Patent DE-112009005533-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Bildung von gestapelten Trench-Kontakten
Inventor: SELL BERNARD
IPC: H01L21/283
Filed: 2009-06-26
Granted: 2021-11-18
Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Transistors (100) auf einem Substrat (102), umfassend:Ausbilden einer Gatestruktur (104) mit einer Gateelektrodenschicht auf dem Substrat (102);Ausbilden eines ersten Source/Drain-Gebiets (103) auf einer ersten Seite der Gatestruktur(104);Ausbilden eines ersten Abstandhalters (106) auf der ersten Seite der Gatestruktur (104) und in direktem Kontakt mit der Gatestruktur (104);Ausbilden eines zweiten Abstandhalters (106) auf einer zweiten Seite der Gatestruktur (104) und in direktem Kontakt mit der Gatestruktur (104);Ausbilden einer ersten Nitridätzstoppschicht (108) an einer ersten Seite des ersten Abstandhalters (106);Ausbilden einer zweiten Nitridätzstoppschicht (108) an einer zweiten Seite des zweiten Abstandhalters (106);Ausbilden einer ersten ILD-Schicht (110) an einer ersten Seite der ersten Nitridätzstoppschicht (108) und an einer ersten Seite der zweiten Nitridätzstoppschicht (108);Ausbilden eines zweiten Source/Drain-Gebiets (103) auf einer zweiten Seite der Gatestruktur (104);Ausbilden einer Stoppschicht (112) auf der Gatestruktur (104) und einer Schutzschicht (114) auf der Stoppschicht (112);Ätzen einer ersten Trench-Kontakt-Öffnung in der ersten ILD-Schicht (110) zum Freilegen von mindestens einem Teil des ersten Source-Gebiets (103), wobei Teile der ersten Nitridätzstoppschicht (108) und der ersten ILD-Schicht (110) an dem ersten Abstandhalter (106) verbleiben;Ausbilden einer ersten Salizidschicht (118) auf einer Oberseite des ersten Source/Drain-Gebiets (103) durch die erste Trench-Kontakt-Öffnung;Füllen der ersten Trench-Kontakt-Öffnung mit einem ersten Kontaktmetall (120) zum Ausbilden eines ersten Trench-Kontakts;Ätzen einer zweiten Trench-Kontakt-Öffnung in der ersten ILD-Schicht (110), die zumindest einen Teil des zweiten Source/Drain-Gebiets (103) freilegt;Ausbilden einer zweiten Salizidschicht (118) auf einem oberen Abschnitt des zweiten Source/Drain-Gebiets (103) durch die zweite Trench-Kontakt-Öffnung;Füllen der zweiten Trench-Kontakt-Öffnung mit dem ersten Kontaktmetall (120) zum Ausbilden eines zweiten Trench-Kontakts;Entfernen der Schutzschicht (114) und der Stoppschicht (112);Ausbilden einer Gateätzstoppschicht (124) auf der Gatestruktur (104) und dem ersten Kontaktmetall (120);Ausbilden einer zweiten ILD-Schicht über der ersten Gateätzstoppschicht (124) ;Ätzen einer dritten Trench-Kontakt-Öffnung in der zweiten ILD-Schicht, die zumindest einen Teil des ersten Trench-Kontakts freilegt, wobei die dritte Trench-Kontakt-Öffnung eine Konusgestalt aufweist, sodass ein unterer Abschnitt der dritten Trench-Kontakt-Öffnung in der Breite schmaler als ein oberer Abschnitt der dritten Trench-Kontakt-Öffnung ist;Füllen der dritten Trench-Kontakt-Öffnung mit einem zweiten Kontaktmetall (128) zum Ausbilden eines dritten Trench-Kontakts;Ätzen einer vierten Trench-Kontakt-Öffnung in der zweiten ILD-Schicht (126), die zumindest einen Teil des zweiten Trench-Kontakts freilegt, wobei die vierte Trench-Kontakt-Öffnung eine Konusgestalt aufweist, sodass ein unterer Abschnitt der vierten Trench-Kontakt-Öffnung in der Breite schmaler als ein oberer Abschnitt der vierten Trench-Kontakt-Öffnung ist; undFüllen der vierten Trench-Kontakt-Öffnung mit dem zweiten Kontaktmetall (128) zum Ausbilden eines vierten Trench-Kontakts.