baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100271719-B1 (KR)
IPC: F16B19/00
Filed: 1997-12-26
Granted: 2000-12-01
Abstract: (과제) 작은 삽입력으로 장착할 수 있음에도 불구하고 발거력(拔去力)이 큰 부착구조를 제공한다. 
     (해결수단) 커넥터 클립(1)에 형성된 피안내레일(3L,3R)을 커넥터(11)에 형성된 안내레일(12L,12R)에 끼워맞추고서 상대적으로 이동시키면, 커넥터(11)에 형성된 걸어맞춤부(14)가 커넥터 클립(1)에 형성된 걸림부(4)를 타고 넘어서 걸어맞춰짐과 동시에, 걸림부(4)가 걸어맞춤부(14)에서 이탈하는 방향으로 피안내레일(3L,3R)이 이동하는 것을 커넥터 클립(1)에 형성된 스토퍼(13L,13R)로 저지하는 부착구조에 있어서, 상기 걸림부(4)를, 걸어맞춤부(14)에 의해서 눌려질 때에는 후퇴(하강)하고 이 걸어맞춤부(14)의 압압력이 해제되었을 때에 전진(상승)하여 걸어맞춤부(14)에 걸어맞춰지는 탄성걸림부(4F,4R)로 함과 아울러, 기단부(4b)측을 외측으로 하고 걸림단부(4p)측을 내측으로 하여 피안내레일(3L,3R)의 방향으로 배치하여 형성한다.
Patent KR-100278476-B1 (KR)
IPC: H01L21/304
Filed: 1997-12-29
Granted: 2001-01-15
Abstract: 밸브의 세정 방법이 개시되어 있다. 피세정 밸브를 탈이온수를 사용하는 1차 탈이온수 세정을 수행한 다음 사용하는 1차 케미컬 세정을 수행한다. 이어서, 2차 탈이온수 세정을 수행한 다음 2차 케미컬 세정을 수행하여 상기 피세정 밸브내에 존재하는 금속성 불순물의 입자수가 0.1ppb 이하가 되도록 제거한다. 이때 상기 2차 케미컬 세정에 사용한 제2 케미컬을 분석하여 상기 입자수가 0,1ppb 이하일 경우에는 3차 탈이온수 세정을 수행하여 상기 피세정 밸브내에 존재하는 금속성 불순물을 포함하는 잔류물을 제거하고, 상기 금속성 불순물의 입자수가 0.1ppb 이상일 경우에는 상기 2차 탈이온수 세정 이하를 반복하여 수행한다. 따라서, 테프론 밸브 등의 밸브 내부에 존재하는 불순물을 용이하게 제거함으로써 상기 테프론 밸브가 반도체 장치 제조 설비 등에 장착되어 오염원으로 작용하는 것을 예방할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100439109-B1 (KR)
Title: Method for forming isolation layer of semiconductor device to avoid decrease in quality of gate insulation layer and defect of gate electrode
Inventor: JUN WON CHEOL
IPC: H01L21/31
Filed: 1997-12-29
Granted: 2004-07-16
Abstract: PURPOSE: A method for forming an isolation layer of a semiconductor device to avoid a decrease in the quality of a gate insulation layer and a defect of a gate electrode by preventing an isolation layer from being lower than a semiconductor substrate at an interface between the isolation layer and the semiconductor substrate. CONSTITUTION: A conductive layer pattern is formed in a part of a semiconductor substrate(11) reserved for an isolation region. A pad insulation layer is formed on the resultant structure. The first insulation layer pattern is formed to expose the isolation region on the pad insulation layer. The second insulation layer spacer is formed on both sidewalls of the first insulation layer pattern. By using the first insulation layer pattern and the second insulation layer spacer as an etch mask, the pad insulation layer, the conductive layer pattern and a predetermined thickness of the semiconductor substrate are etched to form a groove. The groove is thermally oxidized to form an isolation layer(26).
Patent KR-100270655-B1 (KR)
Title: Memory debuging method of real time multi-task operating system
Inventor: KIM JIN-SOON
IPC: G06F11/22
Filed: 1997-12-30
Granted: 2000-11-01
Abstract: PURPOSE: A memory debugging method in a real time multitasking operating system is provided to debug a certain region without affecting an operation of a processor in a real time operating system of a CDMA communication system. CONSTITUTION: In a process in which a command is inputted for performing a time-based memory debugging operation, an address of a memory which will be debugged is inputted. A time unit information for a debugging operation is inputted. When a debugging stop command is inputted, an operation of a timer is stopped, and a debugging operation of the memory is stopped. In a process in which a command is inputted for performing a process-based debugging operation, an address of a memory which will be debugged is inputted. A normal memory data is inputted. A data stored in a memory data address inputted and a memory data inputted are compared. In the case that both data are same, the same debugging operation is repeatedly performed. If not same, an address of a task which performed the debugging operation is outputted. The debugging operation of the memory is stopped.
Patent KR-100516827-B1 (KR)
IPC: A61P31/04
Filed: 1997-12-30
Granted: 2005-12-02
Abstract: An object of the present invention is to offer a pharmaceutical composition containing an extract from inflammatory tissue inoculated with vaccinia virus having a suppressing action to death of cells and an excessive production of nitrogen monoxide induced by endotoxin and an improving action to hypotension induced by endotoxin. The present invention is a novel pharmaceutical composition containing an extract from inflammatory tissue inoculated with vaccinia virus such as a nitrogen monoxide production suppressor, a therapeutic agent for sepsis, an antiendotoxinic agent and a therapeutic agent for endotoxin shock. In sepsis and other serious bacterial infectious diseases, endotoxin (an intracellular toxin) is produced and a shock symptom is induced by its action. Accordingly, the substance of the present invention having an excellent inhibitory action to the endotoxin-induced toxicity as mentioned above is quite useful for the treatment or the prevention of endotoxin-induced shock symptom, sepsis and various symptoms accompanied thereby. In addition, the substance of the present invention has an inhibitory action to abnormal nitrogen monoxide production during the diseased state and, therefore, it is also useful as a therapeutic and preventive agent to the diseases wherein an excessive nitrogen monoxide production is participated such as acute hypotension.
Patent KR-100268805-B1 (KR)
Title: A forming method of contact in semiconductor device
Inventor: PARK CHEOL SOO
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-12-31
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact of a semiconductor device is provided to solve the problem of an increased contact resistance, by using a conventional silicide film and an excessive-silicon silicide film containing excessive silicon as a silicide film used in the first conductive layer. CONSTITUTION: After forming a gate oxide(2) on a silicon substrate(1), a poly silicon film(3) and a silicide film(4) are deposited on the first conductive layer. A bottom layer of the silicide film formed on the first conductive layer is a conventional silicide film(4) and an upper layer is an excessive-silicon silicide film(5). After patterning the first conductive layer and forming an interlayer insulation film(6), a contact hole of the second conductive layer is formed, and a doped polysilicon film(7) and a silicide film(8) are deposited and patterned. If a contact hole of the second conductive layer is formed on the first conductive layer, the bottom layer of the second conductive layer is contacted with the excessive-silicon silicide film of the first conductive layer. Thus, a contact resistance is prevented to increase rapidly.
Patent KR-100269676-B1 (KR)
Title: 폴리에틸렌 미세다공막 및 그의 제조 방법
Inventor: HASEGAWA KAKUYA
IPC: H01M50/489
Filed: 1996-03-01
Granted: 2000-10-16
Abstract: 가교 구조를 가지며, 기공율이 20 내지 80%, 겔 분율이 1 % 이상, 투과법에 의한 평균 공경이 0.001 내지 0.1 ㎛인 것을 특징으로 하여 기계 강도, 투과성, 생산성이 우수하고, 심한 상황하에서도 전지의 안전성을 확보할 수 있는 매우 높은 신뢰성을 갖는 폴리에틸렌 미세다공막 및 이 폴리에틸렌 미세다공막의 제조 방법.
Patent KR-100263770-B1 (KR)
Title: A ferrite stainless steel with a good local action resistance and restraing of sigma phase
Inventor: KIM YOUNG SIK
IPC: C22C38/44
Filed: 1998-01-23
Granted: 2000-08-16
Abstract: PURPOSE: A δ-phase restrained ferritic stainless steel having improved pitting resistance is provided to maximize partial corrosion resistance of stainless steel surface by simultaneous addition of Mo and W as well as restrain the formation of δ-phase considered as a major factor deteriorating corrosion resistibility of stainless steel by adding Cu and Al. CONSTITUTION: The δ-phase restrained ferritic stainless steel is characterized by comprising Cr 20-35wt.%, Mo 1-6.5wt.%, W 1-6wt.%, Mn 3.5wt.% or less, Ni 4wt.% or less, Si 3wt.% or less, V 2wt.% or less, C 0.03wt.% or less, N 0.03wt.%, a balance of Fe, and other inevitable impurities in such a manner that the Mo+0.5W content ranges from 1.5 to 9.5wt.%. In the stainless steel composition, vanadium can be substituted with 0.5wt.% of one or more elements selected from the group consisting of Ti, Zr, Nb and also 3wt.% of one or more elements selected from the group consisting of Al and Cu can be added in the stainless steel composition.
Patent KR-100266208-B1 (KR)
Title: Method of manufacturing mold for bulkhead
Inventor: LEE YUN GWAN
IPC: H01J9/24
Filed: 1998-03-13
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A mold apparatus for barrier rib and a method for manufacturing the same are provided to lengthen a life time of a mold material by using a brass mold method. CONSTITUTION: A mold material(22) corresponds to a shape of a barrier rib(10). A protective layer(22) is formed at a bottom face of the mold material(22). A paste(10a) is applied on a lower glass substrate(18). The mold material(22) is pressed to the lower glass substrate(10). A heat treatment is performed. The barrier rib(10) is formed by separating the mold material(22) from the lower glass substrate(18). The protective layer(22) protects the mold material(22) from the heat treatment process. A protective layer(24) is formed with a carbon material.
Patent KR-100286560-B1 (KR)
Title: Power saving operational control method for air conditioner
Inventor: AHN SANG MAN
IPC: F24F11/00
Filed: 1998-04-01
Granted: 2001-04-16
Abstract: PURPOSE: A power saving operational control method is provided to maintain a room space at a pleasant state and increase a power saving effect. CONSTITUTION: A method comprises a first step(S1 to S3) of inputting an operation condition for air conditioner; a second step(S4) of driving a compressor in accordance with the operation condition; a third step(S5) of judging whether a power saving operation mode is selected, and returning to the second step if a power saving operation mode is not selected; a fourth step(S6) of determining a compressor on/off duty if a power saving operation mode is selected; a fifth step(S7) driving the compressor in accordance with the compressor on/off duty determined in the fourth step; a sixth step(S8 to S10) of judging whether the compressor is turned on, and driving an indoor fan at a low air velocity if the compressor is turned on and driving the indoor fan at a preset air velocity if the compressor is turned off; and a seventh step(S11) of judging whether a predetermined time period has lapsed since the power saving operation, returning to the fourth step if the predetermined time period has lapsed, and returning to the fifth step if the predetermined time period has not lapsed.
Patent KR-100258448-B1 (KR)
Title: Method of manufacturing continuously from low purity tio2 to high purity tio2 & system therefor
Inventor: KIM MOO-KYUNG
IPC: C01G23/04
Filed: 1998-05-04
Granted: 2000-06-01
Abstract: PURPOSE: A method for continuously manufacturing high purity TiO2 from low purity TiO2 and a system therefor are provided, which mass-produce and reproduce the high purity granulated TiO2. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: (i) reacting low purity TiO2 being mixed with petroleum cokes with chlorine gas in a reactor at a temperature of 900-950deg.C to produce TiCl4; (ii) passing the resultant of the step (i) through an area keeping a temperature at about 200deg.C to eliminate gaseous impurities from the resultant; and (iii) letting the impurities eliminated resultant of the step (ii) flow in a reactor keeping a temperature at 950-1,000deg.C to react with oxygen gas and cooling the product. The continuous manufacturing system comprises: (i) a chlorination reactor(1); (ii) a furnace(2) which keeps the temperature of the chlorination reactor; (iii) a controller(3) which controls the temperature of the furnace; (iv) a collecting lapis lazuli(4) which collects chlorinated impurities by heating; (v) a heater which is to increase the temperature; (vi) a controller(6) which controls the temperature of the heater; (vii) an oxidizing reacting device(7) which is to react gaseous TiCl4 with oxygen; (viii) a scrubber(9) which is to purify discharge gas; and (ix) a water tank(10) which contains an aqueous solution of NaOH to purify the gas.
Patent KR-100276129-B1 (KR)
Title: Method for processing surface of lens for ccd camera
Inventor: JANG YO SEP
Filed: 1998-05-15
Granted: 2001-02-01
Abstract: PURPOSE: A method for processing a surface of a lens for CCD(Charge Coupled Device) camera is provided to improve productivity by installing a lens in a jig plate performing a packaging process. CONSTITUTION: A couple of jig plate(10,10a) is separated each other. A lens(1) is inserted into holes(11) of the jig plates(10,10a). The jig plates(10,10a) are combined with each other. The jig plates(10,10a) are loaded on each loading hole of a support plate by a combination projection(12) is inserted into the loading holes of the support plate after the lens(1) is inserted into the holes(11) of the jig plates(10,10a). The support plate is loaded in a coating processing apparatus after the jig plates(10,10a) are loaded on each loading hole of the support plate. A coating process for the lens(1) is performed. The jig plates(10,10a) are separated from the support plates after the coating process is finished.
Patent KR-100283315-B1 (KR)
Title: 배선 패턴 필름 및 그 제조 방법
Filed: 1998-06-18
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금 리드에 절결부를 소정 위치에 용이하게 형성할 수 있고, 또한 금제의 리드의 소정 장소를 용이하게 연신할 수 있는 배선 패턴 부착 필름을 제공한다. 
     반도체 소자의 전극 단자의 형성면에 접착되는 수지 필름의 접착면측에 형성된 배선 패턴으로부터 연출(延出)됨과 동시에, 상기 수지 필름에 개구된 와인드부를 건너지른 금제의 리드(18)가 상기 와인드부에 면하는 소정 장소에서 잡아당겨져 구부러져서 리드 끝이 상기 전극 단자에 접합되는 배선 패턴 부착 필름에 있어서, 상기 금제의 리드(18)를 잘록하게 하기 쉽도록 상기 와인드부를 건너지른 금제의 리드(18)의 소정 장소에 절결부가 형성되고, 또한 적어도  절결부(42a)의 가장 좁은 부분이 그 와인드부에 면하는 이면에 대한 표면이 상방으로 돌출하는 볼록형 곡면으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100276421-B1 (KR)
Inventor: SHIROSAKI MASAMI
IPC: H01L27/108
Filed: 1998-06-23
Granted: 2000-12-15
Abstract: 통상태의 스토레이지노드를 구성하는 통상부의 표면적이 충분히 크고, 통상부의 물리적강도를 갖도록하는 것이 가능한 반도체장치를 얻는다. 
     이렇게하기위해 통상부의 외벽에만 열처리에 의해 실리콘입자를 형성해서 조면화하고, 내벽에는 조면(粗面)화 처리를 하지않고 아몰퍼스 실리콘막을 남겨둠으로써 통상부의 외벽에서 스토레이지노드의 표면적을 증대시키고, 내벽의 아몰퍼스 실리콘으로 통상부의 물리적강도를 유지하고, 통상부의 꺽임이나 넘어짐을 억제하는 반도체장치를 얻게된다.
Patent KR-100289477-B1 (KR)
Title: 광섬유 케이블용 커넥터 페룰 내의 정렬 시스템
IPC: G02B6/40
Filed: 1998-07-28
Granted: 2001-05-02
Abstract: 적어도 하나의 광섬유(32)를 포함하는 광섬유 케이블(20)용 커넥터 페룰(50) 내의 정렬 시스템이 기재되어 있다.  페룰 본체(52)는 케이블을 수용하며, 광섬유를 수용하기 위한 섬유 통로(54)를 포함한다.  페룰 본체를 적절한 보족 접속 장치(32)와 정렬시키기 위해 페룰 본체로부터 돌출된 정렬 핀(38)을 수용하기 위한 페룰 본체(52) 내의 핀 통로(60)는 섬유 통로(54)로부터 이격되어 있다.  정렬 부싱(100)은 정렬 핀을 직접 수용하도록 핀 통로(60) 내에 배치된다.  부싱(100)의 외부 치수는 부싱과 핀 통로 사이의 공간을 한정하기 위해 핀 통로(60)의 내부 치수보다 작다.  필러 접착제(98)가 정렬 부싱(100)의 외면과 핀 통로(60)의 내면 사이의 공간에 인가된다.  따라서, 부싱(100)은 통로의 외부로부터 핀 통로(60) 내에 정확히 정렬될 수 있고, 필러 접착제(98)는 통로의 내부에서 정확한 정렬로 부싱을 고정시킬 수 있다.
Patent KR-100276020-B1 (KR)
Title: 비선형 커패시터를 이용한 고압펄스발생 장치
IPC: H02M9/04
Filed: 1998-08-19
Granted: 2001-01-15
Abstract: 비선형 커패시터의 전압증폭효과를 이용하여 고압의 짧은 펄스폭을 가진 펄스를 발생시킬 수 있는 장치로서, 교류입력전원을 정류하기 위한 정류회로와, 상기 정류회로의 한쪽 출력단자에 연결된 반도체 스위치와, 상기 반도체 스위치의 출력과 상기 정류회로의 다른쪽 출력단자 사이에 연결된 제1의 코일과, 상기 반도체 스위치의 출력에 캐소드가 연결된 다이오드와, 상기 다이오드의 애노드와 상기 정류회로의 상기 다른쪽 출력단자 사이에 연결된 커패시터와, 상기 다이오드의 애노드에 한쪽 단자가 연결된 제2의 코일과, 상기 제2의 코일의 다른쪽 단자와 상기 정류회로의 상기 다른쪽 출력단자 사이에 연결된 비선형 커패시터를 구비하며, 상기 비선형 커패시터 양단에 부하가 병렬연결되도록 구성된다.
Patent KR-100593615-B1 (KR)
Title: 디스크 드라이브의 픽업구동력공급장치
IPC: G11B19/20
Filed: 1998-09-18
Granted: 2006-09-18
Abstract: 본 발명은 디스크 드라이브의 픽업구동력 공급장치에 관한 것으로, 픽업의 구동을 위한 구동력을 제공하는 구동모터(10)를 모터홀더(20) 내에 수납시킨 상태로, 상기 모터홀더(20)를 픽업베이스(50)에 장착하도록 구성된 것이다. 여기서, 상기 모터홀더(20)에 장착되는 엔코더기판(30)과 전원공급기판(40)은 서로 전기적으로 연결되도록 구성하고, 메인제어부와의 연결을 위해서는 단지 상기 엔코더기판(30)과 연결되는 하나의 플렉시블 케이블(35)만을 사용한다. 이와 같이 함에 의해서 픽업구동력 공급장치의 외관 구성이 단순해져 조립작업이 간단하게 되고 사용중에 단선이 잘 발생하지 않게 되는 이점이 있다.
Patent KR-100390669-B1 (KR)
Title: 다층막형성방법및도전층간의접속구조물형성방법
IPC: H01L21/318
Filed: 1998-09-22
Granted: 2003-08-19
Abstract: 본 발명은, 반도체 장치에서, 제 1 도전층 및 제 2 도전층을 접속하는 구조를 형성하는 방법에 있어서, 제 1 도전층 상에 절연층을 성막하는 단계와, 제 1 도전층의 표면이 부분적으로 노출되어 있는 절연층에 홀을 형성하는 단계와, 적어도 홀내에 노출되어 있는 제 1 도전층의 표면상에 티탄층을 형성하는 단계와, 상기 티탄층의 표면을 질화 처리하는 단계와, 상기 티탄층 표면의 질화 처리되지 않은 부분을 산화 처리하는 단계와, 상기 티탄층 상에 질화 티탄층을 형성하는 단계와, 상기 질화 티탄층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
Patent KR-100309740-B1 (KR)
Title: 두부제조용응고제및이응고제를이용한두부의제조방법
IPC: A23L11/00
Filed: 1998-09-22
Granted: 2001-12-17
Abstract: 본 발명은 종래의 방법과는 달리, 두유를 반드시 냉각을 할 필요는 없이 염화마그네슘을 주제로 한 응고제 및 이 응고제를 사용하여 풍미, 탄력, 수율등이 우수한 두부를 용이하게 제조하는 방법을 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 응고제는 속효성 응고제 10-90중량부, 지효성 응고제 0-10중량부, 유지 10-60중량부, 유화제 0-10중량부 및 물 0-30중량부를 상온 내지 섭씨100도의 온도에서 교반, 혼합하여 제조되며, 본 발명에 따른 응고제를 사용함으로써 두부 제조시 응고속도를 자유롭게 조절할 수 있게 된다.
Patent KR-100519279-B1 (KR)
Title: 버스시스템에서의 데이터 전송방법
IPC: H04L12/40
Filed: 1998-09-25
Granted: 2006-01-27
Abstract: 버스시스템에서의 데이터 전송방법은 커맨드 블럭(command block) ORB의 리저브드 필드(Reserved Field)를 재정의 하여 타겟(target)이 버스 리셋전에 수행하던 작업을 버스 리셋 이후에도 계속해서 수행할 수 있도록 하기 위한 것으로서, 커맨드 블럭 오알비(Command Block ORB) 중에 리점 비트(Resume Bit)를 세팅하는 단계와, 상기 리점 비트(Resume Bit)가 세팅되었으면 커맨드 블록 오알비(Command Block ORB)을 저장하는 단계와, 커맨드(Command)를 수행하여 커맨드(Command) 수행 상태를 저장하는 단계와, 버스 리셋이 발생하였을 경우 상기 저장된 커맨드 블록 오알비(Command Block ORB)내 리점 비트(Resume Bit)의 세팅 여부를 검색하는 단계와, 상기 검색결과 리점 비트(Resume Bit)가 세팅되었다면 상기 저장된 커맨드 블럭(Command Block)과 커맨드(Command) 수행 상태로부터 버스 리셋전의 커맨드(Command)를 계속하여 수행하는 단계로 이루어지는데 그 요지가 있다.
Patent KR-100275704-B1 (KR)
Inventor: KIM MIN-SU
IPC: B25J11/00
Filed: 1998-09-30
Granted: 2000-12-15
Abstract: 본 발명에 따른 로봇의 손의 위치 보정장치는, 프레임에 수직 방향으로 설치된 제1 링크와, 제1 링크와 결합되어 화물 착탈용 손의 수직 위치 및 수평 거리를 조정하는데 사용되는 제1 관절과, 제1 관절과 결합되어 한 수평 방향으로 설치된 제2 링크와, 제2 링크와 결합되어 손의 수평 방향을 조정하는데 사용되는 제2 관절과, 제2 관절과 결합되어 제2 링크와 같은 수평 방향으로 설치된 제3 링크와, 제3 링크와 결합되어 손을 구동하는데 사용되는 제3 관절이 구비된 로봇에 있어서, 손의 수직 위치 및 수평 거리를 보정하는 위치 보정장치이다.  이 위치 보정장치는 평행도 감지부 및 제어부를 포함한다.  평행도 감지부는 제2 링크에 대한 제3 링크의 평행도에 비례한 크기의 전기적 신호를 발생시킨다.  제어부는, 평행도 감지부로부터의 전기적 신호를 처리하여, 제1 관절의 제어 신호를 보상한다.
Patent KR-100283670-B1 (KR)
Title: 모니터의 틸트 및 스위블 장치
IPC: F16M11/12
Filed: 1998-11-21
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 모니터를 틸트 및 스위블시키는 장치에 관한 것으로, 특히 모니터 (10)의 바닥면에 분리가능하게 결합되는 틸트부재(20)가 바닥면에 볼록형 구면(22)을 구비하여, 스위블부재(30)의 윗면에 구비된 오목형 구면(22)위에 얹혀져 지지되고, 상기 틸트부재(20)의 볼록형 구면(22)에는 수직방향 아래쪽으로 다수개의 가이드블록(23)과 원호형 래크기어부재(24)가 연장되어, 상기 가이드블록(23)들은 스위블부재(30)의 홈(31)에 수용되어 틸트부재(20)가 스위블부재(30)에 대하여 틸트운동을 하도록 안내한다. 
     상기 스위블부재(30) 내부에는 솔레노이드장치(57)에 의해 전후진하는 모터(51)가 설치되고, 이 모터(51)의 축(52) 선단에는, 베이스부재(40)에서 수직상방향으로 연장된 회전축(42)상에 고정설치된 고정기어부재(56)와 맞물리는 스위블기어부재(53)가 구비되고, 상기 모터축(52)에는 틸트기어부재(54)가 스플라인결합하게 끼워져 상기 틸트부재(20)의 랙크기어부재(24)와 맞물린다. 리모터 콘트롤 송신기의 틸트버턴이나 스위블버턴을 누르게 되면 이 신호에 따라 전원이 모터(51)에 직접 인가되거나, 솔레노이드장치(57)와 모터(51)에 순차적으로 공급되어 모니터(10)를 스위블 또는 틸팅시킨다.
Patent KR-100290798-B1 (KR)
Title: 용수도관제조장치
IPC: B29C47/00
Filed: 1998-12-05
Granted: 2001-11-26
Abstract: 본 발명은 드립 공급시 드립을 직접 운반하는 크랭크 방식을 사용하여 많은 구성요소와 고 정밀도를 필요치 않게 함으로서 장치를 저가로 공급할 수 있음은 물론, 튜브의 내경으로 드립을 공급함에 있어서 드립을 하나씩 이동시켜 튜브의 정확한 위치에 융착되도록 하여 용수도관의 불량률을 최소화 하고, 드립의 공급속도를 용이하게 가변시킬 수 있도록 하여 다종의 직경을 갖는 용수도관에 호환 사용이 가능한 용수도관 제조장치에 관한 것으로, 그 구성을 설명하면 다음과 같다. 
     하부에 케스터가 장착되며, 상부에는 통상의 선별장치를 통하여 드립이 경사지게 하강되는 드립 공급가이드가 설치되고, 그 하측에는 크랭크 구동부와 튜브의 내경으로 드립을 하나씩 밀어주며 전후로 이동되는 드립 이동부로 이루어진 드립 공급부가 장착되며, 전방 상측에는 케리어가 설치되어 있는 드립공급 본체와; 수지공급부와 성형기로 이루어진 수지 성형부와; 상기 수지 성형부로 부터 성형되어 배출되는 튜브의 형상을 안내시키는 사이징부와; 상기 드립공급부와 사이싱부에서 배출되는 튜브와 드립을 서로 압착하는 압착장치가 장착되어 있는 진공 물탱크 및 물탱크가 구비되어 있으며 하측에는 이동가능한 케스터가 구비되어 있는 냉각부와; 상기 사이징부를 통과한 튜브의 끝단을 일정한 속도로 잡아 당기는 인취부로 이루어짐을 특징으로 하는 것이다.
Patent KR-100288016-B1 (KR)
Title: 멸치가루와 생호박이 함유된 어묵의 제조방법
IPC: A23L17/00
Filed: 1998-12-07
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 종래의 어묵은 근해에서 잡히는 칼치.조기의 연육만을 취출하여 만들었으므로 그 맛이 구수하고 칼슘.칼륨 등 영양소가 풍부하여 부식이나 성장기 학생들의 도시락 반찬 등으로 많이 취식되었던 바, 지금은 근해의 어족자원이 고갈됨에 따라 어획이 저조하여 그나마 잡히는 어류는 양식하는 축양장으로 많이 소비되는 관계로 칼치.조기의 가격이 상승되므로 인해 부담이 가중되어 명태나 물매기 등으로 대신 사용하므로써 맛과 영양소가 현저히 떨어지므로 고유의 어묵맛이 우러나지 않을뿐만 아니라 근래에는 수입 수산물의 연육을 사용하게 되어 외화를 많이 낭비하게 되는 등의 폐단을 해결하기 위해 농촌에서 농약의 살포가 없이 양산되면서 당질 섬유질이 대량 함유된 건강식품인 호박과 칼슘 성분이 풍부한 멸치를 미분쇄하여 어묵을 제조시에 사용하므로써 전통적인 고유의 어묵맛을 살리고 유익한 영양소를 크게 보충하면서 제조원가를 절감할 수 있도록 그 제조방법을 발명한 것임.
Patent KR-100280531-B1 (KR)
Title: 씨모스 트랜지스터 제조방법
IPC: H01L21/336
Filed: 1998-12-17
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 씨모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 씨모스 트랜지스터 제조방법은 동일한 게이트 패턴에 선택적인 불순물 이온주입을 통해 엔모스 트랜지스터의 게이트와 피모스 트랜지스터의 게이트를 형성하여, 서로다른 도전형의 게이트가 인접하게 되어 전계에 의한 반대의 도전형 불순물이 게이트로 이동하여 게이트 특성이 열화되며, 이에 따라 씨모스 트랜지스터의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 필드산화막에 의해 분리되는 서로 반대도전형의 웰을 형성하는 웰형성단계와; 상기 반대도전형의 웰상에 하나의 게이트를 형성하는 게이트 형성단계와; 상기 각 웰의 상부에 형성된 게이트가 그 웰과는 반대도전형이 되도록 불순물을 주입하는 씨모스 게이트 형성단계를 포함하는 씨모스 트랜지스터 제조방법에 있어서, 상기 필드산화막의 상부중앙에 상기 씨모스 게이트 형성단계에서 형성할 반대도전형의 게이트의 접합면이 단차를 갖도록 형성하는 분리구조형성단계를 더 포함하여 질화막 패턴을 필드산화막의 상부에 형성하여, 동일 도전형의 게이트를 다수로 형성할 때, 식각해야 할 위치를 표시하여 식각공정이 용이한 효과와 아울러 씨모스 트랜지스터의 서로다른 두 도전형의 게이트가 맞닿는 부분에 단차를 형성시켜, 전계의 발생을 방지하여 불순물의 이동을 방지함으로써, 씨모스 트랜지스터의 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Patent KR-100280183-B1 (KR)
Title: 음향 광학 변조를 이용하는 광 디스크 장치
IPC: G11B7/00
Filed: 1998-12-22
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 광 디스크 장치에 있어서; 레이저 다이오드 드라이버 IC(Integrated Circuit)는 광 디스크 장치의 레이저 다이오드에서 소정 크기의 레이저 빔이 지속적으로 발생되도록 다단의 전류를 인가하고; 레이저 다이오드는 레이저 다이오드 드라이버 IC의 제어에 의해 레이저 빔을 지속적으로 발생시키며; 레이저 빔 변화 수단은 레이저 다이오드에서 발생된 레이저 빔의 회절 각도와 레이저 빔의 광량을 변화시키고, 레이저 빔을 고속으로 스위칭시키고; 제어 수단은 레이저 빔이 레이저 다이오드에서 지속적으로 발생되도록 레이저 다이오드 드라이버 IC를 제어하고, 레이저 빔 변화 수단에서 레이저 빔이 고속으로 스위칭되도록 제어하도록 하는 특징이 있다. 따라서, 본 발명은 레이저 다이오드 드라이버 IC는 항상 레이저 빔을 조사하고, 음향 광학 변조기(Acousto-Optic Modulator)에서 전압으로 레이저 빔을 고속으로 스위칭할 수 있어 고가의 레이저 다이오드 드라이버 IC를 저가의 레이저 다이오드 드라이버 IC로 대체하여 저가의 광픽업장치를 제공할 수 있다
Patent KR-100542690-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법
IPC: H01L21/205
Filed: 1998-12-30
Granted: 2006-03-28
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 산화막 형성 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 챔버 내에 로딩하고 산화막이 형성될 하부층이 실리콘 기판인 경우, 질소 가스를 포함하는 불활성 기체를 이용하여 플라즈마 전처리 공정을 실시하는 단계와, 산소 플라즈마 처리를 실시하는 단계를 통하여 산화막을 형성하므로써, 소수의 웨이퍼 또는 대구경 웨이퍼의 표면처리 및 얇은 산화막을 용이하게 형성할 수 있고, 웨이퍼 가공에 대한 단가를 줄이고 스루우풋(throughput)을 높일 수 있으며, 산화막의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 산화막 형성 방법이 개시된다.
Patent KR-100316396-B1 (KR)
Title: 피씨보드이동장치
IPC: A47B97/04
Filed: 1998-12-30
Granted: 2002-02-28
Abstract: 본 발명은 피씨 보드 이동장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 회의실이나 강의실 등의 중앙 전방에 설치되는 피씨 보드를 필요에 따라 좌우측로 이동시키되 도어 개폐 장치와 연계시켜 이동시키는 피씨 보드 이동장치에 관한 것으로, 길이 반대 방향 양측으로 레일(16)이 설치되고 상기 양측 레일(16) 내부로는 가이드(20)가 설치되며, 기어 모터(10)에 축삽되는 메인 드럼(12)에 권취된 와이어(14)가 아이들 롤러(37)와 상기 가이드(20)를 통해 타단의 보조 드럼(26)에 연결되되; 피씨 보드가 상부에서 장착 고정되는 이동체(38)의 하면에는 상기 레일(16)에 접촉되어 회전하는 회전 롤러(18)가 고정·설치되고, 와이어(14)에 고정되어 가이드(20) 사이를 길이 방향으로 이동하는 가이드 롤러(22)가 슬라이딩 바(28) 사이를 길이 반대 방향으로 이동하는 슬라이딩 부재(30)에 고정·설치됨을 특징으로 하는 피씨 보드 이동장치를 제공하여, 멀티미디어를 이용한 회의나 강의 시스템에 적용할 수 있고 정적인 회의실이나 강의실에 동적인 움직임을 주어 회의나 강의시에 편리함을 제공하면서 좁은 공간을 넓게 활용할 수 있으며 회의나 교육에 흥미를 유발시켜 회의나 학습 효율을 높일 수 있는 피씨 보드 이동장치에 관한 것이다.
Patent KR-100261855-B1 (KR)
Inventor: LOERCKS JUERGEN
IPC: B29C48/345
Filed: 1996-09-27
Granted: 2000-08-01
Abstract: 시가 또는 파이프의 담배연기 필터요소로 사용하기 위해 재생가능한 원료로부터 제조한 생분해성 필터 토우 또는 필터재료가 제공되는데, 열가소성 전분이나 이의 폴리머 조성물에 기초한 바이오폴리머로부터 압출에 의해 제조된 섬유, 필름 또는 발포물은 본 발명에 따라서 필터토우 또는 필터재료로 가공된다. 
     본 발명의 장점은 재생가능한 원료 사용, 천연 생분해성 필터재료의 완전한 생분해성, 오염감소 냄새증진 여과효과 및 생태적으로 호의적인 제조방법에 있다.
Patent KR-100393663-B1 (KR)
Title: 흡습속도값이높은산화칼슘,산화스트론튬및산화바륨,및이들의제조방법
IPC: C01F11/04
Filed: 1996-11-26
Granted: 2003-09-19
Abstract: 본 발명은 400 내지 900℃ 사이의 온도에서, 1 내지 15 시간 동안, 진공 또는 불활성 기체의 대기하에 하기 반응식에 따라 상응하는 수산화물의 처리를 포함하여, 산화칼슘, 산화스트론튬 또는 산화바륨을 제조하는 방법에 관한 것이다: 
     Ca(OH) 2 ->  CaO + H 2 O(Ⅰ) 
     Sr(OH) 2 ->  SrO + H 2 O(Ⅱ) 
     Ba(OH) 2 ->  BaO + H 2 O(Ⅲ) 
     바람직하게는, 상기 반응이 표면의 적어도 일부가 기체 흐름에 대해 투과성인 캡슐내에서 발생하도록 유도된다.
Patent KR-100418142-B1 (KR)
Title: 계측장치용 기계식 카운터
IPC: A61M15/00
Filed: 1996-12-19
Granted: 2004-06-04
Abstract: 예를 들어 약제를 계측하는 계측 장치는 계측 부분의 개수가 디스플레이되는 장치를 필요로 한다.  그러나 공지의 디스플레이 장치는 서로에 대하여 회전할 수 있는 2개의 하우징부를 갖는 계측 장치에 부적합하다. 그러한 종류의 계측 장치용 기계식 카운터는 회전식 체결 장치를 갖는 적어도 하나의 스핀들을 포함하며, 그것의 축은 계측 장치의 축과 평행한 관계로 연장하며 장치의 주위 표면 영역에 장치된다.  스핀들은 계측 장치가 작동될 때 전달 어셈블리를 통하여 자동적으로 구동된다.  미리 배출된 계측 부분의 개수와 허용된 계측 장치의 총개수는 기계식 카운터에 의하여 거의 계속적으로 디스플레이된다.  트랜스미션 어셈블리의 전달율은 넘은 범위를 커버할 수 있도록 설계될 수 있다.  디스플레이를 위해서 스핀들 상에 커서가 리셋될 수 있다.  복수의 공급 용기를 위하여 사용될 수 있는 계측 장치의 사용 허용 기간은 확실하게 볼 수 있다.