Patent ES-2391246-T3 (ES)
Title: Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor
Inventor: VILLETTE JEROME
IPC: C23C14/56
Filed: 2009-06-18
Granted: 2012-11-22
Abstract: Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor que comprende un sustrato cubierto por una capa de material, comprendiendo además dicho dispositivo: - una cámara de crecimiento (1) que rodea un área de procesado (2), comprendiendo dicha cámara de crecimiento (1) una pared lateral (3), una pared inferior (4) y una pared superior (5), presentando cada una de ellas una superficie interior, - un panel criogénico principal que tiene al menos una parte lateral (10) que cubre la superficie interior de dicha pared lateral (3), - un soporte de muestras (6) apto para soportar dicho sustrato, comprendiendo dicho soporte de muestras (6) unos medios de calentamiento, - por lo menos una celda de efusión (8) apta para evaporar átomos o moléculas de elementos o compuestos, - un inyector de gas (9) apto para inyectar en el interior de la cámara de crecimiento (1) un precursor gaseoso, siendo una parte de dicho precursor gaseoso apta para reaccionar con los átomos o moléculas evaporados de elementos o compuestos sobre la superficie del sustrato para formar la capa, - unos medios de bombeo (11) conectados a la cámara de crecimiento (1) y aptos para proporcionar capacidad de alto vacío, - un recinto de aislamiento (14) que cubre al menos las superficies interiores de las paredes (3, 4, 5) de la cámara de crecimiento, comprendiendo dicho recinto de aislamiento (14): - unas partes frías que tienen una temperatura Tmin inferior o igual al punto de fusión del precursor gaseoso, comprendiendo dichas partes frías del recinto de aislamiento (14): - dicha parte lateral (10) del panel criogénico principal que cubre la superficie interior de la pared lateral (3), y - una parte inferior del panel criogénico principal (23) que cubre la superficie interior de la pared inferior 35 (4), estando dicha parte inferior del panel criogénico principal (23) provista de un primer orificio (24) para la celda de efusión (8), y un segundo orificio (25) para el inyector de gas (9), y - unas partes calientes que tienen una temperatura Tmax superior o igual a una temperatura en la que la tasa de desorción de dicho precursor gaseoso en dichas partes calientes es al menos 1000 veces 40 mayor que la tasa de adsorción de dicho precursor gaseoso, comprendiendo dichas partes calientes del recinto de aislamiento (14): - dicha celda de efusión (8), y - dicho inyector de gas (9), comprendiendo dicho inyector de gas (9) unos medios de calentamiento, caracterizado porque comprende un panel secundario criogénico (7) y dicha parte lateral del panel criogénico principal (10) que tiene un extremo superior (28), comprendiendo dichas partes frías del recinto de aislamiento (14): - una primera ala térmica (17) unida a dicho extremo superior (28) de la parte lateral (10) del panel criogénico principal, y - una segunda ala térmica (18) unida a la pared exterior del panel criogénico secundario (7), extendiéndose transversalmente dichas dos alas térmicas (17, 18), rodeando el panel criogénico secundario (7) y estando una cerca de la otra, de tal manera que aíslen el área de procesado (2) de la pared superior (5) de la cámara de crecimiento (1).