baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I713477-B (TW)
Title: Gas delivery system for a substrate processing system
Inventor: LEESER KARL
IPC: G05D7/00
Filed: 2015-11-25
Granted: 2020-12-21
Abstract: A gas delivery system for a substrate processing system includes first and second valves, a first gas channel, and a cylinder. The first valve includes a first inlet and a first outlet. The first outlet is in fluid communication with a processing chamber of the substrate processing system. The second valve includes a second inlet and a second outlet. The cylinder defines a second gas channel having a first end and a second end. The cylinder is at least partially disposed within the first gas channel such that the cylinder and the first gas channel collectively define a flow channel. The flow channel is in fluid communication with the first end of the second gas channel and with the first 
inlet. A third gas channel is in fluid communication with the second end of the second gas channel and with the second inlet.
Patent TW-I705000-B (TW)
Title: 光學積層體
Inventor: ASATSU YUJI
IPC: G02F1/1333
Filed: 2015-11-26
Granted: 2020-09-21
Abstract: 本發明提供一種黏著劑層與透明電極之間之耐久性良好的光學積層體。
 
     本發明之光學積層體係依序積層有光學膜、黏著劑層及透明電極者，且黏著劑層由黏著劑組合物所形成，該黏著劑組合物含有(甲基)丙烯酸酯聚合物、交聯劑、及式(I)：
       
     (式中，A表示碳數1~20之烷二基等，R 1 表示碳數1~5之烷基，R 2 、R 3 、R 4 、R 5 及R 6 分別獨立地表示碳數1~5之烷基或碳數1~5之烷氧基)所表示之矽烷化合物，(甲基)丙烯酸酯聚合物中源自具有羧基之單體之結構單元之含量相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物之總結構單元100質量份未達2質量份。
Patent TW-I670119-B (TW)
Inventor: KAUPP RAINER
IPC: B05B15/68
Filed: 2015-12-09
Granted: 2019-09-01
Abstract: 一種灑水裝置(100)的灑水頭，包括：灑水頭本體(2)，包括灑水頭流體通道(3)；複數個噴嘴(4)，每個噴嘴(4)包括噴嘴流體通道(4.1)，該等噴嘴流體通道(4.1)耦接於灑水頭流體通道(3)且該等噴嘴流體通道(4.1)的自由端形成灑水頭(1)的液體出口(5)，其中該等噴嘴(4)圓周地圍繞灑水頭(1)的中心軸(CA)設置，每個噴嘴(4)包括液體引導部(4.2)，其包括噴嘴流體通道(4.1)且由彈性材料製成；及調整單元(6)，包括調整體(7)，其可移動地安裝在灑水頭本體(2)，調整體(7)包括複數個通孔(7.1)用於提供通道給彈性的液體引導部(4.2)，灑水頭(1)適於藉由相對於灑水頭本體(2)移動調整體(7)來改變灑水模式，該移動造成噴嘴(4)之彈性的液體引導部(4.2)彎曲。
Patent TW-I618288-B (TW)
Inventor: LIN HSIANG-PIN
IPC: H01M4/58
Filed: 2016-01-07
Granted: 2018-03-11
Abstract: 本案係關於一種電池複合材料之製備方法，至少包括步驟：(a)提供含錳化合物、磷酸、含鋰化合物、碳源及去離子水；(b)以含錳化合物、磷酸與部分之去離子水進行反應，以生成第一生成物；(c)將第一生成物置於第一溫度下至少第一時間，以生成第一前驅物，第一前驅物之化學式為Mn 5 (HPO 4 ) 2 (PO 4 ) 2 (H 2 O) 4 ；以及(d)以至少第一前驅物、含鋰化合物與部分之去離子水進行反應，並添加碳源後進行鍛燒，以生成電池複合材料。透過低溫成相法在製程中以低溫於短時間內形成前驅物，可節省製備時間、減少耗能，且前驅物之成相較為穩定，進而達到降低製備成本且提升產品品質之功效。
Patent TW-I685473-B (TW)
Inventor: ANGELIS GILBERT DE
IPC: C03B5/193
Filed: 2016-03-04
Granted: 2020-02-21
Abstract: Disclosed is an apparatus for bubbling a gas into molten glass. The bubbler may include a sleeve, a nozzle secured to one end of the sleeve and a capillary member slidably positioned within sleeve below the nozzle. The capillary member is coupled to a positioning assembly configured to translate the capillary member within the sleeve.
Patent TW-I636722-B (TW)
Inventor: LAURENS DE LOPEZ CLAIRE
IPC: H05K1/14
Filed: 2016-04-01
Granted: 2018-09-21
Abstract: 本發明係關於一種用於製作撓性電路之方法。該方法包括提供電導體薄片(11)及介電層(50)。該方法亦包括使該介電層(50)與該電導體薄片(11)進行直接接觸且層壓該介電層(50)與該電導體薄片(11)。
 
     該介電層(50)由預浸體組成。因此，該電導體薄片(11)可層壓及黏接地接合於該介電層上而不求助於額外黏接層。
 
     本發明亦係關於一種用於智慧卡之撓性電路，該電路係運用此方法予以製作，且本發明係關於一種包含此種撓性電路之智慧卡模組。
Patent TW-I695903-B (TW)
Title: 經由原子層沉積(ald)循環之選擇性沉積金屬矽化物的方法
Inventor: GANGULI SESHADRI
IPC: C23C16/42
Filed: 2016-04-21
Granted: 2020-06-11
Abstract: 本文中提供選擇性沉積金屬矽化物層的方法。在一些實施例中，一種選擇性沉積金屬矽化物層的方法包括以下步驟：（a）提供具有第一層的基板到處理腔室，其中該第一層包含第一表面和形成在該第一表面中的特徵，該特徵包含開口，該開口係由一個或更多個側壁和底表面界定，其中該側壁包含氧化矽或氮化矽中之一者，並且其中該底表面包含矽或鍺中之至少一者；（b）使該基板暴露於前驅物氣體，該前驅物氣體包含金屬鹵化物；（c）使用惰性氣體淨化該處理腔室中的該前驅物氣體；（d）使該基板暴露於含矽氣體；（e）使用惰性氣體淨化該處理腔室中的該含矽氣體；（f）重複（b）-（e）以沿著該底表面選擇性沉積金屬矽化物到預定厚度；以及（g）沉積該金屬矽化物層之後將該基板進行退火。
Patent TW-I650615-B (TW)
Inventor: CHUANG CHUN-CHIH
IPC: H05K3/28
Filed: 2016-07-05
Granted: 2019-02-11
Abstract: 本發明係關於一種雷射直接曝光設備，其能使傳統顯像型液態防焊油墨曝光後之油墨光澤度媲美經傳統汞燈曝光機的曝光效果。該設備包括一機台、一線型雷射裝置及一減氧裝置。該機台具有一檯面，供放置一待曝光基板。該雷射裝置設於該機台，用以輸出一道線形的雷射光束。該減氧裝置與該線型雷射裝置連動，用以在該基板之表面建造一減氧環境，以使該線型雷射裝置得以在減氧環境下對該基板進行曝光。
Patent TW-I640203-B (TW)
Inventor: FASEN DONALD
IPC: H04N7/15
Filed: 2016-07-06
Granted: 2018-11-01
Abstract: 在依據本發明多個方面之實例實施例中，一方法可包括擷取來自一墊或來自實體配置於該墊上之一物件的一影像，及比較該所擷取的影像與由一投影機總成所投射至該墊或該物件上的影像。該方法進一步包括從該所擷取的影像中減去由該投影機總成所投射的影像以產生一剩餘影像，該剩餘影像被指派為由一使用者所提供之輸入。
Patent TW-I729993-B (TW)
Inventor: BLOCK DAVID S
IPC: A61K39/395
Filed: 2016-07-25
Granted: 2021-06-11
Abstract: 本發明涉及免疫球蛋白Fc之一系列完全重組多聚體化形式，其藉此向免疫細胞受體呈遞多價免疫球蛋白Fc。融合蛋白以均二聚體及高度有序多聚體溶離份兩者之形式存在，稱為斯特拉多體(stradomer)。本發明涉及提高多聚合且優先結合至補體之斯特拉多體且其適用於治療及預防疾病。
Patent TW-I609892-B (TW)
Inventor: TANIGUCHI KANA
IPC: C09D143/04
Filed: 2016-09-26
Granted: 2018-01-01
Abstract: 本發明的第一態樣的(甲基)丙烯酸系共聚合物含有：選自由具有如下結構（I）的結構單元及具有三有機矽烷基氧基羰基的結構單元所組成的群組中的至少一種結構單元，所述結構（I）選自由下述式的任一者所表示的結構所組成的群組中的至少一種；以及源自巨單體（b）的結構單元。 式中，X表示-O-、-S-或-NR 14 
-，R 14 
表示氫原子或烷基，R 1 
及R 2 
分別表示氫原子或碳數1～10的烷基，R 3 
及R 5 
分別表示碳數1～20的烷基、環烷基或芳基，R 4 
及R 6 
分別表示碳數1～10的伸烷基。
Patent TW-I720031-B (TW)
Title: 具免疫調節功能之多胜肽組成物的製備方法
Inventor: SIEBER MARTIN
IPC: C12N5/077
Filed: 2016-10-04
Granted: 2021-03-01
Abstract: 本發明提供一種多胜肽組成物的製備方法，其包含以下步驟：(1)齊備類纖維母細胞且培養於培養基中；(2) 齊備免疫細胞，並以刺激源刺激培養免疫細胞，以獲得一免疫細胞組成物；(3) 將該免疫細胞組成物施予該類纖維母細胞並歷經一時間培養；以及(4)洗滌該步驟(3)的類纖維母細胞後，添加無血清培養基進行一時間培養，獲得一上清液，該上清液即含有多胜肽組成物。藉由本發明的製備方法所製備而得的多胜肽組成物，能有效抑制發炎反應中周邊血淋巴細胞所分泌IFN-γ、TNF-α的含量，以及能抑制濕疹所引起之發炎反應。
Patent TW-I624813-B (TW)
Inventor: HSU CHEN-SHENG
IPC: G08B25/10
Filed: 2016-10-19
Granted: 2018-05-21
Abstract: 本發明提供一種求救方法、系統及電子裝置，該方法包括：偵測步驟，偵測該電子裝置的狀態資訊，該狀態資訊至少包括該電子裝置的待機時長；判斷步驟，根據所偵測到的狀態資訊，判斷該電子裝置是否進入求救模式；控制步驟，當該電子裝置進入求救模式時，控制該電子裝置發出求救訊號，該求救訊號至少包括控制該電子裝置發出無線訊號。
Patent TW-I635921-B (TW)
Title: 管用錐形螺紋加工螺旋絲攻
Inventor: NAKAJIMA TAKAYUKI
IPC: B23G5/06
Filed: 2016-11-07
Granted: 2018-09-21
Abstract: 提供一種抑制在母螺絲產生裂痕或螺絲攻停止旋轉時之切刃的痕跡的管用錐形螺紋加工螺旋絲攻。
 
     管用錐形螺紋加工螺旋絲攻10具有螺旋溝20，螺旋溝20具有3條以上、5條以下且具有30°以上、小於50°之螺旋角β，在與前述旋轉軸線直交之截面中，以前述旋轉軸線為中心之前述溝所占之角度為AG，以前述旋轉軸線為中心之前述背緣(Land)所占之角度為AL時之溝寬比AG/(AG+AL)為0.3以上、0.5以下。藉此，藉由具有30°以上、小於50°之螺旋角β的螺旋溝20的存在，可得到一種可抑制裂痕之發生，並且切刃24與背刃26之間變短而可抑制在母螺絲產生螺絲攻停止旋轉時之切刃的痕跡的管用錐形螺紋加工螺旋絲攻10。
Patent TW-I620177-B (TW)
Inventor: FUJIWARA HIDEHIRO
IPC: G11C11/412
Filed: 2016-11-25
Granted: 2018-04-01
Abstract: 根據本揭露之某些實施例，提供一種電路結構。該電路結構包括一第一電晶體、一第二電晶體、一儲存節點及一字線。該兩個電晶體中之每一者包括一閘極、一源極及一汲極。該儲存節點連接至該第一電晶體之該閘極。該字線連接至該第二電晶體之該閘極。該第一電晶體與該第二電晶體經串聯連接。第一臨限電壓及第二臨限電壓分別與該第一電晶體及該第二電晶體相關聯，且該第一臨限電壓低於該第二臨限電壓。
Patent TW-I618718-B (TW)
Inventor: YAN JYU LUN
IPC: C08F2/18
Filed: 2016-12-21
Granted: 2018-03-21
Abstract: 本發明提供一種具有溫度調節機械性質之交聯型高分子微粒子及其製造方法。本發明之交聯型高分子微粒子係由絕緣性樹脂聚合所形成。本發明之交聯型高分子微粒子的粒徑均一。本發明之交聯型高分子微粒子之壓縮變形回復率於一溫度區間內隨溫度上升而上升。
Patent TW-I624706-B (TW)
Inventor: HSU SHANG YU
IPC: G02B7/04
Filed: 2017-01-12
Granted: 2018-05-21
Abstract: 本揭露提供一鏡頭驅動模組，其包括：一活動部、一底座、一外殼、一塑膠基板及一立體線路。底座相鄰活動部設置，外殼連結底座並圍繞活動部。塑膠基板設置於外殼與活動部之間。立體線路的至少一部分設置於塑膠基板之上。立體線路是配置用於傳送鏡頭驅動模組作動所需的電子訊號或電力，且具有一內連接部及一外連接部，其中內連接部與外連接部設置於相異平面且兩者相互平行。
Patent TW-I632653-B (TW)
Inventor: CHANG JING YAO
IPC: H01L23/28
Filed: 2017-02-15
Granted: 2018-08-11
Abstract: 一種電子封裝結構係將晶片結合於承載件之金屬凸塊上，且藉由應力緩衝材包覆該金屬凸塊周圍以作為應力緩衝部，而提升應力緩衝之效果，藉此防止該晶片因應力而破裂之問題。
Patent TW-I739804-B (TW)
Title: 資料遷移方法和裝置
IPC: G06F17/40
Filed: 2017-02-22
Granted: 2021-09-21
Abstract: 本申請實施例提供了一種資料遷移方法和裝置，涉及電腦技術領域。所述方法包括：接收將第一系統中的資料遷移至第二系統的遷移任務；調用對應所述遷移任務的各上層介面，並由各上層介面通過抽象介面類別調用第一系統和第二系統的底層操作介面，以將第一系統的資料遷移至第二系統。首先，實現了任意兩個資料端可以進行雙向的資料傳輸和遷移。其次，可以實現將任意的資料終端，包括尚未支援資料遷移的雲儲存產品，如百度對象儲存、金山對象儲存，與其它任意一個資料端進行資料的雙向傳輸遷移。
Patent TW-I630499-B (TW)
Inventor: LIU CHIH HSING
IPC: G06F17/50
Filed: 2017-03-14
Granted: 2018-07-21
Abstract: 一種撓性夾爪及其設計方法、電腦程式產品、電腦可讀取紀錄媒體，其設計方法是包含以一拓樸最佳化方法進行設計，該拓樸最佳化方法的目標函數是採用複合式應變能，包含輸入應變能、輸出應變能及交互位能，該輸入應變能、該輸出應變能及該交互位能皆為對體積積分應力與應變的乘積，該目標函數並對應複數個輸出端，可將夾持力分佈在撓性夾爪的夾持面上，以提供較佳的夾持效果。
Patent TW-I640173-B (TW)
Inventor: LEE SAN-LIANG
IPC: H04J14/00
Filed: 2017-04-28
Granted: 2018-11-01
Abstract: 本發明提供一種光通訊系統、多通道光傳輸與接收方法。此光通訊系統發射端包括N個雷射光源陣列、N個次通道耦合器以及CWDM多工器。每一個雷射光源陣列對應一個CWDM波長通道位置，並在一個CWDM波長通道位置輸出對應於M個次波長通道位置的M個次通道光源。N個次通道耦合器以一對一的方式耦接N個雷射光源陣列，每一個次通道耦合器分別接收對應的雷射光源陣列的M個次通道光源，且將M個次通道光源匯出於同一輸出埠。CWDM多工器耦接N個次通道耦合器，接收N個次通道耦合器的輸出訊號，將N個輸出訊號匯整為一光訊號，並且對光纖輸出此光訊號。
Patent TW-I733808-B (TW)
Title: Architecture for interleaved rasterization and pixel shading for virtual reality and multi-view systems
Inventor: SATHE RAHUL P
IPC: G06T1/20
Filed: 2017-05-18
Granted: 2021-07-21
Abstract: One embodiment provides for a graphics processing apparatus comprising first logic to rasterize pixel regions associated with multiple interleaved primitives; second logic to shade pixel regions covered by one or more of the multiple interleaved primitives; and third logic to interleave output of the second logic for the multiple interleaved primitives to a single render target, the single render target including output associated with the multiple interleaved primitives.
Patent TW-I614812-B (TW)
Inventor: HUANG TSUNG-YI
IPC: H01L21/60
Filed: 2017-06-01
Granted: 2018-02-11
Abstract: 一種高壓MOS元件，包含: 具有第一導電型之第一漂移區、第二導電型本體區、具有第二導電型之複數第二漂移區、閘極、第一導電型源極區域、第一導電型汲極、以及第二導電型本體連接區。其中各第二漂移區於橫向上鄰接於第二導電型本體區，其中複數第二漂移區沿著寬度方向排列，且大致平行，且各鄰近之兩第二漂移區之間於寬度方向不相鄰接，且各第二漂移區與第一導電型汲極由第一漂移區隔開。
Patent TW-I658409-B (TW)
Title: Program code generating device and program code generating program product
Inventor: UEDA TAKESHI
IPC: G06F9/44
Filed: 2017-07-12
Granted: 2019-05-01
Abstract: 分支要素特別指定部(110)係從顯示複數個程式要素與程式要素間之關係的模型圖，特別指定屬於分支之程式要素的分支要素。群組特別指定部(120)係從前述模型圖，特別指定依前述分支要素之每一分支目的地構成分支目的地之屬於一連串程式要素的分支目的地群組。順序決定部(130)係決定在前述程序碼之中之各分支目的地群組的排列順序。碼產生部(140)係根據前述模型圖而產生程序碼。程序碼係包含依各分支目的地群組的排列順序，對應於各分支目的地群組的碼。
Patent TW-I668862-B (TW)
Inventor: KIM JOUNG IL
IPC: H01L29/24
Filed: 2017-08-18
Granted: 2019-08-11
Abstract: 根據本發明的一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其包括：兩個以上被疊層的層，且所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。
Patent TW-I652794-B (TW)
Title: 半導體封裝結構
Inventor: LIN SHENG MOU
IPC: H01L23/66
Filed: 2017-08-24
Granted: 2019-03-01
Abstract: 本發明提供了一種半導體封裝結構。該半導體封裝結構包括：一封裝基板。一具有一RF電路的IC晶粒與一記憶體晶粒堆疊在該封裝基板上。該記憶體晶粒完全覆蓋該封裝基板的一第一表面部分，以定義該封裝基板的從該記憶體晶粒露出的一第二表面部分，以及該IC晶粒部分地覆蓋該封裝基板的該第一表面部分以及該第二表面部分。該RF電路包括：一第一敏感元件區，對應該封裝基板的該第二表面部分，以及一第二敏感元件區，對應該封裝基板的該第一表面部分，並且從俯視的視角來看，該第二敏感元件區相對於該記憶體晶粒的一記憶體I/O電路徑具有一偏移。
Patent TW-I650932-B (TW)
Inventor: WANG HANQING
IPC: H03F1/42
Filed: 2017-09-08
Granted: 2019-02-11
Abstract: 一種電容式增益放大器電路，其透過一對串聯耦合差動放大器電路放大一輸入訊號。一第一差動放大器電路於一自動歸零相位期間重置並同時與一第二差動放大器電路斷開，而該第一與第二差動放大器電路於一截波相位期間以串連方式相連接。一組反饋電容器於該截波相位期間，選擇性接通於該第二差動放大器電路之各輸出與該第一差動放大器電路之各輸入之間。
Patent TW-I632733-B (TW)
Inventor: LEE MING CHIA
IPC: H01Q13/10
Filed: 2017-09-19
Granted: 2018-08-11
Abstract: 一種控制模組，安裝於具有無線晶片的多天線裝置，其包括多天線系統、天線控制單元、應用程式以及微處理器。多天線系統具有複數個天線單元，每一個天線單元包括主天線與第一反射單元，主天線用以產生單一極化方向的輻射場型，第一反射單元平行於此單一極化方向且部分地圍繞主天線。當天線控制單元導通第一二極體時，第一反射單元構成第一矩形閉槽孔結構，作為主天線的反射器；反之，則不作為主天線的反射器。應用程式依據由無線晶片所接收到的天線單元的信號強度或接收資料率，控制連接天線控制單元的微處理器，配合演算法處理程序，以決定是否導通所述第一二極體，改變多天線系統的輻射場型，提升通訊效能。
Patent TW-I732957-B (TW)
Title: 避障裝置
Inventor: LI MENG-DAN
IPC: G01S1/76
Filed: 2017-10-06
Granted: 2021-07-11
Abstract: 本發明提供了一種避障裝置，所述避障裝置包括至少一佩戴單元，所述佩戴單元用於根據使用者的自然擺動資訊獲得使用者周邊的障礙物空間中的採樣點位置資訊以構建使用者周邊的障礙物空間分佈模型，並根據所述障礙物空間分佈模型引導使用者的行進方向。本發明的避障裝置充分利用了人體運動的工學特徵，使用者行走時使用者自然擺動的關節與水平面形成一定的夾角，擴大了佩戴單元中超聲波檢測模組的散射角，減少了其在水平與垂直方向上的探測盲區，能夠在更大範圍進行檢測，拉近了對使用者周圍障礙物的檢測距離，提高了避障裝置的性能。
Patent TW-I747977-B (TW)
Inventor: LAI CHIEN JEN
IPC: G03F1/36
Filed: 2017-10-25
Granted: 2021-12-01
Abstract: The present invention provides a method of modeling a mask having patterns with arbitrary angles, including: receiving a mask layout; generating a set of two-dimensional kernels based on a set of pre-selected mask layout samples; applying the set of two-dimensional kernels to the received mask layout to obtain a correction field; and determining a near field of the received mask layout based at least in part on the correction field.
Patent TW-I757359-B (TW)
Title: 調度終端設備的方法、網路設備和終端設備
Inventor: TANG HAI
IPC: H04W72/04
Filed: 2017-11-03
Granted: 2022-03-11
Abstract: 一種調度終端設備的方法、網路設備和終端設備，該方法包括：網路設備確定第一配置訊息，該第一配置訊息用於指示終端設備執行預調度業務所使用的時域資源和頻域資源；網路設備向終端設備發送第一配置訊息。本發明實施例提供的調度終端設備的方法能夠更靈活地調度終端設備。
Patent TW-I632960-B (TW)
Inventor: SHEU JINN JONG
IPC: B21B1/24
Filed: 2017-11-17
Granted: 2018-08-21
Abstract: 一種柔性輥軋成形機構，包含至少一柔性輥軋成形裝置，該柔性輥軋成形裝置具有一直線移動單元、一水平旋轉單元、一輥輪轉動單元及一輥輪組。藉由將直線移動單元、水平旋轉單元及輥輪轉動單元依序疊置在一起，能夠提高轉動的流暢度，進而增加柔性輥軋的效率。
Patent TW-I675086-B (TW)
Inventor: LEE SEUNG MIN
IPC: C09J4/02
Filed: 2017-11-27
Granted: 2019-10-21
Abstract: 本申請案是有關於一種可固化組成物。本申請案的可固
化組成物在固化之前或之後同時表現出優異的黏附能力及液晶定向能力，因而使得所述可固化組成物可有效地應用於各種光學用途。
Patent TW-I634203-B (TW)
Inventor: CHEN TENG-CHIEN
IPC: C10G25/00
Filed: 2017-11-30
Granted: 2018-09-01
Abstract: 一種脫除燃料油中硫化物的方法，包含：使含硫化物的燃料油進行氧化程序並得到含硫氧化物的燃料油；使含硫氧化物的燃料油與第一極性有機溶劑及二氧化碳接觸，進行第一脫硫程序並得到第一脫硫產物，第一脫硫程序是在二氧化碳的輔助下使含硫氧化物的燃料油中的硫氧化物溶於第一極性有機溶劑；將第一脫硫產物進行分相程序使二氧化碳排出並同時分相，得到含有硫氧化物及第一極性有機溶劑的溶劑相組分，以及含有第一次脫硫後的燃料油的油相組分。透過使用二氧化碳輔助第一極性有機溶劑進行第一脫硫程序，能夠有效脫除燃料油中硫化物。
Patent TW-I689001-B (TW)
Title: 半導體裝置
Inventor: TSUKIYAMA SATOSHI
IPC: H01L21/302
Filed: 2017-12-28
Granted: 2020-03-21
Abstract: 本發明提供一種能夠穩定地形成TSV之半導體裝置。 實施形態之半導體裝置具備：器件區域，其被樹脂膜覆蓋；及切割區域，其圍繞器件區域而設置，具有第1微影術用標記與第2微影術用標記，於第1微影術用標記與第2微影術用標記之間設置有樹脂膜。
Patent TW-I654517-B (TW)
Inventor: SHIH FU JEN
IPC: G06F11/28
Filed: 2017-12-29
Granted: 2019-03-21
Abstract: 本發明的實施例提出一種降低快閃儲存介面中傳收的資料錯誤方法，由第一端的處理單元執行，包含下列步驟：透過最底層致能的解擾器解擾從第二端接收的第一資料；反覆監督解擾後的第一資料以判斷是否發生接收資料錯誤；每次偵測到解擾後的第一資料發生接收資料錯誤時，發送否定應答控制訊框給第二端，用以通知第二端關於解擾後的第一資料發生接收資料錯誤的資訊；以及當偵測到解擾後的第一資料發生接收資料錯誤的次數到達預設閥值時，不致能最底層的解擾器。
Patent TW-I752147-B (TW)
Inventor: LINDBERG PER LENNART
IPC: A61P35/00
Filed: 2018-01-09
Granted: 2022-01-11
Abstract: 本發明關於人類固態腫瘤（如癌症，特別是大腸直腸癌的治療，其涉及在基於5-氟尿嘧啶的化療中施用非鏡像異構物的純葉酸佐劑[6R]-5,10-亞甲基四氫葉酸。
Patent TW-I652218-B (TW)
Title: 片切斷裝置、片切斷方法以及片狀器件的製造方法
Inventor: UEKI ISAO
IPC: B26D7/02
Filed: 2018-01-12
Granted: 2019-03-01
Abstract: 本發明提供一種片切斷裝置(100)，該片切斷裝置(100)包含有：咬送輥(63)，用以送出片(70)；手部(66)，用以保持咬送輥(63)所送出的片的端部；可動部(67)，使手部(66)朝咬送輥(63)的送出方向移動，藉此自咬送輥(63)將片(70)拉出；及切割件，於手部(66)與咬送輥(63)之間的位置將藉由手部(66)施加張力的片(70)切斷。
Patent TW-I754004-B (TW)
Title: 製造撕開蓋的方法及裝置以及撕開蓋
Inventor: TAIANA PETER
IPC: B65D51/22
Filed: 2018-02-06
Granted: 2022-02-01
Abstract: 環繞該取出開口(15)具有被軋入區段的撕開蓋係以使得在形成該被軋入區段之前將薄塑膠條帶(32)施加至該蓋環的軸環上之方式來形成。於形成該被軋入區段之後，該塑膠條帶被熔化，以便在該被軋入區段中達成該塑膠於該撕開蓋的上側及底側上之良好黏著。這樣一來，其係可能以不貴的方式達成該撕開蓋之切削邊緣(31)的實際上密閉式密封，並具有以高步調製造之可能性。
Patent TW-I683344-B (TW)
Title: 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體
Inventor: KAMAKURA TSUKASA
IPC: H01L21/02
Filed: 2018-02-26
Granted: 2020-01-21
Abstract: [課題] 提供可以提升每一片基板的處理均勻性之技術。  　　[解決手段] 具備：對處理室供給惰性氣體的工程；從排氣部對處理室內的氛圍進行排氣的工程；取得成為基準資料之第1資料的第1資料取得工程，該基準資料係針對處理室內或排氣部之其中一者之壓力與惰性氣體的流量之關係者；及對設置於排氣部的排氣調整部之閥開度進行調整的排氣特性調整工程；排氣特性調整工程具有：在排氣調整部之閥開度設定在規定值之狀態下，一邊變化惰性氣體的流量，一邊對處理室內或排氣部之其中一者之壓力進行測定，並取得針對該壓力與惰性氣體流量之關係的實測資料亦即第2資料的第2資料取得工程；判斷第2資料與第1資料之差異資料是否在規定範圍內的工程；及當差異資料不在規定範圍內之情況下對排氣調整部之閥開度進行變更的工程。
Patent TW-I676251-B (TW)
Inventor: TAKAHAGI SATOSHI
IPC: H01L23/495
Filed: 2018-03-19
Granted: 2019-11-01
Abstract: 一種半導體裝置包括電極板、金屬構件、以及連接金屬構件與電極板的焊料。第一槽以及第二槽組被設置在電極板的表面上。第一槽具有第一到第四線性部。第二槽組被佈置在由第一槽所圍繞的範圍內，且在外周圍側上具有端部分，端部分與第一槽連接。第二槽組包括第一組到第四組。每一組包括複數個第二槽，其與第一到第四線性部連接。當在電極板與金屬構件的疊層方向上觀看金屬構件時，金屬構件的區域的外周圍邊緣橫越第一組到第四組，此區域被與焊料連接。
Patent TW-I669927-B (TW)
Inventor: CHEN I-JEN
IPC: H04W74/08
Filed: 2018-04-02
Granted: 2019-08-21
Abstract: 本發明從使用者設備的角度公開一種方法和設備。在一個實施例中，方法包含從網路節點接收信令以觸發非基於競爭的隨機存取過程，其中信令包含指示第一參數集的第一資訊和指示第二參數集的第二資訊。方法還包含基於第二參數集，向網路節點傳送隨機存取前導碼。方法進一步包含從網路節點接收隨機存取回應。此外，方法包含基於第一參數集，監聽用於排程新傳送的控制通道。
Patent TW-I676715-B (TW)
Title: 圓碟型電解槽之氫分子再溶合方法及裝置
Inventor: Xu wen-xing
IPC: A61K33/00
Filed: 2018-04-13
Granted: 2019-11-11
Abstract: 一種圓碟型電解槽之氫分子再溶合方法及裝置，尤特指座體與蓋體的內部分別設有一集氣導水盤與一電極板，該二電極板之間設有一離子膜，該座體與蓋體對應於二集氣導水盤處分別設有一集氣導水室，該二電極板的中心設有進水口，該二電極板的對應處設有複數個鏤空且呈輻射狀配置的陰陽極腔室，原水從二電極板的進水口分別呈輻射狀流入陰陽極腔室，電解後所產生的氫分子與氧分子，藉由陰極水與陽極水分別帶離陰陽極腔室匯入二集氣導水室，並讓氫分子與陰極水在集氣導水室產生交溶作用，同時配合壓力迫使更多的氫分子再度溶入陰極水中，藉以增加陰極水中的氫分子濃度，為其特徵者。
Patent TW-I697933-B (TW)
Title: 補正方法、電腦程式產品以及電子射線描繪裝置
Inventor: NISHIMURA RIEKO
IPC: H01J37/22
Filed: 2016-11-02
Granted: 2020-07-01
Abstract: 一種補正方法、電腦程式產品以及電子射線描繪裝置。本實施形態的補正方法用以對通過形成著多個開口的光圈的多根電子射線各自的劑量進行補正，且包括下述步驟：將所述光圈分割為包含多個所述開口的多個區域，規定多個分割區域；基於評估資料，使用藉由通過第1分割區域而生成的多根電子射線，來描繪包含與各電子射線對應的標記的第1評估圖案；求出第1補正值；基於所述評估資料，使用藉由通過第2分割區域而生成的多根電子射線，來描繪包含與各電子射線對應的標記的第2評估圖案；對所述第1評估圖案與所述第2評估圖案進行比較，求出第2補正值；基於所述第1補正值，對通過了所述第1分割區域的電子射線的劑量進行補正，基於所述第1補正值與所述第2補正值之和，對通過了所述第2分割區域的電子射線的劑量進行補正。
Patent TW-I680778-B (TW)
Title: Intravenous drip real-time monitoring system and method
Inventor: YANG CHING WEN
IPC: A61M5/36
Filed: 2018-06-04
Granted: 2020-01-01
Abstract: An intravenous drip real-time monitoring system is disclosed herein. The system includes a weight sensor, a processor and a cloud server. The weight sensor is configured to sense weight values. The processor is electrically connected to the weight sensor, is configured to calculate the weight values and when the weight values is not larger than a drip threshold, sending warning information. The cloud server is communication connected to the processor, is configured to receive the weight values via the processor, and compare the weight 
values and drip setting information to calculate drip time.
Patent TW-I646707-B (TW)
Title: 一種去除半導體塑封製程中所產生毛邊的方法
Inventor: TANG JI-CI
IPC: H01L33/48
Filed: 2018-06-26
Granted: 2019-01-01
Abstract: 本發明為一種去除半導體塑封製程中所產生毛邊的方法，其步驟包括：提供周圍具有至少一凹部的基板；黏貼一膠膜於該基板之下表面並覆蓋該凹部所在區域；將至少一晶片安裝於該基板上，完成該晶片與該基板的電性連接；將一模具壓合於該基板之上表面，灌入塑封體於該晶片外圍完成封裝作業，其中部份該塑封體經該模具與該基板之間的微小空隙溢出至該凹部內，而部份溢出之該塑封體形成細小的毛邊並附著於該膠膜上；去除該基板之下表面的該膠膜，將附著該膠膜之該塑封體溢流所產生的毛邊一併去除。
Patent TW-I696175-B (TW)
Inventor: RAMASWAMY DURAI VISHAK NIRMAL
IPC: G11C11/24
Filed: 2018-06-28
Granted: 2020-06-11
Abstract: A memory array comprises vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells, with the memory cells individually comprising a transistor comprising first and second source/drain regions having a channel region there-between and a gate operatively proximate the channel region. At least a portion of the channel region is horizontally-oriented for horizontal current flow in the portion between the first and second source/drain regions. A capacitor of the memory cell comprises first and second electrodes having a capacitor insulator there-between. The first electrode is electrically coupled to the first source/drain region. A horizontal longitudinally-elongated sense line is in individual of the memory-cell tiers. Individual of the second source/drain regions of individual of the transistors that are in the same memory-cell tier are electrically coupled to the horizontal longitudinally-elongated sense line in that individual tier of memory cells. A capacitor-electrode structure extends elevationally through the vertically-alternating tiers. Individual of the second electrodes of individual of the capacitors are electrically coupled to the elevationally-extending capacitor-electrode structure. An access-line pillar extends elevationally through the vertically-alternating tiers. The gate of individual of the transistors in different of the memory-cell tiers comprises a portion of the elevationally-extending access-line pillar. Other embodiments, including method, are disclosed.
Patent TW-I705538-B (TW)
Title: 指紋感測封裝模組的製法
Inventor: CHANG CHIA-SHUAI
IPC: H01L23/31
Filed: 2018-06-29
Granted: 2020-09-21
Abstract: 一種指紋感測封裝模組，包含一基板、一指紋感測晶片、多條金屬導線，以及一絕緣封裝體。該基板包括一安裝面，以及多個設置於該安裝面的電路接點。該指紋感測晶片設於該基板的安裝面，該指紋感測晶片具有一背對該安裝面的第一面、一位於該第一面的感應區，以及多個設置於該第一面且鄰接於該感應區周緣處的電性接點，該等電性接點與該感應區之間的距離小於300微米。該等金屬導線跨接於該等電路接點與該等電性接點之間。該絕緣封裝體覆蓋該基板的安裝面、該指紋感測晶片與該等金屬導線，且該絕緣封裝體形成有一使該感應區顯露出的開槽。
Patent TW-I649034-B (TW)
Inventor: WU YANG
IPC: A23L17/00
Filed: 2017-10-25
Granted: 2019-02-01
Abstract: 一種可固定蝦子位置之退殼剝蝦器，其至少包含兩剝離結構、推抵結構、第一握把結構、第二握把結構以及限位結構。兩剝離結構係相互樞接且係抵接蝦子之一側。推抵結構係抵接蝦子之另一側，推抵結構係朝向兩剝離結構移動蝦子，且連動兩剝離結構朝向彼此遠離之方向位移，藉以快速且有效剝除蝦殼。第一握把結構及第二握把結構相互樞接。限位結構具有限位槽，以供蝦子穿過其中，藉以固定蝦子的位置，以避免滑動或移位。
Patent TW-I685722-B (TW)
Inventor: COENEN TEIS JOHAN
IPC: G01N21/47
Filed: 2018-07-20
Granted: 2020-02-21
Abstract: 在一種判定一週期性結構之一邊緣粗糙度參數之方法中，在一檢測裝置中照明(602)該週期性結構。照明輻射光束可包含具有在1奈米至100奈米之範圍內之一波長的輻射。自一輻射光束獲得一散射信號(604)，該輻射光束係自該週期性結構散射。該散射信號包含一散射強度信號，其係藉由偵測該檢測裝置中之一遠場繞射圖案之一影像而獲得。基於圍繞一非鏡面繞射階之該散射強度信號之一分佈而判定(606)一邊緣粗糙度參數，諸如線邊緣粗糙度及/或線寬粗糙度。此判定可例如使用一峰加寬模型來完成。
Patent TW-I790261-B (TW)
Title: 耐電漿體特性得到提高的電漿體蝕刻裝置用構件及其製造方法
Inventor: JEONG DONG-HUN
IPC: H01L21/3065
Filed: 2018-07-31
Granted: 2023-01-21
Abstract: 本發明有關於電漿體蝕刻裝置用構件及製造方法，更詳細而言，有關於一種電漿體蝕刻裝置用構件及其製造方法，藉由稀土類金屬薄膜的沉積及表面熱處理而提高耐電漿體特性，保持光透過性，能夠用作蝕刻步驟的終點分析用途的構件。
Patent TW-I679540-B (TW)
Inventor: KUO CHI MU
IPC: G06F21/30
Filed: 2018-08-02
Granted: 2019-12-11
Abstract: 一種權限控制方法。首先執行一資料準備步驟，一鎖具裝置中儲存一身分判斷資料，及一鎖具金鑰資料，一行動裝置中儲存一身分識別資料，及一行動金鑰資料。接著執行一金鑰傳輸步驟，該鎖具裝置取得該行動金鑰資料，該行動裝置取得該鎖具金鑰資料。然後執行一密鑰取得步驟，該鎖具裝置計算出一鎖具密鑰資料，該行動裝置計算出一行動密鑰資料。接著執行一身分加密步驟，該行動裝置使用該行動密鑰資料對該身分識別資料加密，並傳輸至該鎖具裝置。最後執行一權限更改步驟，該鎖具裝置對取得的資訊進行解密，以控制該鎖具裝置之啟閉權限。
Patent TW-I790267-B (TW)
Title: 積層陶瓷電容器及其製造方法
Inventor: MIZUNO KOTARO
IPC: H01G4/12
Filed: 2018-08-03
Granted: 2023-01-21
Abstract: 本發明提供一種能夠抑制ESR且能夠確保可靠性之積層陶瓷電容器及其製造方法。    該積層陶瓷電容器之特徵於：具備將以陶瓷為主成分之介電層與介隔上述介電層而對向配置之內部電極層積層而成之積層構造，上述積層構造包括：表層部，其在上述介電層與上述內部電極層所積層之積層方向上自表面具有第1厚度；及中央部，其在上述積層方向上與上述表層部相鄰且具有第2厚度；且上述表層部之上述內部電極層之主成分金屬之晶粒之平均長度為上述中央部之上述內部電極層之主成分金屬之晶粒之平均長度之0.8倍以下。
Patent TW-I774832-B (TW)
Title: Catheter and catheter kit
Inventor: FUJITA YASUHIRO
IPC: A61M25/01
Filed: 2018-08-24
Granted: 2022-08-21
Abstract: A catheter (100) includes a distal tip portion (80) made with resin and connected with a tip of a catheter body (10), the distal tip portion (80) including a distal lumen (81), a tip portion of the distal lumen (81) being open, and the distal lumen (81) being communicated with a lumen (31). The catheter (100) is a manualling operated microcatheter in which the external diameter of the tip of the catheter body (10) is 0.6 mm or less and the maximum external diameter of the distal tip portion (80) is 0.6 mm or less. The size of a marker (70) in an axial direction of the catheter body (10) is smaller than the maximum external diameter of the distal tip portion (80), and the 
length of the distal tip portion (80) in an axial direction of the distal tip portion (80) is 3 times or more and 18 times or less of the maximum external diameter of the distal tip portion (80).
Patent TW-I686436-B (TW)
Title: 無鹵素低介電樹脂組合物，以及使用該組合物所製得之預浸漬片、金屬箔積層板與印刷電路板
Inventor: LIU SHUR-FEN
IPC: H05K1/03
Filed: 2018-08-28
Granted: 2020-03-01
Abstract: 一種無鹵素低介電樹脂組合物，其包含： （A）聚苯醚樹脂，其具有不飽和官能基； （B）交聯劑，其具有不飽和官能基；以及 （C）由下式（I）表示之含磷化合物，
         式（I）。
Patent TW-I702861-B (TW)
Inventor: YU CHIA-HAO
IPC: H04W24/04
Filed: 2018-09-11
Granted: 2020-08-21
Abstract: A method of beam failure recovery request (BFRQ) transmission is proposed. UE can search for UE-specific control channel in a search space that is signaled specifically for monitoring network response of the BFRQ.Furthermore, configurations indicated specifically for BFRQ can be carried by dedicated signaling such as high-layer radio resource control (RRC) signaling. After successfully rebuilding connection, UE assumes the demodulation reference signal (DMRS) ports of UE-specific control channel to be spatially quasi-co-located (QCL-ed) with the reference signals identified during the beam failure recovery procedure.
Patent TW-I711093-B (TW)
Inventor: KILCOYNE SEAN P
IPC: H01L21/3105
Filed: 2018-10-04
Granted: 2020-11-21
Abstract: A method of manufacturing an array of planar wafer level metal posts includes plating an array of posts within a photoresist (PR) pattern mold on a substrate of a first wafer. Stripping the PR pattern mold from the substrate and array of posts. Applying an oxide layer, at a temperature of below 150 degrees Celsius, over a surface of the first wafer. Applying chemical-mechanical polishing (CMP) to planarize the oxide layer and the array of posts.
Patent TW-I698072-B (TW)
Title: 磁動能切割發電裝置
Inventor: Jiang zhi-hong
IPC: H02K35/02
Filed: 2018-12-05
Granted: 2020-07-01
Abstract: 一種磁動能切割發電裝置，包括有激發電路、固定座、矽鋼片、線圈、充電電路以及磁棒，以激發電路間隔時間激發固定座上的磁鐵，以致磁棒受到磁鐵的相斥磁力推抵在矽鋼片內往復移動，又磁棒往復移動過程與線圈作用下，使得線圈產生感應電流並傳輸至充電電路對充電電池充電，如此得以讓需要電流的電子產品補充並持續使用。
Patent TW-I686411-B (TW)
Inventor: CHUNG HAN YI
IPC: F16F9/43
Filed: 2018-10-19
Granted: 2020-03-01
Abstract: A buffering media is disclosed in the current invention. The buffering media comprises a thixotropic material with viscosity from 140,000 to 270,000 cps tested by Brookfield viscometer spindle No. 7 under 10rpm and 80℉. The complexity viscosity of the buffering media maintains at above 40,000 cps and the storage modulus thereof is from 800-1500 Pa when the angular frequency is from 60 to 150 rad/s.
Patent TW-I698798-B (TW)
Title: 一種多核心運算裝置及其運作方法
Inventor: CHANG CHIH-CHIAO
IPC: G06F9/50
Filed: 2018-10-22
Granted: 2020-07-11
Abstract: 一種多核心運算裝置的運作方法，多核心運算裝置具有多核心處理器，包括以下的步驟：以多核心處理器的第一運算核心執行作業系統；載入管理主程式於作業系統；以多核心處理器的第二運算核心執行獨立主程式；依據執行命令判斷是否執行第一功能程式；當判斷執行第一功能程式時，依據程式管理規則選擇性地以管理主程式藉由所述第一運算核心執行第一功能程式，或是以獨立主程式藉由所述第二運算核心執行第一功能程式。