Patent DE-102016109641-B4 (DE)
Title: Halbleitergerät
Inventor: SENOO MASARU
IPC: H01L29/739
Filed: 2016-05-25
Granted: 2021-11-11
Abstract: Halbleitergerät (10) mit:einem Halbleitersubstrat (12);einer Vorderelektrode (60), die in Kontakt mit einer vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) ist;einer Rückelektrode (62), die in Kontakt mit einer hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) ist;einer ersten peripheren filmartigen Isolationsschicht (80a);(82); einer Vielzahl von ersten peripheren filmartigen Leitungsschichteneiner zweiten peripheren filmartigen Isolationsschicht (80b); und einer Vielzahl von zweiten peripheren filmartigen Leitungsschichten (84), wobeidas Halbleitersubstrat (12) einen Vorrichtungsbereich (16) und einen peripheren Bereich (18) umfasst,in einer Draufsicht entlang einer Dickenrichtung des Halbleitersubstrats (12) der Vorrichtungsbereich (16) eine Kontaktfläche (60a) zwischen der Vorderelektrode (60) und dem Halbleitersubstrat (12) überschneidet, wobei der periphere Bereich (18) um den Vorrichtungsbereich (16) herum angeordnet ist,der Vorrichtungsbereich (16) eine Halbleitervorrichtung umfasst, die konfiguriert ist, einen elektrischen Strom zwischen der Vorderelektrode (60) und der Rückelektrode (62) durchzulassen,der periphere Bereich (18) umfasst:eine Vielzahl von Schutzringen (72), die ein p-Typ sind, bei der vorderen Oberfläche freigelegt sind und eine ringförmige Form aufweisen, die den Vorrichtungsbereich (16) umgibt; undeinen Driftbereich (26), der ein n-Typ ist und die Schutzringe (72) voneinander trennt,die erste periphere filmartige Isolationsschicht (80a) auf der vorderen Oberfläche in dem peripheren Bereich (18) angeordnet ist,jede der ersten peripheren filmartigen Leitungsschichten (82) auf der ersten peripheren filmartigen Isolationsschicht (80a) angeordnet ist, wobei sie eine ringförmige Form aufweist, die den entsprechenden Schutzring (72) in der Draufsicht entlang der Dickenrichtung überschneidet,die zweite periphere filmartige Isolationsschicht (80b) auf jeder der ersten peripheren filmartigen Leitungsschichten (82) angeordnet ist,jede der zweiten peripheren filmartigen Leitungsschichten (84) auf der zweiten peripheren filmartigen Isolationsschicht (80b) angeordnet ist, und so angeordnet ist, dass sie einen Teil der entsprechenden ersten peripheren filmartigen Leitungsschicht (82) in der Draufsicht entlang der Dickenrichtung überschneidet, und eine Dicke aufweist, die größer als eine Dicke jeder der ersten peripheren filmartigen Leitungsschichten (82) ist,jede der zweiten peripheren filmartigen Leitungsschichten (84) mit der entsprechenden ersten peripheren filmartigen Leitungsschicht (82) über ein erstes Kontaktloch (92) verbunden ist,jede der zweiten peripheren filmartigen Leitungsschichten (84) mit dem entsprechenden Schutzring (72) über ein zweites Kontaktloch (90) verbunden ist,eine Mitte jedes der ersten und zweiten Kontaktlöcher (92, 90) auf einer Innenseite in Bezug auf eine Mittellinie des Schutzrings (72), der mit dem zumindest einem zweiten Kontaktloch (90) verbunden ist, angeordnet ist, wobei die Mittellinie eine Mitte des Schutzrings (72) in einer Breitenrichtung definiert, undfür das zweite Kontaktloch (90) ein Loch (83) in der ersten peripheren filmartigen Leitungsschichten (82) für ein Hindurchgehen zu dem Schutzring (72) ausgebildet ist.