bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Eutectic crystallization of aluminium copper alloys (II). Influence of impurity elements
Authors: Yaneva S. , Budurov S. , Stoichev N. , Christova S. , Ionchev S.
Published: July 2007

The directional crystallization of eutectic Al–Cu alloys with Fe additions under molten salts has been studied. According to Tiller's theory the specific interphase boundary energy σαβ was estimated for eutectic Al–Cu alloys with three concentrations of additive. Values of σαβ depend on Fe‐concentration. Small additions of Fe modify the eutectic structure in two directions: a) enlargement of interlamellar spacings. b) formation of rod‐like structure.
Eine spektroskopische Methode zur Untersuchung des Anfangsstadiums der Metallschichtbildung auf Glas
Authors: Demme U. , Meyer K. , Tiller H.‐J.
Published: July 2007

Die spektroskopische Messung der Wasserstoff‐Atomkonzentration in der positiven Säule einer Glimmentladung ermöglicht einen sehr einfachen Nachweis geringer Metallbelegungen (z. B. Nickel) auf oxidischen Oberflächen. – Die kinetische Auswertung der experimentellen Ergebnisse zeigt, daß sowohl die Geschwindigkeit der Bildung als auch der heterogenen Rekombination der Wasserstoffatome von der Nickelbelegung der Oberfläche abhängig sind. Aus den kinetischen Daten kann man Rückschlüsse auf den Verlauf und die Geschwindigkeit der Belegung der Glasoberfläche ziehen. Es läßt sich das experimentell schwer zugängliche Anfangsstadium der Schichtbildung erfassen. – Messungen des elektrischen Widerstandes zeigen die Inselstruktur der dünnen Nickelfilme. Aufgrund der Oberflächendiffusion der Wasserstoffatome besitzt ein solcher diskontinuierlicher Film die gleiche katalytische Aktivität für die Wasserstoff‐Atomrekombination wie eine geschlossene Schicht.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐ortho‐methyl‐anilid‐jodids
Authors: Reck G.
Published: July 2007

Die Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐ortho‐methyl‐anilid‐jodids ist monoklin, Raumgruppe P21/c, mit vier Formeleinheiten C15H23N2OJ in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 7,119, b = 18,932, c = 12,592 Å und β = 105,77°. Da die Intensitäten der Röntgenreflexe mit einem automatischen Vierkreisdiffraktometer sehr genau gemessen werden konnten, war es möglich, auch die Positionen der Wasserstoffatome in dieser Schweratomstruktur, die ein Jodatom enthält, zu bestimmen. Der abschließende R‐Wert für aller 3157 Reflexe beträgt 0,042.
Über den Einfluß von Wachstumsfluktuationen auf den effektiven Verteilungskoeffizienten beim Zonenschmelzen
Authors: Duží P. , Barthel J.
Published: July 2007

Es wird der Einfluß von thermisch bedingten Oszillationen und Fluktuationen der Erstarrungsgeschwindigkeit auf die Mikro‐ und Makroverteilung von Iridium in Molybdän beim Zonenschmelzen untersucht. Die Mikroverteilung stimmt für dieses System mit einem Gleichgewichtsverteilungskoeffizienten k0 < 1 mit der in früheren Untersuchungen gefundenen prinzipiell überein. Der mittlere effektive Verteilungskoeffizient als Maß der Makroverteilung verändert sich mit zunehmender Fluktuation stetig in Richtung auf den Wert eins, bleibt jedoch weiterhin von der Zonenschmelzgeschwindigkeit abhängig. Damit zeigt dieses System mit einem Gleichgewichtskoeffizienten k0 < 1 wesentliche Unterschiede zu dem früher untersuchten System W in Mo mit k0 > 1.
Investigations of the defect structure of CdS single crystals and explanation of the exciton lines shift
Authors: Auleytner J. , Bak J. , Razbirin B. S. , Makarenko I. W.
Published: July 2007

In this paper an influence of the defect structure of CdS crystal on the exciton line shift has been investigated. It was proved that the exciton line shift towards higher energies is connected with variations of the lattice constant caused by zinc impurities. CdS crystals after Zn ions implantation do not reveal the exciton line shift and only broadening of these lines occurs due to the strain field existing in crystal lattice.
LCAO HMO study of the binding energy of small clusters of lithium atoms
Authors: Bliznakov G. M. , Delineshev Sv. P. , Lazarov D. L.
Published: July 2007

The atom by atom growing of the energetically most favourable lithium clusters of 2 to 10 atoms was studied. The clusters had the structure of a body centered cubic lattice of lithium. The LCAO–HMO method was used for the energetic description of the clusters. It was assumed that there is an interaction of a given atom with its neighbours in the first six coordination spheres in the lithium lattice. All possible (two‐dimensional and three‐dimensional) positions of the n + 1st atom with respect to a cluster of n atoms were taken into account. It was shown that from 2 to 10 atoms the cluster grows twodimensionally and has the geometry of the lattice plane with the highest net density in the body centered cubic lattice of lithium, the 110 lattice plane. This was discussed in detail. It was shown that the bond energy per atom increases, whereas the energy of a bond between nearest neighbours decreases with increasing number of atoms in the cluster.
Effects of inertia of dislocations on the probability of unpinning by ultrasound
Authors: Azhazha Zh. S. , Landau A. I.
Published: July 2007

The paper is concerned with theoretical models of dislocation segments fixed at their ends to local obstacles of either the same or two different types. The dislocation inertial properties are shown to influence substantially the probability of unpinning from the local obstacles as the crystal is subjected to ultrasonic oscillations. The unpinning probability in the presence of oscillations can be much higher than that with a constant load of the same magnitude. In the case of two types of obstacles, the weaker can play a “provocative” role facilitating unpinning of dislocations from the stronger obstacles. The considered effects constitute admittedly one of microscopic mechanisms of the plasticizing and “softening” action of ultrasound.
Ein Dielektrizitätskonstanten‐Meßplatz zur Untersuchung optischer Kristalle im Mikrowellenbereich
Authors: Wehrsdorfer E. , Thiel W. , Karthe W.
Published: July 2007

Es wird ein Meßplatz zur Dielektrizitätskonstantenmessung nach dem Resonanzverfahren bei f = 10 GHz beschrieben. Auswerteformeln sowie Grenzen der Meßmethode werden angegeben. Anschließend werden die Meßwerte von ϵ′ und ϵ″ verschieden behandelter optischer Kristalle angegeben.
Point symmetry of crystals containing a straight edge dislocation
Authors: Paufler P.
Published: July 2007

The point symmetries mm2, m or 2 at the core of a straight edge dislocation have been tabulated for 113 different types of glide systems.
Untersuchungen an Kupfer‐Einkristall‐Sintermodellen
Authors: Schatt W.
Published: July 2007

Es wird die Herstellung und Auswertung von Platte‐Kugel‐Einkristallmodellen aus Reinstkupfer behandelt und eine Übersicht von bisherigen Untersuchungsergebnissen zum Einfluß der Kristallanisotropie sowie einer erhöhten Versetzungsdichte auf den Materialtransport im Sinteranfangsstadium gegeben. Es wird gezeigt, wie durch eine zweckentsprechende Verfeinerung der Modelle neue Informationen zum Sintergeschehen gewonnen werden können.
Zur Bestimmung der Konzentration von Leerstellen und Versetzungen plastisch deformierter Metalle mittels Positronenannihilation
Authors: Dlubek G. , Brümmer O.
Published: July 2007

Es wird die Anwendung der Positronenannihilation zur Bestimmung der Konzentration von Kristalldefekten beschrieben und ein Modell zur Bestimmung von Defektkonzentrationen bei Anwesenheit mehrerer Defektarten angegeben, das auf einer stufenweisen Ausheilung jeweils einer Defektart beruht. Aus Winkelkorrelationsmessungen an kaltgewalzten und getempertem Pd wurde geschlußfolgert, daß sich Versetzungen und Leerstellen im Experiment unterscheiden lassen. Unter Benutzung einer Größe von μ = 2 · 1015 s−1 für die spezifische Positroneneinfangrate führen die Ergebnisse für 7,5% Dickenreduktion zu einer Versetzungsdichte und Leerstellenkonzentration in der erwarteten Größenordnung. Eine Untersuchung der Änderung der Gestalt der Winkelkorrelationskurve nach plastischer Deformation zeigt, daß die Verschmalerung der Winkelkorrelationskurve verursacht wird sowohl durch die Abnahme der Intensität als auch der Breite des gaußförmigen Teiles, welcher von der Annihilation mit an den Ionenrümpfen gebundenen Elektronen herrührt.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐para‐brom‐anilid‐jodid
Authors: Reck G. , Bannier G.
Published: July 2007

N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐para‐brom‐anilid‐jodid kristallisiert in der triklinen Raumgruppe P 1 mit zwei Formeleinheiten C14H20N2OBrJ und zwei H2O‐Molekülen in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 8,950 Å, b = 14,721 Å, c = 7,440 Å, α = 80,19°, β = 112,57° und γ = 106,82°. Mit Hilfe der Röntgenkristallstrukturanalyse wurden die Molekülstruktur der Verbindung bestimmt und die Wechselwirkungen zwischen den Molekülen im Kristall erforscht. Insbesondere wurde der Einfluß des im Kristall eingelagerten Wassers auf die Molekülgestalt untersucht.
Erhöhung der technischen Festigkeit durch Eigenspannungen
Authors: Hieke M.
Published: July 2007

Auf der Suche nach Möglichkeiten, die technische Festigkeit fester Stoffe zu steigern, wird eine in der Erzeugung kugelförmiger Einschlüsse innerhalb eines Kontinuums gesehen. Die Kugelförmigen Bezirke werden durch Ausscheidung einer Komponente aus der Lösung hervorgebracht. Das Gitter in den Kugeln, die im umgebenden Medium eingebettet sind, ist als Ausnahmegitter ausgebildet.
Zur Lumineszenz von Zinksiliziumphosphid
Authors: Becherer H. , Liebscher H.‐H. , Schneider H. A.
Published: July 2007

Es wird über Kathodolumineszenzuntersuchungen an nach unterschiedlichen Verfahren hergestellten ZnSiP2‐Einkristallen berichtet. Die in den einzelnen Proben erregte Lumineszenz zeigte beträchtliche Unterschiede in Intensität und spektraler Verteilung. Die Ursache für diese Unterschiede liegt offensichtlich im unkontrollierten Einbau möglicher Rekombinationszentren während des Kristallwachstums. Bei den Kristallen aus den Herstellungsverfahren „Gasphasetransport mit ZnCl2”︁ und „Kristallisation aus Zinn‐ bzw. Zinkschmelzen”︁ wurde jeweils ein für das Herstellungsverfahren typisches Linienspektrum gefunden. Diese Kopplung zwischen speziellen Linienspektren und Kristallzüchtungsverfahren wird auf die Beteiligung von Eigendefekten an den Rekombinationsprozessen zurückgeführt. Der Nachweis von durch Zugabe zur Schmelze erfolgten Dotierungen mittels Lumineszenzmessungen wird am Beispiel der Elemente Se, Te, In und Ga diskutiert.
The association energy of aggregates of divalent impurities and vacancies in NaCl‐type crystals (point charge approximation)
Authors: Berg G. , Fröhlich F. , Siebenhüner S.
Published: July 2007

The formation and association energies for the different aggregates of divalent metal impurities and cation vacancies are derived by considerations of the sums over all lattice vectors. This gives a simple formula in the point charge approximation if an infinite lattice is assumed. Because of the neglection of the polarization of the ions this method yields a higher value for these energies, as a comparison with the literature for the case of dipoles shows. But nevertheless it is a first possibility for a correct estimation of these energies also for higher aggregates.
Änderung der Polarisation und der Intensität des Lichtes beim Durchgang durch eine Elliptisch Doppelbrechende Platte
Authors: Schamburov V. A. , Romanova N. F.
Published: July 2007

Es wird ein allgemeines Gesetz der Veränderung der Polarisation des Lichtes durch eine elliptisch doppelbrechende Platte bei deren Drehung um die Normale analytisch ermittelt und zeichnerisch durch eine Kurvenschar auf der Poincaré‐Kugel dargestellt. Analog dazu wird die Veränderung der Polarisation des Lichtes durch eine feststehende Platte bei Drehung der Polaristionsebene des einfallenden Lichtes untersucht.

Es werden allgemeine Abhängigkeiten der Lichtdurchlässigkeit einer elliptisch doppelbrechenden Platte mit Analysator von ihrem Drehwinkel und vom Drehwinkel der Polarisationsellipse des einfallenden Lichtes festgestellt und durch Kurvenscharen dargestellt. Eine Erklärung des Aufbaus eines gewöhnlichen konoskopischen Bildes wird gegeben, das durch eine senkrecht zu ihrer optischen Achse geschnittenen Quarzplatte entsteht, sowie die Entstehung der Bilder mit Airy'schen Doppelspiralen erklärt. Gleichzeitig werden Methoden zur Untersuchung und Beobachtung der Effekte vorgeschlagen, die mit einer Veränderung oder Entstehung der linearen oder zirkularen Komponente der elliptischen Doppelbrechung bei einer physikalischen Einwirkung auf die kristalline Platte zusammenhängen.
Regularities of plastic deformation in indentation on the (111) plane of NaCl single crystals
Authors: Boyarskaya Yu. S. , Shutova S. S. , Zhitaru R. P.
Published: July 2007

Dislocation structures arising in indentation on the (111) face of NaCl single crystals are studied by etch‐pit technique. The deformation temperature varied in the interval from 77 to 520 °K. The effect of radiation defects introduced by γ‐irradiation on the shape of dislocation rosette was investigated. Three types of dislocation rosettes depending on the experimental conditions were observed. A possible explanation of this phenomenon is proposed. It is shown that the polarity of plastic deformation observed under indentation is an universal phenomenon which is revealed in the temperature range from 77 to 470 °K. The phenomenon of dislocation rosette inversion was first observed.
Mechanische Eigenschaften von InAs‐Whiskern
Authors: Seidowski E.
Published: July 2007

Es wird gezeigt, daß die mechanische Festigkeit von InAs‐Whiskern stark vom Fremdstoffgehalt abhängig ist. Experimentell wird eine Abhängigkeit der Zugfestigkeit der InAs‐Whisker von der Größe ihres effektiven Durchmessers gefunden. Aus Spannungs‐Dehnungsdiagrammen werden die Elastizitätsmoduln der untersuchten Kristalle bestimmt.
Zur Realstruktur von hochdotierten Galliumarsenid‐Einkristallen
Authors: Schumann B.
Published: July 2007

Es wird über weitere Realstrukturuntersuchungen (Ätzen, Kathodolumineszenz u. a.) an hochdotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die Korrelation des Auftretens der Zellenstruktur und von Züchtungsparametern wird diskutiert.
Herstellung und kristallographische Eigenschaften von GaxIn1−xP‐Epitaxieschichten
Authors: Noack J. , Kies J.
Published: July 2007

Es wird eine Methode zur Herstellung von GaxIn1−xP‐Schichten durch Anwendung chemischer Transportreaktion unter Verwendung einer In, Ga‐Schmelze and InP als Quellen sowie HCl als Transportmittel beschrieben. Die x‐Abhängigkeit der Variationsbreite des Beugungwinkels wird als durch thermodynamische Eigenschaften des Systems InP‐GaP sowie des Abscheidungsvorganges begründet und als Inhomogenität im Sinne einer Abweichung vom Verhalten eines idealen Mischkristalls gedeutet.
Zur Abscheidung einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe aus der Gasphase (I)
Authors: Seidowski E. , Newiak S.‐O.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit werden die Möglichkeiten der Anwendung der chemischen Thermodynamik zur quantitativen Beschreibung chemischer Gasphasenabscheidungsprozesse von Halbleitern diskutiert. Einen wesentlichen Teil nimmt die Darlegung der Stellung der Thermodynamik in der Gasphasenhalbleitermetallurgie ein. Es wird ein Modell beschrieben, welches die Optimierung der Abscheidungsprozesse einfacher und komplizierter Halbleiterwerkstoffe ermöglicht. Dieses Modell wird unter praktischen Gesichtspunkten ausführlich am Beispiel der Abscheidung von Aluminiumphosphid im System AlPJAr erläutert. Durch Vergleich der errechneten optimalen Abscheidebedingungen mit den experimentellen wird die Möglichkeit und Notwendigkeit von Prozeßoptimierungen hervorgehoben.
Metastable regions of aqueous solutions of inorganic soluble salts
Authors: Söhnel O.
Published: July 2007

Based on the nucleation conception of metastable zones in aqueous solutions of soluble salts and employing the thermodynamics, a relation was derived correlating the metastable zone width with physico‐chemical characteristics of the substance. The derived relation holds well for values, obtained when using an identical experimental method. The mean size of a “critical” salt nucleus corresponding to the method used was calculated from the correlation line. It is demonstrated that the relation can be used for those sets of data, which were obtained at approximately the same degree of mechanical stressing and solution purity.
Zur Existenz von mikroskopisch kleinen Hohlräumen in durch Massenkristallisation gewonnenen KCl‐ und NaCl‐ Kristallen
Authors: Vetter J. , Winzer A. , Emons H.‐H.
Published: July 2007

Durch rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen wurden an KCl‐ und NaCl‐Kristallen vom Zentrum der Würfelflächen ausgehende Hohlräume gefunden und danach auch bei lichtmikroskopischen Betrachtungen als solche erkannt. Die KCl‐Kristalle wurden aus einer gesättigten Lösung sowohl durch Kühlungs‐ als auch durch Fällungskristallisation bei stetigem Rühren erhalten, während die NaCl‐Kristalle durch Fällungskristallisation mit organischen Lösungsmitteln gewonnen wurden.
The complex electron microscopic study of anodic aluminium oxide layers
Authors: Csanády Agnes , Szontagh E. , Romhányi K.
Published: July 2007

The authors have studied the structures of D.C. and A.C. layers prepared by the direct colouring anodic oxidation process, using horizontal decomposition perpendicular to the plane of the layer and vertical analysis of the layer cross‐section. This combined approach has enabled them to define the areas of application of each method of study and to interpret the results of the various oxidizing procedures more correctly.
Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si‐Einkristallen und ihre Deutung
Authors: Geil W. , Lebek A. , Schmugge K.
Published: July 2007

Die Züchtung von 〈111〉 orientierten Si‐Einkristallen hoher struktureller Perfektion wird mit steigendem Kristalldurchmesser schwieriger. Deshalb ist für die Entwicklung geeigneter Züchtungsverfahren zur Herstellung versetzungsfreier Kristalle die Kenntnis über die Bildung von Versetzungen in der versetzungsfreien Matrix von Bedeutung. Unter der Voraussetzung, daß das Überschreiten des Wertes der kritischen Schubspannung die Ursache der Versetzungsbildung ist und, daß die Spannung im Kristall sowohl durch die Existenz radialer und axialer Temperatur‐ und Fremdstoffgradienten bedingt sind, werden die Unterschiede für die Mindestpannungen bei bestimmten bevorzugten Züchtungsrichtungen aus einem Modell der dichtesten Kugelpackung bestimmt. Als bevorzugte Züchtungsrichtungen werden dabei die 〈111〉‐ und 〈100〉‐Orientierung angesehen. Im Ergebnis der Arbeit resultieren Hinweise über die Verfahrensweise beim Züchten von Si‐Einkristallen mit bestimmten Eigenschaften.
Induction time in batch crystallisation
Authors: Söhnel O. , Nýavlt J.
Published: July 2007

Three theoretical models of nucleation in batch crystallisation experiments are presented and compared. The first model, based on the assumption that the new particles are detected immediately after their birth, can be used for assessing the width of metastable zones for practical purposes of industrial crystallisation and crystalliser design. The second one is based on the conception that a certain period of time is needed for crystals, newly born in a solution, before they grow up to become visible; they cannot be detected during this period, though nucleation has already taken place. The third model assumes that all the subcrystals, present in the solution, must attain the visible size before the process of nucleation can be observed. The authors given preference to the second model for evaluating the effective parameters of nucleation.
Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften von Vanadiumdioxid‐Pulver durch Reduktionsbehandlung
Authors: Brückner W. , Gerlach U. , Moldenhauer W. , Oppermann H. , Wolf E. , Storbeck I.
Published: July 2007

Es wird ein Reduktionsverfahren beschrieben, das es gestattet, den elektrischen Widerstand von Vanadiumdioxid‐Pulver und damit die Schaltspannung in weiten Grenzen definiert einzustellen. Der Einfluß der Reduktionstemperatur, der Korngröße und der Phasenreinheit auf das elektrische Verhalten der Pulver wird betrachtet. Durch metallographische, röntgenographische, elektrische und magnetische Untersuchungen wurde geklärt, daß die Änderung des elektrischen Widerstandes durch eine inhomogene, zum Korninneren hin abnehmende Reduktion des VO2‐Kornes bis zur sauerstoffarmen Phasengrenze und darunter entsteht.
Untersuchung von GaN‐Epitaxieschichten mit ionometrischen Methoden
Authors: Flagmeyer R. , Geist V. , Seifert W.
Published: July 2007

Die Qualität von 2 bis 11 μm dicken {0001} GaN‐Epitaxieschichten auf Spinell‐ und Korundsubstrat wurde mit Kanalisierungs‐ und Schatteneffektmessungen untersucht. Aus den Protonen‐Rückstreuspektren (Energie Ep = 1 MeV) ergibt sich, daß die Perfektion der auf Korund gewachsenen GaN‐Schichten wesentlich höher als der auf Spinell gezüchteten ist. Wie für die Kombination GaN/Spinell gezeigt werden konnte, nimmt die Defektkonzentration mit wachsender Schichtdicke ab. Die aufgenommenen Protonogramme liefern zusätzliche Aussagen zur Perfektion und Kristallstruktur der Schichten.
Determination of the diffusion coefficient of arsenic in Ga solution from growth rate measurements of LPG GaAs
Authors: Bryśkiewicz T.
Published: July 2007

On the basis of the LPE GaAs growth rate measurements in which we used current marks of time, the diffusion coefficient and the critical supercooling of arsenic in Ga solution by a semiempirical method was determined. Some knowledge of these parameters is indispensable for investigating the growth mechanism and kinetics of epitaxial layers from high temperature solutions. Taking into account the fact that the diffusion coefficient as a function of temperature is of the form D(T) = D0 · exp (–B/T), the results were extrapolated in a range of temperatures 750–950°C typical for liquid epitaxy of GaAs.
Growth, structure and some properties of oriented Sb (S, O) I films
Authors: Sheftal R. N. , Nikitin K. V. , Savitskaya Y. S. , Ormont A. B. , Kuchta N. P.
Published: July 2007

X‐ray and electron microprobe analyses of Sb(S, O)I films structure and composition have been performed. The films under investigation were prepared by crystallization from the melt in close spacing. It was revealed that the SbS0.8O0.2I structure was isomorphic t the SbSI one. The ferroelectric phase transition was observed at 75°C. The electromechanical coupling factor was 0.3 at 50°C.
Holographische Abbildung von Kristallwachstumsprozessen in bewegten Lösungen
Authors: Seyfarth H.‐H. , Wenke L. , Schreiber W.
Published: July 2007

Die Aggregatbildung in technischen Kristallisatoren ist ein wichtiges Element der technischen Kristallisation. Die Untersuchung dieses Vorgangs ist experimentell sehr schwierig. Es wird eine Einrichtung zur direkten Beobachtung der Aggregatbildung in gerührten Lösungen beschrieben.
A new method for the determination of the orientation of molecules in the unit cell
Authors: Reck G. , Kutschabsky L.
Published: July 2007

A new method for the determination of the orientation of organic molecules with partially known stereochemistry in the unit cell is described and compared with the convolution molecule method by Hoppe and Paulus.
New method for the visualization of domain and defect structure of ferroelectrics
Authors: Distler G. I. , Shenyavskaya L. A.
Published: July 2007

A new method for the visualization of domain and real structure of ferroelectric triglycine sulphate (TGS) crystals on the scale of optical microscopy by means of decoration with auramine is developed. Auramine deposits on crystal surfaces as discrete particles about 2 microns in size and as a continuous layer, thus allowing both the domains as a whole and the various electrically active elements of the domain and real TGS structure to be visualized with high resolution. Due to decoration with auramine, the domain structure of TGS detected with a very high contrast; elements of the geometrical relief‐cleavage steps exhibiting different electrical properties are also revealed. Furthermore, it has been observed for the first time that the positive domains have sharp electrical boundaries, while the negative domains have erased boundaries. It has also been established that between the domains of opposite signs regions exist characterized by a very low electrical activity. Decoration of annealed TGS crystals which were rapidly cooled from the temperature of 150°C, i.e. above the Curie point (49°C) down to room temperature resulted in detection of new electrically active directions on the surface of the negative domains; these directions are likely to occur in the paraelectric state. The new method cannot only be applied to the study of the TGS crystals but can also be useful in investigation of other ferroelectrics.
Röntgenographische Untersuchung von Verformungsstrukturen in Metall‐Einkristallen
Authors: Reitzenstein W.
Published: July 2007

Spezielle Aufgabenstellungen für röntgenographische Verfahren bei der Untersuchung von Verformungsstrukturen werden erörtert und hierfür geeignete Varianten des Berg‐Barrett‐Verfahrens im Informationsgehalt und Anwendungsbereich verglichen. Ausgehend von allgemeinen Grundlagen der Bildauswertung und Kontrastinterpretation wird besonders auf die für Verformungsstrukturen typischen Orientierungskontraste eingegangen. Bei geeigneter Versuchsführung können neben der quantitativen Bestimmung von Gitterdesorientierungen auch die Lage der Drehachse sowie Vorzeichen und Art der Gitterdrehung (Torsion oder Krümmung) ermittelt werden.
On the kinetics of the decomposition of ternary Al‐Zn(6at.%)Mg(X) and AlMg(X)Si(Y) alloys
Authors: Bossac H. , Fabian H.‐G. , Jürgens G. , Kempe M. , Korngiebel E. , Löffler H. , Oettel W.
Published: July 2007

Investigations on Al‐Zn(3)‐Mg(X) alloys gave the rather surprising result that the migration energies depend on the physical quantities (resistivity, Young's modulus) and the ageing time used. Therefore it is the aim of this paper to test, if similar effects occur using other ternary alloys and additional measuring methods. The ageing kinetics of 7 Al‐Zn(6)‐Mg(X) alloys are examined by isothermal measurements of resistivity, Young's modulus, change of length, and microhardness over a relatively long time interval of about 3 h within the temperature range from 20°C to 90°C.

The activation energies got for the Al‐ZN(6)‐Mg(X) alloys depend on the physical quantity as well as on the ageing time used within the temperature range from 20°C to 40°C as known from the Al‐Zn(3)‐Mg(X) alloys.

The activation energies obtained for the Al‐Zn(6)‐Mg(1.3) alloy in the temperature interval from 50°C to 90°C decrease monotonously with increasing time for the measuring methods considered.

These results different with respect to those two temperatur ranges are probably caused by a change of the decomposition mechanism. Below 40°C presumably several kinds of clusters are formed in the beginning of the decomposition, but above 50°C probably only one sort of clusters should grow. The late stage of ageing should be caused mainly by the diffusion of VZn2 complexes (EM = 0.21 eV) in the temperature range investigated, since 0.2 eV holds for that stage. – Finally the results of the investigations of the kinetics of some Al‐Mg(X)‐Si(Y) alloys are discussed by means of the jump model.
Die Energieniveau‐Aufspaltung von Ionen der Gruppe der Seltenen Erden in Kristallfeldern unterschiedlicher Symmetrie
Authors: Bienert K. , Kustov E. F. , Petrov V. P.
Published: July 2007

Bei der Berechung der Matrixelemente für die Zustände eines Seltenen‐Erd‐Ions wird in der vorliegenden Arbeit die Methode der Untergruppenkoeffizienten angewendet. Sie wird zur Berechnung der Energieniveau‐Diagramme von Ionen der Gruppe der Seltenen Erden in Kristallfeldern mit oktaedrischer, tetragonaler, trigonaler und rhombischer Symmetrie eingesetzt.
The effect of pH on the growth of the {100} faces of ammonium dihydrogen phosphate crystals
Authors: Davey R. J. , Mullin J. W.
Published: July 2007

The velocity and shape of growth layers on the {100} faces of ammonium dihydrogen phosphate (ADP) crystals growing in aqueous solution at pH = 5.0 are compared with those previously reported for growth at pH = 3.8. The results are interpreted in terms of the adsorption of hydrated hydroxonium ions on the crystal surface.
Quantitative Elektronenstrahlmikroanalyse und Zyklotronresonanzmessungen an Wismut‐Antimon (Bi1−xSbx)
Authors: Schneider G. , Ullrich H.‐J. , Oelgart G. , Suwalski G.
Published: July 2007

Für die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von Wismut‐Antimon‐Einkristallen ist die Analyse ihrer chemischen Zusammensetzung wichtig. Die Elektronenstrahlmikroanalyse ist eine dafür geeignete Methode. Die quantitative Elektronenstrahlmikronanalyse erfordert im allgemeinen die Berücksichtigung verschiedener Einflüsse. Das ist durch Korrekturrechnungen auf der Grundlage theoretischer Modelle möglich. Für die Reproduzierbarkeit und Vergleichbarkeit von Analysenergebnissen ist die Angabe der Meßbedingungen und der theoretischen Korrekturen notwendig. Die vorliegende Arbeit untersucht, unter welchen Bedingungen bei der Analyse wismutreicher Wismut‐Antimon‐Legierungen die Korrektur vernachlässigbar ist. Die erfolgreiche Nutzung der Elektronenstrahlmikroanalyse für die Untersuchung der Abhängigkeit der Bandstruktur des Bi1−xSbx von der Antimonkonzentration x wird am Beispiel von Zyklotronresonanzmessungen gezeigt.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des Morpholyl‐pentamethin‐merocyanins C9O2NH13
Authors: Kulpe S. , Schulz B.
Published: July 2007

Das Morpholyl‐pentamethin‐merocyanin kristallisiert in der Raumgruppe \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ P\frac{{{\rm 2}_{\rm 1} }}{{\rm a}} $\end{document} mit der Gitterkonstanten a = 13,269 Å, b = 15,232 Å, c = 4,513 Å, β = 94,05°. Die Bindungs längen zwischen den Methin‐Kohlenstoff‐Atomen innerhalb der Pentamethinkette alternieren signifikant und zeigen damit einen deutlich polyenischen Verlauf. Gleichzeitig ergeben sich kurze C–N‐ (1,339 Å) und kurze C–O‐Bindungslängen (1,224 Å) der Substituenten N und O zur Pentamethinkette hin. Wie bereits bei offenkettigen Cyaninen so finden wir auch bei diesem Merocyanin eine deutliche Alternierung der Valenzwinkel an den Methin‐Kohlenstoffatomen. Substituenten‐Abstände und Valenzwinkel‐Alternierung deuten auf ein polymethinisches Verhalten der Moleküle hin. Das vorliegende Merocyanin nimmt demnach eine Mittelstellung zwischen polyenischem und polymethinischem Verhalten ein, das sich durch die RKSA‐Ergebnisse relativ scharf umreißen läßt. Die experimentell ermittelte Molekülgeometrie wird mit quantenchemischen Rechnungen und unterschiedlichen strukturchemischen Vorstellungen verglichen. Auf der Basis der Resonanztheorie werden neue Grenzstrukturen eingeführt, deren Berücksichtigung eine Deutung der Molekülgeometrie auch im Mesomerie‐Formalismus ermöglicht. Die Geometrie des sesselförmigen Morpholylrings sowie die Packung der Moleküle im Kristallverband (intermolekulare Wechselwirkungen) werden im Detail diskutiert.
Low‐angle boundary investigation in silicon single crystals
Authors: Dashevsky M. Ya. , Eidenson A. M. , Kazimirov N. I. , Khatsernov M. A.
Published: July 2007

Low‐angle boundaries in Si single crystals grown from the melt in [111], [100], [112], [110], [118] and [115] directions were investigated by chemical etching, copper decoration technique and X‐ray topography. — LAB of four types were found in planes parallel to the crystal growth axes. Rearrangement of dislocations from slip bands into LAB was observed in heavily‐doped Si crystals. The origin of LAB in melt grown Si crystals is discussed. It is shown that these boundaries are well interpreted in terms of dislocation alignment formation in the thermal stress field of the growing crystal.
Role of microcrystals in the growth and development of prism faces of cultured quartz (I). Attached microcrystals
Authors: Joshi M. S. , Kotru P. N.
Published: July 2007

Microcrystals attached in random orientations to growing host prism faces of cultured quartz grown by the hydrothermal crystallization technique are described. The microcrystals are established to be quartz. Growth layers and pyramids initiated by the attached guest microcrystals of quartz on the growing host prism faces of bulk quartz crystals are illustrated. Also described are striations, parallel, perpendicular and inclined to the c‐axis, and polygonal growth pyramids on the prism surfaces of attached guest microcrystals. Formation of the microcrystals of quartz is linked to the possibilities of creation of quartz micronuclei in the autoclaves which further establishes and solidly supports the explanation put forward by KOTRU. Effect of unoriented attached tiny crystals of quartz and impurities on the progress of growth layers on the host prism faces is dealt with. Role of attached guest microcrystals in the growth and development of the host prism faces in particular and the cultured quartz in general is discussed. Possibilities of the incorporation of quartz micronuclei inclusions and impurity inclusions in the quartz structure and its effect on the crystalline quality of cultured quartz is briefly dealth with.
Zur Züchtung von β‐Kupferphthalocyanin‐Einkristallen aus der Gasphase
Authors: Kersten F. , Hamann C.
Published: July 2007

In einer universell einsetzbaren Züchtungsapparatur wurden die Ursachen für die schlechte Reproduzierbarkeit und Konstanz der Wachstumsbedingungen bei einem seit 1936 bekannten Züchtungsverfahren sowie störendes Hohlwachstum untersucht. Die Charakteristika des Wachstums in Abhängigkeit von verschiedenen Züchtungsmethoden und Verfahrensweisen für Keimbildung und Wachstum werden beschrieben. Die Einführung neuer Zuchtmethoden ermöglicht die Herstellung größerer Kristalle. Das Wachstum der nadelförmigen Kristalle ist diffusionskontrolliert, die Wachstumsform weicht qualitativ nicht von der Gleichgewichtsform ab. Die Kristalle sind von mikroskopisch glatten Flächen begrenzt, nur auf den Stirnflächen treten oberhalb bestimmter kritischer Abmessungen morphologische Störungen auf.
Verteilungskoeffizienten und Konzentrationsanreicherungen an der Phasengrenzfläche bei ebenem und zellularem Erstarren von Zinn‐Zink‐Legierungen
Authors: Barthel J. , Krumnacker M.
Published: July 2007

Die experimentellen Ergebnisse von KRUMNACKER zu den effektiven Verteilungskoeffizienten und Konzentrationsverteilungen an der Phasengrenze im System Zinn–Zink wurden einer kritischen Überprüfung unterzogen. Darauf aufbauend wurde eine erweiterte Auswertung der Meßergebnisse vorgenommen. Sie bestätigte für ebenes Wachstum die Modellvorstellungen der Burton‐Prim‐Slichter‐Funktion für keff und zeigte, daß der Grenzflächenverteilungskoeffizient weder von der Erstarrungsgeschwindigkeit R noch von der Zinkkonzentration C0 abhängt. Dieses Ergebnis steht im Widerspruch zu einer Deutung der Meßergebnisse durch BRICE. Die Ursachen werden diskutiert. — Für zellulares Wachstum wird gezeigt, daß die Abhängigkeit des Segregationsverhaltens von Konzentration und Geschwindigkeit auf zwei Wirkungsmechanismen zurückzuführen ist. Sie bestehen einerseits im Einfluß einer weiterhin existierenden Konzentrationsanreicherung in der Diffusionsgrenzschicht vor der Erstarrungsfläche und andererseits im verstärkten Einbau der angereicherten Verunreinigungen in den Zellgräben. Im vorliegenden Fall großer Diffusionsgrenzschichtdicke ist der Einfluß der Diffusion für die Geschwindigkeitsabhängigkeit des keff bestimmend.
The frequency distribution of the threshold voltage of bistable Cu2O switching devices
Authors: Bäther K.‐H. , Brückner W.
Published: July 2007

The frequency distribution of the threshold voltage of AgCu2OAg switching devices was experimentally established. With a few switching cycles (n ≲ 150) distribution can be interpreted by a numerical Gauss distribution. Only a single, from electrode to electrode uninterrupted, channel is optically provable. A numerical Gauss distribution is usually no longer observed with a large number of switching cycles. The entire frequency distribution, however, is composed of several partial collectives which can be individually considered as normal distributions. These contribute in differing degrees to the total frequency distribution. Several switching channels can be optically proved. The channels and the normally distributed partial collectives were allocated to one another.
Erholung und Rekristallisation des stabilen Austenits bei der Verformung durch Walzen
Authors: Güth A. , Wadewitz H. , Zouhar G.
Published: July 2007

Zur Aufklärung der bei der Hochtemperatur‐Thermomechanischen Behandlung (HTMB) im stabilen Austenit ablaufenden Prozesse werden Härte, Gefüge und Versetzungsstruktur einer Fe24Ni0,5C‐Legierung in Abhängigkeit vom Verformungsgrad (ϵ = 13 bis 52%) und der Verformungstemperatur (Tv = 830 bis 1150°C) bei Raumtemperatur untersucht. Die beobachteten Strukturen können in ein Erholungs‐Rekristallisations‐Diagramm eingeordnet werden, das den Einfluß technologischer Parameter auf die Erholung und Rekristallisation des stabilen Austenits qualitativ beschreibt.
Preparation of HgJ2 single crystals and the effect of doping upon their physical properties
Authors: Růžička M. , Řežábková H. , Besedičová Š , Doupovec J. , Strácelský J.
Published: July 2007

HgJ2 single crystals both pure and doped were grown from an acetone solution using the method of the slow solvent evaporation. The iodides NaJ, KJ, SrJ2, CdJ2, NH4J were used as doping materials in concentrations from 0.01 to 2.0 wt%. The grown crystals were studied with respect to the influence of impurity doping on the electric conductivity and the phase transitions at atmospheric pressure (the DTA method) and high pressure as well (with the help of the high pressure optical cell).
Züchtung von (Pb1–xSnx) Te durch Sublimationstechnik
Authors: Wäsch Elke , Ickert L. , Friedrich J.
Published: July 2007

Im horizontalen Zweizonenwiderstandsofen wuchsen zwischen 750 und 720°C, einem ΔT von 15–10 grd zwischen Lösungs‐ und Wachstumsraum am Ende von evakuierten Quarzampullen nahezu ideal ausgebildete Kristalle. Bei Verwendung einer Heizzone wurden unter günstigen Bedingungen durch einen Quarzstab bzw. eine Quarzplatte als Keimzentrum gute Kristalle erhalten. — Es folgen Angaben zur Analytik der Züchtungsprodukte.
Kristalle der Halogenide des einwertigen Quecksilbers und ihre optischen Grundeigenschaften
Authors: Barta Č. , Gregora J. , Tranka J.
Published: July 2007

Es wurden Einkristalle von Bromid und Jodid des einwertigen Quecksilbers mittels einer früher für Quecksilber(I)Chlorid entwickelten Methode gezüchtet. Bei allen drei Halogeniden wurden die Brechungsindizes für den ordentlichen und außerordentlichen Strahl gemessen. Auf Grund dieser Werte wurden die Aufspaltungswinkel von beiden Strahlen für einen senkrechten Lichteinfall und für verschiedene kristallographische Orientierungen des Kristalls und verschiedene Wellenlängen des Lichtes berechnet.
Spektrochemische Bestimmung von Silizium in AlxGa1–xAs und physikalische Eigenschaften der Kristalle
Authors: Kühn G. , Fischer L. , Neumann H. , Bindemann R.
Published: July 2007

Es wird eine direkte spektralanalytische Methode zur Bestimmung von Si in AlxGa1–xAs (x ≈ 0,8) angegeben. Die Analysen von hochdotierten (1019 … 1020 cm−3) Testproben werden mit Ergebnissen von Photolumineszenz‐ und elektrischen Messungen in Verbindung gebracht.
Strukturuntersuchungen von Halbleiterkristallen mittels Doppelkristallspektrometrie
Authors: Bubáková R.
Published: July 2007

Es wird eine kurze Übersicht gegeben über die Verwendung des Doppelkristallspektrometers zur Untersuchung der Realstruktur von Kristallen. Einige Ergebnisse werden mitgeteilt.
Beitrag zur Kristallisation von ZnSiP2 aus der Gasphase
Authors: Hein Klaus , Winkler Konrad
Published: July 2007

Zur Präzisierung früher veröffentlichter Züchtungsergebnisse wurde der Einfluß der thermischen Bedingungen auf die Synthese und Kristallinität von ZnSiP2 weiter untersucht. Umfangreiche Temperaturmessungen beim experimentell ermittelten Optimum ermöglichten Aussagen über die axiale und radiale Temperaturverteilung in der Versuchsapparatur und im Reaktionsgefäß. Der axiale Temperaturgradient im Kristallisationsraum liegt bei 3 grd/cm, während in der Ampulle ein radialer Temperaturgradient von 4–5 grd/cm ermittelt wurde. — Die thermischen Abscheidungsbedingungen für ZnSiP2 wurden bei unterschiedlichen Temperaturdifferenzen analysiert. Es wurde gefunden, daß als minimaler ΔT‐Wert 15 grd nicht unterschritten werden darf, um in endlicher Zeit mittels Gasphasentransport ZnSiP2 abzuscheiden. — Im Ergebnis einer ausführlichen Diskussion des Einflusses der thermischen Bedingungen auf die Synthese und Kristallisation von ZnSiP2 wurden die charakteristischen Transporteffekte erklärt. Kondensation von ZnP2 am Ampullenende und durch lokale Temperatur‐ und Konzentrationsgradienten im Kristallisationsraum hervorgerufener Sekundärtransport konnten als Ursachen für unterschiedliche Konzentrationsprofile, Phasenaufbau und Kristallinität in Abhängigkeit vom Ort der Kristallisation herausgearbeitet werden. Abschließende Hinweise zu günstigen Züchtungsvarianten vervollständigen die Ausführungen.
Zur Problematik der röntgenografischen Versetzungsdichtebestimmung in Polykristallen aus einer Interferenzlinie
Authors: Schierhorn Eike , Strassburger G.
Published: July 2007

Röntgenografische Untersuchungen plastisch verformten Stahls wurden benutzt, um die Winkelabhängigkeit linienverbreiternder Effekte zu ermitteln. Die Analyse der Ergebnisse zeigt, daß die Linienverbreiterung auf zwei gleichzeitig wirkende Effekte zurückzuführen ist. Die Ermittlung der Versetzungsdichte aus nur einer Interferenzlinie erscheint problematisch, da keine Trennung der beiden Verbreiterungseffekte möglich ist.
On absorption spectra temperature dependence in lithium niobate doped with transition metal oxides
Authors: Sirota N. N. , Yarunichev W. P.
Published: July 2007

Absorption spectra temperature dependence of LiNbO3 doped with the Cr‐, Mn‐, Fe, Co‐, Ni‐ and Cu‐irons is studied. Band gap variation of the doped lithium niobate against impurity, temperature and light polarization direction is determined.
Die Eigenschaften des leitfähigen Durchschlagkanals und sein Einfluß auf den bistabilen Schalteffekt in Cu2O
Authors: Bäther K.‐H. , Brückner W.
Published: July 2007

Die Strom‐Spannungs‐Kennlinie und die Temperaturabhängigkeit der Thermokraft und des elektrischen Widerstandes werden an bistabilen Cu2O‐Schaltelementen im niederohmigen Zustand gemessen. Die Eigenschaften des niederohmigen Zustandes werden wesentlich durch Verengen (Einschnürungen) eines quasimetallischen Cu‐Fadens bestimmt. Die metallisch leitenden Verengungen ergeben sich aus der gegenseitigen Berührung von Cu‐Partikeln in der Cu2O‐Matrix. Das Rückschaltverhalten in den hochohmigen Zustand kann aus dieser Struktur abgeleitet werden. Aus den Eigenschaften des Einschalt‐ und Rückschaltvorganges wird das statistische Schwanken der Schaltgrößen erklärt.
Double injection in light emitting (Ga, In) As p‐i‐n structures
Authors: Meisel A. , Zehe A.
Published: July 2007

The double injection behavior of (Ga, In)As p‐i‐n light emitting diodes (DILED's) is investigated. Using pulsed driving current the formation of current filaments is studied. As explanation is suggested the filling of deep‐lying traps. The optoelectronical switch properties of the DILED's are included in the discussion.
Wachstum von Graphitkristallen in Eisen‐Kohlenstoff‐Werkstoffen
Authors: Herfurth K. , Ziegler E.
Published: July 2007

Die Abhängigkeit der Keimbildungshäufigkeit von der Überschreitung wird für die Basis‐und für die Prismenfläche von Graphitkristallen berechnet, die aus einer Eisen—Kohlenstoff‐Schmelze unter Zusatz grenzflächenaktiver Stoffe (z. B. Schwefel) wachsen. Es zeigt sich, daß durch den Schwefelzusatz sich das Verhältnis der Flächenkeimbildungshäufigkeiten gegenüber der reinen Schmelze umkehrt. Mit Hilfe dieser Ergebnisse läßt sich die Entstehung der verschiedenen Graphitkristallformen sowohl in grauerstarrendem Gußeisen als auch im Tempergruß erklären. Diese Erklärung stimmt mit der früher von HERFURTH gegebenen Hypothese überein.
On the slope of the growing pyramids
Authors: Nanev Christo N.
Published: July 2007

By means of some theoretical models the present work shows that pyramids of different slopes can grow on a crystal face at constant supersaturation due to the interaction between steps, arising from close spaced screw dislocations. Pairs of adjacent screw dislocations of opposite sign, as well as other groups of closely spaced screw dislocations, can operate as more active sources of growing steps than the single screw dislocations. Both independent and dependent step propagation velocities have been considered in the present discussion.
Über Möglichkeiten zur Deutung der Verteilung der Strukturdefekte 1. Ordnung bei 〈100〉‐orientierten Halbleitereinkristallen am Beispiel des GaAs
Authors: Geil W. , Schmugge K. , Weichelt G.
Published: July 2007

In Anlehnung an eine bei Silizium erarbeitete Theorie wird unter Berücksichtigung der 〈100〉‐Orientierung und der radialen und axialen Temperaturverteilung die Berechnung einer resultierenden Verteilung der Strukturdefekte 1. Ordnung durchgeführt. Die Ergebnisse der theoretischen Betrachtung und der experimentelle Befund werden unter Beachtung der experimentellen Züchtungsbedingungen verglichen. Aus den Funktionen N = ƒ(r) sind Möglichkeiten zur Deutung über ben Einfluß der Züchtungsparameter gegeben. Aus der Deutung wird versucht, Rückschlüsse auf den Einfluß von Parameterveränderungen zu machen.
On the atomic size in Cr3Si‐type (A‐15) phases
Authors: Paufler Peter
Published: July 2007

From unit cell sizes a set of A‐15 atomic volumes for 33 elements has been deduced, which may be used to estimate the variation of lattice parameter of ternary alloys and within the range of homogeneity.
On the position of the coherency spinodal curve in an AlZn (18 at.%) alloy
Authors: Kroggel R. , Löffler H. , Kabisch O.
Published: July 2007

The values of the wavelength of the dominating concentration fluctuations λf1 (analyzing the “inverse XSAS‐spectrum”) and the kinetics of the decomposition process (using measurements of microhardness) as a function of the ageing temperature Ta are taken in order to get information on the position of the coherent spinodal curve Tc.sp. in an AlZn (18 at%) alloy. According to these investigations Tc.sp. = (116  5)°C is likely to be obtained. That value is not far from the position of the coherent spinodal curve calculated by LÖFFLER and SIMMICH (1975) (130°C). Some arguments are given that this curve of AlZn (6.8 at.%) should not be placed at 129°C but at much lower temperatures.
Convergent beam camera for structure analysis of microcrystals
Authors: Chojnacki J. , Hodorowicz St.
Published: July 2007

An X‐ray tube with external miniature anode was constructed and mounted inside of a cylindrical diffraction camera in the immediate vicinity of the crystal holder. The distance of specimen from tube focus is 15 mm. This special construction allows to obtain diffractograms of small crystal specimens (∼ 10−3 mm in diameter) at reasonable exposure time (several hours).