baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent WO-2007119552-A1 (WO)
Title: Process for production of resin composite molded article
Inventor: KASHIWAGI MOTOFUMI
IPC: C08J5/12
Filed: 2007-03-28
Abstract: Disclosed is a process for producing a resin composite molded article by adhering an molded article (A) formed from a resin A comprising a polymer having an alicyclic structure to a molded article (B) formed from a resin B, wherein the adhering comprises the following steps 1 to 3: (step 1) performing at least one activation treatment of an adhesion surface of the molded article (A) and then treating the adhesion surface with a silane coupling agent (A), wherein the activation treatment is selected from plasma irradiation, excimer UV irradiation and corona discharge; (step 2) performing at least one activation treatment of an adhesion surface of the molded article (B), wherein the activation treatment is selected from plasma irradiation, excimer UV irradiation and corona discharge; and (step 3) superimposing the adhesion surface of the molded article (A) on the adhesion surface of the molded article (B) and then compressing the superposed article. It is possible to adhere the molded articles (A) and (B) to each other at a temperature lower than a glass transition temperature of the resin employed without the need of using any adhesive agent and therefore produce a resin composite molded article having excellent peel strength.
Patent WO-2008129607-A1 (WO)
Title: ヒアルロナン産生促進剤及びヒアルロナン分解抑制剤
Inventor: ASARI AKIRA
IPC: A61K31/702
Filed: 2007-04-06
Abstract: 【課題】ヒアルロナン産生促進剤、ヒアルロナン分解抑制剤及びスキンケア剤を提供する。 【解決手段】ヒアルロナンを有効成分として含有する薬剤である。ヒアルロナンとしては－Ｄ－グルクロン酸－β－１,３－Ｄ－Ｎ－アセチルグルコサミン－β－１,４－を１単位とし、これを２個含む４糖（ＨＡ４）であることが好ましい。
Patent WO-2007135833-A1 (WO)
Title: 通信装置
Inventor: FURUTERA KOJI
IPC: H04N1/00
Filed: 2007-04-20
Abstract: 本発明は、携帯端末から受信したデータに対して行うべき処理を指示しなくても、受信したデータに応じた処理を行うことができる通信装置に関する。Ｉｒ通信部１２は、携帯端末からデータを受信し、受信したデータをＲＡＭ１１に記憶し、データを受信した旨を制御部１０に知らせる。制御部１０は、受信したデータの種類を判別する。受信したデータの中に電話帳データがあり、電話帳データのみでないときには、受信したデータのうち電話帳データ以外のデータを電話帳データの送信先に送信する。電話帳データのみであるときには、電話帳データをフラッシュメモリ１９に書き込み保存する。受信したデータの中に電話帳データがないときには、ユーザによって選択された処理を行う。
Patent WO-2007132801-A1 (WO)
Inventor: NISHIDE TAKUJI
IPC: A61F2/91
Filed: 2007-05-14
Abstract: L'invention concerne un stent qui comprend une base de stent faite en un matériau qui est sensiblement non dégradable in vivo, une couche de revêtement qui comprend un médicament et un polymère biodégradable comme principaux composants recouvrant au moins une partie de la surface de la base de stent, et le polymère biodégradable présentant les caractéristiques suivantes dans des conditions d'immersion spécifiques : (a) 6 semaines à 12 semaines après immersion, le poids du polymère biodégradable est réduit de 50 % par rapport au poids avant immersion ; et (b) 14 semaines à 18 semaines après immersion, le poids du polymère biodégradable est réduit de 10 % par rapport au poids avant immersion.
Patent WO-2008041671-A1 (WO)
Title: Appareil de dépôt par évaporation
Inventor: WATANABE SHINGO
IPC: H01L51/50
Filed: 2007-10-01
Abstract: L'invention concerne un appareil de dépôt par évaporation susceptible d'amener la vapeur générée par un matériau formant un film dans une unité de génération de vapeur et jusqu'à une tête de dépôt par évaporation, sans aucune chute de température. L'appareil de dépôt par évaporation (13) soumet un objet de traitement (G) à un traitement de formation de film par dépôt par évaporation. Dans cet appareil de dépôt par évaporation (13), une chambre de traitement (30), destinée à former film sur l'objet de traitement (G) et une chambre de génération de vapeur (31), destinée à faire évaporer le matériau formant un film, sont disposées adjacentes l'une à l'autre. L'appareil est équipé de mécanismes d'évacuation (36 et 41), destinés à évacuer l'intérieur de la chambre de traitement (30) et l'intérieur de la chambre de génération de vapeur (31). Dans la chambre de traitement (30), un orifice d'injection de vapeur (80) est conçu pour injecter la vapeur du matériau formant un film. Dans la chambre de génération de vapeur (31), des unités de génération de vapeur (70 à 72) sont conçues pour faire évaporer le matériau formant un film et des valves de commande (75 à 77) sont conçues pour contrôler l'alimentation de la vapeur du matériau formant un film. En outre, des passages (81 à 83 et 85) sont conçus pour amener la vapeur du matériau formant un film, générée dans la chambre de génération de vapeur (31), non pas vers l'extérieur de la chambre de traitement (30) et de la chambre génératrice de vide (31), mais vers l'orifice d'injection de vapeur (80).
Patent WO-2008047630-A1 (WO)
Title: Étiquette à marqueur à circuits imprimés
Inventor: OGATA TETSUJI
IPC: G06K19/077
Filed: 2007-10-09
Abstract: L'invention concerne une étiquette à marqueur (1A) à circuits imprimés ayant un matériau de base d'entrée (11) ; une feuille de protection de puce à circuits imprimés (4) disposée sur une surface du matériau de base d'entrée (11) ; et un motif d'antenne (2) et une puce à circuits imprimés (3) disposée sur l'autre surface du matériau de base d'entrée (11). Sur l'autre surface du matériau de base d'entrée (11), un adhésif (6) est disposé pour recouvrir le motif d'antenne (2) et la puce à circuits imprimés (3). A une partie qui correspond à la puce à circuit imprimé (3) sur la feuille (4) de protection de puce à circuits imprimés, une ouverture (12) devant être un dégagement arrière de la puce à circuits imprimés (3) est formée.
Patent WO-2009047839-A1 (WO)
Inventor: ITO NORIYUKI
IPC: G06F17/50
Filed: 2007-10-09
Abstract: Selon l'invention une cellule logique est sélectionnée, et le changement de la cellule logique sélectionnée est mis en entrée. Des données fixes massives avec une couche massive d'un substrat semi-conducteur fixé sont générées. Après la génération des données fixes massives, une cellule logique factice non câblée pour un changement de conception est agencée dans une région où la cellule logique n'est pas agencée dans la couche massive. Dans une région où la cellule logique factice pour un changement de conception est agencée, la cellule logique pour un changement de conception est générée par câblage de la cellule logique factice pour un changement de conception après fixation massive. Lorsque le changement de la cellule logique sélectionnée est mis en entrée après la génération des données fixes massives, le changement de la cellule logique est empêché.
Patent WO-2008047751-A1 (WO)
Title: Dispositif laser à semi-conducteur à base de nitrure, et procédé de fabrication associé
Inventor: MATSUNO YUJI
IPC: H01S5/02
Filed: 2007-10-15
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur à base de nitrure dont le rendement ne se détériore plus et qui permet d'obtenir de bonnes caractéristiques d'émission lumineuse. Le procédé comprend une étape consistant à former des couches semi-conductrices à base de nitrure (2 à 7) sur un substrat de GaN de type n (1), une étape consistant à former une arête (8) composée d'une couche de gainage de type p (6) et d'une couche de contact (7) et s'étendant dans la direction [1-100], une étape consistant à former une tranchée (30) dans la surface supérieure du substrat de GaN de type n (1), en appliquant unfaisceau laser YAG, celle-ci s'étendant dans la direction [11-20] perpendiculaire à l'arête (8), et une étape consistant à former des surfaces d'extrémité (50) d'un résonateur en divisant le substrat de GaN de type n (1) à partir de la tranchée (30). L'étape de formation d'une tranchée (30) comprend une sous-étape consistant à former l'extrémité de la tranchée (30) dans une région située à une distance prédéterminée W2 (environ 50 µm à environ 200 µm) de la face latérale de l'arête (8).
Patent WO-2008054030-A1 (WO)
Title: IgG-BINDING PEPTIDE
Inventor: ITO YUJI
IPC: G01N33/53
Filed: 2007-11-02
Abstract: Disclosed is a peptide capable of specifically binding to human IgG.  Specifically disclosed is a human IgG-binding peptide tag which has a length of 11 to 16 amino acid residues and comprises at least an amino acid sequence represented by the formula I:       C-(X)n-W-X-X-X-W-(X)m-C      (I) [wherein n and m independently represent an integer of 1 or greater, provided that n + m = 4 or 5] wherein X-X-X in the formula I does not contain a cysteine residue, and the amino acid sequence satisfies either one or both of the following requirements a) and b): a) (X)n-W in the formula I is Za-G-Y-W; and b) W-(X)m in the formula I is W-G-L-Zb [wherein Za and Zb independently represent 0 or 1 or more amino acid residues].
Patent JP-WO2006132097-A1 (JP)
Title: チタン酸化物、排ガス処理用触媒および排ガスの浄化方法
IPC: B01J23/30
Filed: 2006-05-26
Abstract: 窒素酸化物や有機ハロゲン化合物の除去性能や耐久性に優れ、かつＳＯ２酸化率が低い排ガス処理用触媒、この触媒の調製に好適なチタン酸化物、およびこの触媒を用いた窒素酸化物および／または有機ハロゲン化合物を含む排ガスの処理方法を提供する。ＢＥＴ比表面積が５０〜２００ｍ２／ｇにあり、かつ粉末Ｘ線回折の２θ＝２４．７°〜２５．７°の間に存在するアナターゼ結晶を示すピークの強度（Ｉａ）が、純粋なアナターゼ型二酸化チタン１５質量％と純粋なルチル型二酸化チタン８５質量％との混合物からなる基準試料の粉末Ｘ線回折の２θ＝２４．７°〜２５．７°の間に存在するアナターゼ結晶を示すピークの強度（Ｉｂ）に対して、１５〜１４５％の範囲にあるチタン酸化物または排ガス処理用触媒。チタン酸化物の場合、ＢＥＴ比表面積は８５〜２５０ｍ２／ｇ（他は触媒と同じ）。
Patent JP-WO2006109619-A1 (JP)
Title: ５−フルオロウラシル耐性菌およびその作製方法
IPC: C12N15/09
Filed: 2006-04-04
Abstract: 本発明は、嫌気的環境下にある腫瘍組織内で生育でき、シトシン・デアミナーゼ（ＣＤ）を発現することができ、かつ、少なくとも抗腫瘍活性有効濃度の５−フルオロウラシル（５−ＦＵ）耐性能を有するＣＤ発現・５−ＦＵ耐性菌の作製方法を提供するものである。具体的には、嫌気的環境下にある腫瘍組織内で生育できるＣＤ発現菌を、５−フルオロシトシン（５−ＦＣ）の存在下で継代・馴化培養する方法Ａや、（１）嫌気的環境下にある腫瘍組織内で生育でき、かつ、ＣＤを発現しない菌を５−ＦＵの存在下で継代・馴化培養して、５−ＦＵ耐性菌を作製する工程と、（２）該５−ＦＵ耐性菌に、ＣＤ遺伝子を導入して形質転換する工程とを有する方法Ｂである。さらに本発明は、該ＣＤ発現・５−ＦＵ耐性菌およびこれを含有する医薬組成物を提供するものである。
Patent JP-WO2006112388-A1 (JP)
Title: 半導体装置の製造方法、半導体装置、プラズマ窒化処理方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
IPC: H01L21/31
Filed: 2006-04-14
Abstract: 複数のスロットを有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入して処理ガスのプラズマを発生させる窒化処理工程により、ポリシリコン層１１１の表面に窒化領域１１２を形成する。次に、窒化領域１１２の上にＣＶＤ酸化膜１１３等を形成し、ポリシリコン層１１１等を所定形状にパターニングした後、窒化領域１１２を酸化バリア層として、露出したポリシリコン層１１１の側壁部等に、熱酸化により熱酸化膜１１４を形成する。これによって、従来に比べてより低温の工程によりバーズピークの発生を抑制することができる。
Patent JP-WO2007015370-A1 (JP)
Title: 信号伝送装置および信号伝送方法
IPC: H04L27/01
Filed: 2006-07-19
Abstract: 信号のスペクトラムを整形する相関器１２と、相関器より前に配置され、入力信号からフィードバックフィルタの出力信号を減算する加算器、加算器の出力信号を入力してモジュロ演算を行うモジュロ演算器、モジュロ演算器の出力信号を入力し、相関器の伝達関数から１を減算した伝達関数を備えたフィードバックフィルタを含むプリコーダ１２とを備える。相関器は所望のノッチ特性を有するＩＩＲフィルタ手段であってもよい。深いノッチを含む送信信号スペクトラムを自由に整形可能であり、受信側に特定の帯域のみを抑圧する相関器を配置することにより、外来雑音の抑圧も可能である。
Patent JP-WO2007132592-A1 (JP)
Title: ２軸磁界センサ
IPC: H01L43/08
Filed: 2007-03-22
Abstract: 外部オフセット磁界を打ち消す磁界を発生させる機能を有する小型の２軸磁界センサを開示している。同一平面内に設けた平面コイルと、それと平行な平面に設けた４組の磁気抵抗効果素子対を有している。平面コイルは互いに平行な導体を少なくとも２組有しており、各２個の磁気抵抗素子がコイルの１辺のみと交差するようになっている。外部オフセット磁界をキャンセルする電流を予め求めておき、バイアス磁界と、外部オフセット磁界を打ち消す磁界との合計磁界を生じるだけの直流電流をコイルに流している間に、磁気抵抗素子対の中間電位出力を取り出して、地磁気などの磁気方位を求める。
Patent JP-WO2007026668-A1 (JP)
Title: 井戸海水の取水方法
IPC: E21B43/00
Filed: 2006-08-29
Abstract: 琉球石灰岩層を含む地層をさく井する工程を含む海洋生物の養殖などに適した清浄な井戸海水の取水方法であって、（１）該琉球石灰岩層を含む地層として中間地層に変成琉球石灰岩層を有する地層を選択し該さく井を該変成琉球石灰岩層より深い深度まで行なう工程；及び（２）該変成琉球石灰岩層より深い深度より浸透する海水のみを取水する工程を含む井戸海水の取水方法を提供する。
Patent JP-WO2007039985-A1 (JP)
Title: 酸化珪素膜で被覆された光触媒を含有する無機焼結体
IPC: C04B41/86
Filed: 2006-08-10
Abstract: 酸化チタンのみの光触媒を使用した場合と比較し光触媒活性に優れる無機焼結体を提供すること。無機焼結体に、光触媒活性を有する基体と、該基体を被覆する、実質的に細孔を有しない酸化珪素膜とを有し、アルカリ金属含有量が１ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下である、光触媒を表面に有する無機焼結体を製造する。
Patent JP-WO2007043540-A1 (JP)
Title: 目当て
IPC: G03B11/04
Filed: 2006-10-04
Abstract: 本発明の目的は、標準目当てに容易に装着することができるツノ型目当て等の別の目当てを提供すること。本発明の目当ては、双眼鏡の接眼部７２に装着された標準目当て９に対して着脱可能な中継部材３と、この中継部材３に着脱可能な目当て本体５とを備える。
Patent WO-2008108053-A1 (WO)
Title: ストランド
Inventor: MAEKAWA TOMOYA
IPC: E04G21/12
Filed: 2008-01-28
Abstract: ストランドによって圧縮力を付与する施工対象の構築の手間を軽減し、施工コストを低く抑えることができるストランドを提供する。
　施工面に形成された施工孔内に配され、緊張された状態でウェッジにより把持されて緊張力を施工面に付与するためのストランド1である。本発明のストランド1は、金属製のパイプ状部材（コルゲート管11）と、コルゲート管11の外周に配置される複数の金属製素線12とを備え、これら複数の金属製素線12が、コルゲート管11の横断面において、コルゲート管11を取り囲むように配置されている。
Patent WO-2009034674-A1 (WO)
Title: Electric storage device
Inventor: OSHIDA SYUJI
IPC: G01K7/24
Filed: 2008-07-30
Abstract: Provided is an electric storage device, in which a control unit (33) decides that an arbitrary temperature detecting unit (25) is normal, when the estimated temperature (Tc) of a storage unit (23) having the arbitrary temperature detecting unit (25) becomes substantially equal to the temperature output of the arbitrary temperature detecting unit (25), in case the temperature output of the arbitrary temperature detecting unit (25) indicates an abnormal value and then restores the range of a normal value.  Even if the temperature output temporarily becomes abnormal, therefore, the control unit (33) can decide that state by itself so that it can again continue the temperature detection of the storage unit (23), thereby to acquire a high reliability.
Patent WO-2009019865-A1 (WO)
Title: 半導体装置とその製造方法および画像表示装置
Inventor: NAKATANI SEIICHI
IPC: H01L21/28
Filed: 2008-08-06
Abstract: より高密度に半導体素子を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。併せてこの半導体装置を用いた画像表示装置の提供もする。 　一方の面から他方の面に貫通するスルーホールを有する樹脂フィルムと、前記スルーホールの内部に配置された有機半導体と、前記有機半導体の一方の端部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を覆うゲート電極と、前記有機半導体の他方の端部と電気的に接続したソース電極と、前記有機半導体の他方の端部と電気的に接続したドレイン電極と、を有することを特徴とする半導体装置である。
Patent WO-2009063586-A1 (WO)
Title: 画像処理装置および方法
Inventor: SUMIYA KAZUNORI
IPC: H04N1/407
Filed: 2008-09-26
Abstract: 色相を変えることなく輝度と彩度を独立して非線形変換でき、かつ、比較的暗い画像の非線形変換を行う場合の画質を向上できる画像処理装置を提供する。変換係数算出部（７）は、画像信号における処理対象の画素である各々の注目画素の非線形変換処理に使用されるべき輝度変換係数および彩度変換係数を算出する。信号レベル変換部（９）は、輝度変換係数および彩度変換係数を基に注目画素の画素信号を非線形変換することで、輝度および彩度をそれぞれ変化させる。これにより色相を変えることなく輝度および彩度が独立して変換される。彩度変換係数は、輝度変換係数に応じた値であって、輝度変換係数より小さい値になるように求められる。したがって、非線形変換処理を暗い画像に対して行う場合でも、輝度変換だけでなく彩度変換も行われる。
Patent WO-2009063606-A1 (WO)
Title: 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの作製方法、及び表示装置
Inventor: MORIGUCHI MASAO
IPC: H01L29/786
Filed: 2008-11-10
Abstract: オン電流が大きく、かつ、オフ電流が抑えられた薄膜トランジスタを、製造効率よく提供する。 　本発明による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、微結晶シリコンを含み、基板面に平行な上面及び下面と、上面と下面とに挟まれた端面とを有する微結晶シリコン層と、それぞれが微結晶シリコン層に接するように形成された、不純物を含む第１及び第２コンタクト層と、第１コンタクト層に接するように形成されたソース電極と、第２コンタクト層に接するように形成されたドレイン電極とを備え、第１及び第２コンタクト層の少なくとも一方が、微結晶シリコン層の上面及び下面に接することなく端面のみに接している。
Patent WO-2008099626-A1 (WO)
Title: 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ
Inventor: FUKAMI SHUNSUKE
IPC: H01L27/105
Filed: 2008-01-10
Abstract: 磁気ランダムアクセスメモリは、磁化自由層、絶縁層、磁化固定層を含む積層構造を備える。磁化自由層は、センス層と、センス層に隣接して設けられる第１の結合層と、第１の結合層に隣接してセンス層とは反対側に設けられるストレージ層を備える。センス層とストレージ層は第１の結合層１２を介して少なくとも一部分が磁気的に結合している。ストレージ層の磁気異方性はセンス層の磁気異方性よりも大きい。センス層の飽和磁化と体積の積は、ストレージ層の飽和磁化と体積の積よりも大きい。このような構成により、十分な熱安定性を維持した上で、書き込みに要する電流値が低減された磁気ランダムアクセスメモリを提供することができる。
Patent WO-2008099791-A1 (WO)
Title: 送信方法、受信方法、伝送方法、送信装置及び受信装置
Inventor: SUEHIRO NAOKI
IPC: H04B7/10
Filed: 2008-02-05
Abstract: 垂直偏波用送信部１１、水平偏波用送信部１２、垂直偏波及び水平偏偏波共用部１３、送信側垂直偏波アンテナ１５及び送信側水平偏波アンテナ１６を有する送信装置。なお、垂直偏波用送信部１１は、Ｎ次元のＤＦＴ行列のＮ個の行ベクトル（ｆ０、ｆ１、ｆ２、・・・ｆＮ−１；ｆ１をパイロット信号の送信用とし、ｆ２、・・・ｆＮ−１を送信データの送信用とし、ｆ０は使用しない。）の内、行ベクトルｆ１と垂直偏波用パイロット信号とのクロネッカ積をとり、更に、行ベクトルｆ２、・・・ｆＮ−１と垂直偏波用送信データとのクロネッカ積をとり、垂直偏波アンテナ１５から送信する。同様に、水平偏波用送信部１２は、行ベクトルｆ０と水平偏波用パイロット信号とのクロネッカ積をとり、更に、行ベクトルｆ２、・・・ｆＮ−１と水平偏波用送信データとのクロネッカ積をとり、水平偏波アンテナ１６から送信する。
Patent WO-2009107200-A1 (WO)
Title: Air blower
Inventor: KIRIYAMA KAZUHIRO
IPC: F24F11/02
Filed: 2008-02-26
Abstract: An air blower set up near the ceiling of a building having a large space inside comprises the main body of the air blower which incorporates an air blowing fan and has an air intake port and an air blast port, an installation bracket which is attached to the building and supports the main body of the air blower in such a manner that the main body of the air blower may be tilted upward or downward, a motor for tilting the main body of the air blower upward or downward, and a remote controller for controlling the motor.  The remote controller controls the motor in such a manner that the air blast port may be tilted upward or downward in an angle range of 0˚ horizontal and 90˚ downward.
Patent WO-2009025096-A1 (WO)
Title: 磁気センサ回路
Inventor: SUGIURA MASAKAZU
IPC: G01R33/07
Filed: 2008-03-13
Abstract: ホール素子と、ホール素子を貫く磁束に応じたホール電圧としきい値電圧とを比較するコンパレータ回路と、コンパレータ回路の出力信号から磁気センサ回路の出力論理を決定する出力論理決定回路と、出力論理決定回路の出力するデータ信号によって、しきい値電圧を決定するしきい値電圧制御回路と、しきい値電圧制御回路の出力するデータ信号によって、コンパレータ回路のしきい値電圧を出力するしきい値電圧出力回路と、を備えた磁気センサ回路であり、回路規模が小さく、消費電流の増加やコストアップを抑えた磁気センサ回路を提供することが出来る。
Patent WO-2008114816-A1 (WO)
Title: 高圧流体用管継手部材
Inventor: NISHIO TAKUYA
IPC: F16L37/44
Filed: 2008-03-19
Abstract: 液体水素等の高圧流体用管継手部材におけるシールリングの機能を維持し、流体の漏洩を防止する。第１筒状部材（２０）の第２半径方向面（３６）及びシールリング設定面（３８）、第２筒状部材（２２）の先端面、弁座部材（２４）の外周面によって画定されるシールリング設定空間（３９）にシールリング（７２）を設定する。第２筒状部材（２２）の先端部分に、該先端部分を半径方向で貫通する連通孔（８４）を設ける。弁座面（５２）より下流側の高圧流体の圧力を連通孔（８４）、及び、シールリング設定面（３８）と第２筒状部材の先端部分の外周面との間の隙間を介して、第２筒状部材内の流体通路をシールリング設定空間（３９）に通じるようにする。
Patent WO-2008114837-A1 (WO)
Title: Systèmes et méthodes de production de séquences les plus proches possible d'un ensemble de séquences avec un minimum de corrélations croisées moyennes
Inventor: KOWALSKI JOHN M
IPC: H04J11/00
Filed: 2008-03-13
Abstract: L'invention porte sur une méthode de production de séquences les plus proches possible d'un ensemble de séquences avec un minimum de corrélations croisées moyennes. Chaque élément d'un ensemble de séquences est projeté sur le point de constellation le plus proche. L'ensemble de séquences est converti en une représentation de domaine de temporel. Puis on applique une transformée de Fourier discrète inverse (IDFT) sur l'ensemble de séquences. Puis on évalue le métrique cubique de chaque séquence de l'ensemble de séquences, et on retire une séquence de l'ensemble si le métrique cubique dépasse un seuil. On obtient ainsi une corrélations croisées minimale maximale pour l'ensemble de séquences.
Patent WO-2009008311-A1 (WO)
Title: クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
Inventor: KAWAMURA MASAHIRO
IPC: C09K11/06
Filed: 2008-07-02
Abstract: 下記式で表されるクリセン誘導体。  Ｒ１～Ｒ１０及びＲ２１～Ｒ２５は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１～１０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数３～１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３～２０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８～３０のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の核炭素数６～２０のアリール基を示す。Ｒ２１～Ｒ２５の少なくとも１つは置換もしくは無置換の核炭素数１０～２０の縮合芳香族環又は置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
Patent WO-2009017215-A1 (WO)
Title: パワーアシスト装置およびその制御方法
Inventor: ODASHIMA TADASHI
IPC: B23P19/00
Filed: 2008-07-25
Abstract: 作業者がパワーアシスト装置を用いてワークの位置決めをする際に、作業者による判断や経験（勘やコツ）を活かしながら、位置決め作業の一部をパワーアシスト装置に負担させることにより、ワークの位置決め作業に対する作業者の負担を軽減しつつ、位置決め精度の向上と作業性の向上を実現するパワーアシスト装置およびその制御方法を提供する。作業者の作業動作に協調して自律的に作動するパワーアシスト装置（１）は、ウィンドウ（１０，２０）を把持して搬送するための搬送具として多関節ロボット（２）、吸着治具（３）、およびフリージョイント（４）等、ならびに、その搬送具の動作を制御する制御装置（２ａ）を備え、制御装置（２ａ）は、一連の作業タスクを複数の作業区間に分割して記憶し、その作業区間ごとに、かつ、パワーアシスト装置（１）が自由度を有する作動方向ごとに、その作動方向に対する制御ロジックを設定する。
Patent WO-2010029617-A1 (WO)
Inventor: FURUI SHINGO
IPC: H01L27/14
Filed: 2008-09-10
Abstract: 本発明の放射線検出器には、放射線感応型の半導体層、キャリア選択性の高抵抗膜、共通電極の露出面上を覆う硬化性合成樹脂膜が、その硬化性合成樹脂膜の製造工程において塩素が混入されないものを用いる。これより、キャリア選択性の高抵抗膜および半導体層が塩素イオンにより、ピンホールおよびボイドが形成されるのを防ぐ。 　また、共通電極の露出面上と硬化性合成樹脂膜との間に、イオン性物質を透過させない保護膜を備えることでも、キャリア選択性の高抵抗膜が硬化性合成樹脂膜中に含まれる塩素イオンに腐食されるのを防ぐことができ、半導体層を流れる暗電流の増加を防ぐことができる。
Patent WO-2009041269-A1 (WO)
Title: 導電性高分子電極の製造方法及びそれを備えた色素増感太陽電池
Inventor: SAITO YASUTERU
IPC: H01M14/00
Filed: 2008-09-10
Abstract: 導電性、触媒性能に優れ、かつパターニングが容易であり、塗布溶液の使用効率が高く、簡便に、再現性、生産性よく製造することができる導電性高分子電極の製造方法、及びこれを用いた変換効率等に優れた色素増感太陽電池を提供する。すなわち、電極基体上に、導電性高分子のモノマー、酸化剤、重合制御剤として下記一般式（１）で表されるピロリドン化合物を含む溶液を電極基体上に塗布したのち、酸化重合により前記モノマーを重合させることで導電性高分子電極を形成する手法を用いる。 【化１】  （式（１）中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を示す。）
Patent WO-2009038063-A1 (WO)
Title: エッチング溶液
Inventor: NISHIJIMA YOSHITAKA
IPC: H01L21/308
Filed: 2008-09-17
Abstract: ＣｕとＭｏの積層金属膜のみならず従来技術では困難であったＣｕとＭｏ合金の積層金属層を一度にエッチングするとともに、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング溶液を提供する。本発明のエッチング溶液は、必須成分として、（ａ）水溶液が中性又は酸性のリン酸塩及び水溶液が中性又は酸性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種と（ｂ）過酸化水素と（ｃ）水を含有してなる、銅又は銅合金の１層又は複数層とモリブデン又はモリブデン合金の１層又は複数層とからなる多層積層金属層の銅又は銅合金及びモリブデン又はモリブデン合金を一度にエッチングするためのエッチング溶液である。
Patent WO-2009069370-A1 (WO)
Title: 移動通信端末、及び移動通信端末のメニュー表示方法
Inventor: ANZAI TAKESHI
IPC: G06F3/0482
Filed: 2008-09-22
Abstract: ユーザにとって使い勝手のよいメニューを表示することができる移動通信端末を提供する。本発明に係る移動通信端末は、ユーザの操作によって実行された機能と、当該ユーザの操作によってその次に実行された機能とを対応付ける関連機能対応付け部と、関連機能対応付け部によって対応付けられた、実行された機能と次に実行された機能の組み合わせに対して、新たに実行された組み合わせほど大きい重み付け値を付与する重み付け設定部と、ユーザによって新たにある機能が選択された場合に、実行された機能に対応付けられている次に実行された機能のうち、重み付け設定部により設定された重み付け値が大きいものを優先的に表示させる次機能予測部と、を有する。
Patent WO-2009125510-A1 (WO)
Title: Acceleration sensor
Inventor: KONNO NOBUAKI
IPC: G01P15/125
Filed: 2008-10-28
Abstract: An acceleration sensor is provided with a substrate (1), first and second twisted beams (11, 12), first and second detection frames (21, 22), first and second detection electrodes (41, 42), first and second link beams (31, 32), and an inertial mass body (2).  The first and second twisted beams (11, 12) are twisted around first and second twist axis (T2, T2).  The first and second detection frames (21, 22) rotate with the first and second twist axis (T1, T2) at the center.  The first and second detection electrodes (41, 42) detect angles of the first and second detection frames (21, 22) with respect to the substrate (1).  The first link beam (31) is on the first axis (L1), which is obtained by shifting the first twist axis (T1) to the side of one end of the first detection frame (21) along the direction that intersects with the first twist axis (T1).  The second link beam (32) is on a second axis (L2), which is obtained by shifting the second shift axis (T2) in the direction identical to the direction wherein the first twist axis (T1) is shifted.
Patent WO-2009060969-A1 (WO)
Title: 火花点火式内燃機関
Inventor: AKIHISA DAISUKE
IPC: F02D43/00
Filed: 2008-11-04
Abstract: 内燃機関において、機械圧縮比を変更可能な可変圧縮比機構（A）と、吸気弁（７）の閉弁時期を制御可能な可変バルブタイミング機構（B）とを具備する。機関低負荷運転時に膨張比が２０以上となるように機械圧縮比が最大にされる。更に、機関低負荷運転時には一部の運転領域又は全ての運転領域において実圧縮比が機関高負荷運転時に比べて低下せしめられ、機関低負荷運転時において少くとも実圧縮比が機関高負荷運転時に比べて低下せしめられているときにはスロットル弁（１７）が閉弁せしめられる。
Patent JP-WO2007111107-A1 (JP)
Title: 炭素系繊維のデバイス構造およびその製造方法
IPC: C01B31/02
Filed: 2007-03-08
Abstract: カーボンナノチューブを高密度化する技術を提供する。炭素系繊維の集合体構造は、複数の炭素系繊維で構成される前記炭素系繊維の集合体構造であって、一方の端部における前記炭素系繊維の密度と他方の端部における前記炭素系繊維の密度とが異なる前記炭素系繊維が長さ方向に配列された前記炭素系繊維の集合体からなる。
Patent JP-WO2007123041-A1 (JP)
Title: 内部熱交換器
IPC: F25B1/00
Filed: 2007-04-12
Abstract: 放熱器２から減圧手段３に流入する高温高圧の冷媒Ａと蒸発器４からコンプレッサ１へ流入する低温低圧の冷媒Ｂとの間で熱交換を行う内部熱交換器１０において、高温高圧側の冷媒Ａの入口部１１ａと低温低圧側の冷媒Ｂの入口部１２ａのうちの少なくともいずれか一方に、通過する冷媒Ａ、Ｂ中に含まれたオイルを分離するためのオイル分離手段５０を設けた。
Patent JP-WO2007138714-A1 (JP)
Title: 移動通信システムの接続規制方法、基地局装置及び端末装置
IPC: H04W52/00
Filed: 2006-05-30
Abstract: 移動体通信に対応した接続規制方式を提供する。端末の受け入れ可否を決定する際、通信を開始した場合の送信電力の予測値を取得し、閾値と比較した結果に基づいて接続を規制する。データを送信していない状態での送信電力を端末側で算出し、データ送信中の送信電力を予測して基地局へ通知することによって、基地局は一定以上の送信電力でないと通信を受けることができない端末を予測し、接続を規制する。
Patent JP-WO2008015734-A1 (JP)
Title: 組部材と組部材の製造方法
IPC: B23P19/02
Filed: 2006-07-31
Abstract: 第１部材と第２部材を強固に締結可能な技術を提供する。第１部材に柱状部を形成し、第２部材に孔を形成し、第１部材に柱状部を第２部材に孔に圧入する。ここで、柱状部の軸に垂直な断面に外接する外接円の径は、前記孔の軸に垂直な断面に内接する内接円の径よりも大きくする。前記柱状部の軸に垂直な断面に内接する内接円の径は、前記孔の軸に垂直な断面に外接する外接円の径よりも小さくする。前記柱状部と前記孔のうちの側面の硬度が高い方には、圧入時に前方に位置する端部に、側面が軸方向に対して傾斜しているテーパ部を形成する。
Patent JP-WO2008018120-A1 (JP)
Title: タイヤ成型方法及びゴムストリップの圧着装置
IPC: B29D30/60
Filed: 2006-08-08
Abstract: 本発明は、複数のタイヤ用ゴム部材を含んで構成されるタイヤの成型において、リボン状のゴムストリップ(R)を螺旋状に巻き付け積層する際、空隙を生じさせずに確実に積層できるようにするものであり、押さえロール(30)と、ゴムストリップ幅(W)のセンターを挟んで並列して個々に押圧動作可能に配された二組のステッチングロール(40a)(40b)とを用い、ゴムストリップ(R)の巻き付き位置で押さえロール(30)によりゴムストリップ(R)を押圧し圧着するとともに、その直後の領域で、二組のうちのトラバース移動の進行方向前方側になるステッチングロール(40a)又は(40b)を押圧動作させて、ゴムストリップの前記進行方向前方側の部分を押圧し圧着する。
Patent JP-WO2008032665-A1 (JP)
Title: 新規フェニル酢酸誘導体
IPC: A61K31/381
Filed: 2007-09-10
Abstract: 優れたプロスタグランジンE2産生抑制作用を有し、消化管障害などの副作用が軽減された医薬の有効成分として有用な式(1)（----は単結合又は二重結合を示し；Ｒ1は水素原子又はアルキル基を示し、Ｒ2及びＲ3は水素原子又はアルキル基を示し；Ｒ4及びＲ5は水素原子、ヒドロキシ基、 アルコキシ基、ハロゲン原子、又はモノ−若しくはジ−アルキル置換アミノ基を示し、Ｒ6は水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を示し；Ｒ7はベンゼン環上の１個又は２個の置換基（該置換基は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、 アルキル基、又はアルコキシ基）を示し；Ａは１個若しくは連続した２個の硫黄原子（それぞれ独立に酸化物であってもよい）を含む非芳香族５員又は６員複素環を示し；Ｗ----はオキソ基、水素原子、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を示し；Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示す）で表される化合物又はその塩。
Patent JP-WO2008096850-A1 (JP)
Title: 有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料及びこれを用いた有機薄膜トランジスタ
IPC: H01L51/05
Filed: 2008-02-08
Abstract: 本発明は、分子内にエポキシ基を２つ以上有する化合物を含有してなる有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料、好ましくは、分子内にエポキシ基を２つ以上有する化合物を含有してなるｎチャネル型又はアンバイポーラ型有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料に関する。
Patent WO-2009136472-A1 (WO)
Title: 弾性波フィルタ装置
Inventor: KITAMURA HIDEKAZU
IPC: H03H9/64
Filed: 2009-04-22
Abstract: 薄型化を妨げることなく、内蔵されているインダクタンス素子のインダクタンス値を十分な大きさとすることが可能とされている弾性波フィルタ装置を提供する。 　積層基板２内に第１，第２のインダクタンス素子が内蔵されており、該積層基板２上にフリップチップボンディングにより第１，第２の弾性波フィルタチップ３，４が実装されており、積層基板２内に設けられた第１，第２のインダクタンス素子が、それぞれ、第１，第２のコイルパターン３１，３２を有し、第１，第２のコイルパターン３１，３２が積層基板２内のある高さ位置の平面２ｂに設けられており、かつ第２のコイルパターン３２が、第１のコイルパターン３１が設けられている領域内に形成されている、弾性波フィルタ装置１。