Patent DE-102011006412-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches System und mikromechanisches System
Inventor: REINMUTH JOCHEN
IPC: G01P15/125
Filed: 2011-03-30
Granted: 2019-09-05
Abstract: Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches System mit den Schritten:
 Bilden einer Hohlraumstruktur (HS; HS'; HS") mit Ätzkanälen (H; H'; H) oberhalb eines Substrats (S) zwischen einer ersten und zweiten Opferschicht (O1, O2) mittels einer dazwischenliegenden Strukturierungsschicht (P1; P1'; P1");
 Bilden einer ersten Funktionsschicht (F1; F1') auf der zweiten Opferschicht (O2) und Strukturieren der ersten Funktionsschicht (F1; F1') in mindestens einen ersten Funktionsbereich (MS; B1, B2; B1', B2');
 Bilden von Ätzgräben (EG; EG'), welche durch die erste Funktionsschicht (F1, F1') zur zweiten Opferschicht (O2) in die Nähe der Hohlraumstruktur (HS; HS'; HS") mit den Ätzkanälen (H; H'; H") verlaufen; und
 Opferschichtätzen der ersten und zweiten Opferschicht (O1, O2) durch die Ätzgräben (EG; EG') und Ätzkanäle (H; H'; H") hindurch, wobei der im Bereich der Hohlraumstruktur (HS; HS'; HS") mit den Ätzkanälen (H; H'; H") liegende Teil der ersten und zweiten Opferschicht (O1, O2) entfernt wird und wobei ein in der Umgebung der Hohlraumstruktur (HS; HS'; HS") mit den Ätzkanälen (H; H'; H") liegender Teil der ersten und/oder zweiten Opferschicht (O1, O2) zurückbleibt; wodurch der erste Funktionsbereich (MS; B1, B2; B1', B2') schwebend über dem Substrat (S) gehaltert verbleibt;
 wobei die erste Funktionsschicht (F1; F1') leitfähig ist und wobei das Strukturieren der ersten leitfähigen Funktionsschicht (F1; F1') in einen ersten und zweiten getrennten Bereich (F1a, F1b), welche durch einen dazwischenliegenden ersten Graben (G1; G1') getrennt sind, erfolgt, mit den weiteren Schritten:
 Bilden einer dritten Opferschicht (O3) auf der ersten leitfähigen Funktionsschicht (F1; F1'), wodurch der erste Graben (G1; G1') gefüllt wird, und Strukturieren der dritten Opferschicht (O3) derart, dass der erste und zweite Bereich (F1a, F1b) teilweise freigelegt werden und ein Restbereich (O3') der dritten Opferschicht (O3) oberhalb der Hohlraumstruktur (HS; HS'; HS") verbleibt; 
 Bilden einer zweiten leitfähigen Funktionsschicht (F2) auf dem teilweise freigelegten ersten und zweiten Bereich (F1a, F1b) und dem Restbereich (O3') und Strukturieren der zweiten leitfähigen Funktionsschicht (F2) in einen dritten und vierten getrennten Bereich (F2a, F2b) durch einen dazwischenliegenden zweiten Graben (G2; G2'), wodurch der erste und dritte Bereich (F1a, F2a) als erster leitfähiger Funktionsbereich (B1) und der zweite und vierte Bereich (F1b, F2b) als zweiter leitfähiger Funktionsbereich (B2) verbunden bleiben; und
 Opferschichtätzen des Restbereichs (O3') der dritten Opferschicht (O3) durch die Ätzgräben (EG; EG') und Ätzkanäle (H; H'; H") hindurch, wodurch der erste und zweite leitfähige Funktionsbereich (B1, B2; B1', B2') schwebend über dem Substrat (S) verbleiben und ein Endrestbereich (O3") der dritten Opferschicht (O3) eine mechanische Verbindung und eine galvanische Trennung zwischen dem ersten und zweiten leitfähigen Funktionsbereich (B1, B2; B1', B2') bildet.