baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent JP-WO2006073107-A1 (JP)
Title: 成形機、射出装置及びその温度制御方法
IPC: B29C45/78
Filed: 2005-12-28
Abstract: 所定の箇所に供給口２１５が形成されたシリンダ部材と、該シリンダ部材内において進退自在に配設された射出部材と、前記供給口２１５に取り付けられ、成形材料を供給口２１５を介してシリンダ部材内に供給する成形材料供給装置と、前記供給口２１５の周囲の所定の箇所に配設された熱電冷却素子２６１〜２６４とを有する。この場合、供給口２１５の周囲の所定の箇所に熱電冷却素子２６１〜２６４が配設されるので、供給口２１５の周囲の温度を適正な温度にすることができ、かつ、温度制御の応答性を高くすることができる。また、駆動部の筐体１５２と熱移送部材との間に、熱電冷却素子ｇを配設すると、筐体１５２内の熱は筐体１５２を介して熱移送部材に伝達され、駆動部外に放出される。したがって、駆動部を駆動することによって発生させられる定格トルクを大きくすることができる。
Patent WO-2008117405-A1 (WO)
Title: Connection device and method, and testing device and method
Inventor: ISHIZUKA TOSHIHIRO
IPC: H01R43/00
Filed: 2007-03-26
Abstract: A connection device (110) has contacts (126) provided with openings (126a) into which plug-like connector terminals (2) of a wiring board (1) are inserted, and also has pressing parts (130) for deforming the contacts (126) so that a gap (Wb) at the narrowest portion of an opening (126a) of a contact (126) is changed between a state where the gap (Wb) is greater than the thickness (Wa) of a connector terminal (2) measured in the direction corresponding to the direction of the gap (Wb) and a state where the gap (Wb) is smaller than the thickness (Wa).
Patent WO-2008126297-A1 (WO)
Inventor: KOBAYASHI EIICHI
IPC: G06F12/00
Filed: 2007-03-30
Abstract: L'invention concerne une unité de commande de sauvegarde (102) qui commande un traitement de sauvegarde ordinaire dans lequel les fichiers stockés dans un dispositif NAS (200) sont sauvegardés conformément à un ordonnancement de tâches présélectionnées sur une base de système par fichier. En outre, l'unité de commande de sauvegarde (102) commande un traitement de sauvegarde forcé pour forcer la sauvegarde des fichiers stockés dans le dispositif NAS (200) sur une base par fichier, déclenché par le fait qu'une unité de surveillance d'accès (101) a détecté la fermeture d'un fichier devant être stocké dans une liste de fichier cible de sauvegarde forcée (103e).
Patent WO-2007111386-A1 (WO)
Title: 肺癌治療カテーテル及び肺癌の治療方法
Inventor: TSUSHIMA KENJI
IPC: A61B18/12
Filed: 2007-03-28
Abstract: 可撓性を有するディスタル部(１０ａ)、及び、当該ディスタル部よりも近位端側に形成されており、当該ディスタル部よりも剛性が高いプロキシマル部(１０ｂ)を有し、前記ディスタル部及び前記プロキシマル部にルーメンが形成されているシャフト(１０)と、前記シャフトのディスタル部に設けられた電極(９)と、前記電極近傍に設けられた温度センサ(１２)と、前記電極にその一端が接続され、前記ルーメン内部に引き通された導線(１１)とを備えたことを特徴とする肺癌治療カテーテル、並びに前記カテーテルを使用する肺癌の治療方法。前記肺癌治療カテーテルは気管支の末梢まで届き、内視鏡と組み合わせて観察下に治療部位に配置し、高周波通電により肺癌細胞を焼灼することができる。
Patent WO-2007145061-A1 (WO)
Inventor: SASAYAMA KENICHI
IPC: A61F13/15
Filed: 2007-05-23
Abstract: La présente invention concerne une couche jetable de laquelle le pénis peut être facilement sorti pour la miction. La couche comprend un cadre (13) ayant au moins une partie de corps avant (2) et une partie de corps arrière (3), une feuille de surface perméable aux liquides prévue dans au moins une partie du cadre (13), une feuille arrière imperméable aux liquides (14) prévue sur un côté dans la direction de l'épaisseur de la feuille avant (11), et un absorbant (12) apte à retenir un liquide qui est prévu entre la feuille avant (11) et la feuille arrière (14). Dans la partie de corps avant (2), une partie pouvant s'ouvrir (5), par laquelle un endroit défini de la partie de corps avant peut être découpée le long d'une ligne de découpe raccordant deux points espacés l'un de l'autre d'un côté à l'autre de la ligne centrale se situant presque au centre et s'étendant dans la direction longitudinale de la couche jetable de manière à la découper en deux dans la direction de la largeur, ou une ouverture (5) apte à ouvrir un endroit défini dans la partie de corps avant est formée.
Patent WO-2008152730-A1 (WO)
Title: Laminated package and method for forming the same
Inventor: HASEGAWA MASASHI
IPC: H01L25/065
Filed: 2007-06-15
Abstract: Provided is a semiconductor chip module wherein limitation of the position of a connecting terminal of a semiconductor chip and limitation in allocating a circuit to each semiconductor chip are reduced. Provided is the semiconductor chip module wherein a plurality of semiconductor chips are placed one over another and bonded.  At least some of the semiconductor chips on the upper and lower layers, which are bonded to each other, are bonded so that a step portion is generated by the semiconductor chips on the upper and lower layers.  Wiring between the semiconductor chips on each layer is directly formed by jetting a wiring material in mist state from a nozzle.
Patent WO-2008001659-A1 (WO)
Title: Dispositif d'émission/réception de son
Inventor: ISHIBASHI TOSHIAKI
IPC: H04R1/40
Filed: 2007-06-20
Abstract: La présente invention concerne un dispositif d'émission/réception de son permettant de capter/produire la voix d'un haut-parleur avec un rapport S/B élevé par élimination de l'effet de repliement de son, même si le dispositif possède une structure simple. Un circuit de signal différentiel (191) produit un signal différentiel (MS1 à MS4) entre des signaux de rayon de réception acoustique (MB11 à MB14) et des signaux de rayon de réception acoustique (MB21 à MB24), respectivement. Un comparateur de niveau (195) sélectionne le signal différentiel ayant le niveau maximal le plus élevé. Un circuit de sélection de signal (196) sélectionne les signaux de rayon de réception acoustique (MB1x, MB2x) du signal différentiel (MS) sélectionné et indiqué par le comparateur de niveau (195). Un soustracteur (199) soustrait le signal de rayon de réception acoustique (MB2x) du signal de rayon de réception acoustique (MB1x) et produit le signal résultant. La composante principale du repliement de son est ainsi éliminée du signal de rayon de réception acoustique.
Patent WO-2008007712-A1 (WO)
Title: Procédé de fabrication du polyuréthane et utilisation du polyuréthane ainsi produit
Inventor: KOBAYASHI MITSUHARU
IPC: C08G18/66
Filed: 2007-07-11
Abstract: La présente invention concerne un polyuréthane et une polyuréthaneurée se révélant extrêmement utiles dans le domaine des fibres élastiques en polyuréthane, des cuirs synthétiques/artificiels et des élastomères à base de polyuréthane hautement fonctionnels, comme le TPU. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un polyuréthane à partir d'un polyétherpolyol (a) obtenu par une réaction de déshydratation par condensation d'un polyol et contenant une unité de 1,3-propanediol, un composé polyisocyanate (b) et un agent d'allongement de chaîne (c) en présence d'un solvant polaire aprotique. L'invention concerne également plus particulièrement un polyuréthane fabriqué par ledit procédé, ainsi qu'un film et une fibre constitués dudit polyuréthane.
Patent WO-2008026497-A1 (WO)
Title: Dispositif de commande de matrice de disques, procédé de commande de matrice de disques et programme de commande de matrice de disques
Inventor: SUGIMOTO KINICHI
IPC: G06F3/06
Filed: 2007-08-23
Abstract: L'invention porte sur la garantie d'une vitesse d'entrées/sorties (I/O) de données stable en tant que système et d'exécution d'une gestion de fonctionnement de dispositifs à disque efficace et d'un agencement de données. L'invention concerne donc un dispositif (10) de commande de matrice de disques, qui comprend une unité (5) de gestion I/O qui effectue une entrée/sortie en découpant en zones un nombre de dispositifs à disque sélectionnés de telle sorte que le total des vitesses I/O à l'adresse sous forme d'objet I/O de données dépasse une valeur de seuil prédéterminée. Ainsi, le nombre de dispositifs à disque pour lesquels des données sont soumises à un découpage en zones est décidé conformément à la vitesse I/O nécessaire de façon à garantir une vitesse I/O de données stable et d'exécuter une gestion de fonctionnement de dispositifs à disque efficace et un arrangement de données.
Patent WO-2008035822-A1 (WO)
Title: Dispositifs à semi-conducteur et leur procédé de fabrication
Inventor: KAWAHASHI AKIRA
IPC: H01L21/28
Filed: 2007-09-21
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une électrode ohmique présentant de bonnes caractéristiques sur une couche de semi-conducteur de carbure de silicium (SiC). Dans ce procédé, une couche de Ti et une couche d'Al sont formées sur une surface du substrat de SiC. Le substrat de SiC comprenant la couche de Ti et la couche d'Al est maintenu à une température qui est supérieure ou égale à une première température et inférieure à une deuxième température jusqu'à ce que tout le Ti dans la couche de Ti ait réagi avec l'Al. La première température est la température minimale d'une plage de températures à laquelle le Ti réagit avec l'Al pour former de l'Al3Ti, et la deuxième température est la température minimale d'une plage de températures à laquelle l'Al3Ti réagit avec le SiC pour former du Ti3SiC2. Après cette étape de maintien de la température, une couche d'Al3Ti est formée sur la surface de substrat de SiC. Ce procédé comprend également une étape de chauffage supplémentaire du substrat de SiC avec la couche d'Al3Ti à une température qui est supérieure à la deuxième température. Cette étape de chauffage plus poussé entraîné la réaction du substrat de SiC avec l'Al3Ti de la couche d'Al3Ti pour former une couche de Ti3SiC2 sur la surface du substrat de SiC.
Patent WO-2008111269-A1 (WO)
Title: 第１電極と第２電極とを備える半導体装置およびその製造方法
Inventor: FUJIKAWA KAZUHIRO
IPC: H01L29/808
Filed: 2007-11-29
Abstract: ＩＧＢＴ（９１）は、基板（Ｓ）と、基板（Ｓ）の上面（Ｓａ）側に形成されたエミッタ電極（１７）と、基板（Ｓ）の下面（Ｓｂ）側に形成されたコレクタ電極（１５）と、エミッタ電極（１７）とコレクタ電極（１５）との間を流れる電流を制御するための制御機構（ｐ型ベース領域（７）、ｎ+不純物領域（１１）、絶縁膜（１３）、およびゲート電極（１９））とを備えている。ｎ-ドリフト領域（１）が基板（Ｓ）内に形成されている。これにより、オン抵抗を小さくすることができる。
Patent JP-WO2006087943-A1 (JP)
Title: フェノール類の精製方法
IPC: C07C37/08
Filed: 2006-02-07
Abstract: アルキルアリールヒドロペルオキシドの酸分解生成物またはクメンヒドロペルオキシドの酸分解生成物より得られる粗フェノールから、フェノール、α−メチルスチレンなどの有用成分を消失させることなく、脂肪族および／または芳香族カルボニル化合物を分離し、フェノール類を精製する方法を提供する。本発明に係るフェノール類の精製方法は、アルキルアリールヒドロペルオキシドの酸分解生成物と、第VＢ族または第VIIＢ族金属酸化物とを接触させて、アルキルアリールヒドロペルオキシド酸分解生成物中の脂肪族および／または芳香族カルボニル化合物を高沸点化合物に転化し、次いでこれらの化合物とフェノール類とを蒸留により分離する。また、本発明に係るフェノールの精製方法は、クメンヒドロペルオキシドの酸分解生成物より得られる粗フェノールと、第VＢ族または第VIIＢ族金属酸化物とを接触させて、粗フェノール中の脂肪族カルボニル化合物を高沸点化合物に転化し、次いでこれらの化合物とフェノールとを蒸留により分離する。
Patent JP-WO2006101099-A1 (JP)
Title: 光ディスク装置、及び光ディスク装置の制御方法
IPC: G11B7/12
Filed: 2006-03-20
Abstract: 本願の光ディスク装置は、ターンテーブル３０の中心近傍から放射状に延び、ターンテーブル３０の外周縁部に開放部を持つ凹部としての複数の誘導溝３１ａ〜３１ｈと、複数の誘導溝３１ａ〜３１ｈの中心近傍側の底面３３ａ〜３３ｈとターンテーブル３０の上面とを貫通する複数の貫通孔３２ａ〜３２ｈとを有するターンテーブル３０と、側面の回転部に凸部として複数のフィン３６ａ〜３６ｈを有するアウターロータ型のスピンドルモータ３５とを備える。本願の光ディスク装置は、スピンドルモータ３５の回転部と、それに伴うターンテーブル３０の回転とにより発生する空気の流れを、対物レンズ側領域に付着した塵埃を除去するための塵埃除去風として利用する。
Patent JP-WO2006109728-A1 (JP)
Title: システム性能プロファイリング装置
IPC: G06F11/34
Filed: 2006-04-07
Abstract: ＳｏＣ内部に搭載され、カウンタリソースの膨大化を防ぎつつ、測定時間の制約のないシステム性能プロファイリング装置を提供する。各セレクタ２０ａ、２０ｂ、２０ｃはプロファイリングデータの収集期間中は各カウンタ１９ａ、１９ｂ、１９ｃの所定ビット桁のビット値を選択して外部へ出力する。そして、プロファイリングデータの収集終了時に各セレクタ２０ａ、２０ｂ、２０ｃは各カウンタ１９ａ、１９ｂ、１９ｃの所定ビット桁より下位の全てのビット桁の値を選択して外部へ出力する。
Patent JP-WO2006114875-A1 (JP)
Title: 半導体集積回路
IPC: H01L27/04
Filed: 2005-04-21
Abstract: 電源遮断エリアの適正化を図ることを目的とする。複数のコアセルが配列されて成るセル領域と、上記セル領域毎に対応して配置された電源スイッチとを設け、それぞれ上記コアセル単位で複数の電源遮断エリアを形成し、上記電源遮断エリア毎に、それに対応する上記電源スイッチによって電源遮断を可能とする。それにより、上記コアセル単位で電源遮断エリアを細かく設定することができ、電源遮断エリアの適正化を達成する。電源遮断エリアの適正化により、スタンバイ時の消費電流の低減を達成する。
Patent JP-WO2006129674-A1 (JP)
Title: 導電性マイエナイト型化合物の製造方法
IPC: H01B13/00
Filed: 2006-05-30
Abstract: 良好な特性をもつ導電性マイエナイト型化合物を容易に、安定してかつ低コストで製造する製造方法を提供する。前駆体を熱処理する工程を備えた導電性マイエナイト型化合物を製造する製造方法であって、前駆体を熱処理する工程を含む導電性マイエナイト型化合物の製造方法であって、前記前駆体は、ＣａとＡｌとを含有し、酸化物換算した、（ＣａＯ：Ａｌ２Ｏ３）のモル比が（１２．６：６．４）〜（１１．７：７．３）であり、ＣａＯとＡｌ２Ｏ３との合計が５０モル％以上である、ガラス質又は結晶質であり、前記熱処理は、熱処理温度Ｔが６００〜１４１５℃で、かつ、酸素分圧ＰＯ２が、Ｐａ単位で、ＰＯ２≦１０５×ｅｘｐ［｛−７．９×１０４／（Ｔ＋２７３）｝＋１４．４］で表される範囲である不活性ガス又は真空雰囲気中に前記前駆体を保持する熱処理である、ことを特徴とする。
Patent JP-WO2006112233-A1 (JP)
Title: プラズマディスプレイパネル装置とその駆動方法
IPC: G09G3/20
Filed: 2006-03-23
Abstract: 本発明は、前記消去期間終了後に補助消去パルスを用いることなく、初期化期間において発生する偶発的な強放電による誤放電や書込放電遅れの問題を抑制することにより、チラツキのない良好な品質で画像表示させることができるプラズマディスプレイパネルと、その駆動方法を提供する。 このため、上り傾斜波形電圧による初期化期間前半部と下り傾斜波形電圧による初期化期間後半部の間に走査電極、維持電極およびデータ電極の３電極の少なくとも１つの電極において、上下の電位変化波形（電圧変化パルス）を印加する。
Patent JP-WO2007043106-A1 (JP)
Title: バイアス回路
IPC: H03K19/094
Filed: 2005-09-30
Abstract: 制御回路Ｕ１は4個のＰＭＯＳトランジスタＭＰ１〜ＭＰ４を備え、電圧Ｖnと電圧Ｖssが入力される。トランジスタＭＰ１、ＭＰ３とトランジスタＭＰ２、ＭＰ４は、それぞれ、基準電源Ｖddと固定電位Ｖss間に直列接続されている。トランジスタＭＰ２のゲート端子は固定電位Ｖssに接続されている。また、カレントミラーＦ１の参照電流と複製電流は、それぞれ、ソース端子がＶssに接続されたＮＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２に流れる。トランジスタＭ２のゲート幅はトランジスタＭ１のゲート幅の１／４となっている。ドレイン端子は、トランジスタＭＰ１、ＭＰ２のゲート端子に接続されている。トランジスタＭＰ１のソース端子とトランジスタＭＰ３のドレイン端子の接続点はトランジスタＭ１のゲート端子に接続され、トランジスタＭＰ２のソース端子とトランジスタＭＰ４のドレイン端子の接続点はトランジスタＭ２のゲート端子に接続されている。制御回路Ｕ１は、トランジスタＭ１のオーバードライブ電圧がＶnとなるように、トランジスタＭ１のゲート端子電圧を制御する。
Patent JP-WO2007069680-A1 (JP)
Title: 位置検出装置
IPC: G01D5/14
Filed: 2006-12-14
Abstract: 基板上に配置された２個を１組としたホールセンサを１組以上有する磁束検出手段と、基板に平行な平面内を所定の方向に移動可能なように配置された直方体磁石とを具える。各組内の２個のホールセンサは、各組内の２個のホールセンサの感磁部の中心間を結ぶ直線と直方体磁石の移動方向とのなす角度が直交するように基板上に配置される。直方体磁石は、基板に平行な任意の平面に投影した場合に、その四角形が長辺と短辺を有し、該長辺が、各組内の２個のホールセンサの感磁部の中心間を結ぶ直線に所定の傾斜角をもつ。直方体磁石は、ホールセンサの配置された基板に対して垂直にＮ極とＳ極がそれぞれ１極ずつとなるように着磁され、ホールセンサの感磁方向が、基板方向に対して垂直であるようにする。
Patent JP-WO2007072892-A1 (JP)
Title: 脱染剤組成物
IPC: A61Q5/08
Filed: 2006-12-21
Abstract: 還元剤の還元作用により脱染を行う脱染剤組成物において、頭皮に適用された場合には該頭皮への刺激を低減させるとともに、脱染処理後の空気酸化を防止することができる脱染剤組成物を提供する。脱染剤組成物は、アミノ基を有する染料中間体を含む酸化染料により染色された繊維の脱染に用いられ、還元剤を含有して該還元剤の還元作用により繊維の脱染を行う。この脱染剤組成物は、還元糖を更に含有する。還元糖としては、例えばキシロース、及びジヒドロキシアセトンが挙げられる。
Patent JP-WO2007080911-A1 (JP)
IPC: B05C5/00
Filed: 2007-01-11
Abstract: A liquid material discharge device that can discharge a liquid material supplied to the device while keeping the liquid material clean and holding a stable discharge amount of the liquid material, and that can be reduced in size. The liquid material discharge device comprises a liquid material supply section for supplying a liquid material to be discharged, a discharge section having a discharge port for discharging the liquid material, a measurement section comprising a measurement hole and a plunger sliding along an inner wall surface of the measurement hole to suck and discharge the liquid material into and from the measurement hole, a valve section comprising a body and a valve member which is formed with a channel for interconnecting the liquid material supply section and the measurement section and with a channel for interconnecting the measurement section and the discharge section, the valve member sliding in a space formed in the body, and a control section for controlling the aforesaid sections. When the liquid material is sucked into the measurement hole, the control section controls the valve member to be located at a first position to interconnect the liquid material supply section and the measurement section and to interrupt the interconnection between the measurement section and the discharge section. When the liquid material in the measurement hole is discharged, it controls the valve member to be located at a second position to interconnect the measurement section and the discharge section and to interrupt the interconnection between the liquid material supply section and the measurement section.
Patent JP-WO2007083766-A1 (JP)
Title: 分子内プローブによる核酸配列の検出方法
IPC: C12N15/09
Filed: 2007-01-19
Abstract: 以下を具備する核酸配列検出方法；（ａ）核酸試料を準備すること；（ｂ）前記核酸試料に含まれる当該検出部位の３’側に位置する第1の核酸配列に相補的な配列を含む第1の分子内検出配列と、当該検出部位の５’側に位置する第2の核酸配列に相補的な配列を含む第２の分子内検出配列を準備すること、ここで、第1の分子内検出配列の３’端と第2の分子内検出配列の５’端の少なくとも一方が核酸と結合が可能なように修飾されている；（ｃ）前記核酸試料をテンプレートに３’末端に第1の分子内検出配列を、５’末端に第2の分子内検出配列を付与した当該検出部位の配列を含む検出鎖を合成すること；（ｄ）前記検出鎖について、第1の核酸配列と第1の分子内検出配列との間、および第２の核酸配列と第２の分子内検出配列との間の2箇所で分子内ハイブリダイズがなされること；（ｅ）第1の分子内検出配列の３’端と第2の分子内検出配列の５’端を直接または間接的に連結すること；（ｆ）（ｅ）の連結することにより環状構造体を得ること；（ｇ）前記環状構造体から、前記核酸試料における目的の核酸配列の検出を行うこと。
Patent WO-2009130738-A1 (WO)
Title: Ferromagnetic thin wire element
Inventor: ONO TERUO
IPC: H01L27/105
Filed: 2008-04-21
Abstract: A ferromagnetic thin wire element uses a ferromagnetic thin wire incorporating a magnetic domain wall in which a magnetic moment at the center of the magnetic domain wall is directed in a direction perpendicular to the long axis direction of the thin wire.  While fixing the magnetic domain wall so that the magnetic domain wall does not move inside the thin wire by using a magnetic domain wall fixing means such as antiferromagnetic thin wires, a DC current is supplied to the thin wire.  Thus, the magnetic domain wall does not move but its magnetic moment rotates.  This makes it possible to detect the rotation of the magnetic moment by a TMR element etc.  It is also possible to immediately obtain a microwave oscillator or a magnetic memory using the constitution of the ferromagnetic thin wire element.
Patent WO-2010038260-A1 (WO)
Inventor: TAKESHITA KENGO
IPC: G01N27/62
Filed: 2008-10-02
Abstract: A mass spectrum with a high mass resolution is automatically obtained over a wide range of mass without judging the complicated number of turns attributable to overtaking of ions in orbit or other operations.  First, a mass analysis of a target sample is performed on condition that overtaking of ions never occur to obtain a mass spectrum with a low mass resolution (S1, S2).  Peaks appearing in the mass spectrum are extracted based on predetermined conditions, and mass ranges corresponding to the individual extracted peaks are determined, and then analysis conditions on which no overtaking of ions occur are determined for each mass range (S3, S4).  According to the analysis conditions, ions within a limited mass range are made to fly in orbit while being selected and ejected by an ion trap to obtain a mass spectrum with a high mass resolution (S5, S6).  Finally, the mass spectrum with a low mass resolution and the mass spectrum with a high resolution are combined to produce a mass spectrum over a wide range of mass (S8).
Patent WO-2008102608-A1 (WO)
Title: 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ
Inventor: TAKEDA TOSHIKAZU
IPC: H01B3/12
Filed: 2008-01-29
Abstract: 積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミック材料であって、１２００°C以下の温度にて主成分がＮｉである内部電極と共焼成可能であり、かつ、抵抗率が高い誘電体セラミック組成物を提供する。誘電体セラミック組成物は、組成式（Ｋ1-xＮａx）Ｓｒ2Ｎｂ5Ｏ15（ただし、０≦ｘ＜０．２）で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分として含む誘電体セラミック組成物であって、上記の主成分１００モル部に対して、０.０５～２０モル部のＲ（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群より選ばれた少なくとも１種）と、０.０５～４０モル部のＭ（ただし、Ｍは、Ｍｎ、Ｖ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｚｒからなる群より選ばれた少なくとも１種）とを、副成分として含む。
Patent WO-2008093843-A1 (WO)
Title: 即席麺および即席麺の製造方法
Inventor: YASUDA TOSHITAKA
IPC: A23L17/60
Filed: 2008-02-01
Abstract: 寒天およびカードランを含み、２０°Cの水で３分間戻したときの吸水率が２５０％以上であり、５分間以下の時間で水戻しが可能で、適度な硬さで良好な食感を有する即席麺。
Patent WO-2008093892-A1 (WO)
Title: 容器詰コーヒー飲料
Inventor: YAMAMOTO SHINJI
IPC: A23F5/24
Filed: 2008-01-31
Abstract: 本発明は、（Ａ）クロロゲン酸類濃度　０．１４０～０．５質量％、（Ｂ）クロロゲン酸類／タンニン（ＦＯＬＩＮ−ＤＥＮＩＳ法）＝０．６～１．０質量比率、（Ｃ）ジクロロゲン酸類／クロロゲン酸類＝０．０６～０．１９質量比率、であることを特徴とする加熱殺菌処理を施した容器詰コーヒー飲料である。
Patent WO-2008102735-A1 (WO)
Title: 車両走行支援装置及び方法
Inventor: MAKINO YASUSHI
IPC: B60W40/06
Filed: 2008-02-18
Abstract: 本発明は、道路環境に適合した態様でトルクを可変することができる車両走行支援装置の提供を目的とする。本発明は、車両の走行時の車輪の駆動トルクを変化させて車両の走行を支援する車両走行支援装置１０Ａにおいて、前記駆動トルクを増加させるトルクアップ手段３６，３８と、車両の進行方向に存在する路面の段差を検出する段差検出手段１２Ａ、５６と、前記トルクアップ手段の作動が許容される第１の状態と、前記トルクアップ手段の作動が抑制される第２の状態とを切り替える切替手段１２Ａとを備え、前記切替手段は、前記段差検出手段により段差が検出された場合に、前記第１の状態を形成することを特徴とする。
Patent WO-2009011146-A1 (WO)
Title: 穿孔圧延用のプッシャ装置及びそれを用いた継目無管の製造方法
Inventor: YAMAKAWA TOMIO
IPC: B21B19/04
Filed: 2008-02-20
Abstract: プッシャ装置４は、シリンダ装置３０と、プッシャ芯金３４とを備える。シリンダ装置３０は、シリンダ軸３２を含む。プッシャ芯金３４は、シリンダ軸３２の先端に取り付けられる。また、プッシャ芯金３４の先端は、ビレット２０の後端に当接される。プッシャ芯金３４の横断面積Ｓｐとビレット２０の横断面積Ｓｂとは式（１）を満たす。また、プッシャ芯金３４の長さＬｐとプッシャ芯金３４の横断面積Ｓｐとは式（２）を満たす。穿孔圧延時におけるシリンダ軸３２の先端の移動距離Ｌｃとシリンダ軸３２の外径Ｄｃとは式（３）を満たす。そのため、プッシャ装置４は、プッシャ穿孔圧延により製造された素管の先端部の偏肉を抑制できる。 　０．３≦Ｓｐ／Ｓｂ　（１） 　Ｌｐ／Ｓｐ≦１．２　（２） 　Ｌｃ／Ｄｃ≦４５　（３）
Patent WO-2008120628-A1 (WO)
Title: 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
Inventor: YAMAGUCHI HIROFUMI
IPC: H01L21/677
Filed: 2008-03-26
Abstract: 真空雰囲気をもち処理ガスにより処理を行う搬送口を有する処理容器と、この処理容器の搬送口にゲート室を介して接続され、基板の受け渡しを行う搬送手段を有し、真空雰囲気をもつ搬送室とを備えた真空処理装置において、処理理容器内の残留ガスの搬送室への拡散を抑える。 　前記真空処理装置は処理容器と、前記搬送室と、前記ゲート室に設けられ、前記処理容器にて基板の処理を行うときには前記搬送口を閉じ、処理容器に対して基板の受け渡しを行うときには当該搬送口を開くためのゲートバルブとを備えている。ゲート室に、処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成するように、ゲート室不活性ガス供給部及びゲート室排気口が設けられている。このことにより、処理容器内の残留ガスが搬送口から搬送室に拡散することが抑えられる。
Patent WO-2009013937-A1 (WO)
Title: Information saving system, server, server program, client, and client program
Inventor: ONOTO SHOJI
IPC: G06F12/00
Filed: 2008-05-30
Abstract: A client transmits a copy of client's own schedule management agent and schedule management information as a clone to a server at the time of power OFF.  When receiving the clone, the server determines an alternate device with which the clone is left (S22) and inquires of the alternate device whether to keep the clone (S24).  If the acceptance is not rejected (S26: NO), the server transmits the clone to the alternate device (S27) and registers it in the management information (S28).  If there is no client to become an alternate device (S23: NO), the server takes over as the alternate device, stores the clone (S31), registers the server in the management information (S32), and activates a clone agent (S33).
Patent WO-2008146923-A1 (WO)
Title: 空気調和機
Inventor: NOMURA SHINICHIROU
IPC: F24F11/02
Filed: 2008-05-30
Abstract: 駆動部２０は、商用電源から供給される商用電圧ＡＣからモータＭを駆動するための駆動電圧を生成し、モータＭに出力する。過電圧検出部１０は、商用電源及び駆動部２０間に接続され、商用電圧ＡＣの異常の有無を検出し、商用電圧ＡＣの異常を検出した場合、商用電圧ＡＣに異常が発生したことを示す履歴情報Ａを生成する。履歴保持部４０は、例えば、不揮発性の書き換え可能な記憶装置から構成され、過電圧検出部１０により生成された履歴情報Ａを保持する。
Patent WO-2008153140-A1 (WO)
Title: 光モジュール及びその製造方法
Inventor: SHIMODA KAZUYA
IPC: H01L31/02
Filed: 2008-06-13
Abstract: 配線基板（９）に形成された第１の開口（１０）と受光領域（１３）とを位置合わせして、受光素子（１２）を配線基板（９）上に実装する。配線基板（９）には、前記第１の開口（１０）と同一プロセスで形成された２個の第２の開口（１１）が設けられている。一方、光配線基板には、光導波路のコア（３）を有する光導波路及びダミーの光導波路のコア（５）を有する２個の基板マークが設けられている。受光領域（１３）と光導波路のコア（３）とを光学的に結合する際には、開口（１１）と基板マークとを、配線基板（９）の受光素子（１２）側から同時に観察し、観察されたそれらの位置に基づいて、配線基板（９）と光配線基板とを相互に位置合わせする。これにより、実装組立を容易かつ高精度に行うことができ、量産性が向上する。
Patent WO-2008153150-A1 (WO)
Title: Ｎｋ細胞を含む細胞集団の培養方法及び当該細胞集団の利用
Inventor: SATO SHIHO
IPC: C12N5/071
Filed: 2008-06-13
Abstract: ＮＫ細胞とγδＴ細胞とを高率に含む細胞集団を効率良く増殖・活性化させる方法を提供する。更に、ＡＤＣＣを介したモノクローナル抗体治療薬の効果を高めるための該細胞集団とモノクローナル抗体治療薬を併用した医薬及び治療方法も提供する。 　末梢血単核球にグルココルチコイド及びＩＬ－１８を培養開始後に添加することで、ＮＫ細胞とγδＴ細胞とを選択的に増殖させることができ、高増殖率で大量のＮＫ細胞およびγδＴ細胞を含む細胞集団を得ることが可能である。得られた細胞集団は細胞傷害活性、細胞保存安定性に優れている。また、ＣＤ１６陽性細胞率が高いため、ＡＤＣＣ増強効果が高い。従って、該ＮＫ細胞はＡＤＣＣを介してモノクローナル抗体治療薬の治療効果を増大させることが可能である。
Patent WO-2009041680-A1 (WO)
Title: 樹脂組成物及びその製造方法
Inventor: FUJITA TAKESHI
IPC: C09D7/62
Filed: 2008-09-29
Abstract: 密着性、光学的透明性、表面硬度、耐擦傷性、等に優れた被膜を形成することのできる樹脂組成物を提供する。 　樹脂組成物において、（i）アルコキシシリル基及び（メタ）アクリロイル基を同一分子内に有する化合物と、（ii）アルコキシシリル基及び／又は（メタ）アクリロイル基で表面修飾された金属酸化物微粒子と、（iii）３個以上の（メタ）アクリロイル基を有する多官能（メタ）アクリレートと、（iv）光ラジカル重合開始剤及び光カチオン重合開始剤と、を含有する。
Patent WO-2009078217-A1 (WO)
Title: ネットワークシステムおよびデータ送信方法
Inventor: KAKU SHINYA
IPC: H04L9/16
Filed: 2008-10-20
Abstract: 管理ノード(ＳＮ)は、乱数ノード(ＲＮ)から受信した乱数(２１４ａ)と、予め格納する秘密情報(２１６ａ)とを用いて一時鍵(２１０ａ)を生成し、この一時鍵(２１０ａ)を用いて、ユーザが入力する上述のようなコマンド(２０６ａ)を暗号化する。各監視カメラ(ＳＣ)では、乱数ノード(ＲＮ)から受信した乱数(３１４ａ)と、予め格納する秘密情報(３１６ａ)とを用いて一時鍵(３１０ａ)を生成し、この一時鍵(３１０ａ)を用いて、受信した暗号化データを復号化する。管理ノード(ＳＮ)および監視カメラ(ＳＣ)の各々は、このリセット指令を受信すると、その時点における一時鍵をリセットする。
Patent WO-2009057587-A1 (WO)
Title: Tire
Inventor: NAGANO DAIJIRO
IPC: B60C11/00
Filed: 2008-10-28
Abstract: A tire having a tread of excellent low heat generation properties in which the rolling resistance is reduced without impairing the tire performance such as the grip performance.  More specifically, a tire, having a tread composed of two or more layers of laminate rubber, where the land is formed by a main groove and the tanδ of the outermost layer is made lowest in the tread at least on the side face of the land.  Preferably, the tire is formed such that the tanδ of the outermost layer is set at 0.07 or less, the thickness of the outermost layer is set to within 30% of the thickness of a cap rubber layer, and a rubber composition used in the outermost layer is mixed with carbon black of a grade up to HAF.