Judul: Pengaruh Lama Penyimpanan Ransum Yang Mengandung Berbagai Tingkat Tepung Gaplek Terhadap Performans Ayam Broiler
Abstrak: Penyediaan pakan ternak sering mengalami hambatan. Hal ini tertama disebabkan semakin tingginya persaingan dengan kebutuhan manusia dan banyaknya kendala dalam penyimpanan pakan. Penggalian sumberdaya baru yang dapat dipakai sebagai pakan sekaligus bahan pengawet dalam campuran ransum merupakan satu alternatif yang diharapkan untuk mengatasi masalah di atas. Salah satu alternatif bahan makanan untuk maksud tersebut di atas adalah tepung gaplek.
Keyword: 

Judul: Pemanfaatan tepung gaplek ( Manihot esculenta Crantz ) dan pengaruh fermentasian untuk ransum ayam broiler
Abstrak: Penelitian dilakukan di Bagian Unggas, Jurusan Ilmu Nutrisi dan Makanan Ternak, Fakultas Peternakan, Institut Pertanian Bogor, selama satu setengah bulan, mulai tanggal 4 Mei sampai dengan 15 Juni 1983. Tujuan Penelitian ini adalah untuk mengetahui penga- ruh ransum dengan penggunaan dan perlakuan fermentasi te- pung gaplek terhadap pertumbuhan, mortalitas, konsumsi ran- sum dan nisbah nilai tukar ransum ayam broiler. Sebagai materi digunakan 100 ekor DOC strain Hubbard "unsexed", produksi PT Cipendawa. Ransum terdiri dari ran- sum pemula dan ransum akhir yang diberikan ad libitum dalam bentuk all mash" yang terdiei dari lima macam ransum yaitu: ransum K (kontrol, jagung 50%), G40 (tepung gaplek tanpa fermentasi 40%), GF40 (tepung gaplek fermentasi 40%), G50 (tepung gaplek tanpa fermentasi 50%) dan GF50 (tepung gaplek fermentasi 50%); masing-masing persentasenya dalam ransum. Rancangan percobaan yang digunakan adalah Rancangan Acak Lengkap dengan lima perlakuan dan dua ulangan. Setiap ulangan terdiri dari 10 ekor yang merupakan satu unit per- perlakuan. Dari kenyataan pengamatan, pengolahan data dan pemba- hasan dapat disimpulkan sebagai berikut: 1. Dengan adanya perlakuan fermentasi tepung gaplek mengaki- batkan terjadinya perubahan kandungan zat-zat makanan, terutama protein mengalami kenaikan sedangkan BETN dan lemak kasar mengalami penurunan. 2. Urutan bobot badan akhir yang dicapai adalah 516.50 536.70, 559.25, 691.88 dan 823.73 gram masing-masing rata rata dari perlakuan GF50, G40, G50, GF40 dan K. 3. Pengaruh kelima perlakuan ransum sangat nyata (P/ 0.01) terhadap pencapaian bobot badan akhır; dalam pengujian lebih lanjut hanya ransum K yang berbeda sangat nyata pa- da (P/0.01)dengan ransum GF50, G40 dan G50, sedangkan dengan ransum GF40 hanya berbeda pada taraf (P/0.05). Perlakuan ransum GF40 berbeda pada taraf (P0.05) diban- ding dengan ransum G50 dalam pencapaian bobot badan akhir. Ransum GF50, G40 dan G50 masing-masing antar perlakuan tersebut satu sama lain tidak memberikan pengaruh terhadap...
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4