Patent DE-102018220595-B4 (DE)
Title: Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer
Inventor: KIRIHARA NAOTOSHI
IPC: H01L21/301
Filed: 2018-11-29
Granted: 2021-07-15
Abstract: Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer, in dem eine epitaktische Schicht auf eine obere Oberfläche eines Substrats geschichtet ist und ein Bauelement in jedem Bereich, der durch mehrere sich kreuzender vorgesehener Teilungslinien unterteilt ist, an einer oberen Oberfläche der epitaktischen Schicht ausgebildet ist, wobei das Laserbearbeitungsverfahren aufweist:einen Pulsausdünnschritt des Ausdünnens von Pulsen eines gepulsten Laserstrahls einer Wellenlänge, die durch den Wafer transmittierbar ist, wobei der gepulste Laserstrahl von einem Laseroszillator oszilliert wird, durch ein erstes Ausdünnmittel bei ersten vorgegebenen Intervallen;einen Verstärkungsschritt des Verstärkens des gepulsten Laserstrahls, nachdem Ausdünnschritt durchgeführt worden ist;einen Burstpulslaserstrahlerzeugungsschritt des Erzeugens eines Burstpulslaserstrahls durch ein kontinuierliches und intermittierendes Ausdünnen des gepulsten Laserstrahls, der im Verstärkungsschritt verstärkt worden ist, durch ein zweites Ausdünnmittel bei zweiten vorgegebenen Intervallen;einen Testsubstratvorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Testsubstrates, das ein Material und eine Dicke aufweist, die identisch mit einem Material und einer Dicke des Substrats des Wafers sind;einen Abschirmtunnelausbildungsschritt des linearen Ausbildens von mehreren Abschirmtunneln, von denen jeder aus einem dünnen Loch und einem amorphen Bereich besteht, der das dünne Loch umgibt, bei vorgegebenen Intervallen innerhalb des Testsubstrats durch ein Halten des Testsubstrats durch einen Einspanntisch einer Laserbearbeitungsvorrichtung, ein Bestrahlen des Testsubstrats mit dem Burstpulslaserstrahl, während ein gebündelter Bereich des Burstpulslaserstrahls innerhalb des Testsubstrats positioniert wird, und ein Bearbeitungszuführen des Einspanntischs, während Zeitintervalle von mehreren Pulsen, die den Burstpulslaserstrahl bilden, geändert werden;einen Bruchfestigkeitsmessschritt des Messens einer Bruchfestigkeit, wenn das Testsubstrat entlang der mehreren Abschirmtunnel gebrochen wird, nachdem der Abschirmtunnelausbildungsschritt durchgeführt worden ist;einen Minimalwertberechnungsschritt des Berechnens der Zeitintervalle der Pulse, welche die Bruchfestigkeit des Testsubstrats minimieren, nachdem der Bruchfestigkeitsmessschritt mehrfach durchgeführt worden ist, während die Zeitintervalle der mehreren Pulse, die den Burstpulslaserstrahl bilden, geändert werden; undeinen Laserbearbeitungsschritt des linearen Ausbildens von mehreren Abschirmtunneln, die jeweils aus einem dünnen Loch und einem amorphen Bereich bestehen, der das dünne Loch umgibt, bei vorgegebenen Intervallen in einem Innenteil des Wafers, wobei der Innenteil einer vorgesehenen Teilungslinie entspricht, durch ein Halten des Wafers durch den Einspanntisch der Laserbearbeitungsvorrichtung, ein Bestrahlen des Wafers mit dem Burstpulslaserstrahl, während der gebündelte Bereich des Burstpulslaserstrahls, der die berechneten Zeitintervalle der Pulse aufweist, im Innenteil des Wafers positioniert wird, wobei die berechneten Zeitintervalle im Minimalwertberechnungsschritt berechnet worden sind, wobei der Innenteil der vorgesehenen Teilungslinie entspricht, und durch ein Bearbeitungszuführen des Einspanntischs, nachdem der Minimalwertberechnungsschritt durchgeführt worden ist.