Patent DE-102013106744-B4 (DE)
Title: Schaltungen zur Spannungsregelung und entsprechendes Verfahren
Inventor: FELDTKELLER MARTIN
IPC: G05F1/56
Filed: 2013-06-27
Granted: 2021-08-26
Abstract: Schaltung (200, 300, 400, 500), die Folgendes aufweist:• einen Versorgungsanschluss (202), der konfiguriert ist zum Empfangen einer Versorgungsspannung;• einen Steuertransistor (204), der ein Körpergebiet, ein erstes Source-/Draingebiet, ein zweites Source-/Draingebiet, ein über dem Körpergebiet angeordnetes Gateisoliergebiet und ein über dem Gateisoliergebiet angeordnetes Gategebiet aufweist, wobei das erste Source-/Draingebiet an den Versorgungsanschluss (202) gekoppelt ist und wobei das Gateisoliergebiet eine erste Schichtdicke aufweist;• eine Logikschaltung, die einen internen Versorgungsanschluss (216) und mehrere Transistoren aufweist, wobei jeder der Transistoren ein Gateisoliergebiet mit einer zweiten Schichtdicke aufweist, wobei der interne Versorgungsanschluss (216) an das zweite Source-/Draingebiet des Steuertransistors (204) gekoppelt ist;• einen Inverter (208), der einen Invertereingang, einen Inverterausgang, einen ersten Versorgungseingang und einen zweiten Versorgungseingang umfasst, wobei der Invertereingang an den internen Versorgungsanschluss (216) der Logikschaltung gekoppelt ist und der Inverterausgang an das Gategebiet des Steuertransistors (204) gekoppelt ist, wobei der Inverter (208) mindestens einen Transistor (622, 624) mit einem Gateisoliergebiet mit einer dritten Schichtdicke umfasst;• einen weiteren Transistor (302), der ein Körpergebiet, ein erstes Source-/Draingebiet, ein zweites Source-/Draingebiet, ein über dem Körpergebiet angeordnetes Gateisoliergebiet und ein über dem Gateisoliergebiet angeordnetes Gategebiet aufweist, wobei das erste Source-/Draingebiet an den Versorgungsanschluss (202) gekoppelt ist, das zweite Source-/Draingebiet an das erste Source-/Draingebiet des Steuertransistors (204) gekoppelt ist und wobei das Gateisoliergebiet eine vierte Schichtdicke aufweist;• eine Referenzspannungsquelle (514), die konfiguriert ist zum Liefern einer Referenzspannung (214);• einen Referenzinverter (508), umfassend einen Eingang, wobei der Eingang des Referenzinverters (508) an die Referenzspannungsquelle (514) gekoppelt ist und wobei der Referenzinverter (508) konfiguriert ist zum Liefern eines ersten Spannungspotentials an den ersten Versorgungseingang des Inverters (208) und eines zweiten Spannungspotentials an den zweiten Versorgungseingang des Inverters (208);• einen ersten Spannungsfolger (510), der an den Referenzinverter (508) gekoppelt und konfiguriert ist zum Liefern des ersten Spannungspotentials von einem dritten Spannungspotential; und• einen zweiten Spannungsfolger (506), der an den Referenzinverter (508) gekoppelt und konfiguriert ist zum Liefern des zweiten Spannungspotentials von einem vierten Spannungspotential,• wobei die erste Schichtdicke, die zweite Schichtdicke und die dritte Schichtdicke im Wesentlichen gleich sind, und• wobei die vierte Schichtdicke größer ist als die erste Schichtdicke und/oder eine Länge des Gateisoliergebiets des weiteren Transistors (302) größer ist als eine Länge des Gateisoliergebiets des Steuertransistors (204).