baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I729976-B (TW)
Inventor: YAMADA MIHO
IPC: A61L2/232
Filed: 2015-11-18
Granted: 2021-06-11
Abstract: 本發明之合成高分子膜(34A)、(34B)具備具複數個凸部(34Ap)、(34Bp)之表面，且於自合成高分子膜(34A)、(34B)之法線方向觀察時，複數個凸部(34Ap)、(34Bp)之二維大小處於超過20nm且未達500nm之範圍內，表面具有殺菌效果，表面中所含之氮元素之濃度為0.7at%以上。
Patent TW-I674070-B (TW)
Inventor: MATSUFUJI Hisashi
IPC: A23L31/00
Filed: 2015-11-19
Granted: 2019-10-11
Abstract: 本發明係一種具備使蛋白酶或纖維素酶與酵母細胞反應之步驟之酵母細胞之風味改善方法、及含有藉由上述風味改善方法而改善風味之酵母細胞作為有效成分之食品品質改良劑。
Patent TW-I686422-B (TW)
Title: Process for producing functionalized polythiophenes
Inventor: SCHEEL ARNULF
IPC: H01G11/56
Filed: 2015-11-20
Granted: 2020-03-01
Abstract: The present invention relates to a process for producing a liquid composition comprising a functionalized π-conjugated polythiophenes, comprising the process steps of i) providing a liquid phase comprising a) thiophene monomers of the general formula (I) 
     
wherein X,Y are identical or different and are O, S, or NR 1 , wherein R 1  is hydrogen or an aliphatic or aromatic residue having 1 to 18 carbon atoms; A is organic residue carrying an anionic functional group; b) an oxidizing agent; and c) a solvent; ii) oxidatively polymerizing the thiophene monomers of the general formula (I) to obtain a liquid composition comprising functionalized π-conjugated polythiophenes; wherein (α1) the pH of the liquid phase provided in process step i) is adjusted to a value below 7.0, wherein the pH is determined at a temperature of 20℃; and (α2) the chloride content of the liquid phase provided in process step i) is less than 10000 ppm, based on the total weight of the liquid phase. The present invention also relates to the liquid composition obtainable by this process, to a liquid composition comprising a functionalized π-conjugated polythiophene, wherein the composition is characterized by a certain ratio of mass average molecular weight Mw and the molar average molecular weight Mn of the 
functionalized π-conjugated polythiophene, to a liquid composition comprising a functionalized π-conjugated polythiophene, wherein the functionalized π-conjugated polythiophene comprises different repeating units in a defined amount, to a process for the preparation of such a liquid composition, to a process for the preparation of a capacitor in which these liquid compositions are used for the formation of the solid electrolyte, to a capacitor obtainable by this process and to the use of the liquid compositions for the preparation of a conductive layer.
Patent TW-I688636-B (TW)
Title: 導電糊、連接構造體及連接構造體之製造方法
Inventor: ISHIZAWA HIDEAKI
IPC: C09J123/08
Filed: 2015-12-02
Granted: 2020-03-21
Abstract: 本發明提供一種可高精度地控制電極間之間隔，進而可有效率地將焊料粒子配置於電極上，而可提高電極間之導通可靠性之導電糊。
 
     本發明之導電糊係用以將表面具有第1電極之第1連接對象構件與表面具有第2電極之第2連接對象構件進行連接而使上述第1電極與上述第2電極電性連接，且包含熱硬化性成分、複數個焊料粒子、及熔點為250℃以上之複數個間隔物，上述間隔物之平均粒徑大於上述焊料粒子之平均粒徑。
Patent TW-I695003-B (TW)
Title: Polycyclic-carbamoylpyridone compounds and their pharmaceutical use
Inventor: BACON ELIZABETH M
IPC: A61P31/18
Filed: 2015-12-10
Granted: 2020-06-01
Abstract: Compounds for use in the treatment of human immunodeficiency virus (HIV) infection are disclosed. The compounds have the following Formula (Ia): 
     
including stereoisomers and pharmaceutically acceptable salts thereof, wherein A’, R 1 , R 2  and R 3  are as defined herein. Methods associated with preparation and use of such compounds, as well as pharmaceutical compositions comprising such compounds, are also disclosed.
Patent TW-I677607-B (TW)
Inventor: WENG FO-QUAN
IPC: D02G1/04
Filed: 2015-12-11
Granted: 2019-11-21
Abstract: 本發明公開了一種仿棉針織面料、聚酯纖維長絲及其生產方法。該面料為由包含至少45%重量以上的聚酯纖維長絲的編織原料編織而成的緯編針織物；該面料的孔隙面積分布以6000至22000μm 2 為中心、分散在2 σ以上，且孔隙面積的變異係數大於40%。該聚酯纖維長絲由假撚方向撚區和反方向撚區交替形成，其中，假撚方向撚區的平均長度為0.3cm以下、長度變異係數為60%以上、直徑為反方向撚區直徑的30%至70%、且總長度為該聚酯纖維長絲總長度的20.0%至40.0%。本發明的針織面料具有極強的棉質手感，而且具有良好的透氣性、破裂強度、吸水速乾性和抗紫外線能力。
Patent TW-I616210-B (TW)
Inventor: LIAO AIHO
IPC: A61K47/36
Filed: 2016-01-07
Granted: 2018-03-01
Abstract: 本發明提供一種經修飾微氣泡，包含白蛋白微氣泡及複數個幾丁寡糖乳酸。白蛋白微氣泡包含白蛋白殼層及位於白蛋白殼層內之氣體核心，而複數個幾丁寡糖乳酸連接於白蛋白殼層之外側表面上。
Patent TW-I689778-B (TW)
Title: 防塵膜用支撐框
Inventor: IIZUKA AKIRA
IPC: G03F1/64
Filed: 2016-03-29
Granted: 2020-04-01
Abstract: 提供一種可抑制透明基板之變形之防塵膜用支撐框。
 
     一種防塵膜用支撐框，具有鋁合金製之框體10，在框體10的表面接著有表皮膜2，在框體10的內面接著有透明基板M，其特徵在於：框體10的材料之楊氏係數，大於透明基板M的材料之楊氏係數。
Patent TW-I692543-B (TW)
Title: Graded in-situ charge trapping layers to enable electrostatic chucking and excellent particle performance for boron-doped carbon films
Inventor: KULSHRESHTHA PRASHANT KUMAR
IPC: C23C16/455
Filed: 2016-06-03
Granted: 2020-05-01
Abstract: The present disclosure generally relates to processing chamber seasoning layers having a graded composition.  In one example, the seasoning layer is a boron-carbon-nitride (BCN) film.  The BCN film may have a greater composition of boron at the base of the film.  As the BCN film is deposited, the boron concentration may approach zero, while the relative carbon and nitrogen concentration increases.  The BCN film may be deposited by initially co-flowing a boron precursor, a carbon precursor, and a nitrogen precursor.  After a first period of time, the flow rate of the boron precursor may be reduced.  As the flow rate of boron precursor is reduced, RF power may be applied to generate a plasma during deposition of the seasoning layer.
Patent TW-I731863-B (TW)
Title: Oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof
Inventor: XING SU
IPC: H01L21/336
Filed: 2016-06-30
Granted: 2021-07-01
Abstract: An oxide semiconductor transistor includes an oxide semiconductor channel layer, a metal gate, a gate dielectric layer, an internal electrode, and a ferroelectric material layer. The metal gate is disposed on the oxide semiconductor channel layer. The gate dielectric layer is disposed between the metal gate and the oxide semiconductor channel layer. The internal electrode is disposed between the gate dielectric layer and the metal gate. The ferroelectric material layer is disposed between the internal electrode and the metal gate. The ferroelectric material layer in the oxide semiconductor transistor of the present invention is used to enhance the electrical characteristics of the oxide semiconductor transistor.
Patent TW-I677860-B (TW)
Inventor: OGUCHI ATSUSHI
IPC: G09B19/00
Filed: 2016-07-20
Granted: 2019-11-21
Abstract: 一視訊回放裝置包括執行一程序的一處理器。該程序包括：針對多個視訊中之各者，接收該等視訊於顯示區域中的位置之指定；及調整該等多個視訊於該等顯示區域中的一置放位置使得針對該等多個視訊中之各者所指定的該等位置於一縱向或一橫向係對齊在該相同位置。
Patent TW-I610399-B (TW)
Inventor: WANG CHAO CHUN
IPC: H01L23/522
Filed: 2016-07-26
Granted: 2018-01-01
Abstract: 積體電路結構包含第一低介電常數介電層、第二低介電常數介電層以及雙鑲嵌結構。第一低介電常數介電層具有第一介電常數。第二低介電常數介電層具有第二介電常數，此第二介電常數係小於第一介電常數，此第二低介電常數介電層覆蓋第一低介電常數介電層。一雙鑲嵌結構包含通孔以及金屬導線。通孔具有位於第一低介電常數介電層中的部位。金屬導線位於通孔上方且連接於通孔，其中金屬導線包含第二低介電常數介電層中的部位。
Patent TW-I623025-B (TW)
Inventor: CHANG CHE CHENG
IPC: H01L29/51
Filed: 2016-11-04
Granted: 2018-05-01
Abstract: 在一種半導體元件之製造方法中，提供基材。形成虛設閘極於基材上。形成第一介電層，以周圍式地圍住基材上方之虛設閘極。形成第二介電層，以周圍式地圍住基材上方之第一介電層。第二介電層與第一介電層係由不同材料所組成。對第一介電層進行植入操作，以在第一介電層中形成第一摻雜部。移除虛設閘極，以在第一介電層中形成孔洞。移除虛設閘極之操作包含移除第一摻雜部的一部分，以形成具有底部徑向開口面積以及頂部徑向開口面積之孔洞，其中頂部徑向開口面積大於底部徑向開口面積。形成金屬閘極於此孔洞中。
Patent TW-I617417-B (TW)
Title: Curved multi-groove wave board integrated molding machine
Inventor: YAN GAN-ZHANG
IPC: E04C2/32
Filed: 2016-11-17
Granted: 2018-03-11
Abstract: 一種弧形多槽浪板一體成型機，係包含有：一浪板凹槽成型裝置接續板材輸送裝置裝設，二牽引裝置分別包含兩L型桿，L型桿前下方往斜前方歪斜突伸兩齒狀導輪，兩齒狀導輪得以嚙合於浪板兩側，兩L型桿得調整高低並固定至機台兩側，一組彎折滾輪裝置接續牽引裝置後裝設，彎折滾輪裝置藉由升降調整裝置連結調整，得以升降調整彎折滾輪裝置的高度，進而得以改變弧形多槽浪板的弧度，一裁刀裝置接續裝設於彎折滾輪裝置之後，經過彎折後之浪板在到達所需長度時使用裁刀裝置將其裁斷，以達到凹槽、弧度及長度一次成型之浪板一體成型機者。
Patent TW-I697084-B (TW)
Inventor: QIAN ZHIGUO
IPC: H01L25/065
Filed: 2016-11-24
Granted: 2020-06-21
Abstract: 一垂直接地隔離封裝裝置可包括(1)用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；(2)封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽。此等減少了資料訊號接點、附接結構及垂直「訊號」互連件間之串擾。該等接地屏蔽附接結構可包括焊料凸塊及/或表面接點之圖案。該陰影孔洞可環繞接地平面中之孔洞且比資料訊號焊料凸塊更大。該等垂直接地屏蔽結構可包括垂直資料訊號互連件間之接地屏蔽互連件之圖案。該屏蔽柵欄可包括接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之圖案。用於該電光模組之該接地屏蔽可包括接地隔離屏蔽附接及接點之圖案。
Patent TW-I621842-B (TW)
Title: Coating accelerated corrosion test method
Inventor: Wang zhi-hua
IPC: G01N17/02
Filed: 2016-12-12
Granted: 2018-04-21
Abstract: 一種塗裝加速腐蝕試驗方法，其係先提供一試驗裝置，且試驗裝置包含附著式試驗槽、密封圈、高電位模組、參考電極及電位監測裝置，接著，進行塗裝試樣設置步驟，以將附著式試驗槽設置在塗裝試樣表面的適當區域，然後，進行高電位模組設置步驟，以將一或若干惰性電極組合成為高電位模組，接著，進行加速腐蝕與監測步驟，利用高電位模組與塗裝試樣之間的電位差，以加速塗裝試樣在電解液中的腐蝕反應，並且在加速腐蝕過程中即時監測塗裝試樣的複合電位，最後，進行判斷步驟，利用複合電位的轉折點來決定塗裝試樣的腐蝕起始時間，以判斷比較塗裝試樣的耐蝕性。
Patent TW-I665793-B (TW)
Inventor: HUANG SIN YAO
IPC: H01L27/146
Filed: 2016-12-29
Granted: 2019-07-11
Abstract: 本發明一些實施例關於積體晶片，其具有通孔支撐結構於接合墊下。積體晶片具有影像感測單元配置於基板中。接合墊區延伸穿過基板以達配置於介電結構中的第一金屬內連線線路，接合墊區橫向偏離影像感測單元，且介電結構沿著基板正面。接合墊配置於接合墊區中，並接觸第一金屬內連線線路。通孔支撐結構配置於介電結構中並具有一或多個通孔，且通孔與接合墊之間隔有第一金屬內連線線路。一或多個其他通孔配置於介電結構中，並橫向偏離接合墊區。通孔的尺寸大於其他通孔。
Patent TW-I712956-B (TW)
Title: 行動終端應用程式的更新方法和裝置
Inventor: SHENG DING
IPC: G06F9/445
Filed: 2017-01-18
Granted: 2020-12-11
Abstract: 本申請提供一種行動終端應用程式的更新方法和裝置。該方法包括：從服務端下載離線壓縮包，該離線壓縮包中包括一種或多種類型的檔案；在解壓該離線壓縮包後，識別該離線壓縮包中各檔案的檔案類型；將該檔案發送給匹配其檔案類型的容器運行，以完成更新。本申請開發人員無需區分檔案類型，可以將不同類型的檔案打包在同一個離線壓縮包中，大大提高了開發人員的開發效率。同時，應用程式無需解壓多個離線壓縮包，提高了應用程式更新的速率。
Patent TW-I688047-B (TW)
Inventor: SAITO TOSHIHIKO
IPC: G11C8/14
Filed: 2011-07-22
Granted: 2020-03-11
Abstract: 目的在於將半導體裝置微小化。另一目的是降低包含記憶胞的半導體裝置之驅動電路的面積。半導體裝置包含設有至少第一半導體元件的元件形成層、設於元件形成層上的第一佈線、設於第一佈線上的層間膜、及與第一佈線重疊而以層間膜設於其間之第二佈線。第一佈線、層間膜、及第二佈線包含於第二半導體元件中。第一佈線及第二佈線是被供予相同電位的佈線。
Patent TW-I631116-B (TW)
Inventor: WONG KEN TSUNG
IPC: C07D401/10
Filed: 2017-05-09
Granted: 2018-08-01
Abstract: 本發明係關於化學式(I)所示的化合物，應用於電致發光裝置，特別是包含本發明的化合物之有機電致發光裝置。
Patent TW-I625732-B (TW)
Inventor: GU LI-JUN
IPC: G11C7/10
Filed: 2017-05-17
Granted: 2018-06-01
Abstract: 一種雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體，包括：控制電路及輸出驅動電路。控制電路提供第一電壓、第二電壓、第三電壓及第四電壓。輸出驅動電路耦接控制電路且包括上拉式電路、接墊及下拉式電路。當接墊的電位由第四電壓提升至第一電壓時，下拉式電路的第二驅動電晶體的汲極與源極之間的電位介於第三電壓及第四電壓之間。當接墊的電位由第一電壓下降至第四電壓時，上拉式電路的第一驅動電晶體的源極與汲極之間的電位介於第一電壓及第二電壓之間。藉此，確保輸出驅動電路的電晶體不會有超壓問題且可安全工作。
Patent TW-I644606-B (TW)
Inventor: LAI KUN-HUI
IPC: G06F1/16
Filed: 2017-08-02
Granted: 2018-12-11
Abstract: 一種電池卡扣鎖定模組包含有一機殼、一電池彈性扣連接於機殼以及一電池後蓋。其中，電池後蓋包含有一止擋凸塊，當電池後蓋扣合於機殼時，止擋凸塊插入電池彈性扣的一彈性空間。電池彈性扣包含有一彈性扣爪以扣合電池。
Patent TW-I692387-B (TW)
Title: Chemical mechanical polishing apparatus and methods
Inventor: BAJAJ RAJEEV
IPC: B24B37/00
Filed: 2014-01-09
Granted: 2020-05-01
Abstract: In one aspect, a substrate polishing apparatus is disclosed. The apparatus has a polishing platform having two or more zones, each zone adapted to contain a different slurry component. In another aspect, a substrate polishing system is provided having a holder to hold a substrate, a polishing platform having a polishing pad, and a distribution system adapted to dispense, in a timed sequence, at least two different slurry components selected from a group consisting of an oxidation slurry component, a material removal slurry component, and a corrosion inhibiting slurry component. Polishing methods and systems adapted to polish substrates are provided, as are numerous other aspects.
Patent TW-I688404-B (TW)
Inventor: MA XINGHANG
IPC: A61K47/26
Filed: 2013-08-30
Granted: 2020-03-21
Abstract: 係提供一廣泛濃度範圍，特別是高濃度、實質上無鹽的抗催乳素受體抗體調配物，其實質上為等滲壓和低黏度的。
Patent TW-I693931-B (TW)
Title: 應用於製造漏斗胸矯正板的3d列印模擬板的製造方法
Inventor: LIN GUAN-XUN
IPC: B29C64/10
Filed: 2017-09-28
Granted: 2020-05-21
Abstract: 一種應用於製造漏斗胸矯正板的3D列印模擬板的製造方法，包括下列步驟：(a)建立漏斗胸病患的3D胸腔模型；(b)預測漏斗胸病患的矯正後的胸腔輪廓的外形，以建立矯正後的預計胸腔輪廓的3D列印模型；(c)根據前述二種模型建立術後胸腔輪廓模型；(d)藉由術後胸腔輪廓模型找出漏斗胸矯正板的植入位置並建立模擬板的3D列印模型；(e)藉由3D列印設備將模擬板的3D列印模型列印出來，以獲得針對個別病患胸腔形狀及胸腔兩側的弧度量身訂做的3D列印模擬板，令醫師能夠以其為模板製作出針對個別病患胸腔形狀及胸腔兩側的弧度量身訂做的漏斗胸矯正板，精準地植入在正確的位置，翻轉一次到位，大幅縮短手術時間。
Patent TW-I643451-B (TW)
Inventor: TSAI MENG-RU
IPC: H03F3/20
Filed: 2017-10-02
Granted: 2018-12-01
Abstract: 一種用於具多階轉換範圍的類比數位轉換器的放大電路，用來將一類比輸入電壓的電壓準位分成多個範圍，針對不同範圍對應的放大倍率，分別進行訊號放大或衰減（例如，放大低電壓準位訊號，以及衰減高電壓準位訊號）。多階類比數位轉換電路對放大或衰減後的類比輸入電壓進行類比數位轉換，以產生一放大數位碼，再根據放大倍率的倒數及該放大數位碼，產生一輸出數位碼。如此一來，本發明的多階類比數位轉換電路可適用於高準位範圍的輸入電壓，也可確保低準位範圍的輸入電壓的準確率與量化誤差。
Patent TW-I648433-B (TW)
Inventor: HUANG PO TAO
IPC: C25D17/18
Filed: 2017-11-14
Granted: 2019-01-21
Abstract: 一種電鍍組合機構，包含一移動架及一電鍍滾筒；該電鍍滾筒具有一環形筒體、一轉軸及一卡合部，該轉軸的一第一端設置在該環形筒體上，該卡合部設置在該環形筒體的一底部。
Patent TW-I735703-B (TW)
Inventor: OH SUNG-LAE
IPC: G11C16/02
Filed: 2017-11-20
Granted: 2021-08-11
Abstract: 一種非揮發性記憶體裝置包括：在基板上方沿第一方向佈置的多條位元線；設置在基板與多條位元線之間並且包括沿與第一方向垂直的第二方向佈置的多個平面的記憶體單元陣列；設置在基板與記憶體單元陣列之間的多個頁面緩衝電路；設置在頁面緩衝電路與記憶體單元陣列之間並且適於將多條位元線與多個頁面緩衝電路電耦接的多個接觸焊盤；以及設置在與多個接觸焊盤相同的層處並且沿第二方向延伸的多條路由線，其中，多個接觸焊盤被設置為分佈成與沿第二方向佈置的至少兩條線交疊，並且多條路由線被形成為彎曲圖案以穿過被設置為與不同的線交疊的接觸焊盤之間。
Patent TW-I723241-B (TW)
Title: 用於生產石墨烯奈米片的電漿方法
Inventor: KROEGER JENS
IPC: H05H1/42
Filed: 2017-12-21
Granted: 2021-04-01
Abstract: 提供了用於生產石墨烯奈米片的電漿方法，其包括以至少60m/s的速度，標準溫度與壓力STP，將含碳物質注入電漿的熱區中，以使石墨烯奈米片成核，並且用不超過1000℃的淬火氣體，將石墨烯奈米片淬火。可利用多個噴嘴進行含碳物質的注入。當使用514nm的入射電射波長測量時，石墨烯奈米片可具有大於或等於3的拉曼G/D比以及大於或等於0.8的2D/G比。可以以至少80g/h的速率生產石墨烯奈米片。石墨烯奈米片可具有按重量計小於約0.7%的多環芳香烴濃度。
Patent TW-I650162-B (TW)
Inventor: CHANG CHUAN HSIEN
IPC: C22C14/00
Filed: 2017-12-27
Granted: 2019-02-11
Abstract: 本發明提供一種雙相高爾夫桿頭的鈦合金，其包含6.0至7.5重量%的鋁、1.5至2.5重量%的釩、1.5至2.5重量%的鉻、0.1至0.5重量%的鐵、1.5至2.5重量%的錫、1.5至2.5重量%的鋯、0.1至0.5重量%的矽，其餘重量為鈦，以及其它不可避免的微量元素。該雙相高爾夫桿頭的鈦合金經過780至840℃的塑性加工與熱處理後，獲得具有α+β雙相組織的合金結構，以及形成微量的微細ω相析出物，使該雙相高爾夫桿頭的鈦合金具備1300至1450MPa的抗拉強度，1250至1400MPa的降伏強度，以及6至12%的延伸率。
Patent TW-I630748-B (TW)
Inventor: WU WEI HSIN
IPC: H01M10/052
Filed: 2017-12-28
Granted: 2018-07-21
Abstract: 本揭露提供一種負極及包含其之鋰離子電池。該負極包含：一含鋰電極層；以及一單離子傳導層，配置於該含鋰電極層上。單離子傳導層包含一無機粒子、一單離子導體高分子(single-ion conductor polymer)、以及一黏結劑，其中該單離子導體高分子具有式(I)所示結構之第一重複單元、式(II)所示結構之第二重複單元、式(III)所示結構之第三重複單元、以及式(IV)所示結構之第四重複單元
     
其中，R 1 係O - M + 、SO 3   - M + 、N(SO 2 F) - M + 、N(SO 2 CF 3 ) - M + 、N(SO 2 CF 2 CF 3 ) - M + 、COO - M + 或PO 4   - M + ；M + 為Li + 、Na + 、K + 、Cs + 、或上述之組合；以及，R 2 係CH 3 、CH 2 CH 3 、或CH 2 CH 2 OCH 2 CH 3 ，且其中該無機粒子的重量與該單離子導體高分子及該黏結劑的重量總合之比例係4：1至9：1，以及該黏結劑的重量對該單離子導體高分子的重量之比例係1：1至9：1。
Patent TW-I759418-B (TW)
Inventor: KUBO KAZUAKI
IPC: B60R16/02
Filed: 2018-02-05
Granted: 2022-04-01
Abstract: There is a need to provide a semiconductor device and an electronic control system including the same while the semiconductor device is capable of continuing normal operation even when a negative surge voltage is applied. According to an embodiment, a driver IC includes an output transistor, a driver control circuit, a negative potential clamp circuit, and an ESD protection circuit. The output transistor is provided between a battery voltage terminal and an output terminal coupled to a load. The driver control circuit switches on-off state of the output transistor by controlling a gate voltage of the output transistor with reference to a voltage of the output terminal. The negative potential clamp circuit turns on the output transistor regardless of control from the control circuit when a negative voltage lower than a predetermined voltage is applied to the output terminal. The ESD protection circuit is provided between battery the voltage terminal and the reference voltage terminal and enters a conduction state when a surge voltage is applied to the battery voltage terminal.
Patent TW-I676780-B (TW)
Title: 光學感應箭靶
Inventor: HE MING-ZHENG
IPC: F41J5/18
Filed: 2018-02-14
Granted: 2019-11-11
Abstract: 本發明揭示一種光學感應箭靶，包含一箭靶、一光學矩陣感應器及一運算控制器，箭靶可供弓箭或飛鏢等射擊物瞄準射擊，並且供射擊物附著；光學矩陣感應器由數個框體設置於該箭靶周圍，框體內設置複數發光體及複數受光體，該複數受光體可將射擊物附著的位置資訊輸出；運算控制器能接收該光學矩陣感應器的位置資訊，搭配一投影機將投影影像與位置資訊結合處理，利用程式的編寫可以創造出無限種類的訓練、遊戲或比賽模式。
Patent TW-I701723-B (TW)
Title: 閘極環繞奈米片場效應電晶體及其製造方法
Inventor: RODDER MARK S
IPC: H01L29/40
Filed: 2018-02-27
Granted: 2020-08-11
Abstract: 一種閘極環繞奈米片場效應電晶體及其製造方法。製造閘極環繞奈米片場效應電晶體的方法包括在基底上形成堆疊。所述堆疊包括由通道層與非均勻犧牲區形成的交替排列。所述非均勻犧牲區中的每一者包括上部犧牲層、中間犧牲層及下部犧牲層。所述上部犧牲層及所述下部犧牲層被配置成以第一蝕刻速率進行蝕刻，且所述中間犧牲層被配置成以大於所述第一蝕刻速率的第二蝕刻速率進行蝕刻。
Patent TW-I666587-B (TW)
Inventor: FEI XIAOLONG
IPC: G06F9/30
Filed: 2018-03-02
Granted: 2019-07-21
Abstract: 一種處理器，包括具有多個物理暫存器的物理暫存器檔案、映射邏輯和合併系統。對於在接收到的程式指令中特定的每個架構暫存器，映射邏輯映射最多的第一最大數量的物理暫存器，並將對應的映射儲存在重命名表中。合併系統為需要合併的每個架構暫存器生成合併指令，將每個生成的合併指令插入到程式指令中，以提供經過修改的指令組，並根據採取規則在連續的發佈週期中發佈修改後的指令組。在一個實施例中，第一最大數量可以是二。
Patent TW-I810177-B (TW)
Title: 鋁合金厚板
Inventor: KUBO TAKASHI
IPC: B22D11/00
Filed: 2018-03-02
Granted: 2023-08-01
Abstract: 本發明的鋁合金厚板，係由含2.0~5.0質量%Mg之鋁合金構成的鋁合金厚板，其特徵為，該鋁合金厚板的板厚係300~400mm；若(i)將在板厚方向中央部分且板寬方向位置0.39Wa~0.48Wa各位置處，等值圓直徑達50μm以上孔隙個數中最大值設為A(個/cm 2 )，(ii)將在板厚方向中央部分且板寬方向位置0.12Wa~0.30Wa各位置，等值圓直徑達50μm以上孔隙個數中最大值設為B(個/cm 2 )，則A係160個/cm 2 以下、且B係A的1.15倍以上。  
     根據本發明可提供：適用為減壓容器的框體部用材料、疲勞強度特性優異的Al-Mg系鋁合金合厚板。
Patent TW-I659763-B (TW)
Inventor: SAKAMOTO YUSUKE
IPC: A61N5/10
Filed: 2018-03-12
Granted: 2019-05-21
Abstract: 本發明的目的在於執行一種掃描照射，其既可對於腫瘤內部整體賦予充分的線量又可儘量減小對於腫瘤外部的線量賦予。粒子線照射裝置(50)係具備：粒子線產生輸送裝置(1)，係進行加速後之粒子線(10)的輸送、遮斷、能量變更；掃描裝置(2)，係使粒子線(10)朝相對於行進方向為垂直的2個方向偏向而使照射位置(12)移動；準直儀(6)，係在垂直於基準照射軸(60)的方向具有開口(74)，開口(74)的形狀為可變更者，而且在開口(74)外阻斷粒子線(10)的通過；準直儀資訊記憶部(32)，係記憶準直儀(6)之開口形狀的資訊(data1)；及控制裝置(4)，係控制粒子線產生輸送裝置(1)、掃描裝置(2)及準直儀(6)。
Patent TW-I659427-B (TW)
Inventor: LEA PERRY V
IPC: G11C7/10
Filed: 2018-03-22
Granted: 2019-05-11
Abstract: 本發明包含用於資料路徑內計算操作之裝置及方法。一種例示性裝置包含一記憶體胞陣列。感測電路可選擇地耦合至該陣列。複數個共用輸入/輸出(I/O)線提供一資料路徑。該複數個共用I/O線將該陣列之一列之一第一子列經由該感測電路可選擇地耦合至該資料路徑中之一第一計算組件以將一第一資料值自該第一子列移動至該第一計算組件且將各自列之一第二子列經由該感測電路可選擇地耦合至一第二計算組件以將一第二資料值自該第二子列移動至該第二計算組件。使用該第一計算組件對來自該第一子列之該第一資料值執行一運算，實質上同時將該第二資料值自該第二子列移動至該第二計算組件。
Patent TW-I677433-B (TW)
Inventor: PUDLEINER HEINZ
IPC: C08L75/08
Filed: 2013-04-30
Granted: 2019-11-21
Abstract: 本發明有關一種具有改善模數性質之多層(較佳為共擠壓)塑膠模，其特別適合於製造三維成型物件。
Patent TW-I763838-B (TW)
Inventor: ZHU BIZHONG
IPC: H01L41/37
Filed: 2018-05-04
Granted: 2022-05-11
Abstract: 一種組成物，其包含：a)導電纖維，其等包含碳、導電氧化物或金屬；且具有1至20,000nm之平均直徑及至少五倍該平均直徑之平均長度；及b)非導電粒子，其等具有1至20,000nm之平均直徑。
Patent TW-I653848-B (TW)
Title: 遠距藍牙連線系統
Inventor: LIN YU SHUN
IPC: H04W76/10
Filed: 2018-05-04
Granted: 2019-03-11
Abstract: 本發明提出之遠距藍牙連線系統，包含有一藍牙閘道器、一藍牙設備、一雲端虛擬裝置以及一藍牙應用程式。藍牙設備設置於藍牙閘道器之一服務範圍內。雲端虛擬裝置進一步包含有一藍牙虛擬層模組以及一通訊模組。藍牙虛擬層模組提供一藍牙程式介面。通訊模組用以建立一網路連線至藍牙閘道器。藍牙應用程式執行於雲端虛擬裝置，用以透過藍牙程式介面經由藍牙虛擬層模組控制藍牙閘道器之服務範圍內之藍牙設備。藉由本發明，可解決手機安裝與執行應用程式時耗費流量、記憶體以及處理器資源的問題。
Patent TW-I675444-B (TW)
Inventor: LIN HUNG HUA
IPC: H01L23/50
Filed: 2018-05-08
Granted: 2019-10-21
Abstract: 本發明實施例提供微機電系統結構與微機電系統裝置的形成方法，其包括形成第一金屬化結構於互補式金氧半晶圓上，其中第一金屬化結構包括第一犧牲氧化物層與第一金屬接點墊。形成第二金屬化結構於微機電系統晶圓上，其中第二金屬化結構包括第二犧牲氧化物層與第二金屬接點墊。接著將第一金屬化結構與第二金屬化結構接合在一起。在將第一金屬化結構與第二金屬化結構接合在一起之後，圖案化並蝕刻微機電系統晶圓以形成微機電系統元件於第二犧牲氧化物層上。在形成微機電系統元件後移除第一犧牲氧化物層與第二犧牲氧化物層，使微機電系統元件沿著軸自由移動。
Patent TW-I682653-B (TW)
Title: 短連結解析方法、裝置及設備
Inventor: ZHENG LI
IPC: H04L29/08
Filed: 2018-05-24
Granted: 2020-01-11
Abstract: 本創作公開了一種短連結解析方法、裝置及設備，配置伺服器會將定義的規則運算式分發給各解析伺服器，以使得各解析伺服器根據規則運算式，對短連結解析後所得到的長連結進行校驗。採用規則運算式的方式，可以實現對安全網域名稱的動態管控，當需要刪除、增加或修改相應的安全網域名稱時，配置伺服器只需調整規則運算式中的內容，並可將更新後的規則運算式即時地同步至各個解析伺服器。
Patent TW-I679787-B (TW)
Inventor: JANG KIPO
IPC: C07D251/24
Filed: 2018-06-22
Granted: 2019-12-11
Abstract: 本發明揭露一種有機光電裝置，所述有機光電裝置包括
面向彼此的陽極與陰極以及設置於陽極與陰極之間的有機層。所述有機層包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層中的一者。所述發光層包含由化學式1表示的第一主體、由化學式2表示的第二主體及由化學式3表示的磷光摻雜劑。一種包括所述有機光電裝置的顯示裝置亦被提出。
Patent TW-I666090-B (TW)
Inventor: MIYATA KAZUSHI
IPC: H01L21/301
Filed: 2018-06-25
Granted: 2019-07-21
Abstract: 本發明的刀片更換機構、切斷裝置及刀片更換方法能實現刀片的自動更換。刀片更換機構具備：第一吸附部（4），以吸附刀片（22）的方式構成；第二吸附部（5），位於第一吸附部（4）的內側，以與第一吸附部（4）的吸附相獨立地吸附凸緣或輪轂的方式構成；以及裝卸構件旋轉部（6），位於第二吸附部（5）的內側，以能使裝卸構件（24）旋轉的方式構成，所述裝卸構件（24）能對主軸（21）裝卸刀片（22）。
Patent TW-I678537-B (TW)
Inventor: HSU HSIEN TA
IPC: G01R1/067
Filed: 2018-07-13
Granted: 2019-12-01
Abstract: 一種探針卡包含空間轉換器、印刷電路板以及複數個銲接元件。空間轉換器設置有第一導電凸塊，第一導電凸塊具有第一端面。印刷電路板設置有第二導電凸塊，第二導電凸塊具有第二端面。銲接元件分別電性連接於第二端面與對應之第一端面之間。空間轉換器背離印刷電路板之第一表面具有第一平整度，印刷電路板背離空間轉換器之第二表面具有第二平整度，第一平整度小於第二平整度。
Patent TW-I752251-B (TW)
Inventor: JUN HYUNGJIN
IPC: C07D281/10
Filed: 2018-07-20
Granted: 2022-01-11
Abstract: The present disclosure relates to a pharmaceutical composition for preventing or treating non-alcoholic fatty liver disease or dyslipidemia comprising an aminoalkylbenzothiazepine derivative or a pharmaceutically acceptable salt thereof as an active ingredient.
Patent TW-I749253-B (TW)
Title: 烙鐵控制裝置、焊接台以及烙鐵管理系統
Inventor: MATSUZAKI KENJI
IPC: G05B19/04
Filed: 2018-08-09
Granted: 2021-12-11
Abstract: 烙鐵控制裝置(100)，與烙鐵(200)可電氣連接，控制烙鐵(200)的烙鐵前端(221)的溫度。烙鐵控制裝置(100)，包括記憶部(109b)與測量部(109c)。記憶部(109b)，在烙鐵前端(221)是非接觸且保持烙鐵前端(221)的溫度在包含設定溫度保持在既定範圍內之閒置狀態中，預先記憶供給至烙鐵(200)的第1電能。測量部(109c)，由於烙鐵前端(221)接觸工件，烙鐵前端(221)的溫度成為從設定溫度降低既定量以上的負荷狀態時，測量負荷狀態中從供給至烙鐵(200)的第2電能減去第1電能的第3電能。
Patent TW-I783030-B (TW)
Title: 液晶配向劑、液晶配向膜及液晶顯示元件
Inventor: ISHII HIDENORI
IPC: G02F1/13
Filed: 2018-08-28
Granted: 2022-11-11
Abstract: 本發明係提供以高效率被賦予配向控制能力，因液晶配向偏差或殘留DC所引起之殘留影像特性優異之具有橫電場驅動型液晶顯示元件用液晶配向膜的基板及具有該基板之橫電場驅動型液晶顯示元件。本發明係提供一種液晶配向劑，其係含有(A-a)選自由使用包含以下述式(1)(式(1)中，i為0或1，X為單鍵、醚鍵等)表示之四羧酸二酐之四羧酸二酐成分與二胺成分所得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸之醯亞胺化聚合物之至少1種類的聚合物，(A-b)選自由使用包含脂肪族四羧酸二酐之四羧酸二酐成分與包含以下述式(2)表示之二胺的二胺成分所得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸之醯亞胺化聚合物之至少1種類的聚合物、及有機溶劑，(A-a)及(A-b)之重量比為(A-a)：(A-b)=55：45~90：10。
Patent TW-I694684-B (TW)
Inventor: Sun chao-hai
IPC: H04L29/02
Filed: 2018-08-29
Granted: 2020-05-21
Abstract: 本發明提出一種無線通信電路，包含：物理層電路，設置成通過天線與其他無線通信裝置進行通信；微處理器，設置成產生要傳送給其他無線通信裝置的資料幀；以及媒體存取控制層電路，該媒體存取控制層電路包含：媒體存取控制層儲存電路，用於儲存資料佇列；媒體存取控制層控制電路，設置成將微處理器產生的資料幀，暫存在資料佇列中；以及排程電路，設置成控制媒體存取控制層控制電路將資料佇列中儲存的資料傳送給物理層電路的排程。
Patent TW-I708674-B (TW)
Title: 發泡成型體、鞋體部件以及其製造方法
Inventor: HSIAO CHIN HSUN
IPC: B29C35/02
Filed: 2018-08-31
Granted: 2020-11-01
Abstract: 本發明提出一種製作發泡成型體的方法，其包含：設置步驟，將發泡基礎材料置入不會受到微波影響的模具中，其中，該發泡基礎材料包含複數個熱可塑性聚氨酯(TPU)的半發泡顆粒及至少一鑲嵌元件，且該鑲嵌元件係為不會受到微波影響之材料或其製成品；以及發泡步驟，對模具以微波方式進行加熱，使模具中該些半發泡顆粒受微波作用產生溫度提昇而進行發泡並相互擠壓，令鑲嵌元件受擠壓而固定，經冷卻脫模後形成鑲嵌有鑲嵌元件之發泡成型體。
Patent TW-I673164-B (TW)
Title: 標籤貼紙
Inventor: WANG CAI-JIN-ZHI
IPC: B32B27/00
Filed: 2018-09-11
Granted: 2019-10-01
Abstract: 本發明係提供一種標籤貼紙，該標籤貼紙其包含一底層；一離型層，塗佈於該底層的上表面；一第一面材層，其下表面塗佈有一高黏性膠層，且該第一面材層的下表面透過該高黏性膠層貼附於該離型層上；及一第二面材層，其下表面塗佈有一低黏性膠層，且該第二面材層的下表面透過該低黏性膠層貼附於該第一面材層的上表面，該第二面材層的形狀與該第一面材層的形狀相對應，該第二面材層的面積大小與該第一面材層的面積大小相同。藉由如上所述之標籤貼紙，可以避免加工過程殘留的膠絲干擾標籤貼紙的使用。
Patent TW-I760562-B (TW)
Title: Simultaneous nitrification/denitrification (sndn) in sequencing batch reactor applications
Inventor: OLSON BRANDON MARTIN
IPC: C02F3/14
Filed: 2018-09-14
Granted: 2022-04-11
Abstract: A method of operating a sequencing batch reactor process includes introducing wastewater to be treated into the sequencing batch reactor and subjecting the wastewater to treatment in the sequencing batch reactor in an aerated anoxic mode in in which a quantity of oxygen is supplied at a level insufficient to meet a biological oxygen demand of the wastewater, but sufficient to cause simultaneous nitrification and denitrification reactions to occur in the wastewater.
Patent TW-I710375-B (TW)
Inventor: BINDER JOSEPH JOHN
IPC: A61K39/395
Filed: 2013-05-03
Granted: 2020-11-21
Abstract: The present disclosure provides (a) isolated immunogenic PAA polypeptides; (b) isolated nucleic acid molecules encoding immunogenic PAA polypeptides; (c) vaccine compositions comprising an immunogenic PAA polypeptide or an isolated nucleic acid molecule encoding an immunogenic PAA polypeptide; (d) methods relating to uses of the polypeptides, nucleic acid molecules, and compositions; and (e) vaccine-based immunotherapy regimens which involve co-administration of a vaccine in combination with an immune-suppressive-cell inhibitor and an immune-effector-cell enhancer.
Patent TW-I678548-B (TW)
Title: 監視測距儀散熱結構
Inventor: TSENG HSI MING
IPC: G01S7/481
Filed: 2018-10-16
Granted: 2019-12-01
Abstract: 本發明係提供一種監視測距儀之散熱裝置，包括：罩體的底部位置具有導風件且罩體的兩側邊位置處分別形成有側組部；以及主體周圍形成有散熱部，而散熱部外形成有第一溝槽，且主體兩側邊分別形成有組接部，且組接部與側組部相互組設，而主體於組接部位置處形成有第二溝槽，而第二溝槽與第一溝槽連通。
Patent TW-I729321-B (TW)
Title: Variable frequency microwave (vfm) processes and applications in semiconductor thin film fabrications
Inventor: KE CHANG
IPC: H01L21/67
Filed: 2014-08-08
Granted: 2021-06-01
Abstract: Methods and apparatus for processing a substrate are described herein. A vacuum multi-chamber deposition tool can include a degas chamber with both a heating mechanism and a variable frequency microwave source. The methods described herein use variable frequency microwave radiation to increased quality and speed of the degas process without damaging the various components.