Judul: Sifat fenotipik domba priangan di Kabupaten Pandeglang dan Garut
Abstrak: Populasi domba antar daerrth di Jawa Barat sangat beragam. Domba Priangan merupakan bangsa domba yang diduga hasil persilangan tiga bangsa yaitu domba Merino, Kaapstad dan Lokal yang terbentuk secara spontan. Sejak terbentuknya seratus tiga puluh tahun yang lalu domba ini tidak diilcuti dengan seleksi yang memantapkan sifat-sifat domba Priangan. Adanya mobilitas antar daerah, masuknya domba impor, terjadinya perkawinan tidak terkontrol serta tidak adanya program pemuliaan yang terarah, mengakibatkan terganggunya sifat-sifat genetik domba Priangan.
Keyword: 

Judul: Parameter fenotipik dan genetik sifat pertumbuhan serta pengamatan beberapa sifat kuantitatip domba Priangan
Abstrak: Penelitian ini dilakukan dari April 1979 sampai dengan Agustus 1980 pada Proyek Pengembangan dan Pembibitan Domba Priangan "Margawati" di Garut, Jawa Barat. Penelitian menggunakan 8 ekor pejantan dan 149 ekor domba induk Priangan dengan sistem pemeliharaan secara terkurung. Analisa genetik dilakukan secara "paternal half sib correlation" dengan model bersarang, dengan anggapan dasar bahwa individu domba dipilih dari populasi yang menunjukkan koefisien inbreeding sama dengan nol. Pengukuran dilakukan terhadap bobot lahir, bobot sapih, tinggi pundak, tinggi pinggul, tinggi sendi karpus dan sendi tarsus dari seluruh anak domba yang lahir. Diperoleh data dari 108 ekor induk domba yang melahirkan se jumlah 158 ekor anak dan 116 ekor anak sampai umur 120 hari. Semua angka dikoreksi dan dikembalikan pada anak tunggal jantan dengan menggunakan faktor koreksi nilai tengah, dalam perhitungan heritabilitas maupun perhitungan korelasi fenotipik dan genetik antara sifat yang diamati.
Keyword: Fenotipik;, Genetics;, Heritabilitas;, Bogor Agricultural University;

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition