Patent WO-2023136908-A1 (WO)
Inventor: SUN YANGYANG
IPC: H01L21/60
Filed: 2022-12-15
Abstract: Un boîtier (100) comprend un premier dispositif intégré (105) comprenant une première pluralité d'interconnecteurs (254); une pluralité d'interconnecteurs de soudage (170a) couplés à la première pluralité d'interconnecteurs (254); un second dispositif intégré (107a) comprenant une deuxième pluralité d'interconnecteurs (270a +272 a), le second dispositif intégré (107a) étant couplé au premier dispositif intégré (105) par la seconde pluralité d'interconnecteurs (270a +272 a), la pluralité d'interconnecteurs de soudage (170a) et la première pluralité d'interconnecteurs (254); une couche polymère (192a) située entre le premier dispositif intégré (105) et le second dispositif intégré (107a); et une pluralité de billes d'espacement (190a) situées entre le premier dispositif intégré (105) et le second dispositif intégré (107a). La pluralité de billes d'espacement (190a) contribue à faire en sorte que les variations de l'écart entre les dispositifs intégrés (105, 107a) (par exemple, en raison de l'inclinaison de l'un des dispositifs intégrés (105, 107a) par rapport à un dispositif intégré adjacent (105, 107a)) soient réduites ou supprimées. La couche polymère (192a) peut comprendre une couche adhésive. La pluralité de billes d'espacement (190a) peut se trouver au moins en partie dans la couche polymère (192a). La pluralité de billes d'espacement (190a) peut comprendre des particules qui comprennent des particules dispersées, de silice, de verre, de polymère, de céramique ou de métal, en particulier, des particules polyéthylène-polymère. Le boîtier (100) peut également comprendre un sous-remplissage (204a) entre le premier dispositif intégré (105) et le second dispositif intégré (107a). La première pluralité d'interconnecteurs (254) peut comprendre une première pluralité d'interconnecteurs de pilier, le second dispositif intégré étant couplé au premier dispositif intégré par la seconde pluralité d'interconnecteurs (270a +272 a), la pluralité d'interconnecteurs de soudage (170a) et la première pluralité d'interconnecteurs de pilier. Le second dispositif intégré (107a) peut comprendre une deuxième puce (par exemple, une première puce mémoire), et le premier dispositif intégré (105) peut comprendre une première puce (par exemple, une puce logique ou une seconde puce mémoire). Le boîtier (100) peut en outre comprendre un troisième dispositif intégré (107b) comprenant une troisième pluralité d'interconnexions (270b +272 b); une deuxième couche de polymère (192b) située entre le troisième dispositif intégré (107b) et le deuxième dispositif intégré (107a); et une deuxième pluralité de billes d'espacement (190b) situées entre le troisième dispositif intégré (107b) et le deuxième dispositif intégré (107a), le troisième dispositif intégré (107b) pouvant être couplé au deuxième dispositif intégré (107a) par l'intermédiaire de la troisième pluralité d'interconnexions (270b +272 b) et une deuxième pluralité d'interconnexions de soudage (170b), le deuxième dispositif intégré (107a) pouvant comprendre une pluralité de trous d'interconnexion de substrat traversants (275a). La première pluralité d'interconnexions (254) peut comprendre une première pluralité d'interconnexions de pilier et/ou une première pluralité d'interconnexions de plot (254), la seconde pluralité d'interconnexions (270a +272 a) comprenant une seconde pluralité d'interconnexions de pilier (272a) et/ou une seconde pluralité d'interconnexions de plot (270a). Le premier dispositif intégré (105) peut comprendre une troisième pluralité d'interconnexions (250 +252), la première pluralité d'interconnexions (254) étant située sur une première surface du premier dispositif intégré (105) et la troisième pluralité d'interconnexions (250 +252) étant située sur une seconde surface du premier dispositif intégré (105). Un boîtier (100) peut comprendre un substrat (104) et un empilement (101) des premier et second dispositifs intégrés (105, 107a) couplés au substrat (104) par l'intermédiaire d'une autre pluralité d'interconnexions de soudage (150). Le premier dispositif intégré (105) peut être couplé au second dispositif intégré (107a) par l'intermédiaire d'un couplage côté avant à côté avant, d'un couplage côté avant à côté arrière, d'un couplage côté arrière à côté avant ou d'un couplage côté arrière à côté arrière. Dans un procédé de fabrication du boîtier (100), la seconde pluralité d'interconnexions de plot (370), la seconde pluralité d'interconnexions de pilier (372) et la pluralité d'interconnexions de soudage (170) sont formées sur une seconde tranche (600) comprenant des seconds dispositifs intégrés non coupés (307a, 307b); la pluralité de billes d'espacement (190) et la couche polymère (192) sont disposées entre les seconds dispositifs intégrés non coupés (307a, 307b), par exemple, dans la région (504) de la seconde tranche (600); le sous-remplissage (204) est formé sur les seconds dispositifs intégrés non coupés (307a, 307b); une première tranche (610) comprend des premiers dispositifs intégrés non coupés (305a, 305b), la première pluralité d'interconnexions de plot (350) et la première pluralité d'interconnexions de pilier (352) est couplée à la seconde tranche (600) par un processus de refusion de soudage; et les tranches (600, 610) sont coupées le long d'une ligne de coupe (620).