baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent JP-WO2009040934-A1 (JP)
Title: エレベータの安全装置
IPC: B66B5/20
Filed: 2007-09-28
Abstract: エレベータの安全装置においては、ガイドレールに対して水平方向へ変位可能なハウジングに受けレール当たり及び回動レール当たりが設けられている。ガイドレールは、受けレール当たりと回動レール当たりとの間に配置されている。回動レール当たりは、ハウジングに設けられた回動軸を中心に上下方向へ回動可能になっている。ガイドレールは、回動軸を中心とした上下方向への回動により受けレール当たりと回動レール当たりとの間で把持される。回動レール当たりには、回動レール当たりが上下いずれの方向へ回動されても受けレール当たりとの間隔が連続的に小さくなる転がり接触部が設けられている。転がり接触部の形状は、回動軸の中心線に対して偏芯した軸線を持つ１つの円筒の外周面に沿った形状とされている。
Patent JP-WO2009048052-A1 (JP)
Title: 回路保護装置及び電気接続箱
IPC: H02H7/20
Filed: 2008-10-07
Abstract: 電気接続箱１０は、電源Ｂに接続されるＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２に接続されて、ＦＥＴ３２と負荷Ｌとを接続する基板側導電路１８と、基板側導電路１８に対して電気的に且つ伝熱的に接続されると共にＰＮ接合を含むダイオード素子Ｄと、ダイオード素子Ｄの入出力端子２５，２６間の電圧降下値が閾値よりも大きいか否かを判断し、電圧降下値が閾値よりも小さいと判断された場合にはＦＥＴ３２にオフ指令信号を出力するＣＰＵ１９とを備える。
Patent JP-WO2009050875-A1 (JP)
Title: ディスプレイ装置の解体方法および解体装置
IPC: G09F9/00
Filed: 2008-10-14
Abstract: ディスプレイパネルと、ディスプレイパネルの背面に配置されたシャーシ部材と、シャーシ部材に取付け部材によって取付けられた電気回路部材となる回路基板で構成されたパネル部材とを備えた金属板ユニット（４９）とを備えたディスプレイ装置の解体方法であって、機構部（１０１ａ）により傾斜角度が調整可能なステージ（１０２）上に金属板ユニット（４９）を載置する載置ステップと、ステージ（１０２）の傾斜角度に基づく金属板ユニット（４９）の自重で取付け部材に当接する鋸刃（１０３ａ）によって取付け部材をステージ（１０２）の面に平行に切断する切断ステップとを含む。
Patent JP-WO2009066415-A1 (JP)
Title: スピーカ、映像機器、および携帯型情報処理装置
IPC: H04R7/12
Filed: 2008-10-28
Abstract: 本発明のスピーカは、前後に振動して音を放射する振動板と、振動板の後方に設けられ、振動板側に磁気空隙を有する磁気回路と、振動板に直接的または間接的に接合され、磁気空隙内に配置されるボイスコイルと、磁気空隙内に充填された磁性流体と、振動板の外周部であって互いに異なる位置に設けられて振動板を振動可能に支持し、かつ、断面形状が非直線形状となる複数の第１エッジ片とを備える。
Patent WO-2010095400-A1 (WO)
Inventor: SHINJO SADAAKI
IPC: A63F13/352
Filed: 2010-02-12
Abstract: 新世代ゲーム機３００の外部接続端子に接続可能な互換アダプタ２００を提供する。旧世代プロセッサユニット２３０は、旧世代ゲーム機の処理機能と互換性のあるプロセッサユニットである。アプリケーションソフトウエアが格納された記録媒体の種別が旧世代ゲーム機用であると判定された場合、ハブ２１２は、新世代ゲーム機３００に入力されるデータを外部接続インタフェースを介して新世代ゲーム機３００から受信する。受信されたパケットから取り出された各種データは、旧世代プロセッサユニット２３０に供給されて処理される。ハブ２１２は、処理結果のデータを外部接続インタフェースを介して新世代ゲーム機３００に送信する。
Patent WO-2011121632-A1 (WO)
Inventor: UNEHARA YOSHIFUMI
IPC: B65G49/06
Filed: 2010-03-29
Abstract: L'invention décrit un mécanisme de transport qui peut même transporter de façon stable un grand substrat et qui est facile à régler.
Entre une paire de supports (10, 10) sont installés une pluralité de fils (3) qui se trouvent à égale distance du centre du déplacement rotatif des supports (10, 10). Le substrat (20) est transporté vers l'avant par le déplacement des fils (3) avec le déplacement rotatif des supports (10, 10).
Patent WO-2010125753-A1 (WO)
Title: Process for production of circuit board
Inventor: SHOJI TAKASHI
IPC: H05K3/24
Filed: 2010-04-12
Abstract: Disclosed is a process for producing a circuit board, which can prevent the separation of solder bumps during the formation of the solder bumps, can also prevent the formation of needle-like crystals, and enables the steady production of a normal circuit board. The process for producing a circuit board is characterized by comprising the steps of: applying an adhesiveness-imparting compound onto the surface of a terminal arranged on a circuit board to form an adhesive layer; attaching solder particles onto the adhesive layer; applying an activating agent containing a hydrohalic acid salt of an organic acid base onto the solder particles and heating the circuit board on which the solder particles have been attached at a temperature equal to or lower than the melting temperature of the solder to fix the solder particles; applying a flux onto the circuit board on which the solder particles have been fixed; and heating the circuit board to melt the solder particles.
Patent WO-2011061897-A1 (WO)
Title: Tantalum sputtering target, method for manufacturing tantalum sputtering target, and method for manufacturing semiconductor device
Inventor: NAKASHIMA NOBUAKI
IPC: C22F1/18
Filed: 2010-11-04
Abstract: A method for manufacturing a tantalum sputtering target comprises a first kneading and forging step, a first thermal treatment step, a second kneading and forging step, a cold rolling step and a second thermal treatment step. At the first kneading and forging step, a tantalum material (1) is subjected twice or more to a set of kneading and forging, in which the tantalum material (1) is cold forged in directions parallel and perpendicular, respectively, to the thickness direction thereof. At the first thermal treatment step, the tantalum material (1) after the first kneading and forging step is recrystallized at the temperature of at least 1000 ºC. At the second kneading and forging step, the tantalum material (1) after the first thermal treatment step is subjected once or more to a set of kneading and forging, in which the tantalum material (1) is cold forged in directions parallel and perpendicular, respectively, to the thickness direction thereof. At the cold rolling step, the tantalum material (1) after the second kneading and forging step is subjected to cold rolling. At the second thermal treatment step, the tantalum material (1) after the cold rolling step is thermally treated at the temperature of at least 900 ºC.
Patent WO-2012063287-A1 (WO)
Title: 回転電機の制御装置
Inventor: KISHIBATA KAZUYOSHI
IPC: B60L50/13
Filed: 2010-11-10
Abstract: モータ及び発電機として機能する回転電機を制御する制御装置であって、バッテリから回転電機に駆動電流を供給するインバータとしての機能と回転電機の発電出力を整流してバッテリに供給する整流器としての機能とを果たす電力変換回路と、バッテリが変換回路から外されて変換回路の直流出力電圧が過大になったときに回転電機の三相の電機子コイルを短絡し、その後変換回路の直流出力電圧が設定された低電圧まで低下したときに電機子コイルの一相の短絡を解除して二相のみを短絡した状態にするように変換回路を制御するコントローラとを備えた。
Patent WO-2011104800-A1 (WO)
Inventor: ICHIKAWA HIDEAKI
IPC: H03F3/45
Filed: 2010-11-25
Abstract: 本発明の利得調整機能付き演算回路は、演算増幅器（１）と、前記演算増幅器の帰還経路上に設けられた、利得を調整する１以上の抵抗（１１，１２，１３）と、１以上の抵抗とそれぞれ並列に接続された１以上の電界効果トランジスタを用いたトランジスタスイッチ（２１，２２，２３）と、１以上のトランジスタスイッチのゲートにそれぞれ接続された１以上の抵抗成分（３１，３２，３３）と、を備えている。
Patent WO-2011080928-A1 (WO)
Title: 半導体装置、及びそれを用いた電力変換装置
Inventor: SHIRAISHI MASAKI
IPC: H01L29/739
Filed: 2010-01-04
Abstract: 【課題】短絡時に流れる過電流を抑制しつつ、低損失、低ノイズ（低電位変位、低電流振動）であり、かつ素子の破壊耐量の高いＩＧＢＴを提供する。 【解決手段】トレンチ型のＩＧＢＴであって、広狭２種類の間隔となるように配置された複数のトレンチゲートを備え、前記トレンチゲート同士の間が狭い間隔で配置された間には、第１導電型のチャネルを持つＭＯＳ構造を有し、前記トレンチゲート同士の間が広い間隔で配置された間には、第２導電型の第３半導体層の一部を介在させることで前記トレンチゲートとは離間された第１導電型のフローティング半導体層を備える。またこのフローティング半導体層は絶縁膜を介してエミッタ電極と同電位の第１導電体層と対応した位置、かつ、平行に配置される。以上の構造により、前記トレンチゲートのコーナ部の電界集中を緩和し、耐圧を向上させるとともに、低ノイズで低損失とする。
Patent WO-2010098184-A1 (WO)
Inventor: KOMIYAMA RYUICHI
IPC: H01R13/631
Filed: 2010-02-03
Abstract: Provided is a connector provided with a sliding cam, wherein one connector is prevented from being forcedly fitted in the other connector. A connector (1) is comprised of a slider (70) having cam grooves (71a to 71c) to which cam pins (411a to 411c) provided on the opposed side surfaces of an engagement portion of an connector (400) are inserted. Temporary fitting protrusions (74a to 74c) are provided in the cam grooves (71a to 71c), respectively, and, the first cam pin (411a) is located so that the distance between the first cam pin (411a) and a side surface face end (410b) of an engagement portion (410) is larger than the distance between the cam pin (411c) and a side surface end (410c) of the engagement portion (410). In the connector (1), when the cam pins (411a to 411c) are fitted in the cam grooves (71a to 71c), the height (h 1 ) of the temporary fitting protrusion (74a) of the first cam groove (71a) corresponding to the first cam pin (411a) is higher than the heights (h 2 ) of the temporary fitting protrusions (74b, 74c) of the cam grooves (71b, 71c).
Patent WO-2011099143-A1 (WO)
Title: Suspension device
Inventor: KATAYAMA YOHEI
IPC: B60G17/08
Filed: 2010-02-12
Abstract: Provided is a suspension device which prevents the damping force from excessively increasing due to a rapid input from the road surface when the damping force is adjusted to a minimum value while the vehicle is moving. A damping force adjusting hydraulic damper (1) has a damping force adjusting valve (25) which adjusts a damping force by electric current supplied to a pressure control valve for controlling a pilot pressure. A control unit (ECU) outputs the lowest control current I=0.5A, to cause the damping force adjusting hydraulic damper (1) to generate the lowest damping force. When the lowest control current is supplied, the pressure control valve of the damping force adjusting valve (25) is normally open. Thus, an increase of the damping force caused by a rapid increase of the pilot pressure due to a rapid input from the road surface is suppressed.
Patent WO-2010098319-A1 (WO)
Inventor: ODA HIROYUKI
IPC: C01B33/035
Filed: 2010-02-23
Abstract: Disclosed is a polycrystalline silicon rod to be used for recharging in the floating zone method (FZ method) or the Czochralski method (CZ method), which comprises a straight trunk part in an easily transferable shape and therefore has excellent transferability.
Specifically disclosed is a polycrystalline silicon rod obtained by depositing silicon and growing the same, by the chemical vapor deposition method, on a silicon core member which comprises a pair of silicon bars formed upright on an electrode and a bridge part connecting the silicon bars at one end thereof, characterized in that a straight trunk part of the silicon rod formed upright on the electrode has a diameter distribution in the longitudinal direction and the minimum diameter is controlled to 60-95% of the maximum diameter.
Patent WO-2011013394-A1 (WO)
Inventor: YAMAMOTO SHINICHIRO
IPC: H01F37/00
Filed: 2010-03-04
Abstract: A compact reactor is provided. The reactor (1α) contains a coil (2α), and a magnetic core (3α) in which the coil (2α) is placed. The magnetic core (3α) forms a closed magnetic path with an internal core part (3i) inserted through the coil (2α) and a connecting core part (3o) surrounding the outside circumference of the coil (2α). The reactor satisfies the relations below: 1 < (B1/B2), and 0.17 × (B1/B2) + 0.42 ≤ (S1 × B1)/(S2 × B2) ≤ 0.50 × (B1/B2)+0.62, where S1 denotes the cross section area, and B1 denotes the saturation magnetic flux density of the internal core part (3i); S2 denotes the cross section area, and B2 denotes the saturation magnetic flux density of the connecting core part (3o); (B1/B2) denotes the ratio of saturation magnetic flux densities of the cores (3i to 3o); and (S1 × B1)/(S2 × B2) denotes the ratio of the magnetic flux of the magnetic fluxes of the two core parts. The reactor (1α) can be made compact by decreasing the cross section area of the internal core part (3i) by satisfying the relation 1 < (B1/B2) and adjusting the ratio of (S1 × B1)/(S2 × B2) to be within a specified range.
Patent WO-2010110057-A1 (WO)
Title: Dispositif de commande de changement de vitesses pour véhicule
Inventor: UENO KOKI
IPC: F16H61/12
Filed: 2010-03-03
Abstract: La présente invention concerne un dispositif de commande de changement de vitesses pour véhicule. Ledit dispositif est pourvu d'un agencement pour utiliser une détermination pour passer à une plage de stationnement avec une précision plus importante en utilisant un signal de vitesse de véhicule qui présente une réponse plus rapide, et l'occurrence d'une difficulté d'exécution d'un verrouillage de stationnement en réponse à une demande de verrouillage de stationnement par un signal de vitesse de véhicule, qui présente une réponse plus lente, est supprimée. La détermination est réalisée en utilisant une vitesse de véhicule admissible de verrouillage de stationnement V2 (A + alpha) obtenue en corrigeant une vitesse admissible de verrouillage de stationnement V1 A associée à un premier signal de vitesse de véhicule V1 de sorte que, plus la réponse du second signal de véhicule V2, qui présente une réponse plus lente, est lente, plus la valeur corrigée est importante par rapport à la valeur corrigée associée au premier signal de vitesse de véhicule V1, dont la réponse est plus rapide, pour passer à la plage de stationnement. Ainsi, il est déterminé si le second signal de vitesse de véhicule V2 satisfait une condition donnée, étant donné la correction, et il est déterminé si le premier signal de vitesse de véhicule V1 satisfait la condition donnée, en l'état. Ainsi, le second signal de vitesse de véhicule V2 peut satisfaire la condition donnée de façon presque aussi facile que le premier signal de vitesse de véhicule V1 pour satisfaire la condition donnée, ou peut facilement satisfaire la condition donnée.
Patent WO-2010104203-A1 (WO)
Inventor: SHIMOSAWA KATSUO
IPC: H01B11/00
Filed: 2010-03-10
Abstract: 高速差動ケーブル１は、内部導体１１の外周に第１誘電体層１２を設けた信号線を２芯平行配置し、２芯信号線の外周に第２誘電体層１３を設け、第２誘電体層の外側であって２芯信号線の両側それぞれにドレイン線１４を信号線と平行配置し、第２誘電体層およびドレイン線の外周に絶縁側を外側にし導体側を内側にした外部導体１５を縦沿えに設け、該外部導体の外周に外被１６を設け、ドレイン線が配置される第２誘電体層の外周部分に、少なくともドレイン線の円周の一部が嵌め合わせ可能なドレイン線用溝部１７を設ける。これにより、信号線とドレイン線とを高精度に対称配置可能となるため、信号線の２芯の電気的バランスを良好にでき、優れた電気的特性および伝送特性を得ることができる。また、外部導体を縦沿えに設けたので、高周波数領域において減衰量のサックアウトの発生を防止できる。
Patent WO-2010131689-A1 (WO)
Title: Appareil de traitement d'informations, dispositif à rayonnement laser, procédé de génération d'informations de rendu, système de commande, programme, support d'enregistrement et dispositif de stockage d'informations de rendu
Inventor: HASEGAWA FUMIHIRO
IPC: B23K26/00
Filed: 2010-05-06
Abstract: L'invention concerne un appareil de traitement d'informations destiné à générer des informations de rendu d'une image et comprenant un moyen de stockage servant à conserver des informations de forme de passes formant l'image ; une unité d'acquisition d'informations servant à acquérir les informations de forme des passes à partir du moyen de stockage ; une unité d'acquisition d'épaisseur servant à acquérir des informations d'épaisseur de l'image ; un générateur de passes servant à générer un certain nombre de passes parallèles dont chacune est parallèle à une passe d'origine et à spécifier des intervalles entre les passes parallèles, le nombre et les intervalles en question correspondant aux informations d'épaisseur ; une unité de réglage de longueur servant à régler la longueur d'une première passe parallèle à une première passe d'origine et / ou la longueur d'une deuxième passe parallèle à une deuxième passe d'origine reliée à la première passe d'origine ; et un générateur d'informations de rendu servant à enregistrer, dans les informations de rendu, les informations de forme de la passe parallèle dont la longueur a été réglée.
Patent WO-2010147006-A1 (WO)
Title: 赤外線検出素子及びその製造方法
Inventor: MAKINO KENJI
IPC: H01L31/10
Filed: 2010-06-04
Abstract: この発明は、信頼性の高い赤外線検出素子及びその製造方法に関する。当該赤外線検出素子(1)は、基板(2)と、ＰＮ半導体層(3)と、中間電極(4)と、端子電極(5.6)を備える。ＰＮ半導体層(3)は、互いに隣接する第１及び第２のＰＮ接合部(9,10)の組が交互に並ぶように基板(2)の主面(A)に沿って線状に延在する形状になるよう、各部位が溝(15)によって仕切られている。中間電極(4)は、第１のＰＮ接合部(9)を露出される一方、第２のＰＮ接合部(10)に接触した状態で、ＰＮ半導体層(3)に対して基板(2)とは逆側に設けられている。端子電極(5,6)は、赤外線の入射によって第１のＰＮ接合部(9)で発生した電荷に起因した電位変化を出力するための電極であって、基板(2)の主面(A)に沿って線状に延在するＰＮ半導体層(3)の両端部(E1,E2)に設けられている。
Patent WO-2011155010-A1 (WO)
Title: エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置
Inventor: KIM MYUNGHEE
IPC: H01S5/323
Filed: 2010-06-07
Abstract: 凸部頂部が平坦で所定の平面視パターンとなるように凹凸加工されたサファイア（０００１）基板面に、凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上にＣ＋軸配向したＡｌＮ層が成長するようにＣ軸配向制御を行って、凹部に新たな凹部が形成されるように初期ＡｌＮ層をエピタキシャル成長させ、初期ＡｌＮ層上に、横方向成長法を用いてＡｌＮ（０００１）層からなる第１ＥＬＯ層をエピタキシャル成長させ、新たな凹部の上方に位置する凹部上方領域が、初期ＡｌＮ層の凸部上面から横方向成長した第１ＥＬＯ層によって完全に覆われる前に、第１ＥＬＯ層の成長を停止し、第１ＥＬＯ層上に、横方向成長法を用いてＡｌ ｘ Ｇａ １－ｘ Ｎ（０００１）層（１＞ｘ＞０）からなる第２ＥＬＯ層をエピタキシャル成長させ、第１ＥＬＯ層の上面から横方向成長した前記第２ＥＬＯ層によって凹部上方領域を完全に覆う。
Patent WO-2011070815-A1 (WO)
Title: スライドドア内導電経路装置
Inventor: USHIRO TAKAYUKI
IPC: H02G11/00
Filed: 2010-07-22
Abstract: スライドドアに組込まれるスライドドア内導電経路装置であって、スライドドア内ワイヤーハーネスと、スライドドア内ワイヤーハーネスの屈曲動作をガイドするスライドドア内屈曲動作ガイド部材と、スライドドア内屈曲動作ガイド部材の一端部が連結されたスライダ部材と、スライダ部材を移動可能に支持するスライドガイドユニットとを備える。スライドガイドユニットの側面に、スペーサを取付けるためのスペーサ取付部が形成される。スペーサ取付部は、スペーサを挟込む一対の側面を含む内側面を有している。
Patent WO-2011016374-A1 (WO)
Title: ロータリダイカッタの刃物取付台据付装置
Inventor: IORI SHINYA
IPC: B26F1/44
Filed: 2010-07-28
Abstract: ロータリダイカッタで、刃物取付台のナイフシリンダへの位置決め及び固定を迅速に行なうと共に、押出し装置に接触する押出し部材の内側端の摩耗を低減することが課題である。本発明は、刃物取付台１８に打抜き刃２０が埋設された木型２２が装着され、ナイフシリンダ１６に第１の貫通孔７６が穿設され、第１の貫通孔７６に第１の押出し棒７４が装着され、刃物取付台１８に第２の貫通孔８０が穿設され、第２の貫通孔８０に第２の押出し棒８２が装着されている。第１の押出し棒７４と第２の押出し棒８２とが突き合わせ可能であり、偏芯シリンダ７２で第１の押出し棒７４を押し出すことで、打抜き刃２８に挟持された打抜き屑ａを押し出す。第２の貫通孔８０の内側開口にナイフシリンダ軸方向に凹溝９８がもうけられ、刃物取付台１８の据付時に刃物取付台１８がナイフシリンダ軸方向に移動しても第１の押出し棒７４が刃物取付台１８に当らないようにしている。
Patent WO-2011129023-A1 (WO)
Inventor: FUJIMURA HIROKAZU
IPC: B29C48/09
Filed: 2010-08-13
Abstract: L'invention concerne une membrane à fibres creuses poreuse à faible coût présentant une perméabilité à l'eau, une résistance à l'abrasion et une résistance au séchage élevées, idéale dans le traitement d'un liquide contenant des substances inorganiques et/ou organiques. La membrane à fibres creuses poreuse selon l'invention est obtenue à partir d'une résine thermoplastique. Cette membrane comporte des irrégularités continues sur la partie périphérique externe dans le sens de la longueur, la partie périphérique externe dans le sens de la circonférence de la membrane étant constituée d'une partie irrégulière continue.
Patent WO-2012032625-A1 (WO)
Inventor: YOSHIOKA MAMORU
IPC: F01N3/24
Filed: 2010-09-08
Abstract: 本発明は、電気加熱式触媒（ＥＨＣ）における電極とケースとの短絡を抑制することを目的とする。本発明に係るＥＨＣでは、ケース４に形成された貫通孔と、ケース４の内壁面と発熱体３の外周面との間に形成された電極室９と、を通って電極７が発熱体３に接続されている。そして、電気絶縁材によって形成され、ケース４に形成された貫通孔において電極７を支持する支持部材８が、電極７に沿って電極室９内にまで延びている。
Patent WO-2011040607-A1 (WO)
Title: 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
Inventor: KATO TOMOKI
IPC: C09K11/06
Filed: 2010-10-01
Abstract: 分子中に、下記式（１）又は（２）で表されるカルバゾール構造にアリーレン基が結合した置換基Ａと置換基Ｂとを有し、置換基Ａと置換基Ｂは、アリーレン基のカルバゾール構造への結合位置が異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合する芳香族アミン誘導体、並びに、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、分子が結晶化しにくく、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する際の歩留りが向上し、駆動電圧が低く、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。（各置換基は請求項１に記載のとおり）
Patent WO-2011092927-A1 (WO)
Title: 容器用インキジェット印刷フィルム、その製造方法及び製造装置
Inventor: MURAKAMI SHIGENOBU
IPC: B41M5/00
Filed: 2010-11-19
Abstract: 【課題】インキジェット印刷により形成された印刷像を有しており、熱収縮によらず、接着剤を用いて金属缶の胴部に貼着されるかあるいはパウチとして用いられる容器用インキジェット印刷フィルムを提供することにある。 【解決手段】透明樹脂フィルム１０の一方の表面に、下地層１１を介してインキジェット印刷層１３が形成され、インキジェット印刷層１３を覆うように白インキベタ層１５が形成されていることを特徴とする。
Patent WO-2011071045-A1 (WO)
Inventor: UEDA HIROFUMI
IPC: H04W4/00
Filed: 2010-12-07
Abstract: 他の通信装置とアクセスポイントを介さずに無線によって通信接続する複数の通信装置を備えた情報共有システムであって、各通信装置は、他の通信装置から受信した通知メッセージの受信履歴を用いて、当該他の通信装置が現在保持する情報を推測する内部推測部と、内部推測部が推測した他の通信装置の現在保持する情報と自装置が保持する情報が一致するか判断する重複判定部と、一致しないと重複判定部が判定した場合に、自通信装置が保持する情報を含めた通知メッセージを送信する情報交換部とを有する。
Patent WO-2011081048-A1 (WO)
Title: ソーラーシミュレータ
Inventor: YOSHINO SEIJI
IPC: H01L31/04
Filed: 2010-12-20
Abstract: ソーラーシミュレータは、太陽電池モジュールへ光を放射するフラッシュランプ１０３と、前記フラッシュランプへ電流を供給する電源１０１と、オン時は前記フラッシュランプへ電流が供給され、オフ時は前記フラッシュランプへの電流が遮断される、並列に接続されたスイッチ部１０５ａ～１０５ｃと、前記スイッチ部と前記電源との間に設けられたバラスト抵抗１０６ａ～１０６ｃと、前記スイッチ部のオンオフ制御を行い、オンさせるスイッチ部を所定時間毎に順に切り替える制御部１０２とを備え、スイッチ部に含まれる半導体の温度上昇による熱破壊を防止し、フラッシュランプ１０３に長時間連続して電流を供給して光を放射させる。
Patent WO-2011081088-A1 (WO)
Title: Network system, communication method, and communication terminal
Inventor: YAMAMOTO MASAKI
IPC: H04M1/72439
Filed: 2010-12-24
Abstract: Disclosed is a network system provided with, at least, first and second communication terminals (100A and 100B) that can communicate with each other over a network. The first communication terminal (100A) displays freehand drawing data (107X), inputted in correspondence with an instruction for a position in an image, at the corresponding position in said image. The first communication terminal then associates position information indicating the aforementioned position with the freehand drawing data (107X) and transmits said position/drawing data to the second communication terminal (100B). On the basis of the position information and freehand drawing data from the first communication terminal (100A), the second communication terminal (100B) displays at least part of the image on a second display (107B) and displays the freehand drawing data (107X) at a location corresponding to the position information.
Patent JP-WO2009119379-A1 (JP)
Title: ロボット制御システム
IPC: B25J13/02
Filed: 2009-03-17
Abstract: ロボット制御システムは、可搬式操作装置（ＴＰ）、及びロボット制御装置（ＲＣ）を備える。可搬式操作装置（ＴＰ）は、充電可能な二次電池により作動し、ロボット（Ｒ）を操作するために用いられる。ロボット制御装置（ＲＣ）は、可搬式操作装置（ＴＰ）との間で無線通信が可能であると共に、可搬式操作装置（ＴＰ）からの教示データに基づいてロボット（Ｒ）の自動運転を行う。ロボット制御システムは、可搬式操作装置（ＴＰ）とロボット制御装置（ＲＣ）との無線通信が途絶えたときにロボット（Ｒ）を非常停止させる。ロボット制御システムは、更に、充電装置（ＣＵ）、接続監視部（１２）、及び自動運転継続部（１１）を備える。充電装置（ＣＵ）は、可搬式操作装置（ＴＰ）とロボット制御装置（ＲＣ）とを接続して二次電池を充電するためのものである。接続監視部（１２）は、充電手段を介した可搬式操作装置（ＴＰ）とロボット制御装置（ＲＣ）との間の接続が確立しているか否かを監視する。自動運転継続部（１１）は、ロボット（Ｒ）の自動運転時に上記の接続が確立していない状態を検出したときも、ロボット（Ｒ）を非常停止させることなく無線通信を終了すると共に、ロボット制御装置（ＲＣ）単独でロボット（Ｒ）の自動運転を継続させる。
Patent JP-WO2009128369-A1 (JP)
Title: 感光性樹脂組成物及びその積層体
IPC: G03F7/40
Filed: 2009-04-07
Abstract: 本発明により、感光性樹脂層の厚さが３〜１５μｍと薄い場合でも、テント性が良好であり、かつ、支持層が意図せずに剥がれない、すなわち、支持層の十分な引き剥がし強度を有する感光性樹脂積層体が提供される。本発明に係る感光性樹脂組成物は、以下の：（ａ）アルカリ可溶性樹脂２０〜９０質量％、（ｂ）光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物５〜７５質量％、（ｃ）光重合開始剤０．１〜２０質量％、を含む感光性樹脂組成物であって、前記（ｂ）光重合可能な不飽和二重結合を有する化合物として、下記一般式（Ｉ）：｛式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ独立に、Ｈ又はＣＨ３であり、Ｒ５は、それぞれ独立に、プロピル基又はブチル基であり、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４は、２１〜５０の整数であり、そしてｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、０〜１９の整数であり（以下、省略）。｝で表される化合物含むことを特徴とする。
Patent JP-WO2009145081-A1 (JP)
Title: 内燃機関の排気ガス浄化システム、およびスーツフィルタ再生方法
IPC: F01N3/02
Filed: 2009-05-19
Abstract: エンジン（２）の排気ガス浄化システム（１）は、排気ガスに含まれるＰＭを捕捉するＰＭフィルタ装置（１０）中のスーツフィルタと、スーツフィルタの再生を行うか否かを判定する制御装置（９）中の再生実行判定手段と、排気タービン過給機（３）で過給された吸気を冷却する空冷式のアフタークーラ（４）と、アフタークーラ（４）に冷却空気を供給する冷却ファン（５）と、再生実行判定手段によりスーツフィルタの再生が必要であると判定された場合に、冷却ファン（５）の回転速度を低下させる制御装置（９）中の強制再生用ファン回転速度制御手段とを備えている。
Patent JP-WO2009148022-A1 (JP)
Title: レーザ加工装置およびレーザ加工方法
IPC: B23K26/00
Filed: 2009-06-01
Abstract: 被加工物Ｗにレーザ光を照射することによって、被加工物Ｗへのピアス加工とピアス加工の後の切断加工とを行うレーザ加工装置において、少なくともピアス加工の開始時に、被加工物Ｗ内の表面近傍に焦点位置を設定して被加工物Ｗにレーザ光を照射するレーザ光照射部６０と、レーザ光照射部６０がピアス加工の開始時に設定した焦点位置で被加工物Ｗにレーザ光を照射した場合にプラズマの発生する周波数でレーザ光をパルス出射するレーザ発振器１と、を備える。
Patent JP-WO2010010943-A1 (JP)
Title: 画像処理装置および方法
IPC: H04N7/32
Filed: 2009-07-24
Abstract: 本発明は、処理負担を大きくすることなく、精度の高い予測画像を生成することができるようにする画像処理装置および方法に関する。参照フレームからは、１６×１６画素のマクロブロック単位の画像にａ画素の幅の帯領域を余白領域として付けた画像が動き補償画像として抽出され、フィルタリング処理の入力画像とされる。ａはFIRフィルタのタップ数に応じて決まる値である。このような動き補償画像を入力画像としてフィルタリング処理が行われ、１６×１６画素の予測画像がフィルタリング処理の出力画像として出力される。予測画像は、加算回路において逆直交変換回路の出力画像と加算され、加算結果の画像が復号フレームを構成するマクロブロックとして用いられる。本発明は、予測符号化を行う装置、予測符号化によって符号化された情報を復号する装置に適用することができる。
Patent JP-WO2010013327-A1 (JP)
Title: 経路探索装置、経路探索方法、経路探索プログラム、および記録媒体
IPC: G01C21/34
Filed: 2008-07-30
Abstract: 経路探索装置（１００）は、記録部（１１０）と、入力部（１２０）と、抽出部（１３０）と、探索部（１４０）とを備える。記録部（１１０）は、テーブル（１１１）とエリア内経路データ（１１２）とを有する。テーブル（１１１）は、出発エリアおよび目的エリアの組合せと当該組合せごとにそれぞれ出発エリアから目的エリアまでの間に経由する経由エリアの列とが対応付けられたものである。エリア内経路データ（１１２）は、各エリア内にてエリアの境界に位置する境界ノード同士を結んだデータを含む。入力部（１２０）は、出発地点および目的地点の入力を受け付ける。抽出部（１３０）は、出発エリアおよび目的エリアの組合せに基づき、出発エリアから目的エリアまでの間に経由する経由エリアの列をテーブル（１１１）から抽出する。探索部（１４０）は、経由エリアのエリア内経路データ（１１２）を用いて、出発地点から目的地点までの経路を探索する。
Patent JP-WO2010146640-A1 (JP)
Title: 半導体集積回路装置及び電子機器
IPC: G11C11/41
Filed: 2009-12-21
Abstract: 半導体記憶装置を具備する半導体集積回路装置及び電子機器であって、半導体記憶装置のメモリセルアレイを構成するメモリセルに対し、検査コストを増大させることなく、メモリセルのトランジスタのしきい値電圧の製造ばらつきや長期の使用に伴う経年劣化に対しても半導体記憶装置の正常特性や動作を維持することが可能な電圧を供給することができる半導体集積回路装置及び電子機器を提供する。半導体集積回路装置(100)は、複数のメモリセル(MC)を有するメモリセルアレイ(10)を備えた半導体記憶装置(1)と、メモリセル(MC)の特性をモニタするモニタ回路(2)と、半導体記憶装置(1)に接続され、半導体記憶装置(1)への電源供給を行う電圧出力回路(4b)とを具備し、電圧出力回路(4b)は、モニタ回路(2)の出力に応じて出力電圧を変化させるように構成されている。
Patent JP-WO2011024875-A1 (JP)
Title: Ｃ型肝炎ウイルスの新規株由来のポリヌクレオチド及びその利用
IPC: C12N15/09
Filed: 2010-08-25
Abstract: 配列番号２もしくは配列番号５のアミノ酸配列または該アミノ酸配列と９８％以上の同一性を有するアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド、好ましくは、配列番号２の１２０２位（配列番号５の１７７位）のグルタミン酸に相当するアミノ酸のグリシンへの置換、１０５６位（配列番号５の３１位）のグルタミン酸に相当するアミノ酸のバリンへの置換、および２１９９位（配列番号５の１１７４位）のアラニンに相当するアミノ酸のスレオニンへの置換を含む、ポリヌクレオチド。
Patent JP-WO2010073541-A1 (JP)
Title: 撮像方法および撮像装置
IPC: H04N5/335
Filed: 2009-12-15
Abstract: ＥＭ−ＣＣＤの偽信号を最小限にして、実効感度を改善する。ＥＭ−ＣＣＤとＦＦＰと走査線メモリと画面メモリを用いた撮像装置において、電子増倍時に、Ｖ−ＯＢの現在の最小値から２番目の値と非電子増倍時に記憶したＶ−ＯＢの最小値から２番目の値を撮像素子測定温度で補正した暗電流の想定値との比に比例して、有効画素信号の平均のＡＧＣを高く垂直周期のＡＧＣを低くし、減算する暗電流成分の平均の増幅を高く垂直周期の増幅を高くし、スミアが所定値以下なら、Ｈ−ＯＢの現在の最小値と非電子増倍時に記憶したＨ−ＯＢの最小値を撮像素子測定温度で補正した暗電流の想定値との比に比例して、有効画素信号の水平周期のＡＧＣを低くし、減算する暗電流成分の水平周期の増幅を高くする。
Patent JP-WO2010073585-A1 (JP)
Title: シート及び発光装置
IPC: H05B33/02
Filed: 2009-12-21
Abstract: 本発明のシートは、発光体からの光が一方の面に入射し、他方の面から出射するように用いられるシートであって、他方の面に、内接する最大の円の直径が０．２μｍ以上２μｍ以下の複数の微小領域１３を備え、複数の微小領域１３のうちの個々の微小領域は、複数の微小領域１３のうちの他の複数の微小領域によって隣接且つ囲繞されており、複数の微小領域１３は、複数の微小領域１３から２０％以上８０％以下の割合でランダムに選ばれた複数の微小領域１３ａと、それ以外の複数の微小領域１３ｂとからなり、複数の微小領域１３ａを透過した光と、複数の微小領域１３ｂを透過した光との位相差はπである。
Patent JP-WO2010073624-A1 (JP)
Title: 半導体装置およびそのテスト方法
IPC: H01L21/822
Filed: 2009-12-22
Abstract: 半導体装置（１）は、複数の半導体チップ形成領域（１Ａ）が形成された半導体ウェハ（１１）と、半導体ウェハ（１１）の各半導体チップ形成領域（１Ａ）内に設けられた回路部（１２）と、各半導体チップ形成領域（１Ａ）内に設けられるとともに、回路部（１２）に接続され、前記回路部（１２）に供給される電力を制御する制御回路部（１４）と、複数の前記制御回路部（１４）に接続される供給電源線（１８）と、複数の制御回路部（１４）に接続される参照電源線（１７）とを有する。各制御回路部（１４）では、参照電源線（１７）からの参照電圧に基づいて、供給電源線（１８）から供給される電力の電圧を制御する。