baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100532377-B1 (KR)
Title: 비편향 자기 저항 헤드
Inventor: LEE HAE JUNG
IPC: G11B5/39
Filed: 1998-01-15
Granted: 2006-02-08
Abstract: 기록 자속의 변화에 따라 선형적인 출력을 제공하는 새로운 구조의 자기 저항 헤드에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 MR 헤드는 디스크에 기록된 기록 자계의 변화에 상응하는 전기적 출력을 발생하는 자기 저항 헤드에 있어서, 그의 순방향이 기록 자계의 방향과 나란하게 되도록 배치된 자기 저항 엘리먼트; 및 상기 자기 저항 엘리먼트에 결합되며, 측정 전류를 유입하는 도체들을 포함하는 것을 특징으로 한다. 
     본 발명에 따른 MR 헤드는 기록 자계의 변화에 대하여 선형적인 출력특성을 가지며, 종래의 MR 헤드에서 소요되는 SAL과 같은 바이어스 수단이 필요없게 되는 이점이 있다.
Patent KR-100270949-B1 (KR)
Inventor: NARITA KAROU
IPC: H01L27/04
Filed: 1998-01-31
Granted: 2000-11-01
Abstract: 전압 클램핑 소자들(81a-86a)은 각각 제1 다이오드들(81b-86b)과 쌍을 이루며, 전압 클램핑 소자들의 쌍들/ 제1 다이오드들은 제1 공통 방전라인(59)과 포지티브 전원전압(Vdd) 및 그라운드 전압(Vss)을 선택적으로 공급받는 전원 단자들(54/55/57/58) 사이에 연결된다. 그러나, 만일 포지티브 전원전압(Vdd)에 대한 포지티브 정전 펄스가 그라운드 단자에 인가된다면, 전압 클램핑 소자들/ 제1 다이오드들은 과잉 전압으로부터 내부회로(51)를 보호할 수 없다; 제2 다이오드(87-90)는 제2 공통 방전라인(60)과 상기 관련된 순방향 제2 다이오드들을 통한 포지티브 정전 펄스 방전에 관한 그러한 방식에서의 단자들 사이에 연결되며, 그 내부회로는 완전하게 과잉 전압으로부터 보호된다.
Patent KR-100521322-B1 (KR)
Title: 반도체소자 제조장비의 진공척의 진공도 측정장치
Inventor: LEE GYU MYEONG
IPC: G01L21/00
Filed: 1998-03-17
Granted: 2005-12-26
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조장비의 진공척의 진공도 측정장치에 관한 것이다.  
     본 발명은 진공척에 안착되어 고정되는 밀착판, 상기 밀착판 중앙에 상기 진공척의 진공홀을 포함하는 넓이의 부분이 돌기되어 소정의 공간을 이루는 몸체 및 상기 몸체 상부에 개재되는 진공계를 포함하여 이루어진다. 
     상기 진공계는 아날로그 또는 디지털 형태인 것을 사용한다. 상기 밀착판 및 몸체의 재질은 테플론(Teflon) 또는 아크릴(Acryl)인 것이 바람직하다. 상기 반도체소자 제조장비는 포토레지스트(Photoresist)의 코팅과 현상공정을 수행하는 트랙(Track)장비일 수 있다. 
     따라서, 본 발명에 의하면 진공척의 진공도를 정확하게 측정하여 진공이 전달되는 통로의 누출 및 막힘을 사전에 확인할 수 있어 진공도의 낮음으로 인한 웨이퍼 깨짐을 방지하는 효과가 있다.
Patent KR-100277607-B1 (KR)
Title: 스폿트 용접시 흔적 제거장치
Filed: 1998-05-11
Granted: 2001-01-15
Abstract: 본 발명은 가압용접(Welding With Pressure) 방법의 일종인 스폿트 용접(Spot Welding)시 용접된 부분에 생기는 흔적을 제거하기 위한 스폿트 용접시 흔적 제거장치에 관한 것이다. 
     이를 위해 본 발명은 평판형의 기준판과, 상기 기준판 상측에 높이조절이 가능하게 복수개의 볼트를 통하여 체결되는 소재받침판과, 상기 기준판과 소재받침판 사이에 탄설되는 쿠션재로 구성되는 지그(Jig)형태의 흔적 제거장치로서 상기 소재받침판의 상하측에 각각 가동전극과 고정전극을 위치시킨 상태에서 소재받침판 상단에 용접할 소재를 겹쳐지게 올려놓고, 상기 가동전극을 고정전극 쪽으로 이동시키면 소재가 가압되면서 소재의 가압부 주위가 구멍이 있는 소재받침판 하단으로 탄성굽힘 변형되거나, 또는 소재의 변형이 경미한 상태에서 쿠션재가 압축되고, 용접진행과 더불어 가열된 소재가 유연하게 될 때 쿠션재의 탄성 복원력에 의해서 소재가 탄성굽힘 변형을 하게 된다. 
     용접이 완료되면 탄성변형 되었던 소재는 다시 원래의 형상으로 복귀하며 탄성변형시의 고정전극부 방향에는 함몰흔적이 거의 발생하지 않는다.
Patent KR-100331314-B1 (KR)
Inventor: LEE HYEONG GU
IPC: B41J2/385
Filed: 1998-05-25
Granted: 2002-05-09
Abstract: PURPOSE: A developing unit of a wet electrophotographic printer is provided to supply a developer in a container to the space between a developing roller and a photosensitive belt by using the rotational force of the developing roller as a drive source. CONSTITUTION: A developing unit comprises a container containing a developer, a developer roller(143) rotatably installed in the container, a developer supply unit supplying the developer to the space between the developer roller and a photosensitive belt(110), a cleaning roller removing the residual developer, first and second squeeze rollers squeezing the developer, and first and second blades scraping the developer stuck on the squeeze rollers.
Patent KR-100285063-B1 (KR)
Title: 동기형 램 장치와 시스템 버스를 공유하는 동기형 플래시 메모리 장치의 소거 및 쓰기 방법
IPC: G11C11/406
Filed: 1998-08-13
Granted: 2001-03-15
Abstract: 여기에 개시되는 시스템에는, 동기형 플래시 메모리 장치, 리프레시 모드를 가지는 동기형 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치, 그리고 상기 장치들의 동작을 제어하기 위한 제어기가 제공된다.  상기 동기형 플래시 메모리 장치는 동기형 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치와 시스템 버스를 공유하고, 데이터를 저장하는 복수 개의 메모리 셀들의 어레이, 그리고 상기 시스템 버스에 연결되고 그리고 외부 제어 신호들을 받아들이는 복수 개의 핀들을 구비한다.  게다가, 상기 제어기는 상기 시스템 버스에 연결된다.  상기 시스템 버스를 공유하는 상기 동기형 플래시 메모리 장치의 데이터 프로그래밍 방법에는, 상기 동기형 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치가 먼저 정상 모드에서 상기 리프레시 모드로 설정된다.  그 다음에, 상기 동기형 플래시 메모리 장치의 프로그래밍 동작을 알리는 프로그램 명령이 상기 핀들 중 대응하는 핀을 통해서 상기 동기형 플래시 메모리 장치로 입력되었는 지의 여부가 판별된다.  계속해서, 만약 상기 프로그램 명령이 입력되면, 외부로부터 인가되는 데이터가 상기 동기형 플래시 메모리의 상기 어레이 내에 프로그램된다.  마지막으로, 상기 프로그래밍 단계가 완료된 후, 상기 동기형 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치는 상기 리프레시 모드에서 상기 정상 모드로 진입된다.
Patent KR-100297129-B1 (KR)
Title: 공기조화기의모듈형열교환기
IPC: F24F13/30
Filed: 1998-08-17
Granted: 2001-09-29
Abstract: 본 발명은 공기조화기의 모듈형 열 교환기에 관한 것으로서, 제1,2구멍이 형성된 플레이트가 겹쳐지도록 구비된 핀부와, 제1,2구멍에 삽입되도록 소정의 길이를 가지는 제1,2중공관과, 핀부와 제1,2중공관의 양단에 고정된 제1,2고정 플레이트와, 제1중공관에 연결되는 유입 파이프와, 제2중공관에 연결되는 리턴 파이프로 이루어진 열 교환기에 있어서, 상기 핀부를 일정한 크기로 모듈화시켜 상하부가 동일한 구조로 분리 조립이 가능하도록 각각 구성된 제1핀부(40) 및 제2핀부(40a)와, 상기 제1핀부(40)와 제2핀부(40a)에 조립 구비된 제1,2중공관에 끼워져 제1핀부(40)와 제2핀부(40a)의 좌우 양측면에 각각 조립 고정되도록 각각 양단이 반대 방향으로 대칭되게 절곡된 절곡부(14와14a,16과16a,24와24a,26과26a)를 갖으면서 각각 좌우 양쪽에서 한 쌍을 이루게 되는 제1,2서포트 플레이트(10,10a)와 제3,4서포트 플레이트(20,20a)로 이루어지되; 상기 제1핀부(40)와 제2핀부(40a)가 조합될 때, 상기 제1,3서포트 플레이트(10,20)에 각각 형성된 절곡부(16,24)와 상기 제2,4서포트 플레이트(10a,20a)에 각각 형성된 절곡부(16a,24a)가 제1핀부(40)와 제2핀부(40a)의 양측면에서 서로 맞닿게 되어 이 맞닿게 되는 절곡부(16과24,16a와24a)에 각각 볼트(30) 조립을 통해 서로 밀착 조립되는 것이다.
Patent KR-100284183-B1 (KR)
Title: 온 스크린 디스플레이(osd)를 이용한 포커스 및 스크린전압자동 조정장치 및 방법
IPC: H04N7/08
Filed: 1998-09-29
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 온 스크린 디스플레이(OSD;On Screen Display)를 이용한 포커스 및 스크린전압 자동 조정장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 포커스 및 스크린 전압 조정기능을 영상표시기기의 화면상에 온 스크린 디스플레이(OSD)메뉴로 구현시켜 조정할 수 있도록 한 포커스 및 스크린 전압 자동 조정장치 및 방법에 관한 것이다. 
     종래에는 생산자가 가변저항을 수동으로 가변시켜 포커스 및 스크린 전압을 조정해야 하는 불편함이 있었다. 
     본 발명에서는 플라이백 트랜스 내부에 가변저항 대신 분압저항을 구비하여 플라이백 트랜스의 2차측에서 발생한 고압을 상기 분압저항을 통해 일정레벨로 분압하여 포커스 및 스크린전압으로 공급하는 한편 포커스 및 스크린전압 조정기능을 영상표시기기의 화면상에 OSD메뉴로 구현시켜 사용자가 OSD메뉴의 레벨조절표시상태를 보고 레벨증가버튼 또는 레벨감소버튼을 선택해 포커스 및 스크린전압을 자동 조정할 수 있도록 함으로써, 생산자 및 사용자에서 편리성을 제공하기 위한 것이다.
Patent KR-100292613-B1 (KR)
Title: 반도체 설비의 웨이퍼 클램핑/언클램핑 장치
IPC: H01L21/68
Filed: 1998-10-02
Granted: 2001-10-26
Abstract: 목적 : 본 발명은 웨이퍼에서 클램프 핑거가 떨어져 나갈 때에 웨이퍼가 같이 붙어 상승되는 일이 없도록 개선한 반도체설비의 웨이퍼 클램핑/언클램핑 장치를 제공한다. 
     구성 : 본 발명은 최상단에 일정 길이를 가지는 돌출부를 보유한 클램프 샤프트의 상단에 메인 클램프 핑거를 고정시키고, 상기 클램프 샤프트의 돌출부에 연계되는 위치로 서브 클램프 핑거를 설치하여 상기 메인 클램프 핑거와 평행 배치 시킴과 아울러 서브 클램프 핑거의 일측단에는 상기 메인 클램프 핑거의 대응단부를 관통하여 연장되는 푸쉬로드를 부착하여 상기 클램프 샤프트의 승강 작동에 연동하여 서브 클램프 핑거가 메인 클램프 핑거에 대해 지연 작동되도록 구성하여, 상호 개별 작동되는 메인 클램프 핑거와 서브 클램프 핑거로 웨이퍼 가장자리의 대칭 위치를 눌러 고정시키는 단계와, 상기 메인 클램프 핑거가 웨이퍼로부터 분리 될 때에 상기 서브 클램프 핑거는 일정 시간 지연된 다음 상기 웨이퍼로부터 분리되는 단계로 작동된다. 
     효과 : 메인 클램프 핑거와 서브 클램프 핑거의 시차 연동에 의해 웨이퍼는 미동도 없이 서브스트레이트 홀더의 상면에 그대로 존치되어 공정 중에 웨이퍼의 손상을 현저하게 줄일 수 있다.
Patent KR-100277858-B1 (KR)
Title: 반도체소자의 갭필링(gap filling)방법
IPC: H01L21/306
Filed: 1998-10-20
Granted: 2001-02-01
Abstract: 높은 종횡비를 갖는 좁은폭의 갭을 채우기에 알맞은 반도체소자의 갭필링(gap filling)방법을 제공하기 위한 것으로써, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자의 갭필링방법은 반도체소자에 형성된 갭(gap)에 고밀도 플라즈마 상태의 장비에서 동시에 증착공정과 스퍼터링공정을 진행하여 절연막을 부분 증착하는 단계, 상기 갭 측면 부분의 상기 절연막이 제거되고 상기 갭의 바닥에 제 1 절연막이 남도록 부분식각 공정을 하는 단계, 상기 갭을 채우기 위해 상기 고밀도 플라즈마 장비에서 상기 갭에 절연막을 부분 증착하는 공정과 부분식각하는 공정을 반복하여 진행하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100295515-B1 (KR)
Title: 정전하상 현상용 토너, 정전하상 현상제 및화상형성방법
IPC: G03G9/08
Filed: 1998-11-09
Granted: 2001-09-22
Abstract: 분쇄성 및 열보존성을 양립할 수 있고, 충분한 저온 정착성과 내오프셋트성을 갖는 정전하상 현상용 토너, 정전하상 현상제를 제공하고, 또한 감광체로의 필름화에 의한 화상결함의 발생 등이 없는 화상형성방법을 제공한다. 정전하상 현상용 토너는 착색제와 결착수지와 지방족 탄화수소-탄소수 9이상의 방향족 탄화수소 공중합석유수지를 함유하고, 더 바람직하게는 왁스를 함유한다. 이 왁스의 DSC에서의 흡수열량 피크가 70 내지 100℃의 범위에 있는 것이 바람직하다.  공중합석유수지는 80 내지 170℃의 환구식 연화점을 갖는 것이 바람직하고, 결착수지는 폴리에스테르수지인 것이 바람직하다. 지방족 탄화수소-탄소수 9이상의 방향족 탄화수소 공중합석유수지의 방향족 탄화수소 단량체량과 지방족 탄화수소 단량체량의 중량비가 99:1∼50:50인 것이 바람직하다.
Patent KR-100622579-B1 (KR)
IPC: C09D133/06
Filed: 1998-11-09
Granted: 2008-12-11
Abstract: 본 발명은 키보드나 마우스 등을 대체할 수 있는 입력장치인 디지타이저나 터치패널 등에 있어서, 외부로부터 반사되는 빛에 의한 눈부심 방지를 위한 난반사효과, 광투과성, 표면 고경도성, 전기절연성, 내약품성, 내습성 등이 우수한 특성을 지닌 디지타이저용 보호층 조성물 및 그 보호층의 제조법을 제공하는데 그 목적이 있는 것이다. 
     본 발명은 투명도전막 증착유리와의 부착력이 우수한 자외선 경화형 메타아크릴계 수지와 경화특성이 우수한 아크릴레이트 모노머와 올리고머, 실리카, 광개시제 및 용제를 함유한 조성물에 투명도전막 증착유리와 보호층과의 부착력을 향상시키기 위한 커플링제를 첨가한 디지타이저용 보호층 조성물 및 상기조성물을 스크린 인쇄법에 의해 도포한 후 건조하고 자외선 경화시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 디지타이저용 보호층 제조법에 관한 것으로서, 이와 같이 하여 얻어진 보호층은 발명의 목적을 만족시키는 우수한 특성을 나타낸다.
Patent KR-100305516-B1 (KR)
Title: 고내후성폴리에폭시를사용한분체성형제및그제조방법
IPC: C04B35/622
Filed: 1998-11-18
Granted: 2001-12-28
Abstract: 본 발명의 목적은 고 내후성 폴리에폭시를 사용한 분체 성형제 및 그 제조방법에 있다. 
     이러한 본 발명은 고 내후성 폴리에폭시, 산 무수물 경화제, 촉진제, 무기 충진제 및 내부 이형제를 각각 일정 량 씩 혼합한 혼합물을 숙성 후 냉각하여 된 것으로, 이는 내후 성, 기계적 강도 및 충격강도, 전기적인 절연특성이 우수하여 건축, 토목 및 전기 절연재 등의 광범위한 성형물 제조에 응용되며, 또한 반응의 안정성으로 대형물의 성형 성이 우수한 특징이 있다.
Patent KR-100291594-B1 (KR)
Title: 비동기전달모드 가상 채널 교환시스템에서 루트에 의한 점대다중점 호설정 방법
IPC: H04L12/433
Filed: 1998-11-27
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 ATM 가상 채널 교환 시스템의 발신측에 해당하는 하나의 루트 파티를 착신측에 해당하는 다수 개의 리프 파티로 전달하여 루트에 의한 점대다중점 호를 설정하도록 한, 루트에 의한 점대다중점 호 설정 방법을 제공하기 위하여, 점대다중점 호 설정(Setup_ind) 메시지가 수신되면 루트 프로세스 하나를 생성하여 루트 정보 테이블에서 저장하고, 다음 리프 파티 프로세스 생성을 위한 점대다중점 리프 호 설정(SetupU_int) 메시지를 전송하는 제 1 단계; 상기 점대다중점 리프 호 설정(SetupU_int) 메시지를 수신하여 리프 파티 프로세스를 하나 생성하고 리프 정보 테이블에 관련된 정보를 변경 및 저장하여 호 설정 요구 메시지를 전송하는 제 2 단계; 점대다중점 파티 추가 메시지인 파티 설정(AddPty_ind) 메시지를 수신하여 상기 생성된 루트  프로세스에서 상기 루트 정보 테이블을 통해 추가하고자 하는 리프 파티가 생성되어야 하는 프로세스가 존재하면 파티 설정(AddPty_ind) 메시지를 전송하고 프로세스가 존재하지 않으면 리프 호 설정(SetupU_int) 메시지를 전송하여 리프 파티 프로세스를 생성하도록 요구하는 제 3 단계; 및 상기 리프 파티 프로세스 생성 요구에 따라, 파티 설정(AddPty_ind) 메시지를 수신하면 상기 리프 정보 테이블의 정보를 저장하고, 리프 호 설정(SetupU_int) 메시지를 수신하면 리프 파티 프로세스를 생성하여 상기 리프 정보 테이블에 관련된 정보를 저장하여 루트 프로세서로 전송하는 제 4 단계를 포함하며, 비동기전달모드 가상 채널 교환 시스템에 이용됨.
Patent KR-100401985-B1 (KR)
Title: 고강도 이상복합조직강 제조방법
IPC: C21D8/08
Filed: 1998-12-01
Granted: 2004-02-18
Abstract: 본 발명은 고강도 이상복합조직강의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 기존 템퍼드 마르텐사이트 조직의 강에 비해 동일화학성분 하에서 마르텐사이트를 기지조직으로 하여 하부 베이나이트가 적정한 상분율로 존재하여 고강도를 나타내는 이상복합조직강을 제공함에 있다. 
     이와 같은 목적을 갖는 본 발명은, 중량%로 C:0.10-0.35%, Si:0.10-0.30%, Mn:0.50-2.0%, Cr:0.50-2.0%, Mo:0.01-1.0%, B:0.001-0.005%, P:0.015%이하, S:0.01%이하, 나머지 Fe 및 불가피한 불순물로 구성되는 선재를 냉간신선하고, 냉간성형한 다음 930-970℃의 온도에서 15-30분동안 유지하는 오스테나이타이징처리하고 이어 마르텐사이트 변태 개시온도(Ms)와 Ms+50℃의 온도영역으로 급냉하고 이 온도영역에서 하부 베이나이트의 분율이 10-40%가 확보되도록  등온유지한 다음 상온으로 유냉한 후 소려처리하여 이루어지는 고강도 이상복합조직강의 제조방법에 관한 것을 그 기술적요지로 한다.
Patent KR-100345067-B1 (KR)
Title: 반도체소자의제조방법
IPC: H01L21/28
Filed: 1998-12-29
Granted: 2002-11-23
Abstract: 본 발명은 자기정렬콘택 기술을 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 활성영역을 한정하는 트랜지형 소자분리막들이 구비된 실리콘 기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘 상에 게이트용 도전막과, 이격되어 배치되는 질화막 패턴들은 순차적으로 형성하고 상기 질화막 패턴을식각 마스크로 하는 식각 공정으로 상기 게이트용 도전막을 식각하여 게이트 전극들을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 및 질화막 패턴의 측벽에 절연 재질의 스페이서를 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 게이트 전극 및 질화막 패턴의 적층물을 감싸는 형태로 제1도전막을 증착하는 단계; 상기 제1도전막 상에 활성영역을 가리는 제1감광막 패턴을 형성하고, 상기 제1감광막 패턴을 식각 마스크로하여 노출된 제1도전막 부분을 식각하는 단계; 상기 제1감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 단계까지의 구조물 상에 산화막을 증착하고, 상기 산화막 상에 활성영역 이외의 영역을 가리는 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막이 노출되도록, 상기 제2감광막 패턴을 식각 마스크로하여 활성영역에 형성된 산화막 부분을 식각하는 단계; 상기 제2감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 단계까지의 구조물 상에 제2도전막을 증착하는 단계; 및 상기 질화막 패턴을 연마정지층으로하여 상기 제2도전막, 산화막 및 제1도전막을 연마하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100370843-B1 (KR)
Title: 반도체패키지테스트장치및그테스트방법
IPC: G01R31/26
Filed: 1998-12-30
Granted: 2003-04-07
Abstract: 이 발명은 반도체패키지 테스트 장치에 관한 것으로, 솔더볼을 입출력단자로 사용하는 반도체패키지에서 다수의 솔더볼에 대한 전단응력을 신속히 테스트할 수 있는 반도체패키지 테스트 장치 및 그 방법의 제공을 위해, 일정한 힘을 감지하여 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 동시에, X축으로 이동 가능한 다수의 힘감지부와; 상기 각각의 힘감지부 이동에 의해 일정한 힘을 X축 방향으로 전달하는 힘전달부와; 상기 힘전달부에 일단이 접촉되어 회전축을 중심으로 소정각도 회전함으로써 타단은 반도체패키지의 솔더볼을 -X축으로 밀어내어, 상기 솔더볼의 전단응력이 상기 힘전달부를 통해 힘감지부에 전달되도록 하는 레버부를 포함하여 이루어진 반도체패키지 테스트 장치 및 그 방법.
Patent KR-100284854-B1 (KR)
Title: 직류중첩특성이 우수한 복합금속분말 연자성 코아의 제조방법
IPC: H01F41/02
Filed: 1998-12-31
Granted: 2001-04-02
Abstract: 본 발명은 주로 스위칭 전원공급장치(Switching Mode Power Supply:SMPS)의 2차측 직류 회로의 인덕터로서, 전자노이즈의 억제 또는 평활용 초크코일에 사용되는 직류중첩특성이 우수한 복합금속분말 연자성 코아의 제조방법에 관한 것으로,   7∼13% Si와 3∼9% Al, 잔여량의 Fe 로 이루어진 센더스트 합금 분말을 준비하고, 여기에 연성이 좋고 투자율이 높은 45∼55%의 Ni과 잔여량의 Fe 로 이루어진 합금(Permalloy) 분말과 몰리 퍼말로이 분말(MPP)중에서 1종 이상을 총중량비로 1∼50% 첨가 혼합하여 복합금속분말을 제조하며, 이어서 얻어진 복합금속분말을 혼합세라믹으로 절연 코팅하며, 윤활제를 첨가하여 혼합후 코아로 성형하며, 성형된 코아를 열처리하여 제조한다. 
     본 발명을 통해 제조된 연자성 코아는 성형시 연성 금속의 소성 변형에 의해 성형 압력을 낮출 수 있어서 금형의 수명을 연장시킬 수 있으며, 성형 윤활제의 감소로 코아내 빈 공간을 줄이고 세라믹 절연층의 손상을 최소화하여 고주파 특성을 우수하게 해줌으로써 스위칭 전원 공급장치(SMPS)용 평활초크 코아에 필수적인 대전류에서 매우 우수한 직류중첩특성을 나타낸다.
Patent KR-100552387-B1 (KR)
IPC: C12N15/86
Filed: 1996-10-22
Granted: 2006-04-21
Abstract: A method for reconstituting Sendai viral particles by transfecting Sendai virus to a host expressing all genes for the initial replication has been developed, enabling the production of negative strand RNA vectors highly useful for practical applications.
Patent KR-100373434-B1 (KR)
Title: 감소된금속오염물질을갖는유전체막형성방법
IPC: C23C16/44
Filed: 1996-12-11
Granted: 2003-05-16
Abstract: 화학증기 증착(CVD)으로 감소된 금속 오염물질을 갖는 유전층을 형성하는 방법이 개시되었다. CVD 시스템은 오존 시스템 및 CVD 반응기를 포함한다. 산소 및 질소가 비함유된 희석 가스는 오존을 포함하는 가스 스트림이 생성되는 오존 시스템에 주입된다. 가스 스트림은 금속 도관을 통해 CVD 반응기에 전달되므로써, 도관을 부식시키는 부식성 증기가 거의 형성되지 않으며, 따라서 반응할 금속 오염물질이 거의 없는 가스를 공급하여 감소된 금속 오염물질을 갖는 층을 증착시킨다.
Patent KR-100306299-B1 (KR)
Title: 칩들간의 데이터통신장치
IPC: H04N5/46
Filed: 1999-01-30
Granted: 2001-09-26
Abstract: 아날로그 방송신호를 위한 마이크로프로세서는 디지털 방송신호를 위한 DTTV보드상의 DTTV프로세서와 데이터통신한다.  마이크로프로세서 및 DTTV프로세서는 마이크로프로세서에서 발생되는 클럭신호의 펄스에 동기되게 데이터통신을 행한다.  마이크로프로세서가 DTTV프로세서에 데이터를 쓰는 경우, 마이크로프로세서 및 DTTV프로세서는 쓰기신호, 데이터 및 연속캐리를 이용하여 데이터통신을 행하며, 마이크로프로세서가 DTTV프로세서로부터 데이터를 읽는 경우, 마이크로프로세서 및 DTTV프로세서는, 읽기신호, 연속캐리, 데이터 및 연속캐리를 이용하여 데이터통신을 행한다.  연속캐리는 뒤따르는 데이터가 있는 지를 나타낸다.  따라서, 본 발명은 기존의 UART 또는 I 2 C버스방식과는 다른 방식의 데이터통신을 적은 갯수의 핀들을 이용하여 행할 수 있다.
Patent KR-100348355-B1 (KR)
Title: 열가소성 일래스토머 수지 조성물 및 그 제조방법
IPC: C08L23/00
Filed: 1999-02-08
Granted: 2002-08-09
Abstract: 본 발명은 열가소성 일래스토머 수지 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 폴리올레핀, 올레핀계 탄성중합체, 가공오일, 무기 충전제 및 가교제를 포함하며, 다공성의 폴리올레핀 기재에 가교제를 함침시켜 만든 가교제를 사용하고, 구성성분을 단계적으로 나누어 투입하는 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄성 및 내한성이 우수하며 고온에서의 내열성 및 가공성에 있어서도 우수한 효과를 나타내는 열가소성 일래스토머 수지 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-100331180-B1 (KR)
Title: 단일 반응조로 구성된 오폐수 처리장치 및 처리방법
IPC: C02F3/12
Filed: 1999-02-09
Granted: 2002-04-06
Abstract: 본 발명은 단일 반응조로 구성된 오폐수 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로, 하부가 개방된 호퍼형 침전조를 폭기조 내부에 설치하여 침전조내부의 침전슬러지가 중력에 의해 폭기조로 유하되도록 하고, 폭기조 혼합액을 침전조내에 장착된 세정용 칼럼의 하부 가장자리 및 중앙에 돌출된 다수의 노즐을 통해 간헐적으로 분사함으로써 침전조의 호퍼부위에 침전된 일부 슬러지를 전량 폭기조로 반송하고, 침전조 하부의 폭기조 밑바닥에 침전된 슬러지를 교란시켜 폭기조내의 혼합액과 혼합되도록 함으로써 침전조내로 슬러지가 부상하는 것을 방지하여, 침전조에서 처리수와 슬러지의 효과적인 분리가 가능하며, 폭기조내 미생물에 의한 정화 효과가 최대화되고 혐기성 분해를 방지할 수 있는 단일 반응조로 구성된 오폐수 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
Patent KR-100328820-B1 (KR)
Title: 화학기상증착 장비의 가스분사장치
IPC: C23C16/44
Filed: 1999-02-25
Granted: 2002-03-14
Abstract: 본 발명은 화학기상증착(CVD) 장비에 관한 것으로, 특히 샤워 헤드부의 온도제어를 용이하게 하여 입자(particle)의 발생을 억제하여 공정성능을 향상시킴과 동시에, 웨이퍼(wafer)상에 가스를 균일하게 공급하도록 한 화학기상증착 장비의 가스분사장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 가스가 들어오는 가스공급 파이프와 연통되는 가스공급공이 형성된 열전달부재와, 상기 열전달부재의 하면에 설치되어 상기 가스공급 파이프을 통해 들어온 가스의 흐름을 1차적으로 균일하게 배분시켜 주는 분배판과, 상기 분배판의 하면에 설치되어 상기 분배판에서 균일하게 분배된 가스를 웨이퍼상에 최종적으로 균일하게 분사시켜 주는 분사판등으로 이루어지는 샤워 헤드부와, 이 샤워 헤드부의 온도를 제어하는 온도제어시스템으로 구성된다.
Patent KR-100287662-B1 (KR)
IPC: B21J15/10
Filed: 1999-02-26
Granted: 2001-04-16
Abstract: 엔진-변속기 동력 전달 라인은 엔진 출력축과 변속기 사이에 위치한 토크 컨버터를 포함한다.  토크 컨버터는 로크-업 클러치를 포함한다.  변속기의 출력축의 회전 속도를 측정하는 속도 센서는 펄스 신호를 생성한다.  변속기 제어기는 감속 종속 로크-업 해제 명령 생성기와 토크 컨버터 속도 종속 로크-업 해제 명령 생성기를 포함한다.  속도 센서로부터의 펄스 신호는 양자의 로크-업 해제 명령 생성기에 입력으로서 사용된다.  감속 종속 로크-업 해제 명령 생성기에서, 펄스 신호는 변속기 출력축이 영향을 받는 감속의 크기에 대한 정보를 유도하기 위해 처리된다.  토크 컨버터 속도 종속 로크-업 해제 명령 생성기에서, 펄스 신호는 토크 컨버터의 출력 요소의 회전 속도에 대한 정보를 유도하기 위해 처리된다.  감속의 크기가 소정 기준보다 크거나 또는 동일한 감속에서, 감속 종속 로크-업 해제 명령 생성기는 로크-업 해제 제어를 할 수 있다.  감속의 크기가 소정 기준보다 작은 감속에서, 토크 컨버터 속도 종속 로크-업 해제 명령 생성기가 로크-업 해제 제어를 할 수 있다.
Patent KR-100290857-B1 (KR)
Title: 디지털 티브이(Ｄｉｇｉｔａｌ ＴＶ)의 클럭 복원장치
IPC: H04N7/015
Filed: 1999-03-11
Granted: 2001-05-15
Abstract: 디지털 티브이(Digital TV)의 클럭 복원장치는 QAM 시스템 또는 VSB 시스템에서의 심볼 클럭을 복원하는 과정에서 시스템 클럭의 지터를 최소화시키도록 하기 위한 것으로서, 제 1 및 제 2 데시메이트(decimate)부와 전압 제어 발진부를 구비한 디지털 티브이(Digital TV)의 클럭 복원장치에 있어서, 상기 제 1 데시메이트(decimate)부의 신호의 제로-크로싱(zero-crossing)을 검출하기 위한 영역을 필터링하는 제 3 필터와, 상기 제 2 데시메이트(decimate)부의 신호의 제로-크로싱(zero-crossing)을 검출하기 위한 영역을 필터링하는 제 4 필터와, 상기 제 3 및 제 4 필터에서 각각 출력된 신호의 제로-크로싱(zero-crossing) 영역의 타이밍 에러를 검출하는 가드너 타이밍 에러 검출부(Gardner TED)와, 루프 밴드위스(loop bandwidth)의 크기를 조정하여 기어 시프팅(gear shifting)시키기 위한 락 디텍트(lock detect)부와, 상기 락 디텍트(lock detect)부의 신호에 따라 가드너 타이밍 에러 검출부(Gardner TED)에서 출력된 신호의 루프 밴드위스(loop bandwidth)를 필터링하여 그 결과신호를 상기 전압 제어 발진부로 출력하는 루프 필터로 구성되는데 그 요지가 있다.
Patent KR-100349021-B1 (KR)
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: G02F1/1368
Filed: 1999-03-18
Granted: 2002-08-17
Abstract: PURPOSE: To obtain a crystallization silicon film which is formed on a glass substrate and has a uniform crystallizability within a substrate surface and to flatten the substrate. CONSTITUTION: When applying line-shaped laser beams to an amorphous silicon film formed on a glass substrate during scanning, the glass substrate is installed so that a projecting curved surface is exposed and line-shaped laser beams with a focus distribution in inverse U shape nearly corresponding to the projecting curved surface in heated state are applied during scanning before gradual cooling.
Patent KR-100303201-B1 (KR)
Title: 굴착공 확장 해머비트의 구조
IPC: E21B10/26
Filed: 1999-03-19
Granted: 2001-09-24
Abstract: 본 발명은 땅속에 매립하는 시추공 관의 내부에 유입된 상태에서 시추공을 굴착하는 굴착공 확장 해머비트의 구조에 관한 것이다. 
     시추공을 굴착하는 해머비트는 그 용도 및 지질의 조건에 따라 다른 규격 다른 구조상의 해머비트를 사용하게 되는데 그 종류는 크게 두가지로 구분된다. 
     그 중의 한 종류는 대체적으로 지층의 상태가 양호하거나 깊이 굴착하지 않는 종류의 해머비트로서, 이 종류의 해머비트는 지층을 굴착할 때 별도의 보호관을 사용하지 않고 굴착한다. 
     그러나 다른 한종류의 해머비트는 대체적으로 지층이 불안정하거나 깊은 구멍을 굴착할 때 사용되는 것으로서, 이 종류의 해머비트는 도 10에 예시된 바와 같이 매립용 스틸관에 보호된 상태에서 굴착을 실시하게 된다. 
     한편, 전자의 해머비트는 문제가 없으나, 후자의 해머비트는 땅속깊이 들어갈수록 압력이 크게 증가되는 한편 그에 따른 많은 에너지를 필요로 하게 되며, 특히 매립용 스틸관 지름보다 비트의 지름이 클 경우에는 굴착후 해머비트를 꺼낼 수가 없기 때문에 이에 대한 대책들이 연구 개발되고 있다. 
     그 중에는 해머비트의 중심축으로부터 비트의 중심이 편심되게 구성하여 스틸관 지름보다 굴착공을 넓게 굴착하는 제품과, 굴착 할 때에는 두 개 또는 3개의 활개식 비트가 비트하우징에서 외경보다 넓게 외부로 돌출되어 스틸관 지름보다 넓은 시추공을 굴착한 후 굴착이 끝난 뒤에는 다시 원위치로 돌아가서 스틸관지름 이하로 축소되는 제품이 있다. 
     이와 같은 제품들은 다같이 매립되는 스틸관의 지름보다 작아야만 굴착후 스틸관에서 꺼낼 수 있도록 하기 위해 개발된 특수성을 가진 제품들이지만, 상기 설명한 종래 제품들은 전자의 경우 비트가 편심 작용을 하는 관계로 완만하게 회전되어, 시추공 작업시간이 많이 소요되는 동시에 비트에 상당한 부하가 걸리면서 비트가 깨지거나 목부분이 절단되는 등의 파손문제가 발생되면서 불가피하게 공사기간이 연장되는 손실과 동시에 1개에 2 - 3천만원씩 하는 고가품 비트의 손실이 초래되었었다. 
     그래서 본 발명에서는 종래 제품의 문제를 해결하는 동시에 보다 빠른 시추공작업으로 공사기간을 단축하고 특히 고가품인 비트의 파손을 예방할 수 있도록 안출된 것으로서, 이를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 
     본 발명은 별도의 공기압 공급장치와 연결되는 상단의 톱써브(13)와 연결되는 드릴파이프(11) 및 해머드릴(12)의 하단부에 연결되서 땅속에 매립되는 스틸관(10)의 내부 하단부에 결합되서 회전 작동하는 비트하우징(100) 저면에 여러 개가 원방향을 따라 결합되고 또 빠이롯 비트(200)에 의해 지지되어, 비트하우징(100)이 회전할 때 반대방향으로 활개 작동하는 다구동비트(400)를 구성한다. 
     다구동비트(400)는 도 4 에 예시된 바와 같이 평면상 일면은 동그랗게 반원형으로 형성하는 동시에 그 반대쪽의 지층굴착 마찰면(403)은 한쪽이 깎인 모양으로 약간 만곡지게 형성하여 초경비트(300)를 결합하고 그 윗면의 편심부와 밑면의편심부 중심에는 상면핀(401)과 저면핀(402)을 형성하여 도 8에 예시한 바와 같이 비트하우징(100) 저면에 빠이롯비트(200)로 보호될 수 있도록 구성한다. 
     따라서 상기의 다구동비트(400)는 비트하우징(100)과 빠이롯비트(200)사이에 결합된 상태에서 비트하우징(100)과 빠이롯비트(200)가 회전함에 따라 5개의 다구동비트(400)는 지층굴착마찰면(403)이 동시에 지층에 걸리면서 도 8에 예시된 바와 같이, 100。(±10。) 회전하게 되며, 상기 회전된 다구동비트(400)는 더 이상 회전하지 못하도록 비트하우징(100) 저면에 형성한 걸림돌기(115)에 걸려서 회전중인 비트하우징(100)과 빠이롯비트(200)를 따라 회전하면서 스틸관(10) 지름보다 확장된 구멍을 굴착하게 되므로 스틸관(10) 박음질이 용이하게되고, 굴착 종료 후에는 공기압으로 강하게 불어줌과 동시에 역회전 시켜서 원위치로 오므려지는 동작을 실시하게 되므로, 스틸관(10) 지름보다 좁게 좁혀진 비트하우징(100)을 굴착공에서 쉽게 빼낼 수 있도록 구성되는 것이다.
Patent KR-100345243-B1 (KR)
Title: 배기가스 측정센서 및 이를 이용한 연료량 제어장치
IPC: G01N27/407
Filed: 1999-03-24
Granted: 2002-07-25
Abstract: 본 발명은 배기가스 측정센서 및 이를 이용한 연료량 제어장치에 관한 것으로서, 이 중 측정센서는 지지공(1)이 형성된 센서 지지판(2); 상기 지지공(2)에 삽입되되, 일정 크기의 기공(氣孔)이 형성된 기공 세라믹(3); 상기 센서 지지판(2)의 양측단에 접착제에 의해 접착되는 원형 전극판(4,4a); 및 상기 원형 전극판(4,4a)의 양측에 일단이 절연보울트(5)로 조임연결되고, 타단은 변압기 외부에 설치된 별도의 터미널 단자에 연결되는 리드선(6.6a)을 포함하여 구성되고, 연료량 제어장치는 연료가 저장된 오일탱크(61); 상기 오일탱크(61)로부터 유출되는 연료의 양을 조절할 수 있도록, 플로우미터(Flowmeter) 내에 내장된 솔레노이드 밸브(Solenoid Valve)(62); 상기 솔레노이드 밸브(62)를 거쳐 유입된 후, 보일러(63)에 의해 연소배출되는 연료 배기가스의 성분에 따른 전기적 신호를 출력하는 배기가스 측정센서(10); 상기 배기가스 측정센서(10) 측정 부위의 온도에 따른 전기적 신호를 출력하는 보상용 온도센서(20); 및 상기 배기가스 성분신호 및 온도신호로부터, 온도보상된 배기가스의 성분량을 산출하는 배기가스 계측기(64); 상기 산출된 배기가스 성분량에 근거하여, 상기 솔레노이드 밸브(62)의 유출량을 조절하는 어댑터(Adapter)(65) 내의 스테핑 모터(Stepping Motor)(66)를 구동시키기 위한 제어신호를 출력하는 콘트롤러(67)를 포함하여 구성된다.
Patent KR-100537879-B1 (KR)
Title: 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법
IPC: H01L29/786
Filed: 1999-04-01
Granted: 2005-12-20
Abstract: 기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 절연막을 덮은 후 비정질 규소층과 도핑된 비정질 규소층을 형성한다.  도핑된 비정질 규소층 위에 크롬의 하부막과 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 상부막으로 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각한다.  소스 전극과 드레인 전극을 형성할 때, 알루미늄 식각액을 이용하여 상부막을 식각한 다음, 크롬 식각액을 이용하여 하부막을 식각할 때 식각되지 않는 것을 방지하기 위하여 산소 플라스마 공정을 실시하여 상부막을 덮는 미세한 두께의 산화막을 형성하고 하부막을 식각한다.  그러면, 갈바닉 셀이 형성되지 않아 채널 형성시 마스크로 사용되는 소스 전극 및 드레인 전극의 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 부식되는 것을 방지할 수 있다.  이어, 도핑된 비정질 규소층을 건식 식각한 다음에 산소 플라스마 공정을 실시한다.  소스 전극과 드레인 전극 또는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 데 이용된 포토 레지스트 패턴 또는 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로 하고 건식 식각용 기체로는 불소화 기체와 염소화 기체를 사용하여 도핑된 비정질 규소층을 식각한다.  이때 염소를 포함하는 부산물은 소스 전극과 드레인 전극에 잔류하고 대기 중의 수분과 결합하면, 갈바닉 작용이 발생하여 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 부식시킨다.  산소 플라스마 공정을 실시하면 염소를 포함하는 부산물을 게거하거나 산화시켜 갈바닉 작용을 억제하여 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
Patent KR-100317975-B1 (KR)
Title: 수문의 개폐장치
Filed: 1999-04-08
Granted: 2001-12-22
Abstract: 본 발명은 수문에 관한 것이다. 
     종래의 수문은 단순히 수압에 의하여 열리고 닫히는 수문이 있었으나 완전히 개문되는 수문은 없었던 것이 현실이다. 
     이러한 결점을 해소하기 위하여 본발명의 수문은 수문의 내부에 전자석 또는 자석을 구성시켜주어 수문을 열고자 할 때에 전자석과 연결된 전기를 차단시켜 수문을 개문시켜줄수가 있도록된 방식의 수문에 관한 발명인 것이다. 
     수문의 작동이 필요하면 이동식 발전기 또는 전기의 힘을 이용하여 개폐 시킬수가 있을 뿐만 아니라 최악의 조건하에서는 인위적인 조절에 의해서 개문시킬수가 있도록 된 수문인 것이다 
     종래의 유압식 수문[실용신안등록제107651호]과 같은 유압 피스톤식 수문은 홍수시에 상류에서 흘러 내려오는 모래 자갈과 같은 물질에 의하여 수문을 지탱하여 주는 피스톤이 망가지기 때문에 수문의 수명을 단축시켯던 것이며 또한 홍수시에 수문 하단부에서 발생하는 버불 현상에 의하여 모래 자갈등이 수문의 하단부로 밀려 들어갈수 밖에 없는 구조로 인하여 수문이 열릴때에 수문 하단부로 밀려 들어간 모래 자갈의 지랫대 현상에 의한 수문의 뒤틀림 작용으로 인하여 수문의 본래 기능을 상실하게 되는 것이다. 
     또한 고무판재로된 고무댐[보]의 경우[실용신안 등록제56240호]와 같이 물을 막고 있는 것이 고무로된 재료 이다보니 상류에서 흘러 내려오는 모래 자갈과 같은것들이 고무판재에 충격을 가할수밖에 없다보니 제품의 수명이 단축 될 수밖에 없었던 것이다. 
     그러나 본 발명의 수문은 이러한 결점들을 해결하고자 수문의 본체는 금속 또는 프라스틱 재료로 구성시켯으며 수문의 개폐는 홍수시에 자동으로 감지되는 감지쎈서가 홍수를 감지하게 되면 전자석과 연결된 전기의 회로를 자동적으로 차단시켜버리기 때문에 자동적으로 열리게 되는 것이다 
     또한 전기적 동력이 차단 되었을때에는 인위적으로도 수문을 개폐를 하여 줄수 있는 수동 개폐장치는 공지의 기술이기 때문에 상술하는 것을 생략 하기로 한다. 
     수문을 닫고자 할 때에는 전기자석과 연결된 전기를 통과 시켜주게 되면 전자석의 힘에 의하여 자동적으로 닫히게 되는 것이다. 
     특히 평소에는 일반자석의 힘에 의하여 계획된 저장수위가 보장되는 폐문상태를 유지하다가 홍수시에는 가압되는 수압의 힘이 자석의 힘을 능가하기 때문에 자동적으로 수문이 열리게 되는 것이다.
Patent KR-100333312-B1 (KR)
Title: 카드리더용 커넥터의 구조
IPC: G06K13/08
Filed: 1999-05-06
Granted: 2002-04-24
Abstract: 본 발명은 카드리더용 커넥터의 구조에 관한 것으로서, 메모리 카드(C)의 단자(C')에 접속하여 저장된 정보를 독출하는 카드리더에 있어서:  일측의 개구(10a)를 통하여 메모리 카드(C)를 인출 가능하게 수용하는 프레임(10);  상기 프레임(10) 상에 절연을 유지하며 장착된 상태로 외부로 연장되고, 상기 메모리 카드(C)의 단자(C')에 개별적으로 접속하는 복수의 터미널(13)(14);  상기 프레임(10)의 내측 후단부에 절연을 유지한 상태로 고정되고, 상기 메모리 카드(C)의 완전 삽입시 접점의 신호가 반전되는 스위치(20); 그리고  상기 터미널(13)(14)의 일단을 지지한 상태로 상기 프레임(10) 상에 장착되고, 상기 메모리 카드(C)의 인출시 미끄럼 접촉부를 최소화하도록 회동하는 랜딩요크(30)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함에 따라,  메모리 카드로부터 소정의 데이터를 독출하는 카드리더에서 카드와의 전기적 접촉을 정확하게 유지하여 작동의 신뢰성과 내구성을 향상하는 효과가 있다.
Patent KR-100329856-B1 (KR)
Inventor: PARK JUNG HO
IPC: E04G11/50
Filed: 1999-06-02
Granted: 2002-03-25
Abstract: PURPOSE: A high tensile steel wire adjustable beam is provided to improve durability and utility with simple and lightweight structure. CONSTITUTION: The high tensile steel wire adjustable beam comprises: a steel wire fixture(09) restraining the transformation of an U-tube(05) by tensile compressive force added on an adjustable beam and forming a rising parabola; an anti-transformation steel wire fixture restraining the transformation of an U-tube of the adjustable beam and forming a rising parabola; a fixed plate(10) keeping structural stability in an adjustable plate(03) which extends the length of the adjustable beam and U-tubes; and a wooden hook(12A) keeping wood placed in the extended adjustable plate(03) to fix an upper slab board(13) in a regular position.
Patent KR-100339655-B1 (KR)
Title: 지능망 교환기에서 타 지능망 교환기로의 호 루팅 방법
IPC: H04W76/02
Filed: 1999-08-31
Granted: 2002-06-05
Abstract: 본 발명은 INX에서 타 INX로의 호 루팅 방법에 관한 것으로서, 발신 단말기에서 다이얼링되어 수신된 지능망 서비스의 전화 번호를 번호 번역한 결과 지능망 호일 경우, SSF에서 지능망 호 접속을 위한 NO.7 공통선 신호망의 상태를 판단한다. 상기 판단 단계에서 NO.7 공통선 신호망의 상태가 비정상이면, SCP로 호 루팅을 실패하였다는 루팅 실패 메시지를 CCF에 전송한다. 그러면, CCF는 루팅 실  패 메시지에 대응하여 발신 단말기에 의한 발신호의 호 루팅 방식을 체크한다. 상기 체크 단계에서 자동 호 루팅 방식이면, SSF로 트리거 신호를 전송하고, 전송에 대 한 응답으로, 호 실패 원인을 수신하면, 루트 시퀀스 값을 이용하여 지능망 호 처리가 수행될 수 있도록 타 SSP에 호 루팅 한다. 상기 체크 단계에서 수동 호 루팅 방식이면, SSF로 트리거 신호를 전송하지 않고, 루트 시퀀스 값을 이용하여 지능망 호 처리가 수행될 수 있도록 타 SSP에 호 루팅 한다. 따라서, 지능망 서비스 가입자에게 좀더 나은 품질의 서비스를 제공하여 서비스의 질적 향상을 도모하여 가입자 확보 경쟁에서 우위를 선점할 수 있는 효과가 있다.