bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Zum Streumechanismus von Stromträgern in Tellur‐dotiertem Galliumphosphid
Authors: Nasledov D. N. , Negreskul V. V. , Radautsan S. I. , Slobodchikov S. V.
Published: July 2007

Es wurde die Beweglichkeit der Stomträger in Tellurdotierten GaP‐Einkristallen untersucht. Aus der Temperaturabhängigkeit des Hallkoeffizienten wurde die Ionisierungsenergie des Donatorniveaus zu etwa 0,11 eV bestimmt. Eine Analyse der möglichen Streumechanismen zeigt, daß die Streuung an polaren optischen Gitterschwingungen der dominierende Streumechanismus für die Elektronen ist. Die Beweglichkeit, die unter Berücksichtigung dieses Streumechanismus berechnet wurde, stimmt in der Größenordnung und in der Temperaturabhängigkeit gut mit den experimentellen Ergebnissen überein. Ein anderer wichtiger Streumechanismus ist wahrscheinlich bei tiefen Temperaturen die Streuung an neutralen Störstellen und an Raumladungsgebieten.
Thermodynamic Green's Function Approach to Impurity Conduction. II. ac Conduction
Authors: Gosar P.
Published: July 2007

The thermodynamic Green's function method is applied to the problem of ac impurity conduction in semiconductors. Both direct and indirect photon absorption processes are studied. A special technique is devised for the conctruction and calculation of the diagrams for the auto‐correlation function of the dipole moment operator. New results for the direct photon absorption conductivity are presented.
F‐Aggregate Center Formation at Low Temperatures in KCl
Authors: Sonder E. , Sibley W. A.
Published: July 2007

Measurements of the F‐center concentration, nF, and M‐center concentration, nM, for KCl samples irradiated with 1.5 MeV electrons at low temperatures show that the ratio nM/nF2 for electron irradiation is only one‐half that found previously for X‐ray irradiated crystals. The electron results are in appreciably better agreement with the value to be expected from a statistical model and an M‐band oscillator strength obtained by optical bleaching techniques. The discrepancy between the electron irradiation and X‐ray irradiation results is discussed and it is concluded that the statistical model, according to which an M‐center appears whenever two F‐centers are produced at adjacent sites, may not be adequate to describe F‐ and M‐center introduction at low temperature.
The Crystal Structure of Evaporated Gold Films
Authors: Pashley D. W. , Stowell M. J. , Law T. J.
Published: July 2007

The crystal and defect structure of polycristalline vapour‐deposited gold films has been examined by transmission and reflection electron diffraction. Accurate measurements have shown conclusively that extra differaction rings in transmission electron diffraction patterns arise by double diffraction across twin boundaries and not from a hexagonal close packed phase of gold, as has recently been suggested by several authors. The double diffraction rings in transmission patterns from [111] textured specimens arise mainly from crystals which are twinned about the texture axis. A comparison is made between transmission and reflection patterns from these crystals and the advantages of the transmission technique for this type of investigations are emphasized.
Tensile Kinking in Single Crystals of Cadmium
Authors: Blasdale K. C. A. , King R.
Published: July 2007

Large numbers of kinks form in single crystal specimens of certain samples of high purity cadmium on extension. The kinks appear at random along the length of the specimen during extension and no correlation with observable surface features or accidental damage has been found. The variation of kinking with purity, temperature and rate of strain has been examined. Kinking decreases with increase of impurity; this may be an indirect effect due to change of flow stress with impurity. The maximum kinking tendency is observed at temperatures near 20 °C. It is suggested that kinks form as a result of the holding up of slip dislocations at a dislocation array.
The Stability and Line Tension of a General Dislocation Loop in an Isotropic Medium
Authors: de Chatel P. , Kovács I.
Published: July 2007

The equilibrium condition of a general dislocation loop in an isotropic medium is deduced by a variational procedure. It is found that the forces due to the external and self‐stress (defined by Brown [5]) must cancel each other at any line element of the loop. This leads to a formula giving the line tension in terms of line integrals. It is shown, that the generally accepted formula T = E + d2E/dϑ2 is only applicable in the limiting case of nearly straight dislocations.
Spontane Rekombination von Frenkelpaaren
Authors: Dettmann K.
Published: July 2007

Es werden allgemeine Gleichungen abgeleitet, die die spontane Rekombination von Frenkelpaaren bei Neutronen‐ und Elektronenbestrahlung beschreiben. Die Gleichungen werden in der Superpositionsnäherung gelöst, in der Dichten 3. Ordnung durch Produkte von Dichten 2. Ordnung ersetzt werden. Die einfachen Defektdichten werden in Abhängigkeit von der Zwischengitteratom‐Leerstellenkorrelation bei der Erzeugung berechnet. Im Fall der Elektronenbestrahlung wird nur die stationäre Dichte diskutiert.
Ferromagnetische Eigenschaften hexagonaler Kobalt‐Einkristalle
Authors: Träuble H. , Boser O. , Kronmüller H. , Seeger A.
Published: July 2007

An stabförmigen hexagonalen Kobalt‐Einkristallen wurden die Anfangssuszeptibilität χa und die Koerzitivfeldstärke Hc im Temperaturintervall zwischen 90 und 680 °K gemessen und die Verformungsabhängigkeit dieser Kenngrößen untersucht. Mit Hilfe der Bittertechnik wurde das Verhalten der Bereichsstruktur bei Raumtemperatur in Abhängigkeit vom Feld und der plastischen Verformung studiert. Infolge der unterschiedlichen Temperaturabhängigkeit der Kristallanisotropiekonstanten K1 und K2 von Kobalt gibt es drei Temperaturintervalle mit verschiedenartigen magnetischen Vorzugsrichtungen. Dadurch wird die Temperaturabhängigkeit von χa, Hc und der Bereichsstruktur weitgehend bestimmt.
Hysteresis Loops in the Microstrain Region
Authors: Lukáš P. , Klesnil M.
Published: July 2007

Previous papers concerning the hysteresis loops in the microstrain region have shown disagreement regarding the conditions under which closed hysteresis loops can be observed. The present paper shows that the explanation of this matter lies in the experimental procedure rather than in the type of material used. An investigation is also made of the physical meaning of the derivative of the dependence of hysteresis loop area on strain amplitude.
Hall Mobility of Slow Electrons in AgCl and the Effects of Crystal Purity
Authors: Masumi T. , Ahrenkiel R. K. , Brown F. C.
Published: July 2007

The mobility of carriers in AgCl was investigated over the temperature range 4 to 100 °K by a photo‐Hall technique. The Hall mobility of slow electrons is shown to be very dependent upon sample purity at low temperatures. Mobilities in excess of 30000 cm2/Vs were obtained in very high purity zone refined specimens. Special attention was given to the lattice scattering range of mobility above 40 °K in the pure crystals. Hall and drift mobility values for electrons are in reasonable agreement. Although the optical phonon scattering appears to dominate, there is an evidence that the Debye temperature is somewhat lower than expected. It is suggested that this might be due to a finite spread in the long wavelength longitudinal optical frequency. It is believed that the scattering due to the acoustical mode of lattice vibrations becomes of considerable importance in high‐purity crystals in an intermediate temperature range (between 34 °K and 12 °K) even for slow electrons.
Influence of Radiation Damage upon the Diffusion of Argon in Potassium Chloride
Authors: Schmeling P.
Published: July 2007

The diffusion of Ar41 and Ar39 in single crystals of potassium chloride is studied as a function of irradiation dose. It is found that the diffusion coefficients of argon are significantly decreased by increasing the irradiation dose. The influence of neutron bombardment is considerable at low temperatures, the diffusion coefficient being changed by several orders of magnitude. The general behaviour, as shown in an Arrhenius diagram, follows the same pattern independently of the irradiation dose. At high temperatures the diffusion coefficient is constant with time and has an activation energy of 8.7 ± 0.8 kcal/mol and an interstitial diffusion mechanism seems to be plausible. At intermediate temperatures the diffusion coefficient increases during isothermal annealing and ultimately reaches a constant value. At low temperature the diffusion coefficient is again constant with time.
Piezowiderstand von n‐Silizium in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke
Authors: Asche M. , Bondar W. M. , Sarbej O. G.
Published: July 2007

Zur Untersuchung der Elektronentemperatur bei starken elektrischen Feldern in n‐Si wurde die Abhängigkeit des Piezowiderstandes von der elektrischen Feldstärke gemessen. Die experimentellen Resultate zeigen, daß diese Abhängigkeit nicht monoton ist, wie auf Grund der bestehenden Theorie erwartet wurde. Durch Näherungslösung der Boltzmanngleichung in Abhängigkeit von der elektrischen Feldstärke bei Anwesenheit von mechanischer Spannung wird eine Analyse der Bedingungen durchgeführt, bei denen eine solche nichtmonotone Abhängigkeit auftritt und die als Ursache dieser Erscheinung wirken. Die Ergebnisse der Berechnungen und der experimentellen Daten werden verglichen.
Relaxation Modes for Photon‐Induced Reorientation of M‐Centers in Alkali Halides
Authors: Turner T. J. , De Batist R. , Haven Y.
Published: July 2007

Dichroism is induced in potassium chloride crystals containing M‐centers by irradiation at low temperatures with polarized light in the F‐band. This dichroism arises from a reorientation of the M‐centers by ionic motion. The population of the six possible orientations of the M‐center can be described by six relaxation modes, depending on the direction of polarization of the light. Using group theoretical considerations, the relaxation modes are derived for the cases where the polarization of the light is in the [001] and [011] directions.
On the Kinetics of the Luminescence in KCl: Tl, KBr: Tl, and KI: Tl
Authors: Trinkler M. F. , Playavin I. K.
Published: July 2007

There are two theories on the kinetics of luminescence in KCl: Tl, KBr: Tl and KI: Tl, which are given in the papers [4 to 6] and [7 to 9]. In the present paper these theories are compared with known experimental results and this is found to lend support to the works [7 to 9].
X‐Ray and Optical Metallography of a Vapor Condensed Zinc Crystal Platelet
Authors: Armstrong R. W.
Published: July 2007

The Berg‐Barrett X‐ray diffraction contrast technique has been applied to searching for dislocations within a vapor condensed zinc crystal platelet and, also, to studying the crystal surface topography. Correlation of the X‐ray results with results from optical metallography and interferometry showed: (1) a few dislocations were present, at least, in several local regions of the crystal; and, (2) very shallow surface steps (≈2 × 10−5 cm) produced observable contrast in the X‐ray micrographs.
The Contribution of Multiple Vacancies to Self‐Diffusion
Authors: Seeger A. , Schottky G. , Schumacher D.
Published: July 2007

The deviations from a straight line of an Arrhenius plot of self‐diffusion coefficients are discussed in terms of the contribution of multiple vacancies to self‐diffusion. It is shown that for nickel the major part of the curvature may be accounted for by di‐ and trivacancy contributions. A small residual curvature of the Arrhenius plot is possibly indicative of a temperature dependence of the activation entropies.
Phonon Assisted Optical Absorption in an Electric Field
Authors: Fritsche L.
Published: July 2007

The optical absorption in crystals caused by interband transitions of electrons is altered in the presence of an external electric field (electro‐absorption effect). The theory presented here treats the effect for indirect (phonon‐assisted) transitions neglecting electron‐hole interaction. The transition rate is computed using a time dependent second order perturbation procedure based on the Houston representation for a lattice electron in an electric field. The theory yields a formula for the optical absorption as a function of the photon energy ħ ω which consists of two principal terms. The first one is just the usual zero field absorption rising from a threshold E proportional to (ħ ω ‐ E)2. The second term varies oscillatory (with decreasing amplitude) for ħ ω > E and falls off exponentially for ħ ω < E. The magnitude of the second term increases as the 4/3 power of the field strength in distinction to the shift of the zero values above the threshold and the width of the exponential decay below the threshold which increase as the 2/3 power of the field strength. In addition, the theory provides another absorption term of oscillatory structure (“Stark‐ladder”). However, this contribution vanishes if electron collisions are taken into account, their occurrence being, in fact, a necessary condition to prevent the crystal from electrical breakdown.
Determination of the Parameters of Sensitizing Recombination Centres in CdS and CdSe Single Crystals by Temperature and Optical Quenching of Photocurrents
Authors: Lashkarev V. E. , Sheinkman M. K.
Published: July 2007

New stationary and kinetic methods are proposed for determining the parameters of sensitizing recombination r‐centres in high resistivity monopolar photoconductors. These methods are based on thermal and optical quenching of the photocurrent. These methods and those described previously [1 to 5] enable all the parameters of r‐centres in CdS, CdSe, and partially Cd(S, Se) to be determined. These parameters include the concentration and energy of the centres, and their cross sections for electron and hole capture. The method also gives the cross sections for absorption of photons with energies of 0.9 and 1.4 eV, these photons transfering a hole from an r‐centre to an excited level, and to the valence band respectively. The occupation of r‐centres by holes under weak illumination and the probabilities of hole capture by r‐ and s‐centres can be obtained.
Spectral Response of the Photoeffects in InAs
Authors: Mikhailova M. P. , Nasledov D. N. , Slobodchikov S. V.
Published: July 2007

The spectral response curves of photoconductivity and photoelectromagnetic and photovoltaic effects of a p‐n junction in InAs are used to estimate the following parameters: the ratio of the surface recombination velocity to the diffusion coefficient S/D and the minority carrier diffusion lengths Ln and Lp. S/D was found to vary from 1 × 103 to 2 × 104 cm−1. Ln and Lp were estimated to be about some microns. The results agree with other data obtained by the authors.
Effect of Steady State Illumination on the Electron Distribution Function in Semiconductors
Authors: Uritsky S. I. , Pervushin Yu. V.
Published: July 2007

The effect of steady state illumination on the distribution function of the photo‐excited current carriers is considered. It is shown that the energy of the distribution function may be non‐monotonic. This may essentially determine the spectral characteristics of the photo‐current. The dependence of the photocurrent on the optical frequency near the absorption edge may differ from the corresponding dependence of the absorption constant. It is shown that the oscillations of photoconductivity with optical frequency at low temperatures may be due to this dependence of the distribution functions on the nature of the incident light.
Dislocation Pile‐ups in Anisotropic Crystals
Authors: Mitchell T. E. , Hecker S. S. , Smialek R. L.
Published: July 2007

The positions of the n dislocations in a piled‐up group under a constant applied stress have been determined using the analysis of Eshelby, Frank and Nabarro [1]. The positions are related to the zeros of the first derivative of the n‐th Laguerre polynomial which have been computed for n = 2 to 100. The relation between the zeros of the polynomials and the positions of the dislocations involves an effective elastic constant μeff which is a function of the anisotropic elastic constants and the orientation of the dislocations. μeff has been calculated for glide dislocations lying along a number of symmetry directions in various hexagonal, face‐centred cubic and body‐centred cubic crystals. In some b.c.c. crystals it has been noted that screw or mostly screw dislocations repel each other more strongly than dislocations with more edge character, contrary to the predictions of isotropic elasticity. Analysis of the stress‐fields around a pile‐up has shown the total stress (applied plus internal) is negative in small regions behind each individual dislocation. These negative stress regions are associated with individual dislocations, rather than the group as a whole, and they do not extend very far in a direction normal to the slip plane. It is concluded that isolated dislocation pile‐ups are unlikely to be very effective in impeding other dislocations on parallel slip planes.
Reflexion sehr langsamer Elektronen an Metalloberflächen
Authors: Niedermayer R. , Hölzl J.
Published: July 2007

Monochromatische Elektronen (Energiebreite 0,1 eV) wurden im UHV auf eine W‐(110) Oberfläche geschossen und die Abhängigkeit der Anzahl reflektierter Elektronen von der Primärenergie im Bereich 0 bis 1,5 eV gemessen. Zunächst wurde die Elektronenreflexion bei verschiedener Gasbedeckung (N2 und O2) gemessen, dann in einem zweiten Experiment diese Messung wiederholt, wobei sichergestellt wurde, daß während der Meßzeit die Kristall‐oberfläche absolut frei von Fremdgasbedeckung war. Der von uns gemessene Reflexionskoeffizient ist sehr viel größer als der nach den Nordheimschen Rechnungen für das Bildkraftpotential zu erwartende. Schließlich kann gezeigt werden, daß unsere Ergebnisse in guter Übereinstimmung mit denen von Hutson und widersprüchlich zu denen von Shelton und Kisliuk sind.
Continuous Distribution of Dislocations and the Mathematical Theory of Plasticity (II)
Authors: Mura T.
Published: July 2007

For the case of anisotropic materials Mises' yield criterion, the Prandtl‐Reuss relation between stress and plastic strain rate, and the curvature of material under deformation are derived from the theory of continuous distribution of dislocations. The previous result for isotropic materials is obtained as a special case. A linear relation between the velocity of dislocations and the gliding force acting on the dislocations is assumed in the derivation, and the coefficients form a tensor satisfying Onsager's law. It is shown that the plastic distortion rate tensor is not symmetric for anisotropic materials and hence the plastic curvature rate must be considered in the curvature change of materials.
Damping of the Electron Spectrum and Magnetooptical Effects in Semiconductors
Authors: Askerov B. M. , Gashimzade F. M.
Published: July 2007

The amplitude and half width of the inter‐band absorption peak are determined in the quantum limit, taking into account the elastic interactions of the carrier with the acoustical phonons and point impurities. A study is also made of the influence of the non‐elastic interaction of the alectrons with the optical phonons on the form of the absorption curve for a strong magnetic field.
Zur Erholung der Koerzitivfeldstärke von vielkristallinem Nickel nach Kaltverformung
Authors: Klimanek P. , Reichel G. , Scharf H.
Published: July 2007

An kaltgezogenem Nickel der Reinheit 99,8% und 99,99% wurde die Erholung der Koerzitivfeldstärke gemessen. Beim kommerziellen Reinheitsgrad treten oberhalb Raumtemperatur die Erholungsstufen III, IV und V des bekannten Schemas von van Bueren [8] auf; beim Reinstnickel wird Stufe IV nicht beobachtet. Die Ergebnisse sprechen für den von Simson und Sizmann [10] vorgeschlagenen dominierenden Erholungsmechanismus in Stufe III und IV: Rekombination von Zwischengitteratomen und Leerstellen. Auf die Koerzitivfeldstärke wirken sich offenbar nur die Zwischengitteratome aus, da sie in sog. Hantellage [11, 12] ein merkliches Spannungsfeld hervorrufen können. In Stufe V lassen sich zwei Teilvorgänge unterscheiden, die der Polygonisation und der primären Rekristallisation zugeordnet werden.
The Deformation of Low Angle Boundaries
Authors: Siems R. , Wagemann R.
Published: July 2007

The deformation of low angle tilt boundaries in isotropic materials is studied using the elastical theory of dislocations. The dislocations of the boundary are pinned in certain regions and free in others, and under stress they become curved. The calculations are carried out for several arrangements of pinning points. It is found that the average displacements may be considerably less than the displacements of isolated dislocations with the same spacing of pinning points.
Energieänderung der Leitungselektronen durch Punktfehler in Metallen. II. Beispiele und Anwendungen
Authors: Mann E.
Published: July 2007

Die in einer vorangehenden Arbeit entwickelten Methoden zur Berechnung der Energie‐änderung und der gestörten Wellenfunktionen werden auf zwei Beispiele verschieden stark lokalisierter Fehlstellen angewandt und für das Beispiel Kupfer zahlenmäßig ausgewertet. Dabei zeigt sich, daß man, um sinnvolle Werte für die Energieänderung zu erhalten, annehmen muß, daß die Störung sich mindestens bis zu den nächsten Nachbarn des Störatoms erstreckt. Für ein einfaches Beispiel wird ferner die Wechselwirkungsenergie zweier getrennter Fehlstellen berechnet. Zuletzt wird gezeigt, wie von einer ausgedehnten Störung der schwache Störanteil störungstheoretisch erfaßt werden kann.
Propagation d'ondes hélicons de faibles fréquences dans des semiconducteurs fortement dopés (Cd3As2 et InSb)
Authors: Saint‐martin J. P. , Rosenman I.
Published: July 2007

On a mis en évidence l'effet Hélicon dans l'Arséniure de Cadmium (Cd3As2) dans la gamme 104 à 107 Hz., ce qui a permis de déceller des phénomènes particuliers aux faibles fréquences. Les résultats s'interprêtent en modifiant légèrement la théorie “classique” des hélicons. L'étude des phénomènes aux faibles fréquences (étudiés également dans InSb) a permis d'atteindre non seulement le coefficient de Hall, mais également, la mobilité et le coefficient de magnétorésistance des matériaux étudiés.
Zur Deutung der elektronenmikroskopischen Kontrasterscheinungen an Fehlstellenagglomeraten in neutronenbestrahltem Kupfer
Authors: Rühle M. , Wilkens M. , Essmann U.
Published: July 2007

Auf Grund der Kontrastexperimente von Essmann und Wilkens [2] an neutronenbestrahltem Kupfer war es naheliegend, die von den Autoren beobachteten Schwarz‐Weiß‐Kontraste (SW‐Kontraste) als Franksche Versetzungsringe zu interpretieren. Deshalb wurde der elektronenmikroskopische Kontrast dieser Fehlstellen als Funktion der Tiefe der Ringe in der Folie, der Größe der Ringe und der elektronenmikroskopischen Abbildungsbedingungen berechnet. Der Vergleich der Rechenergebnisse mit den Experimenten führte zu dem Schluß, daß neben den Defekten durch Strahlenschädigung weitere Defekte vorhanden sein müssen. Deshalb wurden unbestrahlte, gutgeglühte einkristalline Kupferplättchen untersucht, wobei ebenfalls SW‐Kontraste beobachtet wurden, die dieselben Eigenschaften wie Franksche Versetzungsringe haben. Sie liegen aber, wie aus gezielten Experimenten folgte, nur in der Nähe der zunächst der Elektronenquelle zugewandten Oberfläche der Folie. Unter wohldefinierten Polierbedingungen konnten diese störenden SW‐Kontraste vermieden werden. Die dann an neutronenbestrahlten Kupferplättchen noch verbleibenden SW‐Kontraste zeigen Eigenschaften, die eine befriedigende Übereinstimmung mit den Rechnungen ergeben.
Experimentelle Untersuchungen thermisch bedingter negativer differentieller Widerstände
Authors: Hänsch H.‐J. , Nebauer E. , Nikolaus M.
Published: July 2007

Die in einer früheren Arbeit [5] angegebenen Bedingungen für das Auftreten thermisch bedingter strom‐ bzw. spannungskontrollierter negativer differentieller Widerstände werden an den Photoleitern CdS und CdSe experimentell überprüft. Der theoretisch ermittelte Zusammenhang zwischen der nichtmonotonen Leitfähigkeits‐Temperatur‐Abhängigkeit und der Strom‐Spannungs‐Charakteristik kann nahezu quantitativ bestätigt werden. Insbesondere wird die von der Theorie vorausgesagte Veränderung des Kennlinientyps bei geeigneter Variation der Umgebungstemperatur gefunden. Abschließend wird gezeigt, wie bei der Untersuchung anderer Effekte, die zu negativen differentiellen Widerständen führen (z. B. Injektion), der Einfluß der Jouleschen Erwärmung abgeschätzt werden kann.
Untersuchung der Winkelverteilung der aus dünnen Cäsium—Antimon‐Schichten emittierten Photo‐ und Sekundärelektronen
Authors: Petzel B.
Published: July 2007

An dünnen Cäsium—Antimon‐Schichten wurden Untersuchungen der Winkel‐ und Energiewinkelverteilung von Photo‐ und Sekundärelektronen vorgenommen. Für die Messung wurde ein als Gegenfeld‐Energieanalysator ausgeführter, schwenkbarer Elektronenkollektor benutzt. Die Ergebnisse der Messungen werden an Hand der theoretischen Vorstellungen vom Anregungs‐ und Diffusionsprozeß diskutiert.
Zur Termlage gitterneutraler Chalkogenionen in Silberhalogeniden
Authors: Stasiw O.
Published: July 2007

Es werden experimentelle Arbeiten mitgeteilt, die eine Entscheidung zwischen zwei Reaktionsmechanismen, die bei der Bromierung chalkogendotierter Kristalle möglich sind, erlauben.
Theorie der Wechselwirkung von Versetzungen mit kohärenten geordneten Zonen (I)
Authors: Gleiter H. , Hornbogen E.
Published: July 2007

Es wird eine Theorie für den Beginn der plastischen Verformung in Legierungen mit kohärenten, spannungsfreien, geordneten Teilchen angegeben. Die Ergebnisse sind: 1. Versetzungen bewegen sich als Paare, falls die Teilchen kein Spannungsfeld besitzen. 2. Ihr Gleichgewichtsabstand und ihre Form hängen von Teilchengröße, Verteilung, der Energie der Antiphasengrenze, den elastischen Konstanten und von der äußeren Schubspannung ab. Die kritische Schubspannung kann daraus berechnet und der Mechanismus der Versetzungsbewegung abgeleitet werden. 3. Teilchen beliebiger Größe können durch Versetzungspaare geschnitten werden.

Die mechanischen Eigenschaften werden mit größer werdendem Teilchenradius zunehmend durch die Wechselwirkung zwischen den Versetzungen innerhalb der Paare bestimmt.
Beobachtung der Wechselwirkung von Versetzungen mit kohärenten geordneten Zonen (II)
Authors: Gleiter H. , Hornbogen E.
Published: July 2007

Durch Ausscheidung von Ni3Al (γ′) aus NiCrAl‐Mischkristallen entsteht ein kohärentes Gemisch von geordneter und ungeordneter Phase, das frei von Kohärenzspannungen ist. Damit können die Annahmen der Theorien der Härtung durch geordnete Teilchen überprüft werden. Elektronendurchstrahlung und Zugversuche führten zu folgenden Ergebnissen: Versetzungen bewegen sich paarweise sobald sich γ′‐Teilchen gebildet haben. Die Form und der Abstand der Versetzungen innerhalb eines Paares hängen von der Größe, der Verteilung der Teilchen und von der äußeren Schubspannung ab. Teilchen beliebiger Größe (> 3000 Å) können durch Versetzungspaare abgeschert werden. Die kritischen Schubspannung hängt von Teilchengröße und Verteilung, der Energie der Antiphasengrenze und dem Volumenanteil von Ni3Al ab. Die beobachteten Versetzungsanordnungen und die gemessenen Erhöhungen der Streckgrenze stimmen gut mit der Theorie überein.
Über die Untersuchung des Peltier‐Effektes an Silizium an den Phasengrenzen fest—flüssig—fest
Authors: Raab S. , Lebek A.
Published: July 2007

An den Phasengrenzen fest—flüssig und flüssig‐fest wurde der Peltier‐Effekt für Silizium untersucht. Der Peltier‐Koeffizient und die Thermokraft für Silizium konnten aus den Experimenten bestimmt werden. Außerdem ließen sich die Thomson‐Spannung und der Thomson‐Koeffizient abschätzen. Bei in [111] Richtung orientierten Si‐Einkristallen ergaben die Messungen einen größeren Peltier‐Koeffizienten als bei polykristallinem Si.
Density and Lattice Parameter Measurements on the System KCl + KOH
Authors: Paus H. , Lüty F.
Published: July 2007

Combined measurements of the lattice parameter and macroscopic density of KCl crystals containing different amounts of KOH (up to 5 · 10−3) confirm the substitutional model for the OH− centre and provide values for the “size” of the OH−‐ion in the crystal.
Compressibility, Cohesive Energy, and Hardness of Non‐Metallic Solids
Authors: Plendl J. N. , Mitra S. S. , Gielisse P. J.
Published: July 2007

A new formulation which relates compressibility with cohesive energy and molecular volume for dielectric solids, is given. The relation has been confirmed with forty‐five crystalline compounds (binaries and ternaries) representing nine different structures. An atomistic expression of compressibility is developed and its bearing on various methods of hardness testing is reviewed.
UV Absorption of Ag+ Doped Alkali Halide Crystals
Authors: Fussgaenger K. , Martienssen W. , Bilz H.
Published: July 2007

Absorption spectra of Ag+ doped NaCl, KCl, KBr, and KJ are measured at low temperatures in the spectral range from 6.8 to 4.4 eV. The fine structure of the Ag+ bands and their temperature dependence are investigated. The oscillator strenghts at low temperatures are in the order of 10−3. These Ag+ absorption bands are due to vibronic transitions: The parity‐forbidden electronic transitions 4d10 → 4d95s are allowed by an interaction with odd phonons. The temperature dependence of the oscillator strengths can be fitted by a function which takes care of one‐ and two‐phonon processes. This function contains an effective lattice frequency which turns out to lie on the low‐frequency side of the acoustic branches of the host lattice near the resonance mode of the Ag+ ion.
Die Symmetrie des Tensors der Thermospannung Q(H) in Abhängigkeit von der kristallographischen Klasse und der Richtung des Magnetfeldes
Authors: Braeter H.
Published: July 2007

Es werden die durch das Vorhandensein eines Magnetfeldes hervorgerufenen Veränderungen in den Symmetrieforderungen, denen der Tensor der Thermospannung Q(H) genügen muß, geklärt. Die Symmetrie des Tensors Q(H) ist für alle Kristallklassen in Abhängigkeit von der Orientierung des Magnetfeldes zu den kristallographischen Achsen und Ebenen aufgezeigt und wird mit der Symmetrie bei Abwesenheit des Magnetfeldes verglichen. Mit Hilfe der Kristallsymmetrie werden Aussagen über die Abhängigkeit der Tensorkomponenten vom Magnetfeld gewonnen.
Magneto‐Optical Investigation of Antiferromagnets (Manganese and cobalt carbonates and fluorides)
Authors: Eremenko V. V. , Popkov Yu. A.
Published: July 2007

An experimental study is made of the effect of high magnetic fields on the structure of the optical absorption spectra of Mn2+ and Co2+. The study uses single crystals of antiferromagnetic fluorides and carbonates of the ions and also single crystals of fluorides of mixed content, containing both ions simultaneously. The investigations are carried out at 20.4 and 4.2 °K, which is significantly lower than the temperature of antiferromagnetic ordering (TN). Magnetic fields of up to 1.7 · 105 Oe are used. The magneto‐optical effects found in the fluorides are connected with spin‐flipping of the magnetic sublattices by the external field. This may be due to a significant spin‐orbital exchange in states (the final states for the optical transitions responsible for the absorption bands) which respond to the re‐establishment of the antiferromagnetic structure by the external field. Zeeman splitting and shift of some absorption lines is observed in antiferromagnetic carbonates in which the magnetic structure cannot be changed by the external field. This is accounted for on the basis that the internal field HE, perpendicular to the C3‐axis of the crystal, effects some excited states of Mn2+ and Co2+ significantly less than the external field H parallel to C3‐axis although H ≪ HE.
Calculation of the Impurity‐Induced Lattice Mode Absorption
Authors: Genzel L. , Renk K. F. , Weber R.
Published: July 2007

A discussion is given of impurity‐induced lattice mode absorption occurring in the far infrared. The model used involves a diatomic linear chain with one impurity mass having a defect charge and an altered nearest neighbour force constant. The displacement of the impurity and the absorption of the perturbed lattice can be expressed in closed formulas which are evaluated numerically. For very weakly bound impurity atoms a quasi‐localized resonance behaviour occurs, which has been observed recently [12].
Determination of Parameters of Complex Energy Bands in Semiconductors from Studies of Free Carrier Faraday Rotation, Voigt Effect, and Transport Properties
Authors: Prosser V. , Kužel R.
Published: July 2007

Simultaneous measurements of magneto‐optical and transport properties can be used to obtain fundamental parameters of semiconductors with complex band structures. The derived formulae are applied to the case of the valence band in diamond and germanium.
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Versetzungsanordnung verformter Kupfereinkristalle II. Die Versetzungsanordnung im Bereich II
Authors: Essmann U.
Published: July 2007

Kupfereinkristalle wurden im Zugversuch bei 4,2 °K, 78 °K und 293 °K verformt und anschließend zur Fixierung der Versetzungsanordnung mit schnellen Neutronen bestrahlt. Im Gegensatz zum Bereich I wird die Versetzungsanordnung durch die Wechselwirkung primärer und sekundärer Versetzungen bestimmt. Man findet „Versetzungsgitter”︁, die sekundäre Versetzungen und Lomer‐Cottrell‐Versetzungen enthalten. Weitreichende innere Spannungen lassen sich lokal aus Versetzungskrümmungen bestimmen. Die Spannungswerte entsprechen den theoretischen Erwartungen. Der Einfluß des Präparationsverfahrens auf die Versetzungsanordnung wird diskutiert. Es wird gezeigt, daß relativ hohe Bestrahlungsdosen zur Fixierung der Versetzungsanordnung notwendig sind.
X‐Ray K‐Absorption and Emission Spectra of Phosphorus in Semiconducting AIII BV Compounds
Authors: Gusatinskii A. N. , Nemnonov S. A.
Published: July 2007

A study is made of fluorescent Kβ emission bands of phosphorus in the III‐V semiconductor compounds and red phosphorus and a comparison made with a previous study of the corresponding absorption spectra. The energy separation of the emission and absorption edges correlates with the forbidden band widths of the investigated compounds. The splitting of both the emission band and the main absorption maximum which is observed with the transition from elementary phosphorus to the III‐V compounds is presumably due to the presence of ionic bonding in the compounds. The displacement of the forbidden band centre in the compounds relative to its position in elementary phosphorus has helped to establish the negative charge on P atoms in InP and GaP; in BP this charge, even if present, is substantially smaller.
Tunnel‐ und Schottky‐Emission in Al2O3‐Dünnfilmelementen
Authors: Ludwig W. , Korneffel B.
Published: July 2007

Messungen der Strom‐Spannungscharakteristiken an AlAl2O3Al‐Dünnfilmdioden ergeben Beziehungen der Form In i ∼ U und In \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ i \sim \sqrt U $\end{document}, die auf Grund der Dickenabhängigkeit und der Temperaturabhängigkeit bis zu 100 °K als Tunnel‐ bzw. Schottky‐Emission gedeutet werden können. Mit einer von Stratton (1962) entwickelten Theorie kann die Austrittsarbeit für Al zu 1,27 eV und die effektive Elektronenmasse meff/m0 ≈ 1 bestimmt werden. Es wird der Einfluß einer Raumladung in den Metallelektroden als Ursache für die gemessene Differenz zwischen effektiver Tunneldicke und Kapazitätsdicke und für eine spannungsabhängige effektive Austrittsarbeit diskutiert.
Ionenleitfähigkeit von reinen und dotierten AgBr‐ und AgCl‐Einkristallen
Authors: Müller P.
Published: July 2007

Es wird über Leitfähigkeitsmessungen an AgBr‐ und AgCl‐Einkristallen im Bereich von −140 bis +400 °C berichtet. Aus den Meßergebnissen folgen neue Werte für die Fehlordnungskonzentration, die Fehlstellenbeweglichkeiten sowie für die Assoziation zwischen Fremdionen und Fehlstellen. Die Bildungsenergie von Frenkelpaaren beträgt im AgBr 1,06 eV und im AgCl 1,25 eV. Oberhalb 175 bzw. 250 °C muß eine zusätzliche Zunahme der Fehlordnungskonzentration infolge von Wechselwirkungseffekten berücksichtigt werden. Bei sorgfältiger Kristallpräparation ist der Einfluß der Grundverunreinigungen auf die Leitfähigkeit gegenüber strukturellen Störungen dominierend. Messungen unter Halogen‐Atmosphäre ermöglichten Aussagen über den Einbau dreiwertiger Fremdkationen sowie die Bestimmung der Konzentration der freien Defektelektronen.
Theory of CdS‐Type Superlinear Photoconductivity Due to Excitation from Localized Levels
Authors: Cardon F.
Published: July 2007

The free‐electron versus light‐intensity relationship in the superlinear range is calculated for a system consisting of two levels below the Fermi level and either one level or a continuous distribution, above it. The excitation of electrons from localized levels to the conduction band is also considered. It is shown that with respect to the inter‐band case two new possible values for lower break points are obtained, and that, in order to get superlinearity, excitations have to take place from the centres with smallest capture cross‐section for electrons. Values for upper break points due to thermal and optical quenching are unchanged. It is also shown that, in some cases, superlinearity exists for “localized level to conduction band” excitations and not for inter‐band excitations.
Übergangsstrahlung von dünnen Silberschichten
Authors: Bürker U. , Steinmann W.
Published: July 2007

Dünne Ag‐Schichten (200 bis 2000 Å) wurden mit mittelschnellen Elektronen (15, 25, 35 keV) bestrahlt. Die dabei auftretende Strahlung wurde hinsichtlich des Polarisationsgrades, ihres Spektrums im Bereich der Plasmawellenänge (3330 Å) und der Abhängigkeit ihrer Intensität von der Schichtdicke und der Elektronenenergie untersucht. Die Strahlung bestand vor allem aus Übergangsstrahlung, daneben auch aus Bremsstrahlung. Nach Abtrennung der letzteren stimmen die Meßergebnisse mit der berechneten Übergangsstrahlung überein. Sie werden im Modell der Plasmastrahlung diskutiert.
Photochemical Reactions at Low Temperatures in CdS Single Crystals
Authors: Korsunskaya N. E. , Markevich I. V. , Sheinkaman M. K.
Published: July 2007

The investigation of glow curves for various conditions of illumination in CdS single crystals (previously annealed at high temperatures) shows that in the temperature range +20 to −100°C new trapping centers arise photochemically. In the same temperature range new “sensitizing” recombination centres, having small capture cross‐sections for electrons, also arise due to a photochemical reaction. This causes the photoconductivity to be increased by a factor of 2 to 100. The investigation of the kinetics of trapping and recombination processes by various methods enables several parameters to be determined for the new trapping and recombination centers.
Electron Spin Resonance of Sulfur and Selenium Radicals in Alkali Halides
Authors: Schneider J. , Dischler B. , Räuber A.
Published: July 2007

Three classes of paramagnetic radical molecules are detected in alkali halides by electron spin resonance: S3− and Se3−, SO2−, and SeO2−, and radicals formed by four equivalent sulphur or selenium atoms. The S3− and Se3− radicals occupy a trivacancy site formed by one metal and two halide vancancies. The C2‐axis of the radical is orientated along a face diagonal axis of the crystal. A hyperfine interaction of the unpaired electron with three S33 or Se77 nuclei is observed. The unpaired electron is localized in a II‐type molecular orbital formed by atomic p‐orbitals normal to the plane of the molecule. The S3− and Se3− centers are stable at room temperature. The electronic structure of the SO2− and SeO2− radicals is found to be analogous to that of S3− and Se3−. However, these radicals probably occupy only one halide vacancy site. Internal rotation is observed for SO2− and SeO2−, resulting in isotropic ESR‐spectra at elevated temperatures. Radicals formed by four equivalent sulphur or selenium atoms are detected in X‐irradiated chalcogen‐doped alkali halide crystals.
ENDOR Investigation of the S3− Sulphur Centre in KCl and NaCl
Authors: Suwalski J. , Seidel H.
Published: July 2007

A paramagnetic sulphur centre with orthorhombic 〈110〉 symmetry, described by Schneider et al. [1], is studied by ENDOR in KCl and NaCl crystals. Hyperfine and quadrupole interactions with alkali and halogen neighbours can be resolved. The principal axes of all the observed interactions are near the [001] centre axis. This fact and the observed symmetries strongly support the model of a bent S3− molecule‐ion occupying a corresponding KCl2− or NaCl2− trivacancy in the (001) plane. The ESR linewidth and hyperfine structure due to central S33 nuclei (KCl: S33 11.56% enriched) support this model.
The Contribution of Domain‐Wall Oscillations to the Small‐Signal Permittivity of Triglycine Sulphate
Authors: Fousek J. , Janoušek V.
Published: July 2007

The complex permittivity ϵ* of ferroelectric triglycine sulphate is measured in a weak ac field in the frequency range 5 × 102 to 5 × 107 Hz as a function of the net polarization Pa of the sample. The value of Pa is adjusted in steps by charge supplied from a parallel capacitor. Throughout the frequency range both components of ϵ* are larger for crystals with |Pa|≠|Ps| than for a single‐domain crystal with |Pa| = |Ps|. This indicates a contribution Δϵw* to the permittivity by the domain walls. The imaginary component Δϵw″ is an order of magnitude greater than the value of ϵ″ of a singel‐domain crystal; Δϵw′ is up to five times larger than the ϵ′ of a single‐domain crystal. The frequency dependence of Δw* suggests contributions from two different mechanisms. The frequency dependence of one of them is given approximately by the Debye equations with τ ≈ 10−7 s. Both components of the second contribution to Δϵw* decrease monotonically with frequency. The probable mechanisms of these contributions are discussed.
Theory of CdS‐Type Superlinear Photoconductivity Due to Simultaneous Excitation from Localized Levels and the Valence Band
Authors: Cardon F.
Published: July 2007

Conditions and values of breakpoints for superlinear photoconductivity, due to the simultaneous excitation of electrons into the conduction band from localized levels and the valence band, are derived for a simplified system consisting of three levels in the band‐gap. The photon energy dependence of this case of superlinearity is also discussed.
Strength and Structure of Thin Vacuum‐Evaporated Metallic Films
Authors: Ya. Pines B. , Chanh Nguyen Xuan
Published: July 2007

The structure and substructure of thin films of Al, Ag, Ge, and Ni with thicknesses in the range 100 to 700 Å, are investigated using an electron microscope and electron diffraction techniques. The results are compared with a previous determination of the thickness‐dependence of the strength of the films [1]. The structure and substructure of Au, Ag, and Ge films of uniform thickness (about 200 to 300 Å) are changed by various heat treatments following the measurement of their strength. The origin of the higher strength of the films is discussed on the basis of the results obtained.
Localized Adiabatic Transitions in Large Systems
Authors: Osherov V. I.
Published: July 2007

The transition probability is obtained for multi‐quantum adiabatic local transitions. It is independent of fluctuations of the medium with small dispersion and differs from the conventional form.
Spin Wave Dispersion in Thin Cobalt Films
Authors: Wojtczak L.
Published: July 2007

A dispersion law for the energy spectrum of thin films of hexagonal cobalt is obtained on the basis of the Heisenberg Hamiltonian and the Holstein‐Primakoff approximation. The general formulation is discussed for an arbitrary system of ferromagnetic thin films. The calculations include an effective anisotropy field.
Evaluation of Specific Heats of Titanium, Zirconium, and Hafnium
Authors: Gupta R. P. , Dayal B.
Published: July 2007

The electron gas model, described by the authors in an earlier paper, is extended to the three transition metals titanium, zirconium, and hafnium. The theoretic θ − T curves agree to within 3 to 5% with experimental values.
Vibrational Spectrum and Specific Heat of Potassium on Sharma and Joshi's Electron Gas Model
Authors: Gupta R. P. , Kishore B.
Published: July 2007

The vibrational spectrum and specific heat of potassium are calculated by using Sharma and Joshi's electron gas model for monovalent metals. The calculations are based on Houston's approximation for the frequency spectrum. The calculated lattice specific‐heat and the corresponding equivalent Debye temperature are compared with experimental data and the results are discussed.
Photoleitungs‐ und Lebensdauermesungen an Tellur
Authors: Grosse P. , Winzer K.
Published: July 2007

An undotierten Tellur‐Einkristallen wurden Photoleitungs‐ und Lebensdauermessungen bei 20 bis 90 °K ausgeführt. Der für die Polarisationsrichtungen E ⟂ c und E | c auf {1010}‐Flächen bzw. E ⟂ c auf {0001}‐Flächen bestimmte spektrale Verlauf der Photoleitung wird diskutiert und zur Berechnung der Oberflächen‐Rekombinationsgeschwindigkeit verwendet. Polarisationsabhängige Oszillationen in den Photoleitungsspektren polierter Spaltflächen werden als Interferenzen in einer durch die Politur strukturgestörten Oberflächenschicht gedeutet.
Lebensdauer und Driftbeweglichkeit von Defektelektronen in AgBr‐Kristallen bei Zimmertemperatur
Authors: Heukeroth U. , Süptitz P.
Published: July 2007

Die Untersuchungen erfolgten mit Impulsmethoden an keilförmigen Kristallen. Photodefektelektronen werden durch ein äußeres elektrisches Feld durch den Kristall hindurchgetrieben und durch ihre Wirkung auf Silberatome, die sich auf der Oberfläche befinden, nachgewiesen. Es wird festgestellt, daß zwischen der Defektelektronenlebensdauer im Volumen und der in einer oberflächennahen Schicht unterschieden werden muß. Für die untersuchten Kristalle beträgt die Lebensdauer im Volumen im Mittel 0,4 μs und an der Oberfläche oder in ihrer Nähe 80 μs. Die Lebensdauer im Volumen erweist sich als stark abhängig von der Kristallvorgeschichte und‐reinheit. Die Driftbeweglichkeit der Defektelektronen bei Zimmertemperatur beträgt 1,1 cm2/Vs.
Thermal Conductivity of Selenium
Authors: Abdullaev G. B. , Mekhtieva S. I. , Sh. Abdinov D. , Aliev G. M. , Alieva S. G.
Published: July 2007

The thermal conductivity λ of amorphous, crystalline, and liquid selenium (purity 99,99999 %) is measured in the temperature range 80 to 525°K which includes the softening (T ≈ 31°C) and melting points. The thermal conductivity of amorphous selenium increases linearly with temperature up to 304°K at which temperature there is a discontinuity involving a sharp increase of about 40%. Admixtures of Cd and Tl change the values of the discontinuity Δλg and temperature Tg. An admixture of Cd shifts the value of Δλg from 0.44 × 10−3 to 0.11 × 10−3 cal/(cm s degree) and increases Tg from 30.7 to 33.5°C. Heat treatment increases λ and changes its temperature profile. Admixtures of Tl remove the discontinuity. The thermal conductivity of selenium during melting undergoes a discontinuity of about 40% which is explained by the increase in the intermolecular distance from 3.46 to 3.74 Å. A photon thermal conductivity, which accounts for up to 30% of the overall thermal conductivity, is found in crystalline selenium at temperatures above about 350°K. The experimentally determined value of λ, its temperature dependence, the values of the softening and melting discontinuities and the photon parts agree well with theory.
Growth and Structure of Evaporated Silicon Layers
Authors: Thomas D. J. D.
Published: July 2007

Silicon, on heating in a vacuum at pressures of less than 10−6 Torr, reacts with residual organic vapours to form silicon carbide which may grow epitaxially. Growth of evaporated silicon layers commences in etch pits produced during the annealing pretreatment. Deposition continues until the etch pits become filled, when the layer becomes continuous by lateral spreading from the initial islands. Most of the defects observed are due to stacking disorders formed in the initial growth islands. Many of these defects are removed by interaction with one another as the layers become thicker.