Judul: Analisis Kestabilan Model Pertumbuhan Logistik tanpa dan dengan Waktu Tunda
Abstrak: Model pertumbuhan logistik merupakan model pertumbuhan populasi yang dipengaruhi oleh daya dukung lingkungan yang membatasi pertumbuhan populasi. Dalam tulisan ini dianalisis model logistik tanpa dan dengan waktu tunda. Pada model tanpa waktu tunda diperoleh dua titik tetap. Titik tetap pertama tidak stabil saat jumlah populasi sama dengan nol. Titik tetap kedua stabil saat jumlah populasi sama dengan daya dukung lingkungan. Hasil simulasi numerik menunjukan bahwa pada model dengan waktu tunda muncul parameter nilai kritis tundaan yang menyebabkan terjadinya perubahan kestabilan di sekitar parameter. Adanya perubahan kestabilan menunjukan terjadinya bifurkasi Hopf.
Keyword: carrying capacity, delay time, Hopf bifurcation, logistic equation

Judul: Analisis Kestabilan Model Mangsa-Pemangsa Hutchinson Dengan Waktu Tunda Dan Upaya Pemanenan Konstan
Abstrak: Model dalam tulisan ini disusun dari modifikasi model Lotka-Volterra dengan mempertimbangkan waktu tunda terhadap populasi mangsa dan sebuah parameter pemanenan konstan pada kedua populasi mangsa-pemangsa. Analisis kestabilan dilakukan terhadap model tanpa waktu tunda dan dengan waktu tunda. Untuk model tanpa waktu tunda diperoleh tiga titik tetap yang bersifat sadel dan simpul/spiral stabil, sedangkan titik tetap pada model dengan waktu tunda terdapat titik tetap yang bersifat sadel atau spiral stabil/tidak stabil. Untuk model dengan waktu tunda, semakin besar nilai waktu tunda mengakibatkan munculnya limit cycle dan terjadi bifurkasi Hopf. Dengan mengupayakan nilai pemanenan jatuh pada selang tertentu, maka kestabilan sistem dapat dipertahankan.
Keyword: model Lotka-Volterra, waktu tunda, pemanenan, bifurkasi Hopf, mangsa-pemangsa

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4