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Patent DE-102018213076-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Betreiben eines Kraftfahrzeugs, insbesondere eines Kraftwagens, sowie Kraftfahrzeug, insbesondere Kraftwagen
Inventor: STAHL HANS-ULRICH
IPC: F02D41/00
Filed: 2018-08-03
Granted: 2022-10-20
Abstract: Verfahren zum Betreiben eines eine Verbrennungskraftmaschine (2) umfassenden und mittels der Verbrennungskraftmaschine (2) antreibbaren Kraftfahrzeugs (1), bei welchem während wenigstens einer Zeitspanne zumindest ein Emissionswert, welcher eine gesamte, von der Verbrennungskraftmaschine (2) während der Zeitspanne emittierte Menge eines Abgasbestandteils charakterisiert, ermittelt wird, mit den Schritten:- Ermitteln einer Differenz zwischen dem Emissionswert und wenigstens einem Grenzwert; und- Durchführen wenigstens einer Funktion des Kraftfahrzeugs (1), wenn die Differenz einen Schwellenwert unterschreitet; dadurch gekennzeichnet dass:- während einer zeitlich von der Zeitspanne beabstandeten zweiten Zeitspanne zumindest ein zweiter Emissionswert ermittelt wird, welcher eine gesamte, von der Verbrennungskraftmaschine (2) während der zweiten Zeitspanne emittierte Menge des Abgasbestandteils charakterisiert, wobei zwischen den Zeitspannen ein Deaktivieren der Verbrennungskraftmaschine (2) erfolgt;- die Summe der Emissionswerte gebildet wird;- eine Gesamtdifferenz zwischen der Summe der Emissionswerte und wenigstens einem Gesamtgrenzwert ermittelt wird;- die wenigstens eine Funktion und/oder wenigstens eine zweite Funktion des Kraftfahrzeugs (1) durchgeführt wird, wenn die Gesamtdifferenz den Schwellenwert und/oder einen weiteren Schwellenwert unterschreitet; und- Daten (9), welche die Differenz und/oder die Gesamtdifferenz charakterisieren, an ein weiteres, zusätzlich zu dem Kraftfahrzeug (1) vorgesehenes Kraftfahrzeug (10) übermittelt werden, wobei das weitere Kraftfahrzeug (10) in Abhängigkeit von den Daten (9) betrieben wird.
Patent DE-102018217814-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Offsetkalibrierung eines Drehratensensorsignals eines Drehratensensors, System, Computerprogramm
Inventor: GUT JUERGEN
IPC: G01C25/00
Filed: 2018-10-18
Granted: 2020-06-18
Abstract: Verfahren zur Offsetkalibrierung eines Drehratensensorsignals (11) eines Drehratensensors (1), wobei-- in einem ersten Schritt ermittelt wird, dass sich der Drehratensensor (1) in einem Ruhezustand (15) befindet,-- in einem zweiten Schritt, nach dem ersten Schritt, ein Filterparameter (α) in Abhängigkeit von im Ruhezustand (15) gemessenen Drehratensensormesswerten (x1) des Drehratensensors (1) bestimmt wird,-- in einem dritten Schritt, nach dem zweiten Schritt, mithilfe des Filterparameters (α) ein gefilterter Drehratensensormesswert ([n]) bestimmt wird, wobei mithilfe des gefilterten Drehratensensormesswerts ([n]) ein Offset (40) bestimmt wird.
Patent DE-102018219879-B4 (DE)
Title: Elektrische verbindungsanordnung
Inventor: CARASTRO FABIO
IPC: H01R4/04
Filed: 2018-11-20
Granted: 2022-10-06
Abstract: Elektrische Verbindungsanordnung (1), die zwischen einem ersten Satz von Anschlüssen (18, 18') einer ersten elektrischen Vorrichtung (2) und einem zweiten Satz von Anschlüssen (24, 24', 24") einer zweiten elektrischen Vorrichtung (6, 6', 6") eine elektrische Verbindung herstellt, wobei die erste elektrische Vorrichtung (2) elektrische Komponenten umfasst, die dazu konfiguriert sind, mit der zweiten elektrischen Vorrichtung (6, 6', 6") Strom auszutauschen, wobei der erste Satz von Anschlüssen (18, 18') mittels eines Klebers (32) an dem zweiten Satz von Anschlüssen (24, 24', 24") befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlüsse (18, 18') der ersten elektrischen Vorrichtung (2) eine Sammelschiene (26) darstellen und die zweite elektrische Vorrichtung (6, 6', 6") ein Leistungsmodul ist.
Patent DE-102019002187-B4 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Bauteils mit Gewinde
Inventor: WEISS ANDRÉ
IPC: B21K1/56
Filed: 2019-03-27
Granted: 2020-10-15
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils mit einem Gewinde, umfassend die Schritte:Bereitstellen einer Matrize, aufweisend eine Matrizenausnehmung, wobei sich die Matrizenausnehmung in einer axialen Richtung durch die Matrize erstreckt und die Matrizenausnehmung einen Gewindegang zum Ausbilden des Gewindes aufweist,Einführen eines Rohlings in die Matrizenausnehmung, undAusbilden eines Gewindes an dem Rohling mittels Fließpressen.
Patent DE-102020200379-B4 (DE)
Title: Umverpackung mit Schwächungslinie
Inventor: DAHLMANNS KURT
IPC: B65D5/54
Filed: 2020-01-14
Granted: 2022-06-09
Abstract: Umverpackung (1) zur Umschließung, Einhausung von Umverpackungsinhalt, Ware, Verpackungsbehälter, Produkt, Getränkekartons (2) aufweisend ein erstes Umverpackungselement (10) und wenigstens ein zweites Umverpackungselement (20), wobei das erste und wenigstens eine zweite Umverpackungselement (10, 20) trennbar gekoppelt sind durch wenigstens eine zumindest bereichsweise umlaufende Schwächungslinie, Soll-Risslinie (30), wobei die Schwächungslinie (30) zur Aufnahme der Kräfte und Belastungen infolge Handhabungs-, Lagerungs- und, oder Transportvorgängen ohne strukturelles Versagen dimensioniert ist, wobei die Trennbarkeit der Umverpackungselemente (10, 20) entlang der Schwächungslinie (30) durch wenigstens einen Eingriff, Öffnung (40) angrenzend an die Schwächungslinie (30) unterstützt ist dadurch, dass der Kraftangriff für den Trennungsprozess verbessert ist, wobei die Umverpackung (1) wenigstens eine Umverpackungskante (50) aufweist, die wenigstens teilweise durch Falthilfe, Faltlinie, Faltperforation und, oder Faltrilllinie gebildet ist, wobei die Falthilfe, Faltlinie, Faltperforation und, oder Faltrilllinie der Umverpackungskante (50) im angrenzenden Bereich zur Schwächungslinie (30) zumindest teilweise ausgenommen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung der Falthilfe, Faltlinie, Faltperforation und, oder Faltrilllinie durch das Unterbrechungsmaß (A) definiert ist und dass das Verhältnis des Unterbrechungsmaßes Faltlinie (A) zur Kantengesamtlänge der Umverpackung (A*) vorzugsweise (A/A*) 1/12 bis 1/24 beträgt.
Patent DE-112004001742-B4 (DE)
Title: Motorsteuerverfahren und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
Inventor: TSUTSUI KAZUHIKO
IPC: H02P29/10
Filed: 2004-06-11
Granted: 2014-05-28
Abstract: Motorsteuerverfahren zum Steuern eines Motors (13) mittels einer Positionsschleife (5) und einer Geschwindigkeitsschleife (8) gemäß einem Positionssignal (θ s ) und einem Positionsabweichungssignal (θ e ), wobei das Positionssignal (θ s ) Information über eine Rotationsposition des Motors (13) angibt, und das Positionsabweichungssignal (θ e ) eine Differenz zwischen dem Positionssignal (θ s ) und einem Positionsanweisungssignal (θ r ) ist, wobei das Motorsteuerverfahren umfasst:  – einen Schritt zum Begrenzen eines Ausgangsstroms an den Motor (13) und Ausgeben eines Strombegrenzungssignals (Il), wenn der Ausgangsstrom begrenzt ist;  – einen Schritt (S106, S112) zum Ausgeben einer Eingabe-/Ausgabeabweichung (V h ) zwischen einem Abweichungseingabesignal (θ f ) am Eingang einer Abweichungsbegrenzungseinheit (21) und einem von dieser ausgegebenen Ausgabewert (θ g ), wenn das Strombegrenzungssignal (Il) ausgeben wird;  – einen Schritt zum Integrieren der Eingabe-/Ausgabeabweichung (V h ); und  – einen Schritt zum Subtrahieren des integrierten Wertes (θ cd ) der Eingabe-/Ausgabeabweichung (V h ) von dem Positionsabweichungssignal (θ e ).
Patent DE-112005000190-B4 (DE)
Title: Spritzgußvorrichtung
Inventor: ISHIDA MAMORU
IPC: B22D17/12
Filed: 2005-01-14
Granted: 2010-04-08
Abstract: Spritzgussvorrichtung zum Gießen einer amorphen Legierung, die Folgendes umfasst: eine Form (1), eine Hülse (27), die so angeordnet ist, dass sie vorwärts und rückwärts in Richtung auf eine Eingussöffnung (4) der Form (1) beweglich ist, einen Kolben (33, 33a), der gleitend in der Hülse angeordnet ist,  Heizmittel (37) zum Erhitzen und Schmelzen eines Rohmaterialstücks (A), welches in einen Rohmaterial-Aufnahmeteil zugeführt ist, der durch eine Innenwand der Hülse und den Kolben gebildet wird, und  eine Vakuumkammer (24) zum Ausbilden eines Heiz-Schmelzabschnittsraums (Y) auf abgedichtete Weise, in dem die Hülse (27) und die Heizmittel (37) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (27) mit Mitteln zur Kühlung ausgestattet ist, wobei die Heizmittel (37) in dem Umfang des oberen Teils der Hülse angeordnet sind, wenn sich die Hülse (27) in der zurückgezogenen Stellung befindet, wobei die Hülse (27) an ihrer äußeren Umfangsfläche mit einem Kühlmantel (28, 28a, 28b) versehen ist, der...
Patent DE-112006001092-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren für Siliciumwafer
Inventor: KUROKI HIDETOSHI
IPC: C30B15/20
Filed: 2006-03-20
Granted: 2020-01-16
Abstract: Herstellungsverfahren für Siliciumwafer, das so ausgelegt ist, um einen Siliciumwafer aus einem Siliciumeinkristall zu erhalten, der hergestellt wird durch Eintauchen eines Keimkristalls in eine Siliciumschmelze, die in einem Quarztiegel enthalten ist, und dann Ziehen und Wachsen des Siliciumeinkristalls, wobei, wenn der Siliciumeinkristall unter Bedingungen gezogen wird und wächst, so dass eine gesamte Querschnittsfläche des Barrens des Siliciumeinkristalls so gestaltet ist, dass die Querschnittsfläche senkrecht zu der Zug- und Wachtumssrichtung des Barrens einem Versetzungsschlau-fenclusterbereich entspricht, der Siliciumeinkristall unter Bedingungen gezogen wird, so dass eine Sauerstoffkonzentration in einem Bereich des Siliciumeinkristalls von seinem Schulterbereich zu einem oberen Teil seines geraden Zylinderbereichs gleich 9,0 × 10Atome/cmoder höher ist, bei der kein Fehler auftritt, beginnend von Versetzungsschlaufenclustem.
Patent DE-112006002270-B4 (DE)
Title: Brennstoffzelle
Inventor: NAKANISHI HARUYUKI
IPC: H01M8/02
Filed: 2006-08-31
Granted: 2013-09-05
Abstract: Brennstoffzelle mit: einer Vielzahl parallel angeordneter rohrförmigen Zellen (1); und Wärmetauscher (10), die an der Außenseite der rohrförmigen Zellen angeordnet sind, wobei die Wärmetauscher (10) eine Mehrzahl von Plattenelementen (21) aufweisen, die konkave Seitenflächen (16) haben, und wobei zumindest ein Teil der äußeren Umfangsfläche jeder rohrförmigen Zelle (1) und eine Außenfläche jeder konkaven Seitenfläche (16) der Plattenelemente (21) der Wärmetauscher (10) miteinander in Flächenkontakt stehen.
Patent DE-112007000358-B4 (DE)
Title: Brennstoffzellensystem
Inventor: NAGANUMA YOSHIAKI
IPC: H01M8/0432
Filed: 2007-02-08
Granted: 2019-07-04
Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Brennstoffzellensystem bereitzustellen, das zum Verbessern der Effizienz des Systems in der Lage ist eine Beschädigung der Kreislaufpumpe bei einer niedrigen Temperatur zu vermeiden.Das Brennstoffzellensystem der vorliegenden Erfindung schließt ein Brenngasumlaufsystem mit einer Umlaufleitung ein, die ein aus der Brennstoffzelle abgeführtes Brennabgas wieder zuführt, und eine Kreislaufpumpe, die das Brennabgas mit Druck in die Umlaufleitung zuführt; und eine Steuereinheit, die den Antrieb der Kreislaufpumpe steuert. Die Steuereinheit stoppt den Antrieb der Kreislaufpumpe bei einer vorherbestimmten niedrigen Temperatur.
Patent DE-112007001243-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Trockenätzen einer Zwischenisolierschicht
Inventor: MORIKAWA YASUHIRO
IPC: H01L21/768
Filed: 2007-05-16
Granted: 2015-01-22
Abstract: Ein Verfahren zum Trockenätzen einer Zwischenisolierschicht mit einem darauf befindlichen ArF-Fotolack oder KrF-Fotolack umfasst Trockenätzen feiner Merkmale in die Zwischenisolierschicht mit einem Ätzgas derart, dass sich aus dem Ätzgas eine Polymerschicht auf dem ArF- oder KrF-Fotolack bildet, wobei das Ätzgas unter einem Druck von 0,5 Pa oder weniger eingeleitet wird, und wobei ein Fourier-TransformationsInfrarot-Spektrum der Polymerschicht eine C-F-Bindungsspitze bei ungefähr 1200 cm–1, eine C-N-Bindungsspitze bei ungefähr 1600 cm–1 und einen C-H-Bindungsspitze bei ungefähr 3300 cm–1 umfasst.
Patent DE-112007003398-B4 (DE)
Title: Kugelumlaufspindelvorrichtung mit einem tunnelförmigen Laufring und ein Verfahren zur Herstellung derselben
Inventor: SUGITA SENTAROU
IPC: F16H25/22
Filed: 2007-09-05
Granted: 2019-10-24
Abstract: Kugelumlaufspindelvorrichtung (A), umfassend eine Schraubenachse (1), die eine Schraubennut (100) an ihrer Außenfläche aufweist, so dass Kugeln (5) darauf umlaufen können, eine Mutter (2) mit einer Schraubennut (200) an ihrer Innenfläche, in der Kugeln (5) umlaufen können, eine Mehrzahl von Kugeln (5), die in einer Umlaufbahn (3) entlang der Schraubennut (100) der Schraubenachse (1) und der gegenüberliegenden Schraubennut (200) der Mutter (2) umlaufen, und einen tunnelförmigen Laufring (6), der ein Ende (200a) der Schraubennut (200) der Mutter (2) mit einem anderen Ende (200b) verbindet, so dass die Kugeln (5) unbegrenzt umlaufen können, und ein tunnelförmiges Durchgangsloch (10), das in der Dicke der Wand der Mutter (2) ausgebildet ist, so dass die Kugeln (5) von einem Ende (200a) der Schraubennut (200) der Mutter (2) zu dem anderen Ende (200b) zirkulieren können, mit einem Führungspfad (11, 11-1) an einem Ende (10a) und dem anderen Ende (10b) des Durchgangslochs (10), um die in der Umlaufbahn (3) umlaufenden Kugeln (5) in das Durchgangsloch (10) einzuführen, dadurch gekennzeichnet, dass die Kugelumlaufspindelvorrichtung (A) ausgeschnittene Nuten (201, 201-1) umfasst, die an einem Ende (200a) der Schraubennut (200) der Mutter (2) und an einem anderen Ende (200b) mit dem Führungspfad (11, 11-1) verbunden sind, so dass Kugeln (5) darauf umlaufen können, wobei eine Hälfte der ausgeschnittenen Nut (201, 201-1) in einer zu der Mittelachse senkrechten Richtung geschnitten ist, und der Laufring (6) als eine Struktur ausgestaltet ist, in der die Kugeln (5) aufgrund einer Ein-Punkt-Lagerung der ausgeschnittenen Nuten (201, 201-1) der Mutter (2) und einer Zwei-Punkt-Lagerung der Schraubennut (100) der Schraubenachse (1), wobei die Ein-Punkt-Lagerung und die Zwei-Punkt-Lagerung eine Drei-Punkt-Lagerung bilden, nicht aus der Schraubennut (100) der Schraubenachse (1) und den ausgeschnittenen Nuten (201, 201-1) der Mutter (2) austreten, wobei ein Stegbereich außerhalb der Schraubennut an beiden Kanten der Mutter von einem Ende der Schraubennut zu dem anderen Ende und von einer Seite der Mutter zu der anderen Seite vorgesehen ist, wobei ein Freiraum (16, 16-1), der an jedem Stegbereich (203, 203-1) von einem Endbereich oder dem anderen Endbereich der Schraubennut (200) der Mutter (2) ausgebildet ist, mit der ausgeschnittenen Nut (201, 201-1) verbunden ist.
Patent DE-112008001042-B4 (DE)
Title: Lenkvorrichtung, Herstellungsverfahren für die Lenkvorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Welle
Inventor: MORIYAMA SEIICHI
IPC: F16D3/26
Filed: 2008-04-25
Granted: 2014-05-15
Abstract: Lenkvorrichtung, die eine Zwischenwelle (18, 105a) umfasst, die eine Lenkwelle (2), an der ein Lenkrad (1) befestigt ist, und einen Lenkgetriebemechanismus (6) über Kreuzgelenke (17A, 17B, 104, 106a) verbindet, die an beiden Enden davon vorgesehen sind, wobei die Zwischenwelle (18, 105a) einen Bolzeneingriff-Aussparungsabschnitt (22b, 127), der an einer Außenumfangsfläche eines Wellenabschnitts (22, 125, 125a, 145, 148, 125b) der Zwischenwelle (18, 105a) in der Weise gebildet ist, dass er in einer Richtung verläuft, die eine axiale Richtung schneidet, und wobei als ein Element zum Befestigen einer Kreuzgelenkgabel (26, 109a) des Kreuzgelenks (17B, 106a) und des Wellenabschnitts (22, 125, 125a, 145, 148, 125b) der Zwischenwelle (18, 105a) miteinander ein Ansatzbolzen (30, 50, 60, 116a) vorgesehen ist, an dem von einer Seite des distalen Endabschnitts des Ansatzbolzens (30, 50, 60, 116a) aus in dieser Reihenfolge ein Abschnitt (30d, 50d, 60d, 118a) mit kleinem Durchmesser, und ein Abschnitt mit großem Durchmesser, gebildet sind, wobei ein unteres Ende (30c1) des Abschnitts (30c, 50c, 60f, 141) mit großem Durchmesser innerhalb eines Bereichs (Y) positioniert ist, der zwischen dem Referenzaußendurchmesser (22f) des Wellenabschnitts (22, 125, 125a, 145, 148, 125b) und einer Unterseite (22b1) des Bolzeneingriff-Aussparungsabschnitts (22b, 127) definiert ist, so dass der Abschnitt (30c, 50c, 60f, 141) mit großem Durchmesser mit dem Bolzeneingriff-Aussparungsabschnitts (22b, 127) in Eingriff gebracht werden kann, ...
Patent DE-112008001309-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls
Inventor: SOETA SATOSHI
IPC: C30B29/06
Filed: 2008-04-14
Granted: 2019-08-22
Abstract: Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls, bei dem es sich um ein Czochralski-Verfahren zum Wachsenlassen des Silizium-Einkristalls durch Kontaktieren eines Impfkristalls mit einer Schmelze und durch Ziehen nach oben handelt, umfassend die folgenden Schritte: Kontaktieren des Impfkristalls mit der Schmelze; Bilden eines Halsabschnitts unter dem Impfkristall; und Bilden des Silizium-Einkristalls unter dem Halsabschnitt durch Vergrößern eines Durchmessers, wobei ein Durchmesser des Halsabschnitts 2 mm oder mehr und weniger als 5 mm beträgt und eine Ziehrate während des Bildens des Halsabschnitts 2 mm/min oder weniger beträgt und der Silizium-Einkristall mit dem vergrößerten Durchmesser ein mit Bor dotierter Silizium-Einkristall mit einem spezifischen Widerstand von 1,5 mΩ•cm oder weniger an einem Schulterabschnitt ist.
Patent DE-112011103483-B4 (DE)
Title: Verfahren und Struktur für pFET-Übergangs-Profil mit SiGe-Kanal
Inventor: WANG XINLIN
IPC: H01L29/78
Filed: 2011-07-27
Granted: 2015-02-05
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, aufweisend: Bereitstellen einer Struktur, welche ein Si-Substrat 12, eine N- oder C-dotierte Si-Schicht 16, die auf einer oberen Fläche des Si-Substrats angeordnet ist, und eine SiGe-Kanal-Schicht 14 umfasst, die auf einer oberen Fläche der N- oder C-dotierten Si-Schicht angeordnet ist; Bilden eines pFET-Gate-Stapels 18 auf einer oberen Fläche der SiGe-Kanal-Schicht; und Bilden einer Source-Zone und einer Drain-Zone 26 in einem Abschnitt der SiGe-Schicht, einem Abschnitt der N- oder C-dotierten Si-Schicht 16' und an einem Standbereich des pFET-Gate-Stapels durch Ionenimplantation eines Dotierstoffs des p-Typs, wobei die Source-Zone und die Drain-Zone ein abruptes Übergangsprofil aufweisen.
Patent DE-112012002648-B4 (DE)
Title: Lokale Zwischenverbindung mit einem niedrigen Profil und Verfahren zum Herstellen derselben
Inventor: PONOTH SHOM
IPC: H01L25/07
Filed: 2012-03-12
Granted: 2021-09-30
Abstract: Struktur, die aufweist:eine Mehrzahl von Feldeffekttransistoren (100a, 100b, 100c) mit Gate-Stapeln (106), die auf der Oberseite eines Halbleitersubstrats (101) ausgebildet sind, wobei die Gate-Stapel Abstandshalter (201), die an Seitenwänden derselben ausgebildet sind, und eine Deckschicht (105) auf der Oberseite derselben aufweisen;einen oder mehrere leitfähige Kontakte (601, 602), die direkt auf der Oberseite des Halbleitersubstrats ausgebildet sind und wenigstens eine Source/einen Drain (202) von einem der Mehrzahl von Feldeffekttransistoren mit wenigstens einer Source/einem Drain (202) eines weiteren der Mehrzahl von Feldeffekttransistoren verbindet,wobei der eine oder die mehreren leitfähigen Kontakte ein Teil einer lokalen Zwischenverbindung mit einem niedrigen Profil (LPLI) sind, wobei die LPLI eine Höhe aufweist, die geringer als eine Höhe der Gate-Stapel ist;eine oder mehrere Durchkontaktierungen (501a, 501b, FIG. 6), die auf der Oberseite des einen oder der mehreren leitfähigen Kontakte und direkt benachbart zu den Abstandshaltern der Gate-Stapel ausgebildet sind, wobei die eine oder die mehreren Durchkontaktierungen aus einem gleichen Material wie jene des einen oder der mehreren leitfähigen Kontakte hergestellt sind und eine gleiche Höhe wie die Höhe der Gate-Stapel aufweisen; undeine Leitung (801, 802) eines leitfähigen Pfades, die direkt über, jedoch nicht in Kontakt mit dem einen oder den mehreren leitfähigen Kontakten der LPLI ausgebildet ist, wobei die Leitung des leitfähigen Pfades auf einer Oberseite von und in Kontakt mit der Deckschicht von wenigstens einem der Gate-Stapel ausgebildet ist.
Patent DE-112012005977-B4 (DE)
Title: Aufzugsvorrichtung
Inventor: NAGATA AYAKO
IPC: B66B3/00
Filed: 2012-03-02
Granted: 2019-01-17
Abstract: Aufzugsvorrichtung, umfassend:eine Spracheingabevorrichtung (1);eine Spracherkennungs-Vorrichtung (2), die eine vorgeschriebene Spracherkennungs-Verarbeitung von durch die Spracheeingabevorrichtung (1) eingegebene Sprachdaten durchführt und bestimmt, ob die Sprachdaten in Übereinstimmung mit vorregistrierten Daten unter vorbestimmten Bedingungen sind;eine Ruf-Registrierungsvorrichtung (3), die, in dem Fall, dass die Spracherkennungs-Vorrichtung (2) bestimmt, dass die Sprachdaten in Übereinstimmung mit den vorregistrierten Daten sind, eine Ruf-Registrierungsanfrage entsprechend den vorregistrierten Daten sendet;eine Steuervorrichtung (4), die eine Kabinenantwortsteuerung durchführt auf Basis der von der Ruf-Registrierungsvorrichtung (3) empfangenen Ruf-Registrierungsanfrage; undeine Ansage-Steuervorrichtung (5), die eine Ansage-Ausgabevorrichtung (6) auf Basis einer Ansageanfrage von der Spracherkennungs-Vorrichtung (2) und einer Ansageanfrage von der Steuervorrichtung (4) steuert, wobeidie Ansage-Steuervorrichtung (5), beim Empfang einer Ansageanfrage für eine zweite Ansage mit einer höheren Priorität als die erste Ansage, während die Ansage-Steuervorrichtung (5) die Ansage-Ausgabevorrichtung (6) veranlasst, die erste Ansage auszugeben, die erste Ansage stoppt und die Ansage-Ausgabevorrichtung (6) veranlasst, die zweite Ansage auszugeben,die Ansage-Steuervorrichtung (5) bestimmt, ob eine erneute Ausgabe der ersten Ansage nötig ist, undin dem Fall, dass die Ansage-Steuervorrichtung (5) bestimmt, dass die erneute Ausgabe der ersten Ansage nötig ist, die Ansage-Steuervorrichtung (5) die Ansage-Ausgabe-Vorrichtung (6) beim Beenden der zweiten Ansage veranlasst, die erste Ansage erneut auszugeben.
Patent DE-112013003237-B4 (DE)
Title: Sputterverfahren zum Bilden einer epitaktischen Schicht, Sputtervorrichtung, Herstellverfahren eines lichtemittierenden Halbleiterelements, lichtemittierendes Halbleiterelement und Beleuchtungsvorrichtung
Inventor: DAIGO YOSHIAKI
IPC: C23C14/08
Filed: 2013-06-24
Granted: 2023-06-29
Abstract: Sputterverfahren zum Bilden einer epitaktischen Schicht auf einem Substrat (107), mit:Platzieren des Substrats (107) in einen Vakuumbehälter (101), in dem sich ein Target (108) mit einer Wurtzitstruktur und/oder ein Target (108) zum Bilden einer Schicht mit einer Wurtzitstruktur durch Abscheidung befindet;Anlegen einer Hochfrequenzenergie (106) an eine Targetelektrode (102), an der das Target (108) angebracht ist, und Anlegen einer hochfrequenten Vorspannungsenergie (130) an eine Substrathalterung (111), die das Substrat (107) hält, auf eine solche Weise, um eine Frequenzinterferenz zwischen der angelegten Hochfrequenzenergie (106) und der angelegten hochfrequenten Vorspannungsenergie (130) zu unterdrücken; undBilden der epitaktischen Schicht auf dem Substrat (107) durch Sputtern des Targets (108) mit durch die Hochfrequenzenergie (106) erzeugtem Plasma,dadurch gekennzeichnet, dassdas Bilden der epitaktischen Schicht ein Bewirken des Targets (108), durch Anlegen der Hochfrequenzenergie (106) an die Targetelektrode (102), ein Molekül (503) des Targets (108) abzugeben, während ein elektrisches Feld (E) durch Anlegen der hochfrequenten Vorspannungsenergie (130) an die Substrathalterung (111) erzeugt wird, das eine Polarisierung (P) von einer negativen Ladung zu einer positiven Ladung des Moleküls in Richtung des durch die Substrathalterung (111) gehaltenen Substrats (107) orientiert, umfasst.