baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-19990022638-A (KR)
Title: 반응원 액체 공급 장치 및 이 장치를 구비하는화학 증착 장치
IPC: H01L39/24
Filed: 1996-06-05
Abstract: 본 발명은 비휘발성 반응제를 기체상으로 공급하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 비휘발성 반응원 액체는 고온에서 증발 매트릭스 구조체(26) 상에서 순간 증발된다.  운반 기체는 순간 증발된 반응원을 함유하는 운반 기체 혼합물을 생성하도록 순간 증발 매트릭스 구조체를 통해 유동할 수 있다.  증발 매트릭스 구조체(26)는 높은 표면 대 체적 비를 갖는 것이 바람직하며, 반응원 액체가 순간 증발을 위해 분사될 스크린 메쉬와 같은 다공 매트릭스 요소를 포함할 수 있다.  본 발명은, 지르코늄과 하프늄 등의 전이 금속을 미리 함유하는 Ⅱ족 반응제, 복합물 및 화합물의 공급에 특히 유용하게 사용되며, YBa 2 Cu 3 O x , BiSrCaCuO, TlBaCaCuO 형태의 Ⅱ족 β-디케토네이트 공급원 층과 함께 유용하게 사용될 수 있으며, 초전도체 사이의 Ⅱ족 금속 불화물의 중첩층 혹은 갈륨 비화물 중첩층의 형성을 위해, 그리고 BaTiO 3 , Ba x Sr 1-x TiO 3 , PbZr 1-x Ti x O 3 등의 포토닉(photonic) 및 강유전성 물질의 박막을 증착시키기 위해 사용될 수 있다.
Patent KR-19987003571-A (KR)
Title: A solder bump structure for a microelectronic substrate
Inventor: RINNE GLENN A
IPC: H01L23/485
Filed: 1997-10-02
Abstract: A method for forming routing conductors and solder bumps on a microelectronic substrate includes the steps of forming an under bump metallurgy layer on the substrate and forming a solder structure on the under bump metallurgy layer where the solder structure includes an elongate portion and an enlarged width portion. The portions of the under bump metallurgy layer not covered by the solder structure can be selectively removed using the solder structure as a mask. In addition, the solder is caused to flow from the elongate portion of the solder structure to the enlarged width solder portion thereby forming a raised solder bump. This step is preferably performed by heating the solder structure above its liquidus temperature allowing surface tension induced internal pressures to affect the flow. Various solder structures are also disclosed.
Patent KR-19980070440-A (KR)
Title: 반도체 기억장치 및 그 제조방법
IPC: H01L21/02
Filed: 1998-01-09
Abstract: 본 발명은 집적도가 증대됨에 따라 반도체 소자가 현저히 소형화될지라도 소정치의 커돼시턴스를 확보할 수 있는 반도체기어장치를 공급하며, 또한 장치의 신뢰도를 유지하면서 소정치의 커패시턴스를 확보할 수 있는 반도체기어장치의 제조방법을 제공하는 것이다. 
     반도체기억장치에 있어서, 인접커패시터 하부전극은 0.2㎛의 분리폭으로 분리되고, 커패시터 하부전극 높이와 분리리폭의 비는 1 이며, 커패시터 상부전극은 커패시터절연막을 카버하며, 커패시터 하부전극의 분리부분에서 생성된 스텝이 충전(fill)된다. 
     반도체기억장치를 제조하는 방법에 있어서, 커패시터 상부전극은 화학 또는 물리적작용으로 분식가스를 포함하고 있는 플라스마에 형성된다.
Patent KR-19990065282-A (KR)
Title: 턴테이블식 중력주조기 및 주조방법
IPC: B22D23/00
Filed: 1998-01-10
Abstract: 본 발명은 중력주조기에 관한 것으로, 종래의 중력주조법은 작업자마다 숙련도에 따라 주입시간과 기울인 금형을 바로 세우는 시간이 일정치 않으며, 이러한 공정상의 요인이 제품의 불량율이 높이게 되는 문제점이 있었으나, 본 발명에서는 회전하는 원판인 턴테이블과 이를 지지하는 베이스 그리고, 턴테이블상에 설치되며 주형을 취합하여 회전시키고 자동으로 주조제품의 취출이 이루어지도록 한 주조유닛과, 상기 각 주조유닛에 내장되는 유압작동수단과, 상기 턴테이블 상에 설치되는 전력 및 유압의 공급수단으로서 로터리 타워로 구성되어 숙련도에 좌우되던 불량발생율을 획기적으로 개선하고 주조제품의 완성도를 높이며, 위험하고 유해한 작업을 무인화공정으로 대체할 수 있는 등 탁월한 효과가 있다.
Patent KR-19980070956-A (KR)
Title: 레지스트도포 현상방법 및 레지스트도포 현상장치
IPC: G03F7/38
Filed: 1998-01-30
Abstract: 반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판의 표면에 바람직한 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트도포 현상방법 및 레지스트도포 현상장치에 관한 것으로, 레지스트도포 현상방법은 (a)기판에 형성할 레지스트도포막의 패턴선폭 및 막두께에 대한 각 설정 목표치 및 각각의 허용범위를 각각 설정하는 공정과, (b)기판의 표면에 포토레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정과, (c)기판에 형성된 포토레지스트도포막을 베이크하는 프리베이킹공정과, (d)베이크된 기판을 냉각하는 제 1 냉각공정과, (e)상기 포토레지스트 도포막을 패턴 노광하는 노광공정과, (f)패턴 노광된 레지스트 도포막에 형성된 잠상의 선폭을 측정하는 잠상선폭 측정공정과, (g)패턴 노광된 레지스트 도포막을 베이크하는 포스트베이킹공정과, (h)베이크된 기판을 냉각하는 제 2 냉각공정과, (i)기판에 현상액을 뿌리고, 패턴 노광된 레지스트 도포막을 현상하는 현상공정과, (j)상기 잠상선폭 측정공정(f)에 있어서의 잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위내에 있는지를 판정하는 공정과, (k)잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위에서 벗어난다고 판정되었을 때에, 잠상선폭의 측정치와 상기 설정목표치와의 차를 구하고, 이 차에 따라서 상기 레지스트 도포공정(b)으로부터 현상공정(i)까지의 사이에 존재하는 각 처리조건의 보정량을 구하는 공정과, (l)구해진 보정량에 따라서 레지스트 도포공정(b), 노광공정(e), 포스트베이킹공정(g) 및 현상공정(i) 중에서 선택된 적어도 하나의 처리조건을 보정하는 공정을 구비한다.
Patent KR-19990069087-A (KR)
Title: 반도체 웨이퍼의 분석방법
IPC: H01L21/68
Filed: 1998-02-04
Abstract: 본  발명은  반도체  웨이퍼의  분석방법에  관한  것이다. 
     본  발명은,  웨이퍼  상에  소정의  패턴을  형성시키는  패브리케이션공정을  수행하는  단계;  상기  소정의  패턴이  형성된  웨이퍼를  구성하는  칩의  전기적상태를  검사하여  그  수율을  확인하고,  상기  검사에  따른  불량의  유형  및  웨이퍼  상에  존재하는  상기  불량의  분포  등을  확인하는  이디에스공정을  수행하는  단계;  상기  이디에스공정을  수행한  웨이퍼에  형성되어  있는  소정의  패턴을  제거시키는  스트립공정을  수행하는  단계;  상기  소정의  패턴이  스트립된  웨이퍼의  표면을  폴리싱시키는  폴리싱공정을  수행하는  단계;  및  상기  폴리싱이  이루어진  웨이퍼의  자체에  존재하는  불량의  유형  및  상기  불량의  분포  등을  분석하는  분석공정을  수행하는  단계를  구비하여  이루어짐을  특징으로  한다. 
     따라서,  반도체제조의  수율에  따른  원인을  정확하게  분석함으로써  반도체소자의  제조시  수율에  따른  분석의  데이터의  신뢰도가  향상되는  효과가  있다.
Patent KR-19990069653-A (KR)
Title: 플립형 휴대전화 단말기
IPC: H04B1/38
Filed: 1998-02-11
Abstract: 본 발명은 플립형 휴대전화 단말기의 플립 외측에 단말기 사용에 필요한 정보를 표시하는 플립표시부를 구비한 휴대전화 단말기에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 플립형 휴대전화 단말기에서 플립부를 열지 않고 단말기 상태정보를 표시하는 액정표시부를 볼 수 없는 단점을 해결하기 위해 플립부의 외측면에 휴대전화 단말기의 상태정보를 표시하기 위한 플립표시부를 구비하는 플립형 휴대전화 단말기를 제공하여 사용자에게 보다 편리함과 실용성을 제공하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-19980071720-A (KR)
Title: 황금색 질화 티타늄의 피복 방법
IPC: C23C14/06
Filed: 1998-02-26
Abstract: 균일한 시이트 저항성을 갖는 황금색 질화 티타늄은 높은 질소가스 흐름속도를 사용하여 챔버를 질소로 채우고 질소가스 흐름속도를 감소시키며 피복단계중 챔버내의 압력을 감소시킴으로써 플라즈마 스퍼터링 챔버에서 피복된다.
Patent KR-19990074333-A (KR)
Title: 리튬 계열 이차 전지의 음극용 활물질의 제조 방법
IPC: C01B31/04
Filed: 1998-03-10
Abstract: 리튬 계열 이차 전지의 음극용 활물질의 제조 방법에 관한 것으로서, 콜타르 피치 또는 석유 피치를 유기 용매로 처리하여 유기 용매 불용성 성분을 제거하고, 상기 유기 용매 불용성 성분이 제거된 피치를 불활성 가스 분위기에서 400∼450℃ 온도로 4시간 이상 열처리하여 상기 유기 용매 불용성 성분이 제거된 피치의 50 중량% 이상을 이방성 구체로 형성하고, 상기 이방성 구체를 포함하는 피치를 열처리하여 코크화하고, 상기 코크를 탄화 처리를 한 뒤, 상기 탄화물을 분쇄하고, 상기 분쇄된 생성물을 흑연화 처리하는 공정을 포함하는 리튬 계열 이차 전지용 음극 활물질의 제조 방법을 제공한다.
Patent KR-19980080308-A (KR)
Title: 통합된 루프백 테스트 능력을 갖춘 버스간 브리지 회로 및 그 이용 방법
IPC: G06F13/36
Filed: 1998-03-16
Abstract: 버스 브리지 회로와 집적된 공유 메모리 인터페이스를 포함하는 내부 루프백 능력을 갖춘 버스 브리지 회로가 제공된다.  본 발명의 브리지 회로는 일차 PCI 인터페이스, 이차 PCI 인터페이스, 공유 메모리 인터페이스를 포함한다.  일차 인터페이스와 이차 인터페이스 사이의 전송은 이차 인터페이스와 공유 메모리 인터페이스 사이의 전송과 병렬로 진행될 수 있다.  일차 버스 상의 단일 마스터 장치는 이차 인터페이스를 경유하여 일차 인터페이스와 공유 메모리 인터페이스 사이의 다운스트림 트랜잭션을 지시함으로써 브리지 회로의 루프백 테스팅을 실행할 수 있다.  브리지 회로의 구성 매개변수는 공유 메모리 인터페이스의 어드레스 범위가 이차 인터페이스의 어드레스 범위를 일시적으로 오버랩하도록 허용한다.  일차 버스 마스터 장치는 그러한 오버래핑 범위를 구성하고 오버래핑 어드레스 범위에서 이차 인터페이스로 트랜잭션을 지시한다.  트랜잭션은 이차 인터페이스와 연관되고 일차 인터페이스와 공유 메모리 인터페이스에 모두 접속된 양방향성 I/O 패드에 데이터를 인가한다.  동시 액티브 공유 메모리 인터페이스는 그 때문에 오버래핑 어드레스 범위를 통하여 전송을 수신하고 동일한 경로를 경유하여 데이터를 복귀시킨다.  이러한 구조는 각각의 테스트 벡터에서 가능한 테스트 커버리지를 향상시키고 따라서 필요로 하는 테스트 벡터의 수를 감소시킴으로써 브리지 회로의 테스팅을 단순화한다.  또한, 브리지 회로의 루프백 작동 모드는 보드/애플리케이션 테스트 환경에서 고장 분리에 도움을 준다.
Patent KR-19980086578-A (KR)
Title: 그래프 컬러링 레지스터 할당기에 대한 지역 문맥 스필링을 위한 시스템
IPC: G06F9/45
Filed: 1998-04-10
Abstract: 컴퓨터 프로그램을 컴파일하는 동안 기계 레지스터를 할당하기 위한 레지스터 할당기가 개시되어 있다. 상기 레지스터 할당기는 간섭 그래프를 수립하는 단계, 그래프 컬러링 기술을 사용하여 상기 그래프를 감소시키는 단계, 컬러(즉, 기계 레지스터를 기호 레지스터에 할당함)를 지정하려는 단계, 및 스필 코드(spill code)를 생성하는 단계를 수행한다. 상기 스필 코드는 명령을 기초하여 기본 블록을 프로세스하는 지역 문맥 스필러(local context spiller)에 의해 생성된다. 상기 지역 문맥 스필러는 상기 기본 블록 내에 프리(free)인 기계 레지스터를 할당하려고 한다. 상기 기본 블록이 임의의 프리 기계 레지스터를 갖지 않으면, 상기 지역 문맥 스필러는 스필링하기 위한 기계 레지스터를 선택하도록 룩 어헤드(look ahead)한다. 상기 레지스터 할당기는 간섭 그래프의 재수립과 상기 그래프 감소 동작의 수를 제한함으로써 컴파일러의 성능을 개선시킨다.
Patent KR-19980086734-A (KR)
IPC: B01J37/02
Filed: 1998-05-04
Abstract: The invention relates to a method of producing a catalyst comprising a porous support and a catalytically active metal deposited thereon comprising the steps of treating the porous support with a solution of a salt of the catalytically active metal and a reducing agent to achieve electroless deposition of the catalytically active metal on the support. The invention also relates to a catalyst obtainable by the method and a process of producing hydrogen peroxide.
Patent KR-19990084359-A (KR)
Title: 케이블 티브이망 이용, 피씨 및 티브이겸용 인터넷 및 멀티 미디어 접속 시스템
Filed: 1998-05-06
Abstract: 본 발명은 케이블 TV망을 이용하는 인터넷 접속에 있어서 PC와 TV 겸용으로 인터넷 접속 및 교신이 가능한 PC 및 TV겸용 인터넷 접속 시스템을 제공하며   아울러 케이블 TV선로상에 신호 침입등 통신장애가 발생하면 이를 자동 감지하여   송수신기의 송수신 주파수를 장애가 없는 주파수로 자동 전이 시킴으로서 통신장애가 없는 통신망을 자동 유지할 뿐만 아니라, VIDEO, AUDIO, NEWS-ON-DEMAND,      TELEBANKING, TELESHOPPING, VIDEO GAME  등의 ON-DEMAND SERVICE를 사용자의      선택에 따라 PC 나 TV로 제공 받을 수 있는 PC, TV 겸용 인터넷 및 멀티 미디어 접속 단말 장치를 제공한다.
Patent KR-19990085231-A (KR)
Title: 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
Filed: 1998-05-15
Abstract: 기판 위에 서로 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 게이트선과 데이터선이 형성되어 있다.  화소 영역(P)의 가장자리 둘레에는 일부가 게이트선과 중첩되어 있는 링 모양의 부화소 전극이 형성되어 있으며, 화소 영역(P)의 중앙에는 주화소 전극이 형성되어 있다.  이때, 부 및 주화소 전극은 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에 형성되어 있는 박막 트랜지스터의 제1 드레인 전극과 제2 드레인 전극과 각각 연결되어 있다.  여기서, 부화소 전극과 주화소 전극은 동일한 층에 형성될 수 있으며 다른 층에 형성될 수도 있다.  부화소 전극과 주화소 전극을 동일한 층에 형성하는 경우에는 이들 사이에 광 차단막이 필요하다.  이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 게이트선과 ITO막이 단락되는 오프 불량(off defect)과 인접한 화소끼리 단락되는 화소 불량(pixel defect)이 발생하더라도 링 모양의 부화소 전극에만 불량으로 나타나고, 화소 영역(P)의 중앙에 형성된 주화소 전극에는 제2 드레인 전극을 통하여 정상적으로 데이터 신호가 인가된다.  이때, 화소 영역(P)에서 부화소 전극이 차지하는 면적은 극히 작으며, 정상적으로 작동하는 주화소 전극이 대부분이므로 화상이 표시될 때 화소의 불량으로 발견될 확률이 적다.
Patent KR-19980064912-A (KR)
Title: 자석동력 증폭기
Filed: 1998-06-05
Abstract: 도면 제 1도와 제 3도의 표시와 같이 강화합성수지제품으로 성형제작한 자석동력증폭기(l)의 고정자자석하우징(stator)(2)과 회전자자석하우징(rotor)(4)애 회전자자석(6)의 배열배치를 중심축(5)에서 편심사각방향으로 고정자자석(3)과 대칭동극(N극대N극)으로 배치조립하여 고정자(2)내 360도 전방향에서 자력동극 반발이 강력하게 발생될 때 고정자(2)의 외경 고정자자석(3)의 S극부분에도 S극자력권m이 조성되고, 회전자자석(6)의 중심축(5)부근에도 S극자력권m이 조성되여저 이극(N극대N극)흡인력도 동시에 발생되는 생동력이 내장된 자력동력체 A터미널이 구성제작 되는데 도면제 3도와 ,제5도 제 6도의 표시와 같이 고정자자석(3)과 회전자자석(6)을 변형 제작하여 각기 다른 방법으로 배열배치 조립하므로서 동극 반발력이 이극흡인력 보다 월등히 강력하게 발생되도록 제작하는 방법과 자석동력체 각터미널을 연접 조립하는 구분벽(7)(8)(9)(10)마다 규소강판심(21)을 삽입제작하여 연조립하면 각터미널간(A.B.C)측면 자력선 자력을 흡수차단하여 회전자(4)의 회동출력을 강화시켜 구룹체(도면제8도)로 제작된 소형전동기동력(이극흡인자력을 상쇠시킴)+자석동력증폭기 동극반발력+초고속회동원심력을 종합하여 출력되는 동력증폭기로 제작되는데 소량단위전력 생산과 전기자동차 시대를 앞당기기 위한 무충전 발전기 시스템에 적용하면 오염되고 있는 지구대기 환경개선에 기여하게 하고 초고속회동 출력을 이용하여 고압송풍기나 진공청소기, 양수기 및 풍력발전기의 동력 증폭에 적용하여 발전량 향상에 적용하고, 자전거 페달 동력 증폭용으로 적용사용하여서 다단식 변속기어 장치에 대체 사용하면 전혀 새로운 자전거 운영시대를 열어갈 수 있는 것이다. 
     그리고 전력소모가 요구되는 전동장치에 적용하여 전기에너지 절약에 기여할 최대 목적 요지가 있는 발명인 것이다.
Patent KR-19990006893-A (KR)
Title: 처리 시스템
IPC: G03F7/30
Filed: 1998-06-11
Abstract: 피처리기판을 액을 사용하여 처리하기 위한 액처리와 피처리기판을 열적으로 처리하기 위한 열처리에서 적어도 하나를 수행하는 처리 스테이션과, 도포/현상스테이션으로 기판을 반입 및 반출하기 위한 반송장치와, 도포/현상 스테이션 및 반송장치를 케이싱하기 위한 케이싱과, 케이싱에 설치되고, 기판에 레지스트액을 노광하기 위한 노광장치로 기판을 반입 및 반출하기 위한 인터페이스부와, 케이싱 내의 압력을 노광처리장치 내의 압력보다 낮게 설정하기 위한 압력설정장치를 구비하는 처리 시스템.
Patent KR-19980065057-A (KR)
Title: 파이프의 발포단열층 성형방법 및 장치
IPC: B29C48/51
Filed: 1998-06-20
Abstract: 본 발명은 파이프의 발포단열층 성형방법 및 장치(The equipments and processes molding of foaming insulation layers on pipe)에 관한 것으로, 파이프의 외주연에 연속 작업을 통하여 발포단열층을 형성할 수 있도록 하기 위하여 관체로 이루어져 이송로울러(41)에 의하여 공급되는 파이프(50)의 외주연에 발포단열층(51)이 성형되게 하는 발포성형수단(20)과, 상기 발포성형수단(20)의 전단에 결합되어 파이프(50)의 외주연에 예비발포립(52)이 균일하게 충진되게 발포성형실(21)로 압송하는 발포립압송수단(10)과, 상기 발포립압송수단(10)에 의하여 발포성형실(21)로 충진되는 예비발포립(52)과 파이프(50)와의 결합력이 향상되게 상기 파이프(50)의 외주연에 접착제를 도포하는 접착제도포수단(30)으로 구성한 것이다. 
     따라서, 본 발명은 배관 작업에 있어서 별도의 단열 작업을 실시하지 않아도 되므로 배관 작업을 신속하게 완료할 수 있으며, 연속 작업을 통하여 이루어지므로 생산성이 높고 생산 원가가 낮으며, 특히, 파이프의 외주연 접착제를 도포하여 발포단열층을 형성하므로 발포단열재와 파이프의 결합력이 향상되는 것이다.
Patent KR-20000002588-A (KR)
Title: Automatic dialing method of telephone terminal
Inventor: YOON SUNG HEUM
IPC: H04M1/27485
Filed: 1998-06-22
Abstract: PURPOSE: An automatic dialing method is provided to apply different dealings according to the sort and the number of the dialing phone number of a dialing digit key. CONSTITUTION: The automatic dialing method of the telephone terminal comprises the steps of: inputting the dialing digit key; examining if there is the input of the sending key after inputting the dialing digit key; examining the sort and number of the dialing phone number of the input dialing digit key; and applying the dialing corresponding to the input dialing digit key.
Patent KR-20000002590-A (KR)
Title: Side collision sense controller for vehicle use
Inventor: PARK SO WOOK
IPC: B60R21/01
Filed: 1998-06-22
Abstract: PURPOSE: A side collision sensing and controlling device for a vehicle is provided to sense and control an imminent collision by controlling puffing up movement of the side-airbag. CONSTITUTION: The lateral collision sensing and controlling device comprises:a window comparing device(11) to judge if the lateral collision acceleration signal sensed at the accelerometer exceeds a specific limit, a D-flip-flop(12) to output an input signal following the high edge signal which is turned on when the acceleration signal of the vehicle exceeds a specific limit, and the 1st single stabilization trigger circuit(13) to output pulse signals by the high edge signal.
Patent KR-20000004134-A (KR)
Title: Laminated magnetic head and method for fabricating the same
Inventor: NO JAE WOO
IPC: G11B5/127
Filed: 1998-06-30
Abstract: PURPOSE: A laminated magnetic head and a method for fabricating the same are provided to improve permanence and record/regeneration characteristic by increasing an adhesion of a boundary plane between a magnetic metal layer and an insulator which are deposited in turn. CONSTITUTION: The laminated magnetic head comprises: a core(1) of a non-magnetic material composing of a body of a magnetic head; a track poke(20) composed of a magnetic metal layer(10) and an insulating layer(12) which are deposited in turn toward a perpendicular direction to a center of the core; a magnetic gap(G) intersecting a central portion of the track poke(20), with the insulating layer interposed therebetween; a wiring hole(16) formed at one end of the core; a coil(18) wired at the one end of the core through the wiring hole, wherein the insulating layer disposed between the magnetic metal layers is comprised of an oxide material which is composed of the magnetic metal layer.
Patent KR-20000007196-A (KR)
Title: Method for manufacturing high voltage devices
Inventor: KANG JIN YOUNG
IPC: H01L29/772
Filed: 1998-07-01
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of an LDMOS(lateral double diffused MOS) field effect transistors is provided to improve a breakdown voltage of drain by dispersing vertically a flow of electrons. CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming an epi layer(121) on a substrate(120) and forming a floating region(123) and a well region(122) on the epi layer; forming a first trench region(110) at a junction portion between the well region and the floating region; forming a gate(125) in the first trench region; forming a second trench region in the well region(122); and forming a source and a drain regions(124,126) in the second trench region and the floating region, respectively. Since electron flow is vertically dispersed by forming the gate(125) and the drain(126) in the trench, breakdown voltage is improved.
Patent KR-20000008466-A (KR)
Title: Recording and replaying device of real time data and control method thereof
Inventor: JO JAE RYONG
IPC: H04N21/2365
Filed: 1998-07-14
Abstract: PURPOSE: A recording and replaying device of real time data is provided to be able to trick-play as recording the real time data. CONSTITUTION: The recording/regenerating apparatus of real time data is composed of: plural cameras(10, 12, 14,...) for taking a picture of a subject from different angles; plural microphones(16, 18,...) for inputting the sound signals; a multiplexer(20) for selectively outputting one picture signal and sound signal from plural picture signals photographed from cameras and sound signals inputted from plural microphones; a first analog/digital converting unit(22) for converting the analog picture signal outputted from the multiplexer(20) into the digital signal; and a second analog/digital converting unit(24) for converting the analog sound signal outputted from the multiplexer(20) into the digital signal.
Patent KR-20000010263-A (KR)
Title: Photo diode of optical pickup
Inventor: PARK NO GYEONG
IPC: G11B7/09
Filed: 1998-07-31
Abstract: PURPOSE: A photo diode of an optical pickup is provided to enhance pickup quality by installing a breaker in the photo diode for preventing a parasitic curve caused by aberration of thickness while playing disks of different thickness. CONSTITUTION: The photo diode collects a beam reflected from the disks of different thickness by a plurality of light sources. The beam reflected from the thick disk is lead in an edge of the photo diode and the breaker is installed at the corresponding edge of the photo diode to prevent creation of the parasitic curve, wherein the breaker is formed by a coating method and is directly formed on a chip of the photo diode.
Patent KR-19990029319-A (KR)
Title: 팽창성 스텐트의 삽입을 위한 팽창카테터
IPC: A61F2/82
Filed: 1998-08-18
Abstract: 본 발명은 카테터의 말단부에 가해지며 비었을 때 수축된 스텐트 둘레로 피복되도록 감싸여 질 수 있는 팽창성 풍선을 갖는 팽창성 스텐트의 도입 및 삽입을 위한 팽창카테터에 관한 것이다.    풍선의 외면은 수축된 스텐트 둘레로 보다 강한 파지력을 제공하도록 피복물질 또는 변형에 의해 거칠게 된다.
Patent KR-20000014851-A (KR)
Title: High frequency filter
Inventor: LEE CHANG HWA
IPC: H03H9/00
Filed: 1998-08-25
Abstract: PURPOSE: A high frequency filter of a cylindrical cavity type is provided to have an excellent an attenuation characteristic at a low band. CONSTITUTION: A high frequency filter of a cylindrical cavity type comprises an upper block(100), a lower block(200), and a plurality of resonators. The upper block(100) has a plurality of cylindrical openings(110), and the lower block(200) has a plurality of cylindrical grooves(220). The plurality of resonators are formed by inserting a dielectric into the cylindrical openings of the plurality and into the cylindrical grooves of the plurality. The high frequency filter comprises a coupling path(240) and a coupling waveguide(230). The coupling path(240) connects two ones of the resonators to an input terminal and to an output terminal, respectively, and the coupling waveguide(230) connects remaining resonators adjacent to each other.
Patent KR-19990029791-A (KR)
Title: 반도체 집적회로 장치
IPC: G11C8/12
Filed: 1998-09-15
Abstract: 반도체 집적회로 장치는,  복수개의 칼럼과  복수개의 로우로 배치된 복수개의 메모리 셀로 구성된  메인 메모리부, 및  복수개의 칼럼과  복수개의 로우로 배치된 복수개의 메모리 셀로 구성된  서브 메모리부를 구비하고,   상기 메인 메모리부의 로우 또는 칼럼을  지정하는  하나이상의 어드레스 입력단자  및  상기 서브 메모리부의 로우 또는 칼럼을 지정하는  하나이상의 어드레스 입력단자는  공통으로 사용되며,  어드레스 입력단자의 총수는  상기 메인 메모리부의 로우 또는 칼럼을 지정하는  어드레스 입력단자의 갯수와 같거나 더 적다.     따라서, 본 발명의 반도체 집적회로 장치는  복수개의 데이터 처리장치로부터 액세스되기에 적당한 메인 메모리를 갖는다.
Patent KR-20000019880-A (KR)
Title: Semiconductor device having multi-layered pad structure and method for fabricating the same
Inventor: SON KYUNG MOK
IPC: H01L21/768
Filed: 1998-09-16
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a multi-layered pad structure preventing the metal open phenomenon and the crack of an insulation film is provided. CONSTITUTION: A multi-layered pad structure comprises N(over 2) layers of conductive films. An interlayer insulation film is formed at full stretch in rectangular form toward one side of the pad structure along the edge of (N-1)th conductive film(36) and has via holes(41) revealing the contact regions of (N-1)th conductive film inside. Nth conductive film(42) is formed on Nth interlayer insulation film as filling the via holes and is contacted with (N-1)th conductive film electrically. A passivation film is formed on Nth conductive film and reveals the pad open region.
Patent KR-20000020192-A (KR)
Title: Memory device and method for driving the same
Inventor: BANG HUN JIN
IPC: G11C5/14
Filed: 1998-09-18
Abstract: PURPOSE: A memory device is provided to generate a boosting voltage having a stable level in an external voltage operation range although an external power supply voltage is used in a cell array. CONSTITUTION: A semiconductor memory device comprises a memory cell array, a bit line sensing circuit, an internal voltage clamping circuit and a boosting circuit. A plurality of memory cells are arranged in the memory cell array(10). The bit line sensing circuit(20) senses and amplifies data stored in the memory cell array, and uses an external power supply voltage at sensing data of a 'high' level. The internal voltage clamping circuit(30) is driven by the external power supply voltage, and generates an internal clamping voltage. The boosting circuit(50) generates a boosting voltage higher than the clamping voltage.
Patent KR-20000020492-A (KR)
Title: Method for mingling self routing with table control switching and switching network
Inventor: SONG YUN SUK
IPC: H04L12/28
Filed: 1998-09-21
Abstract: PURPOSE: A self routing and a method for switching a table control minglement are provided to increase the operating speed of whole switch networks, by mingle the self routing switching with the table control switching. CONSTITUTION: A switching method in a multistage switching network comprises the steps of: performing a table control switching(S1,S3) by a plurality of table switch elements composed of tables having the extension for switching a self routing; performing a self routing step(S2,S4),alternately, by self routing switch elements processing a self routing switching according to the extension of the table; processing a switching path corresponding to the extension, which follows a routing bit by reading the routing bit of a cell header; processing the self routing switching according to the routing path of the extension, by receiving the new extension when reaching the table switching elements.
Patent KR-19980087841-A (KR)
Title: 과일선별기의 중량검출/선별장치
IPC: B07C5/16
Filed: 1998-09-24
Abstract: 본 발명은 과일의 중량을 자동으로 계측하고, 계측된 과일을 중량별로 선과(선별)하는 과일선별기의 중량검출/선별장치에 관한 것이다. 
     입력수단에 의해 중량별 기준설정값의 입력시에 중량별 기준설정값을 입력하고, 중량검출수단에 의해 빈 버켓의 중량을 일정회수 검출하여 그 평균치를 기억시키고, 버켓상에 중량을 검출할려는 과일을 재치시켜 로드 셀의 직상부에 버켓을 이송시키면, 버켓위치 검출수단에 의해 버켓이 정위치에 위치한 후, 중량검출수단의 로드 셀에 의해 버켓과 과일의 중량을 검출하여 그 중량데이터를 상기 마이컴에 출력한다. 마이컴에서는 상기 실측값에서 버켓의 평균무게를 감하는 연산을 행하고, 그 중량데이터를 RAM에 저장시킨 후, 디코더에서 출력되는 제어신호에 따라 표시수단에 중량을 표시함과 동시에 해당하는 솔레노이드 밸브를 작동시켜서 과일을 중량에 따라 자동으로 선별한다.
Patent KR-20000021085-A (KR)
Title: Surface treating apparatus using plasma
Inventor: HA SAM CHEOL
IPC: H01J37/00
Filed: 1998-09-25
Abstract: PURPOSE: A surface treating apparatus is provided to maintain uniform plasma strength on the surface of a sample, even when the surface of the sample is curved or the distance between the sample and an electrode is not constant due to the sample's complex shape. CONSTITUTION: A surface treating apparatus comprises a chamber(1), a vacuum pump(5,6)for providing vacuum within the chamber, a vacuum level measurement device(7,8) for measuring a vacuum level within the chamber, a voltage applying device(3) for applying the voltage to a sample(2), a gas injector(9,10) for injecting a reaction gas into the chamber, a sample holder for holding the sample for surface treatment, a power supplying device for supplying the bias voltage to the sample and an electrode(4). The apparatus further comprises an electric motor. The electric motor rotates the electrode around the sample, while maintaining an equal distance between the electrode and the sample.
Patent KR-20000024880-A (KR)
Title: Method for forming charge storing electrode of semiconductor device
Inventor: SEO IL SEOK
IPC: H01L21/28
Filed: 1998-10-02
Abstract: PURPOSE: A method for forming charge storing electrode of semiconductor device is provided to increase a capacitance and decrease a broad stepped cone by removing a barrier oxidation film and a barrier nitration film before a forming of a dielectric film. CONSTITUTION: A first insulating film(22) is formed on an upper portion of a semiconductor substrate(21). A selected region of the first insulating film(22) is etched and a contact hole is formed to a certain region of the semiconductor substrate(21). A first conductive layer(23) is buried in the contact hole. A second conductive layer(24), a second insulating film(25), and an oxidation film(26) are successively formed on an upper portion of an all structure. A selected region of the oxidation film(26), the second insulating film(25), and the second conductive layer(24) is etched and then a certain pattern is formed. The certain pattern is formed on an upper portion of the first insulating film(22) between the first conductive layer(23). The second conductive layer(24) is used as a word line. A barrier oxidation film(27) and a barrier nitration film(28) are formed on an upper portion of the all structure.