Patent SG-11201407151U-A (SG)
Title: Solar cell containing n-type doped silicon
Inventor: FORSTER MAXIME
IPC: H01L31/068
Filed: 2013-02-28
Abstract: (12) DEMANDE INTERNATIONALE PUBLIEE EN VERTU DU TRAITE DE COOPERATION EN MATIERE DE BREVETS (PCT) (19) Organisation Mondiale de la Propriete Intellectuelle Bureau international —- (I®) Numero de publication internationale (43) Date de la publication internationale ^ _ WO 2013/167815 A1 14 novembre 2013 (14.11.2013) WIPO I PCT (51) Classification internationale des brevets : H01L 31/068 (2012.01) H01L 31/0288 (2006.01) (21) Numero de la demande internationale : PCT/FR2013/00005 6 28 fevrier 2013 (28.02.2013) (22) Date de depot international: (25) Langue de depot: I'rancais (26) Langue de publication : I'rancais (30) Donnees relatives a la priorite : 12/01382 11 mai 2012 (11.05.2012) FR (71) Deposants : APOLLON SOLAR [FR/FR]; 66, cours Charlemagne, Immeuble \"Le Factory\", F-69002 Lyon (FR). THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY [AU/AU]; AU-0200 Acton, Australian Capital Territory 0200 (AU). (72) Inventeurs : FORSTER, Maxime; 111, rue Robert, F- 69006 Lyon (FR). EINHAUS, Roland; 4, rue des Moi- neaux, F-38300 Bourgoin Jallieu (FR). CUEVAS, Andres; 37 Jansz Crescent, AU-2603, Griffith, Australian Capital Territory (AU). (74) Mandataires : TALBOT, Alexandre et al.; Cabinet Hecke, 10, rue d'Armenie, Europole, BP 1537, F-38025 Grenoble Cedex 1 (FR). (81) Etats designes (sauf indication contraire, pour tout titre de protection nationale disponible) : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW. (84) Etats designes (sauf indication contraire, pour tout titre de protection regionale disponible) : ARIPO (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW), eurasien (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM), europeen (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR), OAPI (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG). Publiee : — avec rapport de recherche internationale (Art. 21(3)) — avant I'expiration du delai prevu pour la modification des revendications, sera republiee si des modifications sont re- ques (regie 48.2.K)) (54) Title : SOLAR CELL CONTAINING N-TYPE DOPED SILICON (54) Titre : CELLULE SOLAIRE A BASE DE SILICIUM DOPE DE TYPE N •H 00 l> i-H en i-H o CJ o & Figure 1 (57) Abstract : The invention relates to a photovoltaic device comprising first semiconductor area a (2) containing n-type doped sili - con and second semiconductor area a (3) containing p-type doped silicon. The two semiconductor areas are configured to form a p-n junction. The first semiconductor area (2) is free of boron and comprises a concentration of p-type doping impurities that is at least equal 20% of to the concentration of n-type doping impurities. (57) Abrege : Un dispositif photovoltaique comporte une premiere zone semiconductrice (2) a base de silicium dope de type N et une deuxieme zone semiconductrice (3) a base de silicium dope de type P. les deux zones semiconductrices sont configurees pour former une jonction PN. La premiere zone semiconductrice (2) est depourvue de bore et elle comporte une concentration en impure- tes dopantes de type P est au moins egale a 20% de la concentration en impuretes dopantes de type N.