Judul: Epivag Sebagai Penyebab Kegagalan Reproduksi Dan Penanggulangannya Pada Sapi
Abstrak: "Epivag" merupaka suatu penyakit viral yang menyerang organ reproduksi baik pada sapi jantan maupun betina, disebabkan oleh virus dan hanya terdapat di benua Afrika. Nampaknya sapi-sapi sialng Inggris di Afrika sangant peka terhadap penyakit tersebut. Mengingat bahwa sapi-sapi silang Inggris sudah banyak di impor ke Indonesia, maka perlu diperhitungkan kemungkinan penyebaran penyakit tersebut di Indonesia.
Keyword: 

Judul: Retensio secundinae sebagai faktor penyebab kegagalan reproduksi pada sapi
Abstrak: Kegagalan Reproduksi merupakan salah satu faktor pembatas Produksi dan Populasi ternak khususnya Sapi perah. Manifestasi dari Kegagalan Reproduksi dapat berupa: Kegagalan memperlihatkan berahi, Kegagalan menjadi bunting dan Kegagalan memelihara kebuntingan. Sebagai akibat dari Kegagalan Reproduksi dapat berupa Infertilitas (Kemajiran sementara) atau Steril (Majir untuk selamanya). Adanya Kegagalan Reproduksi pada Sapi biasanya terjadi setelah hewan tersebut mengalami Retensio Secundinae yang diawali dengan kasus Endometritis akibat infeksi kuman non spesifik. Retensio Secundinae adalah tertahannya selubung foetus dalam kandungan dan melebihi waktu yang normal setelah foetus dikeluarkan. Plasenta dianggap retensi atau tertinggal dalam kandungan jika setelah 8 12 jam belum seluruhnya dikeluarkan. plasenta Kejadian Endometritis dan Metritis setelah adanya Retensio Secundinas adalah sangat mungkin. Hal ini dapatlah. dimengerti bahwa pertama dengan kasus retensio secundinae sangat memungkinkan terjadinya infeksi kuman-kuman non spesifik seperti Staphylococcus, Streptococcus, E. coli spes dan tersering oleh Corynebacterium pyogenes. ..
Keyword: 

Judul: Photosensor producing based on ferroelectric material of Ba0,5Sr0,5TiO3 doped by Ferrium Oxide (Fe2O3) on a P-Type Silicon Substate Si (100) applied as a digital camera with a single pixel image sensor
Abstrak: Thin film Ba0,5Sr0,5TiO3 (BST) doped with Fe2O3 was grown on p-type silicon substrate (100) using chemical solution deposition (CSD). It used the solvent 2-methoxyethanol with annealing temperature of 850°C and the doping treatment Fe2O3 of 2.5, 5, 7.5, 10 % of the mass formed BST. Pure BST had the highest absorption of 600 nm of light wavelength. Additions Fe2O3 moves highest absorption in the range of 560 nm. Fe2O3 addition was strengthening thin film sensitivity to the effects of light. In general, doping Fe2O3 10% was result the best absorbance and current-voltage of BST thin film. Electrical properties of thin films BST include dielectric, photoconductivity, and dissipation energy. Based on the current-voltage (I-V) analysis, pure BST and doped BST showed photodiode properties. Dielectric values obtained in the range from 23.32 to 243. Based on electrical conductivity data and energy dissipation, BST thin films have shown photodiode characteristics and are therefore suitable as light sensors. The image sensor in a digital camera is also a light sensor. This BST thin film has been scientifically proven to be a light sensor and also it can be applied as an image sensor. This is a novelty image sensor based on thin film Ba0.5Sr0.5TiO3.
Keyword: barium strontium titanate, thin film, photodiode, image sensor, digital camera