Patent DE-102011100779-B4 (DE)
Title: Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
Inventor: DIRNECKER CHRISTOPH ANDREAS OTHMAR
IPC: H01L21/768
Filed: 2011-05-06
Granted: 2022-10-06
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Abscheiden einer ersten leitenden Schicht (MET1);Abscheiden eines ersten Zwischenmetalldielektrikums (IMD1) auf der ersten leitenden Schicht (MET1);Abscheiden einer Widerstandsschicht (TFR) und Strukturieren der Widerstandsschicht (TFR) für einen Dünnschichtwiderstand;Abscheiden eines zweiten Zwischenmetalldielektrikums (IMD2) auf der Widerstandsschicht (TFR);Ätzen einer ersten Kontaktlochöffnung (VIAM) in das zweite Zwischenmetalldielektrikum (IMD2) und das erste Zwischenmetalldielektrikum (IMD1) bis auf die erste leitende Schicht (MET1) hinab;Ätzen einer zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) und einer dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2) in das zweite Zwischenmetalldielektrikum (IMD2) und das erste Zwischenmetalldielektrikum (IMD1) bis auf die erste leitende Schicht (MET1) hinab,Abscheiden eines leitenden Materials in der ersten Kontaktlochöffnung (VIAM), der zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) und der dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2), um die erste leitende Schicht (MET1) anzukoppeln und um die Widerstandsschicht (TFR) des Dünnschichtwiderstandes und die erste leitende Schicht (MET1) elektrisch zu koppeln,Abscheiden einer zweiten leitenden Schicht (MET2) auf dem zweiten Zwischenmetalldielektrikum (IMD2),elektrisches Verbinden der zweiten leitenden Schicht (MET2) mit dem leitenden Material in der ersten Kontaktlochöffnung (VIAM), in der zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) und in der dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2),wobei eine horizontale Querschnittsebene der zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) und der dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2) die Widerstandsschicht (TFR) des Dünnschichtwiderstandes an gegenüberliegenden Enden der Widerstandsschicht (TFR) in einer ersten Dimension teilweise derart überlappt, dass eine Fehlausrichtung der Widerstandsschicht (TFR) in der ersten Dimension eine Summe eines ersten Verbindungswiderstandswerts (RVTFR1) der zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) zwischen der ersten leitenden Schicht (MET1) und der zweiten leitenden Schicht (MET2) und eines zweiten Verbindungswiderstandswerts (RVTFR2) der dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2) zwischen der ersten leitenden Schicht (MET1) und der zweiten leitenden Schicht (MET2) nicht beeinflusst, und derart, dass eine Fehlausrichtung der Widerstandsschicht (TFR) des Dünnschichtwiderstands in einer vertikalen Richtung zwischen der ersten leitenden Schicht (MET1) und der zweiten leitenden Schicht (MET2) die Summe des ersten Verbindungswiderstandswerts (RVTFR1) der zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) zwischen der ersten leitenden Schicht (MET1) und der zweiten leitenden Schicht (MET2) und des zweiten Verbindungswiderstandswerts (RVTFR2) der dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2) zwischen der ersten leitenden Schicht (MET1) und der zweiten leitenden Schicht (MET2) nicht beeinflusst, und wobei die erste Kontaktlochöffnung (VIAM) keine Überlappung aufweist,wobei eine Länge in der ersten Dimension der zweiten Kontaktlochöffnung (VIATFR1) und der dritten Kontaktlochöffnung (VIATFR2) jeweils derart ist, dass ein Teil der jeweiligen Kontaktlochöffnung (VIATFR1, VIATFR2), der die Widerstandsschicht (TFR) mit der ersten leitenden Schicht (MET1) verbindet, eine gleiche Länge (L1TFRVIA, LVIAM) wie die erste Kontaktlochöffnung (VIAM) aufweist.