Patent DE-102012111587-B4 (DE)
Title: Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
Inventor: LEE BYUNG-HYUN
IPC: H01L27/12
Filed: 2012-11-29
Granted: 2020-07-02
Abstract: Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung, aufweisend:ein erstes Substrat (101) und ein zweites Substrat (141), die aneinander befestigt sind mit einem räumlichen Abstand dazwischen;eine Mehrzahl von Gateleitungen (105A, 105B), die auf dem ersten Substrat (101) parallel zueinander in einer Richtung ausgerichtet sind;eine Gateelektrode (105a), die sich von einer der Gateleitungen (105A) aus erstreckt;eine Gateisolierungsschicht (111), die auf einer Oberfläche des Substrats (101), das die Gateelektrode (105a) aufweist, ausgebildet ist;eine Datenleitung (117a) und eine gemeinsame Leitung (117b), die auf der Gateisolierungsschicht (111) ausgebildet sind, so dass ein Pixelbereich an einem Kreuzungspunkt mit der einen Gateleitung (105A) definiert ist;eine Pixelelektrode (103a), die in dem Pixelbereich angeordnet ist, der an dem Kreuzungspunkt zwischen der einen Gateleitung (105A) und der Datenleitung (117a) und der gemeinsamen Leitung (117b) definiert ist;einen Transistor (T), der an dem Schnittpunkt zwischen der einen Gateleitung (105A) und der Datenleitung (117a) angeordnet ist, wobei der Transistor (T) aufweist: eine aktive Schicht (113a), die auf der Gateelektrode (105a) und der Gateisolierungsschicht (111) angeordnet ist, eine Sourceelektrode (117e) und eine Drainelektrode (117f), die von der Sourceelektrode (117e) beabstandet ist und aufweist: einen ersten geraden Teilbereich (117f-1), der sich entlang einer ersten Erstreckungsrichtung erstreckt, und einen über einen gebogenen Bereich mit dem ersten geraden Teilbereich (117f-1) verbundenen zweiten geraden Teilbereich (117f-2), der sich entlang einer zweiten Erstreckungsrichtung erstreckt, die von der ersten Erstreckungsrichtung in einer zu der ersten Erstreckungsrichtung orthogonalen Versatzrichtung versetzt ist;eine hervorstehende Struktur (117c), die über der einen Gateleitung (105A) ausgebildet ist, und die derart relativ zu dem zweiten geraden Teilbereich (117f-2) der Drainelektrode (117f) angeordnet ist, dass die hervorstehende Struktur (117c) den zweiten geraden Teilbereich (117f-2) bei Betrachtung entlang der Versatzrichtung überlappt, wobei ein Abstand zwischen der hervorstehenden Struktur (117c) und dem zweiten geraden Teilbereich (117f-2) größer ist als ein Abstand zwischen der hervorstehenden Struktur (117c) und dem ersten geraden Teilbereich (117f-1);eine Passivierungsschicht (123), die auf einer Oberfläche des ersten Substrats (101), das die hervorstehende Struktur (117c) aufweist, ausgebildet ist und ein Kontaktloch (127a) aufweist, das die Pixelelektrode (103a) freilegt;eine Mehrzahl von abzweigenden Elektroden für gemeinsames Potenzial (129a), die auf der Passivierungsschicht (123) so ausgebildet sind, dass sie mit der gemeinsamen Leitung (117b) verbunden sind und die Pixelelektrode (103a) überlappen;eine Pixelelektrodenverbindungsstruktur (129b), die auf der Passivierungsschicht (123) so ausgebildet ist, dass sie die Pixelelektrode (103a) mit der Drainelektrode (117f) über das Kontaktloch (127a) verbindet;eine schwarze Matrix (143), die auf dem zweiten Substrat (141) ausgebildet ist und eine Mehrzahl von Streifen aufweist;eine Farbfilterschicht (145), die zwischen den Streifen der schwarzen Matrix (143) angeordnet ist;einen Säulenabstandshalter (147), der auf dem zweiten Substrat (141) korrespondierend zu der hervorstehenden Struktur (117c) ausgebildet ist, so dass er mit der hervorstehenden Struktur (117c) kontaktierbar ist; undeine Flüssigkristallschicht (151), die zwischen dem ersten Substrat (101) und dem zweiten Substrat (141) angeordnet ist.