baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-112012002720-B4 (DE)
Title: Hochdruckgastank und Herstellungsverfahren für Hochdruckgastank
Inventor: MIYOSHI SHINJI
IPC: F17C1/16
Filed: 2012-06-28
Granted: 2017-08-24
Abstract: Hochdruckgastank (1), in dem aus Fasern, die mit einem duroplastischen Harz imprägniert sind und die außen um eine Tankauskleidung (2) gewunden sind, eine faserverstärkte Harzschicht (3) außen an der Tankauskleidung (2) ausgebildet ist, wobei die faserverstärkte Harzschicht (3) eine auf der Seite der Tankauskleidung (2) ausgebildete Innenschicht (3a) und eine außen an der Innenschicht (3a) ausgebildete Außenschicht (3b) aufweist; die Innenschicht (3a) als dichte Schicht ausgebildet ist, während die Außenschicht (3b) als Schicht ausgebildet ist, die weniger dicht ist als die Innenschicht (3a), dadurch gekennzeichnet, dass in der Außenschicht (3b) Lufträume (8a) ausgebildet sind.
Patent DE-112013001066-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Berechnen einer Höhenposition einer Oberfläche einer Siliziumschmelze, Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls, und Silizium-Einkristall-Ziehvorrichtung
Inventor: MASUDA NAOKI
IPC: C30B15/20
Filed: 2013-01-22
Granted: 2021-09-30
Abstract: Verfahren zum Berechnen einer Höhenposition einer Oberfläche einer Siliziumschmelze zum Zeitpunkt des Ziehens eines Silizium-Einkristalls aus einer Siliziumschmelze, enthalten in einem Tiegel, basierend auf dem Czochralski-Verfahren, umfassend:Erhalten eines ersten Kristalldurchmessers, gemessen von einem Schmelzring, auf einer Grenzfläche der Siliziumschmelze und dem Silizium-Einkristall, unter Verwendung einer CCD-Kamera, installiert in einem solchen Winkel hinsichtlich des Silizium-Einkristalls, dass der auf einer Grenzfläche zwischen der Siliziumschmelze und dem Silizium-Einkristall vorliegende Schmelzring detektiert werden kann, undeines zweiten Kristalldurchmessers, gemessen unter Verwendung von zwei CCD-Kameras, parallel zu beiden Enden eines Kristalldurchmessers des Silizium-Einkristalls installiert; undBerechnen der Höhenposition der Oberfläche der Siliziumschmelze in dem Tiegel während des Ziehens des Silizium-Einkristalls aus einer Differenz zwischen dem ersten Kristalldurchmesser und dem zweiten Kristalldurchmesser,wobei die Höhenposition der Oberfläche der Siliziumschmelze durch Erhalten einer Laufdistanz ΔH aus einer vorbestimmten Höhenposition, basierend auf ΔH = ΔD/(2tanθ) (θ stellt den Installationswinkel hinsichtlich des Siliziumkristalls der CCD-Kamera, verwendet zum Messen des ersten Kristalldurchmessers, dar und ΔD stellt eine Differenz zwischen dem ersten Kristalldurchmesser und dem zweiten Kristalldurchmesser dar) berechnet wird.
Patent DE-112013004262-B4 (DE)
Title: Zündstift und Verbrennungsmotor-Zündvorrichtung
Inventor: NAITO TATSUYA
IPC: H01L27/04
Filed: 2013-08-30
Granted: 2023-03-30
Abstract: Zündstift (200), umfassend:einen Haupttransistor (3) mit isolierter Gate-Elektrode, der eine erste Halbleiterschicht (42) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Halbleiterschicht (43) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in einer Oberflächenschicht einer ersten Hauptfläche der ersten Halbleiterschicht (42) bereitgestellt wird, eine dritte Halbleiterschicht (44) des ersten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in der zweiten Halbleiterschicht (43) bereitgestellt wird, eine erste Gate-Elektrode (46), die auf einer Oberfläche eines Abschnitts der zweiten Halbleiterschicht (43) bereitgestellt wird, die zwischen der dritten Halbleiterschicht (44) und der ersten Halbleiterschicht (42) eingeschoben ist, wobei eine erste Gate-Isolierfolie (45) dazwischen eingeschoben ist, und eine erste Hauptelektrode (47), die an die zweite Halbleiterschicht (43) und die dritte Halbleiterschicht (44) elektrisch angeschlossen ist, umfasst; undeinen Abtasttransistor (4) mit isolierter Gate-Elektrode, der eine vierte Halbleiterschicht (43) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in der Oberflächenschicht der ersten Hauptfläche der ersten Halbleiterschicht (42) bereitgestellt wird, um von der zweiten Halbleiterschicht (43) getrennt zu sein, eine fünfte Halbleiterschicht (44) des ersten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in der vierten Halbleiterschicht (43) bereitgestellt wird, eine zweite Gate-Elektrode (46), die auf einer Oberfläche eines Abschnitts der vierten Halbleiterschicht (43) bereitgestellt wird, die zwischen der fünften Halbleiterschicht (44) und der ersten Halbleiterschicht (42) eingeschoben wird, wobei eine zweite Gate-Isolierfolie (45) dazwischen eingeschoben wird, und eine zweite Hauptelektrode (47), die an die erste Hauptelektrode (47), die vierte Halbleiterschicht (43) und die fünfte Halbleiterschicht (44) elektrisch angeschlossen ist, umfasst,wobei ein Abstand zwischen dem Haupttransistor (3) mit isolierter Gate-Elektrode und dem Abtasttransistor (4) mit isolierter Gate-Elektrode gleich oder größer als 100 um und gleich oder kleiner als 700 um ist;eine Überspannungsschutz-Abtast-Zener-Diode (9), die auf der ersten Hauptfläche der ersten Halbleiterschicht (42) bereitgestellt wird und zwischen der zweiten Gate-Elektrode (46) und der ersten Hauptelektrode (47) angeschlossen ist; undeine asymmetrische bidirektionale Diode (7), die auf der ersten Hauptfläche der ersten Halbleiterschicht (42) bereitgestellt wird und zwischen der ersten Hauptelektrode (47) und der zweiten Hauptelektrode (47) angeschlossen ist und das Potential der zweiten Hauptelektrode (47) einstellt, damit es höher als das Potential der ersten Hauptelektrode (47) ist,wobei jede von der Abtast-Zener-Diode (9) und der asymmetrischen bidirektionalen Diode (7) derart angeordnet ist, dass sie einem Abschnitt des Abtasttransistors (4) mit isolierter Gate-Elektrode gegenübersteht, der nicht dem Haupttransistor (3) mit isolierter Gate-Elektrode (3b) gegenübersteht.
Patent DE-112013006073-B4 (DE)
Title: Staubkappe und Verbinderkupplungskörper
Inventor: HIKOSAKA TOMOHIRO
IPC: H01L23/04
Filed: 2013-12-18
Granted: 2023-10-12
Abstract: Staubkappe (5), die in einem Gehäuse (3) zum Verhindern des Eindringens von Fremdsubstanzen in einen inneren Abschnitt des Gehäuses (3) angeordnet ist, wobei ein Leiterrahmen (9) einer elektronischen Komponente (7) von dem Gehäuse (3) hervorsteht,
 die Staubkappe (5) eine Wärmebeständigkeit gegen Wärme aufweist, die erzeugt wird, wenn der Leiterrahmen (9) gelötet wird,
 ein Schwerpunkt umfassend das Gehäuse (3) und die elektronische Komponente (7) in einem Zustand, wo die Staubkappe (5) in dem Gehäuse (3) angeordnet ist, näher an dem Leiterrahmen (9) als ein Stützabschnitt (11) des Gehäuses (3) angeordnet ist,
 der Leiterrahmen (9) an einem Endabschnitt des Gehäuses (3) in einer Erstreckungsrichtung des Gehäuses (3) von dem Gehäuse (3) nach unten hervorsteht, und
 der Stützabschnitt (11) an einem Zwischenabschnitt des Gehäuses (3) in einer Erstreckungsrichtung des Gehäuses (3) von dem Gehäuse (3) nach unten hervorsteht,
 wobei aufgrund einer Gravitationskraft ein Rotationsmoment um die Stützabschnitte (11) erzeugt wird, das den Leiterrahmen (9) in Richtung einer Leiterplatte (2) vorspannt.
Patent DE-112014000937-B4 (DE)
Title: Lichtleiter und Bildlesevorrichtung
Inventor: MATSUZAWA TAKU
IPC: H04N1/028
Filed: 2014-02-14
Granted: 2022-07-28
Abstract: Lichtleiter (2), der sich entlang einer Längsrichtung erstreckt und einen bogenförmigen äußeren Formgebungsbereich zumindest in einem Teil eines transversalen Querschnitts aufweist, bei dem es sich um einen Querschnitt entlang einer die Längsrichtung schneidenden Transversalrichtung handelt, wobei der Lichtleiter (2) Folgendes aufweist:- einen Lichtstreuungsbereich (2a), der an einer Seitenfläche des Lichtleiters (2) entlang der Längsrichtung ausgebildet ist und zum Reflektieren von im Inneren des Lichtleiters (2) geführtem Licht ausgebildet ist; und- einen lichtemittierenden Oberflächenbereich (2d), der zumindest einen Teil eines äußeren Formgebungsbereichs beinhaltet und an einer dem Lichtstreuungsbereich (2a) gegenüberliegenden Seitenfläche entlang der Längsrichtung ausgebildet ist und zum Emittieren von von dem Lichtstreuungsbereich (2a) reflektiertem Licht zur Außenseite des Lichtleiters ausgebildet ist; und- wobei der lichtemittierende Oberflächenbereich (2d) mit einem ersten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2b) und einem zweiten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2c) ausgebildet ist, die kontinuierlich längs einer Vielzahl von Wendepunkten (2e) in der Längsrichtung miteinander verbunden sind, wobei der erste lichtemittierende Oberflächenbereich (2b) eine größere umfangsmäßige Länge als der zweite lichtemittierende Oberflächenbereich (2c) in dem transversalen Querschnitt aufweist und wobei eine Krümmung des Umfangs des ersten lichtemittierenden Oberflächenbereichs (2b) in dem transversalen Querschnitt in Richtung von dem zweiten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2c) weg mit zunehmender Entfernung von den Wendepunkten (2e) kontinuierlich größer wird; und- wobei eine Normallinie (NL) auf den Lichtstreuungsbereich (2a), die durch das Zentrum des Lichtstreuungsbereichs (2a) in dem transversalen Querschnitt hindurchgeht, derart angeordnet ist, dass sie den ersten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2b) kreuzt, und ein Punkt, an dem die Normallinie den ersten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2b) kreuzt, an dem Umfang des ersten lichtemittierenden Oberflächenbereichs (2b) auf einer Seite in der Nähe des zweiten lichtemittierenden Oberflächenbereichs (2c) in dem transversalen Querschnitt angeordnet ist, wobei die Wendepunkte (2e) entlang der Transversalrichtung näher zum zweiten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2c) sind als der Punkt, an dem die Normallinie (NL) den ersten lichtemittierenden Oberflächenbereich (2b) kreuzt.
Patent DE-112015000282-B4 (DE)
Title: Verfahren für die Wärmebehandlung von Siliziumeinkristall-Wafern
Inventor: HOSHI RYOJI
IPC: H01L21/324
Filed: 2015-01-08
Granted: 2021-10-14
Abstract: Verfahren für die Wärmebehandlung eines Siliziumeinkristall-Wafers in einer oxidierenden Umgebung, das Folgendes umfasst:Durchführen der Wärmebehandlung aufgrund einer Bedingung, die durch eine dreifache Korrelation zwischen einer Wärmebehandlungstemperatur während der Wärmebehandlung, einer Sauerstoffkonzentration in dem Siliziumeinkristall-Wafer vor der Wärmebehandlung und einer Wachstumsbedingung eines Siliziumeinkristalls ermittelt wird, aus dem der Siliziumeinkristall-Wafer ausgeschnitten wird, wobeider Siliziumeinkristall-Wafer aus einem Siliziumeinkristall ohne Stickstoffdotierung ausgeschnitten wurde, unddie dreifache Korrelation durch den folgenden Vergleichsausdruck (A-1) dargestellt wird:T≥{37,5/(8×1016)}[Oi]'+72,7IvoidA+860wobei „T‟ die Wärmebehandlungstemperatur in °C ist, [Oi]' die Sauerstoffkonzentration Atome/cm3-ASTM`79 in dem Siliziumeinkristall-Wafer vor der Wärmebehandlung ist, und IvoidAdurch die folgende Formel (A-2) dargestellt wird:IvoidA={(V/G)−(V/G)crt}1/3×{L(1150−1080)/V}1/2wobei „V“ eine Wachstumsgeschwindigkeit in mm/min ist, „G“ ein Temperaturgradient nahe einer Grenzfläche in °C/mm ist, (V/G)crt ein Wert von V/G ist, wenn kein Defekt vorliegt, und L(1150-1080) eine Länge eines Temperaturbereichs der Hohlraumdefektbildung von 1150 °C bis 1080 °C in mm ist, oder wobeider Siliziumeinkristall-Wafer aus einem mit Stickstoff dotierten Siliziumeinkristall ausgeschnitten wurde, unddie dreifache Korrelation durch den folgenden Vergleichsausdruck (B-1) dargestellt wird:T≥{37,5/(8×1016)}[Oi]'+72,7IvoidB+860wobei „T“ die Wärmebehandlungstemperatur in °C ist, [Oi]' die Sauerstoffkonzentration Atome/cm3 -ASTM'79 in dem Siliziumeinkristall-Wafer vor der Hitzebehandlung ist, und IvoidBdurch die folgende Formel (B-2) dargestellt wird:IvoidB={(V/G)−(V/G)crt}1/3×{L(1080−1040)/2V}1/2wobei „V“ eine Wachstumsgeschwindigkeit in mm/min ist, „G“ ein Temperaturgradient nahe einer Grenzfläche in °C/mm ist, (V/G)crt ein Wert von V/G ist, wenn kein Defekt vorliegt, und L(1080-1040) eine Länge eines Temperaturbereichs der Hohlraumdefektbildung von 1080 °C bis 1040 °C in mm ist, wenn der Einkristall mit Stickstoff dotiert ist.
Patent DE-112015004455-B4 (DE)
Title: Mehrschichtige Laser-Debonding-Struktur mit einstellbarer Absorption
Inventor: ANDRY PAUL
IPC: B32B7/12
Filed: 2015-11-03
Granted: 2020-03-26
Abstract: Verfahren, aufweisend:Bereitstellen einer Laservorrichtung, welche zum Emittieren von UV-Licht einer ausgewählten Wellenlänge konfiguriert ist;Erhalten einer Struktur, welche einen Vorrichtungs-Wafer, eine auf den Vorrichtungs-Wafer geklebte Klebstoffschicht, einen UV-durchlässigen Handling-Wafer und eine Ablationsschicht zwischen dem Handling-Wafer und der Klebstoffschicht aufweist, und welche an die Klebstoffschicht geklebt ist, wobei die Ablationsschicht eine optische Eindringtiefe von 0,1 Mikrometer bis 0,2 Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge aufweist und eine Dicke von mindestens zwei Eindringtiefen aufweist, wobei die Klebstoffschicht eine optische Eindringtiefe von zwei Mikrometer bis zwanzig Mikrometer bei der ausgewählten Wellenlänge und eine Dicke von mindestens einer Eindringtiefe aufweist, wobei die Klebstoffschicht darin suspendierte Nanopartikel zum Streuen von UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge und/oder Farbstoff umfasst, welcher Licht der ausgewählten Wellenlänge absorbiert;Bewirken, dass die Laservorrichtung UV-Licht der ausgewählten Wellenlänge in Richtung der Struktur emittiert und die Ablationsschicht ablatiert, undTrennen des Handling-Wafers von dem Vorrichtungs-Wafer.
Patent DE-112016000077-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zur Änderung der Breite eines Luftmessers mit hervorragender Betriebseffizienz
Inventor: HEO KI BOK
IPC: C23C2/18
Filed: 2016-03-10
Granted: 2020-08-20
Abstract: Vorrichtung zur Änderung der Breite eines Luftmessers mit hervorragender Betriebseffizienz, die Vorrichtung umfasst:ein Antriebselement (100), welches an jeder gegenüberliegenden Seite eines Luftmessers (10) montiert ist; undein flexibles Sperrglied (200) mit einer vorgegebenen Länge, das Sperrglied (200) bewegt sich durch Betätigung des Antriebselements (100) nach innen oder nach außen in einer Längsrichtung des Luftmessers (10), um einen Sperrbereich eines Sprühlochs (11) einzustellen, wobeidas Sperrglied (200) beinhaltet:einen vorderen Endabschnitt (210), welcher an einer ersten Seite in einer Längsrichtung des Sperrglieds (200) angeordnet ist; undeinen hinteren Endabschnitt (220), welcher mit dem vorderen Endabschnitt (210) verbunden ist, wobei,wenn das Luftmesser (10) in einer Draufsicht betrachtet wird, eine äußere Seite des vorderen Endabschnitts (210) mit einem Verbindungsglied (12) an einer äußeren Seite des Luftmessers (10) befestigt ist und eine innere Seite des vorderen Endabschnitts (210) nach innen oder nach außen entlang einer Längsrichtung innerhalb des Sprühlochs (11) bewegt wird, um den Sperrbereich des Sprühlochs (11) einzustellen, und eine äußere Seite des hinteren Endabschnitts (220) mit dem Antriebselement (100) verbunden ist, sodass der hintere Endabschnitt (220) einen Sperrbereich eines Hochdruckgases durch Drücken oder Ziehen des vorderen Endabschnitts (210) durch die Betätigung des Antriebselementes (100) einstellt, und der vordere und hintere Endabschnitt (210 und 220) einstückig durch Biegung in Form eines C ausgebildet sind und,wenn das Luftmesser (10) in einer vertikalen Schnittansicht betrachtet wird, der vordere Endabschnitt (210) in engen Kontakt mit einer inneren Stirnfläche des Sprühlochs (11) ist, um Hochdruckgas zu blockieren, und der hintere Endabschnitt (220) sich in einer inneren Endposition innerhalb des Sprühlochs (11) befindet, so dass dieser rückseitig vom vorderen Endabschnitt (210) beabstandet ist, wodurch ein Zusammenstoß mit dem Hochdruckgas minimiert ist.
Patent DE-112018002933-B4 (DE)
Title: Mutierter stamm clostridium thermocellum zur herstellung von cellulase und xylanase und verfahren zu seiner herstellung
Inventor: TACHAAPAIKOON CHAKRIT
IPC: C12P7/06
Filed: 2018-05-30
Granted: 2020-11-05
Abstract: Mutantenstamm Clostridium thermocellum zur Herstellung von Cellulase und Xylanase, erhalten aus durch ultraviolettes Licht induzierter genetischer Veränderung, worin der Mutantenstamm Clostridium thermocellum M2_15-C8, Zugangsnummer NITE ABP-02390 ist.
Patent CZ-278906-B6 (CZ)
Title: Process of simultaneous removal of solid and liquid waste substances
Inventor: RABE WOLFGANG DIPL CHEM
IPC: B09B3/00
Filed: 1992-03-19
Abstract: Method for simultaneous disposal of solid and liquid wastes including the steps of gasifying in a fixed bed pressure gasifier a gasification material containing coal and 1 to 70% of a solid waste material containing sulfur, hydrocarbons, PCBs, dioxins and/or heavy metals, to form a pollutant and dust-containing fixed bed pressure gasification crude gas; post-gasifying in a post-gasifier at a temperature greater than 1,000 DEG  C. and with a dwell time of more than 2 seconds the crude gas together with an oxygen-containing gas and a liquid waste portion having a heat content of greater than 20,000 kJ/kg and containing hydrocarbons, PCBs and/or heavy metals to form a disposal gas; cooling the disposal gas to less than 200 DEG  C. and cleaning it or process waste water to form a mixture of pollutant slurries; gasifying in an additional flow gasifier a mixture of the pollutant slurries, another liquid waste portion having a heat content of greater than 20,000 kJ/kg and containing hydrocarbons, sulfur, PCBs, heavy metals and/or dioxins and 3 to 35% of solid components containing greater than 10% mineral components and sulfur, heavy metals, PCBs, dioxins, furans and/or hydrocarbons, at a temperature more than 50 DEG  C. above a melting point of the mineral components.
Patent CZ-293694-B6 (CZ)
Title: Pharmaceutical composition containing 4-mercaptopyrrolidine derivatives as farnesyl transferase inhibitors
Inventor: BOYLE FRANCIS THOMAS
IPC: A61K31/40
Filed: 1996-07-30
Abstract: The present invention relates to pharmaceutical compositions comprising an inhibitor of Ras farnesylation of the general formula I wherein, Re1 represents for example hydrogen; Re2 denotes for example hydrogen; Re3 represents for example hydrogen; p is 0 to 3 in which the Re3 values can be the same or different; L is a linking moiety for example -CONHi2-; A is selected from a group consisting of phenyl, naphthyl, a 5- to 10-membered monocyclic or bicyclic heteroaryl ring containing up to 5 heteroatoms where the heteroatoms are independently selected from oxygen, nitrogen and sulfur or a -S-S- dimer thereof when Re2 represents hydrogen; or an enantiomer, diastereoisomer, pharmaceutically acceptable salt, prodrug or solvate thereof together with a pharmaceutically acceptable diluent or carrier. A particular use is cancer therapy.
Patent SK-278620-B6 (SK)
Title: The impact crusher
Inventor: REICHMUTH FRANZ
IPC: B02C13/286
Filed: 1991-01-28
Abstract: The impact crusher (1) for granular, gritty or flouring material consists of rotating sweeping reel (9) surrounded with the impact ring (7), of the concentric supply tube (8) and of the ring exhausting channel (22). In the sweeping reel (9), there are located at least two centrifuged channels (18, 19) being surrounded with at least one impact ring (7). The material is supplied to the sweeping reel (9) with the use of the supply tube (8) in a concentric way and after it has been processed, it is outgoing with the use of the ring the channel (22). Each of the halves closed to the impact ring (7) is equipped, in a perpendicular direction according to the impact ring (7) axis, with the impact plane (20, 21), located in the opposite direction. The sweeping reel (9) is equipped, in the area of the material supply, with the distributing mechanism (30), while the material supply is divided, however the internal centrifuged channel (19) located in the greater distance of the supply tube (8) has a larger supply plane.
Patent SK-280243-B6 (SK)
Title: Continuous manufacturing process of sandwich panels and apparatus for making the same
Inventor: BRUNILA ESKO
IPC: E04C2/24
Filed: 1991-02-05
Abstract: A method for manufacturing of panels with a lamella core (K) of binder cured longitudinal lamella of mineral wool and with surface layers (11a, llb) made of material suitable for construction purposes, e.g. sheet metal, whereby the surface layers are joined to the core (K) by means of an attachment layer. Lamella pieces (a) are cut from a mineral wool board, turned 90° around their longitudinal axes and assembled side by side and their ends are thereafter re-arranged. Thus arranged lamella pieces (a) are pressed, via their frontal sides, to the ends of already arranged and re-arranged lamella pieces (a) thereby forming a lamella web (C). A lamella mat (R) of a desired size is cut from said lamella web (C), which mat (R) is subjected to both a longitudinal and transverse pressure while being transferred onto the surface layers (lla). The mat (R) being attached onto the surface layers (lla) takes another surface layers (11b) from the other side. An apparatus contains a displacement device (3), which is movable in the direction of the lamella pieces (a), and against which a movable stop (4) is arranged. A cutting device (5) is arranged between said displacement device (3) and movable stop (4). The apparatus further contains a pusher (7) for displacing the mat (R) onto a feed plate (8).
Patent SK-283216-B6 (SK)
Title: Cyclosporin-containing soft capsule preparations
Inventor: WOO JONG SOO
IPC: A61K/
Filed: 1997-06-19
Abstract: The present invention relates to a cyclosporin-containing soft capsule preparation which comprises a composition containing cyclosporin as an active ingredient; a hydrophilic component polyethylene glycol or a non-hydrophilic component propylene carbonate or their mixture, a mixture of an esterified compound of fatty acid and primary alcohol, medium chain fatty acid triglyceride and fatty acid monoglyceride as an oil component; and a surfactant having an HLB (Hydrophilic Lipophilic Balance) value of 8 to 17, in a gelatine shell containing polyethylene glycol and propylene glycol as a plasticiser.
Patent SK-282196-B6 (SK)
Title: Method and device for production of cement clinkers
Inventor: YOUNG ROM D
IPC: C04B7/44
Filed: 1995-05-09
Abstract: Cement clinker is mfd. in an elongated rotary kiln having an upper feed end and a heat source at the lower discharge end by, (a) directing heat into kiln, (b) introducing a stream of lime contg. feedstock material and (c) adding crushed and screened steel slag which is melted and diffused into the former material as they pass down the kiln to produce clinkers. Prior to charging, the slag is crushed and screened to obtain particles size of max. dia.2 inches. The two components of the charge may be added separately or blended prior to charging. The slag may have the compsn. 2CaO.SiO2(C2S).
Patent CZ-281961-B6 (CZ)
Inventor: KRIZKOVA ZDENKA RNDR
IPC: C11D7/26
Filed: 1992-06-29
Abstract: Průmyslový odmašťovací prostředek na bázi  fosforečnanů podle vynálezu obsahuje 2 až 40 %  hmot. glukonanu alkalického kovu. S výhodou  obsahuje 15 až 30 % hmot. hydroxidů alkalických  kovů, 15 až 40 % hmot. uhličitanů alkalických  kovů, 15 až 35 % hmot. metasilikátů alkalických  kovů, 3 až 10 % hmot. difosforečnanů alkalických  kovů, 5 až 20 % hmot. trifosforečnanů  alkalických kovů, 0,5 až 3 % hmot. neionogenních  a/nebo amonaktivních tenzidů a 2 až 15 % hmot.  glukonanu alkalického kovu.ŕ
Patent CS-276377-B6 (CS)
Inventor: MATUSKA RADEK ING
IPC: G01N30/66
Filed: 1988-05-30
Abstract: Alkanolaminy
a
morfolin
v
procesních
prou
­
dech
při
výrobě
polyfenylenoxidu
se
uvolňují
z
komplexů
se
solemi
mědi
přídavkem
diethyl-
dithiokarbaminanu
sodného,
extrahují
se
ze
vzorku
kyselinou
a
dělí
se
iontově
chromat.o-
grafickým
systémem
s
nepřímou
vodivostní
de
­
tekcí.
Separační
kolona
je
plněná
silně
ky
­
selým
sulfonovaným
katexem
pracujícím
v
oblas
­
ti
pH
2
až
7,5,
mobilní
fázi
tvoří
fosfátový
nebo
bcrátový
pufr
nastavený
pa
pH
2
až
3
le
­dovou
kyselinou
octovou.