Patent DE-102016224214-B4 (DE)
Title: Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
Inventor: NAKAMURA MASARU
IPC: H01L21/301
Filed: 2016-12-06
Granted: 2020-04-09
Abstract: Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Teilen eines Wafers in mehrere einzelne Bauelementchips entlang mehrerer, sich kreuzender Teilungslinien, die an einer vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, wobei die vordere Seite des Wafers durch die Teilungslinien aufgeteilt ist, sodass mehrere getrennte Bereiche gebildet werden, an denen mehrere Bauelemente ausgebildet sind, wobei die einzelnen Bauelementchips den Bauelementen entsprechen, der Wafer ein gestapeltes Element daran ausgebildet aufweist, und das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer umfasst:einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement zum Anbringen eines Schutzelements an der vorderen Seite des Wafers;einen hinteren Schleifschritt zum Schleifen einer hinteren Seite des Wafers nach dem Durchführen des Anbringungsschritts für ein Schutzelement, wodurch die Dicke des Wafers auf eine vorbestimmte Dicke reduziert wird;einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, von der hinteren Seite davon entlang jeder Teilungslinie in dem Zustand, in dem der Fokuspunkt des Laserstrahls in dem Wafer gesetzt ist, nach dem Durchführen des hinteren Schleifschritts, wodurch eine modifizierte Schicht in dem Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet wird;einen Trägerschritt für einen Wafer zum Anbringen der hinteren Seite des Wafers an einem haftvermittelnden Band, das an seinem umfänglichen Abschnitt an einem ringförmigen Rahmen getragen wird, der eine innere Öffnung aufweist, die dazu geeignet ist, den Wafer aufzunehmen, nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für eine modifizierte Schicht, wodurch der Wafer durch das haftvermittelnde Band an dem ringförmigen Rahmen getragen wird, und als nächstes zum Ablösen des Schutzelements von der vorderen Seite des Wafers;einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Aufbringen eines wasserlöslichen Kunststoffs an der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Trägerschritts für einen Wafer, wodurch ein Schutzfilm aus dem wasserlöslichen Kunststoff ausgebildet wird;einen Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge in dem gestapelten Element aufweist, durch den Schutzfilm entlang jeder Teilungslinie nach dem Durchführen des Ausbildungsschritts für einen Schutzfilm, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, um das gestapelte Element, dass an jeder Teilungslinie vorliegt, zu entfernen;einen Teilungsschritt zum Aufbringen einer äußeren Kraft auf den Wafer nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelementchips entlang jeder Teilungslinie geteilt wird, wo die modifizierte Schicht ausgebildet ist;einen Entfernungsschritt für einen Schutzfilm zum Reinigen der vorderen Seite des Wafers nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch der Schutzfilm von der vorderen Seite des Wafers entfernt wird; undeinen Plasmaätzschritt zum Zuführen eines Ätzgases in einem Plasmazustand zu dem Wafer von der vorderen Seite davon nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für ein gestapeltes Element oder nach dem Durchführen des Teilungsschritts, wodurch eine Beschädigung aufgrund der Ablation in dem Entfernungsschritt für ein gestapeltes Element entfernt wird.