Patent ES-2565343-T3 (ES)
Title: Celda solar contactada en la cara trasera con una capa de absorbente no estructurada superficialmente en relieve
Inventor: STANGL ROLF
IPC: H01L31/0747
Filed: 2011-02-05
Granted: 2016-04-04
Abstract: Celda solar contactada en la cara trasera (01, 20) con por lo menos * una capa de absorbente (02, 22) y una capa de emisor (07) dispuesta en la cara trasera, las cuales están constituidas a base de unos materiales semiconductores respectivamente con unos dopajes opuestos tipos p y n, * una rejilla de contacto (08) metálica dispuesta entre la capa de absorbente (02, 22) y la capa de emisor (07), que está aislada eléctricamente frente a la capa de emisor (07) por medio de una rejilla de aislamiento (09) congruente, destinada a la recogida de los portadores de carga mayoritarios en exceso que son generados por la incidencia de la luz en la capa de absorbente (02, 22), teniendo los elementos de aislamiento (18) de la rejilla de aislamiento (09) una anchura de recubrimiento lateral (L) situada por encima de los elementos de contacto (11) de la rejilla de contacto (08), * una superficie de contacto (13) continua, dispuesta en la cara trasera sobre la capa de emisor (07), destinada a la recogida de los portadores de carga minoritarios en exceso que son generados por la incidencia de la luz en la capa de absorbente (02, 22) y * una capa de pasivación (15) intrínsecamente conductiva, no estructurada superficialmente en relieve, dispuesta en la cara trasera, la cual está dispuesta por lo menos entre los elementos de contacto (11) individuales directamente sobre la capa de absorbente (02, 22), * una acumulación de los portadores de carga mayoritarios en exceso y una expulsión de los portadores de carga minoritarios en exceso desde la capa de absorbente (02, 22) en la zona de la rejilla de contacto (08) mediante * una formación de la rejilla de aislamiento (09) a base de un material de pasivación eléctricamente aislante, no dopado, que tiene una alta carga superficial, con una polaridad opuesta a la del dopaje de la capa de absorbente (02, 22), siendo la carga superficial tan alta que resulta una degeneración junto a la superficie de la capa de absorbente (2, 22), y * una formación de la rejilla de contacto (08) metálica con una barrera de potencial, que ayuda a la acumulación y a la expulsión, con respecto a la capa de pasivación intrínsecamente conductiva (15), * una anchura de recubrimiento (L) lateral de los elementos de aislamiento (18) de la rejilla de aislamiento (09) por encima de los elementos de contacto (11) de la rejilla de contacto (08), tal que no pueden circular portadores de carga mayoritarios desde la capa de emisor (07) hasta los elementos de contacto (11) de la rejilla de contacto (08), CARACTERIZADA POR * una disposición que ocupa toda la superficie de la capa de pasivación (15) intrínsecamente conductiva, directamente sobre la capa de absorbente (02, 22), formada de un modo no estructurada en su superficie limite (16) toda con respecto a la capa de pasivación (15) intrínsecamente conductiva, * una disposición directa de la rejilla de contacto (08) sobre la capa de pasivación intrínsecamente conductiva de la electricidad (15).