Patent DE-102018123837-B4 (DE)
Title: Halbleiterpackage und Halbleitermodul mit demselben
Inventor: HA JEONG-KYU
IPC: H05K3/46
Filed: 2018-09-27
Granted: 2022-09-15
Abstract: Halbleiterpackage (1,11), das Folgendes aufweist:einen Halbleiterchip (400);ein Packagesubstrat (10), welches eine obere Oberfläche hat, auf welcher der Halbleiterchip (400) angebracht ist, und eine untere Oberfläche entgegengesetzt zu der oberen Oberfläche;eine obere Metallstrukturschicht (M1) auf der oberen Oberfläche des Packagesubstrats (10), wobei die obere Metallstrukturschicht (M1) einen oberen Verbindungsbereich (1a) hat, welcher sich entlang einer Sektion der oberen Oberfläche des Packagessubstrats (10) erstreckt und bestimmt ist zum elektrischen Verbinden einer externen elektrischen Vorrichtung mit dem Halbleiterpackage (1, 11), und wobei die obere Metallstrukturschicht (M1) einen Chipverbindungsbereich (1c) hat, an welchem der Halbleiterchip (400) elektrisch mit der oberen Metallstrukturschicht (M1) verbunden ist;eine untere Metallstrukturschicht (M3) auf der unteren Oberfläche des Packagesubstrats (10), wobei die untere Metallstrukturschicht (M3) einen unteren Verbindungsbereich (1b) hat, welcher sich entlang einer Sektion der unteren Oberfläche des Packagesubstrats (10) erstreckt und bestimmt ist zum elektrischen Verbinden einer anderen externen elektrischen Vorrichtung mit dem Halbleiterpackage (1,11); undeine Zwischenmetallstrukturschicht (M2) in dem Packagesubstrat (10) und elektrisch die obere Metallstrukturschicht (M1) und die untere Metallstrukturschicht (M3) verbindend,wobei die obere Metallstrukturschicht (M1) eine Mehrzahl von ersten Metallstrukturen (M1a-M1d) aufweist, welche Leitungen aufweisen, welche sich in einer longitudinalen Richtung (X) auf der oberen Oberfläche des Packagesubstrats (10) erstrecken,wobei die ersten Metallstrukturen (M1a-M1d) in einer Mehrzahl von Gruppen auf den Chipverbindungsbereichen angeordnet sind,wobei in jeder der Gruppen der ersten Metallstrukturen (M1a-M1d) die ersten Metallstrukturen (M1a-M1d) relativ zueinander in einer Richtung (Y) beabstandet sind, welche die longitudinale Richtung (X) schneidet, in welcher sich die Leitungen der oberen Metallstrukturschicht (M1) erstrecken, wohingegen die Gruppen der ersten Metallstrukturen (M1a-M1d) voneinander in der longitudinalen Richtung (X) versetzt sind, in welcher sich die Leitungen der oberen Metallstrukturschicht (M1) erstrecken,wobei die Zwischenmetallstrukturschicht (M2) eine Mehrzahl von zweiten Metallstrukturen (M2a-M2c) aufweist;wobei die untere Metallstrukturschicht (M3) eine Mehrzahl von dritten Metallstrukturen (M3a-M3c) aufweist, welche Leitungen aufweisen, welche sich longitudinal auf der unteren Oberfläche des Packagesubstrats (10) erstrecken, undwobei in jeder der Gruppen der dritten Metallstrukturen (M3a-M3c) die dritten Metallstrukturen (M3a-M3c) relativ zueinander beabstandet sind in einer Richtung (Y), welche die longitudinale Richtung (X) schneidet, in welcher die Leitungen der unteren Metallstrukturschicht (M3) sich erstrecken, wohingegen die Gruppen der dritten Metallstrukturen (M3a-M3c) voneinander in der longitudinalen Richtung (X) versetzt sind, in welcher sich die Leitungen der unteren Metallstrukturschicht (M3) erstrecken.