Patent DE-112015005388-B4 (DE)
Title: Abtasttreiberschaltung für Oxidhalbleiter-Dünnschichttransistoren
Inventor: DAI CHAO
IPC: G09G3/20
Filed: 2015-01-12
Granted: 2020-12-10
Abstract: Abtasttreiberschaltung für Oxidhalbleiter-Dünnschichttransistoren, wobei die Schaltung eine in Kaskade geschaltete P-Anzahl an GOA-Einheiten umfasst, wobei jede GOA-Einheit einen Pull-Up-Steuerabschnitt, einen Pull-Up-Abschnitt, einen Übertragungsabschnitt, einen ersten Pull-Down-Abschnitt, einen Bootstrap-Kapazitätsabschnitt und einen Hauptinverterabschnitt umfasst; wobei die Abtasttreiberschaltung ferner einen Hilfsinverter umfasst, wobei in der Verbindungsbeziehung jeder Stufe der Hauptinverterabschnitt mit dem Hilfsinverter verbunden ist, um den entsprechenden Pull-Down-Halteschaltungsabschnitt der GOA-Einheit zu bilden; wobei P, N positive ganze Zahlen sind und N ≦ P ist; wobei in der Verbindungsbeziehung der N-ten Stufe der Hauptinverterabschnitt Folgendes umfasst:einen einundfünfzigsten Transistor (T51), wobei sowohl das Gate als auch das Drain des einundfünfzigsten Transistors mit einem konstanten hohen Potenzial (DCH) elektrisch verbunden sind, wobei die Source des einundfünfzigsten Transistors mit einem vierten Knoten (S(N)) elektrisch verbunden ist;einen zweiundfünfzigsten Transistor (T52), wobei das Gate des zweiundfünfzigsten Transistors mit dem ersten Knoten (Q(N)) elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des zweiundfünfzigsten Transistors mit dem vierten Knoten (S(N)) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des zweiundfünfzigsten Transistors mit dem ersten negativen Potenzial (VSS1) elektrisch verbunden ist;einen dreiundfünfzigsten Transistor (T53), wobei das Gate des dreiundfünfzigsten Transistors mit dem vierten Knoten (S(N)) elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des dreiundfünfzigsten Transistors mit einem konstanten hohen Potenzial (DCH) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des dreiundfünfzigsten Transistors mit dem zweiten Knoten (P(N)) elektrisch verbunden ist;einen vierundfünfzigsten Transistor (T54), wobei das Gate des vierundfünfzigsten Transistors mit dem ersten Knoten (Q(N)) elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des vierundfünfzigsten Transistors mit dem zweiten Knoten (P(N)) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des vierundfünfzigsten Transistors mit dem dritten Knoten (K) elektrisch verbunden ist;wobei der Hilfsinverter Folgendes umfasst:einen dreiundsiebzigsten Transistor (T73), wobei das Gate des dreiundsiebzigsten Transistors mit dem vierten Knoten (S(1)) des Hauptinverters in der Verbindungsbeziehung der ersten Stufe elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des dreiundsiebzigsten Transistors mit einem konstanten hohen Potenzial (DCH) elektrisch verbunden ist;einen vierundsiebzigsten Transistor (T74), wobei das Gate des vierundsiebzigsten Transistors mit dem vierten Knoten (S(P)) des Hauptinverters in der Verbindungsbeziehung der letzten Stufe elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des vierundsiebzigsten Transistors mit dem dritten Knoten (K) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des vierundsiebzigsten Transistors mit der Source des dreiundsiebzigsten Transistors (T73) elektrisch verbunden ist;einen fünfundsiebzigsten Transistor (T75), wobei das Gate des fünfundsiebzigsten Transistors mit dem ersten Knoten (Q(1)) des Hauptinverters in der Verbindungsbeziehung der ersten Stufe elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des fünfundsiebzigsten Transistors mit dem dritten Knoten (K) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des fünfundsiebzigsten Transistors mit dem konstanten niedrigen Potenzial (DCL) elektrisch verbunden ist;einen sechsundsiebzigsten Transistor (T76), wobei das Gate des sechsundsiebzigsten Transistors mit dem ersten Knoten (Q(P)) des Hauptinverters in der Verbindungsbeziehung der letzten Stufe elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des sechsundsiebzigsten Transistors mit dem konstanten niedrigen Potenzial (DCL) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des sechsundsiebzigsten Transistors mit dem dritten Knoten (K) elektrisch verbunden ist;wobei der Pull-Up-Abschnitt Folgendes umfasst:einen einundzwanzigsten Transistor (T21), wobei das Gate des einundzwanzigsten Transistors mit dem ersten Knoten (Q(N)) elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des einundzwanzigsten Transistors mit einem Taktsignal (CK(n)) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des einundzwanzigsten Transistors mit dem Ausgangsanschluss (G(N)) elektrisch verbunden ist;wobei der Übertragungsabschnitt Folgendes umfasst:einen zweiundzwanzigsten Transistor (T22), wobei das Gate des zweiundzwanzigsten Transistors mit dem ersten Knoten (Q(N)) elektrisch verbunden ist, wobei das Drain des zweiundzwanzigsten Transistors mit einem Taktsignal (CK(M)) elektrisch verbunden ist, wobei die Source des zweiundzwanzigsten Transistors mit dem Ansteuerausgangsanschluss (ST(N)) elektrisch verbunden ist;wobei sowohl die erste Wellenform des Signalausgangs des ersten Knotens (Q(1)) in der Verbindungsbeziehung der ersten Stufe als auch die zweite Wellenform des Signalausgangs des ersten Knotens (Q(P)) in der Verbindungsbeziehung der letzten Stufe der Abtasttreiberschaltung eine umgekehrte T-Form besitzen, wobei der Hilfsinverter gemäß dem Signal entsprechend dem Bereich, in dem sich die erste Wellenform und die zweite Wellenform überlagern, gesteuert wird.