Judul: Analisis nonparametrik mengenai jumlah anak yang dilahirkan hidup di Propinsi Riau tahun 1990
Abstrak: Tujuan penelitian ini adalah membahas masalah jumlah anak yang dilahirkan hidup di propinsi Riau tahun 1990 ditinjau dari beberapa karakteristik wanita kawin diantaranya pendidikan, keikutsertaan pemakaian alat kontrasepsi dan umur kawin pertama. Data yang digunakan adalah data SKKR 1990 yang sebagian besar berupa data ordinal dan nominal serta hasilnya berupa data frekuensi, maka penelitian ini menggunakan statistika nonparametrik. Lebih dari setengah contoh mempunyai maksimum tiga orang anak, dengan rata-rata anak yang dilahirkan 3.2757. Semakin tinggi tingkat pendidikan wanita kawin relatif semakin sedikit jumlah anak yang dilahirkan. Adanya kesadaran untuk membatasi banyaknya anak yang dilahirkan yang ditunjukkan oleh rata-rata anak yang dilahirkan wanita yang ikut KB lebih banyak dari yang tidak ikut KB, yaitu 3.508 dan 3.106. ...
Keyword: 

Judul: Analisis jumlah anak yang dilahirkan di DKI JAkarta tahun 1985
Abstrak: Tujuan penelitian adalah membahas masalah jumlah anak yang dilahirkan di DKI Jakarta pada tahun 1.985 ditinjau dari beberapa faktor sosial. Data yang digunakan adalah data SUPAS 1985 untuk DKI Jakarta, tentang banyaknya wanita kawin yang diperinci menurut umur, pendidikan serta pendidikan suami. Metode penarikan contoh yang digunakan dalam SUPAS 1985 adalah metode pencontohan dua tahap. Mengingat data SUPAS 1985 yang digunakan dalam penelitian ini kebanyakan berupa data yang berukuran ordinal maupun nominal maka penelitian ini menggunakan statistik non parametrik. Penguraian secara deskriptif dilakukan terhadap sebaran frekuensi relatif wanita kawin yang melahirkan x orang anak mulai dari x = kecual.j. untuk x 0 (tidak mempunyai anak) sampai x = 1.6 anak = 1.5 anak (karena dari contoh yang ada tidak dijumpai wanita kawin yang melahirkan 15 anak) dengan membedakan atas pendidikan wanita kawin, pendidikan suami. dan kelompok umur.
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4