Judul: Simulasi transistor bipolar dengan metode finite difference
Abstrak: Transistor bipolar disebut juga dengan transistor dwikutub. Transistor dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus, dimana terdapat dua macam arus yaitu arus masukan (I) dan arus keluaran (Ic). Arus keluaran (lc) berbanding lurus dengan arus masukan IE. Penelitian ini meneliti transistor bipolar pnp yang berperan sebagai penguat (basis ditanahkan). Dalam pembuatan transistor pnp, awalnya daerah tipe-n dibentuk di atas substrat tipe-p. Kemudian di atas daerah tipe-n dibentuk daerah p". Daerah p* mempunyai konsentrasi doping yang paling besar dan + daerah ini disebut juga dengan emitor. Doping daerah tipe-n lebih rendah dari tipe-p", tetapi lebih besar dari daeralı tipe-p dan daerah ini disebut basis. Doping yang paling rendah adalah pada daerah tipe-p, daerah ini disebut kolektor. Dalam pembuatan transistor pnp harus sangat memperhitungkan lebar basis. Lebar basis tidak boleh terlalu lebar atau terlalu sempit. Jika lebar basis cukup besar maka arus tidak akan terjadi pada transistor sehingga transistor tidak bekerja. Lebar atau sempitnya daerah basis erat kaitan dengan suatu parameter yaitu parameter co. Untuk disain transistor yang baik, nilai co hampir sama dengan 1, yaitu a = 0.990 – 0.998. Tujuan penelitian ini adalalı menghitung potensial, medan listrik dan karakteristik arus- tegangan transistor pnp. Untuk mewujudkan tujuan, maka dalam penelitian ini ditinjau beberapa faktor yang mempengaruhi nilai dari potensial, medan listrik dan karakteristik arus-tegangan, yaitu dengan memvariasikan besar konsentrasi doping, besar tegangan panjar dan lebar basis. Pada penelitian ini, transistor dengan lebar basis 1 µm untuk kosentrasi 5x1018 - 5x1016. 5×10¹³ cm³ yang bekerja pada tegangan VEB =0.85 V dan VCB = -6 V sampai -1 V merupakan transistor yang cukup bagus, karena dari hasil simulasi ciri-ciri potensial, medan listrik dan karakteristik arus-tegangan yang diharapkan bisa diperoleh dan menghasilkan parameter = 0.994 - 0.993.
Keyword: 

Judul: Simulasi Piranti N-Mosfet Dengan Metode Finite-Difference
Abstrak: Piranti MOSFET (Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). adalah bagian terpenting dari rangkaian terintegrasi berskala sangat besar (Very Large Scale Integrated Circuit - VLSI) seperti pada mikroprosesor dan memori. Penelitian piranti MOSFET terus dikembangkan untuk memperoleh piranti yang lebih kecil lagi dengan karakteristik yang lebih baik. Di dalam rangkaian terintegrasi mikroprosesor yang ada saat ini terdapat dua juta sarnpai sembilan juta transistor. Transistor yang digunakan adalah MOSFET. Jadi perkembangan teknologi MOSFET sangat berpengaruh terhadap perkembangan teknologi komputer dan elektronika. MOSFET adalah suatu piranti dengan empat terminal, yaitu: drain, gale, source dan base. Dalarn simulasi ini yang akan dimodelkan adalah n-MOSFET yaitu MOSFET dengan n-channel dimana operasi piranti ini didasarkan atas pembentukan II-challllel pada substrat semikonduktor tipe-p. Piranti n-MOSFET terdiri dari substrat semikonduktor tipe-p dan dua daerah semikonduktor tipe-n + pada bagian kontak source dan draill. Kontak logam pada daerah oksida disebut gale. Bagian tengah dari piranti ini identik dengan dioda persambungan logam dengan oksida semikonduktor (MOS - Metal Oxide Semiconductor).
Keyword: 

Judul: Posisi Filogenetik Kura-Kura Carettochelys Insculpta  (Reptillia: Testudinata)
Abstrak: Carettochelys insculpta is an endemic freshwater turtle of southern Papua and northern Australia. Phylogenetic position of this turtle is remain unresolved until now. Most of the research conducted show close relationships of C. insculpta and members of Trionychidae family. However, some of the research show distance between C. insculpta and members of Trionychidae family. This research is conducted to analyze phylogenetic relationship between C. insculpta and other members of Testudinata using 12S rRNA, 16S rRNA, and both gene as markers. DNA samples were obtained from three different organisms of C. insculpta. Two species used as outgroups were Alligator mississippiensis and Iguana iguana. Phylogenetic analysis was carried out using Neighbor-Joining method with Felsenstein 1981 (F81) modeltest. A polytomy tree of Testudinata was produced by using 12S rRNA gene. However, analysis using 16S rRNA and both genes as markers confirmed that C. insculpta was located between the Chelonidae and the Trionychidae family.
Keyword: