Judul: Aspek fisika pada pena stylus dari limbah alumunium foil
Abstrak: Pena stylus merupakan alat yang digunakan untuk mengoperasikan gadget atau android. Namun, pena stylus digunakan untuk mempermudah kinerja layar sentuh pada layar smartphone dan layar sentuh pada benda lain yang bersifat kapasitif, alat ini dipakai untuk menghubungkan perintah input ke layar, menulis, menggambar, memilih menu, dan masih banyak lagi lainnya. Layaknya menulis di atas kertas, dengan pena stylus menjadi mudah mengoperasikan perangkat layar sentuh lebih lincah, akan tetapi pena stylus yang beredar pada saat ini masih terbilang mahal tergantung desain dan fungsinya. Dari penelitian yang dilakukan, bahan alumunium foil dapat digunakan untuk membuat pena stylus yang murah dan ramah lingkungan, karena bahan alumunium sangat mudah didapatkan dari plastikplastik pembungkus makanan atau dari pembungkus rokok. Dengan cara menghitung nilai konduktivitas yang berada pada jenis alumunium foil, dapat diketahui bahan alumunium foil yang standar untuk digunakan sebagai pena stylus.
Keyword: pena stylus, touchscreen, konduktivitas, alumunium foil

Judul: Pembuatan dan karakterisasi lapisan aluminiumoksida dengan teknik oksidasi anodik
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variable waktu dan rapat arus anodisasi dalam mendapatkan ketebalan lapisan Aluninium oksida. Kemudian menghitung konstanta dielektrik dari lapisan yang terbentuk. Prinsip dari penelitian ini adalah proses elektrolisa dengan menggunakan larutan asam sulfat sebagai elektrolitnya dan logam aluminium sebagai bahan yang akan dilapisi (substrat). Pelaksanaan percobaan dilakukan dengan mengalirkan arus listrik kedalam cell yang telah diisi dengan larutan asam sulfat (6N). Variabel percobaan yaitu: Arus anodisasi 0.5; 1.0; 1.5 mA dan waktu anodisasi 10; 20; 30 menit. Tebal lapisan diperoleh dengan cara mengukur berta sebelum W, dan sesudah W₂ anodisasi. Selisih berat ini dikonversi menjadi tebal lapisan dengan persamaan 8 W₂ -W₁/pA. Tebal lapisan yang diperoleh pada waktu anodisasi 10 menit denga variasi arus 0.5; 1.0; 1.5 mA berturut- turut 0.505; 0.755; 1.090 µm. untuk waktu anodisasi 20 menit 0.925; 1.265; 2.020 µm. Untuk waktu anodisasi 30 menit 1.430; 2.105; 3.870 µm. Dari data yang diperoleh tersebut terlihat bahwa semakin lama proses anodisasi dan semakin besar rapat arus yang diberikan dari rangkaian luar, tebal lapisan yang didapat semakin meningkat. Perhitungan kapasitansi yaitu dengan cara menghitung kapasitansi dari kapasitor lapisan tipis aluminium oksida yang bahan dielektriknya sampel yang dibuat. Kapasitansi yang diperoleh adalah kapasitansi berubah-ubah denagn berubahnya frekwensi (50-1000 kHz). Untuk tebal lapisan 0.505 µm, kapasitansi yang terukur adalah berkisar antara 8.1-6.3 nF. Untuk sampel dengan ketebalan 0.755 µm, kapasitansi yang terukur antara 7-4.3 nF. Tebal lapisan 0.925 µm kapasitansi yang diperoleh berkisar antara 4.54-2.59 nF, untuk tebal lapisan denag tebal 1.090 µm, Kapasitansi yang diperoleh 3.3 1,64 nF. Tebal 1.265 µm kapasitansi yang terukur 3.59-2.51 nF. Tebal lapisan 1.430 µm kapasitansi yang terukur 3.3-1.64 nF. Tebal lapisan 2.020 µm kapasitansi yang terukur 2.3-1.68 nF. Tebal 2.105 µm kapasitanmsi yang terukur 2.31-1.56 nF.dan untuk tebal 3.870 µm kapasitansi berkisar antara 2.25-0.78 nF. Dari data yang didapat terlihat bahwa semakin tebal lapisan dielektrik kapasitor lapisan tipis aluminium oksida semakin kecil kapasitansi yang terukur. Dari data tersebut terlihat pula semakin besar frekwensi yang diberikan kapasitansi yang terukur semakin kecil. Denag persamaan ce kA/d dapat ditentukan konstanta dielektrik dari lapisan yang terbentuk. Konstanta dielektrik yang diperoleh untuk tebal lapisan 0.505 µm adalah 9.24-7.18. untuk tebal lapisan 0.755 µm, konstanta dielektrik yang diperoleh berkisar antara 11.9-7.3. tebal lapisan 0.925 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 9.65-6.61, untuk tebal lapisan 1.090 µm, konstanta dielektrik lapisan yang terbentuk adalah 11.18-6.38, tebal lapisan 1.265 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 10.3-7.18. untuk tebal lapisan 1.430 µm, konstanta dielektrik yang diperoleh 10.7-5.3. Untuk tebal lapisan 2.020 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 10.5-7.67. Untuk tebal lapisan 2.105 µm konstanta dielektrik yang diperoleh 10.99-7.42. Untuk tebal lapisan 3.870 µm, konstanta dielektrik yamg diperoleh 19.67-6.82. Dari data tersebut dapat dilihat bahwa konstanta dielektrik menurun dengan bertambah besarnya frekwensi. Dan Hasdil yang diperoleh sangat mendekati literatur yaitu 8- 10. Penyimpangan yang terjadi pada sampel dengan tebal lapisan 3.870 µm kemungkinan besar disebabkan porositas dari lapisan yang terbentuk.
Keyword: 

Judul: Mitochondrial DNA Gene Organization and Phylogenetic Relationship of Naja siamensis
Abstrak: Naja siamensis is one of Asiatic cobra in the Family of Elapidae, known as a cryptic snake. It has many morphological variations that lead to misidentification. Misidentification can cause the wrong concept in developing antivenom types due to high snakebite cases occur in Thailand. Thus, an accurate species identification using a molecular approach is crucially required. Mitochondrial DNA has been used widely in snake molecular studies. These studies were aimed to determine the arrangement of the N. siamensis partial mitochondrial genes using reptile-oriented primers and to reveal the phylogenetic relationship among other species of Asian cobra. DNA extraction was carried out based on the standard DNA salting-out protocol and was conducted by bioinformatics analysis using BLASTn and MEGA 6 software. Gene annotation was performed against N. kaouthia complete genome. A total of 3121 bp of N. siamensis mtDNA genes were sequenced consisting of partial of six regions: 16S rRNA, ND1, tRNA-Ile, CRII region, tRNA-Leu, tRNA-Gln, and COI genes. The mtDNA gene organization of N. siamensis was predicted to has a similar pattern with the common Elapidae mtDNA gene organization. This study showed that there is a monophyletic form in Naja genus and N. kaouthia is the closest species with N. siamensis based on partial 16S rRNA and ND1 gene.
Keyword: 16S rRNA, Elapidae, ND1, phylogenetic relationship