Patent DE-102014217785-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung
Inventor: HASEGAWA KOHEI
IPC: H01L25/11
Filed: 2014-09-05
Granted: 2018-09-20
Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:ein erstes Schaltkreissubstrat miteinem ersten Substrat, das eine erste Oberfläche hat,einem bei der ersten Oberfläche bereitgestellten ersten Schaltelement,einer ersten Anschlusseinheit, die in dem ersten Substrat bereitgestellt ist und mit dem ersten Schaltelement elektrisch verbunden ist, undeiner zweiten Anschlusseinheit, die in dem ersten Substrat bereitgestellt ist, elektrisch mit dem ersten Schaltelement verbunden ist und auf ein Potential niedriger als ein Potential der ersten Anschlusseinheit gesetzt ist;ein zweites Schaltkreissubstrat miteinem zweiten Substrat, das eine zweite Oberfläche hat,einem bei der zweiten Oberfläche bereitgestellten zweiten Schaltelement,einer dritten Anschlusseinheit, die in dem zweiten Substrat bereitgestellt ist und mit dem zweiten Schaltelement elektrisch verbunden ist, undeiner vierten Anschlusseinheit, die in dem zweiten Substrat bereitgestellt ist, mit dem zweiten Schaltelement elektrisch verbunden ist und auf ein Potential niedriger als ein Potential der dritten Anschlusseinheit gesetzt ist;ein drittes Schaltkreissubstrat miteinem dritten Substrat, das eine dritte Oberfläche hat,einem bei der dritten Oberfläche bereitgestellten dritten Schaltelement,einer fünften Anschlusseinheit, die in dem dritten Substrat bereitgestellt ist und mit dem dritten Schaltelement elektrisch verbunden ist, undeiner sechsten Anschlusseinheit, die in dem dritten Substrat bereitgestellt ist, mit dem dritten Schaltelement elektrisch verbunden ist und auf ein Potential niedriger als ein Potential der fünften Anschlusseinheit gesetzt ist; undein viertes Schaltkreissubstrat miteinem vierten Substrat, das eine vierte Oberfläche hat,einem bei der vierten Oberfläche bereitgestellten vierten Schaltelement,einer siebten Anschlusseinheit, die in dem vierten Substrat bereitgestellt ist und elektrisch mit dem vierten Schaltelement verbunden ist, undeiner achten Anschlusseinheit, die in dem vierten Substrat bereitgestellt ist, mit dem vierten Schaltelement elektrisch verbunden ist und auf ein Potential niedriger als ein Potential der siebten Anschlusseinheit gesetzt ist,wobei die zweite Anschlusseinheit und die dritte Anschlusseinheit elektrisch verbunden sind,die sechste Anschlusseinheit und die siebte Anschlusseinheit elektrisch verbunden sind,die dritte Oberfläche wenigstens einen Abschnitt der ersten Oberfläche überlappt, wenn auf die erste Oberfläche projiziert,die vierte Oberfläche wenigstens einen Abschnitt der zweiten Oberfläche überlappt, wenn auf die zweite Oberfläche projiziert,eine Komponente einer Richtung von der ersten Anschlusseinheit zu der zweiten Anschlusseinheit umgekehrt ausgerichtet ist bezüglich einer Komponente einer Richtung von der fünften Anschlusseinheit zu der sechsten Anschlusseinheit, wenn auf eine Ebene mit einer ersten Richtung von dem ersten Schaltkreissubstrat zu dem zweiten Schaltkreissubstrat und einer zweiten Richtung von dem ersten Schaltkreissubstrat zu dem dritten Schaltkreissubstrat projiziert,eine Komponente einer Richtung von der dritten Anschlusseinheit zu der vierten Anschlusseinheit umgekehrt ausgerichtet ist bezüglich einer Komponente einer Richtung von der siebten Anschlusseinheit zu der achten Anschlusseinheit, wenn auf die Ebene projiziert,das vierte Schaltkreissubstrat angeordnet ist mit dem zweiten Schaltkreissubstrat in der zweiten Richtung und angeordnet ist mit dem dritten Schaltkreissubstrat in der ersten Richtung.