Patent DE-102018220450-B4 (DE)
Title: Waferbearbeitungsverfahren
Inventor: UEKI ATSUSHI
IPC: H01L21/301
Filed: 2018-11-28
Granted: 2021-06-24
Abstract: Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten eines Wafers, an dem in jedem Bereich einer vorderen Oberflächenseite, die durch mehrere vorgesehene Teilungslinien unterteilt ist, ein Bauelement ausgebildet ist, unter Benutzung einer Laserbearbeitungsvorrichtung, wobei die Laserbearbeitungsvorrichtung einen Haltetisch, der so ausgestaltet ist, dass er den Wafer hält, eine Laserstrahlbestrahlungseinheit, die so ausgestaltet ist, dass sie eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers ausbildet, indem sie den am Haltetisch gehaltenen Wafer mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge bestrahlt, die durch den Wafer transmittierbar ist, und einen horizontalen Bewegungsmechanismus beinhaltet, der so ausgestaltet ist, dass er den Haltetisch und die Laserstrahlbestrahlungseinheit in einer X-Achsen-Richtung relativ zueinander bewegt,wobei die Laserstrahlbestrahlungseinheiteinen Laseroszillator, der so ausgestaltet ist, dass er eine Pulsoszillation des Laserstrahls durchführt,einen Kondensor, der so ausgestaltet ist, dass er den vom Laseroszillator oszillierten Laserstrahl bündelt und den Wafer mit dem Laserstrahl bestrahlt, undeine Phasenverschiebungsmaske beinhaltet, die zwischen dem Laseroszillator und dem Kondensor angeordnet ist, wobei die Phasenverschiebungsmaske eine Phasenverschiebung von 180 Grad zwischen einem Teil des Laserstrahls, der zum Kondensor geführt wird, und einem verbleibenden Teil des Laserstrahls, der zum Kondensor geführt wird, ausbildet, sodass eine Intensitätsverteilung des Laserstrahls, der auf den Wafer aufgebracht wird, zwei Peaks aufweist, die voneinander in der X-Achsen-Richtung getrennt sind,wobei das Waferbearbeitungsverfahren aufweist:einen Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht des Ausbildens der modifizierten Schicht entlang einer vorgesehenen Teilungslinie innerhalb des Wafers durch Bewegen des Haltetischs und der Laserstrahlbestrahlungseinheit relativ zueinander in der X-Achsen-Richtung, während ein Bereich des Wafers, der der vorgesehenen Teilungslinie entspricht, mit dem Laserstrahl von einer hinteren Oberflächenseite des Wafers in einem Zustand zum Bündeln des Laserstrahls innerhalb des Wafers bestrahlt wird, undeinen Teilungsschritt des Teilens des Wafers entlang der vorgesehenen Teilungslinie mit der modifizierten Schicht als ein Startpunkt durch Aufbringen einer Kraft auf den Wafer, nachdem der Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht durchgeführt worden ist;wobei der Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht beinhaltet:einen vorwärts gerichteten Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht des Bestrahlens des Wafers mit dem Laserstrahl, während sich die Laserstrahlbestrahlungseinheit relativ zum Einspanntisch zu einer Seite in der X-Achsen-Richtung bewegt,einen rückwärts gerichteten Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht des Bestrahlens des Wafers mit dem Laserstrahl, während sich die Laserstrahlbestrahlungseinheit relativ zum Einspanntisch zu einer anderen Seite in der X-Achsen-Richtung bewegt, undeinen Umkehrschritt der Phasenverschiebungsmaske des Umkehrens der Phasenverschiebungsmaske, um eine Phasenverteilung des auf den Wafer aufgebrachten Laserstrahls in der X-Achsen-Richtung umzukehren, nach dem vorwärts gerichteten Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht und vor dem rückwärts gerichteten Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht oder nach dem rückwärts gerichteten Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht und vor dem vorwärts gerichteten Ausbildungsschritt der modifizierten Schicht.