bluuebunny/crossref_metadata_2025 huggingface dataset:
Untersuchungen an Nickel‐dotierten Silberhalogeniden. II. Verhalten von AgBr(Ni)
Authors: Koswig H. D. , Kunze I.
Published: July 2007

Die in Teil I dieser Arbeit beschriebenen beiden Ni‐Zustände im AgBr werden näher untersucht und die Bedingungen für das Auftreten des Bleichens bei Bestrahlung und bei thermischer Behandlung angegeben. Die Zustände unterscheiden sich darin, daß die im ungebleichten AgBr(Ni) zur Ladungskompensation benötigten Silberionenleerstellen im gebleichten Zustand nicht vorhanden sind. Eine Deutung des gebleichten Zustandes und des Bleichens wird versucht.
A Study of Mössbauer Absorption in Iron Silicates
Authors: de Coster M. , Pollak H. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The Mössbauer resonance absorption is measured in various silicates containing iron. The observed isomeric shifts are in accordance with the interpretation of WALKER. Even for Fe3+ ions, large quadrupole splittings are found. The analysis of the spectrum of tourmaline is similar to that of biotite.
Growth of ZnSb Single Crystals
Authors: Hrubý A. , Beránková J. , Míšková V.
Published: July 2007

ZnSb single crystals are prepared, without seed crystals, by zone melting in graphite boats. The melt contains an excess of 2 to 4 atomic % Sb, the zone moving with a velocity or 20 cm/h in a very slowly moving atmosphere of highly purified hydrogen. Part of the ingots are monocrystalline, and can be used as seed crystals for growth of further ZnSb single crystals by the Czochralski method from melts of the same composition and in similar atmospheres. This Czochralski method is found to be successful when the crystal is drawn at velocities between 6 and 15 mm/h. Finally a Czochralski method using a floating crucible, containing stoichiometric ZnSb enriched with Sb is described.
Elektronische Leitfähigkeit und Fehlordnungserscheinungen des gelben Blei(II)‐oxyds mit Zusätzen gitterfremder Kationen II. Aktivierungsenergieänderungen. Farbänderungen
Authors: Ritschel H. , Schmidt G.
Published: July 2007

Aktivierungsenergieänderungen von wechselnder Größe und z. T. wechselndem Vorzeichen und damit verknüpft oszillatorische Schwankungen der elektrischen Leitfähigkeit treten bei steigendem Zusatz höherwertiger (SeO2, TeO2), gleichwertiger (BeO, BaO) und niederwertiger (Li2O) Kationen beim Bleioxyd auf. Es wird angenommen, daß der Grad der Ausfüllung der Sauerstoffschichten des PbO‐Schichtengitters (Fehlordnungsgrad), der durch die Höhe der Beimischung beeinflußt wird, sowie eine Änderung des Einbaus der gitterfremden Kationen (Fehlordnungsmechanismus) die Ursachen sind. Die „wahre”︁ Akzeptorenaktivierungsenergie ΔEo wurde zu 2,1 bis 2,5 eV, die zur Erzeugung einer Störstelle OoX notwendige Energie zu 0,7 bis 1,1 eV bestimmt.
Messungen der Leitfähigkeit und der Photoempfindlichkeit der Systeme KSb und CsSb in dünnen Schichten
Authors: Oertel G.
Published: July 2007

Es werden die spezifische Leitfähigkeit und der integrale äußere Photoeffekt für die Systeme KSb und CsSb in dünnen Schichten in Abhängigkeit von der Zusammensetzung gemessen. Die Zusammensetzung wird mit einer elektronischen Mikrowaage von 10−6 g Empfindlichkeit bestimmt.
Elektromechanische Eigenschaften von Strontiumtitanateinkristallen
Authors: Schmidt G. , Hegenbarth E.
Published: July 2007

An Strontiumtitanateinkristallen wurden die Dielektrizitätskonstante sowie die Elektrostriktionskonstanten Q333 und Q331 durch Kapazitäts‐ bzw. durch Dehnungs‐Polarisations‐messungen im niederfrequenten elektrischen Wechselfeld (800 bzw. 40 bis 80 Hz) in Abhängigkeit vom überlagerten Gleichfeld und von der Temperatur (16,7 bis 300 °K) gemessen.

Q333 ist positiv und nimmt mit der Temperatur ab. Q331 ist bei Zimmertemperatur negativ. Unterhalb 80 °K weist die Beziehung zwischen der Dehnung S1 (bzw. S2) und der Polarisation P3 verschiedene Anomalien auf. Innerhalb der Meßgenauigkeit folgt die Beziehung zwischen der elektrischen Feldstärke E3 und P3 bei Temperaturen zwischen 20 °K und 80 °K der Müllerschen Gleichung mit positiver Sättigungskonstante.

Die Versuchsergebnisse deuten darauf hin, daß Strontiumtitanat bei tiefen Temperaturen nicht ferroelektrisch wird.
Untersuchungen über elementare Verformungsprozesse bei mechanischer Impulsbearbeitung von NaCl‐Kristallen
Authors: Meyer K. , Keutel M.
Published: July 2007

Die mechanische Bearbeitung von im Vakuum abgedampften NaCl‐Kristalloberflächen mit Edelkorundkörnern führt an der Berührungsfläche zu submikroskopischen Zustandsänderungen. Am Trefferort entstehen stark gestörte Gitterbereiche mit quasi‐amorpher Struktur und in unmittelbarer Nähe ein System von Gleitlinien durch Bewegung von Versetzungen. Die beobachteten Strukturänderungen werden beschrieben und Aussagen über Auftreten und Bewegung von Versetzungen gemacht. Die Sichtbarmachung der Strukturveränderungen erfolgt durch Anwendung des Golddekorationsverfahrens im elektronenmikroskopischen Bild.
Zur Frage versetzungsarmer CdS‐Einkristalle
Authors: Hildisch L. , Müller G. O. , Schnürer E.
Published: July 2007

Zum Nachweis von Versetzungen auf (1120)‐ und (1010)‐Flächen von CdS‐Einkristallen wird ein Lösungsätzverfahren angegeben. Neue Störungen, die zu Ätzgruben Anlaß geben, können durch mechanische oder thermische Behandlung erzeugt werden. Die Ätzgrubendichten auf (1120)‐ und (1010)‐Flächen sowie einige Wachstumsphänomene werden diskutiert.
Untersuchungen über den Einfluß von Vakuumtemperungen auf die Realstruktur von CdS‐Einkristallen
Authors: Hänsch H.‐S. , Tuchan F. , Weber E.‐H.
Published: July 2007

Es wird der Einfluß mehrfacher Temperungen im Hochvakuum bei sukzessiver Erhöhung der Temperungstemperatur auf die spektrale Verteilung des Photostromes und Leitfähigkeitsglowkurven undotierter CdS‐Einkristalle untersucht. Zur Deutung der Meßergebnisse wird neben anderen Prozessen vor allem ein unterschiedlicher Einbau von überschüssigem Kadmium angenommen.
On the Dynamical Theory of Electron Transmission Microscope Images of Dislocations and Stacking Faults
Authors: Gevers R.
Published: July 2007

An examination is made of the properties of bright‐ and dark‐field electron‐microscope diffraction contrast images of dislocations with glide planes parallel to the crystal surface. In particular, the dependence of the image profiles on the crystal thickness and on the position of the dislocation in the foil is studied. The purely dynamic case, i. e. crystal exactly at the reflecting position, is considered. The foil is composed of three partial parallel foils: a central portion, containing the dislocation, sandwiched between two outer portions which have a high degree of perfection. The transmission and diffraction of electrons by each portion is described by a scattering matrix, the matrix for the complete foil being the product of these three matrices. The matrices are obtained by using the system of differential equations derived by HOWIE and WHELAN for the dynamic case of transmission and diffraction of electrons (with absorption), using the column and two‐beam approximations. It is shown that several proporties of the contrast images can be derived without detailed solution of the equations, only their structure and the properties of the displacement functions of the dislocation being considered. These properties are found to be in full agreement with both the profiles obtained by HOWIE and WHELAN by numerical integration of their equations for a large number of cases, and their discussion. The amplitudes of the waves transmitted and diffracted by a foil containing a sequence of stacking faults, parallel to the surface of the foil, are also calculated.
Lattice Constants and Thermal Expansion of Gold up to 878 °C by X‐Ray Method
Authors: Dutta B. N. , Dayal B.
Published: July 2007

The thermal expansion of gold has been studied over the temperature range 25° to 878 °C by the X‐ray powder technique. The experimental coefficients can be represented by the interpolation formula αt = 13.99 × 10−8 + 0.491 × 10−3 t. The work of LAWSON, and MITRA and MITRA is discussed, and it is shown that in this temperature range it is not necessary to postulate the existence of any anomalous expansion arising from lattic defects.
Coloration of Yttrium‐Doped CaF2 and SrF2 Crystals by X‐Ray Irradiation
Authors: Görlich P. , Karras H. , Lüdke W. , Mothes H. , Reimann R.
Published: July 2007

CaF2 and SrF2 crystals are doped with trivalent yttrium ions, and X‐irradiated, which results in similar coloration spectra for both substances. The bands seem to satisfy MOLLWO's relation v a2 = const, since the SrF2 bands are shifted to longer wavelengths compared with the corresponding CaF2 bands. The absorption spectra is interpreted in terms of the 4 d electrons of the bivalent yttrium ions, whose formation is explained by the reductive action of the X‐rays. The coloration spectra of the CaF2/Y crystals are identical with the well‐known four‐absorption‐band spectra of natural crystals or synthetic crystals grown from natural material. This supports strongly the assumption that the four‐absorption‐band spectra in natural CaF2 is produced by yttrium impurities; this however invalidates hypotheses according to which the four‐absorption‐band spectrum of CaF2, obtained after irradiation, is typical of intrinsic lattice imperfections in alkaline earth fluorides.
Über einen an ohmschen Kontakten auftretenden photovoltaischen Effekt, untersucht an CdS‐Einkristallen
Authors: Müller G. O.
Published: July 2007

Bei Belichtung von CdS‐Sandwichzellen treten positive bzw. negative Spannungen an der belichteten Elektrode auf. Durch Untersuchung der Injektionseigenschaften wird gezeigt, daß eine negative Photospannung an der belichteten Elektrode als Photoeffekt an der Anreicherungsrandschicht zu erklären ist. Der Dember‐Effekt konnte durch seine größere Anklingzeit von den Randschicht‐Photoeffekten getrennt werden.
Zur Kinetik der Photoleitung in SiC
Authors: Thiessen K. , Egorow W. D. , Jungk G.
Published: July 2007

Es wird über Messungen der nichtstationären Photoleitung in Sic berichtet. Dabei wird festgestellt, daß sowohl in p‐ als auch in n‐leitendem SiC ein starker Minoritätsträgerhafteffekt auftritt und dadurch die Photoleitung im wesentlichen durch Majoritätsträger bedingt ist. Aus der kurzen Komponente des Abklingvorganges der Photoleitung werden Lebensdauern der Minoritätsträger bis zu 30 μs bestimmt.
Space Group of Pyrite T(Pa3)
Authors: Gorzkowski W.
Published: July 2007

The representation of wave‐vector groups at points, lines, and planes of symmetry, in the first Brillouin zone of FeS2(group T) is calculated using a method due to HERRING. Tables are given for the calculation of symmetrized plane waves in symmetry points.
Spin Wave Theory for Anisotropic Cubic Ferromagnetics
Authors: Szaniecki J.
Published: July 2007

An anisotropic cubic ferromagnetic is investigated using the theory proposed by the present author in earlier papers. The cases of pseudodipolar coupling and of spin quantum number S = 1/2 are considered. The free energy of a ferromagnetic is derived in the form of an infinite convergent series of connected ladder diagrams. The accuracy of this method is restricted to terms proportional to the power 3/2 of the quotient of the absolute and Curie temperatures and to the square of the pseudodipolar coupling constant. Kinematic interaction is shown to be negligible to the accuracy adopted.
Investigation of the Incorporation Process of the Manganese Activator in CaS and SrS Phosphors
Authors: Gutsze A. , Łożykowski H. , Męczyńska H. , Szczurek T. , Trawiński S.
Published: July 2007

An investigation is made of the process by which the activator Mn is incorporated in CaS and SrS, by studying its dependence on activator concentration, flux addition and firing atmosphere. The dependence of the amount of Mn incorporated during the firing on that present before firing was investigated using a paramagnetic resonance technique. This dependence is found to be linear up to some critical concentration after which saturation occurs. It is found that the flux used influences the incorporation process to an extent which is dependent on the nature of the halide. The incorporation process depends also on the firing atmosphere of the phosphor.
Stationäre Photoleitung und p‐n‐Photoeffekt in SiC
Authors: Jungk G. , Thiessen K. , Witt F.
Published: July 2007

Es wird über Messungen der Spektralabhängigkeit der Photoleitung von p‐ und n‐leitenden α‐SiC‐Einkristallen in einem Gebiet von 0,6 eV bis 5,5 eV berichtet und mit der spektralen Verteilung des p‐n‐Photoeffektes an nachträglich angebrachten p—n‐Übergängen verglichen. Dabei wird festgestellt, daß sowohl p‐ als auch n‐leitende Kristalle mit zufälligen Verunreinigungen im allgemeinen eine stark ausgeprägte Störstellenphotoleitung aufweisen, die in der Hauptsache durch Anregung von Majoritätsträgern bedingt ist. Die Temperaturabhängigkeit des Bandabstandes wird aus der Verschiebung der langwelligen Kante der Photoleitung bzw. des p‐n‐Photoeffektes bestimmt.

Es wird über Messungen der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit und der Photoleitfähigkeit in einem Intervall von 80 °K bis 800 °K berichtet. Die Lebensdauer der Majoritätsträger ist intensitätsabhängig; sie steigt mit wachsender Temperatur und erreicht bei hohen Temperaturen ein Maximum.
Optical Properties of Liquid Germanium
Authors: Abrahám A. , Tauc J. , Velický B.
Published: July 2007

The reflectivity of liquid germanium is measured in the photon energy range 3.1 to 5.4 eV and approximate values of optical constants are determined by a Kramers‐Kronig analysis. It is shown that the dependence of the optical constants on photon energy can be well described by free carrier formulas for energies up to 2.2 eV. At higher energies, evidence for interband transitions has been found. It appears that the first absorption band starts at about 5 eV but its peak lies outside the presently available photon energy range.
Shift of Extinction Contours due to the Presence of Dislocations
Authors: Siems R. , Delavignette P. , Amelinckx S.
Published: July 2007

The deformation of prisms and elliptical cylinders, resulting from the presence of an arbitrary dislocation line parallel to one of the main axes of the cross‐sections is discussed. It is shown that in general the specimen is both bent and twisted. The deformation appears in the electron microscope as a shift of the extinction contours where these cross the dislocations. The sign and magnitude of the shift depend on the magnitude, the sign and the orientation of the Burgers vector with respect to the dislocation line, as well as on the operating diffraction vector and local curvature of the foil.

For a particular dislocation in tin disulfide it has been possible to verify the theory in detail.
Die Versetzungsanordnung in plastisch verformten Kupfereinkristallen
Authors: Essmann U.
Published: July 2007

Aus Kupfereinkristallen, die für Einfachgleitung orientiert und im Zugversuch verformt worden waren, wurden dünne Folien verschiedener Orientierung herauspräpariert und im Elektronenmikroskop durchstrahlt. Die Kristalle waren nach der Verformung im Reaktor bestrahlt worden, um Veränderungen der Versetzungsanordnung während des Präparierens zu erschweren. Im Verfestigungsbereich II wird gefunden, daß die Versetzungen des primären Gleitsystems auf wohldefinierten Gleitebenen liegen. Es bilden sich etwa in der Orientierung der Stufenversetzungen des Hauptgleitsystems eindimensionale Versetzungsstränge aus, die eine große Anzahl von Versetzungsdipolen enthalten. Die neben den Strängen liegenden Einzelversetzungen haben überwiegend dasselbe Vorzeichen. Es werden Wechselwirkungen zwischen relativ langen Versetzungslinien sekundärer Gleitsysteme und den Versetzungen des primären Gleitsystems beobachtet. Im Bereich III findet man scheibchenförmige flache Gebiete geringer Versetzungsdichte, die von Wänden hoher Versetzungsdichte sowohl des primären als auch der sekundären Gleitsysteme umgeben sind. Die Scheibchen sind parallel zur Hauptgleitebene orientiert.

Der Zusammenhang mit anderen Untersuchungen und mit der Verfestigungstheorie wird kurz diskutiert. Es wird gezeigt, daß die Beobachtungen der vorliegenden Arbeit mit dem schon früher ausführlich untersuchten Gleitlinienbild gut übereinstimmen.
Untersuchungen der Eigenschaften von Indium‐Kontakten an CdS‐Kristallen mittels Licht‐ und Dunkelzonenabtastung
Authors: Schmidt W. , Unger K.
Published: July 2007

Werden CdS‐Kristalle, die an ihren Enden mit ohmschen Indium‐Kontakten versehen sind, mit Licht‐ oder Dunkelzonen abgetastet, so zeigen sich in der Nähe der Kontakte ausgeprägte Photostromextrema. Möglichkeiten der Deutung dieser Extrema werden diskutiert.
On the Theory of Transport Phenomena in Semiconductors Possessing Non‐Spherical and Non‐Quadratic Energy Bands
Authors: Źukotyński S. , Kolodziejczak J.
Published: July 2007

The transport equation is solved for the case in which external magnetic and electric fields as well as temperature and concentration gradients are present. All calculations are carried out for energy surfaces of arbitrary shape. The electric current and heat flux are expressed in terms of three fundamental tensors. The case of ellipsoidal energy surfaces with a non‐quadratic dependence of the energy on the absolute value of the wave vector is analysed in detail.
On the Theory of Transport Phenomena in Semiconductors in the Presence of Non‐Equilibrium Concentrations
Authors: Zawadzki W.
Published: July 2007

The electric current and the heat flux in a semiconductor are computed for an arbitrary spherical energy band‐structure in the presence of electric and magnetic fields, temperature gradients and current‐carrier concentration gradients. The classical transport equation is solved by the McClure‐Kolodziejczak method. The Einstein relation between the diffusion coefficient and the mobility is generalised for the case of arbitrary spherical ϵ(k) dependence and arbitrary degeneration. The photoelectromagnetic effect and its application for measuring the life‐time of excess carriers; the Dember effect and the photothermomagnetic effect are studied for arbitrary magnetic fields. In the appendix the carrier contribution to thermal‐conductivity is computed. The general case involving many kinds of current carriers is considered. From these formulae the normal expressions can be obtained if parabolic band structure and lack of degeneration is assumed. It is shown that in all the phenomena discussed the deviations of the band structure from the parabolic form should be taken into consideration.
Electric Conductivity of Semiconductors due to Self‐Activation
Authors: Böer K. W.
Published: July 2007

Electrical conductivity of a semiconductor may be determined by the equilibrium concentration of Schottky or Frenkel defects which act as donors or acceptors. It is shown, that at sufficiently high temperatures this self‐activated semiconductivity predominates over the electronic intrinsic conductivity in all known semiconductors. In semiconductors with a band gap larger than the disorder energy for Schottky or Frenkel defects, self‐activated semiconductivity predominates over intrinsic conductivity at all temperatures.
Dichroitische Farbzentren in KCl:LiCl Einkristallen
Authors: Badareu E. , Matei L. , Serban T.
Published: July 2007

Um ein Modell für das A‐Zentrum aufzustellen, wurde die optische Absorption in natürlichem und polarisiertem Licht an Li‐dotierten KCl‐Kristallen gemessen. Die Ergebnisse sind in guter Übereinstimmung mit denen anderer Autoren, die Na‐dotierte KCl‐Kristalle untersucht haben, und können mit Hilfe des A‐Zentrenmodells, das aus einem Na‐ oder Li‐Ion in unmittelbarer Nachbarschaft einer Anionenleerstelle besteht, erklärt werden.
Elektronenmikroskopische Untersuchungen der Oberfläche von vielkristallinem Kupfer nach plastischer Verformung
Authors: Derner P.
Published: July 2007

Das Oberflächenbild des Vielkristalls zeigt gegenüber dem des Einkristalls einige Besonderheiten: Man beobachtet häufig Spuren von mehr als einer Gleitebene in einem Korn. Das Auftreten von Quergleitung und Gleitbändern bei kleinen Spannungen weist auf erhebliche lokale Spannungsüberhöhungen hin. Entlang der Korngrenzen beobachtet man häufig Stufen und kurze Gleitstrukturen. Der Einfluß der Temperatur auf diese Erscheinung und die kristallographische Orientierung der Strukturen lassen darauf schließen, daß sie durch Versetzungsbewegung hervorgerufen werden. Das Korngrenzengleiten dürfte sich vor allem bei kleinen Verformungen auf das Spannungsdehnungsdiagramm auswirken.
Elektrische Untersuchungen an „zusatzfreien”︁ Zinndioxydschichten hoher Elektronenkonzentration im Temperaturbereich zwischen 90 °K bis etwa 290 deg;K
Authors: Koch H.
Published: July 2007

Es wird über elektrische Untersuchungen an „zusatzfreien”︁ Zinndioxydschichten mit spezifischen Leitfähigkeiten zwischen 10−1 bis etwa 3 · 102 Ω−1 bzw. mit Elektronenkonzentrationen zwischen 1018 bis 2 · 1020 cm−3 berichtet. Die Schichten wurden nach dem Gaszersetzungsverfahren hergestellt. Bei Zimmertemperatur wurde ein nichtlinearer Zusammenhang zwischen spezifischer Leitfähigkeit σ und Elektronenkonzentration N gefunden: σ ∼ N4/3. Unter der Voraussetzung eines parabolischen Leitungsbandes kann daraus (für hohe Elektronenkonzentrationen ist das Elektronengas weitgehend entartet) auf ein Stoßzeit‐Energie‐Gesetz der Gestalt: τ = S1/2 E1/2 geschlossen werden. Im Bereich der Zimmertemperatur überwiegt die Streuung an longitudinalen optischen Gitterschwingungen mit einer effektiven charakteristischen Temperatur von Θlo ≈ 150 °K. Mit Hilfe bekannter optischer Eigenschaften des SnO2 wurde nach der Theorie von HOWARTH und SONDHEIMER die spezifische Leitfähigkeit grob abgeschätzt und mit dem Experiment verglichen, um einen Anhaltspunkt über die effektive Masse im Leitungsband und über den Absolutwert des Vorfaktors S1/2 des Stoßgesetzes zu erhalten.

Die im Rahmen der Arbeit praktizierte Untersuchungs‐ und Auswertemethodik beansprucht allgemeines Interesse, wenn es darauf ankommt, Einblick in den Streumechanismus eines Halbleiters mit parabolischer Bandstruktur im Entartungsfall zu erhalten.
Study of Cold Work Damage in Silver Filings
Authors: Agnihotri O. P.
Published: July 2007

X‐ray diffraction line profiles of the multiple order reflections (111)–(222) and (200)–(400) are recorded by a Geiger counter x‐ray spectrometer, using nickel filtered and crystal monochromated CuKα radiation. Integral line widths are analysed after corrections for instrumental broadening have been determined by Stokes method. Except at room temperature where a twin fault probability β′ equal to 0.01 is found, broadening in both cases is attributed partly to strain and partly to small particle size. The recovery of the line widths occurs in stages.
Zum elektrischen Verhalten von reinen Tellureinkristallen
Authors: Link R.
Published: July 2007

Halleffekt‐ und Leitfähigkeitsmessungen an gereinigtem einkristallinen Tellur zwischen 14 °K und 373 °K zeigen, daß nicht die restlichen Fremdatome, sondern strukturelle Fehlordnungserscheinungen sowohl auf die Ladungsträgerkonzentration (thermische Akzeptoren), als auch auf die Beweglichkeit („S”︁‐Zentren) entscheidenden Einfluß haben. Die S‐Zentrenkonzentration ist von der angewendeten Kristallzüchtungsmethode abhängig.
Der Gitterwärmewiderstand von Stufenversetzungen
Authors: Bross H. , Seeger A. , Haberkorn R.
Published: July 2007

Nach einem an anderer Stelle entwickelten Verfahren wird die Streuung von elastischen Wellen an Stufenversetzungen mit Hilfe der nicht‐linearen Elastizitätstheorie behandelt und zur Berechnung der Verminderung der Gitterwärmeleitfähigkeit durch Stufenversetzungen angewendet. Die Theorie vermeidet eine Reihe von Schwächen der Theorien von KLEMENS und CARRUTHERS. Die Ergebnisse werden ausführlich mit den vorliegenden Experimenten verglichen. Bei Metallen (bzw. Legierungen) sind die Abweichungen zwischen Experiment und Theorie so, daß ihnen wohl durch weitere Verbesserungen der Theorie Rechnung getragen werden kann. Bei Ionenkristallen bleiben jedoch bis jetzt nicht befriedigend erklärte Diskrepanzen um mehrere Zehnerpotenzen bestehen.
Untersuchungen über die Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes bei den Alkalimetallen
Authors: Bross H. , Holz A.
Published: July 2007

Die Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes der Alkalimetalle wird untersucht. Das für die Streuung der Elektronen maßgebende Spektrum der Gitterschwingungen wird gittertheoretisch berechnet. Die dazu benötigten atomistischen Kopplungsparameter werden aus den elastischen Konstanten und aus der Temperaturabhängigkeit der spezifischen Wärme ermittelt. Zur Lösung der Transportgleichung wird ein Variationsverfahren verwendet, das die elastische Anisotropie (insbesondere bei Na) und außerdem Umklappprozesse streng zu berücksichtigen gestattet. Für Na und K erhält man in der Näherung freier Elektronen gute Übereinstimmung mit dem experimentellen Temperaturverlauf des elektrischen Widerstandes. Bei Li wird diese Übereinstimmung erst dadurch erreicht, daß man die genauere Elektronenstruktur zugrundelegt, was mit Hilfe der Pseudopotentialmethode gemacht wird.
Moiré Pattern for a Crystal Containing a Stacking Fault
Authors: Gevers R.
Published: July 2007

The author has previously given expressions for the amplitudes of waves transmitted and diffracted by a foil formed by the superposition of two perfect plate‐shaped parallel crystals. These are now generalised to the case in which one crystal contains a stacking fault parallel to the foil surface.

The introduction of this stacking fault results in a displacement of the moiré interference pattern, its direction and spacing being, however, unaltered. Also the intensities of the bright and dark fringes, and the contrast between them, are found to vary spatially between the region of the fault and the regions of perfect crystal.

The variation of these intensities as the fault moves away from the surface on which the wave is incident, towards the other surface, is discussed.

Finally, if the stacking fault is not parallel to the surface it is found that the expressions derived for parallel stacking faults are valid to within the column approximation.
A New Method of Recrystallizing CdS Thin Films
Authors: Vecht A. , Apling A.
Published: July 2007

A new method of recrystallizing evaporated layers of CdS using organometallic compounds in inert organic liquid media is described. Various types of crystals produced are illustrated and possible mechanisms of their formation discussed.
Einige optische Eigenschaften von Kadmium‐Tellurid
Authors: Koňák Č
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wurde die Temperaturabhängigkeit des Absorptionskoeffizienten im Bereich der Grundgitterabsorptionskante (zwischen 0,7 und 1 μ) untersucht. Aus den Ergebnissen wurde die Breite der verbotenen Zone bei Zimmertemperatur zu 1,39 eV, deren Temperaturverschiebung im Temperaturbereich zwischen 116 °K und 453 °K zu ‐ 4,1 · 10−4 eV/Grad und die Energie der bei indirekten Übergängen beteiligten Phononen zu 0,03 eV ermittelt. Aus den Ergebnissen der Reflexionsmessungen bei Zimmer‐ temperatur wurden der Reflexionskoeffizient und der Brechungsindex errechnet.
Internal Field Emission on Germanium Surface at a. c. Field Effect
Authors: Dorda G.
Published: July 2007

A study is made of the shift in surface potential φso, known as the storage effect, observed during studies of the a.c. field effect on etched germanium exposed to the atmosphere. The effect is thought to be due to internal electron field emission from trap‐states in the surface oxide layer into the conduction band of germanium. The kinetics of the electron transition process into the oxide suggests the equivalency of the oxide trap‐states and the so called “slow states”. A qualitative model of these states is discussed.
Growth and Bleaching of the Z1 Band in KCl Doped with Divalent Impurities
Authors: Cappelletti R. , Croce L. Dalla , Fieschi R.
Published: July 2007

The rate of F and Z1 center formation by X‐irradiation is studied at different temperatures in doped KCl crystals; at 0°C and at room temperature the slow but fully reproducible, growth of a Z1 band is found, but this attains only a low saturation value. The results can be interpreted by assuming that the X‐rays have an additional bleaching effect which is stronger for the Z1 than the F centers. The effects of free holes in the valence band (obtained by optical stimulation of V centres) on these centers is also studied at different temperatures, and the ratio of the capture cross sections for holes, σ/σ is determined, the values ranging from 2.1 (at liquid nitrogen temperature) to 1.5 (at room temperature).
The Charge of Dislocations in Alkali Halide Crystals
Authors: Strumane R. , De Batist R.
Published: July 2007

A method of determining the electrical charge on dislocations in ionic crystals from vibration experiments on bent crystals is presented. For a typical case two approximately equal values (σ = 1.0 × 10−3 and 0.8 × 10−3 esu/cm) are obtained using different approximations.
On the Electrical Properties of Nearly Stoichiometric Rutile Single Crystals (TiO2)
Authors: Cardon F.
Published: July 2007

Measurements are made of the current‐voltage‐time characteristics of etched, and unetched, TiO2 single crystals, with and without illumination through a transparent gold electrode. These results allow certain deductions to be made concerning the relation between space‐charge‐limited currents, polarization phenomena and the conductivity changes inducted by the applied field.

It is shown that the polarization phenomena and observed I ∼ V2 characteristics must be ascribed to effects in sub‐surface regions. A small amount of electrolytic conductivity together with certain reactions with the electrode are considered to be the origin of the conductivity changes.
The Magnetic Susceptibility of Semiconductors with Nonparabolic Energy Bands
Authors: Zawadzki W.
Published: July 2007

Formulae for the Pauli paramagnetic susceptibility, and the Landau‐Peierls diamagnetic susceptibility, due to free carriers in an arbitrary spherical energy band are derived. It follows from these formulae that nonparabolicity of a band can have a considerable influence on the susceptibility. A reversal of sign can even occur if the nonparabolicity is strong enough. The formulae reduce to the well‐known expressions if the band is parabolic.

A qualitative agreement with experimental results is obtained for InSb and InAs assuming KANE'S band structure. However, as BOWERS and YAFET have shown, in order to obtain a satisfactory quantative agreement with experiment the spin‐orbit interaction as well as the interaction with higher bands, must be taken into account. It is suggested that the threefold reversal of sign of the susceptibility as observed experimentally by GEIST in InAs, may be due to the g‐factor vanishing at the Fermi energy corresponding to an electron concentration of 5 × 1019cm−3.
Théorie des chaînes de collisions focalisantes (II)
Authors: Frère R.
Published: July 2007

Une étude quantitative des processus de focalisation doit tenir compte des effets suivants: décroissance de l'énergie au long de la chaîne, potentiel interatomique réel, distorsions des rangées d'atomes, influence des rangées voisines.

Une première publication [10] a envisagé la décroissance de l'énergie au long des chaînes de collisions et considéré le cas des alliages.

Cette deuxième partie est consacrée tout d'abord aux effets dus à l'existence d'un potentiel interatomique différent de celui de sphère dure, ensuite, aux chaînes de collisions se propageant au long de rangées atomiques non rectilignes. Le cas des rangées 〈11223〉 des métaux à structure hexagonale compacte est envisagé.
Théorie des chaînes de collisions focalisantes (III)
Authors: Frère R.
Published: July 2007

Une première publication [10] a été consacrée à la décroissance de l'énergie au long des chaînes de collisions. Le cas des alliages a été envisagé.

Une deuxième publication [19] a été consacrée d'une part aux effets dus à, la présence d'un potentiel interatomique différent de celui de sphère dure, d'autre part aux chaînes de collisions se propageant au long de rangées atomiques non rectilignes. Le cas des rangées 〈1123〉 a été discuté.

Cette troisième publication est consacrée à l'étude des processus de „focalisation dirigée”︁ c.à.d. à l'examen de l'influence des rangées voisines. De plus, un ensemble de résultats quantitatifs (paramètre de focalisation, énergie de focalisation, portée) concernant le cuivre sont présentés il sont comparés aux valeurs mises en évidence par VINEYARD et ses collaborateurs [13] au moyen d'une calculatrice électronique.
On the Deformation Induced Internal Friction Peaks in Niobium
Authors: De Batist R.
Published: July 2007

The activation energies and attempt frequencies for the deformation induced damping peaks in niobium are determined. For the α peak these are found to be 0.28 ± 0.01 eV and (2.8 ± 1.8) 1012s−1 from the variation of peak temperature with frequency and using all experimental data presently available. For the β peak, these parameters are estimated using strain recovery experiments performed during the warm‐up after plastic deformation at liquid nitrogen temperature. A value of 0.51 eV is found for 1012 s−1 and 0.48 eV for 1011 s−1, to be compared with values of 0.47 eV and about 1011 s−1 obtained by CHAMBERS and SCHULTZ from the shift of peak temperature with frequency. The width of the α peak is shown to be consistent with a relaxation process having a single attempt frequency, and a distribution of activation energies. Assuming a square distribution of width ΔH about H, it is found that ΔH|H ≈︁ 0.10.
Verzerrungsfeld und mechanische Relaxation von Leerstellen in Germanium
Authors: Scholz A. , Seeger A.
Published: July 2007

Mit einem Modell, das die kovalente Bindung zwischen benachbarten Atomen durch ein Morse‐Potential beschreibt und die Anisotropie des elastischen Verschiebungsfeldes berücksichtigt, berechnen wir die Verzerrungen und die Bildungsenergie von Leerstellen in Germanium. Die Annahme, daß sich die bei der Leerstellenbildung unterbrochenen kovalenten Bindungen zwischen je zwei nächsten Nachbarn der Leerstellen neu bilden, führt zu einer niedrigeren Symmetrie als die Tetraedersymmetrie des ungestörten Kristalls. Die Stärke des infolge der verminderten Symmetrie möglichen Relaxationsprozesses wird berechnet. Dieser tritt vermutlich im Temperaturbereich des flüssigen Wasserstoffs auf und sollte unter günstigen Bedingungen experimentell nachweisbar sein. Das Leerstellenvolumen ergibt sich zu etwa 0,7 Atomvolumina. Die Ergebnisse werden mit denjenigen einer vorangehenden Arbeit [1] ausführlich verglichen.
Untersuchungen über das Schichtenwachstum von Kristallen
Authors: Malicskó L.
Published: July 2007

Es wurden Mikrofilme über das Wachstum von Kristallen in Lösungs‐ und Schmelztropfen hergestellt. Die Geschwindigkeiten der Wachstumsschichten wurden gemessen, wobei sich Schwankungen ergaben. Zwischen Schichtdicken und Wachstumsgeschwindigkeiten wurde ein Zusammenhang gefunden, der mit Hilfe von Adsorptionsschichten auf der Kristalloberfläche erklärt wird.
Zum optischen Verhalten halbleitender Zinndioxydschichten im nahen Ultrarot bei Zimmertemperatur
Authors: Koch H.
Published: July 2007

Das Dispersions‐ und Absorptionsverhalten „zusatzfreier”︁ Zinndioxydschichten mit Elektronenkonzentrationen bis zu N ≈ 2 · 1020 cm−1 wurde bei Zimmertemperatur im nahen Ultrarot bis zu etwa 3 μm eingehend untersucht.

Bei der Absorption und Dispersion durch freie Elektronen sind die longitudinalen optischen Phononen maßgeblich beteiligt.

Unter Einbeziehung von Ergebnissen einer früheren Arbeit, in der die elektrischen Eigenschaften halbleitender SnO2‐Schichten untersucht wurden, wurden über die Absorptionsmessungen die effektive Masse (m* = 0,35 m0) der Leitungselektronen und die die Elektron‐Phonon‐Wechselwirkung bestimmende Stoßzeit ermittelt.

Die Dispersionsmessungen führen auf einen wesentlich kleineren Wert für die effektive Masse (m* = 0,17 m0), wenn nicht bei der Auswertung neben der Dispersion durch freie Elektronen ein weiterer Dispersionsanteil berücksichtigt wird, der auf Störstellenanregungsübergänge zurückzuführen ist. Entsprechende Banden wurden bei etwa 0,14 eV, 0,0725 eV und 0,0575 eV gefunden.
Characteristic Layer‐Like Field Iin Homogeneous Photoconductors in the Pre‐Breakdown Range I. Steady State Case
Authors: Böer K. W. , Wilhelm W. E.
Published: July 2007

It is shown that in dielectrics in which the carrier density decreases faster than linearly with increasing field strength, e.g. by field quenching, inhomogeneous field distributions must occur. These field inhomogeneities can be of a layer‐like type as has been observed recently in CdS single crystals.
Photovoltaische Effekte in CdS‐Einkristallen
Authors: Ludwig W.
Published: July 2007

An undotierten CdS‐Einkristallen wurden nach einer Kondensatormethode Photo‐EMK‐Effekte in Abhängigkeit von der Wellenlänge der optischen Anregung, von der Intensität, vom Vakuum und von einer zusätzlichen Oberflächenbehandlung der Kristalle untersucht. Es wurden nicht nur Photo‐EMK‐Effekte bei Grundgitteranregung, sondern auch bei langwelligerer Anregung gefunden. Die Photo‐EMK der meisten untersuchten Kristalle konnte durch Änderung der Oberflächeneigenschaften beeinflußt werden. Die Ergebnisse können nicht durch einen Dember‐Effekt allein gedeutet werden. Bei zusätzlicher optischer Anregung haben sich Effekte ergeben, die in Parallele zu den Tilgungseffekten der Photoleitfähigkeit stehen. Es wurden bei Dauerbelichtung charakteristische Zeiteffekte gefunden.
On the Fluorescence of Synthetic LiF Crystals
Authors: Görlich P. , Karras H. , Kötitz G.
Published: July 2007

The relative spectral distribution of the fluorescence of both untreated and radiationcoloured LiF crystals have been investigated at monochromatic excitation in the range from 253 to 635 nm. Fluorescence has been shown to be slightly influenced by the growing procedure of the crystals (air or vacuum‐grown) and the type of coloration (x‐rays or deuterons), but it was not until longer exciting wavelengths were used that this influence became more distinct.

Fluorescences with peaks at 530 nm and 670 nm emitted at R1, R2 or M band excitation could be verified. In addition, at F band excitation an emission was observed likewise at 530 and 670 nm, which could also be stimulated, individually or commonly, by light of the R1, R2 or M bands. This may be interpreted in terms of an energy transfer process from the absorbing to the emitting centres.
Statische Eigenschaften von Siliziumdioden im Sperrbereich mit besonderer Berücksichtigung abrupter p‐n‐Übergänge I. Der Spannungsdurchbruch
Authors: Antula J.
Published: July 2007

Die Arbeit befaßt sich mit der Bestimmung des Anteiles von Stoßionisation und Feldemission in abrupten Silizium‐p‐n‐Übergängen am elektrischen Durchschlag. Bei bestimmten Durchbruchspannungen sind beide Mechanismen wirksam. Für jeden Durchbruchsmechanismus wird ein Anteilskoeffizient eingeführt und seine Abhängigkeit von der Durchbruchsspannung festgestellt. Dadurch wird es ermöglicht, die Spannungsabhängigkeit des Durchbruchsstromes auch im Übergangsbereich, in dem beide Durchbruchsmechanismen parallel wirken, zu errechnen.
Schwenkfilm‐Methode und ihre Anwendung bei Untersuchungen dynamischer Effekte der Röntgenstrahlstreuung im Kristallgitter
Authors: Auleytner J. , Zielińska‐Rohozińska E.
Published: July 2007

Im folgenden wird eine Röntgen‐Methode beschrieben, die zur Sichtbarmachung der einzelnen Versetzungen in dünnen Einkristallen und zur Untersuchung der sogenannten „Pendellösung‐Interferenzen”︁ dienen kann. Diese Methode ist eine Weiterentwicklung der Schwenkfilm‐Technik, die von AULEYTNER bereits früher veröffentlicht wurde [1]. Es werden einige Beispiele angegeben, die Si‐Einkristalle betreffen.
Birefringence Induced by Light in Potassium Chloride Crystals Coloured by Ionizing Radiation
Authors: Damm J. Z. , Słukaszewicz K.
Published: July 2007

A new anisotropic effect is oberserved in some potassium chloride crystals coloured by ionizing radiation. The coloured samples exhibit birefringence after illumination with ordinary or polarized light. By using suitable illumination conditions it is possible to obtain both uni‐ and biaxial crystals with optical directions parallel to the cube edges, and possessing either negative or positive optical signs. It is found that only light of wavelength between 625 and 750 nm is effective in producing the optical anisotropy and that the light undergoing double refraction lies in the same range of wavelengths. Some properties of the defects responsible for the birefringence and a possible mechanism of the effect are discussed.
On the Pekar and Perlin Calculation of F‐Center Lifetimes
Authors: Fowler W. Beall , Dexter D. L.
Published: July 2007

In a recent paper PEKAR and PERLIN presented a calculation, based upon PEKAR's continuum theory of the F‐center, of the radiative lifetime of the first excited level of the F‐center. Their results are in order‐of‐magnitude agreement with the experimental results of SWANK and BROWN. In this paper we argue that such agreement is fortuitous and is the result of several invalid assumptions made by PEKAR and PERLIN: 1. as they mentioned, they have neglected to include an effective field correction in their calculation; 2. they have used the same electronic wave functions to calculate emission probabilities as one would use (in PEKAR's theory) to calculate absorption probabilities, a procedure which we have shown to be susceptible to suspicion; 3. these electronic wave functions are in fact not consistent with observed absorption oscillator strengths.
Abstract Definition and Representations of a Space Group
Authors: Olbrychski K.
Published: July 2007

A method of finding the irreducible representations of the single and double space groups is described based directly on the abstract definition of the group.
Electron‐Lattice Interaction and its Effect on the Energy Gap in Semiconductors
Authors: Figielski T.
Published: July 2007

Formulae for the crystal deformation due to the introduction of charge carriers are obtained using the thermodynamic potential method. This phenomenon is caused by the direct electron‐lattice interaction. A change in the energy gap due to this effect is also estimated. for example the band gap in InSb is reduced by about 0.01 eV when 1019 electrons per cm3 are introduced into the crystal.
The Thermoelectric Power in InSb in the Presence of an External Magnetic Field
Authors: Byszewski P. , Kołodziejczak J. , Zukotyński S.
Published: July 2007

The thermoelectric power of n‐type indium antimonide is measured as a function of magnetic field up to 20 kOe. Saturation of the thermoelectric power is observed at high fields. The dependence of the electronic effective mass on the carrier concentration is derived from this experimental data. It is found that this dependence is in very good agreement with the non‐parabolic model of the conduction band. An analysis of the scattering processes indicates that optical mode and ionized impurity scattering are dominant at room temperature.
Paramagnetische Resonanz von Nickel in Silberbromid
Authors: Busse J.
Published: July 2007

Die paramagnetische Resonanzabsorption von nickeldotiertem Silberbromid wird bei der Temperatur der flüssigen Luft und des flüssigen Wasserstoffs untersucht. Es treten vor allem zwei Arten von paramagnetischen Zentren auf. Das eine Zentrum besitzt eine im Rahmen der Meßgenauigkeit richtungsunabhängige Linie mit dem g‐Faktor 2,238 ± 0,005 und der Breite von 180 G bei 20 °K. Die Zuordnung zu einem isolierten Ni++‐Ion auf Gitterplatz wird diskutiert. Die Winkelabhängigkeit der Absorptionslinien der zweiten Zentrenart läßt sich durch einen Spin‐Hamiltonoperator mit axialer Symmetrie für das Ni++‐Ion beschreiben. Innerhalb der Fehlergrenzen ist dabei g∥ = g⟂ = 2,20 ± 0,02. Die Nullfeldaufspaltung ist D = (2,92 ± 0,05) cm−1. Ein Ni++‐Ion auf Gitterplatz mit einer Silberionlücke als zweitnächstem Nachbarn wird als Absorptionszentrum vorgeschlagen.

Bestrahlung der Kristalle bei Zimmertemperatur führt zum Abbau der Linien und mehr oder weniger ausgeprägten Aufbau einer sehr breiten Linie mit etwa demselben g‐Faktor, wie ihn die richtungsunabhängige Linie besitzt. Die Abnahme der Breite der neu entstandenen Linie beim Übergang von 20 °K zu 90 °K ähnelt dem Verhalten von NiBr2‐Pulver. Deshalb wird angenommen, daß durch Bestrahlung NiBr2 ausgeschieden wird.
Mechanische Relaxation von Kupfer‐Einkristallen
Authors: Buck O.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit wird die mechanische Relaxation von Kupfer‐Einkristallen einheitlicher Orientierung im Übergangsgebiet Bereich I ‐ Bereich II und im Bereich II der Verfestigungskurve bei 77 und 293 °K untersucht. Die Messungen zeigen, daß die bei der mechanischen Relaxation gemessene zeitliche Änderung der Schubspannung im Gleitsystem \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{da}}{{dt}} $\end{document} mit der beim Kriechen gemessenen zeitlichen Änderung der Abgleitgeschwindigkeit \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{d\tau }}{{dt}} $\end{document} durch die Beziehung \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$ \frac{{d\tau }}{{dt}} = \vartheta G\frac{{da}}{{dt}} $\end{document} verknüpft ist, wobei vG der nicht durch thermisch aktivierte Prozesse verursachte Verfestigungskoeffizient ist. Daraus wird geschlossen, daß die mechanische Relaxation im Übergangsgebiet Bereich I ‐ Bereich II und im Bereich II (vermutlich aber auch im Bereich I) vom selben atomaren Prozeß wie das Kriechen herrührt.

Es läßt sich ferner zeigen, daß die Verfestigung der untersuchten Einkristalle überwiegend von nicht thermisch aktivierten Prozessen herrührt, d. h. daß v ≈ vG ist.
Schwingungen kubischer Kristalle aus hochsymmetrischen Molekülen
Authors: Biem W.
Published: July 2007

Es werden Beziehungen zwischen den harmonischen Kopplungsparametern in kubischen Gittern mit hochsymmetrischen Molekülen abgeleitet. Insbesondere werden die Gitterschwingungen in Hexamethylentetramin (C6H12N4, kubisch raumzentriert) und „Adamantan”︁ (C10H16, kubisch flächenzentriert) diskutiert.
Vergleichende Untersuchungen von Leitfähigkeitsglowkurven an CdS‐Einkristallen
Authors: Dittfeld H.‐J. , Voigt J.
Published: July 2007

In der vorliegenden Arbeit werden die von 11 Autoren bzw. Autorengruppen angegebenen Methoden zur Bestimmung der Hafttermtiefe aus Glowkurven an CdS‐Einkristallen experimentell geprüft. Als Ergebnis des Vergleichs ergibt sich, daß die von BUBE angegebene, direkt auf der Definitionsgleichung der Quasifermigrenze basierende sehr einfache Auswertungsformel allen übrigen gegenüber zu bevorzugen ist. Die Annahme eines Quasigleichgewichts zwischen Haft‐ und Leitungselektronen wird ‐ bei Aufheizgeschwindigkeiten unterhalb 1,5°/s ‐ durch Untersuchungen über den Füllungsgrad der Haftterme am Glowmaximum sowie die Abhängigkeit des Füllungsgrades von der Aufheizgeschwindigkeit experimentell bestätigt.

Die kombinierten Glowkurven‐ sowie Photoleitungsmessungen zur absoluten Bestimmung des energetischen Verlaufs des Hafttermspektrums nach BROSER und BROSER‐WARMINSKY führen zu dem Ergebnis, daß die Quantenausbeute bei der Anregung der Leitungselektronen in einem Intensitäts‐ und Temperaturbereich, in dem die Quasifermigrenze in einem Gebiet etwa 0,4 eV unterhalb des Leitungsbandes variiert, von der Anregungsintensität abhängt.
Magnetic Structure of the Mn5Ge3 Alloy
Authors: Ciszewski R.
Published: July 2007

Neutron powder diffraction patterns are measured at 50°C and liquid nitrogen temperature. The crystal structure is defined as D88 (space group P63/mcm), in agreement with CASTELLIZ's data [2]. It is found that the atoms in the 4 (d) and 6 (g) positions have magnetic moments of (3 ± 0.1) and (2 ± 0.1) Bohr magnetons, respectively. The spin direction is parallel to the [0001] axis.