baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I403612-B (TW)
Title: Apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition
Inventor: YU CHENG YI
IPC: C23C16/513
Filed: 2011-04-22
Granted: 2013-08-01
Abstract: An apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) includes a process chamber, a top electrode, a bottom electrode, a radio frequency generating device and at least a connecting device. The top electrode and the bottom electrode are disposed oppositely inside the process chamber. The radio frequency generating device is connected to the top electrode to induce a reaction of plasma-enhanced chemical vapor deposition for depositing a thin film material on a substrate disposed on the bottom electrode. The connecting device is disposed in the process chamber. The connecting device is electrically coupled with the bottom electrode and a upper wall of the process chamber or the connecting device is electrically coupled with the bottom electrode and a side wall of the process chamber.
Patent TW-I415773-B (TW)
Title: Cushion structure
Inventor: CHANG HUNG CHIEH
IPC: B65D85/86
Filed: 2011-06-24
Granted: 2013-11-21
Abstract: A cushion structure holds an electronic device. The cushion structure includes a main body and a flexible cushion component. The main body has a recess portion and a plurality of insertion holes. The flexible cushion component has a first end portion and a second end portion. The first end portion and the second end portion are respectively inserted into the insertion holes disposed on opposite side walls which formed the recess portion to make at least one part of the flexible cushion component is located within the recess portion. At least one part of the electronic device is held by the recess portion.
Patent TW-I406747-B (TW)
IPC: B25H3/02
Filed: 2011-12-16
Granted: 2013-09-01
Abstract: The present invention relates to a tool box structure which comprises: a first pivot part disposed on the rear side of a lower box body, the first pivot part has a first locking groove; a second pivot part disposed on the rear side of an upper box body, the second pivot part is pivotally connected with the first pivot part, the second pivot part has a second locking groove; one side of a locking member has a locking block, the first locking block is latched into the first locking groove, the other side of the locking member has a second locking block, and the second locking block is latched into the second locking groove, the locking member has a cutoff part, the cutoff part is connected to the first and second locking blocks. Because the first locking block of said locking member is latched into the first locking groove, and the second locking block is latched into the second locking groove, the upper box body cannot be opened with respect to the lower box body, thereby providing the anti-theft function. After the cutoff part is removed, the first locking block and the second locking block can be separated from each other, the locking member is divided into two separate block bodies, the locking member can be removed from the first pivot part and the second pivot part, and the upper box body can be opened with respect to the lower box body.
Patent TW-I624759-B (TW)
Inventor: RAMANUJAN RAJ K
IPC: G06F12/02
Filed: 2012-09-20
Granted: 2018-05-21
Abstract: 描述用以將包括一非揮發性記憶體層的一記憶體與儲存裝置階層整合於一電腦系統內部之系統及方法。於一個實施例中，PCMS記憶體裝置係用作為該階層裡的一層，偶爾稱作為「遠記憶體」。較效能記憶體裝置諸如DRAM設置於該遠記憶體前方且係用以遮罩該遠記憶體的效能極限中之部分。此等較效能記憶體裝置係稱作為「近記憶體」。
Patent TW-I408760-B (TW)
Title: System and method for in situ monitoring of top wafer thickness in a stack of wafers
Inventor: SCHRAUB FREDERIC ANTHONY
IPC: H01L21/66
Filed: 2012-11-07
Granted: 2013-09-11
Abstract: A system for holding non-contact wafer probes over the surface of a wafer which includes a system for flushing the surface of the probe during grinding.
Patent TW-I620843-B (TW)
Inventor: KIRIYAMA TAKAYUKI
IPC: D01F9/22
Filed: 2013-04-18
Granted: 2018-04-11
Abstract: 本發明提供一種單纖維纖度雖然大但結節強度高且操作性、加工性優異的碳纖維束。該碳纖維束的單纖維纖度為0.8dtex以上且2.5dtex以下，結節強度為298N/mm 2 以上。碳纖維束的製造方法包含如下熱處理步驟，將說明書所記載的特定的聚丙烯腈系前驅體纖維束於在升溫至220℃~300℃的溫度範圍內的氧化性氣體環境下進行50分鐘以上且150分鐘以下的熱處理，上述碳纖維束的結節強度為298N/mm 2 以上。
Patent TW-I664734-B (TW)
Inventor: NAG MANOJ
IPC: H01L21/336
Filed: 2013-06-21
Granted: 2019-07-01
Abstract: 本發明提供一種製造底閘極頂部接觸型金屬氧化物半導體薄膜電晶體之方法，該方法包含：- 形成閘極電極於基板上；- 提供覆蓋該閘極電極之閘極介電層；- 沈積金屬氧化物半導體層於該閘極介電層上；- 沈積金屬層於該金屬氧化物半導體層之頂部上；- 圖案化該金屬層以形成源極接點及汲極接點，其中圖案化該金屬層包含乾式蝕刻該金屬層；及其後圖案化該金屬氧化物半導體層。
Patent TW-I626009-B (TW)
Inventor: OHMACHI AIKO
IPC: A23C11/06
Filed: 2013-07-26
Granted: 2018-06-11
Abstract: 本發明之課題為提供安全且藉由日常的攝取，對於骨質疏鬆症、骨折、風溼病、關節炎等各種骨疾病之預防、治療為有用之新穎奶粉類。係一種奶粉類，含有血管生成素及/或血管生成素分解物1.4~24mg/15g，且相對於血管生成素及/或血管生成素分解物，以質量比0.03~1.3之範圍含有胱抑素及/或胱抑素分解物。藉由攝取如此的奶粉類，能夠強化骨骼，尤其對於骨質疏鬆症、骨折、風濕病、關節炎等各種骨疾病的預防及治療有效。
Patent TW-I612460-B (TW)
Inventor: CONI PHILIPPE
IPC: G06F3/044
Filed: 2013-11-28
Granted: 2018-01-21
Abstract: 本發明的概要領域係在於具有投射電容式偵測之觸控螢幕裝置(1)，包括矩陣觸控板(10)，該矩陣觸控板包括複數導電列(11)與導電行(12)，該板被連結至電子控制工具(20)。該電子控制工具產生在二不同頻率所放射之二周期性放射電壓。該接收電壓之分析使得其可能決定該觸控板上之二同時壓按的位置，包括當該二壓按係在接近的行列上做成。該壓按之決定本質上係藉由計算該接收電壓之波谷的重心所施行。
Patent TW-I623275-B (TW)
Inventor: THORENS MICHEL
IPC: A24F40/40
Filed: 2013-12-26
Granted: 2018-05-11
Abstract: 提供一種氣溶膠產生裝置，包括：一外殼，其係包含或配置為容納一氣溶膠形成基材；一出口，其係形成於該外殼中，其中從該氣溶膠形成基材產生之使用中的氣溶膠係通過該出口運送；其中該外殼包含一包圍該出口的第一壁和一包圍該第一壁的第二壁，使得一開放端部的環形凹槽界定在該第一和第二壁之間，該環形凹槽適合於將一順應性的嘴件蓋保持於該外殼；在使用時，該嘴件蓋係置於一使用者的口中，以直接吸入由該氣溶膠產生裝置產生的一氣溶膠。
 
     也提供一種用於一電動抽煙裝置的可拆卸嘴件蓋，包含一界定一中心孔的順應性管狀部及一覆蓋該濾嘴部之孔的濾嘴部。
Patent TW-I640249-B (TW)
Inventor: BRISTOW JAMES TIMOTHY
IPC: A01N43/60
Filed: 2014-02-25
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本發明提供一種農用化學組合物，其中含有A)之至少一種化學式(I)的1-芳基吡唑類農用化學活性成分：
     
其中：R 1 代表鹵素原子或CN或甲基；R 2 代表S(O) n R 3 或4,5-二氰基咪唑-2-基或鹵代烷基；R 3 代表烷基或鹵代烷基；R 4 代表氫原子或鹵素原子或NR 5 R 6 、S(O) m R 7 、C(O)R 7 或C(O)O-R 7 、烷基、鹵代烷基或OR 8 或-N=C(R 9 )(R 10 )基；
R 5 及R 6 彼此獨立代表氫原子或烷基、鹵代烷基、C(O)烷基、C(O)OR 7 或S(O) r CF 3 基或R 5 及R 6 可組成二價伸烷基，其中可插入一個或兩個二價雜原子，例如氧、氮或硫；R 7 代表烷基或鹵代烷基；R 8 代表烷基或鹵代烷基或氫原子；R 9 代表烷基或氫原子；R 10 代表可由一個或多個鹵素原子或諸如OH、-O-烷基、-S-烷基、CN或烷基取代的苯基或雜芳基；R 11 及R 12 彼此獨立代表氫原子或鹵素原子或CN或NO 2 ；R 13 代表鹵素原子或鹵代烷基、鹵代烷氧基、S(O) q CF 3 或SF 5 基；m、n、q及r彼此獨立代表整數0、1或2；X代表三價氮原子或C-R 12 基，碳原子的其餘三個化合價形成部分芳族環；條件是：倘R 1 為甲基，則R 3 為鹵代烷基、R 4 為NH 2 、R 11 為Cl、R 13 為CF 3 及X為N；或R 2 為4,5-二氰基咪唑-2-基、R 4 為Cl、R 11 為Cl、R 13 為CF 3 及X為C-Cl；及B)一種或多種含有聚醚的附著力促進劑，所述聚醚含有至少16個聚氧乙烯和/或聚氧丙烯基團；或一種或多種含有聚醚的附著力促進劑，所述聚醚具有環氧乙烷(EO)單元的鏈和疏水部分，其中聚醚分子的環氧乙烷(EO)單元數目與疏水部分長度的比率至少為0.5。該組合物在種子的處理方面特別有用。
Patent TW-I651442-B (TW)
Title: ＧａＯ系單晶基板及其製造方法
Inventor: SASAKI KOHEI
IPC: C30B29/16
Filed: 2014-03-04
Granted: 2019-02-21
Abstract: 本發明的問題在於提供一種Ga 2 O 3 系單晶基板及其製造方法，該Ga 2 O 3 系單晶基板是由一面抑制結晶品質的下降一面高電阻化之Ga 2 O 3 系單晶所構成。
 
     為了解決此問題，於一實施形態中，提供一種Ga 2 O 3 系單晶基板的製造方法，其包括：培育Ga 2 O 3 系單晶5之步驟，該步驟將Fe添加至Ga 2 O 3 系原料中，並培育含有前述Fe之Ga 2 O 3 系單晶5，該Fe的濃度比從前述Ga 2 O 3 系原料混入之施體雜質的濃度高；及，從Ga 2 O 3 系單晶5切出Ga 2 O 3 系單晶基板之步驟。
Patent TW-I636669-B (TW)
Inventor: KIM DU-HO
IPC: H03L7/08
Filed: 2014-06-05
Granted: 2018-09-21
Abstract: 提供一種時脈資料回復方法以及時脈資料回復電路，時脈資料回復電路包含：相位-頻率偵測器，經組態以偵測參考時脈信號的頻率及相位；頻率偵測器，經組態以基於所述所偵測的頻率來偵測資料信號的頻率；以及相位偵測器，經組態以基於所述資料信號的所述所偵測的頻率來偵測所述資料信號的相位。因此，包含所述時脈資料回復電路的時序控制器能夠在系統電力開啟/關斷時高速地建立資料通信以減少電力消耗。且，所述時序控制器不需要包含額外的外部時脈產生元件，且能夠使用在所述時序控制器中產生的非精確時脈信號來達成頻率同步。
Patent TW-I622687-B (TW)
Inventor: KASHIWADA HIROSHI
IPC: D06M11/77
Filed: 2014-07-01
Granted: 2018-05-01
Abstract: 本發明提供一種研磨墊及其製造方法，該研磨墊係含有在研磨布基體含浸聚氨酯樹脂及碳化矽而成之含樹脂研磨布者，前述碳化矽之粒徑在0.2至3.0μm之範圍內，而且在含樹脂研磨布中，相對於研磨布基體100質量份係含有60至500質量份之範圍內的前述碳化矽。
Patent TW-I617530-B (TW)
Inventor: CHOI YOUNG WOOK
IPC: H01L31/0224
Filed: 2014-09-25
Granted: 2018-03-11
Abstract: 本發明公開了一種玻璃料以及包含其的用於太陽電池電極的組成物。玻璃料包括氧化鉛與氧化硼的重量比為1：0.075至1：1的氧化鉛(PbO)和氧化硼(B 2 O 3 )，其中重量比為1：1的玻璃料和鋁(Al)粉的混合物在經由TG-DTA分析獲得的冷卻曲線上表現出在400℃至650℃範圍內的相變峰，相變峰是在以20℃/分鐘的加熱速率將混合物加熱至900℃，保持10分鐘，接著以10℃的冷卻速率冷卻混合物以後所測得的。組成物根據不同的表面電阻可以提供穩定的效率並最小化對p-n接面的不利影響。
Patent TW-I639692-B (TW)
Title: Catalyst for hydrogenation decomposition treatment and method for producing hydrocarbon
Inventor: FUKASAWA SHUN
IPC: C10G3/00
Filed: 2014-12-11
Granted: 2018-11-01
Abstract: 本發明提供可降低從含由脂肪酸、脂肪酸酯及烷基酚類選出至少1種以上的植物油脂、動物油脂及/或煤碳液化油所合成的烴包含之氧分含量的氫化分解處理用觸媒及使用其之烴的製造方法。本發明之氫化分解處理用觸媒包含由多孔性氧化物構成之載體，與承載在載體之鎳及鉬，氫化分解處理用觸媒被氫還原化處理所成，對於鎳氧化物(NiO)換算成鎳含量(X)與鉬氧化物(MoO 3 )換算成鉬含量(Y)的總計之鎳氧化物(NiO)換算成鎳含量(X)之質量比率(X/(X+Y))為0.5以上0.9以下。又，本發明之烴的製造方法使用本發明之氫化分解處理用觸媒，含由脂肪酸、脂肪酸酯及烷基酚類選出至少1種以上的植物油脂、動物油脂及/或煤碳液化油製造烴。
Patent TW-I614861-B (TW)
Inventor: PAI YU CHENG
IPC: H01L23/48
Filed: 2015-01-30
Granted: 2018-02-11
Abstract: 一種電子封裝結構之製法，係先形成線路層於導體件上；設置電子元件於該線路層上；形成絕緣層於該導體件上以包覆該電子元件與該線路層；以及移除部分該導體件，使該導體件成為複數導電凸塊，故當該電子封裝結構以表面黏著技術(SMT)設於電路板上時，該些導電凸塊容易對位於該電路板上之接點，因而能有效降低SMT製程之不良率。
Patent TW-I662737-B (TW)
Inventor: HAEUPLER BERNHARD
IPC: H01M10/36
Filed: 2015-03-26
Granted: 2019-06-11
Abstract: 本發明的課題是提供可低複雜性地製備且在合成期間可以在廣泛的限值內控制其物化性質之新穎聚合物，且該新穎聚合物可於電荷貯存元件中用作為活性介質以提供高貯存容量、長使用壽命和穩定的充電/放電平原區。吾人已經發現由通式I的寡聚型或聚合型化合物組成之9,10-雙(1,3-二硫雜環戊烯-2-亞基)-9,10-二氫蒽聚合物。
Patent TW-I663986-B (TW)
Inventor: MAKIHARA HIROKO
IPC: A61K8/02
Filed: 2015-03-30
Granted: 2019-07-01
Abstract: 本發明係提供一種含浸化妝料之皮膚被覆片用不織布，其係在含浸有化妝料之狀態，顯示高度透明感且處理性提升之不織布。含浸化妝料之皮膚被覆片用不織布中，使用1層以上之纖維素系混合纖維層。1層以上之纖維素系混合纖維層係在各層中含有50質量%以上之纖維長度為20mm以上且110mm以下之第1纖維素系纖維、及8質量%以上且40質量%以下之熱接著性纖維，構成纖維之交點之至少一部分係藉由熱接著性纖維而熱接著。不織布係設為整體具有25g/m 2 以上且48g/m 2 以下之單位面積質量者。不織布整體中之第1纖維素系纖維之含量係40.5質量%以上，熱接著性纖維之含量係8質量%以上。
Patent TW-I627002-B (TW)
Title: Manufacturing method of zipper fastener, manufacturing device thereof, and manufactured product
Inventor: ARAI TAKUMI
IPC: B21D53/52
Filed: 2015-06-01
Granted: 2018-06-21
Abstract: 本揭示之製法中，將於剖面具有第1寬度(W11)、及與上述第1寬度(W11)正交且較上述第1寬度(W11)大之第2寬度(W12)之單絲(10)，以螺旋狀捲繞於心軸(241)之外周面。於組建之單絲(10)之螺旋構造體之螺旋單元中，包含一對腳部(13)、連結一對腳部(13)之間之第1連結部(14)、及將一對腳部(13)之一者連結於鄰接之螺旋單元之另一腳部(13)之第2連結部(15)。使第1連結部(14)之第2寬度(W12)沿心軸(241)之軸方向而配向。對螺旋構造體之各螺旋單元之第1連結部(14)進行擠壓，使第1連結部(14)之第2寬度(W12)於其寬度方向擴展而形成嚙合頭部(16)。
Patent TW-I694526-B (TW)
Title: 金屬氧化物半導體層形成用組成物及使用其之金屬氧化物半導體層之製造方法
Inventor: MAEDA SHINICHI
IPC: H01L29/786
Filed: 2015-07-16
Granted: 2020-05-21
Abstract: 本發明提供一種金屬氧化物半導體層形成用組成物，其包含以通式[1]表示之溶劑與無機金屬鹽；
       
     (式中，R 1 表示碳原子數2~3之直鏈或分支之伸烷基，R 2 表示碳原子數1~3之直鏈或分支之烷基)。
Patent TW-I667324-B (TW)
Title: Thermal peeling adhesive sheet
Inventor: SOEJIMA KAZUKI
IPC: C09J7/20
Filed: 2015-09-14
Granted: 2019-08-01
Abstract: 本發明提供一種熱剝離型黏著片，其為可適宜地於電子零件材料之加工時使用之黏著片，且不僅對被接著面為平面之被接著體表現出充分之固定性，對具有凹凸面之被接著體亦表現出充分之固定性。本發明之熱剝離型黏著片為具備黏著劑層之熱剝離型黏著片，且該熱剝離型黏著片包含抗靜電材料，該黏著劑層包含黏著劑及熱膨脹性微球，構成該黏著劑之基礎聚合物包含源自含有具有支鏈結構之側鏈之(甲基)丙烯酸烷基酯的結構單元A，該結構單元A之含有比率於該基礎聚合物中為20重量%以上。
Patent TW-I630663-B (TW)
Inventor: LIAO KUO HSIEN
IPC: H01L21/50
Filed: 2015-10-21
Granted: 2018-07-21
Abstract: 半導體封裝包括一基板、複數個元件、一中介層、一電性連接件及一第一封裝體。該基板具有一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面。一第一元件設置於該基板之該第一表面上，且一第二元件設置於該基板之該第二表面上。該中介層具有一第一表面。該電性連接件將該中介層之該第一表面連接至該基板之該第二表面。該第一封裝體設置於該基板之該第二表面上，且覆蓋該第二組件、該電性連接件及至少一部分之該中介層。
Patent TW-I693281-B (TW)
Title: 高油酸大豆種子卵磷脂以用於自表面釋放產品的方法
Inventor: JOHN D EVERARD
IPC: C11B5/00
Filed: 2015-10-22
Granted: 2020-05-11
Abstract: 所揭露者為關於自高油酸大豆獲得的卵磷脂的組成物及方法。當與自
商品大豆獲得的卵磷脂相比，該高油酸卵磷脂賦予產品改良的特性。改良的特性實例可包括增加的有效釋放、增加的氧化穩定性、增加的OSI誘導時間、增加的保存期限、提高的發煙點、及氧化或熱所誘導的黏度增加的減少。
Patent TW-I615770-B (TW)
Inventor: TAN KOK-YONG
IPC: G06F12/02
Filed: 2015-11-17
Granted: 2018-02-21
Abstract: 一種用於記憶體儲存裝置的資料存取方法，所述記憶體儲存裝置中配置有可複寫式非揮發性記憶體模組與緩衝記憶體。本方法包括：接收至少一操作指令，此至少一操作指令包括至少一讀取指令；以及計數至少一讀取指令的累計資料量，且當累計資料量達到資料量門檻值時，將緩衝記憶體中的資料寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組中。
Patent TW-I648555-B (TW)
Inventor: JIANG SHENG DA
IPC: G02B13/06
Filed: 2015-12-15
Granted: 2019-01-21
Abstract: 一種光學鏡頭包括具有負屈光度的第一透鏡群、光圈、及具有正屈光度的第二透鏡群，且第一透鏡群包含一第一非球面透鏡及一第二非球面透鏡。光學鏡頭符合如下條件：3.5>RT1>2.5；3.5>RT2>2.6，其中RT1與RT2分別為第一非球面透鏡及第二非球面透鏡的厚薄比，且厚薄比定義為非球面透鏡在一有效孔徑的範圍內，最大軸向厚度與最小軸向厚度的比值。
Patent TW-I663882-B (TW)
Inventor: HOEKSTRA TSJERK
IPC: H04R1/38
Filed: 2015-12-22
Granted: 2019-06-21
Abstract: 本發明提供一種製造一微機電系統(MEMS)傳感器晶片尺度封裝之方法。該方法包含；提供(101)一前側預製半導體晶粒晶圓(1)，該晶圓包含複數個別晶粒且每一晶粒包含至少一MEMS傳感器。及在該半導體晶粒晶圓(1)之背側(4)處藉由穿過該複數個晶粒中之每一各別晶粒蝕刻一聲學晶粒通道(5)且將一晶粒背面體積(6)蝕刻至該複數個晶粒中之每一各別晶粒中來背面蝕刻(104)該半導體晶粒晶圓(1)。該半導體晶粒晶圓(1)經一頂蓋晶圓(16)加蓋以提供含有多個MEMS傳感器晶片尺度封裝之一晶圓級封裝MEMS傳感器晶圓。
Patent TW-I702081-B (TW)
Title: 逆滲透膜之改質方法、逆滲透膜、含硼之水的處理方法及分離膜之運作方法
Inventor: YOSHIKAWA HIRO
IPC: C02F101/10
Filed: 2016-02-22
Granted: 2020-08-21
Abstract: 本發明提供一種用以抑制逆滲透膜之劣化且改善逆滲透膜之透過水質的逆滲透膜之改質方法。該逆滲透膜之改質方法係使溴系氧化劑或溴化合物與氯系氧化劑之反應物、及磺胺酸化合物接觸聚醯胺系之逆滲透膜，或者，使「溴系氧化劑或溴化合物與氯系氧化劑之反應物」和「磺胺酸化合物」的反應生成物接觸聚醯胺系之逆滲透膜。
Patent TW-I697485-B (TW)
Title: 含唑啉環的化合物、含有其的電子輸送/注入層用材料、使用其的有機電致發光元件、顯示裝置及照明裝置
Inventor: BABA DAISUKE
IPC: H01B1/12
Filed: 2016-07-19
Granted: 2020-07-01
Abstract: 本發明的課題在於提供一種含唑啉環的化合物，例如在用於有機EL元件的情況下，可平衡性良好地達成驅動電壓、量子效率、以及元件壽命等對有機EL元件所要求的特性，特別是可獲得高量子效率。藉由下述通式（1）所表示的含唑啉環的化合物而解決所述課題。 [化251] 式（1）中，Φ為源自碳數6～40的芳香族烴的m價基團等，Y為-O-、-S-或＞N-Ar，R 1 
～R 5 
為氫或碳數1～4的烷基，L為伸苯基等。
Patent TW-I611369-B (TW)
Inventor: LIU TUNG CHI
IPC: G06Q50/22
Filed: 2016-07-22
Granted: 2018-01-11
Abstract: 本發明係有關於一種電刺激療程專家系統及使用方法，主要係讓使用者經由電刺激治療模式進行階段性療程，於療程結束後，經由選擇是否進入專家系統；於進入專家系統進行治療程成果的分析與資料蒐集，並提供回饋改善方式；或結束整體療程，且藉由線上聯繫醫療系統，而提供使用者諮詢、改善訊息及建議；藉此，達到建立無線醫療體系的功效。
Patent TW-I673774-B (TW)
Inventor: TSIANG MICHAEL WENYOUNG
IPC: H01L27/115
Filed: 2016-08-08
Granted: 2019-10-01
Abstract: 本發明揭露的實施例一般係關於一種用於形成介電膜堆疊的改良方法，該介電膜堆疊係用於3D NAND結構中的層間介電（ILD）層。在一個實施例中，該方法包括提供具有閘堆疊沉積於其上的基板，使用第一RF電源及第一處理氣體在該閘堆疊的暴露表面上形成第一氧化層，第一處理氣體包含TEOS氣體與第一含氧氣體，及使用第二RF電源與第二處理氣體在該第一氧化層上形成第二氧化層，第二處理氣體包含矽烷氣體與第二含氧氣體。
Patent TW-I703987-B (TW)
Title: 板狀水滑石型粒子及其用途
Inventor: KOIZUMI HISAO
IPC: A61Q1/00
Filed: 2016-08-09
Granted: 2020-09-11
Abstract: 本發明提供一種滑動性優異，對皮膚之刺激性得到充分降低之板狀水滑石型粒子。又，提供一種含有此種板狀水滑石型粒子之化妝料。本發明係一種板狀水滑石型粒子，其以特定結構式表示，平均板面徑為150~800nm，寬高比(aspect ratio)(平均板面徑/平均厚度)為4.0~20.0，藉由JIS K5101-17-1(2004年)之顏料測試方法而得之pH值為6.0~8.5。
Patent TW-I616564-B (TW)
Inventor: PARK SUNG EUN
IPC: C30B28/14
Filed: 2016-09-08
Granted: 2018-03-01
Abstract: 提供一種多晶矽製造裝置包括一反應器，設置於一底板上以形成一反應室。一對電性饋通件，設置於底板上並延伸至反應室內。複數個棒狀絲，設置於電性饋通件上並位於反應室內，棒狀絲之上端的藉由一棒狀橋相互連接，並經化學氣相沉積自一進氣口通入之一源氣體來形成一矽棒。一冷卻套，插入位於反應器上側之一通孔並受底板所支撐，冷卻套連接至形成於底板上的一出氣口並藉由形成一氣體通道而將反應後的氣體排出，以及藉由在氣體通道外形成一冷卻劑通道，以從反應器外將一低溫冷卻劑通入及循環至冷卻劑通道，並將一高溫冷卻劑排出至反應器外。
Patent TW-I619053-B (TW)
Inventor: LIN CHANG-TING
IPC: G06F3/041
Filed: 2016-09-23
Granted: 2018-03-21
Abstract: 一種觸控顯示裝置，包括：一襯底；一驅動結構，用於為發出顯示所需要的光提供驅動力，該驅動結構形成於該襯底表面；一壓力感測器，用於偵測觸控壓力，該壓力感測器包括第一電極層、一彈性層和一第二電極層，該第一電極層位於該驅動結構與該襯底之間或為該驅動結構的一部分，該彈性層設於該襯底遠離該第一電極層的表面，該第二電極層設於該彈性層遠離該襯底的表面。
Patent TW-I705486-B (TW)
Title: 晶圓的加工方法
Inventor: NAKAMURA MASARU
IPC: H01L21/268
Filed: 2016-11-28
Granted: 2020-09-21
Abstract: 本發明的課題為提供一種可以在晶圓之內部沿著分割預定線積層複數層改質層來分割時，藉由限制從初期改質層朝向表面成長的裂痕之方向，而抑制分割面之蛇行的晶圓的加工方法。解決手段是一種晶圓的加工方法，其包含初期改質層形成步驟及次期改質層形成步驟。該初期改質層形成步驟是將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線之聚光點，從晶圓的背面側定位到與分割預定線對應之晶圓內部中的表面附近，並沿著分割預定線照射雷射光線，以沿著分割預定線形成初期改質層。該次期改質層形成步驟是相鄰於初期改質層的背面側將雷射光線的聚光點定位並沿著分割預定線進行照射，藉此形成用於從初期改質層朝向表面來使裂痕成長的次期改質層。
Patent TW-I629551-B (TW)
Title: 具備多功能擴充結構的多邊形攝影機
Inventor: KO CHIH WEN
IPC: G03B19/18
Filed: 2016-11-30
Granted: 2018-07-11
Abstract: 本發明揭露一種具備多功能擴充結構的多邊形攝影機，其主要具有一殼體、一第一組設面、以及一第二組設面；殼體之內部設置有一攝影機模組，第一組設面成型於殼體之任一面，可供一擴充模組組設於第一組設面；第二組設面則成型於殼體之另一面，可加裝一用以組設另一擴充模組的固接組件、或另一外觀完全相同且包含深度攝影機模組之第二多邊形攝影機；組裝時，廠商可針對不同使用者的實際需求，於工廠內客製化改裝所需的擴充模組，藉此，可解決習知多功能攝影機因規格不一，而無法達到客製化設計之目的，同時能達到彈性增加單支攝影機之功能。
Patent TW-I698486-B (TW)
Title: 光硬化性樹脂組成物、顯示元件密封劑、液晶密封劑及液晶顯示面板及其製造方法
Inventor: KAWANO DAISUKE
IPC: C08K5/205
Filed: 2016-12-07
Granted: 2020-07-11
Abstract: 本發明的目的在於提供一種當用作例如液晶密封劑時，對可見光的硬化性高、且可高度抑制液晶污染的光硬化性樹脂組成物。本發明的光硬化性樹脂組成物包含：硬化性化合物A，於分子內具有乙烯性不飽和雙鍵；增感劑B，於分子內具有胺基苯甲醯基骨架與NHCO基，且式（I）所表示的NHCO基當量為300 g/eq以下；以及聚合起始劑C（其中，於分子內具有胺基苯甲醯基骨架的聚合起始劑除外）。   式（I）：NHCO基當量（g/eq）=分子量/1分子中所含的NHCO基的數量
Patent TW-I698708-B (TW)
Inventor: KATAYAMA AKIO
IPC: G06F3/044
Filed: 2016-12-19
Granted: 2020-07-11
Abstract: 本發明提供一種即便以低溫且高速對基板貼合亦具有高密合性，且可以高解析度形成電路配線的正型感光性轉印材料及電路配線的製造方法。本發明為包括暫時支持體及正型感光性樹脂層的正型感光性轉印材料及使用其的電路配線的製造方法，所述感光性樹脂層包含具有式A所示的構成單元且重量平均分子量為1.0×10 5 以下的聚合體、重量平均分子量小於具有式A所示的構成單元的聚合體的塑化劑及光酸產生劑。
Patent TW-I643297-B (TW)
Inventor: HUANG CHIEN WEN
IPC: H01L23/367
Filed: 2016-12-20
Granted: 2018-12-01
Abstract: 揭示一種具有內置散熱片之半導體封裝構造，包含一基板、一設置在基板上之晶片、一設置在基板上之內置散熱片以及一形成於基板上以密封晶片與內置散熱片之封膠體。複數個定位孔為貫穿基板。該內置散熱片之頂板部延伸有複數個側腳部，其一部份嵌陷於定位孔中，以定位該內置散熱片，並且側腳部之嵌陷部份包含側腳部之複數個接合端，顯露於基板底面。封膠體結合固定內置散熱片，更包覆該些側腳部在基板上之其餘部份。因此，有效提高內置散熱片之散熱力與抗翹曲強化。
Patent TW-I652351-B (TW)
Title: Hot stamping steel plate
Inventor: ABUKAWA GENKI
IPC: C22C38/14
Filed: 2017-01-17
Granted: 2019-03-01
Abstract: 一種熱壓印用鋼板，具有以下所示之鋼組織：變韌鐵、新生麻田散鐵及回火麻田散鐵的面積分率：合計為80%以上；碳化物的個數密度(個/μm 2 
)和碳化物當中已析出至舊沃斯田鐵粒內的碳化物其比例之積：0.50以上。
Patent TW-I672243-B (TW)
Inventor: WATARAI ETSUYOSHI
IPC: F16D65/28
Filed: 2017-01-18
Granted: 2019-09-21
Abstract: 本發明提供一種胡琴接頭(banjo fitting)，此胡琴接頭可包含具有沿著第一軸線延伸的內孔的環狀部份、及從環狀部份徑向延伸且具有內部流體通道的軟管附接部份，其中內部流體通道沿著相對於第一軸線以一角度形成的第二軸線延伸。密封破裂結構可被定位在軟管附接部份的內部流體通道內。
Patent TW-I622368-B (TW)
Title: Folding mahjong table
Inventor: HUANG SHAO-HUA
IPC: A47B3/08
Filed: 2017-02-10
Granted: 2018-05-01
Abstract: 本發明折疊式麻將桌包括有一個基座、兩個腳架及一個桌板組，基座包括有一個底側及一個相異於底側的頂側，基座沿直線方向延伸地設置有一個第一側壁及一個第二側壁，第一側壁的延伸方向與第二側壁的延伸方向彼此平行，兩個腳架分別連接於基座的底側，桌板組包括有一個第一桌板，第一桌板可脫離地設置於基座的頂側，第一桌板的底面設置有一個第一擋壁及一個第二擋壁，第一桌板的第一擋壁抵靠於第一側壁，第一桌板的第二擋壁抵靠於第二側壁，麻將桌藉由折疊式的設計而具有方便攜帶的功能。
Patent TW-I733759-B (TW)
Title: 積層電感器
Inventor: ARAI TAKAYUKI
IPC: H01F27/255
Filed: 2016-07-18
Granted: 2021-07-21
Abstract: 本發明之課題在於不使磁特性及絕緣特性下降而實現薄型化。 本發明之積層電感器具備第1磁性層、內部導體、第2磁性層、第3磁性層、及一對外部電極。第1磁性層係沿著單軸方向之厚度為4 μm以上且19 μm以下，且具有沿著上述單軸方向排列之3個以上之合金磁性粒子、及將上述合金磁性粒子相互耦合且含有Cr之氧化膜。內部導體具有複數個導體圖案，該等複數個導體圖案係隔著第1磁性層於上述單軸方向上對向地配置，分別構成繞上述單軸捲繞之線圈之一部分，且經由第1磁性層而相互電性連接。第2磁性層包含合金磁性粒子，隔著第1磁性層於上述單軸方向上對向且分別配置於導體圖案之周圍。第3磁性層包含合金磁性粒子，且隔著第1磁性層、第2磁性層及內部導體於上述單軸方向上對向地配置。
Patent TW-I641083-B (TW)
Title: Semiconductor device manufacturing method, program and substrate processing device
Inventor: SHIMAMOTO SATOSHI
IPC: H01L21/8239
Filed: 2017-03-16
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本發明之課題係即便於三維構造之快閃記憶體中，亦能夠形成特性良好之半導體裝置。  
     本發明之半導體裝置之製造方法具有以下步驟：將基板搬入之步驟，該基板具有包含絕緣膜與犧牲膜之積層膜、形成於積層膜之通道孔、設置於通道孔內之表面之電荷捕捉膜、設置於電荷捕捉膜之表面之第1通道膜、及於通道孔之底部露出之共同源極線；接收通道孔之直徑之分佈資訊之步驟；以及以基於分佈資訊而修正直徑之分佈之方式，向基板之中心側與外周側之各者供給第1處理氣體及第2處理氣體，而於上述第1通道膜表面形成第2通道膜之步驟。
Patent TW-I675705-B (TW)
Title: 連接器清潔具用清潔帶及其製造方法
Inventor: OKAMOTO YOSHIHIRO
IPC: B08B1/00
Filed: 2017-03-17
Granted: 2019-11-01
Abstract: 本發明提供一種清潔帶，係清潔單芯光連接器之前端面之連接器清潔具所使用者，其油劑之殘渣量極少，不會於單芯光連接器之前端面附著油劑，且具有較高之擦拭性。
 
     本發明提供一種可較佳地去除化學纖維之複絲上附著之油劑的連接器清潔具用清潔帶之製造方法。
 
     本發明之連接器清潔具用清潔帶係將化學纖維之複絲數根撚合而成之清潔帶，其特徵在於；油劑之殘渣量為3mg/g以下。
 
     本發明之連接器清潔具用清潔帶之製造方法之特徵在於：於將化學纖維之複絲進行數根撚合前或之後，以編織物、絞紗或蜂巢捲絲之形態利用含有界面活性劑之溶液洗淨，藉此去除化學纖維之複絲上附著之油劑，繼而利用純水洗淨並乾燥後，對該形態進行解舒。
Patent TW-I656601-B (TW)
Inventor: CHANG YAO-YUAN
IPC: H01L21/70
Filed: 2017-03-23
Granted: 2019-04-11
Abstract: 一種非對稱階梯結構，包括：堆疊的多層單元層及m個（m³2）區域，其中每個區域中有不同部分的單元層其各自有一部分未被上方相鄰之單元層覆蓋，且該不同部分的單元層其兩兩間隔為m層單元層，而形成階差為m層單元層的階梯，並且任兩區域中的兩不同部分的單元層不重複。
Patent TW-I708523-B (TW)
Inventor: QIU YIFENG
IPC: H05B44/00
Filed: 2017-04-27
Granted: 2020-10-21
Abstract: A control circuit for a light emitting diode (LED) lighting system for achieving a dim-to-warm effect is provided. The control circuit includes an LED controller, a clamp circuit coupled to a set of warm correlated-color-temperature (“CCT”) LEDs, a switch coupled to a set of cool LEDs, and a feedback circuit coupled to the clamp circuit and the switch. The LED controller is configured to control the clamp circuit to clamp current through the set of warm LEDs based on the input current, and control the switch to switch on the set of cool LEDs responsive to 
the input current being greater than a first threshold level and to switch off the set of cool LEDs responsive to the input current being lower than the first threshold level. The feedback circuit is configured to divert current from the set of warm LEDs to the set of cool LEDs.
Patent TW-I755400-B (TW)
Title: 脈衝命名器及基質命名器、識別核苷酸之方法、校準定序儀器之方法、識別發生核苷酸併入事件之時間的方法、非暫時性電腦可讀儲存媒體、及定序儀器
Inventor: ROTHBERG JONATHAN M
IPC: G01N21/63
Filed: 2017-06-01
Granted: 2022-02-21
Abstract: 本發明揭示用於在核酸之定序期間基於自一感測器擷取之資料而識別核苷酸之系統及方法。該方法可包含獲得在核苷酸併入事件期間與該等核苷酸相關聯之自發光標籤偵測之光之特性。對於各核苷酸併入事件，該等特性可包含該光之一時間特性及該光之一強度特性。該時間特性表示在激發之後藉由一發光標籤之一光子發射概率之一衰減速度。該方法可進一步包含將表示該等核苷酸併入事件之該等特性之點分組成點群組。該等個別點可表示一對應核苷酸併入事件之至少該時間特性及該強度特性。該方法可進一步包含將該等點群組指派至個別核苷酸。
Patent TW-I656890-B (TW)
Inventor: LU PONG-JEU
IPC: A61M25/10
Filed: 2017-07-12
Granted: 2019-04-21
Abstract: 本發明提供了一種方法，系統和裝置，可以顯著地降低臨床使用單腔室導管於雙部位插管方式的靜脈-靜脈型體外膜氧合（Venovenous Extra-Corporeal Membrane Oxygenation, VV ECMO）的再循環現象(Recirculation)。 主動控制的流量調節器包括有球囊、阻塞器和儲血器，這些單元可以單獨地或共同地被裝配在引流導管 (Drainage Cannula) 或灌流導管 (Infusion Cannula) 上，或者在兩種導管上都裝配，來實現使VV ECMO 體外循環支持功效達到最高的目標。 本發明介紹三個具體實施例來說明所提出以心律作參考而進行血流控制的實際實施情形，以實現大量地減少高氧合血流再循環回到VV ECMO迴路的目的。
Patent TW-I637915-B (TW)
Title: 含氟廢水處理系統
Inventor: LI CHI-WANG
IPC: C02F1/46
Filed: 2017-07-15
Granted: 2018-10-11
Abstract: 本發明係為一種含氟廢水處理系統，其包括一直流電源供應單元、一待處理水導入單元、一反應單元、一陽極單元、一陰極單元、一pH控制單元。陽極單元及陰極單元皆設於反應單元內，當直流電源供應單元供電，陽極單元係為廢鋁屑置於多孔狀金屬容器，對待處理水導入單元導入之待處理水提供鋁離子，配合待處理水中之氟離子反應，產生冰晶石結晶體且沉澱於該反應單元之底部。故，本案達到廢鋁屑當陽極單元可廢物利用、多孔狀金屬容器可有效固定廢鋁屑，與可控制Al/F摩耳比、pH值與Na/F摩耳比至特定範圍而達到不錯之除氟效果等優點。
Patent TW-I781954-B (TW)
Title: 黏著劑組成物及黏著片
Inventor: YANAGISAWA JUNJI
IPC: C09J133/06
Filed: 2017-08-18
Granted: 2022-11-01
Abstract: 本發明的目的在於提供一種兼具非污染性及耐隆起．剝落性作為耐熱性的黏著劑組成物與使用其的黏著片。為了達成所述目的，本發明的黏著劑組成物的特徵在於包括下述成分(A)~成分(D)，且下述成分(A)為至少將下述(i)~(iii)的單量體聚合而獲得的共聚物，下述成分(B)的含量相對於下述成分(A)，以質量比計而為6%以上，並且相對於下述成分(C)，以質量比計而為5倍~400倍。
 
     (A)(甲基)丙烯酸酯系共聚物
 
     (B)異氰酸酯系交聯劑
 
     (C)金屬螯合物化合物
 
     (D)抗氧化劑
 
     (i)具有碳數4以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯單量體
 
     (ii)具有羥基的可共聚合的單量體
 
     (iii)具有羧基的可共聚合的單量體
Patent TW-I623869-B (TW)
Inventor: SU CHIH-YUAN
IPC: G06F3/041
Filed: 2017-08-21
Granted: 2018-05-11
Abstract: 本發明提出一種觸控顯示裝置及其觸控訊號處理方法。上述之觸控顯示裝置包括有顯示區、周邊區、至少一導線、至少一觸控感測單元以及處理單元。顯示區具有複數條掃描線與複數條資料線。周邊區設於顯示區之一側，具有閘極驅動器及源極驅動器。至少一導線，跨越掃描線或資料線，並產生至少一參考訊號。每一觸控感測單元具有複數個傳送電極及複數個接收電極，用以感測觸控操作並輸出至少一觸控感測訊號。處理單元電性耦接觸控感測單元，用以接收至少一觸控感測訊號並輸出控制訊號。
Patent TW-I734828-B (TW)
Inventor: TANG HAI
IPC: H04L5/00
Filed: 2017-08-31
Granted: 2021-08-01
Abstract: 本發明實施例涉及傳輸資料的方法、接收端裝置和發送端裝置。該方法包括：向至少一個接收端裝置發送映射有第一資料流程和第二資料流程的第一TB集合，該第一資料流程和該第二資料流程用於傳輸第一資料訊號和第二資料訊號；當該第一TB集合中的TB傳輸錯誤時，向該至少一個接收端裝置發送映射有第三資料流程和第四資料流程的第二TB集合，該第三資料流程傳輸的第三資料訊號等於該第二資料訊號的共軛的相反數，該第四資料流程傳輸的第四資料訊號等於該第一資料訊號的共軛，該第二TB集合和該第一TB集合用於該至少一個接收端裝置確定該第一資料訊號和該第二資料訊號。本發明實施例的傳輸資料的方法、接收端裝置和發送端裝置，能夠提高資料傳輸的效率。
Patent TW-I670606-B (TW)
Inventor: VANDERKWAAK JOEL E
IPC: G06F15/16
Filed: 2017-09-05
Granted: 2019-09-01
Abstract: 接收並處理一網路之伺服器之間的通信以產生網路子圖。該網路子圖可用於實施全管理域原則以在一使用者介面上呈現資訊或用於其他目的。針對各伺服器產生一單位網路子圖。該單位網路子圖表示該伺服器與其他伺服器之通信。藉由彙總包含於一網路子圖中之單位網路子圖伺服器之資訊而產生該網路子圖。該網路子圖可用以評估由一全管理域原則指定之一表達。該表達之評估結果可用以判定是否執行由該原則指定之動作。該網路子圖可用於處理網路流量查詢以例如在一使用者介面上顯示網路資訊。
Patent TW-I633611-B (TW)
Inventor: KOELMEL BLAKE
IPC: H01L21/66
Filed: 2013-04-10
Granted: 2018-08-21
Abstract: 在此提供之裝置與方法係用於在不進行固體接觸下，進行一基材的定位及/或旋轉，像是藉由使該晶圓浮動於一氣體薄層上。因為與一處理腔室之多數元件之間並無固體接觸，因此使用該晶圓上的多數特徵決定晶圓位置與旋轉速度。多數封閉迴路控制系統係具備多數電容性感測器，以監測該晶圓邊緣於一水平平面中的位置。多數控制系統也可以監測當一晶圓旋轉時，一晶圓特徵的位置，像是監測該晶圓邊緣中的一凹口。因為一凹口的存在可能中斷面向該晶圓邊緣的多數感測器，因此提供降低或消除此中斷情形的方法與裝置。
Patent TW-I706571-B (TW)
Inventor: HSUEH TING-JEN
IPC: G01N1/22
Filed: 2017-09-14
Granted: 2020-10-01
Abstract: The present invention provides a gas sensor comprising a gas sensing chip. A back of a sensing layer is a hollow structure. An insulating layer is set below the sensing layer. A micro heater is disposed surrounding the sensing layer. The sensing layer is adhered to two sensing electrode layers. The sensing layer is a complex structure including two metal oxide semiconductors, and further has a roughness surface. An interfacial layer is set between the two metal oxide layers for improving the gas sensing efficiency. The gas sensor according to the present invention provides the goal that a suspended gas sensing structure can be fabricated on a silicon substrate and the size of the gas sensing chip can be minimized.
Patent TW-I643442-B (TW)
Inventor: SUN CHIEN MING
IPC: H02P6/08
Filed: 2017-09-25
Granted: 2018-12-01
Abstract: 本發明揭露一種多相直流無刷馬達驅動電路。於此多相直流無刷馬達驅動電路中，驅動級電路包括多組並聯之橋臂電路，其分別包括上臂電晶體與下臂電晶體。複數個電流偵測電路偵測流經各橋臂電路中上臂電晶體與下臂電晶體之間一節點的電流，並產生電流偵測訊號。控制電路根據該些電流偵測訊號控制脈寬調變產生器，以產生複數個脈寬調變訊號來控制各橋臂電路中上臂電晶體與下臂電晶體之導通與關閉，進而提供驅動電流來驅動一多相直流無刷馬達。