baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102022001464-B4 (DE)
Title: Zylinderkopf für eine Brennkraftmaschine
Inventor: KLOSTERBERG JOHANNES
IPC: F02M61/14
Filed: 2022-04-26
Granted: 2023-11-02
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Zylinderkopf für eine Brennkraftmaschine, insbesondere für eine wasserstoffbetriebene Brennkraftmaschine, umfassend: eine Zylinderkopfanordnung, die einen Saugkanal (12) und einen Kraftstoffeinlassdurchbruch (13) aufweist, wobei sich der Kraftstoffeinlassdurchbruch (13) in den Saugkanal (12) öffnet, einen Injektorhalter (17), der mit der Zylinderkopfanordnung lösbar verbunden ist und eine Injektoraufnahmebohrung (19) aufweist, einen Injektor (22), der in der Injektoraufnahmebohrung (19) aufgenommen ist und mittels Spannmitteln (24) gegenüber dem Injektorhalter (17) verspannt ist, und ein röhrenförmiges Steckstück (32), das so zwischen dem Injektorhalter (17) und der Zylinderkopfanordnung angeordnet ist, dass eine Abgabeöffnung (29) des Injektors (22) und der Kraftstoffeinlassdurchbruch (13) der Zylinderkopfanordnung über das Steckstück (32) fluidisch miteinander verbunden sind.
Patent DE-112007000644-B4 (DE)
Title: Analysierelement und mit diesem versehene Analysevorrichtung
Inventor: HAMAMOTO KIICHI
IPC: G01N33/497
Filed: 2007-03-16
Granted: 2018-09-27
Abstract: Analyseelement, umfassend:eine Probenkammer (11), in die eine gasförmige oder flüssige Probe eingeführt wird;einen Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103), der angrenzend an die Probenkammer (11) angeordnet ist, um Detektionslicht zum Detektieren der Probe zu führen; undeinen Detektionslicht-Eintrittsbereich (13) zum Zuführen des Detektionslichtes von einer Stirnfläche des Detektionslicht-Wellenleiters (12a, 12b, 103) in den Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103), wobei sich das Detektionslicht in einer Richtung längs des Detektionslicht-Wellenleiters (12a, 12b, 103) fortpflanzt,wobei der Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103) eine freiliegende Oberfläche aufweist, die in der Probenkammer (11) freiliegend ist, dadurch gekennzeichnet, dassder Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103) einen ersten und einen zweiten Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103) umfasst, die parallel zueinander unter Zwischenfügung der Probenkammer (11) angeordnet sind und wobei die Probenkammer (11) zwischen dem ersten und zweiten Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103) angeordnet ist, wobei das Analyseelement (10) weiterhin eine Wellenleiterstruktur aufweist, welche umfasst:ein Substrat (201),und eine Mesa (205, 601), die aus mehrfachen Schichten besteht, nämlich einer unteren Ummantelungsschicht (202), einer Kernschicht (203) und einer oberen Ummantelungsschicht (204), die in dieser Reihenfolge auf dem Substrat (201) übereinander angeordnet sind,wobei die Kernschicht (203) den Detektionslicht-Wellenleiter (12a, 12b, 103) darstellt, und der Raum angrenzend an die Mesa (205, 601) die Probenkammer (11) bildet, und bei der eine Seitenfläche der Kernschicht (203) zum Inneren der Probenkammer (11) hin freiliegt.
Patent DE-112007002239-B4 (DE)
Title: Effizienter Einsatz von mobilen Testeinheiten zum Erfassen von ortsabhängigen Funkfrequenzdaten
Inventor: DRESSLER ROBERT MORRIS
IPC: H04W16/00
Filed: 2007-08-31
Granted: 2017-08-03
Abstract: Verfahren, umfassend: Bestimmen (603) eines Fahrt-Test-Plans zum Befriedigen einer Anfrage bezüglich empirischer Daten für ein elektromagnetisches Signal in einem geographischen Bereich (220) unter Nutzung einer wirtschaftlichen Kosten-Nutzen-Analyse, wobei der Fahrt-Test-Plan eine Messung des elektromagnetischen Signals an jedem Ort aus einer nicht-leeren Menge von Orten L vorschlägt, wobei die Anfrage einen Hinweis auf einen wirtschaftlichen Nutzen der angeforderten Daten enthält, und wobei die wirtschaftliche Kosten-Nutzen-Analyse folgende Schritte enthält: i) Bestimmen der wirtschaftlichen Kosten für die Implementierung des Fahrt-Test-Plans; und ii) Bestimmen eines wirtschaftlichen Nutzens, der sich aus der Implementierung des Fahrt-Test-Plans ergibt.
Patent DE-112008000540-B4 (DE)
Title: Schmierfett für Hochgeschwindigkeitslager, Wälzlager für hohe Geschwindigkeit und Verwendung des Wälzlagers
Inventor: KAWAMURA TAKAYUKI
IPC: F16C33/66
Filed: 2008-02-26
Granted: 2019-08-29
Abstract: Schmierfett für ein Hochgeschwindigkeitslager, das ein Harnstoff-Schmierfett, das eine Verbindung auf Harnstoffbasis als Verdicker desselben enthält, und ein mit dem Harnstoff-Schmierfett vermischtes Nichtharnstoff-Schmierfett, das einen Verdicker auf Nichtharnstoffbasis enthält und die Verbindung auf Harnstoffbasis nicht enthält, umfasst,
 wobei die Verbindung auf Harnstoffbasis durch eine Reaktion zwischen einer Polyisocyanatkomponente und einer Monoaminkomponente erhalten wird, wobei die Monoaminkomponente mindestens ein Monoamin, das aus einem aliphatischen Monoamin und einem alicyclischen Monoamin ausgewählt ist, mit einem Anteil von nicht weniger als 50 Mol-% an der Gesamtmenge des Monoamins enthält,
 und wobei der Verdicker auf Nichtharnstoffbasis eine Metallseife oder Natriumterephthalamat ist und der Mischungsanteil des Verdickers auf Nichtharnstoffbasis an der Gesamtmenge des Nichtharnstoff-Schmierfetts 10 bis 40 Gew.-% beträgt.
Patent DE-112012001080-B4 (DE)
Title: Betriebswechsel eines Betriebsgeräts für Leuchtmittel
Inventor: HECHENBERGER CLAUS
IPC: H05B41/292
Filed: 2012-03-05
Granted: 2022-12-29
Abstract: Betriebsgerät (1) zum Betreiben eines Leuchtmittels (2) in einem Normalbetriebsmodus, aufweisend:- eine Steuereinheit (3) zum Steuern des Betriebsgeräts (1),- einen Versorgungseingang (4) zum Versorgen des Betriebsgeräts (1) mit einer Eingangswechselspannung (Vin),- einen Versorgungsausgang (5), wobei der Versorgungsausgang (5) mit mindestens einem Leuchtmittel (2) anschliessbar ist, und zur Bereitstellung einer Ausgangsspannung (Vout) oder eines Ausgangsstroms (Iout) zur Versorgung des angeschlossenen Leuchtmittels (2) ausgelegt ist, und- ein mit dem Versorgungseingang (4) verbundenes Erfassungsmittel (16) zur Erfassung der Eingangswechselspannung (Vin), wobei die Steuereinheit (3) dazu ausgelegt ist, in einer Manipulation der erfassten Eingangswechselspannung (Vin) einen kodierten Betriebswechselbefehl zum Versetzen des Betriebsgeräts (1) in einen vom Normalbetriebsmodus abweichenden Betriebsmodus zu erkennen, wobei im abweichenden Betriebsmodus mindestens ein Vorgang des Normalbetriebsmodus deaktiviert oder nicht durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Manipulation durch Veränderung der Frequenz der Eingangswechselspannung (Vin) erfolgt und Veränderung der Frequenz der Eingangswechselspannung (Vin) von der Steuereinheit (3) als Betriebswechselbefehl erfasst wird.
Patent DE-112012006311-B4 (DE)
Title: Sprengstoffeinrichtungsverstärkungsanordnung und Verfahren zu deren Verwendung
Inventor: MASON JUSTIN LEE
IPC: F42B3/10
Filed: 2012-05-03
Granted: 2023-02-23
Abstract: Vorrichtung mit:einem Gehäuse (124);wenigstens einer Perforationsladung (302), die innerhalb eines Gehäuses vorgesehen ist;eine Sprengschnur (304), die mit der wenigstens einen Perforationsladung (302) gekoppelt ist; undeinem Verstärker (318), der mit einem Ende der Sprengschnur (304) gekoppelt ist, wobei der Verstärker (318) aufweist:einen Verstärkerkörper (404) mit einem ersten Ende (406) und einem zweiten Ende (410),einen Hohlraum, der innerhalb des Verstärkerkörpers (404) zwischen dem ersten Ende (406) und dem zweiten Ende (410) definiert ist, wobei der Hohlraum durch eine Innenoberfläche des Verstärkerkörpers (404) definiert ist,Sprengstoff (414), der innerhalb des Hohlraums benachbart zu dem ersten Ende (406) vorgesehen ist, undein Arretierungsmerkmal (702), das benachbart zu dem zweiten Ende (406) vorgesehen ist, wobei das Arretierungsmerkmal dafür ausgestaltet ist, es dem Verstärker (318) zu ermöglichen, mit dem Ende der Sprengschnur (304) in einer ersten Richtung in Eingriff zu treten und einer Bewegung in einer zweiten Richtung entgegenzuwirken,dadurch gekennzeichnet, dassdas Arretierungsmerkmal (702) einen oder mehrere Zähne aufweist, die auf der Innenoberfläche des Verstärkerkörpers (404) vorgesehen sind, die sich nach innen von der Innenoberfläche des Verstärkerkörpers (404) in den Hohlraum erstrecken, wobei die Sprengschnur (304) mit dem Verstärker (318) über einen Eingriff zwischen den Zähnen (702) und der Sprengschnur (304) gekoppelt ist undwobei eine Verstemmung im Verstärkerkörper (404) ausgebildet ist, wobei die Verstemmung mit dem Ende der Sprengschnur (304) im Eingriff ist, undwobei die Vorrichtung zum mit Löcher Versehen eines Bohrlochs dient.
Patent DE-112012006944-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren und Halbleiterherstellungsgerät
Inventor: TERASHIMA TOMOHIDE
IPC: H01L21/02
Filed: 2012-09-26
Granted: 2019-12-05
Abstract: Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren, das umfasst:einen Schritt zum Anordnen von mehreren Bearbeitungsobjekten (20, 22, 24, 26) auf einer ersten Ablage (40) und einer zweiten Ablage (42) benachbart zur ersten Ablage (40);mehrere Anwendungsschritte, in denen die Anwendung einer Anwendungssubstanz auf die mehreren Bearbeitungsobjekte (20, 22, 24, 26) eine bestimmte Anzahl von Malen wiederholt wird durch Emittieren der Anwendungssubstanz von einer Anwendungsvorrichtung (10), die direkt über einer Kontaktposition ausgebildet ist, in der die erste Ablage (40) und die zweite Ablage (42) miteinander in Kontakt stehen, durch Schwenken der Anwendungsvorrichtung (10) entlang einer ersten Richtung über die Kontaktposition, und durch Bewegen der ersten Ablage (40) und der zweiten Ablage (42) in einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung; undeinen Austauschschritt zum Austauschen der ersten Ablage (40) und der zweiten Ablage (42) in der Position ohne Ändern der Richtungen der ersten Ablage (40) und der zweiten Ablage (42) entsprechend der zweiten Richtung, wobei der Austauschschritt mindestens einmal unter den mehreren Anwendungsschritten ausgeführt wird.
Patent DE-112013005718-B4 (DE)
Title: Polierzusammensetzung
Inventor: MATSUSHITA TAKAYUKI
IPC: H01L21/304
Filed: 2013-11-19
Granted: 2016-05-25
Abstract: Polierzusammensetzung, umfassend: ein Polyvinylalkoholharz, das eine 1,2-Diolstruktur in der Seitenkette aufweist, wobei das Polyvinylalkoholharz ein Copolymer aus einem Monomer, das durch untenstehende Formel (1) dargestellt wird, und einem Vinylester-Monomer ist; eine organische Säure; und Schleifkörner, deren Oberflächen chemisch so modifiziert sind, dass diese ein negatives Zeta-Potential auf den Oberflächen in einer Lösung mit einem pH-Wert von 2,0 oder mehr aufweisen und keinen isoelektrischen Punkt haben:(wobei R1 bis R6 unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom oder eine organische Gruppe bezeichnen, X eine Einfachbindung oder eine Verknüpfungsgruppe bezeichnet, und R7 und R8 jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom oder R9-CO- bezeichnen (wobei R9 eine Alkylgruppe bezeichnet)).
Patent DE-112014003240-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Erkennung von Interferenzen in einem Kanal eines drahtlosen Netzwerks
Inventor: KIM KYEONG-JIN
IPC: H04B1/10
Filed: 2014-07-01
Granted: 2021-01-21
Abstract: Ein Verfahren zur Erkennung von Interferenzen in einem Kanal eines drahtlosen Netzwerks, umfassend:Anwenden eines Zweistichproben-Kolmogorov-Smirnov-Tests (KS-Test) (two-sample Kolmogorov-Smirnov-Test) (310) auf erste und zweite Periodogramme (120, 201, 202), die man bei zwei aufeinanderfolgenden Scans des Kanals erhalten hat, um eine erste Statistik (311) zu erhalten; undKlassifizieren (351) der Interferenz als breitbandig (321) oder schmalbandig (322) durch Vergleichen (312) der ersten Statistik (311) mit einem Schwellenwert, wobei die Schritte in einem Prozessor ausgeführt werden.
Patent DE-112014006222-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Ausbilden von SONOS-Speichertransistoren und CMOS-Transistoren
Inventor: RAMKUMAR KRISHNASWAMY
IPC: H01L27/11563
Filed: 2014-11-19
Granted: 2022-06-23
Abstract: Ein Verfahren, beinhaltend:Anordnen und Strukturieren einer Gate-Schicht über einem dielektrischen Stapel (228) auf einem Substrat (204), um ein Gate (242) eines nichtflüchtigen-Speichertransistors (206) auszubilden, wobei der dielektrische Stapel eine Tunnelungsschicht (230) die über einer Oberfläche (216) des Substrats (204) liegt, eine Ladungseinfangschicht (232), die über der Tunnelungsschicht (230) liegt, und eine Blockierungsschicht (234), die über der Ladungseinfangschicht (232) liegt, einschließt, wobei das Anordnen und Strukturieren der Gate-Schicht weiterhin das Anordnen und Strukturieren der Gate-Schicht über einer Oberfläche (216) des Substrats (204) in einem Bereich beinhaltet, der den dielektrischen Stapel (228) darauf nicht aufweist, um gleichzeitig ein Gate (240) eines CMOS-Transistors (210) auszubilden;Ausbilden einer Maske (254), die Source- und Drain-Regionen des nichtflüchtigen-Speichertransistors (206) exponiert;Ätzen des dielektrischen Stapels durch die Maske (254), um den dielektrischen Stapel durch Entfernen der Blockierungsschicht (234) und mindestens eines ersten Abschnitts der Ladungseinfangschicht (232) in Source- und Drain-Regionen des nichtflüchtigen-Speichertransistors (206) dünner zu machen; undImplantieren von Dotierstoffen in Source- und Drain-Regionen des Transistors (206) durch den dünner gemachten dielektrischen Stapel, um einen leicht dotierten Drain neben dem Gate (242) des nichtflüchtigen-Speichertransistors (206) auszubilden,wobei das Ausbilden der Maske (254) weiterhin Öffnungen beinhaltet, die Source- und Drain-Regionen des CMOS-Transistors (210) exponieren, und wobei das Implantieren von Dotierstoffen weiterhin das Implantieren von Dotierstoffen durch diese Öffnungen beinhaltet, die Source- und Drain-Regionen des CMOS-Transistors (210) exponieren, um gleichzeitig einen leicht dotierten Drain neben dem Gate (240) des CMOS-Transistors (210) auszubilden.
Patent DE-112015006112-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung
Inventor: TADA KAZUHIRO
IPC: H01L23/36
Filed: 2015-12-25
Granted: 2022-11-17
Abstract: Halbleitervorrichtung (300), die Folgendes aufweist:- ein Dichtungsharz (8);eine Wärmeabführungsplatte (2), die innerhalb des Dichtungsharzes (8) eingeschlossen ist;- einen Isolierflächenkörper (3), der derart montiert ist, dass er mit einer Hauptfläche der Wärmeabführungsplatte (2) innerhalb des Dichtungsharzes (8) in Kontakt steht;- einen Leiterrahmen (4), der sich von dem Inneren des Dichtungsharzes (8) zu der Außenseite bzw. der äußeren Umgebung des Dichtungsharzes (8) erstreckt, und derart angeordnet ist, dass er mit einer Hauptfläche des Isolierflächenkörpers (3) in Kontakt steht, die der Wärmeabführungsplatte (2) gegenüberliegt; und- ein Halbleiterelement (1), das mit zumindest einem Bereich einer Hauptfläche des Leiterrahmens (4) verbunden ist, die dem Isolierflächenkörper (3) innerhalb des Dichtungsharzes (8) gegenüberliegt,wobei die Wärmeabführungsplatte (2) flach ausgebildet ist, so dass eine Endregion (ER), die zumindest einen Bereich eines äußersten Endes (2E) der Wärmeabführungsplatte (2) in der Draufsicht enthält, und eine andere Region als die Endregion (ER) der Wärmeabführungsplatte (2) die gleiche Höhe an der oberen Oberfläche der Wärmeabführungsplatte (2) haben,wobei die obere Oberfläche der Wärmeabführungsplatte (2) einer Oberfläche der Hauptfläche der Wärmeabführungsplatte (2), die mit dem Isolierflächenkörper (3) in Kontakt steht, entspricht,wobei die Fläche des Isolierflächenkörpers (3), die mit dem Leiterrahmen (4) in Kontakt steht, geneigt ist und derart abgesenkt ist, dass sie sich weg von dem Leiterrahmen (4) in einer Endregion (ER) bewegt, die zumindest einen Bereich eines äußersten Endes (3E) des Isolierflächenkörpers (3) in Draufsicht enthält, wobei das Dichtungsharz (8) in eine Region zwischen dem Leiterrahmen (4) und dem Isolierflächenkörper (3) in der Endregion (ER) eintritt,wobei der Leiterrahmen (4) zumindest innerhalb des Dichtungsharzes (8) flach ausgebildet ist,wobei der Isolierflächenkörper (3) eine Struktur aufweist, bei der ein wärmehärtendes Harz mit einem anorganischen Pulverfüllstoff mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit gefüllt ist, wobei der anorganische Pulverfüllstoff kristallines Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Bornitrid oder Aluminiumnitrid ist, wobei das Dichtungsharz (8) das wärmehärtende Harz ohne dem kristallinen Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Bornitrid oder Aluminiumnitrid, aber mit einem anorganischen Pulverfüllstoff aus Quarzglas gefüllt ist.
Patent DE-112017001738-B4 (DE)
Title: Brennkammer und gasturbine
Inventor: TSUNODA NAOKI
IPC: F02C9/34
Filed: 2017-03-24
Granted: 2022-05-19
Abstract: Eine Brennkammer (3) umfassend:einen Düsenhauptkörper (16;16A;16B), aufweisend einen Schaftkörper (24;24B;24C), der sich entlang einer Achse (Ab) erstreckt, und eine Wirbelleitschaufel (26), die von einer äußeren Umfangsoberfläche des Schaftkörpers in einer Radialrichtung (Dr) der Achse (Ab) vorsteht, um ein Fluid um die Achse (Ab) zu verwirbeln, welches zu einer Stromabwärtsseite in einer Axialrichtung (Da) strömt;einen ersten Brennstoff-Strömungspfad (41;41B;41C), welcher ausgestaltet ist, um Brennstoff zu einem ersten Brennstoff-Einspritzloch (38a), welches im Düsenhauptkörper (16;16A;16B) gebildet ist, zu liefern;einen zweiten Brennstoff-Strömungspfad (42;42B;42C), welcher ausgestaltet ist, um Brennstoff zu einem zweiten Brennstoff-Einspritzloch (38b), welches auf einer radial äußeren Seite des ersten Brennstoff-Einspritzlochs (38a) im Düsenhauptkörper (16;16A;16B) gebildet ist, zu liefern;ein erstes Regelventil (43), welches im ersten Brennstoff-Strömungspfad (41;41B;41C) vorgesehen ist und eingerichtet ist, um eine Strömungsrate des Brennstoffs, welcher durch den ersten Brennstoff-Strömungspfad (41;41B;41C) strömt, zu regeln;einen Temperatursensor (33), der an einem distalen Ende des Schaftkörpers (24;24B;24C) angeordnet ist, um eine Temperatur auf einer Stromabwärtsseite der Wirbelleitschaufel (26) zu ermitteln; undeine Steuerungsvorrichtung (5), welche konfiguriert ist, um das erste Regelventil (43) derart anzusteuern, dass die Strömungsrate des Brennstoffs, welcher durch den ersten Brennstoff-Strömungspfad (41;41B;41C) strömt, herabgesetzt wird, wenn eine Temperatur, ermittelt durch den Temperatursensor (33), eine vorbestimmte Bedingung erfüllt,wobei die Steuerungsvorrichtung (5) konfiguriert ist, um das erste Regelventil (43) derart zu steuern, dass die Strömungsrate des Brennstoffs, welcher durch den ersten Brennstoff-Strömungspfad (41;41B;41C) strömt, herabgesetzt wird, wenn die Temperatur, die vom Temperatursensor (33) ermittelt wird, von einem Stationärzustandswert um mehr als eine vorbestimmte Temperatur angestiegen ist.
Patent DE-112017006666-B4 (DE)
Title: Rauschfilter
Inventor: KOBAYASHI AKIHITO
IPC: H03H7/06
Filed: 2017-02-06
Granted: 2020-10-08
Abstract: Rauschfilter, umfassend:einen Hauptstrompfadteil (20), der zwischen einem Leistungselement (11) und einem Schaltungselement (10) angeordnet ist;einen Unterstrompfadteil (21), der von einem an einem Ende des Hauptstrompfadteils (20) platzierten ersten Verzweigungspunkt (20a) abzweigt und der mit dem Hauptstrompfadteil (20) an einem an einem anderen Ende des Hauptstrompfadteils (20) platzierten zweiten Verzweigungspunkts (20b) verbunden ist;ein Drei-Anschluss-Kondensatorelement (13) mit einem Paar von Elektrodenanschlüssen und einem zwischen dem Paar von Elektrodenanschlüssen angeordneten Masseanschluss, bei dem das Paar von Elektrodenanschlüssen seriell in einem Pfad von dem ersten Verzweigungspunkt (20a) zu dem zweiten Verzweigungspunkt (20b) geschaltet ist und der Masseanschluss mit einem Masseleiter (22) verbunden ist; undein Widerstandselement (12) mit einem Paar von Elektrodenanschlüssen, die seriell in dem Pfad von dem ersten Verzweigungspunkt (20a) zu dem zweiten Verzweigungspunkt (20b) geschaltet sind,wobei das Drei-Anschluss- Kondensatorelement und das Widerstandselement in Reihe miteinander verbunden sind.wobei eine Pfadlänge des Unterstrompfadteils (21) größer ist als eine Länge des Pfads von dem ersten Verzweigungspunkt (20a) zu dem zweiten Verzweigungspunkt (20b) in dem Hauptstrompfadteil (20), so dass eine Impedanz des Unterstrompfadteils (21) größer ist als eine Impedanz des Pfads von dem ersten Verzweigungspunkt (20a) zu dem zweiten Verzweigungspunkt (20b) in einem Frequenzbereich, der die Frequenz übersteigt, bei der durch Rauschstrom verursachte Antiresonanz auftritt.
Patent DE-112017007609-B4 (DE)
Title: Optisches System mit großer Apertur und hoher Pixelzahl und dafür verwendetes Kameramodul
Inventor: LIU HONGHAI
IPC: G02B9/62
Filed: 2017-12-18
Granted: 2022-03-31
Abstract: Optisches System mit großer Apertur und hoher Pixelzahl, bei dem eine erste Linse, eine zweite Linse, eine dritte Linse, eine vierte Linse, eine fünfte Linse und eine sechste Linse nacheinander entlang einer optischen Achse von der Objektebene zur Bildebene angeordnet sind,dass die erste Linse auf der Objektebenenseite eine konvexe Fläche und auf der Bildebenenseite eine konkave Fläche aufweist, wobei die Brechkraft negativ ist;wobei die zweite Linse auf der Objektebenenseite eine konvexe Fläche und auf der Bildebenenseite eine konvexe Fläche aufweist, wobei die Brechkraft positiv ist;wobei die dritte Linse auf der Objektebenenseite eine konkave Fläche und auf der Bildebenenseite eine konkave Fläche aufweist, wobei die Brechkraft negativ ist;wobei die vierte Linse auf der Objektebenenseite eine konkave Fläche und auf der Bildebenenseite eine konvexe Fläche aufweist, wobei die Brechkraft positiv ist;wobei die fünfte Linse auf der Objektebenenseite eine konvexe Fläche und auf der Bildebenenseite eine konvexe Fläche aufweist, wobei die Brechkraft positiv ist;wobei die sechste Linse auf der Objektebenenseite eine konkave Fläche und auf der Bildebenenseite eine konvexe Fläche aufweist, wobei die Brechkraft negativ ist;wobei die fünfte Linse und die sechste Linse zur Bildung einer Kombinationslinse, die TTL/EFL ≤ 4,5 erfüllt, miteinander verklebt sind, wobei TTL der Abstand zwischen dem Scheitelpunkt der Objektebenenseite der ersten Linse des optischen Systems und der Bildebene ist und EFL die effektive Brennweite des optischen Systems ist, dadurch gekennzeichnet,dass die jeweiligen Linsen des optischen Systems die folgenden Bedingungen erfüllen:(1) -10 mm < f1 < -2 mm;(2) 2 mm < f2 < 10 mm;(3) -10 mm < f3 < -2 mm;(4) 2 mm < f4 < 10 mm;(5) 2 mm < f5 < 10 mm;(6) -15 mm < f6 < -5 mm;(7) 5 mm < f56 < 20 mm; wobei f1 die Brennweite der ersten Linse ist, wobei f2 die Brennweite der zweiten Linse ist, wobei f3 die Brennweite der dritten Linse ist, wobei f4 die Brennweite der vierten Linse ist, wobei f5 die Brennweite der fünften Linse ist, wobei f6 die Brennweite der sechsten Linse ist, wobei f56 die Brennweite nach Kombination der fünften Linse mit der sechsten Linse ist.
Patent CS-277308-B6 (CS)
Inventor: SLAVKOVSKY JAN DOC ING CSC
IPC: B30B15/28
Filed: 1987-11-27
Abstract: Podstatou riešenia, pozostávajúceho zo Šmýkadla
(7) lisu s pevným dorazom (2) a so závitovkovej
převodovky (4) tvorenej slimákom (3) a
závitovkovým kolesom (5) je, že v mieste vedenia
(9) ámýkadla (7) lisu je stojan (8) lisu upravený
do tvaru dutého valca. Na jeho vonkajšej valcovej
ploché je vytvořený závit, na ktorom je naskrutkovaná
dorazová matica (6). Táto je cez
žliabkovanie na jej vonkajšej valcovej ploché
spojená so závitovkovým kolesom (5) závitovkovej
převodovky (4)
Patent CZ-301420-B6 (CZ)
Title: Use of inorganic or organic polyacids to treat mineral fertilizers, treated mineral fertilizer and process for its preparation as well as fertilization process
Inventor: BARTH THOMAS
IPC: C05G3/90
Filed: 1997-08-06
Abstract: In the present invention, there is disclosed the use of inorganic or organic polyacids to treat mineral fertilizers, in particular the use of polyacids as a mixture with at least one nitrification inhibitor to treat mineral fertilizers. The invention also concerns the use of selected pyrazole derivatives as inhibitors in mineral fertilizers and as stabilizers for liquid manure or liquid fertilizer formulations, and the treated mineral fertilizers themselves, as well as new pyrazole derivatives that can be used as nitrification inhibitors in mineral fertilizers and as stabilizers in liquid manure or liquid fertilizer formulations.