bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
On the kinetics of crystallization of zinc oxalate (III). Effect of supersaturation
Authors: Kirkova E. , Djarova M.
Published: July 2007

The crystallization kinetics of zinc oxalate at different supersaturations was studied by a turbidimetry method. It was found that the curves optically registered by this method can be quantitatively characterized at intial supersaturations lower than 4.51. The graphically differentiated curves showed that the maximum crystallization rate could be fitted by equation Vmax ≅ K(C–C0)2, Where C and C0 are the initial and the equilibrium concentrations, respectively. The crystallization rates after the maximum follow the same equation depending on the absolute supersaturation at a given moment. A linear dependence between the rate constants and the supersaturations at the maximum crystallization rates is found. This dependence is determined by the inversely proportional correlation of the distances between the steps of growth with the supersaturation given by equation of the distances between the steps of growth with the supersaturation given by equation (8). The activation growth energy E* = 7.1 kcal/mole is determined from the straight line obtained.
X‐ray investigations of the defect structure of aluminium after plastic deformation
Authors: Driesel W. , Puff M. , Zehe A.
Published: July 2007

With plastic deformation of polycrystalline metals deformation textures are build up. Our experimental results show that the dislocation density increases, even with small plastic deformation. Simultaneously a decrease in the value of coherence length was revealed. The formation of a distinctly marked sub‐structure, which is accompanied by an increase of the dislocation density, is essentially completed when plastic strain reaches 30 per cent. Further increase of the degree of deformation is followed by a change of orientation of the subgrains. When plastic strain is 60 per cent the deformation texture is almost completely accomplished.
Zu dem Transportsystem V‐O‐Te‐Cl und dem Transportverhalten der Vanadinoxide mit TeCl4(II). Der chemische Transport der Magnéliphasen VnO2n–1, des V6O13 und des V2O5
Authors: Oppermann H. , Reichelt W. , Krabbes G. , Wolf E.
Published: July 2007

Nachdem in einer vorangegangen Arbeit zum Transportsystem VOTeCl allgemein und zum Transportverhalten des VO2 berichtet wurde, wird in diesem Teil der Transport der Magnéliphasen und des V6O13 und V2O5 behandelt. Aus der Gasphasenzusammensetzung über den festen Phasen beim chemischen Transport mit TeCl4 werden die Transportfolge, die Transportrichtung und Transportraten berechnet. Die Ergebnisse der Rechnung werden mit den experimentellen Befunden verglichen. Die einzelnen Oxide werden phasenrein abgeschieden, ihre Phasengrenzen ermittelt und die Temperaturabhängigkeit der oberen Phasengrenzzusammensetzung von V2O3 bestimmt.
Die Berechnung von Kriterien für die Abscheidung reiner Phasen binärer Systeme beim chemischen Transport und der Transport im System Cu‐O
Authors: Krabbes G. , Oppermann H.
Published: July 2007

Es wird ein Weg der thermodynamischen Analyse der Abscheidung binärer Systeme ABx beschrieben, wobei die besondere Rolle der Koexistenzgleichgewichte des Systems berücksichtigt wird. Die Anwendung im System Cu/O erlaubt die Berechnung der Bedingungen für die einphasige Abscheidung von Cu2O für das geschlossene Transportsystem. Die Abscheidung von Cu2O aus der Gasphase in Gegenwart von Halogenwasserstoffen als Transportmittel wird untersucht. Dabei können Cu2O‐Einkristalle (2 × 2 × 2 mm) nur bei Anwendung von HCl als Transportmittel erhalten werden, mit HJ werden gleichzeitig Cu2O und Cu abgeschieden.
Solubility of CaO in CaF2 crystals
Authors: Bollmann W.
Published: July 2007

By means of conductivity investigations the solubility of CaO in CaF2 crystals was estimated to be CL(CaO) ≈︁ 3.7 exp (‐0.68 eV/kT) = 3.7 exp (‐7900 K/T) and the diffusion constant of O− ions in CaF2 D(O−) ≈︁ 3 exp (‐2.2 eV/kT) cm2/s = 3 exp (‐25 500 K/T) cm2/s.
Magnetic phase transition in cubic lanthanum manganite
Authors: Sirota N. N. , Karavay A. P. , Kofman N. A. , Pavlov V. I.
Published: July 2007

Studies of magnetic phase transition (ferromagnetic‐paramagnetic) in cubic LaMnO3 have been carried out. Using neutron diffraction and calorimetric investigations the temperature of this transition was determined to be equal to 148 K. The studied phase transition is close to the second order transition by nature. Transition enthalpy is estimated from the given dependence of Cp(T) and is 17 cal/mole. Linear dependence of temperature of the given magnetic transition in weak magnetic fields is established.
Korrespondenzen bei Scherumwandlungen in Stählen
Authors: Schumann H.
Published: July 2007

Scherumwandlungen in Form von Zwillings‐und Martensitbildungen spielen in Eisen und Stählen sowohl bei der plastischen Verformung als auch bei der Wärmebehandlung eine wesentliche Rolle. Sie sind dadurch gekennzeichnet, daß die Atome kollektive und geregelte Bewegungen durchführen und zwischen dem Ausgangs‐und Produktgitter definierte Orientierungsbeziehungen bestehen. Wird für die Atombewegungen ein geeignetes Modell entwickelt, läßt sich die Gitterdeformation durch eine Matrix beschreiben und aus dieser die Korrespondenzmatrix berechnen. Diese vermittelt die Umindizierung von Kristallrichtungen und‐ebenen während der Umgitterung. Es werden die notwendigen Matrizen für die Zwillingsbildung in α‐Fe und γ‐Fe sowie für die martensitischen γ → ϵ−, ϵ → α−, γ → ϵ → α‐und γ → α‐Umwandlungen (nach dem BAIN‐, NISHIYAMA‐ und KURDJUMOV‐SACHS‐Mechanismus) angegeben und die möglichen Orientierungsvarianten beschrieben.
Electrical properties of n‐Type GaN
Authors: Neumann Hans
Published: July 2007

The electron mobility in GaN is calculated as function of the carrier and impurity concentrations. From a comparison of the theoretically calculated mobilities with electrical parameters measured experimentally it follows that native donor and acceptor concentrations of the same order of magnitude are present in undoped GaN.
Acoustical properties of single crystals of mercurous halides
Authors: Barta Č. , Silvestrova I. M. , Pisarevskij Ju. V. , Moiseeva N. A. , Beljaew L. M.
Published: July 2007

Velocities of propagation of elastic waves along principal crystallographic directions in Hg2Br2 and Hg2J2 single crystals were measured using the pulse and phase‐pulse techniques. The values obtained were used to calculate the components of the elastic tensors cik and sik, as well as the phase and group velocities of propagation of longitudinal and transverse waves in the (100) and (001) planes, and the angular deviation of acoustic energy flux from the direction of the corresponding wave normal. Knowledge of the anisotropy of the elastic properties of Hg2X2 crystals and of their change with the anion (X = Cl, Br, J) leads to deeper understanding of the character of bonds in the crystal lattice and points the way to a better utilization of technical properties of the crystals. — Minimum velocity of propagation of an elastic wave falls in the case of Hg2J2 to a value v [100] [1110] = 0,25 · 105 cm/s, what is the lowest value known among all crystals. Maximum angular deviation of acoustic energy flux — nearly 50° — is exhibited by the quasi‐longitudinal wave in Hg2J2 crystals. On substituting the Cl− ions with Br− and J− ions, the anisotropy of elastic moduli C33/C11 increases by nearly 80%. Different mechanisms contribute to vectorial dependence of the elastic properties along different crystallographic directions.
Die Lösung der Randwertaufgabe des Streifens für gleichförmig bewegte Eigenspannungsquellen in kubischen Kristallen
Authors: Maschke H. , Frischbier R.
Published: July 2007

Mit Hilfe eines komplexen Konstruktionsverfahrens wird die Randwertaufgabe des Streifens für gleichförmig bewegte Eigenspannungsquellen in kubischen oder hexagonalen Kristallen gelöst. Die Lösung hat die Form einer unendlichen Reihe mit komplizierter Struktur, aber guten Konvergenzeigenschaften.
Investigation of the phase diagram KClBaCl2 in the region of solid solutions with the base of KCl
Authors: Kononenko V. G. , Heichler W.
Published: July 2007

This paper is concerned with the determination of the lines of maximum solubility of the phase diagram for the system KClBaCl2 in the region of solid solutions with the base of KCl by the method of light scattering. The results are discussed in terms of the theory of dilute solutions of solid electrolytes. The enthalpy of solution Ψ = 0.64 eV and the change of vibrational entropy ΔS/K = 1.9 are defined also.
Monte‐Carlo‐Simulation der Kinetik der Eisenkarbidbildung im Ferrit
Authors: Schmidt R. , Volkmer P. , Berg G. , Esser F.
Published: July 2007

Ein Modell zur Beschreibung der Bewegung der Kohlenstoffteilchen im Ferrit wurde basierend auf der Monte‐Carlo‐Methode entwickelt. Es beschreibt physikalisch realistisch die atomare Bewegung des Kohlenstoffs. Mit Hilfe einer physikalischen Zeitskala ist ein Vergleich mit experimentellen Daten möglich. Verglichen wurden die Modellergebnisse mit den Resultaten von Experimenten an einer Eisen—Kohlenstoff‐Legierung mit 120 ppm Kohlenstoff.
Mechanism of nucleation and growth of crystals under α → β transformation of tin
Authors: Larikov L. N. , Brick V. B.
Published: July 2007

This article presents data on the mechanism underlying the nucleation and growth of α‐Sn crystals in mono‐ and polycrystal β‐Sn tin. It is demonstrated that the low temperature deformation and thermocycling (subjection to the cyclic changes of temperature) of the samples of tin (99.9995% Sn) brings to the increase in the α‐Sn crystal nuclestion rate. Kinetics of the nucleation is characterised by the presence of the non‐steady State period tn.

On analysing the temperature dependencies of the rate of the α‐Sn centre growth obtained for the planes (100), (001) and (110) it was shown that the mechanism of movement of the interphase boundary depends on the value of the motive force ΔF.
Abscheidung von Cu2O aus der Gasphase im strömenden Medium
Authors: Krabbes G. , Oppermann H.
Published: July 2007

Durch Abscheidung aus der Gasphase im System CuOHClN werden Cu2O‐Einkristalle erhalten. Die charakteristischen Begrenzungsflächen der verschiedenen Formen sind {100}‐Flächen. Eine thermodynamische Analyse gestattet die Vorausberechnung der Bedingungen, unter denen Cu2O ohne Beimengung einer zweiten Phase abgeschieden wird.
Crystal size distribution from cascade of mixed tanks
Authors: Rojkowski Z.
Published: July 2007

Modification of crystal size distribution (CSD) caused by using a cascade of two and three mixed tanks instead of a single crystallizer, both operating at comparable set of conditions, was examined. General trends of CSD change have been illustrated by computation of objective function for various numerical sets of operating variables together with physical and kinetic properties of hypothetical, yet realistic crystallizing systems. It was found that generally a desirable maximum of mean size and minimum of size dispersion of the product do not coincide. Both size and dispersion of crystal product from cascade might be higher that that from single crystallizer for some crystallizing systems but usually they are lower.
Über die Versetzungsvervielfachung in Siliziumeinkristallen
Authors: Geil W. , Schmugge K.
Published: July 2007

Bei der Züchtung und Bearbeitung von Siliziumeinkristallen treten Versetzungen auf, die sich unter dem Einfluß von Spannungsfeldern vervielfachen. Das Ziel der Arbeit ist es, den zeitlichen Verlauf der Änderung der Versetzungsdichte in Abhängigkeit von der Anfangsversetzungsdichte und vom Temperaturfeld zu beschreiben. Außerdem war es möglich, die Aktivierungsenergie der Versetzungsbewegung für die bei den experimentellen Untersuchungen benutzten Kristalle zu bestimmen. Ferner konnte aus den Ergebnissen der Rechnung der Wert des Exponenten m, der in der Gleichung nach ALEXANDER und HAASEN vorkommt, abgeschätzt werden. Für den Wert m ≈ 1,5 ist eine gute Übereinstimmung zwischen experimentellem und theoretischem Versetzungsdichteverlauf feststellbar.
Darstellung, Struktur und Eigenschaften von Nb‐, Mo‐, W‐ und Ru‐dotiertem VO2
Authors: Ritschel M. , Mattern N. , Brückner W. , Oppermann H. , Stöver G. , Moldenhauer W. , Henke J. , Wolf E.
Published: July 2007

Es werden Untersuchungsergebnisse zur einkristallinen Darstellung von dotiertem VO2 der allgemeinen Zusammensetzung V1–xMexO2 durch chemischen Transport mit TeCl4 mitgeteilt und es wird eine zusammenfassende Darstellung der morphologischen, strukturellen, elektrischen und magnetischen Eigenschaften gegeben. Der Habitus der dotierten Kristalle ist abhängig vom Dotierungsgrad x, die Begrenzungsflächen sind {110}‐Prismen und {111}‐Pyramiden. Die Gitterkonstanten zeigen bei x = 0,04 einen sprungartigen Übergang zwischen der monoklinen MI‐ und der tetragonalen R‐Phase. Der für reines VO2 typische Widerstandssprung von vier Größenordnungen die Sprungtemperatur Tc werden mit zunehmendem x erniedrigt.
Der Einfluß der Reaktorgeometrie auf die Si3N4‐Abscheidung
Authors: Heinz I.
Published: July 2007

Um die Abhängigkeit der unterschiedlichen Effizienz und kinetischen Verhältnisse, wie sie in Reaktoren unterschiedlicher Geometrie festgestellt wurden, erklären zu können, wurde das Modell der Thermodiffusion herangezogen. Der Trennfaktor q, abgeleitet aus der Diffusionsgleichung unter Einbeziehung der Thermodiffusion, gestattet halbquantitative Aussagen über die Vergleich‐ und Übertragbarkeit von Reaktoren. Weiterhin läßt sich mit diesem Modell die Temperaturabhängigkeit der Abscheiderate, die sich in den Reaktoren unterschied, erklären. Es ist zu schlußfolgern, daß das breite Spektrum der in der Literatur angegebenen Abscheideparameter bei ähnlichen physikalischen Schichteigenschaften auf der unterschiedlichen Reaktorgeometrie beruht.
Thermodynamische Betrachtungen zur Nitridbildung auf Eisen bei Gasnitrieren
Authors: Jentzsch W. D. , Böhmer S.
Published: July 2007

Es werden die Vorschriften für die Berechnung der thermodynamischen Bedingungen zur Bildung der Eisen—Stickstoff‐Phasen (aufgesticktes α‐Eisen, γ'‐Nitrid, ϵ‐Nitrid) zusammengestellt. Die nach diesen Vorschriften berechneten Ergebnisse stimmen mit experimentellen Angaben der Literatur weitestgehend überein. Als Lücke im gegenwärtigen Kenntnisstand wird die Gleichgewichtsbeziehung zwischen dem Stickstoffgehalt des ϵ‐Nitrides und den Nitrierbedingungen (Temperatur, Druck, Gaszusammensetzung) herausgearbeitet. Ergebnis der experimentellen Arbeiten ist eine für den Temperaturbereich von 550 bis 570°C gültige Beziehung für den Stickstoffgehalt, der sich bei Gleichgewicht mit der Gasphase im ϵ‐Nitrid einstellt. Durch röntgenografische Untersuchungen wurde die Abhängigkeit des Gitterkonstantantenverhältnisses des hexagonalen ϵ‐Nitridgitters vom Gehalt des gelösten Stickstoffes mathematisch erfaßt.
Röntgentopographische Untersuchungen plastisch verformter Si‐Einkristalle
Authors: Kirscht F.‐G. , Hansch C. , Doerschel J.
Published: July 2007

Zur übersichtsmäßigen Charakterisierung der Versetzungsstruktur gering verformter Si‐Einkristalle wurde die Lang‐Technik eingesetzt. Diese Methode ermöglicht eine Analyse der aktivierten Gleitsyteme sowie Aussagen zur Verteilung spezifischer Versetzungstypen. Neben 〈110〉 und 〈112〉 orientierten Versetzungen werden höherindizierte Vorzugslagen beobachtet. Deren Auftreten wird unter Einbeziehung von TEM‐Abbildungen diskutiert.
Externe Kristalljustierung für die Lang‐Topographie
Authors: Filscher Gerold
Published: July 2007

In Abhängigkeit von Kristallhöhe, Bragg‐Winkel und Abstand Fokus‐Kristall wird die notwendige Genauigkeit der Kristalljustierung unter der Bedingung berechnet, daß bei Ausleuchtung der vollen Kristallhöhe das Kα‐Dublett der verwendeten Strahlung getrennt wird. Im Zusammenhang damit wird eine für die Lang‐Topographie kritische Kristallhöhe angegeben, die eine fehlerfreie Justierung der Netzebene erfordert. Für die reale Höhe von Kristall bzw. Film werden entsprechende Justieranforderungen abgeleitet. Eine einfache Diffraktometeranordnung zur externen Kristalljustierung wird beschrieben und die damit erreichbare Genauigkeit angegeben.
Strength of Crystals of Small Dimensions and their Triboluminescence
Authors: Chandra B. P. , Tutakne P. R. , Verma R. D. , Elyas M.
Published: July 2007

Stress‐dependence of triboluminescence (TBL) in uranyl nitrate, tartaric acid and other nine crystals has been studied with the help of a new technique of crushing the crystals. As the appearance of TBL needs the creation of new surfaces in a crystal, the minimum stress at which TBL appears has been taken to be the fracture‐strength of the crystal. The value of the fracture‐strength and stress coefficient of binding energy determined from TBL measurements are found to be of correct order. It has been found that the rate of rise of TBL intensity with stress is higher for those crystals which have less value of the fracture‐strength. The fracture strength (σf) is found to be higher for those crystals which have less value of stress coefficient of binding energy (β) and the product of σf and β is higher for those crystals which have higher melting point. It has been shown that the rate of rise of TBL intensity with stress decreases at higher values of stress due to strain hardening in the crystals.
Spectroscopy of Rare‐Earth Elements in Single‐Crystal Films of Yttrium‐Aluminium Garnets (YAG)
Authors: Arsenev P. A. , Bagdasarov Kh. S. , Fenin V. V.
Published: July 2007

The utilization of liquid‐phase epitaxy for growing thin yttrium‐aluminium garnet films is discussed.

By transfer method from lead solvents films were obtained with a composition Y3Al5O12: Nd3+ on substrates with composition Y3Al5O12, and films Y3Al5O12: Er3+, Y3Al5O12: Er3+, Ga3+ (about 40 wt% of erbium) on substrates Y3Al5O12: Nd3+ Characteristics are given for simultaneous induced emission generation of the system film‐substrate at 77 K Er3+ ion (λgen = 1.6602 μ) being a component of the film, and Nd3+ ion, being a component of the substrate (λgen = 1.061 μm). The results obtained are discussed.
Zur Anwendung elektrischer Analog‐Modelle zur Bestimmung von Temperaturfeldern bei der Kristallzüchtung
Authors: Ickert L. , Rudolph P.
Published: July 2007

Fragen der Wärmeleitung sind für die Kristallzüchtung von zentraler Bedeutung. Die Konstruktion einer Züchtungs‐Anlage erfordert vorherige Kenntnis der zugehörigen Temperatur‐Verteilung, die auf Grund von Geometrie, Material‐Eigenschaften etc. zu erwarten ist. Da in den meisten Fällen ihre Messung oder Berechnung Schwierigkeiten macht, bietet sich die Modellierung anhand eines elektrischen Analogons an. Es werden Ergebnisse mitgeteilt, die belegen, daß diese Methode nicht nur einfach und variabel ist, sondern auch hinreichend genaue Angaben liefert.
Zur radiochemischen Bestimmung von Aktivierungsenergien und zum Einfluß grenzflächenaktiver Stoffe auf den Stoffübergang beim SrSO4 (I)
Authors: Winzer A.
Published: July 2007

Es wird über die Kinetik des Stoffübergangs an gealtertem SrSO4 in Abhängigkeit von der Temperatur und den daraus nach der Arrhenius‐Gleichung berechneten Aktivierungsenergien für die Phasengrenzflächenprozesse berichtet. Die gemessenen Aktivierungsenergien sind stark vom jeweiligen Temperaturbereich abhängig. Die im Temperaturbereich < 25°C gemessenen Aktivierungsenergien von 47,3–61,1 kJ mol−1 werden mit der Desolvatation der Ionen in Beziehung gebracht. Bei Temperaturen > 25°C liegen die ermittelten Aktivierungsenergien bei 21,7–24,7 kJ mol−1, die möglicherweise aus dem Einbau der Ionen in das Kristallgitter resultieren. – Grenzflächenaktive Stoffe vom Typ der langkettigen Alkyl‐ bzw. Alkylarylsulfonate sowie die entsprechenden Alkylsulfate vermindern die Geschwindigkeit des Stoffübergangs an der Phasengrenzfläche des SrSO4.
Zum asymmetrischen Bragg‐Fall der Röntgenstrahlinterferenzen am Realkristall Besonderheiten als Folge der Extinktion und Möglichkeit zur röntgenografischen Charakterisierung des Versetzungsnetzwerkes
Authors: Stephan D.
Published: July 2007

Der asymmetrische Bragg‐Fall der Röntgenstrahlinterferenzen am dicken Realkristall wird theoretisch an einem Schichtenmodell mit dynamisch beugenden Mosaikblöcken behandelt. Mit dieser Theorie läßt sich die von der kinematischen Formel abweichende experimentelle Abhängigkeit des integralen Reflexionsvermögens Ri vom Asymmetriewinkel α verstehen, und zwar als Folge der Extinktions‐ und Absorptionsvorgänge im Mosaikkristall. Damit werden die bei Mathieson und in älteren Arbeiten zur Erklärung des experimentellen Ri(α) angenommenen, beachtlich dicken Oberflächenschichten oder ‐unebenheiten überflüssig, bzw. sie sind in Wirklichkeit wesentlich dünner. – Auf der Grundlage der skizzierten Theorie ist über absolute Ri(α)‐Meßwerte eines Kristalls die Bestimmung spezieller (modellabhängiger) Kenngrößen des Versetzungsnetzwerkes möglich.
Zur Bedeutung radialer und axialer Temperaturgradienten für die Spannungen in Kristallen
Authors: Geil W. , Schmugge K.
Published: July 2007

Bei der Züchtung von Einkristallen aus der Schmelze nach der Czochralski‐ und auch tiegelfreien Floatmethode kommen im Kristall thermische Spannungen vor, die durch die Existenz axialer und radialer Temperaturgradienten bedingt sind. Für die Züchtung versetzungsfreier Einkristalle haben die thermischen Spannungen dann Bedeutung, wenn eine der vom Gleitsystem abhängigen Schubspannungen τ den kritischen Wert τkrit überschreitet. Unter der Voraussetzung, daß der Kristall isotrop ist, zylinderförmige Geometrie besitzt und bei seiner Züchtung radial parabolische Temperaturfelder und axial lineare Temperaturfelder wirksam sind, werden mit Hilfe der Elastizitätstheorie allgemeine Gleichungen der Spannungskomponenten für den zylindersymmetrischen Fall abgeleitet. Die Berechnung der Beträge der Spannungskomponenten in einigen Gleitsystemen bei <111>‐ und <001>‐Orientierung ermöglicht den Vergleich der aus dem radialen Temperaturgradienten resultierenden Spannungen mit denjenigen, die durch den axialen Temperaturgradienten bedingt sind. Zur Anwendung der erarbeiteten theoretischen Ergebnisse ist das Halbleitermaterial Silizium geeignet. Für die Züchtung versetzungsfreier Siliziumeinkristalle sind deshalb detaillierte Kriterien formulierbar. Ohne die Anwendung von Maßnahmen, die eine Verringerung der Temperaturgradienten hervorrufen, ergibt sich, daß die aus dem axialen Temperaturgradienten resultierenden Spannungen immer größer sind als diejenigen, die der radiale Temperaturgradient verursacht. Es ergibt sich außerdem, daß die günstigeren Bedingungen des versetzungsfreien Wachstums bei einer <001>‐Orientierung gegenüber der <111>‐Orientierung auftreten.
Etching studies on {100} faces of MgO crystals in H3PO4 acids
Authors: Sangwal K. , Patel T. C.
Published: July 2007

The effect of temperature (20–100°C) and concentration of H3PO4 etching solutions on the etching behaviour of {100} faces of MgO crystals in investigated. It is observed that the formation of etch pits and pyramids and the values of dissolution rate depend on the etching conditions. The density of the pyramids in 33.08 N H3PO4 solution was found to be maximum at 20°C. From the plots of logarithm of dissolution rate versus inverse of absolute temperature, the values of activation energy and pre‐exponential factor for the dissolution process are computed. It is found that for H3PO4 concentrations upto 22.05 N the value of the activation energy remains constant but that of pre‐exponential factor increases with acid concentration. At higher concentrations, the activation energy decreases. The results are systematically described and discussed.
Brown colour of ruby
Authors: Kvapil Jiří , Kvapil Josef , Perner B.
Published: July 2007

The defects characteristic of brown pure ruby crystals coloured by specific growth conditions, annealing and irradiation are described. The comparsion of UV‐ and X‐rayed crystals is given. Brown or yellow colour is attributed to the O− centre which is formed by the electron transfer from O2−.
Formation of Z1 centers in KCI crystals doped with alkaline earth ions under X‐irradiation
Authors: Berg K.‐J. , Fröhlich F.
Published: July 2007

On the basis of systematic investigations of the shape of the absorption resulting from a superposition of F‐ and Z1 bands it is shown that during X‐irradiation at RT in KCI crystals doped with alkaline earth ions F centers and Z1 centers are formed. After an incubation time the ratio of the corresponding concentrations is constant. This is related to a dynamic equilibrium between the F → Z1 conversion and the destruction of Z1 centers. A formation mechanism for Z1 centers is proposed analogously to the well known mechanism for the M center formation under the influence of ionizing radiation.
EPR investigations of solid solutions of TSCC and TSCB doped with Mn2+
Authors: van Treeck E. , Windsch W.
Published: July 2007

EPR investigations of Mn2+‐doped solid solutions of TSCC and TSCB were performed between 4.2 K and 300 K. The Curie temperature vs. molar fraction of bromide x is nonlinear, for x ≧ 0,75 no ferroelectric EPR‐line splitting occurs. The relation between the line widths and the molar fraction of bromide is discussed by means of a simple statistical model.
Molecular polarizabilities and optical properties of fluorene crystal
Authors: Rohleder J. W.
Published: July 2007

Basing on polarizabilities of fluorene molecule, derived from refractive indices of the crystal, the temperature dependence of birefringence for (010) crystal plates has been discussed. It was shown that two factors contribute in the overall effect: change of density of the crystal due to thermal expansion, and a change of orientation of molecular LMN axes.
Strukturdefekte in GaP/GaAs‐Heteroepitaxieschichten
Authors: Wagner G. , Kühn G. , Pasemann M.
Published: July 2007

Mit Hilfe von Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und chemischer Ätztechnik wurden auf (111)‐GaAs‐Substraten gewachsene GaP‐Schichten untersucht. Die epitaktische Abscheidung erfolgte durch chemische Transportreaktion mit Wasserdampf als Transportmittel. Die GaP‐Schichten besitzen eine große Zahl von Versetzungen, Stapelfehlern, Korngrenzen und Mikrozwillingslamellen. Die Dichte dieser Defekte verringert sich mit steigender Schichtdicke. Die Entstehung der Baufehler, besonders die der Mikrozwillingslamellen, wird mit mechanischen Verspannungen in der Epitaxieschicht in Zusammenhang gebracht. Diese resultieren aus der unterschiedlichen Temperaturabhängigkeit der Gitterkonstanten von Schicht und Substrat und aus der Fehlpassung.
On the profile of X‐ray diffraction lines in GUINIER powder diagrams
Authors: Fichtner‐Schmittler H. , Menz M.‐L.
Published: July 2007

Structure research or quantitative phase analysis on the basis of X‐ray powder data often require a knowledge of the profile of diffraction peaks. From an experimental investigation of interference lines obtained with a Jagodzinski‐type Guinier camera a satisfactory description of the profiles and the angular dependence of half‐widths have been derived. The empirical functions obtained are compared with those used by other authors.
Strukturprinzipien von Molekülkristallen
Authors: Höhne E.
Published: July 2007

Es werden verschiedene Strukturtypen von Molekülkristallen behandelt, in Abhängigkeit a) von der Anzahl gleicher oder unterschiedlicher Moleküle als Baueinheit in der asymmetrischen Einheit der Elementarzelle, b) von der Kristallisation mit oder ohne Lösungsmittel (Partnermolekül) und c) von der Art der intermolekularen Verknüpfung der Moleküle im Kristallverband.
Epitaktisches Schichtwachstum
Authors: Aleksandrov L. N.
Published: July 2007

Es werden die grundlegenden Methoden sowie thermodynamische und kinetische Parameter des epitaktischen Wachstums betrachtet. Auf der Basis einer Analyse von theoretischen und experimentellen Ergebnissen wird der Zusammenhang zwischen Wachstumsmechanismen und struktureller Perfektion der Schichten sowie der Einfluß äußerer Bedingungen auf die Realisierung der Epitaxie diskutiert. Es wird auf den Einfluß der Chemisorption von Atomen des transportierenden Stoffes oder von Restgasmolekülen im Vakuum hingewiesen. Die daraus folgenden Konsequenzen für die Erhöhung der Schichthomogenität und der Beseitigung der Übergangsgebiete Schicht‐Substrat werden aufgezeigt.
Die Kinetik der Massenkristallisation (IV). Periodische Kristallisation unter technologischen Bedingungen
Authors: Todes O. M. , Lugčenko A. K.
Published: July 2007

Eine theoretische Analyse zeigt, daß sich bei periodischer Massenkristallisation auf der Grundlage natürlicher Keime die Kinetik und die maximale Übersättigung aus dem Verhältnis zwischen der charakteristischen Zeit der Herausbildung einer Übersättigung und der charakteristischen Zeit des diffusionsbegrenzten Wachstums der Kristalle bis zur endgültigen Größe ergeben. – Im Abschnitt 1 wird der Fall der Kristallisation bei konstanter Wassermenge betrachtet. Im Abschnitt 2 wird gezeigt, daß infolge der großen Wärmekapazität des Lösungsmittels Wasser die Kinetik des Prozesses nur schwach von der frei werdenden Kristallisationswärme abhängt. Im Abschnitt 3 wird ein Schema für die Berechnung einfacher Fälle isothermer Kristallisation durch Verdampfen des Lösungsmittels unter Vakuum gegeben.
Optimierung von Kristallisationsparametern beim Zonenschmelzen aus Temperatur‐Feld‐Berechnungen
Authors: Schikora D. , Schäfer P. , Erben N.
Published: July 2007

Die Temperaturverteilung in Kristall während des Wachstumsvorganges bestimmt weitestgehend die Kristallperfektion und hängt in erster Linie von „äußeren”︁ Bedingungen ab: Von der Art und der Geometrie der Heizanordnung sowie der Umgebung des Kristalls („Atmosphäre”︁, Tiegel, Zieh‐ bzw. Halterstangen etc.). – Es wird ein mathematisches Modell vorgestellt, mit dem es möglich ist, die Temperaturverteilung im Kristall aus diesen „äußeren”︁ Bedingungen zu berechnen. Anhand einer Züchtungsanordnung für vertikales Zonenlevelling wird die Leistungsfähigkeit des theoretischen Modells diskutiert und bewertet. Für die Züchtung von Einkristallen des Mischkristallsystems Bi1−xSbx durch vertikales Zonenlevelling werden unter Anwendung des mathematischen Modells wichtige Kristallisationsparameter optimiert.
Ein Beitrag zur modellmäßigen Beschreibung des Dotanteneinbaus bei der einkristallinen Siliziumabscheidung aus der Gasphase
Authors: Kühne H.
Published: July 2007

Der Dotanteneinbau in die wachsende Siliziumepitaxieschicht wird unter gleichrangiger Beachtung der die Dotanteneinbaurate bestimmenden Transportvorgänge und der die Einbaukonzentration bestimmenden Gleichgewichtsbeziehungen betrachtet, wobei für extreme Schichtwachstumsbedingungen die Begrenzung des Dotantenzustroms auf die Einbaukonzentration Einfluß nimmt. Durch Diskussion der Ergebnisse von BLOEM, GILING, GRAEF für das Silan–Phosphin‐System wird gezeigt, daß diese mit den Vorstellungen von RAI‐CHOUDHURY, SALKOVITZ in Übereinstimmung gebracht werden können, wonach die Einbaukonzentration im Gleichgewicht zum effektiven Dampfmolekül des Dotantenelementes steht.
Einfluß der Abkühlungsgeschwindigkeit auf die Struktur hochschmelzender Übergangsmetalle und ihrer Legierungen
Authors: Savitsky E. M. , Jefimov Ju. V. , Müller P. , Muchin G. G. , Revjakin A. V. , Frolova T. M.
Published: July 2007

Es wird ein Überblick über das Gebiet der Schnellabkühlung aus dem schmelzflüssigen Zustand gegeben, wobei insbesondere das Verhalten von hochschmelzenden Übergangsmetallen und ihren Legierungen untersucht wird. An Hand einer vorgeschlagenen Systematisierung des Spektrums der Abkühlgeschwindigkeiten werden die erzielbaren Effekte hinsichtlich der Strukturbeeinflussung diskutiert.
Crystallo‐optical properties of the SmxTb1−xFeO3 orthoferrites
Authors: Sirota N. N. , Lomako I. D.
Published: July 2007

The paper reports the results of X‐ray diffraction studies as well as the angular dependences of rotation of the plane of polarization and birefringes of the SmxTb1−xFeO3 crystals (x = 0; 0.2; 0.4; 0.55; 0.8; 1). The polar diagrams presented for the plane (001) have the symmetry mm2, while for (110), the symmetry lowers up to the axis of a second order. The gyrotropic measurements made have allowed us to refer the SmxTb1−xFeO3 to a planar class of an orthorhombic crystal system with the space group C2v9–Pn2a, class mm2. – The magnitude of birefringence for the SmxTb1−xFeO3 is found to be sensitive both to a crystallographic direction and a composition, the greatest values stand for (110). For (001), a non‐monotonous birefringence variation with the composition is observed. The angles between optic axes, calculated by the birefringence magnitudes, are in fair agreement with gyrotropic data for the compositions x = 0.55 – 1.
LPE growth rate calculations
Authors: Malinin A. Ju. , Nevsky O. B. , Khrjapov V. T. , Minadjinov M. S.
Published: July 2007

The expressions for LPE growth rate calculations are developed on the basis of the steadystate growth model assuming the nucleation at the second interface and in the volume of the solution. The solution layer thickness can be calculated at which the LPE growth rate reaches maximum for any solution cooling rate. The interface and volume nucleation parameters, critical supersaturation and supercooling of the solution have been determined from experimental GaP LPE data within temperature range 800 – 1030°C. Calculated growth rates fit very closely with experimental rates of GaP LPE growth.
Die Änderung der Molekül‐ und Kristallstruktur des N‐Methyl‐piperidinum‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodid durch Einlagerung von Wasser
Authors: Reck G. , Bannier G. , Höhne E.
Published: July 2007

N‐Methyl‐piperidinium‐acet‐meta‐chlor‐anilid‐jodid kristallisiert aus wäßriger Lösung in der Raumgruppe Pna21 mit 4 Formeleinheiten C14H20N2OClJ und 4 H2O‐Molekülen in der Elementarzelle. Die Gitterkonstanten sind a = 12,413 Å, b = 19,798 Å und c = 6,919 Å. Mit Hilfe der Röntgenkristallstrukturanalyse wurden insbesondere die Änderungen der Molekülkonformation untersucht, die durch die Einlagerung von Wasser in die Kristallstruktur verursacht wurden.
Dielectric anomaly in copper doped zinc sulphide
Authors: Grus M. , Horodecki A. J. , Jankowska A.
Published: July 2007

Unusually high values of dielectric constant of copper doped zinc sulphide powders have been obtained. They are discussed in terms of polarization catastrophe (PC) phenomenon. Because of the dependence both the hydrogen‐like donor and effective mass approximation on the static dielectric constant of pure ZnS, the critical concentration of copper is lower for the hexagonal phase than for cubic one. This fact applied to the interpretation of our results, however, is heavily suppressed due to the unknown distribution of copper inside the crystallite. From the above reasons the strong dependence of the PC threshold on the real structure of the doped zinc sulphide is predicted.
Anwendung der Riemannschen Integrationsmethode auf Beugungsprobleme in Blochwellendarstellung
Authors: Scheerschmidt K. , Carl S.
Published: July 2007

Eine Transformation der Anregungsstärken der Blochwellen in der Formulierung des Elektronenbeugungskontrastes ohne Säulenapproximation ermöglicht die Anwendung der Riemannschen Integrationsmethode im Zweistrahlfall. Durch Präzisierung der Anfangsbedingungen und geeignete Wahl der Transformationskoeffizienten wird erreicht, daß die transformierten Anregungsstärken im ungestörten Kristall konstant sind.
Näherungsverfahren für die Integraldarstellung von Beugungsintensitäten gestörter Kristalle
Authors: Carl S. , Scheerschmidt K.
Published: July 2007

Für die Berechnung des elektronenmikroskopischen Beugungskontrastes ohne Säulenapproximation wird eine Näherung in Form einer Störungsrechnung vorgeschlagen. Durch Anwendung auf den Zweistrahlfall ergeben sich für die Amplituden der gebeugten Wellen Integraldarstellungen.
Formation of crystalline phases by means of solid state reactions at the base of vitreous industrial slags
Authors: Andrehs G. , Blossfeld R. , Böhme O. , Sachsenröder W. , Schreiter P.
Published: July 2007

In comparison with the solid state synthesis from the oxide components melilites are formed from vitreous materials with added oxides at lower temperatures and with higher velocity of reaction resulting in larger and more idiomorphic crystals. The crystallization mechanism of the applied vitreous materials is important for the course of the formation of the texture during sintering depending on their chemical composition. In copper slag with polyphase composition the melilite forming reaction starts during the crystallization of pyroxene using the newly relased relictic glass phase in statu nascendi. Lateron, at higher temperatures the pyroxene also reacts with other components to form melilite. In phosphor furnace slag with stoichiometric composition the polymorphic transformation of calcium silicate (CS) is important for the formation of melilite. The change of the glass structure during the nucleation of wollastonite is the process initiating the reaction. Later at higher temperatures the polymorphic transformation of metastable pseudowollastonite accelerates the formation of melilite. It could be proved that the excess of free energy in glasses speeds up crystal forming reactions with admixture components in sintering processes. The mechanism of structural and phase change processes is reflected in the temperature dependence of reaction velocity.
Experimental studies and theoretical calculations of partition coefficients of isovalent impurities in lithium chloride
Authors: Kravchuk I. F. , Urusov V. S.
Published: July 2007

Using the method of directed crystallization, partition coefficients have been determined for sodium, potassium, rubidium, cesium and silver in lithium chloride. A theoretical calculation of impurity partition coefficients has been made for the systems investigated with due regard for excess functions of mixing in solid solutions and melts. In the LiCl–Cs system, an abrupt jump of the CsCl partition coefficient has been detected in the range of very low CsCl concentrations in the melt. This effect is explained by the interaction of the cesium umpurity with the cation vacancies.
Theoretical calculation of partition coefficients of isovalent impurities with due regard for excess entropy of mixing in the solid solution and the melt
Authors: Kravchuk I. F. , Urusov V. S.
Published: July 2007

In analogy with solid solutions, it was found that there is a linear dependence between the magnitude of the enthalpy and excess entropy of mixing in melts which leads to the appearance of a compensation effect in the free excess energy of mixing. Using the derived correlations and on the basis of thermochemical values of enthalpies for the mixing of binary melts, excess entropies of mixing have been evaluated, for most of which experimental values are absent. Partition coefficients for more than 60 impurities during crystallization of alkali halogenides have been determined using an improved method with due regard for heats and excess entropies of mixing in solid solutions and melts. Theoretical values of partition coefficients are compared with experimental ones for which complete summary of determining partition coefficients by various methods is given.
Applicability of multiple angle of incidence ellipsometry (MAI). Measurements to GaAs anodic oxide and GaP anodic oxide systems at the wavelength 632.8 nm
Authors: Löschke K. , Baumgarten J.
Published: July 2007

Usefulness of MAI in practical studies of unknown optical systems is controversial in literature. In the present paper it is shown that the simple cross correlation test by IBRAHIM and BASHARA with a modified correlation criterion provides a sure information on the feasibility of MAI calculations. Its application to GaAs and GaP anodic oxide systems shows that in the thickness range 0 to 2500 Å two distinct areas exist in the cases of the two materials in which the combination of the five parameters of the one‐film system enables a successful and optimal use of MAI calculations. However, all five parameters are not unreservedly calculable. Therefore, we propose a method of a stepwise variation of the fixed thickness in the range of the true value for solving the five parameter problem.

An examination of the MAI solutions with experimental data is given.
Precision lattice parameter measurements of VPE‐GaP‐epitaxial layers by the „Umweganregung”︁ method
Authors: Brühl H.‐G.
Published: July 2007

The „Umweganregung”︁ technique according to a method described by SPOONER and WILSON was used for the accurate measurement of lattice parameters of (100) slice of VPE‐grown layers of gallium phosphide. The method relies on the selection of an appropriate reflection which produces a pseudo‐point of triple diffraction. The result shows that lattice parameters can be determined rapidly and simply to the magnitude of 10−5 Å.
Structural and electrical properties of CuGaSe2 thin films on GaAs substrates
Authors: Schumann B. , Tempel A. , Kühn G. , Neumann H. , Yan Nam Nguyen , Hänsel T.
Published: July 2007

CuGaSe2 thin films with thicknesses in the range of 0.1 μm were deposited onto semiinsulating (111) A‐oriented GaAs substrates by flash evaporation under controlled growth conditions. Epitaxial growth begins at a substrate temperature of Tsub = 835 K. Besides the chalcopyrite phase a hexagonal modification was observed in the range Tsub = 835 to 855 K. At Tsub ≧ 860 K the films have sphalerite structure. All epitaxial films were p‐type conducting. Two acceptor levels with ionization energies of about 150 meV and 550 meV, respectively, were obtained from an analysis of electrical and photoluminescence measurements.
Capture centres in yttrium‐aluminium borate crystals
Authors: Sergeev V. M. , Leonyuk N. I.
Published: July 2007

The present work is a pioneer study of the capture centres of charge carriers in yttriumaluminium borate crystals. An evaluation was made for the activation energies of the trapping centres and their frequency factors. The highest thermally stable trapping centres were shown to be characterized not so much by relatively high activation energy values, but rather high frequency factors exceeding the values of the natural frequencies of atom oscillations. On the basis of experimental results, models were suggested for some electron capture centres to reveal donor elements.
Temperature distribution in growing semi‐transparent crystals (II). Comparison of theory with experiments
Authors: Kvapil Jiří , Kubelka J. , Kvapil Josef , Perner B.
Published: July 2007

Calculated temperature difference between the liquid/solid interface and bulk of the melt was compared with the wide‐angle scattering (celluae density) of Al2O3 and YAG crystals. Celluae free coloured crystals were grown using higher energy losses from the upper part of the crystal and the melt. Colourless crystals were successfully grown under opposite conditions. The results are in accordance with the calculated temperature differences which are proportional to the actual temperature gradient at the interface.
On the effect of pH of solution on the kinetics of crystallization
Authors: Kuznetsov D. A. , Hodorowicz S.
Published: July 2007

A hypothesis has been advanced that thermal vibrations of the molecules and ions in solution excite electromagnetic waves the frequency of which depends, among others, on the concentration of hydroxonium ions. A correlation of the frequency with the vibrations of the molecules in the crystal lattice can affect crystallization rate.
The impurity heterogeneities in the surface layer of silicon with an atomically clean surface
Authors: Aleksandrov L. N. , Lovyagin R. N.
Published: July 2007

The electrical and photoelectrical properties of the surface region of silicon after evaporation in vacuum used in obtaining an atomically clean surface at the subsequent epitaxy are studied. The formation kinetics of a p‐layer at 1300 and 1350 °C for the heating time of 10 to 103 s is investigated. The effective values of holes mobility in p‐layers are independent on a decrease of layer thicknesses down to 0.2μm at the concentration of acceptors of 1017 to 1018 cm−3 (294 K). The concentrations of doping impurities in the surface region of silicon before and after thermal treatment are determined by the method of mass‐spectrometric analysis. The peculiarities of transport and building‐in of doping impurities of the III and V groups at epitaxy and the possible nature of acceptor levels are discussed. A concentration profile of acceptors and donors from the surface deep into the silicon bulk is determined by the methods of layer‐by‐layer etching and of C‐V characteristics. An effective built‐in electric field is due to acceptor and donor distribution, which favours drift separation of minor radiation‐generated current carriers in the p‐n structure. The high‐sensitive and fast‐responding photoreceivers have been produced. The given detectability reaches 2 × 1012 cm Hz1/2/W at a wavelength of 1.06μm.
Kinetics of crystal growth of strontium tungstate from solutions in sodium tungstate melts by continuous cooling
Authors: Roy B. N. , Appalasami S.
Published: July 2007

The crystallisation kinetics of strontium tungstate from unstirred saturated solutions in sodium tungstate melts was studied by continuous cooling from initial crystallisation temperatures T0 = 1000° to 800°C to room temperature at cooling rates RT = 0.67° to 3.3°C min−1. The main crystal growth was diffusion rate‐controlled; the final crystal growth was rate‐controlled by the development rate of excess solute concentration. The estimated diffusion rate constant (kD) values increased with cooling rates and initial crystallisation temperatures. They are higher than the rate constants for diffusion‐controlled growth of calcium tungstate from sodium tungstate melts, but very much smaller than those for strontium tungstate from lithium chloride melts.
Impurity effects on low‐angle boundary formation in silicon single crystals
Authors: Dashevsky M. Ya. , Eidenson A. M.
Published: July 2007

The combined effects of crystal growth conditions and impurity (Sb, P, B, Ga) concentration on low‐angle boundary (LAB) formation in silicon single crystals growing by Czochralski technique was investigated. The dependence of LAB formation frequency and LAB parameters on crystal growth conditions and impurity content was found. Impurity effects on LAB formation become apparent at concentrations of about 1018 cm−3. – All impurity investigated decreases the probability of LAB formation, the acceptor impurity influence is stronger. At B concentration exceeding 2 · 1019 cm−3 LAB formation does not occur. – Results are interpreted in terms of scheme of LAB formation in thermal stress field of growing crystal. To explain observed impurity effects assumptions about dislocation drag and about raising of critical stresses for dislocation generation with doping are made.
Investigation of nitrogen solubility process in silicon carbide
Authors: Lilov S. K. , Tairov Yu. N. , Tsvetkov V. F.
Published: July 2007

On the basis of the epitaxial layers of SiC (N) grown from vapour phase by the sublimation method in a temperature interval (1900–2200) °C and at nitrogen partial pressures from 4 to 760 Torr has been determined the dependence of the nitrogen content in the epitaxial layers of SiC(N) on the nitrogen partial pressure and the temperature of growing. A thermodynamics analysis of the nitrogen solubility process in silicon carbide has been developed taking account of the electron‐hole interaction. The experimental and calculation results, we have obtained, allowed us to determine the partial mol solubility heat of nitrogen in SiC.