Judul: Keragaman Genetik Ikan Kembung (Rastrelliger spp.) Berdasarkan Gen 16S rRNA dan COI di Perairan Utara Jawa
Abstrak: Ikan kembung (Rastrelliger spp.) merupakan kelompok ikan pelagis kecil yang menjadi komoditas utama penangkapan di Perairan Utara Jawa. Untuk pengelolaan yang lebih baik, penentuan spesies dan keragaman genetik ikan kembung harus didasarkan pada analisis morfologi dan genetik. Penelitian ini bertujuan memvalidasi spesies dan menduga keragaman genetik ikan kembung melalui analisis molekuler berdasarkan gen 16S rRNA dan COI. Penelitian ini menggunakan teknik DNA Barcoding. Contoh ikan kembung diawetkan dalam microtube dengan larutan alkohol 96%. Di laboratorium, contoh diisolasi dan diekstraksi menggunakan kit komersial Gene Aid. Hasil disekuensing dan disejajarkan dengan spesies lain yang berasal dari GenBank pada program MEGA 5. Hasil penelitian menunjukkan bahwa spesies ikan kembung yang diidentifikasi adalah spesies Rastrelliger kanagurta. Rastrelliger kanagurta yang diteliti berasal dari nenek moyang yang sama dan memiliki tingkat keragaman genetik yang tinggi. Hal ini menunjukkan tingkat stabilitas dan kebugaran reproduksi ikan kembung yang diuji dalam kondisi yang baik. Upaya pengelolaan yang direkomendasikan adalah Rastrelliger kanagurta sebaiknya dikelola pada wilayah pengelolaan yang sama.
Keyword: 16S rRNA gene, DNA Barcoding, COI gene, Rastrelliger spp

Judul: Identifikasi Molekuler Ikan Kembung (Rastrelliger spp.) di Laut Jawa dan Selat Madura sebagai Dasar Pengelolaan
Abstrak: Ikan kembung (Rastrelliger spp.) merupakan ikan pelagis kecil dan ekonomis penting yang biasa ditemukan di perairan Indonesia. Ikan kembung ditemukan di Laut Jawa dan Selat Madura dan menjadi salah satu target utama dalam perikanan tangkap. Identifikasi spesies yang akurat merupakan informasi penting untuk tujuan manajemen yang lebih baik. Penelitian ini bertujuan untuk mengidentifikasi secara molekuler spesies ikan kembung dengan menggunakan marka COI di wilayah tersebut. Sebanyak 15 ekor ikan kembung dikumpulkan dan diawetkan dengan menggunakan alkohol 96%. Di laboratorium, jaringan yang diambil dari bagian belakang sirip dorsal diisolasi dan diekstraksi, kemudian diamplifikasi dengan PCR sebelum proses sekuensing. Hasil sekuensing divalidasi pada BLASTn, menunjukkan bahwa 12 contoh termasuk R. kanagurta dan 3 contoh termasuk R. brachysoma dengan kemiripan sekuen 98-100%. Sekuen basa nukleotida kemudian dianalisis menggunakan software MEGA 7.0. Jarak genetik ikan kembung di perairan tersebut menunjukkan kekerabatan yang dekat. Hasil pohon filogeni menunjukkan pencampuran populasi sehingga ikan kembung di perairan tersebut dapat dikelola dalam satu unit pengelolaan.
Keyword: gen COI, identifikasi molekuler, Rastrelliger spp

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4