Judul: Pengaruh prostaglandin F2alfa terhadap ovolusi pada domba Priangan
Abstrak: Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui sejauh mana prostaglandin F2∞ lasi. (PGF2) dapat mempengaruhi ovu- Hewan yang dipergunakan adalah domba Periangan sebanyak 18 ekor, yang dibeli dari Pasar Hewan, Jalan Peja- galan, Kota Madya Bogor. Berat domba berkisar antara 18 sampai 20 kg, berumur antara satu sampai 1.5 tahun. PGF 2 disuntikan secara intramuskuler sebanyak 7.5 mg per ekor pada fase luteal. Hasil penelitian ini menunjukkan bahwa pada penyeren- takan berahi pada domba dengan PGF2× diperoleh prosen- tase berahi 80%, sedangkan prosentase ovulasi selalu 100%. PGF 2α nyata mempengaruhi peningkatan jumlah sel telur yang diovulasikan (P 0.05), dengan mekanisme yang belum diketahui. Terdapat perbedaan yang nyata (P 0.05) an- tara jumlah ovulasi pada ovarium kanan dan ovarium kiri. Jumlah ovulasi ovarium kiri lebih besar daripada ovarium kanan.
Keyword: Corpus luteum, Radio immuno assay, Luteolitik, Bogor Agricultural University

Judul: Pengaruh berbagai dosis prostaglandin F-2 alfa terhadap siklus birahi domba Periangan
Abstrak: Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui pengaruh berbagai dosis PGF an. 2 terhadap siklus berahi domba Periang- Hewan yang dipergunakan dalam penelitian ini adalah domba Periangan. Bogor. Domba dibeli dari Pasar Hewan, Kota Madya Berat domba berkisar antara 18 sampai 20 kg berumur antara satu sampai dua tahun. PGF 20 disuntikkan intramuskuler pada fase luteal (hari ke sembilan setelah permulaan berahi). Dosis yang dipergunakan adalah 0, 1.5, 3, 4.5, 6, 7.5 dan 9 mg per ekor untuk masing-masing kelompok yang terdiri dari empat ekor domba. Pada percobaan ini didapatkan bahwa 1) Lama siklus berahi normal berkisar diantara 16 sampai 18 hari, rata- rata 16.67 + 0.66 hari. rata-rata 42 + 7.54 jam. Lama berahi 24 sampai 48 jam, rata-rata 42 +- 7.54 Jam. 2) Dosis PGF 2 tidak mempengaruhi lama berahi (P> 0.05).
Keyword: Dosis PGF, Domba priangan, Reproduksi domba, Siklus birahi

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4