Judul: Analisis kestabilan model penularan penyakit kelamin gonorrhea
Abstrak: Penyakit kelamin biasa disebut dengan penyakit menular seksual (PMS). Salah satu contoh PMS adalah penyakit gonorrhea atau GO. Penyakit ini disebabkan oleh bakteri neisseria gonorrhoeae. Cara penularan penyakit GO hampir selalu meIalui hubungan seksual atau melalui ibu hamil kepada bayinya (hubungan darah). Jarang sekali, tetapi bisa terjadi, penularan melalui pemakaian bersama handuk dan pakaian atau tempat duduk kloset yang basah dan baru saja tercemar oleh bakteri ini. Penyakit GO ini bisa berakhir dengan kemandulan pada wan ita dan juga pria hingga kebutaan pada bayi.
Keyword: 

Judul: Analisis Kestabilan Model Penularan Penyakit Kelamin Gonorrhea (Stability Analysis of Sexsual Transmitted Diseases Model)
Abstrak: Penyakit kelamin biasa disebut dengan penyakit menular seksual (PMS). Salah satu contoh PMS adalah penyakit gonorrhea atau GO. Penyakit ini disebabkan oleh bakteri neisseria gonorrhoeae. Cara penularan penyakit GO hampir selalu melalui hubungan seksual atau melalui ibu hamil kepada bayinya (hubungan darah). Jarang sekali, tetapi bisa terjadi, penularan melalui pemakaian bersama handuk dan pakaian atau tempat duduk kloset yang basah dan barn saja tercemar oleh bakteri ini. Penyakit GO ini bisa berakhir dengan kemandulan pada wanita dan juga pria hingga kebutaan pada bayi. Penyakit GO mempunyai karakteristik yang pasti, yaitu penyakit ini terbatas pada komunitas yang aktif secara seksual, pembawa (carrier) menunjukkan gejala-gejala yang tidak jelas (asimptomatik) sampai terlambat diketahui te1jadinya infeksi, dan menyebabkan sedikit atau tidak adanya kekebalan jika telah terinfeksi. Penularan penyakit kelamin GO dapat dijelaskan dalam suatu model secara matematis dan berlaku pada populasi yang heteroseksual. Model tersebut mendeskripsikan penularan bakteri neisseria gonorrhoeae dalam suatu populasi konstan yang dihubungkan dengan waktu. Dalam populasi konstan tersebut terdapat tiga kelas individu, yaitu kelas yang rentan, kelas yang terinfeksi, dan kelas yang dalam perawatan. Karena tidak ada kekebalan jika telah terinfeksi GO, maka individu yang sedang dalam perawatan akan menjadi rentan kembali setelah masa penyembuhan. Dengan demikian model penularan penyakit kelamin GO menjadi lebih sederhana, yaitu hanya melibatkan kelas yang rentan terhadap penyakit dan kelas yang terinfeksi. Dari model tersebut dapat disusun suatu sistem persamaan diferensial untuk model penularan penyakit kelamin GO, yaitu ...dst
Keyword: penyakit kelamin, penyakit menular seksual, bakteri neisseria gonorrhoeae

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4