Judul: Pengaruh tingkat umur panen dan periode simpan terhadap viabilitas dan persentase benih keras pada kacang hijau (Phaseolus radiatus) varietas merak dan walet
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh tingkat umur panen dan periode simpan terhadap viabilitas dan persentase benih keras pada kacang hijau (Phaseolus radiatus) varietas Merak dan Walet. Penelitian dilakukan di Kebun Percobaan dan Laboratorium Ilmu dan Teknologi Benih IPB, Leuwikopo, Darmaga, Bogor. Penelitan disusun secara faktorial menggunakan Rancangan Acak Kelompok dengan tiga ulangan. Perlakuan terdiri dari tiga faktor, yaitu faktor varietas terdiri dari dua taraf, varietas Merak (V1) dan Walet (V2). Faktor kedua adalah perlakuan tingkat umur panen yang terdiri dari tiga taraf, yaitu 10 hari (Walet) dan 12 hari (Merak) setelah tanaman berbunga ± 70%dalam satu petakan (B₁), 17 (Walet) hari dan 19 hari (Merak) setelah tanamanberbunga ± 70% dalam satu petakan (B2) dan 22 hari (Walet) dan 24 hari (Merak) setelah tanaman berbunga ± 70% dalam satu petakan (B3). Faktor ketiga adalah faktor periode simpan yang terdiri dari enam taraf, yaitu 0 minggu (Po), 2 minggu (P1), 4 minggu (P2), 6 minggu (P3), 8 minggu (P4) dan 10 minggu (Ps). Hasil penelitian menunjukkan bahwa varietas Walet memiliki persentase benih keras lebih tinggi daripada varietas Merak. Panen yang dilakukan lebih awal memiliki persentase benih keras paling tinggi dan penyimpanan benih kacang hijau selama 10 minggu dapat menurunkan persentase benih keras.
Keyword: 

Judul: Pengaruh perlakuan invigorasi terhadap viabilitas benih kacang hijau, Phaseolus radiata L., kacang tanah, Arachis hypogea L. dan Kacang kedelai, Glycine max L. Merr. pada beberapa periode simpan
Abstrak: Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh perlakuan invigorasi benih dengan GA3, KNO3 dan Shiimarock terhadap viabilitas benih kacang hijau (Phaseolus radiata.), kacang tanah (Arachis hypogea) dan kacang kedclai (Glycine max (L.) Merr) pada beberapa periode simpan. Penelitian dilakukan dalam tiga macam percobaan di Laboratorium Ilmu dan Teknologi Benih, Dramaga, IPB, Bogor dari bulan Januari sampai dengan bulan April 2003. Percobaan I menggunakan benih kacang hijau, percobaan II menggunakan benih kacang tanah dan percobaan III menggunakan benih kacang kedelai. Masing- masing percobaan terdiri dari dua faktor. Faktor pertama adalah perlakuan invigorasi termasuk kontrol kering dan perlakuan dengan air, KNO3 1%, KNO3 2 %. KNO3 3%, GA3 50 ppm, GA3 100 ppm, GA3 150 ppm, Shiimarocks 500 ppm, Shiimarocks 1000 ppm dan Shiimarocks 1500 ppm, dan faktor kedua adalah perlakuan periode simpan 0, 1 dan 2 bulan. Rancangan yang digunakan pada setiap percobaan adalah rancangan acak kelompok dengan 3 ulangan. Peubah yang diamati adalah Daya Berkecambah (DB), Indeks Vigor (IV), Keserempakan Tumbuh (KST), Berat Kering Kecambah Normal (BKKN), Panjang Akar Kecambah (PAK), Panjang Batang Kecambah (PBK). Hasil penelitian Percobaan I menunjukkan bahwa perlakuan invigorasi tidak dapat meningkatkat Indeks Vigor (IV) dan Berat Kering Kecambah Normal (BKKN) pada periode simpan 0, 1 dan 2 bulan. Rendahnya Indeks Vigor (IV) dan Berat Kering Kecambah (BKKN) benih pada perlakuan kontrol kering di periode simpan 0 bulan diduga disebabkan karena adanya serangan hama dan penyakit. ...
Keyword: 

Judul: Photosensor producing based on ferroelectric material of Ba0,5Sr0,5TiO3 doped by Ferrium Oxide (Fe2O3) on a P-Type Silicon Substate Si (100) applied as a digital camera with a single pixel image sensor
Abstrak: Thin film Ba0,5Sr0,5TiO3 (BST) doped with Fe2O3 was grown on p-type silicon substrate (100) using chemical solution deposition (CSD). It used the solvent 2-methoxyethanol with annealing temperature of 850°C and the doping treatment Fe2O3 of 2.5, 5, 7.5, 10 % of the mass formed BST. Pure BST had the highest absorption of 600 nm of light wavelength. Additions Fe2O3 moves highest absorption in the range of 560 nm. Fe2O3 addition was strengthening thin film sensitivity to the effects of light. In general, doping Fe2O3 10% was result the best absorbance and current-voltage of BST thin film. Electrical properties of thin films BST include dielectric, photoconductivity, and dissipation energy. Based on the current-voltage (I-V) analysis, pure BST and doped BST showed photodiode properties. Dielectric values obtained in the range from 23.32 to 243. Based on electrical conductivity data and energy dissipation, BST thin films have shown photodiode characteristics and are therefore suitable as light sensors. The image sensor in a digital camera is also a light sensor. This BST thin film has been scientifically proven to be a light sensor and also it can be applied as an image sensor. This is a novelty image sensor based on thin film Ba0.5Sr0.5TiO3.
Keyword: barium strontium titanate, thin film, photodiode, image sensor, digital camera