baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102021100877-B4 (DE)
Title: Mittellinien-Verbindungsstruktur mit Luftspalt und Verfahren zu deren Herstellung
Inventor: SU YI-NIEN
IPC: H01L23/52
Filed: 2021-01-18
Granted: 2023-08-03
Abstract: Vorrichtung (100), die Folgendes umfasst:eine MOL-Verbindungsstruktur, die Folgendes aufweist:einen Vorrichtungsebene-Kontakt (160), der in einer ersten Isolatorschicht (152) angeordnet ist, wobei der Vorrichtungsebene-Kontakt (160) ein Element (130A) einer integrierten Schaltung physisch kontaktiert,eine Rutheniumstruktur (200B), die in einer zweiten Isolatorschicht (220) angeordnet ist, die über der ersten Isolatorschicht (152) angeordnet ist, wobei die Rutheniumstruktur (200B) den Vorrichtungsebene-Kontakt (160) physisch kontaktiert, wobei die Rutheniumstruktur (200B) eine Haftschicht (172B) und einen über der Haftschicht (172B) angeordneten Rutheniumstöpsel (174B) umfasst, undeinen Luftspalt (230), der Seitenwände des Rutheniumstöpsels (174B) von der zweiten Isolatorschicht (220) trennt.
Patent DE-102023106461-B4 (DE)
Title: Widerstandsgerät
Inventor: BARABASH DARRELL
IPC: H05K1/16
Filed: 2023-03-15
Granted: 2023-12-07
Abstract: Leiterplattenbasiertes Widerstandsgerät (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90) mit, an einem Substrat (13, 23, 33, 43, 53, 63, 73, 83, 93) der Leiterplatte angeordnet:einer ersten leitfähigen Kontaktstelle (11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91) ;einer zweiten leitfähigen Kontaktstelle (12, 22, 32, 42, 52, 62, 72, 82, 92);einen Widerstandsbereich (14, 24, 34, 44, 54, 64, 75, 84, 94) mit einem mit der ersten leitfähigen Kontaktstelle (11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91) verbundenen ersten Längsende (15, 25, 35, 45, 55, 65, 85, 98) und einem mit der zweiten leitfähigen Kontaktstelle (12, 22, 32, 42, 52, 62, 72, 82, 92) verbundenen zweiten Längsende (16, 26, 36, 46, 56, 66, 86, 99), wobei der Widerstandsbereich (14, 24, 34, 44, 54, 64, 75, 84, 94) einen ersten Endabschnitt (28, 48, 68) an dem ersten Längsende (15, 25, 35, 45, 55, 65, 85, 98) des Widerstandsbereichs (14, 24, 34, 44, 54, 64, 75, 84, 94), einen Mittelabschnitt (27, 47, 67, 89, 97), und einen zweiten Endabschnitt (29, 49, 69) an dem zweiten Längsende (16, 26, 36, 46, 56, 66, 86, 99) des Widerstandsbereichs (14, 24, 34, 44, 54, 64, 75, 84, 94) aufweist, wobei der Mittelabschnitt (27, 47, 67, 89, 97) eine Vielzahl von rechteckigen Segmenten (87, 88) kaskadiert nebeneinander umfasst, und wobei die Vielzahl von rechteckigen Segmenten (87, 88) annähernd eine elliptische Form ist; undwobei die Breite des Widerstandsbereichs (14, 24, 34, 44, 54, 64, 75, 84, 94) entlang einer Länge des Widerstandsbereichs (14, 24, 34, 44, 54, 64, 75, 84, 94) variiert und an einem Punkt zwischen den ersten (15, 25, 35, 45, 55, 65, 85, 98) und zweiten Längsenden (16, 26, 36, 46, 56, 66, 86, 99) ein Maximum aufweist.
Patent DE-112005001529-B4 (DE)
Title: Magnesiumlegierung mit hoher Festigkeit und hoher Duktilität und Verfahren zu ihrer Herstellung
Inventor: MUKAI TOSHIJI
IPC: C22C23/06
Filed: 2005-06-28
Granted: 2014-05-22
Abstract: Magnesiumlegierung mit hoher Festigkeit und hoher Duktilität, umfassend 0,03 bis 0,54 Atom-% von einem Typ von gelösten Atomen, die zu der Gruppe 2, Gruppe 3 oder Lanthanoiden des Periodensystems gehören und einen Atomradius größer als jener von Magnesium aufweisen, und den Rest Magnesium und die eine feine Kristallkornstruktur aufweist, worin der mittlere Kristallkorndurchmesser 1,5 μm oder weniger ist und die gelösten Atome an Teilen in der Nachbarschaft der Kristallkorngrenzen bei einer Konzentration von 1,5- bis 10-fach von jener der gelösten Atome in den Kristallkörnern lokalisiert sind.
Patent DE-112005002562-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zur Erregung einer akustischen Oberflächenwelle
Inventor: TAKASAKI MASAYA
IPC: H03H9/145
Filed: 2005-10-19
Granted: 2010-10-28
Abstract: Vorrichtung zur Erregung einer akustischen Oberflächenwelle mit einem aus Glas hergestellten nichtpiezoelektrischen Element (30), einem piezoelektrischen Element (20), interdigitalen Wandlern (11), die eine Mehrzahl von Elektrodenfingern bereitstellen, die zwischen dem nichtpiezoelektrischen Element (30) und dem piezoelektrischen Element (20) angeordnet sind, und Vorbelastungseinrichtungen (42) zur Aufbringung eines Drucks auf das piezoelektrische Element (20) gegen das nichtpiezoelektrische Element (30) mit Hilfe der interdigitalen Wandler (11), wobei die Länge des piezoelektrischen Elementes (20) in senkrechter Richtung zu den Fingerelektroden der interdigitalen Wandler (11) so eingestellt ist, dass sie ein ganzzahliges Vielfaches der halben Wellenlänge der Welle, die sich auf dem piezoelektrischen Element fortpflanzt, beträgt, so dass stehende Wellen einer akustischen Welle auf dem piezoelektrischen Element (20) erzeugt werden, wenn eine Wechselspannung an die interdigitalen Wandler (11) gelegt wird, um auf diese Weise die akustische Oberflächenwelle auf dem nichtpiezoelektrischen Element (30) zu erregen.
Patent DE-112006003297-B4 (DE)
Title: Befestigung von Gasturbinentriebwerks-Zusatzkomponenten
Inventor: CALLAGHAN CRAIG M
IPC: B64D41/00
Filed: 2006-09-25
Granted: 2023-02-09
Abstract: Ein Befestigungssystem für eine Zusatzkomponente beinhaltet zwei seitliche Halter (42, 44) und einen oberen Halter (46) zum starren Befestigen einer Zusatzkomponente (32) an einem Maschinengehäuse (22). Jeder seitliche Halter (42, 44) bildet ein Halterungssegment (50, 52), ein verformbares Element (60) sowie zwei Festhalteelemente (62, 64) zwischen den Halterungssegmenten. Das verformbare Element (60) erfährt bei Auftreten eines Bläserschaufeldefekts eine plastische Verformung, so dass ein Großteil der hohen Stoßbelastung absorbiert wird, die auf die Zusatzkomponente (32) einwirkt. Die Befestigungselemente (62, 64) halten die Befestigung zwischen der Zusatzkomponente (32) und dem Maschinengehäuse (22) im Anschluss an einen Bläserschaufeldefekt aufrecht.
Patent DE-112007000867-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zum Herstellen eines Gruppe III-Nitrid basierten Verbindungshalbleiters
Inventor: YAMAZAKI SHIRO
IPC: C30B9/00
Filed: 2007-04-05
Granted: 2012-03-22
Abstract: Vorrichtung zum Herstellen eines Gruppe III-Nitrid basierten Verbindungshalbleiters, mit: einem Reaktor (100), der ein Gruppe III-Metall und ein von dem Gruppe III-Metall verschiedenes Metall in einem geschmolzenen Zustand hält, einer Heizvorrichtung (31a, 31b, 31c) zum Heizen des Reaktors (100), einem äußeren Gefäß (200) zum Aufnehmen des Reaktors (100) und der Heizvorrichtung (31a, 31b, 31c) und einer Zuführleitung (10) zum Zuführen eines zumindest Stickstoff enthaltenden Gases aus dem Äußeren des äußeren Gefäßes (200) in den Reaktor (100), dadurch gekennzeichnet, dass die Zuführleitung (10) einen Heizabschnitt (10a) aufweist, der an einer äußeren Peripherie des Reaktors (100) angeordnet ist, um den Reaktor gewunden ist und in direktem Kontakt mit der äußeren Peripherie des Reaktors (100) steht, um das zumindest Stickstoff enthaltende Gas während eines Durchflusses dadurch durch die Heizvorrichtung (31a, 31b, 31c) zu erhitzen, bevor das Gas dem Gruppe III-Metall und dem von dem Gruppe III-Metall verschiedenen...
Patent DE-112008000491-B4 (DE)
Title: Dotierungsmittel-Injektionsverfahren und Dotierungsvorrichtung
Inventor: NARUSHIMA YASUHITO
IPC: C30B29/06
Filed: 2008-05-23
Granted: 2020-06-18
Abstract: Dotierungsmittel-Injektionsverfahren zum Dotieren einer Halbleiterschmelze mit Germanium (Ge), wobei das Dotierungsmittel-Injektionsverfahren umfasst:Laden des Ge in einem festen Zustand in eine Dotierungsvorrichtung, die umfasst:eine Dotierungsmittelhalterung zum Halten des Ge, das bei einer normalen Temperatur fest ist und sich in einem bestimmten Abstand über der Oberfläche der Halbleiterschmelze verflüssigt, wobei die Dotierungsmittelhalterung ein Verbindungsloch aufweist, um das verflüssigte Ge nach unten auszugeben; einen Abdeckungsteil zum Abdecken des durch die Dotierungsmittelhalterung gehaltenen Ge; ein Leitungsrohr, das unter der Dotierungsmittelhalterung vorgesehen ist, um das aus dem Verbindungsloch fließende verflüssigte Ge zu der Oberfläche der Halbleiterschmelze auszugeben, und eine erste Lüftungsöffnung (421B) seitlich an dem Leitungsrohr, die eine Verbindung nach außen herstellt,Verflüssigen des Ge, das in dem festen Zustand in die Dotierungsvorrichtung geladen wird, während die Dotierungsvorrichtung auf einer vorbestimmten Höhe über der Oberfläche der Halbleiterschmelze gehalten wird, undDotieren der Halbleiterschmelze mit dem aus dem Verbindungsloch fließenden verflüssigten Ge, wobeidas Leitungsrohr in die Halbleiterschmelze eingetaucht wird, während das Ge verflüssigt wird oder während die Halbleiterschmelze mit dem verflüssigten Ge dotiert wird.
Patent DE-112010004406-B4 (DE)
Title: Phasenwechsel-Speichervorrichtung geeignet zum Betrieb bei hoher Temperatur und Verfahren zum Betreiben derselben
Inventor: BREITWISCH MATTHEW J
IPC: H01L27/24
Filed: 2010-11-10
Granted: 2021-11-18
Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend:- eine untere Elektrode (202),- eine obere Elektrode (206), getrennt von der unteren Elektrode, und- wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material (205), in einer Säule (204) zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und die untere Elektrode und die obere Elektrode kontaktierend und seitlich von Isoliermaterial (208) umgeben,- wobei die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset- Zustand nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials (205) in der Säule (204) umfasst,- sich in der Phasenwechsel-Speicherzelle zwischen Gallium-Atome umfassenden Grenzflächenbereichen (207a, 207b) des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials an der unteren Elektrode (202) und an der oberen Elektrode (206) ein Strompfad ausbildet und- das Phasenwechsel-Material (205) nach dem Reset-Vorgang vollständig amorph ist, wenn ein Reset-Strom mit einem vorgegebenen Wert entlang des Strompfads fließt.
Patent DE-112010005608-B4 (DE)
Title: Leistungsumwandlungseinrichtung
Inventor: MURAKAMI SATOSHI
IPC: H02M7/483
Filed: 2010-10-26
Granted: 2018-02-01
Abstract: Leistungsumwandlungseinrichtung, welche enthält: eine Inverterschaltung (100, 110), welche einen oder mehrere Einzelphase-Inverter (100, 200) enthält, deren Wechselspannungsseiten in Serie verbunden sind, und wobei jeder davon eine Mehrzahl von Halbleiter-Umschaltvorrichtungen (101a–104a, 201a–204a) und eine Gleichspannungsquelle (105, 205) enthält, wobei die Wechselspannungsseiten in Serie mit einem ersten Anschluss einer Leistungsversorgung (1, 5) verbunden sind, wobei die Inverterschaltung (100, 110) die Summe von Ausgaben der Einzelphase-Inverter (100, 200) auf eine Ausgabe der Leistungsversorgung (1, 5) überlagert; eine Konverterschaltung (300), welche eine Mehrzahl von Umschaltern (301a–304a) zwischen Gleichspannung-Bus-Leitungen (3a, 3b) hat, wobei einer der Wechselspannung-Anschlüsse der Konverterschaltung (300) mit einer Wechselspannung-Ausgangsleitung an einer nachfolgenden Stufe der Inverterschaltung (100, 110) verbunden ist, und der andere der Wechselspannung-Anschlüsse mit einem zweiten Anschluss der Leistungsversorgung (1, 5) verbunden ist, wobei die Konverterschaltung (300) eine Gleichspannungsleistung zwischen den Gleichspannung-Bus-Leitungen (3a, 3b) ausgibt; einen Glättungskondensator (3), welcher zwischen den Gleichspannung-Bus-Leitungen (3a, 3b) verbunden ist, welcher eine Ausgabe der Konverterschaltung (300) glättet; und eine Steuerschaltung (10, 10a, 10b), welche eine Ausgabesteuerung für die Konverterschaltung (300) derart durchführt, um zu bewirken, dass die Spannung der Gleichspannungsversorgung (105, 205) von der Inverterschaltung (100, 110) einem Anweisungswert folgt, indem eine Kurzschluss-Zeitperiode (T) zum Kurzschließen der Wechselspannung-Anschlüsse von der Konverterschaltung (300) zum Überbrücken des Glättungskondensators (3) bereitgestellt wird, und welche eine Ausgabesteuerung für die Inverterschaltung (100, 110) derart durchführt, um zu ...
Patent DE-112011102735-B4 (DE)
Title: Ölfiltermodul mit Thermostateinheit
Inventor: JAINEK HERBERT
IPC: F01M11/03
Filed: 2011-08-17
Granted: 2016-11-03
Abstract: Ölfiltermodul (10) eines Filters für Öl, insbesondere Motoröl oder Getriebeöl, einer Brennkraftmaschine insbesondere eines Kraftfahrzeugs, mit einem Anschluss für ein Filterelement (14), einem Öl-Kühlmittel-Wärmetauscher (12) zur Temperierung des zugeführten Öls, einem Gehäuse (26, 42), in dem eine Bypassleitung (20) zur Umgehung des Öl-Kühlmittel-Wärmetauschers (12) angeordnet ist, die eine Ventilkammer (22) mit einer Thermostateinheit (24) aufweist, die abhängig von einer Temperatur des Öls einen Ölfluss durch die Bypassleitung (20) steuert, wobei das Gehäuse wenigstens aus einem Ventilgehäuseteil (26) und einem Wärmetauschergehäuseteil (42) zusammengesetzt ist, die Ventilkammer (22) in dem Ventilgehäuseteil (26) angeordnet ist und eine Grundplatte (40) des Wärmetauschergehäuseteils (42) die Ventilkammer (22) längsseitig verschließt, dadurch gekennzeichnet, dass die Thermostateinheit (24) eine Montageplatte (52) aufweist und die Ventilkammer (22) eine in ihrer Querrichtung verlaufende etwa U-förmige Aufnahme (50) aufweist, in die die Montageplatte (52) der Thermostateinheit (24) von der offenen Seite der Ventilkammer (22) dicht eingesteckt ist, wobei die Grundplatte (40) des Wärmetauschergehäuseteils (42) dicht an der ihr zugewandten Seite der Montageplatte (52) anliegt, wobei die Montageplatte die Ventilkammer in zwei Kammern trennt.
Patent DE-112011105791-B4 (DE)
Title: Störungsunterdrückungsvorrichtung
Inventor: FURUTA SATORU
IPC: G10L21/02
Filed: 2011-11-02
Granted: 2019-12-12
Abstract: Störungsunterdrückungsvorrichtung, welche aufweist:
 eine Fourier-Transformationsvorrichtung (3, 4), die mehrere in diese eingegebene Eingangssignale in einer Zeitdomäne in Spektralkomponenten, die Signale in einer Frequenzdomäne sind, transformiert;
 eine Energiespektrum-Berechnungsvorrichtung (5, 6), die Energiespektren aus den Spektralkomponenten, die durch die Fourier-Transformationsvorrichtung (3, 4) transformiert wurden, berechnet;
 eine Eingangssignal-Analysiervorrichtung (8), die eine harmonische Struktur und Periodizität der Eingangssignale auf Grundlage der von der Energiespektrum-Berechnungsvorrichtung (5, 6) berechneten Energiespektren analysiert;
 einen Energiespektrumsynthetisierer (9), der eine Synthese anhand der Energiespektren der mehreren Eingangssignale gemäß einem Ergebnis der Analyse durch die Eingangssignal-Analysiervorrichtung (8) durchführt, um ein zusammengesetztes Energiespektrum zu erzeugen;
 eine Störungsunterdrückungsbetrags-Berechnungsvorrichtung (10), die einen Betrag der Störungsunterdrückung auf Grundlage des von dem Energiespektrumsynthetisierer (9) erzeugten zusammengesetzten Energiespektrums und eines anhand der Eingangssignale geschätzten Störungsspektrums berechnet;
 eine Energiespektrum-Unterdrückungsvorrichtung (11), die eine Störungsunterdrückung bei dem von dem Energiespektrumsynthetisierer (9) erzeugten zusammengesetzten Energiespektrum durchführt durch Verwendung des von der Störungsunterdrückungsbetrags-Berechnungsvorrichtung (10) berechneten Betrags der Störungsunterdrückung; und
 eine inverse Fourier-Transformationsvorrichtung (12), die das zusammengesetzte Energiespektrum, bei dem die Störungsunterdrückung von der Energiespektrum-Unterdrückungsvorrichtung (11) durchgeführt wurde, in ein Signal in einer Zeitdomäne transformiert und dieses Signal als ein Tonsignal ausgibt.
Patent DE-112012002506-B4 (DE)
Title: Mikroelektronische Vorrichtung, Stapelchippackung und Rechnersystem, das diese enthält, Verfahren zur Herstellung eines Mehrfachkanalkommunikationsweges in dieser und Verfahren zum Ermöglichen einer elektrischen Kommunikation zwischen Komponenten einer Stapelchippackung
Inventor: CHEAH BOK ENG
IPC: H01L23/538
Filed: 2012-06-15
Granted: 2021-05-06
Abstract: Mikroelektronische Vorrichtung, umfassend:eine erste Oberfläche (110);eine zweite Oberfläche (120); undeinen Durchgang (130), der sich von der ersten Oberfläche (110) zur zweiten Oberfläche (120) erstreckt, wobei der Durchgang (130) mehrere elektrisch leitende Kanäle (131, 132; 231, 232) enthält, die voneinander durch ein elektrisch isolierendes Material (133) getrennt sind, wobei der Durchgang (130) zylindrisch ist und das elektrisch isolierende Material (133) einen mittigen Teil (233) umfasst, der in der Mitte im zylindrischen Durchgang (130) angeordnet ist, und ferner mehrere Arme (234) umfasst, die strahlenförmig vom mittigen Teil ausgehen.
Patent DE-112012005593-B4 (DE)
Title: Bremssystem für Personenbeförderungsvorrichtungen
Inventor: PARK CHAN-JONG
IPC: B66B23/20
Filed: 2012-01-06
Granted: 2020-10-08
Abstract: Ein System zum Bremsen einer Rolltreppe oder eines Fahrsteigs umfasst einen Handlauf und eine Personenabstützeinrichtung, die miteinander verbunden sind, um sich zusammen zu bewegen. Ein Bremsspannungselement erhöht im Betrieb gezielt die Spannung im Handlauf. Die erhöhte Spannung dient dazu, den Handlauf und damit die Personenabstützeinrichtung durch Reibung zu bremsen. Das Bremsspannelement kann in Abhängigkeit vom Aufbau des Systems an verschiedenen Stellen angeordnet sein und kann auf jede geeignete Weise, z. B. hydraulisch, elektrische, elektromagnetisch usw., angetrieben werden. Abnutzung des Handlaufs durch Reibung wird durch die Tatsache reduziert, dass das beschriebenen Bremssystem die Reibungslast über einen großen Bereich des Handlaufs verteilt, z. B. die vielen Stellen, an denen der Handlauf über seine Länge die zugrundeliegende Abstützstruktur berührt.
Patent DE-112013003894-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Züchten von Silizium-Einkristall
Inventor: HOSHI RYOJI
IPC: C30B29/06
Filed: 2013-08-05
Granted: 2021-07-08
Abstract: Verfahren zum Züchten eines Silizium-Einkristalls nach einem Czochralski-Verfahren, umfassend:Durchführen einer Vorprüfung der Wachstumsbedingungen, unter denen kein Kristallkollaps auftritt, wobei die Vorprüfung auf einer Korrelation zwischen vorhandenem oder nichtvorhandenem Kristallkollaps im Silizium-Einkristall und einer Position, in der eine Eigenspannung im Kristall beim Züchten des Silizium-Einkristalls einen vorgeschriebenen Schwellenwert überschreitet, basiert, wobei die Position von einer Kristallwachstumsgrenzschicht entfernt ist; undZüchten des Silizium-Einkristalls gemäß den Wachstumsbedingungen, unter denen der Kristallkollaps nicht auftritt, wobei die Wachstumsbedingungen anhand der Vorprüfung festgelegt werden,wobei der vorgeschriebene Schwellenwert 1,27 × 104exp (10170/T) ist, wobei T eine Kristalltemperatur (K) ist, und die Fläche mit einer Eigenspannung größer als der Schwellenwert eine Größe kleiner als der Kristallradius von der Kristallwachstumsgrenzschicht hat.
Patent DE-112013004437-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Definieren einer Eingebetaste auf einer Tastatur und Verfahren zur Interpretation von Tastenanschlägen
Inventor: HSIEH CHIH-HUNG
IPC: G06F3/023
Filed: 2013-09-10
Granted: 2021-11-04
Abstract: Verfahren (300) zum Definieren einer Eingebetaste aufweisend:Anzeigen einer Tastatur, die Tasten (108, 108A bis 108C, 411, 417, 421, 423, 450) aufweist;Definieren von Zielen (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) auf der Tastatur, wobei jedes der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) mit einer der Tasten (108, 108A bis 108C, 411, 417, 421, 423, 450), einem Bereich auf der Tastatur und einer Wischrichtung (D1, D2) verknüpft ist, und wobei jede der Tasten (108, 108A bis 108C, 411, 417, 421, 423, 450) mit mindestens zweien der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) verknüpft ist;Bestimmen eines Orts und einer Wischrichtung (D1, D2) eines Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) relativ zu der Tastatur;Vergleichen des Orts des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) mit den Bereichen der Tastatur, die mit mindestens einigen der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) verknüpft sind;Vergleichen der Wischrichtung (D1, D2) des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) mit den Wischrichtungen (D1, D2), die mit mindestens einigen der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) verknüpft sind; undDefinieren der Eingebetaste basierend auf den Vergleichen des Orts des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) und der Wischrichtung (D1, D2) des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) mit den Zielen (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458)wobei das Definieren der Eingebetaste basierend auf den Vergleichen des Orts des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) und der Wischrichtung (D1, D2) des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) mit den Zielen (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) Folgendes aufweist:Bestimmen, dass keines der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) sowohl mit einem Bereich, der mit dem Tastenanschlag (110, 410A bis 410E) koinzidiert, als auch mit einer Wischrichtung (D1, D2) verknüpft ist, die mit der Wischrichtung (D1, D2) des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) übereinstimmt;Schließen auf eine wahrscheinlichste Taste (108, 108A bis 108C, 411, 417, 421, 423, 450) als die Eingebetaste; undAnpassen eines der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458), das mit der wahrscheinlichsten Taste (108, 108A bis 108C, 411, 417, 421, 423, 450) verknüpft ist, so dass das eine der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) mindestens teilweise mit dem Tastenanschlag (110, 410A bis 410E) koinzidiert und die mit dem einen der Ziele (412, 414, ..., 422, 452, ..., 458) verknüpfte Wischrichtung (D1, D2) mit der Wischrichtung (D1, D2) des Tastenanschlags (110, 410A bis 410E) übereinstimmt.