bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Wachstumsmorphologie von Zink‐ und Kadmiumeinkristallen
Authors: Nanev Chr.
Published: July 2007

Es wird über eine nach dem Platin‐Kohle‐Abdruckverfahren durchgeführte elektronenmikroskopische Untersuchung der Oberflächenmorphologie von Zink‐ und Kadmiumeinkristallen berichtet. Die Kristalle werden unter bestimmten Bedingungen aus der Dampfphase gezüchtet. Die Untersuchung zeigt, daß die Oberflächenstruktur der Kristalle von den Wachstumsbedingungen abhängt. Die Temperaturabhängigkeit der Gleichgewichtsform der Kristalle wird geklärt und auf dieser Basis eine gute Übereinstimmung der experimentellen Daten mit früheren Ergebnissen über die Gleichgewichtsformen von Zink [3] gefunden, die durch direkte mikroskopische Beobachtung der Anfangswachstumsformen erhalten wurden.
The Anomalous Vectorial Photoemission from a Cesium‐Antimony Layer
Authors: Hora H. , Kantlehner R.
Published: July 2007

The photoemission from a transparent cesium‐antimony layer is measured. A special arrangement of the cell allows a 75° angle of incidence of the light, so that the reflected and transmitted intensities can be determined simultaneously. With an E‐vector perpendicular or parallel to the plane of incidence, the absolute quantum yields Q are measured as functions of the absorbed light. In this way it is possible, apparently for the first time, to determine the absolute ratios of polarization yield Kabs = Q⊥/Q∥ for large angles of incidence. With glass‐side illumination the vector effect is anomalous (as in previous results), having maximum Kabs values of 1.7 in the region of phonon energies of 2.2 eV. By contrast, the Kabs values are within 10% of unity with vacuum‐side illumination. Besides the virtual absence of the vector effect, there is a small systematic variation around unity. This shows that the electron excitation process is almost isotropic in the direction opposite but parallel to the motion of the photons. Only in the forward direction can anisotropy with a preferred direction perpendicular to the E‐vector be deduced. This is analogous to the Compton effect and may be explained as a predominance of indirect transitions. The ratio of the probability of indirect to direct transitions is estimated, and from this the band structure beyond the minima may be determined.
Thermal Expansion of a Linear Lattice
Authors: Pathak K. N. , Deo B.
Published: July 2007

An expression for the coefficient of linear expansion of a linear lattice is obtained by using the thermodynamic Green's function method.
On the Feasibility of a “Composite” Martensite Model for the (225)f Austenite‐Martensite Transformation
Authors: Morton A. J. , Wayman C. M.
Published: July 2007

In an attempt to account for the (225)f habit in iron alloys a “composite” martensite model has been proposed. Several features of the composite model are examined herein. The assumption that the interface (between the parent and the martensite) is macroscopically undistorted does not appear justified, and the proposed martensite fine structure is not in agreement with that which is observed by transmission electron microscopy.
Hall Effect and Magnetoresistance of n‐InP Crystals at Low Temperatures
Authors: Aliev S. A. , Kesamanly F. P. , Lagunova T. S. , Nasledov D. N.
Published: July 2007

A study is made of the temperature dependence of the Hall constant R(T), the electrical conductivity σ(T), and the magnetoresistance Δ∥/∥(T) between 1.7 and 300 °K in specimens with electron concentrations from 2 × 1016 to 1018 cm−3. A maximum is observed in R(T) in the temperature range 20 to 100 °K; Δ∂/∂ is negative in all specimens below the maximum temperature of R(T). The results are explained by the participation of impurity band conduction.
Akustische Aktivität
Authors: Kluge G.
Published: July 2007

Mit Hilfe der Methode der langen Wellenlängen werden die akustischen Zweige bis zur dritten Näherung untersucht. Breiten sich die Schallwellen in einer Richtung aus, in der sich der Kristall akustisch isotrop verhält, so erhält man für nicht primitive Gitter neben der longitudinalen Welle eine rechts‐ und eine linkszirkular polarisierte Welle, die bei gleicher Frequenz verschiedene Wellenlängen haben. Das heißt, die Polarisationsebene einer transversalen Schallwelle wird gedreht, der Kristall verhält sich akustisch aktiv. Es wird weiter ein Experiment vorgeschlagen, mit dem man die akustische Aktivität nachweisen könnte.
Zero‐Phonon Lines of Color Centers in LiF and NaF
Authors: Kazumata Y. , Kamikawa T. , Ozawa K.
Published: July 2007

The optical absorption of LiF and NaF irradiated by electrons or neutrons is measured at liquid He temperature and above. In these crystals zero‐phonon lines are observed on the F‐aggregate centers. From the temperature dependence of the relative intensities of zero‐phonon lines and broad bands, Debye temperatures are deduced using the Debye approximation, and the semi‐local mode approximation based on the Debye model. Debye temperatures obtained by this method are different in each F‐aggregate center. The coupling between the trapped electrons in the lattice defects and the lattice waves is discussed and interpreted in terms of both the local and normal modes.
Die Temperaturabhängigkeit der Defektelektronenbeweglichkeit in Siliziumkristallen
Authors: Elstner L.
Published: July 2007

Es wurde die Temperaturabhängigkeit der Hallbeweglichkeit an hochgereinigten und dotierten p‐leitenden Siliziumeinkristallen im Temperaturbereich von 20 bis 300 °K gemessen. Unterhalb von 100 °K können die Ergebnisse durch eine kombinierte Streuung der Defektelektronen an akustischen Gitterschwingungen und an ionisierten Störstellen erklärt werden. Bei alleiniger Streuung an akustischen Phononen gilt auch im p‐Silizium das T−3/2‐Gesetz. Zwischen 100 und 300 °K wird der Einfluß einer zusätzlichen Streuung an optischen Phononen diskutiert.
On the Magnetization Directions in the Heisenberg Antiferromagnet ‐ The Random‐Phase Green's Function Method
Authors: Przystawa J.
Published: July 2007

The isotropic Heisenberg antiferromagnet with two inter‐penetrating, translationally invariant, ferromagnetic sublattices is investigated by a Green's function technique in RPA. From the requirement that the Green's functions must not contain the poles at E = 0, the equations for the magnetization vector directions are obtained. These equations are the same as derived in a previous paper using other methods.
Raman Spectrum and Phase Transition in the Ferroelectric Crystal NaNO2
Authors: Chisler E. V. , Shur M. S.
Published: July 2007

The temperature dependence of frequencies of bands at 119, 153, and 220 cm−1in the Raman spectrum of the ferroelectric crystal NaNO2is investigated over the temperature range 40 to 220 °C. An abnormal decrease of the frequency of the dipole vibration at 153 cm−1is discussed on the basis of the Ginzburg‐Anderson‐Cochran theory. On the basis of the experimental data it is concluded that the phase transformation is due to reorientation of the NO−2group around an axis perpendicular to the anion plane.
Temperature Dependence of Oblique‐Incidence Anisotropy in Permalloy Films
Authors: Weber P. , Ruske W.
Published: July 2007

The temperature dependence of the oblique‐incidence anisotropy of approximately non‐magnetostrictive permalloy films evaporated onto unheated substrates is investigated. Characteristic experimental results are as follows: 1. For isothermal annealing the time dependence of the constant of uniaxial anisotropy, Ku, is logarithmic. 2. During annealing Ku changes its sign. 3. The reversible changes of Ku as a function of temperature correspond to that of M28 (Ms saturation magnetization). A tentative explanation of the results is given on the basis of known structural properties of oblique‐incidence films.
Magnetic Anisotropy Induced in Thin Films at Low Temperatures
Authors: Andrä W. , Steenbeck K.
Published: July 2007

The directional ordering of hydrogen atoms reported previously by Adler is investigated for single‐crystals films 96% Ni‐4% Co. The orientation dependence predicted by the same author is confirmed. It is found that an additional anisotropy which also exists in pure Ni without hydrogen can be induced below room temperature. This anisotropy may possibly be explained by the action of Ni interstitials in the dumb‐bell configuration or by divacancies. It is also found that anisotropy can be induced by field annealing at T = 80 °K for time intervals of about 1 min.
Über die Pippardsche Theorie des magnetischen Durchbruchs in Metallen
Authors: Fischbeck H. J.
Published: July 2007

Die Pippardsche halbphänomenologische Theorie [2] des magnetischen Durchbruchs in Metallen wird durch Transformation und WKB‐Behandlung der Schrödingergleichung quantenmechanisch begründet. Dadurch kann der Pippardsche Durchbruchparameter unmittelbar definiert werden. Aus seiner Magnetfeldabhängigkeit ergibt sich die Blountsche Bedingung (δE)2 ≪ħ ωc ℰF für das Auftreten von magnetischem Durchbruch.
Züchtung von Einkristallschichten aus Eisen, Nickel, Kobalt und deren Legierungen
Authors: Kirenskii L. V. , Pynko V. G. , Sivkov N. I. , Pynko G. P. , Sukhanova R. V. , Ovsyannikov M. A.
Published: July 2007

Es wird eine Untersuchung des Wachstums von Epitaxieschichten ferromagnetischer Metalle und ihrer Legierungen auf NaCl‐, KCl‐ und LiF‐Kristallen durchgeführt. Die Kristalle werden dazu im Vakuum gespalten oder bei 10−4 Torr getempert. Im letzteren Falle wird gefunden, daß eine bestimmte Zusammensetzung der Restgase besonders günstig für epitaxiales Wachstum ist.
On the Origin of M‐Induced Anisotropy in Nickel and Permalloy Films
Authors: Kneer G. , Zinn W.
Published: July 2007

The anisotropy field strength HK is measured in thin nickel and 81/19 nickel‐iron films immediately after deposition and during subsequent systematic annealing in external magnetic fields. These measurements are performed with the films kept in ultra high vacuum using a planar Hall effect method. An analysis of the HK‐isotherms and of the temperature dependence of HK gives the spectrum of HK‐contributions of a given film with their relaxation times and activation energies. In non‐magnetostrictive permalloy the main contribution to the anisotropy (of 60 to 85%) is attributed to directional ordering of the iron pairs. In nickel a complicated concurrence of several anisotropy contributions is found. The contribution of the magnetoelastic energy dominates; it can be understood in terms of the constraint model.
The Interpretation of Recovery Stages in Irradiated Metals
Authors: Von Jan R.
Published: July 2007

Recent experiments suggest that in stages I and II bound Frenkel pairs only anneal. Such an interpretation leads to the following model: a vacancy and an interstitial form a bound Frenkel pair when their separation is less than about 10 lattice constants. The pairs which anneal above stage I are produced by multiple displacements or focused replacement sequences, and all pairs arising from defocused single displacements anneal in stage I. Secondary pairs (with partners from different damage events) produce effects similar to those expected from a freely migrating interstitial. A consistent interpretation of the recovery in Au, Cu, and Al can be given in this way.
Electrical Properties of GaSbGa2Te3 and GaSbGaTe Solid Solutions
Authors: Abdurakhmanova A. A. , Aliev M. I.
Published: July 2007

Measurements are made of the Hall coefficient, electrical conductivity and thermoelectric power of GaSbGa2Te3 and GaSbGaTe solid solutions as functions of composition and temperature in the range 100 to 550 °K. It is shown that the maximum electron concentration and electrical conductivity are less in the first case due to considerable distortion of the lattice periodicity by the GaTe. A decrease of Hall mobility is observed as the composition is varied and this is attributed to electron scattering by the disordered alloy structure. The mobility varies with temperature approximately as T−1 at high temperatures. This law fails for T < 290 °K due to the electron gas becoming degenerate. The electrons appear to be dominantly scattered by the acoustic lattice vibrations over the temperature range considered.
Magnetische Mehrfachschichten
Authors: Kirenskii L. V. , Isotova T. P. , Salanskii N. M. , Chistyakov N. S.
Published: July 2007

Es werden die Wechselwirkung zweier magnetischer FeNi und FeNiCo Schichten, die durch eine SiO2‐Schicht getrennt sind und einige Besonderheiten bei der Transmission elektromagnetischer Mikrowellen durch geschichtete dünne Magnetschichten, die durch SiO2 getrennt sind, untersucht. Dabei wird gefunden, daß die Koerzitivkraft der Schichten in einem Vielschichtsystem abnimmt. Dieser Effekt wird durch lokale magnetische Wechselwirkung zwischen den magnetischen Schichten erklärt. Die Abnahme der Koerzitivkraft hängt von der Schichtdicke ab und wird durch den wechselnden Charakter der lokalen Wechselwirkung erklärt. Die Transmissions‐ und Reflexionskoeffizienten wurden gemessen; sie hängen von der Dicke der einzelnen Schichten und von der Gesamtdicke der ferromagnetischen Metallschichten in dem Vielschichtsystem ab. Die Transmissionskoeffizienten für Vielschichtsysteme sind wesentlich größer als bei der einzelnen Schicht. Die Transmission der Mikrowellenergie durch die Vielschichtsysteme wird im Rahmen der gewöhnlichen Elektrodynamik erklärt.
Über die phänomenologische Theorie der Gleichgewichtsformen von Kristallen
Authors: Nenow D.
Published: July 2007

Die Arbeit gibt eine allgemeine thermodynamische Behandlung des Problems der Gleichgewichtsform von Kristallen im Rahmen der Geometrie der Polyeder. Der Fall wird behandelt, bei dem die gesamte Oberflächenenergie, wie auch die spezifischen Oberflächenenergien für beliebige endliche Polyeder, exakt definiert sind. Es wird eine Beziehung hergeleitet, die ein formales Analogon der Wulffschen Regel ist.
Impulsmethode zur Untersuchung der Haftstellen in Kristallen vom CdS‐Typ
Authors: Kirov K.
Published: July 2007

Es wird eine Methode zur Bestimmung der Haftstellenparameter in Kristallen vom CdS‐Typ beschrieben. Zur Messung werden Kristalle mit Elektroden vom “sandwich”‐typ mit mindestens einem Sperrschichtkontakt verwendet. Die Kristalle werden kontinuierlich beleuchtet. Mittels impulsförmig angelegter Spannung bestimmt man die Konzentration der freien Elektronen n0, die Konzentration der von den Haftstellen eingefangenen Elektronen m0 und die charakteristische Zeit für thermische Entleerung der Haftstellen magnified image. Die Termtiefe ΔE kann nach drei Verfahren gefunden werden: 1. aus der Temperaturabhängigkeit von τ, 2. aus der Abhängigkeit des Verhältnisses m0/n0 von der Belichtungsintensität und 3. aus der Temperaturabhängigkeit von m0/n0. Bei Verwendung der so gefundenen Werte ΔE werden dann die Haftstellenkonzentration M und der Einfangquerschnitt S bestimmt. Die Methode ist zur Untersuchung der Feldstärkenabhängigkeit von S sehr geeignet, weil bei starken Feldern die Wahrscheinlichkeiten für Kristallerhitzung, Stoßionisation und Ladungsträgerinjektion aus den Kontakten stark herabgesetzt sind. Die experimentelle Erprobung der Methode ist mit CdS‐Kristallen durchgeführt worden. Die erhaltenen Ergebnisse für ΔE werden mit entsprechenden Ergebnissen aus Leitfähigkeitsglowkurven [2, 9, 11, 13] verglichen. Es ergibt sich gute Übereinstimmung mit den Ergebnissen nach [2], jedoch Abweichung von den Werten nach [9, 11, 13].
Electrical Conductivity of n‐InSe Single Crystals in Strong Electric Fields
Authors: Abdullaev G. B. , Guseinova E. S. , Tagiev B. G.
Published: July 2007

The electrical conductivity of n‐InSe single crystals is studied under pulsed operation conditions in electric fields up to 4 × 104 V/cm within the temperature range 140 to 300 °K. For fields exceeding 900 V/cm Ohm's law is violated and the electrical conductivity increases with field strength according to Frenkel's law σ = magnified image, where β is proportional to 1/T in the range 140 to 300 °K. From the temperature dependence of β = magnified image the electronic component of the dielectric constant is found to be 3 to 4. A breakdown field of ≈︁ 106 V/cm is determined by extrapolating the lg σ = magnified image straight line. The carrier activation energy of 0.18 eV obtained from the temperature dependence of the conductivity in weak fields, decreases with incrasing field strengths. By extrapolating the lg σ = magnified image straight lines a metallization temperature of 16660 °K is found which gives an energy gap of 1.38 eV at absolute zero.
Band Structure of Cubic and Hexagonal ZnS (APW Method)
Authors: Rössler U. , Lietz M.
Published: July 2007

The band structures of cubic and hexagonal ZnS are calculated using the APW method. For cubic ZnS good agreement is found between transitions resulting from the theoretical band structure and optical measurements. The interpretation of the reflectivity measurements using the theoretical band structure differs somewhat from the interpretation given by Cardona and Harbeke [2]. The effective mass of the conduction band edge in the theoretical band structure is in excellent agreement with the value found experimentally. The wurtzite structure has lower symmetry and therefore the convergence of the APW approach is not as good for the hexagonal structure as for cubic ZnS. Nevertheless the relationship between the band structures along the (001) axis of hexagonal ZnS and along the (111) axis of cubic ZnS can be seen.
Hall Effect and Extrinsic Photoconductivity in n‐Type InSb
Authors: Mitchell W. H. , Putley E. H. , Shaw N.
Published: July 2007

A differential method of measuring the Hall effect in the presence of a large constant magnetic field is described. This is used to measure the dependence of the Hall coefficient upon electric field in n‐type InSb at and below 4 °K under conditions where the magnetic freeze‐out is significant. These results show that in the samples studied changes in mobility made the major contribution to the sub‐mm extrinsic photoconductivity.
Theory of the Influence of Surface States on the Impedance of a Semiconductor‐Insulator Interface
Authors: Forlani F. , Minnaja N. , Pagiola E.
Published: July 2007

Measurements of the impedance of MOS diodes, carried out by several workers, show that the frequency response of these devices is affected by the presence of semiconductor surface states. Quantitative considerations are generally difficult due to the complexities of the explicit mathematical description of the underlying physical mechanism. In the present paper it is emphasized that a numerical solution of the set of differential equations, which describes the problem, can allow a rigorous interpretation of possible measurements of ac impedances performed at several frequencies with a bridge in a series arrangement. The determination of the ac series resistance in addition to the ac capacitance, for many types of band bending on the semiconductor surface gives a more complete picture of the situation: while the energy levels and the population of the surface states can be adequately determined by ac capacitance measurements only, the ac resistance evaluation gives more information for establishing the relaxation times, which directly affect the frequency cut‐off of the device. After an outline of the mathematical procedure, some particular cases are discussed and it is shown how the measured quantities can be related to the surface state parameters.
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Versetzungsanordnung verformter Kupferein kristalle III. Bestimmung der Versetzungsdichte
Authors: Essmann U.
Published: July 2007

Kupfereinkristalle, die für Einfachgleitung orientiert waren, wurden im Zugversuch verformt und anschließend zur Fixierung der Versetzungsanordnung mit schnellen Neutronen bestrahlt. Die Dichte der Versetzungen mit primärem Burgersvektor läßt sich durch eine nahezu lineare Funktion der Fließspannung darstellen (ϱpr˜τ). Die Dichte der übrigen sekundären Versetzungen hängt quadratisch von der Fließspannung ab (ϱsek˜τ2). Diese Ergebnisse lassen sich dadurch verstehen, daß bei der Verformung primäre und sekundäre Versetzungen intensiv miteinander reagieren.
Abou Phonon Scattering in Doped GaSb Crystals
Authors: Abdullaev G. B. , Aliev M. I. , Safaraliev G. I.
Published: July 2007

The thermal conductivity of GaSb crystals, doped with Zn and Te, is measured in the temperature range 80 to 600 °K. It is shown that the lattice thermal conductivity of GaSb crystals depends on the type and concentration of the impurity present. In the doped samples a discontinuity in the thermal resistivity occurs in the Debye temperature range. Above and below this range the thermal resistivity depends linearly on temperature with different angle factors. It is considered that this change is a consequence of the role of the optical phonons in the thermal conductivity and the scattering which occurs between the optical and acoustic phonons.
Die Rekombinationsverteilung in der instationären Phase der Elektrolumineszenz von ZnS‐Phosphoren mit Eisengruppenelementen
Authors: Gumlich H.‐E. , Moser R. , Neumann E.
Published: July 2007

Die Elemente Fe, Co und Ni der Eisengruppe wirken im allgemeinen als “Killer” für die sichtbare Lumineszenz, wohingegen ihr Einfluß auf die Aufbauperiode der Elektrolumineszenz von ZnS(Cu) von der Wahrscheinlichkeit des Ladungsüberganges zwischen den Lumineszenzzentren und diesen Elementen abhängt. Die modulierte Elektrolumineszenz eines mit Kobalt dotierten Phosphors steigt zunächst bis zu einem Maximum an und fällt dann wieder ab, bis der niedrigere stationäre Wert erreicht ist. Dieses Maximum ist eine Funktion der Temperatur, der Kobaltkonzentration und der Größe und Frequenz des elektrischen Feldes. Die Temperatur‐ und Frequenzabhängigkeit des absoluten Maximums während der Aufbauperiode ist dem Temperatur‐ und Frequenzverhalten der Killerwirkung des Kobalts auf die Lumineszenz sehr ähnlich. Die Elektrolumineszenz von ZnS(Cu), das mit Fe oder Ni dotiert ist, steigt jedoch monoton nach dem Beginn der Anregung durch das elektrische Feld an, wobei kein Maximum erreicht wird, während die Lumineszenz wie beim Co getilgt wird. Diese Ergebnisse werden durch verschiedene Ladungsänderungsmechanismen erklärt. Für Co muß der Ladungsaustausch mit Elektroneneinfang, Co++ → Co+, eher stattfinden, als die Killerwirkung der Lumineszenz wirksam wird. Dagegen erscheint die volle Killerwirkung von Fe und Ni unmittelbar nach Einsetzen der Anregung, weil die Ladungsänderung Ni++ → Ni+++ und Fe++ → Fe+++ in ZnS sehr schnell verläuft.
Effet des impuretés sur les stades de revenu de la résistivité électrique du nickel bombardé à basse température par des électrons
Authors: Oddou J. L. , Minier‐Cassayre C. , Moser P.
Published: July 2007

Nous avons tracé les courbes de revenu isochrone de l'accroissement de résistivité Δϱ du nickel pur et du nickel contenant certaines impuretés, bombardés par des électrons. La comparaison de ces courbes met en évidence l'interaction entre défauts ponctuels créés par irradiation et impuretés.
Microhardness of Alkali Halide Crystals
Authors: Upit G. P. , Varchenya S. A.
Published: July 2007

The microhardness‐load characteristics for five alkali halide crystals are studied. The equation H = 1854 adn−2 appears to be valid for all samples, all crystals having the same value of n but different values of a. The results are generalized to all alkali halide crystals with the NaCl‐type lattice. The physical interpretation of the observed characteristics is discussed and a correlation between the microhardness and surface energy considered.
Zusammenhang zwischen Raumladung, Oberflächenleitfähigkeit und Bandverbiegung für Photoleiter bei homogener optischer Anregung
Authors: Weber E.‐H.
Published: July 2007

Es werden allgemeine Formeln zur Berechnung des gegenseitigen Zusammenhangs von Oberflächenleitfähigkeit, Raumladung und Bandverbiegung für homogene Photoleiter bei homogener optischer Anregung angegeben. Genauer diskutiert werden folgende Grenzfälle: Photoleiter mit bimolekularer Rekombination und Photoleiter mit monomolekularer Rekombination und tiefen Haftstellen bzw. annähernd exponentiell mit der Energie ansteigender Haftstellenkonzentration. Es wird der Einfluß der Variation verschiedener Parameter, wie Anregungsintensität. (d. h. Volumenelektronenkonzentration) und Oberflächenladung, und der Einfluß eines äußeren elektrischen Feldes (Feldeffekt) diskutiert. Über die Oberflächenzustände wurde dabei vorausgesetzt, daß sie nicht als Oberflächenrekombinationszentren wirken.
Temperaturabhängigkeit der optischen Absorption von Übergangselementionen in Silberchlorid
Authors: Böttger H.
Published: July 2007

Es wird die Temperaturabhängigkeit der optischen Absorption von Übergangselementionen in oktaedrischer Umgebung mit der Momentenmethode untersucht. Die sich ergebenden Resultate dienen anschließend zur Diskussion der Temperaturabhängigkeit der Fläche, Lage und Halbwertsbreite der Absorptionsbande des 3A2(3F) → 3T1(3P)‐Überganges des Ni++ in AgCl.
The Influence of the Primary X‐Ray Beam Divergence on the X‐Ray Wave Field Absorption Coefficients Measured by Means of the Three‐Crystal X‐Ray Spectrometer
Authors: Godwod K. , Kowalczyk R. , Lefeld‐Sosnowska M.
Published: July 2007

An analysis is made of the effect of the primary X‐ray beam divergence on the dependence of the reflected power on crystal thickness d (for Laue diffraction). It is shown that this effect is important, and should be taken into account in the interpretation of experimental data. Calculations are performed for the (220) reflection of a Si single crystal for CuKα1 radiation under the assumption that the monochromator broadening function V(y) can be approximated by a Gaussian function with width ωv. The curves calculated for several ωv are presented.
Effet laser dans le CdS par bombardement électronique
Authors: La Guillaume C. Benoit à , Debever J.‐M.
Published: July 2007

Le laser à CdS émet vers 4910 Å (2,525 eV) à la température de l'Hélium liquide et la transition mise en jeu semble être l'annihilation d'un exiton piégé sur un accepteur neutre avec émission simultanée d'un ou plusieurs phonons.
Étude de la diffusion de la lumière par des cristaux de chlorure de potassium dopés au calcium
Authors: Hauret G. , Girard‐Nottin M.
Published: July 2007

L'étude ultramicroscopique de cristaux de KCl dopés au Ca++ permet de préciser les conditions pour lesquelles apparaissent des précipités d'impuretés. l'étude de la lumière globalement diffusée montre que ces précipités sont cylindriques et qu'ils coexistent avec des associations à symétrie sphérique.
Order‐Disorder Phenomena at the Surface of Solids
Authors: Valenta L. , Sukiennicki A.
Published: July 2007

A study of Ni3Fe shows that changes in the long‐distance order are to be expected at the surface of solids and some possible consequencies of this are mentioned.
Edge Emission in CdS as Internal Radiative Transition in Donor‐Acceptor Associates
Authors: Goede O. , Gutsche E.
Published: July 2007

The short‐wavelength series of the edge emission of CdS single crystals is studied in the temperature range 18 to 150 °K with respect to (i) band shape, (ii) dependence of the half‐width of the components on temperature and excitation intensity, (iii) temperature dependence of the peak position of the zero‐phonon component, (iv) of the polarization ratio, and (v) of the luminescent intensity. It is concluded that this emission is due to an internal electronic transition occurring in nearest‐neighbour donor‐acceptor associates. The half‐width of the components is ascribed to 5 meV‐phonon and centre‐centre interaction. The polarization ratio IE⊥c/IE∥︁c is interpreted as due to a temperature dependent distribution of the associates over the possible directions of orientation in the crystal.
Volumen‐ und Korngrenzendiffusion von Sn und Zn in heterogenen Sn–Zn‐Legierungen
Authors: Bergner D. , Lange W.
Published: July 2007

In heterogenen Sn–Zn‐Legierungen kann für die Aktivierungsenergie der Volumendiffusion von Zn die Gültigkeit der Mischungsregel bestätigt werden. Die Aktivierungsenergien der Korngrenzendiffusion sowohl von Zinn als auch von Zink zeigen beim Eutektikum ein Minimum. Die auf Liquidustemperatur extrapolierten Diffusionskoeffizienten der Korngrenzendiffusion stimmen für Zinn und Zink weitgehend mit den Diffusionskoeffizienten in der Schmelze überein bzw. zeigen bei Sn Abweichungen, die bereits beim Diffusionsverhalten des reines Metalls auftreten.
Die Wärmeleitfähigkeit des gelben PbO zwischen 0 und 500 °C
Authors: Neumann W.
Published: July 2007

Die Wärmeleitfähigkeit λ des gelben PbO wurde von 0 bis 500 °C an Sinterkörpern und bis 200 °C an Kristallen gemessen. Es tritt eine starke Anisotropie der Wärmeleitung auf. Im gesamten betrachteten Temperaturbereich wird die Wärmeleitung durch Umklappprozesse begrenzt. Oberhalb von 300 bis 350 °C weicht λ von der Linearität zu 1/T ab. Abschließend werden die Aussagen der Meßergebnisse über die charakteristischen Temperaturen des Gitterschwingungsspektrums und über den Bindungscharakter diskutiert.
A study of the (222) “forbidden” reflection in germanium and silicon
Authors: Colella R. , Merlini A.
Published: July 2007

The absolute X‐ray intensity of the (222) forbidden reflection is measured in single crystals of Ge and Si by using monochromatic CoKα radiation. The inclusion of multiple reflections in the measured intensity is avoided by a suitable choice of the azimuthal angle. The values of the structure factors F222, deduced from the experimental intensities, are 1.54 and 1.08 respectively for Si and Ge. The F222 value for Si is not significantly affected by mechanical damage or by fast neutron irradiation up to a dose of 3 × 1020 nvt at about 100 °C. Furthermore, a search for the (222) reflection of Si with neutron diffraction and for the (420) X‐ray reflection in Si crystals doped with boron yields negative results. These results do not agree with those of other authors on the increase in the intensity of the (222) reflection and on the appearance of (200) and (420) reflections in doped Ge and in neutron‐irradiated diamond and Ge crystals. Therefore, the “true” intensity of the (222) reflection does not appear to be appreciably affected by lattice defects, but it is due to scattering by electrons of the covalent bonds.
Stapelfehlerdipole in kubisch‐flächenzentrierten Metallen
Authors: Seeger A. , Wobser G.
Published: July 2007

Bei elektronenmikroskopischen Durchstrahlungsaufnahmen an plastisch verformten Ni‐Co‐, Cu‐, Ag‐ und Au‐Einkristallen wurden in der Hauptgleitebene dünne, kontrastarme Linien beobachtet, die genau in <110>‐Richtung verliefen und häufig zwischen den zwei <110>‐Richtungen, die nicht in Gleitrichtung liegen, wechselten. Diese Linien werden als Stapelfehlerdipole gedeutet, bei denen ein Stapelfehler von einer {111}‐Ebene über eine geneigte in eine zur ersten parallele {111}‐Ebene überwechselt. An den äußeren Berandungen der Stapelfehlerbänder und in den Knicklinien liegen jeweils Versetzungen entgegengesetzten Vorzeichens. Als Ausgangspunkt für die Entstehung der Stapelfehlerdipole wird ein Versetzungsdipol aus zwei aufgespaltenen 60°‐Versetzungen zugrunde gelegt. Unter gewissen Bedingungen kann der 60°‐Versetzungsdipol unter Verringerung seiner Linienenergie und Schaffung eines Stapelfehlers auf der geneigten {111}‐Ebene in einen Stapelfehlerdipol übergehen, was durch kleine spezifische Stapelfehlerenergie und kleinen Abstand der Versetzungen begünstigt wird. Mit Hilfe der anisotropen Elastizitäts‐theorie wird die elastische Energie verschiedener Stapelfehlerdipole berechnet und untersucht, bis zu welchen maximalen Abständen der beiden {111}‐Ebenen bei gegebener spezifischer Stapelfehlerenergie die Bildung der Stapelfehlerdipole energetisch günstig ist.
Wandbeweglichkeitsmessungen an Ferriten mit rechteckförmiger Hystereseschleife
Authors: Steinbeiss E.
Published: July 2007

Es wurden mehrere Verfahren zur Bestimmung der Wandbeweglichkeit erprobt und eine Reihe von Ferriten mit verschiedener chemischer Zusammensetzung untersucht. Dabei ergab sich, daß die Wandbeweglichkeit in Rechteckferriten bei einigen tausend cm/s Oe liegt und durch Variation der chemischen Zusammensetzung nicht merklich vergrößert werden kann.
The fine structure of spots in electron diffraction resulting from the presence of planar interfaces and dislocations
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

Observations show that diffraction patterns contain satellite spots due to the effect of stacking faults on the transmitted and scattered beams in transmission electron diffraction. The characteristics of this fine structure of the diffraction pattern are compared with the theoretical predictions derived in part I. An analysis is made of the fine structure in the diffraction patterns from rutile (TiO2) crystals containing antiphase‐boundaries and from stainless steel foils containing stacking faults, and excellent agreement is found between theory and experiment.
The microstructure of tensile kinks in cadmium crystals
Authors: Blasdale K. C. A. , King R. , Puttick K. E.
Published: July 2007

A method of etching dislocations in single crystals of cadmium is described. It has been used to examine the microstructure of kinks formed during the extension of cadmium crystals. A kink consists of two fans of rather irregular low angle boundaries; in the central part, there is frequently a narrow, sharply misoriented region. In the later stages of development, kinks become very complex. The formation, growth, and stability of kinks are discussed.
Energy of polygonal and elliptical dislocation loops
Authors: Liu G. C. T. , Li J. C. M.
Published: July 2007

A general expression for the elastic strain energy of an arbitrary N‐sided planar polygonal dislocation loop is obtained from the stress field of dislocation segments using isotropic elasticity. This expression can be used to approximate the energy of any curved dislocation loop to any degree of accuracy. For example, the energies of regular polygonal dislocation loops and irregular polygonal dislocation loops inscribed in several ellipses are calculated and, by extrapolating to N = ∞, are shown to agree with the energies of circular and elliptical dislocation loops for which simple analytical expressions are available. The equilibrium shape of elliptical loops and the possibility of reorientation of these loops along a glide cylinder are consistent with experimental results in h.c.p., b.c.c., and f.c.c. crystals and in α‐uranium. The effect of anisotropy in h.c.p. metals is calculated for large elliptical loops in the basal plane.
Energy of hexagonal dislocation loops
Authors: Liu G. C. T. , Li J. C. M.
Published: July 2007

The elastic strain energy of an elongated hexagonal dislocation loop is calculated from the stress field of dislocation segments using isotropic elasticity theory. Energies of rhombus dislocation loops and rectangular dislocation loops are presented as limiting cases. The equilibrium shapes of these loops are discussed in the light of experimental results.
Measurements of the anisotropy of the dislocation resistivity in Au, Ag, and Cu
Authors: Yoshinaga H.
Published: July 2007

The anisotropic resistivity of dislocations produced by deformation is measured in high purity Au, Ag, and Cu single crystals at liquid helium temperature. Resistivities along the direction perpendicular to the slip plane are found to be greater than those parallel to the slip plane. The ratio Δϱ⟂/Δϱ∥ (where Δϱ⟂ and Δϱ∥ are the resistivity increments along directions perpendicular and parallel to the slip plane, respectively) is nearly constant in the easy glide region (stage I). For the crystals of Au, Ag, and Cu used here this ratio is 2.28, 2.88, and 2.32, respectively, while in the rapid‐hardening region (stage II) this ratio decreases rapidly to unity with increasing deformation. Comparing these values with the theory of Seeger and Bross, it is concluded that the stacking‐fault resistivity of an extended dislocation is relatively small compared with the resistivity due to the strain field around an edge dislocation and amounts to only 3% of the strain field resistivity in Au, 15% in Ag, and 12% in Cu.
Effect of zero‐point energy on the specific heats of solidified neon and xenon
Authors: Gupta N. P. , Dayal B.
Published: July 2007

The specific heats of neon and xenon are calculated from a study of their lattice vibrations. The effect of zero‐point energy is included by an iterative method and a Buckingham exponential potential is used. The calculated and experimental values of Cv agree well for xenon but not so well for neon. It is suggested that the interatomic forces in neon are similar to those in helium and that a Buckingham potential, which is applicable to solids formed from heavy rare gases, is inapplicable to solid neon.
Pseudo‐abrupte legierte p–n‐Übergänge in GaP
Authors: Jung M.
Published: July 2007

Kapazitätsmessungen an legierten p–n‐Übergängen in GaP zeigen Ergebnisse, die mit der Vorstellung vom abrupten p–n‐Übergang nicht vereinbar sind. Das Modell eines pseudoabrupten Übergangs deutet die Ergebnisse. Die Hälfte der untersuchten Übergänge erweist sich als pseudo‐abrupt. Es ist nicht möglich, aus Kapazitätsmessungen die Diffusionsspannung an einem p–n‐Übergang mit räumlich konstanten Störstellendichten zu bestimmen, wenn nicht sichergestellt ist, daß dieser Übergang ideal abrupt ist.
Experimentelle Bestimmung der maximalen Austrittstiefen monoenergetischer Sekundärelektronen
Authors: Mayer H. , Hölzl J.
Published: July 2007

Durch Messung der Energieverteilung der Sekundärelektronen, die man erhält, wenn Primärelektronen der Energie VP = 200 eV auf einen Pt‐Träger treffen, der mit K‐Schichten jeweils bekannter, von Null an zunehmender Dicke bedampft wird, kann die maximale Austrittstiefe monoenergetischer Sekundärelektronen als Funktion ihrer Energie erhalten werden. Die gewonnene Kurve zeigt zwei ausgeprägte Minima mit Austrittstiefen von nur wenigen Atomlagen, die mit den charakteristischen, durch die Anregung von Plasmonen verursachten Energieverlusten von Elektronen in Kalium in Zusammenhang gebracht werden können. Die Ergebnisse stimmen gut mit photoelektrisch gemessenen Elektronenaustrittstiefen überein.
Die innere Dynamik der Tieftemperaturphasen des Molekülkristalls CH4
Authors: Dorner B. , Stiller H. H.
Published: July 2007

Festes Methan zeigt zwei Umwandlungspunkte (90,67 °K > T > 20,55 °K Phase α, 20,55 °K > T > ca. 8 °K Phase β, T < ca. 8 °K Phase γ). Mit der inversen Filtermethode werden die Energieverteilungen von in festem Methan bei 6,5 °K (Umwandlungsgebiet β‐γ) und 2,7 °K (γ‐Phase) gestreuten langsamen Neutronen gemessen. Die Ergebnisse werden mit denen von früheren, bei 18 °K (β‐Phase) ausgeführten Messungen verglichen. Das für die γ‐Phase ermittelte Spektrum bestätigt qualitativ ein von James und Keenan unter der Annahme von Oktopol‐Oktopol‐Wechselwirkungen ausgerechnetes Strukturmodell. Für die Phase β konnte ein Vergleich im einzelnen nicht angestellt werden. Im Temperaturbereich des Übergangs zwischen der β‐ und der γ‐Phase können Teile der beobachteten Frequenzverteilungen als Bestandteile der Spektren der Phasen β und γ gedeutet werden, andere Teile sind dagegen von den Spektren der beiden reinen Phasen verschieden. Der aus der Frequenzverteilung in der γ‐Phase berechnete Debye‐Waller‐Faktor wie auch der mit elastischer Neutronenstreuung in der γ‐Phase gemessene Debye‐Waller‐Faktor weisen auf große Protonen‐Auslenkungen hin.
Effect of concentration on light absorption and dispersion by impurity centres in the case of weak electron—phonon coupling
Authors: Lubchenko A. F. , Dudkin S. I.
Published: July 2007

An investigation is made of the dependence of the absorption and dispersion spectra due to impurities in a solid on the impurity concentration. The electron‐phonon coupling is considered to be weak and a Green's function method is used. It is shown that at low concentrations the halfwidth and spectral position of the zero‐phonon line vary linearly with concentration and a similar behaviour is found for the corresponding dispersion curve.
Radiation effects in pile‐irradiated LiF crystals
Authors: Shvarts K. K. , Vitol A. Ya. , Podin A. V. , Kalnin D. O. , Ekmanis Yu. A.
Published: July 2007

A study is made of EPR, optical absorption (in the range 2 to 6 eV) and density variation of LiF crystals that have been irradiated in a reactor with doses up to 1019 neutrons/cm2. In the irradiated crystals the main paramagnetic defects are F‐centres. Some conclusions are drawn as to irradiation‐induced expansion processes and the formation of colour centres. Some details of the aggregation process of F‐centres are clarified by thermal annealing of the irradiated crystals.
Heat conductivity study of GaSe monocrystals
Authors: Guseinov G. D. , Rasulov A. I.
Published: July 2007

The thermal conductivity of laminated GaSe monocrystals is studied in two crystallographic directions between 90 and 600 °K. The thermal conductivity is highly anisotropic; the value in the direction parallel to the layers exceeds that in the direction perpendicular to the layers by almost an order of magnitude. The mean free path of the acoustic phonons is calculated on the basis of the experimental lattice thermal conductivity, sound velocity and heat capacity data. The mean free path in the direction perpendicular to the layers (\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ l\frac{1}{{{\rm ph}}} = 15.8 \times {\rm 10}^{{\rm - 8}} {\rm cm} $\end{document}) is found to be limited to the thickness of the Se—Ga—Ga—Se quadruple layers corresponding in this case to the lattice parameter (c = 15.883 Å). The mean free path in the direction parallel to the layers (l = 65 × 10−8 cm) exceeds the corresponding parameter (a = 3.734 Å) by an order of magnitude. Heat transfer by internal electromagnetic radiation is found in the high temperature region. A study is made of the effect of unilateral compression in the direction of the weak van der Waals bond (0001) both on the lattice and the photon components of the thermal conductivity of GaSe monocrystals.
On the new semiconducting compound HgTIS2
Authors: Guseinov G. D. , Ismailov M. Z. , Talybov A. G.
Published: July 2007

A new three‐component coumpound corresponding to the stoichiometry of HgTiS2 is found. From the space group of 14/mmm a tetragonal elementary cell with the parameters a = (12.2 ± 0.05) Å and c = (6.6 ± 0.02) Å is established. Monocrystals of this compound are obtained and their electrical, photoelectric, optical, and other properties are studied. It is shown that this compound is a typical semiconductor having a gap width of about 1.3 eV.
The Temperature Dependence of Radioluminescence Yield in Alkali Halide Crystal Phosphors
Authors: Aluker E. D. , Mezina I. P.
Published: July 2007

Emission spektra, thermal luminescence, and temperature dependence of luminescence yield of thallium and indium activated alkali halide phosphors are measured in the temperature range 80 to 600°K. The decrease of luminescence yield at low temperatures is explained as being due to localisation of electrons at activator centres.
On the Electric Conductivity of Semiconductors Caused by the Ionization of Thermal Lattice Defects
Authors: Vinetskii V. L. , Kholodar G. A.
Published: July 2007

Theoretical calculations are made of the temperature dependences of the equilibrium carrier concentrations and intrinsic lattice defects in a semiconductor with self‐activated conductivity. Deviations from stoichiometry and electrical activity of both defect components as well as intrinsic conductivity are taken into account. The high‐temperature equilibrium conductivity of cuprous oxide crystals is found experimentally. Comparison between theory and experiment suggests that for cuprous oxide the conductivity is self‐activated for temperatures above 300°C. For crystals with a low concentration of excess oxygen N0, good agreement between the theory and experiment is obtained if it is assumed that only one component of the thermal defects is electrically active. The formation energy W of a nonionized intrinsic defect is found to be 2.6 eV, the ionization energy Ed of this defect being 0.64 eV, and the effective atomic concentration Neff in the lattice sites 1024 to 1025 cm−3. For crystals with a high concentration N0 the mechanism of self‐activated conductivity is more complex.
On the Theory of Lattice Oscillations of Dielectric Crystals in an External Electric Field
Authors: Ioffe I. V.
Published: July 2007

A study is made of the change in the optical frequency of dielectric crystals due to an external electric field. The properties of the ferroelectric resonance in the presence of this field are also examined. It is shown that a new resonance of the spin and transverse acoustic waves can take place. The corrections to the frequencies of the coupled waves are found, and the parametric excitation of coupled waves is considered.
Field‐Emission Microscopy of Germanium
Authors: Ernst L.
Published: July 2007

Samples of n‐type germanium with resistivity 5 ωcm which are cleaned by field desorption are examined using a field emission microscope. Some characteristics of the patterns obtained from the atomically clean surfaces are discussed. The adsorption of oxygen at pressures of 10−8 to 10−6 Torr is examined at room temperature. Adsorption occurs primarily on {001} planes and near {011} planes, whilst the actual {011} planes and the {111} plane seem to adsorb relatively less. The mean sticking probability is found to be about 0.1. The patterns show that oxide clusters also develop in the course of adsorption. Hence only a possible minimum value of the increase in the work function may be calculated from the change of slope of the Fowler‐Nordheim characteristic.
Studies of the Electrical Properties of Uranium Oxides III. Thermoelectric Power of α‐U3O8
Authors: George A. M. , Karkhanavala M. D.
Published: July 2007

The thermoelectric power of nuclear pure α‐U3O8 is measured in air over the temperature range 100 to 850°C. The results show that the oxide is an n‐type semiconductor. The plots of thermoelectric power versus the reciprocal of the absolute temperature consist of two regions: (i) above 480°C with a slope of 0.4 V and (ii) below 480°C where the thermoelectric power shows considerable variations; the average slope being of the order of 0.01 V. The results are analysed on the basis of the Wagnermodel for the defect structure of α‐U3O8. The slope of 0.40 V is related to the formation energy of the charge carriers which is calculated to be 1.065 eV. The low temperature part of the plot probably shows the temperature dependence of the thermoelectric power due to frozen‐in donor concentrations.
Diffusion from a Thin Film into a Dissociating or Evaporating Solid
Authors: Ghoshtagore R. N.
Published: July 2007

An analytical solution is obtained for concentration gradient in solid‐state diffusion where the solid is evaporating or dissociating at an appreciable rate. Some numerical methods are also indicated and the results discussed in special context to the tracer techniques of determining diffusion coefficients.
The Electrical and Thermal Resistivities of Iron
Authors: Chari M. S. R.
Published: July 2007

According to Weiss and Marotta, the electrical resistivity of iron may be split into three components ϱr, ϱg and ϱs being respectively the residual resistivity, the ideal (lattice scattering) term and the spin‐disorder scattering term. Bäcklund has similarly attempted to separate out the corresponding components of the electronic thermal resistivity, based on a modified Wiedemann‐Franz‐Lorenz law. In this work the lattice‐scattering term is obtained using the normal value (Ln) of the Lorenz number, while ϱg includes an electrical resistivity term attributed to zero point vibrations. In the present treatment values are calculated for weg and the lattice thermal conductivity by taking for the electronic Lorenz number the value given by Makinson for a typical monovalent metal having a Debye temperature equal to that of iron. These values agree with those obtained by Bäcklund.