Judul: Penyakit Infectious Bovine Rhinotracheitis Infectious Pustular Vulvovaginitis Pada Sapi
Abstrak: Penyakit Infectious Bovine Rhinotracheitis - Infectious Pustular Vulvovaginitis adalah penyakit menular pada sapi selain juga dapat menyerang kerbau, babi, kambing, rusa, antilope dan wild beest. agen penyebabnya adalah virus famili Hervesviridae type 1, mempunyai simetri icosahadral, berinti DNA dan berserabut ganda (double stranded) serta mempunyai nucleocaspid.
Keyword: 

Judul: IBR-IPV sebagai penyebab kegagalan reproduksi dan penanggulangannya pada sapi
Abstrak: Infectious Bovine Rhinotracheitis Infectious Pustular Vulvovaginitis(IBR-IPV) adalah suatu penyakit viral akut yang disebabkan oleh anggota kelompok virus Herpes famili Herpesviridae. Virus ini menyebabkan delapan bentuk gejala klinis yaitu (a) bentuk respiratorius bagian atas, (b) bentuk konjungtival, (c) bentuk digestif neonatal, (d) bentuk meningo-encephalitis, (e) bentuk vulvova- ginal, (f) bentuk preputial, (g) bentuk prenatal atau bentuk abortif dan (h) bentuk intra uterin. Peranan penyakit ini di dalam reproduksi adalah karena menyebabkan radang vulva dan vagina, abortus, degenerasi berat epitel seminiferi dan peradangan preputium, infertilitas dan sterilitas. Sedangkan pada anak-anak sapi dan sapi muda, virus IBR-IPV menyebabkan kerusakan saluran pencernaan dan meningoencephalitis. Selain itu virus ini bisa menyebabkan mastitis dan penurunan produksi susu. Diagnosa penyakit dapat dilakukan dengan melihat gejala klinis dan pasca mati, akan tetapi untuk peneguhan diagnosa sebaiknya dilakukan juga pemeriksaan laboratorium terutama isolasi virus dan uji-uji serologis supaya dapat menentukan agen penyebabnya secara pasti. ...
Keyword: 

Judul: Elektrodeposisi Film Tipis Semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) pada Substrat Kaca ITO
Abstrak: Semiconductor Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film that can be used as absorber layers on solar cell module was made via electrodeposition method. CZTS thin film was electrodeposited on the surface of a silicate glass coated with a thin layer of indium tin oxide (ITO). Deposition process was done using potentiostatic mode at room temperature with a potential of 1.05 V for 30, 45, and 60 minutes, followed with annealing the film at 2 different temperatures, 500 ºC using furnace and 180 ºC using hot plate, both treatments for 45 minutes in N2/H2S atmosphere. The X-ray difractograms were analyzed using Match 2 program and showed that the CZTS thin films had kesterit crystalline structure, with a low percentage of CZTS phase. The thin film also contained secondary phases such as Cu2S, ZnS, and SnS. The obtained CZTS thin films had a thickness between 1.039 and 1.676 μm. Absorption study showed that the band gap energy of CZTS thin films which was annealed using furnace ranged from 1.50 to 1.52 eV, whereas that annealed using the hot plate was not observed. The band gap energy value showed that CZTS thin films can be used as sunlight absorber layers on solar cell. The formation of CZTS crystal film on this investigation was effectively performed using furnace annealing process at a temperature of 500 ºC with deposition time of 45 minutes.
Keyword: Thin film, Electrodeposition, Cu2ZnSnS4