baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I653059-B (TW)
Title: 包含抗微生物組合物之傷口敷料
Inventor: PARSONS DAVID
IPC: A61K33/38
Filed: 2014-05-15
Granted: 2019-03-11
Abstract: 本發明提供包含抗微生物組合物之經改良傷口敷料之方法、製程及組合物。在儲存後使用時，該等傷口敷料維持順應性及強度以及抗微生物性能。
Patent TW-I640057-B (TW)
Inventor: BLANK RICHARD M
IPC: H01L21/677
Filed: 2014-05-23
Granted: 2018-11-01
Abstract: 本發明揭露一種使用在真空腔室中的機械臂。此機械臂可裝設在矩形傳送腔室內，並且可藉由臍臂結合線性移動導軌及支架的操作而在傳送腔室內平移。機械臂之馬達或驅動系統可容納在大氣條件中，而傳送腔室可保持在真空。機械臂可包括用以搬運晶圓之一或更多臂部。機械臂可包括一或更多馬達或驅動系統及一多軸密封件，以實現各臂部的獨立延伸/縮合和臂組件的整體同時旋轉。
Patent TW-I653989-B (TW)
Title: 包含藉由東方草藥加工所獲得的草藥萃取物之組成物
Inventor: LEE OK CHAN
IPC: A61K8/97
Filed: 2014-05-30
Granted: 2019-03-21
Abstract: 本發明涉及一種由東方草藥加工所獲得的人參萃取物和綠茶萃取物的組成物。
Patent TW-I657168-B (TW)
Inventor: BUCKALEW BRYAN L
IPC: C25D17/06
Filed: 2014-08-05
Granted: 2019-04-21
Abstract: 在此揭露的是用以電鍍鎳至半導體基板上之電鍍系統，該系統具有用以在電鍍期間容納電解質溶液之電鍍槽，該電鍍槽包含陰極腔室及用以固持鎳陽極之陽極腔室，且該系統具有配置成在該電解質溶液於電鍍期間及當該系統不電鍍時的閒置時間內流至該陽極腔室時減少該電解質溶液中的氧濃度之氧移除裝置。亦在此揭露的是在電鍍槽中電鍍鎳至半導體基板上的方法，該電鍍槽具有陽極腔室及陰極腔室，該等方法包含將電解質溶液中的氧濃度減少；使該電解質溶液流入該陽極腔室並接觸其中的鎳陽極；及將鎳自該電解質溶液電鍍至該陰極腔室中的基板上，其中該陰極腔室中的該電解質溶液係維持在介於約3.5及4.5之間的pH。
Patent TW-I655284-B (TW)
Inventor: HUANG CHUN WEN
IPC: C12P1/04
Filed: 2014-11-25
Granted: 2019-04-01
Abstract: 本發明係有關於一種培養基的複製方法，其步驟包含：預先混合培養基原液並抽取部份原液至新桶；於新桶內加入糖蜜及水後拌勻；於馬鈴薯瘡痂病菌、乾酪乳酸菌、木質醋酸菌、釀酒酵母、枯草桿菌及雙歧桿菌菌種中，取其中五菌種分別倒入玻璃瓶再加入水後均勻搖晃，直至產生氣泡為止；將上述五菌種由各玻璃瓶內取出部分置入一容器，且均勻搖晃直至產生氣泡為止，並於靜置適當時間後倒入該新桶；將具特定需求功能之菌種倒入該新桶，並拌勻、曝氣以完成新桶培養基；再次將具特定需求功能之菌種倒入該新桶培養基，並拌勻、曝氣以完成酵素成品。
Patent TW-I616952-B (TW)
Inventor: HUANG PO CHUN
IPC: H01L21/324
Filed: 2014-12-19
Granted: 2018-03-01
Abstract: 一種尖峰雷射退火裝置，其包括一運算裝置和一雷射產生器。該運算裝置係用於接收關於一矽晶圓之一輸入光罩資訊，並分析該輸入光罩資訊，以產生一控制信號。該雷射產生器係用於產生一雷射光束，並根據該控制信號來調整該雷射光束之一光束長度。此種機制能有效地消除該矽晶圓上之縫隙效應，進而增加晶圓良率。
Patent TW-I677235-B (TW)
Inventor: LE PENDU MIKAEL
IPC: H04N19/36
Filed: 2015-02-26
Granted: 2019-11-11
Abstract: 為了編碼高動態範圍(HDR)影像，可透過色調映射運算將該等HDR影像轉換為低動態範圍(LDR)影像，且該等LDR影像可用一LDR編碼器編碼。本發明在設計色調映射曲線時公式化一率失真最小化問題。特定言之，依據待編碼之該等HDR影像之概率分佈函數及取決於編碼參數之一拉格朗日乘數公式化該色調映射曲線。在該解碼器處，基於指示該色調映射函數之參數，可導出一逆色調映射函數以從經解碼LDR影像重新建構HDR影像。
Patent TW-I655771-B (TW)
Inventor: KOEZUKA JUNICHI
IPC: H01L29/49
Filed: 2015-04-17
Granted: 2019-04-01
Abstract: 提供一種寄生電容小或頻率特性高的電晶體或一種包括該電晶體的半導體裝置。氧化物半導體膜包括：與第一導電膜接觸的第一區域；與第一絕緣膜接觸的第二區域；與第三絕緣膜接觸的第三區域；與第二絕緣膜接觸的第四區域；以及與第二導電膜接觸的第五區域，第一絕緣膜被設置在第一導電膜上及氧化物半導體膜上，第二絕緣膜被設置在第二導電膜上及氧化物半導體膜上，第三絕緣膜被設置在第一絕緣膜上、第二絕緣膜上及氧化物半導體膜上，第三導電膜與氧化物半導體膜隔著第三絕緣膜互相部分重疊。
Patent TW-I641829-B (TW)
Inventor: POIS HEATH A
IPC: H01L21/66
Filed: 2015-04-24
Granted: 2018-11-21
Abstract: 描述使用X射線光電子光譜與X射線螢光組合技術來判定矽化鍺厚度及組成物之系統與方法。在一例子中，矽化鍺薄膜的性質量測方法包括產生X射線光束。將樣本放置在該X射線光束的路徑中。收集藉由使用該X射線光束撞擊該樣本而產生的X射線光電子光譜（XPS）訊號。亦收集藉由使用該X射線光束撞擊該樣本而產生的X射線螢光（XRF）訊號。從該XPS訊號或該XRF訊號、或兩者，來決定該矽化鍺薄膜的厚度或組成物、或兩者。
Patent TW-I697243-B (TW)
Title: 終端裝置及通訊控制方法
Inventor: TAKANO HIROAKI
IPC: H04W4/70
Filed: 2015-05-20
Granted: 2020-06-21
Abstract: 提供能夠隨著同步訊號而進行不同的同步控制的機制。
 
     
     
       一種終端裝置，其係具備：同步處理部，係基於無線通訊所需之同步訊號，來進行同步處理；和控制部，係隨應於前記同步處理之對象的同步訊號之傳達路徑，來控制對前記同步訊號的同步狀態之監視期間，並隨應於前記監視期間中的同步狀態之監視結果而控制不同的處理。
Patent TW-I657832-B (TW)
Title: Oil-in-water emulsion composition
Inventor: NAGARE YUKO
IPC: A61K8/73
Filed: 2015-06-30
Granted: 2019-05-01
Abstract: 本發明之目的在於提供一種水中油型乳化組合物，其即便大量調配疏水化處理金屬氧化物，亦可無損水中油型乳化組合物原本具有之水潤之使用感，使疏水化處理金屬氧化物均勻且穩定地分散於內相(油相)，發揮較高之紫外線防禦能力。
 
     本發明之主旨在於一種水中油型乳化組合物，其特徵在於含有：(A)0.1~5質量%之HLB(Si)為5~14之聚醚改性聚矽氧、(B)一種或兩種以上之親水性增黏劑、(C)利用金屬皂以外進行過疏水化處理之金屬氧化物、及(D)聚矽氧油以外之非揮發性油分，且上述(C)疏水化處理金屬氧化物存在於內相。
Patent TW-I616991-B (TW)
Inventor: LIN YEN LIANG
IPC: H01L21/60
Filed: 2015-08-06
Granted: 2018-03-01
Abstract: 本揭露提供一種半導體封裝件，其包括半導體晶粒和基板，該基板具有電耦合至該半導體晶粒的第一表面以及與該第一表面相對的第二表面。該第一表面包括具有複數個支撐墊的中心區以及圍繞該中心區並具有複數個支撐跡線的周邊區。該支撐墊的間距為約55 μ m至約280 μ m。該半導體晶粒包括朝向該基板的該第一表面的第三表面以及與該第三表面相對的第四表面。該第三表面包括複數個伸長凸塊，其放置在對應於該基板的該支撐墊和該支撐跡線的位置，並且該伸長凸塊包括長軸以及在其剖面垂直於該長軸的短軸。
Patent TW-I695319-B (TW)
Title: Shared resources in a data processing apparatus for executing a plurality of threads
Inventor: HOLM RUNE
IPC: G06F9/38
Filed: 2015-08-20
Granted: 2020-06-01
Abstract: A data processing apparatus 100 executes threads and includes a general program counter (PC) 120 identifying an instruction to be executed for at least a subset of the threads. Each thread has a thread PC 184. The subset of threads has at least one lock parameter 188, 500-504 for tracking exclusive access to shared resources. In response to a first instruction executed for a thread, the processor 160 modifies the at least one lock parameter 188, 500-504 to indicate that the thread has gained 
exclusive access to the shared resource. In response to a second instruction, the processor modifies the at least one lock parameter 188, 500-504 to indicate that the thread no longer has exclusive access. A selector 110 selects one of the subset of threads based on the at least one lock parameter 188, 500-504 and sets the general PC 120 to the thread PC 184 of the selected thread.
Patent TW-I671834-B (TW)
Title: 半導體裝置之製造方法、以及表面覆膜之形成方法及形成裝置
Inventor: ASAKO RYUICHI
IPC: H01L21/64
Filed: 2015-09-17
Granted: 2019-09-11
Abstract: 準備具有層間絕緣膜的被處理基板(步驟1)，對於層間絕緣膜隔著遮罩層實施乾式刻蝕從而形成凹部(步驟2)，藉乾式灰化除去殘渣(步驟3)，藉使用在其中一末端及另一末端分別具有與層間絕緣膜的表面反應而結合的第1取代基、是親水性的第2取代基的分子構造的表面覆膜用化合物氣體的氣體處理而於整面形成表面覆膜(步驟4)，藉濕式洗淨除去表面覆膜(步驟5)，於凹部內形成配線(步驟6)。
Patent TW-I638655-B (TW)
Inventor: WANG CHIA CHEN
IPC: A61K31/343
Filed: 2016-03-15
Granted: 2018-10-21
Abstract: 本發明係關於一種苯酞類化合物用於製備治療阿茲海默症及2,3-二磷酸甘油酸代謝異常所導致的病症之醫藥組合物的用途，其特徵為該苯酞類化合物係可發揮與2,3-二磷酸甘油酸相似之調節血紅蛋白使其對氧親和力降低之功效，扮演2,3-二磷酸甘油酸代用物之角色，使阿茲海默症及2,3-二磷酸甘油酸代謝異常患者在2,3-二磷酸甘油酸濃度過低時，得以維持血紅蛋白之正常釋放氧氣之組織細胞之生物功能，使細胞含氧量維持在正常範圍。
Patent TW-I687375-B (TW)
Title: Molds for shaping glass-based materials and methods for making the same
Inventor: HALL JILL MARIE
IPC: C03B11/06
Filed: 2016-03-16
Granted: 2020-03-11
Abstract: A mold for shaping glass-based material can include a mold body having a surface, wherein at least a portion of the mold body near the surface comprises at least about 90% by weight nickel and from about 0.2% to about 0.35% by weight manganese; and a nickel oxide layer on the surface of the mold body. The nickel oxide layer has first and second opposing surfaces wherein the first surface of the nickel oxide layer contacts and faces the surface of the mold body and the second surface of the nickel oxide layer includes a plurality of grains. The plurality of grains has an average grain size of about 150 μm or less.
Patent TW-I693151-B (TW)
Title: 聚乙烯醇薄膜
Inventor: SHIMODA KOUHEI
IPC: B29D7/01
Filed: 2016-04-12
Granted: 2020-05-11
Abstract: 本發明係110%以上小於190%、軟化點溫度為60℃以上68℃以下之厚度為50μm以下的聚乙烯醇薄膜，及具有使用該聚乙烯醇薄膜進行單軸拉伸的步驟的光學薄膜的製造方法。
Patent TW-I627642-B (TW)
Inventor: HSIEH LAN-CHIN
IPC: H01F21/08
Filed: 2012-08-21
Granted: 2018-06-21
Abstract: 一種可變耦合電感器，包含一第一芯材、一第一導線、一第二導線、
一第二芯材以及一磁性結構。第一芯材包含一第一突出部、一第二突出部、一第三突出部以及一第一導線槽與一第二導線槽，其中該第二突出部位於該第一突出部與該第三突出部之間，且該第一導線槽與該第二導線槽分別位於該第一突出部與該第二突出部之間以及該第二突出部與該第三突出部之間。該第一導線與該第二導線分別設置於該第一導線槽與該第二導線槽中。該第二芯材設置於該第一芯材上。該第一突出部與該第二芯材之間形成有一第一間隙、該第二突出部與該第二芯材之間形成有一第二間隙以及該第三突出部與該第二芯材之間形成有一第三間隙。磁性結構設置於該第二突出部與該第二芯材之間，且磁性結構相對於該第二突出部之中線呈對稱分佈。
Patent TW-I706937-B (TW)
Title: 製備蛋白質去乙醯酶抑制劑之方法
Inventor: SEYEDI FARZANEH
IPC: C07D239/42
Filed: 2016-06-08
Granted: 2020-10-11
Abstract: 本發明係關於適用於合成蛋白質去乙醯酶抑制劑之方法及中間物。
Patent TW-I693292-B (TW)
Inventor: KAJIYAMA KOICHI
IPC: C23C14/04
Filed: 2016-06-15
Granted: 2020-05-11
Abstract: 本發明係具備有：樹脂層，係設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽；以及金屬層，係層積在該樹脂層，在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部，藉由對該層積後的樹脂層施以雷射加工，而從該金屬層之該補強部區域來去除所層積之該樹脂層的樹脂，以讓該樹脂層具有規則的開口圖案以及將該開口圖案分割之不規則的遮蔽圖案。藉此，便可提供一種容易讓補強部正下方區域之加工容易，而可在成膜基板上容易地製作規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩。
Patent TW-I726902-B (TW)
Title: Polarizing plate and method for manufacturing the same
Inventor: JO CHEON HEE
IPC: G02F1/1335
Filed: 2016-08-18
Granted: 2021-05-11
Abstract: The present application provides a polarizing plate, comprising: a polarizer having an undulation average interval (RSm) of 500 to 5000μ m and a maximum height of roughness (Rt) of 100 to 1000 nm; an adhesive layer having a thickness of 250 to 850 nm and being formed on at least one surface of the polarizer; and a protective film laminated on the adhesive layer.
Patent TW-I651477-B (TW)
Title: 運動導引裝置
Inventor: HOMMA KAZUTO
IPC: F16H25/22
Filed: 2016-10-06
Granted: 2019-02-21
Abstract: 提供一種運動導引裝置，藉由將軌道構件和移
動構件及轉動體滾動溝及負荷轉動體滾動溝由不同構件所構成而可以便宜地製造，並且將轉動體滾動溝和負荷轉動體滾動溝組裝在軌道構件和移動構件時可以容易地將轉動體滾動溝及負荷轉動體滾動溝之間的間隙適切量地調整。
 
     一種運動導引裝置，由：軌道構件，設有
：沿著長度方向延伸的基部、及從前述基部的寬度方向兩端立設並且沿著長度方向形成轉動體滾動溝的一對的壁部；及移動構件，是沿著長度方向可移動地組合在前述壁部之間並且形成有對應前述轉動體滾動溝的負荷轉動體滾動溝的一對的導引構件被組裝；所構成，在前述導引構件的至少其中任一方，在與設有前述負荷轉動體滾動溝的面相反側的面設置推迫構件。
Patent TW-I705526-B (TW)
Inventor: TSAI CHENG HSIUNG
IPC: H01L21/768
Filed: 2016-10-11
Granted: 2020-09-21
Abstract: A method for producing a semiconductor device includes forming a dielectric layer over a substrate, forming an etch-stop-layer (ESL) over the dielectric layer, forming a first patterned hard mask (HM) defining a first trench over the ESL, forming a second trench extending through the ESL and the dielectric layer. The second trench is adjacent the 
first trench. The method also includes filling in the first trench and the second trench with a first material layer, extending the first trench through the ESL and the dielectric layer while the first material layer is filled in the second trench to form an extended first trench, forming a first metal line within the extended first trench, forming a capping layer over the first metal line and removing a portion of the first metal line to form a first cut.
Patent TW-I635205-B (TW)
Inventor: HSIAO CHUN HSIANG
IPC: E03C1/26
Filed: 2016-10-14
Granted: 2018-09-11
Abstract: 一種按壓型落水頭，包括排水管組合、壓蓋、及彈跳芯。上述彈跳芯包括組接於排水管組合的底柱體、組接於壓蓋的頂柱體、及連接底柱體與頂柱體的彈性件、限位件與拆接件。所述底柱體、彈性件、及限位件穿設於頂柱體內，而拆接件可分離地穿過頂柱體的穿孔而可移動地位於底柱體外表面的直槽內。其中，頂柱體能被按壓而相對於底柱體移動，以通過限位件與彈性件而使壓蓋選擇性地覆蓋於排水管組合的進水口。因此，所述按壓型落水頭的彈跳芯呈現上寬下窄的構造，所以頭髮較不易捲入彈跳芯內，並且限位件與拆接件能夠被拆下，以進行彈跳芯的維修。
Patent TW-I641147-B (TW)
Inventor: CHENG KAI YU
IPC: H01L21/28
Filed: 2016-11-29
Granted: 2018-11-11
Abstract: 一種電晶體上方具有複合阻障層結構的半導體裝置以及一種用於製造此半導體裝置的方法。形成具有源極/汲極區域的電晶體，源極/汲極區域在鰭結構內並鄰近於跨越鰭結構的閘極結構；形成在源極/汲極區域正上方並電連接至源極/汲極區域的第一源極/汲極觸點；在電晶體及第一源極/汲極觸點上方沉積複合阻障層結構；以及形成在第一源極/汲極觸點正上方並電連接至第一源極/汲極觸點的第二源極/汲極觸點。沉積複合阻障層結構之前沉積第二蝕刻終止層，以及形成在第一源極/汲極觸點正上方並電連接至第一源極/汲極觸點的第二源極/汲極觸點。
Patent TW-I740865-B (TW)
Title: METHODS FOR PRODUCING COMPOSITE GaN NANOCOLUMNS AND LIGHT EMITTING STRUCTURES MADE FROM THE METHODS
Inventor: VOLKOVA ANNA
IPC: H01L21/20
Filed: 2016-12-14
Granted: 2021-10-01
Abstract: A method for growing on a substrate strongly aligned uniform cross-section semiconductor composite nanocolumns is disclosed. The method includes: (a) forming faceted pyramidal pits on the substrate surface; (b) initiating nucleation on the facets of the pits; and; (c) promoting the growth of nuclei toward the center of the pits where they coalesce with twinning and grow afterwards together as composite nanocolumns. Multi-quantum-well, core-shell nanocolumn heterostructures can be grown on the sidewalls of the nanocolumns. Furthermore, a continuous semiconductor epitaxial layer can be formed through the overgrowth of the nanocolumns to facilitate fabrication of high-quality planar device structures or for light emitting structures.
Patent TW-I622259-B (TW)
Title: Dimming circuit, control circuit and dimming method
Inventor: HUANG QIU-KAI
IPC: H02M3/335
Filed: 2016-12-28
Granted: 2018-04-21
Abstract: 公開了一種調光電路、控制電路和調光方法，本發明藉由根據第二級直流-直流變換器的狀態調節第一級的直流-直流變換器(也就是，原邊控制反激式變換器)的輸出電壓，實現了兩級直流-直流變換器聯動調節，從而可以使得在任何調光狀態下，第二級直流-直流變換器均工作在一個效率較高的工作狀態下，提高了調光電路的效率。
Patent TW-I784944-B (TW)
Title: Plasma processing apparatus and methods of plasma processing a substrate
Inventor: BENNETT PAUL
IPC: C23C16/448
Filed: 2017-03-01
Granted: 2022-12-01
Abstract: According to the invention there is provided a plasma processing apparatus for plasma processing a substrate comprising: a chamber comprising one or more walls, in which a portion of the walls of the chamber is an electrode structure formed from a metallic material and configured to act as a primary winding of an inductively coupled plasma source; and an electrical signal supply device for supplying an electrical signal that drives the electrode structure as a primary winding of an inductively coupled plasma source to sustain an inductively coupled plasma within the chamber.
Patent TW-I680295-B (TW)
Title: 即時量測細胞聚落之裝置及其方法
IPC: G01N27/04
Filed: 2017-03-02
Granted: 2019-12-21
Abstract: 本發明係提供一種即時量測細胞聚落之裝置及其方法，其係透過一導電介質層調節細胞培養區域之電阻抗，使其得以於細胞生長為聚落的過程中即時量測電阻抗值，藉此訊號得知細胞數目、存活率、生長速率及聚落大小等資訊，解決習知因無法於細胞聚落形成的過程中即時獲得細胞生長狀況，以致於實驗效率及準確率不佳等問題。
Patent TW-I753902-B (TW)
Title: 黏接著劑組合物、黏接著劑、黏接著板片以及顯示體
Inventor: YOSHINOBU TAKEO
IPC: C09J4/00
Filed: 2017-04-25
Granted: 2022-02-01
Abstract: 本發明的課題係在於提供段差追隨性及耐起泡性的雙方優良的黏接著劑組合物、黏接著劑、黏接著板片及顯示體、以及段差追隨性及耐起泡性的雙方優良的黏接著劑、黏接著板片及顯示體之製造方法。  
     
     
       本發明的解決手段係一種黏接著劑組合物，含有：自由基聚合性成分(A)；離子聚合性成分(B)；可藉由可見光活化的可見光活化自由基聚合起始劑(C)；可藉由紫外線活化的紫外線活化離子聚合起始劑(D)。
Patent TW-I639124-B (TW)
Title: Providing devices and methods, recording media and computer program products containing payment information of QR code
Inventor: SU WEI-QING
IPC: G06Q30/04
Filed: 2017-05-01
Granted: 2018-10-21
Abstract: 一種提供包含QR code之繳費資訊之裝置，其包括一簽章伺服器，該簽章伺服器包括：一傳輸介面；以及一處理器，經由該傳輸介面接收具有該繳費資訊之一繳費資料，以一雜湊演算法計算該繳費資料以獲得一繳費資訊摘要，將該繳費資料、該繳費資訊摘要、一標頭資料及一結尾資料以一私鑰進行電子簽章以產生一繳費簽章資料，將該繳費簽章資料進行編碼以產生一繳費編碼資料，該繳費編碼資料及一金鑰索引組合成一繳費物件資料，以及將該繳費物件資料轉換成該QR code。本發明還提供一種提供包含QR code之繳費資訊之方法。
Patent TW-I638612-B (TW)
Title: 鞋底、鞋的中底、鞋的本底及鞋
Inventor: TANABE YOHEI
IPC: A43B13/18
Filed: 2015-02-25
Granted: 2018-10-21
Abstract: 本發明的目的為提供一種藉由特定的薄片狀之層合體所形成的新穎的鞋底、鞋的中底、鞋的本底、及具備該鞋底的鞋，係藉由下述鞋底來解決課題：藉由疊層複數片布狀體並且進行加熱壓縮使其一體化而成的薄片狀之層合體所形成的鞋底，該布狀體係利用使熱可塑性樹脂延伸而獲得的線條體形成。
Patent TW-I660857-B (TW)
Inventor: SAKANO HIDEKI
IPC: B41J32/02
Filed: 2015-03-19
Granted: 2019-06-01
Abstract: 本發明提供一種不損及向匣安裝部安裝之導引功能而可抑制灰塵的侵入或位置偏移之帶匣。 本發明係安裝於帶印刷裝置1之帶匣100，該帶印刷裝置1具備：匣安裝部5，其供安裝帶匣100；印刷頭21；頭蓋43，其覆蓋印刷頭21；以及導引凸部63，其突出設置於頭蓋43；且該帶匣100具備：印刷帶102；墨色帶110；壓盤滾筒120；匣殼體130，其收容該等；插通開口134，其設置於匣殼體130且供頭蓋43插通；及導引凹部169，其設置於插通開口134之開口周壁部164且接收導引凸部67。
Patent TW-I633463-B (TW)
Inventor: LU CHI-CHANG
IPC: G06F3/01
Filed: 2017-06-19
Granted: 2018-08-21
Abstract: 一種文字輸入法執行於電子裝置中，包含輸入複數個音素以及使得每個音素可以手勢操作。從上述複數個音素產生候選字選單。修改上述複數音素以回應對上述複數音素中至少一個音素的手勢操作。從修改後的上述複數個音素產生修改後的候選字選單。
Patent TW-I720220-B (TW)
Title: 流體動壓軸承裝置及具備該軸承裝置的馬達
Inventor: KOMATSUBARA SHINJI
IPC: F16C33/10
Filed: 2017-06-30
Granted: 2021-03-01
Abstract: 本發明的流體動壓軸承裝置，係於使用溫度範圍內調整潤滑油(11)朝殼體(7)的內部空間的填充量，以使得潤滑油(11)的油面較設置在軸承構件(8)之上端內周緣部的倒角部(8f)的上端部更位於下側，並且，軸承構件(8)，一體具有：外徑尺寸相對較小的小徑圓筒部(81)，及外徑尺寸相對較大的大徑圓筒部(82)。軸承構件(8)是以小徑圓筒部(81)的上端面(8c)露出於大氣的狀態，以環狀構件(9)及殼體(7)的底部(7b)從軸向兩側夾持大徑圓筒部(82)，藉此固定於殼體(7)的內周圍。
Patent TW-I637515-B (TW)
Inventor: LIN HSIN CHIH
IPC: H01L29/778
Filed: 2017-07-12
Granted: 2018-10-01
Abstract: 本揭露提供一種高電子遷移率電晶體元件，包括：一基板；一緩衝層，形成於該基板上；一第一磊晶層，形成於該緩衝層上；一第二磊晶層，形成於該第一磊晶層上；一絕緣層，形成於該第二磊晶層上；一閘極，部分設置於該絕緣層中；一源極與一汲極，部分設置於該絕緣層中，並位於該閘極之兩側；一溝槽，穿過該絕緣層與該第二磊晶層，並至少延伸至該第一磊晶層；以及一金屬層，形成於該絕緣層上，連接該源極，並填入該溝槽，以電性連接該第一磊晶層與該源極。
Patent TW-I732904-B (TW)
Title: Compensation device for compensating pvt variations of an analog and/or digital circuit
Inventor: RUFFIEUX DAVID
IPC: H03K17/14
Filed: 2017-07-20
Granted: 2021-07-11
Abstract: The present invention concerns a compensation device for compensating PVT variations of an analog and/or digital circuit, said compensation device comprising: - a transistor comprising - a first terminal (D), - a second terminal (G), - a third terminal (S), and - a fourth terminal (B, G’, G’’) allowing to modify a threshold voltage (Vth) of the transistor, wherein the transistor is configured to be in saturation region, wherein the voltage at the third terminal (S) has a predetermined value, wherein the difference between the voltage at the second terminal (G) and the voltage at the third terminal (S) has a predetermined value, - a current generation module, configured to generate a current of a predetermined value, - a compensation module, configured to force this current to flow between the first terminal (D) and the third terminal (S) by adjusting the voltage of the fourth terminal (B, G’, G’’).
Patent TW-I628484-B (TW)
Inventor: LIN CHENG FENG
IPC: G03B30/00
Filed: 2017-08-11
Granted: 2018-07-01
Abstract: 一種成像鏡頭，包含塑膠鏡筒以及成像鏡片組，成像鏡片組設置於塑膠鏡筒中。塑膠鏡筒包含物端外表面、第一內底面及第二內底面，第一內底面與物端外表面相對設置，第二內底面位於第一內底面的像側。成像鏡片組具有一光軸且由其物側至像側依序包含至少一塑膠透鏡及間隔環，塑膠透鏡上設置有光線吸收塗層，間隔環包含物端連接面及相對面，當物端連接面與物側相鄰光學元件連接時，相對面不與物側相鄰光學元件接觸，其中第二內底面與相對面於平行光軸的方向有重疊，光線吸收塗層較物端連接面靠近光軸。藉此，可形成易消除雜散光的光陷阱結構。
Patent TW-I737819-B (TW)
Title: Semiconductor device, test method, and system including the same
Inventor: HYUN SANG AH
IPC: G11C29/02
Filed: 2017-09-22
Granted: 2021-09-01
Abstract: A semiconductor device, a test method, and a system including the same are disclosed, which may relate to a technology for testing open and short states of a pad of a semiconductor device.
Patent TW-I661189-B (TW)
Inventor: HUANG WEN CHIUNG
IPC: G01N21/88
Filed: 2017-09-30
Granted: 2019-06-01
Abstract: 本發明揭露一種薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)面板缺陷之檢測方法及其裝置，該方法包括以探針加電壓至面板之線路的複數個位置，以獲得複數個位置之複數筆的電流以及電壓值資料，以及比對複數筆電流值資料與正常電流或電壓值以檢測出異常電流值，當判斷該異常電流或電壓值所相對應位置之電流或電壓值超過於使用者設定範圍時，即將與各異常電流相對應的所有位置標示為存有缺陷之位置，並增高探針的電流或電壓值將該位置的缺陷強制熔斷，俾利於進行後續製程。
Patent TW-I764942-B (TW)
Title: Electronic device
Inventor: VOGES FRANK
IPC: C07D405/10
Filed: 2017-10-05
Granted: 2022-05-21
Abstract: The present application relates to an electronic device comprising a xanthene or thioxanthene compound of a particular formula. The electronic device is preferably an organic electroluminescent device (OLED). The application further relates to particular xanthene or thioxanthene compounds as such, and to the use thereof in the abovementioned devices, and to processes for preparation thereof.
Patent TW-I749082-B (TW)
Title: 微波輸出裝置及電漿處理裝置
Inventor: KANEKO KAZUSHI
IPC: H05H1/46
Filed: 2017-10-12
Granted: 2021-12-11
Abstract: 本發明之一實施形態之微波輸出裝置中，從方向性耦合器輸出自微波產生部傳播至輸出部之行進波之一部分。於第1測定部中，利用二極體檢波產生與行進波之一部分之功率對應之類比訊號，將該類比訊號轉換為數位值。又，選擇與對微波輸出裝置指定之微波之設定頻率及設定功率建立對應之一個以上之修正係數。藉由將所選擇之一個以上之修正係數與數位值相乘而決定測定值。
Patent TW-I658595-B (TW)
Inventor: CHIEN SHIH CHIEH
IPC: H01L29/78
Filed: 2017-11-02
Granted: 2019-05-01
Abstract: 本發明之實施例是關於一種半導體結構，其包括半導體基板、位於上述半導體基板中之閘極溝槽、設置於閘極溝槽之側壁上之閘極介電層、位於閘極溝槽之下之閘極溝槽延伸部、設置於閘極溝槽延伸部中之絕緣柱、設置於閘極溝槽中及絕緣柱上之閘極電極、埋置於閘極溝槽兩側之半導體基板中之摻雜井區、設置於摻雜井區上之半導體基板中之源極區。
Patent TW-I738921-B (TW)
Inventor: CHEN WANSHI
IPC: H04L5/02
Filed: 2017-11-16
Granted: 2021-09-11
Abstract: 論述了對非同步多載波的處理。在新無線電（NR）第五代（5G）網路中，已經提出了針對包括非同步分量載波（CC）的對多載波操作（例如，載波聚合（CA）、雙連接（DC）等）的設定的可能性。然而，由於非同步關係，所以網路實體（例如基地台和使用者裝備（UE））將藉由獲得時序偏移資訊（經由推導或直接訊號傳遞），以及基於相對於參考CC的時序偏移來決定子訊框對應關係，來管理非同步CC。藉由決定到參考CC的子訊框對應關係，基地台和UE可以準確地將非同步CC上的通訊映射到跨CC的適當子訊框。
Patent TW-I659325-B (TW)
Inventor: CHEN WEN LIANG
Filed: 2017-11-17
Granted: 2019-05-11
Abstract: 本發明涉及一種用於智慧型農業及環境管理的系統，包含監測單元、傳輸單元、計算單元、控制單元及目標物質施用單元。監測單元收集監測區域中環境的原始資料；傳輸單元與監測單元相耦接，用以接收並傳輸原始資料；計算單元與傳輸單元相耦接，用以接收來自傳輸單元的原始資料，且依據策略演算法於目標物質資料庫中選用目標物質並歸納管理資訊；控制單元與計算單元相耦接，用以接收管理資訊並產生控制訊號；及目標物質施用單元與所述控制單元相連接，用以接收控制訊號，並依據控制訊號於監測區域中施用預定濃度及預定量的一或多種目標物質。
Patent TW-I755447-B (TW)
Inventor: HUANG BRUCE FUMING
IPC: C09D183/07
Filed: 2017-11-17
Granted: 2022-02-21
Abstract: 一種剝離型塗料組合物，其包含支化聚有機矽氧烷的組合。所述組合中的第一支化矽氧烷是單元式：(R 1   3 SiO 1/2 ) a (R 2 R 1   2 SiO 1/2 ) b (R 1   2 SiO 2/2 ) c (SiO 4/2 ) d 的MDQ矽氧烷，其中每個R 1 獨立地為不具有脂族不飽和性的單價烴基，並且每個R 2 為脂族不飽和的烴基，其中下標a 0，下標b>0，下標c 995，且下標d>0。所述組合中的第二支化矽氧烷是單元式：(R 1   3 SiO 1/2 ) e (R 2 R 1   2 SiO 1/2 ) f (R 1   2 SiO 2/2 ) g (R 1 SiO 3/2 ) h 的MDT倍半矽氧烷，其中下標e 0，下標f>0，下標g 995，且下標h>0。所述剝離型塗料組合物還包含每分子具有至少3個矽鍵合的氫原子的交聯劑和鉑系金屬催化劑。
Patent TW-I753051-B (TW)
Title: 半導體裝置、半導體裝置的操作方法和記憶系統
Inventor: LEE JONG WON
IPC: G11C16/08
Filed: 2017-11-21
Granted: 2022-01-21
Abstract: 一種用於操作半導體裝置的方法包括以下步驟：使與選擇的第一記憶串對應的第一選擇線接通，並且使與未選擇的第二記憶串對應的第二選擇線斷開；將讀取電壓施加到選擇的字元線並且將通過電壓施加到未選擇的字元線；以及使選擇的字元線和未選擇的字元線均衡，其中，在使選擇的字元線和未選擇的字元線均衡期間，使第二選擇線接通。
Patent TW-I682659-B (TW)
Title: Method for fixed pattern noise reduction and use of such method
Inventor: JOHANSSON EMANUEL
IPC: H04N19/169
Filed: 2017-11-30
Granted: 2020-01-11
Abstract: A method for structural fixed pattern noise reduction in a video stream comprises: for each target pixel (116) in a first image frame (114) defining a first target pixel patch (118) including the target pixel (116), defining a first search area (120) comprising the first target pixel patch (118), for each pixel in the first search area comparing a first pixel patch (124) around the pixel with the first target pixel patch (118), using the pixel when calulating an average for the target pixel (116) if the similarity of the first pixel patch (124) and the first target pixel patch (118) is within a first threshold, and, in a second image frame (114’) localizing a second target pixel (116’), defining a second pixel seach area (120’) comprising the second target pixel (116’), for each pixel in the second search area (120’) comparing a second pixel patch (124’) around the pixel of the second search area (120’) with the first target pixel patch (118), using the pixel in the second search area (120’) when calculating an average for the target pixel (116) if the similarity of the second pixel patch (124’) and the first target pixel patch (118) is within a second threshold, wherein the first image frame (114) and the second image frame (114’) are separate image frames in the videostream, and wherein the location of the second target pixel is estimated from the location of the target pixel(116), combined with camera directional data.
Patent TW-I643799-B (TW)
Inventor: TSAI CLEO
IPC: B65G49/07
Filed: 2017-12-01
Granted: 2018-12-11
Abstract: 本發明提出一種半導體輸送系統，包含一載盤軌道；複數個半導體機台，該複數個半導體機台係沿著該載盤軌道設置；一傳送裝置，連接於該載盤軌道並乘載有至少一半導體半成品，該傳送裝置包含一載盤，其中該載盤包含一第一子盤與一第二子盤；以及一定位裝置，與該載盤軌道相連接。本發明具備提高半導體良率、縮短生產週期、增加機動性等效果。
Patent TW-I672664-B (TW)
Inventor: CHENG SHAO YIN
IPC: G06Q50/14
Filed: 2017-12-15
Granted: 2019-09-21
Abstract: 一種旅遊商品議價方法包含：由一消費者登錄一旅遊商品價格資料於一旅遊商品議價平台；依該旅遊商品價格資料由該旅遊商品議價平台發送一議價單至一旅遊業者；依該議價單由該旅遊業者回傳一初步報價單至該旅遊商品議價平台；依該初步報價單與該旅遊商品價格資料由該旅遊商品議價平台計算產生一最低價報價單，且將該最低價報價單由該旅遊商品議價平台發送至該消費者；及依該最低價報價單由該消費者選擇回送一購買確認單至該旅遊商品議價平台，且在該消費者與旅遊商品議價平台之間依該購買確認單進行一旅遊商品交易。
Patent TW-I652647-B (TW)
Title: Three-dimensional mask method for detecting stereoscopic image boundary
Inventor: WENG PING KUO
IPC: G06T15/08
Filed: 2017-12-26
Granted: 2019-03-01
Abstract: 一種三維遮罩法之立體影像邊界偵測方法，步驟包括：(A)讀取一三維影像，將該三維影像切割成複數三維影像區塊；(B)將該複數三維影像區塊逐一與一組三維遮罩進行一三維遮罩演算法，以取得每一三維影像區塊的複數三維影像區塊相似值；(C)取得每一三維影像區塊的最大三維影像區塊相似值，以獲得一三維影像區塊的邊界強度分布；(D)設定一閥值，利用該閥值從該三維影像區塊的邊界強度分布篩選出複數邊界區塊後，建構出三維影像。藉此，可在三維立體影像中比對搜尋出最相近的立體表面邊界，產生邊界偵測結果。
Patent TW-I652800-B (TW)
Title: 積層配線構造體、積層配線構造體之製造方法及半導體裝置
Inventor: TOMIMATSU TAKAHIRO
IPC: G11C11/40
Filed: 2017-12-28
Granted: 2019-03-01
Abstract: 本實施形態之積層配線構造體具備：第1積層部，其將第1導電體與第1絕緣體交替地積層，且包含含有記憶胞之第1區域、以及與第1區域不同之第2區域；複數個第1接觸插塞，其等於第2區域內，形成於自第1積層部之最上層各自到達至第1導電體之複數個第1孔內，且側面由第1絕緣膜覆蓋；以及複數根柱，其等於第2區域內，於第1積層部之積層方向穿過第1積層部內，且由第2絕緣體形成。
Patent TW-I678045-B (TW)
Inventor: HSU JUNG HUI
IPC: H02J13/00
Filed: 2018-04-25
Granted: 2019-11-21
Abstract: 一種插座控制系統，包含智能插座裝置及直流傳輸線纜。智能插座裝置包含電源輸入端、受控電源輸出端、插座式開關、繼電器、及電源轉換單元。繼電器的線圈側電性連接於插座式開關，繼電器的開關側電性連接於電源輸入端及受控電源輸出端。電源轉換單元電性連接於插座式開關與電源輸入端。直流傳輸線纜可分離地插接於插座式開關，用以傳輸外部直流信號至插座式開關。當直流傳輸線纜插設且傳輸外部直流信號至插座式開關，或者當直流傳輸線纜未插設至插座式開關時，繼電器的開關側被導通。
Patent TW-I735778-B (TW)
Title: Reactive polycarboxylic acid compound, active energy ray curable resin composition using the same, cured product thereof and use thereof
Inventor: Yoshizawa eri
IPC: G03F7/004
Filed: 2018-04-25
Granted: 2021-08-11
Abstract: An objective of the present invention is to provide an active energy ray curable resin composition which gives a cured film excellent in heat resistance and developability.  
     An reactive polycarboxylic acid compound (A) is formed by reacting a carboxylic acid compound (b) having an ethylenically unsaturated group and a carboxy group polymerizable in one molecule in an epoxy resin (a) represented by the following formula (1); a reactive epoxy carboxylate compound (d) obtained by reacting a compound (c), if necessary, having both a hydroxyl group and a carboxy group in one molecule; and a polybasic acid anhydride (e) represented by the following formula (2) or formula (3).  
     
       
         
       
     
     In the formula, n represents an average value and represents a number of 0 to 10; P and R each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or an aryl group, a plurality of P and R may be the same or different from each other. G represents a glycidyl group.  
     
       
         
       
     
     
       
         
       
     
     In the formula (2), R 1  each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; m represents an integer of 1 to 3.