baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102020212354-B4 (DE)
Title: Presswerkzeug
Inventor: FRUHNERT STEFAN
IPC: B21C47/26
Filed: 2020-09-30
Granted: 2023-05-17
Abstract: Presswerkzeug (20), das dazu ausgelegt ist, in einem Zustand, in dem dieses in einer Pressvorrichtung (1) montiert ist, einen losen Verseilverband (21) eines Kabels (22) radial zu verdichten und diesem eine vorbestimmte äußere Soll-Form zu verleihen, umfassend zwei zusammenwirkende Presselemente (23, 24), die dazu ausgelegt sind, in einer vorbestimmten Bewegungsrichtung (9) zwischen einer Pressstellung und einer zurückgezogenen Stellung aufeinander zu und voneinander weg bewegt zu werden, wobei die zueinander weisenden Seiten der Presselemente (23, 24) Pressflächen (26, 27) bilden, zwischen denen in der zurückgezogenen Stellung ein zu verdichtender Verseilverband (21) eingelegt werden kann und die in der Pressstellung gemeinsam eine Negativform der Soll-Form bilden, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Presselement (23, 24) entlang einander gegenüberliegenden, die Pressfläche (26, 27) begrenzenden Längskanten (28) eine Mehrzahl von Führungszähnen (29) aufweist, deren zueinander weisenden Zahnflanken (30) Zahnzwischenräume (31) bilden, wobei die Führungszähne (29) des ersten Presselementes (23) und die Führungszähne (29) des zweiten Presselementes (24) derart ausgebildet und positioniert sind, dass die Führungszähne (29) des einen Presselementes (23) beim Überführen der Presselemente (23, 24) aus der zurückgezogenen Stellung in die Pressstellung nach Art einer Verzahnung in die Zahnzwischenräume (31) des anderen Presselementes (24) greifen und umgekehrt.
Patent DE-112006003892-B4 (DE)
Title: Waschmaschine mit einer Wanne und Wanne für eine Waschmaschine
Inventor: KIM HYEOK DEOK
IPC: D06F37/26
Filed: 2006-05-12
Granted: 2019-02-07
Abstract: Waschmaschine mit einer durch Spritzgießen hergestellten Wanne (100, 400, 500) mit einem in diese eingesetzten Lagergehäuse (200, 300, 501), das Folgendes aufweist:
 - einen Lagerhalter (201) zum Aufnehmen von Lagern; und
 - einen Flansch (210, 310, 510), der sich ausgehend vom Lagergehäuse (200, 300, 501) erstreckt und über einen erhöhten Teil (216, 416, 516) und einen vertieften Teil (215, 415, 515) verfügt,
 wobei der erhöhte Teil (216, 416, 516) und der vertiefte Teil (215, 415, 515) alternierend in einer radialen Richtung angeordnet sind, und
 der erhöhte Teil (216, 416, 516) in einer Umfangsrichtung gebildet ist.
Patent DE-112007002795-B4 (DE)
Title: Syntheseverfahren für Metall-Cyclopentadienyl in Masse
Inventor: HAN YONG-GYU
IPC: C07F17/00
Filed: 2007-11-02
Granted: 2017-06-14
Abstract: Syntheseverfahren für Metall-Cyclopentadienyl, das die folgenden Schritte umfasst: i) Zugeben von Diethylenglykoldimethylether oder Diethylenglykoldibutylether als ein aprotisches Lösungsmittel und eines Gruppe-I-Metalls zu einem Reaktor und Erhöhen der Temperatur auf den Siedepunkt des aprotischen Lösemittels; und ii) Zugeben von Dicyclopentadien unter Aufrechterhaltung der erhöhten Temperatur im Reaktor und Induzieren der Reaktion, um das Metall-Cyclopentadienyl zu erhalten.
Patent DE-112008001753-B4 (DE)
Title: Einrichtung zur Bereitstellung von Gasen, insbesondere für die Isotopenverhältnisanalyse
Inventor: KRUMMEN MICHAEL
IPC: G01N37/00
Filed: 2008-07-01
Granted: 2016-07-21
Abstract: Vorrichtung mit einer Einrichtung zur Bereitstellung von Gasen für eine Analyse und mit einem Analysator für die Bestimmung von Isotopenverhältnissen, mit folgenden Merkmalen: a) Analysator (10) ist der Einrichtung zur Bereitstellung von Gasen nachgeschaltet, b) die Einrichtung zur Bereitstellung der Gase weist einen ersten Gasweg (16) für einen Gasstrom, einen zweiten Gasweg (23) und einen ersten Reaktor (18) zwischen den beiden Gaswegen (16, 23) auf, c) der erste Reaktor (18) weist eine Eintrittsseite und eine Austrittsseite auf, wobei die Eintrittsseite dem ersten Gasweg (16) zugewandt ist, d) mindestens ein zweiter Reaktor (19) ist dem ersten Gasweg (16) nachgeordnet, e) mindestens einer der Reaktoren ist deaktivierbar oder es sind Mittel vorhanden zum Umgehen mindestens eines der Reaktoren (18, 19), und gekennzeichnet durch die folgenden Merkmale: f) der zweite Reaktor (19) ist parallel zum ersten Reaktor (18) angeordnet, wobei zwischen dem ersten Gasweg (16) und den Eintrittsseiten der beiden Reaktoren (18, 19) eine Verzweigung (17) vorhanden ist, g) eine erste Umschalteinrichtung (22) zum Umschalten des Gasstroms, derart, dass der vom ersten Gasweg (16) kommende Gasstrom oder ein Hauptteil desselben wahlweise in den ersten Reaktor (18) über dessen Eintrittsseite oder in den zweiten Reaktor (19) über dessen Eintrittsseite gelangt, h) die erste Umschalteinrichtung (22) ist zwischen dem zweiten Gasweg (23) und den Austrittsseiten der beiden Reaktoren (18, 19) angeordnet.
Patent DE-112008001833-B4 (DE)
Title: Fingerabdruckleserrücksetzsystem und -Verfahren
Inventor: ALI VALIUDDIN Y
IPC: G06F1/24
Filed: 2008-07-07
Granted: 2013-02-21
Abstract: Ein Fingerabdruckleser(90)-Rücksetzverfahren, das das Ermöglichen umfasst, dass ein elektronisches Gerät (100) einen Rücksetzbefehl für einen Fingerabdruckleser (90) akzeptiert, ansprechend darauf, dass ein Physische-Anwesenheit-Zustand (92) auf nicht verriegelt gesetzt ist während einer Initialisierung eines elektronischen Geräts (100), um einen Zustand des Fingerabdrucklesers (90) zurückzusetzen.
Patent DE-112010005306-B4 (DE)
Title: Fahrzeugannäherungs-Notifikationsvorrichtung
Inventor: SHIMOTANI MITSUO
IPC: G08G1/16
Filed: 2010-02-25
Granted: 2017-07-27
Abstract: Fahrzeugannäherungs-Notifikationsvorrichtung; umfassend: eine Positionsdetektionseinheit, die eine aktuelle Position eines Fahrzeugs detektiert; eine Kartendaten speichernde Kartendatenbank; eine Spezifikbereichs-Fahrbestimmungseinheit, die ein Fahren desselben in einem spezifischen Bereich unter Verwendung der aktuellen Position aus der Positionsdetektionseinheit und von Kartendaten aus der Kartendatenbank feststellt; eine Spezifikbereichs-Maßstabsbestimmungseinheit, die, wenn Informationen aus der Spezifikbereichs-Fahrbestimmungseinheit einen spezifischen Bereich anzeigen, einen Maßstab des spezifischen Bereichs unter Verwendung der Kartendaten berechnet; eine Speichereinheit, die eine Liste von Schwellenwerten speichert, welche sich auf den Maßstab des spezifischen Bereichs beziehen, und eine Notifikationssteuereinheit, die Informationen des Maßstabs aus der Spezifikbereichs-Maßstabsbestimmungseinheit mit der Liste von Schwellenwerten aus der Speichereinheit vergleicht, und die, wenn der Schwellenwert erfüllt ist, ein Steuersignal zum Emittieren eines Mitteilungstons des Fahrzeugs an eine Notifikationston-Steuereinheit ausgibt, welche den Mitteilungston steuert.
Patent DE-112011102011-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Herstellen eines Tunnel-FET mit vertikalem Heteroübergang und Feldeffekttransistor-Einheit
Inventor: SOLOMON PAUL MICHAEL
IPC: H01L29/78
Filed: 2011-04-12
Granted: 2015-10-22
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Heteroübergang-Tunnel-Feldeffekttransistors (100), wobei das Verfahren aufweist: Bilden eines Gate-Bereichs (145) auf einer Siliciumschicht (115) eines Silicium-auf-Isolator-Substrats (105, 110); Bilden eines Drain-Bereichs (120) auf der Siliciumschicht (115), benachbart zu dem Gate-Bereich (145); und Bilden eines Source-Bereichs (125) mit vertikalem Heteroübergang (126) benachbart zu dem Gate-Bereich (145), wobei der Source-Bereich (125) mit vertikalem Heteroübergang (126) einen Tunnelweg (140) parallel zu einem Gate-Feld, das mit dem Gate-Bereich (145) verbunden ist, erzeugt.
Patent DE-112011103965-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Übertragung eines Rundfunkdienstes sowie Verfahren und Vorrichtung zum Empfang eines Rundfunkdienstes
Inventor: KIM SANGHYUN
IPC: H04N21/858
Filed: 2011-12-23
Granted: 2018-11-15
Abstract: Verfahren für eine Ausstrahlungsempfängervorrichtung zum Empfangen einer Ausstrahlung, umfassend:Empfangen eines Ausstrahlungs-Stream, der Medien enthält, darunter Audio oder Video;Erhalten einer IP-Adresse für einen ersten Auslöser aus dem Ausstrahlungs-Stream;Empfangen (S240) eines ersten Auslösers mit der IP-Adresse,wobei der erste Auslöser Informationen enthält, die eine Kennung zum Identifizieren eines ausgelösten deklarativen Objekts (TDO, Triggered Declarative Object) repräsentieren, Informationen, die eine erste Auslöserzeit repräsentieren, und Informationen, die eine erste Auslöseraktion repräsentieren und wobei die erste Auslöseraktion eine Vorbereitung repräsentiert;Extrahieren (S240) der Informationen, die die Kennung repräsentieren, der Informationen, die die erste Auslöserzeit repräsentieren, und der Informationen, die die erste Auslöseraktion repräsentieren, aus dem ersten Auslöser;Durchführen (S250) der ersten Auslöseraktion in der ersten Auslöserzeit für das durch die Kennung identifizierte TDO, wenn eine Empfangszeit des ersten Auslösers vor der ersten Auslöserzeit liegt; undsofortiges Durchführen der ersten Auslöseraktion für das durch die Kennung identifizierte TDO, wenn eine Empfangszeit des ersten Auslösers nach der ersten Auslöserzeit liegt,wobei das TDO eine Nichtechtzeit-(NRT, non-real time service)-Dienst Anwendung ist, die von dem ersten Auslöser ausgelöst wird,wobei die Vorbereitung die Ausführung des TDO vorbereitet, damit das TDO zur Auslöserzeit reibungslos funktioniert.
Patent DE-112012001301-B4 (DE)
Title: Verfahren und System zum Ausgleichen und Gruppieren von Lithium-Sekundärbatterien
Inventor: TANG SHENGCHENG
IPC: H02J7/00
Filed: 2012-11-08
Granted: 2017-11-30
Abstract: Verfahren zum Ausgleichen und Gruppieren von Lithium-Sekundärbatterien, die eine Vielzahl von Batteriekernen aufweisen, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: – Aufladen der Batteriekerne auf einen festen Spannungswert Vc, der aus einem sensiblen Spannungsbereich ausgewählt ist; – Messen von Spannungen und Auffinden einer stabilen Spannung V0 an jedem Batteriekern, wobei die Spannung pro Stunde gemessen und aufgenommen wird, und wobei die Spannung als stabile Spannung V0 betrachtet wird, wenn eine Spannungsdifferenz von zwei Messungen weniger als 1 mV beträgt; – Beiseitelegen der Batteriekerne bei offenem Stromkreis für eine festgelegte Zeit t zur Selbstentladung; – Messen einer Spannung Vt an jedem Batteriekern nach dem Lagern der Batteriekerne für die festgelegte Zeit t; – Ermitteln einer Spannungsdifferenz ΔV = V0 – Vt zwischen der stabilen Spannung V0 und Vt nach der festgelegten Zeit t; – Ermitteln einer Selbstentladungsquote ρ für jedes ΔV jedes Batteriekerns; – Berechnen eines Selbstentladungsstroms Ic aufgrund der Selbstentladungsquote ρ für jeden Batteriekern; – Durchführen einer Ausgleichsrechnung mit den Werten von Ic an die Werte von ΔV, um eine Gleichung Ic = f(ΔV)zu erhalten, in der Ic eine Funktion von ΔV ist; – Aufteilen des Selbstentladungsstroms Ic in h Selbstentladungsstromstufen, wobei ein Selbstentladungsstrom Ics ein festgestellter Standard vom Selbstentladungsstrom Ic ist, wobei Ic <= Ics konform ist, und W·ICS eine Stufenlänge definiert, wobei h·W = 1 ist, wobei W ein dimensionsloser Stufenfaktor der Selbstentladungsströme Ic ist und die Selbstentladungsstromstufen in einer Reihenfolge angeordnet sind, wobei die Stufen (0, WIcs), (WIcs, 2 WIcs), (2 WIcs, 3 WIcs], ... ((h – 1) WIcs, h WIcs] sind, – Aufteilen der Spannungsdifferenz ΔV in Spannungsunterschiedsstufen, die den Selbstentladungsstromstufen gemäß der Gleichung Ic = f(ΔV) entsprechen; und – Auswählen von Batteriekernen derselben Stufen des Selbstentladungsstroms Ic und derselben Stufen der Spannungsdifferenz ΔV zum Gruppieren.
Patent DE-112012004609-B4 (DE)
Title: Schneckengetriebe
Inventor: ITOU KIYOTO
IPC: F16H1/16
Filed: 2012-10-29
Granted: 2022-04-21
Abstract: Schneckengetriebe (110) umfassend:eine Schnecke (112), die mit einer Durchgangsbohrung (112c) ausgebildet ist, durch die eine Welle (26) geführt wird, die die Drehung eines Motors überträgt;ein Schmierfettreservoir (118), das als eine Aussparung (112b) mit einem konkaven oder V-förmigen Querschnitt in der Schnecke (112) ausgebildet ist; undein Schneckenrad (114), das so konfiguriert ist, dass es in die Schnecke eingreift und die Drehung auf eine Abtriebswelle (22) überträgt,worin das Schneckenrad (114) aus einem Kunstharzwerkstoff geformt ist undworin die Schnecke (112) aus einem Metallwerkstoff geformt ist undworin, wenn eine normale Steigung mit E und eine Breite der Aussparung (112b), die so ausgebildet ist, dass sie sich vom Fußkreis zu einer Mitte einer Schneckenachse erstreckt, in der Richtung einer Schneckenachse mit H bezeichnet werden, die Schnecke so konfiguriert ist, dass (Ausdruck 1) H/E≥0,6 erfüllt ist.
Patent DE-112012005176-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Synthetisieren von 1-(2-FluorbenzyI)-1H-pyrazolo[3,4-b]pyridin-3-formamidin-hydrochlorid
Inventor: LI JIN
IPC: C07D471/04
Filed: 2012-11-28
Granted: 2018-10-11
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der chemischen Synthese, und insbesondere ein Verfahren zur Synthese von 1-(2-Fluorbenzyl)-1H-pyrazolo [3,4-b] pyridin-3-formamidin-hydrochlorid, das eine wichtige Vorstufe von Riociguat ist, das ein Arzneimittel gegen thromboembolische Krankheit ist. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass: 3-Iod-1H-pyrazolo [3,4-b] pyridin als ein Ausgangsmaterial verwendet wird; das Ausgangsmaterial mit Fluorbenzyl-bromid zur Reaktion gebracht wird, um eine Verbindung (10) zu bilden; die Verbindung (10) mit Zinkcyanid im Molverhältnis Verbindung (10): Zn(CN)= 1:0,7 bis 1:1,2 zur Reaktion gebracht wird, um eine Verbindung (6) zu bilden; die Verbindung (6) mit Natriummethoxid, Ammoniumchlorid, Essigsäure und Methanol zur Reaktion gebracht wird, um eine Verbindung (8) zu bilden; und die Verbindung (8) mit Chlorwasserstoff-Gas zur Reaktion gebracht wird, um 1-(2-Fluorbenzyl)-1H-pyrazolo [3,4-b] pyridin-3-formamidin-hydrochlorid zu bilden. Das Verfahren hat die charakteristischen Eigenschaften preiswerter und leicht verfügbarer Ausgangsmaterialien, einer hohen Ausbeute, milder Reaktionsbedingungen und dergleichen, und ist ein Syntheseverfahren mit großtechnischem Herstellungswert.
Patent DE-112013006019-B4 (DE)
Title: Dehydroxylierung von Nitroalkoholen in Nitroalkane
Inventor: DAVIS PAUL
IPC: C07C205/01
Filed: 2013-11-21
Granted: 2021-04-22
Abstract: Dehydroxylierungsverfahren zur Herstellung eines Nitroalkans von einem Nitroalkohol, das Folgendes beinhaltet:(A) Inkontaktbringen des Nitroalkohols mit einem Iodkatalysator, ausgewählt aus Iodwasserstoffsäure und Iod, in einer Reaktionszone unter Wasserstoffdruck; und(B) Erhitzen der Reaktionszone und des Inhalts auf eine Reaktionstemperatur zwischen 50°C und 250°C, um das Nitroalkan zu bilden.
Patent DE-112013007162-B4 (DE)
Title: Steuersystem und Steuerverfahren für ein Fahrzeug
Inventor: TANINAKA SATOSHI
IPC: F16H61/02
Filed: 2013-06-12
Granted: 2021-12-23
Abstract: Steuersystem für ein Fahrzeug, wobei das Fahrzeug einen Motor (2), eine Eingangswelle (7), eine Ausgangswelle (12), einen kontinuierlich variablen Getriebeabschnitt (10), einen gestuften Getriebeabschnitt (40) sowie einen Kupplungsmechanismus (C1, C2, C3) umfasst, wobei die Eingangswelle (7) ausgestaltet ist, um eine Drehmomentabgabe des Motors aufzunehmen, die Ausgangswelle (12) ausgestaltet ist, um das Drehmoment auszugeben, der kontinuierlich variable Getriebeabschnitt (10) ausgestaltet ist, um kontinuierlich variabel ein Übersetzungsverhältnis zu verändern; der gestufte Getriebeabschnitt (40) der parallel zu dem kontinuierlich variablen Getriebeabschnitt (10) angeordnet ist, und in der Lage ist, ein Übersetzungsverhältnis einzustellen, das mit dem kontinuierlich variablen Getriebeabschnitt (10) nicht eingestellt werden kann, wobei der kontinuierlich variable Getriebeabschnitt (10) und der gestufte Getriebeabschnitt (40) zwischen der Eingangswelle (7) und der Ausgangswelle (12) angeordnet sind, und der Kupplungsmechanismus (C1, C2, C3) in einem Drehmomentübertragungspfad zwischen dem gestuften Getriebeabschnitt (40) und Antriebsrädern (5) angeordnet ist, wobei das Steuersystem dadurch gekennzeichnet ist, dass es aufweist:eine Steuervorrichtung (1), die eingerichtet ist, um den Kupplungsmechanismus (C1, C2, C3) in einem Fall, bei dem eine Fahrzeuggeschwindigkeit niedriger als der spezifizierte Wert ist und der Motor (2) aufgrund eines Abwürgens des Motors oder weil die Zündung AUS ist, gestoppt ist, auszurücken, wobeidie Steuervorrichtung eingerichtet ist, ein Einrücken des Kupplungsmechanismus (C1, C2, C3) in einem Fall beizubehalten, bei dem die Fahrzeuggeschwindigkeit niedriger als der spezifizierte Wert ist und der Motor (2) aufgrund der Ausführung einer Stopp-und-Start-Steuerung gestoppt ist.
Patent DE-112014002355-B4 (DE)
Title: Piezokeramische Elektronikkomponente
Inventor: MIWA YASUNARI
IPC: H01L41/187
Filed: 2014-05-07
Granted: 2021-07-29
Abstract: Eine piezokeramische Elektronikkomponente, die ein Verbundoxid mit einer Perowskit-Typ-Kristallstruktur als Hauptkomponente beinhaltet und die einen piezokeramischen Basiskörper mit zumindest einem Paar gegenüberliegender Flächen und ein Paar externer Elektroden, die an den Oberflächen der gegenüberliegenden Flächen gebildet sind, aufweist,wobei der piezokeramische Basiskörper eine vielflächige Form mit Formanisotropie aufweist,die Oberflächen, die die gegenüberliegenden Flächen bilden, jeweils zumindest eine erste Seite und parallel dazu eine zweite Seite aufweisen,eine Breitenabmessung des piezokeramischen Basiskörpers in einer Richtung orthogonal zu der ersten Seite und der zweiten Seite größer ist als eine Längenabmessung sowohl der ersten Seite als auch der zweiten Seite,die Kristallachse des piezokeramischen Basiskörpers {100}-orientiert in einer Richtung parallel zu der ersten Seite und der zweiten Seite ist oder davon höchstens ± 15° abweicht, unddas Maß an Orientierung durch ein Lotgering-Verfahren 0,4 oder mehr beträgt.
Patent DE-112016001422-B4 (DE)
Title: Optoelektronischer Halbleiterchip
Inventor: HIRAI ASAKO
IPC: H01L33/06
Filed: 2016-03-29
Granted: 2021-05-12
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer aktiven Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), basierend auf dem Materialsystem AlInGaN, wobei- die Multi-Quantentopfstruktur (3) mehrere Quantentopfschichten (31) und mehrere Barriereschichten (32) aufweist, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken,- in einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) aufweist, die in Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen,- die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) dünner sind als in den Emissionsbereichen (41),- die Quantentopfschichten (31) sowohl in den Transportbereichen (42) als auch in den Emissionsbereichen (41) senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) orientiert sind, mit Ausnahme eines Übergangsbereichs zwischen benachbarten Transportbereichen (42) und Emissionsbereichen (41), und- ein mittlerer Indium-Gehalt der Quantentopfschichten (31) in den Transportbereichen (42) höchstens 60 % eines mittleren Indium-Gehalts der Quantentopfschichten (31) in den Emissionsbereichen (41) beträgt, sodass die Quantentopfschichten (31) in den Transportbereichen (42) eine erhöhte Bandlücke aufweisen, im Vergleich zu den Emissionsbereichen (41) .
Patent DE-112017001142-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren eines Halbleitersubstrats aus Siliziumcarbid und mit diesem Verfahren herstellbares Halbleitersubstrat
Inventor: SUGIYAMA NAOHIRO
IPC: H01L21/205
Filed: 2017-01-12
Granted: 2023-06-29
Abstract: Herstellungsverfahren eines Halbleitersubstrats, umfassend:Bilden eines Siliziumcarbidsubstrats (1), das aus einem Siliziumcarbideinkristall hergestellt ist, durch Formen des Siliziumcarbideinkristalls, der Wasserstoff aufweist, unter Verwendung eines gasförmigen Wachstumsverfahrens zum Synthetisieren von Siliziumcarbid aus einem Gas, das Silizium aufweist, und einem Gas, das Kohlenstoff aufweist, mit Wasserstoffgas als ein Trägergas; undBilden einer Epitaxieschicht (2), die Wasserstoff aufweist, auf dem Siliziumcarbidsubstrat unter Verwendung des Wasserstoffgases als ein Trägergas, wobei:ein Konzentrationsverhältnis zwischen einer Wasserstoffkonzentration im Siliziumcarbidsubstrat und einer Wasserstoffkonzentration in der Epitaxieschicht beim Bilden des Siliziumcarbidsubstrats und dem Bilden der Epitaxieschicht in einem Bereich zwischen 0,2 und 5 ist; unddie Wasserstoffkonzentration im Siliziumcarbidsubstrat beim Bilden des Siliziumcarbidsubstrats in einem Bereich zwischen 2×1018cm-3und 5×1019cm-3ist,dadurch gekennzeichnet, dassdas Siliziumcarbidsubstrat (1) bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 2300°C und 2500°C gebildet wird, unddie Epitaxieschicht (2) mittels CVD bei einer Temperatur in einem Bereich zwischen 1500°C und 1600°C gebildet wird.
Patent DE-112017006529-B4 (DE)
Title: Einstrahlungs-steuervorrichtung und einstrahlungs-verfahren
Inventor: SAKATA REIKO
IPC: B60Q1/26
Filed: 2017-01-26
Granted: 2022-07-14
Abstract: Einstrahlungs-Steuervorrichtung (40, 140), die dazu ausgelegt ist, die Einstrahlung von Licht zu steuern, das einer Person in der Umgebung eine vorbestimmte Absicht anzeigt, wobei die Einstrahlungs-Steuervorrichtung umfasst:eine Einstrahlungs-Steuereinheit (43c, 143c), die dazu ausgelegt ist, eine Steuerung dahingehend durchzuführen, dass ein erstes Einstrahlungselement eingestrahlt wird und dass ein zweites Einstrahlungselement eingestrahlt wird, das bei Erlöschen des ersten Einstrahlungselements eingestrahlt wird, und das eine Absicht der Einstrahlung anzeigt,wobei die Einstrahlungs-Steuervorrichtung dazu ausgelegt ist, Steuerung derart auszuführen, dass das erste Einstrahlungselement erneut eingestrahlt wird wenn das zweite Einstrahlungselement gelöscht wird; undwobei die Einstrahlungs-Steuervorrichtung dazu ausgelegt ist, die Einstrahlung so zu steuern, dass das zweite Einstrahlungselement permanent eingestrahlt wird.
Patent DE-112018000566-B4 (DE)
Title: Verfahren zur herstellung einer halbleiterstruktur umfassend einen quantenpunkt mit beschichtung, entsprechende halbleiterstruktur und beleuchtungsvorrichtung
Inventor: ZHAO WEIWEN
IPC: H01L33/50
Filed: 2018-01-29
Granted: 2023-12-21
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur (800), umfassend:Bilden eines Quantenpunktes (502-506, 600, 805-810);Bilden einer Schicht aus polymerem organischem Material, das den Quantenpunkt ummantelt, um einen beschichteten Quantenpunkt zu erzeugen; undBilden einer oder mehreren Schichten aus organischem Material (815), die den beschichteten Quantenpunkt ummantelt/ummanteln, wobeidas Bilden der einen oder mehreren Schichten aus organischem Material (815), die den beschichteten Quantenpunkt ummantelt/ummanteln, die Bildung einer Vielzahl von Schichten aus Polymeren mittels eines schichtweisen Abscheidungsverfahrens umfasst, wobeidas Bilden der Vielzahl von Schichten aus Polymeren mittels des schichtweisen Abscheidungsverfahrens umfasst:Eintauchen eines Substrats aus einer Vielzahl von Quantenpunkten (100, 402), einschließlich des Quantenpunkts (100, 402), die negativ geladen sind mit einer von: Poly(acrylsäure), Polyvinylphosphonsäure und phosphonsäuremodifizierter Polyacrylsäure, in eine Lösung von positiv geladenen Polyelektrolyten, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus: Poly(diallyldimethylammonium) (PDDA), Polyallylamin und Polyethylenimin;Spülen des Substrats mit Wasser; Bilden einer positiv geladenen Monoschicht auf der Oberfläche des Substrats mit einem von PDDA, Polyallylamin und Polyethylenimin;Eintauchen des Substrats in eine Lösung von negativ geladenem Polyelektrolyt, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus: Polyacrylsäure und Poly(natriumstyrolsulfonat), um eine zusätzliche Polymerschicht zu bilden; und Wiederholen des oben beschriebenen Ablaufs, um jede der Vielzahl von Schichten aus Polymeren zu bilden.