bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Optical Absorption of Interstitial Ions in KBr Crystals at Helium Temperatures
Authors: Kurz G. , Gebhardt W.
Published: July 2007

X‐irradiation for KBr crystals at helium temperature produces the well known α‐absorption at 6.14 eV (anion vacancies) and an absorption band at 5.4 eV. The generation and annealing properties of this band are the same as those of the anomalous thermal resistivity found after X‐irradiation. It is concluded that Br− interstitial ions, which are known to cause the excess thermal resistivity, are also responsible for the 5.4 eV band.
Magnetische Feinstruktur und magnetische Eigenschaften einachsiger ferromagnetischer Schichten II. Differentielle, reversible und irreversible Suszeptibilität
Authors: Hoffmann H.
Published: July 2007

Aus der Ripple‐Gleichung wird die differentielle Suszeptibilität abgeleitet. Durch Integration erhält man die Suszeptibilität, die sich wegen der lokalen Anisotropien in einen reversiblen und einen irreversiblen Anteil aufspalten läßt. Die lokale Anisotropie bewirkt die Abweichungen der Suszeptibilität vom Eindomänenverhalten. Die Abweichungen sind gering bei Anwesenheit starker Felder. Sie wachsen mit Verkleinerung der Feldstärke und Vergrößerung der lokalen Anisotropie. Bei bestimmten Gleichfeldstärken erreichen die verschiedenen Suszeptibilitäten ein Maximum und nehmen dann mit abnehmender Feldstärke entgegen der Eindomänentheorie wieder ab. Die Aussagen der Theorie stimmen in allen Einzelheiten qualitativ mit den Experimenten von Feldtkeller überein. (Für einen quantitativen Vergleich fehlen vom Experiment her genaue Angaben über die Schichtparameter.) Die Winkelabhängigkeit der Hystereseeffekte entspricht den Messungen von Smith und Weiss. Die Theorie erklärt alle Hystereseeffekte ohne die Einführung einer negativen Anisotropie. Ihr weiterer Ausbau eröffnet neue Möglichkeiten der Strukturuntersuchung ferromagnetischer Schichten.
Measurement of the Mean and Anomalous Absorption Coefficients with the Three‐Crystal X‐Ray Spectrometer
Authors: Lefeld‐Sosnowska M.
Published: July 2007

The anomalous absorption coefficient 1/2 (σ1 — σ2) and the mean absorption coefficient σm are measured for the (220) and (111) reflections of Si single crystals for CuK radiation. The measured variation of the intensity of the diffracted beam with crystal‐thickness is composed of two exponential terms, one of which corresponds to strong absorption and the other to weak absorption of the wave field. The measurements are made with a three‐crystal X‐ray spectrometer which allows the relative angular position of the crystal under investigation to be controlled to within ±1″. The anomalous absorption coefficient is measured for the angle βr corresponding to equal to zero, values of 122 cm−1, and 75 cm−1 being obtained for the (220), and (111), reflections respectively. These values are smaller than those predicted theoretically due to the presence of imperfections in the crystals. The values of σm are 164 cm−1 and 154 cm−1 for the (220), and (111), reflections respectively, which agree with the theoretical values within the limits of experimental error.
Einfluß von α‐Bestrahlung bei tiefer Temperatur auf die innere Reibung von hochreinem Kupfer
Authors: König D. , Völkl J. , Schilling W.
Published: July 2007

An einem Ende fest eingespannte, 5 μm dicke Kupferblättchen (99,999% Reinheit) wurden bei ca. 30 °K mit α‐Teilchen aus einer 210Po‐Quelle bestrahlt, zu Querschwingungen angeregt, und aus dem Abklingen der Schwingung wurde die innere Reibung bestimmt. Es zeigt sich, daß durch die α‐Bestrahlung das Bordonimaximum zunächst fast völlig unterdrückt wird. Es tritt erst nach Aufwärmen auf Temperaturen über 125 °K wieder langsam hervor, erreicht jedoch selbst nach Aufheizen auf ca. 400 °K nicht mehr seine ursprüngliche Größe. Es wird vielmehr nach jedem Bestrahlungs‐ und Erholungszyklus kleiner. Das bekannte Nebenmaximum tritt nach einmaliger Bestrahlung nicht mehr auf. Eine Reihe von Maxima (bei ca. 39°K, 104°K, 170°K und 240°K) werden durch die Bestrahlung hervorgerufen, die wahrscheinlich Wechselwirkungsprozessen von Versetzungen mit Punktdefekten zuzuordnen sind.
Electron Microscopic Images of Single and Intersecting Stacking Faults in Thick Foils II. Intersecting Faults
Authors: Gevers R. , Art A. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The dynamic theory of electron transmission microscopic images of intersecting stacking faults is developed and discussed. Intersecting faults of the same type in f.c.c. alloys are considered, the fault planes having opposite tilt. The expected images are compared with observations on thick Cu‐15% Ga foils.

The aspects of the bright‐field images are different under different diffraction conditions: (i) “streaked” fringes parallel to the projection of the intersection line for large values of the excitation error s; (ii) for small values of s the images consist of two distinct parts: the central one and the outer one. The central part consists of a few nearly unmodulated straight fringes parallel to the intersection. The outer part is a more or less deformed superposition of two fringe patterns. A pure superposition of the fringe patterns due to each fault separately is found for a particular value of s and for the outer part of the image.

The qualitative features of the image for small s in thick foils are due to anomalous absorption effects.
Die transversale magnetische Widerstandsänderung elektronenstrahlzonengeschmolzener Wolfram‐ und Molybdän‐Einkristalle zwischen 14 und 27 °K
Authors: Berthel K.‐H.
Published: July 2007

An reinen Molybdän‐ und Wolfram‐Einkristallen wurde die Änderung des elektrischen Widerstandes im transversalen Magnetfeld zwischen 14 und 27°K untersucht. Es zeigte sich, daß die Anisotropie der Widerstandsänderung beider Metalle sehr ähnlich ist und nicht von dem Streuprozeß, der für die jeweilige Temperatur den größten Beitrag zum feldfreien elektrischen Widerstand liefert, abhängt.

Für bestimmte Winkel zwischen dem Magnetfeld und den kristallographischen Achsen der Proben wurde die Abhängigkeit der relativen Widerstandsänderung von Induktionsflußdichte B und Temperatur T gemessen. Die in Kohlerdiagrammen dargestellten Ergebnisse zeigen, daß sich die Kurven für maximale und minimale Widerstandsänderung im Bereich B/r > 107 Gauß (r ist das Widerstandsverhältnis R(T)/R(273) der Proben) nur um konstante Faktoren unterscheiden. Bei kleinerem B/r konvergieren beide Kurven, wobei die Konvergenz von der kristallographischen Orientierung der Probenachse abhängt. Im Konvergenzbereich hat der Quotient aus mittlerer freier Weglänge der Ladungsträger und Bahndurchmesser der Ladungsträger im Magnetfeld die Größenordnung 1.
Die Diffusion von Cu+‐Ionen in AgCl‐ und AgBr‐Kristallen I. Die Diffusion in undotierten Kristallen
Authors: Süptitz P.
Published: July 2007

Unter Verwendung von radioaktivem Kupfer wurden die Diffusionskoeffizienten von Cu+ in undotierten AgCl‐ und AgBr‐Kristallen in Abhängigkeit von der Temperatur im Bereich von über 400 °C bis 50 °C ermittelt. AgCl und AgBr verhalten sich gleichartig, in Schmelzpunktnähe ergeben sich hohe Diffusionskoeffizienten (> 10−5 cm2/s). Die Temperaturabhängigkeit läßt sich über einen großen Bereich durch je eine Arrheniusgleichung darstellen mit der Aktivierungsenthalpie Q = 0,399 eV für AgCl und Q = 0,455 eV für AgBr. Unterhalb von 70 °C (AgBr) bzw. 170 °C (AgCl) nimmt der Diffusionskoeffizient D verstärkt ab, gleichzeitig werden Einflüsse zufälliger Verunreinigungen und der Kristallvorgeschichte merkbar. Die im unteren Temperaturbereich beobachtbare Konzentrationsabhängigkeit von D steht in Verbindung mit der kleineren Frenkelfehlordnung. Aus der Temperaturabhängigkeit von D werden Rückschlüsse auf den Diffusionsmechanismus gezogen.
Die Diffusion von Cu+‐Ionen in AgCl‐ und AgBr‐Kristallen II. Die Diffusion in Cu+‐dotierten Kristallen
Authors: Süptitz P.
Published: July 2007

Die Diffusionskoeffizienten D von Cu+ wurden in Cu+‐dotierten AgCl‐ und AgBr‐Kristallen in Abhängigkeit von der Zusatzkonzentration bestimmt. Die Isothermen für D weisen ein Minimum auf. Einige Wanderungsmechanismen, die für die Cu+‐Diffusion möglich erscheinen, werden theoretisch daraufhin untersucht, zu welcher Konzentrationsabhängigkeit von D sie führen. Nur der Zwischengitterplatzwechsel führt zu der bei kleinen Konzentrationen festgestellten Abnahme von D bei steigender Zusatzkonzentration. Möglichkeiten zur Erklärung der Zunahme von D bei großen Konzentrationen werden diskutiert.
Untersuchungen zum Ausscheidungsmechanismus von Kupfer in Silizium
Authors: Rieger H.
Published: July 2007

Anhand licht‐ und elektronenmikroskopischer Beobachtungen wurde die Ausscheidung von Kupfer in Siliziumeinkristallen untersucht. Es ergab sich, daß die im Lichtmikroskop kompakt erscheinenden Ausscheidungen in Wirklichkeit räumlich scharf abgegrenzte Gebiete regellos angeordneter kugelförmiger Ausscheidungen sind. Die Ausscheidungsgebiete werden von spiral‐ bzw. wendelförmigen Versetzungen durchzogen. Auf Grund der durchgeführten Untersuchungen zum Ausscheidungswachstum wurde ein Modell für den Ausscheidungsmechanismus angegeben, dem eine autokatalytische Reaktion zugrunde liegt.

Es ergaben sich außerdem einige grundsätzliche Grenzen bei der Anwendung der Dekorierungsmethode zur Versetzungsbeobachtung.
Anwendung elektronenmikroskopischer Feinbereichsbeugung zur Ermittlung der Walztextur von Kupfer
Authors: Haessner F. , Jakubowski U. , Wilkens M.
Published: July 2007

Mittels elektronenmikroskopischer Feinbereichsbeugung wird an 95% gewalztem Kupfer an 600 Stellen, die über große Materialbereiche verteilt liegen, die Orientierung in bezug auf Walzrichtung und Blechebene festgestellt. Die daraus gewonnenen Polverteilungen stimmen mit den am gleichen Material röntgenographisch gemessenen (111)‐, (200)‐ und (220)‐Polfiguren überein. Die zusätzlichen Informationen, die das elektronenmikroskopische Verfahren im Vergleich zur röntgenographischen Methode zu liefern in der Lage ist, werden diskutiert.
Reptation der Magnetisierungsschleife an der Legierung Eisen—Kupfer
Authors: Leinhos H.
Published: July 2007

Es werden ausführliche Meßergebnisse zur Reptation an der Legierung Eisen—Kupfer (1,65% Cu, Rest Fe) mitgeteilt, wobei der Vergleich der Meßergebnisse mit der Rechnung von Néel angegeben wird. Die Durchführung der Messung erfolgte mit einem unsymmetrischen Wechselfeld der Frequenz 2 Hz bis zu einer Aussteuerung H/Hc ≈ 6 (Hc Koerzitivfeld) und einer Umlaufzahl n = 31. Bei dem Probenmaterial wurden entsprechend den Untersuchungen von Qureshi verschiedene Ausscheidungszustände des Kupfers eingestellt und der Einfluß dieser Ausscheidungen auf die Reptation untersucht.
Untersuchung atomarer Fehlstellen in verformtem Kupfer mit Hilfe des elektrischen Widerstandes
Authors: Ramsteiner F. , Schüle W. , Seeger A.
Published: July 2007

Das Erholungsverhalten des elektrischen Widerstandes von plastisch verformtem Kupfer (Reinheitsgrade: 99,99%, 99,999%) wird im Temperaturgebiet zwischen ‐40 und 250 °C untersucht.

In diesem Temperaturgebiet werden drei Erholungsprozesse beobachtet. Die erste Erholungsstufe (Stufe III, Aktivierungsenergie (0,64 ± 0,04) eV) wird auf die Rekombination von Zwischengitteratomen mit den (beim Verformen in etwa gleicher Konzentration entstandenen) Leerstellen zurückgeführt. Die daran anschließende Stufe IV (Aktivierungsenergie (1,05 ± 0,05) eV) wird, auf Grund der Übereinstimmung ihrer Aktivierungsenergie mit der nach Abschrecken in diesem Temperaturgebiet gefundenen, dem Ausheilen einzelner Leerstellen zugeschrieben. Bei der dritten der beobachteten Erholungsstufen handelt es sich um die wohlbekannte Stufe V.
Ein Verfahren zur Berechnung der Energien von Leerstellen in Alkalihalogeniden
Authors: Scholz A.
Published: July 2007

An Hand der Beispiele NaCl und KCl wird ein Verfahren entwickelt, um die Gitterverzerrungen und Bildungsenergien von Leerstellen in Alkalihalogeniden zu berechnen. Dabei wurden 256 Ionen explizite in der Energiefunktion U (σ1, σ2, …, σ23) berücksichtigt, wobei σλ eine Verschiebungskomponente bedeutet. Das verzerrte Gitter hat volle kubische Symmetrie. Die Energie U (σ1, σ2, …, σ23) setzt sich aus den Beiträgen der Coulomb‐, Abstoßungs‐, und Polarisationsenergie zusammen. Mit Hilfe eines Rechenautomaten wurden die Werte der Funktion U (σ1, σ2, …, σ23) berechnet und U (σ1, σ2, …, σ23) minimalisiert. Die berechneten Energiewerte für die Erzeugung eines Schottkyschen Leerstellenpaares ergeben sich zu 2,10 eV in NaCl und 2,60 eV in KCl.
Die Inhomogenität der Verformung von Germanium im Streckgrenzenbereich
Authors: Schröter W. , Alexander H. , Haasen P.
Published: July 2007

Es wurden Germaniumeinkristalle verschiedener Versetzungsdichte in dynamischer Kompression verformt. Die Verformung wurde an verschiedenen Punkten der Verfestigungskurve bis zur unteren Streckgrenze beendet und die jeweilige Versetzungsverteilung längs der Probe mittels Ätzgrübchen bestimmt. Es treten charakteristische Inhomogenitäten der Versetzungsverteilung auf, die um so stärker sind, je versetzungsärmer der Kristall ursprünglich war. Für inhomogen verformte Kristalle kann ein quantitativer Zusammenhang zwischen der am Kristall liegenden Spannung und der Verformungsgeschwindigkeit angegeben werden.
The Electrical and Thermoelectrical Properties of HgTe in the Temperature Range of Intrinsic Conductivity
Authors: Dziuba Z. , Zakrzewski T.
Published: July 2007

The Hall coefficient, mobility and thermoelectric power of HgTe have been measured in the intrinsic conductivity range. The experimental results are interpreted in terms of the simple parabolic model of the conduction band. The values of the forbidden gap and effective mass of electrons have been estimated. They are Eg < 0.0003 eV and mn = 0.02 m0, respectively. The electron—hole and optical scattering mechanisms are the most probable in HgTe in the intrinsic range.
The Permittivity Tensor of Hexagonal Selenium in the 3.3 cm Wave Region
Authors: Šícha M. , Studnička J. , Prosser V. , Gruber B.
Published: July 2007

Measurements of the permittivity of hexagonal selenium crystals, prepared from the vapour phase, in the 3.3 cm region, give ϵ!l = 9.3 and ϵ¬ = 8.1 in good agreement with optical data and theoretical expectations.
Zur Bestimmung der Sättigungskonstanten ferroelektrischer Kristalle
Authors: Schmidt G.
Published: July 2007

Aus der Abhängigkeit des Maximums der Dielektrizitätskonstanten von der Stärke des überlagerten Gleichfeldes läßt sich bei ferroelektrischen Kristallen oberhalb des Curie‐Punktes die Sättigungskonstante B bestimmen. Für Seignettesalz resp. Triglyzinsulfat ergaben sich auf diese Weise die Werte B = 58 · 1012 resp. 0,66 · 1012 Vm5 C−3. Die Ergebnisse am Seignettesalz lassen darauf schließen, daß nach dieser Methode auch ein im Kristall eingeprägtes elektrisches Feld gemessen werden kann.
Orientierungsuntersuchungen an zugverformten Magnesiumeinkristallen
Authors: Rühlicke D.
Published: July 2007

Im Rahmen des Untersuchungskomplexes zur Plastizität von Magnesiumeinkristallen wurden Versuche zur Ermittlung der bei der plastischen Verformung makroskopisch wirksamen Gleitsysteme durchgeführt. Als Nachweismethode diente die Orientierungsänderung während der Verformung in Verbindung mit Dehnungsmessungen am Kristall. In Übereinstimmung mit den theoretischen Erwartungen und den in der Literatur zitierten experimentellen Ergebnissen wurde durch die vorliegende Arbeit das Basisgleitsystem (0001) 1/3 〈1120〉 als einzig aktives Gleitsystem im Orientierungsbereich 25° < χ0 < 60° bei Raumtemperatur bestätigt. Eine makroskopische Betätigung von Sekundärgleitung konnte nicht festgestellt werden.
Electron Scattering in InSb
Authors: Tsidilkovski I. M.
Published: July 2007

Measurements and theoretical analyses of a number of transport effects in n‐type InSb for a variety of impurity concentrations and T > 77 °K are examined. The problem of electron scattering is the main one dealt with in the present paper. The contribution of different scattering processes is found to be dependent on temperature and impurity concentration. It is emphasized that acoustic phonons cannot be neglected in this respect.
Phonon Spectrum and Specific Heat of Caesium Chloride
Authors: Tiwari L. M. , Sharan B.
Published: July 2007

The phonon spectrum and specific heats of caesium chloride are determined by Kellermann's method. For the purpose of this calculation the first Brillouin‐zone is divided into 10 × 10 × 10 parts which on correct enumeration yields a total of 6000 frequencies. The agreement between the theoretical and the experimental values of the specific heats is satisfactory.
Neutronographische Untersuchungen an stöchiometrischem Manganferrit und Magnesium‐Mangan‐Ferriten zur Deutung ihrer Struktur
Authors: Kleinstück K. , Wieser E. , Kleinert P. , Perthel R.
Published: July 2007

Von drei polykristallinen Mn‐haltigen Ferriten der Zusammensetzung Mn1,01Fe1,99O3,999;Mg0,52Mn0,51Fe1,97O4,001 und g0,73Mn0,57Fe1,70O3,986 wurde mit Hilfe der Neutronen‐ und Röntgenbeugung die Verteilung der Kationen auf die Oktaeder‐ und Tetraederplätze des Spinellgitters bestimmt. Die angegebenen Zusammensetzungen sind das Ergebnis chemischer Analysen. Es wird versucht, aus der Kationenverteilung unter Berücksichtigung der experimentell ermittelten magnetischen Momente Rückschlüsse auf die Wertigkeiten der Kationen zu ziehen. Die experimentellen Daten sprechen dafür, daß das Mangan teilweise als Mn3+ vorliegt, das zusammen mit dem vorhandenen Fe2+ die Oktaederplätze besetzt, während Mn2+ auf den Tetraederplätzen sein muß.
Defektverteilung in Verlagerungskaskaden. III. Edelmetalle
Authors: Jan R. V.
Published: July 2007

Die Anwendung der in Teil I [1] und Teil II [2] entwickelten Kaskadentheorie auf die Edelmetalle Kupfer, Silber und Gold liefert folgende Ergebnisse: In allen drei Metallen entstehen ausgeprägte Leerstellenzonen; bei höheren Primärenergien (Cu ⪆ 2 keV, Ag ⪆ 5 keV, Au ⪆ 10 keV) erfolgt eine Aufspaltung in mehrere kleine Leerstellenzonen, die in eine Wolke aus Zwischengitteratomen eingebettet sind. Für das Einzugsgebiet einer bei Reaktorbestrahlung typischen Kaskade ergibt sich ein Durchmesser von etwa 80 Å (Au), 100 Å (Ag) bzw. 200 Å (Cu). Es enthält bei Gold wahrscheinlich eine einzige, bei Silber und Kupfer dagegen mehrere Leerstellenzonen.

Unsere Vorstellungen über die Schädigung durch Reaktorbestrahlung werden durch einen Vergleich mit Messungen der kritischen Schubspannung bestätigt und gestatten eine zwanglose Deutung des unterschiedlichen Verhaltens dieser Metalle bei der Erholung des elektrischen Widerstands.
Proprietés thermiques des composés ternaires CdSnAs2 et ZnSnAs2
Authors: Hugon P. Leroux , Veyssie J. J.
Published: July 2007

Afin de rendre compte des valeurs relativement faibles de la conductivité thermique de réseau de CdSnAs2 et ZnSnAs2, on a mesuré la chaleur spécifique de ces matériaux en dessous de 4,2 °K; de ces mesures on déduit des valeurs de la température de Debye θD de 234 °K et 271 °K respectivement.

On calcule d'autre part la résistance thermique due à la diffusion des phonons acoustiques par les phonons optiques présents dans le spectre de vibration du réseau, dispersion qui s'ajoute à celle des phonons acoustiques entre eux. On montre que, pour des valeurs de ω0/ωD voisines de 1,2 (ω0 fréquence de vibration des phonons optiques, ωD fréquence de vibration maximum des phonons acoustiques), l'addition des deux mécanismes de dispersion rend bien compte des valeurs obtenues de la conductivité thermique de réseau.
The Edge Emission in CdS Crystals
Authors: Spear W. E. , Bradberry G. W.
Published: July 2007

In this paper the mechanism of the green edge emission in pure, undoped CdS crystals is investigated. First, a systematic study of photoconductive, transport and luminescent properties and their dependence on heat treatment (350 °C) has been carried out. The photoconductive measurements between 77 and 130 °K indicate that a class II centre (Sp ≫ Sn) lies 0.13 to 0.15 eV above the valence band. The experimental results are then compared with calculations based on a three centre model and carried out by electronic computer over a range of temperatures and centre densities. The observed luminescent properties can be predicted in agreement with experiment, but only if the radiative recombination takes place between a free electron and a hole trapped in the above centre (Schön‐Klasens model). The effect of heat treatment and the nature of these centres are briefly discussed.
Thermische Akzeptoren in einkristallinem Tellur
Authors: Herrmann K. H. , Link R. , Rentsch W.‐D.
Published: July 2007

Die Eigenschaften abgeschreckter Tellurproben werden untersucht. Durch schnelle Abkühlung von 150 bis 360 °C auf −196 °C werden thermische Akzeptoren in Konzentrationen zwischen 4·1014 und 2·1016 cm−3 eingefroren. Parallel dazu erfolgt eine Erhöhung der Gitterbeweglichkeit. Die experimentellen Aussagen deuten auf eine Analogie im Verhalten abgeschreckter Proben zu Proben unter hydrostatischem Druck.
[Russian Text Ignored]
Authors: [Russian Text Ignored]  , [Russian Text Ignored]
Published: July 2007

[Russian Text Ignored].
Elektrische und optische Eigenschaften von amorphem Tellur
Authors: Keller H. , Stuke J.
Published: July 2007

An aufgedampften amorphen Te‐Schichten wurde die Temperaturabhängigkeit der spezifischen Leitfähigkeit gemessen. Bei hohen Temperaturen (> 200 °K) ist die Eigenleitung mit ΔE ≈ 0,87 eV vorherrschend. Bei tiefen Temperaturen ergibt sich eine Störleitung, die sich durch Erwärmung auf relativ niedrige Temperaturen (∼ 150 °K) irreversibel vermindern läßt. Mit dem Übergang kristallin‐amorph ist eine Verschiebung der Absorptionskante um 0,40 eV zu höherer Energie verbunden, die um 0,15 eV kleiner ist als die Zunahme des elektrisch gemessenen Bandabstandes. Amorphes Te zeigt Photoleitung, deren Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke und von der Temperatur sowie deren spektrale Verteilung untersucht wurde. Die Eigenschaften von amorphem Te stimmen qualitativ mit denen von amorphem Se und von amorphem Ge überein.
Interpretation of the Yellow Colour of Heat Treated ZnO Powder
Authors: van Craeynest F. , Maenhout‐Van Der Vorst W. , Dekeyser W.
Published: July 2007

Two batches of analytical grade ZnO powder (ZnON) are heated to 920 °C and one, (ZnOA), quenched to room temperature, and the other, (ZnOB), cooled slowly. Samples of both ZnOA and ZnOB are afterwards heated for one hour at temperatures between 100 and 800 °C and quenched. From all these samples the amount of free zinc is determined and the reflection and luminescence spectra measured. The reflection spectra with ZnON as blank indicate the presence of a supplementary absorption band having an intensity which depends upon the previous treatment. From this variation and correlation with the amount of free zinc the yellow colour of the samples can be explained and new models for the centres deduced.
Effets de stimulation multiple dans l'interaction de plusieurs ondes de bosons
Authors: Mayer G.
Published: July 2007

On considére des interactions élémentaires entre lumiére et matiére, oú le nombre de bosons produits peut être supérieur de plusieurs unités au nombre de bosons incidents. De telles interactions, souvent trop faibles pour être décelées expérimentalement dans des conditions normales peuvent produire des phénomènes considérables dès que l'excitation est assez intense pour mettre en jeu les effets de stimulation. Le cas d'un photon donnant naissance par interaction avec des molécules à plusieurs phonons identiques et a un photon est particulièrement discuté à cause de ses incidences possibles sur les effets Raman stimulés et sur la réalisation de systémes lasers à gain croissant.
PEM and Nernst Effects in Modulated Light
Authors: Baranowski J. , Mycielski J.
Published: July 2007

Calculations of the PEM effect always involve the sum of the light‐induced Nernst an PEM effects. The relative value of these effects depends on the properties of the material and the frequency of modulation of the light. The theory of the Nernst effect induced by the modulated light is developed taking into account that the temperature gradient is not constant over the sample. The expression for the sum of the two effects is given. The results of measurements on the mixed crystals Cd0,1Hg0,9Te are reported. The agreement with the theory is satisfactory.
A Model of “Lattice” Hardening in Irradiated Copper Crystals with the External Characteristics of “Source” Hardening
Authors: Makin M. J. , Sharp J. V.
Published: July 2007

A model is proposed to explain the formation of slip lines in irradiated copper crystals during the propagation of the Lüders front. In this model it is shown that, due to the sweeping up of the irradiation produced defect clusters by deformation, the critical stress to produce a slip line is that required to operate the source in producing the first dislocation loop in the environment of the defect clusters. As the slipped area expands a pile‐up forms and the stress required to expand this pile‐up falls. Since on this scale a normal tensile machine is soft, i.e. the load is constant, the pile‐up rapidly increases in size and velocity and hence slip lines should form very quickly. This has been verified by high‐speed photography. The sweeping up of the damage by deformation has also been verified experimentally.

The model has important consequences for “source” and “lattice” hardening. It is shown that the lattice hardening of the dispersed defects produces all the characteristics of the deformation which have formerly been used as evidence of “source” hardening.
Dynamical Theory of the Images of Microtwins as Observed in the Electron Microscope. I. Overlapping Twins
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The diffraction contrast at micro‐twins, observed by transmission electron microscopy, is discussed on the basis of the dynamic theory and including anomalous absorption. The diffraction conditions and geometrical properties are analyzed, and their effect on the image deduced. The contrast at overlapping twins is discussed in the case where matrix crystal parts are in reflection position. It is shown that a fringe pattern having similar properties to staking fault patterns may be observed. The analysis does, however, establish criteria which distinguish this image from one due to a stacking fault The properties are illustrated by observations on (101) microtwins in rutile, and analytical conclusions are compared with computed profiles for thick foils and those of intermediate thickness. The conditions existing at twinning dislocations and at the intersection of anti‐phase boundaries with twin boundaries in rutile are discussed.
Krebs's Model for the Alkali Metals and the Screening Parameter
Authors: Mahesh P. S. , Dayal B.
Published: July 2007

The specific heats of sodium, potassium, rubidium, and caesium are calculated on the basis of Krebs's model (1). It is found that the theoretical θ−T curves agree with experiment if the screening parameter is taken as an adjustable constant. The deduced values of this parameter show a gradual change from the Bohm‐Pines to the Thomas‐Fermi form during the transition from sodium to caesium. The model, however, fails to give agreement in the case of lithium. Since the measured elastic constants of this metal do not give the correct value of θ0, the discrepancy for this case may be due to the errors in measurement.
Optical Absorption and Photoluminescence of Cu‐Doped Alkali Halide Crystals
Authors: Oggioni R. , Scaramelli P.
Published: July 2007

Absorption, excitation, and and emission spectra of KCl, KBr, and KI single crystals doped with Cu, are investigated in the spectral range from 200 to 1200 nm at temperatures from 77 to 700 °K. The absorption and excitation spectra of KBr:Cu at 77 °K show three bands centred at 210, 235, and 265 nm. Since the ratio of the intensities of the 210 and 235 nm bands to that of 265 nm band is remarkably constant for different Cu concentrations, the three hands be attributed to transitions occurring within a single centre.

Optical excitation in each of these three absorption bands yields an emission spectrum showing only one band, centred at 392 nm (for KBr:Cu at 77 °K). The oscillator strength f for the 265 nm band is computed for 77 and 290 °K and found to be of the order of 6 × 10−2. Configurational curves for the emitter centre in KCl, KBr, and KI are obtained from the experimental data.
Electron Microscopy of Dislocations and Other Defects in Sapphire and in Silicon Carbide, Thinned by Sputtering
Authors: Drum C. M.
Published: July 2007

Ion bombardment has been employed as a means of thinning crystals of silicon carbide and sapphire for subsequent investigation with transmission electron microscopy. The procedures employed are described. In sapphire, small specks were found, and these were attributed to clustering at room temperature of defects introduced by the bombardment with ∼ 2 keV argon ions used during thinning. Upon heating to 800 °C, extensive networks of dislocations were formed, and the motion of these dislocations could be followed. Gas bubbles were present after annealing for an hour at 900 °C or above. No dissociation of the dislocations in sapphire was observed, but the Burgers vectors were along the a directions as anticipated. In silicon carbide, wide ribbons of stacking fault were found on the basal planes, and the stacking fault energy was estimated to be 4 erg cm−2 within an order of magnitude.
Phonon Spectrum of Caesium Bromide
Authors: Dheer J. D. , Sharan B.
Published: July 2007

Sharan and Tiwari's work has been extended to the evaluation of the phonon spectrum of caesium bromide. Heat capacity and θD vs. T curves show the usual behaviour at low temperature. The present extrapolated value of θ0 is 149 °K and is in agreement with the theoretical calculations of Marshall.
Étude photoélastique des dislocations dans LiF coloré
Authors: Schaeffer B. , Dupuy C. , Saucier H.
Published: July 2007

Des plans de glissement isolés ont été obtenus dans les cristaux de LiF irradiés aux rayons γ, puis recuits partiellement. Les contraintes résiduelles ont été déterminées par photoélasticité, en mesurant à l'aide d'un photomultiplicateur, pour deux orientations différentes, l'intensité transmise par l'échantillon placé entre nicols croisés. Les résultats sont interprétés quantitativement à l'aide de la théorie des dislocations. Ils sont compatibles avec la théorie de Read.
Die magnetische Relaxation von Hantel‐Zwischengitteratomen in elektronenbestrahltem Nickel
Authors: Kronmüller H. , Schaefer H.‐E. , Rieger H.
Published: July 2007

An elektronenbestrahlten, polykristallinen Nickelproben wurde die magnetische Desakkommodation im Temperaturbereich zwischen −30 und +40 °C untersucht. Bei ≈ 10 °C wird ein Relaxationsmaximum gefunden, das der Reorientierung von Zwischengitteratomen in der Hantellage zugeschrieben wird. Das Relaxationsmaximum heilt im Temperaturbereich der Stufe III aus. Aus der Temperaturabhängigkeit des Hantelmaximums wird die Aktivierungsenergie der Rotation der Zwischengitteratome zu (0,87 ± 0,03) eV bestimmt.
F‐Center Formation in Mixed Crystals of Alkali Halides
Authors: Arends J. , den Hartog H. W. , Dekker A. J.
Published: July 2007

Optical studies are made of the composition dependence of the colorability of mixed alkali halide crystals after X‐ray irradiation at room temperature. A pronounced minimum coloration is found at about the equimolar concentration in solid solutions of KCl–RbCl, KCl–KBr, and KBr–RbBr. The final slopes of the F‐center growth curves are smaller for the mixed crystals than for the pure components. An analysis of the results indicates that at room temperature the F‐centers are essentially formed during the initial stage of coloration.
The Effect of Exchange‐Coupled Magnetic Ions on Superconductivity
Authors: Vonsovsky S. V. , Svirsky M. S.
Published: July 2007

The conduction electron interaction induced by virtual excitations of exchange‐coupled magnetic ion pairs is considered. The dependence of the induced interaction on electron pair and ion pair states is investigated and its influence on superconductivity is discussed.
Asymmetry of Slip in Fe‐Si Alloy Single Crystals
Authors: Šesták B. , Zárubová N.
Published: July 2007

The slip planes in Fe–3% Si and Fe–6.5% Si single crystals after slow deformation ( ≈ 10−6 s−1) are studied by four‐point bending at room temperature. It is observed that the slip planes on the tensile and compression sides of the same specimen are different. The course of the critical resolved shear stress SΨ/S110 on the planes of the 〈111〉 zone is derived from the positions of the slip planes. The relative critical resolved shear stress depends on the sense of the resolved shear stress and increases as the silicon content rises. Three microscopic models of slip are discussed: composite slip along the {110} planes, composite slip along the {110} and {112} planes, and non‐crystallographic (banal) slip. The experimental results can be explained most easily by the second model. The possible influence of ordering is also discussed.
Diffraction Contrast from Small Voids as Observed by Electron Microscopy
Authors: van Landuyt J. , Gevers R. , Amelinckx S.
Published: July 2007

An investigation is made of the contrast in transmission electron microscopy at cavities or gas filled voids which are in equilibrium in a solid matrix. The dynamic theory of electron diffraction is used in the two beam approximation and normal as well as anomalous absorption is taken into account. It is shown that the presence of a cavity can be adequately represented by a phase angle α = 2 π δ z2, which depends on the thickness z2 of the void and on the diffraction conditions (through the excitation error δ). The main result is, that in contrast with other treatments, the image depends on the vertical position of the void. The theory accounts for the large variety of images which are observed under different diffraction conditions, for different void sizes and depths. Observations of cavities in rutile (TiO2) are discussed and good agreement with the theoretical predictions is found. An analytical discussion is given for the thick foil case, whereas computed profiles are used to deduce and to illustrate contrast features in the more general case.
Effect of the Phonon Field on the Plasma Frequency of an Electron Gas for Non‐Zero Temperatures
Authors: Corciovei A. , Grecu D. , Babcenco A.
Published: July 2007

The equation of motion for the one‐electron density matrix of an electron gas which interacts with a phonon field is considered for non‐zero temperatures. It is shown that the shifting of the plasma frequency is due, besides the known induced random‐phase‐approximation term, to a second term produced by the thermal equilibrium of the phonons. This second term is discussed and the corresponding dispersion relation for the plasma frequency is obtained for low and high temperatures.
Transport Properties of Cobalt at Low Temperatures
Authors: Radhakrishna P. , Nielsen M.
Published: July 2007

Measurements are made of the electrical resistivity, absolute thermoelectric power, and thermal conductivity of polycrystalline cobalt between 1.2 and 6 °K. The results are discussed on the basis of inter‐electronic scattering.
Zur Richtungsabhängigkeit der Sekundärelektronenausbeute von Kupfereinkristallen bei Ionenbeschuß
Authors: Zscheile H.
Published: July 2007

Es wird über Messungen der Sekundärelektronenausbeute an einem Cu‐Einkristall bei Beschuß mit H und Edelgasionen von 17,5 bis 35 keV berichtet. Die Ausbeute hängt vom Einfallswinkel des Ionenstrahles gegen die Probenoberfläche und von seiner Orientierung gegen das Kristallgitter ab. Der Einfluß des Einfallswinkels ist uru so größer, je größer die Reichweite der Ionen ist. Der Einfluß der Gitterstruktur wächst mit der Ionen‐masse.
Indirect Optical Transitions Induced by Carrier Interaction in Semiconductors
Authors: Ryvkin S. M.
Published: July 2007

A new type of indirect optical transitions in semiconductors is described. In these transition the conservation laws for energy and quasi‐momentum are satisfied due to interaction with free carriers. These transitions can occur, in “pure” form, in semiconductors in which the extrema of the conduction and valence bands are located at the same point of k‐space. It is found that the cross sections for the absorption and emission of photons having an “energy deficit” depend strongly upon the concentration of free carriers and (in the case of absorption) upon temperature. These dependences lead to the following effects which are, in principle, observable: i) amplification of the absorption of photons having an “energy deficit” due to a heating of carriers and ii) avalanche‐like rise of the absorption coefficient at these photon energies. It is shown that negative temperatures can be established on the basis of this type of indirect transitions, in non‐degenerate semiconductors with extrema lying at the same point of k‐space. Experimental emission‐spectra of Ge are given which are related to the interaction between free carriers.
Halbleitereigenschaften des BaTiO3 im Polaronenbild
Authors: Gerthsen P. , Groth R. , Härdtl K. H.
Published: July 2007

Durch starke Reduktion bzw. Dotierung mit La lassen sich in polykristalliner BaTiO3‐Keramik Elektronenleitfähigkeiten bis zu 102 (Ωcm)−1 erreichen. An diesen Proben wurden elektrische Leitfähigkeit, Thermokraft, Halleffekt und Ultrarotreflexion gemessen. Die Beweglichkeit ist sehr klein (0,5 cm2/Vs) und unabhängig von der Trägerdichte. Die effektive Zustandsdichte hat erwartungsgemäß hohe Werte von etwa 1022 cm−3 (Zahl der Ti‐Ionen/cm3), Diese kleinen Beweglichkeiten und hohen Zustandsdichten lassen Polaronenleitung vermuten, obwohl die hierfür typische Temperaturabhängigkeit der Beweglichkeit nicht gefunden wird. Andererseits entsprechen die Ergebnisse der Ultrarotreflexionsmessungen nicht dem Verhalten von freien Ladungsträgern, sondern lassen sich eher im Polaronenbild deuten.
Die Orientierungsabhängigkeit der Anfangssuszeptibilität von Nickeleinkristallen
Authors: Mehrer H. , Kronmüller H. , Seeger A.
Published: July 2007

An Nickeleinkristallen wurde bei Raumtemperatur die Orientierungsabhängigkeit der Anfangssuszeptibilität gemessen. Mit Hilfe einer mikromagnetischen Theorie gelingt es, die Orientierungsabhängigkeit der eckorientierten Kristalle auf eine Anisotropie der Bereichs‐struktur zurückzuführen. Für die hochsymmetrischen Richtungen werden einfache Bereichsstrukturmodelle vorgeschlagen, welche im unmagnetischen Zustand leicht bewegliche 180°‐Wände enthalten.
Thermisch aktivierte Vorgänge bei der Verformung neutronenbestrahlter Kupfer‐Einkristalle. I. Bestimmung der Aktivierungsenergie
Authors: Diehl J. , Seidel G. P. , Niemann L.
Published: July 2007

Aus Zugversuchen mit Wechseln der Temperatur und Verformungsgeschwindigkeit wurde nach einem von Conrad und Wiedersich ausgearbeiteten und von Schöck verbesserten Verfahren die Aktivierungsenergie des Gleitvorgangs zu Beginn der Verformung zwischen 78 und 400 °K bestimmt. Dabei wurden der von Schwink und Neuhäuser gefundene Einfluß der Dehnungsinhomogenität auf die Geschwindigkeitsabhängigkeit und eine mögliche Variation des Vorfaktors der Arrheniusgleichung konsequent berücksichtigt. Wie bei früheren, weniger detaillierten Untersuchungen ergibt sich eine Variation der für den Elementarprozeß charakteristischen Größe ΔG0 mit der Temperatur, die auf das Vorliegen einer Größenverteilung der Versetzungshindernisse schließen läßt.
Crystal Field Calculations of Transition Probabilities in Nd3+ in Glass
Authors: Mockovčiak S. , Pantoflíček J. , Pátek K.
Published: July 2007

Crystal field calculations of oscillator strengths are performed for some models of point‐charge coordination around Nd3+ in glass. The results are compared with the experimental values on silicate and borate glass (crystal field symmetry C3c, D3h respectively). A model in which Nd3+ has seven oxygen neighbours (resembling the A structure of crystalline Nd2O3) and a model in which it has nine oxygen neighbours (as in neodymium ethylsulphate), give best agreement with experiments on silicates, and borates, respectively.
Possible Materials for Second Harmonic Generation and for Laser Action
Authors: van Den Berg C. B.
Published: July 2007

The possibility is discussed of obtaining laseraction in the group of crystals of composition [Me(III)en3] X3 with some Me(III) = Rh and/or Ir replaced by Cr(III); en = 1,2 diaminoethane. The optical properties are nearly independent of the nature of X. Large crystals of fine optical quality can be grown and the group contains centro‐symmetric as well as piezoelectric crystals. Apart from the above possibility a second harmonic generating device is proposed consisting of a single‐crystal plate comprising alternate layers of non‐centro‐symmetric [Rh1−xIrxen3]X3 and [Rh1−x‐αIrxCoαen3]X3. The Co(III)‐ions act as SHG‐active centers and the periodic array maintains coherence between the 2 ω‐waves. The device is not limited to a specific crystallographic direction. There is no restriction by the aperture effect for the case in which the fundamental frequency enters the device perpendicular and along a principal axis. Construction of this periodic array appears to be possible.
Optische Eigenschaften von FA‐Zentren in Alkalihalogeniden
Authors: Fritz B. , Lüty F. , Rausch G.
Published: July 2007

Die Absorptionsspektren, Umorientierungseigenschaften und Emissionsspektren (ein‐schließlich der Polarisationseffekte) wurden an sieben verschiedenen FA‐Zentren‐Systemen untersucht. In Absorption zeigen sie alle eine ähnliche Doppelbandenstruktur. Es treten jedoch zwei verschiedene Verhaltensweisen bei der optischen Anregung auf. In KCl:Na, KBr:Li, RbCl:Na und RbBr:K (FA‐Zentren vom Typ I) hängt die Umorientierungsrate von der Temperatur gemäß einer Arrheniusgleichung mit einer Aktivierungsenergie nahe 0,1 eV ab. Die Emission ist in bezug auf die Breite und die Lage der Bande, die Kopplung mit Gitterschwingungen ziemlich hoher Frequenzen und die Fluoreszenzlebensdauer sehr ähnlich zu der der F‐Zentren. Die Emission ist in Richtung der Zentrenachse schwach polarisiert. In KCl:Li, RbCl:Li und RbBr:Li (FA‐Zentren vom Typ II) ist die Umorientierungsausbeute hoch und bis herab zu 2,8 °K unabhängig von der Temperatur. Die Emissionsbande ist zur Wellenlänge 2,7 μm verschoben und ist viel schmaler als die F‐Emissionsbande, ihre Verbreiterung wird durch ziemlich niedrige Frequenzen bestimmt, und die Fluoreszenzlebensdauer ist kurz. Die beobachteten Unterschiede im Verhalten der FA‐Zentren des Typs I und II scheinen durch unterschiedliche Gitterrelaxation nach der Anregung bedingt zu sein; ein Modell, das eine Erklärung dafür gibt, wird in einer zweiten Arbeit angegeben werden.
Electrical Resistivity and Thermoelectric Power of Stacking Faults in Gold
Authors: Polák J.
Published: July 2007

Pure gold wires are quenched from high temperatures into iced brine and the changes of electrical resistivity and thermoelectric power are measured simultaneously during isochronal annealing. Two recovery stages are found: the first one (at 50 °C) corresponds to vacancy clustering with the formation of stacking‐fault tetrahedra, the second one (at 650 °C) corresponds to the dissolution of the tetrahedra. It is found that the electrical resistivity due to stacking faults is QS = (1.0 ± 0.2) × 10−13 Ωcm2 and the change of thermoelectric power per unit density of stacking faults ΔSS/β = (−2.9 ± 0.3) × 10−14 Vcm/°K. Stacking faults, like vacancies, reduce the absolute thermoelectric power of gold. This behaviour is contrary to the effect of dislocations, which increase the thermoelectric power.
Zur Kantenlumineszenz von CdS bei starker Kathodenstrahlanregung
Authors: Egorov W. D. , Müller G. O. , Weber H.
Published: July 2007

Bei einem Versuch, die Basovschen Experimente zur stimulierten Emission bei Kathodenstrahlanregung von CdS‐Kristallen an Frerichs‐Kristallen bei 90 °K und geringen Elektronenenergien zu wiederholen, ergab sich keine Emissions‐Stimulation die Intensität wächst fast linear mit der Anregungsdichte. Mit der Elektronenenergie — 2,1 bis 8,5 keV — wächst die Intensität der blauen Emission stark superlinear, während eine Sättigung der grünen Emission bei von Kristall zu Kristall variierenden Elektronenergien innerhalb dieses Bereiches auftritt. Bei hohen Anregungsdichten überwiegt bei allen Elektronenenergien die blaue Emission bei weitem die grüne Bande, die in ihrer Strukture im wesentlichen konstant bleibt. Ein Zusammenhang der grünen Emission mit den Oberflächeneigenschaften der Kristalle ist auf Grund der experimentellen Befunde wahrscheinlich.
Zur anomalen Vorzeichenumkehr des Hallkoeffizienten in Tellur
Authors: Link R.
Published: July 2007

Es werden die elektrische Leitfähigkeit, der Hallkoeffizient und die Thermokraft von Tellur bei Anwendung verschiedener Modelle für die Erklärung der anomalen Vorzeichenumkehr des Hallkoeffizienten bei 500 °K berechnet. Die Untersuchung ergibt, daß der betrachtete Effekt auf die Wirkung zusätzlicher Defektelektronen im Valenzband, die die elektrischen Eigenschaften des Tellurs bei T > 360 °K beeinflussen, zurückgeführt werden muß. Diese Defektelektronen können aus thermischen Akzeptoren oder aus einem zweiten Leitfähigkeitsband mit verschwindender Elektronenbeweglichkeit stammen. Die Ladungsträgerkonzentrationen in den einzelnen Bändern werden angegeben.
Segregationsvorgänge bei der Erstarrung von dotiertem Tellur
Authors: Kujawa R. V.
Published: July 2007

Anwendung des Normal Freezing Verfahrens auf dotierte Tellurschmelzen sowie die Züchtung dotierter Tellureinkristalle ermöglichen die Ermittlung der effektiven Verteilungskoeffizienten keff = f sowie der jeweiligen Gleichgewichtsverteilungskoeffizienten k0 = f für 21 Telluride in Tellur, welche keine Abhängigkeit von der Orientierung und den Kristallisationsbedingungen (mono‐ oder polykristallin) zeigen. Es wird eine empirische Beziehung angegeben, die es erlaubt, weitere noch unbekannte Werte k0 zu berechnen. Darüber hinaus werden die Diffusionskoeffizienten der behandelten Verunreinigungen in der Tellurschmelze und ihre maximale Löslichkeit in festem Tellur bestimmt und eine Darstellung der Entmischungs‐ und Diffusionsvorgänge bei der gerichteten Erstarrung einer dotierten Schmelze, deren Lösungspartner eine geringe gegenseitige feste Löslichkeit besitzen, gegeben.
Zur Relaxation der Photoleitfähigkeit von CdS‐Einkristallen mit superlinearen Photostrom‐Beleuchtungscharakteristiken
Authors: Voigt J.
Published: July 2007

Es wird über Kurzzeitmessungen des An‐ und Abklingens der Photoleitfähigkeit (μs‐Bereich) von CdS‐Einkristallen mit bei Zimmertemperatur superlinearen Photostrom‐Beleuchtungscharakteristiken bei verschiedenen Intensitäten einer zusätzlichen konstanten Belichtung berichtet. Aus den Anklingmessungen wird die Intensitätsabhängigkeit der Quantenausbeute bestimmt, die Abklingmessungen geben Aussagen über die Beeinflussung des Anklingvorganges des Photostromes durch Anhaftprozesse der Leitungselektronen. Aus den Meßergebnissen wird der Schluß gezogen, daß bei Variation der Quasifermigrenze zwischen etwa 0,5 und 0,33 eV unter der Leitungsbandkante indirekte Anregungsprozesse der Leitungselektronen eine mit der Anregungsintensität wachsende Quantenausbeute und somit die Superlinearität der Photostrom‐Beleuchtungscharakteristik bedingen.
Die magnetokristalline Anisotropie hexagonaler ferromagnetischer Stoffe in der Nähe des Curie‐Punktes
Authors: Belov K. P. , Jergin Yu. V. , Koroleva L. I. , Levitin R. Z. , Pedko A. V.
Published: July 2007

Eine Auswertung der Meßergebnisse der Magnetisierungs‐Isothermen der Einkristalle des Gadoliniums und des Hexagonal‐Ferrits BaFe12O19 nach der Methode der thermodynamischen Koeffizienten [1] hat gezeigt, daß längs der Achse der leichten Magnetisierung (c‐Achse) die spontane Magnetisierung σ größer ist als in der Richtung senkrecht zur Achse. Aus der Anisotropie‐Größe σs und, als Folge daraus, aus der „Anisotropie des Curie‐Punktes”︁ wurde der Temperaturverlauf der Energie der magnetischen Anisotropie (die Konstanten K = K1 + K2) in der Nähe des Curie‐Punktes für beide Kristalle errechnet. Es wurde gezeigt, daß das im Gadolinium bei Annäherung an den Curie‐Punkt [2] beobachtete anomale Anwachsen der Konstante K1 durch den Einfluß des Paraprozesses bedingt ist.