baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100297107-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법
IPC: H01L21/31
Filed: 1999-06-23
Granted: 2001-11-01
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법에 관한 것으로, 트렌치를 형성한 후 열산화막을 라이너(liner)로 증착하고 AP CVD 방식의 O 3 /TEOS USG막의 하지막 의존성과 O 3 농도비를 이용하여 트렌치형 소자 분리막의 산화막 매립 특성을 향상시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법이 개시된다.
Patent KR-100566305-B1 (KR)
IPC: H01L21/76
Filed: 1999-06-24
Granted: 2006-03-30
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 트렌치형 소자분리막 형성방법에 관한 것이며, 트렌치 상부 모서리 영역의 모트 발생 방지를 위해 측벽 스페이서를 채용하는 경우, 트렌치 상부 모서리 영역의 뾰족한 활성영역 프로파일에 의해 전계가 집중되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자의 트렌치형 소자분리막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 트렌치 소자 분리 공정시 트렌치 상부 모서리 영역의 모트 발생 방지를 위해 측벽 스페이서를 채용하는 경우, 측벽 스페이서를 이용한 트렌치 식각 후 불순물 이온주입 공정을 적용하는 기술이다. 불순물 이온주입을 실시하게 되면 트렌치 상부 모서리 부분의 실리콘 기판에 불순물 영역이 형성되며, 불순물이 도핑된 영역의 산화속도가 불순물이 도핑되지 않은 영역에 비해 더 빠르므로 후속 희생산화 공정 및/또는 트렌치 측벽 산화 공정을 거치면서 트렌치 상부 모서리 부분이 라운딩 된다. 
       
     트렌치, 소자분리, 스페이서, 전계집중, 트렌치 상부 모서리
Patent KR-100635238-B1 (KR)
IPC: H04L12/44
Filed: 1999-06-25
Granted: 2006-10-19
Abstract: 본 발명에 따르면, 네트워크에 각각 접속되고 고유 정보를 각각 갖는 복수 개의 다른 정보 처리 장치들과 함께 네트워크에 접속되고 고유 정보를 갖는 정보 처리 장치가 제공된다.  이 장치는 네트워크 상의 모든 정보 처리 장치들을 식별하기 위한 고유 정보를 수신하기 위한 수신 수단, 및 모든 정보 처리 장치들의 고유 정보에 기초하여 네트워크의 네트워크 구조를 얻기 위한 네크워크 구조 획득 수단(network structure obtaining means)을 포함한다.  이 장치는 네트워크 구조에 기초하여 네트워크 상의 모든 정보 처리 장치들 사이의 접속들의 수를 계수하기 위한 계수 수단, 및 접속들의 수에 기초하여 네트워크 상의 정보 처리 장치의 통신 타이밍을 제어하기 위한 제어 수단을 더 포함한다.  네트워크는 버스 인터페이스일 수 있고, 정보 처리 장치는 오디오/비주얼(Audio/Visual) 장치일 수 있다.  이 장치는 정보 처리 장치들 각각의 고유 정보에 기초하여 네트워크의 토폴로지 맵을 얻기 위한 토폴로지 맵 획득 수단을 더 포함한다.  이 장치는 토폴로지 맵 획득 수단에 의해 얻어진 토폴로지 맵을 저장하기 위한 토폴로지 맵 저장 수단, 접속들의 수에 대응하는 적절한 타이밍을 저장하기 위한 저장 수단, 저장 수단에서 적절한 타이밍들을 사용하여 통신 타이밍을 제어하기 위한 제어 수단을 더 포함한다. 
       
     정보 처리 방법, 정보 처리 장치, 통신 타이밍, 속도 맵, 토폴로지 맵
Patent KR-100327105-B1 (KR)
Title: 고휘도 형광체 및 그 제조방법
IPC: G09F13/20
Filed: 1999-07-05
Granted: 2002-03-09
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법 또는 화학 증착법을 이용하여 PbX(X=S 또는 Se) 박막을 형성하는 방법과 II-VI족 화합물인 CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS, MgSe 모재료에 상기 PbX(X=S, Se)를 첨가하여 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.  본 발명은 특정한 반응 특성을 나타내는 Pb-전구체를 반응 재료로 이용하는 바, 상기 Pb-전구체로서 테트라 알킬(tetraalkyl ; alkyl = methyl, ethyl, propyl, cyclohexyl, isopropyl) 납(lead) 또는 테트라-아릴 납(tetraaryl lead) 등과 같은 유기금속화합물을 사용하고, 이를 H 2 X(X=S 또는 Se)와 반응시켜 원자층 증착법 또는 화학 증착법으로 매우 균일한 PbX(X=S, Se) 박막을 증착한다.  또한 본 발명은 CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS 또는 MgSe 중 어느하나 또는 이들이 혼합된 모재료와 PbX(X=S, Se)가 일정한 비가 되도록 증착을 수행함으로써 Pb 농도를 조절하면서 형광체 박막을 성장하는 방법이다.  특히 본 발명은 형광체 제조시, 모재료에 Pb 2+ 이온을 선택적으로 특정한 상태로 첨가함으로써 색순도가 매우 우수한 형광체를 제조하며, 넓은 농도 범위의 Pb 2+ 를 포함하면서도 색도와 휘도가 우수한 형광체를 제조하는 것이다.
Patent KR-100330209-B1 (KR)
Title: 광대역 광섬유증폭기 및 그 증폭 방법
IPC: H01S3/067
Filed: 1999-07-07
Granted: 2002-03-25
Abstract: 본 발명은 광섬유증폭기 중 1530∼1610nm 파장 대역의 광신호를 증폭하기 위한 광대역 광섬유증폭기와 그 증폭 방법에 관한 것으로서, 1580nm 파장대역에서의 증폭효율을 높이기 위해 1550nm 파장대역 광신호의 증폭시 발생하는 역방향 잡음광을 1580nm 파장대역의 증폭부에 제공하여 보조 펌프광으로 사용한다.
Patent KR-100628453-B1 (KR)
IPC: G02F1/13
Filed: 1999-07-09
Granted: 2006-09-27
Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 케이스에 걸려 임의로 탈거되지 않고 견고하게 결합 및 결합 해제가 용이하게 되도록 한 스냅 핏(snap fit) 구조가 형성된 액정표시장치에 관한 것으로 본 발명에 의하면, 액정표시모듈에 스냅 핏을 형성하고 리어 케이스에 스냅 핏과 결합되는 결합편을 형성하여 단 한번의 조립 공정에 의하여 액정표시모듈과 리어 케이스가 결합되도록 하여 조립 공정수 및 조립 부품수를 최소화되도록 함은 물론 액정표시모듈의 크기와 리어 케이스의 크기 차이가 최소가 되도록 하여 액정표시장치의 전체 크기를 소형화 및 중량을 경감할 수 있는 효과가 있다. 
       
     액정표시모듈, 액정표시장치, 스냅 핏
Patent KR-100333183-B1 (KR)
Inventor: KIM JU HOAN
IPC: H01L23/48
Filed: 1999-07-22
Granted: 2002-04-18
Abstract: PURPOSE: An apparatus for aligning a pattern film with a semiconductor chip wafer is provided to precisely position the pattern film for wiring chip and attach ball grids onto each integrated circuit chip. CONSTITUTION: The aligning apparatus includes a prism switch block(20) having two movable positions, and a mirror block(19) disposed between the prism switch block(20) and a camera(18). The camera(18) senses an image of a first marking portion in a pattern film(13) held by a film holder(12) at the first position of the prism switch block(20) and an image of a second marking portion in a wafer(17) placed on a wafer tray(16) at the second position of the prism switch block(20). The images captured by the camera are stored into a memory(23). The images are retrieved by a controller(10) to perform pattern recognition such that the image of the pattern film is compared with that of the wafer and an error is calculated by reading the comparing point on the coordinate. The pattern film or wafer is moved to the degree of the calculated error for aligning the pattern film with the wafer.
Patent KR-100339828-B1 (KR)
Title: Manufacturing method of product made out of chief materials of perilla frutescens in replace of smoking
Inventor: BAE GUN HO
IPC: A24B15/00
Filed: 1999-08-25
Granted: 2002-06-07
Abstract: PURPOSE: Provided is a manufacturing method of product made out of chief materials of perilla frutescens in replace of smoking which helps a smoker to stop smoking without prohibition symptom since it has an unique incense without nicotine. CONSTITUTION: The method includes the steps of removing stems and impurities from perilla frutescens, cutting the plants while hydrating, separating particles and powders, hydrating the powders; pulverizing sorbitol, glycerin, angelica sinensis, anethum graveolens, menthol and isodon japonicus and dipping the pulverized product in a spirit containing 25 to 90% of alcohol for 12 to 24 hours to obtain an extract; mixing the extract the hydrated powders of perilla frutescens; and drying the mixture to the moisture content of about 15%.
Patent KR-100332689-B1 (KR)
Title: 실리카를 보강 충진제로 사용한 타이어용 트레드 고무조성물
IPC: C08L7/00
Filed: 1999-08-28
Granted: 2002-04-17
Abstract: 본 발명은 젖은 노면에서의 제동력 향상 및 저연비 특성을 주는 회전저항 특성을 현저히 감소시킬 수 있는 실리카를 보강 충진제로 사용하는 타이어용 트레드 고무조성물에 관한 것이다. 
     본 발명은 원료고무 100 중량부에 대하여 실리카의 사용량이 3-30 중량부 범위인 실리카 충전용 고무 배합물에 있어서 실리카 표면에 흡착하는 흡착제 헥사메칠멜라민(Hexamethylmelamine)을 0.5-5 중량부를 사용하고, 고무조성물은 폴리머 베이스로는 합성고무 또는 천연고무의 혼합물 100 중량부에 대하여 카본블랙은 요오드 흡착가 60-150mg/g, DBP 흡유가 80-150cm 3 /100g이고, 실리카는 BET 100-180m 2 /g, CTAB 100-200m 2 /g, DBP 150-250cm 3 /100g 이고 흡착평균면적이 배합전 8500mm 2 , 배합후 7000-8400mm 2 인 것을 사용하여 타이어의 컷&칩 특성과 마모저항이 우수한 특성의 트레드 고무조성물을 제공하는데 목적이 있다.
Patent KR-100372588-B1 (KR)
Title: 전표 처리 방법 및 시스템
IPC: G06V30/224
Filed: 1999-08-31
Granted: 2003-02-17
Abstract: 본 발명은 화상독취장치가 전표를 독취하는 발명에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 창구단말은 미리 파일에 격납된 전표종류식별용 정의정보를 이용하여 독취된 화상이 제 1종류의 전표에 해당하는 지의 여부를 식별한다. 
     독취된 화상이 제 1종류의 전표에 해당하는 경우, 창구단말은 상기 제 1종류의 전표의 고유한 포맷에 대응하는 영역에서 화상을 절취해 내고, 그 절취한 화상으로 기재내용을 확인하여 인식결과에 따른 처리를 실시한다. 
     독취된 화상이 제 1종류의 전표에 해당하지 않는 경우에는, 창구단말은 상기 정의정보를 이용하여 독취된 화상이 제 2종류의 전표에 해당하는 지의 여부를 식별한다. 
     제 2종류의 전표에 해당하는 경우, 창구단말은 상기 제 2종류의 전표의 고유한 포맷에 대응하는 영역에서 화상을 절취해 내고, 그 절취한 화상으로 기재내용을 인식한다.
Patent KR-100563884-B1 (KR)
IPC: H01L29/808
Filed: 1999-09-21
Granted: 2006-03-28
Abstract: 저 ON 저항, 고 최대 드레인 전류, 및 고 전송 이득을 가진 선형성을 보장하며, 또한 게이트 길이를 감소시키는 것이 가능한 접합형 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은 GaAs 버퍼층을 통해서 반절연 기판 상에 도핑되지 않은 GaAs층, n + 형 GaAs층, 및 n형 GaAs층을 실질적으로 에피택셜 성장함으로써 채널층을 만드는 것이다.  n형 GaAs층 상에서 SiN X 막의 형태로 확산 마스크에 형성된 개구를 통해서, Zn은 n형 GaAs층으로 확산되어 p + 형 게이트 영역을 형성한다.  확산 마스크 위로부터, 게이트 금속층이 퇴적되고 패터닝하여 p + 형 게이트 영역과 함께 자기 배열에서 확산 마스크의 개구에 게이트 전극을 만든다. 
       
     접합형 전계 효과 트랜지스터, GaAs 버퍼층, 반절연 기판, 에피택셜 성장, 채널층, 확산 마스크, 게이트 금속층, 개구, 게이트 전극
Patent KR-100640346-B1 (KR)
IPC: H04N5/781
Filed: 1999-10-14
Granted: 2006-10-31
Abstract: 본 발명은 방송신호에 대한 시간지연 시청과 녹화 및 재생을 동시에 지원할 수 있는 방송신호 수신 시스템에 관한 것으로, 실시간으로 입력되는 디지털 스트림을 랜덤 액세스 저장장치의 기록매체에 저장하고 이를 효율적으로 재생함은 물론, 트릭 플레이를 지원할 수 있도록 디지털 스트림의 입출력을 제어하는 컨트롤러와 그를 포함하는 방송 수신 시스템에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 실시예에서는 수신되는 방송신호중 녹화하고자 하는 채널의 트랜스포트 패킷만을 추출하고, 추출된 트랜스포트 패킷의 도착시간을 지시하는 타임 스탬프를 상기 트랜스포트 패킷에 삽입한다. 이와 같이 타임 스탬프 삽입된 일군의 트랜스포트 패킷들에 헤더를 삽입하여 디스크 패킷을 만들어 디스크면에 기록한다. 재생시에는 재생된 디스크 패킷들에서 타임 스탬프 삽입된 트랜스포트 패킷만을 추출한후 타임 스탬프가 지시하는 시간에 해당 트랜스포트 패킷을 데이터 디코딩부로 출력함을 특징으로 한다. 
       
     타임 스탬프, 디스크 패킷, 디지털 트랜스포트 스트림
Patent KR-100305037-B1 (KR)
Title: 반도체 기억장치
IPC: H01L23/00
Filed: 1999-10-15
Granted: 2001-11-02
Abstract: 반도체 기억장치는, 복수의 주비트선; 복수의 메모리셀, 복수의 워드선, 및 복수의 서브비트선을 포함하는 제 1 뱅크; 복수의 메모리셀, 복수의 워드선, 및 제 1 뱅크에 포함되는 복수의 서브비트선과 독립되어 있는 복수의 서브비트선을 포함하는 제 2 뱅크; 복수의 주비트선중 1개에 결합되는 제 1 보조도전영역; 제 1 보조도전영역을 제 2 보조도전영역에 전기적으로 접속시키기 위한 제 1 스위치; 및 제 1 뱅크에 포함되는 복수의 서브비트선중 1개를 제 2 보조도전영역에 전기적으로 접속시키기 위한 제 2 스위치를 포함한다.
Patent KR-100609342-B1 (KR)
IPC: H03K5/00
Filed: 1999-10-29
Granted: 2006-08-09
Abstract: 매크로를 포함한 종래의 반도체 장치에서는, 그 모(母)회로 내의 래치에 공급되는 클럭과, 매크로 내의 래치에 공급되는 클럭의 사이에 스큐(skew)가 생긴다. 이들의 클럭 스큐(clock skew)는 반도체 장치의 클럭 주파수의 고주파수화를 저지하기 때문에, 반도체 장치를 고속으로 동작시킬 수 없게 된다.  
     제1의 클럭(120)과 제2의 클럭(104)을 입력하여, 제l과 제2의 클럭이 동일 위상·동일 주파수가 되도록 제3의 클럭(102)을 발생하는 제l의 클럭 처리수단(101)과, 제3의 클럭(102)과 제4의 클럭(114a)을 입력하여, 제3과 제4의 클럭이 동일 위상·동일 주파수가 되도록 제5의 클럭(112a)을 발생하는 제2의 클럭 처리수단(111a)과, 복수의 래치로 이루어지는 제1래치군과 제2래치군을 갖는 반도체 장치에 있어서, 제2의 클럭은 제3의 클럭으로부터 버퍼 또는 분주기(divider)( 103)를 통해서 생성하고, 제4의 클럭은 제5의 클럭으로부터 버퍼 또는 분주기(113a)를 통해서 생성하며, 제1래치군에는 버퍼를 통해서 제3의 클럭을 공급하고, 제2래치군에는 버퍼를 통해서 제5의 클럭을 공급한다.  
       
     래치, 클럭, 버퍼, 동일 위상, 동일 주파수, 분주기.
Patent KR-100320056-B1 (KR)
Title: 무선 통신 장치용 비신축식 안테나 조립체
IPC: H01Q1/12
Filed: 1999-11-02
Granted: 2002-01-09
Abstract: 무선 통신 장치(100)용 안테나 조립체(118)는 비신축식 안테나(200), 부싱(204) 및 포스트(202)를 갖는다.  부싱(204)은 부싱(204)을 장치(100)에 고정하기 위해 부착 기구(238)를 갖는다.  포스트(202)는 2개의 단부를 갖는다.  포스트(202)의 일단부는 비신축식 안테나(200)에 연결된다.  포스트의 타단부는 장치(100)의 송수신기 회로(304)에 비신축식 안테나(200)를 전기 접속시키도록 된다.  포스트(202)는 장치(100)로부터 부싱(204)을 불완전하게 고정시키지 않고 비신축식 안테나(200)의 반경방향 이동을 허용하도록 부싱(204) 내에서 저널된다.
Patent KR-100482753-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
IPC: H01L21/822
Filed: 1999-11-09
Granted: 2005-04-14
Abstract: 본 발명은 Ta 2 O 5  캐패시터의 유전체 특성 열화를 방지하면서 누설 전류 특성을 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 관하여 기술된다. 본 발명은 하부 전극 상에 Ta 2 O 5  유전체막을 형성하고, H 2 TaF 7  반응 소오스 가스와 NH 3  가스를 이용하여 Ta 2 O 5  유전체막 상에 TaN 상부 전극을 형성한다. 본 발명은 TaN 막이 기존의 상부 전극으로 사용되던 TiN 막보다 일 함수 값이 커 누설 전류 특성을 개선할 수 있고, Ta 2 O 5  유전체막과 TaN 상부 전극 사이의 계면 반응이 없어 유전체의 특성 열화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에 사용되는 H 2 TaF 7  가스는 Ta 2 O 5  유전체막 증착의 소오스 가스로도 사용 가능하여 Ta 2 O 5  유전체막과 TaN 상부 전극을 동일한 챔버에서 인-시튜(in-situ)로 형성할 수 있다.
Patent KR-100372024-B1 (KR)
Title: 향기성 액체를 이용한 조미 가공란의 제조방법
IPC: A23B5/005
Filed: 1999-11-19
Granted: 2003-02-14
Abstract: 본 발명에 따르면, 난을 가공하여 가공란을 제조하는 방법이 제공된다. 먼저 훈연재를 태워 나오는 연기를 응축시켜 만든 훈연액을 정제하는 공정과, 이 훈연액에 조미성분을 첨가하고 여과하는 공정과, 저온상태로 냉각하는 공정을 거쳐 침지액을 마련한다. 난은 큐티클층을 제거하고, 열수조에 넣어 살균시키고 다공질이 되도록 고형화시킨다. 살균/고형화 단계를 거친 고온의 난을 침지액에 침지시킨다. 침지된 난을 열풍으로 건조시킨 후 코팅액으로 코팅한다. 한편, 살균/고형화 단계를 거친 난을 진공처리하여 침지액에 침지시킬 수도 있다.
Patent KR-100324037-B1 (KR)
Title: 표면 냉각 제어에 의한 유도가열 방법
IPC: H05B6/02
Filed: 1999-12-14
Granted: 2002-02-19
Abstract: 본 발명은 유도가열 방법으로 시편을 가열할 때 전류를 코일을 통해 공급하면서 이와 동시에 외부에서, 구체적으로는 전술한 유도가열 코일의 상/하 또는 외주연 전체를 따라 공기를 강제적으로 공급 및 순환시키면서 시편의 내/외부를 균일하게 또는 외부 온도를 내부 온도보다 더 낮게 가열하는 유도가열 방법을 제안한다.
Patent KR-100332552-B1 (KR)
Title: 에이티엠 교환 시스템의 하드웨어 자원 제어 구조 및 방법
IPC: H04L12/28
Filed: 1999-12-18
Granted: 2002-04-17
Abstract: 본 발명은 ATM 교환 시스템에서 외부와의 연동을 담당하는 부분과 실제로 하드웨어 자원을 제어 및 관리하는 부분을 서로 독립적으로 구현하여 외부에서 표준 프로토콜을 통해 교환 시스템의 하드웨어 자원을 제어 및 관리할 수 있도록 한 ATM 교환 시스템의 하드웨어 자원 제어 구조 및 방법에 관한 것이다. 
     종래에는 하드웨어 자원 제어 프로그램은 다른 ATM 교환 시스템에 적용하기 위해서는 해당 교환 시스템의 하드웨어 특성에 맞도록 다시 작성해야 했으며, 소정 기능을 추가하거나 삭제하고자 하는 경우에도 기존의 제어 프로그램에 대한 수정이 매우 복잡한 단점이 있었으며, 특히, 최근들어 ATM 교환 시스템의 하드웨어 구현 및 통신 프로토콜이 다양화됨에 따라 각각에 적합한 제어 프로그램을 개발하는데 있어 많은 시간과 비용이 필요한 단점이 있었다. 
     본 발명은 ATM 교환 시스템 외부에서 하드웨어 자원을 제어 및 관리하는 응용 프로그램과의 외부 연동을 담당하는 부분과 실제로 하드웨어 자원을 제어 및 관리하는 부분을 서로 독립적으로 구현함으로써, 다수의 프로세서 보드를 갖는 ATM 교환 시스템에 적용이 용이함과 동시에 기능 수정이나 추가가 용이해 지며, 외부와의 연동을 담당하는 부분만을 수정하여 다양한 프로토콜을 지원할 수 있게 된다.
Patent KR-100594210-B1 (KR)
IPC: G11C11/40
Filed: 1999-12-23
Granted: 2006-07-03
Abstract: 다수개의 입출력 패드들을 통한 데이터의 출력시점(tQ)이 거의 일정하게 되도록 출력 드라이버들이 효율적으로 배치되는 고속 반도체 메모리장치가 개시된다. 상기 고속 반도체 메모리장치는, 복수개의 입출력 패드들, 칩 내부로부터 각각의 데이터를 받아 상기 입출력 패드들중 대응되는 입출력 패드로 출력하는 복수개의 출력 드라이버들, 및 상기 출력 드라이버들에 접지전압을 공급하기 위한 복수개의 접지 패드들을 구비하고, 상기 출력 드라이버들은 각각 상기 접지 패드들중 하나와 대응되는 출력 패드 사이에 배치되고 상기 각 출력 드라이버로부터 상기 접지패드까지의 거리가 모두 동일한 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100467400-B1 (KR)
Title: 반도체 웨이퍼 개질용 연마 구조물
IPC: B24B37/24
Filed: 1997-08-06
Granted: 2005-01-24
Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 작업편의 표면을 개질시키기 위한 연마 구조물을 개시한다.  연마 구조물은 3차원의 텍스처드 고정 연마 요소; 상기 고정 연마 요소와 전체적으로 동일 공간에 걸쳐있는 적어도 하나의 탄력성 요소; 및 상기 탄력성 요소 및 상기 고정 연마 요소와 전체적으로 동일 공간에 걸쳐있고 이들 사이에 개재된 적어도 하나의 강성 요소를 포함하며, 여기에서 상기 강성 요소는 상기 탄력성 요소보다 영률(Young's modulus)이 더 크다.
Patent KR-100527311-B1 (KR)
Title: 구형 적층입자 및 액정표시장치
IPC: B32B7/02
Filed: 1998-02-20
Granted: 2005-11-09
Abstract: 본 발명은 핵입자와 핵입자의 표면에 마련된 적층부로 되는 구형 적층입자 이며, 그 적층부의 압축탄성률이 핵입자의 압축탄성률보다 작은 것을 특징으로 하는 구형 적층입자에 관한 것이다. 이러한 구형 적층입자는 임의의 하중에 의해 변형한 후 하중을 제거했을 때의 복원성이 종래의 단일물질로부터 구성되는 탄성입자에 비해 우수하고, 또한 압축강도가 크다. 이 때문에, 이러한 구형 적층입자를 스페이서로서 사용하면, 액정표시셀 제조시 액정표시셀용 기판의 물결 등에 의해 생기는 개개의 스페이서 입자로의 하중차에 의한 스페이서 입자의 변위량의 차가 작아지고, 그 결과, 셀갭의 균일성을 유지할 수 있다.
Patent KR-100340770-B1 (KR)
Title: 프린터기판에 양호하게 접촉하는 전기커넥터
IPC: G01R1/06
Filed: 1999-01-11
Granted: 2002-06-20
Abstract: 프린트기판을 변형시키는 일 없이, 프린트기판 표면에 형성된 전기접속부와 양호하게 전기접촉하는 커넥터를 제공한다. 길고 가는 베이스부재(21)와, 이 베이스부재(21)의 한쪽면에 형성된 길고 가는 돌출부(22)와 베이스부재의 길이방향에 따라 소정의 간격을 두고 배열된 프린트기판(1)의 한쪽면에 형성된 전기접속부와 면접촉하기위한, 복수개의 더블콘택트(211)를 갖는 커넥터에 있어서, 베이스부재의 길이방향의 양측가장자리를 따라 베이스부재의 한쪽면에 소정개수의 액션핀수용부(212)를 소정간격을 두고 형성하고, 이들 액션핀 수용부(212)내에 각각 액션핀(211)을 고정한다. 각 액션핀은 액션핀 수용내에 수용되는 머리부(211H)와, 베이스부재의 내부에 매설되는 팽대부를 갖는 중간부(211M)와, 베이스부재로부터 바깥쪽으로 이어져 있는 때려박음부(211P)에 의하여 구성되고,이 때려박음부는 액션핀의 두께방향으로 탄성을 갖는 팽출부(211A)를 구비하고 있다.
Patent KR-100648845-B1 (KR)
IPC: H04N5/92
Filed: 1999-03-02
Granted: 2006-11-24
Abstract: 정보(예를 들면, 영상 또는 비디오) 신호의 워터마크를 검출하는 향상된 방법 및 장치가 기재되어 있다.  상기 신호들간의 상관관계의 양(d)을 검출(29)하기 전에, 의심이 가는 영상(q) 및 검출될 워터마크(w)에 대칭 위상 전용 정합 필터링(SPOMF: Symmetrical Phase Only Matched Filtering)(24-28, 16)을 행함으로써 그 검출은 신뢰성이 더 커지게 되며, 영상 처리에 대한 영향은 작게 된다. 
       
     워터마크 삽입, 워터마크 검출, SPOMF(Symmetrical Phase Only Matched Filtering), 강인성, 신뢰성, FFT(Fast Fourier Transform), 컨텐트(content), 역퓨리에 변환, 크기 정규화(magnitude normalization)
Patent KR-100360215-B1 (KR)
Title: 염류를 포함하는 소각잔사의 용융처리방법 및 그를 위한장치
IPC: F23J1/08
Filed: 1999-07-22
Granted: 2002-11-08
Abstract: 본 발명은 도시쓰레기소각잔사 등과 같은 염류를 포함하는 소각잔사의 용융처리방법 및 그를 위한 장치에 관한 것으로서, 
     염류를 포함하는 소각잔사에 성분조정재가 첨가되고, (Ca＋Mg)/(Si＋Al)에 의하여 구해지는 성분비가 0. 7∼2. 0의 범위로 조정되며, 성분비가 조정된 소가간사는 환원성 분위기로 유지된 용융로에 장입되어 용융물이 형성되고, 용융슬래그층과 용융염층과 용융메탈층으로 분리되며, 용융슬래그는 분별되어 용융로로부터 배출되고, 배출된 용융슬래그는 급랭되며, 용융로내의 기상부의 온도는 700℃∼1000℃로 유지되고, 용융로내의 기상부에 비산화성의 가스가 불어넣어지며, 용융로로부터 배출되는 배기가스량이 증가되는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100605785-B1 (KR)
IPC: C09D7/65
Filed: 1999-04-21
Granted: 2006-07-31
Abstract: 코팅재는 수용성 아크릴 수지 등의 수용성 수지, 아크릴 유화액 등의 수지 유화액 및 용제에 우레탄 수지가 용해된 것 등의 용제계 수지에서 선택된 적어도 1종(A), 폴리에틸렌 비이드 등의 수지 비이드(B) 및 콜라겐 등의 가용성 단백질 및 에틸렌-아크릴 공중합체 등의 상기 A와 상용하지 않는 수지 유화액에서 선택된 적어도 1종(C)을 포함하는 것이다.  A는 기재에 대한 밀착성, B는 열 밀봉성, C는 표면활성과 점착방지성을 개선한다.   
     또한, 수용성 아민계 첨가제(D)를 첨가함으로써, 올레핀계 기재의 접착성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100334910-B1 (KR)
Title: 휴대전화 이동 단말기의 소프트웨어 디버깅방법
IPC: H04B17/00
Filed: 2000-01-27
Granted: 2002-05-04
Abstract: 본 발명은 휴대전화 이동 단말기 소프트웨어 설계로직을 시험하기 위한 단말기 소프트웨어의 디버깅방법에 관한 것이다.  종래의 소프트웨어 디버깅을 위해 사용하는 환경은 동시에 한 사람만 사용할 수 있기 때문에 개발자들간에 늘 불편함을 초래한다.  즉, 종래에는 우수한 하드웨어 개발 환경과 좋은 디버깅용 소프트웨어를 제공하지만, 동시에 한 사람만 사용할 수 있기 때문에 다른 사람은 선점한 사람이 시험을 마칠 때까지 대기해야 한다. 
     본 발명은, 진단용 PC의 DM(Diagnostic Monitoring) 프로세스가 이동 단말기의 진단 타스크와 메시지를 송수신하여 상기 이동 단말기의 실행 타스크들을 디버깅하는 방법에 있어서, 상기 DM 프로세스가 소프트웨어 디버깅을 위한 구조의 하향 프레임을 구성하고 상기 하향 프레임을 상기 이동 단말기의 진단 타스크로 전달하면서 상기 실행 타스크들의 변수에 대한 추적을 요청하는 제 1 단계와; 상기 이동 단말기의 진단 타스크가 상기 실행 타스크들의 변수값들을 모아서 상향 프레임을 구성하고 상기 상향 프레임을 상기 진단용 PC의 DM 프로세스에게 전송하는 제 2 단계를 포함한다.
Patent KR-100341397-B1 (KR)
IPC: G06F17/28
Filed: 2000-01-27
Granted: 2002-06-22
Abstract: 일반적으로, 개념기반 번역장치에서는 원시언어 문장을 중간표현인 개념열로 바꿔주고, 그 개념열을 이용하여 목적언어의 표현을 생성함으로써 기계번역을 수행한다.  이 개념열은 개념들이 연결되어 하나의 의미를 표현하는 것인데, 개념의 수가 증가할수록 생성 가능한 개념열의 수는 기하급수적으로 늘어난다.  가능한 모든 개념열을 생성문법에 정의해 두면 올바른 목적언어 문장으로 번역할 수 있지만, 생성문법에 저장된 개념열의 수가 너무 많으면 관리나 번역 수행속도가 느려진다.  또한, 종래에는 생성문법에 등록되지 않은 개념열에 대해서는 번역을 수행할 수가 없는 문제점이 있다. 
     따라서, 본 발명은 미등록 개념열과 유사한 개념열을 찾아서 그 유사 개념열을 이용하여 목적언어 문장으로 번역하거나, 미등록 개념열을 구성하는 각 개념의 기본 의미를 이용하여 목적언어 문장으로 번역하도록 한다.  이로써, 미등록 개념열이 나오더라도 비슷한 의미의 표현을 생성해 낼 수 있기 때문에, 개념기반 번역장치를 보다 견고하게 할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100358799-B1 (KR)
IPC: H01M4/36
Filed: 2000-02-10
Granted: 2002-10-25
Abstract: 본 발명은 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법에 관한 것으로서, 리튬염과 망간염을 혼합하고, 상기 혼합물을 환원성 가스 하에서 열처리하는 단계를 포함한다.  이 방법은 LiMnO 2 를 제조하는 과정에서, Mn이 4가로 쉽게 산화됨에 따라 그 구조를 유지하지 못하는 문제점을 해결할 수 있다.
Patent KR-100686066-B1 (KR)
IPC: G11B19/02
Filed: 2000-02-28
Granted: 2007-02-23
Abstract: 랜드 프리피트(LPP) 영역을 갖는 광 기록매체의 제어 장치에 관한 것으로서, 특히 랜드와 그루브 트랙이 구비되고, 이중 어느 하나의 트랙에는 데이터를 기록하고, 또 다른 트랙에는 데이터 기록 트랙의 위치 정보(예, 어드레스 정보)가 기록된 광 기록매체에서 상기 데이터 기록 트랙에 대한 정보를 검출하는 정보 검출부와, 상기 검출된 정보로부터 현재 데이터 기록 트랙 및 다음 데이터 기록 트랙의 위치 정보를 독출하는 위치 정보 디코더를 포함하여 구성되어, 현재 트랙의 어드레스와 동시에 선행 트랙의 어드레스 정보를 검출함으로써, 현 위치의 1 트랙 내의 섹터 수를 정확하게 파악할 수 있으며, 선행 어드레스의 결함등에 의한 오류를 정확하게 미리 보간할 수 있다.  
       
     LPP, 어드레스 정보
Patent KR-100335057-B1 (KR)
IPC: H04N7/50
Filed: 2000-03-08
Granted: 2002-05-02
Abstract: 디지털 텔레비전 또는 디지털 화상회의 시스템 응용 분야에서 비디오 디코딩 칩의 외부 메모리 감축을 위한 동영상 수신 장치에 관한 것으로서, 특히 MPEG-2 비디오 디코딩 칩의 외부 메모리를 감축하면서 또한, 편차 추정부에서는 주위 픽셀들과 현재 인코딩하고자 하는 픽셀간의 수평 또는 수직 방향으로 상관성을 측정하여 상관성이 높은 방향에 위치한 픽셀로 현재 픽셀을 예측하여 표준 편차를 구하고, ADPCM 압축부에서도 상기와 동일한 방법으로 상관성이 높은 방향에 위치한 픽셀을 선택하여 현재 픽셀을 예측하고 이를 이용하여 양자화를 수행함으로써, 차이 값이 현재 픽셀의 비트 정밀도보다 줄어들게 하여 압축율을 더욱 높이면서 동시에 고 화질을 유지할 수 있다.
Patent KR-100332937-B1 (KR)
IPC: H01L21/3205
Filed: 2000-03-22
Granted: 2002-04-20
Abstract: 적어도 SiOF로 구성된 층간 절연막(4)에, 베리어막(7)을 통해서 매립된 구리 배선을 갖는 반도체 장치가 개시된다.  반도체 장치는, 베리어막이 질소 함량 30 내지 60%의 탄탈 질화물로 구성되어, 구리막의 비저항을 저감하기 위한 어닐링 이후에 CMP 공정에서 발생할 수 있는 막의 박리를 억제시킨다.
Patent KR-100447667-B1 (KR)
Title: 음성 인식 기능을 갖는 컴퓨터와 학습용 인형들을 이용한 상호 대화 언어 학습 시스템
IPC: G10L17/00
Filed: 2000-04-12
Granted: 2004-09-08
Abstract: 본 발명은 사용자의 음성을 입력받아 전기적인 신호로 바꾸는 음성입력수단;과, 상기의 음성입력수단의 출력 전기 신호를 변조하여 무선으로 컴퓨터에 송신하고, 컴퓨터에서 보내온 영상이나 음향 또는 음성 신호를 수신하여 복조하는 제 1 무선 송수신 수단;과, 영상신호 또는 음성신호를 각각 신호 처리하여 모니터 화면 또는 오디오 시스템으로 출력하는 영상 또는 음성 출력수단;을 포함하는 인형; 및 상기의 인형에서 송신된 무선 신호를 수신받아 복조하고, 또한, 컴퓨터의 출력 영상이나 음향 또는 음성 신호를 변조하여 무선으로 인형에 송신하는 제 2 무선 송수신 수단;과, 수신된 신호에서 추출한 음성신호를 분석하고, 그 음성신호가 의미하는 내용을 인식하는 제 1 음성 인식수단;과, 실생활 대화에서 전개될 수 있는 다양한 상황의 질문데이터와, 그 질문에 따른 다수의 답변데이터, 및 상기 질문과 다수의 답변 데이터 각각의 내용에 적합한 영상 데이터 또는 음향 데이터를 저장하는 데이터 저장수단;과, 상기의 데이터 저장수단에 저장된 자료들을 사용자들의 질문이나 응답에 대응하여 선택하고, 선택된 영상 또는 음성 자료들을 출력 수단으로 출력하는 것을 제어하는 제어 수단;을 포함하는 컴퓨터로 구성된다.
Patent KR-100369445-B1 (KR)
Title: 리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물의 코팅재및 그의 코팅방법
IPC: H01M4/485
Filed: 2000-04-17
Granted: 2003-01-24
Abstract: 본 발명은 리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물의 코팅재 및 그의 코팅방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 리튬전이금속 산화물을 리튬망간계 산화물 표면에 코팅함으로써 고온전극수명 및 고속방전효율이 향상된 리튬망간계 산화물의 코팅재 및 그 코팅방법에 관한 것이다. 
     본 발명의 리튬이차전지의 양극전극용 리튬망간계 산화물(LiMn 2-X M X O 4 : 0<X<0 .5, M=Al, Fe, Mn, V, Cr, Cu, Ti, W, Ta, Mg, Mo)은 표면에 리튬전이금속 산화물 LioO 2 , LiNiO 2 , LiNi 1-X Co X O 2 , LiNi 1-X-Y Co X M Y O 2 , LiCo 1-X M X O 2 , LiNi 1-X M X O 2 , LiMn 2-X M X O 4 : 0 <X<0.5,  0<Y<0.5, M=Al, Fe, Mn, V, Cr, Cu, Ti, W, Ta, Mg, Mo)이 코팅된 것 로서, 상기 산화물을 활물질로 하여 제조된 리튬이차전지는 지금까지 개발된 리튬망간계 산화물로 제조된 리튬이차전지의 문제점인 고온전극수명 및 고속방전효율 문제를 해결할 수 있으며 종래의 고가인 리튬코발트계 산화물을 대체함으로써 제조 단가를 낮출 수 있다.
Patent KR-100350361-B1 (KR)
IPC: B01D69/00
Filed: 2000-04-26
Granted: 2002-08-28
Abstract: 본 발명은 고분자를 일렉트로스피닝 (electrospinning)하여 압력의 큰 손실 없이 나노미터 크기의 입자를 제거할 수 있도록 제조한 고분자막, 및 이를 열적 탄화시켜 화학적 안정성이 높고 투과 및 흡착력이 우수하도록 제조한 탄소막에 관한 것이다.
Patent KR-100676635-B1 (KR)
IPC: F16J15/3252
Filed: 2000-05-26
Granted: 2007-02-01
Abstract: 본 발명은 압연용 롤 등에 있어서 회전 조건하에서 정확한 시일 관계를 형성하고, 또한 분할된 시일재를 채용하는 것으로 적당한 변환 사용을 가능하게 하며, 적용 용도에 따른 시일 관계를 형성할 수 있는 회전체 시일 기구를 제공한다. 
     복수개의 링형상 탄성재(1)로 이루어지고, 그 탄성재(1)의 가장자리부에 립부(15, 15a, 15b)를 형성한 것을 3단 이상 적층 배치하여, 상기 각 립부(15, 15a, 15b)를 각각 다른쪽의 상대 부재에 접합시킨 상태로 한쪽의 부재에 장착한다. 
       
     링형상 탄성재, 립부, 롤, 상대 부재, 회전체 시일 기구
Patent KR-100327735-B1 (KR)
Title: 고농도 유기성 오폐수의 물리화학적 정화방법
IPC: C02F1/52
Filed: 2000-06-26
Granted: 2002-03-15
Abstract: 본 발명은 축산폐수, 생활하수, 음식물찌꺼기 침출수 등의 고농도 유기성 오폐수를 물리화학적으로 정화하는 방법에 관한 것으로, 그 구성은 
     유기물을 고농도로 함유하는 오폐수를 스크린을 통해 부유물 및 불순물을 거른 다음 걸러낸 오폐수를 고속회전시키면서 산화제를 분사하여 가수분해하고 중화제를 분사하여 가수분해된 오염물을 중화육정시킨 다음 상등액을 분리해내고 그 상등액에 고분자 응집제를 투입하여 플록을 형성하며, 형성된 플록을 고액분리 처리하여 얻어진 상등액을 고속회전조건하에 탈질용 염기제를 혼합하여 난분해성 오염물과 암모니아성 질소를 흡착 및 탈기시켜 처리하고, 그 처리수를 최종흡착필터에서 여과함으로써 색도와 잔류 부유물을 제거하는 고농도 유기성 오폐수를 물리화학적으로 정화하는 방법이 제공된다. 
     본 발명의 방법에 따르면, 각종 오폐수를 고속회전시킴으로써 회전에 의한 물리적인 힘에 의해 입경을 크게 할 수 있으므로 고액분리시 용이할 뿐만 아니라 산화제와 염기제를 분사, 접촉시킴으로써 오폐수내에 콜로이드 상태로 존재하는 오염 물질들이 조직재편성되어 고액분리하기 쉬운 상태로 되고, 용해되어 있는 유기질 및 무기질 물질들은 액상에서 고체로 석출되는 상변환 촉매 작용이 일어나며,  회전시 구심력으로 인하여 상분리를 통한 휘발성 오염물의 탈기가 일어나게 되므로, 각종 수질 오염농도인 생물학적 산소요구량(BOD), 화학적 산소 요구량(COD), 부유물질(SS), 총 질소(T/N) 및 총 인(T/P)등을 단시간에 완전히 저하시킬 수 있다.
Patent KR-100702741-B1 (KR)
IPC: H01L21/00
Filed: 2000-06-29
Granted: 2007-04-03
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 도포, 노출 및 현상 후에 웨이퍼를 검사하는 동안 수집된 정보를 포토리소그래피 공정을 거치게 될 다음 로트에 피드백하고, 검사된 웨이퍼의 다음 공정(즉, 에칭 공정)을 조절하기 위해 정보를 피드 포워드하여, 반도체 웨이퍼 공정에서 로트 대 로트 임계치수 편차를 감소시키는 방법 및 장치에 관한 것이다.  실시예들은 "광전지(photo cell)"에서 포토리소그래피 공정에 의해 반도체 웨이퍼 상의 에칭 마스크와 같은 미세구조물을 형성하는 단계와, 이후 미세구조물의 임계치수 및 다른 민감성 변수를 측정하기 위해 CD-SEM으로 미세구조물을 전형적으로 이미지화하는 단계를 포함한다.  측정된 변수들은 미세구조물의 SEM 파형을 통해 스텝퍼 포커스 및 노출 설정값과 같은 조절가능한 포토리소그래피 변수에 연결된다.  측정된 변수가 설계 치수로부터 이탈된 경우, 포커스 및 노출에 대한 연결된 정보는 다음 로트에서의 편차를 보정하기 위하여 자동적으로 또는 사용자의 선택에 의해 스텝퍼가 조절될 수 있도록 광전지로 피드백된다.  측정된 변수는 또한 상이한 과에칭 및/또는 에칭 화학물에 대한 에칭 처리법과 같은 조절가능한 에칭 공정변수에 연결된다.  측정된 변수가 원하는 값으로부터 이탈될 때, 에러를 보정하기 위해 연결된 에칭 처리법은 에칭기로 피드 포워드되며, 자동적으로 또는 사용자의 선택에 의해 수행된다.  이러한 피드백 및 피드-포워드 메카니즘은 포토레지스트 현상에 후속하는 검사 및 최종 검사에서 로트 대 로트 임계치수 제어를 개선시킨다.
Patent KR-100343640-B1 (KR)
IPC: H05K7/18
Filed: 2000-07-07
Granted: 2002-07-11
Abstract: 본 발명은 각종 통신장비 및 캐비넷 랙에 장착되는 서브랙 구조체(subrack structure)에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 서브랙 구조체의 수평레일들과 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board: 이하 PCB라 함)안내레일 사이의 결합 및 고정장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 종래의 것보다 단순화된 PCB 안내레일과 수평레일 그리고 스트립을 이용하여 서브랙의 구조를 단순화시킴으로써 각 레일의 체결방법을 용이하게 하고 체결의 견고성을 향상시켜 서브랙에서 발생하는 진동과 소음을 예방하는 구조로 형성됨을 특징으로 한다.
Patent KR-100488203-B1 (KR)
Title: 전기부품용 소켓
IPC: H05K7/10
Filed: 2000-07-26
Granted: 2005-05-10
Abstract: 본 발명의 전기부품용 소켓은 소켓본체상에 전기부품을 탑재하는 탑재부가 설치되고, 상기 소켓본체에 전기부품의 단자로 떨어졌다 붙었다 할 수 있는 콘택트핀이 배열 설치되며, 소켓 본체에 대해서 미끄럼플레이트가 소켓본체 윗면과 대략 평행하게 미끄럼이 자유롭게 설치되는 한편 소켓본체에 소켓본체 윗면에 대해서 수직방향으로 이동이 자유롭게 조작부재가 배열 설치되고, 조작부재를 이동시켜서 미끄럼플레이트를 미끄럼시키는 것에 의해 콘택트핀의 탄성편을 탄성변형시키며, 탄성편의 선단부에 설치된 접촉부를 변위시켜서 전기부품 단자의 측면부로부터 멀어지도록 된 것에 있어서, 미끄럼플레이트에 경사면부를 설치하고, 조작부재에 경사면부상을 운동하는 이동용 롤러를 설치하며, 조작부재를 상기 소켓본체 윗면에 대해서 수직방향으로 이동시키는 것에 의해 경사면부상을 이동용 롤러가 운동하여 미끄럼플레이트가 미끄러지도록 구성된다.
Patent KR-100386342-B1 (KR)
Title: 침구를 자외선과 오존으로 살균, 소독하는 방법과 그 장치
IPC: A61G10/00
Filed: 2000-08-08
Granted: 2003-06-02
Abstract: 본 발명은 침대 매트리스, 이불, 요, 베개 등과 같은 침구의 살균, 소독 방법과 그 장치에 관한 것으로 침구를 자외선과 오존으로 살균, 소독하는 방법과 그 장치를 제공하며, 상기 장치를 절첩, 전개식으로 구성하여 외형을 축소시키므로써 운반 및 취급이 용이하도록 하고, 가정에서 누구나 사용이 간편하도록 구성함을 목적으로 한다. 
     본 발명 목적을 달성하기 위하여 실내의 일부 공간, 혹은 침대 매트리스 위에 간단한 전개 방법으로 살균, 소독실을 가설하여 그 내부에 침구를 격리하고, 그 내부에 구비된 자외선 및 오존발생기를 구동시켜 발생된 자외선과 오존으로 침구를 일정시간 샤워(접촉)시켜 살균, 소독하는 방법과 장치이다.
Patent KR-100388023-B1 (KR)
Title: 시각장애인 안내용 전자감지 지팡이
IPC: A61H3/06
Filed: 2000-08-31
Granted: 2003-06-18
Abstract: 본 발명은 시각장애인 안내용 전자감지 지팡이에 관한 것으로, 본 발명은 일측단부인 손잡이부와 타측단부인 종단부를 포함하는 지팡이에 있어서, 타측단부에 형성하여 안내정보를 감지하는 안내정보 감지부; 상기 안내정보 감지부의 감지신호에 따라 감지상황을 구별하여 인식하고, 인식된 감지상황에 해당하는 안내정보의 출력을 제어하는 신호처리 및 제어부; 상기 신호처리 및 제어부의 제어에 따른 안내정보를 출력하는 안내정보 출력장치; 를 구비하며, 이와같이 구성된 본 발명에 의하면, 전자유도블럭이나 근거리 장애물을 감지하여 안내정보를 제공하는 전자감지 처리장치를 지팡이에 설치하여 이 지팡이에 설치된 전자감지 처리장치에 의해 주위상황을 보다 자세하게 안내하도록 하고, 간편한 사용을 위해 이 지팡이의 끝에 바퀴를 설치함으로써, 시각장애인 보행시 주위상황에 대한 자세한 인식이 가능하고 지팡이의 사용이 간편하여 시각장애인의 보행에 편이를 제공할 수 있게 된다.
Patent KR-100349798-B1 (KR)
IPC: D06C7/00
Filed: 2000-09-21
Granted: 2002-08-24
Abstract: 본 발명은 섬유류 등의 제작시 원단을 열처리하는데 사용되는 히팅롤에 관해 제시한다. 가열원을 내장하며 원단과 접촉하는 외통내에 다수의 히트 파이프를 갖는 히팅롤에 있어서, 히트 파이프의 내부에 삽입되어 응축된 작동유체를 증발부로 귀환시키는 다공질의 윅이 판상으로 형성되어 외통의 중심을 향하는 지름 방향으로 배치된다. 윅은 다공질의 몸체와 이의 상·하면에 부착되는 두 커버판으로 이루어지고, 히트 파이프의 바깥쪽 단부에서는 회전방향을 기준으로 후방쪽의 커버판이 파이프에 접합되고 전방쪽의 커버판은 파이프와 일정간격 작동유체 유입구를 형성하며, 히트 파이프의 안쪽 단부에서는 회전방향을 기준으로 전방쪽의 커버판이 파이프에 접합되고 후방쪽의 커버판은 파이프와 이격되어 작동유체 유출구를 형성하는 대략 S자형으로 형성된다. 히트 파이프는 외통의 양쪽 단부에 각각 배치되도록 분리 설치된다. 본 발명은 히팅롤의 회전에 따른 원심력 작용방향과 반대 방향으로 윅에 의한 모세관력이 작용하여 히트 파이프가 외부의 회전중심을 축으로 회전하더라도 작동유체의 순환작용이 원활하게 이루어지게 됨은 물론 그 유동저항도 최소화되어 히팅롤의 표면온도분포를 거의 균일하게 유지시킬 수 있게 된다.