baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent WO-2012001767-A1 (WO)
Title: Process for producing radiating substrate for semiconductor mounting
Inventor: YAMAGUCHI MASAHIRO
IPC: H01L23/373
Filed: 2010-06-29
Abstract: A process for producing a radiating substrate for semiconductor mounting is provided in which a clad metal is not used or is used only as a base located at the center of layers and in which metal layers are formed so as to be unreleasably integrated. The radiating substrate hence suffers no interlaminar separation, retains stable heat dissipation properties and mechanical strength, and has high reliability. The process is characterized by forming one or more metal layers by plating on each surface of a base material serving as the layer-thickness center, so that the metal layers are vertically symmetrical with respect to the center. Since no clad metal is used, except for the base material, and the metal layers are formed on the base material as the center by plating so as to be unreleasably integrated, no interlaminar separation occurs. This configuration, coupled with the structure including the precisely formed vertical symmetry, enables the radiating substrate for semiconductor mounting to retain stable heat dissipation properties and mechanical strength and have high reliability.
Patent WO-2011002055-A1 (WO)
Title: エンジン装置
Inventor: NOMA YASUO
IPC: F02D45/00
Filed: 2010-07-01
Abstract: 動力源としてのエンジン７０と、前記エンジン７０の排気経路に配置された排気ガス浄化用のフィルタ装置６０と、予め設定された低回転条件の成立時にエンジン回転数を所定の第１低回転数まで低下させる低回転制御を実行する制御手段３１１とを備えているエンジン装置において、前記制御手段３１１は、前記低回転条件と予め設定された強制再生条件との両方が成立したときに、排気ガス温度の低下を抑制するために、エンジン回転数を前記第１低回転数より高い第２低回転数に維持するように構成する。
Patent WO-2011034002-A1 (WO)
Title: 耐酸化性に優れた固体酸化物形燃料電池用鋼
Inventor: YASUDA NOBUTAKA
IPC: C22C38/50
Filed: 2010-09-10
Abstract: 耐酸化性の飛躍的な向上、及び、Ｃｒの蒸発量の低減を実現し、かつ、良好な電気伝導性と、電解質、電極等のセラミックス部品に近い熱膨張係数を有する耐酸化性に優れた固体酸化物形燃料電池用鋼を提供する。　質量％でＣ：０．１％以下、Ａｌ：０．２％以下、Ｓｉ：０．２％以下、Ｍｎ：０．４％以下、Ｃｒ：１６．０～２８．０％、Ｎｉ：１．５％以下、ＲＥＭまたはＺｒの何れか１種以上：合計で１．０％以下、Ｗ：１．０～３．０％、Ｃｕ：０．２％を超えて４．０％以下、残部はＦｅ及び不純物からなる耐酸化性に優れた固体酸化物形燃料電池用鋼である。
Patent WO-2011052500-A1 (WO)
Inventor: TANABE HIDEAKI
IPC: A61P7/02
Filed: 2010-10-22
Abstract: 本発明は、下記一般式（Ｉ）を有する化合物又はその薬理上許容される塩を含有する、貯蔵安定性の改善された医薬組成物を提供することにある。　（Ａ）下記一般式（Ｉ）を有する化合物又はその薬理上許容される塩及び　（Ｂ）ワックス状物質を含有する医薬組成物。
Patent WO-2011052634-A1 (WO)
Inventor: TAMEKUNI YOSHIKYO
IPC: G02B6/38
Filed: 2010-10-27
Abstract: L'invention concerne un procédé d'assemblage de connecteur optique permettant d'empêcher une dégradation de l'ouvrabilité. Lors de l'assemblage d'un connecteur optique, un cordon optique (2) est passé à travers un boîtier arrière (8), puis un élément revêtement externe de maintien (9), un élément de fixation (10), et enfin une gaine (11), et une âme de fibre optique (3) ainsi qu'une fibre de résistance à la traction (5) sont exposées par le retrait de revêtement externe (4) sur une section extrémité avant du cordon optique (2). En outre, un bouchon de protection contre la poussière (16A) muni d'un manche est installé sur un élément bague (6) retenant une fibre interne. La fibre interne et l'âme de fibre optique (3) sont épissées par fusion au moyen d'un appareil de fusion. Ensuite, alors que le bouchon de protection contre la poussière (16A) muni d'un manche est installé sur l'élément bague (6), un boîtier de fiche (7) est monté sur le boîtier arrière (8). Le revêtement externe (4) ainsi que la fibre de résistance à la traction (5) sont fixés sur le boîtier arrière (8) au moyen de l'élément revêtement externe de maintien (9) et de l'élément de fixation (10), et la gaine (11) est installée sur l'élément de fixation (10). Enfin, la partie manche (16a) du bouchon de protection contre la poussière (16A) muni d'un manche, est coupée.
Patent WO-2011062057-A1 (WO)
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: H01L21/336
Filed: 2010-10-27
Abstract: L'invention concerne un dispositif semiconducteur pour application de grande puissance, comprenant un nouveau matériau semiconducteur ayant une productivité élevée. Selon une variante, l'invention concerne un dispositif semiconducteur ayant une structure nouvelle dans laquelle est utilisé le nouveau matériau semiconducteur. Il est fourni un transistor vertical comprenant une région de formation de canal formée en utilisant un oxyde semiconducteur qui a une bande interdite plus large qu'un semiconducteur à base de silicium et qui est un semiconducteur intrinsèque ou un semiconducteur substantiellement intrinsèque où sont supprimées les impuretés qui peuvent servir de donneurs d'électrons dans l'oxyde semiconducteur. L'épaisseur de l'oxyde semiconducteur est égale ou supérieure à 1 µm, de préférence supérieure à 3 µm et idéalement égale ou supérieure à 10 µm et des parties extrémité de l'une des électrodes qui sont en contact avec l'oxyde semiconducteur sont placées dans des parties extrémité de l'oxyde semiconducteur.
Patent WO-2011062156-A1 (WO)
Title: 立体映像表示装置
Inventor: SUGIHARA TOSHINORI
IPC: G02B30/25
Filed: 2010-11-16
Abstract: 本発明の目的は、立体視用メガネの軽量化を図りつつ、フリッカの発生を抑えることができる、新規な立体映像表示装置を提供することにある。本発明の立体映像表示装置は、観察者の左眼前方に配置されて、観察者の左眼で見る左眼用映像を表示する第１の液晶パネルと、観察者の右眼前方に配置されて、観察者の右眼で見る右眼用映像を表示する第２の液晶パネルと、を有する立体視用メガネと、観察者の前方に配置されて、白色光を発する白色光源とを備えている。
Patent WO-2011059115-A1 (WO)
Inventor: KOSHINO NOBUYOSHI
IPC: H01M4/90
Filed: 2010-11-15
Abstract: La présente invention concerne un ensemble électrode à membrane. Les deux côtés d'une membrane électrolytique sont pourvus de couches de catalyseur contenant un catalyseur d'électrode. L'ensemble électrode à membrane est caractérisé en ce qu'au moins une des couches de catalyseur contient un catalyseur d'électrode à base de métal et un ionomère présentant une capacité d'échange d'ions non inférieure à 1,2 meq/g.
Patent WO-2011083736-A1 (WO)
Inventor: NUNOKAWA KENTARO
IPC: C03B5/225
Filed: 2010-12-28
Abstract: L'invention porte sur un appareil de dégazage sous vide, lequel appareil comporte des moyens pour mesurer le niveau de ligne de flux du verre fondu dans un réservoir de dégazage sous vide. Il est proposé de façon spécifique un appareil de dégazage sous vide pour verre fondu, lequel appareil comprend des moyens de mesure de surface de liquide insérés dans un réservoir de dégazage sous vide et constitués par des éléments verticaux de matériau en plaque ou de matériau en tige et par des éléments horizontaux de matériau en plaque disposés sur les éléments verticaux.
Patent JP-WO2010023881-A1 (JP)
Title: ファイバヒューズ遮断部材、ファイバレーザ、および光伝送路
IPC: G02B6/00
Filed: 2009-08-25
Abstract: ファイバヒューズを遮断するために用いられるファイバヒューズ遮断部材であって、空孔のないコアと、長手方向に延在する空孔を有するクラッドとを有する光ファイバを備え；前記光ファイバの前記コアの屈折率は前記クラッドの前記空孔以外の部分の屈折率よりも高く；前記光ファイバの使用波長でのモードフィールド径をＭＦＤとし、前記光ファイバの前記長手方向に垂直な断面での、前記コアの中心と、前記コアに最も近い前記空孔の前記コアの前記中心に最も近い位置との間の距離をＲｍｉｎとするとき、２×Ｒｍｉｎ／ＭＦＤで表される値が１．２以上２．１以下の範囲内であり；前記クラッド中で前記空孔が存在する領域の径方向の幅をＷとするとき、Ｗ／ＭＦＤで表される値が０．３以上であり；前記光ファイバの前記クラッドの径をＤｆｉｂｅｒとするとき、Ｗ≦０．４５×Ｄｆｉｂｅｒを満たす；ファイバヒューズ遮断部材。
Patent JP-WO2010016104-A1 (JP)
Title: マルチプロセッサシステム，マルチプロセッサシステム用管理装置およびマルチプロセッサシステム用管理プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体
IPC: G06F9/50
Filed: 2008-08-04
Abstract: 本件は、システムの特性を意識したリソース配分を実現することによってパーティション分割の最適化をはかり、システム全体の処理性能を向上させる。このため、本件のシステム管理部（３０）において、複数のリソース相互間の距離に係る距離情報と複数のリソース相互間のデータ移動頻度とに基づき、各パーティションに対する複数のリソースの最適配分が算出され、その最適配分の状態になるように複数のパーティション管理部（２１，２２）を介して複数のパーティション（Ｐ１，Ｐ２）に複数のリソースが配分される。
Patent JP-WO2011092834-A1 (JP)
Title: 風力発電装置
IPC: F03D11/00
Filed: 2010-01-29
Abstract: 風力発電装置が、ステータと、発電機ロータとステータとを収容するステータケーシングとを備える発電機と、一端が風車ロータに、他端が発電機ロータに連結された主軸と、主軸を回転可能に支持する第１軸受と、主軸に設けられ、主軸とステータケーシングとが相対的に回転可能であるようにステータケーシングを支持する第２軸受と、第１軸受が取り付けられた基部と、基部とステータケーシングの正面プレートを連結する連結部材を備えるトルクサポートとを具備する。ステータケーシングに主軸の周方向のトルクが作用したときに連結部材と正面プレートとの間で働く力の荷重中心が、正面プレートの表面から裏面までの範囲内にある。
Patent JP-WO2010029702-A1 (JP)
Title: 磁気抵抗素子の製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体
IPC: G01R33/09
Filed: 2009-08-31
Abstract: 従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。基板の上に、磁化固定層、磁化自由層、及び該磁化固定層と該磁化自由層との間に位置するトンネルバリア層を成膜する工程を有する磁気抵抗素子の製造方法において、基板の直径よりも直径が小さく、酸化マグネシウム焼結体を含有した相対密度９０％以上のターゲットを、基板の被成膜面に向けて傾斜させ、基板を回転させながらスパッタリング法により酸化マグネシウム層を成膜し、トンネルバリア層を形成する。
Patent JP-WO2010061902-A1 (JP)
Title: スクリーニング方法、該スクリーニング方法で選ばれた物質を含有する組成物、結合物質
IPC: C07K14/47
Filed: 2009-11-26
Abstract: （要約）（課題） チオレドキシンとＭＩＦの結合に影響を与える物質を選び出すスクリーニング方法を提供することを主たる目的とする。（解決手段） 下記（１）乃至（４）から選択される少なくとも一種以上の結合物質と試験物質を混合し、前記結合物質とマクロファージ遊走阻止因子の結合処理を行い、前記結合物質と前記マクロファージ遊走阻止因子の結合状態を確認することで、チオレドキシンファミリーのポリペプチドとマクロファージ遊走阻止因子の結合を増強する試験物質を選び出すことを特徴とするスクリーニング方法とする。（１）チオレドキシンファミリーに属するポリペプチド（２）チオレドキシンファミリーに属するポリペプチドのアミノ酸配列のうち、１若しくは数個のアミノ酸が欠失，置換若しくは付加されたアミノ酸配列からなり且つチオレドキシンファミリーのポリペプチドと同等の活性を有するタンパク質（３）（１）をコードする遺伝子（４）（２）をコードする遺伝子とする。（選択図） 図７
Patent JP-WO2010073855-A1 (JP)
Title: 洗浄剤組成物及びその製造方法、並びに、両親媒性化合物、及び組成物
IPC: A61Q5/02
Filed: 2009-11-18
Abstract: 蛋白変性や皮膚刺激性を低減して、よりマイルド性の高い洗浄剤組成物及びその製造方法を提供することを目的とする。即ち、本発明の洗浄剤組成物は、下記構造式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする。（ただし、前記構造式（１）において、Ｃ１０は、直鎖又は分岐鎖のアルキル鎖を示し、Ｒ'は、水素又は炭素数１〜３の水酸基を有していてもよいアルキル基を示し、Ｒ''は、炭素数２〜６の水酸基を１個有するアルキル基を示し、Ａは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び炭素数６以下の水酸基を有していてもよいプロトン化されたアミンのいずれかを示す。）
Patent WO-2011125305-A1 (WO)
Title: Silicon epitaxial wafer, method for manufacturing silicon epitaxial wafer, and method for manufacturing semiconductor element or integrated circuit
Inventor: TAKAMIZAWA SHOICHI
IPC: H01L21/205
Filed: 2011-03-28
Abstract: Disclosed is a silicon epitaxial wafer having an epitaxial layer formed on a silicon substrate, wherein the silicon substrate is doped with phosphorus or boron at a concentration of 2.0×10 19  atoms/cm 3  or more, a CVD oxide film is formed at least on the rear surface, a carbon ion-implanted layer is formed by implanting carbon ions from the front surface, and the epitaxial layer is formed on the front surface where the carbon ion-implanted layer is formed. The silicon epitaxial wafer is composed of the epitaxial layer having a desired resistivity necessary to obtain predetermined electrical characteristics of an element, and a substrate having a lower resistivity compared with conventional substrates, and is capable of improving the electrical characteristics of a low breakdown strength power MOS, a middle breakdown strength power MOS, an image pick-up element and the like, and the silicon epitaxial wafer has auto-doping and out diffusion more strongly suppressed when performing epitaxial growing and heat treatment in an element manufacture step, compared with the conventional silicon epitaxial wafers.
Patent WO-2011148559-A1 (WO)
Title: Apparatus for separating semiconductor wafers
Inventor: SASAKI TAMOTSU
IPC: B28D5/00
Filed: 2011-04-07
Abstract: Disclosed is a method for separating semiconductor wafers, wherein the wafers after being cut can be reliably separated one by one, and the wafers are not broken when the wafers are being separated. Since a separating liquid containing fine particles (P) is circulating in a separating bath (1), sludge of a cooling agent, cut dust and the like present between the cut wafers is removed from the spaces between the wafers, and the sludge is discharged as slurry from the bottom surface of the separating bath (1). Furthermore, while having the sludge removed from between the wafers, the fine particles (P) enter and stay between the wafers. Consequently, the wafers are prevented from sticking to each other, and the intervals are kept fixed.
Patent WO-2012035752-A1 (WO)
Title: Procédé de coulée libre, appareil de coulée libre, et pièce coulée
Inventor: YAOKAWA JUN
IPC: B22D23/00
Filed: 2011-09-12
Abstract: L'invention porte sur un procédé de coulée libre qui comprend une étape de tirage servant à tirer du métal fondu d'une zone de tirage (P) située dans une source d'alimentation, par exemple un niveau superficiel du métal fondu, pour retenir temporairement le métal fondu par des films superficiels (F) engendrés sur une surface extérieure, et une étape de mise en forme pour obtenir un corps mis en forme par la solidification du métal fondu retenu (MS) qui est tiré le long d'un passage défini (L1) qui dépend d'une forme de coulée désirée, le métal fondu retenu étant solidifié après avoir été mis en forme dans la forme de coulée désirée par application d'une force extérieure à ce métal dans des positions situées entre une partie de base non retenue du métal fondu retenu dans le voisinage du niveau superficiel du métal fondu et une interface de solidification définie comme limite entre le métal fondu retenu et le corps mis en forme dans l'étape de mise en forme.
Patent WO-2012046409-A1 (WO)
Title: Ｐｍモータのモータ定数算出方法およびモータ定数算出装置
Inventor: TAZAWA TORU
IPC: H02P27/04
Filed: 2011-09-28
Abstract: 本発明のＰＭモータのモータ定数算出方法は、直流成分と複数の周波数成分を含む印加電圧をＰＭモータに印加する電圧印加ステップと、電圧印加ステップで印加した印加電圧に応じて流れるモータ電流を検出するモータ電流検出ステップと、印加電圧とモータ電流に基づいてＰＭモータのモータ定数を算出するモータ定数算出ステップと、を有する。
Patent WO-2011090077-A1 (WO)
Title: Loading guide system
Inventor: SUZUKI HIDEAKI
IPC: E02F9/26
Filed: 2011-01-19
Abstract: Disclosed is a loading guide system wherein a load-up machine (202) notifies a transportation machine (201) of the quantity of cargo to be loaded and the position to be loaded. Specifically disclosed is a loading guide system which is provided with: loading state detection means (5, 6) which detect the quantity (p) of the cargo loaded on the transportation machine and the loaded position (x); a loading standard information storage means (7) which stores loading standard information relating to the loading state of the transportation machine; a load-up performance information storage means (11) which stores load-up performance information relating to the load-up ability of the load-up machine; a next operation calculation means (10) which calculates the quantity of the cargo to be loaded next and the position to be loaded next relating to the cargo to be loaded up by the next operation of the load-up machine, on the basis of the quantity of the loaded cargo, the loaded position, the loading standard information, and the load-up performance information; and a display device (12) which notifies the operator of the load-up machine about the quantity of the cargo to be loaded next and the position to be loaded next. This enables the load-up machine to efficiently load up the transportation machine with the cargo.
Patent WO-2012098678-A1 (WO)
Title: 留め具
Inventor: MUROTA KIYOMASA
IPC: A41B9/16
Filed: 2011-01-21
Abstract: 本発明の留め具は、肩ストラップをカップ付き衣類に取り付けるための留め具であって、肩ストラップを係留するための一対の長孔が、肩ストラップの長手方向に離間して形成された係留部と、当該係留部に連続して形成され、前記カップ付き衣類に係止される係止部と、を備える構成とされている。係留部は、肩ストラップの幅方向に湾曲するように折り曲げられ、当該折り曲げによる凸部が、肩ストラップの長手方向に延在している。
Patent WO-2011111456-A1 (WO)
Title: Current measurement device
Inventor: MITSUYA SHINJI
IPC: G01R15/20
Filed: 2011-02-08
Abstract: Disclosed is a current measurement device that can highly accurately measure the magnitude of current in a predetermined conductor even if there is a plurality of conductors. The current measurement device that measures the magnitude of current has a plurality of conductors aligned on the surface of a substrate and has a magnetic sensor that measures the magnetic field generated when measured current flows through the conductors; the magnetic sensor has a selective level of sensitivity to magnetic fields with respect to a direction parallel to the surface of the substrate and is provided, in a plan view, superimposed above or below the measured conductor that the magnetic sensor measures out of the plurality of conductors; and the other conductors among the plurality of conductors are provided at positions such that that directions of the magnetic fields generated by the other conductors are in directions that the magnetic sensor is not sensitive to.
Patent WO-2012105061-A1 (WO)
Title: 光学素子及び光学素子の製造方法
Inventor: ONO YOSHIYUKI
IPC: G02F1/1339
Filed: 2011-02-14
Abstract: 【課題】例えば、液晶層や有機ＥＬ層等の光学効果を有する物質を挟む一対の基板がはがれたり、浮き上がったりすることなく精度良く接合できる。 【解決手段】一対の基板間に光学効果を有する物質を狭持した光学素子であり、１乃至複数の基板の少なくとも１枚の基板の１乃至複数の基板端面を、光学効果を有する物質をシールするシール材により覆う。また、１乃至複数の基板の少なくとも１枚の基板の１乃至複数の基板端面と基板外面を、光学効果を有する物質をシールするシール材により覆う。また、一対の基板の少なくとも１枚の基板は、基板の１乃至複数の辺に壁を有し、基板の壁の壁内面と、光学効果を有する物質を狭持する他の基板との間を、光学効果を有する物質をシールするシール材により覆う。また、一対の基板の少なくとも１枚の基板は、基板の１乃至複数の辺に壁を有し、基板の壁の壁内面と、光学効果を有する物質を狭持する他の基板との間をシール材により覆う。また、一対の基板の少なくとも１枚の基板は、基板の１乃至複数の辺に壁を有し、基板の壁と、光学効果を有する物質を狭持する他の基板との間をシール材により覆う。また、一対の基板は、枠体を介して連結され、一対の基板の少なくとも１枚の基板と、枠体との間をシール材により覆う。また、この発明の封止方法により作製した光学素子全体を覆うように、またはシール材により覆う部分の一対の基板の基板外面に、シール材を覆うように、フィルムを貼合する。
Patent WO-2011105529-A1 (WO)
Title: Corrosion-proofing coating composition and process for production thereof, and method for prevention of corrosion in steel material
Inventor: TOGOE TSUTOMU
IPC: C09D7/12
Filed: 2011-02-25
Abstract: A corrosion-proofing composition comprising: a compound comprising a cement, an inorganic powdery material and a swelling material; a polymer emulsion selected from a styrene/butadiene copolymer emulsion and an acryl/styrene copolymer emulsion; and a nitrous acid salt.
Patent WO-2011118349-A1 (WO)
Title: 高純度エポキシ化合物およびその製造方法
Inventor: ISHIKAWA MICHIYA
IPC: B01J31/02
Filed: 2011-03-02
Abstract: 高純度のＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラグリシジル－３，４'－ジアミノジフェニルエーテルからなるエポキシ化合物およびその製造方法を提供する。プロトン性極性溶媒中で３，４'－ジアミノジフェニルエーテルにエピクロロヒドリンを６５～１００℃で１２時間以上反応させ、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラキス（３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル）－３，４'－ジアミノジフェニルエーテルを生成する付加反応工程と、前記Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラキス（３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル）－３，４'－ジアミノジフェニルエーテルをアルカリ化合物と反応させ、脱塩化水素する環化反応工程、により高純度のＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラグリシジル－３，４'－ジアミノジフェニルエーテルを製造する。
Patent WO-2011129159-A1 (WO)
Title: 入力表示装置、入力装置、入力装置の制御方法
Inventor: HATA MASAYUKI
IPC: G06F3/041
Filed: 2011-03-03
Abstract: バックライトを点滅させて光センサによる入力位置認識を行う表示装置と、発光型の入力装置（光ペン）とを備えた入力表示装置であって、入力装置の発光ダイオード（ＬＥＤ）は、バックライトのＯＦＦ期間（Ｘ）の少なくとも一部と時間的に重なるように非発光となるとともに、バックライトのＯＮ期間（Ｙ）の少なくとも一部と時間的に重なるように発光する。この構成により、環境光の影響を効果的に抑制でき、かつ入力手段として（指や反射ペン等以外に）光ペンも利用することができる入力表示装置を実現することができる。
Patent WO-2011111772-A1 (WO)
Title: Information delivering system, information transmitting/receiving apparatus, information transmitting/receiving method, and program
Inventor: TSUSHIMA TAKUYA
IPC: H04H60/44
Filed: 2011-03-10
Abstract: Contents, the provision of which is limited to particular areas, can be appropriately received. This invention provides an information delivering system (1) wherein: a receiver apparatus (5) (first information transmitting/receiving apparatus) transmits, to a PC (6) (second information transmitting/receiving apparatus), a reception status for each of a plurality of broadcast stations (2) and positional information of the receiver apparatus; the PC (6) (second information transmitting/receiving apparatus) transmits, based on that information, a content delivery request to a broadcast station portal server (3) (information delivering apparatus); and the broadcast station portal server (3) (information delivering apparatus) delivers a content to the PC (6) (second information transmitting/receiving apparatus) in response to the content delivery request from the PC (6) (second information transmitting/receiving apparatus).
Patent WO-2011118440-A1 (WO)
Title: 嫌気処理装置及び嫌気処理方法
Inventor: YAMASHITA TETSUO
IPC: C02F3/28
Filed: 2011-03-14
Abstract: 本発明は、嫌気性生物の活性を高く保持しつつ、アルカリ剤の使用量を抑制し得る嫌気処理装置を提供することにある。本発明は、嫌気性生物が備えられてなる槽を有し、該槽内において該嫌気性生物により、有機物含有廃水が嫌気処理されるように構成されてなる嫌気処理装置であって、前記槽内の水のｐＨを測定するｐＨ測定装置、及び前記槽内のガスのＣＯ ２　 濃度を測定するＣＯ ２　 濃度測定装置を備えてなり、該ｐＨ測定装置により測定した測定値と、該ＣＯ ２　 濃度測定装置により測定した測定値と、槽内の水のアルカリ度、槽内の水のｐＨ及び槽内のガスのＣＯ ２　 濃度の相関関係とによりアルカリ度が算出され、該算出値に基づいて前記槽内の水のアルカリ度が１０００～５０００ｍｇ／Ｌの範囲内に保持されるように前記槽内の水にアルカリ剤が加えられるように構成されてなることを特徴とする嫌気処理装置を提供する。
Patent WO-2011125952-A1 (WO)
Title: 熱プレス成形用軟質ポリウレタンフォームおよびその製造方法、ならびに熱プレス成形品およびその製造方法
Inventor: SASAKI TAKAYUKI
IPC: C08G101/00
Filed: 2011-04-01
Abstract: 充分な硬さを有し、切断時の加工作業性が良好であり、かつ熱プレス成形を良好に行うことができる軟質ポリウレタンフォームを提供する。　ポリオール混合物（Ｘ）とポリイソシアネート化合物とを、ウレタン化触媒、発泡剤および整泡剤の存在下で反応させて、熱プレス成形用軟質ポリウレタンフォームを製造する。ポリオール混合物（Ｘ）は、平均水酸基数が２～３、水酸基価５～９０ｍｇＫＯＨ／ｇ、オキシエチレン基含有量０～３０質量％のポリオキシアルキレンポリオール（Ａ）；平均水酸基数２～３、水酸基価１００～２５０ｍｇＫＯＨ／ｇのポリオキシアルキレンポリオール（Ｂ）、および水酸基価５～２００ｍｇＫＯＨ／ｇのポリオキシアルキレンモノオール（Ｄ）を含む。ポリイソシアネート化合物の使用量をイソシアネート指数で９０以上とする。
Patent WO-2011152514-A1 (WO)
Title: Pressure-sensitive adhesive composition for optical film and pressure-sensitive adhesion type optical film
Inventor: KANEMURA HIDEAKI
IPC: C09J7/22
Filed: 2011-06-03
Abstract: Provided is a pressure-sensitive adhesive composition for optical films which has excellent heat resistance, weatherability, and non-bleeding properties and has an excellent balance among pressure-sensitive adhesive properties including adhesive force, cohesive force, and tackiness. The tackiness of the pressure-sensitive adhesive composition can be regulated. When used for applying an optical film to an adherent or for applying a protective film to an optical film, the composition brings about excellent initial reworkability. When the applied film is kept in the applied state over a long period especially in the state of being exposed to a high-temperature or a wet high-temperature environment, the composition increases in adhesive force and hence shows excellent adhesion durability.
The pressure-sensitive adhesive composition comprises a specific acrylic diblock copolymer (I) and a specific acrylic triblock copolymer (II) in a specific proportion. A pressure-sensitive adhesive for optical films which includes the pressure-sensitive adhesive composition as a base is produced.
Patent WO-2011155407-A1 (WO)
Title: Chemical solution for formation of protective film
Inventor: KUMON SOICHI
IPC: H01L21/304
Filed: 2011-06-03
Abstract: Disclosed is a chemical solution for forming a water-repellent protective film (10) on at least the surfaces of concaved parts in a fine concave-convex pattern (2) that is formed on the surface of a wafer (1) containing a silicon atom in at least a part thereof, during the washing of the wafer (1). The chemical solution comprises a silicon compound (A) represented by the general formula: R 1 
 a Si(H) b X 4-a-b  and an acid (A), wherein the acid (A) comprises at least one compound selected from the group consisting of trimethylsilyltrifluoroacetate, trimethylsilyltrifluoromethanesulfonate, dimethylsilyl- trifluoroacetate, dimethylsilyltrifluoromethanesulfonate, butyldimethylsilyltrifluoroacetate, butyldimethyl- silyltrifluoromethanesulfonate, hexyldimethylsilyl- trifluoroacetate, hexyldimethylsilyltrifluoro- methanesulfonate, octyldimethylsilyltrifluoroacetate, octyldimethylsilyltrifluoromethanesulfonate, decyldimethyl- silyltrifluoroacetate and decyldimethylsilyl- trifluoromethanesulfonate.
Patent WO-2012008532-A1 (WO)
Title: Positive electrode for lithium secondary batteries and lithium secondary battery using same
Inventor: TAKANO SHOJI
IPC: H01M4/36
Filed: 2011-07-14
Abstract: Disclosed is a positive electrode for lithium secondary batteries which can impart greater capacity, greater output, and longer life to lithium secondary batteries. Also disclosed is a lithium secondary battery using same. Specifically disclosed is a positive electrode for a lithium secondary batteries which includes an active material and a conductive material, wherein the active material includes a lithium transition metal compound with a function whereby a lithium ion can be inserted into the compound and can be removed from the compound, said lithium transition metal compound has a peak of 800 - 1,000 cm -1  in the surface enhanced raman spectrum, and the conductive material includes carbon black that has a specific surface area by nitrogen adsorption (N 2 SA) of 70 - 300 m 2 /g, and an average particle diameter of 10 - 35 nm. Also disclosed is a lithium secondary battery using the positive electrode.
Patent WO-2012035885-A1 (WO)
Title: 保護眼鏡用遮光レンズ
Inventor: TAMURA KANICHI
IPC: G02C7/10
Filed: 2011-07-26
Abstract: 波長４３０ｎｍ以下の紫外・可視光線を遮光した保護眼鏡用遮光レンズとすることであり、または波長５００ｎｍ以下まで遮光域を広げた保護眼鏡用遮光レンズとすることであり、さらにまた需要者の多様な色調の調整要望に応えられる保護眼鏡用遮光レンズとすることである。前記レンズの合成樹脂１００質量部に対して融点１４０～１５０℃のインドール系紫外線吸収剤を０．０１～２質量部配合し、好ましくは油溶性染料を併用し、波長４３０ｎｍ以下の紫外・可視光線を遮光した保護眼鏡用遮光レンズとする。所定量のインドール系紫外線吸収剤が、合成樹脂に充分に溶解し、効率よくその作用を発揮することにより、透明性の高い淡い色調でありながらも、従来４００ｎｍ以下でしか遮光できなかった遮光性が改善され、波長４３０ｎｍ以下または波長５００ｎｍ以下の紫外・可視光線を遮光することができる。
Patent WO-2012018035-A1 (WO)
Title: 非水二次電池用負極および非水二次電池
Inventor: TANAKA NAOKAGE
IPC: H01M4/583
Filed: 2011-08-03
Abstract: 【課題】　ＳｉとＯとを構成元素に含む材料を負極に使用しつつ、充放電サイクル特性が良好であり、かつ充放電に伴う電池膨れを抑制し得る非水二次電池と、該非水二次電池を構成し得る負極とを提供する。 【解決手段】　ＳｉとＯとを構成元素に含む材料（ただし、Ｓｉに対するＯの原子比ｘは、０．５≦ｘ≦１．５である）と炭素材料との複合体と黒鉛とを含有し、黒鉛の平均粒子径ｄｇが、４～２０μｍであり、ＳｉとＯとを構成元素に含む材料の平均粒子径ｄｓ（μｍ）が１μｍ以上であり、ｄｓ／ｄｇが０．０５～１であり、ＳｉとＯとを構成元素に含む材料におけるＳｉの結晶子径が５０ｎｍ以下であり、前記複合体中の、ＳｉとＯとを構成元素に含む材料の割合が７０～９５質量％である非水二次電池用負極と、該負極を有する非水二次電池により、前記課題を解決する。