baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-112005000640-T5 (DE)
Title: Testgerät und Testverfahren
Inventor: YAMADA MASUHIRO
IPC: G01R31/319
Filed: 2005-03-22
Abstract: Testgerät,
das gleichzeitig eine Vielzahl von Speicherprüflingen testet,
umfassend:  einen Mustergenerator, der ein Adresssignal und
ein Datensignal, die der Vielzahl von Speicherprüflingen
zuzuführen sind, und ein Erwartungssignal erzeugt, das
vom Speicherprüfling gemäß dem Adresssignal
und dem Datensignal auszugeben ist;  eine Vielzahl von Logikkomparatoren,
die entsprechend jedem aus der Vielzahl von Speicherprüflingen
vorgesehen sind und ein von der Vielzahl von Speicherprüflingen
gemäß dem Adresssignal und dem Datensignal ausgegebenes
Ausgabesignal mit dem Erwartungssignal vergleichen, um Fehlerdaten
zu erzeugen, wenn das Ausgabesignal und das Erwartungssignal nicht
miteinander identisch sind;  eine Vielzahl von Fehlerspeichern,
die entsprechend jedem aus der Vielzahl von Speicherprüflingen
vorgesehen sind und die von der Vielzahl von Logikkomparatoren erzeugten Fehlerdaten
in Verbindung mit einer Adresse speichern, die durch das Adresssignal
gezeigt wird;  eine Vielzahl von Speichersteuerungen, die entsprechend jedem
aus der Vielzahl von Speicherprüflingen vorgesehen sind
und Defektadressinformation, die eine Defektadresse im Speicherprüfling
zeigt, auf der Grundlage...
Patent DE-112005002982-T5 (DE)
Title: Kupferkollektor für eine sekundäre Batterie, umfassend einen Cu-Nitrilverbindungskomplex, der auf einer Oberfläche davon gebildet ist
Inventor: KIM YOUNG SOO
IPC: H01M10/40
Filed: 2005-11-29
Abstract: Kupferfolie
oder Netz, umfassend einen Cu-Nitrilverbindungskomplex, der auf
einer Oberfläche davon
gebildet ist.
Patent DE-112006002407-T5 (DE)
Title: Brandprobenschmelzmittelzusammensetzung für die Analyse von PGM und Gold aufweisenden Mineralproben
Inventor: MCINTOSH KEITH SHEARER
IPC: G01N1/28
Filed: 2006-08-17
Abstract: Brandprobenschmelzmittelzusammensetzung
beinhaltend ein Dispergiermittel in Form einer Phosphatquelle.
Patent DE-112007000456-T5 (DE)
Title: Eingetauchter Kraftstofffüllstandssensor
Inventor: REIMER LAWRENCE B
IPC: G01B11/14
Filed: 2007-02-26
Abstract: Ein
Füllstandssensor,
aufweisend:  Einen ersten Wandler, so konfiguriert, dass er
ein erstes Signal erzeugt;  einen zweiten Wandler, so konfiguriert,
dass er ein zweites Signal erzeugt;  ein Referenzziel, angeordnet
in einem ersten Abstand vom ersten Wandler und in einem zweiten
Abstand vom zweiten Wandler; und  einen Prozessor, so konfiguriert,
dass er zwischen einem ersten Betriebsmodus und einem zweiten Betriebsmodus umschaltet
und Informationen vom ersten und vom zweiten Wandler empfängt,  wobei
im ersten Modus der Prozessor so konfiguriert ist, dass  er
ein Steuersignal zum ersten Wandler sendet, um den ersten Wandler
zu veranlassen, das erste Signal zu erzeugen, und  er ein Signal
vom zweiten Wandler empfängt,
das auf einer Reflexion des ersten Signals an einer Oberfläche beruht;  wobei
im zweiten Modus der Prozessor so konfiguriert ist, dass  er
ein Steuersignal zum zweiten Wandler sendet, um den zweiten Wandler
zu veranlassen, das zweite Signal...
Patent DE-112007001033-T5 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung für die Oberflächenbehandlung von Papier / Karton
Inventor: LIPPONEN JUHA
IPC: D21H23/24
Filed: 2007-04-18
Abstract: Verfahren
zum Oberflächenbehandeln von Papier/Karton, dadurch gekennzeichnet,
dass das Verfahren ein Behandeln einer Faserbahn mit einer ein Trocknungsschrumpfen
erzielenden Chemikalie derart aufweist, dass die Chemikalie im Wesentlichen
gänzlich durch die Faserbahndicke dringt, und danach die
Faserbahn dazu gebracht wird, dass sie zu einer Behandlungszone (N)
zwischen zwei erwärmten Metallflächen (12, 15)
mit dem Ergebnis voranschreitet, dass die Feuchtigkeit innerhalb
der Faserbahn zu einem mittleren Abschnitt wandert, wodurch der
mittlere Abschnitt als ein Ergebnis der zunehmenden Feuchtigkeit
anschwillt und der Oberflächenabschnitt einer hohen Trocknungsspannung
ausgesetzt wird, da verhindert wird, dass der Oberflächenabschnitt schrumpft,
und wenn die Faserbahn aus der Behandlungszone heraustritt, das
verdampfte Wasser schnell durch die Oberflächenporen ohne
wesentliche Kondensation in den Oberflächenlagen entweicht,
was zu einem erhöhten Elastizitätsmodul für
die Oberflächen und gleichzeitig zu einer geringen Dichte
für den mittleren Abschnitt führt.
Patent DE-112007001305-T5 (DE)
Title: System zur Auslassventilbetätigung
Inventor: CORENLL SEAN O
IPC: F01L9/14
Filed: 2007-03-30
Abstract: Variables
Ventilbetätigungssystem (72) zum Liefern von Abgas zu mindestens
einer Komponente stromabwärts eines Motors (12), der welches
Folgendes aufweist:  ein Auslassventil (66), welches in einem
Motorzylinder angeordnet ist; ein hydraulisches Betätigungssystem
(98);  ein Bremssteuerventil (84) und eine Hydraulikströmungsmittelversorgung
(86), die betriebsmäßig mit dem hydraulischen
Betätigungssystem verbunden ist;  eine Auslassventilbetätigungsvorrichtung
(114), die betriebsmäßig mit dem hydraulischen
Betätigungssystem verbunden ist, wobei die Auslassventilbetätigungsvorrichtung
betreibbar ist, um das Auslassventil zu beeinflussen, dass es sich
innerhalb des Motorzylinders öffnet; und  eine Vorrichtung
(154) zur Steuerung einer Position der Auslassventilbetätigungsvorrichtung
relativ zu einer Position des Auslassventils, wobei die Steuervorrichtung
betriebsmäßig mit der Hydraulikströmungsmittelversorgung verbunden
ist.
Patent DE-112007001373-T5 (DE)
Title: Verbesserte Messung der Verlängerung eines flexiblen Antriebsglieds eines Motors
Inventor: CLELAND TERRY P
IPC: F16H7/02
Filed: 2007-06-13
Abstract: System
zum Bestimmen des Zustands eines flexiblen Antriebselements anhand
der relativen Winkelposition einer ersten Rolle bezüglich
einer zweiten Rolle, welche durch das flexible Antriebselement mit der
ersten Rolle verbunden ist, wobei das System umfaßt:  einen
ersten Sensor zum Bestimmen der Winkelposition der ersten Rolle;  einen
zweiten Sensor zum Bestimmen der Winkelposition der zweiten Rolle;  eine
Verarbeitungseinrichtung, welche geeignet ist, um Winkelpositionsbestimmungen
von dem zweiten Sensor in ausgewählten Intervallen über
mindestens eine Umdrehung der zweiten Rolle hinweg zu erhalten,
wobei die Verarbeitungseinrichtung die erhaltenen Winkelpositionsbestimmungen
mit mindestens einer entsprechenden gespeicherten relativen Einmessungs-Winkelposition
vergleicht, um einen Arbeitszustand des flexiblen Antriebselements
zu bestimmen.
Patent DE-112008001281-T5 (DE)
Title: Antriebsvorrichtung
Inventor: YOSHIDA TADAFUMI
IPC: H02K11/00
Filed: 2008-05-27
Abstract: Antriebsvorrichtung mit:  einer ersten und einer zweiten Elektrodrehmaschine (MG2, MG1);  einem Umformer (300) zur Versorgung der ersten und zweiten Elektrodrehmaschine mit elektrischer Energie;  einem ersten Gehäuseteil (23) mit einem ersten Elektrodrehmaschinen-Gehäuseabschnitt (21) zur Aufnahme der ersten Elektrodrehmaschine (MG2) und einem Umformergehäuseabschnitt (30) zur Aufnahme des Umformers (300);  einem zweiten Gehäuseteil (13) zur Aufnahme der zweiten Elektrodrehmaschine (MG1), das an dem ersten Gehäuseteil (23) befestigbar ist;  einem ersten Anschlussabschnitt (121), der an dem ersten Gehäuseteil (23) angeordnet und mit dem Umformer (300) verbunden ist; und  einem zweiten Anschlussabschnitt (15), der an dem zweiten Gehäuseteil (13) angeordnet und mit der zweiten Elektrodrehmaschine (MG2) verbunden ist;  wobei der erste Anschlussabschnitt (121) und der zweite Anschlussabschnitt (15) derart angeordnet sind, dass einer der Anschlussabschnitte in Richtung des weiteren der Anschlussabschnitte hervorragt und das erste Gehäuseteil (23) so an dem zweiten Gehäuseteil (13) befestigt ist, dass der erste...
Patent DE-112008001309-T5 (DE)
Title: Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls
Inventor: SOETA SATOSHI
IPC: C30B29/06
Filed: 2008-04-14
Abstract: Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls, bei dem es sich um ein Czochralski-Verfahren zum Wachsenlassen des Silizium-Einkristalls durch Kontaktieren eines Impfkristalls mit einer Schmelze und durch Ziehen nach oben handelt, umfassend die folgenden Schritte: Kontaktieren des Impfkristalls mit der Schmelze; Bilden eines Halsabschnitts unter dem Impfkristall; und Bilden des Silizium-Einkristalls unter dem Halsabschnitt durch Vergrößern eines Durchmessers, wobei eine Ziehrate während des Bildens des Halsabschnitts 2 mm/min oder weniger beträgt und der Silizium-Einkristall mit dem vergrößerten Durchmesser ein mit Bor dotierter Silizium-Einkristall mit einem spezifischen Widerstand von 1,5 mΩ·cm oder weniger an einem Schulterabschnitt ist.
Patent DE-112009004973-T5 (DE)
Title: Erzeugen und Verwenden von Elektrizität, die von  Abwärme eines elektrischen Geräts abgeleitet ist
Inventor: CHEN YANCY
IPC: H02J7/00
Filed: 2009-04-15
Abstract: Ein System (101A, 101B) zum Ableiten von Betriebselektrizität für ein elektrisches Gerät (100A, 100B) von Abwärme des elektrischen Geräts (100A, 100B) weist eine Wärmeerzeugungskomponente (110) des elektrischen Geräts (100A, 100B), ein thermoelektrisches Bauelement (120), das thermisch gekoppelt ist mit der Wärmeerzeugungskomponente (110), ein Ladungsspeicherbauelement (140), das elektrisch gekoppelt ist mit dem thermoelektrischen Bauelement (120), und eine Echtzeit-Parasitär-Komponente (157) des elektrischen Geräts (100A, 100B) auf, die elektrisch gekoppelt ist mit dem thermoelektrischen Bauelement (120) und dem Ladungsspeicherbauelement (140). Das thermoelektrische Bauelement (120) ist konfiguriert, um von Abwärme der Wärmeerzeugungskomponente (110) thermoelektrisch Elektrizität zu erzeugen. Die Abwärme wird erzeugt durch die Wärmeerzeugungskomponente (110) während des Betriebs des elektrischen Geräts (100A, 100B). Die Echtzeit-Parasitär-Komponente (157) ist konfiguriert, um einen Teil ihrer Echtzeitbetriebselektrizität von dem thermoelektrischen Bauelement (120) und einen Teil ihrer parasitären Betriebselektrizität von dem Ladungsspeicherbauelement (140) zu empfangen.
Patent DE-112010003664-T5 (DE)
Title: Leistungsumwandlungsvorrichtung
Inventor: AZUMA SATOSHI
IPC: H02M7/48
Filed: 2010-05-07
Abstract: Eine Leistungsumwandlungsvorrichtung umfasst einen Hauptwechselrichter (1) mit einer Hochspannungs-DC-Energieversorgung (5), die mit einer niedrigen Frequenz arbeitet, und verwendet SiC-MOSFETs (3) mit einer hohen Stehspannung Vx von über 600 V, und einen untergeordneten Wechselrichter (2) mit einem Niederspannungskondensator (8), der durch Hochfrequenz-PWM arbeitet, und verwendet Si-MOSFETs (6) mit einer niedrigen Stehspannung Vy. Mit in Reihe geschalteten AC-Seiten des Hauptwechselrichters (1) und des untergeordneten Wechselrichters (2) gibt die Leistungsumwandlungsvorrichtung AC-Energie mit einer vorgeschriebene Spannungswellenform durch Addieren von durch den Hauptwechselrichter (1) und den untergeordneten Wechselrichter (2) einzeln erzeugten Spannungen aus. Speziell werden die SiC-MOSFETs (3) nur im Hauptwechselrichter (1) verwendet, dessen Vorrichtungen eine hohe Stehspannung haben müssen, und die Si-MOSFETs (6) werden im untergeordneten Wechselrichter (2) verwendet, dessen Vorrichtungen eine relativ niedrige Stehspannung haben können, wodurch ein Leitungsverlust mit einem preisgünstigen Schaltungsaufbau reduziert ist.
Patent DE-112010004658-T5 (DE)
Title: Systemspezifikationserzeugungsvorrichtung und Testvorrichtung
Inventor: YOSHIMURA KENTARO
IPC: G06F9/44
Filed: 2010-11-25
Abstract: Es wird eine Systemtestspezifikationserzeugungsvorrichtung zum Erzeugen einer Systemtestspezifikation, die auf Software, die mehrere Softwarekomponenten enthält, in einem Zustand, in dem die Softwarekomponenten kombiniert worden sind, angewendet werden soll, offenbart.  Die Systemtestspezifikationserzeugungsvorrichtung umfasst Software 1, eine Spezifikationsanalyseeinheit 2, eine Systemtestspezifikationsdatenbank 3, eine Systemtestspezifikationseinstelleinheit 4 und eine Systemtestspezifikationsausgabeeinheit 5. Die Software 1 umfasst Softwarekomponenten 11, 12 und 13. Die Spezifikationsanalyseeinheit 2 umfasst Softwarekomponentenspezifikationsextraktionseinheiten 21, 22 und 23, die den jeweiligen Softwarekomponenten entsprechen, und eine Systemspezifikationsintegrationseinheit, um Softwarekomponentenspezifikationen zu integrieren, um eine Systemspezifikation zu erzeugen. Die Systemspezifikationseinstelleinheit 4 verwendet auf der Grundlage der Systemspezifikation von der Systemspezifikationsintegrationseinheit 24 mehrfach eine Systemtestspezifikation, die in der Systemtestspezifikationsdatenbank 3 gespeichert ist, erzeugt eine Systemtestspezifikation, die für kombinierte Softwarekomponenten angewendet werden soll, und gibt sie zu der Systemtestspezifikationsausgabeeinheit 5 aus.
Patent DE-112010005037-T5 (DE)
Title: Rotierendes Schneidwerkzeug mit abgedichtetenFührungsfasen und Verfahren zu seiner Herstellung
Inventor: SCHWAGERL JUERGEN
IPC: B23B51/00
Filed: 2010-11-30
Abstract: Ein rotierendes Schneidwerkzeug (10) enthält einen allgemein zylindrischen Körper mit einem ersten Ende (12), einem zweiten Ende (14) und einer Längsachse dazwischen (16). Ein Einbauteil (18) ist um das erste Ende (12) angeordnet, ein Kopfteil (20) mit einem Außendurchmesser (D) ist um das zweite Ende (14) angeordnet, und ein Körperhinterschliffteil (22) mit einem geringeren Außendurchmesser (d) als der Kopfteil (20) ist dazwischen angeordnet. Der Kopfteil (20) ist strukturiert, um in ein Werkstück einzugreifen und es zu schneiden. Eine Anzahl von Nuten (24) erstreckt sich vom zweiten Ende (14) des zylindrischen Köpers entlang des Kopfteils (20) und entlang mindestens eines Teils des Körperhinterschliffteils (22). Der Kopfteil (20) enthält eine Anzahl von Führungsfasen-Hinterschliffflächen (30), die je zwischen benachbarten Nuten (24) angeordnet sind und einen Abstand (t) zum Außendurchmesser (D) des Kopfteils (20) einfügen und sich vom zweiten Ende (14) des zylindrischen Körpers erstrecken und an einer Führungsfasendichtung (32) im Kopfteil (20) enden.
Patent DE-112011100331-T5 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines Wolfram-enthaltenden diamantartigen Kohlenstofffilms auf einem Basismaterial eines Kontaktsondenstifts für eine Halbleiterprüfvorrichtung
Inventor: ITO HIROTAKA
IPC: C23C14/06
Filed: 2011-01-07
Abstract: Es ist ein Verfahren zur Herstellung eines Wolfram-enthaltenden diamantartigen Kohlenstofffilms auf einem Basismaterial eines Kontaktsondenstifts für eine Halbleiterprüfvorrichtung offenbart, dadurch gekennzeichnet, dass der Wolfram-enthaltende diamantartige Kohlenstofffilm auf dem Basismaterial durch die Durchführung eines Sputterns in einem Gasgemisch aus einem Kohlenwasserstoffgas und Argongas unter Verwendung eines Wolframcarbidtargets gebildet wird.
Patent DE-112011104010-T5 (DE)
Title: Bearbeitungseinheit für ein Halbleiterwerkstück und Verfahren zu dessen Bearbeitung
Inventor: HANSON KYLE M
IPC: H01L21/02
Filed: 2011-12-02
Abstract: Eine Bearbeitungseinheit für ein Halbleiterwerkstück umfasst im Allgemeinen eine Rotoreinheit, die in der Lage ist, ein Werkstück zu drehen, eine Chemikalienabgabeeinheit zum Abgeben von Chemikalien an das Werkstück, und eine Chemikalienauffangeinheit zum Auffangen verbrauchter Chemikalien vom Werkstück. Die Chemikalienauffangeinheit kann einen Überlauf umfassen, der dazu ausgelegt ist, sich mit der Rotoreinheit zu drehen. Es wird auch ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks bereitgestellt.
Patent DE-112011104902-T5 (DE)
Title: Antriebssteuervorrichtung zum Bereitstellen von Antriebssteuerung für ein Hybridfahrzeug und Hybridfahrzeug
Inventor: TAGAWA MASAAKI
IPC: B60L50/16
Filed: 2011-02-16
Abstract: Ein oberes Drehzahllimit NengUL und ein unteres Drehzahllimit NengLL eines Verbotbereichs des Betriebs der Maschine werden ausgehend von dem oberen Drehzahllimit Nmg2UL und dem unteren Drehzahllimit Nmg2LL eines vorbestimmten Verbotsbereichs des Betriebs eines zweiten MotorGenerators eingestellt. Wenn ein Maschinendrehzahlziel Nengt, das aus einer voreingestellten Zielbetriebslinie berechnet wird, innerhalb des Verbotsbereichs des Betriebs der Maschine liegt, wird das Maschinenbetriebspunktziel derart korrigiert, dass das Drehzahlziel des zweiten Motor-Generators Nmg2t außerhalb des Verbotbereichs des Motorbetriebs liegt. Wenn das Maschinendrehzahlziel Nengt größer ist oder gleich ist wie eine Richtungswechsel-Maschinendrehzahl NengCD, an der die Richtung der Verlagerung zu und von einem zulässigen Bereich des Betriebs der Maschine gewechselt wird, wird die Maschinendrehzahl Nengt erhöht, während, wenn das Maschinendrehzahlziel Nengt kleiner ist als die Richtungswechsel-Maschinendrehzahl NengCD, die Maschinendrehzahl Neng verringert wird.
Patent DE-112011105508-T5 (DE)
Title: Luftreifen
Inventor: WANG DAQIAN
IPC: B60C11/04
Filed: 2011-08-10
Abstract: Der Luftreifen 1 weist eine Gürtelschicht 14 auf, die eine Umfangsverstärkungsschicht 145 und ein Paar Kreuzgürtel 142, 143 aufweist. Außerdem weist der Luftreifen 1 mindestens drei oder mehr Hauptumfangsrillen 21 bis 23 im Laufflächenabschnitt auf, die Rillenböden aufweisen, die in der Rillentiefenrichtung konvex sind. Außerdem weisen der Krümmungsradius RA des Rillenbodens einer beliebigen ersten Hauptumfangsrille 21, 22 und der Krümmungsradius RB des Rillenbodens einer beliebigen zweiten Hauptumfangsrille 23 die Beziehung RA < RB auf.
Patent DE-112012000264-T5 (DE)
Title: Halbleiter-auf-Isolator-Einheit mit asymmetrischer Struktur
Inventor: PUTNAM CHRISTOPHER S
IPC: H01L21/8249
Filed: 2012-01-20
Abstract: Einheitenstrukturen mit einer verringerten Übergangsfläche in einem SOI-Prozess, Verfahren zum Fertigen der Einheitenstrukturen und Konstruktionsstrukturen für eine Lateraldiode (56). Die Einheitenstruktur beinhaltet einen oder mehrere dielektrische Bereiche (20a, 20b, 20c) wie zum Beispiel STI-Bereiche, die in dem Einheitenbereich (18) positioniert sind und sich mit dem p-n-Übergang (52, 54) zwischen einer Anode (40, 42) und einer Kathode (28, 30, 48a, 48b, 49a, 49b, 50a, 50b) überschneiden. Die dielektrischen Bereiche, die mithilfe von Techniken für flache Grabenisolationen ausgebildet werden können, dienen dazu, die Breite eines p-n-Übergangs im Hinblick auf die Breitenfläche der Kathode an einer Position zu verringern, die seitlich von dem p-n-Übergang und der Anode beabstandet ist. Der Breitenunterschied und das Vorhandensein der dielektrischen Bereiche erzeugt eine asymmetrische Diodenstruktur. Das Volumen des Einheitenbereichs, das durch die dielektrischen Bereiche eingenommen wird, wird so weit wie möglich verringert, um das Volumen der Kathode und der Anode zu erhalten.
Patent DE-112012000612-T5 (DE)
Title: lonenimplantierte und selbstjustierende Gate-Struktur für GaN-Transistoren
Inventor: NAKATA ALANA
IPC: H01L29/66
Filed: 2012-01-31
Abstract: Eine selbstjustierende Transistor Gate-Struktur, die einen ionenimplantierten Teil an Gate-Material enthält, welches auf jeder Seite von nicht-implantiertem Gate-Material umgeben ist. Die Gate-Struktur kann zum Beispiel dadurch gebildet werden, indem eine Schicht von GaN-Material über einer AlGaN-Sperrschicht angelegt und ein Teil der GaN-Schicht implantiert wird, um eine Gate-Struktur zu schaffen, welche seitlich von der GaN-Schicht umgeben ist.
Patent DE-112012001597-T5 (DE)
Title: Additive zum Abschwächen des Abbaus von Katalysatorschichten in Brennstoffzellen
Inventor: LI JING
IPC: H01M8/10
Filed: 2012-04-03
Abstract: Liganden-Additive mit zwei oder mehr Koordinationsstellen in großer Nähe können in dem Polymer-Elektrolyten von Membran-Elektroden-Anordnungen in Feststoff-Polymer-Elektrolyt-Brennstoffzellen verwendet werden, um die Auflösung des Katalysators, insbesondere von der Kathode, zu verringern und somit den Abbau der Brennstoffzelle mit der Zeit verringern.
Patent DE-112013005225-T5 (DE)
Title: Wärmetauscher aus gestapelten Platten mit nur einer Plattengestaltung
IPC: F28F9/26
Filed: 2013-10-28
Abstract: Ein Wärmetauscher vom Plattentyp weist mehrere gestapelte, in gegenseitigem Abstand angeordnete Plattenpaare auf, wobei die Plattenpaare jeweils aus einer ersten und einer zweiten Platte bestehen. Die erste und die zweite Platte haben jeweils einen länglichen mittleren, ebenen Bereich, der von Umfangskantenbereichen umgeben ist, wobei die Umfangskantenbereiche der ersten und der zweiten Platte dichtend miteinander verbunden sind, um einen ersten Satz von Fluiddurchgängen in dem Wärmetauscher zu bilden. Die erste und die zweite Platte sind mit Wulstbereichen an jeweiligen Enden der Platten versehen, wobei einer der Wulstbereiche ein verlängerter Wulstbereich mit einer ersten Position und einer zweiten Position für den Ort einer Fluidöffnung ist. Die erste und die zweite Wärmetauscherplatte sind in der Struktur identisch und können dazu verwendet werden, verschiedene Wärmetauscher unter Verwendung nur einer Plattengestaltung zu bilden.
Patent DE-112013006674-T5 (DE)
Title: Flüssigkristallbildschirm und zugehöriges Modul zur LED-Hintergrundbeleuchtung
Inventor: ZHANG HUA
IPC: G09G3/36
Filed: 2013-03-13
Abstract: Die Erfindung offenbarteinen Flüssigkristallbildschirm und das dazugehörige Modul zur LED-Hintergrundbeleuchtung. Das Modul zur LED-Hintergrundbeleuchtung umfasst: eine Boosterschaltung, die eine Gleichspannung aufnimmt, die Gleichspannung steigert und eine gesteigerte Gleichspannung ausgibt; eine LED-Kette, die einen sechsten Widerstand und mehrere LEDs, die in Reihe geschaltet sind, umfasst und die die von der Boosterschaltung ausgegebene gesteigerte Gleichspannung aufnimmt; eine Konstantstrom-Antriebsschaltung, die ein Pegel-Signal, durch das die Boosterschaltung gesteuert wird, erzeugt; eine Verstärkerschaltung, die die Gleichspannung aufnimmt, das von der Konstantstrom-Antriebsschaltung ausgegebene Pegel-Signal verstärkt und das verstärkte Pegel-Signal an die Boosterschaltung ausgibt. Bei dem Flüssigkristallbildschirm und dem zugehörigen Modul zur LED-Hintergrundbeleuchtung der vorliegenden Erfindung wird die an die Boosterschaltung eingegebene Antriebsspannung durch die hinzugefügte Verstärkerschaltung erhöht, um den Leistungsverbrauch der Boosterschaltung zu verringern. Weiterhin erhöht die Verstärkerschaltung die an den MOS-Transistor der Boosterschaltung eingegebene Antriebsspannung und verringert so den DCR-Wert innerhalb des MOS-Transistors. Als Ergebnis wird der Leistungsverbrauch des MOS-Transistors verringert, die Temperatur wird verringert, und die Lebensdauer des MOS-Transistors wird verlängert.
Patent DE-112013007755-T5 (DE)
Title: Protokoll für kommunikationen zwischen plattformen und bildgeräten
Inventor: KRIG SCOTT A
IPC: G06K9/62
Filed: 2013-09-03
Abstract: Gemäß einigen Ausführungsformen erlaubt ein Protokoll Kommunikationen zwischen Plattformen und Bildgeräten. Dies ermöglicht beispielsweise der Plattform, spezielle Arten von Informationen zu spezifizieren, welche die Plattform vielleicht haben möchte, das Format von Informationen, welche die Plattform bevorzugen mag, und andere Informationen, die den Umfang an Verarbeitung in der Plattform reduzieren können. Beispielsweise empfängt die Plattform konventionell in Gestikerkennungssoftware einen laufenden Videostream, der geparst, durchsucht und verarbeitet werden soll, um Gesten zu identifizieren. Dies kann insbesondere in Fällen, bei denen drahtlose Kommunikationen oder andere bandbreitenbegrenzte Kommunikationen involviert sein können, Kommunikationsbandbreite zwischen Plattformen und Bildverarbeitungsgeräten verbrauchen.