Judul: Karakterisasi Ekson dan Intron Gen Defensin 1 pada Apis cerana dan A. dorsata.
Abstrak: Gen defensin lebah menyandikan peptida defensin yang berfungsi untuk mempertahankan tubuh dari bakteri Gram positif dan terdapat dua gen defensin, yaitu gen defensin 1 dan 2. Penelitian ini bertujuan mengkarakterisasi gen defensin 1 yang terdiri dari ekson 2, intron dan ekson 3 pada A. cerana dan A. dorsata asal Indonesia. DNA gen defensin 1 sampel A. cerana dan A. dorsata diamplifikasi menggunakan primer yang didisain berdasarkan GenBank A. mellifera. Sekuen DNA dan asam amino deduksi dianalisis secara bioinformatika. Panjang sekuen DNA gen defensin 1 sampel A. cerana dan A. dorsata yang didapat berturut-turut sebesar 479 dan 458 pb dan panjang asam amino deduktif kedua sampel berturut-turut sebesar 66 dan 65 dengan 6 asam amino sistein yang diduga menyebabkan terbentuknya ikatan α dan β pada peptide sehingga memungkinkan melisis membran sel bakteri melalui pembentukan pori. Variasi nukleotida di antara spesies A. cerana asal Indonesia dan Korea hanya terdapat pada intron 2 sedangkan antara A. dorsata Indonesia dan Malaysia terdapat pada intron 2 dan ekson 3. Topologi pohon filogeni lebah hasil kontruksi berdasarkan gen defensin 1 mendukung penelitian sebelumnya yaitu A. cerana dan A. dorsata berkerabat lebih dekat dengan A. mellifera dibandingkan dengan A. florea.
Keyword: gen defensin 1, pertahanan koloni lebah, filogeni lebah Apis, variasi intron

Judul: Karakterisasi intron pada gen inositol 1,4,5-triphosphate receptor itpr lebah apis mellifera
Abstrak: Lebah Apis mellifera merupakan salah satu kelompok serangga yang bersifat sosial. Lebah pekerja bertugas mencari pakan dan kembali ke sarang berdasarkan memori yang terbentuk di otak. Bagian otak lebah yang berfungsi mengintegrasikan sinyal yang masuk dari berbagai sumber adalah korpus pedunkulata. Salah satu gen yang terekspresi tinggi di korpus pedunkulata adalah gen inositol 1.4.5- triphosphate receptor (itpr). Gen itpr lebah A. mellifera telah dikarakterisasi sebanyak tiga kilo basa yang terdiri atas tujuh ekson dan enam intron. Ekson satu dan tujuh telah dikarakterisasi berdasarkan CDNA (complementary DNA) dan belum diketahui keberadaan intronnya. Penelitian ini bertujuan untuk mengkarakterisasi runtunan intron pada ekson satu dan tujuh gen itpr. DNA diekstraksi dari toraks lebah pekerja. Peruntunan DNA menggunakan primer yang sama untuk amplifikasi DNA. Hasil peruntunan ekson satu menunjukkan terdapat intron berukuran 83 basa. Intron tersebut diawali dengan basa GT dan diakhiri dengan basa AG. Komposisi basa intron didominasi olch basa AT (90,6%) dan diklasifikasikan ke dalam fase 0. Peruntunan ekson tujuh belum berhasil dilakukan karena kemungkinan daerah penempelan primer pada DNA target hasil purifikasi telah tidak ada.
Keyword: 

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition