Judul: Analisis komparatif keterkaitan inflasi dengan nilai tukar riil di kawasan Asia (Asean+3) dan Non Asia (Uni Eropa, Amerika Utara)
Abstrak: Inflasi selalu menjadi salah satu isu makroekonomi yang dianggap sangat penting. Hal ini dikarenakan stabilitas harga yang merupakan salah satu ukuran stabilitas ekonomi sangat berkaitan dengan fenomena inflasi. Inflasi dapat menjadi ancaman kondisi perekonomian diseluruh dunia terutama dikarenakan kecenderungan meningkatnya laju inflasi, baik di kawasan Asia dan non Asia. Dengan demikian menelaah lebih lanjut faktor-faktor yang berkaitan dengan perilaku inflasi perlu dilakukan. Nilai tukar riil yang menjadi salah satu faktor yang berkaitan dengan inflasi akan menjadi fokus dalam penelitian ini.
Keyword: 

Judul: Analisis Deviasi Nilai Tukar Riil ASEAN dan Dampaknya Terhadap Pertumbuhan Perekonomian
Abstrak: Nilai tukar adalah salah satu variabel krusial dalam kegiatan perekonomian internasional. Tujuan dari penelitian ini adalah menganalisis keadaan nilai tukar negara negara ASEAN terhadap kesetimbangan jangka panjang yang digambarkan dengan nilai tukar riil efektif dan mencari faktor faktor yang memengaruhi deviasi nilai tukar tersebut serta hubungannya dengan pertumbuhan perekonomian. Objek penelitian ini adalah negara negara ASEAN, namun karena ketersediaan data maka fokus penelitian tertuju pada 5 negara ASEAN (Indonesia, Singapura, Malaysia, Thailand, Filipina) dalam periode tahun 2000 hingga 2011. Hasil penelitian ini menunjukkan adanya deviasi nilai tukar senilai rata rata 14.61 persen undervalue dan deviasi secara jangka panjang dipengaruhi oleh term of trade, net foreign asset per gdp, government spending, productivity differential dan krisis yang terjadi pada 2008. Deviasi nilai tukar juga terbukti berpengaruh negatif terhadap pertumbuhan perekonomian
Keyword: nilai tukar, deviasi, kesetimbangan jangka panjang

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4