Patent DE-102015111313-B4 (DE)
Title: Flüssigkristallanzeigevorrichtung, Dünnschichttransistor-Arraysubstrat und Verfahren zu deren Herstellung
Inventor: WEN LIANG
IPC: H01L29/786
Filed: 2015-07-13
Granted: 2019-10-24
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistor-Arraysubstrats, wobei das Verfahren umfasst:
 Herstellen eines Substrats (301), umfassend lichtempfindliche Abstandshalterbereiche (302) und Planarisierungsschichtöffnungsbereiche, wobei sich die lichtempfindlichen Abstandshalterbereiche (302) in der Nähe der Planarisierungsschichtöffnungsbereiche befinden;
 Ausbilden einer Lichtschutzschicht (312) auf dem Substrat (301);
 Ausbilden einer Mehrzahl von Dünnschichttransistoren auf der Lichtschutzschicht (312), wobei jeder der Mehrzahl von Dünnschichttransistoren eine Source-Elektrode (304) und eine Drain-Elektrode (305) umfasst;
 Ausbilden einer ersten Planarisierungsschicht (303) auf der Mehrzahl von Dünnschichttransistoren zum Überlagern der Mehrzahl von Dünnschichttransistoren und Ätzen der ersten Planarisierungsschicht (303) zum Ausbilden von Planarisierungsschichtöffnungen (310) in der ersten Planarisierungsschicht (303) entsprechend den Planarisierungsschichtöffnungsbereichen, wobei die Planarisierungsschichtöffnungsbereiche Drain-Elektroden (305) entsprechen und die Planarisierungsschichtöffnungen (310) die Drain-Elektroden freilegen;
 Ausbilden einer Pixelelektrodenschicht (306) auf der ersten Planarisierungsschicht (303), wobei die Pixelelektrodenschicht (306) mit den Drain-Elektroden (305) über die Planarisierungsschichtöffnungen (310) in Kontakt steht;
 Ausbilden einer zweiten Planarisierungsschicht (307) auf der Pixelelektrodenschicht (306), wobei die zweite Planarisierungsschicht (307) die Planarisierungsschichtöffnungen (310) füllt; und
 Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307) unter Verwendung einer Maske und Entwickeln der belichteten zweiten Planarisierungsschicht zum Entfernen der zweiten Planarisierungsschicht (307) in den lichtempfindlichen Abstandshalterbereichen (302)
 wobei die Lichtschutzschicht (312) mit den Drain-Elektroden (305) und den Kanalbereichen (317) der Vielzahl von Dünnschichttransistoren überlappt, sich jedoch nicht mit den lichtempfindlichen Abstandshalterbereichen (302) überlappt;
 wobei das Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307) unter Verwendung einer Maske umfasst:
 Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307) unter Verwendung einer Maske, welche auch die Lichtschutzschicht (312) ausbildet; oder
 Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307) unter Verwendung einer Maske welche auch die Source-Elektroden (304) und die Drain-Elektroden (305)ausbildet; oder
 Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307) unter Verwendung einer Maske, welche auch die Pixelelektrodenschicht (306) ausbildet; oder
 zunächst Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307) unter Verwendung einer Maske, welche auch die Source-Elektroden (304) und die Drain-Elektroden (305) ausbildet, und dann Belichten der zweiten Planarisierungsschicht (307), welche unter Verwendung einer Maske, welche auch die Source-Elektroden (304) und die Drain-Elektroden (305) ausbildet, unter Verwendung einer Maske, welche auch die Pixelelektrodenschicht (306) ausbildet.