Judul: Pola asuh dan status gizi anak balita keluarga penerima danbukan penerima jaminan pemeliharaan kesehatan masyarakat miskin (JPKMM)
Abstrak: Tujuan urnum penelitian ini adalah untuk mempelajari pola asuh dan status gizi anak balita keluarga penerirna dan bukan penerima JPKMM. Tujuan khusus dari penelitian ini adalah: (1) ~engidentifikaski arakteristik contoh dan keluarganya, (2) Mempelajari kepernilikan JPKMM pada keluarga contoh, (3) Mempelajari pola asuh kesehatan dan cara oemberian rnakanan anak balita.. (.4.) Menoanalisis tinakat kecukupan energi dan' protein dengan status gizi anak balita, (5)~en~identifikasi oerubahan BB dan TB dan status aizi balita anak balita setelah mendapatkan PMT, (6) Menganalisis pola asuh kesehatan kaitannya dengan cara pemberian makan dengan status gizi anak balita. Penelitian ini dilakukan di Desa Sipak, Kecamatan Jasinga Kabupaten Bogor, Jawa Barat. Pengambilan data dimulai pada bulan Maret hingga Mei 2005. Contoh adalah balita yang sebelum mendapat bantuan PMT dari WFP berstatus gizi kurang berdasarkan BBIU. Pengambitan contoh dilakukan secara purposive yaitu balita yang pada saat diberikan PMT sudah berusia 2 tahun, berstatus gizi kurang (< -2 SD berdasarkan BBIU), dari keluarga inti yang lengkap dengan BBL normal dan tidak sedang sakit parah. Berdasarkan kriteria tersebut rnaka didapatkan jumlah contoh 41 anak balita. Jumlah balita penerirna JPKMM 12 anak dan keluarga non JPKMM 29 anak.
Keyword: 

Judul: Status Gizi Balita dari Keluarga yang Mengikuti Progranl PMT  Ibu Harnil JPS-BK Di Kabupaten Bolaang Mongondow Propinsi  Sulawesi Utaa
Abstrak: Penelitian ini secara umurn bertujuan menganalisis status gizi balita serta faktor-faktor lain yang terkait pada keluarga yang mengikuti dan tidak mengikuti program PMT ibu hamil JPS-BK di Kabupaten Bolaang Mongondow Propinsi Sulawesi Utara. Secara khusus penelitian ini bertujuan: 1) mengidentifikasi status gizi bayi lahir, status gizi balita, konsumsi energi dan zat gizi, pola pengasuhan (tugas pengasuhan, pola pemberian makan dan pola pemberian ASI) dan karakteristik keluarga(pendidikan ibu, pengetahuan gizi ibu, pendapatan keluarga dan ukuran keluarga) yang mengikuti dan tidak mengikuti proyani PMT ibu hamil JPS-BK; 2) menganalisis perbedaan status gizi balita dari keluarga yang mengikuti dan tidak mengikuti program PMT ibu hamil JPS-BK; 3) menganalisis hubungan karakteristik keluarga dengan konsumsi energi dan zat gizi balita umur 12-27 bulan; 4) menganalisis hubungan pola pengasuhan dengan konsumsi energi dan zat gizi balita; 5) menganalisis hubungan status gizi bayi lahir dengan status gizi balita umur 12-27 bulan. Penelitian ini merupakan kombinasi restrospective dan cross-sectional yang dilaksanakan di Kecamatan Kotamobagu dan Lolayan, Kabupaten Bolaang Mongondow. Propinsi Sulawesi Utara. Pengambilan data dilakukan pada bulan Juli - September 2001 pada anak balita umur 12 - 27 bulan dan ibunya yang di ambil secara acak masing-masing 30 keluarga yang mengikuti dan tidak mengikuti prograln PIMT ibu hamil JPS-BK.
Keyword: 

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition