Patent DE-102018101829-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung
Inventor: TAKAHAGI SATOSHI
IPC: H01L25/18
Filed: 2018-01-26
Granted: 2020-07-16
Abstract: Halbleitervorrichtung (2), die aufweist:ein erstes Halbleiterelement (3) und ein zweites Halbleiterelement (5), wobei jedes der Halbleiterelemente, erstes Halbleiterelement (3) und zweites Halbleiterelement (5), Elektroden (3a, 3b, 5a, 5b) an beiden Hauptflächen davon aufweist,eine erste Metallplatte (12) und eine zweite Metallplatte (15), die das erste Halbleiterelement (3) dazwischen eingefügt haben, wobei die erste Metallplatte (12) und die zweite Metallplatte (15) an die Elektroden (3a, 3b) des ersten Halbleiterelements (3) jeweils mit entsprechenden ersten gelöteten Abschnitten (18a, 18b, 18c) gebondet sind,eine dritte Metallplatte (22) und eine vierte Metallplatte(25), die das zweite Halbleiterelement (5) dazwischen eingefügt haben, wobei die dritte Metallplatte (22) und die vierte Metallplatte (25) an die Elektroden (5a, 5b) des zweiten Halbleiterelements (5) jeweils mit entsprechenden zweiten gelöteten Abschnitten (28a, 28b, 28c) gebondet sind,eine Harzpackung (9), in der das erste Halbleiterelement (3) und das zweite Halbleiterelement (5) eingelassen sind, wobei die erste Metallplatte (12) und die dritte Metallplatte (22) an einer Fläche der Harzpackung (9) freigelegt sind, und die zweite Metallplatte (15) und die vierte Metallplatte (25) an einer entgegengesetzten Fläche zu der einen Fläche der Harzpackung (9) freigelegt sind,wobei:eine erste Verbindungsstelle (13) an einer Kante der ersten Metallplatte (12) bereitgestellt ist,eine zweite Verbindungsstelle (26) an einer Kante der vierten Metallplatte (25) bereitgestellt ist,die erste Verbindungsstelle (13) mit der zweiten Verbindungsstelle (26) in Betrachtung entlang einer Richtung, in der die erste Metallplatte (12) und das erste Halbleiterelement (3) gestapelt sind, überlappt,die erste Verbindungsstelle (13) und die zweite Verbindungsstelle (26) mit einem dritten gelöteten Abschnitt (38) gebondet sind,eine Gesamtsumme der Dicken der ersten gelöteten Abschnitte (18a, 18b, 18c) zwischen der ersten Metallplatte (12) und der zweiten Metallplatte (15) verschieden von einer Dicke des dritten gelöteten Abschnitts (38) zwischen der ersten Verbindungsstelle (13) und der zweiten Verbindungsstelle (26) ist, wobei ein Erstarrungspunkt eines dünneren der ersten gelöteten Abschnitte (18a, 18b, 18c) und des dritten gelöteten Abschnitts (38) höher als ein Erstarrungspunkt eines dickeren der ersten gelöteten Abschnitte (18a, 18b, 18c) und des dritten gelöteten Abschnitts (38) liegt, undeine Gesamtsumme der Dicken der zweiten gelöteten Abschnitte (28a, 28b, 28c) zwischen der dritten Metallplatte (22) und der vierten Metallplatte (25) verschieden von einer Dicke des dritten gelöteten Abschnitts (38) zwischen der ersten Verbindungsstelle (13) und der zweiten Verbindungsstelle (26) ist, wobei ein Erstarrungspunkt eines dünneren der zweiten gelöteten Abschnitte (28a, 28b, 28c) und des dritten gelöteten Abschnitts (38) höher als ein Erstarrungspunkt eines dickeren der zweiten gelöteten Abschnitte (28a, 28b, 28c) und des dritten gelöteten Abschnitts (38) liegt.