Patent DE-102018217831-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung
Inventor: ICHIMURA TORU
IPC: H01L25/07
Filed: 2018-10-18
Granted: 2022-11-03
Abstract: Halbleitervorrichtung umfassend:eine Leiterplatte (10);ein erstes Halbleitermodul (20), das einen ersten Gehäusekörper (22) und eine erste Wärmeabstrahlfläche (23) umfasst, wobei der erste Gehäusekörper (22) ein erstes Halbleiterelement (21) enthält, wobei die erste Wärmeabstrahlfläche (23) auf einer Oberfläche (22a) des ersten Gehäusekörpers (22) angeordnet und dafür konfiguriert ist, in dem ersten Halbleiterelement (21) erzeugte Wärme abzustrahlen, wobei das erste Halbleitermodul (20) so angeordnet ist, dass eine andere Oberfläche (22b) des ersten Gehäusekörpers (22), die der ersten Wärmeabstrahlfläche (23) gegenüberliegt, einer Fläche (11a) der Leiterplatte (10) zugewandt ist;einen ersten Wärmestrahler (40), der auf der ersten Wärmeabstrahlfläche (23) des ersten Halbleitermoduls (20) angeordnet ist;ein zweites Halbleitermodul (30), das einen zweiten Gehäusekörper (32) und eine zweite Wärmeabstrahlfläche (33) umfasst, wobei der zweite Gehäusekörper (32) ein zweites Halbleiterelement (31) enthält, wobei die zweite Wärmeabstrahlfläche (33) auf einer Oberfläche (32a) des zweiten Gehäusekörpers (32) angeordnet und dafür konfiguriert ist, in dem zweiten Halbleiterelement (31) erzeugte Wärme abzustrahlen, wobei das zweite Halbleitermodul (30) so angeordnet ist, dass eine andere Oberfläche (32b) des zweiten Gehäusekörpers (32), die der zweiten Wärmeabstrahlfläche (33) gegenüberliegt, einer anderen Fläche (11 b) der Leiterplatte (10) zugewandt ist; undeinen zweiten Wärmestrahler (50), der auf der zweiten Wärmeabstrahlfläche (33) des zweiten Halbleitermoduls (30) angeordnet ist, wobeidas erste Halbleitermodul (20) und das zweite Halbleitermodul (30) so angeordnet sind, dass sie in einer Draufsicht einander überlappen,das zweite Halbleitermodul (30) mit dem ersten Halbleitermodul (20) parallel verbunden istdie Leiterplatte (10) eine Vielzahl von Anschlussteilen (12) umfasst;das erste Halbleitermodul (20) eine Vielzahl erster Verbindungsanschlüsse (24) umfasst, die jeweils so angeordnet sind, dass sie aus dem ersten Gehäusekörper (22) vorstehen, und mit dem ersten Halbleiterelement (21) verbunden sind,jeder der ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) einen ersten Basisendabschnitt (24a) auf einer Seite nahe dem ersten Gehäusekörper (22) und einen ersten Spitzendabschnitt (24b) in einer Richtung von dem ersten Basisendabschnitt (24a) vorstehend umfasst,das zweite Halbleitermodul (30) eine Vielzahl zweiter externer Verbindungsanschlüsse (34) umfasst, die jeweils so angeordnet sind, dass sie aus dem zweiten Gehäusekörper (32) vorstehen, und mit dem zweiten Halbleiterelement (31) verbunden sind,jeder der zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) einen zweiten Basisendabschnitt (34a) auf einer Seite nahe dem zweiten Gehäusekörper (32) und einen zweiten Spitzendabschnitt (34b) in einer Richtung von dem zweiten Basisendabschnitt (34a) vorstehend umfasst,wobei der erste Basisendabschnitt (24a) jedes der ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) und der zweite Basisendabschnitt (34a) jedes der zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) in einer spiegelbildlichen Lagebeziehung angeordnet sind,das zweite Halbleitermodul (30) mit dem ersten Halbleitermodul (20) so parallel verbunden ist, dass jeder der zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) mit je einem der ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) über je einen der Anschlussteile (12) der Leiterplatte (10) verbunden ist oder der zweite Spitzendabschnitt (34b) jedes der zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) mit dem ersten Spitzendabschnitt (24b) von je einem der ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) über je einen der Verbindungsanschlüsse (12) der Leiterplatte (10) verbunden ist,die Leiterplatte (10) ein Durchgangsloch (14) in jedem der Anschlussteile (12) enthält,zumindest einer von jedem der ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) und jedem der zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) durch das Durchgangsloch (14) durchgeht,der zweite Spitzendabschnitt (34b) jedes der zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) mit dem Spitzendabschnitt (24b) je eines der ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) verbunden ist,jeder der durchgehenden zweiten externen Verbindungsanschlüsse (34) eine vertiefte Form im zweiten Spitzendabschnitt (34b) umfasst,jeder der durchgehenden ersten externen Verbindungsanschlüsse (24) im ersten Spitzendabschnitt (24b) eine vorstehende Form umfasst, um in die vertiefte Form des zweiten Spitzendabschnitts (34b) eingepasst zu werden, unddie vertiefte Form ein Loch oder ein gabelförmiger Schlitz ist.