baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100274089-B1 (KR)
Inventor: LEE HYUN-KYU
IPC: H03J7/02
Filed: 1998-09-02
Granted: 2000-12-15
Abstract: 듀얼모드 단말기의 경우 각각의 AFC 회로를 사용하거나 두 개의 AFC 회를 사용하는 경우, 올바른 동기 획득을 위해서 천이가 일어나는 이전의 다른 주파수의 PLL회로의 추적 획득 동기 잔류 주파수의 정수 배의 시험 부가 주파수를 이용하여 또 다른 주파수의 PLL회로의 추작 동기 획득 시간을 줄이거나, 그렇지 않으면 주파수 영역 잔류 오차의 다이내믹 범위를 근거한 A/D 클럭의 양자화 비트를 가변시키므로써, 두 개의 AFC회로를 운용할 시에 발생되는 출력 다이내믹 범위에 대한 오차를 줄여주므로써 수신기의 복조 성능을 보장한다. 또 다른 방법으로 잔류 주파수 오류가 큰 AFC 회로 동작시 ACPE(Advanced Common Phase Error)회로를 동작시키므로써 복조기의 성능을 보장하는 방법을 제안한다. 이런 방법을 사용하면, 듀얼모드 단말기의 주파수 특성을 안정화시키므로써 주파수 오프셋으로 인한 복조기의 안정도를 증가시킬 수 있으며, 따라서 안정적인 복조 성능을 보장하게 된다.
Patent KR-100316075-B1 (KR)
Inventor: CHO CHANG HWAN
IPC: A47J37/06
Filed: 1998-10-29
Granted: 2002-07-02
Abstract: PURPOSE: Optimum temperature and time setting are available, and a steam water is formed in a cooking bowl to provide optimum water to the food. CONSTITUTION: A high temperature heat accumulating device comprises a cylindrical body(100) formed with two iron plates. An insulating material(15) is inserted between an inner plate(63) and an outer plate. An opening is formed in one side of the cylindrical body. Heat transmitting plates(21,23) are installed in a cooking bowl separately. A flexible cable(41) is provided to measure temperature of food.
Patent KR-100331543-B1 (KR)
Title: Method for cleaning inside of chamber by using radio frequency plasma
Inventor: JUN JIN HO
IPC: H01L21/3065
Filed: 1998-12-05
Granted: 2002-09-26
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning the inside of a chamber by using radio frequency(RF) plasma is provided to prevent generation of particles by stabilizing the inside of the chamber where particles are on the inner surface of the chamber and by changing the pressure of the chamber continuously or gradually. CONSTITUTION: The inside of the chamber in which particles are on the inner surface of the chamber is increased to a temperature not lower than a room temperature. Source gas of RF plasma flows to the inside the chamber. The pressure of the chamber is controlled at a pressure of 600-800 milliTorr. The outer portion of the inside of the chamber is cleaned by using RF plasma. The pressure of the chamber is controlled at a pressure of 300-600 milliTorr. The center portion of the inside of the chamber is cleaned by using RF plasma. The pressure of the chamber is controlled at a pressure of 100-300 milliTorr. A portion of the inside of the chamber that is not cleaned in the abovementioned cleaning processes is cleaned by using RF plasma. Inert gas continuously flows to the rear surface of a susceptor installed in the lower portion of the inside of the chamber during the abovementioned three cleaning processes so that even the lower portion of the susceptor is cleaned.
Patent KR-100363195-B1 (KR)
Title: 중량 패턴에 의한 화차 계량방법_
IPC: B61C17/00
Filed: 1998-12-21
Granted: 2003-03-17
Abstract: 본 발명은 계량할 화차를 화차계량대에 정지시키지 않고 계속 통과시키면서 화차에 대한 중량을 중량패턴을 이용하여 자동적으로 추출하도록 하는 무정차 자동계량을 무정차 자동계량을 구현시킴으로써, 신속한 화차계량으로 화차계량 효율을 향상시키는 중량 패턴에 의한 화차 계량방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 종래의 화차 계량방법은 조차수가 기관사와 수신호로 화차를 계량대에 정위치 시킨후 계량을 실시하였으나, 본 발명에 의해 기관사가 기관차를 시속 4㎞이하로 계량대를 통과하면 화차 중량 패턴 그래프에 의해 해당 화차의 중량값을 정확히 추출하여 자동으로 계량이 실시되도록 함으로써 화차계량 효율을 향상시키고, 화차를 계량하는 어느 곳에서도 적용 가능하다.
Patent KR-100406591-B1 (KR)
Title: 반도체소자의제조방법
IPC: H01L21/336
Filed: 1998-12-30
Granted: 2004-03-18
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 고집적 반도체 소자의 제조에 유리하게 적용할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 제1도전형의 웰을 갖는 실리콘 기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 측벽에 제1스페이서를 형성하는 단계; 상기 제1스페이서를 갖는 게이트 전극을 마스크로해서 상기 실리콘 기판에 제2도전형의 불순물을 고농도로 이온주입하는 단계; 상기 고농도로 이온주입된 제2도전형의 불순물이 활성화되도록 열처리 공정을 수행하여, 상기 게이트 전극 양측의 실리콘 기판 부분에 제2도전형의 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 제1스페이서를 제거하는 단계; 상기 실리콘 기판에 제2도전형의 불순물을 저농도로 이온주입하여 상기 제1스페이서가 제거되어 노출된 실리콘 기판 부분의 표면에 저농도 불순물 영역을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 전극의 측벽에 제2스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100294166-B1 (KR)
Title: 고형입자를포함하는유도체의순환제어용밸브
IPC: B65D90/62
Filed: 1996-07-11
Granted: 2001-11-22
Abstract: 도면을 참조하면, 물질 저장고(3)의 배출구를 위한 밀봉부(2)를 작동시키기 위한 장치(1)로, 상기 장치는 배출구에 대한 밀봉부(2)의 위치를 규제하기 위한 수단(4)을 포함한다. 상기 도시된 장치는 일반적으로 중간 벌크 저장고 또는 IBC라고 불리우는데, 이는 보통 입구(5)와 출구(도시되지 않음)를 갖는 저장고(3)로 구성된다. 상기 저장고는 지지 기저부(6)에 거치된다. 상기 기저부(6)는 도시된 형체에서 일반적으로 원추형 장치인 상기 저장고의 밸브 또는 밀봉부(2)를 작동하기 위한 상기 장치(1)를 포함한다. 상기 기저부(6)은 또한 슈트(8)를 포함하는데, 그 슈트를 통하여 산출물이 운반되며, 상기 슈트(8)로 태블릿 등과 같은 깨지기 쉬운 산출물들이 내려가는 동안에 산출물에 대한 손상을 최소화하기 위하여 도면에서 보듯이 수직으로부터 예컨대 30도 떨어진 각을 이루어 어긋나는 것이 좋다. 피스톤 또는 실린더 장치의 형태로 된 조절수단은 상기 (원추형) 장치(2)를 위한 리프팅 수단의 걸쇠와 계합하는 연장부를 포함하여 물질이 배출되는 고리모양의 틈의 폭이 조절가능하게 되며 이로인하여 상기 틈에 걸려있을 수도 있는 물질이 깨지는 것이 방지된다.
Patent KR-100457498-B1 (KR)
Title: 유기성발광장치의구조
IPC: H01L51/05
Filed: 1997-02-15
Granted: 2005-06-20
Abstract: 다색 유기 발광 장치에 관한 것으로서, 유기 화합물로 제조된 이중 복합 구조 장치의 수직으로 스택트된 층을 사용한다. 
     수직으로 스택트된 구조(300)는 ITO(304)의 투명코팅 또는 비슷한 금속을 갖는 기판을 제공한다.  유리 베이스에 형성되어 기판에 침착된 것은 각각 적절한 유기 물질로 제조 세 개의 구조 장치들(308,310,312)의 수직으로 스택트된 배열이다. 스택크가 가장 긴 파장을 갖는 이중 복합 구조가 스택크 위에 있도록 실시된다.
Patent KR-100491516-B1 (KR)
Title: 우선시스템선택을수행하는방법및장치
IPC: H04W8/18
Filed: 1997-03-26
Granted: 2005-08-05
Abstract: 가입자 스테이션이 위치한 지리적 영역에 따라 통신 시스템을 선택하는 방법 및 장치.  포착이 성공적일 경우, 가입자 스테이션은 수신된 시스템 식별 정보를 조사하여 지리적 영역을 결정한다.  다음, 가입자 스테이션은 포착된 시스템이 해당 지리적 영역에서의 사용을 위한 가장 바람직한 시스템인지를 결정한다.  만약, 해당 지리적 영역에서의 사용을 위한 가장 바람직한 시스템이면, 가입자 스테이션은 포착된 시스템을 이용하여 서비스를 제공한다.  만약, 해당 지리적 영역에서의 사용을 위한 가장 바람직한 시스템이 아니면, 가입자 스테이션은 더 바람직한 시스템을 포착하기 위한 시도를 한다.
Patent KR-100305422-B1 (KR)
Title: 감압 처리 장치
IPC: C23C16/44
Filed: 1996-11-27
Granted: 2001-11-30
Abstract: 본원 발명은, 가스플라즈마를 사용하여, 에칭, 애싱, 화학적기상증착법에 의해 박막을 형성하는 반도체제조장치이다. 감압처리장치는 2개의 처리실(23)을 가지고, 처리실에 접속되는 제 1로드록실(21)과 제 1로드록실에 접속되는 제 2로드록실(22)로 이루어진 2개의 로드록실로서, 동일한 압력설정을 행하는 2개의 로드록실을 가지고, 제 1로드록실에는 기판을 얹어 놓을 수 있는 4개의 스테이지유니트(30)가 고정된 중심축을 가진 원판(19)이 배치되고, 그 원판의 상하동작, 180° 회전 등의 반(搬)회전동작에 의해, 기판을 반송함과 동시에 처리실과 제 2로드록실을 형성한다. 처리실과 제 2로드록실의 형성은, 원판의 상하움직임에 의해 제 1로드록실의 상부덮개(24)와 제 2로드록실의 상부덮개(25) 및 처리실의 상부덮개(26)와의 사이를 밀봉함으로써 행한다.
Patent KR-100290696-B1 (KR)
Title: 고속 동작이 가능한 용장 셀을 포함하는 반도체 기억 장치
IPC: G11C29/00
Filed: 1999-02-05
Granted: 2001-05-15
Abstract: 고속화 또한 효율적으로 치환 가능한 반도체 기억 장치를 제공한다. 
     본 발명의 반도체 기억 장치에서는, 용장(redundancy) 판정 회로(20)의 용장 판정과 독립적으로, 어드레스 신호를 디코드한 결과에 응답하여 대응하는 노멀 블럭에서의 워드선을 선택 상태로 하는 워드선 활성화 신호 (서브 디코드 신호)를 활성화한다.  WL 드라이버(4)는 노멀 블럭에서의 워드선을 선택하는 드라이버 부분과, 용장 블럭에서의 스페어 워드선을 선택하는 드라이버 부분을 구비한다.  용장 판정 회로(20)에서의 용장 판정의 결과, 용장 미사용인 경우, 활성화한 서브 디코드 신호를 비활성화한다.  용장 판정의 결과가 용장 사용인 경우, 활성화한 서브 디코드 신호를 이용하여 대응하는 워드선을 선택 상태로 한다.
Patent KR-100645235-B1 (KR)
IPC: G09G3/00
Filed: 1999-03-18
Granted: 2006-11-13
Abstract: 본 발명의 장치는 상이한 이동가능 그래픽들(G1,...,G8)이 나타날 수 있는 스크린(20)을 포함한다. 이러한 그래픽들이 링(50) 모양으로 배치되었다는 착시(illusion)를 제공하는 수단이 제공된다. 키(K2)를 터치함으로써, 그래픽들은 화살표(F1 또는 F2) 방향으로 회전된다. 
       
     회전, 터치, 링, 키, 착시
Patent KR-100292063-B1 (KR)
Title: 임계치수 및 중첩도 측정방법
IPC: H01L21/66
Filed: 1999-03-26
Granted: 2001-06-01
Abstract: 본 발명은 임계 치수 및 중첩도를 일원화하여 측정하는 방법으로서, 종래에 '임계 부호 정렬→임계치수 측정→측정 결과 표시→이동→중첩 부호 정렬→중첩도 측정→측정 결과 표시' 단계와 같이 임계 치수 측정 과정과 중첩도 측정 과정이 별도의 측정 장비에 의해서 개별적으로 이루어지던 방법에서 중복되는 단계를, '임계 부호 정렬→임계치수 측정 및 이동 위치 연산→중첩도 측정→측정 결과 표시'와 같이 일원화하고, 특히, 임계 부호로부터 중첩도 측정 위치를 산출하여 중첩도 측정을 위한 정렬 시간을 감축함으로써, 전체 공정 시간의 단축을 통한 생산성 증대를 얻을 수 있다.
Patent KR-100306974-B1 (KR)
Inventor: KIM YEONG HAK
IPC: A62C35/20
Filed: 1999-04-01
Granted: 2001-09-24
Abstract: PURPOSE: Provided is a jack-up type hydrant which is designed to be inserted underground so as not to protrude on the ground in natural, and to be pull up, only in use. CONSTITUTION: In the jack-up type hydrant, a barrel tube(12) with a lower part, to which valve tube(13) is connected, has an upper part connected with a discharge tube(11) in an elevating manner. The connecting part of discharge tube(11) and barrel tube(12) is equipped with caulk unit(30) for prevention of leakage. A rod(16) for adjusting a valve(15) is connected flexibly by extendable unit(40), so that height of the rod(16) is adjusted by the discharge tube(11) being elevated. Also, the elevating hydrant comprises a hanging unit(50) for maintaining the discharge tube(11) at the protrusion position.
Patent KR-100305585-B1 (KR)
Title: 발광다이오드를 이용한 식물 성ㆍ생장 육성장치
IPC: A01G9/02
Filed: 1999-04-22
Granted: 2001-09-24
Abstract: 본 발명은 식물의 성ㆍ생장을 제어할 수 있는 식물 광조사 시스템에 관한 것으로서 특히, 발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 이용하여 식물의 특성에 따라, 그리고 제어하고자 하는 매개변수에 따라 최적의 파장대역 및 밝기의 광을 조사함으로써 식물의 성ㆍ생장을 제어할 수 있는 발광다이오드를 이용한 식물 성ㆍ생장 육성장치에 관한 것으로서, 입출력, 연산, 밝기조절기능을 수행하는 제어기(110)와, 광조사시간 및 밝기 등을 입력하고 표시해주기 위하여 스위치(122,123, 124,125) 및 액정패널(121)로 구성되는 입력 및 표시부(120)와, 시스템 전체에 전원을 공급하는 전원부(130)와, 전압차이를 일치시켜주는 전류증폭부(140)로 이루어지는 제어부(100)와; 발광다이오드가 일렬로 나열되어 있는 발광다이오드모듈(210,220,230)과, 상기 발광다이오드모듈(210,220,230)이 설치되는 연결부(241, 251)를 포함하는 트랙(240,250)과, 상기 제어기(100)와 연결하기 위한 커넥터(135)로 이루어지는 광조사부(200)로 구성되어, 조사광의 파장, 밝기 및 조사시간의 제어가 용이하고, 식물에 대한 근접조사가 가능하며, 광이용 효율이 높으며, 장치의 설치 및 사용이 용이한 것이다.
Patent KR-100349119-B1 (KR)
Title: 인쇄회로기판 및 그 제조방법
IPC: H05K3/00
Filed: 1999-05-18
Granted: 2002-08-17
Abstract: 본 발명은 인쇄회로기판의 제조시 일반적인 사진식각방법과 CO 2 레이저를 사용하여 비어홀을 신속하게 형성하기 위한 것으로, 우선 사진식각방법에 의해 비어홀이 형성될 영역의 동박을 에칭하여 오픈영역을 형성한 후 CO 2 레이저로 절연층을 제거하여 비어홀을 형성한다. 다층 인쇄회로기판의 경우 비어홀이 형성된 내층의 동박을 사진식각방법에 의해 에칭하여 오픈영역을 형성하고 그 위에 절연층을 다시 적층한 후 역시 사진식각방법에 의해 동박을 에칭하여 오픈영역을 형성하며, 이어서 CO 2 레이저로 절연층을 한꺼번에 제거하여 비어홀을 형성한다. 복수의 층에 형성된 비어홀은 그 내부에 단차가 형성된 '계단형'으로 형성되어 금속층이 벗겨지는 것을 방지할 수 있게 된다.
Patent KR-100383541-B1 (KR)
Title: 티에프티 어레이 검사방법 및 장치
IPC: G02F1/1368
Filed: 1999-05-24
Granted: 2003-05-12
Abstract: LCD 어레이의 화소용량을 테스터계 용량의 영향을 받지 않도록 용이하게 또한 단시간에 검사하는 것을 목적으로 하는 본 발명은, 1회째는 화소용량 C P 를 화소전압 V P 로 충전하고, 화소용량 C P 에 병렬접속된 라인용량 C S (C S C P )를 세트전압 V S (V P ≠V S )로 충전한다.  화소용량 C P 와 라인용량 C S 를 병렬접속하여, 병렬접속 후의 라인용량 C S 의 전압과 병렬접속 전에 충전한 세트전압 V S 와의 차전압 △V S1 을 측정한다.  2회째는, 화소용량 C P 를 화소전압 V P 로 충전하고, 라인용량 C S 에 이미 알고 있는 기준용량 △C S 를 병렬접속하여, 이것을 세트전압 V S 로 충전한다.  병렬접속한 라인용량과 기준용량 △C S 에 화소용량 C P 를 더욱 병렬접속하여, 이 병렬접속한 후의 라인용량 C S 의 전압과 병렬접속 전에 충전한 세트전압 V S 와의 차전압 △V S2 를 측정한다.  1회째와 2회째에서 측정한 이들 차전압 △V S1 , △V S2 와, 차전압에서 도출된 식 C P =△C S ·△V S1 ·△V S2 /((V P -V S )·(△V S1 -△V S2 ))로부터 화소용량 C P 를 구할 수 있다.
Patent KR-100346906-B1 (KR)
Title: 금속케이스의 제조방법
IPC: B21D51/00
Filed: 1999-06-01
Granted: 2002-08-01
Abstract: 본 발명은 금속판을 둥글게 말아 모터케이스(MOTOR CASE)나 에어컨콤프레이셔케이스등으로 사용하기 위한 금속케이스의 제조방법에 관한 것이다. 
     종래에는 도2와 같이 코일상으로 둥글게 감은 금속소재판(1)을 재단기(8)에 의하여 길이방향으로 여러개의 재단판(2)으로 절단하여 절단도(11)에 의하여 소판(7)으로 절단한 후 각 소판(7)을 원형으로 말아 프라즈마용접(12)하여 케이스(6)를 제조하게됨으로 이는 여러 생산설비와 공정으로 작업인력과 시간을 많이 소요하게 됨과 아울러 여러종류의 케이스의 규격(약10종류)에 따라 제품의 규격을 변경생산시 공정라인의 변경에 많은 시간의 소요로 능률적인 작업이 못되어 대량생산에 많은 어려움이 따르게 되었으며, 
     또한 개개를 프라즈마용접(12)으로 용접하게됨으로 인한 용접불양이 많이 발생되는 문제가 있었다. 
     본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 도1과 같이 코일상으로 둥글게 감은 금속소재판(1)을 재단기(8)에 의하여 길이방향으로 여러개의 재단판(2)으로 절단하여 재단판(2)을 권취재단판(3)으로 감아서 된 것에 있어서, 
     상기의 권취재단판(3)을 파이프성형기(9)에 의하여 긴파이프(4)상으로 감으면서 고주파유도용접하여 길다란 조관파이프(5)를 만들어 상기의 길다란 조관파이프(5)를 짧게 절단하여 일정한 길이의 여러개의 금속제의 케이스(6)를 제조할 수 있도록 함으로서 적은인력으로 짧은 시간내에 생산효율의 향상과 규격이 상이한 케이스(6)의 변경제조시에도 공정라인변경의 불필요로 대량생산이 가능하며, 연속 E.R.W(고주파유도용접)방식에 의하여 용접불량발생을 대폭 감소시킬 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-100403457-B1 (KR)
Title: 마이크로 인젝팅 디바이스용 프린터의 프린터헤드 장착상태 검사장치
IPC: B41J2/01
Filed: 1999-06-18
Granted: 2003-11-01
Abstract: 본 발명은 프린터헤드와 플렉시블 프린팅회로 케이블의 접점부위에 형성된 딤플(Dimple)부로부터 연장된 더미패턴을 FPC 케이블에 형성함으로써, 프린터헤드의 장착여부를 테스트하는 과정에서 딤플부가 손상되는 것을 방지하도록 한 마이크로 인젝팅 디바이스용 프린터의 프린터헤드 장착상태 검사장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 특징은, 프린터헤드를 구동하는 헤드 구동부와, 헤드 구동부로부터 프린터헤드로 전송되는 인쇄데이터와 프린터헤드의 각 노즐의 구동상태를 제어하는 제어신호가 전송되는 플렉시블 프린팅회로 케이블과, 헤드 구동부의 제어에 따라 유색염료를 인쇄용지에 분사하여 인쇄하는 잉크젯 프린터에 있어서: 플렉시블 프린팅회로 케이블은, 한 쌍의 내열성 필름 사이에 길이방향으로 다수개의 도전성 금속박막이 프린팅되고; 플렉시블 프린팅회로 케이블의 일측에는 헤드 구동부의 각 출력단자와 일대일 대응되도록 다수개의 도전성 금속박막과 일대일 대응되는 다수개의 단자를 갖는 커넥터가 접속되며; 플렉시블 프린팅회로 케이블의 타측에는 프린터헤드와 전기적으로 접속되도록 다수개의 도전성 금속박막과 일대일 대응되도록 접속되는 다수개의 딤플부가 한 쌍의 내열성 필름의 외표면에 형성되고; 딤플부에 전기적으로 접속된 적어도 하나 이상의 더미패턴이 딤플부로부터 연장되고, 적어도 하나 이상의 더미패턴의 종단은 한 쌍의 내열성 필름의 외표면에 형성된 점에 있다. 
     본 발명에 의하면, 플렉시블 프린팅회로 케이블에서 딤플부의 여백 공간을이용하여 더미패턴을 형성함으로써, 프린터헤드 어셈블리를 교체하는 경우 혹은 프린터헤드 어셈블리를 장착하는 경우에 정상적으로 장착되었는가를 용이하게 확인할 수 있으며, 이때, 테스트기를 딤플부에 직접 접촉하지 않아도 되므로 딤플부의 소손을 방지하여 플렉시블 프린팅회로 케이블의 수명이 연장되고, 잉크젯 프린터의 신뢰성이 향상된다.
Patent KR-100314053-B1 (KR)
Title: 범용차종절환 지그장치
IPC: B25B11/02
Filed: 1999-06-30
Granted: 2001-11-26
Abstract: 본 발명은 범용차종절환지그장치에 관한 것으로, 종래에는 두개 이상의 차종에 적용될 수 없기 때문에 차종에 따라 별도의 지그장치가 필요하며, 아울러 종래기술에서 필수적인 부품이 고가이기 때문에 이것의 사용으로 인한 비용이 과다하게 든다는 문제점이 있었다. 
     따라서, 본 발명은 지면에 지지되어 직립되어 형성된 지지대와; 이 지지대의 상측에 장착되며 전동기에 의해 회전이 가능하며 상하좌우 방향에는 장착홈이 구비되어있는 인덱스 테이블과; 이 인덱스 테이블의 회전축에 상하좌우에 형성된 장착홈에 각각 장착되며 각 차종의 차체에 부합되는 형상을 가지는 지그수단을 특징으로하여 인덱스 테이블을 이용하여 최소 네 개의 차종에 부합되는 지그를 사용할 수 있도록 하고 저렴한 부품을 대체함으로써 설비비용을 절감시키며 아울러 작업의 효율을 높이도록 하는 효과가 있다.
Patent KR-100309131-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
IPC: H01L27/108
Filed: 1999-06-30
Granted: 2001-11-01
Abstract: 본 발명은 하부 폴리 플러그와 금속 전극과의 접촉저항을 줄이기 위해 TiN 막을 버퍼층으로 형성하는 단계와, 상기 TiN 막 상부에 텅스텐을 형성하는 단계와, 상기 텅스텐 표면에 플라즈마 처리와 어닐 공정을 수행하여 산화 방지 특성이 있는 텅스텐 나이트라이드 막을 형성하는 단계와, 상기 텅스텐 나이트라이드 막 상부에 Ta 2 O 5 막을 형성하는 단계와, 상기 Ta 2 O 5 막 상부에 캐패시터 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법을 제공한다.
Patent KR-100335097-B1 (KR)
Title: 가스기기의 소화회로
IPC: F23N5/20
Filed: 1999-07-06
Granted: 2002-05-04
Abstract: 착화여부를 표시하고 타이머의 구동이 완료되면 이를 감지하여 제어신호에 따라 마그네틱 파워 유닛을 오프시켜 자동으로 소화가 되도록 한 가스기기의 소화회로에 관한 것으로, 화염을 감지하여 기전력을 발생하는 열전대와, 상기 열전대에서 발생되는 기전력에 의해 밸브를 개폐하는 마그네틱 파워 유닛과, 상기 마그네틱 파워 유닛의 출력을 인가받아 염의 유,무를 검지하는 염검지부와, 상기 염검지부의 검지결과가 상기 염검지부내 표시부를 통해 표시될 수 있도록 신호를 출력하고, 상기 타이머의 구동시간을 체크하여 그에 따른 연소신호를 출력하는 제어부와, 상기 제어부에서 출력되는 연소 제어신호에 따라 턴 온되는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 턴 온시 여자되어 상기 마그네틱 파워 유닛을 오프 시키는 스위칭부를 구비한 소화부를 포함하여 구성된 것으로 염을 검지하여 표시해줌으로써 사용자가 보다 쉽게 착화여부를 인지함과 동시에 열전대와 마그네틱 파워 유닛간의 접촉저항에 의한 오동작을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100619581-B1 (KR)
IPC: H05F3/02
Filed: 1999-07-28
Granted: 2006-09-01
Abstract: 반도체 또는 액정디스플레이를 제조하는 공정에 적용되는 플라즈마 공정챔버에서 하부전극과 그 위에 위치한 기판에 대전되는 정전기를 제거하는 장치가 개시된다. 접지선을 개재하여 공정챔버내 하부전극과 접지면을 연결하거나 절단하기 위한 릴레이 스위치와, 반응가스 박스로부터 공정챔버에 공급되는 반응가스의 개폐에 대응하는 신호를 수신받아 릴레이 스위치를 제어하는 컨트롤러로 이루어지는 플라즈마 공정챔버의 정전기 제거장치가 제공된다.
Patent KR-100341368-B1 (KR)
Title: 심혈관 질환 치료제의 조성 및 그의 제조방법
IPC: A61K36/254
Filed: 1999-08-18
Granted: 2002-06-21
Abstract: 본 발명은 심혈관 질환 치료제(treatment of cardiovascular disease)의 조성 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 단삼과 삼칠을 각 60∼80 중량와 10∼20 중량의 배합비율로 혼합하고, 물로 추출, 여과하고 얻어진 여과액을 진공농축한 다음, 여기에 용뇌 0.5∼1.0 중량와 붕해촉진제인 폴리에틸렌 글라이콜 10∼20 중량를 혼합하여 균질화시킨 후, 그 액을 적환기(dropping machine)에 넣고 지름 약 2 mm 크기의 환제로 제제화한 제제로서, 본 발명의 제제는 협심증, 관상동맥경화증, 심근경색, 과지질혈증, 뇌순환장애로 인한 현기증과 기억력 감퇴 등의 치료에 탁월한 효과가 기대되는 심혈관 질환 치료제이다.
Patent KR-100289366-B1 (KR)
Inventor: SONG BYEONG UN
IPC: H04B1/40
Filed: 1999-08-27
Granted: 2001-05-02
Abstract: PURPOSE: A call converting circuit between a cellular phone and a radio receiver is provided to miniaturize a jack without needing a specific power for a radio. CONSTITUTION: A switching unit(100) is switched according to an output value of a voltage control terminal switched according to a call state, and converts an output voltage from a power input terminal into the first or second voltage value and outputs the first or second voltage through an earphone jack connection unit(200). A power blocking unit(300) is switched according to the output voltage value of the switching unit(100) inputted through the earphone jack connection unit(200), and controls an output of a radio driving voltage supplied to a radio power input terminal.
Patent KR-100262437-B1 (KR)
Title: Semiconductor device operating with low supply voltage
Inventor: ITOH KIYOO
IPC: G11C11/409
Filed: 1999-09-13
Granted: 2000-07-15
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device operated at a low supply voltage is provided to operate stably a driving transistor for word line as a word driver though a supply voltage is reduced. CONSTITUTION: In the circuit, the transfer impedance between a common I/O line and a data line is changed depending on whether information is to be read or written. A current/voltage converter includes a MISFET different in conduction type to a select MISFET. Thus, the speed of reading information is increased. An intermediate voltage generator having high driving capability is provided. Thus, the circuit has sufficient driving capability for an LSI having large load capacitance. A voltage converter converts a data line supply voltage or word line supply voltage to a higher voltage. Therefore, stabilized signal transmission is ensured.
Patent KR-100546299-B1 (KR)
IPC: H01L27/115
Filed: 1999-09-15
Granted: 2006-01-26
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 플래시 메모리 소자는, 종축 방향으로 신장된 액티브 영역에 형성된 드레인과 소스와, 드레인과 소스 사이의 채널 상에 형성된 플로팅 게이트와, 플로팅 게이트 상에 형성된 층간 유전막, 횡축 방향으로 신장된 워드 라인으로서의 콘트롤 게이트로 된 적층형 게이트와, 드레인과 소스 상에 자기 정합 콘택 방식으로 형성된 제1 비트 라인 콘택과 공통 소스 라인 콘택과, 제1 비트 라인 콘택과 연결된 상기 액티브 영역과 평행하는 방향으로 신장된 비트 라인과, 공통 소스 라인 콘택과 연결된 워드 라인과 평행하는 방향으로 신장된 공통 소스 라인을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100339126-B1 (KR)
Title: 베이스밴드 신호 처리 회로
IPC: H04L27/00
Filed: 1999-10-18
Granted: 2002-05-31
Abstract: 본 발명은 제 1 베이스밴드신호인 아날로그 I 신호(A/I)와, 제 2 베이스밴드신호인 아날로그 Q 신호(A/Q)와의 위상차를 정확히 90도가 되도록 설정가능하게 하는 것이다. 
     이를 위하여 본 발명에서는 디지털신호를 아날로그신호화하는 제 1 클락신호의 상승시각 또는 하강시간과 디지털신호를 아날로그신호화하는 제 2 클락신호의 상승시간 또는 하강시간과의 사이의 시간간격을 바꾸도록 하였다.
Patent KR-100312737-B1 (KR)
Title: 니트의 정련 표백 수세 장치
IPC: D06B21/00
Filed: 1999-10-30
Granted: 2001-11-05
Abstract: 본 발명은 니트류의 정련 표백 수세를 위한 장치에 관한 것으로, 종래에는 니트 원단의 정련과 표백 및 수세가 장시간 동안 이루어지는 관계로 그 생산성이 저하되었다. 더불어, 니트 원단의 정련과 표백 및 수세시 니트 원단에 묻어있는 오물이나 불순물 제거를 완전하게 하지 못할뿐만 아니라 정련과 표백 및 수세가 이루어지더라도 니트 원단의 특성(예: 촉감, 신축성 등)이 변형되거나 변색이 발생하는 문제점을 안고 있다. 
     이에 본 발명은, 니트류 원단의 장력을 일정하게 유지하면서 그 이송이 이루어지도록 하되, 정련되어 이송된 니트의 원단이 표백공정에서 일정시간동안 체류되면서 온도에 적응한 후 수세공정으로 진행될수 있도록 하므로서, 니트류의 원단에 묻어있는 오물이나 불순물을 확실하게 제거하면서 정련 및 표백과 수세 공정에서의 니트 특성변형(예: 촉감이나 신축성 등)과 변색을 방지하고, 더불어 니트류 원단의 정련과 표백 및 수세가 하나의 공정으로 빠르게 진행될수 있도록 하여 제품에 대한 생산성을 보다 향상시키는 니트의 정련 표백 수세장치를 제공한다.
Patent KR-100349463-B1 (KR)
Title: 분진배출력을 향상한 정미장치
IPC: B02B7/02
Filed: 1999-11-01
Granted: 2002-08-22
Abstract: 개시된 내용은 정미축을 중공축으로 하여 그 내부를 통해 강제송풍함으로써 1차적인 분진배출력을 배가시키는 한편 배출구앞에 분진제거조절판을 다단으로 조절할 수 있게 설치하여 정미곡의 상태에 따라 2차적인 분진제거를 수행함으로써 보다 양호한 상태의 정미곡을 얻을 수 있는 동시에 분진제거성능을 향상할 수 있게 한 정미장치에 관한 것이다. 
     이러한 본 발명의 분진배출력을 향상한 정미장치는 쌀의 정미후에 발생된 분진의 제거성능을 향상할 수 있으므로 기존의 정미장치가 여러번의 정미과정을 거쳐 깨끗한 정미곡을 얻는 데 반하여, 본 장치는 곡물의 반복정미율을 현저히 낮추어 신속한 정미가 가능할 뿐만 아니라, 그로 인해 손상이 덜 된 양호한 상태의 보다 희고 깨끗한 정미곡을 얻을 수 있는 장점을 지니고 있다.
Patent KR-100656721-B1 (KR)
IPC: F02B39/00
Filed: 1999-11-03
Granted: 2006-12-15
Abstract: 본 발명의 목적은, 효율이 개선된 축류 터어빈을 제공하며, 또한 조립 가능성 및 해체 가능성도 확대시키는 것이다. 
     상기 목적은 본 발명에 따라, 노즐링(15)의 외부링(12)과 커버(8) 사이에 있는 주형 시임(17)이 축방향 갭(18)내에서 갭 폭(19)의 절반으로 나누어 진행되는 가상 평면(20) 중에서 가동 블레이드측에 배치됨으로써 달성된다.
Patent KR-100388043-B1 (KR)
Title: 판타그라프의 브러쉬 편마모 방지장치
IPC: B66C17/00
Filed: 1999-11-04
Granted: 2003-06-18
Abstract: 본 발명은 판타그라프에 장착된 브러쉬의 편마모를 방지하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세히는 트롤리바와 접촉하는 브러쉬의 집중마모를 방지하여 사용수명을 연장하고, 트롤리바와의 통전중에도 브러쉬의 교환이 가능하며, 브러쉬의 교환시점을 운전자에게 통보할 수 있도록 개선된 판타그라프의 브러쉬 편마모방지장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 주행모터(44)의 구동축(18)에 장착된 구동기어(11)와 기어물림되는 피동기어(13)를 갖추어 상기 크레인본체(45) 주행시 회전되는 조인트샤프트(12)를 갖추고, 상기 조인트샤프트(12)의 길이중간에 '⊂'형으로 절곡형성된 복수개의 크랭크부(14a)(14b)에 크랭크축(15)을 연결하여 회전운동을 직선왕복운동으로 전환하는 전환부(10);와,상기 크랭크축(15)의 타단이 연결되고, 한쌍의 상,하부엔드스톱퍼(34a)(34b)사이에 각각 장착된 상,하부슬라이딩바(33a)(33b)에 활주이동가능하게 조립되는 도어프레임(31)을 갖추고, 상기 도어프레임(31)에는 상기 판타그라프(1)가 고정설치되는 복수개의 판타베이스(32)를 갖는 본체부(30);를 포함하는 판타그라프의 브러쉬 편마모방지장치를 제공한다.
Patent KR-100351634-B1 (KR)
Title: 에르븀과 이터비움 이온이 주입된이트리움칼슘옥시보레이트 화합물 및 결정 성장방법,그리고 이러한 결정을 사용하여 제조된 광기능 소자
IPC: C30B29/00
Filed: 1999-11-13
Granted: 2002-09-11
Abstract: 본 발명은 에르븀과 이터비움 이온이 주입된 이트리움칼슘옥시보레이트 화합물 및 이의 결정 성장방법, 그리고 이러한 결정을 사용하여 제조된 광기능 소자에 관한 것이다.     더욱 상세하게는 YCa 4 O(BO 3 ) 3 의 화학식으로 표현되는 공간군 Cm의 단사결정 구조의 이트륨칼슘옥시보레이트 화합물(이하, 'YCOB'라 함)에서의 산소 6배위를 갖는 결정학적 자리에 놓여져 있는 Y 3+ 을 가장 우수한 물성을 가질 수 있는 적절한 치환양 만큼 Er 3+ 및 Yb 3+ 이온으로 각각 치환시켜 얻은 신규 결정성 고체 화합물과, Er 3+ 및 Yb 3+ 이온을 결정격자 속에서 균일하게 분산되고 안정하게 존재하도록 하면서 상기한 고체 화합물을 낮은 밀도의 결정결함을 가지는 높은 품질의 결정으로 성장시키는 방법, 그리고 상기한 결정이 나타내는 레이저 및 분광학적 물성을 활용함으로써 얻어질 수 있는 1.5 ∼ 1.6 ㎛ 레이저발진봉 소자, 비선형광학소자, 자기반주파수변조(self frequency doubling) 소자, 측거기(range finding) 소자 등의 광기능 소자에 관한 것이다.
Patent KR-100310241-B1 (KR)
Title: 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드의 고장상태 점검장치
IPC: G06F11/00
Filed: 1999-12-03
Granted: 2001-10-17
Abstract: 본 발명은 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드의 고장상태 점검장치, 특히 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드내의 ATM 인터페이스부 및 ADSL 인터페이스부 사이에 채널 룹백장치를 장착하여 데이터 패스의 룹백시험을 수행할 수 있도록 해줌으로, 사용자로 하여금 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드 고장시 어느 블록이 문제인지를 정확하게 판단할 수 있도록 해주기 위한 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드의 고장상태 점검장치에 관한 것으로서,   본 발명에 의한 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드의 고장상태 점검장치에 의하면, 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드내의 ATM 인터페이스부 및 ADSL 인터페이스부 사이에 채널 룹백장치를 추가로 장착하여 데이터 패스의 룹백시험이 가능해지도록 해줌으로써, 본 장치의 고장발생시 보드 전체의 고장발생 상황 뿐만 아니라 그 비대칭 디지털 가입자 인터페이스 보드의 고장원인인 ATM 인터페이스부 및 ADSL 인터페이스부의 각 블록 고장상태와 각 데이터 라인의 고장상태를 일일이 사용자에게 디스플레이시켜줄 수 있도록 해주고, 이로인해 운용자가 일일이 고장원인을 수동으로 점검해야 되는 불편함을 없앴을 뿐만 아니라, 운용자로 하여금 고장상황이 발생했을 경우 신속하게 대처할 수 있도록 해주어 통화서비스가 장시간 중단되는 사고가 발생하지 않도록 해준다는 뛰어난 효과가 있다.
Patent KR-100348410-B1 (KR)
Title: 수지먼지 저항성 증대방법
IPC: H05K3/38
Filed: 1999-12-14
Granted: 2002-08-10
Abstract: 일견지에 있어서, 본 발명은 금속 호일의 수지먼지저항성을 증대시키는 방법에 관한 것이며, 이 방법은 금속호일의 표면에 약 0.001미크론~1미크론의 두께를 갖는 수지먼지 저항성 피막을 형성하기위해 금속호일을 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트화합물과 접촉시킴을 포함한다. 또 다른 견지에 있어서, 본 발명은 금속 호일을 처리하는 방법에 관한 것이며, 이 방법은 금속호일의 표면상에 수지먼지 저항성 피막을 형성하기위해, 금속의 제 1면을 하이드로카르빌실란을 체적비로 0.01%~10% 포함하는 하이드로카르빌실란용액과 접촉시키는 단계; 및 상기 금속호일의 제 2면을 프리프레그에 라미네이트하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100323381-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 제조 방법
IPC: H01L21/28
Filed: 1999-12-22
Granted: 2002-02-19
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조 공정에서 반사 방지막을 형성할 때 전도성을 가진 비정질 실리콘의 성분이 거의 포함되지 않아 절연성이 우수하고 Si 3 N 4 성분이 다량 함유되어 산화물에 대한 식각 선택비가 큰 반사 방지막을 1차로 형성한 후 연속 공정으로 SiO 2 성분이 다량 함유되어 산화물 식각에 대한 식각 선택비가 작아 자기정렬 콘택 형성을 용이하게 하는 2차 반사 방지막을 증착하므로써 마스크 공정에 의한 패턴 형성에는 지장을 주지 않으면서 자기정렬 콘택 형성시 식각 선택비에 의하여 자기정렬 콘택 형성이 용이하게 이루어지며, 전기적 절연성이 우수한 1차 반사 방지막이 트랜지스터 게이트와 콘택에 형성될 전도성 물질 사이에 존재하도록 하여 전기적 절연 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조 방법이 제시된다.
Patent KR-100314434-B1 (KR)
Title: 냉장고의 방음장치
IPC: F25D23/06
Filed: 1999-12-27
Granted: 2001-11-15
Abstract: 본 발명은, 냉장고의 압축기에서 발생한 소음이 냉장고의 전면하단을 통하여 전방으로 새어나오는 것을 방지하는 방음장치에 관한 것이다. 
     본 발명에 의한 방음장치는, 도어 하부의 냉장고 전면에 부착되고, 하면에는 수납홈(20a)이 성형되어 있는 하부커버(20)와; 상기 수납홈에 유격을 가지고 수납되어 자중에 의하여 하방으로 내려올 수 있도록 구성되어, 항상 냉장고가 설치되는 바닥면에 접촉하는 스커트부재(22)를 포함하여 구성된다.  스커트부재는, 하단부가 바닥면에 접촉하는 몸체부(22a)와, 상기 몸체부의 상단에 성형된 플랜지부(22b)로 구성되고, 상기 수납홈의 하부에는 상기 플랜지부가 걸리게 되는 걸림부(20b)가 성형되어 있다.  따라서 본 발명에 의하면, 상기 스커트부재가, 냉장고가 설치되는 바닥면에 항상 접촉하는 상태로 되기 때문에 소음이 전방으로 새어나오는 것을 방지할 수 있게 된다.
Patent KR-100307268-B1 (KR)
IPC: F16K1/22
Filed: 1999-01-22
Granted: 2001-09-24
Abstract: 본 발명은 
     (a)하기 화학식 1의 티에노피리딘 유도체 또는 그의 약학적으로 허용가능한 염; 및 
     (화학식 1) 
     
       
     
     (상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 (C 1 -C 4 )알콕시카르보닐기이다) 
     (b)HMG-CoA 환원효소 억제인자를 함유하는 약학적 조성물에 관한 것이다.
Patent KR-100307300-B1 (KR)
Title: 조 나프탈렌 디카르복실산 정제방법 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 제조방법
IPC: C07C67/60
Filed: 1999-03-09
Granted: 2001-09-24
Abstract: 본 발명에 의한 폴리에틸렌 나프탈레이트 제조방법은 불순물을 함유하는 나프탈렌 디카복실산으로부터 불순물 함량이 낮은 폴리에틸렌 나프탈레이트를 얻는 것이다.  이 방법은,  조 나프탈렌 디카복실산과 에틸렌글리콜 수용액을 혼합하고, 이 생성 혼합물을 가열하여 상기 나프탈렌 디카복실산의 일부를 에스테르화하여 나프탈렌 디카복실산 에스테르체로하고, 이 나프탈렌 디카복실산 에스테르체를 에틸렌글리콜 수용액에 용해하는 공정; 이어서 상기 조 나프탈렌 디카복실산에 함유되어 있는 수소첨가 가능한 불순물을 수소첨가 촉매의 존재하에 수소와 접촉시켜 그 불순물을 수소화하고, 이 수소화 불순물을 상기 에틸렌글리콜 수용액에 용해하는 공정; 다음에 나프탈렌 디카복실산 에스테르체를 결정화하고, 이 결정체를 에틸렌글리콜 수용액으로부터 분리하고, 이 생성 나프탈렌 디카복실산 에스테르체를 중축합하는 공정으로 되어 있다.  조 나프탈렌 디카복실산을 정제하는 방법은 알데히드를 함유하는 나프탈렌 디카복실산으로부터 알데히드 함량이 낮은 나프탈렌 디카복실산 및 나프탈렌 디카복실산 에스테르체를 얻는 것이다.  이 방법은,  조 나프탈렌 디카복실산과 알콜 수용액을 혼합하고, 이 생성 혼합물을 가열해서 상기 나프탈렌 디카복실산의 일부를 에스테르화하여 나프탈렌 디카복실산 에스테르체로 하고, 이 나프탈렌 디카복실산 에스테르체를 상기 알콜 수용액에 용해하는 공정; 이어서 상기 조 나프탈렌 디카복실산에 함유된 알데히드를 설파이트와 접촉시켜 알데히드 부가물로하고, 이 알데히드 부가물을 상기 알콜 수용액에 용해하는 공정; 다음에상기 나프탈렌 디카복실산 및 나프탈렌 디카복실산 에스테르체를 결정화하고, 이들을 상기 알콜 수용액으로부터 분리하는 공정으로 되어있다.
Patent KR-100492807-B1 (KR)
Title: 오일 또는 가스 굴착 파이프를 폐쇄하기 위한 밸브 장치
IPC: E21B34/02
Filed: 1997-10-01
Granted: 2005-06-07
Abstract: 본 발명은 생산 파이프 또는 굴착 파이프를 폐쇄하여 유정의 화재를 제어하는 시스템에 관한 것이다.  가동 피스톤을 내장한 박스가 파이프의 둘레에 설치된다.  이 피스톤은 그의 전방 단부에 천공 실린더(3)를 지탱하고 있고, 이 천공 실린더(3)는 유압 피스톤-실린더 장치에 의해 파이프에 접할 수 있다.  이어서, 그 천공 실린더는 파이프 벽을 천공하고, 그 후, 천공 실린더 또는 별도의 폐쇄 실린더(4)가 천공된 구멍 내에 잔류하여 파이프를 통한 유체 흐름을 차단한다.  이 과정은 원격 제어된다.