Patent ES-2721798-T3 (ES)
Title: Circuito de carga inalámbrica
Inventor: TONG DEYUAN
IPC: H02J50/12
Filed: 2017-07-12
Granted: 2019-08-05
Abstract: Un circuito de carga inalámbrica que comprende un circuito de emisión y carga inalámbrica y un circuito de recepción y carga inalámbrica; en el que: el circuito de emisión y carga inalámbrica comprende: un ánodo (PVCC) de un enlace de entrada CC conectado a un cátodo de un primer diodo (D1), un extremo de una primera resistencia (R1), un extremo de una segunda resistencia (R2) y un extremo de una primera inductancia (L1), un ánodo del primer diodo (D1) conectado a un cátodo (PGND) del enlace CC, otro extremo de la primera resistencia (R1) conectado a un ánodo de un cuarto diodo (D4), un extremo de una tercera resistencia (R3), un cátodo de un segundo diodo (D2) y un electrodo de rejilla de un primer transistor de efecto campo de semiconductor de óxido de metal (M1), otro extremo de la tercera resistencia (R3) conectado al cátodo (PGND) del enlace de entrada CC, un ánodo del segundo diodo (D2) conectado al cátodo (PGND) del enlace de entrada CC, un electrodo de drenaje del primer transistor de efecto campo de semiconductor de óxido de metal (M1) conectado a un cátodo de un tercer diodo (D3), un extremo de un primer condensador (C1) y un tercer puerto (COIL3) de una bobina de emisión, un electro de fuente del primer transistor de efecto campo de semiconductor de óxido de metal (M1) conectado al cátodo (PGND) del enlace de entrada CC, otro extremo de la primera inductancia (L1) conectado a otro extremo del primer condensador (C1), un extremo de un segundo condensador (C2), y un primer puerto (COIL1) de la bobina de emisión, otro extremo de la segunda resistencia (R2) conectado a un ánodo del tercer diodo (D3), un extremo de una cuarta resistencia (R4), un cátodo de un quinto diodo (D5) y una rejilla de un segundo transistor de efecto campo de semiconductor de óxido de metal (M2), otro extremo de la cuarta resistencia (R4) conectado al cátodo (PGND) del enlace de entrada CC, un ánodo del quinto diodo (D5) conectado al cátodo (PGND) del enlace de entrada CC, un electrodo de drenaje del segundo transistor de efecto campo de semiconductor de óxido de metal (M2) conectado a un cátodo del cuarto diodo (D4), otro extremo del segundo condensador (C2) y un segundo puerto (COIL2) de la bobina de emisión, un electrodo de fuente del segundo transistor de efecto campo de semiconductor de óxido de metal (M2) conectado al cátodo (PGND) del enlace de entrada CC, el primer puerto (COIL1) conectado a un extremo común de la bobina de emisión, el segundo puerto (COIL2) y el tercer puerto (COIL3) conectados a un extremo y otro extremo de la bobina de emisión; el circuito de recepción y carga inalámbrica comprende: un extremo de una bobina de recepción conectado a un extremo de un tercer condensador (C3), un extremo de un cuarto condensador (C4), un ánodo de un sexto diodo (D6) y un cátodo de un octavo diodo (D8), otro extremo de la bobina de recepción conectado a otro extremo del tercer condensador (C3), otro extremo del cuarto condensador (C4), un ánodo de un séptimo diodo (D7) y un cátodo de un noveno diodo (D9), un cátodo del sexto diodo (D6) conectado a un cátodo del séptimo diodo (D7), un ánodo de un primer condensador electrolítico, un ánodo de un segundo condensador electrolítico, y un extremo de un quinto condensador (C5) y un ánodo (VCC) de un enlace de salida CC, un ánodo del octavo diodo (D8) conectado a un ánodo del noveno diodo (D9), un cátodo del primer condensador electrolítico, un cátodo del segundo condensador electrolítico, otro extremo del quinto condensador (C5) y un cátodo (GND) del enlace de salida CC.