bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Hochvakuumaufdampfung von Cadmiumselenid auf Alkalihalogenide
Authors: Kleber W. , Mietz I. , Neumann W.
Published: July 2007

CdSe wurde bei einem Vakuum von besser als 5 · 10−5 Torr auf luftgespaltene NaF‐, NaCl‐ und NaBr‐Kristalle aufgedampft. Substrattemperatur, Aufdampfgeschwindigkeit und Schichtdicke wurden variiert. Die Untersuchug der Schichten erfolgte mit dem Elektronenmikroskop durch Abbildung und Beugung.

Auf NaF konnten bei den angewandten Versuchsbedingungen nur polykristalline Schichten der hexagonalen Modifikation ohne erkennbare Orientierung erhalten werden. Auf NaCl treten beide Modifikationen mit (0001)‐ bzw. (001)‐Orientierung nebeneinander auf. Nur bei Zimmertemperatur ist die hexagonale Phase ausschließlich vorhanden. Versuche mit abgedampften NaCl‐Spaltflächen führen zu einer bemerkenswerten Dominanz der kubischen Phase. Im System CdSe/NaBr erscheinen unter allen Versuchsbedingungen beide Modifikationen mit Vorherrschen der kubischen Phase.

Bei allen Substraten wurde ein Dekorationseffekt beobachtet. Die untere Temperaturgrenze, bei der ein Dekorationseffekt auftritt „(Dekorationstemperatur”︁), ist eine Funktion des Substrats: Die Dekorationstemperatur steigt mit zunehmender Gitterenergie.
Über amorphes und kristallines Eisen(III)‐sulfid
Authors: Schrader R. , Pietzsch C.
Published: July 2007

Röntgenamorphes Fe2S3 erhält man durch Behandlung einer Suspension von amorphem Fe(OH)3 mit H2S. Die trockene Substanz zeigt schwachen Magnetismus. In N2‐Atmosphäre erhitzt, zerfällt das amorphe Fe2S3 exotherm.

Durch Alterung einer wäßrigen Suspension von amorphem Fe2S3 im Autoklaven erhält man kristallines Fe2S3. Die optimalen Kristallisationsbedingungen werden durch Variation der Präparationsparameter ermittelt. Der Magnetismus der kristallinen Substanz ist stärker ausgeprägt als beim amorphen Produkt. Das Röntgendiagramm läßt sich tetragonal indizieren und die Raumgruppe ermitteln. Unter N2‐Atmosphäre getempert zerfällt das kristalline Fe2S3, ähnlich dem amorphen Produkt, exotherm. Die Lagerung des kristallinen Fe2S3 über längere Zeit an Luft führt zu dessen Zerfall.
Anomalous absorption of X‐rays in imperfect crystals. A quantitative proof on the basis of the transmission rocking curve (Laue case)
Authors: Stephan D.
Published: July 2007

Not only for perfect but also for imperfect crystals transmission rocking curves show tails with a light‐dark asymmetry outside an interference maximum which result from anomalous absorption in both cases. The analysis of the tails provides a quantitative statement on the anomalous absorption coefficient of the dynamical theory of X‐ray diffraction. Measurements taken on Ge, LiF, and FeAl are discussed.
Stages of epitaxial film formation
Authors: Green A. , Bauer E. , Peck R. L. , Dancy J.
Published: July 2007

Recent experimental results for the epitaxy of f.c.c. metals on alkali halide cleavage planes are compared with theoretical models. The film formation is subdivided into three stages: (1) the nucleation and initial growth stage, (2) the coalescence stage, and (3) the filling‐in stage. The discussion of stage (1) suggest that the epitaxial orientation is not formed during nucleation but develops during the initial growth of crystals. In stages (2) and (3) the interfacial energy between the crystals and their free surface energy play a major role in determining the coalescence process. The importance of the twin boundary energy and of chemical reactions is emphasized.

Emphasis is placed on the influence of the substrate surface condition and of residual gases on film growth. The discussion shows that the growth of f.c.c. metals on alkali halides is highly specific for each film‐substrate pair and for the experimental conditions.
Einfluß einer Cluster‐Beweglichkeit auf den Kondensations‐Mechanismus
Authors: Ickert L.
Published: July 2007

Es werden Auswirkungen einer Cluster‐Beweglichkeit auf die Kondensationsmechanismen im Keimbildungsstadium behandelt. Ausgehend von dem Normal‐Fall mit Einzelatomen als einziger beweglicher Spezies werden erwartbare Abweichungen auf qualitativem Wege entwickelt. Dabei ist zu unterscheiden von Vorgängen nach der Kondensation. Diese allgemeinen Formulierungen werden mit experimentellen Beobachtungen bei der Kondensation von Gold auf Muskowit verglichen. Abschließend werden einige weitere Konsequenzen angedeutet.
Gaseous control of vapour concentration in crystal synthesis from the vapour phase
Authors: Bulakh B. M. , Pekar G. S.
Published: July 2007

The gaseous control in the crystal synthesis from the initial components is discussed. The dependences of the vapour concentrations in the growth region on inert gas flows have been calculated. It is shown that the use of additional inert gas flows conducted directly to the entries into the reaction zone makes it possible to change the vapour concentrations in the growth region rapidly and independently one from another, and these concentrations are linear with the main transport gas flows.
Preparation of Ni boracite crystals by hydrothermal synthesis
Authors: Joubert J. C. , Muller J. , Fouassier C. , Levasseur A.
Published: July 2007

Ni boracite crystals with the general formula Ni3B7I1—x(OH)xO13 have been prepared by hydrothermal synthesis. The experimental conditions are given along with some characteristics of the crystals obtained.
Dünne Oxidschichten auf Eisenlegierungen, untersucht mit dem EF‐Z6
Authors: Grimmer D. , Soa E.‐A.
Published: July 2007

At room temperature thinnest oxide layers develop on steel surfaces (in H2O‐free atmosphere). The conditions of their growth are discussed and compared with emission‐electronmicroscopical observations.
Einige Konsequenzen aus der Grüneisenregel bei der Untersuchung kristalliner Nichtmetallverbindungen in homologen Bindungsgruppen
Authors: Beckmann G.
Published: July 2007

Die Untersuchung der 3. Grüneisenregel im Gebiet homologer Bindungsgruppen führt bei nichtmetallischen, kristallinen Substanzen (da γ dann praktisch konstant ist) auf eine modifizierte Hannemann‐Gatos‐Beziehung. Bei Auftragung des thermoelastischen Koeffizienten α · V = ∂V/∂T sowie der Kompressibilität χ über Cp ≃ CV ergibt sich eine lineare Abhängigkeit von der Molwärme. Die Herleitung dieser Beziehung aus der Grüneisenregel ist mit dem 1. Hauptsatz nicht streng kompatibel, weshalb die experimentell erhaltenen Werte über Debyetemperaturen mit Bestimmungen anderer Autoren verglichen werden. Die Zuverlässigkeit von interpolierten α‐ und χ‐Werten (z. B. für unbekannte Substanzen oder zur Ergänzung noch fehlender Daten) ist befriedigend.
Züchtung und Morphologie von Einkristallen aus Gadoliniummolybdat, einer ferroelektrischen und ferroelastischen Substanz
Authors: Bohm J. , Kürsten H. D.
Published: July 2007

Einkristalle aus Gd2(MoO4)3, gezüchtet nach der Czochralski‐Methode, zeigen auf ihrer Oberfläche Kämme und in manchen Fällen kleine Kristallflächen. Durch die Untersuchungen der Wachstumsmorphologie kann eine Entscheidung für die Raumgruppe P4421m unter jenen Raumgruppen getroffen werden, die von anderer Seite auf Grund röntgenographischer Untersuchungen vorgeschlagen wurden. Durch Ätzen kann eine streifenförmige Domänenstruktur sichtbar gemacht werden, außerdem entstehen Versetzungsätzgrübchen.
Influence of phenol on the habit of sodium chloride crystals
Authors: Kirkova E. , Nikolaeva R.
Published: July 2007

The influence of phenol on the habit of sodium chloride crystals was studied quantitatively. At small concentrations the presence of phenol has no influence whatsoever on the growth rate of the (100) face. At greater concentrations this growth rate increases. Spiral growth was observed on the (100) face by surface dissolution. Phenol slows down the growth rate of the (111) face, the energy barrier being about 600 cal/mole. Roughening of this face is observed when crystallization takes place from pure solutions and in the presence of small amounts of phenol. At a phenol concentration of 0.065 mole/l the growth rates of the (100) and (111) faces become equal.
Haidingerite (I). From Crystal Morphology to Bond Assemblage
Authors: Donnay J. D. H. , Kleber Late W.
Published: July 2007

The known structural space group of haidingerite is Pcnb. The general forms, 121 and 221, indicate that the period of the bond chains along the y axis is b/2, half the structural period b. In planar projections: onto yz, the energetic periods are b/2 and c/2; onto zx, they are c/2 and a/2, with a primitive mesh, as compared with a centered mesh (ca).
On the Distribution of Impurities during Crystal Growth
Authors: Kaischew R. , Stoyanov S.
Published: July 2007

The distribution of impurities in crystalls growing by spiral mechanism is obtained on the assumption that the “impure” atom mobility in the crystal is small. This distribution depends on the adsorption energy as well as on the supersaturation which is supposed to be constant along the growth front.
Reflexionselektronenbeugungsuntersuchungen an HV‐aufgedampften CdSe‐Schichten auf CaF2
Authors: Messerschmidt A.
Published: July 2007

Es wurden Reflexionselektronenbeugungsuntersuchungen an HV‐aufgedampften CdSe‐Schichten auf an Luft gespaltenen (111)‐Flächen von CaF2 durchgeführt. Es treten nebeneinander die kubische (111)‐Orientierung und die hexagonale (0001)‐Orientierung auf. Bei niedrigen Substrattemperaturen (440°C) dominiert die kubische Phase; bei höheren Substrattemperaturen (600°C) herrscht die hexagonale Phase vor.

In allen Schichten werden Zwillinge und Mehrfachzwillinge beobachtet. Entlang den 〈111〉‐Richtungen der Zwillinge bzw. Mehrfachzwillinge treten ebenfalls hexagonale Schichtenfolgen auf. Bei Zunahme der Schichtdicke geht die Anzahl der Mehrfachzwillinge zurück. Starke Erhöhung der Aufdampfrate (80 Å · s−1) erhöht den Defektgehalt der Schichten (polykristalline Anteile). Es wird das Auftreten von Satellitenreflexen bei der Durchstrahlungselektronenbeugung und der Reflexionselektronenbeugung diskutiert.
Mikroanalyse mit kombinierten spektroskopischen Methoden in der Kriminaltechnik
Authors: Adam Jörg
Published: July 2007

Investigating a lac splinter (100 μg) from a traffic accident the effective posibilities for combining IR‐, UV‐VIS‐spectral fotometry and laser‐microanalysis are shown. For the purpose to illustrate the applicability of these methods to other problems the obtained UV‐VIS‐spectra are discussed. The combined spectroscopical methods for the microanalysis are described.
Zur Entstehung des Kornkontrastes bei chemisch geglänztem Zinn im Elektronenrastermikroskop
Authors: Brümmer O. , Beier W.
Published: July 2007

Bei Untersuchungen von chemisch geglänzten massiven Zinnproben mit der Elektronensonde zeigen der Probenstrom, die Rückstreuelektronenausbeute sowie die Röntgenemission einen Kornkontrast. Durch Beobachtung von Katodolumineszenz und durch die Bestimmung des Sauerstoffgehaltes konnte festgestellt werden, daß der Kornkontrast nicht durch anomale Absorptionseffekte, sondern durch eine sauerstoffhaltige Oberflächenbedeckung verursacht wird. Der allgemeine Einfluß von Fremdbedeckungen auf die Kontrastentstehung wird diskutiert.
An Electron Probe Microanalyzer Investigation on Phase Reactions during Firing of Iron Ore Pellets
Authors: Bojarski Z. , Barszcz E.
Published: July 2007

Processes during the firing of pellets consisting of siderite concentrate and Ca(OH)2 have been studied by means of X‐ray diffractometer and microanalyzer. When temperature is higher than 400°C thermal siderite decomposition starts, producing haematite and calcite being observed up to 600°C with the technique of oscillating X‐ray detector. With increasing temperature CaO which arises from calcite doesn't react with SiO2 up to 750°C; Fe2O3 grains grow. Above 1000°C CaO is dissolved in Fe oxides, and ferrite of CF type is formed. At temperatures higher than 1130°C a new phase is forming, presumedly a ferrite CF2. Results of the study of this phase being stable up to 1250°C are reported.
Zur Abbildung des Feldverlaufs an hochohmigen GaAs‐Proben mit der Elektronenmikrosonde
Authors: Brümmer O. , Beier W. , Kugler F.
Published: July 2007

Es wird gezeigt, daß elektronenrastermikroskopische Untersuchungen von hochohmigen GaAs‐Proben auch im unterschwelligen Betrieb brauchbare Ergebnisse der Abbildung des Potentialverlaufs liefern, die eine Charakterisierung der Kontakte und der Probenhomogenität gestatten.
Zur quantitativen Elektronenstrahlmikroanalyse dünner SiO‐Schichten
Authors: Leistner H. , Herberger J. , Kosak W.
Published: July 2007

Die Elektronenstrahlmikroanalyse dünner Isolationsschichten erfordert deren Überdampfung mit einer leitfähigen Deckschicht. Es wird eine Möglichkeit der Korrektur des Einflusses der Deckschicht auf das Analysenergebnis aufgezeigt.

Die Ermittlung des Oxydationsgrades n in SiOn erfolgte unter Berücksichtigung von Absorptions‐ und Ordnungszahlkorrektur und liefert befriedigende Ergebnisse im Vergleich mit chemischen Parallelanalysen.
The Investigation of Silicate Systems and Minerals by the Electron Microprobe Analyser
Authors: Hulínský V. , Jurek K. , Stanêk J.
Published: July 2007

Einige Beispiele für die Anwendung der Elektronenstrahlmikroanalyse zur Untersuchung von Silikaten, die den Vorteil dieser Analysentechnik gegenüber anderen Methoden unterstreichen, werden mitgeteilt.
Über die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si‐Einkristallen großer Durchmesser
Authors: Lebek A. , Geil W. , Schmugge K.
Published: July 2007

Die vorliegende Arbeit legt Ergebnisse dar, die bei der Züchtung von Si‐Einkristallen mit einem Durchmesser bis 43 mm nach der Methode des tiegelfreien Zonenziehens unter Anwendung eines axialen Gleichstromes erzielt werden konnten. Der Einfluß der Jouleschen Wärme und des Peltiereffektes auf die strukturellen Eigenschaften des Kristalls sowie deren Bedeutung bei seiner Züchtung wird analysiert. Aus dieser Analyse resultieren Untersuchungen zum Einfluß der Jouleschen Wärme auf die Versetzungsbildung. Auf der Basis einer vorausgesetzten Wechselwirkung von Kristallgeometrie, ‐temperatur und dem radialen Temperaturgradienten werden Betrachtungen zur Bestimmung einer Funktion n = f(grad. T, T, r) durchgeführt. Für ausgewählte Fälle ist eine Lösung bestimmbar, die auf die Bedeutung des Temperaturgradienten hinweist. Die Beachtung dieses Resultates bei der Kristallzüchtung wird mit einem Beispiel belegt.

Results are reported on zone floated silicon single crystals with diameters up to 43 mm by using an axial direct current. The influence of the Joule ‐ heat and the Peltier ‐ effect on the structural proporties of the crystals and their importance for the growing process is analysed. From this analysis researches on the influence of the Joule – heat on the origin of dislocations resulted. On the basis of a supposed interaction between crystal, ‐geometry, temperature and radial temperature gradient the function n = f(grad. T, T, r) ist discussed. For special cases a solution is definable which shows the importance of the temperatur gradient. For illustrating the results an example is given.
The Process of Formation of Epitaxial Cadmium and Zinc Oxide Films by Interaction of Single‐Crystal AIIBVI Layers with Oxygen
Authors: Sergeyeva L. A. , Charlamov I. A. , Kazannikova T. P. , Aleskovsky V. B.
Published: July 2007

The results of electron microscopic and electron diffraction investigation of the surface during annealing of single‐crystal AIIBVI (CdS, CdSe, ZnSe, ZnS) films in the presence of oxygen are reported.

It is shown that the behaviour of islands of cadmium oxide formed by chemical interaction between O2 and the CdS, CdSe substrate in the process of growth resembles that of the nuclei in film condensation. CdO films become “continuous” more quickly, if the size of blocks of substrate‐epitaxial AIIBVI film is larger. Epitaxial ZnO films formed on the surface of epitaxial ZnS and ZnSe layers are of a wurtzite structure or a cubic structure with the parameter a = 4.5 Å.
Physikalische Eigenschaften von nach einer modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten NaCl‐ und KCl‐Kristallen
Authors: Suszyǹska M. , Lébl M. , Žemlička J.
Published: July 2007

Es werden die physikalischen Eigenschaften von NaCl‐ und KCl‐Einkristallen, welche aus vorher mit Phosgen behandelten Ausgangsmaterialien gezüchtet wurden, beschrieben. Die Absorptionsmessungen im UV‐ und IR‐Gebiet sowie auch die Mikrohärte und CRSS, Versetzungsdichte, Ionenleitfähigkeit und das Studium der Farbzentrenkinetik zeigen, daß die mit der beschriebenen modifizierten Kyropoulos‐Methode gezüchteten Kristalle nicht nur keine OH− Ionen, sondern auch keine anderen sauerstoffhaltigen Fremdanionen enthalten.
Die Domänenstruktur von Gadoliniummolybdat (GMO)
Authors: Kürsten H. D. , Bohm J.
Published: July 2007

Die Untersuchung plättchenförmiger Proben von GMO im polarisierten Licht zeigt ferroelektrische Domänen. Die Domänen sind in zwei Systemen von Streifenmustern, mit den Domänenwänden parallel zu {110}‐Flächen, angeordnet. Senkrecht zueinander stehende Domänen durchdringen sich nicht, sondern laufen keilförmig zusammen, bevor sie sich treffen. Die Neubildung der Domänen wurde bei der Curietemperatur im Heiztisch untersucht. Einige besondere Reaktionen von Domänengrenzen wurden bei 100°C beobachtet.
Themodynamic Approach to Diffusion‐Controlled Epitaxial Silicon Deposition in Flow System from SiCl4 + H2 Mixtures
Authors: Riedl W. J.
Published: July 2007

Treatment of diffusion‐controlled chemical vapour deposition (CDV) usually neglects supersaturation at the gas‐solid interface, which is the basic condition for crystal growth. A new approach based on metastable equilibria and on the concept of activity, taking into account departure from equilibrium has been given and applied to the system resulting from SiCl4 + H2 mixtures. The control of activity at the gas‐solid interface should provide a method of controlling the morphology and perfection of CVD films.
The P‐T‐x Phase Diagram of the Mn‐As System
Authors: Paitz J.
Published: July 2007

The solid‐liquid‐vapour phase diagram of the Mn–As system has been determined in the range of 40–100 at% As. The melting point of equiatomic MnAs was found to be 936 ± 1°C at an arsenic pressure of 4 · 10−2 atm.
Zur Abschätzung physikalischer und physikalisch‐chemischer Daten von AlBV‐Verbindungen mit Zinkblendestruktur
Authors: Kühn G. , Leonhardt A. , Hübner K.
Published: July 2007

Die AlBV‐Verbindungen nehmen unter den AIIIBV‐Verbindungen bezüglich der mit der Gitterkonstante verknüpften Eigenschaften eine gewisse Sonderstellung ein. Dieses Verhalten wird mit der Abwesenheit vom Rumpf‐d‐Elektronen beim Aluminium in Zusammenhang gebracht. Die Kompressibilitäten von AlP, AlAs und AlSb lassen sich in guter Übereinstimmung mit berechneten Werten aus der Abhängigkeit von Gitterkonstante und der Mikrohärte abschätzen. Weiterhin werden Zusammenhänge zwischen Gitterkonstanten, Molmasse, Bandstrukturparametern, Bildungswärmen und Oberflächenenergien diskutiert. Die von Phillips für AlSb angegebene Ionizität der chemischen Bindung wird korrigiert und der Nichtlinearitätsparameter des Energiegaps für Al‐haltige Mischkristalle aus der Differenz der Atomradien der Substituenten ermittelt.
The Investigation of Recrystallization Processes of Ni Films
Authors: Sirota N. N. , Trofimova Zh. P.
Published: July 2007

Electron diffraction and resistance methods are used to study the recrystallization process in nickel films. Recovery process, initial, and secondary recrystallization are observed in films in annealing. Unlike bulk deformed materials the distortions in films are produced in the process of their evaporation. The duration and sequence of stages of recrystallization are determined by the temperature of substrate in obtaining films and by the temperature of subsequent annealing. At temperatures of substrate above 150°C the reflexes due to recrystallized grains are observed just after evaporation of films. Temperature intervals of initial and secondary recrystallization of nickel films are calculated at temperatures of substrate equal to 130°C and 200°C.

Correlation between the width of diffraction line, depending on the degree of lattice distortions, electrical resistance, measured at temperature of annealing and the number of recrystallized grains is noted. For reasons given it can be concluded that electron scattering in films takes place in lattice distortions in the crystallite and in their boundaries.

The results obtained are of great interest in choosing optimum conditions for preparing films with given characteristics.
Polaritätsabhängige Struktureffekte in tetraedrisch koordinierten Halbleitern
Authors: Hübner K. , Kühn G.
Published: July 2007

Auf der Grundlage der semiempirischen dielektrischen Strukturtheorie wurde ein empfindlicher Parameter gefunden, der es gestattet, die relative Stabilität der Zinkblende und Wurtzitstruktur in Epitaxieschichten von AIIBVI‐Verbindungen auf (111)‐orientierten AIIIBV‐, Si‐ und Ge‐Substraten vorherzusagen. Die Ergebnisse des vorgeschlagenen theoretischen Modells befinden sich in guter Übereinstimmung mit den Experimenten.
Untersuchungen an Si‐Epitaxieschichten auf Mg‐Al‐Spinell‐Einkristallen
Authors: Krause H. , Fienhold M.
Published: July 2007

In MgAl‐Spinell, der nach dem Verneuill‐Verfahren hergestellt worden war, wurden Versetzungsdichten ungleichmäßiger Verteilung zwischen 104 und 107 cm−2 gefunden. Röntgenografische Orientierungsmessungen ergaben Abweichungen der Wachstumsrichtung von der Stabachse bis zu 8°. Aus Berg‐Barrett‐Aufnahmen wurde auf stark ausgeprägte Substrukturen geschlossen. Silizium‐Epitaxieschichten auf MgAl‐Spinell wurden nach der pyrolytischen Reduktionsreaktion von SiCl4 in H2 hergestellt. Keimbildung. Ätzreaktionen auf dem Substrat und Qualität der Si‐Schichten werden diskutiert. Messungen der Trägerbeweglichkeit im Dotierungsbereich von 1016 bis 1017 cm−3 ergaben 60 bis 80% der Volumenbeweglichkeit des Siliziums. Auf Probleme der Entmischung bei Temperung wird eingegangen. Der Einsatz von Si‐Schichten auf Isolatorsubstraten wird diskutiert.
Untersuchung der linearen Kristallisationsgeschwindigkeit
Authors: Meleško L. O.
Published: July 2007

Zusammenfassend wird berichtet, daß es durch intensive Ableitung der Kristallisationswärme gelingt, nahezu isotherme Bedingungen für die Messung der 1. KG in Schmelzen zu realisieren. Dazu wird die Substanz zwischen zwei Küvetten mit planparallelen Glasplatten (Molybdänglas) gebracht, durch die die Thermostatenflüssigkeit zirkuliert. Die Wandstärke beträgt 0.2 mm. Über die Temperaturverteilung eines Heizdrahtes werden eine Temperaturverteilung der Thermostatenflüssigkeit in den Küvetten und Berechnungen des Wärmeüberganges möglich. Entsprechende Ableitungen werden gegeben. An den Substanzen Salol, Salipyrin, Betol, Antipyrin und Codein wird gezeigt, daß in jedem Fall eine Abhängigkeit der 1. KG von der Unterkühlung ohne „Plateau”︁, d. h. mit einfachem Maximum existiert.
X‐Ray Topographic Investigation of Silicon Single Crystals Heavily Doped with Sb
Authors: Gorelik S. S. , Bublik V. T. , Khatsernov M. A. , Voronov I. N. , Makeev H. I. , Malvinova I. S.
Published: July 2007

Heavily Sb doped silicon crystals grown by Czochralski method were investigated using X‐rays methods. It is shown that growth striation contrast is caused by inhomogeneous Sb distribution. While approaching the lower part of crystals their volume is being contaminated by dispersive particles of noncontrolled impurities that results in decrease of anomalously transmitted X‐rays and weakening of the contrast in topographical growth striation image. In the canal connected with the facet effect crystal structure is less damaged by foreign inclusions.
Ein eindimensionales Modell zur Beschreibung von Transporteigenschaften in offenen Systemen
Authors: Knobloch G. , Kramer P. , Butter E.
Published: July 2007

Es wird ein einfaches eindimensionales Modell behandelt, das den Materialtransport durch erzwungene Konvektion und Diffusion beschreibt. Am Beispiel des Systems GaAsAsCl3H2 wird die Partialdruckverteilung bezüglich der Ortskoordinate berechnet und die Rolle des Temperaturgradienten in der Substratumgebung unter dem Aspekt der konstitutionellen Überschreitung der Gasphase diskutiert.
Einfluß der Vibration auf die Geschwindigkeit der Saccharosekristallisation
Authors: Zagrodzki S. , Marczyński J.
Published: July 2007

Es wurde der Einfluß der Vibrationsamplitude auf die Kristallisationsgeschwindigkeit der Saccharose bei konstanter Schwingungsfrequenz von 100 Hz untersucht. Die Kristallisation wurde in Lösungen mit der Reinheit 75, 90 und 100 bei niedriger Übersättigung der Lösung (1,05) bei Temperaturen von 40, 60 und 80 °C durchgeführt. Bestimmung der Zunahme der Masse der Kristalle, welche, in entsprechenden Drahtkäfigen untergebracht, in die übersättigte Lösung eingetaucht waren und mittels eines elektromagnetischen Vibrators in Schwingungen versetzt wurden. Saccharoselösungen mit niedrigem Reinheitsquotienten erhielt man durch Mischung von Melasse, Kristallraffinade und destilliertem Wasser in entsprechendem Verhältnis.

Es stellte sich ein positiver Einfluß der Amplitudenvergrößerung auf die Kristallisationsgeschwindigkeit in Lösungen mit hoher Reinheit und bei niedriger Temperatur heraus. In reiner Saccharoselösung und bei 40 °C verursachte die Vergrößerung der Vibrationsamplitude von 1 auf 4 mm eine Erhöhung der Kristallisationsgeschwindigkeit durchschnittlich um etwa 45%, dagegen bei 80 °C durchschnittlich um etwa 20%. Wenn man dagegen die Vibrationsamplitude bei niedrigerer Reinheit der Lösung vergrößerte, stellte man keine Beschleunigung der Kristallisation fest.

Die Arbeit enthält die Beschreibung der Apparatur und der Meßmethodik; die wichtigsten Ergebnisse sind in Tabellen zusammen‐ und auf Diagrammen dargestellt.
Whiskers growing from aqueous solution of natrium molybdate
Authors: Chojnacki J. , Hodorwicz S.
Published: July 2007

A special apparatus was built for continuous measurements of concentration changes caused by whiskers growing in polymolybdate solutions.
Rasterelektronenmikroskopische Kontrastuntersuchungen an Germanium‐Einkristallfolien
Authors: Johansen H. , Paschoff N.
Published: July 2007

Aussagen über die geometrische und physikalische Beschaffenheit dünner, folienartiger Kristallbereiche nach rasterelektronenmikroskopischen Kontrastuntersuchungen hängen stark von der ausgenutzten Wechselwirkung zwischen Elektronensonde und Objekt ab. Am Beispiel von Germanium‐Einkristallfolien, die in abgedünnten Gebieten nur wenige hundert ÅE dick sind, werden die im Strahlspannungsbereich zwischen 15 und 45 kV mit Sekundärelektronen, reflektierten und absorbierten Elektronen erzielten Bildkontraste diskutiert. Dies geschieht auf der Grundlage der gegenwärtigen Auffassungen über die Auslösemechanismen der drei Wechselwirkungen. Offen bleibt die Frage, ob hieraus bei Einführung geeigneter Eichverfahren eine Methode zur Dickenbestimmung derartiger Objekte entwickelt werden kann.
A method calculation of the limiting supersaturation of inorganic salt solutions
Authors: Synowiec J.
Published: July 2007

The limiting supersaturation of a solution must be known for designing a controlled mass crystallization. The experimental measurements need suitable devices which are not always accessible. On the basis of 24 experimentally examined inorganic salts a simple equation has been suggested which allows to determine the value of limiting supersaturation.
Distribution of Pb2+ ions in KCl single crystals grown by bridgman method
Authors: Damm J. Z. , Iwanicka M. , Trnka J. , Velická I.
Published: July 2007

Basing on the Pb2+ concentrations in the ”︁pure”︁ ends of single KCl crystals, at various dopant concentrations in the original melts, as well as on the Pb2+ concentrations along the crystals, the distribution coefficient of the dopant ions is estimated. The origin of possible deviations of experimental data from those calculated according to eq. (1) is discussed and the neccessity of introducing an appropriate correction factor is pointed out (eq. (2)).
Struktur auf Muskovit aufgedampfter Kadmiumschichten
Authors: Dobbert P. , Neumann H.‐G.
Published: July 2007

Kadmium läßt sich auf Muskovit nur mit einer ausreichend hohen Rate niederschlagen, wenn die Substrate zuvor mit Silber bekeimt werden. Unter diesen Bedingungen ist eine Heteroepitaxie des Cd auf Muskovit möglich. Die Ag‐Keime haben jedoch einen entscheidenden Einfluß auf die Vollkommenheit der epitaktischen Schichten. Mit zunehmender Ag‐Bedeckung wird der orientierende Einfluß des Muskovits auf die Cd‐Schichten zurückgedrängt. Bei starker Bekeimung entstehen schließlich nur noch polykristalline Cd‐Schichten.
Kristallographische Polarität von AIIIBV ‐ Mischkristallen
Authors: Schmidt W. , Pilgermann B. , Kühn G. , Fischer P.
Published: July 2007

Aus Messungen von Intensitätsunterschieden der Röntgenreflexe an gegenüberliegenden {111}‐Oberflächen von aluminiumreichen Ga1 – xAlxAs‐ und Ga1 – xAlxSb‐Mischkristallen wurde entschieden, welche der beiden Oberflächen mit einer Atomlage des fünfwertigen Elements abschließt. Die Ergebnisse werden mit Ätzuntersuchungen korreliert.
Ein Beitrag zur Bestimmung der Eindringtiefe von Dotanden in Siliziumdioxidschichten auf Silizium
Authors: Frenzel M.
Published: July 2007

Es wird ein Überblick gegeben über die möglichen Untersuchungsverfahren zur Bestimmung der Eindringtiefe von Dotanden in Siliziumdioxidschichten auf Silizium. An Hand der Bestimmung der Eindringtiefe von Bor und Phosphor werden einige Verfahren ausführlicher erläutert. Die bei allen Verfahren anfallenden Schichtdickenmessungen erfolgten ellipsometrisch.
Investigation of multiple layer heterojunction structures by means of an electron‐beam microprobe‐analyzer
Authors: Alferov Ž. I. , Andreev V. M. , Konnikov S. G. , Kolyškin V. I. , Larionov V. R. , Šelovanova G. N.
Published: July 2007

Multiple layer heterojunction structures in the AlAsGaAs system are investigated by means of an X‐ray microanalyzer. The quantitative determination of Ga and Al is extensively discussed. The correction for atomic number, absorption and secondary fluorescence are considered. For AlxGa1–xAs layers it is favourable for quantitative analysis the AlKα‐emission for x < 0,3 and the GaKα‐emission for x > 0.3. Some multilayer heterojunction structures of laser and luminescence diodes are shown in form of their AlKα microprobe diagrams.
Ergebnisse raster‐elektronenmikroskopischer Untersuchungen zur Bruchentstehung und Bruchausbreitung in Fe‐Cr‐Legierungen
Authors: Richter J.
Published: July 2007

Mit Hilfe des Rasterelektronenmikroskopes wurden die Bruchflächen einer Fe‐25%‐Cr‐Legierung untersucht, wobei die Bruchkeime gefunden und Aussagen über mikroskopische Prozesse der Bruchausbreitung erhalten werden konnten. In den meisten Fällen ging der Bruch von Korngrenzen aus, die mit Karbid‐ und/oder Nitridausscheidungen bedeckt waren und unter der Einwirkung einer Normalspannung aufrissen. Von solchen geöffneten Korngrenzen breitete sich der Bruch im allgemeinen transkristallin durch die Ferritmatrix aus. Auch oxidische Einschlüsse wurden als Bruchkeime ermittelt, jedoch ist ihre bruchauslösende Wirkung weniger kritisch als die der Karbid‐ und Nitridausscheidungen. In Verbindung mit den mechanischen Eigenschaften der Fe‐25%Cr‐Legierung veranschaulichen die Resultate, daß dieser Werkstoff nur dann hinreichend duktil ist, wenn Kohlenstoff‐ und Stickstoffgehalt unterhalb kritischer Werte liegen.
LEED‐Auger‐Untersuchungen an der (100)‐Fläche austenitischer Chrom‐Nickel‐Stähle
Authors: Adolphi B. , Müssig H.‐J. , Schöpe H.
Published: July 2007

Die Ergebnisse der LEED‐Auger‐Untersuchungen and der (100)‐Fläche hochlegierter Cr‐Ni‐Stähle zeigen, daß sich Schwefel aus dem Inneren der Einkristalle während des Glühens im Ultrahochvakuum abscheidet und eine c(2 × 2)‐Struktur hervorruft. Durch ein Lösungsglühen bei 1100°C mit anschließender schneller Abkühlung (Temperaturänderung im Glühbereich maximal 200 K/s) gelingt es, die saubere Oberfläche herzustellen. Sie ist bis 700°C für weitere Untersuchungen ausreichend stabil.
Siliziumseigerungen in Gußeisen mit Kugelgraphit und ihre Bedeutung für das Vergüten dieses Werkstoffes
Authors: Herfurth K. , Küchler L. , Schmidt G. , Jonuleit M.
Published: July 2007

Mit Hilfe von Farbätzungen und der Elektronenstrahlmikroanalyse (Linescan) wurde die Verteilung des Siliziums in der metallischen Grundmasse von Gußeisen mit Kugelgraphit untersucht. Es zeigte sich, daß im Gußzustand die Siliziumkonzentration in der Nähe der Graphitkugeln am höchsten ist und an den Grenzen der eutektischen Zellen ein Minimum aufweist. Diese Siliziumseigerungen sind sehr stabil und lassen sich nur durch Glühung im Austenitgebiet bei hohen Temperaturen und langen Haltezeiten beseitigen. Ein Ausgleich dieser Siliziumseigerungen durch Wärmebehandlung führt nach dem Vergüten (Härten und Anlassen) nicht zu besseren Werten für die Schlagbiegezähigkeit.
Microscopic examinations of the carbide free bainite structure
Authors: Bojarski Z. , Bołd T.
Published: July 2007

Phase transformations have been investigated occurring in the 0,18 C – 0,5 Mn – 2,4 Cr – 1,4 Ni – 0,4 Mo – 0,003% B steel during continuous cooling at rates corresponding to the cooling down of forgings of ø 100, 500 and 1000 mm in air. Two methods were used: an X‐ray method and electron microscopy.

The existence of a particular kind of carbide‐freebainite has been found in which composition occur irregular ferrite and martensite‐austenite islands. This bainite appears in the steel which has been investigated after cooling from the austenitizing temperature with rates of 0,7 to 35°C/min. The mechanism of the transformation of austenite to carbide‐free bainite has been established.
On the dark‐field image technique in the identification of very small particles in thin foils
Authors: Eysymontt J. , Schwedler A.
Published: July 2007

The possibility of identification of very small particles of a second phase precipitation is reported which take such a small volume in the structure that it is impossible to get a visualable electron diffraction pattern from the selective diffraction technique. The evaluation of interplanar spacings and interplanar angles of crystallographic lattice of such particles is possible by the dark field image technique, if the orientation relationship between them and matrix is known „a priori”︁. The application of that method has been illustrated by examples of the identification of copper particles as well as those of carbo‐nitrides type MX in low alloy steels.
Linear defects in single‐crystals of lithium niobate
Authors: Arsenev P. A. , Baranov B. A. , Klinchikov C. A.
Published: July 2007

The method of studying the dimensional distribution of the density of dislocations revealed the effect of different stages of process of growth upon the structural perfection of crystals of LiNbO3, grown by the Czochralski's method. Probable reasons for development of dislocations are discussed.
Zur Charakterisierung von hochdotierten GaAs‐Einkristallen
Authors: Schulz M. , Schumann B. , Sarodnik R. , Schaefer H.
Published: July 2007

Realstrukturuntersuchungen an hoch Sn‐dotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, wurden mittels Strukturätzung, Infrarotmikroskopie und Röntgentopografie durchgeführt. Spezifische Defekte, verbunden mit einem inhomogenen Dotierungseinbau durch konstitutionelle Unterkühlung und Zellenwachstum, konnten beobachtet werden. Geometrie, Verteilung und Entstehungsursachen dieser Baufehler werden beschrieben. Der Einfluß dieser Baufehler auf das Luminezenzverhalten wurde untersucht.
Anisotrope Längenänderungen bei spannungs‐ und verformungsinduzierter martensitischer Gitterumwandlung kubisch‐flächenzentriert → hexagonal
Authors: Schumann H.
Published: July 2007

Bei der elastischen bzw. plastischen Deformation von Stahl X8Mn16 findet eine spannungs‐ bzw. verformungsinduzierte Umwandlung des kub.‐flz. γ‐Matrix‐Gitters in hexag. ϵ‐Martensit statt, die mit anisotropen Längenänderungen verbunden ist und zu einer Verringerung des scheinbaren Elastizitätsmoduls der Legierung führt. Die nähere Untersuchung zeigt, daß es sich offenbar um eine Auswirkung des strainmemory‐Effekts handelt, der bislang bei Eisenlegierungen noch nicht aufgefunden wurde. Mit ähnlichen anisotropen Längenänderungen ist bei allen reinen Metallen und Legierungen zu rechnen, bei denen die martensitische Umwandlung kub.‐flz. → hexag. unter der Einwirkung einer äußeren einachsigen Spannungsbeanspruchung verläuft.
Zum Bildkontrast kristalliner Objekte in der Rasterelektronenmikroskopie
Authors: Werner U. , Bethge H. , Heydenreich J.
Published: July 2007

Die von COATES gefundenen und von BOOKER, SHAW, WHELAN, HIRSCH erstmalig interpretierten Elektronen‐Channelling‐Diagramme werden in der Rasterelektronenmikroskopie in zunehmendem Maße zur Charakterisierung der Orientierung und der Perfektion von Kristalloberflächen herangezogen. Dieser Einsatzbereich der Rasterelektronenmikroskopie wird erläutert und an Bildbeispielen belegt, wobei der Frage der Zuordnung von Elektronen‐Channelling‐Diagrammen zu der zugrunde liegenden Realstruktur in oberflächennahen Objektbereichen besondere Beachtung geschenkt wird. Die Möglichkeiten der Rasterelektronenmikroskopie für die Abbildung individueller Kristalldefekte werden angegeben.
Einfluß dünnster Oxidschichten auf die Photoelektronenemission von Molybdäneinkristallen
Authors: Brückner J. , Lányi P.
Published: July 2007

The change of the photoelectron current from molybdenum‐(111) and (100)‐single crystal surfaces has been studied by emission electron microscopy. LEED investigations in the same apparatur showed that the decrease or increase of the electron emission after thermical cleaning is due to reactions of oxygen on the surfaces.
Umwandlungsplastizität und Form‐Gedächtnis‐Effekt in einer Eisenlegierung mit 16% Mangan
Authors: Schumann H.
Published: July 2007

Beim Abkühlen von drahtförmigen Proben aus Stahl X8Mn16 wandelt sich kubischflächenzentrierter Austenit unter Längenabnahme in hexagonalen ϵ‐Martensit um. Erfolgt die Umwandlung unter der Einwirkung einer äußeren Zugspannung, so ergibt sich eine Verlängerung. Diese Umwandlungsplastizität setzt sich aus einem reversiblen und aus einem irreversiblen Anteil zusammen. Der reversible Anteil entsteht durch die Bildung von spannungsinduziertem ϵ‐Martensit in Vorzugsorientierung und wird unter Längenabnahme bei einer nachfolgenden Erwärmung über die Af‐Temperatur zurückgebildet. Damit ist nachgewiesen, daß der Form‐Gedächtnis‐Effekt auch in Eisen‐Legierungen auftreten kann. Eine plastische Verformung des Austenits unterhalb der Rekristallisationstemperatur behindert die nachfolgende γ → ϵ‐Umwandlung.
Zum Kontrast bei röntgentopographischen Aufnahmen von einkristallinem GaAs
Authors: Richter H. , Jegerlehner K. , Mohr U.
Published: July 2007

An keilförmigen GaAs‐Proben wird für die Kα1‐Wellenlängen von Ag und Mo für die (220)‐Reflexion im Lauefall die Pendellösungslänge L experimentell bestimmt und unter Verwendung bekannter mathematischer Beziehungen aus der dynamischen Beugungstheorie berechnet. Die übereinstimmung der Werte ist gut. Der Kontrast der im Topogramm abgebildeten Versetzungen ist von der Probendicke abhängig. Die keilförmigen Proben gestatten die genaue Ermittlung der kritischen Probendicke d0 für den Wechsel der Kontraste zwischen Extinktion und anomaler Absorption und die Bestimmung günstiger Probendicken im Gebiet des Extinktionskontrastes.
Crystal and Molecule Structure of Piperidino‐acet‐m‐Bromo‐Anilide
Authors: Kutschabsky L. , Kriegsmann H. , Leibnitz P. , Wenzel J.
Published: July 2007

The compound piperidino‐acet‐m‐bromo‐anilide crystallizes in the orthorhombic space group Pbca with 8 molecules in the unit cell of dimensions a = 23.656; b = 12.664; c = 9.372 Å. The crystal structure was determined. The positions of all hydrogen atoms were located. The intermolecular hydrogen bond N(1)‐H(N1)… 0 has an influence on the conformation of the molecule. The angle between the plane of the phenyl ring and the plane of the carbonamide group is 36.8°.
Anwendung der Reaktionskristallisation in der Hydrometallurgie und der anorganisch‐chemischen Technik
Authors: Martens H. , Hoffmann H.
Published: July 2007

Am Beispiel einiger technischer Reaktionskristallisationen (Jarosit, Goethit, Alunit, Ammoniumhexavanadat, Kalziumkarbonat, Zinkkarbonat) werden prinzipielle Fragen der Reaktionskristallisation schwerlöslicher Stoffe aus Lösungen behandelt: 1. Abstimmung der Reaktions‐ und Wachstumsgeschwindigkeiten, 2. Auswahl der chemischen Verbindungen nach ihrer Löslichkeit, 3. Auswahl geeigneter Reaktionspartner, 4. Auswahl des pH‐Bereiches. Die Morphologie der Fällprodukte wurde geprüft. Bei Anwendung geringer Reaktionsgeschwindigkeiten und Einsatz konzentrierter Ausgangslösungen waren homodisperse Kristallitagglomerate als Fällprodukte charakteristisch.
Röntgentopographischer Nachweis ferroelektrischer Domänen in LiNbO3‐Einkristallen
Authors: Kräusslich J. , Mohrig H.
Published: July 2007

Ferroelektrische Domänen in LiNbO3‐Einkristallen lassen sich röntgentopographisch abbilden auf Grund des Unterschiedes der reflektierten Intensität. Den 180°‐Domänen, die sich durch entgegengesetzte dielektrische Polarisation entlang der c‐Achse unterscheiden, kann der Strukturfaktor ∥F(khl)∥ bzw. ∥F(h̄m̄l̄)∥ zugeordnet werden. Unter Berücksichtigung der anomalen Dispersion wurde für die 006‐ und 0012‐Reflexion und für verschiedene Wellenlängen das Verhältnis , das den Sichtbarkeitskontrast im Topogramm bestimmt, berechnet. Für CrKα‐Strahlung ergab sich Es gelang, das Intensitätsverhältnis und die Kontrastumkehr beim übergang vom 006‐ zum 0012‐Reflex experimentell zu bestätigen. Der größere Strukturfaktor bei der 006‐Reflexion konnte dem positiven Dipolende zugeordnet werden.
Zum Lumineszenzverhalten von Versetzungen in CdS‐Einkristallen
Authors: Brümmer O. , Schreiber J.
Published: July 2007

Durch mikroskopische Katodolumineszenzuntersuchungen werden an Versetzungen in undotierten CdS‐Einkristallen vier charakteristische Lumineszenzerscheinungen nachgewiesen. Es wird gezeigt, daß eine Relation zwischen den an den Kristallstörungen zu beobachtenden Lumineszenzinhomogenitäten und dem Dekorationszustand besteht. An hinreichend reinen Versetzungen konnte erstmals eine Versetzungsemission auch in CdS beobachtet werden.
Growing of TGS and TGSe single crystals at various pH of solution
Authors: Tsedrik M. S. , Ulasen V. N. , Zaborovski G. A.
Published: July 2007

The influence of pH of solution on growth rates of the faces (001), (010), (100) and habit of TGS and TGSe single crystals was studied. The pH‐values were determined when growth of TGS and TGSe crystals was ceased. At pH < 1 diglycine sulphate (DGS) and at pH < 2 diglycine selenate (DGSe) crystals are growing. The permittivity and resistivity of DGS and DGSe were measured. The resistivity of DGSe is an order of magnitude less than of TGSe for the same temperature. The possible mechanism of change of crystal morfology vs pH, supersaturation of solution and growth temperature is proposed.
Domain structure and dielectric properties of TGS and DTGS single crystals depending on growth conditions
Authors: Tsedrik M. S. , Zaborovski G. A. , Demidovich N. P. , Margolin L. N.
Published: July 2007

The influence of growth temperature and supersaturation of solution on domain structure and dielectric properties of TGS and DTGS single crystals was investigated. The qualitative and quantitative analysis of domain structures was carried out. The optimal growth conditions were found. It proves to be useful to arrange the measured values in table where lines correspond to growth temperatures and columns – to supersaturations for investigation of optimal growth conditions. The diagonal of extremal values exists in this table. The existence of optimal growth conditions explains in terms of interaction between domain and defect structures.
Abbildungserscheinungen an Isolatorschichten im Elektronenspiegelmikroskop unter stationären Aufladungsbedingungen
Authors: Weidner G. , Weissmantel Chr. , Herberger J. , Heydenreich J. , Blüthner K.
Published: July 2007

Es werden typische Erscheinungen bei der Abbildung unbedeckter Isolatorschichten unter stationären Aufladungsbedingungen im Elektronenspiegelmikroskop beschrieben und deren Abhängigkeit von den Abbildungsparametern angegeben. Besonders charakteristisch ist die Stabilisierung des Oberflächenpotentials der Isolierschicht durch Aufladungen in einem Bereich um 0 V. Aufbauend auf der Beobachtung des Kontrastausgleichs an Potentialstufen wird das Oberflächenpotential der Isolierschicht gemessen. Für die untersuchten Fluorkohlenstoffschichten beträgt das sich stabilisierende Oberflächenpotential etwa – 2V. Aus diesem Wert wird die Stromdichte positiver Aufladungen an der Oberfläche der Probe abgeschätzt.
Standard stereographic projections of hematite and related corundum‐type sesquioxides
Authors: Dekker E. H. L. J. , Vrolijk J. W. G. A.
Published: July 2007

Stereographic (0001), (2110) and (1010) projections of α‐Fe2O3 are presented in the form of both figures and tables. These can also be used for α‐Al2O3, Cr2O3, Ti2O3 and V2O3, for which cases the maximum occurring deviations are indicated.
Multi‐stage work hardening in soft KCl crystals
Authors: Komnik S. N. , Bengus V. Z. , Ponomarenko I. T.
Published: July 2007

In order to verify notions about the nature of the stage behaviour in KCl crystals the influence of purity and dimensions of KCl crystals on the stage behaviour of the workhardening curve τ(ϵ) has been studied.

It is shown that in soft KCl crystals up to six stages of work hardening are observed. With increasing rigidity and decreasing sample dimensions (less than 2 mm2 cross section) the number of observable stages is reduced to three. As work hardening builds up the extent of odd stages (I, III, V) grows and that of even stages (II, IV) falls. The dependence of 1/γ on strain ϵ (γ‐activation “volume” of dislocation motion) for all the crystals studied is shown to replicate the τ(ϵ) curve. The rule of increasing the linear density of thermally surmountable obstacles on dislocations is the same for every pair of stages. This indicates that the nature of stages III and V is the same and caused by the activity of new slip systems oblique to the primarily active in stages II and IV, respectively.
Orientierte Einlagerungen von Nonylphenolpolyglykoläthern in Zwischenschichträumen von Montmorillonitkristallen
Authors: Hübner M.
Published: July 2007

Oxäthylierte Nonylphenole werden unter Betätigung von Wasserstoffbrückenbindungen an Montmorillonitoberflächen angelagert. Diese Verbindungen werden auch in den Zwischenschichträumen des Montmorillonites festgehalten und bilden Mono‐ und Doppelschichten. Die Art der Komplexe und die Orientierung der Moleküle in den Zwischenschichträumen werden diskutiert.