bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Contact potential difference measurements on real semiconductor surfaces by means of a point vibrating electrode
Authors: Sochański J.
Published: July 2007

Changes of contact potential are observed in inversion layers induced in germanium by applying a reverse bias voltage in the vicinity of a p‐n junction. Comparison is made with changes of surface potential calculated from simultaneous measurements of channel conductance. Agreement is good, showing that, under certain conditions, changes in the potential drop through the oxide layer can be neglected.
Nichtlineare Effekte der isolierten homogenen Präzessionsmode bei der ferromagnetischen Hauptresonanz
Authors: Klupsch Th. , Haubenreisser W.
Published: July 2007

Es wird untersucht, welchen Beitrag die isolierte, d. h. wechselwirkungsfrei angenommene homogene Präzessionsmode an den bei der Hauptresonanz beobachteten nichtlinearen Effekten hat. Den Betrachtungen wird die Landau‐Lifshitz‐Gleichung zugrunde gelegt, wobei nur der von der quantenmechanischen Austauschkopplung herrührende Term vernachlässigt wird. Das von Krylov und Bogoljuboff entwickelte Näherungsverfahren ermöglicht eine Behandlung der verschiedenen Problemstellungen unter einem einheitlichen Gesichtspunkt. Im einzelnen werden die Abhängigkeit der Resonanzfrequenz vom Präzessionswinkel der Magnetisierung um die Gleichgewichtsrichtung, die Dämpfungs‐ bzw. Relaxationseffekte sowie weitere, speziell für den sogenannten „foldover”︁‐Effekt charakteristische Kenngrößen untersucht.
Bemerkungen zur Kaskadentheorie für die Berechnung der Anzahl von Strahlendefekten in Festkörpern
Authors: Hauser O. , Balarin M.
Published: July 2007

Im Rahmen des Kaskadenmodells werden verschiedene Ableitungen für die Anzahl der strahleninduzierten Defekte verglichen. Die Energieverluste eines bewegten Atoms in einem Festkörper und ihr Einfluß auf die Anzahl der erzeugten Defekte werden schrittweise verfolgt und diskutiert. Die Voraussetzungen und Grenzen des Kaskadenmodells werden kritisch eingeschätzt. Anhand von Bestrahlungsversuchen an Kupfer wird ein Vergleich zwischen experimentell und theoretisch ermittelter Defektanzahl durchgeführt.
Reaktionskinetische Untersuchungen zur Relaxation der Photoleitung von Sulfidphosphoren
Authors: Voigt J.
Published: July 2007

Der An‐ und Abklingprozeß der Photoleitfähigkeit beim Ein‐ bzw. Ausschalten einer Belichtung wird in einem reaktionskinetischen Modell mit zwei diskreten Termgruppen in einer linearen Näherung untersucht. Es wird der Fall einer Ausläuferanregung betrachtet. Ausführlich wird der Einfluß der Temperatur und der Intensität einer zusätzlichen konstanten Belichtung auf die Relaxationszeiten und die Amplituden der An‐ bzw. Abklingfunktionen untersucht. Besonders wird der Zusammenhang dieser Größen mit der Superlinearität des stationären Photostromes mit der Lichtanregung diskutiert.
Über die Verfärbung künstlicher CaF2‐Kristalle hoher Reinheit
Authors: Görlich P. , Karras H. , Lehmann R.
Published: July 2007

Calciumfluoridkristalle, die aus sehr reinen synthetischen Präparaten hergestellt worden waren, wurden im Metalldampf, durch Stromdurchgang und durch Deuteronenbeschuß verfärbt und ihre Verfärbungsspektren ausgemessen. Es wird versucht, die Ergebnisse in allgemein gehaltenen Zügen zu diskutieren.
The Critical Shear Stress needed for the Operation of a Dislocation Segment as a Frank‐Read Source in Anisotropic Crystals
Authors: Kovács I.
Published: July 2007

On the basis of a result obtained by DE WIT and KOEHLER an exact formula has been derived for the critical shear stress of a Frank‐Read source, which can be applied to anisotropic crystals as well. Application of this formula in a few numerical cases shows that the effect of the anisotropy can be neglected for face‐centred cubic crystals, but has to be taken into account for hexagonal crystals such as graphite.
Optische und elektrische Erscheinungen in LiF‐Kristallen mit Kobalt
Authors: Huml K. , Bohun A.
Published: July 2007

Meßergebnisse der Absorption, thermostimulierten Exoelektronenemission und Lumineszenz von unbestrahlten und röntgenbestrahlten LiF‐Kristallen mit Kobalt‐Dotierung werden mitgeteilt und unter der Annahme der Bildung von Kobaltkomplexen und Kobalt‐aggregaten diskutiert.
The Electret Effect in Paraffin Wax
Authors: Gomulkiewicz J.
Published: July 2007

Electrets are prepared from pure parraffin wax by irradiation with β‐rays followed by formation in a constant electric field. The charge of the electrets is measured by means of the inductive method and with Faraday cylinder. The dependence of the electret charge on intensity of forming field, forming time, irradiation time, and storage time after irradiation, and the permanence of the charge, are investigated. Electrets prepared in this way have charges of the same order of magnitude as thermic electrets made from carnauba wax and formed in similar forming fields.
Über die Ultrarot‐Lumineszenz von Zinksulfid‐Kristallen
Authors: Schulz H.‐J.
Published: July 2007

Zur Klärung des Mechanismus der Ultrarot‐Lumineszenz von Zinksulfid und seiner Beziehungen zur sichtbaren Lumineszenz und zur Photoleitung wurden an einem synthetischen ZnS‐Kristall im Temperaturbereich zwischen 4 und 300 °K und im Spektralgebiet 0,3 μm ≦ λ ≦ 2,5 μm zahlreiche optische und elektrische Eigenschaften untersucht. Die Versuchsergebnisse lassen sich mit einem Energiemodell des Leuchtzentrums deuten, das auch die sichtbare Lumineszenz umfaßt und bei dem die Ultrarot‐Emission Elektronenübergängen zwischen zwei diskreten Störtermen des Zentrums zugeordnet wird. Die Struktur der Ultrarot‐Emission ensteht durch eine Wechselwirkung mit gequantelter Energieübertragung zwischen der Störstelle und dem Grundgitter.
Color Center Formation by Pulse Irradiation of Alkali Halides
Authors: Schulman J. H. , Boag J. W.
Published: July 2007

Preliminary observation is made of the absorption spectra of four alkali halides (LiF, NaCl, KCl, and KBr) at various intervals after bombardment, at room temperature, with a 2 microsecond pulse of 2 MeV electrons. The absorption is measured spectrographically using an underwater uranium spark light source which can be triggered either “simultanously” with the electron beam or after a predetermined delay of a few microseconds or longer. In addition to the expected intense and persistent F‐bands, transient absorption bands in the ultraviolet are observed in all cases, some with lifetimes of the order of a few tens of microseconds at room temperature, and others which persist along with the F‐band. These transient bands appear to be due to trapped‐hole centres such as the VK‐, H‐, or V1‐centres, which previously have been observed only at low temperatures.
Remarques concernant la théorie classique de la diffusion et les modèles du type “sphère dure”
Authors: Frère R.
Published: July 2007

Les collisions entre „systèmes atomiques”︁ ont été, bien souvent, représentées par un modèle du type „billes de billard”︁.

D'une part, nous avons développé un calcul de perturbation permettant d'approcher la solution exacte du problème de diffusion considéré.

D'autre part, nous avons construit une généralisation mathématique de la notion de sphère dure, qui est susceptible de représenter beaucoup mieux que le modèle „billes de billard”︁ les caractéristiques physiques du processus étudié.
Electrical Resistivity Change of Silver and Gold Due to Large Plastic Strains
Authors: Kovács I. , Nagy E.
Published: July 2007

The change in the electrical resistivity of polycrystalline silver and gold wires of 99.99% purity is measured when these wires are subjected to various simultaneous torsion and extension derformations at liquid nitrogen temperature. It is found that the increase in resistivity depends only on the total strain, irrespective of the individual amounts of torsion and extension. The resistivity increase as a function of strain, is given by Δϱ = A ϵ2 + B ϵ. The numerical values lead to estimates of the point defect, or dislocation concentration resulting from the deformation.
The Systematic Determination of Crystallographic Orientations from Three Octahedral Traces on a Plane Surface
Authors: Drazin M. P. , Otte H. M.
Published: July 2007

The problem of determining the orientation of a crystal from the directions of three nonparallel traces formed by the intersection of three octahedral planes with the surface of a suitably prepared specimen has been solved completely for the first time. A full analytical treatment is presented, and it is shown that there are either four or eight orientations. For practical purposes three procedures to calculate the orientation are suggested: a graphical method, an analytical method and an electronic computer method. These are described in sufficient detail to permit direct application to specific cases.

The salient feature of our analytical approach is the introduction of the locus of a certain point C. This locus has a number of double points, whose positions depend on the primary variables. The exact locations of these double points have been determined and can be used to make a rapid plot of the locus.
Das elastische Verhalten von Flußspat und strukturverwandten Kristallen
Authors: Haussühl S.
Published: July 2007

Elastische und thermoelastische Konstanten sind an folgenden acht Substanzen gemessen worden: CaF2, BaF2, N2H6Cl2, Sr(NO3)2, Ba(NO3)2, Pb(NO3)2, Ni(NH3)6(NO3)2 und Mg(H2O)6(BrO3)2. Das ähnliche elastische Verhalten bestätigt die strukturellen Beziehungen in dieser Kristallgruppe. Die an isotypen Kristallen beobachteten Gesetzmäßigkeiten sind qualitativ gültig. Ni(NH3)6(NO3)2 zeigt anomale thermoelastische Effekte infolge der bekannten Strukturumwandlung.
Ätzuntersuchungen an hexagonalen Selen‐Einkristallen
Authors: Eckart F. , Henrion W.
Published: July 2007

Durch Sublimation im Hochvakuum hergestellte hexagonale Se‐Einkristalle werden in heißer konzentrierter Schwefelsäure geätzt. Auf natürlichen (101‐Flächen treten charakteristische Ätzhügel und ‐punkte auf. Die Ätzhügel bilden eine Kleinwinkel‐Korngrenze.

Kurzzeitiger Angriff von heißer konzentrierter Schwefelsäure liefert flache Ätzfiguren. Bei Ätzung einer durch Schleifen hergestellten (1012)‐Fläche mit einer Mischung aus konzentrierter Schwefelsäure und konzentrierter Salpetersäure bilden sich 6‐flächige regelmäßige Pyramiden.
Berechnung der Beweglichkeit heißer Elektronen in Mehrtalhalbleitern durch iterative Quadraturen II. Durchführung der Rechnung für Germanium
Authors: Franz W.
Published: July 2007

Das in Teil I beschriebene Verfahren wird für Germanium bei 80 °K in etwas modifizierter Gestalt durchgeführt. Für Feldstärken oberhalb einiger kV/cm ergeben sich Ab‐ weichungen vom Experiment (zu späte Sättigung der Driftgeschwindigkeit), welche vermutlich auf die nichtparabolische Gestalt der Energieflächen zurückzuführen sind.
Stress Relaxation in Magnesium at Low Temperatures
Authors: Feltham P.
Published: July 2007

Logarithmic stress relaxation in polycrystalline magnesium of 99.999% purity was studied at strains of up to 4% at 77‐295 °K. The energy barrier of 0.74 ± 0.05 eV, associated with the relaxation, was found to be numerically equal to that known to control the temperature dependence of the flow stress of magnesium single crystals in simple glide. The observations are explained on the assumption that the relaxation arises from residual glide of basal dislocations impeded by the frictional drag of elementary intersection jogs.
Thermal Etching of Sodium Chloride
Authors: Grinberg A.
Published: July 2007

Preliminary results obtained with NaCl thermally etched in air for short periods (from 15 min to 4 h) are reported. It is found that several surface structures appear successively with the corresponding transition patterns, emphasising the dynamic character of the process. The results are interpreted in terms of the classical theories of crystal growth, and as such, offer a direct confirmation of them.
On the Dynamical Theory of Different Types of Electron Microscopic Transmission Fringe Patterns
Authors: Gevers R.
Published: July 2007

The amplitudes of the waves transmitted and diffracted by a series of superposed parallel plate‐shaped crystals are calculated. The two‐beam case is considered, i.e. in each crystal only one family of lattice planes is near to the exact Bragg orientation for reflection. Each crystal is defined by its extinction distance, its absorption length, the phase‐angle of the Fourier coefficient of the potential, and the reciprocal lattice vector determining the set of reflecting lattice planes. These quantities are generally assumed to be different for each crystal. The formulae remain valid if one or more of the crystals are replaced by vacuum layers. The expressions for the case of a sequence of parallel stacking faults can be obtained as particular results.

The formulae can also be applied if the superposed crystals are not plate‐shaped and are stacked in an arbitrary way, provided the column approximation is assumed. A short, but not exhaustive, review is given of the different types of fringe patterns which may occur.
Die Schubspannungsverhältnisse in Nebengleitsystemen von hexagonalen Kristallen mit dichtester Kugelpackungsstruktur
Authors: švábová M.
Published: July 2007

In dieser Arbeit werden die Spannungsverhältnisse in möglichen Nebengleitsystemen in bezug auf das Hauptgleitsystem in hexagonalen Kristallen mit dichtester Kugelpackungsstruktur untersucht, und für Zn und Mg die spannungsmäßig begünstigten Nebengleitsysteme bestimmt.
Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p‐n‐Übergänge II. Die Sperrschichtkapazität
Authors: Antula J.
Published: July 2007

Für die Sperrschichtkapazität werden eine Anfangskapazität und ein Spannungskoeffizient eingeführt und deren Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung angegeben. Die Temperaturabhängigkeit der Sperrschichtkapazität bei verschiedenen Vorspannungen wird eingehend untersucht und eine Methode zur Kompensation des Temperaturganges der Sperrschichtkapazität diskutiert.
The Temperature Dependence of the Charge on Dislocations in NaCl and the Determination of the Separate Free Energies of Formation of Positive‐ and Negative‐Ion Vacancies
Authors: Davidge R. W.
Published: July 2007

The temperature dependence of the sign of the charge on edge dislocations is investigated for several crystals containing low impurity concentrations. Below a certain critical temperature (from 400 to 550 °C depending on the crystal) the dislocations have a negative charge whilst above this temperature they have a positive charge. Results are analyzed in terms of the theory of charged dislocations; the free energies of formation (at 0 °K) of positive‐ and negative‐ion vacancies at dislocation jogs are found to be g = (0.95 ± 0.10) eV, g = (1.17 + 0.10) eV.
Raumladungsbegrenzte Ströme in hexagonalen Se‐Kristallen
Authors: Polke M. , Stuke J. , Vinaricky E.
Published: July 2007

An Se‐Einkristallen wurden Strom‐Spannungs‐Kennlinien zwischen − 180 und + 100 °C gemessen. Auf einen Ohmschen Bereich bei kleinen Spannungen folgt eine quadratische Strom‐Spannungs‐Abhängigkeit und bei etwa 100 V ein sehr steiler reversibler Anstieg des Stromes mit der Spannung. Die quadratischen Bereiche lassen sich qualitativ als raumladungsbegrenzte Ströme deuten, jedoch ergeben sich noch Schwierigkeiten bei der quantitativen Diskussion. Die Photoströme in diesen Kristallen zeigen bei Zimmertemperatur eine Sättigung, die zusammen mit dem quadratischen Gebiet der Dunkelstromkennlinie einsetzt. Bei tiefen Temperaturen ergibt sich dagegen bei diesen Spannungen noch keine Sättigung.
The Recovery of Neutron‐Irradiated Zinc
Authors: Nihoul J.
Published: July 2007

The recovery of the electrical resistivity of pure zinc is investigated after neutron irradiation at liquid nitrogen temperature. The main recovery stage is located around 105 °K. Two independent analytical methods point to an activation energy of about 0.21 eV and second order kinetics. This stage is ascribed to the migration of interstitials to vacancies and may be compared with stage III of the f.c.c. and b.c.c. metals. A second, but less pronounced, recovery stage around 155 °K is associated with an activation energy of 0.50 eV and may be due to vacancy migration.
Representations of 16 Space Groups from the Class D4h
Authors: Olbrychski K.
Published: July 2007

A detailed example of the method of finding representations of a space group with the help of the abstract definition of the group is given. A list of all the irreducible representations of the double space groups D ‐ D is presented.
Exchange Correlations in Statistical Model and the Cohesive Energy of Solids
Authors: Olszewski S.
Published: July 2007

A method of calculating the cohesive energy of solids, using a statistical approximation, is presented.

The cohesive energy is found by introducing, into a statistical model, the local density correction which takes into account the finite volume produced by the exchange holes in the electron gas. The correction reduces the density of the electron gas, so that its influence is opposite to that of the charge accumulation due to the energy reduction by the exchange term.

As a result two distinct states occur for atoms in which exchange is considered. In one state, that of the free atom, the electron density at the boundary is zero and the boundary of the atom lies at infinity. The second state represents the atom in a crystal; the atomic dimensions are finite and the electron density at the boundary is equal to that of the Thomas‐Fermi‐Dirac model. The difference in energy between the atom in the first and second states is positive and provides the energy of cohesion. The lattice parameter can be obtained from the atomic radius in the second state. Numerical calculations are performed for the Kr atom.
Group Analysis of Lattice Vibrations of Cubic Perovskites ABO3
Authors: Dvořák V.
Published: July 2007

The degeneracy of normal vibrations is investigated for an arbitrary wave‐vector of the Brillouin zone, and some conclusions are drawn about their properties in the [0, 1, 0], [1, 1, 0] and [1, 1, 1] directions.
Théorie des chaînes de collisions focalisantes (IV)
Authors: Frére R.
Published: July 2007

Faisant suite à 3 publications

I:R.FRÈRE, phys. stat. sol. 3, 1252 (1963); II: phys. stat. sol. 3, 1441 (1963); III: phys. stat. sol. 3, 1453 (1963).

consacrées à l'étude théorique des chaînes de collisions focalisantes proprement dites, cette étude concerne les effets que celles‐ci peuvent avoir sur les processus de „thermalisation”︁.

D'une part, nous avons généralisé le modèle de BRINKMANN afin de rendre compte de l'influence des chaîes focalisantes sur la distribution initiale des pointes thermiques. Il apparaît alors que la „zone dense”︁, contenant les interstitiels, est entourée d'une „zone purement excitée”︁ dont l'épaisseur moyenne dépend de la portée des chaînes de focalisation.

D'autre part, nous avons analysé l'évolution d'une pointe thermique au cours du temps. Il est de coutume dans la littérature d'appliquer à ce problème la théorie macroscopique de l'écoulement de la chaleur; il semble cependant qu'un traitement microscopique soit nécessaire.
Lattice Parameters and Paramagnetic Susceptibility of Nickel‐Rich Nickel‐Niobium Solid Solutions
Authors: Arajs S. , Chessin H. , Colvin R. V.
Published: July 2007

The lattice parameters of solid solutions of niobium in nickel have been determined up to 8 atom percent niobium. The plot of lattice parameter vs composition is a straight line over the range investigated. A method based on atomic volumes of the solutes and solvent, assuming a linear relationship between concentration and atomic volumes, is capable of predicting the lattice parameters of nickel‐niobium solid solutions with reasonable accuracy.

The paramagnetic susceptibility of nickel‐niobium alloys has been measured up to about 1500 °K for the first time. This paramagnetism is describable by a modification of the Curie‐Weiss law, by addition of another susceptibility contribution, 𝔵a. The quantity 𝔵a, which generally has been assumed to be independent of the temperature, was found to increase with increasing temperatures. Niobium in nickel does not follow the VOLKOV‐CHECHERNIKOV correlation between 𝔵a and the valence and concentration of the solute metal in nickel.
Bestimmung der Ordnungsenergie von α‐Cu‐Zn aus kalorischen Messungen
Authors: Wollenberger H.
Published: July 2007

Die in der quasichemischen Theorie geordneter Atomverteilungen auftretende Ordnungsenergie E0 wird aus kalorimetrisch bestimmten Rückbildungswärmen ermittelt. Für eine Legierung mit 31 Gew.‐% Zn ergibt sich ein Wert von 4,61 · 10−2 eV. Unter Verwendung dieses Wertes wird der Cowleysche Nahordnungsparameter als Funktion der Temperatur errechnet.
Thermal Etching on Ice Crystals
Authors: Levi L. , De Micheli S. M. , Lubart L.
Published: July 2007

Thermal etching is studied in pure ice and ice doped with NaCl. Previous work indicates that etch pits on the ice surface, which show the orientation of the crystals, may be obtained using the formvar technique.

In the present work, the evaporation rate is controlled by keeping the samples in nearly hermetic enclosures. Etch pits limited by low index planes have been obtained on pure ice surfaces. However the doped ice surface is generally smooth, or, in some cases, it shows a structure of small cells which do not follow the symmetry of the crystals. These results are compared with some features of thermal etching on metals.
Ein neuer Mechanismus zur Sättigung von Photoströmen
Authors: Kiess H. , Stöckmann F.
Published: July 2007

In der vorhergehenden Arbeit [1] wurde gezeigt, daß die an CdS‐Kristallen beobachteten gesättigten Photoströme mit den bisher bekannten Mechanismen nicht erklärt werden können. Aus dem Potentialverlauf zwischen den Elektroden ist jedoch ersichtlich, daß bei Sättigung des Stromes die Feldstärke einen Grenzwert auch bei weiterer Spannungserhöhung nicht überschreitet. Daraus wird auf eine feldstärkebedingte Leitfähigkeitserniedrigung geschlossen, die etwa durch Feldemission von Minoritätsträgern zustande kommt. Mittels eines Arguments aus der Thermodynamik irreversibler Prozesse erhält man dann in der Strom‐Spannungs‐Kennlinie einen Spannungsbereich, in dem der Strom konstant, also gesättigt ist.
Zur Theorie der Sekundärelektronenemission Der Transportprozeß. I. Formulierung des Problems
Authors: Puff H.
Published: July 2007

Im Rahmen der Theorie des Volumeneffektes sowohl der Photoelektronen‐ als auch der Sekundärelektronenemission wird der Transportprozeß der angeregten Elektronen gewöhnlich durch eine Boltzmann‐Gleichung beschrieben. Auf Grund des Potentialsprungs an der Oberfläche ist diese Gleichung ziemlich komplizierten Randbedingungen unterworfen. Unter der Annahme, daß angeregte Elektronen als frei angesehen werden können, wird das ganze Transportproblem in eine Integralgleichung transformiert. Der Vorteil dieser Beschreibung besteht z. B. in ihrer engen Analogie zur phänomenologischen Theorie. In den folgenden Teilen dieser Arbeit wird dieser Formalismus zur Untersuchung einiger Modellannahmen sowohl für den Streumechanismus als auch für die Ortsabhängigkeit der Anregungsfunktion benutzt.
Constantes élastiques du tellure entre 100 °K et 300 °K
Authors: Malgrange J.‐L. , Quentin G. , Thuillier J.‐M.
Published: July 2007

Les six coefficients indépendants de la matrice des constantes d'élasticité du tellure ont été mesurés entre 100 °K et 300 °K grâce à une méthode d'échos ultrasonores.
Über die Bildung von Großwinkelkorngrenzen während der Verformung von Metall‐Einkristallen
Authors: Buck O. , Essmann U.
Published: July 2007

Ein Kupfer‐Einkristall, dessen Ausgangsorientierung in der Nähe der [001]–[011]‐Symmetralen des Orientierungsdreieckes lag, wurde im Zugversuch bei 4,2 °K verformt. Neben dem üblichen Gleitlinienbild zeigten sich auf der Kristalloberbläche Verformungsinhomogenitäten (Striemen), die mit Hilfe des Elektronenmikroskops durchstrahlt wurden. Dabei zeigte sich überraschend, daß während der plastischen Verformung des Einkristalls Großwinkelkorngrenzen entstehen, die ein zum Kristallgitter um etwa 25 bis 32° gedrehtes Gebiet umschließen. Die Bildung dieser Großwinkelkorngrenzen, die im folgenden ausführlich diskutiert wird, stellt einen Modellfall der Rekristallisation dar.
Durch bewegte Versetzungen induzierte elektrische Effekte in NaCl‐ und KCl‐Kristallen
Authors: Fröhlich F. , Suisky D.
Published: July 2007

Es wird über eine Anordnung zur Untersuchung der bei plastischer Deformation von Alkalihalogenidkristallen auftretenden Ladungstrennung berichtet, die eine eindeutige Aussage über das Vorzeichen der elektrischen Ladung von Versetzungslinien gestattet, die unter der Einwirkung einer Schubspannung über endliche Strecken im Gitter bewegt worden sind. Weitere Experimente mit NaCl‐ und KCl‐Einkristallen liefern eine charakteristische Abhängigkeit der erzeugten Ladung von der Dotierung mit Ca‐ und OH‐Ionen und von der thermischen Vorgeschichte der Proben. Es ergibt sich, daß bewegte Versetzungslinien sowohl eine positive als auch eine negative elektrische Ladung tragen können. Das Vorzeichen der Ladung richtet sich bei einem vorgegebenen Kristall nach der Konzentration der Leerstellen, mit denen die Versetzungen bei ihrer Bewegung durch das Gitter in Wechselwirkung treten.
On the Theory of the d‐Electron Covalency in Ionic Crystals
Authors: Šimánek E. , Šroubek Z.
Published: July 2007

The method of calculating the covalency parameter λ is examined, with reference to the unrestricted Hartree‐Fock method. The results of the calculations carried out for the (NiF6)4− complex indicate that the unrestricted Hartree‐Fock method leads to considerably smaller values of λ than the method of maximizing the antibonding orbital energy used by Sugano and Shulman [3]. An approximate treatment of the self‐consistency is proposed, introducing delocalization of the σ‐orbitals into the one‐electron Hamiltonian. The modifications introduced by this treatment are especially significant in the method used in [3].
Zur Deutung der Orientierungsabhängigkeit des Verfestigungsanstiegs in Zinkkristallen
Authors: Boček M. , Lukáč P. , Švábová M.
Published: July 2007

Im Zusammenhang mit der Betätigung von Nebengleitsystemen wird die Orientierungsabhängigkeit der Kenngrößen im Bereich A der Verfestigungskurve von Zinkkristallen gedeutet. Es werden mögliche Versetzungsreaktionen zwischen Versetzungen im Basisgleitsystem und Versetzungen in pyramidalen Systemen analysiert. Als wesentlichstes Ergebnis folgt aus diesen Untersuchungen, daß in der Hauptsache Franksche Halbversetzungen als Hindernisse für die Gleitbewegung in Frage kommen.
Kontrasterscheinungen an Versetzungspaaren in Nickel–Aluminium‐Legierungen mit kohärenter Ausscheidung von geordneten Bereichen
Authors: Wilkens M. , Hornbogen E.
Published: July 2007

In Nickel–Chrom 80/20 Legierungen mit Aluminiumgehalten von 7,5 bis 12,9 At‐% Al wird gefunden, daß sich nach dem Abschrecken von 1100 °C Zonen der Phase Ni3Al (Gittertyp Cu3Au) ausscheiden, die mit der umgebenden ungeordneten Matrix bis zu Zonengrößen von etwa 300 Å kohärent bleiben. Bei schwacher Verformung nach Einstellen der Ordnung beobachtet man im Elektronenmikroskop paarweise auftretende Versetzungen, die durch die zwischen den Versetzungen aufgespannte Antiphasenwand der Überstruktur zusammengehalten werden. Der Abstand der Versetzungen liegt zwischen 50 und 500 Å.

Obgleich die paarweise auftretenden Versetzungen jeweils den gleichen Burgersvektor haben, ist der elektronenmikroskopische Kontrast der einen Versetzung schwächer als der Kontrast der anderen Versetzung. Diese Erscheinung ist um so ausgeprägter, je kleiner die Abstände sind. Sie kann bis zum Verschwinden des Kontrastes der einen Versetzung führen.

Zur Deutung dieser Erscheinung wird der elektronenmikroskopische Kontrast für nahe benachbarte Versetzungen mit Hilfe der kinematischen Kontrasttheorie berechnet. Für einen Spezialfall (zwei Schraubenversetzungen, (g, b) = ± 2 für die Einzelversetzung) kann die Kontrastamplitude in einfacher Weise geschlossen dargestellt werden. Die Ergebnisse der Rechnung stehen in guter Übereinstimmung mit den Beobachtungen.
Zur Theorie der Sekundärelektronenemission Der Transportprozeß. III. Die Ortsabhängigkeit der Anregung
Authors: Puff H.
Published: July 2007

Unter der Annahme isotroper Anregung wird der Zusammenhang zwischen der Ortsabhängigkeit der Anregung und den Verteilungen emittierter Elektronen untersucht. Für die bisher betrachteten Ansätze lassen sich Folgerungen in zweierlei Hinsicht ziehen. Einerseits führen sie zu charakteristischen Korrelationen zwischen Transmissions‐ und Reflexionsverteilungen, andererseits zu charakteristischen Abweichungen der relativen Energie‐Winkel‐Verteilungen von der cos‐Verteilung. Unter Benutzung dieser Resultate können aus geeigneten Experimenten Rückschlüsse auf die Ortsabhängigkeit der Anregung gezogen werden.
Positive Temperaturkoeffizienten der Lumineszenz und der Leitfähigkeit von ZnS‐Einkristallen bei Anregung mit 60 keV‐Elektronen
Authors: Klein W.
Published: July 2007

Es wird die Temperaturabhängigkeit verschiedener Emissionsbanden sowie der Leitfähigkeit von ZnS‐Einkristallen unter Anregung mit 60 keV‐Elektronenstrahlen untersucht. Das besondere Interesse dieser Arbeit gilt den positiven Temperaturkoeffizienten, die sowohl bei der Lumineszenz als auch bei der Leitfähigkeit auftreten.

Eine quantitative theoretische Untersuchung zeigt, daß sich diese positiven Temperaturkoeffizienten und die Verschiebung des Maximums der Lumineszenz bei einer Erhöhung der Anregungsdichte zu höheren Temperaturen zwanglos im Rahmen des Riehl‐Schönschen Modells erklären lassen. Von den positiven Temperaturkoeffizienten kann man auf die Haftstellentiefe schließen. Das hierbei erhaltene Ergebnis stimmt gut mit der aus Glowmessungen ermittelten Haftstellentiefe überein.
H3O+ Ion Energy Bands in Ice Crystals
Authors: Gosar P. , Pintar M.
Published: July 2007

A theory of the energy bands and mobility of H3O+ ions in ice crystals is presented. The mobility is determined by the second order processes which involve the emission of one phonon and the absorption of another phonon. The proton‐phonon interactions are rather complicated because of the narrowness of the ion bands. The variation principle is applied to the Boltzmann equation to derive the mobility.
The Energy of a Screw Dislocation in a Cubic Crystal
Authors: Head A. K.
Published: July 2007

Numerical calculations of the elastic energy of a screw dislocation in a cubic crystal are summarized in an approximate formula. This enables the energy to be estimated with an error of not more than 4% for a screw dislocation running in an arbitrary direction. The dependence of the energy on direction and on the elastic anisotropy of the crystal is discussed.
Zur Theorie des Kontrastes von elektronenmikroskopisch abgebildeten Gitterfehlern
Authors: Wilkens M.
Published: July 2007

Es wird die dynamische Theorie der Elektronenbeugung in gestörten Kristallen neu formuliert. Abweichend von den Differentialgleichungen von Howie und Whelan [2], die die Ortsabhängigkeit der Amplituden der primären und der reflektierten Welle beschreiben, werden in der vorliegenden Arbeit die Gitterstörungen dadurch berücksichtigt, daß die Anregungsstärken der Wellenfelder innerhalb des Kristalls als ortsabhängige Größen eingeführt werden. Man gelangt zu einfachen Differentialgleichungen, die auch im Falle dynamischer Beugung analytische Näherungslösungen erlauben. An einem Beispiel wird gezeigt, daß bereits eine erste Näherung qualitativ gute Übereinstimmung mit vergleichbaren Kontrastkurven zeigt, die Howie und Whelan mit elektronischen Rechenmaschinen gewonnen haben.
Raumladungsbegrenzte Photoströme in dünnen Schichten aus hexagonalem Selen
Authors: Polke M.
Published: July 2007

The dependence of current‐voltage characteristics, and potential distributions, on light intensity is measured at room temperature in thin photoconducting layers of polycrystalline Se. Theoretical calculations of the steady‐state potential distribution of an illuminated metalsemiconductor contact, and mono‐ and bimolecular recombination, agree well with the experimental results. They show that the potential distribution, and therefore the current‐voltage characteristic, are determined solely by the relation between the bulk and boundary concentrations of the one mobile carrier type. By fitting the experimental to the theoretical results, numerical values of carrier concentration p and mobility μ are obtained: μ ∼ 10−1 cm2/Vs, p ranges from 1011 cm−3 (in the dark) to 1013 cm−3 (for high intensity illumination). The boundary concentration pA ∼ 1012 cm−3 at the Se—Au contact was found to be independent of light intensity.
Slip Propagation Over the Grain Boundaries at Plastic Deformation of Fe‐3% Si Alloy
Authors: Kratochvílová N. , Šesták B.
Published: July 2007

The behaviour of slip bands on the boundaries between grains 5–10 mm in size is studied for an Fe‐3% Si alloy. The samples are deformed at room temperature by bending with a velocity of ∼ 10−5 cm · s−1. The dislocations in the slip bands are made visible by etching. It is found that the propagation of slip bands over the grain boundaries takes place by the nucleation of slip bands in the neighbouring grains. Nucleation occurs near a boundary, opposite the place where the dislocations accumulate on the opposite side of the boundary. Nucleation is caused by the additional stress from the accumulated dislocations.
Der spezifische elektrische Widerstand von elektronenstrahlzonengeschmolzenem Wolfram zwischen 1,4 und 27 °K
Authors: Berthel K.‐H.
Published: July 2007

The ideal resistance‐ratios of tungsten single crystals are studied over the temperature range of liquid‐helium, hydrogen, and neon. The crystals have residual‐resistance ratios R0/R(273) between 3 and 67 × 10−6. Between 1.4 and 4.2 °K the temperature dependence of the ideal resistance ratio is influenced considerably by the sample diameter. Within this range, for the purest sample, the mean free path of the current carriers is found to be larger than the sample diameter. Above 14 °K, all samples have the same ideal resistance ratio, and between 19 and 27 °K, this ratio is represented very well by the Bloch‐Grüneisen formula ri ∼ T5.
Theorie des stationären photomagnetoelektrischen Effektes in InSb
Authors: Richter G.
Published: July 2007

Die Theorie des stationären photomagnetoelektrischen Effektes (PME‐Effekt) wird für Halbleiter mit nichtparabolischer Energiebandstruktur formuliert. Entartung des Ladungsträgerensembles wird mitberücksichtigt. Rekombinationsprozesse werden nach einem definierten Modell behandelt. Ein wichtiges Ergebnis der Theorie ist die Unabhängigkeit des PME‐Feldes von sogenannten „Trapping„‐Effekten.
Sur quelques phénomènes transitoires présentés par l'émission exo‐électronique photostimulée des couches minces de Al2O3
Authors: Petrescu P.
Published: July 2007

On a étudié le temps de retard de l'émission électronique photostimulée des couches de Al2O3 en fonction de l'intensité de et l'épaisseur de la couche. La discussion des résultats conduit à la conclusion que le nombre des pièges électroniques de l'oxyde est probablement le facteur déterminant de ces phénomènes transitoires. On met en évidence l'analogie remarquable entre les courbes observées et celles „build‐up„ présentées par certaines substances phosphorescentes contenant également un grand nombre de pièges.
Photospannungen in Photoleitern II. Spezielle Fälle
Authors: Ruppel W.
Published: July 2007

Der in der vorangehenden Arbeit abgeleitete Ausdruck für die Photospannung wird auf den p—n‐Übergang, den Metall—Photoleiter‐Kontakt und die freie Oberfläche eines Photoleiters angewandt. Für kleine Beleuchtungsstärken, bei denen sich die Majoritätsträger‐Konzentration nicht ändert, ergeben sich dabei schon bekannte Ausdrücke. Berücksichtigt man bei starker Beleuchtung, daß die zusätzlichen Majoritätsträger‐ und Minoritätsträger‐Konzentrationen nicht gleich zu sein brauchen, lassen sich auch experimentell gefundene Effekte wie die Änderung des Vorzeichens der Photospannung als Funktion der Beleuchtungsstärke oder der Wellenlänge des eingestrahlten Lichts verstehen.
The Radiation Annealing of Frenkel Defects an Approach Based on a Simple Statistical Model
Authors: Lück G. , Sizmann R.
Published: July 2007

Radiation annealing is considered for the particular case of spontaneous recombination of a vacancy and an interstitial which lie closer together than a certain critical distance. By employing a simplified statistical method, a generalized theoretical dose curve is obtained. The theoretical results are applied to experimental data on deuteron‐ and alpha‐irradiated noble metals and nickel. These experimental data suggest that the number of unstable lattice positions of a vacancy around an interstitial, which give rise to the spontaneous recombination, is of the order of 150.
Veränderungen der Kristallstruktur einiger Oxyde, Karbonate und Titanate durch Neutronenbestrahlung
Authors: Hauser O. , Schenk M.
Published: July 2007

Die Einwirkung von Neutronenstrahlung auf die Kristallstruktur wird an Materialien untersucht, die bezüglich ihrer thermischen Phasenumwandlungen im kristallinen Zustand nach Buerger [6] als deplazive bzw. rekonstruktive Umwandlungen in 1. oder 2. Koordination bezeichnet werden. Die Bestrahlung erfolgte im Rossendorfer Forschungsreaktor. Die maximale Neutronendosis betrug 2 · 1020nvt, das entspricht ca. 2,8 · 1019 schnellen Neutronen/cm2 (E ≧ 1 MeV).

Bei BaTiO3 erfolgte eine strahleninduzierte Phasenumwandlung tetragonal → kubisch. Brookit und Quarz wurden nahezu metamiktisiert. Bei den übrigen Substanzen wurden keine Umwandlungen nach Bestrahlung beobachtet. Diese Ergebnisse wurden mit anderen aus der Literatur bekannten verglichen. Es scheint, daß Verbindungen mit thermisch deplaziver Transformation eher zu strahleninduzierten Phasenumwandlungen neigen als solche mit rekonstruktiver Umwandlung.
Electrical Properties and Cation Migration in MgMn2O4
Authors: Rosenberg M. , Nicolau P.
Published: July 2007

The influence of the cation migration process on the electrical properties of MgMn2O4 is investigated. By measuring the temperature dependence of the electrical resistance and thermoelectric power, it is possible to study the migration process of the cations in the spinel lattice, and to establish the temperature range in which the tetragonal‐cubic phasechange occurs. By using the thermoelectric power data it is possible to specify the valence formulae of samples which have been quenched or slow‐cooled from high temperature. The electrical conduction occurs by a hopping mechanism between the octahedral‐site Mn3+ and Mn4+ ions, and involves very low mobilities.
Direct Observation of Dislocations in Silicon Single Crystals Using a White X‐Ray Radiation Technique
Authors: Fiermans L.
Published: July 2007

In this paper a new method is described for the direct observation of dislocations in silicon single crystals. It is based on the use of white X‐ray radiation, and gives, on a single photograph, information about the Burgers vectors of the dislocations.
Ein neuer Beitrag zur Theorie der Gitterelektronen im äußeren homogenen Magnetfeld
Authors: Jannussis A.
Published: July 2007

Es wird eine Lösung der Schrödinger‐Gleichung angegeben, welche das Verhalten der Gitterelektronen im äußeren homogenen Magnetfeld beschreibt. Das Energiespektrum behält im allgemeinen seinen diskreten Charakter, obwohl eine geringe Verbreiterung der Energie‐Niveaus der freien Elektronen stattfindet. Für ein verschwindendes Magnetfeld geht die angegebene Energieformel in die bekannte Energieformel des Gitterelektrons über.
Semiconducting Properties of Cd3−xZnxAs2‐Type Solid Solutions
Authors: Żdanowicz L. , Żdanowicz W.
Published: July 2007

The Hall coefficient and resistivity of the solid solutions Cd3−xZnxAs2, formed by the pseudobinary system Cd3As2‐Zn3As2, are measured between 100 and 700 °K. The samples are found to be semiconducting, being n‐type for 0 ≦ x ≦ 1.35, and p‐type for 1.5 ≦ x ≦ 3. The transition from n‐to p‐type takes place at about 47 mole % Zn3As2 with a transition region of 2–3 mole% Zn3As2, an abrupt change in ΔE0 being observed in this transition region. These results show a close correlation with the X‐ray analysis of the system.
Eisenverteilung und Substruktur in zellular gewachsenen Aluminium‐Einkristallen
Authors: Barthel J. , Kunze J. , Scharfenberg R.
Published: July 2007

Die Verteilung von Eisen und die Substruktur wird in durch konstitutionelle Unterkühlung hexagonal‐zellular gewachsenen Aluminium‐Einkristallen untersucht. In Verbindung mit einer Abschätzung der Zellgrabentiefe und der Eisenanreicherung in ihnen [8] wird nachgewiesen, daß die beobachteten eisenreichen Phasen eutektischen Ursprungs sind. Ihr alleiniges Auftreten an Zusammenstoßstellen dreier Zellen weist darauf hin, daß die Zellgrabensohlen an diesen Stellen durch fortgesetzte konstitutionelle Unterkühlung in das Kristallinnere abbiegen, so daß sich Schmelzröhren bilden. In der Nähe der Dekantierungsfläche entlang der gesamten Zellgrenze gefundene Ausscheidungen sind kein Hinweis dafür, daß das Eisen während des Wachstums zunächst an den Zellgrenzen stark angereichert wird. Sie werden auf das Erstarren der Restschmelze in den Zellgräben nach dem Dekantieren zurückgeführt. Die vorgeschlagene Zellenform erklärt ohne Widerspruch zu der Vorstellung von Tiller [4], warum die Zellen keine Substruktur darstellen. Die Substruktur ist weitmaschiger als die Zellstruktur. Die Subgrenzen folgen Zellgrenzen und beeinflussen die Eisenverteilung.
Strukturänderungen von vielkristallinem Kupfer nach extrem hoher plastischer Verformung
Authors: Grewe H. G. , Kappler E.
Published: July 2007

Bei sehr großen plastischen Verformungen von Kupfer, wie sie durch Torsion zylindrischer Vollstäbe oder durch Walzen erreicht werden können, tritt eine Aufteilung der Kristallite in zahlreiche Bereiche verschiedener Orientierung auf. Die mittlere Größe der Bereiche wird bei hohen Verformungsgraden konstant. Sie ist umso kleiner, je tiefer die Verformungstemperatur ist. Hat man durch Tieftemperaturverformung ein feines Gefüge erzeugt, so erhält man nach anschließender Verformung bei Raumtemperatur ein gröberes Gefüge. Es wird angenommen, daß das bei hohen Verformungsgraden sich einstellende Gefüge das Ergebnis eines dynamischen Gleichgewichtes ist zwischen einem infolge zunehmender Verzerrung auftretenden Kornzerkleinerungsprozeß und einem dynamisch entweder durch Rekristallisation oder durch Subkornwachstum verursachten Kornwachstumsprozeß. Bei Raumtemperatur wurde statische Rekristallisation nachgewiesen. Die Gefügeuntersuchungen wurden elektronenmikroskopisch mit dem Nickelabdruckverfahren durchgeführt.
Electrical Resistivity of High Purity Iron from 300 to 1300 °K
Authors: Arajs S. , Colvin R. V.
Published: July 2007

Electrical resistivity of high purity (99.99 + %) iron has been studied as a function of temperature from 300 to 1300 °K. It has been found that the resistivity decreases by about 2% going from α to γ iron. Such a large change has not been previously observed. The temperature dependence of the electrical resistivity of α and γ iron near the α → γ transition is not the same as has been reported in older investigations. The resistivity at the Curie temperature does not exhibit a sharp anomaly but changes gradually with temperature.
Deformations‐ und Rißstrukturen in NaCl‐Kristallen bei der Stoßbearbeitung
Authors: Meyer K. , Gragert E.
Published: July 2007

Es werden die bei der Stoßbearbeitung von (100)‐NaCl‐Oberflächen bei Temperaturen von −130 °C beobachteten Verformungsstrukturen in Abhängigkeit von der kinetischen Energie beschrieben. Bei geringen Stoßenergien bilden sich ausschließlich Schraubengleitbänder, denen sich bei höheren Energien Stufengleitbänder überlagern. Bei weiterer Steigerung der kinetischen Energie der Kugeln werden Risse sichtbar, die in (110)‐ und (100)‐Ebenen verlaufen und sich nur selten in kristallografisch undefinierten Ebenen ausbreiten. Durch sukzessives Abtragen und Ätzen wird die räumliche Anordnung der durch den Stoß erzeugten Risse im Kristall bestimmt.

Schematische Modellstrukturen verdeutlichen den komplizierten Rißverlauf. Die beobachteten Risse lassen sich z. T. durch Versetzungsreaktionen deuten. Es wird angenommen, daß die sich aus der Hertzschen Stoßtheorie ergebenden maximalen Schubspannungen im Innern des bearbeiteten Kristalles Einfluß auf die Geometrie der beobachteten Rißstrukturen haben.
Photoleitfähigkeitsuntersuchungen an CdS‐ und CdSe‐Einkristallen mit einer kontaktfreien Mikrowellenmethode
Authors: Dziesiaty J.
Published: July 2007

Unter Voraussetzungen, die für hochohmige Sulfidphosphore in einem weiten Leitfähigkeitsbereich gut erfüllt sind, hängen Absorptionskonstante und Reflexionsvermögen im Mikrowellenbereich linear von der Gleichstromleitfähigkeit ab, so daß Leitfähigkeitsänderungen kontaktfrei durch Mikrowellenmessungen ermittelt werden können. Es wurden Messungen der Photoleitfähigkeits‐Beleuchtungscharakteristik, des Anregungsspektrums der Photoleitfähigkeit und der Relaxationszeiten an CdS‐ und CdSe‐Einkristallen bei 9000 MHz im Temperaturbereich von −196 °C bis +150 °C durchgeführt. Dabei zeigte sich eine sehr gute Übereinstimmung mit Ergebnissen, die an denselben Proben nach Aufbringen „Ohmscher”︁ Kontakte mit Gleichspannung gewonnen wurden.
Slip Line Pattern and Work‐Hardening of Neutron Irradiated Copper Single Crystals
Authors: Diehl J. , Hinzner F.
Published: July 2007

The development of the slip line pattern during deformation of neutron irradiated copper single crystals is investigated by electron microscopy at an intermediate neutron dose (5 × 1017 n/cm2). At such a neutron dose, according to the stress‐strain curves, the work‐hardening behaviour is rather different from that at low or at high neutron doses. Using a selected area replica technique, specific areas of the crystal surface are observed up to seven times after successive deformation steps. The numerous stages and substages of the stress‐strain curve are accompained by differences in the arrangement of the slip traces as well as by changes of the characteristic properties of individual slip traces. A tentative interpretation of work‐hardening in the investigated dose range can be based on these results.
Paramagnetic Resonance of NO2‐3 in Two Isostructural Cubic Crystals of Lead Nitrate and Strontium Nitrate
Authors: Žďénský K. , Šroubek Z.
Published: July 2007

Single crystals of Pb (NO3)2 and Sr (NO3)2 X‐irradiated at 90 °K are studied using electron spin resonance. The spectra of paramagnetic species having hyperfine structure due to a single nitrogen nucleus are measured at 90 °K. The principal values of g‐tensors and hyperfine tensors are determined; also the directions of their principal axes. The species in both crystals are tentatively assigned to NO2‐3. In the crystals of Pb(NO3)2, the superhyperfine structure assigned to the interaction with three Pb nuclei is also studied, and the principal tensor values of this superhyperfine interaction and the directions of their principal axes determined.
Optische Eigenschaften und Bandstruktur im System Se–Te
Authors: Stuke J. , Keller H.
Published: July 2007

An Se‐ und Te‐Einkristallen wurde das Reflexionsvermögen R bei Polarisation des Lichtes parallel und senkrecht zur Kettenrichtung gemessen. Der Charakter des Reflexionsspektrums ist bei den Elementen ähnlich; R ist in beiden Fällen bei paralleler Polarisation größer als bei senkrechter. Die verschiedenen Maxima des Reflexionsvermögens lassen sich als Maxima des Brechungsindex n bzw. des Absorptionsindex k identifizieren und können in ein empirisches Bändermodell eingeordnet werden.

Reflexionsmessungen an polykristallinen Se—Te‐Legierungen zeigen bei einem n‐Maximum und dem zugehörigen k‐Maximum ein eigenartiges Verhalten. Die energetische Lage des n‐Maximums verschiebt sich beim Übergang von Te nach Se zunächst nicht und geht bei etwa 75% Selengehalt mit einem Sprung in das entsprechende Maximum von Se über. Das zugehörige k‐Maximum zeigt einen schwächeren Sprung, und sein Betrag hat ein Minimum bei der gleichen Zusammensetzung. Auch diese Ergebnisse lassen sich an Hand des Bändermodells einheitlich deuten.