Patent DE-102016120342-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zum schutz vor elektrostatischen entladungen
Inventor: WILLEMEN JOOST
IPC: H01L23/60
Filed: 2016-10-25
Granted: 2022-09-01
Abstract: Vorrichtung (100) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, die Folgendes umfasst:eine erste Halbleiterschicht (102), die mit einem Dotiermaterial eines ersten Dotierungstyps dotiert ist;eine zweite Halbleiterschicht (104), die über der ersten Halbleiterschicht (102) angeordnet und mit einem Dotiermaterial eines zweiten Dotierungstyps, der zu dem ersten Dotierungstyp entgegengesetzt ist, dotiert ist;eine Isolationsstruktur (106), die sich von einer Oberfläche (104s) der zweiten Halbleiterschicht (104) in die zweite Halbleiterschicht (104) erstreckt und einen ersten Bereich (104a) der zweiten Halbleiterschicht (104) von einem zweiten Bereich (104b) der zweiten Halbleiterschicht (104) seitlich trennt;einen ersten Wannenbereich (108a), der in dem ersten Bereich (104a) der zweiten Halbleiterschicht (104) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des zweiten Dotierungstyps dotiert ist;einen ersten dotierten Bereich (1 10a), der in dem ersten Wannenbereich (108a) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des ersten Dotierungstyps dotiert ist, wobei der erste dotierte Bereich (1 10a) und der erste Wannenbereich (108a) einen ersten pn-Übergang (122a) einer ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden und wobei der erste Bereich (104a) der zweiten Halbleiterschicht (104) und die erste Halbleiterschicht (102) einen zweiten pn-Übergang (124a) der ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden;einen zweiten Wannenbereich (108b), der in dem zweiten Bereich (104b) der zweiten Halbleiterschicht (104) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des zweiten Dotierungstyps dotiert ist; undeinen zweiten dotierten Bereich (110b), der in dem zweiten Wannenbereich (108b) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des ersten Dotierungstyps dotiert ist, wobei der zweite dotierte Bereich (110b) und der zweite Wannenbereich (108b) einen ersten pn-Übergang (122b) einer zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden und wobei der zweite Bereich (104b) der zweiten Halbleiterschicht (104) und die erste Halbleiterschicht (102) einen zweiten pn-Übergang (124b) der zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden und wobei die erste Halbleiterschicht (102) die erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und die zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen in einer Reihenanordnung elektrisch verbindet;wobei eine seitliche Ausdehnung (122w) des ersten pn-Übergangs (122a) der ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen größer als 80 % der seitlichen Ausdehnung (124w) des zweiten pn-Übergangs (124a) der ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen ist, undwobei eine seitliche Ausdehnung (122w) des ersten pn-Übergangs (122b) der zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen größer als 80 % der seitlichen Ausdehnung (124w) des zweiten pn-Übergangs (124b) der zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen ist.