Judul: Keragaman genetik beberapa isolat phytophtora palmivora penyebab penyakit gugur buah kelapa berdasarkan penanda Random Amplified polymorphic DNA (RAPD)
Abstrak: P. palmivora, P. arecae dan P. nicotianae merupakan cendawan patogen tumbuhan yang menyebabkan penyakit gugur buah pada tanaman kelapa. Penyakit ini menyebabkan buah kelapa gugur sebelum waktu panen. Salah satu langkah awal untuk dapat mengendalikan penyakit ini yaitu dengan mempelajari struktur populasi patogen di lapang dengan mengamati keragaman genetik dari populasi Phytophthora spp. tersebu!. Salah satu cara untuk mengetahui keragaman genetik yaitu melalui penanda Random Amplified Polymorphic DNA. Berdasarkan hal-hal tersebut dilakukan penelitian ini dengan tujuan untuk memgetahui keragaman genetik antara isolat-isolat P. palmivora dan mendeterminasi patogenisitas isolat P. palmivora pada beberapa kultivar kelapa.
Keyword: Phytophthora palmivora, Penenda Random Amplified Polymorphic, DNA (RAPD), Penyalur gugur buah

Judul: Penanda Molekular Ketahanan Tanaman Kelapa terhadap Penyakit Gugur Buah Phytophthora
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk melacak individu pohon kelapa yang tahan dan yang rentan terhadap penyakit gugur bauh (GB) Phytophthora, melacak penanda isozim dan RAPD untuk sifat ketahanan tanaman kelapa terhadap penyakit terse but. Populasi pohon kelapa Genjah Salak (GSK) yang ditanam di Kebun Instalasi Loka Penelitian Pola Tanam Kelapa Pakuwon lebih tahan terhadap penyakit GB Phytophthora dibandingkan dengan populasi pohon kelapa lainnya. Dari 238 pohon kelapa GSK yang dianalisis, 226 pohon kelapa tahan dan 12 pohon kelapa rentan penyakit. Pola pita isozim peroksidase (PER) bisa membedakan kelapa GSK yang tahan dari yang rentan penyakit. Isozim PER-7 ditemukan pada pohon kelapa yang tahan dan PER-8 pada kelapa yang rentan penyakit. Akan tetapi pad a populasi pohon kelapa lainnya hubungan sifat tahan atau rentan penyakit tidak konsisten dengan pola pita PER. Isozim PER-7 ditemukan pada populasi pohon kelapa Dalam Bali (DBI), kelapa Genjah Kuning Nias (GKN), dan kelapa Genjah Hijau Nias (GHN) yang rentan penyakit. Isozim PER-8 ditemukan pada populasi pohon kelapa DBI yang tahan, tetapi ditemukan juga pada kelapa Hibrida PB-121 yang rentan penyakit. Sebuah pita DNA berukuran 375 pb (pasangan bas a) terampliflkasi pada tanaman kelapa GSK yang rentan menggunakan primer B nomor 17 (Operon Teknologi, California), dan diberi nama fragmen DNA OB17375 • Fragmen DNA ini ditemukan juga pad a populasi pohon kelapa Hibrida PB-121 dan kelapa DBI yang rentan, tetapi tidak ditemukan pada populasi pohon kelapa GKN dan kelapa GHN yang juga rentan penyakit.
Keyword: Molecular marker, Phytophthora coconut disease, Peroxidase isozyme, RAPD

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4