Patent DE-112016003510-B4 (DE)
Title: HALBLEITERVORRlCHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
Inventor: KINOSHITA AKIMASA
IPC: H01L29/78
Filed: 2016-09-08
Granted: 2023-11-16
Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (1) mit breiter Bandlücke eines ersten Leitfähigkeitstyps, das ein Halbleitermaterial enthält, das eine Bandlücke hat, die breiter ist als diejenige von Silicium;eine Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf einer Vorderfläche des Halbleitersubstrats (1) mit breiter Bandlücke gebildet ist, wobei die Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke ein Halbleitermaterial enthält, das eine Bandlücke aufweist, die breiter als diejenige von Silicium ist, wobei eine Störstellendichte der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke niedriger ist als diejenige des Halbleitersubstrats (1) mit breiter Bandlücke;ein erstes Basisgebiet (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und ein zweites Basisgebiet (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in einer Oberflächenschicht der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps auf einer Seite der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet sind, die der Seite des Halbleitersubstrats (1) mit breiter Bandlücke gegenüberliegt;ein Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps (5), das selektiv in der Oberflächenschicht der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps auf der Seite der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, die der Seite des Halbleitersubstrats (1) mit breiter Bandlücke gegenüberliegt, wobei eine Störstellendichte des Gebiets (5) des ersten Leitfähigkeitstyps höher ist als die der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps;eine Halbleiterschicht (6) mit breiter Bandlücke des zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf einer Oberfläche der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps auf der Seite der Halbleiterschicht (2) mit breiter Bandlücke des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, die der Seite des Halbleitersubstrats (1) mit breiter Bandlücke gegenüberliegt, wobei die Halbleiterschicht (6) mit breiter Bandlücke des zweiten Leitfähigkeitstyps ein Halbleitermaterial enthält, das eine Bandlücke hat, die breiter als die von Silicium ist;ein Source-Gebiet (7) des ersten Leitfähigkeitstyps, das selektiv in der Halbleiterschicht (6) mit breiter Bandlücke des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist;einen die Halbleiterschicht (6) mit breiter Bandlücke des zweiten Leitfähigkeitstyps und das Source-Gebiet (7) durchdringenden Graben (16), der das Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps (5) erreicht;eine Gate-Elektrode (10), die in dem Graben (16) über einem Gate-Isolierfilm (9) vorgesehen ist;eine Source-Elektrode (12), die mit der Halbleiterschicht (6) mit breiter Bandlücke des zweiten Leitfähigkeitstyps und dem Source-Gebiet (7) in Kontakt ist; undeine Drain-Elektrode (13), die auf einer Rückfläche des Halbleitersubstrats (1) mit breiter Bandlücke vorgesehen ist, wobeidas zweite Basisgebiet (4) dem Graben (16) in einer Tiefenrichtung gegenüberliegt, wobei das zweite Basisgebiet (4) für den gesamten Boden des Grabens (16) vorgesehen ist, undein Teil des ersten Basisgebiets (3) sich in Richtung des Grabens (16) erstreckt und in Kontakt mit dem zweiten Basisgebiet (4) ist, wobeiein Gebiet (3c) des zweiten Leitfähigkeitstyps so ausgebildet ist, dass es in Kontakt mit dem ersten Basisgebiet (3) ist und eine schmälere Breite als eine Breite des ersten Basisgebiets (3) aufweist, und ein Ende näher an der Drain-Elektrode (13) positioniert ist als ein Ende des zweiten Basisgebiets (4) in Richtung der Drain-Elektrode (13).