baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100288513-B1 (KR)
Title: 친수형 방파제 시스템
IPC: E02B3/06
Filed: 1998-10-28
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 작은 어항이나 마리나를 효과적으로 보호하면서 해수교환을 허용함으로서 점증하는 항내/마리나의 보호지역내에 오염농도문제와 해저면 토사의 이동을 허용함으로서 항로유지관리를 위한 주기적인 준설문제를, 그리고 어류의 이동통로를 제공함으로서 생태계 파괴의 문제를 동시에 피해나갈 수 있는 환경친화력이 탁월한 방파제 시스템이다. 
     또한 본 발명은 해상에서 진행중인 건설 및 보수작업 주변해역을 파랑으로부터 보호하거나 부유하는 오탁물질의 확산을 효과적으로 제어하는데 사용될 수도 있다. 
     본 발명의 구성은 잠재형 및 수면 돌출형 부유식 부표/수직유연막 방파제가 횡방향으로 일정한 간격을 가지고 나란히 설치되어 있으며, 잠재형 및 수면 돌출형 부표/수직유연막 방파제 시스템의 하단부와 해저면에 일정한 공간을 두어 유체 및 토사가 이동할 수 있다. 하부 기초로부터 유연막의 하단부를 힌지시키는 골조 프레임과 부표/유연막의 정적 부력 및 동적 거동에 따른 인장력에 충분히 저항하는 지지력을 확보하기 위하여 경사지게 교차하여 타설된 파일로 구성된다.
Patent KR-100273449-B1 (KR)
Inventor: CHOI KEE-CHUL
IPC: F04B17/04
Filed: 1998-11-11
Granted: 2000-12-15
Abstract: 본 발명은 리니어 압축기의 토출커버 방열구조에 관한 것으로, 종래에는 피스톤의 압축행정시 고온의 압축가스가 토출커버의 토출공간부로 유입되어 그 토출커버를 가열시키게 되고, 이 가열된 토출커버가 다시 실린더를 가열시켜 그 실린더의 흡입 및 압축공간으로 유입되는 냉매가스의 비체적을 증가시키면서 실질적인 냉매가스의 흡입량을 감소시키게 되며, 이렇게 냉매가스의 흡입량이 감소됨에 따라 전체적인 압축기 효율을 저하시키게 되는 문제점이 있었던 바, 본 발명에서는 압축가스에 의해 토출커버로 전달된 열을 용이하게 방출시키기 위하여 상기한 토출공간부의 외표면에 다수개의 방열핀을 형성하거나 또는 내주면을 요철지게 형성한 방열면적부를 구비하여 토출커버에 의해 실린더가 가열되는 것을 방지함으로써, 상기 실린더의 흡입 및 압축공간으로 유입되는 흡입가스가 압축전에 미리 가열되지 않도록 하여 실제 흡입되는 냉매가스의 양을 증가시켜 압축기 효율을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100362658-B1 (KR)
Title: 노상이 안정화되는 전기로 조업방법
IPC: C21C5/52
Filed: 1998-11-16
Granted: 2003-01-24
Abstract: 본 발명은 전기로 조업에 관한 것이며, 그 목적은 기존의 조업패턴을 변경하므로써 전기로의 내용적을 감소시키는 노상(hearth) 융기를 억제하여 노상을 안정화함에 있다. 
     본 발명은 전기로에 있어 도3과 같이, 우선 고철, 스크랩을 1차 장입한 다음, 전력을 다단계로 승온하여 장입물을 1차 용해한 후, 다시 2차 장입전에 용융물중 65~75%를 먼저 출탕한 직후 전력을 인가하여 전기로의 노내에 잔존된 잔탕량을 가열한 다음, 고철, 스크랩을 2차 장입하고, 전력을 다단계로 승온하여 2차 용해하고, 용해된 용융물을 출탕하므로써 노상에 발생된 융기를 제거하여 노상을 안정화시키는 전기로 조업방법에 관한 것을 그 기술적 요지로 한다.
Patent KR-100282754-B1 (KR)
Title: 반도체 장치 및 그 제조 방법
IPC: H01L27/06
Filed: 1998-11-16
Granted: 2001-02-15
Abstract: 본 발명은 긴 수명, 높은 동작 속도 및 제조 공정의 용이화를 동시에 실현하기 위한 것이다. 
     반도체 기판(1)에, 높은 게이트 전압이 인가되는 고전압 소자 H와 낮은 게이트 전압이 인가되는 저전압 소자 L이 만들어져 있다.  게이트 절연막(7, 17)에는 열산화에 의해 버즈 비크(Bird's Beak)(8, 18)가 형성되어 있다.  고전압 소자 H의 게이트 전극(9)은 저전압 소자 L의 게이트 전극(19)보다도 게이트 길이가 짧게 설정되기 때문에, 게이트 절연막 안에서 버즈 비크가 차지하는 비율은 저전압 소자 L에서는 작고, 고전압 소자 H에서는 높다.  이 때문에, 고전압 소자 H에서는 내압이 높고 경시(經時) 열화가 억제되어 오랜 수명이 실현된다.  또한, 저전압 소자 L에서는 높은 전류 구동 능력이 얻어져 동작의 고속화가 실현된다.
Patent KR-100287290-B1 (KR)
Title: 리튬으로 치환되고 술폰화된 스티렌 올리고머 및 그를 포함하는고분자 전해질
IPC: H01M10/0565
Filed: 1998-11-23
Granted: 2001-10-20
Abstract: 본 발명은 새로운 형태의 염으로서의 리튬으로 치환되고 술폰화된 스티렌 올리고머(lithium sulfonated styrene oligomer) 및 그를 포함하는 고분자 전해질에 관한 것이다.  좀 더 구체적으로, 본 발명은 분자량 200 내지 10,000의 스티렌 올리고머에 술폰산 작용기를 도입하고 그 술폰산의 수소 양이온을 리튬으로 치환시켜, 양이온만이 이온전도에 참여하는 단이온 특성을 갖는 새로운 형태의 리튬염 및 전기 리튬염, 고분자와 가소제를 포함하는 고분자 전해질에 관한 것이다.  이러한 본 발명의 고분자 전해질은 종래의 무기리튬염을 포함한 고분자 전해질과 유사한 10 -5 내지 10 -3 S/cm 정도의 이온 전도도(상온)를 나타내고, 무기리튬염을 사용할 경우 발생되는 직류전장하에서의 분극화 현상을 억제하며, 무기리튬염을 사용한 경우에 비하여 월등히 향상된 전기화학적 안정성을 나타낸다.
Patent KR-100310747-B1 (KR)
Title: 배기가스 처리용 스크러버
IPC: B01D53/75
Filed: 1998-11-28
Granted: 2002-01-15
Abstract: 개시된 배기가스 처리용 스크러버는, 배기가스 유입관 및 유출관을 가지는 연소챔버; 상기 연소챔버에 고온의 열원을 제공하여 이를 통과하는 배기가스 중에 함유된 유독가스 성분이 연소되도록 하는 가열수단으로써의 RF 코일; 상기 가열수단에 의한 연소챔버의 온도 분포를 균일하게 하여 연소챔버의 온도를 높게 유지시키는 등온분포 촉진수단; 상기 연소챔버의 유출관으로 배출되는 배기가스 중의 파우더 성분을 제거하는 수단; 및 상기 파우더 제거수단으로부터 배출되는 배기가스를 대기 중으로 방출하는 수단을 포함한다. 상기 등온분포 촉진수단은 상기 연소챔버를 통과하는 배기가스와의 열전도 면적을 증대시키기 위하여 상기 연소챔버의 내주면에 그 중심을 향하여 돌설된 다수의 리브; 및 상기 연소챔버의 내부 중앙부에 현가, 설치되며, 외주면에는 연소챔버를 통과하는 배기가스와의 열전도 면적을 증대시키기 위한 다수의 제 2 리브가 상기 제 1 리브들의 사이에 위치하도록 구비된 센터 조립체를 포함하여 구성된다. 이에 의하면, RF 코일에 의한 RF 유도 가열 방식을 채용함과 아울러 연소챔버내의 온도 분포가 균일하게 유지되기 때문에, 유독가스 성분을 완전 연소시킬 수 있고, 이에 따라 가스의 처리 효율을 극대화시킬 수 있다.
Patent KR-100538277-B1 (KR)
IPC: C21B7/00
Filed: 1998-11-30
Granted: 2006-06-21
Abstract: 로 정상부 예열 장치의 배기 가스 덕트로 금속 스크랩이 흡입되는 것을 방지하며, 또한 금속 스크랩의 일부가 흡입되어도 이러한 금속 스크랩을 배기 가스 처리장치의 최상류측에서 포착하여, 금속 스크랩이 하류측의 배기 가스 덕트 내에 퇴적하거나 혹은 탈취탑이나 쿨러 더욱이는 집진 장치로 들어가는 경우가 없도록 하며, 따라서 배기 가스의 원활한 흐름을 유지할 수 있고, 또한 탈취탑이나 쿨러 더욱이는 집진 장치의 기능을 유지할 수 있는 로 정상부 예열 설비를 제공한다. 
     용해로의 로 정상부에 장비된 예열 장치와, 상기 예열 장치에 접속된 배기가스 처리 장치를 구비하는 로 정상부 예열 설비에 있어서, 로 정상부에 장비된 샤프트 내에 1개 또는 상하 방향으로 2개 이상의 예열실을 형성하며, 각 예열실을 형성하는 각 샤프트 벽 상부 및 최하단의 예열실보다도 하부의 샤프트 벽에 각각 댐퍼를 갖는 배기 가스 덕트를 접속하였다.
Patent KR-100299938-B1 (KR)
IPC: G01R27/26
Filed: 1998-12-09
Granted: 2001-09-06
Abstract: 본 발명은 커패시터에 DC 전압을 단속적으로 인가하는 충전방법으로서, 앞서 인가된 전압 E 1 이 뒤이어 인가된 전압 E 2 보다 크게 되도록 커패시터에 DC 전압을 단속적으로 인가할 때에, 전압이 인가되지 않는 시간 동안에 충전이 급속히 진행되며, 동일한 전압을 연속적으로 인가하는 충전방법에서보다도 고속 충전된다.
Patent KR-100363419-B1 (KR)
Title: 크롬과 바나듐 첨가강의 스트립 캐스팅에 의한 박강판의제조방법
IPC: B21B1/22
Filed: 1998-12-24
Granted: 2003-02-19
Abstract: 본 발명은 스트립캐스터의 바로 밑에 수직형 분위기로를 배치시켜 스트립과 대기와의 접촉을 근본적으로 차단함으로써, 고온의 강판표면에서 스케일이 형성되지 않게 하는 스트립 캐스팅에 의한 박강판의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 스트립의 강성분 및 압연온도를 제어하여 압연한 후, 통상의 재결정 소둔을 실시함으로써, 양호한 심가공성을 확보할 수 있는 스트립 캐스팅에 의한 박강판의 제조방법을 제공하고자 한다. 
     본 발명의 스트립 캐스팅에 의한 박강판의 제조방법은 중량 비율(%)로, 4.33×탄소(C)중량%+3.71×질소(N)중량% 이상의 크롬(Cr), 또는 4.25×탄소(C)중량%+3.64×질소(N)중량% 이상의 바나듐(V)이 첨가된 스트립(3)을 스트립캐스터(1 ; strip caster)에서 인출하는 제1단계와, 상기 제1단계에서 인출된 스트립(3)을 다수개의 가스분사장치(4, 12, 13, 14)에서 분사되는 환원성 가스를 채운 분위기로(10)의 내부에 통과시켜서, 상기 분위기로(10)의 외부로 인출될 때의 스트립 온도를 570℃ 이하로 유지하는 제2단계와, 상기 제2단계에서 인출된 스트립(3)을 200℃ ∼ 550℃의 온도에서 온간압연하는 제3단계와, 상기 제3단계의 스트립(3)을 재결정 소둔을 실시하여 심가공성을 확보하는 제4단계를 포함한다.
Patent KR-100276647-B1 (KR)
Title: 웨이퍼 표면상의 극미량 금속불순물을 검출하기 위한 전반사조건 획득방법
IPC: H01L21/66
Filed: 1998-12-24
Granted: 2001-01-15
Abstract: 본 발명은 초고집적 IC 소자 및 기타 여러 반도체소자의 재료로 그 사용이 지속적으로 증대되고 있는 실리콘 웨이퍼 표면상의 금속불순물을 검출하기 위한 전반사조건을 획득하는 방법에 관한 것으로서, 방사광가속기에 설치된 빔라인에서 나오는 방사광을 단색화 과정 및 방사광을 적절한 크기로 조정하는 슬릿을 거치도록 하여 진공챔버 내에 설치한 실리콘 웨이퍼의 표면에 조사하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 조사되는 방사광의 입사각을 조정하면서 방사광과 실리콘 웨이퍼 표면에서 반사되는 반사광을 CCD카메라로 포착하여 비교하는 단계 및; 상기 방사광과 반사광의 크기가 비슷하게 되는 시점을 선택하여 그때 실리콘 피크와 철피크에 대한 소멸시간과 검출강도의 비로서 전반사조건을 구하는 단계로 이루어져 방사광이 고 강도인 경우에도 간단한 방법으로 광의 전반사 조건을 용이하게 구할 수 있으므로 실리콘 웨이퍼 표면상의 극미량 금속불순물 검출에 효과적으로 적용할 수 있는 장점이 있는 것이다.
Patent KR-100296055-B1 (KR)
IPC: E04H6/18
Filed: 1998-12-30
Granted: 2001-08-07
Abstract: 본 발명은 평면왕복식 입체주차장치의 운반대차에 관한 것으로, 일정 간격으로 설치된 주행레일(50)의 좌우측에 복수의 격납고(20)가 구성되고 일측 격납고 (20)상에 리프트장치(30)가 설치되며, 차량이 올려진 파레트(60)를 탑재하여 상기 주행레일(50)상에 주행되면서 격납고(20)상에 축출 또는 격납시키도록, 대략 직사각형 형상을 갖는 본체프레임(110)상에 상기 주행레일(50)상에 구름이동되는 주행휠(120)이 설치되고 이 주행휠(120)이 정해진 방향으로 구동되도록 정역구동력을 생성 인가시키는 주행모터(132)를 포함하는 운반대차주행장치(130)가 설치되며, 상기 본체프레임(110)의 상하단에는 횡방향으로 파레트(60)가 구름이동되는 횡행레일 (140)이 설치되고, 상기 횡행레일(140)의 사이에는 한 쌍의 슬라이더 레일(150)이 횡설되며, 상기 횡행레일(140) 및 슬라이더 레일(150)의 사이에는 종방향으로 다수 개의 보강부재(112)가 설치된 운반대차본체(100)와,  상기 운반대차본체(100)의 슬라이더 레일(150)상에 구름이동되는 슬라이더 주행로울러(220)가 외측에 설치된 횡부재(214)가 일정 간격으로 평행하게 횡설되어 형성된 슬라이더 프레임(210)과, 상기 슬라이더 프레임(210)의 횡부재(214)상에 일정한 간격으로 설치되어 상기 슬라이더 프레임(210)이 횡방향으로 정역이동되도록 구동력을 인가시키는 슬라이더구동장치(230)가 구성되는 슬라이더장치(200)가 구비된 운반대차에 있어서, 상기 슬러이더장치(200)는 슬라이더 프레임(210)의 횡부재(214) 사이에 일정한 간격으로 설치되는 다수 개의 횡행로울러(240)와, 상기 횡행로울러(240)를 정역구동시키는 횡행로울러구동장치(250)가 구성되고, 상기 슬라이더구동장치(230)는 본체프레임 (110)에 장착 고정되는 슬라이더구동모터(232)와, 상기 슬라이더구동모터(232)의 모터축에 설치되는 구동체인기어(234)와, 상기 구동체인기어(234)의 좌우측으로 동축을 이루도록 본체프레임(110)상에 설치되는 한 쌍의 아이들체인기어(236)와, 상기 구동체인기어(234) 및 아이들체인기어(236)에 권취되어 그 양단이 상기 슬라이더 프레임(210)에 고정되는 구동체인(237)과, 상기 구동체인(237)에 일정한 장력이 걸리도록 아이들체인기어(236) 사이에 동축을 이루도록 본체프레임(110)상에 설치되는 텐션롤러(238)와, 상기 구동체인(237)의 양단이 고정되도록 상기 슬라이더 프레임(110)에 설치되고 평면에서 보아 대략 " ㅛ " 자 형상으로 형성된 체인고정브라켓(239)이 포함되어 구성된 것이다.
Patent KR-100553399-B1 (KR)
Title: 콤포지트 라미네이트
IPC: B32B17/04
Filed: 1998-12-31
Granted: 2006-06-07
Abstract: 본 발명은 탄소섬유, 유리섬유 및 보론섬유를 포함하는 군에서 선택되는 1종 이상의 섬유로 이루어진 토우(2b)가 일방향으로 배열된 보강섬유시트가 열경화성 수지(2a)로 함침된 프리프레그(2)들 사이에 다수개의 두께방향 구멍(3a)이 천공된 열가소성 필름(3)이 삽입되어 적층된 콤포지트 라미네이트에 관한 것으로서, 본 콤포지트 라미네이트는 균열 내재시 파괴인성이 향상 되어 콤포지트 라미네이트의 취성 파괴거동을 방지할 수 있어 높은 비강도 및 비탄성도 특성 및 우수한 파괴인성을 동시에 요구하는 용도, 예를 들어 볼트, 리벳 등의 기계적 결합이 요구되는 스포츠-레져 용품, 산업기계 부품 및 항공기 부품 등에 매우 효과적으로 적용할 수 있다.
Patent KR-100316221-B1 (KR)
IPC: H01L21/76
Filed: 1996-09-23
Granted: 2002-03-13
Abstract: 트렌치 격리영역을 형성하는 방법.   본발명의 방법은 반도체 기판에 개구를 형성하는 단계, 그 개구를 첫 번째로 산화하는 단계, 그 다음 그 산화된 개구를 HF로 구성된 습식 에칭제로 에칭하는 단계로 구성되어 있다.  그 다음, 그 창은 두 번째로 산화된다.
Patent KR-100288949-B1 (KR)
Inventor: RYU JAE SHIK
IPC: H01L21/306
Filed: 1999-03-08
Granted: 2001-04-16
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric module chamber of a thermal control system is provided to reduce a thermal loss by forming an inside as a vacuum state. CONSTITUTION: The first cooling water line(110) is used for receiving the first cooling water(111). A thermoelectric module unit(130) is adhered to both sides of the first cooling water line(110) in order to cool the first cooling water(111). The second cooling water line(120) is adhered to the other side of the thermoelectric module unit(130). The second cooling water line(120) is used for receiving the second cooling water(121). The heat of the first cooling water(111) is transmitted to the second cooling water(121). The first and the second cooling water inflow/outflow holes(140,150,160,170) are used for connecting the first and the second cooling water lines(110,120) to the outside. A housing(100) is used for form an inside with a vacuum state.
Patent KR-100613930-B1 (KR)
IPC: H02P9/04
Filed: 1999-04-03
Granted: 2006-08-18
Abstract: 복합 사이클 발전 장치는 다수 성분의 유체 혼합물를 터빈중에서 팽창시킴으로써 발전기 또는 다른 부하를 구동하기 위한 고압, 중압 및 저압 터빈을 포함한다.  가스 터빈은 발전기 또는 다른 부하에 구동 연결된다.  중압 터빈으로부터 배출되어 팽창된 다수 성분의 혼합물은 연료와 열교환하면서 가스 터빈의 연소기 입구로 흘러들어 가며, 따라서 가스 터빈 연료는 예열되어 가스 터빈의 연료 소비량을 감소시키고 복합 사이클 효율을 향상시킨다.
Patent KR-100525578-B1 (KR)
Title: 방수식 압착 파스너 부품
IPC: A44B19/24
Filed: 1999-04-19
Granted: 2005-11-04
Abstract: 아일릿 몸체(2,4)를 포함하는 아일릿 부품(1,3) 또는 볼 몸체(6)를 포함하는 볼 부품(5)과, 양호하게는 클라이미트막의 형태로 리벳팅에 의한 방수 방법으로 평면재(9)에 고착되는 캡 리벳(7)으로 구성되는 방수식 압착 파스너 부품. 주형 부품으로 만들어진 탄성 변형가능한 밀봉요소(11,12)는 평면재(9)와 접촉한다. 상기 밀봉요소(11,12)는 캡 리벳(7)의 리벳자루(8)에 의해 관통되고, 리벳자루의 변형에 의한 조립상태에서 이 변형과 유사하게 형성되며 압착 파스너 부품의 축방향 구멍(10)을 둘러싸는 압착면을 가진다. 이 압착면(13)은 아일릿 부품 또는 볼 부품의 대응면(14)과 함께 평면 물질(9)의 결합영역을 만든다.   
     상기 밀봉요소(11,12)가 방사상 외부로 뻗어있는 환형 디스크형 부분(16)을 동반한 슬리브형 부분(15)을 포함하고, 상기 밀봉요소(11,12)의 슬리브형 부분(15)은 자유에지(20) 영역에 원주형으로 연장한 언더컷(22)을 형성하는 방사상 외부로 향한 보강부를 구비하고, 상기 언더컷은 결합을 용이하게 하는 원주형으로 연장한 베벨(21)을 구비하며, 이 베벨은 자유에지에서 시작되어 환형 디스크형 부분(16)과 마주보고, 평면재가 특히 두꺼울 경우에도 평면재를 상당히 안전하게 보유하는 결과를 가져올 수 있다.  
     또한, 상기 밀봉요소(11,12)는 사전조립을 위해 밀봉요소가 아일릿 몸체(2,4)의 환형 구멍(10)이나 볼 몸체(6)의 환형 구멍(10) 각각을 밀봉요소의 슬리브형 부분으로 관통하는 방식으로 아일릿 부품(1,3)의 아일릿 몸체(2,4)나 볼 부품(5)의 볼 몸체(6)의 위에 장착되며, 또한 상기 밀봉요소는 슬리브형 부분(15)에 의해 인도되는 캡 리벳(7)의 리벳자루(8)에 의해 이어서 리벳팅될 때 환형 디스크형 부분(16)에 의해 아일릿 부품 또는 볼 부품과 캡리벳 사이에  위치하는 평면재(9)와 접촉하며 이 평면재와 함께 압착될 수 있다(도11).
Patent KR-100322260-B1 (KR)
Title: 흡수식 냉, 온수기
IPC: F25B15/00
Filed: 1999-05-14
Granted: 2002-02-07
Abstract: 본 발명은 흡수식 냉, 온수기에 관한 것으로서, 특히 흡수식 냉, 온수기에 있어서, 고온 열교환기(2)의 출력측과 저온 재생기(10)의 입력측을 연결하는 파이프(40)에 접속된 제 1파이프(44)와; 저온 재생기(10)의 토출측과 저온 열교환기(9)의 입력측을 연결하는 파이프(42)에 접속된 제 2파이프(46)와; 제 1,2파이프(44,46)의 중간에 고온 열교환기(2)내의 용액 높이에 따라 ON/OFF 되어 용액의 유량을 일정하게 유지하는 제어수단(48)이 설치된 것을 특징으로 한다. 
     따라서, 냉, 온수기의 가동중 고온 재생기내의 액면이 상승하게 될 경우 용액의 일부를 저온 열교환기내로 바이패스 되도록 하여 안정된 운전이 되도록 한 것이다.
Patent KR-100340658-B1 (KR)
Title: 지연형 위상 동기 회로
IPC: H03L7/095
Filed: 1999-06-29
Granted: 2002-06-15
Abstract: 본 발명은 기준 신호의 듀티의 제약을 없애는 것으로 응용 상의 제약을 없앨 수 있고, 에러 록 상태를 확실하게 검출하여 에러 록으로부터 빠져나와 정상적인 동작으로 이행시킬 수 있는 것을 주요 특징으로 한다. 
     DLL 회로(10)는 전압 제어 지연 회로(11)를 구비하고, 에러 록 검출 회로(14)는 회로(11) 내의 복수의 지연단중 특정한 지연단보다도 전단측의 복수의 지연단중 각각 서로 인접하는 각 2개의 지연단의 지연 신호 간의 지연 시간에 대응한 펄스 폭을 갖는 복수의 펄스 신호와, 특정한 지연단을 포함하며 특정한 지연단보다도 후단측의 복수의 지연단중 각각 서로 인접하는 각 2개의 지연단의 지연 신호 간의 지연 시간에 대응한 펄스 폭을 갖는 1개의 펄스 신호를 가산하여 펄스 신호를 발생하고, 그 펄스 신호와 기준 신호의 단위 시간 당 펄스 수를 비교함으로써, DLL 회로(10)가 정상으로 동작하는지를 검출한다.
Patent KR-100331779-B1 (KR)
Inventor: MOON IN HO
IPC: H01L21/66
Filed: 1999-07-02
Granted: 2002-04-09
Abstract: PURPOSE: A method for controlling driving of semiconductor cleaning equipment is provided to obtain information necessary for repairing the cleaning equipment and extending the capacity of the cleaning equipment by easily monitoring and controlling various data according to the operation of the cleaning equipment. CONSTITUTION: Various parameters are initiated and a system control unit is connected to a database. After the data of the database is read, the system control unit is connected to a programmable logic controller(PLC) to which a plurality of sensors for sensing the operation state of the cleaning equipment are connected. The data of the PLC is read to check at least one of an alarm state, temperature, density, resistivity, an equipment state, end data, a start state of a lot, a parameter data input, an alarm code input and a lot data setup as compared with the data of the database.
Patent KR-100330474-B1 (KR)
Title: 웨이퍼의 다칩 검사용 프로브 카드
IPC: G01R1/067
Filed: 1999-07-21
Granted: 2002-04-01
Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 형성된 다수개의 반도체메모리 칩을 동시에 검사할 수 있도록 한 웨이퍼의 다칩 검사용 프로브 카드에 관한 것이다. 본 프로브 카드는 접촉첨부와 완충부와 탐침본체와 고정핀을 순차적으로 형성된 박판탐침과; 하방을 향하는 다수 개의 상기 박판탐침을 상기 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체메모리 중 어느 하나에 대응하도록 한 복수 개의 탐침그룹이 메트릭스 형상으로 배열되어 있는 탐침플레이터와; 상기 탐침플레이터의 상측에 형성되어 외부로부터 상기 반도체 메모리를 향하여 테스터신호를 공급하는 원반형 PCB기판과; 상기 PCB기판 상부의 일 측에 형성되어 외부로부터 가해지는 압력을 균일하게 분산시키는 보강판과; 상기 보강판과 일체형으로 결합되어 있으며, 상기 PCB기판 하부와 상기 탐침플레이터의 연부에 형성되어 있는 커버와; 상기 PCB기판과 상기 탐침플레이터 사이에 위치하며, 상기 탐침플레이터를 향하여 상기 테스터신호를 인가하는 와이어와, 이들간에 소정의 이격 간격을 유지하는 스페이스를 포함한다. 이에 따라, 웨이퍼에 형성된 거의 전체의 반도체메모리를 동시에 테스트하기 때문에 테스터에 따른 공정시간이 거의 요구되지 않아 생산성을 극대화시킬 수 있다.
Patent KR-100346827-B1 (KR)
Title: 코드분할다중접속 통신 시스템용 고속 병렬 코드 검색기
IPC: H04B1/709
Filed: 1999-07-30
Granted: 2002-08-01
Abstract: 본 발명은 CDMA 이동통신 시스템용 고속 병렬 코드 검색기에 관한 것이다. 본 발명은 입력 위상 데이터를 데시메이션하는 신호변환부(100)와, 위상의 에러를 분리하여 역확산 및 적분을 병렬로 처리하는 병렬 상관부(200)와, 연속되는 코드검색구간에서도 계산시간의 손실없이 국부 확산코드를 생성하는 국부확산코드생성부(700)와, 구해진 적분값을 차례로 불러 하나의 제곱기로 제곱을 하고 더하여 에너지값을 계산하는 에너지 값 계산부(300)와, 이 에너지값중 국부 최대 에너지값을 검출하는 국부 최대 에너지값 검출부(400)와, 새로운 국부 최대 에너지값을 저장하는 최대 에너지값 저장부(500), 마이크로프로세서(800), 제어값 저장부(600)로 구성되어 있다. 이와 같이 구성되어, 본 발명에서는 동시에 여러개의 코드위치에서 에너지 계산을 하므로서 그 계산속도를 높일 수 있고, 또 기준값을 설정하지 않고 검색구간에서 최대값을 검출하여 이를 저장하여 검색구간에서 검색이 완료되며 저장된 값을 마이크로프로세서가 저장된 최대 에너지값을 읽은 후 다음 검색구간을 새로 받을 때까지 기다린다. 이렇게 하여 검색구간에서 검색이 끝나면 이 값을 읽어 검출여부를 마이크로프로세서가 판단한다. 결국, 본 발명은 병렬코드 검색을 수행하면서 하드웨어의 규모를 줄일 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100371124-B1 (KR)
Title: 스마트 카드에 데이터 객체를 저장하는 방법 및 그 애플리케이션 인터페이스
IPC: G06F21/62
Filed: 1999-08-11
Granted: 2003-02-05
Abstract: 본 발명은 스마트 카드(smart card)(100)의 메모리(200) 내에 데이터 객체(210, 220, 230, 240)를 저장하는 방법(procedure)에 관한 것이다.  이를 위해, 몇몇 애플리케이션 특정 메모리 영역(110, 120)으로 분할되는 스마트 카드의 메모리 내에 등록되고 자유롭게 선택될 수 있는 보안 특성 및 액세스 권한을 사용하여 범용 및 애플리케이션 특정 데이터 객체를 정의함으로써, 데이터 객체가 할당되는 애플리케이션 프로그램(310, 320, 330)이나 스마트 카드 사용자(400)에 관계없이 동일한 액세스 조건을 갖는 데이터 객체는 동일한 메모리 영역에 위치하게 된다.  모든 애플리케이션 프로그램 및 스마트 카드 사용자는 대응하는 액세스 조건에 관계없이 데이터 객체를 액세싱(accessing)할 수 있다.  이렇게 함으로써 애플리케이션이나 보조 애플리케이션을 부가하기 위해 스마트 카드 화일 구조를 추후 확장해야할 경우 스마트 카드를 재발행해야 하는 것이 꼭 필요하지 않게 된다.  스마트 카드 사용자가 어떠한 애플리케이션으로도 데이터를 자신의 스마트 카드에 저장할 수 있도록 한다.
Patent KR-100348813-B1 (KR)
Title: 염소제거장치가 부착된 세면기
IPC: E03C1/042
Filed: 1999-08-11
Granted: 2002-08-14
Abstract: 본 발명에 의한 염소제거장치가 부착된 세면기는 세면실의 일측 벽면에 설치되어 수돗물을 공급하는 급수배관과, 상기 급수배관의 일측에 설치되어 유입된 수돗물을 전달하는 연결호스와, 상기 급수배관과 연결호스의 사이에 설치되어 수돗물로부터 염소를 제거하는 염소제거수단과, 상기 연결호스의 상단부에 설치되는 수도꼭지와, 상기 수도꼭지의 둘레에 설치되는 세면대 본체로 구성되어, 수돗물의 염소소독으로 인해 생성되는 암 유발물질을 제거하고, 염소처리에 의한 피부 탈색 현상등을 미연에 방지할 수 있도록 하였다.
Patent KR-100331576-B1 (KR)
Title: Ｄｓｒｃ 차량탑재기
IPC: H04B7/26
Filed: 1999-08-13
Granted: 2002-04-06
Abstract: 종래의 DSRC 차량탑재기는 표시부나 조작스위치가 차량탑재기 본체에 일체적으로 부착되어있고, DSRC 차량탑재기 자체가 크기 때문에, 설치장소가 상당히 한정되어 있었다. 
     이때문에, 설치장소를 선택할 때의 자유도가 대단히 낮았었다. 
     그래서, 안테나부와 안테나부를 통해서 노상기기로부터 전송되는 정보 및 노상기기에 송신하기 위한 정보를 처리하는 디지털회로부와, 디지털회로를 내장하는 차량탑재기 본체와, 차량탑재기 본체로부터 분리되어, 이용자의 조작내용을 상기 디지털회로부에 입력하기 위한 조작스위치부와, 차량탑재기 본체로부터 분리되어 디지털회로부로 부터의 송신내용을 표시하는 표시부와, 디지털회로부에서 송신되는 음성신호에 따라 구동되는 음성발생장치를 구비토록 한다.
Patent KR-100335463-B1 (KR)
Title: 플라즈마 표시소자용 미세배선 보호층 제조방법
IPC: H01J11/22
Filed: 1999-08-31
Granted: 2002-05-04
Abstract: 본 발명은 플라즈마 표시소자용 미세배선 보호층 제조방법에 관한 것이다. 
     본 발명의 플라즈마 표시소자용 미세배선 보호층 제조방법은 기판 상에 적층된 전극시드층과 전기도금법을 이용한 도금층으로 이루어진 미세배선 상에 보호층을 형성하는 방법에 있어서, 미세배선 상에 무전해도금을 위한 촉매층을 형성하는 단계와; 촉매층이 형성된 미세배선 상에 무전해도금법을 이용하여 니켈 및 니켈 합금 중 어느 하나로 이루어진 보호층을 형성하는 단계를 포함한다. 
     이에 따라, 본 발명의 미세배선 보호층 제조방법은 미세배선의 형성이 가능하게 하므로 광효율을 향상되게 된다.
Patent KR-100376166-B1 (KR)
Title: 광 증폭기 제조를 위한 화염가수분해 장치
IPC: G02B6/10
Filed: 1999-09-06
Granted: 2003-03-15
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 광증폭기 등 광부품 제작을 위한 화염 가수분해 장치로써, 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하는데,  광신호 증폭을 위하여 어븀(Erbium : Er) 및 이트븀(Ytterbium : Yb) 등을 첨가하여 유리막을 제조하는 화염가수분해 장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 반응원료로 사용되는 액체 반응가스 및 화염 제조를 위한 기체 반응가스를 이송가스를 이용하여 기체 상태로 제공하는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 희토류 원소가 함유된 고체원료를 가열하여 증발시키는 항온조와, 상기 가스 공급부로부터 이송가스를 공급받으며 용해된 희토류 원소를 에어로졸 상태로 제공하는 에어로졸 발생부와, 상기 가스 공급부, 항온조 및 에어로졸 발생부와 각각의 밸브를 통해 연결된 반응실을 포함하여 이루어지며, 상기 가스 공급부로부터 제공되는 상기 액체 반응가스 및 기체 반응가스의 화염가수분해 반응에 의해 상기 반응실에 위치된 기판 상에 산화물 미립자가 증착되고, 상기 항온조 또는 에어로졸 발생부로부터 제공되는 기체 상태의 희토류 원소가 상기 산화물 미립자에 첨가되도록 구성된다.
Patent KR-100411277-B1 (KR)
Title: 쌍롤식 박판제조공정에서 균열이 없는 주편의 제조방법
IPC: B21B1/40
Filed: 1999-09-15
Granted: 2003-12-18
Abstract: 본 발명은 쌍롤식 박판제조공정에서 균열이 없는 주편을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 쌍롤식 박판제조공정에서 용강과 접하는 롤 표면에 적정한 거칠기를 부여하여 주편 응고의 균일화를 꾀함으로써 균열이 없는 주편을 제조하고자 하는데, 그 목적이 있다. 
     본 발명은 쌍롤의 사이로 노즐을 통해 용강을 공급하여 박판을 제조하는 쌍롤식 박판제조방법에 있어서, 
     직경 0.2∼1.0mm 및 깊이 20∼100㎛ 인 딤플을 딤플간의 최대거리가 0.1mm 이하가 되도록 상기 롤 표면에 다수개 형성하는 쌍롤식 박판제조공정에서 균열이 없는 주편제조방법을 그 요지로 한다.
Patent KR-100336770-B1 (KR)
Title: 커패시터 형성방법
IPC: H01L27/10
Filed: 1999-11-08
Granted: 2002-05-16
Abstract: 본 발명은 커패시터 형성방법에 관한 것으로, 종래 커패시터 형성방법은 각 커패시터 하부전극을 분리하기 위해서 절연막을 증착한 후 에치백하여 폴리실리콘의 상부가 드러나도록 해야하므로 공정상 난이도가 높고, 이 절연막과 하부전극을 둘러싸는 산화막의 식각비가 다를경우 절연막을 습식각등으로 제거한 후에 산화막을 제거해야 하므로 공정이 많고 복잡한 문제점이 있었다. 따라서 본 발명은 트랜치가 형성된 반도체기판 상에 일정한 거리로 이격되는 제 1~제 4게이트를 형성한 후, 상부전면에 제 1층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 제 1~제 4게이트간 이격영역의 제 1층간절연막을 식각하고, 도전성물질을 채워 제 1~제 3플러그를 형성한 다음 상부전면에 제 2층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 제 2플러그가 형성된 영역의 제 2층간절연막을 식각하고, 도전성물질을 채워 비트라인컨택을 형성한 다음 웨이퍼 상부전면에 도전막을 형성하고, 이를 패터닝하여 비트라인을 형성하는 공정과; 상기 구조물 상부전면에 제 3층간절연막을 형성하고, 상기 제 1,제 3플러그가 형성된 영역의 제 2,제 3층간절연막을 식각하고, 도전성물질을 채워 노드컨택을 형성하는 공정과; 상기 구조물 상부전면에 차례로 질화막, 산화막을 형성하고, 그 상부에 커패시터가 형성될 영역에 맞추어 패터닝 한 감광막을 형성하는 공정과; 상기 감광막으로 산화막 및 질화막을 식각하여 패터닝하고 상기 드러난 노드컨택을 이용하여 불순물을 포함한 에피층을 성장시키는 공정과; 상기 구조물 상부전면에 폴리실리콘을 증착하는 공정과; 상기 폴리실리콘을 이방성식각하여 상기 산화막의 상부가 드러나도록하는 공정과; 상기 공정으로 드러난 산화막을 제거하는 공정으로 이루어지는 커패시터 형성방법을 통해 각 커패시터 하부전극을 분리하기위해 절연막을 이용하지 않고, 커패시터 하부전극 역할을 하는 폴리실리콘 하부에 불순물이 포함된 에피층을 형성함으로써 단순한 이방성식각에 의해 각 커패시터 하부전극을 분리 할 수 있도록 하여 공정이 용이해 지는 효과가 있다.
Patent KR-100340459-B1 (KR)
Title: 영상장치의 포커싱 방법
IPC: H04N5/232
Filed: 1999-11-16
Granted: 2002-06-12
Abstract: 영상장치의 포커싱 방법이 기술된다. 이 방법을 달성하기 위한 시스템은 영상장치, CCD  비디콘 및 모니터로 구성된다. 영상장치는 포커싱을 위한 특별한 화상을 표시한다. CCD 비디콘은 상기 화상을 촬영하여 상기 모니터상에 표시한다. 영상장치의 화상 주파수와 CCD 비디콘의 샘플링 주파수간의 차이에 근거하여, 모니터상에 표시되는 영상이 간섭대역을 발생한다. 이 간섭대역의 명료성을 조정함으로써 기술자가 영상장치의 포커스를 조정할 수 있게 된다.
Patent KR-100333677-B1 (KR)
Title: 파장 분할 다중화 광신호 성능감시 장치
IPC: H04B10/07
Filed: 1999-11-18
Granted: 2002-04-22
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 
     본 발명은 파장 분할 다중화 광신호 성능감시 장치에 관한 것임. 
     2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 
     본 발명은 파장 분할 다중화 광통신 시스템의 채널별 파장과 파워, 그리고 평균 광 신호대 잡음비(OSNR)를 동시에 측정할 수 있는 단순한 구조의 파장 분할 다중화 광신호 성능감시 장치를 제공하는데 그 목적이 있음. 
     3. 발명의 해결 방법의 요지 
     본 발명은 파장 분할 다중화 광신호의 성능을 감시하기 위한 성능감시 장치에 있어서, 광 전송경로로부터 입력된 광 신호를 분배하여 출력하고, 반사되는 광 신호들이 광 전송경로로 재결합되는 것을 막기 위한 광 분배 및 차단 수단; 상기 광 분배 및 차단 수단으로부터 분배되어 출력된 광 신호 중 브래그 파장과 일치하는 중심파장을 가지는 채널 신호를 반사시키고, 나머지 채널 신호들을 통과시키기 위한 다수의 광 신호 반사 및 통과 수단; 상기 다수의 광 신호 반사 및 통과 수단을 통과한 채널 신호들을 전기신호로 바꾸어 증폭시킨 후 디지털 신호로 변환시켜 주기 위한 다수의 제1 변환 수단; 및 상기 다수의 제1 변환 수단에서 변환된 디지털 신호를 입력받아, 상기 광 신호의 채널별 광 파워와 파장, 평균 광 신호대 잡음비(OSNR)를 측정하기 위한 광 성능 감시 수단을 포함함. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     본 발명은 광 통신 시스템 등에 이용됨.
Patent KR-100320412-B1 (KR)
Title: 방화난연제(防火難燃劑)의 조성물 및 그의 제조방법
IPC: C09K21/02
Filed: 1999-11-25
Granted: 2002-01-12
Abstract: 본 발명은 방화난연제(防火難燃劑)의 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 액상 및 분말의 방화난연제를 만드는데 그 목적이 있다. 
     크롬칼리명반(明礬), 황산암모늄철(Ⅲ).12수화물(水和物), 황산암모늄크롬(Ⅲ), 황산칼륨알루미늄, 황산칼륨크롬(Ⅲ), 황산아연, 제1인산암모늄,에탄올, 향료등을 증류수 1Ｌ 중에 용해도에 따라서 용해하여 액상화한 것에 그 특징이 있는 액상과 , 에탄올과 향료를 제외한 성분을 분말화 한 것에 그 특징이 있는 분말의 방화난연제, 또는 분말화 한 것을 합성수지(플라스틱)에 첨가하여 혼합 용융하여 사출성형, 압출성형, 필라멘트화 한것에 그 특징이 있는 방화 난연제의 조성물 및 그의 제조 방법.
Patent KR-100324329-B1 (KR)
Title: 저전압 프리챠지 다이나믹 회로
IPC: G11C11/407
Filed: 1999-12-02
Granted: 2002-02-16
Abstract: 본 발명은 저전압 프리챠지 다이나믹 회로에 관한 것으로, 종래에는 저전압 회로의 구현시 동작속도의 감소를 방지하기 위하여 모스 트랜지스터의 문턱전압을 낮추게 되는데, 이러한 모스트랜지스터는 프리챠지 또는 이밸루에이션(Evaluation) 동작시 서브 문턱 누설전류가 흐르는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 클럭신호가 게이트에 인가되고, 제1 전원전압이 소스에 인가된 제1 피모스트랜지스터와; 클럭신호가 게이트에 인가되고, 제1 접지전압이 소스에 인가된 제1 엔모스트랜지스터와; 상기 제1 피모스트랜지스터의 드레인과 상기 제1 엔모스트랜지스터의 드레인 사이에서, 게이트에 각기 입력신호가 인가되고 순차적으로 직렬로 접속되어 풀다운 네트워크를 형성하는 다수의 엔모스트랜지스터와; 클럭신호에 따라 제1 전원전압 또는 제2 전원전압을 상기 제1 피모스트랜지스터의 기판에 인가하도록 스위칭되는 제1 스위치와; 클럭신호에 따라 제1 접지전압 또는 제2 접지전압을 상기 제1 엔모스트랜지스터의 기판에 인가하도록 스위칭되는 제2 스위치와; 상기 제1 피모스트랜지스터의 드레인측에서 출력신호가 출력되도록 구성함으로써 프리챠지된 모스트랜지스터의 기판전압을 스위치로 프리챠지/이밸루에이션(Evaluation) 상태에 따라 각기 다른 전압원을 선택하게 하여 서브 문턱 누설전류가 흐르는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100372886-B1 (KR)
Title: 대기 프로세스를 통한 실시간 스케쥴링 방법
IPC: G06F15/16
Filed: 1999-12-14
Granted: 2003-02-20
Abstract: 본 발명은 다수개의 프로세스가 존재하는 실시간 운영 체제 상에서 사용자 프로세스들의 생성 및 소멸 과정을 대기 프로세스를 통한 처리로 사용자에게 실시간 스케쥴링 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명에 따르면, 운영자로부터 프로그램의 구조에 따라서 원하는 개수의 대기 프로세스 생성 및 관리 시작이 요청되면, 상기 개수의 대기 프로세스를 생성하고, 상기 생성된 대기 프로세스에 관한 정보를 저장하는 대기 프로세스 열을 구성한 뒤, 상기 대기 프로세스 열을 사용자 블록에 연결시키는 제 1 단계; 사용자로부터 프로그램 실행 요청 메시지가 입력되면, 상기 대기 프로세스의 수행을 준비하고, 상기 수행 준비한 대기 프로세스를 실행하는 제 2 단계; 및 상기 제 2 단계 진행 중 상기 사용자로부터 프로그램 종료 요청 메시지가 입력되면, 상기 수행중인 대기 프로세스를 중지하고, 대기 프로세스 열에 삽입하는 제 3단계; 및 상기 대기 프로세스 수행 중 운영자로부터 상기 대기 프로세스의 관리 중단이 요청되면, 상기 대기 프로세스를 소멸시키고, 상기 대기 프로세스에 관한 정보를 저장하는 대기 프로세스 열을 삭제하는 제 4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실시간 스케쥴링 방법이 제공된다.
Patent KR-100316890-B1 (KR)
Title: 차량용 세미 트레일링 아암형 현가장치
IPC: B60G15/00
Filed: 1999-12-23
Granted: 2001-12-24
Abstract: 주행에 따른 횡력에 의한 하중을 충분히 견디면서 횡력이 가해질 때 휠의 자세가 토우 아웃으로 변하는 것을 최소화하여 후륜 현가장치에 요구되는 추종성과 직진 안정성, 그리고 선회 안정성 향상으로 조종 안정성을 높일 수 있는 차량용 세미 트레일링 아암형 현가장치를 제공할 목적으로; 
     차폭 방향으로 배치되어 양단부 전측과 중간부 후측이 차체 하부에 지지되는 서브 프레임의 양단 후측부에 승강운동이 가능하도록 트레일링 아암이 연결되어 구성되는 세미 트레일링 아암형 현가장치에 있어서, 
     상기 서브 프레임의 양단부에는 일정 길이를 갖는 컨트롤 링크가 힌지부를 통해 회전 가능하게 연결되며, 이의 컨트롤 링크 전측부에 마운트부가 형성됨을 특징으로 하는 차량용 세미 트레일링 아암형 현가장치를 제공한다.
Patent KR-100342440-B1 (KR)
IPC: A61K9/08
Filed: 1999-12-24
Granted: 2002-07-04
Abstract: A pharmaceutical composition for prevention or treatment of premature ejaculation and/or hypersensitivity of sexual stimulation is provided, which contains a therapeutically effective amount of a purified essence of Bufonis venenum for prevention or treatment of dysspermia or the symptom of non-controlled ejaculation in male, due to premature ejaculation and/or hypersensitivity of sexual stimulation. The said Bufonis venenum may be a purified essence of Bufonis venenum extracted by use of one or more organic solvent selected from a group consisting of ethyl acetate, dichloromethane or chloroform, and concentrated, and is purified and fractionated by use of silica gel column. The said composition may be formulated in a pharmaceutically acceptable formulation of ointment, suspension, gel, spray, patch or solution.
Patent KR-100362262-B1 (KR)
Title: 소구경 배관 절단장치
IPC: B26D3/16
Filed: 1999-12-27
Granted: 2002-11-23
Abstract: 본 발명은 플랜트 설비의 소구경 배관을 자동으로 절단하는 장치에 관한 것으로, 특히 원자력 발전소와 같이 고방사선 구역에 설치된 배관을 용이하고 간편하게 절단하여 방사선 피폭을 최소화하고, 작업이 편리하도록 한 소구경 배관 절단장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 절단장치는 협소한 장소에서도 설치가 가능한 소형 경량의 베이스와, 상기 베이스에 설치되며 배관의 원주방향 어디에도 착탈이 가능한 2개의 고정용 체인과, 절단수단인 띠톱을 조작하며 장치의 설치위치에 따라 공기압력을 조절하여 이송에 필요한 힘을 얻는 에어 실린더와, 상기 에어 실린더의 공기압 및 동작을 제어하는 레귤레이터, 로 구성된다. 
     이와 같이 구성된 본 발명은 배관의 절단작업시 장치를 배관의 원주방향 어디에 든지 설치한 다음 전원에 의해 구동하는 톱날을 에어실린더로 밀어주어 띠톱이 배관을 자동으로 절단하게 된다. 
     따라서, 본 발명에 의하면 에어 실린더의 원격조정에 의해 소구경의 배관을 자동으로 절단할수 있어 인력절감과 동시 방사선 피폭을 최소화할수 있다.
Patent KR-100399224-B1 (KR)
Title: 저이슬점 분위기가스의 제조방법
IPC: C23C22/00
Filed: 1999-12-27
Granted: 2003-09-22
Abstract: 본 발명은 저이슬점 분위기가스의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 용융아연도금, 합금화 용융아연도금, 용융알미늄도금, 용융아연-알미늄 합금도금, 납-주석합금도금 등의 용융금속 도금의 스나우트(Snout)에서 용융금속의 증발을 억제하기 위해서 주입하는 분위기가스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 
     본 발명은 포화가스와 건조가스를 혼합하여 분위기가스를 제조하는 방법에 있어서, 수위제어와 수온제어와 수온균질화와 기포미세화장치에 의해서 매우 정확한 포화가스를 만들고 포화가스 유량밸브와 건조가스 유량밸브를 이슬점제어기로 직접 피드백 제어하는 것을 특징으로 하는 저이슬점 분위기가스를 제조하는 방법을 제공한다. 
     이상과 같이 본 발명에 의해서, 매우 낮은 이슬점의 분위기가스를 높은 정밀도로 제조하여 용융도금계의 스나우트(Snout)에 적용할 때, 도금박리(flaking) 혹은 미도금(bare spot) 혹은 표면결함을 일으키는 금속분진의 발생을 억제할 수 있으며, 주입하는 분위기가스의 이슬점 편차를 감소시켜서 스나우트내의 분위기를 안정적이고 정확히 유지할 수 있는 효과가 있다.