baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent GR-1000369-B (GR)
Inventor: LAUTENSCHLAGER KARL JUN
IPC: E05D5/02
Filed: 1988-12-01
Abstract: Πλάκα συναρμολόγησης (30) για την κατά την πλευρά του σώματος συγκράτηση ενός μεντεσέ επίπλων, η οποία παρουσιάζει δύο διαχωριζόμενα μεταξύ τους τμήματα πλάκας συναρμολόγησης (40, 42) τα οποία μπορούν να μανδαλώνονται και απομανδαλώνονται σε μία θέση το ένα επί του άλλου. Το κάτω τμήμα της πλάκας συναρμολόγησης (40) που στερεώνεται επί του φέροντος τοιχώματος του σώματος του επίπλου, παρουσιάζει στο πρόσθιο άκρο του που εξέρχεται από το εσωτερικό του σώματος, μία τουλάχιστον αγκιστροειδή προεξοχή (78), στην οποία αντιστοιχεί μία αγκιστροειδής υποδοχή (76) στην κάτω πλευρά του άνω τμήματος της πλάκας συναρμολόγησης (42). Ο μηχανισμός εγκάθισης για την σύνδεση με δυνατότητα λύσης των δύο τμημάτων της πλάκας συναρμολόγησης (40, 42) παρουσιάζει στο άνω τμήμα της πλάκας συναρμολόγησης (42) δύο παράλληλες γλώσσες (64) που μπορούν να κάμπτονται προς την επιφάνεια του φέροντος τοιχώματος, με ένα τμήμα εγκάθισης (74) η κάθε μία, τα οποία εγκάθηνται εφαρμόζοντα δια του σχήματος σε αντίστοιχες υποδοχές εγκάθισης (50) στο κάτω τμήμα της πλάκας συναρμολόγησης (40). Δι' ασκήσεως μιας κατευθυνομένης μεταξύ τους και παράλληλης προς την επιφάνεια του φέροντος τοιχώματος πίεσης μπορούν τα τμήματα εγκάθισης (74) να απεμπλακούν από τις υποδοχές εγκάθισης (80). ω
Patent IN-162544-B (IN)
Inventor: WHITING HORST ROBERT
IPC: G06F9/42
Filed: 1984-09-27
Abstract: Hardware for performing microcode branching in a central processing unit allows for two different speeds of branches which can be used by microcode and includes flexibility to optionally inhibit the extra lines which enter the pipeline on a branch. A default branch path can be taken for a test result not yet available and can be replaced with a correct branch target during a clock pause if the test result is false. A return address stack is provided with decoupled loading and pushing to accommodate the two branching speeds. Microcode can specify loading the return address stack with a literal or register value to allow vectored branching and returning to a desired line after a delayed call.
Patent RS-50832-B (RS)
Title: Triterpene-containing oleogel-forming agent triterpene-containing oleogel and method for producing a triterpene-containing oleogel
Inventor: SCHEFFLER
IPC: A61K9/00
Filed: 2005-06-21
Abstract: The invention relates to an oleogel-forming agent which comprises at least one highly dispersed triterpene. The invention also relates to an oleogel which comprises a nonpolar liquid in an amount ranging from 80% by weight to 99% by weight based on the total weight of the oleogel and an oleogel-forming agent comprising a highly dispersed triterpene in an amount ranging from 1% by weight to 20% by weight based on the total weight of the oleogel. The invention also relates to a method for producing an oleogel.
Patent RS-51173-B (RS)
Title: Greened sound-absorbing structure
Inventor: FERRAIOLO FRANCESCO
IPC: E01F8/02
Filed: 2005-06-14
Abstract: A modular greened sound-absorbing structure is formed by one or more containment sections (2, 4, 6, 8, 10, 12) for filling material in which plant material can be cultivated. Each containment section comprises frame means (20), connecting means (30, 32) engaged with the frame means in order to connect those frame means to one another, and a plurality of wall means (40) engaged with the frame means in such a manner as to define at least one pair of lateral walls of one of the above-mentioned containment sections. Finally, the containment sections are filled completely with the filling material. <IMAGE>
Patent RS-51948-B (RS)
Inventor: LEREBOURS-PIGEONNIERE GUY
IPC: A61K31/55
Filed: 2009-11-06
Abstract: Ivabradin ili 3-{3-[{[(7S)-3,4-dimetoksibiciklo[4.2.0]okta-1,3,5-trien-7-il]metil}(metil) amino]propil}-7,8-dimetoksi-1,3,4,5-tetrahidro-2H-3-benzazepin-2-on,njegove adicione soli sa farmaceutski prihvatljivom kiselinom ili hidrati pomenutih soli, za korišćenje istog  u dijagnostičkom postupku koji koristi postupak koronarne angiografije putem kompjuterizovane tomografije u više preseka.Prijava sadrži još 4 patentna zahteva.
Patent RS-52196-B (RS)
Inventor: RODRIGUEZ MARTINEZ GRYSSELL MARIA
IPC: A61K39/385
Filed: 2008-06-26
Abstract: Kompozicija za vakcinu koja sadrži aktivni element konjugovanog proteina hrEGF-rP64K, pri čemu je svaki P64K molekul proteina vezan za dva hrEGF molekula i pri čemu kompozicija za vakcinu sadrži bar 90% aktivnog elementa.Prijava sadrži još 15 patentnih zahteva.
Patent TW-I614643-B (TW)
Inventor: STANLEY CRAIG M
IPC: G06F1/16
Filed: 2013-05-21
Granted: 2018-02-11
Abstract: 一種配件可具備一按鈕控制器，該按鈕控制器具有一麥克風及開關。該配件之塑膠結構可藉由射出模製而形成。塑膠結構可模製於一印刷電路及佈線周圍。該佈線可具有一塑膠護套。該等經模製塑膠結構可與該塑膠護套結合以保持該佈線。該等經模製塑膠結構可直接模製至該印刷電路板。該等經模製塑膠結構上之突起可與一金屬夾子中之開口配合。外殼結構可安裝至該金屬夾子。該金屬夾子可具備使該金屬夾子短路至該印刷電路上之一跡線的一彈簧。該金屬夾子亦可具有在靜電放電事件期間接收靜電電荷且通過該彈簧將該電荷放電至該印刷電路上之該跡線的一部分。
Patent TW-I615367-B (TW)
Inventor: DECKER HEATHER BOSSARD
IPC: C03C25/10
Filed: 2013-10-11
Granted: 2018-02-21
Abstract: 本揭示案的一或更多個態樣關於物品，該物品包括安置在可強化的玻璃基板上的膜，其中改質膜與玻璃基板之間的界面，使得物品保留該物品的平均彎曲強度且膜保留針對膜的塗覆的關鍵功能性質。膜的一些關鍵功能性質包括光學性質、電學性質及/或機械性質。破裂從膜或玻璃基板中的一者橋接至膜或玻璃基板中的另一者可藉由在玻璃基板與膜之間插入破裂緩和層阻止。
Patent TW-I630206-B (TW)
Inventor: VAKALOPOULOS ALEXANDROS
IPC: A61K31/4725
Filed: 2013-11-04
Granted: 2018-07-21
Abstract: 本申請案係關於新穎的經取代咪唑并[1,2-a]吡啶-3-羧醯胺類、其製備方法、其單獨或組合供治療及/或預防疾病之用途，以及其用於製備醫藥品供治療及/或預防疾病，特別是用於治療及/或預防心血管病症之用途。
Patent TW-I639667-B (TW)
Title: Substrate composition, subsequent sheet, electronic device and method of manufacturing same
Inventor: NISHIJIMA KENTA
IPC: C09J147/00
Filed: 2013-11-29
Granted: 2018-11-01
Abstract: 本發明係一種接著劑組成物，其係用於封裝電子裝置之接著劑組成物，含有：來自異戊二烯之反覆單位之含有率，對全反覆單位為0.1~99莫耳%之異丁烯．異戊二烯共聚物作為主要成分；一種接著板片，具有：剝離板片；及形成於該剝離板片上之接著劑層，其特徵在於：上述接著劑層係使用上述接著劑組成物所形成；一種接著板片，包括：氣體阻隔薄膜；及形成於上述氣體阻隔薄膜上之接著劑層，上述氣體阻隔薄膜，在於溫度40℃、相對濕度90%的環境下的水蒸氣穿透率為0.1g/m 2 /day以下，且全光線穿透率為80%以上者，上述接著劑層，係由包含異丁烯．異戊二烯共聚物作為主要成分之接著劑組成物所組成；及，一種電子裝置，其係將上述接著劑組成物及接著板片，用於作為有機EL元件等之封裝材。根據本發明，可提供又用於作為水分阻斷性優良，且，黏著力優良之接著劑層之形成材料之接著劑組成物、接著板片、電子裝置等。
Patent TW-I640202-B (TW)
Title: Receiving device and electronic device
Inventor: SHIMIZU HIROYUKI
IPC: H04N5/44
Filed: 2014-01-17
Granted: 2018-11-01
Abstract: 本發明之收訊裝置包括：複數個收訊電路；複數個局部振盪電路，其等對複數個收訊電路之各者供給局部振盪信號；及控制部，其控制各收訊電路及各局部振盪電路。控制部係準備複數個利用各個收訊電路搜尋收訊頻率之搜尋演算法，且根據其他收訊電路或其他局部振盪電路所處理之頻率，選擇各個收訊電路搜尋收訊頻率時之搜尋演算法。
Patent TW-I686193-B (TW)
Title: Nitroxyl donors with improved therapeutic index
Inventor: KALISH VINCENT JACOB
IPC: C07D307/64
Filed: 2014-01-17
Granted: 2020-03-01
Abstract: The disclosed subject matter provides  N -substituted hydroxylamine derivative compounds, pharmaceutical compositions and kits comprising such compounds, and methods of using such compounds or pharmaceutical compositions. In particular, the disclosed subject matter provides methods of using such compounds or pharmaceutical compositions for treating heart failure.
Patent TW-I634177-B (TW)
Title: 透明導電膜貼附用黏接劑以及黏接片
Inventor: ARAI TAKAYUKI
IPC: C09J7/00
Filed: 2014-01-27
Granted: 2018-09-01
Abstract: 本發明提供一種以透明導電膜為貼附對象，對於透明導電膜的黏貼性高，耐久性優異的透明導電膜貼附用黏接劑以及黏接片。為瞭解決上述課題，提供一種透明導電膜貼附用黏接劑，其重量平均分子量為80萬~300萬，由包含(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)和架橋劑(B)的黏接性組合物架橋而構成。(甲基)丙烯酸酯聚合物(A)，其作為構成聚合物的單體單元，含有碳原子數為7以上的脂環式結構的單體。
Patent TW-I618067-B (TW)
Inventor: SONG CHOUNG-KI
IPC: G11C16/06
Filed: 2014-02-10
Granted: 2018-03-11
Abstract: 本發明之一實施例提供一種半導體，其包括：一非揮發性儲存單元，其適合儲存一或多個第一位址；一位址儲存單元，其適合在一重設操作中儲存自該非揮發性儲存單元依序接收之該等第一位址作為第二位址，而刪除與該等第一位址之一輸入位址相同之先前所儲存的第二位址；及一胞元陣列，其適合在一存取操作中基於該等第二位址用一或多個冗餘胞元來替換一或多個正常胞元。
Patent TW-I646183-B (TW)
Inventor: NISHIZAWA HIDEAKI
IPC: C09K3/14
Filed: 2014-11-06
Granted: 2019-01-01
Abstract: 本發明之研磨組合物係供研磨具備絕緣層與含銅導電層之印刷電路板者，且其包含研磨粒、銅錯合劑、烷基苯磺酸三乙醇胺、及水。
Patent TW-I659048-B (TW)
Title: 多官能胺基甲酸乙酯（甲基）丙烯酸酯及其硬化性樹脂組成物
Inventor: KAKEYA Humiaki
IPC: B32B27/16
Filed: 2014-11-21
Granted: 2019-05-11
Abstract: 本發明係於基材的表面，設置硬化性樹脂組成物所成的硬化物層之樹脂薄膜中，兼具樹脂之加工性等與對於近年之高硬度化塗膜的要求性能作為目的。
 
     上述課題係藉由塗佈於樹脂基材使其硬化，可形成硬化物層之硬化性樹脂組成物，並藉由包含特定之多官能胺基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯低聚物之硬化性樹脂組成物予以解決。
Patent TW-I673724-B (TW)
Title: 石墨－銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極
Inventor: KANDA MASAO
IPC: C22C1/10
Filed: 2015-04-10
Granted: 2019-10-01
Abstract: 目的在提供可使電極消耗減低至實用等級的石墨-銅複合電極材料及使用該材料之放電加工用電極。一種石墨-銅複合電極材料，其係在由石墨材料所成之基材的氣孔中含浸有銅的石墨-銅複合電極材料，電阻率為2.5μΩm以下，以1.5μΩm以下為佳，尤其以1.0μΩm以下為佳。由上述石墨材料所成之基材的異向性比以1.2以下為宜，電極材料中的銅的含浸率φ以13%以上為宜，由上述石墨材料所成之基材的容積密度以1.40Mg/m 3 以上、1.85Mg/m 3 以下為宜。
Patent TW-I669046-B (TW)
Inventor: TSENG CHENG KUANG
IPC: F16B1/02
Filed: 2015-08-14
Granted: 2019-08-11
Abstract: 一種閉鎖結構及應用其之系統。閉鎖結構包括一抵接件、一第一撥鈕、一連動件及一第二撥鈕。連動件包括一滑槽，連動件與第一撥鈕或抵接件相抵接。第二撥鈕包括一突柱，突柱可動地設置於滑槽內。
Patent TW-I687406-B (TW)
Title: Compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern
Inventor: MASUYAMA TATSURO
IPC: C07C69/74
Filed: 2015-08-25
Granted: 2020-03-11
Abstract: A compound having a group represented by the formula (Ia): 
     
wherein R 1  represents a C 1  to C 8  fluorinated alkyl group, R 2  represents a group having an optionally substituted C 5  to C 18  alicyclic hydrocarbon group, and * represents a binding site.
Patent TW-I672803-B (TW)
Inventor: ZHAI JUN
IPC: H01L21/58
Filed: 2015-08-27
Granted: 2019-09-21
Abstract: 本發明描述一種半導體器件，其包括耦接至一第一半導體基板之一積體電路，在該第一基板上有第一組被動器件(例如，電感器)。具有第二組被動器件(例如，電容器)之一第二半導體基板可耦接至該第一基板。該等基板中之互連件可允許在該等基板與該積體電路之間的互連。該等被動器件可用於為該積體電路提供電壓調節。該等基板與該積體電路可使用金屬化物耦接。
Patent TW-I630696-B (TW)
Inventor: DE LEON CONRADO
IPC: H01L23/60
Filed: 2016-01-21
Granted: 2018-07-21
Abstract: 本發明提供用於防禦靜電放電(ESD)的改良的電路保護
裝置及其形成方法，所述裝置包括：第一支撐基板；第一電極及第二電極，形成於第一支撐基板上，其中第一電極及第二電極是由導電材料形成。所述裝置更包括：第一結合墊，安置於第一電極及第二電極上，第一結合墊中形成有第一空腔；第二支撐基板，安置於第一結合墊上，第二支撐基板中形成有第二空腔；以及電壓可變材料，安置於第一空腔及第二空腔內，並電性連接至第一電極及第二電極。所述裝置更包括：第二結合墊，安置於第二支撐基板上；以及第三支撐基板，安置於第二結合墊上。
Patent TW-I681980-B (TW)
Title: Polymer product in particle form and its use
Inventor: KARPPI ASKO
IPC: D21H17/41
Filed: 2016-01-26
Granted: 2020-01-11
Abstract: The invention relates to a water-soluble polymer product in particle form, comprising amphoteric polyacrylamide, which is obtained by polymerising acrylamide together with anionic and cationic monomers. The amphoteric polyacrylamide has a mass average molecular weight MW of 1 500 000 - 6 000 000 g/mol, and a total ionicity of 4 - 15 mol-%, whereby the polymer product has a polymer content of at least 60 weight-%. The invention relates also to uses of the polymer product in paper and board making.
Patent TW-I674336-B (TW)
Inventor: LEE HYUN KYU
IPC: H01L27/12
Filed: 2016-03-03
Granted: 2019-10-11
Abstract: 本發明涉及用於蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物，其基於所述組合物的總重量包括：(a)10-25wt%的過氧化氫；(b)1-10wt%的檸檬酸；(c)0.05-2wt%的唑化合物；(d)0.001-0.1wt%的磷酸鹽化合物；(e)1-5wt%的多元醇表面活性劑；和(f)餘量水，並且涉及蝕刻方法和用於使用所述蝕刻劑組合物製造液晶顯示器陣列基板的方法。
Patent TW-I627941-B (TW)
Title: 製作牙科手術導板之方法
Inventor: Cai zhen-guo
IPC: A61C3/00
Filed: 2016-03-17
Granted: 2018-07-01
Abstract: 本發明一種製作牙科手術導板之方法，包含手術導板之製作、贗復體之植入，以及顎骨整復之施作，該贗復體包含：一手術導板，具有至少一處鑽孔位置以供上顎部或下顎部截骨手術之鑽孔定位，以及一假牙組，該手術導板與對應之假牙組結合而為一贗復體，繼而植入患者口腔。
Patent TW-I687637-B (TW)
Title: 溫度控制裝置、溫度控制方法及程式
Inventor: HAYASHI DAISUKE
IPC: F27D21/00
Filed: 2016-04-01
Granted: 2020-03-11
Abstract: 提升半導體晶圓之面內均勻性。
 
     處理系統係具有熱顯示器、溫度測定裝置、中心值算出部、差異算出部、溫度控制部。熱顯示器會測定半導體晶圓上面整體之溫度分布。溫度測定裝置會依半導體晶圓之各分割區域來測定分割區域內之部分區域的溫度。中心值算出部會基於熱顯示器所測定之溫度分布，在各分割區域算出分割區域內之溫度分布的中心值。差異算出部會在各分割區域算出溫度測定裝置所測定之區域溫度與分割區域內之溫度分布中心值的差值。溫度控制部會在各分割區域基於差異及溫度測定裝置所測定之溫度，以中心值會成為預設之設定溫度的方式來控制分割區域之溫度。
Patent TW-I678287-B (TW)
Title: 膜、膜的製造方法、固體攝像元件及紅外線感測器
Inventor: OOTA KAZUYA
IPC: B32B7/02
Filed: 2016-04-14
Granted: 2019-12-01
Abstract: 本發明提供一種膜、膜的製造方法、固體攝像元件及紅外線感測器。膜的膜厚度方向上之光的透射率在波長450～650nm的範圍中之最大值為20%以下，膜厚度方向上之波長835nm的光的透射率為20%以下，膜厚度方向上之光的透射率在波長1000～1300nm的範圍中之最小值為70%以上，該膜的製造方法具有形成第1分光層之步驟及形成第2分光層之步驟，用於製造該膜之套組具有第1組成物和第2組成物。
Patent TW-I619282-B (TW)
Inventor: CHAO-I WU
IPC: G11C13/00
Filed: 2016-04-14
Granted: 2018-03-21
Abstract: 記憶裝置與電阻式記憶胞的操作方法。記憶裝置包括電阻式記憶胞。電阻式記憶胞包括第一電極、第二電極及記憶膜。記憶膜在第一電極與第二電極之間。第一電極包括底電極部分與從底電極部分向上延伸的壁電極部分。壁電極部分在記憶膜與底電極部分之間。壁電極部分與記憶膜的寬度是小於底電極部分的寬度。
Patent TW-I674072-B (TW)
Inventor: TAKEUCHI MANABU
IPC: A24F47/00
Filed: 2016-04-29
Granted: 2019-10-11
Abstract: 本發明之非燃燒型香味吸嘗器係具備：外殼，具有從進氣口連續至排氣口的空氣流路；霧化部，以不伴隨燃燒之方式將氣膠源霧化；感測器，輸出按照使用者之抽吸動作而變化的值；以及控制部，依據藉由從前述感測器輸出之值所導出的2以上之響應值所構成的斜率之絕對值，以使氣膠量落在所期望範圍內之方式，控制對於前述霧化部之電源輸出，其中前述氣膠量係在對前述霧化部之一次通電中藉由前述霧化部所霧化的氣膠之量。
Patent TW-I638440-B (TW)
Inventor: FANG QIANG
IPC: H01L23/522
Filed: 2016-05-16
Granted: 2018-10-11
Abstract: 本發明涉及用於後段製程(BEOL)的犧牲非晶矽硬遮罩，其起始金屬化結構用於電耦合一或多個下層的半導體裝置，該結構包括具有一或多個金屬填充通孔位於其中的介電材料的底層、在底層上方的保護層、及在保護層上方的介電材料的頂層。在介電材料的頂層上方形成非晶矽的犧牲層，在犧牲層上方形成保護層，並在一或多個金屬填充通孔上方形成通過每個層的一或多個通孔，以露出一或多個金屬填充通孔的金屬。然後，選擇性地移除保護層及非晶矽的犧牲層。
Patent TW-I618335-B (TW)
Title: 一體成型自發電車輪
Inventor: Wu jia-hong
IPC: H02K21/12
Filed: 2016-06-16
Granted: 2018-03-11
Abstract: 本發明係為一種一體成型自發電車輪，其包含：自行車的車輪轉動讓裝設於車輪的複數線圈與複數不同極性且對應排列的一對磁鐵相對運動，使線圈切割磁力線利用佛來明右手定則，形成無磨擦且非常實用的自行車發電方式，其中該車輪上具有一線圈片體結構(定子)固定在輪軸，該車輪旋轉帶動含磁鐵凹槽的左右幅條框，讓磁鐵磁力線集中切割線圈而發電，達到藉由自行車行進產生的轉動動能轉換成電能的一種裝置，並配合儲能系統進行充電，發電及蓄電方式非常簡單且便利。
Patent TW-I626369-B (TW)
Inventor: TSENG CHIEN-JUNG
IPC: F03D3/04
Filed: 2016-07-12
Granted: 2018-06-11
Abstract: 一種渦輪裝置，包括：一本體、一渦輪葉片組、一導流模組、一門板組及一流體回收件。本體開設有一流體入口及一流體出口。流體入口具有一導流區域及一第一開放區域。流體出口具有一氣流回收區域及一第二開放區域。渦輪葉片組沿一樞設方向設於本體內部。導流模組設置於導流區域，而門板組活動地設置於流體入口。流體回收件配置於氣流回收區域。流體回收件遮蔽部分流體出口，使工作流體經流體回收件導引而重新流回本體內。
Patent TW-I621113-B (TW)
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: G09G3/20
Filed: 2010-10-13
Granted: 2018-04-11
Abstract: 降低電晶體的漏電流，使得邏輯電路的故障可受抑制。該邏輯電路包括電晶體，其包括氧化物半導體層，該氧化物半導體層具有通道形成層之功能且在其中截止電流為每微米通道寬度1×10 -13 A。將作為輸入訊號之第一訊號、第二訊號、以及係時脈訊號的第三訊號輸入。將作為輸出訊號之彼等的電壓狀態係依據已輸入之該等第一至第三訊號設定的第四及第五訊號輸出。
Patent TW-I611473-B (TW)
Inventor: HUANG JUNG LUNG
IPC: H01L21/30
Filed: 2016-10-11
Granted: 2018-01-11
Abstract: 本發明提供一種液位控制系統及方法。本發明通過利用一液體移除裝置將一液體從一水槽逐漸移除，以達到基板在固定時間內均勻分段浸泡程序，進而避免現有技術中因機械移動基板方式，容易會有微振動而造成液面擾動進而造成基板因處理不均勻而報廢的問題。
Patent TW-I710656-B (TW)
Title: 半導體元件用磊晶基板、半導體元件以及半導體元件用磊晶基板之製造方法
Inventor: ICHIMURA MIKIYA
IPC: C23C16/34
Filed: 2016-10-27
Granted: 2020-11-21
Abstract: 本發明係提供經抑制漏電流、且高耐壓的半導體元件用磊晶基板。半導體元件用磊晶基板，係包括：由經摻雜Zn的GaN所構成半絕緣性獨立式基板、鄰接獨立式基板且由第IIIA族氮化物構成的緩衝層、鄰接緩衝層且由第IIIA族氮化物構成的通道層、以及設置於在緩衝層的對向側配置呈夾置通道層且由第IIIA族氮化物構成的阻障層；其中，由獨立式基板與緩衝層所構成第1區域其中一部分係依1×10 17 cm -3 以上濃度含有Si的第2區域，上述第2區域的Zn濃度最小值係1×10 17 cm -3 。
Patent TW-I615458-B (TW)
Inventor: CHEN CHING YI
IPC: C09K11/57
Filed: 2016-10-28
Granted: 2018-02-21
Abstract: 波長轉換膜片及應用其之發光裝置與顯示器。波長轉換膜片包括經Mn 4+ 活化的氟化物螢光粉。經Mn 4+ 活化的氟化物螢光粉含有片狀結晶體且具有化學通式A 2 [MF 6 ]：Mn 4+ 。A為Li、Na、K、Rb、Cs、NH 4 或上述之組合。M為Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述之組合。
Patent TW-I616606-B (TW)
Inventor: KNIE DANIEL
IPC: F16K31/00
Filed: 2016-11-01
Granted: 2018-03-01
Abstract: 本發明係關於一種體積流調節閥，其係用於控制一流體介質在兩個排放通道(170-1、170-2)中的體積流。該體積流調節閥由一汽缸與安裝於其中可軸向移位的一二重活塞組成，其中一中心壓力腔室(130)係形成於該活塞之啞鈴狀中心構件之區域中。除了用於該流體介質之一饋源之外，該兩個排放通道(170-1、170-2)亦設置在此中心壓力腔室(130)處。根據本發明，此等排放通道以軸向間隔(2d)配置在該汽缸處，使得當該二重活塞(120)係相對於該等排放通道安置於一中心設定中時，較佳地被第一活塞(120-1)部分覆蓋的第一排放通道(170-1)與較佳地被第二活塞(120-2)部分覆蓋的第二排放通道(170-2)留出相同的開放橫截面面積。
Patent TW-I664394-B (TW)
Inventor: PAN ZHONGGUANG
IPC: G01C21/34
Filed: 2016-11-23
Granted: 2019-07-01
Abstract: 一種提示方法及裝置，其方法包括：伺服器接收到使用者設備的地圖輸出請求時，將請求輸出的導航地圖發送至使用者設備，由使用者設備輸出，導航地圖根據物品在場所中的物品位置預先生成；獲取預尋找物品的物品標識資訊；獲取預尋找物品在場所中的物品位置；獲取使用者設備在場所中的設備位置；根據設備位置與各個預尋找商品的物品位置的距離，生成導航提示資訊，並觸發使用者設備在導航地圖中輸出導航提示資訊；導航提示資訊用於提示使用者每一個預尋找物品的物品位置，以及距離設備位置的遠近。提高了進行物品尋找的便利性及尋找效率。
Patent TW-I712071-B (TW)
Title: Method for fabricating semiconductor device
Inventor: YEN YUNG SUNG
IPC: H01L21/027
Filed: 2016-12-23
Granted: 2020-12-01
Abstract: A method of fabricating a semiconductor device includes forming a hard mask (HM) mandrel along a first direction over a material layer, forming a first spacer along a sidewall of the HM mandrel, forming a second spacer along a sidewall of the first spacer and forming a patterned photoresist layer having a first line opening over the HM mandrel, the first spacer and the second spacer. First 
portions of the HM mandrel, the first spacer and the second spacer are exposed within the first line opening. The method also includes removing the first portion of the first spacer through the first line opening to expose a first portion of the material layer and etching the exposed first portion of the material layer to form a first opening in the material layer by using the exposed first portions of the HM mandrel and the second spacer as a sub-etch-mask.
Patent TW-I731930-B (TW)
Title: 1,2-苯二甲醇化合物之製造方法
Inventor: KAWANO TSUYOSHI
IPC: A01N43/78
Filed: 2017-02-03
Granted: 2021-07-01
Abstract: 本發明乃是式[1]所示之化合物之製造方法，其係包含將式[2]所示之化合物於酸性或鹼性條件下進行水解之步驟，及使式[3]所示之化合物與金屬乙酸鹽類反應之步驟，及將式[4]所示之化合物鹵素化之步驟。本發明係式[1]所示之化合物之製造方法，其係包含使式[3]所示之化合物與金屬乙酸鹽類反應，之後，於反應液中加入醇、水、鹼使其反應之步驟，且本發明之式[1]所示之化合物之製造方法，包含使式[3]所示之化合物於鹼、離子液體及金屬硫酸鹽類的存在下或非存在下，在水中或水與有機溶劑之混合溶劑中反應之步驟，又本發明係關於一種式[2]所示之化合物或其鹽、及式[3]所示之化合物或其鹽。
Patent TW-I675520-B (TW)
Inventor: KIM NAM SEONG
IPC: H01S3/083
Filed: 2017-02-06
Granted: 2019-10-21
Abstract: 本發明揭示一種薄碟雷射裝置，包括：第一抛物面反射鏡
及第二抛物面反射鏡，彼此面對，且同軸地配置；第一薄碟及第二薄碟，分別具備雷射介質與反射面，分別配置至第一抛物面反射鏡及第二抛物面反射鏡的頂點而與第一抛物面反射鏡及第二抛物面反射鏡一同形成激升光的多路徑；第一內部鏡及第二內部鏡，配置至第一抛物面反射鏡與第二抛物面反射鏡之間的空間而反射訊號光；以及多個鏡，配置至第一內部鏡與第二內部鏡之間的訊號光的光路徑上；且第一內部鏡、第二內部鏡及多個鏡藉由在第一薄碟與第二薄碟之間反覆反射訊號光而放大上述訊號光。
Patent TW-I685386-B (TW)
Title: 利用週波及電漿的廢棄物玻璃化處理方法及設備
Inventor: CHEN LONG-JI
IPC: B09B3/00
Filed: 2017-02-24
Granted: 2020-02-21
Abstract: 一種利用週波及電漿的廢棄物玻璃化處理方法包含一個配置步驟、一個定型步驟、一個熔解步驟，及一個凝固步驟。該配置步驟是將廢棄物與含矽鋁的材料混合成一混合物。該定型步驟是使該混合物定型成一定型物。該熔解步驟是依序利用週波及電漿產生的熱，將該定型物熔解成流動物，並使該定型物中的有機物分解或氣化。該凝固步驟是使該流動物冷卻並玻璃化。本發明亦提供一種利用週波及電漿的廢棄物玻璃化處理設備包含一個定型裝置、一個包括一個臥式週波爐及一個電漿爐的熔解裝置，及一個凝固裝置。透過利用週波及電漿的廢棄物玻璃化處理方法及設備，可使得經處理的廢棄物具有較佳的品質及純度。
Patent TW-I640270-B (TW)
Inventor: LEE KYONG HAK
IPC: A45D1/20
Filed: 2017-02-24
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本揭露有關於頭髮造型裝置及其相關方法。頭髮造型裝置包括加熱套筒及轉動件。加熱套筒定義頭髮造型面及中心軸。轉動件配置在頭髮造型面之一端，且用以繞加熱套筒之中心軸轉動，轉動件包括一個或數個保持件，此個或此些保持件用以保持頭髮及捲繞頭髮繞著頭髮造型面，此個或此些保持件往遠離頭髮造型面方向突出。
Patent TW-I714735-B (TW)
Title: 聚矽氧粒子及其製造方法
Inventor: INOKUCHI YOSHINORI
IPC: C08J7/043
Filed: 2017-03-15
Granted: 2021-01-01
Abstract: 本發明提供一種具有橡膠彈性、凝集性低、對樹脂的分散性高以及於粒子表面含有烯基的聚矽氧粒子及其製造方法。該聚矽氧粒子的特徵在於，其為，體積平均粒徑為0.1~100μm的聚矽氧彈性體球狀粒子的表面被覆著聚甲基烯基矽倍半氧烷的聚矽氧粒子。相對所述聚矽氧彈性體球狀粒子100質量份，聚甲基烯基矽倍半氧烷的質量為0.5~25質量份，且於聚甲基烯基矽倍半氧烷的表面具有烯基矽基。
Patent TW-I722167-B (TW)
Inventor: PLETTNER TOMAS
IPC: H05H7/04
Filed: 2017-04-11
Granted: 2021-03-21
Abstract: 本發明提供一種永久磁鐵粒子束裝置及包含可調性之一非磁性部分之方法。該永久磁鐵粒子束裝置包含發射一帶電荷粒子束之一粒子束發射器，且包含形成用於控制該帶電荷粒子束之聚集之一磁場之一組永久磁鐵。該永久磁鐵粒子束裝置進一步包含一非磁性電導體組件，該非磁性電導體組件係與該組永久磁鐵安置在一起，以控制移動通過該磁場之該帶電荷粒子束之一動能。
Patent TW-I769159-B (TW)
Inventor: TANG HAI
IPC: H04W72/00
Filed: 2017-05-16
Granted: 2022-07-01
Abstract: 本發明實施例提出一種用於消除小區間干擾的方法和裝置，能夠實現小區間干擾的消除。此方法包括第一收發節點獲取潛在干擾小區的干擾資訊，其中，潛在干擾小區屬於第二收發節點，潛在干擾小區的干擾資訊包括下列中的至少一項：潛在干擾小區的雙工模式資訊、潛在干擾小區的多工技術資訊、潛在干擾小區在至少一個第一傳輸資源池中每個第一傳輸資源池的實體層參數和潛在干擾小區在至少一個第二傳輸資源池中每個第二傳輸資源池的資源配置資訊。第一收發節點向第一終端設備發送潛在干擾小區的干擾資訊。
Patent TW-I640230-B (TW)
Inventor: TSAU FU SHIUNG
IPC: H05K1/11
Filed: 2017-05-16
Granted: 2018-11-01
Abstract: 一種負載板包含一第一電路層、一第二電路層、一第一訊號導通道、一第二訊號導通道、一第一訊號線、一第二訊號線以及複數條接地導通道，第一訊號導通道及第二訊號導通道貫穿並垂直該第一電路層及該第二電路層，其中該第一訊號導通道及第二訊號導通道殘段為10千分之一寸(mil)，第一訊號線及第二訊號線位於該第二電路層上分別連接至該第一訊號導通道及第二訊號導通道，複數條接地導通道圍繞該第一訊號導通道及第二訊號導通道，本發明之負載板可以使電路的阻抗匹配以減少訊號反彈。
Patent TW-I627013-B (TW)
Title: Tool magazine door guard
Inventor: LEE YUN PEI
IPC: B23Q11/08
Filed: 2017-06-01
Granted: 2018-06-21
Abstract: 一種刀庫門防護裝置，包含至少一導軌、一伸縮門板單元及至少一驅動單元。該導軌設置於該刀庫門一側，且沿一第一軸向延伸，並具有一第一端及一第二端。該伸縮門板單元具有一定位件、一連動件、多數鱗片，以及一連接於該等鱗片的遮蔽件，該驅動單元驅動該連動件相對於該定位件趨近時，該等鱗片呈一縮合狀態，該連動件相對於該定位件遠離時，該等鱗片呈一展開狀態。藉此，該防護裝置可使刀庫門產生較佳之遮蔽效果，可有效阻止碎屑、切削液噴濺至該刀庫。
Patent TW-I709080-B (TW)
Title: 申請專利範圍之結構組構裝置
Inventor: TSAI HONG-SHIN
IPC: G06Q50/18
Filed: 2017-06-14
Granted: 2020-11-01
Abstract: 一種申請專利範圍之結構組構裝置包含一元件名詞攫取模組、一補述
決定模組，以及一組構模組。該元件名詞攫取模組自一申請專利範圍攫取出一元件名詞。該補述決定模組決定出對應於該主詞元件的一補述。該組構模組根據由該元件名詞、該補述及一組構辨識文字的相互之間排列關係所組成的一組構規則，而將該元件名詞、該受詞元件名詞及該補述予以組構並顯示。藉由申請專利範圍結構化地組構，從而突顯其內容結構，以利於專利從業人員得以快速檢閱專利內容，並且應用於檢索作業。
Patent TW-I795362-B (TW)
Title: Antagonist and immune checkpoint inhibitor
Inventor: YOSHIDA TAKAO
IPC: A61P35/00
Filed: 2017-07-06
Granted: 2023-03-11
Abstract: The objective of the present invention is to discover an effective cancer treatment method and to provide a medicine. The present invention provides a medicine comprising the combinations of a compound represented by the general formula (I), a salt thereof, a solvate thereof, an N-oxide thereof, or a prodrug thereof and an immune checkpoint inhibitor (for example, anti-PD-I). 
 
     
       
         
       
     
     The combination of the present invention exerts strong antitumor effect and is therefore useful for treating cancer.
Patent TW-I753929-B (TW)
Title: 吡咯啶衍生物
Inventor: KONDO ATSUSHI
IPC: A61P25/06
Filed: 2017-07-21
Granted: 2022-02-01
Abstract: 本發明之課題在於提供一種具有CGRP受體拮抗作用、可用於治療牽涉到CGRP受體之各種疾病的新穎化合物。亦即，本發明係關於下式(I)所示吡咯啶衍生物或其藥理學上所容許之鹽。式中，W表示環、X表示碳原子等、Y 1 ~Y 4 表示碳原子等、R 1 ~R 7 表示烷基等。本發明之化合物或其藥理學上所容許之鹽係具有優越之CGRP受體拮抗作用，可用於治療牽涉到CGRP受體之各種疾病的治療藥。
Patent TW-I627429-B (TW)
Inventor: TSAI MING JUNG
IPC: G01R35/00
Filed: 2017-08-21
Granted: 2018-06-21
Abstract: 本發明提供了一種誤差消除放大器，包括：一放大器模組；一開關模組，電性連接該放大器的該輸出端；一比較器模組，包括：一第一比較器以及一第二比較器。以及一輸出比較器。其中，該輸出比較器的該第一輸入端電性連接該放大器模組的訊號輸出端，該輸出比較器的該第二輸入端電性連接一參考電位；一調校模組，電性連接該放大器模組；該至少一霍爾偵測訊號通過該放大器模組、該開關模組以及該調校模組消除該霍爾偵測訊號的一偏移量。
Patent TW-I757327-B (TW)
Inventor: LEE JUNHYUNG
IPC: H03G3/30
Filed: 2017-08-30
Granted: 2022-03-11
Abstract: Described herein are variable gain amplifiers and multiplexers that embed programmable attenuators into switchable paths that allow signals in a high gain mode to bypass attenuation. This advantageously reduces or eliminates performance penalties in the high gain mode. The programmable attenuators can be configured to improve linearity of the amplification process through pre-LNA attenuation in targeted gain modes. In addition, described herein are variable gain amplifiers with embedded attenuators in a switching network. The attenuators can be embedded onto switches and can be configured to have little or no effect on a noise factor in a high gain mode because the switching network can provide an attenuation bypass in a high gain mode and an attenuation in other gain modes. The programmable attenuators can be embedded onto a multi-input LNA architecture.
Patent TW-I682425-B (TW)
Title: 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式
Inventor: TOYODA KAZUYUKI
IPC: H01J37/32
Filed: 2017-11-14
Granted: 2020-01-11
Abstract: 本發明的課題是在於使膜的特性變化的處理後的基板的特性提升。 　　其解決手段係具有： 　　處理容器，其係收容有基板； 　　基板支撐部，其係於處理容器內支撐基板，具有支撐電極； 　　上部電極，其係與基板支撐部對向； 　　第1阻抗控制部，其係一端被連接至上部電極； 　　第2阻抗控制部，其係一端被連接至支撐電極； 　　處理氣體供給部，其係對基板供給處理氣體； 　　活化部，其係處理容器的外側，經由絕緣部來連接至電力供給部，使處理氣體活化；及 　　第3阻抗控制部，其係一端被連接至絕緣部與活化部之間。
Patent TW-I654920-B (TW)
Inventor: CHENG TSAI-KUEI
IPC: G06F1/16
Filed: 2017-11-23
Granted: 2019-03-21
Abstract: 一種浸入式冷卻系統包括一載盤、一主機板、一隔液罩及一冷卻組件。主機板包含一基板及一發熱元件。基板疊設於載盤。發熱元件電性設置於基板。隔液罩疊設於基板，並罩覆發熱元件，以與基板共同形成一儲液空間。儲液空間用以容置一冷卻液。冷卻組件位於儲液空間，並熱接觸發熱元件。
Patent TW-I761400-B (TW)
Title: 半導體基板
Inventor: YAMAMOTO TAIKI
IPC: H01L29/778
Filed: 2017-11-30
Granted: 2022-04-21
Abstract: 本發明係提供一種使用磊晶成長法形成III族氮化物半導體結晶層時，翹曲量小之半導體基板。  
     本發明之半導體基板，係具有：矽基板、反應抑制層、應力產生層及活性層，矽基板、反應抑制層、應力產生層及活性層係以矽基板、反應抑制層、應力產生層、活性層之順序配置，其中，反應抑制層為抑制矽原子與III族原子之反應的氮化物結晶層，應力產生層為產生壓縮應力之氮化物結晶層，活性層為形成有電子元件之氮化物結晶層，在矽基板與反應抑制層之間，更具有以矽原子、鋁原子及氮原子作為主要構成原子之SiAlN層。
Patent TW-I645586-B (TW)
Inventor: RUAN JIAN LONG
IPC: H01L33/58
Filed: 2017-12-05
Granted: 2018-12-21
Abstract: 一種可提升光均勻度之中空奈米結構二次光學透鏡之製作方法，步驟包括：(a)在一透鏡的表面形成一多晶系晶種層；(b)在該多晶系晶種層上成長數個隨機排列之奈米柱結構；(c)將該未成長奈米柱結構之晶種層去除，以使底下之透鏡表面裸露出來；(d)於該數個奈米柱結構與該透鏡表面裸露之部分濺鍍一陶瓷材料層；(e)去除該數個奈米柱結構，留下具有數個隨機排列中空奈米柱結構之陶瓷材料層。藉此，於一透鏡表面上形成一中空奈米結構層，該中空奈米結構具有散射光線之作用，可提升二次光學透鏡散射光均勻度。
Patent TW-I661682-B (TW)
Inventor: YANG YIH-SHAN
IPC: H03M1/66
Filed: 2017-12-22
Granted: 2019-06-01
Abstract: 一種N位元數位-類比轉換器及其製造方法。N位元數位-類比轉換器（DAC）是基於：第一級，包括與數位輸入的較高階位元對應的第一組電阻器；以及第二級，包括與所述數位輸入的較低階位元對應的第二組電阻器。多個傳送電晶體被配置成將因應於數位輸入而選擇的所述第一級中的所述第一組電阻器的第一子集連接至因應於所述數位輸入而選擇的所述第二級中的所述第二組電阻器的第二子集。提供一種用於減小因應於數位輸入而選擇的所述多個傳送電晶體中的傳送電晶體的導通電阻之和的變化的構件，藉此在較寬的範圍上在數位-類比轉換器的輸出電壓中產生更均勻的階躍。
Patent TW-I710382-B (TW)
Title: 含美妥芬諾(butorphanol)之貼附劑
Inventor: FUJITA NAOKO
IPC: A61K45/00
Filed: 2017-12-27
Granted: 2020-11-21
Abstract: 本發明之貼附劑係具備支持體層及黏著劑層者，且 上述黏著劑層含有選自由美妥芬諾及其藥學上容許之鹽所組成之群中之至少一種藥物及矽酮系黏著基劑，並且 上述黏著劑層之每單位面積之質量為30～90 g/m 2 
。
Patent TW-I741121-B (TW)
Title: Method and apparatus for selective epitaxy
Inventor: LI XUEBIN
IPC: C23C16/38
Filed: 2018-01-03
Granted: 2021-10-01
Abstract: A method of forming a film on a substrate having silicon surfaces and dielectric surfaces includes precleaning the substrate; applying an inhibitor species to the dielectric surfaces; and exposing the substrate to a precursor while maintaining a temperature of less than about 600 degrees Celsius.