baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100747977-B1 (KR)
Title: Open lamp protection circuit
Inventor: OH BYUNG IL
IPC: H05B41/285
Filed: 2006-09-26
Granted: 2007-08-08
Abstract: An open-lamp protection circuit is provided to reduce a manufacturing cost by using a diode for implementing the open-lamp protection circuit. An open-lamp protection circuit includes a first lamp(100), a second lamp(200), a first FET(Field Effect Transistor)(Q1), a second FET(Q2), a first resistor(R1), a second resistor(R2), a first diode(D1), a second diode(D2), and a third resistor(R3). The first FET(Q1) has a drain which receives a driving voltage, a source which is connected to a ground, and a gate which receives a signal outputted from a lower terminal of the first lamp(100) and the second lamp(200). The second FET(Q2) has a gate which is connected to the drain of the first FET(Q1), a drain which receives an IC output signal for driving the lamp, and a source which is connected to the ground. A node of the first resistor(R1) is connected to the low terminal of the first lamp(100). The other node of the first resistor(R1) is connected to the ground. A node of the second resistor(R2) is connected to the low terminal of the second lamp(200). The other node of the second resistor(R2) is connected to the ground. A cathode of the first diode(D1) is connected between the first lamp(100) and the first resistor(R1). A cathode of the second diode(D2) is connected between the second lamp(200) and the second resistor(R2). An anode of the second diode(D2) is connected to an anode of the first diode(D1). A driving voltage is inputted to a node of the third resistor(R3). The other node of the third resistor(R3) is connected between the anode of the first diode(D1) and the anode of the second diode(D2).
Patent KR-100825780-B1 (KR)
IPC: H01L23/48
Filed: 2006-09-29
Granted: 2008-04-29
Abstract: 반도체 모듈에 양호하게 접속될 수 있는 리드프레임형 적층 패키지 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 리드프레임형 적층 패키지는 상부 패키지의 리드와 하부 패키지의 리드를 레이저 솔더링에 의하여 접합하여 형성한다. 상하 패키지의 리드를 솔더에 담그지 않고 솔더볼에 의하여 접합하므로 솔더 디핑에 의해 발생하는 리드의 도금층의 손실이 없어 하부 패키지의 리드를 반도체 모듈 기판의 접속패드에 접속할 때 솔더링 불량없이 양호하게 접속할 수 있다. 
       
     리드프레임형 적층 패키지, 레이저 솔더링
Patent KR-100858446-B1 (KR)
IPC: C08L67/02
Filed: 2006-10-26
Granted: 2008-09-12
Abstract: 높은 감방사선 감도를 갖고, 현상공정에 있어서 최적 현상시간을 초과해도 더욱 양호한 패턴형상을 형성할 수 있는 현상 마진을 갖고, 밀착성이 우수한 패턴상 박막을 용이하게 형성할 수 있는 감방사선성 조성물 및 그것으로부터 형성된 층간 절연막 및 마이크로렌즈를 제공하는 것에 있다. 
     불포화 카르복실산 및 / 또는 불포화 카르복실산 무수물, 에폭시기 함유 불포화 화합물, 페놀골격 함유 불포화 화합물 및 상기 화합물 이외의 불포화 화합물의 공중합체, 및 1, 2-퀴논디아지드 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물.
Patent KR-100806921-B1 (KR)
Title: Radio control helicopter
Inventor: LEE KUM WOO
IPC: A63H27/133
Filed: 2006-11-07
Granted: 2008-02-22
Abstract: A radio control helicopter plate is provided to unify 90 and 120 degree-type swash plates that were used by being separately manufactured, and to promote flight stability by changing a position of a fuel tank. A radio control helicopter includes the swash plate comprising an upper plate, a spherical bearing, the lower plate(16), and a ball bearing. The lower plate has six link connection ends(21,22,23,24,25,26) integrally formed on the outer diameter surface at certain angles and having a shape that is vertically bent in an upper direction.
Patent KR-100846699-B1 (KR)
IPC: G03G15/20
Filed: 2006-11-16
Granted: 2008-07-16
Abstract: 본 발명은 면상발열 구조를 갖는 히팅롤러에 관한 것으로, 그 기술적 요지는 인쇄기기용 히팅롤러를 제조함에 있어서, 상기 히팅롤러의 제조공정에 따른 작업공수가 간소화되어 생산성이 향상되는 한편, 히팅롤러에 감겨 발열을 유도하는 발열코일의 자유로운 피치조절 확보로 인해 유동적인 작업성을 제공하며, 이에 발열코일을 포함한 면상발열체의 절연층 레이어가 단층으로 구성됨으로써, 히팅롤러의 외부로 빠르게 열을 전달하여 토너의 신속한 증착을 도모하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 면상발열 구조를 갖는 히팅롤러에 관한 것이다. 
     이를 위해, 본 발명은 인쇄기기용 히팅롤러에 있어서, 일정한 직경과 길이를 갖는 금속재의 인너파이프(100)와; 상기 인너파이프(100)의 규격에 맞춰 설정된 길이를 갖도록 형성되는 전도체의 발열코일(210)과, 상기 발열코일(210)의 양단에 융착되는 단자대(220)와, 상기 단자대(220)가 융착된 발열코일(210)의 양단을 포함하는 한편, 발열코일(210) 선단 전체가 몸체의 내부에 수용되며 인너파이프(100)의 외주면에 대해 설정된 피치 및 길이값에 맞춰 나선형으로 감기도록 형성되는 테이프 형상의 절연필름(230)이 구비되는 면상발열체(200)와; 상기 면상발열체(200)가 감겨진 인너파이프(100)는 확관방식에 의해 몸체 내부로 결합되도록 일정한 직경과 길이를 형성하되, 상기 몸체의 내,외측 면에는 발열에 따른 절연을 확보하기 위한 기초절연층(310)이 마련되고, 상기 몸체의 외주면에는 별도의 이형층(320)이 형성된 히팅파이프(300)가; 구성되어 이루어진다. 
     따라서, 본 발명은 기 가공된 절연필름 형태의 면상발열체로 인해 제조공정의 간소화가 실현되는 한편, 상기 면상발열체의 절연층 레이어의 감소로 인해 신속한 발열을 조장함은 물론, 상기 테이프 형태의 면상발열체는 인쇄기기 및 히팅롤러의 직경, 길이 등의 규격에 따라 피치 및 길이 조절이 유동적이고 자유로워 생산성 및 작업성이 개선되도록 하는 효과가 있다. 
       
     인쇄기기, 히팅롤러, 발열코일, 마이카(MICA), 이형층, 절연필름, 단자대, 확관
Patent KR-100765329-B1 (KR)
Title: Station for tranceiving data in wavelength division multiple access network, wavelength division multiple access network including the same, and method of media access controlling for wavelength division multiple access network
Inventor: YUN CHANG HO
IPC: H04L12/851
Filed: 2006-11-17
Granted: 2007-10-09
Abstract: A base station for transceiving data in a WDM(Wavelength Division Multiple) access network, the WDM access network including the same, and a media access method for the WDM access network are provided to enable transceiving base stations to transceive efficiently traffic through a traffic priority allocating process, thereby being suited to environment that various multimedia traffic is flowed. A base station(200) for transceiving data in a WDM(Wavelength Division Multiple) access network comprises the followings: a buffer unit(210) which stores traffic; a first transmitting unit(220) which transmits a control signal for preparing the transmission of data and transmits an admission signal in response to a received control signal; a first receiving unit(230) which receives the admission signal and receives the control signal; a second transmitting unit(240) which transmits the data according to the admission signal; a second receiving unit(250) which receives the transmitted data; and a priority estimating unit which determines an order of various multimedia traffic by priority allocation.
Patent KR-100824536-B1 (KR)
Title: Method of fabricating for semiconductor device
Inventor: PARK KYUNG MIN
IPC: H01L21/24
Filed: 2006-11-29
Granted: 2008-04-24
Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to reduce ohmic contact resistance of a metal layer by removing carbon impurities of a nickel silicide layer formed by an ALD(atomic layer deposition) method on a semiconductor substrate by a heat treatment. A gate oxide layer(30), a gate electrode(40) and a sidewall spacer(50) are formed on a semiconductor substrate(10). An ion implantation process is performed on the semiconductor substrate to form a source/drain region(60). A nickel silicide layer is formed on the resultant structure. Carbon including in the nickel silicide layer is out-diffused by a heat treatment. The carbon included in the nickel silicide layer is removed in a gas atmosphere by a heat treatment. In forming the nickel silicide layer, a precursor of a Ni-CxHy type is used by an ALD method.
Patent KR-100765154-B1 (KR)
Title: A leveling method at the slope
Inventor: CHO SUNG TAE
IPC: G01C5/00
Filed: 2006-12-05
Granted: 2007-10-15
Abstract: A measuring method for controlling front and rear distances when measuring the level of a slope is provided to minimize machine installation frequencies and thus to cut down time and cost required for an observation. A measuring method for controlling front and rear distances when measuring the level of a slope includes a step of keeping the minimum scanning distance and measuring a distance between front and rear level points by standing a measuring bar at the front and rear level points; a step of measuring a height difference of the measuring bar by using a leveling machine of a measuring point; a step of repeating the previous steps by moving the leveling machine and the measuring bar; and a step of removing a negative error by maintaining the sum of the front and rear distances.
Patent KR-100843419-B1 (KR)
IPC: H01L23/02
Filed: 2006-12-06
Granted: 2008-07-03
Abstract: 본 발명은, 표면에 외부전극이 형성된 다층 세라믹 기판과, 일면에 활성화 영역 및 본딩범프가 형성되며, 상기 본딩범프가 상기 세라믹 기판상의 외부전극에 연결되도록 플립칩 본딩되는 반도체 칩, 및 상기 세라믹 기판과 반도체 칩 사이에 형성되고, 상기 외부전극에 연결된 본딩범프 및 상기 활성화 영역을 밀폐시키는 캐비티를 갖는 수지시트층을 포함하는 반도체 칩 패키지 및 상기 반도체 칩 패키지 제조방법을 제공한다. 
       
     반도체 칩(semiconductor chip), 캐비티(cavity), 활성화 영역(circuit pattern)
Patent KR-100867825-B1 (KR)
IPC: B60K6/20
Filed: 2006-12-12
Granted: 2008-11-10
Abstract: 본 발명은 연료전지 하이브리드 전기차량의 비상시동제어방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 정상시동시에는 고전압 전력변환기가 고전압 배터리를 주동력원으로 사용하여 배터리 출력을 통해 연료전지 보기류 파워(Balace of Plant;이하BOP)를 구동하고, 연료전지를 출력을 낼 수 있는 상태로 만든 후 연료전지를 주동력원으로 사용하는 하이브리드 운행을 시작하고, 배터리 충전상태의 부족, 배터리 및 고전압 전력변환기가 고장난 경우에도 저전압 전력변환기의 부스팅(저전압에서 고전압으로 동력 전달 또는 승압함)을 통해 연료전지를 시동할 수 있도록 한 연료전지 하이브리드 전기차량의 비상시동제어방법에 관한 것이다. 
     이를 위해, 본 발명은 내부에 메인 버스단이 설치되고, 고전압 배터리를 부스팅하여 상기 메인 버스단에 고전압을 형성하는 PDU와; 상기 PDU의 내부에 설치되어 메인 버스단 및 MCU를 연결하는 MCU연결용 릴레이와; 상기 PDU의 내부에 설치되어 연료전지와 메인 버스단을 연결하는 연료전지연결용 릴레이;를 포함하여 구성되고, 상기 PDU가 고전압 배터리로 연료전지 보기류부품을 구동하여 연료전지를 시동하는 것을 특징으로 하는 연료전지 하이브리드 전기차량의 동력분배시스템을 제공한다. 
       
     연료전지, 하이브리드, PDU, MCU, 메인버스단, HDC, LDC, 보기류 부품
Patent KR-100850946-B1 (KR)
IPC: H04N21/4405
Filed: 2006-12-12
Granted: 2008-08-08
Abstract: 본 발명은 하나의 초기 치환을 이용한 데이터 암호화 알고리즘을 수행하는 방송 수신기의 제한 수신 방법에 있어서, 제한 수신 방송 신호를 복조하는 단계; 상기 복조된 방송 신호를 디스크램블링하여 출력하는 단계; 상기 출력된 방송 신호를 상기 초기 치환을 이용한 데이터 암호화 알고리즘을 사용하여 스크램블링하여 저장하는 단계; 및 상기 저장된 방송 신호를 호출하여 상기 초기 치환을 이용한 데이터 암호화 알고리즘을 사용하여 디스크램블링하는 단계를 포함하여 이루어진 제한 수신 방법 및 제한 수신 장치에 관한 것으로, 하나의 IP를 사용하여 스크램블러 및 디스크램블러의 역할을 수행할 수 있도록 하여 각각의 스크램블러 및 디스크램블러를 가져야 하는 설계의 부담을 줄일 수 있고, 하나의 스크램블러 및 디스크램블러의 IP를 가지고 다양한 애플리케이션에 다음과 같이 응용되도록 제공한다. 
       
     제한 수신, 복사 방지, DES
Patent KR-101359817-B1 (KR)
IPC: G06F3/14
Filed: 2006-12-12
Granted: 2014-02-11
Abstract: 본 발명은 화이트보드 서비스 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 화이트보드를 이용한 대화시 어느 한 사용자가 사생활 침해 등의 이유로 더 이상 대화를 진행하지 않기 위하여 대화창을 최소화한 경우에, 상대방 단말에 표시되는 그래픽을 제어하는 데이터를 전송하여 더 이상 대화창에 데이터를 입력하지 못하도록 함으로써 더 이상 사생활이 침해되는 것을 방지할 수 있다.   
       
     화이트보드, 최소화, 활성화
Patent KR-101280829-B1 (KR)
IPC: G02F1/13
Filed: 2006-12-15
Granted: 2013-07-05
Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 제작공정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액정의 탈포 장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 특징은 액정 탈포 공정 시, 저장용기가 안착되는 회전스테이지를 별도의 회전력을 갖는 제 1 및 제 2 회전스테이지로 나눠서 구성하고, 상기 제 1 및 제 2 회전스테이지 상에 홈을 구성하여, 상기 저장용기가 고정될 수 있도록 하는 것이다. 또한, 상기 홈에 고정되는 저장용기는 소정각도로 기울어지도록 구성하며, 상기 저장용기의 입구측에 탈포뚜겅을 탈착 가능하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.  
     이로 인하여, 액정의 탈포 능력이 향상되며, 액정의 탈포 과정이 더욱 수월해지게 된다. 또한, 저장용기의 파손 및 이물발생을 저감할 수 있다.  
                    
       
     액정, 탈포, 액정표시장치
Patent KR-101255081-B1 (KR)
IPC: H04M3/42
Filed: 2006-12-15
Granted: 2013-04-15
Abstract: 본 발명은 유선망에 연결된 적어도 하나의 단말기로부터 유선 전화번호 또는 이동 전화번호로 전송되는 단문 메시지를 수신하여 처리하는 단문 메시지 서비스 장치, 방법에 관한 것이다. 
     본 발명에서는 상기 단말기로부터 단문 메시지를 수신하고, 수신자 번호가 유선전화번호인지 판단한다.  상기 수신자 번호가 유선전화번호이면, 상기 단문 메시지의 크기를 소정의 제1 기준값 이하로 하여 단문 메시지를 생성하고, 상기 수신자 번호가 이동전화번호인 경우 상기 단문 메시지의 크기를 상기 제1 기준값보다 작은 제2 기준값 이하로 하여 단문 메시지를 생성하며, 생성된 메시지를 해당 수신자 번호로 전송하게 된다.  이렇게 유선망 단문 메시지 서비스 환경에서 유선 단문 메시지 단말기와 유선망 단문 메시지센터간에 송수신되는 단문메시지의 크기를 늘림으로써, 사용자가 입력할 수 있는 데이터 제한성으로 인한 불편함을 크게 개선하였고, 기존의 무선망 단문메시지센터에서 사용하는 단문메시지서비스센터의 기존 단문메시지 스펙을 그대로 사용할 수 있는 효과도 있다. 
       
     단문메시지, SMS, 무선망, 유선망
Patent KR-100780658-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing semiconductor device
Inventor: LEE KI LYOUNG
IPC: H01L21/336
Filed: 2006-12-27
Granted: 2007-11-30
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent an overlap of a doping region due to a cell channel ion implantation process and a junction region due to a subsequent source/drain ion implantation process by staying a pad nitride layer used in an isolation process. An isolation layer(34) is formed on a semiconductor substrate(31) by using a pad dielectric for isolation. A pad oxide layer and a pad nitride layer are sequentially formed on the semiconductor substrate. The pad oxide layer and the pad nitride layer are patterned. The exposed substrate is etched to form a trench for isolation. A dielectric is formed on the entire surface of the substrate including the trench. The dielectric is planarized until the pad nitride layer is exposed. A hard mask pattern for a recess is formed on an upper portion of the entire structure of the substrate including the pad dielectric. The pad dielectric and the substrate are etched by using the hard mask pattern as a mask to form a predetermined recess pattern. A cell channel ion implantation process is performed on the etched pad dielectric with an ion implantation barrier to form a local channel region(320). A gate pattern(38) is formed on the predetermined recess pattern.
Patent KR-100861834-B1 (KR)
IPC: H01L21/02
Filed: 2006-12-28
Granted: 2008-10-07
Abstract: 본 발명은 항온수 제어장치의 항온수 자동 세정장치로서, 항온수 공급관(102)에 연결되는 항온수 탱크(120)와, 항온수 탱크(120)내의 항온수를 순환하도록 작동하는 항온수 순환장치(140)와, 항온수 탱크(120)와 공정챔버(30)사이에 설치되어 항온수 탱크(120)의 항온수를 공정챔버(30)로 공급하는 유출관(112)과, 항온수 탱크(120)와 공정챔버(30)사이에 설치되어, 공정챔버(30)를 순환한 항온수를 항온수 탱크(120)로 유입하는 유입관(122)과, 유입관(122)에 부착되어 공정챔버(30)를 순환하는 항온수의 농도를 검출하는 농도 검출수단(160)과, 농도 검출수단(160)과 항온수 탱크(120)사이에 설치되어, 항온수 농도 검출수단(160)에 의해 검출된 항온수의 농도에 따라 항온수 탱크(120) 또는 외부로 드레인시키는 삼방 밸브(180)와, 농도 검출수단(160)에 의해 감지된 항온수의 농도에 따라 항온수 순환장치(140)와 삼방 밸브(180)의 작동을 제어하는 콘트롤러(200)를 포함한다. 
     본 발명에 의하면, 공정챔버를 순환한 항온수의 농도에 따라 새로운 항온수가 자동으로 보충됨으로서, 항온수 교체로 인한 인적/물적 손실을 방지하면서 작업시간의 단축으로 가동율을 향상하고 작업의 위험성도 예방하게 되는 효과를 가진다.  
       
      항온수, 온도 제어, 항온수 농도, 오버 플로우
Patent KR-100846737-B1 (KR)
IPC: H04B1/40
Filed: 2006-12-29
Granted: 2008-07-16
Abstract: 본 발명은 데이터 신호를 입력받는 데이터 입력부와, 캐리어 신호를 생성하는 발진부와, 결함 접지 구조를 구비하며 상기 데이터 신호를 기초로 상기 결함 접지 구조의 특성 임피던스를 제어하는 것에 의하여 상기 캐리어 신호를 변화시켜 출력하는 결함 접지 구조 변조부를 포함하는 결함 접지 구조를 이용한 무선 통신 단말기에 관한 것이다. 
     본 발명에 따르면, 결함 접지 구조의 특성 임피던스를 제어하는 것에 의해서 데이터 신호의 변조를 수행할 수 있어서 전력 소모의 최소화와 제조 비용의 최소화 및 단말기의 소형화가 요구되는 RFID 또는 USN 또는 UWB 등의 무선 통신 단말기에 적용이 가능하다. 
       
     결함 접지 구조, 특성 임피던스, 변조, ASK, PSK, FSK
Patent KR-101155060-B1 (KR)
Title: Method of manufacturing single crystal gallium nitride substrate
IPC: H01L33/02
Filed: 2006-12-29
Granted: 2012-06-11
Abstract: A method for manufacturing a single crystalline gallium nitride substrate is provided to restrain the propagation of a crack on the single crystalline gallium nitride by using a separation boundary layer. A separation boundary layer(120) is grown on a base substrate(110) by supplying a nitrogen source and a gallium source with 2:1 to 7:1 ratio. A gallium nitride thick layer(130) is grown on the separation boundary layer. A laser is irradiated on a boundary surface between the base substrate and the separation boundary surface to separate the base substrate. A thickness of the separation boundary layer is 10 mum to 30 mum. The nitrogen source is NH3 gas and the gallium source is GaCl gas. The laser irradiates a wavelength range of 345 to 385 nm. A nitriding process is performed on a surface of the base substrate.
Patent KR-100953781-B1 (KR)
IPC: B62B3/02
Filed: 2004-06-25
Granted: 2010-04-21
Abstract: 트롤리 또는 의자에서 축(2) 상의 어린이용 좌석(3)과 같은 모듈의 높이 조절용 장치(1)이며, 잠금 장치(1)는 부분적으로 또는 완전하게 축(2)을 둘러싸는 이동성 케이싱(4)을 포함하고,  마찰 요소(5)와 핸들(6)은 축(2)에 대하여 마찰 요소(5)를 조이기 위하여 편심적으로 회전하고 잠금 장치(1)와 축(2) 사이에 마찰을 제공하는 것을 특징으로 합니다.  어린이용 좌석(3)은 발판(20)을 포함할 수 있으며, 두 개의 레일(21)이 좌석으로 통합되는 가이드(22)에 수용되어서, 발판(20)이 좌석(3)에 대한 관계에서 삽통식으로 제거될 수 있다는 특징이 있습니다.   
       
     트롤리, 좌석, 케이싱, 잠금 장치, 핸들, 마찰 요소, 스프링, 발판, 가이드, 레일
Patent KR-101118072-B1 (KR)
Title: Method for producing a fibrous material
IPC: B29B17/00
Filed: 2004-07-07
Granted: 2012-02-24
Abstract: Method for producing a fibrous material for the manufacturing of preformed parts, in which a binder is added to the fibrous material and it is pressed into a preformed part upon application of heat, characterised in that a portion of particles of plastics and/or fibers from plastics is admixed to a particle or fiber mass of a first group of particles or fibers, the particle size of said particles from plastics and/or fibers from plastics approximately corresponding to the particle size of the particles or fibers of the first group, wherein the particles from plastics and/or fibers from plastics are obtained by crushing and/or defibrating agglomerates of pure or mixed plastics in a disc refiner, and that if necessary water is fed into the disc refiner during the crushing process.
Patent KR-100887526-B1 (KR)
Title: Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system
IPC: G06F13/16
Filed: 2004-07-08
Granted: 2009-03-09
Abstract: A memory hub for a memory module having a DMA engine for performing DMA operations in system memory. The memory hub includes a link interface for receiving memory requests for access at least one of the memory devices of the system memory, and further including a memory device interface for coupling to the memory devices, the memory device interface coupling memory requests to the memory devices for access to at least one of the memory devices. A switch for selectively coupling the link interface and the memory device interface is further included in the memory hub. Additionally, a direct memory access (DMA) engine is coupled through the switch to the memory device interface to generate memory requests for access to at least one of the memory devices to perform DMA operations.
Patent KR-101178143-B1 (KR)
IPC: C09K5/00
Filed: 2004-07-15
Granted: 2012-09-07
Abstract: 본 발명은 하나 이상의 화학식 I의 에틸렌계 불포화 에스테르 화합물(a) 1 내지 100중량%, 하나 이상의 화학식 II의 에틸렌계 불포화 에스테르 화합물(b) 0 내지 99중량% 및 공단량체(c) 0 내지 50중량%[에틸렌계 불포화 단량체의 총 중량 기준]로 이루어진 올레핀계 불포화 단량체의 혼합물을 중합시킴으로써 수득 가능한 알킬(메트)아크릴레이트 중합체(A) 1 내지 99중량%[기능성 유체의 총 중량 기준] 및 카복실산 에스테르, 폴리에테르 폴리올 및 유기인 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 산소 함유 화합물(B) 1 내지 99중량%[기능성 유체의 총 중량 기준]를 포함하는 기능성 유체에 관한 것이다. 
     화학식 I 
     
       
     
     화학식 II 
     
       
     
     위의 화학식 I 및 II에서, 
     R은 수소 또는 메틸이고, 
     R 1 은 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬 잔기이고, 
     R 2     및 R 3 은 독립적으로 수소 또는 화학식 -COOR'의 그룹(여기서, R'는 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬 그룹이다)이고, 
     R 4 는 탄소수 7 내지 40의 선형 또는 분지형 알킬 잔기이고, 
     R 5  및 R 6 은 독립적으로 수소 또는 화학식 -COOR"의 그룹(여기서, R"는 수소 또는 탄소수 7 내지 40의 알킬 그룹이다)이다. 
     에틸렌계 불포화 단량체, 올레핀계 불포화 단량체, 에틸렌계 불포화 에스테르 화합물, 알킬(메트)아크릴레이트, 카복실산 에스테르, 폴리에테르 폴리올, 유기인.
Patent KR-101189675-B1 (KR)
IPC: H01M4/86
Filed: 2004-09-18
Granted: 2012-10-11
Abstract: 본 발명은 촉매-코팅된 이온-도전성 멤브레인 및 전기 화학적 디바이스들, 특히 연료 전지용 멤브레인-전극 어셈블리(MEA)에 관한 것이다.  촉매-코팅된 이온-도전성 멤브레인은 촉매-코팅된 멤브레인의 전체 두께에 적어도 대응하는 두께를 갖고, 멤브레인의 한쪽 측면에 에지 영역 내에 도포된 시일링 물질을 구비한다.  이들의 단순한 물질-보존 구조 덕택에, 촉매-코팅된 이온-도전성 멤브레인들 및 그로부터 생산된 멤브레인-전극 어셈블리들은 저렴하게 제조될 수 있다.  이들은 PEM 연료 전지들, 직접 메탄올 연료 전지들(DMFCs), 전해조들 및 기타 전기 화학적 디바이스들에 사용된다.
Patent KR-100789286-B1 (KR)
IPC: H01L21/02
Filed: 2005-06-17
Granted: 2008-01-02
Abstract: 본 발명은 열전대 소선의 신뢰성을 높임과 동시에, 칩에 대한 적외선의 영향을 줄이고, 기판의 온도를 안정되고 정확하게 측정할 수 있는 기판온도측정장치 및 처리장치를 제공하는 것이다. 
     적외선을 반사되는 금속 재료로 되고, 열전대 소선(20a, 20b)의 삽입부(16a)를 가지고, 그 삽입부(16a)에 열전대 소선(20a, 20b)이 삽입된 상태에서 삽입부(16a)를 찌그리듯이 변형되어 열전대 소선(20a, 20b)과 일체로 되는 기판(13)에 접촉되는 칩(16)과, 이 칩(16)보다도 열전도율이 작은 재료로 되고, 칩(16)을 지지하는 지지부재{15b(l5c)}와를 구비한다.
Patent KR-100885753-B1 (KR)
IPC: H04L29/06
Filed: 2004-11-04
Granted: 2009-02-26
Abstract: 본 발명은 서버 및 클라이언트 간에 네트워크를 통해 메타-데이터 및 미디어-데이터를 포함하는 스트림가능한 파일을 스트리밍 또는 다운로딩하도록 하는 방법으로서, 상기 파일의 메타-데이터 중 적어도 일부분이 상기 클라이언트에 송신되고, 상기 송신된 메타-데이터가 적어도 상기 파일 내의 미디어-데이터 범위들의 위치들을 포함하는 방법에 관한 것이다. 상기 파일 내의 원하는 미디어-데이터 부분의 위치는 상기 수신된 메타-데이터를 기반으로 하여 결정된다. 상기 클라이언트에 전송될 미디어-데이터 범위를 상기 서버에 통지하라는 요구가 상기 서버에 전송된다. 상기 요구된 미디어-데이터 범위는 이후에 상기 클라이언트에 송신된다.
Patent KR-100783343-B1 (KR)
Title: Method for producing chlorosulfonyl isocyanate
IPC: C01C3/14
Filed: 2004-12-15
Granted: 2007-12-07
Abstract: A method for producing chlorosulfonyl isocyanate by reaction of sulfur trioxide with cyanogen chloride, wherein chlorosulfonyl isocyanate or a solution including chlorosulfonyl isocyanate is used as a reaction solvent, sulfur trioxide and cyanogen chloride which are respectively diluted with the chlorosulfonyl isocyanate or the solution including chlorosulfonyl isocyanate are added at the same time to a reaction system in an almost equimolar amount under reflux. By the production method of present invention, chlorosulfonyl isocyanate can be produced from sulfur trioxide and cyanogen chloride in which the yield of the chlorosulfonyl isocyanate is high, the method has excellent operability, number of equipments is reduced, and time for controlling the temperature is saved.
Patent KR-101134179-B1 (KR)
IPC: H04J99/00
Filed: 2005-01-28
Granted: 2012-04-09
Abstract: 적응형 전송 방식은 다중 레벨의 적응을 제공한다. 제 1 레벨에서, 선택은 제한된 피드백 또는 개방 루프 방식 및 리치 피드백 또는 폐쇄 루프 방식 사이에서 행해진다. 제 2 레벨의 적응에서, 다이버시티 모드가 선택된다. 부가적인 레벨의 적응이 사용될 수 있다. 
       
     MIMO 시스템, 다이버시티 모드, 제한된 피드백, 리치 피드백
Patent KR-100922462-B1 (KR)
IPC: F16H7/08
Filed: 2005-01-25
Granted: 2009-10-21
Abstract: 본 발명은 구동부 내에 일체된 적어도 하나의 체인 또는 동기 벨트 휠(3)과 스킵 방지부(13)를 포함하는 체인 또는 동기 벨트 구동부에 관한 것이며, 상기 휠(3)에 의해 체인 또는 동기 벨트(2)가 안내되고 맞물리며, 상기 스킵 방지부는 휠(3)에 대면하는 측면 상에서 체인 또는 동기 벨트(2)를 적어도 부분적으로 오버래핑하며,  상기 스킵 방지부(13)는 인접한 체인(10) 또는 인접한 동기 벨트를 안내하거나 인장시키는 요소(12) 상에 제공된다.  
       
     구동부, 체인 또는 동기 벨트 휠, 스킵 방지부, 인장 요소, 안내 요소
Patent KR-101159575-B1 (KR)
IPC: C07D/
Filed: 2005-01-28
Granted: 2012-07-06
Abstract: 펩티도유사 화합물은 C형 간염 바이러스(HCV)의 NS3 프로테아제를 저해하는 것으로 기재되어있다.   화합물은 명세서에 제공된 다양한 정의를 같은 일반식을 갖는다.   화합물은 천연 기질의 공칭 분열 부위에 대해 더욱 멀리 떨어진 저해제의 부분들 간의 신규한 연쇄(linkage)와 결합된 탄소환 P2 단위와  포함하고, 상기 연쇄는 분열 부위에 근접한 곳에 대해서 먼쪽 상의 펩타이드 결합의 배향을 역전시킨다.
Patent KR-100769380-B1 (KR)
IPC: H04W92/20
Filed: 2005-02-15
Granted: 2007-10-22
Abstract: 단말기가 3자간 핸드오버를 행할 때에, 단말기가 수신하는 패킷의 도착 순서가 송신 단말기의 송신 순서와 동일하게 하는 기술을 제공한다.  단말 장치가 복수의 무선 기지국 라우터에 연속해서 핸드오버했을 때, 핸드오버 중에는 앵커로 되는 무선 기지국 라우터가 단말 장치로의 패킷의 버퍼링을 행하고, 앵커로 되는 무선 기지국과 이동 무선 기지국 사이의 터널과, 앵커로 되는 무선 기지국과 이동처의 무선 기지국 사이의 터널을 절환하여 사용해서, 단말 장치로의 패킷의 전송을 행한다.    
       
     핸드오버, 패킷, 단말기, 제어부, 기지국, 앵커
Patent KR-101026287-B1 (KR)
IPC: H01M4/52
Filed: 2005-02-18
Granted: 2011-03-31
Abstract: 본 발명은 흑연 재료를 부극 활성 물질로서 포함하는 부극, 코발트산리튬을 정극 활성 물질의 주성분으로서 포함하는 정극, 및 비수성 전해액을 구비하는 비수성 전해질 이차 전지에 있어서, 코발트산리튬이 주기율표 IVA족 원소 및 IIA족 원소를 포함하며, 비수성 전해액이 술포닐기를 갖는 화합물을 0.2 내지 1.5 중량％ 포함하고 있고, 더욱 바람직하게는 비닐렌카르보네이트를 0.5 내지 4 중량％ 함유하고 있는 것을 특징으로 한다. 
     비수성 전해질 이차 전지, IVA족 원소, IIA족 원소, 술포닐기를 갖는 화합물, 비닐렌카르보네이트
Patent KR-100716770-B1 (KR)
Title: Recording medium, data recording method and apparatus, data reproducing method and apparatus, and copying control method
IPC: G06Q50/00
Filed: 2000-11-14
Granted: 2007-05-14
Abstract: Data is recorded in a first part PA1 in accordance with a signal format same as that of an existing CD at the lower limit (1.5  mu m) of an allowable value of a track pitch and the lower limit (1.2 m/sec) of a linear velocity. As a result, the data for the maximum regeneration time (74.7 min) can be recorded in the first part PA1. An existing CD reproducing apparatus can reproduce the audio data recorded in the first part PA1 with no problem. Moreover, compressed and encrypted audio data is recorded in a second part PA2 at a single density or a double density. The single density represents a recording density same as that of an existing CD and the double density represents a density two time larger than the single density. Furthermore, the audio data recorded in the second part PA2 is charged when reproduced in order to protect copyrights. The format of the data recorded in the second part PA2 uses the format of a CD-ROM.   <IMAGE>
Patent KR-100760348-B1 (KR)
IPC: B23K35/26
Filed: 2001-09-26
Granted: 2007-09-20
Abstract: 환경에 대해 악영향을 미치는 일이 없고, 종래의 Pb-Sn 땜납 합금에 필적하는 납땜성을 갖는 무연 땜납 합금을 사용한 땜납 접합부를 갖는 전기 또는 전자 기기를 제공한다. 
     본 발명은 Zn:3.0∼14.0wt%, Al:0.0020∼0.0080wt% 및 나머지:Sn 및 불가피적 불순물로 이루어지는 땜납 합금으로 구성되는 땜납 접합부를 포함한다.  또한, 본 발명은 Zn:3.0∼14.0wt%, Bi:3.0∼6.0wt%, Al:0.0020∼0.0100wt%, 및 나머지는 Sn 및 불가피적 불순물로 이루어지는 땜납 합금으로 구성되는 땜납 접합부를 포함한다. 
       
     땜납 합금, 땜납볼, 땜납 페이스트, 땜납 접합부