baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I742023-B (TW)
Title: Substrate processing apparatus, method of detaching substrate from vacuum suction table of substrate processing apparatus, and method of placing substrate onto vacuum suction table of substrate processing apparatus
Inventor: TOYOMURA NAOKI
IPC: H01L21/683
Filed: 2016-12-06
Granted: 2021-10-11
Abstract: An object of the present invention is to detach a substrate from a table without damaging the substrate by lift pins. One embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus having a vacuum suction table adapted to have a substrate placed thereon, and a plurality of lift pins disposed along the outer periphery of the vacuum suction table. The lift pins each have a distal end portion including a substrate guide surface capable of guiding the outer peripheral end surface of the substrate, and a proximal end portion including a substrate holding surface extending from the substrate guide surface outwardly in a radial direction of the lift pin. The lift pins are stoppable in a lower end position where the substrate guide surface of each of the lift pins is disposed below a suction-holding surface of the vacuum suction table, an upper end position where the substrate holding surface of each of the lift pins is disposed above the suction-holding surface of the vacuum suction table, and an intermediate position between the lower end position and the upper end position. In the intermediate position, the substrate guide surface of each of the lift pins is disposed above the suction-holding surface of the vacuum suction table, and the substrate holding surface of each of the lift pins is disposed below the suction-holding surface of the vacuum suction table.
Patent TW-I692851-B (TW)
Inventor: LU CHIA-LIN
IPC: H01L23/525
Filed: 2016-12-12
Granted: 2020-05-01
Abstract: 本發明披露一種製作半導體元件的方法。提供一基板，包含一第一區域，設有一第一電晶體、一第二區域，設有一第二晶體、一溝渠絕緣區域、一電阻形成區域。第一層間介電層覆蓋第一、第二區域與電阻形成區域。接著於第一、第二區域及電阻形成區域上形成一電阻材料層及一蓋層。圖案化蓋層及電阻材料層，於第一、第二區域上形成第一硬遮罩圖案，於電阻形成區域形成第二硬遮罩圖案。非等向性蝕刻電阻材料層。於基板上沉積第二層間介電層。利用遮罩及第一硬遮罩圖案圖案化第二層間介電層及第一層間介電層，形成接觸洞。
Patent TW-I619112-B (TW)
Inventor: LIN HSIN NAN
IPC: G09G5/10
Filed: 2016-12-26
Granted: 2018-03-21
Abstract: 一種畫面顯示方法及應用其之顯示裝置。畫面顯示方法包括以下步驟。首先，設定初始色溫。然後，顯示裝置以初始色溫顯示一畫面。然後，偵測畫面以初始色溫顯示之一時間。然後，當時間達到預定時間時，顯示裝置以第一色溫顯示畫面，其中第一色溫與初始色溫相異。
Patent TW-I767897-B (TW)
Inventor: RODRIGO Chirantha
IPC: C23G5/00
Filed: 2017-01-10
Granted: 2022-06-21
Abstract: 本揭露書提供了用於在基板蝕刻之後清洗腔室部件的方法。 在一個例子中，一種用於清洗的方法包括以下步驟：使用電漿活化蝕刻氣體混合物，以產生活化的蝕刻氣體混合物，蝕刻氣體混合物包含含氫前驅物和含氟前驅物；及將活化的蝕刻氣體混合物輸送到製程腔室的處理區域，製程腔室具有位於其中的邊緣環，邊緣環包含催化劑和抗催化材料，其中活化氣體從邊緣環移除抗催化材料。
Patent TW-I634261-B (TW)
Inventor: PALMER MILES R
IPC: F02C6/00
Filed: 2011-09-20
Granted: 2018-09-01
Abstract: 本揭露內容提供了用於發電的方法、組合以及系統，其可允許增加的效率以及較低的成本組件，該增加的效率以及較低的成本源自控制、降低或消除微粒造成的渦輪機葉片機械性腐蝕或由燃燒產物流中之氣體造成的化學腐蝕。該方法、組合以及系統可包括渦輪機葉片的使用，該渦輪機葉片以相對於典型發電系統中所使用之傳統渦輪機顯著降低的葉片速度操作。該方法以及系統也可使用被回收的循環流體用於該渦輪機及/或其他的組件的蒸散保護。此外，被回收的循環流體可被利用以提供清洗材料至該渦輪機。
Patent TW-I627098-B (TW)
Title: 電子變速角度感應結構
Inventor: MU XUE-ZHI
IPC: B62M9/122
Filed: 2017-01-26
Granted: 2018-06-21
Abstract: 一種電子變速角度感應結構，包括一轉轍單元、一驅動單元、與一感應單元。轉轍單元具有一連桿機構。驅動單元定位於轉轍單元上；驅動單元定義一動力傳輸路徑、與動力傳輸路徑之外之一非動力傳輸路徑；驅動單元沿動力傳輸路徑輸出動力，以驅使連桿機構產生動作，且驅動單元於動力傳輸路徑上具有一蜗輪。感應單元連接驅動單元、且位於非動力傳輸路徑；感應單元包括與該動力輸出軸同步轉動的一感測齒輪、以及一傳感組件偵測感測齒輪之轉動角度。
Patent TW-I613315-B (TW)
Inventor: SOWA MARK J
IPC: H01J37/32
Filed: 2017-02-20
Granted: 2018-02-01
Abstract: 於一基板上執行具有減少基於石英之汙染物的電漿輔助原子層沉積的方法於此被揭示。所述方法包含於一石英電漿管中，從一供應氣體感應地形成一基於氫之電漿，供應氣體主要由氫與氮或者是氫、氬與氮所組成。氮構成不大於2 vol%的供應氣體。基於氫之電漿包含一或多個反應物種。基於氫之電漿中之一或多個反應物種被導引至基板以使所述一或多個反應物種與基板上之一初始膜反應。與未使用氮於供應氣體中相比，微量的氮可用來減少初始膜中之基於石英的汙染物。
Patent TW-I644798-B (TW)
Inventor: WATANABE KATSUHIKO
IPC: B32B3/24
Filed: 2017-03-20
Granted: 2018-12-21
Abstract: 本發明之課題在於提供一種強度(尤其是撕裂強度及拉伸強度兩者)優異，作為電化學元件用間隔件之性能優異之多孔性片。
 
     本發明之多孔性片含有：具有20~500nm之平均纖維直徑之纖維素纖維、具有1.5~20μm之平均纖維直徑之切斷纖維及親水性高分子黏合劑，上述切斷纖維之含量以上述纖維素纖維及上述切斷纖維之合計重量為基準而為1重量%以上且80重量%以下，上述親水性高分子黏合劑之含量係將上述纖維素纖維及上述切斷纖維之合計重量設為100重量份而為5重量份以上且30重量份以下。
Patent TW-I632260-B (TW)
Inventor: CHEN HSUEH-SHIH
IPC: B42D25/20
Filed: 2017-03-24
Granted: 2018-08-11
Abstract: 不同於習知的量子點纖維顯示出穩定度與發光效率不佳的問題，本發明提出一種高穩定性的量子點纖維，主要係由複數個量子點、一聚合物鞘、以及一鞘保護膜所構成。特別地，聚合物鞘係以具有高玻璃轉換溫度的酯類聚合物製成，且鞘保護膜係以具有低玻璃轉換溫度的丙烯酸聚合物製成。其中，低玻璃轉換溫度的丙烯酸聚合物有助於提升量子點纖維的柔軟度及耐腐蝕性，進而可以有效避免聚合物鞘於貯存或加工過程中產生泛黃現象，達到避免水氧通過人造纖維聚合物而侵蝕量子點之目的。
Patent TW-I739828-B (TW)
Title: 資料處理方法及系統
Inventor: ZHOU NING-YI
IPC: G06T1/20
Filed: 2017-05-10
Granted: 2021-09-21
Abstract: 本申請案提供資料處理方法及系統，其中一種方法包括：在一個資料框中獲取多個關聯型資料後，確定與關聯型資料對應的屬性資訊，每個屬性資訊至少包括特徵資訊；對各個特徵資訊執行合併操作並獲得整體特徵資訊；至少將所述整體特徵資訊發送至圖形處理器。在現有技術中針對多個特徵資訊，CPU與GPU之間需要進行多次通訊；而本申請案中由於將多個特徵資訊合併為一個整體特徵資訊，所以在CPU與GPU之間進行一次通訊傳輸即可。因此，本申請案可以大大減少CPU與GPU之間的通訊次數，從而提高GPU的框率，降低對GPU顯示性能的影響。
Patent TW-I656249-B (TW)
Title: 改善晶圓表面切割形貌的線切割系統
Inventor: MIENO FUMITAKE
IPC: C30B35/00
Filed: 2017-06-26
Granted: 2019-04-11
Abstract: 本發明提供一種改善晶圓表面切割形貌的線切割系統，包括：晶錠進給裝置、切割線及切割線驅動裝置；還包括：壓力感測器，位於晶錠進給裝置上，適用於偵測待切割晶錠對切割線的壓力；第一位移感測器，位於晶錠進給裝置上，適用於偵測待切割晶錠的運動及位置偏移；第一溫度感測器，適用於偵測待切割晶錠與切割線接觸區域的溫度；速度感測器，適用於偵測切割線的運動速度。透過增設壓力感測器、第一位移感測器、第一溫度感測器及速度感測器，可以即時偵測待切割晶錠對切割線的壓力、待切割晶錠的運動及位置偏移、待切割晶錠與切割線接觸區域的溫度及切割線的運動速度，可以根據偵測的上述資料調整設定線切割製程程式，改善切割得到的晶圓表面的形貌。
Patent TW-I633638-B (TW)
Inventor: Huang shu ying
IPC: H01L23/48
Filed: 2017-07-05
Granted: 2018-08-21
Abstract: 本發明的實施例提出一種打線及測試方法，由打線機執行，包含下列步驟：提供基板及多個晶粒，基板包含多個裸露的引腳而每一晶粒包含多個裸露的墊；控制馬達以使金屬框固定住基板；以及打線以互連晶粒上的墊以及基板上的引腳，以製作快閃記憶體的半成品。基板上的所有引腳浮接於金屬框以避免發生靜電放電錯誤。
Patent TW-I660774-B (TW)
Title: 吸附材料
Inventor: MARUYAMA MASASHI
IPC: B01D15/20
Filed: 2017-07-31
Granted: 2019-06-01
Abstract: 本發明之目的在於提供具有高分散性及可逆性之吸附材料。
 
     本發明之吸附材料之特徵為具備具有複數個在水中可離子化之官能基且未顯示下限臨界溶解溫度之高分子材料、可與標的物質相互作用之吸附部位、及載體。
Patent TW-I732013-B (TW)
Title: 物件分配方法及裝置
Inventor: YANG BO-YU
IPC: H04L47/765
Filed: 2017-08-02
Granted: 2021-07-01
Abstract: 本案提供一種物件分配方法及裝置，該方法可以包括：根據分配來源方的用戶端接收到的物件分配請求，配置待分配的物件數量和物件分配時刻；向服務端發送物件分配消息，所述物件分配消息中包含所述待分配的物件數量和所述物件分配時刻；其中，所述待分配的物件數量用於指示所述服務端從所述分配來源方對應的物件集合中提取相應數量的待分配物件，以及所述物件分配時刻用於指示所述服務端控制所述分配目標方對所述待分配物件的獲取時刻，使所述獲取時刻不早於所述物件分配時刻。透過本案的技術方案，可以簡化用戶操作，並提升物件分配操作的準時性。
Patent TW-I652848-B (TW)
Inventor: YANG CHUN CHEN
IPC: H01M4/587
Filed: 2017-08-15
Granted: 2019-03-01
Abstract: 一種矽酸鋰鐵/碳陰極材料的製法，是以以溶膠-凝膠法或噴霧乾燥法合成矽酸鋰鐵/碳陰極材料，尤其在合成過程中使用不同碳源或碳材對矽酸鋰鐵材料進行包覆碳層改質，或再使用氧化物包覆矽酸鋰鐵/碳陰極材料的表面進行表可改質，藉所添加的碳源或導電碳材均勻分散於矽酸鋰鐵活性物質的表面上，增加粒子與粒子間的電子傳導路徑，有效改善及提高矽酸鋰鐵活性物質的導電度，也使得所製得的矽酸鋰鐵/碳陰極材料具有非常好的高功率特性與良好的充/放循環壽命，在進行高速率充/放電下，具有極佳的穩定性及克電容量，使用用途適用於做為二次鋰離子電池的陰極。
Patent TW-I663209-B (TW)
Title: Gel composition
Inventor: FUKUDA NATSU
IPC: C08G81/00
Filed: 2017-08-24
Granted: 2019-06-21
Abstract: 本發明提供一種附著性、白化抑制性及高溫穩定性優異的凝膠組成物。本發明形成含有下述通式（1）所表示的聚氧伸烷基烷基醚（A）以及水（B）的凝膠組成物。   R-O-(PO) m 
-(EO) n 
-H・・・（1）   式（1）中，R為碳數12～22的直鏈烷基，PO表示氧伸丙基，EO表示氧伸乙基。m及n表示平均加成莫耳數，m為1～20的數，n為1～80的數。另外，PO與EO的加成形態為嵌段加成。
Patent TW-I755422-B (TW)
Title: 處理液供給裝置
Inventor: SASA TAKASHI
IPC: B01D35/00
Filed: 2017-08-25
Granted: 2022-02-21
Abstract: [課題] 提供不管裝置內之各部之位置關係或配管、配置條件等如何，可以藉由過濾器適當地除去處理液內之微粒的處理液供給裝置。 　　[解決手段] 光阻液供給裝置(200)係對塗佈噴嘴(142)供給光阻液者，具備暫時性地貯留從貯留光阻液之光阻液供給源(201)被供給的處理液之緩衝槽(202)，和被設置在塗佈噴嘴(142)和緩衝槽(202)之間，除去光阻液中之異物的過濾器(212)，和將藉由過濾器(212)除去異物的光阻液送出至塗佈噴嘴(142)之泵浦(211)，緩衝槽(202)具有壓送貯留於該緩衝槽(202)之光阻液的壓送功能。
Patent TW-I755423-B (TW)
Title: 半導體裝置的製造方法
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: B32B38/18
Filed: 2017-08-28
Granted: 2022-02-21
Abstract: 本發明提高半導體裝置的製程的良率及半導體裝置的生產性。本發明是一種半導體裝置的製造方法，包括：在基板上形成第一材料層的製程；在第一材料層上形成第二材料層的製程；以及將第一材料層與第二材料層分離的製程。此外，在分離前，較佳為對層疊的第一材料層與第二材料層進行加熱。第一材料層包含氫、氧和水中的一種或多種。第一材料層例如包含金屬氧化物。第二材料層包含樹脂（例如，聚醯亞胺、丙烯酸）。第一材料層與第二材料層藉由氫鍵被切斷來分離。此外，藉由對因加熱第一材料層與第二材料層的介面或介面附近析出的水照射光，使第一材料層與第二材料層分離。
Patent TW-I667804-B (TW)
Title: Solar cell cell manufacturing method
Inventor: SUZUKI KAI
IPC: H01L31/18
Filed: 2017-09-21
Granted: 2019-08-01
Abstract: 本發明係提供一種步驟簡略、量產性高且不需要揮發性高的有機溶劑使環境負荷小之太陽電池胞之製造方法。一種太陽電池胞之製造方法，其特徵係具備：將利用活性能量射線（active energy ray）硬化的液狀樹脂利用印刷法膜狀地塗敷到半導體基板（1）主面之中一部分的領域，形成由液狀樹脂所構成且能形成絕緣層（2）的圖案之樹脂層（5）之印刷步驟；對樹脂層（5）照射活性能量射線使液狀樹脂硬化，在半導體基板（1）主面上，形成由液狀樹脂的硬化物所構成的絕緣層（2）之硬化步驟：與將連接於利用開口部（2a）從絕緣層（2）露出的半導體基板（1）的露出面之電極（3）利用電鍍法形成於絕緣層（2）的開口部（2a）內之電鍍步驟。
Patent TW-I641040-B (TW)
Inventor: ALLIBERT FREDERIC
IPC: H01L21/306
Filed: 2017-09-27
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本發明涉及一種用於溶解絕緣體上矽晶圓中埋置氧化物之方法，該方法包括提供一絕緣體上矽晶圓(100, 300, 400, 500)，該絕緣體上矽晶圓設有一矽層(101, 301, 401, 501)，其透過一埋置氧化物層(102, 302, 402, 502)附著於一載體底材(103, 303, 403, 503)，以及對該絕緣體上矽晶圓(100, 300, 400, 500)回火至該埋置氧化物層(102, 302, 402, 502)至少局部溶解。該方法更包括在所述回火步驟前，在該矽層(101, 301, 401, 501)上面或上方提供一除氧層(104, 304, 404, 504)之步驟。
Patent TW-I658519-B (TW)
Inventor: KIM SEUNG WAN
IPC: H01L21/60
Filed: 2017-11-16
Granted: 2019-05-01
Abstract: 本發明是有關於一種減少半導體封裝基板之翹曲的方法
以及一種減少翹曲的裝置。減少半導體封裝基板之翹曲的方法包括製備半導體封裝基板、加熱製備後的半導體封裝基板、在加熱後的半導體封裝基板中形成至少一個彎曲且冷卻具有所述至少一個彎曲的半導體封裝基板。
Patent TW-I654483-B (TW)
Title: 掩模版版盒
Inventor: WANG GANG
IPC: G03F1/66
Filed: 2017-11-21
Granted: 2019-03-21
Abstract: 本發明公開了一種掩模版版盒，包括底板、設於底板上方的中框和設於中框上方的頂蓋，底板、中框和頂蓋圍成具有一開口的容納腔，開口處設有門板，底板上設有複數個掩模版支座，掩模版支座與中框之間設有空隙，中框的縱截面為H型結構，H型結構的橫檔以及位於內側的第一豎邊的下表面與底板之間設有空隙。通過在掩模版支座與中框之間設置空隙，使版盒可同時適應於真空吸附式版叉和物理夾持式版叉取版，同時將中框的縱截面設置為H型結構，且H型結構的橫檔以及第一豎邊的下表面與底板之間設置空隙，使版盒可同時適應於無掩模版保護的版叉和自帶掩模版保護的版叉取版，大大提高了兼容性。
Patent TW-I721233-B (TW)
Inventor: JENG SHIN PUU
IPC: H01L23/48
Filed: 2017-12-07
Granted: 2021-03-11
Abstract: 封裝結構包括第一介電層、第一半導體裝置、第一重分佈線、第二介電層、第二半導體裝置、第二重分佈線、第一導電件及第一模製材料。第一半導體裝置在第一介電層上方。第一重分佈線在第一介電層中且電連接至第一半導體裝置。第二介電層在第一半導體裝置上方。第二半導體裝置在第二介電層上方。第二重分佈線在第二介電層中且電連接至第二半導體裝置。第一導電件電連接第一重分佈線與第二重分佈線。第一模製材料模製第一半導體裝置及第一導電件。
Patent TW-I641226-B (TW)
Inventor: LEE WEN-TING
IPC: H03K5/125
Filed: 2017-12-07
Granted: 2018-11-11
Abstract: 本發明提供一種用以檢測風扇晶片的時脈頻率偏移的系統及方法，其包括一風扇晶片及一控制單元，一目標脈衝寬度定義在控制單元及風扇晶片中，當控制單元欲對於風扇晶片執行一時脈頻率偏移的檢測程序時，產生一特定樣式的脈衝訊號且傳送特定樣式的脈衝訊號至風扇晶片，風扇晶片根據特定樣式的脈衝訊號進入一時脈頻率偏移檢測模式，參照定義的目標脈衝寬度以對應產生一實際的目標脈衝寬度的回應訊號且傳送回應訊號至控制單元，控制單元比對回應訊號的實際的目標脈衝寬度與定義的目標脈衝寬度間的差異以檢測出風扇晶片的一時脈頻率的偏移量。
Patent TW-I624118-B (TW)
Inventor: FUKUMOTO YASUAKI
IPC: H01R13/639
Filed: 2017-12-08
Granted: 2018-05-11
Abstract: 於本發明之插頭連接器中，插頭側鎖定構件具有：基端部，其相對於第2插頭殼體固定；及延出部，其自基端部向插入之方向呈懸臂樑狀延出。於延出部形成有供自插座殼體突出之突起嵌合之嵌合孔。延出部具有向突起之高度方向彎曲之彈性。解除構件容許突起之插入及拔出之方向之相對移動，並且當相對於第2插頭殼體滑動時，藉由使延出部向突起之高度方向彎曲，而解除嵌合孔與突起之嵌合。
Patent TW-I658707-B (TW)
Inventor: FANG SHIH-HAO
IPC: H04B7/04
Filed: 2017-12-14
Granted: 2019-05-01
Abstract: 一種通訊系統及其運作方法。通訊系統包括至少一用戶設備、至少一無線寬頻頭端設備(remote radio head,RRH)、一量測單元、一集合決定單元及一天線選擇單元。該至少一無線寬頻頭端設備電性連接複數個天線。量測單元用以運作各該至少一用戶設備之一訊號通訊強度的量測。集合決定單元用以依據各該至少一用戶設備之該訊號通訊強度，決定複數個天線組態集合之其中之一。各該複數個天線組態集合包含複數個天線組態，各該複數個天線組態係由該些天線之其中P個所形成，P大於或等於1，該些天線組態集合之P值不同。該天線選擇單元用以自決定之該天線組態集合選擇該些天線組態之其中之一，以供各該至少一用戶設備進行通訊。
Patent TW-I732084-B (TW)
Title: Method for the treatment of atg4-related disorders
Inventor: YANG LEE-WEI
IPC: A61P35/00
Filed: 2017-12-26
Granted: 2021-07-01
Abstract: The present invention relates to the area of ATG4-related disorders. More particularly, the present invention relates to a method of treating an ATG4B-related disorder comprising a step of administering a subject with an effective amount of tioconazole. The present invention relates also to a method of increasing a subject's responsiveness to a therapy for a cancer comprising inhibition of ATG4B activity in a cell, said method comprises administering the subject with an effective amount of tioconazole. The present invention also relates to a method for enhancing or inducing a response in cancer cell consisting of cytotoxicity, chemosensitivity or starvation-sensitivity; said method comprises administering a subject with an effective amount of tioconazole to inhibit ATG4B activity.
Patent TW-I748031-B (TW)
Title: Electronic device and power control method
Inventor: Zhang xue-qin
IPC: G01R31/36
Filed: 2017-12-29
Granted: 2021-12-01
Abstract: The present invention provides a power control method which is applied to an electronic device. The electronic device includes M number of charging modules; a battery pack including N number of batteries; and N number of voltage sensors. The method includes determining X number of charging modules from the M number of charging modules, the X number of charging modules are used for charging the battery pack, wherein the M, N, and X are positive integers; controlling the N number of voltage sensors to detect voltage values; determining at least one of the N number of batteries as first target battery according to the voltage values; and controlling the X number of charging modules to charge the first target battery. The present invention can simultaneously charge batteries using different kinds of charging methods.
Patent TW-I687006-B (TW)
Title: 半導體雷射及此種半導體雷射之製造方法
Inventor: ENZMANN ROLAND HEINRICH
IPC: H01S5/026
Filed: 2018-01-18
Granted: 2020-03-01
Abstract: 在一實施形式中，半導體雷射(1)包括一表面發射式半導體雷射晶片(4)，其具有一半導體層序列(40)，此半導體層序列(40)具有：一個活性區(41)，以產生雷射輻射(L)；以及一光發出面(44)，其定向成垂直於半導體層序列(40)之生長方向(G)。此外，半導體雷射(1)包含一繞射式光學元件(3)，其係用於擴大和分配雷射輻射(L)，使半導體雷射(1)優選為對眼睛是安全的。繞射式光學元件(3)之光學有效結構(33)係由折射率至少1.65或2.0的材料構成。
Patent TW-I638622-B (TW)
Inventor: SU CHIN CHUN
IPC: A45D40/16
Filed: 2018-01-23
Granted: 2018-10-21
Abstract: 本發明係有關於一種口紅充填機，其主要於機台上設有充填部，所述充填部下方設有一活動座，所述活動座供承載欲填充料液的模座，所述活動座能帶動所述模座相對所述充填部垂直活動位移並進行充填動作，其特徵為於所述充填部之出料管端設置一可撓性管，所述可撓性管一端設置一導管，讓所述導管能對應嵌入於所述模座的模穴中，並讓所述活動座經由外力而產生一傾斜角度，使其在充填料液的過程中，讓所述模座帶動所述導管於傾斜狀態下進行填料，讓料液能順利由穴壁往下充填；藉此，能充分讓模穴內的空氣順利往外排出，使其模穴端部不產生氣泡現象，達到提升口紅成型良率的功效者。
Patent TW-I753097-B (TW)
Title: Oral thyroid therapeutic agent
Inventor: BECKER ACHIM
IPC: A61K9/20
Filed: 2018-02-02
Granted: 2022-01-21
Abstract: Described is an oral thyroid therapeutic agent containing levothyroxine or its pharmaceutically acceptable salts as an active ingredient in combination with at least one antioxidant and at least one adsorbent, wherein the ratio of active ingredient : antioxidant : adsorbent in wt.-% is 1 : 1: 5 to 1 : 50 : 100.
Patent TW-I758425-B (TW)
Title: 絕緣構造
Inventor: KAWAGUCHI HIROSHI
IPC: H01J27/26
Filed: 2018-03-01
Granted: 2022-03-21
Abstract: 本發明提供一種能夠抑制因污染粒子的堆積而引起之絕緣性能下降之絕緣構造。 　　在將設置於離子植入裝置的真空區域內部之電極與其他構件絕緣並支撐該電極之絕緣構造中，第1絕緣構件(32)支撐電極。第2絕緣構件(34)係為了減少污染粒子(18)向第1絕緣構件(32)的附著而嵌合於第1絕緣構件(32)。第2絕緣構件(34)由硬度比第1絕緣構件(32)低的材料形成。第2絕緣構件(34)的外表面的維氏硬度係5GPa以下。第2絕緣構件(34)的彎曲強度係100MPa以下。第2絕緣構件(34)由包含氮化硼、多孔質陶瓷及樹脂中的至少一者之材料形成。
Patent TW-I671370-B (TW)
Inventor: HWANG JI HO
IPC: C09J11/00
Filed: 2018-03-21
Granted: 2019-09-11
Abstract: 本發明提供一種包含離胺酸、檸檬酸及水的黏合劑組成
物，其中所述離胺酸及所述檸檬酸是以鹽的水溶液形式存在，以使得不在所述水溶液中形成沉澱物。另外，提供一種製備黏合劑組成物的方法，所述方法包括：將離胺酸、檸檬酸及水混合從而形成所述離胺酸、所述檸檬酸及所述水的混合物；以及在80℃或低於80℃的溫度下對所述混合物進行攪拌，其中對所述離胺酸的量、所述檸檬酸的量及所述水的量進行調整，以使得不在所述黏合劑組成物中形成所述離胺酸及所述檸檬酸的沉澱物。另外，提供一種包含黏合劑組成物的黏合產品。
Patent TW-I645158-B (TW)
Inventor: Chen yan-song
IPC: G01B11/24
Filed: 2018-03-23
Granted: 2018-12-21
Abstract: 一種三維量測裝置，包含：光源、分光器、反射器、感測器、成像系統。此三維量測裝置對應一干涉量測面。分光器傾斜第一角度，反射器傾斜第二角度，感測器傾斜第三角度，且干涉量測面傾斜第四角度。
Patent TW-I661299-B (TW)
Inventor: HSIEH HUNG-CHIH
IPC: G06F12/06
Filed: 2018-04-30
Granted: 2019-06-01
Abstract: 本發明提供適用於配置有一可複寫式非揮發性記憶體模組的一儲存裝置一種記憶體管理方法。所述可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊。所述方法包括：掃描所述多個實體區塊，以辨識所述多個實體區塊中的一或多個壞實體區塊；對所述一或多個壞實體區塊執行壞實體區塊重新映射操作，以更新一虛擬區塊串管理表；以及根據所述虛擬區塊串管理表以一多平面寫入模式來執行寫入操作。
Patent TW-I666096-B (TW)
Title: 可拆卸接頭加工卡匣及應用其之夾鉗工具
Inventor: HUNG WEN-LUNG
IPC: B25B27/02
Filed: 2015-10-13
Granted: 2019-07-21
Abstract: 一種接頭加工卡匣，可拆卸地裝配於一工具本體中，其中該工具本體包括一容置部以及一驅動部，該驅動部之運動方向界定一第一軸，該接頭加工卡匣包括一本體以及一加工塊。該本體用於拆卸地配置於該容置部中並具有一加工開口於其中。該加工塊沿該第一軸可滑動地設於該本體中並具有一連接部，該連接部用於與該工具本體的該驅動部可拆卸地嚙合，以使得該連接部受該驅動部驅動而使該加工塊沿該第一軸相對該加工開口滑動。
Patent TW-I692692-B (TW)
Inventor: THAMBIDORAI GAUTHAM
IPC: G06F9/50
Filed: 2018-05-15
Granted: 2020-05-01
Abstract: 一程式化模型產生一程式之一圖形，該圖形包含複數個節點及邊緣，其中該圖形之每一節點表示一操作，且介於節點之間的邊緣表示輸入至由節點表示之操作及自該等操作輸出之資料之串流。該模型判定在一分散式架構中何處執行由節點表示之操作。此判定可包含：判定哪些節點具有位置限制；基於一位置限制而將位置指派至具有該限制之每一節點；及將圖形分割成複數個子圖，該分割包含根據一第一組約束而將位置指派至不具有位置限制之節點，其中將一特定子圖內之每一節點指派至相同位置。子圖中之每一者係在一各別單個執行緒中於其經指派位置處執行。
Patent TW-I653923-B (TW)
Inventor: TU CHIH KAI
IPC: H05K7/16
Filed: 2018-06-01
Granted: 2019-03-11
Abstract: 本發明提供一種電子裝置的門蓋機構，其中前述電子裝置具有一可伸縮式碟盤和一開關。前述門蓋機構包括一殼體、一門蓋、一第一彈性元件、一旋轉元件、以及一第二彈性元件。門蓋樞接殼體並具有一推抵部，且門蓋對應前述電子裝置。第一彈性元件連接殼體和門蓋，第二彈性元件則連接殼體和旋轉元件。旋轉元件包括一樞接部、一接觸部、以及一延伸部，其中樞接部樞接於殼體，接觸部對應電子裝置之開關，而延伸部之至少部分則設置於門蓋和可伸縮式碟盤之間。
Patent TW-I661819-B (TW)
Title: 可協助身體移動的床具輔助裝置
IPC: A61G7/053
Filed: 2018-06-07
Granted: 2019-06-11
Abstract: 一種可協助身體移動的床具輔助裝置，適合與一個床具搭配，並包含：一個基架、一個安裝在該基架上的頂撐機構、一個舖放在該床具上並供臥躺的舖墊，以及一個結合單元。該基架包括兩個位於該床具相反側的側板，該頂撐機構包括四支分別位於該床具四個角落的頂撐壓缸，該舖墊包括平行間隔的一個第一側、一個第二側，該結合單元包括數個分別將該舖墊與所述頂撐壓缸結合的第一結合件、第二結合件，以及兩個用於連接該舖墊及所述側板的第三結合件。前述結構的配合，可以讓該舖墊轉換到一個翻身位置及一個起身位置，以提高居家照顧的方便性。
Patent TW-I664688-B (TW)
Title: Protective film forming film, protective film forming sheet, protective film forming composite sheet, and inspection method
Inventor: YAMAMOTO DAISUKE
IPC: C09J7/10
Filed: 2015-01-22
Granted: 2019-07-01
Abstract: 本發明提供一種保護膜形成薄膜、保護膜形成用薄片、保護膜形成用複合片及檢查方法。本發明的保護膜形成用薄片（2），其包括：保護膜形成薄膜（1），其中，波長1600nm的光線透射率為72%以上，且波長550nm的光線透射率為20%以下；及剝離片（21），其積層於該保護膜形成薄膜（1）的一面或兩面。依該種保護膜形成用薄片（2），能夠檢查存在於工件或加工該工件而得到之加工物之裂紋等，且能夠形成無法肉眼觀察到存在於工件或加工物之磨削痕之保護膜。
Patent TW-I675438-B (TW)
Title: 半導體記憶裝置
Inventor: NAKAZAWA SHINGO
IPC: H01L21/8239
Filed: 2018-07-03
Granted: 2019-10-21
Abstract: 本發明之實施形態提供一種高品質之半導體記憶裝置。    實施形態之半導體記憶裝置具備記憶胞及控制部，上述控制部進行向上述記憶胞之資料寫入或自上述記憶胞之資料讀取，上述記憶胞包含：電阻變化部，其電阻因熱而變化，藉由上述電阻記憶資料；及第1及第2選擇器，其等與上述電阻變化部串聯連接，且特性互不相同。
Patent TW-I666835-B (TW)
Inventor: GESKE RALF
IPC: H01R4/18
Filed: 2018-07-04
Granted: 2019-07-21
Abstract: 一種用於連接一電導體(2)之連接器裝置(1)包括一殼體(10)，該殼體具有用於插入一電導體(2)之一插座開口(100)，一彈簧元件(11)，其配置在該殼體(10)上，該彈簧元件具有用於鎖定插入該插座開口(100)中之一電導體(2)之一彈簧腿(111)，及一調整元件(12)，其依一可調整方式配置在該殼體(10)上，其中藉由調整該調整元件(12)，該彈簧腿(111)可在一夾緊位置與一釋放位置之間移動。在此情況下，假定該彈簧元件(11)具有配置在該彈簧腿(111)上之一致動區段(112)，該調整元件(12)在一調整期間作用在該致動區段上，用於移動該彈簧腿(111)並且在其上形成一支撐區段(113)，該支撐區段經構造以在該彈簧腿(111)之一移動期間在一支撐點(114)處與該彈簧腿(111)接觸。
Patent TW-I673126-B (TW)
Inventor: CHOI JAE JOON
IPC: B23K26/21
Filed: 2018-07-16
Granted: 2019-10-01
Abstract: 本發明涉及可縮短對一個對焊接對象物的節拍時間以及實現對多個焊接對象物整體的焊接作業的高速化的雷射回流焊裝置，其包括：焊接對象物移送部，用於移送焊接對象物，包括對焊接對象物進行支撐的工作臺；雷射照射部及雷射照射部移送部，雷射照射部將雷射轉換為面光源形態來向焊接對象物照射，雷射照射部移送部用於使雷射照射部向照射位置或等待位置移動；以及雷射束透射板及雷射束透射板移送部，雷射束透射板與雷射照射部分離來獨立設置，並使面光源形態的雷射束透射，雷射束透射板移送部用於使雷射束透射板向作業位置或等待位置移動。
Patent TW-I690527-B (TW)
Inventor: LEE JUNG HA
IPC: C09K11/06
Filed: 2018-07-20
Granted: 2020-04-11
Abstract: 本發明是關於一種新式環狀化合物以及一種使用此環狀
化合物的有機發光裝置。
Patent TW-I679193-B (TW)
Inventor: SANG RUI
IPC: B01J31/22
Filed: 2018-08-03
Granted: 2019-12-11
Abstract: 一種使用甲酸做為CO源之甲氧羰基化反應的方法。
Patent TW-I774814-B (TW)
Title: 賦形膜及光硬化型組成物
Inventor: KONDOU HIDEKAZU
IPC: C08J7/046
Filed: 2018-08-07
Granted: 2022-08-21
Abstract: 本揭示的一方面的賦形膜為包括基材、及積層於該基材的賦形層的賦形膜，且賦形層包含含有（A）自由基聚合性成分的光硬化型組成物的硬化物，（A）自由基聚合性成分包含：（A1）具有2個以上(甲基)丙烯醯基的丙烯酸胺基甲酸酯、及（A2）含氮單官能(甲基)丙烯酸系單體。
Patent TW-I680565-B (TW)
Inventor: DAVIS JAMES E
IPC: H01L27/115
Filed: 2018-09-20
Granted: 2019-12-21
Abstract: 一種半導體裝置總成包含一基板及經耦合至該基板之一晶粒。該晶粒包含：一第一接觸墊，其經電耦合至該晶粒上之一第一電路，該第一電路包含至少一個主動電路元件；及一第二接觸墊，其經電耦合至該晶粒上之一第二電路，該第二電路僅包含被動電路元件。該基板包含經電耦合至該第一接觸墊及該第二接觸墊兩者之一基板接觸件。該半導體裝置總成進一步可包含一第二晶粒，該第二晶粒包含：一第三接觸墊，其經電耦合至該第二晶粒上之一第三電路，該第三電路包含至少一第二主動電路元件；及一第四接觸墊，其經電耦合至該第二晶粒上之一第四電路，該第四電路僅包含被動電路元件。該基板接觸件可經電耦合至該第三接觸墊，且係與該第四接觸墊電性斷開。
Patent TW-I787357-B (TW)
Title: Method and system for operating product and methods for operating dot product and operating convolution
Inventor: MALLADI KRISHNA T
IPC: G06F7/483
Filed: 2018-09-27
Granted: 2022-12-21
Abstract: A computing accelerator using a lookup table. The 
accelerator may accelerate floating point multiplications by retrieving the fraction portion of the product of two floating-point operands from a lookup table, or by retrieving the product of two floating-point operands from a lookup table, or it may retrieve dot products of floating point vectors from a lookup table. The accelerator may be implemented in a three-dimensional memory assembly. It may use approximation, the symmetry of a 
multiplication lookup table, and zero-skipping to improve performance. A method and a system for calculating a product and methods for calculating a dot product and calculating a convolution are provided.
Patent TW-I798274-B (TW)
Title: 交聯性彈性體組成物及氟橡膠成形品
Inventor: HIRANO SEIICHI
IPC: C08K9/00
Filed: 2018-10-18
Granted: 2023-04-11
Abstract: 本發明之目的係提供在特定條件下之電漿照射後之重量減少率與顆粒發生量及高溫下之壓縮永久變形小的交聯性彈性體組成物。
本發明係有關含有交聯性彈性體及表面被氧化之非氧化物系陶瓷之交聯性彈性體組成物。又，關於下述條件下之O 2 
電漿照射後之重量減少率為2.5質量%以下，顆粒發生量為0.05質量%以下，NF 3 
電漿照射後之重量減少率為1.8質量%以下，顆粒發生量為0.05質量%以下，在300℃、70小時之壓縮永久變形為50%以下的氟橡膠成形品。
樣品：O形環(AS-568A-214)
測量方法：
(1)O 2 
電漿
電漿照射裝置：ICP高密度電漿裝置(Samco股份公司製MODEL RIE-101iPH)
照射條件
氣體流量     ：16SCCM
RF輸出        ：400Wh
壓力            ：2.66Pa
蝕刻時間      ：30分鐘
溫度            ：100℃
相當於全氟化彈性體(不含填料(Non-Filler))之蝕刻速度為12000Å/分鐘的條件。
(2)NF 3 
電漿
電漿照射裝置：ICP高密度電漿裝置(Samco股份公司製MODEL RIE-101iPH)
照射條件
氣體流量      ：16SCCM
RF輸出        ：400Wh
壓力            ：10Pa
蝕刻時間      ：4小時
溫度            ：200℃
相當於矽晶圓熱氧化膜(SiO 2 
)之蝕刻速度為90Å/分鐘的條件。
Patent TW-I744580-B (TW)
Inventor: HSU CHIH-YU
IPC: H01L21/311
Filed: 2018-12-11
Granted: 2021-11-01
Abstract: 揭露了用於在反應腔室中各向同性蝕刻在基板上形成的高縱橫比（HAR）孔的側壁上的含矽層的至少一部分之方法。該HAR孔藉由電漿蝕刻第一含矽層和第二含矽層的交替層的堆疊而形成，該第二含矽層與該第一含矽層不同。該方法包括以下步驟：a) 將含氟蝕刻氣體引入該反應腔室中，該含氟蝕刻氣體選自由亞硝醯氟（FNO）、三氟胺氧化物（F 3 
NO）、硝醯氟（FNO 2 
）及其組合組成之群組；和b) 藉由用該含氟蝕刻氣體相對於該等第一含矽層選擇性地蝕刻該等第二含矽層來移除該等第二含矽層的至少一部分，以在該HAR孔的側壁上產生在該等第一含矽層之間的凹槽。可替代地，所揭露的蝕刻製程係循環蝕刻製程。
Patent TW-I706334-B (TW)
Inventor: LIN JUNG-YI
IPC: G06N3/04
Filed: 2018-12-13
Granted: 2020-10-01
Abstract: The present invention provides a storage device, electronic device and method for classifying images. The method includes selecting image types corresponding to classifier with a first probability value when the images cannot be directly identified by a first layer classifier set, and establishing a second layer classifier set according to the selected image types. The method further includes classifying the images by the classifier of the second layer classifier set, and selecting a classifier with highest second probability value of the second layer classifier set and output the image type of the classifier as the classification result. The present invention can identify images and output the classification result.
Patent TW-I694238-B (TW)
Title: Geometric errors measutement method for multiple-axis machining tool
Inventor: LIU CHIEN SHENG
IPC: G01B5/004
Filed: 2018-12-28
Granted: 2020-05-21
Abstract: A geometric errors measurement method applied in a multiple-axis machining tool is provided. The multiple-axis machining tool includes at least one rotary axe. The geometric errors measurement method includes: providing a touch-trigger probe; providing at least three precise spheres; rotating the at least 
three precise spheres by the at least one rotary axe; measuring a real position of each of the precise spheres using the touch-trigger probe; calculating a difference between the real position and a planned position of each of the precise spheres using a transformation matrix; expanding the difference using a first order taylor series, and calculating geometric errors of the at least one rotary axe using a least square method.
Patent TW-I702477-B (TW)
Title: 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
Inventor: KATO KANZO
IPC: G03F7/32
Filed: 2016-07-05
Granted: 2020-08-21
Abstract: 能準確地檢出在熱板上的基板的載置狀態有 無異常。  
     
     
       一種裝置，具備：將形成有經曝光的光 阻膜的基板顯像，並在該基板的表面形成圖案之顯像部、將形成有前述光阻膜的基板在前述顯像前載置並加熱之熱板、光學取得在前述基板的表面的圖案的尺寸大小分佈之分佈取得部、基於圖案的尺寸大小的分佈，判定在前述熱板上的前述基板的載置狀態有無異常的判定部。藉由進行這種基於圖案的尺寸大小分佈的判定，能夠高準確地檢出在熱板上的基板的載置狀態有無異常。
Patent TW-I777026-B (TW)
Inventor: BROUWER SHAUN P
IPC: H02G3/32
Filed: 2019-01-24
Granted: 2022-09-11
Abstract: 一種纜線管理組件，包括線夾組件及托架組件，托架組件可插入通過線夾組件，以將線夾組件固定到階梯梯級。線夾組件具有上殼體、可轉動地耦接到上殼體的下殼體、以及用於固定上殼體及下殼體的第一緊固件。托架組件具有C形托架，其具有第一腳部及平行於第一腳部延伸的第二腳部。第一腳部包括縱向槽，且第二腳部包括凸緣及延伸通過第二腳部及凸緣的縱向槽。第二緊固件延伸通過第二腳部中的槽，且可在開啟位置與關閉位置之間移動，在開啟位置中，緊固件與第一腳部間隔開來，在關閉位置中，緊固件被定位在第一腳部中的槽內。
Patent TW-I683349-B (TW)
Inventor: LIU MENGYONG
IPC: H01L21/20
Filed: 2019-02-26
Granted: 2020-01-21
Abstract: Embodiments of wafer bonding method is disclosed. In an example, a first plasma activation treatment based on oxygen or inert gas is performed to a front surface of a first wafer and a front surface of a second wafer. After the first plasma activation treatment, a second plasma activation treatment based on water molecule is performed to the front surface of the first wafer and the front surface of the second wafer. After the second plasma activation treatment, the first wafer is bonded with the second wafer, such that the treated front surface of the first wafer physically contact the treated front surface of the second wafer.
Patent TW-I812680-B (TW)
Title: 攝像裝置及攝像系統
Inventor: IKEDA NORITAKA
IPC: H04N5/04
Filed: 2019-03-11
Granted: 2023-08-21
Abstract: 本發明目的在於有效地滿足相機模組之小型化之要求。
本發明之攝像裝置具備：像素部；圖像處理部，其處理在該像素部產生之圖像信號；編碼部，其對經該圖像處理部處理之圖像信號進行編碼；及位址分配部，其對經該編碼部編碼之壓縮信號分配位址。像素部形成於第1基板。圖像處理部、編碼部、及位址分配部形成於與第1基板積層之第2基板。