baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100191184-B1 (KR)
Inventor: ANTONIO MONTE
IPC: C08F4/649
Filed: 1991-01-10
Granted: 1999-06-15
Abstract: 표면 히드록실기를 함유하는 금속 산화물과, 바람직하게는 화학적 비결합수화 함께, 4가의 티타늄 화합물과의 차후 반응에서 티타늄을 환원시키지 않을 정도의 양으로 사용하는 유기금속 마그니슘 화합물을 반응시켜 수득한 고체와 4가의 티타늄 할로겐화물 또는 할로겐 알콜레이트 및 전자-공여체 화합물을 반응시켜 얻어진 생성물을 함유함을 특징으로 하는 올레핀 중합용 촉매 성분.
Patent KR-930006163-B1 (KR)
Title: Novel quinolone derivatives and the preparation process thereof
Inventor: KIM WAN-JU
IPC: C07D401/04
Filed: 1991-03-18
Granted: 1993-07-08
Abstract: Quinoline derivs. of formula (I) and  their  pharmaceutically acceptable acid addn. salts are new. In (I), R1 and R2=C1-3  chain or cyclic lower alkyl, 2-haloethyl or  2-hydroxyethyl.  Pref.  the acid is selected from lactic acid,  ascorbic  acid,  maleic  acid, malonic acid, glutamic acid, citric acid, fumaric acid,  p-toluene sulfonic acid,  acetic  acid,  propionic  acid,  tartaric   acid, succinic acid, methane sulfonic acid, HCl,  H2SO4  or  HNO3.  Also claimed is the  prepn.  of  (I)  which  comprises  a  condensation reaction of a cpd. of formula (II) with a cpd. of formula (III) at room temp. - 100 deg.C. The cpds. (I) have  a  good  antibacterial activity.
Patent KR-930010120-B1 (KR)
Title: Cmos transistor for inverter and making method of the same
Inventor: KIM SONG-SHIK
IPC: H01L27/088
Filed: 1991-04-17
Granted: 1993-10-14
Abstract: The invertor CMOS transistors directly acts  as  a  gate  for both n- type transistor and p-type transistor from one polysilicone zone. This system also reduces latch-ups  through  trench  process and integrates CMOS transistor by  creating  a  n-type  transistor source and drain zone using polysilicone and a  p-type  transistor source and drain zone using LDD structure. This system is composed of a semiconductor base plate (11), a LDD  structured  base  plate (11), a second conducting type  transistor  source  and  drain,  a mutual gate and a first  conducting  type  transistor  source  and drain.
Patent KR-960000615-B1 (KR)
Inventor: SASAKI YASUSHI
IPC: G01R31/319
Filed: 1991-06-08
Granted: 1996-01-10
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-0183994-B1 (KR)
Inventor: CHO BOOK-RYONG
IPC: H01L21/66
Filed: 1991-07-04
Granted: 1999-04-15
Abstract: 본 발명은 필드 산화막과 액티브 영역내의 소오스, 드레인, 및 게이트 절연막과 게이트 전극으로 이루어지는 게이트 절연막 열화 측정용 테스트패턴에 있어서, 게이트 전극을 액티브영역 외부의 필드 산화막 위에 루프형상으로 하나이상 설치하고, 액티브 영역내의 게이트 전극과 전기적으로 접속하여 이온 주입 공정으로 인한 게이트 절연막 열화를 측정할 수 있도록 한 게이트 절연막 열화 측정용 테스트패턴이며, 또 그 제조방법은 실리콘 기판위에 액티브영역 주위에 필드 산화막을 형성하고 그 위에 게이트 절연막, 게이트 전극 물질, 및 CVD 산화막을 차례로 형성하고, 액티브 영역내의 게이트 전극과 이 게이트 전극과 전기적으로 연결되고 액티브영역 주위의 필드 산화막 위에 설치되는 하나 이상의 루프형태의 게이트 전극을 형성하고 게이트 전극들 옆에 사이드월스페이스를 형성하여 소오스드레인 영역 형성을 위한 이온 주입 공정을 실시하고 아닐링하고, CVD 절연막 도포, 콘택홀 형성, 전기적 연결용 전극들을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것이다.
Patent KR-950010591-B1 (KR)
Inventor: WATANABE KENIKICHI
IPC: G07D9/06
Filed: 1991-07-31
Granted: 1995-09-20
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-960016880-B1 (KR)
Title: Advanced parallel array processor(apap)
Inventor: JIEEMUSU WAREN DEIFUENDERUFUAA
IPC: G06F15/16
Filed: 1991-10-11
Granted: 1996-12-26
Abstract: Multiprocessor parallel computing systems and a byte serial SIMD processor parallel architecture is used for parallel array processing with a simplified architecture adaptable to chip implementation in an air cooled environment. The array provided is an N dimensional array of byte wide processing units each coupled with an adequate segment of byte wide memory and control logic. A partitionable section of the array containing several processing units are contained on a silicon chip arranged with "Picket"s, an element of the processing array preferably consisting of combined processing element with a local memory for processing bit parallel bytes of information in a clock cycle. A Picket Processor system (or Subsystem) comprises an array of pickets, a communication network, an I/O system, and a SIMD controller consisting of a microprocessor, a canned routine processor, and a microcontroller that runs the array. The Picket Architecture for SIMD includes set associative processing, parallel numerically intensive processing, with physical array processing similar to image processing. a military picket line analogy fits quite well. Pickets, having a bit parallel processing element, with local memory coupled to the processing element for the parallel processing of information in an associative way where each picket is adapted to perform one element of the associative process. We have provided a way for horizontal association with each picket. The memory of the picket units is arranged in an array. The array of pickets thus arranged comprises a set associative memory. The set associative parallel processing system on a single chip permits a smaller set of `data' out of a larger set to be brought out of memory where an associative operation can be performed on it. This associative operation, typically an exact compare, is performed on the whole set of data in parallel, utilizing the Picket's memory and execution unit. <IMAGE>
Patent KR-950004750-B1 (KR)
Inventor: CHOE CHANG-HO
IPC: H04B7/26
Filed: 1991-11-11
Granted: 1995-05-06
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-940007665-B1 (KR)
Title: Compound semiconductor device and manufacturing method thereof
Inventor: KIM SOK-TAE
IPC: H01L29/80
Filed: 1991-12-05
Granted: 1994-08-22
Abstract: The method isolates a semiconductor substrate and the conduction layer of a compound semiconductor from each other by forming a video using a selective epitaxial method. The method comprises the steps of: (A) forming an insulating layer having a stripped pattern on a substrate; (B) forming a first conduction type buffer layer; (C) forming a channel composed of a second conduction type ion on a buffer layer; (D) forming a spacer layer of a first conduction type on a channel; (E) forming gate electrode on the surface of a spacer; (F) forming a high density second conduction type well region; and (G) forming a source and drain on the surface of a well region.
Patent KR-100217790-B1 (KR)
Inventor: NORO YASAHIKO
IPC: C08L55/02
Filed: 1992-02-08
Granted: 1999-09-01
Abstract: 본 발명은 각종 물리적 성질이 우수한 고무강화스티렌계 수지에 관한 것이다. 
     본 발명의 고무강화스티렌계수지는 (ㄱ) 그래프트율 30중량 미만의 그래프트화된 고무모양 중합체 성분 2 30 , (ㄴ) 그래프트율 30중량 이상의 그래트프화된 고무모양중합체 성분 5 40중량 , 및 (ㄷ) 스티렌계 중합체 40 93 를 주성분으로 한다. 
     본 발명의 고무강화스티렌계 수지에 의하면, 광택제거가 균일하고, 또한 내충격성, 성형가공성, 내열성등의 물성균형이 높다.
Patent KR-950010311-B1 (KR)
Inventor: MAKIHARA HIROYASU
IPC: H03M13/15
Filed: 1992-06-23
Granted: 1995-09-14
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-970008350-B1 (KR)
Inventor: KANDA HITOSHI
IPC: B02C19/06
Filed: 1992-07-15
Granted: 1997-05-23
Abstract: 요약 없음
Patent KR-950013344-B1 (KR)
Title: Electric apparatus using ptc conductive high polymer
Inventor: KIM TAE-MIN
IPC: H01C7/02
Filed: 1992-09-01
Granted: 1995-11-02
Abstract: The device comprises at least two sub-elements(6,7) including polymers(3) having dispersed conductive C black dispersed. The polymers(3) are conductive and exhibit a positive temperature coefficient. Each sub-element(6,7) has an electrode(4) attached so that current flows through the conductive polymer composition(3). The electrodes(4) of the sub-element(6,7) are connected to each other in parallel and are placed adjacent to each other. The device includes at least two electrodes attached to connect the electrodes(4) of the sub-elements(6,7) in parallel to the source of electrical power. The device is a circuit protection or current limiting element. Excessive current heats the sub-elements(6,7), and causes polymer composition(3) to convert to its high resistance state. The closely adjacent electrodes(4) allow easy exchange of heat between the elements(6,7). This helps to shorten the trip time to activate the device and the reset time.
Patent KR-100236584-B1 (KR)
Inventor: DAVID GEORGE LEPPARD
IPC: C08F2/50
Filed: 1992-09-17
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 에틸렌형 불포화 이중결합을 함유하는 화합물을 광중합시키는데 적합한 하기 일반식(Ⅰ)의 화합물에 관한 것이다. 
     
       
     
     상기식에서, R 1 은 C 1 -C 18 알킬, 시클로펜틸 또는 시클로헥실이고, R 2 와 R 3 은 서로 독립적으로, 비치환되거나 할로겐, C 1 -C 4 알킬 및/또는 C 1 -C 4 알콕시에 의해 일치환 내지 사치환된 페닐이며, 단, R 2 와 R 3 이 염소-치환 페닐인 경우 R 1 은 데실이 아니어야 한다.
Patent KR-960009729-B1 (KR)
Title: Compound soil spray method for slope plants
Inventor: KIM YOUNG-KOO
IPC: E02D17/20
Filed: 1992-10-07
Granted: 1996-07-23
Abstract: This invention describes the method for planting grass on a surface of broken rock wherein artificial soil is spreaded in thickness of 5 mm, the compound of grass or rice-straw cut more than 2 cm is mixed with the soil in ratio of 3-20 volume %, the mixture is spreaded in the thickness more than 5 cm, and the seeds of grass are submerged in the soil.
Patent KR-940010339-B1 (KR)
Inventor: ENOMOTO NORIHIDE
IPC: C08F232/08
Filed: 1992-10-19
Granted: 1994-10-22
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-100247280-B1 (KR)
Inventor: KIM YUN KI
IPC: H01L21/76
Filed: 1992-10-28
Granted: 2000-03-15
Abstract: 반도체 기판상에 소자분리 영역을 만드는 반도체 제조공정에 있어서 반도체 기판에 제1절연층과 제2절연층을 순차적으로 침정하고, 활성영역과 비활성영역을 구분하여 비활성영역에 대한 개구부를 형성하고, 제2절연막층을 식각후 제2절연막층의 물질로 측벽 스페이서를 형성하는 공정과, 등방성 식각을 통한 제1절연층의 언더 컷(under cut)을 설치하고, 제3의 절연층을 형성하는 공정과, 열산화를 통하여 소자분리시키는 공정과, 열산화막과 제2절연막과 측벽을 없애는 공정과, 산화막을 마스크로 하여 언더컷 부분에 채워진 제3절연층과 기판을 식각, 트렌치를 형성하는 공정과, 트렌치를 채우고 일반 반도체 공정을 실현하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법을 제공한 것.
Patent KR-100253462-B1 (KR)
Inventor: KANAO SIROU
IPC: F16L11/11
Filed: 1992-12-02
Granted: 2000-04-15
Abstract: 본 발명의 목적은 보관시 또는 수송시에는 짧게, 사용시에는 2배 이상의 길이로 늘려서 접속연결개소를 2분의 1이하로 적게 하고 필요에 따라 곡률 반경이 작은 구부린 배관이 가능한 합성수지관을 얻는 것이다. 
     삼각형 또는 사다리꼴 형상의 관벽을 형성하는 양 경사벽의 정상측 부분과 요입부측 부분의 일부를 가요성 있는 수지소재 부분으로 하여, 이 가요성 있는 수지소재 부분에 따라 한쪽 경사벽이 관벽의 융기부측과 요입부측에 있어서 구부릴 수 있게 되어 융기부의 가요성 있는 수지소재부분을 지나는 중심선을 넘어서 한쪽 경사벽이 다른 쪽 경사벽에 대하여 근접하는 방향으로 이행하여 그 자세를 스스로 유지할 수 있는 구조로 되어 있으며, 보관시나 수송시에는 관을 축선방향을 향하여 가압압축시켜서 짧게 할 수 있고 사용시에는 관의 양단을 붙잡고 관축방향으로 잡아당겨 길게 복원할 수 있고, 관단부를 관연결구로 순차적으로 접속연결하여 배관한다. 급한 각도의 배관을 필요로 하는 장소에서는 소경측에 위치하는 필요한 수의 한쪽 경사벽만을 다른쪽 경사벽에 근접시켜서 축소된 자세로 하여 필요한 구부린 자세로 할 수가 있는 효과가 있다.
Patent KR-950013193-B1 (KR)
Title: Low decorburizing & high toughness spring steel
Inventor: CHOE HAE-CHANG
IPC: C22C38/48
Filed: 1992-12-14
Granted: 1995-10-25
Abstract: The low ferrite decarburized and high toughness molten spring steel for automotive suspension coil spring is composed of 0.5-0.7 wt% carbon, 2.60-3.50 wt% silicon, 0.3-1.5 wt% manganese, 0.3-0.8 wt% chromium, 0.05-0.5 wt% vanadium and niobium for enhancing deformation resistance, less than 0.02 wt% phosphorus, less than 0.02 wt% sulfur, 0.5-5.0 wt% nickel for increasing toughness and the balance of iron and other inevitable impurities.
Patent KR-960005088-B1 (KR)
Inventor: AIGNER BERNHARD DIPL ING
IPC: F27B3/08
Filed: 1992-12-16
Granted: 1996-04-20
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-950001782-B1 (KR)
Title: Grinding wheel comprising resin bond cbn
Inventor: CHOE SONG-KUK
IPC: B24D3/28
Filed: 1992-12-17
Granted: 1995-03-02
Abstract: The resin bond cubic boron nitride (CBN) grinding wheel is manufactured by blending a metallic molybdenum powder of 50-80 wt.% as a filling material with a polyimide resin of 20-50 wt.% as a resin bonding material. The spec. CBN wheel is added with an another filler and lubricant.
Patent KR-0180043-B1 (KR)
Inventor: KODAMA MIKIO
IPC: C08L35/00
Filed: 1991-06-25
Granted: 1999-05-15
Abstract: 고무 보강 스티렌 수지 10 ∼ 85 wt.%, 포화 폴리에스테르 수진 5 ∼ 50 wt.% 및 0: -메틸스티렌 공중합체와 말레이미드 공중합체로 되어 있는 군으로부터 선택한 공중합체 최소한 한가지 10 ∼ 70 wt.%로 된 혼합물 100중량부와 에폭시 그룹 함유 올레핀계 공중합체(D) 0.2 ∼ 50 중량부를 함유하고, 고무상 중합체의 조성물중의 함량이 5 ∼ 25 wt.%인 열가소성 수지 조성물. 
     위의 열가소성 수지 조성물은 선명도, 내열성, 내약품성 및 내충격성이 우수한 것이다.
Patent KR-100191762-B1 (KR)
Inventor: BROWN EDWARD ALAN
IPC: C09D11/00
Filed: 1990-10-10
Granted: 1999-06-15
Abstract: 100℃ 내지 1300℃의 온도에서 5 센티포이스 내지 100 센티포이스의 점성도를 가지며, 고체화되었을때 투명한 필름을 제공하며, 잉크는 착색제 및 그 착색제를 위한 전색제를 포함하며, 이때 착색제를 위한 상기 전색제는 열가소성 성분, 왁스 또는 왁스-유사 점성도 개질제, 및 C 18-35 지방산 글리콜 에스테르, C 18-36 지방산 글리세릴 에스테르, C 18-36 지방산과 금속비누의 글리세릴 에스테르, 폴리에틸렌 왁스, 합성파라핀 왁스, 긴 직쇄 알코올, 미정질 왁스 및 개질된 미정질 왁스 중 하나 또는 그 이상을 포함하는 투명화제를 포함하는 투명한 열용융성 분사 잉크.
Patent KR-960009943-B1 (KR)
Title: Relay function testing structure
Inventor: KIM HAE-KOO
IPC: G01R31/327
Filed: 1993-06-10
Granted: 1996-07-25
Abstract: The device comprises the body(5) in which a power inputting port(17), contact resistor measuring port(18) and coil resistance measuring port(19) are disposed. The body(5) more includes the relay arrangement part(23) having contact points(24-28) to be connected with relay ports(30-34), the switch(20) for controlling the drive of relay, and lamps(21,22) for indicating the relay driving state.
Patent KR-100264072-B1 (KR)
Title: Flash memory and manufacturing method thereof
Inventor: CHOI JONG-WOO
IPC: H01L29/788
Filed: 1993-08-04
Granted: 2000-09-01
Abstract: PURPOSE: A flash memory is provided to increase a program and erasure efficiency and to improve the integration level, by increasing the concentration of an impurity in a semiconductor substrate and by thickly forming the thickness of a gate oxide film. CONSTITUTION: A flash memory includes N type sources(33) on a P type semiconductor substrate(31). An N type drain(32) is formed on the semiconductor substrate(31) between the sources(33). A gate oxide film(34), a floating gate(35), an interpoly oxide film(36), a control gate(37) and a cap nitride film(45) are sequentially formed on the surface of the semiconductor substrate(31) between the sources(33) and the drain(32). A poly spacer(46) is formed at the side of the floating gate(35) and the control gate(37). The gate oxide film(34) is intervened between the poly spacer(46) and the drain(32) and a tunnel oxide film(48) is intervened between the floating gate(35) and the control gate(37). An oxide film(47) is applied on one side of the spacer(38) and the cap nitride film(45). A metal layer(42) is formed to contact the poly spacer(46) and the drain(32). The tunnel oxide film(48) and the poly spacer(48) are formed at one side of the floating gate(35) so that a program and an erasure can be performed via the poly spacer(48).
Patent KR-100309539-B1 (KR)
IPC: C07C317/28
Filed: 1993-08-12
Granted: 2002-08-31
Abstract: The invention provides compounds of the formula: <CHEM> wherein R, R<3>, R<4> and W are defined in the specification. These compounds are useful as antibiotic agents.
Patent KR-970008059-B1 (KR)
Title: A bushing construction of a washing machine applying water valve
Inventor: KIM JIN-SOO
IPC: D06F39/08
Filed: 1993-08-27
Granted: 1997-05-20
Abstract: When the electric magnet(21) of a solenoid is powered the rod(21) which has been suppressed by the force of a spring(23) rises prevailing against it by the electric power. As a result, by the pressure of the washing water which rushes into the inlet(11), opening closing part(3) goes up, and the washing water is supplied into the washing tub thru the water distribution part(12). When the electric power is cut off the opening closing part(3) goes down by the force of spring and water supply is stopped.
Patent KR-960013939-B1 (KR)
Title: Infinitely variable speed change, reversing device by circular friction wheel
Inventor: PARK JUNG-RAE
IPC: F16F15/10
Filed: 1993-09-27
Granted: 1996-10-10
Abstract: A disk bevel gear(5) is fixed at a power leading shaft(1) that perforates into both side panels(2a and 2b), and engages with plural fixation disk friction plates(7a, 7b, 7c). A working disk friction plate(17) is mounted in an inner space(4) formed by the respective fixation disk friction plates(7a, 7b, 7c), vertically with respect to the friction plates(7a, 7b, 7c). The friction wagons(7a, 7b, 7c) are pressed elastically by plate springs(14a, 14b, 14c), to make a circumferential face of the rotary disk friction plate(17) contact with the surfaces of the respective fixation disk friction plates(7a, 7b, 7c) under a uniform force. The working disk friction plate(17) is coupled with an output shaft(18) by a spline, and an output gear(19) transmits a power outside.
Patent KR-100261245-B1 (KR)
Title: Laser diode
Inventor: KIM JONG RYEOL
IPC: H01S5/30
Filed: 1993-10-07
Granted: 2000-07-01
Abstract: PURPOSE: A laser diode is provided to improve an electrical confinement by inserting the second AlGaInP clad layer between a GaAs SCH(separated confinement heterostructure) layer and a GaInP clad layer to enhance a carrier confinement characteristic. CONSTITUTION: A laser diode includes the second AlGaInP upper and lower clad layers(28d,28u). The second AlGaInP upper and lower clad layers(28d,28u) are inserted between GaAs SCH(separated confinement heterostructure) layers(24d,24u) and GaInP clad layers(23,26) to cause hetero-barrier effect depending on a wide band-gap.
Patent KR-100281344-B1 (KR)
Title: 열가소성 성형 재료
IPC: C08F279/02
Filed: 1993-10-21
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 5:95 내지 55:45의 중량비를 갖는 방향족 비닐화합물 및 알카디엔에 기초한 고무-탄성 블록공중합체를 제1단계에서 전환이 완결될때까지 음이온 중합시키고, 생사슬 말단을 캡핑시키고, 방향족 비닐화합물을 블록공중합체의 존재하에 음이온 개시제의 새로운 첨가로 중합시키면서 교반시키고, 생사슬 말단을 최종적으로 폐쇄시키는 것으로 이루어지는, 경질 매트릭스와 연질상의 합에 대해, 50 내지 80중량%의 음이온 중합되는 방향족 비닐화합물의 경질 매트릭스, 및 경질 매트릭스에 균일하게 분포된 20 내지 50중량%의 연질상으로 구성된 열가소성 성형재료의 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-0180370-B1 (KR)
Inventor: LEE UN-KOO
IPC: B60G3/20
Filed: 1993-11-01
Granted: 1999-03-20
Abstract: 자동차의 현가장치에 있어서, 멀티 링크 타입으로 설계 자유도를 높히기 위하여; 
     자동차의 멀티링크 타입 현가장치에 있어서, 휠의 상하 운동이나 차체의 롤 운동시에는 어퍼 콘트롤 아암의 양단 힌지 포인트를 연결하는 가상의 직선과 센터 콘트롤 아암의 양단 힌지 포인트를 연결하는 가상의 직선이 만나는 교점을 커넥팅 아암에 대한 휠의 순간 중심점과 연결하여 가상적으로 형성되는 직선상에; 휠 지지체와 차체를 연결하여 주는 로워 컨트롤 아암의 양단 힌지 포인트를 연결하여 형성되는 가상의 직선을 교차시켜 만나는 점이 차체에 대한 휠의 순간 중심이 되도록 하고 조향시에는 커넥팅 아암의 휠측 연결부와 두 개의 로워 콘트롤 아암의 연장선이 만나는 교점을 연결한 가상의 직선을 조향축으로 하는 다수의 링크가 연결되는 것을 특징으로 하는 자동차의 조향륜 현가장치를 제공한다.
Patent KR-100215586-B1 (KR)
Inventor: KOTO YUKIE
IPC: H04N5/85
Filed: 1993-11-05
Granted: 1999-08-16
Abstract: 본 발명은 비디오카메라 등으로 촬영된 영상의 내용을 단시간에 간단하게 파악하기 쉬운 비디오영상의 다이제스트화상을 생성하기 위한 장치 및 움직임화상기록매체를 제공하는 것을 목적으로 한 것으로서, 그 구성에 있어서, 움직임화상기록매체는, 이 매체에 기록된 움직임화상을 관리하기 위한 정보를 격납하는 움직임화상관리정보격납부(3)를 구비하고, 움직임화상관리정보는, 움직임화상에서 커트가절환되는 화상이 기록된 움직임화상매체상의 기록어드레스와, 상기 커트가 절환되는 화상의 중요도를 표시하는 커트중요도와, 동일커트로 간주되는 커트내의 중요도를 표시하는 커트내중요도를 구비하고 있으며, 또 움직임화상기록장치는 움직임화상의 커트체인지를 검출하는 커트체인지검출수단(10)과, 상기 커트체인지검출수단(10)에 의해 검출된 각 커트의 시간길이를 구하는 커트시간길이검출수단(11)과, 각커트내의 화상의 변화정도를 검출하는 커트내화상변화정도검출수단(12)을 구비하고, 움직임화상기록매체에 움직임화상을 기록하는 동시에, 상기 커트체인지검출수단(10)에 의해서 검출한 커트체인지가 생성하는 화상을 기록한 움직임화상기록매체상의 기록어드레스와, 상기 커트시간길이검출수단(11)에 의해서 구한 각 커트의 시간길이와 상기 커트내화상변화정도검출수단(12)에 의해 구한 각 커트내에서의 화상의 변화정도를 기록하는 것이며, 또 다이제스트화상생성장치는, 사용자가 희망하는 요약움직임화상의 시간길이를 입력하는 요약움직임화상시간길이입력수단(16)과, 움직임화상기록매체에 기록된 움직임화상관리정보를 판독하는 수단(17)과, 움직임화상관리정보와 요약움직임화상시간길이로부터 필요한 커트를 추출하는 커트추출수단(18)과, 움직임화상관리정보와 요약움직임화상시간길이로부터 각 커트의 재생프레임수를 결정하는 재생프레임수 결정수단(19)과, 커트추출수단과 재생프레임수결정수단에 의해서 선택한 화상을 검색하는 검색수단(20)을 구비하여, 사용자에 지정된임의 시간길이의 요약움직임화상을 자동생성하는 것을 특징으로 한 것이다.
Patent KR-0162506-B1 (KR)
Inventor: AMANO AKIRA
IPC: G01L1/00
Filed: 1993-11-17
Granted: 1999-05-01
Abstract: 힘센서는 인가된 힘 또는 가속도에 대응하여 변위가능한 가동부를 갖는 기판과, 인가된 전위에 의해서전자를 방출하기 위한 음극을 갖는 전자방출부와, 음극으로부터 방출된 전자를 포획하기 위한 양극을 갖는 전자흡수부와, 음극으로부터 방출된 전자에 대하여 가동부의 변위에 기인하여 양극의 전자포획효율을 제어하는 제어수단을 구비하며, 상기 전자방출부 및 전자흡수부는 기판의 표면측상에 형성되어 있다.
Patent KR-100256810-B1 (KR)
Title: Method for forming contact hole in semiconductor device
Inventor: KIM SEUNG JOON
IPC: H01L21/28
Filed: 1993-11-24
Granted: 2000-05-15
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact hole is to simplify a manufacturing process by oxidizing a polysilicon without performing the step of forming a spacer and then forming a fine contact hole. CONSTITUTION: A lower oxide layer(11) is formed on a semiconductor substrate(100). A polysilicon layer is deposited on the lower oxide layer, thereby forming a contact hole mask pattern using a contact hole mask. The contact hole mask pattern is removed by etching a predetermined part of the polysilicon layer, using the contact hole mask pattern as an etching barrier. An upper oxide layer is formed by oxidizing the sidewall of the polysilicon layer and a predetermined surface of the polysilicon layer. The upper oxide layer is etched by using a recipe that an oxide layer is etched more than a polysilicon, and at the same time the lower oxide layer is dry etched until the semiconductor substrate is exposed. Then, a fine contact hole(15) is formed by etching the polysilicon layer, using the recipe.
Patent KR-970005396-B1 (KR)
Title: Timer system for insulin injector
Inventor: YUN ILL
IPC: G04F3/00
Filed: 1993-11-27
Granted: 1997-04-16
Abstract: A timer device which maintains each injection quantity of the insulin injection device exactly. The said device comprising the steps of : controlling load drive which drives the load for insulin injection through the generating output of the generator according to microprocessor control, controlling the timer's count by output of injection sensing circuit that senses the contact capacity between the load and skin.
Patent KR-100260567-B1 (KR)
Inventor: COHEN BERNARD
IPC: A61L15/62
Filed: 1993-12-28
Granted: 2000-07-01
Abstract: 본 발명은 물의 존재하에서 표준 진탕 시험을 했을 때 신속히 분해되는 재료에 관한 것이다. 이 재료는 수분산성 중합체 약 7.5 내지 85중량%, 크세로겔런트 약 7.5 내지 약 85중량%, 및 가소제 약 7.5 내지 약 20중량%를 함유한다. 이 재료는 박막으로 형성될 수 있으며, 이 박막은 변기에서 흘려 버릴 수 있는 일회용 기저귀 및 여성 위생용품을 제조하는 데 있어서 중요하다.
Patent KR-100187846-B1 (KR)
Inventor: CHOI HEON-YOUNG
IPC: F16H61/16
Filed: 1993-12-30
Granted: 1999-06-01
Abstract: 본 발명은 자동변속기의 급후진변속방지방법에 관한 것으로, 차속이 40㎞/h이상인 상태에서 선택레버가 후진레인지로 급조작되면 변속기어유니트에 입력된 제어프로그램에 의해 운전자에게 주의를 환기시키면서 후진변속관련유로(4)에 흐르는 작동압유를 오일펌프(2)로 드레인시켜 후진전환이 이루어지는 것이 방지되도록 되어 있다.
Patent KR-100294964-B1 (KR)
Title: 다수형태의레지스터세트를구현한알.아이.에스.씨마이크로프로세서구조
IPC: G06F9/305
Filed: 1992-07-08
Granted: 2001-09-17
Abstract: 본 발명은 다수의 모드에서 동작하는 데이터 프로세서를 위한 레지스터 시스템에 관한 것으로서, 레지스터 시스템은 복수의 동일한 레지스터 세트 뱅크를 제공하고, 데이터 프로세서는 명령어 및 프로세스가 소정의 뱅크를 지정할 필요가 없도록 액세스를 제어한다. 정수 레지스터 세트는 제1(RA[23:0]) 및 제2(RA[31:24]) 서브세트와 섀도우 서브세트(RT[31:24])를 포함한다. 데이터 프로세서가 제1 모드에 있을 때, 명령어는 제1 및 제2 서브세트에 액세스한다. 데이터 프로세서가 제2 모드에 있을 때, 명령어는 제1 서브세트에 액세스할 수 있지만, 제2 서브세트에 액세스하기 위한 어떠한 시도도 명령어에 대해 투명하게 섀도우 서브세트로 재 라우팅되며, 그에 따라, 시스템 루틴은 사용자 루틴이 제2 서브세트로 이미 기록한 데이터를 저장 또는 복원할 필요 없이 표면상 제2 서브세트를 사용하도록 허용한다. 리타이핑 가능한(re-typable) 레지스터 세트는 정수 명령어와 부동소수점 명령어에 각각 응답하여 정수 폭 데이터와 부동소수점 폭 데이터를 제공한다. 부울 비교 명령어는 비교가 이루어질 소스 데이터를 위한 특정 정수 또는 부동소수점 레지스터를 지정하고, 결과를 위한 특정 부울 레지스터를 지정하며, 따라서 전용의 고정-위치 상태 플래그가 필요 없게 된다. 부울 조합 명령어는 파이프라인 중단을 최소화 하기 위해, 중간에 개입되는 조건부 분기 명령어 없이 복합 부울 비교를 수행하기 위하여 지정된 부울 레지스터를 조합한다. 
     [색인어] 
     레지스터, 정수, 부동소수점, 리타이핑, 비교, 조건부, 파이프라인, 부울
Patent RO-121735-B1 (RO)
Title: Tri-(2-hydroxyethyl)ammonium fluoride meant to prevent dental decay
Inventor: IOVU MIRCEA
IPC: A61K8/69
Filed: 2002-03-07
Abstract: The invention relates to tri-(2-hydroxyethyl) ammonium fluoride of the formula (I), meant to prevent dental decay.
Patent RO-120064-B1 (RO)
Title: Process for obtaining nutrient fluids with sequential action containing macronutrients, medium nutrients, micronutrients and biostimulators
Inventor: PETCU FLOREA
IPC: C05G1/00
Filed: 2003-02-19
Abstract: The invention relates to a process for obtaining nutrient fluids with sequential action, containing macronutrients, medium nutrients, micronutrients and biostimulators, characterised by preparing a mixed solvent capable of disolving all saline components of the nutrient fluid, comprising superbasic potassium naphthenate, monoethanolamine, triethanolamine and carbamide, in variable ratios, followed by slowly adding at 50...80 C, while vigorously stirring, so that the pH does not exceed the value of 11, a concentrate of surface agents containing anion and non-ionic surfactant, a concentrate containing mono- and diammonia phosphates, a concentrate containing boron, zinc and molybdenum and a concentrate containing copper, manganese and iron micronutrients, and finally, the pH is brought to a convenient value in the range of 10.0...12.0.