baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100593722-B1 (KR)
Title: 치료용화합물을경막외에투여하는서방성약물전달시스템
IPC: A61M31/00
Filed: 1996-07-12
Granted: 2007-04-25
Abstract: 약물 전달 시스템은 경막외 투여되는 치료용 생물학적 활성 화합물을 서방성으로 전달한다.  바람직한 실시태양에서, 상기 생물학적 활성 화합물은 아편양제제이며, 이것은 다중 소포 리포좀의 비-동심원의 내부 수성 챔버 또는 이층내에서 캡슐화된다.  아편양제제는 무통증을 지속시키기 위한 단일투여량으로 리포좀이 경막 외에 도입되는 경우 연장된 시간동안 방출된다.
Patent KR-100447356-B1 (KR)
Title: 1,3-프로판디올의제조방법
IPC: C07C29/16
Filed: 1996-10-28
Granted: 2004-11-12
Abstract: 1,3-프로판디올의 제조 방법은 (a) 적어도 한가지 활성 코발트 카보닐 하이드로포밀화 촉매류를 포함하는 코발트 카보닐 반응 생성 혼합물을 생성하기에 적당한 조건하에 필수적으로 비-수 혼화성 액체 매질중의 합성 가스와 코발트 하이드록사이드, 코발트 (II, III) 옥사이드 및 코발트 카보네이트 중 적어도 한가지로부터 선택된 코발트 염과의 반응; (b) 15 중량% 이하의 3-하이드록시프로판알을 포함하는 중간 생성 혼합물을 생성하기에 유효한 조건하에 촉매량의 코발트 카보닐 반응 생성 혼합물 및 유효량의 촉매 촉진제의 존재하에 필수적으로 비-수 혼화성 용매중의 합성 가스와 에틸렌과의 접촉; (c) 수성 액체를 중간 생성 혼합물로 첨가하고 대부분의 3-하이드록시프로판알로 추출하여 중간 생성 혼합물 중의 3-하이드록시프로판알의 농도보다 큰 3-하이드록시프로판알을 포함하는 수성상, 및 적어도 한가지 코발트 카보닐의 대부분을 포함하는 유기상의 제공; (d) 유기상으로부터 수성상의 분리; (e) 적어도 유기상의 대부분을 단계(b) 공정으로의 환원; (f) 1,3-프로판디올을 포함하는 수소화 생성 혼합물을 제공하기 위한 수소화 조건하 수소화 촉매의 존재하에 3-하이드록시프로판알을 포함하는 수성상과 수소와의 접촉; 및 (g) 수소화 생성 혼합물로부터 1,3-프로판디올의 회수의 단계를 포함한다.
Patent KR-100487705-B1 (KR)
Title: 결정화에의한아디프산정제방법
IPC: C07C51/43
Filed: 1997-05-29
Granted: 2005-06-16
Abstract: 본 발명은 하나 이상의 카르복실산에서 결정화 또는 재결정화에 의해 아디프산을 정제하는 방법을 개시한다.     더 상세히는, 상기 결정화 또는 재결정화가 20℃ 미만의 녹는점을 갖는 하나 이상의 카르복실산에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 아디프산 결정화 또는 재결정화의 개량을 개시한다.     결정화 또는 재결정화중 일산화탄소의 존재는 아디프산 순도에, 특히 아디프산의 미량 금속 촉매 함량을 감소시킴으로써, 바람직한 효과를 가질 수 있다.     아디프산 순도는 또한 결정화 또는 재결정화가 강양성자성 산 존재 하에 수행될 때 개량될 수 있다.
Patent KR-100317114-B1 (KR)
Inventor: LEE WON HWA
IPC: D06B23/00
Filed: 1999-02-10
Granted: 2001-12-22
Abstract: PURPOSE: A stitching machine for dyeing velvet is provided which is characterized by preventing damage, modification and conglomeration of hair, reducing the cost and increasing productivity. CONSTITUTION: The stitching machine is comprised of: a front frame(10) connected with proper length of supporting brackets(11,11') on a front and an upward directions and installing gear boxes(12) on both sides; a rear frame(20) installed on a position separated from the front frame(10); the first and the second cylindrical guide rollers(21,22) connected with the supporting brackets(11,11'); the first, the second and the third screws(31,32,33) and the third, the fourth, the fifth and the sixth guide rollers(23,24,25,26) installed to move by the gear boxes(12); the seventh guide roller(27) connected with a lower part of the front frame(10) by a bearing housing(BH); an electric roller(34) and a slave roller(35) straight-installed on the rear frame(20) and connected with the first driving motor(M1) by sprockets(S1,S2,S3) and a chain(C) to rotate; and the ninth guide roller(36) rotated by the second driving motor(M2), an electric shaft(51), many pulleys(41,42,43,44) and a belt(V) and installing the tenth, the eleventh and the twelfth guide rollers(37,38,39) on a lower part of both sides.
Patent KR-100298951-B1 (KR)
Title: 기판 고정장치
IPC: H01J11/34
Filed: 1999-02-22
Granted: 2001-09-26
Abstract: 개시된 내용은 기밀성을 요하는 2개의 기판을 균일하게 합착하기 위한 기판 고정장치에 관한 것이다. 
     이러한 본 발명은 실링재에 의해 소정의 높이 및 기밀성을 가지고 합착되는 2개의 기판과, 2개의 기판을 동시에 집어 실링재로 상호 압착하는 다수의 집게와, 집게의 집히는 부위에 위치되어 집게의 압력을 분산하는 압력분산부재를 포함한 것을 특징으로 하며, 
     이에 따라, 각 기판이 균일하게 합착될 수 있어 동작중 발생할 수 있는 오방전이 방지되는 이점이 있다.
Patent KR-100391841-B1 (KR)
Title: 반도체 기억장치
IPC: G11C11/412
Filed: 1999-03-05
Granted: 2003-07-16
Abstract: 기입시에 비트선을 구동하기 위한 소비 전력을 저감시키고,  기입 고속화를 도모하는 스태틱 랜덤 액세스 메모리를 제공한다. 
     메모리셀 (100) 에 "0" 을 기입할때,  PC 를 하이레벨로 하여 비트선 (D0) 을 플로팅시키고,  대응하는 전원 스위치 (30) 를 오프하여 의사 GND 선 (SS0) 을 플로팅시키고,  대응하는 등화 트랜지스터 (20L) 를 온시키도록 비트선 (D0) (초기 전위는 전원 전위 Vdd) 과 의사 GND 선 (SS0) (초기 전위는 접지 전위 Vss) 을 전기적으로 접속한다.      의사 GND 선 (SS0) 의 전위가 비트선과 의사 GND 선의 용량비로 결정되는 전위 (Veq) 까지 상승하여,  메모리셀 (100) 은 데이터 유지 능력이 저하되고,  워드선 (WLO) 이 상승하면 메모리셀 (100) 내의 래치가 신속하게 반전되고,  기입 동작이 고속으로 종료된다.      기입 종료후에,  비트선 (D0) 의 전위는 초기전위 (Vdd) 로 되돌려지지만,  비트선 (D0) 의 전위는 Veq 까지만 저하되기 때문에,  고속 저전력으로 비트선 (D0) 의 전위는 Vdd 로 복귀된다.
Patent KR-100319608-B1 (KR)
Title: 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
IPC: H01L25/065
Filed: 1999-03-09
Granted: 2002-01-05
Abstract: 본 발명은 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상면(11)에 다수의 칩패드가 형성된 다수의 반도체칩(10)이 두 개씩 쌍을 이루어 배열된 웨이퍼에서, 반도체칩(10) 각각의 경계를 따라서 상기 웨이퍼를 소잉(sawing)하는 제1공정과; 상기 두 개의 반도체칩에 걸쳐서 본딩테이프(26)를 접착하는 제2공정과; 상기 본딩테이프(26)를 절곡하여 상기 두 개의 반도체칩(10)을 적층하는 제3공정과; 상기 본딩테이프(26) 상에 솔더볼(31)을 부착하는 제4공정을 순차적으로 실시하여 적층형 반도체 패키지를 제조한다.
Patent KR-100288940-B1 (KR)
Title: 폐석회를 이용한 시멘트 콘크리트 포장방법
IPC: E01C7/10
Filed: 1999-04-09
Granted: 2001-04-16
Abstract: 본 발명은 산업장 폐기물의 일종인 폐석회를 시멘트 콘크리트 포장에 있어서 기층용 자재로 활용하는 방법에 관한 것으로, 물 80∼160㎏/1㎥에 폐석회 30∼500㎏/1㎥를 혼합 교반하는 공정; 전기 공정의 혼합물에 시멘트 220∼350㎏/1㎥와 40mm체에서 통과중량 백분율 기준으로 90∼100 통과하고, 5mm체에서 0∼30% 통과하는 골재 1300∼2000㎏/1㎥를 혼합하여 슬럼프 값이 0cm, 다짐상태기준 압축강도가 150∼300㎏/㎠인 시멘트 콘크리트 혼합물을 형성하는 공정; 전기 공정의 시멘트 콘크리트 혼합물을 기층에 포설 및 다짐하는 공정; 전기 공정에서 다짐된 기층의 표면에 다짐 후 1시간 이내에 1㎡당 1.2㎏ 이내로 살수 하는 공정; 및 전기 공정에서 형성된 기층의 상부에 통상의 방법에 의거 표면층을 포설, 다짐 및 양생하는 공정;을 포함하는 폐석회를 이용한 시멘트 콘크리트 포장방법을 제공하는 것으로서, 폐석회를 활용할 수 있음으로써 환경보호 및 폐기물 재활용으로 인한 경제적 효과가 지대한 것이다.
Patent KR-100295466-B1 (KR)
Title: 수격방지기의 압력충전방법 및 장치
IPC: F15D1/00
Filed: 1999-04-14
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 신규한 구성의 수격방지기에 압력을 충전하여 밀봉하는 신규한 방법 및 장치를 개시한다. 
     본 발명에서는 보디를 구성할 금속관을 제1스트로크만큼 진입시킨뒤 압력을 충전하여 피스톤을 수납하고 다시 금속관을 제2스트로크만큼 진입시켜 그 선단을 성형함으로써 피스톤의 이탈을 방지하여 밀봉하도록 하였다.
Patent KR-100331506-B1 (KR)
Inventor: JUNG KIL HO
IPC: E04D11/02
Filed: 1999-04-22
Granted: 2002-04-06
Abstract: PURPOSE: A waterproofing method for the rooftop of a concrete building is provided to improve the waterproof effect by letting air circulate between a waterproof layer and a bottom of a rooftop. CONSTITUTION: The waterproofing method for the rooftop of a concrete building comprises the steps of: attaching sheets or nonwoven fabrics(2) at regular intervals on a bottom of the rooftop of a building; installing cushion materials(4) in an expansion space(3) among sheets or nonwoven fabrics(2); and installing a waterproof layer(5) on the upper side of the cushion materials(4).
Patent KR-100324487-B1 (KR)
Title: 옥수숫대를 이용한 펄프의 제조
IPC: D21C3/00
Filed: 1999-06-05
Granted: 2002-02-27
Abstract: 본발명은 옥수숫대를 이용한 펄프의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 옥수숫대를 분쇄, 고압증해, 고해, 분산, 제지 및 건조하는 단계로 이루어지는 펄프의 제조방법을 제공한다. 본발명의 제조방법은 온화한 조건에서 반응이 진행되므로 환경에 해가 적으며, 펄프의 원료인 목재를 대체할 수 있어 산림을 보호하고 목재의 수입으로 인한 외화낭비를 방지하고 버려지는 옥수숫대의 유용한 활용으로 농가소득증대, 및 한지와 유사한 양질의 펄프를 얻을 수 있다.
Patent KR-100297394-B1 (KR)
Title: 디엠티 방식 데이터 통신시스템 초기화 제어장치 및 그 방법
IPC: H04L12/66
Filed: 1999-06-05
Granted: 2001-10-29
Abstract: 본 발명의 목적은, 일반전화선을 이용한 고속 데이터 통신 방식인 디엠티 방식의 초기 통신 상태 설정에 있어서, 연결 시도에 필요한 톤 신호의 주파수를 다수 사용함으로써, 주파수 특성 및 잡음에 의하여 연결 시도가 실패하는 것을 방지하는 디엠티 방식 데이터 통신시스템 초기화 제어장치 및 그 방법을 제공하는 데에 있다. 
     본 발명의 구성은, 디엠티 방식 데이터 통신을 하기 위한 초기화 과정을 제어하는 초기화 과정 제어기(30); 상기 초기화 과정 제어기(30)의 동작에 필요한 시간을 설정하는 타이머(40); 상기 초기화 과정 제어기(30)로부터 출력되는 제어신호에 따라 해당하는 주파수 톤을 생성하여 출력하는 입력부(50)와 선택기(60); 상기 선택기(60)에 의하여 선택된 주파수 톤신호를 디엠티 변조하여 상대국(100)으로 출력하는 인버스 푸리에 변환기(70); 상대국(100)으로부터 수신되는 신호를 입력받아 디엠티 복조하여 출력하는 푸리에 변환기(80); 상기 푸리에 변환기(80)로부터 출력되는 신호를 입력받아 응답 주파수신호를 검출하여 그에 따른 신호를 상기 초기화 과정 제어기 출력하는 검출기(90)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100502988-B1 (KR)
IPC: B32B15/01
Filed: 1999-06-24
Granted: 2005-07-25
Abstract: A method for making a stick resistant cook surface or cooking vessel having the stick resistance in which a hard substrate metal (6) is buffed/polished to a high luster surface finish of less than 20 micro inches and then coated with a layer of zirconium nitride (20). The method further includes the step of polishing a stamped blank to the desired surface smoothness prior to the drawing/shaping step to provide a stick resistant surface in cooking vessels having side walls, such as pots and pans, which are otherwise difficult to buff in the interior due to the side wall geometry. <IMAGE>
Patent KR-100360380-B1 (KR)
IPC: H02M3/305
Filed: 1999-07-14
Granted: 2002-11-13
Abstract: 본 발명은 공진형으로 동작하여 싸이리스터 소자에 가해지는 전압스트레스를 줄이는 공진형 직류-직류 싸이리스터 초퍼회로에 관한 것이다. 
     이러한 공진형 직류-직류 싸이리스터 초퍼는, 직류전원의 (+)단자와 부하의 일단 사이에 직렬 접속된 제1LC직렬회로부 및 제1싸이리스터소자와; 상기 직류전원의 (+)단자와 부하의 일단 사이에 직렬 접속된 제2LC직렬회로부 및 제2싸이리스터소자; 상기 제2LC직렬회로부와 제2싸이리스터소자의 공통접점과는 캐소드단이 접속되고 상기 부하의 타단에는 애노드단이 접속된 제1다이오드; 및 상기 제1LC직렬회로부와 제1싸이리스터소자의 공통접점과는 캐소드단이 접속되고 상기 부하의 타단에는 애노드단이 접속된 제2다이오드를 포함한다.
Patent KR-100651819-B1 (KR)
IPC: G03F7/20
Filed: 1999-07-16
Granted: 2006-11-30
Abstract: 노광장치가 개시된다.  개시된 노광장치는, 프레임과; 소정의 패턴의 마크가 형성된 한쌍의 마스크를 각각 진공흡착하기 위한 흡착부가 각각 마련된 상부다이 및 하부다이가 대향되게 상기 프레임의 일측에 설치된 다이 세트와; 상기 프레임의 일측에 설치되고 상기 상부다이를 승강 가능하게 하는 승강수단과; 상기 마스크의 마크의 얼라인 상태를 감지하도록 상기 다이 세트의 상부에 상기 마스크에 대하여 수직 상태로 복수개 설치된 마스크 얼라인 시시디;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.  본 발명에 따르면, 노광 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Patent KR-100338714-B1 (KR)
Title: 통기성을 갖는 방탄구명복
IPC: F41H1/02
Filed: 1999-08-07
Granted: 2002-05-30
Abstract: 본 발명은 방탄복에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 통기성과 부력을 겸비한 저밀도 발포 폴리에틸렌 시트(sheet)지를 이용하는 방탄복을 만들어 인명 보호시 충격완화 및 땀을 흡수(배진작용)할 수 있도록 하여 착용감을 향상시키면서도 방탄 및 구명의로 사용할 수 있는 방탄복을 제공코자 하는 것으로, 
     즉, 본 발명에서는 방탄소재인 폴리에틸렌계 섬유를 사용하는 외피(10)의 내측으로는 합성섬유사로 되는 수분 흡수력이 우수한 흡판속건사(20)를 위치시키고 그 내측으로 내광외협 구성의 미세한 통기공(31)들에 의해 통기성을 가지는 발포 폴리에틸렌 원단으로 되는 내피(30)를 적어도 1장 이상 겹쳐지게 위치시키고 이들을 동시에 재봉하여 만들어지는 것에 요지가 있다.
Patent KR-100304387-B1 (KR)
Inventor: ROH JAE SEUNG
IPC: A01G31/00
Filed: 1999-08-13
Granted: 2001-09-24
Abstract: PURPOSE: A method for producing green nutrient bean sprouts using monochromatic light is provided, thereby producing the high nutrient bean sprouts without using agricultural chemicals and storing the produced bean sprouts for a longer period of time than 20 days. CONSTITUTION: The method for producing green nutrient bean sprouts using monochromatic light comprises the steps of: supplying beans in a red house with water to germinate them for 18 to 22 hours; supplying the germinated bean sprouts in a green house with water for 44 to 52 hours to grow them, to form the chlorophyll; and supplying the bean sprouts in a red house or yellow house with water for 44 to 52 hours, wherein the bean sprouts are supplied with a reduced amount of water for 10 to 14 hours to grow their roots.
Patent KR-100322479-B1 (KR)
Title: 하수 역류 및 악취 차단장치
IPC: F16K15/00
Filed: 1999-09-15
Granted: 2002-02-07
Abstract: 본 발명은 도시기반시설중의 하나인 오수 및 우수의 배수구나 일반가정의 하수구 등에 설치되어 배수로나 하수로를 통해 올라오는 악취나 하수역류를 효과적으로 방지하면서 원활한 배수기능을 발휘할 수 있도록 한 하수역류 및 악취 차단장치에 관한 것으로써, 그 구성은 하부에 배수부가 형성된 본체 내측 상부에 1.2차걸름망이 설치되고 상기 2차걸름망에 마련된 센타고정폴의 중간부 양측에는 한쌍의 회전기어가 설치되며 이 회전기어의 사이에는 작동폴의 상부에 형성된 평기어가 끼워지고 상기 센타고정폴에는 작동폴과 역방향으로 작동되는 중앙에 중공이 형성된 반원형의 몸체가 삽입되며 상기 작동폴의 하단부에는 배수부를 개폐하도록 밸브시트를 설치하여서 된 통상의 하수역류 및 악취 차단장치에 있어서,상기 본체 내측 상부에는 1.2차걸름망이 안착되는 각각의 단턱이 마련되고 상기 1차걸름망의 저부에는 망체가 마련되며 2차걸름망의 저부 중앙에는 센타고정폴을 끼워마춤 하는 보스가 형성되고 반원형의 몸체에 형성된 중공의 상부와 커버의 보스에는 센타고정폴의 유동을 제어하고 이물질의 칩입을 방지하는 패킹이 삽입되며 상기 밸브시트의 하부에는 하수 및 가스 역류시 신속하게 반응하도록 부구가 마련됨을 특징으로 한다.
Patent KR-100342662-B1 (KR)
IPC: H04B1/52
Filed: 1999-10-15
Granted: 2002-07-04
Abstract: 본 발명은 통신 기지국 장비의 증설용으로 분배기의 분배에 따른 전력손실을 보완하기 위한 대체 모듈로 2+N의 결합회로를 구현하기 위한 방법으로 다중 결합이가능한 멀티-방향성 결합기에 관한 것이다. 
     본 발명은 2+N개의 결합회로를 이용하여 다중결합이 가능한 멀티-방향성 결합기에 있어서, 
     하나의 PCB상에 메인라인과, 메인라인을 중심으로 대향되게 형성된 한쌍의 커플링라인으로 구성된 결합기, 
     상기 결합기를 기준으로 형성된 소정의 결합값(dB)과 동일한 결합값을 얻기 위해 각각 메인라인의 삽입손실만큼 보상하여 설계된 소정개수의 결합기, 
     상기 소정개수의 결합기에 형성된 메인라인을 각각 결합하기 위한 전송선로, 
     상기 전송선로로 결합된 각각의 결합기를 다층으로 적층한 것을 특징으로 한 다중결합이 가능한 멀티-방향성 결합기가 제시된다.
Patent KR-100307537-B1 (KR)
Title: 반도체소자의 게이트 형성방법
IPC: H01L21/336
Filed: 1999-10-18
Granted: 2001-11-02
Abstract: 본 발명은 반도체소자의 폴리실리콘 및 금속층의 적층 게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 게이트 패터닝이 진행된 다음에 노출된 게이트산화막 표면의 오염물질을 제거해야 하는데 텅스텐층을 녹이지 않는 세정을 적용하여야 함에 따라 공정의 제한을 받게 됨과 아울러 게이트 표면에 캡절연막을 형성한 다음 세정을 실시하게 되면, 게이트 가장자리의 세정이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있고, 게이트 표면에 형성되는 캡절연막을 텅스텐층의 산화문제로 인해 게이트 재산화로 형성할 수 없어 공정이 복잡해짐과 아울러 텅스텐층과 폴리실리콘층의 수평방향으로 식각차가 발생하면, 캡절연막의 형성시에 취약한 영역이 존재하여 반도체소자의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있으며, 게이트전극을 폴리실리콘과 텅스텐층의 적층구조로 형성함에 따라 폴리실리콘의 증착두께가 얇아지는 것이 요구되는데, 듀얼 게이트의 피모스 트랜지스터를 형성하는 경우에 얇아진 폴리실리콘에 피형이온을 도핑하기 어려워 별도의 저에너지 이온주입장비가 요구되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체기판 상에 게이트산화막, 제1폴리실리콘층, 식각저지막 및 제2폴리실리콘층을 순차적으로 형성한 다음 사진식각을 통해 제2폴리실리콘층, 식각저지막 및 제1폴리실리콘층의 일부를 식각하여 게이트 패터닝을 실시하는 공정과; 상기 결과물 상에 게이트 재산화를 실시하고, 저농도 불순물 이온을 주입하여 저농도영역을 형성한 다음 상부전면에 절연막 증착 및 선택적 식각을 통해 재산화가 실시된 게이트의 측면에 게이트측벽을 형성하고, 고농도 불순물이온을 주입하여 소스/드레인을 형성하는 공정과; 상기 결과물의 상부전면에 층간절연막을 형성하고, 상기 제2폴리실리콘층이 노출될때까지 평탄화한 다음 제2폴리실리콘층과 식각저지막을 순차적으로 제거하는 공정과; 상기 제1폴리실리콘층 상부에 순차적으로 배리어층과 텅스텐층을 형성하는 공정과; 상기 결과물의 상부전면에 캡절연층을 형성한 다음 상기 층간절연막이 노출될때까지 평탄화하는 공정으로 이루어지는 반도체소자의 게이트 형성방법을 제공함으로써, 게이트 패터닝이 진행된 다음에 텅스텐층이 형성되어 있지 않으므로 게이트산화막의 세정에 대한 공정상의 제한이 없고, 게이트 재산화가 가능하여 취약한 영역을 갖는 캡절연막 형성을 생략할 수 있으며, 캡절연막의 형성에 따른 저농도영역과 게이트의 이격거리가 최소화되고, 층간절연막을 형성한 다음에 텅스텐층을 형성함에 따라 게이트산화막 열화 및 접합 누설전류 발생을 최소화할 수 있으며, 게이트측벽 및 배리어층이 충분한 두께로 텅스텐층의 측면에 형성됨에 따라 텅스텐층의 이상산화 및 층간절연막의 텅스텐 오염을 방지할 수 있고, 듀얼 게이트의 피모스 트랜지스터를 형성하는 경우에 제1,제2폴리실리콘층이 적층되어 충분한 두께를 확보한 상태에서 피형이온을 도핑한 다음 상부의 제2폴리실리콘층을 제거함에 따라 별도의 저에너지 이온주입장비가 요구되지 않게 되어 공정 단순화, 제조단가 절감 및 소자 신뢰성 향상에 기여할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100313447-B1 (KR)
Title: 디지털 데이타 관리 방법 및 장치
IPC: H04L9/18
Filed: 1999-11-12
Granted: 2001-11-07
Abstract: 비용적·스페이스적으로 제약이 엄격한 드라이브 내에 부가 정보 검출기를 설치할 필요가 없는 데이타의 복제 또는 재생 관리 방법, 그 장치를 제공하는 것이다. 
     우선 기록 관리에 있어서는 디지털 데이타로부터, 전자적으로 매립된 부가 정보를 검출하고 부가 정보가 검출된 경우, 해당 부가 정보를 이용하여 디지털 데이타로의 액세스 관리를 행한다.  그리고 디지털 데이타를 스크램블하고 스크램블된 디지털 데이타를 매체로 기록하도록 구성한다.  또 전자적으로 매립된 부가 정보란 데이타 자체의 변형에 의해 매립된 부가 정보를 의미한다.  또한, 액세스 관리란 디지털 데이타의 복제 혹은 기록의 정지 또는 복제 혹은 기록의 속행을 결정하는 것을 의미하고, 부가 정보의 내용에 의해서는 복사 마크 등의 관리 정보를 디지털 데이타로 매립하는 것도 행한다. 
     다음에 재생 관리에 있어서는 스크램블된 디지털 데이타를 디스크램블하여 디스크램블된 디지털 데이타로부터 전자적으로 매립된 부가 정보 및 복사 마크를 검출한다.  그리고 이들의 정보를 이용하여 디지털 데이타의 재생 관리를 행하도록 구성한다.
Patent KR-100518244-B1 (KR)
Title: 얼라인먼트 키 제조방법
IPC: H01L21/027
Filed: 1999-11-18
Granted: 2005-10-04
Abstract: 본 발명은 얼라인먼트 키 제조방법에 관한 것으로, 특히, 식각될 피식각층의 소정부위를 미리 제거하여 개구부를 형성한 다음 노출된 웨이퍼 표면 또는 피식각층의 하지층상에 얼라인먼트 키를 파묻힌(embedded) 형태로 형성하므로서 CMP에 의한 얼라인먼트 키의 열화를 방지하도록 한 반도체 노광장치에서 사용되는 얼라인먼트 키 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 얼라인먼트 키 제조방법은 기판상에 제 1 층을 형성하는 단계와, 제 1 층의 소정 부위를 제거하여 기판의 소정 부위를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계와, 개구부를 포함하는 제 1 층상에 제 2 층을 형성하는 단계와, 제 2 층을 패터닝하여 잔류한 제 2 층으로 이루어진 제 1 패턴을 상기 제 1 층상에 형성하고, 동시에, 잔류한 제 2 층으로 이루어진 제 2 패턴을 개구부에 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100435436-B1 (KR)
Title: 자기적 성질을 갖는 저주파 차폐용 강재
IPC: C21D8/12
Filed: 1999-11-23
Granted: 2004-06-10
Abstract: 본 발명은 자기적 성질을 갖는 저주파 차폐용 강재에 관한 것으로서, 강재의 탄소함량 및 결정립도를 적절히 제어하므로써 자기적 성질을 갖는 저주파를 보다 경제적으로 보다 확실히 차폐할 수 있는 강재를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다. 
     본 발명은 탄소함량이 0.07중량%이하이고, 그리고 결정립도가 ASTM번호 11이하인 자기적 성질을 갖는 저주파 차폐용 강재를 그 요지로 한다.
Patent KR-100345445-B1 (KR)
IPC: G06F17/30
Filed: 1999-12-09
Granted: 2002-07-26
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     본 발명은 주기억장치 데이터베이스 관리시스템에서의 티-트리 인덱스 키 관리방법에 관한 것임. 
     2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 
     본 발명은, 주기억장치 DBMS의 인덱스 구조로서 가장 널리 사용되는 T-트리에서 가변 길이 키, 다중 애트리뷰트 키, 중복 키를 효과적으로 지원할 수 있는 인덱스 키 관리방법을 제공하고자 함. 
     3. 발명의 해결방법의 요지 
     본 발명은, 주기억장치 데이터베이스 관리시스템(DBMS)에 적용되는 T-트리 인덱스에서의 인덱스 키 관리방법에 있어서, 
     T-트리 내부에, 키를 구성하는 속성들의 수와, 상기 속성들에 대한 정보들과, 키 값이 아닌 객체의 주소들로 구성된 T-트리 인덱스 구조를 저장하여, 키 값을 그에 대응되는 객체로부터 획득하도록 하되, 상기 키는 가변 길이 키(variable-length keys), 다중 속성 키(multiple-attribute keys), 중복 키(dupllicated keys)를 포함함. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     본 발명은 데이터베이스 관리시스템(DBMS)의 T-트리 인덱스 구조에 이용됨.
Patent KR-100580404-B1 (KR)
IPC: H03K5/00
Filed: 1999-12-15
Granted: 2006-05-15
Abstract: 이 발명은 부가 기능을 가진 레벨 시프터에 관한 것으로, 4개의 PMOS 트랜지스터와 4개의 NMOS 트랜지스터로서, 레벨 시프터 기능과 함께 래치 또는 시프터 레지스터의 기능을 가지도록 하고, 6개 내지 12개의 MOS 트랜지스터로서 레벨 시프터 기능과 더불어 논리곱 기능 등을 가지도록 한다. 
     이때, 각 MOS 트랜지스터의 게이트에 입력하는 신호는 이전 로직의 출력, 반전 출력, 저 레벨의 클럭 신호, 저레벨의 임의의 신호 및 반전 신호이다. 
     이 발명의 실시예에 따르면, 이 발명은 래치, 시프트 레지스터, 논리곱 등의 로직 기능을 수행함과 더불어 레벨 시프트 기능을 수행하는 로직을 구성하는 것이 용이하여, 트랜지스터의 수를 줄일 수 있고, 실장되는 보드를 간소화할 수 있으며, 구동 회로부의 영역 감소 및 수율이 향상되는 효과가 있다.  
       
     레벨 시프터, 모스 트랜지스터, 부가 기능, 래치, 논리곱
Patent KR-100561565-B1 (KR)
IPC: C08G73/10
Filed: 1999-12-20
Granted: 2006-03-17
Abstract: 본 발명은 테트라카르복실산이무수물과 방향족 디아민, 및 기능성 디아민 단량체를 중합하여 제조되는 폴리이미드 수지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 폴리이미드 수지는 액정배향성, 용해특성, 광투과특성 등이 우수할뿐만 아니라 액정배향막으로 사용될 경우 러빙공정 후에 디스클리네이션(Disclination)에 의한 배향 불량의 발생을 현저하게 줄일 수 있어 액정표시장치의 액정배향막 재료로서 유용하다. 
     폴리이미드, 액정 배향막, 테트라카르복실산이무수물, 방향족 디아민, 기능성 디아민 단량체
Patent KR-100350351-B1 (KR)
Title: 수처리장치
IPC: C02F1/64
Filed: 1999-12-24
Granted: 2002-08-28
Abstract: 본 발명은 수중에 함유된 철이나 망간 등의 금속 이온과, 고형물질인 이물질들을 제거하는 수처리장치에 관한 것으로, 수중에 함유된 고형물질인 이물질을 여과하면서, 에어를 폭기시켜서 수중에 함유된 금속이온이 산회되도록 하는 산화반응로(100)와 ; 산화반응로(100)에 일정 압력으로 에어를 공급하는 브로워(200) 및; 산화반응로(100)로부터 공급되는 물에 함유된 금속산화물 입자를 여과한 후 여과수를 물배출라인(700)으로 배출하는 금속산화물여과용 필터장치(300)로 구성되어, 수중에 함유된 고형물질인 이물질을 여과시키면서, 에어를 수중에 폭기시켜서 수중에 함유된 금속 이온이 산화되도록 한 후, 이들 금속산화물 입자를 여과시켜서, 수중에 함유된 고형물질인 이물질과 금속 이온을 제거하므로, 별도의 화학적 처리용 약품을 사용하지 않고, 수처리에 관련한 전문지식이 없는 어느 누구라도 별도의 화학적 처리용 약품을 사용하지 않고 쉽게 수처리할 수 있게 된 것이다.
Patent KR-100431851-B1 (KR)
Title: 고강도 구조용 강 및 그 제조방법
IPC: C22C38/04
Filed: 1999-12-28
Granted: 2004-05-20
Abstract: 본 발명은 건축, 토목, 조선 등에 사용되는 구조용 강재에 관한 것으로, 그 목적은 페라이트 결정립미세화를 통한 60kgf/㎟급 고강도 강 및 그 제조방법을 제공함에 있다. 
     상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 중량%로, C:0.05∼0.2%, Si:0.01∼0.5% Mn:0.5∼2.0%, Al:0.005∼0.1%, Nb과 Ti의 단독 또는 복합:0.01∼0.03%, P:0.03%이하, S:0.03%이하, N:0.003∼0.014%, 나머지 Fe와 기타 불가피한 불순물로 조성되고, 그 미세조직이 페라이트+펄라이트 또는 페라이트+베이나이트의 복합조직이고, 상기 페라이트의 입도가 5∼7㎛으로 이루어지는 고강도 구조용 강과; 
     중량%로, C:0.05∼0.2%, Si:0.01∼0.5% Mn:0.5∼2.0%, Al:0.005∼0.1%, Nb과 Ti의 단독 또는 복합:0.01∼0.03%, P:0.03%이하, S:0.03%이하, N:0.003∼0.014%, 나머지 Fe와 기타 불가피한 불순물로 조성되는 주괴를 1100∼1250℃의 온도범위에서 가열한 후, 오스테나이트 재결정역에서 50%이상의 총압하율로 1차열간압연한 다음, Ar 3 ∼Ar 3 +40℃ 온도구간에서 1패스당 20%이상의 압하율로 누적압하율이 70%이상이 되도록 가공발열에 의해 2차 연속다단 열간압연하고, 이어 2∼20℃/s의 냉각속도로 상온까지 가속냉각하여 페라이트+펄라이트 또는 페라이트+베이나이트의 복합조직으로 페라이트의 입도가 5∼7㎛로 고강도 구조용 열연강판의 제조방법에 관한 것을 그 기술적요지로 한다.
Patent KR-100649273-B1 (KR)
IPC: B23Q7/00
Filed: 1999-12-29
Granted: 2006-11-24
Abstract: 본 발명은 가공완료된 후 수직형 선반의 외부로 반출되는 공작물의 상하로 승강되면서 이 공작물의 외부를 감싸는 투명커버와 에어노즐을 이용하여 표면에 남른 잔류칩을 보다 신속하고 청결하게 제거할 수 있도록 한 수직형 선반의 공작물 클리닝장치에 관한 것으로, 수평한 프레임(30)을 통해서 수직형 선반(40)에 고정되는 에어실린더(50)와, 상기 에어실린더(50)에 의해 상하방향으로 승강운동되는 승강안내기구(60)와, 상기 승강안내기구(60)에 의해 상하방향으로 승강운동되는 디스크(70)와, 상기 디스크(70)의 가장자리로부터 아래쪽으로 늘어져서 공작물(80)의 외곽을 둘러싸는 투명커버(90)와, 상기 디스크(70)의 원주면(72)을 따라 일정한 간격으로 배열되어 공작물(80)을 향해 에어를 분출하는 에어노즐(100)과, 상기 에어노즐(100)로 압출공기를 공급하기 위한 에어호스(120)로 구성된 것이다. 
       
     수직형 선반 에어 세척 분출 승강 알루미늄 비산
Patent KR-100551277-B1 (KR)
IPC: F16H61/14
Filed: 1999-12-30
Granted: 2006-02-10
Abstract: 댐퍼 클러치 작동시 댐퍼 클러치 컨트롤 밸브를 제어하는 솔레노이드 밸브에 의한 유압 배출량을 최소화하여 오일펌프의 용량을 줄임으로써, 불필요한 동력 손실을 최소화할 목적으로; 
     엔진이 구동을 시작하면 토오크 컨버터가 함께 오일펌프가 구동하여 오일압을 생성하여 토출하고, 이에 생성된 오일압의 일부가 따라 압력 조절 밸브와 댐퍼 클러치 컨트롤 밸브, 그리고 토오크 컨버터 컨트롤 밸브로 흘러 토오크 컨버터로 공급되고, 나머지 일부는 리듀싱 밸브 및 매뉴얼 밸브로 흐르도록 구성되는 차량용 유압 제어 시스템의 라인압 및 댐퍼 클러치 제어장치에 있어서,  
     상기 댐퍼 클러치 컨트롤 밸브와 토오크 컨버터 컨트롤 밸브가 리듀싱 밸브로부터 공급되는 리듀싱 압을 제어하는 솔레노이드 밸브의 제어압에 의해 동시에 제어되도록 구성한 차량용 자동변속기 유압 제어 시스템의 댐퍼 클러치 제어장치를 제공한다.  
       
     자동변속기, 급출발 방지장치, 트랜스밋션
Patent KR-100579074-B1 (KR)
IPC: G01M15/00
Filed: 1999-12-31
Granted: 2006-05-12
Abstract: 본 발명은 전자제어엔진의 기증개발시 실제 시스템이 갖추어진 실 엔진상에서 시험하는 번거로움을 없애고 시뮬레이터 형태의 시험이 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 전자제어엔진의 시뮬레이터용 캠/크랭크 신호 발생장치에 관한 것으로, 0.1 Hz에서 20 KHz 까지의 정현파 신호를 발생시키며 시스템의 클럭으로 사용할수있도록 TTL Level의 구형파 신호로 만들어지는 클럭 발생부와;   EPROM에 내장된 Speed Generation Data 및 TDC Index Signal Data를 읽어내기 위한 어드레스를 만들어 내는 카운터부와;    Speed Generation Data(크랭크 시그널) 및 TDC Index Signal Data(캠 시그널)를 내장하며, 상기 카운터부의 클럭에 동기되어 데이터를 출력하는 EPROM과;   상기 EPROM에 저장된 데이터 패턴을 읽어 낼 때, 시뮬레이션 엔진의 4, 5, 6, 8기통을 선택할수 있도록 하는 어드레스 선택기와;   상기 EPROM에서 읽어낸 데이터를 일시 저장하며 신호 출력 회로를 드라이브 하는 버퍼와;   상기 버퍼에서 읽혀진 데이터를 엔진제어장치가 캠 시그널을 인식할수있도록 아날로그 시그널을 변환하는 시그널 출력부와;   상기 시그널 출력부에 의해 시뮬레이션 중인 엔진의 RPM을 표시하는 표시부를 포함하여 이루어짐이 특징이다. 
       
     엔진, 시뮬레이터, 어드레스 선택기
Patent KR-100368672-B1 (KR)
Title: 플루오로에테르 조성물 및 루이스 산 존재하에서의 상기 조성물의 분해 억제 방법
IPC: A61K47/04
Filed: 1998-01-23
Granted: 2003-01-24
Abstract: 본 발명은, 무수 플루오로에테르 화합물 및 생리학적으로 허용되는 루이스 산 억제제(예를 들면, 물, 부틸화 하이드록시진, 메틸파라벤, 프로포폴 또는 티몰)를 포함하는 마취제 조성물에 관한 것이다.  이 조성물은 향상된 안정성을 나타내고, 루이스 산 존재하에서 분해되지 않는다.
Patent KR-100313746-B1 (KR)
IPC: G11C16/06
Filed: 1999-09-29
Granted: 2001-11-16
Abstract: 비휘발성 메모리 소자(300). 일실시예에서, 비휘발성 메모리 소자(300)는 비트 라인, 소스 라인, 및 비트 라인에 연결된 드레인, 소스 라인에 연결된 소스, 제어 게이트, 및 플로팅 게이트를 가진 비휘발성 메모리 셀을 포함한다. 비휘발성 메모리 소자(300)는, 소스 라인에 연결되어 비휘발성 메모리 셀을 프로그래밍할 때 소스 라인 전압을 발생시키는 소스 전압 발생기 회로(312)를 또한 포함한다. 소스 전압 발생기 회로(312)는 메모리 어레이(322)내의 비휘발성 메모리 셀의 위치를 근거로 하여 소스 라인 전압을 가변시킨다. 비휘발성 메모리 소자(300)는, 비트 라인에 연결되어 비휘발성 메모리 셀을 프로그래밍할 때 비트 라인 전압을 발생시키는 드레인 전압 발생기 회로(308)를 또한 포함할 수 있다. 드레인 전압 발생기 회로(308)는 메모리 어레이(322)내의 비휘발성 메모리 셀의 위치를 근거로 하여 비트 라인 전압을 가변시킨다.
Patent KR-100379726-B1 (KR)
Title: 방오성 도료 조성물
IPC: C08F30/04
Filed: 1998-05-15
Granted: 2003-04-10
Abstract: 본 발명은 2개의 불포화기를 갖는 금속 함유 중합성 단량체(a 1 )과 하기 화학식 I로 표시되는 금속 함유 중합성 단량체(a 2 )를 포함하는 단량체 혼합물의 공중합체를 비히클로서 함유하고, 방오제를 함유하는 방오성 도료 조성물과 금속 함유 중합성 단량체(a)와 하기 화학식 II로 표시되는 중합성 단량체(b)를 포함하는 단량체 혼합물의 공중합체를 비히클로서 함유하고, 방오제를 함유하는 방오성 도료 조성물에 관한 것이다. 
     <화학식 I> 
     
       
     
     상기 식에서, 
     R 1 은 수소 원자 또는 메틸기이고, 
     M은 Mg, Zn 또는 Cu이고, 
     R 2 는 유기산 잔기를 나타낸다. 
     <화학식 II> 
     
       
     
     상기 식에서, 
     R 3 는 수소 원자 또는 메틸기이고, 
     R 4 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 시클로알킬기 또는 페닐기이고, 
     R 5 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 시클로알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.
Patent KR-100507427-B1 (KR)
Title: 액정 배향제
IPC: C08G73/10
Filed: 1998-03-19
Granted: 2005-08-09
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 나타내어지는 화학 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 수지 성분으로 함유하는 액정 배향제를 제공한다; 
     [화학식 1] 
     
       
     
     본 발명은 상기의 폴리이미드 전구체 및 하기 화학식 2에 의해 나타내어지는 폴리이미드 전구체를, 필수 성분으로 함유하는 액정 배향제를 추가로 제공한다; 
     [화학식 2] 
     
       
     
     (식 중, Y는 4가의 지방족 기를 나타내고, Z는 2가의 방향족 기를 나타내며, R은 H 또는 알킬 기를 나타낸다).
Patent KR-100354166-B1 (KR)
IPC: H03F1/26
Filed: 2000-01-05
Granted: 2002-09-28
Abstract: 본 발명은 스위치를 이용한 바이패스(Bypass)회로 구성 시 스위치(Switch)의 삽입손실을 최소로 하여 잡음지수를 최소로 구현할 수 있는 저잡음 증폭 장치에 관한 것이다.  이와 같은 저잡음 증폭 장치는 입력단자에 베이스가 직렬 연결되고, 출력단자에 콜렉터가 직렬 연결된 저잡음 증폭기용 트랜지스터와, 상기 입력단자와 상기 트랜지스터의 상기 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 잡음정합용 제 1 인덕터의 일측에 연결된 제 1 스위치와, 상기 출력단자와 상기 트랜지스터의 상기 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 출력정합용 제 2 인덕터의 일측에 연결된 제 2 스위치와, 상기 트랜지스터의 베이스에 일측이 연결되고, 타측이 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 3 인덕터와, 상기 트랜지스터의 콜렉터에 일측이 연결되고, 타측이 상기 제어전압단자에 연결된 고주파 초크용 제 4 인덕터와, 상기 입력단자에 일측이 연결되고, 타측이 출력단자에 연결된 바이패스 선로와, 상기 바이패스 선로의 타측과 상기 출력단자에 직렬 연결된 제 3 스위치로 구성된다.
Patent KR-100595503-B1 (KR)
IPC: G11B20/10
Filed: 2000-01-20
Granted: 2006-07-03
Abstract: 본 발명은 디지털 신호 기록/재생 장치의 데이터 기록/재생 장치 및 방법에 관한 것으로, 종래의 기술에 있어서는 입력 레이트가 기록 레이트보다 낮을 경우 기록되는 더미 싱크 블록은 그 헤더 데이터에 더미 마크와 함께 의미없는 데이터로 한 싱크 블록을 채웠기 때문에 별 다른 용도가 없이 메모리만 차지하게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 더미 싱크 블록에 대한 검출 및 그 처리를 위한 더미 프로세서와; 상기 더미 프로세서에 의해 검출된 더미 싱크 블록의 개수를 카운트하기 위한 카운터부와; 상기 더미 싱크 블록의 데이터를 대체하기 위해 유효 싱크 블록의 데이터를 임시 저장하기 위한 더미 메모리부를 더 포함하여 구성함으로써 종래 빈 공간 이외의 아무 의미도 없이 메모리만 차지하던 더미 싱크 블록을 그 앞뒤의 유효 싱크 블록의 데이터로 복제하여 두고 에러 정정시 이를 참조하도록 함으로써 에러 레이트를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100467681-B1 (KR)
Title: 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법
IPC: H01J9/24
Filed: 2000-02-09
Granted: 2005-01-24
Abstract: 본 발명은, 가열부를 사이에 두고 제1전극과 제2전극이 소정간격 이격되는 소정 패턴의 전극을 기판에 형성하는 전극형성단계; 상기 제1전극과 상기 제2전극이 형성된 기판위에 유전체층을 형성하는 유전체층형성단계; 상기 가열부에 열을 전달시킬수 있는 가열수단을 구비하여 가열하는 가열단계; 상기 유전체층이 형성된 기판위에 격벽재료의 페이스트를 도포 및 건조시킴으로써 격벽 적층부를 형성하는 단계; 상기 격벽 적층부상에 포토레지스트 재료를 도포 및 건조시키는 단계; 상기 포토레지스트 재료에 격벽에 상응하는 소정 형상의 패턴으로 형성된 노광마스크를 씌워 노광하는 단계; 상기 포토레지스트에 샌드블라스팅을 하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 격벽 재료 페이스트를 소성하여 격벽을 형성하는 단계;를 포함하는 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽 제조방법을 개시한다. 여기서, 상기 가열부의 격벽을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있으며, 상기 가열수단은 레이저일 수 있다.
Patent KR-100379354-B1 (KR)
Title: 위상 동기 루프 회로의 지연고장 검출 방법 및 장치
IPC: G01R31/316
Filed: 2000-02-15
Granted: 2003-04-08
Abstract: 위상 동기 루프 회로의 지연 고장을 검출하는 방법 및 장치가 제공된다. 시험중에 주파수 임펄스가 기준 클록으로서 PLL회로에 인가되고, 시험 중에 PLL회로로부터 출력된 신호의 파형이 그 순간 위상을 추정하기 위해 분석신호로 변환된다. 선형 위상은 추정된 순간 위상으로부터 추정되고, 이 추정된 선형 위상은 순간 위상의 변동항을 획득하기 위해 추정된 순간 위상으로부터 제거된다. 지연고장은 PLL 회로가 임의의 주파수로 발진하는 상태에 있는 동안의 시간 간격과 고장 없는 PLL 회로가 임의의 주파수로 발진하는 상태에 있는 동안의 시간 간격을 비교하므로써 검출된다.
Patent KR-100340109-B1 (KR)
Title: 자동차용 머플러
IPC: F01N1/02
Filed: 2000-03-21
Granted: 2002-06-10
Abstract: 본 발명은 자동차용 머플러에 관한 것으로서, 
     종래의 머플러는 배기가스에 포함되어 있는 배기소음을 효과적으로 감쇄시키는데에는 문제가없으나 엔진이 고 rpm으로 동작할때 배출되는 높은 압력의 배기가스가 머플러 내부로 유입될때에는 머플러 내부로 공급된 배기가스가 여러경로를 따라 이동되면서 빨리 대기상으로 방출되지 못하게되어 배압이 높아지면서 엔진의 출력 향상에 악영향으로 작용하게되므로서, 엔진이 고 rpm으로 동작할때 엔진의 출력이 감소하게되는 문제점이 발생하였다. 
     따라서, 상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 특히 머플러의 내부에서 배기가스의 유동 통로가 되는 유동관의 일측 출구에 배기가스의 압력에 따라 유동관을 차등 개방시키는 밸브를 설치하고, 배출관을 길게 유선형으로 형성시켜 엔진이 저rpm으로 구동할때에는 소음을 효과적으로 감쇄시키고, 엔진이 고rpm으로 구동할때에는 배기압이 낮아지도록 하여 엔진 출력이 향상되도록 한 자동차용 머플러에 관한 것이다.