Patent DE-102017113133-B4 (DE)
Title: Phasenänderungs-Speichervorrichtung mit einer Schaltung zum Ansteuern einer Wortleitung mit hoher Geschwindigkeit
Inventor: TORTI CESARE
IPC: G11C5/14
Filed: 2017-06-14
Granted: 2020-12-10
Abstract: Speichervorrichtung, welche ein Feld (2) von Speicherzellen (3), welche ein Phasenänderungsmaterial aufweisen, und wenigstens eine Wortleitung (WL) umfasst, wobei die Speichervorrichtung ferner eine Treiberschaltung (34) umfasst, welche Folgendes umfasst:- eine Steuerschaltung (42, 44, 46), die gesteuert werden kann, um in einem Lesemodus oder in einem Schreibmodus zu arbeiten,- einen ersten Pull-up-MOSFET (PM1) und einen zweiten Pull-up-MOSFET (PM2) mit Kanälen eines ersten Typs (P), wobei der erste und der zweite Pull-up-MOSFET in Reihe zwischen einen ersten Stromversorgungsknoten, der dafür ausgelegt ist, auf eine erste Versorgungsspannung (VDD_LV) gelegt zu werden, und die Wortleitung geschaltet sind, wobei der zweite Pull-up-MOSFET zwischen dem ersten Pull-up-MOSFET und der Wortleitung angeordnet ist,- einen ersten Pull-down-MOSFET (NM1) und einen zweiten Pull-down-MOSFET (NM2) mit Kanälen eines zweiten Typs (N), wobei der erste und der zweite Pull-down-MOSFET in Reihe zwischen die Wortleitung und einen zweiten Stromversorgungsknoten, der dafür ausgelegt ist, auf ein Referenzpotential gelegt zu werden, geschaltet sind, wobei der zweite Pull-down-MOSFET zwischen dem ersten Pull-down-MOSFET und der Wortleitung angeordnet ist, und- einen Vorspannungs-MOSFET (PM3), der zwischen die Wortleitung und einen dritten Stromversorgungsknoten, der dafür ausgelegt ist, auf eine zweite Versorgungsspannung (VDD_HV) gelegt zu werden, die höher als die erste Versorgungsspannung ist, geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dassder erste und der zweite Pull-up-MOSFET und der erste und der zweite Pull-down-MOSFET Durchbruchspannungen aufweisen, die niedriger sind als die Durchbruchspannung des Vorspannungs-MOSFETs, und wobei die Steuerschaltung dafür ausgelegt ist, den ersten Pull-up-MOSFET und den ersten Pull-down-MOSFET zu steuern, so dass sie als Funktion eines Eingangssignals (sein), das angibt, ob die Wortleitung auszuwählen oder nicht auszuwählen ist, in einem Zustand, in dem ein Einschalten erlaubt ist, und in einem Zustand, in dem ein Einschalten verboten ist, alternierend miteinander arbeiten,und wobei, i) wenn im Lesemodus gearbeitet wird und ii) wenn im Schreibmodus gearbeitet wird und das Eingangssignal angibt, dass die Wortleitung nicht auszuwählen ist, die Steuerschaltung dafür ausgelegt ist, den Vorspannungs-MOSFET zu steuern, so dass er die Wortleitung elektrisch vom dritten Stromversorgungsknoten entkoppelt, und den zweiten Pull-up-MOSFET und den zweiten Pull-down-MOSFET zu steuern, so dass der erste Pull-up-MOSFET und der erste Pull-down-MOSFET elektrisch mit der Wortleitung gekoppelt sind,und wobei, wenn im Schreibmodus gearbeitet wird und das Eingangssignal angibt, dass die Wortleitung auszuwählen ist, die Steuerschaltung dafür ausgelegt ist, den Vorspannungs-MOSFET zu steuern, so dass er die Wortleitung elektrisch mit dem dritten Stromversorgungsknoten koppelt, und den zweiten Pull-up-MOSFET und den zweiten Pull-down-MOSFET zu steuern, so dass der zweite Pull-up-MOSFET in dem Zustand ist, in dem ein Einschalten verboten ist, und der zweite Pull-down-MOSFET im Zustand ist, in dem ein Einschalten erlaubt ist.