Judul: Keragaman Genetik Populasi Betawi
Abstrak: Variabilitas genetik (H) Populasi Betawi sebesar 0.665. Variabilitas genetik populasi Belawi lebih besar dibandingkan dengan populasi Indonesia lainnya seperu populasi Batak dan Jawa sebesar 0.58 dan 0.59. Hal ini karena awalnya populasi Belawi terbentuk dati pencampuran antar suku bangsa. Variabilitas genetik populasi Belawi yang tinggi mengindikasikan kesetimbangan Hardy-Weinberg. Selain variabilitas genetik yang tinggi, kesetimbangan Hardy-Weinberg dalam populasi Belawi dijaga oleh ukuran populasi Belawi yang besar.
Keyword: 

Judul: Keragaman genetik populasi Betawi
Abstrak: Masyarakat Betawi merupakan suku bangsa yang dipercaya sebagai penduduk asli Jakarta. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui keragaman genetik Populasi Betawi melalui keragaman mikrosatelit. Variabilitas genetik (H) Populasi Betawi sebesar 0.665. Variabilitas genetik populasi Betawi lebih besar dibandingkan dengan populasi Indonesia lainnya seperti populasi Batak dan Jawa sebesar 0.58 dan 0.59. Hal ini karena awalnya populasi Betawi terbentuk dari pencampuran antar suku bangsa. Variabilitas genetik populasi Betawi yang tinggi mengindikasikan kesetimbangan Hardy-Weinberg. Selain variabilitas genetik yang tinggi, kesetimbangan Hardy-Weinberg dalam populasi Betawi dijaga oleh ukuran populasi Betawi yang besar. Walaupun perkawinan dalan satu kelurahan cukup tinggi, namun uji fiksasi Wright menunjukkan tidak terjadi inbreeding di dalam populasi Betawi. Hal ini disebabkan pada populasi Betawi terjadi pertukaran genetik antara populasi Betawi dengan bukan Betawi. Pertukaran genetik tersebut menunjukkan populasi Betawi merupakan populasi yang tidak terisolasi. Hal ini juga berperan dalam menjaga populasi Betawi berada dalam kesetimbangan Hardy-Weinberg
Keyword: ras, betawi, variabilitas genetik, suku bangsa

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition