baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100235331-B1 (KR)
Inventor: PARK SANG-ON
IPC: G11B7/1263
Filed: 1997-04-24
Granted: 1999-12-15
Abstract: 본 발명은 기록조건의 변화에 따라 빠르게 대응하여 최적 기록을 할 수 있는 최적 기록파워 제어를 위한 광 기록재생 장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 최적 기록파워 제어를 위한 광 기록재생 장치는 광디스크에 광빔으로 정보를 기록하는 광 기록재생 장치에 있어서, 광디스크에 조사될 광빔을 발생하는 광원과 광디스크에 의해 반사된 광빔을 검출하는 광검출 수단을 갖는 광픽업 장치와; 기록정보에 부가정보를 포함하여 상기 광디스크에 실제로 기록할 기록펄스를 생성하는 기록펄스 생성수단과; 상기 기록펄스 생성수단에 부가정보를 제공하고, 기록파워 레벨을 정규화한 계수를 설정하여 그 정규화 계수를 일정하게 유지하도록 기록파워를 조절하는 마이컴과; 상기 기록펄스 생성 수단으로부터 출력되는 기록펄스와 마이컴으로부터 인가되는 기록파워에 따라 상기 광원을 제어하는 광 제어수단과; 상기 광검출수단의 전기신호로부터 고주파 신호를 발생 및 증폭하는 고주파 발생 및 증폭 수단과; 상기 고주파 발생 및 검출수단의 고주파 신호로부터 평균 피트 형성시간 정보를 검출하기 위하여 상기 고주파 신호를 임의의 비교전압레벨과 비교하여 펄스형태의 신호를 출력하는 비교수단과; 상기 비교수단으로부터 출력되는 펄스의 기간을 직류전압레벨로 변환하여 상기 마이컴으로 출력하는 로우패스필터를 구비하는 것을 특징으로 한다. 
     본 발명에 의하면, 비교기 등의 간단한 구성으로 빠른 응답을 구현함으로서 기록시 기록조건의 변화에 대응하여 항상 최적 기록파워로 기록할 수 있다.
Patent KR-100263131-B1 (KR)
Inventor: HERIBERT WERNER
IPC: B60R21/20
Filed: 1997-04-25
Granted: 2000-08-01
Abstract: 본 발명은 자동차 탑승객용 에어백 모듈을 제조하는 조립체에 관한 것이다. 상기 조립체는 원통형 압축 가스 저장기를 수용하는 관형 요소(1)와 관형 요소(1) 내측에 접혀진 에어백을 수용하는 공간을 측면으로 분리하도록 관형 요소에 대한 호스 클립(hose clips)처럼 힘을 받게되는 압출성형 섹션으로 이루어진 세그먼트 형상의 두개 동일 형상 전방 성분(2:two identical1y shaped frontal components)으로 특징되는 것이다. 
     한 실시예에서의 전방 성분(2)의 상부 구역(4)은 오픈워크(5:openwork)이다. 보조 튜브는 전방 성분(2) 사이에서 장력을 받게된다. 관형 요소(1) 둘레를 감싸는 물질로 이루어진 웨브(7)는, 관형 요소(1)의 축선과 평행한 에어백을 수용하는 공간을 측면으로 분리하는 보조 튜브에 고정된다.
Patent KR-100240506-B1 (KR)
Inventor: KIM SUNG-HA
IPC: B60G17/015
Filed: 1997-04-29
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 자동차의 주행중에 노면에서 받는 충격이나 진동을 완화하여 승차감과 자동차의 안정성을 향상시키는 현가장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 차량의 주행 속도와 차량의 상하 방향 속도등을 고려하여 상기 HS-SH 댐퍼의 단 수를 적절하게 제어하기 위한 반능동형 현가장치 및 그 제어방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 본 발명은, 자동차의 주행중에 노면에서 받는 충격이나 진동을 능동적으로 완화시키기 위하여 다단 구조를 갖는 댐퍼를 사용하는 반능동형 현가장치로서, 여러 단 수를 갖는 댐퍼와; 차량의 상하방향 가속도를 측정하기 위한 G 센서와; G센서로부터 검출된 가속도로부터 속도를 결정하기 위한 적분기와; 적분기로부터 속도 데이터를 받아 쇽 업소버의 단수 결정을 위한 변수를 산출해내는 전자제어 유니트와; 전자제어 유니트의 제어를 받아 댐퍼의 단수를 조절하는 스텝 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 구조를 갖는 댐퍼를 이용한 반능동형 현가장치를 제공한다.
Patent KR-100208396-B1 (KR)
Inventor: PARK CHANG-RYEOL
IPC: E01D2/04
Filed: 1997-05-12
Granted: 1999-07-15
Abstract: 본 발명은 라멘식 강상자형 보도육교에 있어서 강상자형 보가 지닌 형상과 재질, 그 자중을 이용하여 프리스트레스를 도입시키는 시공법을 특징으로 하고 있다. 
     또한 본 발명은 현장에서 간편한 시공방법으로 라멘식 구조형식을 완성시킬 수 있으며 시공 방법을 기술하면 다음과 같다. 
     소정의 설계 프리스트레스가 도입되는 것으로 제작한 강상자형 보를 보의 자중에 의해 강상자형 보의 중앙부가 상향으로 처짐을 갖게 휘어지도록 가설 지지점의 위치를 선정하여 그 위에 얹혀놓고 강상자형 보의 양단부 하단이 육교 강재기둥의 상단에 접면되도록 하여 접면부를 용접에 의해 일체화 라멘식 구조를 완성시킨 다음 가설 지지점을 제거함으로써 강상자형 보 자체에 프리스트레스를 도입시키도록 하는 시공법이다.
Patent KR-100240043-B1 (KR)
Inventor: JUNG KI-TAE
IPC: C23C8/32
Filed: 1997-05-12
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 작업환경이 악조건인 단조분야 특히 온, 열간단조 및 다이캐스팅 분야에서 사용되는 금형 또는 부품의 수명을 향상시키는 금형소재의 복합열처리 제조방법에 관한 것으로, 먼저 금형소재(STD61)를 RX가스와 암모니아 가스가 투입되어 탄소농도 1.0%이상이고 처리온도 930℃인 배치형노에서 8∼10시간 침탄처리를 하여, 금형강의 조직내에 크롬-카바이드계 복탄화물의 일종인(Fe, Cr) 7 C 3 을 표면에서 1∼1.5mm깊이로 다량생성시키는등 금형소재에 기본적으로 함유되어 있는 탄소외에 부가의 탄소를 추가시키는 과침탄 작업공정이 필요하다. 
     즉, 열간작업공정에서는 금형의 일부가 마모되어도 작업이 가능하므로 부가된 탄소 및 복탄화물을 확산시키고, 기지조직을 경화시키기 위해서는 진공상태에서 확산 및 경화를 동시에 실시하는 진공확산 및 담금질(QUENCHING)을 실시함으로써, 열간금형 소재의 열 마모저항 및 열 피로저항을 높히고 열간금형의 고품질화 및 금형수명을 향상시켜서 지금까지 단조작업을 수행하는데 따른 단조금형의 열처리로 인하여 발생되는 문제점을 해결함으로서, 작업중 금형의 경도가 저하되어 일어나는 금형의 마모 및 소착현상을 제거하여 금형사용업체의 작업성을 향상시키는 것은 물론, 제품의 품질을 향상시키고 생산원가를 절감하여 경쟁력을 갖도록 하는등 금형소재의 복합열처리 제작방법에 있어서 신규한 기술을 제시한 발명이다.
Patent KR-100275660-B1 (KR)
Inventor: HITOSHI FUKAYA
IPC: H01L23/28
Filed: 1997-06-10
Granted: 2000-12-15
Abstract: 지지부재 및 지지부재측상의 전방부에 인접한 각각의 내측 리드부의 하면을 가로질러 형성된 노치에 연결된 다수의 리드의 내측 리드부를 구비한 리드 프레임이 준비된다. LSI 칩이 지지부재에 고착된 후, 상기 칩상의 패드는 다수의 리드의 해당 내측 리드에 본딩 와이어를 통해 접속된다. 상기 칩 및 내측 리드부는 보호 코팅으로서 수지 등으로 이루어진 절연층내에 매입된다. 각각의 내측 리드부는 상기 내측 리드부를 상기 지지부재로 부터 분리하게끔 노치부위에서 레이저 빔등과 같은 절단 장치를 사용하여 절단된다. 그에 따라, 분리된 조립 유닛은 수지 등으로 이루어진 패키지내에 설비되어, 외측 리드가 절단 형성된다. 와이어 본딩 처리를 포함하는 반도체 장치의 조립방법에 있어서, 변형된 리드에 의해 초래되는 본딩 결손이 저감되게 된다.
Patent KR-100489453-B1 (KR)
Title: 다실린더내연기관의실린더식별장치
IPC: G01M15/06
Filed: 1997-06-13
Granted: 2005-08-05
Abstract: 다이나믹한 동작시 회전수가 크게 변동되도록 실린더 식별에 악영향이 미치지 않는 다실린더 내연기관의 실린더 식별장치가 제공된다. 
     캠축과 동기해서 회전되는 발신기 디스크가 검출기에 의해 주사된다. 발신기 디스크는 실린더수에 대응되는 갯수의 각도 마크를 갖추고 있다. 1개의 각도 마크는 다른 각도 마크와 다르다. 다른 각도 마크는 미리 정해진 1개의 실린더에 대응되어 있고 계산 장치를 사용하여 하기와 같이 식별된다. 세그멘트 디스크가 반영되는 센서 신호의 앞 가장자리와 뒤 가장자리 사이의 시간 간격이 구해지며 앞 가장자리와 뒤 가장자리 사이의 시간 간격(ti)과 동종의 옆 가장자리간의 시간 간격(Ti)의 비가 형성되어 서로 관련된다.
Patent KR-100458081-B1 (KR)
Title: Method for forming via hole of semiconductor device to improve step coverage of metal layer
Inventor: LEE JEONG SEOK
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-06-26
Granted: 2005-02-23
Abstract: PURPOSE: A method for forming a via hole of a semiconductor device is provided to improve step coverage of a metal layer by preventing a concave recess from being formed on the sidewall of a via hole. CONSTITUTION: A photoresist pattern for a via etch mask is formed on an intermetal dielectric including an SOG(spin on glass) layer(25). The intermetal dielectric including the SOG layer is etched to form a via hole. The photoresist is eliminated in a mixture gas plasma of O2 gas and NF3 gas. While the photoresist is removed, the surface of the SOG layer exposed to the sidewall of the via hole is passivated.
Patent KR-100269302-B1 (KR)
Inventor: LEE KI HONG
IPC: H01L23/485
Filed: 1997-07-23
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A metal interconnect of a semiconductor device and a forming method thereof are provided to improve a surface morphology of the metal interconnect layer, and to improve the reliability of the metal interconnect layer by improving an electromigration characteristics. CONSTITUTION: The metal interconnect includes a seed layer(600) formed on an insulation layer(210) of a semiconductor substrate(100), and a wetting layer(700) and a metal interconnect layer(800) formed on the seed layer in sequence. The seed layer is formed with an aluminum, and the wetting layer is formed with a Ti layer and a TiN layer and a compound layer thereof. Furthermore, the metal interconnect layer is formed with an aluminum or an aluminum alloy layer. Because the insulation layer has a contact hole, the seed layer and the wetting layer and the metal interconnect layer can be connected to the semiconductor substrate electrically through the contact hole. Also, the metal interconnect layer has a constant crystalline orientation by the seed layer. For example, the aluminum layer used as the metal interconnect layer has a strong crystalline orientation along direction by the crystalline characteristics of the aluminum layer used as the seed layer.
Patent KR-100468873-B1 (KR)
Title: 순차이송금형장치
Inventor: LEE BYEONG OK
IPC: B21D37/00
Filed: 1997-08-05
Granted: 2005-09-30
Abstract: 본 발명은 순차이송 금형장치에 관한 것이다. 
     	이 순차이송 금형장치는, 프레스 장치에 승강 가능하게 설치된 상판 플레이트와; 상기 상판 플레이트의 하면에 설치된 지지블록과; 상기 지지블록에 승강 가능하게 설치되며, 상면에 돌출부가 형성된 펀치 플레이트와; 상기 상판 플레이트의 하면에 슬라이딩 가능하게 설치되어 상기 돌출부와 선택적으로 결합되는 결합홈이 형성된 슬라이더와; 상기 슬라이더의 일 측과 접촉되어 상기 슬라이더를 이송시키는 복수개의 접촉핀을 가지는 로테이터와, 상기 로테이터를 소정 각도로 회전시키는 회동부와, 상기 상판 플레이트에 설치되어 회동부를 지지하며 상기 회동부를 하방으로 탄성 바이어스 시키는 탄성 바이어스부와, 상기 회동부의 수직하부에 설치되어 상기 회동부를 상승시키는 상승수단과, 상기 상판 플레이트에 설치되어 상기 로테이터를 소정의 각도로 일시 정지 가능하게 하는 스토퍼를 포함하는 회동수단과; 상기 상판 플레이트에 설치되어 상기 슬라이더를 상기 회동부 측으로 탄성 바이어스 시키는 탄성지지부;를 구비하여 된 것을 그 특징으로 한다. 
     	이는 교호적인 펀치의 구동을 기계적인 장치에 의해서만 작동시키게 되므로 서, 진동으로 인한 전원 탈락 없이 고속도, 고정도의 제어가 가능한 기계식 타발구조를 갖는 이점이 있다.
Patent KR-100255197-B1 (KR)
Title: Microwave oven inputting cooking code that printed on a packing paper of food
Inventor: KIM WON HO
IPC: F24C7/08
Filed: 1997-08-23
Granted: 2000-06-01
Abstract: PURPOSE: A microwave oven of cooking code input type using cooking code printed on packing paper of food is provided to easily cook food by printing cooking code on packing paper of food and inputting the cooking code of the corresponding food. CONSTITUTION: A microwave oven of cooking code input type using cooking code printed on packing paper of food includes nnyy cooking codes having nn code indicating total output percentage of the microwave oven when operating and yy code indicating cooking time, and a micom(30). The micom operates a microwave oven operating part(20) through output of the nn code for the time of yy code if the nnyy cooking code is identical with a preset cooking code of a cooking code table(40), operates the microwave oven operating part in output and time of the most closest cooking code of the nnyy cooking code if the nnyy cooking code and the searched cooking code are not identical, and displays the present cooking state.
Patent KR-100238313-B1 (KR)
Inventor: SEONG GOAN SOO
IPC: G06F13/10
Filed: 1997-08-26
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명에 따른 CPU와 주변장치 사이의 인터페이스 장치는, 80 또는 68계열의 CPU와 주변장치 사이에서 인터페이스하며, 파워온 리셋시 80계열이 디폴트로 인터페이스하도록 설정된 인터페이스 장치에 있어서,  계열 신호 변환부, 선택부 및 선택신호 발생부를 포함한다.  계열 신호 변환부는 80 또는 68계열의 CPU에서 출력되는 80 또는 68계열 신호를 주변장치 내부 레지스터의 인터페이스용 신호로 변환한다.  선택부는 소정의 선택신호에 의하여 어느 한 계열을 선택하여 인터페이스하도록 하기 위해, 계열 신호 변환부에서 변환된 어느 한 계열의 신호를 주변장치로 출력한다.  선택신호 발생부는 모드 단자에 소정의 변화값이 인가되는 경우에, 디폴트로 설정된 80계열을 68계열로 바꾸어 인터페이스하도록 하는 선택신호를 선택부로 출력한다   또한 그 장치는, 80계열에서만 사용되는 제어신호핀과 모드 단자가 68계열의 어드레스핀과 공동으로 사용됨을 특징으로 한다. 
     본 발명에 의하면, 80계열에서만 사용되는 제어신호핀과, 모드핀을 68계열의 어드레스 핀과 공유하여 사용함으로써 핀의 개수를 감소시키는 효과를 갖는다.
Patent KR-100218242-B1 (KR)
Title: 래들/턴디쉬 내장내화물의 보수재 조성물 및 내장내화물의 보수방법
Inventor: KANG HAE-SUNG
IPC: C04B35/10
Filed: 1997-08-28
Granted: 1999-09-01
Abstract: 본 발명은 용강에 접촉되는 래들/턴디쉬 내장내화물의 손상 및 탈락부분에 대한 보수시 모재와의 견고한 결합 및 내식성증대로 사용수명을 향상시키는 보수재의 조성물 및 보수방법에 관한 것으로, 소결 또는 용융알루미나, 초미분알루미나, 마그네시아, 지르콘, 실리카, 보크사이트, 안다루사이트, 뮬라이트, 점토 중에서 1종 또는 2종 이상의 내화성원료 80∼97중량부, Na-Si계 결합제 2∼15중량부, 경화조정제 0.5∼5.0중량부로 조성된 보수재로 구성되고, 상기 보수재에 물을 가해 혼합한 후 이를 손상된 내장내화물 부위에 쇠손이나 기타도구를 사용하여 패칭(Patching)법으로 보수하는 방법에 관한 기술이다.
Patent KR-100234166-B1 (KR)
Inventor: PARK SE-CHUL
IPC: H01L23/48
Filed: 1997-08-30
Granted: 1999-12-15
Abstract: 리드프레임의 도금방법 및 그 장치를 개시한다.  리드프레임에 도금액을 분사하거나  잠기도록 하는 하고, 상기 리드 프레임과 도금액에 소정의 전류를 인가하는 전류 인가하여 리드 프레임을 도금하는 것으로, 상기 전류를 인가함에 있어서, 상기 도금액과 리드 프레임에 인가된 전류가 주기적으로 반전되는 파형을 갖는 것에 그 특징이 있으며, 이는 팔라듐층의 도금을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100289742-B1 (KR)
Inventor: PARK CHAN HO
IPC: H01L29/732
Filed: 1997-09-09
Granted: 2001-05-15
Abstract: PURPOSE: A power semiconductor device using a semi-insulating polysilicon layer is provided to enhance the property of a power semiconductor device by forming an insulating layer using as a mask and a surface protection layer for forming a junction layer on only a field region. CONSTITUTION: A power semiconductor device includes a field region formed on an active region and an edge portion of the active region. A collator region(32) of a first conductive region is formed on a substrate. A base region(38) of a second conductive type is formed on a surface of the collector region in the active region. An emitter region(40) of the first conductive type is formed on the surface of the base region. A channel stop region(42) is formed on the surface of the collector region in the field region to have any of distance with the base region. An insulating layer(36) is formed on the collector region between the base region and the channel stop region. A semi-insulating polysilicon layer(44) is formed to expose the surfaces of the emitter region and the base region in the active region, to cover a top and a side of the insulating layer in the field region, and to expose a part of the base region and the channel stop region. A base electrode(46), an emitter electrode(48) and an equivalent potential electrode(50) are connected the base region, the emitter region and the channel stop region respectively.
Patent KR-100505007-B1 (KR)
Title: 액정표시장치 모듈용 인쇄회로기판
Inventor: JUNG SEUNG SIK
IPC: G02F1/133
Filed: 1997-10-08
Granted: 2005-10-12
Abstract: 본 발명에 의한 액정표시장치(LCD) 모듈용 인쇄회로기판(PCB)은, 상부면에, 복수개의 패드가 서로 평행하게 줄지워 배치되도록 구성된 패드 조합군이, 서로 소정 간격 이격된 상태로 하나 이상 배치되는 구조를 갖는 PCB에 있어서, 상기 패드 조합군 N(1 ≤N ≤8)개를 주기로 하여, 그 사이의 PCB에 적어도 하나 이상의 관통 홀이 더 형성되도록 이루어져, 1) 패드 조합군 사이에 형성된 관통 홀을 이용하여 T/S 공정 진행시 PCB가 늘어나는 현상을 최대한 억제할 수 있게 되므로, T/S 공정 진행중에 발생되는 탭 IC와 패드 간의 쇼트 불량을 방지할 수 있게 되어, PCB의 불량 발생률 저감 효과 및 품질 향상을 꾀할 수 있게 되고, 2) 설계 변경의 비용과 시간이 과다하게 소요되지 않는 PCB의 구조 변경을 통하여 쇼트 불량을 방지할 수 있게 되므로, 탭 IC의 구조를 변경해 준 경우에 비해 비용 절감을 실현할 수 있게 된다.
Patent KR-100297089-B1 (KR)
Title: 커플링조립체
IPC: F16H48/22
Filed: 1997-10-10
Granted: 2001-09-29
Abstract: 구동 가능한 하우징과 구동되는 허브로 이루어진 적어도 하나의 마찰 커플링 유니트를 갖고, 압력 인가에 의해 작동되는 차동 속도 종속 동작 수단을 가지며, 하우징 부품과 허브 부품을 포함하고, 상기 하우징 부품은 상기 허브 부품에 대해 회전 가능한 펌프 유니트로 이루어지고, 펌프 유니트의 일부는 회전 가능하게 고정하는 방법으로 마찰 커플링 유니트의 하우징에 연결되고, 펌프 유니트의 다른 일부는 회전 가능하게 고정하는 방법으로 마찰 커플링 유니트의 허브에 연결되고, 적어도 하나의 마찰 커플링 유니트의 허브는 정속 유니버설 조인트의 외부 조인트부를 수용하는 커플링 조립체이다.
Patent KR-100324661-B1 (KR)
Title: Structure of cowl cross bar for vehicle
Inventor: SIM YANG JIN
IPC: B62D25/08
Filed: 1997-10-18
Granted: 2002-08-08
Abstract: PURPOSE: Structure of a cowl cross bar for a vehicle is provided to improve collision performance by increasing the strength despite the reduced weight and to absorb vibration and noise. CONSTITUTION: The end portion of a cowl cross bar(100) supporting a steering column is divided, and a cast support unit(10) is connected to the divided end portion. The support unit includes a body(11) supporting the steering column and a pair of support bars(12). The support bars are combined to the cowl cross bar and a connecting bracket(16) fixed on a pillar panel. The body is formed in a corrugated shape, and ribs(13) are formed onto the upper face of the body.
Patent KR-100262711-B1 (KR)
Inventor: MOCHIZUKI TAKUJI
IPC: H01P5/02
Filed: 1997-10-29
Granted: 2000-08-01
Abstract: 고주파 증폭기는 트랜지스터 입력 단자와 트랜지스터 출력 단자와 접지 방열핀을 갖는 트랜지스터,  트랜지스터 입력정합 회로를 갖는 제 1 유전체 기판,  및  트랜지스터 출력 정합 회로를 갖는 제 2 유전체 기판을 갖는다.     트랜지스터는 접지 방열핀을 공통 접지면에 밀착시켜 실장된다.     제 1 및 제 2 유전체 기판은 공통 접지면 부재상에 실장된다.      제 1 및 제 2 유전체 기판은 이들 측면에 있는 공통 접지면 부재상에 제 1 및 제 2 접지 도체가 각각 형성된다.     트랜지스터 정합 단자 및 트랜지스터 입력 정합 회로가 서로 접속되고 트랜지스터 출력 단자 및 트랜지스터 정합 회로가 서로 접속된다.     박막 도전성 쉬트는 제 1 접지 도체와 공통 접지면 부재사이의 갭으로부터 제 2 접지 도제와 공통 접지면 부재사이의 갭으로 제 1 접지 도체와 공통 접지면 부재사이의 갭을 통해서 확장되도록 연속하여 삽입된다.     제 1 유전체 기판,  접지 방열핀 및  제 2 유전체 기판은 박막 도전성 쉬트를 통해 공통 접지면 부재와 밀착되어 박막 도전성 쉬트가 제 1 및 제 2 유전체 기판 및 방열핀과 공통 접지면 부재 사이에 압착되어 고정되도록 한다.
Patent KR-100288811-B1 (KR)
Title: 체결나사(fastener)제거공구
IPC: B25B13/48
Filed: 1997-11-12
Granted: 2001-05-02
Abstract: 생크상에 헤드를 갖는 형식의 체결나사를 제거하기 위해, 이러한 체결나사를 제거하기 위한 공구가 공개된다. 공구는 체결나사의 헤드에 관해 콜레트의 회전운동을 통해 체결나사의 제거를 위한 토크를 전달하게 하는 콜레트를 위한 지지부를 포함한다. 또, 콜레트는 체결나사의 헤드를 잡기 위해 조절할 수 있게 크기가 정해지고, 지지부에 조절할 수 있게 위치된다.
Patent KR-100252904-B1 (KR)
Title: Method for forming oxide film of semiconductor device
Inventor: LEE YONG HUI
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-11-14
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A method for forming an oxide layer of a semiconductor device is provided to improve operation reliability of the device in the case where different operation voltages are used for cell and peripheral regions. CONSTITUTION: In the method, a buffer oxide layer and a nitride layer are formed on a semiconductor substrate(21), and the nitride layer is selectively removed to expose a portion of the buffer oxide layer. Next, a shallow trench is formed at the exposed buffer oxide layer and a contiguous portion of the substrate(21), and then the first gate oxide layer(24) is formed in the trench. After that, the nitride layer and the buffer oxide layer are removed, and the second gate oxide layer(25) is formed on the substrate(21). Thus the second gate oxide layer(25) is thinner than the first gate oxide layer(24). Thereafter, gate electrodes, each having a polysilicon layer(26), a tungsten silicide layer(27) and a cap nitride layer(28), are respectively formed on the first and second gate oxide layers(24,25).
Patent KR-100532559-B1 (KR)
Title: 신규α-아미노아세토페논광개시제
IPC: G03F7/028
Filed: 1997-12-05
Granted: 2006-06-19
Abstract: 하기 화학식 (1), (2), (3) 및 (4)의 화합물은 에틸렌성 불포화 화합물의 중합화를 위한 광개시제이다: 
     
       
     
     상기 식에서, 
     Ar는 예컨대 비치환되거나 또는 치환된 페닐, 비페닐 또는 벤조일페닐기이고; 
     Ar 1 은 예컨대 Ar과 동일한 의미를 가지며; 
     Ar 2 는 특히 페닐이고; 
     X는 직접 결합일 수 있으며; 
     Y는 H 등이고; 
     R 1  및 R 2 는 예컨대 C 1 -C 8 알킬이며; 
     R 3 은 특히 H 또는 C 1 -C 12 알킬이고; 
     R 4 는 특히 C 1 -C 12 알킬이며; 또는 
     R 3  및 R 4 가 함께 C 3 -C 7 알킬렌이고; 
     R 5 는 예컨대 C 1 -C 6 알킬렌이며; 및 
     Z는 2가 라디칼이고; 단, Ar, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5  또는 Y중 하나 이상의 라디칼은 1 내지 5개의 SH기에 의해 치환되거나, 또는 단, Y가 하나 이상의 -SS-기를 함유한다.
Patent KR-100255800-B1 (KR)
Title: Cell path testing method of atm exchange
Inventor: PAEK YUNG JUNG
IPC: H04L12/28
Filed: 1997-12-24
Granted: 2000-05-01
Abstract: PURPOSE: A method for testing cell paths in an ATM exchange is provided to make an operator easily confirm the start status of a cell path test by outputting a cell path test start message to the operator side immediately when the test is started. CONSTITUTION: An SPMF(Switch Path test Management Function) block collects information about a cell path test and transmits the information corresponding to 4 cell paths appointed by an operator to an SPTF(Switch Path Test and supervision Function) block. If the SPTF block receives information about one out of the 4 cell paths, the SPTF block judges whether the cell path is under test. If the cell path is not under test, the SPTF block confirms bandwidth usage status for the external links of an ASNM(Access Switching Network Module) in an ALS(ATM Local Switching) subsystem that the SPTF block belongs to. If the confirmation of bandwidth usage status is completed, the SPTF block analyzes bandwidth usage status information, selects an idle external link and determines a routing tag so that the test cells can be transmitted through the selected external link. Then the SPTF block transmits routing tag information to an ACTA in the ALS subsystem and sends a signal to inform the SPMF block that a test of a cell path has been started. The SPMF block, receiving the signal, outputs a message to notify a workstation that the cell path test has been started so that the operator can recognize it.
Patent KR-100475897-B1 (KR)
Title: 반도체소자의제조방법
Inventor: SON HO MIN
IPC: H01L21/24
Filed: 1997-12-29
Granted: 2005-06-21
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야 
     본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것임. 
     2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 
     텅스텐 폴리사이드 구조의 게이트 제조시, WF 6 을 환원기체로 하여 텅스텐 실리사이드층을 형성하고 후속 열공정을 진행할 때 텅스텐 실리사이드층 내의 불소가 게이트 산화막쪽으로 확산하여 게이트 산화막의 유전율을 낮추고 두께를 증가시키며, 도프트 폴리실리콘 내의 인이 텅스텐 실리사이드의 증착 표면으로 확산하여 산화 특성 및 텅스텐 실리사이드층의 접착 강도를 저하시키는 문제점을 해결하기 위함. 
     3. 발명의 해결 방법의 요지 
     이러한 문제점을 해결하기 위하여, 텅스텐 폴리사이드 구조의 게이트 제조시 도프트 폴리실리콘 표면에 실리콘산화막을 형성하여 전도성 확산 방지막으로 사용하여, 후속 텅스텐 실리사이드 증착 공정시 발생하는 불소 및 인의 확산을 방지하므로써 GOI 특성을 개선시킬 수 있음.
Patent KR-100402899-B1 (KR)
IPC: C23F11/00
Filed: 1995-12-13
Granted: 2004-06-12
Abstract: PCT No. PCT/GB95/02912 Sec. 371 Date Aug. 28, 1997 Sec. 102(e) Date Aug. 28, 1997 PCT Filed Dec. 13, 1995 PCT Pub. No. WO96/20295 PCT Pub. Date Jul. 4, 1996A process for the corrosion protection of copper or copper alloy which process comprises contacting the surface with an aqueous solution of at least one compound of general formula (I), wherein X is N, Y is CR and Z is N, or X is N, Y is N and Z is N or CR or X is CR, Y is N and Z is N, where R is a hydrogen atom or R1, and R1 is an alkyl, aryl, aralkyl, halogen, trihalomethyl, amino, heterocyclic, NHR2, NR3R4, CN, CO2H, CO2R5, OH or OR6 group, where each of R2 to R6 independently represents an alkyl, aryl, or aralkyl group.
Patent KR-100440366-B1 (KR)
Title: 테스트가능회로및테스트방법
IPC: G01R31/28
Filed: 1996-10-14
Granted: 2004-11-16
Abstract: 테스트 가능 회로는 시간 의존적 응답 동작(실례로, 고역 필터 동작)을 갖는 신호 경로를 구비한다. 신호 경로는 결함들에 대해 테스트된다. 이러한 목적을 위해, 신호 경로가 다른 신호 경로로부터 분리된 테스트 모드로 전환된다. 이어서, 신호 천이를 포함하는 테스트 신호가 신호 경로의 입력에 인가되고, 천이 후 미리 설정된 시간 간격 동안의 어떤 순간에서도 신호 경로 출력상의 신호가 임계 레벨을 초과하는지가 테스트된다. 그 결과는 레지스터에 기억되고, 상기 회로로부터 판독된다.
Patent KR-100243987-B1 (KR)
Inventor: SUTOH KANZABURO
IPC: C04B7/43
Filed: 1996-12-04
Granted: 2000-02-01
Abstract: 킬른배기가스(G)의 일부를 킬른(1)으로 부터 추출하고, 그 추출된 그 배기가스(G)를 600도~700도 이하로 순간적으로 냉각 한 후, 그 냉각된 그 배기가스 중의 더스트(W)를 분급기에 의하여 조분과 미분으로 분급하고, 분리된 조분을 킬른(1)으로 되돌리고, 미분을 시멘트계에 배출하는 것으로 그 상기 추출수단이 , 킬른배기가스의 추출량의 0%를 초과하고 5%이하의 비율로 추출하고, 상기 분급기의 분급점이 5㎛~7㎛이다.
Patent KR-100373298-B1 (KR)
Title: 디지털 통신 시스템에서 멀티플렉싱/디멀티플렉싱하는 장치 및 자원 예약 방법
IPC: H04J3/04
Filed: 1996-03-04
Granted: 2003-05-09
Abstract: 본 발명은 시분할 멀티플렉스를 사용하여 디지털 통신 시스템에서 각각 멀티플렉싱/디멀티플렉싱 하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 이 장치(US)는 데이터를 스위칭하기 위한 제1 스위칭 수단(USC) 및 데이터를 멀티플렉싱 또는 디멀티플렉싱하기 위한 제2 스위칭 수단(TCU-1, TCU-2)을 갖는 스위칭 장치를 포함한다. 하나이상의 제2 스위칭 수단은 행렬로 배열된 다수의 타임 슬롯을 포함하는 논리적인 인터페이스(USC-링크)를 포함하는 단말 접속 링크를 통해서 제1 스위칭 수단에 접속된다. 이 장치는 제1 단말 접속 링크(USC-링크)의 인터페이스상에 자원을 제공 하기 위한 수단은 더 포함하는데, 여기서 두가지 이상의 서로 다른 기능을 위한 자원은 인터페이스의 칼럼을 토대로 한 자원의 예약 및 인터페이스에서 타임 슬롯을 토대로 한 예약을 각각 사용하여 예약된다.
Patent KR-100227582-B1 (KR)
Title: 환경 정화재
Inventor: SEKINE YOSHIKA
IPC: B01D53/86
Filed: 1996-05-27
Granted: 2000-03-02
Abstract: 본 발명의 시트상 환경 정화재는, (a) 금속 및(또는) 금속 산화물 입자; (b) 흡착재 입자; (c) 열가소성 수지 입자; 및 (d) 통기성 시트의 섬유상 기재로부터 이루어지고, 입자 (a)와 입자 (b)는, 입자 (c) 표면에 입자끼리의 접촉 부분에서 결합하며, 입자 (c)는 기재 (d)에 결합하여 있다. 
     이것은, 입자 (a), 입자 (b), 입자 (c), 흡수성 수지 (e) 및 물을 혼합하여 균일하게 분산된 현탁액을 만들고, 이 소정량을 섬유상 기재 (d)에 유지시켜, 입자 (c)의 수지의 융점 이상, 열분해 온도 이하의 온도에서 가열하여, 수분을 제거하면서 입자끼리를 열가소성 수지 입자 (c)를 통하여 섬유상 기재 (d)에 결합시켜, 제조할 수 있다. 
     금속 및(또는) 금속 산화물 입자와 흡착재 입자는 열가소성 수지층으로 피복되지 않고 각각의 본래의 표면적 및 성능을 유효하게 유지하고 있으므로, 우수한 환경 정화능을 나타낸다.  탈취제와 유독 가스 제거재 등에 유용하다.
Patent KR-100490579-B1 (KR)
Title: 숏아크형수은램프
IPC: H01J61/82
Filed: 1998-02-07
Granted: 2005-08-17
Abstract: 본 발명은 방사조도의 유지율이 높은 숏 아크(short arc) 수은 램프를 제공하는 것으로써, 토륨 산화물을 포함하는 최선단부를 제외하고 텅스텐 카바이드층이 형성된 음극을 가지고, 그 텅스텐 카바이드층의 면적을 SC(㎠)로 하며, 음극, 양극의 적어도 한쪽에 부착된 탄탈 금속의 체적을 VT(㎣)로 할 때, 1.56≤VT/SC인 것을 특징으로 하는 숏 아크형 수은 램프로 한다. 혹은 양극의 체적을 VW(㎤), 램프 밸브 내에 구비된 Ta의 체적을 VT(㎣)로 할 때, 0.043≤VT/VW인 것을 특징으로 하는 숏 아크형 수은 램프로 한다.
Patent KR-100383203-B1 (KR)
Title: 플래쉬ｅｅｐｒｏｍ
IPC: H01L29/792
Filed: 1998-02-24
Granted: 2004-05-31
Abstract: 복수의 게이트 산화막 두께가 다른 트랜지스터를 트랜지스터 특성을 손상하지 않고 원-칩에 집적시키는 반도체 집적 회로 장치를 제공한다. 
     상이한 2종류 이상의 게이트 산화막 두께를 갖는 복수의 트랜지스터가 형성된 반도체 기판의 복수의 외부 단자(출력 단자)는 인터페이스 회로를 통해 내부 회로에 접속되어 있다. 상기 외부 단자에 직접 접속된 트랜지스터 P7, N7에는 게이트 산화막이 가장 얇은 트랜지스터 이외의 트랜지스터를 이용한다. 이와 같이 외부 전원과 접촉하고 있는 높은 내압이 필요한 노드에 후막 게이트 산화막 트랜지스터를 이용하고 외부 전원에 접촉하지 않은 트랜지스터에는 박막 게이트 산화막 트랜지스터를 이용한다. 이에 따라, 박막 게이트 산화막 트랜지스터는 내부 감압으로 컨트롤할 수 있는 범위의 전압밖에 인가되지 않으므로 디바이스/회로 설계의 자유도가 비약적으로 광범위해 진다.
Patent KR-100493365-B1 (KR)
Title: 소극형제직도비의현수레버에인장케이블을고정하기위한장치
IPC: D03C13/00
Filed: 1998-03-25
Granted: 2005-09-07
Abstract: 동일한 잉아 샤프트 프레임의 수직 이동을 위해 동일한 현수레버(1) 에 속하는 2 개의 인장 케이블 (4) 들의 단부들이 등자 ( stirrup ) 형으로 형성된 아일릿 (3) 의 동일 페룰 (3b) 에 압착되어 상기 레버의 돌출부 (1b) 에 걸리며, 핀 (5) 에 의해 돌출부에 체결된다.
Patent KR-100572041-B1 (KR)
IPC: F02M35/112
Filed: 1998-03-25
Granted: 2006-07-19
Abstract: 본 발명은, 각 실린더에 형성된 2개 시스템의 독립된 흡기관부를 구비하고 각 시스템의 흡기관부가 해당 시스템에 조립되는 흡기 매니폴드를 포함하며, 흡기 매니폴드와 공기 청정기측의 흡기 통로와의 사이에 연결되고 흡기 와류 제어밸브와 흡기 스로틀 밸브가 설치되어 있는 스로틀 챔버를 추가로 포함하는 내연기관의 흡기 장치에 관한 것이다.
Patent KR-100317311-B1 (KR)
Title: Semiconductor device and method for manufacturing the same
Inventor: PARK YU BAE
IPC: H01L21/76
Filed: 1998-03-30
Granted: 2002-01-16
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to improve reliability of the semiconductor device and to easily achieve the area of an active region. CONSTITUTION: An isolation layer(27a) is formed in a trench of a semiconductor substrate(21). The first transistor having the first gate oxide layer(29a) is spaced apart from the trench. The second transistor having the second gate oxide layer(29b) is formed at adjacent portion to the trench. At this time, the second gate oxide layer(29b) of the second transistor is formed at the edge portion of the trench and has a relatively thick thickness compared to the first gate oxide layer(29a). A source/drain region(32a) is formed in the substrate of the both sides of the first and second transistor, and an impurity region(32b) is formed in the substrate of one side of the trench.