Judul: Penumbuhan film tipis bahan PbZrxYi1-xO3 doping In2O(PIZT) dengan metode chemical solution deposition(CSD)
Abstrak: Penumbuhan Film Tipis Bahan PbZrTi1-xO3 Doping In₂O3 (PIZT) dengan Metode Chemical Solution Deposition (CSD). Dibimbing oleh Ir. Irzaman, MSi dan Dr. Kiagus Dahlan. Telah dilakukan penumbuhan film tipis PbZr, Ti₁-xO3 doping In₂O3 (PIZT) dengan metode chemical solution deposition (CSD) pada kecepatan putaran 3000 rpm selama 30 detik dan di annealing pada suhu 750 °C selama 3 jam. Dua substrat digunakan yaitu Si(100) dan Pt(200)/SiO2/Si(100). Hasil analisis XRD menunjukkan bahwa struktur kristal serbuk dan film tipis PIZT adalah tetragonal. Berdasarkan morfologi permukaan dengan metode SEM menunjukkan serbuk dan film tipis masih heterogen, sedangkan analisis EDX secara kualitatif menunjukkan bahwa unsur-unsur pembentuk PIZT telah muncul.
Keyword: 

Judul: Uji sifat listrik struktur kapasitor film tipis bahan PbZr,Ti1-xO3 doping In2O3(PIZT)
Abstrak: Telah dilakukan penelitian uji sifat listrik kapasitor film tipis PbZrTi1.xO3 doping In₂O3 (PIZT). Variasi doping In₂O3 yang diberikan pada PbZr,Ti₁.xO3 (PZT) adalah 0,5%; 1% dan 10%. Uji sifat listrik C-V dari film tipis PIZT berstruktur MIS (metal insulator semiconductor) diperoleh nilai konstanta dielektrik film (film) adalah 34,8; 48,5; 51,3 untuk variasi doping 0,5%10%. Kapasitans maksimum film tipis PIZT yang diperoleh dari pengukuran adalah 7, 39 * 10 ^ - 11 F; 1,03 x 10-10 F; 1,09 x 10-10 F. Rapat muatan oksida tetap dalam film tipis PIZT masing-masing 5.03 * 10 ^ 10 * c * m ^ - 2 4.64 * 10 ^ 10 * c * m ^ - 2 2.04 * 10 ^ 10 * c * m ^ - 2 pada pengukuran suhu kamar (300 K) untuk frekuensi sumber 10 kHz. Uji sifat listrik I-V dari film tipis PIZT berstruktur MIM insulator metal) diperoleh nilai konduktivitas PZT doping indium 0,5%; 1%; 10% yaitu 1, 32 * 10 ^ - 12 * (Omega*m) ^ - 1 3.34 * 10 ^ - 12 * (Omega*m) ^ - 1 4,32 x 10" (2m). Sedangkan nilai resistivitas dari film tipis PIZT yaitu 7, 58 * 10 ^ 11 2 m; 2, 99 * 10 ^ 11 Ω m; 2.32 * 10 ^ 11 Ω m. Semakin besar doping indium oksida yang diberikan maka nilai kapasitans dan nilai dielektrik PZT semakin besar sedangkan rapat muatan oksida tetap semakin kecil yang menyebabkan konduktivitas PZT meningkat.
Keyword: 

Judul: Mitochondrial DNA Gene Organization and Phylogenetic Relationship of Naja siamensis
Abstrak: Naja siamensis is one of Asiatic cobra in the Family of Elapidae, known as a cryptic snake. It has many morphological variations that lead to misidentification. Misidentification can cause the wrong concept in developing antivenom types due to high snakebite cases occur in Thailand. Thus, an accurate species identification using a molecular approach is crucially required. Mitochondrial DNA has been used widely in snake molecular studies. These studies were aimed to determine the arrangement of the N. siamensis partial mitochondrial genes using reptile-oriented primers and to reveal the phylogenetic relationship among other species of Asian cobra. DNA extraction was carried out based on the standard DNA salting-out protocol and was conducted by bioinformatics analysis using BLASTn and MEGA 6 software. Gene annotation was performed against N. kaouthia complete genome. A total of 3121 bp of N. siamensis mtDNA genes were sequenced consisting of partial of six regions: 16S rRNA, ND1, tRNA-Ile, CRII region, tRNA-Leu, tRNA-Gln, and COI genes. The mtDNA gene organization of N. siamensis was predicted to has a similar pattern with the common Elapidae mtDNA gene organization. This study showed that there is a monophyletic form in Naja genus and N. kaouthia is the closest species with N. siamensis based on partial 16S rRNA and ND1 gene.
Keyword: 16S rRNA, Elapidae, ND1, phylogenetic relationship