bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Précision sur l'emploi du formalisme de densités d'états dans le calcul du courant d'une diode Esaki
Authors: André P.
Published: July 2007

La formule qui a été donnée par Esaki pour le courant de la diode dû a l'effect tunnel contient en facteur, dans l'intégrant, les densités d'états. Cette expression du courant doit être écrite d'une façon tout différente, notamment si l'on veut s'en servir pour vérifier la validité d'une loi ϱ(E) de densité d'états d'énergie dans le semiconducteur dégénéré constituant la diode. En effet, ϱ(E) est multiplié par la vitesse du porteur, et le produit de ces deux termes est indépendant de la loi de densité d'états. Par contre, cette dernière intervient, par l'intermédiaire de champ électrique, dans le coefficient de transmission. Ces points sont mis en évidence sur un modèle simple à une dimension, dans le cas de l'effet tunnel direct; une formulation appropriée est donnée pour le courant.
Der Einfluß der einachsig induzierten Anisotropie auf die ferromagnetische Resonanz an Ni—Fe‐Ferriteinkristallen
Authors: Glauche E. , Voigt F.
Published: July 2007

Der Einfluß der induzierten Anisotropie auf die Resonanzfeldstärke und die Linienbreite wird an einem Ni—Fe‐ und einem Ni—Co—Fe‐Ferriteinkristall untersucht. Aus der Orientierungsbhängigkeit der Resonanzfeldstärke wurden die Größen K1/M, K2/M, F/M und G/M und der g‐Faktor bestimmt. Es wurden zwei Anteile einer zusätzlichen Orientierungsabhängigkeit der Linienbreite gefunden, die von der induzierten Anisotropie herrühren.
Magnetic Susceptibility, Electric Resistivity, and Lattice Parameters of Nickel‐Vanadium Solid Solutions
Authors: Arajs S. , Chessin H. , Colvin † R. V.
Published: July 2007

Magnetic susceptibility of nickel solid solutions with 0.8, 3.0, 5.2, 7.8 and 10.0 at.% vanadium has been determined as a function of temperature up to 1500 °K. The electrical resistivities on the same alloys have been measured at 4.2, 77.2, and 297.0 °K. The susceptibility results are similar but not completely identical to those exhibited by niobium and tantalum dissolved in nickel. The residual electrical resistivity contributions due to vanadium, niobium, and tantalum are exactly the same. Lattice parameters of the above‐mentioned solid solutions have been determined at 298 °K. The predicted changes in lattice parameters, based on atomic volumes and on elasticity theories due to Pines and Friedel, show a large positive deviation from the observed data in distinction to the satisfactory agreement between theory and experiment for the other Group Va solutes.
Contribution à l'étude de l'aimantation des couches électrolytiques de l'alliage de Ni—fe, sous l'action simultanée d'un champ magnétique circulaire alternatif et d'un champ longitudinal continu
Authors: Bursuc I. , Apostol P. , Ojog A.
Published: July 2007

La magnétisation des couches électrolytiques de l'alliage Ni—Fe avec différentes compositions déposées sur des fils de cuivre, sous l'action simultanée d'un champ circulaire alternatif Ha et d'un champ longitudinal continu Hl (phénomène d'inductions magnétiques alternatives) varie en fonction de l'épaisseur des couches et de la composition de l'alliage elle est plus petite pour les couches plus minces et pour celles qui ont une plus petite concentration de fer.

Des courbes α = f(Ha), à Hl = const on peut déduire les valeurs du champ coercitif Hc, si l'on considère que la valeur est approximativement égale à celle du champ Ha où le phénomène augmente brusquement. Les valeurs déduites sont comparables à celles qu'on obtient par d'autres méthodes [15]

Sous l'action de la traction jusqu'à la limite de l'élasticité, le phénomène diminue. Ce comportement ne correspond pas dans certains cas à celui qu'on connaît pour les alliages de Ni—Fe en état massif. Les effets de la traction se modifient en présence des champs Hl relativement grands. La couche de 200 nm avec 10% Fe se comporte positivement magnétostrictive à Hl > 11 Oe. A des températures basses le phénomène diminue et commence à des valeurs plus grandes du champ Ha.
Effect of Nonuniform Coloration on the Power Law Relation between F‐ and F‐Aggregate‐Centers
Authors: Mascarenhas S. , Rabin H. , Sverzut V. B.
Published: July 2007

It is shown that the apparent power law relationships between F‐ and F‐aggregate‐centers are dependent on the volume distribution of centers, and the direction of optical measurement through the crystal volume. Optical measurements of X‐ray irradiated NaCl at room temperature indicates that a microscopic quadratic dependence between F‐ and M‐centers is obscured and appears linear when viewed along the direction through a coloration gradient produced by soft X‐rays.
Der elektrostriktive Resonator
Authors: Schmidt G.
Published: July 2007

Ähnlich wie beim piezoelektrischen Resonator lassen sich auch die elektrostriktiv angeregten mechanischen Eigenschwingungen eines Kristalls elektrisch nachweisen. Am Beispiel des elektrostriktiven Längsschwingers wird gezeigt, daß in der Nähe einer mechanischen Resonanzstelle im Resonatorstrom eine zusätzliche Wirk‐ und Blindkomponente sowie die dritte Harmonische auftreten. Daher kann man durch elektrische Messungen die mechanische Güte, den Elastizitätsmodul und die Elektrostriktionskonstante bestimmen. Für das Strontiumtitanat werden Ergebnisse angegeben.
Die Temperaturabhängigkeit des elektrokalorischen Effektes bei SrTiO3‐Einkristallen
Authors: Hegenbarth E.
Published: July 2007

Der elektrokalorische Effekt an SrTiO3‐Einkristallen wurde im Temperaturbereich von 4 bis 80 °K gemessen. Es zeigte sich, daß zwischen 16 °K und 18 °K ein Maximum des elektrokalorischen Effektes auftritt und der Effekt bei Heliumtemperaturen verschwindet. Es ist deshalb mit Hilfe von SrTiO3 nicht möglich, tiefe Temperaturen durch eine adiabatische Entpolarisation zu erzeugen. Dieses den bisherigen Annahmen widersprechende Verhalten des elektrokalorischen Effektes kann mit Hilfe der thermodynamischen Theorie der Ferroelektrika auch theoretisch erklärt werden.
Mikrophysikalische Theorie der ferromagnetischen und ferroelektrischen Domänenstrukturen
Authors: Zietek W.
Published: July 2007

Von einer mikrophysikalischen Auffassung ausgehend, wird ein allgemeines Rechenverfahren für die Beschreibung der ferromagnetischen und ferroelektrischen Domänenstrukturen entwickelt. Das Hauptproblem besteht in der Ableitung eines geeigneten, allgemeinen Variationsprinzips, mit dessen Hilfe man eine beliebige (periodische) Domänenstruktur möglichst einfach und adäquat beschreiben könnte. Die vorliegende Arbeit zeigt kurz, daß dieses Problem ganz allgemein aufgestellt und gelöst werden kann, vorausgesetzt, daß die Wechselwirkung zwischen den Atomspins bzw. elektrischen Dipolen hinreichend stark mit der Entfernung abnimmt.
Volumenselbstdiffusion in Kobalt ‐ Nickel ‐ Legierungen
Authors: Hässner A. , Lange W.
Published: July 2007

Die Volumenselbstdiffusion von Co‐60 und Ni‐63 in 11 Co–Ni‐Legierungen mit Konzentrationen von 0 bis 100 At‐% Co wird mit der Restaktivitätsmethode im Bereich von 1100 bis 1416 °C untersucht. Für alle Legierungen läßt sich die Temperaturabhängigkeit des Volumen‐SDK durch eine Arrhenius‐Gleichung darstellen. Für alle Legierungskonzentrationen liegt der auf die Schmelztemperatur extrapolierte Wert des SDK im Bereich (5 bis 7) · 10−9 cm2/s. Die Konzentrationsabhängigkeit der Diffusionsparameter kann im Bereich von 30 bis 100 At‐% Ni formal durch einfache Gleichungen dargestellt werden. Es wird versucht, diese durch ein Leerstellenmodell zu begründen. Bei der Selbstdiffusion in reinen Metallen wird die Zenersche Theorie der Aktivierungsentropie bestätigt. Die Veränderung der Aktivierungsentropie im System ist stärker als nach Zener zu erwarten ist. Ein linearer Zusammenhang zwischen Aktivierungsentropie und Q/Tm wird jedoch gut befolgt.
Proton Bombardment Damage in Silicon
Authors: Bubáková R. , Szmid Z.
Published: July 2007

An X‐ray study is made of a single crystal of Si after irradiation by protons of energy ⋍ 6.5 MeV, the total dose being 1 to 2 × 1018 protons/cm2. An increase of the lattice parameter: Δa ⋍ + 3 × 10−5 Å is observed after bombardment. The atomic planes in the bombarded part of the Si crystal are tilted, making an angle of 1.7″ with planes of the unbombarded part. An imperfection in the diamond‐type structure is found as confirmed by diffraction from the (222) planes.
The Influence of Indium Doping on the Optical Properties of Cadmium Selenide Crystals
Authors: Rauluszkiewicz J.
Published: July 2007

The absorption coefficient in In‐doped Cdse crystals is measured in the vicinity of the absorption edge in the temperature range 78 to 373 °K. The absorption coefficient rises exponentially with photon energy according to Urbach's rule. The absorption data are interpreted in terms of optical transitions which produce excitons with phonon cooperation. The free carrier concentrations in doped crystals are determined optically from measurements of the infrared reflectivity. A contraction of the forbidden energy gap of 20% is found with indium doping but the crystal field splitting of the valence band remains unchanged.
Halbleiter‐Eigenschaften von reinen Bleiglanzkristallen
Authors: Moldovanova M. , Dimitrova S.
Published: July 2007

Die Temperaturabhängigkeiten der elektrischen Leitfähigkeit σ(T), des Hallkoeffizienten R(T), der differentiellen Thermokraft α(T) und des Nernst‐Ettingshausen‐Koeffizienten Q⟂ (T) wurden im Temperaturbereich zwischen 100 und 500 °K an natürlichen Bleisulfidkristallen (mit n ⋍ 3 · 1015 cm−3) untersucht. Die Breite der verbotenen Zone bei T = 0 beträgt 0,34 eV und das Beweglichkeitsverhältnis μn/μp = 1,4. Im Eigenleitungsgebiet ist die Hallbeweglichkeit proportional T−3/2, im Gebiet vollständiger Ionisation der Donatoren ist sie proportional T−2. Bei tiefen Temperaturen tritt ein Phononen‐Drag auf. Die aus den Meßwerten berechnete effektive Masse ist proportional T0,2. Die Lebensdauer τp der injizierten Träger variiert zwischen 20 und 60 μs und stimmt mit den von Scanlon [6] erhaltenen Werten überein.
Die Geschwindigkeits‐ und Temperaturabhängigkeit der Einsatzspannung τC am Anfang des Bereiches C der Verfestigungskurve von Zinkeinkristallen
Authors: Lukáč P. , Švábová M.
Published: July 2007

Es wurde die Temperatur‐ und Geschwindigkeitsabhängigkeit der Einsatzspannung τC von Zinkkristallen im Temperaturbereich 293 °K bis377 °K untersucht. Dabei wird eine Abnahme von τC mit wachsender Abgleitgeschwindigkeit beobachtet. Die sich daraus ergebenden Zusammenhänge lassen sich in derselben Form wiedergeben wie die entsprechenden Abhängigkeiten der τIII‐ Werte von kubisch‐flächenzentrierten Metallen.

Ferner wurden Voraussetzungen untersucht, unter denen es möglich ist, diese Ergebnisse anhand des Quergleitmodells von Schoeck und Seeger zu deuten. Es konnte gezeigt werden, daß die ermittelten Aktivierungsenergien U zusammengesetzte Werte sind und die sich ergebenden γ‐Werte wesentlich überschätzt sind. Der Vergleich mit ähnlichen Ergebnissen an Kadmium‐ und Magnesiumkristallen zeigt eine Möglichkeit, die Stapelfehlerenergie für Zink außerhalb des statischen Erholungsbereiches abzuschätzen.
Replacement Probabilities for Energetic Primary Atoms in Crystals
Authors: Dederichs P. H. , Lehmann Chr. , Wegener H.
Published: July 2007

A calculation is made of the probability, P(E), that a primary atom of energy E will make a replacement collision with lattice atoms during the slowing down process in a crystal. Replacement is assumed to occur in a collision whenever the remaining energy of the primary is smaller, and the transferred energy is greater than a certain threshold energy Ed. Since the interaction between the primary and a lattice atom is not well known, several simple and plausible energy spectra are discussed. For quite a general class of spectra, P(E) becomes a constant if E ≥ 2 Ed. The results indicate 0.5 ≤ P (E ≥ 2 Ed) ≥ In 2 as reasonable values of P(E). A Mössbauer experiment is described which provides a means for measuring P at high energies, and, presumably also for determining the interstitial configuration of the primary.
Quantum Treatment of Lattice Distortion around a Dislocation
Authors: Gallina V. , Galotto C. P. , Omini M.
Published: July 2007

A new method is proposed for calculating the displacements due to an edge or screw dislocation in a crystal. The dislocation is represented by a perturbation in the phonon state of a perfect crystal and the treatment is carried out by the use of second quantization. The results agree with the classical ones at large distances from the dislocation core but show a quite different structure in the neighbourhood of the core which eliminates the singularities in the former theory.
Tunnel Diode Investigation of Band Structure of Sb‐Doped Ge
Authors: Constantinescu C. , Midvichi I.
Published: July 2007

Data on the concentration dependence of the energy separation of the (000)‐ and (111)‐ conduction band minima of heavily Sb‐doped Ge are obtained from the reverse characteristics of tunnel diodes. The results are compared with those for As‐doped Ge.
Optische Absorption Fe2+‐dotierter Silberhalogenide
Authors: Koswig H. D. , Kunze I.
Published: July 2007

Es werden die Absorptionsspektren von Fe2+ in AgCl und AgBr bei Zimmertemperatur und bei tiefen Temperaturen mitgeteilt. Der Einbau der Fe2+‐Ionen in das Silberhalogenidgitter und der durch den Einbau hervorgerufene Verzerrungszustand des Gitters werden diskutiert.
Zur Deutung der Tieftemperatur‐Elektronenbestrahlung in Metallen. II. Kinetik der Crowdion‐Leerstellen‐Annihilation und der Erholungsstufe IE in Kupfer
Authors: Frank W. , Seeger A. , Schottky G.
Published: July 2007

Als Modell für die Strahlenschädigung im Kupfer durch Elektronenbeschuß ist vorgeschlagen worden, daß metastabile Zwischengitteratome entstehen, die nur längs einer bestimmten Laufgeraden diffundieren können (Crowdionen). Diese Laufgerade enthält die Leerstelle, die die Crowdionen bei ihrer Erzeugung hinterlassen haben. In der vorliegenden Arbeit wird die Kinetik der Diffusion der Crowdionen zu diesen sowie den von anderen Crowdionen herrührenden, statistisch verteilten Leerstellen theoretisch behandelt. Außerdem wird berücksichtigt, daß die metastabilen Crowdionen zu Hanteln konvertiert werden können. Es wird gezeigt, daß die von Corbett und Mitarbeitern in Stufe IE beobachtete Erholungskinetik des bei der Elektronenbestrahlung von Kupfer erzeugten elektrischen Zusatzwiderstandes quantitativ durch die Überlagerung einer Annihilation frei beweglicher Crowdionen an Leerstellen mit einer Umwandlung von Crowdionen in Hanteln erklärbar ist. Die übrigen Unterstufen der Stufe I in elektronenbestrahltem Kupfer werden hauptsächlich durch die Rekombination eng benachbarter Hantel‐Leerstellen‐Paare verursacht. In Stufe ID dürfte außerdem das Ausheilen auf Grund ihrer Entstehung zusammengehöriger Crowdion‐Leerstellen‐Paare eine Rolle spielen.
Study of the Effect of an Electric Field on Trap Filling in CdS Single Crystals by the Use of Thermally Stimulated Currents
Authors: Kirov K. , Zhelev V.
Published: July 2007

Thermally stimulated currents (T.S.C.) in CdS are measured for electric fields of 10 to 104 V/cm and are found, in general, to change linearly. When trap filling is accomplished not by illumination, but with electrons injected from the cathode, the T. S. C.‐maximum depends on the voltage, according to the law Imax ∼ Un, where n varies from 3 to 6 for the various crystals. It is concluded that the fields at which measurements are made have no significant effect on trap emptying. T.S.C. are also measured at various voltages after the initial application of a higher voltage, and these measurements show a strong increase in the dark current and a negative resistance. It is, therefore, concluded that the steep rise of the dark current is not due to trap emptying or to the complete filling of traps. The most probable cause for it is the injection of holes from the anode.
Über die Verfestigung homogener kubisch flächenzentrierter Vielkristalle bis zum Beginn dynamischer Erholungsvorgänge
Authors: Schwink Ch.
Published: July 2007

Die Verformung von kfz Vielkristallen geschieht von Anfang an durch eine Zunahme der Zahl aktiver Versetzungsquellen. Inhomogenität der Gleitung sowie Streckgrenzenanisotropie machen eine quantitative Formulierung des Gleitbeginns sehr schwierig, bestehende Ansätze [13] sind fehlerhaft. – Eine elektronenmikroskopische Definition des Gleitbeginns, die sich quantitativ ausdrücken läßt, wird gegeben und mit dem Experiment verglichen. – Für die plastischen Vorgänge oberhalb etwa 0,1% Dehnung bis zum Einsatz der Quergleitung wird eine Beschreibung gegeben und eine Versetzungstheorie entwickelt, die sich an die von Seeger [6] für Einkristalle aufgestellte anlehnt. Damit gelingt es, die makroskopischen Verfestigungsgrößen quantitativ auf Parameter zurückzuführen, die sich aus licht‐ und elektronenmikroskopischen Daten gewinnen lassen.
Directional Effects in Electron Irradiated Cu Single Crystals
Authors: Sosin A. , Garr K.
Published: July 2007

Thin copper single crystal samples have been irradiated by energetic electrons which were incident along major crystallographic directions. Appreciable defect production was observed in samples oriented for 〈100〉 and 〈110〉 incidence in the near‐threshold range, indicating that threshold displacement energies for both directions are comparable. Postirradiation studies have shown that recovery takes place throughout the entire Stage I temperature range, even at the lowest electron energies.
Resistivity Increase in Polycrystalline Al Heavily Cold‐ Worked at 78 °K
Authors: Ceresara S. , Elkholy H. , Federighi T.
Published: July 2007

The increase in resistivity Δϱ of polycrystalline Al at 78 °K is investigated as a function of shear strain γ up to very large strains, by torsional measurements. A linear dependence of Δϱ on γ is observed only above γ = 180%. For γ between 0 and 70%, the results fit Saada's relation for the production of point defects.
Linienform der Elektronenspinresonanz‐Spektren in polykristallinen Substanzen mit gx≠ gy≠ gz
Authors: Schoffa G. , Bürk G.
Published: July 2007

Die Linienformen der Elektronenspinresonanz‐Spektren von polykristallinen Substanzen mitgx≠gy≠gzwurden mit der elektronischen Rechenmaschine berechnet unter Annahme der Lorentzschen Linienform, der Linienbreiten von 100 und 300 Gauß undgx= 6,gy= 4,gz= 2 in Mikrokriställchen. Die erhaltenen theoretischen Kurven zeigen eine gute Übereinstimmung mit dem am Hämatin experimentelle erhaltenen Spektrum.
Preparation and Semiconducting Properties of Cadmium Phosphide (Cd3P2)
Authors: Żdanowicz W. , Wojakowski A.
Published: July 2007

The preparation technology of the comparatively unknown compound Cd3P2 is described, and the Hall effect, electric conductivity, and thermoelectric power in the temperature range 200 to 650 °K determined for both poly‐ and monocrystalline samples. It is found that the width of the forbidden band in n‐type Cd3P2, evaluated from the measurements of RH and ϱ, is 0.52 eV. The electron concentration n at T = 300 °K is 2 to 5 × 1017 cm−3, and the mobility μH = 1500 cm2/Vs. The value of the resistivity ϱ300 = 9 to 25 × 10−3 Ω cm. The thermoelectric power a α at T = 300 °K is 180 to 200 μ V/°C. The value for the effective mass of the electrons, obtained from measurements of α and RH, is m* = 0.1 m0.
Magnetic After Effects in Nickel after Low Temperature Irradiation with Neutrons
Authors: Balthesen E. , Isebeck K. , Wenzl H.
Published: July 2007

The magnetic after‐effects of structural lattice defects produced by neutron irradiation of nickel at 25 °K were investigated in the temperature region of 8 to 400 °K. Several very pronounced after‐effects were found at low temperatures within the stages I region of the recovery of the residual resistivity. The properties of several after effects (activation energy and preexponential factor) are determined. The main features of the recovery stages of the magnetic after‐effects agree with those of the residual resistivity.
[Russian Text Ignored]
Authors: [Russian Text Ignored]  , [Russian Text Ignored]  , [Russian Text Ignored]
Published: July 2007

[Russian Text Ignored].
Zur Beweglichkeit der Stromträger in Indiumantimonidkristallen
Authors: Galavanov V. V. , Nasledov D. N. , Filipchenko A. S.
Published: July 2007

Zur Untersuchung des Streumechanismus für die Elektronen wurde die Beweglichkeit an n‐leitenden InSb‐Kristallen im Temperaturbereich von 77 bis 773 °K und bei Störstellenkonzentration von 1015 bis 7 · 1018 cm−3 gemessen. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit theoretischen Überlegungen, die die nichtparabolische Form des Leitungsbandes berücksichtigen, verglichen.

Die Ergebnisse zeigen, daß die Elektronen im n‐leitenden InSb an ionisierten Störstellen, optischen Gitterschwingungen und Löchern gestreut werden. Der Einfluß einer Streuung an akustischen Gitterschwingungen wird für verschiedene Werte der Deformationspotential konstanten diskutiert.

Für die Elektronenbeweglichkeit bei gemischter Streuung (an ionisierten Störstellen, optischen Gitterschwingungen und Löchern) wird eine exakte Beziehung hergeleitet. Der Gültigkeitsbereich der verwendeten Näherungsformeln wird überprüft. Für das anomale Anwachsen des Hallkoeffizienten bei hohen Temperaturen in stark dotierten Proben werden mehrere Gründe angeführt.
Electrical Properties of Non‐Stoichiometric Nickel Oxide
Authors: Nachman M. , Cojocaru L. N. , Rîbco L. V.
Published: July 2007

The temperature dependence of the electrical conductivity and of the Seebeck coefficient of NiO samples with various Ni3+ concentrations is determined. These samples are obtained from a nickel salt, using various decomposition temperatures.

The temperature dependence of the hole concentration, pα, is calculated from the Seebeck coefficient. Since pα is constant up to about 500 °K, the exponential temperature variation of the conductivity must be attributed to the temperature dependence of the mobility. It seems, therefore, that at least up to the Néel temperature non‐stoichiometric NiO exhibits a similar conduction mechanism to Li‐doped NiO, with holes hopping between Ni2+‐ions. The discrepancies between the values of the hole concentration determined from the Seebeck coefficient and those given by the chemical analysis are discussed in terms of a simplified model, taking into account the non‐uniform distribution of the excess‐oxygen atoms throughout the volume of the NiO grains. The results confirm that for NiO samples of high excess oxygen content the electrical conduction is mainly due to grain boundaries.
Plastic Properties of Polycrystalline f.c.c. Metals
Authors: Kovács I. , Nagy E.
Published: July 2007

For polycrystalline f.c.c. metals deformed by torsion and extension simultaneously it is shown that the change in specific resistivity depends only upon the total strain, (as given by [4]), but is independent of the ratio of the individual strains. Furthermore it is shown that the relation of the form Δϱ = f(γ) cannot be characteristic to a metal, since its form is very sensitive to sample history. A history‐independent relation can however be established between the resistivity change and the instantaneous flow stress. Assuming the resistivity due to the point defects to be half of the total resistivity, this relationship gives the resistivity due to unit length of a dislocation directly, the value being in good agreement with previous experimental and theoretical estimates.
On the Theory of Radiative Recombination in High Magnetic Field in Semiconductors
Authors: Beleznay F. , Pataki G.
Published: July 2007

The effect of a high magnetic field on the recombination between the conduction band and an acceptor is examined. It is found that at magnetic field which corresponds to the “quantum limit” for the conduction band but gives no “deformation” of the acceptor states, the transition matrix element does not depend on the magnetic field. The assumptions for the magnetic field are fulfilled for the case of laser radiation in a magnetic field. It may be said that on the basis of the hydrogen‐like model, the field dependence of the threshold current must be determined by the change in the density of states.
Theory of Electron‐Phonon Interaction in Metals in the Presence of an External Magnetic Field
Authors: Mertsching J. , Stolz H.
Published: July 2007

Semiclassical treatments of the interaction of conduction electrons in metals with ultrasonic waves in the presence of a magnetic field use two coordinate systems: the laboratory system (LS) and a moving system (MS) which shares the motion of the ionic lattice. In the present work the relationship between these two formulations is studied by a quantummechanical treatment of the problem. It is shown that in the MS the semiclassical representation of the charge and current densities by means of an electron distribution function is essentially correct. In the LS, however, the off‐diagonal elements of the electron density matrix are important, and give rise to the Holstein‐effect, i.e. a component of electron current exactly in phase with the lattice current and originating from the motion of the periodic potential. Generally the formulation of the theory for Bloch electrons is more complex in the LS than in the MS. Only for the free electron model the basic equations obtain their simplest form in the LS.
Thermisch bedingte nichtmonotone Strom–Spannungs‐Charakteristiken
Authors: Nebauer E. , Jahne E.
Published: July 2007

Es wird die Strom–Spannungs‐Charakteristik eines durch Joulesche Erwärmung aufgeheizten Halbleiters untersucht. Für den Fall, daß bei jeder angelegten Spannung die erwärmte Probe eine einheitliche Temperatur hat, die jedoch vom Wert der angelegten Spannung abhängt, wird eine Parameterdarstellung für die Strom–Spannungs‐Charakteristik angegeben. Bei nichtmotononer Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit können sowohl strom‐ als auch spannungskontrollierte negative differentielle Widerstände auftreten. Für die bei Halb‐ und Photoleitern zu erwartenden Charakteristiken werden Beispiele angeführt. Bei inhomogener Verteilung von Temperatur und Leitfähigkeit werden die Strom–Spannungs‐Charakteristiken mit Hilfe eines Differenzenverfahrens ermittelt.
Photovoltaic Effect in CdS‐CdSe Heterojunctions
Authors: Kandilarov B. , Andreytchin R.
Published: July 2007

CdS–CdSe (n+–n and n–n+) heterojunctions are made and the photovoltaic effect investigated. Both the sign and the magnitude of the photovoltage measured depends on the doping. The spectral dependence of the short‐circuit photocurrent is measured. The photovoltage is found to depend on the growth conditions.
Zur Intensitäts‐ und Temperaturabhängigkeit des Photostromes von CdS‐Einkristallen
Authors: Elstner L. , Voigt J.
Published: July 2007

Die Photoleitfähigkeit von Kadmiumsulfideinkristallen wird als Funktion der Anregungsintensität und Temperatur experimentell untersucht. Die Meßergebnisse werden mit reaktionskinetischen Modellrechnungen verglichen. Es zeigt sich, daß selbst sehr allgemeine Modelle mit direktem Anregungsprozeß[1]keine vollständige Beschreibung der Meßergebnisse liefern. Gute Übereinstimmung zwischen Experiment und Theorie erhält man mit einem Modell mit sowohl direktem als auch indirektem[2]Anregungsprozeß der Leitungselektronen.
Bildung und Ausheilung von Punktdefekten in KCl‐Kristallen, gemessen mit Hilfe der Verfärbbarkeit durch F‐Zentren
Authors: Fröhlich F. , Grau P.
Published: July 2007

Es wird die Bildung von punktförmigen Gitterdefekten in KCl‐Einkristallen nach Abschrecken von 530 °C, nach plastischer Deformation und nach intensiver Röntgenvorbestrahlung mit Hilfe der Röntgenverfärbbarkeit durch F‐Zentren untersucht. Die Vorbehandlungen führen zu einer Erhöhung der Verfärbbarkeit, die durch die charakteristischen Parameter der F‐Zentren‐Bildungskurve erfaßt werden kann. Dabei wird eine bevorzugte Zunahme der Konzentration von Anionenleerstellen gefunden, die in der Umgebung von Gitterstörungen lokalisiert sind.

Die thermische Ausheilung der für die Verfärbbarkeitserhöhung verantwortlichen Defekte wird im Anfangsteil der F‐Zentren‐Bildungskurve verfolgt. Die Defekte nach Abschrecken heilen mit einer diskreten Aktivierungsenergie von 1,6 eV aus und sind offenbar verbunden mit der Art des Einbaues der als Verunreinigungen vorliegenden 2‐wertigen Kationen. Bei deformierten und röntgenvorbestrahlten Proben ergeben sich diskrete Werte zwischen 1,6 eV und 2,0 eV. Daraus wird geschlossen, daß die für die Verfärbbarkeitserhöhung verantwortlichen zusätzlichen Anionenleerstellen sicher nicht isoliert, sondern wahrscheinlich in Form von relativ kleinen Leerstellen‐Clustern ziemlich einheitlicher Größe nach diesen Vorbehandlungen im Kristall zurückbleiben. Ihr Abbau erfolgt über die Diffusion von isolierten Anionenleerstellen zu geeigneten Senken im Kristall.
Thermisch aktivierte Quergleitung in Zink und Cadmium
Authors: Schottky G. , Seeger A. , Speidel V.
Published: July 2007

Die Deutung der Experimente von Gilman zur Prismengleitung von Zn und Cd durch thermisch aktivierte Quergleitung von aufgespaltenen Schraubenversetzungen aus der Basisebene heraus wird quantitativ behandelt. Die Rechnung geht von flächenhaften Versetzungsverteilungen aus, die kontinuumstheoretisch behandelt werden. Die theoretische Spannungsabhängigkeit der Aktivierungsenergie stimmt gut mit den Experimenten überein; als Stapelfehlerenergien ergeben sich 300 erg/cm2 (Zn) und 170 erg/cm2 (Cd).
Some Remarks on Electret Theory
Authors: Piech T. , Hańderek J.
Published: July 2007

Continuing earlier papers on the effect of the conditions of polarization and storage on the properties of beeswax electrets, made of resin, resin‐wax mixtures, and polymethacrylate are investigated. The experimental results lead to a new theory of charge production and change‐in‐sign in electrets of organic materials. The formulas thus derived for the transitions time from heterocharge to homocharge are in better agreement with experiments than those of Swann and Gubkin.
Sur le mode de fonctionnement des transistors à interface métal‐semiconducteur
Authors: Pistoulet B. , Rouzeyre M.
Published: July 2007

Deux modes de fonctionnement ont été proposés pour le transistor à interface métal‐semiconducteur: injection d'électrons chauds ou fonctionnement par courbure des équipotentielles. Les mesures effectuées sur les transistors que nous avons fabriqués nous font conclure à la prédominance du dernier mécanisme. Les propriétés des diodes et la réversibilité du rǒle des deux métaux dans le fonctionnement en triode ne peuvent en effet absolument pas être expliquées par le premier modèle. Des études complémentaires susceptibles de conduire à un fonctionnement par transport d'électrons chauds sont en cours.
Study of the Lattice Dynamics of Magnesium by an Electron Force Model
Authors: Gupta R. P. , Dayal B.
Published: July 2007

The electron gas model described in a previous paper, is extended to the case of magnesium. The dispersion curves and the specific heats computed from this model show good agreement with experimental results.
Structural Changes in MgMn2O4 at High Temperatures
Authors: Mănăilă R. , Păuşescu P.
Published: July 2007

The distribution of cations in MgMn2O4 is studied between 25 and 1000 °C by X‐ray diffraction. The values of the c/a ratio agree with the observed repartition of the cations. From the inversion of the distribution at high temperature the activation energy of the ionic migration is inferred: θ = 8100‐−18400 λ (°K).

Around the tetragonal‐to‐cubic transition temperature there is a coexistence domain of both structures and an hysteresis of the proportion of the cubic phase. The appearance of the cubic phase seems to be facilitated by the inversion of the ionic distribution in the cubic nuclei.
Diffraction Effects from Faults in Ultra Pure Carbon
Authors: Otte H. M. , Blucher I. D.
Published: July 2007

Samples of ultra purity spectroscopic carbon have been examined by electron trans mission microscopy and selected area diffraction. The transmission images and diffractio‐patterns have been interpreted in terms of stacking faults and dislocations in the carbon samples. Quantitative estimates yielded a value of between 1011 and 1012 dislocations pe cm2, associated principally with “rotational” stacking faults every 200 Å on average. These values are comparable with those found in other types of carbons and graphites.
On the Strong Coupling Techniques of Polaron Theory
Authors: Devreese J. T. , Evrard R. P.
Published: July 2007

The validity of Pekar's polaron theory is investigated by using it to solve Gross's simplified model in which the electron interacts with only one lattice oscillator. The results are compared with the exact solutions. This shows as expected, that Pekar's approximation provides an accurate strong coupling limit. The accuracy decreases with the mean number of virtual phonons, which is used to define the coupling strength. For a certain value of this parameter, Pekar's method becomes less accurate than the Lee‐Low‐Pines method. At this point the relative error is about 15%. The present study makes it possible to introduce an “intermediate coupling region” in Gross's model. In this region the relative error of the Lee‐Low‐Pines approximation is about 10%.
Mechanism of X‐Ray Emission in KBr:Cu Single Crystals
Authors: Oggioni R. , Scaramelli P.
Published: July 2007

A study is made of the mechanism for Cu‐luminescence in KBr:Cu single crystals excited by ionizing radiation. The following results are obtained:

In the spectral range 200 to 1200 nm the same emission band (centred about 392 nm at 77 °K) occurs as is obtained by means of u.v. excitation at 265, 235, and 210 nm.

Under optical stimulation in the F band the same emission band at 392 nm is again observed. The build‐up of the 392 nm band under X‐ray and F light stimulation in the temperature‐range 77 to 700 °K is also studied, and the results are found to be complex.

KBr:Cu samples which are X‐irradiated at 77 °K, or F‐stimulated at 77 °K after X‐ray irradiation at 290 °K, show four glow peaks of thermoluminescence due to Cuimpurities in addition to the glow peaks of pure KBr crystals. Emission spectra under all glow peaks are also observed; in these spectra the emission band due to Cu is alway present.

Measurements of the thermal bleaching of crystals which have been X‐irradiated at 77 °K are correlated with the intensity‐changes of the photoluminescence band of the Cu emitter.

The assumption that emission under X‐irradiation can be explained as an alternate trapping of free holes and electrons by the emitter centre Cu+, is consistent with most of the results.

Thermoluminescence and thermal bleaching experiments are also discussed. It is suggested that some of the glow peaks due to Cu impurities may be explained in terms of electron traps bound to Cu+ ions substituted in the lattice.

The presence of these traps seems to explain the observed build‐up of the 392 nm emission band under X‐irradiation, and the observed effects after an ageing at different temperatures.
Über die Wachstumsformen von Rubidiumeinkristallen aus der Gasphase
Authors: Peneva S. , Budurov S.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Rubidium‐Einkristallkugeln aus der Gasphase untersucht. Bei kleinen Übersättigungen treten auf der Anfangswachstumsform die Flächen {110} und {100} auf; bei großen Übersättigungen erscheinen nur die Flächen {110}. Bei fortgeschrittenen Wachstumsformen erscheinen auch die Flächen {211} als schmale Streifen zwischen den Rhombendodekaederflächen; Temperaturschwankungen vergrößern die Ausmaße der {211}‐Flächen. Die Versuchsergebnisse werden vom Standpunkt der Theorie von Stranski und Kaischew diskutiert und gedeutet.
Optische Absorption Cr‐dotierter Silberhalogenide. I. Cr2+
Authors: Koswig H. D. , Kunze I.
Published: July 2007

Es werden die Absorptionsspektren von Cr2+ in AgCl und AgBr bei Zimmertemperatur und bei tiefen Temperaturen mitgeteilt. Der Einbau der Cr2+‐Ionen in das Silberhalogenidgitter und die Möglichkeiten für eine Störung der oktaedrischen Umgebung der Cr‐Ionen werden diskutiert.
Fokussierende Stoßfolgen in flächenzentrierten Kristallen und ihre Bedeutung für verschiedene Bestrahlungseffekte
Authors: Duesing G. , Leibfried G.
Published: July 2007

Wir behandeln 〈110〉‐Stoßfolgen in flächenzentrierten Kristallen mit einem Born‐Mayer‐Wechselwirkungspotential. In einer wesentlich besseren Näherung als der harter Kugeln berechnen wir Energie und Stoßwinkel im Verlauf einer Folge sowie die Reichweite von Fokussonen, weiterhin die Grenzenergie für den Transport von Zwischengitteratomen und daraus die Reichweite von Ersetzungsketten. Wir schätzen die Zahl von fokussierenden Folgen ab, die ein Primäratom erzeugt, und untersuchen damit folgende auf Stoßfolgen beruhende Effekte: Abtransport von Energie aus Primärzonen, Erzeugung von Zwischengitteratomen außerhalb von Primärzonen, Erzeugung von Defekten an Versetzungen, Zerstäubung von Oberflächen. Zahlenbeispiele geben wir für Cu.
Interstitial Ordering of Carbon in Tantalum
Authors: Villagrana R. E. , Thomas G.
Published: July 2007

The effect of interstitial carbon on the structure of tantalum was investigated by transmission electron microscopy and diffraction. Interstitial ordering was found, and the ordered structure was determined from computation and comparison with electron diffraction data. The superlattice structure is tetragonal, with a c/a ratio of 1.128, and an ideal composition of Ta64C. Since the superlattice was determined from thin foils, it was necessary to compare the thin foil results with bulk specimens, alloyed to correspond to Ta64C. Microscopic examination of bulk specimens showed many domain boundaries, separating regions in which the tetragonality associated with ordering was oriented in different directions. An analysis of these domain boundaries indicates that there are three possible types: coherent, semicoherent, and antiphase.
Grüneisen Parameter for Long Wavelength Optical Modes in Ionic Crystals
Authors: Mitra S. S.
Published: July 2007

The Grüneisen parameter, γi for a normal mode of a crystal may be determined from the temperature or pressure coefficient of the normal mode frequency if it is assumed that the mode frequency is only a function of volume. γt for the zone center transverse optical mode frequency of RbI is obtained from its temperature dependent infrared spectrum. Expressions for γt and γl for the T.O. and L.O. modes at k ≈ 0 are derived from the Born and Huang theory using the rigid ion approximation.
Electron Emission Spectroscopy of Alkali Halides
Authors: Petrescu P.
Published: July 2007

The development of techniques for the study of photoemission from colored ionic crystals have led to a new method for measuring energy levels of electrons trapped in the crystal lattice. Some particular aspects of electron emission spectra (EES) from KCl, CsCl, and RbBr which are due to the Joshi effect or the other perturbing agents are explained. Characteristic EES for the Li, Na, K, Rb, and Cs halides, obtained by this method, are described. The values of λmax are compared with those predicted theoretically by Ivey or obtained by optical spectroscopy. The electron transfer between the F and M levels in potassium fluoride is analyzed.
Zur Analyse der Aktivierungsenergien der elektrischen Leitfähigkeit und der thermoelektrischen Kraft in Magnesiumeisen‐Ferriten
Authors: Schröder H.
Published: July 2007

An stöchiometrischen, polykristallinen Magnesiumeisen‐Mischferriten variablen Fe2+‐ Gehaltes werden bei verschiedenen Sauerstoffpartialdrucken Temperaturmessungen der elektrischen Leitfähigkeit und der thermoelektrischen Kraft ausgeführt. Die experimentell erhaltenen Kurven stehen bei nicht zu hohen Fe2+‐Gehalten in guter Übereinstimmung mit dem Elektronen‐Sprungmodell. Die Gegenüberstellung der Aktivierungsenergien der Leitfähigkeit und Thermokraft führt zu einer einfachen empirischen Beziehung. Aus der thermogravimetrisch ermittelten thermischen Sauerstoffdissoziation und den Tieftemperaturparametern des Systems wird das Hochtemperaturverhalten für eine bestimmte Ausgangszusammensetzung berechnet und mit dem Experiment verglichen.
Atomic Displacement Cross Sections in Copper for Anisotropic Threshold Energy
Authors: Wollenberger H. , Wurm J.
Published: July 2007

Earlier theoretical investigations on models of α‐iron [3] and copper [7] give a highly anisotropic displacement threshold energy, especially near the main crystal axes. In this paper total cross sections for atomic displacements by low energy electrons (E < 0.5 Me V) are calculated with respect to various anisotropic threshold energies. In general, a minimum of the threshold energy near a crystal axis leads to “sub‐threshold” events, as found experimentally by Bauer and Sosin. The cross sections derived from experimental measurements have to be corrected to take account of the effect of the energy loss and the multiple scattering of the electrons before they may be compared with calculated values. The correction method is described and the values from the Bauer and Sosin experiment given. By fitting the experimental data, the angular‐dependent threshold energy is calculated near the 〈110〉‐direction in copper assuming the residual resistivity increase to be 2.5 μΩ cm/at.% Frenkel pairs. The threshold energy minimum obtained by this method should be important as regards the production of correlated replacement collisions.
[Russian Text Ignored.]
Authors: [Russian Text Ignored.] B. H.
Published: July 2007

[Russian Text Ignored.]
Electronic Properties of Surface Layers of Silver Chloride
Authors: Snavely B. A.
Published: July 2007

Photoconductivity and luminescence produced by 0.2 μs X‐ray pulses, and thermally stimulated currents were measured between 80 and 260 °K. The electron schubweg is controlled by traps, some of which (in excess of 1015 cm−3) are deep and are destroyed by oxygen. The probability for radiative recombination is small compared to that for trapping. The mobility in oxygen doped crystals is the same in the surface as in the bulk. Anomalies in the temperature dependence of the mobility are attributed to trapping and re‐emission.
Imperfections in Copper‐Silicon Filings
Authors: Rao P. Rama , Anantharaman T. R.
Published: July 2007

Detailed X‐ray line‐broadening studies are made on deformed filings of Cu96Si4, Cu92Si8, Cu90Si10, and Cu89Si11 alloys. The f.c.c. deformation fault parameters in fresh filings of the first three alloys, in each case of two different grain sizes, are determined by the Paterson method. Stacking‐fault contributions to the observed diffraction broadening are eliminated by a procedure suggested by Christian and Spreadborough, and the domain size and lattice strain effects are separated by single line Fourier analysis. The fresh filings of the two‐phase Cu89Si11 alloy show only the faulted h.c.p. structure, the f.c.c. phase having disappeared during deformation by filing. The fault parameter, domain size, and lattice strain values in the strain‐induced h.c.p. phase are also estimated.
Energy Gap Determination in Semiconductors by Electric‐Field‐Modulated Optical Absorption
Authors: Frova A. , Penchina C. M.
Published: July 2007

A new technique is described for determining the band gap in semiconductors from measurements of the electric‐field‐modulated absorption of light (Franz‐Keldysh effect). This method is tc some extent more convenient than previous ones since it permits the use of rather thick samples. Yet, the precision is about as high as that achieved by other techniques. Experiments using this technique have been carried out in germanium. The direct energy gap is found to be 0.7990 ± 0.0005 eV at 305 °K and 0.8807 ± 0.0010 eV at 89 °K, in excellent agreement with the values reported by other authors.
Interaction of Magnetoplasma Waves with Spin Waves in a Transverse Magnetic Field
Authors: Mendelson K. S. , Spector H. N.
Published: July 2007

The interaction of magnetoplasma waves and spin waves in bulk ferromagnetic materials has been investigated for the case in which the direction of propagation is perpendicular to the static magnetic induction. For this geometry there are two types of magnetoplasma waves, but only one of them interacts with the spin waves. This one is a transverse plasma wave that propagates at frequencies above the plasma frequency. At wave numbers for which the interaction is a maximum, the modes cannot be identified as pure plasma or pure spin waves. The interaction can only be observed in materials in which the plasma frequency is less than the cyclotron frequency. Therefore, the interaction cannot be seen in metals, but it might be possible to obtain the interaction in a ferromagnetic semiconductor.
On the Analysis of the Dielectric Dispersion of Ferrites
Authors: Fang P. H.
Published: July 2007

Several models which have been used to analyze the low frequency dielectric dispersion of NiZn or Mn ferrites are discussed. Based on the analytic nature of the dispersion functions corresponding to these models, it is shown what experimental data are required to decide the validity of specific models.
The Use of Directional Freezing of the Melt for the Preparation of Large Bismuth Single Crystals
Authors: Bednarski S.
Published: July 2007

Directional freezing is used for the preparation of large single crystals of bismuth. The diameter of cylindrical crystals obtained by this technique is 75 mm and the length 180 mm; the average mosaic spread is about 10 minutes of arc. The technique described may be applied to obtain single crystals of certain other materials which increase their volume during the process of solidification.
Elektrische Schwingungen in dünnen Schichten aus hexagonalem Selen
Authors: Polke M. , Hasler K.
Published: July 2007

An Aufdampfschichten aus hexagonalem Selen wurden bei angelegter Gleichspannung Schwingungen des elektrischen Stromes beobachtet, wenn die Probe mit Gleichlicht bestrahlt wurde. Die Ortsabhängigkeit des Potentials bei verschiedenen Bestrahlungsstärken und Raumtemperatur zeigte, daß mit dem Einsetzen der Schwingungen das Auftreten einer kritischen hohen Feldstärke vor der Anode verbunden war. Die Abhängigkeit der Schwingungsamplitude und der Schwingungsfrequenz von der angelegten Gleichspannung, der Temperatur, der Bestrahlungsstärke und der Wellenlänge des anregenden Lichts ergaben stets ein ähnliches Verhalten wie die entsprechenden Abhängigkeiten des Gleichstroms [1].
On the Mechanism of Ionization Processes in Silicon Carbide Occurring at High Electric Fields
Authors: Vereshchagin I. K. , Kirichuk A. S.
Published: July 2007

Electric, photoelectric, and luminescent properties of carborundum‐crystal rectifying contacts are studied in the region just below breakdown of the current‐voltage characteristics. At reverse voltages above 4 V a multiplication of the optically generated carriers is observed in the region of the crystal barrier. A rapid rise in the dark current and the intensity of light emission together with an increase of voltage on the barrier, are also connected with impact ionization of the lattice. The ionization coefficient is of order 104 cm−1 with a field strength of approximately 4 × 105 V/cm.
Determination of Parameters of the Rotational Dynamics of the Groups NH4 in NH4ClO4 and H3O in H3OClO4 by Inelastic Scattering of Neutrons
Authors: Janik J. M. , Janik J. A. , Bajorek A. , Parliňski K.
Published: July 2007

Measurements of inelastic neutron scattering in NH4ClO4 and H3OClO4 are made from liquid nitrogen to room temperature. The absence of peaks in the scattering spectrum of NH4ClO4 suggests that the NH4 groups have rotational freedom. In the scattering spectrum of H3OClO4 a peak is observed at 0.062 eV which is considered to be due to hindered rotations of the H3O group.
Tunnelling and Capture in Ge Tunnel Junctions Doped with Ni
Authors: Constantinescu C. , Dolocan V.
Published: July 2007

The tunnel transitions and capture processes in Ni doped Ge tunnel junctions are investigated. From a comparison of the experimental values for excess current with the theory of tunnelling and capture, the capture cross sections of multi‐charged Ni centres in Ge are determined at 77 °K. Capture cross sections for electrons and holes by negatively charged Ni centres, and for electrons by neutral Ni centres, are found. The values agree satisfactory with those obtained from recombination studies.