Patent DE-102010030339-B4 (DE)
Title: Bearbeitungsverfahren für Halbleiterwafer
Inventor: STRZALKA GERALD
IPC: H01L21/78
Filed: 2010-06-22
Granted: 2019-08-22
Abstract: Bearbeitungsverfahren für einen Halbleiterwafer, der mehrere Halbleiterschaltungen aufweist, die durch mehrere an der Vorderseite des Wafers ausgebildete, sich kreuzende Trennlinien abgetrennt sind, wobei jede Halbleiterschaltung mehrere eingebettete Elektroden aufweist, die in dem Wafer in der Tiefe, die größer als oder gleich groß wie eine Dicke eines fertigen Bauelements ist, so ausgebildet sind, dass sie sich von jeder Halbleiterschaltung in Richtung auf die Rückseite des Wafers erstrecken, die Dickenabweichung innerhalb des Wafers innerhalb eines vorgegebenen zulässigen Bereichs liegt und das Bearbeitungsverfahren umfasst:einen Trennkerben-Ausbildungsschritt zum Ausbilden einer Trennkerbe mit einer Tiefe, die größer als oder gleich groß wie die Dicke des fertigen Bauelements ist, entlang jeder Trennlinie an der Vorderseite des Wafers;einen Waferschichtverbund-Herstellschritt zum Verbinden der Vorderseite eines scheibenförmigen Halteelements durch eine lösbare Haftschicht mit der Vorderseite des Wafers, um dadurch einen Waferschichtverbund herzustellen, nach dem Durchführen des Trennkerben-Ausbildungsschritts;einen Modifikationsschichts-Ausbildungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls mit einer Transmissionswellenlänge auf das Halteelement von der Rückseite des Halteelements aus entlang jeder Trennlinie, um dadurch eine modifizierte Schicht in dem Halteelement entlang jeder Trennlinie auszubilden, nach dem Durchführen des Waferschichtverbund-Herstellschritts;einen ersten Waferschichtverbund-Halteschritt zum Halten des Waferschichtverbunds unter Ansaugen an einem Einspanntisch einer Schleifvorrichtung in dem Zustand, in dem die Rückseite des Wafers des Waferschichtverbunds mit der oberen Oberfläche des Einspanntischs in Kontakt kommt, nach dem Durchführen des Modifikationsschichts-Ausbildungsschritts;einen Halteelement-Schleifschritt zum Schleifen der Rückseite des Halteelements des an dem Einspanntisch gehaltenen Waferschichtverbunds, um dadurch die Dickenabweichung des Waferschichtverbunds aufzufangen, nach dem Durchführen des ersten Waferschichtverbund-Halteschritts;einen zweiten Waferschichtverbund-Halteschritt zum Halten des Waferschichtverbunds unter Ansaugen an dem Einspanntisch in dem Zustand, in dem die Rückseite des Halteelements des Waferschichtverbunds mit der oberen Oberfläche des Einspanntischs der Schleifvorrichtung in Kontakt kommt, nach dem Durchführen des Halteelement-Schleifschritts;einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite des Wafers des an dem Einspanntisch gehaltenen Waferschichtverbunds, um die Dicke des Wafers auf die Dicke des fertigen Bauelements zu verringern, wodurch der Wafer in einzelne Halbleiterbauelemente geteilt wird, nach dem Durchführen des zweiten Waferschichtverbund-Halteschritts;einen Ätzschritt zum Ätzen der Rückseite des Wafers des Waferschichtverbunds in dem Zustand, in dem die Rückseite des Halteelements des Waferschichtverbunds mit der oberen Oberfläche eines Einspanntischs einer Ätzvorrichtung in Kontakt kommt, wodurch die eingebetteten Elektroden von der Rückseite jedes Halbleiterbauelements hervorstehen, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts; undeinen Halteelement-Brechschritt zum Ausüben einer äußeren Kraft auf den Waferschichtverbund, um dadurch das Haltelement des Waferschichtverbunds entlang der in dem Halteelement ausgebildeten modifizierten Schicht zu brechen, nach dem Durchführen des Ätzschritts.