Judul: Perbedaan antara lymphoid leukose (LL) dan penyakit marek (PM) ditinjau dari sudut kausa, patogenesa, perubahan paska mati dan histopatologik
Abstrak: LL adalah salah satu penyakit Leukosis/Sarcoma group yang paling sering ditemukan dan merupakan satu-satunya bentuk leukosis ekstra vaskuler unggas yang bisa dipindahkan. PM didefinisikan sebagai penyakit proliferasi limfo- id pada unggas. LL dan PM sulit dibedakan karena manifestasi penyakitnya hampir serupa. LL dan PM tergolong dalam golongan penyakit yang penting, karena secara ekonomis kedua penyakit tersebut dapat menimbulkan kerugian yang besar. Penyebab LL adalah virus RNA golongan myxovirus sub group A dan B, umumnya menyerang ayam dewasa kelamin dengan pola penyebaran utama secara transovarial. PM disebabkan oleh virus DNA golongan Herpes virus, menyerang ayam-ayam yang lebih muda dengan pola penyebaran penyakit secara horizontal. Perubahan pasca mati dari LL terutama ditemukan pada hati, limpa dan BF. Pada PM kelainan dapat ditemukan pada sistem syaraf, alat tubuh visceral, otot, kulit dan mata. Gambaran histopatologik dari tumor LL ternyata lebih seragam dan terdiri dari sel-sel limfoblast. Sedangkan pada PM, susunan selulernya terdiri dari sel-sel limfoblast, sel limfosit kecil, sedang dan besar, sel retikulum dan sel PM. Dengan memperhatikan aspek kausa, patogenesa, perubahan pasca mati dan histopatologik, maka diagnosa penya- kit secara cepat dan tepat akan terlaksana.
Keyword: 

Judul: Perbedaan Antara Lymphoid Leukose (LL) dan Penyakit Marek (PM) ditinjau dari Sudut Kausa, Patogenesa, Perubahan Pasca Mati dan Histopatologik
Abstrak: ZL adalah salah satu penyakit Leukosis/Sarcoma group yang paling sering ditemukan dan merupakan satu-satunya bentuk leukosis ekstra vaskuler unggas yang bisa dipindabkan, PM didefinisikan sebagai penyakit prolif erasi limfoid pada unggas. EL dan PM sulit dibedakan karena manifestasi penyautnya hampir serupa.
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4