baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent WO-2008041622-A1 (WO)
Title: Ensemble membrane électrode et procédé de production de celui-ci
Inventor: MATSUMOTO KAZUHIKO
IPC: H01M8/02
Filed: 2007-09-28
Abstract: L'invention concerne un ensemble membrane électrode ayant d'excellentes caractéristiques d'adhésion entre une membrane électrolytique et une couche de catalyseur. L'invention concerne de manière spécifique un ensemble membrane électrode comprenant une membrane électrolytique et une électrode disposée sur au moins un côté de la membrane électrolytique et contenant une couche de catalyseur. Dans cet ensemble membrane électrode, la membrane électrolytique et la couche de catalyseur sont liées ensemble par l'intermédiaire d'un polymère à échange d'ions obtenu par polymérisation de greffage en surface d'un monomère polymérisable.
Patent WO-2008099565-A1 (WO)
Title: 半導体装置およびその製造方法
Inventor: NOZAKI JUNICHI
IPC: H01L27/088
Filed: 2007-12-20
Abstract: アナログ回路素子領域(２５)におけるシリコン酸化膜の表面への窒素導入と、デジタル回路素子領域(２４)におけるシリコン窒化膜(２７)の形成とを、プラズマ窒化法によって同一の工程で行う。そのため、デジタル回路素子領域(２４)のゲート電極パターンとアナログ回路素子領域(２５)のゲート電極パターンとを、同一のフォトリソグラフィ工程によって形成することが可能になる。したがって、互いに異なる組成を有する２つのゲート絶縁膜上の夫々にゲート電極パターンを形成して成る２つのＭＯＳ半導体素子を、少ない工程で簡単に形成することができる。また、工程が少ない分だけ加工精度を高めることができる。
Patent JP-WO2006100807-A1 (JP)
Title: 圧電素子、及び圧電素子の製造方法
IPC: H02N2/18
Filed: 2005-12-19
Abstract: 圧電セラミック素体１に内部電極２が埋設された圧電素子において、圧電セラミック素体１が、少なくともＫ、Ｌｉ、及びＮａの中から選択された１種の元素を含有したニオブ酸アルカリ金属系化合物からなるペロブスカイト型複合酸化物を主成分とすると共に、内部電極２がＮｉやＣｕ等の卑金属材料からなり、内部電極２と圧電セラミック素体１とが共焼結されてなる。これにより還元雰囲気中で焼成処理を行なっても安価で実用に耐え得る圧電特性を有する圧電素子、及び圧電素子の製造方法を実現する。
Patent JP-WO2007043485-A1 (JP)
Title: 有機系多孔質体の製造方法および有機系多孔質カラムならびに有機系多孔質体
IPC: C08F257/02
Filed: 2006-10-06
Abstract: 強度などの機械的特性に優れ、骨格および空孔の構造がより精密に制御された有機系多孔質体を提供する。（ｉ）リビングラジカル重合性および／またはアニオン重合性を有する低分子化合物と、相分離誘起成分である有機高分子と、重合開始剤と、重合溶媒とを含む系において、低分子化合物をリビングラジカル重合またはアニオン重合して、低分子化合物の重合体に富む骨格相と、重合溶媒に富む溶媒相とを有し、骨格相および溶媒相の共連続構造が形成されたゲルを形成し、（ii）形成したゲルから重合溶媒を除去することにより、上記骨格相から上記重合体を基材とする骨格を形成し、上記溶媒相から第１の空孔を形成して、骨格および第１の空孔の共連続構造が形成された有機系多孔質体を得る製造方法とする。
Patent JP-WO2007058312-A1 (JP)
Title: 光デバイス
IPC: G02B6/32
Filed: 2006-11-17
Abstract: ウエハからの切断時、ダイシングブレードの目詰まりを防止することができる光デバイスを提供する。また、光デバイスに使用される樹脂の不必要な広がりを防止することができる光デバイスを提供する。本発明は、基板(2)と、基板(2)の上に積層された光導波路層(4)とを有する光デバイス(1)に関する。光導波路層(4)は、光ファイバー又は光ファイバーアレイ(F1)が接合される第１の側面(6a,6b)と、光ファイバー及び光ファイバーアレイが接合されない第２の側面(8)とを有する。また、基板(2)は、光導波路層(4)の第２の側面(8)と同じ側にある側面(16)を有する。光導波路層(4)の第２の側面(8)の少なくとも一部は、基板(2)の側面(16)と異なる面内に位置し、光導波路層(4)の第２の側面(8)と基板(2)の側面(16)との間に基板の露出部分(18)が形成される。
Patent WO-2009090687-A1 (WO)
Title: Optical modulator
Inventor: KAWANO KENJI
IPC: G02F1/035
Filed: 2008-01-18
Abstract: A technical problem related to a travelling-wave electrode type optical modulator which is formed with a light guide and a traveling-wave electrode formed on a substrate having the electro-optical effect includes improvement of the characteristics such as optical modulation bandwidth, drive voltage, and characteristic impedance of the travelling-wave electrode type optical modulator. To solve the problem, a structure of a ridge is optimized which is formed in such a manner that a part of the substrate at a region where a high-frequency electric signal propagating in the travelling-wave electrode has high field intensity is reduced in thickness by digging. Further, a buffer layer is formed on the substrate where the ridge is formed and a conductive layer is formed on the buffer layer. At least one part of the buffer layer in the direction of a normal line to a sidewall of the ridge is made smaller in thickness than at least one of the buffer layer portion at a dug area on the substrate and the buffer layer portion on the top of the ridge.
Patent WO-2009034665-A1 (WO)
Title: Emballage destiné en particulier à emballer des piles
Inventor: MATSUMOTO YUJI
IPC: B65D73/00
Filed: 2008-04-04
Abstract: La présente invention concerne un emballage qui comprend une plaque de fond (3) présentant une largeur correspondant à l'épaisseur d'un objet à emballer (20) ; ainsi qu'une plaque avant (16) et une plaque arrière (7) partant des lignes de pliage (4, 5) aux extrémités de la plaque de fond (3), dans le sens de la largeur. L'objet à emballer (20) est emballé en le plaçant sur la plaque de fond (3) et en l'intercalant entre les parties inférieures de la plaque avant (6) et de la plaque arrière (7) de manière à fixer la partie supérieure (80) de la plaque avant (6) à la partie supérieure de la plaque arrière (7). Une partie fenêtre (9) est prévue sur la partie inférieure (66) de la plaque avant (6) pour laisser à découvert au moins une partie de l'objet à emballer (20). Des perforations (4, 5) sont réalisées sur au moins l'une des lignes de pliage entre la plaque avant (6) et le fond (3) et entre la plaque arrière (7) et la plaque de fond (3).
Patent WO-2009118796-A1 (WO)
Title: Display lamp and light-emitting method of display lamp
Inventor: KOBAYASHI YASUHIRO
IPC: F21S9/02
Filed: 2008-04-22
Abstract: A display lamp lights up using commercial power at normal time and lights up using a storage battery built in the lamp in case of power outage. Provided is a display lamp which can emit light for a long time reducing the consumption power of the storage battery (7) in case of power outage. An optical source (2) is intermittently lighted by use of the power of the storage battery (7) by controlling the discharge of the storage battery (7) by using a timer, an optical sensor (8), or a human sensor (10). When the light is on, light is stored in a light storage plate (5). When the light is off, the display lamp (1) is allowed to emit light by the remaining light of the light storage plate (5).
Patent WO-2009081594-A1 (WO)
Title: 非水電解質二次電池
Inventor: TAKAHASHI KEIICHI
IPC: H01M50/489
Filed: 2008-12-26
Abstract: 本発明の非水電解質二次電池は、負極集電体１６と、負極集電体１６上に設けられた負極活物質層１５と、正極集電体１１と、正極集電体１１のうち負極活物質層１５に対向する面上に設けられた正極活物質層１２と、正極活物質層１２と負極活物質層１５との間に設けられ、無機粒子からなる少なくとも１層の無機絶縁層１３とを備え、無機絶縁層１３はバインダを含んでいない。
Patent WO-2008088026-A1 (WO)
Title: セッションを管理するウェブサーバおよびその方法
Inventor: MURAI SHUICHI
IPC: G06F15/00
Filed: 2008-01-17
Abstract: 【課題】ウェブサーバの構成を柔軟に変更可能とする。
【解決手段】セッションステートを記憶するための記憶部と、セッションステートを第１のＨＴＴＰリクエストに対応付けて端末装置から受信する受信部と、記憶部のうち、受信した第１のＨＴＴＰリクエストに応じて処理を行う処理プログラムからＨＴＴＰセッションオブジェクトとしてアクセスされる記憶領域に、受信したセッションステートを格納する格納部と、処理プログラム中のアクセス命令の実行に応じて、格納されたセッションステートにアクセスするアクセス部と、処理プログラム中の返信命令の実行に応じて、記憶部からセッションステートを読み出して、第２のＨＴＴＰリクエストに対応付けて端末装置により送信させるパラメータとして第１のＨＴＴＰレスポンスに設定し、設定した第１のＨＴＴＰレスポンスを端末装置に返信する返信部とを備えるウェブサーバを提供する。
Patent WO-2008096768-A1 (WO)
Title: Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor, thin film transistor substrate and image display apparatus, image display apparatus and semiconductor device
Inventor: YANO KOKI
IPC: H01L21/308
Filed: 2008-02-06
Abstract: Provided are a method for manufacturing a thin film transistor having excellent stability, uniformity, repeatability, heat resistance, durability and the like, the thin film transistor, thin film transistor substrate and image display apparatus, an image display apparatus and a semiconductor device. In the semiconductor device, a crystalline oxide is used as an N-type semiconductor. The electron carrier concentration of the crystalline oxide is less than 2×1017/cm3. Furthermore, the crystalline oxide is a polycrystalline oxide including In and one or more positive divalent elements selected from among Zn, Mg, Cu, Ni, Co and Ca, and the atomic ratio of In [In] to the positive divalent element [X], i.e., [X]/([X]+[In]), is 0.0001-0.13.
Patent WO-2008130008-A1 (WO)
Title: 緑内障発症リスクの判定方法
Inventor: KINOSHITA SHIGERU
IPC: C12Q1/68
Filed: 2008-04-17
Abstract: 被検者由来のサンプルにおいて、配列番号203～514で示される塩基配列からなる群より選択される、少なくとも１つの塩基配列又はその相補的配列における、各塩基配列の31番目に存在する一塩基多型のアレル及び／又は遺伝子型をin vitroで検出する工程(工程Ａ)、ならびに、前記工程Ａで検出されたアレル及び／又は遺伝子型を、配列番号203～514で示される塩基配列におけるハイリスクアレルを含むアレル及び／又は遺伝子型の少なくとも１つと比較する工程(工程Ｂ)を含む、緑内障リスクの有無の判定方法。本発明の方法により、サンプル上の本発明の一塩基多型のアレル又は遺伝子型を分析することにより、サンプル提供者の緑内障の発症リスクの高低を判定することができ、このリスクに基づきサンプル提供者は緑内障の予防措置を講じ、又は適切な治療を受けることができる。
Patent WO-2008149863-A1 (WO)
Title: 毛髪処理用組成物
Inventor: KITANO HIROKI
IPC: A61Q5/02
Filed: 2008-06-03
Abstract: 毛髪処理用組成物は、（Ａ）Ｌ－テアニン、並びに（Ｂ）高分子化合物として非イオン性高分子、両性高分子、及びカチオン性高分子を含有する。
Patent WO-2009060643-A1 (WO)
Title: 机
Inventor: MORI HIROYA
IPC: A47B13/06
Filed: 2008-07-16
Abstract: 天板の使用可能な面積を広く確保したまま、安定性の高い支柱取り付け構造を有する机を提供することを課題とし、机面として使用される天板３と、天板３を支持する脚部２と、天板３の上方に対象部材を設置するための支柱６と、脚部２に設けられた、支柱６が挿入される挿入孔７であって、少なくとも支柱６の側面の一部に沿う内側面７１を有する挿入孔７と、を備え、挿入孔７に挿入された支柱６は、内側面７１に固定される、机とした。
Patent WO-2009014138-A1 (WO)
Title: 精製含フッ素ポリマーの製造方法
Inventor: SAGISAKA SHIGEHITO
IPC: C08F14/18
Filed: 2008-07-23
Abstract: 本発明は、大型の重合槽を用いた高圧重合が可能な製造方法であって、着色、発泡等の外観異常のないペレット、及び、成形品を得ることができる精製含フッ素ポリマーの製造方法を提供する。 本発明は、懸濁安定剤の存在下に行う懸濁重合によって得られる含フッ素ポリマーを酸化処理することを特徴とする精製含フッ素ポリマーの製造方法である。
Patent WO-2009075190-A1 (WO)
Title: 電子機器、再生方法及びプログラム
Inventor: NAGANO KAE
IPC: H04N5/445
Filed: 2008-11-27
Abstract: 【課題】専用の複数のデコーダを用いることなく、記録媒体に記録された複数の映像コンテンツを１画面で再生させ、何れかの映像コンテンツを選択させて再生させること。 【解決手段】記録再生装置１００は、ＢＤ－ＲＯＭ１０から、複数のアングルで撮影されたシングルアングルビデオ２１と、当該各シングルアングルビデオ２１が一画面で再生可能にオーサリングされたマルチアングルビデオ２２を読み込み、マルチアングルビデオ２２に、タイムライン操作バー６１及びカーソル６６を合成してマルチアングル画面６０を表示する。マルチアングル画面６０上で、カーソル６６が位置するシングルアングルビデオ２１が選択操作されると、当該選択操作時のタイムコードを基にシングルアングルビデオ２１が全画面再生され、全画面再生中にマルチアングルキー２３が押下操作されると、当該押下操作時のタイムコードを基に再びマルチアングル画面６０が再生される。
Patent WO-2009072613-A1 (WO)
Title: ポリビニルアルコール繊維含有ポリオレフィン樹脂組成物およびその成形体
Inventor: KATAYAMA TAKASHI
IPC: C08L23/00
Filed: 2008-12-05
Abstract: ポリビニルアルコールフィラメント（Ａ－Ｉ）１００重量部および収束剤（Ａ－ＩＩ）０．１～１０重量部を含むポリビニルアルコール繊維（Ａ）１～７０重量％と、ポリオレフィン樹脂組成物（Ｉ）３０～９９重量％と、を含有し、ポリオレフィン樹脂組成物（Ｉ）が、ポリオレフィン樹脂組成物（Ｉ）全量に対して、ポリオレフィン樹脂が不飽和カルボン酸および／または不飽和カルボン酸誘導体で変性された変性ポリオレフィン樹脂（Ｂ）０．５～４０重量％と、ポリオレフィン樹脂（Ｃ）６０～９９．５重量％とを含有するポリビニルアルコール繊維含有ポリオレフィン樹脂組成物。
Patent WO-2009084570-A1 (WO)
Title: コンパイラ組み込み関数追加装置
Inventor: KUMURA TAKAHIRO
IPC: G06F9/45
Filed: 2008-12-25
Abstract: 追加命令の命令語長やレイテンシなどの情報をコンパイラへ反映可能な形式で、追加命令に対応する組み込み関数をコンパイラへ追加する装置、プログラム、あるいは方法を提供する。組み込み関数追加プログラム（３０）は、記憶装置（２０）から追加命令仕様記述ファイル（４０）とベースプロセッサ用コンパイラソースコード（５０）とを読み込み、前記追加命令の仕様記述ファイルに記述された追加命令に対応する組み込み関数の定義文を生成し、前記追加命令に対応する組み込み関数の定義文を、前記ベースプロセッサ用コンパイラソースコードへ追加したものを、追加命令を命令セットに備えた拡張プロセッサ用コンパイラソースコード（６０）として記憶装置（２０）に出力する。
Patent JP-WO2007097053-A1 (JP)
Title: 半導体集積回路とその検査方法
IPC: H01L27/04
Filed: 2006-08-03
Abstract: 第１チップ（１１Ａ）上でＣＭＯＳ出力回路（１５Ａ，１６Ａ）に接続された内部接続用出力パッド（１４Ａ）と、第２チップ（１１Ｂ）上でＣＭＯＳ入力回路（１５Ｂ，１６Ｂ）に接続された内部接続用入力パッド（１４Ｂ）とがチップ間ボンディングワイヤ（１７）にて電気的に接続される。リーク抵抗（４０）の有無を検査するため、テスト回路（３０）がＣＭＯＳ出力回路（１５Ａ，１６Ａ）を介して内部接続用出力パッド（１４Ａ）の高インピーダンス出力状態、高レベル出力状態及び低レベル出力状態を制御する。電源からグランドに至る経路に流れる電流を高インピーダンス出力状態で測定した値と、高レベル出力状態で測定した値との差分をとれば、トランジスタリーク電流が相殺されて正確な微小リーク電流を検出できる。
Patent JP-WO2008041702-A1 (JP)
Title: プラズマドーピング方法及び装置
IPC: H01L21/265
Filed: 2007-10-02
Abstract: 試料表面に導入される不純物濃度の再現性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。真空容器（１）内において、対向電極（３）に設けられたガス噴出孔（５）より、試料電極（６）に載置した基板（７）に向けてガスを噴出させ、排気装置としてのターボ分子ポンプ（８）により排気を行い、調圧弁（９）により真空容器（１）内を所定の圧力に保ちながら、対向電極（３）と試料電極（６）の間の距離を対向電極（３）の面積に対して、外方へのプラズマの拡散が生じない程度に十分に小さくし、対向電極（３）と試料電極（６）の間に容量結合型プラズマを発生させ、プラズマドーピングを行う。ガスとしてジボランやホスフィンなどの不純物を含む低濃度のガスを用いる。
Patent JP-WO2008078546-A1 (JP)
Title: 光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置
IPC: G11B5/31
Filed: 2007-12-11
Abstract: 安定した磁気記録を行うことができる磁気記録装置、光アシスト磁気記録ヘッドの調整方法、及び、光アシスト磁気記録ヘッドの調整装置を提供することを目的とする。照射光学系と磁気記録部とを有する光アシスト磁気記録ヘッドを備えた磁気記録装置において、照射手段から出射された光の反射光を受光する受光素子と、受光素子に反射光を導く分岐光学系と、受光素子の出力に基づいて、反射光の光量を算出する光量算出手段と、光量算出手段の算出した値に基づいて、情報を記録するための条件を制御する記録条件制御手段と、を有することを特徴とする磁気記録装置。
Patent JP-WO2008007743-A1 (JP)
Title: 偏波保持光ファイバおよび偏波保持光ファイバ接続体の製造方法ならびに偏波保持光ファイバ接続体
IPC: G02B6/255
Filed: 2007-07-12
Abstract: コア部と、前記コア部の外周に形成され該コア部よりも屈折率が低いクラッド部と、を備え、前記コア部の屈折率分布形状は、ステップ型あるいは凹型を成し、前記クラッド部は、前記コア部を挟んで対向する位置に、該コア部との最短距離がほぼゼロになるように形成された２つの空孔を有する。好ましくは、前記コア部の屈折率分布形状は、該コア部と前記クラッド部との境界において、該クラッド部に対する比屈折率差がゼロの位置から比屈折率差の最大値の３／４となる位置までの形状をα型の屈折率分布形状で近似した場合に、α値が３．５以上の値となる形状を有する。これによって、偏波保持性が高く、かつ伝送損失が低減されたサイドトンネル型の偏波保持光ファイバを提供する。
Patent JP-WO2008015835-A1 (JP)
Title: 電界下のナノ物質シミュレーション方法と装置並びにプログラム
IPC: H01L29/00
Filed: 2007-05-24
Abstract: 本発明は、電子のダイナミカルな応答を電界下で計算し、「合わせこみパラメータ」なしで、精度の高いシミュレーションを可能とする方法を提供する。本発明は、ナノ物質の周りに仮想的な電荷分布を空間メッシュ上に配置し、前記ナノ物質及び前記仮想的な電荷分布に所定の周期境界条件を設定したモデルのもとで、電荷の空間分布を逆格子空間にフーリエ変換し、前記ナノ物質内の電子状態を、バンド計算で求めるか、又は、前記ナノ物質内の電子に関して時間依存シュレディンガー方程式を解いて電子状態を求め、前記ナノ物質内の電子の動的応答を電界下で計算する工程を含む。
Patent JP-WO2008029515-A1 (JP)
Title: 骨伝導スピーカ
IPC: H04R1/00
Filed: 2007-09-06
Abstract: 耳孔を塞がないために外部音の聴取を阻害せず、耳珠部分を局所的に振動させるために効率がよくて音漏れが少なく、しかも構成簡易で装脱が容易な骨伝導スピーカを提供することを課題とするものであって、骨伝導スピーカ本体１と、前記骨伝導スピーカ本体１に取り付けられて前記骨伝導スピーカ本体を耳珠３１又はその近傍位置に当接させるように保持する保持手段２とから成り、前記保持手段２は、耳甲介腔３０内に収まるリング状のものであり、その両外側面部分が耳珠３１の内側部と耳甲介腔３０の内側面に当接してそこを押し続けることにより、その位置に係止されることを特徴とする。
Patent JP-WO2008029833-A1 (JP)
Title: 水系防錆顔料、水系防錆塗料及び高耐食表面処理チェーン
IPC: C09C3/06
Filed: 2007-09-05
Abstract: チェーンの構成部品の鉄母材上に、硝酸塩を含み、貯蔵安定性が良好である水系防錆顔料を含有する水系防錆塗料を用いて形成された第１塗膜を有することにより、亜鉛が先に溶出し、鉄による赤錆の発生が抑制され、耐久性が向上する。ローラチェーン１０は、構成部品の鉄母材２２上に、衝撃亜鉛めっきにより形成された亜鉛−鉄合金下地被膜２４、前記水系防錆塗料を用いて形成された第１塗膜２６、並びに、水系顔料、及び水溶性又は加水分解性のアミノ基含有シランカップリング剤を含有する水系上塗り塗料を用いて形成された第２塗膜２８を有する。
Patent JP-WO2008056779-A1 (JP)
Title: 霊長類動物胚性幹細胞の培養及び継代方法、並びにその分化誘導方法
IPC: C12N5/078
Filed: 2007-11-09
Abstract: 本発明は、霊長類動物胚性幹細胞の継代方法、同細胞の血管内皮細胞および血液細胞等への分化誘導方法を提供する。本発明は、霊長類動物胚性幹細胞を、細胞外マトリックスでコートされた容器中、無フィーダーおよび無サイトカイン下、蛋白成分を含有する培地で培養し、得られた胚性幹細胞のコロニーを細胞剥離剤の存在下、剥離し、該コロニーを同要の培地に播種することを含む方法、および霊長類動物胚性幹細胞を、サイトカインの存在下、血清含有または非含有培地で培養し、得られた胚葉体または胚葉体類似細胞凝集塊をサイトカインの存在下、接着培養して特定前駆細胞を得、該特定前駆細胞から浮遊細胞と接着細胞を分離して血液細胞および血管内皮前駆細胞を得ることを含む方法を提供する。
Patent JP-WO2008090988-A1 (JP)
Title: 光学素子、これを用いた露光装置、及びデバイス製造方法
IPC: G02B19/00
Filed: 2008-01-25
Abstract: 【課題】耐酸化性及び非露光光吸収という２つの性質を両立するように組み込むことによって光学特性を向上させた光学素子を提供すること。【解決手段】保護層３０は、その組成を深さ方向に変化させて形成されており、多層膜２０の最表層上である薄膜層Ｌ１上に設けられる界面側層３１と、界面側層３１上に設けられて光学素子１００の最表面とされる表面側層３２と、中間層３３とを有する。界面側層３１は、光源から非露光光を相対的に吸収する性質を有する。また、表面側層３２は、多層膜２０の表面が酸化するのを抑制する。これにより、露光装置内において極端紫外線が照射されても光学素子１００表面の反射率低下の抑制、非露光光の反射の低減が可能となる。
Patent WO-2010023777-A1 (WO)
Inventor: SHIMAMURA TAKAYUKI
IPC: H01L33/00
Filed: 2009-02-24
Abstract: A light emitting element is provided with a pair of an anode and a cathode facing each other, and a light emitting layer which is sandwiched between the pair of the anode and the cathode from a direction vertical to the main surfaces of the anode and the cathode and is composed of a plurality of light emitting particles. The light emitting particles are nitride semiconductor light emitting particles each of which has a wurtzite crystalline structure which includes an n-type nitride semiconductor portion and a p-type nitride semiconductor portion. The n-type nitride semiconductor portion is brought into contact with the cathode, and the p-type nitride semiconductor portion is brought into contact with the anode. The c-axes of the respective crystalline structures of the n-type nitride semiconductor portion and the p-type nitride semiconductor portion are parallel to each other, and the n-type nitride semiconductor portion and the p-type nitride semiconductor portion are brought into contact with each other on a surface parallel to the c-axes.
Patent WO-2010013473-A1 (WO)
Inventor: MIZUGUCHI HIRONORI
IPC: G06F17/30
Filed: 2009-07-29
Abstract: 本発明に係るデータ分類システムは、階層的な分類項目と、当該分類項目に対応するデータ群とに基づいて、当該データ群に対応する分類項目を複数選択して分類軸として出力する。該データ分類システムは、基準項目蓄積手段と、分類軸候補作成手段と、優先度計算手段と、を備える。基準項目蓄積手段は、分類項目を選択するための基準項目となる分類項目群を予め蓄積する。分類軸候補作成手段は、基準項目の子孫の分類項目においてデータに少なくとも１つ対応する分類項目の組合せに基づいて、分類軸候補を作成する。優先度計算手段は、分類階層における分類項目間の階層的な距離に基づいて、前記分類軸候補作成手段が作成した分類軸候補について、当該分類軸候補の優先度を計算する。
Patent WO-2010026731-A1 (WO)
Title: 電池パック
Inventor: IWAMOTO KAZUYA
IPC: H01M50/213
Filed: 2009-08-31
Abstract: 本発明の電池パック１は、二次電池２と、二次電池を内部に収容する成形体１１と、二次電池と成形体の内表面との間に設けられ、所定の温度以上で発泡して発泡断熱層を形成する発泡可能層１２と、を有する。これにより、収納された電池が発熱していない正常時には電池パックに含まれる断熱層が薄いものでありながら、異常発生時には高い断熱効果を発揮して電池パック表面の温度上昇が抑制される。
Patent WO-2011048640-A1 (WO)
Title: Système d'information conçu pour calculer sa capacité de stockage de données requise
Inventor: NAKAMICHI KOH
IPC: G06F3/06
Filed: 2009-10-23
Abstract: Un objet de la présente invention est d'estimer correctement une capacité de stockage ou les performances d'un dispositif de stockage devant être préparé dans un site distant. Dans un système d'information 1, un premier dispositif de stockage 100 stocke des données d'un premier ordinateur hôte 200 dans un premier volume virtuel fourni par l'allocation de ressources à la demande utilisant un premier volume en tant que ressource, et un second dispositif de stockage 100 stocke des données d'un second ordinateur hôte 200 dans un second volume virtuel fourni par l'allocation de ressources à la demande utilisant un second volume en tant que ressource. Un appareil d'information (dispositif de gestion 400) dans le système d'information 1 acquiert l'historique d'écriture des données dans la nouvelle zone de données du premier volume sur la base du volume de base et du volume différentiel, puis génère une transition d'une capacité d'allocation d'une zone de stockage du premier volume sur la base de l'historique acquis d'écriture de données dans une nouvelle zone de données du premier volume. L'appareil d'information trouve ensuite, sur la base de la transition générée, une capacité du second volume qui sera nécessaire après une période de temps prédéterminée.
Patent WO-2010052906-A1 (WO)
Inventor: TOH TAKEHIKO
IPC: B22D11/115
Filed: 2009-11-04
Abstract: L'invention porte sur un dispositif pour le coulage en continu d'acier, qui comporte un moule pour couler l'acier fondu, une buse immergée, un dispositif de brassage électromagnétique et un dispositif de freinage électromagnétique. Des sections incurvées, incurvées vers le côté dispositif de brassage électromagnétique, sont formées chacune sur chaque paroi côté long en au moins une position faisant face à la buse immergée. Dans une vue en plan, la distance horizontale entre le sommet de chaque section incurvée et la buse immergée n'est pas inférieure à 35 mm, mais est inférieure à 50 mm.
Patent WO-2011058611-A1 (WO)
Title: Method for manufacturing a thin film transistor
Inventor: ADACHI SUSUMU
IPC: H01L21/336
Filed: 2009-11-13
Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a thin film transistor wherein a conductive layer (source/drain electrodes) (5) is formed on a transfer mould (3), and a semiconductor film (gate channel) (7) and gate insulating film (8) are formed on the transfer mould (3) in a vacuum, and these can then be transferred onto a substrate (1) on which gate wires (2) are formed. In other words, the formation of the semiconductor film (7) and gate insulating film (8) that govern the functions of the thin film transistor is conducted in a vacuum and these films are then transferred onto the gate wires (2) that are formed beforehand on the substrate (1), so a thin film transistor array of large area can be formed even though the transfer mould is of small size. Also, the gate length can be formed with high precision by forming the conductive layer (5) on the transfer mould (3).
Patent WO-2009088057-A1 (WO)
Title: 自動販売機
Inventor: TSUCHIYA TOSHIAKI
IPC: F25B1/00
Filed: 2009-01-09
Abstract: 【課題】加熱運転の休止中に閉鎖している電磁弁から冷媒が漏洩すると漏洩冷媒が加熱熱交換器に流入して滞留し、冷凍サイクルの循環する冷媒量が減少し、冷却加熱能力が低下することを抑制する自動販売機を提供する。 【解決手段】圧縮機６１と、庫外に設けた凝縮器６２と、膨張手段６３と、膨張手段より冷媒を分配する分配器６４と、庫内に設けた複数の蒸発器６５ａ、６５ｂ、６５ｃと、にて冷凍サイクルを構成し、圧縮機の入口と凝縮器の入口との間で接続され、庫内に設けて冷媒を凝縮する加熱熱交換器６６ｂ、６６ｃと、圧縮機と加熱熱交換器との間に第１の電磁弁６８ｂ、６８ｃと、を有する自動販売機において、第１の電磁弁と分配器との間に第２の電磁弁７３ｂ、７３ｃと第２の膨張手段７２とを接続したバイパス回路を設け、漏洩冷媒を冷凍サイクルへ回収する。
Patent WO-2010079623-A1 (WO)
Inventor: AKIHISA DAISUKE
IPC: F02D15/04
Filed: 2009-01-06
Abstract: A spark ignition internal combustion engine comprises a valve-closing time variable mechanism that can alter the closing period of an intake valve after an intake bottom dead point, in which the quantity of intake air supplied into the combustion chamber is principally controlled by altering the valve closing time of the intake valve.  When an engine is cold-started, the closing time of the intake valve is advanced as compared with that time during warming operation of the engine.  When the engine is cold-started, the mixed air sucked into the combustion chamber is blown back into the combustion chamber, whereby variance of the air fuel ratio occurs among the cylinders. However, according to the present invention, the spark ignition internal combustion engine in which occurrence of variance of the air fuel ratio among the cylinders can be suppressed.
Patent WO-2009125614-A1 (WO)
Title: 表示装置および表示装置の駆動方法
Inventor: NISHIO MASAAKI
IPC: G09G3/36
Filed: 2009-01-14
Abstract: データ信号線駆動回路がＣＯＧ方式により備えられ、表示領域に検出した光強度に応じた信号を出力する光センサが備えられた、アクティブマトリクス型の表示装置であって、上記データ信号線駆動回路は、上記光センサの出力をアナログ－デジタル変換するアナログ－デジタル変換回路を備えており、共通電極（ＣＯＭ）の電圧が変化するように駆動され、上記アナログ－デジタル変換回路は、上記光センサの出力のアナログ－デジタル変換を、走査信号線の選択開始タイミングと、データ信号線にデータ信号が出力される期間と、上記共通電極の駆動による電圧変化タイミングとを避けた第１の期間に行う。これにより、光センサ出力のアナログ－デジタル変換機能を備えたＣＯＧ技術を提供することのできる表示装置を実現する。
Patent WO-2009102055-A1 (WO)
Title: Water faucet device and method of producing water faucet facility having the same
Inventor: MIYAGI TAKAFUMI
IPC: E03C1/02
Filed: 2009-02-16
Abstract: A water faucet device which can be mounted in position in a work site with sufficiently high accuracy without requiring adjustment in the work site. A water faucet device (2a) used by being connected to piping embedded in a mounting surface (W1) is provided with a water passage section body (20) which has an inflow-side connecting section (20a), an outflow-side connecting section (20b), and double-tube connecting sections (20c, 20d) respectively communicating with the inflow-side and outflow-side connecting sections (20a, 20b); a valve receiving body (22) which is provided with a push valve (30) opened and closed by push operation, double-tube connecting sections (26a, 26b) connected to the double-tube connecting sections (20c, 20d) so as to be slidable in a direction substantially perpendicular to the mounting surface, and a push valve housing recess (26c) for housing the push valve and positioned at a predetermined position on the mounting surface; and a push button unit (10a) which is provided with a push button (12b) for pressing an operating section of the push valve and is mounted on the mounting surface.
Patent WO-2009116467-A1 (WO)
Title: Transparent electroconductive oxide layer and photoelectric conversion device using the transparent electroconductive oxide layer
Inventor: ICHIKAWA MITSURU
IPC: H01B5/14
Filed: 2009-03-13
Abstract: Disclosed is a transparent electroconductive oxide layer having a high transmittance and a high electroconductivity.  Also disclosed is a thin-film photoelectric conversion device having a high photoelectric conversion efficiency which can be provided by applying the transparent electroconductive oxide layer to a transparent electrode layer in the photoelectric conversion device. The transparent electroconductive oxide layer is characterized in that the transparent electroconductive oxide layer is provided on a light-transparent base, first and second impurities are contained within the transparent electroconductive oxide layer so that the contents of the first and second impurities are increased at a position near the surface of the transparent electroconductive oxide layer, and carbon atoms are present near the surface of the transparent electroconductive oxide layer.  According to the above constitution, a high transmittance and a high electroconductivity can be simultaneously realized.
Patent WO-2010134179-A1 (WO)
Title: Converter overcurrent prevention/control device and converter overcurrent prevention method
Inventor: NOBE DAIGO
IPC: H02M3/135
Filed: 2009-05-21
Abstract: A peak value (ILpeak) of current (IL) flowing into a boost converter is estimated (P2) according to the inclination of the current (IL) flowing into the boost converter and the remaining ON time of a switching element (Q2) at the moment (T1) when the current (IL) is detected. If the estimated peak value (ILpeak) exceeds a permitted value (ILmax), the duty ratio of the switching elements (Q1, Q2) is modified so that the peak value (ILpeak) is lowered to the permitted value (ILmax) or below.
Patent WO-2009154071-A1 (WO)
Title: 荷電粒子加速装置
Inventor: EGO HIROYASU
IPC: H05H9/00
Filed: 2009-06-01
Abstract: アイリスを設けたディスクを設けることによって複数のセルを結合した、ディスクロード型加速管において、アイリスの形状をレーストラック形状（２つの半円を直線でつないだ形状）などの扁平な形状とする。これにより、２つのダイポールモードの縮退が解け、サプレッサーなどの追加のアイリスを設けなくても、ビーム偏向方向が安定した荷電粒子加速が可能となる。また、単一のアイリスを設ければよいだけなので、製造も容易となる。