Judul: Analisis komponen komponen ragam rancangan dengan kelompok kelompok tak-lengkap berkait(Analysis of Variance's Components for connected incomplete bloks design)
Abstrak: Rancangan acak kelompok tak-lengkap digunakan untuk menganilisis suatu data hasil percobaan 110 klon lokal ubi jalar (Ipomea batatas (L) LAM) yang berasal dari Jawa, Sumatera dan Irian Jaya serta dua klon pembanding yaitu SQ-27 dan Prambanan. Percobaan ini mempunyai 11 kelompok tal- lengkap berukuran dengan 3 anak-kelompok dan tiap anak kelompok berukuran 10+2 satuan percobaan yang dicobakan pada 2 musim tanam. Analisis menghasilkan suatu model komponen-komponen ragam untuk menggambarkan hasil bobot umbi ubi jalar. Pengaruh musim, kelompok tak-lengkap, klon yang diuji terlihat berbeda nyata, sedangkan dua klon pembanding tidak berbeda nyata sehingga seleksi klon dilakukan dengan mencari beda rataan bobot 110 klon yang diuji dengan rataan dua klon pembanding tiap kelompok pada tiap musim. Hasil soleksi klon diperoleh bahwa klon S-138 merupakan klon yang mempunyai bobot tertinggi karena mempunyai beda rataan bobot tertinggi dan juga diperoleh 7 klon dari 110 klon yang diuji mempunyai beda rataan tertinggi baik pada musim I maupun pada musim II yang menunjukkan bahwa ketujuh klon tersebut mempunyai bobot umbi tinggi.
Keyword: 

Judul: Pendugaan parameter genetik dan hubungan antara hasil dengan beberapa sifat agronomis serta analisis persilangan diallel pada ubi jalar (Ipomoea batatas (L.) Lamb.)
Abstrak: Parameter genetik dan hubungan antara hasil dengan beberapa sifat agronomis yang lain diduga dengan menggunakan percobaan lapang yang dilakukan pada musim tanam Nopember 1982 sampai Maret 1983 dan Juni sampai Oktober 1983 di Malang, dan Juni sampai Oktober 1983 di Lampung (Percobaan 1). Pada percobaan ini digunakan 21 klon ubi jalar dan percobaan dilaksanakan dengan menggunakan Rancangan Acak Kelompok dengan tiga ulangan.
Keyword: 

Judul: Photosensor producing based on ferroelectric material of Ba0,5Sr0,5TiO3 doped by Ferrium Oxide (Fe2O3) on a P-Type Silicon Substate Si (100) applied as a digital camera with a single pixel image sensor
Abstrak: Thin film Ba0,5Sr0,5TiO3 (BST) doped with Fe2O3 was grown on p-type silicon substrate (100) using chemical solution deposition (CSD). It used the solvent 2-methoxyethanol with annealing temperature of 850°C and the doping treatment Fe2O3 of 2.5, 5, 7.5, 10 % of the mass formed BST. Pure BST had the highest absorption of 600 nm of light wavelength. Additions Fe2O3 moves highest absorption in the range of 560 nm. Fe2O3 addition was strengthening thin film sensitivity to the effects of light. In general, doping Fe2O3 10% was result the best absorbance and current-voltage of BST thin film. Electrical properties of thin films BST include dielectric, photoconductivity, and dissipation energy. Based on the current-voltage (I-V) analysis, pure BST and doped BST showed photodiode properties. Dielectric values obtained in the range from 23.32 to 243. Based on electrical conductivity data and energy dissipation, BST thin films have shown photodiode characteristics and are therefore suitable as light sensors. The image sensor in a digital camera is also a light sensor. This BST thin film has been scientifically proven to be a light sensor and also it can be applied as an image sensor. This is a novelty image sensor based on thin film Ba0.5Sr0.5TiO3.
Keyword: barium strontium titanate, thin film, photodiode, image sensor, digital camera