bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Epitaxial Growth of Oxycompounds on the Surface of Single crystalline films and single crystals of AIIBVI
Authors: Sergeyewa L. A. , Kalinkin I. P. , Aleskovsky V. B. , Nechiporenko A. P.
Published: July 2007

The results of electron diffraction investigation of the composition and structure of air annealed single crystalline films and single crystals AIIBVI (CdS, CdSe, CdTe) are reported.

AIIBVI single crystalline films were grown by deposition from vapour on orienting substrates – either on the mica plane (001) or the NaCl (111)plane – with wurtzite structure (CdSw, CdSew), sphalerite (CdS8, CdSe8, CdTe8) or that of rock salt (CdSNaCl). The lattice dimensions a of CdSNaCl single crystalline films grown on mica by epitaxial growth method were found to be 5.6 Å.

It was shown that single crystalline layers of oxycompounds part of which possess formerly unknown modifications of the hexagonal structure with the parameters

equation image

were formed on the surface of layers of CdS when the latter were annealed.

Chemical analysis of annealed CdS films enabled single crystalline substances with lattice dimensions a = 3.3 Å, c = 5.25 Å to be identified as polymorphous hexagonal cadmium oxide modification.

Epitaxial layers of CdOhex and CdONaCl were also obseved on single crystals of CdS after annealing in air.

In order to find out the mechanism of oxycompounds growth the effect of certain factors on the structure, composition and electrophysical properties (specific resistance ϱ, mobility of charge carriers μ) of initial and annealed films was investigated.
Effect of adsorption on the dissolution of crystals (I). Effect of phenol on the rate of KBr dissolution
Authors: Bliznakov G. , Yaneva S.
Published: July 2007

Kinetic investigations of the effect of phenol on the rate of dissolution of KBr cubic faces have been made. The heat of adsorption (λa) on the active sites of dissolution has been determined. This adsorption heat is found to be larger than the heat of adsorption on the active sites of growth previously determined for the same system, and three times larger than the adsorption heat of phenol on the whole surface of KBr cubic faces.
Zur Kristallzüchtung von Cadmiumsulfid und anderen II‐IV‐Verbindungen durch Sublimation in verschiedenen Gasgemischen (II) Chemische Technik zur Gewinnung plättchenförmiger Kristalle des Cadmiumselenids
Authors: Flögel P.
Published: July 2007

Es wird der Einfluß verschieden zusammengesetzter N2–H2‐Transportgase in einer Rohrofenapparatur beschrieben und damit ein ergiebiges Verfahren aufgezeigt.
Der Einfluß der Temperatursymmetrie des Verneuilofens auf die Qualität der Korundeinkristalle
Authors: Kvapil Jiri
Published: July 2007

In Verneuilöfen mit eliptischem Querschnitt der Isothermen senkrecht zur Wachstumsachse wurden Korundbirnen gezüchtet. Die gezüchteten Einkristalle wurden mit einer Geschwindigkeit von 250°C/h auf eine Temperatur von 1850°C gebracht. Die Anzahl der beim Erhitzen gesprungenen Einkristalle wurde zum Winkel ϱ der kristallographische c‐Achse mit der Wachstumsachse als auch zum Winkel α in Beziehung gesetzt. Der Winkel α wird durch zwei Ebenen gebildet. Die erste Ebene ist durch die Wachstumsachse und durch die längere Achse des eliptischen Querschnitts der Isotherme bestimmt, die zweite durch die Wachstumsachse und die kristallographische c‐Achse. Die höchste Stabilität zeigen stets die Einkristalle mit dem Winkel α α 45°, die niedrigsten die mit α α 90° oder α α 0°.
A precision X‐ray method for the determination of the orientation of single crystal surfaces
Authors: Schmidt G. K.
Published: July 2007

A precision method for the determination of the orientation of single crystal surfaces is describes enabling us to ascertain the orientation data from an indexed Laue photograph by precise measurement of lengths and angles, without the necessity of knowing the exact single crystal ‐ film distance. An example shows the individual steps of the procedure.
Die Fluoreszenz verschiedenartig präparierter Wolframate
Authors: Barta Č. , Dolejší J. , Bohun A.
Published: July 2007

Untersuchungen der Sauerstoff‐, Calcium‐ und WO3‐Nichtstöchiometrien, wie die Fluoreszenzspektren von CaWO4 variiert werden können. Die Hauptanregung‐ sund Emissionsbanden für die einzelnen Arten der Nichtstöchiometrie und die dadurch bestimmten Koordinationszahlen 4, 6 und 8 werden mitgeteilt. Die Möglichkeiten der Ausnutzung dieser Erkenntnisse für praktische Zwecke werden kurz erwähnt.
Untersuchung der Zerfallserscheinungen von SM‐Schlacken
Authors: Schwiete H. E. , Kordon F. , Deckert K.
Published: July 2007

Es werden die Bedeutung der Zerfallserscheinungen für den Einsatz von SM‐SchlaCken im Straßenbau diskutiert und die Aussagen experimentell belegt.

Die Untersuchungen an C2S‐Kristallen aus SM‐Schlacke stimmen mit früheren Überlegungen und Versuchen an reinem C2S (SCHWIETE, KORDON, DECKERT) überein und ermöglichen eine Deutung des Stabilisierungsmechanismus von C2S in SM‐Schlacke.

Kalkzerfall tritt mit Sicherheit nicht auf. Wegen des geringen Schwefelgehaltes ist Eisenzerfall nicht möglich. Unter geeigneten Bedingungen und Einsatz von Weichbranntkalk kann ein Zertreiben der SM‐Schlacke durch CaO ausgeschlossen werden.
Zur Herstellung von Kupfer‐Einkristallschichten durch Hochvakuumaufdampfung
Authors: Kleber W. , Ickert L. , Stüdemann K.
Published: July 2007

Kupfer wurde bei einem Vakuum von 5 bis 8 · 10−6 Torr auf (001) von NaCl aufgedampft. Die Trägerkristalle wurden in Luft gespalten sowie abgedampft und mit Wasser benetzt. Die in Luft gespaltenen Proben wurden einer anschließenden Temperung ausgesetzt. Die Untersuchung der erzeugten Cu‐Schichten erfolgte mit einem Transmissionselektronenmikroskop durch Beugung und Abbildung.

Es wurden die Bedingungen (Trägertemperatur, Schichtdicke, Aufdampfrate) festgestellt, bei denen Cu auf NaCl in einer Einkristall‐Orientierung aufwächst.
Ein Beitrag zur Herstellung von Galliumarsenid‐Epitaxie‐Schichten im Hochvakuum
Authors: Kleber W. , Tappe W. , Melle G.
Published: July 2007

GaAs‐Schichten wurden nach dem Verfahren von Howson (Verdampfung aus einer Quelle) hergestellt und untersucht. Als Substrate dienten in Luft gespaltene NaF‐, NaCl‐ und NaBr‐Kristalle. Die Methode zeigte bei dem verwendeten apparativen Aufbau keine gute Reproduzierbarkeit. Optimale Orientierungseffekte wurden für NaBr als Substrat bei einer Aufdampfgeschwindigkeit von 15 Å s−1 und bei einer Trägertemperatur von etwa 300 °C erzielt. U. a. wurde festgestellt, daß die Übergangstemperatur der amorphen in die kristallisierte Phase des GaAs für NaCl und NaF nahezu übereinstimmend bei etwa 250 °C liegt. Vor allem in den Systemen GaAs/NaCl und GaAs/NaBr konnten gute Dekorationseffekte beobachtet werden.
Plättchenförmiges Wachstum von GaAs im Ga/H2/AsCl3‐System
Authors: Kramer P. , Schmidt W. , Knobloch G. , Butter E.
Published: July 2007

Es wird über das plättchenförmige Wachstum von GaAs‐Kristallen durch chemische Transportreaktion berichtet. Wachstumsbedingungen, Kristallmorphologie und einige kristallographische und elektrische Eigenschaften der GaAs‐Plättchen werden mitgeteilt. An den Kristallen konnte keine Zwillingsbildung festgestellt werden.
On the growth of hexagonal ZnSe single crystals
Authors: Hartmann H.
Published: July 2007

Strukturreine und fehlgeordnete kubische oder hexagonale Zinkselenid‐Einkristalle wurden aus der Dampfphase durch Sublimation von ZnSe‐Pulver hergestellt. Die für das Auftreten der metastabilen hexagonalen Modifikation spezifischen Entstehungsbedingungen wurden ermittelt, wobei sich für Einkristalle als günstige Wachstumstemperaturen 800–1050 °C ergaben. Die Ausbildung von Wurtzitstruktur und Fehlordnungs‐ bzw. Polytypieerscheinungen blieb auf Kristalle mit nadligem Habitus beschränkt, welche sich im Anfangsstadium des Wachstums befanden. Mit der Züchtungsdauer nahm der kubische Anteil der Proben zu. Tafeln oder Prismen waren immer strukturrein kubisch. Die bei Nachtemperungen in Abhängigkeit von Temperatur und Gasatmosphäre auftretenden Strukturumwandlungen werden beschrieben.

Unter Berücksichtigung besonderer kristallchemischer Eigenschaften wird das gestzmäßige Strukturverhalten der II‐VI‐Verbindungen ZnS. ZnSe, ZnTe diskutiert.
Contribution to the preparation of non‐wedge shaped RbDP and DRbDP crystals
Authors: Remossenet M. , Devignes M. , Mareček V.
Published: July 2007

Das Wachstum von nicht keilförmigen RbDP‐und DRbDP‐Kristallen zeigt ähnliche Gesetzmäßigkeiten wie des Wachstum der KDP‐Kristalle. Es wurde versucht, das Wachstum der RbDP‐Kristalle auf Grund der Hartman‐Perdok'schen Theorie und durch Einhaltung von stöchiometrischen Lösungen zu untersuchen. Weiter werden die optimalen Bedingungen für das Wachstum nicht keilförmiger RbDP‐ und DRbDP‐Kristalle angegeben, wobei der Einfluß der Temperatur, der Wachstumsgeschwindigkeit, des pH‐Wertes der Lösung, der Rührgeschwindigkeit, des Reinheitsgrades der Ausgangsstoffe und die Kristallisationsart verfolgt wurden.
Preparation of mercurous chloride monocrystals
Authors: Barta Čestmir
Published: July 2007

Einkristalle von einwertigem Quecksilber besitzen außerordentliche optische Eigenschaften. Calomel (Hg2Cl2) besitzt z. B. eine viermal höhere Doppelbrechung als Calcit. Die beschriebene Methode nutzt eine allgemeine Feststellung aus, daß die Einkristallzüchtung aus der Dampfphase in der Nähe des Tripelpunktes optimal verläuft. Dem Tripelpunkt vom Hg2Cl2 entspricht eine Temperatur von 543°C und ein Dampfdruck von 45 kg cm2. Um die thermische Zersetzung zu verhindern, muß man Calomel bei etwas niedrigerer Temperatur züchten. Die Kristallisation verläft im geschlossenen System. Eine Quarz‐Ampulle mit dem Ausgangsmaterial (resublimiertes Hg2Cl2 p. a.) wird auf 10−5–10−6 Torr evakuiert und aus dem Gebiet mit höherer Temperatur (500°C) langsam in das Gebiet mit niedrigerer Temperatur (470°C) bewegt (2 mm/h). Der maximale Dampfdruck bei diesen Bedingungen entspricht 22 kg cm−2. Hauptbedingung für diese Synthese ist: vollkommene Beseitigung des Wassers und anderen flüchtigen Komponenten aus der Ampulle und dem Ausgangsmatierial.

Bis jetzt wurden nach dieser Methode Kristalle bis zum Durchmesser von 35 mm gezüchtet. Sie ist auch für andere Verbindungen verwendbar.
Der Einfluß des Keimkristalls auf die Güte von Korundeinkristallen
Authors: Kvapil Jiří
Published: July 2007

An Keimkristallen mit einem Chromgehalt von 0 und 0,75 Gew.% wurden Korundeinkristalle mit verschiedenen Chromgehalten gezüchtet. Die erhaltenen Kristalle wurden mit einer Geschwindigkeit 250 grd h−1 auf eine Temperatur von 1850°C erhitzt. Danach wurde der Anteil der zersprungenen Korundbirnen in Abhängigkeit vom Chromgehalt im Kristall und in seinem Keimkristall bestimmt. Die Stabilität der Korundbirnen war um so größer, je größer ihr Chromgehalt und je kleiner der Chromgehalt des Keimkristalls war. Die Stabilität der Kristalle wird auf die unterschiedlichen Abmessungen der Kristallgitter von Saphir und Rubin zurückgeführt.
Magnetocrystallographic anisotropy in nickel‐zinc and nickel‐manganese ferrite single crystals
Authors: Sirota N. N. , Ges A. P.
Published: July 2007

Temperature dependence of the first‐order magnetocrystallographic anisotropy constant in nickel‐zinc and nickel‐manganese ferrite single crystals grown using the Verneuil method has been investigated. The anisotropy constant K1 was measured by the torque in the temperature range 77° to 500°K. The results obtained are discussed on the basis of the one‐ion (single‐ionic) model taking into account the ionic distribution of two‐valence metals on the sublattices.
Beitrag zur metallographischen Untersuchung von einkristallinem Galliumphosphid
Authors: Muschner W.
Published: July 2007

Aus dem Vorhandensein polarer <111>‐Richtungen im Gittertyp von GaP ergeben sich kristallchemische Besonderheiten, die bei den metallographischen Untersuchungen berücksichtigt werden müssen. Es wird über Untersuchungen zur Probenpräparation und zum chemischen Ätzen berichtet. An einkristallinen, in [111]‐Richtung orientierten GaP‐Proben wurden verschiedene Ätzlösungen auf ihre Verwendbarkeit zum Ätzpolieren, zur Identifizierung der A (111)‐ und B (111)‐Flächen und zur Sichtbarmachung von Versetzungsätzgruben auf der A‐Fläche getestet. Für die Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte auf A‐Flächen erwies sich ein Ätzpolieren mit Königswasser und nachfolgendes Strukturätzen mit alkalischer Kaliumhexacyanoferrat (III)‐Lösung am geeignetsten.

Ergebnisse der Mikrohärtebestimmung nach Hanemann an A (111)‐ und B (111)‐ Flächen ergeben keinen Unterschied.
The crystallisation of alkaline‐earth metal tungstates (molybdates, chromates, and sulphates) from metal chloride melts
Authors: Packter A. , Roy B. N.
Published: July 2007

This paper presents studies on the crystallisation of alkaline‐earth metal tungstates, molybdates, chromates and sulphates by slow cooling of solutions in lithium chloride and alkaline‐earth metal chloride melts at 600° to 1100°C. Solubility — temperature diagrams were prepared for this temperature range. The effects of solute — solvent interaction, crystallisation temperature range and rate of cooling on crystal form and size were investigated. Final crystal size increases with reduced rate of cooling and with increasing crystallisation temperature; barium sulphate crystallisation from lithium chloride melt is anomalous.
Wachstumsschichten und Andere Makrodefekte in aus Wässerigen Lösungen Gezüchteten KDP‐kristallen
Authors: Friedmann S. S. , Stepanova N. S. , Beljustin A. W.
Published: July 2007

An KDP‐Kristallen werden Wachstumsschichten, „Verwerfungen”︁ (Makroversetzungen) und die Blockstruktur mit Hilfe der Schlierenmethode, des Ultra‐ und Polarisationsmikroskops näher untersucht. Im Anwachsgebiet parallel {100} sind die grünlich erscheinenden Schichten mit einem erhöhten Fremdstoffeinbau gekoppelt. Die Schichten parallel {101} gehen in dem Fall auf Störungen im thermischen Ablauf zurück, wenn sie an der Spitze des Kristalls zusammenlaufen. Oft enthalten die Wachstumsschichten Einschlüsse von gestreckten kolloiden Partikeln. — Die beobachteten „Verwerfungen”︁ (Makroversetzungen) enthalten Lösungs‐ und punktförmige Einschlüsse. Diese „Verwerfungen”︁ sind Grenzen unabhängig voneinander wachsender Kristallteile, die mit der Bildung von Blöcken zusammenhängen.
Dislocation densities in copper single crystals after thermal treatment
Authors: Hildebrand Helga
Published: July 2007

Copper crystals of high purity and doped with nickel were subjected to a long time thermal treatment at 1050°C, in order to reduce the as‐grown dislocation density of about 107 cm−2. A dissolution of the dislocations during their motion to the crystal surface was observed. Regions of different dislocation densities arose. Finally the crystals exhibited constant dislocation densities of 102 cm−2. Such a perfection or a better one of the crystals is reached only by a long time treatment, since the dislocation velocity without external stresses cannot exceed 1 · 10−7 cm · s−1 in copper single crystals of high purity.
Untersuchung der Kinetik der Kristallisation unterkühlter Schmelzen
Authors: Meleško L. O.
Published: July 2007

Experimentelle Anordnung und eine Methode zur Untersuchung der Kinetik der Erstarrung unterkühlter Flüssigkeiten in dünnen Schichten werden dargelegt. Die Kinetik der isothermen Umwandlung von unterkühlten Betolschmelzen wird im Intervall 0°C ≦ T ≦ 85°C untersucht. Die ermittelten kinetischen Kurven zeigen den Ablauf der Phasenumwandlung in diesem Intervall.

Es wird gezeigt, daß der Prozeß der isothermen Erstarrung durch die empirische Formel Sπ = S0 [1—exp (−a πb)] ausreichend beschrieben werden kann. Dabei liegt b im Intervall 2 < b < 3. Der im Vergleich zum theoretischen erniedrigte Wert von b wird durch die Anwesenheit aktiver Fremdstoffe und deren Erschöpfung im Verlaufe des Erstarrungsprozesses erklärt.
Über die Vorausbestimmung der thermoelastischen Eigenschaften von Halbleiter‐Verbindungen
Authors: Beckmann G.
Published: July 2007

Bei Übertragung der Ergebnisse thermoelastischer Untersuchungen an bekannten, kristallchemisch einheitlich gebundenen Kristallgruppen (wobei die Grüneisenzahl γ ⋍ konst) in das Gebiet streng homologer intermetallischer Verbindungen (z. B. der Halbleiter, AIIIBV) scheint eine Voraussage des thermoelastischen Verhaltens solcher Verbindungen möglich, welche entweder instabil oder anderweitig nicht für Untersuchungszwecke darstellbar sind.
Preparation of (NH4)2SO4 monocrystals
Authors: Desvignes J.‐M. , Remoissenet M. , Mareček V.
Published: July 2007

The preparation of (NH4)2SO4 crystals has been studied, and the difficulties, especially the formation of numerous parasitical crystals and the irregular growth are discussed from a theoretical point of view and with regard to the performed investigations. Further on the habit of crystals and an acceptable procedure for the growing of homogeneous regular crystals are given. Likewise the effect of temperature, of P(H) of the crystallizing solution, the choice of seed crystals and the admixture of glycerine are reported.
Study of dielectric permeability and dielectric loss angle tangent of triglycine selenate depending on the conditions of growing
Authors: Sirota N. N. , Tsedrik M. S. , Margolin L. N.
Published: July 2007

Triglycine selenate (TGSe) monocrystals were grown at constant temperature and constant supersaturation. Dielectric permeability and the dielectric loss (angle tangent) of TGSe were studied both in weak and in strong electric fields with growing conditions. It was stated that the Curie temperature is 22,5° ± 0,1°C. The Curie‐Weiss temperature differs by 2–3,5° from the temperature corresponding to the maximum value of dielectric permeability. Nonlinearity of TGSe is determined.
Struktur von AIIBVI‐Epitaxieschichten in Abhängigkeit von den Aufdampfbedingungen
Authors: Däweritz L.
Published: July 2007

Es wird die Struktur von AIIBVI‐Epitaxieschichten diskutiert, wobei speziell auf eigene Untersuchungen an im Hochvakuum auf Spaltflächen von NaCl und CaF2 aufgedampften CdSe‐Schichten eingegangen wird.

Epitaxieschichten von AIIBVI‐Verbindungen besitzen gewöhnlich eine Defektstruktur infolge des Nebeneinandervorkommens der Zinkblende‐ und Wurtzitstruktur, orientierter Verwachsungen dieser beiden Phasen, Zwillingsbildung und Stapelfehler. Die sich ergebenden komplexen Beugungsbilder (für Elektronenbeugung im Durchstrahlungsfall) werden diskutiert.

Orientierung, Struktur und Phasenzusammensetzung der Schichten werden neben anderen Faktoren entscheidend von der Art des Substrates, der Substrattemperatur und der Depositionsrate beeinflußt. Ein Einfluß durch Abweichungen von der stöchiometrischen Zusammensetzung ist in Betracht zu ziehen.
A contribution to the study of the influence of impurities on the growth and some physical properties of TGS single crystals
Authors: Moravec F. , Novotný J.
Published: July 2007

Single crystals of TGS doped with Ni2+, Cu2+ and Fe3+ have been prepared under identical conditions by the method of temperature decrease (below the phase transition point). Presentation of the influence of impurities on the development of individual crystal faces is based on goniometric measurements. The influence of impurities on the domain structure of TGS is documented by microphotographs of domain structures and by investigation of the variation with time of the average domain width. It is shown that the distribution of impurities (between the liquid and solid phases) is approximately proportional to the concentrations of metal glycino chelates in the solution. From the results concerning the influence of impurities on various physical properties follows that the degree to which the properties are affected depends not only on the impurity concentration but also on the specific intensity of their action which is due to variations in the binding forces in the structure of TGS.
Kristallchemische und spektroskopische Untersuchungen an den Verbindungen PCl4(Sb, Nb, Ta)Cl6 · AsCl3
Authors: Preiss H. , Reich P.
Published: July 2007

Die Verbindungen PCl4MCl6 · AsCl3 (M = Sb, Nb, Ta) sind untereinander als auch mit dem AsCl4SbCl6 · AsCl3 isomorph. Die Röntgenstrukturanalyse ergab ionischen Aufbau. Die Raman‐ und Infrarotspektren werden angegeben und mit den ermittelten Strukturdaten interpretiert.
Spezielle Strukturbaufehler in gasdotierten Silizium‐einkristallen und deren mögliche Wirkung bei der Herstellung von pn‐Übergängen
Authors: Mohr U. , Jegerlehner K. , Thiel L.
Published: July 2007

Es wird über die Untersuchung und Identifizierung spezieller Strukturbaufehler in gasdotierten, tiegelfrei zonengezogenen Siliziumeinkristallen berichtet. Als Untersuchungsmethoden wurden die metallographische Ätztechnik, die Röntgentopographie und die Elektronenstrahlmikroanalyse eingesetzt.

Es wurde festgestellt, daß an den untersuchten Kristallbaufehlern Sauerstoffanreicherungen vorliegen. Ein möglicher Bildungsmechanismus derartiger Defekte wird diskutiert.

Abschließend werden erste Untersuchungsergebnisse über die Auswirkungen derartiger Baufehler bei der Herstellung von p–n‐Übergängen dargelegt.
Raumladungsbegrenzte Ströme in halbleitenden K(Ta, Nb)O3‐Mischkristallen
Authors: Paul R.
Published: July 2007

Die Strom‐Spannungskennlinien von goldkontaktierten, schwach halbleitenden KTa0.7Nb0.3O3‐Kristallen (KTN) wurden aufgenommen. Der Verlauf der Kennlinien zeigt, daß der Metall‐Halbleiterkontakt „ohmsch”︁ ist, d. h. es entstehen Anreicherungsschichten im Halbleiter durch Injektion von Ladungsträgern aus dem Metall in den Halbleiter. Die im Kristall fließenden Ströme werden durch diese Anreicherungsrandschichten raumladungsbegrenzt.

Aus den charakteristischen Spannungen der Kennlinie ist es möglich, Konzentration und energetische Lage der Haftstellen im KTN zu bestimmen.

Bedingt durch die Züchtung waren die Haftstellenkonzentrationen nicht nur in verschiedenen Proben, sondern sogar innerhalb der Proben stark inhomogen, so daß die Umkehrung der Feldrichtung zu einer Verschiebung der Kennlinie führte.
Automatische Texturanalyse mit Hilfe der elektronischen Datenverarbeitung
Authors: Bunge habil. H. J.
Published: July 2007

Es wird ein in ALGOL abgefaßtes Programmsystem zur Durchführung von Texturanalyserechnungen beschrieben. Unter anderen können damit Korrekturen der Meßwerte, die Normierung, die Berechnung von inversen Polfiguren sowie dreidimensionalen Orientierungsverteilungsfunktionen, die Berechnung der Mittelwerte physikalischer Eigenschaften sowie die graphische Darstellung der Ergebnisse automatisch durchgeführt werden. Es wird ein Überblick über die verschiedenen Programmvarianten, die wählbaren Parameter und eine Abschätzung der erforderlichen Rechenzeiten gegeben.
Dynamic crystallization of II–VI compounds from vapours of the component elements
Authors: Bulakh B. M. , Pekar G. S. , Trofimov V. I.
Published: July 2007

Dynamic crystallization in II–VI compounds synthesis from the vapour phase has been discussed. The method consists in the displacement of the growth zone by the predetermined change of the evaporation temperatures of the initial elements at constant flows of the transport gas. It leads to uniform distribution of grown crystals in the crystallization region and to the increase of the size and of the yield of crystals. Dynamic crystallization makes it possible to control the photoelectrical properties of the crystals and to increase the yield of the crystals with the required photosensitivity by changing the rate and the direction of the displacement of the growth zone.
Influence of supersaturation on the kinetics of crystallisation of ZnC2O4 · 2H2O
Authors: Kirkova E. , Djarova M.
Published: July 2007

The kinetics of crystallisation of ZnC2O4 · 2 H2O was investigated at 25°C and at different supersaturations. Zinc oxalate was prepared from pure zinc sulphate and oxalic acid solutions. The specific surface energy at the crystal‐solution interface was calculated from the induction period and the Volmer relationship, while the critical nuclei dimension was found by means of the Thomson‐Gibbs equation. With the decrease in supersaturation the size of the nuclei does not increase to infinity, but changes by 1–2 unit cells within a given supersaturation range.
Dynamic crystallization of II—VI compounds with a gaseous control of vapour concentrations
Authors: Bulakh B. M. , Pekar G. S. , Trofimov V. I.
Published: July 2007

The method for dynamic crystallization of II—VI compounds with a gaseous control of vapour concentrations in the growth zone is developed. The predeterminated change of the transport gas flows which carry the vapours of the initial elements into the reaction zone together with the change of additional inert gas flows conducted directly to the crystallizer entries gives the posibility to displace the growth zone during the process of synthesis. It results in the considerable increase in crystal number and size and leads to best quality of grown crystals.
On the theory of two‐dimensional nucleation on a structureless substrate. Effect of supersaturation
Authors: Bliznakov G. , Delineshev S.
Published: July 2007

The work of formation of two‐dimensional nuclei of the (100), (110), and (111) faces of crystal with simple cubic lattice on a structureless substrate was calculated. The simplification of the equilibrium form with increasing supersaturation was taken into consideration. At low supersaturations the formation of nuclei of the (100) face alone is possible. With increasing supersaturation the appearance of two‐dimensional nuclei of the other two faces becomes possible. The probability of their formation increases but never exceeds the probability of the formation of two‐dimensional nuclei of the (100) face. There exists a limiting supersaturation above which the work of formation of two‐dimensional nuclei of the three kinds of faces becomes equal to zero.
Zum Wachstum von AIII‐BV‐Halbleitern aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (I) Wachstum von GaAs auf GaAs bei konstanter Temperatur
Authors: Tietze H.‐J. , Andrae R. , Butter E.
Published: July 2007

Es wird ein Verfahren zur Erzeugung von GaAs‐Schichten mit variabler Dicke auf GaAs bei konstanter Temperatur aus Ga‐Lösungen beschrieben. Dazu wird eine Innenkühlung des Substrathalters mittels eines Gasstromes benutzt. Es wird der Einfluß der Intensität der Innenkühlung, der Bewegung des Substrathalters und der Wachstumstemperatur auf die Wachstumsrate dargestellt und erläutert. Weiterhin wird die Vermeidung der konstitutionellen Unterkühlung durch Wahl eines geeigneten Temperaturprofils und durch weitgehendes Ausschalten von Temperaturschwankungen diskutiert.
Zur Ätzstruktur von Silizium‐Einkristallen, besonders in versetzungsfreien Bereichen
Authors: Schreckenbach M.
Published: July 2007

Durch geeignete Ätzverfahren kann an Siliziumkristallen auch in den versetzungsfreien Bereichen eine echte Ätzstruktur sichtbar gemacht werden. Die Ätzgrubenformen sind wesentlich bedingt durch die Orientierung der Schliffflächen. Die Ätzstruktur kann von Wachstumsbereichen herrühren, die von {111}‐Flächen begrenzt sind, an denen Verunreinigungen abgeschieden bzw. adsorbiert sind.
On the recrystallization of metals in the emission electron microscope
Authors: Soa E.‐A.
Published: July 2007

By the emission electron microscope a high‐contrast picture of grain structure is obtained with thermal or photoelectric release of electrons. The „memory effect”︁ (MORLIN, TREMMEL) marks the individual steps of the grain boundary movement through volume expansion or thermal etching when releasing electrons by electrons or ions. The existence of an oxide layer on the surface of e.g. molybdenum and tungsten is starting the recrystallization and influencing the recrystallization temperature. Oxide layers are formed in selected areas corresponding to the distribution of surface seeds and the oxygen bombardment. Carbon atoms accumulate preferably at the grain boundaries as carbides, so decorating the crystallites in forming mixed crystals. – It may be assumed that the carbon solved in tungsten and molybdenum fixes the dislocations at the grain boundaries. In contradiction to all theories of secondary recrystallization „ring crystals”︁ are formed.
Einkristallzüchtung und Versetzungsätzung von Antimon und antimonreichen Antimon‐Wismut‐Legierungen
Authors: Doerschel J.
Published: July 2007

Die Einkristallzüchtung von Antimon und antimonreichen Antimon‐Wismut‐Legierungen nach dem Zonenschmelzverfahren wird kurz beschrieben, speziell unter dem Aspekt der konstitutionellen Unterkühlung bei der Züchtung von Mischkristallen.

Zum Nachweis von Versetzungen in Antimon und Antimon‐Wismut‐Mischkristallen wird ein elektrolytisches Ätzverfahren angegeben. Aus den Ergebnissen verschiedener Untersuchungen kann geschlossen werden, daß Ätzgruben den Durchstoßpunkten von Versetzungen entsprechen.

Die Orientierungsabhängigkeit des Ätzverhaltens von Versetzungen bei Anwendung verschiedener Ätzmittel wurde untersucht.
Electrical Processes Occurring at the Moment of Cleaving NaCl Crystals
Authors: Distler G. I. , Gerasimov Y. M.
Published: July 2007

The electrical processes occurring on cleaving tempered NaCl crystals have been studied by decoration methods on the scale of electron microscopy. The decorating agent, gold, was evaporated at the moment of performing the cleavage. The obtained decoration pictures differed from those described in the literature. Features similar to the propagation of waves were observed. They begin on cleavage steps and are mostly parallel to 〈100〉. On interaction of the “waves” with the steps or with other “waves” there arise black “threads” distinguished, the same as the wave boundaries, owing to a very high contrast on account of the higher density of decorating particles. The waves and threads are interpreted as microbreakdowns, which have also a two‐stage character ‐ stages of wave and thread formation, propagate along definite crystallographic directions, and occur at the boundary of strained sites. The charge sign of the waves is determined from the degree of coalescence of decorating gold particles. The detected waves reflect the occurrence of specific polarization states in local sites of the surface. These states are induced by local electric fields of a very high intensity occurring on cleaving the crystals. These polarization states disappear in 10‐15 s after the cleavage is made due to neutralization of the charges. Analogy is drawn between polarization structures in form of waves and stable linear polarization bridges occurring in crystals between oppositely charged point defects and their assemblies.
Das Konvergenz‐Verfahren, ein hocheffektives Verfahren zur röntgenographischen Untersuchung von Kristallen (Konvergenz‐Kamera)
Authors: Kulpe S. , Schulz B.
Published: July 2007

In taking a convergence beam photograph a stationary crystal is lightened by the line focus of an X‐ray tube. This experimental arrangement ensures that for a number of sets of net planes the Bragg condition is fulfilled simultaneously and during the full time of exposure especially for the intense characteristic line of the X‐ray spectrum applied. Due to this effect the application of the convergence method yields extremely short exposure times compared to other usual X‐ray film methods. A convergence camera may be constructed very simple (not any electrical equipment). It is a very useful tool in X‐ray crystallography.
Kinetik des Transportprozesses und der Kristallisation von InAs aus der Gasphase
Authors: Nicolaus W. , Seidowski E. , Voronin V. A.
Published: July 2007

Es wird der Transportprozeß von InAs im geschlossenen Jodsystem untersucht. Abhängigkeiten der Transportraten von der Temperatur im Lösungs‐ und Kristallisationsraum und von der Querschnittsfläche des Reaktors werden gefunden. Dabei wird in den durchgeführten Versuchen der Transport durch die Diffusion begrenzt.

Die Abscheidungsgeschwindigkeiten des InAs werden nach Gleichungen der Quasigleichgewichts‐Diffusionstheorie berechnet. Sie werden mit experimentellen Werten der Transportrate verglichen. Die Vernachlässigung des konvektiven Anteils beim Gastransport führt zu erheblichen Abweichungen der durch die Theorie vorausgesagten Werten von den experimentellen.

Im Temperaturbereich von 800 bis 900°C bei Jodkonzentrationen < 3 mg/cm3 wird der Transport von InAs durch die Konzentrationsdiffusion kontrolliert, bei Jodkonzentrationen >3 mg/cm3 wird die Transportrate durch die Gleichung der konvektiven Diffusion wiedergegeben.
Untersuchung der Entzinkungsgeschwindigkeit von α‐Messing mit Hilfe des Röntgenmikroanalysators
Authors: Budurov S. , Stojčev N. , Kamenova Z. , Kovatchev P. , Nentchev N.
Published: July 2007

Es werden die chemischen Diffusionskoeffizienten bei Entzinkung von Messing mit Zinkkonzentrationen 5,6; 11,0; 17,0 und 21,1 Gewichtprozent bei 795°, 876°, 950°, 1021° und 1078°K mit Hilfe eines Hitachi‐Röntgenmikroanalysators bestimmt.

Aus der Temperaturabhängigkeit der chemischen Diffusionskoeffizienten ergibt sich für die Aktivierungsenergie der Diffusion der Wert 22.3 kcal · mol−1.

Es wird gezeigt, daß die Entzinkungsgeschwindigkeit im Vakuum und im indifferenten Gasstrom von der Volumendiffusion des Zinks begrenzt wird, wobei die im Vakuum und im Gasstrom bestimmten Diffusionskoeffizienten zusammenfallen.
Einsatz der Elektronenstrahl‐Mikrosonde bei der Untersuchung der leichtschmelzenden Phasen in Molybdänelektroden zum Glasschmelzen
Authors: Jaźwiński S. T. , Szummer A. , Adamski R.
Published: July 2007

Es wurden Untersuchungen mit der Elektronenstrahl‐Mikrosonde bei Anschmelzerscheinungen von Molybdänstäben beim Schmelzen von Gläsern in Elektrodenöfen durchgeführt. Dabei zeigte sich, daß an den Rändern der abgeschmolzenen Molybdäntropfen sich Nickel in einer Konzentration angelagert hat, die einer MoNi‐Legierung in δ‐Phase entspricht. Abschließend werden einige Hinweise zur Vermeidung derartiger Abschmelzprozesse gegeben.
Anwendung von Mikrowellen zur Auffindung von Kristallbaufehlern
Authors: Louda J. , Barta Č. , Žemlička J. , Liška O. , Ryttnauer E.
Published: July 2007

Es wird über die Untersuchung des dielektrischen Verhaltens von Einkristallen im Mikrowellenbereich berichtet. Unter Berücksichtigung der Realstruktur der hergestellten Einkristalle kommt man zu dem Ergebnis, daß bei der Messung an Einkristallproben bestimmte Anomalien auftreten müßten. Es werden zunächst theoretische Annahmen, die ein solches Verhalten erklären könnten, besprochen. Dabei handelt es sich in der Hauptsache um Interferenzerscheinungen. Weiterhin werden die verwendeten Meßapparaturen und die erzielten Ergebnisse besprochen. Es zeigt sich die Möglichkeit, die gewonnenen Erkenntnisse zur Untersuchung verschiedener Typen von Kristallbaufehlern zu verwerten.
The Effect of the Electron Density Anisotropy on Positron Annihilation in a KBr single Crystal
Authors: Arefiev K. P. , Vorobiev S. A.
Published: July 2007

The use of the positron annihilation method in the study of electron states in oriented single crystals was investigated. Electron density distributions and the values of the anion effective charges were measured in 〈100〉 and 〈110〉 directions of KBr single crystals showing marked distinction.
Effect of Light Scattering by Optical Inhomogeneities in Ruby on Lasing Processes
Authors: Soskin M. S. , Sal'kova E. N. , Pogoretskii P. P.
Published: July 2007

Is it shown that the nonlinear light scattering in solids, arising from the local inhomogeneities of refractive index results in the self cut‐off of lasing. Furthermore this effect can be used as a sensitive method of the optical quality determination of transparent media.
Ziehapparate für die Einkristallzüchtung
Authors: Liška O. , Žemlička J. , Barta Č. , Ryttnauer E.
Published: July 2007

In dieser Arbeit werden die wichtigsten konstruktionstechnischen Funktionsknotenpunkte beschrieben, die es ermöglichten, durch gegenseitige Kombination und verschiedene Lösungsvarianten, in einer Zusammenarbeit zwischen Technologen und Konstrukteuren, verschiedene Ziehapparate zu entwickeln, die den gestellten technologischen Anforderungen entsprechen.

Es handelt sich um labormäßige Einrichtungen, die eine Arbeit unter Schutzatmoshpäre selbst bei größerem Druck ermöglichen. Die Konzeption der Einrichtungen ermöglicht ihren Einsatz nicht nur in industriellem Maßstab, sondern auch in einem beliebigen Druck‐ oder Vakuum‐Ofenraum. Die konstruktive Lösung berücksichtigt einen einfachen und anspruchslosen Aufbau, bei Einhaltung einer maximalen Genauigkeit und Reproduzierbarkeit bei der Kristallzüchtung.
Zur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Züchtung von GaP‐Einkristallen aus nichtstöchiometrischen schmelzen
Authors: Clauss D. , Ehlers R.
Published: July 2007

In Anschluß an eine einführende Betrachtung wird eine Bestimmungsgleichung für den effektiven Verteilungskoeffizienten keff unter den Bedingungen der Einkristallzüchtung aus nichtstöchiometrischen Schmelzen vorgeschlagen. Diese Gleichung kommt bei der Ermittlung von keff des Te für Te‐Konzentrationen in der Schmelze von 3,5 bis 91 · 10−3 At% zur Anwendung. Der aus einer Vielzahl von Messungen erhaltene keff‐Wert beträgt 0,070 mit den 1 σ‐Grenzen 0,116 und 0,043. Die relativ große Streubreite wird mit dem verfahrensbedingten sowie auf die polaren Eigenschaften des GaP‐Kristallgitters zurückgehenden inhomogenen Dotanteneinbau begründet.
Ätzuntersuchungen an Verneuilspinellen
Authors: Gottschalch V. , Petzke W.‐H. , Butter E.
Published: July 2007

Es wurde versucht, mittels der Ätztechnik die Qualität von Spinellsubstraten (Zusammensetzung MgO × 3,3‐3,5 Al2O3) der Orientierung (100), (110) und (111) zu erfassen. Die Ätzuntersuchungen ergaben, daß KHSO4, H3PO4 und Na2B4O7 auf der (111)‐Fläche und auf der (100)‐Fläche nur KHSO4 Versetzungsätzgruben bilden.

Die auf den (100)‐, (111)‐ und (110)‐Flächen beim Ätzen entstandenen stäbchenförmigen Defekte wurden als Al2O3‐Ausscheidungen analysiert.
Ein einfaches Verfahren zur Herstellung reiner und dotierter CdF2‐Kristalle
Authors: Brink E. , Becker D. , Teltow J. , Tempelhoff K.
Published: July 2007

Die Reindarstellung von CdF2 und die Kristallherstellung aus der Schmelze nach Bridgman wird ausführlich beschrieben. Die Aggressivität der Schmelze stellt besondere Anforderungen an Tiegelmaterial und Schutzgas. Durch Zonenreinigung erreicht man die spektralanalytische Nachweisgrenze der Verunreinigungen (≈ 1 ppm). Hinweise auf mechanische, thermische und chemische Eigenschaften und die Weiterverarbeitung der Kristalle werden gegeben.
Phasenhomogenitätsverhalten im optischen Wellenfeld modulierter Elektrolumineszenzdioden vom Flächenstrahlertyp
Authors: Zehe A.
Published: July 2007

Bezüglich des modulierenden Wechselstromes von in Flußrichtung gepolten Elektrolumineszenzdioden im Kleinsignalbetrieb zeigt die emittierte Strahlung ein Phasenverhalten, das vom Ladungsspeichervermögen des Übergangsgebietes und der dort vorliegenden optischen Absorption der erzeugten Photonen abhängt. Es erweist sich, daß durch Berücksichtigung der optischen Absorption eine Berechnung des Phasenverhaltens von Flächenemittern möglich ist. Die entwickelte Theorie besitzt für die Diode vom Fabry‐Perot‐Typ gleichermaßen Gültigkeit. Die sich für den Flächenemitter in Abhängigkeit vom optischen Absorptionskoeffizienten, der Dicke der durchstrahlten Schicht und der Frequenz des modulierenden Injektionsstromes ergebenden Phasenverhältnisse werden berechnet und diskutiert.
Die Phasenbildung von β‐W‐Strukturtyp in dünnen Schichten von Chrom, Molybdan und Wolfram
Authors: Blocha W. B. , Gladkich N. T. , Protsenko I. E.
Published: July 2007

Die Bildungsverhältnisse einer Phase vom β‐W‐Strukturtyp in dünnen Schichten von Chrom, Molybdän und Wolfram werden bei deren Herstellung durch thermische Verdampfung und Kondensation im Vakuum von 10−8 ÷ 10−5 mm Hg untersucht. Die Ergebnisse der Elektronenbeugungsuntersuchung der Schichtstruktur von Chrom, Molybdän und Wolfram werden für Schichten mit langdauernder (bis zu einem Jahr) natürlicher Alterung und deren Glühen bis 900°C in einer Elektronenbeugungsanlage angegeben. Auf der Basis der experimentellen Ergebnisse und von Literaturangaben wird gezeigt, daß die Phase vom β‐W‐Strukturtyp, die bei kleinen Kondensationsgeschwindigkeiten in den Schichten von Chrom, Molybdän und Wolfram beobachtet wird, ein M3O‐Oxid und keine Modifikation dieser Metalle ist. Es werden die Ergebnisse einer Untersuchung des Zerfalls von M3O‐Oxid für Cr‐, Mo‐ und W‐Schichten angegeben.
Zur Bestimmung der Mikrohärte von Baryt‐Einkristallen bei hohem hydrostatischen Druck
Authors: Brauer K. H. , Hartung R. , Winkler S.
Published: July 2007

Es wird eine Hochdruckapparatur für Drücke bis zu 12000 at mit einsetzbarer Mikrohärtevorrichtung beschrieben. Die Mikrohärte‐Eindrücke entstehen durch eine Fallbewegung des Indenters. Für den Vergleich der Mikrohärten bei Normal‐ und Hochdruck werden die Viskositäten der Druckmedien angeglichen. Die Mikrohärtevorrichtung dient dabei als Fallkörperviskosimeter. Für die (001)‐Fläche von Baryt ergab sich mit einer Extrapolation auf die Fallhöhe Null bei 10000 at und einer Last von 36 g eine nichtreduzierte Mikrohärte von ∼ 210 kp · mm−2. Die entsprechende Mikrohärte bei Normaldruck beträgt 90 kp · mm−2.
Ein‐ und Mehrkristallspektrometrie und Fragen der Abbildung
Authors: Auleytner J.
Published: July 2007

Es werden Methoden diskutiert, die gestatten, die Auflösung der röntgentopographischen Abbildung zu erhöhen und kurzfristig Aussagen über die Defektstruktur und die Charakteristik von Halbleitern zu machen. Besprochen wird eine 1970 vom Verfasser entwickelte einkristallspektrometrische Methode und anschließend die Leistungsfähgkeit der Mehrkristallspektrometer.
Lichtoptisches Präzisions‐Orientierungsverfahren für Halbleitereinkristalle
Authors: Richter H. , Mohr U.
Published: July 2007

Die bekannten Verfahren zur Orientierung von Halbleitereinkristallen werden nach ihren Hauptkenndaten analysiert. Ein neues Präzisions‐Orientierungsverfahren, das insbesondere für Materialien mit guter Spaltbarkeit geeignet ist, wird beschrieben und am Beispiel der GaAs‐Einkristallorientierung erläutert.
Zur Struktur von organischen Mischkristallschichten
Authors: Starke M. , Wagner H. , Hamann C.
Published: July 2007

Es wird die Struktur von organischen Mischkristall‐Schichten an Hand eines Modells ‐ Kupferphthalocyanin/Vanadylphthalocyanin ‐ untersucht. Diese Schichten sind polykristallin und bestehen aus Mischkristall‐Körnern, die in ihren Abmessungen unterhalb der durch Röntgenmethoden gegebenen Nachweisgrenze liegen. Mit Hilfe der Infrarotspektroskopie und der Rasterelektronenmikroskopie sowie nach erfolgter Rekristallisation durch Texturgoniometeruntersuchungen werden Aussagen zur Aufwachsstruktur gewonnen.
Ein röntgendiffraktometrisches Verfahren zur Korngrößenbestimmung
Authors: Müller B. , Escher P.
Published: July 2007

Zur diffraktometrischen Teilchengrößenbestimmung wurde das Horizontal‐Zählrohr‐Goniometer HZG 1 für eine Intensitätsakkumulation und eine digitale Datenausgabe unter Beachtung informationstheoretischer Aspekte automatisiert. Das Blendensystem sowie der Strahlengang am Goniometer wurden unter Berücksichtigung großer Intensität, besten Auflösungsvermögens und möglichst geringer Reflexverzerrung optimiert. Durch eine sphärische Präparatoberfläche, die ein Kugelsegment des Fokussierungskreises darstellt, wird annähernd eine Seemann‐Bohlin‐Fokussierung erreicht. Die Apparatefunktion wird unter Benutzung einer Eichsubstanz gewonnen. Die Bestimmung des wahren Linienprofils sowie der Teilchengröße und ‐verteilungen erfolgt unter Verwendung von Fourierverfahren in einem FORTRAN‐Rechenprogramm MFALTUNG auf dem Computer CDC 1604 A.
Gleichgewichtsform und Form des idealen Einkristalls
Authors: Scheftal N. N.
Published: July 2007

Es wird der Zusammenhang zwischen der Gleichgewichtsform und der Form des frei wachsenden idealen Einkristalls untersucht und gezeigt, daß bei Gewährleistung einer hoher Homogenität beide Formen makroskopisch identisch sind.
Röntgenkristallstrukturanalyse von Piperidino‐aceto‐chlor‐anilid (P‐o‐Cl)  C13H17N2OCl
Authors: Höhne E. , Seidel I. , Schmittler‐Fichtner H. , Leibnitz P.
Published: July 2007

Die Kristallstruktur des Piperidino‐acet‐o‐chlor‐anilid besitzt die monokline Raumgruppe P 21/c mit vier Molekülen C13H17N2OCl in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind α = 10,969 Å; b = 10,928 Å; c = 12,109 Å; β = 111,52°. Es wurde die Kristallstruktur der Verbindung einschließlich aller H‐Atome bestimmt. Das Molekül besitzt eine intramolekulare N(1)H‥N(2)‐und eine schwache intramolekulare C(5)H(s)…O‐Wasserstoffbrückenbindung. Die Ebene des Benzolrings ist gegenüber der Ebene, die die Carbonamidgruppe enthält, um 7.73° verdreht.
Untersuchungen zum Gyulai‐Hartly‐Effekt
Authors: Fröhlich F. , Hensel G.
Published: July 2007

Es werden Ergebnisse von Experimenten zum Nachweis einer möglichen Zunahme der elektrischen Leitfähigkeit während der plastischen Deformation von reinen und Ca‐dotierten NaCl‐,KCl‐ und KBr‐Kristallen beschrieben. Die Deformation erfolgte durch einaxiale Kompression und im Scherungsversuch. Es konnte gezeigt werden, daß das für die Leitfähigkeit repräsentative elektrische Signal stets durch Polarisationserscheinungen infolge elektrisch geladener Versetzungen überlagert ist. Eine Leitfähigkeitserhöhung während Deformation konnte im Rahmen der Meßgenauigkeit in keinem Fall nachgewiesen werden.
Eigenschaften und Kristallzüchtung von Oxiden mit Halbleiter‐Metall‐Übergängen
Authors: Wilke K.‐Th.
Published: July 2007

Es wird in zusammenfassender Form über die Züchtungsmöglichkeiten für Oxide des Vanadins und Titans berichtet, die Halbleiter‐Metall‐Übergänge aufweisen. Dabei werden als Züchtungsmethoden vor allem die chemischen Transportreaktionen und die Kristallisation aus Schmelzlösungen behandelt.
Investigation of the crystallization of the system KAl(Cr)(SO4)212 H2O under various conditions
Authors: Kirkova E. , Nikolaeva R.
Published: July 2007

The crystallization of the isomorphous system KAl(Cr)(SO4)2 · 12 H2O under various conditions has been studied. It has been found that the rate of linear crystallization of the face (100) passes through a maximum on the interval of Cr3+ concentrations 0.02–0.08 g ions/l which is shifted to the right with increasing temperature. Under the same conditions, the equilibrium coefficient of distribution of the microcomponent D has been determined in single crystals. D decreases with the increase of the Cr3+ concentration and the crystallization temperature. These results can be explained with the formation of complexes of Cr3+ in the solution which decreases the active concentration of the ion and are selectively adsorbed on the face (100). At the same Cr3+ concentration (0.058 g ion/l), the temperature dependence of the rate of growth of the face (100), as well as the influence of supersaturation on the rate of growth of the faces (100) and (111), have been studied. The apparent activation energy of crystallization of the face (100) has been determined to be E = 11.2 Kcal. · mol−1. The data obtained are compared with analogical results for pure KAl(SO4)2 12 H2O.
Investigation of structural transformations in Cu2Se
Authors: Asadov Yu. G. , Jabrailova G. A.
Published: July 2007

Structural transformations in Cu2Se have been studied by the method of hightemperature roentgenography.

From a diffraction record of reflection angles and from a Debye‐powder pattern the unit‐cell parameters of a rhombic α‐modification have been calculated at temperatures of 25, 50, 100, and 132 °C. Using the diffraction line (027) disappearing under the α → β transformation and appearing again in the course of the inverse β → α transformation it has been found that the equilibrium temperature between the α‐ and β‐modifications is T0 = 134 ± 0.5 °C. The unit cell parameter of a hightemperature face‐centered cubic β‐modification at temperatures of 150, 200, 250, and 300 °C also has been determined.

In the course of mutual transformations a rigid orientational linkage has been found to exist between the α‐ and β‐modifications.

It has been discovered that when the multiplicity of α → β and β → α transformations n reaches a value of approximately 30, a β‐Cu2Se → Cu2–xSe transformation (where x = 0.20) takes place which is not followed by an inverse transformation.