bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
New Materials-Theory-Based Model for Output Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
Authors: Albrecht J.D. , Ruden P.P. , Ancona M.G.
Published: September 2012

A new model is used to examine the DC output characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors. The model is based on the charge-control/gradualchannel approximation and takes into account the non-linear current vs. voltage characteristics of the ungated AlGaN/GaN heterostructure channel regions. The model also includes thermal effects associated with device self-heating. For the power dissipation levels considered for many applications, the thermal degradation of the carrier drift velocity is shown to cause a negative output conductance in saturation. The temperature is incorporated self-consistently into the model through the field and temperature dependent mobility obtained from Monte Carlo transport simulations for electron transport in GaN. Calculated results presented for the DC output characteristics of several AlGaN/GaN field effect transistors show a strong dependence on the thermal properties of the substrate material. The substrate materials considered in this work are sapphire, SiC, AlN, and GaN.
Optical Spectroscopy and Composition of InGaN
Authors: O'Donnell K.P. , Martin R.W. , White M.E. , Jacobs K. , Van der Stricht W. , Demeester P. , Vantomme A. , Wu M.F. , Mosselmans J.F.W.
Published: September 2012

Commercial light emitting devices (LEDs) containing InGaN layers offer unrivalled performance in the violet (∼400 nm), blue (∼450 nm) and green (∼520 nm) spectral regions. Nichia Chemicals Company has also produced amber InGaN LEDs with peak output near 590 nm. Here, we predict, on purely theoretical grounds, a surprisingly high limiting value of 1020 nm (peak) for InGaN intrinsic emission. We partly confirm this prediction by spectroscopic measurements of samples with photoluminescence (PL) peaks between 370 nm and 980 nm. In addition, we have measured the indium content of a range of light-emitting layers, using Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS), Extended X-Ray Absorption Fine Structure (EXAFS) and Energy Dispersive X-Ray Analysis (EDX). The PL peak energy is found to depend linearly on the indium fraction: violet-emitting layers have an indium content of ∼8%, blue layers ∼16% and green layers ∼25%. A linear extrapolation to the limit set by the Stokes' shift prediction, mentioned earlier, yields a limiting indium concentration of only ∼52%. The profound impact of these results on future extensions of nitride technology and current theoretical models of InGaN is briefly discussed.
Carrier Dynamics Studies of Thick GaN Grown by HVPE
Authors: Bunea G.E. , Ünlü M.S. , Goldberg B.B.
Published: September 2012

We present a comparison between optical properties of two samples grown by hydride vapor phase epitaxy, one directly on Sapphire substrate (non-ELO) and one epitaxial lateral overgrown (ELO) on SiO2 patterned Sapphire substrate. The ELO material shows an improvement of the UV emission and slight decrease of the yellow emission. The band edge emission is red shifted due to the relaxation of the compressive strain. In spite of the increase in the UV emission, the lifetime of the excitons in the ELO material is more than twice lower than non-ELO material. We attribute this to screening effects of the background electron concentration.
Deep Level Related Yellow Luminescence in P-Type GaN Grown by MBE on (0001) Sapphire
Authors: Salviati Giancarlo , Armani Nicola , Zanotti-Fregonara Carlo , Gombia Enos , Albrecht Martin , Strunk Horst P. , Mayer Markus , Kamp Markus , Gasparotto Andrea
Published: September 2012

Yellow luminescence (YL) has been studied in GaN:Mg doped with Mg concentrations ranging from 1019 to 1021 cm−3 by spectral CL (T=5K) and TEM and explained by suggesting that a different mechanism could be responsible for the YL in p-type GaN with respect to that acting in n-type GaN.

Transitions at 2.2, 2.8, 3.27, 3.21, and 3.44 eV were found. In addition to the wurtzite phase, TEM showed a different amount of the cubic phase in the samples. Nano tubes with a density of 3×109 cm−2 were also observed by approaching the layer/substrate interface. Besides this, coherent inclusions were found with a diameter in the nm range and a volume fraction of about 1%.

The 2.8 eV transition was correlated to a deep level at 600 meV below the conduction band (CB) due to MgGa-VN complexes. The 3.27 eV emission was ascribed to a shallow acceptor at about 170-190 meV above the valence band (VB) due to MgGa.

The 2.2 eV yellow band, not present in low doped samples, increased by increasing the Mg concentration. It was ascribed to a transition between a deep donor level at 0.8-1.1 eV below the CB edge due to NGa and the shallow acceptor due to MgGa. This assumption was checked by studying the role of C in Mg compensation. CL spectra from a sample with high C content showed transitions between a C-related 200 meV shallow donor and a deep donor level at about 0.9- 1.1 eV below the CB due to a NGa-VN complex. In our hypothesis this should induce a decrease of the integrated intensity in both the 2.2 and 2.8 eV bands, as actually shown by CL investigations.
The Effect of Nitrogen Ion Damage on the Optical and Electrical Properties of MBE GaN Grown on MOCVD GaN/Sapphire Templates
Authors: Young Alexander P. , Brillson Leonard J. , Naoi Yoshiki , Tu Charles W.
Published: September 2012

We have established a correlation between localized states responsible for mid-gap optical emission and film mobility of GaN grown under different nitrogen conditions. By imposing a deflector voltage at the tip of the plasma source, we varied the ion/neutral flux ratio to determine how N ions affect mid-gap luminescence and electrical mobility. Low energy electron-excited nanometer scale luminescence (LEEN) spectroscopy in ultrahigh vacuum (UHV) showed mid-gap emission intensities in the bulk that decreased in the ratio, 50 : 1.3 : 1 with increasing deflector voltage. Hall measurements indicated over a factor of two increase in mobility, and a factor of 8 decrease in residual charge density with increasing deflector voltage. The correlation of optical and electrical properties with a reduction in N ion flux suggests the primary role of native defects, such as N or Ga vacancies, in the mid-gap emissions.
Processing and Device Performance of GaN Power Rectifiers
Authors: Zhang A.P. , Dang G.T. , Cao X.A. , Cho H. , Ren F. , Han J. , Chyi J.-I. , Lee C.-M. , Nee T.-E. , Chuoa C.-C. , Chi G.-C. , Chu S.N.G. , Wilson R.G. , Pearton S.J.
Published: September 2012

Mesa and planar geometry GaN Schottky rectifiers were fabricated on 3-12µm thick epitaxial layers. In planar diodes utilizing resistive GaN, a reverse breakdown voltage of 3.1 kV was achieved in structures containing p-guard rings and employing extension of the Schottky contact edge over an oxide layer. In devices without edge termination, the reverse breakdown voltage was 2.3 kV. Mesa diodes fabricated on conducting GaN had breakdown voltages in the range 200-400 V, with on-state resistances as low as 6m Ωcm−2.
Development of Wide Bandgap Semiconductor Photonic Device Structures by Excimer Laser Micromachining
Authors: Zhao Qiang , Lukitsch Michael , Xu Jie , Auner Gregory , Niak Ratna , Kuo Pao-Kuang
Published: September 2012

Excimer laser ablation rates of Si (111) and AlN films grown on Si (111) and r-plane sapphire substrates were determined. Linear dependence of ablation rate of Si (111) substrate, sapphire and AlN thin films were observed. Excimer laser micromachining of the AlN thin films on silicon (111) and SiC substrates were micromachined to fabricate a waveguide structure and a pixilated structure. This technique resulted in clean precise machining of AlN with high aspect ratios and straight walls.
Metal/GaN Contacts Studied by Electron Spectroscopies
Authors: Dumont J. , Caudano R. , Sporken R. , Monroy E. , Muñoz E. , Beaumont B. , Gibart P.
Published: September 2012

Au/GaN and Cu/GaN Schottky contacts have been studied using X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Auger Electron Spectroscopy (AES). Clean and stoechiometric GaN samples were obtained using in situ hydrogen plasma treatment and Ga deposition. The growth of Cu and Au follows Stranski-Krastanov and Frank van der Merwe modes respectively. The interfaces are sharp and non-reactive. Schottky barriers of 1.15eV for Au/GaN and 0.85eV for Cu/GaN were measured using XPS.
Focused Ion Beam Etching of Nanometer-Size GaN/AlGaN Device Structures and their Optical Characterization by Micro-Photoluminescence/Raman Mapping
Authors: Kuball M. , Benyoucef M. , Morrissey F.H. , Foxon C.T.
Published: September 2012

We report on the nano-fabrication of GaN/AlGaN device structures using focused ion beam (FIB) etching, illustrated on a GaN/AlGaN heterostructure field effect transistor (HFET). Pillars as small as 20nm to 300nm in diameter were fabricated from the GaN/AlGaN HFET. Micro-photoluminescence and UV micro-Raman maps were recorded from the FIB-etched pattern to assess its material quality. Photoluminescence was detected from 300nm-size GaN/AlGaN HFET pillars, i.e., from the AlGaN as well as the GaN layers in the device structure, despite the induced etch damage. Properties of the GaN and the AlGaN layers in the FIB-etched areas were mapped using UV Micro-Raman spectroscopy. Damage introduced by FIB-etching was assessed. The fabricated nanometer-size GaN/AlGaN structures were found to be of good quality. The results demonstrate the potential of FIB-etching for the nano-fabrication of III-V nitride devices.
Spectroscopy in Polarized and Piezoelectric AlGaInN Heterostructures
Authors: Wetzel C. , Takeuchi T. , Amano H. , Akasaki I.
Published: September 2012

Uniaxial wurtzite group-III nitride heterostructures are subject to large polarization effects with significant consequences for device physics in optoelectronic and transport device applications. A central aspect for the proper implementation is the experimental quantification of polarization charges and associated fields. In modulated reflection spectroscopy of thin films and heterostructures of AlGaInN we observe pronounced Franz-Keldysh oscillations that allow direct and accurate readings of the field strength induced by polarization dipoles at the heterointerfaces. In piezoelectric GaInN/GaN quantum wells this dipole is found to induce an asymmetry in barrier heights with a respective splitting of interband transitions. This splitting energy appears to reflect in the transitions of spontaneous and stimulated luminescence in the well. From these experiments the polarization dipole is identified as controllable type-II staggered band offset between adjacent barrier layers which can extend the flexibility in AlGaInN bandstructure design. The derived field values can serve as important input parameters in the further interpretation of the entire system.
A Tem study of GaN Grown by ELO on (0001) 6H-SiC
Authors: Ruterana P. , Beaumont B. , Gibart P. , Melnik Y.
Published: September 2012

The misfit between GaN and 6H-SiC is 3.5% instead of 16% with sapphire, the epitaxial layers have similar densities of defects on both substrates. Moreover, the lattice mismatch between AlN and 6H-SiC is only 1%. Therefore, epitaxial layer overgrowth (ELO) of GaN on AlN/6H-SiC could be a route to further improve the quality of epitaxial layers. AlN has been grown by Halide Vapour Phase Epitaxy (HVPE) on (0001) 6H-SiC, thereafter a dielectric SiO2 mask was deposited and circular openings were made by standard photolithography and reactive ion etching. We have examined GaN layers at an early stage of coalescence in order to identify which dislocations bend and try to understand why. The analysed islands have always the same hexagonal shape, limited by {0110} facets. The a type dislocations are found to fold many times from basal to the prismatic plane, whereas when a+c dislocations bend to the basal plane, they were not seen to come back to a prismatic one.
Growth Kinetics of GaN Thin Films Grown by OMVPE Using Single Source Precursors
Authors: Fischer R. A. , Wohlfart A. , Devi A. , Rogge W.
Published: September 2012

We report the growth kinetics of GaN thin films using the single source precursor bisazido dimethylaminopropyl gallium (BAZIGA) in a cold wall reactor. Transparent, smooth, epitaxial (FWHM of the αGaN 0002 rocking curve = 129.6 arcsec) and stoichiometric GaN films were grown on c-plane Al2O3 substrates in the temperature range of 870 – 1320K and high growth rates were obtained (up to 4000 nm/hr). Film growth was studied as a function of substrate temperature as well as reactor pressure. Although high quality films were obtained without using any additional source of nitrogen such as ammonia, we have investigated the effect of ammonia on the growth and properties of the resulting films. The films obtained were characterized by XRD, RBS, XPS, AES, AFM, SEM and the room temperature PL spectroscopy of GaN films grown exhibited the correct near band edge luminescence at 3.45 eV.
Structure and Morphology Characters of GaN Grown by ECR-MBE Using Hydrogen-Nitrogen Mixed Gas Plasma
Authors: Araki Tsutomu , Chiba Yasuo , Nanishi Yasushi
Published: September 2012

GaN growth by electron-cyclotron-resonance plasma-excited molecular beam epitaxy using hydrogen-nitrogen mixed gas plasma were carried out on GaN templates with a different polar-surface. Structure and surface morphology of the GaN layers were characterized using transmission electron microscopy. The GaN layer grown with hydrogen on N-polar template showed a relatively flat morphology including hillocks. Columnar domain existed in the center of the hillock, which might be attributed to the existence of tiny inversion domain with Ga-polarity. On the other hand, columnarstructure was formed in the GaN layer grown with hydrogen on Ga-polar template.
Formation and Stability of the Prismatic Stacking Faultin Wurtzite (Al,Ga,In) Nitrides
Authors: Ruterana P. , Béré A. , Nouet G.
Published: September 2012

The formation of the {1210} stacking fault, which has two atomic configurations in wurtzite (Ga,Al,In)N, has been investigated by high resolution electron microscopy and energetic calculations. It originates from steps at the SiC surface and it can form on a flat (0001) sapphire surface. A modified Stillinger-Weber potential was used in order to investigate the relative stability of the two atomic configurations. They have comparable energy in AlN, whereas the 1/2<10 11>{1 210} configuration is more stable in GaN and InN. In GaN layers, only the 1/2<10 11>{1 210} configuration was observed. The 1/6<20 2 3> configuration was found in small areas inside the AlN buffer layer where it folded rapidly to the basal plane, and when back into the prismatic plane, it took the 1/2<10 11>{1 210} atomic configuration.
Surface Activity of Magnesium During GaN Molecular Beam Epitaxial Growth
Authors: Ramachandran V. , Feenstra R. M. , Northrup J. E. , Greve D. W.
Published: September 2012

Exposure of wurtzite GaN films grown on Si-polar 6H-SiC(0001) to magnesium during molecular beam epitaxy (MBE) has been studied. In the nitrogen rich regime of MBE growth, GaN films are known to grow with rough morphology. We observe on GaN(0001) that small doses of Mg act as a surfactant, smoothing out this roughness. An interpretation of this surfactant behavior is given in terms of electron counting arguments for the surface reconstructions. Previously, we have reported that larger doses of Mg lead to inversion of the Ga-polar GaN film to produce N-polar GaN. Several Mg-related reconstructions of the resulting GaN(000 ) surface are reported.
Effect of the Doping and the Al Content on the Microstructure and Morphology of Thin AlxGa1-xN Layers Grown by MOCVD.
Authors: Mazur J.H. , Benamara M. , Liliental-Weber Z. , Swider W. , Washburn J. , Eiting C.J. , Dupuis R. D.
Published: September 2012

AlxGa1−xN {x=30% (doped and undoped), 45% (doped)} thin films were grown by MOCVD on ∼2 µm thick GaN layer using Al2O3 substrate. These films were designed to be the active parts of HFETs with nsí product of about 1016(Vs)−1. The layers were then studied by means of transmission electron microscopy (TEM) techniques. In this paper, it is shown that the AlxGa1−xN layer thickness was non-uniform due to the presence of Vshaped defects within the AlxGa1−xN films. The nucleation of these V-shaped defects has taken place about 20 nm above the AlxGa1−xN/aN interface. Many of these Vshaped defects were associated with the presence of the threading dislocations propagating from the GaN/Al2O3 interface. We show that the density of these V-shaped defects increases with the doping level and also with the Al mole fraction in the films. The formation mechanism of the V-shaped defects seems to be related to the concentration of dopants or other impurities at the ledges of the growing film. This suggestion is supported by high resolution TEM analysis. The growth front between the V-shaped defects in the lower Al concentration thin films was planar as compared with F99W3.77 the three-dimensional growth in the doped, higher Al concentration film. This interpretation of the origin of the V-shaped defects is consistent with the observed lowering of the Schottky barrier height in n-doped AlGaN/Ni Schottky diodes.
Electrical Properties of Oxygen Doped GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Authors: Korotkov R.Y. , Wessels B.W.
Published: September 2012

Deliberate oxygen doping of GaN grown by MOVPE has been studied. The electron concentration increased as the square root of the oxygen partial pressure. Oxygen is a shallow donor with a thermal ionization energy of 27 ±2 meV. A compensation ratio of Θ = 0.3-0.4 was determined from Hall effect measurements. The formation energy of ON of EF = 1.3 eV, determined from the experimental data, is lower than the theoretically predicted value.
Activation of Beryllium-Implanted GaN by Two-Step Annealing
Authors: Sun Yuejun , Tan Leng Seow , Chua Soo Jin , Prakash Savarimuthu
Published: September 2012

For the first time, p-type doping through beryllium implantation in gallium nitride was achieved by using a new annealing process, in which the sample was first annealed in forming gas (12% H2 and 88% N2), followed by annealing in pure nitrogen. Variable temperature Hall measurements showed that sheet hole concentrations of the annealed samples were about 1×1013 cm−2 with low hole mobilities. An ionization energy of 127 meV was estimated with a corresponding activation efficiency of ∼ 100%. SIMS results revealed a relationship between the enhanced diffusion of Be and activation of the acceptors.
GaN 20-mm Diameter Ingots Grown from Melt-Solution by Seeded Technique
Authors: Sukhoveyev V.A. , Ivantsov V.A. , Nikitina I.P. , Babanin A.I. , Polyakov A.Y. , Govorkov A.V. , Smirnov N.B. , Mil'vidskii M.G. , Dmitriev V.A.
Published: September 2012

In this paper, we describe the seeded growth of ∼20 mm diameter 15 mm long GaN ingots from the melt-solution. This is the first successful attempt to conduct growth of GaN boule-crystals. GaN ingots were grown from Ga-based melt in the temperature range of 800-1000°C at less than 2 atm ambient pressure. Growth was performed at ∼2 mm/hr growth rate. X-ray diffraction revealed polycrystalline structure of the ingots. Homoepitaxial GaN layers were deposited by HVPE technique on the substrates, which were fabricated from the grown GaN ingots.
Preparation and Characterization of Single-crystal Aluminum Nitride Substrates
Authors: Schowalter Leo J. , Rojo J. Carlos , Yakolev Nikolai , Shusterman Yuriy , Dovidenko Katherine , Wang Rungjun , Bhat Ishwara , Slack Glen A.
Published: September 2012

Large (up to 10mm diameter) aluminum nitride (AlN) boules have been grown by the sublimation-recondensation method to study the preparation of high-quality single crystal substrates. The growth mechanism of the boules has been studied using AFM. It has been determined that large single crystal grains in those boules grow with a density of screw dislocations below 5×104 cm−3 while edge dislocations are at lower density (none were observed). High-quality AlN single crystal substrates for epitaxial growth have been prepared and characterized using Chemical Mechanical Polishing (CMP) and AFM imaging, respectively. Also, the differential etching effect of KOH solutions on the N and Al-terminated faces of AlN on vicinal c-faces has been investigated. In order to identify the N or Al-terminated face, convergent beam electron diffraction has been used.
Sol-Gel Non-hydrolytic Synthesis of a Nanocomposite Electrolyte for Application in Lithium-ion Devices
Authors: Souza Flávio L. , Bueno Paulo R. , Faria Ronaldo C. , Longo Elson , Leite Edson R.
Published: September 2012

A new nanocomposite electrolyte was synthesized using a simple non-hydrolytic sol-gel route without specific treatment of the reagents. The nanocomposite ion conductor was prepared with citric acid, tetraethyl orthosilicate and ethylene glycol, forming polyester chains. The time-consuming drying step that is a necessary part of most chemical syntheses was not required in the preparation of the present nanocomposite electrolyte of the polyelectrolyte class, because only Li+ is mobile in the polymeric chain. The effects of the concentration of Li, SiO 2 and SnO2nanoparticles were investigated in terms of Li+ ionic conductivity. Conductivity measurements as a function of the metal oxide nanocrystal content in the nanocomposite revealed a significant increase in conductivity at approximately 5 and 10 wt % of nanoparticles. The new nanocomposite conductor proved to be fully amorphous at room temperature, with a vitreous transition temperature of approximately 228K (−45°C). The material is solid and transparent, displaying an ionic conductivity of 10−4to 10−5 (O.cm)−1at room temperature presenting excellent reproducibility of all these characteristics. Cyclic voltammetry measurements indicate that the hybrid electrolyte possesses outstanding electrochemical stability.
Preparation, Characterization and Electrochemical Property of ZnCl2-doped Carbon Nanometer Material as the Anode of Lithium-ion Battery
Authors: Zhou D.F. , Zhao Y.L. , Chen Y.G. , Zhang X.Y. , Wang R.S.
Published: September 2012

Phenolic resin-based nanoscopic carbonaceous materials have been prepared by doping different proportions of ZnCl2 into phenolic resin (PR) precursor at various heat-treatment temperatures and characterized by means of Brunner-Emmett-Teller method (BET), X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and Raman spectroscopy analyses. The results show that as the ratio of PR to ZnCl2 is 1:3, the average size of grains and apertures are about from 40 to 60 nm and 3.86 nm, respectively, reaching nanometer level. When this material is used as electrode material of lithium ion battery, the reversible capacity the battery could be kept at 370 mA•h•g−1 after 10 charge/discharge cycles.
Estudo comparativo das domácias de fôlhas normais e domácias de fôlhas cujas plantas foram cultivadas com deficiências e excessos de micronutrientes (Fe, Mn, Mo, e Cu), em Coffea arabica L. variedade caturra K. M. C.
Authors: Barros Myrthes Apparecida Adamoli de
Published: September 2012

1. Quanto às características morfológicas, as domácias nas folhas tratadas não apresentaram diferenças apreciáveis, a não ser quanto à forma do orifício de entrada ou bôca, que ora é circular, ora é eliptico. Foram assinalados pelos nas adjacências da domácia. 2. Sob o ponto de vista anatômico, anotei na estrutura pequenas alterações na epiderme que reveste o interior da câmara e canal, constando de diferenças quanto ao tamanho, uniformidade, grau de cutinização e aspectos diversos nas- paredes externas das células. O tecido envolvente apresentou variações no número de camadas e na forma irregular de suas células.
Variation morphogeometrics of Africanized honey bees (Apis mellifera) in Brazil
Authors: Nunes Lorena A. , Araújo Edilson D. de , Marchini Luis C. , Moreti Augusta C. de C. C.
Published: September 2012

The morphometrics of the honey bee Apis mellifera L., 1758 has been widely studied mainly because this species has great ecological importance, high adaptation capacity, wide distribution and capacity to effectively adapt to different regions. The current study aimed to investigate the morphometric variations of wings and pollen baskets of honey bees Apis mellifera scutellata Lepeletier, 1836 from the five regions in Brazil. We used geometric morphometrics to identify the existence of patterns of variations of shape and size in Africanized honey bees in Brazil 16 years after the classic study with this species, allowing a temporal and spatial comparative analysis using new technological resources to assess morphometrical data. Samples were collected in 14 locations in Brazil, covering the five geographical regions of the country. The shape analysis and multivariate analyses of the wing allowed to observe that there is a geographical pattern among the population of Apis mellifera in Brazil. The geographical variations may be attributed to the large territorial extension of the country in addition to the differences between the bioregions.
Trophic ecology of Lontra longicaudis (Carnivora, Mustelidae) in lotic and semilotic environments in southeastern Brazil
Authors: Santos Lívia B. , Reis Nelio R. dos , Orsi Mário L.
Published: September 2012

Lontra longicaudis (Olfers, 1818) (Carnivora, Mustelidae) is a semi-aquatic animal spread through the Central and South America, except in Chile. The implantation of a hydroelectric power plant along a river alters the dynamics of the watercourse, transforming a lotic environment into a lentic or semilotic one, what can damage the otter's feeding. From April 2008 to March 2009 we analysed the otter's food habits in lotic (streamlet) and semilotic (hydroelectric reservoir) environments of Paranapanema Valley, in southeastern Brazil. Aiming to compare the otter's diet of these two environments, we analyzed statistically the frequency of occurrence of main items in the scats. Fishes represent the base of the diet both in the reservoir and in the streamlet and, despite of the total otter's diet showing up similarities in the two environments, the results evidenced modifications on the fish species consumed between them. In the reservoir the otters ate more exotic fish Oreochromis niloticus (Linnaeus, 1758) probably because it is an easy capture prey in this place. The fact that the otters get established and feed in the reservoir doesn't mean that this structure is benefic to the species because the food supplied for it consists mainly of exotic fish species.
Descrição de uma espécie nova de Hentziectypus e da fêmea de H. rafaeli (Araneae, Theridiidae)
Authors: Buckup Erica Helena , Marques Maria Aparecida L. , Rodrigues Everton Nei Lopes
Published: September 2012

Hentziectypus tayrona sp. nov. é descrita com base em um macho de Santa Marta, Colômbia. A fêmea de H. rafaeli Buckup & Marques, 1991, é descrita pela primeira vez e a distribuição é estendida a Bolívia e ao sul do Brasil.
A bela ordem incorpórea no filebo de Platão
Authors: Rachid Rodolfo
Published: September 2012

Neste artigo, pretendo analisar como o Filebo de Platão retoma alguns tópicos específicos da dialética platônica, empregando-os a fim de entender como a alma cognitiva pode ser afetada por prazeres falsos, por opiniões falsas e por imagens falsas. Este estudo visa a criticar certas leituras modernas do platonismo, especialmente a teoria esoterista, baseada na doutrina não escrita de Platão, cujo escopo central estipula um revisionismo da teoria platônica das Formas, defendendo a emergência de uma nova ontologia, explicada por dois princípios, o Um e a Díada ilimitada do grande e do pequeno, concebidos, assim, como princípio formal e princípio material.
O capital portador de juros em O Capital ou o sistema de Marx
Authors: Müller Leonardo André Paes , Paulani Leda Maria
Published: September 2012

O presente artigo busca estabelecer o local e a função do capital portador de juros em O Capital, visando com isso jogar luz sobre a estrutura eminentemente sistemática desta obra. Deste modo a obra máxima de Marx aparecerá muito próxima do idealismo alemão (particularmente de Fichte e Hegel), onde a questão da sistematicidade (da filosofia) foi sentida de maneira mais premente.
Uma "possibilidade impossível de dizer": o acontecimento em filosofia e em literatura, segundo Jacques Derrida
Authors: Fontes Filho Osvaldo
Published: September 2012

Este artigo focaliza certa "possibilidade impossível de dizer o acontecimento", motivo fértil nos últimos escritos de Derrida. A expressão "a possibilidade do impossível", emprestada do pensamento heideggeriano da Ereignis, concorre a uma ética aporética que repensa as figuras da responsabilidade face à "inapropriabilidade do que acontece". Nos lugares bem conhecidos da lógica derridiana da aporia - a justiça rebelde à regra, o "fantasma do indecidível" em cada acontecimento de decisão, a ilegalidade de toda invenção -, uma ética da alteridade propõe o sujeito apartado dos lugares da adequação a si, ao sabor da interpelação inderivável do acontecer. A dimensão da alteridade de toda decisão solicita a cada situação que se invente "a lei do acontecimento singular", promessa de originalidade. Ora, dizer a "singularidade incalculável e excepcional" do acontecimento é propósito que, para Derrida, somente se justifica como promessa de uma "monolíngua do outro", superfície comunicacional homogênea onde interromper a disseminação. Face às "reservas de indecidível" da ficção, essa promessa de unicidade conhece sua mais evidente impossibilidade, razão porque este artigo procura, por fim, avaliar a fertilidade desconstrutora da relação testemunho-ficção em literatura, nos momentos em que o pensamento de Derrida rompe com as categorias de verdade, de modo a revelar o literário como o "outro" do filosófico.
Os bens sociais são sempre bens convergentes?
Authors: Helfer Inácio
Published: September 2012

Uma interpretação corrente do fenômeno social ensina que todos os bens coletivos são bens convergentes. As concepções bem-estarista e utilitarista na economia e na filosofia, respectivamente, são os seus principais expoentes. A tese consiste em aceitar que "totalidades sociais" são inexoravelmente compostas de "partes" e que, por isso, na base de cada bem público ou social se encontrariam sempre os indivíduos, os quais seriam, em última análise, responsáveis pela sua existência. Assim, os bens públicos seriam bens para os quais convergem interesses e escolhas dos agentes sociais. O presente estudo mostra, em primeiro lugar, segundo a compreensão de Taylor, que nem todos os bens coletivos são bens convergentes. Alguns bens sociais podem ser considerados bens irredutivelmente sociais, cuja justificativa se encontra na reflexão sobre o significado. Em segundo lugar, aborda a contribuição que a noção hegeliana de eticidade teve sobre a formulação desse argumento.
Inteligibilidade e linguagem: pressupostos epistemológicos
Authors: Bastos Cleverson Leite
Published: September 2012

O presente artigo pressupõe que contextos científicos se reduzem a contextos linguísticos e que, assumindo uma tese wittgensteiniana, portanto, "o mistério não está nas coisas; está no confuso modo que adotamos para falar delas". Os pressupostos epistemológicos de tal tese fundamentam-se em quatro características da razão mesma, a saber, que: o exercício racional se faz mediante conceitos, até certo ponto inexatos e vagos; os conceitos elaborados pela atividade racional constituem-se em categorias para o pensamento; a atividade racional é discursiva, isto é, fixa-se, expressa-se e comunica-se por meio da linguagem; e, por final, o produto final da atividade racional são os contextos racionais ou contextos científicos que são, na verdade, contextos linguísticos.
Manda quem pode: a elite governante da cultura em Portugal (1976-2011)
Authors: Oliveira Patrícia , Vargas Carlos
Published: September 2012

Com base numa análise prosopográfica, este artigo incide sobre os padrões de recrutamento da elite governante da cultura. O universo em análise compreende os membros da elite governante da cultura em Portugal, desde o I ao XVIII Governos Constitucionais, no período entre 1976 e 2011. Esta análise tem em consideração as características demográficas (idade e género), as credenciais académicas, as carreiras profissionais e políticas, bem como eventuais competências no setor da cultura dos Ministros e Secretários de Estado da Cultura. Este artigo propõe igualmente, uma análise comparativa dos perfis desta elite governante, em Portugal.
A constituição do menemismo na província de Buenos Aires
Authors: Ferrari Marcela
Published: September 2012

A vitória de Carlos Menem no processo interno do partido peronista para escolha do candidato presidencial possibilita entender como uma seleção orientada por princípios democráticos e que, segundo projeções de alguns "renovadores", tinha que resultar na substituição definitiva dos elementos tradicionais do partido, acabou na restauração destes. Portanto, reconstruímos o avanço progressivo de Menem na provincial de Buenos Aires - o bastião peronista - entre janeiro de 1986 e julho de 1988. Resumimos o desempenho obtido nas eleições para a escolha de autoridades e candidatos a cargos governamentais. Também abordamos as razões para esse avanço eleitoral, enfatizando práticas e atores políticos em termos de: (a) a cooptação concertada de lideranças, que resultou na construção de um alicerce político capaz de mobilizar a adesão de membros de base, (b) o uso instrumental de aspectos formais inerentes ao processo eleitoral e (c) a campanha pré-eleitoral, que apresentou o "menemismo" como o autêntico peronismo - popular, personalista, em contato com as massas, capaz de reivindicar seus mitos - com impacto positivo sobre os filiados em tempos de crise social e política profunda. Essa crise foi atribuída ao governo nacional, ao qual o governador da província de Buenos Aires - seu principal oponente - era considerado demasiado próximo.
Reinventando governos locais durante a democratização: dinâmicas políticas e a criação de novos municípios no Brasil e na África do Sul
Authors: Vale Hélder Ferreira do
Published: September 2012

Este artigo estabelece uma ligação entre as mudanças institucionais dos governos locais e a autonomia local sob dinâmicas políticas federativas. Para tal efeito, o artigo examina como os governos locais no Brasil e na África do Sul ganharam autonomia administrativa e fiscal através da criação de novos municípios. Enfocando nos incentivos institucionais por trás dessas transformações, o artigo identifica e analisa como o aumento de municípios no Brasil e a redução de municípios Sul-Africanos afetaram o poder de seus respectivos governos locais. Os resultados da análise sugerem que, usando distintos processos de reinvenção de novos governos locais e a criação de instituições intergovernamentais de cooperação, os atores políticos locais em ambos os países aumentaram o seu poder vis-à-vis outras esferas de governo.
Ocorrência do ácaro fitófago Catarhinus tricholaenae Keifer (Acari: Diptilomiopidae) em cultivares de milho Bt
Authors: Fadini Marcos Antônio Matiello , Araujo Octavio Gabryel , Mendes Simone Martins , Marinho Cidália Gabriela Santos
Published: September 2012

O objetivo deste trabalho foi avaliar a ocorrência do microácaro-da-face-inferior-das-folhas-de-milho Catarhinus tricholaenae Keifer (Acari: Diptilomiopidae) em cultivares transgênicas de milho, contendo as proteínas Cry1F e Cry 1 A(b) e milho não Bt. Durante o período de junho de 2010 a janeiro de 2011, foram coletadas, quinzenalmente, cinco amostras aleatórias de quatro folhas em talhões de milho Bt, contendo a proteína Cry 1F e Cry 1 A(b), e de milho não Bt em áreas experimentais da Embrapa Milho e Sorgo, em Sete Lagoas, MG. As amostras de folhas foram vistoriadas por 15 minutos na região da nervura central, em busca de adultos de C. tricholaenae. Foram registrados 2.930 indivíduos de C. tricholaenae, sendo que 1.114 no milho Bt Cry 1F, 753 em Cry 1 A(b) e 1063 indivíduos em folhas das cultivares não Bt. As maiores abundâncias populacionais médias ocorreram nos meses de novembro e dezembro. Os fatores estágio fenológico das plantas e precipitação afetaram positivamente a abundância de C. tricholaenae. A abundância média do período de coleta de C. tricholaenae foi reduzida pela cultivar de milho contendo a proteína Cry 1 A(b). Esse é o primeiro registro de ácaros sobre cultivares de milho transgênico no Brasil.
Índices topográficos aplicados à modelagem agrícola e ambiental
Authors: Minella Jean Paolo Gomes , Merten Gustavo Henrique
Published: September 2012

Índices topográficos (IT) obtidos computacionalmente a partir do modelo numérico de elevação do terreno (MNE) têm sido incorporados em algoritmos computacionais aplicados na simulação de processos hidrológicos, erosivos e de transporte de poluentes. Por meio desses índices, zonas de acúmulo de umidade em uma bacia hidrográfica, por exemplo, podem ser previstas espacialmente através de IT, que levam em consideração efeitos de orientação de drenagem e declividade do terreno. Este trabalho tem como propósito o de apresentar uma revisão bibliográfica sobre esse tema e de demonstrar a aplicabilidade desses índices por meio de alguns exemplos, aplicada à modelagem agrícola e ambiental.
Idade de segregação do lenho juvenil e adulto pela variação da massa específica de açoita-cavalo
Authors: Peres Matheus Lemos de , Gatto Darci Alberto , Stangerlin Diego Martins , Calegari Leandro , Beltrame Rafael , Haselein Clóvis Roberto , Santini Elio José
Published: September 2012

O presente trabalho teve como objetivo estimar a idade de segregação do lenho de Luehea divaricata Mart. (açoita-cavalo) por meio da variação radial da massa específica. Para o desenvolvimento do estudo, foram coletadas dez árvores de duas regiões do Estado do Rio Grande do Sul. Foi retirado um disco por árvore, com aproximadamente 2cm de espessura a 0,10m de altura do tronco. De cada disco, retirou-se, com auxílio de uma serra-fita, uma bagueta central de 2,0cm de largura, bem orientada no sentido radial, incluindo a medula no centro, dividiu-se então a bagueta em duas amostras "A" e "B". A massa específica foi obtida da relação entre peso seco e volume úmido. O volume úmido foi determinado de acordo com a norma ASTM D 2395 - 93, 1995. A segregação dos lenhos foi encontrada por regressão linear simples dos dados de variação da massa específica no sentido medula-casca. Foi feita uma regressão linear na faixa crescente dos dados e outra na faixa decrescente. A intersecção das retas extrapoladas foi adotada como idade de segregação. Os resultados obtidos mostraram que o lenho de açoita-cavalo segrega em aproximadamente 26 anos para a região da Depressão Central e 23 anos para a região da Encosta Superior do Nordeste. Nos dados de variação de massa específica, foi feita uma análise de variância multifatorial. Constatou-se que há diferença significativa entre lenhos e entre regiões. Por outro lado, as amostras A e B de cada árvore não foram estatisticamente diferentes entre si.
Patologias genitais associadas à leishmaniose visceral canina
Authors: Oliveira Vinícius Vasconcelos Gomes de , Alves Leucio Câmara , SilvaJunior Valdemiro Amaro da
Published: September 2012

A leishmaniose visceral canina (LVC) é uma doença parasitária crônica causada por protozoários pertencentes ao gênero Leishmania. No Brasil, a transmissão se dá, principalmente, pela ação hematófaga de insetos vetores pertencentes à subfamília Phlebotominae, particularmente, a espécie Lutzomyia longipalpis. Todavia, a trasmissão vertical e venérea da LVC está presente. Os principais sinais clínicos observados nos animais acometidos pela LVC são linfoadenomegalia, dermatopatias, hepatoesplenomegalia, onicogrifose e oftalmopatias, contudo quadros atípicos podem ser observados, inclusive com o envolvimento do sistema genital. Dessa forma, o objetivo deste artigo é realizar revisão sobre as principais patologias genitais em cães machos e fêmeas com leishmaniose visceral (LV).
Inspected and non-inspected chilled chicken carcasses commercialized in Viçosa, MG, Brazil: microbiological parameters and Salmonella spp. occurrence
Authors: Cossi Marcus Vinícius Coutinho , Almeida Michelle Vieira de , Dias Mariane Rezende , Pinto Paulo Sérgio de Arruda , Nero Luís Augusto
Published: September 2012

Sixty samples of chilled chicken carcasses submitted (30) and not submitted (30) to Brazilian inspection services were analyzed to investigate if inspected and non-inspected chilled carcasses represented different food safety risks in the region of Viçosa, MG, Brazil. The mean counts of indicator microorganisms (mesophilic aerobes, Enterobacteriaceae, total coliforms and Escherichia coli) of samples belonging to the inspected and non-inspected lots did not present significant differences (P>0.05). Also, no significant differences (P>0.05) were observed for the numbers of Salmonella spp. and E. coli (higher than 2log cfu g-1) between samples submitted or not to inspection. Statistical differences were observed between the two sample classes only for the numbers of mesophilic aerobes higher than 4 and 5log cfu g-1 (P<0.05). The obtained results indicated the limitations of microbiological parameters to differentiate inspected and non-inspected chilled chicken carcasses commercialized in the specific studied area.
Equação de biomassa e estoque de carbono do pinhão manso, no município de Viçosa, MG
Authors: Toledo Diego de Paula , Jacovine Laércio Antônio Gonçalves , Torres Carlos Moreira Miquelino Eleto , Soares Carlos Pedro Boechat
Published: September 2012

O presente trabalho teve como objetivo estimar equações de biomassa e o estoque de carbono da cultura do Pinhão Manso (Jatrophacurcas L.). A área estudada localiza-se no município de Viçosa, MG. O plantio foi realizado em espaçamento 3,5x3,0m, em 4,64ha. Para quantificação da biomassa, foi utilizado o método direto e destrutivo, aplicado às árvores-amostra, que foram selecionadas de acordo com as medidas da altura, do diâmetro das copas e do número de ramos. A determinação da biomassa de cada árvore foi obtida pelo método da proporcionalidade. Os modelos testados foram adaptados de Spurr e de Schumacher & Hall, para biomassa aérea e biomassa total (biomassa aérea mais biomassa de raízes pivotantes). O estoque de carbono foi estimado através da multiplicação da biomassa seca pelo teor de carbono da matéria seca, que foi obtido pelo método da calcinação em mufla. A estimativa do CO2 equivalente estocado foi obtida pela multiplicação do estoque de carbono pelo fator 44/12. A equação que obteve melhor ajuste e que foi utilizada para determinação do estoque de carbono deste estudo foi a de Spurr, com os dados de biomassa total, B=0,7601*(DC2*H)0,8949, em que B = biomassa (kg); DC = diâmetro de copa (m); e H = altura (m). O estoque de carbono encontrado da cultura, no quarto ano, foi de 6,79MgC ha-1, correspondendo a 24,89Mg CO2(eq) ha-1. Os resultados mostram que o pinhão-manso é ambientalmente viável para elaboração de projetos MDL de florestamento/reflorestamento ou em projetos de carbono para mercados voluntários, agregando renda ao produtor rural e melhorando a atratividade financeira da cultura.
Thiamethoxam on the histological characteristics of sugarcane young roots
Authors: Martins Raphael Gonçalves , Martins Maria Bernadete Gonçalves , Silva João Marcelo , Pereira Marcelo Andrade , Appezzato-da-Glória Beatriz , Castro Paulo Roberto de Camargo e
Published: September 2012

Thiamethoxam is a systemic insecticide from the neonicotinoid group, nitroguanidin family which affects the nicotinic receptor acetyl choline in the insect membrane, wounding the nervous system and causing the death of the insect. It was used with success in the control of initial pests of several crops. It was considered that thiamethoxam has a bioactivator effect, because in the absence of insects promoted increase in vigor, development and productivity of crops. This work was carried out to verify if thiamethoxam causes histological changes in sugarcane roots. In this work, it was used optical microscopy, images arrest, tissue biometrics and statistical analysis, in young roots of sugarcane RB 83 5486 after the treatments with different thiamethoxam concentrations. It was determined changes in histological structure of tissues 7, 14, 21 and 28 days after the treatments, establishing its effects on root plant anatomy. It was verified that thiamethoxam increased root cortex width, increasing the vascular cylinder and the metaxylem vessel elements number in the vascular tissue until 21 days after application.
O psicólogo na UTI: reflexões sobre a saúde, vida e morte nossa de cada dia
Authors: Oliveira Eliane Caldas do Nascimento
Published: September 2012

O texto visa a investigar a constituição de noções de saúde, vida e morte por meio das práticas nas Unidades de Tratamento Intensivo, a partir da presença de um psicólogo. Como fundamentação teórica para reflexão, foram utilizadas referências da Antropologia, História e Psicanálise. A partir das observações e das experiências dos médicos, psicólogos e pacientes, verificou-se uma série de significações e saberes articulados na constituição das práticas para se manterem vivos os pacientes nas UTIs. As situações limite nessas unidades imprimem uma marca em quem ali passa, percebendo-se uma subjetividade vivida pelos indivíduos em suas experiências particulares.
Enlaces transferenciais: reflexões sobre a clínica psicanalítica no ambulatório hospitalar
Authors: Pinheiro Nadja Nara Barbosa
Published: September 2012

O presente artigo tem como objetivo apresentar a viabilidade e adequação do método e da técnica psicanalíticos no desenvolvimento de atendimentos transcorridos em ambiente ambulatorial institucional. Através de uma ilustração clínica, o autor problematiza o trabalho psicanalítico a partir dos vínculos transferenciais implicados nos processos: transferência com o analista/transferência com a instituição.
Atitudes frente à avaliação psicológica para condutores: perspectivas de técnicos, estudantes de psicologia e usuários
Authors: Gouveia Valdiney Veloso , Silva Deusivania Vieira da , Silva Maria dos Prazeres Vieira da , Andrade Maria Waleska Camboim Lopes de , Silva Filho Severino Barbosa da , Costa Danyelle Monte Fernandes da
Published: September 2012

Este estudo procurou conhecer as atitudes frente à avaliação psicológica para condutores, considerando três grupos de indivíduos: técnicos, estudantes de Psicologia e pessoas que se submetem a esta avaliação para obtenção ou renovação da CNH (Carteira Nacional de Habilitação). Um total de 196 pessoas responderam uma Escala de Atitudes frente a Avaliação para Condutores, composta de 20 itens. A maioria dos participantes era do sexo feminino (68%), universitário (71%) e já possuía habilitação para conduzir (54%); sua média de idade foi de 28 anos. Observou-se que, embora os respondentes tenham opinado que a avaliação psicológica era eficaz, julgavam que esta seria dispensável no processo de exame para a obtenção da CNH. As implicações deste estudo foram discutidas, assim como foram sugeridas alternativas para promover esta área de avaliação em Psicologia do Trânsito.
A relação mãe-bebê e o processo de entrada na creche: esboços de uma perspectiva sociocultural
Authors: Santos Fabia Mônica Souza dos , Moura Maria Lucia Seidl de
Published: September 2012

Este trabalho teve como objetivo expor algumas características da abordagem sociocultural do desenvolvimento humano e fazer uma interligação com o processo de entrada na creche, que hoje é uma instituição cada vez mais presente em nossa sociedade. Pretendeu-se discutir aspectos como a interação social, o caráter social, histórico, cultural e genético do desenvolvimento, articulando-os com a relação mãe-bebê e o processo de entrada na instituição, baseando-se principalmente nas idéias de Vygotsky e colaboradores. Entende-se tais fundamentos como essenciais na constituição do homem, em sua vida de relação e trocas sociais, portanto discutem-se noções como zona de desenvolvimento proximal, zona de construção, intersubjetividade e contextos de desenvolvimento.