Patent RU-2449419-C1 (RU)
Title: Гибридная интегральная схема свч-диапазона
Inventor: IOVDAL SKIJ VIKTOR ANATOL EVICH
IPC: H01L27/13
Filed: 2010-12-29
Granted: 2012-04-27
Abstract: Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним электро- и теплопроводящим веществом, по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, электрически соединенную с экранным заземляющим металлизационным покрытием, по меньшей мере, один транзистор с выводами, по меньшей мере, два конденсатора, расположенные с разных сторон транзистора, при этом один из выводов транзистора электрически соединен с верхними обкладками конденсаторов, два другие его вывода - с топологическим рисунком металлизационного покрытия, нижние обкладки конденсаторов - с металлизированной посадочной площадкой и через нее с экранным заземляющим металлизационным покрытием, при этом каждые - транзистор с выводами, два конденсатора и упомянутые электрические соединения одного из выводов транзистора - выполнены в виде, по меньшей мере, одного единого кристалла монолитной интегральной схемы на полуизолирующей полупроводниковой структуре с заданными легированными слоями, упомянутый единый кристалл расположен на металлизированной посадочной площадке, оба конденсатора выполнены пленочными, верхние обкладки конденсаторов, выводы транзистора и упомянутые электрические соединения одного из выводов транзистора выполнены в одном слое металлизационного покрытия упомянутого единого кристалла, в последнем выполнены сквозные металлизированные отверстия для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой. Транзистор выполнен в виде полевого транзистора с барьером Шотки с шириной вывода - электрода затвора не более 500 мкм, с заданными величинами тока насыщения, не превышающего 150 мА, и напряжения отсечки, каждый единый кристалл монолитной интегральной схемы дополнительно содержит резистивный элемент с заданным электрическим сопротивлением, резистивный элемент выполнен пленочным на лицевой поверхности упомянутого единого кристалла или в виде легированного слоя в составе упомянутой полупроводниковой структуры, резистивный элемент расположен вне области канала полевого транзистора с барьером Шотки на расстоянии не менее 20 мкм от вывода - электрода истока, при этом один из концов резистивного элемента электрически соединен с верхней обкладкой одного из конденсаторов, а другой - с нижней обкладкой этого конденсатора, электрическое соединение одного из концов резистивного элемента с верхней обкладкой конденсатора выполнено в упомянутом одном слое металлизационного покрытия единого кристалла, а электрическое соединение другого конца резистивного элемента и нижние обкладки конденсаторов - в другом слое этого металлизационного покрытия, а сквозные металлизированные отверстия в упомянутом едином кристалле выполнены вне площади расположения конденсаторов. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик и их воспроизводимости, за счет расширения функциональных возможностей гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, повышение технологичности и надежности. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.