baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100403358-B1 (KR)
Title: Method for forming metal interconnection of semiconductor device
Inventor: PARK SANG HUN
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-12-19
Granted: 2003-12-18
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal interconnection of a semiconductor device is provided to prevent voids in a contact plug by forming a spacer made of aluminum nitride at sidewalls of a contact hole. CONSTITUTION: An anti-reflective coating(23), the first oxynitride layer(24), an oxide layer(25), the first aluminum nitride layer and the second oxynitride layer are sequentially formed on the first interconnection(22). A contact hole is formed to expose the first oxynitride layer. An aluminum nitride spacer(30) is formed at inner walls of the contact hole. By removing the second oxynitride layer and the first oxynitride layer, the first aluminum nitride layer and the anti-reflective coating are exposed. A tungsten plug(32) is formed in the contact hole. Then, the second interconnection(34) is formed on the tungsten plug.
Patent KR-100245219-B1 (KR)
Inventor: CHUN JIN MIN
IPC: A62C3/07
Filed: 1997-12-20
Granted: 2000-03-02
Abstract: 본 발명은 차량용 소화기 고장검출장치에 관한 것으로, 화재감지센서(10)에서 감지된 신호에 따라 마이컴(20)에서 트랜지스터(Q1)(Q2)를 제어하여 소화밸브(1)에 인가되는 전원을 단속함으로써 소화액을 자동으로 분사하는 종래 기술구성에 있어서, 상기 소화밸브(1)에 인가되는 전원을 저항(R1)과 소화밸브(1)의 자체 내부저항(Rv)으로 분압하고 그 분압된 전압을 A/D컨버터(30)를 통해 분압하여 마이컴(20)에 입력하고, 상기 마이컴(20)에서는 입력된 분압전압을 기준전압과 비교하여 소화밸브(1)의 폐일을 검출함과 동시에 소화밸브(1)에 폐일이 발생할 경우 경보장치(40)를 통해 경보할 수 있도록 구성하여, 소화기의 이상여부를 사전에 판단하게 됨.
Patent KR-100236678-B1 (KR)
Inventor: HUE WANG SOON
IPC: F23G5/00
Filed: 1997-12-29
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 수분측정기를 구비한 그랩버킷에 관한 것으로, 종래에는 작업자의 개개의 측정이나 일정기간동안의 자연적인 수분증발을 기다리다는 방식으로 쓰레기를 소각처리하였기 때문에 때때로 남아있는 수분으로 인해 증기압의 요동발생으로 해서 소각로의 수명을 단축되거나 에너지 손실 그밖에 저온연소시의 다이옥신 등 공해물질의 발생의 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 쓰레기를 소각로로 파지하여 운반하는 그랩버킷을 형성하는 복수개의 셀의 단부에 압전식 습도계를 부설하고 상기 습도계에 뭍게 될 오물을 제거하기 위한 세정수단을 구비한 수분측정수단을 기존의 그랩버킷 상의 간단한 가공을 통해 설치할수 있도록 함으로써, 소각설비의 운용을 원활히 하고 열손실을 줄이며 환경오염을 줄이는 등의 탁월한 효과가 있다.
Patent KR-100388258-B1 (KR)
IPC: A61K51/08
Filed: 1995-06-21
Granted: 2003-10-10
Abstract: The present invention concerns novel complexes for use in the diagnosis of vascular diseases, methods of manufacturing such complexes and diagnostic agents containing them. These complexes strongly enrich themselves in atherosclerotic plaques and are thus suitable for use in non-invasive procedures for diagnosing atherosclerosis.
Patent KR-100372035-B1 (KR)
IPC: H01L29/73
Filed: 1996-04-09
Granted: 2003-06-19
Abstract: 주 표면을 가지는 기판(1), 상기 주 표면상의 산화층(2), 상기 산화층(2)상의 제 1전도 유형의 실리콘층(3), 상기 실리콘층(3)내로 연장하는 제 2전도 유형의 베이스 영역(4), 상기 베이스 영역(4)내로 연장하는 제 1전도 유형의 이미터 영역(5), 및 상기 베이스 영역(4)과 수평으로 거리를 두고 상기 실리콘층(3) 내로 연장하는 제 1전도 유형의 컬렉터 영역(6)을 포함하는 바이폴라 절연기판 상의 실리콘 트랜지스터에 있어서, 제 2전도 유형의 플러그 영역(8)이 실리콘층(3)을 지나 상기 컬렉터 영역(6)에 대해 반대쪽의 상기 이미터 영역(5)에서 상기 산화층(2)까지 연장하고, 상기 플러그 영역(8)의 일부(8')는 상기 베이스 영역(4)과 거리를 두고 적어도 이미터 영역(5)의 부분 아래의 상기 산화층(2)의 표면을 따라 컬렉터 영역(6)을 향해 수평으로 연장하고, 그리고 상기 플러그 영역은 상기 베이스영역(4)에 전기 접속된다.
Patent KR-100417776-B1 (KR)
Title: Adhesive Sheet for Semiconductor Connecting Substrate, Adhesive-Backed Tape for TAB, Adhesive-Backed Tape for Wire-Bonding Connection, Semiconductor Connecting Substrate, and Semiconductor Device
IPC: C09J7/35
Filed: 1997-02-19
Granted: 2004-03-19
Abstract: An adhesive sheet for a semiconductor connecting substrate consisting of a laminate having an adhesive layer on a substrate, wherein said adhesive layer contains a thermoplastic resin (A) and an epoxy resin (B) and said epoxy resin (B) contains at least one epoxy resin (B) selected from (I) dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resins, (II) terpene skeleton-containing epoxy resins, (III) biphenyl skeleton-containing epoxy resins and (IV) naphthalene skeleton-containing epoxy resins as an essential component; an adhesive-backed tape for TAB consisting of a laminate having an adhesive layer and a protective film layer on a flexible organic insulating film, wherein said adhesive layer has a softening temperature of 60 to 110 DEG C after having been cured and 50 hours or more in the insulation resistance dropping time after having been allowed to stand in an environment of 130 DEG C and 85% RH with DC 100 V applied; and a tape with adhesive for wire bonding connection consisting of a laminate having an adhesive layer and a protective film layer on a flexible organic insulating film, wherein said adhesive layer has a softening temperature of 120 to 170 DEG C after having been cured, a storage elastic modulus E' of 20 to 100 MPa at 150 DEG C and an insulation resistance dropping time of 50 hours or more after having been allowed to stand in an environment of 130 DEG C and 85 % RH with DC 100 V applied. The adhesive sheet for a semiconductor connecting substrate, the adhesive-backed tape for TAB and the adhesive-backed tape for wire bonding connection of the present invention are excellent in adhesive strength, insulatability, dimensional accuracy, etc., and can improve the reliability of a semiconductor integrated circuit connecting substrate and a semiconductor device respectively for high density packaging.
Patent KR-100338492-B1 (KR)
IPC: G07F7/10
Filed: 1996-05-09
Granted: 2002-10-11
Abstract: The invention is concerned with systems for transferring value between electronic purses, usually in the form of IC or "Smart" cards, via the intermediary of an interface device. In order to control the flow of value between purses a hierarchical class structure is proposed. This is achieved by assigning to each purse a class which controls the conditions under which value may be transferred to and from (mainly from) a purse. Thus each purse stores in memory a representation of its own class, together with a list of those classes to which the purse can transfer value.
Patent KR-100432988-B1 (KR)
IPC: H01L21/3105
Filed: 1996-05-06
Granted: 2004-07-16
Abstract: 제 1재료층으로 이루어진 제 1층은 반도체 기판의 표면 및 회로소자상에 소정 두께로 형성된다.  제 2재료로 이루어진 트레이스는 제 1층상에 형성된다.  그다음에, 제 2재료층은 트레이스 층상에 형성된다.  그다음에, 제 2층은 평탄화된다.  평탄화동안, 회로소자상의 트레이스 층은 제 2층이 제거됨에 따라 도달된다.  트레이스 층에 도달할 때, 평탄화는 종료될 것이다.
Patent KR-100290850-B1 (KR)
Title: Heat exchanger for refrigerator
Inventor: LEE JANG SEOK
IPC: F25D17/08
Filed: 1998-01-14
Granted: 2001-06-01
Abstract: PURPOSE: A heat exchanger for a refrigerator is provided to improve heat exchange efficiency by enlarging the contact area between air and the heat exchanger with contacting air blowing from a blower to the heat exchanger. CONSTITUTION: A tri-tube type heat exchanger(5) is composed of first and second refrigerant pipes(51), a defrosting pipe arranged between two refrigerant pipes, and fins connecting refrigerant pipes and the defrosting pipe. The heat exchanger is manufactured with integrally extrusion-molding and bending refrigerant and defrosting pipes and fins continuously. The upper part of the heat exchanger is inclined for the middle of the heat exchanger. Gaps between refrigerant pipes in the lower part are wide, and gaps in the upper part of the heat exchanger are narrow. Inflow of air is performed actively in the lower part with inclining the upper part, and heat exchange efficiency is improved with contacting air to the heat exchanger in the upper part.
Patent KR-100480743-B1 (KR)
Inventor: SONG I HEON
IPC: H01L39/22
Filed: 1998-01-31
Granted: 2005-09-30
Abstract: 본 발명은 고주파 플라즈마(RF plasma) 처리를 이용한 사면구조(ramp-edge) 죠셉슨 접합(Josephson Junction) 구조체의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RF 플라즈마를 이용한 사면 구조 고온 초전도 조셉슨 접합 구조체의 제조 방법은, LaAlO 3  단결정(Single Crystal) 기판 상에 입혀진 YBCO 고온 초전도 박막과 절연층막(Insulating layer)을 사진식각법(Photolithography)에 의해서 경사구조(Ramp-edge type)를 형성한 후, 그 경사면의 표면을 Ar 가스의 RF 플라즈마로 처리를 하여 청소한 후 매우 얇은 장벽층(Barrier layer)과 YBCO 상부 전극층을 형성하는 방법이다.
Patent KR-100553615-B1 (KR)
Title: 반도체소자의제조방법
IPC: H01L27/06
Filed: 1998-01-31
Granted: 2007-04-11
Abstract: 본 발명은 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 저항체가 내장된 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서, 상기 반도체 집적 회로의 반도체층 위에 적층된 절연층 위에 비정질 형태의 실리콘층을 형성하고, 상기 실리콘층에 불순물을 도입한 후, 상기 실리콘층의 표면 거칠기 정도를 실질적으로 유지하면서 열처리하여 상기 불순물을 확산하고, 이 확산된 실리콘층을 소정의 형상으로 에칭하여, 이 실리콘층을 저항체로서 활용하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100510453-B1 (KR)
Inventor: HAN JA HYEONG
IPC: H01L21/304
Filed: 1998-02-02
Granted: 2005-10-21
Abstract: 화학 기계적 연마 공정에 이용되는 캐리어 필름을 마운팅하는 방법과 캐리어 필름 마운팅 플레이트에 관하여 개시한다. 전자는 마운팅된 캐리어 필름의 마운팅 온도를 국부적으로 조절하여 마운팅된 캐리어 필름의 두께를 국부적으로 조절하는 것을 특징으로 한다. 후자는 그 상부에 장착되는 웨이퍼에 대한 화학 기계적 연마율에 따라 동심원 형태로 구비된 단열막과, 단열막에 의하여 영역 구분된 각각의 영역에 구비된 도우넛 형태의 발열 수단 및 발열 수단에 연결된 온도 조절기를 포함하여 구비하여 마운팅된 캐리어 필름의 마운팅 온도를 조절하여 마운팅된 캐리어 필름의 두께를 조절하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 캐리어 필름의 두께와 밀접한 관련을 갖는 연마율을 동일 웨이퍼 상에서 국부적으로 조절할 수 있다.
Patent KR-100263021-B1 (KR)
Inventor: KIM KI-JO
IPC: B32B27/20
Filed: 1998-06-10
Granted: 2000-09-01
Abstract: 본 발명은 공압출 2축 연신 폴리프로필렌 합성지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 강성 및 인열강도를 증대하고, 옵셋인쇄성을 향상하며, 수성잉크 등의 필기성 및 외관을 향상시킨 것이다. 
     본 발명은 아이소택틱 인덱스가 95％ 이상이고 멜트 인덱스가 1∼4 g / 10분 인 결정성 폴리프로필렌 60.81∼91.7 중량％에 폴리에틸렌 20 중량％ 이하와, 평균입경 0.5∼5㎛ 인 탄산칼슘 8.5∼15 중량％와, 평균입경 0.5㎛ 이하인 이산화티타늄 3.5 중량％ 이하를 혼합한 제1수지 조성물로 된 기재층을 1차 압출기로 압출하고, 멜트 인덱스가 1∼10 g / 10분 인 폴리프로필렌과, 5중량％ 이하의 에틸렌을 포함하는 폴리프로필렌 코 폴리머 중에서 선택되는 1종 이상 수지 40.7∼64.3 중량％에 멜트 인덱스가 0.01∼1 g / 10분 인 폴리에틸렌 20∼34.3 중량％와, 평균입경 0.5㎛ 이하인 이산화티타늄 15.7∼25 중량％를 혼합한 제2수지 조성물을 2차 압출기로 압출한 지상층을 상기 기재층의 1면 이상에 적층되도록 T 다이에서 공압출한 후 냉각수단에 의하여 시트화하며, 상기 시트를 종방향 연신기에서 3∼5.5 배로 횡방향 연신기에서 7∼12 배로 2축 연신하여 합성지를 제조하는 것이다.
Patent KR-100372810-B1 (KR)
Title: 시료의분리장치및그분리방법과기판의제조방법
IPC: H01L21/00
Filed: 1998-06-16
Granted: 2003-04-21
Abstract: 본 발명은 다공질층을 지니는 기판을 다공질층에서 분리하는 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, 그 구성은 다공질층을 지니는 접합기판을 기판유지부에 의해 회전시키면서 지지한다.   그리고 분사노즐이 고속, 고압으로 액체 또는 물을 분사하고, 이 분출이 안내부를 통해 접합기판안으로 혼입된다.   이 안내부의 x축방향의 위치는, 기판의 접합계면을 분출을 집중시키도록 모터에 의해 조정된다.
Patent KR-100465926-B1 (KR)
Title: 스폿용접의전극팁이완장치
IPC: B23K11/36
Filed: 1998-06-24
Granted: 2005-04-14
Abstract: 본 발명은 전극팁의 이완작업을 간단하고도 신속하게 행할 수 있도록 하는데 있다. 
     따라서, 케이싱 (48) 에 스폿용접 전극팁 (60) 이 삽입되는 팁 삽입구를 갖는 팁 끼움수단 (37) 이 설치되고, 이 팁 끼움수단 (37) 의 팁 삽입구는 스폿용접 전극팁 (60) 을 끼워 부착부에서 이탈시킬 수 있도록 확대 축소가 가능하게끔 설치되고, 또한 팁 끼움수단 (37) 을 작동시키는 구동수단 (9) 이 설치되어 있다.
Patent KR-100280046-B1 (KR)
IPC: C04B35/622
Filed: 1998-07-13
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 광 페룰용 모재 제작방법에 관한 것으로, 세라믹 파우더와 제1재질 및 제1재질보다 융점이 높은 제2재질로 구성된 바인더를 가압혼합하여 펠레타이징하는 제1단계; 1단계에서 형성된 펠렛을 사출성형하는 제2단계; 2단계의 결과물을 제1재질은 용해시키고 재2재질은 용해시키지않는 용매에 용해시켜 제1재질을 탈지하는 제3단계; 3단계의 결과물에 열을 가하여 제2재질을 연소시켜 탈지하는 제4단계; 및 제4단계의 결과물을 소결함으로써 세라믹 파우더의 입자를 결합시켜 치밀화하여 가공하는 제5단계를 포함한다. 
     본 발명에 의하면, 열처리 시간이 짧아져서 종래 방법보다 공정완료 시간이 단축될 수 있다. 열처리 시간의 단축으로 바인더 연소시 발생가능한 변형이 줄어들 수 있으며, 저점도의 바인더를 사용함으로써 변형을 줄일 수 있다.
Patent KR-100300223-B1 (KR)
Title: 중력과수압에의해닫히는배수구마개
IPC: F16K13/00
Filed: 1998-09-01
Granted: 2001-11-30
Abstract: 본 발명은 세면대나 싱크대 및 욕조의 배수구가 중력과 수압에 의하여 닫히는 배수구마개에 관한 것으로서 세면대나 싱크대 및 욕조에 물이 고이거나 배수되도록 하는 배수구마개를 간편하게 여닫도록 하며, 그 구성의 단순화로 생산원가를 절감하고, 그 설치가 용이하게 할 목적으로 발명한 것이다. 
     그 주요구성은 『욕조나 싱크대, 세면대(14) 바닥의 배수공(26)에 패킹(8)을 끼우고, 그 위에 겉테(9)가 있는 배수관(1)을 장착한 다음 이 배수관(1)의 하단을 패킹(7)과 체결너트(27)로 고정시키며, 이 배수관(1)의 내벽에 형성된 환형턱(2)의 상면에 패킹(3)을 끼우고 나서 그 위에서 집어넣은 밸브(4)의 자루(5)끝과 상기 세면대(14)의 수직공(17)에 장착하여 체결너트(16)로 고정시킨 체결관(18)의 구멍(31)에 끼워두는 핸들(19)의 수직간(20) 하단을 사슬(13)로 연결함을 특징으로 하는 중력과 수압에 의해 닫히는 배수구마개.』으로서 그 작용효과는 기존제품 보다 그 구조가 간단하므로 생산원가가 크게 절감되며, 구조가 간단하기 때문에 내구성이 높고, 사용이 간편하며, 중력과 수압에 의해 밸브(4)가 완벽하게 닫히는 등의 다양한 작용효과가 있다.
Patent KR-100407557-B1 (KR)
Title: 어성초 추출물을 포함하는 경조직 재생촉진제 조성물
IPC: A61P19/10
Filed: 1998-09-16
Granted: 2004-03-20
Abstract: 본 발명은 어성초 추출물을 포함하는 경조직 재생촉진제 조성물에 관한 것이다. 
     본 발명의 치료제는, 조골세포 및 치주인대세포의 증식을 촉진시키고 상기 세포들의 알칼리 포스파타제 활성을 증가시킴으로써 경조직 재생 및 증식 촉진효과를 나타낼 뿐만 아니라 경조직으로서 기능을 다 할 수 있는 형태의 즉 충분한 경도를 갖는 경조직을 형성시킬 수 있는 어성초 추출물을 포함한다. 
     따라서 본 발명의 치료제는 생약의 하나인 어성초로부터 얻은 추출물을 포함하는 천연유래 약물로서, 부작용을 보이지 않으면서 탁월한 경조직 재생 및 증식 효과를 갖고 있기 때문에 골조송증, 치주질환 등과 같이 경조직 재생 및 증식과 관련된 질환의 예방 및 치료를 목적으로 기존의 치료제에 대체하여 안심하고 사용할 수 있는 경조직 재생촉진제 조성물을 제공한다.
Patent KR-100273637-B1 (KR)
Inventor: JEE YONG-HWA
IPC: H04L12/46
Filed: 1998-10-13
Granted: 2000-12-15
Abstract: 프락시 소켓을 이용하여 여러 프로세서들이 하나의 포트를 공유하는 장치 및 방법에 대하여 개시한다. 본 장치는 이더넷 포트를 가진 다중 프로세서 시스템에 있어서, 물리적으로 이더넷 포트를 처리할 수 있는 마스터 프로세서, 이 마스터 프로세서가 공유된 포트외에 다른 포트와 연결된 슬레이브 프로세서 및 마스터 프로세서와 슬레이브 프로세서간의 통신을 위해 통신 데이터를 저장하는 메모리를 구비한다. 또한, 본 방법은 마스터 프로세서, 슬레이브 프로세서, 메모리로 구성된 포트 공유 장치에 있어서, 슬레이브 프로세서에 있는 응용에서 소켓 관련 함수를 호출하는 단계, 슬레이브 프로세서의 프락시 소켓 프로세스가 그 내용을 수신하여 메모리에 쓰는 단계, 마스터 프로세서에게 미리 정해진 인터럽트 신호를 전송하는 단계, 마스터 프로세서의 인터럽트 서비스 루틴에 의해서 신호를 소켓 재지시(Redirection) 프로세스에게 전송되는 단계, 및 소켓 재지시 프로세스가 요구된 내용대로 실제의 소켓을 호출하는 단계를 구비하는 것을 제공한다. 이로써, 본 발명은 공유되는 수만큼의 TCP/IP 스택이 줄어들게 되어 비용이 절감되며, 공유되는 프로세서간의 통신을 할 경우 이더넷을 경유하지 않고 마스터 프로세서의 TCP/IP 스택에서만 처리되므로 속도도 빠르며, 프락시가 표준 소켓 인터페이스를 제공하므로 상위의 응용 소프트웨어 설계가 쉽고 간단해져서 개발 기간도 단축시킬 수 있다.
Patent KR-100564823-B1 (KR)
Title: 밀봉장치
IPC: F16J15/32
Filed: 1998-10-24
Granted: 2006-10-04
Abstract: 본 발명은 고무형 탄성재의 실링립과 수지제(樹脂製)의 실링립을 구비한 밀봉장치(密封裝置)에 관한 것으로, 그 밀봉성을 향상하고, 또 수지제의 실링립의 편심(偏心) 추종성을 높이는 것을 목적으로 하여 이루어진 것이다. 
     즉, 원통형부(21)와 원통형부(21)의 대기(大氣)측 끝부로부터 반경 방향 내측을 향해 절곡되는 내향 플랜지부(22)를 가지는 금속환(環)(20)과, 금속환(20)과 일체적으로 형성되어 제1 실링립(33)을 가지는 제1 실링부재(30)와, 금속환(20)의 내향 플랜지부(22)와 제1 실링부재(30)의 반경방향부(32)의 사이에 끼워지는 플랜지형의 중간삽입부(41)와, 이 중간삽입부(41)의 내경 끝부로부터 축 방향 밀봉유체(流體)측으로 연장되어 제1 실링립(33)의 대기측 측면과 회전부재(70) 사이의 간극에 위치하고 내주가 회전부재(70) 표면에 슬라이드 가능하게 밀봉 접촉하여 제1 실링립(33)의 반경 방향의 변형을 규제하는 수지제에 의한 제2 실링부재(40)와, 제1 실링립(33)의 슬라이드면에 설치되고 회전부재(70)와의 회전슬라이드에 의해 슬라이드면 사이의 유체를 밀봉유체측으로 수송하는 나사펌프 기능을 구비한 제1 나사펌프 작용부(34)와, 상기 제2 실링립(42)의 슬라이드면에 형성되는 나선형 또는 환형(環形)의 슬릿홈(43)을 구비한 것을 특징으로 한다,
Patent KR-100281394-B1 (KR)
Title: 평면표시장치 및 그 제조방법_
IPC: H05K3/36
Filed: 1998-11-19
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 액정표시장치 등의 평면표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, TCP(12)의 리드(30)와 PCB(14)의 랜드(32)의 위치맞춤을 위해서, 리드(30)의 대략 축선 상에 위치하는 조명장치(22)로부터 광을 조사하여, 그것을 카메라(20)로 촬영하여 위치맞춤을 실시하는 것으로, 좁은 피치로 이루어지는 리드를 갖는 TCP와 PCB의 랜드와의 위치맞춤이 가능한 평면표시장치 및 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100307592-B1 (KR)
Title: 프린터출력안내장치
IPC: B41J5/00
Filed: 1998-12-18
Granted: 2001-12-17
Abstract: 본 발명은 프린트 물 배출완료정보를 사용자에게 공지하는 프린터 출력 안내 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 장치는, 컴퓨터 시스템과 연결되어 있는 네트워크 프린터의 출력상태에 따른 안내정보를 제공하는 프린터 출력안내장치에 있어서, 네트워크 프린터의 작업 상태를 감지하여 인쇄물 배출완료 여부에 대한 인쇄물 배출정보를 출력하는 작업상태 감지기; 작업상태 감지기로부터 전송되는 인쇄물 배출정보를 컴퓨터 시스템으로 전송하는 전송기를 포함하여, 프린트가 완료된 시점을 문자 등과 같은 프린트 완료정보를 이용하여 통보함으로써, 인쇄물을 기다림에 따른 시간 낭비를 줄일 수 있고, 보안문서의 노출을 사전에 예방할 수 있다.
Patent KR-100283405-B1 (KR)
Title: 정수기용 승압펌프
IPC: B01D35/00
Filed: 1998-12-28
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 정수기용 승압펌프에 관한 것으로서, 구조가 간단하고 멤브레인에 저압력을 안정적으로 공급할 수 있으며, 또한 소음을 효과적으로 저감할 수 있는 정수기용 승압펌프의 제공을 목적으로 한다. 
     본 발명에 따른 정수기용 승압펌프는, 내부에 챔버(14)가 형성됨과 아울러 일측에 상기 챔버와 통하는 원수유입용 흡입포트(17) 및 원수배출용 배출포트(18)가 형성되고, 상기 흡입포트 및 배출포트에 각각 흡입체크밸브(27) 및 배출체크밸브(28)가 설치된 하우징(1)과; 상기 하우징의 타측에 내부가 상기 챔버와 통하도록 결합되는 슬리이브(3)와; 상기 슬리이브의 일측 외주면 둘레를 감싸는 전자코일(31)과; 상기 슬리이브의 내부에 이동가능하게 설치되고, 일단이 스프링(33)으로 지지된 플런저(32)와; 그리고, 상기 챔버 내로 돌출된 플런저의 선단에, 전후로 설치되는 고무링(41) 및 리테이너(42)에 사이에 협지되어 결합되고, 외주면 둘레 가장자리가 챔버의 내벽면에 지지된 다이어프램(4)을 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100539513-B1 (KR)
IPC: D06F37/40
Filed: 1998-12-29
Granted: 2006-02-28
Abstract: 본발명은 드럼세탁기에 관한 것으로 특히, 드럼축에 결합되는 내,외측베어링을 지지할수 있도록 합성수지제 터브와 일체로 베어링지지부를 사출성형함으로서 원가절감과 공정단축을 얻을수 있는 동시에 인서트 사출성형시 온도변화에 의해 터브와 베어링하우징 사이로 틈새가 발생되어 누수가 되는 것을 방지할수 있도록 안출된 것으로,  
     드럼세탁기의 드럼축을 지지하는 베어링하우징을 삭제하여 원가절감과 공정단축을 얻을수 있는 동시에 인서트 사출성형시 온도변화에 의해 터브와 베어링하우징 사이로 틈새가 발생되어 누수가 되는 것을 방지하기 위해 합성수지제 터브와 일체로 사출성형되는 베어링지지부를 구비한 것을 특징으로 하는 드럼세탁기의 베어링 지지구조를 제공한다.
Patent KR-100381525-B1 (KR)
Title: 압조성이우수한오스테나이트계스테인레스강및그제조방법
IPC: C22C38/42
Filed: 1998-12-29
Granted: 2003-07-12
Abstract: 본 발명은 구리의 첨가량을 조절하고 열간압연 방법을 제어함으로서 열간압연시 발생하는 표면 결함 및 코너 균열을 억제하여 소재의 그라인딩 억제, 압연 불량을 감소시킬수 있는 오스테나이트계 스테인레스강 및 그 제조방법을제공하는데 그 목적이 있다. 
     상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 오스테나이트계 스테인레스강은 중량 %로, C: 0.08% 이하, Si: 1.0% 이하, Mn: 1.0% 이하, Cr: 17.0% 내지 19.0%, Ni: 8.0% 내지 12.0%, Cu: 4% 내지 5%, 잔부  Fe 및 기타 불가피하게 첨가되는 불순물로 조성되며, 이러한 조성성분을 갖는 연소주조에 의해 생산된 소재를 1,250℃ 이상의 추출온도에서 추출하고, 추출된 소재를 열간압연할 때 보온커버를 사용하여 소재의 냉각속도가 20℃/sec 이하가 되도록 하며, 1,050℃ 이상의 온도에서 마무리 압연함으로서 제조된다.
Patent KR-100359751-B1 (KR)
Title: 슬라브 저온가열에 의한 고자속밀도 방향성 전기강판의 제조방법
IPC: C21D8/12
Filed: 1998-12-29
Granted: 2003-01-10
Abstract: 본 발명은 각종 변압기, 전등기, 발전기와 같은 대형 회전기 및 기타 전자기기의 철심재료로 사용되는 방향성 전기강판의 제조방법에 관한 것으로, 중량%로 Si:2.0∼4.0%, 산가용성 Al:0.010∼0.040%, N:0.006∼0.010%, C: 0.060% 이하, Cu:0.3∼1.0%, Mn:0.32%이하, Ni:0.02∼0.1%, Cr:0.02∼0.1%, S: 0.006%이하, 잔부 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 이루어진 슬라브를 1100∼1320℃로 재가열하여 열간압연하는 단계와; 2단 열연판 소둔을 실시하는 단계와; 산세후 1회 강냉간압연법으로 두께 0.20∼0.35mm까지 냉간압연하는 단계와; 이슬점이 40∼70℃이고 암모니아로부터 분해된 질소이온을 함유하는 수소와 질소의 혼합개스분위기에서 800∼950℃의 온도에서 탈탄과 질화를 동시에 처리하는 단계와; 이어 MgO를 도포하고 최종 마무리 고온소둔하는 단계와;로 이루어진 슬라브 저온가열에 의한 고자속밀도 방향성 전기강판 제조방법을 요지로 한다. 
     본 발명에 의하면 방향성 전기강판의 슬라브 저온가열시 일반 탄소강의 슬라브 가열작업과의 상호 간섭이 없이 연속적으로 슬라브 저온가열하고, 슬라브 가열온도에 따라서 제시한 2단 열연판 소둔조건에 맞는 온도로 열처리 함으로서 안정적으로 고자속밀도 방향성 전기강판을 제조할 수가 있어서 종래기술보다는 훨씬 제조기용이하면서 고자속밀도 방향성 전기강판의 생산성을 증대할 수가 있다.
Patent KR-100286055-B1 (KR)
Title: 치주 질환의 진단 및 치료법
IPC: C07K2/00
Filed: 1996-10-30
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 Porphyromonas gingivalis 의 PrtR-PrtK 세포 표면 단백질에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PrtR 및 PrtK 단백질을 포함하는 다량체 세포 결합 단백질 복합체에 관한 것이다.  따라서 본 발명은 Porpyromonas gingivalis 에 대한 항체 반응을 일으키는 데에 사용되는 실질적으로 정제된 항원성 복합체를 제공한다.  복합체는 적어도 하나의 부착인자 도메인을 각각 포함하는 아르기닌-특이성 및 리신-특이성 티올 엔도펩티다제의 다량체 단백질 복합체를 적어도 하나 포함하며, 상기한 복합체는 약 200kDa 초과의 분자량을 가진다.  본 발명은 또한 상기 복합체를 기초로 하여 P. gingivalis 와 관련된 치주염 질환의 검출, 방지 및 치료를 위한 제약 조성물 및 관련 제제에 관한 것이다.
Patent KR-100187483-B1 (KR)
Inventor: HOUGHTON MICHAEL
IPC: G01N33/576
Filed: 1998-05-18
Granted: 1999-05-01
Abstract: 본 출원인은 혈액-발생 NANBH의 중요한 병발제로 판명된 신규한 바이러스인 간염 C형 바이러스(HCV)를 발견하였다. 원영양성 HCV 단리물의 부분적 게놈 서열을 포함하여 이 바이러스에 대한 최초의 작업은 EPO 공보 제318,216호와 PCT 공개 제 WO/04669에 기재되어 있다. 상기 인용된 공보에 개시되지 않은 신규한 HCV 서열과 폴리펩티드를 부분적으로 기초로한 본 발명은 이 새로운 서열과 폴리펩티드를 면역분석에 사용하는 것, 프로브 진단, 항-HCV 항체 제조, PCR 기술, 및 DNA 제조합 기술을 포함한다. 본 발명에는 또한 HCV cDNA가 함유된 클론내에서 코드화되는 신규화 면역원성 폴리펩티드, 면역원성 HCV 폴리펩티드를 정제하기 위한 새로운 방법, 그리고 HCV cDNA로부터 유래한 항감작 폴리뉴클레오티드가 포함된다.
Patent KR-100406312-B1 (KR)
Title: Water-absorbing polymers with improved properties, process for preparation and use thereof
Inventor: HOUBEN JOCHEN
IPC: C09K17/22
Filed: 1996-11-18
Granted: 2004-03-24
Abstract: PCT No. PCT/EP96/05074 Sec. 371 Date May 20, 1998 Sec. 102(e) Date May 20, 1998 PCT Filed Nov. 18, 1996 PCT Pub. No. WO97/18890 PCT Pub. Date May 29, 1997The present invention relates to powdery absorbents for water and aqueous liquids, which are based on water-swellable, but not water-soluble, polymers, are cross-linked, and are built up of partially neutralized, monoethylenically unsaturated, acid groups-containing monomers, optional further monomers copolymerizable with these, and optional polymers suitable as a graft basis. These polymers are produced by using a cross-linker combination consisting of CH2=CR5-CO-(OCHR3-CHR3)zO-CH2-CR5=CH2 I. R1-[O(CHR3-CHR3O)u-CO-R2]x II. with R1: multivalent C2-10-alkyl, R2: linear or branched C2-10-alkenyl, R3: H, CH3, C2H5, R5: H, CH3, x: 2-6, u: 0-15, z: 3-20 and a secondary cross-linker. Superficial secondary cross-linkage achieves a property combination of high retention, high absorption under pressure, low soluble contents, and a rapid liquid absorption. The polymers are used in constructions, such as diapers, for the absorption of body fluids, in current-conducting or light-transmitting cables, and in the cultivation of plants.
Patent KR-0158188-B1 (KR)
Title: Precipitated silica
Inventor: CHEVALLIER YVONICK
IPC: C01B33/193
Filed: 1998-05-29
Granted: 1999-10-15
Abstract: Silicas in the form of powder and substantially spherical beads or granules are characterized by a CTAB specific surface of 140 and 240 m2/g a high ultrasonic disaggregation factor, an average diameter, which is small after ultrasonic disaggregation, and optionally, a porous distribution, the porous volume formed by the pores with a diameter of 175 to 275 Å being less than 50% of the porous volume formed by the pores with diameters of 400 Å or less. The silicas may be used as reinforcing fillers for elastomers. The invention also concerns a method for preparing precipitated silica of the type comprising the reaction of an alkaline metal silicate M with an acidifying agent, resulting in a suspension of precipitated silica, and the separation and drying of said suspension, wherein precipitation is performed as follows: (i) an initial seed is formed comprising a portion of the total quantity of alkaline metal silicate M in the reaction, the silicate concentration (expressed as SiO2) in said seed being less than 20 g/l; (ii) an acidifying agent is added to the initial seed until at least 5% of the quantity of M2O in the initial seed is neutralized; (iii) the acidifying agent and the remaining quantity of alkaline metal silicate M are added simultaneously so that the ratio of the quantity of added silicate (expressed as SiO2) to the quantity of silica in the initial seed (expressed as SiO2) is greater than 4 and at most 100.
Patent KR-100498150-B1 (KR)
Title: 프로세서의기능체크방법
IPC: F02D41/26
Filed: 1997-12-03
Granted: 2005-09-09
Abstract: 본 발명은 제 2계산 유닛을 이용하여 제 1계산 유닛의 정확한 계산을 체크하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 제 2계산 유닛은 제 1계산 유닛에 개시값(starting value) 및 연산 명령을 미리 제공한다.  제 1계산 유닛은 미리 제공된 상기 개시값으로써 예정된 계산 명령을 수행하여, 그 결과를 제 2계산 유닛에 되돌려 보낸다.  제 2계산 유닛은 저장된 비교 결과로써 상기 결과를 체크한다.  상기 계산 명령은, 제 1계산 유닛을 프로그래밍하기 위해 사용되는 기본 명령이 체크되도록 설계된다.
Patent KR-100298419-B1 (KR)
Title: 광안정화시아닌색소및광기록매체
IPC: G11B7/247
Filed: 1998-01-30
Granted: 2001-11-30
Abstract: 본 발명의 시아닌 색소는 높은 증발 속도를 가지는 용매에서 잘 용해되고 빛에 대해서 안정적이어서 생산성 개선 및 개선된 광저항성을 갖는 광기록 매체 특히, CD-R과 DVD-R 광디스크를 실현하는데 효과적이다. 
     본 발명의 광기록 매체는 식(1)의 음이온과 식(2)의 양이온 사이의 상대 이온 결합 화합물로서 얻어진 광안정화 시아닌 색소를 사용한다: 
     
       
     
     여기서 R 01 과 R 02 는 각각 
     
       
     
     -여기서 R 11 및 R 12 는 각각 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기 또는 페닐기-; 
     
       
     
     여기서 m은 3,4,5 또는 6-; 
       ; 또는 페닐기이며, M은 전이 금속이며, Z 1 과 Z 2 는 각각 접합된 벤젠고리 또는 접합된 나프탈렌 고리이며, R 21 과 R 22 는 각각 알킬기이며, n은 0, 1 또는 2이다.
Patent KR-100283808-B1 (KR)
Title: 양면으로 차단되는 파워 반도체의 제조 방법
IPC: H01L21/76
Filed: 1999-02-02
Granted: 2001-02-15
Abstract: 본 발명은, 간단히 변환될 수 있고 경제적이며 양면으로 차단되는 파워 소자를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 따라 제안된 방법은, 
     a) 디스크(1)를 제 2면(4)상에서 제 2도전형의 기판(5)과 결합하여 하나의 웨이퍼로 형성하는 단계; 
     b) 상기 웨이퍼상에 있는 파워 소자의 에지에서 디스크(1) 내부에 트렌치(7)를 형성하는 단계; 
     c) 소자의 후방 차단 능력을 위해 에지 폐쇄부를 포함하는 제 2도전형의 연결 영역(9)을 디스크(1)의 제 1면(3)상에 형성하며, 제 2도전형의 제 1층(6)을 트렌치(7)의 노출 표면상에 형성함으로써, 기판(5)과 연결 영역(9) 사이에 전기 콘택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100302430-B1 (KR)
Title: 박막 형성 방법
IPC: C23C14/56
Filed: 1999-03-18
Granted: 2001-09-26
Abstract: 막 특성의 흩어짐을 억제하는 스퍼터링 법을 제공한다. 가스 도입과 함께 제1 레벨의 방전 전력 인가로 1회째의 아이들링(idling) 방전(기간t 1a ), 제1 레벨보다도 낮은 제2 레벨의 방전 전력 인가의 중간 아이들링 방전(기간t 1b ), 및 제1 레벨의 2회째의 아이들링 방전(기간t 1c )을 순차로 행하고, 스퍼터링 가스 및 아이들링 방전에 의한 중간 생성물의 압력의 안정화를 도모한다. 방전 전력을 제2 레벨로 하여 셔터를 열고, 1매 째의 기판에, 예를들면 ITO 박막을 형성한다(t 2 ). 이하, 순차로, 기판으로의 ITO 박막 형성을 반복하여 실시한다.
Patent KR-100551206-B1 (KR)
IPC: G03F7/23
Filed: 1999-04-12
Granted: 2006-02-09
Abstract: 스캐닝 타입의 리소그래피 장치에 있어서, 스캔의 초기에 레티클 마스킹 블레이드(7)가 개방된다.  레티클 마스킹 블레이드가 개방됨에 따라 증가하는 조명 빔의 세기 밀도를 보상하는 수단이 제공된다.  이들 수단은 램프 세기에서의 보상 감소를 제어하는 램프 제어수단(10)을 포함할 수 있다.  레티클 마스킹 블레이드에 의해 차단되는 조명 빔의 일부분들이 내부로 완전히 반사되도록 레티클 마스킹 블레이드(7)는, 예를 들면 석영으로 제작될 수 있고, 알루미늄으로 된 반사성 코팅이 후면부에 제공될 수 있다.
Patent KR-100291201-B1 (KR)
Title: 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법
IPC: H01L21/3065
Filed: 1999-04-23
Granted: 2001-05-15
Abstract: 본 발명은 갈륨 및 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체의 선택적 식각방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 고속 전자이동 트랜지스터(HEMT: high electron mobility transistor)나, 모듈레이션 도우프 전계 효과 트랜지스터(MODFET: modulation doped field effect transistor)와 그 밖의 전자소자 제작을 위한 질화알루미늄갈륨(AlGaN)에 대한 질화갈륨(GaN) 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 의한 질화물 반도체 건식 식각은 전자소재 제작을 위하여 기존의 염소/아르곤(Cl 2 /Ar) 가스 혼합물에 산소, 황 또는 셀레늄을 첨가하고 이들의 플라즈마를 이용하여 질화알루미늄갈륨에 대한 질화갈륨의 선택적인 식각뿐만 아니라 이방성이 큰 식각 방법을 제공한다.
Patent KR-100307125-B1 (KR)
Title: 디스크 재생 장치 및 ｒｆ 증폭기 제어 회로
IPC: H03L7/08
Filed: 1999-04-30
Granted: 2001-09-26
Abstract: CAV 재생 시의 씨크 시 등 데이타 PLL의 VCO 클럭의 발진이 심하게 변동하는 경우에도 안정적으로 RF 증폭기의 이퀄라이징 동작을 할 수 있는 디스크 재생 장치 및 이것에 이용하는 RF 증폭기 제어 회로를 제공한다. 
     DVD 시스템에 있어서, 데이타 재생 클럭으로 RF 이퀄라이징을 제어하는데 있어서 RF 이퀄라이징 전용의 전압 제어 발진기(VCO: 31) 및 저역 통과 필터(30)를 설치한다.  이 전압 제어 발진기를 데이타 레이트에 추종하고 있는 전압 제어 발진기의 저역 성분으로 제어함으로써, 데이타 레이트의 변화에 천천히 추종하는 RF 증폭기를 실현하는 것이 가능해진다.  따라서, 데이타 PLL(19)의 VCO 클럭의 발진이 심하게 변동하는 경우에도, RF 증폭기(15)의 이퀄라이징 특성을 제어하는 RFVCO의 발진 주파수는 천천히 추종하기 때문에, 안정적으로 RF 증폭기의 이퀄라이징 동작을 할 수 있다.