Judul: Investigation of Second Harmonic Generation Spatial Dispersion in Silicon for Any Polarization
Abstrak: Generasi harmonik kedua (SHG) merupakan proses optik non-linier yang ditunjukkan dengan foton berinteraksi dengan bahan non-linier untuk membentuk foton baru yang memiliki dua kali frekuensi foton awal. Pengukuran generasi harmonik kedua menggunakan model ikat hiperpolarisabilitas sederhana (SBHM) dapat digunakan untuk mempelajari orientasi ikatan pada bahan sentrosimetris dengan cara yang lebih sederhana tanpa melalui analisis tensor suseptibilitas yang kompleks. Dispersi spasial merupakan sumber generasi harmonik kedua yang berasal dari perbedaan besarnya amplitudo medan listrik makro untuk setiap atom pada kedalaman material yang berbeda. Penelitian ini dilakukan untuk memodelkan respon dari bagian bulk silikon (111) ketika dikenai medan listrik dengan variasi sudut polarisasi masukan. Respon tersebut dapat direpresentasikan melalui intensitas generasi harmonik kedua dalam arbitrary units. Koefisien transmisi Fresnel diperhitungkan dalam simulasi karena dapat digunakan untuk melihat semua sudut polarisasi masukan. Intensitas keluaran generasi harmonik kedua pada silikon (111) dihitung untuk polarisasi xp dan xs. Pada polarisasi xp terjadi perubahan polarisasi masukan dari s ke p. Terlihat adanya perubahan fase dan perubahan puncak intensitas untuk tiap variasi sudut polarisasi masukan pada polarisasi xp dan xs. Perubahan puncak intensitas terjadi karena adanya dispersi spasial yang berasal dari simetri. Perbandingan perubahan puncak intensitas menunjukkan pengaruh serta kontribusi dispersi spasial pada bulk silikon (111)., Second harmonic generation (SHG) is a non-linear optical process demonstrated by photons interact with non-linear materials to form new photons which have twice the frequency of the original photons. The second harmonic generation measurement using the simplified bond hyperpolarizability model (SBHM) can be used to study the bond orientation of centrosymmetric materials in a simpler way without going through complex susceptibility tensor analysis. Spatial dispersion is the source of the second harmonic generation that comes from the difference in the magnitude of the macro electric field amplitude for each atom at different material depths. This research was conducted to model the response of the bulk silicon (111) when subjected to an electric field with varying input polarization angle. The response can be represented by the intensity of the second harmonic generation in arbitrary units. The Fresnel transmission coefficient is taken into account in the simulation because it can be used to view all input polarization angles. The output intensities of the second harmonic generation on silicon (111) were calculated for the xp and xs. In the xp polarization, the input polarization changes from s to p. It can be seen that there is a phase change and a change in peak intensity for each variation of the input polarization angle on the xp and xs. The change in peak intensity occurs because of the spatial dispersion that comes from the symmetry. Comparison of changes in peak intensity shows the influence and contribution of spatial dispersion on bulk silicon (111).
Keyword: bulk, second harmonic generation, silicon, simplified bond hyperpolarizability model, spatial dispersion

Judul: Analisis Model Hiperpolarisabilitas Nonlinier untuk Semikonduktor Bersimetri Cnv dan Oh
Abstrak: Teori Simplified Bond Hyperpolarizability Model (SBHM) dikemukakan oleh Aspnes pada tahun 2002. Model ini menyederhanakan model fenomenologis lainnya dengan menganggap bahwa muatan di permukaan dan didalam bahan mengalami polarisasi nonlinier hanya searah ikatan atom saja yang selanjutnya menghasilkan radiasi nonlinier. Model ini memiliki keunggulan yaitu menghasilkan variabel independen yang lebih sedikit dalam tensor suseptibilitasnya. Penelitian ini dilakukan untuk memodelkan respon dari bagian permukaan dan bulk Silikon ketika dikenai medan listrik. Respon tersebut dapat direpresentasikan melalui bentuk tensor suseptibilitas dan hiperpolarisabilitas. Silikon merupakan material centrosymmetric yang memilki simetri inversi sehingga tensor suseptibilitas yang terkait dengan generasi harmonik tinggi pada permukaan merupakan tensor rank tiga sedangkan pada bulk merupakan tensor rank empat. Bagian permukaan Silikon memilki jenis simetri C3v untuk Si(111) dan C2v untuk untuk Si(100). Bulk Silikon memilki simetri berjenis Oh. Intensitas keluaran generasi harmonik kedua dan ketiga dari masing-masing orientasi bidang Silikon dihitung untuk keempat kasus polarisasi yaitu: ss, sp, ps dan pp.
Keyword: generasi harmonik, intensitas, polarisasi, tensor suseptibilitas

Judul: Diare pada anak sapi akibat infeksi virus corona bovine
Abstrak: Melihat tingginya mortalitas anak sapi yang berumur kurang dari tiga bulan di Indonesia mencapai 20 %, perlu kiranya mempelajari sebab-sebab kematiannya. Diare sering mengakibatkan kematian pada anak sapi yang baru lahir, salah satu sebab diare adalah infeksi virus Corona Bovine. Kasus diare oleh virus Corona Bovine (VCB) belum pernah dilaporkan di Indonesia, meskipun demikian kita harus was- pada terhadap sapi-sapi import. Virus Corona Bovine (VCB) mempunyai 6 karakteristik yaitu 1. Struktur permukaannya mempunyai paku-paku tegak lurus; 2. Ukuran besar 120 nm; 3. Berat jenis 1,18 gr/ml; 4. Replikasi dalam kantung sitoplasma; 5. Mempunyai inti RNA; 6. Mempunyai amplop yang mengandung lemak. VCB banyak menyerang anak sapi umur 5-21 hari dan ditularkan melalui feses, oleh hewan sakit atau hewan carier juga alat-alat yang terkontaminasi feses. Masa inkubasinya 19-24 jam dengan morbiditas dan mortalitas masing-masing mencapai 100% dan 30%, sehingga kerugian ekonomi yang disebabkan oleh infeksi VCB cukup berarti bagi suatu usaha peternakan sapi. Target organ VCB adalah villi usus halus dan usus besar, yang mengakibatkan atropy villi, malabsorpsi dan dehidratasi. ...
Keyword: