Judul: Variasi Individu dalam Keberhasilan Produksi Semen Beku Domba Garut
Abstrak: Tujuan penelitian ini adalah untuk mempelajari variasi individu dalam keberhasilan produksi semen beku domba Garut. Semen diperoleh dari empat ekor domba Garut yang telah dewasa kelamin (Sinta, Wulung, Jabar, Batara), milik Balai Inseminasi Buatan (BIB) Lembang, Bandung. Semen dikoleksi dengan menggunakan vagina buatan dan dievaluasi secara makro- dan mikroskopis. Semen diencerkan dengan menggunakan pengencer paten Andromed®, diekuilibrasi, dikemas dalam straw ukuran 0.25 mL, dan dibekukan diatas uap nitrogen cair sesuai dengan standar prosedur BIB. Hasil dari penelitian ini menunjukkan adanya perbedaan kualitas semen segar tiap individu domba. Wulung menunjukkan motilitas semen segar paling tinggi (82.50%), berbeda nyata dengan Batara yang menunjukkan motilitas semen segar paling rendah (75.50%). Tidak ada perbedaan post thawing motility (PTM) pada semua domba. PTM berada antara 40.00-41.67%. Recovery rate spermatozoa domba Batara paling tinggi dibandingkan dengan yang lain. Penelitian ini menyimpulkan bahwa variasi individu mempengaruhi kualitas semen beku domba Garut.
Keyword: semen beku, kemampuan pembekuan, domba Garut, tingkat pemulihan

Judul: Kualitas semen beku domba Garut, Multon Charollais-Garut (MG) dan St. Croix-Garut (HG)
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari kualitas semen beku pada Domba Garut dan persilangannya yaitu Multon Charollais-Garut (MG) dan St Croix-Garut (HG). Studi ini dilaksanakan di Lapangan Percobaan Balai Penelitian Ternak Jl. Pajajaran Bogor pada bulan Januari sampai Maret 1999. Ternak terdiri atas 21 ekor domba jantan yaitu 8 ekor domba Garut, 7 ekor Multon Charollais-Garut (MG) dan 6 ekor St Croix-Garut (HG). Ternak tersebut diperoleh dari Lapangan Percobaan Balai Penelitian Ternak Jl. Pajajaran Bogor. Rancangan Acak Lengkap (RAL) dengan jumlah ulangan yang berbeda digunakan untuk menganalisis data. Domba merupakan obyek penelitian (x) dengan tiga perlakuan bangsa yaitu D1 adalah domba Garut dengan 8 ulangan, D2 adalah persilangan Multon Charollais-Garut (MG) dengan 7 ulangan dan D3 adalah persilangan St Croix-Garut (HG) dengan 6 ulangan. Pengaruh perlakuan dipelajari dengan uji Nonparametrik Kruskal-Wallis. Hasil studi ini menunjukkan bahwa bangsa domba berpengaruh nyata terhadap motilitas dan persentase hidup sperma (1/d) 1 jam dan 1 minggu setelah pembekuan (P<0,05) tetapi tidak berpengaruh nyata terhadap motilitas dan l/d 24 jam setelah pembekuan (P>0,05). Secara umum, Domba St Croix-Garut (HG) mempunyai rataan motilitas dan l/d setelah pembekuan yang tertinggi kemudian diikuti oleh domba Garut (GG) dan Multon Charollais-Garut (MG).
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4