bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Zum Mechanismus der Versetzungsätzung I. Die Bildung zweidimensionaler Lochkeime an den Enden von Versetzungslinien
Authors: Schaarwächter W.
Published: July 2007

Nach einem Modell von Cabrera entstehen sichtbare Ätzgruben an verunreinigungsfreien Stufenversetzungen durch spontan einsetzende zweidimensionale Lochkeimbildung, weil dabei die in der Versetzungsumgebung gespeicherte elastische Versetzungsenergie freigesetzt wird. Es wird gezeigt, daß dieses Konzept versagt, wenn die Keime nur wenige Gitterplätze umfassen, was z. B. bei Metallen wie Silber und Kupfer zutrifft. Für diese Fälle wird ein vereinfachendes Modell entwickelt, bei dem die Energie des Versetzungskerns die Keimbildung bestimmt, diese ist dann stets ein thermisch aktivierter Vorgang. Die Bildungsarbeit für Keime an einer Versetzung ist jedoch gegenüber der für Keime an versetzungsfreien Oberflächenstellen um einen Faktor < 1 vermindert, der durch das Verhältnis des Produktes (Schubmodul X Burgersvektor) zu spezifischer Keimrandenergie bestimmt ist.
Thermisch aktivierte Vorgänge bei der Verformung neutronenbestrahlter Kupfer‐Einkristalle. II. Versetzungsbewegung bei Vorliegen eines Hindernisspektrums und Auswertung von Messungen
Authors: Diehl J. , Seidel G. P. , Niemann L.
Published: July 2007

Eine theoretische Behandlung der thermisch aktivierten Versetzungsbewegung bei Vorhandensein einer Größenverteilung der Hindernisse führt auf eine Arrheniusgleichung, in der die Aktivierungsenergie bei jeder Temperatur bzw. Spannung durch einen anderen Ausschnitt des Spektrums bestimmt wird und der Vorfaktor explizit von Temperatur und Spannung abhängt. Eine hierauf aufbauende, weitere Analyse der experimentellen Ergebnisse von Teil I führt zu Angaben über Anzahl, Größe und Größenverteilung der Versetzungshindernisse. Diese bestehen höchstwahrscheinlich aus von einer Versetzung begrenzten Stapelfehlerscheibchen, die aus etwa 20 bis 30 Leerstellen aufgebaut sind.
Geometriefaktoren für elektrische Leitfähigkeit und Feldstärke in symmetrisch kontaktierten Quadern
Authors: Oberländer S. , Wilhelm W. E.
Published: July 2007

In dieser Arbeit wird ein dimensionsloser Geometriefaktor γ0 untersucht, mit dessen Hilfe eine hinsichtlich der geometriebedingten Inhomogenitäten exakte Bestimmung der Leitfähigkeit eines Quaders aus Strom‐Spannungs‐Messungen möglich ist. Ferner werden zwei weitere Geometriefaktoren γ1, γ2 untersucht, die den geometriebedingten Feldanstieg an Kontakträndern abzuschätzen gestatten. Für alle drei Geometriefaktoren werden trotz komplizierter Ausgangsformeln einfache Näherungsausdrücke angegeben. Das Auftreten von Polen der Feldstärke an den Kontakträndern wird diskutiert.
Elektonenmikroskopische Untersuchung der Versetzungsanordnung verformter Kupfereinkristalle 1. Die Versetzungsanordnung im Bereich I
Authors: Essmann U.
Published: July 2007

Kupfereinkristalle, die für Einfachgleitung orientiert waren, wurden bei 4,2, 78 und 293 °K im Zugversuch verformt und anschließend im Reaktor mit schnellen Neutronen bestrahlt, um die Versetzungsanordnung zu fixieren. Aus den Kristallen wurden dann Folien bestimmter Orientierungen herauspräpariert und im Elektronenmikroskop durchstrahlt.

Im Bereich I werden fast nur Stufenversetzungen des Hauptgleitsystems beobachtet, die in Strängen angeordnet sind. Man findet Hinweise, daß sich Schraubenversetzungen entgegengesetzten Vorzeichens durch Quergleitung annihilieren. Der Zusammenhang mit Ätzgrübchen‐ und Gleitlinienbeobachtungen wird diskutiert.
Effect of Anharmonicity on the Optical Activity of Impurity Centres in Solids
Authors: Lubchenko A. F.
Published: July 2007

The Green's function method has been used to investigate the optical activity in the impurity absorption region of solids, taking account of anharmonicity. The host crystal containing the impurity centres is assumed to be optically non‐active. It is shown that the dependence of the optical rotation on the frequency of the exciting light is the same as that of the refractive index of the impurity centres, and the frequency dependence of the circular dichroism is the same as that of the absorption coefficient.
Der Einfluß der Luftfeuchtigkeit auf die dielektrischen Eigenschaften des Seignettesalzes in der Nähe des Curie‐Punktes
Authors: Weissbach G. , Müser H. E.
Published: July 2007

Die Dielektrizitätskonstante von Seignettesalz wurde in der Nähe des oberen Curie‐Punktes bei verschiedenen Luftfeuchtigkeiten gemessen. Im Gleichgewicht sinkt der Curie‐Punkt linear mit steigender Feuchtigkeit. Nach einer Feuchtigkeitsumstellung befolgt die Verschiebung des Curie‐Punktes in grober Näherung ein Exponentialgesetz. Es wird angenommen, daß eine Diffusion von Wassermolekülen der Grund für die verzögerte Änderung des Curie‐Punktes ist.
Diffusion in Inert‐Gas Bombarded Pt and Al
Authors: Kelly R. , Ruedl E.
Published: July 2007

Diffusion in inert‐gas bombarded Pt and Al is studied by gas‐release measurements, transmission electron microscopy, and depth‐distribution measurements. It is found that gas release in Pt exhibits three components with temperature ranges of ambient < 500, 500 to 850, and > 850°C of which the range 500 to 850°C coincides with the temperatures of Pt self‐diffusion and in turn leads to the value 57 to 64 kcal/mol for ΔH for Kr‐Pt. By contrast, Al is shown to retain inert gas up to the melting temperatur of 660°C. Transmission electron microscopy of Pt shows that the gas release at 500 to 850°C is accompanied by dislocation loop annealing, while that at > 850°C coincides with the occurrence of bubbles. The tendency of Al to retain gas is found to correlate with the appearance first of bubbles and then, at about 625°C, of large surficial blisters. Depth‐distribution experiments with Pt show that the gas remaining at temperatures where bubbles are present has a deeply penetrating, exponential form, whereas in Al heated above 465°C the gas is mostly concentrated near the surface. The theory of bubble diffusion is finally considered, and is shown to predict bubble motion over the temperature ranges inferred by the other observations, namely 7> 850°C for Pt and > 500°C for Al.
Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Kristallen mit Diamantgitter auf strukturloser Unterlage
Authors: Bliznakov G. , Delineschew S.
Published: July 2007

Unter Verwendung der thermodynamisch‐statistischen Methode von Stranski und Kaischew wurden Ausdrücke für die Bildungsarbeit von zweidimensionalen Keimen der Flächen (111), (110), (310), (100) und (310) des Diamantgitters bei Ausbildung auf einer fremden, strukturlosen Unterlage erhalten. Die Bildung dieser Keime wird nur dann ermöglicht, wenn zwischen den Bauteilchen Kräfte bis zu viertnächsten Nachbarn wirken. Die Moleküle der Dämpfe über dem Kristall werden nicht assoziiert. Die obenerwähnten Ausdrücke geben den Zusammenhang zwischen den Bildungsarbeiten und der Übersättigung an. Es wurde festgestellt, daß die Keimbildung der Fläche (111) bei kleinen Übersättigungen am wahrscheinlichsten ist, während die Fläche (310) am schwierigsten gebildet wird. Bei hohen Übersättigungen ist die Reihenfolge umgekehrt. Bei mittleren Übersättigungen sind verschiedene Fälle möglich.
Electron Mirror Observations of Impurity Segregations on a Silicon Surface
Authors: Igras E. , Warmińaski T.
Published: July 2007

Electron microscope mirror observations are made of surface microfields arising from lithium impurity segregations on silicon crystals. Rapid surface drift of the lithium ions is observed on dislocation areas. When the lithium impurity is partially evaporated from the crystal the surface becomes inhomogeneous. This is considered to be due to a difference between the rate of evaporation from areas with, and without, defects. Local microfields with [B−Li+] ionic binding and their dissociation are also observed.
Moments of Impurity Absorption Bands in Solids
Authors: Gold A. , Keil T. H.
Published: July 2007

It is shown that the contributions to the first three moments of an optical absorption (or emission) band of a point defect in a solid due to uncoupled lattice modes or perturbations are additive. Deviations from simple additivity may be caused by quadratic or higher cross terms in the interaction Hamiltonian or by deviations from adiabaticity. Difficulties and ambiguities in giving a consistent second‐order treatment for extracting coupling parameters from observed moments are pointed out.
Etude topographique des figures de choc dans le fluorure de lithium
Authors: Pétroff J. F. , Authier A.
Published: July 2007

Des cristaux de fluorure de lithium ont été étudiés par la méthode des topographies aux rayons X par transmission. On décrit les différents types d'organisation des dislocations qui ont été observés. Une étude particulière est consacrée aux défauts de surface dont les images sont dédoublées. On montre que ces défauts correspondent à des amas de demiboucles de dislocations autour de figures de choc. On analyse l'orientation, la distribution et le vecteur de Burgers de ces dislocations. Un modèle est proposé pour le calcul des désorientations autour des amas de boucles. Il permet d'interpréter de manière satisfaisante la variation du contraste en fonction du plan réflecteur et la dimension des images.
Kernresonanzuntersuchungen an diffundierenden Punktdefekten in AgBr
Authors: Kluge J.
Published: July 2007

Die in bestimmten Temperaturbereichen durch diffundierende Silberlücken bzw. Kupferionen bewirkte Verminderung der Spin‐Gitter‐Relaxationszeit wird mit Hilfe ihres Einflusses auf die Breite der Kernresonanzabsorptionslinien zum Nachweis obengenannter Fehlstellen benutzt. Unassoziierter atomarer Schwefel konnte in bromierten schwefeldotierten AgBr‐Polykristallen nicht nachgewiesen werden. Der Einbau von Cu++‐Ionen in das Gitter ist in meßbarer Konzentration nicht möglich. Cu+‐Ionen nehmen unterhalb 150°C vorwiegend Gitterplätze ein oder besetzen unter Assoziation einer Silberlücke Zwischengitterplätze. In beiden Fällen wird durch Bildung bzw. Änderung von Dipolfeldern eine Spin‐Gitter‐Relaxation erzeugt. Damit verbunden ist eine Diffusion dieser Zentren.
On the Interpretation of Electron Diffraction Patterns from “Amorphous” Boron
Authors: Otte H. M. , Lipsitt H. A.
Published: July 2007

Samples of boron prepared by a vapour thermal decomposition process were examined in the electron microscope. Selected area diffraction patterns showed diffuse rings which could be indexed as f.c.c.; in several instances a hexagonal array of spots was obtained. The latter appeared unchanged on tilting the specimen in the electron beam, but more accurate measurements revealed that the spots were displaced relative to each other. Samples that had been gently heated in the electron microscope until all the diffuse rings had disappeared gave rise only to spot patterns which showed, when the specimen was suitably oriented with respect to the beam, pronounced streaks that were continuous from spot to spot. All these observations can be interpreted, at least semi‐quantitatively, in terms of a layer structure with extensive faults in the stacking sequence of the layers. The material as deposited has a very high density of stacking faults which are removed on heating, thereby converting the f.c.c. cell of B12 groups into the rhombohedral structure of boron.
Representation of a Lattice Electron in a Uniform Electric Field
Authors: Fritsche L.
Published: July 2007

Previous authors have applied the crystal‐momentum representation of lattice electrons to various problems involving interband transitions in the presence of a uniform electric field. This representation displays a new set of energy levels (“Wannier‐Stark” levels) which appear to be analogous to the “Landau” levels occuring in a magnetic field. Each level is considered to refer to an individual electron state, as in the case of “Landau” levels. The purpose of the present discussion is to show that “Wannier‐Stark” levels, however, cannot be interpreted as referring to electron states (“Kane” states). The discussion is based on Houston's solution which may be expressed in terms of “Kane” states. It is pointed out that previous calculations of the Franz‐Keldysh effect and Zener tunneling, based on Kane's ideas, contain a contradiction which directly reflects the inconsistency of the “Kane” state picture. However, owing to a tacitly made limiting process, the mentioned theories arrive at the correct results.
Untersuchung der Wechselwirkung magnetischer Flußfäden mit Versetzungen und Oberflächen in Niob (I)
Authors: Nembach E.
Published: July 2007

Es wurde der Einfluß ebener Versetzungsanordnungen auf das Eindringen dazu senkrechten Magnetflusses in supraleitende Niobeinkristalle bei 4,2°K experimentell untersucht. Die Dichte der Versetzungen ϱ wurde mittels Ätzgrübchen und Elektronentransmission bestimmt. In einem einfachen Modell kann aus der Remanenz der gemessenen Hysteresekurve auf die Kraft geschlossen werden, die einen Abrikosovschen Flußfaden Versetzungen schneiden läßt. Diese Kraft liegt für Versetzungsdichten von 2 · 106 bis 5 · 1010 cm−2 zwischen 4 · 10−7 und 1,4 · 10−4 dyn/cm und ist proportional √ϱ. Ferner wurden die Auswirkungen verschiedener Oberflächenbehandlungen auf die Magnetisierungskurve verfolgt und modellmäßig interpretiert. Die Wechselwirkung zwischen Flußfäden und Oberflächen führt zu einer Hysterese, nicht aber zu einer Remanenz.
Zweidimensionale Keimbildung und Ausbreitung von monoatomaren Schichten an versetzungsfreien (100)‐Flächen von Silbereinkristallen
Authors: Budewski E. , Bostanoff W. , Vitanoff T. , Stoinoff Z. , Kotzewa A. , Kaischew R.
Published: July 2007

Elektrochemische Erscheinungen, die das Wachstum von isolierten versetzungsfreien Flächen von Silbereinkristallen begleiten, deuten auf ein Wachstum durch zweidimensionale Keimbildung hin. Die Bildungsgeschwindigkeit von Keimen neuer Netzebenen sowie die Ausbreitungskinetik monoatomarer Schichten über versetzungsfreie Flächen werden näher untersucht.
Ein Monte Carlo‐Verfahren zur Untersuchung der Zufallsbewegung und der Reaktionen von Punktfehlern in Kristallen
Authors: Scholz A.
Published: July 2007

Ein Monte Carlo‐Verfahren zur Behandlung von Reaktionen zwischen diffundierenden Leerstellen und Leerstellengruppen in kubisch‐flächenzentrierten Metallen wird formuliert. Dabei wird ein Grundgebiet von etwa 30000 Gitterplätzen betrachtet, welches mit Hilfe periodischer Randbedingungen in einem Makrokristall eingebettet ist. Das Diffusions‐ und Reaktionsgeschehen wird auf einem elektronischen Rechenautomaten simuliert. Man erhält „Meßkurven”︁ für die Anzahl der verschiedenen Lückenarten als Funktion der Zeit.
Dislocation Multiplication as a Controlling Factor of Work‐Hardening
Authors: Bengus V. Z. , Komnik S. N. , Shtitelman O. B.
Published: July 2007

The dislocations responsible for defective structure in a KCl crystal are not only obstacles but also “sources” of multiplication for moving dislocations. It is shown that the process of multiplication of moving dislocations controls the work‐hardening of a crystal in the easy glide stage. The plastic deformation of a crystal is accompanied by repeated yield points arising from the discrete nature of dislocation multiplication. It is found that work‐softening (similar to stage III work‐hardening in f.c.c. metals) can occur in the plastic deformation of KCl crystals. In the discussion the concept about the controlling role of multiplication of moving dislocations is given as an alternative to the other point of view, which considers the work‐hardening process to be controlled by the resistance to dislocation motion.
Untersuchungen über die Alterungserscheinungen des Ge‐dotierten Bi2Te3
Authors: Bergmann G.
Published: July 2007

An p‐leitendem Bi2Te3 mit Ge‐Dotierung beobachtet man, daß sich die Löcherkonzentration nach der Kristallisation aus der Schmelze zeitlich verringert und einem Gleichgewichtswert zustrebt. Diese Alterungserscheinung wurde an Proben mit unterschiedlichen Ge‐Konzentrationen bei mehreren Lagerungstemperaturen verfolgt. Die Kinetik und das asymptotische Verhalten der Alterung lassen sich als Folge von Assoziations‐ und Dissoziationsprozessen zwischen Ge‐Atomen und Gitterdefekten darstellen. Die Anwendung dieses Modells auf eine früher entwickelte Vorstellung über den Dotierungsmechanismus führt zu einer größenordnungsmäßigen Abschätzung des Diffusionskoeffizienten von Ge in Bi2Te3.
Trapping Processes at Dislocations in Plastically Bent Germanium
Authors: Jastrzębska M. , Figielski T.
Published: July 2007

Transient and steady state photoconductivity in plastically bent germanium are investigated. Strong trapping effects are observed at low temperatures. Two main properties of monopolar photoconductivity at moderate illuminations are found; the logarithmic decay of the photocurrent, and the logarithmic lux‐ampere characteristics. Experimental results are interpreted on the basis of the barrier model of recombination at dislocations. Good aggreement between experiment and theory is obtained assuming that a dislocation forms a one dimensional energy band, the centre of which lies about 0.44 eV below the conduction band.
Some Peculiarities of Luminescence of Deformed Anthracene Crystals
Authors: Lisovenko V. A. , Shpak M. T.
Published: July 2007

It is shown that to each electronic‐vibrational band (the band width is 8 to 10 cm−1, T = 4.2°K) in the exciton luminescence (eigenluminescence) spectrum of a free anthracene single crystal there are corresponding doublets in the luminescence spectrum of thermally deformed monocrystalline films of anthracene (T = 4.2°K). One doublet component is polarized along the crystallographic axis b, and the other in the ac‐plane. Splitting of all electronic‐vibrational bands is ≈ 30 cm−1. It is assumed that it is possible to “induce” Davydov splitting of electronic‐vibrational bands in the luminescence spectrum of deformed anthracene crystals by thermal deformation.
Effective Masses in III‐V Compounds
Authors: Kołodziejczak J. , Żukotyński S. , Stramska H.
Published: July 2007

The problem of the valence band structure and effective masses in III‐V compounds is analysed. It is shown that the linear terms in the energy of heavy holes are of importance and cannot be neglected. The density‐of‐states effective mass of heavy holes is calculated as a function of the temperature and position of the Fermi level. The cyclotron‐resonance effective masses are also calculated for the limiting cases of heavy holes with low and high energies. The influence of the higher bands on the nonparabolicity of the conduction and light‐hole valence band is discussed. The effective mass of electrons and light holes as a function of concentration is calculated. The band parameters are determined by using the method proposed by Cardona [1].
Der Aufbau von Defektanhäufungen durch spontane Frenkelpaar‐Rekombination
Authors: Lück G. , Sizmann R.
Published: July 2007

Die mit der Dosis zunehmende Anhäufung gleichartiger Defekte wurde für regellose Frenkelpaar‐Erzeugung in Modellrechnungen durch Bestimmung der Korrelationsfunktionen von Leerstellen‐Leerstellen (Zwischengitteratomen‐Zwischengitteratomen) und Leerstellen‐Zwischengitteratomen erfaßt.
On Dislocation‐Boundary Interaction in an Anisotropic Aggregate
Authors: Chou Y. T.
Published: July 2007

The elastic field of a screw dislocation near a boundary (grain, interphase or free boundary) is analyzed by using anisotropic elasticity theory. Exact analytical solutions are obtained for cases where the adjacent grains possess certain symmetry elements. The results are used to derive the image force on the dislocation.
Stresses in Thin Ni‐Films with Uniaxial Anisotropy
Authors: Gontarz B. , Ratajczak H. , Šuda P.
Published: July 2007

Measurements are made of linear stresses in Ni‐films deposited at angles of incidence of the vapour ranging from 0 to 80°, perpendicular (σx) and parallel (σy) to the plane of incidence. The stresses are found to increase for small angles and to decrease for angles above 20°. The stresses σy decrease more rapidly, and become negative above 60°. This dependence of the stresses on the angle of incidence of the vapour can be explained in terms of the anisotropy of the porosity.
Die Plastizität von Aluminium–Zink‐Legierungen I. Die Verfestigung bei verschiedenen Auslagerungsstadien
Authors: Haberkorn H.
Published: July 2007

Die plastischen Eigenschaften von abgeschreckten Aluminium‐Zink‐Einkristallen im Konzentrationsbereich von 3 bis 9 At% Zn wurden in Abhängigkeit von der Vorauslagerung bei Raumtemperatur untersucht. Während die bei 77 °K gemessenen Verfestigungskurven ähnlich wie bei Aluminium drei Bereiche (1 bis 3) unterschiedlicher Verfestigung aufweisen, bestehen bei Raumtemperaturverformung größere Unterschiede gegenüber dem reinen Metall. Die Verfestigungsparameter τ0, ε2 und τ3, hängen von der Legierungskonzentration und von der Größe der während der Vorauslagerung gebildeten kohärenten Partikel (Guinier‐Preston‐Zonen) ab.
Surface and Volume Decay of the Concentration of Photoexcited Holes in Silver Bromide
Authors: Georgiev M.
Published: July 2007

The technique of detecting mobile holes developed by Malinowski and Süptitz, and the relations derived for a spatially nonuniform pulse field are used to study the concentration decay of holes generated by a light flash in plate samples of silver bromide crystals. The method makes it possible to distinguish between decay processes in the bulk and near the surface of the sample.
On the Antiferromagnetism of α‐FeOOH
Authors: Dézsi I. , Fodor M.
Published: July 2007

The Mössbauer effect is measured in natural and synthetic α‐FeOOH samples in an attempt to resolve discrepancies between results reported in the literature. The present results indicate that the deviations can be explained by the presence of water in some of the samples. The Néel temperature is found to be (367 ± 2) °K. The measured temperature dependence of the Mössbauer effect suggests that the spin‐relaxation time in α‐FeOOH is of the same order as the lifetime of the 14.4 keV excited level in Fe57 in synthetic samples.
Modes de vibrations d'une chaîne atomique comportant un atome d'impureté
Authors: Champier G. , Janot C. , Deviot Et B.
Published: July 2007

Le défaut de masse, le défaut de constante de force et l'amplitude du déplacement de chaque atome sont analysés en fonctions harmoniques sur le réseau. Les composantes des deux premiers développements sont fixées par le modèle; celles du dernier sont les solutions d'un système d'équations linéaires et homogènes qui ne sont compatibles que pour certaines valeurs de la fréquence. On a ainsi calculé les fréquences et les déplacements de chaque atome d'une chaîne atomique avec un atome d'impureté. On a retrouvé en particulier les modes localisés déjà obtenus par d'autres auteurs utilisant les fonctions de Green.
Über die Ummagnetisierung dünner ferromagnetischer Schichten mittels zweisinniger Drehung
Authors: Vinogradov O. A.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wird der Ummagnetisierungsprozeß einer dünnen ferromagnetischen Schicht durch zweisinnige Drehung auf der Grundlage folgenden Modells berechnet: Gebiete mit wechselnder Drehrichtung bilden Bänder gleicher Breite, die senkrecht zur ursprünglichen Magnetisierungsrichtung liegen. Auf der Basis dieses Modells werden notwendige Bedingungen für die Ummagnegtisierung der Schicht infolge zweisinniger Drehung erhalten. Es erweist sich als entscheidend, daß sich die Grenzen zwischen Gebieten unterschiedlicher Drehrichtung im Verlauf der Ummagnetisierung in ständiger Bewegung befinden. Nur für sehr dünne Schichten (mit einer Dicke kleiner als 100 Å für Permalloy) bleiben diese Grenzen unbeweglich, und die Zweisinnigkeit der Drehung hat fast keinen Einfluß auf die Ummagnetisierungsgeschwindigkeit.
Nuclear Polarization by Hot Carrier Flow in Semiconductors
Authors: Kalashnikov V. P.
Published: July 2007

The nuclear polarization resulting from the interaction of the nuclei with a non‐equilibrium, steady‐state, distribution of hot conduction electrons generated by crossed static magnetic and strong electric fields is investigated theoretically. The effect of a strong electric field on the spin‐lattice relaxation times of the conduction electrons and the relaxation time of the nuclei by hyperfine interaction with hot carriers are considered for various types of semiconductors. Formulae for the field‐enhanced nuclear magnetization, and for the relaxation times of the electronic and nuclear magnetic moments, are obtained as functions of the current density of the conduction electrons.
Elastic and Core Anisotropies for the 〈111〉 Screw Dislocation in Cubic Crystals
Authors: Hirth J. P. , Lothe J.
Published: July 2007

The stress component s̀rz which gives rise to an angular force between parallel screw dislocations is calculated. The stress components tend to stabilize a pile‐up of screws on a {112} plane, while they would add to the instability of pile‐ups on {110} planes. Sodium is an extreme case in which a pile‐up on {112} should be elastically stable so that it cannot disperse by cross‐slip. It is also demonstrated that in general there are asymmetries in the dislocation cores, which are manifested as important asymmetries in dislocation mobility and cross‐slip processes.
On the Electrical Properties of Some Iron‐Copper and Copper‐Manganese Ferrites
Authors: Rosenberg M. , Nicolau P. , Bunget I.
Published: July 2007

The electrical conductivity and Seebeck coefficient of some iron‐copper and copper‐manganese ferrites are investigated. The electrical properties are found to be highly dependent on the preparation conditions and this is explained by the chemical reduction of the Cu2+ ions above 900 °C. For the iron‐copper ferrites a mixed conduction mechanism is proposed. The n‐carriers are electrons on Fe3+ levels and these are dominant in the slowly cooled samples. The p‐carriers are holes on oxygen ions, these being dominant in samples quenched from temperatures above 1120 °C. An irreversible increase of the Seebeck coefficient and resistivity is produced by heating the quenched samples in the temperature range 350 to 550 °C, and this is due to oxidation of the Cu1+ ions.
The Effect of Orientation on the Yielding and Flow of Molybdenum Single Crystals
Authors: Guiu F. , Pratt P. L.
Published: July 2007

The influence of the orientation with respect to the direction of stresses has been investigated over the temperature range 77 to 413 °K. At temperatures below 300 °K the limit of the proportionality of strain to stress and the rate of work‐hardening depend markedly on the orientation. At temperatures above 300 °K the yield stress is practically independent of the orientation and the crystals can experience a large elongation without necking. Crystals with the tensile axis orientated in a direction near the centre of the unit stereographic triangle exhibit three work‐hardening stages. Slip lines and etch pit observations have shown that profuse cross‐slip of screw dislocations is a characteristic feature of the deformation of molybdenum single crystals. An explanation, based on the mobility of the jogs in screw dislocations, is proposed for the orientation dependence of the yield stress.
Contribution à I'analyse du frottement interne dépendant de I'amplitude de déformation
Authors: Peguin P. , Perez J. , Gobin P.
Published: July 2007

La mise en évidence nette du frottement interne du type ΔH du au dépiégeage thermomécanique des lignes de dislocations exige qu'on l'isole du frottement interne lié à la déformation plastique ΔP. Nous montrons qu'un léger écrouissage appliqué à un alliage aluminium‐zinc à zinc répond à cette exigence. Par ailleurs, nous proposons une relation décrivant ΔP.
Raumladungsbegrenzte Elektronendunkelströme in KCl
Authors: Tödheide‐Haupt U. , Gysler A. , Ruppel W.
Published: July 2007

In zonengereinigten und nicht‐zonengereinigten KCl‐Kristallen der Dicke zwischen 6 und 1000 μm nehmen bei 20 und 100°C für hinreichend kleinen Elektrodenabstand L die gemessenen Stromdichten j proportional L−3 zu, während für dickere Kristalle, der Ionenleitung entsprechend, j ∼ L−1 gefunden wird. Eine Interpretation der L−3‐proportionalen Ströme in zonengereinigten Kristallen als raumladungsbegrenzte Elektronenströme führt unter der Annahme eines diskreten Haftstellenniveaus zu einer Haftstellenkonzentration der Größenordnung der Konzentration der Gitterionen, was auf self‐trapping der injizierten Ladungsträger schließen läßt. Für die in nicht‐zonengereinigten Kristallen bei 100°C beobachteten L−3‐proportionalen Ströme wird auf Grund ihrer mit der der Ionenleitung übereinstimmenden Temperaturabhängigkeit die Deutung als raumladungsbegrenzte Ionenströme vorgeschlagen.
Propagation des macles dans les métaux fortement écrouis
Authors: Fontaine G.
Published: July 2007

On étudie d'un point de vue théorique le développement d'une lamelle de macle mécanique à travers le réseau de Frank d'un métal cubique à faces centrées fortement écroui. On prévoit l'existence sur les joints de macle de dislocations de macle joignant les arbres à caractère vis qui percent ces joints. Ces dislocations sont d'autant plus longues et rapprochées qu'elles se trouvent plus proches des extrémités de la macle où elles constituent alors de véritables empilements. On étudie le frottement qu'il faut surmonter pour produire l'épaississement des lamelles maclées. On montre qu'il est essentiellement dû à la nécessité de faire fonctionner en sources de Frank et Read les segments de dislocations de macle au centre des joints. On montre que les autres termes dans le frottement dû au réseau sont négligeables. On généralise enfin l'analyse à d'autres structures (hexagonaux et cubiques centrés).
On the Analysis of Experimental Data on Point Defect Recovery
Authors: Gevers R. , Nihoul J. , Stals L.
Published: July 2007

A general method is derived for transforming isothermal annealing equations into expressions for the recovery as a result of arbitrary thermal treatment. Three types of treatment are considered in detail: linear continuous heating, linear isochronal pulse heating and hyperbolic isochronal pulse heating. The latter is shown to present some real advantages since in this case the transformation can be made without approximation. It is shown that linear isochronal pulse annealing data may be treated in good approximation by using the expression for continuous linear heating, if a rather severe condition is fulfilled (ΔT ⪅ (k T + 2o/E) and provided that the annealing temperature Tp is replaced by Tp + 1/2 ΔT. By this method the isothermal annealing equations, as derived by Waite for the case of bimolecular diffusion‐controlled reactions between homogeneously‐distributed defects, are adapted for application to isochronal annealing data.
Analytical Study of Isochronal Annealing of Cold‐Worked Niobium
Authors: Stals L. , Nihoul J. , Gevers R.
Published: July 2007

The theoretical expressions derived in the preceding paper are applied to stage III isochronal annealing data for cold‐worked niobium. Close agreement between the experimental data and the theory is obtained by using the model based on uncorrelated bimolecular recombination of defects. This confirms an earlier proposed mechanism for stage III recovery in b.c.c. metals, namely recombination of randomly migrating interstitials with immobile vacancies.
Quantum Oscillations of Transport Coefficients in n‐Type Indium Arsenide
Authors: Bresler M. S. , Redko N. A. , Shalyt S. S.
Published: July 2007

Oscillations in the magnetoresistance, Hall coefficient, and thermoelectric power in transverse and longitudinal strong magnetic fields are studied for different polycrystalline samples of n‐InAs at liquid helium temperatures. Some pecularities, which have also been observed previously in n‐InSb, cannot be explained by existing theory and need special theoretical treatment.
Magneto‐Phonon Oscillations of the Light Absorption Coefficient in the Intrinsic Absorption Region
Authors: Korovin L. I.
Published: July 2007

A theory is developed for the line‐shape of the Interband oscillatory magneto‐optical absorption coefficient. The non‐stationary character of the electron states is assumed to originate from inelastic interactions between electrons and optical (polar) phonons. It is shown that the width and shift of electron levels depends non‐monotonically on the magnitude of the magnetic field, which leads to additional oscillations of the absorption coefficient which are of the magneto‐phonon resonance type. Theoretical estimates indicate that these additional oscillations should be experimentally observable.
Mößbauer‐Untersuchungen an Mn‐ und MgMn‐Ferriten
Authors: Wieser E. , Meisel W. , Kleinstück K.
Published: July 2007

Die Mößbauer‐Spektren von stöchiometrischem Mn‐Ferrit sowie zwei MgMn‐Ferriten wurden bei Zimmertemperatur und bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffs aufgenommen. Bei Zimmertemperatur wurde eine Überlagerung zweier Sechs‐Linien‐Spektren unterschiedlicher Intensität für alle drei Proben gefunden, die sich in den Tieftemperaturspektren nicht mehr nachweisen läßt. Die zwei überlagerten Spektren werden den Fe3+‐Ionen auf Tetraeder‐ und Oktaederplätzen zugeordnet. Für die beiden MgMn‐Ferrite ergibt sich dabei, daß das größere Magnetfeld am Kernort dem Untergitter mit dem kleineren mittleren magnetischen Moment entspricht. Zur Erklärung dieses Sachverhaltes werden Abweichungen von der kollinearen Néelschen Spinkonfiguration auf Oktaederplätzen diskutiert.
Delayed Fluorescence and Thermoluminescence of Anthracene Single Crystals at Very Low Temperatures
Authors: Riehl N. , Thoma P.
Published: July 2007

The delayed fluorescence of anthracene single crystals of various origins is measured at 77 and 4.2 °K. At 4.2 °K the decay time of the delayed fluorescence is much larger than at 77 °K. The optical glow curves of the crystals are measured in the temperature range 4.2 to 77 °K after excitation with UV light. The nature of the traps responsible for the glow peaks is discussed.
Pumping Induced Imperfections in Glass:Nd3+ Lasers
Authors: van Torne L. I.
Published: July 2007

A barium crown glass:Nd3+ laser rod which developed permanent internal imperfections during laser pumping was investigated by optical metallography, transmission electron microscopy, and electron diffraction techniques. The imperfections were found to be microcracks resulting from differential thermal expansion between crystallites (resulting from devitrification) and the surrounding noncrystalline medium. An analysis of the kinetics of devitrification, the radial temperature distribution during pumping and stresses resulting from differential thermal expansion are in agreement with a proposed mechanism for the development of permanent internal imperfections.
On the Velocity of Space Charge Waves (Electrical Domains) in Semiconductors
Authors: Kalashnikov S. G. , Bonch‐Bruevich V. L.
Published: July 2007

The non‐linear problem of the velocity of space charge waves (electrical domains) which occur when the volume differential resistance becomes negative is studied. Particular attention is paid to the recombination (concentration controlled) type of instability. The domain velocity is derived for the cases in which the Maxwellian relaxation time is much greater or much smaller than the recombination time. The results obtained are in order of magnitude agreement with experimental data on domains in Au‐ and Cu‐doped Ge [13, 15].
Rectifying and Photoconductive Properties of p‐GaSe Single Crystals
Authors: Abdullaev G. B. , Akhundov M. R. , Akhundov G. A.
Published: July 2007

The current‐voltage characteristics of a CdGaSeBi diode structure are given for different values of temperature and illumination. The photovoltage and photocurrent characteristics and the photocurrent spectral distribution are also presented. The mean rectification coefficient is 104 at U = 2 V. The activation energies obtained from the temperature dependence of the exponential part of the forward current characteristic for different samples are grouped around the values 0.60 and 0.34 eV. The values of the open circuit voltage (V oc) and of the short circuit current (Isc) lie between 250 to 450 mV and 300 to 900 μA/cm2 respectively. It is found that photocells based on GaSe have a better time‐response than GaSe photoresistors.
Magnetostriktiver und magnetokristalliner elektrischer Restwiderstand in Ferromagnetika
Authors: Kronmüller H. , Seeger A.
Published: July 2007

Im Rahmen der Bornschen Näherung wird in einem einfachen Modell die Streuung von s‐Elektronen in ferromagnetischen Metallen an räumlich inhomogenen Spinverteilungen der d‐Elektronen behandelt. Als maßgebend für die Streuung der s‐Elektronen wird die sd‐Austauschkopplung betrachtet. Die allgemeine Theorie wird zur Berechnung des elektrischen Restwiderstandes der Versetzungen infolge magnetischer Inhomogenitäten herangezogen. Der magnetostriktive Restwiderstand einer Versetzung verschwindet wie 1H2 mit wachsender äußerer Feldstärke. Bei kleinen Feldstärken nähert sich der Restwiderstand einem konstanten Wert. Bei plausiblen Annahmen über die Stärke der sd‐Austauschkopplung ergibt sich der magnetostriktive Restwiderstand als hinreichend groß, um experimentell nachgewiesen werden zu können.
Zur Bestimmung der freien Weglänge der Elektronen aus Messungen der Ultraschallabsorption in Metallen
Authors: Mertsching J.
Published: July 2007

Es werden verschiedene Methoden zur Bestimmung der freien Weglänge der Elektronen in Metallen eingehend diskutiert, die auf Messungen der longitudinalen Ultraschallabsorption im äußeren Magnetfeld beruhen. Es handelt sich dabei um die Bestimmung der Anzahl geometrischer Resonanzen und der Dämpfung ihrer Amplituden sowie um die Änderung der Absorption beim Einschalten eines hohen Magnetfeldes. Es wird gezeigt, daß die gebräuchliche Auswertung der Messungen der geometrischen Resonanz inkorrekt ist und viel zu große freie Weglängen ergibt. Dadurch werden die bestehenden Diskrepanzen zu den Ergebnissen der Messungen im hohen Magnetfeld erheblich verringert. Die restlichen Diskrepanzen weisen auf Abweichungen realer Metalle vom Modell freier Elektronen hin, auf dessen Grundlage die Messungen im hohen Magnetfeld ausgewertet wurden.
Étude et interprétation du stade I dans le nickel irradié aux électrons à 20°K
Authors: Peretto P. , Oddou J. L. , Minier‐Cassayre C. , Dautreppe D. , Moser P.
Published: July 2007

Des expériences couplées de traînage magnétique et de restauration de la résistivité électrique sur du Nickel pur et dopé de fer, irradié aux électrons à 20°K, permettent de proposer un modèle détaillé de la structure des défauts ponctuels évoluant au cours du stade I. Chaque sous‐stade est attribué à l'annihilation d'annihilation d'interstitiels placés sur des groupes de sites équivalents par rapport à la lacune sur lesquels ils peuvent éventuellement migrer avant da disparaître.
A New Property of Ferromagnetic‐Antiferromagnetic Coupling
Authors: Paccard D. , Schlenker C. , Massenet O. , Montmory R. , Yelon A.
Published: July 2007

Three systems exhibiting ferromagnetic‐antiferromagnetic coupling, CoCoO, NiFeNiFeMn, NiFeCr2O3, are studied using uniaxial thin films. A new property of such systems is found, i.e., a concentration of the hysteresis loops as a function of the number of cycles traced (n). This contraction follows a 1/\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\sqrt n $\end{document}n law for the first 50 cycles and is related to the rotational hysteresis. This phenomenon is attributed to fluctuations in the ferromagnetic‐antiferromagnetic coupling, which modify the magnetic interactions between differently coupled regions with each reversal.
On the Theory of the Superexchange Interaction in Ionic Crystals: KNiF3
Authors: Šroubek Z.
Published: July 2007

Studies are made of superexchange interaction in ionic crystals using the Heitler‐London theory and with particular reference to KNiF3. The generalized Heitler‐London quantitative theory of covalency allows a detailed study to be made of the transfer of an electron from cation to cation and the transfer of two electrons from an anion to the cations. No further assumptions are made and the calculations are performed numerically. The antiferromagnetic superexchange constant given by this calculations is in good agreement with the experimental superexchange constant.
Determination of Diffusion Coefficients in Metals by a Resistometric Method ‐ Application to the Diffusion of Zn in Al
Authors: Ceresara S. , Federighi T. , Pieragostini F.
Published: July 2007

A method is described for determining the diffusion coefficient in dilute solid solutions by measurements of the electrical resistivity. The diffusion equation is solved numerically for the selected experimental conditions and this provides curves suitable for direct comparison with experimental data. Results obtained for the diffusion parameters of Zn in pure Al indicate the accuracy of the method.
Magnetic and Structural Characteristics of Some Equiatomic Rare‐Earth Germanides
Authors: Buschow K. H. J. , Fast J. F.
Published: July 2007

Magnetic and structural data are given for eleven rare‐earth germanium intermetallic compounds represented by the formula RGe. The FeB type of structure is observed for R = La and Ce, while the CrB type is found for R = Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, and Y. The compounds LaGe and YGe are Pauli paramagnets. The compounds PrGe and NdGe are found to become ferromagnetically ordered upon cooling, whereas the compounds CeGe, SmGe, GdGe, TbGe, DyGe, and ErGe order antiferromagnetically. A field‐induced transition from the antiferromagnetic state to a ferrimagnetic state is observed for the compound HoGe at 4.2°K when studied in moderate fields; when pulsed field up to 80.000 Oe is used a second transition point is observed. The susceptibility at high temperatures of most of the compounds follows the Curie‐Weiss law with effective moments close to those of the trivalent free rare earth ions. In the case of SmGe, a contribution to the susceptibility from higher multiplets is observed.
Untersuchungen über Ummagnetisierungsprozesse in Rechteckferriten
Authors: Steinbeiss E.
Published: July 2007

Es wurde der Einfluß einer einachsigen Anisotropieenergie auf die Feldstärkeabhängigkeit der Ummagnetisierungszeit untersucht und die Ergebnisse im Zusammenhang mit einigen Modellvorstellungen über Ummagnetisierungsprozesse diskutiert.
Electron Diffraction Contrast of Small Stacking Fault Tetrahedra with Applications to Quenched Gold
Authors: Chik K.‐P.
Published: July 2007

It is shown that the characteristic diffraction contrast of small stacking fault tetrahedra obtained by imaging with a {220} reflection can be used to distinguish small unresolved stacking fault tetrahedra from dislocation loops. Application of these results to quenched gold shows that vacancy clusters exist already in their early stage as stacking fault tetrahedra.
On the Mechanism of Lithium Ion Drift in the Electrical Field of a pn Junction in Silicon
Authors: Antonov A. S.
Published: July 2007

The mechanism of lithium ion drift in the electric field of a pn junction is studied. In particular, the lithium concentration in the drift region and the change in the boundaries of the drift region with time are found. The distribution of the lithium concentration is calculated theoretically.
On the Strengthening Mechanism in Neutron Irradiated Copper Single Crystals. I. On Experiments Concerning Strain Rate Changes Critical Comments on the Preceding Paper of T. J. Koppenaal and R. J. Arsenault
Authors: Schwink Ch. , Neuhäuser H.
Published: July 2007

Strain rate changes are used for analysing the flow stress of n‐irradiated copper crystals and lead to the following conclusions: a) The “active crystal length”, i. e. the number of simultaneously active slip planes, increases with the strain rate \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\dot \gamma $\end{document}, resulting in \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\dot \gamma $\end{document} not being proportional to ⋖ (cross‐head speed) [1]. b) The critical shear stress (css) varies with ⋖ more rapidly than is expected from theory [2]. In the preceding paper [3] arguments are advanced against both of these statements. All of these arguments will be invalidated. The proportionality \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\dot \gamma $\end{document} ∼ ⋖ is shown to represent a rather special case from an atomic point of view. By far more general is a non‐proportionality \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$\dot \gamma $\end{document} ≁ ⋖. Taking this into accont one succeeds in describing straightforwardly the results of b). New experiments supporting our former statements are going to be reported. All conclusions drawn previously [4, 5, 6] on the strengthening mechanism in copper and based on a) and b) can be fully maintained [7].
The Raman Spectrum of NaNO2 in the Ferroelectric Phase
Authors: Chisler E. V. , Shur M. S.
Published: July 2007

The Raman spectrum of a NaNO2 single crystal in the ferroelectric phase is obtained and the polarization of the lines is investigated. The forms of normal vibrations are considered on the basis of symmetry coordinates and the intensity of lines. Formulae for translational vibrations are derived and numerical calculations are performed taking into account shortrange repulsive forces between nearest neighbours and long‐range Coulomb forces.
Optical and Thermal Properties of Color Centers in CsBr Single Crystals Irradiated at Liquid‐Helium Temperature
Authors: van de Wiele F. , Jacobs G.
Published: July 2007

Absorption bands at 435 and 437 nm, induced in CsBr single crystals by X‐irradiation at liquid‐helium temperature, are interpreted as being due to H centers. Underlying bands are observed in the region of the F absorption band. Optical and thermal interactions between the F and V type and α bands are shown to be present and mechanisms for these interactions are proposed. The formation of a new absorption band at 320 nm during the thermal bleaching is observed. Some optical and thermal properties of this band are examined.
Raumladungsbegrenzte Ströme in inhomogen belichteten CdS‐Einkristallen
Authors: Fischer R. , Stöckmann F. , Stuke J.
Published: July 2007

Raumladungsbegrenzte Ströme wurden an photoleitenden CdS‐Kristallen untersucht, bei denen ein schmaler Streifen zwischen den Elektroden schwächer belichtet wurde als der übrige Kristall. Bei diesen inhomogen belichteten Kristallen wird der Strom in dem schwach belichteten Streifen bereits bei kleinen Spannungen durch Raumladungen begrenzt, wobei das angrenzende stärker belichtete Gebiet auf der Seite der Kathode als injizierender Kontakt wirkt. In dieser Anordnung war es möglich, alle für raumladungsbegrenzte Ströme charakteristischen Abhängigkeiten von der Spannung, dem Elektrodenabstand und der Dunkelkonzentration der Ladungsträger an ein und derselben Probe zu messen. Alle Meßergebnisse stimmen gut mit den Gesetzmäßigkeiten überein, die für Kristalle mit flachen Elektronen‐Haftstellen gelten.
Luminescence and Photoconductivity in Silver Chloride with Laser Excitation
Authors: Laibowitz R. B. , Sack H. S.
Published: July 2007

In zone refined AgCl, luminescence can be excited by ruby laser light through two‐photon processes, while the photoconductivity is a result of ionization of donors. The luminescence spectrum shows some phonon structure not observed with steady uv excitation.
Integral Characteristics of Anomalous Transmission of X‐Rays
Authors: Efimov O. N. , Kovev E. K.
Published: July 2007

Integral characteristics of anomalous transmission of X‐rays are discussed on the basis of experimental and theoretical analysis of the integrated intensity for the case of symmetrical Laue diffraction, (220) germanium reflection and Cu K radiation. Experimental and calculated data are in a good agreement. The physical interpretation of these characteristics and methods for determining them are discussed. The characteristics are valid for “the region of approximation to a thick crystal”, in which only one wave field reaches the exit surface with anomalously low absorption (pure Borrmann effect). The characteristics are connected with the real and imaginary parts of the structure factor, μi ∼ Fih and yi ∼ Frh respectively. The necessity of using both integral characteristics is emphasized by the analysis of a general degree of perfection of the crystals with different types of defects and especially for cases where a “kinematic component” of the scattering is important.