baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100492997-B1 (KR)
Title: 하드 디스크 자기 헤드의 위글 제거 방법 및 그 장치
Inventor: LEE JAE SEONG
IPC: G11B21/03
Filed: 1998-03-04
Granted: 2005-08-01
Abstract: 하드 디스크 자기 헤드의 위글 제거 방법 및 장치를 개시한다.  
     본 하드 디스크 자기 헤드의 위글 제거 방법은, 디스크를 액세스하는 자기 헤드에 위글이 발생된 것을 검출하는 단계와; 상기 자기 헤드가 액세스되고 있는 디스크의 트랙상의 일정 위치에 형성된 패드 영역으로 이동되는 단계와; 상기 자기 헤드에 위글 제거용 신호를 인가하는 단계를 구비한다. 
     또한, 기준 시간(T)을 설정해두는 버퍼와; 자기 헤드에 위글이 발생했음을 탐지한 때로부터 시간을 카운트하는 카운터와; 상기 카운터에 의해 카운트된 시간이 상기 기준 시간(T)과 같을 때 위글 제거용 신호가 발생되는 위글 제거 신호 발생기를 구비하여, 상기 자기 헤드가 디스크의 트랙상의 서보 영역으로부터 일정 위치에 형성된 패드 영역에 있을 때 상기 자기 헤드에 위글 제거 신호가 인가되는 하드 디스크 자기 헤드의 위글 제거 장치가 제공된다. 
     따라서 원격 기록을 위하여 자기 헤드가 디스크의 반경방향을 왕복할 필요가 없으므로 원격 기록이 신속하게 수행된다.
Patent KR-100278607-B1 (KR)
Title: 웨이퍼카세트반송시스템및웨이퍼카세트반송방법
IPC: H01L21/677
Filed: 1998-03-13
Granted: 2001-02-01
Abstract: 웨이퍼카세트 반송시스템의 자동반송대차 시스템에 적어도 2 이상의 로봇 암을 설치하고, 복수개의 로봇 암들이 개별적으로 자동반송대차 시스템의 콘트롤러에 의하여 내려진 명령을 수행하도록 함으로서, 자동반송대차 시스템으로부터 공정설비로 웨이퍼카세트가 언로딩 되거나, 공정설비로부터 웨이퍼카세트를 자동반송대차 시스템으로 로딩하는 속도 향상 및 로딩/언로딩 시간을 단축시킴으로써 생산성을 향상시키는 웨이퍼카세트 반송시스템 및 웨이퍼카세트 반송 방법이 개시되고 있다.
Patent KR-100515671-B1 (KR)
Inventor: BYUN JEONG GEUN
IPC: G06F3/00
Filed: 1998-04-06
Granted: 2005-11-25
Abstract: 본 발명은 데이터의 언어전환 방법을 개선한 키보드 입력방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 키보드 입력방법은, 언어전환키가 눌릴 경우, 언어전환을 수행하는 제1 단계와, 언어전환키가 눌린상태에서 특정조건 발생여부를 판단하는 제2 단계와, 언어전환키가 눌린상태에서 특정조건이 발생할 경우, 언어전환키가 떼어질 때 상기 제1 단계 이전의 언어로 재전환 하는 제3 단계와, 언어전환키가 눌린상태에서 특정조건이 발생하지 않을 경우, 상기 제1 단계에서 전환된 언어 상태를 유지하는 제4 단계를 포함한다.
Patent KR-100267889-B1 (KR)
Title: Microbiological process for producing alpha-hanf
Inventor: OH MYUNG SUK
IPC: C12N15/70
Filed: 1998-04-27
Granted: 2000-11-01
Abstract: PURPOSE: A method for producing alpha human atrial natriuretic factor(alpha-hANF) using a microorganism is provided, thereby the alpha human atrial natriuretic factor can be produced in higher yield. CONSTITUTION: The method for producing alpha human atrial natriuretic factor(alpha-hANF) comprises the steps of: producing an expression vector containing a gene encoding the fusion protein of alpha human atrial natriuretic factor(alpha-hANF) and Gene-9 protein of bacteriophage T7; transforming E. coli with the expression vector; incubating the transformed E. coli; and separating and purifying the fusion protein produced from the transformed E. coli; and removing Gene-9 protein of bacteriophage T7 from the fusion protein, in which the fusion protein may be obtained from periplasm of the transformed E. coli without completely crushing the transformed E. coli.
Patent KR-100379924-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing semiconductor sensor
Inventor: BAEK SEUNG HO
IPC: H01L29/84
Filed: 1998-04-29
Granted: 2003-08-19
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor sensor is provided to be capable of reducing the contact resistance between a wafer and a metal part for improving device characteristics. CONSTITUTION: A piezoresistive part(20) is formed at a silicon wafer(13). A contact hole is formed on the resultant structure. The residues(31) of an oxide layer(30) are removed from the hole by applying the first predetermined RF(Radio Frequency) bias. A cleaning process is performed on the hole by applying the second predetermined RF bias. A metal layer(50) is deposited on the resultant structure. A patterning process is selectively performed on the metal layer for forming a plurality of metal patterns(51) used as an electrode of the piezoresistive part.
Patent KR-100290887-B1 (KR)
Inventor: KIM BYEONG ROK
IPC: H01L27/04
Filed: 1998-05-14
Granted: 2001-07-12
Abstract: PURPOSE: An anti-high voltage circuit is provided to prevent a high voltage applied to an internal circuit by forming a circuit for protecting the internal circuit from the high voltage. CONSTITUTION: A drain of the second PMOS transistor(Tr3) is connected with an output terminal of an anti-high voltage transistor(2). Vcc is applied to a gate of the second PMOS transistor(Tr3). A source of the second NMOS transistor(Tr4) is connected with a source of the second PMOS transistor(Tr3). A drain of the second NMOS transistor(Tr4) is connected with a ground. The Vcc is applied to a gate of the second NMOS transistor(Tr4). The first input terminal(A) of an NOR gate(11) is connected with the output terminal of the anti-high voltage transistor(2). The second input terminal(B) of the NOR gate(11) is connected with the source of the second NMOS transistor(Tr4). An inverter(12) is used for inverting an output of the NOR gate(11).
Patent KR-100271844-B1 (KR)
Inventor: MASHIKO GOICHIRO
IPC: H03K19/017
Filed: 1998-06-05
Granted: 2000-11-15
Abstract: 본 발명에 따르면, 종래에는 CMOS 회로의 논리 임계값이 전원 전위와 접지 전위의 중간값으로부터 어긋난다고 하는 문제가 있었다. 
     제 1, 제 2 PMOS 트랜지스터(1, 2)의 보디(body)를 각 트랜지스터의 게이트에 접속하고, 제 1, 제 2 NMOS 트랜지스터(3, 4)의 보디를 저측 기준 전위 배선(6)에 접속하는 것이다.
Patent KR-100298256-B1 (KR)
Title: Functional wallpaper containing mica powder and production method thereof
Inventor: JUNG YEON KWEON
IPC: D21H27/20
Filed: 1998-06-23
Granted: 2001-10-27
Abstract: PURPOSE: Functional wallpaper containing mica powder which is characterized by radiating far infrared ray, having sound insulating property, antibiosis and anti-fungus property, adsorbing and decomposing harmful substance, being good for the health and providing natural residing space because of yellow soil powder mixed on the wallpaper, and the production method thereof are provided. CONSTITUTION: The functional wallpaper containing mica powder is obtained by a process containing the steps of: dissolving pulp raw-material in water, and beating; mixing crushed mica powder; ripening a mixture at 5-20deg.C for 24hours to maintain equal distribution of each raw-material; beating the ripened mixture, and making primary paper with a paper maker to form lower paper; and then beating crushed mulberry, and making upper paper on the upper part of the lower paper secondly.
Patent KR-100278186-B1 (KR)
Title: 유압 펌프용 유동 제어 장치
IPC: F04C14/24
Filed: 1998-06-23
Granted: 2001-01-15
Abstract: 본 발명은 펌프와 연통하는 방출 통로와, 방출 통로를 통과하는 유체의 유동을 변화시키도록 작동하고 방출 통로 내에 배치된 가변 유동 제어 밸브와, 소정의 유체 유동을 허용하기 위해 방출 통로와 상호 협동하는 유동 제어 회로를 포함하는, 펌프용 가변 유동 제어 장치에 관한 것이다.  유동 제어 회로 내의 드레인 밸브는 가변 유동 제어 밸브의 상류와 하류 간의 압력 차이에 응답하여 작동가능하다.  가변 유동 제어 밸브는 펌프의 방출 측과 연통하는 스풀 보어와, 스풀 보어 내에 이동가능하게 배치된 스풀과, 방출 통로의 개방 면적을 증가시키기 위해 스풀을 바이어스시키는 스프링 유닛을 포함한다.  스프링 유닛은 직렬로 배열된 제1 스프링과 제2 스프링을 포함한다.
Patent KR-100505454-B1 (KR)
Title: 반도체 장치의 데이터 출력 회로 및 방법
IPC: G11C11/34
Filed: 1998-06-30
Granted: 2005-11-08
Abstract: 본 발명에 의한 반도체 장치의 데이터 출력 회로 및 방법은 반도체 제조 공정상의 편차에 기인하여 발생하는 감지 증폭기 특성 변화에 따른 문제, 예를 들어 오류 데이터의 출력 및 데이터 출력의 지연 등과 같은 문제를 해결할 수 있다. 반도체 장치의 데이터 출력 회로는 반도체 장치에 있어서, 데이터 라인 및 반전 데이터 라인; 상기 데이터 라인 및 상기 반전 데이터 라인에 결합되어 그들간의 전압 차를 감지 및 증폭하는 감지 증폭기; 소정 기준 전압을 발생하는 기준 전압 발생기; 상기 감지 증폭기의 출력과 상기 기준 전압을 비교하여 그 비교 결과에 근거하여 출력 인에이블 신호를 발생하는 비교처리부; 및 상기 출력 인에이블 신호에 의해 활성화되는 데이터 출력 버퍼를 포함하여 구성된다.
Patent KR-100359395-B1 (KR)
Title: 정전방전보호용회로및구분된버스아키텍쳐
IPC: H01L27/02
Filed: 1998-09-28
Granted: 2003-01-24
Abstract: 정전 방전(ESD) 회로(700)는 입/출력 구동기 회로(10)에 대해 견고한 보호를 제공한다.  방전 경로는 바이폴라 트랜지스터(202)에 의해 이루어진다.  상기 바이폴라 디바이스는 n형 MOSFET(702), 다이오드의 열(200), 바이어스 회로(704)의 조합으로 트리거된다.  상기 MOSFET의 트리거 포인트는 상기 다이오드의 열 내의 개별 다이오드의 수를 변화시켜 프로그래밍할 수 있다.  상기 n형 MOSFET의 비교적 높은 상호 콘덕턴스로 인해 작은 ESD 회로가 소정의 보호를 받을 수 있다.
Patent KR-100291547-B1 (KR)
Title: 액정패널의 결함수정방법
IPC: G02F1/13
Filed: 1998-09-28
Granted: 2001-06-01
Abstract: 본 발명은 액정패널에 발생한 결함화소를 수정하기 위한 액정패널의 결함수정방법에 관한 것으로서, 
     진공흡인헤드(15)내를 감압하고 액정패널(10)의 결함화소(14)에 대응하는 부분의 투명기판(17)을 흡인구멍(16)내를 향하여 돔상으로 돌출시킴으로써 액정패널(10)의 결함화소(14)에 대응하는 부분의 투명기판(17)간의 갭(G)을 그 주변부분보다도 크게 하고, 이 상태에서 레이저광을 돔상으로 변형된 영역내의 결함화소(14)의 부분에 조사하면 액정층(18)내에 기포(20)가 발생하는데, 이 기포(20)는 투명기판(17)간의 갭(G)이 그 주변부분보다도 큰 영역내에 있어서, 투명기판(17)에 평행한 단면에서 투명기판(17)간의 갭(G)이 가장 큰 부분을 중심으로 대략 원형상으로 퍼지며, 이와 같이 기포(20)의 크기 및 구성물(22)의 비산하는 범위가 제한되고 결함화소(14)의 수정을 정밀도 좋게 실시하는 것이 가능하게 되어 표시품위의 향상을 꾀할 수 있는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100378094-B1 (KR)
Title: 반도체패키지의제조방법및그장치
IPC: H01L21/68
Filed: 1998-11-02
Granted: 2003-06-02
Abstract: 본 발명은 반도체패키지의 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다. 
     종래에는 반도체패키지를 제조함에 있어서, 반도체칩(2)의 분리 보조수단으로써 첨예한 니들핀(5)(6)(6′)을 구비한 이젝션장치를 사용함으로써 반도체칩(2)의 크기에 따라 니들핀(5)(6)(6′)의 직경이나 끝단부의 모양처리 및 구조를 변경해야 하고, 또한 니들핀(5)(6)(6′)의 인출속도와 강도 등을 정확하게 조절하는데에 따른 곤란함이 있어 자칫 반도체칩(2)의 이면에 니들핀자국(흠집)이 남게 되고 심한 경우에는 반도체칩(2)에 크랙(Crack; 금이 감)이 발생되는 등 진공흡착구(4)를 통한 반도체칩(2)의 픽업방법에 상당한 문제점이 있음이 지적되어 왔었다. 
     이에, 본 발명에서는 기체분사수단(7)을 구비한 이젝션장치를 사용하여 웨이퍼접착테이프(3)에 접착되어 있는 반도체칩(2)에 직접적인 충격이 가해지지 않도록 하거나 또는 반도체칩(2)에 가해지는 힘이 반도체칩(2)에 충격을 주지 않는 범위내에서 작용하도록 하여, 반도체칩(2)과 웨이퍼접착테이프(3) 간의 접착력을 약화시키거나 부분분리가 진행되도록 함으로써 반도체칩(2)의 손상없이 웨이퍼접착테이프(3)로부터 반도체칩(2)의 안전한 흡착분리가 이루어질 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-100296880-B1 (KR)
Title: 그라운드 앵커의 정착체용 슬리브받침
IPC: E02D5/76
Filed: 1998-12-16
Granted: 2001-08-07
Abstract: 본 발명은 인장재의 제거신뢰도를 높일 수 있고 인장재 제거형 그라운드 앵커용 내부 정착체의 구조단순화에 기여할 수 있는 슬리브 받침을 제공하기 위한 것으로서, 인장재를 끼워 넣는 인장재관(6)의 하단에 인장재관(6)과 통하는 인장재공과 전선공(7) 및 수지유출공(8)을 천공한 원판(5)을 부착한 시트(1)로 하고, 상기 원판(5) 위로 전선공(10)과 수지유출공(11)을 천공한 절연판(4), 전선(9)이 인출된 전기발열체(2), 열가소성 수지체(3)의 순으로 적층한 것이다.
Patent KR-100563264-B1 (KR)
Title: 내구성이 향상된 탄성표면파 필터의 전극제조방법
IPC: H03H3/10
Filed: 1998-12-21
Granted: 2006-05-25
Abstract: 본 발명은 기판과의 밀착성을 향상시키고 내열성을 향상시킨 이동통신용 기기의 내구성이 향상된 탄성표면파(Surface Acoustic Wave:SAW) 필터의 전극 제조방법에 관한 것으로, 초음파 세척한 압전기판을 575-675℃로 유지하고 그 위에 저온화학기상증착(LPCVD)에 의해 다결정 실리콘을 증착시킨후, 기판 온도를 50-100℃로 유지하면서 다결정 실리콘 위에 Ti 박막 1000-1050Å을 형성한후, 800-900℃ 온도에서 15-60초간 급속열처리(RTP)를 실시하여 타이타늄 실리사이드층을 형성하고, 이어서 형성된 타이타늄 실리사이드층 위에 알루미늄층을 1000-2000Å 두께로 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 
     본 발명에 의해 제조된 전극을 구비한 탄성표면파 필터는, 전극의 기판과의 밀착성이 향상되고 내열성이 향상되어 장시간 사용할 때에도 전력 손실 및 노이즈 발생이 경감되는 등 품질의 열화를 방지할 수 있다.
Patent KR-100275152-B1 (KR)
Title: 범퍼 페시아 엔드 취부구조
IPC: B60R19/24
Filed: 1998-12-23
Granted: 2001-04-02
Abstract: 본 발명은 범퍼 페시아의 엔드부를 하향 경사지게 하여 사이드 아웃터 패널과 매칭되게 하되, 범퍼 페시아의 엔드부를 사이드 아웃터 패널과 마운팅할 때는 수직방향에서 이루어지도록 하여 조립성을 개선시킬 수 있도록 하는 범퍼 페시아 엔드 취부구조를 제공하는 것으로, 범퍼 페시아의 엔드부를 경사지게 하고, 이 엔드부와 매칭되는 사이드 아웃터 패널을 경사지게 하며, 상기 엔드부의 안쪽으로 형성되는 플랜지에 경사부를 통해 형성된 수평마운팅부에 구멍을 형성하고, 상기 플랜지의 보강을 위해 플랜지의 저면에는 사이드 브래킷을 형성하고, 이 사이드 브래킷을 상기 플랜지와 대응하여 경사부를 통해 형성된 수평마운팅부에 구멍을 형성하여 상기 사이드 아웃터 패널에 형성된 구멍을 통해 클립을 설치하고 스크루를 체결하여 범퍼 페시아의 엔드부를 사이드 아웃터 패널에 마운팅한 것으로, 상기 범퍼 페시아의 엔드부가 경사진 상태에서도 클립과 스크루가 수직방향에서 체결됨으로 조립성을 향상시키게 되고, 관련 부품에 데미지(damage)를 주지 않게 된다.
Patent KR-100367398-B1 (KR)
Title: 금속 게이트전극 형성방법
IPC: H01L21/28
Filed: 1998-12-30
Granted: 2003-02-20
Abstract: 본 발명은 금속 게이트전극 형성방법에 관한 것으로, 저저항의 고융점금속을 이용한 게이트전극 형성방법에 있어서, 게이트산화막과 도프된 다결정실리콘막을 형성하고, 상기 도프된 다결정실리콘막 상부에 RF 플라즈마를 이용하여 상온에서 전도성 확산방지막을 일정두께 형성하고 후속공정으로 그 상부에 고융점금속을 형성함으로써 반도체소자의 GOI 특성을 향상시키고 도프된 다결정실리콘막과 텅스텐막 간의 확산현상을 방지하여 저항 균일성을 증가시키고 그에 따른 반도체소자의 특성, 신뢰성 및 수율을 향상시키고 반도체소자의 고속화 및 고집적화를 가능하게 하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.
Patent KR-100320389-B1 (KR)
Title: 광케이블 분기장치
IPC: G02B6/44
Filed: 1998-12-31
Granted: 2005-09-30
Abstract: 본 발명은 인장실이 내장된 광케이블의 분기장치에 관한 것으로서, 그 목적은 각각의 단심광섬유로 분기된 광케이블을 내장된 인장실에 의해 분기장치에 견고하게 고정하므로써, 상기 광케이블상에 외력이 작용하더라도 상기 광케이블이 분기장치로부터 쉽게 빠지지 않도록 하는 것이다.  
     본 발명은 원통형 부재의 입구측 내주면에 나선홈이 형성된 인입부재 결합부와, 내주면 중앙부에 나선홈이 형성된 분기부재 결합부가 마련된 하우징과, 상기 하우징의 분기부재 결합부에 나선 결합되고, 면상에는 다수개의 정열구멍이 관통 형성된 분기부재와, 일측 면상에 형성된 일정 길이의 연결바아에 의해 상기 분기부재와 일체로 연결된 상태에서 상기 연결바아 반대방향에는 그 중심부에 외측으로 갈수록 그 직경이 줄어드는 테이퍼면을 이루면서 돌출된 클램프부가 마련되며, 중심선상에는 상기 광케이블이 인입되는 인입구가 형성되고, 상기 클램프부 둘레의 면상에는 상기 인입구와 나란한 방향의 인장실 관통공이 형성된 인입부재와, 중심선상에 상기 광케이블이 인입되는 입구가 마련되며, 내주면에는 상기 인입부재 클램프부의 경사와 동일한 가압부가 마련되어 상기 하우징의 인입부재 결합부에 나사 결합된 캡과, 상기 인입부재의 클램프부와 동일한 경사를 갖도록 상하 한 쌍으로 분리 형성되어 상기 인입부재의 클램프부와 캡의 가압부 사이에 위치된 상태에서 상기 캡을 조이게 되면, 상기 인입부재의 인장실 관통공을 통해 후방으로 접혀진 인장실을 클램프부에 밀착되도록하여 고정하는 가압편으로 이루어진 특징을 갖는다.  
     이상의 본 발명을 적용하게 되면, 상기 광케이블 분기장치는 인장실이 인입부재의 경사면과 가압편 사이에 개제되어 상기 캡을 조임에 따라 견고하게 고정되므로, 상기 광케이블상에 외력이 작용하게 되더라도 분기장치로부터 쉽게 분리되지 않는다.
Patent KR-100447719-B1 (KR)
Title: 구배중합체형태를지닌시드중합된라텍스중합체및이의제조방법
IPC: C08F2/22
Filed: 1996-09-26
Granted: 2005-04-06
Abstract: 본원에는 수 평균 입자 크기가 약 20 내지 약 60나노미터의 범위인 라텍스 시드 코어를 둘러싸고 있는 구배 중합체 형태를 지닌 시드 중합된 라텍스 중합체가 기술되어 있다.  또한, 본원에는 구배 중합체 형태를 지닌 시드 중합된 라텍스 중합체를 제조하는 방법이 기술되어 있다.
Patent KR-100309909-B1 (KR)
IPC: H01S5/0687
Filed: 1996-11-08
Granted: 2001-12-17
Abstract: A method of frequency stabilizing a semiconductor laser. The method includes the steps of detecting a heterodyne beat note by optically mixing a leakage field of an optical resonator and a frequency modulated output of the semiconductor laser and detecting a phase of the heterodyne beat note by mixing the heterodyne beat note in quadrature with a radio frequency reference signal. The method further includes the steps of filtering the detected phase of the heterodyne beat note, scaling the filtered detected phase of the heterodyne beat note, and modulating the semiconductor laser with the scaled detected phase of the heterodyne beat note and the radio frequency modulation reference signal.
Patent KR-100598724-B1 (KR)
Title: Isoxazolidine derivatives
IPC: A61P25/06
Filed: 1997-04-09
Granted: 2006-10-25
Abstract: PCT No. PCT/EP97/01830 Sec. 371 Date Oct. 6, 1998 Sec. 102(e) Date Oct. 6, 1998 PCT Filed Apr. 9, 1997 PCT Pub. No. WO97/39001 PCT Pub. Date Oct. 23, 1997This invention concerns the compounds of formula (I), the N-oxide forms, the pharmaceutically acceptable addition salts and the stereochemically isomeric forms thereof, wherein n is zero to 6; p is zero to 3; q is zero to 3; r is zero to 3; R1 and R2 each independently are hydrogen; optionally substituted C1-6alkyl; C1-6alkylcarbonyl; trihalomethylcarbonyl; or R1 and R2 taken together with the nitrogen atom to which they are attached may form a morpholinyl ring or an optionally substituted heterocycle; each R3 and R4 independently are halo, cyano, hydroxy, trihalomethyl, trihalomethoxy, carboxyl, nitro, amino, mono- or di(C1-6alkyl)amino, C1-6alkylcarbonylamino, aminosulfonyl, mono- or di(C1-6alkyl)-aminosulfonyl, C1-6alkyl, C1-6alkyloxy, C1-6alkylcarbonyl or C1-6alkyloxycarbonyl; each R5 independently is C1-6alkyl, cyano or trihalomethyl; X is CR6R7, NR8, O, S, S(=O) or S(=O)2; each independently represents a bivalent aromatic heterocycle wherein the heterocycle may be selected from the group consisting of pyrrole, pyrrazole, imidazole, triazole, furane, thiophene, isoxazole, oxazole, isothiazole, thiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine and triazine; or one of the two bivalent aromatic heterocycles in the compounds of formula (I) may be 1,2-benzenediyl; and aryl is optionally substituted phenyl; it further relates to compositions comprising thesae compounds, as well as their use as therapeutic agents in the treatment or the prevention of CNS disorders, cardiovascular disorders or gastrointestinal disorders.
Patent KR-100484270-B1 (KR)
Title: 연료증기방출을감소시키는열가소성연료탱크
IPC: C08L5/16
Filed: 1997-02-20
Granted: 2005-09-30
Abstract: 본 발명은 방습재가 시클로 덱스트린 성분을 가진 열가소성 연료탱크 혹은 용기를 구비할 수 있다. 연료용기 물질에서 호환가능한 시클로덱스트린 물질을 증가시키는 치환물질과 화학적으로 개량된 개량 시클로덱스트린이 사용될 수있다.개선된 연료 용기는 연료용기물질의 시클로덱스트린 물질과 연료증기 통기재와 상호작용으로부터 실질적인 방습성을 얻는다. 연료탱크벽내의 시클로덱스트린은 탱크를 형성하는 물질을 통과시키고 통기성 연료증기가 탱크를 통해 주위환경으로 통과하지 않게 하는 탱크 물질내에서 유지되는 연료증기를 화합물로 만들거나 또는 포획한다. 통기성 연료증기는 테트어리 부틸 에테르,에탄올,메탄올, 및 기탄 연소가능한 액체연료물질같은 알리파틱 및 아로메틱 하이드로카본을 포함한 주지의 다양한 물질을 구비할 수있다.
Patent KR-100407531-B1 (KR)
Title: 폴리에틸렌나프탈레이트공중합체로이루어진이축배향필름
IPC: G11B5/73
Filed: 1998-05-01
Granted: 2004-07-12
Abstract: (1) 전체 반복단위당 92∼99.5 몰％ 가 에틸렌 나프탈레이트 단위이며 또 하기 성분 
     (a) 플루오렌 골격을 분자중에 갖는 글리콜 
     (b) p-히드록시메틸벤조산 
     (c) p-히드록시에톡시벤조산 및 
     (d) p-히드록시에톡시에톡시벤조산 
     으로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 공중합 성분을 전체 디카르복실산 성분당 0.5∼8 몰％ 함유하는 폴리에틸렌 나프탈레이트 공중합체로 실질적으로 형성되며, 
     (2) 세로 방향 및 가로 방향에서의 영율이 모두 500 kg/㎟ 이상이며, 또 
     (3) 내층간박리성이 접힘선 백화율 10 ％ 이하인 
     것을 특징으로 하는 폴리에틸렌 나프탈레이트 공중합체로 이루어진 이축 배향 필름. 
     본 발명의 이축 배향 필름은 뛰어난 내층간박리성, 항커얼성, 기계적 강도, 양호한 색상 및 투명성을 갖고 있어 사진 필름용 베이스 필름으로서 우수한 가치를 갖고 있다.
Patent KR-100245919-B1 (KR)
Inventor: ITOH KI-YOO
IPC: G11C11/409
Filed: 1999-01-27
Granted: 2000-03-15
Abstract: 반도체장치에 관한 것으로서, 저전압에서도 고속으로 동작하는 초고집적도의 메모리의 입출력제어회로 방식을 제공하기 위해, 전압신호를 전압/전류변환수단에 의해 검출해서 전류변환하여 신호전송하고 전송된 전류신호를 전류/전압변환수단에 의해 전압신호로서 증폭하는 회로를 갖는 구성으로 하였다. 
     이와 같이 하는 것에 의해, 워드선용 구동 트랜지스터가 로우 게이트전압레벨에서 동작하므로 전원전압이 감소하더라도 워드 드라이버로서 안정하게 동작한다는 등의 효과가 얻어진다.
Patent KR-100556065-B1 (KR)
IPC: B29C45/14
Filed: 1999-03-02
Granted: 2006-03-03
Abstract: 삽입재료인 기능성시트의 기능을 크게 손상시키지 않고 렌즈를 간단하고도 양호하게 제조할 수 있도록 한다. 
     금형내에 기능성시트(3)를 설치하여, 기능성시트(3)의 외주부를 금형에 마련한 흡인구멍(23)에 의해 금형의 성형면에 흡인해 두고, 그 후 금형안에 렌즈본체(2)를 형성하기위한 용융플라스틱재를 공급하여, 렌즈본체(2)의 한 면에 상기 기능성시트(3)를 일체로 갖는 렌즈(1)를 삽입성형한다. 또한, 렌즈본체(2)의 한 면에 상기 기능성시트(3)를 일체로 갖는 렌즈(1)를 삽입성형하도록 한 렌즈의 제조장치에서, 금형에는, 금형의 성형면에 기능성시트(3)의 외주부를 흡인하는 흡인구멍(23)이 마련되어 있다.  
       
     렌즈, 기능성시트, 삽입성형, 흡인구멍, 성형면
Patent KR-100318540-B1 (KR)
Title: 액정표시장치및그제조방법
IPC: G02F1/136
Filed: 1999-03-08
Granted: 2001-12-22
Abstract: 기판 위에 게이트선, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 공통 신호선, 공통 전극을 포함하는 공통 배선과 다수의 게이트선을 연결하는 방전용 게이트선 연결부와 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부를 형성하고, 이들을 위에 게이트 절연막을 형성한다.  게이트 전극 위의 게이트 절연막 위에는 반도체층과 저항 접촉층을 형성하고, 이어 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 도전막을 포함하는 제1 금속층으로 소스 및 드레인 전극, 데이터선, 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과 화소 신호선, 화소 전극을 포함하는 화소 배선과 다수의 데이터선을 연결하는 방전용 게이트선 연결부와 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부를 형성하고, 이들을 덮는 보호막을 형성한다. 이어, 보호막 위에 제2 금속층으로 용장(redundancy) 데이터선, 용장 데이터 패드를 포함하는 용장 데이터 배선과 용장 게이트 패드를 형성한다.  용장 데이터 배선은 보호막에 형성된 접촉창을 통해 데이터 배선과 전기적으로 연결되며, 용장 게이트 패드는 게이트 절연막과 보호막에 형성된 접촉창을 통해 게이트 패드와 전기적으로 연결된다.  또한, 제1 및 제2 검사용 게이트선 연결부는 보호막 또는 게이트 절연막에 형성된 접촉 구멍을 통하여 홀수 및 짝수 번째 게이트선과 각각 연결되며 제1 내지 제3 검사용 데이터선 연결부는 각각 3n-2, 3n-1, 3n 번째 데이터선과 각각 연결된다.
Patent KR-100345991-B1 (KR)
Title: 반도체 집적 회로의 배선 방법
IPC: H01L21/82
Filed: 1999-03-18
Granted: 2002-07-26
Abstract: 반도체 칩 상에 반도체 소자를 구성하는데 사용되는 메가매크로의 배선 방법은 제공 단계, 메가매크로 배선을 배치하는 단계, 제1 수행 단계, 메가매크로를 배치하는 단계, 만드는 단계 및 제2 수행 단계를 포함한다.  제공 단계는 메가매크로를 제공하는 단계를 포함한다.  메가매크로 배선 배치 단계는 메가매크로 배선을 메가매크로 상에 배치하는 단계를 포함한다.  제1 수행 단계는 메가매크로 배선이 배치되어 있는 메가매크로에 대해 메가매크로 동작 검사를 수행하는 단계를 포함한다.  메가매크로 배치 단계는 메가매크로 동작 검사가 수행된 메가매크로를 반도체 칩 상에 배치하여, 배치된 메가매크로를 생성하는 단계를 포함한다.  만드는 단계는 메가매크로의 메가매크로 동작 검사가 수행될 때 상기 배치된 메가매크로의 메가매크로 배선의 제1 배선 캐패시턴스를 메가매크로의 메가매크로 배선의 제2 배선 캐패시턴스와 동일하게 만드는 단계를 포함한다.  제2 수행 단계는 제1 배선 캐패시턴스가 제2 배선 캐패시턴스와 동일한 조건에서 상기 배치된 메가매크로가 배치되어 있는 반도체 칩에 대해 칩 동작 검사를 수행하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100309287-B1 (KR)
Title: 세탁기의 제어방법
IPC: D06F33/00
Filed: 1999-04-09
Granted: 2001-09-26
Abstract: 본 발명은 세탁기의 제어방법에 관한 것으로서, 특히 2단으로 동작하는 베수모터와 배수밸브를 사용하여 투과 세탁을 구현할 수 있는 세탁기의 제어방법에 관한 것이다. 
     상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 배수모터가 오프됨으로써 탈수축이 브레이크 밴드에 의해 제동되고 클러치가 해제되며 배수밸브가 폐쇄된 상태에서 세탁날개만 회전되어 세탁 및 헹굼이 진행되는 교반 세탁모드와, 배수모터가 1단 동작됨으로써 탈수축이 브레이크 밴드로부터 해제되고 클러치가 구속되며 제 1로드의 단턱이 제 2로드의 단턱에 걸려 배수밸브가 폐쇄된 상태에서 세탁날개와 세탁조가 같은 방향으로 고속회전되어 세탁 및 헹굼이 진행되는 투과 세탁모드와, 배수모터가 2단 동작됨으로써 탈수축이 브레이크 밴드로부터 해제된 상태를 유지하고 클러치가 구속되며 제 1로드와 제 2로드가 함께 이동되어 배수밸브가 개방된 상태에서 세탁날개와 세탁조가 같은 방향으로 고속회전되어 탈수가 진행되는 탈수모드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100332480-B1 (KR)
IPC: A01N63/04
Filed: 1999-06-05
Granted: 2002-04-17
Abstract: 본발명은 신규 암펠로미세스 퀴스쿠알리스( Ampelomyces quisqualis ) 94013를 분리 및 배양하였고 이를 수탁번호 KCTC 8940P를 부여받았으며, 이의 대량 배양방법 및 식물병원균을 방제하는 방법을 제공한다. 상기 암펠로미세스 퀴스쿠알리스 ( Ampelomyces quisqualis ) 균주 및 이의 포자도 또한 기존의 것보다 훨씬 효율적인 식물병원균의 방제용으로 사용될 수 있다. 따라서, 본원발명은 식물병원균에 대한 생물농약으로 기능할 수 있어 잔류농약으로 인한 문제점을  방지할 수 있고, 환경에 대한 해가 없으며, 농업 생태계 보전과 병해 종합관리를 위한 획기적인 생물학적 방제방법을 제공한다.
Patent KR-100325269-B1 (KR)
Inventor: KIM TAI SUN
IPC: B44C1/22
Filed: 1999-06-11
Granted: 2002-02-21
Abstract: PURPOSE: A process for producing metallic ornament is provided to transcribe images on metallic panel(copperplate) and to conduct gold-plating and/or coloring processes on the transcript surface to obtain high-grade metallic products. CONSTITUTION: The process comprises preparing a work film(14) by scanning a picture(11) and forming images with a computer(13) and printing the obtained result; grinding a prepared copper-plate(21) and rinsing the ground plate with acid and water then drying it and applying a photo-sensitive film(22) on the dried surface; obtaining a copper plate(32) formed with image same to the picture by exposing the film(14) to ultraviolet ray; plating the surface with nickel and gold after acid treatment of the plate(32); coloring copper part after removing the film(22); and applying paint on the completed copper plate to obtain polished or unpolished surface after grinding and acid treatment thereof.
Patent KR-100346403-B1 (KR)
Title: 수증기 분사형 연소 장치
IPC: F23D11/20
Filed: 1999-06-22
Granted: 2002-08-01
Abstract: 본 발명은 새로운 구조의 연소장치를 제공하려는 것이다. 
     본 연소장치는 본 발명의 수증기 분사형 연소 장치는 하부 중앙에 화염 통로가 형성되고 상부는 개방된 원통형의 몸체와, 상기 몸체 내부에 설치되고, 상부와 하부가 개방된 원통으로 되고, 측벽을 관통하는 다수의 연소가스 통로와 수증기통로가  형성된 내통과, 상기 내통 안에 설치되고, 상기 화염 통로로 상승하는 연소 가스를 여러 통로로 분산시키기 위하여 연소열에 녹지 아니하는 재료로 된 덩어리들을 사이사이에 연소가스가 지나갈 수 있도록 적층하여 구성된 연소촉진체와, 상기 몸체와 상기 내통사이에 설치되고, 단부에 분사노즐이 형성되어 있는 내통을 감은 파이프로 구성되어, 상기 연소가스의 열에 의해 수증기를 발생하여 상기 연소촉진체에 수증기를 분사하는 수증기 발생 및 분사수단을 포함하여 이루어진다.  상기 파이프에는 상기 내통의 수증기 통로에 대응되는 위치에 형성된 하나 이상의 분기 파이프를 가지고, 상기 분기파이프의 끝에는 각각 수증기 분사노즐이 형성된다.몸체, 상기 내통, 및 상기 연소촉진체가 원적외선을 발생하는 맥반석, 바이오세라믹, 또는 이들의 가루로 만든 고형체들을 이용한다. 몸체, 상기 내통, 및 상기 연소촉진체가 원적외선을 발생하는 맥반석, 바이오세라믹, 또는 이들의 가루로 만든 고형체들을 이용한다.
Patent KR-100341126-B1 (KR)
Title: 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법
IPC: G02F1/136
Filed: 1999-06-25
Granted: 2002-06-20
Abstract: 본 발명은 데이타 버스 라인과 카운터 전극의 쇼트를 방지할 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 하부 기판; 하부 기판상에 소정 방향으로 연장된 게이트 버스 라인; 상기 게이트 버스 라인과 교차되도록 하부 기판상에 배치되어 단위 화소를 한정하는 데이타 버스 라인; 상기 이웃하는 게이트 버스 라인 사이에, 게이트 버스 라인과 평행하게 배치되는 공통 신호선; 상기 게이트 버스 라인과 데이타 버스 라인의 교차부에 각각 배치된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 콘택되며, 상기 단위 화소 공간에 각각 배치되는 화소 전극; 및 상기 화소 전극 상부에 오버랩되고, 상기 화소 전극과 함께 프린지 필드를 형성하며, 상기 공통 신호선과 소정 부분 콘택되는 카운터 전극을 포함하며, 상기 화소 전극과 카운터 전극은 투명한 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 카운터 전극은 상기 데이타 버스 라인과 평행한 수개의 브렌치와, 상기 브렌치의 일단을 연결하면서 상기 공통 전극선과 콘택되는 바를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100341580-B1 (KR)
Title: 위상 고정 루프를 위한 락 디텍터 회로
IPC: H03L7/095
Filed: 1999-06-30
Granted: 2002-06-22
Abstract: 본 발명은 PFD의 2개 출력 신호(up 및 down) 및 PLL의 출력 클럭 신호(Fout)를 이용하여 지연값에 대한 별도의 고려가 필요없는 락 디텍터 회로를 제공하고, 락 상태에서 벗어나는 경우에 즉시 언락 상태를 출력하도록 구성함으로써 잘못된 클럭 신호에 의한 전체 칩의 오동작을 방지한 락 디텍터 회로를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 락 디텍터 회로는, 주파수 분주기와, 상기 주파수 분주기의 출력신호인 제1 클럭신호와 외부로부터의 입력클럭신호를 입력받아 위상을 비교하여 제1 및 제2 제어 신호를 출력하는 위상 검출기를 구비하는 위상 고정 루프 회로의 위상 락 디텍터 회로에 있어서, 상기 입력클럭신호 및 상기 제1 클럭신호 및 상기 위상고정루프 회로의 출력신호를 입력받고, 상기 위상검출기의 상기 제1 제어신호 및 상기 제2 제어신호에 응답하여 상기 입력클럭신호 및 상기 제1 클럭신호의 위상 락 상태를 검출하는 락인디케이트 신호를 출력하는 락 디텍팅 수단과, 상기 락인디케이트 신호에 응답하여 상기 외부클럭신호의 각 주기별로 상기 입력클럭신호 및 상기 제1 클럭신호의 위상 락 상태를 파악하는 인지신호를 상기 주기별로 생성하고, 상기 인지신호의 일치여부를 검출하여 위상 락 상태가 소정의 주기동안 유지되는지를 판단하기 위한 락유지 판정수단을 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100609995-B1 (KR)
IPC: G11C11/407
Filed: 1999-07-23
Granted: 2006-08-09
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치를 공개한다.  본 발명은 메모리 셀 어레이와; 블록 센스 증폭부와; 리드 또는 라이트 동작에 관계없이 전원 전압을 공급받아 항상 동일한 더미 센스 데이터쌍을 발생하는 더미 블록 센스 증폭부와; 상기 더미 센스 데이터쌍을 차동 증폭하여 더미 출력 데이터쌍을 발생하는 더미 메인 센스 증폭부와; 소정 레벨의 제 1 기준 전압과 상기 제 1 기준 전압보다 낮은 레벨의 제 2 기준 전압을 발생하는 기준 전압 발생부와; 상기 더미 출력 데이터쌍과 상기 제 1 및 제 2 기준 전압의 레벨을 비교하여 복수개의 제어신호들을 발생하는 레벨 비교부와; 상기 블록 센스 증폭부로부터의 센스 데이터쌍이 하나씩 인가되는 베이스를 가지는 제 1 및 제 2 접합형 트랜지스터와, 상기 제 1 및 제 2 접합형 트랜지스터의 컬렉터에 하나씩 연결되어 상기 복수개의 제어신호들에 따라 저항값이 가변되는 제 1 및 제 2 가변 저항부를 구비하여 공정 상에서 발생한 저항값의 변화를 보상하고, 상기 저항값의 변화가 보상된 상태에서 상기 센스 데이터쌍을 차동 증폭하여 출력 데이터쌍을 발생하는 메인 센스 증폭부를 구비하여, 반도체 공정에서 메인 센스 증폭기의 저항값에 변화가 일어났을 때 이를 자동으로 보상하여 메인 센스 증폭기의 이득 변화를 최소화하기 때문에 센싱 마진, 전류 등의 증가나 속도 지연 등으로 인한 메모리 칩의 특성 변화가 방지되는 효과가 있다.
Patent KR-100307598-B1 (KR)
Title: 데이터 서비스 방송의 초기화 시간 단축방법
IPC: H04N7/08
Filed: 1999-08-24
Granted: 2001-11-01
Abstract: 본 발명은 방송 수신방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 데이터 서비스 방송 프로그램 선택 시에 초기 부팅 시간을 줄이는 데이터 서비스 방송의 초기화 시간 단축 방법에 관한 것이다.  데이터 서비스 방송의 초기화 시간 단축 방법은 (a) 데이터 서비스 채널인가를 판단하는 단계, (b) 프로그램 맵 테이블의 두 번째 디스크립터에서 소정의 데이터 서비스 방송 정보를 검출하는 단계, (c) 상기 데이터 서비스 방송 정보로부터 초기 파일의 모듈을 다운 로딩 하는 단계, (d) 상기 다운 로딩된 모듈 정보를 저장하는 단계, (e) 데이터 서비스 방송 채널 전환 시에 저장되어 있는 모듈이 있는지 판단하는 단계, (f) 상기 (e)단계에서 모듈이 저장되어 있는 경우 상기 모듈을 데이터 서비스 디코딩 엔진으로 출력하여 부팅하는 단계를 포함한다.  본 발명에 따르면, 데이터 서비스 방송을 제공받고자 하는 채널의 스트림 중 초기 파일 모듈을 미리 다운 로딩하여 채널 전환 시에 부팅 시간이 단축되어 사용자가 빠른 시간 내에 데이터 서비스 방송을 제공받을 수 있는 효과가 있다.