bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Elektronenstrukturelle Deutung einfacher Kristallstrukturen
Authors: Lehmann G.
Published: July 2007

Es wird ein Überblick gegeben über die Aussagen bezüglich der Kristallstruktur, die durch die in den letzten Jahren erzielten Fortschritte in der Theorie der elektronischen Struktur fester Körper möglich waren. In gut entwickelter qualitativer Form liegt die Theorie für die sogenannten einfachen Metalle vor. Die Aussagen über die Kristallstruktur bilden dabei nur einen Bruchteil der auf einheitlicher Grundlage erzielten Erkenntnisse. Für Übergangs‐ und Edelmetalle sowie kovalent gebundene Systeme lassen sich zumindest qualitative Schlußfolgerungen ziehen.
Reflection Splitting in RHEED Investigations of Vacuum Evaporated GaAs Layers
Authors: Hottmann H. , Schulz M.
Published: July 2007

RHEED‐diagrams of vacuum deposited GaAs‐films with high density of structural defects often show splitting of matrix reflections into satellites. It can be shown by simple models, for example of {111}‐oriented films, that this phenomenon is originated by formation of stacking faults perpendicular to 〈ĪĪĪ〉‐B growth directions of the films. The conditions for 〈110〉 and 〈211〉 azimuths are discussed.
Symmetry in the Space of Euler Angles
Authors: Pospiech J. , Gnatek A. , Fichtner K.
Published: July 2007

For the analysis and description of textures the orientation distribution function f(g) is used. Orientations g as points in “orientation space” are usually characterized by the Euler angles φ1, Θ, φ2. The symmetries of the function f(g) result from the symmetries of the crystal and those of the specimen.

The symmetries in orientation space induced by both the point group symmetry of the crystal and of the specimen are analysed. Any combination of crystal and specimen symmetries yield a group of linear transformations in orientation space; this group corresponds to one of the 230 space groups.

If the point group of the crystal or the point group of the specimen belong to the cubic system the resulting group of linear transformations does not contain all induced symmetries.

Tables with the induced space groups are given for all combinations of crystal and specimen symmetries.
Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga (CH3)3AsH3H2‐System (IV) Thermodynamic and Kinetic Considerations
Authors: Petzke W.‐H. , Gottschalch V. , Butter E.
Published: July 2007

For reactions taking place between the species Ga, As2, As4, AsH3, and H2, the equilibrium constants were calculated. The discussion indicates that factors other than thermodynamic considerations significantly influence the deposition process. Kinetic investigations demonstrate the importance of the As:Ga proportion that has to apply for perfect layer growth. The mechanism of deposition is in correspondence with a Langmuir‐Rideal Model. For high substrate temperatures a homogeneous reaction in the vapour phase can‐not be excluded.
A contribution to the indexing of transmission electron diffraction patterns
Authors: Messerschmidt A.
Published: July 2007

A method for the indexing of TED spot patterns is presented. The reduced cell of the TED pattern defined by the two shortest vectors, which enclose an acute angle, serves as reference cell for the indexing. The d‐values of both the cell defining vectors and of their sum and difference vectors are determined being the four largest d‐values, which can be determined from the pattern. These four d‐values are compared with suitable d‐value sets of the possible crystalline phases and probable phase identifications are made. Generally, there exist several indexing variants for the individual d‐values of the separate phase identification possibilities. It is possible to find the correct indexing by the determination of the indices of the sum and difference vectors, occasionally, for one pair of the indexing variant from the vectors defining the reference cell and by comparison of these indices with the indexing variants for the d‐values of the sum and difference vectors of the corresponding phase identification variant. The measuring and calculation of the intervectorial angles formerly necessarily hasn't to be made in this method. However, the determination of the sum and difference vectors involves it. The reliability of the indexing can be increased in a strong manner if two or three different reciprocal lattice planes of the specimen under investigation are recorded in the corresponding TED patterns and if, in the following, these patterns can be indexed by the mentioned method without any doubt.
O− centre formation in YAG crystals doped with iron group ions
Authors: Kvapil Jiří , Kvapil Josef , Perner Bohumil , Mánek Břetislav
Published: July 2007

The colour changes of YAG crystals doped with Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni as well as those doped with Mg or Be are described. The comparison of samples annealed in hydrogen oxygen and argon and exposed to an UV irradiation is given. Yellow or brown colour of YAG crystals is attributed to the O− centre formation which causes an increase of absorption, particularly near 400 nm. Most intensive coloration showed the crystals containing iron group ions in a higher valency state after UV irradiation and some crystals (e. g. YAG:Cr) annealed in argon.
Zur Realstruktur von Ga1–xInxAs LPE‐Schichten
Authors: Butter E. , Jacobs B. , Krämer H. , Schmidt W. , Stary J. , Wolff W.
Published: July 2007

Ga1–xInxAs‐Epitaxieschichten (0,02 < × < 0,12) auf (111)‐orientierten GaAs‐Substraten wurden aus nichtstöchiometrischen Schmelzen erhalten. – Die aus Strukturätzungen ermittelten Versetzungsdichten lagen zwischen 2 · 105 cm−2 und 3 · 107 cm−2, in Abhängigkeit von der Zusammensetzung, der Schichtdicke und der Abkühlungsgeschwindigkeit. – Röntgentopographische Untersuchungen an {110}‐Spaltflächen lieferten Informationen über die Schichtperfektion und deuten am Heteroübergang Schicht/Substrat auf Verspannungen des Substratgitters hin. Die röntgenographische Gitterkonstantenbestimmung bestätigt die Gültigkeit der Vegardschen Regel im untersuchten Konzentrationsbereich. Die Halbwertsbreite von Doppelkristall‐Reflexionskurven, die Ätzgrubendichte und die relative Photolumineszenzintensität zeigen analoge Abhängigkeiten von der Zusammensetzung der Schichten.
Anwendung der Protonen‐Rückstreuanalyse zur Bestimmung der Zusammensetzung von AIIIBV‐Mischkristallen
Authors: Flagmeyer R. , Geist V.
Published: July 2007

Die bei der elastischen Streuung von 1,5 MeV‐Protonen an AIIIBV‐Mischkristallen erhaltenen Spektren wurden analysiert und auf diese Weise die Probenzusammensetzung bestimmt. Die Methode der Mikroanalyse mittels Rückstreuspektrometrie wird kurz erläutert und ihre Anwendung anhand zweier Beispiele ausführlich beschrieben. Die Resultate der Rückstreumessungen und die mittels anderer Analyseverfahren erhaltenen Ergebnisse zeigen eine gute Übereinstimmung. Im Anhang werden die Massen‐ und die Tiefenauflösung der beschriebenen Rückstreutechnik näher betrachtet.
The influence of the d‐core states on the calculation of the crystal structure of Zn with the optimized model potential
Authors: Radwan A. , Rennert P.
Published: July 2007

Shaw model potential has been used to calculate the structural energies of Zn using different model potential parameters. The effects of changing the model potentials, of using energy‐wavenumber characteristics calculated with intervals of q/2kF = 0.05 and 0.025, and of using different interpolation methods on the structural energies are investigated.
Schlieren textures in smectic liquid crystals
Authors: Demus D.
Published: July 2007

The details of well developed schlieren textures have been observed at smectic C and B modifications. In these textures whole numbered point singularities occur and inversion walls with strong similarities to nematic schlieren textures. It is shown that the occurrence of smectic schlieren textures is due to suppositions derived theoretically by Nehring and Saupe. These suppositions are: tilted structure and plane layers with the layers parallel to the supporting glass slides.

In smectic B inversion walls occur which allow to conclude on variable tilt angles of the structure.
Untersuchungen zu einer neuen Methode der Gasphasenzüchtung von α‐Al2O3‐Whiskern und deren Realstruktur
Authors: Szajko K. , Wasiak J. , Weyher J.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wird der Einfluß von grundsätzlichen technologischen Parametern auf die Gewichtszunahme von α‐Al2O3‐Saphirwhiskern, die in einem Hochtemperaturwiderstandsofen durch Reduktion mit Wasserstoff gezüchtet werden, untersucht. Ergebnisse der röntgentopographischen Untersuchungen zur Realstruktur von Nadel‐ und Plättchenwhiskern sind wiedergegeben. Die Wachstumsrichtungen und die Zugfestigkeit der erhaltenen Whisker werden bestimmt.
Point symmetry of crystals containing a straight screw dislocation
Authors: Paufler P.
Published: July 2007

The point symmetries at the core of a straight screw dislocation have been tabulated for 85 different types of glide systems. A comparison with experimental data on glide systems suggests that high symmetry of the linear defect may be one factor (in addition to others) determining a glide system.
Etch figures and crystal structures
Authors: Wooster W. A.
Published: July 2007

The etch figures on some of the naturally occurring faces of crystals of sodium chloride, cuprite, alpha‐quartz, tourmaline and topaz are compared with the atomic arrangements on the etched surfaces. The etch figures are influenced in their shape and orientation relative to the natural faces by a number of factors. One of these factors is the crystal structure. In every example of an etched pit bounded by straight edges, it was found that there exists in the crystal structure a continuous chain of relatively strong inter‐atomic bonds, running parallel to the straight edge. The study of tourmaline indicates the direction in which all the SiO4 tetrahedra are pointing relative to the external form.
Der Einfluß der Rauhigkeit der Probenoberfläche auf die Ergebnisse ellipsometrischer Messungen bei GaAs
Authors: Löschke K. , Kühn G.
Published: July 2007

Die Ergebnisse ellipsometrischer Messungen an GaAs zeigen einige Diskrepanzen. Diese Tatsache wird auf Oberflächenrauhigkeiten zurückgeführt und an Hand eines einfachen Modells diskutiert. Es wird gezeigt, in welcher Art und Weise eine rauhe Oberfläche die ellipsometrisch gemessene Filmdicke und den Brechungsindex beeinflußt.
Refinement of wave‐functions of valence electrons of diamond using experimental compton profiles
Authors: Sirota N. N. , Revinsky A. F.
Published: July 2007

Refinement of wave‐functions of valence electrons of diamond is performed using the available experimental Compton profiles obtained by the data on X‐ray and γ‐ray scattering. The wave‐function of valence electrons is taken in the approximation of sp3‐hybridization. Atomic scattering factors predicted by the refined wave‐functions are in a satisfactory agreement with the experimental data (Göttlicher et al.).
Untersuchung der Kühlkristallisation in einer Flüssigkeitsgeysir‐Anlage
Authors: Mészáros E. , Blickle T.
Published: July 2007

Die Verfasser untersuchten die Verwendbarkeit des Gas‐Flüssigkeitgeysir‐Verfahrens für die Kristallisation und verglichen ihre Ergebnisse mit den an derselben Modellsubstanz, aber durch andere intensive Kristallisationsverfahren erhaltenen Versuchsdaten. Es wird festgestellt, daß beim Geysir‐Verfahren keine Temperaturdifferenz zwischen der Luft und der Flüssigkeit gemessen werden konnte. Der relative Feuchtigkeitsgehalt der den Apparat verlassenden Luft erreichte dabei jedenfalls nur etwa 70% und der größere Teil der Abnahme des Wärmegehalts der Flüssigkeit war aus der Verdampfung des Wassers gedeckt. Auf Grund der Zusammenhänge zwischen den Charakteristiken des Verfahrens und der Korngröße der erhaltenen Kristalle werden die Bedingungen angegeben, die die Gewinnung der Kristalle bestimmter Korngröße gewährleisten. Das Verfahren erlaubt durch geeignet gewählte Operationsparameter, Kristallite mit großer oder kleiner, nahezu einheitlicher Korngröße herzustellen.
Physikalische Elementarprozesse bei der mechanischen Anregung von LiF‐Kristallen
Authors: Hoffmann K. , Linke E.
Published: July 2007

Es werden Meßmethoden zur Untersuchung von Lumineszenz, Elektronenemission, Reibkraft und elektrostatischen Aufladungen bei der Anregung von LiF‐Einkristallen durch mechanische Bearbeitung vorgestellt. Die Messungen werden bei Temperaturen von −160°C bis +20°C unter Hochvakuumbedingungen durchgeführt und an Hand eines Reiboxydationsmodells diskutiert.
Heteroübergänge auf der Grundlage dünner Tellurschichten
Authors: Thieme W. , Gončarov A. D. , Ševčenko V. Ja.
Published: July 2007

Es wird die Züchtung von Heterostrukturen durch gerichtete Kristallisation einer dünnen Schmelzschicht im engen Raum zwischen zwei fremdartigen Substraten untersucht. Als Modellmaterialien wurden für die Dünnschicht Te, für das Halbleitersubstrat Ge bzw. CdS ausgewählt. Untersuchungen zeigten, daß sich nach dieser Methode abrupte CdSTe‐Übergänge züchten lassen und sich die GeTe‐Strukturen mit einem komplizierten Übergangsbereich ausbilden. Messungen bei 77 K wiesen für die Strukturen CdSTe und GeTe ausgeprägte Photoempfindlichkeit und auf der IV‐Strukturen Bereiche mit negativer Leitfähigkeit aus.
Ableitung der Verteilung von Kornlängen für drei einfache eindimensionale Erstarrungsprozesse
Authors: Schulze G. E. W.
Published: July 2007

In der vorliegenden theoretischen Arbeit wird unter bestimmten Voraussetzungen die Verteilungsfunktion für die Abstände benachbarter Kristallkeime abgeleitet. Ausgegangen wird dabei von einer unterkühlten Schmelze in einer Kapillare. Unter Anwendung der Theorie zufälliger Prozesse läßt sich die Keimabstands‐Verteilungsfunktion deduzieren, wobei der mittlere Keimabstand Parameter ist. Davon ausgehend werden für drei spezielle Erstarrungsprozesse die im näherungsweise „eindimensionalen”︁ Gefüge auftretenden Kornlängenverteilungen abgeleitet.
Zerlegung der induzierten elliptischen Doppelbrechung in eine lineare und eine zirkulare Komponente in Richtung der optischen Achse des Quarzes
Authors: Schamburov V. A. , Romanova N. F.
Published: July 2007

Es wird eine kurze Übersicht über die Untersuchungen des Einflusses des elektrischen Feldes auf die optische Aktivität der Kristalle gegeben. Eine allgemeine experimentelle Methode wird vorgeschlagen, die es erlaubt, die induzierte elliptische Doppelbrechung in eine lineare und zirkulare Komponente zu zerlegen. — Die Erzeugung einer solchen Zerlegung in Quarzkristallen in Richtung der optischen Achse bei Einwirkung des elektrischen Feldes in X‐Richtung wird dargestellt.
Effect of small copper additives on the growth of gallium crystals from a melt
Authors: Stoichev N. V. , Ovsienko D. E. , Alfintsev G. A.
Published: July 2007

It is shown in the present work that copper additives influence substantially the growth of Ga crystals from a melt which is expressed in different ways, depending on the impurity concentration. With rising copper concentrations we observed a substantial retarding in the growth rates as compared with deformed pure Ga crystals, and a change of the mechanism of growth.

The results can be explained by a rejection of the impurity by the growing crystal which causes retarding of the growth and with the impurity inclusion like CuGa2 particles, which gives rise to dislocations, intersecting the growing faces.
Kinetik der Massenkristallisation (III). Diffusionskinetik bei der spontanen Kristallisation
Authors: Todes O. M.
Published: July 2007

Es wird eine Methode zur Berechnung der Kinetik der spontanen Kristallisation für den Fall dargestellt, in dem die lineare Wachstumsgeschwindigkeit nicht nur von der Übersättigung abhängt, sondern der Größe der Kristalle umgekehrt proportional ist (Diffusionsbereich). Die Grenzfälle einer schwachen und einer stark ansteigenden Abhängigkeit der spontanen Keimbildung von der Übersättigung werden analysiert. Ohne sekundäre Keimbildung erhält man ein Kristallisationsprodukt, das in seiner Kornzusammensetzung nahezu monodispers ist.
Eine Elektronenstrahltechnologie zur Herstellung dünner Schichten hoher Reinheit
Authors: Seidowski E. , Laska V. L. , Ledovskoj V. P. , Leont'eva H. M. , Tierok M.
Published: July 2007

In der Arbeit wird das Elektronenstrahlverdampfen von Metallen in einem Vakuumsystem untersucht, welches eine zusätzliche innere Kammer aufweist. Diese ist mit der äußeren Kammer durch eine Öffnung geringer Leitfähigkeit verbunden, durch die ein begrenzter Gasaustausch erfolgen kann. In der inneren Kammer werden Bedingungen realisiert, die mit den Kondensationsbedingungen dünner Schichten im Ultrahochvakuum identisch sind.

Die experimentelle Überprüfung der theoretischen Resultate erfolgt auf dem Wege von Strukturuntersuchungen und der Bestimmung der Supraleitfähigkeit von Niobschichten, die durch Elektronenstrahlverdampfung in einer geschlossenen Kammer auf Substraten aus Sitall und Polykor erhalten wurden, wobei der Druck in der Basiskammer in der Größenordnung von 10−4 bis 10−5 mm Hg lag. Die Strukturuntersuchungen erfolgen mit Methoden der Durchstrahlungselektronenmikroskopie und der Reflexionselektronographie mit Hilfe eines Elektronenmikroskopes hoher Auflösung. Bei der durchgeführten Analyse der erhaltenen Niobschichten konnten keine Fremdstoffe nachgewiesen werden. Bei einer Vergrößerung der Schichtdicke von 0,2 auf 3,5 μm ändert sich die Schichtstruktur von einer amorphen in eine polykristalline bzw. texturierte. Es wird gezeigt, daß die mittels Elektronenstrahlverdampfung im Vakuumsystem vom geschlossenen Typ erhaltenen Schichten sich bezüglich ihrer Supraleitfähigkeit nur geringfügig von im Ultrahochvakuum abgeschiedenen einkristallinen Schichten unterscheiden.
Über Wechselwirkungen zwischen Versetzungsdichte, Fremdstoffen und Spannungen im Siliziumeinkristall
Authors: Geil W. , Markus M. , Schmugge K. , Thomas R.
Published: July 2007

Gegenwärtig werden zahlreiche Arbeiten zum Einfluß von Fremdstoffen auf die Gitterparameter eines Kristalls durchgeführt. Aus solchen Untersuchungen ermittelte man bei Siliziumeinkristallen für bestimmte Dotier‐ und Fremdstoffe Funktionen der Art \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C.\,\frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} ist eine Größe, aus der Spannungen im Kristall ermittelt werden können. Nimmt man an, daß

ein Fremdstoff einen Einfluß gemäß Δa/a \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} \sim C\, $\end{document} hat,

bei den gebräuchlichsten Züchtungsverfahren für zylindrische Siliziumeinkristalle der Fremdstoff so verteilt ist, daß im Mittel seine Konzentration am Kristallrand kleiner ist als im Zentrum des Kristalls,

die im Kristall festgestellte Versetzungsdichte und ‐verteilung dem des stationären Zustandes \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{dN}}{{dt}} $\end{document} = 0 entspricht,

dann ist der Einfluß von \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} auf die Spannungen im Kristall und demzufolge auf die Versetzungsdichte und ‐verteilung vernachlässigbar. Dieses Ergebnis entspricht nicht dem experimentellen Befund. In der Arbeit wird dargestellt, daß bei Anwesenheit von Fremdstoffen im Kristall Spannungen auftreten, die in der Größenordnung der Temperatur‐spannungen liegen und die nicht durch die aus der Literatur bekannten Werte \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{\Delta a}}{a} $\end{document} beschrieben werden können.
Anwendungsmöglichkeiten der Röntgentopographie zur Bestimmung der Oberflächengüte und der Realstruktur von Granateinkristallen
Authors: Zsoldos E. , Becker C.
Published: July 2007

Granateinkristalle der seltenen Erden sind für die Entwicklung von „Bubble”︁‐Speichern von Interesse. Während der verschiedenen Präparationsstufen der Substrate und epitaxialen Schichten sind Kontrollen der Oberflächengüte notwendig. Es werden röntgentopographische Methoden zur Untersuchung der Oberflächen mit Ergebnissen der Ätztechnik verglichen.

Beobachtete Loop‐Konfigurationen in der Umgebung von Einschlüssen werden beschrieben und Entstehungsmechanismen diskutiert.
Röntgenografische Realstrukturanalyse von vielkristallinen Magnetiten und Ferriten
Authors: Kämpfe Bernd , Nestler Carl‐Georg
Published: July 2007

An polykristallinen Mischspinellen, die als Kationen Fe2+, Fe3+, Cr3+ und Ni2+ enthalten, wurden komplexe röntgenografische Realstrukturuntersuchungen, kombiniert mit chemischen Analysen, durchgeführt. Die Ergebnisse der Intensitätsanalyse, Profilanalyse und Gitterkonstantenbestimmung erlauben Rückschlüsse auf die Besetzung des Kationenteilgitters. Der Vergleich zwischen Mischkristallen des pseudobinären Systems Magnetit‐Maghämit und Fe‐, Cr‐, Ni‐Ferriten ergibt einige Parallelerscheinungen struktureller Art.
Die Anwendung der Positronenannihilation zur Untersuchung der Rekristallisation plastisch verformter Metalle
Authors: Brümmer Otto , Dlubek Günter , Sickert Peter
Published: July 2007

Nach einer einleitenden Diskussion des Verhaltens der Positronen in plastisch verformten Metallen und der sich daraus ergebenden Anwendungsmöglichkeiten der Methode (Konzentration von Leerstellen und Versetzungen, Ausheilung von Punktdefekten) wird die Positronenannihilation als eine neue Methode zur Untersuchung der Rekristallisation dargestellt. Es wird ein Modell vorgeschlagen, welches erlaubt, auf einfache und direkte Weise aus den relativen Änderungen der Positronenannihilationsmeßdaten den Volumenanteil des rekristallisierten Gefüges mit hoher Genauigkeit zu bestimmen. Messungen der Peakhöhe der 2γ‐Winkelkorrelationskurve während isothermer Rekristallisation von kaltgewalztem Ni und Cu werden mit Hilfe dieses Modelles ausgewertet und die erhaltenen Ergebnisse hinsichtlich Kinetik und Aktivierungsenergie der Rekristallisation mit der Literatur verglichen.
Preparation of InN epitaxial layers in InCl3NH3 system
Authors: Marasina L. A. , Pichugin I. G. , Tlaczala M.
Published: July 2007

The epitaxial growth of InN by the open tube flow method using the interaction of InCl3 and NH3 is discussed. The influence of various technological parameters on the process and structure perfection of the epitaxial layers, grown on the single crystal (0001)‐oriented sapphire substrates is considered. The main kinetic dependences of the process are plotted and discussed.

InN epitaxial layers were mosaic and n‐type with electron concentration 2 · 1020–8 · 1021 cm−3 and mobilities 50‐35 cm2/V · s, respectively.
Realstrukturuntersuchungen von hydrothermal auf kleinen Rhomboederflächen gewachsenen Quarzeinkristallen
Authors: Alter Uwe , Christoph Arthur , Poppendieck Detlef , Wagner Bernhard
Published: July 2007

Es wurden optische, ätztechnische und röntgenographische Untersuchungen an Quarzkristallen, die auf Rhomboederkeimen gewachsen waren, durchgeführt. Durch Verfärbungsversuche wurde in Übereinstimmung mit der Literatur festgestellt, daß sich Aluminiumfremdatome verstärkt in den Wachstumssektor der kleinen Rhomboederfläche einbauen Es zeigt sich, daß der verstärkte Al‐Einbau nicht mit einer großen Versetzungsdichte einhergehen muß. Die Versetzungen im Rhomboederwachstum weisen charakteristische Unterschiede zum Basiswachstum auf. Optisch beobachtete Oberflächenerscheinungen wie Hügel, Terrassen und Spiralen korrelieren nicht in einfacher Weise mit der Ätzgrubenverteilung.
Bestimmung der Mengenanteile von Fasertexturen
Authors: Tomov I. , Schläfer D. , Küttner K.
Published: July 2007

Die Mengenanteile von scharfen Fasertexturen and elektrolytisch abgeschiedenen Schichten lassen sich sowohl aus den unvollständig gemessenen Polfiguren als auch aus den inversen Polfiguren bestimmen. Die Ergebnisse beider Methoden werden am Beispiel von Nickelschichten verglichen.
Bildung von paramagnetischen Defekten in SiO2‐Glas nach Oberflächenbehandlung im Niederdruckplasma
Authors: Tiller H.‐J. , Busack P. , Kispert M. , Breitbarth F.‐W.
Published: July 2007

Die Behandlung von SiO2‐Glasproben im Niederdruckplasma führt zur Entstehung von paramagnetischen Defekten im Volumen, die denen, die durch Bestrahlung von Quarz (amorph oder kristallin) mit Neutronen oder γ‐Bestrahlung entstehen, vergleichbar sind. Die Defekte, die nur an SiO2‐Glasproben, nicht aber an kristallinem Quarz zu beobachten sind, können auf den Einfluß der Plasmastrahlung zurückgeführt werden. Aus der Abhängigkeit der Zentrenkonzentration von den Bildungsbedingungen (Plasmaparameter, Behandlungszeit) wird auf einen komplexen Bildungsmechanismus geschlossen. Die Tiefenverteilung der Zentren weist auf eine Diffusion derselben im SiO2‐Gerüst hin.
Anwendungsmöglichkeiten der Analyse der diffusen Streuung von Röntgenstrahlen zur Untersuchung von einkristallinen Halbleiter‐Mischkristallen
Authors: Bublik V. T.
Published: July 2007

Um die Wechselwirkungsparameter der Atome in der festen Phase von Halbleiter‐Mischphasen der Systeme GeSi, GaAsGaP und GaAsAlAs zu bestimmen, wurde die diffuse Streuung von Röntgenstrahlen an Einkristallen mit Hilfe der Theorie von KRIVOGLAZ analysiert. Die Ergebnisse gestatten es, die Zustandsdiagramme der betrachteten Systeme zu berechnen.
Preparation of sapphire substrates for Gas phase GaN epitaxial processes
Authors: Kaliński Zb.
Published: July 2007

After mechanical treatment the surface of α‐Al2O3 plates with orientation (0001) for GaN epitaxy was polished in a mixture of H3PO4 and H2SO4. The best mixture H2SO4/H3PO4 and the best temperature for polishing were chosen. — The quality of the polished substrates was determined by structural etching in KOH. The optimum structural etching time was 3 min. at 320°C. The thickness of the layer which should be removed after mechanical treatment and the dislocation density of the starting material for GaN epitaxy was determined.
Der Einfluß der Abkühlungsgeschwindigkeit auf die Keimauslese bei erschmolzenem Al2O3
Authors: Dräger K. , Studt H.‐J.
Published: July 2007

Polykristalline, scheibenförmige Preßlinge aus Al2O3 werden oberflächlich erschmolzen und dann mit unterschiedlicher Geschwindigkeit abgekühlt. Dabei entstehen größere einkristalline Bereiche. Der Neigungswinkel ϑ, unter dem die kristallographische Hauptachse gegen die Probennormale erscheint, erweist sich als statistische Größe. Es kann gezeigt werden, daß die Häufigkeitsverteilungen dieses Neigungswinkels für langsame und schnelle Abkühlung verschieden sind. Mit einem geeigneten Faktor k(ϑ) wird die Anisotropie der Kristallisation in beiden Fällen quantitativ erfaßt und eine Relation zu stabilen Wachstumsflächen natürlicher Korunde hergestellt. Die Bedeutung des Mittelwertes ϑ und der Streubreite σ wird ausführlich diskutiert.
Untersuchungen zur röntgenografischen Verzerrungsverteilung von Versetzungen
Authors: Röll H. , Boschan J. , Manh N. D.
Published: July 2007

Für zylindrische Kristallite mit einer Versetzung auf der Zylinderachse werden Verzerrungsmomente und damit die röntgenografischen Verzerrungsverteilungsfunktionen berechnet. Die erhaltenen Verzerrungsverteilungen weichen – von Ausnahmefällen abgesehen – stark von einer Gaußverteilung ab, insbesondere treten bei der Schraubenversetzung und der Stufenversetzung mit der eingeschobenen Netzebene in Interferenzstellung stark ausgeprägte relative Minima bei kleinen Verzerrungen sowie eine Abhängigkeit aller Verteilungen von der Fourierordnung auf. – Über die Momentenverhältnisse werden die Verzerrungsverteilungen der Versetzungsmodelle mit den entsprechenden Größen vorgegebener Modellverteilungen verglichen.
Electrical properties of p‐Type GaAs
Authors: Neumann H. , van Nam Nguyen
Published: July 2007

Relations for the effective drift mobility, the Hall coefficient, and the Hall mobility in p‐type group IV and III–V compounds are derived accounting for the degenerate valence band structure and acting scattering mechanisms. Improved deformation potentials are determined for holes in p‐type GaAs. Zn‐doped and Ge‐doped p‐type GaAs samples with hole concentrations in the range from 4 · 1017 to about 1020 cm−3 were analysed with regard to the temperature dependence of the Hall mobility, and it was found that the Brooks‐Herring formula is inadequate to describe ionized impurity scattering in p‐type GaAs.
Comparison between swirl‐type defects in float‐zone and those in czochralski silicon single crystals
Authors: Jakowlew B. , Jeske W. , Weyher J.
Published: July 2007

Comparison is presented between the morphology of „swirls”︁ etch pits occurring in the float‐zone and those in Czochralski silicon crystals after various heat treatments. It appears that the difference in the morphology of „swirls”︁ etch pits results from the difference in the structure of defects. The influence of heat‐treatment temperature and composition of the ambient atmosphere upon the density and the morphology of the etch pits have been discussed.
Zur Festigkeit dünner Fäden
Authors: Hieke M.
Published: July 2007

Es wird die Zunahme der Festigkeit dünner Stäbe bzw. Fasern, die aus elastischem Material bestehen, mit abnehmendem Durchmesser theoretisch untersucht. Es wird eine Möglichkeit angegeben, eine empirische Beziehung, die von Smekal experimentell verifiziert wurde, bei Annahme einer Oberflächenschicht, die durch eine im Vergleich zum Inneren verschiedene Dehnung charakterisiert ist, abzuleiten. Weiter wird der Einfluß der Umgebung auf die Festigkeit diskutiert.
Calculations of LPE layer thickness
Authors: Malinin A. Ju. , Nevsky O. B.
Published: July 2007

Three basic cases of LPE growth with and without nucleation were examined. The expressions for layer thickness and growth efficiency calculations were developed. Criteria for LPE growth classification were obtained. It was shown the nucleation takes place at critical values of supersaturation of the solution. The values of critical supersaturation may be calculated from growth efficiency experimental data for LPE growth.
Effect of the defect structure character in calcite single crystals on X‐ray diffraction
Authors: Novikova I. G.
Published: July 2007

The paper presents experimental results for the dependence of the integral intensity of anomalous transmission Ti and Laue reflection Ri of X‐rays on the structural quality of calcite single crystals as obtained by a two‐crystal spectrometer. The relation between X‐ray dynamic and kinetic scattering as a function of the sample thickness, densities of perfect dislocations in perfect CaCO3 crystals and of atom‐vacancy complexes in calcite crystals with „background”︁ has been found. Distortions due to perfect grown‐in dislocations in calcite are shown to exceed those produced in crystals with „background”︁. The latter appear to be more X‐ray transparent. A comparison with results of twin layer thickening experiments on CaCO3 crystals of different qualities again points to the different nature of these distortions. In CaCO3 crystals with the dislocation density of up to 2 × × 103 cm−2, the X‐ray scattering, in our experiments, was consistent with the dynamic diffraction theory, while at higher dislocation densities, the X‐ray scattering markedly differs from it.
Zur Beeinflussung mikrostruktureller Verformungsprozesse an Siliziumoberflächen durch den Dotierungstyp
Authors: Richter H. , Brocke H.‐D.
Published: July 2007

Durch Erfassen des nach einer Wärmebehandlung ätztechnisch nachweisbaren gestörten Bereiches um Ritze wird die Wirkung von Donator‐ und Akzeptor‐Dotierung auf die Reichweite der sich ausbildenden Störzone in Silizium untersucht. Die bereits bei niedrigen Dotierungskonzentrationen auftretenden Unterschiede werden in Zusammenhang mit der niedrigen Sauerstoffkonzentration von FZ‐Kristallen und der Wechselwirkung zwischen Beweglichkeit und elektrischer Ladung der Versetzungen gedeutet.
Dynamics of twin layer broadening in indium
Authors: Lubenets S. V. , Fomenko L. S.
Published: July 2007

The mobility of plane‐parallel twin layer boundaries in indium crystals has been studied in the 235–390 K temperature range under stresses, τ, of (0.25–20) g/mm2 (static load) and (35–335) g/mm2 (crest values under impact load). For τ/G = (0.2–0.6) × 10−5 (G is the shear modulus), the process of twin layer broadening has been shown to be thermally activated; the process parameters and their stress dependence have been found. – Possible mechanisms of twin layer broadening have been analysed, and it has been concluded that a pole mechanism is inadequate to treat the results obtained. The twin broadening is considered to be due to nucleation and motion of twinning dislocations along boundaries in each subsequent twinning plane; it has been shown that the thermal activation parameters measured while broadening a twin layer, can be inconsistent with the elementary acts of broadening process (nucleation or motion of twinning dislocations). A deep gap between data on stress dependence of the activation energy of twin layer broadening for indium and calcite crystals and the Sumino theory is explained by the determining influence of the real imperfect structure of specimens on the process studied.
Die Molekül‐ und Kristallstruktur von 1.1′‐Bis‐[phenyl‐glyoxyloyl]‐ferrocen
Authors: Szulzewsky K. , Seidel I. , Kulpe S. , Höhne E. , Raubach H. , Stoffer U.
Published: July 2007

Das 1.1′‐Bis‐[phenylglyoxyloyl]‐ferrocen (PGF) kristallisiert in der monoklinen Raumgruppe P21/c mit den Gitterkonstanten a = 7,338 Å, b = 16,872 Å, c = 8,046 Å, β = 87,0°. Das PGF gehört zur Klasse der Metall‐π‐Komplexverbindungen. Mit dem Eisen im Symmetriezentrum sind die beiden Schweratomliganden zentrosymmetrisch zu einem Symmetriezentrum sind die beiden Schweratomliganden zentrosymmetrisch zueinander. Die zwei dem Eisen koordinierten Cyclopentadienylringe sind sandwichartig in der gestaffelten Konformation angeordnet. Der senkrechte Abstand ihrer mittleren Ebenen beträgt 3,32 Å. Es gibt in einem einzelnen Phenylglyoxyloyl‐Molekül eine aufgeweitete Csp2–Csp2‐Bindung (1,528 Å). Um diese Bindung sind die beiden ebenen Bauteile des Moleküls gedreht. Diese beiden ebenen Bauteile bestehen einerseits aus dem Kohlenstoff‐5‐Ring und einer C  O‐Gruppe und andererseits aus dem Kohlenstoff‐6‐Ring und einer C  O‐Gruppe. Der Dihedralwinkel beträgt 62,5°. Die erwähnte Bindungsaufweitung wird durch Coulumbabstoßung partiell geladener Atomzentren interpretiert. Die Packung der Moleküle im Kristallverband wird im Detail diskutiert.
The investigation of the kinking process with help of cholesteric liquid crystals
Authors: Sizova N. L. , Gorina I. I. , Chistjakov I. G.
Published: July 2007

Process of kinking in CsI crystals has been studied with help of CLC (cholesteric liquid crystals) sensitive to deformation and temperature. It is shown that kinking formation is accompanied by local heat in the kink band. The velocity of deformation is the more the larger the quantity of heat in the kink band.
Electrical and optical properties of CuGaTe2
Authors: Hörig W. , Kühn G. , Möller W. , Müler A. , Neumann H. , Reccius E.
Published: July 2007

The electrical and optical properties of CuGaTe2 single crystals were investigated by resistivity and Hall effect measurements in the temperatur range T = 77… 300 K and optical transmission measurements in the temperature range T = 20… 300 K at photon energies hν = 1.15…1.50 eV. All samples were p‐type conducting due to shallow acceptors with ionization energies EA1 ≈︁ 10−3 eV and concentrations NA1 ≈︁ p = (2…4). 1018 cm−3. The absorption spectra could be described by simultaneous consideration of acceptor ‐ to ‐ conduction band transitions with EA2 = 360 meV and NA2 ≈︁ 1022 cm−3 and valence band ‐ to ‐ conduction band transitions with EG = 1.24 eV at room temperaure. The temperature coefficient of the fundamental edge is dEG/dT = −4.0. 10−4 eV/K. The results are discussed with regard to some general trends found in the Cu‐III–VI2 compounds.
Modelle und Eigenschaften von Korn‐ und Phasengrenzen
Authors: Goux C.
Published: July 2007

Es sind Strukturmodelle für Korngrenzen in reinen Metallen, in Legierungen und für Phasengrenzen zwischen zwei Kristallen unterschiedlicher Elemente bekannt. Geometrische und energetische Vorstellungen dazu werden diskutiert. Mit einer energetischen Methode wird versucht, die Struktur von Korngrenzen zu bestimmen. Die Ergebnisse der theoretischen Arbeiten sind geeignet, die Deutung experimenteller Ergebnisse an orientierten Bikristallen zu fördern. Die direkte Untersuchung des Korngrenzeneinflusses auf die Eigenschaften von Vielkristallen bleibt aber eine Notwendigkeit.
Surface structures of fluorite crystals
Authors: Desai C. C.
Published: July 2007

Optical studies have been made of the microstructures on the natural {100} and {111} faces of natural fluorite crystals. The protrudance of triangular elevations, growth pyramids, and natural etch pits have been observed on a large number of crystals. It is suggested that fluorite crystals grown by two‐dimensional spreading and piling of growth layers parallel to {100} faces. The natural etch pits on {100} and {111} faces suggest that they have been produced as a result of a dissolution process in nature. The natural faces have been etched in the laboratory and it is established that the pits indicate the existence of linear defects in the crystals. The implications are discussed.
Growth and electrical properties of epitaxial CuInS2 thin films on GaAs substrates
Authors: Neumann H. , Schumann B. , Peters D. , Tempel A. , Kühn G.
Published: July 2007

CuInS2 thin films with thicknesses in the range of 500 Å were deposited onto semi‐insulating (111) A‐oriented GaAs substrates by flash evaporation in the substrate temperature range Tsub = 570 … 870 K. Epitaxial growth begins at Tsub = 645 K. The films had always the chalcopyrite structure. Indications to a transition from the chalcopyrite phase to the sphalerite phase were observed at Tsub = 870 K. Films grown at Tsub ≦ 800 K showed n‐type conductivity whereas at growth temperatures Tsub ≧ 850 K the films were always p‐type conducting. A donor level and an acceptor level with ionization energies of 0.24 eV and 0.22 eV, respectively, were found from an analysis of the electrical measurements.
Growth of USb2 single crystals and their structural perfection
Authors: Henkie Z. , Misiuk A.
Published: July 2007

USb2 single crystals were grown by three methods; I — Chemical vapour transport with iodine as transporting reagent, II — Crystallization from USb liquid solution, III — Crystallization from USbSn liquid solution. The morphology of growth and results of X‐ray topography examination of crystal surface are given.
Zur Morphologie organischer Kristalle mit zwei Molekülen in der asymmetrischen Einheit. Ein Beitrag zur Korrespondenz von Kristallstruktur und Habitus
Authors: Follner H.
Published: July 2007

In einer vorangegangenen Arbeit wurde gezeigt, daß Pseudosymmetrien die Kristalltracht organischer Kristalle beeinflussen. Das morphologische Gitter von Strukturen mit zwei kristallographisch unabhängigen Molekülen in der Elementarzelle entspricht dem Gitter der Zentren zwischen beiden Molekülen. Dies kann mit Hilfe „morphologischer Auslöschungsregeln”︁ nachgewiesen werden.
Determination of Nitrogen Concentration in GaP Epitaxial Layers by Two Independent Methods
Authors: Hänsel T. , Brühl H.‐G. , Bindemann R. , Seifert W. , Jacobs K.
Published: July 2007

The nitrogen concentration in GaP is determined by optical absorption in the A‐line at T = 77 K. The concentration of the isolated nitrogen atoms is given for T = 77 K by the modified LIGHTOWLERS' relation [NA] cm−3 = 8.2 · 1014 phαmax, where α is measured in cm−3, h in meV. p is a dimensionless line shape factor. It is shown that at higher N concentrations considering only the A‐line absorption the impurity density is underestimated because the nitrogen atoms included in NNi pairs give no contribution to the absorption. The measurements have been made in the range from [N] = 5 · 1016…︁ 1019 cm−3 in layers grown by vapour phase epitaxy. The results are compared with nitrogen concentrations obtained by precision lattice parameter measurements. The change of the lattice parameter is calculated using VEGARD's law. The good agreement between the nitrogen densities obtained by two different independent methods reveals (i) that the LIGHTOWLERS' calibration factor is valid also at higher N‐concentrations and (ii) that the nitrogen atoms are predominantly incorporated into P‐lattice sites.
Effects of Environmental Gas on HVEM Radiation Damage in Aluminum
Authors: Jesser W. A. , Imura T. , Nohara A. , Nishino Y.
Published: July 2007

Aluminium was irradiated by 1000 keV electrons in an environmental cell either evacuated or containing 2.7 kPa (20 torr) of hydrogen or air. The resultant dislocation loop density was altered by the presence of air but not by the presence of hydrogen. These results are consistent with the idea that environmental gas alters the strength of the free surfaces as sinks for point defects.
In‐situ Observations on Cu‐SiO2 and Stainless Steels
Authors: Brooks J. W. , Haque E. , Loretto M. H. , Smallman R. E.
Published: July 2007

Specimens of CuSiO2 and of several high purity stainless steels have been observed during deformation in an HVEM. The behaviour of the CuSiO2 specimens is dominated by the free surfaces, even in the thickest regions which can be examined, but in the stainless steels it has been found that if the specimen is thicker than about 0.5 μm, bulk behaviour is observed. The formation of ϵ‐ and α‐martensite has been directly observed and essentially identical observations of martensite formation have been made during cooling. It has been shown that ϵ‐martensite is always formed in regions where appropriately, but usually irregularly spaced faults, are generated and detailed analyses of isolated and overlapping faults show that these faults contain close‐packed planes of the appropriate eph spacing. α‐martensite is formed in association with dislocation pile‐ups.
Subgrain structure formation in pure crystals grown from melts
Authors: Tsivinsky S. V. , Maslova L. A.
Published: July 2007

The arrangement of low‐angle boundaries and the subgrain structure of crystals with high (≧ 105 cm−2) dislocation density are considered. Relations to estimate cross dimensions and misorientations of nucleating subgrains are derived. Production conditions for single crystals without nucleating low‐angle boundaries are described and relations to estimate the critical dislocation density, below which subgrain nucleation is highly improbable, are supplied. Macrosubgrain formation mechanisms are described. Growing conditions for crystals free of macrosubgrains are formulated. Equations to estimate their cross dimensions and misorientations are proposed. These are compared with the available experimental data for a variety of materials.
Properties of oriented TTF‐TCNQ thin films
Authors: Reinhardt C. , Vollmann W. , Hamann C. , Libera L. , Trompler S.
Published: July 2007

Vapour deposited thin films of the organic molecular complex tetrathiafulvaliniumtetracyanoquinodimethane (TTF‐TCNQ) are investigated by electrical and electronmicroscopical methods. Morphology studies by means of electron micrographs show, that the thin films up to thicknesses of 300 nm consist of small crystals of a size of 1.2 · 0.2 μm2 (deposited on cleaved (100) faces of NaCl) or 15 · 2 μm2 (on glass substrate). Dependend on deposition conditions and on material of the substrate thin films are produced with strong or statistic orientation of this crystals. Strong oriented thin films exhibit conductivities up to σ = 65 ω−1 cm−1 and activation energies of WA = 0.02 eV. The found dependences of the conductivity on electrical field strength. temperature, and size of microcrystals are explained by a linear hopping model.
A simple numerical method for the simulation of the (GaIn)P liquid phase epitaxy process
Authors: Penndorf J. , Kühn G.
Published: July 2007

On the basis of the solution of the diffusion equation for step‐cooling and uniform cooling accomplished by RODE a numerical procedure is derived for the LPE process. The dependence of the diffusion coefficient and the slope of the liquids curves on temperature and chemical composition in the ternary system have been taken into account by an empirical approach. Effects of nucleation and evaporation of phosphorus at growth temperature are considered by dividing the diffusion space. The dependence of layer thickness on growth time and the compositional variation of the grown layers are calculated and compared with the experimental results.
Plastic strain and dislocation structure of the KDP group crystals
Authors: Guin Chan Hai , Katrich M. D. , Savinkov A. I. , Shaskolskaya M. P.
Published: July 2007

Plastic strain of the KDP, DKDP, RDP, ADP crystals has been studied by the methods of uniaxial compression, selective etching, and indentation. It has been found that at room temperature the crystals had little plasticity, while at high temperature their plasticity was large. Rows of dislocations and dislocation rosettes have been observed. Glide systems and activation parameters of the process of plastic glide have been determined.
AlxGa1−xAs LPE growth
Authors: Nevsky O. B. , Noghinov A. L. , Kuznetsov Ju. N.
Published: July 2007

AlxGa1−xAs LPE growth was studied within the temperature range of 930–900°C with Al concentrations in solutions from 0.04 to 2.4 at.%. AlAs concentration in layers has been shown to grow with the cooling rate increase of solution. Interface and volume nucleation parameter dependence of Ki and Kv and formation time tf on Al concentration in Ga solution have been found. Addition of Al to Ga solution increases critical values of As supersaturation (supercooling) and, as a result, increase in thickness of AlxGa1−xAs layers compared with GaAs layers have been determined in spite of As concentration lowering in Ga solution.
Measurements on anisotropy of angular distribution for the backscattering electron emission on copper monocrystals
Authors: Bauer H.‐D.
Published: July 2007

During the perpendicular bombardment with 25 keV primary electrons the azimuthal and polar angular distribution are measured of those backscattered electrons which escape from the low index surfaces of a copper monocrystal. A movable electron spectrometer operates as a detector with the energy resolution of ΔE/E ≈ 10−3 and the angular resolution of Δθ = 0.5°. The observed angular distribution proves congruously with large angle Kikuchi reflection diagrams, the representation of which at metallic surfaces was successful as yet only for oblique incidence. The connection between escape direction and energy loss and also the influence of covering layers are investigated.
Dynamics of twin layer widening in In‐Pb crystals
Authors: Lubenets S. V. , Fomenko L. S.
Published: July 2007

The authors studied mobility of boundaries of plane‐parallel twin layers in In‐0.2 wt.% Pb and In‐2 wt.% Pb crystals in the temperature range 290–373 K when stresses are applied τ/G = (1.35 – 7) × 10−6 (G is the shear modulus). They found that lead concentration increase as well as dislocation structure deterioration result in lower boundary velocity for a constant stress.

In In‐2 wt.% Pb crystals, the boundary velocity is well describable as Vn = V0(τ) × × exp [ − ΔH (τ)/kT] where V0(τ) = Aeατ/G (A = 10−3 cm/s, α = 1.1 × 106) τ ΔH(τ) is the activation energy depending on the stress, ranging under these circumstances from 0.33 to 0.43 eV.

At present it is difficult to interpret the results at hand. The analysis allows only to assume that the change in the boundary movement activation energy for impure crystals as against that for pure ones can be associated with the impurity effect on the structure of the intermediate zone between the twin and the matrix. The dependence of the pre‐exponential factor on the stress is probably due to the effect of the internal long‐range stress field on sources of twinning dislocations.

Comparison with data for calcite and pure indium shows that twin boundary mobility parameters and their dependence on the stress are governed by the crystal type and defect structure.
Observations on the growth of NiMoO4 crystals in Silica gel media
Authors: Kurien K. V. , Ittyachen M. A.
Published: July 2007

Growth of NiMoO4 crystals by gel method has been described. By manipulating the condition of growth parameters, crystals of fairly large dimensions have been obtained at ambient temperature. The crystal faces are examined by optical and scanning electron microscopy and thus a two‐dimensional layer growth mechanism for the development of the faces have been proposed.