Patent EP-0040392-A2 (EP)
Inventor: FREYBERGER LAURIN C DIPL-ING
IPC: H03K4/02
Filed: 1981-05-13
Abstract: Diese erzeugt mittels von einem Rechteck-Taktgenerator (TG) gesteuerten Digitalschaltungen und Decodern ein Sägezahnsignal wie folgt:
     Der Rechteck-Takgenerator (TG) liegt am Takteingang, (ET) eines n-stufigen Schieberegisters (SR), dessen Serien-Signaleingang auf festem Potential(U) liegt, wobei mit n die Anzahl der Auflösungsschritte der Ablenkperiode (z.B. Anzahl der Punkte einer Zeile oder die Zeilenzahl eines Fernsehhalbbildes) angibt. Der Decoder ist eine Summierschaltung (SM) mit n, jeweils mit einem Ausgang der n Schieberegisterstufen verbundenen Eingängen. Der Rücksetzeingang (ER) des Schieberegisters (SR) ist von dessen letzter Stufe (Sn) gesteuert, und die Ablenkmittel sind von dem am Ausgang (A) der Summierschaltung (SM) entstehenden Sägezahnsignal gesteuert.   
     Die Summierschaltung (SM) kann aus n mit den n Schieberegister-Ausgängen verbundenen Widerständen (R1 ...Rn) und einem Vorwiderstand (Rv) bestehen, über den die n Widerstände (R1...Rn) gemeinsam an Betriebsspannung (Ub) liegen, wobei als Ausgang (A) für das Sägezahnsignal der Verbindungspunkt des Vorwiderstandes (Rv) mit den n Widerständen (R1 ...Rn) dient. Bei monolithischer Integrierung kann die Summierschaltung (SM) zusätzlich zu den Widerständen (R1...Rn) pro Widerstand höchstens einen Transistor (T1 ...Rm) enthalten, dessen Emittet bzw. Source mit: dem (den) zugehörigen Widerstand (Widerständen) R1 ...Rn) und dessen Kollektor bzw. Drain mit den Kollektoren bzw. Drains der anderen Transistoren verbunden ist, wobei an die Basen bzw. Gates der Transistoren (T1...Tm) jeweils ein den zeitlichen Verlauf des Sägezahnsignals bestimmendes Potential angelegt ist, das z.B. an aufeinanderfolgenden Abgriffen eines ohmschen Spannungsteilers (W1...Wm) auftritt, dessen beide Enden mit dem jeweiligen Ausgang zweier vom gemeinsamen Kollektor- bzw. Drainpotential der Transistoren (T1...Tm) gesteuerten .Spannungsverstärker (V1, V2) verbunden sind. 
     Bei bipolar-monolithischer Integrierung bestehen die Schieberegister-Stufen (S1 ...Sn) jeweils aus zwei komplementären, eine Thyristorstruktur bildenden Transistoren (Tn1, Tp1...Tnn, Tpn) mit einem zusammen mit dem Emitter des npn-Transistors (Tn1...Tnn) am Schaltungsnullpunkt liegenden Basiswiderstand (B1 ...Bn) des npn-Transistors und aus einem Steuertransistor (Ts1...Tsn) mit Basisvorwiderstand (Bs1 ...Bsn), dessen Emitter am Verbindungspunkt von Basis des pnp-Transistors (Tp1...Tpn) und Kollektor des npn-Transistors (Tn1...Tnn) derselben Stufe und dessen Kollektor mit dem gleichen Verbindungspunkt der nächstfolgenden Stufe verbunden ist, wobei der Emitter des pnp-Transistors (Tp1 ...Tpn) jeder Stufe (S1 ...Sn) mit einem der Widerstände (R1...Rn) verbunden ist und die Basisvorwiderstände (Bs2, Bsn) der gerad- bzw. der ungeradzahligen Schieberegister-Stufen (S2, Sn; S1, S3, Sn-1) des an jeweils einem Ausgang des Rechteck-Taktgenerators (TG) für zwei zueinander gegenphasige Taktsignale liegen. Dabei können die beiden komplementären Transistoren (Tnn, Tpn), der Basiswiderstand (Bn) und der Steuertransistor (Tsn) jeder Schieberegister-Stufe (S1...Sn) in einer gemeinsamen Isolierwanne (lW) des Halbleiterkörpers der monolithisch integrierten Schaltung angeordnet sein.