bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Zum Wachstum von AIIIBV‐Halbleitern aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (II) Dotierung von GaAs und Ga1−xAlxAs mit Zink
Authors: Jacobs K. , Jacobs B. , Butter E.
Published: July 2007

Die Dotierung von GaAs und Ga1−xAlxAs mit Zink bei der Flüssigphasenepitaxie wurde radioanalytisch untersucht. Dabei wurde gefunden, daß vor dem epitaktischen Wachstum Zink aus der Ga‐(Al)‐As‐Zn‐Schmelzlösung über die Gasphase in das n‐GaAs‐Substrat diffundiert. Zusammen mit der anschließenden Zink‐Diffusion aus der Epitaxieschicht ins Substrat führt diese „Vordiffusion”︁ zur Ausbildung von drei Bereichen mit unterschiedlichen Zn‐Konzentrationsgradienten in der Nähe des pn‐Überganges. GaAs/GaAs‐ und Ga1−xAlxAs/GaAs‐Anordnungen zeigen dabei keine signifikanten Unterschiede.

In GaAs Epitaxieschichten nimmt der Zinkgehalt vom Substrat zur Schichtoberfläche hin exponentiell ab. Daraus wird die Temperaturabhängigkeit des effektiven Zn‐Segregationskoeffizienten berechnet. Dieser wird bei 900°C keff = 5,2 · 10−2 gefunden.

Das Zn‐Konzentrationsprofil in Ga1−xAlxAs‐Schichten ist komplizierter und wird von der Züchtungstemperatur sowie dem variierenden Al‐Gehalt beeinflußt.
X‐Ray Topographic Investigation of Dendritic Silicon Crystals
Authors: Dashevsky M. Ya. , Isaakjan V. A. , Khatsernov M. A.
Published: July 2007

Using Lang and double‐crystal X‐ray topographic methods the dislocation structure of dendritic silicon crystals have been investigated. It is shown that the surface layers of these crystals have a more perfect structure than their bulk volume. The twin lamella is a dislocation‐free formation and there are dislocation‐free zones ∼ 1,5 mm in width in the volume of crystals.
Einfluß von Tribosorption und tribochemischen Prozessen auf das grenzflächenmechanische Verhalten von Siliciumcarbid
Authors: Heinicke G. , Hennig H.‐P. , Steinike U.
Published: July 2007

Am Beispiel von SiC werden erhebliche Unterschiede in der Primär‐ und Sekundärteilchengröße, der Spinkonzentration, der Oberfläche und der Porosität bei der tribomechanischen Bearbeitung in H2‐ und in Ar‐Atmosphäre nachgewiesen. Ursache hierfür sind die in der Phasengrenzschicht des Festkörpers ablaufenden Tribosorptions‐ und Triboreaktionsprozesse. Auf die technische Bedeutung solcher Prozesse wird hingewiesen.
Zur experimentellen Gleichgewichtsbestimmung beim Wachstum von InxGa1–xAs durch Jodtransport
Authors: Seidowski E.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wird die Anwendung der Thermodynamik zur quantitativen Beschreibung der Herstellungsprozesse von Halbleiterwerkstoffen aus der Gasphase diskutiert.

Es wird eine Methode zur experimentellen Bestimmung des heterogenen Gleichgewichts InxGa1–xAsJ2 vorgeschlagen.

Auf der Grundlage des gemessenen Gesamtdruckes werden im Temperaturbereich 900–1200 K für x = 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0 die Partialdrücke der Komponenten und die Gleichgewichtskonstanten der Transportreaktion berechnet.
A study of the relation between crystal growth kinetics and particle size distribution of crystals produced from solution
Authors: Blickle T. , Halász S.
Published: July 2007

A new relation between crystal growth kinetics and particle size distribution based on statements in the literature is derived. It can be equally used for the determination of the characteristics of crystallization caused by cooling, evaporation or precipitation. Different kinetic constants (rate constants of nuclei formation k1, k2, k3, and growth K0, K1, K2) can be determined, and therefrom the particle size density curve. – The effect of kinetics characteristics on particle size distribution is summarized.
Aufbau und Eigenschaften „ohmscher”︁ Kontakte an GaSb
Authors: Vogel K. , Engel A.
Published: July 2007

Ausgehend von einigen allgemeinen Betrachtungen zum Begriff „ohmscher”︁ Kontakt werden Messungen der Kontaktwiderstände von Ag‐, Au‐; Ni‐, Al‐; In‐, Sn‐und Ag–In‐Kontakten dargestellt, die durch Aufdampfung auf p‐ und n‐GaSb erzeugt wurden. Die Schritte zur Herstellung dieser Kontakte wurden kristallographisch untersucht. Die Messung der Kontaktwiderstände erfolgte nach der Vierspitzenmethode. Die experimentellen Bestimmungen des Kontaktwiderstandes RK bzw. ϱK zeigen einen deutlichen Einfluß der Oberflächenbehandlung und Oberflächenstruktur, des Kontaktmetalls und der Meßtemperatur. Sn/Ag/Au‐Kontakte an n‐GaSb sowie Ag‐ und Au‐Kontakte an p‐GaSb liefern nach einem Legierungsprozeß sperrfreie Kontakte.
Zur Züchtung von Einkristallen oxidischer Verbindungen für die Quantenelektronik nach der Methode des optischen Zonenschmelzens
Authors: Arsenjev P. A. , Baranov M. N. , Bienert K. , Kustov E. F.
Published: July 2007

Es werden die wichtigsten Systeme der Strahlungsfokussierung für Anlagen zur Einkristallzüchtung nach der Methode des optischen Zonenschmelzens betrachtet und Angaben über oxidische Verbindungen gemacht, von denen Kristalle nach der genannten Methode gezogen wurden. Die wichtigsten Etappen verschiedener Aufbereitungstechnologien für die Ausgangssubstanzen und die Methodiken der Züchtung und Bestimmung der strukturellen Güte der hergestellten Kristalle werden diskutiert.
Zum Wachstum von AIII‐BV‐Verbindungen aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (III) Untersuchungen zur Flächenmorphologie homoepitaktischer GaAs‐Schichten
Authors: Tietze H.‐J. , Butter E.
Published: July 2007

Für die Oberflächenmorphologie bei der Bildung von GaAs‐Schichten aus Ga‐Lösung wird die primäre Bildung von charakteristischen Löchern verantwortlich gemacht. Die Entstehungsursache dieser Löcher wird gedeutet mit Hilfe geringer Verspannungen, welche aus kleinen Gitterfehlanpassungen resultieren.
Defektstrukturuntersuchungen an GaAs‐Einkristallen mit Hilfe der IR‐Mikroskopie
Authors: Schulz M. , Sarodnik R.
Published: July 2007

Es wird über IR‐Untersuchungen an Czochralski‐gezogenen GaAs‐Einkristallen berichtet, die mit verschiedenen Elementen dotiert waren. Bei der Verwendung von Silizium und Chrom als Dotanten wurde bereits eine Eigendekoration der Versetzungen beobachtet. An einigen Beispielen wird die geometrische Anordnung und die Verteilung der Versetzungen diskutiert.
Strukturchemische Charakterisierung eines durch Gasphasenabscheidung darstellbaren orthorhombischen Borcarbids der Zusammensetzung B8C
Authors: Ploog K. , Druminski M.
Published: July 2007

Durch Pyrolyse von BJ3 und CJ4 unter vermindertem Druck bei Substrattemperaturen von 900 bis 950°C wurde ein orthorhombisches Borcarbid der Zusammensetzung B8C mit einem Kohlenstoffgehalt von 12,5 bis 13,0 Gew.% und einer Dichte von 2,42 g/ml dargestellt. Die Struktur des B8C ist aufgebaut aus stabilen (B12)4C2‐Untereinheiten, die vom tetragonalen B48B2C2 her bekannt sind und die hier über einzelne C‐Atome in der a–b‐Ebene miteinander verknüpft sind. Wegen der starken Fehlordnung der erhaltenen B8C‐Kristalle konnte bisher nicht eindeutig entschieden werden, ob die Elementarzelle dieses orthorhombischen Borcarbids von acht solchen (B12)4C2‐Untereinheiten gebildet wird und die Gitterkonstanten a = 35,909, b = 17,653 und c = 5,094 Å sind, oder ob diese große Zelle durch eine Verzwillingung vorgetäuscht wird und die Elementarzelle des B8C lediglich vier (B12)4C2‐Untereinheiten enthält, d. h. die Gitterkonstanten a = 17,955, b = 17,653 und c = 5,094 Å betragen.
Design of Continuous Mixed‐Suspension Crystallizers
Authors: Nývlt J. , Mullin J. W.
Published: July 2007

Several different basic types of continuous mixed suspension crystallizer are described and some fundamental design equations developed. Worked examples are given to indicate applications to problems of industrial interest.
Optische Eigenschaften von Wismut–Antimon‐Aufdampfschichten
Authors: Wagner N. , Brümmer O.
Published: July 2007

Im sichtbaren Bereich des Spektrums wurden für BxSb1−x‐Aufdampfschichten im Konzentrationsbereich 0 ≦ (1 − x) ≦ 0,30 die Veränderung der Lage und der Höhe der den Interbandübergängen Ei (i = 1, 2, 3) entsprechenden Absorptionspeaks ermittelt. Dabei wurden in Abhängigkeit von der Zusammensetzung der Schichten nichtlineare Verschiebungen der Absorptionspeaks gefunden. Die Zustandsdichte des dem übergang E2 zuzuordnenden Bandpaares reagiert empfindlicher auf Konzentrationsänderungen in den Legierungen als die beiden anderen übergänge.
Quantitative Bestimmung der Zusammensetzung von Ga1−xAlxAs‐Epitaxieschichten mit der Elektronenstrahl‐Mikroanalyse (ESMA)
Authors: Streubel P. , Martius G. , Jacobs K.
Published: July 2007

Zur Ermittlung der Lokalkonzentrationen von Ga, Al und As in Ga1−xAlxAs‐Epitaxieschichten aus den Röntgenstrahlintensitäten bei der ESMA wurden mehrere Korrekturverfahren überprüft. Die genauesten Ergebnisse werden durch Kombination der Methode von BIRKS für die Al‐Korrektur mit der Methode nach DUNCUMB/REED/SPRINGER für die Ga‐Korrektur erhalten. Dabei beträgt die relative mittlere Abweichung von 50% für die Summe der Gallium‐ und Aluminium‐Atomprozente nur −0,1%. In einem Anhang werden für den praktischen Gebrauch erforderliche Gleichungen zur gegenseitigen Umrechnung von Gewichts‐ und Konzentrationsangaben in dem betrachteten System angegeben.
Die Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodids
Authors: Reck G. , Leibnitz P. , Wenzel J.‐P.
Published: July 2007

Die Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodids ist monoklin, Raumgruppe P21/c, mit vier Formeleinheiten C14H20N2OClJ in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 6,931, b = 33,193, c = 7,280 Å und β = 104,01°. Es wurde die Kristallstruktur der Verbindung einschließlich aller H‐Atome bestimmt. Der abschließende R‐Wert war 0,049.
Anwendung der Umweganregung für die Bestimmung der Güte von Kristalloberflächen
Authors: Melle W.
Published: July 2007

Das Intensitätsverhältnis zweier Umweganregungsreflexe (Doppelreflexe) bei Existenz einer anisotropen Verteilung der Mosaikblöckchen wird berechnet. Die Messung der Intensitätsverhältnisse zweier Doppelreflexpaare gestattet die Bestimmung der mittleren Verschwenkung der Mosaikblöckchen.
Modulationsabhängige Inklination im Fernfeld von GaAs‐Lumineszenzdioden vom Fabry‐Perot‐Typ
Authors: Zehe A. , Fuchs P.
Published: July 2007

Die Richtungsverteilung der Strahlung hochfrequent modulierter GaAs‐Lumineszenzdioden in der Ebene senkrecht zum pn‐Übergang und ihre Abhängigkeit von der Modulationsfrequenz wird untersucht. Den Rechnungen liegt ein Vierschichtmodell einer GaAs‐pn‐Struktur mit sich stufenförming ändernder Dielektrizitätskonstante zugrunde, in dem das aktive Gebiet der Diode (Gebiet der Lichtentstehung) vom Wellenleiter (Gebiet der Lichtausbreitung) getrennt ist. Der berechnete Schielwinkel im Fernfeld der Diode nimmt mit wachsender Modulationsfrequenz ab. Der Einfluß der Modulationsfrequenz auf das Phasenhomogenitätsverhalten des abgestrahlten Lichtes wird diskutiert.
Röntgentopographische Untersuchung von KDP‐Kristallen
Authors: Melle W. , Meyer K.
Published: July 2007

Die Versetzungsanordnung in KDP‐Kristallen, die aus der Lösung gewachsen sind, ist mit Hilfe der Röntgentopographie (Lang‐Methode) untersucht worden. Die räumliche Orientierung der Versetzungen und ihre Burgersrichtungen wurden bestimmt. Die Versetzungsdichte übersteigt nicht den Wert von 103 cm−2, es gibt auch Gebiete, die versetzungsfrei sind. Als Quellen der Versetzungen werden Einschlüsse der Mutterflüssigkeit bzw. Fremdstoffe angesehen.
Die Präparation von GaAs‐Substraten, untersucht mit Reflexionselektroneninterferenzen
Authors: Rosin H. , Schulz M.
Published: July 2007

Die RHEED‐Methode wurde für die Untersuchung und Charakterisierung von Galliumarsenidsubstraten eingesetzt. Es wird gezeigt, daß bei Untersuchungen dieser Art der kombinierte Einsatz der Strahlfokussierung sowohl auf das Objekt als auch auf die Fotoplatte von besonderem Nutzen sit. Es wurde gefunden, daß die Galliumarsenidscheiben nach dem Trennschleifen und Läppen Beugungsdiagramme mechanisch gestörter Oberflächen mit jeweils charakteristischen Merkmalen ergeben. Wischpolierte Oberflächen führen zu den für Einkristalle charakteristischen KIKUCHI‐Diagrammen und zu strichförmigen Reflexen einer nahezu atomar ebenen Oberfläche. In diesem Zusammenhang wird das KIKUCHI‐Diagramm als Perfektionskriterium kritisch betrachtet. Ergebnisse von Untersuchungen über die Eindringtiefe von groben Defekten in die Kristallscheiben infolge des Läppens sind in guter übereinstimmung mit der Literatur.
Generalized Spherical Functions of Cubic Symmetry
Authors: Bunge H. J. , Küttner K.
Published: July 2007

In the three‐dimensional texture analysis generalized spherical functions of certain symmetries are being used in order to develop the texture function into a series. The lower order members of this series are closely related to the symmetry of physical properties of textured materials whereas the highest order ones allow the series truncation error and hence the angular resolving power to be estimated. These functions have been calculated and represented graphically for the most important cases of cubic‐cubic and cubic‐orthorhombic symmetries for 1 ≦ 10. Additionally some sections of these functions are given for 1 = 22.
Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf Korund im System GaCl/NH3/Ar
Authors: Seifert W. , Tempel A.
Published: July 2007

Die Züchtung einkristalliner GaN‐Schichten auf {0001}‐orientierten Korundsubstraten wird im System GaCl/NH3/Ar über den Temperaturbereich von 500 bis 1100°C untersucht. Eine hohe Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen im Bereich 1000 bis 1050°C erreicht. Die RHEED‐Diagramme solcher Proben zeigen KIKUCHI‐Linien. Die hohe Elektronenkonzentration von etwa 1020 cm−3 fällt unterhalb 700°C Züchtungstemperatur rasch mit fallender Temperatur ab. Gleichzeitig wird die Kristallperfektion infolge zunehmender Kristallitverkippung schlechter. Beugungsringe, die auf polykristalline Beschaffenheit hindeuten, treten jedoch nicht auf. Die bei 500°C gezüchteten Proben sind mit Chlorid verunreinigt. Manchmal findet ein dendritisches überwachsen der Schicht durch GaN in der Sphaleritmodifikation statt.
Untersuchung der Korngrenzendiffusion von Zn‐65 in α‐Aluminium‐Zink‐Legierungen
Authors: Hässner A.
Published: July 2007

Die Diffusion von Zn‐65 in Großwinkelkorngrenzen in Al und 8 AlZn‐Legierungen wurde untersucht. Bei Zn‐Gehalten bis 7 At‐% nimmt pK = δγDK exponentiell, danach schwächer mit der Konzentration zu. Oberhalb etwa 40 At‐% Zn ist pK nahezu konzentrationsunabhängig. Der auf die Solidustemperatur bezogene Wert von DK liegt in der Größenordnung 10−5 cm2/sec. Ein einfaches Leerstellenmodell für die Diffusion in Großwinkelkorngrenzen wird diskutiert. Daraus werden für die bisher nicht untersuchte Korngrenzenselbstdiffusion in Al und Cu abgeschätzt:
equation image
.

Die Aktivierungsenergien für die Elektromigration in dünnen, feinkörnigen Al‐Schichten wie auch für die Superplastizität bei der eutektoiden Zusammensetzung sind mit den Ergebnissen dieser Arbeit kompatibel. Die Kinetik der diskontinuierlichen Ausscheidung und der eutektoiden Umwandlung in AlZn‐Legierungen wird durch Grenzflächendiffusion bestimmt.
On a Possibility of Determining Nonuniformities in AlxGa1−xAs Solid Solution Compositions
Authors: Dzhafarov T. D. , Demakov Yu. P. , Rumyantseva A. V.
Published: July 2007

Both surface and bulk nonuniformities in AlxGa1−xAs solid solution compositions were determined by surface radiography of epitaxial AlxGa1−xAsGaAs hetero‐junctions with diffused radioactive Zn65 atoms.
Oberflächenbeurteilung von bearbeiteten Siliziumscheiben
Authors: Baehr R. , Kressner F. H.
Published: July 2007

Zur Beurteilung der Oberflächen von unterschiedlich bearbeiteten Siliziumeinkristallscheiben wurde die Methode der Reflexionsbeugung schneller Elektronen (RHEED) am Elektronenmikroskop und daneben die röntgenographische Doppelkristallspektrometrie angewendet. Auf Grund der sich ergebenden Beugungsbilder und der erhaltenen Rockingkurven sowie der ergänzenden Oberflächenabbildung über Replikatechnik am Elektronenmikroskop kann eine Beurteilung der Silizium‐Scheiben hinsichtlich der Störungen in der Oberflächenzone erfolgen.
Zur Änderung der Strukturparameter von Bi und Bi85Sb15 unter äußerem Druck
Authors: Wagner N. , Brümmer O. , Kroll J.
Published: July 2007

Die A7‐Struktur der Elemente der Gruppe Vb des Periodensystems ist mit charakteristischen halbmetallischen Eigenschaften verbunden. Unter Einwirkung von äußerem Druck werden diese Elemente dagegen halbleitend. Von den AIV‐BVI‐Halbleitern (ebenfalls mittlere Valenzelektronenkonzentration 5) ist dagegen bekannt, daß die Strukturparameter Rhomboederwinkel αr = 60° und „innere Koordinate”︁ u = 0,250 sind. Es wird nun mit Hilfe von Röntgenbeugungsexperimenten gezeigt, daß für Wismut in einem breiten Druckbereich die stabile halbleitende Phase in den Intervallen 60° < αr ≦ 63,9° und (unter bestimmten Voraussetzungen) 0,252 ≦ u ≦ 0,258 vorhanden ist.

Für die Legierung Bi85Sb15 ergaben sich im gleichen Druckgebiet davon abweichende Veränderungen der druckabhängigen Strukturdaten. Lediglich unmittelbar vor dem Phasenübergang in die monoklin verzerrte SnS‐Struktur gilt αr > 60° und u > 0,250, in Analogie zum Verhalten des Wismuts.
Crystallization studies by thermometric methods (II). Calorimetric determination of chrystallization kinetics of sodium sulfate and sodium carbonate decahydrates
Authors: Skřivánek J. , Pekárek V. , Hostomský J.
Published: July 2007

A calorimetric method was applied for the determination of crystallization kinetics of vibrationally mixed suspensions of Na2SO4 · 10 H2O and Na2CO3 · 10 H2O at 25°C with supersaturations up to 0.083 and 0.119 g hydrate/g free water, resp. The characteristic dimension of crystals was 0.125–0.63 mm.
Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NH3/He
Authors: Tempel A. , Seifert W. , Hammer J. , Butter E.
Published: July 2007

Kristallperfektion und Orientierungsbeziehungen von GaN‐Epitaxieschichten auf {111}‐und {100}‐orientierten Spinellsubstraten, hergestellt durch Reaktion von GaCl und NH3 in He als Trägergas, wurden mit der RHEED‐Technik untersucht. Die gefundenen Orientierungsbeziehungen sind:
equation image
Die beste Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen zwischen 1000…︁1050°C erhalten sowie bei Wachstumsraten, die größer als 1 μm/min sind. Für schnelles Wachstum ist die Wachstumsrichtung 〈1011〉 besser geeignet als die Richtung 〈0001〉.
Domain structure investigations in triglycine sulphate single crystals
Authors: Meyer K. P. , Pawlaczyk Cz. , Hilczer B. , Scholz R.
Published: July 2007

The domain structure of pure and irradiated TGS crystals was investigated by electron microscope decoration technique. Changes in the decoration pictures due to irradiation are shown and the way in which small lenticular domains disappear in the spontaneous ageing process is presented. Moreover, the thickness of the domain wall was assessed to be for good TGS crystals, grown in the paraelectric phase, of about 120 Å.
On the nature of calomel vapour
Authors: Barta Č. , Trnka J. , Žemlička J.
Published: July 2007

The nature of vapours above calomel up to temperatures of about 500°C was studied by means of absorption, especially in the mercury resonance line at 253.7 nm, what was used as an indication of mercury in the vapour. It was proved that mercury(I) chloride vapour decomposes partially to mercury and mercury(II) chloride only due to impurities. On the contrary, the vapour above calomel of a sufficient purity does not decompose to the mentioned components in the whole temperature range.
Inhomogeneities of the plastic deformation of MgZn2 single crystals
Authors: Müller Th.
Published: July 2007

Single crystals of the Laves phase MgZn2 of different chemical composition within the range of homogeneity were deformed by dynamic compression at temperatures from 300 to 500°C. The surfaces of the specimens were observed by light microscopy. Special types of inhomogeneities of deformation (Lüders bands, macro‐slip steps) are described and first conclusions are drawn concerning the behaviour of dislocations in this substance.
Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchung der Defektstruktur der intermetallischen Verbindung MgZn2
Authors: Krämer U. , Eichler K.
Published: July 2007

An MgZn2‐Einkristallen (hexagonal) wurde die Defektstruktur transmissionselektronen‐mikroskopisch untersucht. In unverformten und verformten einphasigen Proben wurden Versetzungen beobachtet. In magnesiumreichen Kristallen traten teilkohärente Ausscheidungen der Nachbarphase Mg2Zn3 auf.
Probleme der Kinetik von Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen in kristallinen Festkörpern
Authors: Henkel O. , Vojta G.
Published: July 2007

Es wird eine Übersicht über Probleme der kinetischen Theorie von Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen in kristallinen Festkörpern gegeben. Diese Phasenumwandlungen umfassen insbesondere diffusionsartige homogene Transformationen zwischen Kristallen mit Überstruktur (z. B. intermetallischen Verbindungen) und ungeordneten Substitutionsmischkristallen. Einleitend wird auf die Bedeutung der Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen sowohl für die theoretische und festkörperphysikalische Grundlagenforschung wie für die anwendungsgerichtete Werkstofforschung eingegangen. Nach einem Abriß der elektronentheoretischen und statistische‐thermodynamischen Grundlagen der Theorie der Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen werden Probleme, Methoden und Ergebnisse in der Kinetik der Umordnungsprozesse diskutiert. Eine ausführliche Behandlung erfährt das kinetische Ising‐Modell (Glauber‐Modell). Schließlich wird eine allgemeine quantenstatistische Theorie homogener Ordnungs‐Unordnungs‐Umwandlungen skizziert und ihr Anwendungsbereich erörtert.
The precipitation of alkaline‐earth metal and transition metal ‘oxinate’ powders from aqueous solution. Crystal numbers and final sizes
Authors: Packter A. , Chauhan P.
Published: July 2007

The precipitation of barium strontium, calcium, magnesium, zinc, cadmium and lead, manganese, cobalt, nickel and copper 8‐quinolinolates (‘oxinates’) was studied from equivalent solutions, at pHs from 4.5 to 10, by optical microscopy: the metal cation and overall ‘oxinate’ with ‘oxine’ concentrations were varied from 0.0002 to 0.020 M (while the mean metal oxinate concentrations varied from 10−7 to 0.001 M). Crystal growth started after induction periods; the precipitations were heterogeneously nucleated at low supersaturations and homogeneously nucleated at medium to high supersaturations. The final precipitate crystal numbers depended on the number of nuclei formed during the induction periods. Crystal numbers at medium to high supersaturations increased with increasing initial metal oxinate concentration according to the relation,
equation image
The final crystal lengths in this supersaturation range then decreased (from maximum values) with increasing initial mean metal oxinate concentration according to the relation,
equation image
For precipitation from solutions of any concentration at any pH, smaller crystals were generally obtained in the precipitates from solutions of the metal oxinate of lower solubility.
Dotierung von ZnSiP2 durch Diffusion
Authors: Ziegler E. , Siegel W.
Published: July 2007

Es wird über Diffusionsversuche mit Gallium, Indium, Aluminium, Zinn, Chrom, Gold, Blei und Tellur in Einkristalle des ternären Halbleiters ZnSiP2 berichtet. Mit den Elementen der dritten Hauptgruppe des Periodensystems wurde ein eindeutiger Dotierungseffekt erzielt, der durch Halleffektmessungen in Abhängigkeit von der Temperatur und durch Untersuchungen mit der Elektronenstrahlmikrosonde nachgewiesen werden konnte. Gallium‐, Aluminium‐ und Indiumdiffusion haben Dotierung des ZnSiP2 mit flachen Donatoren zur Folge, deren Aktivierungsenergien bei verschwindender Störstellenkonzentration zu 30 meV, 65 meV bzw. 70 meV abgeschätzt wurden. Mit Gallium und Indium gelang es, aus dem bei der Kristallzüchtung häufig auftretenden halbisolierenden p‐ZnSiP2 niederohmiges n‐ZnSiP2 zu erzeugen.
Umwandlungsplastizität von Kobalt‐Mangan‐Legierungen
Authors: Schumann H.
Published: July 2007

Beim Abkühlen von Co‐Mn‐Legierungen mit 4 bis 16,4% Mn wandelt sich die kfz. γ‐Hochtemperaturmodifikation martensitisch unter Volumen‐ bzw. Längenabnahme in die hexag. ε‐Tieftemperaturmodifikation um, wobei die Ms‐, As‐ und Af‐Temperaturen mit steigender Mangankonzentration absinken. Erfolgt die Umwandlung unter der Einwirkung einer äußeren Zugspannung, tritt Umwandlungsplastizität auf. Diese beruht hauptsächlich auf einer zur Spannungsrichtung orientierten Martensitausscheidung und ist mit bleibenden Verlängerungen nach Durchlaufen eines Transformationszyklus sowie mit einer Abnahme der Fließgrenze und des Elastizitätsmoduls verbunden. Damit verhalten sich Co‐Mn‐Legierungen ganz ähnlich wie FeMn‐ und FeCrNiLegierungen mit einer γ/ε‐Umwandlung.
Zur Kristalltracht des Tetrabromkohlenstoffs
Authors: Pavlovska A. , Vesselinov I.
Published: July 2007

Es werden Kristalle der monoklinen Modifikation des Tetrabromkohlenstoffs, die unter dem Einfluß von Temperaturschwankungen aus der Dampfphase gezüchtet werden, untersucht. Die beobachteten Flächen können als zu der Gleichgewichtsform gehörige betrachtet werden. Es wird auch über die Flächen berichtet, die an der Kristallwachstumsform der kubischen Modifikation des Tetrabromkohlenstoffs erscheinen.
Study of imperfections in iron whiskers
Authors: Surowiec M. , Polcarová M.
Published: July 2007

Iron whiskers grown by hydrogen reduction of ferrous chloride were studied by several X‐ray and optical techniques, particularly by X‐ray diffraction topography. 36 whiskers with [100], [110] and [111] axis directions, from 20 μm to 260 μm in thickness were investigated. They were of different degree of perfection with dislocations nonuniformly distributed. Three [111] whiskers showed a lattice twist around the axis. Burgers vectors of several frequent types of dislocations were found.
Texturuntersuchungen von Metallen mittels Neutronenbeugung
Authors: Kleinstück K. , Tobisch J. , Betzl M. , Mücklich A. , Schläfer D. , Schläfer U.
Published: July 2007

Es werden die wichtigsten Anwendungsvorteile der Texturuntersuchung mittels Neutronenbeugung gegenüber der Röntgeninterferenzmethode dargestellt. Eine Beschreibung der am Rossendorfer Reaktor im Einsatz befindlichen Experimentiertechnik und der verwendeten Untersuchungsmethodik bei der vollautomatischen Vermessung vollständiger Polfiguren schließt sich an. – Anhand der dreidimensionalen Orientierungsverteilungsfunktionen werden einige neuere Ergebnisse der Texturforschung an kfz. bzw. krz. Metallen und Legierungen diskutiert. Bei der Untersuchung der Walztextur des Kupfers zeigt sich, daß die Vorzugsorientierung durch einen charakteristischen Schlauch repräsentiert wird. Er verkürzt sich beim Übergang zu α‐Messing mit steigender Zinkkonzentration bzw. bei Erhöhung des Walzgrades. – Wie die Messungen an Eisen beweisen, entsprechen die zur Beschreibung der Entwicklung der Walztextur krz. Metalle herangezogenen idealen Lagen denen der Kupfertextur, wenn man die Indizes von Walz‐ und Normalrichtung vertauscht. – In Übereinstimmung mit der Taylortheorie treten an der Oberfläche von Drähten aus Aluminium Texturen auf, die einer Walztextur ähnlich sind, im Drahtinnern dagegen findet man gewöhnliche Fasertexturen.
Initial stage and kinetics of epitaxial film growth of A3B5 compounds
Authors: Aleksandrov L. N. , Krivorotov E. A. , Sidorov Ju. G.
Published: July 2007

Thermodynamic and kinetic characteristics of GaAs film decomposition, mechanisms of film formation and growth, main features of the film growth under epitaxy in chemical transport were considered. The stages of epitaxial film growth and the relief smoothing of film surface were discussed applying data of electron microscopy investigations and theoretical considerations. The period of continuous film formation and degrees of the surface covering of the film growth by adsorbed substance were estimated.
Influence of the supersaturation on the mode of thin film growth
Authors: Markov I. , Kaischew R.
Published: July 2007

The thermodynamic criterion of the mechanism of growth of thin films is reconsidered. It is shown that the supersaturation plays a significant role in determining the growth mode in addition to already discussed interrelation between the specific surface energies of the substrate, deposit and the substrate‐deposit interface. The conclusions are in good agreement with experimental observations in deposition of f.c.c. metals on f.c.c. metal substrates that at positive surface energy change the island growth is favoured at supersaturations lower than some critical one while at higher supersaturations a layer growth takes place. The STRANSKI‐KRASTANOV mechanism consisting in formation of threedimensional nuclei on top of previously deposited layers of the overgrowth is considered in more details. It is concluded that its occurrence depends on the sign and the value of the lattice misfit between the substrate and the overgrowth, on the interaction forces between them and on the thermodynamic stability of the deposit. The validity of the classical nucleation theory for explanation of the growth mode transition is also discussed.
Evaporation of doped NaCl crystals
Authors: Vlasák G.
Published: July 2007

In the present paper an investigation of the influence of impurity ions on the evaporation of NaCl crystals is reported. Monovalent impurities little influence the evaporation rate. The evaporating structures have changed only when there were extremal differences in the values of ionic radii. However, the bivalent impurities substantially influence the evaporation rate. This unfluence depends upon the fact whether the impurities are in non‐associated or associated state with cation vacancies, respectively. This fact also affects the shape of evaporating structure.
Zur thermisch aktivierten Basisgleitung von Antimoneinkristallen
Authors: Doerschel J.
Published: July 2007

Es zeigt sich, daß die Basisgleitung von Antimoneinkristallen thermisch aktiviert ist. Das Aktivierungsvolumen, die thermische Spannungskomponente und die Aktivierungsenthalpie ΔH0 der Versetzungsbewegung konnten aus Geschwindigkeitswechsel‐, Spannungsrelaxations‐ und Temperaturwechselversuchen erhalten werden. Aus den Messungen folgt, daß ein diffusionskontrollierter Aktivierungsprozeß, wie die nichtkonservative Bewegung von Sprüngen, die plastische Verformung bestimmt.
Chemischer Transport von Eisensulfid (IV) Die Charakterisierung des Eisensulfids mittels röntgenographischer Methoden
Authors: Krabbes G. , Mattern N.
Published: July 2007

Mittels Röntgenbeugung werden Phasenzusammensetzung und analytische Zusammensetzung von Eisensulfid untersucht, das durch Abscheidung aus der Gasphase erhalten wird. Die Auswertung der Winkellage des (104)‐Reflexes ermöglicht es, noch Unterschiede der Zusammensetzung von 0,1 Mol% an kleinen Probenmengen zu erfassen und die unterschiedliche Zusammensetzung der Bodenkörper im Auflösungs‐ und Abscheidungsraum nachzuweisen. Die untere Phasengrenze des Eisensulfids wurde zwischen 200°C und 1000°C zu 1,001 ± 0,003 bestimmt.
Die Konzentrationsabhängigkeit des Brechungsindex von Ga(PAs)‐ und (GaIn)P‐Mischkristallen
Authors: Kühn G. , Löschke K. , Unger K. , Hildisch L.
Published: July 2007

In den Mischkristallsystemen GaPxAs1–x und GaxIn1–xP ist der Brechungsindex bei der grünen Hg‐Linie (λ = 5461 Å) ellipsometrisch in Abhängigkeit vom Molenbruch x bestimmt worden. Der Nichtlinearitätsparameter cn dieser Abhängigkeit wird mit Hilfe des PENN'schen Modells theoretisch gedeutet.
Study of the domain structure of GASH single crystals and its correlation with their dielectric and switching behaviour
Authors: Szcześniak L. , Śliwa M. , Hilczer B. , Meyer K. P. , Margraf R.
Published: July 2007

The domain structure topography of GASH single crystals is investigated by electron microscope decoration technique. A large variety of domain shapes was found in “young” crystals immediately after growth, whereas after one or more years of ageing the domain structure became coarse. The domain structure of the samples is related with their dielectric and switching behaviour.
Beziehungen zwischen Beilbyschicht und Oberfläche fester Körper
Authors: Hieke M.
Published: July 2007

Die Untersuchung des Einflusses der Beilbyschicht auf dünnen Scheiben geht aus von der Gestaltänderung der Scheibe durch die Wärmeentwicklung während des Werdeganges. Die Temperaturerhöhung des Materials bei der Herstellung verwölbt die Mittelebene der Scheibe zu einer dünnen Schale. Die hervorgebrachte Krümmung der Fläche bleibt nach der Abkühlung der Scheibe bestehen.
Liquidphasen‐Epitaxie von Si‐dotiertem AlxGa1−xAs
Authors: Kühn G. , Lemke G. , Rentsch H. , Neumann H. , Ernst H.‐G.
Published: July 2007

Für 850 °C und NSi = 0,04 und 0,1 wurden die Liquidus‐ und Solidusisothermen des quaternären Systems Ga—Al—As–Si abgeschätzt, Epitaxieschichten mit Hilfe des Abkühlverfahrens hergestellt und der Einfluß des Siliciums auf die Wachstumsgeschwindigkeit untersucht. Aus der Messung des Hall‐Effektes wurden Aussagen über die Abhängigkeit der Störstellenkonzentration vom Si‐Gehalt der Schmelze gemacht. Die Donatorionisierungsenergien variieren von 32 bis 69 meV und fallen proportional N.
Morphologische Untersuchungen an Oberflächenschichten von Stahl nach einer Drehbearbeitung
Authors: Ebersbach U. , Weissmantel Ch.
Published: July 2007

Die Oberflächenmorphologie von drehbearbeitetem C60 ist durch vergleichende Rasterelektronenmikroskopie und Rauheitsmessungen untersucht worden. Strukturveränderungen in der Oberflächenschicht durch plastische Deformation wurden durch optische und elektronenoptische Untersuchung von Längsschliffen ermittelt. Sowohl die Oberflächenrauheit als auch die Tiefenausdehnung durch plastische Deformation nehmen mit dem Werkzeugverschleiß zu. Zusammenfassend kann gesagt werden, daß die zusätzliche Anwendung der Rasterelektronenmikroskopie detailliertere Informationen als die üblichen Testmethoden liefert.
Topographische Strukturen synthetischer Diamanten und ihr Ursprung
Authors: Varda Josef
Published: July 2007

Oberflächen‐Dreiecke und Ätzfiguren mit ihrer komplizierten, den natürliche Steinen analogen Feinstruktur werden beobachtet. Es wird direkt nachgewiesen, daß die Oberflächenakzessoreine von synthetischen Diamanten aus Ätzvorgängen stammen. Schlußfolgerungen für Naturdiamanten werden gezogen.
Die Untersuchung der Dampfeinschlüsse in Kristallen des Tetrabromkohlenstoffs als Möglichkeit zur Reinheitsprüfung
Authors: Pavlovska A. , Nenow D.
Published: July 2007

Es wird gezeigt, daß die Beobachtung des Verhaltens der Dampfeinschlüsse in Tetrabromkohlenstoffkristallen beim Schmelzen und bei der polymorphen Umwandlung auch zur Reinheitsprüfung dieser Substanz verwendet werden kann. Da sich die Dampfeinschlüsse in stabilem Gleichgewicht mit ihrer Mutterphase befinden, geben sie die Möglichkeit für eine genauere Bestimmung der Temperaturen der Phasenumwandlungen im Vergleich mit den Kristallen, bei denen die Phasenumwandlungen durch Verdampfungs‐ oder Wachstumsvorgänge maskiert werden können. Mit Hilfe der Einschlüsse und in Verbindung mit der von uns verwendeten lokalen Abkühlung mit flüssigem Stickstoff werden die Reinheit und die Zersetzung des Tetrabromkohlenstoffs untersucht. Es werden die Bedingungen für die Gewinnung des reinen Tetrabromkohlenstoffs festgestellt. Es werden die Möglichkeiten zur Verwendung dieser Verbindung als Modellsubstanz zur Untersuchung von Kristallisationserscheinungen diskutiert.
Mechanismus der Photonenemission bei mechanischer Anregung von Alkalihalogenidkristallen
Authors: Hoffmann K. , Linke E.
Published: July 2007

Zur Diskussion experimenteller Untersuchungen der Photonenemission bei der mechanischen Bearbeitung von Alkalihalogenidkristallen wird ein Modell zum Emissionsmechanismus vorgeschlagen. Das Modell basiert auf dem Zerfall von self‐trapped Exzitonen und ermöglicht die Diskussion weiterer durch die mechanische Anregung bedingter physikalischer Effekte.
Growth from the vapour by surface nucleation
Authors: Rouse L. M.
Published: July 2007

The experimental conditions under which cadmium sulphide is grown from the vapour to form crystals having a (11.0) singular growth faces are calculated. This is done assuming that growth proceeds on these faces by one‐dimensional surface nucleation. Calculations based on this assumption are compared with experimental observations on the habit of CdS, and the relationship between growth rate and supersaturation, and shown to be consistent with these.
A new example for the applicability of the relationship between the particle size and the kinetic of the crystal growth
Authors: Liszi J. , Bucsky G.
Published: July 2007

Experiments have been made with PbCrO4 precipitating system in a batch type tank. In the experiments the speeds of stirring and the residence times were changed. The particle size distribution of precipitates formed has been determined. The rate determining mechanism of the crystal growth were evaluated by two different methods (NIELSEN method and method elaborated in our institute). The two methods used have indicated the same informations about the rate determining processes. It also has been stated that the coagulation does not disturb the selection of the suitable growing mechanism.
Einfluß der Kondensatorkeramik‐Oberfläche auf die chemische Abscheidung von Nickelschichten
Authors: Gesemann R. , Bechtloff U. , Bürger W. , Fischer W.
Published: July 2007

Rutilhaltige Keramik ist für die Herstellung von Miniaturfolienkondensatoren von großer Bedeutung. Die chemisch‐reduktive Abscheidung geeigneter Metallschichten — z.B. Nickel — ist als Aufbringverfahren der Kontaktschichten für die Kondensatoren geeignet. Die Oberflächen der Keramiken haben auf die Abscheidung der Metallschichten einen großen Einfluß, besonders auf die Haftfestigkeit der Schichten. Die Ausgangsoberflächen verschiedener Keramikmassen und die Oberflächen mit unterschiedlichen keramischen Formgebungsverfahren hergestellter Keramikplatten werden vorgestellt und ihr Einfluß auf die Haftfestigkeit dargelegt. Durch gezielte Ätzverfahren kann die Struktur der Oberfläche verändert und die Haftfestigkeit der Metallschichten verbessert werden. Der Haftmechanismus wird diskutiert.
Bestimmung der Energielücke von (Pb1–x*Snx)1–yTe y‐Einkristallen. Vergleich indirekter mit direkten Methoden
Authors: Herrmann K. H. , Kostial H. , Lehmann G. , Rudolph A. F. , Rummelsburg M.
Published: July 2007

Die Energielücke von Pb1–xSnxTe Muß definiert eingestellt werden, wenn das Material für Ultrarotlaser und ‐strahlungsempfänger eingesetzt werden soll. In unbehandelten Bridgmankristallen kann die Energielücke nur mittels indirekter Methoden (Gitterkonstanten‐ und Dichtemessung) ermittelt werden. Die Ergebnisse dieser indirekten Eg‐Bestimmung werden mit den Ergebnissen direkter Methoden (Wellenlängenabhängigkeit des PEM‐Effektes, Eigenabsorptionskante) verglichen.
Structure of anthracene thin films
Authors: Lopatkin Y. M. , Protsenko I. E. , Skorobogatko A. F.
Published: July 2007

Structure of anthracene thin films as dependent on the temperature of the substrate, thickness and condensation rate is studied. It was found that at temperatures ts ≦ 55°C condensation is governed by a vapour crystal mechanism while at temperatures ts > 55°C it follows as vapour fluid one. Depending on the condensation rate the crystals take pyramidal forms, those of dendrites and spherolites. At temperatures ts < 55°C the films are mainly oriented with its plane (001) parallel to the substrate.
Indexing of double reflection peaks
Authors: Melle W. , Unangst D.
Published: July 2007

A numerical and a graphical method for indexing double reflections is described. The conditions for the applicability of the graphical method are discussed.
Beitrag zur Kationenverteilung und Diffusion in 5A‐Zeolithen
Authors: Pilchowski K. , Gaedeke R. , Karch J. , Wolf F.
Published: July 2007

Ausgehend vom strukturellen Aufbau der Elementarzelle des Zeoliths Typ A werden auf der Grundlage von Literaturdaten die Punktlagen der Gitterbausteine sowie der schrittweise Austausch von Na‐ durch Ca‐ bzw. Mg‐Ionen diskutiert. Anhand verschiedener Kationenverteilungsmodelle werden Schlußfolgerungen für die Diffusion von Adsorptivmolekülen in 5A‐Zeolithen gezogen.
Diffusionsuntersuchungen am System Cu–Ti
Authors: Schatt W. , Ullrich H.‐J. , Kleinstück K. , Däbritz S. , Herenz A. , Bergner D. , Luck H.
Published: July 2007

Im Ergebnis von Diffusionsuntersuchungen am System Cu–Ti bei Temperaturen zwischen 750°C und 850°C konnten die intermetallischen Phasen Ti2Cu, TiCu, Ti3Cu4, Ti2Cu3 und Ti2Cu7 mit Hilfe der quantitativen Elektronenstrahl‐Mikroanalyse identifiziert werden. Im Zustandsschaubild dieses Systems nach Zwicker war bisher die Phase Ti3Cu4 als instabil ausgewiesen und für Ti2Cu7 als mögliche Phase noch TiCu3 angegeben worden. Aus dem Gesetz für das Wachstum der gesamten Diffusionszone sowie für die einzelnen Phasen (d ∼ √t) folgt, daß in diesem System bei Verwendung von Kompaktmaterial Volumendiffusion und nicht die Phasengrenzreaktion geschwindigkeitsbestimmend ist und somit die Diffusionskoeffizienten nach dem Matano‐Verfahren bestimmt werden können. – Es wurden die chemischen Diffusionskoeffizienten für die einzelnen Phasen bei 750°C, 800°C und 850°C sowie die partiellen Diffusionskoeffizienten DCu und DTi bei 850°C in der Ti2Cu7‐Phase ermittelt. Die chemischen Diffusionskoeffizienten gehorchen Arrhenius‐Gleichungen, aus denen die Diffusionsparameter Q (Aktivierungsenergie) und D0 (Frequenzkonstante) für die identifizierten Phasen berechnet werden konnten.
LPE‐growth of InP on GaAs
Authors: Jacobs B. , Butter E. , Dobner B.
Published: July 2007

LPE growth of InP on GaAs is shown to be possible from indium or tin as a solvent, respectively. Only growth on (111) B faces yields acceptable smooth layers. From In/InP‐melts layers with inclusions near the heterojunctions are obtained. No such microscopically small inclusions were observed in layers grown from Sn/InP‐melts. – The grown layers were characterized by means of etching and electron beam microprobe analysis.
A crystallographic interpretation of atomic volumes in Cr3Si‐type (A‐15) phases
Authors: Paufler P.
Published: July 2007

Dirichlet domains of A and B atoms have been evaluated basing upon the construction of radical planes.
Analysis of the static method of the growth of cadmium sulphide crystals with large temperature gradients
Authors: Ferianc M.
Published: July 2007

The paper gives an analysis of the thermodynamical conditions of crystallization of cadmium sulphide from the gaseous phase with the use of large temperature gradients in the course of crystal growth. From the achieved results there follows that large temperature gradients with the static method of crystal growth favourably influences the formation of crystallization nuclei and the growth of single crystals. The crystals cultivated under such conditions are comparatively large, their volume being several cm3 and their weight ranging from 40–60 g. These crystals are suitable for photoelectrical and electroacoustical measurements and various technical applications.
Electron microscopy of bismuth oxychloride crystallites
Authors: Patel A. R. , Rao K. V. , Shivakumar G. K.
Published: July 2007

Investigations on the crystal structure and morphology of bismuth oxychloride crystallites as a function of the growth conditions are described. A decrease in the concentration of the reactant or an increase in the temperatur during the reaction improves the crystallinity of the bismuth oxychloride precipitate. The crystallites are usually platelets with the c‐axis normal to the crystallite plane.
Die Orientierung von Silberaufdampfschichten auf Wolfram
Authors: Paunov M. , Michailov E.
Published: July 2007

Es wurde die Orientierung von einzelnen Silberkristalliten auf W ‐Einkristallunterlagen im UHV untersucht. Die Unterlage war ein durch Hochheizen rekristallisiertes W‐Blech, auf deren Oberfläche einkristalline Gebiete mit verschiedener Orientierung und mit relativ großen Abmessungen (10−2–10−3 mm) vorhanden waren. Die Orientierung der einkristallinen Gebiete wurde mit Ätzfiguren bestimmt. Die experimentell festgestellte Änderung der Orientierung des Silbers mit der Änderung der Orientierung der Unterlage liefert die folgende allgemeine epitaktische Gesetzmäßigkeit

Es wird gezeigt, daß die Epitaxie durch die Oberflächenstrukturähnlichkeit der miteinander verwachsenen Ag/W‐Ebenen verursacht wird.
On the orientation dependence of effective distribution coefficients of impurities
Authors: Lyubalin M. D. , Tretjakov V. N. , Mokievskii V. A.
Published: July 2007

Germanium crystals doped by antimony are grown by the Czochralski technique along 12 different crystallographic directions. The effective distribution coefficients (Kef) are determined here. It is shown that orientation dependence of kef could be explained by supercooling at growth surfaces correlating with number of layer systems {111} crossing that surfaces and with angles between that systems and direction of shift of the crystallization front.
Growth of single crystals of cinnabar (α‐HgS) at rather low temperature
Authors: Butti C. , Masse G.
Published: July 2007

Synthetic crystals of cinnabar have been grown in a special oven. We have obtained specimens about 3 × 3 × 4 mm3 in size and of average crystalline quality.
Neodymium incorporation into YAl‐borate crystals in preparation from solutions in molten potassium trimolybdate
Authors: Leonyuk N. I. , Pashkova A. V. , Belov N. V.
Published: July 2007

The limits of neodymium substitution for yttrium in (Y, Nd)Al3(BO3)4 crystals in preparation from solutions in molten potassium trimolybdate have been studied. The maximum neodymium concentration in the crystals was 72 at.%, this corresponding to the ratio Nd:Y = 1 in the solution. When this ratio exceeds unity, only potassium‐neodymium molybdate is formed. The distribution coefficient for neodymium is greater than unity and decreases both with the increasing Nd/Y ratio in the melt and with decreasing growth rate of the crystals. The unit cell parameters change in the series YAl3(BO3)4NdAl3(BO3)4 in a non‐steady manner, this indicating that the structure is inclined to disordering.
Quantum‐mechanical relations in the calculation of heats of fusion for ionic crystals
Authors: Winzer A.
Published: July 2007

A report is given on the quantum‐mechanical relations in the calculation of heats of fusion for ionic crystals. By correlating the heats of fusion of the respective silver halides (AgCl, AgBr, and AgI) and the alkali nitrates (e.g. NaNO3) with the frequency of the longitudinal optical phonons of the respective crystals, Planck's constant was found to be the proportionality constant. In the alkali halides, apart from the long range interaction, the energy for the formation of vacancies must also be taken into consideration. The calculated heats of fusion agree well with the experimental values given in the literature, deviations being found only in some alkali halides.
Magnetic properties of the CrSxTe1−x (x = 0−0.2) solid solutions
Authors: Makovetskii G. I. , Shakhlevich G. M.
Published: July 2007

On the basis of X‐ray, magnetic and neutron diffraction measurements the range of solubility in the CrSxTe1−x (x = 0−0.2) system has been established and the magnetic phase diagram of the system has been plotted. The decrease of magnetization at low temperature and the additional reflections in the neutron diffraction patterns are associated with the formation of noncollinear magnetic structure which is characterized by the antiferromagnetic component of the magnetic moments. This component has the orthorhombic unit cell with \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ a_M = \sqrt {3a_0 } $\end{document}, bM = a0, cM = c0. The character of the exchange interactions giving rise to this magnetic structure is discussed.