baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100388096-B1 (KR)
Title: 차량의 보행자 머리충격 보호용 가동후드 힌지 시스템
IPC: B60R21/34
Filed: 2000-12-19
Granted: 2003-06-18
Abstract: 본 발명은, 차량의 전방에 설치되는 후드에 보행자가 충돌되는 경우 발생되는 보행자의 두부의 상해치를 경감시킬 수 있는 구조를 가지는 차량의 보행자 머리충격 보호용 가동후드 힌지 시스템에 관한 것으로서, 상기 후드에는 아웃터 패널과 인너 패널을 설치한 일측에 충격 센서가 설치되고 상기 충격 센서에는 센서 레버가 연결되며, 상기 인너 패널에는 힌지 브라켓이 결합 볼트로 결합되고 상기 힌지 브라켓에는 가동 스크류가 연결되며, 상기 가동 스크류에는 일측면에 힌지 브라켓이 위치되고 상기 힌지 브라켓이 결합 볼트에 의해 인너 패널과 결합고정되며, 상기 가동 스크류는 컨트롤러에 결합되며, 상기 컨트롤러에는 내부에 나사부가 형성되고 상기 나사부에는 하부에 회전축이 결합되며, 상기 컨트롤러에는 가동 스크류를 설치한 측면에 내측에 걸림턱 스프링이 설치된 걸림턱이 위치되고 상기 걸림턱에는 그 측면에 스토퍼가 고정되고 상기 스토퍼에는 말단에 연결고리가 형성되어 센서레버와 결합되며, 상기 컨트롤러에는 나사부가 형성된 양측에 각각 약실이 설치되고 상기 나사부가 형성된 일측의 약실에는 뇌관이 형성되며, 상기 컨트롤러의 나사부와 결합되는 회전축은 차체 패널과 고정되는 구조인 것을 특징으로 하는 차량의 보행자 머리충격 보호용 가동후드 힌지 시스템을 제공한다.
Patent KR-100357612-B1 (KR)
IPC: G05D16/20
Filed: 2000-12-26
Granted: 2002-10-25
Abstract: 본 발명은 액티브 부스터의 가변이득 적응 차압 제어장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 상기 제어장치는, 액티브 부스터의 차압에 대한 차압 명령치를 인가받아 설정된 응답 모델에 따라 상기 차압 명령치를 가변시켜 출력하는 응답 모델부와; 상기 응답 모델부의 출력값을 액티브 부스터의 출력값과 비교하여 동일성 여부를 검출하기 위한 에러 검출부와; 상기 차압 명령치와 상기 에러 검출부의 검출 결과에 따라 제어명령의 이득계수를 가변적으로 설정하고, 상기 설정된 이득계수가 반영된 차압 명령치를 산정하여 상기 산정된 차압 명령치에 따라 상기 액티브 부스터의 차압을 제어하는 적응 제어부와; 상기 적응 제어부의 제어에 따라 차압이 조절되고, 형성된 실제 차압을 검출하여 상기 에러 검출부로 출력하기 위한 액티브 부스터를 포함하여 이루어져, 설정된 응답 특성 모델의 출력을 추종하는 적응 제어기법을 통해 진공 부스터의 차압 제어를 부드럽게 수행함으로써 운전자의 감속 느낌을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100497081-B1 (KR)
Title: 강판의 사행제어기를 위한 제어이득의 자동조정 방법
IPC: B21B39/00
Filed: 2000-12-26
Granted: 2005-06-23
Abstract: 본 발명은 강판의 연속 제조가 가능하도록 강판을 연속 이송하는 강판의 이송장치에 있어서, 강판의 사행을 교정하기 위한 강판의 사행 제어장치에 관한 것으로서, 사행량 측정센서(4)로부터 측정된 강판의 실제 사행량과 위치 측정센서(6)로부터 측정된 실린더(5)의 실제 변위량을 이용하여 제어입력을 결정하고 실린더(5)를 통해 교정롤(3)을 구동하여 강판의 사행을 제어하는 궤환 제어기(8)에 더하여 측정된 강판의 실제 사행량과 교정롤(3)을 구동하는 제어입력을 이용, 궤환 제어기 (8)의 응답 특성을 평가하여 비례-적분-미분 제어이득을 자동으로 변경 조정하는 감시 제어기(9)로 구성되어 측정된 사행량과 제어입력을 분석하여 사행제어기의 성능을 나타내는 응답 특성의 세가지 지표인 정상상태 값과 정상상태 오차 및 최대초과를 평가하여 비례-적분-미분 제어이득을 재조정함으로써 공정조건의 변화에 기인한 사행 동특성의 변화와 관계없이 항상 일정한 제어성능이 유지되도록 하고 초기의 제어이득 설정을 용이하게 해주는 장점이 있는 것이다.
Patent KR-100709993-B1 (KR)
IPC: B27F7/19
Filed: 2000-12-27
Granted: 2007-04-20
Abstract: 시트 스테이플ST을  타출 통로601로  송출하는  송출 기구300와  포밍 플레이트부111F,  112F  및  드라이버와  이들을  지지하는  드라이브 홀더101,  110와  모터M를  구비하고,  스테이플을  포밍 플레이트부111F,  112F의  이동(forward motion)에  의하여  ㄷ자  형상으로  성형하고,  이  성형된  스테이플을  드라이버의  이동에  의하여  타출 통로601로부터  타출하는  전동 호치키스에  있어서,  모터축Ma  시트 스테이플의  송출방향으로  향하도록  모터M를  배치하고,  모터축Ma에  대하여  구동축410을  일직선  상에  배치하고,  모터축Ma의  회전에  의하여  구동축410을  회전시키는  감속용의  유성 기어425,  437,  444를  구동축410의  주변에  배치한다.
Patent KR-100386016-B1 (KR)
Title: 무선 광고메일 추적 및 관리 시스템
Filed: 2000-12-27
Granted: 2003-06-02
Abstract: 본 발명은 무선 광고메일 추적 및 관리 시스템에 관한 것으로, 무선 통신 기기간 광고 메일의 송·수신 및 추적, 관리를 원활히 수행함으로써, 광고 대행자 서버 시스템으로부터 수신한 1차 광고 메일을 클라이언트의 확인 과정을 통해 상기 클라이언트 무선 통신 기기내 기 저장된 주소지를 이용하여 다른 클라이언트의 무선 통신 기기로 자동 재전송하며, 상기 광고 메일의 1차 수신단계부터 무선 통신 기기내 기 저장된 주소록의 다른 전자 우편 계정으로 광고 메일을 재발송 하는 2차 전송단계까지 상기 클라이언트의 모든 작업을 추적·관리하여 무선 광고 메일 전달의 활성화 및 상기 클라이언트의 광고 메일 전달에 따른 인센티브를 효과적으로 상정하여 지급하는 것이다.
Patent KR-100364811-B1 (KR)
IPC: H01L21/28
Filed: 2000-12-29
Granted: 2002-12-16
Abstract: 본 발명은 캐패시턴스의 증가에 따른 소자의 성능 저하를 방지하고 금속 베리어막 증착이 용이하게 되도록 한 반도체 소자의 이중 다마신 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 제 1 층간 절연막 및 식각 방지막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 식각 방지막을 경사 식각하여 양의 경사를 갖는 섬 형태의 식각 방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 식각 방지막 패턴을 포함한 반도체 기판의 전면에 제 2 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 층간 절연막상에 감광막을 도포한 후 일측 끝단이 상기 식각 방지막 패턴상에 오버랩되도록 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 반도체 기판의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 제 2 층간 절연막 및 제 1 층간 절연막을 선택적으로 제거하여 트랜치 및 콘택홀을 동시에 형성하는 단계와, 상기 감광막을 제거하고 상기 트랜치 및 콘택홀의 내부에 금속 베리어막을 개재하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
Patent KR-100355058-B1 (KR)
Title: Single body injector and deposition chamber
IPC: C23C16/44
Filed: 1998-07-10
Granted: 2002-10-05
Abstract: The injector (105) comprises a member with a gas delivery surface (114), passage(s) (117) formed therein for receiving a gas, and distribution channel(s) (118) which extend between the passage(s) (117) and the gas delivery surface. The gas delivery surface (114) contains rounded side regions and a center recessed region. The injector may include a second passage (156) and a distribution channel (157), which extends between the second passage (156) and a rounded side region of the gas delivery surface (114), formed therein for delivering an etchant species. The deposition chamber (155) includes at least one injector (105); a plurality of vent blocks (106); and a support (122) positioned beneath the injector (105) and vent blocks (106), creating a deposition region (124) therebetween. The vent blocks (106) are positioned adjacent one on each side of the injector (105), and spaced from the injector (105) to define exhaust channels (107) therebetween.
Patent KR-100580427-B1 (KR)
IPC: H04L27/22
Filed: 1999-03-04
Granted: 2006-05-16
Abstract: 본 발명에 따른 장치, 시스템 및 방법은 협대역 간섭 신호의 존재시 수신기의 동적 범위를 향상시킨다.  수신된 신호의 오류율이 계산되고, 수신기에서 저잡음 증폭기의 입력 차단점이 오류율에 기초하여 조절된다.  송신 전력 레벨이 검출되고, 입력 차단점은 상기 송신 전력 레벨에 기초하여 조절된다.  또한, 수신된 신호 강도가 검출되고, 저잡음 증폭기의 이득은 상기 수신된 신호 강도에 기초하여 조절된다.  이러한 방법에 있어서, 상기 수신된 신호의 혼변조 효과는 감소된다. 
       
     협대역 간섭 신호, 혼변조, 입력 차단점, 송신 전력 레벨, 오류율, 저잡음 증폭기
Patent KR-100462351-B1 (KR)
Title: 초음파에 의해 체 프레임을 작동시키는 방법
IPC: B07B1/54
Filed: 1999-03-09
Granted: 2004-12-17
Abstract: 본 발명은 초음파로 체 프레임을 작동시키기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 초음파로 체 프레임을 작동시키기 위한 방법을 개발하여, 현재 알려진 장치보다 컴팩트한 구조를 가진 체 장치를 사용할 수 있게 하는 것이다. 본 목적은 체 프레임이 세로 진동기에 따라서 작동된다는 사실에 의해 달성된다. 체 프레임(1)은 특히 진동을 전달하는 체 프레임(1) 평면에서 진동 시스템(4)의 작동 축선(5)을 오프셋시키는 결합 부재(2)를 통해서 작동된다.
Patent KR-100625146-B1 (KR)
IPC: A61P31/10
Filed: 1999-05-07
Granted: 2006-09-20
Abstract: 본 발명은 화학식 (Ⅰ)의 모르폴리노 에테르, 그의 생리학적으로 허용가능한 염 또는 대사적으로 불안정한 유도체; 그의 제조 방법, 의약에서의 그의 용도 및 그의 제조에 사용되는 중간체에 관한 것이다. 
     <화학식 Ⅰ> 
     
       
     
     식중, R 1 은 C 1-6  직쇄 또는 분지쇄 알킬, C 1-6  직쇄 또는 분지쇄 알콕시, 임의로 치환된 페녹시, 1 또는 2 개의 할로겐 원자로 임의로 치환된 C 3-6  직쇄 또는 분지쇄 알케닐옥시, 또는 임의로 치환된 페닐기로 치환된 C 1-4  직쇄 또는 분지쇄 알콕시, C 3-8  직쇄 또는 분지쇄 알키닐, 또는 C 1-4  알콕시 또는 1 또는 2 개의 할로겐 원자로 임의로 치환된 C 3-6  직쇄 또는 분지쇄 알케닐, 임의로 치환된 페닐, 임의로 치환된 C 3-7  시클로알킬, 임의로 치환된 C 5-7  시클로알케닐; C 1-4  알콕시, C 1-4  알킬 티오 또는 할로겐으로 치환된 C 2-4  직쇄 또는 분지쇄 알킬; C 1-4  알콕시카르보닐, 아릴알킬 옥시카르보닐, 아릴옥시카르보닐, 프로파디에닐, 시아노, 임의로 치환된 C 3-7  시클로알킬, 임의로 치환된 5 또는 6원 헤테로아릴, 또는 1 또는 2 개의 임의로 치환된 페닐기로 치환된 C 1-4  직쇄 또는 분지쇄 알킬, 또는 C 1-6  알카노일 또는 임의로 치환된 벤조일로 치환된 메틸을 나타내고, R 2 는 수소, C 1-6  직쇄 또는 분지쇄 알킬, C 3-6
  직쇄 또는 분지쇄 알케닐, 임의로 치환된 페닐, 또는 C 1-4  알콕시, 히드록시, 아실옥시, 알콕시카르보닐 또는 아릴옥시카르보닐로부터 선택되는 기로 치환된 C 1-4  알킬로부터 선택되는 기를 나타내고, R 3 는 포르밀 또는 시아노로부터 선택되는 기를 나타낸다. 
     모르폴리노 에테르, 불안정한 유도체, 진균류, 원생동물
Patent KR-100710104-B1 (KR)
IPC: G03F7/039
Filed: 2001-02-02
Granted: 2007-04-20
Abstract: 본 발명은 (A) 1개 이상의 수소 원자가 질소 원자에 결합된 아미노기를 하나 이상 갖는 화합물에서 상기 질소 원자에 결합된 수소 원자 중 1개 이상이 t-부톡시카르보닐기로 치환된 저분자 화합물, 
     (B) 감방사선성 산발생제, 및 
     (C) (가) 산해리성기로 보호된 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성 수지로서, 상기 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 수지 또는 (나) 알칼리 가용성 수지 및 알칼리 용해성 제어제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다. 
     또한 본 발명은 (A) 1개 이상의 수소 원자가 질소 원자에 결합된 아미노기를 하나 이상 갖는 화합물에서 상기 질소 원자에 결합한 수소 원자 중 1개 이상이 t-부톡시카르보닐기로 치환된 저분자 화합물, 
     (B) 감방사선성 산발생제, 
     (D) 알칼리 가용성 수지 및 
     (E) 산의 존재하에 알칼리 가용성 수지를 가교할 수 있는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공한다. 
     감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 포토레지스트, 반도체, 리소그래피
Patent KR-100413794-B1 (KR)
Title: 이종의 희생막 형성방법
IPC: H01L21/20
Filed: 2001-03-08
Granted: 2003-12-31
Abstract: 이종의 희생막 형성방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 하부막 상에 제1 희생막을 형성하는 단계와 상기 제1 희생막을 패터닝하여 상기 하부막의 일부 영역을 노출시키는 단계와 상기 하부막의 일부 노출된 영역에 상기 제1 희생막의 패턴 프로화일에 영향을 주지 않는 소정 두께의 씨드층을 형성하는 단계 및 상기 씨드층 상에 제2 희생막을 형성하되, 상기 제1 및 제2 희생막 사이에 균일한 단차가 형성되도록 형성하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100399255-B1 (KR)
Title: 소자 분리 영역 형성 방법
IPC: H01L21/3105
Filed: 2001-03-20
Granted: 2003-09-26
Abstract: 마이크로 스크래치가 존재하는 경우에도, 디봇의 발생을 쉽게 억제하는 STI(Shallow Trench Isolation; 얕은 트렌치 분리 소자)의 형성 방법을 제공한다. 
     CMP에 의해 마이크로 스크래치(115)가 발생한 산화 실리콘막(111a)의 표면에, 유기 SOG막으로 이루어지는 산화 실리콘막(121a)이 형성된다. 
     산화 실리콘막 및 질화 실리콘막에 대한 에칭 속도가 같은 이방성 에칭에 의해 질화 실리콘막(103)이 제거된 후, 습식 에칭에 의해 패드 산화막(102)을 제거하여도, 디봇은 발생하지 않는다.
Patent KR-100390745-B1 (KR)
Title: 초절전용 금속배선 구조를 갖는 스위칭용 트랜지스터 및그의 제조방법
IPC: H01L29/73
Filed: 2001-03-22
Granted: 2003-07-10
Abstract: 컬렉터층의 위에 베이스층이 형성되고, 상기한 베이스층의 위에 에미터층이 형성되며, 상기한 베이스층과 에미터층의 위에 베이스 전극층과 에미터 전극층이 각각 형성되는 스위칭용 트랜지스터 구조에 있어서, 분포저항을 줄이기 위하여 상기한 에미터 전극층이 십자형으로 형성됨으로써 상기한 베이스 전극층을 감싸는 구조로 이루어지며, 
     에미터 전극을 십자형으로 구성함으로써 베이스의 분포저항을 골고루 분배하여 컬렉터 및 에미터간 전압과 스위칭 타임을 줄여줌으로써 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는, 초절전용 금속배선 구조를 갖는 스위칭용 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공한다.
Patent KR-100785416-B1 (KR)
IPC: H04B17/40
Filed: 2001-03-26
Granted: 2007-12-13
Abstract: IMT-2000 비동기시스템은 단말기, 기지국, 무선망 제어국(Radio Network Controller : RNC) 및 핵심망(Core Network : CN)으로 구성되며, 개발된 무선망 제어국의 기능을 분석하기 위해서는 무선망 제어국과 핵심망간의 프로토콜검증이 수행되어야 한다.  또한, IMT-2000 비동기시스템은 보코더가 무선망 제어국이 아닌 핵심망 시스템 내에 수용되고 호(call) 처리기능을 단말기와 핵심망 시스템에서 수행하기 때문에 단말기와 핵심망간 호(call) 처리절차 검증 및 무선망 제어국의 호 설정을 지원하는 기능과 호(call) 설정에 따른 사용자 트래픽 경로 정합시험이 수행되어야 한다.  이러한 검증시험을 위해서는 이용 가능한 핵심망 시스템이나 이에 준하는 시뮬레이터 장치가 필요하다.  그러나, 현재 개발된 핵심망 시스템이 없으며, 개발단계에서 핵심망 시스템과 직접 연동하는 것은 비효율적이다.  기존 시뮬레이터는 무선망 제어국과 연동하여 무선망 제어국과 핵심망 시스템간의 인터페이스 기능 검증만 제공하며 실제 단말기와 핵심망간의 호(call) 설정 절차에 따른 무선망 제어국의 기능과 프로토콜 시험 및 사용자 데이터의 전송 시험기능을 제공하지 않는다. 
     따라서, 본 발명은 무선망 제어국과 연동하여 시험자가 각 프로토콜 메시지를 생성, 분석하고 모니터링할 수 있는 프로토콜 시험 기능을 지원할 뿐만 아니라 실제 단말기와 공중전화망 가입자간의 통화를 가능하게 하는 방법을 제공함으로써, 호 처리절차 및 기능에 대한 시험과 실제 음성 데이터 전달을 통한 사용자 트래픽 정합기능을 제공한다. 
       
     IMT-2000, 비동기시스템, 핵심망, 무선망 제어국, 시뮬레이터
Patent KR-100407291-B1 (KR)
Title: 표시모듈
IPC: G09F9/00
Filed: 2001-04-19
Granted: 2003-11-28
Abstract: 본 발명은 전기광학표시패널과 그 단자배열부에 접속된 플렉시블배선판을 구비한 표시모듈에 관한 것으로서, 
     플렉시블배선판(31)의 일단부를 액정표시패널(20)의 전기판(21)에 있어서의 단자배열부(21a)의 단틀보다도 패널내측에 소정 거리만큼 들어간 영역에서 상기 단자배열부(21a)에 접착하고, 이 플렉시블배선판(31)을 상기 단자배열부(21a)의 단틀보다도 내측에서 만곡상으로 되접어 꺾어서 타단측을 액정표시패널(20)의 후면측에 설치하고, 이에 따라 플렉시블배선판의 되접어 꺾음부의 액정표시패널(20)의 측단면으로부터 외측으로의 튀어나옴을 없애어서 액정표시패널을 불필요한 스페이스가 없이 수납할 수 있으며, 맞붙임이 용이하고, 또한 소형화한 액정표시모듈이 얻어지는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100384043-B1 (KR)
Title: 윈드실드 와셔 시스템의 노즐 클리너
IPC: B60S1/52
Filed: 2001-04-30
Granted: 2003-05-14
Abstract: 본 발명은 윈드실드 와셔 시스템의 노즐 클리너에 관한 것으로서, 와셔 모터를 통해 와셔 노즐로 가는 중간의 와셔 호스에 수동 조작형 펌프수단을 설치하고, 와셔 노즐이 막혔을 때 운전자가 임의로 펌프수단을 조작하여 막힌 구멍을 뚫을 수 있도록 함으로써, 와셔 노즐이 기능을 상실했을 때 빠르고 손쉽게 기능을 회복시켜 윈드실드 와셔 시스템의 기능을 제대로 발휘할 수 있도록 한 윈드실드 와셔 시스템의 노즐 클리너를 제공하고자 한 것이다.
Patent KR-100702403-B1 (KR)
IPC: C08F289/00
Filed: 2001-04-30
Granted: 2007-04-02
Abstract: 본 발명의 목적은 도포성이 우수하고, 또 현상 적정범위가 넓고 프로세스 허용성이 우수한 감방사선성 컬러필터용 조성물을 제공하는 것이다. 
     본 발명은 감방사선성 성분, 결착수지, 특정한 구조의 비이온계 계면활성제, 안료, 및 용제를 함유하는 것을 특정으로 하는 감방사선성 컬러필터용 조성물로 이루어진다.
Patent KR-100314833-B1 (KR)
Title: Conduit pipe
Inventor: MIN BYUNG EE
IPC: B29D23/00
Filed: 2001-05-08
Granted: 2001-11-23
Abstract: PURPOSE: Provided is a conduit pipe which configures an insertion hole and a fixed stand in a hollow hole in a spiral pipe to relieve floating power in filling with cement mortar so that it improves workability. CONSTITUTION: In the conduit pipe which unifies the hollow hole and an adhesion bar in spiral rotation, the conduit pipe is characterized by circumscribing an external cover to the external side of the hollow hole and then configuring the insertion hole(8) and the fixed stand(18) toward spiral rotation direction by turns with placing a trapezoidal reinforcing stand in the center part around the conduit pipe.
Patent KR-100441327-B1 (KR)
IPC: G02F1/13357
Filed: 2001-05-21
Granted: 2004-07-23
Abstract: An object of the invention is to simplify a supporting structure for a light emitting device in an illumination device of a liquid crystal device, to achieve cost reduction and miniaturization of the liquid crystal To achieve this, a liquid crystal 1 includes a pair of substrates 7a and 7b which hold a liquid crystal L therebetween, a light guide 4 provided opposite to one of the substrates, a flexible substrate 3a connected to one of the substrates 7a and 7b, and a LED 21 provided opposite to a light receiving surface 4a of the light guide 4. The LED 21 is mounted on the flexible substrate 3a and arranged opposite to the light receiving surface 4a of the light guide 4. The LED 21 is preferably positioned relative to the light guide 4 by engagement between the pins provided on the LED 21 and the recesses 31 provided on the light guide 4. <IMAGE>
Patent KR-100460308-B1 (KR)
Title: 에피택셜성장 반도체웨이퍼의 제조방법
IPC: C30B25/02
Filed: 2001-05-23
Granted: 2004-12-04
Abstract: 본 발명은 전면 및 후면과 그 전면상에 피착된 반도체물질의 에피택셜층을 가진 반도체웨이퍼의 제조방법에서 다음의 처리공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법에 관한 것이다. 
     (a) 연마전면과 소정의 두께를 가진 기질웨이퍼를 준비하는 공정, 
     (b) 에피택시리액터 내에서, HCl가스 및 실란소스(silane source)의 존재하에 온도 950 ~ 1250℃에서 두께의 변화가 없는 기질웨이퍼의 전면을 예비처리하는 공정 및 
     (c) 그 예비처리시킨 기질웨이퍼의 전면상에 에피택셜층을 피착(depositing)하는 공정.
Patent KR-100425160-B1 (KR)
Title: 불휘발성 강유전체 메모리 장치의 승압전압 발생회로 및그 발생방법
IPC: H01L21/822
Filed: 2001-05-28
Granted: 2004-03-30
Abstract: 전원 공급전압 영역이 와이드(wide) 전원전압 영역일 때 안정적인 동작을 하고, 승압전압 발생을 위한 레이아웃 면적을 작게하여 칩 코스트를 줄이기에 알맞은 불휘발성 강유전체 메모리 장치의 승압전압 발생회로 및 그 발생방법을 제공하기 위한 것으로, 그 회로구성은 칩인에이블 신호가 활성화된 액티브 구간동안 전압 승압(boost) 조정신호를 받아서 전원전압이 임계전압(Vlimit) 이하인지 이상인지를 감지하는 공급전압 감지부와, 상기 공급전압 감지부와 상기 전압 승압 조정신호를 논리연산하는 제1연산부와, 상기 제1연산부의 신호를 받아서 상기 전압 승압 조정신호의 시작 에지(Start edge)와 엔드 에지(End edge)만을 각각 지연시켜서 제1, 제2승압 제어신호를 출력하는 제1, 제2신호출력부와, 상기 전원전압이 임계전압 이하일 때 어드레스 디코더의 활성화 신호와 상기 제1, 제2승압 제어신호를 입력받아서 상기 전원전압보다 승압된 전압을 발생시키는 강유전체 커패시터를 포함한다.
Patent KR-100720400-B1 (KR)
IPC: H01L21/28
Filed: 2001-05-30
Granted: 2007-05-22
Abstract: 본 발명은 금속 배선의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 하부 금속 배선상의 층간 절연막내에 비아홀 및 트렌치를 형성하는 단계; 전면에 베리어 금속층, 촉매 금속층을 차례로 형성하는 단계; 전면에 감광막을 증착하여 비아홀과 트렌치 내부를 매립하고 구조 상부의 촉매 금속층과 베리어 금속층을 제거하는 단계; 비아홀과 트렌치 내부의 감광막을 제거하고 상기 비아홀과 트렌치 내부에만 선택적으로 금속 물질을 충진하는 단계를 포함하여 이루어진다. 
       
     무전해도금법
Patent KR-100451630-B1 (KR)
Title: 녹차를 이용한 채소 또는 곡물의 재배방법
IPC: A01N65/00
Filed: 2001-05-31
Granted: 2004-10-08
Abstract: 녹차를 이용한 채소 또는 곡물 재배방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 녹차를 이용한 채소 또는 곡물 재배방법은, 씨앗의 발아 단계, 또는 버섯의 종균 접종 단계에서부터 녹차의 유효성분을 씨앗 또는 종균에 흡수시키고, 성장기에도 녹차의 유효성분을 이용하여 병충해 등으로부터 보호하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 씨앗의 발아 단계, 또는 버섯의 종균 접종 단계에서부터 녹차의 유효성분이 씨앗 및 종균에 흡수되도록 함으로써 성장촉진을 촉진시키고, 자연방부력을 향상시켜 향상된 품질의 채소 또는 곡물을 수확할 수 있고, 농약이 사용되지 않거나 또는 종래보다 적은 양이 사용되므로 농약에 의한 폐해를 줄일 수 있어 국민 건강에 기여할 수 있으며, 토양이 산성화되는 것을 방지할 수 있다.
Patent KR-100424603-B1 (KR)
Title: 반도체 장치의 제조 방법
IPC: H01L27/088
Filed: 2001-06-29
Granted: 2004-03-24
Abstract: 막 두께가 다른 게이트 산화막을 형성한다. 
     실리콘 기판 상에 다른 막 두께를 갖는 제1 및 제2 산화막(6, 7)을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 산화막 형성 영역 상에 실리콘 질화막(4)을 형성한 후에, 제1 산화막 형성 영역 상에 제1 산화막(6)을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 질화막(4)을 제거한 후에, 상기 제2 산화막 형성 영역 상에 제2 산화막(7)을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100399041-B1 (KR)
Title: 비방사 유전체 도파관을 이용한 금속 윈도우 필터 조립체
IPC: H01P1/20
Filed: 2001-07-03
Granted: 2003-09-19
Abstract: 본 발명은 NRD 가이드를 이용한 밀리미터파 대의 금속 윈도우 필터 조립체를 개시한다. 필터 조립체는 마주보는 평행 도체 평판을 포함하는 필터 하우징과, 평행 도체 평판 사이에 배치되어 전파되는 전자파의 특정 대역 주파수 성분을 필터링하기 위한 필터부를 포함한다. 필터부는 비방사 유전체로 만들어진 일체형의 유전체선로와 다수의 다각형의 금속 윈도우를 포함한다. 평행 도체 평판과 접하는 유전체 선로의 양면에는 소정거리씩 이격되어 배열되는 다수의 다각형의 삽입 홈이 각각 형성되고 각 삽입 홈에 금속 윈도우가 하나씩 삽입되어 유전체 선로가 다수의 금속 윈도우에 의해 일체적으로 직렬 결합된 다단의 유전체 공진기로 구분된다. 필터부는 전파되는 전자파에 대하여 다단의 유전체 공진기가 갖는 소정의 임피던스 결합관계에 의해 정해지는 특정 대역의 주파수 성분만을 선택적으로 통과시키는 필터링 기능을 갖는다. 이 필터 조립체는 그 구조가 간단하고, 손실이 작으며, 가공성, 조립성 및 양산성이 우수하여 상용화에 적합하다.
Patent KR-100430824-B1 (KR)
Title: 커플러 내장형 안테나 스위치 모듈 및 그 제조방법
IPC: H01P5/18
Filed: 2001-07-10
Granted: 2004-05-10
Abstract: 본 발명은 커플러 내장형 안테나 스위치 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 커플러를 세라믹 기판 내부에 내장하여 안테나 스위치 모듈과 일체형으로 제조한 안테나 스위치 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 한 특징에 의한 안테나 스위치 모듈은 배선 면적의 감소를 위해 다수 개의 적층된 기판을 갖는 안테나 스위치 모듈이며, 서로 전기적으로 연결되며, 하나 이상의 기판에 인쇄된 도전성의 제1 선로; 서로 전기적으로 연결되며, 하나 이상의 기판에 인쇄되며, 그 일부가 제1 선로와 전자기적으로 커플링되는 커플링 채널을 형성하는 도전성의 제2 선로; 제1 선로 및 제2 선로를 가지는 기판들의 상부 기판에 형성되며, 커플링 채널 전체를 덮는 상부 접지패턴; 및 제1 선로 및 제2 선로를 가지는 기판들의 하부 기판에 형성되며, 커플링 채널 전체를 덮는 하부 접지패턴을 포함한다.
Patent KR-100818535-B1 (KR)
IPC: H01L21/331
Filed: 2001-07-11
Granted: 2008-04-01
Abstract: 높은 집적도를 가질 수 있는 바이폴러 트랜지스터(bipolar transistor)를 갖춘 반도체 디바이스 및 바이폴러 트랜지스터가 양호한 특징적인 특성을 갖는 반도체 디바이스가 설명된다.  상기 반도체 디바이스를 제작하는 처리 방법이 설명된다.  그 처리 방법은 에미터(emitter)와 콜렉터(collector) 사이의 베이스(base) 영역을 덮고 가로형 바이폴러 트랜지스터(lateral bipolar transistor)의 베이스에 연결되는 부분에서 절연막에 형성된 개구(opening)을 통해 반도체 베이스에 연결되는 전극층을 형성하는 단계; MOS 트랜지스터의 게이트 전극 옆쪽에 있는 측면벽 및 가로형 바이폴러 트랜지스터의 에미터와 콜렉터 사이의 베이스 영역을 덮는 절연막을 똑같은 절연막으로부터 형성하는 단계; MOS 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 단계; 전체 표면에 걸쳐 절연층을 형성하는 단계; 마스크(mask)로 동작하여 가로형 바이폴러 트랜지스터의 에미터와 콜렉터 사이의 베이스 영역을 덮는 층을 형성하는 단계; 및 절연막을 에칭하여, 그에 의해 게이트 전극에 대한 측면벽을 형성하는 단계로 구성된다. 
     
     PMOS 트랜지스터, NMOS 트랜지스터, 세로형 NPN 트랜지스터, 가로형 LPNP 트랜지스터, 반도체 베이스, P형 반도체 기판
Patent KR-100705683-B1 (KR)
IPC: B22D41/50
Filed: 2001-07-16
Granted: 2007-04-09
Abstract: 본 발명은 주조래들의 일측에 카세트에 의해 소정 방향으로 이동되어 개폐되도록 장착된 주조래들의 노즐 개폐 및 소제장치에 관한 것으로서, 작업데크(7)에 상하로 소정 길이를 갖는 지지대(126)가 설치되고, 상기 지지대(126)에는 선단에 걸림구(145)를 구비하여 래들(1)쪽으로 전, 후진되는 로드(142)를 갖는 제1지지아암(14)과 래들(1)의 개방된 노즐(2)과 동일한 높이에 위치되는 제2지지아암(16)이 고정되고, 상기 제2지지아암(16)의 내부에는 외표면에 나선형 홈(165a)이 형성되고 선단에 소제팁(168)이 설치된 스크류축(165)을 구비하여 노즐(2)쪽으로 전, 후진되는 로드(164)를 갖는 실린더(162)가 장착되며, 상기 스크류축(165)은 볼을 회전 가능하게 내장하여 상기 제2지지아암(16)에 구비된 회전지지브라켓(166)에 의해 회전 가능하게 지지되며, 상기 걸림구(145)에 대응되는 걸림구(29)를 링크(29a)를 매개로 일단에 구비한 연결로드(24)의 타단이 상기 노즐(2)에 연결됨을 특징으로 한다. 
       
     래들, 노즐, 카세트, 개폐장치, 소제장치
Patent KR-100431909-B1 (KR)
Title: 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
IPC: H01L21/336
Filed: 2001-07-19
Granted: 2004-05-17
Abstract: 비정질 실리콘막에 대하여 레이저광을 복수회 조사시킴으로써, 복수의 결정 입자로 구성되고 또한 인접하는 결정 입자의 경계 부분에서의 돌기의 발생을 억제하였다.  이에 따라, 적어도 2개 이상의 결정 입자의 집합체로, (111) 우선 배향을 한 클러스터 결정을 적어도 일부에 내재시킨 다결정 실리콘 박막 소자가 실현되어 200㎠/Vs 이상의 고이동도 특성을 가능하게 하였다.
Patent KR-100733371-B1 (KR)
IPC: B24B55/00
Filed: 2001-07-20
Granted: 2007-06-28
Abstract: 본 발명은 그라인드머신을 이용하여 빌레트를 연마하는 과정에서 비산되는 스케일의 제거장치에 관한 것으로, 슈트(320)의 내부공간에 베어링블럭(11)을 통해 회전하는 회전축(12)상에 드럼(14)이 장착됨은 물론 드럼(14)의 둘레면에 나이프 (13a)를 구비한 날개편(13)이 삼방향으로 장착된 이물제거기(10)와; 베어링블럭 (11)의 하부측에 장착됨과 더불어 그 하우징에 날개편(13)으로 적층되는 스케일의 무게를 감지하는 로드셀(21)이 내장된 무게감지기(20); 회전축(12)의 일단부에 커플링(31)을 통해 구동모우터(33)가 연결되어 동력을 전달함은 물론 모우터(33)의 하부측에 업쇼바(32)가 장착된 동력전달기(30) 및; 로드셀(21)에서 출력되는 신호를 입력받아 구동모우터(33)로 회전신호를 출력하는 제어기(40)로 이루어져, 스케일의 제거작업에 따른 작업하중 및 작업공수가 절감되어 각종 부대비용이 절감됨은 물론, 스케일의 제거과정에서 발생하는 호흡곤란 및 추락과 같은 각종 인적사고가 예방되게 한 것이다.  
       
     그라인딩머신, 슈트구조물, 드럼, 로드셀
Patent KR-100434615-B1 (KR)
Title: 복합 산화물 박막의 제조 방법 및 제조 장치
IPC: C01G23/00
Filed: 2001-07-27
Granted: 2004-06-07
Abstract: 분무 상태의 금속 화합물 용액을 2-유체 노즐을 사용하여 압력이 약 100Torr 이하로 유지된 성막 체임버에 주입하여 복합 산화물 박막을 형성한다. 상기 2-유체 노즐에서, 산화성 기체를 포함한 기체가 사용된다. 금속 화합물을 용해하기 위하여, 상압에서 약 100℃ 이상의 끓는점을 갖는 용매가 사용된다.
Patent KR-100409007-B1 (KR)
Title: 공기조화기의 토출가이드 구조
IPC: F24F13/08
Filed: 2001-08-02
Granted: 2003-12-06
Abstract: 본 발명은 공기조화기의 토출가이드 구조에 관한 것으로서, 특히 열교환된 공기의 토출시 와류를 방지하여 소음을 저감하고 기류감을 향상시킨 공기조화기의 토출가이드 구조에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 공기조화기의 토출가이드 구조는 흡입구 및 토출구가 형성된 전면패널과, 상기 전면패널과 연결되어 열교환된 공기를 토출구측으로 안내하는 토출 가이드부가 형성된 후면패널과, 상기 전면패널과 후면패널 사이에 설치되어 실내공기를 흡입하는 송풍팬 및 상기 송풍팬에 의해 흡입된 실내공기를 열교환시키는 열교환기를 포함하는 공기조화기의 실내기에 있어서, 상기 후면패널의 양측에는 송풍팬의 양측을 지지하는 회전홈이 각각 형성되고, 상기 송풍팬 측면의 공기를 압축하여 풍량을 증대시키기 위한 가이드 홈이 상기 회전홈 내측에 각각 형성되며, 상기 가이드 홈으로부터 열교환된 공기의 일부가 상기 토출구 측으로 배출되는 경우 공기의 유동면적을 점차적으로 확장시킴으로 와류가 형성되지 않도록 열교환된 공기를 안내하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100605699-B1 (KR)
IPC: B22D11/06
Filed: 2001-08-09
Granted: 2006-08-01
Abstract: 철 및 비철금속과 그 합금을 용탕에서 직접 박판(STRIP)으로 제조하는 쌍롤식 박판주조기의 롤 엣지 크리닝장치를 제공한다. 
     상기 롤 엣지 크리닝장치(1)는, 주조롤(10)의 하우징(12)에 수평 장착된 프레임(20);과, 상기 프레임(20)상에 전후 이동토록 설치된 구동수단(30); 및, 상기 구동수단(30)의 상부에 일체로 고정된 이동플레이트(42)의 전방으로 회전 가능하게 설치되고, 상기 구동수단의 구동시 롤 엣지(14)에 밀착하여 분진을 제거하는 롤엣지 크리닝수단(40);으로 구성되어 있다. 
     따라서, 본 발명에 의하면, 용강을 직접 박판으로 제조토록 하는 쌍롤의 엣지에 부착된 분진(DUST)을 자동적으로 크리닝함으로서 주편의 실수율을 높이고 보다 고품질의 주편을 제공토록 하는 우수한 효과가 있는 것이다.	 
       
     박판, 박판 주조기, 쌍롤식 박판주조기, 주조롤, 롤 세척장치
Patent KR-100391329-B1 (KR)
IPC: B60H1/00
Filed: 2001-08-30
Granted: 2003-07-12
Abstract: 본 발명은 자동차용 공조장치에 관한 것으로서, 외기를 지속적으로 도입하고 이를 유리창으로 별도로 토출하기 위한 디프로스트 팬 및 디프로스트 유로를 구비하여 사용자의 내외기모드 선택과 관계없이 항상 유리창으로 외기를 토출할 수 있도록 하는 한편, 디프로스트 유로에는 별도의 공기 가열수단을 설치하여 유리창으로 토출되는 공기의 온도를 높여줄 수 있도록 함으로써, 사용자가 별도의 습기 방지 및 제거를 위한 모드를 설정하지 않아도 자동적으로 유리창의 습기를 방지 및 제거할 수 있으며, 이에 따라 사용자에게 공조장치의 사용과 관련한 편의를 제공할 수 있도록 한 자동차용 공조장치를 제공하고자 한 것이다.
Patent KR-100759657-B1 (KR)
IPC: A61K9/70
Filed: 2001-08-31
Granted: 2007-09-17
Abstract: 본 발명은 분할형 복합 섬유를 주성분으로 하는 부직포로 이루어진 지지체, 및 상기 지지체 위에 형성되는 약품 함유 점착성 플라스터 층을 포함하는 구강내 부착용 제제에 있어서, 상기 분할형 복합 섬유의 분할 후 단면 형상이 대략적인 삼각형 형상을 가지며, 상기 삼각형 형상의 최장 직경의 길이(D L )가 5 내지 15㎛이며 상기 최장 직경에 수직으로 교차하는 최장 선분의 길이(D S )가 2 내지 10㎛인 구강내 부착용 제제에 관한 것이다.
Patent KR-100424287-B1 (KR)
Title: 비평행 광축 실시간 입체 영상 처리 시스템 및 방법
IPC: G06T7/00
Filed: 2001-09-10
Granted: 2004-03-24
Abstract: 본 발명은 비평행 광축 실시간 입체 영상 처리 시스템 및 방법에 관한 것으로, 특히 원,근거리에 따라 한쌍의 카메라 사이의 각, 즉 한쌍의 비평행 광축 사이의 각을 조절함에 의해 피사체를 최적으로 측정 가능케 함으로써 관측 시야 공간을 넓게 확장시키고 상기 광축 사이의 각에 따라 시스템 파라미터 설정을 달리함으로써 영상 매칭이 최대로 가능하도록 함을 목적으로 한다. 이러한 목적의 본 발명은 피사체의 원,근거리에 따른 최적의 관측을 위한 좌측 카메라 및 우측 카메라의 광축각 조절 수단과, 좌측 및 우측 카메라의 영상 신호를 디지털 변환하는 변환 수단과, 다이나믹 프로그래밍 기법을 이용하여 디지털 좌측 및 우측 영상 신호로부터 설정에 의해 전방 프로세싱 과정에서 최소 정합 코스트를 결정하는 결정값을 계산하여 후방 프로세싱 과정에서 양안차값을 출력하는 영상 정합부와, 상기 결정값을 저장하여 상기 후방 프로세싱 과정에 출력하여 이용하기 위해 상호 교대로 동작하는 제1,제2 기억장치를 구비하여 구성한다. 또한, 칩 내부에서 많은 용량을 차지하는 결정값을 저장하기 위한 상기 제1,제2 기억장치를 저가의 외부 메모리로 구성하여 제작 비용 절감 및 내부 시스템 단순화를 가능하도록 한다.
Patent KR-100411816-B1 (KR)
Title: 스페이스 히터 원방 장치
IPC: H05B1/02
Filed: 2001-10-29
Granted: 2003-12-24
Abstract: 이 발명은 발·변전소등 초고압 중전기기 내부에 설치된 스페이스 히터 원방 장치에 관한 것으로, 종래의 유접점 전기적인 시퀀스 회로로 구성된 스페이스 히터 장치를 무접점 디지털화하기 위해 안정적인 전원을 공급하는 전원부와; 온도를 감지하고 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 온도센서와; 습도를 감지하고 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 습도센서와; 히터의 단선 유무를 감지하여 이를 전기적 신호로 출력하는 단선감지센서와; 상기 히터의 단선이 감지되면 경보를 하는 단선경보부와; 히터를 작동시키는 히터구동부와; 상기 온도센서 및 습도센서로부터 감지되는 값을 피드백하면서 미리 설정된 온도 및 습도까지 히터를 작동시키고, 또한 상기 단선감지센서로부터 감지된 값에 의해 히터의 단선이 감지되면 단선경보부를 작동시키는 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 함.
Patent KR-100499522-B1 (KR)
Title: 초고속 반도체 광전도 스위칭 장치
IPC: H01L29/02
Filed: 2001-11-03
Granted: 2005-07-07
Abstract: 목적: 초고속의 전기펄스를 발생시키고 검출하여 초고속의 반도체 장치와 초전도체 장치를 개발하기 위한 초고속 반도체 광전도 스위칭 장치에 관한 것이다. 
     	구성: 소정의 두께를 갖는 반도체층 위에 산화층을 제거하는 식각 과정과, 상기의 식각 과정 후에 소정의 두께를 갖는 크롬과 금을 증착하는 과정과, 상기의 증착된 층 상부에 포토레지스트층을 형성하는 과정과, 중앙 영역을 제외한 포토레지스트층을 식각하는 과정과, 상기의 식각한 포토레지스트층 상부에 소정의 두께를 갖는 금층을 증착하는 과정과, 중앙 영역의 포토레지스트층을 소정의 혼합 용액으로 제거하는 과정과, 실리콘 이온을 주입하는 과정과, 뒷면의 사파이어층을 소정의 두께로 래핑하는 과정과, 상기의 래핑된 사파이어층에 크롬과 금층을 증착하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.		 
     	효과: 기판의 뒷면을 수십 마이크로미터로 얇게 래핑하고, 금속-반도체 오믹접촉을 형성하면서 이온 주입과 비정질 반도체를 광전도층으로 사용하는 마이크로스트립 형태의 전송 선로를 제작함으로써 피코초와 펨토초를 갖는 초고속의 전기펄스를 발생시킬 수 있다.  또한, 비오믹 접촉인 경우에 발생하는 잡음을 완전히 제거하여 측정의 감도를 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100421447-B1 (KR)
Title: 자수기의 실끊김 방지 방법
IPC: D05C5/02
Filed: 2001-11-09
Granted: 2004-03-09
Abstract: 본 발명은, 외부에서 제작된 자수 디자인 데이터가 입력되면 상기 자수 디자인 데이터에 따라 자수틀 및 바늘대를 구동시켜 자수 봉제가 실행되도록 하되, 일련의 스티치(stitch) 중에서 지극히 짧은 스티치가 혼재하여 있을 경우 현재 판독한 스티치 길이와 그 다음 스티치 길이를 합하여 그 길이가 미리 설정된 스티치의 최소 길이보다 긴 경우에 자수 봉제가 실행되도록 함으로써 자수기에서의 실끊김을 방지하기 위한 방법에 관한 것이다.
Patent KR-100834662-B1 (KR)
IPC: H04J13/10
Filed: 2001-11-21
Granted: 2008-06-02
Abstract: 본 발명은 CDMA를 사용하는 이동통신시스템들 중에 특히 순방향 고속 전송( High Speed Downlink Packet Access)을 위한 채널을 사용하는 이동통신시스템에 있어서 상기 HSDPA를 지원하기 위한 역방향 제어 정보에 관한 부호 및 복호에 관한 장치 및 방법이다. 본 발명에서 제안하는 방식은 상기 역방향 제어 정보의 양에 대하여 최적의 부호 성능을 갖는 부호를 제공할 수 있는 장점이 있다. 
       
      HSDPA, HS-DSCH, S_UL_DPCCH, Channel Quality Indicator, Measurement report
Patent KR-100404215-B1 (KR)
Title: 게이트웨이 통신 프로토콜 인증 장치 및 방법
IPC: H04L12/66
Filed: 2001-12-05
Granted: 2003-11-05
Abstract: 본 발명은 VOIP 게이트웨이에서 사용할 수 있는 통신 프로토콜 인증 장치 및 방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명에 따른 통신 프로토콜 인증 방법은 전화망으로부터 전달되는 음성 신호를 저속의 코드로 압축하고, 인터넷 망에 적합한 형태로 변환시키는 게이트웨이에서, 시스템 제어를 위한 통신 프로토콜을 인증할 수 있도록 하는 인증 정보를 저장하는 단계와, 시스템 부팅시 상기 저장된 인증 정보와, 로딩되는 통신 프로토콜의 인증 정보를 비교하는 단계와, 상기 비교 결과로부터 일치되는 정보를 갖는 통신 프로토콜을 이용하여 시스템 초기화를 수행하는 단계를 포함하여 이루어진다.