baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102021209089-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines aus Beton gegossenen Wand- oder Decken-Plattenelements
IPC: B28B23/00
Filed: 2021-08-18
Granted: 2023-05-11
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines aus Beton gegossenen, Stirnseiten sowie Seitenflächen aufweisenden Wand- oder Decken-Plattenelements mit einem darin eingebetteten Leerrohr-Teil (1), das eine Öffnung (3) aufweist, die in Einbaustellung des Leerrohrs (5) in eine Seitenfläche (27) des Plattenelements (25) mündet und von einem Randflansch (7) umgeben ist, wobei die Öffnung (3) und die außenseitige Randfläche (8) des Randflansches (7) planbündig mit der Ebene der Öffnung (3) verläuft, mit folgenden Verfahrensschritten:- Bereitstellen des Leerrohr-Teils (1) mit der Öffnung (3),- flächenbündiges Verschließen der Öffnung (3) des Leerrohr-Teils (1) mit einem Magnetkörper (15), wobei der Magnetkörper (15) flächenbündig eingesetzt wird und mittels eines den Randflansch (7) und die flächenbündige Seitenfläche (16) des Magnetkörpers (15) überspannenden Klebefolien-Stücks (17) im Leerrohr-Teil (1) fixiert wird,- Aufsetzen des Leerrohr-Teils (1) auf eine metallische Schalungsfläche einer Schalungsform (19) für das Plattenelement (25), wobei das Leerrohr-Teil (1) mit der Öffnung (3) in Richtung der Schalungsfläche und mittels der Magnetkraft des Magnetkörpers (15) auf der Schalungsfläche fixiert und die Öffnung (3) durch den Magnetkörper (15) gegen eindringenden Beton abgedichtet wird,- Eingießen von Beton in die Schalungsform (19) unter Einbettung des Leerrohr-Teils (1) in das Betonmaterial (24),- Aushärten lassen des Betonmaterials (24) und Entschalen des Plattenelements (25) aus der Schalungsform (19), sowie- Entfernen des Magnetkörpers (15) aus der Öffnung (3) des Leerrohr-Teils (1) durch Abziehen des Klebefolien-Stücks (17).
Patent DE-112005002821-B4 (DE)
Title: Verfahren und System zum Bereitstellen eines Privat-Fernsprechrufdienstes für Mobilteilnehmer und drahlose Soft-Vermittlungsvorrichtung hierfür
Inventor: JUNG TAE-SUNG
IPC: H04M3/00
Filed: 2005-12-21
Granted: 2008-08-21
Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Bereitstellen eines Privat-Fernsprechrufdienstes für einen Mobilteilnehmer geschaffen. Eine Soft-Vermittlung in einem Mobilkommunikationssystem sendet beim Empfang einer Ursprungsnachricht, die Privat-Fernsprechanforderungs-Informationen enthält, eine Privatleitungsdienst-Anforderungsnachricht, die eine Dienst-ID für den Privat-Fernsprechrufdienst und die Netzadresseninformationen eines Anrufers und eines Angerufenen enthält, von einer anrufenden MS an einen VPN-Server. Der VPN-Server baut gemäß den Netzadresseninformationen einen Kommunikationsweg für die mit dem anrufenden und mit dem angerufenen Gateway verbundenen Kanten-Router auf. Somit wird der Fernsprechverkehr zwischen der anrufenden MS und der angerufenen MS über den Kommunikationsweg des VPN übertragen.
Patent DE-112006002975-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung von Menthylbenzoat
Inventor: DILK ERICH
IPC: B01J31/22
Filed: 2006-10-25
Granted: 2020-03-26
Abstract: Verfahren zum Herstellen von Menthylbenzoat durch Umesterung eines Alkylbenzoats der Formel (I)wobei R einen Alkylrest mit 1 bis 4 C Atomen bedeutet,mit Menthol in Gegenwart eines Katalysators, dadurch gekennzeichnet, dass der Katalysator eine Zinkverbindung ist,wobei die Zinkverbindung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Zinkacetat-Dihydrat und Zinkacetylacetonat.
Patent DE-112008003018-B4 (DE)
Title: Blutdruckmessgerät
Inventor: KUKITA TOMOHIRO
IPC: A61B5/022
Filed: 2008-11-05
Granted: 2017-12-14
Abstract: Blutdruckmessgerät, umfassend:  eine Manschette (145) zum Legen um einen Lebewesenkörper eines Subjekts;  eine Messeinheit (10) zur Messung eines Blutdrucks, während die Manschette um den Lebewesenkörper des Subjekts gelegt ist;  eine Ermittlungseinheit (160) zur Ermittlung eines Neigungswinkels der Manschette;  eine Bestimmungseinheiteinheit (12) zur Bestimmung eines momentanen Neigungslevels unter einer Vielzahl von vorbestimmten Neigungsleveln während der Messung durch die Messeinheit, basierend auf einem Ergebnis der Ermittlung durch die Ermittlungseinheit;  einen Speicher (129), um darin den von der Bestimmungseinheit bestimmten Neigungslevel zu speichern in Verbindung mit von der Messeinheit gemessenen Blutdruckdaten; und  eine Benachrichtigungseinheit (18, 116) zur Bereitstellung einer Benachrichtigung über zumindest einen früheren Neigungslevels der Vielzahl von in dem Speicher gespeicherten Neigungsleveln in Verbindung mit dem momentanen Neigungslevel.
Patent DE-112010000814-B4 (DE)
Title: Immunanalytisches Verfahren und immunanalytisches System mit Verwendung der Massenspektrometertechnologie
Inventor: KANDA KATSUHIRO
IPC: G01N27/62
Filed: 2010-02-09
Granted: 2021-09-09
Abstract: Immunanalytisches Verfahren mit den Schritten:
 Erfassen eines zu bestimmenden Objekts (101, 501, 1032), das in einer Probenlösung enthalten ist, mittels eines Antikörpers in einem Vorbehandlungsprozess auf der Basis des immunanalytischen Verfahrens;
 Quantifizieren des erfassten Objekts (101, 501, 1032), das zu bestimmen ist;
 Sammeln des zu bestimmenden Objekts (101, 501, 1032) aus einer Abfallflüssigkeit, die sich ergibt, nachdem das erfasste, zu bestimmende Objekt der Quantifizierung unterzogen wurde; und
 Ausführen einer Massenspektrometrie an dem gesammelten, zu bestimmenden Objekt mit einem massenspektrometrischen Verfahren und Bestimmen der Komponenten des Objekts auf der Basis des immunanalytischen Verfahrens.
Patent DE-112010000867-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren für SiC-Einkristall vom n-Typ, dadurch erhaltener SiC-Einkristall vom n-Typ und dessen Anwendung
Inventor: FUJIWARA YASUYUKI
IPC: C30B15/00
Filed: 2010-02-18
Granted: 2014-03-27
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines SiC-Einkristalls vom n-Typ, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren umfasst: Zugeben von Gallium und Stickstoff, das ein Donorelement zum Erhalt eines Halbleiters vom n-Typ ist, während des Kristallwachstums eines SiC-Einkristalls derart, dass der in Atom-% dargestellte Anteil der Menge an Stickstoff zu der Menge an SiC größer ist als der in Atom-% dargestellte Anteil der Menge an Gallium zu der Menge an SiC, wobei der Anteil der Menge an Stickstoff größer als 0 und gleich oder geringer als 1,0 Atom-% ist, der Anteil der Menge an Gallium größer als 0 und gleich oder geringer als 0,06 Atom-% ist und der spezifische Widerstand des SiC-Einkristalls vom n-Typ 0,010 Ωcm oder weniger beträgt.
Patent DE-112011104358-B4 (DE)
Title: Elektrodraht-Verbindungsaufbau für einen Steckeranschluss und Verfahren zum Herstellen desselben
Inventor: SATO KEI
IPC: H01R43/048
Filed: 2011-12-12
Granted: 2023-03-16
Abstract: Elektrodraht-Verbindungsaufbau für einen Steckeranschluss (10), in dem ein Ende eines Elektrodrahts (W) mit einem hinteren Teil des Steckeranschlusses (10) verbunden wird und das Ende des verbundenen Elektrodrahts (W) durch ein Kunstharzgussteil (20) abgedichtet wird,wobei eine Stufe (d), die eine untere Seite (13b) eines hintersten Endes des Steckeranschlusses (10) höher als eine untere Seite (12b) eines Bereichs vor dem hintersten Ende macht, zwischen der unteren Seite (13b) eines Mantelcrimpabschnitts (13) am hintersten Ende des Steckeranschlusses (10) und der unteren Seite (12b) eines Leitercrimpabschnitts (12) vor dem hintersten Ende vorgesehen ist,undein Raum (22, in dem ein Kunstharz zum Bilden des Kunstharzgussteils (20) eingefüllt ist, ist unter dem hintersten Ende sichergestellt.
Patent DE-112012001681-B4 (DE)
Title: Zentraler Server, diesen einschliessendes Registrierungssystem für Ladeeinrichtungen und Verfahren zur Registrierung von Ladeeinrichtungen
Inventor: NISHIDA JUNICHI
IPC: G06Q50/10
Filed: 2012-04-05
Granted: 2021-10-14
Abstract: Zentraler Server, dadurch gekennzeichnet, dass er aufweist:einen Empfänger (12), welcher derart konfiguriert ist, dass dieser eine von einem zur externen Ladung geeigneten Elektrofahrzeug übertragene Positionsinformation sowie weitere Informationselemente empfängt, wobei die Positionsinformation sich auf eine Ladeeinrichtung bezieht, an der das Elektrofahrzeug geladen wurde;eine Verarbeitungseinheit (14), undeine Speichervorrichtung (16),wobei die Verarbeitungseinheit (14) derart konfiguriert ist, dass diese aus den Informationselementen einen Standard oder eine Spezifikation der Ladeeinrichtung feststellt, die der vom Empfänger (12) empfangenen Positionsinformation zugeordnet sind, und eine den Standard oder die Spezifikation der Ladeeinrichtung anzeigende Standard-/Spezifikationsinformation der Positionsinformation über die Ladeeinrichtung zuordnet und die zugeordnete Information in der Speichervorrichtung (16) speichert.
Patent DE-112012004468-B4 (DE)
Title: Anwendungs-Level-Spekulative-Verarbeitung
Inventor: IORIO FRANCESCO
IPC: G06F9/46
Filed: 2012-10-25
Granted: 2018-07-12
Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen der Erfindung ist ein Computerimplementiertes Verfahren zum spekulativen Ausführen von Anwendungs-Ereignis-Antworten. Das Verfahren umfasst die Schritte eines Identifizierens von einer oder mehreren Ereignis-Antworten, welche zur Ausführung mittels einer Anwendung ausgestellt werden könnten, welche mittels eines Master-Prozesses ausgeführt ist, für jede Ereignis-Antwort, eines Generierens eines Kind-Prozesses, um die Ereignis-Antwort auszuführen, eines Bestimmens, dass eine erste Ereignis-Antwort, welche in der einen oder den mehreren Ereignis-Antworten umfasst ist, zur Ausführung mittels der Anwendung ausgestellt worden ist, eines Abschickens des Kind-Prozesses, welcher mit der ersten Ereignis-Antwort assoziiert ist, als einen neuen Master-Prozess, und eines Abbrechens des Master-Prozesses und aller Kind-Prozesse außer dem Kind-Prozess, welcher mit der ersten Ereignis-Antwort assoziiert ist.
Patent DE-112013003469-B4 (DE)
Title: Heißkanal-Spritzgießvorrichtung mit aktiver Ventilnadelentkopplung und Verfahren zum Steuern des Betriebs einer Heißkanal-Spritzgießvorrichtung
Inventor: OLARU GHEORGHE GEORGE
IPC: B29C45/84
Filed: 2013-07-12
Granted: 2017-08-03
Abstract: Heißkanal-Spritzgießvorrichtung (10), aufweisend: – einen Einspritzverteiler (12) mit einem Schmelzeeinlasskanal (14) und einer Vielzahl von Schmelzeauslasskanälen (18); – eine Vielzahl von Heißkanaldüsen (20), welche den Verteiler-Schmelzeauslasskanälen (18) zugeordnet sind; – einen bewegbaren Rahmen (30), der in der Nähe des Verteilers (12) positioniert ist, der zwischen mindestens zwei Positionen relativ zu einer Vielzahl von Formhohlräumen (24) verlagert werden kann, wobei jeder Formhohlraum (24) eine Angießöffnung (27) aufweist; – eine Vielzahl von Ventilnadeln (32), welche den Heißkanaldüsen (20) zugeordnet sind, wobei jede Ventilnadel (32) mittels eines entkoppelbaren Verbinders (36, 60) mit dem bewegbaren Rahmen (30) verbindbar ist, wobei, wenn die Ventilnadeln (32) mit dem bewegbaren Rahmen (30) verbunden sind, diese von dem bewegbaren Rahmen (30) zwischen wenigstens zwei Positionen relativ zu den Angießöffnungen (27) verlagerbar sind, um die Menge eines geschmolzenen Materials zu steuern, das in jeden Formhohlraum (24) durch den Verteiler und die Heißkanaldüsen (20) eingespritzt wird; – eine Vielzahl von Entkopplungseinrichtungen (40), welche den Ventilnadeln zugeordnet sind, wobei jede Entkopplungseinrichtung (40) betätigbar ist, um eine der zugeordneten Ventilnadeln (32) von dem bewegbaren Rahmen (30) zu entkoppeln; und – ein Steuerungsystem (52), welches betreibbar ist, um den Betrieb der Entkopplungseinrichtungen (40) zu steuern.
Patent DE-112014000600-B4 (DE)
Title: Lichtemittierende Nanostruktur-Halbleitervorrichtung
Inventor: CHA NAM-GOO
IPC: H01L33/04
Filed: 2014-01-28
Granted: 2021-01-14
Abstract: Lichtemittierende Nanostruktur-Halbleitervorrichtung (10), umfassend:eine Basisschicht (12, 42), gebildet aus einem Halbleiter von einem ersten Leitfähigkeitstyp;eine erste isolierende Schicht (13a, 43a), die auf der Basisschicht (12, 42) angeordnet ist und eine Mehrzahl von ersten Öffnungen (H1) aufweist, die Teilregionen der Basisschicht (12, 42) freilegen;eine Mehrzahl von Nanokernen (15a, 45a), die in den freiliegenden Regionen der Basisschicht (12, 42) angeordnet und aus dem Halbleiter vom ersten Leitfähigkeitstyp gebildet sind;eine aktive Schicht (15b, 45b), die auf Oberflächen der Mehrzahl von Nanokernen (15a, 45a) angeordnet ist;eine zweite isolierende Schicht (13b, 43b), die auf der ersten isolierenden Schicht (13a, 43a) angeordnet ist und eine Mehrzahl von zweiten Öffnungen (H2) aufweist, die die Mehrzahl von Nanokernen (15a, 45a) und die aktive Schicht (15b, 45b), die auf den Oberflächen der Mehrzahl von Nanokernen (15a, 45a) angeordnet ist, umgibt, wobei die zweiten Öffnungen (H2) einen Durchmesser aufweisen, der größer ist als der der ersten Öffnungen (H1) und einen Bereich der ersten isolierenden Schicht (13a, 43a) freilegen; undeine Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp (15c, 45c), die auf der Oberfläche der aktiven Schicht (15b, 45b) angeordnet ist, wobei die aktive Schicht (15b, 45b) oberhalb des freiliegenden Bereichs der ersten isolierenden Schicht (13a, 43a) und die Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp (15c, 45c) vollständig oberhalb der zweiten isolierenden Schicht (13b, 43b) angeordnet ist.
Patent DE-112014003339-B4 (DE)
Title: Vollduplex-Individualanruf über verbundene Einzelfrequenz-Repeater
Inventor: KHOO HUN WENG
IPC: H04W88/04
Filed: 2014-07-15
Granted: 2021-12-23
Abstract: Verfahren zum Befähigen von Vollduplex-Individualanrufen in einem Repeater-Modus zwischen zwei Teilnehmereinheiten in einem N:1-Schlitzverhältnis-TDMA-Funksystem (Mehrfachzugriff im Zeitmultiplex, „Time Division Multiple Access“), wobei das Verfahren umfasst:Empfangen, an einem ersten Repeater, einer Anfrage nach einem Vollduplex-Individualanruf von einer ersten Teilnehmereinheit, wobei eine zweite Teilnehmereinheit als ein Ziel des Vollduplex-Individualanrufes identifiziert wird;Bestimmen, durch einen Funkkontroller, der mit dem ersten Repeater assoziiert ist, ob eine Anfrage zu gewähren oder zu verweigern ist; und reagierend auf das Bestimmen, die Anfrage zu gewähren:Zuweisen, durch den Funkkontroller, eines ersten Zeitschlitzes der N Zeitschlitze auf einer ersten einzelnen Frequenz für eine von einer eingehenden und einer ausgehenden Übertragung für den Vollduplex-Individualanruf zwischen einem zugewiesenen zweiten Repeater und der ersten Teilnehmereinheit und eines zweiten Zeitschlitzes der N Zeitschlitze auf der ersten einzelnen Frequenz für die andere der eingehenden und der ausgehenden Übertragung für den Vollduplex-Individualanruf zwischen dem zugewiesenen zweiten Repeater und der ersten Teilnehmereinheit; undVeranlassen, durch den Funkkontroller, dass eine Gewährungsnachricht an die erste Teilnehmereinheit gesendet wird, die die zugewiesene erste einzelne Frequenz und einen zugewiesenen ersten und zweiten Zeitschlitz angibt.
Patent DE-112015001462-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Betreiben einer Ätzprozessvorrichtung für einen Silicium-Ätzprozess
Inventor: JOSEPH ERIC ANDREW
IPC: H01L21/768
Filed: 2015-04-15
Granted: 2019-01-24
Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Ätzprozessvorrichtung, das aufweist:Durchführen eines Vorbehandlungsprozesses in einer Ätzprozessvorrichtung, wobei der Vorbehandlungsprozess ein Beschichten von inneren Wänden der Ätzprozessvorrichtung durch Abscheiden eines Fluorkohlenwasserstoff-Polymermaterials beinhaltet, das aus einem Plasma eines Fluorkohlenwasserstoffgases erzeugt worden ist, wobei das Fluorkohlenwasserstoffgas aus CHFund CHFgewählt wird und wobei eine Beschichtung aus dem Fluorkohlenwasserstoff-Polymermaterial auf den inneren Wänden der Ätzprozessvorrichtung ausgebildet wird; undDurchführen zumindest eines Silicium-Ätzprozesses in der Ätzprozessvorrichtung an zumindest einem Substrat, wobei das zumindest eine Substrat jeweils eine strukturierte Maskenschicht (20) beinhaltet, durch die zumindest ein Abschnitt eines Halbleitermaterials physisch freigelegt wird,wobei in dem Silicium-Ätzprozess SFals Ätzmittel eingesetzt wird, wobei der Vorbehandlungsprozess der inneren Wände der Ätzprozessvorrichtung eine Ätzgeschwindigkeit des zumindest einen Silicium-Ätzprozesses um einen positiven Prozentsatz erhöht, wobei der positive Prozentsatz zumindest 50 % während eines ersten Silicium-Ätzprozesses, der nach dem Vorbehandlungsprozess durchgeführt wird, im Verhältnis zu einem vergleichenden Silicium-Ätzprozess beträgt, bei dem selbe Bearbeitungsbedingungen wie bei dem ersten Silicium-Ätzprozess eingesetzt werden und der in einer Ätzprozessvorrichtung ohne jegliche Vorbehandlung durchgeführt wird.
Patent DE-112015001878-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
Inventor: TANAKA TETSUHIRO
IPC: H01L21/8238
Filed: 2015-04-07
Granted: 2021-09-09
Abstract: Halbleitervorrichtung (10), die umfasst:eine Elementschicht (11),wobei die Elementschicht (11) beinhaltet:einen ersten Schutzfilm (34);einen zweiten Schutzfilm (38); undeinen ersten Transistor (32) zwischen dem ersten Schutzfilm (34) und dem zweiten Schutzfilm (38),wobei der erste Schutzfilm (34) und der zweite Schutzfilm (38) jeweils konfiguriert sind, Diffusion von Wasserstoff und/oder Wasser zu unterdrücken,wobei die Elementschicht (11) einen Bereich (22) aufweist, in dem der erste Schutzfilm (34) und der zweite Schutzfilm (38) in Kontakt miteinander sind,wobei der Bereich (22) eine geschlossene Schleifenform aufweist, wenn er von oben betrachtet wird,wobei der Bereich (22) zwischen einer Seitenfläche der Elementschicht (11) und dem ersten Transistor (32) positioniert ist,wobei der erste Transistor (32) beinhaltet:eine erste Gate-Elektrode (111);einen Oxidhalbleiterfilm (105); undeinen ersten Gate-Isolierfilm (109) zwischen der ersten Gate-Elektrode (111) und dem Oxidhalbleiterfilm (105),wobei die Halbleitervorrichtung (10) ferner einen zweiten Transistor (33a, 33b) umfasst, der eine zweite Gate-Elektrode (137) und einen zweiten Gate-Isolierfilm beinhaltet,wobei einer des ersten Schutzfilms (34) und des zweiten Schutzfilms (38) in Kontakt mit dem ersten Transistor (32) ist und der andere des ersten Schutzfilms (34) und des zweiten Schutzfilms (38) als der zweite Gate-Isolierfilm in dem zweiten Transistor (33a, 33b) dient, undwobei der zweite Transistor (33a, 33b) einen Halbleiterbereich in einem Halbleitersubstrat (130) umfasst und der zweite Gate-Isolierfilm zwischen der zweiten Gate-Elektrode (137) und dem Halbleiterbereich angeordnet ist, oder wobei der zweite Transistor (33a, 33b) über einem Substrat (180) angeordnet ist und einen Halbleiterfilm (181) beinhaltet und der zweite Gate-Isolierfilm zwischen der zweiten Gate-Elektrode (137) und dem Halbleiterfilm (181) angeordnet ist.
Patent DD-202762-B5 (DD)
Inventor: MORTENSEN ANNA B
IPC: G01N33/12
Filed: 1982-09-09
Abstract: PCT No. PCT/DK82/00080 Sec. 371 Date May 6, 1983 Sec. 102(e) Date May 6, 1983 PCT Filed Sep. 8, 1982 PCT Pub. No. WO83/00928 PCT Pub. Date Mar. 17, 1983.Boar taint in individual animal bodies, preferably carcasses or parts thereof, is detected by preparing an extract of a meat and/or fat sample from the body or part thereof, reacting said extract with a color reagent, for which the color intensity developed at certain wavelengths exhibit a statistical relationship with boar taint, determining the transmittance or absorbance of the reacted extract at one or more such wavelengths, and inserting the recorded values in the said statistical relationship. A high correlation has been found to exist between color reaction and boar taint evaluation so that the transmittance or absorbance at wave lengths characteristic of the color reaction gives a quantitative measure of boar taint intensity. This has made it possible to determine threshold values which objectively define organoleptic inacceptable taint levels. The method is fast and accurate and requires no extensive work; in addition it has been possible to automatize it so that it can be used directly in connection with slaughter lines in slaughterhouses for industrial control and sorting of individual carcasses.
Patent DD-298604-B5 (DD)
Title: Verfahren zur Vermeidung von Kontaminationen in Rohrroefen
Inventor: WAITZ ROLF DIPL-ING
IPC: B08B9/02
Filed: 1989-12-19
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermeidung von Kontaminationen in Rohröfen, welche zur Schichterzeugung bzw. zur
Wärmebehandlung von Halbleiterkörpern bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen eingesetzt werden
Patent CS-276970-B6 (CS)
Title: Equipment for supporting steeply inclined deposits, particularly of coal seams
Inventor: BECKMANN KLAUS PROF DR
IPC: E21D23/00
Filed: 1984-01-03
Abstract: The invention concerns a device for working steep veins. An articulated beam 15 is used to which hydraulic support elements in the form of a frame 16 are connected by their forward motion mechanisms S. The filling wall isolating the cutting space from the filling space is constituted by individual sections 33, 40 placed on the support elements 16. <IMAGE>
Patent CZ-283847-B6 (CZ)
Inventor: KOVACEVIC MICE
IPC: A61K31/395
Filed: 1992-02-12
Abstract: Vynález sa týka nových 4-oxo-azetidín-2- -sulfónových kyselín a ich solí všeobecného vzorca I, kde R.sub.1 .n.znamená vodík, halogén, fenylacetamido skupinu; R.sub.2 .n.znamená vodík, halogén, fenylacetamido, fenoxyacetamido, ftalimido, 5-metyl-3-o-chlórfenyyl-izoxazol- -4-karboxamido skupinu; R.sub.3 .n.znamená vodík, alkalický kov, kov alkalickej zeminy, kvartérnu amóniovú skupinu; R.sub.4 .n.znamená vodík, SO.sub.2.n.O.sup.-+.n.NBu.sub.4.n.-n skupinu, /CH.sub.3.n./.sub.2.n.C=C-COOCH.sub.3 .n.skupinu, /CH.sub.3.n./.sub.2.n.C=C-COOCH.sub.2.n.-fenylovú skupinu, /CH.sub.3.n./.sub.2.n.C=C-COOCH.sub.2.n.-C.sub.6.n.H.sub.4.n.-NO.sub.2.n.-p skupinu, /CH.sub.3.n./.sub.2.n.C=C- -COOCH.sub.2.n.-C.sub.6.n.H.sub.4.n.-CH.sub.3.n.-m skupinu. Zlúčeniny vzorca I sa môžu použiť ako medziprodukty pri syntéze beta-laktámových antibiotík alebo ako zložky antimikrobiálnych prípravkov.ŕ
Patent CZ-292602-B6 (CZ)
Title: Preparation containing plant growth regulator in solid form and process for preparing such preparation
Inventor: JAGER KARL FRIEDRICH
IPC: A01N43/40
Filed: 1994-07-09
Abstract: In the present invention there is disclosed a preparation containing plant growth regulator in solid form wherein the preparation comprises a synthetic amorphous silica hydrate and effective amount of 1,1-dimethyl piperidinium chloride, wherein weight ratio of the synthetic amorphous silica hydrate to the 1,1-dimethyl piperidinium chloride ranges within 0.2:100 to 3:100. Preferably, the preparation is in the form of a powder that can be molded to tablets or filled into a water-soluble bag. Disclosed are also processes for preparing such preparation.
Patent CZ-288122-B6 (CZ)
Title: Piperazine derivatives, process of their preparation and pharmaceutical preparations based thereon
Inventor: JURASZYK HORST DR
IPC: C07D295/192
Filed: 1994-01-25
Abstract: In the present invention there are disclosed piperazine derivatives of the general formula I, in which Y and Z represent radicals of the indicated formulae. The invented derivatives exhibit fibrinogen inhibition bond to a fibrinogen receptor and thy can be therefore used for treating thromboses, apoplexy, myocardial infarct, inflammations, arteriosclerosis and tumors. In the present invention there are also described processes for preparing the above-indicated derivatives as well as pharmaceutical preparations based thereon.