Patent DE-112015001398-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
Inventor: OOMAE SYOICHIROU
IPC: H01L23/50
Filed: 2015-03-23
Granted: 2022-11-10
Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:einen Leitungsrahmen (34), der enthält:eine Oberfläche (34a) und eine hintere Oberfläche (34b), die der einen Oberfläche (34a) gegenüberliegt, undeine erste Wärmesenke (36U, 36L), eine Insel (38U, 38L) und einen Steueranschluss (42U, 42L), wobei die Insel (38U, 38L) und der Steueranschluss (42U, 42L) von der ersten Wärmesenke (36U, 36L) getrennt sind;einen ersten Halbleiter-Chip (10U, 10L), der enthält:eine erste Hauptelektrode (16U, 16L), die auf einer zugewandten Oberfläche des ersten Halbleiter-Chips (10U, 10L), die der hinteren Oberfläche (34b) zugewandt ist, angeordnet ist, undeine Steuerelektrode (30U, 30L) und eine zweite Hauptelektrode (18U, 18L), wobei die zweite Hauptelektrode (18U, 18L) mit der ersten Hauptelektrode (16U, 16L) gepaart ist, wobei die Steuerelektrode (30U, 30L) und die zweite Hauptelektrode (18U, 18L) auf einer der zugewandten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche des ersten Halbleiter-Chips (10U, 10L) angeordnet sind, wobei die erste Hauptelektrode (16U, 16L) mit der ersten Wärmesenke (36U, 36L) verbunden ist;eine zweite Wärmesenke (48U, 48L), die der Oberfläche des ersten Halbleiter-Chips (10U, 10L), auf der die Steuerelektrode (30U, 30L) angeordnet ist, gegenüberliegend angeordnet ist, wobei die zweite Wärmesenke (48U, 48L) mit der zweiten Hauptelektrode (18U, 18L) mittels eines Lötmittels (52) verbunden ist;einen zweiten Halbleiter-Chip (60U, 60L), der an der Insel (38U, 38L) auf der hinteren Oberfläche (34b) fixiert ist, um eine Ansteuerung des ersten Halbleiter-Chips (10U, 10L) zu steuern, wobei der zweite Halbleiter-Chip (60U, 60L) mit der Steuerelektrode (30U, 30L) mittels eines ersten Bondierungsdrahts (62) verbunden ist und mit dem Steueranschluss (42U, 42L) mittels eines zweiten Bondierungsdrahts (64) verbunden ist;eine passive Komponente (68), die auf einem Montageabschnitt für eine passive Komponente des Steueranschlusses (42U, 42L) mittels eines Bondierungsmaterials montiert ist; undeine Harzform (32), die in einer Schichtungsrichtung der ersten Wärmesenke (36U, 36L), der zweiten Wärmesenke (48U, 48L) und des ersten Halbleiter-Chips (10U, 10L) eine Oberfläche (32a) auf der Seite der ersten Wärmesenke (36U, 36L) und eine Oberfläche (32b) auf der Seite der zweiten Wärmesenke (48U, 48L) enthält, wobei die Harzform (32) den ersten Halbleiter-Chip (10U, 10L), den zweiten Halbleiter-Chip (60U, 60L), die passive Komponente (68), mindestens einen Teil (36Ua, 36La) der ersten Wärmesenke (36U, 36L) und der zweiten Wärmesenke (48U, 48L), den ersten Bondierungsdraht (62), den zweiten Bondierungsdraht (64), die Insel (38U, 38L) und einen Teil des Steueranschlusses (42U, 42L), der den Montageabschnitt für eine passive Komponente enthält, einstückig abdichtet, wobeiein Teil des Leitungsrahmens (34) in Bezug auf den restlichen Teil des Leitungsrahmens (34) derart gebogen ist, dass eine Oberfläche der Insel (38U, 38L), auf der der zweite Halbleiter-Chip (60U, 60L) montiert ist, näher bei der Oberfläche (32a) der Harzform (32) auf der Seite der ersten Wärmesenke (36U, 36L) auf der hinteren Oberfläche (34b) als eine Oberfläche der ersten Wärmesenke (36U, 36L), auf der der erste Halbleiter-Chip (10U, 10L) montiert ist, und der Montageabschnitt für eine passive Komponente des Steueranschlusses (42U, 42L) angeordnet ist; unddie passive Komponente (68) auf dem Montageabschnitt für eine passive Komponente des Steueranschlusses (42U, 42L) auf der einen Oberfläche (34a) montiert ist.