Judul: Keragaman Genetik Populasi Betawi
Abstrak: Variabilitas genetik (H) Populasi Betawi sebesar 0.665. Variabilitas genetik populasi Belawi lebih besar dibandingkan dengan populasi Indonesia lainnya seperu populasi Batak dan Jawa sebesar 0.58 dan 0.59. Hal ini karena awalnya populasi Belawi terbentuk dati pencampuran antar suku bangsa. Variabilitas genetik populasi Belawi yang tinggi mengindikasikan kesetimbangan Hardy-Weinberg. Selain variabilitas genetik yang tinggi, kesetimbangan Hardy-Weinberg dalam populasi Belawi dijaga oleh ukuran populasi Belawi yang besar.
Keyword: 

Judul: Keragaman genetik populasi Betawi
Abstrak: Masyarakat Betawi merupakan suku bangsa yang dipercaya sebagai penduduk asli Jakarta. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui keragaman genetik Populasi Betawi melalui keragaman mikrosatelit. Variabilitas genetik (H) Populasi Betawi sebesar 0.665. Variabilitas genetik populasi Betawi lebih besar dibandingkan dengan populasi Indonesia lainnya seperti populasi Batak dan Jawa sebesar 0.58 dan 0.59. Hal ini karena awalnya populasi Betawi terbentuk dari pencampuran antar suku bangsa. Variabilitas genetik populasi Betawi yang tinggi mengindikasikan kesetimbangan Hardy-Weinberg. Selain variabilitas genetik yang tinggi, kesetimbangan Hardy-Weinberg dalam populasi Betawi dijaga oleh ukuran populasi Betawi yang besar. Walaupun perkawinan dalan satu kelurahan cukup tinggi, namun uji fiksasi Wright menunjukkan tidak terjadi inbreeding di dalam populasi Betawi. Hal ini disebabkan pada populasi Betawi terjadi pertukaran genetik antara populasi Betawi dengan bukan Betawi. Pertukaran genetik tersebut menunjukkan populasi Betawi merupakan populasi yang tidak terisolasi. Hal ini juga berperan dalam menjaga populasi Betawi berada dalam kesetimbangan Hardy-Weinberg
Keyword: ras, betawi, variabilitas genetik, suku bangsa

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4