Patent DE-112014003622-B4 (DE)
Title: Dreidimensionale System-in-Package-Metallleiterplattenstruktur für zuerst eingehauste und später geätzte normale Chips und Verfahren zu deren Verarbeitung
Inventor: LIANG STEVE XIN
IPC: H01L21/48
Filed: 2014-01-07
Granted: 2020-06-25
Abstract: Verarbeitungsverfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen System-in-Package-Metallleiterplattenstruktur für zuerst eingehauste und später geätzte normale Chips, das Folgendes umfasst:Schritt 1: Bereitstellen eines Metallsubstrats;Schritt 2: Vorplattieren einer Oberfläche des Metallsubstrats mit einem Kupfermaterial,wobei die Oberfläche des Metallsubstrats mit einer Schicht Kupfermaterial vorplattiert wird;Schritt 3: Aufbringen eines Fotolackfilms,wobei eine obere Oberfläche und eine untere Oberfläche des Metallsubstrats, die in Schritt 2 mit dem Kupfermaterial vorplattiert wurden, jeweils mit dem Fotolackfilm überklebt werden, der belichtet und entwickelt werden kann;Schritt 4: Entfernen eines Teils des Fotolackfilms an der oberen Oberfläche des Metallsubstrats,wobei die obere Oberfläche des Metallsubstrats, die in Schritt 3 mit dem Fotolackfilm überklebt wurde, mit einer Struktur unter Verwendung einer Belichtungs- und Entwicklungsausrüstung belichtet und entwickelt wird und der Teil des Fotolackfilms in der Struktur entfernt wird, um so eine Region der oberen Oberfläche des Metallsubstrats für das spätere Plattieren mit einer Metallverdrahtungsschicht freizulegen;Schritt 5: Plattieren mit der Metallverdrahtungsschicht,wobei die Region der oberen Oberfläche des Metallsubstrats, von der in Schritt 4 der Teil des Fotolackfilms entfernt wurde, mit der Metallverdrahtungsschicht plattiert wird, sodass eine Nacktchipkontaktstelle und eine Zuleitung auf der oberen Oberfläche des Metallsubstrats ausgebildet werden;Schritt 6: Aufbringen eines Fotolackfilms,wobei die obere Oberfläche des Metallsubstrats, die in Schritt 5 mit der Metallverdrahtungsschicht plattiert wurde, mit dem Fotolackfilm überklebt wird, der belichtet und entwickelt werden kann;Schritt 7: Entfernen eines Teils des Fotolackfilms an der oberen Oberfläche des Metallsubstrats;wobei die obere Oberfläche des Metallsubstrats, die in Schritt 6 mit dem Fotolackfilm überklebt wurde, mit einer Struktur unter Verwendung einer Belichtungs- und Entwicklungsausrüstung belichtet und entwickelt wird und der Teil des Fotolackfilms in der Struktur entfernt wird, um so eine Region der oberen Oberfläche des Metallsubstrats für das spätere Plattieren mit einer leitfähigen Säule freizulegen;Schritt 8: Plattieren mit der leitfähigen Säule,wobei die Region der oberen Oberfläche des Metallsubstrats, von der in Schritt 7 ein Teil des Fotolackfilms entfernt wurde, mit der leitfähigen Säule plattiert wird;Schritt 9: Entfernen des Fotolackfilms,wobei der Fotolackfilm an der Oberfläche des Metallsubstrats entfernt wird;Schritt 10: Nacktchipbonden,wobei ein Chip durch Beschichten mit einem leitfähigen oder nicht leitfähigen Haftmaterial in eine obere Oberfläche der in Schritt 5 ausgebildeten Nacktchipkontaktstelle eingebettet wird;Schritt 11: Bonden eines Metalldrahts,wobei der Metalldraht zwischen einer oberen Oberfläche des Chips und der in Schritt 5 ausgebildeten Zuleitung gebondet wird;Schritt 12: Formen mit einem Epoxidharz,wobei das Formen mit dem Epoxidharz zum Schutz an der oberen Oberfläche des Metallsubstrats durchgeführt wird, nachdem das Nacktchipbonden und das Metalldrahtbonden durchgeführt wurden;Schritt 13: Schleifen einer Oberfläche des Epoxidharzes,wobei die Oberfläche des Epoxidharzes geschliffen wird, nachdem in Schritt 12 das Formen mit dem Epoxidharz durchgeführt wurde;Schritt 14: Aufbringen eines Fotolackfilms,wobei die obere Oberfläche und die untere Oberfläche des Metallsubstrats mit dem Fotolackfilm überklebt werden, der belichtet und entwickelt werden kann, nachdem in Schritt 13 die Oberfläche des Epoxidharzes geschliffen wurde;Schritt 15: Entfernen eines Teils des Fotolackfilms an der unteren Oberfläche des Metallsubstrats,wobei die untere Oberfläche des Metallsubstrats, die in Schritt 14 mit dem Fotolackfilm überklebt wurde, mit einer Struktur unter Verwendung einer Belichtungs- und Entwicklungsausrüstung belichtet und entwickelt wird und der Teil des Fotolackfilms in der Struktur entfernt wird, um so eine Region der unteren Oberfläche des Metallsubstrats für das spätere Ätzen freizulegen;Schritt 16: Ätzen,wobei chemisches Ätzen in der Region der unteren Oberfläche des Metallsubstrats durchgeführt wird, von der in Schritt 15 der Teil des Fotolackfilms entfernt wurde;Schritt 17: Entfernen des Fotolackfilms,wobei der Fotolackfilm an der Oberfläche des Metallsubstrats entfernt wird, der Fotolackfilm durch Aufweichen mit Chemikalien und Reinigen mit Hochdruckwasser entfernt wird; undSchritt 18: Plattieren mit einer antioxidierenden Metallschicht oder Beschichten mit einem organischen Lötbarkeitskonservierungsmittel,wobei eine freiliegende Oberfläche der Metallsubstratoberfläche, von der in Schritt 17 der Fotolackfilm entfernt wurde, mit der antioxidierenden Metallschicht plattiert oder mit dem organischen Lötbarkeitskonservierungsmittel beschichtet wird.