Patent DE-102017105746-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung
Inventor: PARK YOUNG SOO
IPC: H01L33/50
Filed: 2017-03-17
Granted: 2023-03-30
Abstract: Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist:einen einzelnen Halbleiterchip, wobei der einzelne Halbleiterchip Folgendes aufweist:eine p×q-Matrix von Leuchtdioden (C1, C2, C3; C1), welche in p Zeilen und q Spalten angeordnet ist, wobei p und q ganze Zahlen größer als 1 sind, wobei jede Leuchtdiode (C1, C2, C3; C1) eine Halbleiterschicht (113; 213; 313) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Halbleiterschicht (117; 217; 317) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine aktive Schicht (115; 215; 315) aufweist, welche zwischen der Halbleiterschicht (113; 213; 313) des ersten Leitfähigkeitstyps und der Halbleiterschicht (117; 217; 317) des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist;p erste Verdrahtungen (135, 139; 235, 239; 335, 339, 341a, 341b, 341c, 343a, 343b, 343c, 345a, 345b, 345c), welche jeweils zugeordnet sind zu und gemeinsam verbinden Halbleiterschichten (113; 213; 313) des ersten Leitfähigkeitstyps der Leuchtdioden (C1, C2, C3; C1) einer entsprechenden einen der p Zeilen von Leuchtdioden (C1, C2, C3; C1);q zweite Verdrahtungen (142, 149; 242, 249; 342, 349), welche jeweils zugeordnet sind zu gemeinsam verbinden Halbleiterschichten (117; 217; 317) des zweiten Leitfähigkeitstyps der Leuchtdioden (C1, C2, C3; C1) einer entsprechenden einen der q Spalten von Leuchtdioden (C1, C2, C3; C1); undp Chipkontaktstellen (145a, 145b, 145c; 245; 365a, 365b, 365c), jeweils elektrisch mit einer entsprechenden einen der p ersten Verdrahtungen (135, 139; 235, 239; 335, 339, 341a, 341b, 341c, 343a, 343b, 343c, 345a, 345b, 345c) verbunden; und q Chipkontaktstellen (146; 246; 346), jeweils elektrisch mit einer entsprechenden einen der q zweiten Verdrahtungen (142, 149; 242, 249; 342, 349) verbunden,dadurch gekennzeichnet, dass eine m×q-Matrix von Pixeln, welche m Zeilen von Pixeln und q Spalten von Pixeln aufweist, wobei m eine ganze Zahl gleich einem Faktor von p ist, wobei jedes Pixel eine Mehrzahl von Unterpixeln einschließlich eines ersten Unterpixels, eines zweiten Unterpixels und eines dritten Unterpixels aufweist, wobei jedes der Mehrzahl von Unterpixeln eine entsprechende der Leuchtdioden (C1, C2, C3) aufweist;wobei die m Zeilen von Pixeln wenigstens erste Zeilen von ersten Unterpixeln, zweite Zeilen von zweiten Unterpixeln und dritte Zeilen von dritten Unterpixeln aufweisen, wobei die Halbleiterschichten (113; 313) des ersten Leitfähigkeitstyps der Leuchtdioden (C1, C2, C3) jeder ersten Zeile von ersten Unterpixeln, jeder zweiten Zeile von zweiten Unterpixeln und jeder dritten Zeile von dritten Unterpixeln mit einer entsprechenden einen der p ersten Verdrahtungen (135, 139; 235, 239; 335, 339, 341a, 341b, 341c, 343a, 343b, 343c, 345a, 345b, 345c) verbunden sind, undwobei die Halbleiterschichten (117, 317) des zweiten Leitfähigkeitstyps der Leuchtdioden (C1, C2, C3) der Unterpixel jeder Spalte von Pixeln mit einer entsprechenden einen der q zweiten Verdrahtungen (142, 149; 342, 349) verbunden sind,wobei hinsichtlich einer Oben-Unten-Ansicht jedes Pixel über einer Chipkontaktstelle (145a, 145b, 145c, 146; 365a, 365b, 365c, 366) gebildet ist, welche eine externe Oberflächenfläche von wenigstens 30 % einer Fläche eines konvexen Umgrenzungspolygons hat, innerhalb welches die Unterpixel eines ersten Pixels der Mehrzahl von Pixeln vollständig positioniert sind, oderwobei hinsichtlich einer Oben-Unten-Ansicht jedes Pixel über einer Chipkontaktstelle (145a, 145b, 145c, 146; 365a, 365b, 365c, 366) gebildet ist, welche eine externe Oberflächenfläche größer als oder gleich 90 % einer Fläche eines konvexen Umgrenzungspolygons hat, innerhalb welches die Unterpixel eines ersten Pixels der Mehrzahl von Pixeln vollständig positioniert sind.