Judul: Simulasi Piranti N-Mosfet Dengan Metode Finite-Difference
Abstrak: Piranti MOSFET (Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). adalah bagian terpenting dari rangkaian terintegrasi berskala sangat besar (Very Large Scale Integrated Circuit - VLSI) seperti pada mikroprosesor dan memori. Penelitian piranti MOSFET terus dikembangkan untuk memperoleh piranti yang lebih kecil lagi dengan karakteristik yang lebih baik. Di dalam rangkaian terintegrasi mikroprosesor yang ada saat ini terdapat dua juta sarnpai sembilan juta transistor. Transistor yang digunakan adalah MOSFET. Jadi perkembangan teknologi MOSFET sangat berpengaruh terhadap perkembangan teknologi komputer dan elektronika. MOSFET adalah suatu piranti dengan empat terminal, yaitu: drain, gale, source dan base. Dalarn simulasi ini yang akan dimodelkan adalah n-MOSFET yaitu MOSFET dengan n-channel dimana operasi piranti ini didasarkan atas pembentukan II-challllel pada substrat semikonduktor tipe-p. Piranti n-MOSFET terdiri dari substrat semikonduktor tipe-p dan dua daerah semikonduktor tipe-n + pada bagian kontak source dan draill. Kontak logam pada daerah oksida disebut gale. Bagian tengah dari piranti ini identik dengan dioda persambungan logam dengan oksida semikonduktor (MOS - Metal Oxide Semiconductor).
Keyword: 

Judul: Simulasi transistor bipolar dengan metode finite difference
Abstrak: Transistor bipolar disebut juga dengan transistor dwikutub. Transistor dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus, dimana terdapat dua macam arus yaitu arus masukan (I) dan arus keluaran (Ic). Arus keluaran (lc) berbanding lurus dengan arus masukan IE. Penelitian ini meneliti transistor bipolar pnp yang berperan sebagai penguat (basis ditanahkan). Dalam pembuatan transistor pnp, awalnya daerah tipe-n dibentuk di atas substrat tipe-p. Kemudian di atas daerah tipe-n dibentuk daerah p". Daerah p* mempunyai konsentrasi doping yang paling besar dan + daerah ini disebut juga dengan emitor. Doping daerah tipe-n lebih rendah dari tipe-p", tetapi lebih besar dari daeralı tipe-p dan daerah ini disebut basis. Doping yang paling rendah adalah pada daerah tipe-p, daerah ini disebut kolektor. Dalam pembuatan transistor pnp harus sangat memperhitungkan lebar basis. Lebar basis tidak boleh terlalu lebar atau terlalu sempit. Jika lebar basis cukup besar maka arus tidak akan terjadi pada transistor sehingga transistor tidak bekerja. Lebar atau sempitnya daerah basis erat kaitan dengan suatu parameter yaitu parameter co. Untuk disain transistor yang baik, nilai co hampir sama dengan 1, yaitu a = 0.990 – 0.998. Tujuan penelitian ini adalalı menghitung potensial, medan listrik dan karakteristik arus- tegangan transistor pnp. Untuk mewujudkan tujuan, maka dalam penelitian ini ditinjau beberapa faktor yang mempengaruhi nilai dari potensial, medan listrik dan karakteristik arus-tegangan, yaitu dengan memvariasikan besar konsentrasi doping, besar tegangan panjar dan lebar basis. Pada penelitian ini, transistor dengan lebar basis 1 µm untuk kosentrasi 5x1018 - 5x1016. 5×10¹³ cm³ yang bekerja pada tegangan VEB =0.85 V dan VCB = -6 V sampai -1 V merupakan transistor yang cukup bagus, karena dari hasil simulasi ciri-ciri potensial, medan listrik dan karakteristik arus-tegangan yang diharapkan bisa diperoleh dan menghasilkan parameter = 0.994 - 0.993.
Keyword: 

Judul: Penyebab kematian burung kakatua jambul kuning (Cacatua galerita) di Taman Margasatwa Ragunan dan Taman Burung TMII (Periode Januari 2001 - Januari 2002)
Abstrak: Studi kasus ini bertujuan untuk mengetahui penyebab kematian pada Burung Kakatua Jambul Kuning (Cacatua galerita) serta penanganan dan pencegahannya. Pengkajian ini berdasarkan pada pemeriksaan atau pengamatan langsung di lokasi kandang burung maupun lingkungannya, pengumpulan laporan data kasus penyakit, pengobatan dan pencegahannya, wawancara langsung dengan dokter hewan, paramedis maupun pemeriksaan feces serta studi pustaka. Upaya perlindungan terhadap burung Kakatua Jambul Kuning yang merupakan satwa langka sudah dilakukan oleh Pemerintah., terbukti dengan diterbitkannya Undang-Undang No. 5 tahun 1990, Surat Keputusan Menteri No.301/Kpts-II/1991, Peraturan Pemerintah Republik Indonesia No. 7 tahun 1999 (Sozer, 1999). Perlindungan yang selama ini telah dilakukan di penangkaran ex-situ Taman Margasatwa Ragunan (TMR) dan Taman Burung TMII (TB TMII). Pada kedua tempat penangkaran tersebut burung kakatua akan dipelihara sedapat mungkin seperti pada kehidupan di alam bebas. Hasil yang diperoleh pada kedua tempat penangkaran tersebut menunjukkan bahwa kasus traumatik merupakan kasus penyebab kematian yang tertinggi. Traumatik tersebut disebabkan beberapa hal dan yang tertinggi karena berkelahi. Di Kandang Karantina Taman Margasatwa Ragunan dilaporkan ada 3 kasus kematian traumatik dari 7 gambaran post mortem yang diperiksa (42,86%), sedangkan pada Kandang Pamer berjumlah 2 kasus dari 3 gambaran post mortem yang diperiksa (66,67%). Pada Taman Burung TMII kasus kematian yang disebabkan oleh traumatik, ditemukan di Klinik yang berasal dari Kandang Pamer sebanyak 2 kasus dari 3 gambaran post mortemnya (66,67%). Studi kasus ini diharapkan menjadi tambahan data acuan dalam upaya pelestarian dan pengembangan populasi Kakatua Jambul Kuning.
Keyword: