baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100197071-B1 (KR)
Inventor: KIM GI-SUN
IPC: A47J27/00
Filed: 1996-08-09
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 전기압력 보온밥솥의 백미조리방법에 관한 것으로, 특히 전기압력 보온밥솥의 베이스에 장착된 주히터(34)와, 몸체 및 뚜껑에 각각 장착된 보조히터(36)를 구동시켜 백미를 설정한 시간과 설정한 온도까지 예열시키는 예열공정(200)과, 예열된 주히터(34)와 보조히터(36)를 급속 가열하며 취사량 및 취사량에 따른 취사종료온도를 산출하는 가열공정(300)과, 산출된 취사종료온도까지 주히터(34)와 보조히터(36)의 전력을 제어하는 전력제어공정(400)과, 취사종료온도에 도달하면 주히터(34)를 오프시키고 보조히터(36)만을 이용하여 조리된 백미를 뜸들이는 뜸들이 공정(500)과, 뜸들이 공정이 종료되면 보조히터(36)를 오프시키고 뚜껑에 장착된 밸브(38)를 구동하여 밥솥의 내부압을 제거하는 압제거공정(600)과, 밥솥의 내부압이 제거되면 보조히터(36)만을 구동하여 조리된 백미를 일정한 온도로 보온 유지하는 보온공정(700)을 구비하므로, 전기압력 보온밥솥에 내장된 주히터(34)와 보조히터(36)의 발열온도와 발열시간을 취사량에 따라 가변시켜 백미를 가장 이상적인 상태로 조리할 수 있을 뿐만 아니라 조리된 밥을 최적의 상태로 보온 유지할 수 있다.
Patent KR-100207031-B1 (KR)
Inventor: KIM JAE-SAN
IPC: F16K/
Filed: 1996-09-05
Granted: 1999-07-01
Abstract: 본 발명은 자동차의 증발가스 제어장치에 사용되는 2웨이 밸브에 관한 것으로서, 연료탱크의 과압력을 신속하게 해소하여 연료탱크가 변형되는 것을 방지하고, 연료의 누설도 정확하게 감지할 수 있게 한 것이다. 
     본 발명은 연료탱크(1)와 캐니스터(2)를 연결하는 베이퍼 호스(3)에 연결되는 연료탱크 포트(5)와 대기(캐니스터축) 포트(5')가 형성된 케이싱(4)의 연료탱크 포트(5)측에 대경부(6)를 대기 포트(5')측에 소경부(6')를 형성하고, 상기 소경부(6)의 내벽을 따라 슬라이딩하면서 대기 포트(5')측으로 열리는 캡 형상의 압력 밸브(7)를 코일 스프링(8)과 함께 내장함과 동시에 상기 압력 밸브(7)와 접촉되게 유통공(10)이 형성된 부압 밸브 본체(9)를 대경부(6)에 고정하며, 상기 부압 밸브 본체(9)의 주위에 대기 유입공(11)을 형성하여 판상 밸브(12)를 설치하여서 된 것이다. 
     상기한 캡형 압력 밸브(7)에는 연료 누설 감지구멍(7')을 상기한 유통공(9)에 연통되게 그 직경은 1mm이상으로 형성하며, 압력 밸브(7)의 직경은 5mm 정도가 바람직하다.
Patent KR-100189238-B1 (KR)
Inventor: HYUN JAE-HO
IPC: H04N1/00
Filed: 1996-09-18
Granted: 1999-06-01
Abstract: 가. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야: 
     본 발명은 팩시밀리장치에서 호출방법에 관한 것이다. 
     나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제: 
     본 발명은 송수신 관리 리포트 데이터를 이용한 호출 방법을 제공함에 있다. 
     다. 발명의 해결방법의 요지 
     송신 혹은 수신 시에 이용된 상대방의 전화번호 데이터를 포함하는 송수신 관리 리포트 데이터들을 저장하는 메모리와, 외부 조작에 의해 상기 송수신 관리 리포트 데이터들을 표시하도록 제어하는 키데이터를 발생하는 송수신 관리 리포트 선택키와, 원하는 전화번호 데이터를 가지는 특정 송수신관리 리포트 데이터를 선택하도록 제어하는 특정 송수신 관리 리포트 데이터 선택키와, 표시데이터 이동키를 구비한 키입력부와, 표시부를 구비한 팩시밀리장치에서 송수신 관리 리포트 데이터를 이용하여 호출하는 방법에 있어서, 상기 송수신 관리 리포트 선택키의 키데이터를 입력받아 상기 송수신 관리 리포트 데이터들을 상기 표시부에 표시하는 제1과정과, 상기 제1과정 후에 상기 특정 송수신 관리 리포트 데이터 선택키의 키데이터를 입력받아 선택된 특정 송수신 관리 리포트 데이터에서 전화번호 데이터를 송출하여 호출하는 제2과정으로 이루어짐을 특정으로 한다. 
     라. 발명의 중요한 용도 
     팩시밀리장치에서 호출할 때에 이용.
Patent KR-100216797-B1 (KR)
Inventor: NAM SANG-DOK
IPC: H01L23/28
Filed: 1996-10-09
Granted: 1999-09-01
Abstract: 본 발명은 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 몰드 시스템의 몰드 체이스 구조에 관한 것으로, 볼 그리드 어레이 반도체 패키지가 접촉되는 상부 몰드 체이스의 상,하부 플레이트의 접촉면을 경사지게 설치하고 높이 조절용 볼트로 상기 하부 플레이트의 위치를 조정함으로서 상부 플레이트의 높이를 용이하게 조절할 수 있고, 또한 조절된 높이를 높이 지시용 게이지로 확인할 수 있음으로서 다양한 두께의 인쇄회로 기판을 갖는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지를 용이하게 몰딩할 수 있는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 몰드 시스템의 몰드 체이스 구조.
Patent KR-100266073-B1 (KR)
Title: Hole cutting method
Inventor: SHIN JIN GI
IPC: B23K31/10
Filed: 1996-10-15
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: An automatic hole punching method is provided to enhance productivity without a manual punching process, a grinding process and a member transferring process and to improve welding quality. CONSTITUTION: To automatically punch a hole, hole information is inputted to an automatic punch machine and a remaining material(24) is divided into two portions by cutting in an S-shape to be contacted with the inner circumference of the hole in at least two positions. Then, one portion of the divided remaining material is cut along the circumference of the hole. Finally, the other part of the divided remaining material is cut along the other circumference of the hole. Then, a plane plate is punched with an automatic hole punching machine.
Patent KR-100207510-B1 (KR)
Inventor: KIM CHUL-JIN
IPC: G06F7/06
Filed: 1996-10-16
Granted: 1999-07-15
Abstract: 본 발명은 디지털 데이터 처리에서의 동기 패턴 발생 방법 및 동기 패턴 검출 방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 의한 최대 마진 동기 패턴 판단 방법은 N개 비트로 구성된 M개 바이트를 포함하는 최적의 마진을 갖는 동기 패턴 설정 방법에 있어서, 후보 동기 패턴들을 설정하는 후보 동기 패턴 설정 과정, 상기 후보 동기 패턴들을 순차적으로 선택하는 후보 동기 패턴 선택 과정, 상기 선택된 후보 동기 패턴들을 1비트씩 순차적으로 N-1번 시프트 시키면서 상기 후보 동기 패턴과 비교하여 동일하지 않는 비트의 개수를 판단하는 비동일 비트수 판단 과정, 상기 비동일 비트수와 시프트되어진 비교 대상이 없는 각 비트의 동일 확률을 더하여 마진 비트수를 연산하는 마진 비트수 연산 과정, 상기 선택된 후보 동기 패턴들의 N-1개의 마진 비트수 중에서 최소값을 판단하여 저장하는 최소 마진 비트수 판단 과정  및 상기 모든 후보 동기 패턴들에 대한 상기 최소 마진 비트수 중에서 최대값을 갖는 후보 동기 패턴을 판단하는 최대 마진 동기 패턴 설정 과정을 포함함을 특징으로 한다. 
     본 발명에 의하면 동기 패턴의 데이터의 소정의 비트에 에러가 발생하더라도 동기 패턴으로 판단할 수 있는 최대 마진을 갖는 동기 패턴을 설정함으로써, 노이즈의 의한 동기 패턴 검출 미스로 인한 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100326855-B1 (KR)
Title: Housing assembly for hollow fiber membrane module for use in water treatment
Inventor: KIM JEONG HAK
IPC: B01D63/00
Filed: 1996-11-15
Granted: 2002-06-26
Abstract: PURPOSE: Provided is a housing assembly for a hollow fiber membrane module for use in water treatment. CONSTITUTION: The housing assembly comprises a cylinder shape main body(1), a plurality of screw threads(2) formed on the outer surface of an end portion of the main body(1), a glue inlet(3) connected to a portion of the main body(1) near the threads(2) and sloped with inclination of a certain degree with respect to a perpendicular direction of the main body(1), a cap(4) attached to an opened end of the main body(1), and an O-ring insert groove(5) which is provided at a place where the main body(1) and the cap(4) meet and has a semi-sphere shape.
Patent KR-100351928-B1 (KR)
Title: 텍스트음성판독시스템
IPC: G01C21/36
Filed: 1996-11-27
Granted: 2006-03-27
Abstract: [과제] 텍스트 음성판독 시스템의 지명검색 스피드를 빨리하는 동시에, 읽기를 정확하다. 
     [해결수단] 현재 위치정보를 입력하는 버퍼(31)와 비교기(32)에 의해서, 이동이 검출되면 판독 제어부(33)는 기억 매체(34)로부터 현재 위치정보를 키워드로서 해당하는 에어리어 지명사전를 판독, 그것을 해석 제어부(41)를 통해 RAM(43)에 격납한다. 
     에어리어 지명사전은 동음 이음어를 포함하지 않은 정도로 분할된 것이다. 해석 제어부(41)는 판독 제어부(33)의 생성한 텍스트 데이타를, 단어 사전을 격납한 ROM(42)와 RAM(43)를 참조하여 해석한다. 
     이 해석으로서는 RAM(43)이 우선적으로 사용되며 정확한 읽기가 텍스트 데이타에 제공된다. 
     스피커(43)는 그 해석 결과에 근거하여 텍스트 데이타에 대응하는 음성을 명동한다.
Patent KR-100193640-B1 (KR)
Title: 미소 정전 진동자
Filed: 1996-12-09
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 미소 정전 진동자에 대한 것으로 발명의 주된 목적은 정전형 액츄에이터와 스프링을 이용하여 진동운동을 얻고자 하는데 있으며, 더 나가서 자이로스코프 등의 각종 측정 센서에 응용할 수 있도록 하는데 있는 것이다. 
     이를 위한 특징적인 구성은 임의의 면상에 고정된 고정 전극과, 상기한 고정 전극에 근접하여 마주보는 이동 전극, 그리고 이동 전극의 위치 이동에 대해 본래의 위치를 지키도록 하는 탄성 부재로 구성되어 있다. 전하를 CHARGE시킴에 따라 상기한 두 전극 사이에 발생하는 정전력을 전극 표면과 평행한 방향으로 극대화하기위해 각 전극은 이동 전극이 이동하는 방향에 대해 교차하는 방향으로 가늘고 길게 형성되어 있음이 특징이다. 
     정전력으로 인해 이동한 이동 전극은 정전력을 제거하면 탄성 부재의 탄성력에 의해 원래의 위치로 돌아온다. 정전력의 발생을 탄성 부재의 고유 진동수에 맞추어 발생시키면 이동 전극이 형성되어 있는 진동체를 효율적으로 진동 운동시킬 수 있다.
Patent KR-100251910-B1 (KR)
Inventor: PARK MAN KYU
IPC: F16D25/08
Filed: 1996-12-18
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A connector of a vent port in a clutch master cylinder is provided to freely change the direction of an oil pipe by connecting the oil pipe with a union bolt having many oil passages. CONSTITUTION: A vent port connector of a clutch master cylinder(10) contains a union bolt(20) and a connector(30) assembled into the union bolt. The union bolt is combined with a vent port(13) of the master cylinder. An oil passage connected to an inner cylinder chamber is vertically formed and many oil passages(22a-22d) connected to the vertical oil passage, are formed in the union bolt. The many oil passages are communicated with the outer circumference of the union bolt. The connector includes an oil passage(31) communicated with one among many oil passages and a connecting end(32) to rotatively assemble an oil pipe(3) into the union bolt. Thus, the thread portion of the union bolt is combined with the vent port of the master cylinder. The connector is exposed from the vent port and the vertical oil passage is communicated with the inner cylinder of the master cylinder. In this state, the oil pipe is connected to the connecting end of the connector and connected to one among oil passages of the union bolt in a wanted direction.
Patent KR-100231730-B1 (KR)
Inventor: CHOI YOUNG-JUNG
IPC: G11C16/06
Filed: 1996-12-18
Granted: 1999-11-15
Abstract: 부하 캐패시터 또는 공급전압에 영향을 받지 않는 네가티브 전압 구동 회로가 제공된다. 본 발명에 따른 네가티브 전압 구동 회로는 클로스 펌핑 회로, 펑핑 유니트 블록 및 펌핑 유니트 블록에 VVC 또는 VSS전원을 공급하기 위한 회로로 구성된다.
Patent KR-100425826-B1 (KR)
Title: Method for fabricating capacitor of semiconductor device
Inventor: YOO YONG SIK
IPC: H01L27/01
Filed: 1996-12-31
Granted: 2004-06-04
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a capacitor of a semiconductor device is provided to improve a leakage current characteristic of a dielectric layer of a tri-layer structure made of BST(barium strontium titanate) formed on a storage node of a semiconductor substrate by uniformly controlling the ratio of flowrate of argon and oxygen. CONSTITUTION: An insulation layer(12) with a storage node contact hole is formed on a semiconductor substrate(10). A contact plug(14) is formed to fill the contact hole. A diffusion preventing layer pattern and a storage node pattern are formed on the contact plug. A dielectric layer pattern made of tri-layer BST is formed to surround the surface of the storage node pattern, wherein a flowrate ratio of oxygen to argon is increased to form the first BST layer(22), the flowrate ratio of oxygen to argon is decreased to form the second BST layer(24), and the flowrate ratio of oxygen to argon is increased to form the third BST layer(26). A plate node(28) is formed on the dielectric layer pattern.
Patent KR-100195150-B1 (KR)
Inventor: SEOL YOUNG-YUN
IPC: G11B33/02
Filed: 1996-12-31
Granted: 1999-06-15
Abstract: 테이프 레코더의 프론트도어 록킹장치가 개시된다. 개시된 프론트도어 록킹장치는, 로딩모터에 의해 구동되는 슬라이더랙의 단부에 압압부를 마련하고, 일방향으로 탄성바이어스되도록 테이프 레코더의 하우징 내부에 설치되고, 상기 슬라이더랙에 의해 간섭되어 일단부가 상기 프론트도어의 회동궤적상에 위치하는 제 1위치에서 그 일단부가 상기 프론트도어의 회동궤적으로부터 벗어나는 제 2위치로 회동 가능한 록킹레버와, 상기 카세트출입구 주위에 마련되어, 상기 테이프카세트의 출입 상태를 감지하고, 그 감지된 상태에 따라 로딩모터를 작동시키는 감지수단을 포함하여 구성됨으로써 테이프카세트가 언로딩된 상태에서도 열리지 않도록 상기 프론트도어를 록킹하게 된다. 따라서 테이프카세트 이외의 이물질이 삽입되는 경우에는 감지수단이 이를 인식하지 못하여 프론트도어가 열리지 않게 되므로 테이프 레코더 내부로 이물질이 삽입되는 것을 방지된다.
Patent KR-100347497-B1 (KR)
Title: 응집체의제조방법및장치
IPC: B01J2/20
Filed: 1994-09-29
Granted: 2002-12-26
Abstract: 본 발명에 따르면, 입도가 10 ㎛ 미만인 분말화 약제를 체에 공급하여 미분분말화 약제를 체의 개구에 통과시킴으로써 응집시켜 응집체를 얻는 단계, 생성된 응집체를 구형화하여 체 중에서의 응집화 공정으로 얻은 응집체보다 더 구형이고 더 조밀하며 더 치밀한 응집체를 제공하는 단계, 이 응집체를 분급시켜서 균일한 크기의 최종 생성물을 얻는 단계로 이루어지는, 자유 유동성이고 분쇄되어 미분 약제를 제공할 수 있는 응집체 또는 펠릿을 조절된 방식으로 형성하기 위한, 입도가 10 ㎛ 미만이고 유동 특성이 불량한 미분 분말화 약제의 처리 방법이 제공된다. 또한 본 발명에 따르면, 이러한 방법을 수행하기 위한 장치도 제공된다.
Patent KR-100221664-B1 (KR)
Inventor: MAEJIMA DAKKASI
IPC: F23G5/16
Filed: 1995-09-20
Granted: 1999-09-15
Abstract: 본 발명은 공장·레스토랑·편의점 등으로부터 배출되는 수분이 적은 일반쓰레기 및 수분을 다량 포함한 음식물 쓰레기·진흙 등을 소각하기 위한 소각로의 개량에 관한 발명이다. 
     본 발명은 진동기에 접속된 유지판을 포함함과 동시에 안벽에 흡입배출구를 형성한 연소실의 아래쪽에는 재받이가 있는 재받이실을 설치하고, 상기 연소실의 뒤쪽에는 버너를 설치한 버너실과 송풍관 및 분기관이 있는 송풍기를 설치한 송풍기실, 굴뚝을 설치한 굴뚝실을 배치하며, 상기 송풍기의 송풍관을 상기 굴뚝내에 삽입함과 동시에 상기 분기관의 선단을 버너에 근접시킨 것을 특징으로 하는 진동기 달린 소각로로 했다. 
     또 본 발명은 재받이실과 연소실, 건조실로 이루어진 소각로에 있어서, 연소실과 건조실 사이에 관통구멍을 형성함과 동시에 음식물 쓰레기를 수납하는 수납홈을 형성한 간막이를 부착한 것을 특징으로 하는 건조실 달린 소각로 및 소각로와 사이클론으로 이루어진 소각로에 있어서, 소각로내에 연소실과 건조실을 설치하고 상기 연소실과 건조실 사이에 관통구멍을 형성함과 동시에 음식물 쓰레기를 수납하는 수납홈을 형성한 간막이를 부착한 것을 특징으로 하는 건조실 달린 소각로로 했다.
Patent KR-100227770-B1 (KR)
Inventor: SAWANO HIROYUKI
IPC: H01S5/065
Filed: 1997-01-16
Granted: 1999-11-01
Abstract: 기판상에 수직 방향으로 레이저 공진기를 형성하기 위해 복수의 반도체 층을 적층한 반도체 레이저 디바이스에 있어서, 상기 레이저 공진기가 포화가능한 흡광영역을 포함하고 있다. 수직 방향에서의 광 도파로 프로파일의 스폿 크기는 0.4 보다 크다. 레이저 공진기는 50 보다 큰 반사율을 제공하는 제1 및 제2 반사막을 더 포함한다.
Patent KR-100244382-B1 (KR)
Inventor: MIYAHARA SHINJIROU
IPC: E03D9/08
Filed: 1997-02-28
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 국부세정 등을 행하는, 특히 리모콘에 의해서 조작하는 위생세정 장치에 관한 것으로서, 복수의 위생세정장치를 근접해서 사용허는 것을 가능하게 하는 동시에, 리모콘에의 전원의 급전상태를 표시하여 편리성으 높이고, 고효율광신호전송과 또한 장기간에 걸쳐서 조작성능을 유지하고, 또 리모콘의 취급성의 향상을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 위생세정장치본체에 설치한 수광부와, 상기 수광부와 위생세정장치본체에 설치한 수광창을 개재해서 광결합하고, 또한 독립해서 작동하는 적어도 2개의 발광부를 가진 리모콘과, 상기 위싱세정장치본체와 상기 리모콘을 착탈자재하게 구성하고, 탈착시에 상기 발광부를 자동적으로 선택 사용하는 것을 특징으로 한 것이다.
Patent KR-100220644-B1 (KR)
Inventor: LEE SANG-GON
IPC: D02G1/16
Filed: 1997-03-17
Granted: 1999-10-01
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     본 발명은 촉감 및 볼륨감이 우수한 편물 제조에 특히 적합한 폴리에스테르 이수축 혼섬사의 제조방법에 관한 것이다. 
     2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 
     원사제조시 공정안정성 및 제편성이 우수하고, 촉감 및 볼륨감 등이 우수한 직편물을 제조할 수 있고, 호부 등의 제직준비 공정이 생략되는 편물 제조용 원사로 특히 적합한 폴리에스테르 이수축 혼섬사의 제조방법을 제공한다. 
     3. 발명의 해결방법의 요지 
     폴리에스테르 고배향 미연신사와 고수축성의 폴리에스테르사를 합사한 후 300∼1,000 T/M으로 가연(加燃) 하면서 140∼180 의 열판과 접촉시켜서 열처리하고, 열처리된 원사를 해연시킨 후 공기교락으로 혼섬한다. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     본 발명의 폴리에스테르 이수축 혼섬사는 주로 편물 제조용 원사로 사용된다.
Patent KR-100428591-B1 (KR)
Title: Semiconductor device having pulse generation circuit
Inventor: KIM YEONG TAE
IPC: H03K5/13
Filed: 1997-05-09
Granted: 2004-06-16
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a pulse generation circuit is provided to generate a pulse signal having desired width regardless of a high level period and a low level period by changing a composition of a delay circuit. CONSTITUTION: A semiconductor device having a pulse generation circuit includes an inverter, a delay, and an output. The inverter(100) receives an external clock signal and inverts the received external clock signal. The delay(200) is formed with two or more even-numbered logic gates. The delay receives the external clock signal and outputs a delay signal to an output terminal. The output(300) receives the external clock signal and the delay signal and outputs the pulse signal.
Patent KR-100225803-B1 (KR)
Inventor: LEE SUNG-KU
IPC: G01B5/02
Filed: 1997-06-05
Granted: 1999-10-15
Abstract: 본 발명은 자동차의 오토밋션에서 기어의 양측에 설치되어 지는 세그멘트(클러치 패드)를 제조하기위한 것으로 더욱 상세하게는 세그멘트를 3등분하여 성형하면서 원형으로 조립시켜 자동으로 배출하여 후방에서 적층되어지도록 하는 자동차용 오토밋션의 제조장치에 관한 것이다. 
     원단을 공급할때 프레스 및 금형의 상,하이송으로 세그멘트판을 타발하면 인덱스테이블이 회전되면서 세그멘트를 성형하는 성형장치와, 상기 세그멘트가 성형되면 일방향으로 이송시켜 배출하는 배출장치와, 상기 배출장치에서 배출된 세그멘트 받아 적층하는 메거진시스템으로 이루어져서 세그멘트를 3등분하여 가공하면서 동시에 세그멘트를 조립하며 배출하여 자동으로 적층되어져서 생산성을 향상시키고 불량률을 줄이며 정확한 제품을 생산하는 것이다.
Patent KR-100317101-B1 (KR)
Title: 전원전압보다더높은전압을공급하는회로를구비한반도체회로
IPC: G11C16/08
Filed: 1997-06-19
Granted: 2002-02-28
Abstract: 본 발명은, 워드라인(111)과 전인 전압 보다 더 높은 충전 전압을 공급하는 단자(105) 사이에 그 소스 및 드레인 경로가 접속되고, 그 백 게이트(back gate)가 백 게이트 바이어스 전압 VPB을 공급하는 단자(104)에 접속되는 p-채널 MOS 트랜지스터(110)를 포함하는 반도체 회로로서, 워드라인(111)이 선택될 때 충전 전압 VPM을 워드라인(111)에 공급하도록 p-채널 MOS 트랜지스터(110)를 도통(energize)시키고, 또한 워드라인(111)이 선택되지 않을 때 전원 전압을 워드라인(111)에 공급하도록 p-채널 MOS 트랜지스터(110)를 비도통(deenergize)시키기 위해, 상기 백 게이트 바이어스 전압이 p-채널 MOS 트랜지스터(110)의 백 게이트에 인가되는, 상기 반도체 회로를 기술한다.
Patent KR-100373243-B1 (KR)
Title: Hold button of lever for automatic transmission used as exhaust brake switch
Inventor: CHOI YEONG GIL
IPC: B60K20/00
Filed: 1997-06-19
Granted: 2003-05-09
Abstract: PURPOSE: A hold button for an automatic transmission lever used as an exhaust brake switch is provided to improve braking force by operating the exhaust brake switch and the hold switch simultaneously for decelerating suddenly with installing a common switch for inputting the signal. CONSTITUTION: In the hold mode of an automatic transmission, resistance is applied to rotation of an engine with compressing an exhaust manifold, and acceleration of a vehicle is prevented by restricting change of speed range over the predetermined range. A common switch(10) is installed as a hold button of an automatic transmission lever. An ECU(Electronic Control Unit,12) operates an exhaust brake, and a TCU(Transmission Control Unit,16) operates the hold mode of the transmission in inputting signals from the common switch to the ECU and the TCU. Braking force is increased by actuating the exhaust brake and the hold mode of the automatic transmission with operating the common switch.
Patent KR-100265847-B1 (KR)
Title: Method for forming charge storage electrode of semiconductor device
Inventor: KIM GI-HYEON
IPC: H01L27/108
Filed: 1997-06-26
Granted: 2000-10-02
Abstract: PURPOSE: A storage electrode formation method is provided to improve the uniformity of patterns by effectively removing an oxide layer remaining on the surface of hemispherical polysilicon layers. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(22) having contact holes is formed on a silicon substrate(21). A polysilicon plug(24) is formed by filling a first polysilicon into the contact hole. After forming a protection oxide(25) on the resultant structure, a first sacrificial oxide(26) is formed on the protection oxide(25). By selectively etching the first sacrificial oxide(26) and the protection oxide(25), a storage formation region is formed to expose the polysilicon plug(24). A second polysilicon layer(28), a hemispherical polysilicon layer(29) and a second sacrificial oxide(30) are sequentially formed on the resultant structure. The second sacrificial oxide(30) formed in the storage formation region is entirely removed by using mixed gases containing fluorine, carbon and oxygen gases, thereby forming a storage electrode including the hemispherical polysilicon(29) and the second polysilicon(28).
Patent KR-100238402-B1 (KR)
Inventor: PARK SHI-WOO
IPC: H04L12/66
Filed: 1997-06-28
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 피크 셀률 및 실측을 통해 계산된 등가 대역폭에 근거해서 연결 수락 제어를 수행함으로써 높은 통계적 다중화 이득을 얻고, 간단하고 빠르게 연결 수락 제어를 수행하도록 한 ATM망에서의 동질 트래픽 연결수락 제어장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 이러한 본 발명은, 트래픽의 실제 측정을 통해서 일정한 측정기간 동안에 도착하는 셀 수에 대한 확률 분포 함수를 산출하고, 그 산출한 확률 분포 함수로부터 등가 대역폭을 구한 후 새로운 호의 연결 요청이 들어오면 가용 대역폭과 새로운 호의 피크 셀률을 비교한다. 이 비교 결과 가용 대역폭이 피크 셀율보다 크면 새로운 호의 연결을 수락하고, 새로운 호가 연결된 수락된 경우 가용 대역폭을 피크 셀률만큼 감소시킨다. 또한, 가용 대역폭이 피크 셀률보다 작으면 새로운 호의 연결을 거부한다.
Patent KR-100227486-B1 (KR)
Inventor: KIM JU-SANG
IPC: H04N7/015
Filed: 1997-06-28
Granted: 1999-11-01
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     고화질텔레비젼(HDTV) 
     2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 
     종래 HDTV 세그먼트 동기신호 검출장치에서 동상신호 성분만을 사용함으로써 세그먼트 동기신호 검출장치가 주파수오류와 위상오류 및 극성반전에 영향을 받으면 세그먼트 동기신호를 검출할 수 없는 문제점을 해결하고자 한 것임. 
     3. 발명의 해결방법의 요지 
     입력되는 복소신호와 세그먼트 동기기준패턴 사이의 상관치를 얻는 상관부(400)와; 상기 상관부(400)에서 출력되는 동상신호와 직교신호의 상관치를 각각 제곱하는 제곱부(500)와; 상기 제곱부(500)에서 출력되는 동상신호 제곱치 및 직교신호 제곱치를 가산하는 가산부(600)와; 상기 가산부(600)의 출력을 메모리부(800)를 이용하여 여러번의 세그먼트 주기 동안 누적하는 누적부(700)와; 상기 누적부(700)의 누적값을 저장하고, 그 저장값을 상기 누적부(700)에 피드백시키는 메모리부(800)와; 상기 누적부(700)의 누적값 중에서 최대값 위치를 검출하여 세그먼트 동기신호의 위치를 알려주도록 세그먼트 동기신호와 세그먼트 록킹신호를 출력하는 최대값 위치검출부(900)로 이루어짐을 특징으로 한 것이다. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     고화질텔레비젼(HDTV)에 적용되는 것임.
Patent KR-100461333-B1 (KR)
Title: Eprom 수단을 이용하여 리페어 동작을 수행하는 메모리 장치
Inventor: RYU MYEONG SEON
IPC: G11C29/00
Filed: 1997-06-28
Granted: 2005-09-28
Abstract: 본 발명은 EPROM을 이용하여 리페어 동작을 수행하는 메모리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 메모리 장치는 어드레스 신호를 기록하기 위한 제1 및 제2 EPROM(1-1,1-2)과, 소정의 제어 신호(/WE, /OE)를 수신하여 리페어 인에이블 신호 (A)를 발생시키는 리페어 인에이블 출력 수단(2)과, 상기 리페어 인에이블 신호(A)를 수신하여 EPROM 라이트 인에이블 신호(B,C)를 발생시키는 EPROM 라이트 인에이블 출력 수단 (3)과, 상기 리페어 인에이블 신호 (A)를 각각 수신하여 상기 어드레스 신호가 상기 제1 및 제2 EPROM(1-1,1-2)에 인가되도록 제어하는 컬럼 EPROM 어드레스 버퍼/디코더(4)와 로우 EPROM 어드레스 버퍼/디코더(5)와, 상기 제1 및 제2 EPROM(1-1,1-2)의 출력 신호를 수신하여 메모리 셀 어레이의 스페어 로우 또는 스페어 컬럼을 선택하여 동작시키는 스페어 컬럼 회로(6)와 스페어 로우 회로(7)를 구비한다.
Patent KR-100243739-B1 (KR)
Inventor: MOON BYUNG-OH
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-06-28
Granted: 2000-03-02
Abstract: 본 발명은 높은 어스펙트 비를 갖는 반도체 소자의 비아홀 형성방법을 제공한다. 
     본 발명에 따른 반도체 소자의 비아홀은 다음과 같이 형성된다. 기판 상에 상기 도전층 패턴의 형태로 제1절연막이 형성되고, 제1절연막 상에 제1SOG막 및 제2절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 제2절연막 및 제1SOG막이 제1절연막이 노출된 때까지 식간되어, 도전층 패턴 상기 제2절연막, 제1SOG막으로 이루어진 소정의 패턴이 형성된다. 그런 다음, 소정의 패턴의 형태로 기판 전면에 제3절연막이 형성되고, 제3절연막 상에 제2SOG막이 형성된다. 제2절연막 상의 제3절연막이 노출될 때까지 제2SOG막이 에치백되고, 기판 전면에 제4절연막이 형성된 다음, 도전층 패턴 상의 제1SOG막이 노출되도록 제4 및 제3절연막이 식각되어 기판 표면이 평탄화된다. 도전층 패턴 상의 상기 소정의 패턴이 제거하여 비아홀이 형성된다.
Patent KR-100479632-B1 (KR)
Title: 불휘발성메모리시스템및반도체기억장치
IPC: G11C11/34
Filed: 1997-07-04
Granted: 2005-07-28
Abstract: 여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거할 수 있는 불휘발성 메모리시스템에 이용해서 유효한 기술에 관한 것으로서, 라이트를 실행하는 특정 메모리셀의 임계값 전압만이 변화하는 것이 바람직하지만 라이트를 실행하지 않는 메모리셀에는 임계값이 변화하는 외란이 발생한다는 문제점을 해결하기 위해서, 임계값 전압의 제1 상태와 제2 상태에 의해 정보를 기억하는 여러개의 메모리셀과 여러개의 메모리셀의 컨트롤게이트에 접속되는 워드선을 갖는 메모리어레이 및 커맨드입력단자를 갖고 커맨드입력단에 입력되는 명령에 따라서 여러개의 메모리셀의 소거 및 라이트의 수순을 제어하는 시퀀서를 구비하고, 시퀀서가 받는 명령에는 여러개의 메모리셀의 임계값 전압을 일괄해서 제1 상태로 하는 소거커맨드와 여러개의 메모리셀중 임계값전압이 제1 상태에 있는 메모리셀의 적어도 1개를 선택적으로 제2 상태로 하는 추가라이트커맨드가 있고, 추가라이트커맨드는 소거커맨드를 실행하지 않고 여러회 연속해서 실행할 수 있는 구성으로 하였다. 
     이렇게 하는 것에 의해서, 워드선외란에 의한 메모리셀의 임계값의 변동을 회복하고, 잘못된 데이타의 리드를 방지할 수 있음과 동시에 추가라이트라는 동작을 통상의 라이트보다 고속으로 실행할 수 있고, 또한 추가라이트에 있어서의 소프트웨어의 부담을 경감할 수 있다는 효과가 얻어진다.
Patent KR-100240497-B1 (KR)
Inventor: YO SOK JUN
IPC: B04C1/00
Filed: 1997-07-16
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 여과집진장치에 싸이크론의 원심력과 전기집진기의 정전기력을 접목시키므로써 기존의 집진장치를 일신할 수 있는 정전 원심 여과집진장치로서, 싸이크론의 집진메카니즘인 원심력 효과를 여과집진장치의 집진메카니즘에 부가할 수 있도록 유입구를 접선 방향으로 설치하므로써 여과포에 부가되는 먼지의 양을 상당히 경감시킬 수 있게 하고 여과포 수를 감소시켜 집진장치의 소형화를 유도할 수 있으며, 유입되는 기류 중에 고전압을 인가할 수 있는 예비하전장치를 유입구측에 설치하여 먼지 입자에 정전기력을 인가하므로써 1㎛ 이하의 미세입자를 포함하는 전체 입경 범위에서의 집진효율을 높이고 압력손실을 대폭 감소시키기는 등의 잇점과 효과를 도모코져 한 것인 바, 임이 형태의 싸이크론 본체(2) 내부에 일정 수량의 여과포(5)가 설치되는 집진시스템에 있어서, 상기 싸이크론 본체(2) 상부에 접선방향으로 유입구(1)가 설치되어 하향 외부 선회류와 상향 내부 선회류를 갖는 유동 구조로서 싸이크론 본체(2) 벽면에 1차 집진되고 상부의 여과포(5)로 2차 집진되며, 상기 유입구(1)에 고전압 인가장치(4)와 연결된 예비하전정치(3)가 구비되어 유입되는 먼지 입자에 정전기력을 인가시킬 수 있게 한 것에 요지가 있다.
Patent KR-100246188-B1 (KR)
Inventor: HAN DONG-HWAN
IPC: G11C19/18
Filed: 1997-07-31
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 데시메터(Decimator)용 멀티스테이지 콤 필터(Multistage Comb filter)에 관한 것으로서, 특히 연산기의 수를 현저하게 줄일 수 있는 멀티스테이지 콤 필터에 관한 것으로 데이터 전달부와 대칭 데이터 형성부와 연산조정신호 발생부와 제1및 제2카운터와 제1 및 제2먹스와 롬과 제1 및 제2연산플립플롭과 덧셈 및 뺄셈 연산기와 앤드게이트를 가지고 콤 필터의 스테이지의 수에 관계없이 하나의 연산장치만을 필요로 하므로 게이트의 수가 현저히 줄어 레이아웃 면적을 감소시킬 수 있다.
Patent KR-100392909-B1 (KR)
Title: Thin film transistor and manufacturing method thereof
Inventor: SEO HYEON SIK
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-08-26
Granted: 2004-03-22
Abstract: PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to be capable of preventing the step coverage of a gate oxide layer from being deteriorated and restraining a hillock phenomenon. CONSTITUTION: A TFT is provided with a substrate and a two-step topology structure type gate(149). The two-step topology structure type gate includes the first metal layer(143) formed on the substrate and the second metal layer(145) formed on the first metal layer. The first metal layer is made of the first material having tensile stress characteristic. The second metal layer is made of the second material having compression stress characteristic. The width of the second metal layer is smaller than that of the first metal layer. The generation of a hillock phenomenon is prevented by the mutual coupling between the tensile stress of the first metal layer and the compression stress of the second metal layer.
Patent KR-100309408-B1 (KR)
Inventor: AHN JUN HYEONG
IPC: F16D48/00
Filed: 1997-08-30
Granted: 2002-04-17
Abstract: PURPOSE: An automatic clutch is provided to prevent stop of an engine by operating a clutch pedal automatically with negative pressure of a surge tank in braking suddenly during traveling and returning the clutch pedal slowly in suddenly stepping on the clutch pedal. CONSTITUTION: An automatic clutch is composed of a piston(11) connected to a clutch pedal(1); a piston moving unit pulling the piston with negative pressure of an engine or returning with a return spring(4); and a controller connected to an ignition key switch, a vehicle speed detecting sensor, a clutch pedal detecting switch, a brake pedal detecting switch, a 1-range detecting switch and a parking brake switch to release the clutch by applying control current to the piston moving unit or shutting off current according to on-and-off state of switches. Stop of the engine is prevented by operating the clutch pedal automatically.
Patent KR-100240098-B1 (KR)
Inventor: KANG YOUNG-SU
IPC: H01L27/06
Filed: 1997-08-30
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 목적은 핀 구조의 캐패시터 제조시 언더컷을 유발하여 상부폴리와 하부폴리 사이에 산화막을 증착하지 않고 핀구조를 형성하여 공정을 단순화시키며 콘택홀 내부도 캐패시터로 사용하여 정전용량을 조절할 수 있도록 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법을 제공함에 있다. 상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 핀 구조로 이루어진 반도체장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판위에 산화막과 하부폴리를 순차적으로 형성하고 하부폴리에 이온을 주입하는 단계와, 캡콘택마스크를 통해 하부폴리실리콘와 산화막을 식각하여 캡콘택홀을 형성하는 단계와, 캡콘택홀에 상부폴리실리콘를 형성하고 하부폴리실리콘 상부의 일정한 깊이까지 조사되도록 이온을 주입하는 단계와, 캡폴리마스크를 통해 상부폴리실리콘와 하부폴리실리콘를 식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하여 제조공정의 단축과 정전용량의 향상으로 소자의 특성을 향상시킨다는 이점이 있다.