Judul: Pengaruh Pemberian Inokulan rhizobium Pada Berbagai Proporsi Pemberian N Awal terhadap Perkebangan Bintil Akar dan Pertumbuhan Bibit Tanaman Jeunjing (Paraserianthes Falcataria)
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh pemberian inokulan rhizobium pada berbagai pemberian N awal terhadap perkembangan bintil akar dan tumbuhan tanaman jeujing (Paraserianthes falcataria) Penelitian dilakukan di Laboratorium Lapang Jurusan Budi Daya Pertanian IPB, Darmaga Bogor, mulai tanggal 14 Februari 1990 sampai dengan tanggal 17 Mei 1990.
Keyword: 

Judul: Uji taraf pemupukan nitrogen dan inokulasi Rhizobium japonicum terhadap pertumbuhan bintil akar dan produksi kedelai (Glycine max L Merril) varietas tidar
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh pemupuken nitrogen dan dua Galur R. Japonicum yang berbeda terhadap pertumbuhan tanaman, jumlah dan bobot bintil akar, produksi kedelai Varietas Tidar pada Latosol Cimanggu. Metoda percobaan yang dipergunakan adalah Rancangan Petak Terpisah (Split Plot Design). Sebagai petak utama adalah perlakuan inokulan dengan taraf tanpa inokulan (R), diberi inokulan Rhizogin A (R₁), dan B (R₂), sedangakan anak petak merupakan perlakuan pupuk urea dengan taraf O kg urea/ha (No), 50 kg urea/ha (N₁), dan 100 kg urea/ha (N2). Dilakukan dengan 3 blok sekaligus sebagai ulangan, dimena tiap petak berukuran 3 x 4 m². Pengaruh inokulan tidak berbeds nyata terhadap tinggi tanaman, jumlah polong, jumlah dan bobot bintil akar, dan produksi kedelai, karena lahan yang digunakan pernah dits- nami kedelsi, sehingga efek karena pengaruh residu kedelai masih terlihat pada tanah ini. Pemupukan N berpengaruh meningkatkan tinggi tanaman, jumlah polong, dan produksi kedelai, tetapi menurunkan be- rat kering bintil akar primer, sedangkan terhadap jumlah dan berat kering bintil akar sekunder tidak berbeda nyata…
Keyword: 

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition