baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I620538-B (TW)
Inventor: SOUSA MARK JAMES
IPC: A47C4/08
Filed: 2015-03-17
Granted: 2018-04-11
Abstract: 本發明揭示一種折疊式遊樂床，其由一支架及安裝於該支架上之一織物外殼組成。該支架由形成該結構之側邊之剪式管對之一陣列構成。該織物外殼具有與該支架相同數目個側邊及一整體底部底墊。為了將該遊樂床鎖定於「使用中」之位置，嚙合連接至該底部底墊織物及該結構之頂部之一塑膠夾鉤。此搭接片確保該等管被鎖定於「使用中」之位置且該結構不會坍塌。
Patent TW-I708839-B (TW)
Title: 玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物
Inventor: AONO NOBUYUKI
IPC: C11D1/22
Filed: 2016-06-24
Granted: 2020-11-01
Abstract: 本發明提供一種清潔性較高且可抑制基板之表面粗糙度之惡化之玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物。
 
     於一實施形態中，本發明係關於一種玻璃製硬碟基板用清潔劑組合物，其含有下述式(I)所表示之胺(成分A)及下述式(II)所表示之界面活性劑(成分B)。
Patent TW-I616929-B (TW)
Inventor: CHO YOUN SUN
IPC: H01L21/306
Filed: 2016-07-07
Granted: 2018-03-01
Abstract: 本發明涉及用於蝕刻及清洗半導體用基板的基板液處理裝置。該基板液處理裝置，包括：基板支撐部，在平臺部上部以處理面向下的方式隔離地支撐基板；旋轉驅動部，驅動用於旋轉平臺部的旋轉軸；處理液供給部，向平臺部與基板間的處理空間供給混合氣體之薄霧狀態的處理液或者蒸汽狀態的處理液。據此，使基板與平臺部間的處理空間氛圍變均勻，能夠向處理面均勻噴射處理液。
Patent TW-I617327-B (TW)
Title: Self-generating material and method of manufacturing same
Inventor: LIN WEN AN
IPC: A61L15/08
Filed: 2016-09-26
Granted: 2018-03-11
Abstract: 一種可自發電敷材及其製造方法，係在一基材上分別覆印有一第一導電層及一第二導電層，並使第二導電層的位置避開第一導電層的位置，且第二導電層的多個第二電極與第一導電層的多個第一電極相互錯位。當一溶液浸潤基材後，可將基材貼附在人體皮膚部位，使得溶液被基材吸收後保持在第一導電層及第二導電層上，令各第一電極及各第二電極透過溶液中形成一電位差，進而自行放電傳導至人體皮膚部位。本發明亦提供上述可自發電敷材的製造方法。
Patent TW-I694481-B (TW)
Inventor: TAHARA SHIGERU
IPC: H01J37/32
Filed: 2016-11-02
Granted: 2020-05-21
Abstract: 本發明係提供一種於電漿處理裝置之處理容器內進行之處理晶圓之方法。該方法係對於SiOCH之多孔質膜電漿蝕刻之方法，且係能夠抑制多孔質膜之介電常數之上升等各種劣化之方法。晶圓具備多孔質膜及設置於多孔質膜上之遮罩，方法具備於處理容器內產生第1氣體之電漿及第2氣體之電漿，且使用遮罩對多孔質膜進行蝕刻之步驟。多孔質膜包含SiOCH，第1氣體包含氟碳系氣體。第2氣體包含GeF 4 
氣體。
Patent TW-I648440-B (TW)
Title: 磊晶生長設備
Inventor: LIU YUAN
IPC: C30B25/08
Filed: 2016-11-03
Granted: 2019-01-21
Abstract: 本發明提供一種磊晶生長設備，所述磊晶生長設備包括一反應室，所述反應室的內表面設有反射層，所述反射層上設有保護層。本發明提供的磊晶生長設備，通過在反應室內表面的反射層上設置保護層，從而延緩所述反射層的表面在高溫下的形變，因此延長了所述反射層的使用壽命，降低了生產成本，提高了生產效率。
Patent TW-I712639-B (TW)
Title: 多孔質粒子之製造方法、多孔質粒子、載體、管柱、以及標的物質之分離方法
Inventor: KOBAYASHI KUNIHIKO
IPC: B01J20/22
Filed: 2016-11-24
Granted: 2020-12-11
Abstract: 本發明提供不管合成高分子系粒子為何均不易發生非特異吸附、且機械強度高、結合配位體時之動態結合容量大之多孔質粒子及其製造方法。
 
     多孔質粒子之製造方法包含以下步驟1及2：(步驟1)使自乙烯醇聚合物及乙烯-乙烯醇共聚物選擇之1種以上之聚合物溶解於水系溶劑中，調製聚合物溶液之步驟，(步驟2)將前述聚合物溶液分散於非水系溶劑中，形成W/O乳液之步驟。
Patent TW-I620280-B (TW)
Title: 帶鍍銅圍壩的陶瓷封裝基板製備方法
Inventor: WU ZHAO HUI
IPC: H01L23/58
Filed: 2016-12-14
Granted: 2018-04-01
Abstract: 本發明一種帶鍍銅圍壩的陶瓷封裝基板製備方法，包括有以下步驟：(1)薄膜金屬化：(2)製作陶瓷底座上的獨立線路及環形鍍銅層；(3)整平；(4)電鍍加厚。本發明通過採用薄膜金屬化、貼乾膜、曝光顯影、電鍍銅和整平的方式製作陶瓷底座線路層，再通過重複貼乾膜、曝光顯影、電鍍加厚工藝製作獨立線路週邊的鍍銅圍壩，獲得帶鍍銅圍壩的陶瓷封裝基板；環形鍍銅層通過多次電鍍加厚形成鍍銅圍壩，鍍銅圍壩與陶瓷底座屬於一體式成型連接，不會產生氣泡，連接牢固度更好，可靠性更高，氣密性更好，並且工藝易控制，產品一致性好。
Patent TW-I622419-B (TW)
Title: First aid strap
Inventor: Qiu zhi-shun
IPC: A62B35/00
Filed: 2017-04-14
Granted: 2018-05-01
Abstract: 一種急救背帶適用安裝於一具有第一平面與第二平面的背架，並包含一背架結合單元，及一搶救結合單元。該背架結合單元包括一母帶、四均供該母帶穿過的限位環，及一連接該母帶的子帶。該母帶具有二末端部、一位於該等末端部間的子帶固定部、一位於其中一個末端部與該子帶固定部間的背架結合部，及一位於該背架結合部且用以頂抵該背架的第一平面的第一限位面。該子帶具有一固接於該子帶固定部的固定段、一能穿設每一限位環的自由段，及一位於該自由段且用以頂抵該背架的第二平面的第二限位面。兩相鄰限位環、該第一限位面與該第二限位面相配合界定一用以限位該背架相對該母帶移動的限位空間。該搶救結合單元包括二分別連接於該等末端部的第一結合件。
Patent TW-I625584-B (TW)
Inventor: TELFER STEPHEN J
IPC: G02F1/1685
Filed: 2015-09-10
Granted: 2018-06-01
Abstract: 一種電泳媒質，其包含一流體、一第一光散射型顆粒(典型為白色)及具有三種相減性原色(典型為品紅色、青綠色及黃色)的第二、第三及第四顆粒；這些呈色顆粒的至少二種係非光散射型。該第一及第二顆粒承載一聚合物塗層，如此分開由該第三及第四顆粒形成的團聚物所需要之電場係大於分開從任何其它二種型式顆粒形成的團聚物所需要者。本發明亦描述出一種用以驅動該媒質以產生白色、黑色、品紅色，青綠色、黃色、紅色、綠色及藍色顏色的方法。
Patent TW-I640985-B (TW)
Inventor: SENOO MAKOTO
IPC: G11C11/4063
Filed: 2017-05-10
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本發明的非揮發性半導體儲存裝置10包括：記憶體陣列20，包含多個記憶元件；選擇部件，基於位址資料來選擇所述記憶體陣列的記憶元件；模式選擇部30，選擇RAM模式與快閃模式中的任一個，所述RAM模式是根據寫入資料而使記憶元件的資料能夠覆寫的模式，所述快閃模式是當寫入資料為第1值時使記憶元件的資料能夠覆寫，而為第2值時禁止重寫的模式；以及寫入控制部件，根據由動作模式選擇部30所選擇的RAM模式或快閃模式來對選擇記憶元件進行寫入資料的寫入。
Patent TW-I647818-B (TW)
Title: 半導體裝置及其驅動方法
Inventor: INOUE HIROKI
IPC: H01L27/115
Filed: 2011-08-04
Granted: 2019-01-11
Abstract: 提供一種具有非揮發性儲存單元的半導體裝置，該非揮發性儲存單元包括使用氧化物半導體的寫入用電晶體、使用與該寫入用電晶體不同的半導體材料的讀出用電晶體以及電容元件。藉由使寫入用電晶體成為導通狀態，將電位供應到寫入用電晶體的源極電極(或汲極電極)、電容元件的一方電極、讀出用電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，然後，藉由使寫入用電晶體成為截止狀態，使節點保持預定量的電荷，以對儲存單元寫入資訊。另外，作為讀出用電晶體使用p通道型電晶體，而將讀出電位設定為正的電位。
Patent TW-I735584-B (TW)
Title: 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法
Inventor: FUKUI AKIHIRO
IPC: C09J163/00
Filed: 2017-05-26
Granted: 2021-08-11
Abstract: 本發明提供一種能對未進行熱硬化之黏晶膜良好地進行打線接合之黏晶膜。 本發明之黏晶膜含有平均粒徑為5 nm～100 nm之範圍內之填料、熱塑性樹脂及酚樹脂，且熱硬化前之於150℃下之拉伸儲存彈性模數大於0.3 MPa且為30 MPa以下。
Patent TW-I678934-B (TW)
Inventor: YERRAMALLI SRINIVAS
IPC: H04B17/30
Filed: 2017-05-26
Granted: 2019-12-01
Abstract: 在增強型授權輔助存取（eLAA）中，提供若干報告CSI量測的方法可以是在CSI報告中，特別是在非週期性CSI報告中，提供靈活性所期望的。此外，在通訊期間可以考慮使用授權載波和未授權載波的差異。此外，可能期望基於不同傳輸類型來分配不同發射功率使用。裝置可以是使用者設備（UE）。裝置可以是UE。UE接收對上行鏈路通訊的准許。UE基於准許來決定報告子訊框。UE決定是選擇接收准許的觸發子訊框還是在報告子訊框之前的子訊框作為參考子訊框。UE在報告子訊框中發送在參考子訊框中量測的通道狀態資訊（CSI）。
Patent TW-I716600-B (TW)
Title: Vaporizer for ion source
Inventor: CHANEY CRAIG R
IPC: H01J37/08
Filed: 2017-06-05
Granted: 2021-01-21
Abstract: A vaporizer with several novel features to prevent vapor condensation and the clogging of the nozzle is disclosed. The vaporizer is designed such that there is an increase in temperature along the path that the vapor travels as it flows from the crucible to the arc chamber. The vaporizer uses a nested architecture, where the crucible is installed within an outer housing. Vapor leaving the crucible exits through an aperture and travels along the volume between the crucible and the outer housing to the nozzle, where it flows to the arc chamber. In certain embodiments, the aperture in the crucible is disposed at a location where liquid in the crucible cannot reach the aperture.
Patent TW-I652761-B (TW)
Title: 基板處理裝置
Inventor: IWATA KEIJI
IPC: H01L21/304
Filed: 2017-06-23
Granted: 2019-03-01
Abstract: 基板處理裝置包括：複數個夾盤構件13，藉由將基板W水平地夾住而以水平之姿勢加以保持；處理液供給手段，對基板W供給處理液；以及熱源，配置於基板W之上方。夾盤構件13包括：導電性構件41，至少一部分由含碳之材料形成，並包括：基礎部46，配置於較基板W靠下方處；以及接觸部47，自基礎部46之上表面46a向上方突出而按壓於基板W之外周部；以及夾盤蓋42，安裝於導電性構件41，在俯視時不覆蓋基礎部46之至少一部分而覆蓋接觸部47。
Patent TW-I654812-B (TW)
Inventor: NGUYEN DON
IPC: H02H7/18
Filed: 2007-09-21
Granted: 2019-03-21
Abstract: 描述電源故障預測的方法、設備及系統的一些實施例。根據一些實施例，系統可包括，其中，顯示裝置以從直流電源汲取功率、設置在直流電源的兩側上之兩或更多條電線以判斷橫跨直流電源的電壓以及耦合至兩個或更多電線之電源管理單元以測量該電壓。在一些實施例，電池組(cell)監視單元可耦合至兩或更多條電線以替電源管理單元測量電壓，其中電池組監視單元能夠將測量的電壓轉換成數位信號、測量一段時間期間內電壓的改變速率以及提供資訊給電源管理單元。描述其他實施例。
Patent TW-I661870-B (TW)
Title: Flow path structure and processing device
Inventor: HIGASHI SHINYA
IPC: C23C16/455
Filed: 2017-07-27
Granted: 2019-06-11
Abstract: 本發明之一個實施形態之流路構造具備：殼體、及複數個第1壁部。前述殼體具有位於第1方向之端的外表面，且在內部設置有彼此獨立之二個通路，該二個通路分別包含：至少一個流體室、在前述外表面開口之複數個開口、及與前述流體室連接之複數個分歧路，前述二個通路之各自之前述流體室係在前述第1方向上交替地配置，前述複數個分歧路包含連接前述複數個開口中至少一個與一個前述流體室的前述複數個分歧路及連接一個前述流體室與其他前述流體室的前述複數個分歧路之至少一者。前述複數個第1壁部設置於前述殼體，面向前述流體室且在前述第1方向上介隔前述流體室而並排。
Patent TW-I634712-B (TW)
Title: Terminal clamp
Inventor: SCHRADER ANDREAS
IPC: H01R4/48
Filed: 2017-08-25
Granted: 2018-09-01
Abstract: 本發明係有關於一種用於連接電導線的終端線夾(100)，其包含殼體(10)、電流條(12)、具有保持邊腳(15)及夾腳(17)的夾箍彈簧(13)，其中該夾腳(17)用於將導線夾緊至該電流條(12)，且該終端線夾還包含以可偏轉運動的方式支承的，用於操縱該夾箍彈簧(13)的操縱元件(19)，其中該操縱元件(19)具有軸體(20)，以供該操縱元件(19)圍繞偏轉，其中在該保持邊腳(15)上設有容置裝置(21)，以將該軸體(20)旋轉式支承於其中。
Patent TW-I651002-B (TW)
Title: 訊號傳輸裝置
Inventor: YONG SHANG-GANG
IPC: H04N7/24
Filed: 2017-08-30
Granted: 2019-02-11
Abstract: 一種訊號傳輸裝置，包含複數並聯的訊號傳輸模組，各該訊號傳輸模組包括訊號接收單元、暫存單元、時脈單元及訊號發送單元，訊號接收單元接收一視頻訊號並產生一視頻資訊，暫存單元暫存該視頻資訊，時脈單元產生一控制暫存單元輸出之頻率的時脈訊號，該時脈訊號之頻率低於視頻訊號之頻率，訊號發送單元根據該時脈訊號發送該暫存單元所暫存之視頻資訊，其中，該等訊號傳輸模組的訊號接收單元同步接收視頻訊號，並透過該等時脈單元將該視頻資訊分頻處理，再利用各該訊號發送單元發送部分處理後之視頻資訊。
Patent TW-I650994-B (TW)
Inventor: CHEN LULIN
IPC: H04N19/10
Filed: 2017-09-01
Granted: 2019-02-11
Abstract: 提供了一種編碼媒體內容為複數個空間客體的媒體內容遞送裝置。該媒體內容遞送裝置根據一第一組參數編碼一第一空間客體，該媒體內容遞送裝置根據一第二組參數也編碼一第二空間客體，該第一空間客體與該第二空間客體獨立地被編碼。該媒體內容遞送裝置也基於該第一組參數、該第二組參數以及該第一空間客體與該第二空間客體之間的關係生成元資料。該媒體內容遞送裝置然後傳輸或存儲編碼的該第一空間客體、編碼的該第二空間客體以及生成的該元資料。
Patent TW-I651872-B (TW)
Title: 一種紫外線發光二極體晶片封裝結構
Inventor: CHANG SHENG HSIANG
IPC: H01L33/48
Filed: 2017-09-21
Granted: 2019-02-21
Abstract: 一種紫外線發光二極體晶片封裝結構(SMD)，包括一層陶瓷基板、一圖案化銅層、一無機材料上框及一石英玻璃，施以最低符合壓力介於0~8000kg，溫度介於數線y=-0.025x+300(壓力為x，溫度為y)與最高500℃之間的參數，透過ICH技術(Inorganic Ceramic Heterogeneity)其中包含改良自擴散焊(Diffusion Bonding)以及軟釺焊(Soldering)領域技術，並應用特定的共晶組成物(Eutectic Composition)做為熔填物，以達成封裝體(SMD)各部件緊密結合、氣密性高、高導熱的全無機封裝的紫外線發光二極體封裝結構；依照此方式完成的封裝結構，可以承受電子產業驗證最高標準-65℃~150℃的冷熱衝擊實驗，其中往返極限溫度搬運時間不超過20秒。
Patent TW-I654375-B (TW)
Inventor: MOU HAO-JAN
IPC: F04B45/047
Filed: 2017-09-29
Granted: 2019-03-21
Abstract: 一種積體化製出的流體系統，包含一流體作動區、一流體通道、一匯流腔室以及複數個閥，該流體作動區由至少一導流單元所構成，該導流單元受控制致動以傳輸流體由其出口孔排出。該流體通道連通流體作動區之導流單元之出口孔，且具有複數個分歧通道，以分流流體作動區所傳輸之流體。匯流腔室連通流體通道。複數個閥分別設置於該等分歧通道中，藉由控制其啟閉狀態而控制流體由該分歧通道中輸出。透過以上設置，可獲取特定流速、壓力與傳輸量之流體輸出。
Patent TW-I653656-B (TW)
Title: Fuse fuse fixing structure
Inventor: Qiu hong-zhi
IPC: H01H85/20
Filed: 2017-11-13
Granted: 2019-03-11
Abstract: 一種保險絲的熔絲線固定結構，包含一底座、一第一電極、一第二電極及一熔絲線的組合結構，底座中間區設有一第一支撐部、一第二支撐部、和位在第一與第二支撐部之間的一空穴，第一支撐部兩側分別設有一第一翼部，使第一支撐部與第一翼部之間構成一第一凹面，第一、第二電極分置於底座兩端，第一電極有一伸入第一支撐部與第一翼部之間的第一彎曲片，第一彎曲片兩面分別設為一貼覆在第一凹面上的凸接面、以及一朝向第一凹面上方的凹接面，熔絲線跨設在第一與第二支撐部之間且懸持在空穴上方，使熔絲線一端與第一彎曲片凹接面之間以面貼面的方式相互接合，以增加熔絲線與第一電極的接觸面積，藉此提升保險絲在組合熔絲線後的導電良率和可靠性。
Patent TW-I666005-B (TW)
Title: 口內掃描裝置
Inventor: CAI YUAN-XUN
IPC: A61B1/04
Filed: 2017-11-23
Granted: 2019-07-21
Abstract: 一種口內掃描裝置包括：一殼體，具有一投射口；一投影光源模組，設置該殼體內，並位於該投射口附近，用以投射一光線至一物體，其中該投影光源模組所投射的光線是通過該投射口投射至該物體；一反射模組，也設置該殼體內，並與該投影光源模組呈一角度的相對設置，用以反射來自該物體之光線；一取像模組，也設置該殼體內，用以感測來自該反射模組之光線，進而擷取對應該物體的至少一影像；以及一處理器，也設置該殼體內，並電性連接於該取像模組，用以根據該至少一影像建立對應該物體的一立體模型。
Patent TW-I764960-B (TW)
Title: 至少一種甘草屬植物製劑之用途、包括該製劑之解毒劑、及該解毒劑之用途
Inventor: MAYER ELISABETH
IPC: A61P39/02
Filed: 2017-12-06
Granted: 2022-05-21
Abstract: 本發明係有關使用選自包括整個乾燥甘草屬植物之細粉、乾燥甘草屬植物葉子之細粉、乾燥甘草屬植物根部之細粉、甘草屬植物之水性乾燥萃取物、甘草屬植物之水性/乙醇乾燥萃取物、甘草屬植物之水性萃取物之組群之至少一種甘草屬植物製劑，視需要連同至少一種賦形劑，以降低農業產品中之至少一種多肽真菌毒素的毒性作用之用途。
Patent TW-I677015-B (TW)
Inventor: XIE RUILONG
IPC: H01L29/423
Filed: 2017-12-26
Granted: 2019-11-11
Abstract: 一種方法，其包括形成第一複數個閘極結構。形成第二複數個閘極結構。在該等第一及第二複數個閘極結構之每一者上形成一第一間隔件。在該等第一複數個閘極結構之第一對的該等第一間隔件之間界定一第一空腔。在該等第二複數個閘極結構之第二對的該等第一間隔件之間界定一第二空腔。選擇性地在該第二空腔中形成一第二間隔件於該第二對之該等閘極結構之每一者的該第一間隔件上而不在該第一空腔中形成該第二間隔件。在該第一空腔中形成接觸該等第一間隔件的一第一接觸。在該第二空腔中形成接觸該等第二間隔件的一第二接觸。
Patent TW-I658803-B (TW)
Inventor: CHEN KEN CHING
IPC: A47B88/57
Filed: 2017-12-28
Granted: 2019-05-11
Abstract: 一種滑軌總成包含一第一軌、一第二軌、一第一鎖定機構及一第二鎖定機構。該第二軌可相對該第一軌位移。該第一鎖定機構與該第二鎖定機構配置在該第二軌的兩個不同部位，且可分別用以鎖定該第二軌而讓該第二軌處於二個預定延伸位置。其中，該第一鎖定機構與該第二鎖定機構可被操作而不再鎖定該第二軌，使該第二軌可相對該第一軌收合。
Patent TW-I656942-B (TW)
Inventor: MAI CHAO-CHUANG
IPC: B23Q15/00
Filed: 2018-01-12
Granted: 2019-04-21
Abstract: 一種工具機防碰撞方法，包括：載入多條加工碼；模擬對應該些加工碼的多個路徑軌跡；估計運行該些路徑軌跡的多個執行期間；自該些執行期間中選取最短執行期間；判斷在最短執行期間內，該些路徑軌跡中的任兩者的軌跡位置點的間距是否小於安全距離；當第一路徑軌跡中的第一軌跡位置點與第二路徑軌跡中的第二軌跡位置點的距離小於安全距離時，估計第一刀塔運行至第一軌跡位置點的第一時間點以及第二刀塔運行至第二軌跡位置點的第二時間點；當第一時間點與第二時間點之間的時間差距值低於容忍值時，產生碰撞警告。
Patent TW-I671098-B (TW)
Title: 可自行決定跨距大小之多功能橢圓機
Inventor: SUNNY LEE
IPC: A63B22/18
Filed: 2018-03-06
Granted: 2019-09-11
Abstract: 一種可自行決定跨距大小之多功能橢圓機，包含一支架單元、一阻力單元、一傳動單元，及二連動單元，該阻力單元包括一第一阻力件，及一第二阻力件。該傳動單元包括一曲柄件、一連接於該曲柄件及該第一阻力件間的第一傳動組，及一連接該第二阻力件的第二傳動組，每一連動單元可在一上下運動狀態及一前後運動狀態間變換，在該上下運動狀態時，該連動單元依序連動該曲柄件、該第一傳動組及該第一阻力件，在該前後運動狀態時，該連動單元依序連動該第二傳動組及該第二阻力件，由於該連動單元在該上下運動狀態及該前後運動狀態時所連動的元件不同，故在該前後方向上的跨距不受限制，而可自行決定跨距的大小，達到較佳的健身效果。
Patent TW-I758436-B (TW)
Title: 彈性膜、扣環及基板處理裝置
Inventor: NAMIKI KEISUKE
IPC: B24B49/10
Filed: 2018-03-15
Granted: 2022-03-21
Abstract: 本發明藉由更正確檢測用於基板處理之消耗品的狀況，使基板處理的條件一定。本發明之基板處理裝置具有基板研磨單元40，其具備：研磨晶圓W之研磨墊；及用於保持晶圓並按壓於研磨墊之上方環形轉盤41。上方環形轉盤41上安裝有保持晶圓W的與研磨面相反側之面的彈性膜80作為消耗品。彈性膜80上設有在研磨中計測彈性膜80產生之失真的複數個失真感測器85、86，控制裝置15藉由檢測部90、91讀取失真量資料。控制裝置15依據失真感測器所計測之彈性膜80的失真資訊，設定對晶圓W之研磨處理程式等的處理條件。
Patent TW-I744505-B (TW)
Title: 電池用隔離材、電極體及非水電解質二次電池
Inventor: TSUJIMOTO JUN
IPC: B32B27/20
Filed: 2018-03-15
Granted: 2021-11-01
Abstract: 本發明的課題在於提供黏著性及短路容限(short circuit tolerance)優異的電池用隔離材。  
     本發明為電池用隔離材等，此電池用隔離材係具備聚烯烴微多孔膜、與位於前述聚烯烴微多孔膜之至少一側的面之多孔層的電池用隔離材，聚烯烴微多孔膜係由依序堆疊有第一微多孔層/第二微多孔層/第一微多孔層的三層構造之聚烯烴多層微多孔膜而成，第一微多孔層係由包含聚乙烯與聚丙烯之第一聚烯烴樹脂而成，且相對於第一聚烯烴樹脂的全部質量，前述聚丙烯的含有率為10質量%以上且50質量%以下，第二微多孔層係僅由聚乙烯樹脂而成，多孔層包含二氟亞乙烯-六氟丙烯(vinylidene fluoride-hexafluoropropylene)共聚物(A)、二氟亞乙烯-六氟丙烯共聚物(B)以及無機粒子。
Patent TW-I773741-B (TW)
Inventor: DICTUS DRIES
IPC: H01L21/306
Filed: 2018-03-19
Granted: 2022-08-11
Abstract: 用於蝕刻基板的液態混合物包括：第一液體，該第一液體包含（i）、（ii）其中之一：（i）佔液態混合物3至70質量%的過羧酸，或（ii）佔液態混合物3至70質量%的羧酸及選自由下列者所組成的群組之至少一液體：佔液態混合物3至30質量%的過氧化氫及佔液態混合物0.5至5質量%的臭氧；佔液態混合物2至40質量%的吸水試劑；佔液態混合物0.05至3質量%的氫氟酸；及佔液態混合物0至60質量%的水。液態混合物可用以相對於矽、二氧化矽及氮化矽來蝕刻矽化鍺。
Patent TW-I658364-B (TW)
Inventor: YANG TSUNG-CHIEH
IPC: G06F13/16
Filed: 2018-03-20
Granted: 2019-05-01
Abstract: 本發明揭露一種存取一快閃記憶體模組的方法，其包含有以下步驟：自一主裝置接收一資料及對應於該資料的一元資料；對該資料進行循環冗餘校驗操作以產生一循環冗餘校驗碼；將該元資料與該循環冗餘校驗碼進行編碼操作以產生一調整後校驗碼；將該資料與該調整後校驗碼一併進行編碼操作以產生一編碼後資料，其中該編碼後資料包含了該資料、該調整後校驗碼以及對應於該資料及該調整後校驗碼的一錯誤更正碼；以及將該編碼後資料以及該元資料寫入至該快閃記憶體模組之一區塊中的一資料頁。
Patent TW-I660361-B (TW)
Inventor: ENO JUSTIN M
IPC: G11C11/401
Filed: 2018-03-28
Granted: 2019-05-21
Abstract: 本發明揭示一種記憶體裝置，其可包含三維記憶體實體，其等各包含複數個二維記憶體實體。一控制器可按一第一解析度自記憶體讀取資料且按包含一二維記憶體實體之一部分之一第二解析度自該記憶體收集錯誤率資訊。該控制器可基於該錯誤率資訊判定一數量之二維記憶體實體，該數量之二維記憶體實體具有大於該等二維記憶體實體之一剩餘部分之一錯誤率。該控制器可基於排除與該數量之二維記憶體實體相關聯之該等二維記憶體實體之部分之錯誤率資訊之該錯誤率資訊判定一數量之三維記憶體實體之部分，該數量之三維記憶體實體之部分具有大於三維記憶體實體之該等部分之一剩餘部分之一錯誤率。該控制器可剔除該數量之該等二維記憶體實體及該數量之該等三維記憶體實體。
Patent TW-I765998-B (TW)
Title: 無芯基板用預浸體、無芯基板及半導體封裝體
Inventor: YOKOTA HIROSHI
IPC: H05K1/03
Filed: 2018-03-28
Granted: 2022-06-01
Abstract: 本發明提供：一種無芯基板用預浸體，其在耐熱性、低熱膨脹性及與金屬電路的黏著強度方面可滿足無芯基板所要求的水準；以及，一種無芯基板及半導體封裝體，該等是使用該無芯基板用預浸體而成。前述無芯基板用預浸體，具體而言是包含熱硬化性樹脂組成物而成，該熱硬化性樹脂組成物含有：二氰二胺(a)；三級膦與醌類之加成物(b)；具有至少2個一級胺基之胺化合物(c)；具有至少2個N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(d)。亦可使用胺基改質聚醯亞胺樹脂(X)來取代前述具有至少2個一級胺基之胺化合物(c)、及前述具有至少2個N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(d)，該胺基改質聚醯亞胺樹脂(X)是使具有至少2個一級胺基之胺化合物(c)、與具有至少2個N-取代馬來醯亞胺基之馬來醯亞胺化合物(d)反應而得。
Patent TW-I680397-B (TW)
Title: 感測板及具有感測板的顯示器
Inventor: HSIEH INCHA
IPC: G06F3/042
Filed: 2018-04-03
Granted: 2019-12-21
Abstract: 本發明提供一種感測板，該感測板具有多個光感測器，該等光感測器用於感測入射至該光感測器的入射光。特別的是，當該感測板整合於顯示器使用時，該感測板的該等電極線及該等光感測器可位於該顯示器的掃描電極線及資料電極線的正投影區域。此外，本發明還提供一種具有該感測板的顯示器
Patent TW-I722284-B (TW)
Title: Semiconductor structure and method of generating a layout diagram of a semiconductor device
Inventor: CHEN YU JEN
IPC: H01L29/41
Filed: 2018-05-16
Granted: 2021-03-21
Abstract: A semiconductor structure includes: first and second active regions arranged in a first grid oriented in a first direction; and gate electrodes 
arranged spaced apart in a second grid and on corresponding ones of the active regions, the second grid being oriented in a second direction, the second direction being substantially perpendicular to the first direction; wherein: the first and second active regions are separated, relative to the second direction, by a gap; each gate electrode includes a first segment and a gate extension; each gate extension extends, relative to the second direction, beyond the corresponding active region and into the gap by a height H EXT , where H EXT    (  150nm); and each gate extension, relative to a plane defined by the first and second directions, is substantially rectangular. In an embodiment, the height H EXT  is H EXT    (  100nm).
Patent TW-I810189-B (TW)
Inventor: LIN YU CHI
IPC: G03F1/80
Filed: 2018-05-31
Granted: 2023-08-01
Abstract: 本發明一實施例提供一種蝕刻方法，包括在吸盤上安裝晶圓，吸盤設置在蝕刻系統之腔室中，晶圓被聚焦環包圍。當蝕刻部分晶圓時，藉由將聚焦環相對於晶圓之垂直位置調整到第一期望垂直位置，以將蝕刻方向調整到第一期望蝕刻方向。當蝕刻部分晶圓時，藉由將聚焦環相對於晶圓之垂直位置調整到第二期望垂直位置，以將蝕刻方向調整到第二期望蝕刻方向，第二期望垂直位置與第一期望垂直位置不同，第二期望蝕刻方向與第一期望蝕刻方向不同。
Patent TW-I791531-B (TW)
Inventor: ANSELL OLIVER J
IPC: H01L21/67
Filed: 2018-06-04
Granted: 2023-02-11
Abstract: 根據本發明，提供一種電漿蝕刻一矽基板中之一或多個切割道之方法，該矽基板具有與其附接之一背側金屬層，該方法包含以下步驟：使用交替地重複一沉積步驟與一蝕刻步驟之一循環電漿蝕刻製程執行一主蝕刻，以產生具有扇形側壁之切割道；及切換至使用交替地重複一沉積步驟與一蝕刻步驟之一循環電漿蝕刻製程執行一二次蝕刻，直至到達該背側金屬層；其中在該二次蝕刻期間在一個蝕刻步驟中移除之矽量為在該主蝕刻期間在一個蝕刻步驟中移除之矽量的一半或小於一半。
Patent TW-I754072-B (TW)
Inventor: TSAI PO-HAO
IPC: H01L23/28
Filed: 2018-06-11
Granted: 2022-02-01
Abstract: A package includes a plurality of dies, a wall structure, a 
plurality of conductive structures, an encapsulant, and a redistribution structure. The wall structure surrounds at least one of the dies. The wall structure has an inner surface facing the at least one of the dies and an outer surface opposite to the inner surface. The conductive structures surround the at least one of the dies. The encapsulant encapsulates the dies, the wall structure, and the conductive structures. At least a portion of the encapsulant is located between the inner surface and the outer surface of the wall 
structure and penetrates through the wall structure. The redistribution structure is disposed on the encapsulant and is electrically connected to the dies and the conductive structures.
Patent TW-I702770-B (TW)
Title: System and method for monitoring and controlling a back-up power supply using temperature controlled batteries
Inventor: GOW PHILIPPE
IPC: H02J9/06
Filed: 2018-06-22
Granted: 2020-08-21
Abstract: Systems and methods of monitoring and controlling a back-up power supply are provided. The back-up power supply can include an uninterruptible power supply system configured with a plurality of primary battery banks maintained in long-term storage and a working battery maintained in an operable state. The back-up power supply system can monitor the condition of a first working battery to determine if the condition is below a performance threshold or a capacity threshold. The uninterruptible power supply system can transition a primary battery bank previously maintained in long-term storage to an operable state and designate the transitioned primary battery as a second working battery. The uninterruptible power supply system can switch the source of power provided by the back-up power supply from the first working battery to the second working battery.
Patent TW-I690876-B (TW)
Title: 異業客群基本資料中心化共用系統及方法
Inventor: QIU JIN-HUA
IPC: G06Q10/00
Filed: 2018-07-05
Granted: 2020-04-11
Abstract: 本發明係關於一種異業客群基本資料中心化共用系統及方法，主要係利用各一異業之第一介面端與第二介面端，得以共同分享與使用個別消費者端之基本資料，避免該個別消費者端必須在不同的介面端重複輸入該基本資料。而精簡化輸入基本資料之步驟與程序，可以提升個別消費者端加入其他店家，作為會員之意願。且該資料中心伺服器內部於該共用區設有一疊合濾重複程式，得以藉由一處理器執行對於來自各自複數個別消費者端之基本資料形成疊合並濾除重複之基本資料，使得該資料中心伺服器內部之資料負荷較為精簡，且該處理器執行更有效率。
Patent TW-I680681-B (TW)
Title: 無線網路通訊連線方法
Inventor: CYUE JHENG HAO
IPC: H04W36/08
Filed: 2018-07-06
Granted: 2019-12-21
Abstract: 本發明為一種無線網路通訊連線方法，其主要係用於無線網路上，而無線網路係包括有一主控制器(Master)、一第一工作站(AP1)、一第二工作站(AP2)及一第三工作站(AP3)，當該第二工作站(AP2)已與該主控制器(Master)連接後，而該第二工作站(AP2)之裝置列表(DEVICE LIST)中並無該第三工作站(AP3)之識別碼(UUID)時，該第三工作站(AP3)係能透過該主控制器(Master)來傳遞該第三工作站(AP3)之識別碼(UUID)給該第二工作站(AP2)，使該第二工作站(AP2)在收到該第三工作站(AP3)之識別碼(UUID)後能再次進行掃描，並依據其裝置列表(DEVICE LIST)之判斷條件來重新進選擇欲進行之連線點，使具有判斷選擇連線品質較佳之效能。
Patent TW-I662001-B (TW)
Title: 石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法
Inventor: ISOGAI HIROMICHI
IPC: C03B20/00
Filed: 2014-08-27
Granted: 2019-06-11
Abstract: 〔課題〕 提供一種對應於薄型化且提高遮光性和耐熱性之石英玻璃元件及石英玻璃元件之製造方法。 〔解決手段〕 一種石英玻璃元件，係在石英玻璃基材之表面，藉由以電漿熔射矽粉末而形成皮膜所組成之石英玻璃元件，其特徵在於：石英玻璃基材係由非透明石英玻璃而組成，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為3%以下，矽粉末之100μm以上之粒徑之比率為0%，矽粉末之D50%粒徑為25～35μm，皮膜20之平均膜厚為40～60μm，石英玻璃基材10之表面粗糙度Ra為2～4μm。
Patent TW-I678091-B (TW)
Title: 物聯網家電系統及其控制方法
Inventor: YOU DE-RONG
IPC: H04L29/08
Filed: 2018-08-01
Granted: 2019-11-21
Abstract: 一種物聯網家電系統，包含一管理伺服器、一第一家電裝置及一第二家電裝置。第一家電裝置的一第一人體感測單元用於感測鄰近第一家電裝置的一第一預定區域內的人數以產生一第一人體感測結果。第二家電裝置的一第二人體感測單元用於感測鄰近第二家電裝置的一第二預定區域內的人數以產生一第二人體感測結果。第二家電裝置的運作效果涵蓋第一預定區域及第二預定區域。當伺服器單元判斷出第一人體感測結果及第二人體感測結果共同符合一預定條件，伺服器單元產生並傳送一用於控制第二家電裝置運作的運作設定指令給第二家電裝置。
Patent TW-I713872-B (TW)
Title: 半導體記憶體及記憶體系統
Inventor: TAKAGIWA TERUO
IPC: H01L27/11521
Filed: 2018-08-06
Granted: 2020-12-21
Abstract: 實施形態提供一種能提高記憶胞中所記憶之資料之恢復能力之半導體記憶體及記憶體系統。  實施形態之半導體記憶體包含複數個第1及第2記憶胞、分別連接於複數個第1及第2記憶胞之複數條第1及第2位元線、共通連接於複數個第1及第2記憶胞各者之字元線、及驅動器。若接收第1指令，則執行第1動作。於第1動作中，驅動器對字元線：施加複數種第1讀出電壓，施加複數種第1讀出電壓中之一種而對複數個第1記憶胞進行讀出，施加複數種第2讀出電壓，施加複數種第2讀出電壓中之一種而對複數個第2記憶胞進行讀出。
Patent TW-I674540-B (TW)
Title: 能針對風災及水災所造成的工商災損進行即時評估及預警的系統
Inventor: LI XIN-JI
IPC: G08B21/10
Filed: 2018-08-21
Granted: 2019-10-11
Abstract: 本發明係一種能針對風災及水災所造成的工商災損進行即時評估及預警的系統，該系統中的一管理伺服器安裝有複數個評估模型，且能與複數個終端裝置及至少一氣象數據監測伺服器相連結，其中，該管理伺服器能根據終端裝置之使用者所對應的地理區域，接收該氣象數據監測伺服器針對前述區域之氣象數據，並將前述氣象數據分別匯入各該評估模型，以能即時地估算出各個使用者之地理區域的災損評估值，且在該災損評估值超過一預設門欄值時，對各個使用者發生預警訊號，如此，本系統便能提醒各個使用者預作防災準備，從而防災於未然，以有效且大幅度地降低所可能遭致之工商災損。
Patent TW-I700603-B (TW)
Title: 數位證書使用的實現方法和用於執行上述方法的電腦設備及電腦可讀儲存媒體
Inventor: Wei ya-wen
IPC: G06F21/30
Filed: 2018-08-30
Granted: 2020-08-01
Abstract: 本說明書提供一種數位證書使用的實現方法，所述方法包括：接收用戶端的證書使用請求，所述證書使用請求中包括用戶端的設備標識和所述證書的核身要求；所述核身要求指定至少一種要素核身方式；根據所述對應關係，查找與所述設備標識對應的、並且滿足核身要求的已有證書標識；所述滿足核身要求的已有證書標識為：已通過核身方式中包括核身要求指定的每種要素核身方式的已有證書標識；向用戶端發送證書使用指令，所述證書使用指令中包括滿足核身要求的已有證書標識。
Patent TW-I666349-B (TW)
Inventor: YAN TIAN-YUAN
IPC: C30B1/10
Filed: 2018-09-05
Granted: 2019-07-21
Abstract: 本發明在於提供一種設備與材料成本皆低，修補耗時短的石墨盤修補方法。其技術手段：修補方法包括以下步驟：判斷步驟：清除報廢石墨盤上蛀孔處，已被氨氣蝕刻形成的多孔狀石墨，判斷出受損範圍；加工步驟：通過機械加工，在報廢石墨盤上加工出能涵蓋受損範圍、具有簡單立體幾何形狀的凹陷部；填補步驟：以由石墨塊材加工而成的石墨修補塊，對凹陷部進行相應的填補動作，填補完成之後，再加工修整至符合報廢石墨盤的原有外型，使其成為報廢石墨盤的一部分；以及修補步驟：以純矽焊料進行硬焊，接合石墨修補塊與報廢石墨盤，在石墨修補塊表面反應生長出碳化矽，與報廢石墨盤原有的碳化矽鍍層結合為一體，完成修補，使報廢石墨盤能被再次使用。
Patent TW-I696102-B (TW)
Title: 資料處理裝置
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: G06F3/048
Filed: 2014-11-11
Granted: 2020-06-11
Abstract: 本發明的一個實施例的目的之一是提供一種操作性優異的新穎的人機介面。本發明的一個實施例的目的之一是提供一種操作性優異的新穎的資料處理裝置。本發明的一個實施例的目的之一是提供一種新穎的資料處理裝置或新穎的顯示裝置等。本發明的一個實施例的資料處理裝置包括被供應影像資料且供應位置資料的輸入輸出裝置以及供應影像資料且被供應位置資料的算術裝置。輸入輸出裝置包括彎曲部及夾著彎曲部的第一區域和第二區域，並且第一區域及第二區域分別具有顯示部及重疊於顯示部的位置資料輸入部。算術裝置包括運算部及儲存由運算部執行的程式的記憶部。
Patent TW-I678747-B (TW)
Inventor: WU CHUNG-WEI
IPC: H01L21/66
Filed: 2018-10-01
Granted: 2019-12-01
Abstract: 一種測試裝置及其晶片承載板。晶片承載板包括晶片承載區、多個邊緣、多個第一導電焊墊、多個第二導電焊墊以及多條第一導線。晶片承載區設置在晶片承載板的第一表面上，用以承載至少一晶片。第一邊緣及第二邊緣上各具有多個凹入區。第一導電焊墊分別設置在所述邊緣的第一邊緣的凹入區中。第二導電焊墊分別設置在所述邊緣的第二邊緣的凹入區中，其中，第一邊緣與第二邊緣相對。第一導線分別配置在第一導電焊墊與晶片承載區間，以及配置在第二導電焊墊與晶片承載區間。
Patent TW-I750422-B (TW)
Inventor: KASHER ASSAF YAAKOV
IPC: H04B7/0408
Filed: 2018-11-06
Granted: 2021-12-21
Abstract: A first apparatus may identify a first set of antenna settings and a second set of antenna settings based on beamforming training with a second apparatus, and the first set of antenna settings may correspond to a first path that is different from a second path with the second apparatus corresponding to the second set of antenna settings. The first apparatus may generate a first request frame including an indication to use the first path for at least one first field of a first measurement frame, and may output the first request frame for transmission to the second apparatus. The first apparatus may obtain, from the second apparatus, a first measurement frame via the first set of antenna settings for reception of at least one first field and via the second set of antenna settings for reception of one or more second fields of the first measurement frame.
Patent TW-I699559-B (TW)
Title: Structured illumination imaging system and method of creating a high-resolution image using structured light
Inventor: HONG STANLEY S
IPC: G06K9/20
Filed: 2018-12-19
Granted: 2020-07-21
Abstract: The disclosure provides for structured illumination microscopy (SIM) imaging systems. In one set of implementations, a SIM imaging system may be implemented as a multi-arm SIM imaging system, whereby each arm of the system includes a light emitter and a beam splitter (e.g., a transmissive diffraction grating) having a specific, fixed orientation with respect to the system’s optical axis. In a second set of implementations, a SIM imaging system may be implemented as a multiple beam 
splitter slide SIM imaging system, where one linear motion stage is mounted with multiple beam splitters having a corresponding, fixed orientation with respect to the system’s optical axis. In a third set of implementations, a SIM imaging system may be implemented as a pattern angle spatial selection SIM imaging system, whereby a fixed two-dimensional diffraction grating is used in combination with a spatial filter wheel to project one-dimensional fringe patterns on a sample.
Patent TW-I734064-B (TW)
Title: 磁穿隧接面元件、使用其之磁記憶體及磁穿隧接面元件之製造方法
Inventor: MIURA KATSUYA
IPC: H01L43/08
Filed: 2019-01-08
Granted: 2021-07-21
Abstract: [課題]    　　提供一種磁穿隧接面（MTJ）元件，可抑制由於電漿CVD成膜所致的磁穿隧接面層的磁特性劣化，應付微細化。        [解決手段]    　　MTJ元件具有磁穿隧接面層(101、102、103)、和形成於磁穿隧接面層之側壁的複數層的保護膜，複數層的保護膜係使電漿CVD的成膜條件不同而形成的SiN膜，包含直接接於磁穿隧接面層而形成的第1保護膜(109)，第1保護膜的成膜條件中的氫離子密度或氫離子能量比複數層的保護膜的其他保護膜(110)的成膜條件中的氫離子密度或氫離子能量低，其他保護膜方面包含其氮密度比第1保護膜的氮密度高的保護膜。