Judul: Struktur Kristal Film BaxSr1-xTiO3 dengan Variasi Fraksi Mol (x = 0,5 ; 0,6 ; 0,7 ; 0,8)
Abstrak: BaxSr1-xTiO (BST) film has been successfully made by growing BST on substrate surface Si (100) p-type with chemical solution deposition methode and spin coating technique at 3000 rpmrotational speed for 30 seconds. BST film made with mole fraction variation (x = 0,5 ; 0,6 ; 0,7 ; 0,8) and annealing process at a temperature of 850 °C for 22 hours. Characterization of BST samples obtained using X-ray diffractometer. The results of X-ray diffractometer characterization showed that the best crystal structure resulting in x = 0,5 mole fraction with the highest diffraction intensity and 25,55 nm crystal size, while the lowest diffraction intensity is owned by BST films with x = 0,8 mole fraction and the crystal size of 41,86 nm.
Keyword: Bogor Agricultural University (IPB), XRD., chemical solution depositon, BST, Annealing

Judul: Pembuatan Film Tipis BaxSr1-xTiO3 dengan Variasi Fraksi Mol (x = 0; 0,125; 0,250; 0,375) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition
Abstrak: Pembuatan film tipis BaxSr1-xTiO3 dengan variasi fraksi mol ( x = 0; 0,125; 0,250; 0,375) menggunakan metode Chemical Solution Deposition dengan teknik spin coating telah berhasil dibuat di atas substrat Si (100) tipe-p dan diputar pada kecepatan 8000 rpm selama 60 detik. Proses annealing dimulai pada suhu ruang dengan kelajuan 1,67°C/menit hingga mencapai suhu 850 °C dan ditahan selama 8 jam, dilanjutkan dengan proses pendinginan selama 12 jam hingga mencapai suhu ruang. Ketebalan film dihitung menggunakan metode volumetrik dan dihasilkan nilai ketebalan 2,0983 μm; 2,7977 μm; 3,4971 μm dan 3,6545 μm. Hasil perhitungan menggunakan persamaan Cramer-Cohen diperoleh nilai parameter kisi a = b = c, yaitu 3,975 Å; 3,981 Å; 4,073 Å dan 4,094 Å dengan struktur kristal kubus. Hasil analisis menggunakan MAUD diperoleh visualisasi struktur kristal kubus dengan parameter kisi 3,919 Å; 3,932 Å; 3,951 Å dan 3,956 Å. Nilai energi bandgap yang dianalisis menggunakan metode Kubelka-Munk, yaitu 3,48 eV; 3,37 eV; 3,09 eV dan 3,05 eV., Fabrication of BaxSr1-xTiO3 thin films with various mol fractions (x = 0; 0,125; 0,250; 0,375) using the chemical solution deposition method with a spin coating technique has been successfully made on a p-type Si (100) substrate and rotated at a speed of 8000 rpm for 60 seconds. The annealing process begins at room temperature at a speed of 1,67°C/min until it reaches a temperature of 850°C and is held for 8 hours, followed by cooling process for 12 hours until it reaches room temperature. Film thickness was calculated using volumetric method and the results are 2,0983 μm; 2,7977 μm; 3,4971 μm and 3,6545 μm. The results of the calculation using Cramer-Cohen equation obtained that the lattice parameters a = b = c are 3,975 Å; 3,981 Å; 4,073 Å and 4,094 Å with cubic crystal structure. The results of the analysis using MAUD obtained a visualization of the crystal structure is cubic with lattice parameters are 3,919 Å; 3,932 Å; 3,951 Å and 3,956 Å. The values of bandgap energy that was analyzed using Kubelka-Munk method equation are 3,48 eV; 3,37 eV; 3,09 eV and 3,05 eV.
Keyword: BaxSr1-xTiO3, Kubelka-Munk, MAUD, mol fraction, thin film

Judul: Inventarisasi Parasit Metazoa Pada lkan Gabus Laut (Saurida undosquamis Richardson, 1848). Ikan Samgeh (Atrobucca nibe Jordan dan Thompson, 191 1) dan lkan Gelang Mudin (Upeneus taeniopterus Cuvier, 1829) dari Tempat Pelelangan lkan Pelabuhan Ratu, Jawa Barat
Abstrak: Parasit adalah organisme yang hidup pada tubuh organisme lain dan umumnya menimbulkan efek negatif pada organisme yang ditempati tersebut. Salah satu organisme yang sering terserang parasit adalah ikan. Infeksi parasit dapat menyebabkan perubahan morfologi, penurunan bobot tubuh bahkan dapat menyebabkan penyakit pada ikan. Parasit juga dapat menyebabkan penyakit pada manusia (zoonosis). Informasi tentang parasit ikan dapat digunakan untuk pengembangan usaha budidaya ikan dan juga untuk kepentingan kesehatan masyarakat.
Keyword: