baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I610363-B (TW)
Inventor: WATANABE HIKARU
IPC: H01L21/311
Filed: 2015-06-29
Granted: 2018-01-01
Abstract: 本發明提供一種被處理體之處理方法。依本發明之一實施形態的方法，對被處理體進行處理，以形成自氧化區域起通過二個隆起區域之間而到達至基底層為止的開口。該被處理體之處理方法，包含（1）於氧化區域，形成在二個隆起區域之間使氮化區域的第2部分露出之開口的步驟；以及（2）蝕刻開口內的氧化矽製之殘渣及第2部分的步驟。蝕刻殘渣及第2部分的步驟中，將被處理體暴露於具有含氫氣體及NF 3 
氣體的混合氣體之電漿而使殘渣及第2部分變質藉以形成變質區域，並將該變質區域去除。
Patent TW-I690631-B (TW)
Inventor: TORRES CANO ELISABETH
IPC: B82Y30/00
Filed: 2015-08-05
Granted: 2020-04-11
Abstract: 本發明係有關於反應性膠狀奈米晶體，其包含一包含一金屬或一半導體化合物或其混合物之核心與至少一聚硫醇配位基，其中該核心為至少一聚硫醇配位基所包圍。依據本發明，許多反應性膠狀奈米晶體能以單鍋合成法(one pot synthesis)製備，並且準備用來直接與該聚合物基材反應，以及與該聚合物基材交聯，以形成一些高品質且穩定之奈米晶體合成物。此外，本發明係有關於奈米晶體合成物，其包含一些本發明之奈米晶體與一聚合物基材。
Patent TW-I619797-B (TW)
Inventor: ISE TOSHIHIRO
IPC: C09K11/06
Filed: 2011-01-13
Granted: 2018-04-01
Abstract: 提供一種外部量子效率高、驅動電壓低、耐久性優異之有機電激發光元件。另提供一種驅動後之電壓上升部分的使用環境溫度依存性小之有機電激發光元件。一種發光性有機薄膜及使用此之有機電激發光元件，所述發光性有機薄膜含有至少一種通式(PQ-1)所表示之化合物與具有特定結構之烴化合物。
 
     
       
         
       
     
     (於通式(PQ-1)中，R a 、R b 、R c 分別獨立地表示氫原子或烷基，R a 、R b 、R c 之任一個表示氫原子，其餘二個表示烷基。R 1 ~R 5 分別獨立地表示氫原子、烷基、芳基、氟原子、或氰基。R X 及R Y 分別獨立地表示烷基或苯基。)
Patent TW-I638891-B (TW)
Inventor: CHEN CHANG CHIEH
IPC: C12R1/145
Filed: 2015-09-01
Granted: 2018-10-21
Abstract: 一種微生物共培養系統(co-culture system)，其係包含：(1)一基質，其係含有一醣類；(2)一第一菌株及一第二菌株之至少一者，其中該第一菌株係具有固定一碳氧化物的能力，該第二菌株係具有於發酵反應中代謝一胺基酸的能力，且其中該第一菌株係於發酵反應中產生一第一代謝物，該第二菌株係於發酵反應中產生一第二代謝物；以及(3)一第三菌株，其具有於發酵反應中代謝該醣類、該第一代謝物及該第二代謝物以生成丁酸及/或丁醇的能力，其中，當於該共培養系統存在該第二菌株時，該基質更含有該胺基酸。
Patent TW-I661005-B (TW)
Title: 聚醯胺酸、聚醯亞胺、樹脂膜及覆金屬積層板
Inventor: ANDO TOMONORI
IPC: C08L79/08
Filed: 2015-09-30
Granted: 2019-06-01
Abstract: 聚醯胺酸是使二胺成分、與包含四羧酸酐的酸酐成分反應而得。相對於全部二胺成分，二胺成分在10莫耳%～60莫耳%的範圍內包含通式（i）所示的二胺化合物，相對於全部酸酐成分，酸酐成分在50莫耳%～100莫耳%的範圍內包含選自由均苯四羧酸二酐（PMDA）及3,3'4,4'-聯苯四羧酸二酐（BPDA）所組成的組群中的一種以上的四羧酸酐； [化1] [式中，R表示碳數1～8的烷基，p表示1～4的數；此處，在p為2以上時，R可獨立地取不同的碳數]。
Patent TW-I614730-B (TW)
Inventor: CHANG TING-WEI
IPC: H04W4/90
Filed: 2015-10-16
Granted: 2018-02-11
Abstract: 一種災害救援伺服器，包括：通訊單元，用於與一個或複數電子裝置通訊連接；儲存單元，用於接收所述電子裝置上傳的位置資訊及識別碼，並按所述識別碼分類儲存所述位置資訊；處理單元，用於在儲存的所述位置資訊的數量達到預設值時，根據所述位置資訊確定所述電子裝置的近期所處區域，在所述近期所處區域發生災害時，發送確認資訊至所述電子裝置以確認該電子裝置的用戶是否需要救援，及在所述用戶需要救援時，獲取所述電子裝置的識別碼及最新位置資訊，以生成待救援的用戶的資訊清單；及輸入輸出單元，用於輸出所述資訊清單。
Patent TW-I653718-B (TW)
Inventor: LEE KUO YUAN
IPC: H01L23/52
Filed: 2016-01-11
Granted: 2019-03-11
Abstract: 揭示一種記憶體封裝件之預燒板。電路板主體設置有複數個IC插座，矩陣排列在複數行與複數列中。第一訊號線路與第二訊號線路形成於電路板主體中，每一第一訊號線路以匯流排之方式並聯分散地連接至同一列IC插座的複數個資料線腳位，並連接至對應第一訊號金手指。每一第二訊號線路單獨連接至對應IC插座的一個對應非資料線腳位。電路板主體具有至少一跳線/排線連接座，第二訊號線路與第二訊號金手指電性連接至跳線/排線連接座；或者，每一第二訊號線路個別地連接至對應之第二訊號金手指。藉由改善預燒板結構，以實現減少元件載入與載出的預燒流程。
Patent TW-I612969-B (TW)
Inventor: LIN YU-CHIN
IPC: A61K36/19
Filed: 2016-01-25
Granted: 2018-02-01
Abstract: 本發明係關於一種穿心蓮(Andrographis paniculata，AP)之有機溶劑萃取物，包括將穿心蓮之乾燥莖之乙醇粗萃取物以乙醇、正己烷、正丁醇與乙酸乙酯等有機溶劑進行萃取、濃縮及乾燥而得。本發明之穿心蓮有機溶劑萃取物包含具有降血糖藥理活性的成分(active ingredient, APai)，主要包含230 - 400 mg/g穿心蓮內酯（Andrographolides, A）、50 - 90 mg/g新穿心蓮內酯(Neoandrographolide, NA)及20 - 50 mg/g去氧去氫穿心蓮內酯(14-deoxy-11,12- dehydrogen-andrographolide, DDA)，可用於製備降血糖藥物。
Patent TW-I693468-B (TW)
Title: 感光性樹脂組成物及電子零件
Inventor: KOYAMA YUTARO
IPC: H01L21/027
Filed: 2016-03-02
Granted: 2020-05-11
Abstract: 本發明在用於感光性樹脂組成物時，提供一種具有高伸度、低應力性、高感度、高殘膜率的樹脂。
 
     一種感光性樹脂組成物，其含有具有以通式(1)及/或(2)表示之結構之樹脂，該樹脂之特徵在於：(a)含有10~80莫耳%之作為通式(1)及(2)的R 1 之具有脂環結構的碳數4~40的有機基，(b)含有10~80莫耳%之作為通式(1)及(2)的R 2 之具有碳數20~100的聚醚結構的有機基。
 
     
       
         
       
     
     (通式(1)及(2)中，R 1 係表示具有單環式或縮合多環式的脂環結構之碳數4~40的4價有機基，R 2 係表示具有碳數20~100的聚醚結構的2價有機基，R 3 係表示氫或碳
數1~20的有機基，n1、n2係各自表示10~100,000之範圍，p、q係表示符合0≦p+q≦6之整數。)
Patent TW-I747828-B (TW)
Title: 具有氣隙間隔層的電晶體
Inventor: LEE CHEN GUAN
IPC: H01L21/764
Filed: 2016-06-13
Granted: 2021-12-01
Abstract: 可製造微電子電晶體而具有形成為閘極側壁間隔層的氣隙間隔層，使得氣隙間隔層位於閘極電極與微電子電晶體之源極接點及/或汲極接點之間。當氣態物質的介電常數明顯地低於固態或者半固態介電材料之介電常數時，氣隙間隔層可造成閘極電極與源極接點及/或汲極接點之間最小的電容耦合，其可降低微電子電晶體之電路延遲。
Patent TW-I651832-B (TW)
Inventor: KATO KIYOSHI
IPC: H01L27/108
Filed: 2011-10-21
Granted: 2019-02-21
Abstract: 本發明提供一種新結構的半導體裝置，其中即使在沒有供應電力的情況下也可以保持儲存資料，且對寫入次數也沒有限制。一種半導體裝置，該半導體裝置為將使用氧化物半導體的電晶體(作更廣義解釋，截止電流足夠小的電晶體)的儲存電路和採用使用氧化物半導體以外的材料的電晶體(換言之，能夠進行充分高速工作的電晶體)的驅動電路等的週邊電路形成為一體的半導體裝置。此外，藉由在下部設置週邊電路，在上部設置儲存電路，可以實現半導體裝置的面積的縮小化及小型化。
Patent TW-I706322-B (TW)
Inventor: HUGHES CHRISTOPHER
IPC: G06F9/30
Filed: 2016-08-19
Granted: 2020-10-01
Abstract: A processor includes a decode unit to decode an instruction indicating a source packed data operand having source data elements and indicating a destination storage location. Each of the source data elements has a source data element value and a source data element position. An execution unit, in response to the instruction, stores a result packed data operand having result data elements each having a result data element value and a result data element position. Each result data element value is one of: (1) equal to a source data element position of a source data element, closest to one end of the source operand, having a source data element value equal to the result data element position of the result data element; and (2) a replacement value, when no source data element has a source data element value equal to the result data element position of the result data element.
Patent TW-I687457-B (TW)
Inventor: TSAI TSUNG PEI
IPC: C08L79/08
Filed: 2016-08-24
Granted: 2020-03-11
Abstract: 本發明係有關一種液晶配向劑，該液晶配向劑包含聚合物(A)及溶劑(B)，其中該聚合物(A)係選自由聚醯胺酸聚合物、聚醯亞胺聚合物、聚醯亞胺系嵌段共聚合物及上述聚合物的任意組合所組成之群。根據本發明之液晶配向劑，其可形成預傾角安定性佳之液晶配向膜。此外，本發明亦提供一種由上述液晶配向劑所形成之液晶配向膜、一種液晶配向膜之製造方法及一種包含上述配向膜之液晶顯示元件。
Patent TW-I656444-B (TW)
Title: Scope external reference detecting device, method and recording medium
Inventor: HIGUCHI YURI
IPC: G06F12/10
Filed: 2016-09-13
Granted: 2019-04-11
Abstract: 為了能夠快速進行範圍外參照判定，從將記憶有區段的基底位址之基底位址寄存器的基底位址寄存器編號、與顯示可從該基底位址連續參照之記憶體尺寸的罩幕值之間的對應關係予以記憶之罩幕值記憶部，取得特定的有效位址之與前述基底位址暫存器編號對應的前述罩幕值，判定前述有效位址是否超過前述罩幕值的範圍，輸出前述判定結果。
Patent TW-I646267-B (TW)
Inventor: BERGFJORD MATHIAS
IPC: F16B25/04
Filed: 2016-09-23
Granted: 2019-01-01
Abstract: 一種螺釘(10)，其包括一尖端(11)；一頭部(12)，其用於容置一工具，以繞著該螺釘(10)的一轉動軸線(17)轉動該螺釘(10)；以及一螺紋(15)，其從該尖端(11)朝向該頭部(12)延伸，該螺紋(15)具有一螺紋深度(w)，其沿著該螺釘(10)的一長度變化，介於一最小的螺紋深度以及一最大的螺紋深度(w max )之間，其中，該螺紋(15)包括一尖端螺紋部分(18)，其沿著繞著該螺釘(10)的該轉動軸線(17)的一半轉或更少轉延伸，且展現出一在該尖端螺紋部分(18)內相當於該最大的螺紋深度(w max )的至少一半的螺紋深度增量(△w 1 )。藉此，一被減小的軸向作用力被需要用於該螺釘的起始進入一工件。
Patent TW-I778943-B (TW)
Title: Anti-tigit antigen-binding proteins and methods of use thereof
Inventor: HICKLIN DANIEL
IPC: A61P35/00
Filed: 2016-09-29
Granted: 2022-10-01
Abstract: Provided herein are antigen-binding proteins (ABPs) that selectively bind to TIGIT and its isoforms and homologs, and compositions comprising the ABPs. Also provided are methods of using the ABPs, such as therapeutic and diagnostic methods.
Patent TW-I646050-B (TW)
Inventor: CHEN CHIH-YUNG
IPC: C01B32/50
Filed: 2016-12-02
Granted: 2019-01-01
Abstract: 一種二氧化碳收集方法，包含以下步驟：將一捕捉劑溶液與一含有二氧化碳的待處理物接觸，以獲得一已捕捉二氧化碳的捕捉劑溶液，其中，該捕捉劑溶液含有至少一種用於捕捉二氧化碳的捕捉劑，該捕捉劑是選自於磷酸鉀、乙二胺四乙酸四鉀或總碳數為12以下之單質子羧酸的鉀鹽。本發明二氧化碳收集方法透過使用含有該特定捕捉劑的捕捉劑溶液能有效地從該待處理物中捕捉二氧化碳。
Patent TW-I732811-B (TW)
Title: 電子筆、電子筆本體部及電子筆本體部之製法
Inventor: KAMIYAMA Ryoji
IPC: G06F3/046
Filed: 2016-12-20
Granted: 2021-07-11
Abstract: 提供一種防塵、防水能力為高之電子筆。
 
     該電子筆，係為在筒狀之外部框體的中空部內，至少收容有用以實現包含芯體之電子筆之功能的構成構件、和被配置有此構成構件之至少一部分之電路基板。在被收容於外部框體之中空部內的筒狀之內部框體之中空部內，係被收容有構成構件和電路基板，並且，在芯體之前端部為從內部框體之軸心方向之其中一側之第1開口部而突出於外部的狀態下，芯體係被收容於內部框體中。將內部框體之中空部內藉由樹脂來作填充。
Patent TW-I731012-B (TW)
Title: 光學層合體
Inventor: OZAWA SHOICHI
IPC: G02B1/10
Filed: 2016-12-27
Granted: 2021-06-21
Abstract: 本發明提供一種對於400nm附近的短波長之可見光顯示出高吸收選擇性而具有高耐光性，且使用於顯示裝置時，可得到良好的顯示特性之光學層合體。
 
     
     
       一種含有至少1個偏光板，與至少1個黏著劑層的光學層合體，其為滿足下述式(1)及(2)之光學層合體：A(400)≧0.5   (1) A(420)/A(400)≦0.3   (2)(式中，A(400)表示偏光板之穿透方向中的波長400nm中之光學層合體的吸光度，A(420)表示偏光板之穿透方向中的波長420nm中之光學層合體的吸光度)。
Patent TW-I733730-B (TW)
Inventor: TREASURER URVEE Y
IPC: C09D161/32
Filed: 2016-12-28
Granted: 2021-07-21
Abstract: 本發明係關於至少一環脲U、至少一多官能基醛類A、以及至少一多元醇P之反應產物H，其製備方法與包含其之組成物。
Patent TW-I610041-B (TW)
Title: 用於液壓調節器的電磁閥體結構及其表面處裡方法
Inventor: LIN BO JUN
IPC: F16K31/04
Filed: 2017-01-09
Granted: 2018-01-01
Abstract: 一種用於液壓調節器的電磁閥體結構及其表面處裡方法，其中，該表面處裡方法係具有一提供步驟、一第一研磨步驟及一第二研磨步驟，而該電磁閥體結構係包含有一閥柱體，其係具有一第一連接部、一第二連接部及一環狀片體；一保護層，係形成於該第二連接部之外側表面，且其表面微紋理之核心粗糙度深度(Rk)為0.45μm以下； 藉此，本發明係透過該保護層的表面微紋理之核心粗糙度深度(Rk)皆為0.45μm以下之設置，以提升該保護層之微紋理的存油量，從而提升該閥柱體之耐磨性。
Patent TW-I613326-B (TW)
Title: 表面具有含Ｎｉ及Ｏ覆膜之不銹鋼鋼板及其製造方法
Inventor: HIRASAWA JUNICHIRO
IPC: C23C30/00
Filed: 2017-01-12
Granted: 2018-02-01
Abstract: 本發明提供一種焊接熔透性及耐間隙腐蝕性優異之於表面具有含Ni及O覆膜之不銹鋼鋼板及其製造方法。
 
     本發明係一種表面具有含Ni及O覆膜之不銹鋼鋼板及其製造方法，該不銹鋼鋼板於表面具有含Ni及O之覆膜，上述含Ni及O覆膜之附著量為0.1g/m 2 以上且20g/m 2 以下，上述含Ni及O覆膜之組成以原子數%計含有25%以上且60%以下之Ni、及40%以上且70%以下之O。
Patent TW-I660055-B (TW)
Title: 銅箔、覆銅積層板、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法、傳輸線之製造方法及天線之製造方法
Inventor: FUKUCHI RYO
IPC: H05K1/09
Filed: 2017-01-13
Granted: 2019-05-21
Abstract: 本發明提供一種電路加工性良好，即使用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之銅箔及覆銅積層板。本發明係一種銅箔，針對銅箔之光澤面側之表面，利用雷射顯微鏡所測得之表面粗糙度Ra為0.25μm以下，且利用雷射顯微鏡所測得之表面粗糙度Rz為1.10μm以下，並且該銅箔在200℃加熱30分鐘之後或在130℃加熱30分鐘之後或在300℃加熱30分鐘之後具有層狀結構。
Patent TW-I686912-B (TW)
Inventor: LEE HONG-JI
IPC: H01L23/528
Filed: 2017-01-24
Granted: 2020-03-01
Abstract: An interconnect structure including a substrate, a dielectric layer, a first conductive pattern, and a second conductive pattern is provided. The dielectric layer is disposed on the substrate and has an opening. The first conductive pattern is disposed in the opening. The second conductive pattern is disposed on the first conductive pattern and exposes an exposed portion of the first conductive pattern. The exposed portion of the first conductive pattern has a notch.
Patent TW-I641045-B (TW)
Inventor: MIENO FUMITAKE
IPC: H01L21/78
Filed: 2017-02-06
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本發明提供一種蝕刻方法、蝕刻裝置及半導體晶圓分割方法。其中一種半導體晶圓分割方法包括如下步驟：提供一半導體晶圓，所述半導體晶圓上形成有多個積體電路，所述多個積體電路之間設有間隙；利用噴嘴發射雷射並噴出電漿蝕刻氣體對所述多個積體電路之間的間隙進行蝕刻，使所述多個積體電路一一分離。本發明提出了利用利用噴嘴發射雷射並噴出電漿蝕刻氣體進行蝕刻的方法及裝置，從而可利用該方法及裝置實現半導體晶圓的分割。本發明的半導體晶圓分割方法避免了採用傳統切割刀劃片造成的應力，有效減少了劃片造成的崩邊、碎片等問題，適用于薄晶圓的劃片分割，並且方法簡單、快速、高效。
Patent TW-I782905-B (TW)
Inventor: KINOSHITA TAKEHIRO
IPC: C08F290/12
Filed: 2017-02-21
Granted: 2022-11-11
Abstract: 本發明係以提供一種得到分子量之充分再現性，且殘存單體量少之使用自由基聚合的樹脂之製造方法作為目的。
 
     為了達成上述目的，本發明係提供一種樹脂之製造方法，其係包含於反應容器添加自由基聚合性單體及熱自由基聚合起始劑、及以較該熱自由基聚合起始劑之10小時半衰期溫度更高20~70℃的溫度使該自由基聚合性單體聚合。
Patent TW-I612017-B (TW)
Inventor: BOOKBINDER DANA CRAIG
IPC: C03C3/083
Filed: 2012-11-09
Granted: 2018-01-21
Abstract: 本案揭示用於強化具有強度限制性表面瑕疵之玻璃製品的方法，且連帶揭示利用此等方法所製成之強化玻璃製品及包含該強化玻璃製品之電子裝置。該等方法大體上涉及使玻璃製品與實質不含氟化物的水性酸處理介質接觸一段時間，且接觸的時間至少足以提高該玻璃製品的破壞失效點。
Patent TW-I632532-B (TW)
Title: Chaos prediction device and chaotic prediction method
Inventor: MATSUDA YUKINARI
IPC: G08B27/00
Filed: 2017-04-05
Granted: 2018-08-11
Abstract: 資訊抽出部(10)，使用感測器(2)輸出的計測資料，產生表示各個人物的移動情況的人物移動特性資訊。相關分析部(11)，使用人物移動特性資訊，產生將人物區分為群體的群體資訊。資訊修正部(12)產生表示群體的移動情況的群體移動特性資訊。混亂預測部(13)，使用群體移動特性資訊進行混亂預測的演算。
Patent TW-I623176-B (TW)
Inventor: HORNG ALEX
IPC: H02K15/02
Filed: 2017-04-11
Granted: 2018-05-01
Abstract: 一種內轉子馬達之定子構造，包含數個芯件，各芯件具有二定位柱及一組插銷孔，該組插銷孔係為數個插銷孔，該定位柱與該組插銷孔的至少一插銷孔相互錯位，將至少一導入銷及至少一導出銷插置於該數個芯件的插銷孔，使同一相線圈的導入銷及導出銷位於相鄰二插銷孔，在同一相線圈中的導線包含一導入段、一跨接段及一導出段，該導入段纏繞於該導入銷，且位於該跨接段徑向遠離該轉子容置空間之一側，該導出段由該跨接段徑向鄰近該轉子容置空間之一側，該導出段朝離該導出銷最近的定位柱延伸並以一既定角度朝該導出銷反折延伸後纏繞於該導出銷。
Patent TW-I675843-B (TW)
Inventor: LIU SHIH-JEN
IPC: C07K14/705
Filed: 2017-05-04
Granted: 2019-11-01
Abstract: 本揭露關於一種包含序列CLDSLGQWN(SEQ ID NO：2)之免疫原胜肽，以及使用此胜肽治療癌症之方法。
Patent TW-I718300-B (TW)
Inventor: LEE WON SANG
IPC: H01L29/778
Filed: 2017-05-11
Granted: 2021-02-11
Abstract: 提供具有汲極場板的HEMT。汲極場板形成在HEMT的閘極和汲極之間的區域中，該汲極場板包括具有比汲極接墊更大的投影區域的金屬接墊。汲極場板和設置在汲極場板下方的半導體層形成金屬-半導體(M-S)蕭特基結構。M-S蕭特基結構的電容在半導體區域中產生電容，這增加了HEMT的電晶體元件的崩潰電壓。可以移除主動區下方基板的一部分，從而增加熱傳導並降低HEMT的電晶體元件的接面溫度。
Patent TW-I781101-B (TW)
Title: 包括互連結構之半導體系統及裝置封裝
Inventor: CHEN CHIEN-HUA
IPC: H05K3/40
Filed: 2017-05-11
Granted: 2022-10-21
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置封裝，其包括：一半導體晶片；一玻璃基板，其具有面向該半導體晶片之一第一表面及與該第一表面對置之一第二表面，該玻璃基板界定自該第一表面貫穿該玻璃基板至該第二表面的一孔；一互連結構，其安置於該孔中；及一導電凸塊，其鄰近該互連結構安置且自該第二表面突出，其中該導電凸塊及該互連結構包括一相同材料。
Patent TW-I656427-B (TW)
Inventor: SISTLA KRISHNAKANTH
IPC: G06F1/32
Filed: 2015-11-19
Granted: 2019-04-11
Abstract: 在實施例中，一種處理器包括至少一個核心和功率管理邏輯。該功率管理邏輯係用以從在包括該處理器的封裝內之複數個晶粒來接收溫度資料，和判斷複數個溫度控制餘裕的最小溫度控制餘裕。每個溫度控制餘裕將基於與該晶粒相關的各別熱控制溫度並且基於與該晶粒相關的各別溫度資料來判斷。功率管理邏輯也用以產生熱報告，該熱報告係用以包括最小的溫度控制餘裕，以及用以儲存該熱報告。其他實施例被描述和請求保護。
Patent TW-I634570-B (TW)
Inventor: YEN HSIAO-TSUNG
IPC: H01F17/00
Filed: 2017-06-19
Granted: 2018-09-01
Abstract: 一種非對稱式螺旋狀電感，製作於一半導體結構，包含：一螺旋狀線圈、一金屬線段以及一連接結構。該螺旋狀線圈實質上位於一第一金屬層，且具有一第一端點及一第二端點，其中該第一端點位於該螺旋狀線圈之一最外圈，該第二端點位於該螺旋狀線圈之一最內圈。該金屬線段位於不同於該第一金屬層之一第二金屬層，且具有一第三端點及一第四端點。該連接結構連接該第二端點及該第三端點。該第一端點及該第四端點構成該非對稱式螺旋狀電感的兩端點，該螺旋狀線圈為一具有N個邊的多邊形(N＞4)，該金屬線段的其中一部分構成與該具有N個邊的多邊形之部分輪廓實質上相同的形狀。本發明之非對稱式螺旋狀電感能夠提高電感值及品質因素Q，且抑制反射訊號的干擾。
Patent TW-I643592-B (TW)
Title: Toilet device
Inventor: TAKESHITA MEGUMI
IPC: A47K13/30
Filed: 2017-07-11
Granted: 2018-12-11
Abstract: 本發明提供一種廁所裝置，其抑制就座面的溫度降低。
 
     其具備：本體部，具有覆蓋功能部的殼罩，安裝在便器上；及便座，可旋轉地安裝於殼罩，可移動到關閉狀態及打開狀態，殼罩具有隨著朝向前方而高度降低的延伸部，便座具有：便座本體，具有關閉狀態下位於比殼罩更靠前方的第1部分及關閉狀態下從第1部分朝著後方豎立且重疊於延伸部上的第2部分；及加熱部，對便座本體的就座面進行加熱，延伸部的上端面以在隨著朝向前方而高度降低的同時隨著朝向側方而高度降低的方式發生變化，便座本體的第2部分的下端面在關閉狀態下以隨著朝向側方而高度降低的方式沿著延伸部的上端面發生變化。
Patent TW-I722219-B (TW)
Inventor: BIAFORE JOHN J
IPC: G03F7/38
Filed: 2017-07-14
Granted: 2021-03-21
Abstract: 在一些實施例中，一種方法可包含改良一光阻之一顯影程序。該方法可包含模擬一光阻之一負型顯影程序。該方法可包含判定一顯影劑與一可溶性光阻表面之一反應。判定該顯影劑之該反應可包含將處於一反應階之一冪之一反應速率常數應用至一嵌段聚合物濃度，以產出包括溶解受限顯影狀態之可溶性光阻之一光阻溶解速率。該方法可包含判定該顯影劑至經曝光且部分可溶性光阻中之一通量。判定該顯影劑之該通量可包含取決於該嵌段聚合物濃度而將該顯影劑之一向量值擴散係數應用至一顯影劑濃度梯度，以產出包括膨脹受控顯影狀態之不溶性光阻之一膨脹速率。該方法可包含最佳化一照明源及一全晶片上之一遮罩。
Patent TW-I645523-B (TW)
Inventor: LAI CHIEH LUNG
IPC: H01L23/42
Filed: 2017-07-14
Granted: 2018-12-21
Abstract: 一種封裝結構及其製法，係設置複數電子元件與一支撐組件於承載件上，且該支撐組件位於該電子元件之周圍而未延伸至各該電子元件之間，接著形成封裝層於該承載件上以包覆該電子元件與支撐組件，之後移除該承載件，以藉由該支撐組件抑制該封裝層之翹曲。
Patent TW-I720236-B (TW)
Title: Pre-charging bit lines through charge-sharing
Inventor: SINANGIL MAHMUT
IPC: G11C7/12
Filed: 2017-08-08
Granted: 2021-03-01
Abstract: In one embodiment, a static random access memory (SRAM) device is provided. The SRAM device comprises a plurality of memory cells, a bit line coupled to a first set of the plurality of memory cells at data nodes, and a first voltage supply line coupled to a second set of the plurality of memory cells. The SRAM device further comprises a first switch for selectively coupling the first voltage supply line to a first voltage source to charge the first voltage supply line to a first voltage level and a second switch for selectively coupling the first voltage supply line to the bit line for pre-charging the bit line to a bit line voltage level that is less than the first voltage level.
Patent TW-I720240-B (TW)
Title: 半導體封裝的製造方法
Inventor: KIM YOUNGSUK
IPC: H01L23/00
Filed: 2017-08-15
Granted: 2021-03-01
Abstract: 本發明的課題是在於提供一種謀求以密封樹脂層所密封的半導體晶片的上面及側面的屏蔽層的膜厚的均一化之半導體封裝的製造方法。 　　其解決手段係具備： 　　接合工程S1，其係於藉由交叉的切道來區劃的配線基板上的複數的安裝領域接合複數的半導體晶片； 　　密封基板作成工程S2，其係於該複數的半導體晶片被接合的該配線基板的表面側供給液狀樹脂而一起密封作成密封基板； 　　小片化工程S3，其係沿著對應於該密封基板上的切道之領域來切削，以密封晶片能夠具有上面及比該上面更大的下面，且具備從該上面往該下面傾斜的側面之方式小片化；及 　　屏蔽層形成工程S4，其係於複數的密封晶片的該上面及該側面形成導電性屏蔽層。
Patent TW-I761363-B (TW)
Title: 積體電路、ｃｍｏｓ裝置、電腦系統及形成積體電路的方法
Inventor: YOUNG IAN
IPC: H01L21/8238
Filed: 2017-08-17
Granted: 2022-04-21
Abstract: 揭示了用於形成穿隧電晶體的技術，其包含源極及汲極(S/D)區使用不同材料。使用材料帶隙工程，技術增強電晶體裝置的能力，其使用量子穿隧，例如穿隧場效電晶體(TFET)及費米濾波器FET(FFFET)，以阻擋從源極至汲極(經過通道)且從源極至接地/基板的關閉狀態漏電流。材料帶隙工程可合併基於材料的帶偏位組件以控制關閉狀態洩漏。此帶偏位可擴展使用傳統材料組態(例如，單成分材料組態)可達成的受限的能帶偏位，因為此傳統材料組態於超過臨界摻雜濃度時，對於給定的源極對汲極電壓於固定的尺度沒有額外的漏電流下降。例如，增加帶偏位可增加載子必須克服以達到通道區的阻障，因而降低關閉狀態洩漏。
Patent TW-I647781-B (TW)
Inventor: YOO HONG-JUN
IPC: H01L21/677
Filed: 2017-08-25
Granted: 2019-01-11
Abstract: 本發明涉及一種倒裝元件處理器，詳言之，涉及從裝載多個元件的晶圓環等裝載部件拾取元件，並進行倒裝後再卸載的倒裝元件處理器。  
     本發明揭露一種倒裝元件處理器，包括：裝載部件工作盤(200)，從裝載附著多個元件(1)的裝載部件(60)的裝載部件載體部(100)獲取裝載部件(60)，以水平方向移動裝載部件(60)；卸載部(300)，其從裝載部件工作盤(200)水平隔開佈置，並設有一個以上，從裝載部件(60)接到元件(1)並裝載的卸載部件(70)；第一傳送工具(400)，在裝載部件工作盤(200)從裝載部件(60)的拾取位置(P 1 )拾取元件(1)並進行倒裝，之後移動到傳遞位置(P 2 )；第二傳送工具(500)，在傳遞位置(P 2 )，從第一傳送工具(400)接收元件(1)，在卸載位置(P 3 )向卸載部件(70)卸下元件(1)。
Patent TW-I726144-B (TW)
Title: 樹脂組合物、三維列印機用絲及樹脂粉末、與造形物及其製造方法
Inventor: INADA KOUSUKE
IPC: C08L101/00
Filed: 2017-08-29
Granted: 2021-05-01
Abstract: 本發明提供一種樹脂組合物、三維列印機用絲及樹脂粉末、與造形物及其製造方法，上述樹脂組合物係製造容易，且可於使用三維列印機之造形中，改善造形物之層間剝離、造形物之翹曲、收縮。 本發明之樹脂組合物之特徵在於其係含有平均纖維長為1 μm～300 μm且平均縱橫比為3～200之無機纖維、及熱塑性樹脂者，且為三維列印機用造形材料。
Patent TW-I757324-B (TW)
Title: Spinning reel used for fishing
Inventor: DA ROSA JOAQUIM
IPC: A01K89/00
Filed: 2017-08-29
Granted: 2022-03-11
Abstract: Spinning reels for left or right-handed use have reduced internal friction by a selectively disengageable seal at the unused connection port.
Patent TW-I651649-B (TW)
Title: 用於執行正負號運算十進位指令的電腦程式產品、電腦系統及電腦實施方法
Inventor: BRADBURY JONATHAN D
IPC: G06F9/30
Filed: 2017-09-29
Granted: 2019-02-21
Abstract: 本發明提供一種指令，其用以執行針對該指令組態之複數個正負號運算中之一正負號運算。執行該指令，且該執行包括選擇一輸入運算元之至少一部分作為待置放於一選擇部位中之一結果。該選擇係基於該指令之一控制項，其中該控制項指示待選擇為該結果之該輸入運算元的一使用者定義大小。該結果之一正負號係基於複數個準則而判定，該複數個準則包括基於該指令之該控制項而獲得的該結果之一值，該值相對於一選定值具有一第一特定關係或一第二特定關係。該結果及該正負號儲存於該選擇部位中以提供待用於該運算環境內之處理中的一帶正負號輸出。
Patent TW-I633474-B (TW)
Inventor: LEE HSIANG-YU
IPC: G06F3/041
Filed: 2017-10-18
Granted: 2018-08-21
Abstract: 本揭露提出一種具有觸控感測電極之有機發光二極體顯示面板。一共同電極層其具有複數個穿孔。一畫素電極與觸控感測電極層具有複數個顯示畫素電極及複數個觸控感測電極，其中每一個觸控感測電極具有網格形狀。一有機發光二極體係設置於該共同電極層及該畫素電極與觸控感測電極層之間。一薄膜電晶體層係設置於一下基板面向該有機發光二極體層的一面。一封裝層係設置於該共同電極層背向該有機發光二極體層的一面。其中，一使用於該等觸控感測電極的第一電源電路係獨立於一使用於該有機發光二極體顯示面板的第二電源電路。
Patent TW-I644439-B (TW)
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: H01L29/78
Filed: 2011-01-28
Granted: 2018-12-11
Abstract: 提供一種更加方便及高度可靠的半導體裝置，其具有包括用於各種應用之具更高耐衝擊性之氧化物半導體的電晶體。半導體裝置具有：於基板上包括閘極電極層、閘極絕緣層及氧化物半導體層之底閘電晶體；該電晶體上之絕緣層；及該絕緣層上之導電層。該絕緣層覆蓋該氧化物半導體層及接觸該閘極絕緣層。沿該氧化物半導體層之通道寬度方向，該閘極絕緣層之端部及該絕緣層之端部於該閘極電極層之上彼此對齊，及該導電層覆蓋該氧化物半導體層之通道形成區、該閘極絕緣層之該端部及該絕緣層之該端部，並接觸該閘極電極層。
Patent TW-I814713-B (TW)
Title: 阻氣性層基板片、阻氣性層積板片的製造方法、及電子構件或光學構件
Inventor: NAGANAWA SATOSHI
IPC: B32B27/00
Filed: 2017-11-08
Granted: 2023-09-11
Abstract: 本發明係一種阻氣性層積板片，其特徵在於：其係具有：剝離板片(A)/阻氣層/接著性樹脂層/剝離板片(B)的層結構的阻氣性層積板片，上述阻氣層的剝離板片(A)側的表面的算術平均粗糙度(Ra)在5nm以下，上述表面的最大剖面高度(Rt)在100nm以下；其製造方法；以及包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。根據本發明，可提供密封性能及撓曲性優良的阻氣性層積板片及其製造方法，以及包括來自上述阻氣性層積片的阻氣層及接著性樹脂層的電子構件及光學構件。
Patent TW-I656776-B (TW)
Title: 無線通訊方法和相關無線通訊設備
Inventor: TSAI CHIA-HUNG
IPC: H04L5/00
Filed: 2017-11-10
Granted: 2019-04-11
Abstract: 本發明提供了一種無線通訊方法和相關無線通訊設備，無線通訊方法包括：在報告訊框中，設置控制欄位的至少一個指定子欄位，發送所述報告訊框至接入點，以同所述接入點在正交頻分多址(OFDMA)的上行鏈路(UL)上通訊。另外，所述無線通訊方法還可由程式碼執行，所述程式碼被無線通訊設備的處理器從存放裝置中載入並執行。
Patent TW-I647053-B (TW)
Title: Automatic lubrication device for processing machine feed system
Inventor: CHEN SHAO-XIAN
IPC: B23Q11/12
Filed: 2017-11-16
Granted: 2019-01-11
Abstract: 一種加工機進給系統之自動潤滑裝置，在於一進給單元於底座上有滑軌而設滑台，並有導螺桿受馬達軸接驅動而可帶動滑台位移，有一注油單元以管路連接至進給單元而可提供潤滑油至該複數潤滑注油點。利用電流感測元件和扭力感測元件分別感測馬達作動時之負載電流和輸出扭力，配合滑台之載重和進給速度提供控制單元，而可控制注油單元不定時輸出適量之潤滑油至複數潤滑注油點，藉此構成本發明。
Patent TW-I757375-B (TW)
Title: Monitoring circuit and method
Inventor: SAVANTH PARAMESHWARAPPA ANAND KUMAR
IPC: G05F1/10
Filed: 2017-11-27
Granted: 2022-03-11
Abstract: Broadly speaking, embodiments of the present techniques provide a voltage monitoring circuit for low power minimum-energy sensor nodes. The circuit comprises sensing circuitry to sense a signal having a plurality of operating signal states; a first comparator having a first input for receiving an upper threshold signal; and a second comparator having a first input for receiving a lower threshold signal, the upper and lower threshold signals defining a range which includes at least one signal state of the plurality of operating states of the signal, wherein the first and second comparators have a bias input for receiving a bias configuration setting, the bias configuration setting being selectable according to an operating signal state of the signal.
Patent TW-I727124-B (TW)
Title: 玻璃製造方法、及玻璃供應管的預熱方法
Inventor: TAMAMURA SHUSAKU
IPC: C03B19/00
Filed: 2017-12-06
Granted: 2021-05-11
Abstract: 本發明的玻璃製造方法，具備：預熱步驟，在玻璃供應步驟之前，以預先將玻璃供應管(7)從玻璃供應路(6a~6d)分離的狀態通電加熱，及玻璃供應路形成步驟，在預熱步驟後，連接玻璃供應管(7)構成玻璃供應路(6a~6d)。預熱步驟具備藉封閉構件(16)封閉玻璃供應管(7)之開口部(7a)的至少一部份的封閉步驟。
Patent TW-I634971-B (TW)
Inventor: LIN TSE-MING
IPC: B25B23/00
Filed: 2017-12-08
Granted: 2018-09-11
Abstract: 本發明提供一種轉接頭，其適配於一扳手工具，扳手工具具有一套孔，套孔具有一轉動軸線及一繞著轉動軸線設置的多邊形之驅動部，且套孔具有開放狀的一第一端及一第二端，轉接頭包括一本體及一彈性卡掣裝置。本體於軸向的一端設有一第一承接部，遠離第一承接部的一端設有一第二承接部，第一承接部與第二承接部各為多角柱狀，用以沿著轉動軸線適配於套孔之驅動部；彈性卡掣裝置設置於第一承接部與第二承接部之間，彈性卡掣裝置係能夠沿著轉動軸線的徑向卡掣於套孔的第二端。
Patent TW-I646465-B (TW)
Inventor: SHEN MING-YEN
IPC: G06F9/50
Filed: 2017-12-12
Granted: 2019-01-01
Abstract: 一種具電流監控功能的伺服裝置，包含複數監控目標組、複數偵測單元以及控制單元。各偵測單元對應於複數監控目標組之一，且各偵測單元偵測對應之監控目標組的電流。控制單元將各監控目標組的電流和於各監控目標組的監控閥值進行比較。當監控目標組的電流達到對應的監控閥值時，控制單元執行相應於監控目標組的降電流程序，以降低監控目標組的電流。
Patent TW-I724266-B (TW)
Title: Method of treating silicon wafers to have intrinsic gettering and gate oxide integrity yield
Inventor: LEE YOUNG JUNG
IPC: C30B33/02
Filed: 2017-12-27
Granted: 2021-04-11
Abstract: The disclosure is directed to a method to recover the gate oxide integrity yield of a silicon wafer after rapid thermal anneal in an ambient atmosphere comprising a nitrogen containing gas, such as NH 3 
or N 2 
. Generally, rapid thermal anneals in an ambient atmosphere comprising a nitrogen containing gas, such as NH 3 
or N 2 
to thereby imprint an oxygen precipitate profile can degrade the GOI yield of a silicon wafer by exposing as-grown crystal defects (oxygen precipitate) and vacancies generated by the silicon nitride film. The present invention restores GOI yield by stripping the silicon nitride layer, which is followed by wafer oxidation, which is followed by stripping the silicon oxide layer.
Patent TW-I771359-B (TW)
Title: Efficient beamforming technique
Inventor: SANDEROVICH AMICHAI
IPC: H04B1/18
Filed: 2018-01-12
Granted: 2022-07-21
Abstract: Certain aspects of the present disclosure provide methods and apparatus for signaling a receive antenna mode to use during beamforming training procedure. For example, an apparatus for wireless communications, may generally include a processing system configured to generate a first frame having one or more beamforming training fields to be output for transmission to a wireless device using a directional transmit antenna mode and an indication whether the wireless device is to be in an Omni¬directional receive antenna mode to receive the one or more beamforming training fields, and a first interface configured to output the first frame for transmission.
Patent TW-I667005-B (TW)
Title: 衛生洗淨裝置及其組裝方法
Inventor: OGAWA TAKUYA
IPC: A47K13/26
Filed: 2018-01-26
Granted: 2019-08-01
Abstract: [課題] 本發明提供一種衛生洗淨裝置，其能夠減小與便器之間的間隙而提高一體感。 　　[解決手段] 具備：基座板，固定在便器的後部；殼板，固定在基座板上；殼罩，固定在殼板上；軸支單元，在殼板的後方固定於基座板；及背面罩，基座板在前部及後部分別經由可調整對於便器的基座板位置的第1位置調整機構及第2位置調整機構固定於便器，殼板經由可調整對於基座板的殼板位置的第3位置調整機構固定於基座板，在軸支單元與背面罩之間，設置可調整對於基座板的背面罩位置的第4位置調整機構，背面罩安裝於第4位置調整機構。
Patent TW-I702558-B (TW)
Title: 運轉計畫擬訂裝置、運轉計畫擬訂方法及記憶媒體
Inventor: YAMANE SHOTARO
IPC: G06Q50/06
Filed: 2018-02-09
Granted: 2020-08-21
Abstract: 作為本發明之一態樣之運轉計畫擬訂裝置係基於發電機特性資料、運轉限制資料、電力需求資料而擬訂各發電機之運轉計畫者，且具備：運轉狀態決定部，其基於與各發電機之停止期間相關之、對於各發電機共通之限制，而決定各發電機之運轉狀態；運轉狀態修正部，其基於與各發電機之停止期間相關之、對於各發電機之個別之限制，而修正由運轉狀態決定部決定的各發電機之運轉狀態；及輸出電力決定部，其至少基於經運轉狀態修正部修正之各發電機之運轉狀態而決定各發電機之輸出電力。
Patent TW-I638084-B (TW)
Title: Shackle for sliding door
Inventor: CHANG WEI HUNG
IPC: E05B15/00
Filed: 2018-03-21
Granted: 2018-10-11
Abstract: 一種拉門用的勾鎖，包含二墊板、 一設置於其中一墊板的外側的夾板、一設置於另一墊板的外側的鎖具單元，及一設置於該鎖具單元的外側的鎖蓋。每一墊板包括一形成有一主定位孔的主板部、一凸緣部、一設置於該主板部的內側面的第一固定牆部，及一設置於該主板部的外側面的第一固定部。該夾板包括一板體部、一設置於該板體部的內側面並嵌卡於該其中一墊板的主定位孔的第二固定牆部，及一設置於該板體部的內側面與該其中一墊板的第一固定部互相嵌卡的第二固定部。該鎖具單元包括一鎖匣殼，該鎖匣殼具有一嵌卡於該另一墊板的主定位孔的第一凸出部，及一與該另一墊板的第一固定部互相嵌卡的第三固定部。
Patent TW-I662515-B (TW)
Title: 停車計費系統
Inventor: Huang wei-qi
IPC: G07B15/00
Filed: 2018-03-29
Granted: 2019-06-11
Abstract: 本發明係有關於一種解決路邊停車問題的系統，包含：一管理中心；複數停車計費錶，分別設置於對應之路邊停車格旁，用以將偵測的停車格的一停車資訊通過一網路傳送至管理中心；一輔助計費器，安裝在每一停車計費錶相反端的停車格邊緣，與停車計費錶共同攝取停車格內車輛的影像；以及，至少一行動裝置，設有一可執行的應用程式，且執行結果可通過網路連接至管理中心。藉上述停車計費錶之偵測，當停車格逾時或未付費時，由管理中心通知開單員前往開單或完成自動開單作業，可減少開單員奔波之苦，及減少偵測以節省停車計費錶所需電力。
Patent TW-I782981-B (TW)
Title: Conversion of sub-fin to soi
Inventor: THAREJA GAURAV
IPC: H01L21/324
Filed: 2018-04-20
Granted: 2022-11-11
Abstract: Processing methods may be performed to form semiconductor structures that may include fin elements on dielectric materials. The methods may include depositing a first dielectric material on a silicon element on a semiconductor substrate. The first dielectric material may be selectively deposited on the silicon element relative to exposed regions of a second dielectric material. The methods may include converting a portion of the silicon element to silicon oxide. The methods may also include selectively etching the first dielectric material from the silicon element.