Judul: Analisis Ketimpangan Ekonomi Antarwilayah dan Pengaruhnya Terhadap Tingkat Kemiskinan di Indonesia Tahun 2014-2019
Abstrak: Proses pembangunan ekonomi yang dilakukan melalui pertumbuhan ekonomi di Indonesia telah berlangsung secara berkelanjutan. Akan tetapi, pembangunan tersebut berdampak pada timbulnya ketimpangan ekonomi antarwilayah. Hal ini dibuktikan oleh share kontribusi PDRB terhadap PDB Indonesia dan realisasi investasi swasta selama tahun 2014-2019 sebagian besar dihasilkan oleh wilayah barat, khususnya kawasan Pulau Jawa. Di sisi yang lain, tingkat kemiskinan yang tinggi banyak terjadi di kawasan timur. Oleh karena itu, penelitian ini menganalisis bagaimana kondisi ketimpangan ekonomi antarwilayah tersebut berdasarkan klasifikasi Tipologi Klassen dan ukuran ketimpangan antarwilayah menggunakan Indeks Theil. Selain itu, dilakukan analisis pengaruhnya terhadap tingkat kemiskinan di Indonesia selama tahun 2014-2019. Hasil penelitian ini menunjukkan bahwa ketimpangan PDRB, PMDN, dan PMA antarwilayah berada dalam kondisi ketimpangan yang tinggi. Hal tersebut ditunjukkan oleh pola dan struktur pada Tipologi Klassen serta ukuran Indeks Theil. Selain itu, hasil estimasi menunjukkan bahwa ketimpangan PDRB, PMDN dan PMA berpengaruh positif terhadap tingkat kemiskinan di Indonesia dimana ketimpangan PMDN dan PMA antarwilayah memiliki pengaruh yang lebih besar.
Keyword: economic inequality, Klassen Typology, Theil Index, poverty

Judul: Ketimpangan Antarwilayah di Indonesia : Analisis Pendapatan dan Infrastruktur Kabupaten/Kota 2005-2012
Abstrak: Tujuan akhir dari kebijakan ekonomi adalah untuk meningkatkan kesejahteraan rakyat yang dapat dilihat dari tingkat PDRB per kapita. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk menganalisis tingkat ketimpangan kesejahteraan masyarakat yang dilihat dari tingkat PDRB per kapita, tingkat ketimpangan pembangunan infrastruktur dan kecenderungan ketimpangan pendapatan dan ketimpangan infrastruktur di kabupaten/kota di Indonesia. Tingkat ketimpangan kesejahteraan dan tingkat ketimpangan infrastruktur dianalisis dengan menggunakan ukuran koefisien variasi dari logaritma PDRB atas harga konstan 2000 dan koefisien variasi dari masing-masing variabel infrastruktur. Adapun tingkat kecenderungan ketimpangan pendapatan dan infrastruktur di dianalisis dengan secara deskriptif berdasarkan Tipologi Klassen. Data yang digunakan adalah data sekunder dari PDRB per kapita kabupaten/kota dan data infrastruktur kabupaten/kota di Indonesia pada periode 2005-2012. Hasil dari analisis menunjukkan perekonomian Indonesia selama kurun waktu 2005-2012 mengalami tingkat ketimpangan yang berfluktuasi dan tingkat ketimpangan semakin kecil. Infrastruktur di Indonesia juga memiliki tingkat ketimpangan yang berfluktuasi selama 2005-2012. Infrastruktur jumlah sekolah dan jumlah pelanggan air mengalami ketimpangan yang semakin kecil jika dibandingkan dari 2005 ke 2012. Sedangkan untuk infrastruktur panjang jalan, jumlah pelanggan listrik dan jumlah tempat tidur di rumah sakit mengalami tingkat ketimpangan yang meningkat pada 2005-2012.
Keyword: Economic Development, Infrastructure, Inequality, Social Welfare, Income inequality, Economicpolicy, Welfare

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition