Judul: Respon Pertumbuhan Stek Batang Tiga Spesies Murbei (Moros Sp.) Terhadap Beberapa Jenis Media Pembibitan
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pertumbuhan stek batang tiga spesies murbei pada beberapa jenis media pembibitan. Penelitian dilaksanakan di Kebun Percobaan Disiplin Persuteraan Alam, Pusat Penelitian dan Pengembangan Hutan dan Konservasi Alam, Ciomas, Bogor, Jawa Barat. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Desember 2002 sampai bulan Maret 2003. Penelitian ini menggunakan Rancangan Acak. Kelompok seeara faktorial yang terdiri atas dua faktor. Faktor pertama adalah tiga spesies murbei yang terdiri atas, yaitu: (I) M alba var. Kanva - 2 (AI), (2) M mullicaulis (A2) dan (3) M calhayana (A3). Faktor kedua adalab jenis media yang terdiri atas lima perlakuan yaitu: (1) tanab (kontroI) (BO); (2) pasir + pupuk kandang + sekarn (BI); (3) tanab + pupuk kandang + sekam (B2); (4) pasir + sekarn (B3) dan (5) tanab + sekarn (B4). Setiap perlakuan terdiri atas tiga ulangan sehingga terdapat 45 satuan percobaan. Setiap satuan percobaan terdiri atas delapan tanaman sehingga jurnlab seluruhnya 360 tanaman. Parameter yang diamati dalam penelitian ini rneliputi persentase turnbuh,
Keyword: 

Judul: Pertumbuhan Stek Batang Beruang Bini (Octomelessumotrana miq.) Pada Berbagai Media Tanam Dan Jumlah Ruas Bahan Stek
Abstrak: Benuang bini (Octomeles sumatrana Miq.) merupakan salah sam tanaman hutan yang berpotensi dibudidayakan (dikembangka"l) guna pengembangan Hutan Tanaman Industri. Teknik stek merupakan salah satu cara untuk memperbanyak tanaman ini. Penelitian ini bertujuan Ilntuk mengetahui pengaruh media tanam dan jumlah ruas terhadap pertwnbuhan stek batang Benuang bini. Faktor yang diamali dalam penelilian ini adalah (I) jcnis media.(pasir. arang sekam. dan campuran keduanya dengan perbandingan I: I). (2) jwnlah ruas bahan stek (3 mas, 4 mas. 5 mas, 6 ruas). Stek Benuang bini yang berasal dari ranting kebWl pangkas benunur 2 bulan. Siek muJai bertunas pada hari ke-7 setelah tanam. Analisis sidik ragam pada taraf uji 5% menUl~p!<kan bahwa perlakuan interaksi media dengan jumlah ruas memberikan pengaruh Xang nyala terhadap parameter jwnlah akar adventif, lelapi tidak berpengaruh nyata terhadap persenlase stek hidup. jtunlah tunas stek, panjang akar adventif. bera! kering :tkar. dan bera! kering daun. Persentase stek hidup r::rtinggi dihasilkan pada perlakuan A3B I (media arang SCkiUll dCIl£an batang 3 ruas) sedangkall persentase stek hidup terendah dijulllpai pada pcrlakuan AlBI (media campurall dengan batang 3 ruas). Hal ini &jwnpai pula pada parameter jwulah akar adventif. JwnJah tunas stek paling banyak dihasilkan pada perlakuan A3B4 (media arang sekam dengan batang 6 ruas) sedangkan jumlah Itmas paling sedikit dijwnpai pada perlakuan AIBI (media pasir dengan batang 3 ruas). Panjang akar adventif tertinggi dihasilkan pada perlakuan A3B I (mcdia arang sekam dcngnn batang 3 ruas) sedangkan panjang
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4