Judul: Analisis keragaman nenas koleksi PKBT berdasarkan penanda morfologi dan penanda RAPD
Abstrak: Ada dua puluh dua aksesi nenas yang berasal dari sembilan lokasi di Indonesia dan satu aksesi berasal dari Ivory Scoat dimana telah dianalisis keragaman genetiknya berdasarkan penanda morfologi dan penanda RAPD. Terdapat 49 karakter morfologi dimana koefisien kemiripan genetik (0,4-0,97). Analisis gerombol pada penanda morfologi membentuk dendogram denga koefisien kemiripan 0,36-0,84 dan pada koefisien kemiripan0,38 dapat dibentuk dua kelompok utama sedangkan pada penanda RAPD, analisis gerombolnya membentuk dendogram denagn koefisien kemiripan 0,62-1,00, pada koefisien kemiripan 0,68 terbentuk 4 kelompok utama.
Keyword: 

Judul: Analisis keragaman genetik nenas (Ananas comosus (L). Merr) berdasarkan penanda morfologi dan penanda RAPD
Abstrak: Keragaman genetik nenas pada kebun koleksi PKBT dapat diungkap melalui analisis morfologi dan molekuler. Penanda yang dapat digunakan untuk mengetahui keragaman genetik nenas adalah RAPD ( Random Amplified Polymorphic DNA). RAPD merupakan teknik yang lebih cepat dan mudah dilakukan karena tidak perlu diketahui sekuen DNA sebelumnya dan material tanaman yang dibutuhkan lebih sedikit. Penelitian ini bertujuan menganalisis dan mengevaluasi keragaman aksesi nenas berdasarkan penanda morfologi dan genetik serta mengetahui keragaman genetik nenas berdasarkan penanda morfologi dan penanda RAPD koleksi Pusat Kajian Buah-buahan Tropika (PKBT) Keragaman morfologi dapat diamati pada penanda morfologi sebanyak 31 karakter meliputi organ : (1) daun yaitu 15 karakter, (2) buah yaitu 16 karakter dan diperoleh 116 karakter pembeda. Hasil analisis pengelompokan diperoleh sebanyak 3 kelompok pada tingkat kemiripan 0.62 yaitu (1) grup A meliputi C-KAS, SC-JPG, C-LMPG1, C-LMPG3, SC-SMDG, Q-KTM1, Q-KTM2, QOGIL, Q-RIAU, QH-BBEL, Q-BLI, QC-P18, QC-AZRI, QC-V49, C-RNIS, QCP5/ 12, CNN, C-SMUT2, QC-P10, SC-WNSBO, C-FLPN, QC-III, QC-P14 (2) grup B meliputi C-SMUT, C-BNHYU, SC-NAD, C-SMDU, SC-SMUT3, SC-PRBA dan (3) grup C meliputi C-MNDO, C-PAK, SC-DSBG. Analisis molekuler terhadap 32 aksesi menghasilkan 50 pita yaitu 47 pita polimorfik (98%) dan pita monomorfik sebanyak 3 pita (2%). Hasil analisis pengelompokan skor pita DNA dengan menggunakan program NTSYS, diperoleh 3 grup pada koefisien kemiripan 0.66 yaitu (1) grup A meliputi C-KAS, C-SMUT, C-PAK, QC-V49, Q-KTM2, C-LMPG3, C-SMUT2, C-SMDU, Q-RIAU, QC-AZRI, C-BNHYU, C-FLPN, Q-KTM1, Q-BLI, Q-MNDO, C-LMPG1, QC-P14, (2) grup B meliputi QC-P5/12, QC-P10, QC-III, C-DSBG, SC-SMUT3,QC-P18, Q-OGIL, SC-NAD, SC-PRBA, C-RNIS, SC-SMDG, SC-WNSBO, SC-JPG dan (3) grup 3 meliputi CNN. Penggabungan data penanda morfologi dan penanda molekuler memberikan informasi secara fenotipik dan genotipik. Karakter yang digunakan adalah penggabungan 31 karakter morfologi dan 10 primer yang menghasilkan 50 pita, sehingga total gabungan karakter adalah 81. Hasil analisis dengan menggunakan program NTSYS pada koefisien kemiripan 0.61, diperoleh dendrogram membentuk 3 grup, yaitu (1) grup A meliputi C-KAS, C-SMUT, CPAK, C-BNHYU, C-SMDU, C-FLPN, QC-III, C-DSBG, Q-KTM1, Q-KTM2, CLMPG3, C-SMUT2, Q-RIAU, Q-BLI, QC-V49, QC-AZRI, C-LMPG1, C-RNIS, QH-BBEL, Q-OGIL, QC-P18, QC-P10, QC-P5/12, CNN, SC-SMDG, SC-JPG, SC-WNSBO, QC-P14 (2) grup B meliputi Q-MNDO, SC-NAD, SC-PRBA dan (3) grup D meliputi SC-SMUT.
Keyword: 

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition