Judul: Characterization of the crystal structure and optics of  BaTiO3 thin film in Ruthenium powder
Abstrak: Sintesis dan karakterisasi film tipis BaTiO3 dengan variasi konsentrasi pendadah Rutenium 0%; 0,5%; dan 1% telah berhasil dilakukan menggunakan metode Chemical Solution Deposition. Film BaTiO3 yang dibuat dalam konsentrasi 2M ditumbuhkan dengan teknik spin coating dalam lima kali pelapisan dengan kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dan melalui proses annealing selama 8 jam pada suhu 850°C. Film tipis BaTiO3 dikarakterisasi dengan XRD, UV-Vis dan FTIR untuk menganalisis struktur kristal dan sifat optik sampel. Hasil karakterisasi XRD dengan metode Cramer- cohen dan software MAUD menunjukkan bahwa parameter kisi semakin berkurang dan struktur kristal tetap berbentuk tetragonal. Karakterisasi spektrofotometer UV-Vis menunjukan peningkatan nilai reflektansi pada rentang panjang gelombang 380 - 600 nm dengan peningkatan nilai energi bandgap dari analisis Kubelka-Munk untuk direct bandgap sebesar 2,41 eV, 3,37 eV dan 3,42 eV. Kemudian karakterisasi spektroskopi FTIR mengadopsi relasi Kramers-Kronig diperoleh indeks bias (n), koefisien extinction (k) dan parameter dielektrik bagian real (ε1) juga bagian imajiner (ε2) pada bilangan gelombang dengan penambahan pendadah Rutenium memperkecil medan listrik dan menyebabkan penurunan nilai moda optik TO dan LO yang memengaruhi konstanta optik sampel., Synthesis and characterization of BaTiO3 thin films with various concentrations of 0%; 0,5%; and 1% ruthenium scavenger has been successfully carried out using the Chemical Solution Deposition method. The BaTiO3 film prepared in a concentration of 2M was grown using the spin coating technique in five layers with a rotational speed of 3000 rpm for 30 seconds and annealed for 8 hours at 850°C. BaTiO3 thin films were characterized by XRD, UV-Vis and FTIR to analyze the crystal structure and optical properties of the samples. The results of the XRD characterization using the Cramer- Cohen method and MAUD software show that the lattice parameters decrease and the crystal structure remains tetragonal. Characterization of the UV-Vis spectrophotometer shows an increase in reflectance values in the wavelength range of 380-600 nm with an increase in the bandgap energy value from the Kubelka-Munk analysis for direct bandgap of 2,41 eV, 3,37 eV and 3,42 eV. Then the FTIR spectroscopic characterization adopts the Kramers-Kronig relation obtained refractive index (n), extinction coefficient (k) and the dielectric parameters of the real part (ε1) as well as imaginary part (ε2) in wave numbers with the addition of ruthenium divider reduce the electric field and causes a decrease in moda value optical TO and LO which affect the optical constant of the sample.
Keyword: BaTiO3, bilangan gelombang, CSD, energi bandgap, parameter kisi, bandgap energy, lattice parameters, wavenumber

Judul: Characteristic of BaTiO3 Thin Films  Electricity Doped with Ruthenium on Type-P Silicone Substrate
Abstrak: Film tipis Barium Titanat (BaTiO3) telah berhasil dibuat dengan menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan Spin Coating. Dalam penelitian ini telah dibuat film BaTiO3 didadah Ru dengan variasi konsentrasi pendadah 0%, 0,5%, dan 1%. Film tipis tersebut dideposisikan di atas substrat silikon tipe-p (100). Film tipis BaTiO3 melalui tahap annealing pada suhu 850oC ditahan selama 8 jam dengan kelajuan kenaikan suhu sebesar 1,67oC/menit, kemudian mengalami proses pendinginan 12 jam. Film tipis BaTiO3 didadah Ru dikarakterisasi sifat listriknya dengan menggunakan I-V meter, dan Space Charge Limited Current (SCLC). Kurva I-V menunjukkan bahwa film tipis memiliki karakteristik dioda dan responsif terhadap perubahan intensitas radiasi cahaya. Peningkatan konsentrasi pendadah Ru menyebabkan nilai saturasi meningkat, sedangkan nilai potensial penghalang menurun. Penambahan konsentrasi pendadah Ru secara linear menyebabkan kenaikan nilai mobilitas muatan. BaTiO3 didadah Ru memiliki sifat kelistrikan dan responsif terhadap cahaya., Barium Titanate (BaTiO3) thin films have been successfully created using Chemical Solution Deposition (CSD) Method and Spin Coating. In this research, BaTiO3 films are doped with Ru with concentration variants of 0%, 0,5%, and 1%. Those thin films are deposited above a silicon substrate type-p (100). BaTiO3 films are through annealing process at 850°C and held for 8 hours with temperature rise rate of 1,67°C/minutes, then undergoes a cooling process for 12 hours. BaTiO3 doped with Ru were characterized by their electrical properties with I-V Meter, and Space Charge Limited Current (SCLC). The curve from I-V meter shows that thin films have diode characteristics and responsive to change in the intensity of light radiation. The increase of doped concentration of Ru causes the saturation value to also increase, meanwhile the potential value of the barrier decreases. The addition of doped concentration of Ru linearly causes the increase of load mobility. BaTiO3 doped with Ru has electrical properties and is responsive to light.
Keyword: saturation current, BaTiO3, CSD, I-V meter, electron mobility, spin coating, barrier voltage

Judul: Epivag Sebagai Penyebab Kegagalan Reproduksi Dan Penanggulangannya Pada Sapi
Abstrak: "Epivag" merupaka suatu penyakit viral yang menyerang organ reproduksi baik pada sapi jantan maupun betina, disebabkan oleh virus dan hanya terdapat di benua Afrika. Nampaknya sapi-sapi sialng Inggris di Afrika sangant peka terhadap penyakit tersebut. Mengingat bahwa sapi-sapi silang Inggris sudah banyak di impor ke Indonesia, maka perlu diperhitungkan kemungkinan penyebaran penyakit tersebut di Indonesia.
Keyword: