bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Distribution électronique anisotrope dans les semiconducteurs purs au voisinage de l'avalanche
Authors: Granger R.
Published: July 2007

Nous présentons une étude de la distribution électronique dans les semiconducteurs purs soumis à des champs électriques E intenses, permettant de rendre compte du phénomène d'ionisation par choc à travers la largeur de bande interdite ϵi. Dès que la concentration électronique est inférieure à 1015 cm−3, les collisions interélectroniques ne suffisent plus pour maintenir la distribution isotrope et la notion de température électronique n'est alors plus valable. D'autres mécanismes de relaxation sont cependant efficaces et nous considérons particulièrement les cas de diffusion par phonons acoustiques ou optiques. Nous montrons que dans le dernier cas, une partie de la distribution (pour des énergies ϵ > ϵ0(E)), est constituée essentiellement d'électrons dont le moment est dans la direction du champ électrique; ces électrons appelés „balistiques”︁ sont ceux qui, accélérés dans le champ électrique, atteignent une énergie supérieure à ϵi, et causent l'ionisation par choc. Nous séparons la distribution à l'état stationnaire en trois classes: ϵ < ϵ0, ϵ0 < ϵ < ϵi, ϵ < ϵi et calculons les probabilités de transition d'une classe à l'autre. Nous obtenons alors les populations des trois classes en fonction du champ électrique et déduisons enfin la caractéristique courant‐tension. Les résultats numériques sont donnés pour plusieurs semiconducteurs, et en particulier le champ de claquage à différentes températures. Si la distribution reste relativement isotrope, la contribution de la partie anisotrope n'en est pas moins efficace, le temps de relaxation des porteurs étant de cinq ordres de grandeur plus faible que leur durée de vie. Nous comparons cette théorie avec les résultats expérimentaux sur InSb.
Comparison of Magnetic Measurements and Theoretical Predictions for Nickel‐Iron Films Over a Wide Composition Range
Authors: Cundall J. A. , King A. P.
Published: July 2007

A comparison is made of the theoretical predictions of several recent models of polycrystalline magnetic films with the experimental results obtained for nickel‐iron films in a wide composition range. The models considered are the micro‐magnetic and the random anisotropy models. Magnetic measurements were made of the remanence distribution and the easy direction domain wall coercive force. The results suggest that no single theory adequately describes the properties of the films over the whole composition range although all have a limited success for different parts of the range.
The Theory of the Stability of the Solid‐Liquid Interface under Constitutional Supercooling (I)
Authors: Delves R. T.
Published: July 2007

This paper discusses the stability of the solid‐liquid interface when a crystal is grown from a melt which contains a segregating component. The transient motion of the interface in response to a thermodynamic fluctuation in concentration is calculated using the time dependent diffusion equations. An expansion is made in powers of the amplitude of the fluctuation, the first order terms are found exactly, and some important higher order terms are included. The interface is either stable and returns to its original flat shape or else distorts exponentially with time into the cellular shape. The stability condition is exactly the original constitutional supercooling criterion of Tiller et al. Physical and mathematical arguments show that the interface is either stable or unstable and that no steady state slightly perturbed interface can exist. This paper is restricted to the special case of infinite thermal diffusivity, and does not include effects on an atomic scale.
Der Einfluß einachsiger elastischer Spannungen auf die Ummagnetisierungsprozesse dünner Permalloyschichten
Authors: Buravikhin V. A. , Kazakov V. G. , Khristosenko V. S. , Krukover P. I.
Published: July 2007

Es wurde der Einfluß äußerer einachsiger Spannungen auf die kritischen Felder untersucht, die die Prozesse der quasistatischen Ummagnetisierung von Permalloyschichten charakterisieren: die Koerzitivkraft Hc, das Anisotropiefeld Hk, das Keimbildungsfeld Hz, das Startfeld eines Keimes Hs, das minimale Feld der Wandverschiebung H0 und das Feld der Zerstörung der Bereichsstruktur Hp. Es wurde festgestellt, daß die Veränderungen der Felder Hz und Hs unter der Wirkung einer äußeren Belastung in starkem Maße vom Randprofil der Schichten abhängen. Die Felder H0 und Hp nehmen bei Deformation für Schichten dünner als ≈︁ 1000 Å zu; für Schichten dicker als ≈︁ 1000 Å ändern sie sich praktisch nicht. Die Koerzitivkraft läßt sich (in Abhängigkeit vom Randprofil der Schicht und von der Größe der Deformation) als mittleres Wandverschiebungsfeld wie auch als Keimbildungsfeld bestimmen.
Über die Struktur und die Polarität von Bereichsgrenzen in ferromagnetischen Schichten
Authors: Buravikhin V. A. , Popov V. I.
Published: July 2007

Es wird experimentell gefunden, daß sich unter der Wirkung einachsiger elastischer Spannungen die Orientierung der Bereichsgrenzen ändert. Dabei wird die Grenze verschieden polar, wenn der Winkel 2 φ den Wert ≈︁ 180° erreicht. Die Grenzen wechselnder Polarität kommen in einem großen Dickenintervall vor. Die Struktur dieser Grenzen ist in Schichten verschiedener Dicke verschieden. Der Übergang durch eine Hauptgrenze ist nur bei dünnen Schichten (< 300 Å) ein reiner Néel‐Übergang. In Schichten größerer Dicke tritt beim Übergang durch die Hauptgrenze außer einem Néel‐Anteil auch ein Bloch‐Anteil auf, wobei die Größe des letzteren mit der Schichtdicke zunimmt.
On the Magnetic Structure of Some Alloys of Transition Metals
Authors: Sidorov S. K. , Doroshenko A. V.
Published: July 2007

A study is made of binary alloys, in which atoms of one of the components, and unlike atoms, interact ferromagnetically whereas the interaction between atoms of the other component is antiferromagnetic. Under these conditions a magnetic structure arises which involves a noncollinear alignement of the atomic magnetic moments. Expressions are given for calculating the average magnetic moment per atom and its dependence upon the concentration and the state of ordering. The results are compared with experimental data for NiMn, NiFe, and PdFe alloys.
On Particularities of Magnetic Pof Thin Films with Exchange Anisotropy
Authors: Glazer A. A. , Potapov A. P. , Tagirov R. I. , Shur Ya. S.
Published: July 2007

Investigations are made of the magnetic properties of multilayer magnetic films consisting of FeNiMn and permalloy which have exchange anisotropy. It is found that a unidirectional anisotropy and an additional uniaxial anisotropy appear simultaneously. At the same time rotational hysteresis losses which do not vanish even in fields as high as 10 kOe, and a large magnetic after‐effect are observed. The domain structure observations show that thin film remagnetization starts by means of a bidirectional rotation, and after the appearance of domains of opposite polarity the process of wall movement proceeds. The easy direction of the unidirectional anisotropy cannot be rotated at room temperature even in fields of 180 kOe.
Recovery Processes in Nickel Thin Films between 20 and 300°C
Authors: Dietz R. , Hellenthal W.
Published: July 2007

Evaporated nickel thin films about 500 Å thick are prepared by condensation at a rate of 5 Å/s onto glass substrates. Recovery processes are then studied by measuring the electrical resistance whilst the annealing temperature is increased linearly with time. This method gives the activation energy E and kinetic g of the recovery processes in individual samples. An investigation of the dependence of E on the pressure p during evaporation, controlled by emission of nitrogen gas, shows a reduction in E of about 1/4 as p is increased to around 10−4 Torr. By extrapolation of E to p = 0 a value of E = (1.05 ± 0.07) eV is obtained. The annealing kinetic appears to follow g = 2. These values apply to the temperature region between 60 and 110°C. In the temperature range from about 230 to 270°C another recovery process is observed with an activation energy E of approximately 1.4 eV.
Über die induzierte Anisotropieenergie manganhaltiger Ferrite
Authors: Gerber R. , Michalowsky L. , Motzke K. , Steinbeiss E.
Published: July 2007

Es wurde die Konstante Ku der induzierten einachsigen Anisotropieenergie von Manganferriten (Mn1+xFe2‐xO4+γ) bei 88°K in Abhängigkeit von x und γ gemessen. Dabei ergab sich, daß Ku im Bereich 0 < x ≦ 0,8 linear von x abhängt und mit abnehmendem Sauerstoffgehalt der Proben zunimmt. Außerdem zeigte sich, daß Zusätze von Ni, Zn und Mg eine Abnahme von Ku bewirken, die der Konzentration dieser Ionen proportional und von der Ionensorte nahezu unabhängig ist. Eine einheitliche Deutung der Meßergebnisse konnte bisher nicht gefunden werden.
Concentration de défauts au voisinage des interfaces dans un métal soumis à des gradients de potentiel électrique ou de température
Authors: Blackburn D. A.
Published: July 2007

Si un flux de lacunes dans un métal est causé par l'application d'un champ, la concentration des lacunes autour d'un barrière transversale peut être différente de la concentration dans le volume du métal. Les effects prévus sont variables avec la condition de l'interface: si le contact est mauvais la concentration sera partout celle du volume, si il est bon on s'attend à certaines variations. Avec l'hypothèse d'un bon contact la dimension de la perturbation doit décroître exponentiellement avec la distance de la barrière avec une longueur caractéristique λ, le parcour moyen des lacunes. L'écart entre les concentrations à la surface de la barrière et dans le volume du métal, par rapport à l'équilibre, doit être ± \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\frac{{ZEe}}{{kT}}\lambda $\end{document} pour un gradient de potentiel électrique E, et± \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\frac{\alpha}{{kT^2}}(E_f + E_t)\lambda $\end{document} pour un gradient de température α. Ef et Et sont les énergies de formation et de transport des lacunes, et Z e est la charge effective portée par une lacune. Le sens est tel qu'on a un effet positif du cǒté de la barrière vers lequel les lacunes arrivent.
Some Notes on the Strengthening Mechanism in Neutron Irradiated Copper Single Crystals
Authors: Koppenaal T. J. , Arsenault R. J.
Published: July 2007

Discussions are presented in some of the controversial areas regarding the interpretation of the strengthening mechanism in neutron irradiated copper single crystals. The specific topics that are discussed include the following: the correlation of cross‐head speed changes to strain rate changes, the strain rate dependence of the flow stress, the temperature dependence of the pre‐exponential factor, the free energy and the enthalpy of a activation, the defect and obstacle size spectrum, and the nature of the force‐distance behavior for the interaction of mobile dislocations with irradiation produced obstacles. It is shown that many of the recent arguments made against our previously published explanation of the strengthening mechanism can be readily explained without changing our interpretation.
On the Strengthening Mechanism in Neutron Irradiated Copper Single Crystals. II. Analysis of the Thermally Activated Processes Critical Comments on the Preceding Paper of T. J. Koppenaal and R. J. Arsenault
Authors: Diehl J. , Seidel G. P.
Published: July 2007

Koppenaal's and Arsenault's analysis of the thermally activated glide processes in neutron irradiated copper is discussed and compared with a similar investigation of the present authors. It is shown that Koppenaal and Arsenault use a number of very restrictive and not very realistic assumptions, e.g. regarding the behaviour of the dislocations and the nature of the dislocation obstacles, which are not necessary in our investigations. Koppenaal's and Arsenault's arguments against our analysis can easily be refuted.
Nanosecond Microscopic Measurement of Magnetic Film Switching by Kerr Magneto‐Optic Apparatus
Authors: Thompson D. A. , Chang H.
Published: July 2007

With the use of a laser as the stable high‐intensity light source and a nanosecond‐response photomultiplier tube as a sensing device, nanosecond switching of 25 μm diameter spots in a NiFe film has been measured on a Kerr magneto‐optic apparatus. A sampling oscilloscope is used for examining the switching waveform obtained from the photomultiplier. Because the photon shot noise dominates the photomultiplier output, filtering techniques must be applied to the sampled output. The transient response of the whole system is limited by the anode pulse rise time of the photomultiplier which is a few nanoseconds. Examples of useful data obtained with this apparatus are given.
Zur Verschiebung von Umwandlungspunkten zwischen kristallinen Phasen durch Gitterdefekte
Authors: Balarin M. , Schenk M.
Published: July 2007

Es wird eine thermodynamische Behandlung der Verschiebung von Phasenumwandlungspunkten polymorpher Festkörper infolge geringer Konzentrationen strahleninduzierter Gitterdefekte durchgeführt. Bei hohen Defektkonzentrationen kann es zu strahlenbedingten Phasenumwandlungen kommen. Die im Fall des Bariumtitanats untersuchte, durch Neutronenbestrahlung hervorgerufene Curiepunktverschiebung und schließliche Phasentransformation tetragonal → kubisch wird mit den theoretischen Schlußfolgerungen verglichen. Die experimentellen Ergebnisse stimmen mit der Theorie überein.
The Theory of the Stability of the Solid‐Liquid Interface under Constitutional Supercooling (II)
Authors: Delves R. T.
Published: July 2007

The theory of the stability of the solid‐liquid interface during crystal growth given by the author previously is extended to include thermal effects, to first order in the amplitude of the initial disturbance. For dilute solutions the stability conditions are the same as those derived by Mullins and Sekerka using a simpler approach with time independent diffusion equations. The original criterion of Tiller et al. for the occurrence of constitutional supercooling does not predict instability correctly for some special non‐ideal solutions. The response of the interface to oscillatory variations of temperature is also calculated.
Über die Anisotropie des magnetischen Momentes und die Kristallanisotropie bei Kobaltferrit
Authors: Perthel R. , Elbinger G. , Keilig W.
Published: July 2007

Zur Prüfung des von Slonczewski berechneten anisotropen magnetischen Momentes des Co++‐Ions wurden Magnetisierungsmessungen an Co‐Ferrit bei Raumtemperatur in den [100]‐, [110]‐ und [111]‐Richtungen durchgeführt. Für die [100]‐Richtung wurde σ = 88,74 emE · g−1, für die [110]‐Richtungen σ = 87,87 emE · g−1 und für die [111]‐Richtung σ = 87,70 emE · g−1 gefunden. Ausgehend von den von Slonczewski und Tachiki angegebenen Ausdrücken für das magnetische Moment und für die Kristallenergie wurden die Magnetisierungskurven für die [110]‐ und [111]‐Richtungen berechnet und durch Vergleich mit den experimentell gemessenen Kurven die Kristallanisotropiekonstante K1 = +(2,7 ± 0,1) × 106 erg cm−3 und die Konstanten der Anisotropie der Magnetisierung k1 = 3,9 × 10−2 und k2 = −3,7 × 10−2 erhalten. Drehmomentenmessungen in der (100)‐ Ebene ergaben K1 = +2,6 × 106 erg cm−3 und k1 = 3 × 10−2.
Zur nichtlokalen klassischen Theorie der Dielektrika
Authors: Kröner E. , Kessel D.
Published: July 2007

Dielektrische Stoffe, in denen Ladungen über endliche Strecken verschoben werden, müssen durch eine nichtlokale Theorie beschrieben werden. Die Form der Theorie kann aus der Elektrostatik des Vakuums und der Vorstellung der endlichen Ladungsverschiebung allein abgeleitet werden. Die Grundgleichungen sind, abgesehen von der Interpretation, mit den von Silin und Rukhadze [1] diskutierten Gleichungen identische. Eine Verschiebungsreichweite R wird definiert und das Kraftgesetz zwischen zwei Punktladungen für zwei Modellsubstanzen berechnet, das bei Abständen der Ladungen < R erheblich vom Coulombschen Gesetz abweicht. Einige Anwendungen und die Genauigkeit der Formel von Clausius und Mosotti werden diskudiert.
Electron Microscopic Images of Dislocation Ribbons
Authors: Delavignette P. , Trivedi R. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The image profiles of dislocation ribbons, as observed in diffraction electron microscopy, are calculated numerically and compared with observations on graphite. It is found that parallel dislocations with the same Burgers vector may exhibit quite different image profiles under identical diffraction conditions. This is due to the overlap of the strain field due to the two parallel dislocations; it is particularly large in graphite due to the large anisotropy of this material. Calculations using the kinematic theory are made for threefold ribbons. The contrast of the three dislocations is found to increase or decrease systematically, the sense of the variation depending on the sign of s.
Stored Energy, Volume, and Resistivity Change in Neutron Irradiated Aluminium
Authors: Isebeck K. , Rau F. , Schilling W. , Sonnenberg K. , Tischer P. , Wenzl H.
Published: July 2007

Pure aluminium samples are irradiated at 4 °K in the core of the Munich Research Reactor. Measurements are then made of the release of the stored energy (ΔQ and the changes in the length (Δl) and electrical resistivity (Δ∂) during annealing between 4 and 300 °K. For the first annealing stage, observed between 4 and 55 °K, these measurements yield \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta Q}}{{\Delta \varrho}} = 38.3 \pm 1.3Ws/g\mu \Omega {\rm cm,}\frac{{\Delta l/l}}{{\Delta \varrho}} = 0.12 \pm 0.005\frac{\%}{{\mu \Omega {\rm cm}}}$ \end{document}. The corresponding ratios for the two other observed stages have similar values. The experimental results suggest the following values for specific properties of defects in aluminium (EF, Ei, Ev being the energies of a Frenkel defect, an interstitial, and a vacancy, respectively; VF is the volume change per Frenkel defect; ∂F, ∂i, ∂v are the resistivity changes per unit concentration of Frenkel defects, interstitials, and vacancies, respectively): EF = 3.4 eV; Ev = 0.8 eV; Ei = 2.6 eV; VF = 1.2 atomvol.; ∂F = 340 μΩcm; ∂v = 220 μΩcm; ∂i = 120 μΩcm.
Untersuchung des Zerfalls der Leerstellenagglomerate in neutronenbestrahltem Nickel mit Hilfe der kritischen Schubspannung
Authors: Ast D. , Diehl J.
Published: July 2007

An Ni‐Einkristallen, die bei 80 °C mit schnellen Neutronen bestrahlt worden waren, wurde die Erholung der kritischen Schubspannung untersucht. Dabei ergab sich, daß die für die kritische Schubspannung maßgebenden Leerstellenagglomerate („verdünnte Zonen”︁) bei ca. 400 °C nach einer Reaktion erster Ordnung mit einer Aktivierungsenergie von 2,28 eV zerfallen. Zur Deutung der Ergebnisse wird angenommen, daß die Agglomerate durch Abspaltung von einzelnen Leerstellen oder Mehrfachleerstellen zerfallen, wobei die Abspaltung der ersten Leerstelle der geschwindigkeitsbestimmende Schritt ist. Berechnungen der Stabilität möglicher Agglomeratkonfigurationen machen es wahrscheinlich, daß Versetzungsschleifen vom Frankschen oder R‐Typus vorliegen, die ca. zehn Leerstellen enthalten. Der Haupterholungsstufe ist ein breites Erholungsband vorgelagert, das auf die Rekombination von an Verunreinigungen gebundenen Zwischengitteratomen mit den Leerstellenagglomeraten zurückgeführt wird.
Negative Oblique‐Incidence Anisotropy in Magnetostriction‐Free Permalloy Films
Authors: Metzdorf W. , Wiehl H. E.
Published: July 2007

A magnetic oblique‐incidence anisotropy, of the order of some Oersteds, exists parallel to the plane of incidence in magnetostriction‐free permalloy films evaporated at small and medium angles of incidence. This is particularly evident in films which are evaporated onto hot substrates. This small negative oblique‐incidence anisotropy is explained by a slightly anisotropic roughness of the film surface, which is created by an oblique, columnar grain growth. This negative oblique‐incidence anisotropy can be used to compensate for the normal, positive, one at medium substrate temperatures, in order to get low easy‐axis skew. The anisotropy of permalloy films obliquely deposited at room temperature cannot be inverted by annealing at higher temperatures, whilst the negative oblique‐incidence anisotropy can be increased by annealing.
Inhomogeneous Field Distribution in Homogeneous Semiconductors Having an N‐Shaped Negative Differntial Conductivity
Authors: Böer K. W. , Quinn P. L.
Published: July 2007

Layer‐like field inhomogeneities in homogeneous semiconductors which have been shown to occur whenever the conductivity decreases faster than linearly with increasing field strength, are discussed using Poisson and transport equations including drift and diffusion terms only. Stationary solutions are obtained for differential negative conductivity due to field‐dependent carrier concentration or to field‐dependent mobility in an approximation neglecting the diffusion term in the transport equation. When the diffusion is included, the method of characteristics is used to compare solutions for the case of field‐dependent carrier concentration with the case of field‐dependent mobility. A linear analysis of the behaviour of solutions near singular points is conducted for more detailed information about the solution near boundaries.
Etude de défauts ponctuels créés par bombardement neutronique dans le fer contenant certaines impuretés
Authors: Vigier P. , Minier‐Cassayre C. , Moser P. , Hivert V.
Published: July 2007

Les auteurs étudient les défauts ponctuels créés à 77 °K par irradiation aux neutrons dans du fer pollué. Utilisant simultanément des méthodes sensibles soit à leur réorientation, soit à leur concentration globale, ils mettent en évidence un processus d'agglomération des défauts élémentaires au niveau des stades I et II.
Ferromagnetic Films in Nonuniform Fields
Authors: Kobelev V. V.
Published: July 2007

An analysis of the magnetization processes in magnetic films must take into account the fields arising from the nonuniformity of the film magnetization. Equations are obtained involving the fields of magnetic poles distributed over the film surface. These equations are applicable to continuous films as well as to separate magnetic thin film strips. The magnetization distribution is determined for a hard direction field by a numerical solution of the basic integro‐differential equations.
Oblique‐Incidence Anisotropy in Cobalt Films
Authors: Kamberská Z. , Kamberský V.
Published: July 2007

At high rates of deposition the oblique‐incidence anisotropy is similar to that known in NiFe films. At low rates of deposition a different dependence on the angle of incidence is found. Measurements of elastic stresses and structural studies by means of dichroic effects show that the anomalous anisotropy is also connected with stray‐field effects, however, the orientations of elongated defects responsible for the anisotropy are substantially different at high and low rates of deposition. The dependence of both magnetic and the optical anisotropies indicates the importance of the effects of surface roughness.
On the Structure of the Bottom of the Conduction Band in GaAs
Authors: Kravchenko A. F. , Sardaryan V. S.
Published: July 2007

The magnetoresistance and Hall effect are studied for oriented specimens of n‐type GaAs with carrier concentrations 5 × 1015 to 1 × 1018 cm−3 at temperatures 78 to 800 °K. Almost all the samples show anisotropy of the transverse magnetoresistance and non‐vanishing longitudinal magnetoresistance. From the temperature dependence of the Hall coefficient, the energy position of the minima and the effective mass are estimated: ΔW = 0.12 to 0.36 eV, m = 1.2 m0, m*∥︁ = 1.98 m0, m*⊥ = 0.37 m0. A model for the band structure in the vicinity of the conduction band edge is discussed and shown to be consistent with the experimental data when anisotropy of electron scattering by weak oriented dipoles is taken into account.
Oscillations de courant dans le sulfure de cadmium photoconducteur
Authors: Bauduin P. , Buchy F.
Published: July 2007

De nombreux travaux rapportent l'existence d'oscillations de courant dans un barreau de sulfure de cadmium quand le champ électrique appliqué atteint une certaine valeur critique. Dans le présent travail, où la conductivité de l'échantillon est contrôlée par un flux lumineux, les oscillations apparaissent, dans les conditions d'amplification ultrasonore, quand l'anode est masquée. Trois types d'oscillations de différentes fréquences sont alors observés dans un échantillon à géométrie particulière; deux d'entre eux sont étudiés avec une sonde flottante.
Struktur und magnetische Eigenschaften von kondensierten ferromagnetischen Schichten
Authors: Palatnik L. S. , Fuks M. Ya. , Lukashenko L. I. , Ravlik A. G. , Kozma A. A.
Published: July 2007

In Permalloy‐, Fe‐, Ni‐ und Co‐Schichten, die im Vakuum kondensiert wurden, sind verschiedene Formen des Phasen‐Nichtgleichgewichts, des strukturellen und substrukturellen Nichtgleichgewichts festgestellt worden: eine Mischung der stabilen und instabilen Modifikationen (in Co‐Kondensaten), eine Wachstumstextur, orientierte und fehlorientierte Mikrospannungen, hoher Grad der Körnigkeit, hohe Konzentration von Stapelfehlern. Diese strukturellen Besonderheiten werden durch die Präparationsbedingungen sowie durch die thermische Behandlung der Schichten bestimmt. Es wird eine Korrelation zwischen der Struktur der Kondensate und einigen magnetischen Eigenschaften beobachtet. Die Koerzitivkraft der Co‐Schichten hängt wesentlich von der Phasenzusammensetzung und weniger von dem Vollkommenheitsgrad der Textur ab; die orientierten Mikrospannungen und die Wachstumstextur beeinflussen die magnetische Anisotropie in Richtung der Normale zur Schicht und gleichzeitig auch die Domänenstruktur, Koerzitivkraft, Remanenzinduktion u. dgl.
Photoelectric Properties of CsSb Films Having Various Compositions
Authors: Hagino M. , Takahashi T.
Published: July 2007

The photoemission, photoconduction and dark electrical conduction of Cs‐Sb films having various compositions are measured. CsSb films containing excess Cs show an appreciable peak near h v = 1.5 eV in the spectral response of the photoemission. The thermal equilibrium between Cs vapour and various imperfections is discussed. The photoemissive yield decreases as the concentration of Cs vacancies decreases.
New Infrared Absorption in Neutron‐Irradiated Lithium Fluoride
Authors: Kamikawa T. , Kazumata Y. , Ozawa K.
Published: July 2007

New absorption bands are observed in the near‐infrared region in neutron‐irradiated and thermally bleached pure LiF crystals after aging. At low temperatures these bands show fine structures. The characteristics of these bands and lines and the factors affecting their growth are studied. From its growth behaviour and other properties, it is suggested that the 0.914 μm band is due to intrinsic defects. The other infrared bands are attributed to the intrinsic defects associated with tritium produced by the 6Li(n, α)3H nuclear reaction. The observed results are interpreted on the basis of this model.
Die Elektronenspinresonanz von strahlenerzeugten Radikalen in Einkristallen des 2,6‐Butylhydroxytoluols
Authors: Schoffa G.
Published: July 2007

Die durch Röntgenstrahlen erzeugten stabilen Radikale in Einkristallen des 2,6‐Butylhydroxytoluols (BHT) geben bei Messungen der Elektronenspinresonanz eine aus vier Linien bestehende Hyperfeinstruktur mit dem Intensitätsverhältnis 1:3:3:1. Sie stammt von der Wechselwirkung des ungepaarten Elektrons des Semichinonradikals des BHT mit drei Protonen der Methylgruppe. Der fehlende anisotrope Anteil der Wechselwirkung spricht für die Rotation der Methylgruppe im Festkörper. Die Spindichten des BHT‐Radikals wurden nach dem MO‐SCF‐Verfahren nach McLachlan berechnet und mit den experimentell gewonnenen Spindichten verglichen.
Elektronenzustände in Halbleiterversetzungen
Authors: Güth W. , Haist W.
Published: July 2007

Mit Hilfe der Methode der effektiven Masse werden die Defektelektronenzustände einer Versetzungslinie berechnet. Es ergibt sich ein eindimensionales halbbesetztes Band in Richtung der Versetzungslinie, in dem die Defektelektronen quasifrei beweglich sind. In radialer Richtung zur Versetzungslinie sind die Defektelektronen stark gebunden, so daß die Versetzungslinie eng umgeben ist von einer Defektelektronenladungswolke, deren Halbmesser etwa gleich der Gitterkonstanten ist. Bei so eng begrenzten Elektroneneigenfunktionen liefert die Methode der effektiven Masse einen zu kleinen Wert der Bindungsenergie. Die unbekannten physikalischen Größen werden aus Messungen von Bliek und Schröter ermittelt, und die Rechnung wird diesen Werten angeglichen. Es gibt nur den radialsymmetrischen Defektelektronenzustand. Angeregte Zustände sind nicht stabil.
Effect of Pressure on the α‐Transition Point of Iron Monosulphide
Authors: Ozawa K. , Anzai S.
Published: July 2007

The temperature of the α‐transition point in FeS is investigated by electrical resistivity measurements with hydrostatic pressures up to 11 kbar. The transition point decreases linearly with increase of pressure at a rate of ‐(0.8 ± 0.1) deg/kbar.
The Importance of Vacancies and Interstitial Atoms in the Development of Induced Anisotropy
Authors: Lesnik A. G. , Levin G. I. , Nedostup V. M.
Published: July 2007

Experimental data on the annealing of thin permalloy films in a magnetic field parallel to the axis of anisotropy are presented. The films are obtained by vacuum evaporation at the rate of 40 Å/s on glass substrates heated from room temperature to 200 °C. The shape of the isotherms of the anisotropy field (HK) depends upon the temperature of the substrate in various ways: 1) HK increases with annealing time up to saturation, 2) HK passes through a minimum, 3) HK decreases to a definite value. A quantitative description of the effects observed is given in terms of vacancy ordering and annihilation of vacancies and interstitials. The activation energies of these processes are calculated.
Effect of Tensile Stress on the Magnetic Properties of Permalloy Films
Authors: Lesnik A. G. , Sandler L. M.
Published: July 2007

The effect of tensile stress on the coercive force Hc, and anisotropy field HK, and on the angular and magnitude dispersions (bα and bK, respectively) of the anisotropy field is studied by the low frequency ferromagnetic resonance method. The stress is applied to the film so that the axes of anisotropy, induced by the effect of the stress and the field, coincide. It is shown that with increasing stress in the elastic range: 1) Hα increases, reaching saturation at a definite stress depending mainly on the film thickness and the magnetostriction constant, 2) HK increases linearly, 3) bα decreases, 4) bK is essentially unchanged. All these effects are reversible. The data obtained show that bα does not substantially affect the value of Hc Result 1) can be explained by a model in which Hc is determined by the roughness of the substrate surface, if the effect of stress on the width of the domain boundary is taken into account.
Anisotropy of the Conductivity of n‐Type Germanium at High Electric Fields
Authors: Dienys V. , Pozhela J.
Published: July 2007

Measurements of the hot electron conductivity anisotropy in germanium are made at lattice temperatures of 78 and 290 °K. The conductivity is measured both parallel and perpendicular to the direction of the high electric field. From the data the products n(i)〈τ〉(i) are obtained for each valley for fields in the 〈110〉 and 〈111〉 crystallographical directions. The electron “temperatures” and relative populations of the valleys are calculated. The results are not in agreement with the theory of Reik and Risken applied to n‐type germanium. The experimental results are compared with the theoretical ones obtained using the electron temperature approximation.
The Theory of the Cohesion of Noble Metals
Authors: Gubanov A. I. , Nikulin V. K.
Published: July 2007

An expression for the ground‐state energy of a metal is obtained, using many‐body theory and the pseudo‐potential method. Hence, using spectroscopic data, the cohesive energy, lattice constant and compressibility of Cu are calculated. The good agreement obtained between these results and experiment facilitates the complete explanation of cohesion in noble metals by the metallic bonding of the conduction electrons.
Low‐Temperature Heat Capacity and Thermodynamical Functions of Ferromagnetic Uranium Phosphide U3P4
Authors: Staliński B. , Bieganski Z. , Troć R.
Published: July 2007

The heat capacity of uranium phosphide, U3P4, is measured from 22.5 to 349.0 °K in an adiabatic calorimeter. A λ‐type anomaly is observed at 138.3 °K due to a ferromagnetic order‐disorder transition. Calculations are made of the thermodynamic functions, S0, (H0H), and ‐ (F0H)/T and the lattice and magnetic contributions to the heat capacity of this compound. The entropy change for the magnetic contributions to the heat capacity of this compound. The entropy change for the magnetic transition is estimated to be 3.09 cal mol−1deg−1.
Sur la structure de bandes des alliages HgTe‐CdTe I. Mesures électriques
Authors: Verié C.
Published: July 2007

Des mesures électriques sont utilisées pour caractériser le régime intrinsèque des alliages CdxHg1−xTe pour 0 ≦ × < 0,30. On établit un traitement statistique simple de la distribution des porteurs, permettant de prédire l'évolution du régime intrinsèque en fonction de la température des semi‐métaux et semiconducteurs de bande interdite nulle ou faible, cristallisant dans la structure de la blende de zinc. Les conclusions du calcul, qui en particulier aboutissent à la définition d'un critère simple permettant de distinguer les semi‐métaux à faible recouvrement des semiconducteurs à très petite largeur de bande interdite, rendent compte des effets observés sur les trois séquences de compositions 0 ≦ × ≦ 0,10; 0,10 < × < 0,20; × ≧ 0,20 des alliages CdxHg1‐xTe.
Dependence of the geometry of the formation of X‐ray diffraction lines on the instrumental factors in X‐ray investigations of polycrystals
Authors: Davydov G. V.
Published: July 2007

A stude is made of the dependence of the formation geometry of an X‐ray diffraction line on the instrumental factors for the case of recording the back‐reflection pattern from a polycrystalline flat‐layer specimen on a straight recording line lying in the focusing plane and parallel to the specimen plane. A general formula is derived for the position of the reflection of a ray that is emitted from any point of a three‐dimensional X‐ray source and reflected from the flat specimen at any point. A detailed study of the formation geometry of an X‐ray diffraction line is made for the two‐dimensional problem, the specimen and ray‐source having finite dimensions, and the focusing condition of the extreme rays holding. As for the three‐dimensional problem a solution is presented for the special case of the formation geometry of an X‐ray diffraction line for finite dimensions of the flat‐layer specimen and the point ray‐source under the focusing conditions of the extreme rays lying in the focusing plane. A number of examples has been selected for the calculations, the data are analysed and interpreted.
Zur Temperatur‐ und Feldabhängigkeit der galvanomagnetischen Eigenschaften von Aluminium und Indium
Authors: Lück R.
Published: July 2007

Es werden Meßergebnisse des Hallkoeffizienten und der Widerstandsänderung im Magnetfeld von Aluminium und Indium in Abhängigkeit von der Temperatur (zwischen 4,2 und 273 °K) und von der Feldstärke mitgeteilt. Dabei hat sich eine Darstellung in einem Kohlerdiagramm als Funktion von ϱ/B als zweckmäßig erwiesen, da B/ϱ dem Produkt aus Zyklotronresonanzfrequenz ω und Relaxationszeit τ proportional ist. Beim Übergang vom einen Grenzfall ωτ ≪1 (Niedrigfeldfall) zum anderen ωτ≫ 1 (Hochfeldfall) ergibt sich aus dem Halleffekt für die Zahl der Elektronen pro Atom ein Übergang von 3 bis −1 in Übereinstimmung mit der bekannten Vorstellung von der Fermifläche. Die für Indium analog zu erwartenden Ergebnisse wurden nur zum Teil gefunden. Im Hochfeldfall folgt ebenfalls −1 für die Zahl der Elektronen pro Atom; jedoch wird im Niedrigfeldfall der entsprechende Wert nicht erreicht.
Die Temperatur‐ und Feldabhängigkeit der galvanomagnetischen Eigenschaften von Blei und der Einfluß der endlichen Probendicke hierauf
Authors: Lück R.
Published: July 2007

Der Hallkoeffizient und die Widerstandsänderung in der Sondheimer‐ und in der MacDonald‐Sarginson‐Stellung (Magnetfeld senkrecht und parallel zur Probenoberfläche) von Blei werden in Abhängigkeit von der Feldstärke, dem Restwiderstand, der Probendicke und der Temperatur in einem Kohlerdiagramm angegeben. Es werden Korrekturen des Widerstandes und des Hallkoeffizienten für die endliche Probendicke ermittelt. Die Kohlerregel ist für die Widerstandsänderung und bei fester Temperatur auch für den Hallkoeffizienten nach erfolgter Korrektur für die endliche Probendicke erfüllt. Dagegen bringt der Temperatureinfluß Abweichungen von der Kohlerregel für den Hallkoeffizienten. Abweichungen von der Theorie der galvanomagnetischen Eigenschaften im Hochfeldfall bei gleicher Anzahl von Ladungsträgern verschiedenen Vorzeichens werden mit der Existenz einer offenen Fermifläche gedeutet.
Solvent diffusivity in a dilute B.C.C. binary alloy (weak perturbation case)
Authors: Gibbs G. B.
Published: July 2007

The effect of dilute alloying additions of a substitutional impurity on the diffusivity of a b.c.c. solvent is considered in terms of altered vacancy jump frequencies and vacancy‐solute binding energies, in the approximation that the impurity produces only a weak perturbation. An approximate expression for the impurity correlation factor is also derived.
Edge dislocation core structure and the peierls barrier in body‐centered cubic iron
Authors: Chang R. , Graham L. J.
Published: July 2007

The core structure and Peierls barrier for an edge dislocation lying in the {110} plane with Burgers vector along 〈111〉 in body‐centered cubic iron were investigated numerically with the aid of a high speed computer using an anharmonic potential. The core radius is about 5 Å and the corresponding core energy is 2.7 eV per identity distance along the dislocation line (six atom planes). The Peierls barrier is about 0.03 eV and the Peierls stress for dislocation motion at absolute zero is computed to be 5.36 × 109 dyn/cm2 or 0.0066 of the shear modulus.
Forward bias current‐voltage characteristics for a heterojunction in which tunnelling dominates
Authors: Tansley T. L.
Published: July 2007

The forward characteristics of a variety of heterojunction pairs have been observed to fit an empirical expression relating current, voltage, and temperature. This communication demonstrates that, given one basic assumption, the WKB approximation to tunnelling probability yields an analytic expression involving these three variables, which is found to be in qualitative agreement with experiment. Numerical results have been tested where possible and a resultant quantitative agreement is noted.
Temperature variation of the Grüneisen parameter of copper
Authors: Gupta R. P. , Sharma P. K. , Pal S.
Published: July 2007

The temperature variation of the Grüneisen parameter γ for copper is calculated from the observed pressure derivatives of the elastic constants using the electron gas model proposed by one of the present authors. Microscopic Grüneisen parameters, γq,i, are calculated as a function of the wave number q along the six directions [100], [110], [111], [210], [211], and [221] in reciprocal space and are averaged by a modification of Houston's spherical six‐term integration method. The calculated value of γ is found to be in good agreement with the experimental values of Rubin et al.
Localized 2S1/2‐state centres in ZnS
Authors: Räuber A. , Schneider J.
Published: July 2007

Electron spin resonance is observed of photosensitive 2S1/2‐state divalent gallium, indium and thallium ions in ZnS. The ESR spectra show a large hyperfine interaction which may be greater than the energy of the microwave quantum. This suggests that the unpaired electron is highly localized at the impurity site. In contrast, the orbit of the unpaired electron of the shallow aluminium and halogen donors in ZnS exhibit considerable delocalisation.
On the determination of the nature of stacking faults in F.C.C. metals from the bright field image
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

A method is described whereby the nature of stacking faults in f.c.c. structures can be determined from the bright field image and the fine structure of the diffraction spots. The method is applied to stainless steel where the faults are found to be intrinsic. The procedure can easily be extended to similar problems where the slope of a planar interface has to be determined.
Temperatur‐ und Verformungsabhängigkeit der Koerzitivfeldstärke von Eisen‐Einkristallen (II)
Authors: Bilger H.
Published: July 2007

Die Koerzitivfeldstärke von Eisen‐Einkristallen wird in Abhängigkeit von den Materialkonstanten und der Versetzungsdichte berechnet. Durch Vergleich der Theorie mit der gemessenen Verformungsabhängigkeit der Koerzitivfeldstärke läßt sich die Änderung der Versetzungsdichte während der plastischen Verformung bestimmen. Im Bereich I nimmt die Versetzungsdichte linear, im Bereich II quadratisch mit der Schubspannung zu. Ferner wird der Temperaturgang der Koerzitivfeldstärke unverformter und verformter Kristalle gemessen. Bei verformten Kristallen steigt die Koerzitivfeldstärke bis 600 °C stark an und fällt dann steil zum Curiepunkt ab. Die Magnetisierungsänderung bis etwa 600 °C erfolgt durch Blochwandbewegungen, oberhalb dieser Temperatur durch Drehprozesse. Die Koerzitivfeldstärke unverformter Kristalle bleibt bis etwa 250 °C konstant und nimmt nach höheren Temperaturen stetig ab. Dieser Temperaturgang wird entscheidend durch die Wechsel‐wirkung der Bereichsstruktur mit der Oberfläche (Schlauchziehpresse) bestimmt.
On the origin of the colour of labradorite
Authors: Bolton H. C. , Bursill L. A. , McLaren A. C. , Turner R. G.
Published: July 2007

Measurements have been made of the spectral distribution of the intensity of light reflected from a blue and a red labradorite for several angles of incidence over the wavelength range 3000 to 7000 Å. Transmission electron microscope observations of thin crystals of these labradorites show that the crystals consist of alternate light and dark lamellae of the order of 1000 Å thick. Although the pattern of the lamellae appears almost periodic, a statistical analysis indicates that the structure has no long‐range order. A theoretical discussion of the diffraction of light in such a structure is given and an expression for the spectral distribution of the reflected intensity derived. The spectral distributions to be expected from the blue and red labradorites have been computed using values of the mean thickness and variance of the alternate lamellae obtained from the electron micrographs. Satisfactory agreement between the observed and calculated spectral distributions is obtained. This supports an earlier suggestion that the colour of labradorite is due to optical interference in a lamellar structure.
The stress fields of dislocation tilt boundaries in anisotropic cubic and diamond‐type crystals
Authors: Duncan T. R. , Kuhlmann‐Wilsdorf D.
Published: July 2007

The shear stresses due to finite and infinite tilt boundaries consisting of {111},1/2〈110〉 dislocations, – naming slip plane and Burgers vector in order, – have been determined for the case of cubic anisotropy. These are the boundaries which in f.c.c. metals and diamond‐type crystals form due to polygonization. Their short‐range as well as long‐range stresses are discussed and compared to similar boundaries formed from {010} 〈100〉 edge dislocations and also from edge dislocations in the isotropic case. Quantitative curves are presented for a number of important f.c.c. metals and for germanium, silicon and diamond.
Contribution to the theory of nonlinear response
Authors: Stolz H.
Published: July 2007

The second order density response to a scalar external potential is calculated for a system of identical particles, applying the techniques of temperature‐dependent Green's functions developed by Kadanoff and Baym. The general expressions for the quadratic density response and the second order contribution to the effective potential can be simplified for a highly degenerate electron gas.
Elastic constants of some NaCl type alkali halides
Authors: Lincoln R. C. , Koliwad K. M. , Ghate P. B.
Published: July 2007

Second and third order elastic constants of NaCl, NaBr, KF, KCl, KBr, and RbBr have been calculated using the Born model of ionic solids. Short range repulsive interactions have been included up to second nearest neighbors using an expression of the form A exp (‐r/b) where b is the repulsive parameter. A distinction is made between the like and unlike ion interactions. Van der Waals terms are also included. When the room temperature lattice parameter is used, the elastic constants satisfy the Cauchy relations. Experimental data show that many of the alkali halides fail to satisfy the Cauchy relations. This aspect is examined by using the quasi‐harmonic approximation as developed by Leibfried and his associates. Linear temperature coefficients of the elastic constants are also calculated in the high temperature limit. In order to assess the contributions of the van der Waals terms, elastic constants are also calculated by dropping the van der Waals terms in the expressions for the elastic constants. Calculated values of the elastic constants are compared with the available experimental data.
Zur Anregungs–Rekombinationsstatistik in Halbleitern
Authors: Jungk G.
Published: July 2007

Für einen Halbleiter mit einem Donator (Akzeptor) und einem Zentrum, welches mit beiden Bändern in Wechselwirkung steht, werden die kinetischen Gleichungen durch Vorgabe der Abweichung vom thermodynamischen Gleichgewicht vollständig gelöst. Für verschiedene Anregungsbedingungen (Grundgitteranregung, Störstellenanregung, gemischte Anregung) können beide Nichtgleichgewichtskonzentrationen für beliebige Abweichungen vom thermodynamischen Gleichgewicht berechnet werden. Als Anwendungsbeispiel sind Temperatur‐ und Intensitätsabhängigkeiten der Nichtgleichgewichtskonzentrationen in Silizium mit speziellen Störstellen dargestellt.
Approximate solution of Schön's balance equations for the thermoluminescence and the thermally stimulated conductivity of inorganic photoconducting crystals
Authors: Bräunlich P. , Scharmann A.
Published: July 2007

The present paper discusses approximate solutions of the well‐known balance equations for the kinetic electron processes occurring in thermoluminescence and thermally stimulated conductivity. Four cases are considered: in the first two cases the electron and hole retrapping rates are either both large or both small; the third and fourth cases involve one of these rates being large and the other small. The well known formulae for thermoluminescence due to Randall and Wilkins, and Garlick and Gibson are derived as special cases using certain simplifications.