baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100256276-B1 (KR)
Title: Rgb power supply controller using the pwm method
Inventor: KIM HYOUNG-KWANG
IPC: H05B37/02
Filed: 1997-12-24
Granted: 2000-05-15
Abstract: PURPOSE: An RGB power supply controller using a PWM method is provided to prevent power loss due to leakage current and enhance the endurance of a device by controlling the power connection supplied to at least two electric loads using the PWM method. CONSTITUTION: A wave rectifier rectifies voltage of 60Hz into pulsating wave of 120Hz to supply power to loads(RL/GL/BL). A controller(CU) equally divides the pulsating wave to generate unit time, and controls output signals by time unit. A synchronizing signal generator(20) generates a synchronizing signal for synchronizing the output of the controller(CU) to the phase of the pulsating wave. A current amp(40) receives respective output signals of the controller(CU) to output drive current. A switching part(50) receives the drive current of the current amp(40) to switch voltage for driving the loads(RL/GL/BL).
Patent KR-100369397-B1 (KR)
Title: Ball grid array semiconductor package using flexible circuit board
Inventor: HA SEON HO
IPC: H01L23/50
Filed: 1997-12-30
Granted: 2003-07-12
Abstract: PURPOSE: A BGA(Ball Grid Array) semiconductor package using a flexible circuit board is provided to be capable of preventing the adhesive coated at the flexible circuit board from contaminating a bond finger. CONSTITUTION: A BGA semiconductor package using a flexible circuit board is provided with a semiconductor chip(10), a flexible circuit board(40) for loading the semiconductor chip, an adhesive for attaching the semiconductor chip to the flexible circuit board, and a bond finger(43). The BGA semiconductor package further includes an adhesive overflow barrier dam(30) between the bond finger and the semiconductor chip. At this time, the thickness of the adhesive overflow barrier dam is smaller than that of the semiconductor chip, so that the adhesive overflow barrier dam doesn't be contacted with a conductive wire(50). Preferably, the adhesive overflow barrier dam is non-conductive.
Patent KR-100265289-B1 (KR)
Inventor: KIM JIN SEONG
IPC: H01J9/14
Filed: 1998-01-26
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cathode in a plasma etching device and a cathode thereby are provided to remove the remaining projections of a hole by using a potassium hydroxide. CONSTITUTION: A method for manufacturing a cathode in a plasma etching device and a cathode thereby comprise the steps of a hole forming process, a physical surface polishing process, and a chemical surface polishing process. The hole forming process enable a plurality of hole on a substrate in order to perform an inflow process of a gas to an etching chamber. The physical surface polishing process is to polish a surface of a silicon substrate by using a slurry. The chemical surface polishing process is to remove the remaining projections from an inner face and an outer face of the hole by using a potassium hydroxide.
Patent KR-100263572-B1 (KR)
Title: 세정성 미용 조성물 및 이의 용도
IPC: C11D3/37
Filed: 1998-04-07
Granted: 2000-08-01
Abstract: 본 발명은 미용학적으로 허용가능한 매질내에, (A) 알킬 에테르 술페이트형의 하나 이상의 음이온성 계면활성제를 포함하는 세척 기재 및 (B) 하나 이상의 불용성 비아미노 실리콘 및 디알릴디메틸암모늄 단독중합체로부터 선택된 하나 이상의 양이온성 중합체를 포함하는 컨디셔닝계를 포함하는 신규 세정성 및 컨디셔닝용 조성물에 관한 것이다. 
     본 발명은 또한 피부 및 모발과 같은 케라틴 물질의 세정 및 관리의 실행에 관한 것이다.
Patent KR-100297460-B1 (KR)
Title: 개선된킬레이트수지
IPC: C02F5/00
Filed: 1998-04-17
Granted: 2001-08-07
Abstract: 본 발명은 개선된 킬레이트 수지에 관한 것이다. 보다 상세히는, 본 발명은 염수로부터 양이온(즉, 칼슘, 마그네슘, 바륨 및 스트론튬) 제거시 및 폐수로부터 금속(즉, 니켈, 구리 및 아연) 제거시에 개선된 안정성과 용량(capacity)을 갖는 대공성의, 아미노알킬포스폰산  또는 이미노디아세트산 킬레이트 수지에 관한 것이다.
Patent KR-100299375-B1 (KR)
Title: Method for monitoring surface characteristic of thin film on semiconductor device
Inventor: OH HUN JEONG
IPC: H01L21/00
Filed: 1998-04-17
Granted: 2001-10-19
Abstract: PURPOSE: A method for monitoring a surface characteristic of a thin film on semiconductor device is provided to easily monitor a surface characteristic such as a roughness of a thin film surface by transforming a detected signal to a numerical value. CONSTITUTION: A ray is irradiated on a thin film(22) on a substrate(21). Dispersive ray(s) is condensed on the thin film(22). A surface component signal and a particle component signal of the thin film(22) are detected from the ray(s) condensed. The surface component signal and the particle component signal are separated and a surface increasing ratio of the thin film(22) is gotten by transforming the particle component signal to a numerical value. The substrate(21) is bare substrate on which pattern is not formed. The irradiating ray and dispersive ray are polarized by using a polarization slit at the steps of irradiation and dispersion of ray.
Patent KR-100365468-B1 (KR)
Title: Center plate for separator of molten carbonate fuel cell
Inventor: CHOI YEONG TAE
IPC: H01M8/06
Filed: 1998-04-30
Granted: 2003-02-19
Abstract: PURPOSE: Provided is a center plate which can reduce disruption, deformation and distortion of thin plate by improving a shape and an arrangement of press-molded protrusion part. CONSTITUTION: The center plate for separator of molten carbonate fuel cell comprises a protrusion part(44a,44b) having a shape of truncated cone, which is oppositely formed by pressing a lamellar, basic material; and collectors(38,40) of anode and cathode, wherein the ends of the protrusion part(44a,44b) are contacted with the collectors(38,40). The center plate can reduce the contact resistance of separator and collector, and prevent the stress concentration to electrode, and thus improve the durability and capability of cell.
Patent KR-100505603-B1 (KR)
Inventor: JUNG TAE GYEONG
IPC: H01L21/50
Filed: 1998-05-12
Granted: 2005-09-26
Abstract: 양산성을 향상시키고 및 처리 비용을 절감할 수 있는 칩 상태의 반도체 소자를 처리하기 위한 패키지형 캐리어 및 이를 이용한 칩 탑재 방법에 관해 개시한다.  이를 위해 본 발명은 내부가 공동(空洞)으로 빈 패키지 형상의 ① 캐리어 본체와,  캐리어 본체 측면에서 외부로 돌출된 ② 외부 리드(Outer leads)와, 캐리어 본체 측면에 구성된 ③ 칩 탑재 통로와, 캐리어 본체 공동의 바닥에 구성된 ④ 칩 탑재 평판(chip mounting plate)과,  칩 탑재 평판 상부에 구성된 절연기판에 도전 패턴을 형성한 ⑤ 내부 연결기판(Inner connection plate)과, 칩 탑재 평판에 고정되어 내부 연결기판을 통해 상기 캐리어 본체 외부로 돌출되는 ⑥ 칩 탑재용 지지대를 구비하는 것을 특징으로 하는 칩 상태의 반도체 소자를 처리하기 위한 패키지형 캐리어(Package type carrier) 및 칩 탑재 방법을 제공한다.
Patent KR-100294310-B1 (KR)
Title: 반도체기억소자및그제조방법
IPC: H01L21/336
Filed: 1998-05-28
Granted: 2001-07-12
Abstract: 반도체기억소자는 기판(1)의 절연막(2)상에 형성된 소스영역(5), 드레인영역(7) 및 그 소스영역과 드레인영역을 접속하는 채널영역(6)을 갖는다. 채널영역(6)과 게이트전극(11) 사이에는 게이트절연막이 형성되어 있다. 상기 소스영역(5), 드레인영역(7) 및 채널영역(6)은 절연막(2)상에 2차원적으로 배열된 구형의 결정립으로 이루어져 서로 인접한 결정립들이 도통상태가 되도록 접속된 결정립 집합체(20)로 구성된다. 상기 채널영역(6)은 전류경로 이외의 위치에 적어도 하나의 캐리어 트랩 영역을 갖는다.
Patent KR-100355524-B1 (KR)
Inventor: KIM IN HYUN
IPC: A47J31/00
Filed: 1998-05-29
Granted: 2003-01-06
Abstract: PURPOSE: A home boiling apparatus is provided to preserve the effect of drug stuffs by quickly recovering steam and improve convenience in the use. CONSTITUTION: A home boiling apparatus comprises a heating container(120) in which a filter(130) having drug stuffs in is secured and water is stored; a steam collector(140) to collect steam produced from the heating container; a hollow radiating fin(150) filled with a coolant to radiate heat of the steam collector; a moving rod(160) vertically moving, fixed to the upper side of the radiating fin; a circulation tube(180) connected to the radiating fin, for circulation of the coolant of the radiating fin; a storage tank(172) fixed to the moving rod, to store the coolant of the circulation tube; and a moving unit to vertically move the moving rod, to separate the moving rod from the steam collector. Thus, steam including drug stuffs is prevented from being exhausted to the outside by quickly cooling the steam collector.
Patent KR-100434533-B1 (KR)
Title: 필드 에미터 어레이의 제조방법
IPC: H01J1/30
Filed: 1998-06-12
Granted: 2004-07-16
Abstract: 본 발명에 따르면, 스핀트 방식에 의해 형성하는 것으로 배면 기판의 표면에 스트라이프 상의 음극이 다수 나란하게 형성되고, 음극의 위에는 홀이 형성된 절연체층이 형성되고, 상기 절연체층 위에 금속 게이트가 상기 절연체층의 홀에 대응하는 개구부를 갖도록 형성되며, 노출된 상기 음극의 표면에 원추형으로 형성된 첨예한 제1팁을 구비하는 필드 에미터 어레이의 제조 방법에 있어서, (가) 상기 기판을 회전시키면서 전자 빔 증착법으로 상기 팁의 선단부에 금속막층을 증착하는 단계; (나) 상기 기판을 회전시키면서 전자 빔 증착법으로 상기 제1팁을 덮어 씌우는 제2팁을 형성하는 단계; (다) 금속막 부산물층 및 상기 금속막 부산물층 상의 제2팁 부산물층을 식각하여 제거하는 단계; 및 (라) 상기 제2팁을 식각하여 다수의 첨예부를 갖는 팁을 형성하는 단계;를 포함하는 필드 에미터 어레이의 제조 방법이 제공된다. 
     따라서, 전계 방출을 위한 팁을 다수의 첨예부를 갖도록 형성하여 단일 팁당 전류 방출을 증가시켜 게이트 홀의 수를 줄임으로써, 전류의 누설을 방지함과 동시에, 열의 발생으로 인한 디바이스의 손상을 방지하고, 전계 분포가 조밀한 점에 그 장점이 있다.
Patent KR-100280363-B1 (KR)
Title: 어린이 운송용 차량의 표시등 코드
IPC: B60Q7/00
Filed: 1998-06-15
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 어린이 운송용 차량의 표시등 코드에 관한 것으로서, 그 구성은 기존의 차량(1) 상부에 표시등 받침대(10)가 설치되어 소정의 위치에 설치되는 표시등(11)에 전원을 공급하는 배선(20)과, 상기 배선(20)이 외부로 노출되는 부분을 감싸고, 외압등으로 발생하는 손상을 방하도록 하며, 내구성을 향상하기 위하여 설치되는 주름관(30)과, 상기 주름관(30)의 외부를 덮어 미관이 수려하도록 마감하게 되는 피복부재(40)로 구성되어진 것이다. 
     상기와 같은 본 발명의 구성에 의하면, 표시등(11)에 전원을 공급하는 배선(20)을 설치할때, 배선(20)고 피복부재(40)의 사이에 주름관(30)이 설치되어 설치후 배선을 고정하기가 용이하며, 차량(1)의 주행이나 기후등의 변화로 발생되는 외압등으로 부터 배선이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있으며, 외관을 수려하게 할 수 있는 매우 유용한 고안인 것이다.
Patent KR-100552354-B1 (KR)
IPC: A61K6/90
Filed: 1998-06-18
Granted: 2006-05-25
Abstract: 본 발명은 저장 안정성의 손실, 가황 온도에서 경화의 지연, 영구적인 친수성 또는 경화된 폴리실록산의 다른 바람직한 특성의 손실 없이, 보다 낮은 분자량의 불포화 실록산-폴리에테르 공중합체와 α,ω-디비닐폴리실록산의 혼화성을 개선하기 위한 방법을 제공한다.  본 발명의 조성물은 1 종 이상의 α,ω-디비닐폴리실록산, 바람직하게는 트리실록산인 2 내지 5 개의 규소 원자를 갖는 불포화 폴리실록산-폴리에테르 공중합체, 및 상용화 첨가제를 포함한다.  영구적으로 친수성이고, 급속하게 습윤되는 폴리실록산 조성물은 <50˚의 정적 수 접촉각 및 약 100 미만의 동적 진출 접촉각을 제공한다.
Patent KR-100293722-B1 (KR)
Title: 액체 유기금속 원료로 형성되는 비에스티 유전막을 갖는 캐패시터 제조 방법
IPC: H01L27/108
Filed: 1998-07-02
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 캐패시터의 유전막으로 이용되는 (Ba,Sr)TiO 3 박막의 특성을 향상시킬 수 있으며, 비교적 저온에서 박막 형성 공정을 실시할 수 있는, 액체 유기금속 원료로 형성되는 비에스티((Ba,Sr)TiO 3 ) 유전막을 갖는 캐패시터 제조 방법에 관한 것으로, Ba, Sr 및 Ti 유기금속 원료들 사이의 반응성 및 분해성이 유사한 액체 유기금속 원료인 Ba(C 14 H 25 O 4 ) 2 , Sr(C 14 H 25 O 4 ) 2 및 Ti(C 6 H 12 O 2 )(C 11 H 19 O 2 ) 2 를 소오스로 사용하고, 350 ℃ 내지 500 ℃의 온도 조건에서 (Ba,Sr)TiO 3 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100282518-B1 (KR)
Title: 반도체 메모리의 셀프 리프레시 방법
IPC: G11C11/406
Filed: 1998-07-24
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리의 셀프 리프레시 방법에 관한 것으로, 종래 반도체 메모리의 셀프 리프레시 방법은 하나의 글로벌 워드라인신호에 대해 다수의 워드라인 인에이블신호가 인가되어 각 뱅크의 특정 어드레스를 리프레시하는 과정을 하나의 글로벌 워드라인신호에 대해 각각 하나의 워드라인 인에이블신호를 인가하여 각각에 대해 리프레시 동작을 수행함에 따라 각 글로벌 워드라인신호와 워드라인 인에이블신호의 프리차지구간이 증가하여 소비전력이 증가하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 각 뱅크에 일정한 시간 간격을 두고 다수의 글로벌 워드라인신호를 순차적으로 인가함과 아울러 그 글로벌 워드라인신호의 각각이 인가되는 구간에서 모든 워드라인 인에이블신호를 인가하여, 특정 글로벌 워드라인신호를 인가받는 모든 서브워드라인이 리프레시 될 때까지 그 글로벌 워드라인신호가 프리차지되지 않도록 함으로써, 소비전력을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100305517-B1 (KR)
Title: 합성수지제패리트
IPC: B65D19/00
Filed: 1998-07-27
Granted: 2001-11-22
Abstract: 본 발명은 4각형 외곽틀재의 내부를 연결부재에 의하여 격자형으로 연결한 상판의 뒷면에 여러개의 받침대를 일체로 형성함에 있어, 받침대의 개방된 상측이 바닥이 막힌 하측보다 약간 넓게 압축성형하여 「 」형 단면이 되게 한 합성수지제 패리트에 관한 것으로, 외곽틀재(2)의 내부를 연결부재(3)에 의하여 격자면으로 형성한 상판(4)의 뒷면에 받침대(5)를 일체로 형성된 합성수지제 패리트(1)에 있어서, 개방된 상측부(5a)의 폭을 바닥이 막힌 하측부(5b)의 폭보다 넓게 형성하여 「 」형 단면의 받침대(5)를 가진 합성수지제 패리트인 것이다.
Patent KR-100280780-B1 (KR)
Title: 독립선재모델에 의한 초전도 에너지 저장장치용 초전도코일의권선장력 산출방법
IPC: H01F6/00
Filed: 1998-07-29
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 독립선재모델에 의한 SMES용 초전도코일의 권선장력 산출방법에 관한 것으로서, 원통좌표계(r,Φ,z)를 사용하되, 자기응력은 반경방향(r)의 자기력에 의한  방향 응력으로서 다음 식     (J Φ 는 전류밀도, B z 는 최대자장, R은 코일의 반경이다.)에 의해 계산하고, 동일방향 의 권선응력은 다음 식     (A는 초전도 선재의 단면적, T는 권선장력이다.)에 의해 계산하면 Φ 방향으로 작용하는 총 응력은 σ m + σ w 이 된다. 그런데, 코일에 인가할 수 있는 총 응력은 초전도 코일의 항복강도인 σ y 보다는 작은 값을 가져야 하므로 최종적으로 식 σ y 〉 σ m + σ w 을 만족하여야 한다. 따라서, 상기 독립선재모델에 의한 자기응력 산출식에 의거하여 자기응력을 구한 후 각각의 식을 만족하는 권선장력을 구하여 초전도 코일을 제작하면, 제작된 초전도 코일의 quench 전류 값을 상승시킴으로써 코일의 성능을 향상시킬 수 있는 매우 유용한 발명인 것이다.
Patent KR-100298113-B1 (KR)
Title: 윈도어창호용프레임제조방법및그장치
IPC: B21D5/00
Filed: 1998-09-28
Granted: 2001-11-22
Abstract: 본 발명은 표면을 가공한 (밀러, 헤어라인) 스테인레스 띠 강판 또는 스틸 띠를 두루마리 형태로 권취 한 소재로서, 이것을 소재로 하는 윈도우 및 창호용 프레임 제조방법 및 그 장치에 관한 것으로 특히 일정한 폭으로 스리팅한 코일을 V컷팅 하는 V컷팅 공정과 V컷팅 된 소재를 소망하는 치수로 1차 펀칭부분 절단되는 펀칭공정과 일정한 성형롤에 의해 성형되는 성형(포밍)공정과 성형된 프레임을 교정하는 교정기와 1차 펀칭된 부분에 절단하는 절단공정을 갖는 제조, 절단 장치로서 전자, 전기장치에 의한 연속적으로 이루어져 생산성을 극대화시키고 프레임에 모헤야를 끼울 수 있는 홈을 성형 절곡하여 완벽한 밀폐성으로 냉난방의 절감 효과로 에너지를 절약할 수 있는 고품질의 프레임을 다량 제조하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
Patent KR-100288589-B1 (KR)
Title: 모터의 데드타임 보상 제어 방법
IPC: H02P27/08
Filed: 1998-10-08
Granted: 2001-05-02
Abstract: 모터로 인가되는 전류(i)의 방향 및 전류(i)의 크기를 검출하는 1 단계와, 상기 제 1 단계에서 검출한 전류(i)의 방향이 양수일 때, 상기 전류(i)의 크기가 데드타임 보상량 기준 값(It)보다 큰가를 비교하는 2 단계와, 상기 제 2 단계에서 i가 It보다 크면, f(i)=0라는 함수에 따라 S_신호가 인가되는 모터구동 스위치의 오프 기간에 데드타임(Td)을 인가하는 3 단계와, 상기 제 2 단계에서 i가 It보다 작으면, f(i)=Td(1-(i/It))라는 보상 함수에 따라 S_신호가 인가되는 모터구동 스위치의 오프 기간에 데드타임(Td)을 인가하는 4 단계와, 상기 제 1 단계에서 검출한 전류(i)의 방향이 음수일 때, 상기 전류(i)의 크기가 데드타임 보상량 기준 값(It)보다 큰가를 비교하는 5 단계와, 상기 제 5 단계에서 i가 It보다 크면, f(i)=-2Td라는 함수에 따라 S+신호가 인가되는 모터구동 스위치의 온 기간에 데드타임(Td)을 인가하는 6 단계, 및 상기 제 5 단계에서 i가 It보다 작으면, f(i)=Td(1-(i/It))라는 보상 함수에 따라 S+신호가 인가되는 모터구동 스위치의 온 기간에 데드타임(Td)을 인가하는 7 단계를 구비하여, 서보 드라이버나 인버터의 전압 명령과 실제로 모터에 인가되는 전압의 차이가 작아지게 함으로써, 모터에 발생하는 전류 파형의 왜곡, 소음, 발열 등의 문제를 줄일 수 있고, 우수한 저속 제어 성능을 얻을 수 있도록 하는 모터의 데드타임 보상 제어 방법에 관한 것이다.
Patent KR-100519706-B1 (KR)
Title: 캐스코드 증폭기
IPC: H03F3/45
Filed: 1998-10-20
Granted: 2005-12-12
Abstract: III-V 기판 상에 일체형 회로로서 형성된 캐스코드 증폭기를 개시한다. 기판은 그 표면의 측방향으로 간격을 두고 있는 한 쌍의 활성영역을 따라 형성된 한 쌍의 긴 활성영역을 갖는다. 각각의 활성영역에는 그 내부에 복수의 전기적으로 상호 접속된 트랜지스터 셀이 형성되어 있다. 활성영역 중 제1 활성영역에 형성된 트랜지스터 셀은 공통 이미터 배열로 상호 접속되고, 활성영역 중 제2 활성영역에 형성된 복수의 트랜지스터 셀은 공통 베이스 배열로 상호 접속되어 있다. 복수의 제1 저항이 기판의 표면 상에 배설되고, 각각의 저항은 접지 전위에 결합하도록 되어 있는 제1 전극과 제1 활성영역에 형성된 대응하는 한 쌍의 인접한 트랜지스터 셀의 이미터 영역에 접속된 제2 전극을 구비한다. 제1 활성영역 내의 각각의 트랜지스터 셀이 제2 활성영역 내의 대응하는 하나의 트랜지스터 셀의 이미터 영역에 접속된 컬렉터 영역을 구비한다. 제2 활성영역 내의 트랜지스터 셀의 컬렉터 영역이 기판의 표면 상에 배설되어 증폭기용 출력을 제공하는 출력 버스에 접속된다. 일체형으로 기판 상에 형성된 접지 커패시터는 접지되어 있는 제1 플레이트 및 제2 영역 내의 트랜지스터 셀의 베이스 영역을 전기적으로 복수의 저항에 상호 접속시키는 제2 플레이트를 구비한다.
Patent KR-100282333-B1 (KR)
Title: 모니터의 절전 회로
IPC: H02M3/335
Filed: 1998-11-12
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 적어도 하나 이상의 DPM 모드에서 히터전원을 선택적으로 출력함으로써 메인 트랜스포머의 1차측에서의 소비 전력을 절감할 수 있도록 한 모니터의 절전회로에 관한 것이다. 이 모니터의 절전회로는 교류전원을 정류 및 평활한 후 트랜스포머의 내부 권선비에 따른 직류전압의 역률을 보상하는 역률제어부, 상기 역률 보상된 직류전압에 따라 다수개의 서로 다른 전압을 출력하도록 메인 트랜스포머를 제어하는 메인전원 제어부, 상기 역률 보상된 직류전압에 따라 마이컴 전원과 히터전원을 각각 출력하도록 서브 트랜스포머를 제어하는 서브전원 제어부, 상기 전원회로를 전반적으로 제어하고 DPM 모드에 따른 제1 및 제2 DPM 제어신호를 출력하는 마이컴, 상기 제1 DPM 제어신호에 따라 히터전원을 출력하는 제1 절전부, 상기 제2 DPM 제어신호에 따라 광신호를 출력하는 제2 절전부, 상기 제2 절전부의 광신호에 따라 상기 메인전원 제어부의 스위칭 동작을 차단하는 메인전원 스위칭부로 구성되어 초절전 Energy 2000규격의 절전모드시 3W의 규격을 만족한다.
Patent KR-100306301-B1 (KR)
IPC: B65G49/07
Filed: 1998-11-17
Granted: 2001-10-20
Abstract: 본 발명은 픽업수단이 모듈 아이씨를 픽킹(Picking)하는 모듈 아이씨 핸들러에서 고객트레이내의 모듈 아이씨 픽킹방법 및 그 장치에 관한 것으로, 생산 완료된 모듈 IC가 고객 트레이내에 담겨진 상태에서 상기 모듈 IC를 픽업수단이 직접 픽킹하여 캐리어 또는 테스트 싸이트내의 테스트 소켓에 로딩할 수 있도록 한 것이다. 
     이를 위해, 로딩 포지션에 회동가능하게 설치되어 고객 트레이(1)가 얹혀지는 회동테이블(8)과, 상기 회동테이블의 일측 저면에 접속되게 설치되어 상기 회동테이블을 일측으로 기울이는 편심캠(11)과, 상기 고객 트레이내의 모듈 IC를 픽킹하는 픽업수단(4)을 회동테이블의 기울기와 일치되게 기울어지도록 하는 구동수단으로 구성하여 테스트할 모듈 IC(3)가 담겨진 고객 트레이(1)를 로딩 포지션의 회동테이블(8)에 위치시키는 단계와, 상기 고객 트레이가 얹혀진 회동테이블을 일측으로 기울여 고객 트레이에 담겨진 모듈 IC가 동일방향으로 가지런히 기울여지도록 하는 단계와, 상기 고객 트레이(1)내에 담겨진 모듈 IC(3)를 픽킹하는 픽업수단(4)을 모듈 IC의 기울기와 일치되게 회동시켜 고객 트레이(1)로부터 모듈 IC를 픽킹한 다음 초기상태로 환원되어 픽킹된 모듈 IC를 캐리어 또는 테스트 소켓내에 로딩하는 단계를 반복적으로 진행하게 된다.
Patent KR-100282057-B1 (KR)
Title: 단말기간의 마스터/슬레이브 결정시 듀타임값설정 방법
IPC: H04L12/58
Filed: 1998-12-01
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 제한된 네트워크 리소스의 억세스 충돌을 방지하기 위하여 두 단말기 사이에 이루어지는 마스터/슬레이브 결정시, 요청(request) 신호 송신후 인식(acknowledge) 신호가 수신되기까지의 듀타임값을 네트워크 환경에 적응적으로 최적의 값으로 설정할 수 있도록 한 단말기간의 마스터/슬레이브 결정시 듀타임값 설정 방법에 관한 것으로서, 접속을 위한 요청 신호를 송신하고나서 상대방 단말기로부터 마스터 또는 슬레이브를 위한 인식 신호가 인가되기까지의 듀타임값을 카운트하여 저장하고, 카운트된 시간이 기설정된 듀타임값에서 소정 오차 범위 이내이면 접속 성공으로 판단하고 저장된 듀타임값과 함께 정상 접속임을 체크하여 저장한 후, 카운트된 시간이 기설정된 듀타임값에서 소정 오차 범위를 벗어나면 접속 실패로 판단하여 저장된 듀타임값과 함께 비정상 접속임을 체크하여 저장하고, 이러한 듀타임값 카운트를 소정 회수 반복한 후, 정상 접속시의 듀타임 평균값과 비정상 접속시의 듀타임 평균값을 연산하고 이 두 값을 평균값을 연산하여 최종적으로 듀타임값으로 설정함으로써, 접속 효율을 상승시킬 수 있는 것이다.
Patent KR-100321050-B1 (KR)
Title: 분철광석의유동층식예비환원장치및이를이용한예비환원방법
IPC: C21B13/00
Filed: 1998-12-09
Granted: 2002-04-17
Abstract: 본 발명은 용융선철 및 용융강 제조시 분철광석을 환원시키는 유동층식 환원방법 및 그 환원장치에 관한 것으로서,넓은 입도분포의 분철광석을 안정하게 유동시킬 수 있고, 또한 환원율과 가스이용율을 향상시킬 수 있고, 또한 예열/예비환원공정을 단축시킬 수 있음과 더불어 분철광석의 입도분포에 따라 그 입도별로 체류시간을 융통성있게 제어함으로서 보다 짧은 시간에 보다 높은 평균환원율을 얻을 수 있는 분철광석의 유동층식 환원방법 및 그 환원장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다. 
     본 발명은 분철광석을 유동층식 환원장치에서 환원하는 방법에 있어서, 원통형 대경 상부로와 소경 하부로로 이루어진 시리얼 트윈(serial twin)형 유동층로의 하부로에 분철광석을 장입하고, 중/소립광석의 종말속도이상,대립광석의 종말속도 이하의 유속으로 상기 하부로의 저부에 환원가스를 공급하여 대립광석과 중/소립광석을 유동층로의 하부로와 상부로로 각각 분급하여 대립광석은 유동층로의 하부로에서, 그리고 중/소립광석은 유동층로의 상부로에서 하부로의 저부 및 상부로의 하부측벽을 통해 공급된 환원가스에 의해 예열 및 예비환원시키는 단계; 및 상기에서 예열 및 예비환원된 중/소립광석은 하나의 상광하협의 원추형 유동층로에서 최종 환원시키고, 그리고 예열 및 예비환원된 대립광석은 원통형 유동층로에서 1차 환원시킨 다음, 상기 상광하협의 원추형 유동층로로 보내어 최종환원시키는 단계를 포함하여 구성되는 분철광석의 유동층식 환원방법및 환원장치를 그 요지로 한다.
Patent KR-100370473-B1 (KR)
Title: 페라이트 세립형 구조용강의 제조방법
IPC: C21D8/00
Filed: 1998-12-24
Granted: 2003-05-12
Abstract: 본 발명은 항복강도 45㎏f/㎟이상, 인장강도 62㎏f/㎟이상, 연신율 20% 이상의 기계적 성질을 갖는 고강도의 65㎏f/㎟급 구조용강 제조방법에 관한 것으로, 그 구성은 중량%로 C : 0.05∼0.2%, Si : 0∼0.5% Mn :0.9∼1.8%, Ti : 0.008∼0.012%, V : 0.03∼0.08%, N : 0.005∼0.01%와 미량의 불가피한 불순원소 및 Fe로 조성된 합급강괴를 주조하는 단계와, 주조된 강괴를 1100∼1300℃로 가열후 오스테나이트 재결정온도에서 50%이상 압연후 서냉시켜 페라이드를 생성시키는 단계와, 페라이트가 생성된 강판을 다시 50%이상의 압하로 압연하여 압연시 가공열로 변형된 페라이트를 재결정시키는 단계와, 1∼10℃/S로 상온까지 냉각시키는 단계로 구성되는 페라이트 세립형 구조용강 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-100597559-B1 (KR)
IPC: H02K19/10
Filed: 1998-12-29
Granted: 2006-10-31
Abstract: 스위치드 릴럭턴스 머신에 있어서, 정렬된 회전자 및 고정자 자극 사이에 공기 갭이, 일정한 길이의 내부 영역과 증가한 길이의 외부 영역을 갖도록 형성된다. 외부 영역은 상기 자극의 측벽과 각 외부 영역 사이의 상기 자극 상에 둥글려진 변화 영역(radiused transition region)을 형성하는 자극의 일측 또는 양측 상에서 연장부에 의해 측면과 접하게 된다. 적어도 하나의 자극은 상기 연장부와 적층판의 본체 사이에 웨이스트부를 갖는다. 회전자가 고정자에 대하여 회전함에 따라, 상기 자극들의 정렬이 플럭스 경로를 더 점진적으로 변화시켜, 고정자를 왜곡시켜 진동을 발생시키는 반경 방향의 힘과 음향 잡음을 감소시킨다. 상기 웨이스트부는 회전자의 최소 인덕턴스 위치에서의 고정자 권선의 인덕턴스를 저감시킨다.
Patent KR-100279504-B1 (KR)
Title: 광 검출 소자 제조방법
IPC: H01L31/12
Filed: 1998-12-30
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명에 의한 광 검출 소자 제조방법은, 유리기판 상의 소정 부분에 접착제를 사이에 두고 횡방향으로 길게 연장된 구조의 반도체막을 형성한 뒤, 상기 반도체막의 각 장변과 일부 오버랩되도록 상기 각 장변을 따라 상기 기판 상에 복수의 금속 패드를 형성하고, 상기 금속 패드에 의해 보호된 부분과 수광부로 사용될 부분을 제외한 영역의 상기 반도체막을 제거하여 각 단위 픽셀 간을 분리한 다음, 수광부로 사용될 부분의 상기 반도체막 패턴 상에만 선택적으로 보호막과 비반사 코팅막을 순차적으로 형성하도록 이루어져, 1) 반도체막 식각시 소요되는 건식식각 시간을 줄일 수 있게 되므로 반도체막의 열화를 막을 수 있게 되고, 2) 리프트-오프 공정을 적용한 금속 패드 형성시 금속막의 두께나 종류에 제한을 받지 않게 되므로 용이한 공정 진행이 가능하게 되며, 3) 10㎛ 이상의 단차를 극복하면서 어렵게 금속 패드를 형성할 필요가 없어 기존 금속 패드 형성시 야기되던 불량 발생을 미연에 방지할 수 있게 되므로 수율 향상을 이룰 수 있게 되어 고성능의 광 검출 소자를 구현할 수 있게 된다.
Patent KR-100367154-B1 (KR)
Title: 아카보오스분해능이있는아밀라제,그것을코딩하는유전자,그것을생산하는미생물및그아밀라제의용도
IPC: C12N15/56
Filed: 1998-12-30
Granted: 2003-12-24
Abstract: 본 발명은 아카보오스를 분해하며, 아카보오스를 분해하여 생성된 아카비오신-글루코오스를 여러 가지 당수용체에 전이할 수 있는 내열성 아밀라제, 그것을 코딩하는 유전자, 그것을 생산하는 Thermus sp . IM6501 KCTC 0527BP 및 상기 아밀라제를 대량 생산하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 본 발명의 아밀라제를 이용하여 전분분해효소 억제제로 사용될 수 있는 다양한 아카비오신-글루코오스 유도체를 생산하는 방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 아밀라제는 풀루란에 작용하여 주로 판노오스를 생성하고, 전분과 β-사이클로덱스트린을 분해하여 말토오스와 소량의 글루코오스를 생성하며, 아카보오스를 글루코오스와 아카비오신-글루코오스로 분해하고 생성된 아카비오신-글루코오스를 여러 가지 당수용체에 전이시키는 특성이 있다.
Patent KR-100263434-B1 (KR)
Inventor: MIYATA KAZUYOSHI
IPC: C07D239/90
Filed: 1996-08-26
Granted: 2000-08-01
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 염기의 존재하에 할로겐화 트리알킬실란과 반응시켜 약제로서 또는 그의 합성 중간체로서 중요한 하기 화학식 2의 퀴나졸린-4-온 유도체를 생성함을 포함하는, 부생성물의 양을 감소시키면서 일련의 퀴나졸린-4-온 유도체를 높은 수율로 제조하는 신규한 방법을 제공한다: 
     [화학식 1] 
     
       
     
     [화학식 2] 
     
       
     
     상기 식에서, R 1 , R 2 , R 3 및 R 4 은 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 저급 알킬기, 할로겐 원자, 니트로기, 저급 알콕시기, 시아노기, N-저급 알킬카바모일기, 저급 알콕시카보닐기, 저급 알카노일옥시기 또는 할로겐-치환된 저급 알킬기이고; R 5 은 각각 저급 알킬기, 저급 알콕시기 또는 할로겐 원자로부터 선택된 1내지 3개의 치환기를 가질 수 있는 페닐기; 저급 알킬기; 페닐 고리상에 치환기로서 하나의 할로겐 원자를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 저급 알케닐기; 저급 알콕시-저급 알킬기 또는 저급 알키닐기이고; R 6 은 저급 알킬기, 할로겐-치환된 저급 알킬기, 저급 알콕시카보닐기 또는 치환기로서 저급 알킬기 또는 하기 화학식 3의 기를 가질 수 있는 페닐기이다: 
     [화학식 3] 
     
       
     
     [상기 식에서, A는 산소 원자 또는 단일 결합이고, Z는 저급 알킬렌기이고, R 7 은 저급 알킬기이고, R 8 은 저급 알콕시기, 페닐기 또는 페닐 고리상에 하나의 할로겐 원자를 가질 수 있는 페닐-저급 알콕시기이다].
Patent KR-100399649-B1 (KR)
IPC: H02J1/06
Filed: 1996-03-18
Granted: 2003-11-15
Abstract: An electrical distribution system and method has storage battery mechanism of very large equivalent capacitance providing excellent ripple filtering and an ideal path to ground, and filter capacitor mechanism of microfarad size providing DC blocking and limited AC path to ground. The storage battery entity is maintained as to its charge by DC supply which provides regulated DC power in which switching regulation may be involved. The system and method provides dual voltage capability, both DC and AC in which circuit breakers may be ganged for simultaneous tripping, and in which intrinsic DC circuit(s) may be looped to increase current-carrying capability.
Patent KR-100530762-B1 (KR)
Title: 광각 기능을 갖는 광학계
IPC: G02B9/00
Filed: 1999-01-15
Granted: 2005-11-23
Abstract: 광각 기능을 갖는 광학계가 개시된다. 개시된 광각 기능을 갖는 광학계는 원고측으로부터 순차로 고정 배치된, 정의 굴절력을 가지는 제1렌즈와; 부의 굴절력을 가지는 제2렌즈와; 부의 굴절력을 가지는 제3렌즈와; 부의 굴절력을 가지는 제4렌즈와; 정의 굴절력을 가지는 제5렌즈와; 정의 굴절력을 가지는 제6렌즈와; 정의 굴절력을 가지는 제7렌즈와; 부의 굴절력을 가지는 제8렌즈와; 정의 굴절력을 가지는 제9렌즈; 및 정의 굴절력을 가지는 제10렌즈;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100617524-B1 (KR)
IPC: H01L23/50
Filed: 1999-01-27
Granted: 2006-09-01
Abstract: 절연기판 상에 소정의 배선부를 배치하고, 해당 배선부에 근접하는 위치에 전자파 차폐막을 배치한 배선기판과; 반도체 칩의 집적회로가 형성되어 있는 표면 위에 절연막을 통해 전자파 차폐막을 배치하고, 해당 전자파 차폐막 위에 절연막을 통해 리드를 배치하며, 이 리드와 반도체 칩의 외부단자를 전기적으로 접속하여, 그 결과의 구조체를 봉지재로 밀봉한 반도체 장치와; 절연재 위에 복수의 리드가 형성된 회로기판과, 복수의 리드 위에 절연재를 통해 배치되고, 와전류를 흘리는 것에 의해 복수의 리드의 자기 인덕턴스를 감소시키는 도체로 이루어진 전자부품용 회로기판이 설치되어 있다. 이와 같이, 일반의 배선기판에 배치되어 있는 배선부 또는 반도체 패키지 내에 배치된 배선리드의 인덕턴스의 감소와 유도성 크로스 토크의 감소가 가능한 기술을 제공한다. 또한, 수량이 많은 디지탈회로의 분야에서도, 간단히 회로기판의 특성 임피던스를 조정할 수 있는 전자부품용 회로기판을 얻는다. 
       
     배선기판, 반도체 장치, 전자장치, 집적회로, 전자파 차폐막, 전자부품용 회로기판
Patent KR-100396128-B1 (KR)
Inventor: YUKIO IIGAHAMA
IPC: G02F1/136
Filed: 1999-02-02
Granted: 2003-08-27
Abstract: PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to prevent phenomenon in which ghost is generated by forming a shading layer in a Fresnel lens. CONSTITUTION: One of two arrays(16) receives light from one image modulator, and other of the two arrays(16) receives light from the other image modulator. Two Fresnel lenses(18) are allocated so that the light is received in a shape surface of the corresponding Fresnel lens between the two Fresnel lenses(18) from the array selected between the two arrays(16). A screen(22) receives the light from the two image modulators through the two arrays(16) and the two Fresnel lenses(18). A partition portion is allocated in the screen(22) among the two image modulators, the two arrays(16) and the two Fresnel lenses(18) for preventing that the light is emitted from one set to an adjacent set.
Patent KR-100564140-B1 (KR)
IPC: G11B19/20
Filed: 1999-02-09
Granted: 2006-03-27
Abstract: 본 발명은, 불균형 보상 수단을 구비한, 디스크 형태의 기록 매체의 판독 및/또는 기록을 위한 장치에 관한 것이다.  
     본 발명의 목적은, 심지어 교환 가능한 기록매체가 사용되는 때에도, 가능한 가장 적은 불균형을 갖는 이러한 형태의 장치를 제안하는 것이다.  
     이러한 목적은, 본 발명에 따라, 불균형 보상 수단이 동작 중에 가변적인 원심력을 생성하는 원심력 생성 수단이라는 사실에 의하여 이루어진다. 본 발명의 다른 특성에 따라, 기록 매체의 위치를 설정하기 위한 위치 설정 수단이 되는 불균형 보상 수단이 준비된다. 
     본 발명의 응용 분야는 특히, CD, CD-ROM, DVD, DVD-ROM, DVD-RAM 등등과 같은 광 기록 매체의 판독 및/또는 기록을 위한 장치를 포함한다.
Patent KR-100600782-B1 (KR)
IPC: F25D21/06
Filed: 1999-03-05
Granted: 2006-07-14
Abstract: 본 발명은 압축기에서 나온 고온 고압의 냉매를 곧바로 증발기측으로 공급하여 제상하는 핫 가스 제상방식의 냉장고의 압축기를 제어하는 방법에 있어서, 냉장고의 제상시스템이 제상작용에 다른 소비전력의 증가 및 고내 온도의 상승이라는 문제점을 내포하고 있거나 압축기에 과부하가 걸리게 하여 압축기의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 있기 때문에, 
     제상운전시에는 통상운전시에 비해 적은 동력으로 압축기를 작동시키도록 함으로써, 
     냉장고의 운전모드에 따라 압축기의 구동력을 변화시키게 되므로 과부하에 의한 운전정지가 발생되지 않게 되어 원활한 제상이 수행되며 과부하가 걸리지 않게 되어 압축기의 신뢰성이 향상되도록 하는 냉장고의 제상방법에 관한 것이다. 
       
     냉장고,제상,과부하보호장치,가변용량 압축기,증발기
Patent KR-100554764-B1 (KR)
IPC: H02P5/68
Filed: 1999-05-06
Granted: 2006-02-22
Abstract: 필요한 릴레이의 개수를 저감하여 경량화 및 저원가화를 실현한 모터구동회로를 제공하는 것을 그 과제로 한다. 
     그것을 해결하기 위한 수단으로 전원회로측 릴레이(2a)의 공통접점(5a)과 모터측 릴레이(12a)의 공통접점(15a)이 접속되어 있다.  또한 전원회로측 릴레이(2b)의 공통접점(5b)과 모터회로측 릴레이(12b)의 공통접점(15b)이 접속되어 있다.  그리고 전원회로측 릴레이(2a)(2b) 및 모터회로측 릴레이(12a)(12b)의 각 변환접점(6a)(6b) 및 (16a)(16b)은 ECU의 릴레이 변환신호에 의해 각각 따로 변환하도록 되어있다.  전원회로측 릴레이(2a)(2b)의 택일적 변환에 의해 각 모터회로(21∼24)로의 통전방향이 변환된다.