Patent DE-112014003027-B4 (DE)
Title: Computerprogrammprodukt für einen FinFET mit Heteroübergang und verbesserter Kanalsteuerung
Inventor: MOROZ VICTOR
IPC: H01L29/78
Filed: 2014-06-26
Granted: 2020-06-04
Abstract: Computerprogrammprodukt, umfassend:eine nichtflüchtige Speichervorrichtung (224), auf der eine maschinenlesbare Spezifikation einer physikalischen Umsetzung einer Schaltung gespeichert ist, wobei die Schaltung einen ersten Transistor umfasst, der erste Transistor umfassend:einen ersten Fin (9) mit einem ersten kristallinen Halbleitermaterial, wobei das erste kristalline Halbleitermaterial einen ersten Kanalbereich des ersten Transistors zwischen einem Sourcebereich des ersten Transistors und einem Drainbereich des ersten Transistors umfasst, der erste Fin (9) auf einem ersten Finträger (12);den ersten Finträger (12), der ein zweites kristallines Halbleitermaterial umfasst, das sich von dem ersten kristallinen Halbleitermaterial unterscheidet, wobei das erste kristalline Halbleitermaterial des ersten Fins (9) und das zweite kristalline Halbleitermaterial des ersten Finträgers (12) dazwischen einen ersten Heteroübergang (14) bilden;ein erstes Gate; undein erstes Gatedielektrikum (27) mit einer äußeren Oberfläche, die mit dem ersten Gate verbunden ist; und eine innere Oberfläche umfassend: (i) einen ersten Teil, der mit dem ersten Fin (9) nahe dem ersten Heteroübergang (14) verbunden ist, und (ii) einen zweiten Teil, der mit dem ersten Finträger (12) nahe dem ersten Heteroübergang (14) verbunden ist,wobei die Schaltung einen zweiten Transistor umfasst, der zweite Transistor umfassend:einen zweiten Fin (10) mit einem dritten kristallinen Halbleitermaterial, das von dem ersten kristallinen Halbleitermaterial verschieden ist, wobei das dritte kristalline Halbleitermaterial einen zweiten Kanalbereich des zweiten Transistors zwischen einem Sourcebereich des zweiten Transistors und einem Drainbereich des zweiten Transistors umfasst, der zweite Fin auf einem zweiten Finträger (12);den zweiten Finträger (12), der das zweite kristalline Halbleitermaterial umfasst, wobei das dritte kristalline Halbleitermaterial des zweiten Fins und das zweite kristalline Halbleitermaterial des zweiten Finträgers dazwischen einen zweiten Heteroübergang (14) bilden; undein zweites Gatedielektrikum (27), umfassend (i) einen ersten Teil, der mit dem zweiten Fin (10) nahe dem zweiten Heteroübergang (14) verbunden ist, und (ii) einen zweiten Teil, der mit dem zweiten Finträger (12) nahe dem zweiten Heteroübergang (14) verbunden ist; undein zweites Gate des zweiten Transistors, das mit dem ersten Teil des zweiten Gatedielektrikums verbunden und mit dem zweiten Teil des zweiten Gatedielektrikums verbunden ist,wobei der erste Transistor ein Transistor vom n-Typ und der zweite Transistor ein Transistor vom p-Typ istwobei das erste kristalline Halbleitermaterial eine erste Bandlücke aufweist und das zweite kristalline Halbleitermaterial eine zweite Bandlücke aufweist, die breiter ist als die erste Bandlücke,wobei das dritte kristalline Halbleitermaterial eine dritte Bandlücke aufweist und die zweite Bandlücke des zweiten kristallinen Halbleitermaterials breiter ist als die dritte Bandlücke, undwobei der erste Kanal des ersten Transistors eine Zugverspannung aufweist und der zweite Kanal des zweiten Transistors eine Druckverspannung aufweist.