baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102019202025-B4 (DE)
Title: System und Verfahren zum sicheren Betreiben eines automatisierten Fahrzeugs
Inventor: HIEMER MARCUS
IPC: B60W50/00
Filed: 2019-02-15
Granted: 2020-08-27
Abstract: Es wird ein System zum sicheren Betreiben eines automatisierten Fahrzeugs offenbart, mit einem ersten Netzwerk, mit einer High Performance ECU (30) die Signale von einer Mehrzahl von Sensoren (76-82) zur Orientierung, Steuerung und Kollisionsvermeidung verarbeitet, um eine Umgebungs- und Objekterkennung und Klassifizierung zu ermöglichen, um eine komplexe Bewegungssteuerung zu ermöglichen. Die High Performance ECU (30) ist mit einer sicheren Bewegungssteuerung Motion Control ECU (50) gekoppelt, die mit mindestens einem Antriebselement (90, 92, 94, 96) über mindestens zwei Steuersignale (51, 52) redundant zur Steuerung des Fahrzeugs (70) gekoppelt ist. Zusätzlich ist ein zweites, hierarchisches, redundantes-Netzwerk zum sicheren Betreiben des Fahrzeugs vorgesehen, das ein HMI/RM (5) mit zumindest einer Not-Aus-Schalteinrichtung, ein Ground Truth Sensing Device (10) zur Positionsbestimmung von Objekten relativ zum Fahrzeug, und eine Perception Safety ECU (40) aufweist, in Form eines Steuergerätes, das über sichere Verbindungen mit dem HMI/RMI (5), dem Ground Truth Sensing Device (10), und mindestens einem Radarsensor gekoppelt ist, um aus den übertragenen Signalen ein sicheres Kollisionsmeldesignal (41) abzuleiten, das der Motion Control ECU (50) über eine sichere Verbindung zugeführt ist, um die Signale der HMI/RMI (5), des Ground Truth Sensing Device (10) und der Perception Safety ECU (40) zur Erkennung eines Notzustands sicher auszuwerten, um das Fahrzeug (70) im Falle der Erkennung eines Notzustands über mindestens zwei Steuersignale (51, 52) redundant in einen sicheren Zustand zu steuern.
Patent DE-102021124531-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines Metallbauteils mit Bereichen unterschiedlicher Festigkeit
Inventor: Müller Björn
IPC: H05K3/22
Filed: 2021-09-22
Granted: 2024-01-18
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Metallbauteils mit Bereichen unterschiedlicher Festigkeit, wobei- eine Platine (2) auf Austenitisierungstemperatur erwärmt wird,- die Platine (2) in einem Ofen auf etwa Austenitisierungstemperatur gehalten wird, wobei- vorbestimmte Teilbereiche der Platine (2) durch eine Abschirmvorrichtung (1) abgeschirmt werden und auf eine Temperatur unterhalb der Austenitisierungstemperatur und oberhalb der Martensitstarttemperatur abkühlen, wobei- die Platine (2) nach einer Verweilzeit aus dem Ofen entnommen, in ein Umformwerkzeug eingebracht und darin zu einem Formteil umgeformt und abgekühlt wird, wobei das Formteil hochfeste Bereiche aufweist und in den zuvor abgeschirmten Teilbereichen eine geringere Festigkeit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass- die Abschirmvorrichtung (1) mehrteilig ist und aus mindestens einem ersten Abschirmteil (3,3'), sowie mindestens einem das erste Abschirmteil (3,3') zu dem kompletten Abschirmteil (3,3') ergänzenden zweiten und/oder weiteren Abschirmteil (4,4' bzw. 5,5') besteht, welches zur Erreichung einer optimalen Abschirmgeometrie von dem ersten Abschirmteil (3,3') gelöst und/oder an diesem verstellt wird, bis das zweite und/oder weitere Abschirmteil (4,4' bzw. 5,5') den vorbestimmten Bereich der Platine in einer Solllage überdeckt, wobei das zweite und/oder weitere Abschirmteil (4,4' bzw. 5,5') relativ zu dem ersten Abschirmteil (3,3') verstellt wird, sodass die Abschirmfläche vergrößert oder verkleinert wird, wobei die Verstellung mittels eines elektrischen Stellmotors erfolgt.
Patent DE-112005002773-B4 (DE)
Title: Reynolds-Zahl-Korrekturfunktion für einen Massenströmungsraten-Sensor
Inventor: SHAJII ALI
IPC: G01F1/684
Filed: 2005-11-07
Granted: 2021-07-22
Abstract: Strömungsraten-Sensor mit:- einem Sensorrohr und einem Nebenschlussrohr, die die Strömung durch den Strömungsraten-Sensor aufteilen, wobei ein Nebenschluss-Verhältnis des Strömungsraten-Sensors gleich der Gesamtströmungsrate durch den Strömungsraten-Sensor dividiert durch die Strömungsrate lediglich durch das Sensorrohr ist;- Heizelementen zum Erwärmen eines Stromaufwärts-Abschnittes und eines Stromabwärts-Abschnittes des Sensorrohres;- einer mit den Heizelementen verbundenen Schaltung zur Erzeugung einer Spannung auf der Grundlage einer Differenz des Widerstandes zwischen den Heizelementen, wobei die Spannung auf der Grundlage bekannter Strömungsraten eines Bezugsgases durch den Strömungsraten-Sensor kalibriert ist;- einen Prozessor, der mit der Schaltung verbunden ist, und der so programmiert ist, dass er die Strömungsrate durch den Strömungsraten-Sensor auf der Grundlage der kalibrierten Spannung von der Schaltung misst; und die gemessene Strömungsrate mit einer der Multigas-Korrekturfunktion und einer Reynolds-Zahl-Korrekturfunktion multipliziert, um die Unterschiede hinsichtlich der Nebenschluss-Verhältnisse des Bezugsgases und eines des gemessenen Gases zu kompensieren, wobei die Reynolds-Zahl-Korrekturfunktion gleich Folgendem ist:Qxn+1=Qxn[(1+C1ReRef+C2ReRef2+C3ReRef3)÷(1+C1Rex+C2Rex2+C3Rex3)]worinRex Reynolds-Zahl für ein Gas X = Qxn ρstpXd ÷ µXist,Q GesamtströmungρstpDichte bei Standardbedingungen,d ein charakteristischer Durchmesser der Strömung,µ absolute Viskosität,C1, C2und C3Polynom-Koeffizienten einer Nebenschlussverhältnis-Fehlerkurve gegenüber der Reynolds-Zahl sind, die experimentell bestimmt oder numerisch simuliert wird,Ref Bezugsgas (beispielsweise Stickstoff),X gemessenes Gas, undn Iterationszahl ist.
Patent DE-112007003634-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Reduzierung von Makrodefekten bei der Herstellung von Einkristallen oder einkristallinen Schichten
Inventor: HUSSY STEPHAN DIPL -ING
IPC: C30B29/44
Filed: 2007-10-23
Granted: 2018-05-09
Abstract: Verfahren zur Herstellung von Einkristallen oder einkristallinen Schichten mittels Lösungszüchtung, bei dem Stoffe für die Bildung der Einkristalle oder einkristallinen Schichten in eine Lösung (3) einer bestimmten Dichte eingebracht und durch Übersättigung der Lösung (3) an einem Keim oder einem Substrat (4) kontrolliert abgeschieden werden,
 - wobei der Keim oder das Substrat (4) bei der Lösungszüchtung in einem unteren Bereich eines von der Lösung (3) eingenommenen Volumens angeordnet wird, und
 - wobei die Dichte der Lösung (3) durch Zugabe zumindest eines die Dichte der Lösung (3) erhöhenden Zusatzstoffes, der sich von den Stoffen für die Bildung der Einkristalle oder einkristallinen Schichten unterscheidet, so erhöht wird, dass während der Lösungszüchtung in der Lösung (3) vorhandene oder entstehende Partikel in der Lösung (3) aufsteigen.
Patent DE-112008003011-B4 (DE)
Title: Wärmetauscher
Inventor: OH KWANG HUN
IPC: F28F9/22
Filed: 2008-11-07
Granted: 2023-03-23
Abstract: Wärmetauscher (100), umfassend:ein Paar von oberen und unteren Tanks (10) die parallel zueinander angeordnet und voneinander beabstandet angeordnet sind, undwobei bei beiden Tanks (10) bei geschlossenen Längsenden der Innenraum einen Kühlmittelkanal bildet und jeder der Tanks (10) wenigstens eine Trennwand (11), welche den Kühlmittelkanal entlang einer Breitenrichtung unterteilt, und wenigstens eine Leitplatte (12) umfasst, welche den Kühlmittelkanal entlang einer Längsrichtung unterteilt; wobei der Wärmetauscher (100) weiter umfasst:eine Vielzahl von Rohren (20), von denen jeweils ein Ende fest in jeweils einen Tank (10) eingeführt ist, um einen Kühlmittelkanal zu bilden; undeine Vielzahl von Lamellen (30), welche zwischen den Rohren (20) eingesetzt sind,wobei wenigstens zwei Durchgangslöcher (15) an der Trennwand (11) in einem Bereich zwischen der Leitplatte (12) und einem leitplattenseitigen Ende eines Tanks (10) ausgebildet sind, undwobei eine Entfernung von der Leitplatte (12) zu dem leitplattenseitigen Ende des Tanks (10) 100 % ist und wenigstens zwei Durchgangslöcher (15) an einer Position im rückwärtigen Raum der Leitplatte (12) an der Trennwand (11) ausgebildet sind, die einer Entfernung von der Leitplatte (12) von 0 bis 50 % entspricht; undwobei die wenigstens zwei Durchgangslöcher (15) so beabstandet sind, dass ein Querschnittsbereich (St) der Trennwand (11), der zwischen den wenigstens zwei Durchgangslöchern (15) liegt, in einem Bereich von 7 bis 20 mm2liegt.
Patent DE-112010001811-B4 (DE)
Title: Cu-Ni-Si-Mg-Legierung mit verbesserter Leitfähigkeit und Biegbarkeit
Inventor: KATO HIRONORI
IPC: H01B1/02
Filed: 2010-04-27
Granted: 2019-05-02
Abstract: Cu-Ni-Si-Mg-Legierung enthaltend 1,0 bis 4,5 Massen-% Ni, 0,16 bis 1,13 Massen-% Si, 0,05 bis 0,30 Massen-% Mg und den Restgehalt Kupfer und unvermeidbaren Verunreinigungen, wobei die Legierung Ni-Si-Mg-Präzipitate X und Ni-Si-Präzipitate Y umfasst, wobei die durchschnittliche Partikelgröße der Präzipitate X 0,05 bis 3,0 µm beträgt, wobei das Präzipitat X mit einer Partikelgröße von mehr als 10 µm in der Legierung nicht vorkommt und die durchschnittliche Partikelgröße der Präzipitate Y 0,01 bis 0,10 µm beträgt, wobei die Legierung 1,0 × 10bis 1,0 × 10Präzipitate X pro Quadratmillimeter in einer Querschnittsfläche rechtwinklig zu einer Walzrichtung enthält.
Patent DE-112011101173-B4 (DE)
Title: Expandierbare Verbund-Harzteilchen für die Gefrierlagerung, Verfahren zur Herstellung dieser, expandierter Formgegenstand, Verfahren zum Lagern von expandierbaren Verbund-Harzteilchen und gefriergelagerte expandierbare Verbund-Harzteilchen
Inventor: TSUTSUI YASUTAKA
IPC: B29K25/00
Filed: 2011-01-24
Granted: 2022-01-05
Abstract: Expandierbare Verbund-Harzteilchen für die Gefrierlagerung, umfassend: Verbund-Harzteilchen aus einem Harz auf Polyolefinbasis und einem Harz auf Polystyrolbasis; 7,5 bis 11 Gew.% eines flüchtigen Blasmittels, das in den Verbund-Harzteilchen enthalten ist und Pentan umfasst; 0,5 bis 1,5 Gew.% Feuchtigkeit, die an den Oberflächen der Verbund-Harzteilchen anhaftet; und 0,05 bis 0,5 Gew.% interne Feuchtigkeit.
Patent DE-112011103372-B4 (DE)
Title: Doppelkupplung
Inventor: NÖHL OLIVER
IPC: F16D21/06
Filed: 2011-09-21
Granted: 2020-09-24
Abstract: Doppelkupplung (3) mit axial hintereinander angeordneten und hydraulisch betätigten Einzelkupplungen für ein Doppelkupplungsgetriebe (2) in einem Antriebstrang eines Fahrzeuges, mit einer antriebseitig angeordneten Einzelkupplung, einer getriebeseitig angeordneten Einzelkupplung, einem angetriebenen Kupplungsgehäuse (4) und zwei Kolben-Zylinder-Einheiten, wobei eine erste der Einzelkupplungen das Kupplungsgehäuse mit einer ersten Getriebeeingangswelle und eine zweite der Einzelkupplungen das Kupplungsgehäuse mit einer zweiten Getriebeeingangswelle schaltbar verbindet, wobei das Kupplungsgehäuse (4) antriebseitig mit einer Antriebwelle und getriebeseitig mit bezüglich der Einzelkupplungen innenliegend angeordneten Eingangslamellenträgern (6, 7) verbunden ist und ein in die Doppelkupplung (3) eingeleitetes Eingangsmoment über das Kupplungsgehäuse (4) um die beiden Einzelkupplungen herum leitbar ist, wobei das Kupplungsgehäuse (4) einen ersten Abstützbereich für eine Betätigungskraft der getriebeseitig angeordneten Einzelkupplung aufweist und wobei ein vom ersten Abstützbereich unabhängiger zweiter Abstützbereich zur Abstützung einer Betätigungskraft der antriebseitig angeordneten Einzelkupplung vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet dass die Kolben-Zylinder-Einheiten jeweils einen Betätigungskolben (21, 22) und einen gemeinsamen Dichtungsträger (34) aufweisen, welche gemeinsam mit einem Teilbereich der Mantelfläche der Kupplungsnabe (5) einen separaten Betätigungsdruckraum bilden, wobei die Betätigungskolben (21, 22) jeweils über ein Federelement (28, 29) vorbelastet sind, das am Stützelement (14) bzw. am Verbindungs- und Abstützbereich des Kupplungsgehäuses abgestützt ist.
Patent DE-112012000939-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines Implantats mit mindestens einem Bereich mit einer Oberflächenstruktur, nach dem Verfahren hergestelltes Implantat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
Inventor: GUGLER CHRISTIAN
IPC: B21D37/12
Filed: 2012-02-15
Granted: 2015-07-16
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Implantats mit mindestens einem Bereich mit einer Oberflächenstruktur beinhaltend die Schritte: – Vorlegen eines Implantatgrundkörpers (1); – Einprägen einer Mehrzahl von in voneinander beabstandeten Reihen angeordneten Vertiefungen (4) auf einem Oberflächenabschnitt des Implantatgrundkörpers (1); und – Abtragen von Material zwischen den Reihen von Vertiefungen derart, dass auf dem Oberflächenabschnitt erhabene Strukturelemente (6) gebildet werden, welche durch die Vertiefungen (4) und durch die abgetragenen Stellen begrenzt sind.
Patent DE-112014006762-B4 (DE)
Title: Siliciumcarbid-Halbleiteranordnung
Inventor: TAKAKI YASUSHI
IPC: H01L29/739
Filed: 2014-06-27
Granted: 2021-09-30
Abstract: Siliciumcarbid-Halbleiteranordnung, aufweisend:• eine Epitaxialschicht (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die an einer Oberseite eines Siliciumcarbid-Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist;• einen Wannenbereich (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der teilweise in einer Oberflächenschicht der Epitaxialschicht (2) ausgebildet ist;• einen Source-Bereich (4) des ersten Leitfähigkeitstyps, der teilweise in einer Oberflächenschicht des Wannenbereichs (3) ausgebildet ist;• einen Kanalwiderstandseinstellbereich (6, 6a), der zwischen dem Source-Bereich (4) und der Epitaxialschicht (2) in der Oberflächenschicht des Wannenbereichs (3) angeordnet ist;• eine Gate-Elektrode (7), die an einer Oberseite des Kanalwiderstandseinstellbereichs (6, 6a) ausgebildet ist, mit einer Gate-Isolierschicht (8) dazwischen angeordnet;• eine Zwischenschichtisolierschicht (9), die ausgebildet ist, um die Gate-Elektrode (7) abzudecken;• eine Source-Elektrode (10), die an einer Oberseite der Zwischenschichtisolierschicht (9) und einer Oberseite des Source-Bereichs (4) ausgebildet ist; und• eine Drain-Elektrode (12), die an einer Unterseite des Siliciumcarbid-Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist,• wobei der Kanalwiderstandseinstellbereich (6, 6a) ein Bereich ist, in dem ein erster Störstellenbereich (6) des ersten Leitfähigkeitstyps mit Unterbrechungen in einer Richtung ausgebildet ist, die eine Richtung schneidet, in die der Source-Bereich (4) und die Epitaxialschicht (2) den Kanalwiderstandseinstellbereich (6, 6a) zwischen sich aufnehmen;• eine Störstellendichte des ersten Störstellenbereichs (6) höher ist als eine Störstellendichte der Epitaxialschicht (2).
Patent DE-112014006787-B4 (DE)
Title: Struktur zur Aufnahme einer Bordkücheneinheit für ein Flugzeug
Inventor: NOJIRI KENJI
IPC: B64D11/04
Filed: 2014-07-04
Granted: 2020-04-23
Abstract: Konstruktion zur Aufnahme einer Bordkücheneinheit (10) eines Flugzeugs, umfassend:eine Decke (14) eines Flugzeugrumpfes;einen Aufnahmeraum (16), der über der Decke (14)des Flugzeugrumpfes ausgebildet ist; undeinen Hubmechanismus (15) zum Anheben und Absenken einer Last zwischen dem Aufnahmeraum (16) und dem Bordküchenkorpus,wobei der Bordküchenkorpus einen Arbeitstisch (12) und ein Regal (13) umfasst, das an dem Arbeitstisch (12) montiert ist,und der Hubmechanismus (15) so ausgebildet ist, dass ein Anhebe- und Absenkvorgang der Last innerhalb eines projizierten Bereichs einer oberen Oberfläche des Arbeitstisches (12) durchgeführt wird.
Patent DE-112015000448-B4 (DE)
Title: Kreuzungspunktspeichervorspannungsschema
Inventor: FRANKLIN NATHAN
IPC: G11C8/08
Filed: 2015-03-09
Granted: 2020-12-31
Abstract: Vorrichtung (100), die Folgendes umfasst:eine Speichersteuereinheit (104), die ein Wortleitungssteuermodul, WL-Steuermodul, (114) und ein Bitleitungssteuermodul, BL-Steuermodul, (116) umfasst, wobei die Speichersteuereinheit (104) konfiguriert ist, die Auswahl einer Zielspeicherzelle (107) zu initiieren;ein Abfühlmodul (126), das konfiguriert ist zu bestimmen, ob die Zielspeicherzelle ausgewählt worden ist; undein C-Zellen-Vorspannungsmodul (124), das konfiguriert ist, eine C-Zellen-Vorspannung aufzubauen, falls die Zielzelle nicht ausgewählt ist; dadurch gekennzeichnet, dassdie Speichersteuereinheit (104) konfiguriert ist, eine Zielspeicherzellen-Vorspannungsspannung um einen Betrag zu erhöhen, der sich auf die C-Zellen-Vorspannung bezieht, falls die Zielzelle nicht ausgewählt ist.
Patent DE-112016003872-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Betreiben und unter Verwendung eines Parametrischen Josephson-Multimode-Umsetzers
Inventor: ABDO BALEEGH
IPC: H01L39/22
Filed: 2016-09-26
Granted: 2021-08-12
Abstract: Verfahren zum Betreiben eines parametrischen Josephson-Multimode-Umsetzers als quantenlimitierter Multimode-Verstärker, wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Josephson-Multimode-Umsetzers aufweisend einen Multimode-Josephson-Ringmodulator, bei dem es sich um ein nichtlineares, dispersives Element auf der Grundlage von vier nominell identischen Josephson-Übergängen handelt, die in einer Wheatstone-Brücken-Konfiguration angeordnet sind, und angepasst sind, eine Drei-Wellen-Mischung von Mikrowellensignalen an der Quantengrenze auszuführen, wobei der Josephson-Multimode-Umsetzer in zwei Multimode-Mikrowellenresonatoren enthalten ist, um einen nichtdegenerativen parametrischen Josephson-Multimode-Umsetzer zu bilden;paralleles Empfangen mehrerer Quantensignale bei verschiedenen Resonanzfrequenzen durch den parametrischen Josephson-Multimode-Umsetzer;gleichzeitiges Verstärken der mehreren Quantensignale gemäß Pumpsignalen, die an den parametrischen Josephson-Multimode-Umsetzer angelegt werden, durch den parametrischen Josephson-Multimode-Umsetzer; undReflektieren der mehreren Quantensignale, die bei den verschiedenen Resonanzfrequenzen verstärkt wurden, gemäß den Pumpsignalen,wobei es sich bei einer ersten Gruppe der verschiedenen Resonanzfrequenzen um Resonanzmoden eines ersten Multimode-Resonators der zwei Multimode-Mikrowellenresonatoren handelt;wobei es sich bei dem ersten Multimode-Resonator um eine erste linksgerichtete Übertragungsleitung handelt;wobei es sich bei einer zweiten Gruppe der verschiedenen Resonanzfrequenzen um Resonanzmoden eines zweiten Multimode-Resonators der zwei Multimode-Mikrowellenresonatoren handelt; undwobei es sich bei dem zweiten Multimode-Resonator um eine zweite linksgerichtete Übertragungsleitung handelt,wobei es sich bei einem ersten Pumpsignal um eine erste Frequenzsumme aus einer ersten Resonanzfrequenz in der ersten Gruppe und einer ersten Resonanzfrequenz in der zweiten Gruppe handelt, es sich bei einem zweiten Pumpsignal um eine zweite Frequenzsumme aus einer zweiten Resonanzfrequenz in der ersten Gruppe und einer zweiten Resonanzfrequenz in der zweiten Gruppe handelt, bis zu einem letzten Pumpsignal, bei dem es sich um eine letzte Frequenzsumme aus einer letzten Resonanzfrequenz in der ersten Gruppe und einer letzten Resonanzfrequenz in der zweiten Gruppe handelt, undwobei wenigstens eine Resonanzfrequenz von der ersten bis zur letzten Resonanzfrequenz in der ersten Gruppe dieselbe ist wie die erste bis zur letzten Resonanzfrequenz in der zweiten Gruppe.
Patent DE-112016004637-B4 (DE)
Title: Elektrische Verbindungsvorrichtung
Inventor: MATSUI HAJIME
IPC: H01R43/26
Filed: 2016-10-03
Granted: 2021-10-07
Abstract: Elektrische Verbindungsvorrichtung, umfassend:eine Verbindereinheit (2), welche eine Mehrzahl von ersten Verbindern (10) beinhaltet, wobei die Mehrzahl von ersten Verbindern (10) entlang einer spezifischen Anordnungsrichtung ausgerichtet ist;eine Mehrzahl von zweiten Verbindern (20), welche jeweils mit der Mehrzahl von ersten Verbindern (10) in einer Verbinder-Verbindungsrichtung normal auf die Anordnungsrichtung verbindbar sind; undein Verbinder-Verbindungswerkzeug (30) für ein Verbinden bzw. Anschließen der jeweiligen ersten Verbinder (10) und der jeweiligen zweiten Verbinder (20);wobei das Verbinder-Verbindungswerkzeug (30) lösbar die Mehrzahl von zweiten Verbindern (20) in einer Ausrichtung entsprechend derjenigen der Mehrzahl von ersten Verbindern (10) hält, so dass die ersten Verbinder (10) und die zweiten Verbinder (20) verbindbar sind;wobei eines der Verbindereinheit (2) und des Verbinder-Verbindungswerkzeugs (30) einen geführten Abschnitt (5) beinhaltet und das andere einen führenden Abschnitt (50) für ein Führen des geführten Abschnitts (5) beinhaltet, während er mit dem geführten Abschnitt (5) in Eingriff steht;wobei der führende Abschnitt (50) einen aufnehmenden Abschnitt (52), um den Eingriff der Verbindereinheit (2) und des Verbinder-Verbindungswerkzeugs (30) durch ein Aufnehmen des geführten Abschnitts (5) in einer aufnehmenden Richtung zu ermöglichen, welche eine Komponente einer Richtung parallel zu der Verbinder-Verbindungsrichtung aufweist, einen eine Verbindung führenden Abschnitt (54) für ein Erlauben, dass das Verbinder-Verbindungswerkzeug (30) in einer Werkzeug-Betätigungsrichtung parallel zu der Anordnungsrichtung relativ zu der Verbindereinheit (2) betätigt wird, wobei der geführte Abschnitt (5) in dem aufnehmenden Abschnitt (52) aufgenommen ist, und für ein Führen des geführten Abschnitts (5) in einer die Verbindung führenden Richtung, welche in Richtung zu der Verbinder-Verbindungsrichtung relativ zu einer Richtung parallel zu der Werkzeug-Betätigungsrichtung geneigt ist, um relativ das Verbinder-Verbindungswerkzeug (30) in der Verbinder-Verbindungsrichtung unter Bezugnahme auf die Verbindereinheit (2) mit einer Kraft größer als einer Betätigungskraft zu verlagern, welche durch das Verbinder-Verbindungswerkzeug (30) empfangen wird, wenn das Verbinder-Verbindungswerkzeug (30) betätigt wird, und einen eine Trennung erlaubenden Abschnitt (56) beinhaltet, um den geführten Abschnitt (5) in einer trennenden Richtung freizugeben, welche eine Komponente einer Richtung entgegengesetzt zu der aufnehmenden Richtung aufweist, um dem geführten Abschnitt (5) zu erlauben, von dem die Verbindung führenden Abschnitt (54) in der trennenden Richtung nach der Verbindung getrennt zu werden.
Patent DE-112016006642-B4 (DE)
Title: Eigenschaftsbewertungsvorrichtung für eine gasturbine und eigenschaftsbewertungsverfahren für eine gasturbine
Inventor: KISHI MAKOTO
IPC: G01M15/14
Filed: 2016-11-28
Granted: 2023-07-06
Abstract: Eigenschaftsbewertungsvorrichtung für eine Gasturbine (1), wobei die Gasturbine (1) einen Kompressor (11), der zum Komprimieren von Luft (A) ausgestaltet ist, einen Brenner (12), dem Treibstoff (F) zum Verbrennen der komprimierten Luft (A1), die vom Kompressor (11) komprimiert wurde, zugeführt wird, und eine Turbine (13), die ausgestaltet ist, um durch Brenngas, das von dem Brenner (12) erzeugt wird, rotiert zu werden, enthält, wobei die Vorrichtung umfasst:einen Prozessor (63), der ausgestaltet ist, um zu Gasturbineneigenschaften, einschließlich Eigenschaften von zumindest einem des Kompressors (11), des Brenners (12) und der Turbine (13), einen Korrekturwert zum Korrigieren des Einflusses aufgrund von Umgebungsbedingungen zu berechnen, denen die Gasturbine (1) ausgesetzt ist, beruhend auf Betriebsdaten der Gasturbine (1), um Gasturbineneigenschaften, die beruhend auf dem Korrekturwert berichtigt wurden, zu berechnen und um die Gasturbine (1) durch Vergleichen der Gasturbineneigenschaften nach der Korrektur mit einem vorgegebenen Bezugswert zu bewerten; wobeidie Betriebsdaten eine abgelaufene Zeit nach einer wiederholenden Inspektion der Gasturbine (1) enthalten.