Patent DE-102014019690-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung einer Dichtung für eine flächeneffiziente Druckerfassungsvorrichtung
Inventor: DÖRING HOLGER
IPC: G01L9/06
Filed: 2014-10-31
Granted: 2018-10-11
Abstract: Verfahren zum Abdichten einer mikrofluidischen Verbindung zwischen- einer ersten Zugangsöffnung eines eines Hohlraums (210) in einer ersten Oberfläche eines als Drucksensor ausgebildeten ersten Wafer-Teils mit einer ersten Oberfläche und einer dritten Oberfläche und- einer zweiten Zugangsöffnung eines Durchlasses (134) in einem als integrierte Schaltung ausgebildeten zweiten Wafer-Teil in einer zweiten Oberfläche des zweiten Wafer-Teils mit einer zweiten Oberfläche und einer vierten Oberfläche,- wobei die integrierte Schaltung als Schaltungsteile (220, 222, 224, 226, 228) Verstärker und/oder Analog-zu-Digital-Wandler und/oder Digital-zu-Analog-Wandler und/oder Multiplexer und/oder Speicher und/oder Logikkomponenten und/oder Strom- und Spannungsregler umfasst, die sich an der zweiten Oberfläche befinden, umfassend die Schritte- Herstellen des Hohlraums (210) in dem ersten Wafer-Teil mit der ersten Zugangsöffnung in der ersten Oberfläche des ersten Wafer-Teils;- Herstellen des Durchlasses (134) von der zweiten zur vierten Oberfläche des zweiten Wafer-Teils in dem zweiten Wafer-Teil mit der zweiten Zugangsöffnung zu dem Durchlass (134) in der zweiten Oberfläche des des zweiten Wafer-Teils;Aufbringen eines Dichtungsmaterials zur Ausformung einer Dichtung - (840) auf der ersten Oberfläche• wobei das Dichtungsmaterial durch Adhäsion zumindest lokal mit der ersten Oberfläche in Form einer ersten mechanischen Verbindung mechanisch verbunden wird und• wobei das Dichtungsmaterial die erste Zugangsöffnung komplett umfasst und• wobei das Dichtungsmaterial die erste Zugangsöffnung freilässt und• wobei die so ausgeformte Dichtung (840) eine erste Dichtungsoberfläche aufweist, die mit der ersten Oberfläche durch Adhäsion nach dem Herstellen der Verbindung mechanisch verbunden ist, und eine zweite Dichtungsoberfläche aufweist, die nicht mit der ersten Oberfläche mechanisch verbunden ist.- Verbinden der zweiten Oberfläche mit der zweiten Dichtungsoberfläche durch Adhäsion in Form einer zweiten mechanischen Verbindung.• wobei das Dichtungsmaterial durch Adhäsion zumindest lokal mit der zweiten Oberfläche in Form einer zweiten mechanischen Verbindung mechanisch verbunden wird und• wobei das Dichtungsmaterial die zweite Zugangsöffnung komplett umfasst und• wobei das Dichtungsmaterial die zweite Zugangsöffnung freilässt und• wobei die so ausgeformte Dichtung (840) eine zweite Dichtungsoberfläche aufweist, die mit der zweiten Oberfläche durch Adhäsion nach dem Herstellen der Verbindung mechanisch verbunden ist und eine erste Dichtungsoberfläche aufweist, die nicht mit der zweiten Oberfläche mechanisch verbunden ist und- Ausführung eines Prozesses zur Herstellung halbleitender Strukturen,• auf der zweiten Oberfläche des zweiten Wafers und/oderdes zweiten Wafer-Teils• wobei der erste Wafer und/oder der erste Wafer-Teil und/oder der zweite Wafer und/oder der zweite Wafer-Teil aus Silizium gefertigt sind. dadurch gekennzeichnet• dass das Dichtungsmaterial zumindest ein Schaltungsteil der oben bezeichneten Schaltungsteile (220, 222, 224, 226, 228) auf der zweiten Oberfläche berührt und• dass das Dichtungsmaterial zumindest teilweise Silikon und/oder RTV Silikon ist.