Patent DE-102008021430-B4 (DE)
Title: SIC-Halbleitervorrichtung mit Schottky-Sperrschichtdiode
Inventor: OKUNO EIICHI
IPC: H01L29/161
Filed: 2008-04-29
Granted: 2019-01-03
Abstract: Halbleitervorrichtung mit einer Schottky-Sperrschichtdiode, wobei die Vorrichtung aufweist:- ein SiC-Substrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das eine erste und eine zweite Oberfläche aufweist;- eine Driftschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf der ersten Oberfläche des Substrats (1) angeordnet ist, aus SiC aufgebaut ist und eine Störstellenkonzentration aufweist, die geringer als die des Substrats (1) ist;- einen Isolierfilm (3), der auf der Driftschicht (2) angeordnet ist und eine Öffnung in einem Zellbereich aufweist;- eine Schottky-Sperrschichtdiode (10) mit einer Schottky-Elektrode (4) und einer ohmschen Elektrode (5), wobei die Schottky-Elektrode (4) im Zellbereich angeordnet ist und über die Öffnung des Isolierfilms (3) mit einem Schottky-Kontakt an die Driftschicht (2) grenzt und die ohmsche Elektrode (5) auf der zweiten Oberfläche des Substrats (1) angeordnet ist;- eine Abschlussstruktur (6, 7), die eine RESURF-Schicht (6) aufweist und an einem Außenumfang des Zellbereichs angeordnet ist, wobei die RESURF-Schicht (6) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, den Zellbereich umgibt und in einem Oberflächenabschnitt der Driftschicht (2) angeordnet ist; und- eine Mehrzahl von Schichten (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps, von denen jede in einem anderen Oberflächenabschnitt der Driftschicht (2) an einer Innenseite der RESURF-Schicht (6) angeordnet ist und an die Schottky-Elektrode (4) grenzt, wobei die Schichten (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps durch einen vorbestimmten Abstand voneinander getrennt sind, wobei- die Mehrzahl von Schichten (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps und die Driftschicht (2) eine p-n-Diode bilden;- die Schottky-Elektrode eine erste Schottky-Elektrode (4a) und eine zweite Schottky-Elektrode (4b) aufweist;- die erste Schottky-Elektrode (4a) mit einem ohmschen Kontakt an jede der Schichten (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzt;- die zweite Schottky-Elektrode (4b) mit dem Schottky-Kontakt an die Driftschicht (2) grenzt;- die Mehrzahl von Schichten (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps einen mittleren Abschnitt (8a) und eine Mehrzahl von Ringabschnitten (8b-8e) aufweist;- der mittlere Abschnitt (8a) an einer Mitte des Zellbereichs angeordnet ist;- jeder der Ringabschnitte (8b-8e) den mittleren Abschnitt (8a) umgibt und eine Punktsymmetrie um den mittleren Abschnitt (8a) herum aufweist;- die Mehrzahl von Ringabschnitten (8b-8e) einen äußersten Außenringabschnitt (8e) aufweist, der an einer äußersten Außenseite der Ringabschnitte (8b-8e) angeordnet ist;- die Mehrzahl von Ringabschnitten (8b-8e) eine Mehrzahl von mittleren Ringabschnitten (8b-8d) aufweist, die zwischen dem äußersten Außenringabschnitt (8e) und dem mittleren Abschnitt (8a) angeordnet ist;- jeder Ringabschnitt (8a-8e) einen Querschnitt entlang einer radialen Richtung aufweist;- die Querschnitte der mittleren Ringabschnitte (8b-8d) eine Liniensymmetrie bezüglich der Mitte des Zellbereichs aufweisen; und- der äußerste Außenringabschnitt (8e) an eine Innenkante der RESURF-Schicht (6) grenzt oder in die RESURF-Schicht (6) eingebettet ist.