Patent WO-2015078655-A1 (WO)
Title: Transistor bipolaire à grille isolée
Inventor: CORVASCE CHIARA
IPC: H01L29/739
Filed: 2014-10-30
Abstract: La présente invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée (1) comportant des couches entre une électrode émettrice (10) d'un côté émetteur (12) et une électrode collectrice (14) d'un côté collecteur (16) opposé au côté émetteur (12), comprenant : - une couche de migration faiblement dopée (2) d'un premier type de conductivité, - une couche collectrice dopée p (5) d'un second type de conductivité, - une couche de base (3) du second type de conductivité, - une région de source (4) du premier type de conductivité, - une première unité de grille (6), qui comprend au moins deux premières électrodes de grille de tranchée (61) et au moins deux électrodes de grille planes (62), chaque première électrode de grille de tranchée (61) comportant une première couche électriquement conductrice (610) et une première couche isolante (612), chaque électrode de grille plane (62) comportant une deuxième couche électriquement conductrice (620) et une deuxième couche isolante (622), - une seconde unité de grille (7), qui comprend au moins une deuxième électrode de grille de tranchée (71), ladite deuxième électrode de grille de tranchée (71) comprenant une troisième couche électriquement conductrice (710) et une troisième couche isolante (712), ladite troisième couche électriquement conductrice (71) étant connectée électriquement à l'électrode émettrice (10), chaque deuxième couche électriquement conductrice (620) étant en contact avec une première couche électriquement conductrice (610) de sorte que les première et deuxième couches électriquement conductrices (610, 620) forment une première forme fermée sur elle-même, par laquelle première forme la première unité de grille (6) enferme la seconde unité de grille (7), - au moins deux troisièmes électrodes de grille de tranchée (8), dont chacune comporte une quatrième couche électriquement conductrice (80) et une quatrième couche isolante (82), - chacune desdites troisièmes électrodes de grille de tranchée (8) étant disposée entre l'une desdites deux électrodes de grille planes (62) et la seconde unité de grille (7) de sorte qu'au moins deux première et troisième électrodes de grille de tranchée (61, 8) soient connectées électriquement et forment une seconde forme fermée sur elle-même, laquelle seconde forme enferme la seconde unité de grille (7), - au moins deux barres (35) du second type de conductivité, dont chacune est disposée au-dessous de l'électrode de grille plane (62) de sorte que chaque barre (35) sépare une électrode de grille plane (62) d'une autre couche quelconque du premier ou second type de conductivité au moins sur un côté opposé à une troisième électrode de grille de tranchée (8), ladite barre (35) s'étendant vers l'électrode émettrice (10) et la contactant électriquement, lesdites deux barres (35) ayant une concentration de dopage maximale plus élevée et/ou une profondeur plus grande à partir du côté émetteur (12) que la couche de base (3), chaque troisième électrode de grille de tranchée (8) séparant une barre (35) et une électrode de grille plane (62) de la seconde unité de grille (7), la couche de base (3) séparant la seconde unité de grille (7) de la seconde forme enveloppante dans un plan parallèle au côté émetteur (12).