Patent WO-2020079159-A1 (WO)
Title: Herstellungsverfahren für ein elektronisches bauelement mit dem ein halbleiterchip justiert auf einen anschlussträger gesetzt wird, entsprechendes elektronisches bauelement, sowie entsprechender halbleiterchip und herstellungverfahren dafür
Inventor: WENDT MATHIAS
IPC: H01L23/485
Filed: 2019-10-17
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Halbleiterchip (2) (z.B. ein pixelierter, optoelektronischer Halbleiterchip (2)) mit einer Unterseite (20), mit einer Mehrzahl von Kontaktstiften (21) und mit zumindest einem Justagestift (25) bereitgestellt wird, die von der Unterseite (20) hervorstehen. Die Kontaktstifte (21) sind zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (2) eingerichtet. Der Justagestift (25) verschmälert sich in Richtung weg von der Unterseite (20) und steht weiter von der Unterseite (20) hervor als die Kontaktstifte (21). In einem Schritt B) wird ein Anschlussträger (I) mit einer Oberseite (10), in die mehrere Kontaktvertiefungen (II) und zumindest eine Justagevertiefung (15) eingebracht sind, bereitgestellt. Die Kontaktvertiefungen (11) sind jeweils mit einem Lötmaterial (12) zumindest teilweise gefüllt. In einem Schritt C) wird das Lötmaterial (12) in den Kontaktvertiefungen (11) auf eine Fügetemperatur erhitzt, bei der das Lötmaterial (12) zumindest teilweise schmilzt. In einem Schritt D) wird der Halbleiterchip (2) auf den Anschlussträger (1) aufgesetzt, wobei die Kontaktstifte (21) jeweils in eine Kontaktvertiefung (11) und der Justagestift (25) in die Justagevertiefung (15) eingeführt werden. Die Kontaktstifte (21) werden dabei in das aufgeschmolzene Lötmaterial (12) eingetaucht. D as Lötmaterial (12) und das Material der Kontaktstifte (21) können so gewählt sein, dass im Schritt D) und bei der Fügetemperatur das Lötmaterial (12) und die Kontaktstifte (21) durch isotherme Erstarrung stoffschlüssig miteinander verbunden werden. Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips (2) umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Grundkörpers mit einem Halbleiterkörper (26) und einer Unterseite (20), wobei auf dem Halbleiterkörper (26) mehrere Kontaktstifte (21) und zumindest ein Justagestift (25) angeordnet sind, die jeweils von der Unterseite (20) hervorstehen, wobei die Kontaktstifte (21) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (26) eingerichtet sind, der Justagestift (25) weiter von der Unterseite (20) hervorsteht als die Kontaktstifte (21) und ein Durchmesser des Justagestifts (25) im Wesentlichen konstant über die gesamte Höhe des Justagestifts (25) ist; B) Ausbilden eines Formkörpers (4) auf dem Halbleiterkörper (26) im Bereich neben dem Justagestift (25), wobei der Formkörper (4) den Justagestift (25) seitlich umformt; C) Durchführen eines Ätzprozesses durch Aufbringen eines Ätzmittels auf die von dem Halbleiterkörper (26) abgewandten Seiten des Formkörpers (4) und des Justagestifts (25), wobei das Ätzmittel den Formkörper (4) und den Justagestift (25) angreift, das Ätzmittel eine höhere Ätz rate für den Formkörper (4) als für den Justagestift (25) aufweist und der Ätzprozess solange durchgeführt wird, bis sich die Form des Justagestifts (25) derart geändert hat, dass sich der Justagestift (25) in Richtung weg von der Unterseite (20) verschmälert. D er Ätzprozess im Schritt C) kann solange durchgeführt werden, bis der Formkörper (4) vollständig entfernt ist. Die Kontaktstifte (22) und der Justagestift (25) können vor dem Schritt A) galvanisch auf dem Halbleiterkörper (26) aufgebracht werden, wobei insbesondere die Kontaktstifte (21) und ein erster Abschnitt des Justagestifts (25) mittels eines ersten Galvanikprozesses gemeinsam hergestellt werden und anschließend der Justagestift (25) in einem zweiten Galvanikprozess fertiggestellt wird.