Judul: Pengaruh Bobot Telur  terhadap Daya Tetas serta Hubungan  antara  Bobot Telur  dan Bobot  Tetas Itik Mojosari
Abstrak: Penelitian ini dilakukan di Laboratoriurn Ilmu Produksi Ternak Unggas, Falcultas Peternakan, Institut Pertanian Bogor, dari tanggal 16 September 2000 sa~npaid engall tanggal 16 Nopember 2000. Tujuan dari penelitian ini adalah untulc mengetallui pengaruh bobot telur terl~adap daya tetas serta hubungan antara bobot telur dm bobot tetas.
Keyword: 

Judul: Pengaruh bobot telur terhadap nisbah kelamin, daya tetas dan penyusutan telur itik tegal
Abstrak: Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium Ilmu Produksi Ternak Unggas Fakultas Peternakan, Institut Pertanian Bogor, dimulai pada tanggal 25 November 1990 sampai dengan tanggal 3 Januari 1991. Sebagai materi penelitian yang digunakan adalah telur tetas Itik Tegal sebanyak 300 butir, berasal dari peternakan rakyat di Cianjur. Peubah yang diamati dalam penelitian ini adalah nisbah kelamin, daya tetas dan penyusutan telur. Untuk mengetahui pengaruh perlakuan terhadap peubah diamati dianalisis dengan menggunakan sidik ragam. yang Data dalam persen sebelum dianalisis ditransformasikan ke dalam Aresin V% Hasil penelitian menunjukkan bahwa rataan bobot telur Itik Tegal yang diperoleh adalah sebesar 66.73 ± 4.02 gram. Bobot telur ternyata berpengaruh sangat nyata (P < 0.01) terhadap rataan nisbah kelamin. Kelompok Telur berat menghasilkan rataan nisbah kelamin sebesar 1.95 ± 0.48, sedang Kelompok Telur Ringan menghasilkan rataan nisbah kelamin sebesar 0.25 ± 0.04. Bobot telur tidak berpengaruh nyata terhadap rataan daya tetas. Rataan daya tetas pada Kelompok Telur Berat dan Kelompok Telur Ringan masing-masing sebesar 40.89±6.91 persen dan 30.21 ± 4.01 persen. Bobot telur tidak berpengaruh nyata terhadap rataan persentase penyusutan telur. Rataan persentase penyusutan telur pada Kelompok Telur Berat dan Kelompok Telur Ringan masing-masing sebesar 5.02 ± 0.62 persen dan 5.39 1.12 persen.
Keyword: 

Judul: Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi
Abstrak: Thin film of Cu2ZnSnS4 (CZTS) is an alternative semiconductor used as light absorber layer on solar cell. CZTS can replace silicon that commonly used as commercial semiconductor. The advantage of using CZTS as absorber layer is due to the abundance of its chemical composer on earth, and its high value of absorption coefficient. The absorber layer was made by using electrodeposition method on ITO glass substrates. The films were deposited at room temperature using potentiostatic mode with a potential of –1.05 V for 30, 45, and 60 minutes. After that, the films were annealed at two different temperatures, 180 ºC and 500 °C, for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. Based on X-ray diffraction analysis, the polycrystalline thin film obtained fall into kesterite crystal phase. This type of crystal was obtained when the CZTS was annealed at 500 °C in H2S/N2 atmosphere. The value of optical band gap energy for the CZTS thin film was 2.2 eV with the film thickness about 1.228–6.366 μm. The sample of CZTS with electrodeposition time of 45 minutes and annealing temperature of 500 °C showed the best result and in conformity with absorber layers criteria for solar cells.
Keyword: semiconductor, ITO glass, CZTS thin film, electrodeposition