Judul: Pengaruh Pemberian Pangan Yang Difortifikasi Zat Multigizi Mikro Pada Ibu Hamil Dan Pengasuhan Terhadap Pertumbuhan Linier, Perkembangan Motorik Dan Status Anemia Bayi
Abstrak: Seperti diberbagai negara berkembang lainnya, masalah kekurangan gizi makro dan mikro pada ibu dan bayi juga terjadi di Indonesia. Strategi perbaikan gizi secara dini dapat dilakukan dengan pemberian pangan yang difortifikasi zat multi gizi mikro pada ibu hamil, sebagai salah satu alternatif perbaikan gizi bagi generasi yang selanjutnya. Tujuan penelitian ini adalah untuk menganalisis dampak pemberian pangan yang difortifikasi zat multi gizi mikro pada ibu hamil dan pengasuhan terhadap pertumbuhan, perkembangan motorik dan status anemia bayi. Penelitian ini dilakukan pada 3 Kecamatan di Kabupaten Bogor yaitu di Ciampea, Leuwiliang dan Leuwisadeng. Penelitian ini dilakukan kohort prospektif dengan jumlah bayi yang diikuti 120 orang yang dibagi menjadi 3 kelompok. Kelompok pertama (kelompok fortifikasi) yang ibunya pada waktu hamil menerima pangan yang difortifikasi vitamin A, C, asam folat, besi, seng dan iodium. Kelompok kedua (tanpa fortifikasi) diberikan pangan yang sama tetapi tidak difortifikasi dan kelompok ketiga merupakan kelompok kontrol yang ibunya waktu hamil tidak menerima pangan fortifikasi maupun tanpa fortifikasi. Data yang dikumpulkan meliputi: status sosial ekonomi keluarga, pemberian ASI, pengasuhan, intik gizi ibu menyusui, berat badan ibu, intik gizi bayi, morbiditas, berat badan, tinggi badan, panjang lutut setiap bulan, perkembangan motorik, Ht dan Hb. Analisis zskor PB/U dan BB/U menggunakan referensi NCHS-WHO (1983) dan WHO (2006). Data ditabulasi, dianalisis secara statistik dengan Anova, Ancova, korelasi Pearson, regresi linier, regresi berganda dan regresi logistik berganda menggunakan program Software SPSS versi 10.0 dan 13.0.
Keyword: 

Judul: Pengaruh pemberian mie instan fortifikasi pada ibu menyusui terhadap kadar zink dan besi asi serta pertumbuhan linier bayi
Abstrak: Penelitian in dilakukan pada 8 desa di kecamatan Darmaga Kabupaten Bogor yang bertujuan : 1) Menganalisis kadar zink dan besi dalam ASI ibu menyusui, 2) Menganalisis inti gizi (energi, protein, zink, besi) dari pangan dan mie instan fortifikasi pada ibu menyusui, 3) Menganalisis itik gizi (energi, protein, zink, besi) dari ASI dan MPASI pada bayi, 4) Menganalisis pengaruh mie instan fortifikasi terhadap kadar zink dan besi dalam ASI, 5) Menganalisis pengaruh mie instan fortifikasi terhadap pertumbuhan linier bayi.
Keyword: West Java, ASI, Zink dan besi, Mie instan, Uji acak buta ganda terkendali, Double blind randomized control trial, Atomic Absorption Spectrofotometer metode, Fortifikasi gizi mikro

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4