Patent ES-2457533-T3 (ES)
Title: Dispositivo de transferencia térmica para el enfriamiento bilateral de un componente semiconductor
Inventor: SCHRÖDER MATTHIAS
IPC: H01S5/024
Filed: 2009-05-29
Granted: 2014-04-28
Abstract: Dispositivo de transferencia térmica con - al menos un componente semiconductor (10), en particular un diodo láser o diodo luminoso, - un primer cuerpo conductor de calor (20) y - al menos un segundo cuerpo conductor de calor (30), presentando el componente semiconductor (10) - en un primer lado al menos una primera superficie de contacto (11) esencialmente plana al menos por secciones y, - en al menos un segundo lado, opuesto al primer lado, al menos una segunda superficie de contacto (12) esencialmente plana al menos por secciones, y - estando dispuesto este al menos por secciones entre el primer y el segundo cuerpo conductor de calor (20 y 30), presentando el primer cuerpo conductor de calor (20) una primera zona metálica que - constituye respecto a su masa y/o su volumen la parte principal del primer cuerpo conductor de calor (20), - está unida eléctricamente a la primera superficie de contacto (11) del componente semiconductor (10), - presenta al menos una primera sección de absorción térmica (25) con al menos una primera superficie de entrada de calor (21), que se opone al menos por secciones a la primera superficie de contacto (11) en una dirección opuesta al componente semiconductor (10) y está unida al componente semiconductor (10) mediante al menos una unión por arrastre de material que se extiende en la línea del componente semiconductor (10), orientada en perpendicular a la primera superficie de contacto (11), desde la primera superficie de contacto (11) hasta la primera superficie de entrada de calor (21), así como - al menos una primera sección de transferencia térmica (26) que se extiende en al menos una primera dirección de transferencia térmica al menos por secciones en paralelo a la primera superficie de contacto (11) más allá del componente semiconductor (10), presentando el segundo cuerpo conductor de calor (30) una segunda zona metálica que - constituye respecto a su masa y/o su volumen la parte principal del segundo cuerpo conductor de calor (30), - está unida eléctricamente a la segunda superficie de contacto (12) del componente semiconductor, - presenta al menos una segunda sección de absorción térmica (35) con al menos una segunda superficie de entrada de calor (31), que se opone al menos por secciones a la segunda superficie de contacto (12) en una dirección opuesta al componente semiconductor (10) y está unida al componente semiconductor (10) mediante al menos una unión por arrastre de material que se extiende en la línea del componente semiconductor (10), orientada en perpendicular a la segunda superficie de contacto (12), desde la segunda superficie de contacto (12) hasta la segunda superficie de entrada de calor (35), así como - al menos una segunda sección de transferencia térmica (36) que se extiende en al menos una segunda dirección de transferencia térmica, paralela a la primera dirección de transferencia térmica, al menos por secciones en paralelo a la segunda superficie de contacto (12) más allá del componente semiconductor (10), - estando opuesta al menos por secciones la segunda zona metálica en la segunda sección de transferencia térmica a la primera zona metálica en la primera sección de transferencia térmica y - presentando una hendidura de unión, que está dispuesta al menos por secciones entre secciones opuestas entre sí de la primera y la segunda zona metálica y mediante la que quedan unidas entre sí por arrastre de material las secciones de transferencia térmica del primer y del segundo cuerpo conductor de calor (20, 30), al menos por sección como mínimo un medio de unión aislante de electricidad (50),