Judul: Sintesis, Energi Gap Dan Analisis Struktur Kristal Film Ferroelektrik Litao3 Diatas Substrat Silikon.
Abstrak: Film tipis merupakan material yang memberikan harapan baru dalam pengembangan devais sel surya agar memenuhi persyaratan, diantaranya biaya rendah dan stabilitas material yang baik. Pembuatan lapisan tipis sudah banyak dikembangkan dengan menggunakan metode tertentu. Litium Tantalat merupakan bahan yang memiliki konstanta dielektrik yang tinggi, serta kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi (high charge storage capacity). Tujuan dari penelitian ini adalah membuat film tipis LiTaO3 pada substrat Si tipe-p (100) dan tipe-n (111), menentukan ketebalan lapisan tipis serta melakukan uji sifat optik, dan struktur kristal dari film tipis LiTaO3 yang dibuat pada suhu annealing 600 °C, 650 °C, 700 °C, 750°C, dan 800 °C selama 8 jam dengan karakterisasi XRD (X-ray diffraction) dan spektroskopi UV-Vis. Pada penelitian ini ketebalan film tipis litium tantalat (LiTaO3) dihitung dengan metode volumetrik pada substrat silikon (100) tipe-p adalah 2.37526 μm dan substrat silikon tipe-n adalah 1.952 μm pada suhu 700 oC. Berdasarkan analisis UV-Vis film tipis litium tantalat (LiTaO3) yang ditumbuhkan pada substrat silikon (100) tipe-p diketahui bahwa LiTaO3 dapat diaplikasikan pada sensor infra red (IR) karena selain memiliki serapan pada cahaya tampak, juga terjadi serapan pada panjang gelombang infra red (IR). Energy bandgap film tipis litium tantalat silikat (LiTaO3) pada substrat silikon (100) tipe-p 2.94 eV pada suhu 650 oC dan energi bandgap pada substrat silikon (111) tipe-n 3.06 eV. Analisis struktur kristal pada film tipis litium tantalat (LiTaO3) diperoleh struktur kristal heksagonal dan film tipis litium tantatalat silikat (LiTaSiO5) pada diperoleh struktur kristal monoklinik.
Keyword: Energi bandgap, film tipis litium tantalat, sifat optik, struktur kristal

Judul: Karakterisasi Optik dan Listrik Film LiTaO3 (Lithium Tantalate) pada Substrat Silikon [Si(111)] Tipe-n/n+
Abstrak: Telah berhasil dibuat film LiTaO3 pada substrat silikon [Si(111)] tipe-n/n+ dengan variasi suhu annealing selama 8 jam pada suhu 550 oC, 575 oC, 600 oC, dan 625 oC. Metode yang digunakan yaitu Chemical Solution Deposition (CSD) dengan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan 1 M. Analisis energi band gap menggunakan metode Tauc Plot menghasilkan nilai sebesar 2.59 - 2.72 eV. Hasil analisis XRD untuk film LiTaO3 pada suhu annealing 600 oC menunjukkan bahwa struktur kristalnya membentuk hexagonal dengan parameter kisi a = b = 5.199Å dan c = 13.890Å. Hasil uji optik menunjukkan bahwa film LiTaO3 dapat mengabsorbsi spektrum Inframerah dekat dengan transisi indirect. Hasil uji listrik menunjukkan bahwa film LiTaO3 termasuk material semikonduktor
Keyword: LiTaO3, electrical properties, optical properties, n/n+-type silicon [Si(111)], XRD, Karakterisasi XRD, X-Ray difraction, Metode tauc plot, Konduktivitas, Konstantra dielektrik

Judul: Kajian Patologi Hog Cholera Kasus Outbreak Tahun 2006 Di  Kabupaten Jayapura Provinsi Papua
Abstrak: Hog cholera merupakan salah satu penyakit viral pada babi yang bersifat fatal, secara sporadik penyakit ini masih di temukan di Kabupaten Jayapura dan di anggap sebagai salah satu penyebab kematian babi. Untuk memperoleh pemahaman komprehensif tentang hog cholera telah di lakukan penelaahan dengan tujuan untuk mengetahui 1). Bagaimana perubahan patologi organ babi yang terinfeksi hog cholera, apakah perubahan ini sama dengan perubahan yang di temukan pada kasus-kasus terdahulu di luar Papua. (2). Distribusi antigen hog cholera (3). Bagaimana gambaran histopatologi organ babi dengan tinjauan khusus perubahan pada buluh darah.
Keyword: