bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Magnetic crystal structure of iron as revealed by electron interference
Authors: Yamaguchi S.
Published: July 2007

Crystallographic axis of a magnetic domain found in iron crystals has been revealed to be [100] by means of electron interference. An empirical formula for the magnetic analysis was proposed which permitted to treat quantitatively the experimental results obtained. It was necessary for carrying out the magnetic analysis by electron diffraction to utilize an electron beam of rather high energy, i.e. accelerated with about 200 kV. Representation of Ewald's reciprocal lattice was applicable suitably to the magnetic analysis of ferromagnetics in terms of electron interference.
Untersuchungen zum K‐Zustand durch Bestimmung thermischer Eigenschaften von Neusilber
Authors: Horch R. , Brümmer O.
Published: July 2007

In einigen Legierungen tritt unter bestimmten Bedingungen der erstmals von Thomas beschriebene K‐Zustand auf. Er bewirkt eine Modifizierung der Atomverteilung im Kristallgitter, wodurch sich auch die Debye‐Temperatur ändert. Um den Einfluß des K‐Zustandes auf die Debye‐Temperatur Θ näher zu untersuchen, wurden an verschiedenen Neusilberproben mit Hilfe einer neu entwickelten Meßapparatur die spezifische Wärme und der Wärmewiderstand gemessen. Aus der spezifischen Wärme ergab sich die Debye‐Temperatur des Neusilbers zu 302°K. Die Messungen des thermischen Widerstandes zeigten, daß sich Θ bei Ausbildung des K‐Zustandes um maximal 8% erhöht. Aus diesem Ergebnis können einige Schlußfolgerungen bezüglich der Auswirkung des K‐Zustandes auf andere physikalische Eigenschaften gezogen werden.
Oscillating crystal growth rates
Authors: Botsaris Gregory D. , Ersan Denk G. , Shelden Ronald A.
Published: July 2007

A number of papers in the literature have reported that under certain conditions the growth rate of a crystal may not assume a unique value at a given supersaturation. These papers implied either that identical crystals growing in a supersaturated solution under identical conditions did not all grow at the same growth rate or that a given growing crystal was alternating between two values of growth rate.

In this work the existence of such a phenomenon was clearly demonstrated by experiments with sodium chloride crystal whiskers in which the growth was monitored semi‐continuously. It was observed that instead of being a continuous process, crystal growth was intermittent in nature. Growth was characterized by two alternating periods, a growth period during which rapid growth occurred and a period of small or non‐existent growth.

This work also showed that this type of intermittent growth could account for another phenomenon previously reported in an investigation with potassium alum crystals; that in certain supersaturation regions the growth rates appeared to be insensitive to changes in supersaturation.

It is also pointed out that the existence of periodic rates will complicate the expressions for the kinetics of growth used in the analysis of crystallizers and that the insensitivity of growth rates to supersaturation may affect the stability of continuous crystallizers.
Growth kinetics of (001) type faces of rochelle‐salt crystals in solutions
Authors: Alexandru H. V.
Published: July 2007

Growth kinetic data of Rochelle‐Salt crystals are presented and discussed in terms of the BCF theory. The characteristic constants for crystals grown in pure solution as well as in the impurified ones are determined. Experimental data obtained for the (001) and (210) type faces in other experimental conditions (Levina, Beliustin) are also discussed.
Growth mechanism of crystals from aqueous solutions
Authors: Šolc Z. , Söhnel O.
Published: July 2007

Microscopic processes occurring on the surface of a growing crystal or a dissolving one were observed by microcinematography. The crystals under observation were grown either in a drop of solution by evaporation or in a constant‐temperature microscope stage at a chosen supersaturation. Small (approx. 0.1 mm) and large (approx. 10 mm) crystals of NaCl, Pb(NO3)2, NaNO3, CdI2, KDP and ADP were studied. It is concluded qualitatively that the layers, in general polygonal, originating in one or several active centres, are formed on the crystal face, never at the corners or edges. – The average velocity of layer motion was studied quantitatively in dependence on their thickness and supersaturation. The layer motion at constant supersaturation considerably fluctuated. – Surface patterns created by moving layers agree in most cases with predictions of the dislocation theory. Two categories of steps were found on the surface: ”︁real”︁ macrosteps and shock waves. – The velocity of layer motion for most compounds lies within (1–10) · 10−4 cm · s−1.
Über den Einfluß oberflächeninaktiver Beimengungen auf die Kristallisation von Metallschmelzen
Authors: Kuscheva‐Markowa N.
Published: July 2007

Eine kurze Übersicht und Zusammenfassung eigener Untersuchungen an Systemen ergab, daß die Ergebnisse von der allgemein angewandten Theorie über die Wirkung löslicher Beimengungen abweichen. Vollständige Löslichkeit der Beimengung in der Schmelzphase und ihre vollständige Unlöslichkeit in der festen Phase war die notwendige Bedingung für die Auswahl der untersuchten Systeme. Außerdem sollte die Beimengung oberflächeninaktiv sein. – In allen Systemen mit einem Eutektikum im Bereich niedriger Fremdstoffkonzentrationen zeigt die Abhängigkeit der mittleren Größe der Körner vom Gehalt an Beimengung ein Minimum und ein Maximum. In den Systemen ZnGa und SnGa mit Eutektikum im Bereich hoher Konzentrationen an Beimengung weist diese Beziehung keinen Extremwert auf, d. h., man beobachtet eine konstante Ausbildung einer feinen Kornstruktur mit wachsender Beimengungskonzentration. – Die Erklärung für diese Erscheinung gründet sich auf kinetische Prozesse. – Es wird der Einfluß verschiedener Abkühlungsgeschwindigkeiten auf das Kornwachstum im System Zn–Al untersucht. Nur im Fall niedriger Geschwindigkeiten tritt kein Extremwert auf. Dies wird durch die geringe Bewegungsgeschwindigkeit der Wachstumsfront und die hohe Diffusionsgeschwindigkeit der Beimengung aus der Passivierungsschicht in die Schmelze erklärt. – Die beobachtete Verringerung der Korngröße unter der Einwirkung der oberflächeninaktiven Beimengungen sind danach keine Ausnahmen, wenn man die kinetischen Faktoren berücksichtigt. Sie werden als reguläre Erscheinungen angesehen, die mit den spezifischen physikalischen und chemischen Eigenschaften des Systems in Zusammenhang stehen.
Bestimmung der relativen Stabilität der Zinkblende‐ und Wurtzitstruktur mit Hilfe des piezoelektrischen Effektes
Authors: Hübner K.
Published: July 2007

Ein phänomenologisches Modell des piezoelektrischen Effektes wird zur Bestimmung der Stabilität der Zinkblende – gegenüber der Wurtzitstruktur in AII BVI‐Halbleitern angewendet. Es wird gezeigt, daß Verbindungen mit einer normierten longitudinalen piezoelektrischen Konstante epol* > 0,15 ± 0,02 stabil in der Wurtzitstruktur und Verbindungen mit epol* < 0,15 ± 0,02 stabil in der Zinkblendestruktur sind.
Untersuchung epitaktischer Molybdänkarbidschichten an Molybdän‐(110)‐Oberflächen
Authors: Brückner J.
Published: July 2007

Mit den Methoden Beugung langsamer Elektronen (LEED) und Emissionselektronenmikroskopie wurden die Anfangsstadien der Karbidbildung an Molybdän‐(110)‐Oberflächen untersucht, die durch Einwirkung von C6H6 bei hohen Temperaturen (1700 K) auftritt. Nach einer Exposition von etwa 8 · 10−5 Torr · s war mit LEED eine (4 × 4)‐Überstruktur zu beobachten, die als periodische Koinzidenz zwischen Unterlagegitter und mit der (10.0)‐Fläche aufliegendem Mo2C gedeutet wird. Beim Heizen des Objektes ohne weitere Benzolexposition entstanden eine komplexe und eine (2 × 2)‐Überstruktur. Nach einer Exposition von 2 … 9 · 10−3 Torr · s wuchsen nadelförmige Molybdänkarbidkristallite in den Richtungen [111] und [111] auf der Oberfläche. Aus den LEED‐Bildern wurde die Orientierung Mo2C (10.1) parallel zu Mo (110) abgeleitet.
Leitfähigkeits‐ und Halleffektmessungen an Tellur‐Epitaxieschichten auf KCl
Authors: Albers C. , Hey R.
Published: July 2007

Der Temperaturverlauf des spezifischen Widerstandes epitaktischer Tellurschichten auf (110)‐KCl‐Flächen widerspricht den von Te‐Einkristallen bekannten Ergebnissen. Zur Deutung der Abweichungen werden Piezowiderstandseffekte herangezogen. Die Ergebnisse lassen sich in einem entsprechenden Modell qualitativ und quantitativ deuten.
The growth of gallium arsenide films from a thin solution layer between substrates
Authors: Bolchovitianov Yu. B. , Bolchovitianova R. I. , Melnikov P. L.
Published: July 2007

The method of GaAs film growth from a solution between two substrates was considered.

The calculated thickness as a function of growth temperature and distance between substrates was in a good agreement with experimental results.

The investigation of the film roughness as a function of cooling rate, distance between substrates and their orientations was fulfilled.

Electrical properties of the films as a function of substrate orientations in the interval (100)–(111)–(011) were demonstrated. The possibility of application of this method for the investigation of film doping as a function of temperature and growth rate was shown.
TEM‐Untersuchungen von Gitterfehlern in ZnSiP2‐Einkristallen
Authors: Pasemann M. , Klimanek P.
Published: July 2007

Es wird über TEM‐Untersuchungen von Gitterfehlern in ZnSiP2‐Einkristallen berichtet. Nach dem Kristallwachstum wurden Versetzungen oder Stapelfehler nur gelegentlich gefunden. Zwillinge traten häufiger auf. Die kristallographischen Elemente der Zwillingsbildung lauten {112} 〈111〉.

Nach einer plastischen Biegeverformung bei 900 °C wurden örtlich Versetzungskonfigurationen mit hoher Defektdichte (Nv ≈ 106…︁ 107 cm−2) beobachtet. Anhand des Beugungskontrastes konnte ein Burgersvektor b = 1/2 〈111〉 identifiziert werden. In manchen Fällen enthielten die Kristalle auch ausgedehnte Deformationsstapelfehler, die von Teilversetzungen begrenzt waren. Die Zwillingsdichte erhöhte sich unter den gewählten Verformungsbedingungen nicht.

Aus Untersuchungen von Oettel et. al. und den Ergebnissen der Zwillingsanalyse kann geschlossen werden, daß die Gleitung und die Stapelfehlerbildung im ZnSiP2 {112}‐Ebenen stattfinden. Zu beiden Vorgängen werden kristallographische Überlegungen angestellt.
Electron probe microanalysis and X‐ray diffraction of nitrides, oxides, and sulfides in steels
Authors: Barszcz E. , Bołd T.
Published: July 2007

The aim of the present work was to show the possibilities for the determination of the chemical and phase composition of oxygen, nitrogen and sulphur compounds in steels by a parallel application of electron microanalysis and X‐ray structure analysis methods. The application of both methods makes it possible to identify composed phases with regard to the chemical composition, i. e. solid solutions of oxygen and nitrogen in precipitations and inclusions occurring in steel.
Die Lösung von Halbleiterproblemen mit der Elektronenstrahlmikrosonde
Authors: Kormány T. , Nagy G.
Published: July 2007

Es wird ein Überblick gegeben über die Anwendung der Elektronenstrahlmikrosonde zur chemischen Analyse von Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie zur Untersuchung von pn‐Übergängen. Die Untersuchungsergebnisse beziehen sich auf den Nachweis von Ausscheidungsvorgängen der Verunreinigungen und deren Auswirkung auf die elektrischen Parameter der Halbleiterbauelemente. Es wird gezeigt, daß die Anwendung der Induzierten‐Stromsignal‐Methode die Abbildung der pn‐Übergänge und den Nachweis verschiedener Fehlermechanismen ermöglicht.
Anwendung der Elektronensondenmikroanalyse in der Metallurgie
Authors: Bojarski Z.
Published: July 2007

Die Anwendung des Röntgenmikroanalysators wird erörtert und dabei seine Brauchbarkeit in der Metallurgie und Metallkunde zur Lösung von Problemen von direkter industrieller Bedeutung gezeigt. Angegeben werden Beispiele von Untersuchungen über

den Charakter nichtmetallischer Einschlüsse im Stahl

die während des Brennens von Pellets aus Sideritkonzentraten eintretenden Reaktionen

den Kristallisationsmechanismus in Legierungen

die Zeilenstruktur im Stahl

den Verzunderungsprozeß.
Dynamik der Phasengrenze beim Ziehen von Kupfereinkristallen aus der Schmelze
Authors: Wenzl H. , Uelhoff W.
Published: July 2007

Untersucht wurde die Höhe der Phasengrenzfläche beim Ziehen von Kupfereinkristallen aus der Schmelze als Funktion der Schmelzentemperatur und nach sprunghafter Änderung der Ziehgeschwindigkeit und der Temperatur. Die Phasengrenze erreichte nach einer Änderung der Parameter stets eine neue stabile Lage mit Zeit konstanten zwischen 20 und 120 s. Das Verhalten kann mit einem Modell für die Wärmebilanz an der Phasengrenze beschrieben werden. Der Temperaturgradient in der Schmelze unterhalb der Phasengrenze beträgt danach 17 gr · cm−1 im Vakuum und 50 grd · cm−1 bei 760 Torr Wasserstoff.
Microprobe analysis of the samples from regolith luna 16
Authors: Hulínský V. , Výlupková J. , Jurek K. , Palivcová M. , Cimbálnikova A. , Prem V.
Published: July 2007

The preparation of the lunar particles from the regolith of LUNA 16 for the electron microprobe analysis is described. The possibility to use this instrument for the surface features study and chemical composition determination of this unique material is shown. The discussion of the results of different measuring procedures is presented. 31 photographs are shown.
Morphologie und Wachstum von Magnetitkristallen in Schlacken von Kupferschmelzen
Authors: Grigoriev D. P. , Isakova S. G.
Published: July 2007

The magnetite skeletal crystals found in the copper production slags of the plant „Georgy Damianov”︁ in Bulgaria are investigated and described in the present work.

The magnetite crystals were microscopically studied by means of reflected light on polished specimens, and as a result it was found out that every single skeleton represents a combination of an oktahedral skeletal multi‐edge form and a tetragontrioctahedral skeletal multiplane one.

The morphology of the described form and its deviations from the ideal one are analysed in detail.
Investigation of the homogeneity of Cu‐Ni sintered materials using microprobe
Authors: Przybyłowicz K. , Bolechała P. , Frydrych H. , Radoła A.
Published: July 2007

The application of various parameters for the estimation of the degree of homogenization of CuNi sinters is investigated. For this purpose specimens were prepared with different Ni contents, different degrees of initial porosity and different sintering periods. Analysis is done by means of point and line technique. The following parameters were used: standard deviation from the mean Ni content, \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ S_c = \sqrt {\frac{1}{n}\sum\limits_{i = 1}^n {\left({c_i - \bar c} \right)^2 } } $\end{document}, variation coefficient \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ v = \frac{{S_c }}{{\bar c}} $\end{document}, maximum concentration grapient of nickel, \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ g = \left({\frac{{dc}}{{dx}}} \right)_{\max } $\end{document} and the relation of the minimum to the maximum Ni concentration in different points of the sinter. – These parameters are enough precise for the representation of the degree of homogenization, but besides this the latter enables to express the homogeneity in the form of a fraction as measure for the homogeneity of a sinter.
The structure and phase composition of sinters obtained from siderite concentrate containing BaSO4
Authors: Jasienska St. , Tomkowicz D. , Lvova H.
Published: July 2007

To obtain a full diagnostic characteristic of mineral components of investigated sinters, microscopic methods used to supplement X‐ray diffraction studies and X‐ray spectral analysis in microvolume. All obtained results provide an adequate basis for phase identification. In silicate phase of the siderite sinters occur the following minerals with Ba admixture: in acid sinters: olivines and pyroxenes. in basic sinters: α′ – Ca2SiO4, melilites and 3 CaO · SiO2. In no sinter occurs β – Ca2SiO4.
The X‐ray topographic investigation of defect distribution in dendritic silicon crystals along their cross section
Authors: Dashevsky M. Ya. , Isaakyan V. A. , Khatsernov M. A.
Published: July 2007

Using the modified method of limited X‐ray topographs the distribution of defects along the silicon dendritic thickness was investigated. It is found that there are two dislocation sources in the given crystals, one of which acts near the surface and generates the loop‐shaped dislocations in the centre of the sample. The other source located in the interior parts of the crystal creates the edge defect pilings.
Instabilitäten in anodischen Siliziumoxidschichten
Authors: Vértesy M.
Published: July 2007

Die Wärmebehandlung anodischer Oxidschichten bewirkt die Verschiebung der Absorptionsminima von SiO‐Bindungen im Infrarotspektrum von 1055–1060 cm−1 Wellenzahlwerte auf den für thermische Oxide kennzeichnenden Wellenzahl‐Wert 1095 cm−1. ähnliches Verhalten wird auch bei Lagerung an Zimmertemperatur beobachtet. Die Erscheinung kann mit der Umordnung der SiO‐Bindungen erklärt werden.
Stabilized Ion Cr5+ Paramagnetic Resonance in Potassium Dichromate Single Crystals
Authors: Alybakov A. A. , Gubajdullin Z. H. , Gubanova V. A.
Published: July 2007

Potassium dichromate single crystals were synthesized from aqueous solution by isothermal evaporation of the solvent. The electron paramagnetic resonance (EPR) spectra were studied from Cr5+ ions, stabilized by 60 min heating of X‐irradiated crystals at 120°C. EPR spectrum was observed which consists of a strong central line and four almost equidistant satellites with intensities as weak as 2% from that of the central one. The received EPR spectrum may be described within the experimental errors by the anisotropic spin Hamiltonian, the constants at 77°K being: g∥ = 1.982 ± 0.001, g⊥ = 1.925 ± 0.001, A⊥ = 10.2 ± 0.4 G and A⊥ = 4.0 ± 0.4 G.
Electrooptical Properties of Triglycine Selenate
Authors: Sirota N. N. , Korina R. V.
Published: July 2007

Materials having noticeable electrooptical properties can be used in different mechanisms for modulation and scanning of light. In this connection a detailed study of the electrooptical effect (EOE) nature and the detection of new materials having electrooptical properties are of great interest.

In spite of the fact that the electrooptical properties of triglycine sulphate (TGS) were the subject of research in a number of papers, EOE in isomorphic compounds of TGS has not been studied up till now.

The present paper deals with the investigation of the electrooptical effect features in triglycine selenate (TGSe) which represent one of TGS crystallochemical analogues. EOE in TGSe was observed at different directions of the applied electric field: along the ferroelectric axis and perpendicular to it — along OZ.

Both longitudinal and transverse electrooptical effects occur in both cases. The features of the temperature variation of longitudinal EOE in TGSe are also considered in this paper.
Die Löslichkeiten von GaP und GaAs in Sn und Bi
Authors: Leonhardt A. , Kühn G.
Published: July 2007

Die pseudobinären Phasendiagramme GaAsBi, GaPsBi und GaPSn werden mit Hilfe der DTA ermittelt und auf der Basis des RS‐Modells die Systeme GaGaAsBi, GaGaPsBi und GaGaPSn berechnet. Die Löslichkeiten von GaAs und GaP in Sn und Bi werden im Temperaturbereich von 600–1200°C angegeben. Es zeigt sich, daß die Löslichkeit in der Reihenfolge SnGaBi abnimmt.
The Preparation and Crystal Structure of MgP4
Authors: Gibiński T. , Cisowska E. , Żdanowicz W. , Henkie Z. , Wojakowski A.
Published: July 2007

In the systematical study of the A11BV semiconducting compounds the Mg‐P system has been examined. Among the products of crystallization from BiPbSn alloy the crystals of a new compound MgP4 have been identified. It has been found that these crystals are isostructural with CdP4. The crystal structure refinement from X‐ray data has been performed. The lattice constants are: a = 5.141 Å, b = 5.079 Å, c = 7.518 Å, β = 98.64°; Z = 2; space group P21/c.
Konstruktion der stereographischen Projektion des Kossel‐Reflexsystems für beliebige Orientierung eines kubischen Kristalls
Authors: Alex V.
Published: July 2007

Ein teils rechnerisches, teils zeichnerisches Verfahren zur Konstruktion der stereographischen Projektion von Kossel‐Kegeln in einer beliebigen Projektionsebene wird beschrieben. Die Schnittpunktlagen der Kossel‐Kreise auf den Großkreisen der Einheitskugel werden berechnet und mit Hilfe des Wulffschen Netzes in das Stereogramm eingetragen. Durch die Punkte werden die Kossel‐Kreise gezeichnet, deren Topologie die zuvor konstruierte stereographische Projektion auf die (001)‐Ebene angibt.
Zur Bestimmung der Gitterkonstanten und der Orientierung nichtkubischer Kristalle mit der Pseudo‐Kossel‐Technik
Authors: Kämpfe B. , Klimanek P.
Published: July 2007

Die Pseudo‐Kossel‐Technik eignet sich besonders für die Untersuchung kleiner einkristalliner Probenbereiche. In dieser Arbeit wird über ein Auswertungsverfahren für Transmissionsaufnahmen berichtet, bei dem der Abstand Röntgenstrahlquelle — Film nicht benötigt wird. Die Ermittlung des Filmmittelpunktes erfolgt im Verlauf der Auswertung; die Probe kann gegenüber der Filmebene eine beliebige Orientierung besitzen. Das Verfahren gestattet die Bestimmung des reziproken Gitters kubischer, tetragonaler, hexagonaler und rhombischer Kristalle, ohne daß Näherungswerte der Gitterparameter bekannt zu sein brauchen, und der Kristallorientierung. Gitterkonstantenbestimmungen sind mit einer Ungenauigkeit Δa/a ≈ ≈ ± 1 · 10−4 auch bei relativ kleinen Glanzwinkeln möglich. Die Methode wird am Beispiel des tetragonalen ZnSiP2 demonstriert.
Piezoelectricity Effect Detector
Authors: Grochowski J. , Stasicki B.
Published: July 2007

An apparatus for the detection of the piezoelectricity effect in non‐conducting crystals is described. It is possible to mark the crystal resonance frequency and show the resonance curve on the oscilloscope, both with or without mechanical contact between the crystal and electrodes. For the urotropine crystals the section of the surface of the longitudinal piezoelectric effect with (110) plane was determined without mechanical contact.
Untersuchung der Phasenumwandlung von Aluminiumoxid im Temperaturbereich von 500 bis 1200°C
Authors: Wintruff W.
Published: July 2007

Mit Hilfe der Phasenanalyse, der immersionsmikroskopischen Analyse und der Elektronenresonanzspektroskopie wird die strukturelle Umwandlungsfolge des Aluminiumoxids im Temperaturbereich von 500 bis 1200°C untersucht. Als Sonde für die Aufnahme der EPR‐Spektren wurden Fe3+‐Ionen gewählt (Al2O3/0,586 Mol% Fe2O3). In dem untersuchten Temperaturbereich wurden γ‐, ϑ‐ und α‐Al2O3 festgestellt, die als diskrete Phasen zu betrachten sind. Bei dem Mechanismus der strukturellen Umwandlungen handelt es sich um diskrete übergänge. Auf der Grundlage der Ergebnisse wurden die Existenzbereiche der γ‐, ϑ‐ und α‐Phase und ihre prozentualen Anteile in dem Oxidgemisch bei den entsprechenden Temperaturen bestimmt.
Zur dynamischen Untersuchung elastischer und elektromechanischer Eigenschaften von Kristallen
Authors: Beige H. , Schmidt G.
Published: July 2007

Zur Bestimmung elastischer und piezoelektrischer Koeffizienten sowie der mechanischen Güte hat sich der piezoelektrische Resonator als eine besonders einfache und zuverlässige Methode erwiesen. In diesem Artikel werden einige Möglichkeiten zur Verbesserung der Genauigkeit dieser Methode und für deren Anwendung für schwach piezoelektrische Kristalle sowie zur Messung elastischer Koeffizienten höherer Ordnung aufgezeigt. Bei dynamischen Messungen an elektrostriktivem Material (elektrostriktiver Resonator) kann man in entsprechender Weise verfahren.
Kinetics of a Single Crystal Growth from Supersaturated Liquid Solution. An Attempt on the Analytical Description of the State of Solution
Authors: Dals K.
Published: July 2007

The attempt was made at formulating a mathematical model describing the state of the supersaturated liquid solution circumfluenting a single crystal, as well as the transport processes occurring in that solution. As the result of a suitable computation procedure, numerical values of velocity components, concentrations, temperatures and the normal components of the mass flux in the vicinity of the crystal surface have been obtained.
The Precipitation of Barium Chromate with Slow Development of Supersaturation. Kinetics of the Crystal Growth
Authors: Packter A.
Published: July 2007

Slow barium chromate precipitation was studied in well‐stirred solutions — final concentration 0.002 mole 1−1 — at 20°C at mixing rates varying from 0.2 to 2 · 106 mole 1−1 sec−1; the kinetics of the crystal growth process were studied by chemical analysis and by optical microscopy. The crystal growth started after induction periods; regular growth then took place on the nuclei formed during these periods. For the main growth, up to about seventy percent precipitation time, growth rates at any time depended on the (residual excess solute concentrations in solution)2. Immediately after the induction periods, crystal lengths varied with growth time according to the relation,
equation image
for the main growth, crystal lengths varied with growth time according to a more complex relation,
equation image
where kl is the rate constant for surface growth, Rc is the rate of development of metal salt concentration and K is a constant that depends on the number of precipitate crystals.

After some growth time τ = τ*, when lτ = lτ*, all fresh solute added to the solution was utilised immediately and was deposited onto the growing crystals; then, for the final thirty percent precipitation, crystal lengths varied with growth time according to the relation,
equation image
.
Zur Lamellenstruktur von Silizium‐Kristallnadeln
Authors: Schreckenbach M.
Published: July 2007

Es werden Beobachtungen zur Lamellenstruktur an Silizium‐Nadeln mit verschiedenen Querschnittsformen mitgeteilt.
Einfluß von magnetischen und elektromagnetischen Feldern auf die Kristallisation aus wäßrigen Lösungen
Authors: Barta Č. , Beljajev L. M. , Dobržanskij G. F. , Kreinin S. L. , Schaskolskaja M. P. , Žemlička J.
Published: July 2007

Es wurde festgestellt, daß die strukturelle Perfektion von α‐HJO3‐ und TGS‐Kristallen, die aus Lösungen gezüchtet wurden, unter der Wirkung eines Gleichstrom‐Magnetfeldes von 35 Oe und unter Abschirmung gegen elektromagnetische Wellen ≧ 105 Hz sich wesentlich verbessern. Der Grad der Perfektion wurde an der Zahl der Versetzungen in den gezüchteten Kristallen gemessen.
A Method of Determining the Liquid Phase Epitaxial GaAs Growth Mechanism Based on Growth Rate Measurements
Authors: Bryśkiewicz T. , Herman M. A.
Published: July 2007

It has been proved that the dependence of the growth rate V of a LPE GaAs layer on the relative supersaturation σ of the solution at the interphase boundary can be determined on the basis of growth rate measurements of this layer in the case when crystallization is controlled by the kinetics of surface processes. The relation V = f(σ) obtained for homoepitaxial GaAs layers grown at different solution cooling rates are compared with the theoretical relations derived by BRICE making use of a single growth mechanism assumption.

Based on the above and by use of the experimental data of MUSZYńSKI the growth mechanism of homoepitaxial GaAs layers on a substrate oriented in the [100] direction is determined. The results are in accordance with the crystallization model of AIIIBV semiconductor compounds from the liquid phase proposed by FAUST and JOHN.
The Catalysed and Uncatalysed Nucleation of Gypsum Crystals from Aqueous Solution
Authors: Konak A. R.
Published: July 2007

Gypsum (Calcium Sulphate Dihydrate) has been precipitated by mixing aqueous solutions of calcium chloride, sodium sulphate and sodium chloride at 25°C. In the absence of solid gypsum, classical nucleation theory predicts rates reasonably well only at the expense of some adjustable parameters like surface energy term. This has been attributed to the difficulties associated with the application of equilibrium thermodynamics to a process of kinetic origin. The presence of solid matter acts as a catalyst and decreases the induction period. In this case, the habit as well as the quantity of gypsum added greatly influences the induction period. Possible reasons for this have been given.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Oxidkeimbildung an Reineisenoberflächen
Authors: Bewilogua K. , Wetzig K.
Published: July 2007

Beim Glühen von reinen α‐Eisenkristallen im Hochvakuum (po2 = 1 · 10−4 bis 1 · 10−6 Torr) entstehen auf den Oberflächen der Kristalle einzelne Oxidkeime, die als γ‐Fe2O3 identifiziert wurden. Die einheitliche Form der Keime auf (100)‐Flächen von α‐Eisen sowie ihre Orientierung bezüglich des Eisengitters deuten auf ein epitaktisches Aufwachsen nach dem bekannten Verwachsungsgesetz (100)Fe∥ (100)Oxid; [100]Fe∥ [110]Oxid hin. Eingewachsene Versetzungen, Oberflächenstufen und Korngrenzen der Matrix wurden durch Oxidkeime dekoriert. An Durchstoßpunkten frischer Versetzungen erfolgte dagegen keine Oxidkeimbildung.
Investigation of InxGa1−xAs films grown from thin solution layer
Authors: Bolchovitianov Yu. B. , Zembatov H. B.
Published: July 2007

InxGa1−xAs films with x⩽0.12 were grown from a thin solution layer between substrates. The calculation of final film thickness as a function of liquid phase composition, based on supposition of film deposition only on the substrate, is in a good agreement with experimental results. The dependences between compositions of liquid and solid phases at 800°, 750° and 700°C were determined.

The morphology of the film surface was investigated as a function of liquid phase composition and (100), (111) A, (111) B substrate orientations. Dislocation density increases from 104 cm−2 to 107 cm−2 with change of x from 0 to 0.12.
Growth of Epitaxial Layers of GaN from GaBr3 · 4 NH3 Complex
Authors: Żytecki J. , Łappa R.
Published: July 2007

A method of obtaining GaN from GaBr3 · 4 NH3 by radiation heating of the substrate is described. The results of investigations are given concerning the growth rate of polycrystalline GaN layers on [111] oriented silicon substrates in dependence on the changes of the temperature of reaction, evaporation temperature of GaBr3 · 4 NH3, and the rate of gas flow. The results of X‐ray investigations and light absorption coefficient are described. Some facts were observed, namely a considerable influence of the nozzle form on the kinetics of the transporting gas stream on the growth rate of GaN, as well as the fact that not the whole complex undergoes pyrolysis on the substrate at temperatures below 500°C.
Effect of Stressed State Type on Work Hardening and Evolution of Dislocation Structure in Magnesium Single Crystals
Authors: Pokhil Yu. A.
Published: July 2007

The type of stressed state (compression, simple shear) is shown to effect the parameters of a work hardening curve for Mg single crystals under basic slip. The electron‐microscopic results for the dislocation structure are indicative of the fact that work hardening at stage A of the work hardening curve is connected with the basis‐basis dislocation interaction, while the to‐B‐stage transition and a rapid growth of strain stress are due to the interaction between basic dislocations and “forest” dislocations in the {1010} {1120} systems, the latter dislocations arising from the stress relaxation in the primary slip system.
Temperature and Strain Rate Effects on Work‐Hardening of KCl Single Crystals
Authors: Tabachnikova E. D.
Published: July 2007

The influence of temperature and strain rate on work hardening of a KCl crystal has been investigated. Using the experimental data on flow stress relaxation, the activation “volume” for dislocation motion and internal counteracting stresses have been calculated in the temperature range of 300 to 40 K. Estimation has been carried out for the variation of a number of mobile dislocations ϱ2/ϱ1, when the strain rate is changed by a factor of four.
Preparation, Morphology and Structure of Cadmium Telluride Epitaxial Layers on Germanium Substrates
Authors: Kamadjiev P. R. , Mladjov L. K. , Gospodinov M. M. , Vassilev I. S.
Published: July 2007

Growth conditions of cadmium telluride single crystal layers on germanium (111), (110), (100), (112) substrates in quasi‐closed “sandwich” system in a hydrogen atmosphere, were investigated in this paper. The peculiarities of layer morphology for the different orientations are presented.
The Crystallisation of Calcium Molybdate and Tungstate from Lithium Chloride Melts by Continuous Cooling. The Kinetics of Crystal Growth in Alumina Crucibles
Authors: Packter A. , Roy B. N.
Published: July 2007

The kinetics of crystallisation of calcium molybdate and tungstate from unstirred supersaturated solutions in lithium chloride melts — in alumina crucibles — was studied by continuous cooling from initial temperature T0 = 800°C down to room temperature at cooling rates RT = 20° to 200°C hr−1. The solutions were analysed chemically and the crystals were examined by optical microscopy. Crystal growth started practically immediately after the onset of cooling: at first, the amount of material deposited onto crystals was far less than the amount of excess solute developed within the supersaturated solutions but crystallisation rates then increased as the crystal sizes increased. Then, after some time t* (at about seventy percent crystallisation), all excess solute was deposited onto growing crystals.
Radiation Defects Research in Single Crystals of Lithium Niobate
Authors: Antonov V. A. , Arsenev P. A. , Baranov B. A. , Barinova N. D. , Kustov E. F. , Linde I. G.
Published: July 2007

An information is given on the kinetics of developing ionization defects by γ‐radiation, as well as on the destroying of these defects as a result of thermal treatment in oxidizing atmosphere at different temperatures. The presence of several types of ionization defects developing by γ‐radiation is found out. Values of diffusion factor for each type of defects are given.
X‐ray crystal orientation determination for semiconductor single crystals
Authors: Keppler U. , Meier M. , Neifeind A. , Rohmer C.
Published: July 2007

An improved method to measu reorientation angles of flat single crystals was developed taking Buerger precession technique. The method is described and compared with Laue‐ and goniometer techniques. Advantages are low costs and short measuring time. An easy evaluation of the records allows to take this method as a routine angle determination for semiconductor manufacturing.
A method of investigation of heterostructure for junction lasers based on photoluminescence measurements
Authors: Bryśkiewicz T. , Herman M. A. , Lewandowski W.
Published: July 2007

A four layer GaAs–AlxGa1–xAs heterostructure photoluminescence spectrum measured at 77K has been compared with the results of investigations concerning the composition of this heterostructure, performed by using the electron microprobe JXA‐50A. The application of photoluminescence investigations of such heterostructures as a simple and convenient control method that can be used during the performance of a heterostructure laser has been proposed.
Strahlende und nichtstrahlende Rekombination am neutralen Silizium‐Akzeptor in n‐Ga0,2‐Al0,8As
Authors: Zehe A. , Hänsel T.
Published: July 2007

Als effektiver bandkantennaher Übergang in Si‐dotiertem n‐Ga1–xAlxAs (x ∼0,8) tritt in der Katodolumineszenz bei T = 80 K die Rekombination eines freien Loches mit einem gebundenen Elektron auf. Die Effizienz dieser Bande wird durch einen 300 meV niederenergetischeren Paarstrahlungsübergang beeinflußt. Unter Bedingungen einer steigenden hohen Anregungsdichte wird die Paarstrahlung zugunsten der Frei‐Gebunden‐Emission getilgt. Beide Lumineszenzpeaks verschieben sich in Richtung kurzwelliger Strahlung, das Paarband um etwa 45 meV, der Frei‐Gebunden‐Übergang um etwa 3 meV. Die Erscheinungen werden auf der Basis eines Dreizentren‐Auger‐Prozesses, an dem die auf Akzeptorzuständen eingefangenen Löcher beteiligt sind, erklärt.
The precipitation of calcium carbonate powders from aqueous solution with slow development of supersaturation. Induction periods, crystal numbers and final sizes
Authors: Packter A.
Published: July 2007

The precipitation of calcium carbonate was studied by slow addition of anion solution to excess cation solution and by slow mixing of equivalent cation land anion solutions at 20 °C: the final solute concentrations (Cfin were varied from 0.01 to 0.75 mole 1−1 while the rates (R) of addition of ions were varied from 0.06 to 6 · 10−3 ion 1−1 sec−1. At first, mainly heterogeneous nuclei formed continuously during induction periods; then, as the metal salt concentration in solution increased, some more heterogeneous nuclei formed but homogeneous nucleation soon predominated. The second nucleation process probably attained its maximum rate when the metal salt concentratio in solution reached its maximum value (Cmax) and then probably terminated quite rapidly. Some further nuclei also formed during the growth process when crystal growth was prolonged. The final nucleus numbers (N) (and thence the crystal numbers) for slow precipitations from dilute solutions were then rather higher than the optimum number N∞ (het) of heterogeneous nuclei in the solution; nucleus numbers then increased with increasing maxing rate according to the relations

.

These numbers were similar to those noted for rapid precipitation – onto homogeneous nuclei – from calcium carbonate solutions of concentrations somewhat lower than the Cmax values. The final average crystal lengths of any precipitate then generally varied with mixing rate according to the relations,

. where l1 values increased with (Cfln)0.33.
The effect of solute supersaturation on the ageing process of an Al 59,5 wt% zn alloy
Authors: Ciach R. , Dutkiewicz J. , Kroggel R. , Löffler H. , Wendrock G.
Published: July 2007

The effect of the solution treatment temperature on the mechanism of the decomposition at room temperature of an quenched Al 59,5 wt.‐% Zn alloy has been examined. The investigations were carried out using X‐ray techniques, optical and transmission electron microscopy and measuring the changes in the dimensions, electrical resistivity and the hardness.

The sequence of the phase transformations in the alloy quenched from 370°C were as follows.

The transformation begins with spinodal decomposition. After some development of the spinodal structure, which is associated with increase in wavelength, the heterogenuous nucleation and growth of the zinc‐rich particles occur within the spinodal structure. Simultaneously the discontinuous transformation was observed to grow into the spinodal structure.

The decomposition of the same alloy quenched from 300°C (miscibility gap region) took place much more rapidly than when quenched from 370°C. Directly after quenching the spinodal structure was also observed using JEM‐1000, coincidental with a remarkable increase of electrical resitivity. At the same time the heterogenuous nucleation and growth of the zinc particles, on the interfaces of the α‐α′ phases was observed. The discontinuous transformation was also found within the α′ supercooled phase.

The decomposition of the Al 38 at.‐% Zn alloy quenched from 300°C appeared to be divided into two stages. In the first the decomposition of the zinc‐rich α′ phase takes place and in the second one the transformation of the zinc‐poor a phase occurs. These two transformations are distinctly marked on the curves of the changes in the dimensions, electrical resistivity as well as in the intensity of the (101) reflexion of the zinc phase.
Lumineszenzeigenschaften von pyrolytisch abgeschiedenem GaN
Authors: Petzke W.‐H. , Zehe A.
Published: July 2007

Die pyrolytische Abscheidung von GaN auf isolierenden Substratmaterialien führt zu metallisch schwarzen bis nahezu farblosen Schichten. Morphologie und Wachstumsrate werden beeinflußt durch Wachstumstemperatur Art und Strömungsraten des Trägergases. Im Katodolumineszenspektrum werden charakteristische Emissionsbanden in der Nähe der Bandkante bei 3,54…3,10 eV sowie bei 2,21…2,07 eV erhalten, deren relative Intensitäten von der Strömungsrate des Trägergasstromes abhängen. Bei gelber und farbloser Probe erscheint, z. T. ausschließlich, ein Peak bei 2.48 eV, Die äußere Quantenausbeute ist für dunkle, metallische Proben am größten. Zwischen den Züchtungsparametern und der Vakanzenkonzentration sowie dem Verunreinigungseinbau (Sauerstoff) besteht ein durch die Spektren ausgewiesener Zusammenhang.
Optical properties of Ga1–xInxAs LPE‐layers and p‐n structures
Authors: Zehe A. , Butter E. , Jacobs B. , Stary J.
Published: July 2007

The multiple layer structure nGaAs(n Ga1–xInxAs) p Ga1–xInxAs (0 ≦ × ≦ 0.18) was realized by liquid phase epitaxy from In–Ga–As‐melts on (111)‐oriented GaAs substrates. The InAs‐content of the mixed crystal layers was found to be dominating for crystal perfection and growth rate.

The cathodoluminescence spectra of p‐and n‐type Ga1–xInxAs and spectral distribution of the electroluminescence from pn‐junctions were measured at T = 77 K and 300 K.

The external quantum efficiency wa found to have a maximum for diodes with x ≈ ≈ 0.006. This is caused by the decrease of the optical absorption with increasing x and increasing dislocation density on the other hand.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen am gerichtet erstarrten Al–Al3Ni‐Eutektikum
Authors: Zies G.
Published: July 2007

Die Struktur des nach dem vertikalen Bridgeman‐ Verfahren mit Erstarrungsgeschwindigkeiten im Bereich von 6 bis 70 mm/h gerichtet erstarrten stabförmigen Al–Al3Ni‐Eutektikums wurde im erstarrten, zugverformten und wechselbeanspruchten Zustand untersucht. – Die in der Al‐Matrix annähernd parallel zueinander eingewachsenen Al3Ni‐Stäbe erweisen sich als Whisker, deren Morphologie mit der beobachteten kristallographischen Orientierung und der Erstarrungsgeschwindigkeit zusammenhängt. Beobachtungen typischer Versetzungszellstrukturen, welche die Stäbe in der Matrix verbinden, Grenzflächenversetzungen und Moiré‐Muster an der Al/Al3‐Grenzfläche werden vorgestellt und beschrieben. Die theoretischen Abstände zwischen Anpassungsversetzungen und Moiré‐Streifen wurden für einige wichtige Gitterrichtungen berechnet und mit den beobachteten verglichen.
Präparation von Polykristallen der intermetallischen Verbindung MgZn2
Authors: Siegel S.
Published: July 2007

The influence of mechanic vibration treatments on the solidification of the intermetallic compound MgZn2 is investigated. A clear connection exists between velocity of vibrations and resulting grain refinement. A minification factor 50 could be proved as the extreme value for the given apparatus conditions. The grain sizes of the shaken probes follow a logarithmic normal distribution. A minification of already solidified primary crystallites, caused by a friction force between growth batch and front of solidification, is discussed as the decisive mechanism of the grain refinement.
Versetzungsinduzierte Brechzahlinhomogenitäten
Authors: Alter U. , Melle W. , Meyer K. , Töpfer R.
Published: July 2007

Brechzahlinhomogenitäten beeinflussen entscheidend die Leistungsfähigkeit von Bauteilen für die Hochleistungsoptik. Die vorliegende Arbeit untersucht die Variation des Brechungsindex, die durch Kristallbaufehler, insbesondere durch Versetzungen induziert werden. Es wurden auf der Basis der Resultate für kubische Kristalle von Nikitenko und Dedukh Gleichungen abgeleitet, die die Berechnung der Inhomogenitäten, die durch eine Versetzung im allgemeinen anisotropen Kristall hervorgerufen werden. gestattet. Eine numerische Auswertung der Theorie wurde für real auftretende Versetzungen in ADP, KDP und α‐Quarz vorgenommen.
Bestimmung der Pinhole‐Dichte von Isolatorschichten durch chemisches Ätzen (I). Das System Silizium‐Siliziumdioxid
Authors: Thiemt K. , Kaltofen R.
Published: July 2007

Mit Hilfe einer Mischung aus Äthylendiamin, Brenzkatechin und Wasser, eines Strukturätzmittels für Silizium, wurde die Zahl der Pinholes in Siliziumdioxidfilmen, die durch thermische Oxydation und HF‐Sputtering erzeugt wurden, bestimmt. Es werden Ätzgeschwindigkeiten für (111) orientiertes Silizium und SiO2‐Schichten angegeben.
Automatische Intensitätsoptimierung bei der Röntgentopographie
Authors: Keppler U. , Meier M. , Neifeind A.
Published: July 2007

Zur routinemäßigen Untersuchung von Kristallbaufehlern in Halbleiterscheiben erwies sich die bisher verwendete Scanning‐Oscillating‐Technik als unzureichend. Im folgenden Beitrag wird eine elektronische Justiervorrichtung beschrieben, die während der gesamten Translation der Halbleiterscheibe eine optimale Intensität gewährleistet. Dadurch läßt sich die Belichtungszeit wesentlich verkürzen.
Herstellung und Zurichtung von MgAl‐Spinell‐Substraten für die Halbleiterepitaxie
Authors: Richter F. , Herberger J. , Fiedler O. , Scheit U.
Published: July 2007

Es werden einige Verfahren zur Herstellung von einkristallinen MgAl‐Spinell‐Substraten für die Halbleiterepitaxie verglichen. Diese Verfahren unterscheiden sich hinsichtlich des Einsatzes verschiedener Orientierungs‐, Trenn‐, Schleif‐, Läpp‐ und Poliermethoden. Die gestörte Oberflächenschicht, die infolge der mechanischen Bearbeitung entsteht, wird mit Reflexionselektronenbeugung und chemischer Ätzung charakterisiert. Die Abtragung der gestörten Oberflächenschicht durch Ionenätzung führt jedoch im Gegensatz zur chemischen Ätzung wiederum auf eine zwar dünnere, aber durch den Ionenbeschuß beeinträchtigte Oberflächenschicht.
Zur Morphologie von InAs‐Kristallnadeln aus der Gasphase
Authors: Seidowski E. , Klimkiv A. V. , Bleeck P.
Published: July 2007

Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit der Morphologie von InAs‐Kristallnadeln, die aus der Gasphase gezüchtet wurden. Es wird festgestellt, daß die [111]‐Richtung Hauptwachstumsrichtung der erhaltenen InAs‐Kristallnadeln ist. Hauptwachstumsformen sind trigonale und hexagonale Nadeln mit gut ausgebildeten Begrenzungsflächen. Im Unterschied zu den Kristallnadeln wachsen die bandförmigen Kristalle vorwiegend in [211]‐Richtung und besitzen eine {111}‐Zwillingsebene.
The crystallisation of alkaline‐earth metal molybdates and tungstates from lithium chloride melts by continuous cooling. Nucleation mechanism and kinetics and induction periods
Authors: Packter A. , Roy B. N.
Published: July 2007

Calcium, strontium and barium molybdate (and tungstate) solutions in lithium chloride melts were crystallised in alumina and in platinum crucibles; saturated solutions were cooled from initial temperatures 700° to 800°C down to room temperature at cooling rates 40° to 200°C hr−1. The nucleation and early crystal growth were investigated by chemical and differential thermal analysis and by optical microscopy studies. Crystallisation occurred through heterogeneous nucleation at low supersaturations. Heterogeneous nuclei formed slowly onto metal aluminate (and platinate) particles within the solution during induction periods from < 0.2 to 14 hr. The main growth surge then started and few new nuclei were formed.

The nucleation probably terminated at times just after the times for maximum rate of formation of nuclei. Then, at any temperature, the induction periods (t) varied inversely with cooling rate and with the rate (Rc) of development of excess solute concentration according to the relation,

The parameters k1 were related to the rate constants (kn) for the heterogeneous nucleation. These constants in turn probably dependend on the free energy for formation of critical heterogeneous nuclei and thence on some nucleator vs solute surface energy ‘wetting’ function. The k1 and kn values at any temperature decreased in the order

: they increased from 2 to 4 times for 100°C rise in temperature.