Judul: Studi Pengaruh Spesies dan Posisi Embrio pada Benih terhadap Viabilitas Benib Aren (Arenga sp. (Wurmb.) Merr.)
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh spesies dan posisi embrio pada benih terhadap viabilitas benib aren (Arenga sp. (Wurmb.) Merr.). Penelitian dilaksanakan pada bulan September 1998 sampai Pebruari 1999 di Laboratorium Ilmu dan Teknologi Benih IPB Leuwikopo. Penelitian menggunakan percobaan faktorial dengan Rancangan Acak Kelompok yang terdiri dari dua faktor yaitu faktor spesies aren yang terdiri dari tiga taraf A. pinnata (Vl), A. undulatifolia (V2) dan A. mindorensis (V3) dan faktor posisi embrio pada benib yang terdiri dari dua taraf yaitu posisi embrio di sebelah kiri benih (Kl) dan posisi benih di sebelah kanan benih (K2). Pengamatan dilakukan terhadap parameter parameter Viabilitas Total dengan tolok ukur potensi tumbuh maksimum, Viabilitas Potensial dengan tolok ukur daya berkecambah, parameter Vigor Kekuatan Tumbub Benib dengan tolok ukur kecepatan tumbuh, spontanitas tumbuh dan germination value, parameter Vigor Kekuatan Tumbuh Bibit dengan tolok ukur tinggi tanaman, panjang akar, panjang seludang daun dan panjang seludang kotil serta terhadap kadar air benih. lnteraksi perlakuan spesies dan posisi embrio pada benih tidak menunjukkan perbedaan yang nyata antara benih spesies A. pinna/a, A. undulatifolia dan A. mindorensis dengan posisi embrio sebelah kanan benih maupun posisi embrio sebelah kiri benih pada semua parameter yang diamati. Perlakuan faktor tungal spesies berpengaruh nyata pada sernua tolok ukur. Spesies A. pinnata dan dan A. mindorensis rnernpunyai potensi turnbuh rnaksirnurn, daya berkeearnbah, keeepatan turnbuh, spontanitas turnbuh, germination vallie, panjang akar dan panjang seludang kotil yang sarna, tetapi spesies A. IIndulati/olia rnernpunyai nilai yang lebih kecil daripada kedua spesies tersebut. Pada tolok ukur panjang seludang daun, tinggi tanarnan dan kadar air ketiga spesies rnenunjukkan perbedaan. Spesies A. pinnata rnernpunyai nilai panjang seludang daun dan tinggi tanarnan paling besar dibanding dua spesies yang lainnya sedangkan A. undulatifolia rnernpunyai nilai panjang seludang daun dan tinggi tanarnan yang paling kecil dan A. mindorensis berada diantaranya. Spesies A. mindorensis rnernpunyai kadar air paling tinggi (32,280 %) disusul A. pinnata (27,828 %) dan A. undulatifolia rnernpunyai kadar air paling rendah (25,690 %). Perlakuan faktor tunggal posisi ernbrio yaitu posisi ernbrio di sebelah kiri dan posisi ernbrio di sebelah kanan benih tidak rnenunjukkan perbedaan yang nyata pada sernua tolok ukur keeuali terhadap tolok ukur panjang seludang daun. Benih dengan posisi ernbrio di sebelah kiri mernpunyai panjang seludang daun lebih panjang (11,41 cm) daripada benih dengan posisi ernbrio di sebelah kanan benih (8,17 cm).
Keyword: 

Judul: Pengaruh cara ekstraksi benih dan perlakuan pematahan dormansi terhadap viabilitas benih aren, Arenga pinata (Wurmb.) Merr.
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh cara ekstraksi benih dan perlakuan pematahan dormansi terhadap viabilitas benih aren (Arenga pinnata (Wurmb.) Merr.). Penelitian dilaksanakan mulai bulan April 2005 sampai dengan Oktober 2005, bertempat di Laboratorium dan Rumah Kasa Ilmu dan Teknologi Benih, Fakultas Pertanian, IPB. Benih aren yang digunakan berasal dari hutan aren di Desa Omu Kecamatan Sigi Biromaru Kabupaten Donggala, Sulawesi Tengah. Rancangan percobaan yang digunakan dalam penelitian ini adalah Rancangan Acak Kelompok (RAK) yang terdiri dari 2 faktor. Faktor pertama adalah Cara Ekstraksi Benih (E) yang terdiri dari 2 taraf yaitu buah direndam dalam air selama 5 hari (E₁) dan buah diperam dalam karung goni lembab selama 10 hari (E2). Faktor kedua adalah Perlakuan Pematahan Dormansi (P) yang terdiri dari 7 taraf yaitu skarifikasi benih dengan menggosok menggunakan kertas amplas (P1), skarifikasi dan direndam dalam KNO3 0,5% selama 36 jam (P2), skarifikasi dan direndam dalam Previcur N 5 ml/1 selama 6 jam (P3), skarifikasi dan dimasukkan dalam inkubator pada suhu 40 °C selama 5 menit (P4), skarifikasi dan dimasukkan dalam inkubator pada suhu 35 °C selama 5 menit (P5), skarifikasi dan direndam dalam KNO3 0,5% selama 36 jam kemudian dimasukkan dalam inkubator pada suhu 40 °C selama 5 menit (P6), skarifikasi dan direndam dalam KNO3 0,5% selama 36 jam kemudian dimasukkan dalam inkubator pada suhu 35 °C selama 5 menit (P7). Terdapat 14 kombinasi perlakuan dan setiap perlakuan diulang sebanyak 3 kali sehingga terdapat 42 satuan percobaan. Parameter yang diamati meliputi Viabilitas Total dengan tolok ukur Potensi Tumbuh Maksimum (%), Viabilitas Potensial dengan tolok ukur Daya Berkecambah (%) dan Viabilitas Dormansi dengan tolok ukur Intensitas Dormansi (%).
Keyword: 

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition