Judul: Karakteristik Optik Dan Listrik Film Tipis Litao3 Di Atas Substrat Si Tipe P(100) Pada Variasi Suhu Annealing
Abstrak: Telah berhasil ditumbuhkan film tipis Lithium tantalat (LiTaO3) pada substrat Si tipe-p (100) pada variasi suhu annelaling selama 8 jam 550 0C, 600 0C, 650 0C, 700 0C, 750 0C, 800 0C. Dengan metodeChemical Solution Deposition (CSD) dan dengan kecepatanrotasi spin coating 3000 rpm selama 30 detik dan kelarutan 1 M ditumbuhkan film tipis LiTaO3. Hasil karakterisasi optik telah menunjukkan bahwa (LiTaO3) dapat menyerap spektrum inframerah. Analisis band gap menggunakan metode Tauc Plot dengan hasil berturut turut 2,09 eV, 2,98 eV, 1,98 eV, 2,30 eV, 1,98 eV, 1,96 eV.Besarnya nilai band gap dipengaruhi oleh atom O pada ikatan LiTaO3. Pada pita energi, Li menempati pada 2s state, Ta pada state 5d dan O pada state 2d. Oksigen memperbesar nilai band gap sebesar 4 ev. Diatas pita valensi kebanyakan oksigen dengan p state yang mengambarkan besarnya densitas transisi logam d state pada pita valensi yang artinya tingkatan state p oksigen pada dua material hybrid ditingkatan d. Apabila dua material terjadi hybridisasi antara transisi konduksi pada tingkatan d state dan p state oksigensehingga hal inilah yang menjadi alasan oksigen berubah arah ke transisi konduksi. Hibridisasi menunjukan karakteristik keteraturan suatu bahan.Dengan peningkatan suhu anneling diharapkan akan mengurangi densitas O pada molekul hal ini terjadi karena O memperbesar nilai energi gap.Nilai indek bias terbesar pada suhu 800 0C dengan nilai 2,38. Nilai Impedansi terbesar pada suhu 650 0C dan Konstanta dialektrikterbesar pada suhu 800 0C. Pengaruh suhu annealing, ketebalan film dan fase transisi berpengaruh terhadap nilai kapasitansi, impedensi dan konstanta dialektrik. Dari karakteristik optik dan listrik menunjukkan bahwa LiTaO3 dapat digunakan sebagai sensor inframerah.
Keyword: LiTaO3, Chemical Solution Deposition(CSD), asorbansi, Indek bias, energi gap, Impedensi, Kapasitansi, Konstanta dialektrik

Judul: Karakterisasi Optik Film LiTaO3 yang ditumbuhkan di atas Substrat Silikon Tipe-P pada Variasi Suhu Annealing.
Abstrak: Telah berhasil dibuat film tipis LiTaO3 di atas substrat Silikon (100) tipe-p dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan 1 M. Film tipis di annealing pada suhu 550 ⁰C, 575 ⁰C, 600 ⁰C dan 625 ⁰C selama waktu tahan 8 jam dengan laju kenaikan suhu 1.67 ⁰C/menit. Hasil uji optik menunjukkan film LiTaO3 dapat mengabsorpsi cahaya tampak pada near infrared sehingga dapat digunakan sebagai cikal bakal sensor inframerah. Analisis energi gap menggunakan metode Tauc Plot diperoleh hasil nilai 2.649 eV, 2.949 eV, 2.744 eV dan 2.752 eV. Hasil uji sifat listrik memperlihatkan film LiTaO3 bersifat semikonduktor dan konduktif. Analisis XRD film LiTaO3 membentuk struktur kristal hexagonal memiliki parameter a=b=5.153 Å and c=13.89 Å.
Keyword: Energy Gap, LiTaO3, optik, silikon tipe-p, XRD

Judul: Epivag Sebagai Penyebab Kegagalan Reproduksi Dan Penanggulangannya Pada Sapi
Abstrak: "Epivag" merupaka suatu penyakit viral yang menyerang organ reproduksi baik pada sapi jantan maupun betina, disebabkan oleh virus dan hanya terdapat di benua Afrika. Nampaknya sapi-sapi sialng Inggris di Afrika sangant peka terhadap penyakit tersebut. Mengingat bahwa sapi-sapi silang Inggris sudah banyak di impor ke Indonesia, maka perlu diperhitungkan kemungkinan penyebaran penyakit tersebut di Indonesia.
Keyword: