baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent GB-2493968-B (GB)
Title: Slag granulation device & method
Inventor: MCDONALD IAN
IPC: C21B3/06
Filed: 2011-08-26
Granted: 2013-12-18
Abstract: A directional slag granulation device comprises a rotary granulator having a central axis of rotation 29, a slag feed stream 11, an actuator 12 for moving the rotary granulator relative to the slag feed stream 11 and means for controlling the actuator. The slag feed stream 11 impinges the granulator at a point 19 offset from its axis of rotation 29, with the actuator 12 being used to move the rotary granulator relative to the slag feed stream 11 in order to obtain a desired location of the impingement point 19. The granulator is a cup, disc or annulus and the actuator 12 is in the form of a hollow guide along which air 14 can be fed to vents 15 in a support 28 on which the granulator is mounted. The device also comprises a deflector plate (26, Fig. 4) on one side of the rotary granulator.
Patent GR-23148-B (GR)
Title: Κελυφη κινητηρων.
Filed: 1962-02-19
Abstract: έλυφος κινητήρος, ιδίως προωρισμένον δια ανεμιστήρας, αποτελούμενον εκ μελών κελύφους τα οποία χρησιμεύουν δι' υποδοχήν της δέσμης ελασμάτων του στάτου μετά περιελίξεως ως και δια το έδρανον του επαγωγίμου και σχηματίζουν ένα διαχωριστικόν αρμόν κατά την αμοιβαίαν συμίεσιν αυτών, χαρακτηριζόμενον εκ του ότι φέρουσιν ανοικτάς εσοχάς τα μέλη του κελύφους ευρισκόμενα έναντι αλλήλων προς τον διαχωριστικόν αρμόν, ο οποίος κατευθύνεται π.χ. υπεράνω της δέσμης του στάτου, ένθα αι προς τα έξω κατευθυνόμεναι εσοχαί φέρουσιν υποτομάς, αι οποίαι σχηματίζονται υπό των προς τα έσω κατευθυνομένων εσοχών.
Patent GR-23679-B (GR)
Title: Μεθοδοι παρασκευης των αμινοβενζοξακυκλοαλκανιων.
Filed: 1962-05-24
Abstract: νώσεις αντιστοιχούσαι πρός τον τύπον Τύπος Ι και τα μή τοξικά, όξινα άλατα προσθήκης αυτών ένθα Ph είναι φαινόλιον και n είς ακέραιος αριθμός συνιστάμενος από 1,2 και 3.
Patent GR-31986-B (GR)
Title: Μεθοδος δια την βελτιωσιν του ελεγχου θερμοκρασιας της αλμης εις ηλεκτρολυτικας κυψελας.
IPC: C25B15/00
Filed: 1967-01-10
Abstract: έθοδος διά τον συνεχή έλεγχον της θερμοκρασίας των ηλεκτρολυτικών κυψελών κατά προτίμησιν ηλεκρολυτικών κυψελών με κάθοδον υδραργύρου χαρακτηριζόμενηεκ του ότι χρησιμοποιούνται θερμοσταθεροποιητικά μέσα και ειδικώτερον εναλλάκται θερμότητος καταλλήλως διατεταγμέναι εντός της κυψέλης κατάλληλοι διάτην εξασφάλισιν ελέγχου της πτώσεως θερμοκρασίας εις το ηλεκτρολυτικόν μέσον και συνεπώς της μεταβολής της αντιστάσεως του λουτρού αυτού καθ εαυτόν.
Patent GR-34115-B (GR)
Title: Νεα αναγεννηθεντα νηματα, ιναι, κλωσται κλπ, εκ κυτταρινης, του τυπου του ανθεκτικου εις αλκαλεα και μεθοδος κατασκευης των.
Inventor: NICOLAS DRISCH
IPC: D01F2/06
Filed: 1967-11-14
Abstract: ναγεννηθέν νήμα εκ κυτταρίνης έχον επιμήκυνση ειςυγρά κατάσταση χαμηλότερα του 8% υπό φορτίο 0,5 γρ/ντενίε κατόπιν επεξεργασίας του δια διαλύματος καυστικής σόδας 5% εις 20 βαθμούς Κ επί 15 λεπτά, έχον γωνία προσανατολισμού περίπου 35 έως 47 και βαθμό  οργανώσεως από 0.42 μέχρι περίπου 0.48.
Patent GR-861644-B (GR)
Title: Preparation process for the dust free olaquindox stock breeding mixtures
Inventor: HERBERT VOEGE DR
IPC: A23K20/195
Filed: 1986-06-25
Abstract: A process for the production of an olaquindox-containing non-dusting livestock feedstuff mix, comprising (a) mixing 75 to 98.5% by weight of an inorganic carrier material acceptable for livestock nutrition and having a maximum of the particle size distribution between 0.1 and 1.0 mm (b) with 0.5-5% by weight of a non-toxic oil and/or an emulsifier acceptable for livestock nutrition, and (c) to the mixture adding 1-20% by weight of olaquindox.
Patent GR-1001062-B (GR)
Inventor: NIKOLAKIS DIMITRIOS
IPC: A47J31/54
Filed: 1989-09-20
Abstract: Συσκευή στιγμιαίου βρασμού, κατάλληλη για την επαγγελματική παρασκευή "Ελληνικού" (διεθνώς:"Τούρκικου") καφέ και άλλων ομοειδών ποτών. Το βασικό της μέρος (σχήμα 1 ή 2) αποτελείται: από έναν ελαφρώς επικλεινή μεταλλικό, λεπτό σωλήνα (α), μια εφαπτόμενη αντίσταση (β), έναν θερμοστάτη γ που ρυθμίζει την θερμοκρασία στους 150-250 βαθμούς C και το περιβάλλον μονωτικό υλικό (δ). Κατά την διέλευση θερμού νερού 70-90 βαθμών κελσίου, διαμέσω του σωλήνα (α), επιτυγχάνεται ο βρασμός (+100 βαθμοί κελσίου) του ποτού. Ο σωλήνας δυνατόν να έχει διάφορα σχήματα (σχήμα 4) και ρυθμιστική βαλβίδα στην έξοδο του (η). Εφόσον το βασικό μέρος  (σχήμα 1 ή 2) κλεισθεί σε περίβλημα και υποστηριχθεί με θερμοσίφωνα, διακόπτες, δοχείο κλπ. γίνεται αυτόνομη συσκευή (σχήμα 3). Το βασικό μέρος (σχήμα 1 ή 2), τοποθετείται και σε αυτόματο πωλητή ποτών (σχήμα 5), για αύξηση των διαθεσίμων ποικιλιών καφέ. ω
Patent IN-160145-B (IN)
Inventor: BERZ WOLFGANG
IPC: B01D46/04
Filed: 1983-06-14
Abstract: 1. Process for the regenerative purification of a filter medium in granulate form charged with impurities which forms a filter bed (F) between the gas-permeable walls (W1, W2) of a vertically positioned filter element and which is sucked upwards at least partially during a regeneration phase from the lower area of the filter element into a lower inlet opening (5a) of a conveying tube (5) arranged in the centre of the filter element and is sucked upwards in this conveying tube and fed into a separation process taking place above the filter element in a separating apparatus (1, 53, 54, 29), in which the impurities are separated from the filter medium and the purified filter medium is fed back into the filter bed in the upper region of the filter element, characterized by regulation of the quantity of granular filter medium fed into the lower inlet opening 5 a of the conveying tube in the lower region of the filter element so that the upper limit of the portion of the filter medium arriving in the vicinity of the inlet opening (5a) of the conveying tube is below the lower edge of this inlet opening and a fluidised zone is formed from the said portion of the filter medium in the vicinity of the lower inlet opening (5a) of the conveying tube, using the suction in the conveying tube (5) as well as a supply of cleaning or flushing gas into this protion of the filter medium from an area above the inlet opening of the conveying tube.
Patent IN-156921-B (IN)
Inventor: CHAPMAN LESLIE JOHN
IPC: A47B57/56
Filed: 1982-06-23
Abstract: A load support system including a plurality of cantilever shelf elements each having a selectively shaped and oriented bracket assembly at one end thereof for conjointly permitting vertical displacement of the cantilever shelf elements relative to a vertical standard and locking thereof in selected load-bearing location in response to angular disposition of said shelf element relative to said standard.
Patent RS-51704-B (RS)
Title: Compositions and methods for treating fibrotic disorders
Inventor: FITZPATRICK DAVID R
IPC: A61K31/7088
Filed: 2006-02-01
Abstract: The invention provides methods and compositions for reducing or preventing fibrosis in a subject suffering from a fibrotic disorder by administering a therapeutically effective amount of at least one antagonist to the cytokine thymic stromal lymphopoietin to the subject. In one embodiment, the methods and compositions further comprise administering at least one additional antagonist to an additional profibrotic cytokine, growth factor or chemokine.
Patent RS-52433-B (RS)
Inventor: CHENG XIAQIN
IPC: C07F9/6561
Filed: 2004-12-29
Abstract: Jedinjenje Formule IA ili njegova farmaceutski prihvatljiva so za upotrebu u lečenju infekcija izazvanih papiloma virusom (HPV),naznačeno time, štoY1A i Y1B su -NH(RX); Rx je nezavisno R2;R2 je(a)	etil supstituisan sa C(=O)OR4, gde je R4 metil, etil, n-propil, i-propil, i-butil, s-butil, t-butil, 1-pentil, 2-pentil, 3-pentil, 2-metil-2-butil, 3-metil-2-butil, 3-metil-1-butil, 2-metil-l-butil, 1-heksil, 2-heksil, 3-heksil, 2-metil-2-pentil, 3-metil-2-pentil, 4-metil-2-pentil, 3-metil-3-pentil, 2-metil-3-pentil, 2,3-dimetil-2-butil, 3,3-dimetil-2-butil, vinil, alil, ciklopentenil, 5-heksenil, etinil ili propargil;(b)	propil supstituisan sa C(=O)OR4, gde je R4 alkil sa 1 do 18 ugljenikovih atoma, alkenil sa 2 do 18 ugljenikovih atoma, ili alkinil sa 2 do 18 ugljenikovih atoma; ili(c)	metil supstituisan sa dva R3 gde je jedan R3 -R5W3 a drugi R3 je C(=O)OR4; R4 je alkil sa 1 do 18 ugljenikovih atoma, alkenil sa 2 do 18 ugljenikovih atoma, ili alkinil sa 2 do 18 ugljenikovih atoma, gde "alkil" sadrži normalne, sekundarne, tercijarne ili ciklične ugljenikove atome, "alkenil" sadrži normalne, sekundarne, tercijarne ili ciklične atome sa najmanje jednim mestom nezasićenja, "alkinil" sadrži normalne, sekundarne, tercijarne ili ciklične ugljenikove atome sa najmanje jednim mestom nezasićenja; R5 je metilen; i W3 je fenil.Prijava sadrži još 1 patentni zahtev.
Patent TW-I647531-B (TW)
Title: 感光性樹脂組成物、感光性膜及抗蝕劑圖案的形成方法
Inventor: IWASHITA KENICHI
IPC: H01L21/027
Filed: 2013-11-18
Granted: 2019-01-11
Abstract: 本發明提供一種感光性樹脂組成物，其是含有(A)成分：具有酚性羥基的樹脂、(B)成分：具有兩個以上環氧乙烷環的脂肪族或脂環式環氧化合物、(C)成分：光感應性酸產生劑、及(D)成分：溶劑的感光性樹脂組成物；其特徵在於：相對於上述(A)成分100質量份含有上述(B)成分20質量份~70質量份。
Patent TW-I628866-B (TW)
Inventor: CHANG TZE HSUAN
IPC: H01Q1/24
Filed: 2014-02-21
Granted: 2018-07-01
Abstract: 一種天線結構，包括主天線及寄生耦合天線，所述主天線包括饋電臂、接地臂、第一輻射體、第二輻射體及第三輻射體，第一輻射體與第三輻射體對稱設置於該第二輻射體的兩端，所述主天線使天線結構產生複數高頻諧振模態及一個低頻諧振模態；寄生耦合天線與主天線之間產生電磁耦合並諧振出另一個高頻諧振模態。本發明還涉及一種具有所述天線結構的無線通訊裝置。
Patent TW-I612380-B (TW)
Inventor: TAKIZAWA HIROO
IPC: G03F7/004
Filed: 2014-02-26
Granted: 2018-01-21
Abstract: 本發明提供一種於線寬為60nm以下的微細圖案的形成中，感度、解析力、LWR及圖案形狀優異的圖案形成方法、組成物套組、使用其的抗蝕劑膜、電子元件的製造方法及電子元件。上述圖案形成方法包括：(i)使用感電子束性或感極紫外線性樹脂組成物於基板上形成膜的步驟；(ii)使用含有具有由通式(I-1)~通式(I-5)所表示的重複單元的至少任一者的樹脂(T)的頂塗組成物，於上述膜上形成頂塗層的步驟；(iii)使用電子束或極紫外線對具有上述頂塗層的膜進行曝光的步驟；以及(iv)於上述曝光後，對具有上述頂塗層的膜進行顯影而形成
圖案的步驟。
 
     
       
         
       
     
     上述通式(I-1)~通式(I-5)中，R t1 、R t2 及R t3 分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基、或烷氧基羰基。其中，R t2 可與L t1 鍵結而形成環。
 
     X t1 分別獨立地表示單鍵、-COO-或-CONR t7 -。R t7 表示氫原子或烷基。
 
     L t1 分別獨立地表示單鍵、伸烷基、伸芳基或該些的組合，其間可插入-O-或-COO-，當與L t2 連結時，與L t2 之間可經由-O-而連結。
 
     R t4 、R t5 、及R t6 分別獨立地表示烷基或芳基。
 
     L t2 表示具有至少1個拉電子基的伸烷基或伸芳基。
Patent TW-I648126-B (TW)
Title: 用於棒材進給系統的棒材導向單元
Inventor: SCHENK MARK
IPC: B23Q7/12
Filed: 2014-03-10
Granted: 2019-01-21
Abstract: 本發明涉及用於將縱向棒材(10)送入加工機器的棒材進給系統的棒材導向單元，所述棒材導向單元至少一個第一導向件(6)和至少一個第二導向件(7)，所述第一導向件(6)和第二導向件(7)相對於彼此移動並安裝在支承件內。所述棒材導向單元進一步包括用於使第一導向件(6)和第二導向件(7)在關閉位置和開啟位置之間相對於彼此移動的驅動單元，在所述關閉位置，保持所述棒材(10)，在所述開啟位置，釋放所述棒材(10)。第一及/或第二導向件(6、7)由阻尼室(20、21)可移動地支承，其中一個阻尼室支承一個導向件。在關閉位置時，一個或多個阻尼室(20、21)被阻尼流體填充，以吸收所述一個或多個導向件(6、7)的運動。
Patent TW-I644555-B (TW)
Title: Authorization method, method and device for requesting authorization
Inventor: CAO KAI
IPC: H04L9/32
Filed: 2014-09-24
Granted: 2018-12-11
Abstract: 本發明公開了一種授權方法，用以提高授權過程的效率。方法包括：伺服端設備接收儲存在與使用者端設備相關的身份認證輔助設備中的使用者身份認證資訊；根據所述使用者身份認證資訊，判斷所述使用者端設備是否滿足授權條件。本發明還公開一種授權裝置、一種請求授權的方法和裝置。
Patent TW-I653757-B (TW)
Inventor: LIU CHEN YU
IPC: G06F3/041
Filed: 2014-10-22
Granted: 2019-03-11
Abstract: 一種發光顯示裝置，包含一發光組件及一封裝組件。發光組件具有一上開口。封裝組件覆蓋該上開口，並包括一增亮抗反射結構。增亮抗反射結構具有一線偏光層、一四分之一波板及一反射偏光層。線偏光層間隔于發光組件，用以將一具有第一線偏振方向的線偏光通過，並阻隔一具有第二線偏振方向的線偏光。四分之一波板設於線偏光層及發光組件之間，將沿第一線偏振方向偏振的線偏光及沿第一圓偏振方向偏振的圓偏光相互轉換，或將沿第二線偏振方向偏振的線偏光及沿第二圓偏振方向偏振的圓偏光相互轉換。反射偏光層設於四分之一波板及發光組件之間，用以將具有第一圓偏振方向的圓偏光通過，並反射具有第二圓偏振方向的圓偏光。
Patent TW-I671927-B (TW)
Inventor: SAITO TAKAKAZU
IPC: H01L51/50
Filed: 2015-01-06
Granted: 2019-09-11
Abstract: 本發明係提供下述式(1)所示之金屬錯合體。
 
           
[式中，M係表示銥原子或鉑原子。
 
     n 1 係表示1、2或3。n 2 係表示0、1或2。
 
     E 1 至E 4 係表示氮原子或碳原子。
 
     R 1 至R 10 係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基或鹵原子。選自由R 1 至R 4 所組成群組之至少1個為下述式(D-A)或(D-B)所示之基。
 
     X a 及X b 係表示直接鍵結、氧原子、硫原子、-C(=O)-、-CR Xa   2 -或-NR Xa -。R Xa 係表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基。但是，X a 及X b 之至少一者為氧原子、硫原子、-C(=O)-、-CR Xa   2 -或-NR Xa -。
 
     A 1 -G 1 -A 2 係表示陰離子性的雙牙配位基，G 1 係表示與A 1 及A 2 一起構成雙牙配位基之原子團。A 1 及A 2 係表示碳原子、氧原子或氮原子。]
 
     
       
         
       
     
           
[式中，m DA1 至m DA7 係表示0以上的整數。
 
     G DA 係表示芳香族烴基或雜環基。
 
     Ar DA1 至Ar DA7 係表示伸芳基或2價雜環基。
 
     T DA 係表示芳基或1價雜環基。]
Patent TW-I646071-B (TW)
Inventor: MATSUNAGA TADAFUMI
IPC: C07C209/88
Filed: 2015-01-09
Granted: 2019-01-01
Abstract: 一種(R)-1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚之製造方法，其係包含下述步驟(A)、(B)及(C)：
 
     步驟(A)：將1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚光學拆分，得到(R)-1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚及(S)-1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚
 
     步驟(B)：使步驟(A)或步驟(C)所得之(S)-1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚消旋化，得到1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚
 
     步驟(C)：將步驟(B)所得之1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚光學拆分，得到(R)-1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚及(S)-1,1,3-三甲基-4-胺基二氫茚。
Patent TW-I660321-B (TW)
Inventor: LI YUEN NENG
IPC: G06Q40/06
Filed: 2015-03-11
Granted: 2019-05-21
Abstract: 一種股票資訊分析裝置以及股票資訊分析方法，其係連接至交易處理器與請求端，並接收交易處理器所輸出之至少一股票資料以及請求端輸出之請求訊號。股票資訊分析裝置包括輸出入單元與中央處理單元。此輸出入單元係透過網際網路分別連結至交易處理器與請求端，以接收及輸出股票資料與請求訊號。而中央處理單元係根據請求訊號對股票資料進行生命力運算，以得到及輸出高軌曲線、中軌曲線以及低軌曲線。其中，高軌曲線為中軌曲線加N個標準差，且N為大於1而小於2的正數。
Patent TW-I618664-B (TW)
Inventor: GAUCH PASCAL
IPC: B65G47/248
Filed: 2015-03-16
Granted: 2018-03-21
Abstract: 用於罐體之磁力舉升裝置(Z)包含輸入運送裝置(10)，用於運送橫臥罐體(4)；運送裝置(12)，用於運送吊在運送裝置(12)且配置在輸入運送裝置(10)上方之被舉升的罐體(9)；及控制裝置(13)。藉由控制裝置(13)所作動及止動之第一磁鐵配置(1)被配置在輸入運送裝置(10)下方，並以此一使得橫臥在輸入運送裝置(10)上之罐體(4)係以可釋放的方式磁性地固持在輸入運送裝置(10)上之方式。第二磁鐵配置(2)被配置在罐體被運送的輸入運送裝置(10)之區域上方，且係以此一使得當第一磁鐵配置(1)的磁場被止動時、橫臥在輸入運送裝置(10)上之罐體被第二磁鐵配置(2)的磁場所舉升之方式所形成。第三磁鐵配置(3)係設在運送裝置(12)上方，且以此一使得局部被舉升的罐體(4a)被舉升更多及被舉離輸入運送裝置(10)、並於機械式吊在運送裝置(12)之直立位置中被運送的方式被形成及配置。控制裝置(13)被設計成適於當橫臥在輸入運送裝置(10)上之罐體(4)的前緣已通過第二磁鐵配置(2)時，作動第一磁鐵配置(1)，且當此罐體(4)的後緣來至位在第二磁鐵配置(2)下方時，止動第一磁鐵配置(1)。
Patent TW-I644255-B (TW)
Inventor: BRADBURY JONATHAN D
IPC: G06F9/38
Filed: 2015-03-25
Granted: 2018-12-11
Abstract: 實施例係關於一多執行緒電腦系統中之位址擴展及縮短。根據一項態樣，一種電腦系統包括一組態，該組態具有可在一單執行緒(ST)模式與一多執行緒(MT)模式之間組態的一核心。該ST模式處理一主要執行緒，且該MT模式處理該核心之共用資源上的該主要執行緒及一或多個次要執行緒。一多執行緒設施經組態以控制對該組態之利用以執行一方法，該方法包括在該ST模式中使用一核心位址值存取該主要執行緒及自該ST模式切換至該MT模式。在該MT模式中使用一經擴展位址值存取該主要執行緒或該一或多個次要執行緒中之一者，其中該經擴展位址值包括與一執行緒位址值串接之該核心位址值。
Patent TW-I660356-B (TW)
Inventor: HONG JI MAN
IPC: G06F12/02
Filed: 2015-04-24
Granted: 2019-05-21
Abstract: 本發明提供一種包括一非揮發性記憶體設備的資料儲存裝置，包括一記憶區塊，其包括複數頁面；以及一處理器，其適用於將寫入資料寫入該記憶區塊之目標頁面中，並在該記憶區塊之至少一個備份頁面中備份該寫入資料之特別管理資料。
Patent TW-I658571-B (TW)
Inventor: KWON YOUNG JOON
IPC: H01L29/792
Filed: 2015-06-18
Granted: 2019-05-01
Abstract: 一種電荷捕獲非揮發性記憶體裝置是包含一源極區域以及一汲極區域，其被設置在一基板的一上方部分中並且藉由一第一捕獲區域、一通道區域、以及一第二捕獲區域來和彼此間隔開。一閘極堆疊結構是被設置在所述通道區域之上。包含一穿隧絕緣層、一第一電荷捕獲層、以及一第一阻擋絕緣層的一第一堆疊是被設置在所述第一捕獲區域之上。包含一穿隧絕緣層、一第二電荷捕獲層、以及一第二阻擋絕緣層的一第二堆疊是被設置在所述第二捕獲區域之上。一層間絕緣層是被設置在所述基板之上並且覆蓋所述閘極堆疊結構。一第一接點插塞以及一第二接點插塞是貫穿所述層間絕緣層，並且分別接觸所述源極區域以及所述汲極區域。一第三接點插塞是貫穿所述層間絕緣層，接觸所述閘極堆疊結構並且和所述第一電荷捕獲層以及所述第二電荷捕獲層重疊。
Patent TW-I657864-B (TW)
Inventor: SESSA EUGENE
IPC: B05B7/14
Filed: 2015-07-14
Granted: 2019-05-01
Abstract: 一種用於將熱塑性粉末施加至緊固件之內螺紋的設備包括真空噴嘴，該真空噴嘴具有適於接合該緊固件之第一表面的端部。噴射管經尺寸設定以插入緊固件之鏜孔內，並與一或多個熱塑性粉末及加壓空氣源連通。將襯套安裝於噴射管上，從而使得噴射管能夠相對於襯套而滑動。襯套適於接合緊固件之第二表面。噴射管及襯套可在夾持位置與鬆開位置之間移動，在該等夾持位置中，真空噴嘴及襯套接合緊固件之第一表面及第二表面，且在該等鬆開位置中，真空噴嘴及襯套不接合緊固件之第一表面及第二表面。緊固件固持器將緊固件固持於真空噴嘴與襯套之間，從而使得當真空噴嘴及襯套處於夾持位置時，噴射管進入緊固件之鏜孔，並使用由真空噴嘴收集之過量熱塑性粉末將該熱塑性粉末噴射在緊固件之內螺紋上。真空噴嘴及襯套可經機器加工，並亦容許緊固件之第一倒角及第二倒角皆或皆不經塗佈。
Patent TW-I615075-B (TW)
Inventor: Li yan-lu
IPC: H05K3/30
Filed: 2015-07-15
Granted: 2018-02-11
Abstract: 本發明提供一柔性線路板，其包括可撓性介電層及位於可撓性介電層
一側的第一線路圖形層。第一線路圖形層包含有第一線路及第二線路，第一線路及一第二線路各具有兩電極端點，並分別包括位於其兩電極端點之間的第一電極、第二電極，第一電極與第二電極相互平行，第一線路圖形層還包括位於第一電極及第二電極之間的高介電材料。第一電極、第二電極、高介電材料構成一內埋電容。本發明的內埋電容的兩電極系由線路共構，無須額外埋入其它被動元件，可降低線路板厚度。本發明還包括上述柔性線路板的製作方法。
Patent TW-I689276-B (TW)
Title: 清掃薄片及清掃用具
Inventor: TESHIMA Midori
IPC: A47L13/20
Filed: 2015-07-28
Granted: 2020-04-01
Abstract: 本發明的課題係在於提供關於清掃薄片及清掃用具的更合理之構築技術。
 
     
     
       用以解決課題之手段為，清掃薄片(B100)係具有開口(C110)和收容空間(C200)，收容空間(C200)具有第1空間區域(C201)和長度較第1空間區域(C201)短的第2空間區域(C202)，第1空間區域(C201)係設在較第2空間區域(C202)更靠近開口(C110)側的位置。
Patent TW-I696701-B (TW)
Title: 一種快速分離脂肪間質細胞之組合物
Inventor: WANG YAO HSIEN
IPC: C12N5/077
Filed: 2015-10-08
Granted: 2020-06-21
Abstract: 本發明提供一種分離脂肪間質細胞之組合物，其包含一第一型膠原蛋白酶為0.5-8%(w/v)；一胰蛋白酶為0.1-0.6%(w/v)；及一金屬離子螯合劑0.01-0.2%(w/v)。本發明進一步提供一種分離脂肪間質細胞的方法，該方法包括取得一脂肪組織；以本發明之組合物處理該脂肪組織；離心該脂肪組織；及分離該脂肪組織以獲得脂肪間質細胞。本發明有助於未來在手術室中短時間快速分離間質細胞並運用於再生醫學。
Patent TW-I710869-B (TW)
Inventor: BOVE GUY
IPC: G04B47/04
Filed: 2016-01-28
Granted: 2020-11-21
Abstract: A movable decorative element, intended to be freely rotated and translated between two walls (5, 6) whose inner faces are parallel to each other, at least one of which is transparent, includes a precious or semi-precious stone (2) mounted in a socket (1). The socket (1) includes a closed bottom (4) whose lower outer face is bulged to promote the rotation of the decorative element when this lower outer face is placed against the inner face of one of said two walls (5, 6), and an open upper outer face (7) opposite to the bottom (4) which is flush with or which protrudes relative to the stone (2) to form a bearing surface against the other of said two walls (5, 6) when the decorative element is disposed between the two walls (5, 6). The precious or semi-precious stone (2) is held in its socket (1) by a plurality of arms (3) which extend above a body (8) of the socket (1) and which crimp the stone (2), these arms (3) leaving, therebetween and above the body (8) of the socket (1), lateral openings (9) letting appear the flanks of the stone (2) between the arms (3), and said bearing surface is constituted by the free ends of said arms (3) in the form of separate contact areas spaced from each other around the periphery of the open upper outer face (7) of the socket (1).
Patent TW-I678382-B (TW)
Inventor: KLOPPENBURG HEIKE
IPC: C08F8/42
Filed: 2016-02-04
Granted: 2019-12-01
Abstract: 本發明揭露含有雜原子的改質二烯聚合物，其等之製造，包含該等改質二烯橡膠之橡膠混合物，並且關於其用於製造橡膠硫化產品之用途，特別地，用於製造橡膠模製品以及製造輪胎。
Patent TW-I620251-B (TW)
Title: Semiconductor device
Inventor: OHARA RYOICHI
IPC: H01L21/265
Filed: 2016-03-11
Granted: 2018-04-01
Abstract: 本發明之實施形態提供一種可提高突崩耐量之半導體裝置。
 
     實施形態之半導體裝置具備：SiC層，其具有第1面及第2面；第1電極，其與第1面相接；第1導電型之第1SiC區域，其設置於SiC層內；第2導電型之第2SiC區域，其至少一部分包圍第1電極與第1面相接之區域而設置於SiC層內，且設置於第1SiC區域與第1面之間；第2導電型之第3SiC區域，其包圍第2SiC區域而設置於SiC層內，且設置於第1SiC區域與第1面之間，第2導電型雜質濃度低於第3SiC區域；及第2導電型之第4SiC區域，其設置於第2SiC區域與第3SiC區域之間之SiC層內，且第2導電型雜質濃度高於第2SiC區域。
Patent TW-I686291-B (TW)
Title: 覆金屬之積層板的製造方法及使用其之覆金屬之積層板
Inventor: NAKASHIMA TAKAHIRO
IPC: H05K3/46
Filed: 2016-04-20
Granted: 2020-03-01
Abstract: 本發明係一種覆金屬之積層板的製造方法，其特徵在於：將熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬片接合以形成積層板，對積層板進行滿足以下條件(1)和條件(2)之熱處理。
 
     (1)熱處理溫度係比該熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點高出1℃以上且小於50℃之溫度。
 
     (2)該熱處理之時間為1秒鐘以上10分鐘以下。
Patent TW-I702209-B (TW)
Title: Compound, organic light-emitting device including the same and display apparatus including organic light-emitting device
Inventor: HAN SANG-HYUN
IPC: H05B33/14
Filed: 2016-04-28
Granted: 2020-08-21
Abstract: A compound represented by Formula 1, an organic light-emitting device including the compound and a display apparatus including the said organic 
light-emitting device are disclosed, wherein descriptions of Formula 1 are provided in the detailed description in the present specification. An organic layer of the organic light-emitting device may include the compound represented by Formula 1. The compound represented by Formula 1 may be included in an emission layer of the organic layer.
Patent TW-I654343-B (TW)
Inventor: XIAO DEYUAN
IPC: C30B29/06
Filed: 2016-04-28
Granted: 2019-03-21
Abstract: 本發明係提供一種單晶矽之成長方法，係以柴氏拉晶法，將置於坩堝內之矽原料熔化而形成熔體，並提拉該熔體而使單晶矽成長之方法，其特徵在於，於形成熔體時通入包括氬氣之氣體；以及於提拉步驟中施加磁場。本發明亦提供一種以該單晶矽製備晶圓之方法。
Patent TW-I610511-B (TW)
Inventor: YANG SONGNAN
IPC: H02J50/10
Filed: 2015-03-10
Granted: 2018-01-01
Abstract: 系統及方法提供無線充電裝置，具有界定充電區的凹狀充電平台。無線充電裝置包含三維發射器線圈、及至少一增加的發射器線圈，在該凹狀充電平台內具有不均勻的間隔，以降低與三維發射器線圈相關連的磁場變異。
Patent TW-I701205-B (TW)
Title: 供給裝置及供給方法
Inventor: KUROSAWA YUTA
IPC: H01L21/677
Filed: 2016-07-12
Granted: 2020-08-11
Abstract: 供給裝置係具備可收容被搬送物(RF)的第1收容手段(20)及第2收容手段(30)，及利用保持被第1收容手段(20)或第2收容手段(30)收容的被搬送物(RF)，使其往所定取出方向移動並予以取出，將該被搬送物(RF)配置於所定交接位置的取出手段(40)；正在利用取出手段(40)進行從第1收容手段(20)取出被搬送物(RF)的動作時輸入第1訊號的話，第2收容手段(30)會位於第1收容手段(20)與交接位置之間，取出手段(40)開始從該第2收容手段(30)取出被搬送物(RF)的動作。
Patent TW-I684986-B (TW)
Inventor: PARK BYOUNG JUN
IPC: G11C16/14
Filed: 2016-07-19
Granted: 2020-02-11
Abstract: The present disclosure relates to a semiconductor memory device and an operating method thereof. A semiconductor memory device includes a memory cell array including a plurality of memory blocks, a peripheral circuit suitable for performing an erase operation and a program operation to the memory cell array, and a control logic suitable for controlling the peripheral circuit to erase all of the plurality of memory blocks and then to program the plurality of memory blocks with dummy data during the erase operation.
Patent TW-I760308-B (TW)
Inventor: TONSICH NICHOLAS G
IPC: F01N3/08
Filed: 2016-08-08
Granted: 2022-04-11
Abstract: An emission control system is provided for diesel engines operated on ocean-going ships at-berth that may be easily installed and removed from on ocean-going ships (or vessels) while at-berth. The emission control system is arranged within a housing sized to fit within space allocated for standard shipping containers. The emission control system has an inlet for receiving exhaust from a ships engine, cleans the exhaust and then passes the exhaust through an exhaust outlet connected to the ships stacks.
Patent TW-I610982-B (TW)
Title: 樹脂組合物及由其製得的成品
Inventor: Hu zhi-long
IPC: C08L25/14
Filed: 2016-09-06
Granted: 2018-01-11
Abstract: 本發明提供一種樹脂組合物，包含環氧樹脂、二氨基二苯醚型苯并噁嗪樹脂、苯乙烯馬來酸酐樹脂和四官能酚樹脂。該樹脂組合物可經過烘烤而製成例如半固化片、樹脂膜、背膠銅箔、積層板及印刷電路板等成品，並且滿足成品所期望的回焊製程後尺寸穩定性佳、水平黑化後耐熱性好、低介電常數、低介電損耗、耐熱性及難燃性等特性中的一種、多種或全部。
Patent TW-I611479-B (TW)
Inventor: CHEN HSUAN CHEN
IPC: H01L21/308
Filed: 2016-09-29
Granted: 2018-01-11
Abstract: 本揭露提供一種薄膜組件的製造方法，包括在一晶圓上形成一第一材料層，第一材料層為一透光薄膜。在第一材料層上形成一第二材料層。在第二材料層內形成一開口，開口露出第一材料層的一中心部分。在第二材料層內形成一溝槽，溝槽環繞開口。在第二材料層上形成一保護層，保護層填入開口，以覆蓋第一材料層的中心部分。沿著溝槽進行一雷射製程，使得溝槽延伸穿過第二材料層及第一材料層，以去除溝槽外側的第二材料層及第一材料層。在進行雷射製程之後，去除保護層及晶圓，以形成一薄膜組件。
Patent TW-I627556-B (TW)
Inventor: HENRY G GLENN
IPC: G06F21/72
Filed: 2016-02-26
Granted: 2018-06-21
Abstract: 於微處理器中規劃一安全記憶體，儲存解密所需的資訊。該安全記憶體之存取有所限制，以避免遭惡意盜取。在安全執行模式，該安全記憶體之存取係基於所欲解密的加密指令之位址。該微處理器更可對取自安全記憶體的數據進行調整，更提升解密密鑰的複雜度。
Patent TW-I721028-B (TW)
Title: Electronic component, stacked channel structures and method of manufacturing stacked channel structures
Inventor: MEHANDRU RISHABH
IPC: H01L29/78
Filed: 2016-10-21
Granted: 2021-03-11
Abstract: Disclosed herein are stacked channel structures for metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and related circuit elements, computing devices, and methods. For example, a stacked channel structure may include: a semiconductor substrate having a substrate lattice constant; a fin extending away from the semiconductor substrate, the fin having an upper region and a lower region; a first transistor in the lower region, wherein the first transistor has a first channel, the first channel has a first lattice constant, and the first lattice constant is different from the substrate lattice constant; and a second transistor in the upper region, wherein the second transistor has a second channel, the second channel has a second lattice constant, and the second lattice constant is different from the substrate lattice constant.
Patent TW-I681005-B (TW)
Title: 阻劑下層膜形成組成物用添加劑及含該添加劑之阻劑下層膜形成組成物
Inventor: NISHITA TOKIO
IPC: C08L25/00
Filed: 2016-11-16
Granted: 2020-01-01
Abstract: 本發明之課題在於提供新穎的阻劑下層膜形成組成物用添加劑及含該添加劑之阻劑下層膜形成組成物。
 
     
     
       本發明之解決手段為一種阻劑下層膜形成組成物用添加劑，其包含具有以下述式(1)~式(3)表示的構造單位之共聚物。一種微影術用阻劑下層膜形成組成物，其包含前述添加劑、與前述共聚物不同的樹脂、有機酸、交聯劑及溶劑，相對於前述樹脂100質量份，前述共聚物之含量為3質量份~40質量份。
 
       
         
           
         
       
       (式中，R 1 各自獨立地表示氫原子或甲基，R 2 表示碳原子數1~3的伸烷基，A表示保護基，R 3 表示具有4員環~7員環之內酯骨架、金剛烷骨架、三環癸烷骨架或降冰片烷骨架的有機基，R 4 係至少1個氫原子被氟基取代，且可更具有至少1個羥基作為取代基的碳原子數1~12之直鏈狀、支鏈狀或環狀的有機基)。