Judul: Hubungan Antara Berat Badan Caplak Rhipicephalus sanguineus (Latreille, 1806) Dengan Produksi Telur
Abstrak: Caplak ini termasuk caplak yang berumah tiga dan induk semang utamanya adalah anjing, tetapi pada keadaan tertentu dapat pula menyerang hewan lain dan manusia. Masa pra bertelur caplak pada suhu 22-32 dearajat C dan kelembaban relatif 84-92% sangat bervariasi, yang terpendek berlangsung 1 hari dan yang terpanjang berlangsung antara 15 hari. Tidak ada hubungan antara berat badan caplak dengan masa pra bertelur.
Keyword: 

Judul: Hubungan antara berat badan badan caplek boophilus microplus dengan produksi telur
Abstrak: Boophilus microplus (Canestrini, 1887) merupakan caplak berumah satu yang umumnya menyerang sapi. Selain sapi caplak ini dapat juga menyerang hewan lain. Gangguan yang ditimbulkan pada hewan berupa kegatalan, kerusakan kulit dan kehilangan darah. Selain itu caplak ini juga dapat bertindak sebagai vektor beberapa penyakit hewan. Masa pra bertelur caplak ini pade suhu 22°-32°C dan kelembaban relatif 84-92% sangat bervariasi berkisar antara 2-7 hari. Tidak ada hubungan antara berat badan caplak dengan masa pra bertelur. Masa bertelur pada suhu dan kelembaban yang sama juga beragam yakni antara 8-18 hari. Terdapat hubungan antara berat badan caplak dengan masa bertelur, semakin berat badannya maka semakin panjang masa bertelurnya. Jumlah telur yang dihasilkanpun bervariasi antara 70-3568 butir. Caplak dengan berat badan minimum 20 mg atau lebih sudah mulai dapat bertelur. Terdapat hubungan yang sangat erat antara berat badan caplak dengan jumlah telur yang dihasilkan. Semakin berat badannya atau semakin tua usianya maka akan semakin banyak telur yang dapat dihasilkannya.
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4