Judul: IPB (Bogor Agricultural University)
Abstrak: Jangkrik (Gryllus sp.) adalah jenis serangga yang dikenal masyarakat sebagai pakan satwa piaraan khususnya aneka burung berkicau dan satwa pemakan serangga. Di USA dan Kanada, selain dimanfaatkan sebagai pakan satwa piaraan dan umpan memancing ikan, jangkrik juga digunakan sebagai hewan laboratorium karena memiliki beberapa kelebihan diantaranya siklus hidupnya pendek, jarang terkena penyakit, murah harganya serta mudah beradaptasi dengan lingkungan dan pakan yang diberikan. Dari aspek nutrisi jangkrik berpotensi sebagai sumber protein hewani alternatif karena mengandung nutrisi dan asam amino cukup lengkap sehingga mampu menggantikan sebagian tepung kedelai dan tepung ikan dalam formula pakan ayam broiler.
Keyword: 

Judul: Optimalisasi manajemen pemeliharaan jangkrik kalung (Gryllus bimaculatus De Geer) pada masa pembesaran
Abstrak: Jangkrik Kalung (Gryllus bimaculatus De Geer) merupakan salah satu jenis serangga yang sejak dahulu dikenal sebagai pakan hewan piaraan, khususnya aneka burung berkicau dan beberapa jenis ikan. Jangkrik berpeluang menjadi komoditas ekspor, yakni dimanfaatkan sebagai bahan industri kosmetika dan farmasi. Pemeliharaan jangkrik dan pengembangannya terus dilakukan, tetapi hanya menggunakan cara yang sederhana. Hal tersebut dapat dimaklumi karena budidaya jangkrik merupakan hal yang relatif masih baru, sehingga ilmu dan teknologi budidayanya pun belum berkembang. Oleh karena itu, diperlukan kajian-kajian yang berhubungan dengan manajemen pemeliharaan jangkrik. Penelitian ini dilakukan selama tiga bulan, dari bulan Juni sampai Agustus 2000 di Laboratorium Non Ruminansia dan Satwa Harapan, Fakultas Peternakan, Institut Pertanian Bogor. Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh kepadatan dan jenis pakan terhadap pertumbuhan, konversi pakan, konsumsi pakan, dan mortalitas jangkrik Kalung (Gryllus bimaculatus De Geer) pada masa pembesaran. Peubah yang diukur adalah bobot badan, pertambahan bobot badan, konsumsi pakan, konversi pakan, dan mortalitas. Rancangan yang digunakan adalah Rancangan Acak Lengkap (RAL) Pola Faktorial yang terdiri dari dua faktor dengan tiga kali ulangan. Faktor pertama adalah kepadatan yang terdiri dari tiga tingkat kepadatan yaitu 1 ekor/18 cm² (500 ekor/kandang), 1 ekor/12 cm² (750 2 ekor/kandang), dan kepadatan 1 ekor/9 cm² (1.000 ekor/kandang). Faktor ke dua adalah kombinasi pakan yang terdiri dari dua kombinasi yaitu konsentrat dengan sawi hijau (Brassica juncea) serta konsentrat dengan daun pepaya (Carica papaya). Data yang diperoleh dianalisis dengan Sidik Ragam (ANOVA). Uji Lanjut Duncan digunakan untuk analisis lanjutan terhadap perbedaan yang ada...
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4