a 500 kV TEM for in‐situ studies of the 80 keV He+ irradiation of 316 stainless steel. Dynamic and static observations of bubble growth, exfoliation and blistering show that slip bands, incoherent twin boundaries and grain boundaries are preferred sites for helium bubble formation. Bubble growth is enhanced by plastic deformation during irradiation. Exfoliation and blistering occur in samples thinner than the projected range of 80 keV He+ ions. Crack propagation during tensile tests proceeds through the bubbles enlarging them in diameter by a factor of two. Bubble enlargement also accompanies the formation of a blister cap. Brittle intergranular failure, even in samples with a large bubble population on the grain boundaries, occurred only when tensile tests were performed at elevated temperatures.
The Molecular and Crystal Structure of 1Ref, 3trans‐bis (4‐chlorophenyl)‐2cis‐nitro‐5‐oxo‐perhydropyrazolo [1,2‐a]pyrazol
Authors: Kutschabsky L. , Kretschmer R. G. , Dorn H.
Published: July 2007

The structure of the title compound has been determined by means of an X‐ray analysis. This product has been obtained by a 1,3‐dipolar cycloaddition according to the concerted [π4S+π2S]‐mechanism. The substance crystallizes in the monoclinic space group C 2/c with 8 molecules in the unit cell of dimensions a = 23.587; b = 11.789; c = 12.932 Å; β = 95.47°. The molecular structure determined by X‐ray analysis agrees with the results of the chemical investigations. The final R‐value is 0.081.
Elastic Interaction of Point Defects with a Precipitation near a Solid Surface or an Interface
Authors: Michel B.
Published: July 2007

The paper deals with elastic interaction between point defects and a precipitate (region of precipitation) under the immediate influence excerted on the defects by an interface or a surface of the solid. A formula is presented taking into account an additional internal mechanical structure of the precipitation, such as variations of concentration or local dilatations. It is shown that the elastic interaction energy between point defect and precipitation can exceed the interaction energy between point defect and interface. Conclusions with respect to drift diffusion of point defects towards the defected region follow.
The influence of ambient gas atmosphere on the liquid and solid composition at liquid phase epitaxial growth of GaAs–Alx‐Ga1−xAs layers
Authors: Herrmann F. P. , Stadermann G. , Wagner G.
Published: July 2007

Epitaxial gallium arsenide and gallium aluminium arsenide layers were grown from gallium solution on chromium‐doped semi‐insulating gallium arsenide. The effect of residual water concentration in the ambient gas atmosphere on change of aluminium in AlxGa1−xAs was determined. It was shown that a water concentration less than 5 ppm is necessary to grow epitaxial layers with high reproducible XAlAs‐content and low carrier concentration.
Investigation of GaAs—InyGa1−yPzAs1−z–InxGa1−x‐As grading heterojunctions formation
Authors: Bolkhovityanov Yu. B. , Bolkhovityanova R. I. , Yudaev V. I.
Published: July 2007

The initial stages of growth of GaAs–InGaAsPvar–InxGa1−xAs heterostructures (x = 0.1 and 0.17) were investigated for the equilibrium‐cooling method of LPE growth. Similar investigations were carried out for GaAs–InGaAsPvar–In0.05Ga0.95As heterocompositions, but for the step‐cooling technique.

The scheme of growing of In0.17Ga0.83As films of GaAs substrates with several intermediate buffler InGaAsPvar layers is represented. These heterostructures were shown to have less than 106 cm−2 dislocation density on the overall area of the film (> 2 cm2).
A unified treatment of thickness homogeneity problems in CVD (I). Hot‐wall reactors
Authors: Arnold H.
Published: July 2007

The principal possibilities and limitations for improving macroscopic layer thickness homogeneity in the direction of the main gas stream in chemical vapor deposition (CVD) for electronic purposes are discussed. Approximative expressions are given for optimum temperature profiles in surface reaction‐controlled deposition of polycrystalline and amorphous layers, as well as for the optimum tilting angle of substrates out of the main gas stream in diffusion‐controlled deposition of epitaxial layers.
Influence of dopants and preparation method on the thermoluminescence properties of corundum crystals
Authors: Kvapil Jiři , Vitamvás Z. , Perner B. , Kvapil Jos. , Mánek B. , Adametz O. , Kubelka J.
Published: July 2007

Thermoluminescence (TL) of several types of corundum crystals is described. Undoped crystals showed a weak TL at 15 and 110°C with emission at 330 and 495 nm. Good TL response at 275°C is shown by Cr doped (0.03 wt%) crystals grown by Verneuil method in the oxygen cone of the flame annealed in hydrogen at 1500–1800°C.

The most intensive TL response is shown by crystals doped with Ti and Mo (∼ 10−3wt.%) grown by Czochralski method in reducing conditions. The former may be used to the detection of γ‐rays dose ≥ 10−3 − 10−2 Gy, the latter ≥ 10−7 − 10−6 Gy.
Climb mechanisms and critical temperature in off‐stoichiometric V3Si
Authors: Paufler P.
Published: July 2007

A dislocation climb model is proposed for both vanadium and silicon rich V3Si single crystals. Just the type of constitutional point defects is needed solely which dominates in the sample under consideration. The climb mechanism involves a conversion of one defect type into another and so may be responsible for the changes in critical temperature of the superconductor as observed after plastic deformation at elevated temperatures.