baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102008046493-B4 (DE)
Title: Multimedia-Anordnung mit einer programmierbaren Universal-Fernsteuerung
Inventor: MAIER FERDINAND
IPC: H04Q9/00
Filed: 2008-09-09
Granted: 2010-07-29
Abstract: Multimedia-Anordnung mit einem Steuergerät (5), an das mehrere fernsteuerbare elektronische Geräte (6–14) anschließbar sind,  mit einer programmierbaren Universal-Fernsteuerung (15), die eine Empfangsrichtung (34) zum Empfang von Fernsteuercodes (C1...Cn) und einen Speicher (44) zum Abspeichern der Fernsteuercodes (C1...Cn) aufweist,  dadurch gekennzeichnet,  daß das Steuergerät (5) und die Universal-Fernsteuerung (15) jeweils eine Send- und Empfangseinrichtung (34, 40) zur bidirektionalen Kommunikation miteinander aufweisen,  daß das Steuergerät (5) eine Einrichtung zum Empfangen, Analysieren, und Dekodieren von Fernsteuersignalen (6.2–14.2) von Original-Fernsteuerungen (6.1–14.1) aufweist,  daß das Steuergerät (5) eine Einrichtung zum Aussenden der zuvor empfangenen Fernsteuersignale (6.2–14.2) als Fernsteuercodes (C1...Cn) an die Universal-Fernsteuerung (15) aufweist und  daß die Universal-Fernsteuerung (15) eine Einrichtung zum Empfangen der von dem Steuergerät (5) ausgesandten Fernsteuercodes aufweist.
Patent DE-102008050010-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
Inventor: MATSUMOTO MASAFUMI
IPC: H01L21/52
Filed: 2008-10-01
Granted: 2014-07-03
Abstract: Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung mit: – einem Anschlussanbringungsschritt des Anbringens eines Metallanschlusses (10) an einem Gehäuse (12) aus einem thermoplastischen Harz an einer vorbestimmten Stelle derart, dass ein Abschnitt des Metallanschlusses (10) in Kontakt mit dem Harzgehäuse (12) kommt; – einem Thermoplastischbondschritt des Erwärmens des angebrachten Metallanschlusses (10) durch Induktionswärme auf eine Temperatur höher als der Schmelzpunkt des Harzgehäuses (12), so dass der Abschnitt des Metallanschlusses (10) thermoplastisch mit dem Harzgehäuse (12) verbunden wird; – einem Chipanbringungsschritt des Anbringens eines Halbleiterchips (20) innerhalb des Harzgehäuses (12); und – einem Drahtbondschritt des Verbindens des gebondeten Metallanschlusses (10) mit dem Halbleiterchip (20) durch Drahtbonden.
Patent DE-102008050855-B4 (DE)
Title: Verfahren zum kontinuierlichen oder periodischen Austauschen von Baugruppen oder Einzelbauteilen eines Schmelzofens oder einer Förderstrecke sowie Schmelzofen oder Förderstrecke
Inventor: GEIB UWE
IPC: C03B5/04
Filed: 2008-10-08
Granted: 2018-11-22
Abstract: Verfahren zum kontinuierlichen oder periodischen Austauschen von Baugruppen (1, 4, 7, 10, 14, 20, 23) oder Einzelbauteilen (1a,4a, 7a, 10.1a bis 10.na, 10.1b bis 10.nb, 10.1c bis 10.nc, 14a, 17a, 20a, 23a) eines Schmelzofens oder einer Förderstrecke ohne den Schmelz- oder Förderprozess zu unterbrechen, aufweisend die folgenden Schritte:- Bereitstellen eines Schmelzofens oder einer Förderstrecke mit Halte- und/oder Bewegungselementen und mit Baugruppen oder Einzelbauteilen, die einen Schmelzraum des Schmelzofens oder einer Förderstrecke umschließen und über Aufnahmemöglichkeiten für die Halte- und/oder Bewegungselemente verfügen; und- Bewegen der Baugruppen oder Einzelbauteile gegenüber dem Schmelzraum oder einer Förderstrecke in eine vorgegebene Bewegungsrichtung, dadurch gekennzeichnet, dassbeim Bewegen der Baugruppen oder Einzelbauteile in die vorgegebene Bewegungsrichtung den bewegten Baugruppen oder Einzelbauteilen neue Baugruppen oder Einzelbauteile am Anfang der Bewegungsrichtung und außerhalb des Schmelzraums oder der Förderstrecke angereiht und Baugruppen oder Einzelbauteile am Ende der Bewegungsrichtung und außerhalb des Schmelzraums oder der Förderstrecke entfernt werden, sodass die Baugruppen oder Einzelbauteile nach der Reihenfolge ihrer Zufuhr zyklisch ausgetauscht werden.
Patent DE-102008058436-B4 (DE)
Title: Kantenemittierender Halbleiterlaserchip
Inventor: LAUER CHRISTIAN
IPC: H01S5/20
Filed: 2008-11-21
Granted: 2019-03-07
Abstract: Kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit- einem Halbleiterkörper (100), der zumindest eine aktive Zone (14) umfasst, in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung (10) erzeugt wird,- zumindest einem Kontaktstreifen (2), der auf einer Deckfläche (1a) an einer Oberseite des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, und- zumindest zwei Begrenzungsstrukturen (4) zur Begrenzung der Stromaufweitung zwischen dem Kontaktstreifen (2) und der aktiven Zone (14), wobei- die Begrenzungsstrukturen (4) beidseitig vom Kontaktstreifen (2) angeordnet sind,- zumindest eine Begrenzungsstruktur (4) durch eine Ausnehmung im Halbleiterkörper (100) gebildet ist und- die Ausnehmung in einer Richtung parallel zum Kontaktstreifen (1) durch eine Fülllinie (7) unterteilt ist, wobei vom Kontaktstreifen (1) bis zur Fülllinie (7) die Ausnehmung frei von einem Füllmaterial (41) ist und die Ausnehmung ab der Fülllinie (7), in Richtung weg vom Kontaktstreifen (1), mit dem Füllmaterial (41) befüllt ist.
Patent DE-102008064702-B4 (DE)
Title: Forming strained semiconductor material involves forming stack of layers, forming mask, forming first spacer element, forming first and second cavities, and first and second strained semiconductor material
Inventor: HOENTSCHEL JAN
IPC: H01L27/092
Filed: 2008-07-31
Granted: 2013-01-17
Abstract: Forming a strained semiconductor material involves forming a stack of layers above a first gate electrode structure; forming a mask above (105) the second transistor and above the etch stop layer; forming a first spacer element (104S) at the first gate electrode structure; forming first cavities (103P) in drain and source areas of the first transistor (150P); forming a first strained semiconductor material (153P); forming second cavities (103N) in drain and source areas of the second transistor (150N); and forming a second strained semiconductor material (153N) in the second cavities. Forming a strained semiconductor material in a first transistor (150P) of a first conductivity type and a second transistor (150N) of a second conductivity type, involves: process A: forming a stack of layers above a first gate electrode structure of the first transistor and a second gate electrode structure of the second transistor, the first and second gate electrode structures comprising a respective cap layer (15K), the stack of layers comprising a spacer layer (104A) and an etch stop layer (104B) formed above the spacer layer (104A); forming a mask above (105) the second transistor and above the etch stop layer; forming a first spacer element (104S) at the first gate electrode structure from the spacer layer (104A); forming first cavities (103P) in drain and source areas of the first transistor (150P) using the first spacer element (104S) as a mask; forming a first strained semiconductor material (153P) in the first cavities (103P); forming second cavities (103N) in drain and source areas of the second transistor (150N) using a second spacer element (104R) formed from the spacer layer (104A) as a mask; forming a second strained semiconductor material (153N) in the second cavities, (103N) the first and second strained semiconductor materials (153P, 153N) having a different material composition; and introducing first implantation species into exposed surface portions of the first cavities (103P); or process B: forming first cavities adjacent to a first gate electrode structure of a first transistor and second cavities adjacent to a second gate electrode structure of a second transistor, the first and second transistors being of different conductivity type; forming a semiconductor material in the first and second cavities, the semiconductor material having a first type of strain; creating lattice damage in the semiconductor material selectively in the first transistor to form a substantially relaxed semiconductor material; and re-crystallizing the substantially relaxed semiconductor material in a strained state, the strained state corresponding to a second type of strain that is opposite to the first type of strain. The semiconductor material comprises a silicon/carbon alloy.
Patent DE-102009013789-B4 (DE)
Title: Polymer-formteil
Inventor: NAGASHIMA HIROAKI
IPC: B29C45/00
Filed: 2009-03-18
Granted: 2014-05-28
Abstract: Ein Polymer-Formteil (11) mit: einem Hauptkörper, der 100 Gew.-Teile eines thermoplastischen Polymers und 0,1 bis 4 Gew.-Teile eines Glanzmaterials (10) aufweist, wobei der Hauptkörper eine Gestaltungsoberfläche (12) mit einer Nut (14, 15) besitzt, und wobei die folgenden Beziehungen erfüllt sind: 30 ≤ Y ≤ –100Xd + 80, 0,3 mm ≤ Xd ≤ 0,5 mm,wobei Y das Aspektverhältnis des Glanzmaterials (10) und Xd die Tiefe der Nut (14, 15) angibt.
Patent DE-102009015501-B4 (DE)
Title: Unterdruckversorgung an einer Maschine der Tabak verarbeitenden Industrie
Inventor: BRASSE VOLKHARDT
IPC: A24C5/32
Filed: 2009-04-02
Granted: 2011-03-31
Abstract: Maschine (F) der Tabak verarbeitenden Industrie mit mehreren Saugeinrichtungen (51, 52, 53, 54) zum Erzeugen von Unterdruck an Arbeitsorganen der Maschine (F), dadurch gekennzeichnet, dass zwei oder mehr als zwei Saugeinrichtungen (51, 52, 53, 54) an ihren jeweiligen Saugseiten an einen gemeinsamen Unterdruckversorgungskanal (70) parallel angeschlossen sind, so dass mehrere mit Unterdruck beaufschlagbare Arbeitsorgane der Maschine (F) über den gemeinsamen Unterdruckversorgungskanal (70) mit Unterdruck beaufschlagt werden oder sind.
Patent DE-102009016629-B4 (DE)
Title: Auseinanderbaubare Lampenröhre für Leuchtdioden
Inventor: TZOU HUA-LUNG
IPC: F21V23/00
Filed: 2009-04-07
Granted: 2011-03-31
Abstract: Auseinanderbaubare Lampenröhre für Leuchtdioden, bestehend aus  einer Röhre (21),  einem Leuchtmodul (23), das in der Röhre (21) angeordnet ist und eine erste Schaltungsplatte (231) und eine Vielzahl von Leuchtdioden (232) auf der ersten Schaltungsplatte (231) umfaßt,  einem Antriebsmodul (24), das in der Röhre (21) angeordnet ist und mindestens eine zweite Schaltungsplatte (241) und eine Antriebsschaltung (242) auf der zweiten Schaltungsplatte (241) umfaßt, und  einem Stromanschlußmodul (25), das zwischen der ersten und zweiten Schaltungsplatte (231, 241) angeordnet ist und die erste und zweite Schaltungsplatte (231, 241) elektrisch miteinander verbindet.
Patent DE-102009029042-B4 (DE)
Title: Messgerät zur Bestimmung mindestens einer physikalischen, chemischen, oder biologischen Prozessgröße eines Mediums
Inventor: WERNET ARMIN
IPC: G01D21/00
Filed: 2009-08-31
Granted: 2015-05-28
Abstract: Messgerät zur Bestimmung mindestens einer physikalischen, chemischen, oder biologischen Prozessgröße eines Mediums, mit einer Elektronikeinheit (13) und mit einer als Teil einer Steckverbindung (1) ausgestalteten Schnittstelle (2), wobei die Elektronikeinheit (13) eine erste Kontaktierungsebene (7) und eine zweite Kontaktierungsebene (8) aufweist, und wobei ein erstes, zum Betreiben des Messgeräts lösbar mit der Schnittstelle (2) verbindbares Steckerelement (4) zur Kontaktierung der ersten Kontaktierungsebene (7) und ein zweites, zu Service-, Fertigungs- und/oder Konfigurationszwecken lösbar mit der Schnittstelle (2) verbindbares Steckerelement (5) zur Kontaktierung der zweiten Kontaktierungsebene (8) vorhanden sind.
Patent DE-102009038567-B4 (DE)
Title: Schaltungsanordnung zur Erfassung der Schaltstellungen eines mehrstufigen Schalters
Inventor: KATHOL MEINOLF
IPC: H02J13/00
Filed: 2009-08-22
Granted: 2022-11-24
Abstract: Schaltungsanordnung zur Erfassung der Schaltstellungen (L, N, R, S1 ...S5) eines mehrstufigen Schalters (BLS, S),wobei in den Schaltstellungen (L, N, R, S1...S5) ein Schaltschieber (SCH) jeweils einen von mehreren Funktionsschaltkontakten (SL, SN, SR) mit einem an Massepotential anliegenden Masseschaltkontakt (SM) verbindet,und wobei die Funktionsschaltkontakte (SL, SN, SR) mit Widerständen (A_R3, A_R4, A_R5, B_R3, B_R4, B_R5, M_R1 R1...R6, R11...R14) einer Spannungsteileranordnung verbunden sind,und wobei eine Auswerteeinheit (MC) aus einer an der Spannungsteileranordnung auftretenden Spannungshöhe die aktuelle Schaltstellung (L, N, R, S1 ...S5) des Schalters (BL, S) bestimmt,dadurch gekennzeichnet,dass die Spannungsteileranordnung mit zwei Eingängen (A, B) der Auswerteeinheit (MC) verbunden ist, unddass die Schaltstellungen (L, N, R, S1...S5) an den Eingängen (A, B) der Auswerteeinheit (MC) gegenläufig abgestufte Signalspannungen erzeugen.
Patent DE-102009038599-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Messung der Sprachverständlichkeit in einem digitalen Übertragungssystem
Inventor: LÄNGERT OLIVER
IPC: H04W24/06
Filed: 2009-08-26
Granted: 2015-02-26
Abstract: Verfahren zur Messung der Sprachverständlichkeit in einem digitalen Übertragungssystem (GSM-R-System), wobei die Sprachverständlichkeit direkt an einer Senke gemessen wird und ein Zusammenhang zwischen mindestens einem definierten RxQual-Wert und der Sprachverständlichkeit hergestellt wird, wobei die Sprachverständlichkeit bei definierten RxQual-Werten des zu übertragenden Signals in einer Bandbreite von 300 Hz bis 3,4 kHz derart direkt gemessen wird, dass ein Audiosignal mit konstantem Pegel oder ein Rauschsignal (moduliertes Rauschen) über ein GSM-Modul in einen Netzwerkanalysator gespeist wird, im Netzwerkanalysator über eine Regelung der Feldstärke verschiedene RxQual-Werte provoziert und ausgewertet sowie das Audiosignal aufgezeichnet und über einen Lautsprecher ausgegeben werden und ein STI-Wert für die Sprachverständlichkeit direkt gemessen und anschließend daraus ein RASTI-Wert abgeleitet wird, wobei die Auswertung nur im Sprachband erfolgt.
Patent DE-102010007267-B4 (DE)
Title: Linsenelement mit verbesserter prismatischer Wirkung sowie Verfahren zur Herstellung eines Linsenelements
Inventor: WIETSCHORKE HELMUT
IPC: G02C7/06
Filed: 2010-02-08
Granted: 2020-09-03
Abstract: Linsenelement (10) für eine Gleitsichtbrille, mit mindestens einem Nahbereich (16) und einem Fernbereich (12), die unterschiedliche fokussierende Wirkungen aufweisen, wobei das Linsenelement (10) eine gesamtprismatische Wirkung aufweist, das heißt eine sich aus einer verordneten prismatischen Wirkung und einem eventuellen Dickenreduktionsprisma ergebende prismatische Wirkung, dadurch gekennzeichnet, dass ein Vertikalanteil der vorbestimmten prismatischen Wirkung in einem ersten Bezugspunkt (22) des Linsenelements (10) und ein Horizontalanteil der vorbestimmten prismatischen Wirkung in einem zweiten Bezugspunkt (20) des Linsenelements (10) realisiert ist.
Patent DE-102010015879-B4 (DE)
Title: Elektrisches Verteilergehäuse
Inventor: YOMURA TAKESHI
IPC: H02G3/16
Filed: 2010-03-09
Granted: 2014-05-15
Abstract: Ein elektrisches Verteilergehäuse (10), bei dem ein elektrischer Verteilergehäusekörper ein Gehäuseteil (16) und ein anderes Gehäuseteil (18) aufweist, wobei das andere Gehäuseteil (18) mit dem einen Gehäuseteil (16) zusammengefügt wird; das eine Gehäuseteil (16) innerhalb einer Umfangswand (36) am anderen Gehäuseteil (18) zu liegen kommt und hiermit zusammengebaut wird; das andere Gehäuseteil (18) an einer Außenfläche mit wenigstens einem Eingriffsverriegelungsabschnitt (42) versehen ist; eine Klammer (14) an dem Eingriffsverriegelungsabschnitt (42) festlegbar ist; und eine Passrippe (22) von einer äußeren Umfangsfläche des einen Gehäuseteils (16) vorsteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Passrippe (22) einen Beinabschnitt (24) und einen Kopfabschnitt (26) aufweist, wobei der Beinabschnitt (24) und der Kopfabschnitt (26) in einer Überlagerungsrichtung des einen Gehäuseteils (16) mit dem anderen Gehäuseteil (18) verlaufen, wobei das andere Gehäuseteil (18) in der Umfangswand (36) mit einer Kerbe (40) versehen ist, in welche die Passrippe (22) des einen Gehäuseteils (16) einführbar ist, wobei die Klammer (14) mit einer Passvertiefung (64) entsprechend der Passrippe (22) versehen ist und die Passrippe (22) des einen Gehäuseteils (16) mit der Passvertiefung (64) der Klammer (14) zusammenfügbar ist, wobei die Passrippe (22) des einen Gehäuseteils (16) nahe dem Eingriffsverriegelungsabschnitt (42) des anderen Gehäuseteils (18) liegt.
Patent DE-102010020123-B4 (DE)
Title: Umrichteranordnung mit Bremswiderstand
Inventor: MUELLER MICHAEL
IPC: H02M1/00
Filed: 2010-05-10
Granted: 2012-09-06
Abstract: Umrichteranordnung mit Bremswiderstand, an den aus dem Gleichspannungszwischenkreis des Umrichters elektrische Leistung leitbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass am Bremswiderstand ein Speicher für Daten angeordnet ist, welcher von einer Auswerteelektronik des Umrichters auslesbar ist.
Patent DE-102010021829-B4 (DE)
Title: Verfahren zur In-Prozess-Messung eines Radiusfehlers eines Werkstücks und Werkzeugmaschine
Inventor: DENKENA BEREND PROF DR ING
IPC: G01B5/20
Filed: 2010-05-28
Granted: 2015-06-11
Abstract: Verfahren zur In-Prozess-Messung eines Radiusfehlers eines Werkstücks, insbesondere während eines Bearbeitungsprozesses, mit den Schritten: (a) Bearbeiten des Werkstücks unter Drehen des Werkstücks um eine Drehachse, (b) Anlegen einer Messvorrichtung an das Werkstück, so dass die Messvorrichtung in einer ersten Kontaktstelle und zumindest einer zweiten Kontaktstelle Kontakt mit dem Werkstück hat, (c) Bringen einer Tastvorrichtung der Messvorrichtung in Kontakt mit dem Werkstück und (d) Messen und Speichern einer Auslenkung der Tastvorrichtung bei verschiedenen Drehwinkeln der Drehachse, (e) Erfassen des Drehwinkels (φ) bei äquidistanten Winkelschritten (φn), wobei die Winkelschritte (φn) als ein Produkt (n·φ0) aus einem ganzzahligen Zählindex (n) und einer Kreisteilung (φ0) beschreibbar sind, wobei das Produkt (N·φ0) aus einer ganzzahligen Kreisteilungszahl (N) und der Kreisteilung (φ0) 360° ergibt, und (f) Berechnen des Radiusfehlers (Rw(φ)) aus der Auslenkung der Tastvorrichtung für eine Anzahl an Winkelschritten, die der Kreisteilungszahl (N) entspricht, dadurch gekennzeichnet, dass (g) der Radiusfehler für jeden Drehwinkel anhand einer minimalphasigen Übertragungsfunktion bestimmt wird, wobei die minimalphasige Übertragungsfunktion durch Zerlegung einer Übertragungsfunktion in die minimalphasige Übertragungsfunktion und einen Allpass erhalten wird und wobei die Übertragungsfunktion jedem Drehwinkel bei gegebener Kontur des Werkstücks den zugehörigen winkelabhängigen Radius zuordnet.
Patent DE-102010027360-B4 (DE)
Title: Fahrzeug mit einer Schlafpritsche
Inventor: ZIRFASS JÖRN
IPC: B60N2/32
Filed: 2010-07-16
Granted: 2021-06-10
Abstract: Fahrzeug (1) mit einer Schlafpritsche (10), die aus Unterlageelementen (16, 19, 20) gebildet ist und wobei die Schlafpritsche (10) hinter einer vorderen Sitzreihe (11) des Fahrzeugs (1) aufbaubar ist, wobei eine hintere Sitzreihe (12) zumindest eine Rückenlehne (13) aufweist, die eine Aufnahmevorrichtung wenigstens zur Aufnahme einer Kopfstütze (15) umfasst, wobei zumindest ein erstes Unterlageelement (16) in der Aufnahmevorrichtung der Rückenlehne (13) aufnehmbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein zweites Unterlageelement (19) durch die vorzugsweise umklappbare Rückenlehne (13) der hinteren Sitzreihe (12) gebildet ist, wobei eine Auflagefläche (16a) des ersten Unterlageelementes (16) mit einer Auflagefläche (19a) des zweiten Unterlageelementes (19) eine Pritschenebene bildet, dass ein drittes Unterlageelement (20) vorgesehen ist, das angrenzend an das durch die Rückenlehne (13) der hinteren Sitzreihe (12) gebildete zweite Unterlageelement (19) anordbar ist, welches dritte Unterlageelement (20) sich mit einer Auflagefläche in der Pritschenebene erstreckt, und dass das dritte Unterlageelement (20) zwischen der hinteren Sitzreihe (12) und einer Heckklappe des Fahrzeugs (1) angeordnet ist und als wannenartiges Einsatzelement (20) ausgeführt ist, sodass bei eingerichteter Schlafpritsche (10) unter dem weiteren Unterlageelement (20) Stauraum gebildet ist.
Patent DE-102010034744-B4 (DE)
Title: Hydraulische Vorrichtung zur Gewinnung von Energie im Straßenverkehr
Inventor: STYS ANTONI SLAWOMIR
IPC: F03G7/08
Filed: 2010-08-19
Granted: 2015-07-09
Abstract: Hydraulische Vorrichtung zur Gewinnung von Energie im Straßenverkehr durch Umwandlung von kinetischer Energie von bewegten, ausgekuppelten Fahrzeugen, welche mindestens eine Umwandlungseinrichtung innerhalb einer Fahrspur einer Straße aufweist, in welcher in Fahrtrichtung gesehen hintereinander mehrere Kolben-Zylinder-Elemente angeordnet sind und welche mit wenigstens zwei Mitteln zur Erzeugung von elektrischer Energie aus einer Hubbewegung der Kolben-Zylinder-Elemente verbunden ist, wobei die Umwandlungseinrichtung mit einer von Fahrzeugen befahrbaren flexiblen Abdeckung versehen ist, die mit den Kolben-Zylinder-Elementen derart zusammenwirkt, dass beim Überfahren der Abdeckung durch ein Fahrzeug der Kolben des jeweiligen Kolben-Zylinder-Elementes eine Hubbewegung ausführt, wobei die Umwandlungseinrichtung ein Rahmengestell (1) aufweist, in welchem hintereinander in wenigstens einer Reihe eine Mehrzahl von Kolben (3) in Zylinderbohrungen (Z) aufgenommen sind, welche über Hydraulikkanäle (y, y', x, x') im Rahmengestell (1) hydraulisch miteinander gekoppelt sind, wobei die flexible Abdeckung von wenigstens einem an den Kolbenköpfen anliegenden flexiblen Gitterstahlband (39, 39') gebildet ist und wobei eine Spurleiteinrichtung (50, 50') für die ankommenden Fahrzeuge vorgesehen ist.
Patent DE-102010035811-B4 (DE)
Title: Bildsensor und Verfahren zum Auslesen eines Bildsensors
Inventor: CIESLINSKI MICHAEL
IPC: H04N25/76
Filed: 2010-08-30
Granted: 2024-01-25
Abstract: Bildsensor für elektronische Kameras, mit einer Vielzahl von in Zeilen und Spalten angeordneten Pixeln (11), wobei mehreren Pixeln einer Spalte wenigstens eine gemeinsamen Spaltenleitung (17) zugeordnet ist und wobei ein jedes Pixel (11) umfasst:ein lichtempfindliches Detektorelement (15), um aus einfallendem Licht elektrische Ladung zu erzeugen,eine Auswahleinrichtung (47), um das Detektorelement (15) direkt oder indirekt mit der zugeordneten Spaltenleitung (17) zu verbinden, undzumindest eine Schalteinrichtung (39, 45); undferner mit einer Steuereinrichtung (53, 253) zum Steuern der Auswahleinrichtung (47) und der zumindest einen Schalteinrichtung (39, 45) des jeweiligen Pixels (11);wobei die Steuereinrichtung (53, 253) derart ausgelegt ist, dass die Auswahleinrichtung (47) eines ersten Pixels (11) innerhalb eines Zeitraums aktiviert wird, in dem in einem zweiten Pixel (11), dem dieselbe Spaltenleitung (17) zugeordnet ist, ein Transfer-Gate (39) der Schalteinrichtung des zweiten Pixels (11) aktiviert ist, um elektrische Ladung von dem Detektorelement (15) zu einem Ausleseknoten (41) des zweiten Pixels (11) zu transferieren,dadurch gekennzeichnet,dass die Steuereinrichtung (53, 253) ferner derart ausgelegt ist, dass innerhalb des genannten Zeitraums, in dem in dem zweiten Pixel (11) das Transfer-Gate (39) aktiviert ist, zusätzlich zumindest eine Rücksetzeinrichtung (45) eines dritten Pixels (11), dem dieselbe Spaltenleitung (17) zugeordnet ist, aktiviert wird, um eine in einem Ausleseknoten (41) des dritten Pixels (11) vorhandene Ladung auf einen Referenzwert rückzusetzen.
Patent DE-102011002291-B4 (DE)
Title: Vorrichtung und Verfahren zum Aufbereiten der Überreste des Verbrennvorgangs bei der Kremation sowie Zerkleinerungsmittel
Inventor: HAESE CHRISTIAN
IPC: B02C18/00
Filed: 2011-04-27
Granted: 2013-11-28
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Aufbereiten der Überreste 10 des Verbrennvorgangs bei der Kremation, bei dem Überreste 10 zunächst mit einem Aufnahmemittel 12 aufgenommen und mit einem Zerkleinerungsmittel 14 zerkleinert werden. Die mit dem Zerkleinerungsmittel 14 zerkleinerten Überreste 16 werden daraufhin in einem ersten Siebemittel 20 in kleine Überreste 28 und große Überreste 64 getrennt. Ferner werden die kleinen Überreste 28 in einem Separationsmittel 36 in nicht-magnetische kleine Überreste 46 und magnetische kleine Überreste 38 separiert. Die nicht-magnetischen kleinen Überreste 46 werden zudem in einem zweiten Siebemittel 48 in große Bestandteile 56 und kleine Bestandteile 50 getrennt. Mit einem Ausgabemittel 52 werden die kleinen Bestandteile 50 ausgegeben. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Aufbereiten der Überreste 10 sowie ein Zerkleinerungsmittel 14 zum Mahlen oder Zerkleinern der Überreste 10 in der erfindungsgemäßen Vorrichtung.