Judul: Hubungan Kekerabatan Undur-Undur laut (Hippa adactyla Fabricius, 1787) Berdasarkan Marka Gen 16S rRNA di Pantai Purworejo dan Bantul.
Abstrak: Kepastian spesies diperlukan sebagai dasar pengelolaan. Adanya fenomena cryptic species dapat menyebabkan kesalahan identifikasi spesies pada organisme akuatik secara morfologis. Penelitian ini bertujuan untuk memvalidasi spesies undur-undur laut (Hippa adactyla) secara genetik menggunakan marka gen 16S rRNA dan menganalisis hubungan kekerabatan undur-undur laut yang berasal dari pantai Purworejo dan Bantul. Proses isolasi dan ekstraksi DNA menggunakan kit Gene Aid lalu dihasilkan DNA total yang akan diamplifikasi dengan primer universal 16S rRNA dan selanjutnya disekuensing. Hasil identifikasi secara molekuler menggunakan BLASTn diketahui bahwa enam contoh undur-undur laut dari Purworejo dan Bantul memiliki kemiripan berkisar antara 99-100% dengan Hippa adactyla dari GenBank. Urutan basa nukleotida disejajarkan dengan outgroup dari genus Hippa, infraordo Anomura, dan ordo Decapoda menggunakan software MEGA 5.0. Hubungan kekerabatan antara Hippa adactyla yang berasal dari pantai Purworejo dan Bantul sangat dekat. Kajian ini menunjukkan bahwa gen 16S rRNA terbukti dapat dijadikan penanda yang akurat dan mampu memvalidasikan spesies Hippa adactyla.
Keyword: 16S rRNA, Hippa adactyla, undur-undur laut

Judul: Validasi Spesies Undur-Undur Laut Menggunakan Marka Gen 16S rRNA di Perairan Bantul dan Purworejo
Abstrak: Undur-undur laut hidup di daerah intertidal pantai berpasir. Pengidentifikasian spesies biota laut sering terjadi kesalahan yang diakibatkan fenomena cryptic spesies, sehingga perlu dilakukan dengan pendekatan molekuler berupa teknik DNA barcoding. Penelitian ini bertujuan untuk mengidentifikasi taksonomi dan hubungan kekerabatan undur-undur laut berdasarkan marka gen 16S rRNA di perairan Bantul dan Purworejo. Isolasi dan ekstraksi DNA menggunakan Kit komersil Gene Aid menghasilkan tiga DNA dari setiap lokasi penelitian. DNA total yang berkualitas baik diamplifikasi menggunakan teknik PCR dengan primer 16S rRNA, sebelum analisis sekuensing. Hasil sekuensing gen 16S rRNA undurundur laut disejajarkan dengan beberapa sekuen spesies lain yang terdapat di GeneBank, yaitu genus Emerita, genus Scylla, dan genus Portunus. Sekuensing dianalisis mengunakan BLASTn. Sekuen dianalisis menggunakan software MEGA 5.0 untuk mendapatkan nilai jarak genetik dan pohon filogenik. Contoh undurundur laut dari Bantul dan Purworejo tidak berbeda nyata, contoh berasal dari sumber genetik yang sama.
Keyword: gen 16S rRNA, identifikasi molekuler, undur-undur laut

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4