Judul: Desain dan implementasi komputasi paralel dengan algoritma genetik untuk prapemrosesan probabilistic neural network
Abstrak: Probabilistic Neural Network (disingkat PNN) merupakan salah satu jaringan saraf tiruan yang banyak dikembangkan bagi kepentingan manusia. PNN memiliki tingkat akurasi klasifikasi yang cukup tinggi dan waktu pelatihan yang cukup singkat. Salah satu faktor yang mempengaruhi akurasi klasifikasi PNN adalah parameter penghalus (o). Proses pencarian nilai o yang optimum merupakan salah satu prapemrosesan yang harus dilakukan sebelum masuk ke PNN. Nilai parameter o tidak dapat ditentukan secara langsung. Oleh sebab itu algoritma genetik dapat digunakan untuk mencari nilai o yang optimum. Pada umumnya solusi dari algoritma genetik semakin baik apabila jumlah populasi yang dibangkitkan cukup besar dan proses alamiah evolusi sering terjadi. Hal ini tentunya membutuhkan banyak iterasi dan sumberdaya komputasi yang cukup besar. Permasalahan ini dapat diatasi dengan menggunakan komputasi paralel yang menerapkan metode pelemparan pesan. Dengan mengkombinasikan metode algoritma genetik dan pemrosesan paralel untuk menduga parameter penghalus (σ), maka diharapkan akan diperoleh model PNN yang optimum. Penelitian ini bertujuan untuk menguji dan membandingkan kinerja dari algoritma genetik sekuensial, algoritma genetik paralel mode vektor baris, dan algoritma genetik mode vektor kolom. Penelitian menggunakan basis data bunga iris yang dikembangkan oleh R.A. Fisher. Berbagai kriteria yang digunakan untuk uji analisis adalah akurasi klasifikasi PNN, waktu eksekusi total, rasio kebergantungan mesin, peningkatan kecepatan, dan efisiensi. ...
Keyword: 

Judul: Klasifikasi Fragmen Metagenom Menggunakan Metode Probabilistic Neural Network (PNN)
Abstrak: Teknologi pada bidang bioinformatika terus berkembang, khususnya untuk analisis metagenom. Metagenom merupakan komunitas mikrob genom yang sampelnya diambil langsung dari lingkungan. Fragmen metagenom yang dihasilkan dari pengambilan sampel masih bercampur antar-organisme. Tujuan penelitian ini adalah melakukan klasifikasi fragmen metagenom ke dalam takson genus. Penelitian ini menggunakan metode Probabilistic Neural Network (PNN) dengan ekstraksi fitur Gray Level Co-occurence Matrix (GLCM). Penelitian dilakukan pada panjang fragmen 200 bp, 400 bp, 800 bp, dan 1 Kbp. Data yang digunakan sebanyak 100 organisme dalam variasi 10 genus dengan 5-fold cross validation. Untuk mendapatkan nilai fitur fragmen dibutuhkan formulasi 8 fitur persamaan haralick. Setelah hasil fitur didapat, kemudian diklasifikasi dengan metode PNN. Dari klasifikasi PNN, diperoleh akurasi pada rentang 92.8%-93.6% berdasarkan panjang fragmen. Nilai spesifisitas pada keempat panjang fragmen mencapai 96%. Berbeda dengan spesifisitas, nilai sensitivitas yang diperoleh sekitar 64%-68%. Selisih akurasi, sensitivitas, dan spesifisitas pada panjang 200 bp dan 1 Kbp tidak jauh berbeda. Dari hasil tersebut, terdapat kecenderungan bahwa semakin panjang fragmen yang digunakan maka akurasi semakin meningkat.
Keyword: GLCM, metagenome, PNN

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4