Judul: Karakterisasi Optik dan Listrik Film LiTaO3 (Lithium Tantalate) pada Substrat Silikon [Si(111)] Tipe-n/n+
Abstrak: Telah berhasil dibuat film LiTaO3 pada substrat silikon [Si(111)] tipe-n/n+ dengan variasi suhu annealing selama 8 jam pada suhu 550 oC, 575 oC, 600 oC, dan 625 oC. Metode yang digunakan yaitu Chemical Solution Deposition (CSD) dengan spin coating berkecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dalam kelarutan 1 M. Analisis energi band gap menggunakan metode Tauc Plot menghasilkan nilai sebesar 2.59 - 2.72 eV. Hasil analisis XRD untuk film LiTaO3 pada suhu annealing 600 oC menunjukkan bahwa struktur kristalnya membentuk hexagonal dengan parameter kisi a = b = 5.199Å dan c = 13.890Å. Hasil uji optik menunjukkan bahwa film LiTaO3 dapat mengabsorbsi spektrum Inframerah dekat dengan transisi indirect. Hasil uji listrik menunjukkan bahwa film LiTaO3 termasuk material semikonduktor
Keyword: LiTaO3, electrical properties, optical properties, n/n+-type silicon [Si(111)], XRD, Karakterisasi XRD, X-Ray difraction, Metode tauc plot, Konduktivitas, Konstantra dielektrik

Judul: Karakteristik Optik Dan Listrik Film Tipis Litao3 Di Atas Substrat Si Tipe P(100) Pada Variasi Suhu Annealing
Abstrak: Telah berhasil ditumbuhkan film tipis Lithium tantalat (LiTaO3) pada substrat Si tipe-p (100) pada variasi suhu annelaling selama 8 jam 550 0C, 600 0C, 650 0C, 700 0C, 750 0C, 800 0C. Dengan metodeChemical Solution Deposition (CSD) dan dengan kecepatanrotasi spin coating 3000 rpm selama 30 detik dan kelarutan 1 M ditumbuhkan film tipis LiTaO3. Hasil karakterisasi optik telah menunjukkan bahwa (LiTaO3) dapat menyerap spektrum inframerah. Analisis band gap menggunakan metode Tauc Plot dengan hasil berturut turut 2,09 eV, 2,98 eV, 1,98 eV, 2,30 eV, 1,98 eV, 1,96 eV.Besarnya nilai band gap dipengaruhi oleh atom O pada ikatan LiTaO3. Pada pita energi, Li menempati pada 2s state, Ta pada state 5d dan O pada state 2d. Oksigen memperbesar nilai band gap sebesar 4 ev. Diatas pita valensi kebanyakan oksigen dengan p state yang mengambarkan besarnya densitas transisi logam d state pada pita valensi yang artinya tingkatan state p oksigen pada dua material hybrid ditingkatan d. Apabila dua material terjadi hybridisasi antara transisi konduksi pada tingkatan d state dan p state oksigensehingga hal inilah yang menjadi alasan oksigen berubah arah ke transisi konduksi. Hibridisasi menunjukan karakteristik keteraturan suatu bahan.Dengan peningkatan suhu anneling diharapkan akan mengurangi densitas O pada molekul hal ini terjadi karena O memperbesar nilai energi gap.Nilai indek bias terbesar pada suhu 800 0C dengan nilai 2,38. Nilai Impedansi terbesar pada suhu 650 0C dan Konstanta dialektrikterbesar pada suhu 800 0C. Pengaruh suhu annealing, ketebalan film dan fase transisi berpengaruh terhadap nilai kapasitansi, impedensi dan konstanta dialektrik. Dari karakteristik optik dan listrik menunjukkan bahwa LiTaO3 dapat digunakan sebagai sensor inframerah.
Keyword: LiTaO3, Chemical Solution Deposition(CSD), asorbansi, Indek bias, energi gap, Impedensi, Kapasitansi, Konstanta dialektrik

Judul: Hubungan Antara Patogeesa Penyakit Gumboro dengan Umur, Tingkat Komplemen dan Lesio pada Ayama
Abstrak: Penyakit Gumboro pertamakali dikenal dengan nama Avian Nefrosis karena menyebabkan peradangan ginjal , ditemukan oleh Cosgrove di daerah Delaware Amerika Serikat. Penyakit ini kemudian dikenal dengan nama Infectious Bursa1 Disease (IBD) karena menyebabkan penyingkiran bursa Eabricius dan dikenal pula dengan nama penyakit Gumboro, sesuai dengan nama tempat pertamakali penyakit ini ditemukan. Penyakit ini mempunyai arti penting karena sifat imunosupresifnya sehingga akibat sekunder penyakit ini lebih merugikan dibandingkan dengan akibat langsung penyakitnya sendiri.
Keyword: