Judul: Masalah Pemodelan Jaringan Logistik Banyak Produk
Abstrak: Masalah jaringan logistik di bagian distribusi telah menarik perhatian peneliti dan praktisi. Perencanaan jaringan logistik diperlukan untuk memahami keadan pasar dan permintaan konsumen, sehingga dapat digunakan untuk merencanakan proses produksi dan mengorganisir penyimpanan, sehingga dapat memaksimalkan laba dan memenangkan kompetisi dalam globalisasi ekonomi. Permasalahan perencanaan jaringan logistik ini dapat dimodelkan sebagai masalah MIP (mixed integer programming). MIP adalah masalah optimisasi dengan fungsi objektif dan kendala yang linear serta variabel-variabel tertentu yang bernilai integer. Tulisan ini akan membahas bagaimana mengoptimalkan jaringan logistik banyak produk menggunakan model MIP sedemikian sehingga memenuhi fungsi objektif dan kendalanya. Model dibangun berdasarkan adanya permintaan beberapa produk yang harus dikirimkan dari beberapa pabrik ke beberapa grosir, kemudian dari grosir, produk tersebut dikirimkan ke beberapa pengecer. Selanjutnya diberikan contoh kasus yang diselesaikan menggunakan software Lingo 8.0.
Keyword: 

Judul: Analisis biaya inventori dan transportasi pada network terkendala
Abstrak: Dalam memproduksi dan memasarkan produkuya, setiap perusallaan selalu dihadapkan pada keinginan untuk meminimumkan biaya produksinya sehingga dapat memperoleh keuntungan yang maksimUffi. Pacia llmlllllllya perusahaan ini harus melalui tiga tallapan, yang disebut tallapan material handling, yaitu berupa lahapan produksi dan persediaan di titik produksi (supply paint), tahapan transportasi ke titik pennintaan (de//land poinl), dan lahapan pemesanan dan persediaan di titik permintaan. Karena tujuarmya adalall memaksimumkan keuntungan mai<ll pcrusallaan harus mampu meminimumkan biaya yang barus dikeluarkan eli masing-masing tahapan tcrsebut Modelmaternatika untuk perrnasalallan terscbut telall eukup dikenal, walaupun masih terpisah dalanl satu model untuk satu tallapan material handling. Model rnatematika untuk rnasing-masing tallapan tersebut berturut-turut adalah economic produclion lol-size problem, masalah transportasi, dan economic order quanli(v problem. Namun ide untuk menggabungkan beberapa tahapan dalam masalah malerial handling juga bukan sesuatu yang baru. Tulisan ini meneoba menggabungkan ketiga tallapan malerial handling tersebut scbagai satu kesatuan atau simultan, dan mencari solusi dari model tersebut.• . Kernudian solusi simultan dari masalallmaleriai handling dibandingklm dengan solusi masalall malerial handling yang dieari seeara terpisall. Hasil armlisis menunjukkan, solusi sinlultan memberikan nilai yang Icbill kecil dari solusi seeara terpisall, schingga model ini bisa digunaklm sebagai alternatif untuk memeeahlGlll rnasalah tersebut.
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4