Patent DE-112014001192-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung photoaktiver Bauelemente mit aktiven Schichten mit kleiner Bandlücke, gestaltet für verbesserten Wirkungsgrad
Inventor: NEWMAN FRED
IPC: H01L31/18
Filed: 2014-02-21
Granted: 2024-01-25
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines photoaktiven Bauelementes (100), umfassend:Ausbilden eines aktiven Bereichs (103) und Gestalten des aktiven Bereichs (103), Strahlung zu absorbieren, die auf den aktiven Bereich (103) auftrifft und als Reaktion auf die Absorption von Strahlung eine Spannung zwischen einer ersten Elektrode (111, 112) und einer zweiten Elektrode zu erzeugen, wobei der aktive Bereich mindestens eine aktive Schicht (104) umfasst, die ein Halbleitermaterial umfasst, das eine Bandlücke zwischen 0,60 eV und 2,10 eV aufweist, wobei die mindestens eine aktive Schicht (104) eine vordere Fläche aufweist, durch die im Betrieb des photoaktiven Bauelementes (100) Strahlung in die mindestens eine aktive Schicht (104) eintritt, und eine hintere Fläche auf einer der vorderen Fläche der mindestens einen aktiven Schicht (104) gegenüberliegenden Seite, wobei die Oberflächen-Rauheit der hinteren Fläche größer ist als die Oberflächen-Rauheit der vorderen Fläche; undAusbilden der ersten Elektrode (111) und der zweiten Elektrode (112), zwischen denen als Reaktion auf die Absorption von Strahlung, die auf den aktiven Bereich (103) auftrifft, eine Spannung erzeugt wird; wobei Ausbilden des aktiven Bereichs (103) ferner umfasst:Ausbilden der mindestens einen aktiven Schicht (104) auf einer Fläche eines ersten Substrats (142), so dass die hintere Fläche der mindestens einen aktiven Schicht (104) benachbart zum ersten Substrat (142) angeordnet ist; Entfernen des ersten Substrats (142) von der mindestens einen aktiven Schicht (104) und Freilegen der hinteren Fläche der mindestens einen aktiven Schicht (104); undBearbeiten der hinteren Fläche der mindestens einen aktiven Schicht (104) nach dem Entfernen des ersten Substrats (142) von der mindestens einen aktiven Schicht (104) und Bewirken, dass die hintere Fläche eine Oberflächen-Rauheit aufweist, die größer ist als die Oberflächen-Rauheit der vorderen Fläche; ferner umfassend das Befestigen eines zweiten Substrats (160) über der mindestens einen aktiven Schicht (104) an einer Seite davon, die dem ersten Substrat (142) gegenüberliegt, bevor das erste Substrat (142) von der mindestens einen aktiven Schicht (104) entfernt wird; ferner umfassend das Ausbilden mindestens einer zusätzlichen aktiven Schicht (106, 108, 110) des aktiven Bereichs (103) auf dem zweiten Substrat (160) vor dem Befestigen des zweiten Substrats (160) über der mindestens einen aktiven Schicht (104) an der Seite davon, die dem ersten Substrat (142) gegenüberliegt; undwobei Ausbilden der mindestens einen aktiven Schicht (104) auf der Oberfläche des ersten Substrats (142) umfasst:Übertragen einer ersten Schicht, die das Halbleitermaterial der mindestens einen aktiven Schicht (104) umfasst, auf das erste Substrat (142) undepitaktisches Aufwachsen einer zusätzlichen Schicht, die das Halbleitermaterial umfasst, auf der ersten Schicht, um eine Dicke der mindestens einen aktiven Schicht (104) zu erhöhen.