Judul: Pembuatan dan karakterisasi lapisan aluminiumoksida dengan teknik oksidasi anodik
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variable waktu dan rapat arus anodisasi dalam mendapatkan ketebalan lapisan Aluninium oksida. Kemudian menghitung konstanta dielektrik dari lapisan yang terbentuk. Prinsip dari penelitian ini adalah proses elektrolisa dengan menggunakan larutan asam sulfat sebagai elektrolitnya dan logam aluminium sebagai bahan yang akan dilapisi (substrat). Pelaksanaan percobaan dilakukan dengan mengalirkan arus listrik kedalam cell yang telah diisi dengan larutan asam sulfat (6N). Variabel percobaan yaitu: Arus anodisasi 0.5; 1.0; 1.5 mA dan waktu anodisasi 10; 20; 30 menit. Tebal lapisan diperoleh dengan cara mengukur berta sebelum W, dan sesudah W₂ anodisasi. Selisih berat ini dikonversi menjadi tebal lapisan dengan persamaan 8 W₂ -W₁/pA. Tebal lapisan yang diperoleh pada waktu anodisasi 10 menit denga variasi arus 0.5; 1.0; 1.5 mA berturut- turut 0.505; 0.755; 1.090 µm. untuk waktu anodisasi 20 menit 0.925; 1.265; 2.020 µm. Untuk waktu anodisasi 30 menit 1.430; 2.105; 3.870 µm. Dari data yang diperoleh tersebut terlihat bahwa semakin lama proses anodisasi dan semakin besar rapat arus yang diberikan dari rangkaian luar, tebal lapisan yang didapat semakin meningkat. Perhitungan kapasitansi yaitu dengan cara menghitung kapasitansi dari kapasitor lapisan tipis aluminium oksida yang bahan dielektriknya sampel yang dibuat. Kapasitansi yang diperoleh adalah kapasitansi berubah-ubah denagn berubahnya frekwensi (50-1000 kHz). Untuk tebal lapisan 0.505 µm, kapasitansi yang terukur adalah berkisar antara 8.1-6.3 nF. Untuk sampel dengan ketebalan 0.755 µm, kapasitansi yang terukur antara 7-4.3 nF. Tebal lapisan 0.925 µm kapasitansi yang diperoleh berkisar antara 4.54-2.59 nF, untuk tebal lapisan denag tebal 1.090 µm, Kapasitansi yang diperoleh 3.3 1,64 nF. Tebal 1.265 µm kapasitansi yang terukur 3.59-2.51 nF. Tebal lapisan 1.430 µm kapasitansi yang terukur 3.3-1.64 nF. Tebal lapisan 2.020 µm kapasitansi yang terukur 2.3-1.68 nF. Tebal 2.105 µm kapasitanmsi yang terukur 2.31-1.56 nF.dan untuk tebal 3.870 µm kapasitansi berkisar antara 2.25-0.78 nF. Dari data yang didapat terlihat bahwa semakin tebal lapisan dielektrik kapasitor lapisan tipis aluminium oksida semakin kecil kapasitansi yang terukur. Dari data tersebut terlihat pula semakin besar frekwensi yang diberikan kapasitansi yang terukur semakin kecil. Denag persamaan ce kA/d dapat ditentukan konstanta dielektrik dari lapisan yang terbentuk. Konstanta dielektrik yang diperoleh untuk tebal lapisan 0.505 µm adalah 9.24-7.18. untuk tebal lapisan 0.755 µm, konstanta dielektrik yang diperoleh berkisar antara 11.9-7.3. tebal lapisan 0.925 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 9.65-6.61, untuk tebal lapisan 1.090 µm, konstanta dielektrik lapisan yang terbentuk adalah 11.18-6.38, tebal lapisan 1.265 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 10.3-7.18. untuk tebal lapisan 1.430 µm, konstanta dielektrik yang diperoleh 10.7-5.3. Untuk tebal lapisan 2.020 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 10.5-7.67. Untuk tebal lapisan 2.105 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 10.99-7.42. Untuk tebal lapisan 3.870 µm, konstanta dielektrik yamg diperoleh 19.67-6.82. Dari data tersebut dapat dilihat bahwa konstanta dielektrik menurun dengan bertambah besarnya frekwensi. Dan Hasdil yang diperoleh sangat mendekati literatur yaitu 8- 10. Penyimpangan yang terjadi pada sampel dengan tebal lapisan 3.870 µm kemungkinan besar disebabkan porositas dari lapisan yang terbentuk.
Keyword: 

Judul: Pembuatan Dan Karakterisasi Lapisan Tipis Ta2O5 Dengan Teknik Oksidasi Anodik
Abstrak: Kemajuan teknologi saat ini berlangsung begitu cepat dalam segala bidang. sehingga pengembangan teknologi yang lebih maju, tepat dan efisien menjadi sangat penting. Salah satu usaha yang bisa dilakukan adalah dengan membuat paduan logam yang dapat memperkuat bahan substratnya. Proses tersebut dapat dilakllkan dengan me1apisi logam (substrat) dengan material lain untuk meningkatkan fungsinya dan memberikan karakteristik bam yang sarna sekali berbeda dengan bahan substratnya. yang disebut lapisan tipis <thin film). Lapisan tipis (thin film) banyak dipakai dalam bidang elektronik. seperti kapasitor karena TalOs memiliki die1ektrik yang cukup tinggi yaitu 2.5. Pembuatan Ta20s yang banyak digunakan adalah dengan teknik anodisasi yaitu denglln menggunakan prinsip e1ektrolisa. Teknik anodisai ini memiliki kelebihan diantaranya adalah cara pembuatannya sangat sederhana. basil oksida yang djbasjlkan lebih rapat, rata. porositas keeit dan homogen.
Keyword: 

Judul: Posisi Filogenetik Kura-Kura Carettochelys Insculpta  (Reptillia: Testudinata)
Abstrak: Carettochelys insculpta is an endemic freshwater turtle of southern Papua and northern Australia. Phylogenetic position of this turtle is remain unresolved until now. Most of the research conducted show close relationships of C. insculpta and members of Trionychidae family. However, some of the research show distance between C. insculpta and members of Trionychidae family. This research is conducted to analyze phylogenetic relationship between C. insculpta and other members of Testudinata using 12S rRNA, 16S rRNA, and both gene as markers. DNA samples were obtained from three different organisms of C. insculpta. Two species used as outgroups were Alligator mississippiensis and Iguana iguana. Phylogenetic analysis was carried out using Neighbor-Joining method with Felsenstein 1981 (F81) modeltest. A polytomy tree of Testudinata was produced by using 12S rRNA gene. However, analysis using 16S rRNA and both genes as markers confirmed that C. insculpta was located between the Chelonidae and the Trionychidae family.
Keyword: