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Impulsbelastung von NaCl‐ und LiF‐Einkristallen mit durch Unterwasserdrahtexplosion erzeugten Stoßwellen
Authors: Doerschel J.
Published: July 2007

Die wichtigsten Mechanismen der elektrohydraulischen Zerkleinerung werden kurz angeführt. Davon ausgehend wird gezeigt, daß sich die in NaCl‐Einkristallen nach Impulsbelastung durch Drahtexplosion zu beobachtenden Brüche im wesentlichen auf die Ausbildung von Zugspannungen in einer sich ausdehnenden zylindrischen Stoßwelle zurückführen lassen. Eine Abschätzung der Zerreißfestigkeit für {100}‐ Flächen von NaCl‐Einkristallen wird gegeben. LiF‐Einkristalle zeigen unter den gegebenen Versuchsbedingungen keine Brüche.

Bei hoher Schubspannung im Gleitsystem werden charakteristische Versetzungsanordnungen beobachtet.
Mehrphotonen‐Absorption in Kristallen und ihre Anwendungen. Will Kleber zum Gedenken
Authors: Görlich P. , Kötitz G.
Published: July 2007

Es wird in zusammenfassender Form über Absorptionsphänomene in kristalliner Materie berichtet, bei denen Anregungszustände unter Beteiligung von mehr als einem Photon am Elementarakt der Anregung erreicht werden. Das ist sowohl durch eine simultane Mehrphotonen‐Absorption als auch durch eine konsekutive, stufenweise Absorption mehrerer Photonen (in den meisten bekannten Fällen von 2 Photonen) möglich. Als Anwendungen dieser Phänomene beanspruchen in letzter Zeit besonders die Laser‐ oder 2‐Photonen‐Spektroskopie, die Ultrarot‐Quantenzähler (IRQC) und die UR‐Frequenzwandler (frequency up conversion) besonderes Interesse.
Ein Beitrag zur Züchtung von Alkalihalogeniden aus Lösungen
Authors: Žemlička J. , Barta C̀.
Published: July 2007

Es werden erste Untersuchungen über die Möglichkeit durchgeführt, die Neigung von Alkalihalogeniden zur Keimbildung in wässerigen Lösungen zu verringern. Die Vergrößerung des metastabilen Gebiets und verringerte Neigung zur Keimbildung wurde dadurch erreicht, daß der Ordnungsgrad der Lösung beeinflußt wurde. Es wird nachgewiesen, daß die Gegenwart von gelöstem Sauerstoff, eine höhere Konzentration an Wasserstoffionen und der Schutz vor sichtbarem Licht das Keimbildungsvermögen beträchtlich erniedrigen kann.
Emissionselektronenmikroskopische Untersuchungen am Zweistoffsystem Niob‐Eisen
Authors: Bewilogua K. , Reichelt R. , Wetzig K. , Wittig H.
Published: July 2007

Es wird über die Untersuchung thermischer und mechanischer Eigenschaften der Lavesphase NbFe2 sowie zweiphasiger Gebiete des Systems Niob‐Eisen mit Hilfe eines Emissionselektronenmikroskopes berichtet. Das Ergebnis eines im Emissionsmikroskop durchgeführten Schmelzprozesses am Zweiphasengebiet NbFe2‐NbFe stützt die Vorstellung, daß beide Verbindungen ein Eutektikum bilden. Die Lavesphase NbFe2 wurde sowohl durch Mikrohärteeindrücke als auch im homogenen Kompressionsversuch während der emissionselektronenmikroskopischen Abbildung plastisch verformt. Sowohl die Fließspannung als auch die Mikrohärte wurden für NbFe2 in Abhängigkeit von der Temperatur bis etwa 1550 K gemessen. Für das Verhältnis einer aus dem Härte‐Temperatur‐Verlauf folgenden kritischen Temperatur T0 zur Schmelztemperatur Tm ergab sich in guter Übereinstimmung mit Ergebnissen an anderen Lavesphasen T0/Tm = 0,64.

Beim Erhitzen in einer Restgasatmosphäre zwischen 1 · 10−6 Torr und einigen 10−4 Torr bildete sich auf NbFe2‐Oberflächen eine Dekorationsstruktur aus, die als Nioboxid erkannt wurde. Die beobachtete Dekorationsdichte betrug (1…5). · 108 cm−2. Die Möglichkeit einer Versetzungsdekoration wird diskutiert.
Eine neue Methode zur Verformung durch Zugbeanspruchung im Emissionsmikroskop
Authors: Tardy P. , Verö B.
Published: July 2007

Als Zusatzgerät zum Emissionsmikroskop EF‐Z6 des VEB Carl Zeiss, Jena, wird ein Dehnungsstab beschrieben, mit dem Blechproben bei hohen Temperaturen bis zum Zerreißen verformt werden können. Über Untersuchungen zur Rekristallisation von Aluminium und Weichstahl wird berichtet. Diese Beispiele demonstrieren die gute Verwendbarkeit des Dehnungsstabes zum unmittelbaren Studium der Keimbildung, der Korngrenzenwanderung und anderer Warmverformungsprobleme auch bei technisch interessanten Legierungen im Emissionsmikroskop. Über zwei andere Zusatzeinrichtungen, ein Dilatometer zur kontinuierlichen Temperaturmessung und einen Bildschirm zur Aufnahme verzerrungsfreier Film‐ oder TV‐Bilder wird kurz berichtet.
Emissionsmikroskopische Untersuchungen zur Änderung der Sekundärelektronenemission bei der plastischen Verformung
Authors: Wetzig K. , Reichelt R.
Published: July 2007

Bei der plastischen Verformung polykristalliner Proben im Sekundärelektronen‐Emissionsmikroskop nehmen im normalen Hochvakuum sowohl der elektronenoptische Bildkontrast als auch die Elektronenstromdichten aller Kristallite ab. Dabei sollen die Temperatur so hoch und der Restgasdruck so niedrig sein, daß die Sekundärelektronenausbeute bei Veränderung dieser Größen konstant bleibt. Im rekristallisierten Zustand nehmen die Kristallite, deren Orientierung erhalten geblieben ist, wieder ihre ursprünglichen Stromdichtewerte an. Aus den Ergebnissen kann auf einen Zusammenhang zwischen Sekundärelektronenausbeute und Kristallperfektion geschlossen werden. Für diesen Zusammenhang wird eine qualitative Erklärung versucht.
Anwendung des Nahabstandsverfahrens des chemischen Transports zur Herstellung von GaAs‐, GaP‐ und GaAsP‐Schichten
Authors: Deml E. , Talpová J.
Published: July 2007

Es werden die Möglichkeiten der Gewinnung von n‐ und p‐leitenden GaAs‐, GaAsP‐ und GaP‐Schichten und von p‐n‐Übergängen mit Hilfe des chemischen Transports nach dem Nahabstandsverfahren geprüft. Als entscheidend für das einkristallinie Wachstum der Schichten (bei Temperaturen von 800‐1070°C) wurde der Temperaturgradient zwichen Quelle und Substrat festgestellt. Er muß < 60 grd · cm−1 sein. Die Abweichungen der Orientierung der GaP‐ und GaAsP‐Schichten von der Unterlage betrugen weniger als 1°. Gleichzeitig mit der Abscheidung der Schichten wird das Substrat auf der Unterseite angeätzt, wodurch zusätzlich As in die Schichten gelangen kann. Das führt zu einer Veränderung des Lumineszenzspektrums des p‐n‐Übergangs. Es wurden verschiedene Spektren aufgenommen. Te‐dotierte Schichten wurden aus Te‐dotierten Quellen erhalten und deren elektrische Eigenschaften ermittelt. P‐n‐Übergänge wurden mit Hilfe einer Zn‐Dotierung gewonnen.
Die Anwendung des Quantimet zur Ätzgrubendichtebestimmung an Silizium‐Einkristallen
Authors: Hildebrand H. , Schubert R.
Published: July 2007

Eine quantitative Strukturbewertung von geätzten Silizium‐Kristallen ist mit dem Mikroskop Quantimet mit einer schnellen Partikelzählung, z.B. Ätzgruben auf {111}‐Ebenen, möglich. Meßtechnische Randbedingungen sind die erforderliche Ätzgrubengröße von < 3 … 5 μm, eine ebene Probenoberfläche, die richtige optische Vergrößerung, der Schwellwert und die Annahmebreite. Strukturbedingte Fehlerquellen ergeben sich aus der Überlappung der Ätzgruben bei Versetzungsdichten > 104 cm−2, die infolge der reduzierten Signalanzeige zu einer Unterbestimmung der Ätzgrubenzahl führt. Eine Überbestimmung wird meist durch einen unerwünschten Kontrast in der Oberfläche verursacht, der zusätzliche Signalanzeigen liefert. Die Fehler können durch Verwendung einer Eichkurve eliminiert werden. Infolge des geringen Zeitbedarfes, den das Zählen erfordert, ist das Quantimet für Routinemessungen und für die quantitative Abschätzung von Strukturdefekten (Ätzgrubendichte) in Silizium, einschließlich der Berücksichtigung möglicher Fehler, gut einsetzbar.
Oberflächeneffekte an Silizium‐Einkristallen
Authors: Köhler L. , Rausch B.
Published: July 2007

Nach der Diffusion oder Temperung von Si‐Planarscheiben im Vakuum oder in nicht oxydierender Atmosphäre, wurden Abtragungen unterschiedlicher Geometrie an der Oberfläche beobachtet. Charakteristische Ätzstrukturen wurden nach der Arsen‐Diffusion unter bestimmten experimentellen Bedingungen gefunden. Als Ursache der Abtragungen wird die Anwesenheit von Wasserspuren angenommen.
Messungen der Energie‐Winkel‐Verteilung von ionenausgelösten Elektronen an ebenen Kupfereinkristallen
Authors: Hliscs R. , Binder H.‐J.
Published: July 2007

In einer Ganzmetall‐Hochvakummeßanlage werden mit Hilfe eines magnetischen Energie‐Winkel‐Analysators differentielle Verteilungskurven von ionenausgelösten Elektronen bei senkrechtem Beschuß ebener Kupfereinkristalle mit Edelgasionen gemessen. Die Apparatur sowie die Meßbedingungen werden beschrieben. Für die Energie‐Winkel‐Verteilungen ergeben sich bei festem Polarwinkel der Austrittsrichtungen der Elektronen periodisch mit dem Azimut veränderliche Strukturen, die von der Symmetrie der beschossenen Kristalloberfläche und von der Energie der emittierten Elektronen abhängen.
Über die Temperaturabhängigkeit der linearen Kristallisationsgeschwindigkeit von Benzophenon in der Schmelze
Authors: Stojčev N. , Budurov S. , Kovatchev P. , Kovatchev M.
Published: July 2007

Es wird die lineare Kristallisationsgeschwindigkeit (lKG) von Benzophenon mit Hilfe der Kapillarmethode in einem großen Unterkühlungsbereich gemessen. Bei einem Kapillardurchmesser 0,10 mm ergibt sich eine Tammannsche Kurve ohne Plateau mit einem maximalen lKG‐Wert von 55,5 mm · min−1. Bei kleinen Unterkühlungswerten stellen sich die stationären kleinen Wachstumsgeschwindigkeiten erst nach längerem Tempern ein.

Die erhaltenen Experimentaldaten werden nach den Theorien für die lKG für den Fall der Schmelze bearbeitet, wobei die Schlußfolgerung gezogen wird, daß das Wachstum allem Anschein nach über eine Zweidimensionale Keimbildung erfolgt.
Electrical structure of matching cleavage surfaces of CaF2, LiF, NaCL, MgO and mica single crystals
Authors: Distler G. I. , Kortukova E. I. , Kobzareva S. A.
Published: July 2007

The method of decoration with anthraquinone has been used to study the electrical structure of matching cleavage surfaces of CaF2, LiF, NaCl, MgO and mica single crystals on the scale of optical microscopy. It has been found that the crystallization images of anthraquinone on matching areas of cleavage surfaces are regularly interconnected. From these crystallization pictures the electrical structure of the matching areas has been determined. The matching areas of CaF2 cleavages along (111) have identical charge signs; the LiF matching cleavage areas along (100) have either opposite charge sings or identical but differing in magnitude; the NaCl matching cleavage surfaces along (100) are mainly charged negatively, however, regions are also observed which differ either in charge sign or magnitude; the matching areas of MgO cleavage surfaces along (100) are either charged positively of display low electrical activity; the matching cleavages of mica along (001) contain mostly positively charged areas with electrical axes displaced by 120° with respect to one another, small areas which are charged negatively, and also regions of low electrical activity. Suggestion is made that on brittle fracture of crystals the precise cleavage planes are in many cases attributed to the defect structure of crystals, to the presence of two‐dimensional boundaries between areas of different electrical structure. Fracture of single crystals, however, can also occur statistically as a consequence of their ideal or highly generalized defect structure. The regular correspondence of crystallization pictures on the surface of local areas of matching cleavages lends further support to the view that crystallization is a matrix replication process, programmed in the electrical structure of crystal substrates.
Oszillation der Erstarrungsgeschwindigkeit beim Kristallwachstum aus der Schmelze mit rotierendem Keimkristall
Authors: Barthel J. , Jurisch M.
Published: July 2007

Es wird ein einfaches geometrisches Modell untersucht, das die Berechnung der momentanen Erstarrungsgeschwindigkeit eines unter Rotation aus der Schmelze gezogenen Kristalles erlaubt. Die Erstarrung erfolgt voraussetzungsgemäß mit rauher Phasengrenzfläche. Das Modell ist geeignet, den Einfluß experimentell zugänglicher Züchtungsparameter, wie Ziehgeschwindigkeit, Drehgeschwindigkeit und Phasengrenzflächenform auf die momentane Erstarrungsgeschwindigkeit zu studieren. Die Berechnung der Grenzflächenform in Abhängigkeit von äußeren Einflußgrößen wird ebenso wenig versucht wie die Beschreibung des Zusammenhanges zwischen Erstarrungsgeschwindigkeit und inkorporiertem Verunreinigungsgehalt.
Infrarotspannungsoptische Untersuchungen an Halbleitereinkristallen
Authors: Brauer K. H. , Feuerstake J. , Fröhlich F. , Mohr U.
Published: July 2007

Der piezooptische Effekt in Kristallen, speziell in Kristallen der Klassen m3m und 43 m des regulären Systems wird erläutert. Unter Beachtung der Symmetrieeigenschaften wird eine Methode zur Messung der Spannungsdoppelbrechungskonstanten (q11 – q12) und q44 an einer einzigen Materialprobe vorgeschlagen und an Si‐ und GaAs‐Einkristallen praktisch angewendet. Zur Messung der Spannungsdoppelbrechungskonstanten wurde eine Apparatur entwickelt, die mit großer Genauigkeit quantitative Bestimmungen erlaubt. Zur Probenpräparation wurden mehrere Verfahren untersucht.

Die Messungen an verschiedenen Si‐ bzw. GaAs‐Einkristallen ergaben unterschiedliche spannungsoptische Werte, die mit den bisher in der Literatur angegebenen Werten verglichen werden. Es wird gezeigt, daß der Begriff „spannungsoptische Konstante”︁ nicht als Materialkonstante, sondern als kristallindividueller Wert aufgefaßt werden muß. Unter Verwendung der gemessenen spannungsoptischen Werte werden die Restspannungen in kompakten Einkristallen aus Doppelbrechungsmessungen an dicken Scheiben rekonstruiert.
The role of AlIV and AlVI in transformation and synthesis of layer silicates
Authors: Frank‐Kamenetzkij V. A. , Kotov N. V. , Tomashenko A. N.
Published: July 2007

The regularities of transformations of layer silicates under hydrothermal conditions have been examined. For solid phases reactions (transformation of AlSi layer silicates, reactions in AlSi gels) the main factors that control the formation of alumosilicates besides PT‐pH are the presence of admixtures of alkali and alkaliearth cations, likewise the presence of AlIV in the starting materials. The increasing of T and decreasing of P also promotes the preferred formation of layer alumosilicates than silicates of Al. For the reactions that pass through the dissolution of components the leading factor (under PTX = const) is the pH of the surrounding. In acid surrounding silicates with AlVI are formed and in alkaline conditions such phases, in which Al is an analog of silicon and supplies the tetrahedral positions. The results have significance for comprehend geological processes which take place in zones of hydrothermal alterations, of epigenesis and low‐grade metamorphism likewise for comparison of experimental studies.
Size effect of dislocation density in Sb crystals grown by the bridgman method in a hard crucible
Authors: Maslova L. A. , Tsivinsky S. V. , Aleksandrov B. N.
Published: July 2007

A dislocation density dependence on crystal transverse dimensions has been investigated for crystals of Sb grown in split graphite moulds at rates of 1.5; 8.5 and 15 cm/h. The dependence is shown to be the same for all growth rates which agrees with an earlier suggested theoretical equation.
Confrontation of the BCF theory and computer simulation experiments with measured (R, σ) curves
Authors: Bennema P. , Boon J. , van Leeuwen C. , Gilmer G. H.
Published: July 2007

A brief summary of crystal growth models – the surface diffusion model of Burton, Cabrera and Frank and computer simulation models – is given and these models are confronted with measured (R, σ) curves. It was found that the most (R, σ) curves measured so far can be fitted by BCF curves with 10−2 ≲ σ1 ≲ 10−1 and C having an order of magnitude of 10−4 cm ≲ s−1. ΔG turns out to be 12 ± 5 kcal ≲ mol−1. – Some of the (R, σ) curves can be described better by a nucleus above nucleus formalism. The order of magnitude of A is 10−4 cm · s−1 and 10−2 ≲ B ≲ 10−1. – It is concluded what kind of work should be done in future to check theoretical models.
Bandstruktur und thermoelektrische Eigenschaften von Wismut‐Antimon‐Legierungen
Authors: Wagner N. , Brümmer O.
Published: July 2007

Es wird der Einfluß der elektronischen Bandstruktur auf die thermoelektrischen Eigenschaften von BixSb1–x‐Legierungen (0 ≦ (1 – x) ≦ 1) untersucht. In dem Legierungsbereich mit hoher thermoelektrischer Effektivität sind die differentielle Thermokraft und der Quotient aus elektrischer und thermischer Leitfähigkeit gleichermaßen an dem Anwachsen des Gütefaktors (relativ zu reinem Wismut) beteiligt. Es zeigte sich, daß die Abnahme von Beweglichkeitsverhältnissen von Ladungsträgern unterschiedlichen Vorzeichens überkompensiert wird durch Veränderungen der partiellen Seebeck‐Koeffizienten. Das resultiert aus Modifikationen in der elektronischen Bandstruktur und aus einer Verschiebung der Fermigrenze in einem m‐Bandmodell mit m > 2. Hierdurch wird auch die elektrische Leitfähigkeit und die Wärmeleitfähigkeit unterschiedlich beeinflußt.
Mikronalytische Untersuchungen an metallkarbidbeschichteten Werkstoffen
Authors: Küchler L. , Mey E.
Published: July 2007

Es wird über Ergebnisse metallographischer und mikroanalytischer Untersuchungen an Querschliffen metallkarbidbeschichteter Eisenwerkstoffe berichtet. Die Klärung des Schichtaufbaues, die Verteilung der schichtbildenden Komponenten und der Einfluß des Grundwerkstoffes auf den Beschichtungsvorgang werden dargelegt.
Einfluß der Konzentrationsverteilung im Mikrobereich auf die Bestimmung des Seigerungskoeffizienten von Stählen mit dem Elektronenstrahlmikroanalysator
Authors: Spies H.‐J. , Siegel U.
Published: July 2007

Zur Beschreibung der Konzentrationsunterschiede im Mischkristall wird üblicherweise der Seigerungskoeffizient verwendet. Eingehende Untersuchungen an Proben der Stahlmarken × 5 CrNi 18.10, 20 MoCr 5 und 100 Cr 6 haben ergeben, daß in den Bereichen maximaler Konzentration unterschiedlich starke Konzentrationsgradienten und Ausscheidungen zweiter Phasen auftreten können. In Verbindung mit dem begrenzten analytischen Auflösungsvermögen der Mikrosonde entstehen dadurch bei der üblichen Bestimmung des Seigerungkoeffizienten systematische, vom Dispersionsgrad des Erstarrungsgefüges und den Prüfbedingungen, abhängige Fehler. Zur Kennzeichnung der Kristallseigerung eignet sich die Konzentrationsverteilungskurve besser; sie ermöglicht eine vollständigere Beschreibung und gute Reproduzierbarkeit.
Über die Volumenzerfallskinetik übersättigter ferritischer Eisen‐Zink‐Legierungen
Authors: Budurov S. , Russev K.
Published: July 2007

Es wird die Avramikinetik der diskontinuierlichen Ausscheidung (Auslagerung) in durch Schmelzen hergestellten FeZn‐Legierungen untersucht.

Die Auslagerung verläuft bei einer bevorzugten Entstehung der Zweiphasenkolonien an den Kornkanten. Die Zerfallskinetik wird von der von Cahn modifizierten Kolmogorov‐Avramischen Formel bei einer Keimbildung an den Kornkanten und einer Erschöpfung der aktiven Zentren noch während den frühesten Auslagerungsstadien beschrieben.

Die Verteilung des gelösten Zinks bei der Auslagerung erfolgt durch Diffusion in den Zellengrenzen; die Aktivierungsenergie beträgt etwa 33000 cal/mol.
Der Zusammenhang zwischen Oberflächenbehandlung und Barrierenhöhe bei metallkontaktiertem GaSb
Authors: Vogel K. , Engel A.
Published: July 2007

Die Barrierenhöhen von Ag‐, Au‐; Ni‐, Al‐; In‐ und Sn‐Kontakten an p‐ und n‐GaSb wurden aus der Messung von I–U‐Kennlinien bestimmt. Sie sind stark von der Oberflächenbehandlung des Halbleiters und dem eingesetzten Metall abhängig. Die Ergebnisse, die an Kontakten auf chemisch und mechanisch polierten (111)‐A‐Oberflächen erhalten wurden, sind von der Oberflächenstruktur, von Traps und Zwischenschichten abhängig. Sie führen zu spezifischen Veränderungen am Metall–Halbleiter‐Kontakt und bestimmen das „ohmsche”︁ oder sperrende Verhalten der Kontakte. Nur auf chemisch polierten Oberflächen zeigen Sn‐, Al‐ und Ag‐Kontakte an n‐GaSb und Au‐ sowie In‐Kontakte an p‐GaSb „ohmsche”︁ Charakteristiken.
Untersuchungen zur Neubildung von Versetzungen bei der tiegelfreien Züchtung von Silizium‐Einkristallen
Authors: Schröder W. , Wolf E.
Published: July 2007

Bei der tiegelfreien Züchtung versetzungsfreier Silizium‐Einkristalle werden häufig spontane Versetzungs‐Neubildungen beobachtet, die nicht auf erkennbare Ursachen zurückzuführen sind. Mit Hilfe röntgentopographischer und metallographischer Analysenmethoden wird versucht, den Ursprung dieser Versetzungsbildungen im Kristall zu lokalisieren. Ihre Entstehung in Bereichen der Kristalloberfläche läßt auf das Vorhandensein eines Temperatur‐Spannungs‐Mechanismus schließen, welcher infolge hoher Temperaturschocks die Bildung neuer Versetzungen in noch plastischen Gebieten des bereits gebildeten Kristalls auslöst.
A Simple Method to Realize the Atomic Structure of Crystal Faces
Authors: Alijev R. M.
Published: July 2007

A simple method for the determination of the atomic structure of crystal faces is proposed. Its application is given by way of the investigation of some Iceland spar crystal faces being of great technical interest.
Ein Gerätesystem zur röntgenographischen Orientierung von Einkristallen
Authors: Filscher G. , Adolph F. , Adler L.
Published: July 2007

Das zweistufige Gerätesystem zur Kristallorientierung besteht aus einer Laue‐Kamera mit Röntgenbildwandler und einem Röntgendiffraktometer. Über eine Bezugsfläche am Kristall werden die röntgenographisch ermittelten kristallographischen Richtungen optisch an den Kristall angeschlossen.
The Chemical Vapour Deposition of Tantalum
Authors: Jerreat D. J. , Rawlings Rees D.
Published: July 2007

The effect of the total pressure, feed temperature, deposition temperature, and reaction tube inclination and geometry on the chemical vapour deposition of tantalum from the pentaiodide has been investigated. Transport rates as high as 350 mg hr−1 were achieved in inclined tubes of specific geometry with a feed temperature of 650°C and a deposition temperature of 1200°C. The dependence of the transport rate on the total pressure, and the feed and deposition temperatures has been analysed and suggestions made as to the rate controlling processes.
Röntgentopografische Untersuchungen an hochdotierten Galliumarsenid‐Einkristallen
Authors: Schumann B. , Schulz M.
Published: July 2007

Es wird über röntgentopografische Untersuchungen an hoch Sn‐dotierten GaAs‐Einkristallen, gezogen nach dem Czochralski‐Verfahren mit Abdeckschmelze, berichtet. Die röntgentopografische Abbildung von spezifischen Defekten, verbunden mit einem inhomogenen Dotierungseinbau durch konstitutionelle Unterkühlung und Zellenwachstum, wird beschrieben. Spezielle Kontrasterscheinungen werden diskutiert.
The Molecular and Crystal Structure of Bis‐Dimethyl Trimethine Cyanine Perchlorate, C7H15N2Cl04
Authors: Sieber K. , Kutschabsky L. , Kulpe S.
Published: July 2007

The structure of the bis‐dimethyl trimethine cyanine perchlorate crystallizes in the space group Cc with the lattice constants a = 7,873 Å, b = 19.01 Å, c = 7.735 Å, β = 103.36°. It was spatially and anisotropically refined to a discrepancy factor of 0.09. The CC distances in the trimethine chains show the bond length compensation typical of polymethines. The NC distances are roughly similar and correspond to partial double bonds. The valence angles of the three methine carbon atoms alternate and are in turn above and below 120°. For the oxygen atoms of the perchlorate anions, a disorder‐like, statistical distribution on closely adjacent atomic layers is assumed. The trimethine chains are packed aggregation‐like in unidimensional stacks. Their centre planes and chain axes are not, however, parallel to each other.
Einfluß der Stapelfehlerenergie auf den kristallographischen Umgitterungsmechanismus der γ/α‐Umwandlung in hochlegierten Stählen
Authors: Schumann H.
Published: July 2007

Der Umgitterungsmechanismus der Phasenumwandlung kub.‐flz. γ → kub.‐rz. α hängt von der Stapelfehlerenergie (SFE) ab. Bei großer SFE ist eine Verschiebung von (111)γ‐Ebenen durch Shockleysche Halbversetzungen vom Typ b = 1/6 [211]γ nicht möglich, und die direkte Umgitterung γ → α erfolgt durch zwei homogene Scherungen um 19°28′ bzw. 10°32′. Bei einer SFE unterhalb von etwa 15 bis 20 erg/cm2 findet diese Abgleitung jedoch statt, wobei sich die ϵ‐Phase bildet. Abhängig von der thermodynamischen Stabilität kann durch eine weitere Scherung die ϵ → α‐Umwandlung erfolgen. Die Umwandlung γ → α erfolgt vorzugsweise durch äußere elastische Spannungen, der γ → ϵ → α‐Übergang ebenso, aber auch durch plastische Deformation auf Grund von gleitfähigen Teilversetzungen.
Refinement of sp3‐Hybridized Wave Functions of Boron Phosphide by Experimental Values of Structure Factors
Authors: Olekhnovich A. I.
Published: July 2007

From the comparison of the experimental values of structure factors with the calculated ones in sp3‐bond approach the wave functions of boron phosphide compound were refined.

It is shown that forming of the compound causes localization (compression) of the wave functions of valence electrons around cores, the degree of wave functions' compression of boron being higher than that of phosphorus.
Kinetic Nature of the Process of Microindentation into Alkali Halide Crystals
Authors: Kats M. S. , Regel V. R. , Boyarskaya Yu. S. , Boyarskaya S.
Published: July 2007

The investigation of the dependence of indentor intrusion depth on the time of load application and temperature for the alkali‐halide crystals KCl, LiF, NaCl has been carried out. The dependence of indentor intrusion velocity logarithm lg ḣ in microhardness H appears to be linear in the investigated interval of loading times and temperatures. The data obtained may prove the thermofluctuational character of the microindentation process. — The activation energy of microindentation process almost coincides with the activation energies of the sublimation process.
Formation of dislocation structure in silicon layers on non‐orienting substrates
Authors: Meyer S. , Aseev A. L. , Klimenko A. G. , Klimenko E. A. , Stenin S. I.
Published: July 2007

A dislocation structure of Si layers crystallized from a floating grain on quartz glass and mullite ceramics substrates has been investigated by transmission electron microscopy (TEM) including the high‐voltage one. The effect of the layer orientation on the crystallographic features of dislocation distribution and brittle fracture in Si‐SiO2 system has been considered. The dislocation structure is proved to form mainly at temperatures lower than 0.8 of absolute melting temperature (Tm) of Si. Dislocation sources are located inside the crystallizable layer, and they are dislocations appearing from grain as well as the dislocation bundles near the interface. The cross slip of screws plays an essential role in dislocation multiplication. The difference of thermal expansion coefficients of the layer and substrate determines the finite dislocation density near the interface and in the bulk of the layer.
Über das Wachstum von Silberamalgamwhiskern
Authors: Nanev Chr. , Ditschewa K. , Dontschewa T.
Published: July 2007

Das Wachstum von nadelförmigen Einkristallen aus Silberamalgam (s. g. Whisker) wurde untersucht. Sie wurden gezüchtet aus wäßrigen Lösungen auf einer Quecksilberoberfläche durch eine Art von Innenelektrolyse. Die Whisker sind mit Quecksilber gefüllte hexagonale Kapillarröhrchen. Es wurde eine potentiostatische Methode entwickelt, mit deren Hilfe die Übersättigung bzw. die Überspannung, unter welcher die Whisker wuchsen, bestimmt wurde. Dieselbe Methode bietet weiterhin auch eine Möglichkeit zur Steuerung des Whiskerwachstumsprozesses.
Morphology and orientation relations of BaCl2 precipitates in NaCl single crystals
Authors: Vlasák G. , Hartmanová M.
Published: July 2007

In the present paper morphology and orientation relations of BaCl2 precipitates in NaCl single crystals are described. It is shown that BaCl2 precipitates of large dimensions are formed at the dislocations of a/2〈110〉{100}, the dislocation lines of which are oriented in the directions 〈210〉.
The crystallisation of strontium and barium molybdates and tungstates from lithium chloride melts by continuous cooling. The kinetics of crystal growth in alumina crucibles
Authors: Packter A. , Roy B. N.
Published: July 2007

Strontium and barium molybdate tungstate solutions in lithium chloride melts were crystallised in alumina crucibles; saturated solutions were cooled from initial temperature T0 = 800 °C at cooling rates RT = 40°, 100° and 200°C hr−1. The kinetics of the crystal growth were studied by chemical analysis of the solution and by optical microscopy measurements of the crystals. – Heterogeneous nuclei first grew to small crystallites (lenghts l from about 0.02 to 0.12 cm) during prolonged induction periods: the main crystal growth then started after the development of some excess solute concentration ΔC = 0.3 ΔCtot to ΔCtot (where ΔCtot was the total excess solute concentration that developed on cooling to the eutectic temperature) at temperature T. The main crystal growth, at grown times τ = 0 to τ*, was diffusion rate‐controlled. The average crystal lenghts generally varied with growth time according to the relation,
equation image
where

Rc (= ÅT) is the rate of development of excess solute concentration.

kΔ is the diffusion rate constant at temperatures near T

K is ϱfN (where N is the crystal number):

for the first forty percent crystallisation, this relation simplified to
equation image
The intial growth rates and l/τ ratios depended not on cooling rates but on the ΔC values (at the start of growth). The kinetics of crystallisation of barium molybdate (where ΔC = ΔCtot were similar to those for crystallisation from supersaturated solutions onto seeds at temperature T; for these crystallisations
equation image

where ID(α) is the Nielsen function for diffusion‐controlled growth.

The last thirty percent growth was rate‐controlled by the rate of development of excess solute concentration only; in this range, crystal lenghts varied with growth time according to the relation,
equation image
Growth and properties of Lu3Al5O12‐RE3+ single crystals
Authors: Petrosyan A. G. , Bagdasarov Kh. S. , Butaeva T. I. , Ovanesyan N. G. , Shirinyan G. O.
Published: July 2007

Optically transparent garnet single crystals were grown from Lu3Al5O12 melts containing different RE3+ ions. The distribution coefficient of Nd3+ ions is found to be a function of the growth rate. Lu2O3–Al2O3 system studies have been partially carried out. Measurements of the lattice data, absorption spectra and comparison with some properties of Y3Al5O12 single crystals have also been made.
Low‐angle boundaries in silicon crystals
Authors: Eidenson A. M. , Dashevsky M. Ya.
Published: July 2007

The main types of low‐angle boundaries (LAB) in single crystals with diamond‐type lattice are determined. The scheme of dislocation alignments formation in thermal stress field of growing crystal which allows to derive types of possible LAB and their distribution in crystal is proposed. On its basis the LAB formation in Si single crystals grown in different crystallographic directions is considered. It appears that LAB types and their distribution in the crystal depend on the character of the thermal stresses and on the crystal growth direction.
Ionenstrahlgestäubte GaAs‐Schichten auf verschiedenen einkristalline Substraten
Authors: Absch G.‐R. , Hecht G. , Weissmantel Chr. , Zwinscher J.
Published: July 2007

Dünne GaAs‐Schichten wurden mittels der Ionenstrahlzerstäubung auf Spinell, (111)‐Si und (100)‐GaAs abgeschieden. Das Strahlsystem arbeitete mit Argonionen (10 keV) bei einem Vakuum von 5…︁8 · 10−6 Torr im Rezipienten. Als Target wurde undotiertes polykristallines GaAs verwendet. Die Untersuchungen der Schichteigenschaften erfolgte durch elektronenmikroskopische Verfahren (RHEED und C/Pt‐Abdrücke). Die Substrattemperaturen lagen zwischen 180 °C und 590 °C bei Abscheidungsraten von 1&3 Å/s. In einem relativ schmalen Temperaturbereich wurden epitaktische Schichten guter Qualität erhalten; die optimalen Werte lagen für GaAs auf Si bei 540 °C und für GaAs auf GaAs im Interval von 400…︁450 °C. Höhere Substrattemperaturen führten zu Störungen der Kristallstruktur durch Ga‐Überschuß in der Schicht infolge Zersetzung des GaAs.
Bindungsladung und Kristallstruktur
Authors: Hübner K.
Published: July 2007

Es wird die funktionale Abhängigkeit der Position der Phillisschen Bindungsladung von der Ionizität der chemischen Bindung untersucht und gefunden, daß die Verschiebung der Bindungsladung aus der Mitte des Abstandes nächster Nachbarn in Richtung auf das Anion proportional der Quadratwurzel aus der Ionizität ist, wenigstens für kleine Werte des Ionizitätsparameters. Die Position der Bindungsladung relativ zum Anionenrumpf und die damit in Zusammenhang stehende Repulsion zwischen Valenz‐ und Rumpfelektronen begünstigen in Substanzen mit eine überkritischen Ionizität die oktaedrische gegenüber der tetraedrischen Koordination.
Nachweis von Stapelfehlern in GaN‐Epitaxieschichten mittels Elektronenbeugung
Authors: Tempel A. , Seifert W.
Published: July 2007

Mit der RHEED‐Technik werden auf {100}‐orientiertem Spinell epitaktisch aufgewachsene GaN‐Epitaxieschichten untersucht. Die Wachstumstemperaturen der Schichten waren 540 und 1035°C. Als Verwachsungsgesetz der Epitaxieschicht mit der Unterlage ergab sich
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Die Richtungsangaben mit vier Indizes bezeichnen stets die Richtung der Normalen auf der entsprechenden Fläche.

Bei niedrigen Züchtungstemperaturen tritt Verzwillingung und eine hohe Stapelfehlerdichte auf. Bei hohen Temperaturen geht die Stapelfehlerdichte merklich zurück Zwillingsbildung ist nicht mehr nachweisbar.
Investigations on the defect depth of electroerosive‐cut Te single crystals by reflection electron diffraction (RHEED)
Authors: Messerschmidt A. , Lehmann G. , Kanis M.
Published: July 2007

Results of the experimentally determined defect depth due to electroerosive working of Te single crystals as a function of crystal orientation and electric cutting energy by RHEED are given. The abrasion of the disturbed surface layer was made by chemical etch polishing as well as by bombardment with Ar+ ions. The defect depths determined from the RHEED patterns depend on the crystal orientation and the applied cutting energy. In case of the lowest cutting energy, it has a value of about 3 μm for the (0001)‐orientation and 6 μm for the (1010)‐orientation, the corresponding values for the highest cutting energy are about 8 μm and 20 μm, respectively. It is discussed in how far defect depths determined from the interpretation of RHEED patterns correspond to the “real defect depths” which can be determined by other measuring techniques.
Untersuchungen zu einer Zustandsgleichung für das Abweichen vom mechanischen und energetischen Gleichgewichtsverhalten am Beispiel der plastischen Deformation von KCl‐Einkristallen
Authors: Kaufmann H.‐J.
Published: July 2007

Zur makroskopischen Beschreibung der Deformation von Festkörpern wird unter Zugrundelegung des Modells dissipativer deformierbarer Medien eine Zustandsgleichung abgeleitet und solche Parameter bestimmt, die die mechanische und energetische Abweichung vom Gleichgewichtsverhalten beschreiben. Am Beispiel der plastischen Deformation von KCl‐Einkristallen wird die Gültigkeit dieser Zustandsgleichung für 300 °K bestätigt. Durch den Vergleich der Ergebnisse des makroskopischen und mikroskopischen Verhaltens können Abhängigkeiten zwischen den rheonomen Makro‐ und Mikroparametern für die Beschreibung des Kriechens von KCl‐Einkristallen bestimmt werden.
Lorentz and polarization factor correction in the structure determination of cadmium iodied polytypes
Authors: Jain P. C. , Trigunayat G. C.
Published: July 2007

An error in the application of Lorentz and polarization factor correction to the structure determination of cadmium iodide polytypes, so far overlooked by earlier workers, has been pointed out. Attention has been drawn to the fact that the intensities for 10 · l spots should be calculated for the range l = 2n to 4n, instead of the range l = 0 to 2n, employed until now.
Untersuchung von AIIIB‐Halbleitereinkristallen mittels Rutherford‐Rückstreuung energiereicher Protonen
Authors: Geist V. , Flagmeyer R. , Otto G.
Published: July 2007

Es wird über Untersuchungen des Schatteneffektes an binären (GaAs, GaP, InSb, GaN) und ternären ((Ga,Al)P; (Ga, Al)As; (Ga, Al)Sb; (Ga, In)As) Halbleitereinkristallen und Epitaxieschichten mit 0,5 MeV‐ und 1 MeV‐Protonen berichtet. Die Winkelverteilung der rückgestreuten Protonen wurde mit Halbleiterdetektoren und Filmmaterialien gemessen. Die erhaltenen Werte der charakteristischen Schattenparameter für die Streuung an der Kristalloberfläche stimmen gut mit denen nach Barrett berechneten überein. Einige Anwendungsmöglichkeiten des Schatten‐ u. Kanalisierungseffektes bei Protonenrückstreuung für AIIIBV‐Halbleitereinkristalle werden kurz beschrieben und Beispiele dafür angeführt.
Untersuchungen zur Wechselwirkung von Ar‐, O2‐ und H2‐Niederdruckplasmen mit Metallschichten
Authors: Tiller H.‐J. , Holzinger H.‐W. , Demme U. , Lenke D. , Meyer K.
Published: July 2007

Bie der Wechselwirkung von Bestandteilen der positiven Säule einer Glimmentladung mit Metallschichtoberflächen kommt es zur Abtragung von Oberflächenmaterial. Die Abtragungsrate liegt weit über der aus Sputterergebnissen für die niederenergetischen Ionen im Oberflächenbereich zu erwartenden.

Wird die Abtragung im Impulsbetrieb durchgeführt, kommt es zu einer Erhöhung der Abtragungsgeschwindigkeit, die auf eine Störung des Gittergefüges durch Rekonstruktionserscheinungen und Gaseinbau in den Impulspausen zurückgeführt wird.

Das Abtragungsverhalten der Schicht ist stark vom Plasmagas und den Wandstromdichten abhängig, wobei es bei geringen Wandstromdichten (iW ∼10−5 A. cm−2) durch die Verminderung der Abtragung möglich wird, die infolge der Plasma‐Trägergas‐Metall‐Wechselwirkung auftretenden reaktiven Oberflächenveränderungen und die Gasaufnahme der Schicht zu untersuchen.

Gestützt durch Elektronenbeugungsaufnahmen an Ni‐ und Au‐Schichten sowie durch kinetische Auswertung der Abtragungsraten, wird die Vorstellung entwickelt, daß während der Plasmaeinwirkung eine kritische Oberflächenschicht von ca. 30 bis 50 Å Dicke im Gleichgewicht mit einer darüberliegenden Metalldampf‐Plasmagas‐Phase steht.
Ritzuntersuchungen an Siliziumeinkristallen
Authors: Richter H. , Kirscht F.‐G. , Brocke H.‐D. , Weidner G.
Published: July 2007

Das Verformungsverhalten von Siliziumoberflächen wurde durch Ritzexperimente mit einem Diamantkegel und variabler Andruckkaft untersucht. Für Lasten bis 20p wird die Ritzspur durch plastische Vorgänge hervorgerufen, danach dominieren Ausbrüche in Form von Trennbrüchen. Der Übergang duktil‐spröde ist richtungsabhängig.

Es wird versucht, die festgestellte Mikroplastizität auf Besonderheiten im mechanischen Verhalten oberflächennaher Kristallbereiche zurückzuführen.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methylpiperidinium‐acet‐para‐nitro‐anilid‐jodid
Authors: Kutschabsky L. , Zerbe Chr.
Published: July 2007

Die Verbindung N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐para‐nitro‐anilid‐jodid kristallisiert in der triklinen Raumgruppe P1 mit 2 Molekülen in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten betragen a = 7,164, b = 16,818, c = 6,974 Å, α = 94,20, β = 102,95, γ = 86,15°. Die genaue Messung der Intensitäten der Röntgenreflexe mit einem automatischen Vierkreisdiffraktometer ermöglichte es, die Lage der Wasserstoffatome in dieser Schweratomstruktur, die pro Molekül ein Jodatom enthält, zu bestimmen. Der abschließende R‐Wert beträgt 0,097 für alle 3033 Reflexe.
Struktur und Energie der Phasengrenzen in gerichtet erstarrten NiAl‐Cr‐Eutektikum
Authors: Zies G.
Published: July 2007

Morphologie, Kristallographie und Grenzflächenstruktur des stabförmigen, gerichtet erstarrten NiAl–Cr‐Eutektikums wurden elektronenmikroskopisch untersucht. Es wurden regelmäßige Anordnungen von Anpassungsversetzungen mit reinem Stufencharakter an den Grenzflächen zwischen den krz Chromstäben und der krz NiAl‐Matrix beobachtet. Räumliche Anordnung und Burgersvektoren der Versetzungsnetzwerke wurden analysiert. Messungen der Abstände der Anpassungsversetzungen ergaben einen mittleren Wert von 1480 Å und eine mittlere Fehlpassung von 0,195% in den 〈100〉‐Richtungen.

Die experimentellen Ergebnisse wurden benutzt, um den fehlpassungsabhängigen Anteil der Grenzflächenergie in verschiedener Weise zu berechnen und die Anwendbarkeit der auf van der Merwe zurückgehenden Grenzflächentheorie auf den Fall gerichtet erstarrter Eutektika zu prüfen.
Investigations on electronically conducting oxide systems (XI) electrical conductivity and optical absorption of a ‐and c‐Domain crystals BaVTiO3
Authors: Feltz A. , Langbein H.
Published: July 2007

BaVTiO3 single crystals can be grown from a basic BaCl2 flux. The electric conductivity was measured at a‐ and c‐domain crystals and optical absorption as well as photoconductivity were ascertained at a‐domain crystals using plane polarized light in dependence on direction. Properties and their anisotropy are discussed on the basis of their local relations in the ferroelectric host lattice and compared with the properties of BaNbTiTiO3 single crystals described in the preceding communication.
X‐ray topographic studies of the melting of nearly perfect gallium crystals
Authors: Mair G. , Wenzl H.
Published: July 2007

The temperature dependence of the concentration and shape of long dislocation lines in pure, nearly perfect gallium crystals has been measured by X‐ray topography in anomalous transmission (Borrmann‐topography). The dislocation structure did not change appreciably between temperatures of 22°C and at least 0.1 mK below the melting point Tm = 29.75°C. A few dislocations decreased their length due to tempering at the melting point. Pre‐melting effects could not be detected.
Cholesterinische Gemische für die Thermographie
Authors: Demus D. , Wartenberg G.
Published: July 2007

Nach einer kurzen Darstellung der optischen Eigenschaften des cholesterinischen Zustands werden Gemische angegeben, die für die Temperaturmessung (Thermographie) mit cholesterinischen Substanzen geeignet sind. Es wird gezeigt, wie man durch Veränderung der Zusammensetzung der Gemische die Eigenschaften systematisch verändern kann.
Betrachtungen zur Struktur aufgedampfter Metallschichten für Widerstandsbauelemente
Authors: Schippel E.
Published: July 2007

Die Möglichkeit zur Bildung von mindestens zwei und mehr Phasen ist Voraussetzung zur Eignung einer aufgedampften Metallschicht für die Herstellung von Widerstandsbauelementen der Elektrotechnik. Die geforderten elektrischen Eigenschaften resultieren aus einer Struktur der Schicht, die von der kristallinen Ordnung abweicht. Die Struktur der artiger Schichten ist röntgenamorph, wobei die optimalen elektrischen Eigenschaften für das Widerstandsbauelement in einem ganz engen Bereich auftreten, der in der Nähe der kristallinen Ordnung liegt. Die Reproduzierbarkeit der Schichteigenschaften ist von der „Treffsicherheit”︁ dieser Schichtstruktur bei der Herstellung abhängig.
Investigations on noncubic crystals with the divergent X‐ray beam technique
Authors: Kämpfe Bernd
Published: July 2007

The divergent X‐ray beam technique is very useful for the study of small monocrystalline sample regions. The diffraction patterns are cone‐shaped. The size of the cone angle and the direction of the cone axis depend form the lattice parameters and the orientation of the investigated crystal. An appropriate evaluation permits the simple determination of lattice parameters, even of those of noncubic crystals and the determination of crystal orientation.

The comparison of X‐ray divergent beam patterns of different regions of the sample makes it possible to discover changes in the imperfect crystal structure such as local lattice parameter variations, disorientations, and twinnings in regions up to 10 μm in diameter. Suitable methods for utilization will be shown here.
Untersuchungen zum Einfluß von Temperatur und Versetzungen auf die integralen Röntgenintensitäten von Si‐Einkristallen
Authors: Krüger A. , Stephanik H.
Published: July 2007

Aus Messungen der absoluten integralen Röntgenintensitäten von Siliziumeinkristallen ist es möglich, die Debyetemperatur zu bestimmen. Für einen versetzungsfreien Siliziumkristall wurden für den Temperaturbereich zwischen 90 und 296 K Debyetemperaturen von 543 bis 533 K ermittelt. Der Einfluß von Versetzungen in Silizium auf die Debyetemperatur wurde bei verschiedenen Temperaturen untersucht.
Influence of the conditions of heat treatment on the mechanical properties of MgO crystals
Authors: Alybaeva N. R. , Berezhkova G. V. , Covorkov V. G.
Published: July 2007

The effect of cooling conditions after annealing at 1000°C on the mechanical properties of MgO single crystals is studied.
Probleme röntgenografischer Teilchengrößen‐ und Verzerrungsbestimmung an verformten Polykristallen
Authors: Röll H.
Published: July 2007

Für vorgegebene Verzerrungsmodelle (Verschiebungsfelder) und Teilchengrößen wurden Intensitätsverteilungen von Debye‐Scherrer‐Linien berechnet und aus diesen nach WARREN und AVERBACH sowie nach der Varianzmethode Teilchengröße und mittlere quadratische Verzerrung bestimmt. Für die Teilchengröße wurden gut mit den Vorgaben übereinstimmende Werte erhalten. Die mittleren quadratischen Verzerrungen weichen zum Teil stark von den Vorgaben ab. Diese Abweichung kann durch eine Untersuchung der beim WARREN‐AVERBACH‐Verfahren erfolgenden Mittelung erklärt werden.
Über die Kristallstrukturdifferenzen der MeSO4 · nH2O‐Salztypen
Authors: Aslanian S. , Balarew Chr.
Published: July 2007

Auf Grund der systematisierten Angaben über die Kristallstrukturen der MeSO4 · nH2O‐Salztypen, wo Me = Mg2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Cu2+ und n = 0–7 ist, wurde festgestellt, daß die Strukturdifferenzen eines gegebenen chemischen Typs Metallsulfat‐Hydrat durch die Eigenschaften des Metallions bestimmt werden. In dieser Hinsicht werden die Kristallstrukturen der verschiedenen Hydrate behandelt. Die Kristallstrukturdifferenzen der Heptahydrate sowie das Vorhandensein ‐ oder Nichtvorhandensein von Hydraten einiger der behandelten Ionen werden durch die Elektronenkonfigurationen der besprochenen Metallionen erklärt. Die Deformationstendenz der oktaedrischen Umgebung dieser Metallionen nimmt in folgender Reihe zu:
Untersuchungen zur Unstöchiometrie von Magnetit in Abhängigkeit von den Bildungsbedingungen
Authors: Kieselstein Eva , Kämpfe Bernd , Nestler Carl‐Georg
Published: July 2007

In dieser Arbeit wurden die chemische Zusammensetzung und die Struktur von Magnetit in Abhängigkeit von den Reaktionsbedingungen bei der Herstellung untersucht. Die Darstellung der Magnetite erfolgte nach einer von GIOVANOLI und BRÜTSCH angegebenen Methode, die eigentlich zur Herstellung von γ‐FeOOH erarbeitet worden war. — Nach Gitterkonstantenbestimmungen und der Ermittlung des Fe2+:Fe3+‐Verhältnisses konnte festgestellt werden, daß die chemische Zusammensetzung und die Realstruktur der dargestellten Magnetite eine Funktion des Reaktionsmilieus sind. Mit zunehmend basischen Reaktionsbedingungen nähert sich das Reaktionsprodukt in seiner Zusammensetzung dem ideal stöchiometrischen Magnetit (Fe3O4). Mit zunehmend saurem Reaktionsmilieu nähert sich die Zusammensetzung dem Maghemit (γ‐Fe2O3); die Kristallstruktur wird gestört, und es entstehen noch Eisenoxyhydrate als Reaktionsprodukte.
Oszillation der Wachstumsgeschwindigkeit an der Grenze von Wachstumskernen
Authors: Barthel J. , Jurisch M.
Published: July 2007

Ein früher entwickeltes Modell zur Berechnung des Geschwindigkeitsfeldes des Kristallwachstums aus der Schmelze mit Rotationsstreifung wird angewandt zur Berechnung des Kernrandes und der Änderung der Amplitude und Phasenlage der Geschwindigkeitsoszillationen an der Kernberandung. Alle im Zusammenhang mit Rückschmelzerscheinungen stehenden Ergebnisse hängen wesentlich von der Kinetik des Wachstums im Kern ab.