Patent DE-102017125779-B4 (DE)
Title: Integrierte Schaltung und Verfahren zur Bildung einer integrierten Schaltung
Inventor: YANG JUNG-CHAN
IPC: H01L21/822
Filed: 2017-11-05
Granted: 2023-11-30
Abstract: Integrierte Schaltungsstruktur (100-1000) umfassend:eine Gruppe von Gate-Strukturen (104, 102, 202), die auf einer ersten Ebene liegt, wobei alle Gates (102, 202) der Gruppe von Gate-Strukturen (104, 102, 202) jeweils in einer ersten Richtung voneinander beabstandet sind und sich in einer zweiten Richtung erstrecken, die sich von der ersten Richtung unterscheidet;eine erste Leitstruktur (106, 206,706, 906), die sich in der ersten Richtung erstreckt, und die Gruppe von Gate-Strukturen (104, 102, 202) überlappt und auf einer zweiten Ebene liegt;eine erste Gruppe von Durchkontaktierungen (112, 110) zwischen der Gruppe von Gate-Strukturen (104, 102, 202) und der ersten Leitstruktur (106, 206, 706, 906), wobei jede Durchkontaktierung (110) der ersten Gruppe von Durchkontaktierungen (112, 110) dort liegt, wo die erste Leitstruktur (106, 206, 706, 906) jedes Gate (102, 202) der Gruppe von Gates (102, 202) überlappt, und die erste Gruppe von Durchkontaktierungen (112, 110) die Gruppe von Gate-Strukturen (104, 102, 202) mit der ersten Leitstruktur (106, 206, 706, 906) verbindet;eine erste Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014), die sich in der zweiten Richtung erstrecken und die erste Leitstruktur (106, 206, 706, 906) überlappen, und die auf einer dritten Ebene liegen, wobei alle Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014) der ersten Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014) jeweils in der ersten Richtung voneinander beabstandet sind und zwischen einem Paar Gates (102, 202) der Gruppe von Gate-Strukturen (104, 102, 202) positioniert sind; undeine zweite Gruppe von Durchkontaktierungen (118, 218, 318, 418, 618, 718, 918, 1018) zwischen der ersten Gruppe von Leitstrukturen und der ersten Leitstruktur (106, 206, 706, 906), wobei jede Durchkontaktierung (118, 218, 318, 418, 618, 718, 918, 1018) der zweiten Gruppe von Durchkontaktierungen (118, 218, 318, 418, 618, 718, 918, 1018) dort liegt, wo die erste Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014) die erste Leitstruktur (106, 206, 706, 906) überlappt, und die zweite Gruppe von Durchkontaktierungen (118, 218, 318, 418, 618, 718, 918, 1018) die erste Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014) mit der ersten Leitstruktur (106, 206, 706, 906) verbindet, ferner umfassend:eine zweite Leitstruktur (122, 222, 722, 922), die sich in der ersten Richtung erstreckt, und die erste Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314,414, 614, 714, 914, 1014) überlappt, die die erste Leitstruktur (106, 206, 706, 906) abdeckt und auf einer vierten Ebene liegt; undeine dritte Gruppe von Durchkontaktierungen (124, 224, 324, 424, 624, 724, 924, 1024) zwischen der zweiten Leitstruktur (122, 222, 722, 922) und der ersten Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014), wobei jede Durchkontaktierung (124, 224, 324, 424, 624, 724, 924, 1024) der dritten Gruppe von Durchkontaktierungen (124, 224, 324, 424, 624, 724, 924, 1024) dort liegt, wo die zweite Leitstruktur (122, 222, 722, 922) die erste Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014) überlappt, und die dritte Gruppe von Durchkontaktierungen (124, 224, 324, 424, 624, 724, 924, 1024) die zweite Leitstruktur (122, 222, 722, 922) mit der ersten Gruppe von Leitstrukturen (114, 214, 314, 414, 614, 714, 914, 1014) verbindet.