Judul: Pengaruh masuknya perusahaan baru pada pasar oligopoli
Abstrak: Oligopoli adalah salah satu bentuk pasar yang terdiri atas beberapa perusahaan. Suatu oligopoli ditandai oleh sejumlah kecil perusahaan yang sadar bahwa mereka sangat bergantung satu dengan yang lain dalam kebijakan menentukan harga dan output mereka. Hal ini berpengaruh pada keuntungan perusahaan karena tujuan setiap perusahaan adalah ingin memaksimumkan keuntungan. Pada oligopoli, perusahaan-perusahaan baru tidak bebas untuk masuk ke dalam pasar seperti pada pasar persaingan sempurna karena pada oligopoli ada rintangan-rintangan yang menghalangi perusahaan- perusahaan baru untuk masuk ke dalam pasar. Dengan menggunakan model oligopoli Cournot akan dibahas bagaimana pengaruh dari masuknya perusahaan baru terhadap output tiap perusahaan, total output, keuntungan tiap perusahaan dan total keuntungan. Pengaruh dari masuknya perusahaan-perusahaan baru menyebabkan total output meningkat sedangkan output tiap perusahaan menjadi turun. Karena adanya keuntungan ekonomi, maka perusahaan-perusahaan baru akan masuk ke dalam pasar, akibatnya keuntungan tiap perusahaan dan total keuntungan menjadi turun. Kegiatan masuk pasarnya perusahaan-perusahaan baru ini akan mengurangi keuntungan hingga mencapai nol.
Keyword: 

Judul: Kestabilan Kesetimbangan Model Cournot
Abstrak: Pasar oligopoli merupakan pasar yang terdiri atas sedikit penjual (Iebih dari satu) pada sisi penawaran dan ban yak pembeli pada sisi permintaan. Pasar oligopoli dengan dua perusahaan disebut pasar duopoli. Setiap penjual diasumsikan bertujuan untuk memaksimumkan laba. Besamya laba yang diperoleh oleh seorang penjual bergantung pada banyak hal, di antaranya pada harga dan strategi yang dipilihnya. Pada pasar oligopoli model Coumot, pemilihan tingkat output atau harga merupakan strategi yang dapat dipilih oleh penjual untuk memaksimumkan laba.
Keyword: 

Judul: Photosensor producing based on ferroelectric material of Ba0,5Sr0,5TiO3 doped by Ferrium Oxide (Fe2O3) on a P-Type Silicon Substate Si (100) applied as a digital camera with a single pixel image sensor
Abstrak: Thin film Ba0,5Sr0,5TiO3 (BST) doped with Fe2O3 was grown on p-type silicon substrate (100) using chemical solution deposition (CSD). It used the solvent 2-methoxyethanol with annealing temperature of 850°C and the doping treatment Fe2O3 of 2.5, 5, 7.5, 10 % of the mass formed BST. Pure BST had the highest absorption of 600 nm of light wavelength. Additions Fe2O3 moves highest absorption in the range of 560 nm. Fe2O3 addition was strengthening thin film sensitivity to the effects of light. In general, doping Fe2O3 10% was result the best absorbance and current-voltage of BST thin film. Electrical properties of thin films BST include dielectric, photoconductivity, and dissipation energy. Based on the current-voltage (I-V) analysis, pure BST and doped BST showed photodiode properties. Dielectric values obtained in the range from 23.32 to 243. Based on electrical conductivity data and energy dissipation, BST thin films have shown photodiode characteristics and are therefore suitable as light sensors. The image sensor in a digital camera is also a light sensor. This BST thin film has been scientifically proven to be a light sensor and also it can be applied as an image sensor. This is a novelty image sensor based on thin film Ba0.5Sr0.5TiO3.
Keyword: barium strontium titanate, thin film, photodiode, image sensor, digital camera